JP2024008691A - Protective sheet - Google Patents

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Yuichiro Shishido
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    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective sheet that allows easy positioning of a protective layer with respect to a transfer device, an adherend and the like.
SOLUTION: A protective sheet according to the present invention comprises a protective layer attached to an adherend, and a release liner provided on a surface of the protective layer. The protective layer contains a water-soluble polymer. The release liner is provided with an inner surface that faces the protective layer, and an outer surface that serves as an opposite surface from the inner surface. An optical transmittance of transmission from the outer surface of the release liner through the protective layer is at least 15% lower than an optical transmittance of the release liner at least at one wavelength.
SELECTED DRAWING: Figure 1A
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は保護シートに関する。 The present invention relates to a protective sheet.

従来、半導体チップなどの半導体素子や液晶表示装置などの電子部品の製造において、前記電子部品に異物が付着することなどを防止するために、粘着性を有する保護シートを用いることが知られている(例えば、下記特許文献1)。
下記特許文献1には、前記保護シートとして、オキシアルキレン基含有ポリビニルアルコール系樹脂を含む樹脂組成物によって形成された保護層と、該保護層の両面に配される2枚のはく離シートとを備えるものが開示されている。
Conventionally, in the manufacture of semiconductor elements such as semiconductor chips and electronic components such as liquid crystal display devices, it has been known to use adhesive protective sheets to prevent foreign matter from adhering to the electronic components. (For example, Patent Document 1 below).
Patent Document 1 below discloses that the protective sheet includes a protective layer formed of a resin composition containing an oxyalkylene group-containing polyvinyl alcohol resin, and two release sheets arranged on both sides of the protective layer. something is disclosed.

上記の電子部品の製造のうち、半導体チップの製造は、通常、一つの半導体ウェハを分割(割断)することにより実施される(例えば、下記特許文献2)。
例えば、下記特許文献2には、以下のようにして半導体チップの製造を実施することが開示されている。

(1)シリコンウェハの一表面側に、格子状をなすように複数の分割予定ラインを形成する。
(2)前記複数の分割予定ラインによって格子状に区画された領域(以下、格子状区画領域ともいう)のそれぞれに、回路パターンを形成するとともに電極部を配する。これにより、半導体チップを得るための半導体ウェハを作製する。
(3)該半導体ウェハを前記複数の分割予定ラインに沿って分割(割断)して、換言すれば、前記半導体ウェハを前記格子状区画領域ごとに分割(割断)して、複数の半導体チップを得る。
Among the above-mentioned manufacturing of electronic components, manufacturing of semiconductor chips is usually carried out by dividing (cutting) one semiconductor wafer (for example, Patent Document 2 below).
For example, Patent Document 2 below discloses that a semiconductor chip is manufactured in the following manner.

(1) A plurality of dividing lines are formed in a grid pattern on one surface of a silicon wafer.
(2) A circuit pattern is formed and an electrode portion is arranged in each of the areas partitioned into a grid pattern by the plurality of planned dividing lines (hereinafter also referred to as grid partition areas). In this way, a semiconductor wafer for obtaining semiconductor chips is manufactured.
(3) Divide (cut) the semiconductor wafer along the plurality of planned dividing lines, in other words, divide (cut) the semiconductor wafer into each of the lattice-shaped partitioned areas to form a plurality of semiconductor chips. obtain.

特開2021-161735号公報Japanese Patent Application Publication No. 2021-161735 特開2012-119670号公報Japanese Patent Application Publication No. 2012-119670

上記のように、一つの半導体ウェハを分割(割断)して複数の半導体チップを得る場合、分割部(割断部)付近の半導体ウェハの一部が粉状化されるなどして微量の粉塵が発生することがある。
そして、このような粉塵が前記半導体チップの一表面側(回路パターンが形成された側)に付着すると、一表面側に形成された回路パターンに含まれる回路の動作信頼性が低下する虞があることから好ましくない。
そのため、半導体チップを製造する際に前記一つの半導体ウェハの一表面側(回路パターンが形成された側)に前記保護シートを貼り合わせて半導体チップを保護することが考えられる。
このような保護シートとしては、用済み後に半導体ウェハなどの被着体から除去することが容易な水溶性の保護層を備えたものが有用であると考えられる。
As mentioned above, when dividing (cutting) one semiconductor wafer to obtain multiple semiconductor chips, a small amount of dust is generated as a part of the semiconductor wafer near the dividing part (cutting part) is pulverized. This may occur.
If such dust adheres to one surface side of the semiconductor chip (the side on which the circuit pattern is formed), there is a risk that the operational reliability of the circuit included in the circuit pattern formed on the one surface side may decrease. That's why I don't like it.
Therefore, when manufacturing a semiconductor chip, it is conceivable to protect the semiconductor chip by attaching the protective sheet to one surface side (the side on which the circuit pattern is formed) of the one semiconductor wafer.
As such a protective sheet, one having a water-soluble protective layer that can be easily removed from an adherend such as a semiconductor wafer after use is considered useful.

ところで半導体ウェハなどの被着体に保護シートを貼着する場合、所定の形状に切断した保護シートをラミネート装置にセットして被着体に貼り付けたり、所定の形状に切断した保護シートを被着体に直接的に貼り合わせたりする方法が考えられる。
そしてラミネート装置にセットする際や被着体に直接的に貼り付ける際などにおける保護層の位置合わせや保護層からはく離ライナーを剥がすことを容易に行う上では、はく離ライナーに掴みしろを設けることが有効であると考えられる。
しかしながら、そうするとはく離ライナーを保護層の外周縁よりも外側にはみ出させることになり、はく離ライナーの外周縁と保護層の外周縁とが一致しなくなるので、はく離ライナー側から保護層の位置を正確に把握することが困難になり保護層の位置合わせを困難にさせることにもなりかねない。
そこで、本発明は、転写装置や被着体などに対する保護層の位置合わせが容易な保護シートの提供を課題とする。
By the way, when attaching a protective sheet to an adherend such as a semiconductor wafer, the protective sheet cut into a predetermined shape may be set in a laminating machine and attached to the adherend, or the protective sheet cut into a predetermined shape may be placed on the adherend. A possible method is to attach it directly to the wearer.
In order to easily align the protective layer and peel the release liner from the protective layer when setting it in a laminating device or directly attaching it to an adherend, it is recommended to provide a gripping margin on the release liner. It is considered to be effective.
However, this will cause the release liner to protrude beyond the outer periphery of the protective layer, and the outer periphery of the release liner and the outer periphery of the protective layer will not match, so it is difficult to accurately position the protective layer from the release liner side. This may make it difficult to grasp and position the protective layer.
Therefore, an object of the present invention is to provide a protective sheet that allows easy alignment of the protective layer with respect to a transfer device, an adherend, and the like.

すなわち、本発明に係る保護シートは、
被着体に貼着される保護層と、
該保護層の表面に配されるはく離ライナーと、を備え、
前記保護層が水溶性高分子を含み、
前記はく離ライナーが、前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記はく離ライナーの前記外表面から前記保護層を透過するまでの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い。
That is, the protective sheet according to the present invention is
a protective layer attached to the adherend;
a release liner disposed on the surface of the protective layer,
the protective layer contains a water-soluble polymer,
The release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance from the outer surface of the release liner to the protective layer is 15% or more lower than the light transmittance of the release liner at at least one wavelength.

また、本発明に係る保護シートは、
被着体に貼着される保護層と、
該保護層の一表面に配される第1はく離ライナーと、
前記保護層の他表面に配される第2はく離ライナーと、を備え、
前記保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第1はく離ライナーと前記第2はく離ライナーとのそれぞれが前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記第2はく離ライナーの前記外表面から前記第1はく離ライナーの前記外表面までの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記第2はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い。
Moreover, the protective sheet according to the present invention is
a protective layer attached to the adherend;
a first release liner disposed on one surface of the protective layer;
a second release liner disposed on the other surface of the protective layer,
The protective layer includes a water-soluble polymer compound,
Each of the first release liner and the second release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance from the outer surface of the second release liner to the outer surface of the first release liner is at least 15% lower than the light transmittance of the second release liner at at least one wavelength.

本発明によれば、転写装置や被着体などに対する保護層の位置合わせが容易な保護シートを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a protective sheet whose protective layer can be easily aligned with respect to a transfer device, an adherend, and the like.

本発明の一実施形態に係る保護シートの構成を示す模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a protective sheet according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態に係る保護シートの構成を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a protective sheet according to another embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る保護シートにおいて保護層をカットする一態様を示す模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one aspect of cutting a protective layer in a protective sheet according to an embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態に係る保護シートを得るに際して保護層をカットする一態様を示す模式断面図。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing one aspect of cutting a protective layer when obtaining a protective sheet according to another embodiment of the present invention. 保護層の露出面に第1はく離ライナーを貼り合わせて他の実施形態に係る保護シートを得る例を示す模式断面図。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of obtaining a protective sheet according to another embodiment by laminating a first release liner to the exposed surface of the protective layer. センシング装置を用いて後プリカットにより得られた保護層の位置を検出している様子を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing how a sensing device is used to detect the position of a protective layer obtained by post-precutting. マウント装置を用いて後プリカットにより得られた保護層を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる様子を示す模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing how a protective layer obtained by post-precutting is attached to a surface to be protected of a semiconductor wafer using a mounting device. 半導体ウェハの保護対象面に保護層が貼り合わされた様子を示す模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a protective layer bonded to a surface to be protected of a semiconductor wafer. センシング装置を用いて先プリカットにより得られた保護層の位置を検出している様子を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing how a sensing device is used to detect the position of a protective layer obtained by pre-cutting. ラミネート装置を用いて先プリカットにより得られた保護層を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる様子を示す模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing how a protective layer obtained by pre-cutting is bonded to a surface to be protected of a semiconductor wafer using a laminating device. 半導体ウェハの保護対象面に保護層が貼り合わされた様子を示す模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a protective layer bonded to a surface to be protected of a semiconductor wafer.

以下、本発明の一実施形態について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below.

[第一実施形態に係る保護シート]
本発明の第一実施形態に係る保護シート10は、図1A及び図1Bに示したように、保護層1と、保護層1の一表面に配される第1はく離ライナー2と、保護層1の他表面に配される第2はく離ライナー3と、を備えている。
第一実施形態に係る保護シート10においては、保護層1は、水溶性高分子化合物を含む。
即ち、保護層1は、水溶性を有する。
一方で第1はく離ライナー2と第2はく離ライナー3とは非水溶性である。
[Protective sheet according to first embodiment]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the protective sheet 10 according to the first embodiment of the present invention includes a protective layer 1, a first release liner 2 disposed on one surface of the protective layer 1, and a protective sheet 10. A second release liner 3 disposed on the other surface.
In the protective sheet 10 according to the first embodiment, the protective layer 1 contains a water-soluble polymer compound.
That is, the protective layer 1 has water solubility.
On the other hand, the first release liner 2 and the second release liner 3 are water-insoluble.

本実施形態の保護層1は、被着体に貼着させることができる程度の接着性を有する。
本実施形態の保護層1は、タック性(感圧接着性)を有することが好ましい。
本実施形態の保護シート10は、保護層1を被着体(本実施形態においては「半導体ウェハ」)に貼着させることで被着体に対する各種の処理を施す間、当該被着体の表面に異物が付着することを防止すべく用いられる。
The protective layer 1 of this embodiment has adhesiveness to the extent that it can be attached to an adherend.
It is preferable that the protective layer 1 of this embodiment has tackiness (pressure-sensitive adhesiveness).
The protective sheet 10 of this embodiment can be applied to the surface of the adherend while performing various treatments on the adherend by attaching the protective layer 1 to an adherend (in this embodiment, a "semiconductor wafer"). It is used to prevent foreign matter from adhering to the surface.

前記第1はく離ライナー2と前記第2はく離ライナー3とのそれぞれは、半導体ウェハに貼着する前の保護層1に異物が付着するのを防止すべく保護層1に貼合されている。
前記第1はく離ライナー2と前記第2はく離ライナー3とのそれぞれは、前記保護層1に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備える。
本実施形態の保護シート10は、第2はく離ライナー3を剥がして保護層1の前記他表面を半導体ウェハに貼着させるようにして用いられる。
The first release liner 2 and the second release liner 3 are each bonded to the protective layer 1 in order to prevent foreign matter from adhering to the protective layer 1 before being bonded to the semiconductor wafer.
Each of the first release liner 2 and the second release liner 3 includes an inner surface facing the protective layer 1 and an outer surface opposite to the inner surface.
The protective sheet 10 of this embodiment is used by peeling off the second release liner 3 and adhering the other surface of the protective layer 1 to a semiconductor wafer.

本実施形態では、後述するように、被着体における保護対象面と保護層1とが正確に位置決めされた上で前記保護対象面に保護層1が貼着される。
位置決めは直接的なものでなく間接的なものであってもよい。
例えば、被着体が所定位置に配置されることが予定されているラミネート装置などに保護層1をセットして当該ラミネート装置で被着体に保護層1を貼合する際には、ラミネート装置における保護層1の位置決めを行うことで被着体への保護層1の位置決めを行うようにしてもよい。
In this embodiment, as will be described later, the protective layer 1 is attached to the protected surface of the adherend after the protective layer 1 is accurately positioned.
Positioning may be indirect rather than direct.
For example, when setting the protective layer 1 in a laminating device in which the adherend is scheduled to be placed in a predetermined position and laminating the protective layer 1 to the adherend in the laminating device, the laminating device The protective layer 1 may be positioned on the adherend by positioning the protective layer 1 in .

本実施形態では、位置決めを行う時点において保護層1は、第2はく離ライナー3の全面には貼合されておらず、第2はく離ライナー3の内表面を部分的に覆うように設けられる。
そして、本実施形態における位置決め時の保護シート10には、第2はく離ライナー3と保護層1とが積層されている積層領域と、第2はく離ライナー3に保護層1が積層されておらず第2はく離ライナー3のみとなっている単層領域とが設けられ、該単層領域が前記積層領域を包囲するように設けられている。
In this embodiment, the protective layer 1 is not attached to the entire surface of the second release liner 3 at the time of positioning, but is provided so as to partially cover the inner surface of the second release liner 3.
The protective sheet 10 during positioning in this embodiment has a laminated area where the second release liner 3 and the protective layer 1 are laminated, and a laminated area where the protective layer 1 is not laminated on the second release liner 3. 2, a single-layer region including only the release liner 3, and the single-layer region is provided so as to surround the laminated region.

第一実施形態に係る保護シート10においては、第2はく離ライナー3の光の透過率は、保護層1、第1はく離ライナー2、または、保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体のいずれかの透過率よりも高くなっている。
より詳しくは、本実施形態では、前記第2はく離ライナーの前記外表面から前記保護層1を透過するまでの光の透過率が、少なくとも一つの波長において前記第2はく離ライナー3の光透過率よりも15%以上低いか、又は、前記第2はく離ライナー3の前記外表面から前記第1はく離ライナー2の前記外表面までの光透過率が、少なくとも一つの波長において前記第2はく離ライナー3の光透過率よりも15%以上低い。
In the protective sheet 10 according to the first embodiment, the light transmittance of the second release liner 3 is higher than that of the protective layer 1, the first release liner 2, or the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2. The transmittance is higher than that of
More specifically, in this embodiment, the transmittance of light from the outer surface of the second release liner to the point where it passes through the protective layer 1 is higher than the light transmittance of the second release liner 3 in at least one wavelength. or the light transmittance from the outer surface of the second release liner 3 to the outer surface of the first release liner 2 is at least 15% lower than the light transmittance of the second release liner 3 at at least one wavelength. It is 15% or more lower than the transmittance.

第一実施形態に係る保護シート10においては、近赤外領域に含まれる一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率Tと前記一波長において測定された保護層1の透過率Tとの差をΔTABとし、前記透過率Tと前記一波長において測定された第1はく離ライナー2の透過率Tとの差をΔTACとし、前記透過率Tと前記一波長において測定された保護層1及び第1はく離ライナー2との積層体の透過率Tとの差をΔTADとしたときに、前記ΔTAB、前記ΔTAC、または、前記ΔTADが、15%以上である。 In the protective sheet 10 according to the first embodiment, the transmittance T A of the second release liner 3 measured at one wavelength included in the near-infrared region and the transmittance T A of the protective layer 1 measured at the one wavelength ΔT AB is the difference between the transmittance T A and the transmittance T C of the first release liner 2 measured at the one wavelength, and ΔT AC is the difference between the transmittance T A and the transmittance T C of the first release liner 2 measured at the one wavelength. When the difference between the measured transmittance T D of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 is ΔT AD , the ΔT AB , the ΔT AC , or the ΔT AD is 15% or more. It is.

なお、本明細書において、近赤外領域とは、波長800nm以上2500nm以下の領域を意味する。
また、本発明の第一実施形態においては、前記近赤外領域に含まれる一波長として、1060nmの波長を用いることが好ましい。
Note that in this specification, the near-infrared region means a region with a wavelength of 800 nm or more and 2500 nm or less.
Further, in the first embodiment of the present invention, it is preferable to use a wavelength of 1060 nm as one wavelength included in the near-infrared region.

