JP2024055778A - レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高感度であり、LWRやCDUが改善されたレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンと下記式(1)で表されるスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含むレジスト材料。TIFF2024055778000120.tif3994【選択図】なし
Description
本発明は、レジスト材料及びパターン形成方法に関する。
LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。5Gの高速通信と人工知能(artificial intelligence、AI)の普及が進み、これを処理するための高性能デバイスが必要とされているためである。最先端の微細化技術としては、波長13.5nmの極端紫外線(EUV)リソグラフィーによる5nmノードのデバイスの量産が行われている。更には、次世代の3nmノード、次次世代の2nmノードデバイスにおいてもEUVリソグラフィーを用いた検討が進められており、ベルギーのIMECは1nmと0.7nmのデバイス開発を表明している。
微細化の進行とともに酸の拡散による像のぼけが問題になっている。寸法サイズ45nm以降の微細パターンでの解像性を確保するためには、従来提案されている溶解コントラストの向上だけでなく、酸拡散の制御が重要であることが提案されている(非特許文献1)。しかしながら、化学増幅レジスト材料は、酸の拡散によって感度とコントラストを上げているため、ポストエクスポージャーベーク(PEB)温度を下げたり、時間を短くしたりして酸拡散を極限まで抑えようとすると、感度とコントラストが著しく低下する。
感度、解像度及びエッジラフネス(LWR)のトライアングルトレードオフの関係が示されている。解像度を向上させるためには酸拡散を抑えることが必要であるが、酸拡散距離が短くなると感度が低下する。
バルキーな酸が発生する酸発生剤を添加して酸拡散を抑えることは有効である。そこで、重合性不飽和結合を有するオニウム塩に由来する繰り返し単位をポリマーに含ませることが提案されている。このとき、ポリマーは、酸発生剤としても機能する(ポリマーバウンド型酸発生剤)。特許文献1には、特定のスルホン酸を発生する重合性不飽和結合を有するスルホニウム塩やヨードニウム塩が提案されている。特許文献2には、スルホン酸が主鎖に直結したスルホニウム塩が提案されている。
特定のフルオロスルホン酸を発生するフェニルジベンゾチオフェニウムカチオンを有するスルホニウム塩が添加されたレジスト材料が提案されている(特許文献3~5)。フェニルジベンゾチオフェニウムカチオンは、環の歪みにより分解効率が高く、環構造により酸拡散制御能が高い。しかしながら、より一層の高感度かつ低酸拡散の特性を得るためには、更に高い分解効率と低酸拡散な特性が必要である。
SPIE Vol. 6520 65203L-1 (2007)
レジスト材料において、ラインパターンのLWRやホールパターンの寸法均一性(CDU)を改善することが可能で、かつ感度も向上させることができる酸発生剤の開発が望まれている。このためには、露光における分解効率が高く、酸拡散を抑え、アルカリ現像液との親和性が高い必要がある。
本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、特にポジ型レジスト材料において、高感度であり、LWRやCDUが改善されたレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンとヒドロカルビルカルボニル基やヒドロカルビルオキシカルボニル基を有する特定の構造のスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位を含むベースポリマーを用いることで、ヒドロカルビルカルボニル基やヒドロカルビルオキシカルボニル基の電子吸引性によって、露光による分解効率が高く、同時に酸拡散を抑えることができ、アルカリ現像液との親和性が高いため、高感度、低酸拡散、高コントラストかつ低膨潤な特性が得られ、これによって、LWR及びCDUが改善され、高感度かつ解像性に優れ、プロセスマージンが広いレジスト材料を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
1.ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンと下記式(1)で表されるスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含むレジスト材料。
(式中、p、q及びrは、それぞれ独立に、0~3の整数であり、sは1又は2である。ただし、1≦r+s≦3である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-C(=O)-R4、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R3は、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R4は、炭素数1~10のヒドロカルビル基、炭素数1~10のヒドロカルビルオキシ基又は-O-R4Aであり、該ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。R4Aは、酸不安定基である。
R5は、炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
Lは、単結合、エーテル結合、カルボニル基、-N(R)-、スルフィド結合又はスルホニル基である。Rは、水素原子又は炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基である。)
2.繰り返し単位aが、下記式(a1)又は(a2)で表されるものである1のレジスト材料。
(式中、RAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
X1は、単結合又はエステル結合である。
X2は、単結合、-X21-C(=O)-O-又は-X21-O-である。X21は、炭素数1~12のヒドロカルビレン基、フェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数7~18の基であり、カルボニル基、ニトロ基、シアノ基、エステル結合、エーテル結合、ウレタン結合、フッ素原子、ヨウ素原子又は臭素原子を含んでいてもよい。
X3は、単結合、メチレン基又はエチレン基である。
X4は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、-O-X41-、-C(=O)-O-X41-又は-C(=O)-NH-X41-である。X41は、炭素数1~6の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合、ヒドロキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Rf1~Rf4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも1つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。また、Rf1及びRf2が合わさってカルボニル基を形成してもよい。
M+は、式(1)で表されるスルホニウムカチオンである。)
3.前記ベースポリマーが、更に、下記式(b1)で表される繰り返し単位又は下記式(b2)で表される繰り返し単位を含むものである1又は2のレジスト材料。
(式中、RAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
Y1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合、エーテル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも1種を含む炭素数1~12の連結基である。
Y2は、単結合又はエステル結合である。
Y3は、単結合、エーテル結合又はエステル結合である。
R11及びR12は、それぞれ独立に、酸不安定基である。
R13は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニル基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又は炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルオキシカルボニル基である。
R14は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基の-CH2-の一部が、エーテル結合又はエステル結合で置換されていてもよい。
aは、1又は2である。bは、0~4の整数である。ただし、1≦a+b≦5である。)
4.化学増幅ポジ型レジスト材料である3のレジスト材料。
5.更に、有機溶剤を含む1~4のいずれかのレジスト材料。
6.更に、界面活性剤を含む1~5のいずれかのレジスト材料。
7.1~6のいずれかのレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
8.前記高エネルギー線が、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線(EB)又は波長3~15nmのEUVである7のパターン形成方法。
1.ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンと下記式(1)で表されるスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含むレジスト材料。
R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-C(=O)-R4、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R3は、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R4は、炭素数1~10のヒドロカルビル基、炭素数1~10のヒドロカルビルオキシ基又は-O-R4Aであり、該ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。R4Aは、酸不安定基である。
R5は、炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
Lは、単結合、エーテル結合、カルボニル基、-N(R)-、スルフィド結合又はスルホニル基である。Rは、水素原子又は炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基である。)
2.繰り返し単位aが、下記式(a1)又は(a2)で表されるものである1のレジスト材料。
X1は、単結合又はエステル結合である。
