JP2024522440A - ショットピーニング流量調整弁と同使用方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、強磁性メディアの流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁について説明する。ショットピーニング流量制御弁は、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送するための通路を囲む本体と、第１の端部と第２の端部との間に配置された少なくとも１つのコアセットとを備える。少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットを備え、少なくとも１つの磁気ユニットは、通路に磁場を提供するように動作可能である。少なくとも１つの磁気ユニットは、強磁性メディアの流れを調整、制御または停止するために、通路に磁場を投射または提供することができる。したがって、ショットピーニング流量制御弁は、ショットピーニングプロセス中の強磁性メディアの効果的な制御を容易にする。

Description

本開示は、ショットピーニング装置またはショットブラスト機に使用可能なショットピーニング流量制御弁に関するものである。

ほとんどの用途では、金属は、熱を加えて可鍛性を高めた後、所望の形状に鋳造または鍛造される。冷間加工プロセスを使用して金属部品の表面を処理し、疲労および応力腐食による損傷の発生を防ぎ、それによって金属部品の製品寿命を延ばす。金属にこの機械的応力を与えると、金属の結晶構造に恒久的な変化が生じ、強度が増加する。

ショットピーニングは、部材の表面に圧縮残留応力を与えて、機械的特性を変更するために使用される冷間加工プロセスである。ショットピーニングプロセスは、部材の強度を高め、応力プロファイルを低減するために使用される。

ショットピーニングでは、加速運動の小さなボールを使用して、金属部品の表面をブラストし、表面仕上げを達成する。ボールは、丸い頭のハンマーのように機能し、表面を巣状（ネスト）にを打ち、複数の重なったネストの下に圧縮応力を生成する。ペレットが金属部品に継続的に衝撃を与えると、処理された表面全体に複数の重なった凹部が生成される。

表面圧縮応力により金属部品が強化され、表面処理された金属部品が疲労、腐食、亀裂、摩耗、および表面キャビテーション浸食に対して耐性をもつことが保証される。一般的に使用される媒体（すなわち、メディア）またはメディア（すなわち、媒体）には、スチールビーズ、セラミックスビーズ、およびガラスビーズが含まれる。ショットピーニングは、表面に残留圧縮応力を生じさせることで金属部品の寿命を延ばす、コスト効率の高い方法である。

ショットピーニングは、金属部品を硬化させて耐摩耗特性を改善する、変形を修正する、および表面構造の最適化を達成するためにも使用される。処理された金属部品は、より軽量な構造で高い耐摩耗性と耐疲労性を達成する。しかしながら、精度、信頼性、および再現性を確保するには、ショットピーニングプロセスに使用されるメディア（すなわち、媒体）の流れを注意深く制御する必要がある。

前述の理由により、当該技術分野では、金属部品の特性を向上させ、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させるための制御弁および媒体の流れを調節する方法を提供する必要性が存在する。

本開示は、従来技術の１つ以上の欠点を克服し、本開示全体にわたって論じられる追加の利点を提供する。本開示の他の態様は、本明細書で詳細に説明されており、特許請求の範囲に記載された開示の一部とみなされる。

本開示の非限定的な一態様では、強磁性メディアの流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁が開示される。強磁性メディアには、ショット媒体またはショットメディアが含まれる。ショットピーニング流量制御弁は、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送するための通路を囲む本体と、第１の端部と第２の端部との間に配置された少なくとも１つのコアセットとを備える。少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットを備え、少なくとも１つの磁気ユニットは、通路に磁場を提供するように動作可能である。

通路は、ショットピーニング機またはショットブラスト機の内部にあってもよい。通路は、ブラストトンネル、チャネル、またはチューブであってもよい。通路の第１の端部は、ショットピーニング流量制御弁の入口とすることができ、通路の第２の端部は、ショットピーニング流量制御弁の出口とすることができる。少なくとも１つのコアセットは、通路内または通路の近傍に配置することができる。少なくとも１つのコアセットの少なくとも１つの磁気ユニットは、強磁性メディアの流れを調整、制御、または停止するために、通路に磁場を投射または提供することができる。したがって、ショットピーニング流量制御弁は、ショットピーニングプロセス中の強磁性メディアの効果的な制御を容易にする。

本開示の別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットを囲むためのハウジングを備える。ハウジングは、第１の端部から第２の端部へと来る強磁性メディアから少なくとも１つの磁気ユニットをシールドするためのコアセット上部と、少なくとも１つの磁気ユニットの両側部にそれぞれ配置された第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーとを備え、第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーのうちの少なくとも一方は、磁極をシールドし、通路に磁極の磁場を提供するために、少なくとも１つの磁気ユニットの磁極に配置される。第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーは、プレートであってもよい。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアセットは、通路を第１の通路と第２の通路とに分割する際に通路の中間位置に配置される。少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットの両極近くの強磁性メディアを搬送するために通路の中心もしくは中央位置、または両側部間に配置される。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、永久磁石および第１の電磁石を備える。永久磁石は、電磁石を作動させなくても、必要に応じて独立して強磁性メディアの流れを停止させるために、通路に磁場を生成するように動作可能である。第１の電磁石のコアは、永久磁石の第１の端部に接続される。第１の電磁石のコアは、永久磁石の磁場を相殺または強化するように動作可能である。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、第２の電磁石をさらに備え、第２の電磁石のコアは、永久磁石の第２の端部に接続される。第２の電磁石のコアは、永久磁石の磁場を相殺または強化するように動作可能である。

第１および第２の電磁石のコアは、第１の電磁石、永久磁石、および第２の電磁石の各々が個別にまたは組み合わせて磁場を形成できるように永久磁石と位置合わせされる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、磁気ユニットは、第１および第２の電磁石の磁場を調整するために、第１および第２の電磁石のいずれにも接続される制御ユニットをさらに備える。磁場の調整には、強磁性メディアの流れを解放するために通路の磁性を打ち消すことが含まれる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアセットの一部は、少なくとも１つのコアセットの周囲に磁場を伝導するための磁場伝導体材料（鉄材料または低磁束抵抗を有する材料としても知られる）を含む。この部分は、永久磁石、第１の電磁石、第２の電磁石の周囲に磁場を伝導する少なくとも１つのコアセットのコンポーネントであってもよい。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアセットは、間隔を置いて配置された第１のコアセットおよび第２のコアセットを備え、第１のコアセットおよび第２のコアセットは、協働するように動作可能である。第１のコアセットおよび第２のコアセットは、直列に、または並列に配置することができ、例えば順次または同時に、連携して動作することができる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、第１のコアセットおよび第２のコアセットは、第１のコアセットおよび第２のコアセットが、第１の端部または第２の端部または両方の端部から異なる距離となるように、互いに直列に配置される。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、第１のコアセットおよび第２のコアセットは、第１のコアセットおよび第２のコアセットが、第１の端部または第２の端部または両方の端部から略同じ距離となるように、並列に配置される。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁は、第１のコアセットおよび／または第２のコアセットのいずれに関しても、第１の端部または第２の端部または両方の端部から略異なる距離となるように、第１コアセットおよび第２コアセットと直列に配置される第３のコアセットをさらに備える。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、強磁性メディアの流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁が提供される。ショットピーニング流量制御弁は、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送するための通路を画定する本体と、第１の端部と第２の端部との間に配置され、少なくとも１つのコアラインを備える、少なくとも１つのコア層であって、少なくとも１つのコア層は、通路に磁場を提供するように動作可能である、少なくとも１つのコア層と、少なくとも１つのコア層を囲むカバーとを備える。カバーは、第１の端部から強磁性メディアを搬送するための入口フランジと、少なくとも１つのコア層の両側部にそれぞれ配置された第１の側部フレームおよび第２の側部フレームと、少なくとも１つのコア層の前端部および後端部に配置された第１の中央フレームおよび第２の中央フレームと、少なくとも１つのコア層、カバーの第１および第２の側部フレーム、および第１および第２の中央フレームの下方に配置されたベース転用ブロックとを備える。ベース転用ブロックは、流量センサ固定具として機能し得る。

通路は、ショットピーニング機またはショットブラスト機の内部にあってもよい。通路は、ブラストトンネル、チャネル、またはチューブであってもよい。通路の第１の端部は、ショットピーニング流量制御弁の入口とすることができ、通路の第２の端部は、ショットピーニング流量制御弁の出口とすることができる。

少なくとも１つのコア層は、少なくとも１つのコア層が、入口と出口の間の通路を複数の通路に分割するように、通路内または通路の近傍に配置される。少なくとも１つのコア層は、強磁性メディアの流れを調整、制御、または停止するために、通路に磁場を投射または提供することができる。したがって、ショットピーニング流量制御弁は、ショットピーニングプロセス中の強磁性メディアの効果的な制御を容易にする。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアラインは、互いに接続された複数のコアセットであって、複数のコアセットのうちのそれぞれ１つは、コアセットスプリッタによって他のコアセットから分離されている、複数のコアセットと、複数のコアセットおよびコアセットスプリッタを共に接続するための複数のシャフトとを備える。複数のシャフトは、強磁性メディアがそれらを前端部および後端部から通過しないように、少なくとも１つのコア層の少なくとも１つのコアラインを前端部および後端部でそれぞれ第１の中央フレームおよび第２の中央フレームに接続するために使用することができる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁は、１つのコアラインを他のコアラインと並列構成で接続するための中央延長ガイドをさらに備える。中央延長ガイドは、中央延長ガイドの両側部に位置する複数のコアセットのうちの少なくとも１つに対して、両側部に２つの三角形状突起を備える。２つの三角形状突起は、単一のスロットの方向を向いており、中央延長ガイドは、２つのコアライン間の通路を２つのサブ通路に分割する。スロットを通る強磁性メディアの流れを制限するために、２つの三角形状突起は、単一のスロットの方向を向いている。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁は、少なくとも１つのコア層の両側部にそれぞれ配置された第１の側部延長ガイドおよび第２の側部延長ガイドをさらに備える。第１の側部延長ガイドおよび第２の側部延長ガイドは、複数のコアセットのうちの少なくとも１つの内面に２つの三角形状突起を備え、第１の側部延長ガイドおよび第２の側部延長ガイドはそれぞれ、第１の側部フレームおよび第２の側部フレームと共に第１の外側通路および第２の外側通路を形成し、強磁性メディアの流れが第１の外側通路および第２の外側通路を通って方向付けられるように、２つの三角形状突起は、互いに対向している。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、複数のコアセットのうちの少なくとも１つは、通路に磁場を提供するように動作可能な磁気ユニットと、磁気ユニットを囲むためのハウジングとを備える。ハウジングは、第１の端部から来る強磁性メディアから磁気ユニットをシールドするコアセット上部と、磁気ユニットの両側部にそれぞれ配置された第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーとを備える。第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーの少なくとも一方は、磁極をシールドし、通路に磁極の磁場を提供するために、磁気ユニットの磁極に配置される。第１のコアセット側部カバーおよび第２のコアセット側部カバーは、プレートであってもよい。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、磁気ユニットは、永久磁石および第１の電磁石を備え、第１の電磁石のコアは、永久磁石の第１の端部に接続される。永久磁石は、電磁石を作動させなくても、必要に応じて独立して強磁性メディアの流れを停止させるために、通路に磁場を生成するように動作可能である。