保護層1は、電子部品の保護対象面に貼り合わせて用いられる。
前記電子部品としては、例えは、半導体ウェハなどが挙げられる。
前記半導体ウェハとしては、一表面側に格子状に区画された領域(以下、格子状区画領域ともいう)が形成された半導体ウェハであって、前記格子状区画領域のそれぞれに回路パターンが形成されているとともに電極部が配されている半導体ウェハが挙げられる。
前記電子部品が上記のごとき半導体ウェハである場合、保護層1は、前記半導体ウェハの一表面に貼り合わせて用いられる。
このように、保護層1が前記半導体ウェハの一表面に貼り合わされることにより、前記半導体ウェハを分割(割断)して複数の半導体チップを得るときに分割部(割断部)付近の前記半導体ウェハの一部が粉状化されるなどして発生する微細な異物が、前記一表面に形成された各回路パターン(前記格子状区画領域ごとに形成された回路パターン)、及び、前記一表面に配される各電極部(前記格子状区画領域ごとに配される電極部)に付着することを抑制することができる。
The protective layer 1 is used by being attached to a surface of an electronic component to be protected.
Examples of the electronic component include semiconductor wafers.
The semiconductor wafer is a semiconductor wafer in which a grid-shaped partitioned area (hereinafter also referred to as grid-shaped partitioned area) is formed on one surface side, and a circuit pattern is formed in each of the grid-shaped partitioned area. An example of this is a semiconductor wafer in which an electrode part is arranged.
When the electronic component is a semiconductor wafer as described above, the protective layer 1 is used by being attached to one surface of the semiconductor wafer.
In this way, by bonding the protective layer 1 to one surface of the semiconductor wafer, when dividing (cutting) the semiconductor wafer to obtain a plurality of semiconductor chips, the semiconductor wafer near the dividing part (cutting part) Fine foreign matter generated when a part of It is possible to suppress adhesion to each electrode portion arranged (electrode portion arranged for each grid-like partitioned region).

図1Aに示した保護シート10では、保護層1、第1はく離ライナー2、及び、第2はく離ライナー3が、平面視において略同一寸法を有している。
そして、保護層1は、通常、平面視において電子部品の保護対象面よりも大きな寸法を有している。
In the protective sheet 10 shown in FIG. 1A, the protective layer 1, the first release liner 2, and the second release liner 3 have substantially the same dimensions in plan view.
The protective layer 1 usually has a larger dimension in plan view than the surface to be protected of the electronic component.

本実施形態の保護シート10は、例えば、次のようにして半導体ウェハの保護に用いられる。
(a)前記保護層1の両面に一方及び他方のはく離ライナー(2,3)を積層させて前記保護シートを得た後、一方のはく離ライナー(第1はく離ライナー2)及び前記保護層1の積層体の平面寸法が前記一つの半導体ウェハの平面寸法と略同一となるように前記積層体をカットする(後プリカット法)。
すなわち、後プリカット法では、前記保護シート10は、前記保護層1が該保護層1よりも大きな平面寸法を有する他方のはく離ライナー(第2はく離ライナー3)と前記保護層1と略同一の平面寸法を有する一方のはく離ライナー(第1はく離ライナー2)とで挟持されたものとして構成される。
The protective sheet 10 of this embodiment is used, for example, to protect a semiconductor wafer in the following manner.
(a) After laminating one and the other release liners (2, 3) on both sides of the protective layer 1 to obtain the protective sheet, one release liner (first release liner 2) and the other release liner (2, 3) are laminated on both sides of the protective layer 1. The laminate is cut so that the planar dimensions of the laminate are approximately the same as the planar dimensions of the one semiconductor wafer (post-precut method).
That is, in the post-precut method, the protective sheet 10 is formed on the other release liner (second release liner 3), in which the protective layer 1 has a larger planar dimension than the protective layer 1, and the protective sheet 10 on substantially the same plane as the protective layer 1. It is configured such that it is sandwiched between one release liner (first release liner 2) having the following dimensions.

本実施形態の保護シート10は、また、次のようにして半導体ウェハの保護に用いられる。
(b)前記保護層1の一表面に一方のはく離ライナー(第1はく離ライナー2)を積層させた状態とした後、平面寸法が前記半導体ウェハの平面寸法と略同一となるように前記保護層1のみをカットする(先プリカット法)。その後、カットされた前記保護層1の他表面に前記保護層1の平面寸法よりも大きな平面寸法を有する他方のはく離ライナー(例えば、前記一方のはく離ライナーと略同一の平面寸法を有するはく離ライナー(第2はく離ライナー3)を積層させる。
すなわち、先プリカット法では、前記保護シート10は、前記保護層1が該保護層1よりも大きな平面寸法を有する2枚のはく離ライナー(一方及び他方のはく離ライナー)で挟持されたものとして構成される。
The protective sheet 10 of this embodiment is also used to protect semiconductor wafers in the following manner.
(b) After one release liner (first release liner 2) is laminated on one surface of the protective layer 1, the protective layer is laminated so that its planar dimension is approximately the same as the planar dimension of the semiconductor wafer. Cut only 1 (pre-cut method). Thereafter, on the other surface of the cut protective layer 1, there is another release liner having a planar dimension larger than that of the protective layer 1 (for example, a release liner having approximately the same planar dimension as the one release liner). A second release liner 3) is laminated.
That is, in the tip precut method, the protective sheet 10 is configured such that the protective layer 1 is sandwiched between two release liners (one release liner and the other release liner) having a larger planar dimension than the protective layer 1. Ru.

上の(a)で説明したように、本実施形態の一つの態様においては、保護層1を電子部品の保護対象面に貼り合わせるに際して、保護層1は、第1はく離ライナー2との積層体とされた状態で、電子部品の保護対象面と略同一の平面寸法を有するように第1はく離ライナー2側からカットされる(図2A参照)。
すなわち、図1Aに示した保護シート10では、保護層1は、後プリカット法によって電子部品の保護対象面と略同一寸法とされる。
As explained in (a) above, in one aspect of the present embodiment, when the protective layer 1 is bonded to the surface to be protected of the electronic component, the protective layer 1 is laminated with the first release liner 2. In this state, it is cut from the first release liner 2 side so that it has substantially the same planar dimensions as the surface to be protected of the electronic component (see FIG. 2A).
That is, in the protective sheet 10 shown in FIG. 1A, the protective layer 1 is made to have substantially the same dimensions as the surface to be protected of the electronic component by the post-precut method.

図1Aに示した保護シート10では、第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3は、平面視において略同一寸法を有しており、この平面寸法は、電子部品の保護対象面よりも大きくなっている。
これに対し、図1Bに示した保護シート10では、保護層1は、平面視において、電子部品の保護対象面と略同一の寸法を有している。
詳しくは、保護層1は、一方のはく離ライナー、例えば、第1はく離ライナー2との積層体とされた後にカットされて(図2B参照)、電子部品の保護対象面と略同一の平面寸法とされている。
すなわち、図1Bに示した保護シート10では、保護層1は、先プリカット法によって電子部品の保護対象面と略同一寸法とされている。
なお、他方のはく離ライナー、例えば、第2はく離ライナー3は、保護層1がカットされた後に保護層1の露出面に貼り合わせられる(図2C参照)。
In the protective sheet 10 shown in FIG. 1A, the first release liner 2 and the second release liner 3 have substantially the same dimensions in plan view, and this planar dimension is larger than the surface to be protected of the electronic component. ing.
On the other hand, in the protective sheet 10 shown in FIG. 1B, the protective layer 1 has substantially the same dimensions as the surface to be protected of the electronic component in plan view.
Specifically, the protective layer 1 is formed into a laminate with one release liner, for example, the first release liner 2, and then cut (see FIG. 2B) so that the protective layer 1 has approximately the same planar dimensions as the surface to be protected of the electronic component. has been done.
That is, in the protective sheet 10 shown in FIG. 1B, the protective layer 1 is made to have substantially the same dimensions as the surface to be protected of the electronic component by the pre-precut method.
Note that the other release liner, for example, the second release liner 3, is bonded to the exposed surface of the protective layer 1 after the protective layer 1 is cut (see FIG. 2C).

前記第2はく離ライナー3は、長手方向と短手方向とを備えた長尺の帯状であってもよい。
保護シート10は、一つの帯状の第2はく離ライナー3と、保護対象面と同一形状を有する複数の保護層1とを備え、該複数の保護層1が第2はく離ライナー3の長手方向に並んで配置されたものであってもよく、該長手方向において隣り合う保護層1の間に一定の間隔が設けられたものであってもよい。
また、その場合、第1はく離ライナー2は、第2はく離ライナー3と同様に帯状であってもよく、保護層1と同様に保護対象面と同一形状であってもよい。
The second release liner 3 may be in the form of a long strip having a longitudinal direction and a lateral direction.
The protective sheet 10 includes one strip-shaped second release liner 3 and a plurality of protective layers 1 having the same shape as the surface to be protected, and the plurality of protective layers 1 are arranged in the longitudinal direction of the second release liner 3. The protective layers 1 may be arranged in such a manner that a certain interval may be provided between adjacent protective layers 1 in the longitudinal direction.
Further, in that case, the first release liner 2 may be strip-shaped like the second release liner 3, or may have the same shape as the surface to be protected like the protective layer 1.

前記第2はく離ライナー3は、長手方向のみならず短手方向においても保護層1より寸法が大きくてもよい。
即ち、保護シート10は、保護層1の外周縁よりも外側に第2はく離ライナー3がはみ出し、且つ、第2はく離ライナー3のはみ出しが保護層1の全周において生じているものであってもよい。
The second release liner 3 may be larger than the protective layer 1 not only in the longitudinal direction but also in the lateral direction.
That is, even if the protective sheet 10 has the second release liner 3 protruding outward from the outer peripheral edge of the protective layer 1, and the second release liner 3 protrudes over the entire circumference of the protective layer 1, good.

保護シート10は、例えば、以下のようにして作製することができる。

(1)アプリケータなどを用いて、水溶性高分子化合物とともに余剰な液分を含む水溶性樹脂組成物を第1はく離ライナー2上に所定厚さ(例えば、10μm)で塗布する。
(2)塗布後の水溶性樹脂組成物を所定温度で所定時間(例えば、110℃で2分間)乾燥する。これにより、第1はく離ライナー2上に水溶性高分子化合物を含む保護層1を形成する。
(3)保護層1において、第1はく離ライナー2が配されている面の反対面(保護層1の露出面)に第2はく離ライナー3を貼り合わせる。

なお、図1Bに示した保護シート10の作製においては、上記ステップ(2)と上記ステップ(3)との間に、電子部品の保護対象面と略同一の平面寸法を有するように保護層1をカットするステップ(ステップ(2’)。図2B参照)を実施する。
The protective sheet 10 can be produced, for example, as follows.

(1) Using an applicator or the like, a water-soluble resin composition containing a water-soluble polymer compound and an excess liquid is applied onto the first release liner 2 to a predetermined thickness (for example, 10 μm).
(2) The water-soluble resin composition after application is dried at a predetermined temperature for a predetermined time (eg, 110° C. for 2 minutes). As a result, the protective layer 1 containing the water-soluble polymer compound is formed on the first release liner 2.
(3) A second release liner 3 is attached to the surface of the protective layer 1 opposite to the surface on which the first release liner 2 is arranged (the exposed surface of the protective layer 1).

In the production of the protective sheet 10 shown in FIG. 1B, between the above step (2) and the above step (3), the protective layer 1 is formed so as to have approximately the same planar dimension as the surface to be protected of the electronic component. (step (2'), see FIG. 2B).

第一実施形態に係る保護シート10においては、保護層1は、水溶性高分子化合物とともに余剰な液分を含む水溶性樹脂組成として、水に前記水溶性高分子化合物を分散させたもの(以下、保護層形成組成物という)を用いて作製されることが好ましい。
前記保護層形成組成物では、水100質量部に対して、前記水溶性高分子化合物が5質量部以上80質量部以下含まれていることが好ましく、10質量部以上70質量部以下含まれていることがより好ましく、15質量部以上60質量部以下含まれていることがさらに好ましい。
また、前記保護層形成組成物では、水に前記水溶性高分子化合物が溶解した状態となっていることが好ましい。
なお、前記保護層形成組成物では、前記水溶性高分子化合物は、20~90℃の温度で処理されることにより水に溶解した状態とすることができる。
さらに、前記保護層形成組成物は、25℃における粘度が0.03Pa・s以上であることが好ましく、0.05Pa・s以上であることがより好ましく、0.1Pa・s以上であることがさらに好ましい。
25℃における粘度が上記した下限値以上であることにより、前記保護層形成組成物を第1はく離ライナー2上に塗布して該第1はく離ライナー2上に保護層1を形成したときに、保護層1の厚みが変動し易くなることを抑制することができる。
また、前記保護層形成組成物は、25℃における粘度が15Pa・s以下であることが好ましく、10Pa・s以下であることがより好ましく、5Pa・s以下であることがさらに好ましい。
25℃における粘度が上記した上限値以上であることにより、前記保護層形成組成物を第1はく離ライナー2上に塗布するときの塗布性を向上させることができる。
なお、25℃における前記保護層形成組成物の粘度は、測定装置として、英弘精機社製のデジタル粘度計(製品名「DV-I Prime」)を用いた上で、LV-3スピンドルを用いて、回転数50rpmという条件を採用することにより測定することができる。
In the protective sheet 10 according to the first embodiment, the protective layer 1 has a water-soluble polymer compound dispersed in water (hereinafter referred to as a water-soluble resin composition containing a water-soluble polymer compound and an excess liquid). , a protective layer-forming composition).
In the protective layer forming composition, the water-soluble polymer compound is preferably contained in an amount of 5 parts by mass or more and 80 parts by mass or less, and 10 parts by mass or more and 70 parts by mass or less, per 100 parts by mass of water. More preferably, the content is 15 parts by mass or more and 60 parts by mass or less.
Further, in the protective layer forming composition, it is preferable that the water-soluble polymer compound is dissolved in water.
In the protective layer forming composition, the water-soluble polymer compound can be dissolved in water by being treated at a temperature of 20 to 90°C.
Furthermore, the viscosity of the protective layer forming composition at 25° C. is preferably 0.03 Pa·s or more, more preferably 0.05 Pa·s or more, and preferably 0.1 Pa·s or more. More preferred.
When the viscosity at 25° C. is equal to or higher than the above lower limit, when the protective layer forming composition is applied onto the first release liner 2 to form the protective layer 1 on the first release liner 2, It is possible to prevent the thickness of the layer 1 from easily fluctuating.
Further, the viscosity of the protective layer forming composition at 25° C. is preferably 15 Pa·s or less, more preferably 10 Pa·s or less, and even more preferably 5 Pa·s or less.
When the viscosity at 25° C. is at least the above-mentioned upper limit, the coating properties of the protective layer forming composition when applied onto the first release liner 2 can be improved.
The viscosity of the protective layer forming composition at 25°C was measured using a digital viscometer manufactured by Hideko Seiki Co., Ltd. (product name "DV-I Prime") and an LV-3 spindle. , the rotation speed is 50 rpm.

前記水溶性高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルピロリドン(PVP)、水溶性ポリエステル(PES)、ポリエチレンオキシド(PEO)などが挙げられる。
前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性ポリエステル、ポリエチレンオキシドなどを単独で用いてもよいし、これらの2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記水溶性高分子化合物としては、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエステル、及び、ポリエチレンオキシドからなる群から選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、ポリビニルアルコールを用いることがより好ましい。
Examples of the water-soluble polymer compound include polyvinyl alcohol (PVA), polyvinylpyrrolidone (PVP), water-soluble polyester (PES), and polyethylene oxide (PEO).
As the water-soluble polymer compound, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, water-soluble polyester, polyethylene oxide, etc. may be used alone, or two or more of these may be used in combination.
As the water-soluble polymer compound, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of polyvinyl alcohol, water-soluble polyester, and polyethylene oxide, and it is more preferable to use polyvinyl alcohol.

前記ポリビニルアルコールは、けん化度が50以上98以下であることが好ましく、60以上90以下であることがより好ましい。
けん化度が上記数値範囲内であることにより、前記ポリビニルアルコールは、十分な水溶性を示すことができることに加えて、前記ポリビニルアルコールを前記保護層形成組成物に含ませた場合においては、第1はく離ライナー2上への前記保護層形成組成物の塗布を作業性良く実施することができる。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、プロトン磁気共鳴分光法(H-NMR測定法)によって測定することができる。
なお、測定試料中に添加剤が含まれており、該添加剤由来のピークがけん化度の算出に用いるピークに重なる場合には、前記測定試料にメタノール抽出などを施して前記添加剤を分離した後に、前記ポリビニルアルコールのけん化度を測定する。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、以下のような条件で測定することができる。

<測定条件>
・分析装置 FT-NMR : Bruker Biospin , AVANCE III-400
・観測周波数 400MHz(1H)
・測定溶媒 重水、または、重ジメチルスルホキシド(重DMSO)
・測定温度 80℃
・化学シフト基準 外部標準TSP-d4(0.00ppm)(重水測定時)
測定溶媒(2.50ppm)(重DMSO測定時)

なお、前記ポリビニルアルコールのけん化度は、ビニルアルコールユニット(VOH)のメチレン基由来のピーク(重水;2.0~1.0ppm、重DMSO;1.9~1.0ppm)と、酢酸ビニルユニット(VAc)のアセチル基由来のピーク(重水;2.1ppm付近、重DMSO;2.0ppm付近)とを用いて、以下の式に基づいて算出する。
以下の式において、[VOH(-CH2)-]は、ビニルアルコールユニット中の-CH2-由来のピークの強度を意味し、[VAc(CH3CO-)]は、酢酸ビニルユニット中のCH3CO-由来のピーク強度を意味する。
The degree of saponification of the polyvinyl alcohol is preferably 50 or more and 98 or less, more preferably 60 or more and 90 or less.
By having a saponification degree within the above numerical range, the polyvinyl alcohol can exhibit sufficient water solubility, and when the polyvinyl alcohol is included in the protective layer forming composition, the first The protective layer forming composition can be applied onto the release liner 2 with good workability.
The degree of saponification of the polyvinyl alcohol can be measured by proton magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR measurement).
In addition, if the measurement sample contained an additive and the peak derived from the additive overlapped with the peak used for calculating the degree of saponification, the measurement sample was subjected to methanol extraction etc. to separate the additive. Afterwards, the degree of saponification of the polyvinyl alcohol is measured.
The degree of saponification of the polyvinyl alcohol can be measured under the following conditions.

