JP2024070012A - 半導体素子の画像検査 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 269
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
【課題】 検査範囲に特徴点が存在しない場合でも欠陥を正確に検出する。【解決手段】 半導体素子の画像検査方法であって、上面に複数のアライメントマークが設けられたステージ上に半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子の上面の各検査範囲に対して上面検査画像と前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、画像検査を実施する工程、を有する。画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、上面正常画像と第2アライメント画像を記憶している。前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する。【選択図】図7
Description
本明細書に開示の技術は、半導体素子の画像検査に関する。
特許文献1には、ウエハの表面に設けられたマスクパターンの検査方法が開示されている。この検査方法では、ウエハの表面にダミーパターンを設けることで、疑似欠陥の認識を防止する。
半導体素子の表面を複数の検査範囲に区画し、各検査範囲の画像を撮影し、撮影した各検査範囲の画像を正常画像と比較することで半導体素子の表面の欠陥を検出する技術が存在する。この種の技術では、特徴点が存在しない検査範囲では、検査範囲の画像と正常画像の相対的な位置関係を特定することが困難となり、欠陥を正確に検出することができない。例えば、検査範囲に素子パターンの角部が存在する場合には、検査範囲の画像と正常画像とで素子パターンの角部が一致するように位置合わせした状態でこれらの画像を比較することで欠陥を正確に検出することができる。これに対し、特徴点(例えば、素子パターンの角部等)が検査範囲に存在しない場合には、検査範囲の画像と正常画像との間で位置合わせを行うことができず、欠陥を正確に検出することができない。本明細書では、検査範囲に特徴点が存在しない場合でも欠陥を正確に検出することが可能な画像検査方法を提案する。
本明細書が開示する半導体素子の画像検査方法は、半導体素子載置工程、撮影工程、画像検査工程を有する。前記半導体素子載置工程では、上面に複数のアライメントマークが設けられたステージ上に半導体素子を載置する。前記撮影工程では、各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する。前記画像検査工程では、画像検査装置による画像検査を実施する。前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶している。前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する。
この画像検査方法で使用するステージの上面には、アライメントマークが設けられている。アライメントマークは、検査範囲内における位置(例えば、x座標とy座標)を特定できるマークであれば、どのようなマークであってもよい。この画像検査方法では、半導体素子の検査範囲ごとに上面検査画像と第1アライメント画像を撮影する。第1アライメント画像は、ステージの上面の画像であり、ステージに設けられたアライメントマークの画像を含む。画像検査では、第1アライメント画像に含まれるアライメントマークの位置と第2アライメント画像に含まれるアライメントマークの位置を基準として上面検査画像と上面正常画像を比較する。すなわち、第1アライメント画像に含まれるアライメントマークと第2アライメント画像に含まれるアライメントマークを用いて上面検査画像と上面正常画像の相対位置を特定し、その相対位置に基づいて上面検査画像と上面正常画像を比較する。このため、検査範囲内に特徴点が存在しなくても、上面検査画像と上面正常画像の間で位置合わせを行うことができる。このため、この検査方法によれば、検査範囲内に特徴点が存在しない場合でも欠陥を正確に検出できる。
本明細書が開示する一例の画像検査方法においては、前記半導体素子が光透過性を有する半導体ウエハに設けられていてもよい。前記上面検査画像の撮影では、カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影してもよい。前記第1アライメント画像の撮影では、前記カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影してもよい。
この構成によれば、上面検査画像と第1アライメント画像を精度よく撮影することができる。
本明細書が開示する一例の画像検査方法においては、前記半導体素子が半導体ウエハに設けられていてもよい。前記ステージが光透過性を有していてもよい。前記上面検査画像の撮影では、第1カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影してもよい。前記第1アライメント画像の撮影では、前記第1カメラと同軸に設けられた第2カメラによって前記ステージの下側から前記ステージを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影してもよい。
この構成によれば、上面検査画像と第1アライメント画像を精度よく撮影することができる。
