JP2520610Y2 - Lead frame - Google Patents

Lead frame

Info

Publication number
JP2520610Y2
JP2520610Y2 JP1990029243U JP2924390U JP2520610Y2 JP 2520610 Y2 JP2520610 Y2 JP 2520610Y2 JP 1990029243 U JP1990029243 U JP 1990029243U JP 2924390 U JP2924390 U JP 2924390U JP 2520610 Y2 JP2520610 Y2 JP 2520610Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
guide hole
lead
plating
pin
frame body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1990029243U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH03120047U (en
Inventor
悟 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1990029243U priority Critical patent/JP2520610Y2/en
Publication of JPH03120047U publication Critical patent/JPH03120047U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2520610Y2 publication Critical patent/JP2520610Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体パッケージに用いられるリードフレー
ムに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a lead frame used in a semiconductor package.

[考案の概要] 本考案は、半導体チップを樹脂のような成形材料で被
覆した半導体パッケージに用いられるリードフレームに
おいて、 ガイドホール内面にフレーム本体よりも動摩擦係数の
低い素材でメッキを施して、ガイドホールに潤滑性を与
えることにより、 半導体パッケージの製造プロセスで行われるリードフ
レームの位置決めや送りに際して、ガイドホールに挿入
される位置決めピン、あるいは送りピンのかじり付きを
阻止することができるようにしたものである。
[Summary of the Invention] In the present invention, in a lead frame used for a semiconductor package in which a semiconductor chip is covered with a molding material such as resin, the inner surface of the guide hole is plated with a material having a lower dynamic friction coefficient than the frame body, By providing lubricity to the holes, it is possible to prevent galling of the positioning pins or feed pins inserted into the guide holes when positioning or feeding the lead frame during the semiconductor package manufacturing process. Is.

[従来の技術] 第4図は従来のリードフレームを示す平面図である。
同図において、1はリードフレームであって、これは、
厚さの薄いステンレスや銅系(銅含有率98%以上)ある
いは42Alloy(Fe-Ni)等の帯状金属板からなるフレーム
本体2にカッテイングやエッチングを施して、半導体チ
ップ配置部としてのダイパッド3とこれの外側に離間し
て櫛歯状に配置されるリードフィンガ4とガイドホール
5とを形成してある。通常、1つのフレーム本体2に
は、ダイパッド3,リードフィンガ4,ガイドホール5を1
単位とする部分が、十数から数十組形成してある。ま
た、半導体パッケージの製造プロセスのワイヤボンディ
ング工程における図外のボンディングワイヤとリードフ
ィンガ4との接合強度を維持するため、上記フレーム本
体2にダイパッド3,リードフィンガ4,ガイドホール5等
を形成した後、リードフィンガ4のインナーリード部分
に、銀メッキを例えば3〜5μm程度の厚さとなるよう
に施している。この銀メッキ領域は、第4図に仮想線で
囲んだ符号6で示してある。
[Prior Art] FIG. 4 is a plan view showing a conventional lead frame.
In the figure, 1 is a lead frame, which is
The frame body 2 made of a thin metal plate such as stainless steel or copper (copper content of 98% or more) or 42Alloy (Fe-Ni) is cut and etched to form the die pad 3 as the semiconductor chip placement portion. A lead finger 4 and a guide hole 5 are formed on the outer side thereof so as to be spaced apart from each other in a comb shape. Normally, one frame body 2 has one die pad 3, lead fingers 4, and guide holes 5.
The unit part is formed from dozens to dozens of sets. Further, in order to maintain the bonding strength between the bonding fingers (not shown) and the lead fingers 4 in the wire bonding step of the semiconductor package manufacturing process, after forming the die pad 3, the lead fingers 4, the guide holes 5, etc. on the frame body 2. The inner lead portions of the lead fingers 4 are plated with silver to a thickness of, for example, 3 to 5 μm. This silver-plated area is indicated by reference numeral 6 surrounded by an imaginary line in FIG.