<Measurement conditions>
・Analyzer FT-NMR: Bruker Biospin, AVANCE III-400
・Observation frequency 400MHz(1H)
・Measurement solvent Heavy water or heavy dimethyl sulfoxide (heavy DMSO)
・Measurement temperature 80℃
・Chemical shift standard External standard TSP-d4 (0.00ppm) (when measuring heavy water)
Measurement solvent (2.50ppm) (during heavy DMSO measurement)

The degree of saponification of the polyvinyl alcohol is determined by the peak derived from the methylene group of the vinyl alcohol unit (VOH) (heavy water: 2.0 to 1.0 ppm, heavy DMSO: 1.9 to 1.0 ppm) and the peak derived from the acetyl group of the vinyl acetate unit (VAc). It is calculated based on the following formula using the peak of (heavy water: around 2.1 ppm, heavy DMSO: around 2.0 ppm).
In the following formula, [VOH(-CH 2 )-] means the intensity of the peak derived from -CH 2 - in the vinyl alcohol unit, and [VAc(CH 3 CO-)] means the intensity of the peak derived from -CH 2 - in the vinyl alcohol unit. It means the peak intensity derived from CH 3 CO-.

前記ポリビニルアルコールは、平均重合度が100以上1000以下であることが好ましく、100以上800以下であることがより好ましい。
平均重合度が上記数値範囲内であることにより、前記ポリビニルアルコールは、十分な水溶性を示すことができることに加えて、前記ポリビニルアルコールを前記保護層形成組成物に含ませた場合においては、第1はく離ライナー2上への前記保護層形成組成物の塗布を作業性良く実施することができる。
前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、水系GPCによって測定することができる。
前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、以下のような条件で測定することができる。

<測定条件>
・分析装置 Agilent, 1260Infinity
・カラム TSKgel G6000PWXL(東ソー社製)及びTSKgel G3000PWXL(東ソー社製)
上記2本のカラムは直列接続する。
・カラム温度 40℃
・溶離液 0.2Mの硝酸ナトリウム水溶液
・注入量 100μL
・検出器 示差屈折計(RI)
・標準試料 PEG標準試料及びPVA標準試料

具体的な測定は、以下のようにして行う。

(1)PEG標準試料を用いたGPC測定によって、被測定試料(PVA)及びPVA標準試料の質量平均分子量Mwをそれぞれ算出する。なお、PVA標準試料は、平均重合度が既知のものである。
(2)PVA標準試料の平均重合度、及び、算出したPVA標準試料の質量平均分子量Mwを用いて検量線を作成する。
(3)作成した検量線を用いて、被測定試料(PVA)の質量平均分子量Mwから被測定試料(PVA)の平均重合度を求める。
The average degree of polymerization of the polyvinyl alcohol is preferably 100 or more and 1000 or less, more preferably 100 or more and 800 or less.
By having an average degree of polymerization within the above numerical range, the polyvinyl alcohol can exhibit sufficient water solubility, and when the polyvinyl alcohol is included in the protective layer forming composition, the polyvinyl alcohol can exhibit sufficient water solubility. 1. The protective layer forming composition can be applied onto the release liner 2 with good workability.
The average degree of polymerization of the polyvinyl alcohol can be measured by aqueous GPC.
The average degree of polymerization of the polyvinyl alcohol can be measured under the following conditions.

<Measurement conditions>
・Analyzer Agilent, 1260Infinity
・Column TSKgel G6000PWXL (manufactured by Tosoh Corporation) and TSKgel G3000PWXL (manufactured by Tosoh Corporation)
The above two columns are connected in series.
・Column temperature 40℃
・Eluent: 0.2M sodium nitrate aqueous solution ・Injection volume: 100μL
・Detector Differential refractometer (RI)
・Standard sample PEG standard sample and PVA standard sample

Specific measurements are performed as follows.

(1) Calculate the mass average molecular weight Mw of the sample to be measured (PVA) and the PVA standard sample by GPC measurement using a PEG standard sample. Note that the PVA standard sample has a known average degree of polymerization.
(2) Create a calibration curve using the average degree of polymerization of the PVA standard sample and the calculated mass average molecular weight Mw of the PVA standard sample.
(3) Using the created calibration curve, determine the average degree of polymerization of the sample to be measured (PVA) from the mass average molecular weight Mw of the sample to be measured (PVA).

また、前記水溶性高分子として、前記ポリビニルアルコールを用いる場合には、けん化度が異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよいし、平均重合度が異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよい。 Further, when the polyvinyl alcohol is used as the water-soluble polymer, a plurality of polyvinyl alcohols having different degrees of saponification may be used in combination, or a plurality of polyvinyl alcohols having different average degrees of polymerization may be used in combination. good.

前記水溶性ポリエステルは、多価カルボン酸の残基とポリオールの残基とを有する。
前記水溶性ポリエステルは、例えば、多価カルボン酸成分とポリオール成分とを含むモノマー成分の重合生成物である。
なお、前記水溶性ポリエステルが水溶性を有することは、技術常識に基づいて判断することができる。
The water-soluble polyester has a polyhydric carboxylic acid residue and a polyol residue.
The water-soluble polyester is, for example, a polymerization product of monomer components containing a polyhydric carboxylic acid component and a polyol component.
In addition, whether the water-soluble polyester has water solubility can be determined based on common technical knowledge.

前記水溶性ポリエステルは、以下の(1)~(4)のうちの少なくとも1つを満たすことが好ましい。
(1)前記水溶性ポリエステルで形成された厚み20μmの薄膜の表面全体に常温(23±2℃)の水を0.005MPaの噴霧圧で20分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
(2)前記水溶性ポリエステルで形成された厚み20μmの薄膜の表面全体に50℃の水を0.005MPaの噴霧圧で10分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
(3)前記水溶性ポリエステルと常温の水とを、水溶性ポリエステル:常温の水=1:5の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を20分間照射すると、前記水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
(4)前記水溶性ポリエステルと50℃の水とを、水溶性ポリエステル:50℃の水=1:5の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を10分間照射すると、前記水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
The water-soluble polyester preferably satisfies at least one of the following (1) to (4).
(1) When water at room temperature (23±2° C.) is sprayed for 20 minutes at a spray pressure of 0.005 MPa over the entire surface of a 20 μm thick thin film made of the water-soluble polyester, the entire thin film dissolves in water.
(2) When water at 50° C. is sprayed at a spray pressure of 0.005 MPa for 10 minutes over the entire surface of a 20 μm thick thin film made of the water-soluble polyester, the entire thin film dissolves in water.
(3) When the water-soluble polyester and room temperature water are mixed at a mass ratio of water-soluble polyester: room temperature water = 1:5 to obtain a mixed solution, and when the mixed solution is irradiated with ultrasound for 20 minutes, The water-soluble polyester is completely dissolved in water.
(4) Mix the water-soluble polyester and 50°C water at a mass ratio of water-soluble polyester: 50°C water = 1:5 to obtain a mixed solution, and irradiate the mixed solution with ultrasound for 10 minutes. Then, all of the water-soluble polyester is dissolved in water.

保護層1の厚さは、2μm以上70μm以下であることが好ましく、3μm以上50μm以下であることがより好ましく、5μm以上40μm以下であることがさらに好ましい。
保護層1の厚さは、例えば、ダイアルゲージ(PEACOCK社製、型式R-205)を用いて、ランダムに選んだ任意の5点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
The thickness of the protective layer 1 is preferably 2 μm or more and 70 μm or less, more preferably 3 μm or more and 50 μm or less, and even more preferably 5 μm or more and 40 μm or less.
The thickness of the protective layer 1 can be determined by, for example, measuring the thickness at five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, model R-205), and calculating the arithmetic average of these thicknesses. It can be found by

第1はく離ライナー2としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)などの樹脂を用いて作製された樹脂シートが挙げられる。
前記樹脂シートは、少なくとも保護層1に貼り合わされる面に離型処理が施されたものであってもよい。
前記離型処理としては、シリコーン離型処理などが挙げられる。
また、第2はく離ライナー3も、第1はく離ライナー2と同様のものを用いることができる。
Examples of the first release liner 2 include a resin sheet made using a resin such as polyethylene terephthalate (PET).
The resin sheet may be subjected to a release treatment at least on the surface to be bonded to the protective layer 1.
Examples of the mold release treatment include silicone mold release treatment.
Furthermore, the second release liner 3 can also be the same as the first release liner 2.

第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3の厚さは、15μm以上75μm以下であることが好ましく、20μm以上60μm以下であることがより好ましい。
第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3の厚さは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3の厚さは、保護層1の厚さと同様にして求めることができる。
The thickness of the first release liner 2 and the second release liner 3 is preferably 15 μm or more and 75 μm or less, more preferably 20 μm or more and 60 μm or less.
The thickness of the first release liner 2 and the second release liner 3 may be the same or different.
The thickness of the first release liner 2 and the second release liner 3 can be determined in the same manner as the thickness of the protective layer 1.

上で説明したように、第一実施形態に係る保護シート10においては、第2はく離ライナー3の透過率は、保護層1、第1はく離ライナー2、または、保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体のいずれかの透過率よりも高くなっている。
また、第一実施形態に係る保護シート10においては、近赤外領域に含まれる一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率Tと前記一波長において測定された保護層1の透過率Tとの差をΔTABとし、前記透過率Tと前記一波長において測定された第1はく離ライナー2の透過率Tとの差をΔTACとし、前記透過率Tと前記一波長において測定された保護層1及び第1はく離ライナー2との積層体の透過率Tとの差をΔTADとしたときに、前記ΔTAB、前記ΔTAC、または、前記ΔTADが、15%以上である。
なお、透過率Tは、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第2はく離ライナー3を透過するときの比率を意味し、透過率Tは、前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1を透過するときの比率を意味し、透過率Tは、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過するときの比率を意味し、透過率Tは、前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体を透過する比率を意味する。
すなわち、透過率T~Tは、平行線透過率を意味する。
As explained above, in the protective sheet 10 according to the first embodiment, the transmittance of the second release liner 3 is higher than that of the protective layer 1, the first release liner 2, or the protective layer 1 and the first release liner 2. The transmittance is higher than that of any of the laminates.
In the protective sheet 10 according to the first embodiment, the transmittance T A of the second release liner 3 measured at one wavelength included in the near-infrared region and the transmittance T A of the protective layer 1 measured at the one wavelength ΔT AB is the difference between the transmittance T B and the transmittance T C of the first release liner 2 measured at the one wavelength, and ΔT AC is the difference between the transmittance T A and the transmittance T C of the first release liner 2 measured at the one wavelength. When the difference between the transmittance T D of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 measured at the wavelength is ΔT AD , the ΔT AB , the ΔT AC , or the ΔT AD is 15 % or more.
Note that the transmittance T A means the ratio when the light of one wavelength is transmitted through the second release liner 3 in parallel to the thickness direction, and the transmittance T B is the ratio when the light of one wavelength is transmitted through the second release liner 3 in parallel to the thickness direction. The transmittance TC means the ratio when the light of one wavelength is transmitted through the first release liner 2 parallel to the thickness direction, and the transmittance T The ratio T D means the ratio at which the light of one wavelength is transmitted through the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 in parallel to the thickness direction.
That is, the transmittances T A to T D mean parallel line transmittances.

近赤外領域に含まれる光、すなわち、近赤外光は、波長が極めて長いことから、対象物に照射したときに厚さ方向と平行に該対象物を透過し易い。
そのため、前記ΔTABを15%以上とするためには、近赤外領域に含まれる一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1を透過することを妨げる必要があり、前記ΔTACを15%以上とするためには、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過することを妨げる必要があり、前記ΔTADを15%以上とするためには、前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体を透過することを妨げる必要がある。
具体的には、保護層1や第1はく離ライナー2において、厚さ方向と平行に透過する前記一波長の光の一部を吸収させたり、保護層1や第1はく離ライナー2において、厚さ方向と平行に透過する前記一波長の光の一部を乱反射させたりする必要がある。
Light included in the near-infrared region, that is, near-infrared light, has an extremely long wavelength, so when it is irradiated onto an object, it easily passes through the object in parallel to the thickness direction.
Therefore, in order to set the ΔT AB to 15% or more, it is necessary to prevent light of one wavelength included in the near-infrared region from passing through the protective layer 1 in parallel to the thickness direction, and the ΔT AC In order to make ΔT AD 15% or more, it is necessary to prevent the light of one wavelength from passing through the first release liner 2 in parallel with the thickness direction, and in order to make ΔT AD 15% or more, It is necessary to prevent light of one wavelength from passing through the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 in parallel to the thickness direction.
Specifically, in the protective layer 1 and the first release liner 2, a part of the light of one wavelength transmitted in parallel to the thickness direction is absorbed, and in the protective layer 1 and the first release liner 2, the thickness It is necessary to diffusely reflect a part of the light of one wavelength that is transmitted parallel to the direction.

前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1を透過することを妨げる処理としては、保護層1を形成するための前記保護層形成組成物中に、顔料を含ませることが挙げられる。
保護層1が顔料を含むことにより、前記一波長の光のような近赤外光であっても、前記顔料によって、前記一波長の光の一部を吸収させることができる。
また、前記顔料によって、前記一波長の光の一部を乱反射させることができる。
The treatment for preventing the light of one wavelength from passing through the protective layer 1 in parallel to the thickness direction includes including a pigment in the protective layer forming composition for forming the protective layer 1. .
By including the pigment in the protective layer 1, even if it is near-infrared light such as the one-wavelength light, the pigment can absorb a part of the one-wavelength light.
Furthermore, the pigment can diffusely reflect a portion of the light of one wavelength.

前記顔料としては、従来公知の顔料を用いることができる。
前記顔料としては、炭酸亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、タルク、カオリン、炭酸カルシウム、酸化チタン、シリカ、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、ジルコニア、酸化鉄系、水酸化鉄系、酸化クロム系、スピネル型焼成系、クロム酸系、クロムバーミリオン系、紺青系、アルミニウム粉末系、ブロンズ粉末系、リン酸カルシウム等の無機顔料や、フタロシアニン系、アゾ系、縮合アゾ系、アゾレーキ系、アンスラキノン系、ペリレン・ペリノン系、インジゴ・チオインジゴ系、イソインドリノン系、アゾメタン系、カーボンブラック系などの有機顔料が挙げられる。
As the pigment, conventionally known pigments can be used.
The pigments include zinc carbonate, zinc oxide, zinc sulfide, talc, kaolin, calcium carbonate, titanium oxide, silica, lithium fluoride, calcium fluoride, barium sulfate, alumina, zirconia, iron oxide, iron hydroxide, Inorganic pigments such as chromium oxide type, spinel fired type, chromic acid type, chrome vermilion type, navy blue type, aluminum powder type, bronze powder type, calcium phosphate, phthalocyanine type, azo type, condensed azo type, azo lake type, anthracite type, etc. Examples include organic pigments such as quinone, perylene/perinone, indigo/thioindigo, isoindolinone, azomethane, and carbon black.

保護層1は水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記顔料を0.1質量部以上含んでいることが好ましく、0.5質量部以上含んでいることがより好ましく、1.0質量部以上含んでいることがさらに好ましい。
また、保護層1は水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記顔料を30質量部以下含んでいることが好ましく、20質量部以下含んでいることがより好ましく、10質量部以下含んでいることがさらに好ましい。
なお、顔料とは、水やアルコールなどの有機溶剤に溶解しない性質を有する着色剤を意味する。
The protective layer 1 preferably contains 0.1 parts by mass or more of the pigment, more preferably 0.5 parts by mass or more, and 1.0 parts by mass of the pigment based on 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound. It is more preferable that the content is more than 1 part by mass.
The protective layer 1 preferably contains 30 parts by mass or less of the pigment, more preferably 20 parts by mass or less, and 10 parts by mass or less of the pigment based on 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound. It is more preferable that the
Note that the term "pigment" refers to a coloring agent that does not dissolve in organic solvents such as water and alcohol.

また、前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1を透過することを妨げる処理としては、保護層1を形成するための前記保護層形成組成物に発泡処理を施すことも挙げられる。
このような発泡処理が施された前記保護層形成組成物で形成された保護層1には、複数の気泡が含まれるようになる。
これにより、保護層1に含まれる複数の気泡において乱反射を生じさせることができるので、前記一波長の光のような近赤外光であっても、厚さ方向と平行に保護層1を透過する比率を低下させることができる。
Further, as the treatment for preventing the light of one wavelength from passing through the protective layer 1 in parallel to the thickness direction, it is also possible to perform a foaming treatment on the protective layer forming composition for forming the protective layer 1. .
The protective layer 1 formed from the protective layer forming composition subjected to such foaming treatment comes to contain a plurality of air bubbles.
As a result, diffuse reflection can be caused in the plurality of bubbles included in the protective layer 1, so even near-infrared light such as the one-wavelength light can be transmitted through the protective layer 1 in parallel to the thickness direction. It is possible to reduce the ratio of

上で説明したように、第1はく離ライナー2がポリエチレンテレフタレート(PET)などの樹脂を用いて作製された樹脂シートである場合、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過することを妨げる処理としては、前記樹脂シートを作製するための樹脂組成物に発泡処理を施すことが挙げられる。
前記樹脂組成物に発泡処理を施すことにより得られる樹脂シート(樹脂発泡シート)は複数の気泡を含むようになるので、複数の気泡において乱反射を生じさせることができる。
これにより、前記一波長の光のような近赤外光であっても、厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過する比率を低下させることができる。
また、第1はく離ライナー2がポリエチレンテレフタレート(PET)などの樹脂を用いて作製された樹脂シートである場合、前記樹脂シートとされた状態で発泡処理が施されてもよい。
例えば、前記樹脂シートを延伸させ、その延伸時にボイドを発生させるような発泡処理が施されてもよい。
As explained above, when the first release liner 2 is a resin sheet made using a resin such as polyethylene terephthalate (PET), the light of one wavelength is applied to the first release liner 2 in parallel to the thickness direction. Examples of the treatment that prevents the permeation of the resin include foaming treatment of the resin composition for producing the resin sheet.
Since the resin sheet (resin foam sheet) obtained by subjecting the resin composition to foaming treatment includes a plurality of bubbles, diffused reflection can be caused in the plurality of bubbles.
As a result, even near-infrared light such as the one-wavelength light can be transmitted through the first release liner 2 in parallel to the thickness direction.
Further, when the first release liner 2 is a resin sheet made using a resin such as polyethylene terephthalate (PET), the resin sheet may be subjected to a foaming treatment.
For example, the resin sheet may be stretched and subjected to a foaming treatment that generates voids during the stretching.

