JP2024064752A - 隔膜真空計 - Google Patents

Abstract

【課題】隔膜真空計において、センサヘッドと計測回路とを別々に交換すること。【解決手段】隔膜真空計１０は、センサヘッド１１と接続部１２と処理部１３とを有する。センサヘッド１１は、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を計測する。接続部１２は、不揮発性メモリが設置され、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する。処理部１３は計測された真空圧力の値に対し処理を行うための計測回路を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、隔膜真空計に関する。

従来、半導体製造装置向けの静電容量式隔膜真空計は、加熱された真空チャンバーの真空圧力の計測が必要である。そして、真空チャンバーが加熱されることによりその周囲は高温となるため、従来技術として、耐熱性の高いセンサヘッドのみを真空チャンバー付近に設置し、耐熱性の低い計測回路はケーブルで分離され周囲温度が低い離れた場所に設置するという技術がある（例えば、特許文献1参照）。

特願２０２１－０８３１２５

しかし、上記の従来技術では、センサヘッドと計測回路とは一対一で調整が必要なため、センサヘッドが故障した等の場合に、センサヘッドと計測回路とを一緒に交換する必要があり、別々に交換することができないという課題があった。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の隔膜真空計は、真空圧力の計測に使用されるセンサヘッドと、計測回路を有する処理部と、不揮発性メモリが設置され、センサヘッドと処理部とを接続するコネクタ又はケーブルを有する接続部とを備えることを特徴とする。

また、本発明の隔膜真空計は、真空圧力の計測に使用されるセンサヘッドと、計測回路を有する処理部と、圧力測定部と処理部とを接続するコネクタを有する接続部と、外部からセンサヘッドの調整データを取得し、処理部に格納する格納部とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、センサヘッドと計測回路とを別々に交換することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る隔膜真空計の概要を示す図である。 図２は、実施形態１に係る隔膜真空計の構成を示すブロック図である。 図３は、実施形態に係る隔膜真空計のセンサヘッドが有する圧力センサの構造の具体例を示す図である。 図４は、実施形態に係る隔膜真空計におけるセンサヘッドの調整データの具体例を示す図である。 図５は、実施形態に係る隔膜真空計におけるセンサヘッドの具体例を示す図である。 図６は、実施形態１に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。 図７は、実施形態１に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。 図８は、実施形態１に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。 図９は、実施形態２に係る隔膜真空計の構成を示すブロック図である。 図１０は、実施形態２に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。 図１１は、実施形態２に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。

以下に、本願に係る隔膜真空計及び計測システムの実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る隔膜真空計及び計測システムが限定されるものではない。

［実施形態１］
以下の実施形態では、実施形態１に係る隔膜真空計１０の構成、具体例を順に説明し、最後に実施形態１による効果を説明する。

〔１．システムの構成例〕
図１は、実施形態１に係る隔膜真空計の概要を示す図である。隔膜真空計１０は、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を計測し、計測した真空圧力の測定値に対して処理を行う。そして、隔膜真空計１０の接続部には不揮発性メモリが設置されている。

隔膜真空計１０は、まず、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を測定する。例えば、隔膜真空計１０は、センサヘッドにより加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を測定する。次に、隔膜真空計１０は計測した真空圧力について処理を行う。例えば、隔膜真空計１０は、計測された真空圧力に対し、処理部が有する変換増幅回路やアナログ‐デジタル変換回路、計測回路等により処理を行う。

そして、隔膜真空計１０は、接続部に不揮発性メモリを有する。例えば、隔膜真空計１０は、高温環境エリア（１５０℃以上）から離れた場所の、センサヘッドと処理部とを接続する同軸複合コネクタ又は同軸複合ケーブルに、センサヘッドの特性の調整データが保存された不揮発性メモリを設置する。

このようにして、隔膜真空計１０は、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を測定し、処理を行う。そして、センサヘッド付近の高温環境エリアから離れた場所の接続部にセンサヘッドの特性データ等が保存された不揮発性メモリを設置する。その結果、隔膜真空計１０は、センサヘッドと処理部が有する計測回路とを別々に交換することができる。

