JP2024031783A - Multilayer substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 391
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 414
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 122
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、放射導体層を備える多層基板に関する。 The present invention relates to a multilayer substrate including a radiation conductor layer.
従来の多層基板に関する発明としては、特許文献1に記載のアンテナモジュールが知られている。アンテナモジュールは、アンテナパッケージ及び接続部材を備えている。接続部材は、可撓性を有する帯状の基板である。接続部材は、給電線を含んでいる。アンテナパッケージは、接続部材の上に固定されている。アンテナパッケージは、パッチアンテナを含んでいる。パッチアンテナは、給電線と電気的に接続されている。
As an invention related to a conventional multilayer board, an antenna module described in
ところで、特許文献1に記載のアンテナモジュールにおいて、パッチアンテナと給電線との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生する場合がある。
By the way, in the antenna module described in
そこで、本発明の目的は、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる多層基板を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer substrate that can suppress the occurrence of characteristic impedance mismatch in the section between the signal conductor layer and the radiation conductor layer.
本発明の一形態に係る多層基板は、
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がZ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりZ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している。
A multilayer substrate according to one embodiment of the present invention includes:
A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative adjacent insulator layer are stacked in alignment in the Z-axis direction, each of the plurality of insulator layers having a positive main surface. , and has a negative main surface located on the negative side of the Z-axis from the positive main surface, and the negative side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z-axis of the intermediate insulator layer, and a laminate that is in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided in the laminate and located on the negative side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
provided in the laminate, located on the negative main surface of the intermediate insulator layer, and including a first connection section, a second connection section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section. the first intermediate section is adjacent to the first connection section, the second intermediate section is adjacent to the second connection section, and the line section is a connecting conductor layer adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and viewed in the Z-axis direction, at least a portion of the connection conductor layer and the a first ground conductor layer overlapping at least a portion of the signal conductor layer;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
One of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer. Ori,
The other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer. and
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as the stretching direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as the line width direction,
The first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the stretching direction, and the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the stretching direction, In the stretching direction, the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer,
In the stretching direction, both ends of the first connection section are located at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
In the stretching direction, both ends of the second connection section are located at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as seen in the Z-axis direction,
The maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than the maximum width of the first connection section in the line width direction,
The first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than the width in the line width direction of the line section,
The second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than the width in the line width direction of the line section,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the line section.
本発明に係る多層基板によれば、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。 According to the multilayer substrate according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of characteristic impedance mismatch in the section between the signal conductor layer and the radiation conductor layer.
(第1実施形態)
[多層基板10の構造]
以下に、本発明の第1実施形態に係る多層基板10の構造について図面を参照しながら説明する。図1は、多層基板10の分解斜視図である。図2は、図1のA-Aにおける多層基板10の断面図である。図3は、接続導体層24の上面図である。
(First embodiment)
[Structure of multilayer substrate 10]
Below, the structure of the
