JP2545098B2 - Method for manufacturing saturable inductor - Google Patents

Method for manufacturing saturable inductor

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JP2545098B2 JP62255278A JP25527887A JP2545098B2 JP 2545098 B2 JP2545098 B2 JP 2545098B2 JP 62255278 A JP62255278 A JP 62255278A JP 25527887 A JP25527887 A JP 25527887A JP 2545098 B2 JP2545098 B2 JP 2545098B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は可飽和インダクタに係り、特に、昇圧トラン
スの後段に縦続的に接続される形式のものに関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a saturable inductor, and more particularly, to a saturable inductor that is cascadedly connected to a subsequent stage of a step-up transformer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

パルスレーザ励起電源装置等に用いられる可飽和イン
ダクタとしては、帯状のアモルファス金属に絶縁材を重
ねて巻回したものが知られている。アモルファス金属を
使用する理由は、アモルファス金属が低鉄損、高飽和磁
束密度、高角型性(高透磁率)という特性を有し、イン
ダクタの小型化、高性能化を図ることができるからであ
る。
As a saturable inductor used for a pulsed laser excitation power supply device or the like, a band-shaped amorphous metal in which an insulating material is superposed and wound is known. The reason for using the amorphous metal is that the amorphous metal has the characteristics of low iron loss, high saturation magnetic flux density, and high squareness (high magnetic permeability), and it is possible to achieve miniaturization and high performance of the inductor. .

しかし、一般にアモルファス磁性材料は、その製造の
ための急冷時、あるいは加工時に生じる歪みにより、磁
気特性が大幅に劣化してしまうので、磁気特性を改善す
るため、結晶化温度以下で、かつ、キュリー温度近傍で
歪み取りの熱処理を施すことが必要とされている。
However, in general, the magnetic characteristics of an amorphous magnetic material are significantly deteriorated due to strain generated during quenching for manufacturing or during processing. Therefore, in order to improve the magnetic characteristics, the temperature is lower than the crystallization temperature and the Curie It is necessary to perform heat treatment for strain relief near the temperature.

このため従来は、第8図に示すように、帯状のアモル
ファス金属20に絶縁フィルム21を重ねて巻回してコイル
状に形成した後、全体を加熱処理して歪み取りをするよ
うにしていた。
For this reason, conventionally, as shown in FIG. 8, an insulating film 21 is superposed on a band-shaped amorphous metal 20 and wound to form a coil, and then the whole is heat-treated to remove strain.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、前記した製造方法では、アモルファス金属に
絶縁体を重ねて巻回する工程が不可欠であるため、製造
装置が複雑となり、可飽和インダクタのコストが高くな
るという問題がある。
However, in the above-described manufacturing method, the step of winding the amorphous metal on the insulating material is indispensable, so that the manufacturing apparatus becomes complicated and the cost of the saturable inductor increases.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、
製造が容易で、コストを引き下げることができるように
した可飽和インダクタの製造方法を提供することを技術
的課題とする。
The present invention has been made in view of such problems,
It is a technical object to provide a method of manufacturing a saturable inductor which is easy to manufacture and can reduce the cost.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は前記技術的課題を解決するために、可飽和イ
ンダクタを以下のような方法で製造した。
In order to solve the above technical problem, the present invention manufactured a saturable inductor by the following method.

即ち、帯状のアモルファス金属1に絶縁剤2をコーテ
ィングした後、コイル状に巻回する。
That is, the band-shaped amorphous metal 1 is coated with the insulating agent 2 and then wound into a coil.

また、必要に応じて前記コイル状に巻回したものを前
記絶縁剤2の溶融点以下の温度で熱処理する。
If necessary, the coiled material is heat-treated at a temperature equal to or lower than the melting point of the insulating agent 2.

コーティング工程は、塗布または吹き付け、若しくは
真空蒸着等によるものが例示でき、その厚さは例えば0.
1μm〜10μmが適当である。
The coating process can be exemplified by coating or spraying, or vacuum deposition, and its thickness is, for example, 0.
1 μm to 10 μm is suitable.

