JP2024079731A - ガラス基板、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

ガラス基板、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2024079731A
JP2024079731A JP2024042075A JP2024042075A JP2024079731A JP 2024079731 A JP2024079731 A JP 2024079731A JP 2024042075 A JP2024042075 A JP 2024042075A JP 2024042075 A JP2024042075 A JP 2024042075A JP 2024079731 A JP2024079731 A JP 2024079731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
glass plate
outer portion
manufacturing
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024042075A
Other languages
English (en)
Inventor
修平 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of JP2024079731A publication Critical patent/JP2024079731A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

Figure 2024079731000001
【課題】ガラス素板から所定の形状のガラス基板を確実に分離して抜き取ることができる、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】開孔を有するガラス基板の製造方法は、前記ガラス基板の元となるガラス素板２０の面に、略同心円状に沿ってレーザ光を照射した内周円部と外周円部を形成するステップと、前記外周円部の外側部分２４の加熱によって、前記ガラス素板の前記外周円部の外側部分を前記外周円部の内側部分２６に対して相対的に熱膨張させて前記外周円部において隙間を形成させ、前記外周円部の前記内側部分と前記外周円部の前記外側部分を分離するステップと、前記内周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス素板の前記内周円部の前記外側部分を相対的に熱膨張させて前記内周円部において隙間を形成させ、前記内周円部の内側部分と前記内周円部の前記外側部分を分離するステップと、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ光を用いて形状加工してガラス基板を製造するガラス基板の製造方法
及び磁気ディスクの製造方法に関する。
今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（
Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）記録装置、あるいは、クラウドコンピ
ューティングのデータセンター等には、データ記録のためにハードディスク装置が用いら
れる。ハードディスク装置では、円盤状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性層
が設けられた磁気ディスクが用いられる。磁気ディスクは、例えば、浮上距離が５ｎｍ程
度であるＤＦＨ（Ｄｉｓｋ Ｆｌｙｉｎｇ Ｈｅｉｇｈｔ）タイプの磁気ヘッドに組み込
まれる。
このようなＤＦＨタイプの磁気ヘッドでは、上記浮上距離が短いため、磁気ディスクの
主表面に微小粒子等が付着することは避けなければならない。この微小粒子の付着を抑制
するために、ガラス基板の主表面のみならず端面においても表面粗さが小さいことが望ま
しい。
このような磁気ディスクの要求を満足するために、磁気ディスク用ガラス基板の内側端
面の表面粗さを小さくしたガラス基板を、効率よく製造する技術が知られている（特許文
献１）。
具体的には、パルスレーザ光の焦線を基板内の複数の位置に向け、複数の位置でガラス
基板に吸収させて、予め定められた第１のパス上に、貫通孔の欠陥ラインをつくり、さら
に、第１のパスに沿ってガラス基板を加熱してクラックを進展させてガラス基板から第１
のパスに対して内側の部分を分離し、さらに、この内側の部分を加熱してガラス基板から
抜き取る。
特開２０１５－０８３３２０号公報
しかし、上記技術では、第１のパスに沿ってガラス基板を加熱してクラックを進展させ
てガラス基板から第１のパスに対して内側の部分を分離することはできても、この内側の
部分を加熱してガラス基板から安定して抜き取ることが十分にできなかった。例えば、レ
ーザを用いて欠陥を形成した後、第１のパスに沿ってガラス基板を加熱してクラックを進
展させてガラス基板から第１のパスに対して内側の部分を分離するとき、クラックによる
分離が熱によって再固着して確実に分離できない場合があり、この場合、内側の部分を加
熱しても再固着した部分が分離できない、ことがわかった。
このため、レーザ光を用いてガラス基板の内側端面の表面粗さを小さくしたガラス基板
を、効率よく製造することが難しかった。
また、近年、ガラス基板の板厚は薄くなっているため、レーザ照射及び加熱による分離
を含む処理の際に割れが発生し易い。この点でも板厚の薄いガラス基板を、確実に製造す
ることが望まれる。
そこで、本発明は、ガラス基板の端面の表面粗さを小さくするために、レーザ光を用い
てガラス基板の素となるガラス素板を形状加工する際に、ガラス素板から所定の形状のガ
ラス基板を、確実に分離して抜き取ることができるガラス基板の製造方法及びこの製造方
法を用いた磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、開孔を有するガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、
前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、略同心円状に沿ってレーザ光を照射した
内周円部と外周円部を形成するステップと、
前記外周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス素板の前記外周円部の外側部分を
前記外周円部の内側部分に対して相対的に熱膨張させて前記外周円部において隙間を形成
させ、前記外周円部の前記内側部分と前記外周円部の前記外側部分を分離するステップと
、
前記内周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス素板の前記内周円部の前記外側部
分を相対的に熱膨張させて前記内周円部において隙間を形成させ、前記内周円部の内側部
分と前記内周円部の前記外側部分を分離するステップと、
を備える。
