JP2024060816A - 受光素子及び赤外線撮像装置 - Google Patents
受光素子及び赤外線撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024060816A JP2024060816A JP2022168344A JP2022168344A JP2024060816A JP 2024060816 A JP2024060816 A JP 2024060816A JP 2022168344 A JP2022168344 A JP 2022168344A JP 2022168344 A JP2022168344 A JP 2022168344A JP 2024060816 A JP2024060816 A JP 2024060816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- receiving element
- amount
- amorphous
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 275
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
- H01L31/035245—Superlattices; Multiple quantum well structures characterised by amorphous semiconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】暗電流の周辺成分を低減することができる受光素子及び赤外線撮像装置を提供する。【解決手段】受光素子は、ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む受光層と、前記受光層の側壁面を覆うアモルファス層と、を有し、前記アモルファス層は、Ｉｎ及びＡｓを含み、前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、前記アモルファス層に含まれるＩｎの量及びＡｓの量よりも少ない。【選択図】図１
Description
本開示は、受光素子及び赤外線撮像装置に関する。
赤外線検出器は、受光素子と読み出し回路とを含む。受光素子は、入射してきた赤外線の強度に対応した量の電流を生成する。読み出し回路は、キャパシタ及びアンプを有しており、受光素子により生成された電流をキャパシタに電荷として蓄積し、蓄積された電荷をアンプで電圧に変換及び増幅して出力する。
受光素子には赤外線が入射せずとも暗電流が流れる。暗電流はノイズ源となり、暗電流が大きいほど、信号とノイズとの比（Ｓ／Ｎ比）が低下する。暗電流は、一つの受光素子がメサ型に加工形成されている場合、面内成分と周辺（側壁）成分とに大別できる。受光素子の多画素化に伴い受光素子を微細化すると、相対的に周辺成分の影響が大きくなる。従って、微細化した受光素子において良好なＳ／Ｎ比を得るためには、暗電流の周辺成分を低減することが重要である。
受光素子に含まれる赤外線吸収層の材料として、タイプＩＩ超格子（Type II Superlattice：Ｔ２ＳＬ）が着目されている。特に、ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子が、感度、波長制御性及び多画素化等の点で有望である。しかしながら、ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む赤外線吸収層の側壁面を流れる暗電流の周辺成分を低減することが困難である。このため、
本開示の目的は、暗電流の周辺成分を低減することができる受光素子及び赤外線撮像装置を提供することにある。
本開示の一形態によれば、ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む受光層と、前記受光層の側壁面を覆うアモルファス層と、を有し、前記アモルファス層は、Ｉｎ及びＡｓを含み、前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、前記アモルファス層に含まれるＩｎの量及びＡｓの量よりも少ない受光素子が提供される。
本開示によれば、暗電流の周辺成分を低減することができる。
本願発明者らは、ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む赤外線吸収層の側壁面を流れる暗電流の周辺成分を低減することが困難な原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、受光素子の製造過程で、エッチング後の水洗等の際に赤外線吸収層の側壁にＧａ酸化物及びＳｂ酸化物が生成し、熱的安定性が比較的低いＳｂ酸化物が他の元素に酸素を奪われることで、金属のような性質を示すようになっていることが明らかになった。本願発明者らは、このような知見に基づき、下記の実施形態に想到した。
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。第１実施形態は受光素子に関する。図１及び図２は、第１実施形態に係る受光素子を示す断面図である。図２は、図１中の領域Ｒの拡大図に相当する。
第１実施形態について説明する。第１実施形態は受光素子に関する。図１及び図２は、第１実施形態に係る受光素子を示す断面図である。図２は、図１中の領域Ｒの拡大図に相当する。
図１に示すように、第１実施形態に係る受光素子１は、下部コンタクト層１３と、電子バリア層１４と、赤外線吸収層１５と、正孔バリア層１６と、上部コンタクト層１７と、アモルファス層２０と、保護層２１と、下部電極２４と、上部電極２５とを有する。
下部コンタクト層１３は、例えばＩｎＡｓ０．９１Ｓｂ０．０９層である。下部コンタクト層１３には、ｎ型不純物としてＳｉ又はＴｅが１×１０１８ｃｍ－３の濃度でドーピングされており、下部コンタクト層１３はｎ型の導電型を有する。下部コンタクト層１３の厚さは、例えば２μｍである。
電子バリア層１４は下部コンタクト層１３の上に設けられている。電子バリア層１４は、例えばＩｎＡｓ層とＧａＳｂ層とが交互に積層されたタイプＩＩ超格子を含む。例えば、ＩｎＡｓ層の厚さは２．２ｎｍであり、ＧａＳｂ層の厚さは２．１ｎｍである。例えば、電子バリア層１４には、ｐ型不純物としてＢｅ又はＺｎが５×１０１７ｃｍ－３の濃度でドーピングされており、電子バリア層１４はｐ型の導電型を有する。電子バリア層１４の厚さは、例えばＩｎＡｓ層とＧａＳｂ層との積層体を超格子の１周期としたときの５０周期相当である。
赤外線吸収層１５は電子バリア層１４の上に設けられている。図２に示すように、赤外線吸収層１５は、例えばＩｎＡｓ層１５ＡとＧａＳｂ層１５Ｂとが交互に積層されたタイプＩＩ超格子を含む。例えば、ＩｎＡｓ層１５Ａの厚さは４．２ｎｍであり、ＧａＳｂ層１５Ｂの厚さは２．１ｎｍである。例えば、赤外線吸収層１５には、ｐ型不純物としてＢｅ又はＺｎが１×１０１６ｃｍ－３の濃度でドーピングされており、赤外線吸収層１５はｐ型の導電型を有する。赤外線吸収層１５の厚さは、例えばＩｎＡｓ層１５ＡとＧａＳｂ層１５Ｂとの積層体を超格子の１周期としたときの４００周期相当である。図２に示すように、赤外線吸収層１５の上面に垂直な方向からの平面視で、ＧａＳｂ層１５Ｂの側壁面は、ＩｎＡｓ層１５Ａの側壁面の内側にあってもよい。赤外線吸収層１５は受光層の一例である。
正孔バリア層１６は赤外線吸収層１５の上に設けられている。正孔バリア層１６は、例えばＩｎＡｓ層とＡｌＳｂ層とが交互に積層されたタイプＩＩ超格子を含む。例えば、ＩｎＡｓ層の厚さは４．６ｎｍであり、ＡｌＳｂ層の厚さは１．２ｎｍである。例えば、正孔バリア層１６には、ｎ型不純物としてＳｉ又はＴｅが５×１０１７ｃｍ－３の濃度でドーピングされており、正孔バリア層１６はｎ型の導電型を有する。正孔バリア層１６の厚さは、例えばＩｎＡｓ層とＡｌＳｂ層との積層体を超格子の１周期としたときの５０周期相当である。
上部コンタクト層１７は正孔バリア層１６の上に設けられている。上部コンタクト層１７は、例えばＩｎＡｓ層である。上部コンタクト層１７には、ｎ型不純物としてＳｉ又はＴｅが１×１０１８ｃｍ－３の濃度でドーピングされており、上部コンタクト層１７はｎ型の導電型を有する。上部コンタクト層１７の厚さは、例えば２０ｎｍである。
電子バリア層１４、赤外線吸収層１５、正孔バリア層１６及び上部コンタクト層１７はメサ状にエッチングされている。すなわち、受光素子１は、電子バリア層１４、赤外線吸収層１５、正孔バリア層１６及び上部コンタクト層１７を含むメサ１９を有する。
アモルファス層２０は、電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面を覆う。アモルファス層はＩｎ及びＡｓを含む。アモルファス層２０が酸素（Ｏ）を更に含んでもよい。アモルファス層の主成分はＩｎ、Ａｓ及びＯである。アモルファス層２０にＧａ若しくはＳｂ又はこれらの両方が含まれてもよいが、アモルファス層２０に含まれるＧａの量（原子％）及びＳｂの量（原子％）は、アモルファス層２０に含まれるＩｎの量（原子％）及びＡｓの量（原子％）よりも少ない。アモルファス層２０に含まれるＧａの量（原子％）及びＳｂの量（原子％）は、いずれも、好ましくは１０原子％以下であり、より好ましくは８原子％以下であり、更に好ましくは５原子％以下である。
アモルファス層２０は、主として電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面を覆うが、正孔バリア層１６の側壁面を覆う部分を含んでもよい。ただし、正孔バリア層１６の側壁面を覆う部分は薄く、例えば正孔バリア層１６に含まれるＩｎＡｓ層の端部からの厚さは、厚くても３ｎｍである。従って、正孔バリア層１６と保護層２１との間の距離は３ｎｍ以下となる。アモルファス層２０の正孔バリア層１６の側壁面を覆う部分は、Ｇａを含まず、Ａｌを含む。
保護層２１は、上部コンタクト層１７及び正孔バリア層１６の側面と、上部コンタクト層１７の上面と、下部コンタクト層１３の上面とを覆う。保護層２１は、更にアモルファス層２０を覆う。保護層２１は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）層又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）層である。保護層２１の厚さは、例えば５００ｎｍ程度である。
保護層２１に、下部コンタクト層１３の上面の一部を露出する開口部２２と、上部コンタクト層１７の上面の一部を露出する開口部２３とが形成されている。開口部２２の内側に下部電極２４が設けられ、開口部２３の内側に上部電極２５が設けられている。下部電極２４は、例えば、下部コンタクト層１３と接するＴｉ膜と、Ｔｉ膜上のＰｔ膜と、Ｐｔ膜上のＡｕ膜とを有する。下部電極２４は下部コンタクト層１３とオーミック接合する。上部電極２５は、例えば、上部コンタクト層１７と接するＴｉ膜と、Ｔｉ膜上のＰｔ膜と、Ｐｔ膜上のＡｕ膜とを有する。上部電極２５は上部コンタクト層１７とオーミック接合する。
次に、第１実施形態に係る受光素子１の製造方法について説明する。図３～図７は、第１実施形態に係る受光素子１の製造方法を示す断面図である。
まず、図３に示すように、基板１１の上に、バッファ層１２、下部コンタクト層１３、電子バリア層１４、赤外線吸収層１５、正孔バリア層１６及び上部コンタクト層１７をエピタキシャル成長させる。以下の説明では、これら半導体層を分子線エピタキシ（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）法によりエピタキシャル成長させることとする。これら半導体層を有機金属気相堆積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）法等によりエピタキシャル成長させてもよい。基板１１の厚さは、例えば６００μｍ程度である。
次いで、上部コンタクト層１７の上にＳｉＯＮ層３１を形成する。ＳｉＯＮ層３１は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成し、ＳｉＯＮ層３１の厚さは、例えば５００ｎｍ程度とする。その後、ＳｉＯＮ層３１の上にリソグラフィによりレジストマスク３２を形成する。レジストマスク３２は、メサ１９を形成する領域を覆うように形成する。
続いて、図４に示すように、ＳｉＯＮ層３１のレジストマスク３２から露出した部分をエッチングする。このエッチングでは、例えばＣＦ４ガス及びＡｒガスを用いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）を行う。次いで、レジストマスク３２を除去し、残存するＳｉＯＮ層３１をハードマスクとして用いて、上部コンタクト層１７、正孔バリア層１６、赤外線吸収層１５及び電子バリア層１４のエッチングを行う。このエッチングでは、例えばＢＣｌ３ガス及びＡｒガスを用いたＲＩＥを行う。また、このエッチングでは、二次イオン等によるＧａのパルス信号をモニタし、Ｇａの低減によってエッチングの終点を検知する。すなわち、Ｇａを含まない下部コンタクト層１３の上面が露出した時点で、エッチングを終了する。このエッチングの結果、上部コンタクト層１７、正孔バリア層１６、赤外線吸収層１５及び電子バリア層１４を含むメサ１９が形成される。
その後、図５に示すように、リン酸、クエン酸、過酸化水素水及び水の混合溶液を用いて、メサ１９の側壁を約５０ｎｍの厚さでエッチングして、ＲＩＥにより生じたメサ１９の側壁のダメージ層を除去する。この結果、赤外線吸収層１５では、ＧａＳｂ層１５ＢがＩｎＡｓ層１５Ａよりも優先的にエッチングされ、図２に示すように、ＧａＳｂ層１５Ｂの側壁面がＩｎＡｓ層１５Ａの側壁面よりも内側に後退する。電子バリア層１４でも、ＧａＳｂ層の側壁面がＩｎＡｓ層の側壁面よりも内側に後退する。
続いて、クエン酸系の水溶液を用いて、メサ１９の側壁の処理を行う。この結果、図６に示すように、電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５に含まれるＩｎＡｓ層の一部を用いてＩｎ及びＡｓを含むアモルファス層２０が形成される。アモルファス層２０は、主として電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面を覆うが、正孔バリア層１６の側壁面を覆う部分を含むように形成されてもよい。
次いで、図７に示すように、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いて、ＳｉＯＮ層３１を除去する。その後、メサ１９及び下部コンタクト層１３を覆う保護層２１を形成する。保護層２１は、例えばＳｉＨ４ガス及びＮ２Ｏガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成することができる。続いて、保護層２１に、下部コンタクト層１３の上面の一部を露出する開口部２２と、上部コンタクト層１７の上面の一部を露出する開口部２３とを形成する。次いで、開口部２２の内側に下部電極２４を形成し、開口部２３の内側に上部電極２５を形成する。下部電極２４及び上部電極２５は、例えばリソグラフィと蒸着法とを組み合わせたリフトオフ法により形成することができる。
その後、基板１１及びバッファ層１２を除去することで、第１実施形態に係る受光素子１を製造することができる。
第１実施形態では、赤外線吸収層１５の側壁面がアモルファス層２０により覆われている。そして、アモルファス層２０は、Ｉｎ及びＡｓを含み、アモルファス層２０に含まれるＧａの量（原子％）及びＳｂの量（原子％）は、アモルファス層２０に含まれるＩｎの量（原子％）及びＡｓの量（原子％）よりも少ない。このため、受光素子１の製造過程中においても、受光素子１の完成後においても、電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面への酸素の到達が抑制され、Ｇａ酸化物及びＳｂ酸化物の生成が抑制される。従って、Ｓｂ酸化物の生成に伴うリーク電流を抑制し、電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面をリークパスとする暗電流の周辺成分を低減することができる。従って、受光素子１を微細化しても、良好なＳ／Ｎ比を得ることができる。
ここで、第１実施形態との比較のために参考例について説明する。図８は、参考例に係る受光素子を示す断面図である。なお、図８は、従来技術を示す図ではない。
参考例に係る受光素子１Ｘは、概ね、第１実施形態と同様の方法により製造されている。主として、ダメージ層の除去の直後に水洗が行われ、アモルファス層２０を形成することなく、保護層２１の形成以降の処理が行われて製造されている点で第１実施形態と相違する。図８に示すように、参考例に係る受光素子１Ｘは、アモルファス層２０を有さず、水洗の際に形成されたアモルファス状の酸化膜２０Ｘを有する。酸化膜２０Ｘは、ＧａＳｂ層を含む電子バリア層１４の側壁面と、ＧａＳｂ層を含む赤外線吸収層１５の側壁面と、ＧａＳｂ層を含まない正孔バリア層１６の側壁面とを覆う。酸化膜２０ＸはＳｂ酸化物を含む。ＧａＳｂは水洗で酸化されやすく、電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５はＧａも含んでいる。このため、酸化膜２０Ｘの電子バリア層１４及び赤外線吸収層１５の側壁面を覆う部分は、Ｇａ酸化物も含み、正孔バリア層１６の側壁面を覆う部分よりも厚い。
受光素子１Ｘにおいては、上述のように、酸化膜２０Ｘに含まれるＳｂ酸化物の熱的安定性が低く、Ｓｂ酸化物が分解されて金属に近い性質を示す部分が酸化膜２０Ｘに含まれる。この酸化膜２０Ｘが厚いため、赤外線吸収層１５の側壁の近傍に暗電流が流れやすい。これに対し、本実施形態は、Ｓｂ酸化物を含みにくい構成を備えるため、Ｓｂ酸化物に起因する暗電流を低減することができる。
ここで、第１実施形態に倣って製造した積層構造体の分析結果について説明する。この積層構造体は、図６に示す構造を備えている。図９は、積層構造体の分析結果を示す図である。図９中の「ＴＥＭ」は、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）による観察像を示す。図９中の「Ｉｎ」、「Ａｓ」、「Ｇａ」、「Ｓｂ」は、それぞれ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｇａ、Ｓｂのエネルギー分散型Ｘ線分析（Energy Dispersive X-ray spectroscopy：ＥＤＸ）の結果を示す。ＥＤＸ分析の結果では、黒点がある部分に当該元素が存在することを示している。図９には概ね同一箇所の観察結果及び分析結果を示してある。
図９に示すように、ＴＥＭの観察像では、赤外線吸収層１５に相当する部分には結晶が観察され、アモルファス層２０に相当する部分には結晶が観察されなかった。また、ＥＤＸの分析結果では、赤外線吸収層１５に相当する部分において、Ｉｎ及びＡｓの組み合わせと、Ｇａ及びＳｂの組み合わせとが交互に存在した。また、アモルファス層２０に相当する部分において、Ｉｎ及びＡｓが存在していたが、Ｇａ及びＳｂはほとんど存在しなかった。
なお、ダメージ層を除去する際に用いる混合溶液に含まれる酸素又は保護層２１を形成する際に用いるガスに含まれる酸素がアモルファス層２０に含有されてもよい。
アモルファス層２０の厚さ（基板１１の上面に平行な方向での厚さ）は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、より好ましくは１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、更に好ましくは１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。アモルファス層２０が薄すぎる場合、保護層２１の形成等の際に、アモルファス層２０に覆われた赤外線吸収層１５及び電子バリア層１４が酸化されて、Ｓｂ酸化物が生成しやすくなるおそれがある。また、アモルファス層２０が厚すぎる場合、超格子を構成する結晶性のＧａＳｂ層の減少量が大きく表面の平坦性が悪化し、保護層２１の形成が不十分となり、プロセスダメージによる暗電流が増加するおそれがある。
赤外線吸収層１５が、ＩｎＡｓ層１５ＡとＧａＳｂ層１５Ｂとの間に歪補償層としてＩｎＳｂ層を有してもよい。ＩｎＳｂ層の厚さは、例えば０．２ｎｍである。ＩｎＳｂ層により、基板１１とＩｎＡｓ層１５Ａとの間の格子定数の相違に起因する歪を緩和することができる。ＩｎＳｂ層は、ＩｎＡｓ層１５ＡとＧａＳｂ層１５Ｂとの間の全てに設けられていてもよく、ＩｎＡｓ層１５Ａ及びＧａＳｂ層１５Ｂの１周期（１組）ごとに設けられていてもよい。同様に、電子バリア層１４及び正孔バリア層１６が歪補償層としてＩｎＳｂ層を有してもよい。
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、受光素子１を含む赤外線撮像装置に関する。図１０は、第２実施形態に係る赤外線撮像装置を示す模式図である。
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、受光素子１を含む赤外線撮像装置に関する。図１０は、第２実施形態に係る赤外線撮像装置を示す模式図である。
第２実施形態に係る赤外線撮像装置２は、画素アレイ５０と、読み出し回路（ＲＯＩＣ）６０とを有する。画素アレイ５０は、アレイ状に配置された複数の受光素子１を有する。各受光素子１が１つの画素５１を構成する。画素アレイ５０と、読み出し回路６０とがフリップチップ接合されている。各画素５１は、接合電極２７（図１３参照）によって、読み出し回路６０に形成された対応するユニットセル６１に電気的に接続されている。赤外線撮像装置２はＦＰＡ（Focal Plane Array）を有する。
次に、第２実施形態に係る赤外線撮像装置２の製造方法について説明する。図１１～図１３は、第２実施形態に係る赤外線撮像装置２の製造方法を示す断面図である。
まず、第１実施形態に倣って、下部電極２４及び上部電極２５の形成までの処理を行う。この時、１つの基板１１に複数のメサ１９をアレイ状に形成する。また、画素５１を構成するメサ１９の他に、ダミー画素用のメサを画素５１の周囲に形成する。そして、ダミー画素用のメサの側壁に引き出し配線を形成し、下部電極２４をダミー画素用のメサに含まれる上部電極に接続する。下部電極２４は画素アレイ５０の対応する列又は行を形成する複数の画素５１に共通の電極として用いられる。
下部電極２４及び上部電極２５の形成の後、図１１に示すように、上部電極２５の上にバンプ電極２６を形成する。バンプ電極２６は、例えばＩｎ電極である。バンプ電極２６は、例えばリソグラフィと蒸着法とを組み合わせたリフトオフ法により形成することができる。このようにして、仮画素アレイ５２が形成される。
次いで、図１２に示すように、仮画素アレイ５２と、接続電極（図示せず）を有する読み出し回路６０とをフリップチップ接合する。このフリップチップ接合の際に、バンプ電極２６及び接続電極から接合電極２７が形成される。その後、仮画素アレイ５２と読み出し回路６０との間にアンダーフィル７０を充填する。
続いて、基板１１の厚さが、例えば５０μｍになるまで基板１１の背面研削を行う。次いで、図１３に示すように、ＨＦ及びＣｒＯ３を含む混合液により下部コンタクト層１３をエッチングストッパとして用いて、残りの基板１１及びバッファ層１２をウェットエッチングにより除去する。
その後、赤外線の入射面となる下部コンタクト層１３の背面に反射防止膜を成膜し、容器に実装する。このようにして、赤外線撮像装置２を製造することができる。
第２実施形態によれば、第１実施形態に係る受光素子１を含んでいるため、暗電流の周辺成分が低減され、優れたＳ／Ｎ比が得られ、微細及び高精細な構成で、高い温度分解能の明瞭な画像を得ることができる。
なお、受光対象とする赤外線の波長は特に限定されず、例えば波長が１．４μｍ～３０μｍの赤外線を受光対象とすることができ、特に波長が１．４μｍ～１５μｍの赤外線を受光対象とすることができる。受光対象とする赤外線の波長に応じてＩｎＡｓ層１５Ａ及びＧａＳｂ層１５Ｂの厚さを調整することができる。電子バリア層１４及び正孔バリア層１６についても、受光対象とする赤外線の波長に応じて超格子を構成する化合物半導体層の厚さを調整することができる。また、電子バリア層１４及び正孔バリア層１６に含まれる超格子の構成は特に限定されない。例えば、正孔バリア層１６に含まれる超格子が、ＩｎＡｓ層、ＧａＳｂ層、ＡｌＳｂ層及びＧａＳｂ層が順に積層された構成を備えていてもよい。また、受光層の導電型がｎ型であってもよい。この場合、電子バリア層にＡｌＧａＳｂ層等を用いることができる。
受光素子及び赤外線撮像装置等は、例えば、船舶での夜間航行に使用したり、コンクリートの非破壊検査に使用したりすることができる。
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む受光層と、
前記受光層の側壁面を覆うアモルファス層と、
を有し、
前記アモルファス層は、Ｉｎ及びＡｓを含み、
前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、前記アモルファス層に含まれるＩｎの量及びＡｓの量よりも少ないことを特徴とする受光素子。
（付記２）
前記アモルファス層は、酸素を更に含むことを特徴とする付記１に記載の受光素子。
（付記３）
前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、いずれも１０原子％以下であることを特徴とする付記１又は２に記載の受光素子。
（付記４）
前記アモルファス層の厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１～３のいずれかに記載の受光素子。
（付記５）
厚さ方向からの平面視で、前記ＧａＳｂ層の側壁面は、前記ＩｎＡｓ層の側壁面の内側にあることを特徴とする付記１～４のいずれかに記載の受光素子。
（付記６）
前記受光層は、前記ＩｎＡｓ層と前記ＧａＳｂ層との間にＩｎＳｂ層を含むことを特徴とする付記１～５のいずれかに記載の受光素子。
（付記７）
ＩｎＡｓ層及びＡｌＳｂ層の超格子を含み、前記受光層の一方の面に接するｎ型の正孔バリア層と、
前記正孔バリア層の側壁面を覆う保護層と、
を有し、
前記正孔バリア層と前記保護層との間の距離は２ｎｍ以下であることを特徴とする付記１～６のいずれかに記載の受光素子。
（付記８）
ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含み、前記受光層の他方の面に接するｐ型の電子バリア層を有し、
前記電子バリア層の側壁面は、前記アモルファス層により覆われていることを特徴とする付記７に記載の受光素子。
（付記９）
付記１～８のいずれかに記載の受光素子と、
前記受光素子に接続された読み出し回路と、
を有することを特徴とする赤外線撮像装置。
ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む受光層と、
前記受光層の側壁面を覆うアモルファス層と、
を有し、
前記アモルファス層は、Ｉｎ及びＡｓを含み、
前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、前記アモルファス層に含まれるＩｎの量及びＡｓの量よりも少ないことを特徴とする受光素子。
（付記２）
前記アモルファス層は、酸素を更に含むことを特徴とする付記１に記載の受光素子。
（付記３）
前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、いずれも１０原子％以下であることを特徴とする付記１又は２に記載の受光素子。
（付記４）
前記アモルファス層の厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１～３のいずれかに記載の受光素子。
（付記５）
厚さ方向からの平面視で、前記ＧａＳｂ層の側壁面は、前記ＩｎＡｓ層の側壁面の内側にあることを特徴とする付記１～４のいずれかに記載の受光素子。
（付記６）
前記受光層は、前記ＩｎＡｓ層と前記ＧａＳｂ層との間にＩｎＳｂ層を含むことを特徴とする付記１～５のいずれかに記載の受光素子。
（付記７）
ＩｎＡｓ層及びＡｌＳｂ層の超格子を含み、前記受光層の一方の面に接するｎ型の正孔バリア層と、
前記正孔バリア層の側壁面を覆う保護層と、
を有し、
前記正孔バリア層と前記保護層との間の距離は２ｎｍ以下であることを特徴とする付記１～６のいずれかに記載の受光素子。
（付記８）
ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含み、前記受光層の他方の面に接するｐ型の電子バリア層を有し、
前記電子バリア層の側壁面は、前記アモルファス層により覆われていることを特徴とする付記７に記載の受光素子。
（付記９）
付記１～８のいずれかに記載の受光素子と、
前記受光素子に接続された読み出し回路と、
を有することを特徴とする赤外線撮像装置。
１：受光素子
２：赤外線撮像装置
１１：基板
１２：バッファ層
１３：下部コンタクト層
１４：電子バリア層
１５：赤外線吸収層
１５Ａ：ＩｎＡｓ層
１５Ｂ：ＧａＳｂ層
１６：正孔バリア層
１７：上部コンタクト層
１９：メサ
２０：アモルファス層
２１：保護層
２２：開口部
２３：開口部
２４：下部電極
２５：上部電極
５０：画素アレイ
５１：画素
６０：読み出し回路（ＲＯＩＣ）
６１：ユニットセル
２：赤外線撮像装置
１１：基板
１２：バッファ層
１３：下部コンタクト層
１４：電子バリア層
１５：赤外線吸収層
１５Ａ：ＩｎＡｓ層
１５Ｂ：ＧａＳｂ層
１６：正孔バリア層
１７：上部コンタクト層
１９：メサ
２０：アモルファス層
２１：保護層
２２：開口部
２３：開口部
２４：下部電極
２５：上部電極
５０：画素アレイ
５１：画素
６０：読み出し回路（ＲＯＩＣ）
６１：ユニットセル
Claims (6)
- ＩｎＡｓ層及びＧａＳｂ層の超格子を含む受光層と、
前記受光層の側壁面を覆うアモルファス層と、
を有し、
前記アモルファス層は、Ｉｎ及びＡｓを含み、
前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、前記アモルファス層に含まれるＩｎの量及びＡｓの量よりも少ないことを特徴とする受光素子。 - 前記アモルファス層は、酸素を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の受光素子。
- 前記アモルファス層に含まれるＧａの量及びＳｂの量は、いずれも１０原子％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子。
- 前記アモルファス層の厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子。
- 厚さ方向からの平面視で、前記ＧａＳｂ層の側壁面は、前記ＩｎＡｓ層の側壁面の内側にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子。
- 請求項１又は２に記載の受光素子と、
前記受光素子に接続された読み出し回路と、
を有することを特徴とする赤外線撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022168344A JP2024060816A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 受光素子及び赤外線撮像装置 |
| US18/364,804 US20240234601A9 (en) | 2022-10-20 | 2023-08-03 | Light receiving element and infrared imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022168344A JP2024060816A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 受光素子及び赤外線撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024060816A true JP2024060816A (ja) | 2024-05-07 |
Family
ID=90925469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022168344A Pending JP2024060816A (ja) | 2022-10-20 | 2022-10-20 | 受光素子及び赤外線撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240234601A9 (ja) |
| JP (1) | JP2024060816A (ja) |
-
2022
- 2022-10-20 JP JP2022168344A patent/JP2024060816A/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-03 US US18/364,804 patent/US20240234601A9/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240234601A9 (en) | 2024-07-11 |
| US20240136452A1 (en) | 2024-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200194490A1 (en) | High efficiency wide spectrum sensor | |
| US10886325B2 (en) | Infrared detector devices and focal plane arrays having a transparent common ground structure and methods of fabricating the same | |
| US10079262B2 (en) | Semiconductor photo-detector | |
| US10312390B2 (en) | Light receiving device and method of producing light receiving device | |
| US11193832B2 (en) | Infrared detector, imaging device including the same, and manufacturing method for infrared detector | |
| US20120273838A1 (en) | MINORITY CARRIER BASED HgCdTe INFRARED DETECTORS AND ARRAYS | |
| US20130248821A1 (en) | Light receiving element, semiconductor epitaxial wafer, method for manufacturing the light receiving element, method for manufacturing the semiconductor epitaxial wafer, and detecting device | |
| US10886323B2 (en) | Infrared detector, infrared detection device, and method of manufacturing infrared detector | |
| EP2017893A2 (en) | A method and device for generating an electrical signal in response to light | |
| KR20240134839A (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2020017672A (ja) | 赤外線検出器、これを用いた撮像装置、及び赤外線検出器の製造方法 | |
| WO2018131494A1 (ja) | 半導体結晶基板、赤外線検出装置、光半導体装置、熱電変換素子、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法 | |
| JP2024060816A (ja) | 受光素子及び赤外線撮像装置 | |
| JP7109718B2 (ja) | 化合物半導体フォトダイオードアレイ | |
| US11549844B2 (en) | Infrared detector and imaging device using the same | |
| JP2019039712A (ja) | 赤外線検出器及びその製造方法、撮像素子、撮像システム | |
| JP7200651B2 (ja) | 半導体ウエハ、赤外線検出器、これを用いた撮像装置、半導体ウエハの製造方法、及び赤外線検出器の製造方法 | |
| TW202416555A (zh) | 受光元件及光檢測裝置 | |
| US20200194556A1 (en) | Compound semiconductor device, manufacturing method thereof, and infrared detector | |
| JP2024046581A (ja) | 受光素子および光検出装置 | |
| JP2023132638A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| JP2018206898A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| Huang | Multi-spectral Infrared Photodetectors and Focal Plane Arrays based on Band-engineered Type-II Indium-Arsenic/Gallium-Antimony Superlattices and its Variants | |
| JPH08250760A (ja) | 半導体受光器及びその製造方法 | |
| JPH0548135A (ja) | 半導体光検出装置とその製造方法 |