以下では、多層基板10の積層体12の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Z軸方向と一致する。上方向は、Z軸の正方向である。下方向は、Z軸の負方向である。多層基板10を上下方向に見て、多層基板10の辺が延びる2方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、X軸方向と一致する。前後方向は、Y軸方向と一致する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板10の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。
Hereinafter, the stacking direction of the
以下では、Xは、多層基板10の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Xの各部について以下のように定義する。Xの前部とは、Xの前半分を意味する。Xの後部とは、Xの後半分を意味する。Xの左部とは、Xの左半分を意味する。Xの右部とは、Xの右半分を意味する。Xの上部とは、Xの上半分を意味する。Xの下部とは、Xの下半分を意味する。Xの前端とは、Xの前方向の端を意味する。Xの後端とは、Xの後方向の端を意味する。Xの左端とは、Xの左方向の端を意味する。Xの右端とは、Xの右方向の端を意味する。Xの上端とは、Xの上方向の端を意味する。Xの下端とは、Xの下方向の端を意味する。Xの前端部とは、Xの前端及びその近傍を意味する。Xの後端部とは、Xの後端及びその近傍を意味する。Xの左端部とは、Xの左端及びその近傍を意味する。Xの右端部とは、Xの右端及びその近傍を意味する。Xの上端部とは、Xの上端及びその近傍を意味する。Xの下端部とは、Xの下端及びその近傍を意味する。
In the following, X is a component or member of the
多層基板10は、例えば、携帯電話等の電子機器に用いられる。多層基板10は、図1に示すように、積層体12、第2グランド導体層18、放射導体層20、接続導体層22a,22b,24、信号導体層26、第1グランド導体層28及び層間接続導体v1~v4を備えている。
The
積層体12は、板形状を有している。積層体12は、絶縁体層14a~14g及び保護層15a~15cがZ軸方向に積層された構造を有している。絶縁体層14a~14d及び保護層15aは、上下方向に見て、長方形状を有している。絶縁体層14e~14g及び保護層15b,15cは、上下方向に見て、左右方向に延びる帯形状を有している。保護層15a、絶縁体層14a~14f及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層14e,14f及び保護層15bは、上下方向に見て、絶縁体層14a~14dから右方向に延びている。
The laminate 12 has a plate shape. The laminate 12 has a structure in which insulator layers 14a to 14g and
絶縁体層14gは、絶縁体層14eの上に積層されている。絶縁体層14gは、絶縁体層14dの右に位置している。ただし、絶縁体層14gは、絶縁体層14dに接触していない。保護層15cは、絶縁体層14gの上に積層されている。
The
以上のような絶縁体層14a~14g及び保護層15a~15cのそれぞれは、上主面(正主面)、及び、上主面(正主面)より下(Z軸の負側)に位置する下主面(負主面)を有している。また、絶縁体層14a~14gは、中間絶縁体層である絶縁体層14d及び負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eを含んでいる。負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eは、中間絶縁体層である絶縁体層14dの下(Z軸の負側)に位置し、かつ、中間絶縁体層である絶縁体層14dに接触している。
Each of the insulating
絶縁体層14a~14gの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。保護層15a~15cは、絶縁体層の上主面又は下主面に塗布される絶縁膜である。保護層15a~15cのそれぞれは、放射導体層20、第1グランド導体層28及び第2グランド導体層18を保護している。以上のような積層体12は、可撓性を有している。
The material of the insulator layers 14a to 14g is a thermoplastic resin such as polyimide or liquid crystal polymer. The
ここで、積層体12は、図2に示すように、左右方向(Z軸方向に直交するX軸方向)にこの順に並ぶ第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3を有している。第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3は、左から右へとこの順に並んでいる。第1区間A1の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第2区間A2の上下方向(Z軸方向)の厚みより大きい。第3区間A3の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第2区間A2の上下方向(Z軸方向)の厚みより大きい。第3区間A3の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第1区間A1の上下方向(Z軸方向)の厚みより小さい。 Here, as shown in FIG. 2, the laminate 12 has a first section A1, a second section A2, and a third section A3 arranged in this order in the left-right direction (X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction). There is. The first section A1, the second section A2, and the third section A3 are arranged in this order from left to right. The thickness of the first section A1 in the vertical direction (Z-axis direction) is larger than the thickness of the second section A2 in the vertical direction (Z-axis direction). The thickness of the third section A3 in the vertical direction (Z-axis direction) is larger than the thickness of the second section A2 in the vertical direction (Z-axis direction). The thickness of the third section A3 in the vertical direction (Z-axis direction) is smaller than the thickness of the first section A1 in the vertical direction (Z-axis direction).
また、積層体12は、図2に示すように、第1積層体部12a及び第2積層体部12bを含んでいる。第1積層体部12aは、中間絶縁体層である絶縁体層14dより上(Z軸の正側)に位置する絶縁体層14a~14c、中間絶縁体層である絶縁体層14d、及び、保護層15aを含んでいる。第2積層体部12bは、中間絶縁体層である絶縁体層14dより下(Z軸の負側)に位置する絶縁体層14e,14fを含んでいる。第2積層体部12bは、絶縁体層14g及び保護層15b,15cを更に含んでいる。積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。
Further, as shown in FIG. 2, the laminate 12 includes a first
放射導体層20は、パッチアンテナとして機能する。放射導体層20は、高周波信号を放射及び/又は受信する。放射導体層20は、図1に示すように、積層体12に設けられている。放射導体層20は、中間絶縁体層である絶縁体層14dより上(Z軸の正側)に位置している。より詳細には、放射導体層20は、絶縁体層14aの上主面に位置している。放射導体層20は、上下方向に見て、左右方向及び前後方向に延びる対角線を有するひし形状を有している。
The
信号導体層26には、高周波信号が伝送される。信号導体層26は、図1に示すように、積層体12に設けられている。信号導体層26は、中間絶縁体層である絶縁体層14dより下(Z軸の負側)に位置している。より詳細には、信号導体層26は、絶縁体層14eの下主面に位置している。信号導体層26は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。信号導体層26は、図2に示すように、第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3に位置している。
A high frequency signal is transmitted to the
接続導体層24には、高周波信号が伝送される。接続導体層24は、積層体12に設けられている。接続導体層24は、中間絶縁体層である絶縁体層14dの下主面(負主面)に位置している。より詳細には、接続導体層24は、絶縁体層14dの下主面に位置している。接続導体層24は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層24の右端部は、上下方向に見て、信号導体層26の左端部と重なっている。接続導体層24は、図2に示すように、第1区間A1に位置している。接続導体層24は、第2区間A2及び第3区間A3に位置していない。
A high frequency signal is transmitted to the
