JP2024071062A - Laser irradiation device - Google Patents

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Nobuyasu Kitahara
夏樹 馬場
Natsuki Baba
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Abstract

To provide a laser irradiation device which suppresses processing failure caused by contamination of an optical component, reduces down time and can improve productivity.SOLUTION: A laser irradiation device 1 has: a laser beam irradiation unit 20 which has a laser oscillator 22, a first mirror 24 for reflecting a laser beam 21 emitted from the laser oscillator 22 and changing a travel direction of the laser beam 21, and a light detection unit 30 which is arranged at a position opposite to a surface reflecting the laser beam 21 of the first mirror 24 and receives scattering light 31 from particles attached to the first mirror 24, and irradiates an object held on a holding table 10 with the laser beam 21; and a control unit 90 which controls each of the components, and determines whether or not the first mirror 24 is in a normal state on the basis of the light receiving amount of the scattering light 31 received by the light detection unit 30.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、レーザー照射装置に関する。 The present invention relates to a laser irradiation device.

半導体ウエーハのような被加工物を分割するために、被加工物の表面に設定された分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射するレーザー加工装置が用いられる(特許文献1参照)。このようなレーザー加工装置は、レーザー発振器から出射したレーザービームを、複数の光学部品を用いて導いて被加工物に照射している。これらの光学部品は、パーティクル等が付着し汚染すると加工点における出力低下やビーム形状の歪み等に直結するため、外部から隔離された筐体の内部に配設されるように構成されている。 To divide a workpiece such as a semiconductor wafer, a laser processing device is used that irradiates a laser beam along a planned dividing line set on the surface of the workpiece (see Patent Document 1). In such a laser processing device, the laser beam emitted from a laser oscillator is guided using multiple optical components to irradiate the workpiece. These optical components are configured to be arranged inside a housing isolated from the outside, since the adhesion and contamination of particles, etc., directly leads to a decrease in output at the processing point and distortion of the beam shape.

特開2003-320466号公報JP 2003-320466 A

ところで、筐体の内部に配置されている部品から発生するパーティクルや、僅かな隙間から箱の内部に侵入するパーティクル等に対し、密閉度をあげたり汚染物質を排除したりする等の対策により不具合は減少しているものの、完全に防ぐことはできず、光学部品へのパーティクル付着は依然解決すべき課題として存在している。更に、光学部品の汚染により不具合が発生した場合、どの光学部品に起因して不具合が発生しているかを調査する必要があり、ダウンタイムが長くなり生産性が低下するという問題がある。 Although malfunctions caused by particles generated by parts placed inside the housing or particles that enter the box through small gaps have been reduced by measures such as increasing the airtightness and eliminating contaminants, they cannot be completely prevented, and particle adhesion to optical components remains an issue that must be resolved. Furthermore, when a malfunction occurs due to contamination of optical components, it is necessary to investigate which optical component is causing the malfunction, which results in longer downtime and reduced productivity.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学部品の汚染による加工不良を抑制するととともにダウンタイムを削減して生産性を向上させることができるレーザー照射装置を提供することである。 The present invention was made in consideration of these problems, and its purpose is to provide a laser irradiation device that can suppress processing defects caused by contamination of optical components, reduce downtime, and improve productivity.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー照射装置は、対象物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された対象物にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、該保持テーブルに保持された対象物と該レーザービーム照射ユニットとを相対的に移動させる移動ユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、該レーザービーム照射ユニットは、レーザー発振器と、該レーザー発振器から出射されたレーザービームを反射してレーザービームの進行方向を変更する第一のミラーと、該第一のミラーのレーザービームを反射する面と対向する位置に配置され、該第一のミラーに付着したパーティクルからの散乱光を受光する光検知ユニットと、を有し、該制御ユニットは、該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量に基づいて、該第一のミラーが正常な状態か否かを判断することを特徴とする。 In order to solve the above problems and achieve the object, the laser irradiation device of the present invention comprises a holding table for holding an object, a laser beam irradiation unit for irradiating a laser beam onto the object held on the holding table, a moving unit for relatively moving the object held on the holding table and the laser beam irradiation unit, and a control unit for controlling each component. The laser beam irradiation unit has a laser oscillator, a first mirror for reflecting the laser beam emitted from the laser oscillator and changing the direction of travel of the laser beam, and a light detection unit that is positioned opposite the surface of the first mirror that reflects the laser beam and receives scattered light from particles attached to the first mirror, and the control unit is characterized in that it determines whether the first mirror is in a normal state or not based on the amount of scattered light received by the light detection unit.

また、本発明のレーザー照射装置において、該レーザービーム照射ユニットは、該レーザー発振器と該第一のミラーとの間に、該レーザー発振器から出射されたレーザービームを反射して該第一のミラーへと導く第二のミラーを更に有し、該制御ユニットは、該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量に基づいて、該第一のミラーおよび該第二のミラーが正常な状態か否かを判断してもよい。 In the laser irradiation device of the present invention, the laser beam irradiation unit may further include a second mirror between the laser oscillator and the first mirror, which reflects the laser beam emitted from the laser oscillator and guides it to the first mirror, and the control unit may determine whether the first mirror and the second mirror are in a normal state based on the amount of scattered light received by the light detection unit.

また、本発明のレーザー照射装置において、該制御ユニットは、該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量が所定の閾値を上回った場合に該第一のミラーが正常な状態でないと判断し、該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量が所定の閾値を下回った場合に該第二のミラーが正常な状態でないと判断してもよい。 In addition, in the laser irradiation device of the present invention, the control unit may determine that the first mirror is not in a normal state when the amount of scattered light received by the light detection unit exceeds a predetermined threshold, and may determine that the second mirror is not in a normal state when the amount of scattered light received by the light detection unit falls below a predetermined threshold.

また、本発明のレーザー照射装置において、該制御ユニットは、該光検知ユニットが受光した散乱光の強度からマハラノビス距離を算出し、該マハラノビス距離に基づいて、該第一のミラーおよび該第二のミラーが正常か否かを判断してもよい。 In addition, in the laser irradiation device of the present invention, the control unit may calculate a Mahalanobis distance from the intensity of the scattered light received by the light detection unit, and determine whether the first mirror and the second mirror are normal or not based on the Mahalanobis distance.