第１の電磁石のコアは、永久磁石の第１の端部に接続される。第１の電磁石のコアは、永久磁石の磁場を相殺または強化するように動作可能である。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、磁気ユニットは、第２の電磁石をさらに備え、第２の電磁石のコアが、永久磁石の第２の端部に接続される。
第２の電磁石のコアは、永久磁石の磁場を相殺または強化するように動作可能である。

第１および第２の電磁石のコアは、第１の電磁石、永久磁石、および第２の電磁石の各々が、個別にまたは組み合わせて磁場を形成できるように、永久磁石と位置合わせされる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁は、中央制御ユニットと、中央制御ユニットに電気的に接続された複数の制御ユニットとをさらに備える。制御ユニットは、第１および第２の電磁石の磁場を調整するために、それぞれの磁石の第１および第２の電磁石のいずれにも接続される。複数の制御ユニットは、中央制御ユニットを通じて制御することができる。磁場の調整には、強磁性メディアの流れを解放するために通路の磁性を打ち消すことが含まれる。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つの部品の表面上に強磁性メディアを投射するためのショットピーニング機が開示される。ショットピーニング機は、強磁性メディアを保管するためのチャンバと、少なくとも１つのコンポーネントの表面上に強磁性メディアを搬送するための通路と、通路の第１の端部から通路の第２の端部まで強磁性メディアを搬送するための通路を囲む本体を備えるショットピーニング流量制御弁とを備える。少なくとも１つのコンポーネントは、通路の第２の端部に配置される。ショットピーニング機は、第１の端部と第２の端部との間に配置された少なくとも１つのコアセットをさらに備え、少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットを備え、少なくとも１つの磁気ユニットは、通路に磁場を提供し、少なくとも１つのコンポーネントの表面上の強磁性メディアの投射速度を調整するように動作可能である。

通路は、ショットピーニング機またはショットブラスト機の内部にあってもよい。通路は、ブラストトンネル、チャネル、またはチューブであってもよい。通路の第１の端部は、ショットピーニング流量制御弁の入口とすることができ、通路の第２の端部は、ショットピーニング流量制御弁の出口とすることができる。少なくとも１つのコアセットは、通路内または通路の近傍に配置することができる。少なくとも１つのコアセットの少なくとも１つの磁気ユニットは、強磁性メディアの流れを調整、制御、または停止するために、通路に磁場を自動的に投射または提供することができる。したがって、ショットピーニング機またはショットブラスト機のショットピーニング流量制御弁は、ショットピーニングプロセス中の強磁性メディアの効果的な制御を容易にする。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、永久磁石および第１の電磁石を備え、第１の電磁石のコアが、永久磁石の第１の端部に接続される。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、第２の電磁石をさらに備え、第２の電磁石のコアが、永久磁石の第２の端部に接続される。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、磁気ユニットは、第１および第２の電磁石の磁場を調整するために、第１および第２の電磁石のいずれにも接続される制御ユニットをさらに備える。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、少なくとも１つのコアセットは、間隔を置いて配置された第１のコアセットおよび第２のコアセットを備え、第１のコアセットおよび第２のコアセットは、協働するように動作可能である。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、強磁性メディアの流れを調整する方法が開示される。この方法は、通路に磁場を提供することと、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送することと、第１の端部と第２の端部との間の強磁性メディアの流れを制御するために、通路に磁場を提供することとを含む。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、通路に磁場を提供することは、少なくとも１つの磁気ユニットの永久磁石によって磁場を生成し、通路に磁場を生成すること、または永久磁石の磁場によって強磁性メディアを停止させることを含む。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、磁場の提供は、第１の電磁石および／または第２の電磁石の磁場を調整することを含む。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、方法は、磁力計によって磁場の磁場強度を検出することをさらに含む。

本開示のさらに別の非限定的な一態様では、方法は、流量計によって強磁性メディアの流量を測定することをさらに含む。流量計は、メディアセンサであってもよい。強磁性メディアの測定された流量は、フィードバック制御方式を備えた閉ループ制御ショットピーニング流量制御弁として使用される。

したがって、上述のショットピーニング制御弁、ショットピーニング機、および強磁性メディアの流れを調整する方法は、ショットピーニングプロセス中の通路内の強磁性メディアの効果的な制御を容易にし、それによって金属部品の特性を向上させ、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させる。

前述の概要は、例示のみであり、いかなる形でも限定することを意図したものではない。上記の例示的な態様および構成に加えて、別の態様および構成は、図面および以下の詳細な説明を参照することによって明らかになるであろう。

本開示に組み込まれ、その一部を構成する添付図面は、例示的な態様を示し、説明と共に、開示された原理を説明するのに役立つ。次に、本主題の態様に係るシステムおよび／または方法のいくつかの態様を、単なる例として、添付の図面を参照して説明する。

本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁の分解図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁のコアセットの斜視図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁の正面図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、図３に示す破線Ａ－Ａに沿った断面図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、閉状態におけるショットピーニング流量制御弁の磁場分布を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁内の電磁石の組み立て図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、コアセット磁化（ＣＳＭ）セットアップまたは磁気ユニットの組み立て図および分解図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、コアセットの組み立て図および分解図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、破線Ａ－Ａに沿ったコアセットの断面図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、共に接続された複数のコアセットを含むコアラインセットアップを示す。 本開示のいくつかの態様に係る、コアセットに接続された延長ガイドを示す。 本開示のいくつかの態様に係る、複数のコアラインを使用して形成されたコア層を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、単一コアセットショットピーニング流量制御弁の分解図である。 本開示のいくつかの態様に係る、単一コアセットショットピーニング流量制御弁の組み立て図である。 本開示のいくつかの態様に係る、単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁の分解図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁の組み立て図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、破線Ａ－Ａに沿ったショットピーニング流量制御弁の断面図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁の斜視図である。 本開示のいくつかの態様に係る、単層複数コアラインショットピーニング流量制御弁の分解図である。 本開示のいくつかの態様に係る、単層複数コアラインショットピーニング流量制御弁の組み立て図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、多層ショットピーニング流量制御弁の分解図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、多層ショットピーニング流量制御弁の組み立て図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、制御ユニットセットアップの概略図を示す。 本開示のいくつかの態様に係る、強磁性メディアの流れを調整する方法のフローチャートを示す。

当業者であれば、本明細書のいずれのブロック図も、本主題の原理を具体化する例示的なシステムの概念図を表すことを理解するはずである。同様に、フローチャート、流れ図、状態遷移図、擬似コードなどは、実質的にコンピュータ可読媒体で表現され、コンピュータまたはプロセッサによって、そのようなコンピュータまたはプロセッサが明示的に示されているかどうかに関係なく、実行され得る様々なプロセスを表すことが理解されるであろう。

本文書では、「例示的な（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ）」という言葉は、「例（ｅｘａｍｐｌｅ）、実例（ｉｎｓｔａｎｃｅ）、または実例（ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎ）として機能する」という意味で使用される。本明細書で「例示的」として説明される本主題のいかなる態様または実装も、必ずしも他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。

本開示は様々な修正形態および代替形態が可能であるが、その特定の態様が例として図面に示されており、以下で詳細に説明される。しかしながら、これらの態様は、開示された特定の形態に本開示を限定することを意図するものではなく、逆に、本開示は、本開示の趣旨および範囲内にあるすべての修正、均等物、および代替物を網羅するものであることを理解すべきである。

「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」という用語、またはその他のその変化形は、構成要素またはステップのリストを含むセットアップ、デバイス、装置、システム、または方法が、それらの構成要素またはステップのみを含むのではなく、明示的にリストされていない、またはそのようなセットアップ、デバイス、装置、システム、または方法に固有ではない他の構成要素またはステップを含み得る非排他的な包含を網羅することを意図している。言い換えれば、「…を備える」で始まるデバイス、システム、または装置内の１つ以上の要素は、さらなる制約がなければ、システム内の他の要素または追加の要素の存在を除外するものではない。

「少なくとも１つ」および「１つ以上」のような表現は、説明全体を通じて互換的にまたは組み合わせて使用することができる。

本開示の態様の以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成し、本開示が実施され得る特定の態様の例として示される添付の図面が参照される。これらの態様は、当業者が本開示を実施できるように十分に詳細に説明されており、他の態様が利用されてもよく、本開示の範囲から逸脱することなく変更が加えられてもよいことが理解されるべきである。したがって、以下の説明は限定的な意味で解釈されるべきではない。以下の説明では、周知の機能または構造については、不必要な詳細が説明を不明瞭にするため、詳細には説明しない。

本開示は、強磁性メディアの流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁について説明する。強磁性メディアは、ショット媒体またはショットメディアを含む。ショットピーニング流量制御弁は、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送するための通路を囲む本体と、第１の端部と第２の端部との間に配置された少なくとも１つのコアセットとを備える。少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つの磁気ユニットを備え、少なくとも１つの磁気ユニットは、通路に磁場を提供するように動作可能である。

したがって、本開示のショットピーニング流量制御弁は、金属部品の特性を高め、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させるための強磁性メディアの流れの効率的な制御を容易にする。

図１は、本開示のいくつかの態様に係るショットピーニング流量制御弁１００の分解図を示す。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００は、コアセット１３０を備えることができる。コアセット１３０は、磁場を提供するための少なくとも１つの磁気ユニットを含む。少なくとも１つの磁気ユニットは、永久磁石１１０および電磁アセンブリ１２０を含む。本開示の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００は、複数のコアセット１３０を備えることができる。