本発明の他の一態様は、ガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、
前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
照射して前記線上に欠陥を形成するステップと、
前記欠陥を形成した前記ガラス素板の、前記線を境にして外側部分と内側部分のうち、
前記外側部分の加熱を、前記内側部分に比べて高めることにより、前記ガラス素板の前記
外側部分と前記内側部分を分離するステップと、
を備える。
前記ガラス基板は、開孔を有する環形状を成しており、
前記欠陥を形成するステップでは、前記レーザ光により、前記環形状の外縁の形状を前
記所定の形状として前記欠陥を形成し、
前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記環形状の前記外縁を境にし
た、前記ガラス素板の第１外側部分の加熱を、前記環形状の前記外縁を境にした、前記ガ
ラス素板の第１内側部分に比べて高くする第１加熱処理を行なう、ことが好ましい。
前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記ガラス基板の前記環形状に
対するマージンとして、前記環形状の外径の０．１％～５％の長さを残して、前記第１外
側部分と前記第１内側部分とが分離される、ことが好ましい。
前記欠陥を形成するステップでは、前記レーザ光により、前記開孔を有する前記環形状
の内縁の形状を前記所定の形状として前記欠陥を形成し、
前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記開孔を有する前記環形状の
内縁を境にした、前記ガラス素板の第２外側部分の加熱を、前記環形状の前記内縁を境に
した、前記ガラス素板の第２内側部分に比べて高くする第２加熱処理を行なう、ことが好
ましい。
前記ガラス素板から前記ガラス基板となる部分を分離するステップでは、前記第１加熱
処理後、前記第２加熱処理を行う、ことが好ましい。
本発明のさらに他の一態様は、ガラス基板の製造方法である。当該製造方法は、
前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
照射して前記線上に欠陥を形成するステップと、
前記欠陥を形成した前記ガラス素板の、前記線を境にして外側部分と内側部分のうち、
前記外側部分の加熱を、前記内側部分に比べて高めることにより、前記ガラス素板の前記
外側部分と前記内側部分を分離するステップであって、前記外側部分を前記ガラス素板の
主表面の両側から同時に加熱して、前記外側部分の加熱を前記内側部分に比べて高めるこ
とにより、前記ガラス素板の前記外側部分と前記内側部分を分離して前記内側部分を前記
開口になる部分として除去することを含むステップと、を備える。
前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記外側部分の温度を前記内側
温度に比べて高くして、前記外側部分を前記内側部分に対して相対的に熱膨張させて、前
記線上に沿って隙間を形成することにより、前記外側部分と前記内側部分を分離する、こ
とが好ましい。
前記ガラス素板の面への前記レーザ光の照射は、
パルスレーザ光により、前記線上の複数の離散点に、点状の貫通孔を形成した後、非パ
ルスレーザ光により、前記線上の前記離散点間を繋ぐように、照射位置が前記線上を連続
的に移動することを含む、ことが好ましい。
前記非パルスレーザ光は、例えば非パルスのＣＯ２レーザであることが好ましい。
前記加熱は、前記ガラス素板の主表面の両側に設けられる加熱源からの輻射熱により前
記ガラス素板の両側の主表面を加熱することを含む、ことが好ましい。
前記ガラス素板の主表面の面積の、前記ガラス基板の主表面の面積に対する面積比は１
０１％～１６０％であり、
前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記ガラス素板１つから前記ガ
ラス基板１つを抜き取る、ことが好ましい。
前記ガラス素板の厚さは、０．６ｍｍ以下である、ことが好ましい。
本発明のさらに他の一態様は、前記ガラス基板の製造方法で作製される前記ガラス基板
に少なくとも磁性層を形成して磁気ディスクを作製するステップをさらに備える、磁気デ
ィスクの製造方法である。
上述のガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法によれば、ガラス素板から所
定の形状のガラス基板を確実に分離して抜き取るができる。
一実施形態のガラス基板の製造方法における外側部分の加熱を説明する図である。 別の一実施形態のガラス基板の製造方法における外側部分の加熱を説明する図である。 （ａ）は、一実施形態で作製される磁気ディスク用ガラス基板の一例の斜視図であり、（ｂ）は、図３（ａ）に示す磁気ディスク用ガラス基板の外側端面の断面の一例を示す図である。 一実施形態のガラス基板の製造方法におけるレーザ光の照射を説明する図である。 一実施形態のガラス基板の製造方法におけるガラス素板の加熱を具体的に説明する図である。 一実施形態のガラス基板の製造方法におけるレーザ光の照射を説明する図である。
以下、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法について詳細に説明する。ガ
ラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケー
トガラスなどを用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、ま
た主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製するこ
とができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることが
できる。
（ガラス基板の製造法の概略説明）
一実施形態のガラス基板の製造方法は、
（Ａ）ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
照射して上記線上に欠陥を形成するステップと、
（Ｂ）欠陥を形成したガラス素板の、上記線を境にして外側部分と内側部分のうち、外側
部分の加熱を、内側部分に比べて高めることにより、ガラス素板の外側部分と内側部分を
分離するステップと、を備える。
欠陥を形成するとは、ガラス素板に孔をあけること、あるいは、孔とこの孔から進展す
るクラックを形成することを含む。欠陥は、線上の全領域に形成すること、すなわち欠陥
を線状に形成することの他、線上の離間した場所に、離散的に欠陥を形成することも含む
。
すなわち、一実施形態のガラス基板の製造方法では、線に沿って欠陥を形成した部分に
対して外側部分の加熱を、前記線に対して内側部分の加熱に比べて高めることにより、ガ
ラス素板の外側部分と内側部分を分離する。
なお、レーザ光の照射により形成される孔は、アブレージョンによりガラス素板を（ガ
