JP2024042638A - Filter device and high frequency front end circuit with it - Google Patents

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Abstract

【課題】複数段の共振器を含む積層型のフィルタ装置において、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加する。【解決手段】フィルタ装置100は、本体110と、入力端子T1と、出力端子T2と、接地端子GNDと、共振器RC2,RC3とを備える。共振器RC2,RC3は、本体110に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子T1から出力端子T2に信号を伝達する。共振器RC2,RC3の各々は、ノードN2B,N3BからキャパシタC2,C3を介して接地端子GNDに接続された第1経路と、当該ノードN2B,N3BからキャパシタC2,C3を介さずに接地端子GNDに接続された第2経路とを含む。共振器RC2の第2経路および共振器RC3の第2経路は、一部が共通化されている。フィルタ装置100は、共振器RC2のノードN2Bと、共振器RC3のノードN3Bとに接続された第3経路L23Aをさらに備える。【選択図】図2[Problem] In a laminated filter device including multiple stages of resonators, the degree of coupling between the resonators is increased while suppressing an increase in the size of the device. [Solution] A filter device (100) includes a main body (110), an input terminal (T1), an output terminal (T2), a ground terminal (GND), and resonators (RC2, RC3). The resonators (RC2, RC3) are disposed in the main body (110) and transmit a signal from the input terminal (T1) to the output terminal (T2) by electromagnetically coupling with each other. Each of the resonators (RC2, RC3) includes a first path connected from a node (N2B, N3B) to the ground terminal (GND) via a capacitor (C2, C3), and a second path connected from the node (N2B, N3B) to the ground terminal (GND) without passing through the capacitor (C2, C3). The second path of the resonator (RC2) and the second path of the resonator (RC3) are partially shared. The filter device 100 further includes a third path L23A connected to a node N2B of the resonator RC2 and a node N3B of the resonator RC3.

Description

本開示は、フィルタ装置およびそれを備えた高周波フロントエンド回路に関し、より特定的には、複数の共振器により構成されるフィルタ装置のフィルタ特性を向上させるための構造に関する。 The present disclosure relates to a filter device and a high-frequency front-end circuit including the same, and more particularly to a structure for improving filter characteristics of a filter device configured with a plurality of resonators.

国際公開第2022/071191号明細書(特許文献1)には、複数段の共振器を含む積層型のフィルタ装置が開示されている。このようなフィルタ装置においては、共振器間の結合度によってフィルタ特性を調整することができる。 International Publication No. 2022/071191 (Patent Document 1) discloses a stacked filter device including multiple stages of resonators. In such a filter device, filter characteristics can be adjusted depending on the degree of coupling between the resonators.

国際公開第2022/071191号明細書International Publication No. 2022/071191 Specification

共振器間の結合度を増加させる際、たとえば、対象の共振器を構成するインダクタのインダクタンス値を調整することによって実現する場合がある。インダクタンス値を大きくして調整する場合、インダクタを構成する電極あるいはビアを長くする必要がある。しかしながら、その場合、装置全体の大きさが大きくなるため、小型化および低背化が要求される製品においては、所望の製品サイズが実現できなくなる場合が生じ得る。 Increasing the degree of coupling between resonators may be achieved, for example, by adjusting the inductance value of an inductor that constitutes the target resonator. When adjusting the inductance value by increasing it, it is necessary to lengthen the electrodes or vias that constitute the inductor. However, in this case, the overall size of the device becomes large, so that it may not be possible to achieve the desired product size in products that require miniaturization and low profile.

逆に、インダクタンス値を小さくして調整する場合、所望の共振周波数を実現するためには、共振器を構成するキャパシタのキャパシタンス値を大きくすることが必要となる。この場合、キャパシタの構成する電極面積が確保できなかったり、共振器のインピーダンスが低下してしまうために、結果的に所望のフィルタ特性が得られない状態となる可能性がある。 Conversely, when adjusting the inductance value to a smaller value, it is necessary to increase the capacitance value of the capacitor that constitutes the resonator in order to achieve the desired resonant frequency. In this case, it may not be possible to secure the electrode area that constitutes the capacitor, or the impedance of the resonator may decrease, resulting in a situation where the desired filter characteristics cannot be obtained.

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、複数段の共振器を含む積層型のフィルタ装置において、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加することである。 The present disclosure has been made to solve such problems, and the purpose is to suppress an increase in the device size while increasing the distance between the resonators in a stacked filter device including multiple stages of resonators. The goal is to increase the degree of connectivity.

本開示の第1の局面に係るフィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第1共振器および第2共振器とを備える。第1共振器および第2共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第1共振器および第2共振器の各々は、第1ノードからキャパシタを介して接地端子に接続された第1経路と、当該第1ノードからキャパシタを介さずに接地端子に接続された第2経路とを含む。第1共振器の第2経路および第2共振器の第2経路は、一部が共通化されている。フィルタ装置は、第1共振器の第1ノードと第2共振器の第1ノードとに接続された第3経路をさらに備える。 A filter device according to a first aspect of the present disclosure includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a first resonator, and a second resonator. The first resonator and the second resonator are arranged in the main body and transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. Each of the first resonator and the second resonator has a first path connected from a first node to a ground terminal via a capacitor, and a second path connected from the first node to a ground terminal without a capacitor. including the route. A part of the second path of the first resonator and the second path of the second resonator are shared. The filter device further includes a third path connected to the first node of the first resonator and the first node of the second resonator.

本開示の第2の局面に係るフィルタ装置は、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第1共振器および第2共振器とを備える。第1共振器および第2共振器は、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第1共振器は、第1ノードと接地端子との間に接続された第1キャパシタと、第1ノードに一方端が接続された第1インダクタと、第1インダクタの他方端に接続された第2インダクタと、第2インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第2共振器は、第2ノードと接地端子との間に接続された第2キャパシタと、第2ノードに一方端が接続された第3インダクタと、第3インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第4インダクタとを含む。フィルタ装置は、第1インダクタの他方端と第3インダクタの他方端との間に接続された第5インダクタをさらに備える。 A filter device according to a second aspect of the present disclosure includes an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a first resonator, and a second resonator. The first resonator and the second resonator transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. The first resonator includes a first capacitor connected between a first node and a ground terminal, a first inductor having one end connected to the first node, and a first inductor connected to the other end of the first inductor. 2 inductors, and a common inductor connected between the other end of the second inductor and a ground terminal. The second resonator includes a second capacitor connected between the second node and the ground terminal, a third inductor having one end connected to the second node, and a common inductor connected to the other end of the third inductor. and a fourth inductor connected therebetween. The filter device further includes a fifth inductor connected between the other end of the first inductor and the other end of the third inductor.

本開示の第3の局面に係るフィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第5共振器および第6共振器とを備える。第5共振器および第6共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第5共振器は、第3ノードと入力端子との間に接続された第3キャパシタと、第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、第7インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第6共振器は、第4ノードと接地端子との間に接続された第4キャパシタと、第4ノードに一方端が接続された第8インダクタと、第8インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含む。フィルタ装置は、第6インダクタの他方端と第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える。 The filter device according to the third aspect of the present disclosure includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a fifth resonator, and a sixth resonator. The fifth resonator and the sixth resonator are disposed in the main body and transmit a signal from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling with each other. The fifth resonator includes a third capacitor connected between the third node and the input terminal, a sixth inductor having one end connected to the third node, a seventh inductor connected to the other end of the sixth inductor, and a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and the ground terminal. The sixth resonator includes a fourth capacitor connected between the fourth node and the ground terminal, an eighth inductor having one end connected to the fourth node, and a ninth inductor connected between the other end of the eighth inductor and the common inductor. The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.

本開示の第4の局面に係るフィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第5共振器および第7共振器とを備える。第5共振器および第7共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第5共振器は、第3ノードと入力端子との間に接続された第3キャパシタと、第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、第7インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第7共振器は、第4ノードと出力端子との間に接続された第6キャパシタと、第4ノードに一方端が接続された第8インダクタと、第8インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含む。フィルタ装置は、第6インダクタの他方端と第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える。 A filter device according to a fourth aspect of the present disclosure includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a fifth resonator, and a seventh resonator. The fifth resonator and the seventh resonator are arranged in the main body and transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. The fifth resonator includes a third capacitor connected between the third node and the input terminal, a sixth inductor having one end connected to the third node, and a sixth inductor connected to the other end of the sixth inductor. 7 inductor, and a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and a ground terminal. The seventh resonator includes a sixth capacitor connected between the fourth node and the output terminal, an eighth inductor having one end connected to the fourth node, and the other end of the eighth inductor and a common inductor. and a ninth inductor connected therebetween. The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.

本開示に係るフィルタ装置においては、2つの共振器の各々において、キャパシタを介さずに接地端子に接続される経路(第2経路)同士が、第3経路によって接続されている。このような構成によって、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加することができる。 In the filter device according to the present disclosure, in each of the two resonators, the paths (second paths) connected to the ground terminal without a capacitor are connected by the third path. With such a configuration, it is possible to increase the degree of coupling between resonators while suppressing an increase in device size.

実施の形態1のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路を有する通信装置のブロック図である。1 is a block diagram of a communication device having a high-frequency front-end circuit to which a filter device according to a first embodiment is applied. 実施の形態1のフィルタ装置の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the filter device according to the first embodiment. 実施の形態1のフィルタ装置の外形斜視図である。1 is an external perspective view of a filter device according to a first embodiment; FIG. 図3のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of the laminated structure of the filter device shown in FIG. 3; 実施の形態1のフィルタ装置の2-3段目のフィルタに対応する比較例1を示す図である。7 is a diagram illustrating Comparative Example 1 corresponding to the second to third stage filters of the filter device of Embodiment 1. FIG. 実施の形態1のフィルタ装置の2-3段目のフィルタにおける結合度を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the degree of coupling in the second and third stage filters of the filter device of the first embodiment. 実施の形態1および比較例1のフィルタ装置における、共振周波数と共振器間結合度の関係を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the resonant frequency and the degree of coupling between resonators in the filter devices of Embodiment 1 and Comparative Example 1. FIG. 実施の形態1のフィルタ装置におけるフィルタ特性を説明するための図である。3 is a diagram for explaining filter characteristics in the filter device of Embodiment 1. FIG. 実施の形態1のフィルタ装置における2-3段目のフィルタの模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of the second and third stage filters in the filter device of the first embodiment. 変形例1のフィルタ装置における2-3段目のフィルタの模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of the second and third stage filters in the filter device of Modification 1. FIG. 変形例2のフィルタ装置における2-3段目のフィルタの模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of the second and third stage filters in the filter device of Modification 2. FIG. 変形例3のフィルタ装置における2-3段目のフィルタの模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram of the second and third stage filters in the filter device of Modification 3. 実施の形態2のフィルタ装置の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a filter device according to a second embodiment. 比較例2のフィルタ装置の等価回路図である。3 is an equivalent circuit diagram of a filter device of Comparative Example 2. FIG. 図14の等価回路を変換した図である。15 is a diagram obtained by converting the equivalent circuit of FIG. 14. FIG. 実施の形態2のフィルタ装置におけるフィルタ特性を説明するための図である。7 is a diagram for explaining filter characteristics in a filter device according to a second embodiment. FIG. 実施の形態3のフィルタ装置の等価回路図である。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a filter device according to a third embodiment.

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。 Embodiments of the present disclosure will be described in detail below with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are attached to the same or corresponding parts in the drawings, and the description thereof will not be repeated.

[実施の形態1]
(通信装置の基本構成)
図1は、実施の形態1のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路20を有する通信装置10のブロック図である。通信装置10は、たとえば、スマートフォンに代表される携帯端末、あるいは、携帯電話基地局である。
[Embodiment 1]
(Basic configuration of communication device)
FIG. 1 is a block diagram of a communication device 10 having a high frequency front end circuit 20 to which the filter device of the first embodiment is applied. The communication device 10 is, for example, a mobile terminal such as a smartphone, or a mobile phone base station.

図1を参照して、通信装置10は、アンテナ12と、高周波フロントエンド回路20と、ミキサ30と、局部発振器32と、D/Aコンバータ(DAC)40と、RF回路50とを備える。また、高周波フロントエンド回路20は、バンドパスフィルタ22,28と、増幅器24と、減衰器26とを含む。なお、図1においては、高周波フロントエンド回路20が、アンテナ12から高周波信号を送信する送信回路を含む場合について説明するが、高周波フロントエンド回路20はアンテナ12を介して高周波信号を受信する受信回路を含んでいてもよい。 Referring to FIG. 1, communication device 10 includes an antenna 12, a high frequency front end circuit 20, a mixer 30, a local oscillator 32, a D/A converter (DAC) 40, and an RF circuit 50. The high frequency front end circuit 20 also includes band pass filters 22 and 28, an amplifier 24, and an attenuator 26. Note that in FIG. 1, a case will be described in which the high frequency front end circuit 20 includes a transmitting circuit that transmits a high frequency signal from the antenna 12; however, the high frequency front end circuit 20 is a receiving circuit that receives a high frequency signal via the antenna 12. May contain.

通信装置10は、RF回路50から伝達された送信信号を高周波信号にアップコンバートしてアンテナ12から放射する。RF回路50から出力された送信信号である変調済みのデジタル信号は、D/Aコンバータ40によってアナログ信号に変換される。ミキサ30は、D/Aコンバータ40によってデジタル信号からアナログ信号に変換された送信信号を、局部発振器32からの発振信号と混合して高周波信号へとアップコンバートする。バンドパスフィルタ28は、アップコンバートによって生じた不要波を除去して、所望の周波数帯域の送信信号のみを抽出する。減衰器26は、送信信号の強度を調整する。増幅器24は、減衰器26を通過した送信信号を、所定のレベルまで電力増幅する。バンドパスフィルタ22は、増幅過程で生じた不要波を除去するとともに、通信規格で定められた周波数帯域の信号成分のみを通過させる。バンドパスフィルタ22を通過した送信信号は、アンテナ12から放射される。 The communication device 10 up-converts the transmission signal transmitted from the RF circuit 50 into a high-frequency signal and radiates it from the antenna 12. A modulated digital signal, which is a transmission signal output from the RF circuit 50, is converted into an analog signal by the D/A converter 40. The mixer 30 mixes the transmission signal, which has been converted from a digital signal to an analog signal by the D/A converter 40, with an oscillation signal from the local oscillator 32, and up-converts it into a high-frequency signal. The bandpass filter 28 removes unnecessary waves generated by upconversion and extracts only the transmission signal in a desired frequency band. Attenuator 26 adjusts the strength of the transmitted signal. Amplifier 24 amplifies the power of the transmission signal that has passed through attenuator 26 to a predetermined level. The bandpass filter 22 removes unnecessary waves generated during the amplification process and passes only signal components in a frequency band defined by communication standards. The transmission signal that has passed through the bandpass filter 22 is radiated from the antenna 12.

上記のような通信装置10におけるバンドパスフィルタ22,28として、本開示に対応したフィルタ装置を採用することができる。 As the bandpass filters 22 and 28 in the communication device 10 as described above, a filter device compatible with the present disclosure can be adopted.