第1グランド導体層28は、グランド電位に接続される。第1グランド導体層28は、積層体12に設けられている。第1グランド導体層28は、接続導体層24及び信号導体層26より下(Z軸の負側)に位置している。第1グランド導体層28は、絶縁体層14fの下主面に位置している。第1グランド導体層28は、絶縁体層14fの下主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第1グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、接続導体層24の少なくとも一部分及び信号導体層26の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第1グランド導体層28は、上下方向に見て、接続導体層24の全体及び信号導体層26の全体と重なっている。また、第1グランド導体層28と接続導体層24との間には、導体が存在しない。第1グランド導体層28と信号導体層26との間には、導体が存在しない。更に、第1グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、放射導体層20と重なっている。以上のような第1グランド導体層28は、第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3に位置している。
The first
第2グランド導体層18は、グランド電位に接続される。第2グランド導体層18は、積層体12に設けられている。第2グランド導体層18は、信号導体層26より上(Z軸の正側)に位置している。第2グランド導体層18は、絶縁体層14gの上主面に位置している。第2グランド導体層18は、絶縁体層14gの上主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第2グランド導体層18は、上下方向(Z軸方向)に見て、信号導体層26の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第2グランド導体層18は、上下方向に見て、信号導体層26の全体と重なっている。また、第2グランド導体層18と信号導体層26との間には、層間接続導体v4及び第1グランド導体層28以外の導体が存在しない。以上のような第2グランド導体層18は、第3区間A3に位置している。第2グランド導体層18は、第1区間A1及び第2区間A2に位置していない。
The second
以上のように、信号導体層26は、第1区間A1及び第2区間A2において、第1グランド導体層28と共にマイクロストリップライン構造を形成している。信号導体層26は、第3区間A3において、第1グランド導体層28及び第2グランド導体層18と共にストリップライン構造を形成している。これにより、信号導体層26に発生している特性インピーダンスは、所定の特性インピーダンス(50Ω)である。
As described above, the
接続導体層22aは、絶縁体層14bの上主面に位置している。接続導体層22aは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層22aの左端部は、上下方向に見て、放射導体層20と重なっている。
The
接続導体層22bは、絶縁体層14cの上主面に位置している。接続導体層22bは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層22bの左端部は、上下方向に見て、接続導体層24の左端部と重なっている。接続導体層22bの右端部は、上下方向に見て、接続導体層22aの右端部と重なっている。
The
層間接続導体v1は、絶縁体層14aを上下方向に貫通している。層間接続導体v1は、放射導体層20及び接続導体層22aの左端部に接触している。これにより、層間接続導体v1は、放射導体層20と接続導体層22aとを電気的に接続している。
The interlayer connection conductor v1 vertically penetrates the
層間接続導体v2は、絶縁体層14bを上下方向に貫通している。層間接続導体v2は、接続導体層22aの右端部及び接続導体層22bの右端部に接触している。これにより、層間接続導体v2は、接続導体層22aと接続導体層22bとを電気的に接続している。
The interlayer connection conductor v2 vertically penetrates the
層間接続導体v3は、第2層間接続導体の一例である。層間接続導体v3は、中間絶縁体層である絶縁体層14d及び絶縁体層14cを上下方向(Z軸方向)に貫通している。層間接続導体v3は、接続導体層22bの左端部及び接続導体層24の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v3は、接続導体層22bと接続導体層24とを電気的に接続している。このように、層間接続導体v3は、放射導体層20に電気的に接続されている。
The interlayer connection conductor v3 is an example of a second interlayer connection conductor. The interlayer connection conductor v3 penetrates the
層間接続導体v4は、第1層間接続導体の一例である。層間接続導体v4は、負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eを上下方向(Z軸方向)に貫通している。層間接続導体v4は、接続導体層24の右端部及び信号導体層26の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v4は、接続導体層24と信号導体層26とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v4は、信号導体層26に電気的に接続されている。
The interlayer connection conductor v4 is an example of a first interlayer connection conductor. The interlayer connection conductor v4 passes through the
ここで、層間接続導体v3から放射導体層20までの電流経路の長さは、後述する層間接続導体v4から放射導体層20までの電流経路の長さより短い。層間接続導体v4から信号導体層26までの電流経路の長さは、層間接続導体v3から信号導体層26までの電流経路の長さより短い。
Here, the length of the current path from the interlayer connection conductor v3 to the
以上のような第2グランド導体層18、放射導体層20、接続導体層22a,22b,24、信号導体層26及び第1グランド導体層28は、絶縁体層14a~14gの上主面又は下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体v1~v3は、例えば、絶縁体層14a~14dを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化されることにより形成される。層間接続導体v4は、絶縁体層14eを上下方向に貫通する貫通孔に半田が充填されることにより形成される。このように、第2層間接続導体である層間接続導体v3の材料は、第1層間接続導体である層間接続導体v4の材料と異なる。
The second
以下に、接続導体層24の構造の詳細について図3を参照しながら説明する。接続導体層24が伸びている方向を延伸方向と定義する。延伸方向は、左右方向である。延伸方向及び上下方向(Z軸方向)に直交する方向を線幅方向と定義する。線幅方向は、前後方向である。
The details of the structure of the
接続導体層24は、第1接続区間A11、第2接続区間A12、線路区間A31、第1中間区間A21及び第2中間区間A22を含んでいる。第1接続区間A11、第1中間区間A21、線路区間A31、第2中間区間A22及び第2接続区間A12は、右から左へとこの順に並んでいる。従って、第1中間区間A21は、第1接続区間A11に隣接している。第2中間区間A22は、第2接続区間A12に隣接している。線路区間A31は、第1中間区間A21及び第2中間区間A22に隣接している。第1接続区間A11は延伸方向における接続導体層24の右端部(第1端部)に位置している。第2接続区間A12は延伸方向における接続導体層24の左端部(第2端部)に位置している。従って、第1接続区間A11の右端は接続導体層24の右端に一致している。第2接続区間A12の左端は接続導体層24の左端に一致している。
The
層間接続導体v4(第1層間接続導体)は、第1接続区間A11に接触している。延伸方向である左右方向において、第1接続区間A11の両端は、上下方向(Z軸方向)に見た層間接続導体v4(第1層間接続導体)の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体v4の中心から第1接続区間A11の左端までの距離は、層間接続導体v4の中心から第1接続区間A11の右端までの距離と等しい。 The interlayer connection conductor v4 (first interlayer connection conductor) is in contact with the first connection section A11. In the left-right direction, which is the stretching direction, both ends of the first connection section A11 are located at equal distances from the center of the interlayer connection conductor v4 (first interlayer connection conductor) when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). Therefore, the distance from the center of the interlayer connection conductor v4 to the left end of the first connection section A11 is equal to the distance from the center of the interlayer connection conductor v4 to the right end of the first connection section A11.
層間接続導体v3(第2層間接続導体)は、第2接続区間A12に接触している。延伸方向である左右方向において、第2接続区間A12の両端は、上下方向(Z軸方向)に見た層間接続導体v3(第2層間接続導体)の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体v3の中心から第2接続区間A12の左端までの距離は、層間接続導体v3の中心から第2接続区間A12の右端までの距離と等しい。第2接続区間A12の前後方向(線幅方向)の最大幅は、第1接続区間A11の前後方向(線幅方向)の最大幅より小さい。第1接続区間A11及び第2接続区間A12は、円形状を有している。第2接続区間A12の直径は、第1接続区間A11の直径より小さい。 The interlayer connection conductor v3 (second interlayer connection conductor) is in contact with the second connection section A12. In the left-right direction, which is the stretching direction, both ends of the second connection section A12 are located at equal distances from the center of the interlayer connection conductor v3 (second interlayer connection conductor) when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). Therefore, the distance from the center of the interlayer connection conductor v3 to the left end of the second connection section A12 is equal to the distance from the center of the interlayer connection conductor v3 to the right end of the second connection section A12. The maximum width of the second connection section A12 in the front-rear direction (line width direction) is smaller than the maximum width of the first connection section A11 in the front-rear direction (line width direction). The first connection section A11 and the second connection section A12 have a circular shape. The diameter of the second connection section A12 is smaller than the diameter of the first connection section A11.
第1中間区間A21は、第1細線区間A21a及び第1太線区間A21bを含んでいる。第1細線区間A21aは、第2太線区間A22bの前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。第1太線区間A21bは、線路区間A31に隣接している。第1太線区間A21bは、線路区間A31の前後方向(線幅方向)の幅より大きな前後方向(線幅方向)の幅を有している。 The first intermediate section A21 includes a first thin line section A21a and a first thick line section A21b. The first thin line section A21a has a width in the front-rear direction (line width direction) that is smaller than the width in the front-rear direction (line width direction) of the second thick line section A22b. The first thick line section A21b is adjacent to the line section A31. The first thick line section A21b has a width in the longitudinal direction (line width direction) that is larger than the width in the longitudinal direction (line width direction) of the line section A31.
第2中間区間A22は、第2細線区間A22a及び第2太線区間A22bを含んでいる。第2細線区間A22aは、第2太線区間A22bの前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。第2太線区間A22bは、線路区間A31に隣接している。第2太線区間A22bは、線路区間A31の前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。 The second intermediate section A22 includes a second thin line section A22a and a second thick line section A22b. The second thin line section A22a has a width in the front-rear direction (line width direction) that is smaller than the width in the front-rear direction (line width direction) of the second thick line section A22b. The second thick line section A22b is adjacent to the line section A31. The second thick line section A22b has a width in the longitudinal direction (line width direction) smaller than the width in the longitudinal direction (line width direction) of the line section A31.
[効果]
多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図4は、スミスチャートである。Z0は、線路区間A31に発生している特性インピーダンスである。Z0は、50Ωである。Z1は、第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスである。Z1は、例えば、20Ωである。
[effect]
According to the
より詳細には、多層基板10では、接続導体層24の第1接続区間A11及び第2接続区間A12の線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きい。また、第1接続区間A11には層間接続導体v4が接触している。第2接続区間A12には層間接続導体v3が接触している。そのため、接続導体層24の第1接続区間A11及び第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス(50Ω)からずれやすい。
More specifically, in the
そこで、接続導体層24は、第1中間区間A21を含んでいる。第1中間区間A21は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅より小さな線幅方向の幅を有する第1細線区間A21aを含んでいる。第1中間区間A21は、第1接続区間A11に隣接している。これにより、第1細線区間A21aは、インダクタンスとして機能する。すなわち、線路区間A31に直列にインダクタが接続されている。これにより、図4のスミスチャートの矢印X1に示すように、第1細線区間A21aは、Z1を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。
Therefore, the
また、第1中間区間A21は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第1太線区間A21bを含んでいる。そして、第1太線区間A21bは、線路区間A31に隣接している。また、第1太線区間A21bは、上下方向に見て、第1グランド導体層28と重なっている。そのため、第1太線区間A21bには、容量が発生している。すなわち、線路区間A31に並列に容量が接続されている。これにより、図4のスミスチャートの矢印X2に示すように、第1太線区間A21bは、矢印X1の先端を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。
Further, the first intermediate section A21 includes a first thick line section A21b having a width in the line width direction larger than the width in the line width direction of the line section A31. The first thick line section A21b is adjacent to the line section A31. Further, the first thick line section A21b overlaps with the first
その結果、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第2中間区間A22により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第2接続区間A12に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。そして、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制されることにより、多層基板10の広帯域化が図られている。
As a result, the characteristic impedance occurring in the line section A31 and the characteristic impedance occurring in the first connection section A11 are matched by the first intermediate section A21. Although the explanation is omitted, based on the same principle, the characteristic impedance occurring in the line section A31 and the characteristic impedance occurring in the second connection section A12 are matched by the second intermediate section A22. As described above, according to the
また、多層基板10によれば、第1接続区間A11と層間接続導体v4とがより確実に接続される。より詳細には、積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。第1積層体部12aと第2積層体部12bとの熱圧着の際に、第1接続区間A11と層間接続導体v4とが接続される。そこで、第1接続区間A11の線幅方向の最大幅は、第2接続区間A12の線幅方向の最大幅より大きい。これにより、第1接続区間A11と層間接続導体v4とがより確実に接続される。
Moreover, according to the
(第1変形例)
以下に、第1変形例に係る接続導体層24aについて図面を参照しながら説明する。図5は、接続導体層24aの上面図である。
(First modification)
The
接続導体層24aは、以下の点において接続導体層24と相違する。
・第1太線区間A21bの線幅方向の幅w1は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅w2より大きい。
・第1細線区間A21aの線幅方向の幅w11及び第2細線区間A22a線幅方向の幅w12は、線路区間A31の線幅方向の幅w3より小さい。
The
- The width w1 of the first thick line section A21b in the line width direction is larger than the width w2 of the second thick line section A22b in the line width direction.