ラス素板の厚さ方向に）貫通した孔、すなわち貫通孔であることが好ましい。貫通孔を形
成することにより、ガラス素板の外側部分を加熱したときに外側部分と内側部分を容易に
分離することができる。貫通孔は、ガラス素板の主表面に対して略直交する（角度が８５
～９５度）ように延びている。したがって、分離される外側部分及び内側部分の分離面は
、ガラス素板の主表面に対して略直交する壁面であり、従来のスクライバを用いてできる
割断面のような主表面に対して傾斜した壁面と異なる。
図１は、一実施形態のガラス基板の製造方法における外側部分の加熱を説明する図であ
る。ガラス素板２０は、略円形状あるいは略楕円形状を成したガラス板であって、一定の
板厚を有する。このガラス素板２０の面に、環形状を成した線２２上にレーザ光を照射し
て欠陥を形成する。さらに、欠陥を形成したガラス素板２０から、ガラス基板となる部分
を取り出すために、ガラス素板２０の加熱を行う。このとき、外側部分２４の加熱を、内
側部分２６に比べて高くすることにより、外側部分２４の熱膨張量を内側部分２６の熱膨
張量よりも大きくする。この結果、外側部分２４は図１に示すように外側に向かって熱膨
張する。このため、外側部分２４と内側部分２６の界面に確実に形成し隙間を形成するこ
とができる。したがって、外側部分２４と内側部分２６の分離を確実にすることができる
。具体的には、外側部分２４の加熱の程度が内側部分２６に比べて高いことにより、外側
部分２４の内周の径（内径）が、内側部分２６の外周の径（外径）に比べて相対的に大き
くなるように熱膨張することで隙間が形成される。このため、形成された隙間により、外
側部分２４と内側部分２６を確実に分離することができる。なお、外側部分２４の加熱を
内側部分２６の加熱に比べて高くするとは、加熱の程度に差を設けて外側部分２４と内側
部分２６の加熱を行なう場合の他に、外側部分２４を選択的に加熱するが、内側部分２６
の意図した加熱を行なわない場合も含む。外側部分２４を選択的に加熱したとしても、空
間を介した熱伝導により、あるいはガラス素板２０を介した熱伝導により間接的に内側部
分２６も加熱される。この場合、外側部分２４の加熱は、内側部分２６の加熱に比べて高
くなっている、といえる。なお、本明細書において、説明する内側部分と外側部分の「隙
間」は、内側部分と外側部分の間のいずれの位置において計測可能な空間が形成されてい
ることの他、計測可能な空間が得られなくても内側部分と外側部分の対向する面同士が物
理的又は化学的に結合状態にないことも含む。すなわち、「隙間」は、少なくとも内側部
分と外側部分の境界の一部において微視的な空間が形成されていることも含む。
外側部分２４ではなく内側部分２６を加熱する場合、内側部分２６の熱膨張量が外側部
分２４の熱膨張量に比べて大きくなるので、内側部分２６が内側部分２６と外側部分２４
の界面を外側に押すことにより、レーザ光の照射により形成されているクラックを進展さ
せ、また、界面に新たなクラックを発生させる。しかし、これらのクラックは、内側部分
２６から外側に押されるので、内側部分２６と外側部分２４の界面に隙間を作り難い。こ
のため、昇温した内側部分２６の熱が界面に伝わって、形成されたクラックを再固着させ
て確実に分離できない場合がある。
実施形態では、外側部分２４の加熱を、線２２に対して内側部分２６の加熱に比べて高
めることで、隙間を確実に形成し、レーザを用いて形成されたクラックによる分離が熱に
よって再固着することを防止することができる。
別の一実施形態は、開孔を有するガラス基板の製造方法である。このガラス基板の製造
方法は、
（Ｃ）ガラス基板の元となるガラス素板の面に、略同心円状に沿ってレーザ光を照射した
内周円部と外周円部を形成するステップと、
（Ｄ）外周円部の外側部分の加熱によって、ガラス素板の外周円部の外側部分を外周円部
の内側部分に対して相対的に熱膨張させて外周円部において隙間を形成させ、外周円部の
内側部分と外周円部の外側部分を分離するステップと、
（Ｅ）内周円部の外側部分の加熱によって、ガラス素板の内周円部の外側部分を相対的に
熱膨張させて内周円部において隙間を形成させ、内周円部の内側部分と内周円部の外側部
分を分離するステップと、を備える。
別の一実施形態は、開孔を有するガラス基板の製造方法である。このガラス基板の製造
方法は、
（Ｆ）ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
照射して線上に欠陥を形成するステップと、
（Ｇ）欠陥を形成したガラス素板の、上記線を境にして外側部分と内側部分のうち、外側
部分の加熱を、内側部分に比べて高めることにより、ガラス素板の外側部分と内側部分を
分離するステップであって、外側部分をガラス素板の主表面の両側から同時に加熱して、
外側部分の加熱を内側部分に比べて高めることにより、ガラス素板の外側部分と内側部分
を分離して内側部分を開口になる部分として除去することを含むステップと、を備える。
図２は、一実施形態のガラス基板の製造方法における外側部分の加熱を説明する図であ
る。図２は、円形状のガラス素板３０の面に、上記（Ｃ）に記載の内周円部を形成した後
、あるいは、上記（Ｆ）に記載の所定の環形状を成した線上にレーザ光を照射して線上に
欠陥を形成した後、上記（Ｅ）あるいは上記（Ｇ）に記載の加熱による分離をすることを
説明している。ガラス素板３０は、上記（Ｃ）に記載のガラス素板の面に、外周円部を形
成し、上記（Ｄ）に記載のステップを行って外周円部の内側部分と外周円部の外側部分を
分離して抜き取られた板である。
内周円部及び外周円部は、図１に示す実施形態では、線２２上に形成された欠陥の部分
をいう。したがって、上記（Ｄ）に記載の外周円部の形状は、図２に示すガラス素板３０
の外周形状に対応する。
レーザ光の照射により形成した内周円部３２の外側部分３４の加熱によって、ガラス素
板３０の内周円部３２の外側部分３４を相対的に熱膨張させて内周円部３２において隙間
を形成させ、内側部分３６と外側部分３４を分離する。上記（Ｇ）では分離した内側部分
３６を除去する。上記（Ｇ）のように、ガラス素板３０の主表面の両側から同時に外側部
分３４を加熱することで、上記（Ｄ）に記載する加熱時の外周円部の外側部分の熱膨張量
に比べて小さい内周円部３２の外側部分の熱膨張量をガラス素板３０の板厚方向で略均等
に揃えることができ、板厚方向で均一な隙間を形成させることができる。これにより、隙
間が小さくても内側部分３６を外側部分３４から抜き取ることができる。内周円部３２は
、図１に示す実施形態における線２２上に沿って形成された欠陥に対応する。
上記（Ｃ）～（Ｅ）のステップを有する実施形態においても、上記（Ｆ），（Ｇ）のス
テップを有する実施形態においても、外側部分の加熱を行なうことで、外周円部あるいは
内周円部の外側部分を、内側部分に対して熱膨張させて、外周円部及び内周円部に隙間を
形成するので、レーザを用いて形成されたクラックによる界面が熱によって再固着するこ
とを防止することができる。これにより、開孔を有するガラス基板を効率よく形成するこ
とができる。
なお、上述の「略同心円」とは、外周円部の円中心位置と内周円部の円中心位置のずれ
