JP2502360B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2502360B2 JP2502360B2 JP1035881A JP3588189A JP2502360B2 JP 2502360 B2 JP2502360 B2 JP 2502360B2 JP 1035881 A JP1035881 A JP 1035881A JP 3588189 A JP3588189 A JP 3588189A JP 2502360 B2 JP2502360 B2 JP 2502360B2
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- laser
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は露光装置に関するものであり、特にエキシマ
レーザ等のレーザを露光用光源として用いる露光装置に
関する。
レーザ等のレーザを露光用光源として用いる露光装置に
関する。
［従来技術］ 近年、LSIなどの集積回路の高集積化に伴い、１μｍ
以下の微細パターンを正確にウエハ上に形成することが
できる露光装置が使用されている。
以下の微細パターンを正確にウエハ上に形成することが
できる露光装置が使用されている。
また、装置の解像線巾を更に細かくするために、遠紫
外域の大強度の光を放射するエキシマレーザを露光用光
源として搭載した露光装置の開発も盛んに行なわれてい
る。
外域の大強度の光を放射するエキシマレーザを露光用光
源として搭載した露光装置の開発も盛んに行なわれてい
る。
このような露光装置においては、予め決められた露光
量でウエハを露光することが必要であり、この露光量制
御に関する技術は重要な技術である。通常、露光量制御
を行なうためには、露光光の光路中にハーフミラーを設
け、ハーフミラーで反射した反射光若しくはハーフミラ
ーを透過した透過光のいずれか一方を露光量モニター用
の受光素子で受光し、この受光素子からの出力信号に応
じて露光光の光路中に設置したシヤツターの開閉制御を
行なっている。
量でウエハを露光することが必要であり、この露光量制
御に関する技術は重要な技術である。通常、露光量制御
を行なうためには、露光光の光路中にハーフミラーを設
け、ハーフミラーで反射した反射光若しくはハーフミラ
ーを透過した透過光のいずれか一方を露光量モニター用
の受光素子で受光し、この受光素子からの出力信号に応
じて露光光の光路中に設置したシヤツターの開閉制御を
行なっている。
露光光の光路中に設けたハーフミラーの反射率（透過
率）は、通常露光光のＰ偏光成分とＳ偏光成分に対して
異なった値を示す。従って、ハーフミラーに入射する露
光光の偏光状態が時々刻々と変化する場合には、受光素
子に入射する光の光量とウエハ上に入射する露光光の光
量の比が変動することになり、受光素子で正確に露光量
をモニターすることができない。
率）は、通常露光光のＰ偏光成分とＳ偏光成分に対して
異なった値を示す。従って、ハーフミラーに入射する露
光光の偏光状態が時々刻々と変化する場合には、受光素
子に入射する光の光量とウエハ上に入射する露光光の光
量の比が変動することになり、受光素子で正確に露光量
をモニターすることができない。
一方、前述のエキシマレーザなどを露光用光源として
使用する場合、光源から射出する光の断面強度分布が不
均一であると、オプテイカルインデグレータにより形成
する複数個の２次光源間に輝度ムラが生じ、マスクのパ
ターンを正確にウエハ上に転写できない。従って、光源
からの露光光の光路中に像回転プリズム（イメージロー
テーター）を設け、露光中にこのプリズムを回転させる
ことにより、露光光の断面強度分布を均一化するといっ
た手法が考えられるが、像回転プリズムを通過した露光
光は、像回転プリズムで互いに直交する偏光成分、即ち
Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の間に位相差を生じる。
使用する場合、光源から射出する光の断面強度分布が不
均一であると、オプテイカルインデグレータにより形成
する複数個の２次光源間に輝度ムラが生じ、マスクのパ
ターンを正確にウエハ上に転写できない。従って、光源
からの露光光の光路中に像回転プリズム（イメージロー
テーター）を設け、露光中にこのプリズムを回転させる
ことにより、露光光の断面強度分布を均一化するといっ
た手法が考えられるが、像回転プリズムを通過した露光