前記アモルファス金属としては、組成で、Fe,Co,B,Si
系、Fe,B,Si,C系、Fe,B,Si系、Fe,B,Si,Cr系、Fe,Ni,M
o,B系、Co,Fe,Ni,Mo,B,Si系,Co,Fe,Ni,B,Si系のもの等
が例示できる。
The composition of the amorphous metal is Fe, Co, B, Si.
System, Fe, B, Si, C system, Fe, B, Si system, Fe, B, Si, Cr system, Fe, Ni, M
Examples include o, B type, Co, Fe, Ni, Mo, B, Si type, Co, Fe, Ni, B, Si type and the like.

〔作用〕[Action]

本発明最大の特徴は、帯状のアモルファス金属に絶縁
剤をコーティングした後、アモルファス金属をコイル状
に巻回して可飽和インダクタを製造することにある。こ
のため、製造に際しては、帯状のアモルファス金属に絶
縁剤を連続的に形成することができ生産性が大幅に向上
する。前記コーティングはアモルファス金属の一面に施
しても、また、両面に施してもよい。
The greatest feature of the present invention is that a band-shaped amorphous metal is coated with an insulating agent and then the amorphous metal is wound into a coil to manufacture a saturable inductor. Therefore, at the time of manufacturing, the insulating agent can be continuously formed on the band-shaped amorphous metal, and the productivity is greatly improved. The coating may be applied to one side or both sides of the amorphous metal.

さらに、アモルファス金属を未熟処理の状態でコーテ
ィングしたり、必要に応じてコーティング前に熱処理
し、磁気特性を改善した後にコーティングを行ってもよ
い。
Further, the amorphous metal may be coated in an unripened state, or may be heat-treated before coating to improve the magnetic properties, if necessary, before coating.

また、必要に応じて巻回後のアモルファス金属を加熱
処理することにより磁気特性の改善をも図ることができ
る。
Further, the magnetic characteristics can be improved by heating the amorphous metal after winding, if necessary.

コーティングさせる絶縁剤としては、合成樹脂、酸化
マグネシウム、2酸化ケイ素、セラミックを使用するこ
とができる。
As the insulating agent to be coated, synthetic resin, magnesium oxide, silicon dioxide, or ceramic can be used.

合成樹脂では、熱可塑性樹脂として、結晶性、非晶性
を問わず、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ1−ブテン、ポリ4−メチル−1
−ペンテンあるいはエチレン、プロピレン、1−ブテ
ン、4−メチル−1−ペンテン等のα−オレフィン同士
のランダムあるいはブロック共重合体等のポリオレフィ
ン、エチレン,アクリル酸共重合体、エチレン,酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン,ビニルアルコール共重合体、
エチレン,塩化ビニル共重合体等のエチレン,ビニル化
合物共重合体、ポリスチレン、アクリロニトリル,スチ
レン共重合体、ABS、メタクリル酸メチル,スチレン共
重合体、α−メチルスチレン,スチレン共重合体等のス
チレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
塩化ビニル,塩化ビニリデン共重合体、ポリアクリル酸
メチル、ポリメタクリル酸メチル等のポリビニル化合
物、ナイロン6、ナイロン6−6、ナイロン6−10、ナ
イロン11、ナイロン12等のポリアミド、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート等の熱可塑
性ポリエステル、ポリカーボネート、ポリフェニレンオ
キサイド、その他、ポリパラキシリレン系、ポリモノク
ロロパラキシリレン系、ポリジクロロパラキシリレン
系、ポリウレタン系、シリコン系、あるいはそれらの混
合物のいずれの樹脂でもよい。
Synthetic resins include low density polyethylene, high density polyethylene, regardless of whether they are crystalline or amorphous, as thermoplastic resins.
Polypropylene, poly 1-butene, poly 4-methyl-1
-Pentene or polyolefin such as ethylene or propylene, 1-butene, 4-methyl-1-pentene or other α-olefin random or block copolymer, ethylene, acrylic acid copolymer, ethylene, vinyl acetate copolymer , Ethylene, vinyl alcohol copolymer,
Ethylene, vinyl compound copolymer such as ethylene, vinyl chloride copolymer, polystyrene, acrylonitrile, styrene copolymer, ABS, methyl methacrylate, styrene copolymer, styrene-based such as α-methylstyrene, styrene copolymer Resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride,
Polyvinyl compound such as vinyl chloride, vinylidene chloride copolymer, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, nylon 6, polyamide such as nylon 6, nylon 6-6, nylon 6-10, nylon 11 and nylon 12, polyethylene terephthalate, polybutylene Thermoplastic polyester such as terephthalate, polycarbonate, polyphenylene oxide, other, polyparaxylylene-based, polymonochloroparaxylylene-based, polydichloroparaxylylene-based, polyurethane-based, silicone-based, or a mixture thereof may be used. .