本明細書が開示する一例の画像検査方法においては、前記半導体素子の前記上面が、位置を特定可能な形状を有する特徴点を有していてもよい。前記特徴点を含む前記上面検査画像が特徴点上面検査画像であってもよい。前記特徴点上面検査画像に対応する前記第1アライメント画像が特定第1アライメント画像であってもよい。前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記特徴点上面検査画像に含まれる前記特徴点と前記特定第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークとの特定位置関係を特定してもよい。前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記特定位置関係を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定してもよい。
この構成によれば、半導体素子をステージ上に載置するときの位置ずれを補正することができ、より正確に欠陥を検出できる。
本明細書が開示する一例の画像検査方法においては、前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程の前に、前記半導体素子が設けられているウエハの上面に設けられたパターンを撮影し、撮影した前記パターンに基づいて前記ウエハの中心軸回りの角度を調整する工程を有していてもよい。前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程では、前記角度が調整された状態の前記ウエハを前記ステージ上に載置してもよい。
この構成によれば、半導体素子とステージとの間の角度ずれを抑制することができる。
実施例1の半導体素子の製造方法について説明する。実施例1の製造方法は、半導体素子に対する画像検査方法を含んでいる。
(半導体素子構造形成工程)
まず、半導体素子形成工程を実施する。半導体素子形成工程では、図1に示すように、半導体ウエハ10に複数の半導体素子14を形成する。半導体ウエハ10は、円板形状を有している。実施例1では、半導体ウエハ10は、SiC、GaN等の光透過性を有する半導体材料によって構成されている。例えば、半導体素子形成工程では、半導体ウエハ10の上面10aに対して、イオン注入、エピタキシャル成長、エッチング等を行うことで、複数の半導体素子14を形成する。各図において、半導体ウエハ10のx方向は上面10aに平行な一方向であり、半導体ウエハ10のy方向は上面10aに平行かつx方向に直交する方向であり、半導体ウエハ10のz方向は半導体ウエハ10の厚み方向である。複数の半導体素子14は、上面10aにおいてx方向及びy方向に沿ってマトリクス状に配列されている。図2は、1つの半導体素子14の上面10a(すなわち、1つの半導体素子14の範囲内の半導体ウエハ10の上面10a)の拡大平面図を例示している。半導体素子14は、上面10aに2つの素子領域15を有している。各素子領域15には、トレンチ型のFETが形成されている。このため、各素子領域15内にトレンチによって構成された縞模様が現れている。なお、図2以外の図では、図の見やすさのため、各素子領域15内の縞模様の図示を省略している。後に詳述するが、半導体素子14の上面10aに対して、画像検査が実施される。画像検査では、図3に示すように、半導体素子14の上面10aを複数の検査範囲50に区画し、各検査範囲50に対して検査を行う。図3に示す検査範囲50nには、素子領域15の外周縁等の特徴点が含まれていない。実施例1の画像検査方法では、特徴点を含まない検査範囲50nに対しても適切に検査を行うことができる。
まず、半導体素子形成工程を実施する。半導体素子形成工程では、図1に示すように、半導体ウエハ10に複数の半導体素子14を形成する。半導体ウエハ10は、円板形状を有している。実施例1では、半導体ウエハ10は、SiC、GaN等の光透過性を有する半導体材料によって構成されている。例えば、半導体素子形成工程では、半導体ウエハ10の上面10aに対して、イオン注入、エピタキシャル成長、エッチング等を行うことで、複数の半導体素子14を形成する。各図において、半導体ウエハ10のx方向は上面10aに平行な一方向であり、半導体ウエハ10のy方向は上面10aに平行かつx方向に直交する方向であり、半導体ウエハ10のz方向は半導体ウエハ10の厚み方向である。複数の半導体素子14は、上面10aにおいてx方向及びy方向に沿ってマトリクス状に配列されている。図2は、1つの半導体素子14の上面10a(すなわち、1つの半導体素子14の範囲内の半導体ウエハ10の上面10a)の拡大平面図を例示している。半導体素子14は、上面10aに2つの素子領域15を有している。各素子領域15には、トレンチ型のFETが形成されている。このため、各素子領域15内にトレンチによって構成された縞模様が現れている。なお、図2以外の図では、図の見やすさのため、各素子領域15内の縞模様の図示を省略している。後に詳述するが、半導体素子14の上面10aに対して、画像検査が実施される。画像検査では、図3に示すように、半導体素子14の上面10aを複数の検査範囲50に区画し、各検査範囲50に対して検査を行う。図3に示す検査範囲50nには、素子領域15の外周縁等の特徴点が含まれていない。実施例1の画像検査方法では、特徴点を含まない検査範囲50nに対しても適切に検査を行うことができる。
次に、画像検査装置によって半導体ウエハ10の画像検査を行う。画像検査装置は、ハンドリングツールとステージを有している。まず、ウエハ搬送工程を実施する。
(ウエハ搬送工程)