本発明は、光学部品の汚染による加工不良を抑制するととともにダウンタイムを削減して生産性を向上させることができる。 The present invention can reduce processing defects caused by contamination of optical components, reduce downtime, and improve productivity.

図1は、実施形態に係るレーザー照射装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of the configuration of a laser irradiation device according to an embodiment. 図2は、図1に示すレーザービーム照射ユニットの概略構成の第一例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a first example of the schematic configuration of the laser beam irradiation unit shown in FIG. 図3は、図1に示すレーザービーム照射ユニットの概略構成の第二例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a second example of the schematic configuration of the laser beam irradiation unit shown in FIG. 図4は、光検知ユニットが受光する受光量の推移を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing the transition of the amount of light received by the light detection unit. 図5は、光検知ユニットが受光する受光量から算出したマハラノビスの距離の推移を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the transition of the Mahalanobis distance calculated from the amount of light received by the light detection unit.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 The following describes in detail the form (embodiment) for carrying out the present invention with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiment. The components described below include those that a person skilled in the art can easily imagine and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.

〔実施形態〕
まず、本発明の実施形態に係るレーザー照射装置1の全体構成について図面に基づいて説明する。図1は、実施形態に係るレーザー照射装置1の構成例を示す斜視図である。以下の説明において、X軸方向は、水平面における一方向である。Y軸方向は、水平面において、X軸方向に直交する方向である。Z軸方向は、X軸方向およびY軸方向に直交する方向である。実施形態のレーザー照射装置1は、加工送り方向がX軸方向であり、割り出し送り方向がY軸方向であり、集光点位置調整方向がZ軸方向である。
[Embodiment]
First, the overall configuration of a laser irradiation device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 1 is a perspective view showing an example of the configuration of a laser irradiation device 1 according to an embodiment. In the following description, the X-axis direction is one direction in a horizontal plane. The Y-axis direction is a direction perpendicular to the X-axis direction in a horizontal plane. The Z-axis direction is a direction perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction. In the laser irradiation device 1 of the embodiment, the processing feed direction is the X-axis direction, the indexing feed direction is the Y-axis direction, and the focal point position adjustment direction is the Z-axis direction.

図1に示すように、レーザー照射装置1は、保持テーブル10と、レーザービーム照射ユニット20と、移動ユニット60と、撮像ユニット70と、表示ユニット80と、制御ユニット90と、を備える。実施形態に係るレーザー照射装置1は、加工の対象物である被加工物100に対して、レーザービーム21を照射することにより、被加工物100を加工する装置である。レーザー照射装置1による被加工物100の加工は、例えば、ステルスダイシングによって被加工物100の内部に改質層を形成する改質層形成加工、被加工物100の表面に溝を形成する溝加工、または分割予定ラインに沿って被加工物100を切断する切断加工等である。 As shown in FIG. 1, the laser irradiation device 1 includes a holding table 10, a laser beam irradiation unit 20, a moving unit 60, an imaging unit 70, a display unit 80, and a control unit 90. The laser irradiation device 1 according to the embodiment is a device that processes the workpiece 100, which is an object to be processed, by irradiating the workpiece 100 with a laser beam 21. The processing of the workpiece 100 by the laser irradiation device 1 includes, for example, a modified layer forming process that forms a modified layer inside the workpiece 100 by stealth dicing, a groove processing that forms a groove on the surface of the workpiece 100, or a cutting process that cuts the workpiece 100 along a planned division line.

被加工物100は、例えば、シリコン(Si)、サファイア(Al)、ガリウムヒ素(GaAs)、炭化ケイ素(SiC)、またはリチウムタンタレート(LiTaO)等を基板とする円板状の半導体デバイスウエーハ、光デバイスウエーハ等のウエーハである。なお、被加工物100は、実施形態では円板状であるが、本発明では円板状でなくともよい。被加工物100は、例えば、環状のフレーム110が貼着されかつ被加工物100の外径よりも大径なテープ111が被加工物100の裏面に貼着されて、フレーム110の開口内に支持された状態で搬送および加工される。 The workpiece 100 is, for example, a wafer such as a disk-shaped semiconductor device wafer or an optical device wafer, using silicon (Si), sapphire (Al 2 O 3 ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), or lithium tantalate (LiTaO 3 ) as a substrate. Note that the workpiece 100 is disk-shaped in the embodiment, but may not be disk-shaped in the present invention. The workpiece 100 is transported and processed in a state in which it is supported within an opening of the frame 110, with, for example, an annular frame 110 attached thereto and a tape 111 having a diameter larger than the outer diameter of the workpiece 100 attached to the back surface of the workpiece 100.

保持テーブル10は、被加工物100(対象物)を保持面11で保持する。保持面11は、ポーラスセラミック等から形成された円板形状である。保持面11は、実施形態において、水平方向と平行な平面である。保持面11は、例えば、真空吸引経路を介して真空吸引源と接続している。保持テーブル10は、保持面11上に載置された被加工物100を吸引保持する。保持テーブル10の周囲には、被加工物100を支持する環状のフレーム110を挟持するクランプ部12が複数配置されている。 The holding table 10 holds the workpiece 100 (object) on the holding surface 11. The holding surface 11 is a disk shape formed from porous ceramics or the like. In the embodiment, the holding surface 11 is a plane parallel to the horizontal direction. The holding surface 11 is connected to a vacuum suction source, for example, via a vacuum suction path. The holding table 10 holds the workpiece 100 placed on the holding surface 11 by suction. A plurality of clamps 12 are arranged around the holding table 10 to clamp an annular frame 110 that supports the workpiece 100.

保持テーブル10は、回転ユニット13によりZ軸方向と平行な軸心回りに回転される。回転ユニット13は、X軸方向移動プレート14に支持される。回転ユニット13および保持テーブル10は、X軸方向移動プレート14を介して、後述のX軸方向移動ユニット61によりX軸方向に移動される。回転ユニット13および保持テーブル10は、X軸方向移動プレート14、X軸方向移動ユニット61およびY軸方向移動プレート15を介して、後述のY軸方向移動ユニット62によりY軸方向に移動される。 The holding table 10 is rotated around an axis parallel to the Z-axis direction by the rotation unit 13. The rotation unit 13 is supported by an X-axis direction moving plate 14. The rotation unit 13 and holding table 10 are moved in the X-axis direction by an X-axis direction moving unit 61 (described later) via the X-axis direction moving plate 14. The rotation unit 13 and holding table 10 are moved in the Y-axis direction by a Y-axis direction moving unit 62 (described later) via the X-axis direction moving plate 14, the X-axis direction moving unit 61, and the Y-axis direction moving plate 15.