X2は、単結合、-X21-C(=O)-O-又は-X21-O-である。X21は、炭素数1~12のヒドロカルビレン基、フェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数7~18の基であり、カルボニル基、ニトロ基、シアノ基、エステル結合、エーテル結合、ウレタン結合、フッ素原子、ヨウ素原子又は臭素原子を含んでいてもよい。
X3は、単結合、メチレン基又はエチレン基である。
X4は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、-O-X41-、-C(=O)-O-X41-又は-C(=O)-NH-X41-である。X41は、炭素数1~6の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合、ヒドロキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Rf1~Rf4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも1つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。また、Rf1及びRf2が合わさってカルボニル基を形成してもよい。
M+は、式(1)で表されるスルホニウムカチオンである。)
3.前記ベースポリマーが、更に、下記式(b1)で表される繰り返し単位又は下記式(b2)で表される繰り返し単位を含むものである1又は2のレジスト材料。
Y1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合、エーテル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも1種を含む炭素数1~12の連結基である。
Y2は、単結合又はエステル結合である。
Y3は、単結合、エーテル結合又はエステル結合である。
R11及びR12は、それぞれ独立に、酸不安定基である。
R13は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニル基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又は炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルオキシカルボニル基である。
R14は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基の-CH2-の一部が、エーテル結合又はエステル結合で置換されていてもよい。
aは、1又は2である。bは、0~4の整数である。ただし、1≦a+b≦5である。)
4.化学増幅ポジ型レジスト材料である3のレジスト材料。
5.更に、有機溶剤を含む1~4のいずれかのレジスト材料。
6.更に、界面活性剤を含む1~5のいずれかのレジスト材料。
7.1~6のいずれかのレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
8.前記高エネルギー線が、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線(EB)又は波長3~15nmのEUVである7のパターン形成方法。
繰り返し単位aを含むベースポリマーを含むレジスト材料は、前記ベースポリマーが更に酸不安定基を含む場合は、露光によって発生した酸触媒反応による極性変化によってアルカリ溶解速度が向上するだけでなく、繰り返し単位a自身も未露光部分は現像液に溶解せず、露光によって自身が発生した酸によってカルボキシ基が発生し、アルカリ溶解速度が向上する。これらによって、LWR及びCDUが改善されたレジスト材料を構築することが可能となる。
[レジスト材料]
本発明のレジスト材料は、ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンとヒドロカルビルカルボニル基やヒドロカルビルオキシカルボニル基を有する特定の構造のスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含む。繰り返し単位aは酸発生剤として機能することから、前記ベースポリマーはポリマーバウンド型酸発生剤である。
本発明のレジスト材料は、ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンとヒドロカルビルカルボニル基やヒドロカルビルオキシカルボニル基を有する特定の構造のスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含む。繰り返し単位aは酸発生剤として機能することから、前記ベースポリマーはポリマーバウンド型酸発生剤である。
式(1)中、p、q及びrは、それぞれ独立に、0~3の整数であり、sは1又は2である。ただし、1≦r+s≦3である。
式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-C(=O)-R4、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
式(1)中、R3は、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
式(1)中、R4は、炭素数1~10のヒドロカルビル基、炭素数1~10のヒドロカルビルオキシ基又は-O-R4Aであり、該ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。R4Aは、酸不安定基である。
式(1)中、R5は、炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
R4及びR5で表されるヒドロカルビル基並びにR4で表されるヒドロカルビルオキシ基のヒドロカルビル部は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、3-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等の炭素数1~10のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、シクロブチルエチル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、メチルシクロプロピル基、メチルシクロブチル基、メチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロプロピル基、エチルシクロブチル基、エチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基等の炭素数3~10の環式飽和ヒドロカルビル基;ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、ノネニル基、デセニル基等の炭素数2~10のアルケニル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基等の炭素数2~10のアルキニル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、メチルシクロペンテニル基、メチルシクロヘキセニル基、エチルシクロペンテニル基、エチルシクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等の炭素数3~10の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基;フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、n-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、n-ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、sec-ブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等の炭素数7~10のアラルキル基;これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。
R4Aで表される酸不安定基としては、後述する式(AL-1)~(AL-3)で表される酸不安定基が挙げられる。
式(1)中、Lは、単結合、エーテル結合、カルボニル基、-N(R)-、スルフィド結合又はスルホニル基である。Rは、水素原子又は炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基である。
式(a1)及び(a2)中、RAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。X1は、単結合又はエステル結合である。X2は、単結合、-X21-C(=O)-O-又は-X21-O-である。X21は、炭素数1~12のヒドロカルビレン基、フェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数7~18の基であり、カルボニル基、ニトロ基、シアノ基、エステル結合、エーテル結合、ウレタン結合、フッ素原子、ヨウ素原子又は臭素原子を含んでいてもよい。X3は、単結合、メチレン基又はエチレン基である。X4は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、-O-X41-、-C(=O)-O-X41-又は-C(=O)-NH-X41-である。X41は、炭素数1~6の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合、ヒドロキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。Rf1~Rf4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも1つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。また、Rf1及びRf2が合わさってカルボニル基を形成してもよい。M+は、式(1)で表されるスルホニウムカチオンである。
繰り返し単位a1又はa2を与えるスルホニウム塩の合成方法としては、前述したスルホニウムカチオンと弱酸のアニオンとからなる塩を、前述したアニオンを有するアンモニウム塩とイオン交換する方法が挙げられる。前述したスルホニウムカチオンは、例えばヒドロカルビルカルボニル基又はヒドロカルビルオキシカルボニル基を有するジベンゾチオフェン化合物とジフェニルヨードニウム塩との反応によって得ることができる。
前記ベースポリマーは、ポジ型レジスト材料の場合、更に酸不安定基を含む繰り返し単位を含むことが好ましい。酸不安定基を含む繰り返し単位としては、下記式(b1)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位b1ともいう。)又は下記式(b2)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位b2ともいう。)が好ましい。露光部では前記ベースポリマー中の酸不安定基を含む繰り返し単位b1又はb2だけでなく、酸発生剤を含む繰り返し単位a1又はa2も触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料とすることができる
