JP2024041036A - Multilayer substrate and antenna module - Google Patents

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JP2024041036A
JP2024041036A JP2023097403A JP2023097403A JP2024041036A JP 2024041036 A JP2024041036 A JP 2024041036A JP 2023097403 A JP2023097403 A JP 2023097403A JP 2023097403 A JP2023097403 A JP 2023097403A JP 2024041036 A JP2024041036 A JP 2024041036A
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axis
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radiation conductor
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健太朗 川辺
Kentaro Kawabe
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease a difference between a radiation pattern of a first high frequency signal and a radiation pattern of a second high frequency signal and to suppress inclination of the radiation direction of the first high frequency signal and a radiation direction of the second high frequency signal from a normal direction of a principal surface of a radiation conductor layer.
SOLUTION: A first wiring layer is electrically connected to a first radiation conductor layer at a first feeding point located nearest a first straight line of a first outer edge and crosses a first straight line not at right angles seen in a Z axis direction. The second wiring layer is electrically connected to a first radiation conductor layer at a second feeding point positioned nearest the second straight line of the first outer edge, and crosses the second straight line not at right angles seen from the Z axis direction.
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は、放射導体層を備える多層基板及びアンテナモジュールに関する。 The present invention relates to a multilayer substrate including a radiation conductor layer and an antenna module.

従来の多層基板に関する発明としては、特許文献1に記載のアンテナモジュールが知られている。このアンテナモジュールは、放射導体層、第1給電点及び第2給電点を備えている。第1高周波信号は、第1給電点を介して放射導体層に入力する。放射導体層は、第1高周波信号を放射する。第2高周波信号は、第2給電点を介して放射導体層に入力する。放射導体層は、第2高周波信号を放射する。そして、第1高周波信号の偏波の方向は、第2高周波信号の偏波の方向と異なる。 As an invention related to a conventional multilayer board, an antenna module described in Patent Document 1 is known. This antenna module includes a radiation conductor layer, a first feeding point, and a second feeding point. The first high frequency signal is input to the radiation conductor layer via the first feeding point. The radiation conductor layer radiates the first high frequency signal. The second high frequency signal is input to the radiation conductor layer via the second feeding point. The radiation conductor layer radiates the second high frequency signal. The direction of polarization of the first high frequency signal is different from the direction of polarization of the second high frequency signal.

特開2021-83121号公報JP2021-83121A

ところで、特許文献1に記載のアンテナモジュールの分野において、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくしたいと共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制したいという要望がある。 By the way, in the field of the antenna module described in Patent Document 1, it is desired to reduce the difference between the radiation pattern of the first high frequency signal and the radiation pattern of the second high frequency signal, and also to reduce the difference between the radiation direction of the first high frequency signal and the radiation direction of the second high frequency signal. There is a desire to suppress tilting of the radiation direction from the normal direction of the main surface of the radiation conductor layer.

そこで、本発明の目的は、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできる共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる多層基板及びアンテナモジュールを提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to reduce the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal, and to form a structure in which the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are arranged in a radiation conductor layer. An object of the present invention is to provide a multilayer substrate and an antenna module that can suppress tilting from the normal direction of the main surface of the antenna module.

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっているグランド導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を備えている。
A multilayer substrate according to one embodiment of the present invention includes:
A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
a ground provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and overlapping with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction; a conductor layer;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located closest to the first straight line, and is not perpendicular to the first straight line when viewed in the Z-axis direction. The first wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point located closest to the second straight line, and is not orthogonal to the second straight line when viewed in the Z-axis direction. The second wiring layer intersects as shown in FIG.
It is equipped with

本発明の一形態に係るアンテナモジュールは、
第1基板と、
可撓性を有する第2基板と、
を備えており、
前記第1基板は、
複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する第1積層体と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を含んでおり、
前記第2基板は、
複数の絶縁体層が前記Z軸方向に積層された構造を有する第2積層体と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第1配線層と電気的に接続される第7配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第2配線層と電気的に接続される第8配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第7配線層及び前記第8配線層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層、前記第7配線層及び前記第8配線層と重なるグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第2基板の前記Z軸方向の長さは、前記第1基板の前記Z軸方向の長さより短く、
前記第2基板は、前記第1基板より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1基板と重ならない領域を有する。
An antenna module according to one embodiment of the present invention includes:
a first substrate;
a second substrate having flexibility;
It is equipped with
The first substrate is
a first laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the first laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
is provided in the first laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and is located closest to the first straight line within the first outer edge. a first wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located at a first feeding point, and that intersects the first straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; ,
Provided in the first laminate, located on the negative side of the Z axis from the first radiation conductor layer, and located closest to the second straight line within the first outer edge. a second wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point that is connected to the second line and that intersects the second straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; and,
It contains
The second substrate is
a second laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a seventh wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the first wiring layer;
an eighth wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the second wiring layer;
The first layer is provided in the second laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the seventh wiring layer and the eighth wiring layer, and is located on the negative side of the Z-axis when viewed in the Z-axis direction. a radiation conductor layer, a ground conductor layer overlapping with the seventh wiring layer and the eighth wiring layer;
It contains
The length of the second substrate in the Z-axis direction is shorter than the length of the first substrate in the Z-axis direction,
The second substrate is located on the negative side of the Z-axis from the first substrate, and has a region that does not overlap with the first substrate when viewed in the Z-axis direction.

本発明によれば、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。 According to the present invention, it is possible to reduce the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal, and the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are the main directions of the radiation conductor layer. It is possible to suppress tilting from the normal direction of the surface.

図1は、多層基板10の分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10. 図2は、多層基板10を上から透視した図である。FIG. 2 is a diagram of the multilayer substrate 10 seen from above. 図3は、多層基板10の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10. 図4は、多層基板10,110の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the multilayer substrates 10 and 110. 図5は、多層基板110の上面図である。FIG. 5 is a top view of the multilayer substrate 110. 図6は、多層基板110の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 110. 図7は、多層基板10aの上面図である。FIG. 7 is a top view of the multilayer substrate 10a. 図8は、多層基板10bの上面図である。FIG. 8 is a top view of the multilayer substrate 10b. 図9は、多層基板10cの上面図である。FIG. 9 is a top view of the multilayer substrate 10c. 図10は、多層基板10dの上面図である。FIG. 10 is a top view of the multilayer substrate 10d. 図11は、多層基板10eの分解斜視図である。FIG. 11 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10e. 図12は、多層基板10eの上面図である。FIG. 12 is a top view of the multilayer substrate 10e. 図13は、多層基板10fの上面図である。FIG. 13 is a top view of the multilayer substrate 10f. 図14は、多層基板10gの分解斜視図である。FIG. 14 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10g. 図15は、多層基板10gの断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10g. 図16は、多層基板10hの分解斜視図である。FIG. 16 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10h. 図17は、多層基板10hの断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10h. 図18は、多層基板10iの上面図である。FIG. 18 is a top view of the multilayer substrate 10i. 図19は、多層基板10jの上面図である。FIG. 19 is a top view of the multilayer substrate 10j. 図20は、多層基板10kの上面図である。FIG. 20 is a top view of the multilayer substrate 10k. 図21は、アンテナモジュール100の断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view of the antenna module 100. 図22は、多層基板210の分解斜視図である。FIG. 22 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 210. 図23は、アンテナモジュール100aの断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view of the antenna module 100a.

(実施形態)
[多層基板10の構造]
以下に、本発明の一実施形態に係る多層基板10の構造について図面を参照しながら説明する。図1は、多層基板10の分解斜視図である。図2は、多層基板10を上から透視した図である。図3は、多層基板10の断面図である。図3は、図2のA-Aにおける断面図である。
(Embodiment)
[Structure of multilayer substrate 10]
The structure of a multilayer substrate 10 according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10. FIG. 2 is a diagram of the multilayer substrate 10 seen from above. FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

以下では、積層体12の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Z軸方向と一致する。上方向は、Z軸の正方向である。下方向は、Z軸の負方向である。積層体12を上下方向に見て、積層体12の辺が延びる2方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。左右方向は、X軸方向と一致する。右方向は、X軸の正方向である。左方向は、X軸の負方向である。前後方向は、Y軸方向と一致する。前方向は、Y軸の正方向である。後方向は、Y軸の負方向である。従って、X軸、Y軸及びZ軸は、互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板10の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。 Below, the lamination direction of the laminated body 12 is defined as the up-down direction. The up-down direction coincides with the Z-axis direction. The upward direction is the positive direction of the Z axis. The downward direction is the negative direction of the Z axis. When looking at the stacked body 12 in the vertical direction, the two directions in which the sides of the stacked body 12 extend are defined as the left-right direction and the front-back direction, respectively. The left-right direction is perpendicular to the up-down direction. The front-rear direction is orthogonal to the up-down direction and the left-right direction. The left-right direction coincides with the X-axis direction. The right direction is the positive direction of the X axis. The left direction is the negative direction of the X axis. The front-back direction coincides with the Y-axis direction. The forward direction is the positive direction of the Y axis. The rear direction is the negative direction of the Y axis. Therefore, the X, Y, and Z axes are orthogonal to each other. Note that the definition of direction in this specification is an example. Therefore, the direction in which the multilayer substrate 10 is actually used does not need to match the direction in this specification. Further, the vertical direction may be reversed in each drawing. Similarly, the left and right directions may be reversed in each drawing. The front and rear directions may be reversed in each drawing.

多層基板10は、例えば、スマートフォン等の無線通信端末に用いられる。多層基板10は、図1に示すように、積層体12、第1放射導体層16、第1配線層20、第2配線層22、外部電極24,26、グランド導体層28、環状グランド導体層30及び層間接続導体v1~v8を備えている。第1放射導体層16、第1配線層20、第2配線層22、外部電極24,26、グランド導体層28、環状グランド導体層30及び層間接続導体v1~v8のそれぞれは、積層体12に設けられている。 The multilayer substrate 10 is used, for example, in a wireless communication terminal such as a smartphone. As shown in FIG. 1, the multilayer substrate 10 includes a laminate 12, a first radiation conductor layer 16, a first wiring layer 20, a second wiring layer 22, external electrodes 24, 26, a ground conductor layer 28, and an annular ground conductor layer. 30 and interlayer connection conductors v1 to v8. Each of the first radiation conductor layer 16, the first wiring layer 20, the second wiring layer 22, the external electrodes 24, 26, the ground conductor layer 28, the annular ground conductor layer 30, and the interlayer connection conductors v1 to v8 are connected to the laminate 12. It is provided.

積層体12は、板形状を有している。図1に示すように、積層体12は、上下方向に見て、長方形状を有している。積層体12は、絶縁体層14a~14e及び保護層15a,15bが上下方向(Z軸方向)に積層された構造を有している。保護層15a、絶縁体層14a~14e及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層14a~14eの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体12は、可撓性を有する。保護層15a,15bについては後述する。 The laminate 12 has a plate shape. As shown in FIG. 1, the laminate 12 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The laminate 12 has a structure in which insulator layers 14a to 14e and protective layers 15a and 15b are stacked in the vertical direction (Z-axis direction). The protective layer 15a, the insulator layers 14a to 14e, and the protective layer 15b are arranged in this order from top to bottom. The material of the insulator layers 14a to 14e is a thermoplastic resin such as polyimide or liquid crystal polymer. The laminate 12 has flexibility. The protective layers 15a and 15b will be described later.

第1放射導体層16は、第1高周波信号を放射及び/又は受信する。本実施形態では、第1放射導体層16は、絶縁体層14aの上主面に位置している。第1放射導体層16は、図1に示すように、上下方向に見て、四角形状を有している。第1放射導体層16は、図1に示すように、上下方向に見て、前後方向及び左右方向に延びる対角線を有するひし形を有している。 The first radiation conductor layer 16 radiates and/or receives a first high frequency signal. In this embodiment, the first radiation conductor layer 16 is located on the upper main surface of the insulator layer 14a. As shown in FIG. 1, the first radiation conductor layer 16 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. As shown in FIG. 1, the first radiation conductor layer 16 has a rhombus shape with diagonal lines extending in the front-rear direction and the left-right direction when viewed in the vertical direction.

具体的には、第1放射導体層16は、図2に示すように、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1、第2直線E2及び直線E101,E102(第7直線及び第8直線)を含む第1外縁EE1を有している。また、第1部分EP1は、第1外縁EE1の内の第1直線E1及び第2直線E2を除く部分である。すなわち、第1部分EP1は、直線E101,E102である。 Specifically, as shown in FIG. 2, the first radiation conductor layer 16 has a first straight line E1, a second straight line E2, and straight lines E101 and E102 (seventh straight line and It has a first outer edge EE1 including an eighth straight line). Further, the first portion EP1 is a portion of the first outer edge EE1 excluding the first straight line E1 and the second straight line E2. That is, the first portion EP1 is straight lines E101 and E102.

第1直線E1と直線E102とは互いに平行である。第2直線E2と直線E101とは互いに平行である。第2直線E2は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交している。直線E101は、上下方向(Z軸方向)に見て、直線E102と直交している。第1直線E1の右後端(X軸の正側の端)は、第2直線E2の右前端(X軸の正側の端)に接続されている。第1直線E1の左前端は、直線E101の右前端に接続されている。第2直線E2の左後端は、直線E102の右後端に接続されている。直線E101の左後端は、直線E102の左前端に接続されている。 The first straight line E1 and the straight line E102 are parallel to each other. The second straight line E2 and the straight line E101 are parallel to each other. The second straight line E2 is perpendicular to the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The straight line E101 is orthogonal to the straight line E102 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The right rear end (the end on the positive side of the X-axis) of the first straight line E1 is connected to the front right end (the end on the positive side of the X-axis) of the second straight line E2. The left front end of the first straight line E1 is connected to the right front end of the straight line E101. The left rear end of the second straight line E2 is connected to the right rear end of the straight line E102. The left rear end of the straight line E101 is connected to the left front end of the straight line E102.

第1直線E1、第2直線E2及び直線E101,E102の長さは、互いに等しい。第1直線E1、第2直線E2及び直線E101,E102の長さは、例えば、第1高周波信号の波長の1/2である。 The lengths of the first straight line E1, the second straight line E2, and the straight lines E101 and E102 are equal to each other. The lengths of the first straight line E1, the second straight line E2, and the straight lines E101 and E102 are, for example, 1/2 of the wavelength of the first high-frequency signal.

グランド導体層28は、図1及び図3に示すように、第1放射導体層16より下(Z軸の負側)に位置している。グランド導体層28は、絶縁体層14eの下主面に設けられている。グランド導体層28は、図1に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。グランド導体層28の長辺は、左右方向に延びている。グランド導体層28の短辺は、前後方向に延びている。上下方向に見て、グランド導体層28は、第1放射導体層16と重なっている。グランド導体層28は、グランド電位に接続される。 As shown in FIGS. 1 and 3, the ground conductor layer 28 is located below the first radiation conductor layer 16 (on the negative side of the Z axis). The ground conductor layer 28 is provided on the lower main surface of the insulator layer 14e. As shown in FIG. 1, the ground conductor layer 28 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The long side of the ground conductor layer 28 extends in the left-right direction. The short side of the ground conductor layer 28 extends in the front-back direction. The ground conductor layer 28 overlaps with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. Ground conductor layer 28 is connected to ground potential.

環状グランド導体層30は、図1及び図3に示すように、グランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。本実施形態では、環状グランド導体層30の上下方向の位置は、第1放射導体層16の上下方向の位置と同じである。従って、環状グランド導体層30は、絶縁体層14aの上主面に位置している。 As shown in FIGS. 1 and 3, the annular ground conductor layer 30 is located above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z-axis). In this embodiment, the vertical position of the annular ground conductor layer 30 is the same as the vertical position of the first radiation conductor layer 16. Therefore, the annular ground conductor layer 30 is located on the upper main surface of the insulator layer 14a.

また、環状グランド導体層30は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16の周囲を囲む環形状を有している。環状グランド導体層30の外縁及び内縁は、前後方向に延びる2本の辺及び左右方向に延びる2本の辺を有する長方形状を有している。環状グランド導体層30は、グランド電位に接続される。 Further, the annular ground conductor layer 30 has a ring shape surrounding the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The outer edge and inner edge of the annular ground conductor layer 30 have a rectangular shape with two sides extending in the front-rear direction and two sides extending in the left-right direction. The annular ground conductor layer 30 is connected to a ground potential.

ここで、図2に示すように、距離L1~L4を以下に説明するように定義する。距離L1(第1距離)、距離L2(第2距離)、距離L3(第3距離)及び距離L4(第4距離)は、互いに等しい。
距離L1:第1直線E1に直交する方向において、第1直線E1の中央から環状グランド導体層30までの距離
距離L2:第2直線E2に直交する方向において、第2直線E2の中央から環状グランド導体層30までの距離
距離L3:直線E101(第7直線)に直交する方向において、直線E101(第7直線)の中央から環状グランド導体層30までの距離
距離L4:直線E102(第8直線)に直交する方向において、直線E102(第8直線)の中央から環状グランド導体層30までの距離
第1配線層20は、図1に示すように、第1放射導体層16より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。本実施形態では、第1配線層20は、絶縁体層14dの上主面に位置している。第1配線層20は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第1配線層20の左端は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっている。第1配線層20の右端は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。これにより、第1配線層20は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交しないように交差している。本実施形態では、第1配線層20と第1直線E1とが形成する角度θ1は、45度である。ただし、角度θ1は、45度に限らず、0度より大きく90度より小さければよい。角度θ1は、例えば、45度±22.5度である。
Here, as shown in FIG. 2, distances L1 to L4 are defined as described below. Distance L1 (first distance), distance L2 (second distance), distance L3 (third distance), and distance L4 (fourth distance) are equal to each other.
Distance L1: Distance from the center of the first straight line E1 to the annular ground conductor layer 30 in the direction perpendicular to the first straight line E1
Distance L2: Distance from the center of the second straight line E2 to the annular ground conductor layer 30 in the direction perpendicular to the second straight line E2
Distance L3: Distance from the center of the straight line E101 (seventh straight line) to the annular ground conductor layer 30 in the direction perpendicular to the straight line E101 (seventh straight line)
Distance L4: Distance from the center of the straight line E102 (eighth straight line) to the annular ground conductor layer 30 in the direction perpendicular to the straight line E102 (eighth straight line). It is located below the radiation conductor layer 16 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). In this embodiment, the first wiring layer 20 is located on the upper main surface of the insulator layer 14d. The first wiring layer 20 has a linear shape extending in the horizontal direction when viewed in the vertical direction. The left end of the first wiring layer 20 overlaps with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. The right end of the first wiring layer 20 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. Thereby, the first wiring layer 20 intersects the first straight line E1 so as not to be orthogonal to the first line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). In this embodiment, the angle θ1 formed by the first wiring layer 20 and the first straight line E1 is 45 degrees. However, the angle θ1 is not limited to 45 degrees, but may be greater than 0 degrees and smaller than 90 degrees. The angle θ1 is, for example, 45 degrees ±22.5 degrees.