光は、像回転プリズムで互いに直交する偏光成分、即ち
Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の間に位相差を生じる。
第２図は像回転プリズムの作用を説明するための説明
図であり、像回転プリズム20の面Ａに入射した光は、面
Ａで屈折した後面Ｈで全反射して面Ｂに向かう。そし
て、面Ｂで屈折して面Ｂから射出する。従って、矢印2
1,22で示すように像回転プリズム20に入射した光は像回
転プリズム20により反転し、このプリズム20をθ方向に
回転させることにより入射光を回転させる。これにより
入射光の断面強度を均一化できるのである。一方、入射
光は像回転プリズム20の面Ｈで全反射するため、この時
に入射光の互いに直交する偏光成分、即ちＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分の間で位相差（δ）が生じる。この位相差
（δ）は、像回転プリズム20の屈折率をη、面Ｈへの入
射光の入射角をi1とすると、 という式で表わすことができる。従って、例えば直線偏
光レーザ光を像回転プリズム20に入射させた時には、プ
リズム20から射出するレーザ光は楕円偏光となり、像回
転プリズム20を光軸（入射光の光束中心）を回転軸とし
て回転させると、像回転プリズム20の回転と同期して、
射出するレーザ光の偏光面も周期的に変化する。
図であり、像回転プリズム20の面Ａに入射した光は、面
Ａで屈折した後面Ｈで全反射して面Ｂに向かう。そし
て、面Ｂで屈折して面Ｂから射出する。従って、矢印2
1,22で示すように像回転プリズム20に入射した光は像回
転プリズム20により反転し、このプリズム20をθ方向に
回転させることにより入射光を回転させる。これにより
入射光の断面強度を均一化できるのである。一方、入射
光は像回転プリズム20の面Ｈで全反射するため、この時
に入射光の互いに直交する偏光成分、即ちＰ偏光成分と
Ｓ偏光成分の間で位相差（δ）が生じる。この位相差
（δ）は、像回転プリズム20の屈折率をη、面Ｈへの入
射光の入射角をi1とすると、 という式で表わすことができる。従って、例えば直線偏
光レーザ光を像回転プリズム20に入射させた時には、プ
リズム20から射出するレーザ光は楕円偏光となり、像回
転プリズム20を光軸（入射光の光束中心）を回転軸とし
て回転させると、像回転プリズム20の回転と同期して、
射出するレーザ光の偏光面も周期的に変化する。
このように、像回転プリズムを回転させることにより
露光光の断面強度分布を均一化しようとすると、プリズ
ムから射出する露光光の偏光状態が時々刻々と変化する
ので、露光量モニター用の受光素子に光を導くハーフミ
ラーと光源の間に像回転プリズムを設置した時には、前
述の理由により、受光素子で正確に露光量をモニターす
ることが困難である。従って、ウエハを露光する際に正
確な露光量制御ができない。
露光光の断面強度分布を均一化しようとすると、プリズ
ムから射出する露光光の偏光状態が時々刻々と変化する
ので、露光量モニター用の受光素子に光を導くハーフミ
ラーと光源の間に像回転プリズムを設置した時には、前
述の理由により、受光素子で正確に露光量をモニターす
ることが困難である。従って、ウエハを露光する際に正
確な露光量制御ができない。
［発明の概要］ 本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、常時正確に露光量制御を行なうことが可能な露光装
置を提供することを目的とする。
り、常時正確に露光量制御を行なうことが可能な露光装
置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本露光装置は、マスクの
パターンでウエハを露光するための露光光を供給する光
源と、該光源からの露光光を受けて回転させる像回転プ
リズムと、該像回転プリズムを通過した露光光の光路中
に設けたビームスプリツターと、該ビームスプリツタを
透過した光若しくは該ビームスプリツターで反射した光
を受光する受光手段と、該受光手段からの出力に応答し
て、ウエハを露光する時の露光量制御を行なうための制
御手段と、像回転プリズムで露光光の互いに直交する偏
光成分間に生じる位相差を補正するために、光源とビー
ムスプリツターの間の光路中に設けた位相差補正素子
と、該補正素子を像回転プリズムと同時に回転させる駆
動手段とを有している。
パターンでウエハを露光するための露光光を供給する光
源と、該光源からの露光光を受けて回転させる像回転プ
