JP2529079B2 - 高温安定性ＨｇＣｄＴｅ光センサ―および製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光センサーに係わり、特
に周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族から選ばれる半導体
からなる赤外線（ＩＲ）センサーの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光起電（ＰＶ）水銀−カドミウム−テル
ル化物（ＨｇＣｄＴｅ）ＩＲセンサーに用いられる従来
のコンタクト用金属は、各ｐ型コンタクトについてはニ
ッケル（Ｎｉ）オーバーコートを備えた金（Ａｕ）を含
み、各ｎ型接地（共通）コンタクトについてはニッケル
オーバーコートを備えたパラジウム（Ｐｄ）が含まれて
いる。しかし、高温貯蔵の間に金およびパラジウムとも
ＨｇＣｄＴｅ内に拡散し、パラジウムの場合は多量の転
位を、金の場合はｐ−ｎ結合の短絡をそれぞれ生じさせ
るという問題があった。これらの好ましくない拡散は装
置の性能低下をもたらし、高温（焼成）安定性を著しく
損なう。さらに、ｐ−型材料についてのＡｕ／Ｎｉコン
タクトの使用、ｎ−型材料についてのＰｎ／Ｎｉコンタ
クトの使用は２つの別々の写真蝕刻および堆積プロセス
を必要としていた。さらにＡｕ／ＮｉおよびＰｎ／Ｎｉ
金属システムは熱膨脹係数（ＣＴＥ）がＨｇＣｄＴｅの
熱膨脹係数と可なり異なる。その結果、熱サイクルの
間、ＨｇＣｄＴｅに対しストレスが加わることになる。

【０００３】上記コンタクト金属に、カドミウム−テル
ル化物（ＣｄＴｅ）のような広い禁止帯幅のアニーリン
グされた半導体パシベーション層を使用することが知ら
れている。堆積されたＣｄＴｅフィルムには残留結晶格
子歪みが含まれるが、熱アニールによりその歪みが当初
の約１０％に減少される。ＣｄＴｅパシベーションのア
ニーリングは従来、コンタクトメタライゼーションの堆
積の前に行われ、アニーリングの前に開口、または窓が
パシベーションフィルムを通ってエッチング、形成され
なければならない。しかし、パシベーションフィルム中
にエッチングにより開口させると、開口部のエッジ部分
に好ましくない応力の集中が生じ、これにより下層のＨ
ｇＣｄＴｅ材料が劣化される。

【０００４】その結果、表面パシベーションの不安定性
またはコンタクト金属の好ましくない拡散のため、Ｄｅ
ｗａｒ 焼成温度は一般に１００℃以下に制限されてい
た。

【０００５】さらに、ＨｇはＣｄＴｅパシベーション層
内に拡散することが知られており、長い高温貯蔵の間に
第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族材料の好ましい化学量論量比を
光センサー内に維持することができなくなる。

【０００６】さらに、従来のＩＲ検出アレイのプロセス
における問題は、２つの好ましくない化学反応である。
これらは他の回路とのハイブリッド化においてインジウ
ム（Ｉｎ）バンプから酸化物を除去するエッチング法に
おいて生じる。例えば米国特許Ｎｏ．４，８６５，２４
５にそのエッチング法が開示されている。

【０００７】さらに詳述すると、エッチングの間に電気
化学セルがＩｎバンプとＩｎバンプが堆積されているコ
ンタクト金属との間に形成され。エッチャント、例えば
ＨＣｌは電解質として作用する。その結果、Ｉｎのエッ
チング速度はコンタクト金属の露出面積（ａ）およびコ
ンタクト金属とＩｎとの間の電気陰性度の違い（ｂ）に
比例して増大する。その結果、エッチングの間に除去さ
れるＩｎの量はアレイの表面に亘って異なることにな
る。一般に接地コンタクト金属の可なりの部分が露出し
ているアレイの周辺に最大のＩｎ除去量が発生すること
が見出だされている。Ｉｎバンプの劣化はアレイの周辺
のＩｎバンプについて特に問題となる。なぜならば、こ
れらのＩｎバンプはハイブリッドアセンブリーの長時間
の熱サイクル後の故障を最も受けやすいからである。