真空チャンバー４０は、半導体製造装置向けの静電容量式隔膜真空計において必要となる真空圧力の計測に使用される装置であり、隔膜真空計１０のセンサヘッドと接続されている。また、真空チャンバー４０は、真空圧力の計測の際に加熱されるため、センサヘッドを含む真空チャンバー４０の付近は高温環境（１５０℃以上）となる。

〔２．隔膜真空計１０の構成〕
次に、図２を参照し、図１に示した実施形態に係る隔膜真空計１０の構成を説明する。図２は、実施形態１に係る隔膜真空計の構成例を示す図である。図２に示すように、実施形態１に係る隔膜真空計１０は、センサヘッド１１と、接続部１２と、処理部１３とを有する。

センサヘッド１１は、真空圧力の計測に使用される。例えば、センサヘッド１１は、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力の計測に使用される。センサヘッド１１は、例えば、圧力センサ１００や温度センサ１１０を有し、高温環境（１５０℃以上）においても正常に動作するものとする。

ここで、センサヘッド１１が有する圧力センサ１００及び容量ＣＸとＣＲとについて図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る隔膜真空計のセンサヘッドが有する圧力センサの構造の具体例を示す図である。

図３の例では、圧力センサ１００の台座１０１の中央部には凹部が形成されており、この凹部が形成された台座１０１の面には、被測定媒体（例えばプロセスガス）の圧力Ｐに応じて変形可能に構成されたダイアフラム１０２が接合されている。そして、台座１０１の凹部は、ダイアフラム１０２と共に基準真空室１０３を形成する。

さらに、圧力センサ１００において、台座１０１の基準真空室１０３側の面には固定電極１０４が形成され、ダイアフラム１０２の基準真空室１０３側の面には固定電極１０４と対向するように可動電極１０５が形成されている。こうして、固定電極１０４と可動電極１０５とがギャップを隔てて対向するように配置されている。

これにより、ダイアフラム１０２が被測定媒体の圧力Ｐを受けて撓むと、可動電極１０５と固定電極１０４との間の間隔が変化し、可動電極１０５と固定電極１０４との間の静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を感圧容量ＣＸとして計測する。

また、圧力センサ１００において、固定電極１０４の外側の台座１０１の基準真空室１０３側の面には、固定電極１０６が形成されている。さらに、可動電極１０５の外側のダイアフラム１０２の基準真空室１０３側の面には、固定電極１０６と対向するように可動電極１０７が形成されている。

ここで、固定電極１０６と可動電極１０７とはダイアフラム１０２の縁部に形成されていることにより、ダイアフラム１０２が被測定媒体の圧力Ｐを受けて撓んだとしても、ダイアフラム１０２の縁部は殆ど変形しないため、可動電極１０７と固定電極１０６との間の静電容量は変化し難い。この静電容量を補正容量ＣＲとし、センサ内外の温度変化および基準真空室１０３内の湿度変化等に基づく測定誤差を除去する目的で計測する。また、ダイアフラム構成部材と台座１０１とは、例えばサファイアなどの絶縁体から構成されているものとする。

次に、センサヘッド１１が有する温度センサ１１０とセンサヘッド１１の構造とについて、図４を参照して説明する。図４は、実施形態に係る隔膜真空計におけるセンサヘッドの具体例を示す図である。図４の例では、センサヘッド１１は、圧力センサ１００と、圧力センサ１００を収容したハウジング１１１と、圧力センサ１００のダイアフラム１０２に被測定媒体の圧力Ｐを導く圧力導入管１１２とを備えている。

また、ハウジング１１１の内部には隔壁１１３が設けられている。隔壁１１３は、台座板１１３ａと支持板１１３ｂとから構成されており、ハウジング１１１の内部空間を第１の空間１１１ａと第２の空間１１１ｂとに分離する。支持板１１３ｂは、外周がハウジング１１１に固定されており、台座板１１３ａをハウジング１１１の内部空間内に浮上させた状態で支持する。そして、台座板１１３ａの第２の空間１１１ｂ側に圧力センサ１００が固定されている。

さらに、台座板１１３ａには、第１の空間１１１ａ内の圧力を圧力センサ１００のダイアフラム１０２に導く圧力導入孔１１４が形成されている。第２の空間１１１ｂは、圧力センサ１００の基準真空室１０３と連通しており、真空状態とされている。