レーザービーム照射ユニット20は、保持テーブル10の保持面11に保持された被加工物100(対象物)に対してレーザービーム21を照射するユニットである。レーザービーム照射ユニット20のうち、少なくとも集光器23(図2参照)は、レーザー照射装置1の装置本体2から立設した柱3に設置される後述のZ軸方向移動ユニット63に支持される。レーザービーム照射ユニット20の具体的な構成例については、後述にて詳細に説明する。 The laser beam irradiation unit 20 is a unit that irradiates a laser beam 21 onto a workpiece 100 (target object) held on the holding surface 11 of the holding table 10. Of the laser beam irradiation unit 20, at least the condenser 23 (see FIG. 2) is supported by a Z-axis direction moving unit 63 (described later) that is installed on a pillar 3 erected from the device body 2 of the laser irradiation device 1. A specific configuration example of the laser beam irradiation unit 20 will be described in detail later.

図1に示す移動ユニット60は、レーザービーム21の集光点を保持テーブル10に保持された被加工物100に対して相対的に移動させるユニットである。移動ユニット60は、X軸方向移動ユニット61と、Y軸方向移動ユニット62と、Z軸方向移動ユニット63と、を含む。 The moving unit 60 shown in FIG. 1 is a unit that moves the focal point of the laser beam 21 relative to the workpiece 100 held on the holding table 10. The moving unit 60 includes an X-axis moving unit 61, a Y-axis moving unit 62, and a Z-axis moving unit 63.

X軸方向移動ユニット61は、保持テーブル10と、レーザービーム照射ユニット20の集光点とを加工送り方向であるX軸方向に相対的に移動させるユニットである。X軸方向移動ユニット61は、実施形態において、保持テーブル10をX軸方向に移動させる。X軸方向移動ユニット61は、実施形態において、レーザー照射装置1の装置本体2上に設置されている。X軸方向移動ユニット61は、X軸方向移動プレート14をX軸方向に移動自在に支持する。 The X-axis direction moving unit 61 is a unit that moves the holding table 10 and the focal point of the laser beam irradiation unit 20 relatively in the X-axis direction, which is the processing feed direction. In the embodiment, the X-axis direction moving unit 61 moves the holding table 10 in the X-axis direction. In the embodiment, the X-axis direction moving unit 61 is installed on the device body 2 of the laser irradiation device 1. The X-axis direction moving unit 61 supports the X-axis direction moving plate 14 so that it can be moved freely in the X-axis direction.

Y軸方向移動ユニット62は、保持テーブル10と、レーザービーム照射ユニット20の集光点とを割り出し送り方向であるY軸方向に相対的に移動させるユニットである。Y軸方向移動ユニット62は、実施形態において、保持テーブル10をY軸方向に移動させる。Y軸方向移動ユニット62は、実施形態において、レーザー照射装置1の装置本体2上に設置されている。Y軸方向移動ユニット62は、Y軸方向移動プレート15をY軸方向に移動自在に支持する。 The Y-axis direction moving unit 62 is a unit that moves the holding table 10 and the focal point of the laser beam irradiation unit 20 relatively in the Y-axis direction, which is the indexing feed direction. In the embodiment, the Y-axis direction moving unit 62 moves the holding table 10 in the Y-axis direction. In the embodiment, the Y-axis direction moving unit 62 is installed on the device body 2 of the laser irradiation device 1. The Y-axis direction moving unit 62 supports the Y-axis direction moving plate 15 so that it can move freely in the Y-axis direction.

Z軸方向移動ユニット63は、保持テーブル10と、レーザービーム照射ユニット20の集光点とを集光点位置調整方向であるZ軸方向に相対的に移動させるユニットである。Z軸方向移動ユニット63は、実施形態において、レーザービーム照射ユニット20の少なくとも集光器23をZ軸方向に移動させる。Z軸方向移動ユニット63は、実施形態において、レーザー照射装置1の装置本体2から立設した柱3に設置されている。Z軸方向移動ユニット63は、レーザービーム照射ユニット20の少なくとも集光器23をZ軸方向に移動自在に支持する。 The Z-axis direction moving unit 63 is a unit that moves the holding table 10 and the focal point of the laser beam irradiation unit 20 relatively in the Z-axis direction, which is the focal point position adjustment direction. In the embodiment, the Z-axis direction moving unit 63 moves at least the condenser 23 of the laser beam irradiation unit 20 in the Z-axis direction. In the embodiment, the Z-axis direction moving unit 63 is installed on a pillar 3 that stands upright from the device body 2 of the laser irradiation device 1. The Z-axis direction moving unit 63 supports at least the condenser 23 of the laser beam irradiation unit 20 so that it can be moved freely in the Z-axis direction.

X軸方向移動ユニット61、Y軸方向移動ユニット62、およびZ軸方向移動ユニット63はそれぞれ、実施形態において、周知のボールねじと、周知のパルスモータと、周知のガイドレールと、を含む。ボールねじは、軸心回りに回転自在に設けられる。パルスモータは、ボールねじを軸心回りに回転させる。X軸方向移動ユニット61のガイドレールは、X軸方向移動プレート14をX軸方向に移動自在に支持する。X軸方向移動ユニット61のガイドレールは、Y軸方向移動プレート15に固定して設けられる。Y軸方向移動ユニット62のガイドレールは、Y軸方向移動プレート15をY軸方向に移動自在に支持する。Y軸方向移動ユニット62のガイドレールは、装置本体2に固定して設けられる。Z軸方向移動ユニット63のガイドレールは、レーザービーム照射ユニット20の少なくとも集光器23をZ軸方向に移動自在に支持する。Z軸方向移動ユニット63のガイドレールは、柱3に固定して設けられる。 In the embodiment, each of the X-axis direction moving unit 61, the Y-axis direction moving unit 62, and the Z-axis direction moving unit 63 includes a well-known ball screw, a well-known pulse motor, and a well-known guide rail. The ball screw is provided so as to be rotatable about its axis. The pulse motor rotates the ball screw about its axis. The guide rail of the X-axis direction moving unit 61 supports the X-axis direction moving plate 14 so as to be movable in the X-axis direction. The guide rail of the X-axis direction moving unit 61 is provided fixedly to the Y-axis direction moving plate 15. The guide rail of the Y-axis direction moving unit 62 supports the Y-axis direction moving plate 15 so as to be movable in the Y-axis direction. The guide rail of the Y-axis direction moving unit 62 is provided so as to be fixed to the device body 2. The guide rail of the Z-axis direction moving unit 63 supports at least the condenser 23 of the laser beam irradiation unit 20 so as to be movable in the Z-axis direction. The guide rail of the Z-axis direction moving unit 63 is provided so as to be fixed to the pillar 3.