ところで、半導体パッケージの製造プロセスにおける
ダイボンディング工程,ワイヤボンディング工程,モー
ルド工程,トリミングフォーム工程等では、フレーム本
体2のガイドホール5に図外の送りピンを挿入して、リ
ードフレーム1を移動するとともに、この移動終了時点
でガイドホール5に図外の位置決めピンを挿入して、リ
ードフレーム1の位置決めを行っている。
By the way, in a die bonding process, a wire bonding process, a molding process, a trimming form process and the like in the semiconductor package manufacturing process, a lead pin (not shown) is inserted into the guide hole 5 of the frame body 2 to move the lead frame 1. At the end of this movement, a positioning pin (not shown) is inserted into the guide hole 5 to position the lead frame 1.

[考案が解決しようとする課題] 前述のリードフレーム1では、ガイドホール5の孔径
と半導体パッケージの製造プロセスでの送りピンや位置
決めピンの外径とを略同一寸法に設定し、ガイドホール
5とこれに挿入する送りピンや位置決めピンとの嵌合隙
間(クリアランス)を極めて少なくして、送りや位置決
めの精度を高めようとすると、フレーム本体2にガイド
ホール5を貫通したままであるので、摩擦による抵抗が
大き過ぎて、送りピンや位置決めピンのかじり付きを招
くことがある。これを防止するには、油脂等の潤滑剤を
使用すれば良いが、半導体パッケージの製造プロセスの
塵埃や汚れを極度に嫌うという性質から、油脂等の潤滑
剤を使用することはできない。このようなことから、
送りピンを含む機構にあっては、フレーム送りを、例え
ば±10〜50μmの公差なる高精度に定めたり、ガイド
ホール5と送りピンや位置決めピンとの嵌合隙間を、か
じり付きの起こらない程度に拡大したり、等の方策が取
られていた。
[Problems to be Solved by the Invention] In the lead frame 1 described above, the hole diameter of the guide hole 5 and the outer diameters of the feed pin and the positioning pin in the semiconductor package manufacturing process are set to be substantially the same, and If the fitting gap (clearance) with the feed pin or the positioning pin to be inserted into this is made extremely small to improve the feeding and positioning accuracy, the frame body 2 is still penetrating the guide hole 5, so that it is caused by friction. Too much resistance may lead to galling of the feed and locating pins. To prevent this, a lubricant such as oil or fat may be used, but it is not possible to use a lubricant such as oil or fat because it is extremely disliked by dust and dirt in the semiconductor package manufacturing process. From such a thing,
In the mechanism including the feed pin, the frame feed is set to a high precision with a tolerance of, for example, ± 10 to 50 μm, or the fitting gap between the guide hole 5 and the feed pin or the positioning pin is set so that no galling occurs. Measures such as expansion were taken.

しかし、については、設備費が高く、難易度の高い
調整作業と調整間隔の短い保守点検とが必要である。
については、半導体チップへの高密度実装の傾向から、
隣接するリードフィンガ4のピッチが狭いファインピッ
チの半導体パッケージの製造には、非常に高い送りや位
置決めの精度が要求されるので、製造が困難になること
が指摘されている。
However, the equipment cost is high, and the adjustment work with high difficulty and maintenance and inspection with short adjustment intervals are required.
Regarding the trend of high-density mounting on semiconductor chips,
It has been pointed out that manufacturing of a fine-pitch semiconductor package in which the pitches of the adjacent lead fingers 4 are narrow requires extremely high feed and positioning accuracy, which makes manufacturing difficult.

[課題を解決するための手段] そこで本考案は、フレーム本体に形成されたガイドホ
ールの内面に、フレーム本体よりも動摩擦係数の低い素
材でメッキを施してある。
[Means for Solving the Problem] Therefore, in the present invention, the inner surface of the guide hole formed in the frame body is plated with a material having a lower dynamic friction coefficient than the frame body.

