JP2024072411A

JP2024072411A - Polishing method, substrate manufacturing method, and polishing apparatus

Info

Publication number: JP2024072411A
Application number: JP2022183193A
Authority: JP
Inventors: 國維洪
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2022-11-16
Filing date: 2022-11-16
Publication date: 2024-05-28

Abstract

A polishing method, a substrate manufacturing method, and a polishing apparatus are provided that prevent adhesion of particles to the surface of a substrate and damage to the surface of the substrate during polishing.
[Solution] The polishing method in the protective film forming section includes a protective film forming step of forming a protective film on the surface of the substrate, a preliminary removal step of removing a portion of the protective film located on the peripheral portion of the substrate after the protective film forming step, a polishing step, and a protective film removal step of removing the protective film after the polishing step. In the polishing step, since the portion of the protective film located on the peripheral portion of the substrate has been removed, the protective film is not polished and only the peripheral portion of the substrate is polished, which prevents the generation of polishing debris from the protective film and prevents problems such as clogging of the polishing tape due to polishing debris from the protective film.
[Selection diagram] Figure 9

Description

本発明は、研磨方法、基板の製造方法、および研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing method, a substrate manufacturing method, and a polishing apparatus.

従来から、シリコンウェハ等の基板の周縁部を研磨するベベル研磨装置が知られている。ベベル研磨装置は、基板に研磨液を供給しながら、基板の周縁部に研磨具を押し当てることで、基板の周縁部を研磨する（例えば、特許文献１を参照）。 Bevel polishing devices that polish the peripheral edge of a substrate such as a silicon wafer are known. The bevel polishing device polishes the peripheral edge of the substrate by pressing a polishing tool against the peripheral edge of the substrate while supplying a polishing liquid to the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１４－１２４７３１号公報JP 2014-124731 A

研磨時に発生する研磨屑などのパーティクルが、基板の表面に付着する可能性がある。また、装置の誤作動などにより研磨具が基板の表面に接触して、基板の表面が傷つく可能性がある。 Particles such as polishing debris generated during polishing may adhere to the surface of the substrate. In addition, if the polishing tool comes into contact with the surface of the substrate due to malfunction of the device, the surface of the substrate may be damaged.

本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、研磨時における基板の表面へのパーティクルの付着および基板の表面の損傷を防ぐことが可能な研磨方法、基板の製造方法、および研磨装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and aims to provide a polishing method, a substrate manufacturing method, and a polishing apparatus that can prevent particles from adhering to the substrate surface and damage to the substrate surface during polishing.

（１）：本発明の一態様に係る研磨方法は、基板の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後で、前記基板の周縁部を研磨する研磨工程と、前記研磨工程の後で、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、を含む。 (1): A polishing method according to one aspect of the present invention includes a protective film forming step of forming a protective film on a surface of a substrate, a polishing step of polishing the peripheral portion of the substrate after the protective film forming step, and a protective film removing step of removing the protective film after the polishing step.

（２）：（１）に係る研磨方法において、前記研磨工程の前に、前記保護膜のうち前記周縁部上に位置する部分を除去する予備除去工程を行ってもよい。 (2): In the polishing method according to (1), a preliminary removal step may be performed before the polishing step to remove a portion of the protective film located on the peripheral portion.

（３）：（１）に係る研磨方法において、前記研磨工程において、前記保護膜のうち前記周縁部上に位置する部分を、前記周縁部とともに研磨してもよい。 (3): In the polishing method according to (1), in the polishing step, a portion of the protective film located on the peripheral portion may be polished together with the peripheral portion.

（４）：（１）～（３）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記基板の表面に、前記保護膜となる保護膜液を塗布する塗布工程を含んでいてもよい。 (4): In the polishing method according to any one of (1) to (3), the protective film forming process may include a coating process of coating the surface of the substrate with a protective film liquid that will become the protective film.

（５）：（４）に係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記塗布工程の後で、前記保護膜液を乾燥させる乾燥工程をさらに含んでいてもよい。 (5): In the polishing method according to (4), the protective film forming process may further include a drying process for drying the protective film liquid after the application process.

（６）：（４）に係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記塗布工程の後で、前記保護膜液を加熱する加熱工程をさらに含んでいてもよい。 (6): In the polishing method according to (4), the protective film forming process may further include a heating process for heating the protective film liquid after the application process.

（７）：（４）に係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記塗布工程の後で、前記保護膜液を冷却する冷却工程をさらに含んでいてもよい。 (7): In the polishing method according to (4), the protective film forming process may further include a cooling process for cooling the protective film liquid after the application process.

（８）：（４）に係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記塗布工程の後で、前記保護膜液に紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに含んでいてもよい。 (8): In the polishing method according to (4), the protective film forming process may further include an ultraviolet ray irradiation process of irradiating the protective film liquid with ultraviolet rays after the application process.

（９）：（１）～（３）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜形成工程は、前記基板の表面に前記保護膜を貼り付ける貼付工程を含んでいてもよい。 (9): In the polishing method according to any one of (1) to (3), the protective film forming process may include a bonding process of bonding the protective film to the surface of the substrate.

（１０）：（１）～（９）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜除去工程では、前記保護膜に剥離液を供給することで、前記保護膜を除去してもよい。 (10): In the polishing method according to any one of (1) to (9), in the protective film removal step, the protective film may be removed by supplying a stripping liquid to the protective film.

（１１）：（１）～（９）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜除去工程では、前記保護膜を加熱することで、前記保護膜を除去してもよい。 (11): In the polishing method according to any one of (1) to (9), the protective film removal step may include removing the protective film by heating the protective film.

（１２）：（１）～（９）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜除去工程では、前記保護膜を、吸着力または粘着力を用いて前記基板の表面から剥がすことで、前記保護膜を除去してもよい。 (12): In the polishing method according to any one of (1) to (9), the protective film removal step may remove the protective film by peeling it off from the surface of the substrate using an adsorption force or an adhesive force.

（１３）：（１）～（９）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜除去工程では、前記保護膜を前記基板の表面から擦り落とすことで、前記保護膜を除去してもよい。 (13): In the polishing method according to any one of (1) to (9), the protective film removal step may remove the protective film by scraping it off from the surface of the substrate.

（１４）：（１）～（９）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜除去工程では、前記保護膜に高圧流体を噴射することで、前記保護膜を除去してもよい。 (14): In the polishing method according to any one of (1) to (9), the protective film removal step may include removing the protective film by spraying a high-pressure fluid onto the protective film.

（１５）：（１）～（１４）のいずれか一つに係る研磨方法において、前記保護膜形成工程、前記研磨工程、および前記保護膜除去工程は、同一の筐体内で行われてもよい。 (15): In the polishing method according to any one of (1) to (14), the protective film forming process, the polishing process, and the protective film removing process may be performed in the same housing.

（１６）：本発明の一態様に係る基板の製造方法は、上記研磨方法を用いる。 (16): A method for manufacturing a substrate according to one aspect of the present invention uses the above-mentioned polishing method.

（１７）：本発明の一態様に係る研磨装置は、ステージを有し、前記ステージ上に載置された基板の表面に保護膜を形成する保護膜形成部と、前記基板の周縁部を研磨する研磨部と、前記保護膜を除去する保護膜除去部と、前記保護膜形成部、前記研磨部、および前記保護膜除去部を収容する筐体と、を備える。 (17): A polishing apparatus according to one aspect of the present invention has a stage, and includes a protective film forming unit that forms a protective film on a surface of a substrate placed on the stage, a polishing unit that polishes the peripheral portion of the substrate, a protective film removing unit that removes the protective film, and a housing that houses the protective film forming unit, the polishing unit, and the protective film removing unit.

（１８）：（１７）に係る研磨装置において、前記基板を洗浄する洗浄部と、前記保護膜形成部と前記研磨部との間、前記研磨部と前記保護膜除去部との間、および前記保護膜除去部と前記洗浄部との間で、前記基板を搬送する１つ以上の搬送機構と、をさらに備えていてもよい。 (18): The polishing apparatus according to (17) may further include a cleaning unit that cleans the substrate, and one or more transport mechanisms that transport the substrate between the protective film forming unit and the polishing unit, between the polishing unit and the protective film removing unit, and between the protective film removing unit and the cleaning unit.

（１９）：（１７）に係る研磨装置において、前記基板を洗浄する洗浄部、をさらに備え、前記保護膜除去部および前記洗浄部は、同一のエリアに位置する前記基板に対して処理を行うように構成され、前記研磨装置は、前記保護膜形成部と前記研磨部との間、および前記研磨部と前記エリアとの間で、前記基板を移動させる１つ以上の移動機構、をさらに備えていてもよい。 (19): The polishing apparatus according to (17) may further include a cleaning unit for cleaning the substrate, the protective film removal unit and the cleaning unit being configured to perform processing on the substrate located in the same area, and the polishing apparatus may further include one or more moving mechanisms for moving the substrate between the protective film formation unit and the polishing unit, and between the polishing unit and the area.

上記本発明の一態様によれば、研磨時における基板の表面へのパーティクルの付着および基板の表面の損傷を防ぐことができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to prevent particles from adhering to the surface of the substrate and damage to the surface of the substrate during polishing.

