JP2548704B2 - Magneto-optical disk and its manufacturing method - Google Patents
Magneto-optical disk and its manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザビームなどを用いて情報の書込み(記
録)、再生ならびに消去を行なう光磁気ディスクに係
り、特に高耐食性で優れた磁気および磁気光学特性の磁
気記録膜を有する耐久性ならびに信頼性の高い光磁気デ
ィスク、および膜欠陥が少なく、下地層との接着性のよ
いカー(Kerr)エンハンス膜や保護膜などの誘電体膜を
有する耐久性ならびに信頼性の高い光磁気ディスクの製
造方法に関する。The present invention relates to a magneto-optical disk for writing (recording), reproducing and erasing information by using a laser beam and the like, and particularly to magnetic and magnetic materials having high corrosion resistance. Durable and highly reliable magneto-optical disk with a magnetic recording film with optical characteristics, and durable with a dielectric film such as a Kerr enhance film and a protective film with few film defects and good adhesion to the underlying layer And a method for manufacturing a magneto-optical disk having high reliability.
近年、高速高密度で、かつ大容量の情報の任意読度し
書換え可能な光磁気ディスクが注目されている。この光
磁気ディスクに用いられる磁気記録材料は、希土類元素
および鉄族元素を含む合金からなるものが主流であっ
て、種々の材料が研究されている。しかし、これらの磁
気記録材料は、使用される環境に対して活性であり、空
気中の水分や酸素と容易に反応して水酸化物や酸化物を
その表面に形成する。この反応は、光磁気ディスクの表
面からしだいに磁気記録膜の内部へと進行していくため
に、磁気記録膜の磁気および磁気光学特性を著しく低下
させるという問題が生ずる。これは、光磁気ディスクの
信頼性を低下させることになり、実用化に際して大きな
障害となっていた。In recent years, a magneto-optical disk which can read and rewrite a large amount of information at high speed and with high density has been receiving attention. The magnetic recording material used for this magneto-optical disk is mainly made of an alloy containing a rare earth element and an iron group element, and various materials have been studied. However, these magnetic recording materials are active with respect to the environment in which they are used, and readily react with moisture and oxygen in the air to form hydroxides and oxides on their surfaces. This reaction gradually progresses from the surface of the magneto-optical disk to the inside of the magnetic recording film, which causes a problem that the magnetic and magneto-optical characteristics of the magnetic recording film are significantly deteriorated. This deteriorates the reliability of the magneto-optical disk, which has been a major obstacle to practical use.
現在までに、この磁気記録膜の腐食問題を解決する方
法として、(1)磁気記録膜自身の耐食性を向上させる
方法、(2)磁気記録膜の表面あるいは界面に保護膜を
設けて外気を遮断する方法などが考えられている。特
に、前者のように磁気記録膜自身の耐食性を向上させる
ことができれば、保護膜を設ける工程が不要となり光磁
気ディスクの製造プロセスの簡略化をはかることが可能
である。このために、磁気記録膜自身の耐食性を向上さ
せる提案が多くなされており、その代表例として、特公
昭60−21217号公報および特公昭60−26825号公報があ
る。しかし、磁気記録膜の耐食性向上と磁気および光磁
気特性とは相反する関係にあり、両者を同時に満足させ
つ磁気記録膜は未だ存在していない。To date, as a method of solving the corrosion problem of the magnetic recording film, (1) a method of improving the corrosion resistance of the magnetic recording film itself, (2) a protective film is provided on the surface or interface of the magnetic recording film to shut off the outside air. The method of doing is considered. In particular, if the corrosion resistance of the magnetic recording film itself can be improved as in the former case, the step of providing the protective film becomes unnecessary and the manufacturing process of the magneto-optical disk can be simplified. For this reason, many proposals have been made to improve the corrosion resistance of the magnetic recording film itself, and representative examples thereof are JP-B-60-21217 and JP-B-60-26825. However, there is a contradictory relationship between the improved corrosion resistance of the magnetic recording film and the magnetic and magneto-optical characteristics, and there is no magnetic recording film that satisfies both of them at the same time.
他方、光磁気ディスクを製造する場合に、例えば第9
図に示す構造の光磁気ディスクにおいて、基板26上に、
カーエンハンス膜27を形成し、その上に光磁気記録膜28
を製膜し、さらにその上部に保護膜29を、スパッタ法あ
るいは真空蒸着法によって順次積層させる方法によって
光磁気ディスクを作製していた。しかし、上記の誘電体
を主体とするエンハンス膜および保護膜を製膜させる場
合に、真空蒸着法ではそれらの下地層との接着力が弱
く、またスパッタ法ではそれらの下地層表面近傍を破壊
あるいは損傷させたり、さらには膜形成速度が遅く、膜
形成の制御性が悪いなど多くの問題があった。On the other hand, when manufacturing a magneto-optical disk, for example,
In the magneto-optical disk having the structure shown in the figure, on the substrate 26,
A car enhance film 27 is formed and a magneto-optical recording film 28 is formed thereon.
A magneto-optical disk was manufactured by a method in which a protective film 29 was formed on the upper surface of the protective film 29 by a sputtering method or a vacuum evaporation method. However, in the case of forming an enhance film and a protective film mainly composed of the above-mentioned dielectric material, the vacuum deposition method has a weak adhesive force with those underlayers, and the sputtering method destroys or destroys the vicinity of the underlayer surface. There are many problems such as damage and slow film formation, and poor controllability of film formation.
従来、磁気記録膜自身の耐食性を向上させるために、
磁気記録材料に耐食性向上に有効な元素を添加すること
が行なわれていた。これらの添加元素には磁気および磁
気光学的特性を低下させないで、かつ耐食性を向上させ
るという条件が要求される。しかしながら上述したごと
く磁気および磁気光学特性と磁気記録膜の耐食性とは相
反する。すなわち、添加元素により耐食性は向上するも
のの磁気および磁気光学特性は低下してしまい、逆に磁
気および磁気光学特性の低下を抑制すると十分な耐食性
が得られないという問題があった。他方、光磁気ディス
クを構成する誘電体を主体とするカーエンハンス膜およ
び保護膜などの形成において、従来技術で用いられてい
る真空蒸着法では、下地層との接着性が弱いなどの問題
があり、またスパッタ法では、(1)下地層がプラズマ
により破壊される、(2)膜形成速度が遅い、(3)膜
形成の制御性が悪い、などの問題があった。さらに、こ
れら膜形成技術は膜形成の制御性が悪いので得られた膜
の再現性に欠けるという欠点を有していた。Conventionally, in order to improve the corrosion resistance of the magnetic recording film itself,
An element effective for improving corrosion resistance has been added to magnetic recording materials. These additive elements are required to have a condition that the magnetic and magneto-optical characteristics are not deteriorated and the corrosion resistance is improved. However, as described above, the magnetic and magneto-optical characteristics and the corrosion resistance of the magnetic recording film conflict with each other. That is, although the corrosion resistance is improved by the added element, the magnetic and magneto-optical characteristics are deteriorated. On the contrary, if the deterioration of the magnetic and magneto-optical characteristics is suppressed, there is a problem that sufficient corrosion resistance cannot be obtained. On the other hand, the vacuum deposition method used in the prior art has a problem in that the adhesiveness to the underlying layer is weak in the formation of a car enhance film and a protective film mainly composed of a dielectric material that constitutes the magneto-optical disk. Further, the sputtering method has problems such as (1) the underlayer is destroyed by plasma, (2) the film formation rate is slow, and (3) the controllability of the film formation is poor. Furthermore, these film forming techniques have a drawback that the obtained film lacks reproducibility because the controllability of the film formation is poor.
本発明の目的は、磁気および磁気光学特性を低下させ
ることなく高耐食性の磁気記録膜を有する耐久性に優れ
た信頼性の高い光磁気ディスクおよびその製造方法を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a highly reliable and reliable magneto-optical disk having a magnetic recording film with high corrosion resistance without deteriorating magnetic and magneto-optical characteristics, and a method for manufacturing the same.
上記本発明の目的は、希土類元素および鉄族元素の合
金からなる磁気記録膜、もしくは上記の合金に、原子%
で、Ti、Ta、Nb、Al、Zr、Ni、Pt、Rh、Pdの群より選ば
れる少なくとも1種の元素を10原子%以下含有する合金
からなる磁気記録膜に、該磁気記録膜の表面部に、大気
中の酸素あるいは水分を遮断するための、安定した不動
態を形成させる元素および磁気記録膜の表面部の酸素を
促進させる耐食性向上元素であるP、As、Seの群より選
ばれる少なくとも1種の元素と、C、B、Si、Ge、He、
Ne、Hの群より選ばれる少なくとも1種の元素、もしく
はP、As、Seの群より選ばれる少なくとも1種の元素
と、C、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群より選ばれる少な
くとも1種の元素と、Mo、W、Cr、Re、Ruの群より選ば
れる少なくとも1種の元素、もしくは酸素、窒素のうち
から選ばれる少なくとも1種の元素とを、上記磁気記録
膜に対して、その膜厚を1/2以下の深さに上記の元素を
イオン注入させることにより、達成される。The above object of the present invention is to provide a magnetic recording film made of an alloy of a rare earth element and an iron group element, or the above alloy with atomic%
A magnetic recording film made of an alloy containing 10 atomic% or less of at least one element selected from the group consisting of Ti, Ta, Nb, Al, Zr, Ni, Pt, Rh and Pd, and the surface of the magnetic recording film. Selected from the group consisting of P, As, and Se, which are elements that form stable passivation for blocking oxygen or moisture in the atmosphere and elements that improve corrosion resistance that promote oxygen on the surface of the magnetic recording film. At least one element and C, B, Si, Ge, He,
At least one element selected from the group of Ne and H, or at least one element selected from the group of P, As and Se, and selected from the group of C, B, Si, Ge, He, Ne and H At least one element and at least one element selected from the group of Mo, W, Cr, Re, and Ru, or at least one element selected from oxygen and nitrogen are added to the magnetic recording film. Then, the film thickness is achieved by ion-implanting the above element to a depth of 1/2 or less.