このように、種々の樹脂を使用できるが、可飽和イン
ダクタに要求する性能に応じて、誘電率、絶縁抵抗、耐
候性等を勘案して選定するのがよい。
As described above, various resins can be used, but it is preferable to select them in consideration of the dielectric constant, insulation resistance, weather resistance, etc., according to the performance required for the saturable inductor.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の実施例を第1図ないし第7図に基づいて説明
する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

〈第1実施例〉 帯状のアモルファス金属1をローラ3で押し出しつつ
合成樹脂噴出ノズル4によりアモルファス金属1の一面
に合成樹脂(2)を吹き付ける。これにより0.2μmの
厚さのコーティング層が形成される。これを乾燥させ、
この後、アモルファス金属1を第2図に示すようにコイ
ル状に巻回する。
<First Example> While a belt-shaped amorphous metal 1 is being pushed out by a roller 3, a synthetic resin (2) is sprayed onto one surface of the amorphous metal 1 by a synthetic resin jet nozzle 4. As a result, a coating layer having a thickness of 0.2 μm is formed. Let it dry,
After that, the amorphous metal 1 is wound into a coil as shown in FIG.

コーティング工程は、コイルの巻き線間を完全に絶縁
するようなむらなくコーティングさせることが必要であ
る。
The coating process requires uniform coating so as to completely insulate the windings of the coil.

このようにアモルファス金属1を巻回した状態で可飽
和インダクタとしての特性が得られるが、このように構
成された可飽和インダクタを加熱処理することにより磁
気特性を改善することができる。ここで磁気特性とはB
−H特性における角形性、及び飽和磁束密度△B等を示
す。
As described above, the characteristic as the saturable inductor is obtained in a state where the amorphous metal 1 is wound, and the magnetic characteristic can be improved by heating the saturable inductor configured as above. Here, the magnetic characteristics are B
The squareness and the saturation magnetic flux density ΔB in the −H characteristic are shown.

アモルファス金属の加熱温度、加熱時間、及び焼鈍時
間は必要な磁気特性が得られるようアモルファス金属の
種類に応じて任意に設定できるが、その場合、前記合成
樹脂(2)の溶融点以下の温度で熱処理することが必要
である。
The heating temperature, heating time, and annealing time of the amorphous metal can be arbitrarily set according to the type of the amorphous metal so that the required magnetic properties can be obtained. In that case, at a temperature below the melting point of the synthetic resin (2). It is necessary to heat-treat.

なお、コーティングはアモルファス金属の熱処理前に
行ってもよいし、アモルファス金属を熱処理して磁気特
性を改善した後に行ってもよい。
The coating may be performed before the heat treatment of the amorphous metal or after the heat treatment of the amorphous metal to improve the magnetic characteristics.

〈第2実施例〉 前記した実施例ではアモルファス金属1の一面に合成
樹脂(2)を吹き付けて絶縁層を形成したものである
が、第3図に示すようにアモルファス金属1の表裏両面
に合成樹脂(2)を吹き付けて絶縁層を形成しても良
く、この場合には絶縁性を更に確実なものとすることが
できる。
<Second Embodiment> In the above-mentioned embodiment, the synthetic resin (2) is sprayed on one surface of the amorphous metal 1 to form the insulating layer. However, as shown in FIG. The insulating layer may be formed by spraying the resin (2), and in this case, the insulating property can be made more reliable.