第１実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す平面図である。1 is a plan view showing an overall configuration of a polishing apparatus according to a first embodiment. 基板の周縁部を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral portion of a substrate. 第１実施形態に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a protective film forming unit according to the first embodiment. 第１実施形態に係る研磨部を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a polishing unit according to the first embodiment. 第１実施形態に係る保護膜除去部を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a protective film removal unit according to the first embodiment. 第１実施形態に係る研磨方法のフローチャートである。1 is a flowchart of a polishing method according to a first embodiment. 第１実施形態に係る研磨方法を説明する図である。1A to 1C are views for explaining a polishing method according to a first embodiment. 第２実施形態に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a protective film forming unit according to a second embodiment. 第２実施形態に係る研磨方法のフローチャートである。10 is a flowchart of a polishing method according to a second embodiment. 第２実施形態に係る研磨方法を説明する図である。11A to 11C are views for explaining a polishing method according to a second embodiment. 第３実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the overall configuration of a polishing apparatus according to a third embodiment. 第４実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the overall configuration of a polishing apparatus according to a fourth embodiment. 第１実施形態の第１変形例に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。10 is a diagram illustrating a protective film forming section according to a first modified example of the first embodiment; FIG. 第１実施形態の第２変形例に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。13 is a diagram illustrating a protective film forming section according to a second modified example of the first embodiment. FIG. 第１実施形態の第３変形例に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a protective film forming section according to a third modified example of the first embodiment. 第１実施形態の第４変形例に係る保護膜形成部を模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a protective film forming section according to a fourth modified example of the first embodiment. 第１実施形態の第１変形例に係る保護膜除去部を模式的に示す図である。10 is a diagram illustrating a protective film removal unit according to a first modified example of the first embodiment. FIG. 第１実施形態の第２変形例に係る保護膜除去部を模式的に示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a protective film removal unit according to a second modified example of the first embodiment. 第１実施形態の第３変形例に係る保護膜除去部を模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a protective film removal unit according to a third modified example of the first embodiment. 第１実施形態の第４変形例に係る保護膜除去部を模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a protective film removal unit according to a fourth modified example of the first embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。 The following describes in detail an embodiment of the present invention with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る研磨装置１の全体構成を示す平面図である。研磨装置１は、シリコンウェハ等の基板Ｗ（ワーク）の周縁部Ｃを研磨するベベル研磨装置である。 First Embodiment
1 is a plan view showing the overall configuration of a polishing apparatus 1 according to a first embodiment. The polishing apparatus 1 is a bevel polishing apparatus that polishes a peripheral portion C of a substrate W (workpiece) such as a silicon wafer.

まず、処理対象である基板Ｗについて説明する。基板Ｗとしては、半導体ウェハ、ガラス基板（液晶表示装置用、プラズマディスプレイ用）、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基、プリント配線基板、メモリー回路用基板、ロジック回路用基板およびイメージセンサ用基板（例えばＣＭＯＳセンサー用基板）などの各種デバイスが含まれる。また、形状としては円形状に限らず、例えば矩形状のものでもよい。また、円形の場合の半導体ウェハの大きさとしては、例えば、直径１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍおよび４５０ｍｍのウェハが含まれる。 First, the substrate W to be processed will be described. Substrates W include various devices such as semiconductor wafers, glass substrates (for liquid crystal display devices and plasma displays), optical disk substrates, magneto-optical disk substrates, magnetic disk substrates, printed wiring boards, memory circuit substrates, logic circuit substrates, and image sensor substrates (e.g., CMOS sensor substrates). The shape is not limited to a circular shape, and may be rectangular, for example. In addition, the size of a circular semiconductor wafer includes, for example, wafers with diameters of 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, and 450 mm.

図２は、基板Ｗの周縁部Ｃを示す拡大断面図である。基板Ｗの一方の面（図２に示される基板Ｗの上側の面）を、基板Ｗの表面という。基板Ｗの表面におけるデバイス形成領域Ｄには、デバイスが形成される。デバイス形成領域Ｄは、平面視において基板Ｗの中央部に設けられる。基板Ｗの他方の面（図２に示される基板Ｗの下側の面）を、基板Ｗの裏面という。 Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral portion C of the substrate W. One surface of the substrate W (the upper surface of the substrate W shown in Figure 2) is called the front surface of the substrate W. Devices are formed in a device formation region D on the front surface of the substrate W. The device formation region D is provided in the center of the substrate W in a plan view. The other surface of the substrate W (the lower surface of the substrate W shown in Figure 2) is called the back surface of the substrate W.

周縁部Ｃは、トップエッジ部Ｅ１と、ボトムエッジ部Ｅ２と、ベベル部Ｂと、を有する。トップエッジ部Ｅ１は、基板Ｗの表面における、デバイス形成領域Ｄよりも外側に位置する部分である。すなわち、トップエッジ部Ｅ１は、基板Ｗの表面における外縁部である。ボトムエッジ部Ｅ２は、基板Ｗの裏面における、平面視においてトップエッジ部Ｅ１と重なる部分である。すなわち、ボトムエッジ部Ｅ２は、基板Ｗの裏面における外縁部である。ベベル部Ｂは、トップエッジ部Ｅ１およびボトムエッジ部Ｅ２よりも外側に位置する部分である。ベベル部Ｂは、トップエッジ部Ｅ１の外縁およびボトムエッジ部Ｅ２の外縁から外側に向かうに従い互いに近づくように傾斜する一対の傾斜部と、一対の傾斜部の外縁を接続する側面部とを有する。ベベル部Ｂの側面部は、基板Ｗの最外縁を構成する。なお、ベベル部Ｂは、曲線状に形成されていてもよい。 The peripheral portion C has a top edge portion E1, a bottom edge portion E2, and a bevel portion B. The top edge portion E1 is a portion located outside the device formation region D on the surface of the substrate W. That is, the top edge portion E1 is the outer edge of the surface of the substrate W. The bottom edge portion E2 is a portion of the back surface of the substrate W that overlaps with the top edge portion E1 in a plan view. That is, the bottom edge portion E2 is the outer edge of the back surface of the substrate W. The bevel portion B is a portion located outside the top edge portion E1 and the bottom edge portion E2. The bevel portion B has a pair of inclined portions that incline toward each other as they move outward from the outer edge of the top edge portion E1 and the outer edge of the bottom edge portion E2, and a side portion that connects the outer edges of the pair of inclined portions. The side portion of the bevel portion B constitutes the outermost edge of the substrate W. The bevel portion B may be formed in a curved shape.

図１に戻り、研磨装置１は、筐体２と、ロード／アンロード部１０と、保護膜形成部２０と、研磨部３０と、保護膜除去部４０と、洗浄部５０と、乾燥部６０と、第１搬送ロボット７１（搬送機構）と、複数の第２搬送ロボット７２（搬送機構）と、第３搬送ロボット７３（搬送機構）と、第１仮置台７５と、第２仮置台７６と、制御部８０（制御盤）と、を備える。 Returning to FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes a housing 2, a load/unload unit 10, a protective film forming unit 20, a polishing unit 30, a protective film removing unit 40, a cleaning unit 50, a drying unit 60, a first transport robot 71 (transport mechanism), a plurality of second transport robots 72 (transport mechanisms), a third transport robot 73 (transport mechanism), a first temporary placement table 75, a second temporary placement table 76, and a control unit 80 (control panel).

筐体２は、矩形箱状である。筐体２は、平面視で略長方形に形成されている。筐体２には、保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、洗浄部５０、および乾燥部６０が収容されている。本実施形態では、筐体２内において、保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、および洗浄部５０は、筐体２の長手方向に沿って配置される。しかしながら、保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、洗浄部５０、および乾燥部６０の配置はこれに限られない。 The housing 2 is in the shape of a rectangular box. The housing 2 is formed in a substantially rectangular shape in a plan view. The housing 2 houses a protective film forming unit 20, a polishing unit 30, a protective film removing unit 40, a cleaning unit 50, and a drying unit 60. In this embodiment, the protective film forming unit 20, the polishing unit 30, the protective film removing unit 40, and the cleaning unit 50 are arranged along the longitudinal direction of the housing 2 within the housing 2. However, the arrangement of the protective film forming unit 20, the polishing unit 30, the protective film removing unit 40, the cleaning unit 50, and the drying unit 60 is not limited to this.

ロード／アンロード部１０は、筐体２の長手方向における一端部に設けられる。ロード／アンロード部１０は、基板Ｗを収容する複数のフロントロード部１１を備える。複数のフロントロード部１１は、筐体２の幅方向に配列されている。フロントロード部１１には、例えば、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が搭載される。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板Ｗのカセットを収納し、隔壁で覆った密閉容器であり、外部空間とは独立した環境を保つことができる。 The load/unload section 10 is provided at one end in the longitudinal direction of the housing 2. The load/unload section 10 includes a plurality of front load sections 11 that accommodate substrates W. The plurality of front load sections 11 are arranged in the width direction of the housing 2. The front load sections 11 are equipped with, for example, an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). SMIFs and FOUPs are airtight containers that accommodate cassettes of substrates W inside and are covered with a partition wall, and can maintain an environment independent of the external space.