【０００８】第２の好ましくない化学反応はＣｄＴｅパ
シベーション層の表面での導電性のＩｎ−Ｔｅウィスカ
ーの形成である。

【０００９】以下の特許は周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩ
Ａ族光検出装置の製造に関連する文献である。

【００１０】米国特許Ｎｏ．４，４３９，９１２にはモ
リブデン（Ｍｏ）層の使用が開示されていて、その層の
上にＡｕ／Ｇｅ層のオーバーコート層が施されていて、
これによりＣｄＴｅ基板の上に形成されたＨｇＣｄＴｅ
エピタキシャルデテクターアレイへの配線リードが形成
されている。このリードはＨｇＣｄＴｅおよびＣｄＴｅ
のＣＴＥに極めてマッチしていると述べられている。ま
た、このレードの一部はＺｎＳパッシベーション層を堆
積する前にマスクされる。ＪＰ６０−３１６５（Ａ）の
アブストラクトには熱処理後の（ＣｄＺｎＴｅ）（Ｉｎ
Ｔｅ）光導電層へのＭｏ電極の堆積について開示されて
いる。米国特許Ｎｏ．４，７６６，０８４にはＣｒおよ
びＡｕの堆積およびエッチングにより導電性パッドを形
成することが開示されている。その図２にはＳｉＯ₂ お
よびＳｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ およびＺｎＳ、ＣｄＴｅおよ
びＺｎＳなどの絶縁層を有するＨｇＣｄＴｅが示されて
いる。米国特許Ｎｏ．４，２０６，００３にはアノード
酸化物パッシベーション層上に形成されたＺｎＳカプセ
ル化層を有するＨｇＣｄＴｅダイオードが開示されてい
る。米国特許Ｎｏ．４，１３２，９９９にはＨｇＣｄＴ
ｅ基板、ＣｄＴｅ遷移層およびＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ
ＯおよびＳｉ₃ Ｎ₄ からなるマスキング層を有するＰＶ
デテクターが開示されている。熱処理後、窓が開口され
ＨｇＣｄＴｅ基板中に不純物がドーピングされるのを可
能としている。ついでＣｄＴｅからなる保護層がこのマ
スキング層および窓上に堆積され、Ｈｇがこの窓を介し
て拡散される。孔部がこの保護層を通って開口されＣｒ
またはＡｕコンタクトが形成される。米国特許Ｎｏ．
３，９８８，７７４にはＨｇＣｄＴｅ中間層を有する、
またはＣｄＴｅが上に堆積されたＨｇＣｄＴｅ体が開示
されている。熱処理の後、窓が開口され、ドーパントが
ＨｇＣｄＴｅ体中に拡散され、ＣｒまたはＡｕコンタク
トが形成される。米国特許Ｎｏ．３，８４５，４９４に
は両面にＡｕ電極を有するＨｇＣｄ−ＣｄＴｅ ＰＶデ
テクターが開示されている。電極が形成されたのち、Ｚ
ｎＳのＨｇ不透過性層が施される。ＧＢ−２１００９２
７ＡにはＣｄＴｅパッシベーション層を有するＨｇＣｄ
Ｔｅホトダイオードが開示されている。熱処理の後、Ｃ
ｄＴｅ内の孔を介してＡｕ電極が形成される。

【００１１】

【発明々が解決しようとする課題】これらの米国特許な
どに開示されていないことは、したがって本発明の目的
となるものは、広い禁止帯幅の半導体パッシベーション
層またはフィルムの堆積の前に金属コンタクトを堆積
し、この金属コンタクトへの窓が熱アニーリング工程の
後に開口され、これにより窓のエッジ部での局部的応力
を最小限に抑制することを内容とする光センサーおよび
その製造方法を提供することである。

【００１２】本発明の他の目的は、ＨｇＣｄＴｅのＣＴ
Ｅと同程度のＣＴＥを有する金属コンタクトを使用し、
これを半導体パッシベーション層の堆積および後の熱ア
ニールの前に適用することである。

