JP2024514670A - 高温シャワーヘッドの製造 - Google Patents
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Abstract
例示的な半導体処理チャンバシャワーヘッドは、内側コア領域を含む。内側コア領域は複数の開孔を画定し得る。シャワーヘッドは、内側コア領域の外周に配置された外側コア領域を含み得る。外側コア領域は環状チャネルを画定し得る。シャワーヘッドは、環状チャネル内に配置された加熱素子を含み得る。シャワーヘッドは、外側コア領域の外周に配置された環状ライナを含み得る。内側コア領域および外側コア領域はアルミニウム合金を含み得る。環状ライナは、アルミニウム合金よりも低い熱伝導率を有していてもよい。【選択図】図4
Description
関連出願への相互参照
本出願は、2021年4月20日に出願された「高温シャワーヘッドの製造」という表題の米国非仮出願第17/235,258号の優先権の利益を主張するものであり、その内容は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、2021年4月20日に出願された「高温シャワーヘッドの製造」という表題の米国非仮出願第17/235,258号の優先権の利益を主張するものであり、その内容は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本技術は、半導体製造用の構成要素および装置に関する。より詳細には、本技術は、処理チャンバ分配構成要素および他の半導体処理装置に関する。
集積回路は、基板表面に複雑なパターンの材料層を作り出す処理によって可能になる。基板上にパターン化された材料を作り出すには、材料の形成および除去のための制御された方法が必要である。チャンバ部品は、多くの場合、膜の堆積や材料の除去のために基板に処理ガスを供給する。対称性と均一性を促進するために、多くのチャンバ部品は、均一性を高めることができる方法で材料を提供するための開孔などの規則的なパターンの特徴を含み得る。ただし、これにより、オンウエハ調整のためのレシピを調整する能力が制限される可能性がある。
したがって、高品質のデバイスおよび構造を作り出すために使用できる改良されたシステムおよび方法が必要である。これらおよびその他のニーズが本技術によって対処される。
例示的な半導体処理チャンバシャワーヘッドは、内側コア領域を含む。内側コア領域は複数の開孔を画定し得る。シャワーヘッドは、内側コア領域の外周に配置された外側コア領域を含んでいてもよい。外側コア領域は環状チャネルを画定し得る。シャワーヘッドは、環状チャネル内に配置された加熱素子を含んでいてもよい。シャワーヘッドは、外側コア領域の外周に配置された環状ライナを含んでもよい。内側コア領域および外側コア領域はアルミニウム合金を含んでいてもよい。環状ライナは、アルミニウム合金よりも低い熱伝導率を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、環状ライナの熱伝導率は、アルミニウム合金の熱伝導率の約20%未満であってもよい。環状ライナの熱膨張係数は、アルミニウム合金の熱膨張係数の約50%以内であってもよい。環状ライナは、ステンレス鋼およびチタンのうちの一方または両方を含んでいてもよい。環状ライナと外側コア領域とは、固相接合技術を使用して接合されてもよい。アルミニウム合金は、ほぼ均質な微細構造を有していてもよい。シャワーヘッドは、外側コア領域と環状ライナとの間に配置された中間材料を含んでいてもよい。中間材料は、アルミニウム合金の熱膨張係数と環状ライナの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有していてもよい。
本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法を包含し得る。本方法は、溶融アルミニウム合金組成物を形成することを含み得る。本方法は、固体アルミニウム合金粒子を形成するために、溶融アルミニウム合金組成物を少なくとも103K/秒の速度で冷却することを含んでいてもよい。本方法は、固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドを形成することを含んでいてもよい。本方法は、アルミニウムまたは酸化アルミニウムのうちの一方でシャワーヘッドをコーティングすることを含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、シャワーヘッドをコーティングすることは、シャワーヘッド上にアルミニウムを電気メッキすることを含んでもよい。シャワーヘッドをコーティングすることは、原子層堆積によってシャワーヘッド上に酸化アルミニウムを塗布することを含んでもよい。シャワーヘッドを形成することは、固体アルミニウム合金粒子を圧縮することを含んでもよい。シャワーヘッドを形成することは、圧縮された固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドブランクを形成することを含んでもよい。シャワーヘッドを形成することは、シャワーヘッドブランクを機械加工してシャワーヘッドを形成することを含んでもよい。シャワーヘッドを形成することは、シャワーヘッドブランクを形成する前に、圧縮された固体アルミニウム合金粒子を鍛造するまたは押し出し加工することを含んでもよい。シャワーヘッドのアルミニウム合金部分は、約10マイクロオームcm未満の電気抵抗を有してもよい。シャワーヘッドのアルミニウム合金部分は、少なくとも約100W/m・Kの熱伝導率を有していてもよい。溶融アルミニウム合金組成物を冷却することは、瞬間冷凍、急冷、および粉末噴霧を含む群から選択された1つ以上を含んでいてもよい。
本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法を包含し得る。本方法は、溶融アルミニウム合金組成物を形成することを含んでもよい。本方法は、固体アルミニウム合金粒子を形成するために、溶融アルミニウム合金組成物を少なくとも103K/秒の速度で冷却することを含んでもよい。本方法は、固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドのコア領域を形成することを含んでもよい。本方法は、アルミニウムまたは酸化アルミニウムのうちの一方でシャワーヘッドのコア領域をコーティングすることを含んでもよい。本方法は、シャワーヘッドのコア領域の周縁部を環状ライナで接合することを含んでもよい。環状ライナは、シャワーヘッドのコア領域よりも低い熱伝導率を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、シャワーヘッドのコア領域は、内側コア領域と、内側コア領域の外周に配置された外側コア領域とを含んでもよい。内側コア領域は複数の開孔を画定し得る。外側コア領域は、加熱素子を受け入れるチャネルを画定し得る。本方法は、摩擦撹拌溶接または電子ビーム溶接のうちの一方または両方を使用して、内側コア領域と外側コア領域を結合することを含んでもよい。シャワーヘッドのコア領域の周縁部を環状ライナと接合することは、固相接合技術を使用することを含んでもよい。シャワーヘッドのコア領域の周縁部を環状ライナと接合することは、コア領域の周縁部と環状ライナとの間に中間材料を結合することを含んでもよい。中間材料は、コア領域の熱膨張係数と環状ライナの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有していてもよい。