第１搬送ロボット７１は、ロード／アンロード部１０に配置される。第１搬送ロボット７１は、フロントロード部１１の配列方向に沿って移動可能である。第１搬送ロボット７１は、フロントロード部１１から基板Ｗを出し入れする。第１搬送ロボット７１は、フロントロード部１１から処理前の基板Ｗを取り出して、第１仮置台７５に仮置きする。第１搬送ロボット７１は、処理後の基板Ｗを乾燥部６０から取り出してフロントロード部１１に収納する。第１搬送ロボット７１は、上下に２つのハンドを備えており、基板Ｗの処理前、処理後でハンドを使い分けている。例えば、フロントロード部１１に処理後の基板Ｗを戻すときは上側のハンドを使用し、フロントロード部１１から処理前の基板Ｗを取り出すときは下側のハンドを使用する。 The first transport robot 71 is disposed in the load/unload section 10. The first transport robot 71 is movable along the arrangement direction of the front load section 11. The first transport robot 71 takes in and out the substrate W from the front load section 11. The first transport robot 71 takes out the unprocessed substrate W from the front load section 11 and temporarily places it on the first temporary placement table 75. The first transport robot 71 takes out the processed substrate W from the drying section 60 and stores it in the front load section 11. The first transport robot 71 has two hands, one above the other, and uses the hands separately before and after processing the substrate W. For example, the upper hand is used when returning the processed substrate W to the front load section 11, and the lower hand is used when taking out the unprocessed substrate W from the front load section 11.

複数の第２搬送ロボット７２は、保護膜形成部２０と、研磨部３０と、保護膜除去部４０と、洗浄部５０と、第１仮置台７５と、第２仮置台７６との間で基板Ｗを搬送する。例えば、第２搬送ロボット７２は、第１仮置台７５に仮置きされた処理前の基板Ｗを保護膜形成部２０に搬送する。複数の第２搬送ロボット７２は、保護膜形成部２０と研磨部３０との間、研磨部３０と保護膜除去部４０との間、および保護膜除去部４０と洗浄部５０との間で、基板Ｗを搬送する。第２搬送ロボット７２は、洗浄部５０における洗浄後の基板Ｗを第２仮置台７６に仮置きする。第３搬送ロボット７３は、第２仮置台７６に仮置きされた洗浄後の基板Ｗを乾燥部６０に搬送する。 The second transport robots 72 transport the substrate W between the protective film forming unit 20, the polishing unit 30, the protective film removing unit 40, the cleaning unit 50, the first temporary placement table 75, and the second temporary placement table 76. For example, the second transport robot 72 transports the unprocessed substrate W temporarily placed on the first temporary placement table 75 to the protective film forming unit 20. The second transport robots 72 transport the substrate W between the protective film forming unit 20 and the polishing unit 30, between the polishing unit 30 and the protective film removing unit 40, and between the protective film removing unit 40 and the cleaning unit 50. The second transport robot 72 temporarily places the substrate W after cleaning in the cleaning unit 50 on the second temporary placement table 76. The third transport robot 73 transports the substrate W after cleaning temporarily placed on the second temporary placement table 76 to the drying unit 60.

制御部８０は、ロード／アンロード部１０、保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、洗浄部５０、乾燥部６０、および第１～第３搬送ロボット７１～７３の動作を統括的に制御する。
制御部８０の各機能部のうちの一部又は全部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサが、不揮発性の記録媒体（非一時的な記録媒体）を有する記憶部に記憶されたプログラムを実行することにより、ソフトウェアとして実現される。プログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されてもよい。コンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＤ－ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置などの非一時的な記録媒体である。 The control unit 80 comprehensively controls the operations of the load/unload unit 10, protective film forming unit 20, polishing unit 30, protective film removing unit 40, cleaning unit 50, drying unit 60, and the first to third transport robots 71-73.
Some or all of the functional units of the control unit 80 are realized as software by a processor such as a CPU (Central Processing Unit) executing a program stored in a storage unit having a non-volatile storage medium (non-transient storage medium). The program may be recorded in a computer-readable storage medium. The computer-readable storage medium is, for example, a portable medium such as a flexible disk, a magneto-optical disk, a ROM (Read Only Memory), a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), or a non-transient storage medium such as a hard disk built into a computer system.

図３は、保護膜形成部２０を模式的に示す図である。保護膜形成部２０は、第１回転ステージ２１と、塗布ノズル２２（保護膜液供給部）と、ガス供給部２３と、を有する。
保護膜形成部２０は、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する。保護膜Ｐとしては、例えば、アルカリ可溶性樹脂、または有機溶剤可溶性樹脂などが用いられる。アルカリ可溶性樹脂は、例えば、アクリルやスチレンを含む。保護膜Ｐとして、金属や、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などが用いられてもよい。保護膜Ｐの材質はこれに限られず、上記以外の材質を採用してもよい。 3 is a diagram illustrating the protective film forming unit 20. The protective film forming unit 20 includes a first rotating stage 21, a coating nozzle 22 (protective film liquid supply unit), and a gas supply unit 23.
The protective film forming unit 20 forms a protective film P on the surface of the substrate W. For example, an alkali-soluble resin or an organic solvent-soluble resin is used as the protective film P. The alkali-soluble resin includes, for example, acrylic or styrene. Metal, silicon dioxide (SiO ₂ ), or the like may also be used as the protective film P. The material of the protective film P is not limited to this, and materials other than those mentioned above may also be used.

第１回転ステージ２１には、基板Ｗが載置される。第１回転ステージ２１は、例えば基板Ｗの裏面を吸着することで、基板Ｗを保持する。第１回転ステージ２１は、不図示のモータにより回転される。第１回転ステージ２１の回転に伴い、第１回転ステージ２１に載置される基板Ｗも回転する。 The substrate W is placed on the first rotating stage 21. The first rotating stage 21 holds the substrate W, for example, by adsorbing the back surface of the substrate W. The first rotating stage 21 is rotated by a motor (not shown). As the first rotating stage 21 rotates, the substrate W placed on the first rotating stage 21 also rotates.

塗布ノズル２２は、第１回転ステージ２１の上方に配置される。塗布ノズル２２は、第１回転ステージ２１上に載置された基板Ｗの表面に保護膜液を供給する。塗布ノズル２２は、基板Ｗの中央部に保護膜液を供給する。基板Ｗの回転による遠心力により、保護膜液は基板Ｗの表面上に拡散される。すなわち、スピンコート法により基板Ｗの表面の全体に保護膜液が塗布される。 The coating nozzle 22 is disposed above the first rotating stage 21. The coating nozzle 22 supplies the protective film liquid to the surface of the substrate W placed on the first rotating stage 21. The coating nozzle 22 supplies the protective film liquid to the center of the substrate W. The protective film liquid is spread over the surface of the substrate W by centrifugal force caused by the rotation of the substrate W. That is, the protective film liquid is applied to the entire surface of the substrate W by the spin coating method.

ガス供給部２３は、第１回転ステージ２１の上方に配置される。ガス供給部２３からは、圧縮ガスが噴射される。ガス供給部２３は、基板Ｗの表面に塗布された保護膜液に圧縮ガスを供給することで、保護膜液を乾燥させる。これにより、保護膜Ｐが形成される。
保護膜Ｐが形成された基板Ｗは、第２搬送ロボット７２により、保護膜形成部２０から研磨部３０へ搬送される。 The gas supply unit 23 is disposed above the first rotating stage 21. Compressed gas is sprayed from the gas supply unit 23. The gas supply unit 23 supplies compressed gas to the protective film liquid applied to the surface of the substrate W, thereby drying the protective film liquid. As a result, the protective film P is formed.
The substrate W on which the protective film P has been formed is transported by the second transport robot 72 from the protective film forming unit 20 to the polishing unit 30 .

図４は、研磨部３０を模式的に示す図である。研磨部３０は、第２回転ステージ３１と、研磨液供給部３２と、研磨テープ３３と、研磨ヘッド３４と、を備える。研磨部３０は、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する。なお、第２回転ステージ３１の構成は、第１回転ステージ２１と同様であるので、ここでは記載を省略する。 Figure 4 is a schematic diagram of the polishing unit 30. The polishing unit 30 includes a second rotating stage 31, a polishing liquid supply unit 32, a polishing tape 33, and a polishing head 34. The polishing unit 30 polishes the peripheral portion C of the substrate W. Note that the configuration of the second rotating stage 31 is similar to that of the first rotating stage 21, so a description thereof will be omitted here.

研磨液供給部３２は、第２回転ステージ３１の上方に配置される。研磨液供給部３２は、基板Ｗに研磨液を供給し、基板Ｗを研磨液によってコーティングする。研磨液は、例えば純水である。 The polishing liquid supply unit 32 is disposed above the second rotating stage 31. The polishing liquid supply unit 32 supplies the polishing liquid to the substrate W, coating the substrate W with the polishing liquid. The polishing liquid is, for example, pure water.