量が、２０μｍ以下であることをいい、好ましくは、５μｍ以下である。
（ガラス基板の製造方法の具体的説明）
以下、一実施形態のガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を詳細に説明す
る。
図３（ａ）は、一実施形態で作製される磁気ディスク用ガラス基板の一例の斜視図であ
る。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す磁気ディスク用ガラス基板の外側端面の断面の一例
を示す図である。
図３（ａ）に示すガラス基板１は、磁気ディスク用ガラス基板である。ガラス基板１は
、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、
磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、公称直径２．５インチや３．５インチの磁気ディ
スク用ガラス基板のサイズである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の
場合、例えば、外径が６５ｍｍ、中心穴の径が２０ｍｍ～２５ｍｍ、板厚が０．３～０．
８ｍｍである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径
が９５ｍｍ、中心穴の径が２０ｍｍ～２５ｍｍ、板厚が０．３～０．８ｍｍである。この
ガラス基板１の主表面上に磁性層が形成されて磁気ディスクが作られる。
ガラス基板１は、一対の主表面１１ｐ，１２ｐ、外周端面に形成された側壁面１１ｗ、
側壁面１１ｗと主表面１１ｐ，１２ｐの間に介在する面取面１１ｃ，１２ｃ、内周端面に
も、外周端面と同様に形成された、図示されない側壁面、及び、この側壁面と主表面１１
ｐ，１２ｐの間に介在する図示されない面取面とを備える。
ガラス基板１は、中心部に円孔を有する。側壁面１１ｗは、ガラス基板１の板厚方向の
中心位置を含む。面取面１１ｃ，１２ｃの主表面１１ｐ，１２ｐに対する傾斜角度は、特
に制限されず、例えば４５°である。また、側壁面１１ｗ及び面取面１１ｃ，１２ｃの境
界は、図示されるようなエッジを有する形状に限定されるものではなく、滑らかに連続す
る曲面状であってもよい。
このようなガラス基板１は、図１あるいは図２に示すように、予め作製されたガラス素
板２０，３０からレーザ光を用いて抜き取られる。図４は、一実施形態のガラス基板の製
造方法におけるレーザ光の照射を説明する図である。
図４に示すレーザ光Ｌが照射されるガラス素板６０は、例えば、フローティング法ある
いはダウンドロー法を用いて作製される一定の板厚のガラス板である。あるいは、ガラス
の塊を、金型を用いてプレス成形したガラス板であってもよい。ガラス素板６０の板厚は
、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板になる時の目標板厚に対して、研削及び研磨
の取り代量の分だけ厚く、例えば、数μｍ程度厚い。
レーザ光源４０は、レーザ光Ｌを出射する装置であり、例えば、ＹＡＧレーザ、あるい
は、ＮＤ：ＹＡＧレーザ等の固体レーザが用いられる。したがって、一実施形態によれば
、レーザ光の波長は、例えば、１０３０ｎｍ～１０７０ｎｍの範囲にあることが好ましい
。
レーザ光Ｌは、パルスレーザであり、一実施形態では、レーザ光Ｌによるパルス幅を１
０－１２秒以下（１ピコ秒以下）であることが、レーザ光Ｌの焦点位置におけるガラスの
過度な変質を抑制することができる点から好ましい。
また、レーザ光Ｌの光エネルギは、パルス幅及びパルス幅の繰り返し周波数に応じて適
宜調整することができる。パルス幅及び繰り返し周波数に対して過度な光エネルギを提供
すると、ガラスが過度に変質し易くなり、焦点位置に残渣が存在し易い。
レーザ光源４０は、一実施形態によれば、発振したレーザ光を２つの光束に分け、この
２つの光束を、ガラス素板６０の表面で、あるいはガラス素板６０の内部で交差させるよ
うに、レーザ光Ｌをガラス素板６０の主表面の法線方向に対して傾斜させてガラス素板６
０に照射させる。このようなレーザ光Ｌの照射により、ガラス素板６０の線６２上の一点
で厚さ方向に沿って光束同士の交差が連続するように形成されるので、この点において、
深さ方向に沿って線状に光エネルギが集中し、ガラス素板６０の一部がプラズマ化して、
孔あるいは貫通孔を形成することができる。
レーザ光Ｌは、一実施形態によれば、パルス状の光パルスを一定時間間隔で連続して生
成する構成の光パルス群を１単位として、複数の光パルス群を断続的に発生させるバース
トパルス方式でガラス素板６０に照射することが好ましい。この場合、１つの光パルス群
の中で、１パルスの光エネルギを可変にさせることも好ましい。
このようなレーザ光Ｌの照射の一例は、特許５９５９５９７号公報に開示されている。
レーザ光源４０によるレーザ光Ｌの照射では、レーザ光Ｌを、ガラス素板６０に対して
相対的に移動させながら、所定の環形状を成した線上に照射する。これにより上記線上に
欠陥を形成する。例えば、ガラス素板６０に、内周円部あるいは外周円部を形成すること
ができる。レーザ光Ｌの照射では、ガラス素板６０を移動させずにレーザ光Ｌを移動させ
てもよいし、レーザ光Ｌを移動させずにガラス素板６０を移動させてもよい。
レーザ光Ｌの照射により、例えば、線６２の離散的な位置に孔を断続的に形成した場合
、この孔から隣りの孔に向かって進展したクラックが形成され易いので、別種のレーザ光
を上記線に沿って再度照射しなくても内周円部あるいは外周円部の外側部分の加熱によっ
て、容易に外側部分と内側部分とを分離することができる。すなわち、レーザ光Ｌの照射
により形成された欠陥を維持したまま、ガラス素板６０の外側部分の加熱によって、容易
に外側部分と内側部分とを分離することができる。特に、外側部分の加熱を、ガラス素板
６０の主表面の両側から同時に加熱することにより、より容易に外側部分と内側部分とを
分離することができる。
次に、欠陥を形成したガラス素板６０の、線を境にして外側部分と内側部分のうち、外
側部分の加熱を、内側部分に比べて高めることにより、あるいは、外側部分を加熱するこ
とにより、ガラス素板６０の外側部分と内側部分を分離する。図５は、一実施形態のガラ
ス基板の製造方法におけるガラス素板６０の加熱を具体的に説明する図である。ガラス素
板６０の加熱では、例えば、ガラス素板６０に欠陥が形成された線６２に対して外側部分
６４をヒータ５０，５２の間の加熱空間に配置し、内側部分６６を加熱空間の外側に配置
する。これにより、外側部分６４の加熱を行うことができる。このとき、外側部分６４の
加熱の程度は、内側部分６６に比べて高くなるので、外側部分６４の熱膨張量を内側部分
６６の熱膨張量よりも大きくすることができる。この結果、外側部分６４は図５に示すよ
うに外側に向かって熱膨張する。このため、外側部分６４と内側部分６６の界面に確実に
形成し隙間を形成することができる。したがって、外側部分６４と内側部分６６の分離を
確実にすることができる。
