JP2516857B2 - Ring resonator and filter using the ring resonator - Google Patents

Ring resonator and filter using the ring resonator

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JP2516857B2
JP2516857B2 JP3273318A JP27331891A JP2516857B2 JP 2516857 B2 JP2516857 B2 JP 2516857B2 JP 3273318 A JP3273318 A JP 3273318A JP 27331891 A JP27331891 A JP 27331891A JP 2516857 B2 JP2516857 B2 JP 2516857B2
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shield case
inductance
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ring resonator
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博 畠中
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、短波ないし極超短波帯
における放送機又は通信機器を構成する高周波ろ波器或
は上記帯域における空中線共用装置を構成する高周波ろ
波器等の構成に好適な共振器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is suitable for the construction of a high-frequency filter which constitutes a broadcaster or a communication device in the short-wave or ultra-high-frequency band, or a high-frequency filter which constitutes a shared antenna device in the above-mentioned band. It relates to a resonator.

【0002】[0002]

【従来の技術】上記のような高周波ろ波器として、従来
はλ/4同軸共振器(λは共振波長)、ヘリカル共振器又
は図28及び図29に一例を示すようなリング共振器が
用いられている。図28(a)は、従来のリング共振器
の要部の一例を示す平面図、図28(b)は正面図で、
両図において、40はプリント基板、41はプリント基板40
の表面に設けた金属薄膜より成るインダクタンス形成部
分、42は容量形成部分で、インダクタンス形成部分41の
円周方向の長さを電気長で共振波長λの1/2 又はその整
数倍に形成してある。図29(a)もまた従来のリング
共振器の要部の一例を示す平面図、図29(b)は正面
図で、インダクタンス形成部分43の形状を角形に形成し
た他は、図28に示したリング共振器と同様の構成であ
る。なお、図28及び図29には、入力結合素子、出力
結合素子、入力端子及び出力端子等を図示するのを省略
してある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a λ / 4 coaxial resonator (λ is a resonance wavelength), a helical resonator, or a ring resonator as shown in FIGS. 28 and 29 is used as the above high-frequency filter. Has been. FIG. 28 (a) is a plan view showing an example of a main part of a conventional ring resonator, and FIG. 28 (b) is a front view.
In both figures, 40 is a printed circuit board, 41 is a printed circuit board 40.
Inductance forming part of a metal thin film provided on the surface of, 42 in the capacitor forming portion, formed in 1/2 or an integral multiple thereof resonance wavelength λ a circumferential length of the inductance formation section 41 by an electrical length is there. FIG. 29 (a) is also a plan view showing an example of a main part of a conventional ring resonator, FIG. 29 (b) is a front view, and FIG. 28 is shown except that the shape of the inductance forming portion 43 is rectangular. It has the same structure as the ring resonator. 28 and 29, the illustration of the input coupling element, the output coupling element, the input terminal, the output terminal and the like is omitted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記λ/4同軸共振器
は、一般に大形で、共振素子としてTEM誘電体共振素
子を用いることによって小形化が可能であるが、比較的
多量の固体誘電体を用いる結果、重量が大となり、又、
使用周波数が低い場合には、十分には小形化することが
不可能である。上記ヘリカル共振器は、共振器のインピ
ーダンスが高いため共振器内の電圧が高くなるので耐圧
特性に劣り、共振素子の表面積が狭いため放熱効果に劣
る結果電力容量が小である。又、ヘリカル共振器は、共
振素子がコイル状に巻かれた線状体より成るため耐震性
に劣り、共振素子の形状が複雑なため、これをインバー
(登録商標)又はスーパーインバール(登録商標)
の材料を加工して形成することが困難で、共振周波数の
温度特性の良好な共振器を製作することが極めて困難で
ある。図28及び図29に示したリング共振器は、イン
ダクタンス形成部分41(図28)及び43(図29)
の周方向の長さを電気長で共振波長λの1/2又はその
整数倍に形成してあるため、何れも共振周波数が比較的
低い場合には寸法が大となる。又、図28及び図29に
示した何れのリング共振器においてもプリント基板40
が薄く、このプリント基板40における損失のために共
振器のQを或る程度以上に高めることができず、インダ
クタンス形成部分41及び43が何れも幅の狭い金属薄
膜より成るため総面積が狭く、厚さも薄いため大電力用
共振器として不適である。
The λ / 4 coaxial resonator is generally large and can be miniaturized by using a TEM dielectric resonant element as a resonant element, but a relatively large amount of solid dielectric is used. As a result, the weight becomes large, and
If the frequency used is low, it is impossible to make it sufficiently compact. The helical resonator has a high impedance in the resonator and thus a high voltage in the resonator, which is inferior in the withstand voltage characteristic, and the surface area of the resonant element is small, which is inferior in the heat radiation effect, resulting in a small power capacity. Further, helical resonator, the resonance element is inferior in vibration resistance because made of linear body wound into a coil, since the shape of the resonant element is complicated, which Invar (R) or Super Invar (registered trademark ) Is difficult to form, and it is extremely difficult to manufacture a resonator having good temperature characteristics of resonance frequency. The ring resonator shown in FIGS. 28 and 29 has inductance forming portions 41 (FIG. 28) and 43 (FIG. 29).
Since the length in the circumferential direction is formed to be 1/2 of the resonance wavelength λ or an integral multiple thereof in terms of electrical length, the size becomes large when the resonance frequency is relatively low. Further, in any of the ring resonators shown in FIGS. 28 and 29, the printed circuit board 40
Is thin, the Q of the resonator cannot be increased to a certain extent or more due to the loss in the printed circuit board 40, and the total area is small because both the inductance forming portions 41 and 43 are made of a thin metal thin film. Since it is thin, it is not suitable as a resonator for high power.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、一端をシ−ル
ドケ−スの壁面に固定した金属板を折り曲げ、他端を前
記壁面と対向させて成るインダクタンス形成部分と、前
記インダクタンス形成部分の他端及びこの他端と対向す
る前記壁面との間における容量形成部分とより成る共振
素子を備えたリング共振器を実現することによって従来
の欠点を除こうとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, an inductance forming portion is formed by bending a metal plate having one end fixed to a wall surface of a shield case, and the other end facing the wall surface. It is intended to eliminate the conventional drawback by realizing a ring resonator having a resonant element including the other end and a capacitance forming portion between the other end and the wall surface facing the other end.

【0005】[0005]

【実施例】図1(a)は、本発明の一実施例の要部を示
す断面図{図1(b)のC−C断面図}、図1(b)
は、図1(a)のA−A断面図、図1(c)は、図1
(a)のB−B断面図で、各図において、1はシールド
ケース、2は共振素子のインダクタンス形成部分で、適
宜幅の金属板をほぼコの字形又はU字形に折り曲げ、シ
ールドケース1の壁面のうち、例えば下壁に固定し、他
端を前記下壁と平行となるように折り曲げて、折り曲げ
部分3を形成してある。この折り曲げ部分3の折り曲げ
方向は、図示のように、共振素子のイングクタンス形成
部分2とシールドケース1の下壁の一部によって囲まれ
る空間の外側に向くように折り曲げるか、これと逆方向
に折り曲げてもよい。共振素子のインダクタンス形成部
分2の他端の折り曲げ部分3は、固体誘電体4を介して
シールドケース1の下壁に固定してある。共振素子のイ
ンダクタンス形成部分2の他端の折り曲げ部分3とシー
ルドケース1の下壁との間に固体誘電体4を介在させる
代りに、折り曲げ部分3とシールドケース1の下壁との
間に、絶縁物より成る小形のスペーサを適宜数介在させ
て折り曲げ部分3をシールドケース1の下壁に固定して
もよい。又、共振素子のイングクタンス形成部分2の他
端に電極板をT字形に取付け、固体誘電体又は絶縁スペ
ーサを介してシールドケース1の下壁に固定してもよ
い。前記折り曲げ部分3又はT字形に取付けた電極板と
これに対向するシールドケース1の下壁とによって共振
素子の容量形成部分が構成されることとなるが、上記の
ような構成の他、共振素子のインダクタンス形成部分2
の他端とシールドケース1の下壁との間に、例えば固定
容量のセラミックコンデンサ又はバタフライ形可変容量
コンデンサ等の容量素子を介装するようにしてもよい。
なお、図1(a)において矢印を付した実線は、インダ
クタンス形成部分2、折り曲げ部分3、固体誘電体4及
びシールドケース1の下壁の一部より成る共振素子に流
れる電流を示し、図1(c)において矢印を付した破線
は、磁界を表わす。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 (a) is a sectional view showing a main part of an embodiment of the present invention (a sectional view taken along the line CC of FIG. 1 (b)), FIG. 1 (b).
1A is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1A, and FIG.
(A) BB cross-sectional views, in each figure, 1 is a shield case, 2 is an inductance forming portion of a resonance element, and a metal plate of an appropriate width is bent into a substantially U-shape or U-shape to form a shield case 1. The wall portion is fixed to, for example, a lower wall, and the other end is bent so as to be parallel to the lower wall to form a bent portion 3. As shown in the drawing, the bending direction of the bending portion 3 is such that the bending portion 3 is bent toward the outside of the space surrounded by the inductance forming portion 2 of the resonant element and a part of the lower wall of the shield case 1, or in the opposite direction. You may fold it. The bent portion 3 at the other end of the inductance forming portion 2 of the resonant element is fixed to the lower wall of the shield case 1 via the solid dielectric 4. Instead of interposing the solid dielectric 4 between the bent portion 3 at the other end of the inductance forming portion 2 of the resonant element and the lower wall of the shield case 1, between the bent portion 3 and the lower wall of the shield case 1, The bent portion 3 may be fixed to the lower wall of the shield case 1 by interposing an appropriate number of small spacers made of an insulating material. Further, an electrode plate may be attached to the other end of the inductance forming portion 2 of the resonant element in a T shape and fixed to the lower wall of the shield case 1 via a solid dielectric or an insulating spacer. The bending portion 3 or the electrode plate attached in a T shape and the lower wall of the shield case 1 facing the bending portion 3 constitute a capacitance forming portion of the resonance element. Inductance forming part 2
A capacitive element such as a fixed capacitance ceramic capacitor or a butterfly variable capacitance capacitor may be interposed between the other end of the above and the lower wall of the shield case 1.
In FIG. 1A, a solid line with an arrow indicates a current flowing through the resonance element including the inductance forming portion 2, the bent portion 3, the solid dielectric 4, and a part of the lower wall of the shield case 1. The broken line with an arrow in (c) represents a magnetic field.