研磨ヘッド３４は、第２回転ステージ３１の側方に配置される。研磨ヘッド３４は、不図示の移動機構により、基板Ｗに対して移動可能である。また、研磨ヘッド３４は、不図示の傾斜機構により、基板Ｗの表面に対して傾斜可能である。
研磨ヘッド３４は、押圧部３４ａと、テープ送り部３４ｂと、を有する。テープ送り部３４ｂは、研磨テープ３３を所定の方向に送る。押圧部３４ａは、研磨テープ３３を基板Ｗの周縁部Ｃに押し付ける。これにより、基板Ｗの周縁部Ｃが研磨される。
研磨された基板Ｗは、第２搬送ロボット７２により、研磨部３０から保護膜除去部４０へ搬送される。 The polishing head 34 is disposed to the side of the second rotating stage 31. The polishing head 34 is movable relative to the substrate W by a moving mechanism (not shown). In addition, the polishing head 34 is tiltable relative to the surface of the substrate W by a tilting mechanism (not shown).
The polishing head 34 has a pressing section 34a and a tape feed section 34b. The tape feed section 34b feeds the polishing tape 33 in a predetermined direction. The pressing section 34a presses the polishing tape 33 against the peripheral portion C of the substrate W. As a result, the peripheral portion C of the substrate W is polished.
The polished substrate W is transported by the second transport robot 72 from the polishing unit 30 to the protective film removal unit 40 .

図５は、保護膜除去部４０を模式的に示す図である。保護膜除去部４０は、第３回転ステージ４１と、剥離液供給部４２と、を有する。保護膜除去部４０は、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐを除去する。なお、第３回転ステージ４１の構成は、第１回転ステージ２１と同様であるので、ここでは記載を省略する。 Figure 5 is a schematic diagram of the protective film removal unit 40. The protective film removal unit 40 has a third rotating stage 41 and a stripping liquid supply unit 42. The protective film removal unit 40 removes the protective film P formed on the surface of the substrate W. Note that the configuration of the third rotating stage 41 is similar to that of the first rotating stage 21, so a description thereof will be omitted here.

剥離液供給部４２は、第３回転ステージ４１の上方に配置される。剥離液供給部４２は、基板Ｗの表面に剥離液を供給する。例えば保護膜Ｐとしてアルカリ可溶性樹脂が用いられる場合、剥離液としては、アルカリ性薬液が用いられる。アルカリ性薬液は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を含む。例えば保護膜Ｐとして有機溶剤可溶性樹脂が用いられる場合、剥離液としては、有機溶剤が用いられる。例えば保護膜Ｐとして金属や、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が用いられる場合、剥離液としては、酸性薬液が用いられる。剥離液の材質は、保護膜Ｐの具体的な材質によって適宜変更してもよい。例えば、剥離液として、オゾン水、または超音波水などが用いられてもよい。剥離液によって、保護膜Ｐが溶解され、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐが除去される。
保護膜Ｐが除去された基板Ｗは、第２搬送ロボット７２により、保護膜除去部４０から洗浄部５０へ搬送される。 The stripping liquid supply unit 42 is disposed above the third rotating stage 41. The stripping liquid supply unit 42 supplies the stripping liquid to the surface of the substrate W. For example, when an alkali-soluble resin is used as the protective film P, an alkaline chemical liquid is used as the stripping liquid. The alkaline chemical liquid includes, for example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH). For example, when an organic solvent-soluble resin is used as the protective film P, an organic solvent is used as the stripping liquid. For example, when a metal or silicon dioxide (SiO ₂ ) is used as the protective film P, an acidic chemical liquid is used as the stripping liquid. The material of the stripping liquid may be appropriately changed depending on the specific material of the protective film P. For example, ozone water, ultrasonic water, or the like may be used as the stripping liquid. The protective film P is dissolved by the stripping liquid, and the protective film P formed on the surface of the substrate W is removed.
The substrate W from which the protective film P has been removed is transported by the second transport robot 72 from the protective film removing unit 40 to the cleaning unit 50 .

洗浄部５０は、例えば洗浄液を基板Ｗに供給することで、基板Ｗを洗浄する。洗浄後の基板Ｗは、第２搬送ロボット７２および第３搬送ロボット７３により、洗浄部５０から乾燥部６０へ搬送される。
乾燥部６０は、例えばロタゴニ乾燥（ＩＰＡ（Iso-Propyl Alcohol）乾燥）を行うことで、基板Ｗを乾燥させる。乾燥後の基板Ｗは、第１搬送ロボット７１により、フロントロード部１１に収納される。 The cleaning unit 50 cleans the substrate W, for example, by supplying a cleaning liquid to the substrate W. The cleaned substrate W is transported from the cleaning unit 50 to the drying unit 60 by the second transport robot 72 and the third transport robot 73.
The drying part 60 performs, for example, Rotagoni drying (IPA (Iso-Propyl Alcohol) drying) to dry the substrate W. After drying, the substrate W is stored in the front load part 11 by the first transport robot 71.

次に、研磨装置１を用いた研磨方法について説明する。研磨方法は、基板Ｗの製造方法の一部である。 Next, a polishing method using the polishing apparatus 1 will be described. The polishing method is part of a method for manufacturing a substrate W.

図６は、本実施形態に係る研磨方法のフローチャートである。本実施形態に係る研磨方法は、保護膜形成工程Ｓ１と、研磨工程Ｓ２と、保護膜除去工程Ｓ３と、洗浄工程Ｓ４と、基板乾燥工程Ｓ５と、を含む。なお、保護膜形成工程Ｓ１と、研磨工程Ｓ２と、保護膜除去工程Ｓ３と、洗浄工程Ｓ４と、基板乾燥工程Ｓ５とは、同一の筐体２内で行われる。 Figure 6 is a flow chart of the polishing method according to this embodiment. The polishing method according to this embodiment includes a protective film forming step S1, a polishing step S2, a protective film removing step S3, a cleaning step S4, and a substrate drying step S5. Note that the protective film forming step S1, the polishing step S2, the protective film removing step S3, the cleaning step S4, and the substrate drying step S5 are performed in the same housing 2.

保護膜形成工程Ｓ１は、保護膜形成部２０において行われる。図７（ａ）に示されるように、保護膜形成工程Ｓ１では、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する。保護膜形成工程Ｓ１は、塗布工程と、保護膜乾燥工程と、を有する。
塗布工程では、第１回転ステージ２１に基板Ｗを載置し、回転ステージを回転させることで、基板Ｗを回転させる。基板Ｗを回転させた状態で、塗布ノズル２２から、基板Ｗの表面における中央部に、保護膜液を供給する。基板Ｗの回転による遠心力により、保護膜液は基板Ｗの表面上に拡散され、基板Ｗの表面の全体に保護膜液が塗布される。
保護膜乾燥工程は、塗布工程の後に行われる。保護膜乾燥工程では、ガス供給部２３から、基板Ｗの表面に塗布された保護膜液に圧縮ガスを供給することで、保護膜液を乾燥させる。これにより、基板Ｗの表面に保護膜Ｐが形成される。 The protective film forming step S1 is performed in the protective film forming part 20. As shown in Fig. 7(a) , in the protective film forming step S1, a protective film P is formed on the surface of the substrate W. The protective film forming step S1 includes a coating step and a protective film drying step.
In the coating step, the substrate W is placed on the first rotating stage 21, and the rotating stage is rotated to rotate the substrate W. While the substrate W is being rotated, the protective film liquid is supplied from the coating nozzle 22 to the center of the surface of the substrate W. The protective film liquid is spread over the surface of the substrate W by centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, and the protective film liquid is coated over the entire surface of the substrate W.
The protective film drying process is performed after the coating process. In the protective film drying process, the gas supply unit 23 supplies compressed gas to the protective film liquid coated on the surface of the substrate W, thereby drying the protective film liquid. As a result, a protective film P is formed on the surface of the substrate W.

研磨工程Ｓ２は、保護膜形成工程Ｓ１の後に行われる。研磨工程Ｓ２は、研磨部３０において行われる。図７（ｂ）に示されるように、研磨工程Ｓ２では、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する。具体的には、第２回転ステージ３１に基板Ｗを載置し、第２回転ステージ３１を回転させることで、基板Ｗを回転させる。基板Ｗを回転させた状態で、研磨液供給部３２から、基板Ｗに研磨液を供給し、基板Ｗを研磨液によってコーティングする。その後、基板Ｗを回転させた状態で、研磨ヘッド３４の押圧部３４ａにより研磨テープ３３を基板Ｗの周縁部Ｃに押し付けることで、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する。不図示の移動機構および傾斜機構により、研磨ヘッド３４を基板Ｗの周縁部Ｃに対して移動させることで、トップエッジ部Ｅ１、ボトムエッジ部Ｅ２、およびベベル部Ｂを研磨することができる。このとき、基板Ｗの周縁部Ｃとともに、保護膜Ｐのうち周縁部Ｃ上に位置する部分も研磨される。 The polishing step S2 is performed after the protective film forming step S1. The polishing step S2 is performed in the polishing section 30. As shown in FIG. 7B, in the polishing step S2, the peripheral portion C of the substrate W is polished. Specifically, the substrate W is placed on the second rotating stage 31, and the substrate W is rotated by rotating the second rotating stage 31. With the substrate W rotated, the polishing liquid is supplied to the substrate W from the polishing liquid supply section 32, and the substrate W is coated with the polishing liquid. Thereafter, with the substrate W rotated, the polishing tape 33 is pressed against the peripheral portion C of the substrate W by the pressing section 34a of the polishing head 34, thereby polishing the peripheral portion C of the substrate W. The top edge portion E1, the bottom edge portion E2, and the bevel portion B can be polished by moving the polishing head 34 relative to the peripheral portion C of the substrate W by a moving mechanism and a tilting mechanism (not shown). At this time, the peripheral edge C of the substrate W is polished as well as the portion of the protective film P located on the peripheral edge C.