(フィルタ装置の構成)
次に、図2~図4を用いて、実施の形態1のフィルタ装置100の詳細な構成について説明する。
(Configuration of filter device)
Next, the detailed configuration of the filter device 100 according to the first embodiment will be described using FIGS. 2 to 4.

図2は、フィルタ装置100の等価回路図である。図2を参照して、フィルタ装置100は、入力端子T1と、出力端子T2と、共振器RC1~RC4を備える。共振器RC1~RC4の各々は、インダクタとキャパシタとが並列接続されたLC並列共振器である。 Figure 2 is an equivalent circuit diagram of the filter device 100. Referring to Figure 2, the filter device 100 has an input terminal T1, an output terminal T2, and resonators RC1 to RC4. Each of the resonators RC1 to RC4 is an LC parallel resonator in which an inductor and a capacitor are connected in parallel.

共振器RC1は、入力端子T1と接地端子GNDとの間に直列に接続されたインダクタL1,L5と、当該インダクタL1,L5に並列に接続されたキャパシタC1とを含む。インダクタL1とキャパシタC1との間の接続ノードN1Aは、入力端子T1に接続されている。 Resonator RC1 includes inductors L1 and L5 connected in series between input terminal T1 and ground terminal GND, and capacitor C1 connected in parallel to inductors L1 and L5. A connection node N1A between the inductor L1 and the capacitor C1 is connected to the input terminal T1.

共振器RC2は、直列に接続されたインダクタL2A,L2B,L23B,L5と、当該インダクタL2A,L2B,L23B,L5に並列に接続されたキャパシタC2とを含む。インダクタL2AとキャパシタC2との接続ノードN2Aは、キャパシタC12を介して共振器RC1の接続ノードN1A(すなわち、入力端子T1)に接続されている。 The resonator RC2 includes inductors L2A, L2B, L23B, and L5 connected in series, and a capacitor C2 connected in parallel to the inductors L2A, L2B, L23B, and L5. A connection node N2A between the inductor L2A and the capacitor C2 is connected to the connection node N1A (i.e., the input terminal T1) of the resonator RC1 via the capacitor C12.

共振器RC3は、直列に接続されたインダクタL3A,L3B,L23B,L5と、当該インダクタL3A,L3B,L23B,L5に並列に接続されたキャパシタC3とを含む。インダクタL3AとキャパシタC3との接続ノードN3Aは、キャパシタC34を介して共振器RC4の接続ノードN4A(すなわち、出力端子T2)に接続されている。また、接続ノードN3Aは、キャパシタC23を介して、共振器RC2の接続ノードN2Aにも接続されている。さらに、インダクタL3AおよびインダクタL3Bの間の接続ノードN3Bと、共振器RC2におけるインダクタL2AおよびインダクタL2Bの間の接続ノードN2Bとの間に、インダクタL23Aが接続されている。 The resonator RC3 includes inductors L3A, L3B, L23B, and L5 connected in series, and a capacitor C3 connected in parallel to the inductors L3A, L3B, L23B, and L5. A connection node N3A between the inductor L3A and the capacitor C3 is connected to a connection node N4A (ie, output terminal T2) of the resonator RC4 via a capacitor C34. Further, the connection node N3A is also connected to the connection node N2A of the resonator RC2 via the capacitor C23. Further, an inductor L23A is connected between a connection node N3B between the inductor L3A and the inductor L3B and a connection node N2B between the inductor L2A and the inductor L2B in the resonator RC2.

共振器RC4は、出力端子T2と接地端子GNDとの間に直列に接続されたインダクタL4,L5と、当該インダクタL4,L5に並列に接続されたキャパシタC4とを含む。インダクタL4とキャパシタC4との接続ノードN4Aは、出力端子T2に接続されている。また、接続ノードN4Aは、キャパシタC14を介して、共振器RC1の接続ノードN1A(すなわち、入力端子T1)に接続されている。 Resonator RC4 includes inductors L4 and L5 connected in series between output terminal T2 and ground terminal GND, and capacitor C4 connected in parallel to inductors L4 and L5. A connection node N4A between the inductor L4 and the capacitor C4 is connected to the output terminal T2. Furthermore, the connection node N4A is connected to the connection node N1A (ie, the input terminal T1) of the resonator RC1 via the capacitor C14.

上記のように、インダクタL5は、共振器RC1~RC4で共用されている。また、インダクタL23Bは、共振器RC2,RC3で共用されている。 As described above, the inductor L5 is shared by the resonators RC1 to RC4. Furthermore, the inductor L23B is shared by the resonators RC2 and RC3.

各共振器同士は、磁気結合により結合している。このように、フィルタ装置100は、入力端子T1と出力端子T2との間に、互いに磁気結合する4段の共振器が配置された構成を有している。各共振器の共振周波数を調整することによって、フィルタ装置100は、所望の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタとして機能する。 Each resonator is coupled by magnetic coupling. In this way, the filter device 100 has a configuration in which four stages of resonators magnetically coupled to each other are arranged between the input terminal T1 and the output terminal T2. By adjusting the resonant frequency of each resonator, the filter device 100 functions as a bandpass filter that passes signals in a desired frequency band.

図2における接続ノードN2B,N3Bは、本開示における「第1ノード」の一例である。この場合、共振器RC2においては、接続ノードN2BからインダクタL2AおよびキャパシタC2を経由して接地端子GNDに至る経路が本開示における「第1経路」に対応する。また、接続ノードN2BからインダクタL2B,L23B,L5を経由して接地端子GNDに至る経路が本開示における「第2経路」に対応する。同様に、共振器RC3においては、接続ノードN3BからインダクタL3AおよびキャパシタC3を経由して接地端子GNDに至る経路が本開示における「第1経路」に対応する。また、接続ノードN3BからインダクタL3B,L23B,L5を経由して接地端子GNDに至る経路が本開示における「第2経路」に対応する。そして、接続ノードN2Bと接続ノードN3Bとを接続するインダクタL23Aが、本開示における「第3経路」に対応する。 Connection nodes N2B and N3B in FIG. 2 are examples of "first nodes" in the present disclosure. In this case, in the resonator RC2, the path from the connection node N2B to the ground terminal GND via the inductor L2A and capacitor C2 corresponds to the "first path" in the present disclosure. Furthermore, the path from the connection node N2B to the ground terminal GND via the inductors L2B, L23B, and L5 corresponds to the "second path" in the present disclosure. Similarly, in resonator RC3, the path from connection node N3B to ground terminal GND via inductor L3A and capacitor C3 corresponds to the "first path" in the present disclosure. Further, the path from the connection node N3B to the ground terminal GND via the inductors L3B, L23B, and L5 corresponds to the "second path" in the present disclosure. The inductor L23A that connects the connection node N2B and the connection node N3B corresponds to the "third path" in the present disclosure.

なお、共振器RC1と共振器RC2とに接続されるキャパシタC12は、図2における接続ノードN1Aと接続ノードN2Bとの間に接続されてもよい。また、共振器RC3と共振器RC4とに接続されるキャパシタC34は、図2における接続ノードN3Bと接続ノードN4Aとの間に接続されてもよい。 Note that the capacitor C12 connected to the resonator RC1 and the resonator RC2 may be connected between the connection node N1A and the connection node N2B in FIG. 2. Further, the capacitor C34 connected to the resonator RC3 and the resonator RC4 may be connected between the connection node N3B and the connection node N4A in FIG. 2.

図3はフィルタ装置100の外観斜視図であり、図4はフィルタ装置100の積層構造の一例を示す分解斜視図である。 FIG. 3 is an external perspective view of the filter device 100, and FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of the laminated structure of the filter device 100.

図3および図4を参照して、フィルタ装置100は、複数の誘電体層LY1~LY10が積層方向に積層された、直方体または略直方体の本体110を備えている。誘電体層LY1~LY10は、たとえば低温同時焼成セラミックス(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)などのセラミック、あるいは樹脂により形成されている。本体110の内部において、各誘電体層に設けられた複数の電極、および、誘電体層間に設けられた複数のビアによって、LC並列共振器のインダクタおよびキャパシタが構成される。なお、本明細書において「ビア」とは、異なる誘電体層に設けられた電極を接続するために、誘電体層中に設けられる導体を示す。ビアは、たとえば、導電ペースト、めっき、および/または金属ピンなどによって形成される。 Referring to FIGS. 3 and 4, filter device 100 includes a rectangular parallelepiped or substantially rectangular parallelepiped main body 110 in which a plurality of dielectric layers LY1 to LY10 are laminated in the lamination direction. The dielectric layers LY1 to LY10 are made of ceramic such as low temperature co-fired ceramics (LTCC) or resin, for example. Inside the main body 110, an inductor and a capacitor of the LC parallel resonator are configured by a plurality of electrodes provided on each dielectric layer and a plurality of vias provided between the dielectric layers. Note that in this specification, "via" refers to a conductor provided in a dielectric layer to connect electrodes provided in different dielectric layers. Vias are formed, for example, by conductive paste, plating, and/or metal pins.

なお、以降の説明においては、本体110における誘電体層LY1~LY10の積層方向を「Z軸方向」とし、Z軸方向に垂直であって本体110の長辺に沿った方向を「X軸方向」とし、本体110の短辺に沿った方向を「Y軸方向」とする。また、以下では、各図におけるZ軸の正方向を上側、負方向を下側と称する場合がある。 In the following description, the stacking direction of the dielectric layers LY1 to LY10 in the main body 110 will be referred to as the "Z-axis direction", and the direction perpendicular to the Z-axis direction and along the long side of the main body 110 will be referred to as the "X-axis direction". ”, and the direction along the short side of the main body 110 is defined as the “Y-axis direction”. Furthermore, hereinafter, the positive direction of the Z-axis in each figure may be referred to as the upper side, and the negative direction may be referred to as the lower side.

本体110の上面111(誘電体層LY1)には、フィルタ装置100の方向を特定するための方向性マークDMが配置されている。本体110の下面112(誘電体層LY10)には、当該フィルタ装置100と外部機器とを接続するための外部端子(入力端子T1、出力端子T2および接地端子GND)が配置されている。入力端子T1、出力端子T2および接地端子GNDの各々は平板形状の電極であり、本体110の下面112に規則的に配置されたLGA(Land Grid Array)端子である。 A directional mark DM for specifying the direction of the filter device 100 is arranged on the upper surface 111 (dielectric layer LY1) of the main body 110. External terminals (input terminal T1, output terminal T2, and ground terminal GND) for connecting the filter device 100 and external equipment are arranged on the lower surface 112 (dielectric layer LY10) of the main body 110. Each of the input terminal T1, the output terminal T2, and the ground terminal GND is a flat electrode, and is an LGA (Land Grid Array) terminal regularly arranged on the lower surface 112 of the main body 110.

フィルタ装置100は、図2で説明したように、4段のLC並列共振器である共振器RC1~RC4を有している。より具体的には、共振器RC1は、ビアV10,V11,V12と、キャパシタ電極PC1と、平板電極PL10A,PL10B,PL11A,PL11Bとを含む。共振器RC2は、ビアV20と、キャパシタ電極PC2Aと、平板電極PL23A,PL23Bとを含む。共振器RC3は、ビアV30と、キャパシタ電極PC3Aと、平板電極PL23A,PL23Bとを含む。共振器RC4は、ビアV40,V41,V42と、キャパシタ電極PC4と、平板電極PL40A,PL40B,PL41A,PL41Bとを含む。 As described in FIG. 2, the filter device 100 includes resonators RC1 to RC4, which are four stages of LC parallel resonators. More specifically, the resonator RC1 includes vias V10, V11, and V12, a capacitor electrode PC1, and plate electrodes PL10A, PL10B, PL11A, and PL11B. Resonator RC2 includes via V20, capacitor electrode PC2A, and plate electrodes PL23A and PL23B. Resonator RC3 includes via V30, capacitor electrode PC3A, and plate electrodes PL23A and PL23B. Resonator RC4 includes vias V40, V41, V42, capacitor electrode PC4, and plate electrodes PL40A, PL40B, PL41A, PL41B.

入力端子T1は、ビアV10によって誘電体層LY8に配置されたキャパシタ電極PC1に接続されている。キャパシタ電極PC1は、X軸方向に延在する略矩形形状の電極である。キャパシタ電極PC1は、ビアV11によって、誘電体層LY5に配置された平板電極PL10A、および、誘電体層LY4に配置された平板電極PL10Bに接続されている。 Input terminal T1 is connected to capacitor electrode PC1 arranged on dielectric layer LY8 by via V10. Capacitor electrode PC1 is a substantially rectangular electrode extending in the X-axis direction. Capacitor electrode PC1 is connected by via V11 to flat plate electrode PL10A disposed on dielectric layer LY5 and flat plate electrode PL10B disposed on dielectric layer LY4.

平板電極PL10A,PL10Bは、Z軸方向を巻回軸とする帯状の電極であり、互いに略同一形状を有している。平板電極PL10A,PL10Bの一方端に、ビアV11が接続されている。平板電極PL10A,PL10Bの他方端は、ビアV12によって、誘電体層LY3に配置された平板電極PL11A、および、誘電体層LY2に配置された平板電極PL11Bに接続されている。 The flat plate electrodes PL10A and PL10B are band-shaped electrodes whose winding axis is in the Z-axis direction, and have substantially the same shape as each other. A via V11 is connected to one end of the flat plate electrodes PL10A and PL10B. The other ends of the plate electrodes PL10A and PL10B are connected by vias V12 to the plate electrode PL11A arranged on the dielectric layer LY3 and the plate electrode PL11B arranged on the dielectric layer LY2.

平板電極PL11A,PL11Bは、Z軸方向を巻回軸とする帯状の電極であり、互いに略同一形状を有している。平板電極PL11A,PL11Bの一方端には、ビアV12が接続されている。平板電極PL11A,PL11Bの他方端は、ビアVG1によって誘電体層LY9に配置された接地電極PG、および、誘電体層LY10の下面112に配置された接地端子GNDに接続されている。 The flat plate electrodes PL11A and PL11B are band-shaped electrodes whose winding axis is in the Z-axis direction, and have substantially the same shape as each other. A via V12 is connected to one end of the flat plate electrodes PL11A and PL11B. The other ends of the flat electrodes PL11A and PL11B are connected to a ground electrode PG disposed on the dielectric layer LY9 and a ground terminal GND disposed on the lower surface 112 of the dielectric layer LY10 by vias VG1.

また、誘電体層LY8には、キャパシタ電極PC1に対してY軸の正方向に隣接した、略矩形形状のキャパシタ電極PC2Bが配置されている。キャパシタ電極PC1およびキャパシタ電極PC2Bは、互いに容量結合している。キャパシタ電極PC2Bは、ビアVG2によって誘電体層LY10に配置された接地端子GNDに接続されている。また、キャパシタ電極PC2Bは、複数のビアVG5によって、誘電体層LY9に配置された接地電極PGにも接続されている。接地電極PGは、ビアVG4によって誘電体層LY10に配置された接地端子GNDに接続されている。 Further, in the dielectric layer LY8, a substantially rectangular capacitor electrode PC2B is arranged adjacent to the capacitor electrode PC1 in the positive direction of the Y axis. Capacitor electrode PC1 and capacitor electrode PC2B are capacitively coupled to each other. Capacitor electrode PC2B is connected to ground terminal GND arranged in dielectric layer LY10 by via VG2. Further, the capacitor electrode PC2B is also connected to the ground electrode PG arranged in the dielectric layer LY9 through a plurality of vias VG5. The ground electrode PG is connected to a ground terminal GND arranged in the dielectric layer LY10 by a via VG4.