なお、図４，５に示す例では、レーザ光Ｌの照射を環形状の線上に沿って行って、欠陥
部分を形成した後、線の外側部分６４を加熱する処理を行うが、図６に示すように、ガラ
ス素板６０へのレーザ光Ｌの照射を、２つの異なる略同心円の円弧線上に沿って行って、
２つの欠陥部分である外周円部６２ａ及び内周円部６２ｂを形成した後、外周円部６２ａ
の外側部分を加熱し、内周円部６２ｂの外側部分を加熱することもできる。図６は、一実
施形態のガラス基板の製造方法におけるレーザ光の照射を説明する図である。
このように、外側部分６４と内側部分６６を分離するとき、外側部分６４の温度を内側
温度６６に比べて高くして、外側部分６４を内側部分６４に対して相対的に熱膨張させて
、線６２上に沿って隙間を形成することにより、外側部分６４と内側部分６６を分離する
ので、ガラス基板となる部分をガラス素板から確実に抜き取ることができる。
特に、内周円部６２ｂを形成した後、内周円部６２ｂの外側部分をガラス素板６０の主
表面の両側から同時に加熱することにより、ガラス素板６０の板厚方向に沿って熱膨張量
を均等に揃えることができるので、均一な隙間を形成することができる。特に、内周円部
６２ｂはガラス素板６０の中心位置に近いので、外周円部６２ａの外側部分に対する加熱
と同程度の加熱をしても外周円部６２ａに比べて熱膨張量は小さい。このため、ガラス基
板となる部分をガラス素板から確実に抜き取るための隙間を精度よく形成させることが好
ましい。この点から、内周円部６２ｂの外側部分をガラス素板６０の主表面の両側から同
時に加熱して、厚さ方向で熱膨張量を均等に揃えることが好ましい。
また、ガラス基板１は、開孔を有する環形状を成している。このようなガラス基板１を
作製する場合、開孔を有する環形状の外縁の形状を線６２（図４参照）の形状として、レ
ーザ光Ｌによる照射で欠陥を形成し、この後、外側部分６４（第１外側部分）の加熱を、
内側部分６６（第１内側部分）に比べて高くする加熱を第１加熱処理として行なうことが
好ましい。レーザ光Ｌにより形成される、ガラス基板１の外縁を構成する外周端面の表面
粗さは、従来のスクライバを用いて機械的に割断した外周端面に比べて小さく、例えば、
ハードディスクドライブ装置内の磁気ディスク用ガラス基板に要求される外周断面に要求
される表面粗さを満足するため、端面研磨をする必要がなく、端面研磨をするとしても研
磨時間は短くて済む。このため、ガラス基板１の外縁形状を効率よく形成することができ
る。
この場合、ガラス素板６０において、ガラス基板１の環形状に対するマージンとして、
環形状の外径の０．１％～５％の長さを残して、外側部分６４（第１外側部分）と内側部
分６６（第１内側部分）とが分離される、ことが好ましい。マージンが大きくなると、ガ
ラス素板６０を廃棄する量が多くなり無駄が多くなる他、加熱の際の熱が熱伝導により拡
散し易くなるので所定の熱膨張量を引き起こすまでの加熱時間が長くなり、生産性の点で
好ましくない。
ガラス基板１の開孔（内孔）を形成する場合、開孔を有する環形状の内縁の形状を線６
２の形状として、レーザ光Ｌによる照射で欠陥を形成し、この後、外側部分６４（第２外
側部分）の加熱を、内側部分６６（第２内側部分）に比べて高くする加熱を第２加熱処理
として行なうことが好ましい。レーザ光Ｌにより形成される、ガラス基板１の内縁を構成
する内周端面の表面粗さは、従来のスクライバを用いて機械的に割断した外周端面に比べ
て小さく、例えば、ハードディスクドライブ装置内の回転軸と接触する磁気ディスク用ガ
ラス基板に要求される内周断面に要求される表面粗さを満足するため、端面研磨をする必
要がなく、端面研磨をするとしても研磨時間は短くて済む。このため、ガラス基板１の開
孔を効率よく形成することができる。
このとき、上記第１加熱処理後、上記第２加熱処理を行うことが好ましい。第１加熱処
理を行うときの内側部分６６が、第２加熱処理を行うときの外側部分６４になる。第１加
熱処理では、内側部分６６は加熱されないか、加熱されるとしても外側部分６４に比べて
加熱の程度は低い。しかし、内側部分６６には、昇温した外側部分６４からの熱伝導によ
って昇温する。したがって、昇温した内側部分６６を、第２加熱処理で外側部分６４とし
て加熱する際、所定の熱膨張量を引き起こすまでの加熱時間を短くすることができる。こ
のように、効率よくガラス基板１を作製することができる。
ガラス素板６０へのレーザ光Ｌの照射は、パルスレーザ光により、線上の複数の離散点
に、点状の貫通孔を形成した後、上記パルスレーザ光と異なるレーザ光により、線上の離
散点間を繋ぐように、照射位置が線上を連続的に移動することを含んでもよい。。この場
合、パルスレーザ光で形成した複数の貫通孔のうち、隣接する貫通孔の間にクラックある
いは潜在的なクラックを形成し、この後、別種のレーザ光により、クラックあるいは顕在
化したクラックを貫通孔間で接続させることができるので、短時間に効率よくガラス素板
の形状加工をすることができる。例えば、別種のレーザ光として、ＣＯ２レーザを用いる
ことができる。このレーザ光によって、断続的に形成された欠陥をつなぐように線状の欠
陥を形成することができる。
すなわち、線６２の離散的な位置にレーザ光Ｌの照射によって欠陥を断続的に形成した
後、別種のレーザ光として、ＣＯ２レーザを用いて、断続的に形成された欠陥をつなぐよ
うに線状の欠陥を形成して、クラックを確実に形成することもできる。これにより、後述
する外側部分と内側部分との加熱による分離が確実にできる。
なお、レーザ光Ｌによる照射後に行うガラス素板６０の加熱は、ガラス素板６０の主表
面の両側に設けられる加熱源からの輻射熱によりガラス素板６０の両側の主表面を加熱す
ることを含むことが好ましい。輻射による加熱では、ガラス素板６０の主表面から熱伝導
によって熱が伝わってガラス素板６０が昇温するので、外側部分６４と内側部分６６との
間の界面は再固着する程度の温度にならない。このため、外側部分６４の熱膨張によって
界面に隙間を形成することができる。
ガラス素板６０の主表面の面積の、ガラス基板１の主表面の面積に対する面積比は、１
０１％～１６０％であり、外側部分６４と内側部分６６を分離するとき、１つのガラス素
板６０から１つのガラス基板１を抜き取ることが好ましい。大きなサイズのガラス素板６
０から複数のガラス基板１を抜き取ると、ガラス素板６０の板厚の場所によるばらつきに
よってガラス基板１の板厚の固体間差が大きくなる。特に、磁気ディスク用ガラス基板で
は、板厚も一定に揃えることが好ましいため、ガラス基板の主表面の研削、研磨の程度を
ガラス基板間で調整する煩雑さがある。さらに、ガラス素板６０を回転させながら精度よ
くレーザ光の照射ができる他、外側部分の加熱を行なって外側部分と内側部分を分離する
ためのガラス素板６０のハンドリングが向上する。このように、一定の板厚が確保される
小さなサイズのガラス素板６０を用いて、１つのガラス素板６０から１つの内側部分を取
り出すことが、ガラス基板１の作製効率の点から好ましい。また、大きなガラス素板６０
から１つのガラス板を抜き出す際、大きなガラス素板６０の外側部分全体が加熱により昇