また、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過することを妨げる処理としては、第1はく離ライナー2の少なくとも一方面に酸化チタンなどの顔料を含むインクを塗工することが挙げられる。
第1はく離ライナー2の少なくとも一方面(内表面、外表面、又は、両面)に顔料を含む塗工層が形成されていることにより、前記一波長の光のような近赤外光であっても、前記塗工層に含まれる顔料によって、前記一波長の光の一部を吸収させることができる。
また、前記顔料によって、前記一波長の光の一部を乱反射させることができる。
Further, as a treatment for preventing the light of one wavelength from passing through the first release liner 2 in parallel to the thickness direction, at least one surface of the first release liner 2 is coated with ink containing a pigment such as titanium oxide. There are many things you can do.
By forming a coating layer containing a pigment on at least one surface (inner surface, outer surface, or both surfaces) of the first release liner 2, near-infrared light such as the one wavelength light can be emitted. Also, part of the light of one wavelength can be absorbed by the pigment contained in the coating layer.
Furthermore, the pigment can diffusely reflect a portion of the light of one wavelength.

さらに、顔料を含む樹脂を用いた第1はく離ライナー2を構成して、前記顔料に前記一波長の光の一部を吸収させたり、前記顔料によって前記一波長の光の一部を乱反射させたりすることにより、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過する比率を低下させてもよい。 Furthermore, the first release liner 2 is configured using a resin containing a pigment, so that the pigment absorbs a portion of the one wavelength light, or the pigment diffusely reflects a portion of the one wavelength light. By doing so, the ratio of the light of one wavelength passing through the first release liner 2 in parallel to the thickness direction may be reduced.

また、前記一波長の光が厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過することを妨げる処理としては、第1はく離ライナー2の少なくとも一方面にマット加工やエンボス加工を施すことも挙げられる。
第1はく離ライナー2の少なくとも一方面にマット加工やエンボス加工を施すことにより、第1はく離ライナー2表面の凹凸部分において乱反射を生じさせることができる。
これにより、前記一波長の光のような近赤外光であっても、厚さ方向と平行に第1はく離ライナー2を透過する比率を低下させることができる。
Further, as the treatment for preventing the light of one wavelength from passing through the first release liner 2 in parallel with the thickness direction, it is also possible to perform matte processing or embossing on at least one surface of the first release liner 2. .
By applying matte processing or embossing to at least one surface of the first release liner 2, diffused reflection can be caused in the uneven portions of the surface of the first release liner 2.
Thereby, even near-infrared light such as the one-wavelength light described above can reduce the rate of transmission through the first release liner 2 in parallel to the thickness direction.

前記第1はく離ライナー2は、光を遮るための層を有する積層フィルムであってもよい。前記第1はく離ライナー2は、樹脂層と金属蒸着層とを有する積層フィルムであってもよく、アルミラミネートフィルムのようなものであってもよい。 The first release liner 2 may be a laminated film having a layer for blocking light. The first release liner 2 may be a laminated film having a resin layer and a metal deposited layer, or may be an aluminum laminate film.

前記一波長の光が厚さ方向と平行に保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体を透過することを妨げて、第2はく離ライナー3の透過率Tと保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率Tとの差であるΔTADを15%以上とするためには、第2はく離ライナー3の透過率Tと保護層1の透過率Tとの差であるΔTAB、及び、第2はく離ライナー3の透過率Tと第1はく離ライナー2の透過率Tとの差であるΔTACの合算値が15%以上となっていればよい。
例えば、ΔTABを5%以上とした上で、ΔTACを10%以上としたり、ΔTABを10%以上とした上で、ΔTACを5%以上としたりすればよい。
保護層1の透過率T及び第1はく離ライナーの透過率Tは、上で説明したのと同様にして調整することができる。
なお、当然のことながら、上で説明したように、ΔTAB及びΔTACの少なくとも一方を15%以上とすることによっても、前記ΔTADを15%以上とすることができる。
The light of one wavelength is prevented from transmitting through the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 in parallel with the thickness direction, and the transmittance TA of the second release liner 3 and the protective layer 1 and the first release liner are In order to make ΔTAD, which is the difference between the transmittance TD of the laminate of the liner 2, 15% or more, the difference between the transmittance TA of the second release liner 3 and the transmittance TB of the protective layer 1 must be 15 % or more. It is sufficient that the total value of a certain ΔT AB and ΔT AC , which is the difference between the transmittance T A of the second release liner 3 and the transmittance T C of the first release liner 2, is 15% or more.
For example, ΔT AB may be set to 5% or more, and ΔT AC may be set to 10% or more, or ΔT AB may be set to 10% or more, and ΔT AC may be set to 5% or more.
The transmittance T B of the protective layer 1 and the transmittance T C of the first release liner can be adjusted in the same manner as explained above.
Of course, as explained above, the ΔT AD can also be made 15% or more by setting at least one of ΔT AB and ΔT AC to 15% or more.

第2はく離ライナー3を通じて保護層1や第1はく離ライナー2の存在を把握するための透過率の差は、20%以上であることが好ましく、25%以上であることがより好ましい。透過率の差は、30%以上であってもよく、40%以上であってもよく、50%以上であってもよい。
尚、このような透過率の差を有することが好ましいのは、後述する他の実施形態においても同じである。
The difference in transmittance for detecting the presence of the protective layer 1 and the first release liner 2 through the second release liner 3 is preferably 20% or more, more preferably 25% or more. The difference in transmittance may be 30% or more, 40% or more, or 50% or more.
Note that it is preferable to have such a difference in transmittance also in other embodiments described later.

前記一波長において測定された保護層1の透過率T、前記一波長において測定された第1はく離ライナー2の透過率T、及び、前記一波長において測定された保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率Tとの差を可能な限り大きくする観点から、前記一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率Tは、前記一波長の光の透過性が高い方が好ましい。
前記一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率Tは、65%以上であることが好ましく、75%以上であることがより好ましく、85%以上であることがさらに好ましい。
前記一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率Tは、100%以下であってもよいし、95%以下であってもよい。
The transmittance T B of the protective layer 1 measured at the one wavelength, the transmittance T C of the first release liner 2 measured at the one wavelength, and the protective layer 1 and the first release liner measured at the one wavelength. From the viewpoint of maximizing the difference between the transmittance TD of the laminate of the liner 2 and the transmittance TA of the second release liner 3 measured at the one wavelength, the transmittance TA of the second release liner 3 measured at the one wavelength is Higher is preferable.
The transmittance T A of the second release liner 3 measured at the one wavelength is preferably 65% or more, more preferably 75% or more, and even more preferably 85% or more.
The transmittance T A of the second release liner 3 measured at the one wavelength may be 100% or less, or 95% or less.

前記一波長における第2はく離ライナー3の透過率T、前記一波長における保護層1の透過率T、前記一波長における第1はく離ライナー2の透過率T、及び、前記一波長における保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率Tは、分光光度計(日本分光社製、商品名「V-670」)を用いて、前記一波長における平行線透過率を測定することにより求めることができる。
分光光度計を用いた平行線透過率の測定では、測定波長を190nm~3000nmの範囲とすることができる。
また、第2はく離ライナー3については厚さ50μm程度のものを測定試料とすることができ、保護層1については厚さ10μm程度のものを測定試料とすることができ、第1はく離ライナー2については厚さ40μm程度のものを測定試料とすることができる。
なお、分光光度計を用いた平行線透過率の測定は、積分球を使用せずに実施する。
The transmittance T A of the second release liner 3 at the one wavelength, the transmittance T B of the protective layer 1 at the one wavelength, the transmittance T C of the first release liner 2 at the one wavelength, and the protection at the one wavelength. The transmittance TD of the laminate of the layer 1 and the first release liner 2 is determined by measuring the parallel light transmittance at one wavelength using a spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, trade name "V-670"). It can be found by
When measuring parallel light transmittance using a spectrophotometer, the measurement wavelength can be in the range of 190 nm to 3000 nm.
The second release liner 3 can be measured with a thickness of about 50 μm, the protective layer 1 can be measured with a thickness of about 10 μm, and the first release liner 2 can be measured with a thickness of about 10 μm. A sample having a thickness of about 40 μm can be used as a measurement sample.
Note that parallel ray transmittance is measured using a spectrophotometer without using an integrating sphere.

[第二実施形態に係る保護シート]
本発明の第二実施形態に係る保護シート10は、紫外領域に含まれる一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率TA’と前記一波長において測定された保護層1の透過率TB’との差をΔTA’B’とし、前記透過率TA’と前記一波長において測定された第1はく離ライナー2の透過率TC’との差をΔTA’C’とし、前記透過率TA’と前記一波長において測定された保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’との差をΔTA’D’としたときに、前記ΔTA’B’、前記ΔTA’C’、または、前記ΔTA’D’が、15%以上であること以外は、先に説明した第一実施形態に係る保護シート10と同様に構成されている。
[Protection sheet according to second embodiment]
The protective sheet 10 according to the second embodiment of the present invention has a transmittance T A' of the second release liner 3 measured at one wavelength included in the ultraviolet region and a transmittance of the protective layer 1 measured at the one wavelength. The difference between the transmittance TA' and the transmittance TC ' of the first release liner 2 measured at the one wavelength is ΔT A'C' , When the difference between the transmittance T A' and the transmittance T D' of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 measured at one wavelength is ΔT A'D' , the ΔT A' The protective sheet 10 is configured in the same manner as the protective sheet 10 according to the first embodiment described above, except that B' , the ΔT A'C' , or the ΔT A'D' is 15% or more.

本明細書において、紫外領域とは、波長200nm以上380nm未満の領域を意味する。
また、本発明の第二実施形態においては、前記紫外領域に含まれる一波長として、330nmの波長を用いることが好ましい。
In this specification, the ultraviolet region means a region with a wavelength of 200 nm or more and less than 380 nm.
Moreover, in the second embodiment of the present invention, it is preferable to use a wavelength of 330 nm as one wavelength included in the ultraviolet region.

前記透過率TA’~TD’は、前記透過率T~Tと同様に、平行線透過率を意味する。
また、紫外領域に含まれる一波長における第2はく離ライナー3の透過率TA’、前記一波長における保護層1の透過率TB’、前記一波長における第1はく離ライナー2の透過率TC’、及び、前記一波長における保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’も、上で説明したのと同様にして測定することができる。
The transmittances T A' to T D' mean parallel line transmittances, similarly to the transmittances T A to T D.
Further, the transmittance T A' of the second release liner 3 at one wavelength included in the ultraviolet region, the transmittance T B' of the protective layer 1 at the one wavelength, and the transmittance T C of the first release liner 2 at the one wavelength. ' and the transmittance TD' of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 at one wavelength can also be measured in the same manner as described above.

紫外領域に含まれる光、すなわち、紫外光(紫外線)は、波長が極めて短いことから、対象物に照射したときに、上で説明したような波長が極めて長い光、すなわち、近赤外光よりも該対象物を透過し難くなっている。
そのため、保護層1に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’B’を15%以上とすることができ、第1はく離ライナー2に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’C’を15%以上とすることができ、保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’D’を15%以上とすることができる。
Light in the ultraviolet region, that is, ultraviolet light (ultraviolet light), has an extremely short wavelength, so when it is irradiated onto an object, it is more sensitive than light that has an extremely long wavelength as explained above, that is, near-infrared light. It is also difficult for light to pass through the object.
Therefore, by subjecting the protective layer 1 to the same treatment as explained in the section of the first embodiment above, the ΔT A'B' can be made 15% or more, and the first release liner 2 is By performing the same treatment as explained in the section of the first embodiment, the ΔT A'C' can be made 15% or more, and the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 is By performing the same processing as explained in the section of the first embodiment, the ΔT A'D' can be made 15% or more.

また、上記以外の処理を施すことによっても、前記ΔTA’B’、ΔTA’C’、及び、ΔTA’D’を15%以上とすることができる。
例えば、紫外線吸収剤を含ませた前記保護層形成組成物で保護層1を構成したり、紫外線吸収剤を含む樹脂を用いて第1はく離ライナー2を構成したりすることにより、前記ΔTA’B’、前記ΔTA’C’、及び、ΔTA’D’を15%以上とすることができる。
Further, by performing processing other than the above, the ΔT A'B' , ΔT A'C' , and ΔT A'D' can be made 15% or more.
For example, by forming the protective layer 1 with the protective layer forming composition containing an ultraviolet absorber, or forming the first release liner 2 with a resin containing an ultraviolet absorber, the ΔT A'B' , the ΔT A'C' , and ΔT A'D' can be 15% or more.

前記紫外線吸収剤としては、例えば、トリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、オキシベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸エステル系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤などが挙げられる。
これら各種の紫外線吸収剤は、1種単独で用いられてもよいし、2種以上が組み合わされて用いられてもよい。
Examples of the UV absorbers include triazine UV absorbers, benzotriazole UV absorbers, benzophenone UV absorbers, oxybenzophenone UV absorbers, salicylic acid ester UV absorbers, cyanoacrylate UV absorbers, and the like. Can be mentioned.
These various ultraviolet absorbers may be used alone or in combination of two or more.

保護層1に前記紫外線吸収剤を含ませる場合、保護層1は、水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記紫外線吸収剤を0.1質量部以上含んでいることが好ましく、0.5質量部以上含んでいることがより好ましく、1.0質量部以上含んでいることがさらに好ましい。
また、保護層1に前記紫外線吸収剤を含ませる場合、保護層1は、水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記紫外線吸収剤を20質量部以下含んでいることが好ましく、15質量部以下含んでいることがより好ましく、10質量部以下含んでいることがさらに好ましい。
When the protective layer 1 contains the ultraviolet absorber, the protective layer 1 preferably contains 0.1 part by mass or more of the ultraviolet absorber per 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound; The content is more preferably .5 parts by mass or more, and even more preferably 1.0 parts by mass or more.
Further, when the protective layer 1 contains the ultraviolet absorber, the protective layer 1 preferably contains 20 parts by mass or less of the ultraviolet absorber per 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound, and preferably contains 15 parts by mass or less of the UV absorber. It is more preferable that the amount is contained in an amount of 10 parts by mass or less, and even more preferably 10 parts by mass or less.

また、紫外線吸収剤に代えて、後述するアゾ系染料を含ませた前記保護層形成組成物で保護層1を構成したり、前記アゾ系染料を含む樹脂を用いて第1はく離ライナー2を構成したりすることによっても、前記ΔTA’B’、前記ΔTA’C’、及び、ΔTA’D’を15%以上とすることができる。
なお、前記アゾ系染料としては、例えば、黄色を呈する黄色染料などが挙げられる。
In addition, instead of the ultraviolet absorber, the protective layer 1 may be formed of the protective layer forming composition containing an azo dye, which will be described later, or the first release liner 2 may be formed using a resin containing the azo dye. By doing so, the ΔT A'B' , the ΔT A'C' , and the ΔT A'D' can be made 15% or more.
Note that examples of the azo dye include yellow dyes that exhibit yellow color.

保護層1に前記アゾ系染料を含ませる場合、その含有量は、上で説明した前記紫外線吸収剤の含有量と同様とすることができる。 When the protective layer 1 contains the azo dye, its content can be the same as the content of the ultraviolet absorber described above.

また、前記紫外線吸収剤に加えて前記アゾ系染料を含ませた前記保護層形成組成物で保護層1を構成したり、前記紫外線吸収剤に加えて前記アゾ系染料を含む樹脂を用いて第1はく離ライナー2を構成したりすることによっても、前記ΔTA’B’、前記ΔTA’C’、及び、ΔTA’D’を15%以上とすることができる。 The protective layer 1 may be formed of the protective layer forming composition containing the azo dye in addition to the ultraviolet absorber, or may be formed using a resin containing the azo dye in addition to the ultraviolet absorber. Also by configuring the release liner 2, the ΔT A'B' , the ΔT A'C' , and the ΔT A'D' can be made 15% or more.

[第三実施形態に係る保護シート]
本発明の第三実施形態に係る保護シート10は、可視領域に含まれる一波長において測定された第2はく離ライナー3の透過率TA’’と前記一波長において測定された保護層1の透過率TB’’との差をΔTA’’B’’とし、前記透過率TA’’と前記一波長において測定された第1はく離ライナー2の透過率TC’’との差をΔTA’’C’’とし、前記透過率TA’’と前記一波長において測定された保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’’との差をΔTA’’D’’としたときに、前記ΔTA’’B’’、前記ΔTA’’C’’、または、前記ΔTA’’D’’が、15%以上であること以外は、先に説明した第一実施形態に係る保護シート10と同様に構成されている。
[Protection sheet according to third embodiment]
The protective sheet 10 according to the third embodiment of the present invention has a transmittance T A'' of the second release liner 3 measured at one wavelength included in the visible region and a transmittance T A'' of the protective layer 1 measured at the one wavelength. The difference between the transmittance T B'' and the transmittance T B'' is ΔT A''B'' , and the difference between the transmittance T A'' and the transmittance T C'' of the first release liner 2 measured at one wavelength is ΔT A''C'' , and the difference between the transmittance T A'' and the transmittance T D'' of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 measured at the one wavelength is ΔT A''D'' , as described above, except that the ΔT A''B'' , the ΔT A''C'' , or the ΔT A''D'' is 15% or more. It is configured similarly to the protective sheet 10 according to the first embodiment.

本明細書において、可視領域とは、波長380nm以上800nm未満の領域を意味する。
また、本発明の第三実施形態においては、前記可視領域に含まれる一波長として、550nm以上650nmの範囲内の一波長を用いることが好ましい。
In this specification, the visible region means a region with a wavelength of 380 nm or more and less than 800 nm.
Further, in the third embodiment of the present invention, it is preferable to use one wavelength within a range of 550 nm or more and 650 nm as the one wavelength included in the visible region.