ビアV10,V11,V12および平板電極PL10A,PL10B,PL11A,PL11Bによって、図2におけるインダクタL1が構成される。ビアVG1によって、図2におけるインダクタL5が構成される。また、キャパシタ電極PC1,PC2Bによって、図2におけるキャパシタC1が構成される。すなわち、ビアV10,V11,V12,VG1、平板電極PL10A,PL10B,PL11A,PL11B、および、キャパシタ電極PC1,PC2Bによって、共振器RC1が構成される。 Inductor L1 in FIG. 2 is configured by vias V10, V11, V12 and flat plate electrodes PL10A, PL10B, PL11A, PL11B. Inductor L5 in FIG. 2 is configured by via VG1. Further, capacitor C1 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC1 and PC2B. That is, a resonator RC1 is configured by vias V10, V11, V12, VG1, flat plate electrodes PL10A, PL10B, PL11A, PL11B, and capacitor electrodes PC1, PC2B.

キャパシタ電極PC1は、積層方向から平面視した場合に、隣接する誘電体層LY7に配置された、略L字形状を有するキャパシタ電極PC2Aと部分的に重なっている。キャパシタ電極PC1,PC2Aによって、図2におけるキャパシタC12が構成される。キャパシタ電極PC2Aは、積層方向から平面視した場合に、誘電体層LY8に配置されたキャパシタ電極PC2Bとも部分的に重なっている。キャパシタ電極PC2A,PC2Bによって、図2におけるキャパシタC2が構成される。 The capacitor electrode PC1 partially overlaps with the substantially L-shaped capacitor electrode PC2A disposed on the adjacent dielectric layer LY7 when viewed in plan from the stacking direction. The capacitor C12 in FIG. 2 is configured by the capacitor electrodes PC1 and PC2A. The capacitor electrode PC2A also partially overlaps with the capacitor electrode PC2B arranged on the dielectric layer LY8 when viewed in plan from the stacking direction. Capacitor C2 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC2A and PC2B.

また、キャパシタ電極PC2Aは、ビアV20によって、誘電体層LY3に配置された平板電極PL23A、および、誘電体層LY2に配置された平板電極PL23Bに接続されている。平板電極PL23A,PL23Bの各々は、3つの端部を有する略Y字形状を有しており、第1端部にビアV20が接続されており、第2端部にビアV30が接続されており、第3端部にビアVG1が接続されている。 Further, the capacitor electrode PC2A is connected to a flat plate electrode PL23A disposed on the dielectric layer LY3 and a flat plate electrode PL23B disposed on the dielectric layer LY2 through a via V20. Each of the flat plate electrodes PL23A and PL23B has a substantially Y-shape with three ends, a first end connected to a via V20, and a second end connected to a via V30. , a via VG1 is connected to the third end.

ビアV20によって、図2におけるインダクタL2Aが構成される。平板電極PL23A,PL23Bにおける、第1端部、第2端部および第3端部からの各経路の接続点と、第1端部との間の経路によって、図2におけるインダクタL2Bが構成される。また、上記の接続点から第3端部との間の経路によって、図2におけるインダクタL23Bが構成される。 The via V20 constitutes the inductor L2A in FIG. 2. The inductor L2B in FIG. 2 is configured by the connection point of each path from the first end, second end, and third end of the flat plate electrodes PL23A and PL23B, and the path between the first end. . Further, the inductor L23B in FIG. 2 is configured by the path from the above connection point to the third end.

すなわち、ビアV20,VG1、平板電極PL23A,PL23B、およびキャパシタ電極PC2A,PC2Bによって、図2における共振器RC2が構成される。 That is, the resonator RC2 in FIG. 2 is configured by the vias V20, VG1, the flat electrodes PL23A, PL23B, and the capacitor electrodes PC2A, PC2B.

平板電極PL23A,PL23Bの第2端部に接続されたビアV30は、誘電体層LY7に配置されたキャパシタ電極PC3Aに接続されている。キャパシタ電極PC3Aは、キャパシタ電極PC2Aと同様に略L字形状を有している。積層方向から平面視した場合に、キャパシタ電極PC3Aは、誘電体層LY8に配置されたキャパシタ電極PC3B,PC4の各々と、部分的に重なっている。キャパシタ電極PC3B,PC4の各々は、X軸方向に延在する略矩形形状の電極であり、互いにY軸方向に隣接して配置されている。キャパシタ電極PC3Bおよびキャパシタ電極PC4は、互いに容量結合している。 A via V30 connected to the second ends of the flat electrodes PL23A and PL23B is connected to a capacitor electrode PC3A arranged on the dielectric layer LY7. Capacitor electrode PC3A has a substantially L-shape similarly to capacitor electrode PC2A. When viewed in plan from the stacking direction, capacitor electrode PC3A partially overlaps each of capacitor electrodes PC3B and PC4 arranged on dielectric layer LY8. Each of the capacitor electrodes PC3B and PC4 is a substantially rectangular electrode extending in the X-axis direction, and is arranged adjacent to each other in the Y-axis direction. Capacitor electrode PC3B and capacitor electrode PC4 are capacitively coupled to each other.

キャパシタ電極PC4は、ビアV40によって、誘電体層LY10の下面112に配置された出力端子T2に接続されている。キャパシタ電極PC3Bは、ビアVG3によって誘電体層LY10に配置された接地端子GNDに接続されている。また、キャパシタ電極PC3Bは、複数のビアVG6によって、誘電体層LY9に配置された接地電極PGにも接続されている。 Capacitor electrode PC4 is connected to output terminal T2 arranged on lower surface 112 of dielectric layer LY10 by via V40. Capacitor electrode PC3B is connected to ground terminal GND arranged in dielectric layer LY10 by via VG3. Further, the capacitor electrode PC3B is also connected to the ground electrode PG arranged in the dielectric layer LY9 through a plurality of vias VG6.

キャパシタ電極PC3A、PC3Bによって、図2におけるキャパシタC3が構成される。キャパシタ電極PC3A、PC4によって、図2におけるキャパシタC34が構成される。ビアV30によって、図2におけるインダクタL3Aが構成される。平板電極PL23A,PL23Bにおける接続点と、第2端部との間の経路によってインダクタL3Bが構成される。また、上記のように、平板電極PL23A,PL23Bにおける接続点から第3端部との間の経路によって、図2におけるインダクタL23Bが構成され、ビアVG1によって図2におけるインダクタL5が構成される。 Capacitor C3 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC3A and PC3B. Capacitor C34 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC3A and PC4. Via V30 constitutes inductor L3A in FIG. 2. An inductor L3B is configured by a path between the connection point of the flat plate electrodes PL23A and PL23B and the second end. Further, as described above, the inductor L23B in FIG. 2 is configured by the path between the connection point and the third end of the flat plate electrodes PL23A and PL23B, and the inductor L5 in FIG. 2 is configured by the via VG1.

すなわち、ビアV30,VG1、平板電極PL23A,PL23B、およびキャパシタ電極PC3A,PC3Bによって、図2における共振器RC3が構成される。 That is, the resonator RC3 in FIG. 2 is configured by the vias V30, VG1, the flat electrodes PL23A, PL23B, and the capacitor electrodes PC3A, PC3B.

キャパシタ電極PC4は、ビアV41によって、誘電体層LY5に配置された平板電極PL40A、および、誘電体層LY4に配置された平板電極PL40Bに接続されている。 Capacitor electrode PC4 is connected to flat plate electrode PL40A disposed on dielectric layer LY5 and flat plate electrode PL40B disposed on dielectric layer LY4 through via V41.

平板電極PL40A,PL40Bは、Z軸方向を巻回軸とする帯状の電極であり、互いに略同一形状を有している。平板電極PL40A,PL40Bの一方端に、ビアV41が接続されている。平板電極PL40A,PL40Bの他方端は、ビアV42によって、誘電体層LY3に配置された平板電極PL41A、および、誘電体層LY2に配置された平板電極PL41Bに接続されている。 The flat plate electrodes PL40A and PL40B are band-shaped electrodes whose winding axis is in the Z-axis direction, and have substantially the same shape as each other. A via V41 is connected to one end of the flat plate electrodes PL40A and PL40B. The other ends of the plate electrodes PL40A and PL40B are connected by vias V42 to the plate electrode PL41A arranged on the dielectric layer LY3 and the plate electrode PL41B arranged on the dielectric layer LY2.

平板電極PL41A,PL41Bは、Z軸方向を巻回軸とする帯状の電極であり、互いに略同一形状を有している。平板電極PL41A,PL41Bの一方端には、ビアV42が接続されている。平板電極PL41A,PL41Bの他方端は、ビアVG1によって誘電体層LY9に配置された接地電極PG、および、誘電体層LY10の下面112に配置された接地端子GNDに接続されている。 The flat plate electrodes PL41A and PL41B are band-shaped electrodes whose winding axis is in the Z-axis direction, and have substantially the same shape as each other. A via V42 is connected to one end of the flat plate electrodes PL41A and PL41B. The other ends of the plate electrodes PL41A and PL41B are connected to a ground electrode PG disposed on the dielectric layer LY9 and a ground terminal GND disposed on the lower surface 112 of the dielectric layer LY10 via a via VG1.

ビアV40,V41,V42および平板電極PL40A,PL40B,PL41A,PL41Bによって、図2におけるインダクタL4が構成される。ビアVG1によって、図2におけるインダクタL5が構成される。また、キャパシタ電極PC3B,PC4によって、図2におけるキャパシタC4が構成される。すなわち、ビアV40,V41,V42,VG1、平板電極PL40A,PL40B,PL41A,PL41B、および、キャパシタ電極PC3B,PC4によって、共振器RC4が構成される。 Inductor L4 in FIG. 2 is configured by vias V40, V41, V42 and flat plate electrodes PL40A, PL40B, PL41A, PL41B. Inductor L5 in FIG. 2 is configured by via VG1. Further, capacitor C4 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC3B and PC4. That is, a resonator RC4 is configured by vias V40, V41, V42, VG1, flat plate electrodes PL40A, PL40B, PL41A, PL41B, and capacitor electrodes PC3B, PC4.

誘電体層LY7に配置されたキャパシタ電極PC2A,PC3Aの各々は、積層方向から平面視した場合に、誘電体層LY7に配置された、略矩形形状を有するキャパシタ電極PC23と部分的に重なっている。キャパシタ電極PC2A,PC3A,PC23によって、図2におけるキャパシタC23が構成される。 Each of the capacitor electrodes PC2A and PC3A arranged on the dielectric layer LY7 partially overlaps with the capacitor electrode PC23 arranged on the dielectric layer LY7 and having a substantially rectangular shape when viewed in plan from the stacking direction. . Capacitor C23 in FIG. 2 is configured by capacitor electrodes PC2A, PC3A, and PC23.

誘電体層LY8に配置されたキャパシタ電極PC1,PC4の各々は、積層方向から平面視した場合に、誘電体層LY9に配置された帯状のキャパシタ電極PC14と部分的に重なっている。キャパシタ電極PC1,PC4,PC14によって、図2におけるキャパシタC14が構成される。 Each of the capacitor electrodes PC1 and PC4 arranged on the dielectric layer LY8 partially overlaps with the band-shaped capacitor electrode PC14 arranged on the dielectric layer LY9 when viewed in plan from the stacking direction. Capacitor electrodes PC1, PC4, and PC14 constitute capacitor C14 in FIG.

誘電体層LY3において、平板電極PL23Aにおける第1端子および第2端子は、X軸方向に延在する帯状の平板電極PL50Aによって接続されている。また、誘電体層LY2において、平板電極PL23Bにおける第1端子および第2端子は、X軸方向に延在する帯状の平板電極PL50Bによって接続されている。平板電極PL50A,PL50Bによって、図2におけるインダクタL23Aが構成される。 In the dielectric layer LY3, the first terminal and the second terminal of the flat plate electrode PL23A are connected by a band-shaped flat plate electrode PL50A extending in the X-axis direction. Further, in the dielectric layer LY2, the first terminal and the second terminal of the flat plate electrode PL23B are connected by a band-shaped flat plate electrode PL50B extending in the X-axis direction. Inductor L23A in FIG. 2 is configured by plate electrodes PL50A and PL50B.

誘電体層LY3において、平板電極PL23Aおよび平板電極PL50Aによって環状構造が形成されている。同様に、誘電体層LY2において、平板電極PL23Bおよび平板電極PL50Bによって環状構造が形成されている。以下で説明するように、平板電極PL50A,PL50Bによって構成されるインダクタL23Aを配置することで、共振器RC2と共振器RC3との間の結合度を強めることができる。 In the dielectric layer LY3, a ring-shaped structure is formed by the flat electrode PL23A and the flat electrode PL50A. Similarly, in the dielectric layer LY2, a ring-shaped structure is formed by the flat electrode PL23B and the flat electrode PL50B. As explained below, by arranging the inductor L23A formed by the flat plate electrodes PL50A and PL50B, the degree of coupling between the resonators RC2 and RC3 can be strengthened.

なお、以降の説明において、平板電極PL50A,PL50Bを包括的に「平板電極PL50」と称し、平板電極PL23A,PL23Bを包括的に「平板電極PL23」と称する場合がある。 In the following description, the plate electrodes PL50A and PL50B may be collectively referred to as the "plate electrode PL50", and the plate electrodes PL23A and PL23B may be collectively referred to as the "plate electrode PL23".

(共振器間結合度の説明)
図5および図6を用いて、本実施の形態1のフィルタ装置100における共振器RC2と共振器RC3との間の結合度について説明する。図5は比較例1のフィルタ装置100Xの場合を示しており、図6は本実施の形態1のフィルタ装置100の場合を示している。
(Explanation of the degree of coupling between resonators)
The degree of coupling between resonators RC2 and resonators RC3 in filter device 100 of the first embodiment will be described using FIGS. 5 and 6. FIG. 5 shows the case of the filter device 100X of Comparative Example 1, and FIG. 6 shows the case of the filter device 100 of the first embodiment.

なお、図5および図6においては、説明を容易にするために、共振器RC2および共振器RC3の部分に対応する構成のみの等価回路が記載されている。また、図2における接続ノードN2A,N3Aに対応する箇所が、図5および図6においては、それぞれ入力端子T10および出力端子T20として記載されている。 Note that in FIGS. 5 and 6, in order to simplify the explanation, equivalent circuits of only the configurations corresponding to the resonator RC2 and the resonator RC3 are shown. Further, portions corresponding to the connection nodes N2A and N3A in FIG. 2 are shown as an input terminal T10 and an output terminal T20 in FIGS. 5 and 6, respectively.