少なくとも１つの磁気ユニットは、ハウジング１４０の内側に包囲され得る。ハウジング１４０は、少なくとも１つの磁気ユニット１２０に来る強磁性メディアから少なくとも１つの磁気ユニットをシールドするためのコアセット上部１２６と、少なくとも１つの磁気ユニット１２０の両側部に配置された第１のコアセット側部カバー１４２および第２のコアセット側部カバー１４４を備えることができる。コアセット側部カバー１４２および１４４は、強磁性メディアの流れ方向に位置合わせされたカバープレートを備え、カバープレートは、通路の中心線または強磁性メディアまたは強磁性メディア１０２の流れ方向に対してある角度で位置合わせされる。ハウジング１４０は、少なくとも１つの磁気ユニットを支持するためのコアセット底部１２８をさらに含む。カバープレートを備えるコアセット側部カバー１４２および１４４は、ダブテール型接続を使用してコアセット上部１２６およびコアセット底部１２８に接続される。単一の固体モジュールを形成するために、エポキシ材料をハウジング１４０の内側に注入することができる。

しかしながら、コアセット上部１２６、コアセット側部カバー１４２および１４４、およびコアセット底部１２８の間の接続タイプは、ダブテール型接続に限定されず、包囲されたアセンブリを形成するための他の接続タイプも、十分に本開示の範囲内にある。

一態様では、コアセット上部１２６およびコアセット底部１２８は、磁気導体材料、強磁性材料、または硬化鋼などの鉄材料で構成される。したがって、コアセット上部１２６およびコアセット底部１２８は、ショットピーニング流量制御弁が閉状態にあるとき、強磁性メディア１０２を保持することができる。非限定的な一態様では、ハウジング１４０のコアセット側部カバー１４２および１４４、およびコアセット固定具は、非強磁性材料、非磁性材料、またはステンレス鋼などの非鉄材料で構成することができる。これにより、ショットピーニング流量制御弁の動作中、またはショットピーニング流量制御弁が開状態にある間に、これらの領域に強磁性メディア１０２が蓄積することが防止される。

本開示の非限定的な一態様では、ハウジング１４０は、少なくとも１つの磁気ユニット１２０を前端部および後端部から囲むために、前部カバー１３２および後部カバー１３４を任意選択で備えることができる。

一態様では、コアセット１３０は、通路２８０の第１の端部と第２の端部との間に配置することができる。通路２８０は、ショットピーニング機またはショットブラスト機の内部にあってもよい。通路２８０は、ブラストトンネル、チャネル、またはチューブであってもよい。通路２８０の第１の端部は、ショットピーニング流量制御弁の入口とすることができ、通路２８０の第２の端部は、ショットピーニング流量制御弁の出口とすることができる。コアセット１３０は、通路２８０内または通路２８０の近傍に配置することができる。非限定的な一態様では、コアセット１３０は、通路２８０を第１の通路２８４と第２の通路２８８とに分割する際に、通路２８０の中間位置に配置される。

本開示の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁は、入口２００、上部プレート１９０、左ガイド１８２、右ガイド１８４、メディア分配器２１０を備えた質量流量計２３０、およびソレノイドコイル２２２を備えた流量センサ２２０を備えることができる。上部プレート１９０は、入口２００と左ガイド１８２および右ガイド１８４とに接続されている。前部カバー１３２および後部カバー１３４がまた、左ガイド１８２および右ガイド１８４に接続されてもよい。メディア分配器２１０は、左ガイド１８２、右ガイド１８４、前部カバー１３２、および後部カバー１３４の底部に配置および接続されて、コアセット１３０ハウジング１４０を配置するための包囲されたアセンブリを形成する。

一態様では、左ガイド１８２および右ガイド１８４は、プラスチックなどの非鉄材料、またはポリプロピレン、ポリウレタン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、またはポリ乳酸などが挙げられるが、これらに限定されない３Ｄプリント材料で構成することができる。しかしながら、使用される材料は上記の例に限定されず、他の非伝導性材料も十分に本開示の範囲内にある。

本開示の一態様では、電磁アセンブリ１２０は、図６に示されるように、中空コアを有する第１の電磁石６００および第２の電磁石６００と、コアの各々を横切ってループされるインダクタコイル６０３と、各々の電磁石６００の中空コアの内側に挿入されたフェライトアイソレータ６０２とを含む。

本開示の非限定的な一態様では、フェライトアイソレータ６０２は、単一のブロックであってもよい。別の非限定的な一態様では、共に積み重ねられ、各々の電磁石の中空コアの内側に挿入された複数のプレート６０１によってフェライトアイソレータ６０２を置き換えてもよい。

非限定的な一態様では、熱伝導性テープを第１および第２の電磁石の周囲に巻き付けることができる。熱伝導性テープおよびフェライトアイソレータ６０２は、ポリイミドで構成された高温テープであってもよい。しかしながら、使用される材料は、上記の例に限定されず、他のいかなる高温テープも十分に本開示の範囲内にある。

電磁石コアは、磁束を効率的に通過させる強磁性材料でできている。好ましくは、電磁石コアは、積み重ねられた薄い金属シートで作られ、渦電流の影響を低減し、渦電流の影響を最小限に抑える。

一態様では、永久磁石１１０は、第１の電磁石のコアが永久磁石の第１の端部に接続され、第２の電磁石のコアが永久磁石の第２の端部に接続されるように、第１の電磁石および第２の電磁石によって形成される電磁アセンブリの間に配置されてもよい。永久磁石１１０は、コアセット１３０のハウジング１４０の近くで強磁性メディアの流れを独立して停止させるために、通路２８０に磁場を生成するように動作可能である磁場を生成するように構成することができる。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００は、制御ユニット１２４を備えることもできる。制御ユニット１２４は、第１および第２の電磁石の磁場を調整するために、第１および第２の電磁石のいずれとも通信する。制御ユニット１２４は、電源アセンブリを備えることができ、インダクタコイルの各々を流れる電流を制御し、第１および第２の電磁石を介して磁場を生成して永久磁石によって生成される磁場を相殺し、通路２８０を通る強磁性メディアの流れを調整するように構成される。

一態様では、制御ユニット１２４のそれぞれ１つは、コアセット１３０の磁気ユニットの磁場強度を検出するための磁力計１２５を備えることができる。

本開示の一態様では、磁場と電磁石の磁場が逆向きである場合、生成された磁場は、永久磁石１１０の磁場を打ち消し、通路２８０内の強磁性メディアの流れを開始または解放する。

本開示の別の一態様では、磁場と電磁石の磁場が同じ方向を向いている場合、生成された磁場は、永久磁石１１０の磁場の強度を増大させ、コアセット１３０のハウジング１４０の近くの強磁性メディアの蓄積または停止に寄与する。

一態様では、電磁アセンブリによって生成される磁場の強度は、インダクタコイルを流れる電流およびインダクタコイルの巻き数に基づいて変化する。流れの調整には、通路２８０の第１の端部と第２の端部との間の強磁性メディアの流れを増加、減少、または停止することが含まれる。

一態様では、コアセット１３０の一部は、コアセット１３０の周囲に磁場を伝導するための磁場伝導体を備える。この部分は、永久磁石１１０、第１の電磁石、および第２の電磁石の周囲に磁場を伝導するコアセット１３０のコンポーネントであってもよい。

一態様では、メディア分配器２１０は、流量センサ２２０による測定のために強磁性メディアを散布するように動作可能である。非限定的な一態様では、流量センサまたはメディアセンサ２２０は、誘導センサとすることができ、誘導センサは、ソレノイドコイル２２２を備え、ソレノイドコイル２２２を通過する強磁性メディアの流量を検出するように動作可能である。流量を検出するために、誘導センサは、強磁性メディアがソレノイドコイル２２２を通過したときのソレノイドコイル２２２内の誘導電流を測定し、誘導電流に基づいて通路２８０内の強磁性メディアの流量を決定するように構成される。別の非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサであってもよい。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサを備えることができる。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

非限定的な一態様では、制御ユニット１２４は、決定された流量に基づいて通路２８０内の強磁性メディアの流れを調整するように構成される。強磁性メディアの測定された流量は、フィードバック制御方式を備えた閉ループ制御ショットピーニング流量制御弁として使用される。

別の非限定的な一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００は、コアセット１３０のハウジング１４０に接続され、ハウジング１４０の温度を測定するように構成された温度センサをさらに備えることができる。温度センサは、制御ユニット１２４と通信しており、制御ユニット１２４は、測定された温度に基づいてインダクタコイルの各々に流れる電流を制御するように構成されており、それによって、永久磁石１１０がハウジング１４０の温度上昇による減磁または損傷から保護される。

一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、永久磁石１１０の端部に取り付けられた少なくとも１つの断熱体をさらに備える。少なくとも１つの断熱体は、第１および第２の電磁石によって発生される過剰な熱から永久磁石をシールドし、それによって永久磁石１１０を熱損傷から保護する断熱プレートであってもよい。

本開示の一態様では、少なくとも１つの磁気ユニットは、第１および第２の電磁石のいずれかの端部に取り付けられた少なくとも１つの熱伝導プレートをさらに備える。少なくとも１つの熱伝導プレートは、第１および第２の電磁石からハウジング１４０に熱を放散するために、第１および第２の電磁石に接続することができる。ハウジング１４０は、ハウジング１４０の放散熱を吸収するための少なくとも１つのヒートシンクを含んでもよい。

本開示の一態様では、制御ユニット１２４およびパワーアセンブリは、第１のプリント回路基板（ＰＣＢ）上の必要なコンポーネントと共に電気的に接続することができる。

したがって、本開示のショットピーニング流量制御弁１００は、金属部品の特性を高め、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させるために、強磁性メディアの流れの効率的な制御を容易にする。

図２は、本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁のコアセット１３０の斜視図を示す。

一態様では、永久磁石は、第１の永久磁石２７０、第２の永久磁石２７２、および第３の永久磁石２７４を含む。電磁アセンブリ１２０は、複数の電磁石コア２４６、２４８、２５６、２５８、２６６、および２６８を備える。第１の永久磁石２７０は、第１の左電磁石コア２４６および第１の右電磁石コア２４８にそれぞれ接続され、第２の永久磁石２７２は、第２の左電磁石コア２５６および第２の右電磁石コア２５８にそれぞれ接続され、第３の永久磁石２７４は、第３の左電磁石コア２６６および第３の右電磁石コア２６８にそれぞれ接続されている。