リズムと、該像回転プリズムを通過した露光光の光路中
に設けたビームスプリツターと、該ビームスプリツタを
透過した光若しくは該ビームスプリツターで反射した光
を受光する受光手段と、該受光手段からの出力に応答し
て、ウエハを露光する時の露光量制御を行なうための制
御手段と、像回転プリズムで露光光の互いに直交する偏
光成分間に生じる位相差を補正するために、光源とビー
ムスプリツターの間の光路中に設けた位相差補正素子
と、該補正素子を像回転プリズムと同時に回転させる駆
動手段とを有している。
本露光装置は、このように構成されているため、像回
転プリズムを回転させても、ビームスプリツターの偏光
特性（Ｐ偏光成分とＳ偏光成分に対する反射率や透過率
の違い）に関わりなくウエハ上で照度と受光手段の受光
面上での照度の比を一定にすることができるので、常時
正確な露光量制御を行なうことが可能になる。また、像
回転プリズムの回転により露光光の断面強度分布を均一
化できるので、例えば光源からの露光光を受けるオプテ
イカルインテグレータが形成する２次光源面の輝度分布
を均一にでき、マスクのパターンを正確にウエハ上に転
写することが可能になる。
転プリズムを回転させても、ビームスプリツターの偏光
特性（Ｐ偏光成分とＳ偏光成分に対する反射率や透過率
の違い）に関わりなくウエハ上で照度と受光手段の受光
面上での照度の比を一定にすることができるので、常時
正確な露光量制御を行なうことが可能になる。また、像
回転プリズムの回転により露光光の断面強度分布を均一
化できるので、例えば光源からの露光光を受けるオプテ
イカルインテグレータが形成する２次光源面の輝度分布
を均一にでき、マスクのパターンを正確にウエハ上に転
写することが可能になる。
以下、実施例にもとづいて、本発明を詳細に説明す
る。
る。
［実施例］ 第１図は本露光装置の一実施例を示す概略図である。
第１図において、１は波長（λ）248.4nmの直線偏光レ
ーザ光を放射するKrFエキシマーレーザ、２は回転可能
な位相板（位相差補正素子）、３は石英（SiO2）から成
る像回転プリズム（イメージローテーター）、４は照明
光学系、５はハーフミラー（ビームスプリツター）、６
は積算露光計、７は露光量制御回路（制御手段）、８は
全反射ミラー、９はレチクル、10は投影レンズ、11はウ
エハー、12は位相板２及び像回転プリズム３を一体に支
持する支持部材、13は支持部材12を光軸AXを回転軸とし
て回転させるドライバー（駆動手段）、14はドライバー
13による支持部材12の回転制御、即ち位相板２と像回転
プリズム３の回転制御を行なうためのコントローラーを
示す。
第１図において、１は波長（λ）248.4nmの直線偏光レ
ーザ光を放射するKrFエキシマーレーザ、２は回転可能
な位相板（位相差補正素子）、３は石英（SiO2）から成
る像回転プリズム（イメージローテーター）、４は照明
光学系、５はハーフミラー（ビームスプリツター）、６
は積算露光計、７は露光量制御回路（制御手段）、８は
全反射ミラー、９はレチクル、10は投影レンズ、11はウ
エハー、12は位相板２及び像回転プリズム３を一体に支
持する支持部材、13は支持部材12を光軸AXを回転軸とし
て回転させるドライバー（駆動手段）、14はドライバー
13による支持部材12の回転制御、即ち位相板２と像回転
プリズム３の回転制御を行なうためのコントローラーを
示す。
位相板２は水晶等の複屈折性物質から成り、そこを通
過するレーザ光（露光光）の互いに直交する偏光成分
（Ｐ偏光成分とＳ偏光成分）に対して所定の位相差δ′
を与えることができる。この位相差δ′は、像回転プリ
ズム３をレーザ光が通過する時に生じる位相差δを打ち
消すように設定される。即ち、δ′＝−δとなるよう
に、位相板２が像回転プリズム３に対して構成され、支
持部材12により両者の位置関係が固定されるように支持
する。
過するレーザ光（露光光）の互いに直交する偏光成分
（Ｐ偏光成分とＳ偏光成分）に対して所定の位相差δ′
を与えることができる。この位相差δ′は、像回転プリ
ズム３をレーザ光が通過する時に生じる位相差δを打ち
消すように設定される。即ち、δ′＝−δとなるよう
に、位相板２が像回転プリズム３に対して構成され、支
持部材12により両者の位置関係が固定されるように支持
する。
照明光学系４は、レーザ１側から順に、不図示のビー
ムエキスパンダー、インコヒーレント化光学系、オプテ
イカルインテグレータ、コンデンサーレンズ等が配置さ