まず、図5においては、入力端子T10と出力端子T20との間に、インダクタL10およびインダクタL20が直列に接続されている。そして、インダクタL10とインダクタL20との間の接続ノードN10と、接地端子GNDとの間に、インダクタL30が接続されている。また、入力端子T10と接地端子GNDとの間にキャパシタC10が接続されており、出力端子T20と接地端子GNDとの間にキャパシタC20が接続されている。 First, in FIG. 5, an inductor L10 and an inductor L20 are connected in series between an input terminal T10 and an output terminal T20. An inductor L30 is connected between a connection node N10 between the inductors L10 and L20 and the ground terminal GND. Further, a capacitor C10 is connected between the input terminal T10 and the ground terminal GND, and a capacitor C20 is connected between the output terminal T20 and the ground terminal GND.

図2との関係においては、インダクタL10がインダクタL2A,L2Bに対応し、インダクタL20がインダクタL3A,L3Bに対応する。また、インダクタL30が、インダクタL23B,L5に対応する。そして、キャパシタC10,C20が、キャパシタC2,C3にそれぞれ対応する。すなわち、フィルタ装置100Xにおいては、図2の共振器RC2,RC3の部分において、「インダクタL23A」が除かれた構成となっている。 In relation to FIG. 2, inductor L10 corresponds to inductors L2A and L2B, and inductor L20 corresponds to inductors L3A and L3B. Further, inductor L30 corresponds to inductors L23B and L5. Capacitors C10 and C20 correspond to capacitors C2 and C3, respectively. That is, in the filter device 100X, the "inductor L23A" is removed from the resonators RC2 and RC3 in FIG. 2.

また、図6においては、左図のインダクタL10A,L10Bが図2におけるインダクタL2A,L2Bにそれぞれ対応し、インダクタL20A,L20Bが図2におけるインダクタL3A,L3Bにそれぞれ対応する。そして、インダクタL12が、図2におけるインダクタL23Aに対応する。 In addition, in FIG. 6, inductors L10A and L10B on the left correspond to inductors L2A and L2B in FIG. 2, respectively, and inductors L20A and L20B correspond to inductors L3A and L3B in FIG. 2, respectively. And inductor L12 corresponds to inductor L23A in FIG. 2.

図5のような構成において、共振器RC2と共振器RC3との結合度は、一般的に、インダクタL10のインダクタンス値に対するインダクタL30のインダクタンス値(L30/L10)、あるいは、インダクタL20のインダクタンス値に対するインダクタL30のインダクタンス値(L30/L20)によって表わすことができる。そのため、図5において、共振器RC2と共振器RC3との結合度を増加させる場合、インダクタL30のインダクタンス値を大きくする、あるいは、インダクタL10,L20のインダクタンス値を小さくすることが考えられる。 In the configuration shown in FIG. 5, the degree of coupling between the resonators RC2 and RC3 is generally determined by the inductance value (L30/L10) of the inductor L30 relative to the inductance value of the inductor L10, or the inductance value relative to the inductance value of the inductor L20. It can be expressed by the inductance value (L30/L20) of inductor L30. Therefore, in FIG. 5, when increasing the degree of coupling between the resonators RC2 and RC3, it is possible to increase the inductance value of the inductor L30 or to decrease the inductance values of the inductors L10 and L20.

インダクタL30のインダクタンス値を大きくする場合、図4のような構成においては、ビアVG1のインダクタンス値を大きくすることが必要となる。言い換えると、ビアVG1の長さを長くすることが必要となるが、その場合、フィルタ装置本体のZ軸方向の寸法を大きくすることとなる。そのため、装置の小型化の阻害となったり、装置の寸法制約から実現が困難になる可能性がある。 In order to increase the inductance value of the inductor L30, in the configuration shown in FIG. 4, it is necessary to increase the inductance value of the via VG1. In other words, it is necessary to increase the length of the via VG1, but in that case, the dimension of the filter device main body in the Z-axis direction will be increased. This may impede miniaturization of the device or may make implementation difficult due to size constraints of the device.

一方、インダクタL10,L20のインダクタンス値を小さくする場合、共振器におけるトータルのインダクタンス値が小さくなるため、共振器の共振周波数を所望の周波数とするためには、共振器におけるキャパシタC10,C20のキャパシタンス値を大きくすることが必要となる。この場合、キャパシタC10,C20を構成するキャパシタンス電極の面積を大きくすることが必要となる。しかしながら、キャパシタンス電極の面積を大きくすると、誘電体層の面積の拡大が必要となって装置の大型化の要因となったり、要求される装置寸法での実現が困難になる可能性がある。さらに、共振器のインダクタンス値を小さくし、キャパシタンス値を大きくした場合、共振器自体のインピーダンスが低下してしまうため、それに伴って、要求されるフィルタ特性が得られなくなるおそれがある。 On the other hand, when reducing the inductance values of inductors L10 and L20, the total inductance value in the resonator becomes smaller, so in order to make the resonant frequency of the resonator a desired frequency, it is necessary to reduce the capacitance of capacitors C10 and C20 in the resonator. It is necessary to increase the value. In this case, it is necessary to increase the area of the capacitance electrodes forming the capacitors C10 and C20. However, if the area of the capacitance electrode is increased, the area of the dielectric layer needs to be increased, which may cause an increase in the size of the device or may make it difficult to realize the required device dimensions. Furthermore, if the inductance value of the resonator is decreased and the capacitance value is increased, the impedance of the resonator itself decreases, and as a result, there is a possibility that the required filter characteristics may not be obtained.

一方、図6の左図に示されるような本実施の形態1の構成は、インダクタL10A,L20A,L30の間に、インダクタL10B,L20B,L12で構成されるΔ結線(破線の領域AR10)が配置された構成となっている。この領域AR10の部分をΔ-Y変換すると、図6の右図のように、インダクタL10Aに接続されるインダクタL10C、インダクタL20Aに接続されるインダクタL20C、および、インダクタL30に接続されるインダクタL30Cが、接続ノードN20において接続された構成と等価になる。 On the other hand, the configuration of this embodiment 1 as shown in the left diagram of Figure 6 is configured such that a Δ connection (dashed line area AR10) consisting of inductors L10B, L20B, and L12 is placed between inductors L10A, L20A, and L30. When this area AR10 is subjected to a Δ-Y transformation, it becomes equivalent to a configuration in which inductor L10C connected to inductor L10A, inductor L20C connected to inductor L20A, and inductor L30C connected to inductor L30 are connected at connection node N20, as shown in the right diagram of Figure 6.

ここで、Δ-Y変換を施した場合、インダクタL10Cのインダクタンス値はインダクタL10Bのインダクタンス値よりも小さくなり(L10B>L10C)、インダクタL20Cのインダクタンス値はインダクタL20Bのインダクタンス値よりも小さくなる(L20B>L20C)。 Here, when Δ-Y conversion is performed, the inductance value of inductor L10C becomes smaller than the inductance value of inductor L10B (L10B>L10C), and the inductance value of inductor L20C becomes smaller than the inductance value of inductor L20B (L20B >L20C).

図6の右図の構成を、図5のフィルタ装置100Xの構成と比較すると、インダクタL10A,L10Cがフィルタ装置100XのインダクタL10に対応し、インダクタL20A,L20Cがフィルタ装置100XのインダクタL20に対応し、インダクタL30,L30Cがフィルタ装置100XのインダクタL30に対応することになる。上述のように、L10B>L10CおよびL20B>L20Cであり、かつ、L30C>0であるため、フィルタ装置100においては、インダクタL12を追加することによって、フィルタ装置100XのインダクタL10,L20のインダクタンス値を小さくし、インダクタL30のインダクタンス値を大きくした構成と等価になる。したがって、フィルタ装置100における共振器RC2と共振器RC3との間の結合度を、フィルタ装置100Xの場合よりも大きくすることができる。 Comparing the configuration in the right diagram of FIG. 6 with the configuration of the filter device 100X in FIG. , inductors L30 and L30C correspond to inductor L30 of filter device 100X. As described above, since L10B>L10C, L20B>L20C, and L30C>0, in the filter device 100, by adding the inductor L12, the inductance values of the inductors L10 and L20 of the filter device 100X can be changed. This is equivalent to a configuration in which the inductance value of the inductor L30 is increased and the inductance value of the inductor L30 is increased. Therefore, the degree of coupling between resonator RC2 and resonator RC3 in filter device 100 can be made larger than in the case of filter device 100X.

なお、この場合、図4で示したように、平板電極PL50A,PL50Bの配置により実現することができるので、装置の大型化を抑制することができる。さらに、インダクタL10B,L20B,L12のインダクタンス値を適切に設定することにより、インピーダンスの低下も抑制することができる。 In this case, as shown in FIG. 4, this can be realized by arranging the flat electrodes PL50A and PL50B, so that it is possible to suppress the increase in size of the device. Furthermore, by appropriately setting the inductance values of the inductors L10B, L20B, and L12, it is possible to suppress a decrease in impedance.

図7は、実施の形態1および比較例1のフィルタ装置における、共振周波数と共振器間結合度の関係を説明するための図である。図7の上段には、実施の形態1のフィルタ装置100および比較例1のフィルタ装置100Xにおける、共振器RC2,RC3の部分の内部斜視図が示されている。図7の下段には、同程度の装置サイズを有するフィルタ装置100,100Xの場合における共振周波数と共振器間結合度の関係を表わすグラフが示されている。 FIG. 7 is a diagram for explaining the relationship between the resonant frequency and the degree of coupling between resonators in the filter devices of Embodiment 1 and Comparative Example 1. The upper part of FIG. 7 shows an internal perspective view of the resonators RC2 and RC3 in the filter device 100 of the first embodiment and the filter device 100X of the first comparative example. The lower part of FIG. 7 shows a graph showing the relationship between the resonant frequency and the degree of coupling between resonators in the case of filter devices 100 and 100X having similar device sizes.

フィルタ装置100は、図4で説明したように、誘電体層LY2,LY3においては、ビアV20,V30,VG1を接続する平板電極PL23と、ビアV20,V30を接続する平板電極PL50とによって環状構造が形成されている。一方、フィルタ装置100Xにおいては、略T字形状を有する平板電極PL23Xによって、ビアV20,V30,VG1が接続されている。 As explained in FIG. 4, the filter device 100 has a ring-shaped structure in the dielectric layers LY2 and LY3 by the flat plate electrode PL23 connecting the vias V20, V30, and VG1, and the flat plate electrode PL50 connecting the vias V20 and V30. is formed. On the other hand, in the filter device 100X, the vias V20, V30, and VG1 are connected by a flat plate electrode PL23X having a substantially T-shape.

図7の下段においては、横軸に共振周波数が示されており、縦軸に共振器RC2,RC3の共振器間結合度が示されている。なお、グラフ中において、実線LN10は実施の形態1のフィルタ装置100の場合を示しており、破線LN11は比較例1のフィルタ装置100Xの場合を示している。 In the lower part of FIG. 7, the horizontal axis shows the resonant frequency, and the vertical axis shows the degree of inter-resonator coupling between the resonators RC2 and RC3. In the graph, a solid line LN10 indicates the case of the filter device 100 of the first embodiment, and a broken line LN11 indicates the case of the filter device 100X of the first comparative example.

図7のグラフに示されるように、フィルタ装置100,100Xが同程度の装置サイズの場合、共振周波数が6.0GHz以上においては、同じ共振周波数ではフィルタ装置100の方が高い共振器間結合度が得られている。たとえば、6.5GHzの共振周波数の場合、フィルタ装置100における結合度は0.50であり、フィルタ装置100Xにおける結合度は0.30である。 As shown in the graph of FIG. 7, when the filter devices 100 and 100X have the same device size, when the resonance frequency is 6.0 GHz or higher, the filter device 100 has a higher degree of inter-resonator coupling at the same resonance frequency. is obtained. For example, for a resonant frequency of 6.5 GHz, the degree of coupling in filter device 100 is 0.50 and the degree of coupling in filter device 100X is 0.30.

一方で、フィルタ装置100Xにおいて、0.50の結合度を得るためには、共振周波数をより高い周波数である8.0GHzとすることが必要となる。一般的に、共振周波数が高くなると必要な回路素子値が小さくなるため装置サイズが小さくなり、共振周波数が低くなると必要な回路素子値が大きくなるため装置サイズが大きくなる。そのため、たとえば所望の共振周波数が6.5GHzである場合に、フィルタ装置100Xの構成を用いて0.50の結合度を得ようとすると、結果としてフィルタ装置100よりも装置サイズが大きくなってしまう。逆に、所望の共振周波数が8.0GHzである場合にフィルタ装置100の構成を用いると、すでに十分な結合度が得られているため、共振周波数を高くするために回路素子値を小さくして装置サイズをさらに小さくすることができる。すなわち、より低い共振周波数で同等の結合度が実現できるフィルタ装置100の構成を用いることによって、装置全体の小型化を実現することができる。 On the other hand, in order to obtain a coupling degree of 0.50 in the filter device 100X, it is necessary to set the resonance frequency to a higher frequency of 8.0 GHz. Generally, as the resonant frequency increases, the required circuit element values become smaller, resulting in a smaller device size, and as the resonant frequency becomes lower, the required circuit element values increase, resulting in a larger device size. Therefore, for example, if the desired resonant frequency is 6.5 GHz and an attempt is made to obtain a coupling degree of 0.50 using the configuration of the filter device 100X, the device size will end up being larger than the filter device 100. . Conversely, if the configuration of the filter device 100 is used when the desired resonant frequency is 8.0 GHz, sufficient coupling is already obtained, so the circuit element values are reduced to increase the resonant frequency. The device size can be further reduced. That is, by using a configuration of the filter device 100 that can achieve the same degree of coupling at a lower resonant frequency, it is possible to downsize the entire device.

(フィルタ特性)
図8は、実施の形態1のフィルタ装置100におけるフィルタ特性を説明するための図である。図8において、横軸には周波数が示されており、縦軸にはフィルタ装置100の挿入損失が示されている。
(filter characteristics)
FIG. 8 is a diagram for explaining filter characteristics in the filter device 100 of the first embodiment. In FIG. 8, the frequency is shown on the horizontal axis, and the insertion loss of the filter device 100 is shown on the vertical axis.

図8においては、平板電極PL50のX軸方向の長さ、言い換えれば、共振器RC2および共振器RC3をそれぞれ構成するビアV20,V30の間隔を変化させた場合のフィルタ特性の変化が示されている。より具体的には、図8における一点鎖線LN22は、図4に示したようなビアV20,V30が最も離れた位置の場合の特性であり、破線LN21は、ビアV20,V30が図4よりもX軸方向に沿って近づいた位置の場合の特性である。また、実線LN20は、ビアV20,V30が、破線LN21の場合の位置よりもさらに近づいた位置の場合の特性である。 FIG. 8 shows the change in filter characteristics when the length of the flat electrode PL50 in the X-axis direction, in other words, the distance between the vias V20 and V30 constituting the resonator RC2 and the resonator RC3, respectively, is changed. There is. More specifically, the dashed line LN22 in FIG. 8 is the characteristic when the vias V20 and V30 are at the farthest positions as shown in FIG. This is a characteristic in the case of a position approaching along the X-axis direction. Moreover, the solid line LN20 is the characteristic when the vias V20 and V30 are located closer to each other than the position in the case of the broken line LN21.

