JP2024004065A - Light-emitting device, package, and method for manufacturing light-emitting device - Google Patents

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Abstract

To provide a light-emitting device and a package, and a method for manufacturing the light-emitting device, in which a decrease in light extraction efficiency is suppressed.SOLUTION: A light-emitting device includes a light-emitting element, a light reflecting material that reflects the light emitted from the light-emitting element. The light reflecting material includes a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer, and the proportion of P in the PdP alloy layer is 3 mass% or more and 10 mass% or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1A

Description

本開示は、Ａｇ含有層を有する光反射材を備える発光装置及びパッケージ、Ａｇ含有層を有する光反射材を備える発光装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a light-emitting device and a package including a light-reflecting material having an Ag-containing layer, and a method for manufacturing a light-emitting device including a light-reflecting material having an Ag-containing layer.

半導体発光素子（以下、単に「発光素子」とも称する。）を用いた発光装置において、発光素子からの光に対して高い反射率を有する銀（Ａｇ）を表面に設けたパッケージが数多く採用されている。 In light-emitting devices using semiconductor light-emitting elements (hereinafter also simply referred to as "light-emitting elements"), many packages are used that have silver (Ag) on the surface, which has a high reflectance for light from the light-emitting elements. There is.

特開２０１２－２２２１９１号公報Japanese Patent Application Publication No. 2012-222191

Ａｇは高い光反射率を有し、発光装置の光反射部材として好適な材料である一方、高価である。しかし、このＡｇの量を削減してコストを低減するために、Ａｇの層を薄く（例えば１μｍ以下）とすると、光取り出し効率が低下する懸念がある。 Although Ag has a high light reflectance and is a suitable material for a light reflecting member of a light emitting device, it is expensive. However, if the Ag layer is made thin (for example, 1 μm or less) in order to reduce the amount of Ag and reduce costs, there is a concern that the light extraction efficiency will decrease.

実施形態により開示される発光装置は、発光素子と、前記発光素子から出射された光を反射する光反射材と、を備え、前記光反射材は、母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を有し、前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である。 A light-emitting device disclosed in an embodiment includes a light-emitting element and a light-reflecting material that reflects light emitted from the light-emitting element, and the light-reflecting material includes a base material and a light-reflecting material provided on the base material. an amorphous PdP alloy layer, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer, the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the PdP The thickness of the alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.

実施形態により開示される発光装置の製造方法は、光反射材を準備する工程と、前記光反射材を備えるパッケージを準備する工程と、前記パッケージに発光素子を実装する工程と、を備え、前記光反射材を準備する工程は、母材を準備し、前記母材上に非晶質のＰｄＰ合金層をめっきで形成し、前記ＰｄＰ合金層上にＡｇ含有層をめっきで形成することを含み、前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層を０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下の厚みで形成する。 A method for manufacturing a light-emitting device disclosed by an embodiment includes the steps of preparing a light-reflecting material, preparing a package including the light-reflecting material, and mounting a light-emitting element on the package, The step of preparing a light reflecting material includes preparing a base material, forming an amorphous PdP alloy layer on the base material by plating, and forming an Ag-containing layer on the PdP alloy layer by plating. , the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the PdP alloy layer is formed with a thickness of 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.

実施形態により開示されるパッケージは、母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を備える光反射材と、前記光反射材を支持する基体と、を有し、前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である。 A package disclosed in an embodiment includes a light reflecting material including a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer. , a base that supports the light reflecting material, the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. It is.

本開示によれば、光取り出し効率の低下を抑制した発光装置及びパッケージ、発光装置の製造方法を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a light emitting device, a package, and a method for manufacturing a light emitting device in which a decrease in light extraction efficiency is suppressed.

一実施形態の発光装置を説明するための概略上面図である。FIG. 1 is a schematic top view for explaining a light emitting device of one embodiment. 図１Ａの１Ｂ－１Ｂ線における概略断面図である。FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line 1B-1B in FIG. 1A. 一実施形態の光反射材の構成を説明する概略拡大断面図である。FIG. 2 is a schematic enlarged cross-sectional view illustrating the configuration of a light reflecting material according to an embodiment. 一実施形態の光反射材の構成を説明する概略拡大断面図である。FIG. 2 is a schematic enlarged cross-sectional view illustrating the configuration of a light reflecting material according to an embodiment. 一実施形態の発光装置を説明するための概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining a light emitting device of one embodiment. 図３Ａの３Ｂ－３Ｂ線における概略断面図である。FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along line 3B-3B in FIG. 3A. 一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment. 一実施形態の発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.

本明細書または特許請求の範囲において、上下などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。また実施形態の用語における上面視とは、光反射材に実装された発光素子（又は実装される予定の発光素子）に向かって見ることをいう。したがって、光反射材の発光素子が設けられる面が上面であり、その反対側が下面である。 In this specification or the claims, descriptions such as "up and down" merely describe relationships such as relative positions, orientations, directions, etc., and do not necessarily correspond to the relationships in use. In addition, the term "top view" in the embodiments refers to looking toward the light emitting element (or the light emitting element to be mounted) mounted on the light reflecting material. Therefore, the surface of the light reflecting material on which the light emitting elements are provided is the top surface, and the opposite side thereof is the bottom surface.

本開示の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。 Embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. However, the form shown below is an example of a manufacturing method for embodying the technical idea of this embodiment, and is not limited to the following. In addition, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present disclosure, unless specifically stated, and are merely illustrative examples. It's nothing more than that. Note that the sizes, positional relationships, etc. of members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation. In addition, in the following description, the same names and symbols indicate the same or homogeneous members, and detailed descriptions will be omitted as appropriate. As a sectional view, an end view showing only a cut surface may be used.

＜第１実施形態＞
図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ及び図２Ｂを参照して、第１実施形態に係る発光装置及び発光装置に適用されるパッケージを説明する。図１Ａは、一実施形態の発光装置を説明するための概略上面図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ－１Ｂ線における概略断面図である。図２Ａは、一実施形態の光反射材の構成を説明する概略拡大断面図である。図２Ｂは、一実施形態の光反射材の構成を説明する概略拡大断面図である。 <First embodiment>
A light emitting device and a package applied to the light emitting device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B. FIG. 1A is a schematic top view for explaining a light emitting device of one embodiment. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line 1B-1B in FIG. 1A. FIG. 2A is a schematic enlarged cross-sectional view illustrating the configuration of a light reflecting material according to an embodiment. FIG. 2B is a schematic enlarged cross-sectional view illustrating the configuration of a light reflecting material of one embodiment.