[作用] フレーム本体に半導体チップ配置部,リードフィン
ガ,ガイドホール等を形成した後、例えばリードフィン
ガのインナーリード部やガイドホールの内面以外のフレ
ーム本体の表面をマスクパターンで被覆してから、例え
ば銀メッキのようなメッキ処理を行う。この後、メッキ
液の洗浄,乾燥,マスクパターン除去等を順次行うこと
により、少なくともリードフィンガのインナーリード部
とガイドホールの内面とに同一のメッキが施されたリー
ドフレームを得る。このリードフレームでは、メッキに
より、ガイドホールの送りピンや位置決めピンに対する
摩擦が低減する。
[Operation] After forming the semiconductor chip arrangement portion, the lead fingers, the guide holes, etc. in the frame body, for example, after covering the surface of the frame body other than the inner surfaces of the lead fingers and the guide holes with the mask pattern, Perform a plating treatment such as silver plating. After that, the plating solution is washed, dried, and the mask pattern is sequentially removed to obtain a lead frame in which at least the inner lead portions of the lead fingers and the inner surfaces of the guide holes are plated with the same plating. In this lead frame, the friction of the guide hole with respect to the feed pin and the positioning pin is reduced by the plating.

[実施例] 以下、本考案の実施例を図面とともに前述した従来の
構造と同一部分に同一符号を付して詳述する。
[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail by giving the same reference numerals to the same portions as those of the conventional structure described above with reference to the drawings.

第1図において、1Aはリードフレーム、2はフレーム
本体、3はダイパッド、4はリードフィンガ、5Aはガイ
ドホール、6はダイパッド3を含むリードフィンガ4の
メッキ領域、7はガイドホール5Aのメッキ領域である。
In FIG. 1, 1A is a lead frame, 2 is a frame body, 3 is a die pad, 4 is a lead finger, 5A is a guide hole, 6 is a plated area of the lead finger 4 including the die pad 3, and 7 is a plated area of the guide hole 5A. Is.

ここで、リードフレーム1Aを作るには、先ず、厚さの
薄い銅含有率98%以上の銅系やFe-Niなる42Alloy等の帯
状金属板からなるフレーム本体2にカッティングやエッ
チングを施して、ダイパッド3とこれの外側に配置され
るリードフィンガ4とガイドホール5Aとを形成する。
Here, in order to make the lead frame 1A, first, the frame body 2 made of a strip-shaped metal plate such as a copper-based material having a thin copper content of 98% or more or 42 Alloy made of Fe-Ni is subjected to cutting and etching, The die pad 3, the lead finger 4 arranged outside the die pad 3 and the guide hole 5A are formed.

次に、第2図に示すように、ダイパッド3,リードフィ
ンガ4,ガイドホール5Aの形成が完了した半製品としての
フレーム本体2の一表面に、耐メッキ液性を有する材料
で、メッキ領域6,7に相当する部分に開口8aを有するマ
スクパターン8を形成した後、フレーム本体2のマスク
パターン8未形成側の表面をメッキ処理システムのパッ
トおよび電極9に密接させつつ取り付け、これを例えば
銀メッキ液のようなメッキ液10に浸し、電極9からフレ
ーム本体2に通電を行うことにより、マスクパターン8
をマスクとしてフレーム本体2のメッキ領域6,7中に露
出しているダイパッド3とリードフィンガ4のインナー
リード部とガイドホール5Aの内面(孔壁面)に、例えば
銀メッキのようなメッキ11を所定の厚さとなるように施
す。
Next, as shown in FIG. 2, one surface of the frame main body 2 as a semi-finished product on which the die pad 3, the lead fingers 4 and the guide holes 5A have been formed is formed on the surface of the plating area 6 with a material having a plating solution resistance. After forming the mask pattern 8 having the openings 8a in the portions corresponding to the electrodes 7 and 7, the surface of the frame body 2 on the side where the mask pattern 8 is not formed is attached in close contact with the pad and the electrode 9 of the plating system. The mask pattern 8 is obtained by immersing in a plating solution 10 such as a plating solution and energizing the frame body 2 from the electrode 9.
Using the mask as a mask, the inner surface of the die pad 3 and the lead fingers 4 exposed in the plating areas 6 and 7 of the frame body 2 and the inner surface (hole wall surface) of the guide hole 5A are provided with a plating 11 such as silver plating. To the thickness of.