図8に示されるように、ビアV20,V30の間隔が短くなるほど、言い換えれば、共振器RC2と共振器RC3との間の結合度が強くなるほど、フィルタ装置の周波数帯域幅(通過帯域)が拡大していることがわかる。 As shown in FIG. 8, the shorter the distance between the vias V20 and V30, in other words, the stronger the coupling between the resonators RC2 and RC3, the wider the frequency bandwidth (pass band) of the filter device becomes. I know what you're doing.

なお、実線LN20においては、通過帯域の高周波数側(f1付近)の損失がやや大きくなっているが、これについては、平板電極の線路幅の変更によるインダクタンス値の調整、および/または、キャパシタ電極の面積の変更によるキャパシタンス値の調整によって改善することができる。 In the solid line LN20, the loss on the high frequency side of the passband (near f1) is slightly large, but this can be fixed by adjusting the inductance value by changing the line width of the flat plate electrode and/or by adjusting the inductance value by changing the line width of the flat plate electrode. This can be improved by adjusting the capacitance value by changing the area of .

以上のように、複数段の共振器を含む積層型のフィルタ装置において、2つの共振器を接続するインダクタを設けて環状構造を構成することによって、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加することができる。これによって、フィルタ装置の所望の特性を実現することが可能となる。 As described above, in a stacked filter device including multiple stages of resonators, by configuring an annular structure by providing an inductor connecting two resonators, an increase in device size can be suppressed and The degree of coupling can be increased. This makes it possible to achieve desired characteristics of the filter device.

なお、上記の説明においては、4段の共振器を含むフィルタ装置の2段目と3段目の共振器間の結合度を増加させる構成を例として説明したが、4段の共振器の任意の2つの共振器間について上記の構成を適用することができる。 In addition, in the above description, the configuration for increasing the degree of coupling between the second and third stage resonators of a filter device including four stages of resonators was explained as an example; The above configuration can be applied between the two resonators.

実施の形態1における「共振器RC2」および「共振器RC3」は、本開示における「第1共振器」および「第2共振器」にそれぞれ対応する。また、実施の形態1における「共振器RC1」および「共振器RC4」は、本開示における「第3共振器」および「第4共振器」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「ビアVG1」は、本開示における「共通ビア」に対応する。実施の形態1における「キャパシタ電極PC2A」および「キャパシタ電極PC3A」は、本開示における「第1キャパシタ電極」および「第2キャパシタ電極」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「ビアV20」および「ビアV30」は、本開示における「第1ビア」および「第2ビア」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「平板電極PL23A,PL23B」は、本開示における「第1平板電極」および「第2平板電極」に対応する。実施の形態1における「平板電極PL50A,PL50B」は、本開示における「第3平板電極」に対応する。 “Resonator RC2” and “resonator RC3” in Embodiment 1 correspond to the “first resonator” and “second resonator” in the present disclosure, respectively. Further, "resonator RC1" and "resonator RC4" in the first embodiment correspond to the "third resonator" and "fourth resonator" in the present disclosure, respectively. “Via VG1” in Embodiment 1 corresponds to “common via” in the present disclosure. "Capacitor electrode PC2A" and "capacitor electrode PC3A" in Embodiment 1 correspond to "first capacitor electrode" and "second capacitor electrode" in the present disclosure, respectively. “Via V20” and “Via V30” in the first embodiment correspond to the “first via” and “second via” in the present disclosure, respectively. “Plant electrodes PL23A, PL23B” in Embodiment 1 correspond to “first plate electrode” and “second plate electrode” in the present disclosure. “Plant electrodes PL50A, PL50B” in Embodiment 1 correspond to “third plate electrode” in the present disclosure.

また、図2で示した等価回路図において、実施の形態1における「キャパシタC2」および「キャパシタC3」は、本開示における「第1キャパシタ」および「第2キャパシタ」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「インダクタL2A」、「インダクタL2B」、「インダクタL3A」、「インダクタL3B」および「インダクタL23A」は、本開示における「第1インダクタ」~「第5インダクタ」にそれぞれ対応する。実施の形態1における「インダクタL23B」および「インダクタL5」は、本開示における「共通インダクタ」に対応する。 Furthermore, in the equivalent circuit diagram shown in FIG. 2, "capacitor C2" and "capacitor C3" in Embodiment 1 correspond to "first capacitor" and "second capacitor" in the present disclosure, respectively. “Inductor L2A,” “inductor L2B,” “inductor L3A,” “inductor L3B,” and “inductor L23A” in Embodiment 1 correspond to “first inductor” to “fifth inductor” in the present disclosure, respectively. "Inductor L23B" and "inductor L5" in Embodiment 1 correspond to the "common inductor" in the present disclosure.

[変形例]
次に、図9~図12を用いて、実施の形態1に係る変形例のフィルタ装置の構成について説明する。図9~図12においては、図2における共振器RC2,RC3の部分のみを概略的に記載した模式図である。
[Modified example]
Next, the configuration of a modified filter device according to the first embodiment will be described using FIGS. 9 to 12. 9 to 12 are schematic diagrams schematically showing only the resonators RC2 and RC3 in FIG. 2.

図9は、図4のフィルタ装置100に対応する図であり、図4の誘電体層LY2,LY3において形成される環状構造の部分が示されている。また、キャパシタ電極PC2A,PC3Aに対向するキャパシタ電極PC2B,PC3Bが省略され、接地電極PGに対向するように示されている。フィルタ装置100においては、環状構造を形成する平板電極PL50および平板電極PL23が、同じ誘電体層に配置された配線パターンで構成されている。 FIG. 9 is a diagram corresponding to the filter device 100 of FIG. 4, and shows a portion of the annular structure formed in the dielectric layers LY2 and LY3 of FIG. 4. In addition, capacitor electrodes PC2B and PC3B opposite to capacitor electrodes PC2A and PC3A are omitted, and are shown facing the ground electrode PG. In the filter device 100, the flat plate electrode PL50 and the flat plate electrode PL23 forming an annular structure are composed of wiring patterns arranged on the same dielectric layer.

(変形例1)
変形例1においては、環状構造を形成する部分が、異なる誘電体層に配置された配線パターンと、それらを接続するビアによって構成された例について説明する。
(Modification 1)
In Modification 1, an example will be described in which the portion forming the annular structure is configured by wiring patterns arranged in different dielectric layers and vias connecting them.

図10は、変形例1のフィルタ装置100Aを示す図である。フィルタ装置100Aにおいては、図9のフィルタ装置100における平板電極PL23に対応する部分が、平板電極PL20,PL30,P23およびビアVL20,VL30によって構成されている。 Figure 10 is a diagram showing a filter device 100A of modified example 1. In the filter device 100A, the portion corresponding to the plate electrode PL23 in the filter device 100 of Figure 9 is composed of plate electrodes PL20, PL30, and P23 and vias VL20 and VL30.

平板電極PL20は、略矩形形状の帯状の電極であり、平板電極PL50におけるビアV20が接続される端部からY軸の負方向に延在している。同様に、平板電極PL30は、略矩形形状の帯状の電極であり、平板電極PL50におけるビアV30が接続される端部からY軸の負方向に延在している。 The plate electrode PL20 is a substantially rectangular strip-shaped electrode, and extends in the negative direction of the Y-axis from the end of the plate electrode PL50 to which the via V20 is connected. Similarly, the plate electrode PL30 is a substantially rectangular strip-shaped electrode, and extends in the negative direction of the Y-axis from the end of the plate electrode PL50 to which the via V30 is connected.

平板電極P23は、平板電極PL20,PL30が配置される誘電体層と、接地電極PGが配置される誘電体層との間の誘電体層に配置されている。平板電極P23は、X軸方向に延在する略矩形形状の帯状の電極であり、一方端がビアVL20によって、平板電極PL20におけるY軸の負方向の端部と接続されている。平板電極P23の他方端は、ビアVL30によって、平板電極PL30におけるY軸の負方向の端部と接続されている。そして、平板電極P23は、ビアVG1によって接地電極PGに接続されている。 The flat electrode P23 is arranged in a dielectric layer between the dielectric layer on which the flat electrodes PL20 and PL30 are arranged and the dielectric layer on which the ground electrode PG is arranged. The plate electrode P23 is a substantially rectangular strip-shaped electrode extending in the X-axis direction, and one end is connected to the end of the plate electrode PL20 in the negative direction of the Y-axis by a via VL20. The other end of the flat electrode P23 is connected to the end of the flat electrode PL30 in the negative direction of the Y axis by a via VL30. The flat electrode P23 is connected to the ground electrode PG via the via VG1.

フィルタ装置100Aにおいては、共振器RC2を構成するインダクタは、ビアV20,VL20および平板電極PL20,P23によって構成され、共振器RC3を構成するインダクタは、ビアV30,VL30および平板電極PL30,P23によって構成される。そして、共振器RC2と共振器RC3とが、図2におけるインダクタL23Aに対応する平板電極PL50によって互いに接続されている。すなわち、平板電極PL20,PL30,PL50とは異なる誘電体層に配置された平板電極P23をビアVL20,VL30を用いて接続することによって、複数の層にわたって環状構造が形成されている。 In the filter device 100A, the inductor constituting the resonator RC2 is constituted by the vias V20, VL20 and flat plate electrodes PL20, P23, and the inductor constituting the resonator RC3 is constituted by the vias V30, VL30 and the flat plate electrodes PL30, P23. be done. The resonator RC2 and the resonator RC3 are connected to each other by a flat electrode PL50 corresponding to the inductor L23A in FIG. 2. That is, a ring-shaped structure is formed across a plurality of layers by connecting flat plate electrodes P23 arranged in a dielectric layer different from flat plate electrodes PL20, PL30, and PL50 using vias VL20 and VL30.

このように、フィルタ装置100Aにおいても、共振器RC2および共振器RC3を接続するインダクタが配置され、環状構造が形成されることによって、共振器RC2と共振器RC3との結合度を強めることができる。 In this way, also in the filter device 100A, the inductor connecting the resonator RC2 and the resonator RC3 is arranged to form an annular structure, so that the degree of coupling between the resonator RC2 and the resonator RC3 can be strengthened. .

なお、変形例1における「ビアVG1」は、本開示における「共通ビア」に対応する。変形例1における「平板電極P23」は、本開示における「共通電極」に対応する。変形例1における「ビアV20」、「ビアVL20」、「ビアV30」および「ビアVL30」は、本開示における「第3ビア」、「第4ビア」、「第5ビア」および「第6ビア」にそれぞれ対応する。変形例1における「キャパシタ電極PC2A]および「キャパシタ電極PC3A]は、本開示における「第3キャパシタ電極」および「第4キャパシタ電極」にそれぞれ対応する。変形例1における「平板電極PL20」、「平板電極PL30」および「平板電極PL50」は、本開示における「第4平板電極」、「第5平板電極」および「第6平板電極」にそれぞれ対応する。 Note that "via VG1" in Modification 1 corresponds to "common via" in the present disclosure. The "flat plate electrode P23" in Modification 1 corresponds to the "common electrode" in the present disclosure. “Via V20”, “Via VL20”, “Via V30” and “Via VL30” in Modification 1 are the “third via”, “fourth via”, “fifth via” and “sixth via” in the present disclosure. ” respectively. “Capacitor electrode PC2A” and “capacitor electrode PC3A” in Modification 1 correspond to the “third capacitor electrode” and “fourth capacitor electrode” in the present disclosure, respectively. “Plane electrode PL20,” “plate electrode PL30,” and “plate electrode PL50” in Modification 1 correspond to the “fourth plate electrode,” “fifth plate electrode,” and “sixth plate electrode” in the present disclosure, respectively. .

(変形例2)
図9のフィルタ装置100においては、各共振器におけるキャパシタを構成する接地電極、および、各共振器のインダクタが接続される接地電極の双方が、本体110の下面112側に配置された接地電極PGで構成される例について説明した。
(Modification 2)
In the filter device 100 of FIG. 9, both the ground electrode constituting the capacitor in each resonator and the ground electrode to which the inductor of each resonator is connected are ground electrodes PG disposed on the lower surface 112 side of the main body 110. An example consisting of .

変形例2においては、本体110の上面111側および下面112側に接地電極を配置し、一方の接地電極を用いて共振器のキャパシタを構成し、他方の接地電極に各共振器のインダクタが接続される構成について説明する。 In modification 2, ground electrodes are arranged on the upper surface 111 side and the lower surface 112 side of the main body 110, one of the ground electrodes is used to configure the capacitor of the resonator, and the inductor of each resonator is connected to the other ground electrode. The following describes the configuration.

図11は、変形例2のフィルタ装置100Bを示す図である。フィルタ装置100Bにおいては、本体110の下面112側に接地電極PG1が配置されており、上面111側に接地電極PG2が配置されている。接地電極PG1および接地電極PG2は、図示しないビアによって互いに接続され、さらに接地端子GNDに接続されている。 FIG. 11 is a diagram showing a filter device 100B according to a second modification. In the filter device 100B, a ground electrode PG1 is arranged on the lower surface 112 side of the main body 110, and a ground electrode PG2 is arranged on the upper surface 111 side. The ground electrode PG1 and the ground electrode PG2 are connected to each other by a via (not shown), and are further connected to the ground terminal GND.

共振器RC2のキャパシタC2を構成するキャパシタ電極PC2A、および、共振器RC3のキャパシタC3を構成するキャパシタ電極PC3Aは、接地電極PG1に対向して配置されている。キャパシタ電極PC2Aは、ビアV20Aによって接地電極PG2に接続されている。また、キャパシタ電極PC3Aは、ビアV30Aによって接地電極PG2に接続されている。 Capacitor electrode PC2A forming capacitor C2 of resonator RC2 and capacitor electrode PC3A forming capacitor C3 of resonator RC3 are arranged to face ground electrode PG1. Capacitor electrode PC2A is connected to ground electrode PG2 via via V20A. Further, capacitor electrode PC3A is connected to ground electrode PG2 via via V30A.

ビアV20AおよびビアV30Aは、略矩形形状の平板電極PL23Cによって互いに接続されている。また、ビアV20AおよびビアV30Aは、平板電極PL23Cが配置される誘電体層と、キャパシタ電極PC2A,PC3Aが配置される誘電体層との間の誘電体層に配置された平板電極PL50Bによっても互いに接続されている。 The vias V20A and V30A are connected to each other by a substantially rectangular plate electrode PL23C. The vias V20A and V30A are also connected to each other by a plate electrode PL50B that is arranged on a dielectric layer between the dielectric layer on which the plate electrode PL23C is arranged and the dielectric layer on which the capacitor electrodes PC2A and PC3A are arranged.