温するので、この昇温した部分からガラス板を抜き出す際、外側部分及び内側部分の温度
は高い状態を維持しているので、所定の熱膨張量になるように外側部分を加熱して昇温さ
せるときの温度は高くなり、好ましくない。
ガラス素板６０の板厚は、一実施形態では０．６ｍｍ以下である。このような板厚のガ
ラス素板６０から作製されるガラス基板１は、磁気ディスク用ガラス基板として有効に用
いることができる。磁気ディスク用ガラス基板の板厚を薄くすることにより、記憶容量の
増大化のためにハードディスク装置内に搭載する磁気ディスクの枚数を増大させることが
できる。さらに、板厚０．６ｍｍ以下のガラス素板６０は、極めて薄く、レーザ照射、加
熱による外側部分と内側部分の分離の処理の際に割れが生じ易くなる。このため、ガラス
素板からガラス基板を確実に分離して抜き取ることができる本実施形態の効果は薄い板厚
のガラス素板において一層大きくなる。
このように形状加工されたガラス基板は、最終製品に適した特性を有するように各種処
理が行われる。
こうしてガラス素板６０から抜き取られたガラス基板の外周端面及び内周端面（上記外
側部分６４と内側部分６６の界面である端面）と主表面とで形成される角部の面取り加工
を行うための面取りが行われる。一実施形態によれば、角部を、レーザ光Ｌと異なる種類
のレーザ光で面取りする。このレーザ光は、角部を、主表面に対して３０～６０度の傾斜
角度傾斜した方向から照射し、角部を加熱して軟化させて蒸発させることにより、角部を
面取りすることができる。例えば、ＣＯ２レーザが好適に用いることができる。このよう
な面取りによって、表面粗さの低い、真円度の高い面取り面を形成することができる。
こうして、内周端面あるいは外周端面と主表面とで形成される角部は、レーザ光を用い
て面取り加工を行うことができる。角部を、レーザ光で面取り加工するので、砥石等によ
り面取り加工を行う場合に比べて生産効率は高い。
ガラス素板６０から所定の形状のガラス基板を抜き取る処理からガラス基板の角部の面
取りまでの間、端面研磨をしないので、生産効率が向上する。
得られたガラス基板１は、主表面の研削・研磨処理が行われる。
研削・研磨処理では、ガラス基板１の研削後、研磨が行われる。
研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、ガラス基板１の主表面に
対して研削加工を行う。具体的には、ガラス基板１の外周端面を、両面研削装置の保持部
材に設けられた保持孔内に保持しながらガラス基板１の両側の主表面の研削を行う。両面
研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤
の間にガラス基板１が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または
、双方を移動操作させ、クーラントを供給しながらガラス基板１と各定盤とを相対的に移
動させることにより、ガラス基板１の両主表面を研削することができる。例えば、ダイヤ
モンドを樹脂で固定した固定砥粒をシート状に形成した研削部材を定盤に装着して研削処
理をすることができる。
次に、研削後のガラス基板１の主表面に第１研磨が施される。具体的には、ガラス基板
１の外周端面を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持しながらガ
ラス素板の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨は、研削処理後の主表面に残留した
キズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目
的とする。
第１研磨処理では、固定砥粒による上述の研削処理に用いる両面研削装置と同様の構成
を備えた両面研磨装置を用いて、研磨スラリを与えながらガラス基板１が研磨される。第
１研磨処理では、遊離砥粒を含んだ研磨スラリが用いられる。第１研磨に用いる遊離砥粒
として、例えば、酸化セリウム、あるいはジルコニア等の砥粒が用いられる。両面研磨装
置も、両面研削装置と同様に、上下一対の定盤の間にガラス基板１が狭持される。下定盤
の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド（例えば、樹脂ポ
リッシャ）が取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または
、双方を移動操作させることで、ガラス基板１と各定盤とを相対的に移動させることによ
り、ガラス基板１の両主表面を研磨する。研磨砥粒の大きさは、平均粒径（Ｄ５０）で０
．５～３μｍの範囲内であることが好ましい。
第１研磨後、ガラス基板１を化学強化してもよい。この場合、化学強化液として、例え
ば硝酸カリウムと硫酸ナトリウムの混合熔融液等を用い、ガラス基板１を化学強化液中に
浸漬する。これにより、イオン交換によってガラス基板１の表面に圧縮応力層を形成する
ことができる。
次に、ガラス基板１に第２研磨が施される。第２研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的
とする。第２研磨においても、第１研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面
研磨装置が用いられる。具体的には、ガラス基板１の外周端面を、両面研磨装置の研磨用
キャリアに設けられた保持孔内に保持させながら、ガラス基板１の両側の主表面の研磨が
行われる。第２研磨処理では、第１研磨処理に対して、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが
異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なる。樹脂ポリッシャの硬度は第１研磨処理時
よりも小さいことが好ましい。例えばコロイダルシリカを遊離砥粒として含む研磨液が両
面研磨装置の研磨パッドとガラス基板１の主表面との間に供給され、ガラス基板１の主表
面が研磨される。第２研磨に用いる研磨砥粒の大きさは、平均粒径（ｄ５０）で５～５０
ｎｍの範囲内であることが好ましい。
化学強化処理の要否については、ガラス組成や必要性を考慮して適宜選択すればよい。
第１研磨処理及び第２研磨処理の他にさらに別の研磨処理を加えてもよく、２つの主表面
の研磨処理を１つの研磨処理で済ませてもよい。また、上記各処理の順番は、適宜変更し
てもよい。
こうして、ガラス基板１の主表面を研磨して、磁気ディスク用ガラス基板に要求される
条件を満足した磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる。
この後、主表面が研磨されて作製されたガラス基板１に、少なくとも磁性層を形成して
磁気ディスクが作製される。
なお、ガラス基板１は、第１研磨を行う前に、例えば、第１研削後、第１研磨前に、あ
るいは、第１研削前に、ガラス基板１の端面を研磨する端面研磨処理を行ってもよい。
このような端面研磨処理を行う場合であっても、レーザ光を用いてガラス素板６０から
