JP2024063360A - Method for manufacturing member having gas flow passage, and member having gas flow passage - Google Patents

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Abstract

【課題】ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材を提供する。【解決手段】ガス流路を有する部材の製造方法は、内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、ALDによりガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程とを有する。【選択図】図5[Problem] To provide a method for manufacturing a member having a gas flow passage, which can be easily manufactured while maintaining high corrosion resistance of the surface of the gas flow passage, and a member having a gas flow passage. [Solution] The method for manufacturing a member having a gas flow passage includes a step of preparing a metal material having a gas flow passage formed therein, and a step of forming a corrosion-resistant film on the inner surface of the gas flow passage by ALD. [Selected Figure] Figure 5

Description

本開示は、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材に関する。 This disclosure relates to a method for manufacturing a component having a gas flow path, and a component having a gas flow path.

例えば、ALD(Atomic Layer Deposition)により基板に対して成膜処理を行う成膜装置においては、処理容器内にガスを導入するために、ガス流路を有する部材が用いられる(例えば特許文献1)。 For example, in a film forming apparatus that performs a film forming process on a substrate by ALD (Atomic Layer Deposition), a member having a gas flow path is used to introduce gas into the processing chamber (for example, Patent Document 1).

特開2020-158798号公報JP 2020-158798 A

本開示は、ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材を提供する。 The present disclosure provides a method for manufacturing a component having a gas flow passage, which can be easily manufactured while maintaining high corrosion resistance of the surface of the gas flow passage, and a component having a gas flow passage.

本開示の一実施形態に係るガス流路を有する部材の製造方法は、内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程と、を有する。 A method for manufacturing a component having a gas flow path according to one embodiment of the present disclosure includes the steps of preparing a metal material having a gas flow path formed therein, and forming a corrosion-resistant film on the inner surface of the gas flow path by ALD.

本開示によれば、ガス流路の表面の耐食性を高く維持しつつ簡易に製造することができる、ガス流路を有する部材の製造方法、およびガス流路を有する部材が提供される。 The present disclosure provides a method for manufacturing a component having a gas flow passage, which can be easily manufactured while maintaining high corrosion resistance of the surface of the gas flow passage, and a component having a gas flow passage.

ガス流路を有する部材であるガス導入部材としてインレットブロックやフィッティングブロックを有するALD成膜装置の一例を示す概略構成部である。1 is a schematic diagram showing an example of a configuration of an ALD film formation apparatus having an inlet block and a fitting block as a gas introduction member that is a member having a gas flow path. 実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材としてのインレットブロックおよびフィッティングブロックを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an inlet block and a fitting block as a gas introduction member that is a member having a gas flow path according to the embodiment. インレットブロックを示す平面図である。FIG. インレットブロックおよびフィッティングブロックを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an inlet block and a fitting block. ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例を説明する工程断面図である。1A to 1C are cross-sectional process diagrams illustrating an example of a method for manufacturing a gas introduction member that is a member having a gas flow path. ALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an apparatus for forming an aluminum oxide film on the inner surface of a gas flow passage formed inside a material by ALD. ALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の他の例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of an apparatus for forming an aluminum oxide film on the inner surface of a gas flow passage formed inside a material by ALD. ガス流路を有するアルミニウム素材に陽極酸化処理を行う方法を説明するための断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a method of performing anodizing on an aluminum material having a gas flow path.

以下、添付図面を参照して実施形態について説明する。 The following describes the embodiment with reference to the attached drawings.

<経緯>
まず、経緯について説明する。
ALD成膜等の成膜装置には、処理容器内にガスを導入するために、特許文献1にも記載されているような、ガス流路を有する部材が用いられる。このようなガス流路を有する部材としてアルミニウムやアルミニウム合金のような一般的なアルミニウム材料が適用される場合、ガス流路を通流するガスによる流路表面の腐食対策として陽極酸化処理(アルマイト処理)が多用されている。
<Background>
First, the background will be explained.
In a film forming apparatus for ALD film forming or the like, in order to introduce gas into a processing vessel, a member having a gas flow passage is used, as described in Patent Document 1. When a general aluminum material such as aluminum or an aluminum alloy is used as the member having such a gas flow passage, anodizing (alumite treatment) is often used as a countermeasure against corrosion of the surface of the gas flow passage caused by the gas flowing through the gas flow passage.

陽極酸化処理は、電解液中に部材を浸漬して通電することにより行われる液浸処理であるため、ガス流路を有する部材のガス流路全体に陽極酸化処理を行うために、従来、ガス流路に開口を設けて陽極酸化処理を行い、処理後、プラグや蓋で開口を塞ぐことが行われていた。例えば、まず、図8(a)に示すように、アルミニウム素材500のガス流路501に開口502を設けた状態とする。次いで、図8(b)に示すように、陽極酸化処理により陽極酸化皮膜503を形成するとともに、内側に陽極酸化皮膜504aが形成された蓋504を溶接する。これらの処理により開口502を塞ぐことができる。 Anodizing is an immersion process in which a member is immersed in an electrolyte and electricity is passed through it. In order to anodize the entire gas flow path of a member having a gas flow path, an opening has been provided in the gas flow path, and the anodizing process has been performed. After the process, the opening has been closed with a plug or a lid. For example, as shown in FIG. 8(a), an opening 502 is first provided in a gas flow path 501 of an aluminum material 500. Next, as shown in FIG. 8(b), an anodized film 503 is formed by anodizing, and a lid 504 with an anodized film 504a formed on the inside is welded. The opening 502 can be closed by these processes.

このようにプラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ場合、その分のコストや時間がかかり、特に、長い流路や複雑な流路だと、コストや時間が増大してしまう。また、プラグや蓋にも陽極酸化処理を施すが、これらを装着する際に部材本体との擦れや溶接の熱により皮膜が破損してアルミニウム部分が露出してしまい、耐食性が不十分となることもある。 When sealing openings in this way by welding plugs or lids, it takes time and money, and this increases especially when the flow path is long or complex. In addition, the plugs and lids are also anodized, but when they are attached, friction with the main body of the component or heat from the welding can damage the coating, exposing the aluminum parts, resulting in insufficient corrosion resistance.

そこで、一実施形態では、内部にガス流路を有するアルミニウム材料からなる素材を準備し、ガス流路の内面の全面にALDにより酸化アルミニウム(アルミナ)膜を形成する。これにより、アルミニウム材料からなる本体部と、本体部の内部に形成されたガス流路と、ガス流路の内面の全面に耐食膜として形成されたALD膜である酸化アルミニウム膜とを有する、ガス流路を有する部材が得られる。 Therefore, in one embodiment, a material made of an aluminum material having a gas flow path therein is prepared, and an aluminum oxide (alumina) film is formed by ALD on the entire inner surface of the gas flow path. This results in a member having a gas flow path, which has a main body made of an aluminum material, a gas flow path formed inside the main body, and an aluminum oxide film, which is an ALD film formed as a corrosion-resistant film on the entire inner surface of the gas flow path.

ALDはガスによる処理であるため、開口を設けなくてもガス流路に処理ガスが十分に供給される。このため、陽極酸化処理の際に必要であった開口が不要になり、プラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ手間をほぼなくして、ガス流路の表面の全面に耐食性膜を形成することができる。また、微小なプラグや蓋が必要な場合でも、ALDはプラグや蓋を装着した後に行えばよく、プラグや蓋の装着時にALD膜として形成された酸化アルミニウム膜が剥がれることない。しかも、プラグや蓋と本体との間の微小な隙間にもガスが回り、ALD膜が形成される。 Because ALD is a gas-based process, the process gas is sufficiently supplied to the gas flow path without the need for openings. This eliminates the need for openings that were necessary during anodizing, and the effort required to seal openings by welding plugs or lids is almost eliminated, allowing a corrosion-resistant film to be formed over the entire surface of the gas flow path. Even if tiny plugs or lids are required, ALD can be performed after the plugs or lids are attached, and the aluminum oxide film formed as an ALD film will not peel off when the plugs or lids are attached. Moreover, gas also circulates in the tiny gaps between the plugs or lids and the main body, forming an ALD film.

このため、ガス流路の表面の全面に亘って高い耐食性を維持しつつ、ガス流路表面が耐食性を有する、ガス流路を有する部材を簡易に製造することができる。 This makes it possible to easily manufacture a component having a gas flow path in which the gas flow path surface is corrosion resistant while maintaining high corrosion resistance over the entire surface of the gas flow path.

<具体的な実施形態>
[ガス流路を有する部材が適用されるALD成膜装置]
実施形態に係るガス流路を有する部材としては、典型例として例えばALD成膜のようにガスを用いた成膜を行う成膜装置において、基板が収容された処理容器内にガスを導入するガス導入部材を挙げることができる。ガス導入部材としては、インレットブロックやフィッティングブロックを挙げることができる。
<Specific embodiment>
[ALD Film Forming Apparatus Using a Member Having a Gas Flow Channel]
A typical example of a member having a gas flow path according to the embodiment is a gas introduction member that introduces a gas into a processing vessel containing a substrate in a film formation apparatus that performs film formation using a gas, such as ALD film formation. Examples of the gas introduction member include an inlet block and a fitting block.

図1は、ガス流路を有する部材であるガス導入部材としてインレットブロックやフィッティングブロックを有するALD成膜装置の一例を示す概略構成部である。 Figure 1 shows a schematic diagram of an example of an ALD film formation device having an inlet block and a fitting block as gas introduction members, which are members having gas flow paths.

成膜装置1は、減圧可能に構成され、基板Wを収容する処理容器10を有する。処理容器10の側壁には基板Wを搬入出する搬入出口(図示せず)が設けられている。処理容器10の上部には、壁部を周回するように排気ダクト51が設けられている。処理容器10の上部は開口を有しており、開口を塞ぐようにシール部材を介して蓋13が装着される。蓋13の下部にはキャップ部材3が取り付けられている。 The film forming apparatus 1 has a processing vessel 10 that is configured to be depressurized and that contains a substrate W. A loading/unloading port (not shown) is provided on the side wall of the processing vessel 10 for loading and unloading the substrate W. An exhaust duct 51 is provided at the top of the processing vessel 10 so as to go around the wall. The top of the processing vessel 10 has an opening, and a lid 13 is attached via a sealing member so as to close the opening. A cap member 3 is attached to the bottom of the lid 13.