フィルタ装置100Bにおいて、ビアV20Aにおけるキャパシタ電極PC2Aと平板電極PL50Bとの間の部分が、図9のフィルタ装置100におけるビアV20に対応する。また、ビアV30Aにおけるキャパシタ電極PC3Aと平板電極PL50Bとの間の部分が、図9のフィルタ装置100におけるビアV30に対応する。ビアV20A,V30Aにおける平板電極PL50Bと平板電極PL23Cとの間の部分と、平板電極PL23Cとによって構成される部分が、図9のフィルタ装置100における平板電極PL23に対応する。ビアV20A,V30Aにおける平板電極PL23Cと接地電極PG2との間の部分が、図9のフィルタ装置100におけるビアVG1に対応する。平板電極PL50Bは、図9のフィルタ装置100における平板電極PL50に対応する。すなわち、フィルタ装置100Bは、図9に示されたフィルタ装置100と実質的に等価な構成となっており、ビアV20A,V20Bおよび平板電極PL23C,PL50Bによって環状構造が形成されている。 In filter device 100B, a portion of via V20A between capacitor electrode PC2A and flat plate electrode PL50B corresponds to via V20 in filter device 100 of FIG. Further, a portion of via V30A between capacitor electrode PC3A and flat plate electrode PL50B corresponds to via V30 in filter device 100 of FIG. 9. The portion between the flat electrode PL50B and the flat electrode PL23C in the vias V20A and V30A and the portion formed by the flat electrode PL23C corresponds to the flat electrode PL23 in the filter device 100 of FIG. The portion between the flat electrode PL23C and the ground electrode PG2 in the vias V20A and V30A corresponds to the via VG1 in the filter device 100 of FIG. 9. Flat electrode PL50B corresponds to flat electrode PL50 in filter device 100 in FIG. 9. That is, the filter device 100B has a configuration substantially equivalent to the filter device 100 shown in FIG. 9, and has an annular structure formed by the vias V20A and V20B and the flat electrodes PL23C and PL50B.

このように、2つの接地電極の間に2つの共振器RC2,RC3を配置し、これらの共振器RC2,RC3をインダクタ(平板電極PL50B)で接続することによって、共振器RC2と共振器RC3との結合度を強めることができる。 In this way, by arranging two resonators RC2 and RC3 between two ground electrodes and connecting these resonators RC2 and RC3 with an inductor (flat plate electrode PL50B), resonators RC2 and RC3 are The degree of bonding can be strengthened.

なお、フィルタ装置100Bにおいて、平板電極PL23Cと接地電極PG2とを接続するビアの部分が共通化されてもよい。 Note that in the filter device 100B, the via portion connecting the flat electrode PL23C and the ground electrode PG2 may be shared.

(変形例3)
変形例3においては、共振器のキャパシタを構成するキャパシタ電極を個別に設けず、環状構造を形成する配線パターンと接地電極との間の容量成分によって、共振器のキャパシタを形成する構成について説明する。
(Modification 3)
In Modified Example 3, a configuration will be described in which capacitor electrodes forming the resonator capacitor are not provided individually, and the resonator capacitor is formed by a capacitance component between a wiring pattern forming an annular structure and a ground electrode. .

図12は、変形例3のフィルタ装置100Cを示す図である。フィルタ装置100Cは、同じ誘電体層に配置された平板電極PL20C,PL30C,PL23D,PL50CおよびビアVG1A,VG1Bによって、共振器RC2,RC3が構成される。 FIG. 12 is a diagram showing a filter device 100C according to modification 3. In the filter device 100C, resonators RC2 and RC3 are configured by plate electrodes PL20C, PL30C, PL23D, PL50C and vias VG1A and VG1B arranged on the same dielectric layer.

平板電極PL20C,PL30Cの各々は、Y軸方向に延在する略矩形形状の帯状の電極である。平板電極PL20CのY軸の負方向の端部はビアVG1Aによって接地電極PGに接続されており、Y軸の正方向の端部は開放端となっている。同様に、平板電極PL30CのY軸の負方向の端部はビアVG2Aによって接地電極PGに接続されており、Y軸の正方向の端部は開放端となっている。 Each of the flat plate electrodes PL20C and PL30C is a substantially rectangular strip-shaped electrode extending in the Y-axis direction. The end of the flat plate electrode PL20C in the negative direction of the Y-axis is connected to the ground electrode PG by a via VG1A, and the end in the positive direction of the Y-axis is an open end. Similarly, the end of the plate electrode PL30C in the negative direction of the Y-axis is connected to the ground electrode PG by a via VG2A, and the end in the positive direction of the Y-axis is an open end.

平板電極PL23D,PL50Cは、X軸方向に延在する略矩形形状の帯状の電極である。平板電極PL20C,PL30Cは、Y軸の負方向の端部に近い位置において、平板電極PL23Dによって互いに接続されている。また、平板電極PL20C,PL30Cは、平板電極PL23DよりもY軸の正方向の位置において、平板電極PL50Cによって互いに接続されている。すなわち、平板電極PL20C,PL30C,PL23D,PL50Cによって環状構造が形成されている。 The flat plate electrodes PL23D and PL50C are substantially rectangular strip-shaped electrodes extending in the X-axis direction. The plate electrodes PL20C and PL30C are connected to each other by a plate electrode PL23D at a position near the end in the negative direction of the Y-axis. Further, the flat electrodes PL20C and PL30C are connected to each other by a flat electrode PL50C at a position in the positive direction of the Y axis than the flat electrode PL23D. That is, an annular structure is formed by the plate electrodes PL20C, PL30C, PL23D, and PL50C.

フィルタ装置100Cにおいては、平板電極PL20C,PL30Cと接地電極PGとの間の容量成分によって共振器のキャパシタが構成され、当該容量成分と平板電極で構成されるインダクタによって、共振器RC2,RC3が構成される。 In the filter device 100C, a capacitor of a resonator is configured by the capacitance component between the flat plate electrodes PL20C, PL30C and the ground electrode PG, and a resonator RC2, RC3 is configured by the inductor configured by the capacitance component and the flat plate electrode. be done.

このような構成においても、2つの共振器RC2,RC3がインダクタにより接続され、環状構造を構成することによって、共振器RC2と共振器RC3との結合度を強めることができる。 Even in such a configuration, the degree of coupling between the resonators RC2 and RC3 can be strengthened by connecting the two resonators RC2 and RC3 with an inductor to form an annular structure.

なお、フィルタ装置100Cにおいて、ビアVG1A,VG1Bに代えて、平板電極PL23Dと接地電極PGとを接続するビアを配置してもよい。また、平板電極PL20C,PL30Cと接地電極PGとのキャパシタンス値を確保するために、平板電極PL20C,PL30Cの開放端に、平板電極PL20C,PL30Cよりも幅の広いキャパシタ電極を設けてもよい。 Note that in the filter device 100C, a via connecting the flat electrode PL23D and the ground electrode PG may be arranged instead of the vias VG1A and VG1B. Furthermore, in order to ensure the capacitance value between the plate electrodes PL20C, PL30C and the ground electrode PG, a capacitor electrode wider than the plate electrodes PL20C, PL30C may be provided at the open ends of the plate electrodes PL20C, PL30C.

[実施の形態2]
実施の形態2においては、一部の共振器の構成が異なるフィルタ装置について説明する。
[Embodiment 2]
In Embodiment 2, a filter device in which some of the resonators have different configurations will be described.

図13は、実施の形態2のフィルタ装置200の等価回路図である。フィルタ装置200は、概略的には、入力端子T10と出力端子T20との間に、2つの共振器RC11A,RC12が配置された2段構成のフィルタ装置である。フィルタ装置200は、図13のような2段構成の状態で単独で用いられてもよいし、実施の形態1のような4段構成のフィルタ装置における2-3段目の共振器として用いられてもよい。なお、実施の形態1との対応関係をわかりやすくするために、図13および後述する図14,図17においては、図6の回路と同じ参照符号を用いている。 FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of filter device 200 according to the second embodiment. The filter device 200 is generally a two-stage filter device in which two resonators RC11A and RC12 are arranged between an input terminal T10 and an output terminal T20. The filter device 200 may be used alone in a two-stage configuration as shown in FIG. 13, or as a second to third stage resonator in a four-stage filter device as in the first embodiment. It's okay. Note that in order to make the correspondence with Embodiment 1 easier to understand, the same reference numerals as the circuit in FIG. 6 are used in FIG. 13 and FIGS. 14 and 17 described later.

図13を参照して、フィルタ装置200において、共振器RC11Aは、キャパシタC10Aと、インダクタL10A,L10B,L30とを含む。キャパシタC10Aの一方端は、入力端子T10に接続されている。インダクタL10A,L10B,L30は、キャパシタC10Aの他方端と接地端子GNDとの間に、この順で直列に接続されている。 Referring to FIG. 13, in filter device 200, resonator RC11A includes a capacitor C10A and inductors L10A, L10B, and L30. One end of the capacitor C10A is connected to the input terminal T10. Inductors L10A, L10B, and L30 are connected in series in this order between the other end of capacitor C10A and ground terminal GND.

共振器RC12は、図6における共振器RC3と同様の構成を有しており、キャパシタC20と、インダクタL20A,L20B,L30とを含む。キャパシタC20は、出力端子T20と接地端子GNDとの間に接続されている。また、インダクタL20A,L20B,L30は、出力端子T20と接地端子GNDとの間にこの順で直列に接続されている。すなわち、直列接続されたインダクタL20A,L20B,L30は、出力端子T20と接地端子GNDとの間にキャパシタC20と並列に接続されている。なお、インダクタL30については、共振器RC11Aと共用されている。 Resonator RC12 has the same configuration as resonator RC3 in FIG. 6, and includes a capacitor C20 and inductors L20A, L20B, and L30. Capacitor C20 is connected between output terminal T20 and ground terminal GND. Further, the inductors L20A, L20B, and L30 are connected in series in this order between the output terminal T20 and the ground terminal GND. That is, the inductors L20A, L20B, and L30 connected in series are connected in parallel with the capacitor C20 between the output terminal T20 and the ground terminal GND. Note that the inductor L30 is shared with the resonator RC11A.

そして、キャパシタC10AとインダクタL10Aとの間の接続ノードN31と、出力端子T20との間に、キャパシタC30が接続されている。また、インダクタL10AとインダクタL10Bとの間の接続ノードN33と、インダクタL20AとインダクタL20Bとの間の接続ノードN34との間に、インダクタL12が接続されている。インダクタL12,L10B,L20Bによって、実施の形態1のフィルタ装置100と同様に環状構造が形成される(領域AR10)。なお、フィルタ装置200において、キャパシタC30は必ずしも必須ではなく、キャパシタC30のない構成であってもよい。 A capacitor C30 is connected between a connection node N31 between the capacitor C10A and the inductor L10A and the output terminal T20. Further, an inductor L12 is connected between a connection node N33 between the inductor L10A and the inductor L10B and a connection node N34 between the inductor L20A and the inductor L20B. Inductors L12, L10B, and L20B form an annular structure (region AR10) similarly to filter device 100 of Embodiment 1. Note that in the filter device 200, the capacitor C30 is not necessarily essential, and a configuration without the capacitor C30 may be used.

図14は、比較例2のフィルタ装置200Xの等価回路図である。フィルタ装置200Xは、基本的には、実施の形態1のフィルタ装置100の2-3段目の共振器と同様の構成をしている。フィルタ装置200Xにおける共振器RC11,RC12は、フィルタ装置100のRC2,RC3にそれぞれ対応する。また、フィルタ装置200XにおけるキャパシタC30は、フィルタ装置100におけるキャパシタC23(図1)に対応する。 FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of the filter device 200X of Comparative Example 2. Filter device 200X basically has the same configuration as the second and third stage resonators of filter device 100 of the first embodiment. Resonators RC11 and RC12 in filter device 200X correspond to RC2 and RC3 in filter device 100, respectively. Further, capacitor C30 in filter device 200X corresponds to capacitor C23 in filter device 100 (FIG. 1).

すなわち、実施の形態2のフィルタ装置200は、比較例2のフィルタ装置200Xと比較すると、キャパシタC10が削除され、入力端子T10との間にキャパシタC10Aが追加された構成となっている。 That is, when compared with the filter device 200X of Comparative Example 2, the filter device 200 of the second embodiment has a configuration in which the capacitor C10 is removed and the capacitor C10A is added between the filter device 200 and the input terminal T10.

図15は、図14の回路を等価変換した回路図である。図15におけるインダクタL10Dは、図14におけるインダクタL10A,L10B,L30に対応する。図15におけるインダクタL12Aは、図14におけるインダクタL10A,L12,L20Aに対応する。図15におけるインダクタL20Dは、図14におけるインダクタL20A,L20B,L30に対応する。 FIG. 15 is a circuit diagram obtained by equivalently converting the circuit of FIG. 14. Inductor L10D in FIG. 15 corresponds to inductors L10A, L10B, and L30 in FIG. 14. Inductor L12A in FIG. 15 corresponds to inductors L10A, L12, and L20A in FIG. 14. Inductor L20D in FIG. 15 corresponds to inductors L20A, L20B, and L30 in FIG. 14.

すなわち、フィルタ装置200は、図15の領域AR20に含まれるキャパシタC10A,C30およびインダクタL10D、L12Aで構成されるハイパスフィルタ(HPF)と、領域AR21に含まれるキャパシタC20およびインダクタL20DのLC並列共振器で構成されるバンドパスフィルタ(BPF)とが、入力端子T10と出力端子T20との間に直列接続された構成に対応する。 That is, the filter device 200 includes a high-pass filter (HPF) composed of capacitors C10A, C30 and inductors L10D, L12A included in region AR20 in FIG. 15, and an LC parallel resonator of capacitor C20 and inductor L20D included in region AR21. This corresponds to a configuration in which a bandpass filter (BPF) configured of is connected in series between the input terminal T10 and the output terminal T20.

一方、比較例2のフィルタ装置200Xは、2つのLC並列共振器(すなわちバンドパスフィルタ)が入力端子T10と出力端子T20との間に直列接続された構成に対応する。 On the other hand, the filter device 200X of Comparative Example 2 corresponds to a configuration in which two LC parallel resonators (ie, bandpass filters) are connected in series between the input terminal T10 and the output terminal T20.

図16は、実施の形態2のフィルタ装置200におけるフィルタ特性を説明するための図である。図16においては、フィルタ装置200における挿入損失(実線LN30)、および、比較例2のフィルタ装置200Xにおける挿入損失(破線LN35)が示されている。 FIG. 16 is a diagram for explaining filter characteristics in filter device 200 of the second embodiment. In FIG. 16, the insertion loss in the filter device 200 (solid line LN30) and the insertion loss in the filter device 200X of Comparative Example 2 (broken line LN35) are shown.

フィルタ装置200においては、比較例2のフィルタ装置200Xの入力端子側のバンドパスフィルタをハイパスフィルタに置き換えた構成となっているため、フィルタ装置200Xに比べると、通過帯域よりも低周波数側における減衰量がやや少なくなる。しかしながら、シャントキャパシタが削除されているために、高周波数側においてはフィルタ装置200Xに比べると損失が低減され、通過特性が向上している。そして、フィルタ装置200においても、2つの共振器を接続するインダクタL12を設けて環状構造が形成されるため、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加することができる。 The filter device 200 has a configuration in which the bandpass filter on the input terminal side of the filter device 200X of Comparative Example 2 is replaced with a high-pass filter, so compared to the filter device 200X, there is less attenuation on the lower frequency side than the passband. The amount will be slightly smaller. However, since the shunt capacitor is removed, the loss is reduced compared to the filter device 200X on the high frequency side, and the pass characteristics are improved. Also in the filter device 200, since an annular structure is formed by providing the inductor L12 that connects the two resonators, it is possible to increase the degree of coupling between the resonators while suppressing an increase in device size.