コアセット１３０は、複数のインダクタコイル２４２、２４４、２５２、２５４、２６２、および２６４をさらに含む。第１の左電磁石コア２４６は、インダクタコイル２４２内に位置し、第１の左電磁石コア２４８は、インダクタコイル２４４内に位置し、第２の左電磁石コア２５６は、インダクタコイル２５２内に位置し、第２の右電磁石コア２５８は、インダクタコイル２５６内に位置し、第３の左電磁石コア２６６は、インダクタコイル２６２内に位置し、第３の右電磁石コア２６８は、インダクタコイル２６４内に位置している。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００が通電されていない、またはオフ状態にあるとき、永久磁石１１０によって磁場が、三角コアセット上部１２６上に当たる強磁性メディア１０２に提供される。強磁性メディア１０２は、ショットピーニング流量制御弁１００の両側部、すなわち、第１の左電磁石コア２４６、第２の左電磁石コア２５６、および第３の左電磁石コア２６６の一方の側部と、第１の右電磁石コア２４８、第２の右電磁石コア２５８、および第３の右電磁石コア２６８の他方の側部とに蓄積し、それによって通路２８０を通る流れが防止される。

図３は、本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁１００の正面図を示す。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００は、通路２８０の内側に配置することができる。ショットピーニング流量制御弁１００のハウジング１４０は、ショットピーニング流量制御弁１００のハウジング１４０と通路２８０の左ガイド１８２との間に第１の通路２８４と、ショットピーニング流量制御弁１００と通路２８０の右ガイド１８４との間に第２通路２８８とを形成する。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１００の上部に入射する強磁性メディア１０２は、第１の通路２８４および第２の通路２８８に分流される。電磁アセンブリ１２０が通電されると、電磁アセンブリを介して磁場を生成することによって、永久磁石１１０の磁場が打ち消される。ショットピーニング流量制御弁１００が開かれ、強磁性メディア１０２のうちの強磁性メディア１０４および強磁性メディア１０６がそれぞれ第１の通路２８４および第２の通路２８８から流れる。

図４は、本開示のいくつかの態様に係る、図３に示す破線Ａ－Ａに沿った断面図を示す。

一態様では、強磁性メディア１０２のうちの強磁性メディア１０４および強磁性メディア１０６は、それぞれ第１の通路２８４および第２の通路２８８を流れる。第１のコアセット側部カバー１４２および第２のコアセット側部カバー１４４は、それらのそれぞれの通路２８４および２８８を通して強磁性メディア１０４および強磁性メディア１０６を導くことができる。

非限定的な一態様では、第１のコアセット側部カバー１４２および第２のコアセット側部カバー１４４は、強磁性メディア１０４および強磁性メディア１０６の流れの角度で構成することができる。同時に、ショットピーニング流量制御弁１００と通路２８０の前内壁および後内壁とが密着し、強磁性メディア１０２は、前端部および後端部において通過できなくなる。

図５は、本開示のいくつかの態様に係る、閉状態のショットピーニング流量制御弁１００の磁場分布を示す。

永久磁石１１０によって生成された磁場３００は、それぞれ第１の左電磁石コア２４６および第１の右電磁石コア２４８から第１の通路２８４および第２の通路２８８に到達し、その結果、強磁性メディア１０２は、第１の左電磁石コア２４６および第１の右電磁石コア２４８の近くに集まり、第１の通路２８４および第２の通路２８８を通過することができない。この時点では、ショットピーニング流量制御弁１００は、閉状態または非伝導状態となっている。

本開示の非限定的な一態様では、電磁アセンブリ１２０の電磁石のいずれも、磁場３００の方向に向けられた磁場を生成して、強磁性メディア１０２に提供される磁場を強化するように構成され、ショットピーニング流量制御弁１００の閉状態において、強磁性メディア１０２をコアセット側部カバー１４２および１４４の近くに蓄積または停止させることができる。

図６は、本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁内の電磁アセンブリの組み立て図を示す。

一態様によれば、電磁アセンブリは、中空コアを有する第１および第２の電磁石６００を備える。各々の電磁石コア６００には、それぞれの誘導コイル６０３が巻かれ得る。熱を伝導するために、フェライトアイソレータ６０２をコアに挿入することができる。非限定的な一態様では、フェライトアイソレータ６０２は、複数のフェライトピン６０１のスタックによって置き換えられてもよい。

非限定的な一態様では、電磁石コアの各々の周囲には、熱伝導性テープが巻かれ得る。熱伝導性テープおよびフェライトアイソレータ６０２は、ポリイミドで構成された高温テープであってもよい。インダクタコイルは、銅製であってもよい。しかしながら、使用される材料は、上記の例に限定されず、同様の特性を有する他の材料も十分に本開示の範囲内にある。

図７は、本開示のいくつかの態様に係る、コアセット磁化（ＣＳＭ）セットアップ７１０または磁気ユニット７１０の組み立て図７００および分解図を示す。

一態様では、コアセット磁化（ＣＳＭ）セットアップ７１０は、第１および第２の電磁石７０１および７１２、熱センサ７０２、一対の断熱プレート７０４、一対の熱伝導プレート７０３、コアセット固定具７０５、底部ヒートシンク７０６、永久磁石７０７、上部ヒートシンク７０８、ＣＳＭねじ７０９、およびコアパワーブリッジ７１１を備えることができる。

コア７０１ａを有する第１の電磁石７０１およびコア７１２ａを有する第２の電磁石７１２は、コアを横切ってループされたインダクタコイルを備えることができる。インダクタコイルに電流を供給し、磁気ユニット７１０に通電するために、コアパワーブリッジ７１１は、インダクタコイルに結合される。第１の電磁石７０１および第２の電磁石７１２は、図６で説明した場合の第１および第２の電磁石６００と同様の構造を有することができる。

コアセット固定具７０５は、永久磁石７０７と第１の電磁石７０１および第２の電磁石７１２とを接続するために、第１の電磁石７０１と第２の電磁石７１２との間に存在する。永久磁石７０７は、コアセット固定具７０５の内側の第１の電磁石７０１と第２の電磁石７１２との間に配置される。上部ヒートシンク７０８は、コアセット固定具７０５の上方に配置することができ、底部ヒートシンク７０６は、ＣＳＭねじ７０９を使用して、コアセット固定具７０５の底部に取り付けるか、または配置することができる。

本開示の非限定的な一態様では、端部７０７ａおよび７０７ｂを有する永久磁石７０７は、ネオジムなどの強磁性材料で構成することができ、上部ヒートシンク７０８および底部ヒートシンク７０６は、銅などの熱伝導性材料で構成することができる。

各々の断熱プレート７０４は、永久磁石７０７の端部７０７ａ、７０７ｂに配置され、熱伝導プレート７０３は、電磁石７０１、７１２と断熱プレート７０４との間に配置される。断熱プレート７０４は、電磁石７０１および７１２にわたってループされたインダクタコイルによって生成される熱が永久磁石７０７に到達するのを防ぐように構成することができ、熱伝導プレート７０３は、熱をヒートシンク７０８および７０６に向かって、またはコアセット固定具７０５を通って磁気ユニット７１０のハウジングに向かって伝達するように構成することができる。

熱センサまたは温度センサ７０２およびコアパワーブリッジ７１１は、それぞれのＰＣＢに電気的に接続され、コアセット固定具の側部に取り付けられ得る。温度センサ７０２は、磁気ユニット７１０の温度を監視してもよい。

図８は、本開示のいくつかの態様に係る、コアセット（ＣＳ）８１０の組み立て図および分解図を示す。

コアセット８１０は、磁気ユニット８０６を包囲するためのハウジング８１１を備えることができる。磁気ユニット８０６は、上記の態様で説明したように、ＣＳＭセットアップ７１０の構成と同様の構成を有することができる。ハウジング８１１は、コアセット上部アセンブリを形成するコアセット上部８０１およびコアセット固定具８０２を含むことができる。ハウジング８１１は、第１および第２の電磁石コアの各々の近くの磁気ユニット８０６の両側に存在するコアセット側部８０３、８０７をさらに備える。ハウジング８１１は、磁気ユニット８０６を支持するためのベースを形成するコアセット底部をさらに含む。コアセット側部８０３は、ダブテール接続を使用してコアセット上部およびコアセット底部８０４に接続され、磁気ユニット８０６の周囲に包囲されたアセンブリを形成する。本開示の非限定的な一態様では、単一の固体モジュールを形成するために、エポキシ材料８０５がハウジング８１１の内側に注入される。しかしながら、コアセット側部８０３とコアセット上部およびコアセット底部８０４との接続は、ダブテール接続に限定されず、他のタイプの接続も十分に本開示の範囲内にある。

本開示の別の非限定的な一態様では、コアセット上部８０１およびコアセット底部８０４は、磁気導体、強磁性材料、または硬化鋼が挙げられるがこれに限定されない鉄材料で構成することができる。コアセット固定具８０２およびコアセット側部８０３は、磁場伝導体、非強磁性材料、またはステンレス鋼または真鍮が挙げられるがこれに限定されない非鉄材料で構成することができる。エポキシは、ポリエステル樹脂が挙げられるがこれに限定されない材料で構成することができる。

一態様では、コアセット８１０は、強磁性メディアの流れに対して通路を第１の通路および第２の通路に分割する際に、通路の中間位置に配置される。

図９は、本開示のいくつかの態様に係る、破線Ａ－Ａに沿ったコアセット９１０の断面図を示す。

コアセット９１０は、ＣＳＭ固定具の両側で電磁石９０２と密着するコアセット側部９０１を含む。電磁石コア９０２の各々は、フェライトアイソレータ、または電磁石コア９０２に挿入されたフェライトピン９０４のスタックを備える。永久磁石９０３は、電磁石コア９０２の間のＣＳＭ固定具の内側に配置することができる。

図１０は、本開示のいくつかの態様に係る、共に接続された複数のコアセットを備えるコアライン１０００セットアップを示す。

コアライン１０００は、複数のコアセットスプリッタ１００１と、コアスプリッタ１００１が複数のコアセット１００４、１００６、１００８のうちの１つの間に配置されるように、複数のシャフト１００５を介して互いに接続された複数のコアセット１００４とを備えることができる。コアライン１０００は、コアライン１０００の前端部に存在するコアセットスプリッタ１００１と、コアライン１０００の後端部に存在するコアセットスプリッタ１００１とをさらに備える。

コアライン１０００は、延長ガイド１００２および１００３をさらに備え、延長ガイド１００２および１００３は、コアセット１００４の両側部に配置され、コアセットの両側部と延長ガイドとの間のいずれにもチャネルを形成することができる。非限定的な一態様では、延長ガイド１００３は、２つのコアラインが並列構成で接続される場合、２つのコアラインの間に中央延長ガイドを備えることができる。中央延長ガイドは、２つのコアラインの間の通路を２つのサブ通路に分割する。

本開示のいくつかの態様に係る、コアセットに接続された延長ガイドを示す。

本開示の一態様では、延長部１１００は、側部延長ガイド１１０１および中央延長ガイド１１０２を備えることができる。側部延長ガイド１１０１は、複数のコアセットのうちの少なくとも１つについて、内面１１０１ａ上に２つの三角形状突起１１０３、１１０４を有する。中央延長ガイド１１０２は、中央延長ガイド１１０２の両側部１１０８、１１０９に位置する２つの三角形状突起１１０５、１１０６を備える。中央延長ガイド１１０２の２つの三角形状突起１１０５、１１０６は、各々の側部の単一のスロット１１０７の方向を向いており、単一のスロットに向かう強磁性メディアの流れを制限するように構成されている。

延長部１１００は、プラスチックなどの非鉄材料、またはポリプロピレン、ポリウレタン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、またはポリ乳酸などが挙げられるが、これらに限定されない３Ｄプリント材料で構成することができる。しかしながら、使用される材料は、上記の例に限定されず、他の非導電性材料も十分に本開示の範囲内にある。

図１２は、本開示のいくつかの態様に係る、複数のコアラインを使用して形成されたコア層１２００を示す。

図１２に示されるように、コア層１２００は、互いに並列構成で接続された複数のコアライン１２０１、１２０４、１２０６を備えることができる。コア層１２００は、１つのコアライン１２０１を別のコアライン１２０４と並列構成で接続するための中央延長ガイド１２０２を備えることができる。

中央延長ガイド１２０２は、中央延長ガイド１２０２の両側に位置するコアライン１２０１、１２０４、１２０６の複数のコアセットのうちの少なくとも１つについて、両側に２つの三角形状突起を備えることができる。２つの三角形状突起は、コアセットの単一のスロットの方向を向いており、スロットに向かう強磁性メディアの流れを制限するように構成されており、中央延長ガイド１２０２は、２つのコアライン１２０１、１２０４の間の通路を２つのサブ通路に分割する。

コア層１２００は、少なくとも１つのコア層の両側部に接続された側部延長ガイド１２０２をさらに備えることができる。側部延長ガイド１２０２は、複数のコアセットのうちの少なくとも１つについて内面に２つの三角形状突起を備えることができる。側部延長ガイドは、コア層１２００と共に第１の外側通路および第２の外側通路を形成し、２つの三角形状突起は、互いに対向しており、第１の外側通路および第２の外側通路内の強磁性メディアの流れを制限するように構成される。

本開示の一態様では、コアライン１２０１、１２０４、１２０６内に存在するコアセットのコアセット上部は、強磁性メディアをブラストトンネルの第１の端部から受け取り、強磁性メディアを分流して、少なくとも２つのコアライン１２０１、１２０４と、少なくとも１つのコア層のそれぞれの外側通路との間に存在するそれぞれのサブ通路に流入させるように構成される。

図１３は、本開示のいくつかの態様に係る、単一コアセットショットピーニング流量制御弁１３００の分解図である。

シングルコアセットショットピーニング流量制御弁１３００は、通路内の強磁性メディアの流れを制御するために、ブラストトンネルの第１の端部と第２の端部との間に配置される。単一コアセットショットピーニング流量制御弁１３００は、２つの側部フレーム１３０１、１３０８および２つの中央フレーム１３０２、１３０５、入口フランジ１３０３、およびベース転用ブロック１３０４、コアセットハウジングの両側部に側部延長部を備えるコアセット１３０７を備えることができる。入口フランジ１３０３は、強磁性メディアを通路からショットピーニング流量制御弁１３００に導くように構成することができる。ショットピーニング流量制御弁１３００は、上記の態様で説明したように、コアセットに通電して通路内の強磁性メディアの流れを制御するための制御ユニット１３０６をさらに備える。

側部フレーム１３０１、１３０８は、コアセット１３０７に接続された側部延長部の２つの外側端部を収容するための２つの溝を内側端部に有する。側部フレーム１３０１、１３０８、中央フレーム１３０２、１３０５、入口フランジ１３０３、およびベース転用ブロック１３０４は、非鉄材料で構成することができる。ベース転用ブロックは、流量センサ固定具として機能し得る。

本開示の一態様では、制御ユニット１３０６は、コアセットのそれぞれのインダクタコイルを流れる電流を制御し、第１および第２の電磁石によって形成される電磁アセンブリを介して磁場を生成し、永久磁石によって生成される磁場を相殺し／打ち消し、コアセット１３０７の外側通路内への強磁性メディアの流れを調整するように構成される。

一態様では、制御ユニット１３０６のそれぞれ１つは、コアセット１３０７の磁気ユニットの磁場強度を検出するための磁力計１３２０を備えることができる。

本開示の一態様では、ベース転用ブロック１３０４または流量センサ固定具は、メディア分配器であって、通路の第２の端部に位置し、流量を測定するために強磁性メディアを散布するように動作可能なメディア分配器と、メディア分配器に接続される流量センサを備える質量流量計とを備える。非限定的な一態様では、流量センサは、上記の態様で説明したように、誘導センサであって、ソレノイドコイルを備え、ソレノイドコイルを通過する強磁性メディアの流量を測定するように構成された誘導センサを備えることができる。別の非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサであってもよい。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

本開示の一態様では、制御ユニット１３０６は、測定された流量に基づいて強磁性メディアの流れを制御するように構成することができる。本開示の別の一態様では、コアセット駆動回路は、コアセット１３０７のハウジングの測定温度に基づいて強磁性メディアの流れを制御するように構成することができる。

したがって、本開示のショットピーニング流量制御弁１３００は、金属部品の特性を高め、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させるための強磁性メディアの流れの効率的な制御を容易にする。

図１４は、本開示のいくつかの態様に係る、単一コアセットショットピーニング流量制御弁１４００の組み立て図である。

コアセットは、図１３で説明したように、側部フレーム、中央フレーム、入口フランジ、およびベース転用ブロックによって形成される外側ハウジング１４０１の内側に包囲される。コアセットは、複数のシャフトを用いて前後端部で中央フレームに密着して固定される。

一態様では、単一コアセットショットピーニング流量制御弁１４００は、第１の端部と第２の端部との間の通路の内側に配置することができる。別の一態様では、単一コアセットショットピーニング流量制御弁１４００は、通路の両側部の間に配置することができる。

図１５は、本開示のいくつかの態様に係る、単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁の分解図を示す。

単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁１５００は、通路内の強磁性メディアの流れを制御するために、通路の第１の端部と第２の端部との間に配置される。ショットピーニング流量制御弁１５００は、２つの側部フレーム１５０１、１５０８および２つの中央フレーム１５０２、１５０５、入口フランジ１５０３、およびベース転用ブロック１５０４または流量センサ固定具、コアハウジングの両側部の側部延長部を備えるコア層１５０７、およびコア層１５０７のコアライン間の延長ガイドを備えることができる。

入口フランジ１５０３は、強磁性メディアをブラストトンネルからショットピーニング流量制御弁１５００に導くように構成することができる。ショットピーニング流量制御弁１５００は、上記の態様で説明したように、コア層１５０７内に存在する複数のコアセットのうちの少なくとも１つに通電し、ブラストトンネル内の強磁性メディアの流れを制御するための複数のコアセット駆動回路１５０６をさらに備える。

側部フレーム１５０１、１５０８は、コア層１５０７に接続された側部延長部の２つの外側端部を収容するための２つの溝を内側端部に有する。側部フレーム１５０１、１５０８、中央フレーム１５０２、１５０５、入口フランジ１５０３、およびベース転用ブロック１５０４は、非鉄材料で構成することができる。

本開示の一態様では、複数の制御ユニット１５０６は、コアラインのコアセットのそれぞれのインダクタコイルを流れる電流を制御し、電磁アセンブリを介して磁場を生成して、永久磁石によって生成される磁場を相殺し、少なくとも２つのコアラインの間に存在するそれぞれのサブ通路および／または少なくとも１つのコア層のそれぞれの外側通路への強磁性メディアの流れを調節するように構成される。

一態様では、制御ユニット１５０６のそれぞれ１つは、複数のコアセットの磁気ユニットの磁場強度を検出するための磁力計１５２０を備えることができる。

本開示の一態様では、ベース転用ブロック１５０４は、メディア分配器であって、通路の第２の端部に位置し、流量を測定するために強磁性メディアを散布するように動作可能なメディア分配器と、メディア分配器に結合された流量センサを備える質量流量計とを備える。非限定的な一態様では、流量センサは、上記の態様で説明したように、誘導センサであって、ソレノイドコイルを備え、ソレノイドコイルを通過する強磁性メディアの流量を測定するように構成された誘導センサを備えることができる。別の非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサであってもよい。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１５００は、複数の制御ユニットと通信する中央制御ユニットを備える。複数の制御ユニット１５０６は、コアセットのそれぞれのパワーブリッジを介してインダクタコイルに結合される。

中央制御ユニットは、複数のコアセット駆動回路１５０６を制御して、測定された流量に基づいて強磁性メディアの流れを調整するように構成されている。本開示の別の一態様では、中央制御ユニットは、複数の制御ユニット１５０６を制御して、それぞれのコアセットのハウジングの測定温度に基づいて強磁性メディアの流れを制御するように構成される。

非限定的な一態様では、中央制御ユニットは、コアセットのハウジングの温度が所定の閾値温度を超えた場合にコアセットをオフにし、それによってコアセットの永久磁石を高温による損傷から保護することができる。

図１６は、本開示のいくつかの態様に係る、単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁１６００の組み立て図を示す。

コア層は、図１５で説明したように、側部フレーム、中央フレーム、入口フランジ、およびベース転用ブロックによって形成される外側ハウジング１６０１の内側に包囲される。コア層は、複数のシャフトを用いて前後端部で中央フレームに密着して固定される。単層デュアルコアラインショットピーニング流量制御弁１６００は、第１の端部と第２の端部との間の通路の中央に配置することができる。

図１７は、本開示のいくつかの態様に係る、破線Ａ－Ａに沿ったショットピーニング流量制御弁１７１０の断面図を示す。

図１７に示されるように、コアライン１７０２および１７０４のコアセットは、コア層のそれぞれの側部に存在する側部延長ガイドと共に、第１の外側通路１７０１および第２の外側通路１７０６を形成する。コアライン１７０２および１７０４はさらに、コアライン１７０２および１７０４を接続するために使用される中央延長ガイドを備えた内側サブ通路１７０３および１７０５を形成する。

図１８は、本開示のいくつかの態様に係る、ショットピーニング流量制御弁１８００の斜視図を示す。

図１８に示されるように、ショットピーニング流量制御弁１８００は、複数のコアライン１８０１および１８０３を備え、中央延長ガイド１８０２を使用して共に積み重ねられる。各々のコアラインは、多数のコアセットであって、互いに接続され、コアセットスプリッタ１８０４によって分離された多数のコアセットを備える。

図１９は、本開示のいくつかの態様に係る、単層複数コアラインショットピーニング流量制御弁１９００の分解図である。

単層複数コアラインショットピーニング流量制御弁１９００は、通路内の強磁性メディアの流れを制御するために、通路の第１の端部と第２の端部との間に配置される。ショットピーニング流量制御弁１９００は、２つの側部フレーム１９０１、１９０８および２つの中央フレーム１９０２、１９０５、入口フランジ１９０３、およびベース転用ブロック１９０４または流量センサ固定具、コアハウジングの両側部に側部延長部を備えるコア層１９０７、およびコア層１９０７のコアライン間の延長ガイドを備えることができる。

入口フランジ１９０３は、強磁性メディアを通路からショットピーニング流量制御弁１９００に導くように構成することができる。ショットピーニング流量制御弁１９００は、上記態様で説明したように、コア層１９０７内に存在する複数のコアセットのうちの少なくとも１つに通電し、強磁性メディアの流れを制御するための複数の制御ユニット１９０６をさらに備える。

側部フレーム１９０１、１９０８は、コア層１９０７に接続された側部延長部の２つの外側端部を収容するための２つの溝を内側端部に有する。側部フレーム１９０１、１９０８、中央フレーム１９０２、１９０５、入口フランジ１９０３、およびベース転用ブロック１９０４は、非鉄材料で構成することができる。

本開示の一態様では、複数の制御ユニット１９０６は、コアセットのそれぞれのインダクタコイルを流れる電流を制御し、電磁アセンブリを介して磁場を生成して、永久磁石によって生成される磁場を相殺し／打ち消し、少なくとも２つのコアラインの間に存在するそれぞれのサブ通路および／または少なくとも１つのコア層のそれぞれの外側通路への強磁性メディアの流れを調節するように構成される。

一態様では、制御ユニット１９０６のそれぞれ１つは、複数のコアセットの磁気ユニットの磁場強度を検出するための磁力計１９２０を備えることができる。

本開示の一態様では、ベース転用ブロック１９０４は、メディア分配器であって、通路の第２の端部に位置し、流量を測定するために強磁性メディアを散布するように動作可能なメディア分配器と、メディア分配器に結合された流量センサを備える質量流量計とを備える。非限定的な一態様では、流量センサは、上記の態様で説明したように、誘導センサであって、ソレノイドコイルを備え、ソレノイドコイルを通過する強磁性メディアの流量を測定するように構成された誘導センサを備えることができる。別の非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサとすることができる。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁１９００は、複数の制御ユニット１９０６と通信する中央制御ユニットを備える。複数の制御ユニット１９０６は、コアセットのそれぞれのパワーブリッジを介してインダクタコイルに結合される。

中央制御ユニットは、複数の制御ユニット１９０６を制御して、測定された流量に基づいて強磁性メディアの流れを調整するように構成される。本開示の別の一態様では、中央制御ユニットは、複数のコアセット駆動回路１９０６を制御して、それぞれのコアセットのハウジングの測定温度に基づいて強磁性メディアの流れを制御するように構成される。

非限定的な一態様では、中央制御ユニットは、コアセットのハウジングの温度が所定の閾値温度を超えた場合にコアセットをオフにし、それによってコアセットの永久磁石を高温による損傷から保護することができる。

図２０は、本開示のいくつかの態様に係る、単層複数コアラインショットピーニング流量制御弁２０００の組み立て図を示す。

コア層は、図１９で説明したように、側部フレーム、中央フレーム、入口フランジ、およびベース転用ブロックによって形成されるの外側ハウジング２００１の内側に包囲される。コア層は、複数のシャフトを用いて前後端部で中央フレームに密着して固定される。ショットピーニング流量制御弁２０００は、通路内の強磁性メディアの流れを調整するために、通路の第１の端部と第２の端部との間の通路の中央に配置することができる。

図２１は、本開示のいくつかの態様に係る、多層ショットピーニング流量制御弁２１００の分解図を示す。

ショットピーニング流量制御弁２１００は、通路内の強磁性メディアの流れを制御するために、通路の第１の端部と第２の端部との間に配置される。ショットピーニング流量制御弁２１００は、２つの側部フレーム２１０１、２１１０および２つの中央フレーム２１０２、２１０９、入口フランジ２１０３、およびベース転用ブロック２１０４または流量センサ固定具、複数のコア層、すなわちコアハウジングの両側部の側部延長部を備える上部コア層２１０７および下部コア層２１０８、および下部コア層２１０８のコアライン間の延長ガイドを備えることができる。ショットピーニング流量制御弁２１００は、少なくとも２つのコア層２１０７および２１０８を、上部コア層２１０７および下部コア層２１０８などの異なるレベル２１３１、２１３２に分割するための層分割フレーム２１０５をさらに含む。層分割フレーム２１０５は、強磁性メディア１０２を搬送するための通路２８０において千鳥状に配置されている。

入口フランジ２１０３は、強磁性メディアをブラストトンネルからショットピーニング流量制御弁２１００に導くように構成することができる。ショットピーニング流量制御弁２１００は、上記態様で説明したように、複数のコア層２１０７内に存在する複数のコアセットのうちの少なくとも１つに通電し、通路内の強磁性メディアの流れを制御するための複数の制御ユニット２１０６をさらに備える。

側部フレーム２１０１、２１１０は、上部コア層２１０７に接続された側部延長部の２つの外側端部を収容するための２つの溝を内側端部に有する。側部フレーム２１０１、２１１０、中央フレーム２１０２、２１０９、入口フランジ２１０３、およびベース転用ブロック２１０４は、非鉄材料で構成することができる。

本開示の一態様では、複数の制御ユニット２１０６は、コアセットのそれぞれのインダクタコイルを流れる電流を制御し、電磁アセンブリを介して磁場を生成して、永久磁石によって生成される磁場を相殺し／打ち消し、少なくとも２つのコアラインの間に存在するそれぞれのサブ通路および／または少なくとも１つのコア層のそれぞれの外側通路への強磁性メディアの流れを調節するように構成される。

一態様では、制御ユニット２１０６のそれぞれ１つは、複数のコアセットの磁気ユニットの磁場強度を検出するための磁力計２１２０を備えることができる。

本開示の一態様では、ベース転用ブロック２１０４は、メディア分配器であって、通路の第２の端部に位置し、流量を測定するために強磁性メディアを散布するように動作可能なメディア分配器と、メディア分配器に結合された流量センサを備える質量流量計とを備える。非限定的な一態様では、流量センサは、上記の態様で説明したように、誘導センサであって、ソレノイドコイルを備え、ソレノイドコイルを通過する強磁性メディアの流量を測定するように構成された誘導センサを備えることができる。別の非限定的な一態様では、流量センサは、マイクロ波センサとすることができる。しかしながら、流量センサは、上記の例に限定されず、他のタイプの流量／波動センサも十分に本開示の範囲内にある。

本開示の一態様では、ショットピーニング流量制御弁２１００は、複数の制御ユニット２１０６と通信する中央制御ユニットを備える。複数の制御ユニット２１０６は、コアセットのそれぞれのパワーブリッジを介してインダクタコイルに結合される。

中央制御ユニットは、複数のコアセット駆動回路２１０６を制御して、測定された流量に基づいて強磁性メディアの流れを調整するように構成される。本開示の別の一態様では、中央制御ユニットは、複数の制御ユニット２１０６を制御して、それぞれのコアセットのハウジングの測定温度に基づいて強磁性メディアの流れを制御するように構成される。

非限定的な一態様では、中央制御ユニットは、コアセットのハウジングの温度が所定の閾値温度を超えた場合にコアセットをオフにし、それによってコアセットの永久磁石を高温による損傷から保護することができる。

図２２は、本開示のいくつかの態様に係る、多層ショットピーニング流量制御弁２２００の組み立て図を示す。

コア層は、図２１で説明したように、側部フレーム、中央フレーム、入口フランジ、およびベース転用ブロックによって形成される外側ハウジング２２０１の内側に包囲される。上部コア層は、複数のシャフトを用いて前後端部で中央フレームに密着して固定される。ショットピーニング流量制御弁２１００は、通路内の強磁性メディアの流れを調整するために、通路の第１の端部と第２の端部との間の通路の内側に配置することができる。

本開示の一態様では、コアセットの一部は、コアセットの周囲に磁場を伝導するための磁場伝導体材料を含む。

本開示の一態様では、各々のコア層内のコアラインの数およびコア層の数は、強磁性メディアの必要な流量に基づいて変化する。

図２３は、本開示のいくつかの態様に係る、制御ユニットセットアップの概略図２３００を示す。

本開示の一態様では、制御ユニットセットアップ２３００は、中央制御ユニットＣＳ０１と、中央制御ユニットＣＳ０１に電気的に接続された複数の制御ユニットＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎとを備える。中央制御ユニットＣＳ０１は、上記の態様で説明したように、少なくとも１つの通路内の強磁性メディアの流れを調整するために、複数の制御ユニットＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎのうちの少なくとも１つの制御ユニットを制御するように構成することができる。非限定的な一態様では、中央制御ユニットＣＳ０１は、複数の制御ユニットＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎと並列に電気的に接続され、制御ユニットＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎを制御して、上記の態様で説明したように、少なくとも１つの通路内の強磁性メディアの流れを調整することができる。

図２４は、本開示のいくつかの態様に係る、ブラストトンネル内の強磁性メディアの流れを調整する方法２４００のフローチャートを示す。

ブロック２４０１において、磁場が通路に提供される。磁場は、通路の第１の端部と第２の端部との間に配置された少なくとも１つのコアセットによって提供される。少なくとも１つのコアセットは、少なくとも１つのコアセットのハウジングの内側に包囲された少なくとも１つの磁気ユニットを備える。少なくとも１つのコアセットは、上記の態様で説明したように、配置および構成要素に基づいてショットピーニング流量制御弁を形成することができる。ショットピーニング流量制御弁の本体は、強磁性メディアを通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送するための通路を包囲する。

一態様では、通路に磁場を提供するステップは、少なくとも１つの磁気ユニットの永久磁石によって通路に磁場を生成するステップと、磁場に基づいて強磁性メディアを停止させるステップとを含むことができる。

ブロック２４０３において、強磁性メディアは、通路の第１の端部から通路の第２の端部に搬送される。強磁性メディアは、上記の態様で説明したように、少なくともコアセットのハウジングによって形成された複数の通路に流れ込むことができる。

ブロック２４０５において、強磁性メディアの流れは、通路に提供された磁場に基づいて、通路の第１の端部と第２の端部との間で制御することができる。第１の端部と第２の端部との間の強磁性メディアの流れの制御は、少なくとも１つの磁気ユニットの第１の電磁石と第２の電磁石の磁場を調整することを含むことができる。第１の電磁石および第２の電磁石の磁場は、上記の態様で説明した手順を使用して調整することができる。

一態様では、方法２４００は、第１の端部から来る強磁性メディアから少なくとも１つの磁気ユニットをシールドするステップ２４０７をさらに含むことができる。シールドするステップ２４０７は、少なくとも１つのコアセットのコアセット上部によって提供される。

別の一態様では、方法２４００は、上記の態様で説明した手順を使用して、磁力計を使用して少なくとも１つの磁気ユニットの磁場強度を検出するステップ２４０９と、質量流量計によって通路内の強磁性メディアの流量を測定するステップ２４１１とをさらに含むことができる。

さらに別の一態様では、方法２４００は、上記の態様で説明した手順を使用して、ハウジング、電磁石、またはショットピーニング流量制御弁の他の部品の温度を測定するステップ２４１３をさらに含むことができる。

方法２４００は、測定温度または測定流量のうちの少なくとも１つに基づいて、少なくとも１つのコアセットによって提供される磁場を調整するステップをさらに含む。

非限定的な一態様では、この方法は、測定された温度に基づいて通路内の強磁性メディアの流れを制御し、それによってコアセットの永久磁石を損傷から保護することができる。

したがって、方法２４００は、金属部品の特性を向上させ、運転コストを削減し、ショットピーニングプロセスの信頼性を向上させるための強磁性メディアの流れの効率的な制御を容易にする。

必ずしもすべての目的または利点が、本明細書に記載される任意の特定の態様に従って達成されるわけではないことを理解すべきである。したがって、例えば、当業者は、特定の態様が、本明細書で教示または示唆され得る他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本明細書で教示されるような１つの利点または利点のグループを達成または最適化する方法で動作するように構成することができることを理解するであろう。

「一態様（ａｎ ａｓｐｅｃｔ）」「態様（ａｓｐｅｃｔ）」、「態様（ａｓｐｅｃｔｓ）」、「その態様（ｔｈｅ ａｓｐｅｃｔ）」、「その態様（ｔｈｅ ａｓｐｅｃｔｓ）」、「１つまたは複数の態様（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ ａｓｐｅｃｔｓ）」、「いくつかの態様（ｓｏｍｅ ａｓｐｅｃｔｓ）」、および「１つの態様（ｏｎｅ ａｓｐｅｃｔ）」、「他の態様（ｏｔｈｅｒ ａｓｐｅｃｔ）」、「さらに別の一態様（ｙｅｔ ａｎｏｔｈｅｒ ａｓｐｅｃｔ）」、「非限定的な態様（ｎｏｎ－ｌｉｍｉｔｉｎｇ ａｓｐｅｃｔ）」という用語は、特に明示的に指定されない限り、「本開示の１つまたは複数の（すべてではない）態様」を意味する。

本明細書に開示される態様に関連して説明される様々な処理動作は、プロセッサなどのマシンによって実装または実行することができる。プロセッサは、マイクロプロセッサであってもよいが、代わりに、プロセッサは、コントローラ、マイクロコントローラ、ステートマシン、またはそれらの組み合わせであってもよい。プロセッサは、コンピュータ実行可能命令を処理するように構成された電気回路を含むことができる。別の一態様では、プロセッサは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、またはコンピュータ実行可能命令を処理せずに論理演算を実行する他のプログラマブルデバイスを含む。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組み合わせ、例えば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）とマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つ以上のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装することもできる。本明細書では主にデジタル技術に関して説明しているが、プロセッサは、主にアナログコンポーネントを含むこともできる。例えば、本明細書で説明される信号処理アルゴリズムの一部またはすべては、アナログ回路またはアナログとデジタルの混合回路によって実装することができる。コンピューティング環境には、マイクロプロセッサ、メインフレームコンピュータ、デジタルシグナルプロセッサ、ポータブルコンピューティングデバイス、デバイスコントローラ、またはデバイス内のコンピューティングエンジンに基づくコンピュータシステムを含むが、これらに限定されない、任意のタイプのコンピュータシステムが含まれる。

「含む」、「備える」、「有する」という用語およびそれらの変形は、特に明示的に指定されない限り、「含むがこれらに限定されない」を意味する。

項目の列挙リストは、特に明示的に指定されない限り、項目の一部またはすべてが相互に排他的であることを意味するものではない。

相互に通信するいくつかの構成要素を有する一態様の説明は、そのような構成要素がすべて必要であることを意味するものではない。逆に、開示された方法およびシステムの多種多様な可能な態様を例示するために、多様な任意選択の構成要素が説明されている。

最後に、本明細書で使用される表現は、主に読みやすさと指導的目的で選択されており、本発明の主題を線引きしたり制限したりするために選択されたものではない。したがって、本開示の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に基づく出願における任意の特許請求の範囲によって限定されることが意図されている。したがって、本開示の態様は、添付の特許請求の範囲に記載される本開示の範囲を限定するものではなく、例示することを意図している。

Claims (30)

1. 強磁性メディア（１０２）の流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁（１００）であって、前記ショットピーニング流量制御弁（１００）は、
   通路（２８０）を囲む本体（１８２、１８４）であって、前記通路は、前記強磁性メディア（１０２）を前記通路（２８０）の第１の端部（１５０）から前記通路（２８０）の第２の端部（１６０）に搬送するためのものである、前記本体（１８２、１８４）と、
   前記第１の端部（１５０）と前記第２の端部（１６０）との間に配置され、前記通路（２８０）に磁場（３００）を提供するように動作可能な少なくとも１つの磁気ユニットを備える、少なくとも１つのコアセット（１３０）と
   を備える、ショットピーニング流量制御弁（１００）。
2. 前記少なくとも１つのコアセット（１３０）は、
   前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）を囲むためのハウジング（１４０）を備え、前記ハウジング（１４０）は、
   前記第１の端部（１５０）から来る前記強磁性メディア（１０２）から前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）をシールドするためのコアセット上部（１２６）と、
   前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）の両側部（１７０、１８０）にそれぞれ配置された第１のコアセット側部カバー（１４２）および第２のコアセット側部カバー（１４４）と
   を備え、
   前記第１のコアセット側部カバー（１４４）および前記第２のコアセット側部カバー（１４４）のうちの少なくとも一方は、前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）の磁極（３０２、３０４）に配置され、前記磁極（３０２）をシールドし、前記通路（２８０）に前記磁極（３０２、３０４）の磁場（３００）を提供するためのものである、請求項１に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
3. 前記少なくとも１つのコアセット（１３０）は、前記通路（２８０）を第１の通路（２８４）と第２の通路（２８８）とに分割する際に前記通路（２８０）の中間位置（１０７）に配置される、請求項１または２に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
4. 前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）は、永久磁石（１１０）および第１の電磁石（２４６、２５６、２６６）を備え、前記第１の電磁石（２４６、２５６、２６６）のコア（２４６ａ、２５６ａ、２６６ａ）は、前記永久磁石（１１０）の第１の端部（１１１）に接続される、請求項１～３のいずれか一項に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
5. 前記少なくとも１つの磁気ユニット（１２０）は、第２の電磁石（２４８、２５８、２６８）をさらに備え、
   前記第２の電磁石（２４８、２５８、２６８）のコア（２４８ａ、２５８ａ、２６８ａ）は、前記永久磁石（１１０）の第２の端部（１１２）に接続される、請求項４に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
6. 前記永久磁石（１１０）は、前記強磁性メディア（１０２）の前記流れを独立して停止させるために、前記通路（２８０）に磁場（３００）を生成するように動作可能である、請求項４に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
7. 前記磁気ユニット（１２０）は、
   前記第１および第２の電磁石（２４６、２４８、２５６、２５８、２６６、２６８）の磁場（３００）を調整するために、前記第１および第２の電磁石（２４６、２４８、２５６、２５８、２６６、２６８）のいずれにも接続される制御ユニット（１２４）をさらに備える、請求項５に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
8. 前記少なくとも１つのコアセット（１３０）の一部（１２６、１２８、１４２、１４４）は、少なくとも１つのコアセット（１３０）の周囲に磁場（３００）を伝導するための磁場伝導体材料を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
9. 前記少なくとも１つのコアセット（１３０）は、間隔を置いて配置された第１のコアセット（１００４）および第２のコアセット（１００６）を備え、前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）は、協働するように動作可能である、請求項１～８のいずれか一項に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
10. 前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）は、前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）が、前記第１の端部（１５０）から異なる距離となるように直列に配置される、請求項９に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
11. 前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）は、前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）が、前記第１の端部（１５０）から略同じ距離となるように並列に配置される、請求項９に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
12. 前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）と直列に配置される第３のコアセット（１００８）をさらに備え、前記第３のコアセット（１００８）は、前記第１のコアセット（１００４）および／または前記第２のコアセット（１００６）のいずれかに関して前記第１の端部（１５０）から略異なる距離となるようにする、請求項１１に記載のショットピーニング流量制御弁（１００）。
13. 強磁性メディア（１０２）の流れを調整するためのショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）であって、前記ショットピーニング流量制御弁は、
    通路（２８０）を画定する本体（１８２、１８４）であって、前記通路は、前記強磁性メディア（１０２）を前記通路（２８０）の前記第１の端部（１５０）から前記通路（２８０）の前記第２の端部（１６０）に搬送するためのものである、前記本体（１８２、１８４）と、
    前記第１の端部（１５０）と前記第２の端部（１６０）との間に配置され、少なくとも１つのコアライン（１０００、１２０１、１２０４、１２０６）を備える、少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）であって、前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）は、前記通路（２８０）に磁場（３００）を提供するように動作可能である、前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）と、
    前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）を囲むカバー（１４０１、１６０１、２００１、２２０１）と
    を備え、
    前記カバー（１４０１、１６０１、２００１、２２０１）は、
    前記第１の端部（１５０）から前記強磁性メディア（１０２）を搬送するための入口フランジ（１３０３、１５０３、１９０３、２１０３）と、
    前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）の両側部にそれぞれ配置された第１の側部フレーム（１３０１、１５０１、１９０１、２１０１）および第２の側部フレーム（１３０８、１５０８、１９０８、２１１０）と、
    前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）の前端部および後端部に配置された第１の中央フレーム（１３０２、１５０２、１９０２、２１０２）および第２の中央フレーム（１３０５、１５０５、１９０５、２１０９）と、
    前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）、前記カバー（１４０１、１６０１、２００１、２２０１）の前記第１および第２の側部フレーム（１３０１、１５０１、１９０１、２１０１、１３０８、１５０８、１９０８、２１１０）、および前記第１および第２の中央フレーム（１３０２、１５０２、１９０２、２１０２、１３０５、１５０５、１９０５、２１０９）の下方に配置されたベース転用ブロック（１３０４、１５０４、１９０４、２１０４）と
    を備える、ショットピーニング流量制御弁。
14. 前記少なくとも１つのコアライン（１０００、１２０１、１２０４、１２０６）は、
    互いに接続された複数のコアセット（８１０、９１０、１００４）であって、前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４）のうちの１つは、コアセットスプリッタ（１００１）によって他のコアセット（８１０、９１０、１００４）から分離されている、前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４）と、
    前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４）および前記コアセットスプリッタ（１００１）を共に接続するための複数のシャフト（１００５）と
    を備える、請求項１３に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
15. １つのコアライン（１２０１）を他のコアライン（１２０４）と並列構成で接続するための中央延長ガイド（１１０２、１２０２）をさらに備え、
    前記中央延長ガイド（１１０２、１２０２）は、前記中央延長ガイド（１１０２、１２０２）の両側部（１１０８、１１０９）に位置する前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）のうちの１つに対して、両側部（１１０８、１１０９）に２つの三角形状突起（１１０１、１１０６）を備え、
    前記２つの三角形状突起（１１０１、１１０６）は、単一のスロット（１１０７）を向いており、
    前記中央延長ガイド（１１０２、１２０２）は、２つのコアライン（１２０１、１２０４）間の通路（２８０）を２つのサブ通路（１７０３、１７０５）に分割する、請求項１４に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
16. 前記少なくとも１つのコア層（１３０７、１５０７、１９０７、２１０７、２１０８）の両側部にそれぞれ配置された第１の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）および第２の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）をさらに備え、
    前記第１の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）および前記第２の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）は、前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）のうちの１つの内面（１１０１ａ）に２つの三角形状突起（１１０３、１１０４）を備え、
    前記第１の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）および前記第２の側部延長ガイド（１１０１、１２０３）はそれぞれ、前記第１の側部フレームおよび前記第２の側部フレーム（１３０８、１５０８、１９０８、２１１０）と共に第１の外側通路（１７０１）および第２の外側通路（１７０６）を形成し、
    前記２つの三角形状突起（１１０３、１１０４）は、互いに対向している、請求項１４に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
17. 前記複数のコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）のうちの少なくとも１つは、
    前記通路（２８０）に前記磁場（３００）を提供するように動作可能な磁気ユニット（７１０、８０６）と、
    前記磁気ユニット（７１０、８０６）を囲むためのハウジング（８１１）と
    を備え、前記ハウジング（８１１）は、
    前記第１の端部（１５０）から来る前記強磁性メディア（１０２）から前記磁気ユニット（７１０、８０６）をシールドするコアセット上部（８０１）と、
    前記磁気ユニット（７１０、８０６）の両側部（１７０、１８０）にそれぞれ配置された第１のコアセット側部カバー（８０３）および第２のコアセット側部カバー（８０７）と
    を備え、
    前記第１のコアセット側部カバーおよび前記第２のコアセット側部カバー（８０３、８０７）のうちの少なくとも一方は、前記磁気ユニット（７１０、８０６）の磁極（３０２、３０４）に配置され、前記磁極（３０２、３０４）をシールドし、前記通路（２８０）に前記磁極（３０２、３０４）の磁場（３００）を提供する、請求項１３に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
18. 前記磁気ユニットは、永久磁石（７０７）および第１の電磁石（７０１）を備え、
    前記第１の電磁石（７０１）のコア（７０１ａ）が、前記永久磁石（７０７）の第１の端部（７０７ａ）に接続される、請求項１７に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
19. 前記前記磁気ユニット（７１０、８０６）は、第２の電磁石（７１２）をさらに備え、
    前記第２の電磁石（７１２）のコア（７１２ａ）が、前記永久磁石（７０７）の第２の端部（７０７ｂ）に接続される、請求項１８に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
20. 中央制御ユニット（ＣＳ０１）と、
    前記中央制御ユニット（ＣＳ０１）に電気的に接続された複数の制御ユニット（ＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎ）と
    をさらに備え、
    前記制御ユニット（ＣＳ０２、ＣＳ０３、…、ＣＳ０Ｎ）は、前記第１および第２の電磁石（７０１、７１２）の磁場（３００）を調整するために、それぞれの磁気ユニット（７１０、８０６）の前記第１および第２の電磁石（７０１、７１２）のいずれにも接続される、請求項１３～１９のいずれか一項に記載のショットピーニング流量制御弁（１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）。
21. 少なくとも１つのコンポーネントの表面上に強磁性メディア（１０２）を投射するためのショットピーニング機であって、前記ショットピーニング機は、
    前記強磁性メディアを保管するためのチャンバ（１０２）と、
    前記少なくとも１つのコンポーネント（２５０）の前記表面（２４０）上に前記強磁性メディア（１０２）を搬送するための通路（２８０）と、
    ショットピーニング流量制御弁（１００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）と
    を備え、
    前記ショットピーニング流量制御弁（１００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００）は、
    前記強磁性メディア（１０２）を前記通路（２８０）の第１の端部（１５０）から前記通路（２８０）の第２の端部（１６０）に搬送するための前記通路（２８０）を囲む本体（１８２、１８４）であって、前記少なくとも１つのコンポーネント（２５０）が前記通路（２８０）の前記第２の端部（１６０）に配置される、前記本体（１８２、１８４）と、
    前記第１の端部（１５０）と前記第２の端部（１６０）との間に配置され、少なくとも１つの磁気ユニット（７１０、８０６）を備える、少なくとも１つのコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）であって、前記少なくとも１つの磁気ユニット（７１０、８０６）は、前記通路（２８０）に磁場（３００）を提供し、前記少なくとも１つのコンポーネント（２５０）の前記表面（２４０）上への強磁性メディア（１０２）の発射速度を調節するように動作可能である、前記少なくとも１つのコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）と
    を備える、ショットピーニング機。
22. 前記少なくとも１つの磁気ユニット（７１０、８０６）は、永久磁石（７０７）および第１の電磁石（７０１）を備え、
    前記第１の電磁石（７０１）のコア（７０１ａ）が、前記永久磁石（７０７）の第１の端部（７０７ａ）に接続される、請求項２１に記載のショットピーニング機。
23. 前記少なくとも１つの磁気ユニット（７１０、８０６）は、第２の電磁石（７１２）をさらに備え、
    前記第２の電磁石（７１２）のコア（７０１ｂ）が、前記永久磁石（７０７）の第２の端部（７０７ｂ）に接続される、請求項２２に記載のショットピーニング機。
24. 前記磁気ユニットは、
    前記第１および第２の電磁石（７０１、７１２）の磁場（３００）を調整するために、前記第１および第２の電磁石（７０１、７１２）のいずれにも接続される制御ユニット（１２４）をさらに備える、請求項２１または２３に記載のショットピーニング機。
25. 前記少なくとも１つのコアセット（８１０、９１０、１００４、１００６、１００８）は、間隔を置いて配置された第１のコアセット（１００４）および第２のコアセット（１００６）を備え、前記第１のコアセット（１００４）および前記第２のコアセット（１００６）は、協働するように動作可能である、請求項２１に記載のショットピーニング機。
26. 強磁性メディア（１０２）の流れを調整する方法（２４００）であって、前記方法は、
    通路（２８０）に磁場を提供するステップ（２４０１）と、
    前記強磁性メディア（１０２）を前記通路（２８０）の第１の端部（１５０）から前記通路（２８０）の第２の端部（１６０）に搬送するステップ（２４０３）と、
    前記第１の端部（１５０）と前記第２の端部（１６０）との間の前記強磁性メディア（１０２）の流れを制御するために、前記通路（２８０）に磁場を提供するステップ（２４０５）と
    を含む方法（２４００）。
27. 前記通路（２８０）に前記磁場を提供するステップ（２４０１）は、
    前記少なくとも１つの磁気ユニット（７１０、８０６）の永久磁石によって磁場を生成し、前記通路（２８０）に磁場を生成するステップ、または、
    前記永久磁石の前記磁場によって前記強磁性メディア（１０２）を停止させるステップを含む、請求項２６に記載の方法（２４００）。
28. 前記磁場を提供するステップ（２４０５）は、
    第１の電磁石（７０１）および／または第２の電磁石（７１２）の磁場を調整するステップを含む、請求項２７に記載の方法（２４００）。
29. 磁力計によって前記磁場の磁場強度を検出するステップ（２４０９）をさらに含む、請求項２６に記載の方法（２４００）。
30. 質量流量計（２３０）によって強磁性メディア（１０２）の流量を測定するステップ（２４１１）をさらに含む、請求項２６に記載の方法（２４００）。

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