透過率TA’’~TD’’は、透過率T~Tと同様に、平行線透過率を意味する。
また、可視領域に含まれる一波長における第2はく離ライナー3の透過率TA’’、前記一波長における保護層1の透過率TB’’、前記一波長における第1はく離ライナー2の透過率TC’’、及び、前記一波長における保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’’も、上で説明したのと同様にして測定することができる。
The transmittances T A'' to T D'' mean parallel line transmittances, similarly to the transmittances T A to T D.
Further, the transmittance T A'' of the second release liner 3 at one wavelength included in the visible region, the transmittance T B'' of the protective layer 1 at the one wavelength, and the transmittance of the first release liner 2 at the one wavelength. T C'' and the transmittance T D'' of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 at one wavelength can also be measured in the same manner as described above.

可視領域に含まれる光、すなわち、可視光(可視光線)は、近赤外光よりも波長が短いことから、対象物に照射したときに、近赤外光よりも該対象物を透過し難くなっている。
そのため、保護層1に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’’B’’を15%以上とすることができ、第1はく離ライナー2に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’’C’’を15%以上とすることができ、保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体に上の第一実施形態の項で説明したのと同様の処理を施すことにより、前記ΔTA’’D’’を15%以上とすることができる。
Light included in the visible region, that is, visible light (visible light), has a shorter wavelength than near-infrared light, so when it is irradiated onto an object, it is less likely to pass through the object than near-infrared light. It has become.
Therefore, by subjecting the protective layer 1 to the same treatment as described in the section of the first embodiment above, the ΔT A''B'' can be made 15% or more, and the first release liner 2 By performing the same treatment as described in the first embodiment above, the ΔT A''C'' can be made 15% or more, and the protective layer 1 and the first release liner 2 can be By subjecting the laminate to the same treatment as described in the section of the first embodiment above, the ΔT A''D'' can be made 15% or more.

また、可視光を吸収する成分を含む前記保護層形成組成物で保護層1を構成したり、可視光を吸収する成分を含む樹脂を用いて第1はく離ライナー2を構成したりすることによっても、前記ΔTA’’B’’、前記ΔTA’’C’’、及び、ΔTA’’D’’を15%以上とすることができる。
可視光を吸収する成分としては、例えば、染料が挙げられる。
なお、染料とは、水や有機溶剤などに溶解する性質を有する着色剤を意味する。
Alternatively, the protective layer 1 may be formed using the protective layer forming composition containing a component that absorbs visible light, or the first release liner 2 may be formed using a resin containing a component that absorbs visible light. , the ΔT A''B'' , the ΔT A''C'' , and the ΔT A''D'' can be 15% or more.
Examples of components that absorb visible light include dyes.
Note that the term "dye" refers to a coloring agent that has the property of being soluble in water, organic solvents, and the like.

前記染料としては、例えば、アゾ系染料、アントラキノン、キノンフタロン、スチリル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、オキサジン、トリアジン、キサンタン、メタン、アゾメチン、アクリジン、ジアジンが挙げられる。 Examples of the dye include azo dyes, anthraquinone, quinone phthalone, styryl, diphenylmethane, triphenylmethane, oxazine, triazine, xanthan, methane, azomethine, acridine, and diazine.

保護層1に前記染料を含ませる場合、保護層1は、水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記染料を0.1質量部以上含んでいることが好ましく、0.5質量部以上含んでいることがより好ましく、1.0質量部以上含んでいることがさらに好ましい。
保護層1に前記染料を含ませる場合、保護層1は、水溶性高分子化合物の100質量部に対して、前記染料を30質量部以下含んでいることが好ましく、20質量部以下含んでいることがより好ましく、10質量部以下含んでいることがさらに好ましい。
When the protective layer 1 contains the dye, the protective layer 1 preferably contains 0.1 part by mass or more of the dye, and preferably 0.5 part by mass, based on 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound. It is more preferable that the amount is more than 1.0 parts by mass, and even more preferably 1.0 parts by mass or more.
When the protective layer 1 contains the dye, the protective layer 1 preferably contains 30 parts by mass or less, and preferably 20 parts by mass or less, of the dye per 100 parts by mass of the water-soluble polymer compound. It is more preferable that the content is 10 parts by mass or less.

上の第一~第三実施形態に係る保護シート10においては、透過率差によって、第2はく離ライナー3と保護層1とを識別したり、第2はく離ライナー3と第1はく離ライナー2とを識別したり、第2はく離ライナー3と保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体とを識別したりする例について説明した。
一方で、第2はく離ライナー3と保護層1との識別、第2はく離ライナー3と第1はく離ライナー2との識別、及び、第2はく離ライナー3と保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体との識別は、透過率差に加えて、ヘーズ(曇り度)の差や明度(L値)の差によって実施されてもよい。
In the protective sheet 10 according to the first to third embodiments above, the second release liner 3 and the protective layer 1 can be distinguished from each other, or the second release liner 3 and the first release liner 2 can be distinguished from each other by the transmittance difference. An example of identifying the second release liner 3 and the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 has been described.
On the other hand, identification of the second release liner 3 and the protective layer 1, identification of the second release liner 3 and the first release liner 2, and lamination of the second release liner 3, the protective layer 1, and the first release liner 2 are performed. Identification from the body may be performed based on a difference in haze (cloudiness) or a difference in brightness (L value) in addition to a difference in transmittance.

第1はく離ライナー2と第2はく離ライナー3とをヘーズ(曇り度)の差から識別する上において、第1はく離ライナー2のヘーズは可能な限り高い値となることが好ましく、第2はく離ライナー3のヘーズは、可能な限り低い値となることが好ましい。
第1はく離ライナー2のヘーズの下限値は、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましく、93%以上であることがよりさらに好ましく、98%以上であることが特に好ましい。
さらに、第2はく離ライナー3のヘーズの上限値は、10%以下であることが好ましく、7%以下であることがより好ましく、5%以下であることがさらに好ましく、3%以下であることが特に好ましい。
なお、第1はく離ライナー2のヘーズ及び第2はく離ライナー3のヘーズは、厚さ方向のヘーズを意味し、該厚さ方向のヘーズは、JIS K 7136に準拠して測定される値である。
また、厚さ方向のヘーズは、濁度計(日本電色社製、商品名「NDH2000」)を用いて測定することができる。
In distinguishing between the first release liner 2 and the second release liner 3 based on the difference in haze (haze), it is preferable that the haze of the first release liner 2 is as high as possible; It is preferable that the haze of is as low as possible.
The lower limit of the haze of the first release liner 2 is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, even more preferably 90% or more, even more preferably 93% or more. Preferably, it is particularly preferably 98% or more.
Further, the upper limit value of the haze of the second release liner 3 is preferably 10% or less, more preferably 7% or less, even more preferably 5% or less, and preferably 3% or less. Particularly preferred.
Note that the haze of the first release liner 2 and the haze of the second release liner 3 mean haze in the thickness direction, and the haze in the thickness direction is a value measured in accordance with JIS K 7136.
Moreover, the haze in the thickness direction can be measured using a turbidity meter (manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd., trade name "NDH2000").

また、保護層1と第2はく離ライナー3とをヘーズ(曇り度)の差から識別する上において、保護層1のヘーズは可能な限り高い値となることが好ましく、第2はく離ライナー3のヘーズは、可能な限り低い値となることが好ましい。
保護層1のヘーズの下限値は、15%以上であることが好ましく、25%以上であることがより好ましく、35%以上であることがさらに好ましい。
また、第2はく離ライナー3のヘーズの上限値は、上で説明したように設定されていることが好ましい。
なお、保護層1のヘーズも、厚さ方向のヘーズを意味しており、該厚さ方向のヘーズは、第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3と同様にして測定することができる。
Further, when distinguishing between the protective layer 1 and the second release liner 3 based on the difference in haze (cloudiness), it is preferable that the haze of the protective layer 1 is as high as possible, and the haze of the second release liner 3 is preferably as high as possible. is preferably as low as possible.
The lower limit of the haze of the protective layer 1 is preferably 15% or more, more preferably 25% or more, and even more preferably 35% or more.
Moreover, it is preferable that the upper limit value of the haze of the second release liner 3 is set as explained above.
Note that the haze of the protective layer 1 also means the haze in the thickness direction, and the haze in the thickness direction can be measured in the same manner as the first release liner 2 and the second release liner 3.

第1はく離ライナー2と第2はく離ライナー3とを明度(L値)の差から識別する上において、第1はく離ライナー2の明度(L値)は、可能な限り低い値であることが好ましく、第2はく離ライナー3の明度(L値)は、可能な限り高い値であることが好ましい。
第1はく離ライナー2の明度(L値)の上限値は、10以下であることが好ましく、7以下であることがより好ましく、5以下であることがさらに好ましい。
また、第2はく離ライナー3の明度(L値)の下限値は、70以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましく、90以上であることがさらに好ましい。
第1はく離ライナー2の明度(L値)、及び、第2はく離ライナー3の明度(L値)は、カラーメータ(スガ試験機社製、商品名「SM-T」)を用いて測定することができる。
なお、前記カラーメータを用いた測定においては、第1はく離ライナー2の色度(a値及びb値)及び第2はく離ライナー3の色度(a値及びb値)も同時に測定することができる。
In identifying the first release liner 2 and the second release liner 3 from the difference in lightness (L value), the lightness (L value) of the first release liner 2 is preferably as low as possible, The lightness (L value) of the second release liner 3 is preferably as high as possible.
The upper limit of the lightness (L value) of the first release liner 2 is preferably 10 or less, more preferably 7 or less, and even more preferably 5 or less.
Further, the lower limit of the lightness (L value) of the second release liner 3 is preferably 70 or more, more preferably 80 or more, and even more preferably 90 or more.
The lightness (L value) of the first release liner 2 and the lightness (L value) of the second release liner 3 shall be measured using a color meter (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd., trade name "SM-T"). Can be done.
In addition, in the measurement using the color meter, the chromaticity (a value and b value) of the first release liner 2 and the chromaticity (a value and b value) of the second release liner 3 can be measured at the same time. .

また、保護層1と第2はく離ライナー3とを明度(L値)の差から識別する上において、保護層1の明度(L値)は、可能な限り低い値であることが好ましく、第2はく離ライナー3の明度(L値)は、可能な限り高い値であることが好ましい。
保護層1の明度(L値)の上限値は、70以下であることが好ましく、65以下であることがより好ましい。
また、第2はく離ライナー3の明度(L値)の下限値は、80以上であることが好ましく、90以上であることがより好ましい。
保護層1の明度(L値)も、第1はく離ライナー2の明度(L値)及び第2はく離ライナー3の明度(L値)と同様にして、前記カラーメータを用いて測定することができる。
なお、前記カラーメータを用いた測定においては、保護層1の色度(a値及びb値)も同時に測定することができる。
Furthermore, in identifying the protective layer 1 and the second release liner 3 based on the difference in lightness (L value), the lightness (L value) of the protective layer 1 is preferably as low as possible; The lightness (L value) of the release liner 3 is preferably as high as possible.
The upper limit of the brightness (L value) of the protective layer 1 is preferably 70 or less, more preferably 65 or less.
Further, the lower limit of the lightness (L value) of the second release liner 3 is preferably 80 or more, more preferably 90 or more.
The lightness (L value) of the protective layer 1 can also be measured using the color meter in the same manner as the lightness (L value) of the first release liner 2 and the lightness (L value) of the second release liner 3. .
In addition, in the measurement using the color meter, the chromaticity (a value and b value) of the protective layer 1 can also be measured at the same time.

また、保護層1と、第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3とは、光沢の差(以下、光沢差ともいう)によっても識別することができる。
例えば、光沢差は、保護層1の一方面に第1はく離ライナー2が積層され、保護層1の他方面に第2はく離ライナー3が積層された積層体において、60°の角度で光を入射したときの光沢(入射角60°での光沢)を測定することにより求めることができる。
60°の角度で入射させる光としては、白色光を用いることができる。
また、入射角60°での光沢は、コニカミノルタ社製の分光側色計CM-26dGを用いて測定することができる。
前記積層体の光沢差は、20GU以上であることが好ましく、30GU以上であることがより好ましく、50GU以上であることがより好ましく、90GU以上であることがより好ましい。
前記積層体の光沢差が上のような範囲にあることにより、保護層1と、第1はく離ライナー2及び第2はく離ライナー3とを十分に識別することができる。
Further, the protective layer 1, the first release liner 2, and the second release liner 3 can also be distinguished by the difference in gloss (hereinafter also referred to as difference in gloss).
For example, the difference in gloss is determined by the difference in gloss when light is incident at an angle of 60° in a laminate in which the first release liner 2 is laminated on one side of the protective layer 1 and the second release liner 3 is laminated on the other side of the protective layer 1. It can be determined by measuring the gloss (gloss at an incident angle of 60°).
White light can be used as the light incident at an angle of 60°.
Further, the gloss at an incident angle of 60° can be measured using a spectral colorimeter CM-26dG manufactured by Konica Minolta.
The difference in gloss of the laminate is preferably 20 GU or more, more preferably 30 GU or more, more preferably 50 GU or more, and even more preferably 90 GU or more.
When the difference in gloss of the laminate is within the above range, the protective layer 1, the first release liner 2, and the second release liner 3 can be sufficiently distinguished.

次に、電子部品として半導体ウェハを例に挙げて、後プリカット法で得られた保護層1(図2A参照)を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる例について説明するとともに、先プリカット法で得られた保護層1(2B参照)を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる例について説明する。
以下では、まず、後プリカット法で得られた保護層1を備える保護シート10を用いて、保護層1を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる例について説明する。
Next, using a semiconductor wafer as an example of an electronic component, we will explain an example of bonding the protective layer 1 obtained by the post-precut method (see FIG. 2A) to the surface to be protected of the semiconductor wafer, and also explain An example of bonding the protected layer 1 (see 2B) to the surface to be protected of a semiconductor wafer will be described.
Below, first, an example will be described in which the protective sheet 10 including the protective layer 1 obtained by the post-precut method is used to bond the protective layer 1 to the surface to be protected of a semiconductor wafer.

後プリカット法で得られた保護層1を備える保護シート10を用いた、半導体ウェハの保護対象面への保護層1の貼り合わせは、保護シート10における保護層1の位置を検出するセンシング装置100と、該センシング装置100で検出した保護層1の位置に基づいて、半導体ウェハの保護対象面に保護層1を貼り合わせるマウント装置200と、を用いて実施される。 The bonding of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer using the protective sheet 10 including the protective layer 1 obtained by the post-precut method is performed using a sensing device 100 that detects the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10. and a mounting device 200 that attaches the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer based on the position of the protective layer 1 detected by the sensing device 100.

図3Aに示したように、センシング装置100は、保護シート10を第1はく離ライナー2側から保持する保持面1011を有する保持テーブル101と、保持テーブル101の保持面1011と対向する位置に間隔を空けて配されて、保護シート10における保護層1の位置を検出する位置検出部102と、を備えている。
位置検出部102は、第2はく離ライナー3側から保護シート10を撮像するためのカメラ1021と、該カメラ1021の撮像視野を広げるためのレンズ1022とを備えている。
すなわち、センシング装置100では、第2はく離ライナー3側からカメラ1021によって撮像された画像を用いて、保護シート10における保護層1の位置を検出している。
なお、図3Aに破線で示したように、カメラ1021の撮像視野は、レンズ1022によって保護シート10の全体にまで広げられている。
すなわち、センシング装置100では、カメラ1021は、第2はく離ライナー3側から保護シート10の全体を撮像できるようになっている。
As shown in FIG. 3A, the sensing device 100 includes a holding table 101 having a holding surface 1011 that holds the protective sheet 10 from the first release liner 2 side, and an interval between the holding surfaces 1011 of the holding table 101. A position detecting section 102 is provided which is spaced apart and detects the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10.
The position detection unit 102 includes a camera 1021 for capturing an image of the protective sheet 10 from the second release liner 3 side, and a lens 1022 for widening the imaging field of the camera 1021.
That is, the sensing device 100 detects the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10 using an image captured by the camera 1021 from the second release liner 3 side.
Note that, as indicated by the broken line in FIG. 3A, the imaging field of view of the camera 1021 is expanded to cover the entire protective sheet 10 by the lens 1022.
That is, in the sensing device 100, the camera 1021 is capable of capturing an image of the entire protective sheet 10 from the second release liner 3 side.

ここで、上で説明したように、第一実施形態に係る保護シート10では、近赤外領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率Tと前記一波長での保護層1の透過率Tとの差であるΔTABが15%以上となっているか、前記透過率Tと前記一波長での第1はく離ライナー2の透過率Tとの差であるΔTACが15%以上となっているか、あるいは、前記透過率Tと前記一波長での保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率Tとの差であるΔTADが15%以上となっている。
第一実施形態に係る保護シート10では、第2はく離ライナー3のみの単層構造の領域(単層領域)と、第1はく離ライナー2と保護層1との積層構造を備えた領域(積層領域)とが設けられている。
保護層1が設けられている側から保護シート10を透過する光の強度は、単層領域を透過する透過光と積層領域を透過する透過光とで異なる。
本実施形態では、前記第2はく離ライナーの外表面から保護層1を透過するまでの光透過率、即ち、積層領域での透過率が、第2はく離ライナー3のみの光の透過率(単層領域の透過率)よりも15%以上低い。
したがって、本実施形態では、第2はく離ライナー3の外表面の側からカメラ1021(近赤外線カメラ)で保護シート10を撮影することで単層領域を明部とし、積層領域を前記明部よりも暗い暗部として把握することができる。
本実施形態では、15%以上の透過率の差を有することで前記暗部と前記明部との間に十分なコントラストが形成され、前記積層領域の外周縁を精度よく検知することができる。
そのため、第一実施形態に係る保護シート10においては、保護層1の位置を識別することができる。
これにより、第一実施形態に係る保護シート10での保護層1の位置を検出することができるとともに、保持テーブル101の保持面1011のどの位置に保護層1が配されているかを検出することができる。
Here, as explained above, in the protective sheet 10 according to the first embodiment, the transmittance TA of the second release liner 3 at one wavelength included in the near-infrared region and the protective layer at the one wavelength ΔT AB , which is the difference between the transmittance T B of the first release liner 2 at one wavelength, is 15% or more, or ΔT AC , which is the difference between the transmittance T A and the transmittance T C of the first release liner 2 at one wavelength. is 15% or more, or ΔT AD , which is the difference between the transmittance T A and the transmittance T D of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 at one wavelength, is 15% or more. It becomes.
In the protective sheet 10 according to the first embodiment, there is a region with a single-layer structure of only the second release liner 3 (single-layer region), and a region with a laminate structure of the first release liner 2 and the protective layer 1 (laminated region). ) is provided.
The intensity of the light transmitted through the protective sheet 10 from the side where the protective layer 1 is provided is different between the transmitted light transmitted through the single-layer region and the transmitted light transmitted through the laminated region.
In this embodiment, the light transmittance from the outer surface of the second release liner to the point where it passes through the protective layer 1, that is, the transmittance in the laminated region, is the light transmittance of only the second release liner 3 (single layer The transmittance of the area is 15% or more lower than the transmittance of the area.
Therefore, in this embodiment, by photographing the protective sheet 10 from the outer surface side of the second release liner 3 with the camera 1021 (near infrared camera), the single layer area is made into a bright area, and the laminated area is made into a brighter area than the bright area. It can be understood as a dark dark area.
In this embodiment, by having a difference in transmittance of 15% or more, sufficient contrast is formed between the dark part and the bright part, and the outer periphery of the laminated region can be detected with high accuracy.
Therefore, in the protective sheet 10 according to the first embodiment, the position of the protective layer 1 can be identified.
Thereby, the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10 according to the first embodiment can be detected, and also the position on the holding surface 1011 of the holding table 101 where the protective layer 1 is placed can be detected. Can be done.