ウエハ載置工程では、ハンドリングツールによって半導体ウエハ10をステージ上に搬送する。図4は、画像検査装置のステージ40の上面40aを示している。なお、各図において、ステージ40のx方向は上面40aに平行な一方向であり、ステージ40のy方向は上面40aに平行かつx方向に直交する方向であり、ステージ40のz方向はステージ40の厚み方向である。図4に示すように、ステージ40の上面40aには、x方向沿って伸びる複数の溝42x及びy方向に沿って伸びる複数の溝42yが設けられている。したがって、溝42xと溝42yの交点44が、x方向及びy方向に沿ってマトリクス状に配列されている。x方向に伸びる溝42xとy方向に伸びる溝42yとの交点44は、上面40aを画像認識したときにx方向及びy方向の位置を特定可能な形状である。各交点44は、位置測定用のアライメントマークとして使用される。ウエハ搬送工程では、ハンドリングツールは、半導体ウエハ10のx方向及びy方向がステージ40のx方向及びy方向と一致するように角度調整を行ってから半導体ウエハ10をステージ40上に載置する。具体的には、まず、ハンドリングツール上にて半導体ウエハ10の上面10aに存在するパターン(すなわち、特徴点)をカメラ等により撮影し、そのパターンの位置を特定する。ここでは、複数のパターンの位置を特定する。パターンは、例えば、図2に示す素子領域15の角部15aであってもよいし、素子領域15の外部(すなわち、半導体ウエハ10の外周部)に設けられた位置検出マークであってもよい。複数のパターンの位置を特定したら、特定した位置に基づいて半導体ウエハ10のz軸回りの角度を算出する。次に、半導体ウエハ10のz軸回りの角度が設計値と一致するように、ハンドリングツールにより半導体ウエハ10のz軸回りの角度を調整する。次に、z軸回りの角度を調整した状態で、ハンドリングツールによってステージ40上に半導体ウエハ10を載置する。これにより、半導体ウエハ10のx方向及びy方向がステージ40のx方向及びy方向と一致した状態で半導体ウエハ10がステージ40上に載置される。
ウエハ載置工程では、ハンドリングツールによって半導体ウエハ10をステージ上に搬送する。図4は、画像検査装置のステージ40の上面40aを示している。なお、各図において、ステージ40のx方向は上面40aに平行な一方向であり、ステージ40のy方向は上面40aに平行かつx方向に直交する方向であり、ステージ40のz方向はステージ40の厚み方向である。図4に示すように、ステージ40の上面40aには、x方向沿って伸びる複数の溝42x及びy方向に沿って伸びる複数の溝42yが設けられている。したがって、溝42xと溝42yの交点44が、x方向及びy方向に沿ってマトリクス状に配列されている。x方向に伸びる溝42xとy方向に伸びる溝42yとの交点44は、上面40aを画像認識したときにx方向及びy方向の位置を特定可能な形状である。各交点44は、位置測定用のアライメントマークとして使用される。ウエハ搬送工程では、ハンドリングツールは、半導体ウエハ10のx方向及びy方向がステージ40のx方向及びy方向と一致するように角度調整を行ってから半導体ウエハ10をステージ40上に載置する。具体的には、まず、ハンドリングツール上にて半導体ウエハ10の上面10aに存在するパターン(すなわち、特徴点)をカメラ等により撮影し、そのパターンの位置を特定する。ここでは、複数のパターンの位置を特定する。パターンは、例えば、図2に示す素子領域15の角部15aであってもよいし、素子領域15の外部(すなわち、半導体ウエハ10の外周部)に設けられた位置検出マークであってもよい。複数のパターンの位置を特定したら、特定した位置に基づいて半導体ウエハ10のz軸回りの角度を算出する。次に、半導体ウエハ10のz軸回りの角度が設計値と一致するように、ハンドリングツールにより半導体ウエハ10のz軸回りの角度を調整する。次に、z軸回りの角度を調整した状態で、ハンドリングツールによってステージ40上に半導体ウエハ10を載置する。これにより、半導体ウエハ10のx方向及びy方向がステージ40のx方向及びy方向と一致した状態で半導体ウエハ10がステージ40上に載置される。
図5は、ステージ40上に載置された半導体ウエハ10を示している。図5に示すように、半導体ウエハ10が光を透過するので、ステージ40に設けられた溝42x、42yを半導体ウエハ10を通して視認することができる。溝42x、42yの間隔は、半導体素子14のx方向及びy方向の幅よりも十分に小さい。したがって、図5に示すように、各半導体素子14の下部に複数の交点44が配置される。
(画像検査工程)
次に、画像検査装置によって画像検査工程を実施する。画像検査工程では、各半導体素子14の各検査範囲50に対して上面10aの撮影を行い、上面10aにおける欠陥の有無を検査する。図6に示すように、画像検査装置は、カメラ62、記憶装置66、及び、制御装置68を有している。カメラ62は、ステージ40の上部に配置されている。カメラ62は、鉛直下方向に向けて設置されている。カメラ62は、ステージ40上に載置された半導体ウエハ10の上面10aを撮影することができる。カメラ62は、ステージ40に対してx方向及びy方向に相対的に移動することができる。カメラ62をステージ40に対して移動させることで、カメラ62の撮影範囲を移動させることができる。制御装置68は、カメラ62を制御する。また、制御装置68は、記憶装置66からデータを読み出すことができる。画像検査工程では、画像検査装置が、画像撮影、ずれ算出、及び、欠陥検出を順に実施する。
次に、画像検査装置によって画像検査工程を実施する。画像検査工程では、各半導体素子14の各検査範囲50に対して上面10aの撮影を行い、上面10aにおける欠陥の有無を検査する。図6に示すように、画像検査装置は、カメラ62、記憶装置66、及び、制御装置68を有している。カメラ62は、ステージ40の上部に配置されている。カメラ62は、鉛直下方向に向けて設置されている。カメラ62は、ステージ40上に載置された半導体ウエハ10の上面10aを撮影することができる。カメラ62は、ステージ40に対してx方向及びy方向に相対的に移動することができる。カメラ62をステージ40に対して移動させることで、カメラ62の撮影範囲を移動させることができる。制御装置68は、カメラ62を制御する。また、制御装置68は、記憶装置66からデータを読み出すことができる。画像検査工程では、画像検査装置が、画像撮影、ずれ算出、及び、欠陥検出を順に実施する。