また、圧力導入管１１２は、ハウジング１１１の第１の空間１１１ａ側に接続されている。圧力導入管１１２とハウジング１１１との間にはバッフル１１５が設けられている。圧力導入管１１２より導入される被測定媒体は、バッフル１１５の板面に当たり、バッフル１１５の周囲の隙間を通して、ハウジング１１１の第１の空間１１１ａ内に流入する。

さらに、ハウジング１１１の外部側面には、温度センサ１１０が備えられており、温度センサ１１０と処理部１３が有する温度検出部１１６とが接続されている。これに対し、圧力センサ１００は処理部１３が有する容量検出部１１７と接続され、温度検出部１１６と容量検出部１１７とはどちらも圧力計測部１１８に接続されている。

接続部１２は、不揮発性メモリ１２ａが設置され、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する。例えば、接続部１２は、不揮発性メモリ１２ａが設置され、センサヘッド１１と処理部１３とを接続する同軸複合コネクタ又は同軸複合ケーブルを有する。ここで、接続部１２が有するコネクタ又はケーブルは、センサヘッド１１が容量式のセンサの場合には、ケーブルの寄生容量や浮遊容量の影響を受けないように、同軸複合ケーブルや同軸複合コネクタが使用される。

センサヘッド１１には同軸複合ケーブルが固定され接続されており、同軸複合ケーブルと後述する同軸複合コネクタとが接続され、同軸複合コネクタと処理部１３とが接続されることで、センサヘッド１１による計測値が処理部１３へと伝送される。

前述の同軸複合ケーブルは、例えば、高周波の伝送線路用の同軸ケーブルでなくてよく、１本ずつがシールドされているシールドケーブルでもよい。また、同軸複合ケーブルは、複数のケーブルがまとまったものであってもよいし、まとまったものでなくてもよい。

不揮発性メモリ１２ａは、例えば、半導体ＩＣ集積回路であり、高温環境（１５０℃以上）で使用することができないことから、同軸複合ケーブルの途中や同軸複合コネクタの中などの、高温環境とならない箇所に設置されるものとする。また、前述の不揮発性メモリには、例えば、センサヘッド１１の特性の調整データや型番、デートコード、シリアル番号、圧力レンジ、仕様等の情報が保存されるものとする。

また、接続部１２が有するコネクタ又はケーブルに設置された不揮発性メモリ１２ａにセンサヘッド１１の調整データが保存されていてもよい。例えば、接続部１２が有するコネクタ又はケーブルに設置された不揮発性メモリ１２ａに、後述するセンサヘッド１１の特性の調整データが保存される。

ここで、センサヘッド１１の特性の調整データについて、図５を参照して説明する。図５は、実施形態に係る隔膜真空計１０におけるセンサヘッドの調整データの具体例を示す図である。例えば、不揮発性メモリ１２ａに保存するセンサヘッド１１の調整データは図５下部に示されている多項式の係数「aij」である。

この「aij」は、センサヘッド１１の圧力・温度を変化させ、その時に計測される圧力センサ１００の出力（図５におけるＶｏ）・温度センサ１１０の出力（図５におけるＶｔ）から求められる。また、Ｖｏは、Ｖｏ＝（ＣＸ－ＣＲ）／ＣＸにより算出される。

ここで、前述の調整データは、通常、センサヘッド１１と処理部が有する計測回路は各々ばらつきがあることから、それぞれをペアで組合せて取得するが、センサヘッド１１と計測回路とについて、別々に調整データを取得し、各々の求めた補正係数を各々のメモリに保管することで、センサヘッド１１と計測回路とを別々に交換することが可能となる。

さらに、接続部１２に変換増幅回路が設置されていてもよい。例えば、接続部１２が有するコネクタに不揮発性メモリに加え、変換増幅回路が設置される。なお、変換増幅回路の温度特性が測定値に影響する場合、変換増幅回路の温度補正が行われるものとする。

また、接続部１２にアナログ‐デジタル変換回路が設置されていてもよい。例えば、接続部１２が有するコネクタに不揮発性メモリと変換増幅回路とに加え、アナログ‐デジタル変換回路が設置される。