処理容器10内のキャップ部材3の下方には、基板Wが載置される載置台2が設けられている。載置台2の内部には、基板Wを加熱するためのヒータ(図示せず)が設けられている。載置台2の下面中央部には、処理容器10の底壁に形成された開口15を通って、下方に延びる支持部材23が接続されている。載置台2は、支持部材23を介して昇降機構24によって図1に示す基板を処理する処理位置と、その下方の基板を搬送する搬送位置との間で昇降される。支持部材23の処理容器10の外側位置には、フランジ25が設けられ、このフランジ25と処理容器10の底壁の間には、開口15を囲むようにベローズ26が設けられている。 Below the cap member 3 in the processing vessel 10, a mounting table 2 on which a substrate W is placed is provided. Inside the mounting table 2, a heater (not shown) is provided for heating the substrate W. A support member 23 extending downward is connected to the center of the lower surface of the mounting table 2 through an opening 15 formed in the bottom wall of the processing vessel 10. The mounting table 2 is raised and lowered by a lifting mechanism 24 via the support member 23 between a processing position shown in FIG. 1 for processing a substrate and a transport position below that for transporting the substrate. A flange 25 is provided on the support member 23 at a position outside the processing vessel 10, and a bellows 26 is provided between the flange 25 and the bottom wall of the processing vessel 10 to surround the opening 15.

載置台2が処理位置に位置されている状態で、キャップ部材3と載置台2との間に処理空間Sが形成される。キャップ部材3の下面には処理空間Sを形成する逆すり鉢状の凹部31が形成されている。蓋13およびキャップ部材3の中央部には、これらを貫通するように、処理空間S内へガスを導入するためのガス導入路35が形成されている。 When the mounting table 2 is in the processing position, a processing space S is formed between the cap member 3 and the mounting table 2. An inverted cone-shaped recess 31 that forms the processing space S is formed on the underside of the cap member 3. A gas inlet passage 35 is formed in the center of the lid 13 and the cap member 3, penetrating them, to introduce gas into the processing space S.

環状をなす排気ダクト51は、内部にガス通流路55が形成されており、排気ダクト51の内周面にはガス通流路55につながるスリット56が全周に亘って形成されている。排気ダクト51の外壁には排気口57が設けられ、排気口57には排気管52の一端が接続されている。排気管52の他端は、例えば真空ポンプにより構成される排気装置53が接続されている。また、排気管52には、処理空間S内の圧力を調整するためのAPCバルブ54が設けられている。 The annular exhaust duct 51 has a gas passage 55 formed therein, and slits 56 connected to the gas passage 55 are formed around the entire circumference of the inner surface of the exhaust duct 51. An exhaust port 57 is provided on the outer wall of the exhaust duct 51, and one end of an exhaust pipe 52 is connected to the exhaust port 57. The other end of the exhaust pipe 52 is connected to an exhaust device 53, which is, for example, a vacuum pump. In addition, the exhaust pipe 52 is provided with an APC valve 54 for adjusting the pressure in the processing space S.

蓋体13の上には、ガス導入路35を介して処理容器10内の処理空間Sにガスを導入するガス導入機構4が設けられている。ガス導入機構4は、実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材として、インレットロック41およびフィッティングブロック42を有する。ガス導入機構4へは、ガス供給部60の複数のガス供給源(図示せず)から、配管61を介してALD成膜を行うための原料ガス、反応ガス、パージガス等が供給される。 A gas introduction mechanism 4 is provided on the lid 13 to introduce gas into the processing space S in the processing vessel 10 via the gas introduction path 35. The gas introduction mechanism 4 has an inlet lock 41 and a fitting block 42 as gas introduction members, which are members having a gas flow path according to the embodiment. Raw material gases, reaction gases, purge gases, etc. for ALD film formation are supplied to the gas introduction mechanism 4 from multiple gas supply sources (not shown) of the gas supply unit 60 via piping 61.

以上のように構成される成膜装置1においては、基板Wを処理容器10内に搬入し、搬送位置にある載置台2に載置した後、載置台2を上昇させて処理位置に位置させ、処理空間Sを形成する。そして、排気装置53により処理空間Sを排気して処理空間Sを所望の真空度に調整し、ヒータにより基板Wを所望の温度に加熱する。この状態で、ガス供給部60から、ガス導入機構4およびガス導入路35を介して処理空間Sに、原料ガス、反応ガス、パージガスをシーケンシャルに供給し、ALDにより基板W上にALD膜を成膜する。 In the film formation apparatus 1 configured as described above, the substrate W is carried into the processing vessel 10 and placed on the mounting table 2 at the transfer position, and then the mounting table 2 is raised to the processing position to form the processing space S. The processing space S is then evacuated by the exhaust device 53 to adjust the processing space S to the desired vacuum level, and the substrate W is heated to the desired temperature by the heater. In this state, the source gas, reaction gas, and purge gas are sequentially supplied from the gas supply unit 60 via the gas introduction mechanism 4 and the gas introduction path 35 to the processing space S, and an ALD film is formed on the substrate W by ALD.

[ガス導入部材]
次に、実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材について詳細に説明する。
図2は実施形態に係るガス流路を有する部材であるガス導入部材としてのインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す斜視図、図3はインレットブロック41を示す平面図、図4はインレットブロック41およびフィッティングブロック42を示す断面図である。
[Gas introduction member]
Next, the gas introduction member, which is a member having a gas flow passage according to the embodiment, will be described in detail.
FIG. 2 is a perspective view showing an inlet block 41 and a fitting block 42 as gas introduction members, which are members having a gas flow path according to the embodiment. FIG. 3 is a plan view showing the inlet block 41. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the inlet block 41 and the fitting block 42.

インレットブロック41は、アルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム材料からなる本体部411と、本体部411の内部に形成された3本のガス流路414a、414b、414cとを有する。また、図4に示すように、インレットブロック41は、さらに、本体部411のガス流路414a、414b、414cの内面の全面に耐食性膜としてALD膜である酸化アルミニウム膜415を有する。本体部411の先端部はガス導入路35に接続される第1接続部412となっており、本体部411の基端部はフィッティングブロック42に接続される第2接続部413となっている。第1接続部412は円柱状をなしており、その下部には空間412aが形成されている。ガス流路414a、414b、414cは、その一端が空間412aに臨むように形成されている。 The inlet block 41 has a main body 411 made of an aluminum material such as aluminum or an aluminum alloy, and three gas flow paths 414a, 414b, and 414c formed inside the main body 411. As shown in FIG. 4, the inlet block 41 further has an aluminum oxide film 415, which is an ALD film, as a corrosion-resistant film on the entire inner surface of the gas flow paths 414a, 414b, and 414c of the main body 411. The tip of the main body 411 is a first connection part 412 connected to the gas introduction path 35, and the base end of the main body 411 is a second connection part 413 connected to the fitting block 42. The first connection part 412 is cylindrical, and a space 412a is formed in the lower part. The gas flow paths 414a, 414b, and 414c are formed so that one end faces the space 412a.

フィッティングブロック42は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の本体部421と、本体部421の内部に形成された3本のガス流路424a、424b、424cとを有する。また、図4に示すように、フィッティングブロック42は、さらに、本体部421のガス流路424a、424b、424cの内面の全面に耐食性膜としてALD膜である酸化アルミニウム膜425を有する。本体部421のインレットブロック41の直下部分は、フィッティングブロック41の第2接続部413に接続される第1接続部422となっており、本体部421のインレットブロック41から突出する部分は、ガス供給部60の配管61が接続される第2接続部423となっている。第2接続部423には、3つのガス導入ポート423a、423b、423cが設けられており、これらにそれぞれ配管61が接続される。 The fitting block 42 has a main body 421 made of aluminum or an aluminum alloy, and three gas flow paths 424a, 424b, and 424c formed inside the main body 421. As shown in FIG. 4, the fitting block 42 further has an aluminum oxide film 425, which is an ALD film, as a corrosion-resistant film on the entire inner surface of the gas flow paths 424a, 424b, and 424c of the main body 421. The part of the main body 421 directly below the inlet block 41 is a first connection part 422 connected to the second connection part 413 of the fitting block 41, and the part of the main body 421 protruding from the inlet block 41 is a second connection part 423 to which the pipe 61 of the gas supply part 60 is connected. The second connection part 423 has three gas introduction ports 423a, 423b, and 423c, to which the pipes 61 are respectively connected.

インレットブロック41の第2接続部413とフィッティングブロック42の第1接続部422とは、ガス流路414a、414b、414cとガス流路424a、424b、424cとがそれぞれ接続されるように接続される。 The second connection part 413 of the inlet block 41 and the first connection part 422 of the fitting block 42 are connected so that the gas flow paths 414a, 414b, and 414c are connected to the gas flow paths 424a, 424b, and 424c, respectively.

なお、本実施例では、インレットブロック41およびフィッティングブロック42は、3本の配管61に接続された3本のガス流路を有しているが、ガス流路の本数は限定されない。 In this embodiment, the inlet block 41 and the fitting block 42 have three gas flow paths connected to three pipes 61, but the number of gas flow paths is not limited.

[ガス導入部材の製造方法]
次に、ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例について説明する。ここでは、ガス導入部材としてインレットブロックを用いた例について示す。
[Method of manufacturing gas introduction member]
Next, an example of a method for manufacturing a gas introduction member, which is a member having a gas flow passage, will be described. Here, an example will be shown in which an inlet block is used as the gas introduction member.

図5は、ガス流路を有する部材であるガス導入部材の製造方法の一例を説明する工程断面図である。 Figure 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method for a gas introduction member, which is a member having a gas flow path.

最初に、アルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム材料からなる内部にガス流路414が形成された素材41´を準備する(図5(a))。 First, a material 41' is prepared, which is made of an aluminum material such as aluminum or an aluminum alloy and has a gas flow path 414 formed therein (Figure 5(a)).

ガス流路414は、例えばドリルにより形成されたものである。ガス流路414をドリルにより形成する場合には、素材41´の端部から穿孔するため、ガス流路414以外の部分にも孔が形成されるが、その部分はプラグで塞ぐことができる。 The gas flow passage 414 is formed, for example, by a drill. When the gas flow passage 414 is formed by a drill, the hole is drilled from the end of the material 41', so holes are also formed in parts other than the gas flow passage 414, but these parts can be blocked with plugs.

次に、ガス流路414の内面の全面にALDにより耐食性膜として酸化アルミニウム膜415を形成する(図5(b))。 Next, an aluminum oxide film 415 is formed as a corrosion-resistant film on the entire inner surface of the gas flow path 414 by ALD (Figure 5 (b)).

ALDによる酸化アルミニウム膜415の形成は、適宜の原料ガス、反応ガス、パージガスを用いて常法により行えばよい。例えば、素材41´を180~200℃程度に加熱し、原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMA)と、反応ガスとしてのOガスとを、残留ガスのパージを挟んでシーケンシャルに供給することによりALD膜としての酸化アルミニウム膜415を形成する。すなわち、180~200℃程度の適宜の温度に加熱された素材41´に対し、TMAガスの供給、残留ガスのパージ、Oガスの供給、残留ガスのパージを繰り返し行い、ALD膜である酸化アルミニウム膜415を形成する。反応ガスとしては、Oガスの他、HOガス、Oガス等を用いてもよい。また、残留ガスのパージを行う際のパージガスとしては、Arガス等の不活性ガスを用いることができる。パージガスは、原料ガスや反応ガスを供給する際にも供給するようにしてもよい。 The aluminum oxide film 415 may be formed by ALD using appropriate source gas, reactive gas, and purge gas in a conventional manner. For example, the material 41' is heated to about 180 to 200° C., and trimethylaluminum (TMA) as a source gas and O 3 gas as a reactive gas are sequentially supplied with a purge of the residual gas between them, to form the aluminum oxide film 415 as an ALD film. That is, the material 41' heated to an appropriate temperature of about 180 to 200° C. is repeatedly supplied with TMA gas, purged with the residual gas, supplied with O 3 gas, and purged with the residual gas, to form the aluminum oxide film 415 as an ALD film. In addition to O 3 gas, H 2 O gas, O 2 gas, etc. may be used as the reactive gas. In addition, an inert gas such as Ar gas may be used as the purge gas when purging the residual gas. The purge gas may also be supplied when the source gas and reactive gas are supplied.

このような、ALDによるガス流路414の内面への酸化アルミニウム膜の形成は、以下のような装置により行うことができる。 Such formation of an aluminum oxide film on the inner surface of the gas flow path 414 by ALD can be performed using the following device.

図6は、実際にALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の一例を示す断面図である。本例の装置200は、内部にガス流路414が形成された素材41´のガス流路414の入口側に設けられたガス供給部120と、ガス流路414の出口側に設けられた排気部130と、素材41´を加熱する加熱機構140とを有する。 Figure 6 is a cross-sectional view showing an example of an apparatus for actually forming an aluminum oxide film on the inner surface of a gas flow path formed inside a material by ALD. The apparatus 200 of this example has a gas supply unit 120 provided at the inlet side of the gas flow path 414 of a material 41' having a gas flow path 414 formed therein, an exhaust unit 130 provided at the outlet side of the gas flow path 414, and a heating mechanism 140 for heating the material 41'.

ガス流路414の入口部は、内部にガス導入路を有するガス導入治具111により密閉されており、ガス導入治具111を介してガス供給部120からのガスがガス流路414に供給されるように構成される。 The inlet of the gas flow path 414 is sealed by a gas introduction jig 111 having a gas introduction path therein, and gas is supplied from the gas supply unit 120 to the gas flow path 414 via the gas introduction jig 111.

ガス供給部120は、TMAガス供給源121と、Oガス供給源122と、Arガス供給源123と、これらにそれぞれ一端が接続されたガス配管124、125、126とを有する。ガス配管124、125、126の他端はガス導入治具111に接続され、TMAガス、Oガス、パージガスとしてのArガスは、これら配管124、125、126およびガス導入治具111を介してガス流路414に導入される。なお、ガス配管124、125、126には、それぞれ開閉バルブ127、128、129が介装されている。また、図示してはいないがこれらガス配管にはマスフローコントローラ等の流量制御器が設けられている。 The gas supply unit 120 includes a TMA gas supply source 121, an O3 gas supply source 122, an Ar gas supply source 123, and gas pipes 124, 125, and 126, one end of which is connected to each of these sources. The other ends of the gas pipes 124, 125, and 126 are connected to a gas introduction jig 111, and the TMA gas, O3 gas, and Ar gas as a purge gas are introduced into a gas flow path 414 through these pipes 124, 125, and 126 and the gas introduction jig 111. The gas pipes 124, 125, and 126 are provided with opening and closing valves 127, 128, and 129, respectively. Although not shown, these gas pipes are provided with flow rate controllers such as mass flow controllers.

ガス流路414の出口部は、内部にガス排出路を有するガス排出治具112により密閉されており、ガス排出治具112を介して排気部130によりガス流路414内が排気されるように構成される。 The outlet of the gas flow path 414 is sealed by a gas exhaust jig 112 having a gas exhaust path inside, and the gas flow path 414 is configured to be exhausted by an exhaust unit 130 through the gas exhaust jig 112.

排気部130は、一端がガス排出治具112のガス排出路に接続された排気配管131と、排気配管131に接続された排気装置132とを有している。排気装置132は真空ポンプと圧力制御バルブとを有している。 The exhaust section 130 has an exhaust pipe 131, one end of which is connected to the gas exhaust path of the gas exhaust jig 112, and an exhaust device 132 connected to the exhaust pipe 131. The exhaust device 132 has a vacuum pump and a pressure control valve.

このように構成される装置200においては、加熱機構140により、内部にガス流路414が形成された素材41´を180~200℃に加熱した状態とする。この状態で、まず、ガス供給部120からガス流路414にArガスを供給しつつ、排気部130によりガス流路414を排気して所定の減圧状態とする。そして、排気部130によりガス流路414内の圧力を制御しつつ、ガス供給部120および排気部130により、ガス流路414に対して、TMAガスの供給、Arガスによるパージ、Oガスの供給、Arガスによるパージを繰り返すALDを行う。これにより、ガス流路414の内面の全面にALD膜である酸化アルミニウム膜を所望の厚さで成膜する。 In the apparatus 200 thus configured, the material 41' having the gas flow passage 414 formed therein is heated to 180 to 200° C. by the heating mechanism 140. In this state, first, Ar gas is supplied from the gas supply unit 120 to the gas flow passage 414, while the exhaust unit 130 exhausts the gas flow passage 414 to a predetermined reduced pressure state. Then, while controlling the pressure in the gas flow passage 414 by the exhaust unit 130, the gas supply unit 120 and the exhaust unit 130 perform ALD, which repeats the supply of TMA gas, purging with Ar gas, supply of O3 gas, and purging with Ar gas to the gas flow passage 414. As a result, an aluminum oxide film, which is an ALD film, is formed to a desired thickness on the entire inner surface of the gas flow passage 414.

図7は、実際にALDにより素材内部に形成されたガス流路の内面に酸化アルミニウム膜を形成するための装置の他の例を示す断面図である。本例の装置300は、内部にガス流路414が形成された素材41´を収容する処理容器210と、処理容器210にガスを供給するガス供給部220と、処理容器210内を排気する排気部230と、素材41´を加熱する加熱機構240とを有する。 Figure 7 is a cross-sectional view showing another example of an apparatus for actually forming an aluminum oxide film on the inner surface of a gas flow path formed inside a material by ALD. The apparatus 300 of this example has a processing vessel 210 that contains a material 41' with a gas flow path 414 formed therein, a gas supply unit 220 that supplies gas to the processing vessel 210, an exhaust unit 230 that exhausts the inside of the processing vessel 210, and a heating mechanism 240 that heats the material 41'.

ガス供給部220は、TMAガス供給源221と、Oガス供給源222と、Arガス供給源223と、これらにそれぞれ一端が接続されたガス配管224、225、226とを有する。ガス配管224、225、226の他端はガス導入ノズル250に接続され、TMAガス、Oガス、パージガスとしてのArガスは、これら配管224、225、226およびガス導入ノズル250を介して処理容器210内に導入される。なお、ガス配管224、225、226には、それぞれ開閉バルブ227、228、229が介装されている。また、図示してはいないがこれらガス配管にはマスフローコントローラ等の流量制御器が設けられている。 The gas supply unit 220 includes a TMA gas supply source 221, an O3 gas supply source 222, an Ar gas supply source 223, and gas pipes 224, 225, and 226, one end of which is connected to each of the gas supply sources 221, 225, and 226. The other end of the gas pipes 224, 225, and 226 is connected to a gas introduction nozzle 250, and the TMA gas, O3 gas, and Ar gas as a purge gas are introduced into the processing vessel 210 through the pipes 224, 225, and 226 and the gas introduction nozzle 250. The gas pipes 224, 225, and 226 are provided with opening and closing valves 227, 228, and 229, respectively. Although not shown, the gas pipes are provided with flow rate controllers such as mass flow controllers.

排気部230は、一端が処理容器210の排気口211に接続された排気配管231と、排気配管231に接続された排気装置232とを有している。排気装置232は真空ポンプと圧力制御バルブとを有している。 The exhaust section 230 has an exhaust pipe 231, one end of which is connected to the exhaust port 211 of the processing vessel 210, and an exhaust device 232 connected to the exhaust pipe 231. The exhaust device 232 has a vacuum pump and a pressure control valve.

このように構成される装置300においては、処理容器210の搬入口(図示せず)から処理容器210内に、内部にガス流路414が形成された素材41´を搬入する。次いで、加熱機構240により、内部にガス流路414が形成された素材41´を180~200に加熱した状態とする。この状態で、まず、ガス供給部220からガス導入ノズル250を経てArガスを処理容器210内に供給しつつ、排気部230により処理容器210内を排気して所定の減圧状態とする。そして、排気部230により処理容器210内の圧力を制御しつつ、ガス供給部220および排気部230により、処理容器210に対して、TMAガスの供給、Arガスによるパージ、Oガスの供給、Arガスによるパージを繰り返すALDを行う。これにより、ガス流路414の内面にALD膜である酸化アルミニウム膜を所望の厚さで成膜する。 In the apparatus 300 thus configured, the material 41' having the gas flow passage 414 formed therein is carried into the processing vessel 210 through a carry-in port (not shown) of the processing vessel 210. Next, the heating mechanism 240 heats the material 41' having the gas flow passage 414 formed therein to 180 to 200. In this state, first, Ar gas is supplied from the gas supply unit 220 through the gas introduction nozzle 250 into the processing vessel 210, while the exhaust unit 230 exhausts the processing vessel 210 to a predetermined reduced pressure state. Then, while controlling the pressure inside the processing vessel 210 by the exhaust unit 230, the gas supply unit 220 and the exhaust unit 230 perform ALD, which repeats the supply of TMA gas, purging with Ar gas, supply of O3 gas, and purging with Ar gas to the processing vessel 210. As a result, an aluminum oxide film, which is an ALD film, is formed on the inner surface of the gas flow passage 414 to a desired thickness.

また、ALDによるガス流路414の内面への酸化アルミニウム膜の形成は、図1に示す成膜装置1におけるインレットブロック41の代わりに内部にガス流路が形成された素材41´を装着した成膜装置を用いて行うこともできる。具体的には、成膜装置1のインレットブロック41の代わりに内部にガス流路が形成された素材41´を装着し、ガス供給部60をTMAガスおよびOガスを供給可能にするとともに、素材41´を加熱する加熱機構を設ける。このような成膜装置においては、基板WへのALDに先立って、加熱機構により素材41´を加熱しつつTMAガスとOガスとのALDにより素材41´のガス流路414の内面に酸化アルミニウム膜を形成してインレットブロック41を形成する。そして、その後、基板WへのALD成膜を繰り返し実施する。 In addition, the formation of an aluminum oxide film on the inner surface of the gas flow passage 414 by ALD can also be performed using a film formation apparatus in which a material 41' having a gas flow passage formed therein is mounted instead of the inlet block 41 in the film formation apparatus 1 shown in FIG. 1. Specifically, a material 41' having a gas flow passage formed therein is mounted instead of the inlet block 41 of the film formation apparatus 1, the gas supply unit 60 is made capable of supplying TMA gas and O3 gas, and a heating mechanism for heating the material 41' is provided. In such a film formation apparatus, prior to ALD on the substrate W, an aluminum oxide film is formed on the inner surface of the gas flow passage 414 of the material 41' by ALD of TMA gas and O3 gas while heating the material 41' by the heating mechanism, thereby forming the inlet block 41. Then, ALD film formation on the substrate W is repeatedly performed thereafter.

このような装置構成とすることにより、基板WへのALDを繰り返してインレットブロック41内部のガス流路内面の酸化アルミニウム膜が損耗した場合に、TMAガスとOガスとのALDにより酸化アルミニウム膜を補修することもできる。 With such an apparatus configuration, when the aluminum oxide film on the inner surface of the gas flow passage inside the inlet block 41 becomes worn due to repeated ALD on the substrate W, the aluminum oxide film can be repaired by ALD of TMA gas and O3 gas.

以上のように、本実施形態によれば、内部にガス流路を有するアルミニウム材料からなる素材41´を準備し、ガス流路の内面の全面にALDにより酸化アルミニウム膜415を形成して、ガス導入部材(インレットブロック41、フィッティングブロック42)を形成する。ALDはガスによる処理であるため、陽極酸化処理の際に必要であった開口を設けなくても処理ガスが十分にガス流路全体に行き渡る。このため、プラグや蓋を溶接して開口を塞ぐ手間をほぼなくして、ガス流路の表面の全面に耐食性膜を形成することができる。また、ガス流路を形成するためにドリルで穿孔した後、余分な部分をプラグで塞ぐ場合でも、ALDはプラグを装着した後に行えばよく、ALD膜として形成された酸化アルミニウム膜が剥がれることない。しかも、プラグや蓋と本体との間の微小な隙間にもガスが回り込み、ALD膜が形成される。 As described above, according to this embodiment, a material 41' made of an aluminum material having a gas flow path inside is prepared, and an aluminum oxide film 415 is formed by ALD on the entire inner surface of the gas flow path to form a gas introduction member (inlet block 41, fitting block 42). Since ALD is a gas-based process, the process gas can be sufficiently distributed throughout the entire gas flow path without the need for openings, which were necessary during anodization. Therefore, a corrosion-resistant film can be formed on the entire surface of the gas flow path, with almost no effort required to close the openings by welding plugs or lids. In addition, even if the excess part is blocked with a plug after drilling to form a gas flow path, ALD can be performed after the plug is attached, and the aluminum oxide film formed as an ALD film will not peel off. Moreover, gas can be introduced into the minute gaps between the plug or lid and the main body, forming an ALD film.

このため、ガス流路の表面の全面に亘って酸化アルミニウム膜形成して高い耐食性を維持しつつ、ガス流路表面が耐食性を有するガス導入部材を簡易に製造することができる。 This makes it possible to easily manufacture a gas introduction member whose gas flow path surface is corrosion-resistant while maintaining high corrosion resistance by forming an aluminum oxide film over the entire surface of the gas flow path.

<他の適用>
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
<Other applications>
Although the embodiments have been described above, the embodiments disclosed herein should be considered to be illustrative and not restrictive in all respects. The above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

例えば、上記実施形態では、本体部となる素材をアルミニウムやアルミニウム合金のようなアルミニウム材料で構成し、ガス流路の内面にALDにより形成される耐食性膜として酸化アルミニウム膜を用いた場合を示したが、これに限るものではない。本体部となる素材としては、アルミニウムの他に、ステンレス鋼やニッケル合金等も適用可能である。また、ALDによる耐食性膜も酸化アルミニウムの他に、窒化アルミニウムや酸化ケイ素、窒化ケイ素、ジルコニア、酸化イットリウム(イットリア)、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化チタン等も可能である。素材を構成する金属と耐食性膜に含まれる金属が異なるものであってもよい。このように、素材である金属と耐食性膜の組み合わせの自由度が高い点も、アルミニウム材料からなる素材のガス流路の内面に陽極酸化皮膜を形成する場合と比べて大きな利点である。 For example, in the above embodiment, the main body is made of an aluminum material such as aluminum or an aluminum alloy, and an aluminum oxide film is used as the corrosion-resistant film formed on the inner surface of the gas flow path by ALD. However, the present invention is not limited to this. In addition to aluminum, stainless steel and nickel alloys can also be used as the main body. In addition to aluminum oxide, the corrosion-resistant film formed by ALD can also be aluminum nitride, silicon oxide, silicon nitride, zirconia, yttrium oxide (yttria), niobium oxide, zinc oxide, titanium oxide, titanium nitride, etc. The metal constituting the material and the metal contained in the corrosion-resistant film may be different. In this way, the high degree of freedom in the combination of the metal material and the corrosion-resistant film is also a major advantage compared to the case of forming an anodized film on the inner surface of the gas flow path of a material made of an aluminum material.

また、上記実施形態では、ガス流路を有する部材として、ALD成膜装置のガス導入部材であるインレットブロックやフィッティングブロックを用いた例を示したが、ALDに限らずガスを用いた成膜装置のガス導入部であれば用いることができる。また、ガス導入部に限らずガス流路の内面に耐食性が要求される部材であれば適用可能である。 In the above embodiment, an example was shown in which an inlet block or fitting block, which is a gas introduction member of an ALD film formation device, was used as a member having a gas flow path, but the gas introduction part of a film formation device that uses gas, not limited to ALD, can be used. Also, the gas introduction part can be applied to any member that requires corrosion resistance on the inner surface of the gas flow path, not limited to gas introduction parts.

1;成膜装置
4;ガス導入機構
41;インレットブロック(ガス導入部材)
41´;素材
42;フィッティングブロック(ガス導入部材)
411、421;本体部
414、414a、414b、414c、424a、424b、424c;ガス流路
415、425;酸化アルミニウム膜(耐食性膜、ALD膜)
1: Film forming apparatus 4: Gas introduction mechanism 41: Inlet block (gas introduction member)
41': Material 42: Fitting block (gas introduction member)
411, 421: Main body 414, 414a, 414b, 414c, 424a, 424b, 424c: Gas flow passage 415, 425: Aluminum oxide film (corrosion-resistant film, ALD film)

Claims (9)

内部にガス流路が形成された金属素材を準備する工程と、
ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程と、
を有する、ガス流路を有する部材の製造方法。
Providing a metal material having a gas flow passage formed therein;
forming a corrosion-resistant film on an inner surface of the gas flow passage by ALD;
The method for producing a member having a gas flow passage comprising the steps of:
前記金属素材はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記耐食性膜は酸化アルミニウム膜である、請求項1に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow path according to claim 1, wherein the metal material is aluminum or an aluminum alloy, and the corrosion-resistant film is an aluminum oxide film. 前記酸化アルミニウム膜は、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムガスを用い、反応ガスとしてOガス、HOガス、Oガスのいずれかを用いて、180~200℃でALDを行うことにより形成される、請求項2に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow path according to claim 2, wherein the aluminum oxide film is formed by ALD at 180 to 200°C using trimethylaluminum gas as a raw material gas and any one of O3 gas, H2O gas, and O2 gas as a reactive gas. 前記ガス流路を有する部材は、成膜装置においてガス導入に用いられるガス導入部材である、請求項1に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow path according to claim 1, wherein the member having the gas flow path is a gas introduction member used for introducing gas into a film forming apparatus. 前記成膜装置に前記金属素材を装着した状態で、前記金属素材の前記ガス流路にガスを供給して、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項4に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow passage according to claim 4, wherein a gas is supplied to the gas flow passage of the metal material while the metal material is mounted in the film forming device, and a corrosion-resistant film is formed on the inner surface of the gas flow passage by the ALD. 前記金属素材の内部に形成された前記ガス流路の一方の端部にガス導入部を設け、他方の端部に排気部を設け、前記排気部により前記ガス流路を排気しつつ、前記ガス導入部から前記ガス流路にガスを供給することで、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow path according to any one of claims 1 to 4, comprising providing a gas inlet at one end of the gas flow path formed inside the metal material, providing an exhaust at the other end, and supplying gas from the gas inlet to the gas flow path while exhausting the gas flow path with the exhaust, thereby forming a corrosion-resistant film on the inner surface of the gas flow path by the ALD. 処理容器内に前記内部にガス流路が形成された金属素材を配置し、前記処理容器内を排気しつつ、前記処理容器内にガスを供給することで、前記ALDにより前記ガス流路の内面に耐食性膜を形成する工程を行う、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のガス流路を有する部材の製造方法。 The method for manufacturing a member having a gas flow path according to any one of claims 1 to 4, comprising the steps of: placing a metal material having a gas flow path formed therein in a processing vessel; and supplying gas into the processing vessel while exhausting the inside of the processing vessel, thereby forming a corrosion-resistant film on the inner surface of the gas flow path by the ALD. 金属からなる本体部と、
前記本体部に形成されたガス流路と、
前記ガス流路の内面に耐食性膜として形成されたALD膜と、
を有する、ガス流路を有する部材。
A main body made of metal;
A gas flow path formed in the main body portion;
an ALD film formed as a corrosion-resistant film on the inner surface of the gas flow passage;
A member having a gas flow path.
前記本体部はアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、前記ALD膜は、酸化アルミニウム膜である、請求項8に記載のガス流路を有する部材。 The member having a gas flow path according to claim 8, wherein the main body is aluminum or an aluminum alloy, and the ALD film is an aluminum oxide film.
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