上記本発明のイオン注入方法は、注入するイオンの元
素からなるターゲットからイオンを放出させ、これを加
速器によって10〜50keVのイオン化エネルギーを印加
し、1×1016個/cm2〜3×1017個/cm2のイオン打込み量
にすることが好ましい。この場合、イオンの加速電圧を
変えることによって磁気記録膜へのイオン注入深度を自
在にコントロールすることができ、かつこのイオン注入
プロセスは低温であるために、プラスチックなどの耐熱
性の低い基板を用いることができ、そのうえ打込む元素
の純度、制御性ならびに再現性よくイオン注入を行なう
ことができる。In the ion implantation method of the present invention described above, ions are emitted from a target made of the element of the ions to be implanted, and ionization energy of 10 to 50 keV is applied by an accelerator, and 1 × 10 16 ions / cm 2 to 3 × 10 17 are applied. It is preferable to use an ion implantation amount of pcs / cm 2 . In this case, the ion implantation depth in the magnetic recording film can be freely controlled by changing the ion acceleration voltage, and since the ion implantation process is performed at a low temperature, a substrate having low heat resistance such as plastic is used. In addition, ion implantation can be performed with high purity, controllability and reproducibility of the implanted element.
また、本発明は希土類元素および鉄族元素の合金から
なる磁気記録膜に、酸素や窒素と反応して安定な酸化物
あるいは窒化物を形成させる元素であるTi、Ta、Nb、A
l、Zr、Ni、Cr、Mo、Wの群より選ばれる少なくとも1
種の金属元素と、酸素、窒素またはこれらの混合ガスと
を同時に、磁気記録膜の膜厚の1/2以下の深さにイオン
注入するか、もしくは上記の金属元素をイオン注入した
後、酸素、窒素またはこれらの混合ガスを、磁気記録膜
の膜厚の1/2以下の深さにイオン注入するか、あるいは
上記の安定な酸化物または窒化物の形成元素であるTi、
Ta、Nb、Al、Zr、Niの群より選ばれる少なくとも1種の
金属元素を、あらかじめ磁気記録膜に10原子%以下含有
させておき、これに酸素、窒素またはこれらの混合ガス
を、磁気記録膜の膜厚の1/2以下の深さにイオン注入す
ることにより、本発明の目的を達成することができる。Further, the present invention is a magnetic recording film made of an alloy of a rare earth element and an iron group element, Ti, Ta, Nb, A which is an element that reacts with oxygen or nitrogen to form a stable oxide or nitride.
at least 1 selected from the group consisting of l, Zr, Ni, Cr, Mo and W
At the same time, a metal element of a species and oxygen, nitrogen, or a mixed gas thereof are ion-implanted to a depth of 1/2 or less of the film thickness of the magnetic recording film, or after the above-mentioned metal element is ion-implanted, oxygen is added. , Nitrogen or a mixed gas thereof, by ion implantation to a depth of 1/2 or less of the film thickness of the magnetic recording film, or Ti, which is a stable oxide or nitride forming element described above,
At least one metal element selected from the group consisting of Ta, Nb, Al, Zr, and Ni is contained in the magnetic recording film in an amount of 10 atomic% or less in advance, and oxygen, nitrogen, or a mixed gas thereof is magnetically recorded. The object of the present invention can be achieved by implanting ions to a depth of 1/2 or less of the film thickness.
上記本発明のイオン注入方法は、上述した方法と同様
に、ターゲットから注入イオンを放出させ、加速器によ
って10〜50keV範囲のイオン化エネルギーを印加し、1
×1016個/cm2〜3×1017個/cm2のイオン打込み量にする
ことが好ましい。そして、注入した金属元素のイオンを
酸化または窒化させ、安定した酸化物または窒化物を形
成させるために注入する酸素、窒素またはこれらの混合
ガスの導入条件は、ガス厚が1×10-2〜5×10-3Torrの
範囲でイオン打込みを行なうことが好ましい。そして、
これらの酸素、窒素またはここれらの混合ガスのイオ注
入深度のコントロールは、イオンの加速電圧を変えるこ
とによって自在に制御することができ、かつ低温でイオ
ン注入が可能なプロセスであるためプラスチックなどの
耐熱性の低い安価な基板を用いることができ、そのうえ
制御性ならびに再現性よくイオン注入を行なうことがで
きる。In the ion implantation method of the present invention, similarly to the above-described method, the implanted ions are emitted from the target, and the ionization energy in the range of 10 to 50 keV is applied by the accelerator.
It is preferable to set the ion implantation amount to × 10 16 pieces / cm 2 to 3 × 10 17 pieces / cm 2 . Then, the conditions for introducing oxygen, nitrogen, or a mixed gas thereof for oxidizing or nitriding the injected ions of the metal element to form a stable oxide or nitride are gas thickness of 1 × 10 -2 ~ Ion implantation is preferably performed within the range of 5 × 10 −3 Torr. And
The control of the ion implantation depth of these oxygen, nitrogen or these mixed gas can be controlled freely by changing the acceleration voltage of the ions, and since it is a process that allows ion implantation at low temperature, it can An inexpensive substrate having low heat resistance can be used, and moreover, ion implantation can be performed with good controllability and reproducibility.
そして、本発明の磁気記録膜に、不動態化元素、酸化
物あるいは窒化物の形成元素をイオン打込み法によって
注入する深さは、ごくわずかのイオン注入深さであって
も耐食性の向上効果が生ずるが、その深さが磁気記録膜
の膜厚1/2を超えると磁気記録膜自身の磁気および磁気
光学特性が劣化するので、イオン注入深さは磁気記録膜
の膜厚の1/2以下が好ましい。Further, the depth of implanting the passivating element, the oxide or nitride forming element into the magnetic recording film of the present invention by the ion implantation method has the effect of improving the corrosion resistance even if the ion implantation depth is very small. However, if the depth exceeds the film thickness of the magnetic recording film, the magnetic and magneto-optical characteristics of the magnetic recording film itself deteriorate, so the ion implantation depth is 1/2 or less of the film thickness of the magnetic recording film. Is preferred.
さらに本発明は、希土類元素と鉄族元素との合金、も
しくは希土類元素と鉄族元素との合金に、Ti、Ta、Nb、
Al、Zr、Ni、Pt、Rh、Pdの群より選ばれる少なくとも1
種の元素を10原子%以下含有する合金よりなる磁気記録
膜を有する光磁気ディスクにおいて、上記磁気記録膜
に、安定した不動態または酸化を促進させる耐食性向上
元素であるP、As、Seの群より選ばれる少なくとも1種
の元素およびC、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群より選ば
れる少なくとも1種の元素、もしくはP、As、Seの群よ
り選ばれる少なくとも1種の元素およびC、B、Si、G
e、He、Ne、Hの群より選ばれる少なくとも1種の元素
およびMo、W、Cr、Re、Ruの群より選ばれる少なくとも
1種の元素を、上記磁気記録膜の膜厚の1/2以下の深さ
にイオン注入する前、もしくはその後に、酸素、窒素の
うちから選ばれる少なくとも1種を含むガス中で熱処理
する工程を少なくとも含む光磁気ディスクの製造方法と
することにより、本発明の目的を達成することができ
る。Furthermore, the present invention is an alloy of a rare earth element and an iron group element, or an alloy of a rare earth element and an iron group element, Ti, Ta, Nb,
At least 1 selected from the group consisting of Al, Zr, Ni, Pt, Rh, and Pd
In a magneto-optical disk having a magnetic recording film made of an alloy containing 10 atomic% or less of various elements, a group of P, As, and Se, which are corrosion resistance improving elements that promote stable passivation or oxidation in the magnetic recording film. At least one element selected from the group consisting of C, B, Si, Ge, He, Ne and H, or at least one element selected from the group consisting of P, As and Se, and C, B, Si, G
At least one element selected from the group of e, He, Ne, and H and at least one element selected from the group of Mo, W, Cr, Re, and Ru is halved in thickness of the magnetic recording film. The method of manufacturing a magneto-optical disk according to the present invention includes at least the step of performing a heat treatment in a gas containing at least one selected from oxygen and nitrogen before or after ion implantation to the following depths. The purpose can be achieved.
さらには、光磁気ディスクを構成するカーエンハンス
膜、保護膜などであるSi3N4、TiN、SiO、SiO2、TiO2な
どの誘電体膜を形成させる場合において、そのソースガ
スとして、Si3N4の場合はSiH4とNH3など、TiNの場合はT
iCl4とNH3など、SiOの場合はSiH4とH2、およびO2または
N2Oなど、SiO2の場合はSiH4とO2など、TiO2の場合はTiC
l4とH2Oなどを用いて、低い基板温度(好ましくは90℃
以下)で、例えばレーザ励起の化学気相成長法(L−CV
D法)によって製膜することができる。すなわち、L−C
VD法によると、形成される誘電体膜の下地層を破壊ある
いは損傷させず、膜欠陥が少なく、かつ下地層との接着
性が良好で、さらに膜形成が高速で制御性よく行なうこ
とができ、磁気および磁気光学特特性が良好で、耐食性
ならびに耐久性に優れた信頼性の高い光磁気ディスクを
効率よく得ることができる。Furthermore, in the case of forming a dielectric film such as a car-enhancement film and a protective film of Si 3 N 4 , TiN, SiO, SiO 2 , TiO 2 which constitute the magneto-optical disk, Si 3 is used as a source gas thereof. SiH 4 and NH 3 for N 4 and T for TiN
iCl 4 and NH 3, such as SiH 4 and H 2 for SiO and O 2 or
Such as N 2 O, in the case of SiO 2, such as SiH 4 and O 2, in the case of TiO 2 TiC
low substrate temperature (preferably 90 ° C) using l 4 and H 2 O etc.
In the following), for example, laser-excited chemical vapor deposition (L-CV)
The film can be formed by the method D). That is, L-C
According to the VD method, the underlying layer of the dielectric film to be formed is not destroyed or damaged, there are few film defects, the adhesion with the underlying layer is good, and the film formation can be performed at high speed and with good controllability. It is possible to efficiently obtain a highly reliable magneto-optical disk having excellent magnetic and magneto-optical characteristics, excellent corrosion resistance and durability.