(画像撮影)
画像撮影では、制御装置68は、まず、図7に示すように1つの半導体素子14の上面10aに対して複数の検査範囲50を設定する。制御装置68は、矩形の検査範囲50がx方向及びy方向に沿ってマトリクス状に並ぶように複数の検査範囲50を設定する。図7において、破線は、半導体素子14を通して見える溝42x、42yを示している。制御装置68は、各検査範囲50の下部に1つの交点44が配置されるように検査範囲50を設定する。
画像撮影では、制御装置68は、まず、図7に示すように1つの半導体素子14の上面10aに対して複数の検査範囲50を設定する。制御装置68は、矩形の検査範囲50がx方向及びy方向に沿ってマトリクス状に並ぶように複数の検査範囲50を設定する。図7において、破線は、半導体素子14を通して見える溝42x、42yを示している。制御装置68は、各検査範囲50の下部に1つの交点44が配置されるように検査範囲50を設定する。
次に、制御装置68は、1つの検査範囲50を選択し、選択した検査範囲50に対応する座標にカメラ62を移動させる。次に、制御装置68は、カメラ62の焦点を上面10aに合わせた状態で撮影を行う。これによって、選択した検査範囲50内の上面10aの画像(以下、上面検査画像という)が撮影される。次に、制御装置68は、カメラ62の撮影範囲を移動させることなく、カメラ62の焦点をステージ40の上面40aに合わせた状態で撮影を行う。半導体ウエハ10が光透過性を有するので、カメラ62によって上面40aを撮影することができる。これによって、選択した検査範囲50内の上面40aの画像(以下、第1アライメント画像という)が撮影される。このように、制御装置68は、選択した検査範囲50の上面検査画像と第1アライメント画像を撮影する。焦点を変更することによって上面検査画像と第1アライメント画像を撮影すると、同軸上で上面検査画像と第1アライメント画像を撮影することができる。したがって、上面検査画像と第1アライメント画像の間での撮影範囲のずれを抑制できる。検査範囲50内に交点44が存在するので、第1アライメント画像には交点44が含まれる。制御装置68は、各検査範囲50に対して同様の撮影を順次行う。したがって、各検査範囲50に対して、上面検査画像と第1アライメント画像が撮影される。
(ずれ算出)
次に、制御装置68は、図7に示す検査範囲50aの上面検査画像と第1アライメント画像を読み出す。検査範囲50aは、素子領域15の角部15aを含んでいる。図8は、検査範囲50aの上面検査画像と第1アライメント画像を重ねて示している。制御装置68は、検査範囲50aの上面検査画像内において角部15aのx座標とy座標を特定する。角部15aは素子領域15のx方向に伸びる辺とy方向に伸びる辺との接続部であるので、制御装置68は角部15aのx座標とy座標を特定することができる。また、制御装置68は、検査範囲50aの第1アライメント画像内において交点44のx座標とy座標を特定する。交点44はx方向に伸びる溝42xとy方向に伸びる溝42yとの交点であるので、制御装置68は交点44のx座標とy座標を特定することができる。次に、制御装置68は、上面検査画像と第1アライメント画像の間で、交点44に対する角部15aの相対位置(x1,y1)を算出する。半導体ウエハ10をステージ40上に載置するときにx方向及びy方向において載置位置に誤差が生じるので、相対位置(x1,y1)は誤差に応じて変化する。
次に、制御装置68は、図7に示す検査範囲50aの上面検査画像と第1アライメント画像を読み出す。検査範囲50aは、素子領域15の角部15aを含んでいる。図8は、検査範囲50aの上面検査画像と第1アライメント画像を重ねて示している。制御装置68は、検査範囲50aの上面検査画像内において角部15aのx座標とy座標を特定する。角部15aは素子領域15のx方向に伸びる辺とy方向に伸びる辺との接続部であるので、制御装置68は角部15aのx座標とy座標を特定することができる。また、制御装置68は、検査範囲50aの第1アライメント画像内において交点44のx座標とy座標を特定する。交点44はx方向に伸びる溝42xとy方向に伸びる溝42yとの交点であるので、制御装置68は交点44のx座標とy座標を特定することができる。次に、制御装置68は、上面検査画像と第1アライメント画像の間で、交点44に対する角部15aの相対位置(x1,y1)を算出する。半導体ウエハ10をステージ40上に載置するときにx方向及びy方向において載置位置に誤差が生じるので、相対位置(x1,y1)は誤差に応じて変化する。
次に、制御装置68は、記憶装置66にアクセスして上面正常画像と第2アライメント画像を読み出す。まず、上面正常画像と第2アライメント画像について説明する。上面正常画像と第2アライメント画像は、欠陥を有さない半導体素子14をステージ40上に載置し、カメラ62によって各検査範囲50内の半導体素子14の上面10aとステージ40の上面40aを撮影した画像である。上面正常画像と第2アライメント画像は、全ての検査範囲50に対して撮影されている。上面正常画像と第2アライメント画像は、予め画像検査装置で撮影されたものである。全ての検査範囲50の上面正常画像と第2アライメント画像が、記憶装置66に記憶されている。