処理部１３は、計測回路を有する。処理部１３は、例えば、通信部１３ａと制御部１３ｂと不揮発性メモリ１３ｃとを有する。通信部１３ａは、例えば、ＮＩＣ（Network Interface Card）等によって実現される。通信部１３ａは、有線又は無線により外部の機器と通信可能に接続される。

制御部１３ｂは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processing Unit）等によって、処理部１３の内部の記憶装置に記憶されている各種プログラムがＲＡＭを作業領域として実行されることにより実現される。

また、制御部１３ｂは、例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などの集積回路により実現される。さらに、制御部１３ｂは、例えば、変換増幅回路やアナログ‐デジタル変換回路、計測回路等により、圧力測定部により測定された値に対し処理を行い、計測回路についての調整データを不揮発性メモリ１３ｃに格納する。

不揮発性メモリ１３ｃは、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やフラッシュメモリ等の記憶装置である。不揮発性メモリ１３ｃは、制御部１３ｂによる各種処理に必要なデータ及びプログラムを格納する。また、不揮発性メモリ１３ｃは、例えば、計測回路についての調整データを記憶する。

また、処理部１３は、複数のセンサヘッド１１を接続することができてもよい。例えば、処理部１３は、接続部１２との接続部分を複数設けることにより、複数の同軸複合コネクタと接続することができるため、一つの処理部１３に対し複数のセンサヘッド１１が接続されることが可能となる。なお、本願の実施形態により、センサヘッド１１の調整データと計測回路の調整データとが各々格納されるため、センサヘッド１１と計測回路との組み合わせが自由となり、１つの計測回路に対し複数のセンサヘッド１１を使用することが可能となる。

〔３．隔膜真空計１０の具体例〕
ここで、図６から図８を参照し、隔膜真空計１０の構成の具体例について説明する。図６から図８は、実施形態１に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。まず、図６の例は、接続部における同軸複合コネクタに不揮発性メモリが設置された隔膜真空計１０の具体例である。

高温環境となるセンサヘッド１１付近ではなく、同軸複合コネクタにセンサヘッド１１の特性の調整データが保存された不揮発性メモリを設置することで、センサヘッド１１が故障等した場合に、計測回路とセンサヘッド１１とを別々に交換することができる。

次に、図７の例は、接続部１２におけるコネクタに不揮発性メモリに加え、変換増幅回路が設置された隔膜真空計１０の具体例である。コネクタに変換増幅回路を設置することで、コネクタに同軸機能が不要となるため、コネクタの選択肢が増えることになる。

そして、図８の例は、接続部１２におけるコネクタに不揮発性メモリと変換増幅回路とに加え、アナログ‐デジタル変換回路（Ａ／Ｄコンバータ）が設置された隔膜真空計１０の具体例である。コネクタにアナログ‐デジタル変換回路を設置することで、コネクタ間をやり取りする信号がデジタル信号のみとなることにより、信号の伝送においてノイズに強くなるという効果がある。

〔４．実施形態１の効果〕
前述してきたように、実施形態１に係る隔膜真空計１０は、真空圧力の計測に使用されるセンサヘッド１１と、計測回路を有する処理部１３と、不揮発性メモリ１２ａが設置され、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する接続部１２とを備える。

センサヘッド１１は、加熱された真空チャンバー４０の真空圧力を計測する。また、処理部１３は、計測された真空圧力の測定値に処理を行う計測回路を有する。さらに、接続部１２は、不揮発性メモリ１２ａが設置され、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する。

これにより、隔膜真空計１０は、高温環境ではないコネクタ又はケーブルに不揮発性メモリが設置されることで、センサヘッドと計測回路とを別々に交換することができるという効果を奏する。

また、隔膜真空計１０の接続部１２に設置される不揮発性メモリ１２ａに、センサヘッド１１の調整データが保存される。これにより、隔膜真空計１０は、高温環境ではないコネクタ又はケーブルに、センサヘッド１１の特性の調整データを保存することにより、センサヘッド１１が故障等した際に、センサヘッド１１とその調整データが保存された不揮発性メモリ１２ａを交換すればよいため、計測回路を交換する必要がないという効果を奏する。