撮像ユニット70は、保持テーブル10に保持された被加工物100を撮像する。撮像ユニット70は、CCD(Charge Coupled Device)カメラまたは赤外線カメラを含む。撮像ユニット70は、例えば、レーザービーム照射ユニット20の集光器23(図2参照)に隣接するように固定されている。撮像ユニット70は、被加工物100を撮像して、被加工物100とレーザービーム照射ユニット20との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を得て、得た画像を出力する。 The imaging unit 70 captures an image of the workpiece 100 held on the holding table 10. The imaging unit 70 includes a CCD (Charge Coupled Device) camera or an infrared camera. The imaging unit 70 is fixed, for example, adjacent to the condenser 23 (see FIG. 2) of the laser beam irradiation unit 20. The imaging unit 70 captures an image of the workpiece 100 to obtain an image for performing alignment between the workpiece 100 and the laser beam irradiation unit 20, and outputs the obtained image.

表示ユニット80は、液晶表示装置等により構成される表示部である。表示ユニット80は、例えば、加工条件の設定画面、撮像ユニット70が撮像した被加工物100の状態、加工動作の状態等を、表示面に表示させる。表示ユニット80の表示面がタッチパネルを含む場合、表示ユニット80は、入力部を含んでもよい。入力部は、オペレータが加工内容情報を登録する等の各種操作を受付可能である。入力部は、キーボード等の外部入力装置であってもよい。表示ユニット80は、表示面に表示される情報や画像が入力部等からの操作により切り換えられる。 The display unit 80 is a display section configured with a liquid crystal display device or the like. The display unit 80 displays, for example, a setting screen for processing conditions, the state of the workpiece 100 imaged by the imaging unit 70, the state of the processing operation, etc. on the display surface. If the display surface of the display unit 80 includes a touch panel, the display unit 80 may also include an input section. The input section can accept various operations such as an operator registering processing content information. The input section may be an external input device such as a keyboard. The information and images displayed on the display surface of the display unit 80 can be switched by operations from the input section or the like.

制御ユニット90は、演算手段としての演算処理装置と、記憶手段としての記憶装置と、通信手段としての入出力インターフェース装置と、を含むコンピュータである。演算処理装置は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等のマイクロプロセッサを含む。記憶装置は、HDD(Hard Disk Drive)、ROM(Read Only Memory)またはRAM(Random Access Memory)等のメモリを有する。演算処理装置は、記憶装置に格納された所定のプログラムに基づいて各種の演算を行う。演算処理装置は、演算結果に従って、入出力インターフェース装置を介して各種制御信号を上述した各構成要素に出力する。 The control unit 90 is a computer including a processing unit as a calculation means, a storage device as a storage means, and an input/output interface device as a communication means. The processing unit includes, for example, a microprocessor such as a CPU (Central Processing Unit). The storage device has a memory such as a HDD (Hard Disk Drive), a ROM (Read Only Memory), or a RAM (Random Access Memory). The processing unit performs various calculations based on a predetermined program stored in the storage device. The processing unit outputs various control signals to each of the above-mentioned components via the input/output interface device according to the calculation results.

次に、レーザービーム照射ユニット20の具体的な構成について説明する。図2は、図1に示すレーザービーム照射ユニット20の概略構成の第一例を示す模式図である。図2に示すように、レーザービーム照射ユニット20は、レーザー発振器22と、集光器23と、第一のミラー24と、光検知ユニット30と、筐体40と、を有する。 Next, the specific configuration of the laser beam irradiation unit 20 will be described. FIG. 2 is a schematic diagram showing a first example of the general configuration of the laser beam irradiation unit 20 shown in FIG. 1. As shown in FIG. 2, the laser beam irradiation unit 20 has a laser oscillator 22, a condenser 23, a first mirror 24, a light detection unit 30, and a housing 40.

レーザー発振器22は、被加工物100を加工するための所定の波長を有するレーザービーム21を生成して出射する。レーザービーム照射ユニット20が照射するレーザービーム21は、被加工物100に対して透過性または吸収性を有する波長である。 The laser oscillator 22 generates and emits a laser beam 21 having a predetermined wavelength for processing the workpiece 100. The laser beam 21 emitted by the laser beam irradiation unit 20 has a wavelength that is transparent or absorbent to the workpiece 100.

集光器23は、集光レンズを含み、レーザー発振器22から出射されたレーザービーム21を所定の位置に集光する。集光器23は、レーザービーム21を、保持テーブル10の保持面11に保持された被加工物100に集光して、被加工物100に照射させる。集光器23によって集光されたレーザービーム21は、筐体40の出射口41を通って、筐体40の外部に出射される。 The condenser 23 includes a focusing lens and focuses the laser beam 21 emitted from the laser oscillator 22 at a predetermined position. The condenser 23 focuses the laser beam 21 on the workpiece 100 held on the holding surface 11 of the holding table 10, and irradiates the workpiece 100. The laser beam 21 focused by the condenser 23 passes through the emission port 41 of the housing 40 and is emitted to the outside of the housing 40.

第一のミラー24は、レーザー発振器22から出射されたレーザービーム21を反射してレーザービーム21の進行方向を変更する。第一のミラー24は、実施形態において、レーザービーム21を、集光器23に向かって導くよう反射する。第一のミラー24の面241にパーティクルが付着している場合、レーザービーム21は、一部が集光器23に向かって反射されずにパーティクルに当たり、散乱光31を生じさせる。 The first mirror 24 reflects the laser beam 21 emitted from the laser oscillator 22 to change the direction of travel of the laser beam 21. In the embodiment, the first mirror 24 reflects the laser beam 21 so as to guide it toward the condenser 23. If particles are attached to the surface 241 of the first mirror 24, part of the laser beam 21 will strike the particle without being reflected toward the condenser 23, generating scattered light 31.