抜き出したガラス基板１の端面の算術平均粗さＲａは、０．０１μｍ未満、真円度は１５
μｍ以下であるので、端面研磨処理に要する時間は短い。
端面研磨処理は、遊離砥粒を端面に供給しながら研磨ブラシを用いて研磨する研磨ブラ
シ方式を用いてもよく、あるいは、磁気機能性流体を用いた研磨方式を用いてもよい。磁
気機能性流体を用いた研磨方式は、例えば、磁気粘性流体に研磨砥粒を含ませたスラリを
磁界によって塊にし、この塊の内部にガラス基板１の端面を突っ込んで、塊とガラス基板
を相対的に回転させることにより、端面を研磨する方式である。
しかし、生産効率を高めるためには、端面研磨処理をしないことが好ましい。この場合
、主表面の研削・研磨処理では、ガラス素板６０から抜き取られたガラス基板１の真円度
を維持し、さらに割断面の少なくとも一部分の表面粗さを維持しつつ、ガラス基板１の主
表面を研削あるいは研磨を行う。
このようなガラス基板１の組成については、限定するものではないが、以下の組成であ
ることが好ましい。
具体的には、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０～７５％、Ａｌ２Ｏ
３を１～１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を
合計で５～３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくと
も１種の成分を合計で０～２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３
、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０
～１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
また、ガラス基板１は好ましくは、例えば、質量％表示にて、ＳｉＯ２を５７～７５％
、Ａｌ２Ｏ３を５～２０％、（ただし、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計量が７４％以上）、
ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＴｉＯ２を
合計で０％を超え、６％以下、Ｌｉ２Ｏを１％を超え、９％以下、Ｎａ２Ｏを５～２８％
（ただし、質量比Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが０．５以下）、Ｋ２Ｏを０～６％、ＭｇＯを０～
４％、ＣａＯを０％を超え、５％以下（ただし、ＭｇＯとＣａＯの合計量は５％以下であ
り、かつＣａＯの含有量はＭｇＯの含有量よりも多い）、ＳｒＯ＋ＢａＯを０～３％、有
する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであってもよい。
ガラス基板１の組成は、必須成分として、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ならびに、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金
属酸化物を含み、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含
有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．２０以下であって
、ガラス転移温度が６５０℃以上であってもよい。このような組成のガラス基板１は、エ
ネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適
である。
以上、本発明のガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法について詳細に説明
したが、本発明のガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法は上記実施形態に限
定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは
もちろんである。
１ ガラス基板
１１ｐ，１２ｐ 主表面
１１ｃ,１２ｃ 面取面
１１ｗ 側壁面
２０，３０，６０ ガラス素板
２２,６２ 線
２４,３４,６４ 外側部分
２６,３６,６６ 内側部分
３２，６２ｂ 内周円部
４０ レーザ光源
５０，５２ ヒータ
６２ａ 外周円部

Claims (13)

  1. 開孔を有するガラス基板の製造方法であって、
    前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、略同心円状に沿ってレーザ光を照射した
    内周円部と外周円部を形成するステップと、
    前記外周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス素板の前記外周円部の外側部分を
    前記外周円部の内側部分に対して相対的に熱膨張させて前記外周円部において隙間を形成
    させ、前記外周円部の前記内側部分と前記外周円部の前記外側部分を分離するステップと
    、
    前記内周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス素板の前記内周円部の前記外側部
    分を相対的に熱膨張させて前記内周円部において隙間を形成させ、前記内周円部の内側部
    分と前記内周円部の前記外側部分を分離するステップと、
    を備えることを特徴とするガラス基板の製造方法。
  2. ガラス基板の製造方法であって、
    前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
    照射して前記線上に欠陥を形成するステップと、
    前記欠陥を形成した前記ガラス素板の、前記線を境にして外側部分と内側部分のうち、
    前記外側部分の加熱を、前記内側部分に比べて高めることにより、前記ガラス素板の前記
    外側部分と前記内側部分を分離するステップと、
    を備えることを特徴とするガラス基板の製造方法。
  3. 前記ガラス基板は、開孔を有する環形状を成しており、
    前記欠陥を形成するステップでは、前記レーザ光により、前記環形状の外縁の形状を前
    記環形状として前記欠陥を形成し、
    前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記環形状の前記外縁を境にし
    た、前記ガラス素板の第１外側部分の加熱を、前記環形状の前記外縁を境にした、前記ガ
    ラス素板の第１内側部分に比べて高くする第１加熱処理を行なう、請求項２に記載のガラ
    ス基板の製造方法。
  4. 前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記ガラス基板の前記環形状に
    対するマージンとして、前記環形状の外径の０．１％～５％の長さを残して、前記第１外