【0006】図2(a)は、本発明リング共振器の等価
回路図で、L1ないしL3は図1(a)に示した共振素子の
インダクタンス形成部分2におけるから、から
及びからの各部分におけるインダクタンス分、CA
図1(a)に示した折り曲げ部分3、これに対向するシ
−ルドケ−ス1の下壁及び両者間に介装された固体誘電
体4とによって形成される容量形成部分における容量分
である。図2(b)は、図2(a)におけるインダクタ
ンス分L1ないしL3をまとめてLとして表わした等価回路
図で、他の符号は図2(a)と同様である。図1及び図
2には、入力結合素子、出力結合素子、入力端子、出力
端子及び共振周波数の微調整素子等は、図示するのを省
略してある。
FIG. 2A is an equivalent circuit diagram of the ring resonator of the present invention. L 1 to L 3 are from the inductance forming portion 2 of the resonance element shown in FIG. The inductance component C A in the portion is formed by the bent portion 3 shown in FIG. 1A, the lower wall of the shield case 1 facing the bent portion 3, and the solid dielectric 4 interposed therebetween. It is the capacity of the capacity forming portion. 2B is an equivalent circuit diagram in which the inductance components L 1 to L 3 in FIG. 2A are collectively represented as L, and other reference numerals are the same as those in FIG. 2A. 1 and 2, the input coupling element, the output coupling element, the input terminal, the output terminal, the resonance frequency fine adjustment element, and the like are not shown.

【0007】このように構成した本発明リング共振器に
おいては、シ−ルドケ−ス1を大形に形成する程、すな
わち、図1に示すように、シ−ルドケ−ス1の横縦及び
高さの寸法X、YおよびZを大にする程、蓄えられる電
磁エネルギの量を大にすることができる。換言すれば、
シ−ルドケ−ス1を大形にする程、無負荷時のQ(QU
を高くすることができる。本発明者が試作品について実
測した結果、インダクタンス形成部分2の幅をy、イン
ダクタンス形成部分2におけるからまでの部分と
からまでの部分との対向間隙の長さをxとした場合、
X≒Y≒Z、X/x≒2、及びY/y≒2に選ぶと共
に、インダクタンス形成部分2の頂部とシ−ルドケ−ス
1の上壁との間隔をほぼx/2に選んだ場合、電磁エネ
ルギを最も効率良く蓄え得ることを確かめることができ
た。したがって、各部の寸法を上記のように選んだ場
合、無負荷Q(QU)を最も高くすることができる。各部
の寸法を上記のように選んだ場合において、折り曲げ部
分3、これに対向するシ−ルドケ−ス1の下壁及び両者
間に介装された固体誘電体4より成る容量形成部分の無
負荷Q(容量形成部分における誘電体損で定まる無負荷
Q)が、シ−ルドケ−ス1及びインダクタンス形成部分
2を銅で形成した場合における金属部分の無負荷Qより
遥かに高い場合、すなわち、容量形成部分における誘電
体損が無視できる場合における本発明リング共振器の無
負荷Q(QU)は、近似的に次式で求めることができる。
In the ring resonator of the present invention constructed as described above, the larger the shield case 1 is formed, that is, as shown in FIG. The larger the length dimensions X, Y and Z, the greater the amount of electromagnetic energy that can be stored. In other words,
The larger the shield case 1 is, the more unloaded Q (Q U )
Can be higher. As a result of actual measurement of the prototype by the present inventor, when the width of the inductance forming portion 2 is y and the length of the facing gap between the portion to and the portion of the inductance forming portion 2 is x,
When X≈Y≈Z, X / x≈2, and Y / y≈2, and the distance between the top of the inductance forming portion 2 and the upper wall of the shield case 1 is chosen to be approximately x / 2. , It was confirmed that the electromagnetic energy can be stored most efficiently. Therefore, when the dimensions of each part are selected as described above, the no-load Q (Q U ) can be maximized. When the dimensions of the respective parts are selected as described above, no load is applied to the bent portion 3, the lower wall of the shield case 1 facing the bent portion 3, and the solid dielectric 4 interposed between the folded portion 3 and the solid dielectric 4. When Q (no-load Q determined by the dielectric loss in the capacitance forming portion) is much higher than the no-load Q of the metal portion when the shield case 1 and the inductance forming portion 2 are formed of copper, that is, the capacitance The unloaded Q (Q U ) of the ring resonator of the present invention when the dielectric loss in the formed portion is negligible can be approximately calculated by the following equation.

【数1】 上式においてX及びYの各単位はcm、周波数fの単位は
MHz である。
[Equation 1] In the above equation, each unit of X and Y is cm, and the unit of frequency f is
MHz.

【0008】本発明リング共振器においては、図1
(a)に矢印を付した実線で示した電流、すなわち、イ
ンダクタンス形成部分2、折り曲げ部分3、固体誘電体
4及びシ−ルドケ−ス1の下壁の一部より成る共振素子
に流れる電流の分布が一様となり、又、インダクタンス
形成部分2の幅が比較的広く、長手方向の長さが比較的
短いため、共振素子のインピ−ダンスは低い。共振素子
のインピ−ダンスが低いため共振素子に流れる電流が比
較的大となるが、インダクタンス形成部分2の幅が比較
的広いため電流密度は比較的小となり、この電流によっ
てインダクタンス形成部分2が発熱したとしてもインダ
クタンス形成部分2の表面積が大なるため、放熱効果が
良好で、温度上昇を低く抑えることができる。共振素子
における温度上昇が低い結果、損失電力が従来の共振器
と同一な場合には、本発明リング共振器の電力容量は従
来の共振器に比し大となる。前述のように共振素子のイ
ンピ−ダンスが低いから共振素子に生ずる電圧も低く、
したがって、耐圧特性が良好である。
In the ring resonator of the present invention, FIG.
The current shown by the solid line with an arrow in (a), that is, the current flowing in the resonance element formed by the inductance forming portion 2, the bent portion 3, the solid dielectric 4, and a part of the lower wall of the shield case 1 Since the distribution is uniform, the width of the inductance forming portion 2 is relatively wide, and the length in the longitudinal direction is relatively short, the impedance of the resonant element is low. Since the impedance of the resonant element is low, the current flowing through the resonant element is relatively large, but the width of the inductance forming portion 2 is relatively wide, so the current density is relatively small, and this current causes the inductance forming portion 2 to generate heat. Even so, since the surface area of the inductance forming portion 2 is large, the heat dissipation effect is good and the temperature rise can be suppressed to a low level. As a result of the low temperature rise in the resonant element, when the loss power is the same as that of the conventional resonator, the power capacity of the ring resonator of the present invention is larger than that of the conventional resonator. Since the impedance of the resonant element is low as described above, the voltage generated in the resonant element is also low,
Therefore, the breakdown voltage characteristics are good.

【0009】本発明リング共振器におけるシールドケー
ス1は箱状体より成るから、共振波長に応じて適当な厚
さの金属板で形成することにより、十分な機械的強度を
もたせることができ、インダクタンス形成部分2も共振
波長に応じて適当な厚さの金属板で形成することによ
り、インダクタンス形成部分2自体の機械的強度を大に
することが可能で、折り曲げ部分3、固体誘電体4及び
シールドケース1の下壁の一部より成る容量形成部分も
また十分な機械的強度を有するように形成することがで
きると共に、インダクタンス形成部分2の一端をシール
ドケース1の下壁に固定し、他端を容量形成部分を介し
てシールドケース1の下壁に固定してあるから、共振素
子全体、したがって又共振器全体を十分な機械的強度を
有するように構成することができる。本発明リング共振
器におけるイングクタンス形成部分2は金属板を単に折
り曲げて形成してあるから、インバール(登録商標)
はスーパーインバール(登録商標)等の材料を用いる場
合にも加工が容易である。インダクタンス形成部分2
は、共振波長に応じて適当な厚さの金属板で形成するこ
とにより十分な機械的強度をもたせることが可能なこと
前述のとおりであるが、例えば共振波長が短波帯のよう
に比較的長い場合には、インダクタンス形成部分2を形
成する金属板として共振波長に応じた厚さの板を用いる
ことができず、所要値よりも薄い金属板を用いる場合の
生ずることがあり得るが、このような場合には、金属板
の縁部を折り曲げることによって機械的強度を高めるこ
とができる。
Since the shield case 1 in the ring resonator of the present invention is made of a box-shaped body, it can be provided with sufficient mechanical strength by being formed of a metal plate having an appropriate thickness according to the resonance wavelength, and the inductance can be reduced. By forming the forming portion 2 also from a metal plate having an appropriate thickness according to the resonance wavelength, the mechanical strength of the inductance forming portion 2 itself can be increased, and the bent portion 3, the solid dielectric 4 and the shield are formed. The capacitance forming part formed of a part of the lower wall of the case 1 can also be formed so as to have sufficient mechanical strength, and one end of the inductance forming part 2 is fixed to the lower wall of the shield case 1 and the other end. Is fixed to the lower wall of the shield case 1 via the capacitance forming portion, so that the entire resonant element, and thus the entire resonator, is configured to have sufficient mechanical strength. It is possible. Since Ingukutansu forming portion 2 of the present invention the ring resonator is formed by simply bending a metal plate, it is easy to work even in the case of using the Invar (R) or Super Invar (registered trademark) material, such as . Inductance forming part 2
As described above, it is possible to provide sufficient mechanical strength by forming a metal plate with an appropriate thickness according to the resonance wavelength. As described above, for example, the resonance wavelength is relatively long such as in the shortwave band. In this case, a plate having a thickness corresponding to the resonance wavelength cannot be used as the metal plate forming the inductance forming portion 2, and a metal plate thinner than a required value may be used. In such a case, the mechanical strength can be increased by bending the edge of the metal plate.

【0010】図3(a)は、本発明リング共振器におけ
る入力結合素子、出力結合素子、入力端子及び出力端子
(以下、これらをまとめて入出力素子と略記する)の構
成の一例を示す断面図{図3(b)のA−A断面図}、
図3(b)は正面図で、両図において、5は入力(又は
出力)端子で、例えば同軸接栓より成る。6は入力(又
は出力)結合容量素子で、適宜幅及び長さの金属板より
成り、一端を入力(又は出力)同軸接栓5の内部導体に
接続すると共に、板面をインダクタンス形成部分2のう
ち、折り曲げ部分3の上部における垂直部分の一部と適
宜間隔を隔てて対向させてある。7は出力(又は入力)
端子、8は出力(又は入力)結合容量素子で、これらは
入力(又は出力)端子5及び入力(又は出力)結合容量
素子6と同様の構成である。図3(c)は、図3(a)
及び図3(b)に示した本発明共振器の等価回路図で、
TIは入力端子、CIは入力結合容量、Rはシ−ルドケ−ス
1及び共振素子により形成される共振回路、COは出力結
合容量、TOは出力端子である。入力(又は出力)結合容
量素子6及び出力(又は入力)結合容量素子8を上記の
ように構成する代りに、入力(又は出力)端子5と折り
曲げ部分3との間及び出力(又は入力)端子7と折り曲
げ部分3との間に、それぞれバタフライ形可変容量コン
デンサ又は固定容量のセラミックコンデンサ等の容量素
子を介装してもよい。
FIG. 3A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the input coupling element, the output coupling element, the input terminal and the output terminal (hereinafter collectively referred to as input / output element) in the ring resonator of the present invention. Fig. {A-A sectional view of Fig. 3 (b)},
FIG. 3 (b) is a front view, and in both figures, 5 is an input (or output) terminal, which is, for example, a coaxial plug. Reference numeral 6 denotes an input (or output) coupling capacitance element, which is made of a metal plate having an appropriate width and length, has one end connected to the internal conductor of the input (or output) coaxial connector 5, and the plate surface of the inductance forming portion 2. Among them, a part of the vertical portion in the upper part of the bent portion 3 is opposed to the bent portion 3 with an appropriate interval. 7 is output (or input)
Terminals 8 are output (or input) coupling capacitance elements, and these have the same configuration as the input (or output) terminal 5 and the input (or output) coupling capacitance element 6. FIG. 3C shows FIG.
And an equivalent circuit diagram of the resonator of the present invention shown in FIG.
T I is an input terminal, C I is an input coupling capacitance, R is a resonant circuit formed by the shield case 1 and a resonant element, C O is an output coupling capacitance, and T O is an output terminal. Instead of configuring the input (or output) coupling capacitance element 6 and the output (or input) coupling capacitance element 8 as described above, between the input (or output) terminal 5 and the bent portion 3 and the output (or input) terminal. A capacitance element such as a butterfly type variable capacitance capacitor or a fixed capacitance ceramic capacitor may be interposed between 7 and the bent portion 3.

【0011】図4(a)は、入出力素子の他の構成例を
示す断面図{図4(b)のA−A断面図}、図4(b)
は背面図で、両図において、10はタップ結合用導体で、
出力(又は入力)端子7と、インダクタンス形成部分2
のうちシ−ルドケ−ス1の下壁に固定接地した端部の上
部における垂直部分の適宜個所とを結合する。入力(又
は出力)端子5と、インダクタンス形成部分2のうちシ
−ルドケ−ス1の下壁に固定接地した端部の上部におけ
る垂直部分の適宜個所との間にもタップ結合用導体9を
設けるが図には現われていない。
FIG. 4A is a sectional view showing another example of the structure of the input / output element {AA sectional view of FIG. 4B}, FIG. 4B.
Is a rear view, in both figures, 10 is a conductor for tap coupling,
Output (or input) terminal 7 and inductance forming portion 2
Among them, the lower case of the shield case 1 is connected to an appropriate portion of the vertical portion in the upper part of the end fixedly grounded. A tap coupling conductor 9 is also provided between the input (or output) terminal 5 and an appropriate portion of the vertical portion above the end of the inductance forming portion 2 which is fixedly grounded to the lower wall of the shield case 1. Is not shown in the figure.

【0012】図5(a)は、入出力素子の他の構成例を
示す断面図{図5(b)のA−A断面図}、図5(b)
は背面図で、両図において、11及び12はそれぞれ適宜幅
及び長さの金属板より成る結合素子で、結合素子11は、
インダクタンス形成部分2のうちシ−ルドケ−ス1の下
壁に固定接地した端部の上部における垂直部分の適宜個
所と、入力(又は出力)端子5との間に設け、結合素子
12は、インダクタンス形成部分2のうちシ−ルドケ−ス
1の下壁に固定接地した端部の上部における垂直部分の
適宜個所と、出力(又は入力)端子7との間に設けてあ
る。この構成例においては結合素子11及び12の各板面と
インダクタンス形成部分2との間が磁界結合によって結
合されるから、タップ結合と磁界結合との複合結合とな
る。図5(c)は、図5(a)及び図5(b)に示した
共振器の等価回路図で、MI及びMOは磁界結合係数で、他
の符号は図3(c)と同様である。
FIG. 5A is a sectional view showing another example of the structure of the input / output element {AA sectional view of FIG. 5B}, FIG. 5B.
Is a rear view, and in both figures, 11 and 12 are coupling elements made of metal plates of appropriate width and length, respectively, and the coupling element 11 is
A coupling element is provided between the input (or output) terminal 5 and an appropriate portion of a vertical portion of the inductance forming portion 2 above the end fixedly grounded to the lower wall of the shield case 1.
Reference numeral 12 is provided between the output (or input) terminal 7 and an appropriate portion of a vertical portion of the inductance forming portion 2 above the end fixedly grounded to the lower wall of the shield case 1. In this configuration example, the plate surfaces of the coupling elements 11 and 12 and the inductance forming portion 2 are coupled by magnetic field coupling, so that tap coupling and magnetic field coupling are combined. FIG. 5 (c) is an equivalent circuit diagram of the resonator shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), in which M I and M O are magnetic field coupling coefficients, and other symbols are as in FIG. 3 (c). It is the same.

【0013】図6(a)は、入出力素子の他の構成例を
示す断面図{図6(b)のA−A断面図}、図6(b)
は背面図で、両図において、13及び14はそれぞれ帯状の
金属板で、互いに適宜間隔を隔てて平行に設けると共
に、インダクタンス形成部分2のうちシ−ルドケ−ス1
の下壁に固定接地した端部の上部における垂直部分とそ
れぞれ適宜間隔を隔てて設け、各両端部を端子5及び7
とシ−ルドケ−ス1の下壁に接続し、インダクタンス形
成部分2の上記垂直部分と帯状金属板13及び14によって
それぞれストリップラインを形成させてある。図7は、
図6(a)と同様の断面図で、符号も同様であるが、図
6(a)及び図6(b)においては、帯状の金属板13及
び14の接地側と反対側の端部に端子5及び7を設けて、
入出力結合を正結合で行うように構成してあるに対し、
図7に示した構成例においては、帯状の金属板13及び14
(金属板13は、図には現われていない)の接地側の端部
に端子5及び7(端子5は、図には現われていない)を
設けて、入出力結合を逆結合で行うように構成したもの
である。
FIG. 6A is a sectional view showing another example of the structure of the input / output element {AA sectional view of FIG. 6B}, FIG. 6B.
Is a rear view, and in both figures, 13 and 14 are strip-shaped metal plates, which are provided in parallel with each other at appropriate intervals, and the shield case 1 of the inductance forming portion 2 is provided.
It is provided at a proper interval from the vertical portion above the end portion which is fixedly grounded to the lower wall of the lower wall, and both ends are provided with terminals 5 and 7, respectively.
The strip case is connected to the lower wall of the shield case 1 by the vertical portion of the inductance forming portion 2 and the strip-shaped metal plates 13 and 14, respectively. FIG.
6A is a cross-sectional view similar to FIG. 6A and the reference numerals are also the same, but in FIGS. 6A and 6B, the end portions of the strip-shaped metal plates 13 and 14 on the side opposite to the ground side are formed. Providing terminals 5 and 7,
While the input / output connection is configured to be positive connection,
In the configuration example shown in FIG. 7, strip-shaped metal plates 13 and 14 are used.
Terminals 5 and 7 (terminal 5 is not shown in the figure) are provided at the ground side end of (the metal plate 13 is not shown in the figure) so that the input / output coupling is performed by the reverse coupling. It is composed.

【0014】図8(a)は、入出力素子の他の構成例を
示す断面図{図8(b)のB−B断面図}、図8(b)
は、図8(a)のA−A断面図で、両図において、15及
び16はそれぞれ結合用ル−プで、適宜幅の帯状金属板を
インダクタンス形成部分2の形状と同様のほぼコの字形
又はU字形に折り曲げ、各一端をシ−ルドケ−ス1の下
壁に固定接地し、各他端をシ−ルドケ−ス1の下壁と適
宜間隔を隔てて対向させ、各他端を端子5及び7に接続
してある。図8(c)は、図8(a)及び図8(b)に
示した共振器の等価回路図で、符号は図3(c)と同様
である。図8には、結合用ル−プ15及び16の各折り曲げ
方向をインダクタンス形成部分2の折り曲げ方向と同一
向きにして、入出力結合を正結合で行うように構成した
場合を例示してあるが、結合用ル−プ15及び16の各折り
曲げ方向をインダクタンス形成部分2の折り曲げ方向と
逆向きにして、入出力結合を逆結合で行うように構成し
てもよい。
FIG. 8 (a) is a sectional view showing another example of the structure of the input / output element {sectional view taken along the line BB of FIG. 8 (b)}, FIG. 8 (b).
8A is a sectional view taken along the line AA in FIG. 8A. In both figures, reference numerals 15 and 16 are coupling loops, and a strip-shaped metal plate having an appropriate width is formed into a substantially U-shaped shape similar to that of the inductance forming portion 2. It is bent into a U-shape or U-shape, one end is fixedly grounded to the lower wall of the shield case 1, the other end is opposed to the lower wall of the shield case 1 at an appropriate interval, and the other end is It is connected to terminals 5 and 7. FIG. 8C is an equivalent circuit diagram of the resonator shown in FIGS. 8A and 8B, and the reference numerals are the same as those in FIG. 3C. FIG. 8 exemplifies a case in which the bending directions of the coupling loops 15 and 16 are the same as the bending direction of the inductance forming portion 2 and the input / output coupling is performed by the positive coupling. The bending directions of the coupling loops 15 and 16 may be opposite to the bending direction of the inductance forming portion 2, and the input / output coupling may be performed by the reverse coupling.

【0015】図9は、本発明リング共振器における共振
周波数の微調整素子の構成の一例を示す断面図{図1
(a)に相当する断面図}で、17は固定電極板で、その
一端をインダクタンス形成部分2のうち、折り曲げ部分
3側の端部に固着してある。18は可動電極板、19は駆動
螺子、20はロックナットで、固定電極板17と可動電極板
18との間に形成される容量が、折り曲げ部分3とシ−ル
ドケ−ス1の下壁との間に形成される容量と並列に挿入
され、駆動螺子19を正方向又は逆方向に回転して可動電
極板18を前進又は後退させることにより、固定電極板17
との間に形成される容量を変化させて共振周波数を微細
に調整することができる。なお、折り曲げ部分3とシ−
ルドケ−ス1の下壁との間に形成される容量を比較的大
幅に変えることによって、共振周波数の中心周波数を比
較的大幅に変更設定することが可能である。固定電極板
17及び可動電極板18を設ける代りに、折り曲げ部分3と
シ−ルドケ−ス1の下壁との間に可変容量コンデンサを
並列に接続すると共に、可変容量コンデンサにおける可
動素子の駆動軸をシ−ルドケ−ス1の外に導出し、外部
からの操作によって可変容量コンデンサの容量を変えて
共振周波数を微細に調整するように構成してもよい。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the structure of a fine adjustment element for the resonance frequency in the ring resonator of the present invention {FIG. 1
In the sectional view corresponding to (a)}, 17 is a fixed electrode plate, one end of which is fixed to the end of the inductance forming portion 2 on the bent portion 3 side. 18 is a movable electrode plate, 19 is a drive screw, 20 is a lock nut, and the fixed electrode plate 17 and the movable electrode plate
The capacity formed between the drive screw 19 is inserted in parallel with the capacity formed between the bent portion 3 and the lower wall of the shield case 1, and the drive screw 19 is rotated in the forward or reverse direction. The movable electrode plate 18 is moved forward or backward to move the fixed electrode plate 17
The resonance frequency can be finely adjusted by changing the capacitance formed between the two. In addition, the bent portion 3 and the sheet
The center frequency of the resonance frequency can be changed and set relatively large by changing the capacity formed between the lower case 1 and the lower wall relatively. Fixed electrode plate
Instead of providing the movable electrode plate 17 and the movable electrode plate 18, a variable capacitance capacitor is connected in parallel between the bent portion 3 and the lower wall of the shield case 1, and the drive shaft of the movable element in the variable capacitance capacitor is shielded. Alternatively, the resonance frequency may be finely adjusted by deriving the variable capacitor from the outside of the case 1 and changing the capacitance of the variable capacitor by an external operation.

【0016】図10もまた本発明リング共振器における
共振周波数の微調整素子の構成の一例を示す断面図{図
1(a)に相当する断面図}で、21は同調螺子で、シ−
ルドケ−ス1の下壁からインダクタンス形成部分2によ
って囲まれた空間内に挿入してある。22はロックナット
である。図11(a)は、図11(b)のB−B断面
図、図11(b)は、図11(a)のA−A断面図で、
この構成例においては、同調螺子21をシ−ルドケ−ス1
の側壁からインダクタンス形成部分2によって囲まれた
空間内に挿入してある。22はロックナットである。図1
0及び図11に示した何れの構成例においても、同調螺
子21を正方向又は逆方向に回転してシ−ルドケ−ス1内
への挿入長を変えることにより、自己インダクタンスを
変化させて共振周波数を微細に調整することができる。
図10及び図11に示した構成例においては、何れも同
調螺子21をインダクタンス形成部分2によって囲まれた
空間内に挿入した場合を例示してあるが、インダクタン
ス形成部分2とシ−ルドケ−ス1との間の空間内へ挿入
するようにしてもよい。なお、図3ないし図11におけ
る他の符号は、図1と同様である。
FIG. 10 is also a cross-sectional view (cross-sectional view corresponding to FIG. 1A) showing an example of the structure of the fine adjustment element of the resonance frequency in the ring resonator of the present invention, in which 21 is a tuning screw, and
It is inserted from the lower wall of the case 1 into the space surrounded by the inductance forming portion 2. 22 is a lock nut. 11A is a sectional view taken along the line BB of FIG. 11B, and FIG. 11B is a sectional view taken along the line AA of FIG.
In this configuration example, the tuning screw 21 is attached to the shield case 1
Is inserted into the space surrounded by the inductance forming portion 2 from the side wall. 22 is a lock nut. FIG.
0 and FIG. 11, the tuning screw 21 is rotated in the forward direction or the reverse direction to change the insertion length into the shield case 1 to change the self-inductance and resonate. The frequency can be finely adjusted.
In each of the configuration examples shown in FIGS. 10 and 11, the tuning screw 21 is inserted in the space surrounded by the inductance forming portion 2, but the inductance forming portion 2 and the shield case are shown. You may make it insert in the space between 1. Other reference numerals in FIGS. 3 to 11 are the same as those in FIG.

【0017】図12(a)は、本発明リング共振器を複
数個縦続接続して構成した帯域通過ろ波器の要部を示す
断面図{図12(b)のB−B断面図}、図12(b)
は、図12(a)のA−A断面図で、両図において、31
は共通のシ−ルドケ−ス、21ないし24はインダクタンス
形成部分、31ないし34は折り曲げ部分、41ないし44は固
体誘電体で、インダクタンス形成部分21ないし24、折り
曲げ部分31ないし34、固体誘電体41ないし44は、図1に
示したインダクタンス形成部分2、折り曲げ部分3、固
体誘電体4と同様の構成で、それぞれ共通のシ−ルドケ
−ス31の下壁の一部と共に共振素子を形成する。図12
には示していないが、図3ないし図8に示した入出力素
子のうち、任意の入出力素子を選択して入力(又は出
力)端子及び入力(又は出力)結合素子を初段の共振素
子に結合し、出力(又は入力)端子及び出力(又は入
力)結合素子を終段の共振素子に結合すると共に、図9
ないし図11に示した共振周波数の微調整素子のうち、
任意の微調整素子を選択して各共振素子に結合する。図
12には、共振素子を4個縦続接続した場合を例示して
あるが、適宜増減して帯域通過ろ波器を構成できること
勿論である。図12(c)は、図12(a)及び図12
(b)に示した帯域通過ろ波器の段間結合を説明するた
めの断面図、すなわち、図12(a)のC−C断面図の
うち、初段及び次段の共振素子部分を示す断面図で、矢
印を付した破線は磁界を示し、SCは共振素子の中心間隔
で、他の符号は図12(a)及び図12(b)と同様で
ある。図12(c)においてインダクタンス形成部分21
及び22の各幅yと、インダクタンス形成部分21及び22
各垂直部分の間隔xとの関係をx=yに選び、共通のシ
−ルドケ−ス31の幅Xとインダクタンス形成部分21及び
22の各垂直部分の間隔xとの関係をX=2xに選ぶと共
に、インダクタンス形成部分21及び22の各頂部と共通の
シ−ルドケ−ス31の上壁との間隔をほぼx/2に選び、
共振素子の中心間隔SCを変えた場合における段間の磁界
結合係数Mmの変化を実測した結果を図13に示す。図1
3において、横軸は等間隔目盛で、
FIG. 12 (a) is a sectional view showing a main part of a bandpass filter constituted by cascade-connecting a plurality of ring resonators of the present invention {a sectional view taken along line BB of FIG. 12 (b)}, Figure 12 (b)
Is a sectional view taken along the line AA of FIG.
Is a common shield case, 2 1 to 2 4 are inductance forming parts, 3 1 to 3 4 are bent parts, 4 1 to 4 4 are solid dielectrics, inductance forming parts 2 1 to 2 4 and bent parts 3 1 to 3 4 and solid dielectrics 4 1 to 4 4 have the same structure as the inductance forming portion 2, the bent portion 3 and the solid dielectric 4 shown in FIG. A resonance element is formed with a part of the lower wall. FIG.
Although not shown in FIG. 3, any input / output element among the input / output elements shown in FIGS. 3 to 8 is selected to set the input (or output) terminal and the input (or output) coupling element as the first-stage resonant element. 9 and the output (or input) terminal and the output (or input) coupling element are coupled to the final stage resonant element.
To the resonance frequency fine adjustment element shown in FIG.
Any fine tuning element is selected and coupled to each resonant element. FIG. 12 illustrates the case where four resonant elements are connected in cascade, but it goes without saying that the band pass filter can be configured by appropriately increasing or decreasing the number. FIG. 12C is a schematic diagram of FIG.
Sectional drawing for demonstrating the interstage coupling of the band pass filter shown to (b), ie, the sectional view which shows the resonant element part of the first step and the next step among CC sectional views of FIG. 12 (a). In the figure, the broken line with an arrow indicates the magnetic field, S C is the center interval of the resonance element, and other reference numerals are the same as those in FIGS. 12A and 12B. Figure 12 inductance forming part 2 1 (c) In
And 2 2 and the width y, select the relation between the distance x of the vertical portion of the inductance forming part 2 1 and 2 2 to x = y, the common - Rudoke - width X of the scan 31 and the inductance forming part 2 1 and
The relationship between the 2 2 spacing x of the vertical portion with choosing the X = 2x, the common inductance forming part 2 1 and 2 2 of the top sheet - Rudoke - approximately the distance between the upper wall of the scan 31 x / Choose 2,
FIG. 13 shows the results of actual measurement of changes in the magnetic field coupling coefficient M m between steps when the center spacing S C of the resonant element is changed. FIG.
In 3, the horizontal axis is a regular interval scale,

【数2】 の値を表わし、縦軸は対数目盛で、磁界結合係数Mmであ
る。上記帯域通過ろ波器を設計するに当っては、従来と
同様手法の回路設計によって段間磁界結合係数Mmを求
め、図13に示した磁界結合特性曲線から共振素子の中
心間隔SCを求める。
[Equation 2] And the vertical axis is a logarithmic scale, which is the magnetic field coupling coefficient M m . In designing the band-pass filter, the inter-stage magnetic field coupling coefficient M m is obtained by the circuit design of the same method as the conventional one, and the center spacing S C of the resonance element is calculated from the magnetic field coupling characteristic curve shown in FIG. Ask.

【0018】図14は、上記帯域通過ろ波器の製作方法
の一例を説明する図で、図14(a)は縦続接続される
共振素子におけるインダクタンス形成部分を構成する部
品で、32は帯状の共通固定部分、21ないし24は帯状の共
通固定部分32の側縁から直角方向に突出させたインダク
タンス形成部分で、これらは金属板を打抜く等の手段に
よって一体に形成してある。図14(b)は共振素子に
おける容量形成部分の構成部品で、33は帯状の誘電体板
で、裏面の全域に金属薄膜を付着させ、表面の一部、す
なわち、インダクタンス形成部分21ないし24の各外端部
の折り曲げ部分(図12における31ないし34に相当する
部分)に対応する個所331 ないし334 に金属薄膜を付着
させてある。図14(a)に示したインダクタンス形成
部分21ないし24の各基部を帯状の共通固定部分32と直角
となるように折り曲げ、更に、インダクタンス形成部分
21ないし24を図14(c)に示すようにほぼコの字形又
はU字形に折り曲げ、帯状の共通固定部分32の下面を共
通のシ−ルドケ−ス31の下壁に半田付け等によって固着
し、図14(b)に示した帯状の誘電体板33を帯状の共
通固定部分32と所要間隔を保って平行に配設し、その下
面に設けた金属薄膜と共通のシ−ルドケ−ス31の下壁間
を半田付け等によって固着すると共に、インダクタンス
形成部分21ないし24の各外端部における折り曲げ部分31
ないし34{図14(c)にはインダクタンス形成部分22
ないし24及び折り曲げ部分32ないし34は現われていな
い}の各下面を、帯状の誘電体板33の表面に付着させた
金属薄膜部分331 ないし334 に各固着することによって
帯域通過ろ波器を容易に製作することができる。
FIG. 14 is a diagram for explaining an example of a method of manufacturing the above bandpass filter. FIG. 14A is a part which constitutes an inductance forming portion in a cascade-connected resonant element, and 32 is a strip-shaped member. common fixed portion, the 2 1 to 2 4 in the common fixed portion 32 inductance forming part which projects perpendicularly from the side edge of the strip, they are integrally formed by means such as punching a metal plate. In FIG. 14 (b) component of the capacitive formation portion in the resonator element, 33 is a strip-shaped dielectric plate, depositing a metal thin film on the back surface of the entire part of the surface, i.e., from 2 1 inductance forming portion 2 A metal thin film is attached to the portions 33 1 to 334 corresponding to the bent portions (portions corresponding to 3 1 to 3 4 in FIG. 12) of the outer end portions of 4 . From 2 1 inductance forming portion shown in FIG. 14 (a) folding each base of 2 4 so that the strip-shaped common fixed portion 32 and a right angle, further, the inductance forming portion
2 1 to folding the 2 4 substantially U-shaped or U-shaped as shown in FIG. 14 (c), a strip-shaped common lower surface common sheet fixed portion 32 - Rudoke - the lower wall of the scan 31 by soldering or the like 14B, the strip-shaped dielectric plate 33 shown in FIG. 14B is arranged in parallel with the strip-shaped common fixing portion 32 with a required space therebetween, and a shield film common to the metal thin film provided on the lower surface thereof. The lower walls of the space 31 are fixed by soldering or the like, and the bent portions 3 1 at the outer ends of the inductance forming portions 2 1 to 2 4
To 3 4 {in FIG. 14 (c), the inductance forming portion 2 2
Through 2 4 and the bent portions 3 2 through 3 4 are not exposed}, the lower surfaces of the band pass filter are fixed to the metal thin film portions 33 1 through 33 4 attached to the surface of the strip-shaped dielectric plate 33, respectively. The wave device can be easily manufactured.

【0019】図12には、インダクタンス形成部分21
いし24の各垂直部分の板面が、共通のシ−ルドケ−ス31
の長手方向と平行となり、かつ、各共振素子の向きが同
一となるように配設した場合を例示したが、一部の共振
素子の向きが逆向きとなるように配設してもよく、又、
図15(a)及び図15(b)に要部の断面図{図15
(a)は図15(b)のB−B断面図、図15(b)は
図15(a)のA−A断面図}を示すように、インダク
タンス形成部分21ないし24の各垂直部分の板面が、共通
のシ−ルドケ−ス31の長手方向と直角となるように配設
してもよく、この場合にも各共振素子の向きをすべて同
一又は一部を逆向きにして帯域通過ろ波器を構成するこ
とができる。図15(c)は、図12(c)に相当する
断面図で、矢印を付した破線は磁界を示す。図15に示
した帯域通過ろ波器においても、図12に示した帯域通
過ろ波器の場合と同様の手法によって共振素子の中心間
隔を求めることができる。図15における他の符号は、
図12と同様である。
[0019] Figure 12, the plate surface of each vertical portion of the inductance formation section 2 1 to 2 4, a common - Rudoke - scan 31
Although the case where the elements are arranged in parallel with the longitudinal direction of and the orientations of the respective resonance elements are the same, it may be arranged so that the orientations of some of the resonance elements are opposite. or,
15 (a) and 15 (b) are cross-sectional views of the main part {FIG.
(A) Figure 15 B-B sectional view of (b), FIG. 15 (b) to indicate the A-A sectional view of FIG. 15 (a)}, each vertical inductance forming part 2 1 to 2 4 The plate surface of the part may be arranged so as to be at right angles to the longitudinal direction of the common shield case 31, and in this case also, the directions of the respective resonance elements are all the same or a part thereof are reversed. A bandpass filter can be constructed. FIG. 15C is a cross-sectional view corresponding to FIG. 12C, and the broken line with an arrow indicates the magnetic field. Also in the bandpass filter shown in FIG. 15, the center interval of the resonant elements can be obtained by the same method as in the case of the bandpass filter shown in FIG. Other symbols in FIG. 15 are
It is similar to FIG.

【0020】図12及び図15に示した帯域通過ろ波器
においては、所要の電気的特性を得るために段間結合度
を変えようとする場合には、共振素子の中心間隔を変え
る必要があるので、設計製作上不利である。図16
(a)は、共振素子の中心間隔を変えることなく段間結
合度を変化させる手段の構成の一例を示す断面図{図1
6(b)のB−B断面図}、図16(b)は、図16
(a)のA−A断面図で、両図において、23は段間結合
阻止用金属棒で、隣接する共振素子の間における共通の
シ−ルドケ−ス31の上壁と下壁の間に設けてある。 段
間結合阻止用金属棒23を設けることによって、これを設
けていない場合に比し段間結合を疎にすることができ
る。段間結合阻止用金属棒23を設けるに当って、隣接す
る共振素子の中心を連ねる線の中央に設けた場合に、結
合を最も疎にすることができ、段間結合阻止用金属棒23
の直径を大にする程、段間結合阻止用金属棒23の本数を
増す程段間結合を疎にすることができる。図16には、
インダクタンス形成部分21及び22より成る初段及び次段
の共振素子部分のみを示したが、次段以降の各共振素子
の間にも段間結合阻止用金属棒を設けること勿論で、以
下説明する各構成例においても同様である。
In the band-pass filter shown in FIGS. 12 and 15, when it is desired to change the degree of interstage coupling in order to obtain the required electrical characteristics, it is necessary to change the center interval of the resonant elements. Therefore, it is disadvantageous in design and production. FIG.
FIG. 1A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of means for changing the degree of coupling between stages without changing the center interval of the resonant element {FIG.
6 (b) is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 6 (b), and FIG.
(A) AA sectional view, in both figures, 23 is a metal rod for preventing inter-stage coupling, which is provided between the upper and lower walls of the common shield case 31 between adjacent resonant elements. It is provided. By providing the metal rod 23 for preventing inter-stage coupling, the inter-stage coupling can be made sparser as compared with the case where this is not provided. In providing the inter-stage coupling preventing metal rod 23, when the inter-stage coupling inhibiting metal rod 23 is provided at the center of the line connecting the centers of the adjacent resonance elements, the coupling can be made the most sparse, and the inter-stage coupling inhibiting metal rod 23
The larger the diameter, the larger the number of metal rods 23 for preventing inter-stage coupling can be. In FIG.
Shows only the first stage and the next stage of the resonator portion composed of the inductance formation section 2 1 and 2 2, of course be provided interstage coupling blocking metal rod also between each resonator element following stages, the following description The same applies to each configuration example.