光検知ユニット30は、受光した光を検知する。光検知ユニット30は、第一のミラー24のレーザービーム21を反射する面241と対向する位置に配置される。光検知ユニット30は、第一のミラー24に付着したパーティクルからの散乱光31の一部を受光する。光検知ユニット30は、受光した受光量の情報を制御ユニット90(図1参照)に出力する。光検知ユニット30は、例えば、PIN型フォトダイオードであり、受光することにより受光量に応じた大きさの電流が発生する。PIN型フォトダイオードでは、電流を検知することにより、受光量を検知する。 The light detection unit 30 detects the received light. The light detection unit 30 is positioned opposite the surface 241 of the first mirror 24 that reflects the laser beam 21. The light detection unit 30 receives a portion of the scattered light 31 from particles attached to the first mirror 24. The light detection unit 30 outputs information on the amount of received light to the control unit 90 (see FIG. 1). The light detection unit 30 is, for example, a PIN photodiode, and generates a current of a magnitude according to the amount of received light by receiving light. The PIN photodiode detects the amount of received light by detecting the current.

筐体40は、レーザービーム照射ユニット20の各種光学部品を収容する。筐体40は、少なくとも、レーザー発振器22から出射し、集光器23に集光されるまでのレーザービーム21の光路と、光路上に配置される第一のミラー24を含む各種光学部品と、光検知ユニット30と、を連続的な収容空間に収容し、外部から密閉する。集光器23に集光されたレーザービーム21は、筐体40に形成された出射口41から出射し、保持テーブル10に保持された被加工物100に向かって照射される。出射口41は、透明なガラス等で形成された窓であってもよいし、集光器23の集光レンズ自体であってもよい。 The housing 40 houses various optical components of the laser beam irradiation unit 20. The housing 40 houses at least the optical path of the laser beam 21 emitted from the laser oscillator 22 until it is focused by the condenser 23, various optical components including the first mirror 24 arranged on the optical path, and the light detection unit 30 in a continuous storage space, and seals it from the outside. The laser beam 21 focused by the condenser 23 is emitted from an exit 41 formed in the housing 40 and is irradiated toward the workpiece 100 held on the holding table 10. The exit 41 may be a window made of transparent glass or the like, or may be the focusing lens of the condenser 23 itself.

上記のように構成されたレーザー照射装置1において、制御ユニット90は、光検知ユニット30で受光した散乱光31の受光量に基づいて、第一のミラー24が正常な状態か否かを判断する。制御ユニット90は、例えば、第一のミラー24にパーティクルが付着しておらず、レーザービーム21が光路に沿って正常に伝搬される際の光検知ユニット30による受光量に基づいて、正常な受光量とする所定の閾値を予め記憶する。 In the laser irradiation device 1 configured as described above, the control unit 90 judges whether the first mirror 24 is in a normal state or not based on the amount of scattered light 31 received by the light detection unit 30. The control unit 90 pre-stores a predetermined threshold value that determines the amount of light received as normal, for example, based on the amount of light received by the light detection unit 30 when no particles are attached to the first mirror 24 and the laser beam 21 is propagating normally along the optical path.

例えば、第一のミラー24の面241にパーティクルが付着している場合、レーザービーム21は、一部が集光器23に向かって反射されずにパーティクルに当たり、散乱光31を生じさせる。この際、光検知ユニット30が受光する受光量は、正常時の受光量に対して、散乱光31を受光した分、増加する。制御ユニット90は、例えば、光検知ユニット30による受光量が所定の閾値を上回った場合に第一のミラー24が正常な状態でないと判断し、その判断結果を表示ユニット80等に出力する。 For example, if a particle is attached to the surface 241 of the first mirror 24, part of the laser beam 21 will hit the particle without being reflected toward the collector 23, generating scattered light 31. At this time, the amount of light received by the light detection unit 30 increases by the amount of scattered light 31 received, compared to the amount of light received under normal circumstances. For example, if the amount of light received by the light detection unit 30 exceeds a predetermined threshold, the control unit 90 determines that the first mirror 24 is not in a normal state, and outputs the determination result to the display unit 80, etc.

次に、レーザービーム照射ユニット20の別の構成例について説明する。図3は、図1に示すレーザービーム照射ユニット20の概略構成の第二例を示す模式図である。図3に示す第二例のレーザービーム照射ユニット20-1は、図2に示す第一例のレーザービーム照射ユニット20と比較して、第二のミラー25および第三のミラー26を有する点で異なる。なお、以下の説明において、第一例のレーザービーム照射ユニット20と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。 Next, another configuration example of the laser beam irradiation unit 20 will be described. FIG. 3 is a schematic diagram showing a second example of the schematic configuration of the laser beam irradiation unit 20 shown in FIG. 1. The second example of the laser beam irradiation unit 20-1 shown in FIG. 3 differs from the first example of the laser beam irradiation unit 20 shown in FIG. 2 in that it has a second mirror 25 and a third mirror 26. In the following description, the same components as those of the first example of the laser beam irradiation unit 20 are given the same reference numerals and will not be described.

第二のミラー25は、レーザー発振器22と第一のミラー24との間の光路上に配置される。第二のミラー25は、レーザー発振器22から出射されたレーザービーム21を反射してレーザービーム21の進行方向を変更する。第二のミラー25は、レーザービーム21を、第一のミラー24に向かって導くよう反射する。第二のミラー25のレーザービーム21を反射する面251にパーティクルが付着している場合、レーザービーム21は、一部が第一のミラー24に向かって反射されずにパーティクルに当たり、散乱光を生じさせる。 The second mirror 25 is disposed on the optical path between the laser oscillator 22 and the first mirror 24. The second mirror 25 reflects the laser beam 21 emitted from the laser oscillator 22 to change the traveling direction of the laser beam 21. The second mirror 25 reflects the laser beam 21 so as to guide it toward the first mirror 24. If particles are attached to the surface 251 of the second mirror 25 that reflects the laser beam 21, part of the laser beam 21 will hit the particle without being reflected toward the first mirror 24, causing scattered light.