また、図2に示すように、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1を第1直線E1に直交する方向に移動させたときに、第1直線E1が通過する領域を第1領域A1と定義する。第1配線層20は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1領域A1と第1領域A1外の領域とに跨っている。第1配線層20の左端は、上下方向に見て、第1領域A1に位置している。第1配線層20の右端は、上下方向に見て、第1領域A1外に位置している。 Further, as shown in FIG. 2, the area through which the first straight line E1 passes when the first straight line E1 is moved in a direction orthogonal to the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction) is One area is defined as A1. The first wiring layer 20 straddles the first region A1 and a region outside the first region A1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The left end of the first wiring layer 20 is located in the first area A1 when viewed in the vertical direction. The right end of the first wiring layer 20 is located outside the first area A1 when viewed in the vertical direction.

第2配線層22は、第1放射導体層16より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。本実施形態では、第2配線層22は、絶縁体層14dの上主面に位置している。また、第2配線層22は、上下方向に見て、第1配線層20より後に位置している。第2配線層22は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。従って、第2配線層22は、第1配線層20と平行である。第2配線層22の左端は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっている。第2配線層22の右端は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。これにより、第2配線層22は、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2と直交しないように交差している。本実施形態では、第2配線層22と第2直線E2とが形成する角度θ2は、45度である。ただし、角度θ2は、45度に限らず、0度より大きく90度より小さければよい。角度θ2は、例えば、45度±22.5度である。 The second wiring layer 22 is located below the first radiation conductor layer 16 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). In this embodiment, the second wiring layer 22 is located on the upper main surface of the insulator layer 14d. Further, the second wiring layer 22 is located after the first wiring layer 20 when viewed in the vertical direction. The second wiring layer 22 has a linear shape extending in the horizontal direction when viewed in the vertical direction. Therefore, the second wiring layer 22 is parallel to the first wiring layer 20. The left end of the second wiring layer 22 overlaps with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. The right end of the second wiring layer 22 does not overlap with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. Thereby, the second wiring layer 22 intersects the second straight line E2 so as not to be orthogonal to the second straight line E2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). In this embodiment, the angle θ2 formed by the second wiring layer 22 and the second straight line E2 is 45 degrees. However, the angle θ2 is not limited to 45 degrees, but may be greater than 0 degrees and smaller than 90 degrees. The angle θ2 is, for example, 45 degrees ±22.5 degrees.

また、図2に示すように、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2を第2直線E2に直交する方向に移動させたときに、第2直線E2が通過する領域を第2領域A2と定義する。第2配線層22は、上下方向(Z軸方向)に見て、第2領域A2と第2領域A2外の領域とに跨っている。第2配線層22の左端は、上下方向に見て、第2領域A2に位置している。第2配線層22の右端は、上下方向に見て、第2領域A2外に位置している。 Further, as shown in FIG. 2, when the second straight line E2 is moved in a direction perpendicular to the second straight line E2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the area through which the second straight line E2 passes is the second straight line E2. Two areas are defined as A2. The second wiring layer 22 straddles the second region A2 and a region outside the second region A2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The left end of the second wiring layer 22 is located in the second area A2 when viewed in the vertical direction. The right end of the second wiring layer 22 is located outside the second area A2 when viewed in the vertical direction.

外部電極24,26は、図1に示すように、絶縁体層14eの下主面に設けられている。外部電極24,26は、グランド導体層28と接していない。従って、外部電極24,26は、グランド導体層28に設けられた開口内に位置している。 As shown in FIG. 1, the external electrodes 24 and 26 are provided on the lower main surface of the insulator layer 14e. The external electrodes 24 and 26 are not in contact with the ground conductor layer 28. Therefore, the external electrodes 24 and 26 are located within the opening provided in the ground conductor layer 28.

外部電極24は、上下方向に見て、第1配線層20の右端部と重なっている。外部電極26は、上下方向に見て、第2配線層22の右端部と重なっている。外部電極24には、第1高周波信号が入力又は出力する。外部電極26には、第2高周波信号が入力又は出力する。 The external electrode 24 overlaps the right end portion of the first wiring layer 20 when viewed in the vertical direction. The external electrode 26 overlaps the right end portion of the second wiring layer 22 when viewed in the vertical direction. A first high frequency signal is input to or output from the external electrode 24 . A second high frequency signal is input to or output from the external electrode 26 .

層間接続導体v1は、第1放射導体層16と第1配線層20とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v1は、絶縁体層14a~14cを上下方向に貫通している。層間接続導体v1の上端は、第1給電点P1において第1放射導体層16に接触している。第1給電点P1は、第1外縁EE1の中で第1直線E1の最も近くに位置している。本実施形態では、第1給電点P1は、第1直線E1の中で第1直線E1の中点の最も近くに位置している。層間接続導体v1の下端は、第1配線層20の左端部に接触している。これにより、第1配線層20は、第1給電点P1において第1放射導体層16と電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v1 electrically connects the first radiation conductor layer 16 and the first wiring layer 20. More specifically, the interlayer connection conductor v1 vertically penetrates the insulator layers 14a to 14c. The upper end of the interlayer connection conductor v1 is in contact with the first radiation conductor layer 16 at the first feeding point P1. The first feeding point P1 is located closest to the first straight line E1 within the first outer edge EE1. In this embodiment, the first feeding point P1 is located closest to the midpoint of the first straight line E1 in the first straight line E1. The lower end of the interlayer connection conductor v1 is in contact with the left end portion of the first wiring layer 20. Thereby, the first wiring layer 20 is electrically connected to the first radiation conductor layer 16 at the first feeding point P1.

層間接続導体v2は、第1放射導体層16と第2配線層22とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v2は、絶縁体層14a~14cを上下方向に貫通している。層間接続導体v2の上端は、第2給電点P2において第1放射導体層16に接触している。第2給電点P2は、第1外縁EE1の中で第2直線E2の最も近くに位置している。本実施形態では、第2給電点P2は、第2直線E2の中で第2直線E2の中点の最も近くに位置している。層間接続導体v2の下端は、第2配線層22の左端部に接触している。これにより、第2配線層22は、第2給電点P2において第1放射導体層16と電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v2 electrically connects the first radiation conductor layer 16 and the second wiring layer 22. More specifically, the interlayer connection conductor v2 vertically penetrates the insulator layers 14a to 14c. The upper end of the interlayer connection conductor v2 is in contact with the first radiation conductor layer 16 at the second feeding point P2. The second feeding point P2 is located closest to the second straight line E2 within the first outer edge EE1. In this embodiment, the second power feeding point P2 is located closest to the midpoint of the second straight line E2 in the second straight line E2. The lower end of the interlayer connection conductor v2 is in contact with the left end of the second wiring layer 22. Thereby, the second wiring layer 22 is electrically connected to the first radiation conductor layer 16 at the second feeding point P2.

層間接続導体v3は、第1配線層20と外部電極24とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v3は、絶縁体層14d,14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v3の上端は、第1配線層20の右端部に接触している。層間接続導体v3の下端は、外部電極24に接触している。 The interlayer connection conductor v3 electrically connects the first wiring layer 20 and the external electrode 24. More specifically, the interlayer connection conductor v3 vertically penetrates the insulator layers 14d and 14e. The upper end of the interlayer connection conductor v3 is in contact with the right end portion of the first wiring layer 20. The lower end of the interlayer connection conductor v3 is in contact with the external electrode 24.

層間接続導体v4は、第2配線層22と外部電極26とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v4は、絶縁体層14d,14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v4の上端は、第2配線層22の右端部に接触している。層間接続導体v4の下端は、外部電極26に接触している。 The interlayer connection conductor v4 electrically connects the second wiring layer 22 and the external electrode 26. More specifically, the interlayer connection conductor v4 vertically penetrates the insulator layers 14d and 14e. The upper end of the interlayer connection conductor v4 is in contact with the right end portion of the second wiring layer 22. The lower end of the interlayer connection conductor v4 is in contact with the external electrode 26.

層間接続導体v5~v8は、グランド導体層28と環状グランド導体層30とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v5~v8は、絶縁体層14a~14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v5~v8の上端は、環状グランド導体層30に接触している。層間接続導体v5~v8の下端は、グランド導体層28に接触している。 The interlayer connection conductors v5 to v8 electrically connect the ground conductor layer 28 and the annular ground conductor layer 30. More specifically, the interlayer connection conductors v5 to v8 vertically penetrate the insulator layers 14a to 14e. The upper ends of the interlayer connection conductors v5 to v8 are in contact with the annular ground conductor layer 30. The lower ends of the interlayer connection conductors v5 to v8 are in contact with the ground conductor layer 28.

以上のような第1放射導体層16、第1配線層20、第2配線層22、外部電極24,26、グランド導体層28及び環状グランド導体層30は、絶縁体層14a~14eの上主面及び下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。層間接続導体v1~v8は、絶縁体層14a~14eを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。 The first radiation conductor layer 16, the first wiring layer 20, the second wiring layer 22, the external electrodes 24, 26, the ground conductor layer 28, and the annular ground conductor layer 30 as described above are arranged on top of the insulator layers 14a to 14e. It is formed by patterning metal foil pasted on the surface and the lower main surface. The metal foil is, for example, copper foil. The interlayer connection conductors v1 to v8 are formed by filling conductive paste into through holes vertically penetrating the insulating layers 14a to 14e and solidifying the conductive paste by heating and pressurizing.

保護層15a,15bは、絶縁体層14a~14eの誘電率よりも高い誘電率を有している。保護層15aは、絶縁体層14aの上主面を覆っている。これにより、保護層15aは、第1放射導体層16及び環状グランド導体層30を保護している。保護層15bは、絶縁体層14eの下主面を覆っている。これにより、保護層15bは、グランド導体層28を保護している。ただし、保護層15bには、開口Hが設けられている。これにより、外部電極24,26は、開口Hを介して多層基板10から外部に露出している。 The protective layers 15a and 15b have a dielectric constant higher than that of the insulating layers 14a to 14e. The protective layer 15a covers the upper main surface of the insulator layer 14a. Thereby, the protective layer 15a protects the first radiation conductor layer 16 and the annular ground conductor layer 30. The protective layer 15b covers the lower main surface of the insulator layer 14e. Thereby, the protective layer 15b protects the ground conductor layer 28. However, an opening H is provided in the protective layer 15b. Thereby, the external electrodes 24 and 26 are exposed to the outside from the multilayer substrate 10 through the opening H.

以上のような多層基板10では、第1放射導体層16及びグランド導体層28は、第1高周波信号及び第2高周波信号を放射又は受信するパッチアンテナとして機能する。ただし、第1高周波信号の偏向方向は、第2高周波信号の偏向方向と異なる。具体的には、第1給電点P1は、第1直線E1近傍に位置している。第2給電点P2は、第2直線E2近傍に位置している。第1直線E1は、第2直線E2に直交している。そのため、第1高周波信号の偏向方向は、第2高周波信号の偏向方向に直交する。なお、第1高周波信号及び第2高周波信号の受信時の偏向方向も第1高周波信号及び第2高周波信号の送信の偏向方向と同様である。 In the multilayer substrate 10 as described above, the first radiation conductor layer 16 and the ground conductor layer 28 function as a patch antenna that radiates or receives the first high frequency signal and the second high frequency signal. However, the deflection direction of the first high frequency signal is different from the deflection direction of the second high frequency signal. Specifically, the first feeding point P1 is located near the first straight line E1. The second feeding point P2 is located near the second straight line E2. The first straight line E1 is orthogonal to the second straight line E2. Therefore, the deflection direction of the first high frequency signal is orthogonal to the deflection direction of the second high frequency signal. Note that the deflection directions during reception of the first high frequency signal and the second high frequency signal are also the same as the deflection directions during transmission of the first high frequency signal and the second high frequency signal.

(効果)
多層基板10によれば、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。以下に、比較例に係る多層基板110を例に挙げて説明する。図4は、多層基板10,110の断面図である。図4は、図2のB1-B1、図2のB2-B2及び図5のD-Dにおける断面図である。図5は、多層基板110の上面図である。図6は、多層基板110の断面図である。図6は、図5のC-Cにおける断面図である。
(effect)
According to the multilayer substrate 10, the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal can be reduced, and the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are aligned with each other in the radiation conductor layer. It is possible to suppress tilting from the normal direction of the main surface. A multilayer substrate 110 according to a comparative example will be described below as an example. FIG. 4 is a cross-sectional view of the multilayer substrates 10 and 110. 4 is a sectional view taken along B1-B1 in FIG. 2, B2-B2 in FIG. 2, and DD in FIG. 5. FIG. 5 is a top view of the multilayer substrate 110. FIG. 6 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 110. FIG. 6 is a sectional view taken along line CC in FIG.

図5に示す多層基板110は、第1配線層20が第1直線E1と直交している点において多層基板10と相違する。多層基板110では、第1高周波信号は、第1給電点P1を介して第1放射導体層16に供給される。これにより、第1直線E1において定在波が発生し、第1高周波信号が放射される。この際、電気力線e11が、第1直線E1からグランド導体層28へと発生する。電気力線e11は、第1直線E1に直交する方向、かつ、下方向に延びる。 The multilayer substrate 110 shown in FIG. 5 differs from the multilayer substrate 10 in that the first wiring layer 20 is perpendicular to the first straight line E1. In the multilayer substrate 110, the first high frequency signal is supplied to the first radiation conductor layer 16 via the first feeding point P1. As a result, a standing wave is generated on the first straight line E1, and the first high frequency signal is radiated. At this time, electric lines of force e11 are generated from the first straight line E1 to the ground conductor layer 28. The electric force lines e11 extend in a direction perpendicular to the first straight line E1 and downward.

同様に、第2高周波信号は、第2給電点P2を介して第1放射導体層16に供給される。これにより、第2直線E2において定在波が発生し、第2高周波信号が放射される。この際、電気力線e12が、第2直線E2からグランド導体層28へと発生する。電気力線e12は、第2直線E2に直交する方向、かつ、下方向に延びる。 Similarly, the second high frequency signal is supplied to the first radiation conductor layer 16 via the second feeding point P2. As a result, a standing wave is generated on the second straight line E2, and a second high-frequency signal is radiated. At this time, electric lines of force e12 are generated from the second straight line E2 to the ground conductor layer 28. The electric force lines e12 extend in a direction perpendicular to the second straight line E2 and downward.

ところで、第1配線層20は、第1直線E1と直交している。従って、第1配線層20は、第1直線E1と直交する方向に長く延びている。そのため、電気力線e11は、図6に示すように、第1配線層20により遮られやすい。このように、電気力線e11が第1配線層20に遮られると、第1高周波信号の放射方向が上下方向から右上方向に傾いてしまう。 By the way, the first wiring layer 20 is orthogonal to the first straight line E1. Therefore, the first wiring layer 20 extends long in the direction orthogonal to the first straight line E1. Therefore, the electric force lines e11 are likely to be blocked by the first wiring layer 20, as shown in FIG. In this way, when the electric line of force e11 is blocked by the first wiring layer 20, the radiation direction of the first high-frequency signal is tilted from the vertical direction to the upper right direction.

また、第2配線層22は、第2直線E2と直交していない。従って、第2配線層22は、第2直線E2と直交する方向に長く延びていない。そのため、電気力線e12は、図4に示すように、第2配線層22により遮られにくい。このように、電気力線e12が第2配線層22により遮られにくいと、第2高周波信号の放射方向が上下方向から傾きにくい。その結果、多層基板110では、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとに差が生じる。 Further, the second wiring layer 22 is not perpendicular to the second straight line E2. Therefore, the second wiring layer 22 does not extend long in the direction orthogonal to the second straight line E2. Therefore, the electric force lines e12 are not easily blocked by the second wiring layer 22, as shown in FIG. In this way, when the electric force lines e12 are less likely to be blocked by the second wiring layer 22, the radiation direction of the second high-frequency signal is less likely to tilt from the vertical direction. As a result, in the multilayer substrate 110, a difference occurs between the radiation pattern of the first high frequency signal and the radiation pattern of the second high frequency signal.

そこで、多層基板10では、第1配線層20は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交しないように交差している。更に、第2配線層22は、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2と直交しないように交差している。これにより、電気力線e1は、図4に示すように、第1配線層20により遮られにくい。更に、電気力線e2は、図4に示すように、第2配線層22により遮られにくい。その結果、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が第1放射導体層16の主面の法線方向(上下方向)から傾くことを抑制できる。更に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が上下方向から傾くことが抑制されるので、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差が小さくなる。なお、本明細書において高周波信号の放射方向とは、高周波信号の放射パターンの中心軸線である。 Therefore, in the multilayer substrate 10, the first wiring layer 20 intersects the first straight line E1 so as not to be orthogonal to the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Furthermore, the second wiring layer 22 intersects with the second straight line E2 so as not to be perpendicular to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Thereby, the electric force lines e1 are less likely to be blocked by the first wiring layer 20, as shown in FIG. Furthermore, the electric force lines e2 are not easily blocked by the second wiring layer 22, as shown in FIG. As a result, it is possible to suppress the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal from tilting from the normal direction (vertical direction) of the main surface of the first radiation conductor layer 16. Furthermore, since the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are prevented from tilting from the vertical direction, the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal is reduced. . Note that in this specification, the radiation direction of the high-frequency signal is the central axis of the radiation pattern of the high-frequency signal.

また、多層基板10では、上記と同じ理由により、第1高周波信号の受信方向及び第2高周波信号の受信方向が上下方向から傾くことが抑制されるので、第1高周波信号の受信パターンと第2高周波信号の受信パターンとの差が小さくなる。 Furthermore, in the multilayer substrate 10, for the same reason as above, the receiving direction of the first high frequency signal and the receiving direction of the second high frequency signal are prevented from being tilted from the vertical direction. The difference with the reception pattern of the high frequency signal becomes smaller.