さらに、隔膜真空計１０の接続部１２に変換増幅回路が設置される。これにより、隔膜真空計１０は、接続部１２が有するコネクタに同軸機能が不要となり、同軸機能を有していないコネクタを使用することができるという効果を奏する。

また、隔膜真空計１０の接続部１２にアナログ‐デジタル変換回路が設置される。これにより、隔膜真空計１０は、接続部１２のコネクタ間をやり取りする信号がデジタル信号のみとなるため、信号の伝送においてノイズに強くなるという効果を奏する。

さらに、隔膜真空計１０の処理部１３は複数のセンサヘッド１１が接続される。これにより、隔膜真空計１０は、センサヘッド１１と処理部１３とを一対一で使用しなくてもよく、一つの処理部１３に対し複数のセンサヘッド１１を自由に組み合わせて接続することができるという効果を奏する。

［実施形態２］
前述した実施形態１では、隔膜真空計１０の接続部１２に不揮発性メモリ１２ａが設置される場合を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、隔膜真空計２０の処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに、外部からセンサヘッド１１の調整データを取得する外部端末３０により、センサヘッド１１の調整データが格納されてもよい。

そこで、以下では、実施形態２に係る隔膜真空計２０について、外部からセンサヘッド１１の調整データ取得する外部端末３０により、処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃにセンサヘッド１１の調整データが格納される処理について説明する。なお、実施形態１に係る隔膜真空計１０と同様の構成や処理については説明を省略する。

〔１．隔膜真空計２０の構成〕
まず、図９を用いて、実施形態２に係る隔膜真空計２０の構成について説明する。図９は、実施形態２に係る隔膜真空計の構成を示すブロック図である。図９に示すように、隔膜真空計２０は、センサヘッド１１と、接続部２２と、処理部１３とを有する。

また、実施形態２に係る隔膜真空計２０は、図２に示した実施形態１に係る隔膜真空計１０と比較して、隔膜真空計２０が有する接続部２２が不揮発性メモリを有しないこと及び処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに外部からセンサヘッド１１の調整データを取得する外部端末３０により、センサヘッド１１の調整データが格納される点が異なる。

接続部２２は、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する。接続部２２は、前述の実施形態１に係る接続部１２と同様のコネクタ又はケーブルを有するが、実施形態１に係る隔膜真空計１０が有する接続部１２と比較して、コネクタ又はケーブルに不揮発性メモリが設置されない点が異なる。

処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃは、外部からセンサヘッド１１の調整データを取得する外部端末３０により、センサヘッド１１の調整データが格納される。例えば、
処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃは、後述する外部端末３０により、センサヘッド１１特有の調整データについて格納される。

外部端末３０は、例えば、コンピュータやスマートフォンといった電子機器であり、隔膜真空計２０の外部に設置されネットワークＮと接続される。外部端末３０は、外部からセンサヘッド１１の調整データを取得し、処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに格納する。

例えば、格納部３１は、センサヘッド１１のシリアル番号等の情報を含む二次元コードを読み取り、外部のネットワークＮ上からそのシリアル番号に合致した調整データを取得し、処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに格納する。

なお、外部のネットワークＮには、予めセンサヘッド１１のシリアル番号とそのセンサヘッド１１に対応する特性の調整データとが保存されているものとする。また、前述の格納処理は、センサヘッド１１または計測回路を交換したときの最初にのみ行われるものとする。

〔２．隔膜真空計２０の具体例〕
ここで、図１０及び図１１を参照し、隔膜真空計２０の具体例について説明する。図１０及び図１１は、実施形態２に係る隔膜真空計の具体例を示す図である。まず、図１０の例では、センサヘッド１１側の同軸複合コネクタに二次元コードのようなタグが付けられ、このタグにはセンサヘッド１１のシリアル番号等の情報が含まれる。

そして、外部端末３０は、前述のタグを読み取ることで、センサヘッド１１のシリアル番号等の情報を取得し、外部のネットワークから取得したシリアル番号に合致するセンサヘッド１１の特性の調整データを取得し、処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに格納する。これにより、隔膜真空計２０は、接続部２２が有するコネクタ又はケーブルにセンサヘッド１１の調整データが格納された不揮発性メモリを設置することなく、センサヘッド１１の調整データを使用することができる。