〈第3実施例〉 アモルファス金属1の表面にセラミックを基材とする
絶縁剤2を真空蒸着により形成したものである。絶縁剤
2としては酸化マグネシウム、2酸化ケイ素(シリカ)
を使用することができる。また、2酸化ケイ素は揮発性
溶剤に分散含有させた状態でアモルファス金属1の表面
に形成固着させることもできる。
Third Embodiment A ceramic-based insulating agent 2 is formed on the surface of an amorphous metal 1 by vacuum vapor deposition. Insulating agent 2 is magnesium oxide, silicon dioxide (silica)
Can be used. Further, silicon dioxide can be formed and fixed on the surface of the amorphous metal 1 while being dispersed and contained in a volatile solvent.

以上、可飽和インダクタの製造方法につき説明した
が、以下前記製造方法により製造した可飽和インダクタ
を用いた高速繰り返しパルスレーザ励起電源装置につい
て第4図により説明する。
The method for manufacturing the saturable inductor has been described above. A high-speed repetitive pulse laser excitation power supply device using the saturable inductor manufactured by the manufacturing method will be described below with reference to FIG.

同図の装置は充電電源PS、充電電源PSに接続されたSC
Rのような半導体スイッチ素子SW、エネルギ蓄積コンデ
ンサC1、半導体スイッチ素子SWの両端にコンデンサC1を
介して1次コイルが接続された昇圧トランスT1、この昇
圧トランスT1の2次コイルに縦続接続された可飽和イン
ダクタSL1,SL2,SL3及びコンデンサC1,C2,C3で構成さ
れ、それにエキシマーレーザのようなレーザ負荷LDが接
続されている。第5図は第4図の装置に使用されている
パルス圧縮回路の具体的構成を示す。パルス圧縮回路は
第5図に示されるように、高電圧に対する安定性と低イ
ンダクタンスを実現するために、高電位導体板を中央に
置き、これを2枚のアース導体板3a,3bによりはさみ込
む構造となっている。各コンデンサC1,C2,C3は例えば夫
々残留インダクタンスの小さいセラミックコンデンサ等
を複数個並列接続することにより構成される。
The device in the figure is a charging power supply PS, and an SC connected to the charging power supply PS.
A semiconductor switch element SW such as R, an energy storage capacitor C1, a step-up transformer T1 in which a primary coil is connected to both ends of the semiconductor switch element SW via a capacitor C1, and a secondary coil of this step-up transformer T1 is cascade-connected. It is composed of saturable inductors SL1, SL2, SL3 and capacitors C1, C2, C3, to which a laser load LD such as an excimer laser is connected. FIG. 5 shows a specific configuration of a pulse compression circuit used in the apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 5, the pulse compression circuit places a high-potential conductor plate at the center and sandwiches it between two ground conductor plates 3a and 3b in order to realize stability against high voltage and low inductance. It has a structure. Each of the capacitors C1, C2, and C3 is configured by, for example, connecting a plurality of ceramic capacitors each having a small residual inductance in parallel.

なお、昇圧トランスT1の1次コイル側に接続されるエ
ネルギ蓄積コンデンサC1としては例えばオイルコンデン
サ等が使用できる。また、各可飽和インダクタSL1SL2,S
L3は前記した方法により製造したものである。
Note that, for example, an oil capacitor or the like can be used as the energy storage capacitor C1 connected to the primary coil side of the step-up transformer T1. In addition, each saturable inductor SL1SL2, S
L3 is produced by the method described above.