多層基板10によれば、以下の理由によっても、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。より詳細には、電気力線e1は、第1領域A1に発生しやすい。電気力線e2は、第2領域A2に発生しやすい。そこで、多層基板10では、第1配線層20は、上下方向に見て、第1領域A1と第1領域A1外の領域とに跨っている。更に、第2配線層22は、上下方向に見て、第2領域A2と第2領域A2外の領域とに跨っている。これにより、第1配線層20において第1領域A1に位置する部分の長さが短くなる。第2配線層22において第2領域A2に位置する部分の長さが短くなる。これにより、電気力線e1は、第1配線層20により遮られにくい。電気力線e2は、第2配線層22により遮られにくい。その結果、多層基板10によれば、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。 According to the multilayer substrate 10, the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal can be reduced, and the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal can be reduced for the following reasons. It is possible to suppress the direction from being tilted from the normal direction of the main surface of the radiation electrode. More specifically, the electric lines of force e1 are likely to occur in the first region A1. The electric force lines e2 are likely to occur in the second region A2. Therefore, in the multilayer substrate 10, the first wiring layer 20 straddles the first region A1 and the region outside the first region A1 when viewed in the vertical direction. Further, the second wiring layer 22 straddles the second region A2 and a region outside the second region A2 when viewed in the vertical direction. As a result, the length of the portion of the first wiring layer 20 located in the first region A1 becomes shorter. The length of the portion of the second wiring layer 22 located in the second region A2 becomes shorter. Thereby, the electric force lines e1 are less likely to be blocked by the first wiring layer 20. The electric force lines e2 are not easily blocked by the second wiring layer 22. As a result, according to the multilayer substrate 10, the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal can be reduced, and the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are It is possible to suppress tilting from the normal direction of the main surface of the electrode.

多層基板10によれば、距離L1、距離L2、距離L3及び距離L4は、互いに等しい。これにより、第1直線E1と環状グランド導体層30との間に発生する容量の大きさと、第2直線E2と環状グランド導体層30との間に発生する容量の大きさと、直線E101と環状グランド導体層30との間に発生する容量の大きさと、直線E102と環状グランド導体層30との間に発生する容量の大きさとが近づく。その結果、第1高周波信号の放射パターンと第2高周波信号の放射パターンとの差を小さくできると共に、第1高周波信号の放射方向及び第2高周波信号の放射方向が放射電極の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。 According to the multilayer substrate 10, the distance L1, the distance L2, the distance L3, and the distance L4 are equal to each other. As a result, the magnitude of the capacitance generated between the first straight line E1 and the annular ground conductor layer 30, the magnitude of the capacitance generated between the second straight line E2 and the annular ground conductor layer 30, and the magnitude of the capacitance generated between the straight line E101 and the annular ground conductor layer 30 are determined. The magnitude of the capacitance generated between the conductor layer 30 and the capacitance generated between the straight line E102 and the annular ground conductor layer 30 approaches. As a result, the difference between the radiation pattern of the first high-frequency signal and the radiation pattern of the second high-frequency signal can be reduced, and the radiation direction of the first high-frequency signal and the radiation direction of the second high-frequency signal are aligned with the normal to the main surface of the radiation electrode. It is possible to suppress tilting in any direction.

(第1変形例)
以下に、第1変形例に係る多層基板10aについて説明する。図7は、多層基板10aの上面図である。
(First modification)
The multilayer substrate 10a according to the first modification will be described below. FIG. 7 is a top view of the multilayer substrate 10a.

多層基板10aは、第2放射導体層216、第3配線層220及び第4配線層222を更に備えている点において多層基板10と相違する。 The multilayer substrate 10a differs from the multilayer substrate 10 in that it further includes a second radiation conductor layer 216, a third wiring layer 220, and a fourth wiring layer 222.

第2放射導体層216、第3配線層220及び第4配線層222のそれぞれは、第1放射導体層16、第1配線層20及び第2配線層22と同じ構造を有している。具体的には、第2放射導体層216は、積層体12に設けられている。第2放射導体層216は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3、第4直線E4、直線E103及び直線E104を含む第2外縁EE2を有している。第4直線E4は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3と交差している。第4直線E4は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3と直交している。また、グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、第2放射導体層216と重なっている。 The second radiation conductor layer 216, the third wiring layer 220, and the fourth wiring layer 222 each have the same structure as the first radiation conductor layer 16, the first wiring layer 20, and the second wiring layer 22. Specifically, the second radiation conductor layer 216 is provided in the stacked body 12. The second radiation conductor layer 216 has a second outer edge EE2 including a third straight line E3, a fourth straight line E4, a straight line E103, and a straight line E104 when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). The fourth straight line E4 intersects with the third straight line E3 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The fourth straight line E4 is perpendicular to the third straight line E3 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Moreover, the ground conductor layer 28 overlaps with the second radiation conductor layer 216 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第3配線層220は、積層体12に設けられている。第3配線層220は、第2放射導体層216より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第3配線層220は、第2外縁EE2の中で第3直線E3の最も近くに位置している第3給電点P3において第2放射導体層216と電気的に接続されている。第3配線層220は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3と直交しないように交差している。 The third wiring layer 220 is provided in the stacked body 12. The third wiring layer 220 is located below the second radiation conductor layer 216 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The third wiring layer 220 is electrically connected to the second radiation conductor layer 216 at a third feeding point P3 located closest to the third straight line E3 within the second outer edge EE2. The third wiring layer 220 intersects with the third straight line E3 so as not to be perpendicular to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第4配線層222は、積層体12に設けられている。第4配線層222は、第2放射導体層216より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第4配線層222は、第2外縁EE2の中で第4直線E4の最も近くに位置している第4給電点P4において第2放射導体層216と電気的に接続されている。第4配線層222は、上下方向(Z軸方向)に見て、第4直線E4と直交しないように交差している。 The fourth wiring layer 222 is provided in the stacked body 12. The fourth wiring layer 222 is located below the second radiation conductor layer 216 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The fourth wiring layer 222 is electrically connected to the second radiation conductor layer 216 at a fourth feeding point P4 located closest to the fourth straight line E4 within the second outer edge EE2. The fourth wiring layer 222 intersects the fourth straight line E4 so as not to be orthogonal to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第2放射導体層216は、第1放射導体層16の右(X軸の正側)に位置している。また、第1直線E1及び第2直線E2は、第1外縁EE1の内の第1直線E1及び第2直線E2を除く第1部分EP1より右(X軸の正側)に位置している。第3直線E3及び第4直線E4は、第2外縁EE2の内の第3直線E3及び第4直線E4を除く第2部分EP2より左(X軸の負側)に位置している。多層基板10aのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10aは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 The second radiation conductor layer 216 is located to the right of the first radiation conductor layer 16 (on the positive side of the X axis). Further, the first straight line E1 and the second straight line E2 are located to the right (on the positive side of the X-axis) of the first portion EP1 of the first outer edge EE1 excluding the first straight line E1 and the second straight line E2. The third straight line E3 and the fourth straight line E4 are located to the left (on the negative side of the X-axis) of the second portion EP2 of the second outer edge EE2 excluding the third straight line E3 and the fourth straight line E4. The other structure of the multilayer substrate 10a is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted. The multilayer substrate 10a can have the same effects as the multilayer substrate 10.

多層基板10aによれば、第1放射導体層16と第2放射導体層216とが相互に結合することが抑制されるので、第1放射導体層16及び第2放射導体層216の利得の低下が抑制される。より詳細には、第1放射導体層16では、直線E101,E102において電界の強度が高くなる。第2放射導体層216では、直線E103,E104において電界の強度が高くなる。従って、直線E101,E102は、第3配線層220及び第4配線層222と電界結合しやすい。直線E103,E104は、第1配線層20及び第2配線層22と電界結合しやすい。そこで、多層基板10aでは、第1直線E1及び第2直線E2は、第1外縁EE1の内の第1直線E1及び第2直線E2を除く第1部分EP1より右に位置している。第3直線E3及び第4直線E4は、第2外縁EE2の内の第3直線E3及び第4直線E4を除く第2部分EP2より左に位置している。これにより、直線E101,E102は、第3配線層220及び第4配線層222の遠くに位置する。直線E103,E104は、第1配線層20及び第2配線層22の遠くに位置する。よって、第1放射導体層16と第2放射導体層216とが相互に結合することが抑制されるので、第1放射導体層16及び第2放射導体層216の利得の低下が抑制される。 According to the multilayer substrate 10a, since the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 are prevented from coupling with each other, the gain of the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 is reduced. is suppressed. More specifically, in the first radiation conductor layer 16, the intensity of the electric field is high in the straight lines E101 and E102. In the second radiation conductor layer 216, the intensity of the electric field increases along the straight lines E103 and E104. Therefore, the straight lines E101 and E102 are likely to be electrically coupled to the third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222. The straight lines E103 and E104 are likely to be electrically coupled to the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22. Therefore, in the multilayer substrate 10a, the first straight line E1 and the second straight line E2 are located to the right of the first portion EP1 excluding the first straight line E1 and the second straight line E2 within the first outer edge EE1. The third straight line E3 and the fourth straight line E4 are located to the left of the second portion EP2 of the second outer edge EE2 excluding the third straight line E3 and the fourth straight line E4. Thereby, the straight lines E101 and E102 are located far from the third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222. Straight lines E103 and E104 are located far from the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22. Therefore, since the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 are prevented from coupling with each other, a decrease in the gains of the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 is suppressed.

(第2変形例)
以下に、第2変形例に係る多層基板10bについて説明する。図8は、多層基板10bの上面図である。
(Second modification)
The multilayer substrate 10b according to the second modification will be described below. FIG. 8 is a top view of the multilayer substrate 10b.

多層基板10bは、第3放射導体層316、第5配線層320及び第6配線層322を更に備えている点において多層基板10aと相違する。 The multilayer substrate 10b differs from the multilayer substrate 10a in that it further includes a third radiation conductor layer 316, a fifth wiring layer 320, and a sixth wiring layer 322.

第3放射導体層316は、積層体12に設けられている。第3放射導体層316は、上下方向(Z軸方向)に見て、第5直線E5、第6直線E6、直線E105及び直線E106を含む第3外縁EE3を有している。第6直線E6は、上下方向(Z軸方向)に見て、第5直線E5と交差している。第6直線E6は、上下方向(Z軸方向)に見て、第5直線E5と直交している。また、グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3放射導体層316と重なっている。 The third radiation conductor layer 316 is provided in the laminate 12 . The third radiation conductor layer 316 has a third outer edge EE3 that includes a fifth straight line E5, a sixth straight line E6, a straight line E105, and a straight line E106 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The sixth straight line E6 intersects with the fifth straight line E5 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The sixth straight line E6 is orthogonal to the fifth straight line E5 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Moreover, the ground conductor layer 28 overlaps with the third radiation conductor layer 316 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第5配線層320は、積層体12に設けられている。第3配線層220は、第3放射導体層316より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第5配線層320は、第3外縁EE3の中で第5直線E5の最も近くに位置している第5給電点P5において第3放射導体層316と電気的に接続されている。第5配線層320は、上下方向(Z軸方向)に見て、第5直線E5と直交しないように交差している。 The fifth wiring layer 320 is provided in the stacked body 12. The third wiring layer 220 is located below the third radiation conductor layer 316 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The fifth wiring layer 320 is electrically connected to the third radiation conductor layer 316 at a fifth feeding point P5 located closest to the fifth straight line E5 in the third outer edge EE3. The fifth wiring layer 320 intersects with the fifth straight line E5 so as not to be perpendicular to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第6配線層322は、積層体12に設けられている。第6配線層322は、第3放射導体層316より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第6配線層322は、第3外縁EE3の中で第6直線E6の最も近くに位置している第6給電点P6において第3放射導体層316と電気的に接続されている。第6配線層322は、上下方向(Z軸方向)に見て、第6直線E6と直交しないように交差している。 The sixth wiring layer 322 is provided in the stacked body 12. The sixth wiring layer 322 is located below the third radiation conductor layer 316 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The sixth wiring layer 322 is electrically connected to the third radiation conductor layer 316 at a sixth feeding point P6 located closest to the sixth straight line E6 within the third outer edge EE3. The sixth wiring layer 322 intersects with the sixth straight line E6 so as not to be orthogonal to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第3放射導体層316は、第2放射導体層216の右(X軸の正側)に位置している。また、第5直線E5及び第6直線E6は、第3外縁EE3の内の第5直線E5及び第6直線E6を除く第3部分EP3より右(X軸の正側)に位置している。多層基板10bのその他の構造は、多層基板10aと同じであるので説明を省略する。多層基板10bは、多層基板10aと同じ作用効果を奏することができる。 The third radiation conductor layer 316 is located to the right of the second radiation conductor layer 216 (on the positive side of the X axis). Further, the fifth straight line E5 and the sixth straight line E6 are located to the right (on the positive side of the X-axis) of the third portion EP3 of the third outer edge EE3 excluding the fifth straight line E5 and the sixth straight line E6. The other structure of the multilayer substrate 10b is the same as that of the multilayer substrate 10a, so a description thereof will be omitted. The multilayer substrate 10b can have the same effects as the multilayer substrate 10a.

また、多層基板10bによれば、第3配線層220及び第4配線層222と第5配線層320及び第6配線層322とが離れる。その結果、第2放射導体層216と第3放射導体層316とが結合することが抑制される。 Further, according to the multilayer substrate 10b, the third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222 are separated from the fifth wiring layer 320 and the sixth wiring layer 322. As a result, coupling between the second radiation conductor layer 216 and the third radiation conductor layer 316 is suppressed.

(第3変形例)
以下に、第3変形例に係る多層基板10cについて説明する。図9は、多層基板10cの上面図である。
(Third modification)
A multilayer substrate 10c according to a third modification will be described below. FIG. 9 is a top view of the multilayer substrate 10c.

多層基板10cは、第1放射導体層16、第2放射導体層216及び第3放射導体層316の位置において多層基板10bと相違する。より詳細には、第2放射導体層216は、第1放射導体層16の右(X軸の正側)に位置している。第3放射導体層316は、第2放射導体層216の右(X軸の正側)に位置している。第1直線E1、第3直線E3及び第5直線E5は、左右方向(X軸)と平行である。第2直線E2、第4直線E4及び第6直線E6は、左右方向(X軸方向)に見て、互いに重なり合っている。第1直線E1の右端(X軸の正側の端)は、第2直線E2の前端(Y軸の正側の端)に接続されている。第3直線E3の右端(X軸の正側の端)は、第4直線E4の前端(Y軸の正側の端)に接続されている。第5直線E5の右端(X軸の正側の端)は、第6直線E6の前端(Y軸の正側の端)に接続されている。多層基板10cのその他の構造は、多層基板10bと同じであるので説明を省略する。 The multilayer substrate 10c differs from the multilayer substrate 10b in the positions of the first radiation conductor layer 16, the second radiation conductor layer 216, and the third radiation conductor layer 316. More specifically, the second radiation conductor layer 216 is located to the right of the first radiation conductor layer 16 (on the positive side of the X axis). The third radiation conductor layer 316 is located to the right of the second radiation conductor layer 216 (on the positive side of the X axis). The first straight line E1, the third straight line E3, and the fifth straight line E5 are parallel to the left-right direction (X-axis). The second straight line E2, the fourth straight line E4, and the sixth straight line E6 overlap each other when viewed in the left-right direction (X-axis direction). The right end (end on the positive side of the X-axis) of the first straight line E1 is connected to the front end (end on the positive side of the Y-axis) of the second straight line E2. The right end (end on the positive side of the X-axis) of the third straight line E3 is connected to the front end (end on the positive side of the Y-axis) of the fourth straight line E4. The right end (end on the positive side of the X-axis) of the fifth straight line E5 is connected to the front end (end on the positive side of the Y-axis) of the sixth straight line E6. The other structure of the multilayer substrate 10c is the same as that of the multilayer substrate 10b, so a description thereof will be omitted.

多層基板10cは、第1放射導体層16と第2放射導体層216との結合度と第2放射導体層216と第3放射導体層316との結合度とを近づけることができる。より詳細には、第1放射導体層16では、直線E101,E102において電界の強度が高くなる。第2放射導体層216では、直線E103,E104において電界の強度が高くなる。第3放射導体層316では、直線E105,E106において電界の強度が高くなる。そこで、第2直線E2と直線E103とが向かい合っている。第4直線E4と直線E105とか向かい合っている。これにより、第1放射導体層16と第2放射導体層216との結合度と第2放射導体層216と第3放射導体層316との結合度とを近づけることができる。その結果、第1放射導体層16、第2放射導体層216及び第3放射導体層316の全体から放射される高周波信号が放射導体層の主面の法線方向から傾くことを抑制できる。 The multilayer substrate 10c can bring the degree of coupling between the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 closer to the degree of coupling between the second radiation conductor layer 216 and the third radiation conductor layer 316. More specifically, in the first radiation conductor layer 16, the intensity of the electric field is high in the straight lines E101 and E102. In the second radiation conductor layer 216, the intensity of the electric field increases along the straight lines E103 and E104. In the third radiation conductor layer 316, the strength of the electric field increases along the straight lines E105 and E106. Therefore, the second straight line E2 and the straight line E103 face each other. The fourth straight line E4 and the straight line E105 face each other. Thereby, the degree of coupling between the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 and the degree of coupling between the second radiation conductor layer 216 and the third radiation conductor layer 316 can be made closer to each other. As a result, it is possible to suppress the high frequency signal radiated from the entire first radiation conductor layer 16, second radiation conductor layer 216, and third radiation conductor layer 316 from being tilted from the normal direction of the main surface of the radiation conductor layer.

(第4変形例)
以下に、第4変形例に係る多層基板10dについて説明する。図10は、多層基板10dの上面図である。
(Fourth modification)
A multilayer substrate 10d according to a fourth modification will be described below. FIG. 10 is a top view of the multilayer substrate 10d.

多層基板10dは、第1放射導体層16、第2放射導体層216及び第3放射導体層316の位置において多層基板10bと相違する。より詳細には、第2放射導体層216は、第1放射導体層16の右(X軸の正側)に位置している。第3放射導体層316は、第2放射導体層216の右(X軸の正側)に位置している。 The multilayer substrate 10d differs from the multilayer substrate 10b in the positions of the first radiation conductor layer 16, the second radiation conductor layer 216, and the third radiation conductor layer 316. More specifically, the second radiation conductor layer 216 is located to the right of the first radiation conductor layer 16 (on the positive side of the X axis). The third radiation conductor layer 316 is located to the right of the second radiation conductor layer 216 (on the positive side of the X axis).