【0021】図17(a)は、図17(b)のB−B断
面図、図17(b)は、図17(a)のA−A断面図
で、この構成例は前記構成例における段間結合阻止用金
属棒23を適宜幅の金属板24に置き換えたもので、隣接す
る共振素子の中心を連ねる線の中央において段間結合阻
止用金属板24の板面が共通のシ−ルドケ−ス31の長手方
向と直角となるように設けた場合に、結合を最も疎にす
ることができ、段間結合阻止用金属板24の幅を広くする
程、厚さを厚くする程、設置数を増す程段間結合を疎に
することができる。
FIG. 17A is a sectional view taken along the line BB of FIG. 17B, and FIG. 17B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 17A. A metal plate 24 having an appropriate width is used to replace the metal rod 23 for preventing inter-stage coupling, and the plate surface of the metal plate 24 for inhibiting inter-stage coupling is common at the center of the line connecting the centers of the adjacent resonance elements. -When it is provided so as to be perpendicular to the longitudinal direction of the space 31, the connection can be made the most sparse, and the wider the width of the metal plate 24 for preventing inter-stage coupling is, the thicker it is installed. As the number increases, the interstage coupling can be made looser.

【0022】図18(a)は、図18(b)のB−B断
面図、図18(b)は、図18(a)のA−A断面図
で、両図において、25は段間結合阻止用金属板で、隣接
する共振素子の間における共通のシ−ルドケ−ス31の例
えば上壁に穿った孔隙から、共通のシ−ルドケ−ス31内
に挿入され、その挿入長を変え得ると共に、板面が共通
のシ−ルドケ−ス31の長手方向と直角又はほぼ直角とな
るように設けてある。26及び27は保持具で、共通のシ−
ルドケ−ス31の外部に導出されている段間結合阻止用金
属板25の表面及び裏面に圧着して、段間結合阻止用金属
板25の共通のシ−ルドケ−ス31内への挿入面積を所要値
に保持する。このため、例えば保持具26及び27の何れか
一方を共通のシ−ルドケ−ス31の外壁に固定すると共
に、各長さを段間結合阻止用金属板25の幅より適宜大に
し、保持具26及び27の両端部に螺子(図示していない)
を取付け、螺子を緩めることによって段間結合阻止用金
属板25の共通のシ−ルドケ−ス31内への挿入面積を変え
ることができ、螺子を締め付けることによって段間結合
阻止用金属板25を所要位置に保持できるように形成す
る。この構成例においては、段間結合阻止用金属板25の
共通のシ−ルドケ−ス31内への挿入面積を変えることに
よって段間結合度を変えることができる。
FIG. 18 (a) is a sectional view taken along line BB of FIG. 18 (b), and FIG. 18 (b) is a sectional view taken along line AA of FIG. 18 (a). A metal plate for preventing coupling, which is inserted into a common shield case 31 from a hole formed in, for example, an upper wall of a common shield case 31 between adjacent resonance elements, and changes its insertion length. In addition, the plate surface is provided so as to be at a right angle or substantially a right angle with the longitudinal direction of the common shield case 31. 26 and 27 are holders, which are common seals.
Insertion area of the metal plate 25 for preventing interstage coupling into the common shield case 31 by pressure bonding to the front and back surfaces of the metal plate 25 for inhibiting interstage coupling which is led out of the case 31. Is held at the required value. For this reason, for example, either one of the holders 26 and 27 is fixed to the outer wall of the common shield case 31, and each length is appropriately made larger than the width of the metal plate 25 for preventing inter-stage coupling. Screws on both ends of 26 and 27 (not shown)
By mounting and loosening the screw, the insertion area of the metal plate 25 for preventing interstage coupling between the common shield case 31 can be changed, and by tightening the screw, the metal plate 25 for inhibiting interstage coupling can be fixed. It is formed so that it can be held at the required position. In this configuration example, the degree of inter-step coupling can be changed by changing the insertion area of the metal plate 25 for inter-step coupling prevention into the common shield case 31.

【0023】図19(a)は、図19(b)のB−B断
面図、図19(b)は、図19(a)のA−A断面図
で、両図において、28は段間結合ル−プで、適宜幅の金
属板をコの字形又はU字形に折り曲げ、両端部を隣接す
る共振素子の間における共通のシ−ルドケ−ス31の例え
ば下壁に固定接地し、ル−プ面が共通のシ−ルドケ−ス
31の長手方向と平行となるように、すなわち、段間結合
ル−プ28の垂直部分の板面が共通のシ−ルドケ−ス31の
長手方向と直角となるように設けてある。この構成例に
おいては、前記各構成例とは逆に段間結合ル−プ28を設
けることによって、設けていない場合に比し、段間結合
を密にすることができ、段間結合ル−プ28のル−プ面積
を大にする程、段間結合ル−プ28を形成する金属板の幅
を大にする程、段間結合を密にすることができる。段間
結合ル−プ28のル−プ面が共通のシ−ルドケ−ス31の長
手方向と平行となるように設けた場合、段間結合を最も
密にすることができ、共通のシ−ルドケ−ス31の長手方
向に対するル−プ面の角度を変えることによって、ル−
プを過る磁力線の数を変化させて段間結合度を変化させ
ることができる。段間結合ル−プ28を回転可能に形成す
るには、例えば隣接する共振素子の間における共通のシ
−ルドケ−ス31の下壁の一部を、下壁面内において回転
可能な壁面に形成し、この回転壁面の内表面に段間結合
ル−プ28の両端部を固定することによって目的を達する
ことができる。以上は、共通のシ−ルドケ−ス31の壁面
のうち、共振素子を形成するインダクタンス形成部分21
及び22の各端部を接地固定した下壁に段間結合ル−プ28
の両端部を接地固定した場合について説明したが、イン
ダクタンス形成部分21及び22の各端部を接地固定した下
壁と対向する上壁に段間結合ル−プ28の両端部を接地固
定してもよい。
19A is a sectional view taken along line BB of FIG. 19B, and FIG. 19B is a sectional view taken along line AA of FIG. 19A. In both figures, 28 is a step. With a coupling loop, a metal plate having an appropriate width is bent into a U-shape or a U-shape, and both ends are fixedly grounded to, for example, the lower wall of a common shield case 31 between adjacent resonance elements. Shield case with a common surface
It is provided so as to be parallel to the longitudinal direction of 31, that is, the plate surface of the vertical portion of the interstage coupling loop 28 is perpendicular to the longitudinal direction of the common shield case 31. In this configuration example, by providing the inter-stage coupling loop 28 contrary to the above-mentioned respective configuration examples, the inter-stage coupling can be made denser as compared with the case where it is not provided. The larger the loop area of the loop 28 and the larger the width of the metal plate forming the interstage coupling loop 28, the denser the interstage coupling can be made. When the loop surface of the interstage coupling loop 28 is provided so as to be parallel to the longitudinal direction of the common shield case 31, the interstage coupling can be made most dense and the common sheath can be formed. By changing the angle of the loop surface with respect to the longitudinal direction of the case 31,
It is possible to change the degree of inter-stage coupling by changing the number of magnetic field lines passing through the loop. To form the interstage coupling loop 28 rotatably, for example, a part of the lower wall of the common shield case 31 between the adjacent resonance elements is formed as a wall that is rotatable in the lower wall. However, the purpose can be achieved by fixing both ends of the interstage coupling loop 28 to the inner surface of the rotating wall surface. Or a common sheet - Rudoke - out of the wall of the scan 31, the inductance forming portion to form a resonant element 2 1
And 2 2 of interstage coupling le the lower wall which is grounded secure each end - flop 28
The case has been described where both ends grounded fixed inductance forming portion 2 1 and 2 between stages wall on each end of the 2 faces the lower wall grounded fixedly coupled Le - ground fixing both end portions of the flops 28 You may.

【0024】以上は、磁界結合によって段間を結合する
手段の構成例を説明したが、以下、段間を容量によって
結合する手段について説明する。図20(a)は、図2
0(b)のB−B断面図、図20(b)は、図20
(a)のA−A断面図で、両図において、29及び30は固
定電極で、各外端を折り曲げ部分31及び32に各別に固定
し、各内端を適宜間隔を隔てて対向させてある。34は可
動電極で、輪郭形状を長方形に形成し、その中心に回転
駆動軸35の内端を固着してある。36はロックナットであ
る。このように形成するときは、固定電極29と可動電極
34間の容量及び可動電極34と固定電極30間の容量を介し
て段間結合が行われ、回転駆動軸35を操作して可動電極
34を回転すると、固定電極29と可動電極34の対向面積及
び可動電極34と固定電極30の対向面積が変化して段間結
合度が変化する。回転駆動軸35を送り螺子で形成する
と、送り螺子を正方向又は逆方向に回転させた場合、可
動電極34が回転すると共に前進又は後退して固定電極29
及び30との対向面積が変化すると共に、対向間隙もまた
変化して段間結合度を変えることとなる。可動電極34の
輪郭形状を円形に形成し、その中心に送り螺子の内端を
固着するように形成すると、送り螺子を正方向又は逆方
向に回転した場合、可動電極34が前進又は後退して段間
結合度を変化させることとなる。
The example of the configuration of the means for coupling the stages by magnetic field coupling has been described above, but the means for coupling the stages by capacitance will be described below. FIG. 20 (a) is shown in FIG.
20 (b) is a sectional view taken along line BB of FIG.
In A-A sectional view of (a), in both figures, the fixed electrodes 29 and 30, fixed to each other in the portion 3 1 and 3 2 fold each outer end, face each other with an appropriate spacing of each inner end I am allowed. Reference numeral 34 denotes a movable electrode, the contour of which is formed in a rectangular shape, and the inner end of the rotary drive shaft 35 is fixed to the center thereof. 36 is a lock nut. When forming in this way, the fixed electrode 29 and the movable electrode
Inter-stage coupling is performed through the capacitance between 34 and the capacitance between the movable electrode 34 and the fixed electrode 30, and the rotary drive shaft 35 is operated to move the movable electrode.
When 34 is rotated, the facing area between the fixed electrode 29 and the movable electrode 34 and the facing area between the movable electrode 34 and the fixed electrode 30 are changed, and the inter-stage coupling degree is changed. When the rotary drive shaft 35 is formed of a feed screw, when the feed screw is rotated in the forward direction or the reverse direction, the movable electrode 34 rotates and moves forward or backward to move the fixed electrode 29.
As the facing area with 30 and 30 changes, the facing gap also changes to change the degree of interstage coupling. When the contour of the movable electrode 34 is formed in a circular shape and the inner end of the feed screw is fixed to the center of the contour, the movable electrode 34 moves forward or backward when the feed screw is rotated in the forward or reverse direction. The degree of interstage coupling will be changed.

【0025】図21(a)は、図21(b)のB−B断
面図、図21(b)は、図21(a)のA−A断面図
で、両図において、37及び38は容量形成電極で、各外端
を折り曲げ部分31及び32に各別に固定し、各内端を適宜
面積に亙って対向させ、この間に生ずる容量によって段
間結合が行われる。図22(a)は、図22(b)のB
−B断面図、図22(b)は、図22(a)のA−A断
面図で、この構成例においては、容量形成電極37及び38
の対向間隙間にセラミック板等より成る固体誘電体板39
を介在させ、その外端部を共通のシ−ルドケ−ス31の側
壁に穿った孔隙から共通のシ−ルドケ−ス31の外側へ導
出し、固体誘電体板39の内端部の容量形成電極37及び38
の対向間隙間への挿入長を変えることによって段間結合
度を変化させることができる。段間容量結合手段として
は、上記の他、折り曲げ部分31及び32の間に、例えば固
定容量のセラミックコンデンサ又はバタフライ形可変容
量コンデンサ等の容量素子を介装するようにしてもよ
い。
FIG. 21 (a) is a sectional view taken along line BB of FIG. 21 (b), and FIG. 21 (b) is a sectional view taken along line AA of FIG. 21 (a). in capacitance forming electrodes, and fixed to each other in the portion 3 1 and 3 2 fold each outer end, each inner end are opposed to each other over the appropriate area, interstage coupling is carried out by capacitance generated therebetween. FIG. 22A shows B of FIG. 22B.
22B and FIG. 22B are sectional views taken along the line AA of FIG. 22A. In this configuration example, the capacitance forming electrodes 37 and 38 are formed.
Solid dielectric plate 39 composed of a ceramic plate or the like between the facing gaps
The outer end of the common shield case 31 through a hole formed in the side wall of the common shield case 31 to the outside of the common shield case 31 to form a capacitance at the inner end of the solid dielectric plate 39. Electrodes 37 and 38
It is possible to change the degree of inter-stage coupling by changing the insertion length into the gap between the two facing each other. The interstage capacitive coupling means, in addition to the above, during the bending portion 3 1 and 3 2, for example, capacitive elements, such as a ceramic capacitor or a butterfly variable capacitor of a fixed capacity may be interposed.

【0026】図23は、本発明リング共振器を用いて構
成した磁界結合形帯域通過ろ波器の等価回路の一例を示
す図で、TIは入力端子、TOは出力端子、R1ないしR4は共
振回路、MI1 は入力結合磁界係数、M4O は出力結合磁界
係数、M12 、M23 及びM34 は段間結合磁界係数である。
図24は、本発明リング共振器を用いて構成した容量結
合形帯域通過ろ波器の等価回路の一例を示す図で、CI1
は入力結合容量、C4O は出力結合容量、C12 、C23 及び
C34 は段間結合容量で、他の符号は図23と同様であ
る。図25は、本発明リング共振器を用いて構成した帯
域通過ろ波器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は伝送
周波数f(MHz) 、縦軸は減衰量ATT(dB) 、fOは中心周波
数である。
FIG. 23 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a magnetic field coupling type bandpass filter constituted by using the ring resonator of the present invention, in which T I is an input terminal, T O is an output terminal, and R 1 to R 1 . R 4 is a resonance circuit, M I1 is an input coupling magnetic field coefficient, M 4 O is an output coupling magnetic field coefficient, and M 12 , M 23 and M 34 are interstage coupling magnetic field coefficients.
Figure 24 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of the capacitive coupling type bandpass wave filter constructed by using the present invention the ring resonator, C I1
Is the input coupling capacitance, C 4O is the output coupling capacitance, C 12 , C 23 and
C 34 is an inter-stage coupling capacitance, and other symbols are the same as those in FIG. 23. FIG. 25 is a diagram showing an example of the transmission characteristics of a bandpass filter constituted by using the ring resonator of the present invention, where the horizontal axis is the transmission frequency f (MHz) and the vertical axis is the attenuation amount ATT (dB), f. O is the center frequency.

【0027】以上は、本発明リング共振器を用いて帯域
通過ろ波器を構成した場合について説明したが、本発明
リング共振器を1個のみ用い、図3ないし図8に示した
入出力素子のうち、何れか1組を省き、残りの1組の端
子及び結合素子を、入力及び出力端子並びに入力及び出
力結合素子に兼用することによって帯域阻止ろ波器とし
て作動させることができる。図12又は図15に示した
ように、共通のシ−ルドケ−ス31内に複数個の共振素子
を配設すると共に、図26に等価回路を示すように、入
力端子TIと出力端子TOの間に例えば集中定数回路素子よ
り成るインダクタンス素子のインダクタンスLI1 、L
12 、L23 、L34 、及びL4O を直列に挿入接続し、各イ
ンダクタンス素子の接続点と各共振素子間に、例えば集
中定数回路素子より成る容量素子の容量CR 1 、CR2 、C
R3 及びCR4 を挿入接続することによって低域通過ろ波
器を構成することができる。又、図27に等価回路を示
すように、入力端子TIと出力端子TOの間に例えば集中定
数回路素子より成る容量素子の容量CI1 、C12 、C23
C34 及びC4O を直列に挿入接続し、各容量素子の接続点
と各共振素子間に、例えば集中定数回路素子より成るイ
ンダクタンス素子のインダクタンスLR1 、LR2 、LR3
びLR4 を直列に挿入接続することによって高域通過ろ波
器を構成することができる。
The case where the band pass filter is constructed by using the ring resonator of the present invention has been described above. However, only one ring resonator of the present invention is used and the input / output elements shown in FIGS. It is possible to operate as a band-stop filter by omitting any one of the sets and using the remaining set of terminals and coupling elements as input and output terminals and input and output coupling elements. As shown in FIG. 12 or 15, the common sheet - Rudoke - while disposing a plurality of resonant elements in the scan 31, as shown in the equivalent circuit in FIG. 26, the input terminal T I and the output terminal T Between O , for example, the inductance of the inductance element consisting of lumped constant circuit elements L I1 , L
12, L 23, L 34, and L. 4O was inserted and connected in series, between the connection point and each resonance element of each inductance element, the capacitance C R 1 of the capacitive element for example made of lumped circuit elements, C R2, C
A low pass filter can be constructed by inserting and connecting R3 and C R4 . In addition, as shown in the equivalent circuit of FIG. 27, the capacitances C I1 , C 12 , C 23 of the capacitive elements composed of, for example, lumped constant circuit elements are provided between the input terminal T I and the output terminal T O.
C 34 and C 4 O are inserted and connected in series, and the inductance L R1 , L R2 , L R3, and L R4 of the inductance element composed of, for example, a lumped constant circuit element are connected in series between the connection point of each capacitive element and each resonant element. A high pass filter can be constructed by inserting and connecting.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明リング共振器は、前記詳細な説明
から明らかなように、小形、軽量で、製作も容易であ
り、共振周波数の温度特性が良好で、信頼性が高く、電
力容量が大で、本発明リング共振器を用いて構成したろ
波器もまた上記の特性を備えると共に、量産が容易であ
るから短波ないし極超短波帯における放送機又は通信機
器を構成する高周波ろ波器或は上記帯域における空中線
共用装置を構成する高周波ろ波器等の構成に好適であ
る。
As is apparent from the above detailed description, the ring resonator of the present invention is small and lightweight, easy to manufacture, has good temperature characteristics of resonance frequency, is highly reliable, and has a high power capacity. A large-sized filter constituted by using the ring resonator of the present invention also has the above-mentioned characteristics, and since it is easy to mass-produce, it is a high-frequency filter or a high-frequency filter which constitutes a broadcasting device or a communication device in the short-wave or ultra-high-frequency band. Is suitable for the configuration of a high-frequency filter or the like that constitutes an antenna shared device in the above band.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の要部を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a main part of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明リング共振器の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the ring resonator of the present invention.

【図3】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図4】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図5】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図6】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図7】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図8】本発明リング共振器の入力及び出力結合素子の
構成例を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of input and output coupling elements of the ring resonator of the present invention.

【図9】本発明リング共振器の共振周波数微調整素子の
構成例を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration example of a resonance frequency fine adjustment element of the ring resonator of the present invention.

【図10】本発明リング共振器の共振周波数微調整素子
の構成例を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a configuration example of a resonance frequency fine adjustment element of the ring resonator of the present invention.

【図11】本発明リング共振器の共振周波数微調整素子
の構成例を説明する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of a resonance frequency fine adjustment element of the ring resonator of the present invention.

【図12】本発明リング共振器を用いたろ波器の構成例
を説明する図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図13】本発明リング共振器を用いたろ波器における
共振素子の中心間隔と段間結合係数との関係を示す図で
ある。
FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the center spacing of resonant elements and the inter-stage coupling coefficient in a filter using the ring resonator of the present invention.

【図14】本発明リング共振器を用いたろ波器の製作方
法の一例を説明する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing a filter using the ring resonator of the present invention.

【図15】本発明リング共振器を用いたろ波器の構成例
を説明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration example of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図16】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a configuration example of an inter-stage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図17】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing a configuration example of an interstage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図18】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a configuration example of an inter-stage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図19】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 19 is a sectional view showing a configuration example of an interstage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図20】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a configuration example of an interstage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図21】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 21 is a cross-sectional view showing a configuration example of an inter-stage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図22】本発明リング共振器を用いたろ波器の段間結
合素子の構成例を示す断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing a configuration example of an interstage coupling element of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図23】本発明リング共振器を用いたろ波器の等価回
路図である。
FIG. 23 is an equivalent circuit diagram of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図24】本発明リング共振器を用いたろ波器の等価回
路図である。
FIG. 24 is an equivalent circuit diagram of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図25】本発明リング共振器を用いたろ波器の伝送特
性の一例を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing an example of transmission characteristics of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図26】本発明リング共振器を用いたろ波器の等価回
路図である。
FIG. 26 is an equivalent circuit diagram of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図27】本発明リング共振器を用いたろ波器の等価回
路図である。
FIG. 27 is an equivalent circuit diagram of a filter using the ring resonator of the present invention.

【図28】従来のリング共振器を示す図である。FIG. 28 is a diagram showing a conventional ring resonator.

【図29】従来のリング共振器を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing a conventional ring resonator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シ−ルドケ−ス 2 インダクタンス形成部分 3 折り曲げ部分 4 固体誘電体 L1 インダクタンス L2 インダクタンス L3 インダクタンス L インダクタンス CA 容量 5 入力(又は出力)端子 6 入力(又は出力)結合素子 7 出力(又は入力)端子 8 出力(又は入力)結合素子 TI 入力端子 TO 出力端子 CI 入力結合容量 CO 出力結合容量 R 共振回路 10 タップ結合用導体 11 結合素子 12 結合素子 MI 磁界結合係数 MO 磁界結合係数 13 帯状の金属板 14 帯状の金属板 15 結合用ル−プ 16 結合用ル−プ 17 固定電極板 18 可動電極板 19 駆動螺子 20 ロックナット 21 同調螺子 22 ロックナット 31 共通のシ−ルドケ−ス 21 インダクタンス形成部分 22 インダクタンス形成部分 23 インダクタンス形成部分 24 インダクタンス形成部分 31 折り曲げ部分 32 折り曲げ部分 33 折り曲げ部分 34 折り曲げ部分 41 固体誘電体 42 固体誘電体 43 固体誘電体 44 固体誘電体 32 帯状の共通固定部分 33 帯状の誘電体板 331 金属薄膜付着部分 332 金属薄膜付着部分 333 金属薄膜付着部分 334 金属薄膜付着部分 23 段間結合阻止用金属棒 24 段間結合阻止用金属板 25 段間結合阻止用金属板 26 保持具 27 保持具 28 段間結合ル−プ 29 固定電極 30 固定電極 34 可動電極 35 回転駆動軸 36 ロックナット 37 容量形成電極 38 容量形成電極 39 固体誘電体板 R1 共振回路 R2 共振回路 R3 共振回路 R4 共振回路 MI1 入力結合磁界係数 M4O 出力結合磁界係数 M12 段間結合磁界係数 M23 段間結合磁界係数 M34 段間結合磁界係数 CI1 入力結合容量 C4O 出力結合容量 C12 段間結合容量 C23 段間結合容量 C34 段間結合容量 LI1 結合インダクタンス L12 結合インダクタンス L23 結合インダクタンス L34 結合インダクタンス L4O 結合インダクタンス CR1 結合容量 CR2 結合容量 CR3 結合容量 CR4 結合容量 CI1 結合容量 C12 結合容量 C23 結合容量 C34 結合容量 C4O 結合容量 LR1 結合インダクタンス LR2 結合インダクタンス LR3 結合インダクタンス LR4 結合インダクタンス 40 プリント基板 41 インダクタンス形成部分 42 容量形成部分 43 インダクタンス形成部分1 sheet - Rudoke - scan second inductance forming part 3 bent portion 4 solid dielectric L 1 inductance L 2 the inductance L 3 inductance L Inductance C A capacitance 5 input (or output) terminal 6 Input (or output) coupling element 7 output (or Input) terminal 8 Output (or input) coupling element T I Input terminal T O Output terminal C I Input coupling capacitance C O Output coupling capacitance R Resonance circuit 10 Tap coupling conductor 11 Coupling element 12 Coupling element M I Magnetic field coupling coefficient M O Magnetic field coupling coefficient 13 Band-shaped metal plate 14 Band-shaped metal plate 15 Coupling loop 16 Coupling loop 17 Fixed electrode plate 18 Movable electrode plate 19 Drive screw 20 Lock nut 21 Tuning screw 22 Lock nut 31 Common sheath Rudoke - scan 2 1 inductance forming part 2 2 inductance forming part 2 3 inductance forming part 2 4 inductance forming part 3 1 bent portion 3 2 folded portions 3 3 Ri bending portion 3 4 bent portion 4 1 solid dielectric 4 2 solid dielectric 4 3 solid dielectric 4 4 solid dielectric 32 strip-shaped common fixed portion 33 belt-shaped dielectric plate 33 first metal thin film deposition section 33 second metal thin film deposition Part 33 3 Metal thin film adhering part 33 4 Metal thin film adhering part 23 Inter-stage coupling preventing metal rod 24 Inter-stage coupling inhibiting metal plate 25 Inter-stage coupling inhibiting metal plate 26 Holding device 27 Holding device 28 Inter-stage coupling loop 29 Fixed electrode 30 Fixed electrode 34 Movable electrode 35 Rotation drive shaft 36 Lock nut 37 Capacitance forming electrode 38 Capacitance forming electrode 39 Solid dielectric plate R 1 Resonance circuit R 2 Resonance circuit R 3 Resonance circuit R 4 Resonance circuit M I1 Input coupling magnetic field Coefficient M 4O Coupling magnetic field coefficient M 12 Coupling magnetic field coefficient between stages M 23 Coupling magnetic field coefficient between stages M 34 Coupling magnetic field coefficient between stages C I1 Input coupling capacitance C 4O Output coupling capacitance C 12 Coupling capacitance between stages C 23 Coupling capacitance between stages C 34 interstage coupling capacitance L I1 coupling inductance L 12 coupling inductance L 23 bond in Inductance L 34 coupling inductance L. 4O coupling inductance C R1 coupling capacitance C R2 coupling capacitor C R3 coupling capacitance C R4 coupling capacitance C I1 coupling capacitor C 12 coupling capacitor C 23 coupling capacitor C 34 coupling capacitance C. 4O coupling capacitance L R1 coupling inductance L R2 coupling inductance L R3 coupling inductance L R4 coupling inductance 40 Printed circuit board 41 Inductance forming part 42 Capacitance forming part 43 Inductance forming part

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】一端をシールドケースの下壁に固定した金
属板をコの字形又はU字形に折り曲げ、他端を前記シー
ルドケースの下壁と対向させて成るインダクタンス形成
部分と、 前記インダクタンス形成部分の他端及びこの他端と対向
する前記シールドケースの下壁との間における容量形成
部分とより成る共振素子を備えたことを特徴とするリン
グ共振器。
1. A one bending a metal plate fixed to the lower wall of the shield case to a U-shaped or U-shaped, the sea and the other end
A resonance element including an inductance forming portion facing the lower wall of the shield case, and a capacitance forming portion between the other end of the inductance forming portion and the lower wall of the shield case facing the other end. A ring resonator characterized by.
【請求項2】インダクタンス形成部分の幅を、このイン
ダクタンス形成部分における垂直部分の板面と対向する
シールドケースの壁面の幅のほぼ1/2に形成すると共
に、インダクタンス形成部分における垂直部分相互の対
向間隙の長さを、この対向間隙の長さ方向と平行なシー
ルドケースの壁面の幅のほぼ1/2に形成した請求項1
に記載のリング共振器。
2. The width of the inductance forming portion is formed to be approximately 1/2 of the width of the wall surface of the shield case facing the plate surface of the vertical portion of the inductance forming portion, and the vertical portions of the inductance forming portion face each other. The length of the gap is formed to be approximately 1/2 of the width of the wall surface of the shield case parallel to the length direction of the facing gap.
The ring resonator according to 1.
【請求項3】一端を共通のシールドケースの下壁に固定
した金属板をコの字形又はU字形に折り曲げ、他端を前
記共通のシールドケースの下壁と対向させて成るインダ
クタンス形成部分と、前記インダクタンス形成部分の他
端及びこの他端と対向する前記共通のシールドケースの
下壁との間における容量形成部分とより成る共振素子を
適宜数縦続的に配設して構成したことを特徴とするろ波
器。
3. One end is fixed to a lower wall of a common shield case.
Bend the metal plate into a U-shape or U-shape.
The inder made to face the lower wall of the common shield case.
Other than the inductance forming part and the inductance forming part.
Of the common shield case facing the end and the other end
A resonant element consisting of a capacitance forming part between the lower wall and
Filtering characterized by being configured by appropriately arranging several cascades
vessel.
【請求項4】各インダクタンス形成部分が、輪郭形状を
櫛の歯状に形成した金属板における帯状の共通固定部分
を共通のシールドケースの下壁に固着し、前記帯状の共
通固定部分の側縁から突設した金属片部分を折り曲げて
成る請求項3に記載のろ波器。
4. Each of the inductance forming portions has a contour shape.
Band-shaped common fixed part in the metal plate formed in the shape of comb teeth
To the bottom wall of the common shield case,
Bend the metal piece protruding from the side edge of the through-fixing part.
The filter according to claim 3, which comprises:
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