本実施形態に係る発光装置１００は、発光素子２と、発光素子２から出射された光を反射する光反射材１としてリード１０と、を備える。光反射材１は、母材１ａと、母材１ａ上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層１ｃと、ＰｄＰ合金層１ｃ上に設けられたＡｇ含有層１ｅと、を有する。 A light emitting device 100 according to this embodiment includes a light emitting element 2 and a lead 10 as a light reflecting material 1 that reflects light emitted from the light emitting element 2. The light reflecting material 1 includes a base material 1a, an amorphous PdP alloy layer 1c provided on the base material 1a, and an Ag-containing layer 1e provided on the PdP alloy layer 1c.

また本実施形態の発光装置１００は、少なくとも光反射材１を備えるパッケージを有していてもよい。これらのパッケージは、光反射材１の他、基体を備えることができる。 Further, the light emitting device 100 of this embodiment may include a package including at least the light reflecting material 1. These packages can include a base body in addition to the light reflecting material 1.

本実施形態に係るパッケージは、母材１ａと、母材１ａ上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層１ｃと、ＰｄＰ合金層１ｃ上に設けられたＡｇ含有層１ｅと、を備える光反射材１と、光反射材１を支持する基体と、を有する。基体は、例えば後述する樹脂成形体３である。 The package according to the present embodiment includes a base material 1a, an amorphous PdP alloy layer 1c provided on the base material 1a, and an Ag-containing layer 1e provided on the PdP alloy layer 1c. It has a material 1 and a base supporting the light reflecting material 1. The base body is, for example, a resin molded body 3 described later.

本実施形態の光反射材１（換言するとリード１０）は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、母材１ａと、母材１ａ上に設けられたＰｄＰ合金層１ｃの下地層と、ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層１ｅとを有する。ＰｄＰ合金層１ｃ中のＰの割合は３質量％以上１０質量％以下であり、かつＰｄＰ合金層の厚みは０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である。ＰｄＰ合金層１ｃはＰの割合が上記範囲の非晶質の層である。Ａｇ含有層１ｅの厚みは、例えば０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下である。なお本明細書では、母材１ａとＡｇ含有層１ｅとの間に設けられたＰｄを含む層を下地層と称する場合がある。 As shown in FIGS. 2A and 2B, the light reflecting material 1 (in other words, the lead 10) of this embodiment includes a base material 1a, a base layer of a PdP alloy layer 1c provided on the base material 1a, and a PdP alloy base layer 1c provided on the base material 1a. It has an Ag-containing layer 1e provided on the layer. The proportion of P in the PdP alloy layer 1c is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. The PdP alloy layer 1c is an amorphous layer in which the proportion of P is within the above range. The thickness of the Ag-containing layer 1e is, for example, 0.05 μm or more and 0.50 μm or less. Note that in this specification, a layer containing Pd provided between the base material 1a and the Ag-containing layer 1e may be referred to as a base layer.

本実施形態の発光装置１００は基体である樹脂成形体３を備え、光反射材１はＡｇ含有層１ｅが露出されるように樹脂成形体３に埋め込まれている。発光装置１００は、例えば光反射材１のうち樹脂成形体３に埋め込まれた部分、つまり光反射材１のＡｇ含有層１ｅが樹脂成形体３に覆われている第一埋設部１２及び第二埋設部１３を有する。樹脂成形体３は、上面視において横長の形状であり、樹脂成形体３の底面の一部３２を除いて光反射材１が露出された横長の凹部を有する。樹脂成形体３の外面には、一対の板状の光反射材１の一部が外部端子部として露出し、外部端子部は樹脂成形体３の外側面に沿って折り曲げられている。
そして、発光素子２、光反射材１を被覆するようパッケージの凹部内に充填された封止部材５を有している。封止部材５は蛍光体等の波長変換物質を含有した透光性樹脂である。 The light emitting device 100 of this embodiment includes a resin molded body 3 as a base, and the light reflecting material 1 is embedded in the resin molded body 3 so that the Ag-containing layer 1e is exposed. The light emitting device 100 includes, for example, a first buried portion 12 and a second buried portion 12 in which a portion of the light reflective material 1 embedded in the resin molded body 3, that is, the Ag-containing layer 1e of the light reflective material 1 is covered with the resin molded body 3. It has a buried part 13. The resin molded body 3 has a horizontally long shape when viewed from above, and has a horizontally long recessed portion in which the light reflecting material 1 is exposed except for a portion 32 of the bottom surface of the resin molded body 3. Parts of the pair of plate-shaped light reflecting materials 1 are exposed on the outer surface of the resin molded body 3 as external terminal portions, and the external terminal portions are bent along the outer surface of the resin molded body 3.
The package has a sealing member 5 filled in the recess of the package so as to cover the light emitting element 2 and the light reflecting material 1. The sealing member 5 is a translucent resin containing a wavelength converting substance such as a phosphor.

上述のような構成を有する本実施形態の発光装置１００の光反射材１は、Ａｇ含有層１ｅの厚みによらず、高い光反射率を有する。そのため、光取り出し効率の高い発光装置１００とすることができる。その理由は以下のとおりである。母材や下地層上に設けられるＡｇ含有層等の金属層は、一般的に母材及び下地層の結晶構造の影響を受ける。つまり、母材や下地層が結晶構造を有している場合、その上に設けられる金属層はその結晶構造の影響を受け、いわゆるエピタキシャル成長を行うことになる。発明者は、この母材等から引き継がれる結晶構造がＡｇ含有層、特に厚みが１μｍ以下のＡｇ含有層の光反射率に悪影響を及ぼすことを見出し、本実施形態の発明に至った。本実施形態の光反射材１は、母材１ａとＡｇ含有層１ｅの間にこの母材等の結晶構造の影響を低減できる非晶質のＰｄＰ合金層１ｃを有している。非晶質は、母材や下地層の素材に影響せず、また欠陥量も非晶質の厚みに依存しない。このような非晶質のＰｄＰ合金層１ｃを設けることより、母材１ａ上にめっきで設けられるＡｇ含有層１ｅが母材１ａの結晶構造から受ける影響を低減または排除できるため、緻密で欠陥が少なく微細なＡｇ本来の結晶構造を有し、光反射率が高いＡｇ含有層１ｅを形成することができる。これにより、Ａｇ含有層１ｅの厚みを薄くしても光反射率の高い光反射材１を得ることができ、本実施形態に係る光反射材１を有さない発光装置に対して光反射率の低下を抑制した、つまり全光束の低下を抑制した発光装置１００とすることができる。 The light reflecting material 1 of the light emitting device 100 of this embodiment having the above-described configuration has a high light reflectance regardless of the thickness of the Ag-containing layer 1e. Therefore, the light emitting device 100 can have high light extraction efficiency. The reason is as follows. A metal layer such as an Ag-containing layer provided on a base material or an underlayer is generally influenced by the crystal structure of the base material and underlayer. In other words, when the base material or the base layer has a crystal structure, the metal layer provided thereon is affected by the crystal structure and undergoes so-called epitaxial growth. The inventor discovered that the crystal structure inherited from the base material etc. had a negative effect on the light reflectance of the Ag-containing layer, especially the Ag-containing layer with a thickness of 1 μm or less, and led to the invention of this embodiment. The light reflecting material 1 of this embodiment has an amorphous PdP alloy layer 1c between the base material 1a and the Ag-containing layer 1e, which can reduce the influence of the crystal structure of the base material. Amorphous does not affect the base material or underlying layer material, and the amount of defects does not depend on the thickness of the amorphous. By providing such an amorphous PdP alloy layer 1c, the influence of the crystal structure of the base material 1a on the Ag-containing layer 1e provided by plating on the base material 1a can be reduced or eliminated, making it dense and free of defects. It is possible to form an Ag-containing layer 1e that has a small and fine crystal structure inherent to Ag and has a high light reflectance. As a result, even if the thickness of the Ag-containing layer 1e is reduced, it is possible to obtain a light reflecting material 1 with high light reflectance, and the light reflectance is higher than that of the light emitting device without the light reflecting material 1 according to this embodiment. The light emitting device 100 can suppress a decrease in the total luminous flux, that is, suppress a decrease in total luminous flux.