前記各可飽和インダクタSL1,SL2,SL3はこのような磁
心を各々所望の数だけ使用し、かつ、コイルの巻き線数
を適切に選択することにより飽和時のインダクタンスSL
satが例えば順次小さくなるように構成される。
Each of the saturable inductors SL1, SL2, SL3 uses a desired number of such magnetic cores, and the inductance SL when saturated is determined by appropriately selecting the number of coil windings.
For example, sat is configured to be gradually reduced.

以上のようにして構成された高速繰り返しパルスレー
ザ励起電源装置の動作を説明する。まず高電圧の充電電
源PSでエネルギ蓄積コンデンサC1をVc1(電圧)に充電
しておき、半導体スイッチSWのゲートを外部からトリガ
することによりこの半導体スイッチSWを導通させる。こ
れにより、コンデンサC1の電荷が昇圧トランスT1を介し
てコンデンサC2へ移乗し、コンデンサC2の電圧がVC2max
に達する。
The operation of the high-speed repetitive pulsed laser excitation power supply device configured as described above will be described. First, the energy storage capacitor C1 is charged to Vc1 (voltage) by the high-voltage charging power source PS, and the gate of the semiconductor switch SW is triggered from the outside to make the semiconductor switch SW conductive. As a result, the charge of the capacitor C1 is transferred to the capacitor C2 via the step-up transformer T1, and the voltage of the capacitor C2 is VC2max.
Reach

ここで、可飽和インダクタSL1はこの間未飽和状態に
あり、高インダクタンスとなるため、コンデンサC2の電
荷はほとんどコンデンサC3へ流出されることはない。一
方、コンデンサC2の電圧がVC2maxに達すると可飽和イン
ダクタSL1は飽和状態になり、急激にインダクタンスが
低下するように設計されている。これにより、コンデン
サC2に蓄積された電荷は、コンデンサC1へ戻らず、コン
デンサC2、可飽和インダクタSL1及びコンデンサC3によ
って構成される回路の時定数τ1に従ってコンデンサC3
へ移乗し、τ1時間経過後のコンデンサC3の電圧が最大
電圧VC3maxに達する。この時、時定数τ1は次式で表さ
れる。
Here, the saturable inductor SL1 is in an unsaturated state during this period and has a high inductance, so that almost no charge of the capacitor C2 flows out to the capacitor C3. On the other hand, the saturable inductor SL1 is designed to be saturated when the voltage of the capacitor C2 reaches VC2max, and the inductance is rapidly reduced. As a result, the electric charge accumulated in the capacitor C2 does not return to the capacitor C1 but the capacitor C3 follows the time constant τ1 of the circuit composed of the capacitor C2, the saturable inductor SL1 and the capacitor C3.
The voltage of the capacitor C3 after τ1 time reaches the maximum voltage VC3max. At this time, the time constant τ1 is expressed by the following equation.

ここで、SL1satは可飽和インダクタSL1の飽和インダ
クタンスである。上式で表される時定数τ1の時間の
間、可飽和インダクタSL2は未飽和状態にあり、コンデ
ンサC2に蓄積された電荷はコンデンサC4へ流れ込まず、
ほとんどコンデンサC3に移乗する。そして、コンデンサ
C3の電圧がVC3maxに達すると、可飽和インダクタSL2が
急激に飽和するが、ここで可飽和インダクタSL2の飽和
インダクタンスを可飽和インダクタSL1のそれより小さ
くしておくことにより、コンデンサC3、可飽和インダク
タSL2、およびコンデンサC4によって構成される回路の
時定数τ2に従ってコンデンサC3に蓄積されたエネルギ
を有効にコンデンサC4へ移乗させるとともに、パルス幅
を圧縮することが可能となる。この場合、時定数τ2は
次式で表される。
Here, SL1sat is the saturation inductance of the saturable inductor SL1. During the time of the time constant τ1 represented by the above equation, the saturable inductor SL2 is in an unsaturated state, and the electric charge accumulated in the capacitor C2 does not flow into the capacitor C4,
Almost transferred to the capacitor C3. And the capacitor
When the voltage of C3 reaches VC3max, the saturable inductor SL2 saturates rapidly.However, by keeping the saturation inductance of the saturable inductor SL2 smaller than that of the saturable inductor SL1, the capacitor C3, saturable inductor According to the time constant τ2 of the circuit formed by SL2 and the capacitor C4, the energy stored in the capacitor C3 can be effectively transferred to the capacitor C4 and the pulse width can be compressed. In this case, the time constant τ2 is expressed by the following equation.