れたものであり、インコヒーレント化光学系によりレー
ザ１からのコヒーレントなレーザ光を波面分割して互い
にインコヒーレントな複数個の光束とした後、これらの
光束を各々オプテイカルインテグレータを構成する各レ
ンズエレメントに入射させ、オプテイカルインテグレー
タにより複数個の２次光源を形成する。そして、これら
の２次光源からのレーザ光をコンデンサレンズの作用で
レチクル９上に重ねあわせることにより、レチクル９の
回路パターンを均一な照度で照明する。
ムエキスパンダー、インコヒーレント化光学系、オプテ
イカルインテグレータ、コンデンサーレンズ等が配置さ
れたものであり、インコヒーレント化光学系によりレー
ザ１からのコヒーレントなレーザ光を波面分割して互い
にインコヒーレントな複数個の光束とした後、これらの
光束を各々オプテイカルインテグレータを構成する各レ
ンズエレメントに入射させ、オプテイカルインテグレー
タにより複数個の２次光源を形成する。そして、これら
の２次光源からのレーザ光をコンデンサレンズの作用で
レチクル９上に重ねあわせることにより、レチクル９の
回路パターンを均一な照度で照明する。
また、投影レンズ10は照明光学系４で照明されたレチ
クル９の回路パターンを1/5乃至1/10に縮小してウエハ
上に投影するものであり、本実施例の投影レンズ10は、
レーザ光に対して高い透過率を備えた石英（SiO2）から
成る複数個のレンズエレメントで構成してある。
クル９の回路パターンを1/5乃至1/10に縮小してウエハ
上に投影するものであり、本実施例の投影レンズ10は、
レーザ光に対して高い透過率を備えた石英（SiO2）から
成る複数個のレンズエレメントで構成してある。
積算露光計６は、ハーフミラー５からの光を受光する
位置に受光素子（受光手段）が設置してあり、この受光
素子からの出力信号を順次積算していき、積算値を露光
量制御回路へ入力する。レチクル９はレチクルステージ
90に担持され、ウエハ11はウエハステージ110に担持さ
れる。レチクルステージ90とウエハステージ110は双方
供投影レンズ90の光軸と直交する面内で並進移動可能で
あり、また、投影レンズ90の光軸を回転軸として回転可
能である。従って、レチクル９の回路パターンとウエハ
11上の所定のパターン領域（シヨツト）をステージ90,1
10を移動させて位置合せすることができ、位置合せ終了
後、レーザ１からのレーザ光により、レチクル９の回路
パターンを投影レンズ10を介してウエハ上に投影露光す
る。
位置に受光素子（受光手段）が設置してあり、この受光
素子からの出力信号を順次積算していき、積算値を露光
量制御回路へ入力する。レチクル９はレチクルステージ
90に担持され、ウエハ11はウエハステージ110に担持さ
れる。レチクルステージ90とウエハステージ110は双方
供投影レンズ90の光軸と直交する面内で並進移動可能で
あり、また、投影レンズ90の光軸を回転軸として回転可
能である。従って、レチクル９の回路パターンとウエハ
11上の所定のパターン領域（シヨツト）をステージ90,1
10を移動させて位置合せすることができ、位置合せ終了
後、レーザ１からのレーザ光により、レチクル９の回路
パターンを投影レンズ10を介してウエハ上に投影露光す
る。
以下、本露光装置による露光動作を説明する。
レーザ１から射出したレーザ光は、支持部材12で支持
された位相板２と像回転プリズム３を通過し、照明光学
系４に入射する。ドライバー13はコントローラー14から
の指令信号にもとづいて支持部材12を所定の回転数で回
転させ、これにより位相板２と像回転プリズム３を互い
の位置関係を固定したまま光軸AXを回転軸として回転さ
せる。前述のように、位相板２は像回転プリズム３でレ
ーザ光のＰ偏光成分とＳ偏光成分間に生じる位相差（リ
ターデーシヨン）を打ち消すように設置してあるので、
像回転プリズム３が回転しても照明光学系４に入射する
レーザ光の偏光状態は常に一定である。即ち、このレー
ザ光の偏光状態は、位相板２に入射するレーザ光の偏光
状態から何ら変化していない。また、像回転プリズム３
の回転によりレーザ光の断面強度分布（光軸AXと略直交
する面内における強度分布）も均一化される。
された位相板２と像回転プリズム３を通過し、照明光学
系４に入射する。ドライバー13はコントローラー14から
の指令信号にもとづいて支持部材12を所定の回転数で回
転させ、これにより位相板２と像回転プリズム３を互い
の位置関係を固定したまま光軸AXを回転軸として回転さ
せる。前述のように、位相板２は像回転プリズム３でレ