そして、図示は省略するが、電極9の通電を遮断した
後、フレーム本体2を含むパットおよび電極9をメッキ
液10から取り出し、フレーム本体2をパットおよび電極
9から取り外し、マスクパターン8,メッキ11,フレーム
本体2に付着しているメッキ液10を水洗して除去する。
さらに、水洗時の水分が乾燥したところで、メッキ11に
損傷を与えないような適当な方法で、マスクパターン8
を除去する。これにより、メッキ領域6,7に含まれるダ
イパッド3とリードフィンガ4のインナーリード部とガ
イドホール5Aの内面それぞれに、メッキ11の施されたリ
ードフレーム1Aを完成する。なお、第3図に示すよう
に、メッキ11が施される前のガイドホール5Aの孔径L1
を、メッキ11の厚さtと送りや位置決め用のピン12の外
径Dとを基準に設定(L1≧D+2×t)することによ
り、メッキ11の施された後のガイドホール5Aの孔径L2
(L2=L1−2×t)が、ピン12の外径Dよりも極く僅か
に大きい寸法(L2>D)になっている。第3図中の符号
13はピン12を案内するガイド部材である。
Then, although not shown, after the energization of the electrode 9 is cut off, the pad including the frame body 2 and the electrode 9 are taken out from the plating solution 10, the frame body 2 is removed from the pad and the electrode 9, and the mask pattern 8 and the plating 11 are formed. Then, the plating liquid 10 adhering to the frame body 2 is washed with water and removed.
Further, when the water content during washing is dried, the mask pattern 8 is formed by an appropriate method so as not to damage the plating 11.
Is removed. As a result, the lead frame 1A plated with the die pad 3 included in the plated regions 6 and 7, the inner lead portions of the lead fingers 4 and the inner surface of the guide hole 5A is completed. As shown in FIG. 3, the diameter L1 of the guide hole 5A before the plating 11 is applied.
Is set based on the thickness t of the plating 11 and the outer diameter D of the pin 12 for feeding and positioning (L1 ≧ D + 2 × t), the hole diameter L2 of the guide hole 5A after the plating 11 is applied.
The dimension (L2 = L1-2 × t) is much larger than the outer diameter D of the pin 12 (L2> D). Symbols in FIG. 3
Reference numeral 13 is a guide member for guiding the pin 12.

以上の実施例構造によれば、リードフレーム1Aを半導
体パッケージの製造プロセスに使用すると、第3図に示
すように、ピン12の尖端がガイドホール5Aに入り得るよ
うに対向した状態において、ピン12をガイドホール5Aに
挿入する。すると、ピン12の尖端の斜面12aがメッキ11
に摩擦が非常に少ない状態で接触しつつ移動し、ピン12
がガイドホール5Aに嵌合する。ここで、ピン12を位置決
めピンと仮定すると、上記ピン12がガイドホール5Aに嵌
合する過程において、リードフレーム1Aが第3図の矢印
X方向に移動し、仮想線で示すように、ピン12を基準と
して正確に位置決めされる。また、ピン12を送りピンと
仮定すると、図示は省略するが、リードフレーム1Aがピ
ン12にがたつくことなく嵌合しているので、ピン12によ
る送り移動量が正確になる。
According to the structure of the above-described embodiment, when the lead frame 1A is used in the manufacturing process of the semiconductor package, as shown in FIG. 3, when the tips of the pins 12 face each other so that they can enter the guide holes 5A, the pins 12 Is inserted into the guide hole 5A. Then, the slope 12a at the tip of the pin 12 is plated 11
Move with contact with very little friction on the pin 12
Fits into the guide hole 5A. Here, assuming that the pin 12 is a positioning pin, in the process of fitting the pin 12 into the guide hole 5A, the lead frame 1A moves in the direction of the arrow X in FIG. Accurately positioned as a reference. Further, assuming that the pin 12 is a feed pin, although not shown, since the lead frame 1A is fitted to the pin 12 without rattling, the feed movement amount by the pin 12 is accurate.

一方、メッキ11を銀メッキとして、リードフレーム1A
の送りと位置決めとを行ったところ、送りピンや位置決
めピンのかじり付きによってガイドホール5Aまわりに生
じるバリの発生率が従来の50%以下であった。
On the other hand, the plating 11 is silver plated, and the lead frame 1A
When the feed and positioning were performed, the occurrence rate of burrs around the guide hole 5A due to the galling of the feed pin and the positioning pin was 50% or less of the conventional rate.