制御装置68は、素子領域15の角部15aを含む検査範囲50aの上面正常画像と第2アライメント画像を読み出す。制御装置68は、検査範囲50aの上面正常画像内において角部15aのx座標とy座標を特定する。また、制御装置68は、検査範囲50aの第2アライメント画像内において交点44のx座標とy座標を特定する。次に、制御装置68は、上面正常画像と第2アライメント画像の間で、交点44に対する角部15aの相対位置(x2,y2)を算出する。相対座標(x2,y2)は交点44に対する角部15aの設計上の位置である。なお、相対座標(x2,y2)は予め記憶装置66に記憶されている値であってもよい。
制御装置68は、相対座標(x1,y1)及び相対座標(x2,y2)を算出すると、これらの差(Δxref,Δyref)を算出する(すなわち、Δxref=x2-x1、Δyref=y2-y1)。相対座標(x1,y1)は交点44に対する上面検査画像の角部15aの相対位置であり、相対座標(x2,y2)は交点44に対する上面正常画像の角部15aの相対位置であるので、差(Δxref,Δyref)は上面検査画像の角部15aの上面正常画像の角部15aに対する相対位置を意味する。ステージ40に半導体ウエハ10を載置するときに角度調整が行われているので、上面検査画像と上面正常画像の間に角度のずれはほどんど存在しない。したがって、差(Δxref,Δyref)は上面正常画像の撮影範囲に対する上面検査画像の撮影範囲の位置ずれを示す。また、差(Δxref,Δyref)は検査範囲50aにおいて算出された値であるが、半導体ウエハ10をステージ40上に載置するときの位置ずれは、全ての検査範囲50において同様に生じる。したがって、差(Δxref,Δyref)は、全ての検査範囲50における上面正常画像の撮影範囲と上面検査画像の撮影範囲のずれを示す。
(欠陥検出)
差(Δxref,Δyref)を算出すると、制御装置68は、複数の検査範囲50から1つの検査範囲50を選択し、選択した検査範囲50に対して欠陥検出を実施する。欠陥検出では、制御装置68は、選択した検査範囲50の第1アライメント画像と第2アライメント画像を読み出す。次に、第1アライメント画像と第2アライメント画像の間における交点44の位置の差(Δxc,Δyc)を算出する。例えば、図9に示すように、制御装置68は、第1アライメント画像の撮影範囲内において交点44の座標(xc1,yc1)を特定する。同様に、制御装置68は、第2アライメント画像の撮影範囲内において、交点44の座標(xc2,yc2)を特定する。そして、Δx=xc2-xc1、Δy=yc2-yc1の数式により、第1アライメント画像と第2アライメント画像の間における交点44の位置の差(Δxc,Δyc)を算出する。また、他の例では、制御装置68は、図10に示すように、交点44が一致するように第1アライメント画像と第2アライメント画像を重ね、このときの第1アライメント画像と第2アライメント画像のx方向及びy方向における位置の差(Δxc,Δyc)を算出してもよい。図9、10のいずれの方法でも、差(Δxc,Δyc)を算出することができる。
差(Δxref,Δyref)を算出すると、制御装置68は、複数の検査範囲50から1つの検査範囲50を選択し、選択した検査範囲50に対して欠陥検出を実施する。欠陥検出では、制御装置68は、選択した検査範囲50の第1アライメント画像と第2アライメント画像を読み出す。次に、第1アライメント画像と第2アライメント画像の間における交点44の位置の差(Δxc,Δyc)を算出する。例えば、図9に示すように、制御装置68は、第1アライメント画像の撮影範囲内において交点44の座標(xc1,yc1)を特定する。同様に、制御装置68は、第2アライメント画像の撮影範囲内において、交点44の座標(xc2,yc2)を特定する。そして、Δx=xc2-xc1、Δy=yc2-yc1の数式により、第1アライメント画像と第2アライメント画像の間における交点44の位置の差(Δxc,Δyc)を算出する。また、他の例では、制御装置68は、図10に示すように、交点44が一致するように第1アライメント画像と第2アライメント画像を重ね、このときの第1アライメント画像と第2アライメント画像のx方向及びy方向における位置の差(Δxc,Δyc)を算出してもよい。図9、10のいずれの方法でも、差(Δxc,Δyc)を算出することができる。
次に、制御装置68は、図11に示すように、上面検査画像に上面正常画像を重ねる。このとき、制御装置68は、差(Δxref,Δyref)と差(Δxc,Δyc)を加算することで差(Δxd,Δyd)を算出する。すなわち、Δxd=Δxref+Δxcであり、Δyd=Δyref+Δycである。次に、制御装置68は、差(Δxd,Δyd)と同じ量だけ位置をずらした状態で上面検査画像に上面正常画像を重ねる。このように上面検査画像に上面正常画像を重ねると、上面検査画像に対して、その上面検査画像と実質的に同一部分の正常な半導体素子14の画像を正確に重ね合わせることができる。このように上面検査画像に上面正常画像を重ね合わせることで、制御装置68は、上面検査画像の上面正常画像に対する相違点を欠陥として検出する。
制御装置68は、全ての半導体素子14の全ての検査範囲50に対して、画像検査を実施する。これによって、制御装置68は、各半導体素子14の各検査範囲50に対して、欠陥の有無を検出する。画像検査で欠陥が検出された半導体素子14に対しては、マーキングが施される。