ーザ光のＰ偏光成分とＳ偏光成分間に生じる位相差（リ
ターデーシヨン）を打ち消すように設置してあるので、
像回転プリズム３が回転しても照明光学系４に入射する
レーザ光の偏光状態は常に一定である。即ち、このレー
ザ光の偏光状態は、位相板２に入射するレーザ光の偏光
状態から何ら変化していない。また、像回転プリズム３
の回転によりレーザ光の断面強度分布（光軸AXと略直交
する面内における強度分布）も均一化される。
ドライバー13による支持部材13の回転数は、ウエハ11
上のパターン領域に対する１回の露光時間中にレーザ光
の断面強度分布が十分に平均化されるよう、例えば１回
の露光時間中に数十回回転させるように設定する。
上のパターン領域に対する１回の露光時間中にレーザ光
の断面強度分布が十分に平均化されるよう、例えば１回
の露光時間中に数十回回転させるように設定する。
照明光学系４からのレーザ光はレーザ光の光路（光軸
AX）に対して斜設してあるハーフミラー５に入射し、そ
の一部はハーフミラー５で反射し、残りの大部分のレー
ザ光がハーフミラー５を透過する。ハーフミラー５を透
過したレーザ光はミラー８で反射されてレチクル９を照
明し、前述のようにウエハ11をレチクル９の回路パター
ンに応じて露光する。一方、ハーフミラー５で反射した
レーザ光は積算露光計６の受光素子に入射し、受光素子
は入射レーザ光の強度（光量）に応じた信号を出力す
る。露光中、積算露光計６から露光量制御回路７に入力
される積算値は、回路７に予め設定してある基準値（既
定の露光量に対応する値）と比較され、積算値と基準値
とが比較される。積算値が基準値と一致すると、回路７
から所定の制御信号がレーザ１の不図示のドライバーに
入力され、レーザ１の駆動（レーザ光の放射）を停止さ
せる。これにより、ウエハ11上の所定のパターン領域に
対する露光が終了する。
AX）に対して斜設してあるハーフミラー５に入射し、そ
の一部はハーフミラー５で反射し、残りの大部分のレー
ザ光がハーフミラー５を透過する。ハーフミラー５を透
過したレーザ光はミラー８で反射されてレチクル９を照
明し、前述のようにウエハ11をレチクル９の回路パター
ンに応じて露光する。一方、ハーフミラー５で反射した
レーザ光は積算露光計６の受光素子に入射し、受光素子
は入射レーザ光の強度（光量）に応じた信号を出力す
る。露光中、積算露光計６から露光量制御回路７に入力
される積算値は、回路７に予め設定してある基準値（既
定の露光量に対応する値）と比較され、積算値と基準値
とが比較される。積算値が基準値と一致すると、回路７
から所定の制御信号がレーザ１の不図示のドライバーに
入力され、レーザ１の駆動（レーザ光の放射）を停止さ
せる。これにより、ウエハ11上の所定のパターン領域に
対する露光が終了する。
本露光装置によれば、位相板２の作用によりハーフミ
ラー５に入射するレーザ光の偏光状態が、像回転プリズ
ム３の回転にも係らず常に一定であるため、積算露光計
６の受光素子の受光面上での照度はレーザ１のパワーが
変化しないかぎり一定である。従って、受光面上での照
度とウエハ11上での照度が常に一定の比率となり、ウエ
ハ11上に達するレーザ光の光量を正確にモニタすること
ができ、ウエハ11上に並べられた各パターン領域を露光
する際、常に正確に露光量制御を行なうことが可能にな
る。
ラー５に入射するレーザ光の偏光状態が、像回転プリズ
ム３の回転にも係らず常に一定であるため、積算露光計
６の受光素子の受光面上での照度はレーザ１のパワーが
変化しないかぎり一定である。従って、受光面上での照
度とウエハ11上での照度が常に一定の比率となり、ウエ
ハ11上に達するレーザ光の光量を正確にモニタすること
ができ、ウエハ11上に並べられた各パターン領域を露光
する際、常に正確に露光量制御を行なうことが可能にな
る。
また、レチクル９に対する照明に関しては、像回転プ
リズム３を回転させてレーザ光の断面強度分布を時間的
に均一化することができたため、照明光学系４中のオプ
テイカルインタグレータが形成する複数個の２次光源の
輝度分布を均一（ほぼ等しく）にすることが可能にな
り、レチクル９の回路パターンを良好な状態で照明でき
る。第１図に示すような投影型の露光装置では、照明光
学系４中に形成される２次光源面と投影レンズ10の瞳面
を光学的に共役関係に設定するので、２次光源面の複数
個の２次光源の輝度分布を均一にできれば、投影レンズ
10の瞳面における輝度分布も均一にできる。従って、レ
チクル９の回路パターンを投影レンズ10を介してウエハ