【００１３】さらに本発明の他の目的は、ハイブリッド
化プロセスの間におけるＩｎバンプ配線の劣化をもたら
す好ましくない化学反応の発生を可及的に回避すること
である。これにより光検出装置ハイブリッドアセンブリ
ーの信頼性の向上を図るものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ホ
トダイオード結合のｐ側およびｎ側の双方に対するパッ
シベーションおよびコンタクト金属化を一緒にし、コン
タクト金属はパッシベーションフィルムの前、および高
温アニールの前に適用することを特徴とするＨｇＣｄＴ
ｅ ＩＲ検出装置の製造方法を提供するものである。

【００１５】さらに、本発明は、誘電体オーバーグラス
層を形成し、ハイブリッド化プロセスの間における好ま
しくない化学反応の発生を可及的に回避し、Ｈｇが高温
貯蔵の間にパッシベーションを介して拡散するのを防止
し得る方法を提供するものである。

【００１６】高温でのアニーリングの前に非反応性、非
拡散性コンタクト金属を適用することは、幾つかの点で
有利となる。第１に、金属と半導体との間の界面が、後
の処理、使用の間に変化しないことを確実にし、これに
より信頼性の高いコンタクトシステムが保証される。例
えばＤｅｗａｒベークアウト（ｂａｋｅ−ｏｕｔ）サイ
クルの間での装置内へのコンタクト金属の拡散に伴う劣
化がなくなる。第２に堆積時の金属フィルムの歪みがア
ニールサイクルにより軽減され、接着性および装置全体
の信頼性の向上が図れる。第３に高温アニールに適合す
る耐火金属システムの使用は他の装置組立てプロセスを
単純化させる。例えば最初にコンタクト金属を適用する
ことにより、ＰＶ ＨｇＣｄ−ＣｄＴｅアレイ全体が広
い禁止帯幅の半導体材料でオーバーコートすることがで
き、ついでアニールすることができる。

【００１７】１５０℃以上の温度に対し安定に焼成し得
る装置を得ることができるとともに、本発明の方法は広
い禁止帯幅の半導体フィルムにおける歪みの作用を最小
限に抑制させる。これは、アニールサイクルの後までパ
ッシベーションフィルムに開口部または窓を形成しない
ことによって達成され、これにより下層のＨｇＣｄＴｅ
材料内の局部的ストレスを軽減することができる。この
コンタクト金属は広い禁止帯幅の半導体材料を介して下
層のコンタクトに至る開口部または窓を形成するための
化学的エッチングにおいてエッチング停止体としても有
効に作用する。

【００１８】本発明の方法によれば、ハイブリッド化の
前にＩｎバンプから酸化物を除去するために行われる湿
式化学的エッチングの間において、下層のコンタクト金
属でなくＩｎバンプのみが露出する。Ｉｎバンプを囲む
誘電体層（オーバーグラス）の使用はエッチング処理に
おける化学的または電気化学的反応を回避させる。

【００１９】さらに詳述すると、本発明は光応答性装置
（光起電または光導電性）およびこの装置のアレイおよ
びその製造方法を提供するものである。

【００２０】この装置は、周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩ
Ａ族から選ばれる元素からなる半導体材料、例えばキャ
ップ領域を含む。非反応性、非拡散性金属コンタクトパ
ッドがこのキャップ領域の上に形成される。このコンタ
クトパッドの好ましい材料はモリブデンである。広い禁
止帯幅の半導体パッシベーション層がこのキャップ領域
の表面およびコンタクトパッドの一部に被覆される。誘
電体層がこのパッシベーション層の上に形成され、イン
ジウムバンプがこのコンタクトパッドの上に形成され
る。このインジウムバンプはコンタクトパッドから誘電
体層を通って上方に延びる。この誘電体層はインジウム
バンプの側面に密着し、コンタクトパッドのいかなる部
分もこの誘電体層の上面から物理的に接触することがで
きないようになっている。