図12は、上面検査画像と上面正常画像と各画像の画素を示している。カメラ62で撮影される画像の画素の幅は、訳0.5μmである。図12において太線で囲まれた領域はトレンチを示している。図12では、上面検査画像と上面正常画像とがy方向に0.5μm(すなわち、1画素分)ずれて配置されている。したがって、この状態で上面検査画像と上面正常画像を重ねると、ずれが生じている画素(すなわち、図12においてハッチングされている画素)が欠陥として誤検出されてしまう。これに対し、上記の欠陥検出では、上面検査画像と上面正常画像の位置ずれを0.25μm未満(すなわち、0.5画素分未満)とすることができる。したがって、各画素において上面検査画像と上面正常画像の間でトレンチの位置にずれが生じない。したがって、位置ずれに起因する欠陥の誤検出を抑制できる。このため、欠陥を正確に検出することができる。
また、この欠陥検査方法では、特徴点を含まない検査範囲50(例えば、図3の検査範囲50n)においても、上面検査画像を上面正常画像に高い位置精度で重ね合わせることができる。したがって、特徴点を含まない検査範囲50でも、欠陥を正確に検出できる。
画像検査工程が終了したら、各半導体素子14の上面10aに、電極(例えば、FETのソース電極、信号電極パッド等)を形成する。次に、半導体ウエハ10の下面10bの全域に電極(例えば、FETのドレイン電極)を形成する。次に、半導体ウエハ10を複数の半導体素子14のチップに分割する。その後、欠陥が検出された半導体素子14を除去し、正常な半導体素子14を出荷する。このように、この製造方法によれば、上面に欠陥を有さない半導体素子14を製造できる。
実施例2の半導体素子の製造方法について説明する。実施例2で使用する半導体ウエハ10は、光透過性を有していてもよいし、光透過性を有していなくてもよい。実施例2で使用する画像検査装置は、実施例1で使用する画像検査装置とは異なる。図13は、実施例2の画像検査で使用する画像検査装置を示している。この画像検査装置は、カメラ62に加えてカメラ64を有している。カメラ64は、ステージ40の下側に配置されている。カメラ62とカメラ64の相対位置は固定されている。カメラ64は、カメラ62と同軸であって上向きに配置されている。また、この画像検査装置では、ステージ40が光透過性を有している。カメラ64は、ステージ40を透過して見えるステージ40の上面40aの画像を撮影する。すなわち、カメラ64は、第1アライメント画像を撮影する。カメラ64によれば、カメラ62と同軸上において第1アライメント画像を撮影できる。カメラ64で第1アライメント画像を撮影する点を除いて、実施例2の半導体素子の製造方法は、実施例1の半導体素子の製造方法と等しい。したがって、実施例2の製造方法でも、欠陥を正確に検出することができる。
なお、上述した実施例1、2では、上面検査画像と第1アライメント画像が同軸上で撮影された。しかしながら、上面検査画像の撮影範囲と第1アライメント画像の撮影範囲が誤差等によりずれていてもよい。この場合でも、上面検査画像の撮影範囲と第1アライメント画像の撮影範囲の相対位置関係が固定されていれば、適切に画像検査を実施することができる。
また、上述した実施例1、2では、上面検査画像と上面正常画像を重ねて比較したが、これらを他の方法で比較して欠陥を検出してもよい。
また、上述した実施例1、2では、ステージ40の上面40aに形成された溝42x、42yによって位置検出用のアライメントマーク(すなわち、交点44)が構成されていた。しかしながら、アライメントマークが光学的に検出可能であれば、アライメントマークが溝以外のものにより構成されていてもよい。また、実施例1、2では、x方向に直線状に伸びる溝42xとy方向に直線状に伸びる溝42yの交点44をアライメントマークとして使用したが、図14に示すようにステージ40の上面40aにアライメントマーク44aが離散的に設けられていてもよい。このように、x方向及びy方向における座標を特定可能な形状であれば、アライメントマークはどのような形状であってもよい。
また、上述した実施例1、2では、検査範囲50aの各画像に基づいて差(Δxref,Δyref)を算出し、各検査範囲50において上面検査画像と上面正常画像を重ねるときに差(Δxref,Δyref)によって重ねる位置を補正した。しかしながら、ステージ40上に半導体ウエハ10を載置するときの位置精度が十分に高い場合には、差(Δxref,Δyref)による補正を行わなくてもよい。
また、上述した実施例1、2では、半導体ウエハ10をステージ40に載置する前に半導体ウエハ10の角度を調整した。しかしながら、半導体ウエハ10の角度を正確に制御できる場合には、半導体ウエハ10をステージ40に載置する前に半導体ウエハ10の角度を調整しなくてもよい。
また、上述した実施例1、2では、検査範囲50内にステージ40のアライメントマーク(すなわち、交点44)が1つ配置されていたが、検査範囲50内に2つ以上のアライメントマークが1つ配置されてもよい。
以下に、本明細書に開示の技術の構成を列記する。
(構成1)
半導体素子の画像検査方法であって、
上面に複数のアライメントマークが設けられたステージ上に半導体素子を載置する工程と、
各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査装置による画像検査を実施する工程、
を有し、
前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査方法。
(構成2)
前記半導体素子が光透過性を有する半導体ウエハに設けられており、
前記上面検査画像の撮影では、カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
構成1に記載の画像検査方法。
(構成3)
前記半導体素子が半導体ウエハに設けられており、
前記ステージが光透過性を有し、
前記上面検査画像の撮影では、第1カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記第1カメラと同軸に設けられた第2カメラによって前記ステージの下側から前記ステージを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