また、この実施例においては、ガイドホール5Aに施す
メッキ11をリードフィンガ4に施すメッキと同一のメッ
キとしてあるので、リードフィンガ4にメッキを施すと
同時に、ガイドホール5A内面にもメッキ11を施すことが
でき、もって、リードフレーム1Aの製造工程に支障を招
くことなく、ガイドホール5Aに潤滑性のあるリードフレ
ーム1Aを容易に製造することができる。
Further, in this embodiment, since the plating 11 applied to the guide hole 5A is the same as the plating applied to the lead finger 4, the lead finger 4 is plated and the inner surface of the guide hole 5A is also plated 11 at the same time. Therefore, it is possible to easily manufacture the lead frame 1A having lubricity in the guide hole 5A without affecting the manufacturing process of the lead frame 1A.

なお、本考案は前記実施例に限定されるものではな
く、本考案のガイドホール5Aの内面にメッキ11を施すと
いう主旨を逸脱しない限り、種々の実施態様が考えられ
る。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various embodiments can be considered without departing from the gist of applying the plating 11 to the inner surface of the guide hole 5A of the present invention.

例えば、図示は省略するが、マスクパターン8の開口
8aの孔径をガイドホール5Aの孔径よりも大きくしたり、
パットおよび電極9のガイドホール5Aまわりの部分とフ
レーム本体2との間に隙間を少し形成したり、上記開口
8aの大孔径化とパットおよび電極9からの離間との併用
等により、メッキ11をガイドホール5Aの内面からフレー
ム本体2のガイドホール5Aまわりの面にも連続的に堆積
する。
For example, although not shown, the opening of the mask pattern 8
Make the diameter of 8a larger than the diameter of guide hole 5A,
A small gap may be formed between the pad and the portion of the electrode 9 around the guide hole 5A and the frame body 2, or the above-mentioned opening may be formed.
The plating 11 is continuously deposited from the inner surface of the guide hole 5A to the surface around the guide hole 5A of the frame main body 2 by using a larger hole diameter of 8a and separation from the pad and the electrode 9 and the like.

ワイヤボンディング工程でのボンディングワイヤとリ
ードフィンガ4との接合強度維持に支障を招ねかない範
囲で、ピン12との動摩擦係数の低いものであれば、メッ
キ11は銀メッキ以外でも適用可能である。
The plating 11 may be other than silver plating as long as it has a low dynamic friction coefficient with the pin 12 as long as it does not hinder the bonding strength between the bonding finger and the lead finger 4 in the wire bonding process.

半導体チップ配置部は、フレーム本体2と一体となっ
たダイパッド3で構成した構造を図示して説明したが、
ダイパッド3を例えば半導体パッケージのモールド樹脂
のようなフレーム本体2と異なる材料で構成したり、ダ
イパッド3を取り除いた窓に構成したりすることも可能
である。このダイパッド3を取り除いた場合には、窓に
半導体チップを配置し、半導体チップのボンディングパ
ッドとリードフィンガ4とに跨ってボンディングワイヤ
を結合し、これをレジンモールドして、半導体パッケー
ジを構成する。
The semiconductor chip disposition part has been illustrated and described with respect to the structure composed of the die pad 3 integrated with the frame body 2.
It is also possible to form the die pad 3 with a material different from that of the frame body 2 such as a mold resin of a semiconductor package, or to form a window from which the die pad 3 is removed. When the die pad 3 is removed, the semiconductor chip is arranged in the window, the bonding wire is connected across the bonding pad of the semiconductor chip and the lead finger 4, and this is resin-molded to form a semiconductor package.