第1直線E1及び第2直線E2は、第1外縁EE1の内の第1直線E1及び第2直線E2を除く第1部分EP1より左(X軸の負側)に位置している。第3直線E3及び第4直線E4は、第2外縁EE2の内の第3直線E3及び第4直線E4を除く第2部分EP2より後(Y軸の負側)に位置している。第5直線E5及び第6直線E6は、第3外縁EE3の内の第5直線E5及び第6直線E6を除く第3部分EP3より左(X軸の負側)に位置している。多層基板10dのその他の構造は、多層基板10bと同じであるので説明を省略する。 The first straight line E1 and the second straight line E2 are located to the left (on the negative side of the X-axis) of the first portion EP1 of the first outer edge EE1 excluding the first straight line E1 and the second straight line E2. The third straight line E3 and the fourth straight line E4 are located behind the second portion EP2 of the second outer edge EE2 excluding the third straight line E3 and the fourth straight line E4 (on the negative side of the Y-axis). The fifth straight line E5 and the sixth straight line E6 are located to the left (on the negative side of the X-axis) of the third portion EP3 of the third outer edge EE3 excluding the fifth straight line E5 and the sixth straight line E6. The other structure of the multilayer substrate 10d is the same as that of the multilayer substrate 10b, so a description thereof will be omitted.

(第5変形例)
以下に、第5変形例に係る多層基板10eについて説明する。図11は、多層基板10eの分解斜視図である。図12は、多層基板10eの上面図である。
(Fifth modification)
A multilayer substrate 10e according to a fifth modification will be described below. FIG. 11 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10e. FIG. 12 is a top view of the multilayer substrate 10e.

多層基板10eは、第2放射導体層216、第3配線層220及び第4配線層222を更に備えている点において多層基板10と相違する。第2放射導体層216は、積層体12に設けられている。第2放射導体層216は、第1放射導体層16より下(Z軸の負側)に位置している。第2放射導体層216は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっている。第2放射導体層216は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3及び第4直線E4を含む第2外縁EE2を有している。 The multilayer substrate 10e differs from the multilayer substrate 10 in that it further includes a second radiation conductor layer 216, a third wiring layer 220, and a fourth wiring layer 222. The second radiation conductor layer 216 is provided in the laminate 12 . The second radiation conductor layer 216 is located below the first radiation conductor layer 16 (on the negative side of the Z axis). The second radiation conductor layer 216 overlaps with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The second radiation conductor layer 216 has a second outer edge EE2 that includes a third straight line E3 and a fourth straight line E4 when viewed in the up-down direction (Z-axis direction).

第3直線E3の右端(X軸の正側の端)は、第4直線E4の右端(X軸の正側の端)に接続されている。第3直線E3は、第1直線E1と平行である。第4直線E4は、第2直線E2と平行である。 The right end (end on the positive side of the X-axis) of the third straight line E3 is connected to the right end (end on the positive side of the X-axis) of the fourth straight line E4. The third straight line E3 is parallel to the first straight line E1. The fourth straight line E4 is parallel to the second straight line E2.

第3配線層220は、積層体12に設けられている。第3配線層220は、第2放射導体層216より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第3配線層220は、第2外縁EE2の中で第3直線E3の最も近くに位置している第3給電点P3において第2放射導体層216と電気的に接続されている。第3配線層220は、上下方向(Z軸方向)に見て、第3直線E3と直交しないように交差している。 The third wiring layer 220 is provided in the stacked body 12. The third wiring layer 220 is located below the second radiation conductor layer 216 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The third wiring layer 220 is electrically connected to the second radiation conductor layer 216 at a third feeding point P3 located closest to the third straight line E3 within the second outer edge EE2. The third wiring layer 220 intersects with the third straight line E3 so as not to be perpendicular to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

第4配線層222は、積層体12に設けられている。第4配線層222は、第2放射導体層216より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。第4配線層222は、第2外縁EE2の中で第4直線E4の最も近くに位置している第4給電点P4において第2放射導体層216と電気的に接続されている。第4配線層222は、上下方向(Z軸方向)に見て、第4直線E4と直交しないように交差している。 The fourth wiring layer 222 is provided in the stacked body 12. The fourth wiring layer 222 is located below the second radiation conductor layer 216 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). The fourth wiring layer 222 is electrically connected to the second radiation conductor layer 216 at a fourth feeding point P4 located closest to the fourth straight line E4 in the second outer edge EE2. The fourth wiring layer 222 intersects the fourth straight line E4 so as not to be orthogonal to it when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

また、第1配線層20は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1及び第3直線E3と直交しないように交差している。第2配線層22は、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2及び第4直線E4と直交しないように交差している。多層基板10eのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10eは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 Further, the first wiring layer 20 intersects the first straight line E1 and the third straight line E3 so as not to be perpendicular to each other when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The second wiring layer 22 intersects the second straight line E2 and the fourth straight line E4 so as not to be perpendicular to each other when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The other structure of the multilayer substrate 10e is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted. The multilayer substrate 10e can have the same effects as the multilayer substrate 10.

多層基板10eによれば、第1放射導体層16と第2放射導体層216とが相互に結合することが抑制されるので、第1放射導体層16及び第2放射導体層216の利得の低下が抑制される。より詳細には、第1放射導体層16では、直線E101,E102において電界の強度が高くなる。第2放射導体層216では、直線E103,E104において電界の強度が高くなる。従って、直線E101,E102は、第3配線層220及び第4配線層222と電界結合しやすい。直線E103,E104は、第1配線層20及び第2配線層22と電界結合しやすい。 According to the multilayer substrate 10e, since the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 are prevented from coupling with each other, the gains of the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 are reduced. is suppressed. More specifically, in the first radiation conductor layer 16, the intensity of the electric field is high in the straight lines E101 and E102. In the second radiation conductor layer 216, the intensity of the electric field increases along the straight lines E103 and E104. Therefore, the straight lines E101 and E102 are likely to be electrically coupled to the third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222. The straight lines E103 and E104 are likely to be electrically coupled to the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22.

そこで、多層基板10eでは、第1直線E1は、第3直線E3と平行である。第2直線E2は、第4直線E4と平行である。第1直線E1の右端は、第2直線E2の右端に接続されている。第3直線E3の右端は、第4直線E4の右側の端に接続されている。これにより、第1配線層20及び第2配線層22は、直線E103,104の近くに位置しなくなる。第3配線層220及び第4配線層222は、直線E101,102の近くに位置しなくなる。これにより、第1放射導体層16と第2放射導体層216とが相互に結合することが抑制されるので、第1放射導体層16及び第2放射導体層216の利得の低下が抑制される。 Therefore, in the multilayer substrate 10e, the first straight line E1 is parallel to the third straight line E3. The second straight line E2 is parallel to the fourth straight line E4. The right end of the first straight line E1 is connected to the right end of the second straight line E2. The right end of the third straight line E3 is connected to the right end of the fourth straight line E4. As a result, the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 are no longer located near the straight lines E103, 104. The third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222 are no longer located near the straight lines E101 and E102. This suppresses mutual coupling between the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216, thereby suppressing a decrease in the gain of the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216. .

また、第1放射導体層16が発生する電界の強度が高くなる直線E101,E102から遠ざかるように、第2放射導体層216の第1配線層20及び第2配線層22が引き出されている。これにより、第1放射導体層16と第2放射導体層216との結合が抑制され、第1放射導体層16及び第2放射導体層216の利得低下を低減できる。 Further, the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 of the second radiation conductor layer 216 are drawn out so as to move away from the straight lines E101 and E102 where the intensity of the electric field generated by the first radiation conductor layer 16 increases. Thereby, coupling between the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 is suppressed, and decrease in gain of the first radiation conductor layer 16 and the second radiation conductor layer 216 can be reduced.

(第6変形例)
以下に、第6変形例に係る多層基板10fについて説明する。図13は、多層基板10fの上面図である。
(Sixth variation)
A multilayer substrate 10f according to a sixth modification will be described below. FIG. 13 is a top view of the multilayer substrate 10f.

多層基板10fは、第2放射導体層216の配置において多層基板10cと相違する。より詳細には、第3直線E3の後端(Y軸の負側の端)は、第4直線E4の左端(X軸の負側の端)に接続されている。多層基板10fのその他の構造は、多層基板10cと同じであるので説明を省略する。 The multilayer substrate 10f differs from the multilayer substrate 10c in the arrangement of the second radiation conductor layer 216. More specifically, the rear end (end on the negative side of the Y axis) of the third straight line E3 is connected to the left end (end on the negative side of the X axis) of the fourth straight line E4. The other structure of the multilayer substrate 10f is the same as that of the multilayer substrate 10c, so the description thereof will be omitted.

(第7変形例)
以下に、第7変形例に係る多層基板10gについて説明する。図14は、多層基板10gの分解斜視図である。図15は、多層基板10gの断面図である。
(Seventh modification)
A multilayer substrate 10g according to a seventh modification will be described below. FIG. 14 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10g. FIG. 15 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10g.

多層基板10gは、リジッド部A3及び可撓部A4を有している点、及び、第1グランド導体層128及び層間接続導体v9~v12を更に備えている点において多層基板10と相違する。 The multilayer board 10g differs from the multilayer board 10 in that it has a rigid part A3 and a flexible part A4, and further includes a first ground conductor layer 128 and interlayer connection conductors v9 to v12.

リジッド部A3は、上下方向(Z軸方向)の長さが、図14及び図15に示すように、可撓部A4の上下方向(Z軸方向)の長さより長い部分である。本変形例では、リジッド部A3は、上下方向(Z軸方向)に見て、保護層15aと重なる。可撓部A4は、上下方向(Z軸方向)の長さが、リジッド部A3の上下方向(Z軸方向)の長さより短い部分である。本変形例では、可撓部A4は、リジッド部A3の右に位置している。第1配線層20は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。第2配線層22は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。グランド導体層28は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。リジッド部A3において、環状グランド導体層30とグランド導体層28との間には、グランド導体が設けられていない。外部電極24,26及び開口Hは、可撓部A4に設けられている。リジッド部A3のその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。以下に、可撓部A4の構造について、詳細に説明する。 The rigid portion A3 is a portion whose length in the vertical direction (Z-axis direction) is longer than the length in the vertical direction (Z-axis direction) of the flexible portion A4, as shown in FIGS. 14 and 15. In this modification, the rigid portion A3 overlaps the protective layer 15a when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). The length of the flexible portion A4 in the vertical direction (Z-axis direction) is shorter than the length of the rigid portion A3 in the vertical direction (Z-axis direction). In this modification, the flexible portion A4 is located to the right of the rigid portion A3. The first wiring layer 20 extends over the rigid section A3 and the flexible section A4. The second wiring layer 22 extends over the rigid section A3 and the flexible section A4. The ground conductor layer 28 extends over the rigid section A3 and the flexible section A4. In the rigid portion A3, no ground conductor is provided between the annular ground conductor layer 30 and the ground conductor layer 28. The external electrodes 24, 26 and the opening H are provided in the flexible portion A4. The rest of the structure of the rigid section A3 is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted. The structure of the flexible portion A4 will be described in detail below.

可撓部A4において、積層体12は、絶縁体層14c~14e及び保護層15b,15cが上下方向(Z軸方向)に積層された構造を有している。保護層15c、絶縁体層14c~14e及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。 In the flexible portion A4, the laminate 12 has a structure in which insulator layers 14c to 14e and protective layers 15b and 15c are stacked in the vertical direction (Z-axis direction). The protective layer 15c, the insulator layers 14c to 14e, and the protective layer 15b are arranged in this order from top to bottom.

第1グランド導体層128は、絶縁体層14cの上主面に設けられている。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、長方形状を有している。第1グランド導体層128の長辺は、左右方向に延びている。第1グランド導体層128の短辺は、前後方向に延びている。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、第1配線層20及び第2配線層22と重なっている。第1グランド導体層128は、グランド電位に接続される。 The first ground conductor layer 128 is provided on the upper main surface of the insulator layer 14c. The first ground conductor layer 128 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The long side of the first ground conductor layer 128 extends in the left-right direction. The short side of the first ground conductor layer 128 extends in the front-back direction. The first ground conductor layer 128 overlaps the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 when viewed in the vertical direction. The first ground conductor layer 128 is connected to ground potential.

層間接続導体v9~v12は、第1グランド導体層128とグランド導体層28とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v9~v12は、絶縁体層14c~14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v9~v12の上端は、第1グランド導体層128に接触している。層間接続導体v9~v12の下端は、グランド導体層28に接触している。 The interlayer connection conductors v9 to v12 electrically connect the first ground conductor layer 128 and the ground conductor layer 28. More specifically, the interlayer connection conductors v9 to v12 vertically penetrate the insulator layers 14c to 14e. The upper ends of the interlayer connection conductors v9 to v12 are in contact with the first ground conductor layer 128. The lower ends of the interlayer connection conductors v9 to v12 are in contact with the ground conductor layer 28.

第1グランド導体層128は、絶縁体層14cの上主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。層間接続導体v9~v12は、絶縁体層14c~14eを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。 The first ground conductor layer 128 is formed by patterning a metal foil attached to the upper main surface of the insulator layer 14c. The metal foil is, for example, copper foil. The interlayer connection conductors v9 to v12 are formed by filling conductive paste into through holes vertically penetrating the insulating layers 14c to 14e and solidifying the conductive paste by heating and pressurizing.

保護層15cは、絶縁体層14a~14eの誘電率よりも高い誘電率を有している。可撓部A4において、保護層15cは、絶縁体層14cの上主面を覆っている。これにより、保護層15cは、第1グランド導体層128を保護している。 The protective layer 15c has a dielectric constant higher than that of the insulating layers 14a to 14e. In the flexible portion A4, the protective layer 15c covers the upper main surface of the insulator layer 14c. Thereby, the protective layer 15c protects the first ground conductor layer 128.

外部電極24,26及び開口Hの構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。また、多層基板10gのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。 The structures of the external electrodes 24, 26 and the opening H are the same as those of the multilayer substrate 10, so their explanation will be omitted. Further, the other structure of the multilayer substrate 10g is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.

多層基板10gは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 The multilayer substrate 10g can have the same effects as the multilayer substrate 10.

(a)多層基板10gによれば、多層基板10gの曲げ加工が容易になる。より詳細には、多層基板10gは、リジッド部A3及び可撓部A4を有している。可撓部A4の上下方向(Z軸方向)の長さは、リジッド部A3の上下方向(Z軸方向)の長さより短い。従って、可撓部A4は、リジッド部A3より変形しやすい。すなわち、可撓部A4は、容易に曲げられやすい。これにより、多層基板10gを容易に曲げることができる。その結果、多層基板10gの曲げ加工が容易になる。 (a) According to the multilayer substrate 10g, bending of the multilayer substrate 10g becomes easy. More specifically, the multilayer substrate 10g has a rigid portion A3 and a flexible portion A4. The length of the flexible portion A4 in the vertical direction (Z-axis direction) is shorter than the length of the rigid portion A3 in the vertical direction (Z-axis direction). Therefore, the flexible portion A4 is more easily deformed than the rigid portion A3. That is, the flexible portion A4 is easily bent. Thereby, the multilayer substrate 10g can be easily bent. As a result, the multilayer substrate 10g can be easily bent.

(b)多層基板10gによれば、リジッド部A3の上下方向(Z軸方向)の長さを短くすることができる。より詳細には、リジッド部A3において、第1配線層20及び第2配線層22のそれぞれは、環状グランド導体層30より下、かつ、グランド導体層28より上に位置している。従って、環状グランド導体層30及びグランド導体層28により、ノイズが第1配線層20及び第2配線層22のそれぞれの内部に侵入することが抑制される。 (b) According to the multilayer substrate 10g, the length of the rigid portion A3 in the vertical direction (Z-axis direction) can be shortened. More specifically, in the rigid portion A3, each of the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 is located below the annular ground conductor layer 30 and above the ground conductor layer 28. Therefore, the annular ground conductor layer 30 and the ground conductor layer 28 suppress noise from entering the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22, respectively.

(c)多層基板10gによれば、環状グランド導体層30とグランド導体層28との間にグランド導体を設ける場合と比較して、第1放射導体層16とグランド導体との間に発生する容量を抑制することができる。 (c) According to the multilayer substrate 10g, the capacitance generated between the first radiation conductor layer 16 and the ground conductor is greater than when a ground conductor is provided between the annular ground conductor layer 30 and the ground conductor layer 28. can be suppressed.

(第8変形例)
以下に、第8変形例に係る多層基板10hについて説明する。図16は、多層基板10hの分解斜視図である。図17は、多層基板10hの断面図である。
(Eighth modification)
A multilayer substrate 10h according to an eighth modification will be described below. FIG. 16 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10h. FIG. 17 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10h.

多層基板10hは、リジッド部A3及び可撓部A4を有している点、第7配線層120、第8配線層122、第1グランド導体層128及び層間接続導体v9~v12,v15,v16を更に備えている点、層間接続導体v13を備えている点、及び、層間接続導体v14を備えている点において多層基板10と相違する。 The multilayer board 10h has a rigid part A3 and a flexible part A4, a seventh wiring layer 120, an eighth wiring layer 122, a first ground conductor layer 128, and interlayer connection conductors v9 to v12, v15, and v16. It is different from the multilayer board 10 in that it further includes an interlayer connection conductor v13, and an interlayer connection conductor v14.

リジッド部A3は、上下方向(Z軸方向)の長さが、図16及び図17に示すように、可撓部A4の上下方向(Z軸方向)の長さより長い部分である。本変形例では、リジッド部A3は、上下方向(Z軸方向)に見て、保護層15aと重なる。可撓部A4は、上下方向(Z軸方向)の長さが、リジッド部A3の上下方向(Z軸方向)の長さより短い部分である。本変形例では、可撓部A4は、リジッド部A3の右に位置している。まず、リジッド部A3の構造について、詳細に説明する。次に、可撓部A4の構造について、詳細に説明する。 The rigid part A3 is a part whose length in the vertical direction (Z-axis direction) is longer than the length in the vertical direction (Z-axis direction) of the flexible part A4, as shown in FIGS. 16 and 17. In this modification, the rigid portion A3 overlaps the protective layer 15a when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). The length of the flexible portion A4 in the vertical direction (Z-axis direction) is shorter than the length of the rigid portion A3 in the vertical direction (Z-axis direction). In this modification, the flexible portion A4 is located to the right of the rigid portion A3. First, the structure of the rigid section A3 will be explained in detail. Next, the structure of the flexible portion A4 will be explained in detail.

