JP2507048B2 - Optical disc master manufacturing method - Google Patents

Optical disc master manufacturing method

Info

Publication number
JP2507048B2
JP2507048B2 JP12483589A JP12483589A JP2507048B2 JP 2507048 B2 JP2507048 B2 JP 2507048B2 JP 12483589 A JP12483589 A JP 12483589A JP 12483589 A JP12483589 A JP 12483589A JP 2507048 B2 JP2507048 B2 JP 2507048B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
master
etching
manufacturing
ion beam
optical disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP12483589A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02304745A (en
Inventor
俊法 貴志
道芳 永島
文章 植野
太郎 南部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12483589A priority Critical patent/JP2507048B2/en
Publication of JPH02304745A publication Critical patent/JPH02304745A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2507048B2 publication Critical patent/JP2507048B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、クロストークが小さく、SN比の高い高密度
光ディスク等の原盤の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a master such as a high density optical disc having a small crosstalk and a high SN ratio.

従来の技術 一般に光ディスク原盤の製造は、レジスト塗布、光カ
ッティング、現像、エッチング、レジスト除去という一
連の工程によって行なわれており、そのプロセスにおけ
るエッチング処理方法の一つとして、イオン銃を用いた
イオンビームエッチングが行なわれている。
Conventional technology Generally, an optical disk master is manufactured by a series of steps including resist coating, optical cutting, development, etching, and resist removal. As one of the etching treatment methods in the process, an ion beam using an ion gun is used. Etching is being performed.

従来の光ディスクの最小ピット面積及びトラックピッ
チであれば、単にイオン銃から発生されたイオンビーム
をそのまま利用してエッチングを行なってもクロストー
ク、SN比の点で問題は生じなかった。例えば隣接トラッ
ク間のクロストークをより減少させるためには、ピット
の側面をディスク面に対して垂直に立たせることが必要
であり、サイドエッチングが少なく異方性を持たせ易い
イオンビームエッチングが有効である。
With the minimum pit area and track pitch of the conventional optical disk, there is no problem in terms of crosstalk and SN ratio even if the ion beam generated from the ion gun is used as it is for etching. For example, in order to further reduce crosstalk between adjacent tracks, it is necessary to make the side surfaces of the pits perpendicular to the disk surface, and ion beam etching, which has less side etching and tends to have anisotropy, is effective. Is.

発明が解決しようとする課題 ところが現在の光ディスクは、最小ピットのピット面
積が約0.4μm×0.6μmと非常に小さくなってきてい
る。従って、従来約1.6μmであったトラックピッチを
1μm以下に狭めた場合、上記従来の製造方法による光
ディスクではクロストークが大きくなってしまう。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention However, in the present optical disc, the pit area of the minimum pit is very small, about 0.4 μm × 0.6 μm. Therefore, when the track pitch, which was about 1.6 μm in the past, is narrowed to 1 μm or less, the crosstalk becomes large in the optical disc manufactured by the above conventional manufacturing method.

ピットに対して斜め方向からのビーム成分を遮ぎり指
向性の高いイオンビームによってエッチングすることで
より立ったピットを得ることはできる。しかしエッチン
グ面であるピット底面が荒れてしまい、散乱が多くな
り、SN比が悪化する結果となる。
It is possible to obtain a more standing pit by blocking a beam component from an oblique direction with respect to the pit and etching with an ion beam having a high directivity. However, the bottom surface of the pit, which is the etching surface, becomes rough, scattering increases, and the SN ratio deteriorates.

本発明は、従来のこのような課題を解決できる光ディ
スク原盤の製造方法を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an optical disk master that can solve the conventional problems as described above.

課題を解決するための手段 光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗布、
光カッティング、及び現像処理を施した原盤の前方に、
斜め方向からのビーム入射成分を減少させるためのマス
クを取り付け、原盤に対して略垂直方向からイオンビー
ムを照射してエッチングを行う。その後フォトレジスト
を除去し、低エネルギーのイオン照射による表面処理を
行なう。
Means for Solving the Problems In a method for manufacturing an optical disk master, resist coating,
In front of the master that has been subjected to optical cutting and development processing,
A mask for reducing a beam incident component from an oblique direction is attached, and an etching is performed by irradiating the master with an ion beam from a substantially vertical direction. After that, the photoresist is removed, and surface treatment is performed by ion irradiation with low energy.