構成1に記載の画像検査方法。
(構成4)
前記半導体素子の前記上面が、位置を特定可能な形状を有する特徴点を有しており、
前記特徴点を含む前記上面検査画像が特徴点上面検査画像であり、
前記特徴点上面検査画像に対応する前記第1アライメント画像が特定第1アライメント画像であり、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記特徴点上面検査画像に含まれる前記特徴点と前記特定第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークとの特定位置関係を特定し、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記特定位置関係を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
構成1~3のいずれか一項に記載の画像検査方法。
(構成5)
前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程の前に、前記半導体素子が設けられているウエハの上面に設けられたパターンを撮影し、撮影した前記パターンに基づいて前記ウエハの中心軸回りの角度を調整する工程を有し、
前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程では、前記角度が調整された状態の前記ウエハを前記ステージ上に載置する、
構成1~4のいずれか一項に記載の画像検査方法。
(構成6)
構成1~5のいずれか一項に記載の画像検査方法を有する半導体素子の製造方法。
(構成7)
半導体素子の画像検査装置であって、
上面に複数のアライメントマークが設けられたステージと、
カメラと、
記憶装置と、
制御装置、
を有し、
前記ステージ上に載置された半導体素子に対して、前記制御装置が、
前記ステージ上に半導体素子を載置する工程と、
各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査を実施する工程、
を実行するように構成されており、
前記記憶装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記制御装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査装置。
(構成1)
半導体素子の画像検査方法であって、
上面に複数のアライメントマークが設けられたステージ上に半導体素子を載置する工程と、
各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査装置による画像検査を実施する工程、
を有し、
前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査方法。
(構成2)
前記半導体素子が光透過性を有する半導体ウエハに設けられており、
前記上面検査画像の撮影では、カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
構成1に記載の画像検査方法。
(構成3)
前記半導体素子が半導体ウエハに設けられており、
前記ステージが光透過性を有し、
前記上面検査画像の撮影では、第1カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記第1カメラと同軸に設けられた第2カメラによって前記ステージの下側から前記ステージを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
構成1に記載の画像検査方法。
(構成4)
前記半導体素子の前記上面が、位置を特定可能な形状を有する特徴点を有しており、
前記特徴点を含む前記上面検査画像が特徴点上面検査画像であり、
前記特徴点上面検査画像に対応する前記第1アライメント画像が特定第1アライメント画像であり、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記特徴点上面検査画像に含まれる前記特徴点と前記特定第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークとの特定位置関係を特定し、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記特定位置関係を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
構成1~3のいずれか一項に記載の画像検査方法。
(構成5)
前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程の前に、前記半導体素子が設けられているウエハの上面に設けられたパターンを撮影し、撮影した前記パターンに基づいて前記ウエハの中心軸回りの角度を調整する工程を有し、
前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程では、前記角度が調整された状態の前記ウエハを前記ステージ上に載置する、
構成1~4のいずれか一項に記載の画像検査方法。
(構成6)
構成1~5のいずれか一項に記載の画像検査方法を有する半導体素子の製造方法。
(構成7)
半導体素子の画像検査装置であって、
上面に複数のアライメントマークが設けられたステージと、
カメラと、
記憶装置と、
制御装置、
を有し、
前記ステージ上に載置された半導体素子に対して、前記制御装置が、
前記ステージ上に半導体素子を載置する工程と、