実施の形態2における「共振器RC11A」および「共振器RC12」は、本開示における「第5共振器」および「第6共振器」にそれぞれ対応する。実施の形態2における「キャパシタC10A」、「キャパシタC20」および「キャパシタC30」は、本開示における「第3キャパシタ」~「第5キャパシタ」にそれぞれ対応する。実施の形態2における「インダクタL10A」、「インダクタL10B」、「インダクタL20A」、「インダクタL20B」および「インダクタL12」は、本開示における「第6インダクタ」~「第10インダクタ」にそれぞれ対応する。実施の形態2における「インダクタL30」は、本開示における「共通インダクタ」に対応する。実施の形態2における「接続ノードN31」は、本開示における「第3ノード」に対応する。 "Resonator RC11A" and "resonator RC12" in the second embodiment correspond to the "fifth resonator" and "sixth resonator" in the present disclosure, respectively. "Capacitor C10A", "Capacitor C20", and "Capacitor C30" in Embodiment 2 correspond to "third capacitor" to "fifth capacitor" in the present disclosure, respectively. “Inductor L10A,” “inductor L10B,” “inductor L20A,” “inductor L20B,” and “inductor L12” in the second embodiment correspond to the “sixth inductor” to “tenth inductor” in the present disclosure, respectively. "Inductor L30" in the second embodiment corresponds to the "common inductor" in the present disclosure. “Connection node N31” in the second embodiment corresponds to the “third node” in the present disclosure.

[実施の形態3]
実施の形態3においては、実施の形態2のフィルタ装置200における共振器RC12がさらにハイパスフィルタとされた構成について説明する。
[Embodiment 3]
In Embodiment 3, a configuration will be described in which resonator RC12 in filter device 200 of Embodiment 2 is further made into a high-pass filter.

図17は、実施の形態3のフィルタ装置200Aの等価回路図である。フィルタ装置200Aにおいては、実施の形態2のフィルタ装置200における共振器RC12が、共振器RC12Aに置き換わった構成となっている。 FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of filter device 200A according to the third embodiment. The filter device 200A has a configuration in which the resonator RC12 in the filter device 200 of the second embodiment is replaced with a resonator RC12A.

より具体的には、フィルタ装置200におけるキャパシタC20が削除されるとともに、インダクタL20Aと出力端子T20との間にキャパシタC20Aが追加されている。そして、キャパシタC30は、キャパシタC10AとインダクタL10Aとの間の接続ノードN31と、キャパシタC20AとインダクタL20Aとの間の接続ノードN32との間に接続されている。すなわち、図示しないが、図15のように図17の回路を等価変換した場合には、入力端子T10と出力端子T20との間に2つのハイパスフィルタが配置された構成に対応する。そのため、フィルタ装置200Aは、フィルタ装置200と比べると、減衰量はやや少なくなるが、効率についてはさらに向上する。 More specifically, capacitor C20 in filter device 200 is removed, and capacitor C20A is added between inductor L20A and output terminal T20. Capacitor C30 is connected between a connection node N31 between capacitor C10A and inductor L10A and a connection node N32 between capacitor C20A and inductor L20A. That is, although not shown, when the circuit of FIG. 17 is equivalently transformed as shown in FIG. 15, it corresponds to a configuration in which two high-pass filters are arranged between the input terminal T10 and the output terminal T20. Therefore, the filter device 200A has a slightly smaller amount of attenuation than the filter device 200, but the efficiency is further improved.

そして、フィルタ装置200Aにおいても、領域AR10に示されるように、2つの共振器が接続されるインダクタL12によって環状構造が形成されているため、装置サイズの増加を抑制しつつ、共振器間の結合度を増加することができる。 Also in the filter device 200A, as shown in the area AR10, an annular structure is formed by the inductor L12 to which the two resonators are connected. degree can be increased.

実施の形態3における「共振器RC12A」は、本開示における「第7共振器」に対応する。実施の形態3における「キャパシタC20A」は、本開示における「第6キャパシタ」に対応する。実施の形態3における「接続ノードN32」は、本開示における「第4ノード」に対応する。 The "resonator RC12A" in the third embodiment corresponds to the "seventh resonator" in the present disclosure. “Capacitor C20A” in the third embodiment corresponds to the “sixth capacitor” in the present disclosure. “Connection node N32” in the third embodiment corresponds to the “fourth node” in the present disclosure.

[態様]
(第1項)フィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第1共振器および第2共振器とを備える。第1共振器および第2共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第1共振器および第2共振器の各々は、第1ノードからキャパシタを介して接地端子に接続された第1経路と、当該第1ノードからキャパシタを介さずに接地端子に接続された第2経路とを含む。第1共振器の第2経路および第2共振器の第2経路は、一部が共通化されている。フィルタ装置は、第1共振器の第1ノードと第2共振器の第1ノードとに接続された第3経路をさらに備える。
[Mode]
(Section 1) The filter device includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a first resonator, and a second resonator. The first resonator and the second resonator are arranged in the main body and transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. Each of the first resonator and the second resonator has a first path connected from a first node to a ground terminal via a capacitor, and a second path connected from the first node to a ground terminal without a capacitor. including the route. A part of the second path of the first resonator and the second path of the second resonator are shared. The filter device further includes a third path connected to the first node of the first resonator and the first node of the second resonator.

(第2項)第1項に記載のフィルタ装置において、第1共振器の第2経路、第2共振器の第2経路、および、第3経路によって環状構造が形成される。 (Section 2) In the filter device according to Item 1, an annular structure is formed by the second path of the first resonator, the second path of the second resonator, and the third path.

(第3項)第2項に記載のフィルタ装置において、本体は複数の誘電体層が積層された構成を有している。環状構造は、本体の同一の層に形成されている。 (Section 3) In the filter device according to Item 2, the main body has a structure in which a plurality of dielectric layers are laminated. The annular structure is formed in the same layer of the body.

(第4項)第3項に記載のフィルタ装置は、接地端子に接続された接地電極と、接地電極に接続された共通ビアとをさらに備える。第1共振器は、接地電極に対向して配置された第1キャパシタ電極と、第1キャパシタ電極に接続された第1ビアと、第1ビアおよび共通ビアに接続された第1平板電極とを含む。第2共振器は、接地電極に対向して配置された第2キャパシタ電極と、第2キャパシタ電極に接続された第2ビアと、第2ビアおよび共通ビアに接続された第2平板電極とを含む。フィルタ装置は、第1ビアおよび第2ビアに接続された第3平板電極をさらに備える。 (Section 4) The filter device according to Item 3 further includes a ground electrode connected to a ground terminal and a common via connected to the ground electrode. The first resonator includes a first capacitor electrode disposed facing the ground electrode, a first via connected to the first capacitor electrode, and a first plate electrode connected to the first via and the common via. include. The second resonator includes a second capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode, a second via connected to the second capacitor electrode, and a second plate electrode connected to the second via and the common via. include. The filter device further includes a third flat electrode connected to the first via and the second via.

(第5項)第4項に記載のフィルタ装置において、第1キャパシタ電極と第1ビアによって、第1共振器の第1経路が構成される。第1平板電極と共通ビアによって、第1共振器の第2経路が構成される。第2キャパシタ電極と第2ビアによって、第2共振器の第1経路が構成される。第2平板電極と共通ビアによって、第2共振器の第2経路が構成される。第3平板電極によって、第3経路が構成される。 (Section 5) In the filter device according to Item 4, the first path of the first resonator is configured by the first capacitor electrode and the first via. The first plate electrode and the common via constitute a second path of the first resonator. The second capacitor electrode and the second via constitute a first path of the second resonator. The second plate electrode and the common via constitute a second path of the second resonator. A third path is configured by the third flat electrode.

(第6項)第2項に記載のフィルタ装置において、本体は、複数の誘電体層が積層された構成を有している。環状構造は、本体の複数の層にわたって形成されている。 (Section 6) In the filter device according to Item 2, the main body has a structure in which a plurality of dielectric layers are laminated. The annular structure is formed across multiple layers of the body.

(第7項)第6項に記載のフィルタ装置は、接地端子に接続された接地電極と、接地電極と異なる誘電体層に配置された共通電極と、接地電極と共通電極とに接続された共通ビアとをさらに備える。第1共振器は、接地電極に対向して配置された第3キャパシタ電極と、第3キャパシタ電極に接続された第3ビアと、共通電極に接続された第4ビアと、第3ビアおよび第4ビアに接続された第4平板電極とを含む。第2共振器は、接地電極に対向して配置された第4キャパシタ電極と、第4キャパシタ電極に接続された第5ビアと、共通電極に接続された第6ビアと、第5ビアおよび第6ビアとに接続された第5平板電極とを含む。フィルタ装置は、第3ビアと第5ビアとを接続する第6平板電極をさらに備える。 (Section 7) The filter device according to Item 6 includes a ground electrode connected to a ground terminal, a common electrode arranged on a dielectric layer different from the ground electrode, and a ground electrode connected to the common electrode. It further includes a common via. The first resonator includes a third capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode, a third via connected to the third capacitor electrode, a fourth via connected to the common electrode, a third via and a third via connected to the common electrode. and a fourth flat plate electrode connected to four vias. The second resonator includes a fourth capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode, a fifth via connected to the fourth capacitor electrode, a sixth via connected to the common electrode, a fifth via and a fifth via connected to the common electrode. 6 vias and a fifth flat plate electrode connected to the fifth via. The filter device further includes a sixth flat electrode connecting the third via and the fifth via.

(第8項)第7項に記載のフィルタ装置において、第3キャパシタ電極と第3ビアによって、第1共振器の第1経路が構成される。第4平板電極、第3ビア、第4ビア、共通電極および共通ビアによって、第1共振器の第2経路が構成される。第4キャパシタ電極と第5ビアによって、第2共振器の第1経路が構成される。第5平板電極、第5ビア、第6ビア、共通電極および共通ビアによって、第2共振器の第2経路が構成される。第6平板電極によって、第3経路が構成される。 (Item 8) In the filter device described in Item 7, the third capacitor electrode and the third via form the first path of the first resonator. The fourth plate electrode, the third via, the fourth via, the common electrode, and the common via form the second path of the first resonator. The fourth capacitor electrode and the fifth via form the first path of the second resonator. The fifth plate electrode, the fifth via, the sixth via, the common electrode, and the common via form the second path of the second resonator. The sixth plate electrode forms the third path.

(第9項)第1項~第8項のいずれか1項に記載のフィルタ装置は、入力端子に接続され、第1共振器と電磁界結合する第3共振器と、出力端子に接続され、第2共振器と電磁界結合する第4共振器とをさらに備える。 (Clause 9) The filter device described in any one of clauses 1 to 8 further includes a third resonator connected to the input terminal and electromagnetically coupled to the first resonator, and a fourth resonator connected to the output terminal and electromagnetically coupled to the second resonator.

(第10項)他の態様に係るフィルタ装置は、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第1共振器および第2共振器とを備える。第1共振器および第2共振器は、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第1共振器は、第1ノードと接地端子との間に接続された第1キャパシタと、第1ノードに一方端が接続された第1インダクタと、第1インダクタの他方端に接続された第2インダクタと、第2インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第2共振器は、第2ノードと接地端子との間に接続された第2キャパシタと、第2ノードに一方端が接続された第3インダクタと、第3インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第4インダクタとを含む。フィルタ装置は、第1インダクタの他方端と第3インダクタの他方端との間に接続された第5インダクタをさらに備える。 (Section 10) A filter device according to another aspect includes an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a first resonator, and a second resonator. The first resonator and the second resonator transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. The first resonator includes a first capacitor connected between a first node and a ground terminal, a first inductor having one end connected to the first node, and a first inductor connected to the other end of the first inductor. 2 inductors, and a common inductor connected between the other end of the second inductor and a ground terminal. The second resonator includes a second capacitor connected between the second node and the ground terminal, a third inductor having one end connected to the second node, and a common inductor connected to the other end of the third inductor. and a fourth inductor connected therebetween. The filter device further includes a fifth inductor connected between the other end of the first inductor and the other end of the third inductor.

(第11項)第1項~第10項のいずれか1項に記載のフィルタ装置は、特定の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタである。 (Section 11) The filter device according to any one of Items 1 to 10 is a bandpass filter that passes signals in a specific frequency band.

(第12項)他の態様に係るフィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第5共振器および第6共振器とを備える。第5共振器および第6共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第5共振器は、第3ノードと入力端子との間に接続された第3キャパシタと、第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、第7インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第6共振器は、出力端子と接地端子との間に接続された第4キャパシタと、出力端子に一方端が接続された第8インダクタと、第8インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含む。フィルタ装置は、第6インダクタの他方端と第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える。 (Section 12) A filter device according to another aspect includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a fifth resonator, and a sixth resonator. The fifth resonator and the sixth resonator are arranged in the main body and transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. The fifth resonator includes a third capacitor connected between the third node and the input terminal, a sixth inductor having one end connected to the third node, and a sixth inductor connected to the other end of the sixth inductor. 7 inductor, and a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and a ground terminal. The sixth resonator includes a fourth capacitor connected between the output terminal and the ground terminal, an eighth inductor whose one end is connected to the output terminal, and a common inductor between the other end of the eighth inductor and the common inductor. and a ninth inductor connected thereto. The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.

(第13項)第12項に記載のフィルタ装置は、第5共振器および第6共振器に接続された第5キャパシタをさらに備える。 (Section 13) The filter device according to Item 12 further includes a fifth capacitor connected to the fifth resonator and the sixth resonator.

(第14項)他の態様に係るフィルタ装置は、本体と、入力端子と、出力端子と、接地端子と、第5共振器および第7共振器とを備える。第5共振器および第7共振器は、本体に配置され、互いに電磁界結合することによって入力端子から出力端子に信号を伝達する。第5共振器は、第3ノードと入力端子との間に接続された第3キャパシタと、第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、第7インダクタの他方端と接地端子との間に接続された共通インダクタとを含む。第7共振器は、第4ノードと出力端子との間に接続された第6キャパシタと、第4ノードに一方端が接続された第8インダクタと、第8インダクタの他方端と共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含む。フィルタ装置は、第6インダクタの他方端と第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える。 (Section 14) A filter device according to another aspect includes a main body, an input terminal, an output terminal, a ground terminal, a fifth resonator, and a seventh resonator. The fifth resonator and the seventh resonator are arranged in the main body and transmit signals from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other. The fifth resonator includes a third capacitor connected between the third node and the input terminal, a sixth inductor having one end connected to the third node, and a sixth inductor connected to the other end of the sixth inductor. 7 inductor, and a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and a ground terminal. The seventh resonator includes a sixth capacitor connected between the fourth node and the output terminal, an eighth inductor having one end connected to the fourth node, and the other end of the eighth inductor and a common inductor. and a ninth inductor connected therebetween. The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.

(第15項)第14項に記載のフィルタ装置は、第5共振器および第7共振器に接続された第5キャパシタをさらに備える。 (Section 15) The filter device according to Item 14 further includes a fifth capacitor connected to the fifth resonator and the seventh resonator.