[考案の効果] 以上のように本考案によれば、ガイドホール内面にフ
レーム本体よりも動摩擦係数の低い素材でメッキを施し
て、ガイドホールに潤滑性を与えたので、半導体パッケ
ージの製造プロセスで行われるリードフレームの位置決
めや送りに際して、塵埃や汚れを招くことなく、ガイド
ホールに挿入される位置決めピン、あるいは送りピンの
かじり付きを阻止することができる。よって、フレーム
送りの精度を従来よりも緩和して、送りピンを含む機構
を、設備費が安く、調整作業が楽で、保守点検をあまり
必要としない構造にできる。しかも、ガイドホールと送
りピンや位置決めピンとの嵌合隙間を極く僅かな寸法に
設定して、ファインピッチの半導体パッケージにも対応
可能な高精度の位置決めを行うことができる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, the inner surface of the guide hole is plated with a material having a lower dynamic friction coefficient than the frame body to provide lubricity to the guide hole. It is possible to prevent galling of the positioning pin or the feed pin inserted into the guide hole without causing dust or dirt when the lead frame is positioned and fed. Therefore, the accuracy of the frame feed can be relaxed as compared with the conventional one, and the mechanism including the feed pin can be structured so that the facility cost is low, the adjustment work is easy, and the maintenance and inspection are not required so much. Moreover, the fitting gap between the guide hole and the feed pin or the positioning pin can be set to a very small dimension to perform highly accurate positioning that can be applied to a fine pitch semiconductor package.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一実施例を示す平面図、第2図は同実
施例のリードフレームにメッキを施す状態を示す断面
図、第3図は同実施例の作用を説明する断面図、第4図
は従来のリードフレームを示す平面図である。 1A……リードフレーム、2……フレーム本体、3……ダ
イパッド(半導体チップ配置部)、4……リードフィン
ガ、5A……ガイドホール、6,7……メッキ領域、11……
メッキ。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a state in which a lead frame of the embodiment is plated, and FIG. 3 is a sectional view explaining the operation of the embodiment. FIG. 4 is a plan view showing a conventional lead frame. 1A ... Lead frame, 2 ... Frame body, 3 ... Die pad (semiconductor chip placement part), 4 ... Lead fingers, 5A ... Guide hole, 6,7 ... Plating area, 11 ...
plating.

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of utility model registration request] 【請求項1】フレーム本体の半導体チップ配置部周辺に
形成されたガイドホールの内面に、上記フレーム本体よ
りも動摩擦係数の低い素材でメッキを施したことを特徴
とするリードフレーム。
1. A lead frame, wherein an inner surface of a guide hole formed around a semiconductor chip disposition portion of a frame body is plated with a material having a lower dynamic friction coefficient than the frame body.
JP1990029243U 1990-03-22 1990-03-22 Lead frame Expired - Fee Related JP2520610Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990029243U JP2520610Y2 (en) 1990-03-22 1990-03-22 Lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990029243U JP2520610Y2 (en) 1990-03-22 1990-03-22 Lead frame

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03120047U JPH03120047U (en) 1991-12-10
JP2520610Y2 true JP2520610Y2 (en) 1996-12-18

Family

ID=31532014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1990029243U Expired - Fee Related JP2520610Y2 (en) 1990-03-22 1990-03-22 Lead frame

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2520610Y2 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6050349B2 (en) * 1980-07-09 1985-11-08 住友金属鉱山株式会社 Lead frame manufacturing method
JPS62183154A (en) * 1986-02-06 1987-08-11 Hitachi Cable Ltd Lead frame for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03120047U (en) 1991-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19817128A1 (en) Conductive base plate for semiconductor component lead frame
EP0701280B1 (en) Lead frame and process of producing it
US5691241A (en) Method for making plurality of leadframes having grooves containing island and inner leads
JP2520610Y2 (en) Lead frame
US6274822B1 (en) Manufacture of semiconductor connection components with frangible lead sections
JPS61170053A (en) Lead frame for semiconductor device
JPS6248053A (en) Manufacture of lead frame for semiconductor device
DE102014117404A1 (en) Terminal-less semiconductor housing with optical inspection option
JP2524645B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JPH0427148A (en) Lead frame for semiconductor device
JP2648354B2 (en) Lead frame manufacturing method
JPH0815191B2 (en) Method for manufacturing lead frame
JP2784352B2 (en) Lead frame manufacturing method
JPH0444255A (en) Manufacture of lead frame
JP2816757B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH03283643A (en) Manufacture of lead frame
JPH0821663B2 (en) Lead frame manufacturing method
JP2504860B2 (en) Manufacturing method of lead frame
JPH04368157A (en) Surface mounting type semiconductor device and manufacture thereof
JPS61128552A (en) Manufacture of lead frame
JPS6237887B2 (en)
JPH05190719A (en) Manufacture of multipin lead frame
JPS61150358A (en) Lead frame and manufacture thereof
JPH0435056A (en) Semiconductor device
JPH03188655A (en) Manufacture of lead frame

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees