JP2511284B2 - Semiconductor core tube - Google Patents

Semiconductor core tube

Info

Publication number
JP2511284B2
JP2511284B2 JP468188A JP468188A JP2511284B2 JP 2511284 B2 JP2511284 B2 JP 2511284B2 JP 468188 A JP468188 A JP 468188A JP 468188 A JP468188 A JP 468188A JP 2511284 B2 JP2511284 B2 JP 2511284B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core tube
lead wire
metal foil
fixed
semiconductor core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP468188A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01184820A (en
Inventor
力 広畑
良信 棚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP468188A priority Critical patent/JP2511284B2/en
Publication of JPH01184820A publication Critical patent/JPH01184820A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2511284B2 publication Critical patent/JP2511284B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Furnace Details (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は半導体拡散炉に用いる半導体用炉心管に関
するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor core tube used in a semiconductor diffusion furnace.

従来の技術 半導体拡散炉においては、炉心管の外側にヒーターが
配置してあり、そのヒーターにより炉内を加熱するよう
になっている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor diffusion furnace, a heater is arranged outside a core tube, and the heater heats the inside of the furnace.

発明が解決しようとする問題点 炉心管が電気絶縁性のもので作られていない場合は、
ヒーターと炉心管とが接触すると、重大なトラブルが発
生する恐れがあった。
Problems to be Solved by the Invention If the core tube is not made of electrically insulating material,
Contact between the heater and the core tube could cause serious trouble.

発明の目的 この発明は前述のような従来の炉心管の欠点を改良し
てヒーターと炉心管との接触によって生じるトラブルを
最小にすることのできる半導体用炉心管を提供すること
を目的としている。
OBJECT OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor core tube capable of improving the drawbacks of the conventional core tube as described above and minimizing the trouble caused by the contact between the heater and the core tube.

発明の要旨 この目的を達成するために、この発明は請求項1に記
載の半導体用炉心管を要旨としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve this object, the present invention provides a semiconductor core tube according to claim 1.

問題点を解決するための手段 半導体炉心管の管本体1の外表面にリード線2の一端
部を金属箔3を介して固定する。さらに、リード線2と
金属箔3をカバーする形に固定板5を管本体1の外表面
に固定する。好ましくは、金属箔3はNiのようにAlおよ
びSiと800℃で合金をつくらない金属で作り、その金属
箔3と固定板5との間にアルミ箔7を設置し、炉心管を
約800℃に加熱してアルミ箔7を溶融させ、そのとき、
その溶融アルミと固定板中のSiとによって合金をつく
り、その合金がリード線2を金属箔3に固定するように
する。
Means for Solving the Problems One end of the lead wire 2 is fixed to the outer surface of the tube body 1 of the semiconductor core tube via the metal foil 3. Further, the fixing plate 5 is fixed to the outer surface of the tube body 1 so as to cover the lead wires 2 and the metal foil 3. Preferably, the metal foil 3 is made of a metal such as Ni that does not form an alloy with Al and Si at 800 ° C., an aluminum foil 7 is installed between the metal foil 3 and the fixed plate 5, and a core tube is set to about 800. The aluminum foil 7 is melted by heating to ℃, at that time,
An alloy is formed by the molten aluminum and Si in the fixing plate, and the alloy fixes the lead wire 2 to the metal foil 3.

作用 金属箔3を介してリード線2を炉心管本体1の表面に
固定しているので、リード線2やそれを固定するための
アルミ等が直接炉心管本体1の表面に接触せず、炉心管
本体1を汚染する恐れがない。
Since the lead wire 2 is fixed to the surface of the core tube main body 1 through the metal foil 3, the lead wire 2 and aluminum for fixing the lead wire 2 do not directly contact the surface of the core tube main body 1, and the core There is no risk of contaminating the tube body 1.

実施例 第1〜2図において、符号1は半導体拡散炉に用いる
半導体用炉心管の管本体の上部を示している。
Embodiments In FIGS. 1 and 2, reference numeral 1 indicates the upper part of the tube body of a semiconductor core tube used in a semiconductor diffusion furnace.

リード線2の一端部が金属箔3を介して管本体1に固
定されている。金属箔3は約800℃でAlやSiと合金を作
らない金属(たとえばNi)にして厚みを0.3〜0.6mmにす
るのが好ましい。リード線2の他端部は漏電検出器4に
接続されており、さらに接地されてアース線として機能
している。リード線3は耐熱性を有するものが好まし
い。
One end of the lead wire 2 is fixed to the tube body 1 via the metal foil 3. The metal foil 3 is preferably a metal (for example, Ni) that does not form an alloy with Al or Si at about 800 ° C. and has a thickness of 0.3 to 0.6 mm. The other end of the lead wire 2 is connected to the leak detector 4 and further grounded to function as a ground wire. The lead wire 3 preferably has heat resistance.