次に、図１１の例では、センサヘッド１１に前述のタグが付けられ、同軸複合ケーブルの両側に同軸複合コネクタが付けられている。外部端末３０の機能は前述の図１０と同様であるが、同軸複合ケーブルの両側とセンサヘッド１１とに同軸複合コネクタが付けられていることで、センサヘッド１１と同軸複合ケーブルとが脱着できる。これにより、隔膜真空計２０は、センサヘッド１１が故障した際に、センサヘッド１１のみを交換することができる。

〔３．実施形態２の効果〕
前述してきたように、実施形態２に係る隔膜真空計２０は、真空圧力の計測に使用されるセンサヘッド１１と、計測回路と、外部からセンサヘッド１１の調整データを取得する外部端末３０により、センサヘッド１１の調整データが格納された不揮発性メモリ１３ｃとを有する処理部１３と、センサヘッド１１と処理部１３とを接続するコネクタ又はケーブルを有する接続部２２とを有する。

これにより、隔膜真空計２０は、センサヘッド１１の特性の調整データを外部から入手し処理部１３が有する不揮発性メモリ１３ｃに格納することで、接続部２２が有するコネクタ又はケーブルに、センサヘッド１１の調整データが格納された不揮発性メモリを設置することなく、センサヘッド１１の調整データを使用することができるという効果を奏する。

また、隔膜真空計２０は、同軸複合ケーブルの両側に同軸複合コネクタが付けられていることで、センサヘッド１１が故障等した場合に、センサヘッド１１のみを交換することができ、コネクタやケーブル、計測回路を交換する必要がないという効果を奏する。

［その他］
前述の各実施形態において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動的に行うこともでき、あるいは、手動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。例えば、各図に示した各種情報は、図示した情報に限られない。

また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の通り構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。

前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述してきた実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

また、前述してきた「部（ｓｅｃｔｉｏｎ、ｍｏｄｕｌｅ、ｕｎｉｔ）」は、「手段」や「回路」等に読み替えることができる。例えば、制御部は、制御手段や制御回路に読み替えることができる。

以上、本発明の各実施形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらは例示であり、発明の開示の欄に記載の態様を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。

１０ 隔膜真空計
１１ センサヘッド
１２ 接続部
１２ａ 不揮発性メモリ
１３ 処理部
１３ａ 通信部
１３ｂ 制御部
１３ｃ 不揮発性メモリ
２０ 隔膜真空計
２２ 接続部
３０ 外部端末
４０ 真空チャンバー
１００ 圧力センサ
１０１ 台座
１０２ ダイアフラム
１０３ 基準真空室
１０４ 固定電極
１０５ 可動電極
１０６ 固定電極
１０７ 可動電極
１１０ 温度センサ
１１１ ハウジング
１１１ａ 第１の空間
１１１ｂ 第２の空間
１１２ 圧力導入管
１１３ 隔壁
１１３ａ 台座板
１１３ｂ 支持板
１１４ 圧力導入孔
１１５ バッフル
１１６ 温度検出部
１１７ 容量検出部
１１８ 圧力計測部

Claims (6)

1. 真空圧力の計測に使用されるセンサヘッドと、
   計測回路を有する処理部と、
   不揮発性メモリが設置され、前記センサヘッドと前記処理部とを接続するコネクタ又はケーブルを有する接続部とを
   備えることを特徴とする隔膜真空計。
2. 前記不揮発性メモリに、前記センサヘッドの調整データが保存されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の隔膜真空計。
3. 前記接続部に変換増幅回路が設置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の隔膜真空計。
4. 前記接続部にアナログ‐デジタル変換回路が設置されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の隔膜真空計。
5. 前記処理部に複数の前記センサヘッドを接続することができる
   ことを特徴とする請求項１に記載の隔膜真空計。
6. 真空圧力の計測に使用されるセンサヘッドと、
   計測回路と、外部から前記センサヘッドの調整データを取得する外部端末により、前記センサヘッドの調整データが格納された不揮発性メモリとを有する処理部と、
   前記センサヘッドと前記処理部とを接続するコネクタ又はケーブルを有する接続部とを
   備えることを特徴とする隔膜真空計。

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