保護膜除去工程Ｓ３は、研磨工程Ｓ２の後に行われる。保護膜除去工程Ｓ３は、保護膜除去部４０において行われる。図７（ｃ）に示されるように、保護膜除去工程Ｓ３では、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐを除去する。具体的には、第３回転ステージ４１に基板Ｗを載置し、第３回転ステージ４１を回転させることで、基板Ｗを回転させる。基板Ｗを回転させた状態で、剥離液供給部４２から、基板Ｗの表面に剥離液を供給する。剥離液によって、保護膜Ｐを溶解し、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐを除去する。 The protective film removal process S3 is performed after the polishing process S2. The protective film removal process S3 is performed in the protective film removal section 40. As shown in FIG. 7(c), in the protective film removal process S3, the protective film P formed on the surface of the substrate W is removed. Specifically, the substrate W is placed on the third rotating stage 41, and the third rotating stage 41 is rotated to rotate the substrate W. While the substrate W is rotating, a stripping liquid is supplied from the stripping liquid supply section 42 to the surface of the substrate W. The protective film P is dissolved by the stripping liquid, and the protective film P formed on the surface of the substrate W is removed.

洗浄工程Ｓ４は、保護膜除去工程Ｓ３の後に行われる。洗浄工程Ｓ４は、洗浄部５０において行われる。洗浄工程Ｓ４では、例えば洗浄液を基板Ｗに供給することで、基板Ｗを洗浄する。 The cleaning process S4 is performed after the protective film removal process S3. The cleaning process S4 is performed in the cleaning unit 50. In the cleaning process S4, the substrate W is cleaned, for example, by supplying a cleaning liquid to the substrate W.

基板乾燥工程Ｓ５は、洗浄工程Ｓ４の後に行われる。基板乾燥工程Ｓ５は、乾燥部６０において行われる。基板乾燥工程Ｓ５では、乾燥部６０において、例えばロタゴニ乾燥を行うことで、基板Ｗを乾燥させる。 The substrate drying process S5 is performed after the cleaning process S4. The substrate drying process S5 is performed in the drying section 60. In the substrate drying process S5, the substrate W is dried in the drying section 60, for example, by performing Rotagoni drying.

以上説明したように、本実施形態に係る研磨方法は、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する保護膜形成工程Ｓ１と、保護膜形成工程Ｓ１の後で、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する研磨工程Ｓ２と、研磨工程Ｓ２の後で、保護膜Ｐを除去する保護膜除去工程Ｓ３と、を含む。
また、本実施形態に係る基板Ｗの製造方法は、上記研磨方法を用いて基板Ｗを製造する。 As described above, the polishing method of this embodiment includes a protective film formation process S1 of forming a protective film P on the surface of the substrate W, a polishing process S2 of polishing the peripheral portion C of the substrate W after the protective film formation process S1, and a protective film removal process S3 of removing the protective film P after the polishing process S2.
In addition, in the method for manufacturing a substrate W according to this embodiment, a substrate W is manufactured using the above-mentioned polishing method.

また、本実施形態に係る研磨装置１は、第１回転ステージ２１を有し、第１回転ステージ２１上に載置された基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する保護膜形成部２０と、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する研磨部３０と、保護膜Ｐを除去する保護膜除去部４０と、保護膜形成部２０、研磨部３０、および保護膜除去部４０を収容する筐体２と、を有する。 The polishing apparatus 1 according to this embodiment also has a first rotating stage 21, a protective film forming section 20 that forms a protective film P on the surface of a substrate W placed on the first rotating stage 21, a polishing section 30 that polishes the peripheral portion C of the substrate W, a protective film removing section 40 that removes the protective film P, and a housing 2 that houses the protective film forming section 20, the polishing section 30, and the protective film removing section 40.

このような研磨方法、基板の製造方法、および研磨装置１によれば、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する前に、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する。これにより、研磨時に発生する研磨屑などのパーティクル（異物）が、基板Ｗの表面に付着することを防止できる。なお、保護膜Ｐを形成することで、基板Ｗの表面に直接付着しようとするパーティクルのみではなく、例えば基板Ｗに供給される研磨液に流されて基板Ｗの裏面から表面に移動してきたパーティクルについても、基板Ｗの表面に付着することを防止できる。また、保護膜Ｐを形成することで、装置の誤作動などにより研磨ヘッド３４などの部品が基板Ｗの表面に接触して、基板Ｗの表面が傷つくことを防止できる。 According to such a polishing method, a method for manufacturing a substrate, and a polishing apparatus 1, a protective film P is formed on the surface of the substrate W before polishing the peripheral portion C of the substrate W. This makes it possible to prevent particles (foreign matter) such as polishing debris generated during polishing from adhering to the surface of the substrate W. By forming the protective film P, it is possible to prevent not only particles that would otherwise adhere directly to the surface of the substrate W, but also particles that have been carried by the polishing liquid supplied to the substrate W and moved from the back surface of the substrate W to the front surface from adhering to the surface of the substrate W. In addition, by forming the protective film P, it is possible to prevent parts such as the polishing head 34 from coming into contact with the surface of the substrate W due to malfunction of the device, etc., and damaging the surface of the substrate W.

また、本実施形態に係る研磨方法では、研磨工程Ｓ２において、保護膜Ｐのうち周縁部Ｃ上に位置する部分を、周縁部Ｃとともに研磨する。
これにより、周縁部Ｃを研磨するときに、保護膜Ｐのうち周縁部Ｃ上に位置する部分を除去することができるため、工程を短縮化することができる。 In the polishing method according to this embodiment, the portion of the protective film P located on the peripheral edge portion C is polished together with the peripheral edge portion C in the polishing step S2.
This allows the portion of the protective film P located on the peripheral portion C to be removed when polishing the peripheral portion C, thereby shortening the process.

また、本実施形態に係る研磨装置１は、基板Ｗを洗浄する洗浄部５０と、保護膜形成部２０と研磨部３０との間、研磨部３０と保護膜除去部４０との間、および保護膜除去部４０と洗浄部５０との間で、基板Ｗを移動させる１つ以上の第２搬送ロボット７２と、をさらに備える。
これにより、保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、および洗浄部５０のそれぞれの構造がシンプルになる。 In addition, the polishing apparatus 1 of this embodiment further includes a cleaning section 50 for cleaning the substrate W, and one or more second transport robots 72 for moving the substrate W between the protective film forming section 20 and the polishing section 30, between the polishing section 30 and the protective film removal section 40, and between the protective film removal section 40 and the cleaning section 50.
This simplifies the structures of each of the protective film forming unit 20, the polishing unit 30, the protective film removing unit 40, and the cleaning unit 50.

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る研磨装置１について説明する。本実施の形態に係る研磨装置１は、基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、異なる点を中心に説明する。 Second Embodiment
Next, a polishing apparatus 1 according to a second embodiment will be described. The polishing apparatus 1 according to this embodiment has the same basic configuration as that of the first embodiment, so the following description will focus on the differences.

図８は、本実施形態に係る保護膜形成部２０を模式的に示す図である。本実施形態では、保護膜形成部２０が、第２剥離液供給部２５をさらに備える。
第２剥離液供給部２５は、基板Ｗの表面における周縁部Ｃのみに剥離液を供給するよう構成される。第２剥離液供給部２５における剥離液としては、保護膜除去部４０の剥離液供給部４２で用いられる剥離液と同様のものが用いられてもよい。剥離液によって、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分が溶解され、保護膜Ｐが部分的に除去される。すなわち、剥離液によって、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分が除去され、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ以外に位置する部分は、基板Ｗの表面に形成されたままとなっている。 8 is a diagram illustrating the protective film forming unit 20 according to the present embodiment. In the present embodiment, the protective film forming unit 20 further includes a second stripping solution supply unit 25.
The second remover liquid supply unit 25 is configured to supply the remover liquid only to the peripheral edge C on the front surface of the substrate W. The remover liquid in the second remover liquid supply unit 25 may be the same as the remover liquid used in the remover liquid supply unit 42 of the protective film removal unit 40. The remover liquid dissolves the portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W, and the protective film P is partially removed. That is, the remover liquid removes the portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W, and the portion of the protective film P located other than the peripheral edge C of the substrate W remains formed on the front surface of the substrate W.

図９は、本実施形態に係る研磨方法のフローチャートである。本実施形態に係る研磨方法は、予備除去工程Ｓ１１をさらに備える。すなわち、本実施形態に係る研磨方法は、保護膜形成工程Ｓ１と、予備除去工程Ｓ１１と、研磨工程Ｓ２と、保護膜除去工程Ｓ３と、洗浄工程Ｓ４と、基板乾燥工程Ｓ５と、を含む。 Figure 9 is a flowchart of the polishing method according to this embodiment. The polishing method according to this embodiment further includes a preliminary removal step S11. That is, the polishing method according to this embodiment includes a protective film forming step S1, a preliminary removal step S11, a polishing step S2, a protective film removal step S3, a cleaning step S4, and a substrate drying step S5.