固定板5は金属箔3とリード線2をカバーする形で管
本体1の外表面に接着剤6によって固定されている。図
示例では、浅い溝状の凹所5aが形成してあって、そこに
リード線2と金属箔3が収納されている。また、固定板
5はSi−SiCやそれに類した材料で作られており、少な
くともSiを含有している。
The fixing plate 5 is fixed to the outer surface of the tube body 1 with an adhesive 6 so as to cover the metal foil 3 and the lead wires 2. In the illustrated example, a shallow groove-shaped recess 5a is formed in which the lead wire 2 and the metal foil 3 are housed. Further, the fixing plate 5 is made of Si-SiC or a similar material, and contains at least Si.

接着剤6はスミセラム(商品名)のような無機系接着
剤で、熱膨張係数が管本体1と実質上同一のものが最適
である。
The adhesive 6 is an inorganic adhesive such as Sumiceram (trade name), and it is optimal that the thermal expansion coefficient is substantially the same as that of the tube body 1.

複数のアルミ箔7を固定板5と金属箔3の間にはさ
み、そこにリード線2を設け、約800℃でアルミ箔7を
溶融させ、その溶融アルミと固定板中のSiとによって合
金をつくり、その合金によってリード線2を金属箔3に
固定する。
A plurality of aluminum foils 7 are sandwiched between the fixing plate 5 and the metal foil 3, the lead wire 2 is provided there, and the aluminum foil 7 is melted at about 800 ° C., and the molten aluminum and Si in the fixing plate form an alloy. Then, the lead wire 2 is fixed to the metal foil 3 by the alloy.

発明の効果 万が一炉内加熱用のヒータ(図示せず)が炉心管本体
1の外表面と接触したとしても、その際の漏電を漏電検
出器4によって即時に検出し、警報を発したり、自動的
に通電を停止したりできるので、トラブルの発生を最小
限にとどめることができる。
Effect of the Invention Even if a heater (not shown) for heating the inside of the furnace comes into contact with the outer surface of the core tube main body 1, the leakage at that time is immediately detected by the leakage detector 4, and an alarm is issued or Since it is possible to stop the energization, the trouble can be minimized.

金属箔3を介してリード線2を管本体1に固定してい
るので、リード線2によって炉心管が悪影響をうけな
い。
Since the lead wire 2 is fixed to the tube body 1 via the metal foil 3, the lead wire 2 does not adversely affect the core tube.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明による半導体用炉心管の改良部分のみ
を示す断面図、第2図は第1図のX−X線に沿った断面
図(アルミ箔は図示を省略してある)である。 1……炉心管本体 2……リード線 3……金属箔 4……漏電検出器 5……固定板 6……接着剤 7……アルミ箔
FIG. 1 is a sectional view showing only an improved portion of a semiconductor core tube according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG. 1 (aluminum foil is not shown). . 1 …… Fast core body 2 …… Lead wire 3 …… Metal foil 4 …… Leakage detector 5 …… Fixing plate 6 …… Adhesive 7 …… Aluminum foil

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体拡散炉に用いる半導体用炉心管にお
いて、管本体の外表面にリード線の一端部を金属箔を介
して固定し、それらのリード線と金属箔をカバーする形
に固定板を管本体の外表面に固定し、リード線の他端部
を漏電検出器に接続したことを特徴とする半導体用炉心
管。
1. In a semiconductor core tube used in a semiconductor diffusion furnace, one end of a lead wire is fixed to an outer surface of a tube body via a metal foil, and a fixing plate is formed so as to cover the lead wire and the metal foil. Is fixed to the outer surface of the tube body, and the other end of the lead wire is connected to an earth leakage detector.
JP468188A 1988-01-14 1988-01-14 Semiconductor core tube Expired - Lifetime JP2511284B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP468188A JP2511284B2 (en) 1988-01-14 1988-01-14 Semiconductor core tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP468188A JP2511284B2 (en) 1988-01-14 1988-01-14 Semiconductor core tube

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01184820A JPH01184820A (en) 1989-07-24
JP2511284B2 true JP2511284B2 (en) 1996-06-26

Family

ID=11590634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP468188A Expired - Lifetime JP2511284B2 (en) 1988-01-14 1988-01-14 Semiconductor core tube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2511284B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01184820A (en) 1989-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI81235C (en) Hob
JPH0464025A (en) Temperature sensor for cooking apparatus
EP0392467A3 (en) Thermistor and its preparation
JP2511284B2 (en) Semiconductor core tube
JP2003506705A (en) High temperature detector and manufacturing method thereof
GB1562251A (en) Electrical heating units
JP2002168702A (en) Temperature sensor
JPH0534543U (en) Temperature sensor
JP4436995B2 (en) Sensor element
US2481371A (en) High-temperature strain gauge and method of making same
KR20040035281A (en) Molding heater for heating semiconductor substrate
JP2753905B2 (en) Pyroelectric element
JPS57125333A (en) Temperature sensor
JPH0223001B2 (en)
JPH0216147Y2 (en)
JPS59210333A (en) Temperature detector
JPH0357949A (en) Oxygen sensor
JPH0136562B2 (en)
JPS6184803U (en)
JPS6136909Y2 (en)
JPH04123401A (en) Thin film resistance body
JPS6228246Y2 (en)
JPH0743218A (en) Temperature sensor for cooking utensil
JPS61244565A (en) Thick film type thermal head
JPS6010291U (en) sheet heating element