リジッド部A3において、積層体12は、絶縁体層14a~14f及び保護層15a,15bが上下方向(Z軸方向)に積層された構造を有している。保護層15a、絶縁体層14a~14f及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層14fの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体12は、可撓性を有する。 In the rigid portion A3, the laminate 12 has a structure in which insulator layers 14a to 14f and protective layers 15a and 15b are stacked in the vertical direction (Z-axis direction). The protective layer 15a, the insulator layers 14a to 14f, and the protective layer 15b are arranged in this order from top to bottom. The material of the insulator layer 14f is a thermoplastic resin such as polyimide or liquid crystal polymer. The laminate 12 has flexibility.

本変形例では、第1配線層20及び第2配線層22は、絶縁体層14bの上主面に位置している。層間接続導体v1,v2は、絶縁体層14aを上下方向に貫通している。グランド導体層28は、絶縁体層14fの下主面に設けられている。保護層15bは、絶縁体層14fの下主面を覆っている。これにより、保護層15bは、グランド導体層28を保護している。 In this modification, the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 are located on the upper main surface of the insulator layer 14b. The interlayer connection conductors v1 and v2 vertically penetrate the insulator layer 14a. The ground conductor layer 28 is provided on the lower main surface of the insulator layer 14f. The protective layer 15b covers the lower main surface of the insulator layer 14f. Thereby, the protective layer 15b protects the ground conductor layer 28.

第7配線層120は、積層体12に設けられている。第7配線層120は、第1配線層20より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。本変形例では、第7配線層120は、絶縁体層14eの上主面に位置している。また、第7配線層120は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第7配線層120は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。また、第7配線層120は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。 The seventh wiring layer 120 is provided in the stacked body 12. The seventh wiring layer 120 is located below the first wiring layer 20 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). In this modification, the seventh wiring layer 120 is located on the upper main surface of the insulator layer 14e. Moreover, the seventh wiring layer 120 has a linear shape extending in the left-right direction when viewed in the up-down direction. The seventh wiring layer 120 straddles the rigid section A3 and the flexible section A4. Further, the seventh wiring layer 120 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction.

第8配線層122は、積層体12に設けられている。第8配線層122は、第2配線層22より下(Z軸の負側)かつグランド導体層28より上(Z軸の正側)に位置している。本変形例では、第8配線層122は、絶縁体層14eの上主面に位置している。また、第8配線層122は、上下方向に見て、第7配線層120より後に位置している。第8配線層122は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。第8配線層122は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。また、第8配線層122は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。 The eighth wiring layer 122 is provided in the stacked body 12. The eighth wiring layer 122 is located below the second wiring layer 22 (on the negative side of the Z axis) and above the ground conductor layer 28 (on the positive side of the Z axis). In this modification, the eighth wiring layer 122 is located on the upper main surface of the insulator layer 14e. Further, the eighth wiring layer 122 is located after the seventh wiring layer 120 when viewed in the vertical direction. The eighth wiring layer 122 has a linear shape extending in the horizontal direction when viewed in the vertical direction. The eighth wiring layer 122 straddles the rigid section A3 and the flexible section A4. Furthermore, the eighth wiring layer 122 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction.

層間接続導体v13は、第1配線層20と第7配線層120とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v13は、絶縁体層14b~14dを上下方向に貫通している。層間接続導体v13の上端は、第1配線層20の右端部に接触している。層間接続導体v13の下端は、第7配線層120の左端部に接触している。これにより、第7配線層120は、第1配線層20と電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v13 electrically connects the first wiring layer 20 and the seventh wiring layer 120. More specifically, the interlayer connection conductor v13 vertically penetrates the insulator layers 14b to 14d. The upper end of the interlayer connection conductor v13 is in contact with the right end portion of the first wiring layer 20. The lower end of the interlayer connection conductor v13 is in contact with the left end of the seventh wiring layer 120. Thereby, the seventh wiring layer 120 is electrically connected to the first wiring layer 20.

層間接続導体v14は、第2配線層22と第8配線層122とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v14は、絶縁体層14b~14dを上下方向に貫通している。層間接続導体v14の上端は、第2配線層22の右端部に接触している。層間接続導体v14の下端は、第8配線層122の左端部に接触している。これにより、第8配線層122は、第2配線層22と電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v14 electrically connects the second wiring layer 22 and the eighth wiring layer 122. More specifically, the interlayer connection conductor v14 vertically penetrates the insulator layers 14b to 14d. The upper end of the interlayer connection conductor v14 is in contact with the right end portion of the second wiring layer 22. The lower end of the interlayer connection conductor v14 is in contact with the left end of the eighth wiring layer 122. Thereby, the eighth wiring layer 122 is electrically connected to the second wiring layer 22.

層間接続導体v13,v14は、絶縁体層14b~14dを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。 The interlayer connection conductors v13 and v14 are formed by filling conductive paste into through holes vertically penetrating the insulating layers 14b to 14d and solidifying the conductive paste by heating and pressurizing.

グランド導体層28は、リジッド部A3と可撓部A4とに跨っている。外部電極24,26及び開口Hは、可撓部A4に設けられている。リジッド部A3のその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。以下に、可撓部A4の構造について、詳細に説明する。 The ground conductor layer 28 extends over the rigid section A3 and the flexible section A4. The external electrodes 24, 26 and the opening H are provided in the flexible portion A4. The rest of the structure of the rigid section A3 is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted. The structure of the flexible portion A4 will be described in detail below.

可撓部A4において、積層体12は、絶縁体層14d~14f及び保護層15b,15cが上下方向(Z軸方向)に積層された構造を有している。保護層15c、絶縁体層14d~14f及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。 In the flexible portion A4, the laminate 12 has a structure in which insulator layers 14d to 14f and protective layers 15b and 15c are stacked in the vertical direction (Z-axis direction). The protective layer 15c, the insulator layers 14d to 14f, and the protective layer 15b are arranged in this order from top to bottom.

可撓部A4において、第1グランド導体層128は、絶縁体層14dの上主面に設けられている。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、第7配線層120及び第8配線層122と重なっている。第1グランド導体層128のその他の構造は、多層基板10gと同じであるので説明を省略する。 In the flexible portion A4, the first ground conductor layer 128 is provided on the upper main surface of the insulator layer 14d. The first ground conductor layer 128 overlaps with the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 when viewed in the vertical direction. The other structure of the first ground conductor layer 128 is the same as that of the multilayer substrate 10g, so a description thereof will be omitted.

可撓部A4において、層間接続導体v9~v12は、絶縁体層14d~14fを上下方向に貫通している。層間接続導体v9~v12のその他の構造は、多層基板10gと同じであるので説明を省略する。 In the flexible portion A4, the interlayer connection conductors v9 to v12 vertically penetrate the insulator layers 14d to 14f. The other structures of the interlayer connection conductors v9 to v12 are the same as those of the multilayer board 10g, so the explanation will be omitted.

層間接続導体v15は、第7配線層120と外部電極24とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v15は、絶縁体層14e,14fを上下方向に貫通している。層間接続導体v15の上端は、第7配線層120の右端部に接触している。層間接続導体v15の下端は、外部電極24に接触している。 The interlayer connection conductor v15 electrically connects the seventh wiring layer 120 and the external electrode 24. More specifically, the interlayer connection conductor v15 vertically penetrates the insulator layers 14e and 14f. The upper end of the interlayer connection conductor v15 is in contact with the right end portion of the seventh wiring layer 120. The lower end of the interlayer connection conductor v15 is in contact with the external electrode 24.

層間接続導体v16は、第8配線層122と外部電極26とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v16は、絶縁体層14e,14fを上下方向に貫通している。層間接続導体v16の上端は、第8配線層122の右端部に接触している。層間接続導体v16の下端は、外部電極26に接触している。 The interlayer connection conductor v16 electrically connects the eighth wiring layer 122 and the external electrode 26. More specifically, the interlayer connection conductor v16 vertically penetrates the insulator layers 14e and 14f. The upper end of the interlayer connection conductor v16 is in contact with the right end of the eighth wiring layer 122. The lower end of the interlayer connection conductor v16 is in contact with the external electrode 26.

層間接続導体v15,v16は、絶縁体層14e,14fを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストを加熱及び加圧により固化させることにより形成される。 The interlayer connection conductors v15 and v16 are formed by filling conductive paste into through holes vertically penetrating the insulating layers 14e and 14f, and solidifying the conductive paste by heating and pressurizing.

保護層15cは、絶縁体層14a~14eの誘電率よりも高い誘電率を有している。可撓部A4において、保護層15cは、絶縁体層14dの上主面を覆っている。これにより、保護層15cは、第1グランド導体層128を保護している。 The protective layer 15c has a dielectric constant higher than that of the insulating layers 14a to 14e. In the flexible portion A4, the protective layer 15c covers the upper main surface of the insulator layer 14d. Thereby, the protective layer 15c protects the first ground conductor layer 128.

外部電極24,26は、絶縁体層14fの下主面に設けられている。外部電極24,26のその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。 The external electrodes 24 and 26 are provided on the lower main surface of the insulator layer 14f. The other structures of the external electrodes 24 and 26 are the same as those of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.

開口Hの構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。また、多層基板10hのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。 The structure of the opening H is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted. Further, the other structure of the multilayer substrate 10h is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted.

多層基板10hは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板10hによれば、(a)~(c)の作用効果を奏することができる。 The multilayer substrate 10h can have the same effects as the multilayer substrate 10. Further, according to the multilayer substrate 10h, the effects (a) to (c) can be achieved.

(d)多層基板10hによれば、第1配線層20及び第2配線層22のそれぞれの上下方向に直交する方向の長さ(幅)を調整することにより、第1放射導体層16に近い位置で特性インピーダンスを整合させることができる。これにより、損失を低減しつつ、反射波を第1放射導体層16に供給することができるようになる。 (d) According to the multilayer board 10h, by adjusting the length (width) of each of the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 in the direction perpendicular to the vertical direction, the distance between the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 can be adjusted. The characteristic impedance can be matched depending on the position. This makes it possible to supply reflected waves to the first radiation conductor layer 16 while reducing loss.

(第9変形例)
以下に、第9変形例に係る多層基板10iについて説明する。図18は、多層基板10iの上面図である。
(9th modification)
A multilayer substrate 10i according to a ninth modification will be described below. FIG. 18 is a top view of the multilayer substrate 10i.

多層基板10iは、第1配線層20及び第2配線層22が整合部PMCを含んでいる点において多層基板10と相違する。本変形例では、第1配線層20の整合部PMCの前後方向の長さは、第1配線層20の整合部PMC以外の部分の前後方向の長さよりも長い。また、第2配線層22の整合部PMCの前後方向の長さは、第2配線層22の整合部PMC以外の部分の前後方向の長さよりも長い。整合部PMCは、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっていない。 The multilayer substrate 10i differs from the multilayer substrate 10 in that the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 include matching portions PMC. In this modification, the length of the matching portion PMC of the first wiring layer 20 in the front-back direction is longer than the length of the portion of the first wiring layer 20 other than the matching portion PMC in the front-back direction. Further, the length of the matching portion PMC of the second wiring layer 22 in the front-back direction is longer than the length of the portion of the second wiring layer 22 other than the matching portion PMC in the front-back direction. The matching portion PMC does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

多層基板10iは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板10iによれば、整合部PMCと第1放射導体層16とが結合することが抑制される。より詳細には、整合部PMCを第1放射導体層16に近い位置に設けることにより、損失を低減しつつ、反射波を第1放射導体層16に供給することができるため、整合部PMCを第1配線層20及び第2配線層22に設けることが好ましい。ここで、整合部PMCは、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっていない。従って、整合部PMCを第1放射導体層16の遠くに位置させることができる。その結果、多層基板10iによれば、整合部PMCと第1放射導体層16とが結合することが抑制される。 The multilayer substrate 10i can have the same effects as the multilayer substrate 10. Moreover, according to the multilayer substrate 10i, coupling between the matching portion PMC and the first radiation conductor layer 16 is suppressed. More specifically, by providing the matching part PMC at a position close to the first radiation conductor layer 16, reflected waves can be supplied to the first radiation conductor layer 16 while reducing loss. It is preferable to provide the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22. Here, the matching portion PMC does not overlap with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Therefore, the matching part PMC can be located far from the first radiation conductor layer 16. As a result, according to the multilayer substrate 10i, coupling between the matching portion PMC and the first radiation conductor layer 16 is suppressed.

(第10変形例)
以下に、第10変形例に係る多層基板10jについて説明する。図19は、多層基板10jの上面図である。
(10th modification)
A multilayer substrate 10j according to a tenth modification will be described below. FIG. 19 is a top view of the multilayer substrate 10j.

多層基板10jは、第1配線層20及び第2配線層22がスタブ部STを含んでいる点において多層基板10と相違する。本変形例では、スタブ部STは、グランド電位に接続されないオープンスタブである。スタブ部STは、上下方向に見て、前後方向に延びる線形状を有している。スタブ部STは、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっていない。 The multilayer substrate 10j differs from the multilayer substrate 10 in that the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 include stub portions ST. In this modification, the stub portion ST is an open stub that is not connected to the ground potential. The stub portion ST has a linear shape extending in the front-rear direction when viewed in the up-down direction. The stub portion ST does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

多層基板10jは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板10jによれば、スタブ部STと第1放射導体層16とが結合することが抑制される。より詳細には、スタブ部STを第1放射導体層16に近い位置に設けることにより、損失を低減しつつ、反射波を第1放射導体層16に供給することができるため、スタブ部STを第1配線層20及び第2配線層22に設けることが好ましい。ここで、スタブ部STは、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっていない。従って、スタブ部STを第1放射導体層16の遠くに位置させることができる。その結果、多層基板10iによれば、スタブ部STと第1放射導体層16とが結合することが抑制される。 The multilayer substrate 10j can have the same effects as the multilayer substrate 10. Furthermore, according to the multilayer substrate 10j, coupling between the stub portion ST and the first radiation conductor layer 16 is suppressed. More specifically, by providing the stub portion ST at a position close to the first radiation conductor layer 16, reflected waves can be supplied to the first radiation conductor layer 16 while reducing loss. It is preferable to provide the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22. Here, the stub portion ST does not overlap with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Therefore, the stub portion ST can be located far from the first radiation conductor layer 16. As a result, according to the multilayer substrate 10i, coupling between the stub portion ST and the first radiation conductor layer 16 is suppressed.

(第11変形例)
以下に、第11変形例に係る多層基板10kについて説明する。図20は、多層基板10kの上面図である。
(11th modification)
A multilayer substrate 10k according to an eleventh modification will be described below. FIG. 20 is a top view of the multilayer substrate 10k.

多層基板10kは、第7配線層120が、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交している点において多層基板10hと相違する。多層基板10kのその他の構造は、多層基板10hと同じであるので説明を省略する。 The multilayer substrate 10k differs from the multilayer substrate 10h in that the seventh wiring layer 120 is orthogonal to the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The rest of the structure of the multilayer substrate 10k is the same as that of the multilayer substrate 10h, so a description thereof will be omitted.

多層基板10kは、多層基板10hと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板10kによれば、第7配線層120と第1放射導体層16との間の距離は、第1配線層20と第1放射導体層16との間の距離より大きい。そのため、第1配線層20が、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交しないように交差しており、かつ、第2配線層22が、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2と直交しないように交差していれば、第7配線層120は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交してもよい。 The multilayer substrate 10k can have the same effects as the multilayer substrate 10h. Further, according to the multilayer substrate 10k, the distance between the seventh wiring layer 120 and the first radiation conductor layer 16 is greater than the distance between the first wiring layer 20 and the first radiation conductor layer 16. Therefore, the first wiring layer 20 intersects with the first straight line E1 not perpendicularly when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), and the second wiring layer 22 crosses the first straight line E1 in the vertical direction (Z-axis direction). The seventh wiring layer 120 may intersect orthogonally with the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), as long as it intersects with the second straight line E2 in a manner that is not perpendicular to the second straight line E2.

(e)多層基板10kによれば、配線レイアウトの自由度が向上する。より詳細には、第7配線層120は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1直線E1と直交してもよい。なお、第8配線層122が、上下方向(Z軸方向)に見て、第2直線E2と直交してもよい。 (e) According to the multilayer board 10k, the degree of freedom in wiring layout is improved. More specifically, the seventh wiring layer 120 may be orthogonal to the first straight line E1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Note that the eighth wiring layer 122 may be orthogonal to the second straight line E2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

(第12変形例)
以下に、第12変形例に係るアンテナモジュール100について説明する。図21は、アンテナモジュール100の断面図である。図22は、多層基板210の分解斜視図である。
(12th modification)
An antenna module 100 according to a twelfth modification will be described below. FIG. 21 is a cross-sectional view of the antenna module 100. FIG. 22 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 210.

アンテナモジュール100は、例えば、スマートフォン等の無線通信端末に用いられる。アンテナモジュール100は、多層基板10及び多層基板210を備えている。 The antenna module 100 is used, for example, in a wireless communication terminal such as a smartphone. The antenna module 100 includes a multilayer substrate 10 and a multilayer substrate 210.

多層基板210は、図21に示すように、多層基板10より下(Z軸の負側)に位置している。多層基板210は、上下方向(Z軸方向)に見て、多層基板10と重なる領域AR1、及び、上下方向(Z軸方向)に見て、多層基板10と重ならない領域AR2を有している。以下に、多層基板210の構造について、詳細に説明する。 As shown in FIG. 21, the multilayer substrate 210 is located below the multilayer substrate 10 (on the negative side of the Z axis). The multilayer substrate 210 has a region AR1 that overlaps with the multilayer substrate 10 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), and a region AR2 that does not overlap with the multilayer substrate 10 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). . The structure of the multilayer substrate 210 will be described in detail below.

多層基板210は、積層体112、第7配線層120、第8配線層122、外部電極124~127、第1グランド導体層128、第2グランド導体層129及び層間接続導体v9~v12,v15~v18を備えている。第7配線層120、第8配線層122、外部電極124~127、第1グランド導体層128、第2グランド導体層129及び層間接続導体v9~v12,v15~v18のそれぞれは、図22に示すように、積層体112に設けられている。多層基板10は、本発明の「第1基板」に対応する。多層基板210は、本発明の「第2基板」に対応する。積層体12は、本発明の「第1積層体」に対応する。積層体112は、本発明の「第2積層体」に対応する。 The multilayer substrate 210 includes a laminate 112, a seventh wiring layer 120, an eighth wiring layer 122, external electrodes 124 to 127, a first ground conductor layer 128, a second ground conductor layer 129, and interlayer connection conductors v9 to v12, v15 to Equipped with v18. The seventh wiring layer 120, the eighth wiring layer 122, the external electrodes 124 to 127, the first ground conductor layer 128, the second ground conductor layer 129, and the interlayer connection conductors v9 to v12, v15 to v18 are shown in FIG. As shown in FIG. The multilayer substrate 10 corresponds to the "first substrate" of the present invention. The multilayer substrate 210 corresponds to the "second substrate" of the present invention. The laminate 12 corresponds to the "first laminate" of the present invention. The laminate 112 corresponds to the "second laminate" of the present invention.