11上に正確に転写することが可能になる。
リズム３を回転させてレーザ光の断面強度分布を時間的
に均一化することができたため、照明光学系４中のオプ
テイカルインタグレータが形成する複数個の２次光源の
輝度分布を均一（ほぼ等しく）にすることが可能にな
り、レチクル９の回路パターンを良好な状態で照明でき
る。第１図に示すような投影型の露光装置では、照明光
学系４中に形成される２次光源面と投影レンズ10の瞳面
を光学的に共役関係に設定するので、２次光源面の複数
個の２次光源の輝度分布を均一にできれば、投影レンズ
10の瞳面における輝度分布も均一にできる。従って、レ
チクル９の回路パターンを投影レンズ10を介してウエハ
11上に正確に転写することが可能になる。
第１図に示す露光装置では、像回転プリズム３で生じ
るリタデーシヨンを打ち消しするためにレーザ１と像回
転プリズムの間の光路中に位相板２を設置していたが、
同様の機能を備えた位相板を使用するのであれば、像回
転プリズム３と照明光学系４の間の光路中に位相板を設
置しても良い。このような場合でも、像回転プリズム３
との位置関係を維持したまま位相板を回転させれば、照
明光学系４に入射するレーザ光の偏光状態は一定に保た
れる。従って、第１図の露光装置と同じ効果を得ること
が可能である。
るリタデーシヨンを打ち消しするためにレーザ１と像回
転プリズムの間の光路中に位相板２を設置していたが、
同様の機能を備えた位相板を使用するのであれば、像回
転プリズム３と照明光学系４の間の光路中に位相板を設
置しても良い。このような場合でも、像回転プリズム３
との位置関係を維持したまま位相板を回転させれば、照
明光学系４に入射するレーザ光の偏光状態は一定に保た
れる。従って、第１図の露光装置と同じ効果を得ること
が可能である。
また、露光量を制御する時には、第１図に示されるよ
うにレーザ１の駆動を制御する以外に、従来技術の項で
述べたように、レーザ１からのレーザ光の光路中にシヤ
ツター機構を設けて、このシヤツターの開閉を制御する
ように構成しても良い。
うにレーザ１の駆動を制御する以外に、従来技術の項で
述べたように、レーザ１からのレーザ光の光路中にシヤ
ツター機構を設けて、このシヤツターの開閉を制御する
ように構成しても良い。
以上説明した実施例は、投影レンズによりレチクルの
回路パターンを投影する投影型の露光装置に関するもの
であるが、本発明はこの投影型の露光装置に限定される
ものではない。従って、コンタクト方式やプロキシミテ
イ方式の露光装置にも本発明を適用することが可能であ
る。また本発明は、露光用光源としてレーザ以外の光源
を使用するもの、或は直線偏光光以外の他の偏光状態の
光を放射する光源を使用する露光装置などにも適用でき
る。
回路パターンを投影する投影型の露光装置に関するもの
であるが、本発明はこの投影型の露光装置に限定される
ものではない。従って、コンタクト方式やプロキシミテ
イ方式の露光装置にも本発明を適用することが可能であ
る。また本発明は、露光用光源としてレーザ以外の光源
を使用するもの、或は直線偏光光以外の他の偏光状態の
光を放射する光源を使用する露光装置などにも適用でき
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、像回転プリズ
ムで生じる露光光のリターデーシヨンを補正し、露光中
像回転プリズムが回転してもビームスプリツターに入射
する露光光の偏光状態を一定にできるので、ビームスプ
リツターを透過した光若しくはビームスプリツターで反
射した光を受光する受光素子で、正確にウエハに対する
露光量をモニターできる。従って、常に正確な露光量制
御を行なうことが可能な露光装置を提供できる。
ムで生じる露光光のリターデーシヨンを補正し、露光中
像回転プリズムが回転してもビームスプリツターに入射
する露光光の偏光状態を一定にできるので、ビームスプ
リツターを透過した光若しくはビームスプリツターで反
射した光を受光する受光素子で、正確にウエハに対する
露光量をモニターできる。従って、常に正確な露光量制
御を行なうことが可能な露光装置を提供できる。
また、像回転プリズムを露光光の光路中に設置し、回
転させることにより露光光の断面強度分布を均一化する
といった構成をとることができるため、照明光学系中の
２次光源面での輝度分布を均一にすることができ、パタ
ーンの転写性能を向上することも可能である。
転させることにより露光光の断面強度分布を均一化する
といった構成をとることができるため、照明光学系中の