第三のミラー26は、第一のミラー24によって反射されたレーザービーム21を反射してレーザービーム21の進行方向を変更する。第三のミラー26は、レーザービーム21を、集光器23に向かって導くよう反射する。 The third mirror 26 reflects the laser beam 21 reflected by the first mirror 24 to change the direction of travel of the laser beam 21. The third mirror 26 reflects the laser beam 21 so as to guide it toward the collector 23.

上記のように構成されたレーザー照射装置1において、制御ユニット90は、光検知ユニット30で受光した散乱光の受光量に基づいて、第一のミラー24が正常な状態か否かを判断するのみならず、第二のミラー25が正常な状態か否かを判断する。制御ユニット90は、例えば、第一のミラー24および第二のミラー25のいずれにもパーティクルが付着しておらず、レーザービーム21が光路に沿って正常に伝搬される際の光検知ユニット30による受光量を基準値91(図4参照)として予め記憶する。また、制御ユニット90は、基準値91に基づいて、正常な受光量とする所定の範囲92(図4参照)を予め記憶する。範囲92は、上限の閾値および下限の閾値を含む。 In the laser irradiation device 1 configured as described above, the control unit 90 not only determines whether the first mirror 24 is in a normal state, but also determines whether the second mirror 25 is in a normal state, based on the amount of scattered light received by the light detection unit 30. The control unit 90 pre-stores, for example, the amount of light received by the light detection unit 30 when no particles are attached to either the first mirror 24 or the second mirror 25 and the laser beam 21 is propagating normally along the optical path, as a reference value 91 (see FIG. 4). The control unit 90 also pre-stores a predetermined range 92 (see FIG. 4) that defines the amount of light received as normal, based on the reference value 91. The range 92 includes an upper threshold and a lower threshold.

例えば、第一のミラー24の面241にパーティクルが付着している場合、レーザービーム21は、一部が第三のミラー26に向かって反射されずにパーティクルに当たり、散乱光31を生じさせる。この際、光検知ユニット30が受光する受光量は、正常時の受光量に対して、散乱光31を受光した分、増加する。制御ユニット90は、例えば、光検知ユニット30による受光量が所定の閾値を上回った場合に第一のミラー24が正常な状態でないと判断し、その判断結果を表示ユニット80等に出力する。 For example, if a particle is attached to the surface 241 of the first mirror 24, part of the laser beam 21 will hit the particle without being reflected toward the third mirror 26, generating scattered light 31. At this time, the amount of light received by the light detection unit 30 increases by the amount of scattered light 31 received, compared to the amount of light received under normal circumstances. For example, if the amount of light received by the light detection unit 30 exceeds a predetermined threshold, the control unit 90 determines that the first mirror 24 is not in a normal state, and outputs the determination result to the display unit 80, etc.

また、例えば、第二のミラー25の面251にパーティクルが付着している場合、レーザービーム21は、一部が第一のミラー24に向かって反射されずにパーティクルに当たり、散乱光を生じさせる。この際、光検知ユニット30が受光する受光量は、正常時の受光量に対して、第一のミラー24に伝搬されるレーザービーム21が減少した分、減少する。制御ユニット90は、例えば、光検知ユニット30による受光量が所定の閾値を下回った場合に第二のミラー25が正常な状態でないと判断し、その判断結果を表示ユニット80等に出力する。 For example, if particles are attached to the surface 251 of the second mirror 25, part of the laser beam 21 will not be reflected toward the first mirror 24 but will strike the particle, causing scattered light. At this time, the amount of light received by the light detection unit 30 will be reduced by the amount of the laser beam 21 propagating to the first mirror 24 compared to the amount of light received under normal conditions. The control unit 90 determines that the second mirror 25 is not in a normal state when, for example, the amount of light received by the light detection unit 30 falls below a predetermined threshold, and outputs the determination result to the display unit 80, etc.

ここで、光検知ユニット30が受光する受光量が、正常な数値を示す場合および異常な数値を示す場合について、いくつかのデータを挙げて説明する。図4は、光検知ユニット30が受光する受光量の推移を示す模式図である。より詳しくは、図4は、光検知ユニット30が受光する受光量を示す3つのデータ93、94、95の時間推移を示すグラフである。 Here, we will explain the cases where the amount of light received by the light detection unit 30 indicates a normal value and an abnormal value, using some data. Figure 4 is a schematic diagram showing the progress of the amount of light received by the light detection unit 30. More specifically, Figure 4 is a graph showing the time progress of three pieces of data 93, 94, and 95 indicating the amount of light received by the light detection unit 30.

図4に示すグラフでは、受光量の上限値および下限値が範囲92内に納まっている場合、第一のミラー24に起因して受光量が増加したり、第二のミラー25に起因して受光量が減少したりしていないことを示していると推測できる。この場合、制御ユニット90は、第一のミラー24および第二のミラー25が正常な状態であると判断する。 In the graph shown in FIG. 4, when the upper and lower limits of the amount of received light are within range 92, it can be inferred that this indicates that the amount of received light is not increasing due to the first mirror 24, or decreasing due to the second mirror 25. In this case, the control unit 90 determines that the first mirror 24 and the second mirror 25 are in a normal state.

データ93は、第一のミラー24に汚れを付着させた状態における光検知ユニット30による受光量の推移を示している。図4に示すように、データ93は、正常な受光量とする範囲92の上限値を上回っている。すなわち、データ93は、第一のミラー24において散乱光31が生じて、散乱光31の分、受光量が増加したことを示していると推測できる。したがって、制御ユニット90は、光検知ユニット30から取得した受光量がデータ93のように範囲92の上限値を上回ったことを示す場合、第一のミラー24が正常な状態でないと判断する。 Data 93 shows the change in the amount of light received by the light detection unit 30 when the first mirror 24 is dirty. As shown in FIG. 4, data 93 exceeds the upper limit of range 92, which is the normal amount of received light. In other words, data 93 can be inferred to indicate that scattered light 31 is generated in the first mirror 24, and the amount of received light has increased by the amount of scattered light 31. Therefore, when the amount of received light obtained from the light detection unit 30 indicates that it exceeds the upper limit of range 92, as in data 93, the control unit 90 determines that the first mirror 24 is not in a normal state.

データ94は、第二のミラー25に汚れを付着させた状態における光検知ユニット30による受光量の推移を示している。図4に示すように、データ94は、正常な受光量とする範囲92の下限値を下回っている。すなわち、データ94は、第二のミラー25において散乱光が生じて、第一のミラー24に伝搬されるレーザービーム21が減少した分、受光量が減少したことを示していると推測できる。したがって、制御ユニット90は、光検知ユニット30から取得した受光量がデータ94のように範囲92の下限値を下回ったことを示す場合、第二のミラー25が正常な状態でないと判断する。 Data 94 shows the change in the amount of light received by the light detection unit 30 when the second mirror 25 is dirty. As shown in FIG. 4, data 94 is below the lower limit of range 92 for the normal amount of received light. In other words, data 94 can be inferred to indicate that scattered light occurs in the second mirror 25, and the amount of laser beam 21 propagating to the first mirror 24 is reduced, resulting in a decrease in the amount of received light. Therefore, when the amount of received light obtained from the light detection unit 30 indicates that it is below the lower limit of range 92, as in data 94, the control unit 90 determines that the second mirror 25 is not in a normal state.

データ95は、第一のミラー24および第二のミラー25に汚れを付着させた状態における光検知ユニット30による受光量の推移を示している。図5に示すように、データ95は、正常な受光量とする範囲92の上限値を上回っている。すなわち、データ95は、第一のミラー24において散乱光31が生じて、散乱光31の分、受光量が増加したことを示していると推測できる。また、一方で、データ95は、データ93と比較して、低い値を示している。すなわち、データ95は、第二のミラー25において散乱光が生じて、第一のミラー24に伝搬されるレーザービーム21が減少した分、受光量が減少したことを示していると推測できる。 Data 95 shows the change in the amount of light received by the light detection unit 30 when the first mirror 24 and the second mirror 25 are dirty. As shown in FIG. 5, data 95 is above the upper limit of range 92, which is the normal amount of received light. In other words, data 95 indicates that scattered light 31 occurs at the first mirror 24, and the amount of received light increases by the amount of scattered light 31. On the other hand, data 95 indicates a lower value compared to data 93. In other words, data 95 indicates that scattered light occurs at the second mirror 25, and the amount of laser beam 21 propagating to the first mirror 24 decreases, and the amount of received light decreases by the amount of scattered light 31.

制御ユニット90は、例えば、光検知ユニット30による受光量の推移を常時監視するとともに記録しておき、受光量の変動のデータを遡ることにより、第一のミラー24に加えて、第二のミラー25にも異常があると判断することが可能である。例えば、正常な受光量とする範囲92から上限値を上回った後、暫くはほぼ一定の値で推移し、その後、受光量が減少した、というデータである場合、最初に第一のミラー24に異常が発生し、その後、第二のミラー25にも異常が発生したと判断できる。 The control unit 90, for example, constantly monitors and records the transition of the amount of light received by the light detection unit 30, and by tracing back the data of the fluctuation in the amount of light received, it is possible to determine that there is an abnormality in the second mirror 25 as well as the first mirror 24. For example, if the data shows that the amount of light received exceeds the upper limit value from the range 92 of the normal amount of light received, remains at a nearly constant value for a while, and then decreases, it can be determined that an abnormality occurred first in the first mirror 24, and then an abnormality occurred in the second mirror 25 as well.

制御ユニット90は、光検知ユニット30が受光する受光量からマハラノビスの距離を算出し、算出したマハラノビスの距離に基づいて、第一のミラー24および第二のミラー25が正常な状態であるか否かを判断してもよい。図5は、光検知ユニット30が受光する受光量から算出したマハラノビスの距離の推移を示す模式図である。より詳しくは、図5は、図4に示す範囲92の上限値を、基準値91からのマハラノビスの距離に換算した閾値92-1と、データ93、95を、基準値91からのマハラノビスの距離に換算した算出値93-1、95-1の時間推移と、を示すグラフである。 The control unit 90 may calculate the Mahalanobis distance from the amount of light received by the light detection unit 30, and may determine whether the first mirror 24 and the second mirror 25 are in a normal state based on the calculated Mahalanobis distance. FIG. 5 is a schematic diagram showing the progress of the Mahalanobis distance calculated from the amount of light received by the light detection unit 30. More specifically, FIG. 5 is a graph showing the threshold value 92-1 obtained by converting the upper limit value of the range 92 shown in FIG. 4 into the Mahalanobis distance from the reference value 91, and the time progress of the calculated values 93-1 and 95-1 obtained by converting the data 93 and 95 into the Mahalanobis distance from the reference value 91.

図5に示すように、算出値93-1、95-1は、図4に示す受光量のデータ93、95と同様に、閾値92-1を上回っていることが確認できる。したがって、算出値93-1、95-1は、いずれも第一のミラー24および第二のミラー25の少なくともいずれかが正常な状態でないことを示していると推測できる。 As shown in FIG. 5, it can be seen that the calculated values 93-1 and 95-1 exceed the threshold value 92-1, similar to the received light amount data 93 and 95 shown in FIG. 4. Therefore, it can be inferred that the calculated values 93-1 and 95-1 both indicate that at least one of the first mirror 24 and the second mirror 25 is not in a normal state.

更に、光検知ユニット30が受光する受光量に基づいて生じる電流値の生データがμAオーダーである場合、生データから算出されるマハラノビスの距離は、10~10オーダーとなる。したがって、マハラノビスの距離を用いることで、高感度での異常判定が可能である。 Furthermore, when the raw data of the current value generated based on the amount of light received by the light detection unit 30 is on the order of μA, the Mahalanobis' distance calculated from the raw data is on the order of 10 to 10. Therefore, by using the Mahalanobis' distance, it is possible to determine anomalies with high sensitivity.

なお、図4では、受光量を比較しているが、PIN型フォトダイオードから出力される電流値を比較してもよい。また、上記の説明では、マハラノビスの距離を受光量から算出しているが、電流値から算出してもよい。 In FIG. 4, the amount of light received is compared, but the current value output from the PIN photodiode may also be compared. Also, in the above explanation, the Mahalanobis distance is calculated from the amount of light received, but it may also be calculated from the current value.