積層体112は、板形状を有している。積層体112は、上下方向に見て、長方形状を有している。積層体112は、絶縁体層114a~114c及び保護層115a,115bが上下方向(Z軸方向)に積層された構造を有している。積層体112の上下方向の長さは、積層体12の上下方向の長さより短い。これにより、多層基板210の上下方向(Z軸方向)の長さは、多層基板10の上下方向(Z軸方向)の長さより短い。保護層115a、絶縁体層114a~114c及び保護層115bは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層114a~114cの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。積層体112は、可撓性を有する。多層基板210は、可撓性を有する。保護層115a,115bについては後述する。 The laminate 112 has a plate shape. The laminate 112 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The laminate 112 has a structure in which insulator layers 114a to 114c and protective layers 115a and 115b are stacked in the vertical direction (Z-axis direction). The length of the stacked body 112 in the vertical direction is shorter than the length of the stacked body 12 in the vertical direction. As a result, the length of the multilayer substrate 210 in the vertical direction (Z-axis direction) is shorter than the length of the multilayer substrate 10 in the vertical direction (Z-axis direction). The protective layer 115a, the insulator layers 114a to 114c, and the protective layer 115b are arranged in this order from top to bottom. The material of the insulating layers 114a to 114c is a thermoplastic resin such as polyimide or liquid crystal polymer. The laminate 112 has flexibility. Multilayer substrate 210 has flexibility. The protective layers 115a and 115b will be described later.

第1グランド導体層128は、絶縁体層14aの上主面に設けられている。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、長方形状を有している。第1グランド導体層128の長辺は、左右方向に延びている。第1グランド導体層128の短辺は、前後方向に延びている。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、第7配線層120及び第8配線層122と重なっている。第1グランド導体層128は、グランド電位に接続される。 The first ground conductor layer 128 is provided on the upper main surface of the insulator layer 14a. The first ground conductor layer 128 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The long side of the first ground conductor layer 128 extends in the left-right direction. The short side of the first ground conductor layer 128 extends in the front-back direction. The first ground conductor layer 128 overlaps with the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 when viewed in the vertical direction. The first ground conductor layer 128 is connected to ground potential.

外部電極124,126は、絶縁体層114aの上主面に設けられている。外部電極124,126は、第1グランド導体層128と接していない。従って、外部電極124,126は、第1グランド導体層128に設けられた開口内に位置している。また、外部電極124は、上下方向に見て、第7配線層120の左端部と重なっている。また、外部電極126は、上下方向に見て、第8配線層122の左端部と重なっている。 External electrodes 124 and 126 are provided on the upper main surface of insulator layer 114a. The external electrodes 124 and 126 are not in contact with the first ground conductor layer 128. Therefore, the external electrodes 124 and 126 are located within the opening provided in the first ground conductor layer 128. Further, the external electrode 124 overlaps with the left end portion of the seventh wiring layer 120 when viewed in the vertical direction. Further, the external electrode 126 overlaps with the left end portion of the eighth wiring layer 122 when viewed in the vertical direction.

第7配線層120は、第1グランド導体層128より下かつ第2グランド導体層129より上に位置している。本変形例では、第7配線層120は、絶縁体層114bの上主面に位置している。第7配線層120は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。図21に示すように、アンテナモジュール100において、第7配線層120の左端は、上下方向に見て、第1配線層20と重なっている。アンテナモジュール100において、第7配線層120の右端は、第1配線層20と重なっていない。第7配線層120は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。また、第7配線層120と第1放射導体層16との間の距離は、第1配線層20と第1放射導体層16との間の距離より大きい。 The seventh wiring layer 120 is located below the first ground conductor layer 128 and above the second ground conductor layer 129. In this modification, the seventh wiring layer 120 is located on the upper main surface of the insulator layer 114b. The seventh wiring layer 120 has a linear shape extending in the horizontal direction when viewed in the vertical direction. As shown in FIG. 21, in the antenna module 100, the left end of the seventh wiring layer 120 overlaps with the first wiring layer 20 when viewed in the vertical direction. In the antenna module 100, the right end of the seventh wiring layer 120 does not overlap with the first wiring layer 20. The seventh wiring layer 120 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. Further, the distance between the seventh wiring layer 120 and the first radiation conductor layer 16 is greater than the distance between the first wiring layer 20 and the first radiation conductor layer 16.

第8配線層122は、図22に示すように、第1グランド導体層128より下かつ第2グランド導体層129より上に位置している。本変形例では、第8配線層122は、絶縁体層114bの上主面に位置している。また、第8配線層122は、上下方向に見て、第7配線層120より後に位置している。第8配線層122は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。図21に示すように、アンテナモジュール100において、第8配線層122の左端は、上下方向に見て、第2配線層22と重なっている。アンテナモジュール100において、第8配線層122の右端は、第2配線層22と重なっていない。第8配線層122は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。また、第8配線層122と第1放射導体層16との間の距離は、第2配線層22と第1放射導体層16との間の距離より大きい。 The eighth wiring layer 122 is located below the first ground conductor layer 128 and above the second ground conductor layer 129, as shown in FIG. In this modification, the eighth wiring layer 122 is located on the upper main surface of the insulator layer 114b. Further, the eighth wiring layer 122 is located after the seventh wiring layer 120 when viewed in the vertical direction. The eighth wiring layer 122 has a linear shape extending in the horizontal direction when viewed in the vertical direction. As shown in FIG. 21, in the antenna module 100, the left end of the eighth wiring layer 122 overlaps with the second wiring layer 22 when viewed in the vertical direction. In the antenna module 100, the right end of the eighth wiring layer 122 does not overlap with the second wiring layer 22. The eighth wiring layer 122 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. Further, the distance between the eighth wiring layer 122 and the first radiation conductor layer 16 is greater than the distance between the second wiring layer 22 and the first radiation conductor layer 16.

第2グランド導体層129は、図22に示すように、絶縁体層114cの下主面に設けられている。従って、第2グランド導体層129は、第7配線層120及び第8配線層122より下(Z軸の負側)に位置している。第2グランド導体層129は、上下方向に見て、長方形状を有している。第2グランド導体層129の長辺は、左右方向に延びている。第2グランド導体層129の短辺は、前後方向に延びている。第2グランド導体層129は、上下方向(Z軸方向)に見て、第7配線層120及び第8配線層122と重なっている。また、図21に示すように、第2グランド導体層129は、上下方向(Z軸方向)に見て、第1放射導体層16と重なっている。すなわち、第2グランド導体層129は、多層基板10と重なる領域AR1と、多層基板10と重ならない領域AR2と、に跨っている。第2グランド導体層129は、グランド電位に接続される。なお、第2グランド導体層129は、本発明の「グランド導体層」に対応する。 As shown in FIG. 22, the second ground conductor layer 129 is provided on the lower main surface of the insulator layer 114c. Therefore, the second ground conductor layer 129 is located below the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 (on the negative side of the Z axis). The second ground conductor layer 129 has a rectangular shape when viewed in the vertical direction. The long sides of the second ground conductor layer 129 extend in the left-right direction. The short side of the second ground conductor layer 129 extends in the front-back direction. The second ground conductor layer 129 overlaps with the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). Further, as shown in FIG. 21, the second ground conductor layer 129 overlaps with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). That is, the second ground conductor layer 129 straddles a region AR1 that overlaps with the multilayer substrate 10 and a region AR2 that does not overlap with the multilayer substrate 10. The second ground conductor layer 129 is connected to ground potential. Note that the second ground conductor layer 129 corresponds to the "ground conductor layer" of the present invention.

外部電極125,127は、絶縁体層114cの下主面に設けられている。外部電極125,127は、第2グランド導体層129と接していない。従って、外部電極125,127は、第2グランド導体層129に設けられた開口内に位置している。また、外部電極125は、上下方向に見て、第7配線層120の右端部と重なっている。また、外部電極127は、上下方向に見て、第8配線層122の右端部と重なっている。 External electrodes 125 and 127 are provided on the lower main surface of insulator layer 114c. External electrodes 125 and 127 are not in contact with second ground conductor layer 129. Therefore, the external electrodes 125 and 127 are located within the opening provided in the second ground conductor layer 129. Further, the external electrode 125 overlaps with the right end portion of the seventh wiring layer 120 when viewed in the vertical direction. Further, the external electrode 127 overlaps with the right end portion of the eighth wiring layer 122 when viewed in the vertical direction.

層間接続導体v9~v12は、第1グランド導体層128と第2グランド導体層129とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v9~v12は、絶縁体層114a~114cを上下方向に貫通している。層間接続導体v9~v12の上端は、第1グランド導体層128に接触している。層間接続導体v9~v12の下端は、第2グランド導体層129に接触している。 The interlayer connection conductors v9 to v12 electrically connect the first ground conductor layer 128 and the second ground conductor layer 129. More specifically, the interlayer connection conductors v9 to v12 vertically penetrate the insulator layers 114a to 114c. The upper ends of the interlayer connection conductors v9 to v12 are in contact with the first ground conductor layer 128. The lower ends of the interlayer connection conductors v9 to v12 are in contact with the second ground conductor layer 129.

層間接続導体v15は、外部電極124と第7配線層120とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v15は、絶縁体層114aを上下方向に貫通している。層間接続導体v15の上端は、外部電極124に接触している。層間接続導体v15の下端は、第7配線層120の左端部に接触している。 The interlayer connection conductor v15 electrically connects the external electrode 124 and the seventh wiring layer 120. More specifically, the interlayer connection conductor v15 vertically penetrates the insulator layer 114a. The upper end of the interlayer connection conductor v15 is in contact with the external electrode 124. The lower end of the interlayer connection conductor v15 is in contact with the left end of the seventh wiring layer 120.

層間接続導体v16は、外部電極126と第8配線層122とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v16は、絶縁体層114aを上下方向に貫通している。層間接続導体v16の上端は、外部電極126に接触している。層間接続導体v16の下端は、第8配線層122の左端部に接触している。 The interlayer connection conductor v16 electrically connects the external electrode 126 and the eighth wiring layer 122. More specifically, the interlayer connection conductor v16 vertically penetrates the insulator layer 114a. The upper end of the interlayer connection conductor v16 is in contact with the external electrode 126. The lower end of the interlayer connection conductor v16 is in contact with the left end of the eighth wiring layer 122.

層間接続導体v17は、第7配線層120と外部電極125とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v17は、絶縁体層114b,114cを上下方向に貫通している。層間接続導体v17の上端は、第7配線層120の右端部に接触している。層間接続導体v15の下端は、外部電極125に接触している。 The interlayer connection conductor v17 electrically connects the seventh wiring layer 120 and the external electrode 125. More specifically, the interlayer connection conductor v17 vertically penetrates the insulator layers 114b and 114c. The upper end of the interlayer connection conductor v17 is in contact with the right end portion of the seventh wiring layer 120. The lower end of the interlayer connection conductor v15 is in contact with the external electrode 125.

層間接続導体v18は、第8配線層122と外部電極127とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体v18は、絶縁体層114b,114cを上下方向に貫通している。層間接続導体v18の上端は、第8配線層122の右端部に接触している。層間接続導体v18の下端は、外部電極127に接触している。 The interlayer connection conductor v18 electrically connects the eighth wiring layer 122 and the external electrode 127. More specifically, the interlayer connection conductor v18 vertically penetrates the insulator layers 114b and 114c. The upper end of the interlayer connection conductor v18 is in contact with the right end of the eighth wiring layer 122. The lower end of the interlayer connection conductor v18 is in contact with the external electrode 127.

保護層115a,115bは、絶縁体層114a~114cの誘電率よりも高い誘電率を有している。保護層115aは、絶縁体層114aの上主面を覆っている。これにより、保護層115aは、第1グランド導体層128を保護している。ただし、保護層115bには、開口h1が設けられている。これにより、外部電極124,126は、開口h1を介して多層基板210から外部に露出している。また、保護層115bは、絶縁体層114cの下主面を覆っている。これにより、保護層115bは、第2グランド導体層129を保護している。ただし、保護層115bには、開口h2が設けられている。これにより、外部電極125,127は、開口h2を介して多層基板210から外部に露出している。 The protective layers 115a and 115b have a dielectric constant higher than that of the insulating layers 114a to 114c. The protective layer 115a covers the upper main surface of the insulator layer 114a. Thereby, the protective layer 115a protects the first ground conductor layer 128. However, the protective layer 115b is provided with an opening h1. Thereby, the external electrodes 124 and 126 are exposed to the outside from the multilayer substrate 210 via the opening h1. Furthermore, the protective layer 115b covers the lower main surface of the insulator layer 114c. Thereby, the protective layer 115b protects the second ground conductor layer 129. However, the protective layer 115b is provided with an opening h2. Thereby, the external electrodes 125 and 127 are exposed to the outside from the multilayer substrate 210 via the opening h2.

多層基板210は、多層基板10に実装される。具体的には、外部電極124は、半田Sにより外部電極24に固定される。これにより、第7配線層120は、第1配線層20と電気的に接続される。従って、外部電極125には、第1高周波信号が入力又は出力する。また、外部電極126は、半田Sにより外部電極26に固定される。これにより、第8配線層122は、第2配線層22と電気的に接続される。従って、外部電極127には、第2高周波信号が入力又は出力する。 Multilayer substrate 210 is mounted on multilayer substrate 10. Specifically, the external electrode 124 is fixed to the external electrode 24 with solder S. Thereby, the seventh wiring layer 120 is electrically connected to the first wiring layer 20. Therefore, the first high frequency signal is input to or output from the external electrode 125. Further, the external electrode 126 is fixed to the external electrode 26 by solder S. Thereby, the eighth wiring layer 122 is electrically connected to the second wiring layer 22. Therefore, the second high frequency signal is input to or output from the external electrode 127.

アンテナモジュール100は、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。また、アンテナモジュール100によれば、(d)、(e)の作用効果を奏することができる。 The antenna module 100 can have the same effects as the multilayer substrate 10. Moreover, according to the antenna module 100, the effects (d) and (e) can be achieved.

(f)アンテナモジュール100によれば、アンテナモジュール100の曲げ加工が容易になる。より詳細には、多層基板210は、上下方向(Z軸方向)に見て、多層基板10と重なる領域AR1、及び、上下方向(Z軸方向)に見て、多層基板10と重ならない領域AR2を有している。また、多層基板210の上下方向(Z軸方向)の長さは、多層基板10の上下方向(Z軸方向)の長さより短い。従って、多層基板210の領域AR2は、多層基板10より変形しやすい。すなわち、多層基板210の領域AR2は、容易に曲げられやすい。これにより、アンテナモジュール100を容易に曲げることができる。その結果、アンテナモジュール100の曲げ加工が容易になる。 (f) According to the antenna module 100, bending of the antenna module 100 is facilitated. More specifically, the multilayer substrate 210 has an area AR1 that overlaps with the multilayer substrate 10 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), and an area AR2 that does not overlap with the multilayer substrate 10 when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). have. Further, the length of the multilayer substrate 210 in the vertical direction (Z-axis direction) is shorter than the length of the multilayer substrate 10 in the vertical direction (Z-axis direction). Therefore, the region AR2 of the multilayer substrate 210 is more easily deformed than the multilayer substrate 10. That is, the region AR2 of the multilayer substrate 210 is easily bent. Thereby, the antenna module 100 can be easily bent. As a result, bending of the antenna module 100 becomes easier.

(第13変形例)
以下に、第13変形例に係るアンテナモジュール100aについて説明する。図23は、アンテナモジュール100aの断面図である。
(13th modification)
An antenna module 100a according to a thirteenth modification will be described below. FIG. 23 is a cross-sectional view of the antenna module 100a.

アンテナモジュール100aは、多層基板10l及び多層基板210aを備えている点においてアンテナモジュール100と相違する。多層基板10lは、グランド導体層28及び層間接続導体v5~v8を備えていない点において多層基板10と相違する。 The antenna module 100a differs from the antenna module 100 in that it includes a multilayer substrate 10l and a multilayer substrate 210a. The multilayer substrate 10l differs from the multilayer substrate 10 in that it does not include a ground conductor layer 28 and interlayer connection conductors v5 to v8.

多層基板210aは、図23に示すように、第1グランド導体層128が、上下方向に見て、領域AR2にのみ位置している点において多層基板210と相違する。第1グランド導体層128は、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていない。本変形例では、第1グランド導体層128は、上下方向に見て、領域AR1に位置していない。本変形例では、アンテナモジュール100aのその他の構造は、アンテナモジュール100と同じであるので説明を省略する。以上のようなアンテナモジュール100aでは、第1放射導体層16及び第2グランド導体層129は、第1高周波信号及び第2高周波信号を放射又は受信するパッチアンテナとして機能する。 The multilayer substrate 210a differs from the multilayer substrate 210 in that, as shown in FIG. 23, the first ground conductor layer 128 is located only in the region AR2 when viewed in the vertical direction. The first ground conductor layer 128 does not overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. In this modification, the first ground conductor layer 128 is not located in the region AR1 when viewed in the vertical direction. In this modification, the rest of the structure of the antenna module 100a is the same as that of the antenna module 100, so a description thereof will be omitted. In the antenna module 100a as described above, the first radiation conductor layer 16 and the second ground conductor layer 129 function as a patch antenna that radiates or receives the first high frequency signal and the second high frequency signal.

アンテナモジュール100aは、アンテナモジュール100と同じ作用効果を奏することができる。 The antenna module 100a can have the same effects as the antenna module 100.

(g)アンテナモジュール100aによれば、領域AR1の上下方向(Z軸方向)の長さを短くすることができる。より詳細には、第1放射導体層16に対向する第1グランド導体層128が存在しない。第1放射導体層16とグランド導体との間に発生する容量は、第1放射導体層16と第2グランド導体層129との間で発生する容量が支配的になる。従って、所望の容量を形成するときに、領域AR1の上下方向(Z軸方向)の長さを短くすることができる。 (g) According to the antenna module 100a, the length of the region AR1 in the vertical direction (Z-axis direction) can be shortened. More specifically, the first ground conductor layer 128 facing the first radiation conductor layer 16 does not exist. The capacitance generated between the first radiation conductor layer 16 and the ground conductor is dominated by the capacitance generated between the first radiation conductor layer 16 and the second ground conductor layer 129. Therefore, when forming a desired capacitance, the length of the region AR1 in the vertical direction (Z-axis direction) can be shortened.