各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査を実施する工程、
を実行するように構成されており、
前記記憶装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記制御装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査装置。
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
10:半導体ウエハ、14:半導体素子、40:ステージ、44:交点
Claims (7)
- 半導体素子(14)の画像検査方法であって、
上面(40a)に複数のアライメントマーク(44)が設けられたステージ(40)上に半導体素子を載置する工程と、
各検査範囲(50)の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面(10a)に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査装置による画像検査を実施する工程、
を有し、
前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査方法。 - 前記半導体素子が光透過性を有する半導体ウエハ(10)に設けられており、
前記上面検査画像の撮影では、カメラ(62)によって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記カメラによって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
請求項1に記載の画像検査方法。 - 前記半導体素子が半導体ウエハに設けられており、
前記ステージが光透過性を有し、
前記上面検査画像の撮影では、第1カメラ(62)によって前記半導体ウエハの上側から前記半導体ウエハの前記上面を撮影し、
前記第1アライメント画像の撮影では、前記第1カメラと同軸に設けられた第2カメラ(64)によって前記ステージの下側から前記ステージを透過して見える前記ステージの前記上面を撮影する、
請求項1に記載の画像検査方法。 - 前記半導体素子の前記上面が、位置を特定可能な形状を有する特徴点(15a)を有しており、
前記特徴点を含む前記上面検査画像が特徴点上面検査画像であり、
前記特徴点上面検査画像に対応する前記第1アライメント画像が特定第1アライメント画像であり、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記特徴点上面検査画像に含まれる前記特徴点と前記特定第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークとの特定位置関係(x1,x2)を特定し、
前記画像検査では、前記画像検査装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記特定位置関係を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
請求項1~3のいずれか一項に記載の画像検査方法。 - 前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程の前に、前記半導体素子が設けられているウエハの上面に設けられたパターンを撮影し、撮影した前記パターンに基づいて前記ウエハの中心軸回りの角度を調整する工程を有し、
前記半導体素子を前記ステージ上に載置する前記工程では、前記角度が調整された状態の前記ウエハを前記ステージ上に載置する、
請求項1~3のいずれか一項に記載の画像検査方法。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の画像検査方法を有する半導体素子の製造方法。
- 半導体素子の画像検査装置であって、
上面に複数のアライメントマークが設けられたステージと、
カメラと、
記憶装置と、
制御装置、
を有し、
前記ステージ上に載置された半導体素子に対して、前記制御装置が、
各検査範囲の下部に前記アライメントマークのうちの少なくとも1つが配置されるように前記半導体素子の上面に複数の検査範囲を設定し、前記各検査範囲に対して、前記半導体素子の前記上面の画像である上面検査画像と、前記ステージの前記上面の画像である第1アライメント画像とを撮影する工程と、
画像検査を実施する工程、
を実行するように構成されており、
前記記憶装置が、前記検査範囲ごとに、前記半導体素子の前記上面の正常画像である上面正常画像と、前記ステージの前記上面の正常画像である第2アライメント画像を記憶しており、
前記画像検査では、前記制御装置が、前記検査範囲ごとに、前記第1アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置と前記第2アライメント画像に含まれる前記アライメントマークの位置を基準として前記上面検査画像と前記上面正常画像を比較することで、前記上面検査画像に欠陥が含まれるか否かを判定する、
画像検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022180338A JP2024070012A (ja) | 2022-11-10 | 2022-11-10 | 半導体素子の画像検査 |
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Family Applications (1)
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