本発明において、磁気記録膜の表面から内部に耐食性
の不動態被膜を形成させるためにP、As、Seなどの元素
群、C、B、Si、Ge、He、Ne、Hなどの元素群、Mo、
W、Cr、Re、Ruなどの元素群のうちより選択される少な
くとも1種の不動態化元素および表面酸化促進元素を、
磁気記録膜の表面層にイオン注入させるか、もしくはあ
らかじめ磁気記録膜にTi、Ta、Nb、Al、Zr、Ni、Pt、R
h、Pdなどの不動態化元素あるいは貴金属元素を含有さ
せておき、それに表面酸化促進元素をイオン注入させる
と、この表面酸化促進元素の作用により不動態化元素が
磁気記録膜の表面近傍に濃縮され、これらの元素は磁気
記録膜の表面部で酸化物の不動態被膜となる。この不動
態被膜は、磁気記録膜の表面を緻密に均一に覆うことに
なるので、磁気記録膜は大気から完全に遮断され保護さ
れることになる。また、上記の元素を磁気記録膜にイオ
ン注入させる場合に、そのイオン注入の深さは、イオン
打込みのエネルギーにより自在に制御することが可能で
あり、磁気記録膜の記録面側にまで打込み元素が到達し
ない、または磁気記録膜が加熱されないので、磁気およ
び磁気光学特性を低下させることがなく、耐食性を向上
させることができるのである。In the present invention, an element group such as P, As, and Se, an element group such as C, B, Si, Ge, He, Ne, and H in order to form a corrosion-resistant passivation film from the surface to the inside of the magnetic recording film, Mo,
At least one passivating element and surface oxidation promoting element selected from the group of elements such as W, Cr, Re, Ru,
Ions are implanted into the surface layer of the magnetic recording film, or Ti, Ta, Nb, Al, Zr, Ni, Pt, R
When a passivation element such as h or Pd or a noble metal element is contained and a surface oxidation promoting element is ion-implanted into it, the passivation element is concentrated near the surface of the magnetic recording film by the action of this surface oxidation promoting element. These elements become an oxide passivation film on the surface of the magnetic recording film. Since this passivation film densely and uniformly covers the surface of the magnetic recording film, the magnetic recording film is completely shielded from the atmosphere and protected. Further, when the above elements are ion-implanted into the magnetic recording film, the depth of the ion implantation can be freely controlled by the energy of the ion implantation, and the implantation element reaches the recording surface side of the magnetic recording film. Is not reached or the magnetic recording film is not heated, the magnetic and magneto-optical characteristics are not deteriorated and the corrosion resistance can be improved.
また、本発明において、磁気記録膜にあらかじめ安定
な酸化物あるいは窒化物を形成する元素、例えばTi、T
a、Nb、Al、Zr、Ni、Cr、Mo、Wなどの金属元素の少な
くとも1種を含有させておき、この磁気記録膜に酸素、
窒素の1種以上含むガスをイオン注入するか、あるいは
上記の酸化物あるいは窒化物の形成元素を含まない磁気
記録膜に対して、上記の金属元素と上記のガスとを同時
にイオン注入するか、もしくは上記の金属元素をイオン
注入しその後に上記のガスをイオン注入させると、磁気
記録膜の表面部近傍に安定した緻密な酸化物層または窒
化物層あるいはこれらの混合層が形成され、これが大気
中の酸素、水分などを遮断し磁気記録膜を保護すること
になるから耐食性が著しく向上することになる。他方、
上記の金属元素およびガスのイオン注入深さは、上述の
ごとく自在に制御することができるので、イオン注入層
の深さは磁気記録膜の膜厚の1/2以下に厳密に制御する
ことができるので、磁気記録膜の磁気および磁気光学特
性を低下させることがない。Further, in the present invention, elements that form a stable oxide or nitride in advance in the magnetic recording film, such as Ti, T
At least one metal element such as a, Nb, Al, Zr, Ni, Cr, Mo, and W is contained in the magnetic recording film, and oxygen is added to the magnetic recording film.
Whether a gas containing at least one kind of nitrogen is ion-implanted, or the above-mentioned metal element and the above-mentioned gas are simultaneously ion-implanted into the magnetic recording film not containing the above-mentioned oxide or nitride forming element, Alternatively, when the above-mentioned metal element is ion-implanted and then the above-mentioned gas is ion-implanted, a stable dense oxide layer or nitride layer or a mixed layer thereof is formed in the vicinity of the surface portion of the magnetic recording film. Corrosion resistance is remarkably improved because the magnetic recording film is protected by blocking oxygen and moisture therein. On the other hand,
Since the ion implantation depths of the above metal elements and gas can be freely controlled as described above, the depth of the ion implantation layer can be strictly controlled to 1/2 or less of the thickness of the magnetic recording film. Therefore, the magnetic and magneto-optical characteristics of the magnetic recording film are not deteriorated.
さらに、本発明において、希土類元素と鉄族元素との
合金よりなる磁気記録膜、または上述の不動態化元素、
酸化物あるいは窒化物形成元素を含む磁気記録膜、もし
くは上述のイオン注入処理を行なった磁気記録膜を、酸
素または窒素もしくはこれらの混合ガスを含む雰囲気に
よって熱処理あるいは表面処理を行なうことによって
も、上述と同様の緻密な保護膜を磁気記録膜の表面部に
形成させることができ、これによっても磁気記録膜の磁
気および磁気光学特性を劣化させずに耐食性を一段と向
上させることができる。Furthermore, in the present invention, a magnetic recording film made of an alloy of a rare earth element and an iron group element, or the above-mentioned passivating element,
The magnetic recording film containing an oxide or nitride forming element, or the magnetic recording film subjected to the above-mentioned ion implantation treatment may be subjected to a heat treatment or a surface treatment in an atmosphere containing oxygen, nitrogen or a mixed gas thereof to obtain the above A dense protective film similar to the above can be formed on the surface of the magnetic recording film, which also improves the corrosion resistance without deteriorating the magnetic and magneto-optical characteristics of the magnetic recording film.
また、さらに本発明の光磁気ディスクを作製する場合
に、カーエンハンス膜、保護膜などの製膜において、通
常の化学気相成長法では、基板温度を400℃以上の高温
に加熱する必要があるが、本発明ではソースガスの励起
エネルギーに、高エネルギーを有するレーザ光を用いる
レーザ励起の化学気相成長法(L−CVD法)を用いるこ
とにより、基板温度が90℃以下で製膜することができる
ので、基板あるいは媒体構成材料に耐熱性を考慮しない
安価な高分子材料を用いることが可能になる。さらに、
本発明のL−CVD法を用いることにより、下地層あるい
は基板表面部を破壊損傷することなく、かつ下地層ある
いは基板との間の接着力を著しく向上させることができ
る。そして、このL−CVD法を用いると高速で、制御性
よく製膜することができるので、光磁気ディスクを再現
性よく高効率で生産することが可能であり、耐食性なら
びに耐久性に優れた信頼性の高い高性能の光磁気ディス
クを得ることができる。Further, in the case of producing the magneto-optical disk of the present invention, it is necessary to heat the substrate temperature to a high temperature of 400 ° C. or higher in the ordinary chemical vapor deposition method in forming a film such as a car enhance film and a protective film. However, in the present invention, a film is formed at a substrate temperature of 90 ° C. or lower by using a laser-excited chemical vapor deposition method (L-CVD method) using a laser beam having high energy as the excitation energy of the source gas. Therefore, it is possible to use an inexpensive polymer material that does not consider heat resistance as the substrate or the medium constituent material. further,
By using the L-CVD method of the present invention, it is possible to remarkably improve the adhesive force between the underlayer or the substrate without breaking or damaging the underlayer or the substrate surface. Since the L-CVD method can be used to form a film at high speed and with good controllability, a magneto-optical disk can be produced with high reproducibility and high efficiency, and it is highly reliable in terms of corrosion resistance and durability. It is possible to obtain a high-performance magneto-optical disk having excellent properties.
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を参照しながら
さらに詳細に説明する。An embodiment of the present invention will be described below in more detail with reference to the drawings.
(実施例 1) 光磁気ディスクの作製は、次のようにして行なった。
まず、洗浄した円形ディスク基板上に、Tb28Fe64Co8な
る組成を有する磁気記録膜を0.1μmの膜厚にスパッタ
法により形成した。この時の条件は、放電ガスとしてAr
を用い、放電ガス圧5×10-3Torr、投入RF(高周波)電
力密度1.1W/cm2、スパッタ時間は5分であった。引続
き、この磁気記録膜上に、イオン注入法によりCr、W、
Mo、Re、Ruを打込み、続いて、P、BあるいはP、C、
Bを打込んだ。この時の打込み深度は150Åとした。こ
のようにして作製した光磁気ディスクの特性は、カー回
転角θkが0.33度、保持力Hcが4.0kOe、キュリー温度Tc
が200℃であった、また、この光磁気ディスクの動作特
性を測定したところ、C/N(キャリア対ノイズ比)が50d
B(レーザ出力7mW、外部磁場200Oe)であった。これら
の特性は、本発明を用いていないTbFeCoのみの磁気記録
膜の場合と比較してなんら差が見られなかった。(Example 1) A magneto-optical disk was manufactured as follows.
First, a magnetic recording film having a composition of Tb 28 Fe 64 Co 8 was formed on the washed circular disk substrate to a film thickness of 0.1 μm by a sputtering method. The condition at this time is Ar as discharge gas.
The discharge gas pressure was 5 × 10 −3 Torr, the input RF (high frequency) power density was 1.1 W / cm 2 , and the sputtering time was 5 minutes. Then, on the magnetic recording film, Cr, W,
Implant Mo, Re, Ru, then P, B or P, C,
I hit B. The driving depth at this time was 150Å. The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are that the Kerr rotation angle θ k is 0.33 degrees, the coercive force Hc is 4.0 kOe, and the Curie temperature Tc.
Was 200 ° C, and the operating characteristics of this magneto-optical disk were measured, and the C / N (carrier to noise ratio) was 50d.
It was B (laser output 7 mW, external magnetic field 200 Oe). These characteristics did not show any difference as compared with the case of the magnetic recording film only of TbFeCo which did not use the present invention.