【００２１】

【作用】この方法によれば、ハイブリッド化プロセスの
間においてＩｎと下層のコンタクトパッド金属との間の
好ましくない化学反応の発生を抑制することができる。
この方法は、さらに半導体パッシベーション材料の堆積
の前および高温アニーリングの前にコンタクトパッド金
属を堆積させ、コンタクトパッドに対する窓はアニーリ
ングの後に開口され、これにより窓のエッジ部の局部的
ストレスを軽減させる。

【００２２】

【実施例】以下にメサ構造を有するＰＶ検出装置の製造
例について説明するが、本発明はこれに限らず、ＰＶ検
出装置のプレーナーアレイおよび周期律表第ＩＩＢ族−
第ＶＩＡ族から選ばれる光導電性（ＰＣ）ＩＲ検出装置
などの製造にも当然適用し得る。

【００２３】まず、図１のブロック図について図２ａな
いし図３ｃを参照しながら説明する。なお、図２ａない
し図３ｃはアレイの一部、すなわち２つのメサ構造を示
している。したがって、これには線状または２次元的な
アレイに並べられた多数のメサ構造が含まれることを理
解されたい。

【００２４】（図１−ブロックＡ）まず、ｎ−型の光吸
収性ＨｇＣｄＴｅベース層１２が絶縁性透明基板１０の
上に成長される。この基板１０は所望の波長、特にベー
ス層１２内に吸収されることを欲する波長で透明である
ものが選ばれる。基板１０の上にベース層１２を成長さ
せる好ましい方法は液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）で
あるが、分子ビームエピタキシャル法（ＭＢＥ）、金属
有機化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）も成長法として適用する
ことができる。基板１０として適当な材料はＣｄＺｎＴ
ｅである。ベース層１２のＨｇＣｄＴｅ半導体材料の禁
止帯幅は適用される波長の吸収光についてそれぞれ選択
され、公知のように式、Ｈｇ_(1-x) Ｃｄ_(x) Ｔｅ（ここ
でｘはゼロより大きく１より小さい数）に基づきＨｇ原
子とＣｄ原子の数の相対濃度を変えることにより設定さ
れる。

【００２５】ついで、ベース層１２の上にｐ−型ＨｇＣ
ｄＴｅキャップ層１４がエピタキシャル成長される。こ
のキャップ層１４はＬＰＥ法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法
などで成長させることができる。ベース層１２のための
適当なドーパント種は濃度約１０¹⁵原子／ｃｍ³ のイン
ジウムである。キャップ層１４のための適当なドーパン
ト種は濃度約１０¹⁸原子／ｃｍ³ のヒ素である。各ホト
ダイオードが写真蝕刻用マスクとの関連で臭素／エチレ
ングリコールまたは臭素／メタノールを用いたメサエッ
チングプロセスにより区画される。このメサエッチング
によりｐ−型キャップ層１４が複数の電気的に分離した
領域１４ａに分割される。この領域１４ａのそれぞれは
１つのメサ内に含まれ、下層のベース層１２との関連で
ｐ−ｎ結合を形成する。

【００２６】（図１−ブロックＢ、図２ｂ）次の工程に
おいて、それぞれのキャップ層１４ａに対し金属コンタ
クトパッド１６が施される。共通コンタクトパッド１８
もｎ−型ＨｇＣｄＴｅベース層１２に対し施される。本
発明の１つ態様として、金属コンタクトパッドは高温に
おいて低い拡散係数を有する耐熱性金属からなり、これ
によりコンタクト金属が下層のＨｇＣｄＴｅキャップ層
１４に拡散するのを防止する。この好ましい金属のれい
はモリブデンである。このモリブデンの別の利点は、従
来多く用いられているＣｒまたはＡｕなどのコンタクト
金属のＣＴＥより、ＨｇＣｄＴｅのＣＴＥにより近いＣ
ＴＥを有することである。その結果、装置が加熱された
とき、Ｍｏコンタクトが下層の半導体物質に対し好まし
くない応力を与える虞れがないことである。このＭｏコ
ンタクトはスパッタリング法およびリフト・オフ法など
で堆積させることができる。このコンタクトパッド１
６、１８の好ましい厚みは約１５００オングストローム
である。