    側部分と前記第１内側部分とが分離される、請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
  5. 前記欠陥を形成するステップでは、前記レーザ光により、前記開孔を有する前記環形状
    の内縁の形状を前記所定の形状として前記欠陥を形成し、
    前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記開孔を有する前記環形状の
    内縁を境にした、前記ガラス素板の第２外側部分の加熱を、前記環形状の前記内縁を境に
    した、前記ガラス素板の第２内側部分に比べて高くする第２加熱処理を行なう、請求項３
    または４に記載のガラス基板の製造方法。
  6. 前記ガラス素板から前記ガラス基板となる部分を分離するステップでは、前記第１加熱
    処理後、前記第２加熱処理を行う、請求項５に記載のガラス基板の製造方法。
  7. 開孔を有するガラス基板の製造方法であって、
    前記ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の環形状を成した線上にレーザ光を
    照射して前記線上に欠陥を形成するステップと、
    前記欠陥を形成した前記ガラス素板の、前記線を境にして外側部分と内側部分のうち、
    前記外側部分の加熱を、前記内側部分に比べて高めることにより、前記ガラス素板の前記
    外側部分と前記内側部分を分離するステップであって、前記外側部分を前記ガラス素板の
    主表面の両側から同時に加熱して、前記外側部分の加熱を前記内側部分に比べて高めるこ
    とにより、前記ガラス素板の前記外側部分と前記内側部分を分離して前記内側部分を前記
    開口になる部分として除去することを含むステップと、を備えることを特徴とするガラス
    基板の製造方法。
  8. 前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記外側部分の温度を前記内側
    温度に比べて高くして、前記外側部分を前記内側部分に対して相対的に熱膨張させて、前
    記線上に沿って隙間を形成することにより、前記外側部分と前記内側部分を分離する、請
    求項１～７のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
  9. 前記ガラス素板の面への前記レーザ光の照射は、
    パルスレーザ光により、前記線上の複数の離散点に、点状の貫通孔を形成した後、前記
    パルスレーザ光と異なるレーザ光により、前記線上の前記離散点間を繋ぐように、照射位
    置が前記線上を連続的に移動することを含む、請求項１～８のいずれか１項に記載のガラ
    ス基板の製造方法。
  10. 前記加熱は、前記ガラス素板の主表面の両側に設けられる加熱源からの輻射熱により前
    記ガラス素板の両側の主表面を加熱することを含む、請求項１～９のいずれか１項に記載
    のガラス基板の製造方法。
  11. 前記ガラス素板の主表面の面積の、前記ガラス基板の主表面の面積に対する面積比は１
    ０１％～１６０％であり、
    前記外側部分と前記内側部分を分離するステップでは、前記ガラス素板１つから前記ガ
    ラス基板１つを抜き取る、請求項１～１０のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法
    。
  12. 前記ガラス素板の厚さは、０．６ｍｍ以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記
    載のガラス基板の製造方法。
  13. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成して
    磁気ディスクを作製するステップをさらに備える、磁気ディスクの製造方法。
JP2024042075A 2018-07-27 2024-03-18 ガラス基板、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 Pending JP2024079731A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2018/028269 2018-07-27

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021017765A Division JP7458335B2 (ja) 2018-07-27 2021-02-05 ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024079731A true JP2024079731A (ja) 2024-06-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7458335B2 (ja) ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP6783401B2 (ja) 円盤形状のガラス素板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
WO2021020587A1 (ja) 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク
JP4380379B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP7311702B2 (ja) ガラス板および磁気ディスク
JP7227273B2 (ja) ガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法
JP7366141B2 (ja) ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法
JP2024079731A (ja) ガラス基板、ガラス基板の製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
WO2019189480A1 (ja) ガラス基板の製造方法
WO2023282252A1 (ja) ガラス基板の製造方法及び円盤状ガラス基板
WO2022114060A1 (ja) ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び円環形状のガラス板
US20230147153A1 (en) Method for producing glass plate, and laminate
US20240174556A1 (en) Method for manufacturing annular glass substrate, annular glass substrate, and method for manufacturing glass substrate for magnetic disc