このような技術は、従来のシステムおよび技術に比べて多くの利点を提供し得る。例えば、本技術の実施形態は、強度を失う、変形する、またはクリープを示すことなく、より高い処理温度に耐えることができるシャワーヘッドを提供することができる。これにより、より高温の処理工程を実行できるようになり、シャワーヘッドおよびウエハ上の副生成物の堆積が少なくなり、ウエハ上の欠陥も少なくなり得る。これらおよび他の実施形態は、それらの利益および特徴の多くと共に、以下の説明および添付の図面と併せてより詳細に説明される。
開示された技術の性質および利点は、本明細書の残りの部分および図面を参照することによってさらに理解できるであろう。
いくつかの図が概略図として含まれている。図は例示を目的としており、特に縮尺が示されていない限り、縮尺は考慮されるべきではないことを理解されたい。さらに、図は概略図として、理解を助けるために提供されており、現実的な表現と比較してすべての態様または情報が含まれていない場合があり、説明目的で誇張された内容が含まれている場合がある。
添付の図では、同様の構成要素および/または機能に同じ参照ラベルが付いている場合がある。さらに、同じ種類のさまざまな構成要素は、参照ラベルの後の、類似の構成要素を区別する文字によって区別され得る。本明細書で最初の参照ラベルのみが使用されている場合、その説明は、文字に関係なく、同じ最初の参照ラベルを有する類似の構成要素のいずれか1つに適用され得る。
プラズマ強化堆積処理は、1つまたは複数の構成前駆体にエネルギーを与えて、基板上での膜形成を促進し得る。導電性膜および誘電体膜、ならびに材料の転写および除去を容易にする膜を含む、半導体構造を開発するために任意の数の材料膜が作り出され得る。例えば、ハードマスク膜は、基板のパターニングを容易にするために形成される一方で、下にある材料を保護して他の方法で維持することができる。多くの処理チャンバでは、多数の前駆体がガスパネル内で混合され得、基板が配置され得るチャンバの処理領域に供給され得る。前駆体はチャンバ内の1つまたは複数の構成要素を介して分散され得、これは、半径方向または横方向への供給の分散を作り出して、基板表面での形成または除去を増加させ得る。
デバイスの特徴のサイズが減少するにつれて、基板表面にわたる公差が減少する可能性があり、膜全体の材料特性の違いがデバイスの実現と均一性に影響を与える可能性がある。多くのチャンバには特有の処理痕跡が含まれており、基板にわたって不均一性が生じる可能性がある。温度差、流量パターンの均一性、および処理のその他の態様が基板上の膜に影響を与える可能性があり、作り出されるまたは除去される材料の基板にわたって膜の均一性の差が生じる可能性がある。例えば、処理チャンバ内に前駆体を供給および分配するために、処理チャンバ内に1つまたは複数のデバイスを含めることができる。前駆体の流れにチョークを提供するためにチャンバ内に遮蔽板が含まれていてもよく、これにより遮蔽板での滞留時間が増加し、前駆体の横方向または半径方向の分布が増加し得る。シャワーヘッドにより、処理領域への供給の均一性がさらに向上し得、堆積およびエッチングが向上し得る。
一部の半導体処理工程には、350°Cを超える可能性がある高い処理温度を含む。このような高い処理温度は、シャワーヘッドおよび他のチャンバ部品上に蓄積する残留物の減少、落下欠陥の発生の減少、洗浄時間の短縮、ならびに堆積速度の増加など、いくつかの利点をもたらし得る。通常、シャワーヘッドはアルミニウムの電気抵抗が低いため、アルミニウム合金から形成されている。ただし、従来のアルミニウム合金は、200°Cを超える処理温度にさらされると強度の損失、変形、およびクリープに見舞われるため、シャワーヘッドが高温処理工程に適さなくなる可能性がある。
本技術は、少なくとも103K/sの速度で冷却されるアルミニウム合金からシャワーヘッドを形成することでこれらの課題を克服し、より耐熱性の高いアルミニウム合金を作成し得る。これらのアルミニウム合金は、高温に短期間および長期間さらされた状態下で、従来のアルミニウム合金よりも優れた強度を有することができ、高温環境における変形およびクリープに対して優れた耐性を提供し得る。さらに、本技術は、アルミニウム合金よりも熱伝導率が低い材料で形成された環状ライナを含むシャワーヘッド設計を提供する。これにより、環状ライナは、Oリングまたはその他のシールなどの、熱に敏感な構成要素を処理チャンバ内の高温から、より適切に隔離することが可能となり得る。本技術により、高温処理工程の実行が可能になり得ると同時に、シャワーヘッドおよびその他のチャンバ部品上に蓄積する残留物が減少し、落下欠陥がより少なくなり、洗浄時間が速くなり、堆積速度が向上する結果となり得る。
残りの開示は、開示された技術を利用した特定の堆積処理を日常的に特定するものであるが、システムおよび方法は、他の堆積チャンバおよび洗浄チャンバ、ならびに記載されたチャンバ内で発生し得る処理にも同様に適用可能であることが容易に理解されるであろう。したがって、本技術は、これらの特定の堆積処理またはチャンバのみでの使用に限定されるものと考えるべきではない。本開示は、本技術の実施形態によるこのシステムに対する追加の変形および調整を説明する前に、本技術の実施形態によるリッドスタック構成要素を含み得る1つの可能なシステムおよびチャンバについて説明する。
図1は、本技術の実施形態による、堆積、エッチング、焼成、および硬化チャンバの処理システム100の一実施形態の上部平面図を示す。図では、1対の前方開口型統一ポッド102は、ロボットアーム104によって受け取られ、基板処理チャンバ108a~108fのうちの1つに配置される前に、タンデムセクション109a~109cに配置される低圧保持エリア106内に配置されるさまざまなサイズの基板を供給する。第2のロボットアーム110は、基板ウエハを保持エリア106から基板処理チャンバ108a~108fに搬送し、またその逆に搬送するために使用され得る。各基板処理チャンバ108a~108fは、プラズマ強化化学気相堆積、原子層堆積、物理的気相堆積、エッチ、前洗浄、ガス抜き、配向、およびアニーリング、アッシングなどを含むその他の基板処理に加えて、本明細書で説明される半導体材料のスタックの形成を含む、多くの基板処理工程を実行するように装備することができる。
基板処理チャンバ108a~108fは、基板上に誘電体または他の膜を堆積、アニーリング、硬化および/またはエッチングするための1つまたは複数のシステム構成要素を含んでいてもよい。1つの構成では、2対の処理チャンバ、例えば、108c~108dおよび108e~108fを使用して、基板上に誘電体材料を堆積することができ、第3の対の処理チャンバ、例えば108a~108bを使用して、堆積された誘電体をエッチングすることができる。別の構成では、3対のチャンバすべて、例えば108a~108fが、基板上に交互の誘電体膜のスタックを堆積するように構成されてもよい。説明される処理の任意の1つまたは複数は、異なる実施形態で示される製造システムから分離されたチャンバ内で実行されてもよい。誘電体膜のための堆積、エッチング、アニーリング、および硬化チャンバの追加の構成がシステム100によって企図されていることが理解されるであろう。
図2は、本技術のいくつかの実施形態による例示的なプラズマシステム200の概略断面図を示す。プラズマシステム200は、上述のタンデムセクション109のうちの1つまたは複数に適合し得、以下にさらに説明する本技術の実施形態による面板または他の構成要素もしくはアセンブリを含み得る1対の処理チャンバ108を示し得る。プラズマシステム200は一般に、側壁212、底壁216、ならびに1対の処理領域220Aおよび220Bを画定する内部側壁201を有するチャンバ本体202を含み得る。処理領域220A~220Bのそれぞれは、同様に構成されていてもよく、同一の構成要素を含んでいてもよい。
例えば、処理領域220B(その構成要素は処理領域220Aに含まれてもよい)は、プラズマシステム200の底壁216に形成された通路222を通って処理領域内に配置されたペデスタル228を含み得る。ペデスタル228は、本体部分などのペデスタルの露出表面上で基板229を支持するように適合されたヒータを提供し得る。ペデスタル228は、加熱素子232、例えば、基板温度を所望の処理温度に加熱および制御し得る抵抗加熱素子を含んでいてもよい。ペデスタル228は、ランプアセンブリなどの遠隔加熱素子、または任意の他の加熱装置によって加熱されてもよい。
ペデスタル228の本体は、フランジ233によってステム226に結合され得る。ステム226は、ペデスタル228を電源コンセントまたは電力ボックス203と電気的に結合し得る。電力ボックス203は、処理領域220B内のペデスタル228の上昇および移動を制御するドライバシステムを含んでいてもよい。ステム226はまた、ペデスタル228に電力を供給するための電力インターフェースを含んでいてもよい。電力ボックス203は、熱電対インターフェースなどの、電力および温度インジケータ用のインターフェースも含み得る。ステム226は、電力ボックス203と取り外し可能に結合するように適合された、ベースアセンブリ238を含んでいてもよい。電力ボックス203の上に円周リング235が示されている。いくつかの実施形態では、円周リング235は、ベースアセンブリ238と電力ボックス203の上面との間に機械的インターフェースを提供するように構成された機械的ストップまたはランドとして適合された肩部であってもよい。
ロッド230は、処理領域220Bの底壁216に形成された通路224を通って含まれてもよく、ペデスタル228の本体を通って配置された基板リフトピン261を位置決めするために利用されてもよい。基板リフトピン261は、基板移送ポート260を通じて処理領域220Bに基板229を移送する、または処理領域220Bから基板229を移送するために利用されるロボットとの基板229の交換を容易にするために、ペデスタルから基板229を選択的に離間させることができる。
チャンバリッド204は、チャンバ本体202の上部に結合され得る。リッド204は、それに結合された1つまたは複数の前駆体分配システム208を収容することができる。前駆体分配システム208は、反応物および洗浄前駆体をガス供給アセンブリ218を通して処理領域220Bに供給し得る前駆体入口通路240を含んでいてもよい。ガス供給アセンブリ218は、面板246の中間に配置された遮蔽板244を有するガスボックス248を含んでいてもよい。ガス供給アセンブリ218に高周波(「RF」)源265を結合してもよく、高周波(「RF」)源265は、ガス供給アセンブリ218に電力を供給して、ガス供給アセンブリ218の面板246とチャンバの処理領域であり得るペデスタル228との間にプラズマ領域の生成を促進することができる。いくつかの実施形態では、RF源は、プラズマの生成を容易にするために、ペデスタル228などのチャンバ本体202の他の部分と結合されてもよい。リッド204へのRF電力の伝導を防ぐために、リッド204とガス供給アセンブリ218との間に誘電体アイソレータ258を配置してもよい。ペデスタル228と係合する、ペデスタル228の周囲にシャドウリング206が配置されてもよい。
工程中にガスボックス248を冷却するために、ガス分配システム208のガスボックス248内に任意選択の冷却チャネル247を形成してもよい。ガスボックス248を所定の温度に維持できるように、水、エチレングリコール、ガスなどの熱伝達流体を冷却チャネル247を通して循環させてもよい。処理領域220B内の処理環境への側壁201、212の露出を防ぐために、チャンバ本体202の側壁201、212に近接して処理領域220B内にライナアセンブリ227が配置されてもよい。ライナアセンブリ227は、処理領域220Bからガスおよび副生成物を排出し、処理領域220B内の圧力を制御するように構成されたポンピングシステム264に結合され得る円周ポンピングキャビティ225を含んでいてもよい。ライナアセンブリ227上に複数の排気口231が形成されていてもよい。排気口231は、システム200内での処理を促進する方法で、処理領域220Bから円周ポンピングキャビティ225へのガスの流れを可能にするように構成され得る。
図3Aは、本技術のいくつかの実施形態による例示的な面板またはシャワーヘッド300の概略部分断面図を示す。図3Aは、面板246など、システム200内の構成要素に関するさらなる詳細を示している。シャワーヘッド300は、いくつかの実施形態において前述したシステム200の任意の特徴または態様を含むと理解される。シャワーヘッド300は、前述したようなハードマスク材料の堆積を含む半導体処理工程、ならびに他の堆積、除去、および洗浄工程を実行するために使用され得る。シャワーヘッド300は、半導体処理システムに組み込むことができる面板の部分図を示し得、他の場合には任意のサイズであり、任意の数の開孔を含み得る面板の中心を横切る図を示し得る。外側に横方向または半径方向に延在する多数の開孔が示されているが、この図は実施形態を説明するためにだけ含まれており、縮尺通りであるとは考えられていないことを理解されたい。例えば、例示的な面板は、以下でさらに説明するように、中心直径に沿った開孔数が約20以上の開孔であることを特徴としてもよく、約25以上の開孔、約30以上の開孔、約35以上の開孔、約40以上の開孔、約45以上の開孔、約50以上の開孔、またはそれを超える開孔を特徴としてもよい。
上述したように、上述のシステム200を含む任意の数の処理チャンバにシャワーヘッド300が含まれてもよい。シャワーヘッド300は、ガスボックスおよび遮蔽板などと共に、ガス入口アセンブリの一部として含まれていてもよい。例えば、ガスボックスは処理チャンバへのアクセスを規定または提供し得る。チャンバ内に基板支持体が含まれてもよく、基板支持体は、処理のために基板を支持するように構成されてもよい。遮蔽板は、ガスボックスと基板支持体との間のチャンバに含まれていてもよい。遮蔽板には、プレートを通る多数の開孔が含まれるか、または画定されていてもよい。構成要素には、同様の構成要素について前述した機能のいずれか、および本技術に同様に包含される他のさまざまな変更が含まれる場合がある。
シャワーヘッド300は、前に示したように、チャンバ内の遮蔽板と基板支持体との間に配置されてもよい。シャワーヘッド300は、第1の表面305と、第1の表面の反対側にある第2の表面310とによって特徴付けられ得る。いくつかの実施形態では、第1の表面305は、処理チャンバへの遮蔽板、ガスボックス、またはガス入口に面していてもよい。第2の表面310は、処理チャンバの処理領域内の基板支持体または基板に面するように配置されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、面板の第2の表面310および基板支持体は、チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定し得る。シャワーヘッド300は、シャワーヘッドの中間点を通って垂直に延在し得、処理チャンバを通る中心軸と同軸であり得る中心軸315によって特徴付けられてもよい。
シャワーヘッド300は、シャワーヘッドを通って画定され、第1の表面305から第2の表面310まで延在する複数の開孔320を画定し得る。各開孔320は、シャワーヘッド300を通る流体経路を提供することができ、開孔320は、チャンバの処理領域への流体アクセスを提供し得る。シャワーヘッド300のサイズと開孔のサイズとに応じて、シャワーヘッド300は、プレートを通る任意の数の開孔、例えば約1,000以上の開孔、約2,000以上の開孔、約3,000以上の開孔、約4,000以上の開孔、約5,000以上の開孔、約6,000以上の開孔、またはそれを超える開孔を画定し得る。上で述べたように、開孔は中心軸から外側に延在する一組のリングに含まれていてもよく、前述したように任意の数のリングを含んでもよい。リングは、円形または楕円形を含む任意の数の形状、ならびに長方形、六角形、または半径方向外側の多数のリングに分布する開孔を含むことかできる、他の任意の幾何学的パターンなどの、任意の他の幾何学的パターンによって特徴付けられ得る。開孔は均一な間隔または千鳥状の間隔を有してもよく、中心から中心までの間隔が約10mm以下であってもよい。開孔はまた、約9mm以下、約8mm以下、約7mm以下、約6mm以下、約5mm以下、約4mm以下、約3mm以下、またはそれ未満で離間していてもよい。
リングは、上で述べたような任意の幾何学的形状によって特徴付けることができ、いくつかの実施形態では、開孔は、リングごとの開孔のスケーリング関数によって特徴付けられてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、第1の開孔は、図示されているように中心軸に沿ってなど、面板の中心を通って延在していてもよい。第1の開孔リングは、中央開孔の周囲に延在していてもよく、約4個から約10個の間の開孔など、任意の数の開孔を含むことができ、各開孔の中心を通って延在する幾何学的形状の周囲に等間隔に配置されていてもよい。第1のリングから半径方向外側に任意の数の追加の開孔リングが延在していてもよく、任意の数の追加の開孔リングは、第1のリングの開孔の数の関数となり得る多数の開孔を含んでいてもよい。例えば、連続する各リング内の開孔の数は、式XRに従って各対応するリング内の開孔の数によって特徴付けることができ、ここで、Xは開孔の基本数であり、Rは対応するリング番号である。開孔の基本数は、第1のリング内の開孔の数であってもよく、いくつかの実施形態では、以下でさらに説明されるように、第1のリングが、増加した数の開孔を有する他の数であってもよい。例えば、第1のリングの周りに分散された5つの開孔を有する例示的な面板の場合、5が開孔の基本数であってもよく、第2のリングは10個の開孔(5)×(2)によって特徴付けられてもよく、第3のリングは15個の開孔(5)×(3)によって特徴付けられてもよく、第20のリングは100個の開孔(5)×(20)によって特徴付けられてもよい。これは、前述したように、最大50リング、50より多いリング、または約50リングなど、任意の数の開孔リングまで継続してもよい。いくつかの実施形態では、面板にわたる複数の開孔の各開孔は、本技術の実施形態では同じであっても異なっていてもよい開孔プロファイルによって特徴付けられてもよい。
シャワーヘッド300はコア領域325を含み得る。コア領域325は、本明細書で論じるアルミニウム合金を含むがこれらに限定されない、1つまたは複数のアルミニウム合金から形成されてもよい。いくつかの実施形態では、コア領域325は、高温にさらされたときにアルミニウム合金の外に移動する可能性があるアルミニウム合金内の金属元素の微量金属汚染を防ぐのに役立ち得るアルミニウムおよび/または酸化アルミニウムでコーティングされてもよい。コア領域325のアルミニウム合金は、約100W/m・K以上、約110W/m・K以上、約120W/m・K以上、約130W/m・K以上、約140W/m・K以上、約150W/m・K以上、約160W/m・K以上、約170W/m・K以上、またはそれを超える熱伝導率を有していてもよい。コア領域325のアルミニウム合金は、約10マイクロオームcm未満、約9マイクロオームcm未満、約8マイクロオームcm未満、約7マイクロオームcm未満、約6マイクロオームcm未満、約5マイクロオームcm未満、約4マイクロオームcm未満、約3マイクロオームcm未満、またはそれ以下の電気抵抗率を有していてもよい。このようなレベルの電気抵抗率により、処理工程中にシャワーヘッド300が接地およびカソードの両方として機能することが可能になり得る。コア領域325のアルミニウム合金は、約17~24、約18~23、約19~22、または約20~21の熱膨張係数を有していてもよい。いくつかの実施形態では、コア領域325のアルミニウム合金は、ほぼ均質な微細構造を有していてもよく、これにより、シャワーヘッド300の強度および耐熱特性が向上し得る。
コア領域325は、内側コア領域330および外側コア領域335を含み得る。内側コア領域330は、開孔320を含んでいてもよい。外側コア領域335は、内側コア領域330の外周に配置されていてもよく、最も外側のリングまたは開孔320の列の半径方向外側であってもよい。内側コア領域330は、ほぼ円形または円板形であってもよい。外側コア領域330は、環状の形状であってもよく、外側コア領域330の中央開口部の内径は、内側コア領域330が外側コア領域330の中央開口部内に受け入れられ得るように、内側コア領域330の外径と一致する。内側コア領域330の周縁部は、外側コア領域335の下面の内側部分337が載置され得るステップ333を含んでいてもよい。内側コア領域330の周縁部は、外側コア領域335の内縁と接合されてもよい。いくつかの実施形態では、接合は電子ビーム溶接を使用して実行されてもよい。他の実施形態では、接合は、摩擦撹拌溶接などの1つまたは複数の固相技術を使用して実行されてもよい。固相接合技術の使用により、コア領域325のアルミニウム合金を溶融し、後に再凝固させる必要がなくなり、アルミニウム合金の機械的特性(強度、クリープ/変形耐性など)を維持するのに役立ち得る。いくつかの実施形態では、内側コア領域330および外側コア領域335は一体的に形成されてもよく、接合する必要がない場合がある。
外側コア領域335は、内側セクション339および外側セクション341を含み得る。外側コア領域335の内側セクション339は、内側コア領域330を取り囲むことができる環状チャネル340を画定し得る。内側セクション339は、環状チャネル340を画定する、および/またはステップ333の上に配置される外側コア領域335の一部として規定されてもよく、一方、外側セクション341は、加熱素子345および/またはステップ333の半径方向外側である外側コア領域335の部分として規定され得る。環状チャネル340内に加熱素子345が配置されていてもよい。加熱素子345は、処理および/または洗浄工程中にシャワーヘッド300のコア領域325を加熱するために使用され得る。例えば、加熱素子は、加熱素子に電流を供給してシャワーヘッド300のコア領域325の温度を上昇させることができるAC電源などの電源と結合されていてもよい。加熱素子345および環状チャネル340は、下面の内側部分337に近接して配置されていてもよい。これにより、加熱素子345をステップ333の上方、および内側コア領域330の周縁部に近接して配置することができ、これは内側コア領域330への熱伝導を最大化するのに役立ち得る。外側コア領域335の外側セクション341は、内側セクション339と少なくとも同じ広さの幅を有していてもよい。例えば、外側セクション341の幅は、内側セクション339の幅の少なくともまたは約100%、内側セクション339の幅の少なくともまたは約110%、内側セクション339の幅の少なくともまたは約120%、内側セクション339の幅の少なくともまたは約130%、内側セクション339の幅の少なくともまたは約140%、内側セクション339の幅の少なくともまたは約150%、またはそれを超えてもよい。外側セクション341のこのような幅は、加熱素子345および/または処理チャンバからの熱からシャワーヘッド300の外側構成要素を熱的シールドするのに役立ち得る追加の材料を提供し得る。
シャワーヘッド300は、外側コア領域335の外周に配置された環状ライナ350を含んでいてもよい。外側コア領域335の周縁部は、環状ライナ350の内縁と接合されてもよい。接合は、摩擦撹拌溶接などの1つまたは複数の固相技術を使用して実行され得る。固相接合技術の使用により、コア領域325のアルミニウム合金を溶融し、後に再凝固させる必要がなくなり、アルミニウム合金の機械的特性(強度、クリープ/変形耐性など)を維持するのに役立ち得る。
環状ライナ350は、Oリング355および/または処理量をシールすることができる他のシール部材を受け入れることができる1つまたは複数のチャネルを画定し得る。環状ライナ350は、コア領域325のアルミニウム合金よりも低い熱伝導率を有してもよい。例えば、環状ライナ350の熱伝導率は、アルミニウム合金の熱伝導率の約20%以下、約15%以下、約10%以下、またはそれ未満であってもよい。特定の実施形態では、環状ライナ350の熱伝導率は、約35W/m・K以下、約30W/m・K以下、約25W/m・K以下、約20W/m・K以下、約15W/m・K以下、約10W/m・K以下、またはそれ未満であってもよい。環状ライナ350の熱伝導率が比較的低いため、環状ライナ350は、Oリング355および/または他の温度に敏感な構成要素などのさまざまな構成要素を、多くの高温処理工程において350°Cを超える可能性があるシャワーヘッド300の高温から隔離または熱的にシールドすることを可能にできる。これにより、従来のOリング355の使用が可能になり得る。特定の一実施形態では、環状ライナ350はステンレス鋼から形成されてもよいが、さまざまな実施形態では、熱伝導率の低い他の金属材料が使用されてもよい。
環状ライナ350の熱膨張係数は、コア領域325のアルミニウム合金の熱膨張係数の約50%以内、約40%以内、約30%以内、約20%以内、約10%以内、約5%以内、またはそれより少なくてもよい。例えば、環状ライナ350は、約14から18の間、または約16から18の間の熱膨張係数を有していてもよい。熱膨張係数が上記の範囲内にあることにより、熱応力問題のリスクを低く抑えながら、アルミニウム合金と環状ライナ350との強固な結合を達成することができる。
いくつかの実施形態では、非常に異なる熱膨張係数を有するアルミニウム合金および環状ライナの材料が選択されてもよい。例えば、アルミニウム合金の熱膨張係数は、環状ライナの熱膨張係数を約70%以上、約80%以上、約90%以上、約100%以上、約125%以上、約150%以上、約175%以上、約200%以上、またはそれを超えていてもよい。例えば、環状ライナ350は約8から10の間の熱膨張係数を有することができ、一方、コア領域のアルミニウム合金は約17から24の間の熱膨張係数を有することができる。特定の一実施形態では、環状ライナ350は、ステンレス鋼および/またはチタンを含み得るが、さまざまな実施形態では、低熱伝導率を有する他の金属材料を使用してもよい。図3Bは、本技術のいくつかの実施形態による、環状ライナ350aとコア領域325aの熱膨張係数のこのような不一致を可能にし得る例示的なシャワーヘッド300aの概略部分断面図を示す。シャワーヘッド300aは、シャワーヘッド300と同様であってもよく、上述の特徴のいずれかを含んでもよい。例えば、シャワーヘッド300aは、内側コアセクション330aと外側コアセクション335aを有するコア領域325aを含んでいてもよい。外側コアセクション335aは、加熱素子345aを含み得る。環状ライナ350aは、外側コアセクション335aの周縁部の周りに配置され得る。シャワーヘッド300aは、外側コア領域335aと環状ライナ350aとの間に配置される中間材料360aを含んでいてもよい。中間材料360aは、コア領域325aのアルミニウム合金の熱膨張係数と環状ライナ350aの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有してもよく、これは、2つの構成要素間の熱膨張の不一致を埋めるのに役立ち得る。例えば、中間材料360aは、約12から20の間の熱膨張係数を有していてもよい。特定の実施形態では、中間材料360aは銀を含み得るが、さまざまな実施形態では、上記範囲内の熱膨張係数を有する他の金属材料を使用することができる。中間材料360aの使用により、熱応力による損傷の高い危険性を伴わずに、非常に異なる熱膨張係数を有するアルミニウム合金および環状ライナ350aの材料を選択することが可能になり得る。これにより、いくつかの実施形態では、熱に敏感な構成要素をよりよく熱的にシールドするために、熱伝導率が非常に低い材料を含む環状ライナ350aを利用することが可能になり得る。
図4は、本技術のいくつかの実施形態による半導体処理チャンバシャワーヘッドを製造する例示的な方法400の工程を示す。本方法は、上述のシャワーヘッド300および300aを含むがこれらに限定されないさまざまなシャワーヘッドを製造するために使用され得る。方法400は、本技術による方法のいくつかの実施形態に特に関連付けられる場合も関連付けられない場合もある、多数の任意選択の工程を含んでいてもよい。
方法400は、方法400の開始前に任意選択の工程を含んでもよいし、または方法は追加の工程を含んでもよい。例えば、方法400は、図示されたものとは異なる順序で実行される工程を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、方法400は、工程405で溶融アルミニウム合金組成物を形成することを含み得る。アルミニウム合金組成物は、約100W/m・K以上、約110W/m・K以上、約120W/m・K以上、約130W/m・K以上、約140W/m・K以上、約150W/m・K以上、約160W/m・K以上、約170W/m・K以上、またはそれを超える熱伝導率を有してもよい。アルミニウム合金組成物は、約10マイクロオームcm未満、約9マイクロオームcm未満、約8マイクロオームcm未満、約7マイクロオームcm未満、約6マイクロオームcm未満、約5マイクロオームcm未満、約4マイクロオームcm未満、約3マイクロオームcm未満、またはそれ以下の電気抵抗率を有していてもよい。このようなレベルの電気抵抗により、処理工程中にシャワーヘッドが接地およびカソードの両方として機能することが可能になり得る。
アルミニウム合金組成物は、アルミニウム、鉄、バナジウム、および/またはシリコンの混合物を含んでもよく、各成分はアルミニウム合金の少なくとも0.5重量%を構成する。組成物は、約1.5:1以上、約2:1以上、約2.5:1以上、約3:1以上、約3.5:1以上、約4:1以上、約4.5:1以上、約5:1以上、約6:1以上、またはそれを超える鉄対バナジウムの比を含んでもよい。このような比率は、アルミニウム合金の強度を高めながら、得られるアルミニウム合金の電気抵抗率を低下させる可能性がある。組成物は、約2.5:1以上、約3:1以上、約3.5:1以上、約4:1以上、約5:1以上、約6:1以上、約7:1以上、またはそれを超える鉄対シリコンの比を含んでもよい。組成物は、約1:1以上、約1.25:1以上、約1.5:1以上、またはそれ以上のシリコン対バナジウムの比を含んでもよい。
別の実施形態では、アルミニウム合金組成物は、アルミニウムと銅の混合物を含んでもよい。組成物には、これらに限定されないが、鉄、マグネシウム、マンガン、チタン、ニッケル、モリブデン、および/またはジルコニウムなどの他の多くの元素が含まれていてもよく、これらの元素はそれぞれ少なくとも約0.5重量%の量で存在する。いくつかの実施形態では、組成物は約0.5重量%未満のシリコンを含んでいてもよい。組成物は、約20:1以上、約25:1以上、約30:1以上、約35:1以上、またはそれを超えるアルミニウム対銅の比を含んでもよい。組成物は、約0.5:1以上、約0.75:1以上、約1:1以上、約1.25:1以上、約1.5:1以上、またはそれを超える銅対鉄の比を含んでもよい。上で詳述した合金組成は単なる例であり、所望の熱伝導率および電気抵抗率を有する他のアルミニウム合金でもよいことが理解されるであろう。
工程410において、方法400は、溶融アルミニウム合金組成物を、少なくともまたは約103K/秒、少なくともまたは約104K/秒、少なくともまたは約105K/秒、少なくともまたは約106K/秒、少なくともまたは約107K/秒、またはそれ以上の速度で冷却することを含み得る。例えば、溶融アルミニウム合金組成物は、急速冷凍、急冷、粉末噴霧、および/またはアルミニウム合金をそのような速度で冷却する他の処理を使用して冷却され得る。このような速度でアルミニウム合金を冷却すると、より広範囲の粒子サイズ分布にわたって、より大きな粒子を作り出す従来のアルミニウム合金製造処理を使用して作り出された合金に見られる多相微細構造ではなく、サイズが1ミクロン未満のほぼ均質な微細構造を有する固体アルミニウム合金粒子が生成され得る。冷却されたアルミニウム合金の均質な微細構造は、従来の方法で形成されたアルミニウム合金よりも高い強度および安定性/耐熱性を提供し、本発明のアルミニウム合金を高温シャワーヘッド用途での使用に適したものにすることができる。
工程415では、シャワーヘッドの全部または一部を固体アルミニウム合金粒子から形成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、シャワーヘッドのコア領域は、固体アルミニウム合金粒子から形成されてもよい。シャワーヘッドの形成には、粒子をより小さな断片に細断、および/またはその他の方法で砕いたりすることが含まれていてもよい。粒子および/またはより小さな断片は圧縮され得る。例えば、粒子および/またはより小さな断片を圧縮して、より高い密度の均一性を達成するために、熱間静水圧プレスを使用して粒子および/またはより小さな断片を圧縮することができる。圧縮後、粒子および/またはより小さい断片を鍛造および/または押し出し加工することができ、シャワーヘッドおよび/またはコア領域の一般的な形状およびサイズを有するシャワーヘッドブランクを形成することができる。アルミニウム合金の鍛造および/または押し出し加工は、密度の均一性を約95%より高く、約96%以上、約97%以上、約97%以上、約98%以上、約99%以上、約99.5%以上、またはそれより高くにさらに高めることができる。押し出し加工および/または鍛造処理は、アルミニウム合金に最終的な熱伝導率、電気抵抗率、強度、および/または熱抵抗特性を与え得る。シャワーヘッドブランクが形成されると、シャワーヘッドおよび/またはシャワーヘッドのコア領域がブランクから形成され得る。例えば、シャワーヘッドブランクを機械加工して、シャワーヘッドおよび/またはコア領域を形成することができる。機械加工は、シャワーヘッドのコア領域を通る多数の開孔を形成すること、ならびに/またはシャワーヘッドおよび/もしくはコア領域の最終寸法をフライス加工またはその他の方法で機械加工することを含んでもよい。いくつかの実施形態では、コア領域は、内側コア領域と、内側コア領域の外周に配置された外側コア領域とを含み得る。内側コア領域は、そこを通る多数の開孔を画定するために機械加工または他の方法で形成されてもよい。外側コア領域は、加熱素子を受け入れるチャネルを画定するために機械加工および/またはその他の方法で形成されてもよい。内側コア領域と外側コア領域は、摩擦撹拌溶接、拡散接合、および/または電子ビーム溶接を使用して結合されてもよい。
シャワーヘッドおよび/またはコア領域は、工程420でアルミニウムおよび/または酸化アルミニウムでコーティングされてもよい。例えば、シャワーヘッドおよび/またはコア領域にアルミニウムが電気メッキされてもよい。酸化アルミニウムは、原子層堆積を使用してシャワーヘッドおよび/またはコア領域に適用され得る。コーティングは、処理および/または洗浄工程中に高温にさらされたときにアルミニウム合金の外に移動する可能性がある、アルミニウム合金内の金属元素の微量金属汚染を防ぐのに役立ち得る。
シャワーヘッドのコア領域のみが形成される実施形態では、方法400は、工程425において、シャワーヘッドのコア領域の周縁部を環状ライナと接合することを任意選択的に含んでいてもよい。環状ライナは、シャワーヘッドのコア領域よりも低い熱伝導率を有していてもよく、これにより、環状ライナが、Oリングなどの熱に敏感な構成要素をシャワーヘッドの高温から熱的にシールドするのに役立ち得る。シャワーヘッドのコア領域の周縁部は、摩擦撹拌溶接などの固相接合技術を使用して環状ライナと接合され得る。いくつかの実施形態では、シャワーヘッドのコア領域の周縁部を環状ライナと接合することは、コア領域の周縁部と環状ライナとの間に中間材料を結合することを含んでいてもよい。中間材料は、摩擦撹拌溶接などの固相接合技術を使用して、コア領域および/または環状ライナと接合されてもよい。中間材料は、コア領域の熱膨張係数と環状ライナの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有してもよい。これにより、主に熱伝導率を考慮してアルミニウム合金と環状ライナの材料を選択することが可能になり、中間材料がコア領域と環状ライナの熱膨張係数との間の間隙を埋めることができる。
前述の説明では、説明の目的で、本技術のさまざまな実施形態の理解を提供するために多くの詳細が述べられてきた。しかしながら、特定の実施形態は、これらの詳細のいくつかを省略して、または追加の詳細を加えて実施できることは、当業者には明らかであろう。
いくつかの実施形態を開示したが、実施形態の精神から逸脱することなく、さまざまな変更、代替構造、および均等物を使用できることが当業者には理解されよう。さらに、本技術を不必要に曖昧にすることを避けるために、多くのよく知られた処理および要素については説明されていない。したがって、上記の説明は本技術の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
値の範囲が提供される場合、文脈が明確に別段の指示をしない限り、その範囲の上限と下限との間の介在する各値も、下限の単位の最小の端数まで具体的に開示されることが理解される。記載された値または記載された範囲内の記載されていない介在値と、記載された範囲内の任意の他の記載された値または介在する値との間の任意の狭い範囲が含まれる。これらの小さい範囲の上限と下限は、独立して範囲に含めたり除外したりでき、より小さい範囲に、制限のいずれかが含まれる、いずれも含まれない、または両方が含まれる各範囲も、記載された範囲内で特に除外される任意の制限の影響を受けて、本技術内に包含される。記載された範囲に制限の一方または両方が含まれる場合、これらの含まれる制限の一方または両方を除いた範囲も含まれる。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「a」、「an」、および「the」には、文脈上明らかに別段の指示がない限り、複数の言及が含まれる。したがって、例えば、「ヒータ」への言及には複数のそのようなヒータが含まれ、「突出部」への言及には、当業者に知られている1つまたは複数の突出部およびその均等物への言及が含まれる、などである。
また、本明細書および以下の特許請求の範囲で使用される「備える(comprise(s))」、「備えている(comprising)」、「包含する(contain(s))」、「包含している(containing)」、「含む(include(s))」、および「含んでいる(including)」という用語は、記載された機能、整数、構成要素または工程の存在を指定することを目的としているが、1つまたは複数の他の機能、整数、構成要素、工程、行為、またはグループの存在または追加を除外するものではない。
Claims (20)
- 半導体処理チャンバシャワーヘッドであって、
複数の開孔を画定する内側コア領域と、
前記内側コア領域の外周に配置された外側コア領域であって、環状チャネルを画定する、外側コア領域と、
前記環状チャネル内に配置された加熱素子と、
前記外側コア領域の外周に配置された環状ライナと、を備え、