【００２７】（図１−ブロックＣ、図２ｃ）次に、この
形成された構造体に広い禁止帯幅を有する周期律表第Ｉ
ＩＢ族−第ＶＩＡ族半導体材料の層２０をオーバーコー
トする。この広い禁止帯幅を有する半導体材料は、例え
ばＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅまたはＣｄＳｅＴｅである。
好ましい方法としては、熱蒸着法によりＣｄＴｅを厚み
約４０００オングストロームでブランケット蒸着させる
ことである。他の好ましい堆積法としてＭＢＥ法、ＭＯ
ＣＶＤ法、スパッタリングなどを用いることができる。
図２ｃに示すように、この工程の作用はｎ−型ＨｇＣｄ
Ｔｅベース層１２の露出表面、ｐ−型ＨｇＣｄＴｅキャ
ップ層１４の露出表面およびＭｏコンタクトパッド１
６、１８を広い禁止帯幅を有する半導体材料の層または
フィルムで被覆することである。

【００２８】（図１−ブロックＤ、図２ｄ）次の工程は
このようにして形成された構造体をＨｇ蒸気内で第１の
温度で第１の時間に亘りアニーリングし、ついで第２の
より低い温度で第２の時間に亘りアニーリングすること
である。一般に、上記第１および第２の温度の双方は、
Ｄｅｗａｒベーク・アウトプロセスで用いられる温度よ
り高い。つまり、上記第１および第２の温度の双方は、
約１５０℃より高い。このアニーリングにより層１２、
１４ａと、層２０との間の界面に沿うカチオンサイトに
おいてＨｇとＣｄの交換がなされる。この界面領域が図
２ｄにハッチングで示されている。

【００２９】（図１−ブロックＥ、図３ａ） このアニーリングののち、層２０を通して窓２０ａが開
口されＭｏコンタクト１６および１８が露出する。この
窓２０ａを形成する方法としては、ホトレジストパター
ンを用いた湿式化学エッチングを採用することができ
る。この場合のエッチャントとしては臭素／エチレング
リコールまたは臭素／メタノールを用いることができ
る。またイオンビームミリングまたは反応性イオンエッ
チング法により窓２０ａを形成することもできる。この
場合、Ｍｏコンタクト１６および１８はエッチングスト
ッパーとして機能する。窓２０ａを形成したのち、ホト
レジストマスクは除去される。

【００３０】（図１−ブロックＦ、図３ｂ） この構造体はついで、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯおよびＳ
ｉ_３Ｎ_４からなる誘電体層２２でオーバーコートされ
る。この誘電体層２２の堆積方法としては、プラズマ法
が用いられ、約１０００オングストロームの厚みに堆積
される。ついでホトレジストパターニング工程により，
開口されたマスクが形成され、誘電体層２２を通って窓
２２ａが開口され、Ｍｏコンタクト１６および１８が露
出する。この窓２２ａを形成する方法としては、ホトレ
ジストパターンを用いた湿式化学エッチングを採用する
ことができる。ＣＦ_４はこの場合の適当なエッチャント
の１つである。窓２２ａを形成したのち、ホトレジスト
マスクは除去される。

【００３１】（図１−ブロックＧ、図３ｃ） この構造体は写真腐刻法によりパターニングが施されイ
ンジウムバンプマスクが形成される。インジウムバンプ
２４は窓２２ａを介してホトダイオードＭｏコンタクト
パッド１６のそれぞれに接触するように、また共通Ｍｏ
コンタクトパッド１８に接触するように適用される。適
当な方法として、熱蒸着法を介してインジウムバンプ２
４を厚み約１２μｍで形成させることができる。図３ｃ
に示すように、この工程によりインジウムバンプ２４の
みが露出され下層のＭｏコンタクトは誘電体層２２の下
に埋められたままの状態となっている。この誘電体層２
２またはオーバーグラスはＨｇの通過に対し実質的に非
透過性であってベース層１２および領域１４ａからのＨ
ｇのアウトデフュージョン（拡散）を防止するのに役立
っている。