(第16項)第1項~第15項のいずれか1項に記載のフィルタ装置を備えた、高周波フロントエンド回路。 (Section 16) A high frequency front end circuit comprising the filter device according to any one of Items 1 to 15.

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time should be considered to be illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims rather than the description of the embodiments described above, and it is intended that all changes within the meaning and range equivalent to the claims are included.

10 通信装置、12 アンテナ、20 高周波フロントエンド回路、22,28 バンドパスフィルタ、24 増幅器、26 減衰器、30 ミキサ、32 局部発振器、40 D/Aコンバータ、50 RF回路、100,100A~100C,100X,200,200A,200X フィルタ装置、110 本体、111 上面、112 下面、C1~C4,C10,C10A,C12,C14,C20,C20A,C23,C30,C34 キャパシタ、DM 方向性マーク、GND 接地端子、L1,L2A,L2B,L3A,L3B,L4,L5,L10,L10A~L10D,L12,L12A,L20,L20A~L20D,L23A,L23B,L30,L30C インダクタ、LY1~LY10 誘電体層、N1A~N4A,N2B,N3B,N10,N20,N31~N34 接続ノード、P23,PL10A,PL10B,PL11B,PL11A,PL20,PL20C,PL23,PL23A~PL23D,PL23X,PL30,PL30C,PL40A,PL40B,PL41A,PL41B,PL50,PL50A~PL50C 平板電極、PC1,PC2A,PC2B,PC3A,PC3B,PC4,PC14,PC23 キャパシタ電極、PG,PG1,PG2 接地電極、RC1~RC4,RC11,RC11A,RC12,RC12A 共振器、T1,T10 入力端子、T2,T20 出力端子、V10~V12,V20,V20A,V20B,V30,V30A,V40~V42,VG1~VG6,VG1A,VG1B,VG2A,VL20,VL30 ビア。 10 communication device, 12 antenna, 20 high frequency front end circuit, 22, 28 band pass filter, 24 amplifier, 26 attenuator, 30 mixer, 32 local oscillator, 40 D/A converter, 50 RF circuit, 100, 100A to 100C, 100X, 200, 200 A, 200 , L1, L2A, L2B, L3A, L3B, L4, L5, L10, L10A to L10D, L12, L12A, L20, L20A to L20D, L23A, L23B, L30, L30C Inductor, LY1 to LY10 Dielectric layer, N1A to N4A , N2B, N3B, N10, N20, N31 to N34 Connection node, P23, PL10A, PL10B, PL11B, PL11A, PL20, PL20C, PL23, PL23A to PL23D, PL23X, PL30, PL30C, PL40A, PL40B, PL41A, PL41 B, PL50 , PL50A~PL50C Flat plate electrode, PC1, PC2A, PC2B, PC3A, PC3B, PC4, PC14, PC23 Capacitor electrode, PG, PG1, PG2 Ground electrode, RC1~RC4, RC11, RC11A, RC12, RC12A Resonator, T1, T10 Input terminals, T2, T20 Output terminals, V10 to V12, V20, V20A, V20B, V30, V30A, V40 to V42, VG1 to VG6, VG1A, VG1B, VG2A, VL20, VL30 Via.

Claims (16)

フィルタ装置であって、
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合することによって前記入力端子から前記出力端子に信号を伝達する第1共振器および第2共振器とを備え、
前記第1共振器および前記第2共振器の各々は、
第1ノードからキャパシタを介して前記接地端子に接続された第1経路と、
当該第1ノードからキャパシタを介さずに前記接地端子に接続された第2経路とを含み、
前記第1共振器の第2経路および前記第2共振器の第2経路は、一部が共通化されており、
前記フィルタ装置は、前記第1共振器の第1ノードと前記第2共振器の第1ノードとに接続された第3経路をさらに備える、フィルタ装置。
A filter device,
The main body and
input terminal and
output terminal and
a ground terminal;
a first resonator and a second resonator arranged in the main body and transmitting a signal from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other;
Each of the first resonator and the second resonator is
a first path connected from a first node to the ground terminal via a capacitor;
a second path connected from the first node to the ground terminal without a capacitor;
A part of the second path of the first resonator and the second path of the second resonator are shared,
The filter device further includes a third path connected to a first node of the first resonator and a first node of the second resonator.
前記第1共振器の第2経路、前記第2共振器の第2経路、および、前記第3経路によって環状構造が形成される、請求項1に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 1, wherein the second path of the first resonator, the second path of the second resonator, and the third path form an annular structure. 前記本体は複数の誘電体層が積層された構成を有しており、
前記環状構造は、前記本体の同一の層に形成されている、請求項2に記載のフィルタ装置。
The main body has a structure in which a plurality of dielectric layers are laminated,
3. The filter device of claim 2, wherein the annular structure is formed in the same layer of the body.
前記フィルタ装置は、
前記接地端子に接続された接地電極と、
前記接地電極に接続された共通ビアとをさらに備え、
前記第1共振器は、
前記接地電極に対向して配置された第1キャパシタ電極と、
前記第1キャパシタ電極に接続された第1ビアと、
前記第1ビアおよび前記共通ビアに接続された第1平板電極とを含み、
前記第2共振器は、
前記接地電極に対向して配置された第2キャパシタ電極と、
前記第2キャパシタ電極に接続された第2ビアと、
前記第2ビアおよび前記共通ビアに接続された第2平板電極とを含み、
前記フィルタ装置は、前記第1ビアおよび前記第2ビアに接続された第3平板電極をさらに備える、請求項3に記載のフィルタ装置。
The filter device includes:
a ground electrode connected to the ground terminal;
further comprising a common via connected to the ground electrode,
The first resonator is
a first capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode;
a first via connected to the first capacitor electrode;
a first plate electrode connected to the first via and the common via;
The second resonator is
a second capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode;
a second via connected to the second capacitor electrode;
a second flat electrode connected to the second via and the common via;
The filter device according to claim 3, further comprising a third flat electrode connected to the first via and the second via.
前記第1キャパシタ電極と前記第1ビアによって、前記第1共振器の第1経路が構成され、
前記第1平板電極と前記共通ビアによって、前記第1共振器の第2経路が構成され、
前記第2キャパシタ電極と前記第2ビアによって、前記第2共振器の第1経路が構成され、
前記第2平板電極と前記共通ビアによって、前記第2共振器の第2経路が構成され、
前記第3平板電極によって、前記第3経路が構成される、請求項4に記載のフィルタ装置。
A first path of the first resonator is configured by the first capacitor electrode and the first via,
A second path of the first resonator is configured by the first plate electrode and the common via,
A first path of the second resonator is configured by the second capacitor electrode and the second via,
A second path of the second resonator is configured by the second flat electrode and the common via,
The filter device according to claim 4, wherein the third path is configured by the third flat plate electrode.
前記本体は複数の誘電体層が積層された構成を有しており、
前記環状構造は、前記本体の複数の層にわたって形成されている、請求項2に記載のフィルタ装置。
The main body has a structure in which a plurality of dielectric layers are laminated,
3. The filter device of claim 2, wherein the annular structure is formed across multiple layers of the body.
前記フィルタ装置は、
前記接地端子に接続された接地電極と、
前記接地電極と異なる誘電体層に配置された共通電極と、
前記接地電極と前記共通電極とに接続された共通ビアとをさらに備え、
前記第1共振器は、
前記接地電極に対向して配置された第3キャパシタ電極と、
前記第3キャパシタ電極に接続された第3ビアと、
前記共通電極に接続された第4ビアと、
前記第3ビアおよび前記第4ビアに接続された第4平板電極とを含み、
前記第2共振器は、
前記接地電極に対向して配置された第4キャパシタ電極と、
前記第4キャパシタ電極に接続された第5ビアと、
前記共通電極に接続された第6ビアと、
前記第5ビアおよび前記第6ビアとに接続された第5平板電極とを含み、
前記フィルタ装置は、前記第3ビアと前記第5ビアとを接続する第6平板電極をさらに備える、請求項6に記載のフィルタ装置。
The filter device includes:
a ground electrode connected to the ground terminal;
a common electrode disposed on a dielectric layer different from the ground electrode;
further comprising a common via connected to the ground electrode and the common electrode,
The first resonator is
a third capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode;
a third via connected to the third capacitor electrode;
a fourth via connected to the common electrode;
a fourth flat electrode connected to the third via and the fourth via,
The second resonator is
a fourth capacitor electrode arranged opposite to the ground electrode;
a fifth via connected to the fourth capacitor electrode;
a sixth via connected to the common electrode;
a fifth flat electrode connected to the fifth via and the sixth via,
The filter device according to claim 6, further comprising a sixth flat electrode connecting the third via and the fifth via.
前記第3キャパシタ電極と前記第3ビアによって、前記第1共振器の第1経路が構成され、
前記第4平板電極、前記第3ビア、前記第4ビア、前記共通電極および前記共通ビアによって、前記第1共振器の第2経路が構成され、
前記第4キャパシタ電極と前記第5ビアによって、前記第2共振器の第1経路が構成され、
前記第5平板電極、前記第5ビア、前記第6ビア、前記共通電極および前記共通ビアによって、前記第2共振器の第2経路が構成され、
前記第6平板電極によって、前記第3経路が構成される、請求項7に記載のフィルタ装置。
A first path of the first resonator is configured by the third capacitor electrode and the third via,
A second path of the first resonator is configured by the fourth plate electrode, the third via, the fourth via, the common electrode, and the common via,
A first path of the second resonator is configured by the fourth capacitor electrode and the fifth via,
A second path of the second resonator is configured by the fifth flat plate electrode, the fifth via, the sixth via, the common electrode, and the common via,
The filter device according to claim 7, wherein the third path is configured by the sixth flat electrode.
前記入力端子に接続され、前記第1共振器と電磁界結合する第3共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第2共振器と電磁界結合する第4共振器とをさらに備える、請求項1~8のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
a third resonator connected to the input terminal and electromagnetically coupled to the first resonator;
The filter device according to claim 1, further comprising a fourth resonator connected to the output terminal and electromagnetically coupled to the second resonator.
フィルタ装置であって、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
互いに電磁界結合することによって前記入力端子から前記出力端子に信号を伝達する第1共振器および第2共振器とを備え、
前記第1共振器は、
第1ノードと前記接地端子との間に接続された第1キャパシタと、
前記第1ノードに一方端が接続された第1インダクタと、
前記第1インダクタの他方端に接続された第2インダクタと、
前記第2インダクタの他方端と前記接地端子との間に接続された共通インダクタとを含み、
前記第2共振器は、
第2ノードと前記接地端子との間に接続された第2キャパシタと、
前記第2ノードに一方端が接続された第3インダクタと、
前記第3インダクタの他方端と前記共通インダクタとの間に接続された第4インダクタとを含み、
前記フィルタ装置は、前記第1インダクタの他方端と前記第3インダクタの他方端との間に接続された第5インダクタをさらに備える、フィルタ装置。
A filter device,
input terminal and
output terminal and
a ground terminal;
comprising a first resonator and a second resonator that transmit a signal from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other;
The first resonator is
a first capacitor connected between a first node and the ground terminal;
a first inductor having one end connected to the first node;
a second inductor connected to the other end of the first inductor;
a common inductor connected between the other end of the second inductor and the ground terminal;
The second resonator is
a second capacitor connected between a second node and the ground terminal;
a third inductor having one end connected to the second node;
a fourth inductor connected between the other end of the third inductor and the common inductor,
The filter device further includes a fifth inductor connected between the other end of the first inductor and the other end of the third inductor.
前記フィルタ装置は、特定の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタである、請求項1または請求項10に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 1 or 10, wherein the filter device is a bandpass filter that passes signals in a specific frequency band. フィルタ装置であって、
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合することによって前記入力端子から前記出力端子に信号を伝達する第5共振器および第6共振器とを備え、
前記第5共振器は、
第3ノードと前記入力端子との間に接続された第3キャパシタと、
前記第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、
前記第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、
前記第7インダクタの他方端と前記接地端子との間に接続された共通インダクタとを含み、
前記第6共振器は、
前記出力端子と前記接地端子との間に接続された第4キャパシタと、
前記出力端子に一方端が接続された第8インダクタと、
前記第8インダクタの他方端と前記共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含み、
前記フィルタ装置は、前記第6インダクタの他方端と前記第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える、フィルタ装置。
A filter device,
The main body and
input terminal and
output terminal and
a ground terminal;
a fifth resonator and a sixth resonator arranged in the main body and transmitting a signal from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other;
The fifth resonator is
a third capacitor connected between a third node and the input terminal;
a sixth inductor having one end connected to the third node;
a seventh inductor connected to the other end of the sixth inductor;
a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and the ground terminal;
The sixth resonator is
a fourth capacitor connected between the output terminal and the ground terminal;
an eighth inductor having one end connected to the output terminal;
a ninth inductor connected between the other end of the eighth inductor and the common inductor,
The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.
前記第5共振器および前記第6共振器に接続された第5キャパシタをさらに備える、請求項12に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 12, further comprising a fifth capacitor connected to the fifth resonator and the sixth resonator. フィルタ装置であって、
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合することによって前記入力端子から前記出力端子に信号を伝達する第5共振器および第7共振器とを備え、
前記第5共振器は、
第3ノードと前記入力端子との間に接続された第3キャパシタと、
前記第3ノードに一方端が接続された第6インダクタと、
前記第6インダクタの他方端に接続された第7インダクタと、
前記第7インダクタの他方端と前記接地端子との間に接続された共通インダクタとを含み、
前記第7共振器は、
第4ノードと前記出力端子との間に接続された第6キャパシタと、
前記第4ノードに一方端が接続された第8インダクタと、
前記第8インダクタの他方端と前記共通インダクタとの間に接続された第9インダクタとを含み、
前記フィルタ装置は、前記第6インダクタの他方端と前記第8インダクタの他方端との間に接続された第10インダクタをさらに備える、フィルタ装置。
A filter device,
The main body and
input terminal and
output terminal and
a ground terminal;
a fifth resonator and a seventh resonator arranged in the main body and transmitting a signal from the input terminal to the output terminal by electromagnetically coupling each other;
The fifth resonator is
a third capacitor connected between a third node and the input terminal;
a sixth inductor having one end connected to the third node;
a seventh inductor connected to the other end of the sixth inductor;
a common inductor connected between the other end of the seventh inductor and the ground terminal,
The seventh resonator is
a sixth capacitor connected between a fourth node and the output terminal;
an eighth inductor having one end connected to the fourth node;
a ninth inductor connected between the other end of the eighth inductor and the common inductor,
The filter device further includes a tenth inductor connected between the other end of the sixth inductor and the other end of the eighth inductor.
前記第5共振器および前記第7共振器に接続された第5キャパシタをさらに備える、請求項14に記載のフィルタ装置。 The filter device according to claim 14, further comprising a fifth capacitor connected to the fifth resonator and the seventh resonator. 請求項1,10,12,14のいずれか1項に記載のフィルタ装置を備えた、高周波フロントエンド回路。 A high frequency front end circuit comprising the filter device according to any one of claims 1, 10, 12 and 14.
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