(その他の実施形態)
本発明に係る多層基板は、多層基板10,10a~10kに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板10,10a~10kの構造を任意に組み合わせてもよい。
(Other embodiments)
The multilayer substrate according to the present invention is not limited to the multilayer substrates 10, 10a to 10k, and can be modified within the scope of the gist. Furthermore, the structures of the multilayer substrates 10, 10a to 10k may be combined arbitrarily.

本発明に係るアンテナモジュールは、アンテナモジュール100,100aに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、アンテナモジュール100,100aの構造を任意に組み合わせてもよい。また、アンテナモジュール100は、多層基板10a~10lを備えていてもよい。 The antenna module according to the present invention is not limited to the antenna modules 100 and 100a, and can be modified within the scope of the gist. Furthermore, the structures of the antenna modules 100 and 100a may be combined arbitrarily. Further, the antenna module 100 may include multilayer substrates 10a to 10l.

なお、環状グランド導体層30は、必須の構成要件ではない。 Note that the annular ground conductor layer 30 is not an essential component.

なお、第1配線層20と第2配線層22とは並行でなくてもよい。第3配線層220と第4配線層222とは並行でなくてもよい。第5配線層320と第6配線層322とは並行でなくてもよい。 Note that the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 do not have to be parallel. The third wiring layer 220 and the fourth wiring layer 222 do not have to be parallel. The fifth wiring layer 320 and the sixth wiring layer 322 do not have to be parallel.

なお、多層基板10aにおいて、第1直線E1及び第2直線E2は、第1外縁EE1の内の第1直線E1及び第2直線E2を除く第1部分EP1より左(X軸の負側)に位置し、かつ、第3直線E3及び第4直線E4は、第2外縁EE2の内の第3直線E3及び第4直線E4を除く第2部分EP2より右(X軸の正側)に位置していてもよい。 In addition, in the multilayer substrate 10a, the first straight line E1 and the second straight line E2 are to the left (on the negative side of the X axis) of the first portion EP1 excluding the first straight line E1 and the second straight line E2 of the first outer edge EE1. and the third straight line E3 and the fourth straight line E4 are located to the right (on the positive side of the X axis) of the second portion EP2 excluding the third straight line E3 and the fourth straight line E4 of the second outer edge EE2 You can leave it there.

第2直線E2は、上下方向に見て、第1直線E1と交差していればよく、第1直線E1と直交していなくてもよい。第4直線E4は、上下方向に見て、第3直線E3と交差していればよく、第3直線E3と直交していなくてもよい。第6直線E6は、上下方向に見て、第5直線E5と交差していればよく、第5直線E5と直交していなくてもよい。 The second straight line E2 only needs to intersect with the first straight line E1 when viewed in the vertical direction, and does not need to be perpendicular to the first straight line E1. The fourth straight line E4 only needs to intersect with the third straight line E3 when viewed in the vertical direction, and does not need to be orthogonal to the third straight line E3. The sixth straight line E6 only needs to intersect with the fifth straight line E5 when viewed in the vertical direction, and does not need to be orthogonal to the fifth straight line E5.

なお、第1直線E1と第2直線E2とは、上下方向に見て、交差していなくてもよい。 Note that the first straight line E1 and the second straight line E2 do not need to intersect when viewed in the vertical direction.

なお、第1給電点P1は、第1直線E1の中で第1直線E1の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the first power feeding point P1 may be located closest to a point on the first straight line E1 other than the midpoint of the first straight line E1.

なお、第2給電点P2は、第2直線E2の中で第2直線E2の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the second power feeding point P2 may be located closest to a point on the second straight line E2 other than the midpoint of the second straight line E2.

なお、第3給電点P3は、第3直線E3の中で第3直線E3の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the third power feeding point P3 may be located closest to a point other than the midpoint of the third straight line E3 in the third straight line E3.

なお、第4給電点P4は、第4直線E4の中で第4直線E4の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the fourth power feeding point P4 may be located closest to a point other than the midpoint of the fourth straight line E4 in the fourth straight line E4.

なお、第5給電点P5は、第5直線E5の中で第5直線E5の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the fifth power feeding point P5 may be located closest to a point other than the midpoint of the fifth straight line E5 in the fifth straight line E5.

なお、第6給電点P6は、第6直線E6の中で第6直線E6の中点以外の点の最も近くに位置していてもよい。 Note that the sixth power feeding point P6 may be located closest to a point other than the midpoint of the sixth straight line E6 in the sixth straight line E6.

なお、リジッド部A3は、上下方向(Z軸方向)に見て、保護層15aと重ならなくてもよい。 Note that the rigid portion A3 does not need to overlap the protective layer 15a when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).

なお、第1グランド導体層128は、必須の構成要件ではない。 Note that the first ground conductor layer 128 is not an essential component.

なお、第7配線層120及び第8配線層122のそれぞれは、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていてもよい。ただし、第7配線層120及び第8配線層122のそれぞれと第1放射導体層16との間の距離を大きくすることにより、第7配線層120及び第8配線層122のそれぞれと第1放射導体層16とが結合することが抑制されるため、第7配線層120及び第8配線層122のそれぞれは、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていないことが好ましい。 Note that each of the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 may overlap the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction. However, by increasing the distance between each of the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 and the first radiation conductor layer 16, the distance between each of the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 and the first radiation conductor layer 16 can be increased. Since coupling with the conductor layer 16 is suppressed, it is preferable that each of the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122 do not overlap with the first radiation conductor layer 16 when viewed in the vertical direction.

なお、整合部PMCは、第7配線層120及び第8配線層122に含まれていてもよい。 Note that the matching portion PMC may be included in the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122.

なお、第1配線層20、第2配線層22、第7配線層120及び第8配線層122とは別に整合部PMCを設ける場合であっても、整合部PMCは、上下方向に見て、第1放射導体層16と重なっていなければよい。この場合、整合部PMCは、例えば、特性インピーダンスを整合させるための整合回路を構成するチップコンデンサ等の電子部品により、形成されもよい。 Note that even in the case where the matching part PMC is provided separately from the first wiring layer 20, the second wiring layer 22, the seventh wiring layer 120, and the eighth wiring layer 122, the matching part PMC, when viewed in the vertical direction, It is sufficient that it does not overlap with the first radiation conductor layer 16. In this case, the matching part PMC may be formed of, for example, an electronic component such as a chip capacitor that constitutes a matching circuit for matching characteristic impedances.

なお、スタブ部STは、第7配線層120及び第8配線層122に含まれていてもよい。また、スタブ部STは、グランド電位に接続されるショートスタブであってもよい。 Note that the stub portion ST may be included in the seventh wiring layer 120 and the eighth wiring layer 122. Further, the stub portion ST may be a short stub connected to a ground potential.

本発明は、以下の構造を備える。 The present invention includes the following structure.

(1)
複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっているグランド導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を備えている、
多層基板。
(1)
A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
a ground provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and overlapping with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction; a conductor layer;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located closest to the first straight line, and is not orthogonal to the first straight line when viewed in the Z-axis direction. The first wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point located closest to the second straight line, and is not orthogonal to the second straight line when viewed in the Z-axis direction. The second wiring layer intersects as shown in FIG.
It is equipped with
Multilayer board.

(2)
前記Z軸方向に見て、前記第1直線を前記第1直線に直交する方向に移動させたときに、前記第1直線が通過する領域を第1領域と定義し、
前記第1配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1領域と前記第1領域外の領域とに跨っており、
前記Z軸方向に見て、前記第2直線を前記第2直線に直交する方向に移動させたときに、前記第2直線が通過する領域を第2領域と定義し、
前記第2配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第2領域と前記第2領域外の領域とに跨っている、
(1)に記載の多層基板。
(2)
A region through which the first straight line passes when the first straight line is moved in a direction perpendicular to the first straight line when viewed in the Z-axis direction is defined as a first region,
The first wiring layer straddles the first region and a region outside the first region when viewed in the Z-axis direction,
A region through which the second straight line passes when the second straight line is moved in a direction perpendicular to the second straight line when viewed in the Z-axis direction is defined as a second region,
The second wiring layer straddles the second region and a region outside the second region when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to (1).

(3)
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第3直線及び第4直線を含む第2外縁を有している第2放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第3直線の最も近くに位置している第3給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第3直線と直交しないように交差している第3配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第4直線の最も近くに位置している第4給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第4直線と直交しないように交差している第4配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第2放射導体層と重なっている、
(1)又は(2)に記載の多層基板。
(3)
a second radiation conductor layer provided on the laminate and having a second outer edge including a third straight line and a fourth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a third feeding point located closest to the third straight line, and is not orthogonal to the third straight line when viewed in the Z-axis direction. The third wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a fourth feeding point located closest to the fourth straight line, and is not orthogonal to the fourth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fourth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the second radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to (1) or (2).

(4)
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の正側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記X軸の負側に位置している、
(3)に記載の多層基板。
(4)
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The first straight line and the second straight line are located on the positive side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the X-axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The multilayer substrate according to (3).

(5)
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第5直線及び第6直線を含む第3外縁を有している第3放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第3放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第3外縁の中で前記第5直線の最も近くに位置している第5給電点において前記第3放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第5直線と直交しないように交差している第5配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第3放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第3外縁の中で前記第6直線の最も近くに位置している第6給電点において前記第3放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第6直線と直交しないように交差している第6配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第3放射導体層と重なっている、
(3)又は(4)に記載の多層基板。
(5)
a third radiation conductor layer provided in the laminate and having a third outer edge including a fifth straight line and a sixth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the third radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the third outer edge; is electrically connected to the third radiation conductor layer at a fifth feeding point located closest to the fifth straight line, and is not orthogonal to the fifth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fifth wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the third radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the third outer edge; is electrically connected to the third radiation conductor layer at a sixth feeding point located closest to the sixth straight line, and is not orthogonal to the sixth straight line when viewed in the Z-axis direction. The sixth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the third radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to (3) or (4).

(6)
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の正側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記X軸の負側に位置しており、
前記第5直線及び前記第6直線は、前記第3外縁の内の前記第5直線及び前記第6直線を除く第3部分より前記X軸の正側に位置している、
(5)に記載の多層基板。
(6)
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The first straight line and the second straight line are located on the positive side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the X-axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The fifth straight line and the sixth straight line are located on the positive side of the X-axis from a third portion of the third outer edge excluding the fifth straight line and the sixth straight line,
The multilayer substrate according to (5).

(7)
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線、前記第3直線及び前記第5直線は、前記X軸と平行であり、
前記第2直線、前記第4直線及び前記第6直線は、X軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記X軸の正側の端は、前記第4直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第5直線の前記X軸の正側の端は、前記第6直線の前記Y軸の正側の端に接続されている、
(5)に記載の多層基板。
(7)
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line, the third straight line, and the fifth straight line are parallel to the X-axis,
The second straight line, the fourth straight line, and the sixth straight line overlap each other when viewed in the X-axis direction,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the Y-axis,
An end of the third straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the fourth straight line on the positive side of the Y-axis,
The end of the fifth straight line on the positive side of the X-axis is connected to the end of the sixth straight line on the positive side of the Y-axis.
The multilayer substrate according to (5).

(8)
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線、前記第4直線及び前記第5直線は、前記X軸と平行であり、
前記第2直線、前記第3直線及び前記第6直線は、X軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記Y軸の負側の端は、前記第4直線の前記X軸の負側の端に接続されており、
前記第5直線の前記X軸の正側の端は、前記第6直線の前記Y軸の正側の端に接続されている、
(5)に記載の多層基板。
(8)
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line, the fourth straight line, and the fifth straight line are parallel to the X-axis,
The second straight line, the third straight line, and the sixth straight line overlap each other when viewed in the X-axis direction,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the Y-axis,
An end of the third straight line on the negative side of the Y axis is connected to an end of the fourth straight line on the negative side of the X axis,
The end of the fifth straight line on the positive side of the X-axis is connected to the end of the sixth straight line on the positive side of the Y-axis.
The multilayer substrate according to (5).

(9)
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の負側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記Y軸の負側に位置しており、
前記第5直線及び前記第6直線は、前記第3外縁の内の前記第5直線及び前記第6直線を除く第3部分より前記X軸の負側に位置している、
(5)に記載の多層基板。
(9)
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line and the second straight line are located on the negative side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the Y axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The fifth straight line and the sixth straight line are located on the negative side of the X-axis from a third portion of the third outer edge excluding the fifth straight line and the sixth straight line,
The multilayer substrate according to (5).

(10)
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっており、かつ、前記Z軸方向に見て、第3直線及び第4直線を含む第2外縁を有している第2放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第3直線に最も近くに位置している第3給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第3直線と直交しないように交差している第3配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第4直線に最も近くに位置している第4給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第4直線と直交しないように交差している第4配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第2放射導体層と重なっており、
前記第1直線は、前記第3直線と平行であり、
前記第2直線は、前記第4直線と平行であり、
X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記X軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記X軸の正側の端は、前記第4直線の前記X軸の正側の端に接続されており、
前記第1配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1直線及び前記第3直線と直交しないように交差しており、
前記第2配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第2直線及び前記第4直線と直交しないように交差している、
(1)又は(2)に記載の多層基板。
(10)
The multilayer substrate includes:
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and overlaps with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction, and , a second radiation conductor layer having a second outer edge including a third straight line and a fourth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a third feeding point located closest to the third straight line, and is not orthogonal to the third straight line when viewed in the Z-axis direction. The third wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a fourth feeding point located closest to the fourth straight line, and is not orthogonal to the fourth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fourth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the second radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
the first straight line is parallel to the third straight line,
the second straight line is parallel to the fourth straight line,
The X-axis is perpendicular to the Z-axis,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the X-axis,
An end of the third straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the fourth straight line on the positive side of the X-axis,
The first wiring layer intersects the first straight line and the third straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction,
The second wiring layer intersects the second straight line and the fourth straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to (1) or (2).

(11)
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層の周囲を囲む環形状を有している、
(1)ないし(10)のいずれかに記載の多層基板。
(11)
The multilayer substrate comprises:
an annular ground conductor layer provided on the laminate and positioned on the positive side of the ground conductor layer along the Z axis,
In addition,
The annular ground conductor layer has a ring shape surrounding the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
A multilayer substrate according to any one of (1) to (10).

(12)
前記第1放射導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1直線、前記第2直線、第7直線及び第8直線を含んでおり、かつ、前記Z軸方向に見て、四角形状を有しており、
前記第1直線に直交する方向において、前記第1直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第1距離と定義し、
前記第2直線に直交する方向において、前記第2直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第2距離と定義し、
前記第7直線に直交する方向において、前記第7直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第3距離と定義し、
前記第8直線に直交する方向において、前記第8直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第4距離と定義し、
前記第1距離、前記第2距離、前記第3距離及び前記第4距離は、互いに等しい、
(11)に記載の多層基板。
(12)
The first radiation conductor layer includes the first straight line, the second straight line, the seventh straight line, and the eighth straight line when viewed in the Z-axis direction, and has a rectangular shape when viewed in the Z-axis direction. It has
In a direction perpendicular to the first straight line, a distance from the center of the first straight line to the annular ground conductor layer is defined as a first distance,
In a direction perpendicular to the second straight line, a distance from the center of the second straight line to the annular ground conductor layer is defined as a second distance,
In the direction perpendicular to the seventh straight line, the distance from the center of the seventh straight line to the annular ground conductor layer is defined as a third distance,
In the direction perpendicular to the eighth straight line, the distance from the center of the eighth straight line to the annular ground conductor layer is defined as a fourth distance,
the first distance, the second distance, the third distance, and the fourth distance are equal to each other;
The multilayer substrate according to (11).

(13)
前記第1配線層及び前記第2配線層は、整合部を含んでおり、
前記整合部は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
(1)ないし(12)のいずれかに記載の多層基板。
(13)
The first wiring layer and the second wiring layer include matching portions,
The matching portion does not overlap the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to any one of (1) to (12).

(14)
前記第1配線層及び前記第2配線層は、スタブ部を含んでおり、
前記スタブ部は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
(1)ないし(12)のいずれかに記載の多層基板。
(14)
The first wiring layer and the second wiring layer include a stub portion,
The stub portion does not overlap the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to any one of (1) to (12).

(15)
前記多層基板は、
リジッド部と、
可撓部と、
を有しており、
前記可撓部の前記Z軸方向の長さは、前記リジッド部の前記Z軸方向の長さより短い、
(1)ないし(14)のいずれかに記載の多層基板。
(15)
The multilayer substrate includes:
rigid part,
a flexible part;
It has
The length of the flexible part in the Z-axis direction is shorter than the length of the rigid part in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to any one of (1) to (14).

(16)
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層の周囲を囲む環形状を有しており、
前記リジッド部において、前記環状グランド導体層と前記グランド導体層との間には、グランド導体が設けられていない、
(15)に記載の多層基板。
(16)
The multilayer substrate includes:
An annular ground conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the ground conductor layer,
Furthermore, we are equipped with
The annular ground conductor layer has a ring shape surrounding the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
In the rigid portion, no ground conductor is provided between the annular ground conductor layer and the ground conductor layer.
The multilayer substrate according to (15).

(17)
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1配線層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1配線層と電気的に接続されている第7配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2配線層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2配線層と電気的に接続されている第8配線層と、
を更に備えている、
(15)又は(16)に記載の多層基板。
(17)
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first wiring layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and is electrically connected to the first wiring layer. a seventh wiring layer connected to
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the second wiring layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and is electrically connected to the second wiring layer. an eighth wiring layer connected to
Furthermore, it is equipped with
The multilayer substrate according to (15) or (16).

(18)
前記第7配線層及び前記第8配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
(17)に記載の多層基板。
(18)
The seventh wiring layer and the eighth wiring layer do not overlap with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to (17).