作用 マスクの取り付けによって斜め方向からのイオンビー
ムの入射を減少させることにより、ピット側面を原盤に
対して垂直にエッチングすることができる。また、高入
射角のビームに対するフォトレジストのエッチングレー
トは一般に金属よりも高いため、高入射角成分をマスク
によって遮ることで原盤金属とフォトレジストとのエッ
チングレート差が十分に得られ、塗布すべきフォトレジ
ストの厚みを薄くすることが可能となる。
By reducing the incidence of the ion beam from the oblique direction by attaching the mask, the side surface of the pit can be etched perpendicularly to the master. Further, since the etching rate of a photoresist for a beam with a high incident angle is generally higher than that of a metal, by shielding the high incident angle component with a mask, a sufficient etching rate difference between the master metal and the photoresist can be obtained, and coating should be performed. It is possible to reduce the thickness of the photoresist.

またフォトレジスト除去後、低エネルギーのイオンを
照射することで、イオンビームエッチングによる原盤表
面の荒れを低減することができる。
Further, by irradiating low energy ions after removing the photoresist, it is possible to reduce the roughness of the master surface due to ion beam etching.

実施例 以下、本発明の一実施例における光ディスク原盤の製
造方法を示す。
Example Hereinafter, a method of manufacturing an optical disk master according to an example of the present invention will be described.

第1図(a)に示すように、イオン銃1から放射され
るイオンビーム2の高入射角成分を遮るためのマスク3
を作成し、レジスト塗布、光カッティング、及び現像処
理を行なった原盤4の前方に取り付け、原盤4を回転さ
せながら垂直方向よりイオンビーム2を照射しエッチン
グを行なう。マスク3の開口部の形状はイオン銃1の口
径及び原盤4の大きさに依存する。またビームプロファ
イルに応じて開口部の形状を、単純な扇型ではなく適宜
変えて作成する必要がある。
As shown in FIG. 1A, a mask 3 for blocking a high incident angle component of the ion beam 2 emitted from the ion gun 1.
Is mounted in front of the master 4 on which resist coating, optical cutting and development have been performed, and while the master 4 is rotated, the ion beam 2 is vertically irradiated to perform etching. The shape of the opening of the mask 3 depends on the diameter of the ion gun 1 and the size of the master 4. Further, it is necessary to change the shape of the opening according to the beam profile, rather than changing it into a simple fan shape.

以上のような処理を行なうことによって、原盤4に対
してイオンビーム2を垂直方向から均一に照射すること
ができ、マスク3を使用しない場合(第2図(a))と
比較してピット5の側面の立ったピット5が得られる
(第2図(b))。不活性気体であるArガスを用いた場
合のエッチング条件の一例として、イオンエネルギーが
500eV、原盤表面におけるイオン電流密度が0.3mA/cm
2で、60°開口のマスク3を使用した場合、エッチング
レートは約3nm/minであった。
By performing the above-mentioned processing, the master 4 can be uniformly irradiated with the ion beam 2 from the vertical direction, and the pits 5 can be compared with the case where the mask 3 is not used (FIG. 2A). A pit 5 having a raised side surface is obtained (FIG. 2 (b)). As an example of etching conditions when Ar gas which is an inert gas is used, the ion energy is
500eV, ion current density on the master surface is 0.3mA / cm
At 2 , the mask rate of 60 ° opening was used and the etching rate was about 3 nm / min.

