JP2024516382A - スパッタ堆積源、マグネトロンスパッタカソード、および基板上に材料を堆積させる方法 - Google Patents

Abstract

基板（１０）上に材料を堆積させるためのスパッタ堆積源（２００）が説明される。スパッタ堆積源は、マグネトロンスパッタカソードのアレイ（２１０）であって、このアレイ（２１０）の前側における堆積領域（３０）内の基板（１０）を被覆するために１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ（２１０）を含む。アレイ（２１０）の少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）は、第１の回転軸（Ａ１）の周りを回転可能な第１の回転ターゲット（１１０）と、第１の回転ターゲット（１１０）内に配置され、第１の回転ターゲットの表面上に、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の第１の側部および第２の側部において第１の回転軸（Ａ１）に沿って延びる閉プラズマレーストラック（Ｐ）を提供するように構成される、第１の磁石アセンブリ（１２０）とを含む。スパッタ堆積源のためのマグネトロンスパッタカソード、および基板上に材料を堆積させる方法がさらに説明される。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、スパッタリングによる基板被覆に関する。実施形態は、特に、基板を材料で被覆するためのスパッタ堆積源、スパッタ堆積源において使用され得るマグネトロンスパッタカソード、およびスパッタリングにより基板上に材料を堆積させる方法に関する。本明細書において説明される実施形態は、特に、感応性基板へのスパッタリングによる材料の堆積に関する。

高い層均一性を伴って基板上に薄い層を形成することは、多くの技術分野において関連性のある問題である。基板上に材料を均一に堆積させるのに好適なプロセスは、スパッタリングであり、これは、多様な製造分野において、例えば、ディスプレイの製造において、価値のある方法として開発された。スパッタリング中、原子は、スパッタターゲットの表面から、これとプラズマのエネルギー性粒子との衝突によって放出される。放出された原子は、基板の方へ伝播してそこに付着し、その結果として、スパッタリングされた材料の層が基板上に形成され得る。

しかしながら、スパッタ堆積は、エネルギー性プラズマ粒子（電子および／またはイオン）などのエネルギー性粒子との基板の衝突をもたらし得、これは、基板に悪影響を有し得る。具体的には、エネルギー性プラズマを利用するスパッタ堆積は、基板上に位置し得る上層、特に感応性膜、の性質に対して不利な影響を有し得る。感応性基板へのスパッタ堆積の悪影響は、基板の方へ真っすぐ向けられないプラズマ閉じ込め領域を提供するカソードを使用することによって低減され得る。平面的なターゲットを有する「対向ターゲット型スパッタリング（ＦＴＳ）」システムは、この目的のために考案された。

ＦＴＳシステムにおいては、基板に直接向く代わりに、平坦なターゲットが互いに向き合い、これは、基板へのエネルギー性粒子の低減した衝突の効果を有する。しかしながら、従来のＦＴＳシステムにおけるプラズマ安定性は限られており、大量生産における使用のためのＦＴＳシステムの適合性は損なわれる。さらには、ＦＴＳシステムは、典型的には、低減した堆積速度および低材料利用率と関連付けられ、低生産性および基板表面汚染のリスクをもたらす。

上記の観点から、基板上に、特に、エネルギー性粒子との衝突に感応性である基板上に、スパッタリングによって材料を堆積させる改善された装置および方法を提供することが有益であろう。具体的には、改善された材料利用率および改善された堆積層品質を伴ってスパッタリングによる感応性基板の被覆を可能にするスパッタ堆積源およびマグネトロンスパッタカソードを提供することが有益であろう。

上記に照らして、スパッタ堆積源、マグネトロンスパッタカソード、および基板上に材料を堆積させる方法が、独立請求項に従って提供される。さらなる態様、利点、および有益な特徴は、従属請求項、本明細書、および添付の図面から明白である。

１つの態様によると、スパッタ堆積源が提供される。スパッタ堆積源は、アレイの前側における堆積領域内に配置される基板を被覆するために１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイを含む。アレイの少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードは、第１の回転軸の周りを回転可能な第１の回転ターゲットと、第１の回転ターゲット内に配置され、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを提供するように構成される第１の磁石アセンブリであって、閉プラズマレーストラックは、第１の側部において、および第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸に沿って延びる、第１の磁石アセンブリとを備える。

いくつかの実施形態において、アレイは、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの上で特定した特徴をそれぞれ含む複数のマグネトロンスパッタカソードを含み得る。具体的には、マグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、アレイの長手方向、すなわち、アレイのそれぞれの隣接マグネトロンスパッタカソードへ向かう方向にそれぞれ向く側部であり得る。プラズマ閉じ込め領域が、基板の方へ向けられるのではなく、隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ向けられるとき、粒子衝突による基板への損傷のリスクは、低減され得る。

１つの態様によると、特に、本明細書において説明されるスパッタ堆積源のいずれかにおける使用のためのマグネトロンスパッタカソードが、提供される。マグネトロンスパッタカソードは、回転軸の周りを回転可能である回転ターゲット、および回転ターゲット内に配置されるマグネトロンアセンブリを含む。マグネトロンアセンブリは、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有する第１の磁石、および半径方向外向きに向けられる第２の極性磁極を有する第２の磁石を含み、第１の磁石および第２の磁石は、第１のプラズマ閉じ込め領域がマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域が第１の側部とは異なるマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において回転軸と平行に延びた状態で、回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを生成するための閉路に沿って互いに隣接して延びる。

特に、マグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、本質的に反対側部であり得る。具体的には、第１の側部は、第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向いてもよく、第２の側部は、第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向いてもよく、マグネトロンスパッタカソードならびに第１および第２の隣接マグネトロンスパッタカソードは、１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイに属し得る。

１つの態様によると、特に、本明細書において説明される実施形態のいずれかによるスパッタ堆積源を用いて、基板上に材料を堆積させる方法が提供される。本方法は、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転ターゲット内に配置される第１の磁石アセンブリを有する少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードから材料をスパッタリングすることを含み、第１の磁石アセンブリは、第１のプラズマ閉じ込め領域が少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において第１の回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域が第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸と平行に延びた状態で、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを提供する。

本開示は、各々の説明された方法の態様を実施するための装置部分を含め、開示された方法を実行するための装置およびシステムを包含すると理解されるものとする。方法の態様は、例えば、ハードウェア構成要素によって、適切なソフトウェアによりプログラムされたコンピュータによって、またはこれら２つの任意の組み合わせによって実施され得る。本開示はまた、説明された装置およびシステムを動作させるための方法を包含すると理解されるものとする。説明された装置およびシステムを動作させるための方法は、それぞれの装置またはシステムのすべての機能を実行するための方法の態様を含む。本開示は、説明された堆積方法のいずれかに従って製造される製品を包含すると理解されるものとする。特に、本明細書において説明される方法のいずれかに従って、および／または本明細書において説明されるスパッタ堆積源のいずれかを使用して製造される被覆基板が提供される。

上に列挙された特徴が詳細に理解され得るように、上に簡単に要約された主題のより具体的な説明が、実施形態を参照して以下に提供される。添付の図面は、実施形態に関連し、また以下に説明される。

本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの第１の側部の概略図側部である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの前面の概略図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの第２の側部の概略図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの概略断面図である。 マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリの概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略前面図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの第１の側部の概略図側部である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの前面の概略図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの第２の側部の概略図である。 本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソードの概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略前面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。 本明細書において説明される実施形態による、基板上に材料を堆積させる方法を例証するフロー図である。

これより様々な実施形態に対して詳細に参照がなされ、実施形態の１つまたは複数の例が図において例証される。図面の以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関して違いのみが説明される。各例は、説明として提供され、限定を意味しない。さらに、１つの実施形態の一部として例証または説明される特徴は、さらなる実施形態をさらにもたらすために、他の実施形態において、またはそれと併せて、使用され得る。説明はそのような変形およびバリエーションを含むことが意図される。

図１は、本明細書において説明される実施形態による、基板１０の上に材料を堆積させるためのスパッタ堆積源２００を示す。スパッタ堆積源２００は、マグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０の前側における堆積領域３０内に配置される基板１０を被覆するために１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０を含む。スパッタ堆積源２００は、スパッタ堆積システムの真空堆積チャンバ２０１内に配置され得る。

スパッタ堆積源２００は、有益には、基板１０が、特に、本質的に一定の基板速度で、基板輸送方向に（例えば、図１では左側から右側へ）、堆積領域３０を通ってスパッタ堆積源２００を過ぎて連続的に移動されるインラインスパッタ堆積システムにおいて使用され得る（「動的被覆」）。代替的に、基板は、堆積中静止したままであってもよい（「静的被覆」）。スパッタ堆積源２００はまた、基板１０が、堆積領域３０内の２つの反対方向に（例えば、揺動運動で図１内の右側へ、および左側へ）往復様式で、移動方向を数回変えて移動されるスパッタ堆積システムにおいて使用され得、これは、本明細書では「基板揺動」または「基板スイーピング」とも称される。

本明細書で使用される場合、マグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０の、または１つのマグネトロンスパッタカソードの、「前」または「前側」は、基板１０がスパッタ堆積中に配置される側を指す。基板１０へのスパッタ堆積が発生するアレイ２１０の前の領域は、本明細書では堆積領域３０と称される。マグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０の、または１つのマグネトロンスパッタカソードの、「後ろ」または「後側」は、前側と反対の側、すなわち、スパッタ堆積中基板１０に背を向けている側を指す。アレイのマグネトロンスパッタカソードの「横側」は、アレイの長手方向Ｌに、例えば、アレイの隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く側と理解され得る。マグネトロンスパッタカソードのアレイは、図１に概略的に描写されるように、マグネトロンスパッタカソードが、線形列方向に、例えば、互いから等しい距離に、順々に配置される線形アレイであり得る。マグネトロンスパッタカソードのアレイはまた、マグネトロンカソードが、曲線に沿って、例えば、弧状に、配置される湾曲アレイであり得る。

マグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０は、複数のマグネトロンスパッタカソード、特に、３、４、５、６もしくはそれ以上、または１０以上のマグネトロンスパッタカソードを含む。アレイの少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００は、以下にさらに詳細に説明される。アレイ２１０は、典型的には、本明細書において説明されるような少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の特徴を含む、互いに隣り合って配置されるいくつかのマグネトロンスパッタカソードを含むということを理解されたい。図１のスパッタ堆積源２００は、例示的に、１列に配置される合計で４つのマグネトロンスパッタカソードを示し、内側カソード（すなわち、第１の端カソード２０３および第２の端カソード２０４を除くすべて）は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００に従って構成される。２つの内側カソードのみが例示的に図１に示されるが、３つ以上の内側カソードが、第１の端カソード２０３と第２の端カソード２０４との間に提供され得る。

アレイ２１０の少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００は、第１の回転軸Ａ１の周りを回転可能な第１の回転ターゲット１１０と、第１の回転ターゲット１１０内に配置され、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックＰを提供するように構成される、第１の磁石アセンブリ１２０とを含む。上で述べたように、アレイ２１０は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００、例えば、互いに隣り合って、特に、２つの端カソード（例えば、図１に描写される第１の端カソード２０３および第２の端カソード２０４）の間に、配置される、２、４、６、１０またはそれ以上のマグネトロンスパッタカソードに従って構成される複数のマグネトロンスパッタカソードを含み得る。

「マグネトロンスパッタカソード」は、スパッタリング中スパッタプラズマをプラズマ閉じ込め領域に閉じ込めるための磁石アセンブリを含む、マグネトロンスパッタリングのために構成されるスパッタカソードと理解され得る。本明細書において説明されるようなマグネトロンスパッタカソードは、基板上に堆積されるべきターゲット材料を提供するように構成され、かつ既定の電位に設定され得る回転ターゲットを含み得る。回転ターゲットは、回転軸の周りを回転することができる本質的に円筒状のターゲットまたはドッグボーン型ターゲットであり得る。スパッタリング中の回転軸の周りでの回転ターゲットの回転は、ターゲット表面のより均一なスパッタリング、およびしたがって、回転ターゲットのターゲット材料のより均一なアブレーションおよび消費を確実にし、その結果として、材料利用率は、平面のターゲットと比較して改善され得る。とりわけ、本明細書で使用される場合の「回転ターゲット」は、基板上に堆積されることになるターゲット材料を必ずしも含まないが、実際のターゲット材料（典型的には、スパッタリング中に消費される円筒状の材料スリーブである）が装着されることになる回転可能なターゲットバッキングチューブまたは回転可能なターゲット材料ホルダであり得る。回転ターゲットは、プラズマ点火および保守のために既定の電位に設定され得、回転軸の周りを実際のターゲット材料と一緒に回転され得る。

マグネトロンスパッタリングは、スパッタプラズマが、磁石アセンブリによって、スパッタリングされることになる回転ターゲットの表面に隣接するプラズマ閉じ込め領域に閉じ込められるために、高堆積速度が提供され得るという点で特に有利である。磁石アセンブリは、回転ターゲット内に位置付けられる。磁石アセンブリを、回転ターゲット内に、すなわち、円筒状のターゲットまたはドッグボーン型ターゲットの内側に配置することにより、ターゲット表面の上の自由電子は、磁場内を移動することを強いられ、逃げることができない。これは、ガス分子を典型的には桁違いにイオン化する可能性を高め、その結果として、堆積速度が著しく増加され得る。

スパッタリングは、ディスプレイの生産に使用され得る。より詳細には、スパッタリングは、電極またはバスの生成など、金属化のために使用され得る。スパッタリングはまた、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の生成のために使用される。それはまた、透明かつ導電性の酸化物層、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）層の生成のために使用され得る。スパッタリングはまた、薄膜太陽電池の生産のために使用され得る。一般的には、薄膜太陽電池は、バックコンタクト、吸収層、および透明かつ導電性の酸化物層（ＴＣＯ）を備える。典型的には、バックコンタクトおよびＴＣＯ層は、スパッタリングによって生産される一方、吸収層は、典型的には化学蒸着プロセスで作製される。いくつかの実施形態において、ウエハなどの半導体基板は、マグネトロンスパッタリングによって被覆され得る。

本明細書で使用される場合、用語「基板」は、ウエハまたはガラスプレートなどの非フレキシブル基板、ならびにウェブおよびホイルなどのフレキシブル基板の両方を包含するものとし、任意選択的に、それらの基板は、その上に以前に堆積された１つまたは複数の層または材料を含む。いくつかの実施形態において、基板は、例えば、太陽電池の生産に使用される、ガラスプレートなどの非フレキシブル基板である。基板という用語は、特に、有機材料層またはＯＬＥＤ層スタックまたはパターンなどの感応性上層を有し、これらの上に、上記感応性上層に損傷を及ぼすリスクの低減を伴って、さらなる材料がスパッタリングによって堆積されることになる、基板を包含する。

スパッタプラズマを既定の領域に閉じ込めるために使用される典型的な磁石アセンブリは、閉プラズマレーストラックを提供するように構成される。「閉」プラズマレーストラックは、回転ターゲットの表面上を閉路またはトラックに沿って延び、その結果として、プラズマの電子が逃げることができず、またレーストラックが閉じているために、プラズマ閉じ込め領域の開端においてプラズマレーストラックから出ることができない。より具体的には、磁石アセンブリは、磁力線を有する磁場を生成し、その周りでは、プラズマの自由電子は、らせん状に円運動をする一方で、プラズマレーストラックが閉じているため、プラズマレーストラックによって規定される領域内に留まる。ターゲット表面上の閉プラズマレーストラックの形態は、閉路によって規定され、この閉路に沿って、磁石アセンブリの磁石が回転ターゲットの内側に延びる。

従来の磁石アセンブリは、典型的には基板の方に直接向けられるマグネトロンスパッタカソードの単一側部上に閉プラズマレーストラックを提供するように構成される。代替的に、２つの別個の閉プラズマレーストラックが、例えば、両面スパッタリングのため、２つの異なる基板の方に向けられる、マグネトロンスパッタカソードの２つの反対側部に生成され得る。また、後者の場合、２つの別個の閉プラズマレーストラックの各々は、マグネトロンスパッタカソードの１つの単一側部にのみ配置される。そのような磁石アセンブリは、典型的には、近い距離に配置される第２の磁石によって取り囲まれる第１の磁石を含み、その結果として、閉プラズマレーストラック（いわゆる「二重レーストラック」）が、磁石アセンブリの前の領域に生成され、本明細書では「フロントスパッタ磁石アセンブリ」とも称される。フロントスパッタ磁石アセンブリは、高堆積速度を可能にし得るが、感応性基板が、基板へ向かう単位面積当たりの高エネルギー入力に起因して悪影響を受けるリスクを伴い得る。

感応性基板層への損傷を引き起こすリスクは、基板の方を直接向かずに、隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く回転ターゲット内に配置される「フロントスパッタ磁石アセンブリ」を使用することによって低減され得る。そのような配置は、「回転対向ターゲット型スパッタリング（ＲＦＴＳ）」とも称され得る。この配置は、スパッタリング中に基板の方へ伝播するターゲット材料原子の割合を低減する。しかしながら、マグネトロンスパッタカソードの１つの単一（横）側部にフロントスパッタ磁石アセンブリによって生成されるプラズマレーストラックは、回転軸の周りに実質的な角度延長（例えば、１０°～２５°など）を有するため、ターゲットからたたき出されるターゲット材料原子は、マグネトロンスパッタカソードの周りの広い角度範囲内へ伝播する。したがって、かなりの量のターゲット材料が、真空チャンバの壁または材料シールドに蓄積し、したがって、無駄にされる。材料利用率および生産性は低減される。

本明細書において説明される実施形態は、上記の問題を克服する回転ターゲット内の磁石アセンブリの特定の形状および設計に関する。具体的には、さらに感応性基板は、基板損傷のリスクの低減を伴って被覆され得、同時に、増加した材料利用率が達成される。本明細書において説明される実施形態による磁石アセンブリは、回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを提供するように構成され、閉プラズマレーストラックは、第１の側部において、および第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において回転軸に沿って延びる。言い換えると、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの異なる側部、特に、任意選択的にマグネトロンスパッタカソードのアレイの長手方向Ｌに向き得る２つの反対側部において、回転軸と平行に延びる１つのシングル閉プラズマレーストラックが、磁石アセンブリによって生成される。

特に、シングル閉プラズマレーストラックは、回転軸と平行に延び、かつ少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く第１のプラズマ閉じ込め領域３１と、回転軸と平行に延び、かつ第１の側部の反対の少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く第２のプラズマ閉じ込め領域３２とを有する。そのようなレーストラックは、シングル閉レーストラックが回転ターゲットの２つの異なる側部にわたって延びることから、「両面シングルレーストラック」とも称され得る。

図１に戻って参照すると、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の磁石アセンブリ１２０は、第１の回転ターゲット１１０の内側に配置され、第１の回転ターゲット１１０の表面上に、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の側部および第２の側部において第１の回転軸Ａ１に沿って延びる閉プラズマレーストラックＰを提供するように構成される。具体的には、閉プラズマレーストラックＰは、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において第１の回転軸Ａ１と平行に延びる第１のプラズマ閉じ込め領域３１と、第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸Ａ１と平行に延びる第２のプラズマ閉じ込め領域３２とを含む。したがって、閉プラズマレーストラックＰは、上で特定されるような「両面シングルレーストラック」である。

第１の磁石アセンブリ１２０のさらなる詳細は、図２に示される。図２（ａ）は、第１の側部からの少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の側部図であり、図２（ｂ）は、堆積領域３０から見た少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の前面図であり、図２（ｃ）は、第１の側部と反対の第２の側部からの少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の側部図であり、図２（ｄ）は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の、その中心断面を通る断面図である。

少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００は、第１の回転軸Ａ１の周りを回転可能である第１の回転ターゲット１１０、および第１の回転ターゲット１１０の内側に配置される第１の磁石アセンブリ１２０を含む。第１の回転ターゲット１１０は、本質的に円筒状の形状を有し得、基板上に堆積されるべきターゲット材料を提供するために構成される。第１の磁石アセンブリ１２０は、スパッタリング中に第１の回転ターゲット１１０の表面上に閉プラズマレーストラックＰを生成するために形成され、閉プラズマレーストラックＰは、第１の側部において、および第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００第２の側部において、第１の回転軸Ａ１に沿って延びる。

特に、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の側部および第２の側部は、第１の回転軸Ａ１に対して、３０°以上、特に９０°以上、さらに特に１３５°以上、またはさらには約１８０°の第１の角度（ａ１）を囲む２つの異なる方向に向く。後者の場合、第１および第２の側部は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの反対側部である。したがって、閉プラズマレーストラックＰは、周方向に少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の反対側部において第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を有し得る。

いくつかの実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の側部および第２の側部は、マグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０の長手方向Ｌをそれぞれ向く２つの反対側部である。したがって、閉プラズマレーストラックＰは、図１に概略的に描写されるように、アレイ２１０の第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く第１のプラズマ閉じ込め領域３１、および反対側に配置されるアレイの第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く第２のプラズマ閉じ込め領域３２を有し得る。

閉プラズマレーストラックＰの第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２が、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの異なる側部に周方向に配置されることから、低減した量のプラズマ粒子（単位面積当たり）が基板にぶつかり、「よりソフトな」スパッタリングプロセスを結果としてもたらす。第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２が、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の隣に、アレイ２１０の長手方向Ｌに配置される場合、第１の回転ターゲット１１０から放出されるターゲット材料原子のかなりの部分は、アレイの隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ伝播し、そこに付着する（図１内の矢印９０１、９０２を参照）。隣接マグネトロンスパッタカソードに付着するターゲット材料原子は、後で隣接マグネトロンスパッタカソードから基板の方へ放出され得、失われること、または別途無駄にされることがない。放出されたターゲット材料原子の一部分は、基板１０の方へ伝播し（図１内の矢印９０３を参照）、そこに、おそらくは低減された堆積速度で層を形成する（「漂遊被覆」）。プラズマが基板の方に直接向けられないため、荷電プラズマ粒子によって基板を損傷するリスクは低減される。

さらに、閉プラズマレーストラックＰが、第１の回転軸Ａ１に沿って少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の２つの異なる側部において延びるため、第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２の各々の角度延長は、比較的小さく（すなわち、単一のターゲット側部における「二重」レーストラックと比較して、異なるターゲット側部にわたって延びる「シングル」レーストラック）、その結果として、アレイの後側の方などの望ましくない方向への漂遊被覆は、低減され得る。横方向内へ向く「フロントスパッタ磁石アセンブリ」によって生成されるプラズマ閉じ込め領域は、より広範な角度延長を有し、望ましくない方向（図１内の矢印９０５を参照）への漂遊被覆を促進するということが図１に概略的に描写される。

少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００に隣接して配置されるアレイ２１０のマグネトロンスパッタカソードは、本明細書では第２のマグネトロンスパッタカソード２０２とも称され、図１内では少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の右側に描写される。第２のマグネトロンスパッタカソード２０２は、第２の回転軸Ａ２の周りを回転可能な第２の回転ターゲットと、第２の回転ターゲット内に配置され、第２の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを提供するように構成される第２の磁石アセンブリ２２２であって、閉プラズマレーストラックは、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の第１の側部および第２の側部において第２の回転軸Ａ２に沿って延びる、第２の磁石アセンブリ２２２とを含む。具体的には、第２の磁石アセンブリ２２２は、第１の磁石アセンブリ１２０に従って構成され得る（図１に描写される任意選択の磁極反転は別として）。

図１に描写されるように、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の側部は、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の方を向いてもよく、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の第２の側部は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の方を向いてもよい。そのような配置は、回転ターゲットから放出されるターゲット材料原子の多くが、それぞれの隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ伝播し、そこに付着し、したがって無駄にされないという有益な効果をもたらす。さらに、プラズマは、基板の方に直接向けられず、隣接マグネトロンスパッタカソード間の領域に集中される。

図２（ｄ）および図２（ｅ）に詳細に描写されるように、第１の磁石アセンブリ１２０は、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極（例えば、図内では第１の網掛けタイプにより例証されるＳ極）を有する第１の磁石１２１、および半径方向外向きに向けられる第２の磁性磁極（例えば、図内では第２の網掛けタイプにより例証されるＮ極）を有する第２の磁石１２２を含み得る。第１の磁石１２１および第２の磁石１２２は、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックＰを生成するための第１の回転ターゲット１１０の内側の閉路に沿って、互いに隣接して延びる。

言い換えると、第１の磁石１２１および第２の磁石１２２の両方が、第１の回転ターゲット１１０内の上記閉路に沿って延び、第１の磁石１２１は、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有し、第２の磁石１２２は、上記閉路に沿って半径方向外向きに向けられる第２の磁性磁極を有する。第１の磁石１２１および第２の磁石１２２は、閉路に沿って互いに隣り合って、例えば、それらの間に本質的に一定の間隔を伴って延び、その結果として、本質的に均一のプラズマ閉じ込め領域が閉路に沿って提供される。

図２（ｅ）は、閉路の延長に垂直の切断面における第１の磁石アセンブリ１２０の断面図である。第１の磁石１２１のＳ極は、半径方向外向きに（すなわち、第１の回転ターゲット１１０の方へ）向けられ、第２の磁石１２２のＮ極は、これに隣接して、半径方向外向きに（すなわち、第１の回転ターゲット１１０の方へ）向けられ、その結果として、プラズマ閉じ込め領域（ここでは第２のプラズマ閉じ込め領域３２）が、第１の回転ターゲット１１０の表面上の結果として生じる磁力線によって生成される。

図２（ｂ）に詳細に描写されるように、閉路は、第１の回転軸Ａ１と平行にそれぞれ延びる２つの線形トラック区域を含み得る。上記線形トラック区域の各々に沿って、第１の磁石１２１および第２の磁石１２２は、第１の回転ターゲットの異なる側部に第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を提供するため、それぞれの径方向内へ外向きに向く。２つの線形トラック区域は、第１の回転ターゲットの表面の大部分のターゲット材料が、生成されたプラズマによってスパッタリングされるように、第１の回転ターゲット１１０の軸寸法の、６０％以上、特に７０％以上にわたって、軸方向に延びてもよい。閉路は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の２つの反対軸端において２つの線形トラック区域を接続する２つの湾曲トラックをさらに含み得る。

いくつかの実施形態において、第１の磁石アセンブリ１２０は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において第１の回転軸Ａ１と平行に延びる第１のプラズマ閉じ込め領域３１と、第１の側部とは異なる少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸Ａ１と平行に延びる第２のプラズマ閉じ込め領域３２と、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の軸端部分において第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続する第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３と、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の軸端部分において第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続する第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３４と、を含む閉プラズマレーストラックＰを提供するように構成される。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得る実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の軸方向（およびアレイの他のマグネトロンスパッタカソードの軸方向）は、本質的に垂直の方向であり得る。したがって、第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの上方端において第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を接続し得、第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３４は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの下方端において第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を接続し得る。前面図では、図２（ｂ）に描写されるように、第１の磁石アセンブリ１２０の閉路、およびしたがって、第１の磁石アセンブリによって提供される閉プラズマレーストラックＰは、アレイの長手方向Ｌにおいて互いから離間され、かつ回転ターゲットの２つの軸端において２つの曲線によって接続される、２つの直線を伴うレーストラックの形状を本質的に有し得る。

いくつかの実施形態において、第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３および第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３４は共に、アレイの前側に延びてもよい。具体的には、プラズマレーストラックは、堆積領域３０の方へ向けられる前側では、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの上方端、および少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの下方端の両方において閉じられ得る。プラズマレーストラックが第１の回転ターゲット１１０の２つの軸端部分において基板の方へ向けられることから、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの２つの軸端部分から基板へのスパッタ堆積速度は、第１の磁石アセンブリ１２０のそのような構成により増加され得る。いくつかの実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの軸端部分に対応する基板領域（例えば、上方および下方基板エッジ領域）への増加した堆積速度は、有益であり得る。

他の実施形態において、第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３および第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３４は共に、前側と反対のアレイの後側に延びてもよい。具体的には、プラズマレーストラックは、スパッタ堆積中基板から離れる方へ向けられる後側では、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの上方端、および少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの下方端の両方において閉じられ得る。マグネトロンスパッタカソードの２つの軸端部分に対応する基板領域へのスパッタ堆積速度は、第１の磁石アセンブリ１２０のそのような構成により減少され得る。いくつかの実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの軸端部分に対応する基板領域（例えば、上方および下方基板エッジ領域）への減少した堆積速度は、有益であり得る。

図１にさらに示されるように、アレイ２１０は、長手方向Ｌにアレイ２１０の第１の端において提供される第１の端カソード２０３、および／または長手方向Ｌにアレイ２１０の第２の端において提供される第２の端カソード２０４を含み得る。第１の端カソード２０３および／または第２の端カソード２０４は、アレイ２１０の端において真空堆積チャンバ２０１の壁の方への漂遊被覆を防ぐ、または低減するために、アレイの内側マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリとは異なる磁石アセンブリを含み得る。

特に、第１の端カソード２０３は、第１の端カソード２０３の単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを生成するために構成される第３の磁石アセンブリを含み得、特に、閉プラズマレーストラックは、アレイ２１０の残りのマグネトロンスパッタカソードの方を向く。実施形態において、第３の磁石アセンブリ２２３は、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有する第１の磁石、および、第１の磁石を取り囲む、半径方向外向きに向けられる第２の極性磁極を有する第２の磁石を含み得、閉プラズマレーストラックを生成する。図１の断面図において、第２の磁石は、中心に配置された第１の磁石の２つの反対側部に配置される。第３の磁石アセンブリ２２３は、隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ横方向に向けられるが堆積領域３０の方へは向けられないフロントスパッタ磁石アセンブリに対応し得る。

代替的または追加的に、第２の端カソード２０４は、第２の端カソード２０４の単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを生成するために構成される第４の磁石アセンブリ２２４を含み得、特に、閉プラズマレーストラックは、アレイ２１０の残りのマグネトロンスパッタカソードの方を向く。第４の磁石アセンブリ２２４は、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有する第１の磁石、および、第２の端カソードの単一側部において第１の磁石を取り囲む、半径方向外向きに向けられる第２の極性磁極を有する第２の磁石を含み得る。図１の断面図において、第２の磁石は、中心に配置された第１の磁石の２つの反対側部に配置される。第４の磁石アセンブリ２２４は、隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ横方向に向けられるが堆積領域３０の方へは向けられないフロントスパッタ磁石アセンブリに対応し得る。

いくつかの実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００のいくつかまたはすべての特徴を有する４つ、６つまたはそれ以上の複数のマグネトロンスパッタカソードが、第１の端カソード２０３と第２の端カソード２０４との間に配置される。特に、第１の端カソードと第２の端カソードとの間に配置されるマグネトロンスパッタカソードの各々は、それぞれのマグネトロンスパッタカソードの長手方向Ｌに２つの反対側部において軸方向に延びる２つのプラズマ閉じ込め領域を有する閉プラズマレーストラックを提供するように構成される磁石アセンブリを有し得る。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、第１のシールド２１が、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００と堆積領域３０との間に配置され、および／または第２のシールド２２が、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２と堆積領域３０との間に配置され、その結果として、堆積窓２０が第１のシールド２１と第２のシールド２２との間に配置される。堆積窓は、少なくとも１つのカソード１００と第２のマグネトロンスパッタカソード２０２との間に配置されるプラズマ閉じ込め領域から基板１０へのスパッタ堆積を可能にする。特に、アレイ２１０のマグネトロンスパッタカソードの各々は、マグネトロンスパッタカソードと堆積領域３０との間に配置されるそれぞれのシールドを有し得、その結果として、複数の堆積窓が、マグネトロンスパッタカソードの間の領域に対応する位置にそれぞれ提供される。

図３は、前面図において１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ４１０を伴うスパッタ堆積源を示す。アレイ４１０は、図２に示される少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００に従って構成される複数のマグネトロンスパッタカソード４１１を含む。各マグネトロンスパッタカソードは、それぞれのマグネトロンスパッタカソードの２つの反対側部においてそれぞれの軸方向に延びる閉プラズマレーストラックを生成するために構成される磁石アセンブリを含む。第１および第２のプラズマ閉じ込め領域は、それぞれの隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ向けられる。各カソードの軸端における２つの湾曲プラズマ閉じ込め領域は、アレイの同じ側部に、特に、堆積領域の方を向くアレイの前側（または代替的に、堆積領域に背を向けるアレイの後側）に、それぞれ配置される。図３に示されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ４１０は、荷電粒子により基板内へ入力される低減されたエネルギーで適度に高い堆積速度での基板への材料の堆積を可能にし、感応性基板表面への損傷のリスクを低減する。任意選択的に、本明細書において説明されるような１つまたは２つの端カソードが、アレイ４１０の２つの反対端に追加され得る（図３に示されない）。

図４（ａ）～（ｄ）は、本明細書において説明される実施形態のいずれかにおいて、図２に示される少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００と置き換わり得る、本明細書において説明される実施形態によるマグネトロンスパッタカソード１００’の概略図である。図４（ａ）は、第１の側部図であり、図４（ｂ）は、前面図であり、図４（ｃ）は、第２の側部図であり、図４（ｄ）は、マグネトロンスパッタカソード１００’の中心区域の断面図である。マグネトロンスパッタカソード１００’は、上に説明される少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００と同様であり、そのため、上の説明が参照され得、ここでは繰り返されない。違いのみが説明される。

マグネトロンスパッタカソード１００’は、第１の回転軸Ａ１の周りを回転可能な第１の回転ターゲット１１０、および第１の回転ターゲット１１０内に配置される第１の磁石アセンブリ１２０’を含む。第１の磁石アセンブリ１２０’は、半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極（例えば、Ｓ極）を有する第１の磁石１２１、および半径方向外向きに向けられる第２の磁性磁極（例えば、Ｎ極）を有する第２の磁石１２２を含む。第１の磁石１２１および第２の磁石１２２は、第１のプラズマ閉じ込め領域３１がマグネトロンスパッタカソード１００’の第１の側部において第１の回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域３２が第１の側部（例えば、反対側）とは異なるマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸Ａ１と平行に延びた状態で、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックＰ’を生成するための閉路に沿って互いに隣接して延びる。

第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３は、マグネトロンスパッタカソードの第１の軸端部分において第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を接続し、第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３５は、マグネトロンスパッタカソードの第２の軸端部分において第１のプラズマ閉じ込め領域３１および第２のプラズマ閉じ込め領域３２を接続する。図２の少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００とは異なり、第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３は、アレイの前側（または代替的に、アレイの後側）に延びてもよく、第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３５は、アレイの後側（または代替的に、アレイの前側）に延びてもよい。したがって、閉プラズマレーストラックＰ’は、マグネトロンスパッタカソードの軸端のうちの一方において堆積領域３０の方に向けられ、マグネトロンスパッタカソードの他方の軸端において堆積領域３０に背を向ける。例えば、第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域３３は、アレイの前側においてマグネトロンスパッタカソードの上端で第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続し得、第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域３５は、アレイの後側においてマグネトロンスパッタカソードの下方端で第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続し得るか、またはその逆である。

具体的には、閉プラズマレーストラックＰ’は、マグネトロンスパッタカソード１００’の反対側部において「転向」し得る。閉プラズマレーストラックが転向するマグネトロンスパッタカソードの側部は、図５に概略的に描写されるように、アレイの２つの隣接マグネトロンスパッタカソードでは異なり得る。特に、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの閉プラズマレーストラックは、アレイの前側に延びる上方軸端部分における第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域、およびアレイの後側に延びる下方軸端部分における第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域を含み得る一方、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードに隣接する第２のマグネトロンスパッタカソードの閉プラズマレーストラックは、アレイの後側に延びる上方軸端部分における第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域、およびアレイの前側に延びる下方軸端部分における第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域を含み得る。任意選択的に、少なくとも１つのスパッタカソードおよび第２のスパッタカソードに従って構成されるさらなるマグネトロンスパッタカソードが、図５に概略的に描写されるように、交互配置で互いに隣り合って配置され得る。

図５は、前面図において１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ４２０を伴うスパッタ堆積源を示す。アレイ４２０は、図４に示されるマグネトロンスパッタカソード１００’に従って構成される複数のマグネトロンスパッタカソードを含み、アレイの隣接マグネトロンスパッタカソードは、マグネトロンスパッタカソードの交互アレイが提供されるように、逆さに配置された磁石アセンブリ（すなわち、隣接マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリは、回転軸の周りを互いに対して１８０°回転される）を有する。すべての第２のマグネトロンスパッタカソード４２１は、アレイの前側に延びる第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（上方カソード端に配置される）、およびアレイの後側に延びる第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（下方カソード端に配置される）を有する。それらの間にそれぞれ配置されるマグネトロンスパッタカソード４２２は、アレイの後側に延びる第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（上方カソード端に配置される）、およびアレイの前側に延びる第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（下方カソード端に配置される）を有する。マグネトロンスパッタカソードのそのような交互配置は、上方湾曲プラズマ閉じ込め領域と下方湾曲プラズマ閉じ込め領域との違いによって引き起こされる潜在的な不均一性が補償されることから、より均一な上方および下方端部分を有するスパッタ堆積層を提供し得る。

上に説明されるように、本明細書において説明されるような端カソード（図５には示されない）は、任意選択的に、アレイ４２０の一方または両方の端に配置され得る。

図６Ａおよび図６Ｂは、本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源の概略断面図である。図６Ａのスパッタ堆積源５１０において、２つの隣接マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリは、互いに対して「非対称的に」配置される。図６Ｂのスパッタ堆積源５２０において、２つの隣接マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリは、互いに対して「対称的に」配置される。

まず図６Ａを参照すると、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード５１１の第１の磁石アセンブリの第１および第２の磁石は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード５１１に隣接して配置される第２のマグネトロンスパッタカソード５１２の第２の磁石アセンブリの第１および第２の磁石の方を向き、第２の磁石アセンブリの第１および第２の磁石に対して非対称的に配置される。「非対称的に配置される」とは、第１の磁石アセンブリの第１の磁石の第１の極性磁極が隣接マグネトロンスパッタカソードの第２の磁石アセンブリの第１の磁石の第２の磁性磁極の方へ向けられること、および第１の磁石アセンブリの第２の磁石の第２の磁性磁極が隣接マグネトロンスパッタカソードの第２の磁石アセンブリの第２の磁石の第１の極性磁極の方へ向けられることと理解され得る。隣接マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリの反対極が互いの方へ向けられる場合、より大きいプラズマ閉じ込め領域が、マグネトロンスパッタカソード間に生成され、またはさらには１つの連続したプラズマ閉じ込め領域が隣接マグネトロンスパッタカソード間に延びる。これは、基板から離れる方への荷電粒子発散を支援する磁気レンズ効果を結果としてもたらし、感応性基板へのスパッタ堆積に有益であり得る。

アレイの隣接マグネトロンスパッタカソードのいくつかの対は、図６Ａに概略的に描写されるように、互いに対して非対称的に配置される磁石アセンブリを有し得る。

これより図６Ｂを参照すると、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード５２１の第１の磁石アセンブリの第１および第２の磁石は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード５２１に隣接して配置される第２のマグネトロンスパッタカソード５２２の第２の磁石アセンブリの第１および第２の磁石の方を向き、第２の磁石アセンブリの第１および第２の磁石に対して対称的に配置される。「対称的に配置される」とは、第１の磁石アセンブリの第１の磁石の第１の極性磁極が隣接マグネトロンスパッタカソードの第２の磁石アセンブリの第１の磁石の第１の磁性磁極の方へ向けられること、および第１の磁石アセンブリの第２の磁石の第２の磁性磁極が隣接マグネトロンスパッタカソードの第２の磁石アセンブリの第２の磁石の第２の極性磁極の方へ向けられることと理解され得る。隣接マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリの同じ極が互いの方へ向けられる場合、より小さいプラズマ閉じ込め領域が隣接マグネトロンスパッタカソード間に生成され、これは、スパッタ堆積速度を減少させること、および／または基板内へ入力されるエネルギーをさらに減少させることに有用であり得る。

アレイの隣接マグネトロンスパッタカソードのいくつかの対は、図６Ｂに概略的に描写されるように、互いに対して対称的に配置される磁石アセンブリをそれぞれ有し得る。

図７は、スパッタ堆積源６００の両側における２つの基板の同時または後続被覆を可能にする両面スパッタシステムにおける使用のために構成される、本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源６００の概略断面図である。スパッタ堆積源６００は、本明細書において説明される実施形態のいずれかに従って構成され得る。

スパッタ堆積源６００は、真空堆積チャンバ２０１内に配置される。基板１０を被覆するための堆積領域３０は、スパッタ堆積源６００の前側に配置され、第２の基板１１を被覆するための第２の堆積領域６３０は、第１の側部と反対のスパッタ堆積源６００の後側に配置される。基板輸送トラックは、２つの堆積領域の各々を通って延び得る。

少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００、またはマグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０のいくつかのマグネトロンスパッタカソードは、本明細書において説明されるような閉「両面シングルレーストラック」を生成するために構成される磁石アセンブリを含む。少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の「両面シングルレーストラック」は、第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ向けられる第１のプラズマ閉じ込め領域３１、および第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方へ向けられる第２のプラズマ閉じ込め領域３２を含む。したがって、プラズマ粒子により回転ターゲットから放出されるターゲット材料原子は、基板１０が配置される堆積領域３０の方、および第２の基板１１が配置される第２の堆積領域６３０の方の両方に伝播し得る。低減したターゲット材料原子の量が真空堆積チャンバ２０１の壁または他の材料シールドに蓄積することから、材料利用率は、さらに増加され得る。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、少なくとも１つの磁気レンズ２５が、スパッタ堆積源と堆積領域との間の領域に提供され得る。少なくとも１つの磁気レンズ２５は、荷電粒子（プラズマの電子またはイオンなど）を基板から離れる方へそらすように構成され得、これが、基板へのスパッタ堆積をさらにソフトにし得る。いくつかの実施形態において、複数の磁気レンズが提供され得、例えば、マグネトロンスパッタカソードと堆積領域との間に配置されるシールドの間にそれぞれ提供され得る堆積窓２０の領域に作用する。

図８は、本明細書において説明される実施形態によるスパッタ堆積源７０１の概略断面図であり、スパッタ堆積源７０１は、基板１０がスパッタ堆積中、下流方向Ｄにスパッタ堆積源７０１を過ぎて、特に、連続線形運動で、輸送される、インライン堆積システム７００における使用のために構成される。

スパッタ堆積源７０１は、長手方向Ｌに延びる１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイ２１０を含む。アレイ２１０は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の側部および第２の側部において延びる閉プラズマレーストラックを生成するために構成される第１の磁石アセンブリ１２０を含む、本明細書において説明されるような少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００を含む。少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、第１の回転軸Ａ１に対して、第１の角度ａ１を囲む２つの異なる方向に向く。第１の角度ａ１は、１６０°以上、特に、約１８０°であり得る。特に、第１の側部および第２の側部は、プラズマからのエネルギー性粒子との基板の衝突がスパッタ堆積中にかなり減少されるように、長手方向Ｌに２つの隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く。任意選択的に、アレイの長手方向Ｌに向けられる磁石アセンブリを伴ういくつかのマグネトロンスパッタカソードが、図８に概略的に描写されるように、アレイ２１０の初期区域に提供され得る。したがって、感応性基板層へのスパッタ堆積の悪影響が低減され得る。

初期スパッタ堆積層が、アレイ２１０の初期区域に配置されるマグネトロンスパッタカソードによって感応性基板上に形成されると、後続カソードの磁石アセンブリの磁石は、初期スパッタ堆積層が、スパッタ堆積層の後で堆積される部分のための保護膜として作用し得ることから、基板の方へさらに傾斜され得る。基板の方への磁石アセンブリの傾斜は、スパッタ堆積速度だけでなく、エネルギー性かつおそらくは有害なプラズマ粒子との基板の衝突も増加させる。

第２のマグネトロンスパッタカソード２０２は、下流方向Ｄに少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００に隣接して配置され得る。第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の閉プラズマレーストラックの第１の側部および第２の側部は、第１の角度ａ１よりも小さい第２の角度ａ２を囲み得る。具体的には、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の第２の磁石アセンブリの磁石は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の第１の磁石アセンブリの磁石と比較して、基板の方へ傾斜され得る。例えば、第２の角度ａ２は、１８０°よりも小さく、例えば、１２０°～１５０°である。第２のマグネトロンスパッタカソード２０２は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００と比較して、増加した堆積速度、および基板への増加した粒子衝突をもたらし、これは、保護として作用する初期スパッタ膜が基板の感応性層の上にすでに堆積されていることから、許容可能であり得る。任意選択的に、第１側部と第２の側部との間に第２の角度ａ２を有するいくつかの第２のマグネトロンスパッタカソード２０２が、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード１００の下流に互いに隣り合って配置され得る。

任意選択的に、第３のマグネトロンスパッタカソード３０１は、下流方向Ｄに第２のスパッタカソード２０２の下流に配置され得る。第３のマグネトロンスパッタカソード３０１の閉プラズマレーストラックの第１の側部および第２の側部は、第１および第２の角度ａ１およびａ２よりも小さい第３の角度ａ３を囲み得る。具体的には、第３のマグネトロンスパッタカソード３０１の第３の磁石アセンブリの磁石は、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の第２の磁石アセンブリの磁石と比較して、基板の方へさらに傾斜され得る。例えば、第３の角度ａ３は、１２０°よりも小さく、例えば、７０°～１１０°であり得る。第３のマグネトロンスパッタカソード３０１は、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２と比較して、増加した堆積速度、および基板への増加した粒子衝突をもたらし、これは、スパッタ膜がアレイの以前のマグネトロンスパッタカソードにより基板の感応性層の上にすでに堆積されていることから、許容可能であり得る。任意選択的に、第１側部と第２の側部との間に第３の角度ａ３を有するいくつかの第３のマグネトロンスパッタカソード３０１が、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の下流に互いに隣り合って配置され得る。

任意選択的に、磁石が基板の方へさらに傾斜される磁石アセンブリを有するさらなるマグネトロンスパッタカソード、例えば、第１の側部と第２の側部との間に第４の角度ａ４（第３の角度ａ３よりも小さい）を囲む少なくとも１つの第４のマグネトロンスパッタカソード３０２、および第１の側部と第２の側部との間に第５の角度ａ５（第４の角度ａ４よりも小さい）を囲む少なくとも１つの第５のマグネトロンスパッタカソード３０３が、第３のマグネトロンスパッタカソード３０１の下流に提供され得る。スパッタ堆積速度は、スパッタ堆積層がアレイの初期区域の下流の位置において感応性基板層のための保護として作用するため、下流方向Ｄにおいて段階的に増加され得る。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、アレイ２１０は、第２のマグネトロンスパッタカソード２０２の下流（および、任意選択の第３、第４、および第５のマグネトロンスパッタカソードの下流）に配置される少なくとも１つのフロントスパッタカソード３０４をさらに含む。フロントスパッタカソード３０４は、堆積領域３０の方を向くフロントスパッタカソードの単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを提供するように構成されるフロントスパッタ磁石アセンブリ３１０を含む。いくつかのフロントスパッタカソードは、例えば、フロントスパッタカソード３０４およびフロントスパッタカソード３０５は、下流方向にアレイ２１０の最終区域に配置され得る。フロントスパッタカソード３０４は、保護層が感応性基板層の上にすでに形成されていることから許容可能であり得る高堆積速度をもたらす。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリは、第１の側部と第２の側部との間の角度を調節するために移動可能であり得る。特に、磁石アセンブリの線形トラック区域の間の第１の角度ａ１は、例えばアクチュエータを用いて、特に、５０°～１８０°の範囲に調節され得る。これは、被覆されるべき基板の感応性への、基板上に堆積されるべき堆積材料への、および／またはスパッタ堆積プロセスへのマグネトロンスパッタカソードの適応を可能にする。他の実施形態において、回転ターゲットの内側の磁石アセンブリの位置および配置は、固定され得る。

いくつかの実施形態において、第１のシールド２１および第２のシールド２２を含む複数のシールドが、アレイ２１０と堆積領域３０との間に位置付けられ、２つの隣接シールド間に提供される堆積窓２０は、下流方向Ｄに次第により大きくなる。具体的には、隣接シールド間の距離は、関連したマグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリのそれぞれの傾斜角度に適応される。シールドは、フロントスパッタカソードと堆積領域３０との間には配置されなくてもよい。

本明細書において説明される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、２つの隣接シールドの間の堆積窓２０の幅および／または形状は、調節され得る。故に、堆積窓２０は、関連したマグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリの傾斜角度へと調節され得る。これは、様々な感応性レベルを有する基板へのスパッタ堆積源の適応を可能にする。

図９は、本明細書において説明される実施形態による、基板上に材料を堆積させる方法を例証するフロー図である。

ボックス９１０において、材料は、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転ターゲット内に配置される第１の磁石アセンブリを有する少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードからスパッタリングされる。第１の磁石アセンブリは、第１のプラズマ閉じ込め領域が第１のマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において第１の回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域が第１の側部とは異なる第１のマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において第１の回転軸と平行に延びた状態で、第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックＰを提供する。少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードは、任意選択的に、１列に配置されるマグネトロンスパッタカソードのアレイの内側マグネトロンスパッタカソードであり得る。

第１の側部および第２の側部は、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの２つの反対側部であり得、第１の側部は、第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向き、第２の側部は、アレイの第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く。

ボックス９２０において、基板は、材料で基板を被覆するため、連続的な線形運動においてスパッタ堆積源を過ぎて移動される。例えば、基板は、基板が下流方向Ｄにスパッタ堆積源を過ぎて移動されるインライン堆積システムにおいて被覆され得る。スパッタ堆積源は、下流方向Ｄに互いに隣り合って配置されるいくつかのマグネトロンスパッタカソードを有し得る。少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、第１の回転軸に対して、第１の角度ａ１を囲む２つの異なる方向を向き得る。例えば、第１の角度は、約１８０°であり得る。

任意選択的に、第２のマグネトロンスパッタカソードが、少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードに対して下流位置に配置され得る。第２のマグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、第２のマグネトロンスパッタカソードの第２の回転軸に対して、第１の角度よりも小さい第２の角度ａ２を囲む２つの異なる方向を向き得る。

任意選択的に、第３のマグネトロンスパッタカソードが、第２のマグネトロンスパッタカソードに対して下流位置に配置され得る。第３のマグネトロンスパッタカソードの第１の側部および第２の側部は、第３のマグネトロンスパッタカソードの第３の回転軸に対して、第１および第２の角度よりも小さい第３の角度を囲む２つの異なる方向を向き得る。

任意選択的に、フロントスパッタカソードが、第２の（および任意選択的に第３の）マグネトロンスパッタカソードに対して下流位置に配置され得る。フロントスパッタカソードは、堆積領域の方を向くフロントスパッタカソードの単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを提供するように構成される。

代替的なプロセスにおいて、基板は、堆積領域内を往復様式で、例えば、２つの転向位置の間で、特に、揺動またはスイーピング運動において、移動され得る。そのようなスパッタ堆積システムにおいて、本明細書において説明される少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードに従って構成される複数のマグネトロンスパッタカソードは、互いに隣り合って、および特に２つの端カソードの間に、配置され得る。第１および第２のプラズマ閉じ込め領域は、基板への「ソフト」スパッタ堆積を獲得するために、図１に示されるように、２つの隣接マグネトロンスパッタカソードの間にそれぞれ配置され得る。

いくつかの実施形態において、基板上に堆積される材料は、透明な導電性酸化膜を形成する。例えば、基板上に堆積される材料は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、およびＩＧＺＯのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態において、材料は、Ａｇなどの金属を含む。

基板は、本明細書において説明されるスパッタ堆積源を用いて被覆されることになる、特に有機またはＯＬＥＤ材料を含む感応性層またはパターンを含み得る。

スパッタ堆積源は、ＤＣスパッタリングのために構成され得る。いくつかの実施形態において、スパッタ堆積源は、パルス式ＤＣスパッタリングのために構成され得る。

実施形態において、スパッタ堆積源は、透明な導電性酸化膜のスパッタリングのために構成され得る。本システムは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、またはＭｏＮのような材料の堆積のために構成され得る。実施形態において、本システムは、銀、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、アルミニウム、インジウム、インジウムスズ（ＩｎＳｎ）、インジウム亜鉛（ＩｎＺｎ）、ガリウム、ガリウム亜鉛（ＧａＺｎ）、ニオブ、アルカリ金属（ＬｉまたはＮａなど）、アルカリ土類金属（ＭｇまたはＣａなど）、イットリウム、ランタン、ランタニド（Ｃｅ、Ｎｄ、またはＤｙなど）、およびそれらの材料の合金などの金属材料の堆積のために構成され得る。実施形態において、本システムは、ＡｌＯ_ｘ、ＮｂＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＷＯ_ｘ、ＺｒＯ_ｘなどの金属酸化物材料の堆積のために構成され得る。スパッタ堆積源は、電極、特に、ディスプレイ、特にＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ、およびタッチスクリーン内の透明電極の堆積のために構成され得る。より具体的には、本システムは、上面発光型ＯＬＥＤのための上部接点の堆積のために構成され得る。実施形態において、本システムは、電極、特に、薄膜太陽電池、光ダイオード、およびスマートまたは切り替え可能グラス内の透明電極の堆積のために構成され得る。本システムは、電荷生成層として使用される透明誘電体をスパッタリングするために構成され得る。本システムは、モリブデン酸化物（ＭｏＯ）、または酸化バナジウム（ＶＯ）もしくは酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）もしくは酸化ランタン（ＬａＯ）のような遷移金属酸化物のような材料の堆積のために構成され得る。本システムは、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸化ニオブ（ＮｂＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、または酸化タンタル（ＴａＯ）のような光増強層のために使用される透明誘電体をスパッタリングするために構成され得る。

実施形態において、回転ターゲットのターゲット材料は、銀、アルミニウム、ケイ素、タンタル、モリブデン、ニオブ、チタン、および銅からなる群から選択され得る。特に、ターゲット材料は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、銀、ＩＧＺＯ、アルミニウム、ケイ素、ＮｂＯ、チタン、ジルコニウム、およびタングステンからなる群から選択され得る。スパッタ堆積源は、反応性スパッタプロセスにより材料を堆積させるために構成され得る。反応性スパッタプロセスにおいては、典型的には、ターゲット材料の酸化物が堆積される。しかしながら、窒化物または酸窒化物も同様に堆積され得る。

本明細書において説明される実施形態は、Ｄｉｓｐｌａｙ ＰＶＤ、すなわち、ディスプレイ市場のための大面積基板へのスパッタ堆積のために利用され得る。いくつかの実施形態によると、大面積基板、または複数の基板を有するそれぞれのキャリアは、少なくとも０．６７ｍ^２のサイズを有し得る。典型的には、サイズは、約０．６７ｍ^２（０．７３ｍ×０．９２ｍ－Ｇｅｎ４．５）～約８ｍ^２、より典型的には、約２ｍ^２～約９ｍ^２、またはさらには最大１２ｍ^２であり得る。典型的には、本明細書において説明される実施形態による、構造体、装置、例えば、カソードアセンブリ、および方法が提供される、基板またはキャリアは、本明細書において説明されるような大面積基板である。

閉プラズマレーストラックが隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向くという特徴は、「ソフト」スパッタ堆積が達成されるという利点をもたらす。例えば、高エネルギー粒子との基板の衝突が低減される。基板の、特に、基板上のＯＬＥＤ被覆の損傷は、軽減され得る。これは、感応性基板または層への堆積、より具体的には、感応性被覆を有する基板への堆積に関して特に有利である。本明細書において説明される磁石アセンブリによって生成される「両面シングルレーストラック」の特徴は、高エネルギー粒子との基板の衝突を低減し、同時に、真空チャンバ壁および他の材料シールドに付着するターゲット材料原子の部分が低減され得ることから、材料利用率を増加させる。

上記は、いくつかの実施形態を対象としているが、他の実施形態およびさらなる実施形態が、本開示の基本範囲から逸脱することなく考案され得る。範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (20)

1. マグネトロンスパッタカソードのアレイ（２１０）を備えるスパッタ堆積源（２００）であって、前記アレイ（２１０）が、前記アレイ（２１０）の前側における堆積領域（３０）内の基板（１０）を被覆するために１列に配列され、前記アレイ（２１０）の少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）は、
   第１の回転軸（Ａ１）の周りを回転可能な第１の回転ターゲット（１１０）と、
   前記第１の回転ターゲット（１１０）内に配置され、前記第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラック（Ｐ）を提供するように構成される、第１の磁石アセンブリ（１２０）であって、前記閉プラズマレーストラック（Ｐ）は、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の第１の側部および第２の側部において前記第１の回転軸（Ａ１）に沿って延びる、第１の磁石アセンブリ（１２０）と
   を備える、
   スパッタ堆積源（２００）。
2. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の前記第１の側部および前記第２の側部は、前記第１の回転軸（Ａ１）に対して、３０°以上、特に９０°以上、さらに特に１３５°以上、または約１８０°であってもよい第１の角度（ａ１）を囲む２つの異なる方向に向く、請求項１に記載のスパッタ堆積源。
3. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の前記第１の側部および前記第２の側部は、前記アレイ（２１０）の長手方向（Ｌ）に向く２つの反対側部である、請求項１または２に記載のスパッタ堆積源。
4. 前記第１の磁石アセンブリ（１２０）は、
   半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有する第１の磁石（１２１）と、
   半径方向外向きに向けられる第２の極性磁極を有する第２の磁石（１２２）と
   を備え、
   前記第１の磁石（１２１）および前記第２の磁石（１２２）は、前記第１の回転ターゲットの前記表面上に前記閉プラズマレーストラック（Ｐ）を生成するための閉路に沿って、互いに隣接して延びる、請求項１から３のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
5. 前記閉プラズマレーストラック（Ｐ）は、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの前記第１の側部において前記第１の回転軸（Ａ１）と平行に延びる第１のプラズマ閉じ込め領域（３１）と、前記第１の側部とは異なる前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの前記第２の側部において前記第１の回転軸（Ａ１）と平行に延びる第２のプラズマ閉じ込め領域（３２）と、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の軸端部分において前記第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続する第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３３）と、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の軸端部分において前記第１および第２のプラズマ閉じ込め領域を接続する第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３４、３５）とを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
6. 前記第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３３）は、前記アレイの前記前側に延び、前記第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３５）は、前記アレイの後側に延び、またはその逆である、請求項５に記載のスパッタ堆積源。
7. 前記第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３３）および前記第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３４）は共に、前記アレイの前記前側に延び、または
   前記第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３３）および前記第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域（３４）は共に、前記前側と反対の前記アレイの後側に延びる、請求項５に記載のスパッタ堆積源。
8. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）に隣接して配置される前記アレイ（２１０）の第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）は、
   第２の回転軸（Ａ２）の周りを回転可能な第２の回転ターゲットと、
   前記第２の回転ターゲット内に配置され、前記第２の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラックを提供するように構成される、第２の磁石アセンブリ（２２２）であって、前記閉プラズマレーストラックは、前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）の第１の側部および第２の側部において前記第２の回転軸（Ａ２）に沿って延びる、第２の磁石アセンブリ（２２２）と
   を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
9. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の前記第１の側部は、前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）の方を向き、前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）の前記第２の側部は、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の方を向く、請求項８に記載のスパッタ堆積源。
10. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの前記閉プラズマレーストラックは、前記アレイの前記前側に延びる上方軸端部分における第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域、および前記アレイの後側に延びる下方軸端部分における第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域を備え、
    前記第２のマグネトロンスパッタカソードの前記閉プラズマレーストラックは、前記アレイの前記後側に延びる上方軸端部分における第１の湾曲プラズマ閉じ込め領域、および前記アレイの前記前側に延びる下方軸端部分における第２の湾曲プラズマ閉じ込め領域を備え、
    前記アレイは、任意選択的に、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードおよび前記第２のマグネトロンスパッタカソードに対応するさらなるマグネトロンスパッタカソードを交互配置で備える、請求項８または９に記載のスパッタ堆積源。
11. インライン堆積システムのために構成され、
    前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）の前記第１の側部および前記第２の側部は、前記第１の回転軸（Ａ１）に対して、第１の角度（ａ１）を囲む２つの異なる方向に向き、
    前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）の前記第１の側部および前記第２の側部は、前記第２の回転軸（Ａ２）に対して、前記第１の角度（ａ１）よりも小さい第２の角度（ａ２）を囲む２つの異なる方向に向く、請求項８から１０のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
12. 前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）は、前記インライン堆積システムの下流方向（Ｄ）に前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）に隣接して配置され、前記アレイは、前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）から前記下流方向（Ｄ）に配置される少なくとも１つのフロントスパッタカソード（３０４）であって、
    前記堆積領域（３０）の方を向く前記フロントスパッタカソードの単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを提供するように構成されるフロントスパッタ磁石アセンブリ（３１０）
    を備える、少なくとも１つのフロントスパッタカソード（３０４）をさらに備える、請求項１１に記載のスパッタ堆積源。
13. 前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソード（１００）と前記堆積領域（３０）との間に位置付けられる第１のシールド（２１）、および前記第２のマグネトロンスパッタカソード（２０２）と前記堆積領域（３０）との間に位置付けられる第２のシールド（２２）をさらに備え、それにより、堆積窓が前記第１のシールドと前記第２のシールドとの間に配置される、請求項８から１２のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
14. 前記アレイの２つの隣接するマグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリは、互いに対して非対称的に配置される、
    請求項１から１３のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
15. 前記アレイ（２１０）は、
    前記アレイ（２１０）の第１の端に提供される第１の端カソード（２０３）であって、前記第１の端カソード（２０３）の単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを生成するための第３の磁石アセンブリ（２２３）を備える、第１の端カソード（２０３）
    をさらに備え、前記アレイは、任意選択的に、
    前記アレイ（２１０）の第２の端に提供される第２の端カソード（２０４）であって、前記第２の端カソード（２０４）の単一側部において延びる閉プラズマレーストラックを生成するための第４の磁石アセンブリ（２２４）を備える、第２の端カソード（２０４）
    をさらに備える、請求項１から１４のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
16. マグネトロンスパッタカソードであって、
    回転軸の周りを回転可能である回転ターゲットと、
    前記回転ターゲット内に配置される磁石アセンブリとを備え、前記磁石アセンブリは、
    半径方向外向きに向けられる第１の極性磁極を有する第１の磁石、および
    半径方向外向きに向けられる第２の極性磁極を有する第２の磁石
    を備え、
    前記第１の磁石および前記第２の磁石は、第１のプラズマ閉じ込め領域（３１）が前記マグネトロンスパッタカソードの第１の側部において前記回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域（３２）が前記第１の側部とは異なる前記マグネトロンスパッタカソードの第２の側部において前記回転軸と平行に延びた状態で、前記回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラック（Ｐ）を生成するための閉路に沿って互いに隣接して延びる、
    マグネトロンスパッタカソード。
17. 基板上に材料を堆積させる方法であって、
    第１の回転軸（Ａ１）の周りを回転する第１の回転ターゲット内に配置される第１の磁石アセンブリを有する少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードから前記材料をスパッタリングすること
    を含み、
    前記第１の磁石アセンブリは、第１のプラズマ閉じ込め領域（３１）が前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第１の側部において前記第１の回転軸と平行に延び、第２のプラズマ閉じ込め領域（３２）が前記第１の側部とは異なる前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの第２の側部において前記第１の回転軸と平行に延びた状態で、前記第１の回転ターゲットの表面上に閉プラズマレーストラック（Ｐ）を提供する、
    方法。
18. 前記第１の側部および前記第２の側部は、前記少なくとも１つのマグネトロンスパッタカソードの２つの反対側部であり、前記第１の側部は、第１の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向き、前記第２の側部は、第２の隣接マグネトロンスパッタカソードの方を向く、請求項１７に記載の方法。
19. 前記基板上に堆積される前記材料は、透明な導電性酸化膜を形成する、請求項１７または１８に記載の方法。
20. 前記基板上に堆積される前記材料は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、およびＡｇのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。

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