光反射材１は、発光素子２から出射された光を反射可能であれば、どのような形で発光装置１００に用いられていてもよい。光反射材１は、Ａｇ含有層１ｅが発光素子２と対向していることが好ましく、例えば、本実施形態のように、発光素子２の下方に設けられてもよいし、発光素子２を取り囲むように設けられてもよい。また、光反射材１は、本実施形態のような板状のリード１０であってもよく、絶縁性の基体上に形成された配線であってもよい。また、光反射材１は、発光素子２を載置する載置部材、放熱を行う放熱部材、発光素子２と電気的に接続される導電部材としての機能を兼ねていてもよい。このため、光反射材１は、その機能に応じて、放熱性、導電性に優れていること、そしてワイヤボンディングがしやすいことが好ましい。 The light reflecting material 1 may be used in any form in the light emitting device 100 as long as it can reflect the light emitted from the light emitting element 2. It is preferable that the Ag-containing layer 1e of the light reflecting material 1 faces the light emitting element 2. For example, it may be provided below the light emitting element 2 as in the present embodiment, or it may be provided below the light emitting element 2, or surrounding the light emitting element 2. It may be provided as follows. Further, the light reflecting material 1 may be a plate-shaped lead 10 as in this embodiment, or may be a wiring formed on an insulating base. Further, the light reflecting material 1 may also function as a mounting member on which the light emitting element 2 is placed, a heat radiating member that radiates heat, and a conductive member electrically connected to the light emitting element 2. For this reason, it is preferable that the light reflecting material 1 has excellent heat dissipation properties and electrical conductivity, and is easy to wire bond, depending on its function.

本実施形態の光反射材１は、図２Ａに示すように、ＰｄＰ合金層１ｃの下地層と、Ａｇ含有層１ｅとが、光反射材１の母材１ａ上にこの順に設けられている。換言すると、母材１ａを包囲するように、上面、下面、及び側面においてそれぞれの層がこの順に設けられている。 In the light reflecting material 1 of this embodiment, as shown in FIG. 2A, the base layer of the PdP alloy layer 1c and the Ag-containing layer 1e are provided in this order on the base material 1a of the light reflecting material 1. In other words, each layer is provided in this order on the top surface, bottom surface, and side surface so as to surround the base material 1a.

また本実施形態の光反射材１は、ＰｄＰ合金層１ｃの下地層の他に、さらに別の材料の下地層を備えてもよい。例えば光反射材１は、図２Ｂに示すように、Ｎｉ含有層１ｂと、ＰｄＰ合金層１ｃと、Ａｕ含有層１ｄと、Ａｇ含有層１ｅとが、光反射材１の母材１ａ上にこの順に設けられてもよい。この場合においても、母材１ａを包囲するように、上面、下面、及び側面においてそれぞれの層がこの順に設けられている。 Further, the light reflecting material 1 of this embodiment may further include a base layer made of another material in addition to the base layer of the PdP alloy layer 1c. For example, as shown in FIG. 2B, the light-reflecting material 1 has a Ni-containing layer 1b, a PdP alloy layer 1c, an Au-containing layer 1d, and an Ag-containing layer 1e on the base material 1a of the light-reflecting material 1. They may be provided in order. Also in this case, the layers are provided in this order on the top surface, bottom surface, and side surfaces so as to surround the base material 1a.

（Ａｇ含有層１ｅ）
Ａｇ含有層１ｅの厚みは、０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下であることが好ましい。Ａｇ含有層１ｅの厚みを上記範囲にすることにより、光反射率の極端な低下を抑制できる。また、材料コストの増加を抑えることができる。さらに、材料コスト及びワイヤボンディングなどの組立信頼性の観点及び硫化防止の観点では、Ａｇ含有層１ｅの厚みは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることが好ましい。光反射率を高めるためには、０．２μｍ以上０．５μｍ以下とすることが好ましい。 (Ag-containing layer 1e)
The thickness of the Ag-containing layer 1e is preferably 0.05 μm or more and 0.50 μm or less. By setting the thickness of the Ag-containing layer 1e within the above range, an extreme decrease in light reflectance can be suppressed. Furthermore, an increase in material costs can be suppressed. Furthermore, from the viewpoint of material cost and assembly reliability such as wire bonding, and from the viewpoint of preventing sulfurization, the thickness of the Ag-containing layer 1e is preferably 0.1 μm or more and 0.5 μm or less. In order to increase the light reflectance, the thickness is preferably 0.2 μm or more and 0.5 μm or less.

光反射材１の表面は、可視光領域の波長の光に対する反射率が７０％以上、特に好ましくは８０％以上の反射率であることが好ましい。また、高光沢であることが好ましく、光沢度は、０．５以上、より好ましくは１．０以上、更に好ましくは１．６以上である。ここで示される光沢度は、日本電色工業製 微小面色差計ＶＳＲ ３００Ａを用い、４５°照射、垂直受光で得られる数字である。 The surface of the light reflecting material 1 preferably has a reflectance of 70% or more, particularly preferably 80% or more, for light having a wavelength in the visible light region. Further, high gloss is preferred, and the glossiness is 0.5 or more, more preferably 1.0 or more, and even more preferably 1.6 or more. The glossiness shown here is a number obtained by 45° irradiation and vertical light reception using a microscopic color difference meter VSR 300A manufactured by Nippon Denshoku Kogyo.

Ａｇ含有層１ｅはＡｇを主成分とする層であり、Ａｇ含有層１ｅの材料としては、Ａｇ単体、ＡｇとＡｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｔｅから選択される１種以上との合金等を用いることができる。Ａｇ合金である場合には、Ａｇの割合はおよそ７０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。 The Ag-containing layer 1e is a layer whose main component is Ag, and the material of the Ag-containing layer 1e is selected from Ag alone, Ag and Au, Pt, Rh, Pd, Os, Ru, Sn, In, Zn, and Te. An alloy with one or more of the following can be used. In the case of an Ag alloy, the proportion of Ag is preferably approximately 70% by mass or more and 99% by mass or less.

Ａｇ含有層１ｅは、光反射材１の全ての表面に設けられていることが好ましいが、Ａｇ含有層１ｅの下にＰｄＰ合金層１ｃがあれば、光反射材１の表面の少なくとも一部がＡｇ含有層１ｅであってもよい。例えば光反射材１のうち、少なくとも図１Ａ及び図１Ｂで示したパッケージの底面に露出している領域にＡｇ含有層１ｅが設けられていることが好ましい。このように光反射材１の一部にＡｇ含有層１ｅを設けるためには、例えばめっきする際にレジストや保護テープなどでＡｇ含有層１ｅを形成しない部分をマスクすればよい。 The Ag-containing layer 1e is preferably provided on the entire surface of the light-reflecting material 1, but if the PdP alloy layer 1c is provided under the Ag-containing layer 1e, at least a part of the surface of the light-reflecting material 1 is provided. It may be an Ag-containing layer 1e. For example, it is preferable that an Ag-containing layer 1e is provided in at least a region of the light reflecting material 1 that is exposed on the bottom surface of the package shown in FIGS. 1A and 1B. In order to provide the Ag-containing layer 1e on a part of the light-reflecting material 1 in this manner, for example, when plating, the portion where the Ag-containing layer 1e is not formed may be masked with a resist or a protective tape.

Ａｇ含有層１ｅは、本実施形態のように光反射材１の上面とその上面と向かい合う下面との両方に設けられていてもよく、ある面のみに設けられ他の面には設けられていなくてもよい。また、一つ面の中で一部のみに設けられてもよい。また、Ａｇ含有層１ｅは、設けられている全領域にわたって同等の厚みであってもよく、発光素子２から出射された光を反射する部分において厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下の範囲であれば、厚みが異なっていてもよい。厚みを異ならせることにより、より効果的にコストを低減することができる。例えば、Ａｇ含有層１ｅが光反射材１の上面と下面とに設けられ、一方の面での厚みが他方よりも厚くてもよい。発光素子２が搭載される上面や発光素子２の近傍の部分に厚いＡｇ含有層１ｅを設けることが光取り出し効率向上の観点から好ましい。これにより、Ａｇ等の材料の量を減らし、コストを低減することができる。 The Ag-containing layer 1e may be provided on both the upper surface of the light reflecting material 1 and the lower surface facing the upper surface as in the present embodiment, or it may be provided only on one surface and not on the other surface. You can. Further, it may be provided only on a part of one surface. Further, the Ag-containing layer 1e may have the same thickness over the entire area in which it is provided, and the thickness in the portion that reflects the light emitted from the light emitting element 2 is in the range of 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. If so, the thickness may be different. By making the thickness different, costs can be reduced more effectively. For example, the Ag-containing layer 1e may be provided on the upper surface and the lower surface of the light reflecting material 1, and the thickness on one surface may be thicker than the other surface. From the viewpoint of improving light extraction efficiency, it is preferable to provide a thick Ag-containing layer 1e on the upper surface on which the light emitting element 2 is mounted or in the vicinity of the light emitting element 2. Thereby, the amount of materials such as Ag can be reduced and costs can be reduced.

（母材１ａ）
光反射材１は、Ａｇ含有層１ｅがその上に設けられる母材１ａを備える。本実施形態においては、母材１ａは、光反射材１のおおまかな形状を決定する材料として用いられる。 (Base material 1a)
The light reflecting material 1 comprises a base material 1a on which an Ag-containing layer 1e is provided. In this embodiment, the base material 1a is used as a material that determines the rough shape of the light reflecting material 1.

母材１ａの材料としては、主成分としてＣｕ、Ｆｅ、これらの合金、あるいはクラッド材（例えばＣｕ／ＦｅＮｉ／Ｃｕの積層）等の金属を好適に用いることができる。母材１ａのうち主成分の割合は、８０．０質量％以上９９．８質量％以下が好ましい。Ｃｕやその合金は、放熱性に優れているため、好ましく用いることができる。特に、板状のＣｕ及びＣｕ合金は、機械的特性、電気的特性、加工性等の面においても優れており、好ましい。クラッド材は、線膨張係数を低く抑えることができるため、発光装置の信頼性が高まり、好ましい。 As the material of the base material 1a, a metal such as Cu, Fe, an alloy thereof, or a cladding material (for example, a stack of Cu/FeNi/Cu) can be suitably used as a main component. The proportion of the main component in the base material 1a is preferably 80.0% by mass or more and 99.8% by mass or less. Cu and its alloys are preferably used because they have excellent heat dissipation properties. In particular, plate-shaped Cu and Cu alloys are preferable because they are excellent in terms of mechanical properties, electrical properties, workability, and the like. The cladding material is preferable because it can suppress the coefficient of linear expansion to a low level, thereby increasing the reliability of the light emitting device.

母材１ａを構成する金属は結晶質を有する。合金を含む金属は結晶質であることが一般的である。このような金属である母材１ａは、熱処理等、例えば圧延で成形される際の加熱のために、結晶構造に欠陥を有していることがある。しかし、上述のように母材１ａとＡｇ含有層１ｅの間に非晶質のＰｄＰ合金層１ｃを設けることで、このような問題を解決することができる。 The metal constituting the base material 1a has crystallinity. Metals, including alloys, are generally crystalline. The base material 1a, which is such a metal, may have defects in its crystal structure due to heat treatment, for example, heating during shaping by rolling. However, such a problem can be solved by providing the amorphous PdP alloy layer 1c between the base material 1a and the Ag-containing layer 1e as described above.

光反射材１の光反射率を高めるため、母材１ａの平坦度は、なるべく高いことが好ましい。例えば、表面粗さＲａが０．５μｍ以下とすることが好ましい。これにより、母材１ａの上に設けるＮｉ含有層１ｂ、ＰｄＰ合金層１ｃ、Ａｕ含有層１ｄ及びＡｇ含有層１ｅの平坦度を高めることができ、光を反射するＡｇ含有層１ｅの厚みを０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下と非常に薄くしても、光反射材１の光反射率を良好に高めることができる。母材１ａの平坦度は、圧延処理、物理研磨、化学研磨等の処理を行うことで高めることができる。 In order to increase the light reflectance of the light reflecting material 1, it is preferable that the flatness of the base material 1a is as high as possible. For example, it is preferable that the surface roughness Ra is 0.5 μm or less. As a result, the flatness of the Ni-containing layer 1b, PdP alloy layer 1c, Au-containing layer 1d, and Ag-containing layer 1e provided on the base material 1a can be increased, and the thickness of the Ag-containing layer 1e that reflects light can be reduced to 0. Even if the thickness is very thin, such as 0.05 μm or more and 0.50 μm or less, the light reflectance of the light reflecting material 1 can be improved satisfactorily. The flatness of the base material 1a can be increased by performing treatments such as rolling, physical polishing, and chemical polishing.

母材１ａの厚みや形状等については、発光装置の形状等に応じて種々選択することができる。例えば、板状、塊状、膜状等の形状であることができる。更には、母材１ａはセラミック等に印刷等で設けられる配線パターンにＣｕやその合金をめっきしたものであってもよい。 The thickness, shape, etc. of the base material 1a can be variously selected depending on the shape of the light emitting device, etc. For example, the shape may be plate-like, block-like, film-like, or the like. Furthermore, the base material 1a may be formed by plating Cu or an alloy thereof onto a wiring pattern provided by printing or the like on ceramic or the like.

（ＰｄＰ合金層１ｃ）
本実施形態の光反射材１は、母材１ａとＡｇ含有層１ｅとの間に非晶質のＰｄＰ合金層１ｃを有する。ＰｄＰ合金層１ｃ上にＡｇ含有層１ｅが設けられていれば、光反射材１の少なくとも一部がＰｄＰ合金層１ｃであってもよい。 (PdP alloy layer 1c)
The light reflecting material 1 of this embodiment has an amorphous PdP alloy layer 1c between the base material 1a and the Ag-containing layer 1e. As long as the Ag-containing layer 1e is provided on the PdP alloy layer 1c, at least a portion of the light reflecting material 1 may be the PdP alloy layer 1c.

ＰｄＰ合金層１ｃの厚みは、０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である。本実施形態のＰｄＰ合金層１ｃにおいては、Ｐが金属でないため、隣接する異種金属の層への拡散はほぼない。一般的にＰｄＰ合金層中のＰは、主成分が異なる金属の層が積層された場合、隣接する金属層の境界付近にＰの濃度が高いＰ濃縮層（またはＰ濃縮領域）が生じる場合があるが、本実施形態のＰｄＰ合金層１ｃは厚みが非常に薄いため、光反射材１の光反射性や導電性の機能に特に問題はないと考えられる。ＰｄＰ合金層１ｃの厚みを０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下とすることにより、原材料や製造のコストを低減しながら、母材１ａからのＡｇ含有層１ｅへの拡散を効果的に低減することができる。 The thickness of the PdP alloy layer 1c is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. In the PdP alloy layer 1c of this embodiment, since P is not a metal, there is almost no diffusion into adjacent dissimilar metal layers. In general, when layers of metals with different main components are stacked, a P-enriched layer (or P-enriched region) with a high concentration of P may occur near the boundary between adjacent metal layers. However, since the PdP alloy layer 1c of this embodiment has a very thin thickness, it is considered that there is no particular problem with the light reflectivity or conductivity of the light reflecting material 1. By setting the thickness of the PdP alloy layer 1c to 0.015 μm or more and 0.02 μm or less, it is possible to effectively reduce diffusion from the base material 1a to the Ag-containing layer 1e while reducing raw material and manufacturing costs. can.

ＰｄＰ合金層１ｃの材料は、ＰｄとＰとを含む合金であり、Ｐｄを主成分とする。ＰｄとＰ以外に、例えばＮｉ、Ｃｏを含んでもよい。ＰｄＰ合金層１ｃ中のＰｄの割合は例えば８５質量％以上９６質量％以下である。ＰｄＰ合金層１ｃ中のＰの割合は３質量％以上１０質量％以下である。ＰｄＰ合金層１ｃ中のＰの割合を３質量％以上１０質量％以下とすることで非晶質のＰｄＰ合金とすることができる。Ｐの割合が増えると層が脆くなる傾向があり、光反射材１の加工のしやすさの観点からＰｄＰ合金層１ｃ中のＰの割合は３質量％以上６質量％以下であることが好ましい。 The material of the PdP alloy layer 1c is an alloy containing Pd and P, and has Pd as a main component. In addition to Pd and P, for example, Ni and Co may be included. The proportion of Pd in the PdP alloy layer 1c is, for example, 85% by mass or more and 96% by mass or less. The proportion of P in the PdP alloy layer 1c is 3% by mass or more and 10% by mass or less. By setting the proportion of P in the PdP alloy layer 1c to 3% by mass or more and 10% by mass or less, an amorphous PdP alloy can be obtained. As the proportion of P increases, the layer tends to become brittle, and from the viewpoint of ease of processing the light reflecting material 1, the proportion of P in the PdP alloy layer 1c is preferably 3% by mass or more and 6% by mass or less. .

（Ｎｉ含有層１ｂ）
本実施形態の光反射材１は、母材１ａと前記ＰｄＰ合金層１ｃとの間にＮｉ含有層１ｂを備えることができる。 (Ni-containing layer 1b)
The light reflecting material 1 of this embodiment can include a Ni-containing layer 1b between the base material 1a and the PdP alloy layer 1c.

Ｎｉ含有層１ｂの厚みは、例えば０．３μｍ以上１５．０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下がより好ましい。厚みを０．３μｍ以上とすることにより、母材１ａからのＡｇ含有層１ｅへの拡散を効果的に低減することができる。１５．０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下の厚みとすることにより、原材料や製造のコストが低減できる。 The thickness of the Ni-containing layer 1b is, for example, preferably 0.3 μm or more and 15.0 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 5.0 μm or less. By setting the thickness to 0.3 μm or more, diffusion from the base material 1a to the Ag-containing layer 1e can be effectively reduced. By setting the thickness to 15.0 μm or less, preferably 5.0 μm or less, raw material and manufacturing costs can be reduced.

Ｎｉ含有層１ｂは、光沢度が１．２以上であることが好ましい。Ａｇ含有層１ｅの厚みが１μｍ以下、特に０．５μｍ以下になると、Ｎｉ含有層１ｂの光沢度とＡｇ含有層１ｅの光沢度とが互いに影響する。そのため、Ｎｉ含有層１ｂの光沢度を１．２以上とすることにより光反射材１の光沢度が上がり、Ａｇ含有層１ｅの厚みを薄くしても光反射率の高い光反射材１とすることができる。またＮｉ含有層１ｂがＳを含有し、Ｓ含有量が１００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、Ｎｉ含有層１ｂの光沢度を上げることができる。なおＮｉ含有層１ｂの光沢度は、例えば１．２以上４．０以下である。 It is preferable that the Ni-containing layer 1b has a gloss level of 1.2 or more. When the thickness of the Ag-containing layer 1e is 1 μm or less, particularly 0.5 μm or less, the glossiness of the Ni-containing layer 1b and the glossiness of the Ag-containing layer 1e influence each other. Therefore, by setting the glossiness of the Ni-containing layer 1b to 1.2 or more, the glossiness of the light-reflecting material 1 increases, and even if the thickness of the Ag-containing layer 1e is reduced, the light-reflecting material 1 has a high light reflectance. be able to. Further, it is preferable that the Ni-containing layer 1b contains S, and the S content is 100 ppm or more and 200 ppm or less. Thereby, the glossiness of the Ni-containing layer 1b can be increased. Note that the glossiness of the Ni-containing layer 1b is, for example, 1.2 or more and 4.0 or less.

Ｎｉ含有層１ｂの材料としては、例えば、Ｎｉ単体及びＮｉを主成分として含む合金を用いることができる。Ｎｉを含む合金は、例えばＮｉＰ、ＮｉＳ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ等の合金である。なかでも、容易に製造可能なＮｉＰ合金を用いることが好ましい。ＮｉＰ合金中のＮｉの割合は例えば７５質量％以上８９質量％以下である。またＮｉＰ合金中のＰの割合は例えば１１質量％以上２５質量％以下である。ＮｉＰ合金中のＰの割合を１１質量％以上とすることで非晶質のＮｉＰ合金とすることができる。Ｐの割合が増えると層が脆くなる傾向があり、光反射材１の加工のしやすさの観点から、Ｎｉ含有層１ｂ中のＰの割合は、例えば１１質量％以上２５質量％以下とすることが好ましく、１２質量％以上１５質量％以下とすることがより好ましい。 As the material for the Ni-containing layer 1b, for example, Ni alone or an alloy containing Ni as a main component can be used. The alloy containing Ni is, for example, an alloy such as NiP, NiS, NiB, or NiWP. Among these, it is preferable to use an easily manufactured NiP alloy. The proportion of Ni in the NiP alloy is, for example, 75% by mass or more and 89% by mass or less. Further, the proportion of P in the NiP alloy is, for example, 11% by mass or more and 25% by mass or less. By setting the proportion of P in the NiP alloy to 11% by mass or more, an amorphous NiP alloy can be obtained. As the proportion of P increases, the layer tends to become brittle, and from the viewpoint of ease of processing the light reflective material 1, the proportion of P in the Ni-containing layer 1b is, for example, 11% by mass or more and 25% by mass or less. The content is preferably 12% by mass or more and 15% by mass or less.

（Ａｕ含有層１ｄ）
本実施形態の光反射材１は、ＰｄＰ合金層１ｃとＡｇ含有層１ｅとの間に、Ａｕ含有層１ｄを備えることができる。 (Au-containing layer 1d)
The light reflecting material 1 of this embodiment can include an Au-containing layer 1d between the PdP alloy layer 1c and the Ag-containing layer 1e.

Ａｕ含有層１ｄは、厚みが０．００１５μｍ以上０．０１μｍ以下であることが好ましく、０．００１５μｍ以上０．００４５μｍ以下がより好ましい。Ａｕ含有層１ｄはＰｄＰ合金層１ｃの上に設けられるため、緻密で欠陥が少ない結晶質の層として非常に薄い厚みで設けることができる。Ａｕ含有層１ｄの厚みが薄いほど、原材料や製造のコストを低減できる。 The thickness of the Au-containing layer 1d is preferably 0.0015 μm or more and 0.01 μm or less, more preferably 0.0015 μm or more and 0.0045 μm or less. Since the Au-containing layer 1d is provided on the PdP alloy layer 1c, it can be provided with a very thin thickness as a dense crystalline layer with few defects. The thinner the Au-containing layer 1d is, the lower the raw material and manufacturing costs can be.

Ａｕ含有層１ｄは、Ａｕ単体またはＡｕを主成分とする層である。Ａｕ含有層１ｄ中のＡｕの割合は、例えば９９質量％以上である。Ａｕ含有層１ｄとＡｇ含有層１ｅとをこの順に設けることにより、Ａｇ含有層１ｅの密着性を高めることができ、ワイヤボンディングがしやすくなる。またＡｕはＳと反応しにくく、拡散防止の効果も高いため、Ａｕ含有層１ｄをＡｇ含有層１ｅ中のＡｇの硫化を防止する層として好ましく用いることができる。 The Au-containing layer 1d is a layer containing Au alone or containing Au as a main component. The proportion of Au in the Au-containing layer 1d is, for example, 99% by mass or more. By providing the Au-containing layer 1d and the Ag-containing layer 1e in this order, the adhesion of the Ag-containing layer 1e can be improved, making wire bonding easier. In addition, since Au hardly reacts with S and has a high diffusion prevention effect, the Au-containing layer 1d can be preferably used as a layer for preventing sulfidation of Ag in the Ag-containing layer 1e.

（発光素子２）
発光素子２は、発光素子２から出射された光が光反射材１に反射される位置に設けられる。本実施形態においては、光反射材１を底面に露出させる樹脂成形体３の凹部内に設けられている。発光素子２は任意の波長の光を発する、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等の種々の半導体を含むことが好ましい。半導体としては、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系半導体を使用することが好ましく、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等も使用できる。発光素子２は、例えば４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下にピーク波長を有する光を出射する。用いる発光素子２の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。 (Light emitting element 2)
The light emitting element 2 is provided at a position where the light emitted from the light emitting element 2 is reflected by the light reflecting material 1. In this embodiment, the light reflecting material 1 is provided in a recessed portion of the resin molded body 3 that exposes the bottom surface. The light emitting element 2 preferably includes various semiconductors such as III-V group compound semiconductors and II-VI group compound semiconductors that emit light of arbitrary wavelengths. As the semiconductor, it is preferable to use a nitride-based semiconductor such as In X Al Y Ga 1-X-Y N (0≦X, 0≦Y, , InGaAlN, etc. can also be used. The light emitting element 2 emits light having a peak wavelength of, for example, 400 nm or more and 800 nm or less. The composition, emitted light color, size, number, etc. of the light emitting elements 2 used can be appropriately selected depending on the purpose.

発光装置１００が波長変換物質を備える場合には、その波長変換物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物系半導体が好適に挙げられる。半導体の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。 When the light emitting device 100 includes a wavelength conversion substance, a nitride-based semiconductor capable of emitting light at a short wavelength that can efficiently excite the wavelength conversion substance is preferably used. Various emission wavelengths can be selected depending on the semiconductor material and its mixed crystal ratio.

発光素子２は、導電部材と電気的に接続される少なくとも一対の正負の電極を有している。これらの正負の電極は発光素子２の上面下面のどちらか一方に設けられていてもよく、発光素子２の上下両面に設けられていてもよい。発光素子２は、ワイヤまたははんだ等の接続部材によって導電部材と接続される。 The light emitting element 2 has at least a pair of positive and negative electrodes electrically connected to a conductive member. These positive and negative electrodes may be provided on either the upper or lower surface of the light emitting element 2, or may be provided on both the upper and lower surfaces of the light emitting element 2. The light emitting element 2 is connected to a conductive member by a connecting member such as a wire or solder.

ワイヤ６は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、発光素子２にリード１０を接続するように設けることができ、複数の発光素子２の間をつなぐように接続することもできる。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the wire 6 can be provided to connect the lead 10 to the light emitting element 2, or can be connected to connect a plurality of light emitting elements 2.

（基体）
基体はパッケージを構成する部材である。樹脂成形体３は、樹脂を基材とし一対の光反射材１を一体的に保持する基体の一例である。樹脂成形体３の上面視形状は、図１Ａ及び図１Ｂに示すような四角形、多角形等の他、更にそれらを組み合わせたような形状とすることができる。発光装置１００の樹脂成形体３が凹部を有する場合、側壁部３１は、その内側面は図１Ｂに示すような底面に対して傾斜した角度で設けるほか、略垂直な角度であってもよく、段差面を有していてもよい。また、側壁部３１の高さや開口部の形状等についても、目的や用途に応じて適宜選択することができる。凹部の内部には光反射材１が設けられることが好ましく、本実施形態のように底面部のほか、側壁部３１に光反射材１を備えてもよい。 (Base)
The base body is a member that constitutes the package. The resin molded body 3 is an example of a base body made of resin and integrally holding the pair of light reflecting materials 1. The top view shape of the resin molded body 3 may be a quadrilateral, a polygon, etc. as shown in FIGS. 1A and 1B, or a combination thereof. When the resin molded body 3 of the light emitting device 100 has a concave portion, the inner surface of the side wall portion 31 may be provided at an angle inclined to the bottom surface as shown in FIG. 1B, or may be provided at a substantially perpendicular angle. It may have a stepped surface. Further, the height of the side wall portion 31, the shape of the opening, etc. can be appropriately selected depending on the purpose and use. It is preferable that the light reflecting material 1 is provided inside the recessed portion, and the light reflecting material 1 may be provided on the side wall portion 31 in addition to the bottom portion as in this embodiment.

基体は、発光素子からの光を約６０％以上、より好ましくは約９０％以上反射するのが好ましい。基体が樹脂成形体３である場合、樹脂成形体３の基材としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができ、特に、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、封止部材５に用いられる樹脂に比してガス透過性の低い樹脂が好ましく、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂組成物などをあげることができる。このような樹脂成形体３の基材に、充填材（フィラー）としてＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２などの微粒子を混入させてもよい。これにより光の透過率を調整することができる。 Preferably, the substrate reflects about 60% or more, more preferably about 90% or more of the light from the light emitting device. When the base body is the resin molded body 3, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used as the base material of the resin molded body 3, and it is particularly preferable to use a thermosetting resin. The thermosetting resin is preferably a resin with lower gas permeability than the resin used for the sealing member 5, and specifically, modified epoxy resins such as epoxy resin compositions, silicone resin compositions, and silicone-modified epoxy resins. Examples include resin compositions, modified silicone resin compositions such as epoxy-modified silicone resins, polyimide resin compositions, modified polyimide resin compositions, urethane resins, and modified urethane resin compositions. The base material of such a resin molded body 3 is filled with fillers such as TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, MgCO 3 , CaCO 3 , Mg(OH) 2 , Ca(OH) 2 , etc. Fine particles may also be mixed. This allows the light transmittance to be adjusted.

なお基体は、上記のような樹脂を基材とするものに限られず、セラミック、ガラスまたは金属等の無機物で形成されてもよい。これにより、劣化等が少なく、信頼性の高い発光装置１００とすることができる。 Note that the base body is not limited to one based on resin as described above, and may be formed of an inorganic material such as ceramic, glass, or metal. Thereby, the light emitting device 100 can be made highly reliable with less deterioration and the like.

（接合部材４）
接合部材４は、発光素子２を発光装置１００に固定する部材である。導電性の接合部材４としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等を含む導電性ペーストや、Ａｕ－Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕなどの共晶はんだ材料、低融点金属等のろう材等を用いることができる。またＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の粒子とＡｇ及びＡｕのスパッタ膜、蒸着膜またはＡｕめっき膜とを用いた同材料間の接合でもよい。絶縁性の接合部材４としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子２からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子２を固定する接合部材４の基体側にＡｌやＡｇなどの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。 (Joining member 4)
The joining member 4 is a member that fixes the light emitting element 2 to the light emitting device 100. As the conductive joining member 4, conductive paste containing Ag, Au, Pd, etc., eutectic solder material such as Au-Sn, Sn-Ag-Cu, brazing material such as a low melting point metal, etc. can be used. can. Alternatively, bonding between the same materials using particles of Cu, Ag, Au, etc. and a sputtered film, a vapor deposited film, or an Au plating film of Ag and Au may be used. As the insulating bonding member 4, epoxy resin compositions, silicone resin compositions, polyimide resin compositions, modified resins thereof, hybrid resins, etc. can be used. When using these resins, in consideration of deterioration due to light and heat from the light emitting element 2, a metal layer or dielectric material with high reflectance such as Al or Ag is placed on the base side of the bonding member 4 that fixes the light emitting element 2. A reflective film can be provided.