- The width w11 in the line width direction of the first thin line section A21a and the width w12 in the line width direction of the second thin line section A22a are smaller than the width w3 in the line width direction of the line section A31.
接続導体層24aのその他の構造は、接続導体層24の構造と同じであるので説明を省略する。接続導体層24aを備える多層基板10は、接続導体層24を備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。
The other structure of the
また、接続導体層24aを備える多層基板10によれば、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。第1接続区間A11の線幅方向の最大幅は、第2接続区間A12の線幅方向の最大幅より大きい。そのため、第1接続区間A11に発生する特性インピーダンスは、第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスより小さい。すなわち、所定の特性インピーダンス(50Ω)と第1接続区間A11に発生する特性インピーダンスとの差が大きくなる。そこで、第1太線区間A21bの線幅方向の幅w1は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅w2より大きい。これにより、第1太線区間A21bに発生する容量値が大きくなる。第1細線区間A21aの線幅方向の幅w11及び第2細線区間A22aの線幅方向の幅w12は、線路区間A31の線幅方向の幅w3より小さい。これにより、第1細線区間A21aに発生するインダクタンス値が大きくなる。その結果、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。
Further, according to the
(第2変形例)
以下に、第2変形例に係る接続導体層24bについて図面を参照しながら説明する。図6は、接続導体層24bの上面図である。
(Second modification)
The
接続導体層24bは、第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bの形状において、接続導体層24aと相違する。第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bは、テーパ形状を有している。第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bは、線路区間A31に近づくに従って線幅方向の幅が小さくなっている。これにより、第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bに発生する特性インピーダンスの急激な変化が抑制されている。接続導体層24bのその他の構造は、接続導体層24aと同じである。接続導体層24bを備える多層基板10は、接続導体層24aを備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。
The
(第3変形例)
以下に、第3変形例に係る接続導体層24cについて図面を参照しながら説明する。図7は、接続導体層24cの上面図である。
(Third modification)
A
接続導体層24cは、第1細線区間A21a及び第2細線区間A22aが存在しない点において接続導体層24と相違する。第1太線区間A21bは、第1接続区間A11に隣接している。第2太線区間A22bは、第2接続区間A12に隣接している。接続導体層24cのその他の構造は、接続導体層24と同じであるので説明を省略する。
The
接続導体層24cを備える多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図8は、スミスチャートである。Z0は、線路区間A31に発生している特性インピーダンスである。Z0は、50Ωである。Z1は、第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスである。Z1は、例えば、20Ωである。
According to the
より詳細には、多層基板10では、接続導体層24cの第1接続区間A11及び第2接続区間A12の線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きい。また、第1接続区間A11には層間接続導体v4が接触している。第2接続区間A12には層間接続導体v3が接触している。そのため、接続導体層24cの第1接続区間A11及び第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス(50Ω)からずれやすい。
More specifically, in the
そこで、接続導体層24cは、第1中間区間A21を含んでいる。第1太線区間A21bは、上下方向に見て、第1グランド導体層28と重なっている。これにより、第1太線区間A21bは、伝送線路として機能する。第1中間区間A21は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第1太線区間A21bを含んでいる。そのため、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2は、所定の特性インピーダンス(50Ω)より小さい。これにより、インピーダンスは、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2を中心とし、かつ、Z0を通過する円に沿うように移動する。そこで、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2が適切な値に設定され、かつ、第1太線区間A21bの長さが適切な長さに設定される。これにより、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第2中間区間A22により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第2接続区間A12に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、接続導体層24cを備える多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。
Therefore, the
(第4変形例)
以下に、第4変形例に係る接続導体層24dについて図面を参照しながら説明する。図9は、接続導体層24dの上面図である。
(Fourth modification)
A
接続導体層24dは、線路区間A31が、上下方向に見て、屈曲している点において、接続導体層24と相違する。このように、線路区間A31は、直線形状を有していなくてもよい。接続導体層24dのその他の構造は、接続導体層24と同じであるので説明を省略する。接続導体層24dを備える多層基板10は、接続導体層24を備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。
The
(第2実施形態)
以下に、第2実施形態に係る多層基板10aについて図面を参照しながら説明する。図10は、多層基板10aの断面図である。
(Second embodiment)
A
多層基板10aは、第2積層体部12bの主たる絶縁材料が第1積層体部12aの主たる絶縁材料と異なる点において、多層基板10と相違する。第2積層体部12bの主たる絶縁材料のヤング率は、第1積層体部12aの主たる絶縁材料のヤング率より高い。第1積層体部12aの材料は、テフロン(登録商標)やFR-4である。第2積層体部12bの材料は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマーである。多層基板10aのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10aは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。
The
多層基板10aでは、第2積層体部12bの主たる絶縁材料のヤング率は、第1積層体部12aの主たる絶縁材料のヤング率より高い。これにより、第2積層体部12bを任意の形状に容易に加工することが可能である。
In the
(第3実施形態)
以下に、第3実施形態に係る多層基板10bについて図面を参照しながら説明する。図11は、多層基板10bの断面図である。図12は、多層基板10bに設けられた接続導体層24の上面図である。
(Third embodiment)
A
多層基板10bは、主に、層間接続導体v3が信号導体層26側に位置し、層間接続導体v4が放射導体層20側に位置する点において、多層基板10と相違する。
The
第3実施形態では、絶縁体層14e,14fだけでなく、絶縁体層14dも、絶縁体層14a~14cから右方向に延びている。絶縁体層14gは、絶縁体層14dの上に積層されている。第3実施形態では、絶縁体層14cが中間絶縁体層に相当し、絶縁体層14dが負側隣接絶縁体層に相当する。
In the third embodiment, not only the insulator layers 14e and 14f but also the
第1積層体部12aは絶縁体層14a~14c及び保護層15aを含んでいる。第2積層体部12bは絶縁体層14d~14g及び保護層15b,15cを含んでいる。積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。
The first
接続導体層24は、絶縁体層14dの上主面に位置している。図12に示すように、接続導体層24は、第1接続区間A11から第2接続区間A12に向かう方向が右方向に一致するように設けられている。第3実施形態では、接続導体層24の左端部が接続導体層24の第1端部に相当し、接続導体層24の右端部が接続導体層24の第2端部に相当する。
The
層間接続導体v3は、絶縁体層14d,14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v3は、接続導体層24の右端部、即ち接続導体層24の第2接続区間A12、及び信号導体層26の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v3は、接続導体層24と信号導体層26とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v3は、信号導体層26に電気的に接続されている。
The interlayer connection conductor v3 vertically penetrates the insulator layers 14d and 14e. The interlayer connection conductor v3 is in contact with the right end of the
層間接続導体v4は、絶縁体層14cを上下方向に貫通している。層間接続導体v4は、接続導体層22bの左端部、及び接続導体層24の左端部、即ち接続導体層24の第1接続区間A11に接触している。これにより、層間接続導体v4は、接続導体層22bと接続導体層24とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v4は、放射導体層20に電気的に接続されている。
The interlayer connection conductor v4 vertically penetrates the
ここで、層間接続導体v4から放射導体層20までの電流経路の長さは、層間接続導体v3から放射導体層20までの電流経路の長さより短い。層間接続導体v3から信号導体層26までの電流経路の長さは、層間接続導体v4から信号導体層26までの電流経路の長さより短い。
Here, the length of the current path from the interlayer connection conductor v4 to the
多層基板10bのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10bは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。
The other structure of the
(その他の実施形態)
本発明に係る多層基板は、多層基板10,10a,10bに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板10,10a,10bの構造を任意に組み合わせてもよい。また、接続導体層24,24a~24dの構造を任意に組み合わせてもよい。
(Other embodiments)
The multilayer substrate according to the present invention is not limited to the
なお、第1太線区間A21bの線幅方向の幅は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅以下であってもよい。 Note that the width in the line width direction of the first thick line section A21b may be less than or equal to the width in the line width direction of the second thick line section A22b.
なお、第1細線区間A21aの線幅方向の幅及び第2細線区間A22aの線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅以上であってもよい。 Note that the width in the line width direction of the first thin line section A21a and the width in the line width direction of the second thin line section A22a may be greater than or equal to the width in the line width direction of the line section A31.
なお、多層基板10,10a,10bは、信号導体層26より上に位置し、かつ、上下方向に見て、信号導体層26と重なるグランド導体を更に備えていてもよい。
Note that the
なお、積層体12は、可撓性を有していなくてもよい。 Note that the laminate 12 does not need to have flexibility.
なお、絶縁体層14a~14gの材料は、熱可塑性樹脂以外の材料であってもよい。 Note that the material of the insulator layers 14a to 14g may be a material other than thermoplastic resin.
なお、第2層間接続導体である層間接続導体v3の材料は、第1層間接続導体である層間接続導体v4の材料と同じでもよい。 Note that the material of the interlayer connection conductor v3, which is the second interlayer connection conductor, may be the same as the material of the interlayer connection conductor v4, which is the first interlayer connection conductor.
本発明は、以下の構造を備える。 The present invention includes the following structure.
(1)
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がZ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりZ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
(1)
A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative adjacent insulator layer are stacked in alignment in the Z-axis direction, and each of the plurality of insulator layers has a positive main surface. , and has a negative main surface located on the negative side of the Z-axis from the positive main surface, and the negative side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z-axis of the intermediate insulator layer, and a laminate in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided in the laminate and located on the negative side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
provided in the laminate, located on the negative main surface of the intermediate insulator layer, and including a first connection section, a second connection section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section. the first intermediate section is adjacent to the first connection section, the second intermediate section is adjacent to the second connection section, and the line section is a connecting conductor layer adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and viewed in the Z-axis direction, at least a portion of the connection conductor layer and the a first ground conductor layer overlapping at least a portion of the signal conductor layer;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
One of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer. Ori,
The other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer. and
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as the stretching direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as the line width direction,
The first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the stretching direction, and the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the stretching direction, In the stretching direction, the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer,
In the stretching direction, both ends of the first connection section are located at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as seen in the Z-axis direction,
In the stretching direction, both ends of the second connection section are located at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
The maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than the maximum width of the first connection section in the line width direction,
The first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width in the line width direction of the line section,
The second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than the width in the line width direction of the line section,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the railway line section,
Multilayer board.
(2)
前記第1太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
(1)に記載の多層基板。
(2)
The width of the first thick line section in the line width direction is larger than the width of the second thick line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to (1).
(3)
前記第1中間区間は、前記第1太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第1細線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第2細線区間を含んでおり、
前記第1細線区間は、前記第1接続区間に隣接しており、
前記第2細線区間は、前記第2接続区間に隣接している、
(1)又は(2)のいずれかに記載の多層基板。
(3)
The first intermediate section includes a first thin line section having a width in the line width direction smaller than the width in the line width direction of the first thick line section,
The second intermediate section includes a second thin line section having a width in the line width direction smaller than the width in the line width direction of the second thick line section,
The first thin line section is adjacent to the first connection section,
The second thin line section is adjacent to the second connection section,
The multilayer substrate according to either (1) or (2).
(4)
前記第1細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第2細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
(3)に記載の多層基板。
(4)
The width of the first thin line section in the line width direction and the width of the second thin line section in the line width direction are smaller than the width of the line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to (3).
(5)
前記第1グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
(1)ないし(4)のいずれかに記載の多層基板。
(5)
The first ground conductor layer overlaps the radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to any one of (1) to (4).
(6)
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向に並ぶ第1区間及び第2区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第1区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間に位置している、
(1)ないし(5)のいずれかに記載の多層基板。
(6)
The laminate has a first section and a second section arranged in the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The connection conductor layer is located in the first section,
The signal conductor layer is located in the first section and the second section,
The multilayer substrate according to any one of (1) to (5).
(7)
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向にこの順に並ぶ第1区間、第2区間及び第3区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記第3区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第3区間に位置し、かつ、前記第1区間及び前記第2区間に位置しない第2グランド導体層を、
更に備えており、
前記第1グランド導体層は、前記第1区間、前記第2区間及び前記第3区間に位置しており、
前記第2グランド導体層は、前記信号導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間において、前記第1グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第3区間において、前記第1グランド導体層及び前記第2グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
(1)ないし(6)のいずれかに記載の多層基板。
(7)
The laminate has a first section, a second section, and a third section arranged in this order in the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The thickness of the third section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The multilayer substrate includes:
A second ground conductor layer located in the third section and not located in the first section and the second section,
Furthermore, we are equipped with
The first ground conductor layer is located in the first section, the second section, and the third section,
The second ground conductor layer is located on the positive side of the Z-axis from the signal conductor layer, and overlaps at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
The signal conductor layer forms a microstrip line structure together with the first ground conductor layer in the first section and the second section,
The signal conductor layer forms a strip line structure together with the first ground conductor layer and the second ground conductor layer in the third section.
The multilayer substrate according to any one of (1) to (6).
(8)
前記積層体は、第1積層体部及び第2積層体部を含んでおり、
前記第1積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置する1以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する1以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部の主たる絶縁材料は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
(1)ないし(7)のいずれかに記載の多層基板。
(8)
The laminate includes a first laminate part and a second laminate part,
The first laminate section includes one or more of the insulator layers and the intermediate insulator layer located on the positive side of the Z-axis from the intermediate insulator layer,
The second laminate section includes one or more of the insulator layers located on the negative side of the Z axis than the intermediate insulator layer,
The main insulating material of the second laminate part is different from the main insulating material of the first laminate part,
The multilayer substrate according to any one of (1) to (7).
(9)
前記第2積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
(8)に記載の多層基板。
(9)
The Young's modulus of the main insulating material of the second laminate part is higher than the Young's modulus of the main insulating material of the first laminate part.
The multilayer substrate according to (8).
(10)
前記第2層間接続導体の材料は、前記第1層間接続導体の材料と異なる、
(8)又は(9)のいずれかに記載の多層基板。
(10)
The material of the second interlayer connection conductor is different from the material of the first interlayer connection conductor,
The multilayer substrate according to either (8) or (9).
(11)
前記積層体は、可撓性を有している、
(1)ないし(10)のいずれかに記載の多層基板。
(11)
The laminate has flexibility,
The multilayer substrate according to any one of (1) to (10).
(12)
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
(1)ないし(11)のいずれかに記載の多層基板。
(12)
The material of the plurality of insulator layers is a thermoplastic resin,
The multilayer substrate according to any one of (1) to (11).