Cuを用いた原盤4に予めV溝加工を行なったものにピ
ット5を記録する場合、読み出し用ヘッドとして波長が
780nmのレーザを用いるとすると、ピット5の深さは約1
30nm(=1/4nλ)必要である。フォトレジストにAZ1350
J(シプレイ社製)を使用し、マスク3を使用しない場
合、CuとAZ1350Jとのエッチングレート比はほぼ1:1であ
り、フォトレジストをV溝の山部において130nm以上の
厚みで塗布する必要がある。しかしフォトレジストが厚
すぎると、記録用のレーザ強度及びトラッキングの点で
問題が生じるためレジスト厚は100nm以下が望ましい。
前述のようにマスク3を使用することによって高入射角
成分が減少し、原盤4金属とフォトレジストとのエッチ
ングレート差を十分に得ることができ、薄いレジスト厚
で十分な深さのエッチングを行なうことが可能となる。
When recording pits 5 on a master 4 using Cu that has been V-grooved in advance, the wavelength used as a read head is
If a 780 nm laser is used, the depth of pit 5 is about 1
30 nm (= 1/4 nλ) is required. AZ1350 for photoresist
When J (manufactured by Shipley) is used and the mask 3 is not used, the etching rate ratio between Cu and AZ1350J is approximately 1: 1 and it is necessary to apply photoresist to the V groove crests with a thickness of 130 nm or more. There is. However, if the photoresist is too thick, problems will occur in terms of recording laser intensity and tracking, so the resist thickness is preferably 100 nm or less.
By using the mask 3 as described above, the high incident angle component is reduced, a sufficient etching rate difference between the master 4 metal and the photoresist can be obtained, and etching with a thin resist thickness and a sufficient depth is performed. It becomes possible.

エッチング処理を終えた原盤4は、レジスト除去後、
低エネルギーのイオン照射による表面処理を行なう。第
1図(b)に示すように、レジストを除去した原盤4、
またはイオン銃1のいずれかを傾けてイオンビーム2が
原盤4に斜め方向から入射するよう設定し、原盤4を回
転させながら低エネルギーのイオン2を照射することに
より原盤4の荒れを平滑にする。この荒れは単一方向か
らのイオンビームエッチングを行なった結果生じるもの
であり、原盤4金属の結晶方向によるエッチングレート
差があるためだと考えられる。原盤4金属にCuを用いた
場合、荒れの程度はエッチング量の1〜3割であり、イ
オンエネルギーが高いほど荒れはひどくなる。
After removing the resist from the master 4 that has been subjected to the etching process,
Surface treatment by low energy ion irradiation. As shown in FIG. 1 (b), the master 4 with the resist removed,
Alternatively, one of the ion guns 1 is tilted so that the ion beam 2 is set to enter the master 4 from an oblique direction, and the master 4 is irradiated with low-energy ions 2 while being smoothed. . This roughness is a result of performing ion beam etching from a single direction, and it is considered that there is a difference in etching rate depending on the crystal direction of the master 4 metal. When Cu is used for the master 4 metal, the degree of roughness is 10 to 30% of the etching amount, and the higher the ion energy, the worse the roughness.

なおイオンビーム2の照射は2×10-4Torrの真空度下
でArガスを用い、イオンビーム電圧約300V、入射角60度
の条件で行なった。ただし、真空度は2×10-3Torr以下
であれば問題はなく、ビーム電圧は500eV以下なら良
い。また入射角θは、45°≦θ(≦90°)の範囲内で適
宜条件を選べばよい。
The irradiation of the ion beam 2 was performed under the vacuum of 2 × 10 −4 Torr using Ar gas under the conditions of an ion beam voltage of about 300 V and an incident angle of 60 °. However, if the vacuum degree is 2 × 10 -3 Torr or less, there is no problem, and the beam voltage may be 500 eV or less. The incident angle θ may be appropriately selected within the range of 45 ° ≦ θ (≦ 90 °).

なお、以上述べてきた低エネルギーイオンの照射は、
エッチングされた粒子が原盤4に再付着し、ピット5周
囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ6を除去する方法
としても有効である。
In addition, the irradiation of low energy ions described above,
It is also effective as a method for removing the burrs 6 formed around the pits 5 or around the groove edges by reattaching the etched particles to the master 4.

ピット5の周囲に形成されるバリ6は、第3図(a)
(b)に示すように、より低周波数の信号ピット5でか
つ原盤4の周に沿った部分に形成され易いため、第4図
(a)(b)に示すように原盤4の径方向から高入射角
でイオン2を照射するのが有効である。この処理により
ピット5底面をなめらかにすると同時に、ピット5周囲
あるいは溝周縁部に形成されたバリ6を除去することが
可能である。
The burr 6 formed around the pit 5 is shown in FIG. 3 (a).
As shown in FIG. 4B, the signal pits 5 having a lower frequency are more likely to be formed in the portion along the circumference of the master 4, so that as shown in FIGS. 4A and 4B, from the radial direction of the master 4. It is effective to irradiate the ion 2 at a high incident angle. By this treatment, the bottom surface of the pit 5 can be made smooth, and at the same time, the burrs 6 formed around the pit 5 or at the groove periphery can be removed.

また、予め周に沿いV溝加工を行なった原盤4のV溝
斜面に、イオンビームエッチングによってピットが形成
された原盤4の場合、前述の方法ではV溝の形状を損な
うため、第5図に示すようにV溝の接線方向から原盤4
に対して高入射角でイオン2を照射することにより、V
溝の形状を保ったままピット5底面をなめらかにし、同
時に、ピット5周囲あるいは溝周縁部に形成されたバリ
6を除去することが可能である。
Further, in the case of the master 4 in which pits are formed by ion beam etching on the slope of the V groove of the master 4 which has been V-grooved along the circumference in advance, the shape of the V groove is impaired by the above-described method. From the tangential direction of the V groove as shown,
By irradiating the ion 2 with a high incident angle to V
It is possible to smooth the bottom surface of the pit 5 while maintaining the shape of the groove, and at the same time, remove the burr 6 formed around the pit 5 or on the peripheral edge of the groove.

発明の効果 本発明は光ディスク原盤の製造方法において、レジス
ト塗布、光カッティング、及び現像処理を施した原盤に
対して略垂直方向からのイオンビームエッチングを行い
フォトレジストを除去した後、低エネルギーのイオン照
射による表面処理を行なうことによって、ピット側面が
原盤に垂直である十分な深さのピットを形成でき、かつ
表面の荒れのないなめらかな原盤を製造できる効果を有
するものである。
EFFECTS OF THE INVENTION In the method for manufacturing an optical disk master according to the present invention, low energy ions are obtained after removing the photoresist by performing ion beam etching from a substantially vertical direction on the master subjected to resist coating, optical cutting, and development processing. By performing the surface treatment by irradiation, it is possible to form a pit having a sufficient depth in which the side surface of the pit is perpendicular to the master and to manufacture a smooth master having no surface roughness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図(a)(b)は本発明の一実施例における光ディ
スク原盤の製造方法を示し、同図(a)はイオンビーム
を原盤に対して垂直方向に照射する工程を示す側面図、
同図(b)はイオンビームを原盤に対して斜め方向に照
射する工程を示す側面図、第2図(a)は同実施例のマ
スクを用いない場合の光ディスク原盤表面の断面図、第
2図(b)は同マスクを用いた場合の光ディスク原盤表
面の断面図、第3図(a)(b)はピット周囲に形成さ
れるバリを示す平面図(a)及び断面図(b)、第4図
(a)(b)は同実施例における径方向からのイオン照
射工程を示す平面図(a)及び側面図(b)、第5図
(a)(b)は同実施例における周方向からのイオン照
射工程を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 1……イオン銃、2……イオンビーム、3……マスク、
4……ディスク原盤。
FIGS. 1 (a) and 1 (b) show a method for manufacturing an optical disk master according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) is a side view showing a step of irradiating the master with an ion beam in a vertical direction,
2B is a side view showing the step of irradiating the master with an ion beam in an oblique direction, and FIG. 2A is a cross-sectional view of the master surface of the optical disc when the mask of the embodiment is not used. FIG. 3 (b) is a cross-sectional view of the surface of the optical disc master using the same mask, and FIGS. 3 (a) and 3 (b) are plan views (a) and cross-sectional views (b) showing burrs formed around the pits. 4 (a) and 4 (b) are a plan view (a) and a side view (b) showing an ion irradiation step from the radial direction in the same embodiment, and FIGS. It is the top view (a) and side view (b) which show the ion irradiation process from the direction. 1 ... ion gun, 2 ... ion beam, 3 ... mask,
4 ... Disk master.

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光ディスク原盤の製造方法において、レジ
スト塗布、光カッティング、及び現像処理を施した原盤
をエッチングする際、まず原盤に対して略垂直方向から
イオンビームを照射してエッチングを行い、フォトレジ
ストを除去した後、低エネルギーのイオン照射による表
面処理を行なうことを特徴とする光ディスク原盤の製造
方法。
1. In a method of manufacturing an optical disk master, when etching a master that has been subjected to resist coating, optical cutting, and development treatment, first, the master is irradiated with an ion beam in a direction substantially perpendicular to the etching, and photo etching is performed. A method for manufacturing an optical disk master, which comprises performing surface treatment by low energy ion irradiation after removing the resist.
【請求項2】低エネルギーのイオン照射による表面処理
を、高入射角のイオンビームを主成分とするイオンビー
ムによって行なうことを特徴とする請求項1記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。
2. The method of manufacturing an optical disc master according to claim 1, wherein the surface treatment by low energy ion irradiation is performed by an ion beam having an ion beam with a high incident angle as a main component.
【請求項3】低エネルギーのイオン照射による表面処理
を、原盤に対して径方向から照射することを特徴とする
請求項2記載の光ディスク原盤の製造方法。
3. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 2, wherein the surface treatment by low energy ion irradiation is applied to the master in a radial direction.
【請求項4】低エネルギーのイオン照射による表面処理
を、原盤に対して周方向から照射することを特徴とする
請求項2記載の光ディスク原盤の製造方法。
4. The method for manufacturing an optical disk master according to claim 2, wherein the surface treatment by low energy ion irradiation is applied to the master in a circumferential direction.
【請求項5】光ディスク原盤に予めV溝加工を行なって
おくことを特徴とする請求項4記載の光ディスク原盤の
製造方法。
5. The method of manufacturing an optical disc master according to claim 4, wherein V-groove processing is performed on the optical disc master in advance.
JP12483589A 1989-05-18 1989-05-18 Optical disc master manufacturing method Expired - Lifetime JP2507048B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12483589A JP2507048B2 (en) 1989-05-18 1989-05-18 Optical disc master manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12483589A JP2507048B2 (en) 1989-05-18 1989-05-18 Optical disc master manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02304745A JPH02304745A (en) 1990-12-18
JP2507048B2 true JP2507048B2 (en) 1996-06-12

Family

ID=14895273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12483589A Expired - Lifetime JP2507048B2 (en) 1989-05-18 1989-05-18 Optical disc master manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2507048B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03290838A (en) * 1990-04-05 1991-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of master disk of optical disk
TWI226059B (en) * 2001-06-11 2005-01-01 Sony Corp Method for manufacturing master disk for optical recording medium having pits and projections, stamper, and optical recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02304745A (en) 1990-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0165804B1 (en) Stamper for replicating high-density data recording disks and process for producing the same
US4877480A (en) Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like
US5853959A (en) Method of fabricating a contoured slider surface feature with a single mask
EP0404340B1 (en) Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like
JPH05245666A (en) Method for forming peripheral part of contact lens into curved shape
JP2507048B2 (en) Optical disc master manufacturing method
JPH04248145A (en) Production of high density optical disk
JPH03290838A (en) Production of master disk of optical disk
US20040011762A1 (en) Method for manufacturing master disk for manufacturing optical recording medium havingpits and projections, stamper, and optical recording medium
JP2506967B2 (en) Optical disc master manufacturing method
US4369604A (en) Method for mechanically preparing stylus lapping discs
JPH0690811B2 (en) Method of making substrate of flat information recording medium
JP3186079B2 (en) Mastering method, stamper and optical recording medium
JP2798354B2 (en) Method for forming auto alignment marker on thin film magnetic head substrate
JP3186078B2 (en) Mastering method, stamper and optical recording medium
JPH0729386B2 (en) Optical disc master manufacturing method
JP3068877B2 (en) Groove fabrication method for optical disc master
JP2001067733A (en) Optical information recording medium and its production
JPH0567355A (en) Optical disk and manufacture thereof
EP0986813B1 (en) Semi-manufactured stamper
JP4122802B2 (en) Stamper manufacturing method, master processing equipment
JP2653670B2 (en) Manufacturing method of optical recording master
JPS5933631A (en) Forming method of guide groove on optical disk substrate
JPS586213B2 (en) Method for manufacturing information recording medium master disc
JPH0589532A (en) Production of master disk