ここで、SL2satは可飽和インダクタSL2の飽和インダ
クタンスである。
Here, SL2sat is the saturation inductance of the saturable inductor SL2.

同様に、コンデンサC3の電荷が完全にコンデンサC4に
移乗するまで可飽和インダクタSL3が未飽和状態を保
ち、エネルギの移乗がおこなわれコンデンサC4の電圧が
最大になった時点で可飽和インダクタSL3が飽和し、コ
ンデンサC4に蓄積されたエネルギが負荷LDへ流れ込む。
Similarly, the saturable inductor SL3 remains in an unsaturated state until the electric charge of the capacitor C3 is completely transferred to the capacitor C4, and the saturable inductor SL3 is saturated when the energy transfer is performed and the voltage of the capacitor C4 becomes maximum. Then, the energy stored in the capacitor C4 flows into the load LD.

なお、電源装置の出力インピーダンスZoutは、 で表され、可飽和インダクタSL3の形状を考慮すること
により、その飽和インダクタンスSL3satは数10nHと小さ
くすることができるから出力インピーダンスZoutを1Ω
以下にすることが可能である。
The output impedance Zout of the power supply is The saturation inductance SL3sat can be reduced to several tens of nH by considering the shape of the saturable inductor SL3, so the output impedance Zout is 1Ω.
It can be:

このように、エネルギ共振移乗回路を複数個直列に接
続し、回路中のインダクタとして可飽和インダクタを使
用し、コンデンサC2,C3,C4の静電容量を同一にし、かつ
可飽和インダクタの飽和インダクタンスを次第に減少さ
せることにより、磁気パルス圧縮装置を構成することが
可能となり、エネルギを効率よく伝達されるとともに、
インピーダンスを順次低下させかつ、パルス幅の圧縮が
可能となる。さらにパルス電源の出力インピーダンスと
エキシマーレーザの放電インピーダンスとを整合させる
ことができる。
In this way, multiple energy resonance transfer circuits are connected in series, a saturable inductor is used as the inductor in the circuit, the capacitors C2, C3, and C4 have the same capacitance, and the saturation inductance of the saturable inductor is By gradually reducing it, it becomes possible to construct a magnetic pulse compression device, and energy is efficiently transmitted, and
It is possible to sequentially reduce the impedance and compress the pulse width. Furthermore, the output impedance of the pulse power source and the discharge impedance of the excimer laser can be matched.

第6図及び第7図は高速繰り返しパルスレーザ励起電
源装置の他の構成例を示す。第6図に示すものは磁気ア
シスト回路である。パルススイッチとしてサイラトロン
SWを用い、サイラトロンSWの寿命等の保護回路として可
飽和インダクタを用いたものである。
6 and 7 show another configuration example of the high-speed repetition pulse laser excitation power supply device. What is shown in FIG. 6 is a magnetic assist circuit. Thyratron as a pulse switch
SW is used, and a saturable inductor is used as a protection circuit for the life of the thyratron SW.

第7図に示すものは磁気出力スイッチ(パルスシャー
プニングスイッチ)として可飽和インダクタを用いた回
路である。このインピーダンス回路Zとしてはコンデン
サ、又はパルス成形回路(パルス成形線路)を用いるこ
とができる。
The circuit shown in FIG. 7 is a circuit using a saturable inductor as a magnetic output switch (pulse sharpening switch). As the impedance circuit Z, a capacitor or a pulse shaping circuit (pulse shaping line) can be used.

〔発明の効果〕 本発明によれば、帯状のアモルファス金属に絶縁材た
る合成樹脂、2酸化ケイ素、酸化マグネシウム、または
セラミックスをコーティングした後、アモルファス金属
をコイル状に巻回して可飽和インダクタを製造するよう
にしたので、絶縁体を帯状のアモルファス金属に連続的
に形成することができ生産性が大幅に向上する。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, a band-shaped amorphous metal is coated with a synthetic resin as an insulating material, silicon dioxide, magnesium oxide, or ceramics, and then the amorphous metal is wound into a coil to manufacture a saturable inductor. By doing so, the insulator can be continuously formed on the band-shaped amorphous metal, and the productivity is greatly improved.

また必要に応じて巻回後のアモルファス金属を加熱処
理することにより磁気特性の改善をも図ることができ
る。
Further, the magnetic characteristics can be improved by heating the amorphous metal after winding, if necessary.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第4図は本発明の実施例を示し、第1図は
製造工程を示す断面図、第2図は可飽和インダクタの断
面図、第3図は他の実施例の製造工程を示す断面図、第
4図は可飽和インダクタを用いたパルスレーザ励起電源
装置の回路図、第5図は第4図の装置に使用されている
パルス圧縮回路の断面図、第6図及び第7図はパルスレ
ーザ励起電源装置の他の構成例を示す回路図、第8図は
従来の可飽和インダクタの一部展開した斜視図である。 1……アモルファス金属、2……絶縁剤、 T1……昇圧トランス、PS……充電電源、 SL1,SL2,SL3……可飽和インダクタ、 C1,C2,C3,C4……コンデンサ。 LL……バイパスインダクタ、LD……レーザ負荷。
1 to 4 show an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process, FIG. 2 is a sectional view of a saturable inductor, and FIG. 3 is a manufacturing process of another embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view, FIG. 4 is a circuit diagram of a pulse laser excitation power supply device using a saturable inductor, FIG. 5 is a cross-sectional view of a pulse compression circuit used in the device of FIG. 4, FIG. 6 and FIG. FIG. 8 is a circuit diagram showing another configuration example of the pulsed laser excitation power supply device, and FIG. 8 is a partially exploded perspective view of a conventional saturable inductor. 1 ... Amorphous metal, 2 ... Insulating agent, T1 ... Step-up transformer, PS ... Charging power source, SL1, SL2, SL3 ... Saturable inductor, C1, C2, C3, C4 ... Capacitor. LL: Bypass inductor, LD: Laser load.

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】帯状のアモルファス金属1に絶縁剤2をコ
ーティングした後、コイル状に巻回したことを特徴とす
る可飽和インダクタの製造方法。
1. A method of manufacturing a saturable inductor, characterized in that a strip-shaped amorphous metal 1 is coated with an insulating agent 2 and then wound in a coil shape.
【請求項2】帯状のアモルファス金属1に絶縁剤2をコ
ーティングした後、コイル状に巻回し、前記絶縁剤2の
溶融点以下の温度で熱処理したことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の可飽和インダクタの製造方法。
2. A strip-shaped amorphous metal 1 is coated with an insulating agent 2 and then wound in a coil shape and heat-treated at a temperature below the melting point of the insulating agent 2. A method for manufacturing the saturable inductor described.
【請求項3】前記絶縁剤2が合成樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の可飽和インダクタの
製造方法。
3. The saturable inductor manufacturing method according to claim 1, wherein the insulating agent 2 is a synthetic resin.
【請求項4】前記絶縁剤2が酸化マグネシウムであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の可飽和イン
ダクタの製造方法。
4. The method of manufacturing a saturable inductor according to claim 1, wherein the insulating agent 2 is magnesium oxide.
【請求項5】前記絶縁剤2が2酸化ケイ素であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の可飽和インダク
タの製造方法。
5. The method of manufacturing a saturable inductor according to claim 1, wherein the insulating agent 2 is silicon dioxide.
【請求項6】前記絶縁剤2がセラミックであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の可飽和インダクタ
の製造方法。
6. The method of manufacturing a saturable inductor according to claim 1, wherein the insulating agent 2 is ceramic.
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