図１０（ａ）に示される保護膜形成工程Ｓ１は、図７（ａ）に示される保護膜形成工程Ｓ１と同様である。すなわち、保護膜形成工程Ｓ１では、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する。 The protective film forming step S1 shown in FIG. 10(a) is the same as the protective film forming step S1 shown in FIG. 7(a). That is, in the protective film forming step S1, a protective film P is formed on the surface of the substrate W.

予備除去工程Ｓ１１は、保護膜形成工程Ｓ１の後、かつ研磨工程Ｓ２の前に行われる。予備除去工程Ｓ１１は、保護膜形成部２０において行われる。図１０（ｂ）に示されるように、予備除去工程Ｓ１１では、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分を除去する。具体的には、基板Ｗを回転させた状態で、第２剥離液供給部２５から、基板Ｗの表面における周縁部Ｃに剥離液を供給する。剥離液によって、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分を溶解し、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分を除去する。 The preliminary removal step S11 is performed after the protective film forming step S1 and before the polishing step S2. The preliminary removal step S11 is performed in the protective film forming section 20. As shown in FIG. 10(b), in the preliminary removal step S11, a portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W is removed. Specifically, while the substrate W is rotated, a stripping liquid is supplied from the second stripping liquid supply section 25 to the peripheral edge C on the surface of the substrate W. The stripping liquid dissolves the portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W, and the portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W is removed.

研磨工程Ｓ２では、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する。図１０（ｃ）に示されるように、本実施形態に係る研磨工程Ｓ２では、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分は除去されているため、保護膜Ｐの研磨は行われず、基板Ｗの周縁部Ｃの研磨のみが行われる。したがって、研磨工程Ｓ２において保護膜Ｐの研磨屑が発生することを防止でき、保護膜Ｐの研磨屑により研磨テープ３３が目詰まりしてしまうなどの不具合の発生を防止することができる。 In the polishing step S2, the peripheral portion C of the substrate W is polished. As shown in FIG. 10(c), in the polishing step S2 according to this embodiment, the portion of the protective film P located on the peripheral portion C of the substrate W is removed, so that the protective film P is not polished, and only the peripheral portion C of the substrate W is polished. Therefore, it is possible to prevent the generation of polishing debris of the protective film P in the polishing step S2, and to prevent problems such as clogging of the polishing tape 33 due to polishing debris of the protective film P.

図１０（ｄ）に示される保護膜除去工程Ｓ３は、図７（ｃ）に示される保護膜除去工程Ｓ３と同様である。すなわち、保護膜除去工程Ｓ３では、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐを除去する。
また、洗浄工程Ｓ４および基板乾燥工程Ｓ５は、第１実施形態と同様である。 The protective film removing step S3 shown in Fig. 10(d) is similar to the protective film removing step S3 shown in Fig. 7(c) In other words, in the protective film removing step S3, the protective film P formed on the surface of the substrate W is removed.
Moreover, the cleaning step S4 and the substrate drying step S5 are similar to those in the first embodiment.

以上説明したように、本実施形態に係る研磨方法は、研磨工程Ｓ２の前に、保護膜Ｐのうち周縁部Ｃ上に位置する部分を除去する予備除去工程Ｓ１１を行う。
これにより、研磨工程Ｓ２において保護膜Ｐの研磨屑が発生することを防止でき、研磨工程Ｓ２における保護膜Ｐの研磨屑による不具合を防止することができる。 As described above, in the polishing method according to this embodiment, the preliminary removing step S11 of removing the portion of the protective film P located on the peripheral edge portion C is performed before the polishing step S2.
This makes it possible to prevent the generation of polishing debris from the protective film P in the polishing step S2, and thus makes it possible to prevent problems caused by polishing debris from the protective film P in the polishing step S2.

なお、予備除去工程Ｓ１１では、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分に加えて、保護膜Ｐのうち研磨テープ３３に干渉する可能性がある部分を除去してもよい。 In addition, in the preliminary removal process S11, in addition to the portion of the protective film P located on the peripheral portion C of the substrate W, a portion of the protective film P that may interfere with the polishing tape 33 may also be removed.

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る研磨装置１Ａについて説明する。本実施の形態に係る研磨装置１Ａは、基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、異なる点を中心に説明する。 Third Embodiment
Next, a polishing apparatus 1A according to a third embodiment will be described. The polishing apparatus 1A according to this embodiment has the same basic configuration as that of the first embodiment, so the following description will focus on the differences.

図１１は、第３実施形態に係る研磨装置１Ａの全体構成を示す平面図である。
本実施形態では、保護膜除去部４０と、洗浄部５０とが、同一のエリア（以下、除去洗浄エリアＡ１ともいう）に配置されている。すなわち、保護膜除去部４０および洗浄部５０は、同一の除去洗浄エリアＡ１に位置する基板Ｗに対して処理を行うように構成される。例えば、除去洗浄エリアＡ１において、第３回転ステージ４１に載置される基板Ｗに対して、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐを除去する保護膜除去工程Ｓ３が行われた後に、基板Ｗを洗浄する洗浄工程Ｓ４が行われる。
また、第２搬送ロボット７２は、保護膜形成部２０と研磨部３０との間、および研磨部３０と除去洗浄エリアＡ１との間で、基板Ｗを搬送する。 FIG. 11 is a plan view showing the overall configuration of a polishing apparatus 1A according to the third embodiment.
In this embodiment, the protective film removal unit 40 and the cleaning unit 50 are arranged in the same area (hereinafter also referred to as the removal cleaning area A1). That is, the protective film removal unit 40 and the cleaning unit 50 are configured to perform processing on the substrate W located in the same removal cleaning area A1. For example, in the removal cleaning area A1, the substrate W placed on the third rotating stage 41 is subjected to a protective film removal step S3 for removing the protective film P formed on the surface of the substrate W, and then a cleaning step S4 for cleaning the substrate W is performed.
In addition, the second transport robot 72 transports the substrate W between the protective film forming unit 20 and the polishing unit 30, and between the polishing unit 30 and the removal and cleaning area A1.

以上説明したように、本実施形態に係る研磨装置１Ａでは、保護膜除去部４０および洗浄部５０は、同一の除去洗浄エリアＡ１に位置する基板Ｗに対して処理を行うように構成される。研磨装置１Ａは、保護膜形成部２０と研磨部３０との間、および研磨部３０と除去洗浄エリアＡ１との間で、基板Ｗを搬送する１つ以上の第２搬送ロボット７２、をさらに備える。
これにより、研磨装置１の省スペース化を図ることができる。また、第２搬送ロボット７２により基板Ｗを搬送する回数を減らすことができる。さらに、保護膜除去部４０により保護膜Ｐを除去した基板Ｗを、同一の除去洗浄エリアＡ１において、洗浄部５０により洗浄することができるため、作業の効率化を図ることができる。 As described above, in the polishing apparatus 1A according to this embodiment, the protective film removing unit 40 and the cleaning unit 50 are configured to perform processing on a substrate W located in the same removal and cleaning area A1. The polishing apparatus 1A further includes one or more second transport robots 72 that transport the substrate W between the protective film forming unit 20 and the polishing unit 30 and between the polishing unit 30 and the removal and cleaning area A1.
This makes it possible to reduce the space required for the polishing apparatus 1. Also, it is possible to reduce the number of times the substrate W is transported by the second transport robot 72. Furthermore, the substrate W from which the protective film P has been removed by the protective film removal part 40 can be cleaned by the cleaning part 50 in the same removal and cleaning area A1, thereby making it possible to improve the efficiency of the work.

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る研磨装置１Ｂについて説明する。本実施の形態に係る研磨装置１Ｂは、基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、異なる点を中心に説明する。 Fourth Embodiment
Next, a polishing apparatus 1B according to a fourth embodiment will be described. The polishing apparatus 1B according to this embodiment has the same basic configuration as that of the first embodiment, so the following description will focus on the differences.

本実施形態では、第３実施形態と同様に、保護膜除去部４０と、洗浄部５０とが、同一の除去洗浄エリアＡ１に配置されている。さらに、保護膜形成部２０と、研磨部３０とが、同一のエリア（以下、形成研磨エリアＡ２ともいう）に配置されている。すなわち、保護膜形成部２０および研磨部３０は、同一の形成研磨エリアＡ２に位置する基板Ｗに対して処理を行うように構成される。例えば、第１回転ステージ２１および第２回転ステージ３１として、共通の回転ステージが用いられる。形成研磨エリアＡ２において、この共通の回転ステージに載置される基板Ｗに対して、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを形成する保護膜形成工程Ｓ１が行われた後に、基板Ｗの周縁部Ｃを研磨する研磨工程Ｓ２が行われる。
また、第２搬送ロボット７２は、除去洗浄エリアＡ１と形成研磨エリアＡ２との間で、基板Ｗを搬送する。
これにより、研磨装置１の省スペース化を図ることができる。また、第２搬送ロボット７２により基板Ｗを搬送する回数を減らすことができる。 In this embodiment, similarly to the third embodiment, the protective film removing unit 40 and the cleaning unit 50 are arranged in the same removal and cleaning area A1. Furthermore, the protective film forming unit 20 and the polishing unit 30 are arranged in the same area (hereinafter also referred to as the formation and polishing area A2). That is, the protective film forming unit 20 and the polishing unit 30 are configured to process the substrate W located in the same formation and polishing area A2. For example, a common rotation stage is used as the first rotation stage 21 and the second rotation stage 31. In the formation and polishing area A2, the substrate W placed on the common rotation stage is subjected to a protective film forming step S1 for forming a protective film P on the surface of the substrate W, and then a polishing step S2 for polishing the peripheral portion C of the substrate W is performed.
The second transport robot 72 transports the substrate W between the removal cleaning area A1 and the formation polishing area A2.
This makes it possible to reduce the space required for the polishing apparatus 1. Furthermore, the number of times the second transport robot 72 transports the substrate W can be reduced.