以上説明したように、実施形態に係るレーザー照射装置1では、本願発明では、レーザービーム21を反射する第一のミラー24と対向する位置に光検知ユニット30を配置し、パーティクルによる散乱光31の受光量を検知することで、どの光学部品に汚染が生じているかをいち早く検知することを可能とした。 As described above, in the laser irradiation device 1 according to the embodiment, the present invention places the light detection unit 30 at a position opposite the first mirror 24 that reflects the laser beam 21, and detects the amount of light 31 scattered by particles, making it possible to quickly detect which optical components are contaminated.

更に、光検知ユニット30が受光する散乱光31の受光量(強度)に基づいて、光検知ユニット30と対向する位置に配置された第一のミラー24の汚染と、第一のミラー24より上流側に配置された第二のミラー25の汚染とを、同時にかつどちらが汚染しているかを切り分けて検知することができるため、配置する光検知ユニット30の個数を削減でき、装置コストの低減に貢献する。 Furthermore, based on the amount (intensity) of scattered light 31 received by the optical detection unit 30, it is possible to simultaneously detect contamination of the first mirror 24 positioned opposite the optical detection unit 30 and contamination of the second mirror 25 positioned upstream of the first mirror 24, and distinguish which is contaminated. This allows the number of optical detection units 30 to be placed to be reduced, contributing to reduced equipment costs.

また、受光量(出力される電流値)からマハラノビスの距離を算出し、マハラノビス距離に基づいて正常な状態であるか否かを判断してもよく、これによれば、従来のようにパワーメータの測定では誤差範囲となる小さな出力低下も明確に検知できるため、加工不良を未然に防ぐことができるという効果を奏する。 The Mahalanobis distance can also be calculated from the amount of light received (output current value), and whether or not the condition is normal can be determined based on the Mahalanobis distance. This has the effect of preventing processing defects, as even small drops in output that would fall within the margin of error in conventional power meter measurements can be clearly detected.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、光検知ユニット30が対向して配置される第一のミラー24の上流側に隣接する第二のミラー25に限定されず、更に上流に配置されるミラーについて異常を検知してもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment. In other words, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the optical detection unit 30 is not limited to detecting an abnormality in the second mirror 25 adjacent to the upstream side of the first mirror 24 opposite to it, but may also detect an abnormality in a mirror located further upstream.

1 レーザー照射装置
10 保持テーブル
20、20-1 レーザービーム照射ユニット
21 レーザービーム
22 レーザー発振器
23 集光器
24 第一のミラー
25 第二のミラー
26 第三のミラー
30 光検知ユニット
31 散乱光
40 筐体
60 移動ユニット
90 制御ユニット
100 被加工物(対象物)
REFERENCE SIGNS LIST 1 laser irradiation device 10 holding table 20, 20-1 laser beam irradiation unit 21 laser beam 22 laser oscillator 23 condenser 24 first mirror 25 second mirror 26 third mirror 30 light detection unit 31 scattered light 40 housing 60 moving unit 90 control unit 100 workpiece (object)

Claims (4)

レーザー照射装置であって、
対象物を保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された対象物にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、
該保持テーブルに保持された対象物と該レーザービーム照射ユニットとを相対的に移動させる移動ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
該レーザービーム照射ユニットは、
レーザー発振器と、
該レーザー発振器から出射されたレーザービームを反射してレーザービームの進行方向を変更する第一のミラーと、
該第一のミラーのレーザービームを反射する面と対向する位置に配置され、該第一のミラーに付着したパーティクルからの散乱光を受光する光検知ユニットと、を有し、
該制御ユニットは、
該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量に基づいて、該第一のミラーが正常な状態か否かを判断する
ことを特徴とする、レーザー照射装置。
A laser irradiation device,
A holding table for holding an object;
a laser beam irradiation unit that irradiates a laser beam onto the object held on the holding table;
a moving unit that moves the object held on the holding table and the laser beam irradiation unit relatively;
A control unit for controlling each of the components,
The laser beam irradiation unit includes:
A laser oscillator;
a first mirror for reflecting the laser beam emitted from the laser oscillator to change the direction of travel of the laser beam;
a light detection unit disposed at a position opposite to a surface of the first mirror that reflects the laser beam, the light detection unit receiving scattered light from particles adhering to the first mirror;
The control unit
a light detection unit that detects the amount of scattered light received by the first mirror and determines whether the first mirror is in a normal state or not based on the amount of scattered light received by the light detection unit.
該レーザービーム照射ユニットは、
該レーザー発振器と該第一のミラーとの間に、該レーザー発振器から出射されたレーザービームを反射して該第一のミラーへと導く第二のミラーを更に有し、
該制御ユニットは、
該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量に基づいて、該第一のミラーおよび該第二のミラーが正常な状態か否かを判断する
ことを特徴とする、請求項1に記載のレーザー照射装置。
The laser beam irradiation unit includes:
a second mirror is provided between the laser oscillator and the first mirror for reflecting the laser beam emitted from the laser oscillator and directing it to the first mirror;
The control unit
2. The laser irradiation device according to claim 1, wherein it is determined whether or not the first mirror and the second mirror are in a normal state based on the amount of scattered light received by the light detection unit.
該制御ユニットは、
該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量が所定の閾値を上回った場合に該第一のミラーが正常な状態でないと判断し、
該光検知ユニットで受光した散乱光の受光量が所定の閾値を下回った場合に該第二のミラーが正常な状態でないと判断する
ことを特徴とする、請求項2に記載のレーザー照射装置。
The control unit
When the amount of scattered light received by the light detection unit exceeds a predetermined threshold, it is determined that the first mirror is not in a normal state;
3. The laser irradiation device according to claim 2, wherein the second mirror is determined to be abnormal when the amount of scattered light received by the light detection unit falls below a predetermined threshold value.
該制御ユニットは、
該光検知ユニットが受光した散乱光の強度からマハラノビス距離を算出し、該マハラノビス距離に基づいて、該第一のミラーおよび該第二のミラーが正常か否かを判断することを特徴とする、請求項3に記載のレーザー照射装置。
The control unit
4. The laser irradiation device according to claim 3, wherein the light detection unit calculates a Mahalanobis distance from the intensity of the scattered light received, and determines whether the first mirror and the second mirror are normal or not based on the Mahalanobis distance.
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