前記内側コア領域および前記外側コア領域がアルミニウム合金を含み、
前記環状ライナが、前記アルミニウム合金よりも低い熱伝導率を含む、
半導体処理チャンバシャワーヘッド。 - 前記環状ライナの熱伝導率が、前記アルミニウム合金の熱伝導率の約20%未満である、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 前記環状ライナの熱膨張係数が、前記アルミニウム合金の熱膨張係数の約50%以内である、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 前記環状ライナが、ステンレス鋼およびチタンのうちの一方または両方を含む、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 前記環状ライナと前記外側コア領域とが、固相接合技術を使用して接合されている、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 前記アルミニウム合金が、ほぼ均質な微細構造を含む、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 前記外側コア領域と前記環状ライナとの間に配置された中間材料をさらに備え、前記中間材料は、前記アルミニウム合金の熱膨張係数と前記環状ライナの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する、請求項1に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッド。
- 半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法であって、
溶融アルミニウム合金組成物を形成することと、
固体アルミニウム合金粒子を形成するために、前記溶融アルミニウム合金組成物を少なくとも103K/秒の速度で冷却することと、
前記固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドを形成することと、
アルミニウムまたは酸化アルミニウムのうちの一方で前記シャワーヘッドをコーティングすることと、
を含む、半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。 - 前記シャワーヘッドをコーティングすることが、前記シャワーヘッド上にアルミニウムを電気メッキすることを含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記シャワーヘッドをコーティングすることが、原子層堆積によって前記シャワーヘッド上に酸化アルミニウムを塗布することを含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記シャワーヘッドを形成することが、
前記固体アルミニウム合金粒子を圧縮することと、
圧縮された前記固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドブランクを形成することと、
前記シャワーヘッドブランクを機械加工して前記シャワーヘッドを形成することと、
を含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。 - 前記シャワーヘッドを形成することが、前記シャワーヘッドブランクを形成する前に、圧縮された前記固体アルミニウム合金粒子を鍛造するまたは押し出し加工することをさらに含む、請求項11に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記シャワーヘッドのアルミニウム合金部分が、約10マイクロオームcm未満の電気抵抗率を含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記シャワーヘッドのアルミニウム合金部分が、少なくとも約100W/m・Kの熱伝導率を含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記溶融アルミニウム合金組成物を冷却することが、急速冷凍、急冷、および粉末噴霧を含む群から選択された1つ以上を含む、請求項8に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法であって、
溶融アルミニウム合金組成物を形成することと、
固体アルミニウム合金粒子を形成するために、前記溶融アルミニウム合金組成物を少なくとも103K/秒の速度で冷却することと、
前記固体アルミニウム合金粒子からシャワーヘッドのコア領域を形成することと、
アルミニウムまたは酸化アルミニウムのうちの一方で前記シャワーヘッドの前記コア領域をコーティングすることと、
前記シャワーヘッドの前記コア領域の周縁部と環状ライナとを接合することであって、前記環状ライナが前記シャワーヘッドの前記コア領域よりも低い熱伝導率を含む、前記シャワーヘッドの前記コア領域の周縁部と環状ライナとを接合することと、
を含む、半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。 - 前記シャワーヘッドの前記コア領域が、内側コア領域と、前記内側コア領域の外周に配置された外側コア領域とを含み、
前記内側コア領域が複数の開孔を画定し、
前記外側コア領域が、加熱素子を受け入れるチャネルを画定する、請求項16に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。 - 摩擦撹拌溶接または電子ビーム溶接のうちの一方または両方を使用して、前記内側コア領域と前記外側コア領域とを結合すること、
をさらに含む、請求項17に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。 - 前記シャワーヘッドの前記コア領域の前記周縁部と前記環状ライナとを接合することが、固相接合技術を使用することを含む、請求項16に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
- 前記シャワーヘッドの前記コア領域の前記周縁部と前記環状ライナとを接合することが、前記コア領域の前記周縁部と前記環状ライナとの間に中間材料を結合することを含み、
前記中間材料が、前記コア領域の熱膨張係数と前記環状ライナの熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する、請求項16に記載の半導体処理チャンバシャワーヘッドの製造方法。
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