10,10a,10b:多層基板
12:積層体
12a:第1積層体部
12b:第2積層体部
14a~14g:絶縁体層
15a~15c:保護層
18:第2グランド導体層
20:放射導体層
22a,22b,24,24a~24d:接続導体層
26:信号導体層
28:第1グランド導体層
A1:第1区間
A11:第1接続区間
A12:第2接続区間
A2:第2区間
A21:第1中間区間
A21b:第1太線区間
A21a:第1細線区間
A22:第2中間区間
A22b:第2太線区間
A22a:第2細線区間
A3:第3区間
A31:線路区間
v1~v4:層間接続導体
10, 10a, 10b: Multilayer substrate 12:
Claims (12)
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。 A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative adjacent insulator layer are stacked in alignment in the Z-axis direction, and each of the plurality of insulator layers has a positive main surface. , and has a negative main surface located on the negative side of the Z axis from the positive main surface, and the negative side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z axis of the intermediate insulator layer, and a laminate in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided in the laminate and located on the positive side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided in the laminate and located on the negative side of the Z axis from the intermediate insulator layer;
provided in the laminate, located on the negative main surface of the intermediate insulator layer, and including a first connection section, a second connection section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section. the first intermediate section is adjacent to the first connection section, the second intermediate section is adjacent to the second connection section, and the line section is a connecting conductor layer adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
provided in the laminate, located on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and viewed in the Z-axis direction, at least a portion of the connection conductor layer and the a first ground conductor layer overlapping at least a portion of the signal conductor layer;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
One of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer. Ori,
The other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer. and
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as the stretching direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as the line width direction,
The first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the stretching direction, and the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the stretching direction, In the stretching direction, the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer,
In the stretching direction, both ends of the first connection section are located at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as seen in the Z-axis direction,
In the stretching direction, both ends of the second connection section are located at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
The maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than the maximum width of the first connection section in the line width direction,
The first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width in the line width direction of the line section,
The second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than the width in the line width direction of the line section,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the railway line section,
Multilayer board.
請求項1に記載の多層基板。 The width of the first thick line section in the line width direction is larger than the width of the second thick line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to claim 1.
前記第2中間区間は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第2細線区間を含んでおり、
前記第1細線区間は、前記第1接続区間に隣接しており、
前記第2細線区間は、前記第2接続区間に隣接している、
請求項1又は請求項2のいずれかに記載の多層基板。 The first intermediate section includes a first thin line section having a width in the line width direction smaller than the width in the line width direction of the first thick line section,
The second intermediate section includes a second thin line section having a width in the line width direction smaller than the width in the line width direction of the second thick line section,
The first thin line section is adjacent to the first connection section,
The second thin line section is adjacent to the second connection section,
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
請求項3に記載の多層基板。 The width of the first thin line section in the line width direction and the width of the second thin line section in the line width direction are smaller than the width of the line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to claim 3.
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The first ground conductor layer overlaps the radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第1区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間に位置している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The laminate has a first section and a second section arranged in the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The connection conductor layer is located in the first section,
The signal conductor layer is located in the first section and the second section,
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記第3区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第3区間に位置し、かつ、前記第1区間及び前記第2区間に位置しない第2グランド導体層を、
更に備えており、
前記第1グランド導体層は、前記第1区間、前記第2区間及び前記第3区間に位置しており、
前記第2グランド導体層は、前記信号導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間において、前記第1グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第3区間において、前記第1グランド導体層及び前記第2グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The laminate has a first section, a second section, and a third section arranged in this order in the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The thickness of the third section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The multilayer substrate includes:
A second ground conductor layer located in the third section and not located in the first section and the second section,
Furthermore, we are equipped with
The first ground conductor layer is located in the first section, the second section, and the third section,
The second ground conductor layer is located on the positive side of the Z-axis from the signal conductor layer, and overlaps at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction,
The signal conductor layer forms a microstrip line structure together with the first ground conductor layer in the first section and the second section,
The signal conductor layer forms a strip line structure together with the first ground conductor layer and the second ground conductor layer in the third section.
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
前記第1積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置する1以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する1以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部の主たる絶縁材料は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The laminate includes a first laminate part and a second laminate part,
The first laminate section includes one or more of the insulator layers and the intermediate insulator layer located on the positive side of the Z-axis from the intermediate insulator layer,
The second laminate section includes one or more of the insulator layers located on the negative side of the Z axis than the intermediate insulator layer,
The main insulating material of the second laminate part is different from the main insulating material of the first laminate part,
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
請求項8に記載の多層基板。 The Young's modulus of the main insulating material of the second laminate part is higher than the Young's modulus of the main insulating material of the first laminate part.
The multilayer substrate according to claim 8.
請求項8に記載の多層基板。 The material of the second interlayer connection conductor is different from the material of the first interlayer connection conductor,
The multilayer substrate according to claim 8.
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The laminate has flexibility,
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。 The material of the plurality of insulator layers is a thermoplastic resin,
The multilayer substrate according to claim 1 or claim 2.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202321861698.7U CN220653600U (en) | 2022-08-23 | 2023-07-14 | Multilayer substrate |
US18/360,831 US20240074038A1 (en) | 2022-08-23 | 2023-07-28 | Multilayer substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022132684 | 2022-08-23 | ||
JP2022132684 | 2022-08-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024031783A true JP2024031783A (en) | 2024-03-07 |
Family
ID=90105618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023069904A Pending JP2024031783A (en) | 2022-08-23 | 2023-04-21 | Multilayer substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024031783A (en) |
-
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