【００３２】（図１−ブロックＨ）このようにして作成
されたＰＶダイオードのアレイは、適当な時間におい
て、インジウムバンプ２４を介して読み出し回路に組合
わせハイブリッド化される。このアレイを読み出し回路
に組合わせる前に、インジウムバンプ２４は化学的に湿
式エッチングされ接触抵抗に悪影響を与える虞のある表
面酸化物が除去される。この湿式エッチング法として
は、米国特許Ｎｏ．４，８６５，２４５に記載されてい
る方法を採用することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、Ｉｎバンプ２４のみが
エッチャントに対して露出し、下層のコンタクト金属は
誘電体層２２の下に埋められたままの状態となってい
る。その結果、２つの非類似金属の接近からもたらされ
る上記問題を回避することができる。また、Ｉｎバンプ
２４はアレイ全面に亘って均一にエッチングされ、Ｉｎ
−Ｔｅウィスカーは生成されない。本発明によりハイブ
リッド化プロセスの間においてＩｎバンプ２４の品質が
向上することによりＩＲ検出装置アレイの収率を向上さ
せることができ、さらにＩｎバンプ２４の寸法、形を設
計通りのものとなるため信頼性の向上が図れる。

【００３４】本発明の他の特徴としては図２ｄに示すよ
うにアニールがアレイの表面全体に亘って実質的に連続
的なＣｄＴｅ層２０を用いて行われることである。これ
によりエッチングされたＣｄＴｅフィルムを用いてアニ
ーリングされることからもたらされる上記問題を回避す
ることができる。すなわち、ＣｄＴｅフィルムにおける
開口に関連して下層のＨｇＣｄＴｅ材料に局部的ストレ
スが発生することがない。

【００３５】本発明により作られたＰＶダイオードのア
レイは１４５℃で７４時間、真空焼成（Ｄｅｗａｒ ベ
ーク・アウト）したのちも安定した性能を示した。な
お、従来は表面パシベーションの不安定性またはコンタ
クト金属のＨｇＣｄＴｅ材料への拡散などの問題のた
め、この焼成温度は１００℃以下に限定されていた。ま
た、パシベーション層２０およびＭｏコンタクト金属の
双方が実質的により高い温度で予めアニーリングされる
ので、このアニーリング温度より低い貯蔵または処理温
度で特性が変化する虞もない。

【００３６】以上、本発明を特定の材料、寸法、処理パ
ラメータ、例えばエッチャント、蒸着方法について説明
したが、これらは適宜変更することも可能であり、変更
しても同様の効果を期待することができる。また、本発
明は光起電装置のほか、ｎ−ｏｎ−ｐ装置、光導電装置
にも適用することができる。また、プレーナー構造の光
応答性装置にも適用することができる。この場合、ｐ−
ｎ結合はアクセプタまたはドーナ種の拡散、注入を介し
てＨｇＣｄＴｅ本体内に形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を工程順に記載したブロック図。

【図２】図２ａ−２ｄは本発明の方法によりホトダイオ
ードアレイの製造方法を工程順に示す断面図。

【図３】図３ａ−３ｃは本発明の方法によりホトダイオ
ードアレイの製造方法を工程順に示す断面図。

【符号の説明】

１０…絶縁性透明基板１０、１２…ベース層、１４…ｐ
−型キャップ層、１６、１８…Ｍｏコンタクトパッド、
２０…ＣｄＴｅ層、２２…誘電体層、２４…Ｉｎバン
プ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランシス・アイ・ゲスウエイン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 93117、ゴレタ、ワゴン・ホイール・ド ライブ 7769 (72)発明者 エリック・エフ・シュルテ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 93105、サンタ・バーバラ、フットヒ ル・ロード 2911