また、上で説明したように、第二実施形態に係る保護シート10では、紫外領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率TA’と前記一波長での保護層1の透過率TB’との差であるΔTA’B’が15%以上となっているか、前記透過率TA’と前記一波長での第1はく離ライナー2の透過率TC’との差であるΔTA’C’が15%以上となっているか、あるいは、前記透過率TA’と前記一波長での保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’との差であるΔTA’D’が15%以上となっている。
すなわち、第二実施形態に係る保護シート10では、積層領域と単層領域とで透過する紫外線の強度が異なる。
そのため、第1実施形態と同様に第2はく離ライナー3の外表面の側からカメラ1021(紫外線カメラ)で保護シート10を撮影することで単層領域を明部とし、積層領域を前記明部よりも暗い暗部として把握することができる。
そのため、前記画像において明暗を有する部分を識別することにより、第二実施形態に係る保護シート10においても、保護層1の位置を識別することができる。
これにより、第二実施形態に係る保護シート10での保護層1の位置を検出することができるとともに、保持テーブル101の保持面1011のどの位置に保護層1が配されているかを検出することができる。
Furthermore, as explained above, in the protective sheet 10 according to the second embodiment, the transmittance T A' of the second release liner 3 at one wavelength included in the ultraviolet region and the transmittance T A' of the protective layer 1 at the one wavelength are Whether the difference ΔT A'B' from the transmittance T B' is 15% or more, or the difference between the transmittance T A' and the transmittance T C' of the first release liner 2 at one wavelength. ΔT A'C' is 15% or more, or the difference between the transmittance T A' and the transmittance T D' of the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 at one wavelength is The difference ΔT A'D' is 15% or more.
That is, in the protective sheet 10 according to the second embodiment, the intensity of the ultraviolet rays transmitted is different between the laminated region and the single layer region.
Therefore, similarly to the first embodiment, by photographing the protective sheet 10 from the outer surface side of the second release liner 3 with the camera 1021 (ultraviolet camera), the single layer area is made into a bright area, and the laminated area is made from the bright area. It can also be understood as a dark dark area.
Therefore, by identifying the bright and dark parts in the image, the position of the protective layer 1 can be identified also in the protective sheet 10 according to the second embodiment.
Thereby, the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10 according to the second embodiment can be detected, and also the position on the holding surface 1011 of the holding table 101 where the protective layer 1 is placed can be detected. Can be done.

さらに、上で説明したように、第三実施形態に係る保護シート10では、可視領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率TA’’と前記一波長での保護層1の透過率TB’’との差であるΔTA’’B’’が15%以上となっているか、前記透過率TA’’と前記一波長での第1はく離ライナー2の透過率TC’’との差であるΔTA’’C’’が15%以上となっているか、あるいは、前記透過率TA’’と前記一波長での保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体の透過率TD’’との差であるΔTA’’D’’が15%以上となっている。
すなわち、第三実施形態に係る保護シート10では、積層領域と単層領域とで透過する可視光線の強度が異なる。
そのため、第1実施形態と同様に第2はく離ライナー3の外表面の側からカメラ1021(可視光線カメラ)で保護シート10を撮影することで単層領域を明部とし、積層領域を前記明部よりも暗い暗部として把握することができる。
そのため、明暗を有する部分を識別することにより、第三実施形態に係る保護シート10においても、保護層1の位置を識別することができる。
これにより、第三実施形態に係る保護シート10での保護層1の位置を検出することができるとともに、保持テーブル101の保持面1011のどの位置に保護層1が配されているかを検出することができる。
Furthermore, as explained above, in the protective sheet 10 according to the third embodiment, the transmittance T A'' of the second release liner 3 at one wavelength included in the visible region and the protective layer 1 at the one wavelength are ΔT A''B'' , which is the difference between the transmittance T B'' , is 15% or more, or the transmittance T of the first release liner 2 between the transmittance T A'' and the one wavelength ΔT A''C'' which is the difference from C' ' is 15% or more, or the transmittance T A'' and the lamination of the protective layer 1 and the first release liner 2 at one wavelength The difference ΔT A''D'' from the body transmittance T D'' is 15% or more.
That is, in the protective sheet 10 according to the third embodiment, the intensity of visible light transmitted through the laminated region and the single layer region is different.
Therefore, similarly to the first embodiment, by photographing the protective sheet 10 from the outer surface side of the second release liner 3 with the camera 1021 (visible light camera), the single layer area is defined as a bright area, and the laminated area is defined as the bright area. It can be understood as a dark area that is darker than the actual image.
Therefore, by identifying the bright and dark portions, the position of the protective layer 1 can be identified also in the protective sheet 10 according to the third embodiment.
Thereby, the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10 according to the third embodiment can be detected, and also the position of the protective layer 1 on the holding surface 1011 of the holding table 101 can be detected. Can be done.

本実施形態ではカメラ1021による検知性を高めるべくバックライトを設け、第2はく離ライナー3の内表面の側から近赤外線、紫外線、及び、可視光線の何れかを含む光を照射してもよい。
なお、保護シート10での保護層1の位置が検出されるとともに、保持テーブル101の保持面1011のどの位置に保護層1が配されているかが検出された後、第2はく離ライナー3は剥離されて、保護層1の一方面が表面露出される。
In this embodiment, a backlight may be provided to improve the detection performance by the camera 1021, and light containing any one of near-infrared rays, ultraviolet rays, and visible rays may be irradiated from the inner surface side of the second release liner 3.
Note that after the position of the protective layer 1 on the protective sheet 10 is detected and the position of the protective layer 1 on the holding surface 1011 of the holding table 101 is detected, the second release liner 3 is released. Then, one surface of the protective layer 1 is exposed.

図3Bに示したように、マウント装置200は、チャンバ201と、チャンバ201の底部に配される静電チャックテーブル202と、静電チャックテーブル202よりも上方でチャンバ201内に配されるヘッド部203と、チャンバ201の内部を減圧するためのポンプPと、を備えている。
なお、以下では、上下方向(鉛直方向)をZ軸方向とし、静電チャックテーブル202及びヘッド部203をZ軸に平行する平面で切断した際の切断面に沿った水平方向(図3Bにおける紙面に沿った水平方向)をX軸方向とし、Z軸及びX軸の両方と直交する方向(図3Bにおける紙面と直交する方向)をY軸方向として説明する。
As shown in FIG. 3B, the mounting device 200 includes a chamber 201, an electrostatic chuck table 202 disposed at the bottom of the chamber 201, and a head section disposed in the chamber 201 above the electrostatic chuck table 202. 203, and a pump P for reducing the pressure inside the chamber 201.
In the following, the up-down direction (vertical direction) is taken as the Z-axis direction, and the horizontal direction along the cut surface when the electrostatic chuck table 202 and the head section 203 are cut along a plane parallel to the Z-axis (the paper surface in FIG. 3B In the following description, the direction (horizontal direction along the plane of FIG. 3B) will be referred to as the X-axis direction, and the direction perpendicular to both the Z-axis and the X-axis (the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 3B) will be referred to as the Y-axis direction.

図3Bに示したように、マウント装置200においては、静電チャックテーブル202は、半導体ウェハWが取り付けられたダイシングダイボンドフィルムDを静電力により保持する。
なお、ダイシングダイボンドフィルムDは、基材上に粘着剤層が積層されたダイボンドフィルムと、該ダイボンドフィルムの粘着剤層上に配されるダイボンド層とを備えている。
そして、半導体ウェハWは、ダイシングダイボンドフィルムDの前記ダイボンド層に貼り合わされている。
また、ダイシングダイボンドフィルムDの端縁側にはダイシングリングRが取り付けられている。
さらに、図3Bに示したように、マウント装置200においては、ヘッド部203は、保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体を第1はく離ライナー2側から保持した保持テーブル101を吸着するなどして保持する。
また、マウント装置200においては、ヘッド部203は、X軸方向、Y軸方向、及び、Z軸方向に沿って、チャンバ201内を移動可能となるように構成されている。
As shown in FIG. 3B, in the mounting apparatus 200, the electrostatic chuck table 202 holds the dicing die bond film D to which the semiconductor wafer W is attached by electrostatic force.
Note that the dicing die bond film D includes a die bond film in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a die bond layer disposed on the adhesive layer of the die bond film.
The semiconductor wafer W is bonded to the die bond layer of the dicing die bond film D.
Furthermore, a dicing ring R is attached to the edge side of the dicing die bond film D.
Furthermore, as shown in FIG. 3B, in the mounting device 200, the head section 203 suctions the holding table 101 holding the laminate of the protective layer 1 and the first release liner 2 from the first release liner 2 side. and hold it.
Furthermore, in the mounting device 200, the head section 203 is configured to be movable within the chamber 201 along the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction.

なお、マウント装置200では、チャンバ201の内部は、ヘッド部203が保持テーブル101を保持する前においては大気圧に維持され、ヘッド部203が保持テーブル101を保持した後においてはポンプPによって減圧される。
すなわち、ヘッド部203への保持テーブル101の保持は大気圧下にて実施され、半導体ウェハWの保護対象面への保護層1に貼り合わせは減圧下にて実施される。
In the mounting device 200, the inside of the chamber 201 is maintained at atmospheric pressure before the head section 203 holds the holding table 101, and is depressurized by the pump P after the head section 203 holds the holding table 101. Ru.
That is, the holding table 101 is held by the head section 203 under atmospheric pressure, and the bonding of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer W is performed under reduced pressure.

上記のように構成されたマウント装置200においては、センシング装置100で検出された保護層1の位置の情報、より詳しくは、保持テーブル101の保持面1011のどの位置に保護層1が配されているかという情報(以下、単に、保持テーブルでの保護層の位置情報ともいう)に基づいて、半導体ウェハWの保護対象面への保護層1の貼り合わせが実施される。 In the mounting device 200 configured as described above, information on the position of the protective layer 1 detected by the sensing device 100, more specifically, where on the holding surface 1011 of the holding table 101 the protective layer 1 is arranged. The protective layer 1 is attached to the surface of the semiconductor wafer W to be protected based on the information (hereinafter also simply referred to as the positional information of the protective layer on the holding table).

具体的には、保持テーブルでの保護層の位置情報を基に、X軸方向やY軸方向にヘッド部203を移動させて半導体ウェハWの外周と保護層1の外周とを略一致させた後、Z軸方向下方にヘッド部203を移動させて、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に貼り合わせる。
保護層1の露出面の貼り合わせは、0.3MPa程度の圧力を加えながら実施することが好ましい。
これにより、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に十分に貼り合わせることができる。
そして、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に十分に貼り合わせた後、ヘッド部203をZ軸方向上方に移動させることにより、保護層1から第1はく離ライナー2をはく離させる。
これにより、図3Cに示したように、半導体ウェハWの保護対象面に保護層1を備えさせることができる。
なお、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に貼り合わせるに際しては、保持テーブル101及び静電チャックテーブル202の少なくとも一方を加温状態しておいてもよい。
Specifically, based on the positional information of the protective layer on the holding table, the head section 203 is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the outer periphery of the semiconductor wafer W and the outer periphery of the protective layer 1 are approximately aligned. Thereafter, the head portion 203 is moved downward in the Z-axis direction to bond the exposed surface of the protective layer 1 to the surface of the semiconductor wafer W to be protected.
It is preferable that the exposed surface of the protective layer 1 be bonded together while applying a pressure of about 0.3 MPa.
Thereby, the exposed surface of the protective layer 1 can be sufficiently bonded to the surface to be protected of the semiconductor wafer W.
After the exposed surface of the protective layer 1 is sufficiently bonded to the surface to be protected of the semiconductor wafer W, the first release liner 2 is peeled off from the protective layer 1 by moving the head portion 203 upward in the Z-axis direction. .
Thereby, as shown in FIG. 3C, the protective layer 1 can be provided on the surface to be protected of the semiconductor wafer W.
Note that when bonding the exposed surface of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer W, at least one of the holding table 101 and the electrostatic chuck table 202 may be heated.

次に、先プリカット法で得られた保護層1を備える保護シートを用いて、保護層1を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる例について説明する。 Next, an example of bonding the protective layer 1 to the surface to be protected of a semiconductor wafer using a protective sheet including the protective layer 1 obtained by the pre-precut method will be described.

図1Bに示したような先プリカット法で得られた保護層1を備える保護シート10を用いて半導体ウェハの保護対象面への貼り合わせを実施するに際しては、第1はく離ライナー2または第2はく離ライナー3のいずれか一方を剥離させ、保護層1を表面露出させた状態で、貼り合わされたはく離ライナーに対する保護層1の位置が検出される。
そのため、この態様においては、保護層1の一方面に貼り合わされているはく離ライナーと保護層1との間で透過率差が生じている必要がある。
When bonding a semiconductor wafer to a surface to be protected using a protective sheet 10 having a protective layer 1 obtained by the pre-cutting method as shown in FIG. 1B, a first release liner 2 or a second release liner With one of the liners 3 peeled off and the surface of the protective layer 1 exposed, the position of the protective layer 1 relative to the bonded release liner is detected.
Therefore, in this embodiment, there needs to be a difference in transmittance between the release liner bonded to one side of the protective layer 1 and the protective layer 1.

例えば、第1はく離ライナー2を保護層1から剥離させ、第2はく離ライナー3を保護層1に貼り合わせている場合、近赤外領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率Tと前記一波長での保護層1の透過率Tとの差であるΔTABが15%以上となっている必要があり、紫外領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率TA’と前記一波長での保護層1の透過率TB’との差であるΔTA’B’が15%以上となっている必要があり、可視領域に含まれる一波長での第2はく離ライナー3の透過率TA’’と前記一波長での保護層1の透過率TB’’との差であるΔTA’’B’’が15%以上となっている必要がある。
以下では、第1はく離ライナー2を保護層1から剥離させ、第2はく離ライナー3を保護層1に貼り合わせた状態において、第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置を検出した上で、保護層1を半導体ウェハの保護対象面に貼り合わせる例について説明する。
For example, when the first release liner 2 is peeled off from the protective layer 1 and the second release liner 3 is bonded to the protective layer 1, the transmittance of the second release liner 3 at one wavelength included in the near-infrared region ΔT AB , which is the difference between T A and the transmittance T B of the protective layer 1 at one wavelength, must be 15% or more, and the second release liner 3 at one wavelength included in the ultraviolet region must be 15% or more. ΔT A'B ', which is the difference between the transmittance T A' and the transmittance T B' of the protective layer 1 at one wavelength, must be 15% or more, and at one wavelength included in the visible region, The difference between the transmittance T A'' of the second release liner 3 and the transmittance T B'' of the protective layer 1 at one wavelength, ΔT A''B'' , must be 15% or more. There is.
In the following, in a state where the first release liner 2 is peeled off from the protective layer 1 and the second release liner 3 is bonded to the protective layer 1, the position of the protective layer 1 with respect to the second release liner 3 is detected, and then the protective An example in which layer 1 is bonded to a surface to be protected of a semiconductor wafer will be described.

先プリカット法で得られた保護層1を備える保護シート10を用いた、半導体ウェハの保護対象面への保護層1の貼り合わせは、第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置及び半導体ウェハの位置を検出するセンシング装置300と、該センシング装置300で検出した第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置及び半導体ウェハの位置に基づいて、半導体ウェハの保護対象面に保護層1を貼り合わせるラミネート装置400と、を用いて実施される。 The attachment of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer using the protective sheet 10 provided with the protective layer 1 obtained by the tip pre-cutting method is performed by adjusting the position of the protective layer 1 relative to the second release liner 3 and the position of the semiconductor wafer. A sensing device 300 that detects the position, and a laminate that adheres the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer based on the position of the protective layer 1 with respect to the second release liner 3 and the position of the semiconductor wafer detected by the sensing device 300. This is implemented using the device 400.