式(b1)及び(b2)中、RAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Y1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合、エーテル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも1種を含む炭素数1~12の連結基である。Y2は、単結合又はエステル結合である。Y3は、単結合、エーテル結合又はエステル結合である。R11及びR12は、それぞれ独立に、酸不安定基である。R13は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニル基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又は炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルオキシカルボニル基である。R14は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基の-CH2-の一部が、エーテル結合又はエステル結合で置換されていてもよい。aは、1又は2である。bは、0~4の整数である。ただし、1≦a+b≦5である。
式(b1)及び(b2)中、R11及びR12で表される酸不安定基としては、例えば、特開2013-80033号公報、特開2013-83821号公報に記載のものが挙げられる。
式(AL-1)及び(AL-2)中、RL1及びRL2は、それぞれ独立に、炭素数1~40のヒドロカルビル基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。前記ヒドロカルビル基としては、炭素数1~40の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数2~40の不飽和ヒドロカルビル基が好ましく、炭素数1~20の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数2~20の不飽和ヒドロカルビル基がより好ましい。
式(AL-1)中、cは、0~10の整数であり、1~5の整数が好ましい。
式(AL-2)中、RL3及びRL4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20のヒドロカルビル基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。前記ヒドロカルビル基としては、炭素数1~20の飽和ヒドロカルビル基が好ましい。また、RL2、RL3及びRL4のいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子と酸素原子と共に炭素数3~20の環を形成してもよい。前記環としては、炭素数4~16の環が好ましく、特に脂環が好ましい。
式(AL-3)中、RL5、RL6及びRL7は、それぞれ独立に、炭素数1~20のヒドロカルビル基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。前記ヒドロカルビル基としては、炭素数1~20の飽和ヒドロカルビル基が好ましい。また、RL5、RL6及びRL7のいずれか2つが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~20の環を形成してもよい。前記環としては、炭素数4~16の環が好ましく、特に脂環が好ましく、該環の中に二重結合又は三重結合を有していてもよい。
式(AL-3)で表される酸不安定基として、特許第5655754号公報、特許第5655755号公報、特許第5655756号公報、特許第5407941号公報、特許第5434983号公報、特許第5565293号公報及び特開2007-279699号公報に記載された芳香族基含有酸不安定基や、特開2008-268741号公報に記載された三重結合含有酸不安定基、特開2021-50307号公報記載の二重結合又は三重結合含有酸不安定基を用いることもできる。
前記ベースポリマーは、更に、密着性基としてフェノール性ヒドロキシ基を含む繰り返し単位cを含んでもよい。繰り返し単位cを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、RAは、前記と同じである。
前記ベースポリマーは、他の密着性基として、フェノール性ヒドロキシ基以外のヒドロキシ基、ラクトン環、スルトン環、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カルボニル基、スルホニル基、シアノ基又はカルボキシ基を含む繰り返し単位dを含んでもよい。繰り返し単位dを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、RAは、前記と同じである。
前記ベースポリマーは、更に、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン又はこれらの誘導体に由来する繰り返し単位eを含んでもよい。繰り返し単位eを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
前記ベースポリマーは、更に、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダン、ビニルピリジン又はビニルカルバゾールに由来する繰り返し単位fを含んでもよい。
前記ベースポリマーは、繰り返し単位a1又はa2を必須とする。この場合、繰り返し単位a1、a2、b、c、d、e及びfの含有比率は、0≦a1≦0.5、0≦a2≦0.5、0<a1+a2≦0.5、0≦b1≦0.8、0≦b2≦0.8、0.1≦b1+b2≦0.8、0≦c≦0.9、0≦d≦0.8、0≦e≦0.8及び0≦f≦0.5が好ましく、0≦a1≦0.4、0≦a2≦0.4、0.01≦a1+a2≦0.4、0≦b1≦0.7、0≦b2≦0.7、0.15≦b1+b2≦0.7、0≦c≦0.8、0≦d≦0.7、0≦e≦0.7及び0≦f≦0.4がより好ましく、0≦a1≦0.35、0≦a2≦0.35、0.02≦a1+a2≦0.35、0≦b1≦0.65、0≦b2≦0.65、0.2≦b1+b2≦0.65、0≦c≦0.7、0≦d≦0.6、0≦e≦0.6及び0≦f≦0.3が更に好ましい。なお、a1+a2+b1+b2+c+d+e+f=1.0である。
前記ベースポリマーを合成するには、例えば、前述した繰り返し単位を与えるモノマーを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加えて加熱し、重合を行えばよい。
重合時に使用する有機溶剤としては、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ジオキサン等が挙げられる。重合開始剤としては、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2'-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)、ジメチル-2,2-アゾビス(2-メチルプロピオネート)、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が挙げられる。重合時の温度は、好ましくは50~80℃である。反応時間は、好ましくは2~100時間、より好ましくは5~20時間である。
ヒドロキシ基を含むモノマーを共重合する場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基等の酸によって脱保護しやすいアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。
ヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンのかわりにアセトキシスチレンやアセトキシビニルナフタレンを用い、重合後、前記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンにしてもよい。
アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また、反応温度は、好ましくは-20~100℃、より好ましくは0~60℃である。反応時間は、好ましくは0.2~100時間、より好ましくは0.5~20時間である。
前記ベースポリマーは、溶剤としてTHFを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)が、好ましくは1000~500000、より好ましくは2000~30000である。Mwが前記範囲であれば、レジスト膜の耐熱性やアルカリ現像液への溶解性が良好である。
また、前記ベースポリマーにおいて分子量分布(Mw/Mn)が広い場合は、低分子量や高分子量のポリマーが存在するため、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりするおそれがある。パターンルールが微細化するに従って、MwやMw/Mnの影響が大きくなりやすいことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、前記ベースポリマーのMw/Mnは、1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。
前記ベースポリマーは、組成比率、Mw、Mw/Mnが異なる2つ以上のポリマーを含んでもよい。
[有機溶剤]
本発明のレジスト材料は、有機溶剤を含んでもよい。前記有機溶剤は、前述した各成分及び後述する各成分が溶解可能なものであれば、特に限定されない。前記有機溶剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]に記載の、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル-2-n-ペンチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、2-ヒドロキシイソ酪酸プロピル、2-ヒドロキシイソ酪酸ブチル等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等が挙げられる。
本発明のレジスト材料は、有機溶剤を含んでもよい。前記有機溶剤は、前述した各成分及び後述する各成分が溶解可能なものであれば、特に限定されない。前記有機溶剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]に記載の、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル-2-n-ペンチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、2-ヒドロキシイソ酪酸プロピル、2-ヒドロキシイソ酪酸ブチル等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等が挙げられる。
本発明のレジスト材料中、前記有機溶剤の含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、100~10000質量部が好ましく、200~8000質量部がより好ましい。前記有機溶剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
[クエンチャー]
本発明のレジスト材料は、クエンチャーを含んでもよい。なお、クエンチャーとは、レジスト材料中の酸発生剤より発生した酸をトラップすることで未露光部への拡散を防ぐことができる化合物を意味する。
本発明のレジスト材料は、クエンチャーを含んでもよい。なお、クエンチャーとは、レジスト材料中の酸発生剤より発生した酸をトラップすることで未露光部への拡散を防ぐことができる化合物を意味する。
前記クエンチャーとしては、従来型の塩基性化合物が挙げられる。従来型の塩基性化合物としては、第1級、第2級、第3級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。特に、特開2008-111103号公報の段落[0146]~[0164]に記載の第1級、第2級、第3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル結合を有するアミン化合物あるいは特許第3790649号公報に記載のカーバメート基を有する化合物等が好ましい。このような塩基性化合物を添加することによって、例えば、レジスト膜中での酸の拡散速度を更に抑制したり、形状を補正したりすることができる。
また、前記クエンチャーとして、特開2008-158339号公報に記載されているα位がフッ素化されていないスルホン酸、カルボン酸又はフッ素化されたアルコキシドの、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。α位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸又はメチド酸は、カルボン酸エステルの酸不安定基を脱保護させるために必要であるが、α位がフッ素化されていないオニウム塩との塩交換によってα位がフッ素化されていないスルホン酸、カルボン酸又はフッ素化アルコールが放出される。α位がフッ素化されていないスルホン酸、カルボン酸及びフッ素化アルコールは脱保護反応を起こさないため、クエンチャーとして機能する。
このようなクエンチャーとしては、例えば、下記式(2)で表される化合物(α位がフッ素化されていないスルホン酸のオニウム塩)、下記式(3)で表される化合物(カルボン酸のオニウム塩)、及び下記式(4)で表される化合物(アルコキシドのオニウム塩)が挙げられる。
式(2)中、R101は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~40のヒドロカルビル基であるが、スルホ基のα位の炭素原子に結合する水素原子が、フッ素原子又はフルオロアルキル基で置換されたものを除く。
R101で表される炭素数1~40のヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、tert-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等の炭素数1~40のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基、ノルボルニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基等の炭素数3~40の環式飽和ヒドロカルビル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2~40のアルケニル基;シクロヘキセニル基等の炭素数3~40の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基;フェニル基、ナフチル基、アルキルフェニル基(2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基等)、ジアルキルフェニル基(2,4-ジメチルフェニル基、2,4,6-トリイソプロピルフェニル基等)、アルキルナフチル基(メチルナフチル基、エチルナフチル基等)、ジアルキルナフチル基(ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等)等の炭素数6~40のアリール基;ベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基等の炭素数7~40のアラルキル基等が挙げられる。
また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の-CH2-の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物(-C(=O)-O-C(=O)-)、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。ヘテロ原子を含むヒドロカルビル基としては、チエニル基等のヘテロアリール基;4-ヒドロキシフェニル基、4-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、2-メトキシフェニル基、4-エトキシフェニル基、4-tert-ブトキシフェニル基、3-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基;メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、n-プロポキシナフチル基、n-ブトキシナフチル基等のアルコキシナフチル基;ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基;2-フェニル-2-オキソエチル基、2-(1-ナフチル)-2-オキソエチル基、2-(2-ナフチル)-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソエチル基等のアリールオキソアルキル基等が挙げられる。
式(3)中、R102は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~40のヒドロカルビル基である。R102で表されるヒドロカルビル基としては、R101で表されるヒドロカルビル基として例示したものと同様のものが挙げられる。また、その他の具体例として、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロ-1-メチル-1-ヒドロキシエチル基、2,2,2-トリフルオロ-1-(トリフルオロメチル)-1-ヒドロキシエチル基等のフッ素化アルキル基;ペンタフルオロフェニル基、4-トリフルオロメチルフェニル基等のフッ素化アリール基等も挙げられる。
式(4)中、R103は、少なくとも3つのフッ素原子を有する炭素数1~8の飽和ヒドロカルビル基又は少なくとも3つのフッ素原子を有する炭素数6~10のアリール基であり、ニトロ基を含んでいてもよい。
式(2)、(3)及び(4)中、Mq+は、オニウムカチオンである。前記オニウムカチオンとしては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン又はアンモニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオンがより好ましい。スルホニウムカチオンとしては、特開2017-219836号公報に記載されたスルホニウムカチオンが挙げられる。
式(5)中、R201は、ヒドロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、若しくは水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数2~6の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基若しくは炭素数1~4の飽和ヒドロカルビルスルホニルオキシ基、又は-N(R201A)-C(=O)-R201B若しくは-N(R201A)-C(=O)-O-R201Bである。R201Aは、水素原子又は炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基である。R201Bは、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基又は炭素数2~8の不飽和脂肪族ヒドロカルビル基である。
式(5)中、x'は、1~5の整数である。y'は、0~3の整数である。z'は、1~3の整数である。L11は、単結合又は炭素数1~20の(z'+1)価の連結基であり、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン環、ラクタム環、カーボネート結合、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びカルボキシ基から選ばれる少なくとも1種を含んでいてもよい。前記飽和ヒドロカルビル基、飽和ヒドロカルビルオキシ基、飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基及び飽和ヒドロカルビルスルホニルオキシ基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。y'及び/又はz'が2以上のとき、各R201は互いに同一であっても異なっていてもよい。
式(5)中、R202、R203及びR204は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~20のヒドロカルビル基である。前記ヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等の炭素数1~20のアルキル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の炭素数3~20の環式飽和ヒドロカルビル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2~20のアルケニル基;シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等の炭素数3~20の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等の炭素数2~20のアルキニル基;フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、n-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、n-ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、sec-ブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基、n-プロピルナフチル基、イソプロピルナフチル基、n-ブチルナフチル基、イソブチルナフチル基、sec-ブチルナフチル基、tert-ブチルナフチル基等の炭素数6~20のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7~20のアラルキル基;これらを組み合わせて得られる基等が挙げられる。また、前記ヒドロカルビル基の水素原子の一部又は全部が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、オキソ基、シアノ基、ニトロ基、スルトン環、スルホ基又はスルホニウム塩含有基で置換されていてもよく、前記ヒドロカルビル基の-CH2-の一部が、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、アミド結合、カーボネート結合又はスルホン酸エステル結合で置換されていてもよい。また、R202とR203とが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。
式(5)で表される化合物の具体例としては、特開2017-219836号公報、特開2021-91666号公報に記載されたものが挙げられる。
前記クエンチャーの他の例として、特開2008-239918号公報に記載のポリマー型クエンチャーが挙げられる。これは、レジスト膜表面に配向することによってレジストパターンの矩形性を高める。ポリマー型クエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。
さらに、特許第6848776号公報及び特開2020-37544号公報に記載されたベタイン型のスルホニウム塩、特開2020-55797号公報に記載されたフッ素原子を含まないメチド酸、特許第5807552号公報に記載されたスルホンアミドのスルホニウム塩、特開2019-211751号公報に記載されたヨウ素原子を含むスルホンアミドのスルホニウム塩をクエンチャーとして用いることもできる。
本発明のレジスト材料が前記クエンチャーを含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0~5質量部が好ましく、0~4質量部がより好ましい。前記クエンチャーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
[その他の成分]
本発明のレジスト材料は、前述した成分に加えて、スルホニウム塩型又はヨードニウム塩型の酸発生剤(以下、その他の酸発生剤という。)、界面活性剤、溶解阻止剤、撥水性向上剤、アセチレンアルコール類等を含んでもよい。
本発明のレジスト材料は、前述した成分に加えて、スルホニウム塩型又はヨードニウム塩型の酸発生剤(以下、その他の酸発生剤という。)、界面活性剤、溶解阻止剤、撥水性向上剤、アセチレンアルコール類等を含んでもよい。
前記その他の酸発生剤としては、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(光酸発生剤)が挙げられる。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わないが、スルホン酸、イミド酸又はメチド酸を発生する酸発生剤が好ましい。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。光酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]、特開2018-5224号公報、特開2018-25789号公報に記載されているものが挙げられる。特に、EUVレジスト材料用としては、特許第6720926号公報や特許第6743781号公報に記載されたヨウ素原子を含むスルホン酸アニオンのスルホニウム塩又はヨードニウム塩が好ましく用いられる。本発明のレジスト材料がその他の酸発生剤を含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0~200質量部が好ましく、0.1~100質量部がより好ましい。
前記界面活性剤としては、特開2008-111103号公報の段落[0165]~[0166]に記載されたものが挙げられる。界面活性剤を添加することによって、レジスト材料の塗布性を一層向上させ、あるいは制御することができる。本発明のレジスト材料が前記界面活性剤を含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0.0001~10質量部が好ましい。前記界面活性剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明のレジスト材料がポジ型である場合は、溶解阻止剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。前記溶解阻止剤としては、分子量が好ましくは100~1000、より好ましくは150~800で、かつ分子内にフェノール性ヒドロキシ基を2つ以上含む化合物の該フェノール性ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基によって全体として0~100モル%の割合で置換した化合物、又は分子内にカルボキシ基を含む化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基によって全体として平均50~100モル%の割合で置換した化合物が挙げられる。具体的には、ビスフェノールA、トリスフェノール、フェノールフタレイン、クレゾールノボラック、ナフタレンカルボン酸、アダマンタンカルボン酸、コール酸のヒドロキシ基、カルボキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した化合物等が挙げられ、例えば、特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]に記載されている。
本発明のレジスト材料がポジ型であって前記溶解阻止剤を含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0~50質量部が好ましく、5~40質量部がより好ましい。前記溶解阻止剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
前記撥水性向上剤は、レジスト膜表面の撥水性を向上させるものであり、トップコートを用いない液浸リソグラフィーに用いることができる。前記撥水性向上剤としては、フッ化アルキル基を含むポリマー、特定構造の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を含むポリマー等が好ましく、特開2007-297590号公報、特開2008-111103号公報等に例示されているものがより好ましい。前記撥水性向上剤は、アルカリ現像液や有機溶剤現像液に溶解する必要がある。前述した特定の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する撥水性向上剤は、現像液への溶解性が良好である。撥水性向上剤として、アミノ基やアミン塩を含む繰り返し単位を含むポリマーは、PEB中の酸の蒸発を防いで現像後のホールパターンの開口不良を防止する効果が高い。本発明のレジスト材料が前記撥水性向上剤を含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0~20質量部が好ましく、0.5~10質量部がより好ましい。前記撥水性向上剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
前記アセチレンアルコール類としては、特開2008-122932号公報の段落[0179]~[0182]に記載されたものが挙げられる。本発明のレジスト材料がアセチレンアルコール類を含む場合、その含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0~5質量部が好ましい。前記アセチレンアルコール類は、1種単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明のレジスト材料は、前記各成分を十分に混合し、感度や膜厚が所定の範囲になるように調整した後、得られた溶液の濾過を行うことで調製することができる。濾過工程は、現像後のレジストパターンの欠陥を低減させるために重要である。濾過を行うための膜の口径は、好ましくは1μm以下、より好ましくは10nm以下、更に好ましくは5nm以下であり、小さければ小さいほど微細なパターンにおける欠陥の発生を抑えることができる。膜の素材としては、テトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン等が挙げられる。テトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等の表面を改質して吸着能を高めた膜を用いることもできる。テトラフルオロエチレン、ポリエチレン及びポリプロピレンは無極性なので、ナイロン、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリイミド等の膜のように極性によるゲルや金属イオンの吸着能はないが、極性を有する官能基による表面修飾によって、ゲルや金属イオンの吸着能を高めることができる。特に、より小さな口径の膜を形成できるポリエチレンやポリプロピレンの膜を表面修飾することによって、微細なパーティクルだけでなく、極性を有するパーティクルや金属イオンを低減することができる。異なる材質の膜を積層したものや、異なる穴のサイズを積層した膜を用いてもよい。
イオン交換能を有する膜を用いることもできる。陽イオンを吸着するイオン交換膜の場合は、金属イオンを吸着することによって金属不純物を低減させることができる。
濾過を行うときに複数のフィルターをつなぐこともできる。複数のフィルターの膜の種類及び口径は、同じであってもよく、異なっていてもよい。複数の容器間をつなぐ配管中で濾過を行ってもよいし、1つの容器に出口及び入口を設けて配管をつなぎ、循環濾過を行ってもよい。濾過を行うフィルターは、直列配管でつないでもよく、平行配管でつないでもよい。
[パターン形成方法]
本発明のレジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、パターン形成方法としては、前述したレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含む方法が挙げられる。
本発明のレジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、パターン形成方法としては、前述したレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含む方法が挙げられる。
まず、本発明のレジスト材料を、集積回路製造用の基板(Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等)あるいはマスク回路製造用の基板(Cr、CrO、CrON、CrN、MoSi2、SiO2、MoSi2積層膜、Ta、TaN、TaCN、Ru、Nb、Mo、Mn、Co、Niあるいはこれらの合金等)上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.01~2μmとなるように塗布する。これをホットプレート上で、好ましくは60~150℃、10秒~30分間、より好ましくは80~120℃、30秒~20分間プリベークし、レジスト膜を形成する。
次いで、高エネルギー線を用いて、前記レジスト膜を露光する。前記高エネルギー線としては、紫外線、遠紫外線、EB、波長3~15nmのEUV、X線、軟X線、エキシマレーザー光、γ線、シンクロトロン放射線等が挙げられる。前記高エネルギー線として紫外線、遠紫外線、EUV、X線、軟X線、エキシマレーザー光、γ線、シンクロトロン放射線等を用いる場合は、直接又は目的のパターンを形成するためのマスクを用いて、露光量が好ましくは1~200mJ/cm2程度、より好ましくは10~100mJ/cm2程度となるように照射する。高エネルギー線としてEBを用いる場合は、露光量が好ましくは0.1~300μC/cm2程度、より好ましくは0.5~200μC/cm2程度で、直接又は目的のパターンを形成するためのマスクを用いて描画する。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でもKrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、EB、EUV、X線、軟X線、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターニングに好適であり、特にEB又はEUVによる微細パターニングに好適である。
露光後、ホットプレート上又はオーブン中で、好ましくは30~150℃、10秒~30分間、より好ましくは50~120℃、30秒~20分間PEBを行ってもよいし、行わなくてもよい。
露光後又はPEB後、0.1~10質量%、好ましくは2~5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(TPAH)、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、3秒~3分間、好ましくは5秒~2分間、浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)法等の常法により露光したレジスト膜を現像することで、目的のパターンが形成される。ポジ型レジスト材料の場合は、光を照射した部分は現像液に溶解し、露光されなかった部分は溶解せず、基板上に目的のポジ型のパターンが形成される。ネガ型レジスト材料の場合はポジ型レジスト材料の場合とは逆であり、光を照射した部分は現像液に不溶化し、露光されなかった部分は溶解する。
酸不安定基を含むベースポリマーを含むポジ型レジスト材料を用いて、有機溶剤現像によってネガ型パターンを得ることもできる。このときに用いる現像液としては、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチル等が挙げられる。これらの有機溶剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数3~10のアルコール、炭素数8~12のエーテル化合物、炭素数6~12のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。
前記炭素数3~10のアルコールとしては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-ペンチルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノール等が挙げられる。
前記炭素数8~12のエーテル化合物としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-ペンチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等が挙げられる。
前記炭素数6~12のアルカンとしては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン等が挙げられる。前記炭素数6~12のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等が挙げられる。前記炭素数6~12のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチン等が挙げられる。
前記芳香族系の溶剤としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メシチレン等が挙げられる。
リンスを行うことによってレジストパターンの倒れや欠陥の発生を低減させることができる。また、リンスは必ずしも必須ではなく、リンスを行わないことによって溶剤の使用量を削減することができる。
現像後のホールパターンやトレンチパターンを、サーマルフロー、RELACS技術又はDSA技術でシュリンクすることもできる。ホールパターン上にシュリンク剤を塗布し、ベーク中のレジスト膜からの酸触媒の拡散によってレジスト膜の表面でシュリンク剤の架橋が起こり、シュリンク剤がホールパターンの側壁に付着する。ベーク温度は、好ましくは70~180℃、より好ましくは80~170℃であり、ベーク時間は、好ましくは10~300秒であり、余分なシュリンク剤を除去し、ホールパターンを縮小させる。
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。
ベースポリマーの合成に用いたモノマーPM-1~PM-21、cPM-1、cPM-2、AM-1~AM-4及びFM-1は、以下のとおりである。PM-1~PM-16は、それぞれ下記アニオンを与えるフッ素化スルホン酸のアンモニウム塩と、下記カチオンを与えるスルホニウムクロリドとのイオン交換によって合成した。また、ポリマーのMwは、溶剤としてTHFを用いたGPCによるポリスチレン換算測定値である。
[合成例1]ポリマーP-1の合成
2Lのフラスコに、メタクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルを8.4g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-1を7.8g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-1を得た。ポリマーP-1の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、メタクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルを8.4g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-1を7.8g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-1を得た。ポリマーP-1の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例2]ポリマーP-2の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-2を7.9g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-2を得た。ポリマーP-2の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-2を7.9g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-2を得た。ポリマーP-2の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例3]ポリマーP-3の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-3を7.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-3を得た。ポリマーP-3の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-3を7.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-3を得た。ポリマーP-3の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例4]ポリマーP-4の合成
2Lのフラスコに、AM-2を8.7g、AM-4を4.0g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-4を7.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-4を得た。ポリマーP-4の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-2を8.7g、AM-4を4.0g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-4を7.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-4を得た。ポリマーP-4の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例5]ポリマーP-5の合成
2Lのフラスコに、AM-3を12.7g、3-ヒドロキシスチレンを5.2g、PM-5を7.2g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-5を得た。ポリマーP-5の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-3を12.7g、3-ヒドロキシスチレンを5.2g、PM-5を7.2g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-5を得た。ポリマーP-5の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例6]ポリマーP-6の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-6を9.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-6を得た。ポリマーP-6の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-6を9.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-6を得た。ポリマーP-6の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例7]ポリマーP-7の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを3.4g、モノマーFM-1を3.2g、PM-7を13.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-7を得た。ポリマーP-7の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを3.4g、モノマーFM-1を3.2g、PM-7を13.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-7を得た。ポリマーP-7の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例8]ポリマーP-8の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-8を7.4g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-8を得た。ポリマーP-8の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-8を7.4g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-8を得た。ポリマーP-8の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例9]ポリマーP-9の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-9を8.9g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-9を得た。ポリマーP-9の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-9を8.9g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-9を得た。ポリマーP-9の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例10]ポリマーP-10の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-10を8.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-10を得た。ポリマーP-10の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-10を8.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-10を得た。ポリマーP-10の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例11]ポリマーP-11の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-11を8.8g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-11を得た。ポリマーP-11の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-11を8.8g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-11を得た。ポリマーP-11の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例12]ポリマーP-12の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-12を7.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-12を得た。ポリマーP-12の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-12を7.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-12を得た。ポリマーP-12の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例13]ポリマーP-13の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-13を8.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-13を得た。ポリマーP-13の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-13を8.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-13を得た。ポリマーP-13の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例14]ポリマーP-14の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-14を7.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-14を得た。ポリマーP-14の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-14を7.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-14を得た。ポリマーP-14の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例15]ポリマーP-15の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-15を8.6g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-15を得た。ポリマーP-15の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-15を8.6g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-15を得た。ポリマーP-15の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例16]ポリマーP-16の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-16を8.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-16を得た。ポリマーP-16の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-16を8.7g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-16を得た。ポリマーP-16の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例17]ポリマーP-17の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-17を12.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-17を得た。ポリマーP-17の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-17を12.5g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-17を得た。ポリマーP-17の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例18]ポリマーP-18の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-18を9.4g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-18を得た。ポリマーP-18の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-18を9.4g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-18を得た。ポリマーP-18の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例19]ポリマーP-19の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-19を14.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-19を得た。ポリマーP-19の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-19を14.1g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-19を得た。ポリマーP-19の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例20]ポリマーP-20の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-20を11.6g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-20を得た。ポリマーP-20の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、3-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-20を11.6g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-20を得た。ポリマーP-20の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[合成例21]ポリマーP-21の合成
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-21を10.3g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-21を得た。ポリマーP-21の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
2Lのフラスコに、AM-1を11.1g、4-ヒドロキシスチレンを4.8g、PM-21を10.3g、及び溶剤としてTHFを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下-70℃まで冷却し、減圧脱気及び窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温した後、重合開始剤としてAIBNを1.2g加え、60℃まで昇温し、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L中に加え、析出した白色固体を濾別した。得られた白色固体を60℃で減圧乾燥し、ポリマーP-21を得た。ポリマーP-21の組成は13C-NMR及び1H-NMRにより、Mw及びMw/MnはGPCにより確認した。
[実施例1~23、比較例1、2]レジスト材料の調製及びその評価
(1)レジスト材料の調製
界面活性剤としてオムノバ社製Polyfox PF-636を100ppm溶解させた溶剤に、表1に示す組成で各成分を溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してレジスト材料を調製した。
(1)レジスト材料の調製
界面活性剤としてオムノバ社製Polyfox PF-636を100ppm溶解させた溶剤に、表1に示す組成で各成分を溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してレジスト材料を調製した。
表1中、各成分は、以下のとおりである。
・有機溶剤:PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)
EL(乳酸エチル)
DAA(ジアセトンアルコール)
・有機溶剤:PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)
EL(乳酸エチル)
DAA(ジアセトンアルコール)
(2)EUVリソグラフィー評価
表1に示す各レジスト材料を、信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を膜厚20nmで形成したSi基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークして膜厚60nmのレジスト膜を作製した。ASML社製EUVスキャナーNXE3400(NA0.33、σ0.9/0.6、クアドルポール照明、ウエハー上寸法がピッチ40nm、+20%バイアスのホールパターンのマスク)を用いて前記レジスト膜を露光し、ホットプレート上で表1記載の温度で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行って、寸法20nmのホールパターンを形成した。
(株)日立ハイテク製測長SEM(CG6300)を用いて、ホール寸法が20nmで形成されるときの露光量を測定してこれを感度とし、また、このときのホール50個の寸法を測定し、その結果から算出した標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をCDUとした。結果を表1に示す。
表1に示す各レジスト材料を、信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を膜厚20nmで形成したSi基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークして膜厚60nmのレジスト膜を作製した。ASML社製EUVスキャナーNXE3400(NA0.33、σ0.9/0.6、クアドルポール照明、ウエハー上寸法がピッチ40nm、+20%バイアスのホールパターンのマスク)を用いて前記レジスト膜を露光し、ホットプレート上で表1記載の温度で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行って、寸法20nmのホールパターンを形成した。
(株)日立ハイテク製測長SEM(CG6300)を用いて、ホール寸法が20nmで形成されるときの露光量を測定してこれを感度とし、また、このときのホール50個の寸法を測定し、その結果から算出した標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をCDUとした。結果を表1に示す。
表1に示した結果より、ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンと式(1)で表されるスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位を酸発生剤として含むベースポリマーを含む本発明のレジスト材料は、CDUが良好であることがわかった。
R101で表される炭素数1~40のヒドロカルビル基は、飽和でも不飽和でもよく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、tert-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等の炭素数1~40のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基、ノルボルニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基等の炭素数3~40の環式飽和ヒドロカルビル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2~40のアルケニル基;シクロヘキセニル基等の炭素数3~40の環式不飽和脂肪族ヒドロカルビル基;フェニル基、ナフチル基、アルキルフェニル基(2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基等)、ジアルキルフェニル基(2,4-ジメチルフェニル基等)、2,4,6-トリイソプロピルフェニル基、アルキルナフチル基(メチルナフチル基、エチルナフチル基等)、ジアルキルナフチル基(ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基等)等の炭素数6~40のアリール基;ベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基等の炭素数7~40のアラルキル基等が挙げられる。
Claims (8)
- ポリマー主鎖に結合したスルホン酸アニオンと下記式(1)で表されるスルホニウムカチオンとからなる塩構造を有する繰り返し単位aを含むベースポリマーを含むレジスト材料。
R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-C(=O)-R4、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R3は、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、-O-C(=O)-R5又は-O-R5である。
R4は、炭素数1~10のヒドロカルビル基、炭素数1~10のヒドロカルビルオキシ基又は-O-R4Aであり、該ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。R4Aは、酸不安定基である。
R5は、炭素数1~10のヒドロカルビル基である。
Lは、単結合、エーテル結合、カルボニル基、-N(R)-、スルフィド結合又はスルホニル基である。Rは、水素原子又は炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基である。) - 繰り返し単位aが、下記式(a1)又は(a2)で表されるものである請求項1記載のレジスト材料。
X1は、単結合又はエステル結合である。
X2は、単結合、-X21-C(=O)-O-又は-X21-O-である。X21は、炭素数1~12のヒドロカルビレン基、フェニレン基又はこれらを組み合わせて得られる炭素数7~18の基であり、カルボニル基、ニトロ基、シアノ基、エステル結合、エーテル結合、ウレタン結合、フッ素原子、ヨウ素原子又は臭素原子を含んでいてもよい。
X3は、単結合、メチレン基又はエチレン基である。
X4は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基、トリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基、-O-X41-、-C(=O)-O-X41-又は-C(=O)-NH-X41-である。X41は、炭素数1~6の脂肪族ヒドロカルビレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、フッ素化フェニレン基又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合、ヒドロキシ基又はハロゲン原子を含んでいてもよい。
Rf1~Rf4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、少なくとも1つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。また、Rf1及びRf2が合わさってカルボニル基を形成してもよい。
M+は、式(1)で表されるスルホニウムカチオンである。) - 前記ベースポリマーが、更に、下記式(b1)で表される繰り返し単位又は下記式(b2)で表される繰り返し単位を含むものである請求項1記載のレジスト材料。
Y1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合、エーテル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも1種を含む炭素数1~12の連結基である。
Y2は、単結合又はエステル結合である。
Y3は、単結合、エーテル結合又はエステル結合である。
R11及びR12は、それぞれ独立に、酸不安定基である。
R13は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビル基、炭素数1~6の飽和ヒドロカルビルオキシ基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニル基、炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又は炭素数2~7の飽和ヒドロカルビルオキシカルボニル基である。
R14は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基の-CH2-の一部が、エーテル結合又はエステル結合で置換されていてもよい。
aは、1又は2である。bは、0~4の整数である。ただし、1≦a+b≦5である。) - 化学増幅ポジ型レジスト材料である請求項3記載のレジスト材料。
- 更に、有機溶剤を含む請求項1記載のレジスト材料。
- 更に、界面活性剤を含む請求項1記載のレジスト材料。
- 請求項1~6のいずれか1項記載のレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線が、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線又は波長3~15nmの極端紫外線である請求項7記載のパターン形成方法。
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