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族半導体
   からなり、第１の導電型を有するベース層と、第２の導
   電型を有する周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族半導体か
   らなるキャップ領域との間にｐ−ｎ結合を形成する工程
   と、 該キャップ領域の上に金属接触電極を形成する工程と、 ベース層、キャップ領域および金属接触電極をコーティ
   ングし被覆構造体を形成する工程であって、これがベー
   ス層またはキャップ領域の半導体材料の禁止帯幅より広
   い禁止帯幅を有する半導体材料からなる第１のコーティ
   ング層を堆積する工程を含み、 上記被覆構造体を熱的にアニーリングする工程と、 上記第１のコーティング層を介して第１の窓を形成し、
   この第１の窓内に上記金属接触電極の表面を露出させる
   工程と、 外部回路との接触のため該金属接触電極への導電性配線
   を形成する工程と、 を具備してなる光起電ダイオードの製造方法。
2. 【請求項２】 導電性配線を形成する工程が以下の工
   程；第１の被覆層、第１の窓部および金属接触電極の露
   出表面を誘電体からなる第２の被覆層でコーティングす
   る工程と、 第１の窓部と整合させて第２の被覆層を貫通して第２の
   窓部を開口し、この第２の窓部内に金属接触電極の表面
   を露出させる工程と、 該第２の窓部内の金属接触電極の露出表面上に導電性配
   線を形成し、導電性配線の一部のみが露出し、下層の金
   属接触電極が全く露出しないようにする工程と、 を含む請求項１記載の光起電ダイオードの製造方法。
3. 【請求項３】 ｐ−ｎ結合を形成する工程が以下の工
   程；周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族半導体からなり、
   第１の導電型を有するベース層であって、第２の導電型
   を有する周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族半導体からな
   る上重ねキャップ層を有するものを形成する工程と、 該キャップ層を複数の電気的に分離した領域に分化し
   て、複数のメサ構造を形成する工程と、 からなり、該メサ構造のそれぞれが該ベース層と上記電
   気的分離領域の１つとの間にｐ−ｎ結合を形成する界面
   を含むことを特徴とする請求項１記載の光起電ダイオー
   ドの製造方法。
4. 【請求項４】 キャップ領域上に金属接触電極を形成す
   る工程が、該キャップ領域と同様の熱膨脹係数を有する
   とともにキャップ領域への拡散が低い金属で形成するも
   のであることを特徴とする請求項１記載の光起電ダイオ
   ードの製造方法。
5. 【請求項５】 基板と、 該基板を覆い、周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族から選
   ばれる元素からなり、第１の導電型を有する半導体ベー
   ス領域と、 該ベース領域の上に形成された半導体キャップ領域であ
   って、該キャップ領域が周期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ
   族から選ばれる元素からなの導電型を有し、該ベース領
   域とともにｐ−ｎ結合を形成するものと、 該キャップ領域の上面に形成された導電性金属コンタク
   トパッドと、 該ベース領域、キャップ領域の上および該金属コンタク
   トパッドの一部の上に形成された半導体層であって、周
   期律表第ＩＩＢ族−第ＶＩＡ族から選ばれる元素からな
   り、該ベース領域およびキャップ領域の禁止帯幅より広
   い禁止帯幅を有する半導体層と、 該半導体層の上に形成された誘電体層と、 該金属コンタクトパッドの上に形成され、該誘電体層を
   貫通して該金属コンタクトパッドから上方に延出した導
   電性配線と、 を具備してなる光ダイオード。
6. 【請求項６】 該誘電体層が該配線の側面と密着し、該
   金属コンタクトパッドのいかなる部分も該誘電体層の上
   面から物理的に接触していないことを特徴とする請求項
   ５記載の光ダイオード。
7. 【請求項７】 該ベース領域の上面に形成された第２の
   導電性金属コンタクトパッドと、 該第２の金属コンタクトパッドの上に形成され、該誘電
   体層を貫通して該第２の金属コンタクトパッドから上方
   に延出した第２の導電性配線と、 をさらに具備してなり、該誘電体層が該第２の配線の側
   面と密着し、該第２の金属コンタクトパッドのいかなる
   部分も該誘電体層の上面から接近し得ないようになって
   いることを特徴とする請求項５記載の光ダイオード。
8. 【請求項８】 該半導体層がＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅお
   よびＣｄＺｎＴｅから選ばれる材料からなる請求項５記
   載の光ダイオード。
9. 【請求項９】 該誘電体層がＳｉＯ₂ 、ＳｉＯおよびＳ
   ｉ₃ Ｎ₄ から選ばれるものからなる請求項５記載の光ダ
   イオード。