次に、この光磁気ディスクの寿命試験を行なった。寿
命の評価は、80℃で関係湿度(RH)が95%の高温、高湿
度環境にこのディスクを保存したときの飽和磁化の経時
変化および記録表面側から測定したカー回転角の経時変
化を測定することにより行なった。その結果を第1図に
示す。図において、横軸に保存時間(時)を、縦軸には
飽和磁化Msおよびカー回転角θkの変化率(%)を初期
の値を100としたときの相対値で示した。まず、TbFeCo
のみの場合、飽和磁化Msは曲線1に示すように時間の経
過とともに増大してゆき、500時間後で初期の約90%増
加となった。これに対し、本発明のイオン注入法により
CrあるいはMoそしてP、CあるいはP、C、Bを打込ん
で作製したTbFeCo膜の場合は、曲線3に示すように飽和
磁化Msの変化は5%程度と著しく小さくなった。また、
カー回転角θkの変化は、本発明を用いない場合が500
時間後で約20%増加した。これに対して、本発明の手法
で作製した光磁気ディスクのθkは、まったく変化して
いなかった。Next, a life test of this magneto-optical disk was conducted. The life is evaluated by measuring the change with time of the saturation magnetization and the change with time of the Kerr rotation angle measured from the recording surface side when this disk is stored in a high temperature and high humidity environment with a relative humidity (RH) of 95% at 80 ° C. It was done by doing. The results are shown in FIG. In the figure, the abscissa indicates the storage time (hour), and the ordinate indicates the change rate (%) of the saturation magnetization Ms and the Kerr rotation angle θ k relative to the initial value of 100. First, TbFeCo
In the case of only, the saturation magnetization Ms increased with the passage of time as shown by the curve 1, and after 500 hours, it increased to about 90% of the initial value. On the other hand, according to the ion implantation method of the present invention
In the case of the TbFeCo film formed by implanting Cr or Mo and P, C or P, C, B, the change in the saturation magnetization Ms was about 5%, which was extremely small, as shown by the curve 3. Also,
The change in the car rotation angle θ k is 500 when the present invention is not used.
Increased about 20% after hours. In contrast, θ k of the magneto-optical disk manufactured by the method of the present invention did not change at all.
以上の結果より、本発明の手法を用いて作製した光磁
気ディスク用磁気記録膜の耐食性は、従来の手法により
作製した磁気記録膜と比較して著しく向上させることが
できた。From the above results, the corrosion resistance of the magnetic recording film for a magneto-optical disk produced by the method of the present invention could be significantly improved as compared with the magnetic recording film produced by the conventional method.
(実施例 2) 光磁気ディスクの作製は、実施例1と同様の手法によ
り行なった。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上に
Tb28Fe59Co8X5(X=Ti、Ta、Nb、Ni)なる組成を有す
る0.1μmの磁気記録膜をスパッタ法により形成した。
この時のスパッタ条件は、実施例1と同様である。引続
き、この磁気記録膜上にイオン注入法によりP、Siまた
はAs、Ge、またはSe、Bを打込んだ。この時の打込み深
度は、200Åとした。このようにして作製した光磁気デ
ィスクの特性は、θk=0.30゜、Hc=3.0kOe、Tc=180
℃であった。また、この光磁気ディスクの動作特性を測
定したところ、C/N=51dBであった。これらの特性は、
本発明を用いないで作製した磁気記録膜を有する光磁気
ディスクの特性となんら差が見られなかった。(Example 2) The magneto-optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. Ie, on a cleaned circular disc substrate
A 0.1 μm magnetic recording film having a composition of Tb 28 Fe 59 Co 8 X 5 (X = Ti, Ta, Nb, Ni) was formed by the sputtering method.
The sputtering conditions at this time are the same as in Example 1. Subsequently, P, Si or As, Ge, or Se or B was implanted into this magnetic recording film by the ion implantation method. The driving depth at this time was 200Å. The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are as follows: θ k = 0.30 °, Hc = 3.0 kOe, Tc = 180
° C. Moreover, when the operating characteristics of this magneto-optical disk were measured, it was C / N = 51 dB. These characteristics are
No difference was seen from the characteristics of the magneto-optical disk having the magnetic recording film produced without using the present invention.
特性測定後、このディスクの寿命試験を実施例1と同
様の手法で行なった。その結果を第2図に示す。図にお
いて、横軸に保存時間(時)を、縦軸には飽和磁化Msの
変化率(%)を初期の値を100としたときの相対値でそ
れぞれ示した。まず、本発明のイオン注入法を用いない
で作製した磁気記録膜の場合において、飽和磁化Msの変
化を曲線5、6に示す。曲線5は磁気記録膜にTbFeCoNi
を用いた場合で、曲線6はTbFeCoX(X=Ti、Ta、Nb)
の場合である。従来の手法では、耐食性向上のためにT
i、Ta、Nb、Niを加えると飽和磁化の変化率を92%からN
iの場合が57%に、その他の場合が23%にそれぞれ抑制
される。これに対し、本発明のイオン注入法を用いて作
製した磁気記録膜において、曲線7はTbFeCoNiを用いた
場合であり、曲線8はTbFeCoX(X=Ti、Ta、Nb)の場
合であって、飽和磁化の変化率はそれぞれ15%、5%と
従来法より著しく抑制することができた。After measuring the characteristics, a life test of this disk was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in FIG. In the figure, the horizontal axis shows the storage time (hours), and the vertical axis shows the change rate (%) of the saturation magnetization Ms as a relative value when the initial value is 100. First, curves 5 and 6 show changes in the saturation magnetization Ms in the case of the magnetic recording film produced without using the ion implantation method of the present invention. Curve 5 shows TbFeCoNi on the magnetic recording film.
6 is used, the curve 6 is TbFeCoX (X = Ti, Ta, Nb)
Is the case. In the conventional method, T is used to improve corrosion resistance.
When i, Ta, Nb, and Ni are added, the change rate of saturation magnetization is changed from 92% to N
In case of i, it is suppressed to 57%, and in other cases, it is suppressed to 23%. On the other hand, in the magnetic recording film manufactured by using the ion implantation method of the present invention, curve 7 is the case of using TbFeCoNi and curve 8 is the case of TbFeCoX (X = Ti, Ta, Nb), The change rates of the saturation magnetization were 15% and 5%, respectively, which were remarkably suppressed as compared with the conventional method.
(実施例 3) 実施例1と同様の手法で光磁気ディスクの作製を行な
った。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上にTb28Fe
59Co8X(X=Rh、Pt、Pd)なる組成を有する0.1μmの
磁気記録膜をスパッタ法により形成した。この時のスパ
ッタ条件は、実施例1と同じである。引続き、この磁気
記録膜上にイオン打込み法によりP、C、Bを注入し
た。この時の打込み深度は、100Åとなるようにエネル
ギーを制御した。このようにして作製した光磁気ディス
クの特性はθk=0.30゜、Hc=5.0kOe、Tc=180℃であ
った。また、この光磁気ディスクの動作特性を測定した
ところC/N=50dBであった。これらの光磁気ディスクの
特性は、本発明の方法を用いないで作製した磁気記録膜
を用いた場合となんら差がなかった。(Example 3) A magneto-optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. That is, Tb 28 Fe was formed on the washed circular disk substrate.
A 0.1 μm magnetic recording film having a composition of 59 Co 8 X (X = Rh, Pt, Pd) was formed by the sputtering method. The sputtering conditions at this time are the same as in Example 1. Subsequently, P, C and B were implanted on this magnetic recording film by the ion implantation method. The energy was controlled so that the driving depth at this time was 100Å. The characteristics of the magneto-optical disk thus manufactured were θ k = 0.30 °, Hc = 5.0 kOe, and Tc = 180 ° C. Also, when the operation characteristics of this magneto-optical disk were measured, it was C / N = 50 dB. The characteristics of these magneto-optical discs were no different from the case of using the magnetic recording film produced without using the method of the present invention.
磁気特性を測定後、このディスクの寿命試験を実施例
1と同様の手法で行ない、その結果を第3図に示す。図
において、横軸に保存時間(時)を、縦軸には飽和磁化
Msの変化率(%)を初期値を100としたときの相対値で
それぞれ示した。まず、本発明のイオン注入法を用いな
いで作製した磁気記録膜の場合の飽和磁化Msの変化を曲
線9に示す。従来の手法では、耐食性向上のためにRh、
Pt、Pdを添加したときの飽和磁化の変化は、80℃、95%
RH中に500時間保存すると初期の1.95倍に増加した。こ
れに対し、イオン注入法により作製した磁気記録膜にお
いては、曲線10に示すように、500時間後で1.10倍に増
加した。このように、本発明の磁気記録膜は飽和磁化の
変化を著しく抑制できることがわかった。After measuring the magnetic characteristics, a life test of this disk was conducted in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG. In the figure, the horizontal axis represents storage time (hours) and the vertical axis represents saturation magnetization.
The change rate (%) of Ms is shown as a relative value when the initial value is 100. First, a curve 9 shows a change in the saturation magnetization Ms in the case of a magnetic recording film produced without using the ion implantation method of the present invention. In the conventional method, in order to improve corrosion resistance, Rh,
The change of saturation magnetization when Pt and Pd are added is 80 ℃, 95%
When stored in RH for 500 hours, it increased by 1.95 times the initial value. On the other hand, in the magnetic recording film prepared by the ion implantation method, as shown by the curve 10, it increased 1.10 times after 500 hours. Thus, it was found that the magnetic recording film of the present invention can remarkably suppress the change in saturation magnetization.
(実施例 4) 光磁気ディスクの作製は、実施例1と同様の手法によ
り行なった。すなわち、洗浄した円形ディスク基板上に
Tb28Fe59Co8X(X=Zr、Al、Ti、Ta)なる組成を有する
厚さ0.1μmの磁気記録膜をスパッタ法により形成し
た。この時のスパッタ条件は、実施例1と同じである。
引続き、この磁気記録膜上にイオン打込み法によりP、
B、Cを注入した。この時の打込み深度が150Åとなる
ようにエネルギーを制御した。その後、加熱したN2また
はO2もしくはO2/Ar=30/70中で10分間表面処理を行なっ
た。このようにして作製した光磁気ディスクの磁気特性
を測定したところ、θk=0.30゜、Hc=5.0kOe、Tc=19
0℃であった。また、この光磁気ディスクの動作特性を
測定したところ、C/N=48dBであった。これらの光磁気
ディスクの特性において、作製方法の違いによる差は見
られなかった。Example 4 The magneto-optical disk was manufactured by the same method as in Example 1. Ie, on a cleaned circular disc substrate
A 0.1 μm thick magnetic recording film having a composition of Tb 28 Fe 59 Co 8 X (X = Zr, Al, Ti, Ta) was formed by the sputtering method. The sputtering conditions at this time are the same as in Example 1.
Subsequently, P, P,
B and C were injected. The energy was controlled so that the driving depth at this time was 150Å. Then, surface treatment was performed for 10 minutes in heated N 2 or O 2 or O 2 / Ar = 30/70. The magnetic characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way were measured. As a result, θ k = 0.30 °, Hc = 5.0 kOe, Tc = 19
It was 0 ° C. Moreover, when the operation characteristics of this magneto-optical disk were measured, it was C / N = 48 dB. In the characteristics of these magneto-optical disks, no difference was observed due to the difference in manufacturing method.
磁気特性を測定した後に、ディスクの寿命試験を実施
例1と同様の手法で行ない、その結果を第4図に示す。
図において、横軸に保存時間(時)を、縦軸には飽和磁
化Msの変化率(%)を初期値を100としたときの相対値
でそれぞれ示した。まず、、本発明のイオン注入法を用
いないで作製した磁気記録膜の場合の飽和磁化Msの変化
を曲線11、12に示す。従来の手法を用いて作製したTbFe
CoX(X=Zr、Al)の飽和磁化の変化は、曲線11に示す
ように500時間放置後で1.4倍となった。また、同様にし
て作製したTbFeCoX(X=Ti、Ta)の場合は、曲線12に
示すように1.2倍となった。これに対して、本発明のイ
オン打込み法を用いて作製した磁気記録膜の飽和磁化の
変化を曲線13、14に示す、曲線13は、TbFeCoX(X=Z
r、Al)膜のMsの変化を、そして曲線14は、TbFeCoX(X
=Ti、Ta)膜のMsの変化で、それぞれ、15%、5%と本
発明を用いることにより飽和磁化の変化を著しく抑制で
きることが分かった。After measuring the magnetic characteristics, a disk life test was performed in the same manner as in Example 1, and the results are shown in FIG.
In the figure, the horizontal axis shows the storage time (hours), and the vertical axis shows the change rate (%) of the saturation magnetization Ms as a relative value when the initial value is 100. First, curves 11 and 12 show changes in the saturation magnetization Ms in the case of a magnetic recording film produced without using the ion implantation method of the present invention. TbFe produced using conventional methods
The change in the saturation magnetization of CoX (X = Zr, Al) was 1.4 times as shown in the curve 11 after standing for 500 hours. Further, in the case of TbFeCoX (X = Ti, Ta) produced in the same manner, the value was 1.2 times as shown by the curve 12. On the other hand, curves 13 and 14 show changes in the saturation magnetization of the magnetic recording film produced by using the ion implantation method of the present invention. The curve 13 is TbFeCoX (X = Z
The change in Ms of the r, Al) film, and the curve 14 shows that TbFeCoX (X
= Ti, Ta) change of Ms of the film is 15% and 5%, respectively, which shows that the change of the saturation magnetization can be remarkably suppressed by using the present invention.
(実施例 5) 光磁気ディスクの作製は、以下に述べる手順にて行な
った。洗浄したガラスまたは樹脂製の円形ディスク基板
上に、Tb28Fe64Co8もしくはTb22Fe68Co10なる組成を有
する磁気記録膜を0.1μmの膜厚にスパッタ法により形
成した。この時の条件は、Arを放電ガスとして用い、放
電ガス圧5×10-3Torr、投入RF電力密度1.1W/cm2、そし
てスパッタ時間は5分であった。なお、スパッタ中は基
板を水冷した。磁気記録膜上にイオン注入法により、N
i、Cr、Mo、W、NbあるいはZrと酸素とを打込んだ。こ
の時の打込み深度は150Åとした。このようにして作製
した光磁気ディスクの特性は、カー回転角θkが0.35〜
0.38度、保持力Hcが5.0kOe、キュリー温度Tcが200℃で
あった。また、この光磁気ディスクの動作特性を測定し
たところ、C/N(キャリア対ノイズ比)=50〜53dB(レ
ーザ出力7mW、外部磁場200Oe)であった。これらの特性
は、本発明を用いていないTbFeCoのみの場合となんら差
は見られなかった。Example 5 A magneto-optical disk was manufactured by the procedure described below. A magnetic recording film having a composition of Tb 28 Fe 64 Co 8 or Tb 22 Fe 68 Co 10 was formed on the cleaned circular disk substrate made of glass or resin to a film thickness of 0.1 μm by a sputtering method. The conditions at this time were such that Ar was used as the discharge gas, the discharge gas pressure was 5 × 10 −3 Torr, the input RF power density was 1.1 W / cm 2 , and the sputtering time was 5 minutes. The substrate was water-cooled during the sputtering. N was formed on the magnetic recording film by the ion implantation method.
I, Cr, Mo, W, Nb or Zr and oxygen were implanted. The driving depth at this time was 150Å. The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are that the Kerr rotation angle θ k is 0.35 to
The holding power Hc was 0.38 ° C., the Curie temperature Tc was 200 ° C., and the holding power Hc was 5.0 kOe. The operating characteristics of this magneto-optical disk were measured and found to be C / N (carrier to noise ratio) = 50 to 53 dB (laser output 7 mW, external magnetic field 200 Oe). These characteristics did not show any difference from the case of TbFeCo alone which did not use the present invention.
次に、この光磁気ディスクの寿命試験を行なった。デ
ィスクの寿命の評価は、80℃の温度で、関係湿度(RH)
が95%の高温、高湿度環境に、この作製したディスクを
保存したときの飽和磁化の経時変化測定することにより
行なった。その結果を第5図に示す。図において、横軸
に高温、高湿度環境でのディスクの保存時間(時)を、
縦軸に飽和磁化Msの変化率(%)を、初期値を100とし
たときの相対値で示した。まず、TbFeCoのみの場合、飽
和磁化の変化は曲線15に示すように時間の経過とともに
増大してゆき、500時間後で初期値の90%増加となっ
た。これに対して、Mo、W、あるいはZrと酸素とをイオ
ン打込みして作製したTbFeCo膜の飽和磁化の変化は、曲
線16に示すように500時間後で25%の増加となった。ま
た、CrあるいはNbと酸素とをイオン打込みして作製した
磁気記録膜の飽和磁化の変化は、曲線17に示すように50
0時間後でわずか6%の増加であった。Next, a life test of this magneto-optical disk was conducted. The evaluation of the life of the disc is at a temperature of 80 ° C and the relative humidity (RH)
It was performed by measuring the change with time of the saturation magnetization when the prepared disk was stored in a high temperature and high humidity environment of 95%. The result is shown in FIG. In the figure, the horizontal axis indicates the storage time (hours) of the disk in a high temperature and high humidity environment.
The vertical axis shows the change rate (%) of the saturation magnetization Ms as a relative value when the initial value is 100. First, in the case of only TbFeCo, the change of the saturation magnetization increased with the passage of time as shown by the curve 15, and after 500 hours, the initial value increased by 90%. On the other hand, the change in saturation magnetization of the TbFeCo film produced by ion-implanting Mo, W, or Zr and oxygen increased by 25% after 500 hours as shown by the curve 16. The change in saturation magnetization of the magnetic recording film produced by ion implantation of Cr or Nb and oxygen is 50 as shown in the curve 17.
There was only a 6% increase after 0 hours.
以上の結果により、本発明の手法を用いて作製した光
磁気ディスクの磁気記録膜の耐食性は、従来の手法によ
り作製した膜と比較して著しく向上させることができ、
本発明は磁気および磁気光学特性を低下させることなく
耐食性を向上させるのに有効であることが分かる。From the above results, the corrosion resistance of the magnetic recording film of the magneto-optical disk produced by the method of the present invention can be significantly improved as compared with the film produced by the conventional method,
It can be seen that the present invention is effective in improving the corrosion resistance without deteriorating the magnetic and magneto-optical characteristics.
(実施例 6) 光磁気ディスクの作製法は実施例5と同様である。す
なわち、円形ディスク基板上に、Tb28Fe64Co8、もしく
はTb22Fe68Co10なる組成を有する磁気記録膜を0.1μm
の膜厚にスパッタ法により形成した。この時のスパッタ
条件は実施例5と同様である。続いて、磁気記録膜上に
イオン注入法によりTi、Ta、あるいはAlと窒素とを打込
んだ。この時の打込み深度は150Åに制御した。このよ
うにして作製した光磁気ディスクの特性は、θk=0.35
゜〜0.38゜、Hc=5.0kOe、Tc=200℃、であった。ま
た、このディスクの動作特性を測定したところ、C/N=5
0〜53dBであった。これらの特性は、本発明を用いない
で作製したTbFeCo膜となんら違いはなかった。(Example 6) A method for manufacturing a magneto-optical disk is the same as in Example 5. That is, a magnetic recording film having a composition of Tb 28 Fe 64 Co 8 or Tb 22 Fe 68 Co 10 of 0.1 μm is formed on a circular disk substrate.
The film thickness was formed by sputtering. The sputtering conditions at this time are the same as in Example 5. Then, Ti, Ta, or Al and nitrogen were implanted into the magnetic recording film by the ion implantation method. The driving depth at this time was controlled to 150Å. The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ k = 0.35
The angle was 0.38 °, Hc = 5.0 kOe, and Tc = 200 ° C. Moreover, when the operating characteristics of this disk were measured, C / N = 5
It was 0 to 53 dB. These characteristics were no different from those of the TbFeCo film produced without using the present invention.
次に作製したディスクの寿命試験を行なった。試験方
法は実施例5と同様で、その試験を第6図に示す。80℃
で95%RHの環境下に500時間保存したときの飽和磁化の
変化率(%)は、本発明を用いないで作製したTbFeCo膜
の場合(曲線15)は約90%増加した。これに対し、本発
明の方法を用いて作製したTbFeCo膜にAlと窒素を打込ん
だ場合(曲線18)が約20%の増加、TiあるいはTaと窒素
とを打込んだ場合(曲線19)の両者に差はなく8%の増
加となり、飽和磁化の変化率は著しく小さかった。Next, the life test of the produced disk was performed. The test method is the same as in Example 5, and the test is shown in FIG. 80 ° C
In the case of the TbFeCo film prepared without using the present invention (curve 15), the change rate (%) of the saturation magnetization when stored in an environment of 95% RH for 500 hours was increased by about 90%. On the other hand, when a TbFeCo film produced by the method of the present invention is implanted with Al and nitrogen (curve 18), the increase is about 20%, and when Ti or Ta and nitrogen are implanted (curve 19). There was no difference between the two and the increase was 8%, and the rate of change in saturation magnetization was extremely small.
以上の結果から、本発明の方法を用いることにより、
磁気および磁気光学特性を低下させることなく磁気記録
膜の耐食性を著しく向上させることができた。From the above results, by using the method of the present invention,
It was possible to significantly improve the corrosion resistance of the magnetic recording film without deteriorating the magnetic and magneto-optical properties.
(実施例 7) 光磁気ディスクの作製法は実施例5と同様である。す
なわち、円形のディスク基板上に、Tb28Fe59Co8X5(X
=Ti、Ta、Nb、Al、Zr、あるいはNi)なる組成を有する
磁気記録膜を0.1μmの膜厚にスパッタ法により形成し
た。この時のスパッタ条件は実施例5と同様である。続
いて、磁気記録膜上にイオン注入法により窒素あるいは
酸素を打込んだ。この時の打込み深度は250Åとした。
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θk
=0.32゜〜0.35゜、Hc=3.0kOe、Tcができた。(Example 7) A method for manufacturing a magneto-optical disk is the same as that in Example 5. That is, Tb 28 Fe 59 Co 8 X 5 (X
= Ti, Ta, Nb, Al, Zr, or Ni) was formed by a sputtering method to a film thickness of 0.1 μm. The sputtering conditions at this time are the same as in Example 5. Then, nitrogen or oxygen was implanted into the magnetic recording film by the ion implantation method. The driving depth at this time was 250Å.
The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ k
= 0.32 ° ~ 0.35 °, Hc = 3.0kOe, Tc were obtained.
(実施例 8) 光磁気ディスクの作製法は、実施例5と同様である。
すなわち、円形のディスク基板上にTb28Fe59Co8X5(X
=Ti、Ta、Nb、Al、ZrあるいはNi)膜なる組成を有する
磁気記録膜を0.1μmの膜厚にスパッタ法により形成し
た。この時のスパッタ条件は実施例5と同様である。続
いて、200℃に加熱した1気圧のO2、N2、またはO2/Ar=
40/60中で、100ml/minの流量で流して磁気記録膜表面を
約1時間酸化または窒化処理を行なった。このようにし
て作製した光磁気ディスクの特性は、θk=0.32゜〜0.
35゜、Hc=3.0kOe、Tc=180℃であった。また、このデ
ィスクの動作特性を特性したところ、C/N=49dBであっ
た。これらの特性は、本発明の方法を用いないで作製し
た磁気記録膜のそれとなんら違いはみられなかった。(Embodiment 8) A method for manufacturing a magneto-optical disk is the same as that in Embodiment 5.
That is, Tb 28 Fe 59 Co 8 X 5 (X
= Ti, Ta, Nb, Al, Zr, or Ni), a magnetic recording film having a composition of 0.1 μm was formed by a sputtering method. The sputtering conditions at this time are the same as in Example 5. Next, 1 atmosphere of O 2 , N 2 or O 2 / Ar =
In 40/60, the surface of the magnetic recording film was oxidized or nitrided by flowing it at a flow rate of 100 ml / min for about 1 hour. The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ k = 0.32 ° to 0.
The temperature was 35 °, Hc = 3.0 kOe, and Tc = 180 ° C. Moreover, when the operating characteristics of this disk were characterized, it was C / N = 49 dB. These characteristics did not differ from those of the magnetic recording film produced without using the method of the present invention.
次に、ディスクの寿命試験を実施例5と同様の手法お
よび条件にて行なった。その結果を第8図に示す。80
℃、95%RHの環境下に500時間保存したときの飽和磁化M
sの変化率(%)は、本発明を用いないで作製したTbFeC
oX(X=Al、ZrまたはNi)膜の場合は、曲線20に示すよ
うに40%増加した。これに対し本発明は酸素または窒素
で表面処理した磁気記録膜は、曲線24に示すように12%
の増加と著しく減少した。また、TbFeCoX(X=Ti、T
a、Nb)膜の場合が、曲線21、25に示すように、15%の
増加から5%と大きく減少した。Next, a life test of the disk was conducted under the same method and conditions as in Example 5. The results are shown in FIG. 80
Saturation magnetization M when stored for 500 hours in an environment of ℃ and 95% RH
The change rate (%) of s is TbFeC produced without using the present invention.
For the oX (X = Al, Zr or Ni) film there was a 40% increase as shown in curve 20. On the other hand, according to the present invention, the magnetic recording film surface-treated with oxygen or nitrogen is 12% as shown by the curve 24.
Increased and decreased significantly. In addition, TbFeCoX (X = Ti, T
In the case of the a, Nb) films, as shown by the curves 21 and 25, there was a large decrease from 15% increase to 5%.
このように、本発明の方法を用いることにより、磁気
および磁気光学特性を低下させることなく磁気記録膜の
耐食性を著しく向上させることができた。As described above, by using the method of the present invention, the corrosion resistance of the magnetic recording film could be significantly improved without deteriorating the magnetic and magneto-optical characteristics.
(実施例 9) 作製した本発明の一例である光磁気ディスクの断面構
造の模式図を第9図に示す。光磁気ディスクの作製は、
インライン方式のCVR−真空蒸着−スパッタ装置により
行なった。すなわち、洗浄したディスク基板26上に、ま
ず、SiH4を1%、NH3を5%、Ar残部をソースガスに用
い、反応管内圧力5Torr、基板温度80℃、反応時間2分
にてレーザ励起化学気相成長法(L−CVD法)によりカ
ーエンハンス膜27の形成を行なった。膜厚は1200Åとし
た。その後、マグネトロンスパッタ法により(Gd0.6Tb
0.4)0.22(Fe0.9Co0.1)0.78なる組成を有する磁気記
録膜28を形成した。この時のスパッタ条件は、Arを放電
ガスとし、スパッタガス圧力5×10-3Torr、投入RF出力
1W/cm2、スパッタ時間4分、膜厚は1000Åとした。そし
て、引続き、L−CVD法により保護膜29の形成を行なっ
た。その時のCVD条件は、先のカーエンハンス膜27形成
の場合と同様である。Example 9 FIG. 9 shows a schematic diagram of a cross-sectional structure of the manufactured magneto-optical disk as an example of the present invention. The manufacture of magneto-optical disk
The in-line CVR-vacuum deposition-sputtering device was used. That is, first, on the cleaned disk substrate 26, 1% of SiH 4 , 5% of NH 3 and the rest of Ar were used as a source gas, laser excitation was performed at a reaction tube internal pressure of 5 Torr, a substrate temperature of 80 ° C. and a reaction time of 2 minutes. The car-enhancement film 27 was formed by the chemical vapor deposition method (L-CVD method). The film thickness was 1200Å. Then, (Gd 0.6 Tb
A magnetic recording film 28 having a composition of 0.4 ) 0.22 (Fe 0.9 Co 0.1 ) 0.78 was formed. The sputtering conditions at this time were Ar discharge gas, sputtering gas pressure 5 × 10 -3 Torr, input RF output.
1 W / cm 2 , sputtering time 4 minutes, film thickness 1000 Å. Then, subsequently, the protective film 29 was formed by the L-CVD method. The CVD conditions at that time are the same as those in the case of forming the car enhance film 27.
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、カ
ー回転角θkが0.85度、保磁力Hcが5.0kOe、キュリー温
度Tcが200℃、C/N(キャリア対ノイズ比)が54dBであっ
た。このディスクの作製を10回繰り返して行なったが、
各光磁気特性のバラツキは、±2%と従来のオールスパ
ッタ法によって製膜した場合の±7%に比べると著しく
小さいことがわかった。また、ピンホールなどの膜欠陥
の密度を測定してみると、L−CVD法により製膜した厚
さ1000Åの膜で1×102個/cm2とスパッタ法により形成
した場合の1×104個/cm2と比べると著しく欠陥密度を
低下させることができた。また、L−CVD法による膜形
成は低温製膜であるので、従来のスパッタ法や真空蒸着
法に比較して内部応力も1/10程度と小さく、かつ接着性
もテープ試験で膜の剥離はL−CVD法ではまったくない
のに対し、従来法では一部剥離が起るなどから接着性も
著しく向上したことが分かった。The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way were that the Kerr rotation angle θ k was 0.85 degrees, the coercive force Hc was 5.0 kOe, the Curie temperature Tc was 200 ° C., and the C / N (carrier to noise ratio) was 54 dB. . The production of this disc was repeated 10 times,
It was found that the variation in each magneto-optical property was ± 2%, which was significantly smaller than ± 7% when the film was formed by the conventional all-sputtering method. In addition, the density of film defects such as pinholes was measured and found to be 1 × 10 2 pieces / cm 2 for a film with a thickness of 1000 Å formed by the L-CVD method and 1 × 10 2 when formed by the sputtering method. The defect density could be significantly reduced as compared with 4 defects / cm 2 . Also, since the film formation by the L-CVD method is a low-temperature film formation, the internal stress is as small as about 1/10 as compared with the conventional sputtering method or the vacuum evaporation method, and the adhesiveness is not peeled off by the tape test. It was found that the L-CVD method did not exist at all, whereas the conventional method caused some peeling, and the adhesiveness was remarkably improved.
このようにL−CVD法を用いることにより、従来法と
比べ安定した膜形成が行なえ、膜欠陥も少なく、内部応
力が低下し、下地層との接着性が向上し、かつ膜形成速
度が向上したことがわかった。By using the L-CVD method as described above, stable film formation can be performed, the number of film defects is small, the internal stress is reduced, the adhesiveness with the underlying layer is improved, and the film formation speed is improved as compared with the conventional method. I found out that I did.
(実施例 10) 作製した光磁気ディスクの構造は、第9図に示すとお
りで、カーエンハンス膜27および保護膜29にSiOを用い
た他は実施例9と同様である。SiO膜の形成は、ソース
ガスとしてSiH41%、H24%、O21%、He残部、またはSiH
41%、N2O1%、He残部を用い、反応管内圧力3Torr、基
板温度80℃、反応時間2分にてL−CVD法により行なっ
た。形成したSiO膜の膜圧は、カーエンハンス膜27が120
0Å、保護膜29が1500Åであった。Example 10 The structure of the manufactured magneto-optical disk is as shown in FIG. 9, and is the same as Example 9 except that SiO is used for the car enhance film 27 and the protective film 29. The SiO film is formed by using SiH 4 1%, H 2 4%, O 2 1%, the balance of He or SiH as the source gas.
4 1%, N 2 O1% , using He balance, the reaction tube pressure 3 Torr, a substrate temperature of 80 ° C., was performed by L-CVD method at a reaction time of 2 minutes. The film pressure of the formed SiO film is 120 for the car enhance film 27.
The protective film 29 was 0Å and 1500Å.
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θ
k=0.90゜、Hc=5.0kOe、Tc=200℃、C/N=55dBであっ
た。このディスクの作製を繰り返し行なったが特性のバ
ラツキは±3%であり、従来法により作製したディスク
のバラツキの±8%と比較すると著しく小さかった。ま
た、内部応力、下地層との接着性については実施例9と
同じであった。The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ
It was k = 0.90 °, Hc = 5.0 kOe, Tc = 200 ° C., and C / N = 55 dB. This disc was repeatedly manufactured, but the variation in characteristics was ± 3%, which was significantly smaller than the variation of ± 8% of the disc produced by the conventional method. Further, the internal stress and the adhesiveness with the underlying layer were the same as in Example 9.
(実施例 11) 作製した光磁気ディスクの構造は第9図に示すとおり
で、カーエンハンス膜27にSi3N4を、保護膜29にSiO2を
用いた他は実施例9と同様である。また、Si3N4膜の形
成条件は実施例9と同様である。SiO2膜の形成は、ソー
スガスとしてSiH41%、O22%、Ar残部を用い、反応圧力
5Torr、基板温度80℃、反応時間2分にてL−CVD法によ
り行なった。各層の膜厚は、カーエンハンス膜27が1200
Å、そして保護膜29は1500Åである。Example 11 The structure of the manufactured magneto-optical disk is as shown in FIG. 9, and is the same as that of Example 9 except that Si 3 N 4 is used for the car enhance film 27 and SiO 2 is used for the protective film 29. . The conditions for forming the Si 3 N 4 film are the same as in Example 9. The SiO 2 film is formed by using SiH 4 1%, O 2 2%, and the balance of Ar as the source gas and the reaction pressure.
It was performed by the L-CVD method at 5 Torr, a substrate temperature of 80 ° C., and a reaction time of 2 minutes. The thickness of each layer is 1200 for Car Enhance film 27.
Å, and the protective film 29 is 1500Å.
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θ
k=0.85゜、Hc=5kOe、Tc=200℃、C/N=54dBであっ
た。ディスク特性再現性、内部応力、接着性は実施例9
と同様の結果が得られた。The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ
It was k = 0.85 °, Hc = 5 kOe, Tc = 200 ° C., and C / N = 54 dB. The disc characteristic reproducibility, internal stress, and adhesiveness are shown in Example 9.
The same result was obtained.
(実施例 12) 作製した光磁気ディスクの構造は、第9図に示すとお
りで、カーエンハンス膜27および保護膜29にTiO2を用い
た他は実施例9と同様にして行なった。TiO2膜の形成
は、ソースガスとしてTiCl41%、H2O1%、Ar残部を用い
た。ここで、TiCl4およびH2Oは常温で液体であるので、
TiCl4およびH2O中にArをバブリングさせてTiCl4およびH
2Oを含ませた。また濃度の調整は、TiCl4またはH2Oの温
度を変化させ、蒸気圧を変えることで行なった。L−CV
D条件は、圧力Torr、基板温度90℃、反応時間2分であ
る。Example 12 The structure of the manufactured magneto-optical disk is as shown in FIG. 9, and was performed in the same manner as in Example 9 except that TiO 2 was used for the car enhance film 27 and the protective film 29. For forming the TiO 2 film, TiCl 4 1%, H 2 O 1% and the balance of Ar were used as a source gas. Here, since TiCl 4 and H 2 O are liquids at room temperature,
By bubbling Ar into TiCl 4 and H 2 O, TiCl 4 and H
Included 2 O. The concentration was adjusted by changing the temperature of TiCl 4 or H 2 O and changing the vapor pressure. L-CV
Conditions D are pressure Torr, substrate temperature 90 ° C., and reaction time 2 minutes.
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θ
k=0.80゜、Hc=5.0kOe、Tc=200℃、C/N=53dBであっ
た。ここで、カーエンハンス膜27の膜厚は1200Å、そし
て保護膜29の膜厚は1500Åである。そして繰り返し作製
によるディスク特性の再現性、内部応力、接着性は、実
施例9における結果とほぼ同じであった。The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ
It was k = 0.80 °, Hc = 5.0 kOe, Tc = 200 ° C., and C / N = 53 dB. Here, the film thickness of the car enhance film 27 is 1200Å, and the film thickness of the protective film 29 is 1500Å. The reproducibility of the disc characteristics, the internal stress, and the adhesiveness due to the repeated production were almost the same as the results in Example 9.
(実施例 13) 作製した光磁気ディスクの構造は、第9図に示すとお
りで、カーエンハンス膜27および保護膜29にTiNを用い
た他は実施例と同様である。TiN膜の形成は、ソースガ
スとしてTiCl4%、NH35%、Ar残部を用いた。TiCl4濃度
の調整は、実施例12と同じ手法によった。L−CVD条件
は実施例12と同様、圧力Torr、基板温度90℃、反応時間
2分である。Example 13 The structure of the manufactured magneto-optical disk is as shown in FIG. 9, and is the same as that of the example except that TiN is used for the car enhance film 27 and the protective film 29. For forming the TiN film, TiCl 4 %, NH 3 5% and the balance of Ar were used as a source gas. The TiCl 4 concentration was adjusted by the same method as in Example 12. The L-CVD conditions are the same as in Example 12 such as pressure Torr, substrate temperature 90 ° C., and reaction time 2 minutes.
このようにして作製した光磁気ディスクの特性は、θ
k=0.87゜、Hc=5kOe、Tc=200℃、C/N=54dBであっ
た。ここで、各層の膜厚は、カーエンハンス膜27が1200
Å、保護膜29が1500Åである。そして繰り返し作製によ
るディスク特性の再現性、内部応力そして接着性は、実
施例9における効果と同じであった。The characteristics of the magneto-optical disk manufactured in this way are θ
It was k = 0.87 °, Hc = 5 kOe, Tc = 200 ° C., and C / N = 54 dB. Here, the thickness of each layer is 1,200 for the car enhance film 27.
Å, the protective film 29 is 1500Å. The reproducibility of the disc characteristics, the internal stress, and the adhesiveness due to the repeated fabrication were the same as the effects in Example 9.
以上詳細に説明したごとく、本発明の光磁気ディスク
を構成する磁気記録膜の表面部に、不動態化元素および
酸化促進元素をイオン注入して不動態化層を形成させた
磁気記録膜、あるいは酸素、窒素またはこれらの混合ガ
スをイオン注入するか、もしくは上記のガス雰囲気で表
面処理を行なうことによって安定な酸化物または窒化物
の保護膜を形成させた磁気記録膜は、磁気記録膜の磁気
および磁気光学特性を劣化させることなく、耐食性を著
しく向上させることができるので、耐久性ならびに信頼
性の高い優れた性能を有する光磁気ディスクが得られ
る。また、この場合において磁気記録膜上に別の保護膜
を形成させる必要がないから、光磁気ディスクの構造が
簡略化でき、製作プロセスも簡易化できる。As described in detail above, a magnetic recording film having a passivation layer formed by ion-implanting a passivation element and an oxidation-promoting element into the surface portion of the magnetic recording film constituting the magneto-optical disk of the present invention, or A magnetic recording film on which a stable oxide or nitride protective film is formed by ion-implanting oxygen, nitrogen or a mixed gas thereof or by performing a surface treatment in the above gas atmosphere is a magnetic recording film Since the corrosion resistance can be remarkably improved without deteriorating the magneto-optical characteristics, a magneto-optical disk having excellent performance with high durability and reliability can be obtained. Further, in this case, since it is not necessary to form another protective film on the magnetic recording film, the structure of the magneto-optical disk can be simplified and the manufacturing process can be simplified.
そして、光磁気ディスクを構成する各種の膜形成にお
いて、本発明のL−CVD法を用いることによって、低い
温度で製膜が可能であるため、膜の内部応力が低減で
き、かつ高エネルギーを有する粒子が基板または下地層
に衝突することがないので、基板または下地層などを破
壊損傷させることがなく、また低温による製膜にかかわ
らず従来技術による方法よりも基板あるいは下地層との
接着力が大きく、さらにソースガスがレーザ光により十
分に大きな励起エネルギーが供給され、膜形成速度が大
きく、反応の制御性、均一性に優れており、膜形成の再
現性が著しく向上するので、膜欠陥が少なく良質のカー
エンハンス膜、保護膜などを有する耐食性ならびに耐久
性が良好で、優れた磁気および磁気光学特性を有する信
頼性の高い光磁気ディスクを製造することができる。In the formation of various films constituting the magneto-optical disk, by using the L-CVD method of the present invention, it is possible to form a film at a low temperature, so that the internal stress of the film can be reduced and the film has high energy. Since the particles do not collide with the substrate or the underlayer, the substrate or the underlayer is not destroyed and damaged, and the adhesive force with the substrate or the underlayer is higher than that of the conventional method regardless of film formation at low temperature. Large, the source gas is supplied with sufficiently large excitation energy by the laser beam, the film formation rate is high, the controllability and uniformity of the reaction are excellent, and the reproducibility of the film formation is significantly improved. Reliable magneto-optical disk with good quality of magnetic and magneto-optical properties, good corrosion resistance and durability with few high quality car enhance film, protective film, etc. It can be produced.
第1図は本発明における実施例1の磁気記録膜の飽和磁
化およびカー回転角の経時変化率を示すグラフ、第2図
は実施例2の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化率を示す
グラフ、第3図は実施例3の磁気記録膜の飽和磁化の経
時変化率を示すグラフ、第4図は実施例4の磁気記録膜
の飽和磁化の経時変化率を示すグラフ、第5図は実施例
5の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化率を示すグラフ、
第6図は実施例6の磁気記録膜の飽和磁化の経時変化を
示すグラフ、第7図は実施例7の磁気記録膜の飽和磁化
の経時変化を示すグラフ、第8図は実施例8の磁気記録
膜の飽和磁化の経時変化を示すグラフ、第9図は実施例
9ないし13において作製した光磁気ディスクの構造を示
す模式図である。 1……TbFeCo膜のMs変化 2……TbFeCo膜のθk変化 3……イオン注入したTbFeCo膜のMs変化 4……イオン注入したTbFeCo膜のθk変化 5……TbFeCoNi膜 6……TbFeCoX(X=Ti、Ta、Nb)膜 7……イオン注入したTbFeCoNi膜 8……イオン注入したTbFeCoX(X=Ti、Ta、Nb)膜 9……TbFeCoX(X=Pd、Rh、Pt)膜 10……イオン注入したTbFeCoX(X=Pd、Rh、Pt)膜 11……TbFeCoX(X=Zr、Al)膜 12……TbFeCoX(X=Ti、Ta)膜 13……イオン注入したTbFeCoX(X=Zr、Al)膜 14……イオン注入したTbFeCoX(X=Ti、Ta)膜 15……TbFeCo膜 16……Mo、WまたはZrと酸素とをイオン注入したTbFeCo
膜 17……CrまたはNbと酸素とをイオン注入したTbFeCo膜 18……Alと窒素をイオン注入したTbFeCo膜 19……TiまたはTaと窒素とをイオン注入したTbFeCo膜 20……TbFeCoX(X=Al、ZrまたはNi)膜 21……TbFeCoX(X=Ti、TaまたはNb)膜 22……酸素または窒素イオンを注入したTbFeCoX(X=A
l、ZrまたはNi)膜 23……酸素または窒素イオンを注入したTbFeCoX(X=T
i、TaまたはNb)膜 24……酸素または窒素で表面処理したTbFeCoX(X=A
l、ZrまたはNi)膜 25……酸素または窒素で表面処理したTbFeCoX(X=T
i、TaまたはNb)膜 26……基板、27……カーエンハンス膜 28……磁気記録膜、29……保護膜FIG. 1 is a graph showing the time-dependent changes in saturation magnetization and Kerr rotation angle of the magnetic recording film of Example 1 of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing the time-dependent change in saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 2. FIG. 3 is a graph showing the change rate of the saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 3 with time. FIG. 4 is a graph showing the change rate of the saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 4 with time. A graph showing the change rate of the saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 5 with time,
FIG. 6 is a graph showing the change over time of the saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 6, FIG. 7 is a graph showing the change over time of the saturation magnetization of the magnetic recording film of Example 7, and FIG. FIG. 9 is a graph showing the change over time in the saturation magnetization of the magnetic recording film, and FIG. 9 is a schematic diagram showing the structure of the magneto-optical disk produced in Examples 9 to 13. 1 ...... TbFeCo film Ms change 2 ...... TbFeCo film theta k changes 3 ...... Implanted TbFeCo film Ms change 4 ...... Implanted theta k changes in TbFeCo film 5 ...... TbFeCoNi film 6 ...... TbFeCoX ( X = Ti, Ta, Nb) film 7 ... Ion-implanted TbFeCoNi film 8 ... Ion-implanted TbFeCoX (X = Ti, Ta, Nb) film 9 ... TbFeCoX (X = Pd, Rh, Pt) film 10 ... … Ion-implanted TbFeCoX (X = Pd, Rh, Pt) film 11 …… TbFeCoX (X = Zr, Al) film 12 …… TbFeCoX (X = Ti, Ta) film 13 …… Ion-implanted TbFeCoX (X = Zr) , Al) film 14 ... Ion-implanted TbFeCoX (X = Ti, Ta) film 15 ... TbFeCo film 16 ... TbFeCo ion-implanted with Mo, W or Zr and oxygen
Film 17 ... TbFeCo film in which Cr or Nb and oxygen are ion-implanted 18 ... TbFeCo film in which Al and nitrogen are ion-implanted 19 ... TbFeCo film 20 ... TbFeCoX (X = Al, Zr or Ni) film 21 ... TbFeCoX (X = Ti, Ta or Nb) film 22 ... TbFeCoX (X = A) implanted with oxygen or nitrogen ions
L, Zr or Ni) film 23 ... TbFeCoX (X = T) implanted with oxygen or nitrogen ions
i, Ta or Nb) film 24 ... TbFeCoX (X = A) surface-treated with oxygen or nitrogen
l, Zr or Ni) film 25 ... TbFeCoX (X = T) surface-treated with oxygen or nitrogen
i, Ta or Nb) film 26 ... Substrate, 27 ... Car enhance film 28 ... Magnetic recording film, 29 ... Protective film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 良夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−163248(JP,A) 特開 昭60−17078(JP,A) 特開 昭62−200552(JP,A) 特開 昭62−175946(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Yoshio Suzuki 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji City, Tokyo Inside Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-60-163248 (JP, A) JP-A-60 -17078 (JP, A) JP 62-200552 (JP, A) JP 62-175946 (JP, A)
Claims (4)
希土類元素と鉄族元素との合金にTi、Ta、Nb、Al、Zr、
Ni、Pt、Rh、Pdの群より選ばれる少なくとも1種の元素
を10原子%以下含有する合金よりなる磁気記録膜を有す
る光磁気ディスクにおいて、 上記磁気記録膜に、不動態化または酸化を促進させる耐
食性向上元素であるP、As、Seの群より選ばれる少なく
とも1種の元素およびC、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群
より選ばれる少なくとも1種の元素、 もしくはP、As、Seの群より選ばれる少なくとも1種の
元素およびC、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群より選ばれ
る少なくとも1種の元素およびMo、W、Cr、Re、Ruの群
より選ばれる少なくとも1種の元素、 もしくは酸素、窒素のうちから選ばれる少なくとも1種
の元素を、上記磁気記録膜の膜厚1/2以下の深さにイオ
ン注入した耐食性保護層を有することを特徴とする光磁
気ディスク。Claims: 1. An alloy of a rare earth element and an iron group element, or an alloy of a rare earth element and an iron group element is used for Ti, Ta, Nb, Al, Zr,
A magneto-optical disk having a magnetic recording film made of an alloy containing 10 atomic% or less of at least one element selected from the group consisting of Ni, Pt, Rh, and Pd, and promoting passivation or oxidation in the magnetic recording film. At least one element selected from the group of P, As, and Se, which is an element for improving corrosion resistance, and at least one element selected from the group of C, B, Si, Ge, He, Ne, and H, or P, As , At least one element selected from the group of Se, and at least one element selected from the group of C, B, Si, Ge, He, Ne, H and selected from the group of Mo, W, Cr, Re, Ru Characterized in that it has a corrosion-resistant protective layer formed by ion-implanting at least one element selected from the group consisting of oxygen and nitrogen, or at least one element selected from oxygen and nitrogen, to a depth of 1/2 or less of the thickness of the magnetic recording film. A magneto-optical disk.
気記録膜に、酸素、窒素のうちから選ばれる少なくとも
1種の元素を含むガス、およびTi、Ta、Nb、Al、Zr、N
i、Cr、Mo、Wの群より選ばれる少なくとも1種の金属
元素を同時にイオン注入して形成した耐食性保護層、も
しくは上記金属元素をイオン注入した後に、上記ガスを
磁気記録膜にイオン注入して形成した耐食性保護層を有
することを特徴とする、光磁気ディスク。2. A magnetic recording film made of an alloy of a rare earth element and an iron group element, a gas containing at least one element selected from oxygen and nitrogen, and Ti, Ta, Nb, Al, Zr, N.
Corrosion resistant protective layer formed by simultaneously ion-implanting at least one metal element selected from the group of i, Cr, Mo and W, or after ion-implanting the metal element, ion-implanting the gas into the magnetic recording film. A magneto-optical disk having a corrosion-resistant protective layer formed as described above.
の光磁気ディスクにおいて、磁気記録膜にイオン注入す
る元素のイオン注入量は、 1×1016〜3×1017個/cm2の範囲であることを特徴とす
る光磁気ディスク。3. The magneto-optical disk according to claim 1 or 2, wherein the ion implantation amount of the element to be ion-implanted into the magnetic recording film is 1 × 10 16 to 3 × 10 17 pieces / cm 3. A magneto-optical disk characterized by a range of 2 .
希土類元素と鉄族元素との合金にTi、Ta、Nb、Al、Zr、
Ni、Pt、Rh、Pdの群より選ばれる少なくとも1種の元素
を10原子%以下含有する合金よりなる磁気記録膜を有す
る光磁気ディスクの製造方法であって、 上記磁気記録膜に、不動態化または酸化を促進させる耐
食性向上元素であるP、As、Seの群より選ばれる少なく
とも1種の元素およびC、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群
より選ばれる少なくとも1種の元素、 もしくはP、As、Seの群より選ばれる少なくとも1種の
元素およびC、B、Si、Ge、He、Ne、Hの群より選ばれ
る少なくとも1種の元素およびMo、W、Cr、Re、Ruの群
より選ばれる少なくとも1種の元素を、 上記磁気記録膜の膜厚の1/2以下の深さにイオン注入す
る前、もしくはその後に、酸素、窒素のうちから選ばれ
る少なくとも1種の元素を含むガス中で熱処理する工程
を少なくとも含むことを特徴とする光磁気ディスクの製
造法。4. An alloy of a rare earth element and an iron group element, or an alloy of a rare earth element and an iron group element for Ti, Ta, Nb, Al, Zr,
A method for manufacturing a magneto-optical disk having a magnetic recording film made of an alloy containing 10 atomic% or less of at least one element selected from the group consisting of Ni, Pt, Rh, and Pd, wherein the magnetic recording film is passivated. At least one element selected from the group of P, As and Se, which is a corrosion resistance improving element that promotes oxidation or oxidation, and at least one element selected from the group of C, B, Si, Ge, He, Ne and H , Or at least one element selected from the group of P, As, Se and at least one element selected from the group of C, B, Si, Ge, He, Ne, H, and Mo, W, Cr, Re, At least one element selected from the group consisting of Ru and at least one element selected from oxygen and nitrogen is formed before or after ion implantation of at least one element selected from the group of Ru to a depth of 1/2 or less of the film thickness of the magnetic recording film. Specially including at least a step of heat treatment in a gas containing an element. Preparation of the magneto-optical disk to.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61168081A JP2548704B2 (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Magneto-optical disk and its manufacturing method |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61168081A JP2548704B2 (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Magneto-optical disk and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS6325857A JPS6325857A (en) | 1988-02-03 |
JP2548704B2 true JP2548704B2 (en) | 1996-10-30 |
Family
ID=15861492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP61168081A Expired - Lifetime JP2548704B2 (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Magneto-optical disk and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2548704B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (4)
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-
1986
- 1986-07-18 JP JP61168081A patent/JP2548704B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6325857A (en) | 1988-02-03 |
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