図4Aに示したように、センシング装置300は、半導体ウェハWを保持する保持面3011を有するウェハ保持テーブル301と、ウェハ保持テーブル301の上方に配されて、保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体を該積層体の両端縁側から把持する把持具302と、把持具302の上方に配されて、第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置及び半導体ウェハWの位置を検出する位置検出部303と、を備えている。
なお、以下では、上下方向(鉛直方向)をZ軸方向とし、ウェハ保持テーブル301などをZ軸に平行する平面で切断した際の切断面に沿った水平方向(図4Aにおける紙面に沿った水平方向)をX軸方向とし、Z軸及びX軸の両方と直交する方向(図4Aにおける紙面と直交する方向)をY軸として説明する。
また、以下の図4Bにおいても、X軸方向、Y軸方向、及び、Z軸方向は、図4Aにおける、X軸方向、Y軸方向、及び、Z軸方向と同方向を意味する。
As shown in FIG. 4A, the sensing device 300 includes a wafer holding table 301 having a holding surface 3011 for holding a semiconductor wafer W, and a protective layer 1 and a second release liner 3 disposed above the wafer holding table 301. a gripper 302 that grips the laminate from both edges of the laminate; and a position detector disposed above the gripper 302 to detect the position of the protective layer 1 and the semiconductor wafer W with respect to the second release liner 3. 303.
In the following, the up-down direction (vertical direction) is taken as the Z-axis direction, and the horizontal direction along the cut surface when the wafer holding table 301 etc. is cut on a plane parallel to the Z-axis (horizontal direction along the plane of the paper in FIG. 4A) is referred to as the Z-axis direction. In the following description, the direction (direction) is assumed to be the X-axis direction, and the direction perpendicular to both the Z-axis and the X-axis (the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 4A) is the Y-axis.
Also, in FIG. 4B below, the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction mean the same directions as the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction in FIG. 4A.

位置検出部303は、第2はく離ライナー3側から、保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体、並びに、半導体ウェハWを撮像するためのカメラ3031と、該カメラの撮像視野を広げるためのレンズ3032とを備えている。
すなわち、センシング装置300では、第2はく離ライナー3側からカメラ3031によって撮像された画像を用いて、第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置と半導体ウェハWの位置とを検出している。
なお、図4Aに破線で示したように、カメラ3031の撮像視野は、レンズ3032によって、把持具302によって把持される領域近傍まで広げられている。
すなわち、センシング装置300では、カメラ3031は、第2はく離ライナー3側から把持具302によって把持される領域近傍までの保護層1及び第1はく離ライナー2の積層体を撮像できるとともに、半導体ウェハWを撮像できるようになっている。
The position detection unit 303 includes a camera 3031 for capturing an image of the laminate of the protective layer 1 and the second release liner 3 as well as the semiconductor wafer W from the second release liner 3 side, and a camera 3031 for capturing an image of the semiconductor wafer W, and a camera 3031 for widening the imaging field of the camera. A lens 3032 is provided.
That is, the sensing device 300 detects the position of the protective layer 1 and the position of the semiconductor wafer W with respect to the second release liner 3 using an image captured by the camera 3031 from the second release liner 3 side.
Note that, as shown by the broken line in FIG. 4A, the imaging field of view of the camera 3031 is expanded by the lens 3032 to the vicinity of the area gripped by the gripper 302.
That is, in the sensing device 300, the camera 3031 can image the stack of the protective layer 1 and the first release liner 2 from the second release liner 3 side to the vicinity of the area gripped by the gripper 302, and can also image the semiconductor wafer W. It is now possible to take images.

把持具302は、図示しないアームに取り付けられており、該アームによってX軸方向、Y軸方向、及び、Z軸方向に移動可能となっている。 The gripping tool 302 is attached to an arm (not shown), and is movable by the arm in the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction.

ここで、半導体ウェハWは、上で説明したように、一表面側に回路パターンが形成されているとともに電極部が配されている。
また、半導体ウェハWは、通常、数10μm(例えば、50μm)程度の厚みを有している。
そのため、極めて長い波長を有する近赤外線であっても、半導体ウェハWを透過し難くなっている。
したがって、カメラ3031として、近赤外線カメラ、紫外線カメラ、または、可視光カメラのいずれを用いて、第2はく離ライナー3側から、保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体、並びに、半導体ウェハWを撮像したとしても、撮像されたいずれの画像においても、保護層1及び半導体ウェハWは陰影を有する部分(暗部)として示される。
これにより、前記画像において陰影を有する部分(暗部)を識別することにより、第2はく離ライナー3対する保護層1の位置、及び、半導体ウェハWの位置を検出することができる。
そして、第2はく離ライナー3に対する保護層1の位置の情報、及び、半導体ウェハWの位置の情報を基に、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向などに把持具302を移動させて、半導体ウェハWの外周と保護層1の外周とを略一致させる。
次に、把持具302をZ軸方向下方に移動させて、保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体の保護層1を半導体ウェハWの保護対象面に貼り合わせる。
Here, as described above, the semiconductor wafer W has a circuit pattern formed on one surface side and electrode portions arranged thereon.
Further, the semiconductor wafer W usually has a thickness of about several tens of micrometers (for example, 50 micrometers).
Therefore, even near-infrared light having an extremely long wavelength is difficult to pass through the semiconductor wafer W.
Therefore, using any of a near-infrared camera, an ultraviolet camera, or a visible light camera as the camera 3031, the laminate of the protective layer 1 and the second release liner 3 and the semiconductor wafer W are inspected from the second release liner 3 side. Even if an image is taken, the protective layer 1 and the semiconductor wafer W are shown as a shaded part (dark part) in any of the taken images.
Thereby, the position of the protective layer 1 with respect to the second release liner 3 and the position of the semiconductor wafer W can be detected by identifying a shaded part (dark part) in the image.
Then, based on the information on the position of the protective layer 1 with respect to the second release liner 3 and the information on the position of the semiconductor wafer W, the gripping tool 302 is moved in the X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction, etc. The outer periphery of the semiconductor wafer W and the outer periphery of the protective layer 1 are made substantially coincident.
Next, the gripper 302 is moved downward in the Z-axis direction to bond the protective layer 1 of the laminate of the protective layer 1 and the second release liner 3 to the surface of the semiconductor wafer W to be protected.

図4Bに示したように、ラミネート装置400は、保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体の第2はく離ライナー3に当接された状態で前記積層体を回転しながら押圧するローラ401を備えている。
ラミネート装置400では、ローラ401は、図4Bに示したように、回転しながらX軸方向に移動しつつ保護層1及び第2はく離ライナー3の積層体を押圧することにより、半導体ウェハWの保護対象面への保護層1の貼り合わせを実施する。
前記押圧は、0.3MPa程度の圧力を加えながら実施することが好ましい。
これにより、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に十分に貼り合わせることができる。
As shown in FIG. 4B, the laminating apparatus 400 rotates and presses a roller 401 in contact with the second release liner 3 of the laminate of the protective layer 1 and the second release liner 3. We are prepared.
In the laminating apparatus 400, as shown in FIG. 4B, the roller 401 protects the semiconductor wafer W by pressing the stack of the protective layer 1 and the second release liner 3 while rotating and moving in the X-axis direction. The protective layer 1 is attached to the target surface.
The pressing is preferably performed while applying a pressure of about 0.3 MPa.
Thereby, the exposed surface of the protective layer 1 can be sufficiently bonded to the surface to be protected of the semiconductor wafer W.

そして、保護層1の露出面を半導体ウェハWの保護対象面に十分に貼り合わせた後、把持具302をZ軸方向上方に移動させることにより、保護層1から第2はく離ライナー3を剥離させる。
これにより、図4Cに示したように、半導体ウェハWの保護対象面に保護層1を備えさせることができる。
After the exposed surface of the protective layer 1 is sufficiently bonded to the surface to be protected of the semiconductor wafer W, the second release liner 3 is peeled off from the protective layer 1 by moving the gripper 302 upward in the Z-axis direction. .
Thereby, as shown in FIG. 4C, the protective layer 1 can be provided on the surface to be protected of the semiconductor wafer W.

半導体ウェハWの保護対象面への保護層1の貼り合わせは、真空下にて保護層1を半導体ウェハWの保護対象面に貼り合わせる真空ダイアフラム式ラミネータ装置を用いて実施してもよい。
また、半導体ウェハWの保護対象面への保護層1の貼り合わせは、調圧可能なチャンバ内で差圧プレスにて実施してもよい。
The attachment of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer W may be carried out using a vacuum diaphragm type laminator device that laminates the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer W under vacuum.
Further, the bonding of the protective layer 1 to the surface to be protected of the semiconductor wafer W may be carried out using a differential pressure press in a chamber where the pressure can be adjusted.

本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。 Matters disclosed by this specification include the following.

(1)
被着体に貼着される保護層と、
該保護層の表面に配されるはく離ライナーと、を備え、
前記保護層が水溶性高分子を含み、
前記はく離ライナーが、前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記はく離ライナーの前記外表面から前記保護層を透過するまでの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い
保護シート。
(1)
a protective layer attached to the adherend;
a release liner disposed on the surface of the protective layer,
the protective layer contains a water-soluble polymer,
The release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance of the release liner from the outer surface to the protective layer is 15% or more lower than the light transmittance of the release liner in at least one wavelength.

斯かる構成によれば、前記はく離ライナー側から前記保護層の位置を正確に把握することができる。
これにより、転写装置や被着体などに対する保護層の位置合わせを容易に実施することができる。
According to such a configuration, the position of the protective layer can be accurately determined from the release liner side.
Thereby, the protective layer can be easily aligned with respect to the transfer device, the adherend, and the like.

(2)
被着体に貼着される保護層と、
該保護層の一表面に配される第1はく離ライナーと、
前記保護層の他表面に配される第2はく離ライナーと、を備え、
前記保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第1はく離ライナーと前記第2はく離ライナーとのそれぞれが前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記第2はく離ライナーの前記外表面から前記第1はく離ライナーの前記外表面までの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記第2はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い
保護シート。
(2)
a protective layer attached to the adherend;
a first release liner disposed on one surface of the protective layer;
a second release liner disposed on the other surface of the protective layer,
The protective layer contains a water-soluble polymer compound,
Each of the first release liner and the second release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance from the outer surface of the second release liner to the outer surface of the first release liner is 15% or more lower than the light transmittance of the second release liner in at least one wavelength.

斯かる構成によれば、前記第2はく離ライナー側から前記保護層及び前記第1はく離ライナーの位置を正確に把握することができる。
そのため、特に、前記保護層と前記第1はく離ライナーとが平面視において略同一寸法となるように後プリカットされた場合において、前記第1はく離ライナーの位置を基準として前記保護層の位置を正確に把握することができる。
これにより、転写装置や被着体などに対する保護層の位置合わせを容易に実施することができる。
According to such a configuration, the positions of the protective layer and the first release liner can be accurately grasped from the second release liner side.
Therefore, especially when the protective layer and the first release liner are pre-cut so that they have substantially the same dimensions in a plan view, the position of the protective layer can be accurately determined with respect to the position of the first release liner. can be grasped.
Thereby, the protective layer can be easily aligned with respect to the transfer device, the adherend, and the like.

(3)
前記一つの波長が、紫外領域、可視領域、及び、近赤外領域の何れかの波長である上記(1)又は(2)に記載の保護シート。
(3)
The protective sheet according to (1) or (2) above, wherein the one wavelength is any wavelength in the ultraviolet region, visible region, or near-infrared region.

なお、本発明に係る保護シートは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る保護シートは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る保護シートは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 Note that the protective sheet according to the present invention is not limited to the above embodiment. Moreover, the protective sheet according to the present invention is not limited to the above-mentioned effects. The protective sheet according to the present invention can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.

例えば、本発明に係る保護シートは、被着体が半導体ウェハに限られるものではなく、半導体以外のもの保護対象の被着体とすることができる。
また、本実施形態においては、第1はく離ライナーと第2はく離ライナーとの2枚の剥離ライナーの間に保護層を設ける態様が例示されているが、本発明の保護シートは、1枚のはく離ライナーと保護層との2層構造であってもよい。
さらには、これら以外についても本発明の保護シートは、上記例示に何等限定されるものではない。
For example, in the protective sheet according to the present invention, the adherend is not limited to a semiconductor wafer, but may be other than a semiconductor as the adherend to be protected.
Further, in this embodiment, an embodiment is exemplified in which a protective layer is provided between two release liners, a first release liner and a second release liner, but the protective sheet of the present invention can be applied to a single release liner. It may have a two-layer structure of a liner and a protective layer.
Furthermore, the protective sheet of the present invention is not limited to the above examples in any way other than these.

次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. The following examples are intended to explain the invention in more detail and are not intended to limit the scope of the invention.

[実施例1]
容器内において、水にポリビニルアルコール(けん価度65、平均重合度240)を分散させた水分散溶液を作成した。
なお、以下では、ポリビニルアルコールのことをPVAとも称する。
次に、該水分散溶液を含む容器を90℃の水浴中に入れ、該水分散溶液を撹拌することによってPVAを水に溶解させて、PVA溶解組成物を得た。
次に、シリコーン離型処理が施された面を有する第2はく離ライナー(三菱ケミカル社製の製品名MRA50.厚み50μm)の離型処理面上に、アプリケータを用いて前記PVA溶解組成物を厚み10μmで塗布した。
次に、前記PVA溶解組成物を塗布した第2はく離ライナーを110℃で2分間乾燥することにより、前記第2はく離ライナー上に保護層を形成した。すなわち、第2はく離ライナー及び保護層の積層体を得た。
次に、前記保護層上に、発泡処理された第1はく離ライナー(東洋紡社製、商品名「クリスパー(登録商標)K1211」。厚み38μm)を貼り合わせて、実施例1に係る保護シートを得た。
前記第1はく離シートは、延伸時にボイドを発生させて発泡処理されたものであり、表面に離型処理は施されていなかった。
上のごとき実施例1に係る保護シートは、第1はく離ライナーの透過性を低下させるようにして作製されたものであった。
[Example 1]
In a container, an aqueous dispersion solution was prepared by dispersing polyvinyl alcohol (solubility degree: 65, average degree of polymerization: 240) in water.
Note that hereinafter, polyvinyl alcohol is also referred to as PVA.
Next, the container containing the aqueous dispersion solution was placed in a 90° C. water bath, and the aqueous dispersion solution was stirred to dissolve PVA in water, thereby obtaining a PVA-dissolved composition.
Next, the PVA-dissolved composition was applied using an applicator onto the release-treated surface of a second release liner (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name MRA50, thickness 50 μm), which had a silicone release-treated surface. It was applied to a thickness of 10 μm.
Next, the second release liner coated with the PVA-dissolved composition was dried at 110° C. for 2 minutes to form a protective layer on the second release liner. That is, a laminate of the second release liner and the protective layer was obtained.
Next, a foamed first release liner (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name "CRISPR (registered trademark) K1211", thickness 38 μm) was laminated on the protective layer to obtain a protective sheet according to Example 1. Ta.
The first release sheet was foamed by generating voids during stretching, and no release treatment was applied to the surface.
The protective sheet according to Example 1 as described above was produced by reducing the permeability of the first release liner.

前記ポリビニルアルコールのけん価度及び平均重合度は、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。 The saponity degree and average degree of polymerization of the polyvinyl alcohol were measured according to the method described in the above embodiment section.

[実施例2]
第1はく離ライナーとして、一方面に酸化チタンを含む塗工層を有するPETフィルム(フジコー社製、商品名「PET38-SCA1」。厚み38μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係る保護シートを得た。
なお、前記第1はく離ライナーは、他方面(塗工層を有する面と反対面)が離型処理されたものであった。
実施例2に係る保護シートは、第2はく離ライナー上に保護層を形成した後、該保護層に第1はく離ライナーの離型処理された面(塗工層を有さない面)を貼り合わせて作製した。
上のごとき実施例2に係る保護シートも、第1はく離ライナーの透過性を低下させるようにして作製されたものであった。
[Example 2]
In the same manner as in Example 1, except that a PET film (manufactured by Fujiko Co., Ltd., trade name "PET38-SCA1", thickness 38 μm) having a coating layer containing titanium oxide on one side was used as the first release liner. A protective sheet according to Example 2 was obtained.
Note that the first release liner had been subjected to a release treatment on the other surface (the surface opposite to the surface having the coating layer).
In the protective sheet according to Example 2, after forming a protective layer on the second release liner, the release-treated surface (the surface without the coating layer) of the first release liner is bonded to the protective layer. It was made by
The protective sheet according to Example 2 as described above was also produced in such a way as to reduce the permeability of the first release liner.

[実施例3]
保護層としてシリカを含有させたものを用い、第1はく離ライナーとしてシリコーン離型処理が施された面を有するはく離ライナー(三菱ケミカル社製の製品名MRA38.厚み38μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係る保護シートを得た。
実施例3に係る保護シートにおいて、前記保護層は、前記PVA溶解組成物にシリカを含有させたシリカ含有組成物を第2はく離ライナーの離型処理面上に、アプリケータを用いて厚み10μmで塗布した後、前記シリカ含有組成物を塗布した第2はく離ライナーを110℃で2分間乾燥することにより形成した。
前記シリカとしては、日産化学社製の商品名「スノーテック(登録商標)MP-2040」を用いた。
また、前記シリカ含有組成物中での前記シリカの濃度は30質量%であった。
さらに、前記保護層への前記第1はく離ライナーの貼り合わせは、離型処理が施された面を貼り合わせることにより実施した。
上のごとき実施例3に係る保護シートは、保護層の透過率を低下させるようにして作製されたものであった。
[Example 3]
Except that a layer containing silica was used as the protective layer, and a release liner (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name MRA38, thickness 38 μm) having a surface treated with silicone mold release treatment was used as the first release liner. A protective sheet according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1.
In the protective sheet according to Example 3, the protective layer is formed by applying a silica-containing composition obtained by adding silica to the PVA-dissolved composition onto the release-treated surface of the second release liner to a thickness of 10 μm using an applicator. After coating, a second release liner coated with the silica-containing composition was formed by drying at 110° C. for 2 minutes.
As the silica, the product name "Snowtech (registered trademark) MP-2040" manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. was used.
Further, the concentration of the silica in the silica-containing composition was 30% by mass.
Further, the first release liner was attached to the protective layer by attaching the surfaces that had been subjected to the release treatment.
The protective sheet according to Example 3 as described above was produced so as to reduce the transmittance of the protective layer.

[参考例1]
保護層として染料を含有させたものを用いた以外は、実施例3と同様にして、参考例1に係る保護シートを得た。
参考例1に係る保護シートにおいて、前記保護層は、前記PVA溶解組成物に染料を溶解させた染料含有組成物を第2はく離ライナーの離型処理面上に、アプリケータを用いて厚み10μmで塗布した後、前記染料含有組成物を塗布した第2はく離ライナーを110℃で2分間乾燥することにより形成した。
前記染料としては、DIC社製の商品名「リナブルー(登録商標)」(青色色素)を用いた。
また、前記染料含有組成物中での前記染料の濃度は5%であった。
上のごとき参考例1に係る保護シートも、保護層の透過率を低下させるようにして作製されたものであった。
[Reference example 1]
A protective sheet according to Reference Example 1 was obtained in the same manner as in Example 3 except that a dye-containing protective layer was used.
In the protective sheet according to Reference Example 1, the protective layer is formed by applying a dye-containing composition in which a dye is dissolved in the PVA-dissolved composition onto the release-treated surface of the second release liner to a thickness of 10 μm using an applicator. After coating, a second release liner coated with the dye-containing composition was formed by drying at 110° C. for 2 minutes.
As the dye, the product name "Lina Blue (registered trademark)" (blue pigment) manufactured by DIC Corporation was used.
Further, the concentration of the dye in the dye-containing composition was 5%.
The protective sheet according to Reference Example 1 as above was also produced in such a way as to reduce the transmittance of the protective layer.

[比較例1]
第1はく離ライナーとして、シリコーン離型処理が施された面を有するはく離ライナー(三菱ケミカル社製の製品名MRA38.厚み38μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係る保護シートを得た。
比較例1において、保護層への前記第1はく離シートの貼り合わせは、実施例3と同様に、離型処理が施された面を貼り合わせることにより実施した。
上のごとき比較例1に係る保護シートは、保護層及び第1はく離ライナーのいずれも透過率を低下させずに作製されたものであった。
[Comparative example 1]
Comparative Example 1 was carried out in the same manner as in Example 1, except that a release liner (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name MRA38, thickness 38 μm) having a surface treated with silicone mold release treatment was used as the first release liner. Such a protective sheet was obtained.
In Comparative Example 1, the first release sheet was attached to the protective layer in the same manner as in Example 3, by attaching the surfaces that had been subjected to the release treatment.
The protective sheet according to Comparative Example 1 as described above was produced without reducing the transmittance of either the protective layer or the first release liner.

<透過率>
各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーの透過率を測定した。
前記透過率の測定は、波長1060nmの光(近赤外線)、波長330nmの光(紫外線)、波長550nmの光(可視光)、及び、波長650nmの光(可視光)を用いて実施した。
なお、保護層の透過率は、第2はく離ライナー及び保護層の積層体を得た後、該積層体から前記第2はく離ライナーを剥離させて得た保護層を用いて実施した。
前記透過率の測定は、上の実施形態の項で説明した方法にて実施した。
その結果を以下の表1に示した。
<Transmittance>
Regarding the protective sheet according to each example, the transmittance of the first release liner, the protective layer, and the second release liner was measured.
The transmittance measurement was performed using light with a wavelength of 1060 nm (near infrared rays), light with a wavelength of 330 nm (ultraviolet rays), light with a wavelength of 550 nm (visible light), and light with a wavelength of 650 nm (visible light).
The transmittance of the protective layer was measured using a protective layer obtained by peeling off the second release liner from the laminate after obtaining a laminate of the second release liner and the protective layer.
The measurement of the transmittance was performed using the method described in the embodiment section above.
The results are shown in Table 1 below.

なお、以下の表1では、波長1060nmの光を用いて測定した第2はく離ライナーの透過率をTと表記し、波長1060nの光を用いて測定した保護層の透過率をTと表記し、波長1060nmの光を用いて測定した第1はく離ライナーの透過率をTと表記している。
また、波長330nmの光を用いて測定した第2はく離ライナーの透過率をTA’と表記し、波長330nmの光を用いて測定した保護層の透過率をTB’と表記し、波長330nmの光を用いて測定した第1はく離ライナーの透過率をTC’と表記している。
さらに、波長550nmの光を用いて測定した第2はく離ライナーの透過率をTA’’1と表記し、波長550nmの光を用いて測定した保護層の透過率をTB’’1と表記し、波長500nmの光を用いて測定した第1はく離ライナーの透過率をTC’’1表記している。
また、波長650nmの光を用いて測定した第2はく離ライナーの透過率をTA’’2と表記し、波長650nmの光を用いて測定した保護層の透過率をTB’’2と表記し、波長650nmの光を用いて測定した第1はく離ライナーの透過率をTC’’2と表記している。
さらに、透過率Tと透過率Tとの差(T-T)をΔTABと表記し、透過率Tと透過率Tとの差(T-T)をΔTACと表記し、透過率TA’と透過率TB’との差(TA’-TB’)をΔTA’B’と表記し、透過率TA’と透過率TC’との差(TA’-TC’)をΔTA’C’と表記し、透過率TA’’1と透過率TB’’1との差(TA’’1-TB’’1)をΔTA’’1B’’1と表記し、透過率TA’’1と透過率TC’’1との差(TA’’1-TC’’1)をΔTA’’1C’’1と表記し、透過率TA’’2と透過率TB’’2との差(TA’’2-TB’’2)をΔTA’’2B’’2と表記し、透過率TA’’2と透過率TC’’2との差(TA’’2-TC’’2)をΔTA’’2C’’2と表記している。
In Table 1 below, the transmittance of the second release liner measured using light with a wavelength of 1060 nm is expressed as T A , and the transmittance of the protective layer measured using light with a wavelength of 1060 nm is expressed as T B. The transmittance of the first release liner measured using light with a wavelength of 1060 nm is expressed as TC .
In addition, the transmittance of the second release liner measured using light with a wavelength of 330 nm is expressed as T A' , and the transmittance of the protective layer measured using light with a wavelength of 330 nm is expressed as T B' . The transmittance of the first release liner measured using light is expressed as T C' .
Furthermore, the transmittance of the second release liner measured using light with a wavelength of 550 nm is expressed as T A''1 , and the transmittance of the protective layer measured using light with a wavelength of 550 nm is expressed as T B''1 . The transmittance of the first release liner measured using light with a wavelength of 500 nm is expressed as T C''1 .
In addition, the transmittance of the second release liner measured using light with a wavelength of 650 nm is expressed as T A''2 , and the transmittance of the protective layer measured using light with a wavelength of 650 nm is expressed as T B''2 . The transmittance of the first release liner measured using light with a wavelength of 650 nm is expressed as T C''2 .
Furthermore, the difference between the transmittance T A and the transmittance T B (TA - T B ) is expressed as ΔT AB , and the difference between the transmittance T A and the transmittance T C ( TA - T C ) is expressed as ΔT AC The difference between the transmittance T A' and the transmittance T B' (T A' - T B' ) is written as ΔT A'B' , and the difference between the transmittance T A' and the transmittance T C' is expressed as ΔT A'B'. The difference (T A' - T C' ) is expressed as ΔT A'C' , and the difference between the transmittance T A''1 and the transmittance T B''1 (T A''1 - T B''1 ) is expressed as ΔT A''1B''1 , and the difference between the transmittance T A''1 and the transmittance T C''1 (T A''1 - T C''1 ) is expressed as ΔT A''1C''1 is written, and the difference between the transmittance T A''2 and the transmittance T B''2 (T A''2 - T B''2 ) is written as ΔT A''2B''2 . However, the difference between the transmittance T A''2 and the transmittance T C''2 (T A''2 - T C''2 ) is expressed as ΔT A''2C''2 .

<ヘーズ>
各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーのヘーズを測定した。
前記ヘーズの測定は、上の実施形態の項で説明した方法にて実施した。
その結果を以下の表1に示した。
<Haze>
Regarding the protective sheet according to each example, the haze of the first release liner, the protective layer, and the second release liner was measured.
The haze measurement was performed using the method described in the embodiment section above.
The results are shown in Table 1 below.

<入射角60°での光沢>
各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーに60°の角度で光を入射させたときの光沢(入射角60°での光沢)を測定した。
60°の角度で入射させる光としては、白色光を用いた。
入射角60°での光沢は、コニカミノルタ社製の分光側色計CM-26dGを用いて測定した。
その結果を以下の表1に示した。
なお、表1において、括弧書きで示した「GU」(Gloss Unit)は、光沢の単位のことである。
<Gloss at an incident angle of 60°>
Regarding the protective sheet according to each example, the gloss when light was incident on the first release liner, the protective layer, and the second release liner at an angle of 60° (gloss at an incident angle of 60°) was measured.
White light was used as the light incident at an angle of 60°.
The gloss at an incident angle of 60° was measured using a spectral colorimeter CM-26dG manufactured by Konica Minolta.
The results are shown in Table 1 below.
In Table 1, "GU" (Gloss Unit) shown in parentheses is a unit of gloss.

<明度(L値)>
各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーの明度(L値)を測定した。
前記明度(L値)の測定は、上の実施形態の項で説明したようにカラーメータを用いて実施した。
その結果を以下の表1に示した。
なお、カラーメータを用いた明度(L値)の測定においては、色度(a値及びb値)も同時に測定される。
そのため、以下の表1には、各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーの色度(a値及びb値)の測定結果についても示した。
また、以下の表1には、各例に係る保護シートについて、第1はく離ライナー、保護層、及び、第2はく離ライナーの明度(L値)及び色度(a値及びb値)の測定値から、(L+a+b1/2の値を算出した。
この結果についても、以下の表1に示した。
<Lightness (L value)>
Regarding the protective sheet according to each example, the lightness (L value) of the first release liner, the protective layer, and the second release liner was measured.
The lightness (L value) was measured using a color meter as described in the embodiment section above.
The results are shown in Table 1 below.
Note that when measuring brightness (L value) using a color meter, chromaticity (a value and b value) is also measured at the same time.
Therefore, Table 1 below also shows the measurement results of the chromaticity (a value and b value) of the first release liner, the protective layer, and the second release liner for the protective sheet according to each example.
Table 1 below also shows the measured values of lightness (L value) and chromaticity (a value and b value) of the first release liner, protective layer, and second release liner for the protective sheets according to each example. From this, the value of (L 2 +a 2 +b 2 ) 1/2 was calculated.
The results are also shown in Table 1 below.

<識別性>
各例に係る保護シートについて、保護層または第1はく離ライナーの識別性を評価した。
識別性の評価においては、保護層及び第1はく離ライナーを後プリカットしたものを試験体として用いた。
また、識別性の評価は、投光部と受光部とを備える透過型光電センサ(KEYENCE社製、製品名「PR-G51N」)を用いて実施した。
具体的には、各例に係る保護シートについて、第2はく離シートよりも外側に投光部を配し、第1はく離シートよりも外側に受光部を配した状態とした後、投光部からレーザ光を照射したときに、受光部にて保護層または第1はく離ライナーが陰影部(暗部)として識別されるか否かを評価することにより実施した。
そして、保護層または第1はく離ライナーが陰影部(暗部)として識別される場合には、「優」と評価し、陰影部として識別されない場合には、「不可」と評価した。
なお、投光部から照射するレーザ光としては、波長550nmのレーザ光及び波長650nmのレーザ光を用いた。
550nmのレーザ光及び650nmのレーザ光を用いて、保護層または第1はく離ライナーの識別性を評価した結果を以下の表1に示した。
<Identification>
Regarding the protective sheet according to each example, the distinguishability of the protective layer or the first release liner was evaluated.
In the evaluation of identifiability, the protective layer and first release liner were pre-cut and used as test specimens.
Furthermore, the evaluation of identifiability was carried out using a transmission type photoelectric sensor (manufactured by KEYENCE, product name "PR-G51N") that includes a light emitting part and a light receiving part.
Specifically, for the protective sheet according to each example, the light emitting part is placed outside the second release sheet, and the light receiving part is placed outside the first release sheet, and then the light emitting part is placed outside the first release sheet. This was carried out by evaluating whether or not the protective layer or the first release liner was identified as a shadow area (dark area) in the light receiving section when laser light was irradiated.
When the protective layer or the first release liner was identified as a shadow area (dark area), it was evaluated as "excellent", and when it was not identified as a shadow area, it was evaluated as "poor".
Note that as the laser light irradiated from the light projecting section, a laser light with a wavelength of 550 nm and a laser light with a wavelength of 650 nm were used.
Table 1 below shows the results of evaluating the identifiability of the protective layer or the first release liner using a 550 nm laser beam and a 650 nm laser beam.

表1より、ΔTA’’2C’’2が15%以上となっている実施例1及び2では、波長650nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「優」となっていて、ΔTA’’2B’’2が15%以上となっている実施例3及び参考例1では、波長650nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「優」となっていることが分かる。
これに対し、ΔTA’’2C’’2及びΔTA’’2B’’2が、共に、15%未満となっている比較例1では、波長650nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「不可」となっていることが分かる。
また、ΔTA’’1C’’1が15%以上となっている実施例1及び2では、波長550nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「優」となっていて、ΔTA’’1B’’1が15%以上となっている実施例3では、波長550nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「優」となっていることが分かる。
これに対し、参考例1及び比較例1では、ΔTA’’1B’’1が15%未満となっていて、波長550nmのレーザ光を照射したときの識別性の評価が「不可」となっていることが分かる。
これらの結果から、レーザ光として可視光を照射した場合において、第2はく離ライナーの透過率と保護層の透過率との差が15%以上であると、第2はく離ライナーと保護層とを十分に識別でき、第2はく離ライナーの透過率と第1はく離ライナーの透過率との差が15%以上であると、第2はく離ライナーと第1はく離ライナーとを十分に識別できることが把握される。
また、レーザ光として可視光に代えて近赤外光を用いたり、紫外光を用いたりした場合においても、第2はく離ライナーの透過率と保護層の透過率との差が15%以上であると、可視光の場合と同様に、第2はく離ライナーと保護層とを十分に識別でき、第2はく離ライナーの透過率を第1はく離ライナーの透過率との差が15%以上であると、可視光の場合と同様に、第2はく離ライナーと第1はく離ライナーとを十分に識別できると考えられる。
From Table 1, in Examples 1 and 2 in which ΔT A''2C''2 is 15% or more, the evaluation of distinguishability when irradiated with a laser beam with a wavelength of 650 nm is "Excellent". It can be seen that in Example 3 and Reference Example 1, in which ΔT A''2B''2 is 15% or more, the evaluation of distinguishability when irradiated with a laser beam with a wavelength of 650 nm is "Excellent". .
On the other hand, in Comparative Example 1 in which both ΔT A''2C''2 and ΔT A''2B''2 are less than 15%, the discriminability when irradiated with laser light with a wavelength of 650 nm is It can be seen that the evaluation is "unacceptable".
In addition, in Examples 1 and 2 in which ΔT A''1C''1 is 15% or more, the evaluation of distinguishability when irradiated with a laser beam with a wavelength of 550 nm is "Excellent", and ΔT A''1C''1 is 15% or more. It can be seen that in Example 3 in which ``1B'' 1 is 15% or more, the evaluation of distinguishability when irradiated with a laser beam with a wavelength of 550 nm is "excellent".
On the other hand, in Reference Example 1 and Comparative Example 1, ΔT A''1B''1 was less than 15%, and the evaluation of identifiability when irradiated with a laser beam with a wavelength of 550 nm was "impossible". I can see that
From these results, when visible light is irradiated as a laser beam, if the difference between the transmittance of the second release liner and the transmittance of the protective layer is 15% or more, the second release liner and the protective layer can be sufficiently separated. It is understood that when the difference between the transmittance of the second release liner and the transmittance of the first release liner is 15% or more, the second release liner and the first release liner can be sufficiently distinguished.
Furthermore, even when near-infrared light or ultraviolet light is used as the laser beam instead of visible light, the difference between the transmittance of the second release liner and the transmittance of the protective layer is 15% or more. and, as in the case of visible light, the second release liner and the protective layer can be sufficiently distinguished, and the difference between the transmittance of the second release liner and the transmittance of the first release liner is 15% or more, As with visible light, it is believed that the second release liner and the first release liner can be sufficiently distinguished.

1 保護層、2 第1はく離ライナー、3 第2はく離ライナー、10 保護シート。 Reference Signs List 1: protective layer, 2: first release liner, 3: second release liner, 10: protective sheet.

Claims (3)

被着体に貼着される保護層と、
該保護層の表面に配されるはく離ライナーと、を備え、
前記保護層が水溶性高分子を含み、
前記はく離ライナーが、前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記はく離ライナーの前記外表面から前記保護層を透過するまでの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い
保護シート。
a protective layer attached to the adherend;
a release liner disposed on the surface of the protective layer,
the protective layer contains a water-soluble polymer,
The release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance of the release liner from the outer surface to the protective layer is 15% or more lower than the light transmittance of the release liner in at least one wavelength.
被着体に貼着される保護層と、
該保護層の一表面に配される第1はく離ライナーと、
前記保護層の他表面に配される第2はく離ライナーと、を備え、
前記保護層は、水溶性高分子化合物を含み、
前記第1はく離ライナーと前記第2はく離ライナーとのそれぞれが前記保護層に対向する内表面と、該内表面とは反対面となる外表面とを備え、
前記第2はく離ライナーの前記外表面から前記第1はく離ライナーの前記外表面までの光透過率は、少なくとも一つの波長において前記第2はく離ライナーの光透過率よりも15%以上低い
保護シート。
a protective layer attached to the adherend;
a first release liner disposed on one surface of the protective layer;
a second release liner disposed on the other surface of the protective layer,
The protective layer includes a water-soluble polymer compound,
Each of the first release liner and the second release liner includes an inner surface facing the protective layer and an outer surface opposite to the inner surface,
The light transmittance from the outer surface of the second release liner to the outer surface of the first release liner is 15% or more lower than the light transmittance of the second release liner in at least one wavelength.
前記一つの波長が、紫外領域、可視領域、及び、近赤外領域の何れかの波長である請求項1又は2に記載の保護シート。 The protective sheet according to claim 1 or 2, wherein the one wavelength is a wavelength in an ultraviolet region, a visible region, or a near-infrared region.
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