(19)
第1基板と、
可撓性を有する第2基板と、
を備えており、
前記第1基板は、
複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する第1積層体と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を含んでおり、
前記第2基板は、
複数の絶縁体層が前記Z軸方向に積層された構造を有する第2積層体と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第1配線層と電気的に接続される第7配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第2配線層と電気的に接続される第8配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第7配線層及び前記第8配線層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層、前記第7配線層及び前記第8配線層と重なるグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第2基板の前記Z軸方向の長さは、前記第1基板の前記Z軸方向の長さより短く、
前記第2基板は、前記第1基板より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1基板と重ならない領域を有する、
アンテナモジュール。
(19)
a first substrate;
a second substrate having flexibility;
It is equipped with
The first substrate is
a first laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the first laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
is provided in the first laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and is located closest to the first straight line within the first outer edge. a first wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located at a first feeding point, and that intersects the first straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; ,
Provided in the first laminate, located on the negative side of the Z axis from the first radiation conductor layer, and located closest to the second straight line within the first outer edge. a second wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point that is connected to the second line and that intersects the second straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; and,
It contains
The second substrate is
a second laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a seventh wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the first wiring layer;
an eighth wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the second wiring layer;
The first layer is provided in the second laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the seventh wiring layer and the eighth wiring layer, and is located on the negative side of the Z-axis when viewed in the Z-axis direction. a radiation conductor layer, a ground conductor layer overlapping with the seventh wiring layer and the eighth wiring layer;
It contains
The length of the second substrate in the Z-axis direction is shorter than the length of the first substrate in the Z-axis direction,
The second substrate is located on the negative side of the Z-axis from the first substrate, and has a region that does not overlap with the first substrate when viewed in the Z-axis direction.
antenna module.

10,10a~10j,210,210a:多層基板
12,112:積層体
14a~14f,114a~114c:絶縁体層
15a~15c,115a,115b:保護層
16:第1放射導体層
20:第1配線層
22:第2配線層
24,26,124~127:外部電極
28:グランド導体層
30:環状グランド導体層
100,100a:アンテナモジュール
120:第7配線層
122:第8配線層
128:第1グランド導体層
129:第2グランド導体層
216:第2放射導体層
220:第3配線層
222:第4配線層
316:第3放射導体層
320:第5配線層
322:第6配線層
A1:第1領域
A2:第2領域
A3:リジッド部
A4:可撓部
E1:第1直線
E2:第2直線
E3:第3直線
E4:第4直線
E5:第5直線
E6:第6直線
EE1:第1外縁
EE2:第2外縁
EE3:第3外縁
EP1:第1部分
EP2:第2部分
EP3:第3部分
H,h1,h2:開口
P1:第1給電点
P2:第2給電点
P3:第3給電点
P4:第4給電点
P5:第5給電点
P6:第6給電点
S:半田
ST:スタブ部
v1~v18:層間接続導体
10, 10a to 10j, 210, 210a: Multilayer substrates 12, 112: Laminated bodies 14a to 14f, 114a to 114c: Insulator layers 15a to 15c, 115a, 115b: Protective layer 16: First radiation conductor layer 20: First Wiring layer 22: Second wiring layer 24, 26, 124-127: External electrode 28: Ground conductor layer 30: Annular ground conductor layer 100, 100a: Antenna module 120: Seventh wiring layer 122: Eighth wiring layer 128: No. 1 ground conductor layer 129: 2nd ground conductor layer 216: 2nd radiation conductor layer 220: 3rd wiring layer 222: 4th wiring layer 316: 3rd radiation conductor layer 320: 5th wiring layer 322: 6th wiring layer A1 : First area A2: Second area A3: Rigid part A4: Flexible part E1: First straight line E2: Second straight line E3: Third straight line E4: Fourth straight line E5: Fifth straight line E6: Sixth straight line EE1: 1st outer edge EE2: 2nd outer edge EE3: 3rd outer edge EP1: 1st portion EP2: 2nd portion EP3: 3rd portion H, h1, h2: Opening P1: 1st feeding point P2: 2nd feeding point P3: 1st 3rd feeding point P4: 4th feeding point P5: 5th feeding point P6: 6th feeding point S: Solder ST: Stub parts v1 to v18: Interlayer connection conductor

Claims (19)

複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっているグランド導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を備えている、
多層基板。
A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
a ground provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and overlapping with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction; a conductor layer;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located closest to the first straight line, and is not orthogonal to the first straight line when viewed in the Z-axis direction. The first wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the first outer edge; is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point located closest to the second straight line, and is not orthogonal to the second straight line when viewed in the Z-axis direction. The second wiring layer intersects as shown in FIG.
It is equipped with
Multilayer board.
前記Z軸方向に見て、前記第1直線を前記第1直線に直交する方向に移動させたときに、前記第1直線が通過する領域を第1領域と定義し、
前記第1配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1領域と前記第1領域外の領域とに跨っており、
前記Z軸方向に見て、前記第2直線を前記第2直線に直交する方向に移動させたときに、前記第2直線が通過する領域を第2領域と定義し、
前記第2配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第2領域と前記第2領域外の領域とに跨っている、
請求項1に記載の多層基板。
A region through which the first straight line passes when the first straight line is moved in a direction perpendicular to the first straight line when viewed in the Z-axis direction is defined as a first region,
The first wiring layer straddles the first region and a region outside the first region when viewed in the Z-axis direction,
A region through which the second straight line passes when the second straight line is moved in a direction perpendicular to the second straight line when viewed in the Z-axis direction is defined as a second region,
The second wiring layer straddles the second region and a region outside the second region when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1.
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第3直線及び第4直線を含む第2外縁を有している第2放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第3直線の最も近くに位置している第3給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第3直線と直交しないように交差している第3配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第4直線の最も近くに位置している第4給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第4直線と直交しないように交差している第4配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第2放射導体層と重なっている、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
a second radiation conductor layer provided on the laminate and having a second outer edge including a third straight line and a fourth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a third feeding point located closest to the third straight line, and is not orthogonal to the third straight line when viewed in the Z-axis direction. The third wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a fourth feeding point located closest to the fourth straight line, and is not orthogonal to the fourth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fourth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the second radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の正側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記X軸の負側に位置している、
請求項3に記載の多層基板。
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The first straight line and the second straight line are located on the positive side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the X-axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The multilayer substrate according to claim 3.
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第5直線及び第6直線を含む第3外縁を有している第3放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第3放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第3外縁の中で前記第5直線の最も近くに位置している第5給電点において前記第3放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第5直線と直交しないように交差している第5配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第3放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第3外縁の中で前記第6直線の最も近くに位置している第6給電点において前記第3放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第6直線と直交しないように交差している第6配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第3放射導体層と重なっている、
請求項3に記載の多層基板。
a third radiation conductor layer provided in the laminate and having a third outer edge including a fifth straight line and a sixth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the third radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the third outer edge. is electrically connected to the third radiation conductor layer at a fifth feeding point located closest to the fifth straight line, and is not orthogonal to the fifth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fifth wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the third radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the third outer edge. is electrically connected to the third radiation conductor layer at a sixth feeding point located closest to the sixth straight line, and is not perpendicular to the sixth straight line when viewed in the Z-axis direction. The sixth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the third radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 3.
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の正側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記X軸の負側に位置しており、
前記第5直線及び前記第6直線は、前記第3外縁の内の前記第5直線及び前記第6直線を除く第3部分より前記X軸の正側に位置している、
請求項5に記載の多層基板。
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The first straight line and the second straight line are located on the positive side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the X-axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The fifth straight line and the sixth straight line are located on the positive side of the X-axis from a third portion of the third outer edge excluding the fifth straight line and the sixth straight line,
The multilayer substrate according to claim 5.
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線、前記第3直線及び前記第5直線は、前記X軸と平行であり、
前記第2直線、前記第4直線及び前記第6直線は、X軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記X軸の正側の端は、前記第4直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第5直線の前記X軸の正側の端は、前記第6直線の前記Y軸の正側の端に接続されている、
請求項5に記載の多層基板。
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line, the third straight line, and the fifth straight line are parallel to the X-axis,
The second straight line, the fourth straight line, and the sixth straight line overlap each other when viewed in the X-axis direction,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the Y-axis,
An end of the third straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the fourth straight line on the positive side of the Y-axis,
The end of the fifth straight line on the positive side of the X-axis is connected to the end of the sixth straight line on the positive side of the Y-axis.
The multilayer substrate according to claim 5.
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線、前記第4直線及び前記第5直線は、前記X軸と平行であり、
前記第2直線、前記第3直線及び前記第6直線は、X軸方向に見て、互いに重なり合っており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記Y軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記Y軸の負側の端は、前記第4直線の前記X軸の負側の端に接続されており、
前記第5直線の前記X軸の正側の端は、前記第6直線の前記Y軸の正側の端に接続されている、
請求項5に記載の多層基板。
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line, the fourth straight line, and the fifth straight line are parallel to the X-axis,
The second straight line, the third straight line, and the sixth straight line overlap each other when viewed in the X-axis direction,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the Y-axis,
An end of the third straight line on the negative side of the Y axis is connected to an end of the fourth straight line on the negative side of the X axis,
The end of the fifth straight line on the positive side of the X-axis is connected to the end of the sixth straight line on the positive side of the Y-axis.
The multilayer substrate according to claim 5.
前記第2放射導体層は、前記第1放射導体層のX軸の正側に位置しており、
前記X軸は、前記Z軸に直交しており、
Y軸は、前記X軸及び前記Z軸に直交しており、
前記第3放射導体層は、前記第2放射導体層の前記X軸の正側に位置しており、
前記第1直線及び前記第2直線は、前記第1外縁の内の前記第1直線及び前記第2直線を除く第1部分より前記X軸の負側に位置しており、
前記第3直線及び前記第4直線は、前記第2外縁の内の前記第3直線及び前記第4直線を除く第2部分より前記Y軸の負側に位置しており、
前記第5直線及び前記第6直線は、前記第3外縁の内の前記第5直線及び前記第6直線を除く第3部分より前記X軸の負側に位置している、
請求項5に記載の多層基板。
The second radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the first radiation conductor layer,
The X-axis is orthogonal to the Z-axis,
The Y-axis is orthogonal to the X-axis and the Z-axis,
The third radiation conductor layer is located on the positive side of the X axis of the second radiation conductor layer,
The first straight line and the second straight line are located on the negative side of the X-axis from a first portion of the first outer edge excluding the first straight line and the second straight line,
The third straight line and the fourth straight line are located on the negative side of the Y axis from a second portion of the second outer edge excluding the third straight line and the fourth straight line,
The fifth straight line and the sixth straight line are located on the negative side of the X-axis from a third portion of the third outer edge excluding the fifth straight line and the sixth straight line,
The multilayer substrate according to claim 5.
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっており、かつ、前記Z軸方向に見て、第3直線及び第4直線を含む第2外縁を有している第2放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第3直線に最も近くに位置している第3給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第3直線と直交しないように交差している第3配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2放射導体層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2外縁の中で前記第4直線に最も近くに位置している第4給電点において前記第2放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第4直線と直交しないように交差している第4配線層と、
を更に備えており、
前記グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第2放射導体層と重なっており、
前記第1直線は、前記第3直線と平行であり、
前記第2直線は、前記第4直線と平行であり、
X軸は、前記Z軸に直交しており、
前記第1直線の前記X軸の正側の端は、前記第2直線の前記X軸の正側の端に接続されており、
前記第3直線の前記X軸の正側の端は、前記第4直線の前記X軸の正側の端に接続されており、
前記第1配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1直線及び前記第3直線と直交しないように交差しており、
前記第2配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第2直線及び前記第4直線と直交しないように交差している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The multilayer substrate includes:
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and overlaps with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction, and , a second radiation conductor layer having a second outer edge including a third straight line and a fourth straight line when viewed in the Z-axis direction;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a third feeding point located closest to the third straight line, and is not orthogonal to the third straight line when viewed in the Z-axis direction. The third wiring layer intersects like this,
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis from the second radiation conductor layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and within the second outer edge. is electrically connected to the second radiation conductor layer at a fourth feeding point located closest to the fourth straight line, and is not orthogonal to the fourth straight line when viewed in the Z-axis direction. The fourth wiring layer intersects like this,
Furthermore, it is equipped with
The ground conductor layer overlaps the second radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
the first straight line is parallel to the third straight line,
the second straight line is parallel to the fourth straight line,
The X-axis is perpendicular to the Z-axis,
An end of the first straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the second straight line on the positive side of the X-axis,
An end of the third straight line on the positive side of the X-axis is connected to an end of the fourth straight line on the positive side of the X-axis,
The first wiring layer intersects the first straight line and the third straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction,
The second wiring layer intersects the second straight line and the fourth straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層の周囲を囲む環形状を有している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The multilayer substrate includes:
An annular ground conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the ground conductor layer,
Furthermore, we are equipped with
The annular ground conductor layer has an annular shape surrounding the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第1放射導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1直線、前記第2直線、第7直線及び第8直線を含んでおり、かつ、前記Z軸方向に見て、四角形状を有しており、
前記第1直線に直交する方向において、前記第1直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第1距離と定義し、
前記第2直線に直交する方向において、前記第2直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第2距離と定義し、
前記第7直線に直交する方向において、前記第7直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第3距離と定義し、
前記第8直線に直交する方向において、前記第8直線の中央から前記環状グランド導体層までの距離を第4距離と定義し、
前記第1距離、前記第2距離、前記第3距離及び前記第4距離は、互いに等しい、
請求項11に記載の多層基板。
The first radiation conductor layer includes the first straight line, the second straight line, the seventh straight line, and the eighth straight line when viewed in the Z-axis direction, and has a rectangular shape when viewed in the Z-axis direction. It has
In a direction perpendicular to the first straight line, a distance from the center of the first straight line to the annular ground conductor layer is defined as a first distance,
In a direction perpendicular to the second straight line, a distance from the center of the second straight line to the annular ground conductor layer is defined as a second distance,
In the direction perpendicular to the seventh straight line, the distance from the center of the seventh straight line to the annular ground conductor layer is defined as a third distance,
In the direction perpendicular to the eighth straight line, the distance from the center of the eighth straight line to the annular ground conductor layer is defined as a fourth distance,
the first distance, the second distance, the third distance, and the fourth distance are equal to each other;
The multilayer substrate according to claim 11.
前記第1配線層及び前記第2配線層は、整合部を含んでおり、
前記整合部は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The first wiring layer and the second wiring layer include matching portions,
The matching portion does not overlap the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第1配線層及び前記第2配線層は、スタブ部を含んでおり、
前記スタブ部は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The first wiring layer and the second wiring layer include a stub portion,
The stub portion does not overlap the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記多層基板は、
リジッド部と、
可撓部と、
を有しており、
前記可撓部の前記Z軸方向の長さは、前記リジッド部の前記Z軸方向の長さより短い、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The multilayer substrate includes:
rigid part,
a flexible part;
It has
The length of the flexible part in the Z-axis direction is shorter than the length of the rigid part in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置している環状グランド導体層を、
更に備えており、
前記環状グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層の周囲を囲む環形状を有しており、
前記リジッド部において、前記環状グランド導体層と前記グランド導体層との間には、グランド導体が設けられていない、
請求項15に記載の多層基板。
The multilayer substrate includes:
An annular ground conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the ground conductor layer,
Furthermore, we are equipped with
The annular ground conductor layer has a ring shape surrounding the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
In the rigid portion, no ground conductor is provided between the annular ground conductor layer and the ground conductor layer.
The multilayer substrate according to claim 15.
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1配線層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第1配線層と電気的に接続されている第7配線層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第2配線層より前記Z軸の負側かつ前記グランド導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記第2配線層と電気的に接続されている第8配線層と、
を更に備えている、
請求項15に記載の多層基板。
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first wiring layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and is electrically connected to the first wiring layer. a seventh wiring layer connected to
is provided in the laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the second wiring layer and on the positive side of the Z-axis from the ground conductor layer, and is electrically connected to the second wiring layer. an eighth wiring layer connected to
Furthermore, it is equipped with
The multilayer substrate according to claim 15.
前記第7配線層及び前記第8配線層は、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層と重なっていない、
請求項17に記載の多層基板。
The seventh wiring layer and the eighth wiring layer do not overlap with the first radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 17.
第1基板と、
可撓性を有する第2基板と、
を備えており、
前記第1基板は、
複数の絶縁体層がZ軸方向に積層された構造を有する第1積層体と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記Z軸方向に見て、第1直線及び第2直線を含む第1外縁を有している第1放射導体層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層よりZ軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第1直線の最も近くに位置している第1給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1直線と直交しないように交差している第1配線層と、
前記第1積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記第1外縁の中で前記第2直線の最も近くに位置している第2給電点において前記第1放射導体層と電気的に接続されており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第2直線と直交しないように交差している第2配線層と、
を含んでおり、
前記第2基板は、
複数の絶縁体層が前記Z軸方向に積層された構造を有する第2積層体と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第1配線層と電気的に接続される第7配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第2配線層と電気的に接続される第8配線層と、
前記第2積層体に設けられており、かつ、前記第7配線層及び前記第8配線層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1放射導体層、前記第7配線層及び前記第8配線層と重なるグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第2基板の前記Z軸方向の長さは、前記第1基板の前記Z軸方向の長さより短く、
前記第2基板は、前記第1基板より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記第1基板と重ならない領域を有する、
アンテナモジュール。
a first substrate;
a second substrate having flexibility;
It is equipped with
The first substrate is
a first laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a first radiation conductor layer provided in the first laminate and having a first outer edge including a first straight line and a second straight line when viewed in the Z-axis direction;
is provided in the first laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the first radiation conductor layer, and is located closest to the first straight line within the first outer edge. a first wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a first feeding point located at a first feeding point, and that intersects the first straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; ,
Provided in the first laminate, located on the negative side of the Z axis from the first radiation conductor layer, and located closest to the second straight line within the first outer edge. a second wiring layer that is electrically connected to the first radiation conductor layer at a second feeding point that is connected to the second line and that intersects the second straight line in a non-perpendicular manner when viewed in the Z-axis direction; and,
It contains
The second substrate is
a second laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction;
a seventh wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the first wiring layer;
an eighth wiring layer provided in the second laminate and electrically connected to the second wiring layer;
The first layer is provided in the second laminate, is located on the negative side of the Z-axis from the seventh wiring layer and the eighth wiring layer, and is located on the negative side of the Z-axis when viewed in the Z-axis direction. a radiation conductor layer, a ground conductor layer overlapping with the seventh wiring layer and the eighth wiring layer;
It contains
The length of the second substrate in the Z-axis direction is shorter than the length of the first substrate in the Z-axis direction,
The second substrate is located on the negative side of the Z-axis from the first substrate, and has a region that does not overlap with the first substrate when viewed in the Z-axis direction.
antenna module.
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