以上、本発明の好ましい実施形態を記載し説明してきたが、これらは本発明の例示的なものであり、限定するものとして考慮されるべきではないことを理解すべきである。追加、省略、置換、およびその他の変更は、本発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、本発明は、前述の説明によって限定されていると見なされるべきではなく、特許請求の範囲によって制限されている。 Although preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated above, it should be understood that these are illustrative of the present invention and should not be considered as limiting. Additions, omissions, substitutions, and other modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Thus, the present invention should not be considered as limited by the foregoing description, but rather by the scope of the claims.

例えば、研磨装置１に設置される保護膜形成部２０、研磨部３０、保護膜除去部４０、洗浄部５０、乾燥部６０の数は、適宜変更されてもよく、２以上であってもよい。 For example, the number of protective film forming units 20, polishing units 30, protective film removing units 40, cleaning units 50, and drying units 60 installed in the polishing apparatus 1 may be changed as appropriate and may be two or more.

上記の実施形態では、保護膜形成部２０において、スピンコート法により基板Ｗの表面の全体に保護膜液が塗布される。しかしながら、本発明はこれに限られない。
図１３に示されるように、保護膜形成部２０は、塗布ノズル２２の代わりに、霧状の保護膜液を供給するシャワーヘッド１２１（保護膜液供給部）を備えていてもよい。シャワーヘッド１２１は、第１回転ステージ２１の上方に配置される。平面視において、シャワーヘッド１２１は、基板Ｗの全体を覆うよう設けられている。シャワーヘッド１２１には、複数の供給孔が形成されている。シャワーヘッド１２１から、霧状の保護膜液を基板Ｗの表面の全体に供給することで、均一な厚さを有する保護膜Ｐを形成することができる。
図１４に示されるように、保護膜形成部２０は、塗布ノズル２２の代わりに、エアロゾル状の保護膜液を供給する塗布スプレー１２２（保護膜液供給部）を備えていてもよい。塗布スプレー１２２は、第１回転ステージ２１の上方に配置される。平面視において、塗布スプレー１２２は、基板Ｗの全体を覆うよう設けられている。塗布スプレー１２２から、エアロゾル状の保護膜液を基板Ｗの表面の全体に供給することで、均一な厚さを有する保護膜Ｐを形成することができる。
図１５に示されるように、保護膜形成部２０は、塗布ノズル２２の代わりに、塗布ローラ１２３を備えていてもよい。塗布ローラ１２３は、例えばスポンジローラである。塗布ローラ１２３は、第１回転ステージ２１の上方に配置される。塗布ローラ１２３は、第１回転ステージ２１に載置される基板Ｗの表面に接触可能に構成される。保護膜液を含ませた塗布ローラ１２３を基板Ｗの表面に所定の圧力で接触させることで、保護膜液を基板Ｗの表面の全体に塗布してもよい。 In the above embodiment, the protective film forming unit 20 applies the protective film liquid to the entire surface of the substrate W by spin coating. However, the present invention is not limited to this.
13, the protective film forming unit 20 may include a shower head 121 (protective film liquid supply unit) that supplies a mist of protective film liquid instead of the application nozzle 22. The shower head 121 is disposed above the first rotating stage 21. In a plan view, the shower head 121 is provided so as to cover the entire substrate W. A plurality of supply holes are formed in the shower head 121. By supplying the mist of protective film liquid from the shower head 121 to the entire surface of the substrate W, a protective film P having a uniform thickness can be formed.
14, the protective film forming unit 20 may include a coating spray 122 (protective film liquid supply unit) that supplies an aerosol-like protective film liquid, instead of the coating nozzle 22. The coating spray 122 is disposed above the first rotating stage 21. In a plan view, the coating spray 122 is provided so as to cover the entire substrate W. By supplying the aerosol-like protective film liquid from the coating spray 122 to the entire surface of the substrate W, a protective film P having a uniform thickness can be formed.
15, the protective film forming unit 20 may include a coating roller 123 instead of the coating nozzle 22. The coating roller 123 is, for example, a sponge roller. The coating roller 123 is disposed above the first rotating stage 21. The coating roller 123 is configured to be able to come into contact with the surface of the substrate W placed on the first rotating stage 21. The protective film liquid may be applied to the entire surface of the substrate W by bringing the coating roller 123, which is soaked in the protective film liquid, into contact with the surface of the substrate W with a predetermined pressure.

上記の実施形態では、保護膜形成工程Ｓ１は、塗布工程と、保護膜乾燥工程と、を有する。保護膜形成部２０において、ガス供給部２３から、基板Ｗの表面に塗布された保護膜液に圧縮ガスを供給し、保護膜液を乾燥させることで、保護膜Ｐを形成する。しかしながら、本発明はこれに限られない。
ガス供給部２３から、基板Ｗの表面に塗布された保護膜液に加熱ガスを吹き付けて、保護膜液を加熱することで、保護膜Ｐを形成してもよい。すなわち、保護膜形成工程Ｓ１は、保護膜乾燥工程の代わりに、塗布工程の後で、保護膜液を加熱する加熱工程を有していてもよい。
ガス供給部２３から、基板Ｗの表面に塗布された保護膜液に冷却ガスを吹き付けて、保護膜液を冷却することで、保護膜Ｐを形成してもよい。すなわち、保護膜形成工程Ｓ１は、保護膜乾燥工程の代わりに、塗布工程の後で、保護膜液を冷却する冷却工程を有していてもよい。
図１６に示されるように、保護膜形成部２０は、ガス供給部２３の代わりに、保護膜液が塗布された基板Ｗの表面に紫外線を照射する照射部１２５を備えていてもよい。照射部１２５から保護膜液に紫外線を照射して保護膜液を硬化させることで、保護膜Ｐを形成してもよい。すなわち、保護膜形成工程Ｓ１は、保護膜乾燥工程の代わりに、塗布工程の後で、保護膜液に紫外線を照射する紫外線照射工程を有していてもよい。
また、これらの工程が適宜組み合わせられていてもよい。例えば、保護膜形成工程Ｓ１が、塗布工程と、乾燥工程と、紫外線照射工程とを含んでいてもよく、塗布工程と、加熱工程と、紫外線照射工程とを含んでいてもよい。 In the above embodiment, the protective film forming step S1 includes a coating step and a protective film drying step. In the protective film forming part 20, a compressed gas is supplied from the gas supply part 23 to the protective film liquid coated on the surface of the substrate W, and the protective film liquid is dried to form the protective film P. However, the present invention is not limited to this.
The protective film P may be formed by blowing a heated gas from the gas supply unit 23 onto the protective film liquid applied to the surface of the substrate W to heat the protective film liquid. That is, the protective film forming step S1 may include a heating step of heating the protective film liquid after the application step, instead of the protective film drying step.
The protective film P may be formed by blowing a cooling gas from the gas supply unit 23 onto the protective film liquid applied to the surface of the substrate W to cool the protective film liquid. That is, the protective film forming step S1 may include a cooling step of cooling the protective film liquid after the application step, instead of the protective film drying step.
16, the protective film forming part 20 may include an irradiation part 125 that irradiates ultraviolet rays onto the surface of the substrate W on which the protective film liquid has been applied, instead of the gas supply part 23. The protective film P may be formed by irradiating the protective film liquid with ultraviolet rays from the irradiation part 125 to harden the protective film liquid. That is, the protective film forming step S1 may include an ultraviolet ray irradiation step of irradiating the protective film liquid with ultraviolet rays after the application step, instead of the protective film drying step.
In addition, these steps may be appropriately combined. For example, the protective film forming step S1 may include a coating step, a drying step, and an ultraviolet ray irradiation step, or may include a coating step, a heating step, and an ultraviolet ray irradiation step.

上記の実施形態では、保護膜形成部２０において、保護膜液を基板Ｗの表面に塗布し、保護膜液を乾燥させることで、保護膜Ｐを形成する。しかしながら、本発明はこれに限られない。
保護膜形成部２０において、シート状の保護膜Ｐを基板Ｗの表面に貼り付けることで、保護膜Ｐが形成されてもよい。すなわち、保護膜形成工程Ｓ１は、塗布工程および保護膜乾燥工程の代わりに、基板Ｗの表面に保護膜Ｐを貼り付ける貼付工程を含んでいてもよい。
また、この場合、基板Ｗの表面において、シート状の保護膜Ｐを、基板Ｗのうち周縁部Ｃを除いた部分のみに貼り付けてもよい。これにより、第２実施形態における予備除去工程Ｓ１１を行うことなく、保護膜Ｐのうち基板Ｗの周縁部Ｃ上に位置する部分を除去することができる。 In the above embodiment, in the protective film forming unit 20, the protective film liquid is applied to the surface of the substrate W and then dried to form the protective film P. However, the present invention is not limited to this.
In the protective film forming unit 20, the protective film P may be formed by attaching a sheet-like protective film P to the surface of the substrate W. That is, the protective film forming step S1 may include a bonding step of bonding the protective film P to the surface of the substrate W, instead of the coating step and the protective film drying step.
In this case, a sheet-like protective film P may be attached to only a portion of the surface of the substrate W excluding the peripheral edge C. This makes it possible to remove the portion of the protective film P located on the peripheral edge C of the substrate W without performing the preliminary removal step S11 in the second embodiment.