２次光源面での輝度分布を均一にすることができ、パタ
ーンの転写性能を向上することも可能である。
第１図は本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略
図。 第２図は像回転プリズムの作用を説明するための説明
図。 １……エキシマレーザ ２……位相板 ３……像回転プリズム ５……ハーフミラー ６……積算露光計 ７……露光量制御回路 12……支持部材 13……ドライバー 14……コントローラー
図。 第２図は像回転プリズムの作用を説明するための説明
図。 １……エキシマレーザ ２……位相板 ３……像回転プリズム ５……ハーフミラー ６……積算露光計 ７……露光量制御回路 12……支持部材 13……ドライバー 14……コントローラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−128617（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−243329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−58827（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】マスクのパターンでウエハを露光するため
の露光光を供給する光源と、該光源からの露光光を受け
て回転させる像回転プリズムと、該像回転プリズムを通
過した露光光の光路中に設けたビームスプリツターと、
該ビームスプリツターを透過した光若しくは該ビームス
プリツターで反射した光を受光する受光手段と、該受光
手段からの出力に応答して、ウエハを露光する時の露光
量制御を行なうための制御手段と、像回転プリズムで露
光光の互いに直交する偏光成分間に生じる位相差を補正
するために、光源とビームスプリツターの間の光路中に
設けた位相差補正素子と、該補正素子を像回転プリズム
と同時に回転させる駆動手段とを有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035881A JP2502360B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035881A JP2502360B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215117A JPH02215117A (ja) | 1990-08-28 |
| JP2502360B2 true JP2502360B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=12454347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035881A Expired - Fee Related JP2502360B2 (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502360B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4143000A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-17 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128617A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | 光照射加工装置 |
| JPS62243329A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Canon Inc | 光学装置 |
| JPS6358827A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 露光装置 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035881A patent/JP2502360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02215117A (ja) | 1990-08-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |