JP2024061724A - Heterocyclic compounds - Google Patents

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佳美 中島
辰義 高橋
孝夫 濱田
広美 瀬尾
哲史 瀬尾
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Abstract

【課題】新規な複素環化合物を提供する。特に、発光素子の素子特性を向上させることができる新規な複素環化合物を提供する。【解決手段】置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基と、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基とが、置換もしくは無置換のアリーレン基を介して結合する下記一般式(G1)で表される複素環化合物である。JPEG2024061724000077.jpg27167(式中、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、Ar1は、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Ar2は、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。また、Ar1およびAr2で表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。)【選択図】なし[Problem] To provide a novel heterocyclic compound. In particular, to provide a novel heterocyclic compound capable of improving the element characteristics of a light-emitting element. [Solution] The heterocyclic compound is represented by the following general formula (G1), in which a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group are bonded via a substituted or unsubstituted arylene group. JPEG2024061724000077.jpg27167 (In the formula, DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. In addition, when the arylene groups represented by Ar1 and Ar2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.) [Selected Figure] None

Description

本発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス
、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関す
る。特に、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、照明装置、発光素子、
それらの製造方法に関する。また、本発明の一態様は、複素環化合物およびその新規な合
成方法に関する。また、上記複素環化合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器、及び
照明装置に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。
One aspect of the present invention relates to an object, a method, or a manufacturing method. Alternatively, the present invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition of matter. In particular, one aspect of the present invention relates to a semiconductor device, a light-emitting device, a display device, a lighting device, a light-emitting element,
Another embodiment of the present invention relates to a heterocyclic compound and a novel synthesis method thereof. Another embodiment of the present invention relates to a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device each using the heterocyclic compound. Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical fields.

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用
いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に
、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野
角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
Light-emitting elements using organic compounds as light emitters, which have characteristics such as thinness, light weight, high-speed response, and low-voltage direct current operation, are expected to be applied to next-generation flat panel displays. In particular, display devices in which light-emitting elements are arranged in a matrix are considered to have an advantage over conventional liquid crystal display devices in that they have a wider viewing angle and better visibility.

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光体を含むEL層を挟んで電圧を印加すること
により、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がEL層の発光中心で再
結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放
出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光は
どちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
The light-emitting mechanism of a light-emitting element is said to be that, by applying a voltage to an EL layer containing a light-emitting body between a pair of electrodes, electrons injected from the cathode and holes injected from the anode recombine at the luminescence center of the EL layer to form molecular excitons, which release energy when relaxing to the ground state, resulting in light emission. Singlet excitation and triplet excitation are known as excited states, and it is believed that light emission is possible through either excited state.

このような発光素子において、EL層には、主として有機化合物が用いられており、発光
素子の素子特性向上に大きな影響を与えることから、様々な新規の有機化合物の開発が行
われている(例えば、特許文献1参照)。
In such light-emitting elements, organic compounds are mainly used in the EL layer, which has a significant impact on improving the element characteristics of the light-emitting element, and therefore various new organic compounds are being developed (see, for example, Patent Document 1).

特開2007-189001号公報JP 2007-189001 A

上述した特許文献1において報告されているジベンゾ[f,h]キノキサリン環を有する
化合物は、平面的な構造を有しているため結晶化しやすいという問題を有する。結晶化し
やすい化合物を用いた発光素子は寿命が短い。また、立体的に嵩高い構造の化合物とする
ために、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に他の骨格を直接結合させると、共役系が広
がり、三重項励起エネルギーの低下を引き起こす場合がある。三重項励起エネルギーが低
下すると発光効率が低下するため、このような化合物を用いた発光素子の素子特性も低下
してしまう。
The compound having a dibenzo[f,h]quinoxaline ring reported in the above-mentioned Patent Document 1 has a problem that it is easily crystallized because it has a planar structure. A light-emitting element using a compound that is easily crystallized has a short life. In addition, when another skeleton is directly bonded to the dibenzo[f,h]quinoxaline ring in order to obtain a compound with a three-dimensionally bulky structure, the conjugated system may be expanded, causing a decrease in triplet excitation energy. When the triplet excitation energy is decreased, the luminous efficiency is decreased, and the element characteristics of a light-emitting element using such a compound are also decreased.

そこで、本発明の一態様では、新規な複素環化合物を提供する。特に、発光素子の素子特
性を向上させることができる新規な複素環化合物を提供する。また、本発明の一態様では
、発光効率および耐熱性の良い新規な複素環化合物を提供する。また、本発明の一態様で
は、発光素子に用いることができる新規な複素環化合物を提供する。また、本発明の一態
様では、発光素子のEL層に用いることができる、新規な複素環化合物を提供する。特に
、耐熱性の高い発光素子、発光効率が高く低消費電力な発光素子、寿命の長い発光素子を
提供することができる。また、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供する。また、
新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供する。なお、これらの課
題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも
、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面
、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの
記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
Thus, one embodiment of the present invention provides a novel heterocyclic compound. In particular, a novel heterocyclic compound capable of improving the element characteristics of a light-emitting element is provided. Another embodiment of the present invention provides a novel heterocyclic compound having good luminous efficiency and heat resistance. Another embodiment of the present invention provides a novel heterocyclic compound that can be used in a light-emitting element. Another embodiment of the present invention provides a novel heterocyclic compound that can be used in an EL layer of a light-emitting element. In particular, a light-emitting element with high heat resistance, high luminous efficiency and low power consumption, and a light-emitting element with a long lifetime can be provided. Another embodiment of the present invention provides a novel light-emitting element. Another embodiment of the present invention provides a novel light-emitting element.
To provide a novel light-emitting device, a novel electronic device, or a novel lighting device. Note that the description of these problems does not preclude the existence of other problems. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily need to solve all of these problems. Note that problems other than these will become apparent from the description in the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract problems other than these from the description in the specification, drawings, claims, etc.

本発明の一態様は、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基と、置換
もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基とが、置換もしくは無置換のアリーレン基
を介して結合することを特徴とする複素環化合物である。
One embodiment of the present invention is a heterocyclic compound in which a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group are bonded via a substituted or unsubstituted arylene group.

本発明の一態様は、下記一般式(G1)で表される複素環化合物である。 One embodiment of the present invention is a heterocyclic compound represented by the following general formula (G1):

但し、一般式(G1)中、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサ
リニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し
、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレ
ン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。また、A
およびArで表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合し
て環を形成しても良い。
In the general formula (G1), DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group.
When the arylene groups represented by r1 and Ar2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、本発明の別の一態様は、上記一般式(G1)中、DBqは、置換もしくは無置換の
ジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6
~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換
の炭素数6~13のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾ
フラニル基を表す。また、ベンゾビスベンゾフラニル基中のフラン環を構成しない炭素の
うち、フラン環の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか一が、Arと結合する
。また、ArおよびArで表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互
いに結合して環を形成しても良い。
Another embodiment of the present invention is a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group having 6 carbon atoms in General Formula (G1),
n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. Among the carbons not constituting the furan ring in the benzobisbenzofuranyl group, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to the oxygen of the furan ring is bonded to Ar 2. In addition, when the arylene groups represented by Ar 1 and Ar 2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G2)で表される複素環化合物である。 Another embodiment of the present invention is a heterocyclic compound represented by the following general formula (G2):

但し、一般式(G2)中、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表
し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~
13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、置換もしくは無置
換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換も
しくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表す。また、ArおよびArで表さ
れるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
In the general formula (G2), A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group, and R 1 to R 9 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group having 6 to 8 carbon atoms.
Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, and Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms. When the arylene groups represented by Ar 1 and Ar 2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、上記構成において、一般式(G1)または一般式(G2)におけるArは、置換
もしくは無置換のフェニレン基または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、
nは0であることを特徴とする。
In the above structure, Ar 2 in general formula (G1) or general formula (G2) represents a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted biphenyldiyl group,
Characteristically, n is 0.

また、上記構成において、一般式(G1)または一般式(G2)におけるArは、置換
もしくは無置換のm-フェニレン基または置換もしくは無置換のビフェニル-3,3’-
ジイル基を表し、nは0であることを特徴とする。
In the above structure, Ar 2 in the general formula (G1) or (G2) is a substituted or unsubstituted m-phenylene group or a substituted or unsubstituted biphenyl-3,3′-
It is characterized in that it represents a diyl group, and n is 0.

また、上記各構成において、一般式(G1)または一般式(G2)中のAは、下記一般式
(A1)~一般式(A3)のいずれか一であり、一般式(A1)~一般式(A3)におい
て、フラン環を構成しない炭素のうち、フラン環中の酸素と結合する炭素と隣接する炭素
のいずれか一が、Arと結合することを特徴とする。
In each of the above structures, A in general formula (G1) or general formula (G2) is any one of the following general formulae (A1) to (A3), and in general formulae (A1) to (A3), among the carbons not constituting a furan ring, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to oxygen in the furan ring is bonded to Ar2 .

但し、一般式(A1)~一般式(A3)において、ベンゼン環は置換基を有していても良
く、置換基は、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の
炭素数5~7のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基、
のいずれかである。
However, in the general formulae (A1) to (A3), the benzene ring may have a substituent, and the substituent is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms,
Either:

また、本発明の別の一態様は、下記構造式(101)、(107)、(149)、または
(150)で表される複素環化合物である。
Another embodiment of the present invention is a heterocyclic compound represented by the following structural formula (101), (107), (149), or (150).

上述した本発明の一態様である複素環化合物は、T1準位の高い材料であることから、燐
光材料などの発光物質(ドーパント)との組み合わせが可能なホスト材料として用いるこ
とができる。
The heterocyclic compound of one embodiment of the present invention described above has a high T1 level and can therefore be used as a host material which can be combined with a light-emitting substance (dopant) such as a phosphorescent material.

また、本発明の一態様である複素環化合物は、電子輸送性の高い材料である。従って、発
光素子のEL層の発光層の他、電子輸送層などにも適用可能である。さらに、本発明の一
態様である複素環化合物は、発光物質である。従って、発光層で、燐光材料などの発光物
質と組み合わせて用いるホスト材料としてだけでなく、発光物質としても用いることがで
きる。したがって、本発明の一態様である複素環化合物を用いた発光素子は、本発明の一
態様に含まれるものとする。
In addition, the heterocyclic compound of one embodiment of the present invention is a material with high electron transporting properties. Therefore, the heterocyclic compound can be applied to an electron transporting layer and the like in addition to the light-emitting layer of the EL layer of the light-emitting element. Furthermore, the heterocyclic compound of one embodiment of the present invention is a light-emitting substance. Therefore, the heterocyclic compound can be used not only as a host material used in combination with a light-emitting substance such as a phosphorescent material in the light-emitting layer, but also as a light-emitting substance. Therefore, a light-emitting element using the heterocyclic compound of one embodiment of the present invention is included in one embodiment of the present invention.

すなわち、本発明の別の一態様は、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリ
ニル基と、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基とが、置換もしくは無置換
のアリーレン基を介して結合することを特徴とする複素環化合物を用いた発光素子である
That is, another embodiment of the present invention is a light-emitting element using a heterocyclic compound in which a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group are bonded to each other through a substituted or unsubstituted arylene group.

また、本発明の別の一態様は、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル
基と、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基とが、置換もしくは無置換のア
リーレン基を介して結合し、前記ベンゾビスベンゾフラニル基中のフラン環を構成しない
炭素のうち、前記フラン環中の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか一が、前記
アリーレン基と結合することを特徴とする複素環化合物を用いた発光素子である。
Another embodiment of the present invention is a light-emitting element using a heterocyclic compound, in which a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group are bonded to each other via a substituted or unsubstituted arylene group, and any one of carbons that is not constituting a furan ring in the benzobisbenzofuranyl group and is adjacent to a carbon bonded to oxygen in the furan ring is bonded to the arylene group.

また、上記各構成において、発光素子は発光層を有し、発光層は、上記複素環化合物と、
発光物質と、を含むことを特徴とする。
In each of the above structures, the light-emitting element has a light-emitting layer, and the light-emitting layer contains the heterocyclic compound and
and a luminescent material.

また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する照明
装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デ
バイス、または光源(照明装置含む)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFP
C(Flexible printed circuit)もしくはTCP(Tape
Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント
配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass
)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものと
する。
One embodiment of the present invention includes not only a light-emitting device having a light-emitting element, but also a lighting device having a light-emitting device. Therefore, the light-emitting device in this specification refers to an image display device or a light source (including a lighting device). In addition, a connector, for example, an FP
C (Flexible printed circuit) or TCP (Tape
A module with a carrier package attached, a module with a printed wiring board provided at the end of the TCP, or a module with a COG (Chip On Glass)
The light emitting device also includes any module in which an IC (integrated circuit) is directly mounted using the LED light emitting diode (LED) mounting method.

本発明の一態様では、新規な複素環化合物を提供することができる。特に、発光素子の素
子特性を向上させることができる新規な複素環化合物を提供することができる。また、本
発明の一態様では、発光効率および耐熱性の良い新規な複素環化合物を提供することがで
きる。また、本発明の一態様では、発光素子に用いることができる新規な複素環化合物を
提供することができる。また、本発明の一態様では、発光素子のEL層に用いることがで
きる、新規な複素環化合物を提供することができる。特に、耐熱性の高い発光素子、発光
効率が高く低消費電力な発光素子、寿命の長い発光素子を提供することができる。また、
本発明の一態様では、新規な発光素子を提供することができる。また、新規な発光装置、
新規な電子機器、または新規な照明装置を提供することができる。
In one embodiment of the present invention, a novel heterocyclic compound can be provided. In particular, a novel heterocyclic compound that can improve the element characteristics of a light-emitting element can be provided. In addition, in one embodiment of the present invention, a novel heterocyclic compound that has good emission efficiency and heat resistance can be provided. In addition, in one embodiment of the present invention, a novel heterocyclic compound that can be used in a light-emitting element can be provided. In addition, in one embodiment of the present invention, a novel heterocyclic compound that can be used in an EL layer of a light-emitting element can be provided. In particular, a light-emitting element with high heat resistance, a light-emitting element with high emission efficiency and low power consumption, and a light-emitting element with a long lifetime can be provided. In addition,
According to one embodiment of the present invention, a novel light-emitting element can be provided.
It is possible to provide a novel electronic device or a novel lighting device.

発光素子の構造について説明する図。1A to 1C are diagrams illustrating a structure of a light-emitting element. 発光素子の構造について説明する図。1A to 1C are diagrams illustrating a structure of a light-emitting element. 発光装置について説明する図。1A and 1B are diagrams illustrating a light-emitting device. 発光装置について説明する図。1A and 1B are diagrams illustrating a light-emitting device. 電子機器について説明する図。1A to 1C are diagrams illustrating electronic devices. 電子機器について説明する図。1A to 1C are diagrams illustrating electronic devices. 自動車について説明する図。FIG. 照明装置について説明する図。1A and 1B are diagrams illustrating a lighting device. 照明装置について説明する図。1A and 1B are diagrams illustrating a lighting device. タッチパネルの一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a touch panel. タッチパネルの一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a touch panel. タッチパネルの一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a touch panel. タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート。1A and 1B are a block diagram and a timing chart of a touch sensor. タッチセンサの回路図。Circuit diagram of a touch sensor. 構造式(101)に示す複素環化合物のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the heterocyclic compound represented by structural formula (101). 構造式(101)に示す複素環化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。The ultraviolet/visible absorption spectrum and emission spectrum of the heterocyclic compound represented by the structural formula (101). 構造式(107)に示す複素環化合物のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the heterocyclic compound represented by structural formula (107). 構造式(107)に示す複素環化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。The ultraviolet/visible absorption spectrum and emission spectrum of the heterocyclic compound represented by the structural formula (107). 構造式(149)に示す複素環化合物のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the heterocyclic compound represented by structural formula (149). 構造式(149)に示す複素環化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。The ultraviolet/visible absorption spectrum and emission spectrum of the heterocyclic compound represented by the structural formula (149). 構造式(150)に示す複素環化合物のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the heterocyclic compound represented by structural formula (150). 構造式(150)に示す複素環化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。The ultraviolet and visible absorption spectrum and emission spectrum of the heterocyclic compound represented by the structural formula (150). 発光素子について説明する図。1A to 1C are diagrams illustrating light-emitting elements. 発光素子1乃至発光素子4の電流密度-輝度特性を示す図。FIG. 13 shows current density vs. luminance characteristics of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子4の電圧-輝度特性を示す図。FIG. 13 shows voltage-luminance characteristics of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子4の輝度-電流効率特性を示す図。FIG. 13 shows luminance vs. current efficiency characteristics of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子4の電圧-電流特性を示す図。13 shows voltage-current characteristics of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子4の発光スペクトルを示す図。13 shows emission spectra of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子4の信頼性を示す図。13A to 13C show the reliability of Light-emitting Elements 1 to 4. 発光素子1乃至発光素子3、および比較発光素子5の外部量子効率特性の時間変化を示す図。13 is a graph showing changes over time in external quantum efficiency characteristics of the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 5. 2mBbfPDBqのマススペクトルを示す図。A figure showing the mass spectrum of 2mBbfPDBq. 2mBbfPDBqのマススペクトルを示す図。A figure showing the mass spectrum of 2mBbfPDBq.

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。
Hereinafter, the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and the form and details can be changed in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be interpreted as being limited to the description of the embodiment shown below.

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
In addition, the words "film" and "layer" can be interchangeable depending on the case or situation. For example, the term "conductive layer" can be changed to the term "conductive film". Or, for example, the term "insulating film" can be changed to the term "insulating layer".

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様である複素環化合物について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a heterocyclic compound which is one embodiment of the present invention will be described.

本実施の形態で示す複素環化合物は、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサ
リニル基と、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基とが、置換もしくは無置
換のアリーレン基を介して結合することを特徴とする複素環化合物である。
The heterocyclic compound described in this embodiment is a heterocyclic compound characterized in that a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group are bonded to each other via a substituted or unsubstituted arylene group.

通常、有機化合物の分子構造を形成する縮合環の数を増やすことで、縮合環数がより多い
構造の有機化合物の方が、分子量が大きくなるに連れ耐熱性が上がり、発光素子に用いた
場合の長寿命化が期待できることが知られている。しかし、単純に縮合環を増やすだけで
はより平面性の高い分子構造となるため有機化合物の薄膜が結晶化しやすくなること等に
よる耐熱性の低下や、化合物の三重項励起準位(T1準位)の低下、さらには化合物の溶
解性が低下することにより化合物の合成及び精製が困難になるという問題を有する。これ
に対して、本発明の一態様である複素環化合物は、ヘテロ原子を含む縮合環を用いて有機
分子の骨格を拡張することにより、高いT1準位を有する化合物を提供できる。また、平
面性の高いジベンゾ[f,h]キノキサリニル基とベンゾビスベンゾフラニル基をアリー
レン基を介して結合させる事で嵩高い化合物となり、結晶化を抑制し、耐熱性の向上を実
現することができる。従って、本実施の形態で説明する、複素環化合物は、下記一般式(
G1)で表される構造を有する複素環化合物である。
It is generally known that by increasing the number of fused rings forming the molecular structure of an organic compound, the heat resistance of an organic compound having a structure with a larger number of fused rings increases as the molecular weight increases, and a longer life can be expected when used in a light-emitting element. However, simply increasing the number of fused rings results in a molecular structure with higher planarity, which leads to problems such as a decrease in heat resistance due to the tendency of a thin film of the organic compound to crystallize, a decrease in the triplet excitation level (T1 level) of the compound, and further a decrease in the solubility of the compound, making it difficult to synthesize and purify the compound. In contrast, the heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention can provide a compound having a high T1 level by expanding the skeleton of the organic molecule using a fused ring containing a heteroatom. In addition, a highly planar dibenzo[f,h]quinoxalinyl group and a benzobisbenzofuranyl group are bonded via an arylene group to form a bulky compound, which can suppress crystallization and improve heat resistance. Therefore, the heterocyclic compound described in this embodiment is represented by the following general formula (
G1).

一般式(G1)において、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサ
リニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し
、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレ
ン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。また、A
およびArで表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合し
て環を形成しても良い。
In general formula (G1), DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group.
When the arylene groups represented by r1 and Ar2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、別の構成としては、上記一般式(G1)で表される複素環化合物において、DBq
は、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、Arは、置換
もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Ar
は、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは
無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。また、ベンゾビスベンゾフラニル基のフラ
ン環を構成しない炭素のうち、フラン環の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか
一が、Arと結合する。また、ArおよびArで表されるアリーレン基が置換基を
有する場合、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
In addition, in another embodiment, in the heterocyclic compound represented by the general formula (G1),
represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar
2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. Among the carbons not constituting the furan ring of the benzobisbenzofuranyl group, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to the oxygen of the furan ring is bonded to Ar 2. In addition, when the arylene groups represented by Ar 1 and Ar 2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式(G1)中のArまたはArで表される炭素数6~13のアリーレン基として
は、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のナフタレンジイル基、置換ま
たは無置換のビフェニルジイル基、置換または無置換のフルオレンジイル基等が挙げられ
るが、より具体的には、下記構造式(α1)~(α15)に示すアリーレン基等が挙げら
れる。
Examples of the arylene group having 6 to 13 carbon atoms represented by Ar 1 or Ar 2 in general formula (G1) include a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenediyl group, a substituted or unsubstituted biphenyldiyl group, a substituted or unsubstituted fluorenediyl group, and the like. More specific examples include arylene groups represented by the following structural formulas (α1) to (α15), and the like.

また、一般式(G1)において、Aで表される置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフ
ラニル基のうち、無置換のベンゾビスベンゾフラニル基は、下記一般式(A1)~一般式
(A7)のいずれか一である。
In addition, in the general formula (G1), of the substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group represented by A, the unsubstituted benzobisbenzofuranyl group is any one of the following general formulae (A1) to (A7).

また、一般式(G1)において、Aで表されるベンゾビスベンゾフラニル基が置換基を有
する場合は、一般式(A1)~(A7)において、ベンゼン環が置換基を有していても良
く、置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数5~7のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリー
ル基が挙げられる。
In addition, in the case where the benzobisbenzofuranyl group represented by A in the general formula (G1) has a substituent, the benzene ring in the general formulae (A1) to (A7) may have a substituent, and examples of the substituent include a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms.

なお、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数1~6のアルキル基を有する場
合の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s
ec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、s
ec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル
基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、3-メチルペンチル
基、2-メチルペンチル基、2-エチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、2,3-
ジメチルブチル基等が挙げられる。
In addition, specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent in the general formulae (A1) to (A7) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a s
ec-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, s
ec-pentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, hexyl group, isohexyl group, sec-hexyl group, tert-hexyl group, neohexyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 2-ethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 2,3-
Examples thereof include a dimethylbutyl group.

また、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数5~7のシクロアルキル基を有
する場合の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等
が挙げられる。
When the general formulae (A1) to (A7) each have a cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms as a substituent, specific examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.

さらに、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数6~13のアリール基を有す
る場合の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、イ
ンデニル基等が挙げられる。
Furthermore, when the general formulae (A1) to (A7) have an aryl group having 6 to 13 carbon atoms as a substituent, specific examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, and an indenyl group.

なお、一般式(G1)における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピ
ル基、iso-プロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、
n-ヘキシル基のような炭素数1~6のアルキル基や、フェニル基、o-トリル基、m-
トリル基、p-トリル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-ビフェニル基、3-ビ
フェニル基、4-ビフェニル基のような炭素数6~12のアリール基のような置換基を有
することを表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例え
ば、アリーレン基であるフルオレン-ジイル基が、置換基として9位に二つのフェニル基
を有する9,9-ジフェニル-9H-フルオレン-2,7-ジイル基である場合、該フェ
ニル基が互いに結合し、スピロ-9,9’-ビフルオレン-2,7-ジイル基となっても
良い。
The substitution in the general formula (G1) is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group,
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, such as an n-hexyl group, a phenyl group, an o-tolyl group, an m-
It represents that the fluorene-diyl group has a substituent such as an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a tolyl group, a p-tolyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, or a 4-biphenyl group. In addition, these substituents may be bonded to each other to form a ring. For example, when the fluorene-diyl group, which is an arylene group, is a 9,9-diphenyl-9H-fluorene-2,7-diyl group having two phenyl groups at the 9-position as substituents, the phenyl groups may be bonded to each other to form a spiro-9,9'-bifluorene-2,7-diyl group.

また、本発明の一態様である複素環化合物の別の構成は、下記一般式(G2)で表される
構造を有する複素環化合物である。
Another example of the heterocyclic compound of one embodiment of the present invention is a heterocyclic compound having a structure represented by General Formula (G2) below.

一般式(G2)において、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表
し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、又は炭素数6~
13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、置換もしくは無置
換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換も
しくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表す。また、ArおよびArで表さ
れるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合して環を形成しても良い。
In formula (G2), A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group, and R 1 to R 9 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group having 6 to 6 carbon atoms.
Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, and Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms. When the arylene groups represented by Ar 1 and Ar 2 have substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式(G2)中のArまたはArで表される炭素数6~13のアリーレン基の具体
例としては、下記構造式(α1)~(α15)に示すアリーレン基等が挙げられる。
Specific examples of the arylene group having 6 to 13 carbon atoms represented by Ar 1 or Ar 2 in general formula (G2) include arylene groups represented by the following structural formulas (α1) to (α15).

また、一般式(G2)において、Aで表される置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフ
ラニル基のうち、無置換のベンゾビスベンゾフラニル基は、下記一般式(A1)~一般式
(A7)のいずれか一である。
In addition, in the general formula (G2), of the substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group represented by A, the unsubstituted benzobisbenzofuranyl group is any one of the following general formulae (A1) to (A7).

また、一般式(G2)において、Aで表されるベンゾビスベンゾフラニル基が置換基を有
する場合は、一般式(A1)~(A7)において、ベンゼン環が置換基を有していても良
く、置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数5~7のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリー
ル基が挙げられる。
In addition, in the case where the benzobisbenzofuranyl group represented by A in the general formula (G2) has a substituent, the benzene ring in the general formulae (A1) to (A7) may have a substituent, and examples of the substituent include a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms.

なお、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数1~6のアルキル基を有する場
合の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s
ec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、s
ec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル
基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、3-メチルペンチル
基、2-メチルペンチル基、2-エチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、2,3-
ジメチルブチル基等が挙げられる。
In addition, specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent in the general formulae (A1) to (A7) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a s
ec-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, s
ec-pentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, hexyl group, isohexyl group, sec-hexyl group, tert-hexyl group, neohexyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 2-ethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 2,3-
Examples thereof include a dimethylbutyl group.

また、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数5~7のシクロアルキル基を有
する場合の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等
が挙げられる。
When the general formulae (A1) to (A7) each have a cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms as a substituent, specific examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.

さらに、一般式(A1)~(A7)が、置換基として炭素数6~13のアリール基を有す
る場合の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、イ
ンデニル基等が挙げられる。
Furthermore, when the general formulae (A1) to (A7) have an aryl group having 6 to 13 carbon atoms as a substituent, specific examples thereof include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, and an indenyl group.

また、一般式(G2)中のR~Rにおける炭素数1~6のアルキル基の具体例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、
イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基
、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキ
シル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペ
ンチル基、2-エチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基
等が挙げられる。
Specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms for R 1 to R 9 in the general formula (G2) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group,
Examples of such alkyl groups include an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a sec-pentyl group, a tert-pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, an isohexyl group, a sec-hexyl group, a tert-hexyl group, a neohexyl group, a 3-methylpentyl group, a 2-methylpentyl group, a 2-ethylbutyl group, a 1,2-dimethylbutyl group, and a 2,3-dimethylbutyl group.

また、一般式(G2)中のR~Rにおける炭素数6~13のアリール基の具体例とし
ては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、フルオレニル基
、インデニル基が挙げられる。
Specific examples of the aryl group having 6 to 13 carbon atoms for R 1 to R 9 in general formula (G2) include a phenyl group, a biphenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, a xylyl group, a fluorenyl group, and an indenyl group.

なお、一般式(G2)における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピ
ル基、iso-プロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、
n-ヘキシル基のような炭素数1~6のアルキル基や、フェニル基、o-トリル基、m-
トリル基、p-トリル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-ビフェニル基、3-ビ
フェニル基、4-ビフェニル基のような炭素数6~12のアリール基のような置換基を有
することを表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例え
ば、アリーレン基であるフルオレン-ジイル基が、置換基として9位に二つのフェニル基
を有する9,9-ジフェニル-9H-フルオレン-2,7-ジイル基である場合、該フェ
ニル基が互いに結合し、スピロ-9,9’-ビフルオレン-2,7-ジイル基となっても
良い。
The substitution in the general formula (G2) is preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group,
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, such as an n-hexyl group, a phenyl group, an o-tolyl group, an m-
It represents that the fluorene-diyl group has a substituent such as an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, such as a tolyl group, a p-tolyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, or a 4-biphenyl group. In addition, these substituents may be bonded to each other to form a ring. For example, when the fluorene-diyl group, which is an arylene group, is a 9,9-diphenyl-9H-fluorene-2,7-diyl group having two phenyl groups at the 9-position as substituents, the phenyl groups may be bonded to each other to form a spiro-9,9'-bifluorene-2,7-diyl group.

次に、上述した本発明の一態様である複素環化合物の具体的な構造式を下記に示す。ただ
し、本発明はこれらに限定されることはない。
Next, specific structural formulae of the heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.

なお、上記構造式(101)~(184)、(201)~(400)で表される複素環化
合物は、上記一般式(G1)、(G2)で表される複素環化合物に含まれる一例であり、
本発明の一態様である複素環化合物は、これらに限られない。
The heterocyclic compounds represented by the above structural formulas (101) to (184) and (201) to (400) are examples included in the heterocyclic compounds represented by the above general formulas (G1) and (G2),
The heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention is not limited to these.

次に、本発明の一態様であり、下記一般式(G1)で表される複素環化合物の合成方法の
一例について説明する。なお、一般式(G1)で表される有機化合物の合成方法としては
種々の反応を適用することができるが、例えば、以下に示す方法によって、一般式(G1
)で表される有機化合物を合成することができる。但し、本発明の一態様である一般式(
G1)で表される有機化合物の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。
Next, an example of a method for synthesizing a heterocyclic compound represented by the following general formula (G1), which is one embodiment of the present invention, will be described. Note that various reactions can be applied as a method for synthesizing an organic compound represented by the general formula (G1). For example, a compound represented by the general formula (G1) can be synthesized by the method shown below.
However, an organic compound represented by the general formula (
The synthesis method of the organic compound represented by G1) is not limited to the following synthesis method.

一般式(G1)において、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサ
リニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し
、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレ
ン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。また、A
およびArで表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互いに結合し
て環を形成しても良い。また、ベンゾビスベンゾフラニル基のフラン環を構成しない炭素
のうち、フラン環の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか一が、Arと結合し
てもよい。
In general formula (G1), DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group.
When the arylene group represented by r1 and Ar2 has a substituent, the substituent may be bonded to each other to form a ring. In addition, among the carbons not constituting the furan ring of the benzobisbenzofuranyl group, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to the oxygen of the furan ring may be bonded to Ar2 .

以下に、一般式(G1)で表される複素環化合物の合成スキーム(A)を示す。なお、合
成スキーム(A)に示すように、ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物(化合物1)と
、ベンゾビスベンゾフラン化合物(化合物2)と、をカップリングすることにより、一般
式(G1)で表される複素環化合物を合成することができる。
A synthesis scheme (A) of the heterocyclic compound represented by the general formula (G1) is shown below. As shown in the synthesis scheme (A), the heterocyclic compound represented by the general formula (G1) can be synthesized by coupling a dibenzo[f,h]quinoxaline compound (compound 1) with a benzobisbenzofuran compound (compound 2).

なお、合成スキーム(A)において、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h
]キノキサリニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレ
ン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13
のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す
。また、ArおよびArで表されるアリーレン基が置換基を有する場合、置換基は互
いに結合して環を形成しても良い。
In the synthetic scheme (A), DBq is a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h
]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms,
A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. When the arylene groups represented by Ar 1 and Ar 2 each have a substituent, the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、合成スキーム(A)において、パラジウム触媒を用いた鈴木・宮浦カップリング反
応を行う場合、XおよびXはハロゲン基、ボロン酸基、有機ホウ素基、又はトリフラ
ート基を表し、ハロゲン基としては、ヨウ素又は臭素又は塩素が好ましい。なお、当該反
応では、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)、酢酸パラジウム(II)、
[1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド
、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等のパラジウム化合物と、ト
リ(tert-ブチル)ホスフィン、トリ(n-ヘキシル)ホスフィン、トリシクロヘキ
シルホスフィン、ジ(1-アダマンチル)-n-ブチルホスフィン、2-ジシクロヘキシ
ルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル、トリ(オルト-トリル)ホスフィン
等の配位子を用いることができる。
In addition, in the case of carrying out the Suzuki-Miyaura coupling reaction using a palladium catalyst in the synthesis scheme (A), X1 and X2 represent a halogen group, a boronic acid group, an organic boron group, or a triflate group, and the halogen group is preferably iodine, bromine, or chlorine. In addition, in the reaction, bis(dibenzylideneacetone)palladium(0), palladium acetate(II),
Palladium compounds such as [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]palladium(II) dichloride and tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) and ligands such as tri(tert-butyl)phosphine, tri(n-hexyl)phosphine, tricyclohexylphosphine, di(1-adamantyl)-n-butylphosphine, 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl and tri(ortho-tolyl)phosphine can be used.

また、合成スキーム(A)に示す反応では、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩
基や、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等を用いることができ
る。さらに、溶媒として、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、エタノール、メタノール、水等を用いることができる。但し、用いることができる
試薬類は、上記試薬類に限られるものではない。
In the reaction shown in the synthesis scheme (A), an organic base such as sodium tert-butoxide, or an inorganic base such as potassium carbonate, cesium carbonate, or sodium carbonate can be used. Furthermore, as a solvent, toluene, xylene, benzene, tetrahydrofuran, dioxane, ethanol, methanol, water, or the like can be used. However, the reagents that can be used are not limited to the above-mentioned reagents.

また、合成スキーム(A)における反応は、鈴木・宮浦カップリング反応に限られるもの
ではなく、有機錫化合物を用いた右田・小杉・スティルカップリング反応、グリニヤール
試薬を用いた熊田・玉尾・コリューカップリング反応、有機亜鉛化合物を用いた根岸カッ
プリング反応、銅又は銅化合物を用いた反応等を用いてもよい。
In addition, the reaction in the synthetic scheme (A) is not limited to the Suzuki-Miyaura coupling reaction, and may be, for example, a Migita-Kosugi-Stille coupling reaction using an organotin compound, a Kumada-Tamao-Corleau coupling reaction using a Grignard reagent, a Negishi coupling reaction using an organozinc compound, or a reaction using copper or a copper compound.

合成スキーム(A)において、右田・小杉・スティルカップリング反応を用いる場合、X
およびXはどちらか一方が有機錫基を表し、他方が、ハロゲン基を表す。すなわち、
化合物1及び化合物2のうちどちらか一方が有機錫化合物を表す。
In the synthesis scheme (A), when the Migita-Kosugi-Stille coupling reaction is used, X
Either X1 or X2 represents an organic tin group, and the other represents a halogen group. That is,
Either compound 1 or compound 2 represents an organotin compound.

合成スキーム(A)において、熊田・玉尾・コリューカップリング反応を用いる場合、X
およびXはどちらか一方がハロゲン化マグネシウム基を表し、他方が、ハロゲン基を
表す。すなわち、化合物1及び化合物2のうちどちらか一方がグリニヤール試薬を表す。
In the synthesis scheme (A), when the Kumada-Tamao-Corleau coupling reaction is used, X
Either X1 or X2 represents a magnesium halide group, and the other represents a halogen group. That is, either Compound 1 or Compound 2 represents a Grignard reagent.

合成スキーム(A)において、根岸カップリング反応を用いる場合、XおよびXはど
ちらか一方が有機亜鉛基を表し、他方が、ハロゲン基を表す。すなわち、化合物1及び化
合物2のうちどちらか一方が有機亜鉛化合物を表す。
In the synthesis scheme (A), when the Negishi coupling reaction is used, one of X1 and X2 represents an organic zinc group, and the other represents a halogen group. That is, one of compound 1 and compound 2 represents an organic zinc compound.

なお、本発明の有機化合物(G1)の合成において、合成方法は合成スキーム(A)に限
られるものではない。
In the synthesis of the organic compound (G1) of the present invention, the synthesis method is not limited to the synthesis scheme (A).

以上、本発明の一態様として複素環化合物の合成方法の一例について説明したが、本発明
はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成されたものであっても良い。
Although an example of a method for synthesizing a heterocyclic compound has been described above as one embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto, and the heterocyclic compound may be synthesized by other synthesis methods.

なお、上述した本発明の一態様である複素環化合物は、電子輸送性及び正孔輸送性を有す
るため、発光層のホスト材料として、あるいは電子輸送層、正孔輸送層にも用いることが
できる。また、T1準位の高い材料であることから、燐光を発光する物質(燐光材料)と
組み合わせて、ホスト材料として用いることが好ましい。また、蛍光発光を示すため、そ
れ自体、発光素子の発光物質として使うことも可能である。従って、これらの複素環化合
物を含む発光素子も本発明の一態様に含まれる。
Since the heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention has electron-transporting and hole-transporting properties, it can be used as a host material for a light-emitting layer, or for an electron-transporting layer or a hole-transporting layer. Since the heterocyclic compound has a high T1 level, it is preferable to use the heterocyclic compound as a host material in combination with a substance that emits phosphorescence (phosphorescent material). Since the heterocyclic compound exhibits fluorescent emission, it can be used as a light-emitting substance for a light-emitting element by itself. Therefore, light-emitting elements including these heterocyclic compounds are also included in one embodiment of the present invention.

また、本発明の一態様である複素環化合物を用いることで、発光効率の高い発光素子、発
光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。また、消費電力が低い発光
素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。
By using the heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, or a lighting device with high emission efficiency can be realized. In addition, a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, or a lighting device with low power consumption can be realized.

なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。また、他の実施の形態に
おいて、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定され
ない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されて
いるため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様とし
て、発光素子に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。
また、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子以外のものに適用してもよい。また、
状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子に適用しなくてもよい。
Note that one embodiment of the present invention has been described in this embodiment. In addition, one embodiment of the present invention will be described in another embodiment. However, one embodiment of the present invention is not limited thereto. In other words, since various embodiments of the present invention are described in this embodiment and the other embodiments, one embodiment of the present invention is not limited to a specific embodiment. For example, although an example of application to a light-emitting element has been described as one embodiment of the present invention, one embodiment of the present invention is not limited thereto.
Depending on the situation, one embodiment of the present invention may be applied to devices other than light-emitting elements.
Depending on the situation, one embodiment of the present invention does not necessarily need to be applied to a light-emitting element.

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
The structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について図1を用いて説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a light-emitting element which is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施の形態に示す発光素子は、一対の電極(第1の電極(陽極)101と第2の電極(
陰極)103)間に発光層113を含むEL層102が挟まれており、EL層102は、
発光層113の他に、正孔(または、ホール)注入層111、正孔(または、ホール)輸
送層112、電子輸送層114、電子注入層115などを含んで形成される。
The light-emitting element shown in this embodiment has a pair of electrodes (a first electrode (anode) 101 and a second electrode (
The EL layer 102 including the light-emitting layer 113 is sandwiched between the cathode 103 and the cathode 104. The EL layer 102 is
In addition to the light-emitting layer 113, the light-emitting element 110 includes a hole injection layer 111, a hole transport layer 112, an electron transport layer 114, an electron injection layer 115, and the like.

このような発光素子に対して電圧を印加すると、第1の電極101側から注入された正孔
と第2の電極103側から注入された電子とが、発光層113において再結合し、それに
より生じたエネルギーに起因して、発光層113に含まれる有機金属錯体などの発光物質
が発光する。
When a voltage is applied to such a light-emitting element, holes injected from the first electrode 101 side and electrons injected from the second electrode 103 side recombine in the light-emitting layer 113, and the energy generated thereby causes a light-emitting substance such as an organometallic complex contained in the light-emitting layer 113 to emit light.

なお、EL層102における正孔注入層111は、正孔輸送層112または発光層113
に対して正孔を注入することができる層であり、例えば、正孔輸送性の高い物質とアクセ
プター性物質により形成することができる。この場合、アクセプター性物質によって正孔
輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることにより正孔(ホール)が発生する。従って
、正孔注入層111から正孔輸送層112を介して発光層113に正孔が注入される。な
お、正孔注入層111には、正孔注入性の高い物質を用いることもできる。例えば、モリ
ブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸
化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシ
アニン(CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-(4-ジフェ
ニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’
-ビス{4-[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル
-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミ
ン化合物、或いはポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホ
ン酸)(略称:PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層111を形成す
ることができる。
The hole injection layer 111 in the EL layer 102 is a hole transport layer 112 or a light emitting layer 113.
The hole injection layer 111 is a layer capable of injecting holes into the light-emitting layer 113, and can be formed of, for example, a substance having a high hole transporting property and an acceptor substance. In this case, holes are generated when electrons are extracted from the substance having a high hole transporting property by the acceptor substance. Therefore, holes are injected from the hole injection layer 111 to the light-emitting layer 113 through the hole transport layer 112. Note that a substance having a high hole injection property can also be used for the hole injection layer 111. For example, molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, or the like can be used. In addition, phthalocyanine-based compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (CuPC), 4,4'-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: DPAB), N,N'
The hole injection layer 111 can also be formed from an aromatic amine compound such as N,N'-bis{4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl}-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (abbreviation: DNTPD) or a polymer such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonic acid) (abbreviation: PEDOT/PSS).

以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。 The following describes a specific example of how to fabricate the light-emitting element shown in this embodiment.

第1の電極(陽極)101および第2の電極(陰極)103には、金属、合金、電気伝導
性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウ
ム-酸化スズ(Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した
酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛(Indium Zinc Ox
ide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金(Au)、白金
(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo
)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)
の他、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシ
ウム(Cs)等のアルカリ金属、およびカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等
のアルカリ土類金属、マグネシウム(Mg)、およびこれらを含む合金(MgAg、Al
Li)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを
含む合金、その他グラフェンや酸化グラフェンなどのグラフェン化合物等を用いることが
できる。なお、第1の電極(陽極)101および第2の電極(陰極)103は、例えばス
パッタリング法や蒸着法(真空蒸着法を含む)等により形成することができる。
The first electrode (anode) 101 and the second electrode (cathode) 103 can be made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof. Specifically, indium oxide-tin oxide, indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium oxide-zinc oxide, etc.
ide), indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo
), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), titanium (Ti)
In addition to the above, elements belonging to Group 1 or 2 of the periodic table, namely, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), alkaline earth metals such as calcium (Ca) and strontium (Sr), magnesium (Mg), and alloys containing these (MgAg, Al
Examples of the material that can be used include rare earth metals such as lithium (Li), europium (Eu), and ytterbium (Yb), alloys containing these metals, and graphene compounds such as graphene and graphene oxide. The first electrode (anode) 101 and the second electrode (cathode) 103 can be formed by, for example, a sputtering method or a deposition method (including a vacuum deposition method).

正孔注入層111、および正孔輸送層112に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳
香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、
デンドリマー、ポリマー等)など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には
、1×10-6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。また
、正孔輸送性の高い物質を用いてなる層は、単層だけでなく、二層以上の積層であっても
よい。以下に、正孔輸送性の物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙す
る。
The hole-transporting material having a high hole-transporting property used in the hole-injection layer 111 and the hole-transporting layer 112 may be an aromatic amine compound, a carbazole derivative, an aromatic hydrocarbon, a polymer compound (oligomer,
Various organic compounds such as organic compounds having a hole transporting property (e.g., dendrimer, polymer, etc.) can be used. Specifically, a substance having a hole mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more is preferable. In addition, a layer formed using a substance with high hole transporting property may be not only a single layer but also a laminate of two or more layers. Specific organic compounds that can be used as a substance with hole transporting property are listed below.

例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジ(p-トリル)-N,N’-ジフェ
ニル-p-フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’-ビス[N-(4-ジ
フェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、DN
TPD、1,3,5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルア
ミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フ
ェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα-NPD)やN,N’-ビス(3-メ
チルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミ
ン(略称:TPD)、4,4’,4’’-トリス(カルバゾール-9-イル)トリフェニ
ルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)
トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチ
ルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,
4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ
]ビフェニル(略称:BSPB)等を挙げることができる。
For example, the aromatic amine compound includes N,N'-di(p-tolyl)-N,N'-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DTDPPA), 4,4'-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: DPAB), DN
TPD, 1,3,5-tris[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzene (abbreviation: DPA3B), 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4',4''-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine (abbreviation: TCTA), 4,4',4''-tris(N,N-diphenylamino)
Triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4',4''-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,
Examples of the compound include 4'-bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: BSPB).

また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-(9-フェニルカルバゾー
ル-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPC
A1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルア
ミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチ
ル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾー
ル(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。その他にも、4,4’-ジ(N-
カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾ
リル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9-[4-(10-フェニル-9-アン
トラセニル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、1,4-ビス[4-
(N-カルバゾリル)フェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いる
ことができる。
Specific examples of carbazole derivatives include 3-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPC
A1), 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3-[N-(1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1), etc.
carbazolyl)biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzene (abbreviation: TCPB), 9-[4-(10-phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 1,4-bis[4-
(N-carbazolyl)phenyl]-2,3,5,6-tetraphenylbenzene and the like can be used.

また、芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ(2-ナ
フチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、2-tert-ブチル-9,10-ジ
(1-ナフチル)アントラセン、9,10-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)アント
ラセン(略称:DPPA)、2-tert-ブチル-9,10-ビス(4-フェニルフェ
ニル)アントラセン(略称:t-BuDBA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラ
セン(略称:DNA)、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2
-tert-ブチルアントラセン(略称:t-BuAnth)、9,10-ビス(4-メ
チル-1-ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、2-tert-ブチル-9,1
0-ビス[2-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-(1-
ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ(1
-ナフチル)アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ(2-ナフチ
ル)アントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビ
アントリル、10,10’-ビス(2-フェニルフェニル)-9,9’-ビアントリル、
10,10’-ビス[(2,3,4,5,6-ペンタフェニル)フェニル]-9,9’-
ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テ
トラ(tert-ブチル)ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネ
ン等も用いることができる。このように、1×10-6cm/Vs以上の正孔移動度を
有し、炭素数14から42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。また、芳
香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素
としては、例えば、4,4’-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:D
PVBi)、9,10-ビス[4-(2,2-ジフェニルビニル)フェニル]アントラセ
ン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
Examples of aromatic hydrocarbons include 2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 2-tert-butyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracene, 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene (abbreviation: DPPA), 2-tert-butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracene (abbreviation: t-BuDBA), 9,10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2
-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuAnth), 9,10-bis(4-methyl-1-naphthyl)anthracene (abbreviation: DMNA), 2-tert-butyl-9,1
0-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]anthracene, 9,10-bis[2-(1-
naphthyl)phenyl]anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di(1
-naphthyl)anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene, 9,9'-bianthryl, 10,10'-diphenyl-9,9'-bianthryl, 10,10'-bis(2-phenylphenyl)-9,9'-bianthryl,
10,10'-bis[(2,3,4,5,6-pentaphenyl)phenyl]-9,9'-
Examples of suitable aromatic hydrocarbons include bianthryl, anthracene, tetracene, rubrene, perylene, and 2,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene. In addition, pentacene, coronene, and the like can also be used. In this way, it is more preferable to use aromatic hydrocarbons having a hole mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more and having 14 to 42 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon may have a vinyl skeleton. An example of an aromatic hydrocarbon having a vinyl group is 4,4′-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (abbreviation: D
PVBi), 9,10-bis[4-(2,2-diphenylvinyl)phenyl]anthracene (abbreviation: DPVPA), and the like.

さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4-ビニルトリフェ
ニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニル
アミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](
略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス
(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)等の高分子化合物を用いることも
できる。
Furthermore, poly(N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly(4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamide] (abbreviation:
Alternatively, polymer compounds such as poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] (abbreviation: Poly-TPD) can be used.

また、正孔注入層111、および正孔輸送層112に用いるアクセプター性物質としては
、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(略称
:F-TCNQ)、クロラニル、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-1,4
,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン(HAT-CN)等の電子吸引基(ハロ
ゲン基やシアノ基)を有する化合物を挙げることができる。特に、HAT-CNのように
複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であ
り好ましい。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げる
ことができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、
酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いた
め好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱い
やすいため好ましい。
Acceptor substances used in the hole injection layer 111 and the hole transport layer 112 include 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, 2,3,6,7,10,11-hexacyano-1,4
Examples of the compound include compounds having an electron-withdrawing group (a halogen group or a cyano group), such as 5,8,9,12-hexaazatriphenylene (HAT-CN). In particular, compounds in which an electron-withdrawing group is bonded to a condensed aromatic ring having a plurality of heteroatoms, such as HAT-CN, are thermally stable and preferable. Examples of the compound include oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 of the periodic table. Specific examples include vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide,
Molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferred because they have high electron accepting properties, and among these, molybdenum oxide is particularly preferred because it is stable in the air, has low hygroscopicity, and is easy to handle.

発光層113は、発光物質を含む層である。なお、発光物質としては、蛍光性の発光物質
と燐光性の発光物質とが挙げられる。また、燐光性の発光物質としては、具体的には有機
金属錯体が用いられる。なお、発光層113において、有機金属錯体(ゲスト材料)を用
いる場合には、この有機金属錯体よりも三重項励起エネルギーの大きい物質をホスト材料
として含むことが好ましい。また、発光層113は、発光物質に加えて、発光層113に
おけるキャリア(電子及びホール)の再結合の際に励起錯体(エキサイプレックスとも言
う)を形成することができる組み合わせとなる2種類の有機化合物(上記ホスト材料のい
ずれかであってもよい)を含む構成としてもよい。なお、効率よく励起錯体を形成するた
めには、電子を受け取りやすい化合物(電子輸送性を有する材料)と、正孔を受け取りや
すい化合物(正孔輸送性を有する材料)とを組み合わせることが特に好ましい。このよう
に電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを組み合わせて励起錯体を形成
するホスト材料とする場合、電子輸送性を有する材料及び正孔輸送性を有する材料の混合
比率を調節することで、発光層における正孔と電子のキャリアバランスを最適化すること
が容易となる。発光層における正孔と電子のキャリアバランスを最適化することにより、
発光層中で電子と正孔の再結合が起こる領域が偏ることを抑制できる。再結合が起こる領
域の偏りを抑制することで、発光素子の信頼性を向上させることができる。
The light-emitting layer 113 is a layer including a light-emitting substance. Examples of the light-emitting substance include a fluorescent light-emitting substance and a phosphorescent light-emitting substance. Specifically, an organometallic complex is used as the phosphorescent light-emitting substance. When an organometallic complex (guest material) is used in the light-emitting layer 113, it is preferable to include a substance having a higher triplet excitation energy than the organometallic complex as a host material. In addition to the light-emitting substance, the light-emitting layer 113 may include two types of organic compounds (which may be any of the above host materials) that are combined to form an exciplex (also called an exciplex) when carriers (electrons and holes) in the light-emitting layer 113 are recombined. In order to efficiently form an exciplex, it is particularly preferable to combine a compound that easily receives electrons (a material having electron transport properties) and a compound that easily receives holes (a material having hole transport properties). In this way, when a material having electron transport properties and a material having hole transport properties are combined to form a host material that forms an exciplex, the carrier balance of holes and electrons in the light-emitting layer can be easily optimized by adjusting the mixing ratio of the material having electron transport properties and the material having hole transport properties. By optimizing the carrier balance between holes and electrons in the light-emitting layer,
It is possible to prevent the recombination of electrons and holes from occurring in a biased region in the light-emitting layer, and by preventing the recombination from occurring in a biased region, it is possible to improve the reliability of the light-emitting device.

なお、上記励起錯体を形成する上で用いることが好ましい電子を受け取りやすい化合物(
電子輸送性を有する材料)としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素
芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、ビス(10-ヒドロキシベン
ゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq)、ビス(2-メチル-8
-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq
)、ビス(8-キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2-(2-ベンゾ
オキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベン
ゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体や、2-
(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジ
アゾール(略称:PBD)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-te
rt-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、1,3-ビス[
5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベ
ンゼン(略称:OXD-7)、9-[4-(5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾー
ル-2-イル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CO11)、2,2’,2’’
-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール
)(略称:TPBI)、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]-1-
フェニル-1H-ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBIm-II)などのポリアゾー
ル骨格を有する複素環化合物や、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル
]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-
(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサ
リン(略称:2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-カルバゾール-9-
イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f、h]キノキサリン(略称:2mCzBPD
Bq)、2-[4-(3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]
ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq-III)、7-[3-(ジベ
ンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mD
BTPDBq-II)、及び、6-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]
ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq-II)、4,6-ビス[
3-(フェナントレン-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mPnP2Pm
)、4,6-ビス〔3-(4-ジベンゾチエニル)フェニル〕ピリミジン(略称:4,6
mDBTP2Pm-II)、4,6-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェ
ニル]ピリミジン(略称:4,6mCzP2Pm)などのジアジン骨格を有する複素環化
合物や、2-{4-[3-(N-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-9H-カ
ルバゾール-9-イル]フェニル}-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略
称:PCCzPTzn)などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、3,5-ビス[
3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリジン(略称:35DCzPPy)
、1,3,5-トリ[3-(3-ピリジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmPyPB)
などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格
及びトリアジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼
性が良好であり好ましい。特に、ジアジン(ピリミジンやピラジン)骨格及びトリアジン
骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
In addition, a compound that is easy to accept electrons and is preferably used for forming the above exciplex (
Examples of the electron transporting material include π-electron deficient heteroaromatic compounds such as nitrogen-containing heteroaromatic compounds and metal complexes. Specifically, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium(II) (abbreviation: BeBq 2 ), bis(2-methyl-8
-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum(III) (abbreviation: BAlq
), bis(8-quinolinolato)zinc(II) (abbreviation: Znq), bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnPBO), bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnBTZ), and other metal complexes,
(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD),
rt-butylphenyl)-1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 1,3-bis[
5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzene (abbreviation: OXD-7), 9-[4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CO11), 2,2',2''
-(1,3,5-benzenetriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI), 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1-
Heterocyclic compounds having a polyazole skeleton such as phenyl-1H-benzimidazole (abbreviation: mDBTBIm-II), 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-
(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-carbazole-9-
2mCzBPD
Bq), 2-[4-(3,6-diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]
Dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2CzPDBq-III), 7-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 7mD
BTPDBq-II), and 6-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]
Dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 6mDBTPDBq-II), 4,6-bis[
3-(Phenanthren-9-yl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6mPnP2Pm
), 4,6-bis[3-(4-dibenzothienyl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6
heterocyclic compounds having a diazine skeleton such as 4,6-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6mCzP2Pm-II), 4,6-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6mCzP2Pm), heterocyclic compounds having a triazine skeleton such as 2-{4-[3-(N-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-carbazol-9-yl]phenyl}-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (abbreviation: PCCzPTzn), and 3,5-bis[
3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine (abbreviation: 35DCzPPy)
, 1,3,5-tri[3-(3-pyridyl)phenyl]benzene (abbreviation: TmPyPB)
Among the above, heterocyclic compounds having a diazine skeleton and a triazine skeleton and heterocyclic compounds having a pyridine skeleton are preferred because of their high reliability. In particular, heterocyclic compounds having a diazine (pyrimidine or pyrazine) skeleton and a triazine skeleton have high electron transport properties and contribute to reducing the driving voltage.

また、上記励起錯体を形成するために用いる上で好ましい正孔を受け取りやすい化合物(
正孔輸送性を有する材料)としては、π電子過剰型複素芳香族(例えばカルバゾール誘導
体やインドール誘導体)又は芳香族アミンなどを好適に用いることができる。具体的には
、2-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]スピロ-
9,9’-ビフルオレン(略称:PCASF)、4,4’,4’’-トリス[N-(1-
ナフチル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1’-TNATA)、2
,7-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]-スピロ-
9,9’-ビフルオレン(略称:DPA2SF)、N,N’-ビス(9-フェニルカルバ
ゾール-3-イル)-N,N’-ジフェニルベンゼン-1,3-ジアミン(略称:PCA
2B)、N-(9,9-ジメチル-2-ジフェニルアミノ-9H-フルオレン-7-イル
)ジフェニルアミン(略称:DPNF)、N,N’,N’’-トリフェニル-N,N’,
N’’-トリス(9-フェニルカルバゾール-3-イル)ベンゼン-1,3,5-トリア
ミン(略称:PCA3B)、2-[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニ
ルアミノ]スピロ-9,9’-ビフルオレン(略称:DPASF)、N,N’-ビス[4
-(カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’-ジフェニル-9,9-ジメチルフ
ルオレン-2,7-ジアミン(略称:YGA2F)、NPB、N,N’-ビス(3-メチ
ルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン
(略称:TPD)、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェ
ニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、BSPB、4-フェニル-4’-(9-フ
ェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-フェニ
ル-3’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:mBPA
FLP)、N-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-N-{9,9-ジ
メチル-2-[N’-フェニル-N’-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イ
ル)アミノ]-9H-フルオレン-7-イル}フェニルアミン(略称:DFLADFL)
、PCzPCA1、3-[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ
]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA1)、3,6-ビス[N-(4-ジ
フェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:
PCzDPA2)、DNTPD、3,6-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)
-N-(1-ナフチル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzTPN2)
、PCzPCA2、4-フェニル-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イ
ル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、4,4’-ジフェニル-4’’-(
9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi
1BP)、4-(1-ナフチル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イ
ル)トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4,4’-ジ(1-ナフチル)-4’
’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PC
BNBB)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル
)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、9,9-ジメチル-
N-フェニル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]
フルオレン-2-アミン(略称:PCBAF)、N-フェニル-N-[4-(9-フェニ
ル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-
アミン(略称:PCBASF)、N-(4-ビフェニル)-N-(9,9-ジメチル-9
H-フルオレン-2-イル)-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:
PCBiF)、N-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-
9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2
-アミン(略称:PCBBiF)などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、1,3-ビ
ス(N-カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、CBP、3,6-ビス(3,5-ジ
フェニルフェニル)-9-フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、9-フェニル-9
H-3-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)カルバゾール(略称:PCC
P)などのカルバゾール骨格を有する化合物や、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3
,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称:DBT3P-II)、2,8-ジ
フェニル-4-[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]ジベン
ゾチオフェン(略称:DBTFLP-III)、4-[4-(9-フェニル-9H-フル
オレン-9-イル)フェニル]-6-フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP
-IV)などのチオフェン骨格を有する化合物や、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,
3,5-トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P-II)、4-{3-[
3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]フェニル}ジベンゾフラ
ン(略称:mmDBFFLBi-II)などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。
上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する化合物は
、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好まし
い。
In addition, a compound that is easy to accept holes and is preferable for use in forming the above exciplex (
As the hole transporting material, a π-electron rich heteroaromatic compound (for example, a carbazole derivative or an indole derivative) or an aromatic amine can be suitably used.
9,9'-Bifluorene (abbreviation: PCASF), 4,4',4''-tris[N-(1-
naphthyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: 1'-TNATA), 2
,7-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-spiro-
9,9'-Bifluorene (abbreviation: DPA2SF), N,N'-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,3-diamine (abbreviation: PCA
2B), N-(9,9-dimethyl-2-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl)diphenylamine (abbreviation: DPNF), N,N',N''-triphenyl-N,N',
N''-tris(9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,3,5-triamine (abbreviation: PCA3B), 2-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluorene (abbreviation: DPASF), N,N'-bis[4
-(carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2,7-diamine (abbreviation: YGA2F), NPB, N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: DPAB), BSPB, 4-phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BPAFLP), 4-phenyl-3'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: mBPA
FLP), N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-N-{9,9-dimethyl-2-[N'-phenyl-N'-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino]-9H-fluoren-7-yl}phenylamine (abbreviation: DFLADFL)
, PCzPCA1, 3-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA1), 3,6-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation:
PCzDPA2), DNTPD, 3,6-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)
-N-(1-naphthyl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzTPN2)
, PCzPCA2, 4-phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBA1BP), 4,4'-diphenyl-4''-(
9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBBi
1BP), 4-(1-naphthyl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBANB), 4,4'-di(1-naphthyl)-4'
'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PC
BNBB), 3-[N-(1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1), 9,9-dimethyl-
N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]
Fluorene-2-amine (abbreviation: PCBAF), N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]spiro-9,9'-bifluorene-2-
Amine (abbreviation: PCBASF), N-(4-biphenyl)-N-(9,9-dimethyl-9
H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation:
PCBiF), N-(1,1'-biphenyl-4-yl)-N-[4-(9-phenyl-
9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9,9-dimethyl-9H-fluorene-2
Compounds with aromatic amine skeletons such as PCBBiF, 1,3-bis(N-carbazolyl)benzene (mCP), CBP, 3,6-bis(3,5-diphenylphenyl)-9-phenylcarbazole (CzTP), 9-phenyl-9
H-3-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)carbazole (abbreviation: PCC
P) and other compounds with a carbazole skeleton, such as 4,4',4''-(benzene-1,3
,5-triyl)tri(dibenzothiophene) (abbreviation: DBT3P-II), 2,8-diphenyl-4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP-III), 4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-6-phenyldibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP
-IV) and 4,4',4''-(benzene-1,
3,5-triyl)tri(dibenzofuran) (abbreviation: DBF3P-II), 4-{3-[
Examples of compounds having a furan skeleton include compounds having a furan skeleton such as 3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]phenyl}dibenzofuran (abbreviation: mmDBFFLBi-II).
Among the above, compounds having an aromatic amine skeleton and compounds having a carbazole skeleton are preferable because they have good reliability, high hole transport properties, and contribute to reducing the driving voltage.

なお、発光層113において、上述した有機金属錯体(ゲスト材料)とホスト材料とを含
んで形成することにより、発光層113からは、発光効率の高い燐光発光を得ることがで
きる。
Note that by forming the light-emitting layer 113 so as to contain the above-described organometallic complex (guest material) and a host material, the light-emitting layer 113 can emit phosphorescent light with high luminous efficiency.

また、発光層113は、発光素子において図1(A)に示す単層構造だけに限らず、図1
(B)に示すような2層以上の積層構造であってもよい。但し、この場合には、積層され
た各層からそれぞれの発光が得られる構成とする。例えば、1層目の発光層113(a1
)からは、蛍光発光が得られる構成とし、1層目に積層される2層目の発光層113(a
2)からは燐光発光が得られる構成とすればよい。なお、積層順については、この逆であ
ってもよい。また、燐光発光が得られる層においては、励起錯体からドーパントへのエネ
ルギー移動による発光が得られる構成とするのが好ましい。また、発光色については、一
方の層から得られる発光色と、他方の層から得られる発光色とが同一であっても異なって
いてもよいが、異なっている場合には、例えば、一方の層から青色発光が得られる構成と
し、他方の層からは橙色発光または黄色発光などが得られる構成とすることができる。ま
た、各層において、複数種のドーパントが含まれる構成としてもよい。
In addition, the light-emitting layer 113 is not limited to the single-layer structure shown in FIG.
The light emitting layer 113 may have a laminated structure of two or more layers as shown in FIG. 1B. In this case, however, each of the laminated layers is required to emit light. For example, the first light emitting layer 113 (a1
) is configured to emit fluorescent light, and the second light-emitting layer 113 (a
2) may be configured to emit phosphorescence. The stacking order may be reversed. In addition, in the layer from which phosphorescence is obtained, it is preferable to configure the layer to emit light by energy transfer from the exciplex to the dopant. In addition, the color of the emitted light may be the same or different from the color of the emitted light from one layer, but when they are different, for example, one layer may be configured to emit blue light, and the other layer may be configured to emit orange light or yellow light. In addition, each layer may be configured to contain multiple types of dopants.

なお、発光層113が積層構造を有する場合には、一重項励起エネルギーを発光に変える
発光物質、または三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質等を各々単独または組み
合わせて用いることができる。この場合には、例えば、以下のようなものが挙げられる。
In addition, when the light-emitting layer 113 has a stacked structure, a light-emitting substance that converts singlet excitation energy into light emission, a light-emitting substance that converts triplet excitation energy into light emission, or the like can be used alone or in combination. In this case, for example, the following can be used.

一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質(蛍
光性化合物)が挙げられる。
Examples of luminescent substances that convert singlet excitation energy into luminescence include fluorescent substances (fluorescent compounds).

蛍光を発する物質としては、N,N’-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フ
ェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン(略称:YGA2S)
、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(10-フェニル-9-アントリル)
トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4
’-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAP
PA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル
]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,1
1-テトラ(tert-ブチル)ペリレン(略称:TBP)、4-(10-フェニル-9
-アントリル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニル
アミン(略称:PCBAPA)、N,N’’-(2-tert-ブチルアントラセン-9
,10-ジイルジ-4,1-フェニレン)ビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4
-フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(9
,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(
略称:2PCAPPA)、N-[4-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニ
ル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAP
PA)、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジ
ベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン(略称:DBC1)、ク
マリン30、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9
H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPA)、N-[9,10-ビス(1,1
’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾ
ール-3-アミン(略称:2PCABPhA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アン
トリル)-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DP
APA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル
]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPABP
hA)、9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-N-[4-(9H-カル
バゾール-9-イル)フェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン(略称:2Y
GABPhA)、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン(略称:DPhA
PhA)、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd)
、ルブレン、5,12-ビス(1,1’-ビフェニル-4-イル)-6,11-ジフェニ
ルテトラセン(略称:BPT)、2-(2-{2-[4-(ジメチルアミノ)フェニル]
エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:D
CM1)、2-{2-メチル-6-[2-(2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H
-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プ
ロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフ
ェニル)テトラセン-5,11-ジアミン(略称:p-mPhTD)、7,14-ジフェ
ニル-N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフェニル)アセナフト[1,2-a
]フルオランテン-3,10-ジアミン(略称:p-mPhAFD)、2-{2-イソプ
ロピル-6-[2-(1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-
1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イ
リデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTI)、2-{2-tert-ブチル-6-
[2-(1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-
ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロ
パンジニトリル(略称:DCJTB)、2-(2,6-ビス{2-[4-(ジメチルアミ
ノ)フェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデン)プロパンジニトリル(略称:
BisDCM)、2-{2,6-ビス[2-(8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメ
チル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イ
ル)エテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDC
JTM)などが挙げられる。
The fluorescent substance is N,N'-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylstilbene-4,4'-diamine (abbreviation: YGA2S).
, 4-(9H-carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)
Triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4-(9H-carbazol-9-yl)-4
'-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamine (abbreviation: 2YGAP
PA), N,9-diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), perylene, 2,5,8,1
1-Tetra(tert-butyl)perylene (abbreviation: TBP), 4-(10-phenyl-9
-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), N,N''-(2-tert-butylanthracene-9
,10-diyldi-4,1-phenylene)bis[N,N',N'-triphenyl-1,4
-phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N,9-diphenyl-N-[4-(9
,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (
Abbreviation: 2PAPPA), N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (Abbreviation: 2DPAP)
PA), N,N,N',N',N'',N'',N',N'''-Octaphenyldibenzo[g,p]chrysene-2,7,10,15-tetraamine (abbreviation: DBC1), Coumarin 30, N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9
H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), N-[9,10-bis(1,1
'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCABPhA), N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DP
APA), N-[9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPABP
hA), 9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-phenylanthracen-2-amine (abbreviation: 2Y
GABPhA), N,N,9-triphenylanthracene-9-amine (abbreviation: DPhA
PhA), Coumarin 545T, N,N'-diphenylquinacridone, (abbreviation: DPQd)
, rubrene, 5,12-bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracene (abbreviation: BPT), 2-(2-{2-[4-(dimethylamino)phenyl]
ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile (abbreviation: D
CM1), 2-{2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H
-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCM2), N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine (abbreviation: p-mPhTD), 7,14-diphenyl-N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)acenaphtho[1,2-a
]fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD), 2-{2-isopropyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-
1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCJTI), 2-{2-tert-butyl-6-
[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-
benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCJTB), 2-(2,6-bis{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl}-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile (abbreviation:
BisDCM), 2-{2,6-bis[2-(8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: BisDC
JTM) and others.

三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質(燐
光性化合物)や熱活性化遅延蛍光(TADF)を示すTADF材料(熱活性化遅延蛍光性
化合物)が挙げられる。なお、TADF材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様の
スペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、1×10-6秒以
上、好ましくは1×10-3秒以上である。
Examples of luminescent substances that convert triplet excitation energy into luminescence include substances that emit phosphorescence (phosphorescent compounds) and TADF materials (thermally activated delayed fluorescence compounds) that exhibit thermally activated delayed fluorescence (TADF). Note that the delayed fluorescence in TADF materials refers to luminescence that has a spectrum similar to that of normal fluorescence but has a significantly long lifespan. The lifespan is 1×10 −6 seconds or more, preferably 1×10 −3 seconds or more.

燐光を発する物質としては、ビス{2-[3’,5’-ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:[Ir(C
ppy)(pic)])、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジ
ナト-N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac
)、トリス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppy)
])、ビス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(
略称:[Ir(ppy)(acac)])、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェ
ナントロリン)テルビウム(III)(略称:[Tb(acac)(Phen)])、
ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[
Ir(bzq)(acac)])、ビス(2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト
-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(dpo)
(acac)])、ビス{2-[4’-(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト
-N,C2’}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(p-PF-
ph)(acac)])、ビス(2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’)イリジ
ウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bt)(acac)])、ビス
[2-(2’-ベンゾ[4,5-α]チエニル)ピリジナト-N,C3’]イリジウム(
III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(btp)(acac)])、ビス(1
-フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(
略称:[Ir(piq)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3-ビ
ス(4-フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(F
dpq)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(3,5-ジメチル-2-フ
ェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr-Me)(aca
c)])、(アセチルアセトナト)ビス(5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニル
ピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr-iPr)(acac)
])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)イリジウム
(III)(略称:[Ir(tppr)(acac)])、ビス(2,3,5-トリフ
ェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(t
ppr)(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビス(6-tert-ブチル-4-
フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)(ac
ac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,6-ジフェニルピリミジナト)イリジウ
ム(III)(略称:[Ir(dppm)(acac)])、2,3,7,8,12,
13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金(II)(略称:
PtOEP)、トリス(1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナト)(モノフェナ
ントロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(DBM)(Phen)])、ト
リス[1-(2-テノイル)-3,3,3-トリフルオロアセトナト](モノフェナント
ロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(TTA)(Phen)])などが挙
げられる。
The phosphorescent material is bis{2-[3',5'-bis(trifluoromethyl)phenyl]pyridinato-N,C 2' }iridium(III) picolinate (abbreviation: [Ir(C
F 3 ppy) 2 (pic)]), bis[2-(4',6'-difluorophenyl)pyridinato-N,C 2 ' ]iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: FIracac
), tris(2-phenylpyridinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(ppy)
3 ]), bis(2-phenylpyridinato)iridium(III) acetylacetonate (
abbreviation: [Ir(ppy) 2 (acac)]), tris(acetylacetonato)(monophenanthroline)terbium(III) (abbreviation: [Tb(acac) 3 (Phen)]),
Bis(benzo[h]quinolinato)iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [
Ir(bzq) 2 (acac)]), bis(2,4-diphenyl-1,3-oxazolato-N,C 2′ )iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(dpo) 2
(acac)]), bis{2-[4'-(perfluorophenyl)phenyl]pyridinato-N,C 2' }iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(p-PF-
bis( 2 -phenylbenzothiazolato-N,C 2′ )iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(bt) 2 (acac)]), bis[2-(2′-benzo[4,5-α]thienyl)pyridinato-N,C 3′ ]iridium (
III) Acetylacetonate (abbreviation: [Ir(btp) 2 (acac)]), bis(1
-phenylisoquinolinato-N,C 2' )iridium(III) acetylacetonate (
abbreviation: [Ir(piq) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxalinato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(F
(acetylacetonato)bis(3,5 -dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(mppr-Me) 2 ( acac)])
c)]), (acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(mppr-iPr) 2 (acac)
]), (acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(tppr) 2 (acac)]), bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(t
ppr) 2 (dpm)]), (acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-
Phenylpyrimidinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(tBuppm) 2 (ac
ac)]), (acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(dppm) 2 (acac)]), 2,3,7,8,12,
13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum(II) (abbreviation:
PtOEP), tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)(monophenanthroline)europium(III) (abbreviation: [Eu(DBM) 3 (Phen)]), tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoroacetonato](monophenanthroline)europium(III) (abbreviation: [Eu(TTA) 3 (Phen)]), and the like.

また、TADF材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアク
リジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、
カドミウム(Cd)、スズ(Sn)、白金(Pt)、インジウム(In)、もしくはパラ
ジウム(Pd)等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンと
しては、例えば、プロトポルフィリン-フッ化スズ錯体(略称:SnF(Proto
IX))、メソポルフィリン-フッ化スズ錯体(略称:SnF(Meso IX))、
ヘマトポルフィリン-フッ化スズ錯体(略称:SnF(Hemato IX))、コプ
ロポルフィリンテトラメチルエステル-フッ化スズ錯体(略称:SnF(Copro
III-4Me))、オクタエチルポルフィリン-フッ化スズ錯体(略称:SnF(O
EP))、エチオポルフィリン-フッ化スズ錯体(略称:SnF(Etio I))、
オクタエチルポルフィリン-塩化白金錯体(略称:PtClOEP)等が挙げられる。
さらに、2-(ビフェニル-4-イル)-4,6-ビス(12-フェニルインドロ[2,
3-a]カルバゾール-11-イル)-1,3,5-トリアジン(略称:PIC-TRZ
)等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用い
ることもできる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合
した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプタ
ー性が共に強くなり、S1とT1のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
Examples of TADF materials include fullerene and its derivatives, acridine derivatives such as proflavine, and eosin.
Examples of the metal-containing porphyrin include metal-containing porphyrins containing cadmium (Cd), tin (Sn), platinum (Pt), indium (In), palladium (Pd), etc. Examples of the metal-containing porphyrin include protoporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Protoporphyrin-tin fluoride complex)).
IX)), mesoporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Meso IX)),
Hematoporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Hemato IX)), coproporphyrin tetramethyl ester-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Copro
III-4Me), octaethylporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (O
EP), etioporphyrin-tin fluoride complex (abbreviation: SnF 2 (Etio I)),
Octaethylporphyrin-platinum chloride complex (abbreviation: PtCl 2 OEP) is an example.
Furthermore, 2-(biphenyl-4-yl)-4,6-bis(12-phenylindolo[2,
3-a]carbazol-11-yl)-1,3,5-triazine (abbreviation: PIC-TRZ
It is also possible to use a heterocyclic compound having a π-electron rich heteroaromatic ring and a π-electron deficient heteroaromatic ring, such as the above-mentioned heterocyclic compounds. Note that a substance in which a π-electron rich heteroaromatic ring and a π-electron deficient heteroaromatic ring are directly bonded is particularly preferred, since the donor property of the π-electron rich heteroaromatic ring and the acceptor property of the π-electron deficient heteroaromatic ring are both strong, and the energy difference between S1 and T1 is small.

電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質(電子輸送性化合物ともいう)を含む層であ
る。電子輸送層114には、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq
)、トリス(4-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、Be
Bq、BAlq、ビス[2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(
略称:Zn(BOX))、ビス[2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]
亜鉛(略称:Zn(BTZ))などの金属錯体を用いることができる。また、PBD、
OXD-7、TAZ、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-(4-エチルフェニ
ル)-5-(4-ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:p-EtTAZ)
、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4
,4’-ビス(5-メチルベンゾオキサゾール-2-イル)スチルベン(略称:BzOs
)などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5-ピリジンジイル
)(略称:PPy)、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル)-co
-(ピリジン-3,5-ジイル)](略称:PF-Py)、ポリ[(9,9-ジオクチル
フルオレン-2,7-ジイル)-co-(2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル)]
(略称:PF-BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質
は、主に1×10-6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よ
りも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層114として用いて
もよい。
The electron transport layer 114 is a layer containing a substance having a high electron transporting property (also called an electron transporting compound).
), tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum (abbreviation: Almq 3 ), Be
Bq 2 , BAlq, bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzoxazolato]zinc (
Abbreviation: Zn(BOX) 2 ), bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]
A metal complex such as zinc (abbreviation: Zn(BTZ) 2 ) can be used.
OXD-7, TAZ, 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ)
, Bathophenanthroline (abbreviation: Bphen), Bathocuproine (abbreviation: BCP), 4
, 4'-bis(5-methylbenzoxazol-2-yl)stilbene (abbreviation: BzOs
Heteroaromatic compounds such as poly(2,5-pyridinediyl) (abbreviation: PPy), poly[(9,9-dihexylfluorene-2,7-diyl)-co
-(pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF-Py), poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(2,2'-bipyridine-6,6'-diyl)]
A polymer compound such as PF-BPy (abbreviation) can also be used. The substances described here are mainly substances having an electron mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more. Note that substances other than those described above may also be used for the electron transport layer 114 as long as they have a higher electron transport property than a hole transport property.

また、電子輸送層114は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が2層以上積層
された構造としてもよい。
The electron transport layer 114 may have not only a single layer structure, but also a stacked structure of two or more layers made of the above substances.

電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層115には、フ
ッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)、
リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれら
の化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF)のような希土類金
属化合物を用いることができる。また、電子注入層115にエレクトライドを用いてもよ
い。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子
を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層114を構成する物質
を用いることもできる。
The electron injection layer 115 is a layer containing a substance having a high electron injection property. The electron injection layer 115 may contain any of a variety of substances, including lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ),
Alkali metals such as lithium oxide (LiOx), alkaline earth metals, or compounds thereof can be used. Rare earth metal compounds such as erbium fluoride (ErF 3 ) can also be used. Electrides may also be used for the electron injection layer 115. Examples of the electrides include a substance in which electrons are highly concentrated in a mixed oxide of calcium and aluminum. The above-mentioned substances constituting the electron transport layer 114 can also be used.

また、電子注入層115に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材
料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生
するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、
発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電
子輸送層114を構成する物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる
。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的に
は、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マ
グネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ
金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、
バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いるこ
ともできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いること
もできる。
Alternatively, a composite material obtained by mixing an organic compound and an electron donor (donor) may be used for the electron injection layer 115. Such a composite material has excellent electron injection and electron transport properties because electrons are generated in the organic compound by the electron donor. In this case, the organic compound may be:
A material having excellent transport properties for the generated electrons is preferable, and specifically, for example, the above-mentioned substances constituting the electron transport layer 114 (metal complexes, heteroaromatic compounds, etc.) can be used. The electron donor may be any substance that exhibits electron donating properties to the organic compound. Specifically, alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth metals are preferable, and examples thereof include lithium, cesium, magnesium, calcium, erbium, and ytterbium. In addition, alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides are preferable, and examples thereof include lithium oxide, calcium oxide,
Examples of the suitable organic compounds include barium oxide, magnesium oxide, and other Lewis bases, and tetrathiafulvalene (TTF) and other organic compounds.

なお、上述した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114
、電子注入層115は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、印刷法(例えば、凸版
印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等)、インクジェット法
、塗布法等の方法を単独または組み合わせて用いて形成することができる。また、上述し
た、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、及び電子
注入層115には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高分子化合物
(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いてもよい。
The hole injection layer 111, the hole transport layer 112, the light emitting layer 113, and the electron transport layer 114
and the electron injection layer 115 can be formed by using a method such as a vapor deposition method (including a vacuum deposition method), a printing method (e.g., letterpress printing, intaglio printing, gravure printing, lithographic printing, stencil printing, etc.), an inkjet method, a coating method, etc., either alone or in combination. In addition to the above-mentioned materials, the hole injection layer 111, the hole transport layer 112, the light-emitting layer 113, the electron transport layer 114, and the electron injection layer 115 may be formed by using an inorganic compound such as a quantum dot or a polymer compound (oligomer, dendrimer, polymer, etc.).

以上により、一対の電極間にEL層を挟んでなる発光素子を作製することができる。 By doing the above, a light-emitting element can be fabricated in which an EL layer is sandwiched between a pair of electrodes.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができるものとする。
Note that the structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiments.

(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様であり、EL層を複数有する構造の発光素子(以下、
タンデム型発光素子という)について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a light-emitting element having a structure including a plurality of EL layers (hereinafter,
The tandem light emitting device (hereinafter referred to as a tandem light emitting device) will be described.

本実施の形態に示す発光素子は、図2(A)に示すように一対の電極(第1の電極201
および第2の電極204)間に、電荷発生層205を介して複数のEL層(第1のEL層
202(1)、第2のEL層202(2))を有するタンデム型発光素子である。
The light-emitting element shown in this embodiment has a pair of electrodes (first electrode 201) as shown in FIG.
The light emitting element is a tandem type light emitting element having a plurality of EL layers (first EL layer 202(1), second EL layer 202(2)) between a first electrode 202(1) and a second electrode 204) with a charge generating layer 205 interposed therebetween.

本実施の形態において、第1の電極201は、陽極として機能する電極であり、第2の電
極204は陰極として機能する電極である。なお、第1の電極201および第2の電極2
04は、実施の形態2と同様な構成を用いることができる。また、複数のEL層(第1の
EL層202(1)、第2のEL層202(2))は、実施の形態2で示したEL層と両
方とも同様な構成であっても良いが、いずれか一方が同様の構成であっても良い。すなわ
ち、第1のEL層202(1)と第2のEL層202(2)は、同じ構成であっても異な
る構成であってもよく、同じ構成である場合は、実施の形態2を適用することができる。
In this embodiment, the first electrode 201 functions as an anode, and the second electrode 204 functions as a cathode.
EL layer 202(1) and second EL layer 202(2) may have the same structure as that of the EL layer shown in Embodiment 2. In addition, the multiple EL layers (first EL layer 202(1) and second EL layer 202(2)) may both have the same structure as the EL layer shown in Embodiment 2, or either one of them may have the same structure. In other words, the first EL layer 202(1) and the second EL layer 202(2) may have the same structure or different structures, and when they have the same structure, the embodiment 2 can be applied.

また、複数のEL層(第1のEL層202(1)、第2のEL層202(2))の間に設
けられている電荷発生層205は、第1の電極201と第2の電極204に電圧を印加し
たときに、一方のEL層に電子を注入し、他方のEL層に正孔を注入する機能を有する。
本実施の形態の場合には、第1の電極201に第2の電極204よりも電位が高くなるよ
うに電圧を印加すると、電荷発生層205から第1のEL層202(1)に電子が注入さ
れ、第2のEL層202(2)に正孔が注入される。
In addition, the charge generation layer 205 provided between the multiple EL layers (the first EL layer 202(1), the second EL layer 202(2)) has a function of injecting electrons into one EL layer and injecting holes into the other EL layer when a voltage is applied between the first electrode 201 and the second electrode 204.
In this embodiment, when a voltage is applied to the first electrode 201 so that the first electrode 201 has a higher potential than the second electrode 204, electrons are injected from the charge generation layer 205 into the first EL layer 202(1), and holes are injected into the second EL layer 202(2).

なお、電荷発生層205は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する
(具体的には、電荷発生層205の可視光の透過率が、40%以上)ことが好ましい。ま
た、電荷発生層205は、第1の電極201や第2の電極204よりも低い導電率であっ
ても機能する。
From the viewpoint of light extraction efficiency, the charge generation layer 205 preferably has a translucency to visible light (specifically, the visible light transmittance of the charge generation layer 205 is 40% or more). The charge generation layer 205 functions even if it has a lower electrical conductivity than the first electrode 201 and the second electrode 204.

電荷発生層205は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体(アクセプター)が添加
された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体(ドナー)が添加され
た構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
The charge generation layer 205 may be a structure in which an electron acceptor is added to an organic compound having a high hole transporting property, or a structure in which an electron donor is added to an organic compound having a high electron transporting property, or a structure in which both of these structures are laminated.

正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸
送性の高い有機化合物としては、実施の形態2で正孔注入層111、および正孔輸送層1
12に用いる正孔輸送性の高い物質として示した物質を用いることができる。例えば、N
PBやTPD、TDATA、MTDATA、BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用い
ることができる。ここに述べた物質は、主に1×10-6cm/Vs以上の正孔移動度
を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以
外の物質を用いても構わない。
In the case where an electron acceptor is added to an organic compound having a high hole transporting property, the organic compound having a high hole transporting property is the same as that used in the hole injection layer 111 and the hole transport layer 1 in the embodiment 2.
The material shown in 12 as a material with high hole transport properties can be used. For example, N
An aromatic amine compound such as PB, TPD, TDATA, MTDATA, or BSPB can be used. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more. However, substances other than those described above may be used as long as they are organic compounds that have a higher hole transporting property than electron transporting properties.

また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフ
ルオロキノジメタン(略称:F-TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。ま
た元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具
体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、
酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中で
も特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好まし
い。
Examples of the electron acceptor include 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, etc. Examples of the oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 of the periodic table include vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide,
Tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferred because they have high electron accepting properties, and molybdenum oxide is particularly preferred because it is stable in the air, has low hygroscopicity, and is easy to handle.

一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、
電子輸送性の高い有機化合物としては、実施の形態2で電子輸送層114に用いる電子輸
送性の高い物質として示した物質を用いることができる。例えば、Alq、Almq
BeBq、BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等
を用いることができる。また、この他、Zn(BOX)、Zn(BTZ)などのオキ
サゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、
金属錯体以外にも、PBDやOXD-7、TAZ、Bphen、BCPなども用いること
ができる。ここに述べた物質は、主に1×10-6cm/Vs以上の電子移動度を有す
る物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物
質を用いても構わない。
On the other hand, in the case where an electron donor is added to an organic compound having high electron transport properties,
As the organic compound with a high electron-transporting property, the substance described in Embodiment 2 as the substance with a high electron-transporting property used for the electron-transporting layer 114 can be used. For example, Alq, Almq
Metal complexes having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as BeBq2 and BAlq, can be used. In addition, metal complexes having an oxazole or thiazole ligand, such as Zn(BOX) 2 and Zn(BTZ) 2 , can also be used.
Other than metal complexes, PBD, OXD-7, TAZ, Bphen, BCP, etc. can also be used. The substances described here are mainly substances having an electron mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more. Note that substances other than those described above may also be used as long as they are organic compounds that have a higher electron transporting property than holes.

また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属また
は元素周期表における第2、第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いるこ
とができる。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)
、カルシウム(Ca)、イッテルビウム(Yb)、インジウム(In)、酸化リチウム、
炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化
合物を電子供与体として用いてもよい。
As the electron donor, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, or a metal belonging to Groups 2 and 13 of the periodic table, or an oxide or carbonate thereof can be used. Specifically, lithium (Li), cesium (Cs), magnesium (Mg),
, calcium (Ca), ytterbium (Yb), indium (In), lithium oxide,
It is preferable to use cesium carbonate, etc. Also, an organic compound such as tetrathianaphthacene may be used as the electron donor.

なお、上述した材料を用いて電荷発生層205を形成することにより、EL層が積層され
た場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。また、電荷発生層205の形成
方法としては、蒸着法(真空蒸着法を含む)、印刷法(例えば、凸版印刷法、凹版印刷法
、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等)、インクジェット法、塗布法等の方法を
単独または組み合わせて用いて形成することができる。
By forming the charge generating layer 205 using the above-mentioned material, it is possible to suppress an increase in driving voltage when an EL layer is laminated. The charge generating layer 205 can be formed by using a deposition method (including a vacuum deposition method), a printing method (e.g., a letterpress printing method, an intaglio printing method, a gravure printing method, a lithographic printing method, a stencil printing method, etc.), an inkjet method, a coating method, etc., either alone or in combination.

本実施の形態では、EL層を2層有する発光素子について説明したが、図2(B)に示す
ように、n層(ただし、nは、3以上)のEL層(202(1)~202(n))を積層
した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素
子のように、一対の電極間に複数のEL層を有する場合、EL層とEL層との間にそれぞ
れ電荷発生層(205(1)~205(n-1))を配置することで、電流密度を低く保
ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を
実現できる。
In this embodiment, a light-emitting element having two EL layers has been described; however, as shown in FIG. 2B, the present invention can be similarly applied to a light-emitting element having n (n is 3 or more) stacked EL layers (202(1) to 202(n)). When a plurality of EL layers are provided between a pair of electrodes as in the light-emitting element according to this embodiment, a charge generation layer (205(1) to 205(n-1)) is provided between the EL layers, respectively, to enable light emission in a high luminance region while maintaining a low current density. Since the current density can be maintained low, a long-life element can be realized.

また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合する
と無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色の光を互いに混合する
と、白色発光を得ることができる。具体的には、第1のEL層から青色発光が得られ、第
2のEL層から黄色発光または橙色発光が得られる組み合わせが挙げられる。この場合、
青色発光と黄色発光(または橙色発光)が両方とも同じ蛍光発光、または燐光発光である
必要はなく、青色発光が蛍光発光であり、黄色発光(または橙色発光)が燐光発光である
組み合わせや、その逆の組み合わせとしてもよい。
In addition, by making the luminescent color of each EL layer different, it is possible to obtain luminescence of a desired color as a whole light-emitting element. For example, in a light-emitting element having two EL layers,
It is also possible to obtain a light-emitting element that emits white light as a whole by making the emission color of the first EL layer and the emission color of the second EL layer complementary to each other. Note that complementary colors refer to a relationship between colors that become achromatic when mixed. In other words, white light emission can be obtained by mixing lights of complementary colors. Specifically, a combination in which blue light emission is obtained from the first EL layer and yellow or orange light emission is obtained from the second EL layer can be given. In this case,
The blue emission and the yellow emission (or the orange emission) do not need to both be the same fluorescent emission or phosphorescent emission. The blue emission may be fluorescent and the yellow emission (or the orange emission) may be phosphorescent, or vice versa.

また、3つのEL層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1のEL層の発
光色が赤色であり、第2のEL層の発光色が緑色であり、第3のEL層の発光色が青色で
ある場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
The same is true for a light-emitting element having three EL layers. For example, when the emission color of the first EL layer is red, the emission color of the second EL layer is green, and the emission color of the third EL layer is blue, the light-emitting element as a whole can emit white light.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
Note that the structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a light-emitting device which is one embodiment of the present invention will be described.

なお、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の
発光装置でもよい。また、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発
光素子を適用することが可能である。
The light-emitting device may be a passive matrix light-emitting device or an active matrix light-emitting device. The light-emitting element described in any of the other embodiments can be applied to the light-emitting device shown in this embodiment.

本実施の形態では、まずアクティブマトリクス型の発光装置について図3を用いて説明す
る。
In this embodiment mode, an active matrix light emitting device will be described with reference to FIG.

なお、図3(A)は発光装置を示す上面図であり、図3(B)は図3(A)を鎖線A-A
’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板301上に
設けられた画素部302と、駆動回路部(ソース線駆動回路)303と、駆動回路部(ゲ
ート線駆動回路)304(304a及び304b)と、を有する。画素部302、駆動回
路部303、及び駆動回路部304a及び304bは、シール材305によって、素子基
板301と封止基板306との間に封止されている。
3A is a top view showing a light emitting device, and FIG. 3B is a top view showing a light emitting device taken along a dashed line A-A in FIG.
1 is a cross-sectional view taken along the line 100 of FIG. 1A. The active matrix light-emitting device has a pixel portion 302, a driver circuit portion (source line driver circuit) 303, and a driver circuit portion (gate line driver circuit) 304 (304a and 304b), which are provided on an element substrate 301. The pixel portion 302, the driver circuit portion 303, and the driver circuit portions 304a and 304b are sealed between the element substrate 301 and a sealing substrate 306 by a sealant 305.

また、素子基板301上には、駆動回路部303、及び駆動回路部304に外部からの信
号(例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等)や電位を
伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線307が設けられる。ここでは、外
部入力端子としてFPC(フレキシブルプリントサーキット)308を設ける例を示して
いる。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板
(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体
だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
In addition, on the element substrate 301, there are provided wiring 307 for connecting an external input terminal for transmitting signals (e.g., video signals, clock signals, start signals, reset signals, etc.) and potentials from the outside to the driving circuit section 303 and the driving circuit section 304. Here, an example is shown in which an FPC (flexible printed circuit) 308 is provided as the external input terminal. Note that, although only an FPC is shown here, a printed wiring board (PWB) may be attached to this FPC. In this specification, the light-emitting device includes not only the light-emitting device itself, but also a state in which an FPC or a PWB is attached to it.

次に、断面構造について図3(B)を用いて説明する。素子基板301上には駆動回路部
及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部303と
、画素部302が示されている。
Next, the cross-sectional structure will be described with reference to Fig. 3B. A driver circuit portion and a pixel portion are formed on an element substrate 301, and here, a driver circuit portion 303 which is a source line driver circuit, and a pixel portion 302 are shown.

駆動回路部303はFET309とFET310とを組み合わせた構成について例示して
いる。なお、駆動回路部303は、単極性(N型またはP型のいずれか一方のみ)のトラ
ンジスタを含む回路で形成されても良いし、N型のトランジスタとP型のトランジスタを
含むCMOS回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形
成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動
回路を形成することもできる。
The driving circuit unit 303 is exemplified by a configuration in which a FET 309 and a FET 310 are combined. The driving circuit unit 303 may be formed of a circuit including transistors of a single polarity (either N-type or P-type only), or may be formed of a CMOS circuit including N-type transistors and P-type transistors. In addition, although a driver-integrated type in which a driving circuit is formed on a substrate is shown in this embodiment, this is not necessarily required, and the driving circuit may be formed externally instead of on the substrate.

また、画素部302はスイッチング用FET(図示せず)と、電流制御用FET312と
を有し、電流制御用FET312の配線(ソース電極又はドレイン電極)は、発光素子3
17aおよび発光素子317bの第1の電極(陽極)(313a、313b)と電気的に
接続されている。また、本実施の形態においては、画素部302に2つのFET(スイッ
チング用FET、電流制御用FET312)を用いて構成する例について示したが、これ
に限定されない。例えば、3つ以上のFETと、容量素子とを組み合わせる構成としても
よい。
The pixel section 302 also has a switching FET (not shown) and a current control FET 312. The wiring (source electrode or drain electrode) of the current control FET 312 is connected to the light emitting element 3.
The pixel portion 302 is electrically connected to the first electrodes (anodes) (313a, 313b) of the light-emitting element 317a and the light-emitting element 317b. In this embodiment, the pixel portion 302 is configured using two FETs (a switching FET and a current control FET 312), but the present invention is not limited to this. For example, a configuration in which three or more FETs are combined with a capacitance element may be used.

FET309、310、312としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタ
を適用することができる。FET309、310、312に用いることのできる半導体材
料としては、例えば、13族半導体、14族(ケイ素等)半導体、化合物半導体、酸化物
半導体、有機半導体を用いることができる。また、該半導体材料の結晶性については、特
に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜を用いることができる。
特に、FET309、310、312としては、酸化物半導体を用いると好ましい。なお
、酸化物半導体としては、例えば、In-Ga酸化物、In-M-Zn酸化物(Mは、A
l、Ga、Y、Zr、La、Ce、HfまたはNd)等が挙げられる。FET309、3
10、312として、例えば、エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV
以上、さらに好ましくは3eV以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタの
オフ電流を低減することができる。
For example, staggered or inverted staggered transistors can be used as the FETs 309, 310, and 312. For example, group 13 semiconductors, group 14 (silicon, etc.) semiconductors, compound semiconductors, oxide semiconductors, and organic semiconductors can be used as the semiconductor materials for the FETs 309, 310, and 312. The crystallinity of the semiconductor materials is not particularly limited, and for example, an amorphous semiconductor film or a crystalline semiconductor film can be used.
In particular, it is preferable to use an oxide semiconductor for the FETs 309, 310, and 312. Note that, as the oxide semiconductor, for example, In-Ga oxide, In-M-Zn oxide (M is A
FET 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318, 319, 320, 321, 322, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 329, 330, 331, 332, 333,
10, 312, for example, an energy gap of 2 eV or more, preferably 2.5 eV
By using an oxide semiconductor material having a voltage of 3 eV or more, more preferably 3 eV or more, the off-state current of a transistor can be reduced.

また、第1の電極(313a、313b)には、光学調整のための導電膜(320a、3
20b)を積層した構造を含む。例えば、図3(B)に示すように発光素子317aと発
光素子317bとで取り出す光の波長が異なる場合には、導電膜320aと導電膜320
bとの膜厚は異なる。また、第1の電極(313a、313b)の端部を覆って絶縁物3
14が形成されている。ここでは、絶縁物314として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を
用いることにより形成する。また、本実施の形態においては、第1の電極(313a、3
13b)を陽極として用いる。
In addition, the first electrodes (313a, 313b) are provided with conductive films (320a, 320b) for optical adjustment.
For example, when the wavelengths of light extracted by the light-emitting element 317a and the light-emitting element 317b are different from each other as shown in FIG.
The thickness of the first electrodes (313a, 313b) is different from that of the second electrodes (313a, 313b).
Here, the insulator 314 is formed by using a positive type photosensitive acrylic resin.
13b) is used as the anode.

また、絶縁物314の上端部または下端部に曲率を有する曲面を形成するのが好ましい。
絶縁物314の形状を上記のように形成することで、絶縁物314の上層に形成される膜
の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、絶縁物314の材料として、ネガ型
の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物
に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用
することができる。
It is also preferable to form a curved surface having a curvature at the upper end or lower end of the insulator 314 .
Forming the shape of the insulator 314 as described above can improve the coverage of a film formed on the insulator 314. For example, either a negative type photosensitive resin or a positive type photosensitive resin can be used as the material of the insulator 314, and not limited to an organic compound, an inorganic compound such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride can be used.

第1の電極(313a、313b)上には、EL層315及び第2の電極316が積層形
成される。EL層315は、少なくとも発光層が設けられており、第1の電極(313a
、313b)、EL層315及び第2の電極316からなる発光素子(317a、317
b)は、EL層315の端部が、第2の電極316で覆われた構造を有する。また、EL
層315の構成については、実施の形態2や実施の形態3に示す単層構造または積層構造
と同様であっても異なっていてもよい。さらに、発光素子ごとに異なっていてもよい。
An EL layer 315 and a second electrode 316 are stacked on the first electrodes (313a and 313b). The EL layer 315 includes at least a light-emitting layer.
313b), an EL layer 315, and a light-emitting element (317a, 317b) including a second electrode 316
In the example shown in FIG. 1B, the end of the EL layer 315 is covered with a second electrode 316.
The structure of the layer 315 may be the same as or different from the single layer structure or stacked layer structure shown in Embodiment 2 or 3. Furthermore, the structure may be different for each light-emitting element.

なお、第1の電極313、EL層315及び第2の電極316に用いる材料としては、実
施の形態2に示す材料を用いることができる。また、発光素子(317a、317b)の
第1の電極(313a、313b)は、領域321において、引き回し配線307と電気
的に接続されFPC308を介して外部信号が入力される。さらに、発光素子(317a
、317b)の第2の電極316は、領域322において、引き回し配線323と電気的
に接続され、ここでは図示しないが、FPC308を介して外部信号が入力される。
Note that the materials used for the first electrode 313, the EL layer 315, and the second electrode 316 can be the materials described in Embodiment 2. In addition, the first electrodes (313a, 313b) of the light-emitting elements (317a, 317b) are electrically connected to the lead wiring 307 in the region 321, and an external signal is input through the FPC 308.
, 317b) is electrically connected to a lead wiring 323 in a region 322, and an external signal is input via an FPC 308 (not shown).

また、図3(B)に示す断面図では発光素子317を2つのみ図示しているが、画素部3
02において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。すなわち、
画素部302には、2種類(例えば(B、Y))の発光が得られる発光素子だけでなく、
3種類(例えば(R、G、B))の発光が得られる発光素子や、4種類(例えば(R、G
、B、Y)または(R、G、B、W)等)の発光が得られる発光素子等をそれぞれ形成し
、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。なお、この時の発光層の形成
には、発光素子の発光色などに応じて異なる材料を用いた発光層を形成(いわゆる塗り分
け形成)してもよいし、複数の発光素子が同じ材料を用いて形成された共通の発光層を有
し、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー化を実現させてもよい。この
ように数種類の発光が得られる発光素子を組み合わせることにより、色純度の向上、消費
電力の低減等の効果が得ることができる。さらに、量子ドットとの組み合わせにより発光
効率を向上させ、消費電力を低減させた発光装置としてもよい。
In addition, although only two light emitting elements 317 are shown in the cross-sectional view shown in FIG.
02, a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix.
The pixel unit 302 includes not only a light emitting element that can emit two types of light (for example, (B, Y)), but also
Light-emitting elements that emit three types of light (e.g., (R, G, B)) or four types of light (e.g., (R, G
A light-emitting device capable of full-color display can be formed by forming light-emitting elements that can emit light of (R, B, Y) or (R, G, B, W), etc., respectively. In addition, the light-emitting layer may be formed by using different materials according to the color of the light emitted by the light-emitting element (so-called color-coded formation), or a plurality of light-emitting elements may have a common light-emitting layer formed of the same material, and may be combined with a color filter to realize full color. In this way, by combining light-emitting elements that can emit several types of light, it is possible to obtain effects such as improved color purity and reduced power consumption. Furthermore, a light-emitting device that improves luminous efficiency and reduces power consumption by combining with quantum dots may be obtained.

さらに、シール材305で封止基板306を素子基板301と貼り合わせることにより、
素子基板301、封止基板306、およびシール材305で囲まれた空間318に発光素
子317a、317bが備えられた構造になっている。
Furthermore, a sealing substrate 306 is bonded to the element substrate 301 with a sealing material 305,
The structure is such that light emitting elements 317 a and 317 b are provided in a space 318 surrounded by an element substrate 301 , a sealing substrate 306 , and a sealant 305 .

また、封止基板306には、有色層(カラーフィルタ)324が設けられており、隣り合
う有色層の間には、黒色層(ブラックマトリクス)325が設けられている。なお、黒色
層(ブラックマトリクス)325と一部重なるように隣り合う有色層(カラーフィルタ)
324の一方または両方が設けられていてもよい。なお、発光素子317a、317bで
得られた発光は、有色層(カラーフィルタ)324を介して外部に取り出される。
Further, the sealing substrate 306 is provided with colored layers (color filters) 324, and a black layer (black matrix) 325 is provided between adjacent colored layers. Note that the colored layers (color filters) 324 are provided so as to overlap with the black layer (black matrix) 325.
Light emitted from the light emitting elements 317a and 317b is extracted to the outside via the color layer (color filter) 324.

なお、空間318には、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール
材305で充填される構成も含むものとする。また、シール材を塗布して貼り合わせる場
合には、UV処理や熱処理等のいずれか、またはこれらを組み合わせて行うのが好ましい
In addition to the case where the space 318 is filled with an inert gas (nitrogen, argon, or the like), the space 318 may also be filled with the sealant 305. When applying the sealant and bonding the components, it is preferable to perform either a UV treatment or a heat treatment, or a combination of these.

また、シール材305にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また
、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、
封止基板306に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber-R
einforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材として
ガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板301及び封止基板306
はガラス基板であることが好ましい。
It is preferable to use epoxy resin or glass frit for the sealing material 305. It is also preferable that these materials are as impermeable to moisture and oxygen as possible.
Materials used for the sealing substrate 306 include glass substrates, quartz substrates, and FRP (Fiber-Reinforced Plastics).
In the case where glass frit is used as the sealing material, the element substrate 301 and the sealing substrate 306 may be made of a plastic material such as polyvinyl fluoride (PVF), polyester, or acrylic.
is preferably a glass substrate.

なお、発光素子と電気的に接続されるFETの構造は、図3(B)とはゲート電極の位置
が異なる構造、すなわち図3(C)に示すFET326、FET327、FET328に
示す構造としてもよい。また、封止基板306に設けられる有色層(カラーフィルタ)3
24は、図3(C)に示すように黒色層(ブラックマトリクス)325と重なる位置でさ
らに隣り合う有色層(カラーフィルタ)324とも重なるように設けられていてもよい。
The structure of the FET electrically connected to the light emitting element may be a structure in which the position of the gate electrode is different from that in FIG. 3B, that is, a structure shown in FET 326, FET 327, and FET 328 in FIG. 3C.
3C, the second insulating layer 24 may be provided so as to overlap with the adjacent color layer (color filter) 324 at a position where the second insulating layer 24 overlaps with the black layer (black matrix) 325.

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。 In this way, an active matrix type light emitting device can be obtained.

また、本発明の一態様である発光装置としては、上述したアクティブマトリクス型の発光
装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置とすることもできる。
Further, the light-emitting device which is one embodiment of the present invention can be a passive matrix light-emitting device in addition to the above-described active matrix light-emitting device.

図4(A)(B)にパッシブマトリクス型の発光装置を示す。図4(A)には、パッシブ
マトリクス型の発光装置の上面図、図4(B)には、断面図をそれぞれ示す。
4A and 4B show a passive matrix light emitting device, in which Fig. 4A is a top view of the passive matrix light emitting device and Fig. 4B is a cross-sectional view thereof.

図4(A)(B)に示すように、基板401上には、第1の電極402と、EL層(40
3a、403b、403c)と、第2の電極404とを有する発光素子405が形成され
る。なお、第1の電極402は、島状であり、一方向(図4(A)では、横方向)にスト
ライプ状に複数形成されている。また、第1の電極402上の一部には、絶縁膜406が
形成されている。絶縁膜406上には絶縁材料を用いてなる隔壁407が設けられる。隔
壁407の側壁は、図4(B)に示すように基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他
方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。
As shown in FIGS. 4A and 4B, a first electrode 402 and an EL layer (40
A light emitting element 405 having a first electrode 402 (403a, 403b, 403c) and a second electrode 404 is formed. The first electrode 402 is island-shaped, and a plurality of first electrodes 402 are formed in a stripe shape in one direction (horizontal direction in FIG. 4A). An insulating film 406 is formed on a part of the first electrode 402. A partition wall 407 made of an insulating material is provided on the insulating film 406. The sidewalls of the partition wall 407 have an inclination such that the distance between one sidewall and the other sidewall becomes narrower as the sidewall approaches the substrate surface, as shown in FIG. 4B.

なお、絶縁膜406は、第1の電極402上の一部に開口部を有するため、EL層(40
3a、403b、403c)および第2の電極404を第1の電極402上に所望の形状
に分離形成することができる。図4(A)および図4(B)には、メタルマスク等のマス
クと絶縁膜406上の隔壁407とを組み合わせてEL層(403a、403b、403
c)および第2の電極404を形成する例を示す。また、EL層403a、EL層403
b、EL層403cは、それぞれ異なる発光色(例えば、赤、緑、青、黄、橙、白等)を
呈する場合の例を示す。
Since the insulating film 406 has an opening in a part above the first electrode 402, the EL layer (40
4A and 4B, the EL layers (403a, 403b, 403c) and the second electrode 404 can be formed separately in a desired shape on the first electrode 402.
c) and the second electrode 404 are formed.
3B and EL layer 403c each exhibit a different light emission color (for example, red, green, blue, yellow, orange, white, etc.).

また、EL層(403a、403b、403c)を形成した後、第2の電極404が形成
される。従って、第2の電極404は、EL層(403a、403b、403c)上に第
1の電極402と接することなく形成される。
In addition, after the EL layers (403a, 403b, and 403c) are formed, the second electrode 404 is formed. Therefore, the second electrode 404 is formed on the EL layers (403a, 403b, and 403c) without being in contact with the first electrode 402.

なお、封止の方法については、アクティブマトリクス型の発光装置の場合と同様に行うこ
とができるので、説明は省略する。
The sealing method can be performed in the same manner as in the case of an active matrix light emitting device, and therefore the description thereof will be omitted.

以上のようにして、パッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。 In this way, a passive matrix type light emitting device can be obtained.

例えば、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタまたは発光素子を形成
することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例
としては、半導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板
、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチ
ル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓
性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガ
ラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又は
ソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの
一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET
)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリテ
トラフルオロエチレン(PTFE)に代表されるプラスチックがある。または、一例とし
ては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリ
エステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、
ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある
。特に、半導体基板、単結晶基板、又はSOI基板などを用いてトランジスタを製造する
ことによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流供給能力が高く、
サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって
回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
For example, in this specification and the like, a transistor or a light-emitting element can be formed using various substrates. The type of substrate is not limited to a specific one. Examples of the substrate include a semiconductor substrate (e.g., a single crystal substrate or a silicon substrate), an SOI substrate, a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate, a metal substrate, a stainless steel substrate, a substrate having stainless steel foil, a tungsten substrate, a substrate having tungsten foil, a flexible substrate, a laminated film, paper containing a fibrous material, or a base film. Examples of glass substrates include barium borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, or soda lime glass. Examples of flexible substrates, laminated films, base films, and the like include the following. For example, polyethylene terephthalate (PET)
Examples of the material include plastics such as polyethylene terephthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and polytetrafluoroethylene (PTFE). Examples of the material include synthetic resins such as acrylic. Examples of the material include polypropylene, polyester, polyvinyl fluoride, and polyvinyl chloride. Examples of the material include
Polyamide, polyimide, aramid, epoxy, inorganic vapor deposition film, paper, etc. In particular, by manufacturing a transistor using a semiconductor substrate, a single crystal substrate, an SOI substrate, etc., there is little variation in characteristics, size, shape, etc., and the current supply capacity is high,
It is possible to manufacture small-sized transistors. When a circuit is constructed using such transistors, it is possible to reduce the power consumption of the circuit or to increase the degree of integration of the circuit.

また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタまたは発光素
子を形成してもよい。または、基板とトランジスタまたは発光素子との間に剥離層を設け
てもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分
離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタまたは発光
素子は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例え
ば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミ
ド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
Alternatively, a flexible substrate may be used as the substrate, and a transistor or a light-emitting element may be formed directly on the flexible substrate. Alternatively, a peeling layer may be provided between the substrate and the transistor or the light-emitting element. The peeling layer can be used to separate the semiconductor device from the substrate after a part or the whole of the semiconductor device is completed thereon, and to transfer the semiconductor device to another substrate. In this case, the transistor or the light-emitting element can be transferred to a substrate having poor heat resistance or a flexible substrate. For example, the above-mentioned peeling layer may be a laminated structure of inorganic films of a tungsten film and a silicon oxide film, or a structure in which an organic resin film such as polyimide is formed on a substrate.

つまり、ある基板を用いてトランジスタまたは発光素子を形成し、その後、別の基板にト
ランジスタまたは発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタまたは発光素子を配置し
てもよい。トランジスタまたは発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトラ
ンジスタまたは発光素子を形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、
アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊
維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊
維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、又
はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形
成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量
化、又は薄型化を図ることができる。
That is, a transistor or a light-emitting element may be formed using a certain substrate, and then the transistor or the light-emitting element may be transferred to another substrate, and the transistor or the light-emitting element may be disposed on the other substrate. Examples of the substrate onto which the transistor or the light-emitting element is transferred include a paper substrate, a cellophane substrate, a quartz ...
Examples of substrates include aramid film substrates, polyimide film substrates, stone substrates, wood substrates, cloth substrates (including natural fibers (silk, cotton, hemp), synthetic fibers (nylon, polyurethane, polyester) or regenerated fibers (acetate, cupra, rayon, regenerated polyester)), leather substrates, and rubber substrates. By using these substrates, it is possible to form transistors with good characteristics, form transistors with low power consumption, manufacture devices that are durable, impart heat resistance, and reduce weight or thickness.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。
Note that the structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用して完成させた様々な電子機器
や自動車の一例について、説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, examples of various electronic devices and automobiles completed by using a light-emitting device which is one embodiment of the present invention will be described.

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。
Examples of electronic devices to which light-emitting devices are applied include television devices (also called televisions or television receivers), monitors for computers, digital cameras, digital video cameras, digital photo frames, mobile phones (also called mobile phones or mobile phone devices), portable game machines, personal digital assistants, audio playback devices, large game machines such as pachinko machines, etc. Specific examples of these electronic devices are shown in FIG.

図5(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、筐
体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示す
ることが可能であり、タッチセンサ(入力装置)を搭載したタッチパネル(入出力装置)
であってもよい。なお、本発明の一態様である発光装置を表示部7103に用いることが
できる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示して
いる。
5A shows an example of a television device. In the television device 7100, a display portion 7103 is incorporated in a housing 7101. The display portion 7103 can display an image, and a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device) is also provided.
Note that the light-emitting device which is one embodiment of the present invention can be used for the display portion 7103. Here, the housing 7101 is supported by a stand 7105.

テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、図5(A2
)に示す別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機711
0が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部
7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、
当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成と
してもよい。
The television device 7100 can be operated using an operation switch provided on the housing 7101 or the
This can be done by a separate remote control 7110 shown in FIG.
The channel and volume can be controlled by using the operation keys 7109 provided on the display unit 7100, and an image displayed on the display unit 7103 can be controlled.
A display portion 7107 for displaying information output from the remote control unit 7110 may be provided.

なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
The television device 7100 is configured to include a receiver, a modem, etc. The receiver can receive general television broadcasts, and by connecting to a wired or wireless communication network via the modem, it is also possible to perform one-way (from sender to receiver) or two-way (between sender and receiver, or between receivers, etc.) information communication.

図5(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キー
ボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。
なお、コンピュータは、本発明の一態様である発光装置をその表示部7203に用いるこ
とにより作製することができる。また、表示部7203は、タッチセンサ(入力装置)を
搭載したタッチパネル(入出力装置)であってもよい。
FIG. 5B shows a computer, which includes a main body 7201, a housing 7202, a display portion 7203, a keyboard 7204, an external connection port 7205, a pointing device 7206, and the like.
Note that the computer can be manufactured by using the light-emitting device which is one embodiment of the present invention for the display portion 7203. The display portion 7203 may be a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device).

図5(C)は、スマートウオッチであり、筐体7302、表示部7304、操作ボタン7
311、7312、接続端子7313、バンド7321、留め金7322、等を有する。
FIG. 5C shows a smart watch. The smart watch includes a housing 7302, a display unit 7304, and an operation button 7306.
311, 7312, a connection terminal 7313, a band 7321, a clasp 7322, etc.

ベゼル部分を兼ねる筐体7302に搭載された表示部7304は、非矩形状の表示領域を
有している。表示部7304は、時刻を表すアイコン7305、その他のアイコン730
6等を表示することができる。また、表示部7304は、タッチセンサ(入力装置)を搭
載したタッチパネル(入出力装置)であってもよい。
A display unit 7304 mounted on a housing 7302 that also serves as a bezel portion has a non-rectangular display area. The display unit 7304 displays an icon 7305 representing the time, other icons 730
6, etc. The display portion 7304 may be a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device).

なお、図5(C)に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば
、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プログラ
ム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュ
ータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を
行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示す
る機能、等を有することができる。
5C can have various functions. For example, the smartwatch can have a function of displaying various information (still images, videos, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a function of displaying a calendar, date or time, etc., a function of controlling processing by various software (programs), a wireless communication function, a function of connecting to various computer networks using the wireless communication function, a function of transmitting or receiving various data using the wireless communication function, a function of reading out a program or data recorded on a recording medium and displaying it on the display unit, etc.

また、筐体7302の内部に、スピーカ、センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の)、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置を
その表示部7304に用いることにより作製することができる。
The housing 7302 may also have a speaker, a sensor (including a function of measuring force, displacement, position, speed, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, sound, time, hardness, electric field, current, voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor, or infrared ray), a microphone, or the like inside. Note that a smartwatch can be manufactured by using a light-emitting device for the display portion 7304.

図5(D)は、携帯電話機(スマートフォンを含む)の一例を示している。携帯電話機7
400は、筐体7401に、表示部7402、マイク7406、スピーカ7405、カメ
ラ7407、外部接続部7404、操作用ボタン7403などを備えている。また、本発
明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、
図5(D)に示すような曲面を有する表示部7402に適用することが可能である。
FIG. 5D shows an example of a mobile phone (including a smartphone).
The display device 400 includes a housing 7401, a display portion 7402, a microphone 7406, a speaker 7405, a camera 7407, an external connection portion 7404, an operation button 7403, and the like. When a light-emitting device is manufactured by forming a light-emitting element according to one embodiment of the present invention over a flexible substrate,
This can be applied to a display portion 7402 having a curved surface as shown in FIG.

図5(D)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
In the mobile phone 7400 shown in FIG. 5D, information can be input by touching the display portion 7402 with a finger or the like.
This can be done by touching the display portion 7402 with a finger or the like.

表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
The screen of the display unit 7402 has three main modes. The first is a display mode mainly for displaying images, the second is an input mode mainly for inputting information such as characters, and the third is a display+input mode in which the display mode and the input mode are combined.

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。
For example, when making a call or composing an e-mail, the display portion 7402 may be set to a character input mode mainly for inputting characters, and the character input operation displayed on the screen may be performed. In this case, it is preferable to display a keyboard or number buttons on most of the screen of the display portion 7402.

また、携帯電話機7400内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設ける
ことで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画面表示
を自動的に切り替えるようにすることができる。
In addition, by providing a detection device such as a gyro sensor or an acceleration sensor inside the mobile phone 7400, the orientation of the mobile phone 7400 (portrait or landscape) can be determined and the screen display of the display portion 7402 can be automatically switched.

また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作
用ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
The screen mode can be switched by touching the display portion 7402 or by operating operation buttons 7403 on the housing 7401. The screen mode can also be switched depending on the type of image displayed on the display portion 7402. For example, if the image signal to be displayed on the display portion is moving image data, the display mode is selected, and if the image signal is text data, the input mode is selected.

また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
In addition, in the input mode, a signal detected by an optical sensor in the display portion 7402 may be detected, and if there is no input by touch operation on the display portion 7402 for a certain period of time, the screen mode may be controlled to be switched from the input mode to the display mode.

表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部74
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
The display portion 7402 can also function as an image sensor.
By touching the display 02 with a palm or finger and capturing an image of a palm print, fingerprint, etc., personal authentication can be performed. In addition, by using a backlight that emits near-infrared light or a sensing light source that emits near-infrared light in the display unit, it is possible to capture an image of finger veins, palm veins, etc.

さらに、携帯電話機(スマートフォンを含む)の別の構成として、図5(D’-1)や図
5(D’-2)のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。
Furthermore, as another configuration of a mobile phone (including a smartphone), the present invention can be applied to a mobile phone having a structure as shown in FIG. 5 (D'-1) or FIG. 5 (D'-2).

なお、図5(D’-1)や図5(D’-2)のような構造を有する場合には、文字情報や
画像情報などを筐体7500(1)、7500(2)の第1面7501(1)、7501
(2)だけでなく、第2面7502(1)、7502(2)に表示させることができる。
このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、
第2面7502(1)、7502(2)などに表示された文字情報や画像情報などを使用
者が容易に確認することができる。
In addition, in the case of a structure such as that shown in FIG. 5(D'-1) or FIG. 5(D'-2), character information, image information, etc. are stored on the first surfaces 7501(1) and 7501(2) of the housings 7500(1) and 7500(2).
(2), but also on the second surfaces 7502(1) and 7502(2).
With this structure, the mobile phone can be stored in a breast pocket without
The user can easily check the text information, image information, etc. displayed on the second surfaces 7502(1), 7502(2), etc.

また、発光装置を適用した電子機器として、図6(A)~(C)に示すような折りたたみ
可能な携帯情報端末が挙げられる。図6(A)には、展開した状態の携帯情報端末931
0を示す。また、図6(B)には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に
変化する途中の状態の携帯情報端末9310を示す。さらに、図6(C)には、折りたた
んだ状態の携帯情報端末9310を示す。携帯情報端末9310は、折りたたんだ状態で
は可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優
れる。
In addition, as an electronic device to which a light-emitting device is applied, a foldable portable information terminal as shown in FIGS. 6A to 6C can be given. FIG. 6A shows a portable information terminal 931 in an unfolded state.
6B shows the portable information terminal 9310 in a state in which it is changing from one of the unfolded state and the folded state to the other. Furthermore, Fig. 6C shows the portable information terminal 9310 in a folded state. The portable information terminal 9310 has excellent portability in the folded state, and has excellent display viewability due to a seamless wide display area in the unfolded state.

表示部9311はヒンジ9313によって連結された3つの筐体9315に支持されてい
る。なお、表示部9311は、タッチセンサ(入力装置)を搭載したタッチパネル(入出
力装置)であってもよい。また、表示部9311は、ヒンジ9313を介して2つの筐体
9315間を屈曲させることにより、携帯情報端末9310を展開した状態から折りたた
んだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部931
1に用いることができる。表示部9311における表示領域9312は折りたたんだ状態
の携帯情報端末9310の側面に位置する表示領域である。表示領域9312には、情報
アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることが
でき、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
The display portion 9311 is supported by three housings 9315 connected by hinges 9313. Note that the display portion 9311 may be a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device). In addition, the display portion 9311 can reversibly change the state of the portable information terminal 9310 from an unfolded state to a folded state by bending the two housings 9315 via the hinges 9313.
The display portion 9311 can be used as the portable information terminal 9310. A display area 9312 in the display portion 9311 is a display area located on a side of the portable information terminal 9310 in a folded state. The display area 9312 can display information icons, frequently used applications, shortcuts to programs, and the like, so that information can be checked and applications can be started smoothly.

また、発光装置を適用した自動車を図7(A)(B)に示す。すなわち、発光装置を、自
動車と一体にして設けることができる。具体的には、図7(A)に示す自動車の外側のラ
イト5101(車体後部も含む)、タイヤのホイール5102、ドア5103の一部また
は全体などに適用することができる。また、図7(B)に示す自動車の内側の表示部51
04、ハンドル5105、シフトレバー5106、座席シート5107、インナーリアビ
ューミラー5108等に適用することができる。その他、ガラス窓の一部に適用してもよ
い。
7A and 7B show automobiles to which the light-emitting device is applied. That is, the light-emitting device can be provided integrally with the automobile. Specifically, the light-emitting device can be applied to the exterior light 5101 (including the rear of the vehicle body), the wheel 5102 of the tire, and a part or the whole of the door 5103 of the automobile shown in FIG. 7A. Also, the display unit 51 inside the automobile shown in FIG.
04, a steering wheel 5105, a shift lever 5106, a seat 5107, an inner rear view mirror 5108, etc. In addition, it may be applied to a part of a glass window.

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器や自動車を得るこ
とができる。なお、適用できる電子機器や自動車は、本実施の形態に示したものに限らず
、あらゆる分野において適用することが可能である。
In the above manner, an electronic device or an automobile can be obtained by applying the light-emitting device according to one embodiment of the present invention. Note that the electronic devices and automobiles to which the present invention can be applied are not limited to those described in this embodiment, and the present invention can be applied in any field.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
Note that the structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製される照明装置の構成
について図8を用いて説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a structure of a lighting device manufactured using a light-emitting element which is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図8(A)、(B)、(C)、(D)には、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図8
(A)、(B)は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図8(
C)、(D)は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
8A, 8B, 8C, and 8D are cross-sectional views of an example of a lighting device.
(A) and (B) are bottom emission type lighting devices that extract light to the substrate side, as shown in FIG.
3C) and 3D are top emission type lighting devices that extract light on the sealing substrate side.

図8(A)に示す照明装置4000は、基板4001上に発光素子4002を有する。ま
た、基板4001の外側に凹凸を有する基板4003を有する。発光素子4002は、第
1の電極4004と、EL層4005と、第2の電極4006を有する。
8A includes a light-emitting element 4002 over a substrate 4001. A substrate 4003 having projections and recesses on the outer side of the substrate 4001 is also included. The light-emitting element 4002 includes a first electrode 4004, an EL layer 4005, and a second electrode 4006.

第1の電極4004は、電極4007と電気的に接続され、第2の電極4006は電極4
008と電気的に接続される。また、第1の電極4004と電気的に接続される補助配線
4009を設けてもよい。なお、補助配線4009上には、絶縁層4010が形成されて
いる。
The first electrode 4004 is electrically connected to the electrode 4007, and the second electrode 4006 is electrically connected to the electrode 4008.
4008. An auxiliary wiring 4009 may be provided which is electrically connected to the first electrode 4004. Note that an insulating layer 4010 is formed over the auxiliary wiring 4009.

また、基板4001と封止基板4011は、シール材4012で接着されている。また、
封止基板4011と発光素子4002の間には、乾燥剤4013が設けられていることが
好ましい。なお、基板4003は、図8(A)のような凹凸を有するため、発光素子40
02で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
The substrate 4001 and the sealing substrate 4011 are bonded to each other with a sealant 4012.
It is preferable that a desiccant 4013 is provided between the sealing substrate 4011 and the light emitting element 4002. Note that since the substrate 4003 has projections and recesses as shown in FIG.
The efficiency of extracting the light generated in .02 can be improved.

また、基板4003に代えて、図8(B)の照明装置4100のように、基板4001の
外側に拡散板4015を設けてもよい。
In addition, instead of the substrate 4003, a diffusion plate 4015 may be provided on the outer side of the substrate 4001 as in a lighting device 4100 of FIG.

図8(C)の照明装置4200は、基板4201上に発光素子4202を有する。発光素
子4202は第1の電極4204と、EL層4205と、第2の電極4206とを有する
8C includes a light-emitting element 4202 over a substrate 4201. The light-emitting element 4202 includes a first electrode 4204, an EL layer 4205, and a second electrode 4206.

第1の電極4204は、電極4207と電気的に接続され、第2の電極4206は電極4
208と電気的に接続される。また第2の電極4206と電気的に接続される補助配線4
209を設けてもよい。また、補助配線4209の下部に、絶縁層4210を設けてもよ
い。
The first electrode 4204 is electrically connected to the electrode 4207, and the second electrode 4206 is electrically connected to the electrode 4208.
208 is electrically connected to the second electrode 4206.
An insulating layer 4210 may be provided under the auxiliary wiring 4209.

基板4201と凹凸のある封止基板4211は、シール材4212で接着されている。ま
た、封止基板4211と発光素子4202の間にバリア膜4213および平坦化膜421
4を設けてもよい。なお、封止基板4211は、図8(C)のような凹凸を有するため、
発光素子4202で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
The substrate 4201 and the sealing substrate 4211 having projections and recesses are bonded with a sealant 4212. In addition, a barrier film 4213 and a planarization film 421 are provided between the sealing substrate 4211 and the light emitting element 4202.
Since the sealing substrate 4211 has projections and recesses as shown in FIG.
The extraction efficiency of light generated by the light emitting element 4202 can be improved.

また、封止基板4211に代えて、図8(D)の照明装置4300のように、発光素子4
202の上に拡散板4215を設けてもよい。
In addition, instead of the sealing substrate 4211, a light-emitting element 4
A diffusion plate 4215 may be provided on top of 202 .

なお、本実施の形態で示す照明装置は、本発明の一態様である発光素子と、筐体、カバー
、または、支持台を有する構成を有していても良い。さらに発光素子のEL層4005、
4205に、本発明の一態様である有機金属錯体を適用することができる。この場合、消
費電力の低い照明装置を提供することができる。
Note that the lighting device described in this embodiment may have a structure including a light-emitting element which is one embodiment of the present invention, and a housing, a cover, or a support base.
An organometallic complex which is one embodiment of the present invention can be applied to 4205. In this case, a lighting device with low power consumption can be provided.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
Note that the structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した応用品である照明装置の一
例について、図9を用いて説明する。
(Seventh embodiment)
In this embodiment, an example of a lighting device, which is an application of the light-emitting device according to one embodiment of the present invention, will be described with reference to FIGS.

図9は、発光装置を室内の照明装置8001として用いた例である。なお、発光装置は大
面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有
する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置8002を形成することもで
きる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザイン
の自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。
さらに、室内の壁面に照明装置8003を備えても良い。
9 shows an example in which the light-emitting device is used as an indoor lighting device 8001. Since the light-emitting device can be enlarged, a large-area lighting device can also be formed. In addition, by using a housing having a curved surface, a lighting device 8002 in which the light-emitting region has a curved surface can also be formed. The light-emitting element included in the light-emitting device shown in this embodiment mode is a thin film, and the housing can be designed with a high degree of freedom. Therefore, lighting devices with various elaborate designs can be formed.
Furthermore, lighting devices 8003 may be provided on the walls inside the room.

なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に発光装置を適用することにより、家具
としての機能を備えた照明装置とすることができる。
In addition to the above, by applying the light emitting device to a part of furniture provided in a room, a lighting device having a function as furniture can be provided.

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置
は本発明の一態様に含まれるものとする。
As described above, various lighting devices using the light-emitting device can be obtained. Note that these lighting devices are included in one embodiment of the present invention.

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
The structure described in this embodiment mode can be used in appropriate combination with structures described in other embodiment modes.

(実施の形態8)
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子または本発明の一態様の発光装置を
有するタッチパネルについて、図10~図14を用いて説明を行う。
(Embodiment 8)
In this embodiment, a touch panel including a light-emitting element of one embodiment of the present invention or a light-emitting device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図10(A)(B)は、タッチパネル2000の斜視図である。なお、図10(A)(B
)において、明瞭化のため、タッチパネル2000の代表的な構成要素を示す。
10(A) and (B) are perspective views of the touch panel 2000.
) representative components of touch panel 2000 are shown for clarity.

タッチパネル2000は、表示パネル2501とタッチセンサ2595とを有する(図1
0(B)参照)。また、タッチパネル2000は、基板2510、基板2570、及び基
板2590を有する。
The touch panel 2000 includes a display panel 2501 and a touch sensor 2595 (see FIG. 1).
0(B)). The touch panel 2000 also includes a substrate 2510, a substrate 2570, and a substrate 2590.

表示パネル2501は、基板2510上に複数の画素及び該画素に信号を供給することが
できる複数の配線2511を有する。複数の配線2511は、基板2510の外周部にま
で引き回され、その一部が端子2519を構成している。端子2519はFPC2509
(1)と電気的に接続する。
The display panel 2501 has a plurality of pixels over a substrate 2510 and a plurality of wirings 2511 capable of supplying signals to the pixels. The plurality of wirings 2511 are routed to the outer periphery of the substrate 2510, and a part of the wirings 2511 constitutes a terminal 2519. The terminal 2519 is connected to an FPC 2509.
(1) and electrically connected.

基板2590には、タッチセンサ2595と、タッチセンサ2595と電気的に接続する
複数の配線2598とを有する。複数の配線2598は、基板2590の外周部に引き回
され、その一部は端子2599を構成する。そして、端子2599はFPC2509(2
)と電気的に接続される。なお、図10(B)では明瞭化のため、基板2590の裏面側
(基板2510と対向する面側)に設けられるタッチセンサ2595の電極や配線等を実
線で示している。
The substrate 2590 includes a touch sensor 2595 and a plurality of wirings 2598 electrically connected to the touch sensor 2595. The plurality of wirings 2598 are routed around the outer periphery of the substrate 2590, and some of them form terminals 2599. The terminals 2599 are connected to an FPC 2509 (
10B, for clarity, electrodes, wirings, and the like of the touch sensor 2595 provided on the back surface side of the substrate 2590 (the surface facing the substrate 2510) are shown by solid lines.

タッチセンサ2595として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
For example, a capacitive touch sensor can be used as the touch sensor 2595. The capacitive touch sensor includes a surface capacitive touch sensor, a projected capacitive touch sensor, and the like.

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
The projected capacitive type is classified into a self-capacitance type, a mutual capacitance type, etc., mainly depending on the driving method. The mutual capacitance type is preferable because it enables simultaneous multi-point detection.

まず、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図10(B)を用い
て説明する。なお、投影型静電容量方式の場合には、指等の検知対象の近接または接触を
検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
First, a case where a projected capacitive touch sensor is applied will be described with reference to Fig. 10B. In the case of the projected capacitive touch sensor, various sensors capable of detecting the proximity or contact of a detection target such as a finger can be applied.

投影型静電容量方式のタッチセンサ2595は、電極2591と電極2592とを有する
。電極2591と電極2592は、複数の配線2598のうちのそれぞれ異なる配線と電
気的に接続する。また、電極2592は、図10(A)(B)に示すように、一方向に繰
り返し配置された複数の四辺形が角部で配線2594により、一方向に接続される形状を
有する。電極2591も同様に複数の四辺形が角部で接続される形状を有するが、接続さ
れる方向は、電極2592が接続される方向と交差する方向となる。なお、電極2591
が接続される方向と、電極2592が接続される方向とは、必ずしも直交する関係にある
必要はなく、0度を超えて90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
The projected capacitive touch sensor 2595 has an electrode 2591 and an electrode 2592. The electrode 2591 and the electrode 2592 are electrically connected to different wirings among a plurality of wirings 2598. As shown in Figures 10 (A) and (B) , the electrode 2592 has a shape in which a plurality of quadrilaterals repeatedly arranged in one direction are connected in one direction at their corners by wirings 2594. The electrode 2591 also has a shape in which a plurality of quadrilaterals are connected in one direction at their corners, but the connection direction intersects with the direction in which the electrode 2592 is connected. Note that the electrode 2591
The direction in which the electrode 2592 is connected does not necessarily have to be perpendicular to the direction in which the electrode 2592 is connected, and they may be arranged to form an angle greater than 0 degrees and less than 90 degrees.

なお、配線2594の電極2592との交差部の面積は、できるだけ小さくなる形状が好
ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキ
を低減できる。その結果、タッチセンサ2595を透過する光の輝度のバラツキを低減す
ることができる。
Note that it is preferable that the area of the intersection of the wiring 2594 with the electrode 2592 be as small as possible. This can reduce the area of a region where no electrode is provided, and can reduce variations in transmittance. As a result, variations in luminance of light passing through the touch sensor 2595 can be reduced.

なお、電極2591及び電極2592の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる
。例えば、複数の電極2591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介し
て電極2592を複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する2つの電極2592
の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面
積を低減できるため好ましい。
Note that the shapes of the electrodes 2591 and 2592 are not limited to this and may take various shapes. For example, a configuration may be used in which a plurality of electrodes 2591 are arranged so that there is as little gap as possible, and a plurality of electrodes 2592 are provided with an insulating layer interposed therebetween. In this case, the two adjacent electrodes 2592 may be arranged so that the electrodes 2591 are arranged so that there is as little gap as possible between the electrodes 2591 and the electrodes 2592.
It is preferable to provide a dummy electrode between the first and second electrodes, which is electrically insulated from the first and second electrodes, since this can reduce the area of the region with different transmittances.

次に、図11を用いて、タッチパネル2000の詳細について説明する。図11は、図1
0(A)に示す一点鎖線X1-X2間の断面図に相当する。
Next, the touch panel 2000 will be described in detail with reference to FIG.
1 corresponds to a cross-sectional view taken along dashed line X1-X2 in FIG.

タッチパネル2000は、タッチセンサ2595と表示パネル2501とを有する。 The touch panel 2000 has a touch sensor 2595 and a display panel 2501.

タッチセンサ2595は、基板2590に接して千鳥格子状に配置された電極2591及
び電極2592と、電極2591及び電極2592を覆う絶縁層2593と、隣り合う電
極2591を電気的に接続する配線2594とを有する。なお、隣り合う電極2591の
間には、電極2592が設けられている。
The touch sensor 2595 includes electrodes 2591 and electrodes 2592 arranged in a staggered pattern in contact with a substrate 2590, an insulating layer 2593 covering the electrodes 2591 and the electrodes 2592, and wiring 2594 electrically connecting adjacent electrodes 2591. Note that an electrode 2592 is provided between adjacent electrodes 2591.

電極2591及び電極2592は、透光性を有する導電材料を用いて形成することができ
る。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジ
ウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いるこ
とができる。また、グラフェン化合物を用いることもできる。なお、グラフェン化合物を
用いる場合は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを還元して形成することができる
。還元する方法としては、熱を加える方法やレーザーを照射する方法等を挙げることがで
きる。
The electrode 2591 and the electrode 2592 can be formed using a conductive material having a light-transmitting property. As the conductive material having a light-transmitting property, a conductive oxide such as indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, or zinc oxide to which gallium is added can be used. A graphene compound can also be used. Note that when a graphene compound is used, the electrode 2591 and the electrode 2592 can be formed by reducing, for example, graphene oxide formed in a film shape. Examples of a reduction method include a method of applying heat and a method of irradiating a laser.

電極2591及び電極2592の形成方法としては、例えば、透光性を有する導電性材料
を基板2590上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々
なパターニング技術により、不要な部分を除去することで形成することができる。
The electrode 2591 and the electrode 2592 can be formed, for example, by forming a light-transmitting conductive material on the substrate 2590 by a sputtering method, and then removing unnecessary portions by various patterning techniques such as photolithography.

絶縁層2593に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキ
サン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機絶縁材料を用いることができる。
Examples of materials that can be used for the insulating layer 2593 include resins such as acrylic and epoxy, resins having siloxane bonds, and inorganic insulating materials such as silicon oxide, silicon oxynitride, and aluminum oxide.

また、絶縁層2593の一部に形成された配線2594により、隣接する電極2591が
電気的に接続される。なお、配線2594に用いる材料は、電極2591及び電極259
2に用いる材料よりも導電性の高い材料を用いることにより電気抵抗を低減することがで
きるため好ましい。
In addition, the adjacent electrodes 2591 are electrically connected to each other through a wiring 2594 formed in a part of the insulating layer 2593.
It is preferable to use a material having a higher electrical conductivity than the material used for the second electrode 2 since the electrical resistance can be reduced by using such a material.

また、配線2598は、電極2591または電極2592と電気的に接続される。なお、
配線2598の一部は、端子として機能する。配線2598には、例えば、アルミニウム
、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができ
る。
In addition, the wiring 2598 is electrically connected to the electrode 2591 or the electrode 2592.
A part of the wiring 2598 functions as a terminal. For the wiring 2598, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, titanium, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy material containing such a metal material can be used.

また、端子2599により、配線2598とFPC2509(2)とが電気的に接続され
る。なお、端子2599には、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotrop
ic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Aniso
tropic Conductive Paste)などを用いることができる。
The wiring 2598 and the FPC 2509(2) are electrically connected to the terminal 2599. The terminal 2599 may be made of any of various anisotropic conductive films (ACF: Anisotropic Conductive Films).
Conductive Film) and Anisotropic Conductive Paste (ACP)
For example, a cyclodextrin (tropic conductive paste) can be used.

また、配線2594に接して接着層2597が設けられる。すなわち、タッチセンサ25
95は、接着層2597を介して、表示パネル2501に重なるように貼り合わされる。
なお、接着層2597と接する表示パネル2501の表面は、図11(A)に示すように
基板2570を有していてもよいが、必ずしも必要ではない。
In addition, an adhesive layer 2597 is provided in contact with the wiring 2594.
95 is attached to the display panel 2501 so as to overlap with it via an adhesive layer 2597 .
Note that the surface of the display panel 2501 in contact with the adhesive layer 2597 may have a substrate 2570 as shown in FIG. 11A, but this is not necessarily required.

接着層2597は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロ
キサン系樹脂を用いることができる。
The adhesive layer 2597 has light-transmitting properties. For example, a thermosetting resin or an ultraviolet curing resin can be used, and specifically, an acrylic resin, a urethane resin, an epoxy resin, or a siloxane resin can be used.

図11(A)に示す表示パネル2501は、基板2510と基板2570との間にマトリ
クス状に配置された複数の画素と駆動回路とを有する。また、各画素は発光素子と、発光
素子を駆動する画素回路とを有する。
11A includes a plurality of pixels and a driver circuit arranged in a matrix between a substrate 2510 and a substrate 2570. Each pixel includes a light-emitting element and a pixel circuit for driving the light-emitting element.

図11(A)には、表示パネル2501の画素の一例として、画素2502Rを示し、駆
動回路の一例として走査線駆動回路2503gを示す。
FIG. 11A shows a pixel 2502R as an example of a pixel of a display panel 2501, and a scanning line driver circuit 2503g as an example of a driver circuit.

画素2502Rは、発光素子2550Rと、発光素子2550Rに電力を供給することが
できるトランジスタ2502tとを有する。
The pixel 2502R includes a light-emitting element 2550R and a transistor 2502t capable of supplying power to the light-emitting element 2550R.

トランジスタ2502tは、絶縁層2521で覆われている。なお、絶縁層2521は、
先に形成されたトランジスタ等に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、
絶縁層2521に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。この場合、不純物の
拡散によるトランジスタ等の信頼性の低下を抑制できるので好ましい。
The transistor 2502t is covered with an insulating layer 2521. Note that the insulating layer 2521 is
It has a function of flattening unevenness caused by previously formed transistors, etc.
A function of suppressing diffusion of impurities may be imparted to the insulating layer 2521. In this case, a decrease in reliability of a transistor or the like due to diffusion of impurities can be suppressed, which is preferable.

発光素子2550Rは、トランジスタ2502tと配線を介して電気的に接続される。な
お、配線と直接接続されるのは、発光素子2550Rの一方の電極である。なお、発光素
子2550Rの一方の電極の端部は、絶縁体2528で覆われている。
The light-emitting element 2550R is electrically connected to the transistor 2502t through a wiring. Note that one electrode of the light-emitting element 2550R is directly connected to the wiring. Note that an end of the one electrode of the light-emitting element 2550R is covered with an insulator 2528.

発光素子2550Rは、一対の電極間にEL層を有してなる。また、発光素子2550R
と重なる位置に着色層2567Rが設けられており、発光素子2550Rが発する光の一
部は、着色層2567Rを透過して、図中に示す矢印の方向に射出される。また、着色層
の端部に遮光層2567BMが設けられており、発光素子2550Rと着色層2567R
との間には、封止層2560を有する。
The light-emitting element 2550R has an EL layer between a pair of electrodes.
A coloring layer 2567R is provided at a position overlapping the light emitting element 2550R, and a part of the light emitted by the light emitting element 2550R is transmitted through the coloring layer 2567R and is emitted in the direction of the arrow shown in the figure. In addition, a light shielding layer 2567BM is provided at the end of the coloring layer, and the light emitting element 2550R and the coloring layer 2567R
A sealing layer 2560 is provided between them.

なお、発光素子2550Rからの光を取り出す方向に封止層2560が設けられている場
合には、封止層2560は、透光性を有するのが好ましい。また、封止層2560は、空
気より大きい屈折率を有すると好ましい。
When the sealing layer 2560 is provided in a direction in which light from the light emitting element 2550R is extracted, it is preferable that the sealing layer 2560 has light-transmitting properties. It is also preferable that the sealing layer 2560 has a refractive index higher than that of air.

走査線駆動回路2503gは、トランジスタ2503tと、容量素子2503cとを有す
る。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。従っ
て、画素回路のトランジスタ2502tと同様に、駆動回路(走査線駆動回路2503g
)のトランジスタ2503tも絶縁層2521で覆われている。
The scanning line driver circuit 2503g includes a transistor 2503t and a capacitor 2503c. Note that the driver circuit can be formed over the same substrate as the pixel circuit in the same process.
) is also covered with an insulating layer 2521.

また、トランジスタ2503tに信号を供給することができる配線2511が設けられて
いる。なお、配線2511と接して端子2519が設けられる。また、端子2519は、
FPC2509(1)と電気的に接続されており、FPC2509(1)は、画像信号及
び同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、FPC2509(1)にはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
A wiring 2511 capable of supplying a signal to the transistor 2503t is provided. A terminal 2519 is provided in contact with the wiring 2511.
It is electrically connected to the FPC 2509(1), which has a function of supplying signals such as image signals and synchronization signals. A printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC 2509(1).

図11(A)において示す表示パネル2501には、ボトムゲート型のトランジスタを適
用する場合について示したが、トランジスタの構造はこれに限られることはなく様々な構
造のトランジスタを適用することができる。また、図11(A)に示す、トランジスタ2
502t及びトランジスタ2503tには、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域
として用いることができる。その他、アモルファスシリコンを含む半導体層や、レーザー
アニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層をチャネル領域と
して用いることができる。
Although a bottom-gate transistor is used in the display panel 2501 shown in FIG. 11A, the structure of the transistor is not limited to this, and transistors having various structures can be used.
A semiconductor layer containing an oxide semiconductor can be used as a channel region of the transistor 502t and the transistor 2503t. Alternatively, a semiconductor layer containing amorphous silicon or a semiconductor layer containing polycrystalline silicon crystallized by treatment such as laser annealing can be used as a channel region of the transistor 2503t.

また、図11(A)において示すボトムゲート型のトランジスタとは異なるトップゲート
型のトランジスタを表示パネル2501に適用する場合の構成について、図11(B)に
示す。なお、トランジスタの構造が変わった場合でも、チャネル領域に用いることができ
るバリエーションについては同様とする。
11B shows a structure in the case where a top-gate transistor different from the bottom-gate transistor shown in FIG 11A is applied to the display panel 2501. Note that even if the structure of the transistor is changed, the same variations that can be used for the channel region are applicable.

図11(A)で示したタッチパネル2000は、図11(A)に示すように画素からの光
が外部に射出される側の表面に、少なくとも画素と重なるように反射防止層2567pを
有するのが好ましい。なお、反射防止層2567pとして、円偏光板等を用いることがで
きる。
The touch panel 2000 shown in Fig. 11A preferably has an anti-reflection layer 2567p at least overlapping with the pixels on the surface from which light from the pixels is emitted to the outside as shown in Fig. 11A. Note that a circularly polarizing plate or the like can be used as the anti-reflection layer 2567p.

図11(A)で示した基板2510、基板2570、基板2590としては、例えば、水
蒸気の透過率が1×10-5g/(m・day)以下、好ましくは1×10-6g/(
・day)以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、こ
れらの基板の熱膨張率が、およそ等しい材料を用いることが好ましい。例えば、線膨張率
が1×10-3/K以下、好ましくは5×10-5/K以下、より好ましくは1×10
/K以下である材料が挙げられる。
The substrate 2510, the substrate 2570, and the substrate 2590 shown in FIG. 11A may have a water vapor permeability of, for example, 1×10 −5 g/(m 2 ·day) or less, preferably 1×10 −6 g/(m 2 ·day) or less.
It is preferable to use a material having flexibility with a thermal expansion coefficient of 1×10 −3 / K or less, preferably 5×10 −5 /K or less, and more preferably 1×10
5 /K or less.

次に、図11に示すタッチパネル2000と構成の異なるタッチパネル2000’につい
て、図12を用いて説明する。但し、タッチパネル2000と同様にタッチパネルとして
適用することができる。
Next, a touch panel 2000' having a different configuration from the touch panel 2000 shown in Fig. 11 will be described with reference to Fig. 12. However, the touch panel 2000' can be applied as a touch panel in the same manner as the touch panel 2000.

図12には、タッチパネル2000’の断面図を示す。図12に示すタッチパネル200
0’は、図11に示すタッチパネル2000と、表示パネル2501に対するタッチセン
サ2595の位置が異なる。ここでは異なる構成についてのみ説明し、同様の構成を用い
ることができる部分は、タッチパネル2000の説明を援用することとする。
FIG. 12 shows a cross-sectional view of a touch panel 2000′. The touch panel 200 shown in FIG.
11 in that the position of the touch sensor 2595 with respect to the display panel 2501 is different. Only the different configurations will be described here, and the description of the touch panel 2000 will be cited for parts where a similar configuration can be used.

着色層2567Rは、発光素子2550Rと重なる位置にある。また、図12(A)に示
す発光素子2550Rからの光は、トランジスタ2502tが設けられている方向に射出
される。すなわち、発光素子2550Rからの光(一部)は、着色層2567Rを透過し
て、図中に示す矢印の方向に射出される。なお、着色層2567Rの端部には遮光層25
67BMが設けられている。
The coloring layer 2567R is located so as to overlap with the light emitting element 2550R. Light from the light emitting element 2550R shown in FIG. 12A is emitted in the direction in which the transistor 2502t is provided. That is, (a part of) the light from the light emitting element 2550R is transmitted through the coloring layer 2567R and emitted in the direction of the arrow shown in the figure. Note that the light shielding layer 2567R is provided at the end of the coloring layer 2567R.
67BM is provided.

また、タッチセンサ2595は、表示パネル2501の発光素子2550Rから見てトラ
ンジスタ2502tが設けられている側に設けられている(図12(A)参照)。
The touch sensor 2595 is provided on the side of the display panel 2501 on which the transistor 2502t is provided as viewed from the light-emitting element 2550R (see FIG. 12A).

また、接着層2597は、表示パネル2501が有する基板2510と接しており、図1
2(A)に示す構造の場合には、表示パネル2501とタッチセンサ2595とを貼り合
わせている。但し、接着層2597により貼り合わされる表示パネル2501とタッチセ
ンサ2595との間に基板2510を設けない構成としてもよい。
The adhesive layer 2597 is in contact with a substrate 2510 of the display panel 2501.
In the case of the structure shown in FIG. 2(A), a display panel 2501 and a touch sensor 2595 are attached to each other. However, a structure in which the substrate 2510 is not provided between the display panel 2501 and the touch sensor 2595 that are attached to each other by an adhesive layer 2597 may be used.

また、タッチパネル2000の場合と同様にタッチパネル2000’の場合も表示パネル
2501には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図12(A)
においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について示したが、図12(
B)に示すようにトップゲート型のトランジスタを適用してもよい。
As in the case of the touch panel 2000, transistors having various structures can be applied to the display panel 2501 in the case of the touch panel 2000′.
In the above, a case where a bottom-gate transistor is applied is shown.
As shown in FIG. 2B, a top-gate transistor may be used.

次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図13を用いて説明を行う。 Next, an example of a method for driving a touch panel will be explained using Figure 13.

図13(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図13(
A)では、パルス電圧出力回路2601、電流検出回路2602を示している。なお、図
13(A)では、パルス電圧が与えられる電極2621をX1-X6として、電流の変化
を検知する電極2622をY1-Y6として、それぞれ6本の配線で例示している。また
、図13(A)は、電極2621と、電極2622とが重畳することで形成される容量2
603を示している。なお、電極2621と電極2622とはその機能を互いに置き換え
てもよい。
FIG. 13A is a block diagram showing the configuration of a mutual capacitance type touch sensor.
13A shows a pulse voltage output circuit 2601 and a current detection circuit 2602. Note that in FIG. 13A, an electrode 2621 to which a pulse voltage is applied is designated as X1-X6, and an electrode 2622 to detect a change in current is designated as Y1-Y6, and six wirings are used for each. Also, in FIG. 13A, a capacitance 2 formed by overlapping the electrode 2621 and the electrode 2622 is shown.
603. Note that the functions of the electrode 2621 and the electrode 2622 may be interchangeable.

パルス電圧出力回路2601は、X1-X6の配線に順にパルス電圧を印加するための回
路である。X1-X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量2603を形成する
電極2621と電極2622との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等に
より容量2603の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、また
は接触を検出することができる。
The pulse voltage output circuit 2601 is a circuit for applying a pulse voltage to the wirings X1-X6 in sequence. By applying a pulse voltage to the wirings X1-X6, an electric field is generated between the electrodes 2621 and 2622 that form the capacitance 2603. The electric field generated between the electrodes changes the mutual capacitance of the capacitance 2603 due to shielding or the like, and this can be utilized to detect the proximity or contact of a detection target.

電流検出回路2602は、容量2603での相互容量の変化による、Y1~Y6の配線で
の電流の変化を検出するための回路である。Y1-Y6の配線では、被検知体の近接、ま
たは接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接
触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出
は、積分回路等を用いて行えばよい。
The current detection circuit 2602 is a circuit for detecting a change in current in the wirings Y1 to Y6 due to a change in mutual capacitance in the capacitor 2603. In the wirings Y1 to Y6, there is no change in the detected current value if there is no proximity or contact with a sensed object, but when the mutual capacitance decreases due to the proximity or contact of a sensed object to be detected, a change in the current value that decreases is detected. Note that the detection of the current may be performed using an integrating circuit or the like.

次に、図13(B)には、図13(A)で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出
力波形のタイミングチャートを示す。図13(B)では、1フレーム期間で各行列での被
検知体の検出を行うものとする。また図13(B)では、被検知体を検出しない場合(非
タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。なお
Y1-Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示してい
る。
Next, FIG. 13B shows a timing chart of input/output waveforms in the mutual capacitance touch sensor shown in FIG. 13A. In FIG. 13B, detection of an object to be detected in each row and column is performed in one frame period. FIG. 13B also shows two cases: when an object to be detected is not detected (non-touched) and when an object to be detected is detected (touched). Note that for the wiring Y1-Y6, waveforms are shown with voltage values corresponding to the detected current values.

X1-X6の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってY1-Y
6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1-X6の
配線の電圧の変化に応じてY1-Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接ま
たは接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する
。このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
A pulse voltage is applied to the wires X1-X6 in sequence, and the wires Y1-Y
When the sensed object is not approaching or touching, the waveform of the Y1-Y6 wires changes in accordance with the change in voltage of the X1-X6 wires. On the other hand, when the sensed object is approaching or touching, the current value decreases, and the waveform of the corresponding voltage value also changes. In this way, the proximity or contact of the sensed object can be detected by detecting the change in mutual capacitance.

また、図13(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量2603のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図14にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
13A shows a configuration of a passive touch sensor in which only a capacitor 2603 is provided at an intersection of wirings as a touch sensor, but an active touch sensor including a transistor and a capacitor may be used. FIG 14 shows an example of one sensor circuit included in an active touch sensor.

図14に示すセンサ回路は、容量2603と、トランジスタ2611と、トランジスタ2
612と、トランジスタ2613とを有する。
The sensor circuit shown in FIG. 14 includes a capacitor 2603, a transistor 2611, and a transistor 2620.
612 and a transistor 2613.

トランジスタ2613はゲートに信号G2が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電
圧VRESが与えられ、他方が容量2603の一方の電極およびトランジスタ2611の
ゲートと電気的に接続する。トランジスタ2611は、ソースまたはドレインの一方がト
ランジスタ2612のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧VSS
が与えられる。トランジスタ2612は、ゲートに信号G1が与えられ、ソースまたはド
レインの他方が配線MLと電気的に接続する。容量2603の他方の電極には電圧VSS
が与えられる。
A signal G2 is applied to the gate of the transistor 2613, a voltage VRES is applied to one of the source and drain of the transistor 2613, and the other is electrically connected to one electrode of the capacitor 2603 and the gate of the transistor 2611. One of the source and drain of the transistor 2611 is electrically connected to one of the source and drain of the transistor 2612, and the other is connected to a voltage VSS.
A signal G1 is applied to the gate of the transistor 2612, and the other of the source and the drain is electrically connected to the wiring ML.
is given.

次に、図14に示すセンサ回路の動作について説明する。まず信号G2としてトランジス
タ2613をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ2611のゲートが
接続されるノードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次に、信号G2として
トランジスタ2613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持
される。続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量2603の相互容量が変
化することに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
14 will be described. First, a potential that turns on the transistor 2613 is applied as the signal G2, and a potential corresponding to the voltage VRES is applied to the node n to which the gate of the transistor 2611 is connected. Next, a potential that turns off the transistor 2613 is applied as the signal G2, and the potential of the node n is held. Next, the mutual capacitance of the capacitance 2603 changes due to the approach or contact of a detected object such as a finger, and the potential of the node n changes from VRES.

読み出し動作は、信号G1としてトランジスタ2612をオン状態とする電位を与える。
ノードnの電位に応じてトランジスタ2611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる
電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出する
ことができる。
In the read operation, a potential that turns on the transistor 2612 is applied as the signal G1.
The current flowing through the transistor 2611, that is, the current flowing through the wiring ML, changes depending on the potential of the node n. By detecting this current, the proximity or contact of an object to be detected can be detected.

トランジスタ2611、トランジスタ2612、及びトランジスタ2613としては、酸
化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトラ
ンジスタ2613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位を長
期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(リフ
レッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
An oxide semiconductor layer is preferably used as a semiconductor layer in which a channel region is formed for each of the transistors 2611, 2612, and 2613. In particular, by using such a transistor as the transistor 2613, the potential of the node n can be held for a long period of time, and the frequency of an operation of resupplying VRES to the node n (refresh operation) can be reduced.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み
合わせて実施することができる。
This embodiment mode can be implemented by appropriately combining at least a part of it with other embodiment modes described in this specification.

≪合成例1≫
本実施例では、本発明の一態様である複素環化合物、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:
4,5-b’]ビスベンゾフラン-6-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン(略称:2mBbfPDBq)(構造式(101))の合成方法について説明する。な
お、2mBbfPDBqの構造を以下に示す。
Synthesis Example 1
In this example, a heterocyclic compound, 2-[3-(benzo[1,2-b:
A method for synthesizing 4,5-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbfPDBq) (structural formula (101)) will be described. The structure of 2mBbfPDBq is shown below.

<2mBbfPDBqの合成>
<ステップ1>
200mL三つ口フラスコに、8.9g(30mmol)の1,4-ジブロモ-2,5-
ジメトキシベンゼンと、10g(72mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸と、1
5mLのトルエンと、15mLのジエチレングリコールジメチルエーテル(diglym
e)と、60mLの炭酸ナトリウム水溶液(2.0mol/L)を入れ、フラスコ内を減
圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。
<Synthesis of 2mBbfPDBq>
<Step 1>
In a 200 mL three-neck flask, 8.9 g (30 mmol) of 1,4-dibromo-2,5-
Dimethoxybenzene, 10 g (72 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid, and 1
5 mL of toluene and 15 mL of diethylene glycol dimethyl ether (diglym
e) and 60 mL of an aqueous sodium carbonate solution (2.0 mol/L) were added, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask.

脱気後、系内を窒素気流下としてから、この混合物を80℃に加熱した。この混合物へ0
.69g(0.60mmol)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0
)を加え、同温度で2時間攪拌した。混合物を室温まで放冷後再び減圧脱気し、系内を窒
素気流下としてから80℃に加熱した。加熱後、この混合物へ0.69g(0.60mm
ol)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を加え、同温度で5時
間加熱した。
After degassing, the system was purged with a nitrogen gas flow, and the mixture was heated to 80° C.
69 g (0.60 mmol) of tetrakis(triphenylphosphine)palladium (0
) was added and stirred at the same temperature for 2 hours. The mixture was cooled to room temperature and then degassed again under reduced pressure. The system was placed under a nitrogen stream and then heated to 80° C. After heating, 0.69 g (0.60 mm
ol) tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) was added, and the mixture was heated at the same temperature for 5 hours.

加熱後、2.0g(14mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸を加え、同温度でさ
らに3時間攪拌した。加熱後、混合物を室温まで放冷後減圧脱気し、系内を窒素気流下と
した。この混合物を80℃に加熱し、0.64g(0.55mmol)のテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム(0)と、3.0g(21mmol)の2-フルオロ
フェニルボロン酸を加え、同温度で2時間攪拌した。撹拌後、混合物を室温まで放冷し、
有機層と水層に分離した。
After heating, 2.0 g (14 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid was added, and the mixture was stirred at the same temperature for an additional 3 hours. After heating, the mixture was allowed to cool to room temperature, degassed under reduced pressure, and the system was placed under a nitrogen stream. This mixture was heated to 80°C, and 0.64 g (0.55 mmol) of tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) and 3.0 g (21 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid were added, and the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature,
The organic and aqueous layers were separated.

得られた水層を、トルエンを用いて3回抽出し、抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水を
用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して
得たろ液を濃縮したところ、化合物を得た。得られた化合物をトルエンにより再結晶した
ところ、目的物を2.5g得た。ろ液を濃縮して得た化合物をカラムクロマトグラフィー
(展開溶媒はヘキサン:酢酸エチル=30:1)により精製したところ、目的物を0.3
g、合わせて目的物を2.8g、収率29%で得た。上記の合成方法を示す合成スキーム
を下記式(A-1)に示す。
The obtained aqueous layer was extracted three times with toluene, and the extract and the organic layer were combined, washed with saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The obtained mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a compound. The obtained compound was recrystallized with toluene to obtain 2.5 g of the target product. The compound obtained by concentrating the filtrate was purified by column chromatography (developing solvent: hexane:ethyl acetate=30:1), and 0.3 g of the target product was obtained.
A total of 2.8 g of the target product was obtained in a yield of 29%. A synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (A-1).

<ステップ2>
300mL三つ口フラスコに、2.8g(8.7mmol)の1,4-ビス(2-フルオ
ロフェニル)-2,5-ジメトキシベンゼンを入れ、フラスコ内を窒素気流下としてから
、脱水ジクロロメタン20mLを加え、溶液を得た。この溶液を氷浴に入れて攪拌しこの
溶液へ、三臭化ホウ素溶液(1mol/Lジクロロメタン溶液)21mL(21mmol
)を脱水ジクロロメタン22mLで希釈した溶液を滴下し、滴下後得られた溶液を室温で
約15時間攪拌した。
<Step 2>
In a 300 mL three-neck flask, 2.8 g (8.7 mmol) of 1,4-bis(2-fluorophenyl)-2,5-dimethoxybenzene was placed, and the flask was purged with nitrogen gas. Then, 20 mL of dehydrated dichloromethane was added to obtain a solution. This solution was placed in an ice bath and stirred, and 21 mL (21 mmol) of boron tribromide solution (1 mol/L dichloromethane solution) was added to this solution.
A solution prepared by diluting 100 mL of the above-mentioned mixture with 22 mL of dehydrated dichloromethane was added dropwise, and after the addition, the resulting solution was stirred at room temperature for about 15 hours.

攪拌後、得られた溶液を氷浴に入れて冷却し、水10mLとメタノール5mLを滴下した
。滴下後、析出した固体を吸引ろ過で回収したところ、目的物の白色固体を得た。得られ
たろ液を有機層と水層に分離し、得られた水層を、ジクロロメタンを用いて3回抽出した
。抽出液と有機層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水を用いて洗浄し、無
水硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮し
たところ、目的物の白色固体を得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(A-
2)に示す。
After stirring, the resulting solution was cooled in an ice bath, and 10 mL of water and 5 mL of methanol were added dropwise. After the addition, the precipitated solid was collected by suction filtration to obtain a white solid as the target substance. The resulting filtrate was separated into an organic layer and an aqueous layer, and the resulting aqueous layer was extracted three times with dichloromethane. The extract and the organic layer were combined, washed with an aqueous sodium bicarbonate solution and saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a white solid as the target substance. A synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (A-
2).

<ステップ3>
100mL三つ口フラスコに、ステップ2で得た2.3g(7.8mmol)の1,4-
ビス(2-フルオロフェニル)-2,5-ジヒドロキシベンゼンと、4.2g(30mm
ol)の炭酸カリウムと、44mLのN-メチル-2-ピロリジノンを入れ、フラスコ内
を減圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、
この混合物を200℃で4.5時間攪拌した。攪拌後、室温まで放冷した後、トルエンと
水と塩酸を加え攪拌し、有機層と水層を分離した。
<Step 3>
In a 100 mL three-neck flask, add 2.3 g (7.8 mmol) of the 1,4-
Bis(2-fluorophenyl)-2,5-dihydroxybenzene, 4.2 g (30 mm
100 ml of potassium carbonate and 44 mL of N-methyl-2-pyrrolidinone were added, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was purged with a nitrogen gas stream, and then
This mixture was stirred for 4.5 hours at 200° C. After stirring, it was allowed to cool to room temperature, and then toluene, water and hydrochloric acid were added and stirred to separate the organic layer and the aqueous layer.

得られた水層を、トルエンを用いて3回抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせたと
ころを固体が析出したため、吸引ろ過により析出固体を回収した。得られたろ液を炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し
た。この混合物を自然ろ過して得られたろ液を濃縮して得た固体をトルエンで再結晶した
ところ目的物の固体を0.53g得た。先に析出した固体をトルエンで再結晶したところ
、目的物の白色固体を0.94g得た。目的物の固体を合わせて1.5g(5.7mmo
l)、収率73%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(A-3)に示す
The aqueous layer obtained was extracted three times with toluene. When the obtained extract and the organic layer were combined, a solid precipitated, and the precipitated solid was collected by suction filtration. The obtained filtrate was washed with an aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. This mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a solid. The solid thus obtained was recrystallized with toluene to obtain 0.53 g of the target solid. The previously precipitated solid was recrystallized with toluene to obtain 0.94 g of the target white solid. The total amount of the target solid was 1.5 g (5.7 mmol).
The synthesis method was carried out in a yield of 73%.

<ステップ4>
100mL三つ口フラスコに、1.4g(5.5mmol)のベンゾ[1,2-b:4,
5-b’]ビスベンゾフランを入れ、フラスコ内を窒素気流下としてから、34mLの脱
水テトラヒドロフランを加え、得られた溶液を-78℃で攪拌した。この溶液へ4.0m
Lのn-ブチルリチウムヘキサン溶液(1.6mol/L、6.3mmol)を滴下し、
滴下後同温度で20分攪拌し後、室温まで昇温してから、1時間攪拌した。所定時間経過
後、得られた溶液を-78℃に冷却し、冷却後、1.5mL(13mmol)のホウ酸ト
リメチルを同温度で滴下して加えた。
<Step 4>
In a 100 mL three-neck flask, 1.4 g (5.5 mmol) of benzo[1,2-b:4,
After placing 5-b']bisbenzofuran in the flask and placing the flask under a nitrogen stream, 34 mL of dehydrated tetrahydrofuran was added, and the resulting solution was stirred at -78°C.
L of n-butyllithium hexane solution (1.6 mol/L, 6.3 mmol) was added dropwise,
After the dropwise addition, the mixture was stirred at the same temperature for 20 minutes, then warmed to room temperature and stirred for 1 hour. After a predetermined time had elapsed, the resulting solution was cooled to -78°C, and after cooling, 1.5 mL (13 mmol) of trimethyl borate was added dropwise at the same temperature.

得られた溶液を室温まで昇温し、室温で15時間攪拌した。攪拌後、50mLの塩酸(1
mol/L)を加えてこの混合物を1時間攪拌した。撹拌後、有機層と水層を分離し、得
られた水層を、酢酸エチルを用いて2回抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせて、
炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて
乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮して固体を得た。
The resulting solution was warmed to room temperature and stirred at room temperature for 15 hours. After stirring, 50 mL of hydrochloric acid (1
mol/L) was added and the mixture was stirred for 1 hour. After stirring, the organic layer and the aqueous layer were separated, and the obtained aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate. The obtained extract and the organic layer were combined and
The mixture was washed with an aqueous solution of sodium hydrogen carbonate and saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The mixture was gravity filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a solid.

得られた固体をクロロホルムで洗浄し、吸引ろ過する事で目的物の固体を0.53g得た
。得られたろ液を濃縮して得た化合物を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、
目的物の固体を0.60g得た。目的物の固体を合わせて、1.1g(3.7mmol)
、収率67%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(A-4)に示す。
The solid obtained was washed with chloroform and filtered by suction to obtain 0.53 g of the target solid. The filtrate obtained was concentrated to obtain a compound, which was recrystallized from toluene/hexane.
The total amount of the target solid was 1.1 g (3.7 mmol).
The synthesis method was carried out in a yield of 67%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (A-4).

<ステップ5>
100mL三つ口フラスコに、1.2g(3.1mmol)の2-(3-ブロモフェニル
)ジベンゾ[f,h]キノキサリンと、1.1g(3.6mmol)のベンゾ[1,2-
b:4,5-b’]ビスベンゾフラン-6-ボロン酸と、50mg(0.16mmol)
のトリス(2-メチルフェニル)ホスフィンと、15mLのトルエンと、2mLのエタノ
ールと、5mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を入れ、フラスコ内を減圧し
ながら攪拌し、この混合物を脱気した。
<Step 5>
In a 100 mL three-neck flask, 1.2 g (3.1 mmol) of 2-(3-bromophenyl)dibenzo[f,h]quinoxaline and 1.1 g (3.6 mmol) of benzo[1,2-
b: 4,5-b']bisbenzofuran-6-boronic acid, 50 mg (0.16 mmol)
tris(2-methylphenyl)phosphine, 15 mL of toluene, 2 mL of ethanol, and 5 mL of an aqueous potassium carbonate solution (2.0 mol/L) were added to the flask, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask.

脱気後、フラスコ内を窒素気流下としてから、混合物を80℃に加熱した。この混合物へ
、10mg(45μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、7時間攪拌した。攪拌後
、室温まで放冷した後、析出した固体を吸引ろ過により回収した。得られた固体を水、エ
タノールを用いて洗浄したところ目的物の固体を得た。得られた固体をトルエンに加熱溶
解し、得られた溶液をセライト、アルミナを通して濾過した。得られたろ液を濃縮して得
た固体を、トルエンにより再結晶したところ、目的物の固体を1.0g(1.8mmol
)、収率58%で得た。
After degassing, the flask was conditioned under a nitrogen gas flow, and the mixture was heated to 80° C. To this mixture, 10 mg (45 μmol) of palladium (II) acetate was added, and the mixture was stirred for 7 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and the precipitated solid was collected by suction filtration. The obtained solid was washed with water and ethanol to obtain the target solid. The obtained solid was dissolved in toluene by heating, and the obtained solution was filtered through Celite and alumina. The obtained filtrate was concentrated to obtain a solid, which was recrystallized with toluene to obtain 1.0 g (1.8 mmol) of the target solid.
), with a yield of 58%.

得られた1.0gの固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製を行った。昇華
精製は圧力2.6Pa、アルゴンを流速5mL/minで流しながら、固体を335℃で
16.5時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の淡黄色固体を0.61g、回収率5
9%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(A-5)に示す。
The obtained 1.0 g of solid was purified by train sublimation. The purification was performed by heating the solid at 335° C. for 16.5 hours under a pressure of 2.6 Pa while flowing argon at a flow rate of 5 mL/min. After the purification by sublimation, 0.61 g of the target pale yellow solid was obtained, with a recovery rate of 5.
The synthesis method was obtained at a yield of 9%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (A-5).

なお、上記合成方法で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分
析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図15に示す。この結果から、本合
成例1において、上述の構造式(101)で表される本発明の一態様である複素環化合物
2mBbfPDBqが得られたことがわかった。
The results of analysis of the pale yellow solid obtained by the above synthesis method by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. The 1 H-NMR chart is shown in Figure 15. From these results, it was found that in Synthesis Example 1, the heterocyclic compound 2mBbfPDBq, which is one embodiment of the present invention and is represented by the above structural formula (101), was obtained.

H NMR(テトラクロロエタン-d,500MHz):δ=7.25(t、J=7
.5Hz、1H)、7.48(t、J=7.5Hz、1H)、7.52-7.59(m、
2H)、7.67(d、J=8.0Hz、1H)、7.72(d、J=8.0Hz、1H
)、7.77(t、J=7.0Hz、2H)、7.82-7.89(m、3H)、7.9
8(t、J=7.5Hz、1H)、8.09(d、J=7.5Hz、1H)、8.16(
d、J=7.5Hz、1H)、8.22(d、J=1.0Hz、1H)、8.63(d、
J=7.5Hz、1H)、8.71(d、J=7.5Hz、2H)、8.88(s、1H
)、9.34(d、J=8.0Hz、1H)、9.43(d、J=8.0Hz、1H)、
9.57(s、1H)。
1 H NMR (tetrachloroethane-d 2 , 500 MHz): δ=7.25 (t, J=7
. 5Hz, 1H), 7.48(t, J=7.5Hz, 1H), 7.52-7.59(m,
2H), 7.67 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.72 (d, J = 8.0 Hz, 1H
), 7.77 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 7.82-7.89 (m, 3H), 7.9
8 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 8.09 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.16 (
d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.22 (d, J = 1.0 Hz, 1H), 8.63 (d,
J = 7.5 Hz, 1H), 8.71 (d, J = 7.5 Hz, 2H), 8.88 (s, 1H
), 9.34 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 9.43 (d, J = 8.0 Hz, 1H),
9.57 (s, 1H).

次に、2mBbfPDBqのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収スペクトル(以
下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。固体薄膜は石英基
板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株
)日本分光製 V550型)を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計(
(株)浜松ホトニクス製 FS920)を用いた。得られたトルエン溶液の吸収スペクト
ルおよび発光スペクトルの測定結果を図16(A)に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度
を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図16(B
)に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度を表す。
Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter, simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of the toluene solution and solid thin film of 2mBbfPDBq were measured. The solid thin film was prepared on a quartz substrate by vacuum deposition. The absorption spectrum was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (V550 model, manufactured by JASCO Corporation). The emission spectrum was measured using a fluorometer (
The absorption spectrum and emission spectrum of the obtained toluene solution are shown in FIG. 16(A). The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity. The absorption spectrum and emission spectrum of the solid thin film are shown in FIG. 16(B).
The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity.

図16(A)の結果より、2mBbfPDBqのトルエン溶液では、282nm、及び3
33nm付近に吸収ピークが見られ、392nm、及び404nm付近に発光波長のピー
クが見られた。また、図16(B)の結果より、2mBbfPDBqの固体薄膜では、2
63nm及び337nm付近に吸収ピークが見られ、429nm付近に発光波長のピーク
が見られた。
From the results of FIG. 16(A), in the toluene solution of 2 mBbfPDBq, the peaks at 282 nm and 3
An absorption peak was observed at about 33 nm, and emission wavelength peaks were observed at about 392 nm and 404 nm.
Absorption peaks were observed near 63 nm and 337 nm, and an emission wavelength peak was observed near 429 nm.

≪合成例2≫
本実施例では、本発明の一態様である複素環化合物、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:
5,4-b’]ビスベンゾフラン-6-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン(略称:2mBbf(II)PDBq)(構造式(107))の合成方法について説明
する。なお、2mBbf(II)PDBqの構造を以下に示す。
Synthesis Example 2
In this example, a heterocyclic compound, 2-[3-(benzo[1,2-b:
A method for synthesizing [5,4-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(II)PDBq) (structural formula (107)) will be described. The structure of 2mBbf(II)PDBq is shown below.

<2mBbf(II)PDBqの合成>
<ステップ1>
200mL三つ口フラスコに、5.0g(36mmol)の1,3-ジメトキシベンゼン
を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてか
ら、80mLの脱水ジクロロメタンを加え、撹拌した。得られた溶液を氷浴で冷却しなが
ら、同フラスコへ12g(75mmol)の臭素を14mLの脱水ジクロロメタンに溶か
した溶液を滴下した。
<Synthesis of 2mBbf(II)PDBq>
<Step 1>
5.0 g (36 mmol) of 1,3-dimethoxybenzene was placed in a 200 mL three-neck flask, and the flask was depressurized while stirring and degassing. After degassing, the system was placed under a nitrogen stream, and 80 mL of dehydrated dichloromethane was added and stirred. While the resulting solution was cooled in an ice bath, a solution of 12 g (75 mmol) of bromine dissolved in 14 mL of dehydrated dichloromethane was added dropwise to the flask.

滴下後、得られた溶液を室温で15時間撹拌した。撹拌後、得られた溶液を氷浴で冷却し
ながら、pH8になるまで炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を
加えた。得られた混合物を、有機層と水層に分離し、水層を、ジクロロメタンを用いて3
回抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水を用いて洗浄した。得られた
有機層を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、この混合物を自然濾過してろ液を得た
After the dropwise addition, the resulting solution was stirred at room temperature for 15 hours. After stirring, while the resulting solution was cooled in an ice bath, an aqueous solution of sodium bicarbonate and an aqueous solution of saturated sodium thiosulfate were added until the pH reached 8. The resulting mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer, and the aqueous layer was diluted with dichloromethane for 3 h.
The extract and the organic layer were combined and washed with saturated saline. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the mixture was gravity filtered to obtain a filtrate.

得られたろ液を濃縮して得た固体に、ヘキサンを加えて超音波を照射した後、この混合物
を吸引濾過して固体を得た。得られた固体を、ヘキサン/酢酸エチルで再結晶を行ったと
ころ、目的物の固体を7.2g(24mmol)、収率67%で得た。上記の合成方法を
示す合成スキームを下記式(B-1)に示す。
The filtrate was concentrated to obtain a solid, to which hexane was added and ultrasonically irradiated, and the mixture was then suction filtered to obtain a solid. The solid was recrystallized from hexane/ethyl acetate to obtain 7.2 g (24 mmol) of the target solid in a yield of 67%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-1).

<ステップ2>
200mLの三口フラスコに、7.1g(24mmol)の1,5-ジブロモ-2,4-
ジメトキシベンゼンと、2.8g(20mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸と、
12mLのトルエンと、12mLのジエチレングリコールジメチルエーテルと、50mL
の炭酸ナトリウム水溶液(2mol/L)を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、こ
の混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、混合物を80℃に加熱した
<Step 2>
Into a 200 mL three-neck flask, 7.1 g (24 mmol) of 1,5-dibromo-2,4-
dimethoxybenzene, 2.8 g (20 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid,
12 mL of toluene, 12 mL of diethylene glycol dimethyl ether, and 50 mL
The mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was conditioned under a nitrogen gas flow, and the mixture was heated to 80°C.

この混合物へ、0.55g(0.48mmol)のテトラキス(トリフェニルホスフィン
)パラジウム(0)を加え同温度で3時間攪拌した。混合物を室温まで放冷後、4.5g
(32mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸と0.12g(0.29mmol)の
2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニルを加えてから減圧
脱気し、再び系内を窒素気流下としてから80℃に加熱した。その後、30mg(0.1
3mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、同温度で4時間撹拌した。
To this mixture, 0.55 g (0.48 mmol) of tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) was added and stirred at the same temperature for 3 hours.
(32 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid and 0.12 g (0.29 mmol) of 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl were added, and the mixture was degassed under reduced pressure, and the inside of the system was again placed under a nitrogen stream and heated to 80°C.
3 mmol) of palladium(II) acetate was added, and the mixture was stirred at the same temperature for 4 hours.

撹拌後、混合物を室温まで放冷し、有機層と水層に分離した。得られた水層を、トルエン
を用いて3回抽出し、抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮し、褐色油
状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサンか
らクロロホルムへグラジエントをかけた)で精製したところ、目的物の淡黄色油状物を7
.2g(22mmol)、収率92%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記
式(B-2)に示す。
After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature and separated into an organic layer and an aqueous layer. The resulting aqueous layer was extracted three times with toluene, and the extract and the organic layer were combined, washed with saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The resulting mixture was gravity filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a brown oily product. This oily product was purified by silica gel column chromatography (the developing solvent was a gradient from hexane to chloroform), and the target pale yellow oily product was obtained in 7.
The synthesis method was carried out in a yield of 92%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-2).

<ステップ3>
500mL三つ口フラスコに、7.2g(22mmol)の1,5-ビス(2-フルオロ
フェニル)-2,4-ジメトキシベンゼンを入れ、フラスコ内を窒素気流下としてから、
脱水ジクロロメタン60mLを加え、溶液を得た。得られた溶液を氷浴に入れて攪拌し、
この溶液に、三臭化ホウ素溶液(1mol/Lジクロロメタン溶液)53mL(53mm
ol)を脱水ジクロロメタン50mLで希釈した溶液を滴下し、滴下後得られた溶液を室
温で15時間時撹拌した。攪拌後、再び氷浴に入れて冷却し、40mLのメタノールと4
0mLの水を滴下し、得られた混合物の有機層と水層を分離した。得られた水層を、ジク
ロロメタンを用いて3回抽出し、得られた抽出液と有機層を合わせて炭酸水素ナトリウム
水溶液と飽和食塩水を用いて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得ら
れた混合物を自然濾過して得たろ液を濃縮したところ、目的物の淡黄色油状物を約7g得
た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(B-3)に示す。
<Step 3>
Into a 500 mL three-neck flask, 7.2 g (22 mmol) of 1,5-bis(2-fluorophenyl)-2,4-dimethoxybenzene was placed, and the flask was purged with a nitrogen gas stream.
60 mL of dehydrated dichloromethane was added to obtain a solution. The obtained solution was placed in an ice bath and stirred.
To this solution, 53 mL (53 mm) of boron tribromide solution (1 mol/L dichloromethane solution) was added.
A solution of 100 ml of 1.5 mol of 100 ml of dichloromethane was added dropwise, and the resulting solution was stirred at room temperature for 15 hours. After stirring, the solution was cooled in an ice bath again, and 40 ml of methanol and 4
0 mL of water was added dropwise, and the organic layer and the aqueous layer of the obtained mixture were separated. The obtained aqueous layer was extracted three times with dichloromethane, and the obtained extract and the organic layer were combined and washed with an aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated saline, and then dried with anhydrous magnesium sulfate. The obtained mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated, to obtain about 7 g of a pale yellow oily product as the target product. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-3).

<ステップ4>
300mL三つ口フラスコに、ステップ3で得られた約7g(約22mmol)の1,5
-ビス(2-フルオロフェニル)-2,4-ジヒドロキシベンゼンと、13g(96mm
ol)の炭酸カリウムと、140mLのN-メチル-2-ピロリジノンを入れ、フラスコ
内を減圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから
、この混合物を200℃で7時間攪拌した。
<Step 4>
In a 300 mL three-neck flask, add about 7 g (about 22 mmol) of the 1,5-diamine derivative obtained in step 3.
-bis(2-fluorophenyl)-2,4-dihydroxybenzene, 13 g (96 mm
The flask was charged with 100 mL of potassium carbonate and 140 mL of N-methyl-2-pyrrolidinone, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was emptied under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at 200° C. for 7 hours.

攪拌後、室温まで放冷した後、トルエンと水と塩酸を加え攪拌し、得られた混合物の有機
層と水層を分離し、水層を、トルエンを用いて3回抽出した。得られた抽出液と有機層を
合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウム
を加えて乾燥した。この混合物を自然濾過して得たろ液を濃縮したところ、黄色油状物を
得た。得られた油状物をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末
状固体を得た。
After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then toluene, water, and hydrochloric acid were added and stirred. The organic layer and the aqueous layer of the resulting mixture were separated, and the aqueous layer was extracted three times with toluene. The resulting extract and the organic layer were combined and washed with an aqueous sodium bicarbonate solution and saturated saline, and anhydrous magnesium sulfate was added for drying. The mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a yellow oily product. The obtained oily product was recrystallized with toluene/hexane to obtain the target white powdery solid.

得られた固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の固体を得た。再結
晶のろ液を濃縮して得た油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキ
サン)で精製し、ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色粉末状固体を得た。得られ
た白色粉末状固体は合わせて2.2g(8.5mmol)、ステップ3とステップ4の2
段階での収率39%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(B-4)に示
す。
The obtained solid was recrystallized with toluene/hexane to obtain the target solid. The recrystallization filtrate was concentrated to obtain an oily substance, which was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane) and recrystallized with hexane to obtain the target white powdery solid. The obtained white powdery solid was 2.2 g (8.5 mmol) in total, and the two fractions of Step 3 and Step 4 were
The synthesis method was obtained in a yield of 39% in this step. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-4).

<ステップ5>
200mL三つ口フラスコに、2.2g(8.5mmol)のベンゾ[1,2-b:5,
4-b’]ビスベンゾフランを入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この化合物を脱
気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、40mLの脱水テトラヒドロフランを加
え、得られた溶液を-78℃で攪拌した。
<Step 5>
In a 200 mL three-neck flask, 2.2 g (8.5 mmol) of benzo[1,2-b:5,
The flask was then degassed by stirring while reducing the pressure in the flask. After degassing, the system was conditioned under a nitrogen stream, and 40 mL of dehydrated tetrahydrofuran was added. The resulting solution was stirred at −78° C.

撹拌後、5.6mLのn-ブチルリチウムヘキサン溶液(1.60mol/L、9.0m
mol)を同温度で滴下し、滴下後室温まで昇温してから30分攪拌した。撹拌後、得ら
れた溶液を-78℃に冷却し、2.20g(8.7mmol)のヨウ素を10mLの脱水
テトラヒドロフランに溶かした溶液を同温度にて滴下した。滴下後、得られた溶液を室温
ま昇温し、同温度で約15時間攪拌した。
After stirring, 5.6 mL of n-butyllithium hexane solution (1.60 mol/L, 9.0 m
At the same temperature, 2.20 g (8.7 mmol) of iodine was added dropwise, and the mixture was then warmed to room temperature and stirred for 30 minutes. After stirring, the resulting solution was cooled to -78°C, and a solution of 2.20 g (8.7 mmol) of iodine dissolved in 10 mL of dehydrated tetrahydrofuran was added dropwise at the same temperature. After the addition, the resulting solution was warmed to room temperature and stirred at the same temperature for about 15 hours.

攪拌後、得られた溶液に水を加えて撹拌し、得られた混合物を有機層と水層に分離した。
得られた水層をトルエンを用いて3回抽出し、得られた抽出液と有機層を合わせて炭酸水
素ナトリウム水溶液とチオ硫酸ナトリウム水溶液、次いで飽和食塩水を用いて洗浄し、無
水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮し
て得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の淡褐色固体を2.
5g(6.5mmol)、収率76%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記
式(B-5)に示す。
After stirring, water was added to the resulting solution and stirred, and the resulting mixture was separated into an organic layer and an aqueous layer.
The aqueous layer obtained was extracted three times with toluene, and the resulting extract and the organic layer were combined and washed with an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, an aqueous sodium thiosulfate solution, and then with saturated saline, and dried by adding anhydrous magnesium sulfate. The mixture obtained was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a solid. The solid was recrystallized with toluene/hexane to obtain a light brown solid of 2.
The compound was obtained in an amount of 5 g (6.5 mmol) with a yield of 76%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-5).

<ステップ6>
200mL三つ口フラスコに、1.5g(3.8mmol)の6-ヨード-ベンゾ[1,
2-b:5,4-b’]ビスベンゾフランと、1.8g(4.2mmol)の2-[3-
(2-ジベンゾ[f,h]キノキサリニル)フェニル]-4,4,5,5-テトラメチル
-1,3,2-ジオキサボロランと、70mg(0.23mmol)のトリス(2-メチ
ルフェニル)ホスフィンと、20mLのトルエンと、2mLのエタノールと、6mLの炭
酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この
混合物を脱気した。
<Step 6>
In a 200 mL three-neck flask, 1.5 g (3.8 mmol) of 6-iodo-benzo[1,
2-b: 5,4-b']bisbenzofuran and 1.8 g (4.2 mmol) of 2-[3-
(2-dibenzo[f,h]quinoxalinyl)phenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, 70 mg (0.23 mmol) of tris(2-methylphenyl)phosphine, 20 mL of toluene, 2 mL of ethanol, and 6 mL of an aqueous potassium carbonate solution (2.0 mol/L) were placed in the flask, and the mixture was stirred while reducing the pressure inside the flask, to degas the mixture.

脱気後、系内を窒素気流下としてから、混合物を80℃に加熱した。加熱後、10mg(
45μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、この混合物を同温度で2.5時間攪拌
した。攪拌後、室温まで放冷した後、再び10mg(45μmol)の酢酸パラジウム(
II)を加え、8時間攪拌した。室温まで放冷した後、この混合物を濃縮し、20mLの
エチレングリコールジメチルエーテルと、6mLの炭酸ナトリウム水溶液(2.0mol
/L)を加え、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。
After degassing, the system was purged with a nitrogen gas stream, and the mixture was heated to 80° C. After heating, 10 mg (
45 μmol) of palladium(II) acetate was added, and the mixture was stirred at the same temperature for 2.5 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then 10 mg (45 μmol) of palladium(II) acetate was added again.
II) was added and stirred for 8 hours. After cooling to room temperature, the mixture was concentrated and diluted with 20 mL of ethylene glycol dimethyl ether and 6 mL of an aqueous solution of sodium carbonate (2.0 mol
1/L) was added, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask.

脱気後、系内を窒素気流下としてから、80℃に加熱した。加熱後、0.10g(87μ
mol)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を加えて1.5時間
撹拌した。撹拌後、得られた混合物を室温まで放冷後、析出した固体を吸引ろ過により回
収した。得られた固体を水、エタノールを用いて洗浄した。得られた固体をトルエンに溶
解してセライトとアルミナを通してろ過をした。得られたろ液を濃縮して得た固体を、ト
ルエンにより再結晶したところ、目的物の淡黄色固体を1.2g(2.1mmol)、収
率55%で得た。
After degassing, the inside of the system was purged with a nitrogen gas flow and then heated to 80° C. After heating, 0.10 g (87 μ
mol) of tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) was added and stirred for 1.5 hours. After stirring, the resulting mixture was allowed to cool to room temperature, and the precipitated solid was collected by suction filtration. The resulting solid was washed with water and ethanol. The resulting solid was dissolved in toluene and filtered through celite and alumina. The filtrate was concentrated to obtain a solid, which was recrystallized with toluene to obtain 1.2 g (2.1 mmol) of a pale yellow solid, which was the target product, in a yield of 55%.

得られた固体をトレインサブリメーション法により昇華精製を行った。昇華精製は、圧力
2.5Pa、アルゴンを流速5mL/minで流しながら、固体を310℃で15.5時
間加熱することにより行ったところ、目的物の淡黄色固体を0.90g、回収率75%で
得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(B-6)に示す。
The obtained solid was purified by sublimation using a train sublimation method. The sublimation purification was performed by heating the solid at 310°C for 15.5 hours while flowing argon at a pressure of 2.5 Pa and a flow rate of 5 mL/min, and 0.90 g of the target pale yellow solid was obtained with a recovery rate of 75%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (B-6).

なお、上記合成方法で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分
析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図17に示す。この結果から、本合
成例2において、上述の構造式(107)で表される本発明の一態様である複素環化合物
2mBbf(II)PDBqが得られたことがわかった。
The results of analysis of the pale yellow solid obtained by the above synthesis method by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. The 1 H-NMR chart is shown in Figure 17. From these results, it was found that in Synthesis Example 2, the heterocyclic compound 2mBbf(II)PDBq, which is one embodiment of the present invention and is represented by the above structural formula (107), was obtained.

H NMR(テトラクロロエタン-d,500MHz):δ=7.49(t、J=8
.0Hz、2H)、7.56(t、J=8.0Hz、2H)、7.74(d、J=8.0
Hz、2H)、7.81-7.89(m、4H)、7.93(t、J=8.0Hz、1H
)、8.18(d、J=7.5Hz、2H)8.43(d、J=6.5Hz、1H)、8
.53(d、J=8.0Hz、1H)、8.56(s、1H)、8.71(d、J=8.
0Hz、2H)、9.27(s、1H)、9.34(d、J=7.5Hz、1H)、9.
56(d、J=8.0Hz、1H)、9.60(s、1H)。
1 H NMR (tetrachloroethane-d 2 , 500 MHz): δ=7.49 (t, J=8
.0 Hz, 2H), 7.56 (t, J = 8.0 Hz, 2H), 7.74 (d, J = 8.0
Hz, 2H), 7.81-7.89 (m, 4H), 7.93 (t, J = 8.0 Hz, 1H
), 8.18 (d, J = 7.5 Hz, 2H) 8.43 (d, J = 6.5 Hz, 1H), 8
. 53 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.56 (s, 1H), 8.71 (d, J = 8.
0 Hz, 2H), 9.27 (s, 1H), 9.34 (d, J=7.5 Hz, 1H), 9.
56 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 9.60 (s, 1H).

次に、2mBbf(II)PDBqのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収スペク
トル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。固体薄膜
は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度
計((株)日本分光製 V550型)を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光
光度計((株)浜松ホトニクス製 FS920)を用いた。得られたトルエン溶液の吸収
スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図18(A)に示す。横軸は波長、縦軸は
吸収強度を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図
18(B)に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度を表す。
Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of the toluene solution and solid thin film of 2mBbf(II)PDBq were measured. The solid thin film was prepared on a quartz substrate by vacuum deposition. A UV-visible spectrophotometer (V550 type, manufactured by JASCO Corporation) was used to measure the absorption spectrum. A fluorometer (FS920, manufactured by Hamamatsu Photonics Corporation) was used to measure the emission spectrum. The measurement results of the absorption spectrum and emission spectrum of the obtained toluene solution are shown in FIG. 18(A). The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity. The measurement results of the absorption spectrum and emission spectrum of the solid thin film are shown in FIG. 18(B). The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity.

図18(A)の結果より、2mBbf(II)PDBqのトルエン溶液では、281nm
、及び288nm付近に吸収ピークが見られ、393nm、及び404nm付近に発光波
長のピークが見られた。また、図18(B)の結果より、2mBbf(II)PDBqの
固体薄膜では、265nm及び384nm付近に吸収ピークが見られ、430nm付近に
発光波長のピークが見られた。
From the results of FIG. 18(A), in the toluene solution of 2mBbf(II)PDBq,
18(B), the solid thin film of 2mBbf(II)PDBq exhibited absorption peaks at 265 nm and 384 nm, and an emission wavelength peak at 430 nm.

≪合成例3≫
本実施例では、本発明の一態様である複素環化合物、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:
5,6-b’]ビスベンゾフラン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン(略称:2mBbf(III)PDBq)(構造式(149))の合成方法について説
明する。なお、2mBbf(III)PDBqの構造を以下に示す。
Synthesis Example 3
In this example, a heterocyclic compound, 2-[3-(benzo[1,2-b:
A method for synthesizing [5,6-b']bisbenzofuran-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(III)PDBq) (structural formula (149)) will be described. The structure of 2mBbf(III)PDBq is shown below.

<2mBbf(III)PDBqの合成>
<ステップ1>
500mL三つ口フラスコに、10g(46mmol)の2-ブロモ-1,3-ジメトキ
シベンゼンと、7.2g(51mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸と、66mL
のトルエンと、66mLのジエチレングリコールジメチルエーテル(diglyme)と
、76mLの炭酸ナトリウム水溶液(2.0mol/L)を入れ、フラスコ内を減圧しな
がら攪拌し、この混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、混合物を8
0℃に加熱した。この混合物へ同温度で、1.1g(0.95mmol)のテトラキス(
トリスメチルフェニルホスフィン)パラジウム(0)を加え、5時間撹拌した。
<Synthesis of 2mBbf(III)PDBq>
<Step 1>
In a 500 mL three-neck flask, 10 g (46 mmol) of 2-bromo-1,3-dimethoxybenzene, 7.2 g (51 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid, and 66 mL
The flask was charged with toluene, 66 mL of diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), and 76 mL of an aqueous solution of sodium carbonate (2.0 mol/L), and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was conditioned under a nitrogen gas flow, and the mixture was then stirred for 8 h.
The mixture was heated to 0° C. At the same temperature, 1.1 g (0.95 mmol) of tetrakis(
Tris(methylphenylphosphine)palladium(0) was added and the mixture was stirred for 5 hours.

撹拌後、得られた混合物を室温まで放冷後、3.2g(23mmol)の2-フルオロフ
ェニルボロン酸と、1.0g(0.87mmol)のテトラキス(トリスメチルフェニル
ホスフィン)パラジウム(0)を加え、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この混合物を
脱気し、系内を窒素気流下としてから、混合物を80℃で8時間撹拌した。撹拌後、室温
まで放冷してから5.2g(37mmol)の2-フルオロフェニルボロン酸と、0.1
9g(0.46mmol)の2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシ
ビフェニルと、50mg(0.22mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、フラス
コ内を減圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。系内を窒素気流下としてから、この
混合物を80℃で4時間攪拌した。
After stirring, the resulting mixture was allowed to cool to room temperature, and then 3.2 g (23 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid and 1.0 g (0.87 mmol) of tetrakis(trismethylphenylphosphine)palladium(0) were added, and the mixture was stirred while reducing the pressure inside the flask. The mixture was degassed, and the system was placed under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at 80° C. for 8 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then 5.2 g (37 mmol) of 2-fluorophenylboronic acid and 0.1
9 g (0.46 mmol) of 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl and 50 mg (0.22 mmol) of palladium(II) acetate were added, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After the system was purged with a nitrogen stream, the mixture was stirred at 80°C for 4 hours.

撹拌後、この混合物を室温まで放冷し、有機層と水層に分離した。得られた水層を、トル
エンを用いて3回抽出し、抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫
酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮したと
ころ濃褐色油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒はヘキサンからクロロホルムへグラジエントをかけた)により精製した後、トルエン
/ヘキサンにより再結晶を行ったところ、目的物の固体を8.4g(36mmol)、収
率78%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(C-1)に示す。
After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature and separated into an organic layer and an aqueous layer. The obtained aqueous layer was extracted three times with toluene, and the extract and the organic layer were combined and washed with saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The obtained mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a dark brown oily product. The obtained oily product was purified by silica gel column chromatography (the developing solvent was a gradient from hexane to chloroform), and then recrystallized with toluene/hexane, obtaining 8.4 g (36 mmol) of the target solid in a yield of 78%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-1).

<ステップ2>
300mLエーレンマイヤーフラスコに、8.4g(36mmol)の2’-フルオロ-
1、3-ジメトキシ-2,1’-ビフェニルと、130mLのアセトニトリルを入れ、得
られた溶液に、6.4g(36mmol)のN-ブロモスクシンイミドを加え、得られた
溶液を室温で23.5時間撹拌した。撹拌後、得られた溶液へ水、ジクロロメタンを加え
、この混合物の有機層と水層を分離した。
<Step 2>
In a 300 mL Erlenmeyer flask, 8.4 g (36 mmol) of 2'-fluoro-
1,3-Dimethoxy-2,1'-biphenyl and 130 mL of acetonitrile were added, and 6.4 g (36 mmol) of N-bromosuccinimide was added to the resulting solution, and the resulting solution was stirred at room temperature for 23.5 hours. After stirring, water and dichloromethane were added to the resulting solution, and the organic layer and the aqueous layer of this mixture were separated.

水層を、ジクロロメタンにより3回抽出し、得られた抽出液を有機層と合わせて飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液と飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥
した。得られた混合物を自然濾過して得たろ液を濃縮したところ、目的物の黄色オイルを
11g(35mmol)、収率97%で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記
式(C-2)に示す。
The aqueous layer was extracted three times with dichloromethane, and the resulting extract was combined with the organic layer, washed with a saturated aqueous sodium thiosulfate solution and saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain 11 g (35 mmol) of a yellow oil, which was the target product, in a yield of 97%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-2).

<ステップ3>
300mL三つ口フラスコに、11g(35mmol)の4-ブロモ-2’-フルオロ-
1,3-ジメトキシ-2,1’-ビフェニルを入れ、系内を窒素気流下としてから、6.
51g(37mmol)の3-クロロ-2-フルオロ-ベンゼンボロン酸と、55mLの
炭酸ナトリウム水溶液(2.0mol/L)と、50mLのトルエンと、50mLのエチ
レングリコールジメチルエーテルと、0.16g(0.39mmol)の2-ジシクロヘ
キシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニルを加えた。フラスコ内を減圧しな
がら攪拌し、この混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、80℃に加
熱した。その後、40mg(0.18mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、同温
度で2時間撹拌した。
<Step 3>
In a 300 mL three-neck flask, 11 g (35 mmol) of 4-bromo-2'-fluoro-
1,3-dimethoxy-2,1'-biphenyl was added, and the inside of the system was purged with a nitrogen gas stream.
51 g (37 mmol) of 3-chloro-2-fluoro-benzeneboronic acid, 55 mL of aqueous sodium carbonate solution (2.0 mol/L), 50 mL of toluene, 50 mL of ethylene glycol dimethyl ether, and 0.16 g (0.39 mmol) of 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl were added. The mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was placed under a nitrogen stream and heated to 80°C. Then, 40 mg (0.18 mmol) of palladium acetate (II) was added and stirred at the same temperature for 2 hours.

撹拌後、得られた混合物を室温まで放冷した後、3.4g(19mmol)の3-クロロ
-2-フルオロ-ベンゼンボロン酸を加えて、80℃に加熱した。この混合物へ、40m
g(0.18mmol)の酢酸パラジウム(II)を加えて、同温度で3時間撹拌した。
撹拌後、0.90g(5.2mmol)の3-クロロ-2-フルオロ-ベンゼンボロン酸
と40mg(0.18mmol)の酢酸パラジウム(II)を加えて80℃に加熱し、こ
の混合物を7時間撹拌した。撹拌後、室温まで放冷してから、有機層と水層を分離した。
水層を、トルエンを用いて3回抽出し、得られた抽出液と有機層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。自然濾過して得たろ液を濃縮したとこ
ろ、油状物を得た。
After stirring, the resulting mixture was allowed to cool to room temperature, and then 3.4 g (19 mmol) of 3-chloro-2-fluoro-benzeneboronic acid was added and heated to 80° C.
g (0.18 mmol) of palladium(II) acetate was added, and the mixture was stirred at the same temperature for 3 hours.
After stirring, 0.90 g (5.2 mmol) of 3-chloro-2-fluoro-benzeneboronic acid and 40 mg (0.18 mmol) of palladium(II) acetate were added and heated to 80° C., and the mixture was stirred for 7 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then the organic layer and the aqueous layer were separated.
The aqueous layer was extracted three times with toluene, and the resulting extract and the organic layer were combined, washed with saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The filtrate obtained by gravity filtration was concentrated to obtain an oily product.

得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒はヘキサン:酢酸エチ
ル10:1)により精製し、トルエン/ヘキサンにより再結晶を行ったところ、目的物の
固体を得た。再結晶の母液を濃縮して得た固体を、高速液体クロマトグラフィー(展開溶
媒はクロロホルム)を用いて精製し、トルエン/ヘキサンにより再結晶を行ったところ、
目的物の固体を得た。目的物の固体を合わせて9.9g(28mmol)、収率80%で
得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(C-3)に示す。
The oily product was purified by silica gel column chromatography (eluent: hexane:ethyl acetate 10:1) and recrystallized from toluene/hexane to obtain the target solid. The mother liquor of the recrystallization was concentrated to obtain a solid, which was purified by high performance liquid chromatography (eluent: chloroform) and recrystallized from toluene/hexane to obtain the target solid.
The target solid was obtained. The total amount of the target solid was 9.9 g (28 mmol), with a yield of 80%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-3).

<ステップ4>
500mL三つ口フラスコに、9.8g(27mmol)の4-(3-クロロ-2-フル
オロフェニル)-2-(2-フルオロフェニル)-1、3-ジメトキシベンゼンを入れ、
フラスコ内を窒素気流下としてから、脱水ジクロロメタン150mLを加えた。得られた
溶液を、氷浴に入れて攪拌し、三臭化ホウ素(1mol/Lジクロロメタン溶液)70m
L(70mmol)を、90mLの脱水ジクロロメタンで希釈した溶液を滴下した。滴下
後、得られた溶液を室温で15時間攪拌した。攪拌後、得られた溶液を氷浴に入れて冷却
し、20mLのメタノールを滴下し、更に40mLの水を滴下した。得られた混合物の有
機層と水層を分離した。得られた水層を、ジクロロメタンを用いて3回抽出し、抽出液と
有機層を合わせて炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮することによ
り、褐色の油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
溶媒はヘキサン:酢酸エチル8:1)で精製した後、ヘキサン/クロロホルムにより再結
晶したところ、目的物の白色固体を8.7g(26mmol)、収率96%で得た。上記
の合成方法を示す合成スキームを下記式(C-4)に示す。
<Step 4>
Into a 500 mL three-neck flask, 9.8 g (27 mmol) of 4-(3-chloro-2-fluorophenyl)-2-(2-fluorophenyl)-1,3-dimethoxybenzene was placed.
The flask was purged with nitrogen and 150 mL of dehydrated dichloromethane was added. The resulting solution was placed in an ice bath and stirred, and 70 mL of boron tribromide (1 mol/L dichloromethane solution) was added.
A solution of L (70 mmol) diluted with 90 mL of dehydrated dichloromethane was dropped. After dropping, the obtained solution was stirred at room temperature for 15 hours. After stirring, the obtained solution was cooled in an ice bath, 20 mL of methanol was dropped, and 40 mL of water was further dropped. The organic layer and the aqueous layer of the obtained mixture were separated. The obtained aqueous layer was extracted three times with dichloromethane, and the extract and the organic layer were combined and washed with an aqueous sodium bicarbonate solution and saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. A brown oily product was obtained by concentrating the filtrate obtained by natural filtration of the obtained mixture. The obtained oily product was purified by silica gel column chromatography (developing solvent was hexane:ethyl acetate 8:1) and then recrystallized with hexane/chloroform, and 8.7 g (26 mmol) of the target white solid was obtained in a yield of 96%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-4).

<ステップ5>
500mLナスフラスコに、8.7g(26mmol)の4-(3-クロロ-2-フルオ
ロフェニル)-2-(2-フルオロフェニル)-1、3-ジヒドロキシベンゼンと、14
g(0.10mmol)の炭酸カリウムと、150mLのN-メチル-2-ピロリジノン
を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素
気流下としてから、この混合物を200℃で9時間攪拌した。攪拌後、室温まで放冷した
後、トルエンと水と塩酸を加え攪拌し、得られた混合物の有機層と水層を分離した。
<Step 5>
In a 500 mL recovery flask, 8.7 g (26 mmol) of 4-(3-chloro-2-fluorophenyl)-2-(2-fluorophenyl)-1,3-dihydroxybenzene and 14
The flask was charged with 1.0 g (0.10 mmol) of potassium carbonate and 150 mL of N-methyl-2-pyrrolidinone, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask. After degassing, the system was conditioned under a nitrogen gas flow, and the mixture was stirred at 200° C. for 9 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then toluene, water, and hydrochloric acid were added and stirred, and the organic layer and aqueous layer of the resulting mixture were separated.

得られた水層を、トルエンを用いて3回抽出し、得られた抽出液と有機層を合わせて炭酸
水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水を用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥
した。この混合物を自然ろ過して得たろ液を濃縮したところ、褐色固体を得た。得られた
固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶を行ったところ、一番晶3.4g(12mmol
)、及び、二番晶1.6g(5.4mmol)、一番晶と二番晶を合わせて収率67%で
得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(C-5)に示す。
The aqueous layer obtained was extracted three times with toluene, and the resulting extract and the organic layer were combined, washed with an aqueous sodium bicarbonate solution and saturated saline, and dried with anhydrous magnesium sulfate. The mixture was naturally filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a brown solid. The obtained solid was recrystallized with toluene/hexane to obtain 3.4 g (12 mmol) of the first crystal.
), and 1.6 g (5.4 mmol) of the second crystal were obtained, with the combined yield of the first and second crystals being 67%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-5).

<ステップ6>
100mL三つ口フラスコに、1.5g(5.2mmol)の4-クロロベンゾ[1,2
-b;5,6-b’]ビスベンゾフランと、2.5g(5.7mmol)の2-[3-(
2-ジベンゾ[f,h]キノキサリニル)フェニル]-4,4,5,5-テトラメチル-
1,3,2-ジオキサボロランと、80mg(0.22mmol)のジ(1-アダマンチ
ル)(n-ブチル)ホスフィンと、1.5mL(16mmol)のt-ブタノールと、3
.6g(17mmol)のリン酸(III)カリウムと、26mLのジエチレングリコー
ルジメチルエーテル(diglyme)を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌し、この
混合物を脱気した。脱気後、系内を窒素気流下としてから、混合物を80℃に加熱した。
<Step 6>
In a 100 mL three-neck flask, 1.5 g (5.2 mmol) of 4-chlorobenzo[1,2
-b;5,6-b']bisbenzofuran and 2.5 g (5.7 mmol) of 2-[3-(
2-dibenzo[f,h]quinoxalinyl)phenyl]-4,4,5,5-tetramethyl-
1,3,2-dioxaborolane, 80 mg (0.22 mmol) of di(1-adamantyl)(n-butyl)phosphine, 1.5 mL (16 mmol) of t-butanol, and 3
6 g (17 mmol) of potassium phosphate (III) and 26 mL of diethylene glycol dimethyl ether (diglyme) were added, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure in the flask. After degassing, the system was swept under nitrogen and the mixture was heated to 80°C.

この混合物へ、10mg(45μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、同温度で4
時間攪拌した。攪拌後、室温まで放冷した後、10mg(45μmol)の酢酸パラジウ
ム(II)を加え、この混合物を100℃で7時間撹拌した。その後、室温まで放冷した
後、20mg(89μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、120℃で4.5時間
撹拌した。撹拌後、室温まで放冷してから析出物を吸引濾過により回収した。
To this mixture, 10 mg (45 μmol) of palladium(II) acetate was added, and the mixture was stirred at the same temperature for 4
The mixture was stirred for 3 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then 10 mg (45 μmol) of palladium acetate (II) was added, and the mixture was stirred at 100° C. for 7 hours. After that, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then 20 mg (89 μmol) of palladium acetate (II) was added, and the mixture was stirred at 120° C. for 4.5 hours. After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and then the precipitate was collected by suction filtration.

得られた固体を水、エタノールを用いて洗浄した。得られた固体をトルエンに加熱溶解し
、得られた溶液をセライト、アルミナを通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固
体を、トルエンにより再結晶したところ、目的物の固体を1.4g(2.4mmol)、
収率46%で得た。
The obtained solid was washed with water and ethanol. The obtained solid was dissolved in toluene by heating, and the obtained solution was filtered through Celite and alumina. The obtained filtrate was concentrated to obtain a solid, which was recrystallized with toluene to obtain 1.4 g (2.4 mmol) of the target solid.
The yield was 46%.

得られた固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製を行った。昇華精製は、圧
力2.8Pa、アルゴンを流速10mL/minで流しながら、固体を305℃で20時
間加熱して行った。昇華精製後目的物の淡黄色固体を1.1g、回収率77%で得た。上
記の合成方法を示す合成スキームを下記式(C-6)に示す。
The obtained solid was purified by train sublimation. The purification was carried out by heating the solid at 305°C for 20 hours under a pressure of 2.8 Pa and a flow rate of argon of 10 mL/min. After the purification by sublimation, 1.1 g of the target pale yellow solid was obtained with a recovery rate of 77%. The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (C-6).

なお、上記合成方法で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分
析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図19に示す。この結果から、本合
成例3において、上述の構造式(149)で表される本発明の一態様である複素環化合物
2mBbf(III)PDBqが得られたことがわかった。
The results of analysis of the pale yellow solid obtained by the above synthesis method by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. The 1 H-NMR chart is shown in Figure 19. From these results, it was found that in Synthesis Example 3, the heterocyclic compound 2mBbf(III)PDBq, which is one embodiment of the present invention and is represented by the above structural formula (149), was obtained.

H NMR(テトラクロロエタン-d,500MHz):δ=7.29(t、J=7
.5Hz、1H)、7.50(t、J=7.5Hz、1H)、7.62-7.73(m、
4H)、7.80-7.89(m、4H)、7.92(t、J=7.5Hz、1H)、8
.12(d、J=7.5Hz、1H)、8.15(d、J=8.5Hz、1H)、8.2
9(d、J=7.5Hz、2H)、8.54(d、J=8.0Hz、1H)、8.70(
t、J=8.0Hz、2H)、9.15(s、1H)、9.36(d、J=7.5Hz、
1H)、9.48(d、J=7.5Hz、1H)、9.65(s、1H)。
1 H NMR (tetrachloroethane-d 2 , 500 MHz): δ=7.29 (t, J=7
. 5Hz, 1H), 7.50 (t, J = 7.5Hz, 1H), 7.62-7.73 (m,
4H), 7.80-7.89 (m, 4H), 7.92 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 8
. 12 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.15 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 8.2
9 (d, J = 7.5 Hz, 2H), 8.54 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.70 (
t, J = 8.0 Hz, 2H), 9.15 (s, 1H), 9.36 (d, J = 7.5 Hz,
1H), 9.48 (d, J=7.5 Hz, 1H), 9.65 (s, 1H).

次に、2mBbf(III)PDBqのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収スペ
クトル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。固体薄
膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光
度計((株)日本分光製 V550型)を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍
光光度計((株)浜松ホトニクス製 FS920)を用いた。得られたトルエン溶液の吸
収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図20(A)に示す。横軸は波長、縦軸
は吸収強度を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を
図20(B)に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度を表す。
Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of the toluene solution and solid thin film of 2mBbf(III)PDBq were measured. The solid thin film was prepared on a quartz substrate by vacuum deposition. The absorption spectrum was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (V550 type, manufactured by JASCO Corporation). The emission spectrum was measured using a fluorometer (FS920, manufactured by Hamamatsu Photonics Corporation). The measurement results of the absorption spectrum and emission spectrum of the obtained toluene solution are shown in FIG. 20(A). The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity. The measurement results of the absorption spectrum and emission spectrum of the solid thin film are shown in FIG. 20(B). The horizontal axis represents the wavelength, and the vertical axis represents the absorption intensity.

図20(A)の結果より、2mBbf(III)PDBqのトルエン溶液では、281n
m、及び376nm付近に吸収ピークが見られ、394nm、及び407nm付近に発光
波長のピークが見られた。また、図20(B)の結果より、2mBbf(III)PDB
qの固体薄膜では、266nm及び384nm付近に吸収ピークが見られ、429nm付
近に発光波長のピークが見られた。
From the results of FIG. 20(A), in the toluene solution of 2mBbf(III)PDBq, 281n
Absorption peaks were observed at around 376 nm and 394 nm, and emission wavelength peaks were observed at around 407 nm.
In the solid thin film of q, absorption peaks were observed near 266 nm and 384 nm, and an emission wavelength peak was observed near 429 nm.

≪合成例4≫
本実施例では、本発明の一態様である複素環化合物、2-[3’-(ベンゾ[1,2-b
:5,6-b’]ビスベンゾフラン-4-イル)-1,1’-ビフェニル-3-イル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(III)BPDBq)(構造式(1
50))の合成方法について説明する。なお、2mBbf(III)BPDBqの構造を
以下に示す。
Synthesis Example 4
In this example, a heterocyclic compound, 2-[3′-(benzo[1,2-b
2mBbf(III)BPDBq (structural formula (1
The synthesis method of 2mBbf(III)BPDBq is shown below.

<2mBbf(III)BPDBqの合成>
<ステップ1>
200mL三つ口フラスコに、1.5g(2.8mmol)の4-クロロベンゾ[1,2
-b;5,6-b’]ビスベンゾフランと、1.4g(3.2mmol)の2-[3’-
(2-ジベンゾ[f,h]キノキサリニル)-1,1’-ビフェニル-3-イル]-4,
4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロランと、60mg(0.17mm
ol)のジ(1-アダマンチル)(n-ブチル)ホスフィンと、1mLのt-ブタノール
と、1.7g(8.2mmol)のリン酸(III)カリウムと、15mLのジエチレン
グリコールジメチルエーテル(diglyme)を入れ、フラスコ内を減圧しながら攪拌
し、この混合物を脱気した。
<Synthesis of 2mBbf(III)BPDBq>
<Step 1>
In a 200 mL three-neck flask, 1.5 g (2.8 mmol) of 4-chlorobenzo[1,2
-b;5,6-b']bisbenzofuran and 1.4 g (3.2 mmol) of 2-[3'-
(2-dibenzo[f,h]quinoxalinyl)-1,1'-biphenyl-3-yl]-4,
4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane and 60 mg (0.17 mm
1.5 g (5.2 mmol) of di(1-adamantyl)(n-butyl)phosphine, 1 mL of t-butanol, 1.7 g (8.2 mmol) of potassium phosphate(III), and 15 mL of diethylene glycol dimethyl ether (diglyme) were placed in the flask, and the mixture was degassed by stirring while reducing the pressure inside the flask.

脱気後、系内を窒素気流下としてから、混合物を80℃に加熱した。加熱後、この混合物
へ10mg(45μmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、同温度で6時間攪拌した
。攪拌後、得られた混合物を室温まで放冷した後、10mg(45μmol)の酢酸パラ
ジウム(II)を加え120℃で4.5時間撹拌し、その後140℃で3時間撹拌した。
撹拌後、室温まで放冷してから析出した固体を吸引濾過により回収した。得られた固体を
水、エタノールを用いて洗浄したところ、目的物の淡褐色固体を1.6g(2.4mmo
l)、収率86%で得た。
After degassing, the system was purged with a nitrogen gas stream, and the mixture was heated to 80° C. After heating, 10 mg (45 μmol) of palladium (II) acetate was added to the mixture, and the mixture was stirred at the same temperature for 6 hours. After stirring, the resulting mixture was allowed to cool to room temperature, and then 10 mg (45 μmol) of palladium (II) acetate was added, and the mixture was stirred at 120° C. for 4.5 hours, and then at 140° C. for 3 hours.
After stirring, the mixture was allowed to cool to room temperature, and the precipitated solid was collected by suction filtration. The obtained solid was washed with water and ethanol, and 1.6 g (2.4 mmol) of a light brown solid, which was the target product, was obtained.
l) was obtained in a yield of 86%.

得られた固体1.49gをトレインサブリメーション法により昇華精製を行った。昇華精
製は、圧力5.1Pa、アルゴンを流速15mL/minで流しながら、固体を350℃
で15時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の淡黄色固体を1.1g、回収率76%
で得た。上記の合成方法を示す合成スキームを下記式(D-1)に示す。
The obtained solid (1.49 g) was purified by train sublimation. The purification was carried out by heating the solid at 350° C. under a pressure of 5.1 Pa and a flow rate of argon of 15 mL/min.
After purification by sublimation, 1.1 g of the target pale yellow solid was obtained, with a recovery rate of 76%.
The synthesis scheme showing the above synthesis method is shown in the following formula (D-1).

なお、上記合成方法で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分
析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図21に示す。この結果から、本合
成例4において、上述の構造式(150)で表される本発明の一態様である複素環化合物
2mBbf(III)BPDBqが得られたことがわかった。
The results of analysis of the pale yellow solid obtained by the above synthesis method by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. The 1 H-NMR chart is shown in Figure 21. From these results, it was found that in Synthesis Example 4, the heterocyclic compound 2mBbf(III)BPDBq, which is one embodiment of the present invention and is represented by the above structural formula (150), was obtained.

H NMR(テトラクロロエタン-d,500MHz):δ=7.20(t、J=7
.5Hz、1H)、7.31(t、J=7.5Hz、1H)、7.50(d、J=7.5
Hz、1H)、7.58(t、J=7.5Hz、2H)、7.65(d、J=7.5Hz
、1H)、7.75-7.84(m、6H)、7.93(d、J=7.5Hz、1H)、
8.03(d、J=7.5Hz、1H)、8.07(d、J=7.5Hz、1H)、8.
12(t、J=7.5Hz、2H)、8.20(d、J=7.5Hz、1H)、8.38
(d、J=7.5Hz、1H)、8.62-8.66(m、3H)、8.82(s、1H
)、9.27(d、J=7.5Hz、1H)、9.32(d、J=7.5Hz、1H)、
9.49(s、1H)。
1 H NMR (tetrachloroethane-d 2 , 500 MHz): δ=7.20 (t, J=7
. 5Hz, 1H), 7.31 (t, J=7.5Hz, 1H), 7.50 (d, J=7.5
Hz, 1H), 7.58 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 7.65 (d, J = 7.5 Hz
, 1H), 7.75-7.84 (m, 6H), 7.93 (d, J = 7.5 Hz, 1H),
8.03 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.07 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.
12 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 8.20 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.38
(d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.62-8.66 (m, 3H), 8.82 (s, 1H
), 9.27 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 9.32 (d, J = 7.5 Hz, 1H),
9.49 (s, 1H).

次に、2mBbf(III)BPDBqのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収ス
ペクトル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。固体
薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光
光度計((株)日本分光製 V550型)を用いた。また、発光スペクトルの測定には、
蛍光光度計((株)浜松ホトニクス製 FS920)を用いた。得られたトルエン溶液の
吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図22(A)に示す。横軸は波長、縦
軸は吸収強度を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果
を図22(B)に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度を表す。
Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of the toluene solution and solid thin film of 2mBbf(III)BPDBq were measured. The solid thin film was prepared on a quartz substrate by vacuum deposition. The absorption spectrum was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (V550 model, manufactured by JASCO Corporation). The emission spectrum was measured using
A fluorometer (FS920, manufactured by Hamamatsu Photonics K.K.) was used. The results of measuring the absorption spectrum and emission spectrum of the obtained toluene solution are shown in FIG. 22(A). The horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorption intensity. The results of measuring the absorption spectrum and emission spectrum of the solid thin film are shown in FIG. 22(B). The horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorption intensity.

図22(A)の結果より、2mBbf(III)BPDBqのトルエン溶液では、264
nm、及び385nm付近に吸収ピークが見られ、391nm、及び407nm付近に発
光波長のピークが見られた。また、図22(B)の結果より、2mBbf(III)BP
DBqの固体薄膜では、264nm及び385nm付近に吸収ピークが見られ、425n
m付近に発光波長のピークが見られた。
From the results of FIG. 22(A), in the toluene solution of 2mBbf(III)BPDBq, 264
Absorption peaks were observed at around 385 nm and 391 nm, and emission wavelength peaks were observed at around 407 nm.
In the solid thin film of DBq, absorption peaks are observed around 264 nm and 385 nm, and
A peak in the emission wavelength was observed around m.

本実施例では、本発明の一態様である複素環化合物、2mBbfPDBq(構造式(10
1))を用いた発光素子1、2mBbf(II)PDBq(構造式(107))を用いた
発光素子2、2mBbf(III)PDBq(構造式(149))を用いた発光素子3、
2mBbf(III)BPDBq(構造式(150))を用いた発光素子4をそれぞれ作
製した。さらに、比較のためにジベンゾチオフェン構造を有する2mDBTBPDBq-
IIを用いた比較発光素子5を作製した。なお、発光素子1乃至発光素子4および比較発
光素子5の作製については、図23を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化
学式を以下に示す。
In this example, a heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, 2mBbfPDBq (structural formula (10
Light-emitting device 1 using 2mBbf(II)PDBq (structural formula (107)), light-emitting device 2 using 2mBbf(III)PDBq (structural formula (149)),
A light-emitting element 4 was fabricated using 2mBbf(III)BPDBq (structural formula (150)).
A comparative light-emitting element 5 was manufactured using II. Note that the manufacture of the light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5 will be described with reference to Fig. 23. The chemical formulae of materials used in this example are shown below.

≪発光素子1乃至発光素子4および比較発光素子5の作製≫
まず、ガラス製の基板900上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITO)をスパッ
タリング法により成膜し、陽極として機能する第1の電極901を形成した。なお、その
膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
<Fabrication of Light-emitting Elements 1 to 4 and Comparative Light-emitting Elements 5>
First, indium tin oxide (ITO) containing silicon oxide was formed by sputtering on a glass substrate 900 to form a first electrode 901 functioning as an anode. The thickness of the electrode was 110 nm, and the area of the electrode was 2 mm×2 mm.

次に、基板900上に発光素子1を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し
、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
Next, as a pretreatment for forming the light emitting element 1 on the substrate 900, the substrate surface was washed with water, baked at 200° C. for 1 hour, and then subjected to UV ozone treatment for 370 seconds.

その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板900を30
分程度放冷した。
Thereafter, the substrate is introduced into a vacuum deposition apparatus whose inside has been reduced in pressure to about 10 −4 Pa, and vacuum baking is performed at 170° C. for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum deposition apparatus.
It was left to cool for about minutes.

次に、第1の電極901が形成された面が下方となるように、基板900を真空蒸着装置
内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、EL層902を
構成する正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電子
注入層915が順次形成される場合について説明する。
Next, the substrate 900 was fixed to a holder provided in a vacuum deposition apparatus so that the surface on which the first electrode 901 was formed faced downward. In this example, a case will be described in which a hole injection layer 911, a hole transport layer 912, a light emitting layer 913, an electron transport layer 914, and an electron injection layer 915, which constitute an EL layer 902, are successively formed by vacuum deposition.

真空装置内を10-4Paに減圧した後、1,3,5-トリ(ジベンゾチオフェン-4-
イル)ベンゼン(略称:DBT3P-II)と酸化モリブデンとを、DBT3P-II:
酸化モリブデン=4:2(質量比)となるように共蒸着し、第1の電極901上に正孔注
入層911を形成した。膜厚は20nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質を
それぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
After reducing the pressure in the vacuum chamber to 10 −4 Pa, 1,3,5-tri(dibenzothiophene-4-
DBT3P-II:
The hole injection layer 911 was formed on the first electrode 901 by co-evaporation so that the ratio of molybdenum oxide to molybdenum oxide was 4:2 (mass ratio). The film thickness was 20 nm. Note that co-evaporation is a deposition method in which a plurality of different substances are simultaneously evaporated from different evaporation sources.

次に、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン
(略称:BPAFLP)を20nm蒸着し、正孔輸送層912を形成した。
Next, 4-phenyl-4′-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BPAFLP) was evaporated to a thickness of 20 nm to form a hole transporting layer 912 .

次に、正孔輸送層912上に発光層913を形成した。 Next, the light-emitting layer 913 was formed on the hole transport layer 912.

発光素子1の場合は、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ビスベンゾフラ
ン-6-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbfPDBq
)、N-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-9,9-ジメチル-N-[4-(9-フ
ェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9H-フルオレン-2-アミン(
略称:PCBBiF)、[Ir(tBuppm)(acac)]を、2mBbfPDB
q:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.7:0.3:0.0
5(質量比)となるように共蒸着した。なお、膜厚は、20nmの膜厚とした。さらに、
2mBbfPDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.8
:0.2:0.05(質量比)となるように共蒸着し、20nmの膜厚で形成することに
より積層構造を有する発光層913を40nmの膜厚で形成した。
In the case of the light-emitting element 1, 2-[3-(benzo[1,2-b:4,5-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbfPDBq
), N-(1,1'-biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9H-fluoren-2-amine (
Abbreviated name: PCBBiF), [Ir(tBuppm) 2 (acac)], 2mBbfPDB
q: PCBBiF: [Ir (tBuppm) 2 (acac)] = 0.7: 0.3: 0.0
The mixture was co-deposited so that the mass ratio of the mixture was 5.5. The film thickness was 20 nm.
2mBbfPDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm) 2 (acac)]=0.8
: 0.2:0.05 (mass ratio) and a thickness of 20 nm was formed, whereby a light emitting layer 913 having a stacked structure was formed to a thickness of 40 nm.

発光素子2の場合は、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:5,4-b’]ビスベンゾフラ
ン-6-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(II)
PDBq)、PCBBiF、[Ir(tBuppm)(acac)]を、2mBbf(
II)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.7:0
.3:0.05(質量比)となるように共蒸着し、20nmの膜厚で形成した後、2mB
bf(II)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.
8:0.2:0.05(質量比)となるよう共蒸着し、20nmの膜厚で形成することに
より積層構造を有する発光層913を40nmの膜厚で形成した。
In the case of the light-emitting element 2, 2-[3-(benzo[1,2-b:5,4-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(II)
PDBq), PCBBiF, [Ir(tBuppm) 2 (acac)], 2mBbf (
II) PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm) 2 (acac)]=0.7:0
3:0.05 (mass ratio) to form a film having a thickness of 20 nm.
bf(II)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm) 2 (acac)]=0.
The light emitting layer 913 having a stacked structure was formed to a thickness of 40 nm by co-evaporation so as to have a mass ratio of 8:0.2:0.05 and a thickness of 20 nm.

発光素子3の場合は、2-[3-(ベンゾ[1,2-b:5,6-b’]ビスベンゾフラ
ン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(III
)PDBq)、PCBBiF、[Ir(tBuppm)(acac)]を、2mBbf
(III)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.7
:0.3:0.05(質量比)となるように共蒸着し、20nmの膜厚で形成した後、2
mBbf(III)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]
=0.8:0.2:0.05(質量比)となるよう共蒸着し、20nmの膜厚で形成する
ことにより積層構造を有する発光層913を40nmの膜厚で形成した。
In the case of the light-emitting element 3, 2-[3-(benzo[1,2-b:5,6-b']bisbenzofuran-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(III
) PDBq), PCBBiF, [Ir(tBuppm) 2 (acac)], 2mBbf
(III) PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm) 2 (acac)]=0.7
0.3:0.05 (mass ratio) to form a 20 nm thick film.
mBbf(III)PDBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm) 2 (acac)]
= 0.8:0.2:0.05 (mass ratio) and a thickness of 20 nm were formed, whereby a light emitting layer 913 having a stacked structure was formed to a thickness of 40 nm.

発光素子4の場合は、2-[3’-(ベンゾ[1,2-b:5,6-b’]ビスベンゾフ
ラン-4-イル)-1,1’-ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン
(略称:2mBbf(III)BPDBq)、PCBBiF、[Ir(tBuppm)
(acac)]を、2mBbf(III)BPDBq:PCBBiF:[Ir(tBup
pm)(acac)]=0.7:0.3:0.05(質量比)となるように共蒸着し、
20nmの膜厚で形成した後、2mBbf(III)BPDBq:PCBBiF:[Ir
(tBuppm)(acac)]=0.8:0.2:0.05(質量比)となるよう共
蒸着し、20nmの膜厚で形成することにより積層構造を有する発光層913を40nm
の膜厚で形成した。
In the case of the light-emitting element 4, 2-[3′-(benzo[1,2-b:5,6-b′]bisbenzofuran-4-yl)-1,1′-biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(III)BPDBq), PCBBiF, [Ir(tBuppm) 2
(acac)] to 2mBbf(III)BPDBq:PCBBiF:[Ir(tBup
pm) 2 (acac)] = 0.7:0.3:0.05 (mass ratio),
After forming a film having a thickness of 20 nm, 2mBbf(III)BPDBq:PCBBiF:[Ir
(tBuppm) 2 (acac) = 0.8:0.2:0.05 (mass ratio) to form a light emitting layer 913 having a stacked structure with a thickness of 40 nm.
The film was formed to a thickness of .

比較発光素子5の場合は、2-[3’-(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-
3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq-II)、P
CBBiF、[Ir(tBuppm)(acac)]を、2mDBTBPDBq-II
:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.7:0.3:0.05
(質量比)となるように共蒸着し、20nmの膜厚で形成した後、2mDBTBPDBq
-II:PCBBiF:[Ir(tBuppm)(acac)]=0.8:0.2:0
.05(質量比)となるよう共蒸着し、20nmの膜厚で形成することにより積層構造を
有する発光層913を40nmの膜厚で形成した。
In the case of the comparative light-emitting element 5, 2-[3′-(dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-
3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTBPDBq-II), P
CBBiF, [Ir(tBuppm) 2 (acac)], 2mDBTBPDBq-II
: PCBBiF: [Ir (tBuppm) 2 (acac)] = 0.7: 0.3: 0.05
(mass ratio) to form a film having a thickness of 20 nm.
-II: PCBBiF: [Ir (tBuppm) 2 (acac)] = 0.8: 0.2: 0
The light-emitting layer 913 having a stacked structure was formed to a thickness of 40 nm by co-evaporation so that the ratio of the mixture to the total weight of the layers was 20 nm.

次に、発光層913上に、発光素子1の場合は2mBbfPDBqを20nm蒸着した後
、Bphenを10nm蒸着し、発光素子2の場合は2mBbf(II)PDBqを20
nm蒸着した後、Bphenを10nm蒸着し、発光素子3の場合は2mBbf(III
)PDBqを20nm蒸着した後、Bphenを10nm蒸着し、発光素子4の場合は2
mBbf(III)BPDBqを20nm蒸着した後、Bphenを10nm蒸着し、そ
れぞれ電子輸送層914を形成した。
Next, on the light-emitting layer 913, 2mBbfPDBq was deposited to a thickness of 20 nm in the case of the light-emitting element 1, and then Bphen was deposited to a thickness of 10 nm. In the case of the light-emitting element 2, 2mBbf(II)PDBq was deposited to a thickness of 20 nm.
After the deposition of 10 nm, Bphen was deposited at 10 nm.
) After depositing PDBq to a thickness of 20 nm, Bphen was deposited to a thickness of 10 nm.
mBbf(III)BPDBq was evaporated to a thickness of 20 nm, and then Bphen was evaporated to a thickness of 10 nm to form an electron transport layer 914 .

さらに発光素子1乃至発光素子4の電子輸送層914上に、フッ化リチウムを1nm蒸着
し、電子注入層915を形成した。
Further, lithium fluoride was evaporated to a thickness of 1 nm on the electron transport layer 914 of each of the light-emitting elements 1 to 4 to form an electron injection layer 915 .

最後に、電子注入層915上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着し、陰
極となる第2の電極903を形成し、発光素子1乃至発光素子4を得た。なお、上述した
蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
Finally, aluminum was evaporated on the electron injection layer 915 to a thickness of 200 nm to form a second electrode 903 serving as a cathode, thereby obtaining the light-emitting elements 1 to 4. Note that in all of the evaporation processes described above, evaporation was performed using a resistance heating method.

以上により得られた発光素子1乃至発光素子4および比較発光素子5の素子構造を表1に
示す。
Table 1 shows the element structures of the thus obtained light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5.

また、作製した発光素子1乃至発光素子4および比較発光素子5は、大気に曝されないよ
うに窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した(シール材を素子の周囲に塗布し
、封止時にUV処理、及び80℃にて1時間熱処理)。
The fabricated light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5 were sealed in a glove box with a nitrogen atmosphere so as not to be exposed to the air (a sealant was applied around the elements, and UV treatment was performed during sealing, and heat treatment was performed at 80° C. for 1 hour).

≪発光素子1乃至発光素子4および比較発光素子5の動作特性≫
作製した発光素子1乃至発光素子4の動作特性について測定した。なお、測定は室温(2
5℃に保たれた雰囲気)で行った。
<Operation Characteristics of Light-Emitting Element 1 to Light-Emitting Element 4 and Comparative Light-Emitting Element 5>
The operation characteristics of the fabricated light-emitting elements 1 to 4 were measured.
The experiment was carried out in an atmosphere maintained at 5°C.

発光素子1乃至発光素子4の電流密度-輝度特性を図24、電圧-輝度特性を図25、輝
度-電流効率特性を図26、電圧-電流特性を図27にそれぞれ示す。
FIG. 24 shows current density-luminance characteristics of Light-emitting Elements 1 to 4, FIG. 25 shows voltage-luminance characteristics, FIG. 26 shows luminance-current efficiency characteristics, and FIG. 27 shows voltage-current characteristics.

また、1000cd/m付近における発光素子1、発光素子2、発光素子3、発光素子
4および比較発光素子5の主な初期特性値を以下の表2に示す。なお、比較発光素子5は
、発光素子1乃至発光素子4と同程度の良好な初期特性が確認された。
Table 2 below shows main initial characteristic values of the light-emitting element 1, the light-emitting element 2, the light-emitting element 3, the light-emitting element 4, and the comparative light-emitting element 5 at around 1000 cd / m2. Note that the comparative light-emitting element 5 was confirmed to have good initial characteristics comparable to those of the light-emitting elements 1 to 4.

また、発光素子1乃至発光素子4に25mA/cmの電流密度で電流を流した際の発光
スペクトルを、図28に示す。図28に示す通り、発光素子1乃至発光素子4の発光スペ
クトルは546nm付近にピークを有しており、各発光素子のEL層に用いた有機金属錯
体[Ir(tBuppm)(acac)]の緑色発光に由来していることが示唆される
。なお、比較発光素子5についても、発光素子1乃至発光素子4と同様に[Ir(tBu
ppm)(acac)]の緑色発光に由来した発光スペクトルが確認された。
28 shows emission spectra when a current density of 25 mA/cm 2 is applied to the light-emitting elements 1 to 4. As shown in FIG. 28, the emission spectra of the light-emitting elements 1 to 4 have a peak at about 546 nm, which suggests that this is due to the green emission of the organometallic complex [Ir(tBuppm) 2 (acac)] used in the EL layer of each light-emitting element. Note that the comparative light-emitting element 5 also has an emission spectrum of [Ir(tBu
An emission spectrum derived from the green emission of [C10(1,2-dichlorophenyl)phenyl] ( at 1,2- dichlorophenyl)-2,3-tetrahydrofuran (C10( ...

次に、発光素子1乃至発光素子4に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図2
9に示す。図29において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示
し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を5000cd
/mに設定し、電流密度一定の条件で発光素子1乃至発光素子4を駆動させた。
Next, reliability tests were performed on the light-emitting elements 1 to 4. The results of the reliability tests are shown in FIG.
29. In FIG. 29, the vertical axis indicates normalized luminance (%) when the initial luminance is 100%, and the horizontal axis indicates the driving time (h) of the element.
/m 2 , and the light-emitting elements 1 to 4 were driven under the condition of a constant current density.

なお、発光素子1乃至発光素子4は、いずれも本発明の一態様である複素環化合物を用い
ており、図29に示す結果より、いずれの発光素子も高い信頼性を示すことがわかる。従
って、本発明の一態様である複素環化合物を用いることで発光素子の長寿命化を実現でき
ることがわかる。
Note that all of the light-emitting elements 1 to 4 use the heterocyclic compound which is one embodiment of the present invention, and the results shown in Fig. 29 show that all of the light-emitting elements have high reliability. This shows that the use of the heterocyclic compound which is one embodiment of the present invention can increase the lifetime of the light-emitting element.

また、発光素子1乃至3および比較発光素子5について、保存試験を行った。保存試験は

各発光素子を、100℃に保たれた恒温槽で素子を駆動しない状態で保存し、所定の時間
経過した後、動作特性を測定した。なお、測定は、恒温槽から取り出した後、室温(25
℃に保たれた雰囲気)で行った。
In addition, a storage test was performed on the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 5.
Each light-emitting device was stored in a thermostatic chamber maintained at 100° C. without being driven, and after a predetermined time had passed, the operating characteristics were measured.
The experiment was carried out in an atmosphere maintained at 0.4 °C.

図30には、発光素子1乃至発光素子3及び比較発光素子5について、時間経過に伴う外
部量子効率の測定結果を示す。その結果、本発明の一態様である発光素子1乃至発光素子
3は、100℃で長時間保存しても初期の外部量子効率を保つことができ、良好な耐熱性
を保つことが明らかとなった。これに対し、比較発光素子5は、10時間程度で外部量子
効率の大幅な減少が見られた。
30 shows the measurement results of the external quantum efficiency over time for the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 5. As a result, it was revealed that the light-emitting elements 1 to 3, which are one embodiment of the present invention, can maintain their initial external quantum efficiency and good heat resistance even when stored for a long time at 100° C. In contrast, the comparative light-emitting element 5 showed a significant decrease in external quantum efficiency after about 10 hours.

なお、発光素子1に用いた2mBbfPDBq、発光素子2に用いた2mBbf(II)
PDBq、発光素子3に用いた2mBbf(III)PDBqのいずれも分子量は562
であり、比較発光素子5に用いた2mDBTBPDBq-IIの分子量は564である。
すなわち、保存試験に用いた発光素子は、いずれも同程度の分子量を持つにもかかわらず
、発光素子1乃至発光素子3と、比較発光素子5との間で、100℃保存試験における耐
熱性に大きな差が見られた。
In addition, 2mBbfPDBq used in the light-emitting element 1 and 2mBbf(II) used in the light-emitting element 2
Both the 2mBbf(III)PDBq used in the light-emitting element 3 and the 2mBbf(III)PDBq used in the light-emitting element 4 have a molecular weight of 562.
The molecular weight of 2mDBTBPDBq-II used in the comparative light-emitting element 5 is 564.
That is, although the light-emitting elements used in the storage test all had approximately the same molecular weight, a large difference in heat resistance in the 100° C. storage test was observed between the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 5.

発光素子1乃至発光素子3と、比較発光素子5との間において、発光素子1乃至発光素子
3には、縮合芳香環であるベンゾビスベンゾフランを有するという分子構造上の特徴を有
する。保存試験で見られた耐熱性の違いは、この分子構造に起因したものであり、分子量
を大きくしなくても非常に高い耐熱性を有する化合物及び発光素子を得ることができるこ
とが示され、縮合環を用いることの効果が大きいことが明らかとなった。
Among the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 5, the light-emitting elements 1 to 3 have a molecular structure characteristic of having a fused aromatic ring, benzobisbenzofuran. The difference in heat resistance observed in the storage test is due to this molecular structure, and it has been shown that a compound and a light-emitting element having extremely high heat resistance can be obtained without increasing the molecular weight, making it clear that the use of a fused ring is very effective.

本実施例では、下記構造式(101)に示す本発明の一態様である複素環化合物、2-[
3-(ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ビスベンゾフラン-6-イル)フェニル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbfPDBq)のHOMO準位およびLU
MO準位をサイクリックボルタンメトリ(CV)測定を元に算出した。算出方法を以下に
示す。
In this example, a heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, 2-[
HOMO levels and LU of 3-(benzo[1,2-b:4,5-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbfPDBq)
The MO level was calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements. The calculation method is shown below.

測定装置としては電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデ
ル600Aまたは600C)を用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチ
ルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;227
056)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウム(n-Bu
NClO)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/L
の濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解
させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE
白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC-3用Pt
カウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag電極(ビー・エー・エス
(株)製、RE7非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20~2
5℃)で行った。また、CV測定時のスキャン速度は、0.1V/secに統一し、参照
電極に対する酸化電位Ea[V]および還元電位Ec[V]を測定した。Eaは酸化-還
元波の中間電位とし、Ecは還元-酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用いる
参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であること
が分かっているため、HOMO準位[eV]=-4.94-Ea、LUMO準位[eV]
=-4.94-Ecという式から、HOMO準位およびLUMO準位をそれぞれ求めるこ
とができる。また、CV測定を100回繰り返し行い、100サイクル目の測定での酸化
-還元波と、1サイクル目の酸化-還元波を比較して、化合物の電気的安定性を調べた。
The measurement device used was an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., model number: ALS model 600A or 600C). The solution used in the CV measurement was dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich Co., Ltd., 99.8%, catalog number: 227) as a solvent.
056) was used as the supporting electrolyte, and tetra-n-butylammonium perchlorate (n-Bu)
4NClO4 ) (Tokyo Chemical Industry Co. , Ltd., catalog number: T0836) at 100 mmol/L
The solution was dissolved in water to give a concentration of 1 mmol/L, and the measurement target was further dissolved in water to give a concentration of 2 mmol/L.
The auxiliary electrode was a platinum electrode (B.A.S. Co., Ltd., Pt
A counter electrode (5 cm) was used as the electrode, and an Ag/Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE7 non-aqueous solvent reference electrode) was used as the reference electrode.
5°C). The scan rate during CV measurement was standardized to 0.1 V/sec, and the oxidation potential Ea [V] and reduction potential Ec [V] relative to the reference electrode were measured. Ea was the midpoint potential of the oxidation-reduction wave, and Ec was the midpoint potential of the reduction-oxidation wave. Here, since the potential energy of the reference electrode used in this example relative to the vacuum level is known to be -4.94 [eV], HOMO level [eV] = -4.94 - Ea, LUMO level [eV]
The HOMO level and the LUMO level can be calculated from the formula: =-4.94-Ec. In addition, the CV measurement was repeated 100 times, and the oxidation-reduction wave in the 100th cycle was compared with the oxidation-reduction wave in the 1st cycle to examine the electrical stability of the compound.

この結果、2mBbfPDBqの酸化電位Ea[V]の測定において、測定範囲の0.2
eVから1.5eVの範囲では明瞭な酸化ピークは得られなかった。一方LUMO準位は
-2.97eVであることがわかった。また、酸化-還元波の繰り返し測定において10
0サイクル後の酸化-還元波が、1サイクル目の酸化-還元波と比較して73%のピーク
強度を保っていたことから、2mBbfPDBqの還元に対する耐性が非常に良好である
ことが確認された。
As a result, in the measurement of the oxidation potential Ea [V] of 2 mBbfPDBq,
No clear oxidation peak was obtained in the range of 1.5 eV to 1.5 eV. On the other hand, the LUMO level was found to be −2.97 eV. In addition, in repeated measurements of the oxidation-reduction wave,
The oxidation-reduction wave after the 0th cycle maintained 73% of the peak intensity compared to the oxidation-reduction wave in the 1st cycle, confirming that the resistance to the reduction of 2mBbfPDBq was very good.

また、2mBbfPDBqの熱重量測定-示差熱分析(TG-DTA:Thermogr
avimetry-Differential Thermal Analysis)を
行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、T
G-DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流下(流速
:200mL/min)条件で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、
2mBbfPDBqの5%重量減少温度は約442℃であった。このことから、2mBb
fPDBqの耐熱性が良好であることが示された。
In addition, thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) of 2 mBbfPDBq
The measurements were performed using a high vacuum differential thermobalance (T
The measurement was performed under normal pressure, a temperature rise rate of 10°C/min, and a nitrogen gas flow (flow rate: 200mL/min). From the relationship between weight and temperature (thermogravimetry),
The 5% weight loss temperature of 2mBbfPDBq was about 442°C.
It was demonstrated that fPDBq has good heat resistance.

また、示差走査熱量測定(DSC測定)を、パーキンエルマー社製、Pyris1DSC
を用いて測定した。示差走査熱量測定は、昇温速度50℃/minにて、-10℃から3
70℃まで昇温した後、同温度で1分間保持してから降温速度50℃/minにて-10
℃まで冷却する操作を2回連続で行い2回目の測定結果を採用した。DSC測定から、2
mBbfPDBqのガラス転移点は147℃であることが明らかとなり、高い耐熱性を有
する化合物であることが明らかとなった。
Differential scanning calorimetry (DSC) was performed using a PerkinElmer Pyris 1 DSC.
The differential scanning calorimetry was performed at a temperature rise rate of 50°C/min from -10°C to 3°C.
After heating to 70°C, the temperature was kept for 1 minute, and then cooled to -10°C at a rate of 50°C/min.
The cooling operation was performed twice in succession to 20°C, and the second measurement result was adopted.
It was revealed that the glass transition temperature of mBbfPDBq was 147° C., making it a compound with high heat resistance.

次に、本実施例で得られた2mBbfPDBqを液体クロマトグラフ質量分析(Liqu
id Chromatography Mass Spectrometry,略称:L
C/MS分析)によって分析した。
Next, the 2mBbfPDBq obtained in this example was analyzed by liquid chromatography mass spectrometry (LCMS).
Chromatography Mass Spectrometry, abbreviation: L
The mixture was analyzed by HPLC (C/MS analysis).

LC/MS分析は、LC(液体クロマトグラフィー)分離をウォーターズ社製Acqui
ty UPLC(登録商標)により、MS分析(質量分析)をウォーターズ社製Xevo
G2 Tof MSにより行った。LC分離で用いたカラムはAcquity UPL
C BEH C8 (2.1×100mm 1.7μm)、カラム温度は40℃とした。
移動相は移動相Aをアセトニトリル、移動相Bを0.1%ギ酸水溶液とした。また、サン
プルは任意の濃度の2mBbfPDBqをN-メチル-2-ピロリドンに溶解し、アセト
ニトリルで希釈して調整し、注入量は5.0μLとした。
For the LC/MS analysis, LC (liquid chromatography) separation was performed using Waters Acquis
Mass spectrometry (MS) was performed using a Waters Xevo HPLC (registered trademark).
The LC separation was performed using an Acquity UPL column.
C BEH C8 (2.1×100 mm 1.7 μm), column temperature was 40° C.
The mobile phase A was acetonitrile, and the mobile phase B was a 0.1% formic acid aqueous solution. The sample was prepared by dissolving 2mBbfPDBq of an arbitrary concentration in N-methyl-2-pyrrolidone and diluting with acetonitrile, and the injection volume was 5.0 μL.

LC分離には移動相の組成を変化させるグラジエント法を用い、測定開始後0分から1分
までが、移動相A:移動相B=65:35、その後組成を変化させ、測定開始後10分に
おける移動相Aと移動相Bとの比が移動相A:移動相B=95:5となるようにし、分析
時間は全部で10分とした。組成はリニアに変化させた。
A gradient method in which the composition of the mobile phase is changed was used for LC separation, with the ratio of mobile phase A:mobile phase B being 65:35 from 0 to 1 minute after the start of measurement, and the composition was then changed so that the ratio of mobile phase A to mobile phase B at 10 minutes after the start of measurement was 95:5, with the total analysis time being 10 minutes. The composition was changed linearly.

MS分析では、エレクトロスプレーイオン化法(ElectroSpray Ioniz
ation、略称:ESI)によるイオン化を行い、キャピラリー電圧は3.0kV、サ
ンプルコーン電圧は30V、検出はポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲
はm/z=100~1200とした。
In the MS analysis, electrospray ionization was used.
Ionization was performed using electrospray ionization (ESI), with a capillary voltage of 3.0 kV, a sample cone voltage of 30 V, and detection in positive mode. The mass range of the measurement was m/z = 100 to 1200.

以上の条件でLC-MS測定を行ったところ、2mBbfPDBqに由来するイオンを、
質量電荷比(m/z)=563.175([M+H]、2mBbfPDBqの理論値=
562.175)に検出した。ついで、質量電荷比(m/z)=563.175のイオン
(プリカーサーイオン)を衝突室(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝突させて解離
させた。プリカーサーイオンをアルゴンに衝突させる際のエネルギー(コリジョンエネル
ギー)は50eV及び70eVとした。プリカーサーイオンとアルゴンガスの衝突により
生成したプロダクトイオンを飛行時間(TOF)型検出器で検出したコリジョンエネルギ
ーが50eVのマススペクトルを図31に、コリジョンエネルギーが70eVのマススペ
クトルを図32に示す。
When LC-MS measurement was performed under the above conditions, the ions derived from 2mBbfPDBq were
Mass-to-charge ratio (m/z) = 563.175 ([M+H + ], theoretical value of 2 mBbfPDBq =
The precursor ions were detected at a mass-to-charge ratio (m/z) of 563.175 (precursor ions). The precursor ions were then collided with argon gas in a collision cell to cause dissociation. The energy (collision energy) used to collide the precursor ions with argon was 50 eV and 70 eV. The product ions generated by the collision of the precursor ions with argon gas were detected by a time-of-flight (TOF) detector. A mass spectrum with a collision energy of 50 eV is shown in FIG. 31, and a mass spectrum with a collision energy of 70 eV is shown in FIG. 32.

図31の結果から、構造式(101)で表される2mBbfPDBqは、主としてm/z
=536.165付近、m/z=345.091付近、m/z=334.098付近、m
/z=305.096付近、m/z=229.076付近、m/z=202.066付近
、m/z=177.070付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。また、
図32の結果から、コリジョンエネルギーが70eVの測定では構造式(101)で表さ
れる2mBbfPDBqは、主として、m/z=305.096付近、m/z=229.
077付近、m/z=202.066付近、m/z=176.063付近にプロダクトイ
オンが検出されることがわかった。なお、図31及び図32に示す結果は、2mBbfP
DBqに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる2mBb
fPDBqを同定する上での重要なデータであるといえる。
From the results of FIG. 31, 2mBbfPDBq represented by structural formula (101) is mainly
m = 536.165, m / z = 345.091, m / z = 334.098,
It was found that product ions were detected near m/z = 305.096, near m/z = 229.076, near m/z = 202.066, and near m/z = 177.070.
From the results of FIG. 32, in the measurement with a collision energy of 70 eV, 2mBbfPDBq represented by structural formula (101) mainly exhibited peaks near m/z = 305.096 and m/z = 229.
It was found that product ions were detected at around m/z = 077, around m/z = 202.066, and around m/z = 176.063.
Since this shows a characteristic result derived from DBq, the 2mBb contained in the mixture
This can be said to be important data for identifying fPDBq.

なお、m/z=536.165付近のプロダクトイオンは、下記式(a)に示すように構
造式(101)の化合物においてジベンゾ[f,h]キノキサリンの窒素を含む環が開裂
して生成した構造であると推定される。また、m/z=345.091付近のプロダクト
イオンは、下記式(b)に示すように構造式(101)の化合物においてジベンゾ[f,
h]キノキサリンの2位で結合が開裂して生成したジベンゾ[f,h]キノキサリンに由
来すると推定され、m/z=334.098付近のプロダクトイオンは、下記式(c)に
示すように構造式(101)の化合物においてジベンゾ[f,h]キノキサリンの2位で
結合が開裂して生成した6-フェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ビスベンゾフ
ランに由来すると推定され、m/z=305.096付近のプロダクトイオンは、下記式
(d)に示すように構造式(101)の化合物においてベンゾ[1,2-b:4,5-b
’]ビスベンゾフランの6位で結合が開裂して生成した2-フェニルジベンゾ[f,h]
キノキサリンに由来すると推定され、m/z=229.076付近のプロダクトイオンは
、下記式(e)に示すように構造式(101)の化合物においてジベンゾ[f,h]キノ
キサリンの2位で結合が開裂して生成したジベンゾ[f,h]キノキサリンに由来すると
推定され、m/z=202.066付近のプロダクトイオンは、下記式(f)に示すよう
にm/z=536.165付近のプロダクトイオンが更に開裂して生成したイオンである
と推定され、m/z=177.070付近のプロダクトイオンは、下記式(g)に示すよ
うにm/z=536.165付近のプロダクトイオンが更に開裂して生成したイオンであ
ると推定される。特に、構造式(101)の化合物においてジベンゾ[f,h]キノキサ
リンの窒素を2つ含む環が開裂して生成したイオンである式(a)と、環と環との結合が
開裂して生成したイオンである、式(b)~式(d)で示されるイオンは、2mBbfP
DBqの特徴の一つであり、混合物中に含まれる2mBbfPDBqを同定する上での重
要なデータであるといえる。
The product ion at m/z=536.165 is presumed to be a structure generated by cleavage of the nitrogen-containing ring of dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101) as shown in the following formula (a). The product ion at m/z=345.091 is presumed to be a structure generated by cleavage of the nitrogen-containing ring of dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101) as shown in the following formula (b).
The product ion at m/z = 334.098 is presumed to be derived from 6-phenylbenzo[1,2-b:4,5-b']bisbenzofuran produced by cleavage of the bond at the 2-position of dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101) as shown in the following formula (c), and the product ion at m/z = 305.096 is presumed to be derived from benzo[1,2-b:4,5-b']bisbenzofuran produced by cleavage of the bond at the 2-position of dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101) as shown in the following formula (d).
2-Phenyldibenzo[f,h] is produced by cleavage of the bond at the 6-position of bisbenzofuran.
The product ion at around m/z = 229.076 is presumed to be derived from dibenzo[f,h]quinoxaline generated by cleavage of the bond at the 2-position of dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101) as shown in formula (e) below. The product ion at around m/z = 202.066 is presumed to be an ion generated by further cleavage of the product ion at around m/z = 536.165 as shown in formula (f) below. The product ion at around m/z = 177.070 is presumed to be an ion generated by further cleavage of the product ion at around m/z = 536.165 as shown in formula (g) below. In particular, the ions represented by formula (a), which is an ion generated by cleavage of a ring containing two nitrogen atoms in dibenzo[f,h]quinoxaline in the compound of structural formula (101), and the ions represented by formulas (b) to (d), which are ions generated by cleavage of a bond between the rings, are 2mBbfP
This is one of the characteristics of DBq and can be said to be important data for identifying 2mBbfPDBq contained in a mixture.

本実施例では、下記構造式(107)に示す本発明の一態様である複素環化合物、2-[
3-(ベンゾ[1,2-b:5,4-b’]ビスベンゾフラン-6-イル)フェニル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(II)PDBq)のHOMO準位お
よびLUMO準位をサイクリックボルタンメトリ(CV)測定を元に算出した。算出方法
を以下に示す。
In this example, a heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, 2-[
The HOMO and LUMO levels of 3-(benzo[1,2-b:5,4-b']bisbenzofuran-6-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(II)PDBq) were calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements. The calculation method is shown below.

2mBbf(II)PDBqのHOMO準位およびLUMO準位をサイクリックボルタン
メトリ(CV)測定を元に算出した。CVの測定方法及び、HOMO準位およびLUMO
準位の算出方法は実施例6と同様である。
The HOMO and LUMO levels of 2mBbf(II)PDBq were calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements.
The method of calculating the level is the same as in the sixth embodiment.

この結果、2mBbf(II)PDBqの酸化電位Ea[V]の測定において、測定範囲
の-0.2eVから1.5eVの範囲では明瞭な酸化ピークは得られなかった。一方LU
MO準位は-2.94eVであることがわかった。また、酸化-還元波の繰り返し測定に
おいて100サイクル後の酸化-還元波が、1サイクル目の酸化-還元波と比較して87
%のピーク強度を保っていたことから、2mBbf(II)PDBqの還元に対する耐性
が非常に良好であることが確認された。
As a result, in the measurement of the oxidation potential Ea [V] of 2mBbf(II)PDBq, no clear oxidation peak was obtained in the measurement range from −0.2 eV to 1.5 eV.
The MO level was found to be -2.94 eV. In addition, in the repeated measurement of the oxidation-reduction wave, the oxidation-reduction wave after 100 cycles was 87 times higher than that of the first cycle.
%, it was confirmed that the resistance to reduction of 2mBbf(II)PDBq was very good.

また、2mBbf(II)PDBqの熱重量測定-示差熱分析を行った。分析方法は実施
例6と同様である。測定結果から、2mBbf(II)PDBqの5%重量減少温度は約
459℃であった。このことから、2mBbf(II)PDBqの耐熱性が良好であるこ
とが示された。
Further, thermogravimetry-differential thermal analysis of 2mBbf(II)PDBq was carried out. The analysis method was the same as in Example 6. From the measurement results, it was found that the 5% weight loss temperature of 2mBbf(II)PDBq was about 459°C. This demonstrated that 2mBbf(II)PDBq has good heat resistance.

本実施例では、下記構造式(149)に示す本発明の一態様である複素環化合物、2-[
3-(ベンゾ[1,2-b:5,6-b’]ビスベンゾフラン-4-イル)フェニル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(III)PDBq)のHOMO準位
およびLUMO準位をサイクリックボルタンメトリ(CV)測定を元に算出した。算出方
法を以下に示す。
In this example, a heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, 2-[
The HOMO and LUMO levels of 3-(benzo[1,2-b:5,6-b']bisbenzofuran-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(III)PDBq) were calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements. The calculation method is shown below.

2mBbf(III)PDBqのHOMO準位およびLUMO準位をサイクリックボルタ
ンメトリ(CV)測定を元に算出した。CVの測定方法及び、HOMO準位およびLUM
O準位の算出方法は実施例6と同様である。
The HOMO and LUMO levels of 2mBbf(III)PDBq were calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements.
The method of calculating the O level is the same as in the sixth embodiment.

この結果、2mBbf(III)PDBqの酸化電位Ea[V]の測定においては、測定
範囲の0eVから1.5eVの範囲では明瞭な酸化ピークは得られなかった。一方LUM
O準位は-2.95eVであることがわかった。また、酸化-還元波の繰り返し測定にお
いて100サイクル後の酸化-還元波は、1サイクル目の酸化-還元波と比較して79%
のピーク強度を保っていたことから、2mBbf(III)PDBqの還元に対する耐性
が非常に良好であることが確認された。
As a result, in the measurement of the oxidation potential Ea [V] of 2mBbf(III)PDBq, no clear oxidation peak was obtained in the measurement range from 0 eV to 1.5 eV.
The O level was found to be -2.95 eV. In addition, in the repeated measurement of the oxidation-reduction wave, the oxidation-reduction wave after 100 cycles was 79% lower than that of the first cycle.
It was confirmed that the peak intensity of 2mBbf(III)PDBq was very good against reduction.

また、2mBbf(III)PDBqの熱重量測定-示差熱分析を行った。分析方法は実
施例6と同様である。測定結果から、2mBbf(III)PDBqの5%重量減少温度
は約454℃であった。このことから、2mBbf(III)PDBqの耐熱性が良好で
あることが示された。
Further, thermogravimetry-differential thermal analysis of 2mBbf(III)PDBq was carried out. The analysis method was the same as in Example 6. From the measurement results, the 5% weight loss temperature of 2mBbf(III)PDBq was about 454° C., which showed that 2mBbf(III)PDBq has good heat resistance.

本実施例では、下記構造式(150)に示す本発明の一態様である複素環化合物、2-[
3’-(ベンゾ[1,2-b:5,6-b’]ビスベンゾフラン-4-イル)-1,1’
-ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mBbf(III
)BPDBq)のHOMO準位およびLUMO準位をサイクリックボルタンメトリ(CV
)測定を元に算出した。算出方法を以下に示す。
In this example, a heterocyclic compound according to one embodiment of the present invention, 2-[
3'-(benzo[1,2-b:5,6-b']bisbenzofuran-4-yl)-1,1'
-biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mBbf(III
The HOMO and LUMO levels of BPDBq were measured by cyclic voltammetry (CV
The calculation method is shown below.

2mBbf(III)BPDBqのHOMO準位およびLUMO準位をサイクリックボル
タンメトリ(CV)測定を元に算出した。CVの測定方法及び、HOMO準位およびLU
MO準位の算出方法は実施例6と同様である。
The HOMO and LUMO levels of 2mBbf(III)BPDBq were calculated based on cyclic voltammetry (CV) measurements.
The calculation method of the MO level is the same as in Example 6.

この結果、2mBbf(III)BPDBqの酸化電位Ea[V]の測定においては、測
定範囲の0.1eVから1.5eVの範囲では明瞭な酸化ピークは得られなかった。一方
LUMO準位は-2.98eVであることがわかった。また、酸化-還元波の繰り返し測
定において100サイクル後の酸化-還元波は、1サイクル目の酸化-還元波と比較して
71%のピーク強度を保っていたことから、2mBbf(III)BPDBqの還元に対
する耐性が非常に良好であることが確認された。
As a result, in the measurement of the oxidation potential Ea [V] of 2mBbf(III)BPDBq, no clear oxidation peak was obtained in the measurement range of 0.1 eV to 1.5 eV. On the other hand, the LUMO level was found to be -2.98 eV. In addition, in the repeated measurement of the oxidation-reduction wave, the oxidation-reduction wave after 100 cycles maintained 71% of the peak intensity compared to the oxidation-reduction wave in the first cycle, confirming that 2mBbf(III)BPDBq has very good resistance to reduction.

101 第1の電極
102 EL層
103 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
201 第1の電極
202(1) 第1のEL層
202(2) 第2のEL層
202(n-1) 第(n-1)のEL層
202(n) 第(n)のEL層
204 第2の電極
205 電荷発生層
205(1) 第1の電荷発生層
205(2) 第2の電荷発生層
205(n-2) 第(n-2)の電荷発生層
205(n-1) 第(n-1)の電荷発生層
301 素子基板
302 画素部
303 駆動回路部(ソース線駆動回路)
304a、304b 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
305 シール材
306 封止基板
307 配線
308 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
309 FET
310 FET
312 電流制御用FET
313a、313b 第1の電極(陽極)
314 絶縁物
315 EL層
316 第2の電極(陰極)
317a、317b 発光素子
318 空間
320a、320b 導電膜
321、322 領域
323 引き回し配線
324 有色層(カラーフィルタ)
325 黒色層(ブラックマトリクス)
326、327、328 FET
401 基板
402 第1の電極
404 第2の電極
403a、403b、403c EL層
405 発光素子
406 絶縁膜
407 隔壁
900 基板
901 第1の電極
902 EL層
903 第2の電極
911 正孔注入層
912 正孔輸送層
913 発光層
914 電子輸送層
915 電子注入層
2000 タッチパネル
2501 表示パネル
2502R 画素
2502t トランジスタ
2503c 容量素子
2503g 走査線駆動回路
2503t トランジスタ
2509 FPC
2510 基板
2511 配線
2519 端子
2521 絶縁層
2528 絶縁体
2550R 発光素子
2560 封止層
2567BM 遮光層
2567p 反射防止層
2567R 着色層
2570 基板
2590 基板
2591 電極
2592 電極
2593 絶縁層
2594 配線
2595 タッチセンサ
2597 接着層
2598 配線
2599 端子
2601 パルス電圧出力回路
2602 電流検出回路
2603 容量
2611 トランジスタ
2612 トランジスタ
2613 トランジスタ
2621 電極
2622 電極
4000 照明装置
4001 基板
4002 発光素子
4003 基板
4004 電極
4005 EL層
4006 電極
4007 電極
4008 電極
4009 補助配線
4010 絶縁層
4011 封止基板
4012 シール材
4013 乾燥剤
4015 拡散板
4100 照明装置
4200 照明装置
4201 基板
4202 発光素子
4204 電極
4205 EL層
4206 電極
4207 電極
4208 電極
4209 補助配線
4210 絶縁層
4211 封止基板
4212 シール材
4213 バリア膜
4214 平坦化膜
4215 拡散板
4300 照明装置
5101 ライト
5102 ホイール
5103 ドア
5104 表示部
5105 ハンドル
5106 シフトレバー
5107 座席シート
5108 インナーリアビューミラー
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7302 筐体
7304 表示部
7305 時刻を表すアイコン
7306 その他のアイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作用ボタン
7404 外部接続部
7405 スピーカ
7406 マイク
7407 カメラ
7500(1)、7500(2) 筐体
7501(1)、7501(2) 第1面
7502(1)、7502(2) 第2面
8001 照明装置
8002 照明装置
8003 照明装置
9310 携帯情報端末
9311 表示部
9312 表示領域
9313 ヒンジ
9315 筐体
101 First electrode 102 EL layer 103 Second electrode 111 Hole injection layer 112 Hole transport layer 113 Light-emitting layer 114 Electron transport layer 115 Electron injection layer 201 First electrode 202(1) First EL layer 202(2) Second EL layer 202(n-1) (n-1)th EL layer 202(n) (n)th EL layer 204 Second electrode 205 Charge generation layer 205(1) First charge generation layer 205(2) Second charge generation layer 205(n-2) (n-2)th charge generation layer 205(n-1) (n-1)th charge generation layer 301 Element substrate 302 Pixel section 303 Drive circuit section (source line drive circuit)
304a, 304b Drive circuit section (gate line drive circuit)
305 sealing material 306 sealing substrate 307 wiring 308 FPC (flexible printed circuit)
309 FET
310 FET
312 Current control FET
313a, 313b First electrode (anode)
314 Insulator 315 EL layer 316 Second electrode (cathode)
317a, 317b Light-emitting element 318 Space 320a, 320b Conductive film 321, 322 Region 323 Lead wiring 324 Color layer (color filter)
325 Black layer (black matrix)
326, 327, 328 FETs
401 Substrate 402 First electrode 404 Second electrode 403a, 403b, 403c EL layer 405 Light-emitting element 406 Insulating film 407 Partition wall 900 Substrate 901 First electrode 902 EL layer 903 Second electrode 911 Hole injection layer 912 Hole transport layer 913 Light-emitting layer 914 Electron transport layer 915 Electron injection layer 2000 Touch panel 2501 Display panel 2502R Pixel 2502t Transistor 2503c Capacitor element 2503g Scanning line driver circuit 2503t Transistor 2509 FPC
2510 Substrate 2511 Wiring 2519 Terminal 2521 Insulating layer 2528 Insulator 2550R Light-emitting element 2560 Sealing layer 2567BM Light-shielding layer 2567p Anti-reflection layer 2567R Colored layer 2570 Substrate 2590 Substrate 2591 Electrode 2592 Electrode 2593 Insulating layer 2594 Wiring 2595 Touch sensor 2597 Adhesive layer 2598 Wiring 2599 Terminal 2601 Pulse voltage output circuit 2602 Current detection circuit 2603 Capacitor 2611 Transistor 2612 Transistor 2613 Transistor 2621 Electrode 2622 Electrode 4000 Lighting device 4001 Substrate 4002 Light-emitting element 4003 Substrate 4004 Electrode 4005 EL layer 4006 Electrode 4007 Electrode 4008 Electrode 4009 Auxiliary wiring 4010 Insulating layer 4011 Sealing substrate 4012 Sealing material 4013 Desiccant 4015 Diffusion plate 4100 Illumination device 4200 Illumination device 4201 Substrate 4202 Light-emitting element 4204 Electrode 4205 EL layer 4206 Electrode 4207 Electrode 4208 Electrode 4209 Auxiliary wiring 4210 Insulating layer 4211 Sealing substrate 4212 Sealing material 4213 Barrier film 4214 Planarization film 4215 Diffusion plate 4300 Illumination device 5101 Light 5102 Wheel 5103 Door 5104 Display unit 5105 Handle 5106 Shift lever 5107 Seat 5108 Inner rear view mirror 7100 Television device 7101 Housing 7103 Display unit 7105 Stand 7107 Display unit 7109 Operation keys 7110 Remote control device 7201 Main body 7202 Housing 7203 Display unit 7204 Keyboard 7205 External connection port 7206 Pointing device 7302 Housing 7304 Display unit 7305 Icon showing time 7306 Other icons 7311 Operation button 7312 Operation button 7313 Connection terminal 7321 Band 7322 Clasp 7400 Mobile phone 7401 Housing 7402 Display unit 7403 Operation button 7404 External connection unit 7405 Speaker 7406 Microphone 7407 Camera 7500 (1), 7500 (2) Housing 7501 (1), 7501 (2) First surface 7502 (1), 7502 (2) Second surface 8001 Illumination device 8002 Illumination device 8003 Illumination device 9310 Portable information terminal 9311 Display unit 9312 Display area 9313 Hinge 9315 Housing

Claims (5)

式(G1)で表される複素環化合物。

(式中、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。前記アリーレン基が置換基を有する場合、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。)
A heterocyclic compound represented by formula (G1):

(In the formula, DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. When the arylene group has substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.)
式(G1)で表される複素環化合物。

(式中、DBqは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表す。前記ベンゾビスベンゾフラニル基中のフラン環を構成しない炭素のうち、前記フラン環中の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか一が、Arと結合する。前記アリーレン基が置換基を有する場合、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。)
A heterocyclic compound represented by formula (G1):

(In the formula, DBq represents a substituted or unsubstituted dibenzo[f,h]quinoxalinyl group, Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, n represents 0 or 1, Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms, and A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group. Among the carbons not constituting a furan ring in the benzobisbenzofuranyl group, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to oxygen in the furan ring is bonded to Ar 2. When the arylene group has substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.)
式(G2)で表される複素環化合物。

(式中、Aは、置換もしくは無置換のベンゾビスベンゾフラニル基を表し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数6~13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、nは、0または1を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表す。前記アリーレン基が置換基を有する場合、前記置換基は互いに結合して環を形成しても良い。)
A heterocyclic compound represented by formula (G2):

(In the formula, A represents a substituted or unsubstituted benzobisbenzofuranyl group; R 1 to R 9 each independently represent any one of hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms; Ar 1 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms; n represents 0 or 1; and Ar 2 represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms. When the arylene group has substituents, the substituents may be bonded to each other to form a ring.)
請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
式(G1)または式(G2)中のAは、下記式(A1)乃至式(A3)のいずれか一であり、
下記式(A1)乃至式(A3)において、フラン環を構成しない炭素のうち、前記フラン環中の酸素と結合する炭素と隣接する炭素のいずれか一が、Arと結合する、複素環化合物。

(式中、ベンゼン環は置換基を有していても良く、前記置換基は、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数5~7のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基、のいずれかである。)
In any one of claims 1 to 3,
A in formula (G1) or formula (G2) is any one of the following formulas (A1) to (A3):
A heterocyclic compound represented by the following formulae (A1) to (A3), in which, among carbons not constituting a furan ring, any one of the carbons adjacent to the carbon bonded to oxygen in the furan ring is bonded to Ar2 .

(In the formula, the benzene ring may have a substituent, and the substituent is any one of a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms.)
式(101)、式(107)、式(149)、または式(150)のいずれか一で表される複素環化合物。
A heterocyclic compound represented by any one of formulas (101), (107), (149), and (150):
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