上記の実施形態では、保護膜除去部４０において、剥離液供給部４２から、基板Ｗの表面に剥離液を供給することで、基板Ｗの表面に形成される保護膜Ｐが除去される。しかしながら、本発明はこれに限られない。
図１７に示されるように、保護膜除去部４０は、剥離液供給部４２の代わりに、保護膜Ｐを加熱する加熱部１４１を備えていてもよい。保護膜除去工程Ｓ３では、加熱部１４１により保護膜Ｐを加熱して蒸発させることで、保護膜Ｐを除去してもよい。
図１８に示されるように、保護膜除去部４０は、剥離液供給部４２の代わりに、粘着テープ１４２（粘着部）を備えていてもよい。保護膜除去工程Ｓ３では、粘着テープ１４２に保護膜Ｐを粘着させて、粘着力を用いて基板Ｗの表面から剥がすことで、保護膜Ｐを除去してもよい。あるいは、保護膜除去部４０は、剥離液供給部４２の代わりに、保護膜Ｐを吸着保持する真空吸着部を備えていてもよい。保護膜除去工程Ｓ３では、真空吸着部により保護膜Ｐを吸着して、吸着力を用いて基板Ｗの表面から剥がすことで、保護膜Ｐを除去してもよい。
図１９に示されるように、保護膜除去部４０は、剥離液供給部４２の代わりに、剥離ローラ１４３を備えていてもよい。剥離ローラ１４３は、例えばスポンジローラである。剥離ローラ１４３は、第３回転ステージ４１の上方に配置される。剥離ローラ１４３は、第３回転ステージ４１に載置される基板Ｗの表面に接触可能に構成される。剥離ローラ１４３を基板Ｗの表面に所定の圧力で接触させることで、保護膜Ｐを基板Ｗの表面から擦り落とす。すなわち、保護膜除去工程Ｓ３では、剥離ローラ１４３により保護膜Ｐを基板Ｗの表面から擦り落とすことで、保護膜Ｐを除去してもよい。
図２０に示されるように、保護膜除去部４０は、剥離液供給部４２の代わりに、高圧流体供給部１４４を備えていてもよい。保護膜除去工程Ｓ３では、高圧流体供給部１４４から保護膜Ｐに高圧流体を噴射することで、保護膜Ｐを除去してもよい。 In the above embodiment, in the protective film removal unit 40, the protective film P formed on the surface of the substrate W is removed by supplying the stripping liquid from the stripping liquid supply unit 42 to the surface of the substrate W. However, the present invention is not limited to this.
17, the protective film removal unit 40 may include a heating unit 141 that heats the protective film P, instead of the stripping solution supply unit 42. In the protective film removal step S3, the protective film P may be removed by heating and evaporating the protective film P by the heating unit 141.
18, the protective film removing unit 40 may include an adhesive tape 142 (adhesive unit) instead of the stripping solution supply unit 42. In the protective film removing step S3, the protective film P may be removed by adhering the protective film P to the adhesive tape 142 and peeling it off from the surface of the substrate W using the adhesive force. Alternatively, the protective film removing unit 40 may include a vacuum suction unit that adsorbs and holds the protective film P instead of the stripping solution supply unit 42. In the protective film removing step S3, the protective film P may be removed by adsorbing the protective film P using the vacuum suction unit and peeling it off from the surface of the substrate W using the suction force.
19, the protective film removing unit 40 may include a peeling roller 143 instead of the peeling liquid supply unit 42. The peeling roller 143 is, for example, a sponge roller. The peeling roller 143 is disposed above the third rotating stage 41. The peeling roller 143 is configured to be able to contact the surface of the substrate W placed on the third rotating stage 41. The peeling roller 143 is brought into contact with the surface of the substrate W with a predetermined pressure to scrape off the protective film P from the surface of the substrate W. That is, in the protective film removing step S3, the protective film P may be removed by scraping off the protective film P from the surface of the substrate W with the peeling roller 143.
20 , the protective film removal unit 40 may include a high-pressure fluid supply unit 144 instead of the stripping solution supply unit 42. In the protective film removal step S3, the protective film P may be removed by spraying a high-pressure fluid from the high-pressure fluid supply unit 144 onto the protective film P.

１研磨装置
２筐体
２０保護膜形成部
２１第１回転ステージ（ステージ）
２２塗布ノズル（保護膜液供給部）
２３ガス供給部
２５第２剥離液供給部
３０研磨部
３１第２回転ステージ
３２研磨液供給部
３３研磨テープ
３４研磨ヘッド
４０保護膜除去部
４１第３回転ステージ
４２剥離液供給部
５０洗浄部
６０乾燥部
７１第１搬送ロボット（搬送機構）
７２第２搬送ロボット（搬送機構）
７３第３搬送ロボット（搬送機構）
Ｗ基板
Ｃ周縁部
Ｐ保護膜
Ａ１除去洗浄エリア
Ａ２形成研磨エリア 1 Polishing device 2 Housing 20 Protective film forming unit 21 First rotating stage (stage)
22 Coating nozzle (protective film liquid supply unit)
23 Gas supply unit 25 Second stripping liquid supply unit 30 Polishing unit 31 Second rotating stage 32 Polishing liquid supply unit 33 Polishing tape 34 Polishing head 40 Protective film removing unit 41 Third rotating stage 42 Stripping liquid supply unit 50 Cleaning unit 60 Drying unit 71 First transport robot (transport mechanism)
72 Second transport robot (transport mechanism)
73 Third transport robot (transport mechanism)
W: substrate C: peripheral portion P: protective film A1: removal and cleaning area A2: formation and polishing area

Claims

a protective film forming step of forming a protective film on a surface of the substrate;
a polishing step of polishing a peripheral portion of the substrate after the protective film forming step;
a protective film removing step of removing the protective film after the polishing step.

The polishing method according to claim 1, further comprising a preliminary removal step of removing a portion of the protective film located on the peripheral edge before the polishing step.

The polishing method according to claim 1, wherein in the polishing step, the portion of the protective film located on the peripheral portion is polished together with the peripheral portion.

The polishing method according to claim 1, wherein the protective film forming process includes a coating process of coating the surface of the substrate with a protective film liquid that will become the protective film.

The polishing method according to claim 4, wherein the protective film forming process further includes a drying process for drying the protective film liquid after the coating process.

The polishing method according to claim 4, wherein the protective film forming process further includes a heating process for heating the protective film liquid after the coating process.

The polishing method according to claim 4, wherein the protective film forming process further includes a cooling process for cooling the protective film liquid after the coating process.

The polishing method according to claim 4, wherein the protective film forming process further includes an ultraviolet ray irradiation process of irradiating the protective film liquid with ultraviolet rays after the coating process.

The polishing method according to claim 1, wherein the protective film forming process includes a bonding process for bonding the protective film to the surface of the substrate.

The polishing method according to claim 1, wherein in the protective film removal step, the protective film is removed by supplying a stripping liquid to the protective film.

The polishing method according to claim 1, wherein in the protective film removal step, the protective film is removed by heating the protective film.

The polishing method according to claim 1, wherein in the protective film removal step, the protective film is removed by peeling it off from the surface of the substrate using an adsorption force or an adhesive force.

The polishing method according to claim 1, wherein in the protective film removal step, the protective film is removed by scraping the protective film off the surface of the substrate.

The polishing method according to claim 1, wherein in the protective film removal step, the protective film is removed by spraying a high-pressure fluid onto the protective film.

The polishing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective film forming process, the polishing process, and the protective film removing process are performed in the same housing.

A method for manufacturing a substrate using the polishing method described in claim 1.

a protective film forming section having a stage and forming a protective film on a surface of a substrate placed on the stage;
a polishing unit that polishes a peripheral portion of the substrate;
a protective film removing unit for removing the protective film;
a housing that houses the protective film forming unit, the polishing unit, and the protective film removing unit;
A polishing apparatus comprising:

a cleaning unit for cleaning the substrate;
one or more transport mechanisms for transporting the substrate between the protective film forming unit and the polishing unit, between the polishing unit and the protective film removing unit, and between the protective film removing unit and the cleaning unit;
The polishing apparatus of claim 17 further comprising:

A cleaning unit that cleans the substrate,
the protective film removing unit and the cleaning unit are configured to perform processing on the substrate located in the same area;
18. The polishing apparatus according to claim 17, further comprising one or more moving mechanisms for moving the substrate between the protective film forming unit and the polishing unit, and between the polishing unit and the area.