（封止部材５）
封止部材５を発光素子２、光反射材１、ワイヤ６等の部材を被覆する部材である。封止部材５を設けることで、被覆した部材を塵芥や水分、更には外力などから保護することができ、発光装置１００の信頼性を高めることができる。 (Sealing member 5)
The sealing member 5 is a member that covers members such as the light emitting element 2, the light reflecting material 1, and the wire 6. By providing the sealing member 5, the covered member can be protected from dust, moisture, and external force, and the reliability of the light emitting device 100 can be improved.

封止部材５は、発光素子２からの光を透過可能な透光性を有し、かつそれらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、フッ素樹脂組成物等の絶縁樹脂組成物を挙げることができる。またジメチルシリコーン、フェニル含有量の少ないフェニルシリコーン、フッ素系シリコーン樹脂等シロキサン骨格をベースに持つ樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。 The sealing member 5 preferably has a translucent property that allows the light from the light emitting element 2 to pass therethrough, and a light resistance that is not easily deteriorated by the light. Specific materials include insulating resin compositions such as silicone resin compositions, modified silicone resin compositions, modified epoxy resin compositions, and fluororesin compositions. Further, hybrid resins containing at least one type of resin having a siloxane skeleton as a base, such as dimethyl silicone, phenyl silicone with a low phenyl content, and fluorine silicone resin, can also be used.

封止部材５の外表面の形状については、発光装置１００に求められる配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、封止部材５の外表面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状等とすることで、発光装置の指向特性や光取出し効率を調整することができる。また封止部材５の外表面の少なくとも一部は、粗面、平坦面等を有していてもよい。 The shape of the outer surface of the sealing member 5 can be selected from various shapes depending on the light distribution characteristics required for the light emitting device 100. For example, by forming the outer surface of the sealing member 5 into a convex lens shape, a concave lens shape, a Fresnel lens shape, etc., the directivity characteristics and light extraction efficiency of the light emitting device can be adjusted. Further, at least a portion of the outer surface of the sealing member 5 may have a rough surface, a flat surface, or the like.

封止部材５には、着色剤、光拡散材料、光反射材料、上述のフィラー、波長変換物質などを含有させることもできる。 The sealing member 5 can also contain a coloring agent, a light-diffusing material, a light-reflecting material, the above-mentioned filler, a wavelength converting substance, and the like.

波長変換物質は、発光素子２の光を波長変換させる材料である。波長変換物質としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。 The wavelength conversion substance is a material that converts the wavelength of light from the light emitting element 2. Examples of wavelength conversion substances include yttrium-aluminum-garnet-based phosphors (e.g., (Y,Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 :Ce), lutetium-aluminum-garnet-based phosphors (e.g., Lu 3 (Al , Ga) 5 O 12 :Ce), terbium-aluminum-garnet-based phosphors (e.g., Tb 3 (Al, Ga) 5 O 12 :Ce), CCA-based phosphors (e.g., Ca 10 (PO 4 ) 6 Cl) 2 :Eu), SAE-based phosphor (e.g., Sr 4 Al 14 O 25 :Eu), chlorosilicate-based phosphor (e.g., Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 :Eu), silicate-based phosphor (e.g., ( Ba, Sr, Ca, Mg) 2 SiO 4 :Eu), β-sialon phosphor (e.g. (Si, Al) 3 (O,N) 4 :Eu) or α-sialon phosphor (e.g. Ca(Si , Al) 12 (O,N) 16 :Eu), LSN-based phosphors (e.g., (La,Y) 3 Si 6 N 11 :Ce), BSESN-based phosphors (e.g., (Ba, Sr) 2 Si 5 N 8 :Eu), SLA-based phosphor (e.g., SrLiAl 3 N 4 :Eu), CASN-based phosphor (e.g., CaAlSiN 3 :Eu), or SCASN-based phosphor (e.g., ( Nitride-based phosphors such as Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu), KSF-based phosphors (e.g., K 2 SiF 6 :Mn), KSAF-based phosphors (e.g., K 2 (Si 1-x Al x )F) 6-x :Mn (where x satisfies 0<x<1) or a fluoride-based phosphor such as MGF-based phosphor (for example, 3.5MgO・0.5MgF 2・GeO 2 :Mn), Quantum dots with perovskite structure (e.g. (Cs, FA, MA) (Pb, Sn) (F, Cl, Br, I) 3 where FA and MA represent formamidinium and methylammonium, respectively.) , II-VI quantum dots (e.g. CdSe), III-V quantum dots (e.g. InP), or quantum dots with a chalcopyrite structure (e.g. (Ag,Cu)(In,Ga)(S,Se). ) 2 ) etc. can be used.

（接続部材）
ワイヤ６は発光素子２と光反射材１等の導電部材とを接続する接続部材の一例である。ワイヤ６の材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等及びこれらの合金が好適に用いられる。特に、光反射率の高いＡｇまたはＡｇ合金であることが好ましい。この場合は特に、ワイヤ６は後述する保護膜によって被覆されることが好ましい。これにより、Ａｇを含むワイヤの硫化や断線を防止し、発光装置１００の信頼性を高めることができる。 (Connection member)
The wire 6 is an example of a connecting member that connects the light emitting element 2 and a conductive member such as the light reflecting material 1. As the material of the wire 6, Ag, Au, Al, Cu, Pd, etc., and alloys thereof are preferably used. In particular, Ag or an Ag alloy with high light reflectance is preferable. In this case, it is particularly preferable that the wire 6 be covered with a protective film, which will be described later. Thereby, sulfurization and disconnection of the wire containing Ag can be prevented, and the reliability of the light emitting device 100 can be improved.

また、母材１ａがＣｕであり、ワイヤ６がＡｇまたはＡｇ合金である場合、その間に非晶質のＰｄＰ合金層１ｃを備えることによって、ＣｕとＡｇでの間の局部電池の形成を抑制することができる。これにより、光反射材１またはワイヤ６の劣化のおそれを低減し、信頼性の高い発光装置１００とすることができる。 Further, when the base material 1a is Cu and the wire 6 is Ag or Ag alloy, by providing an amorphous PdP alloy layer 1c therebetween, formation of a local battery between Cu and Ag is suppressed. be able to. Thereby, the possibility of deterioration of the light reflecting material 1 or the wire 6 can be reduced, and the light emitting device 100 can have high reliability.

（保護膜）
発光装置１００はさらに、保護膜を備えてもよい。保護膜は、光反射材１の表面に設けられたＡｇ含有層１ｅを少なくとも被覆する、主として光反射材１の表面のＡｇ含有層１ｅの変色または腐食を抑制する部材である。さらに、任意に、発光素子２、接合部材４、ワイヤ６、基体（樹脂成形体３）等の光反射材１以外の部材の表面、Ａｇ含有層１ｅが設けられていない光反射材１の表面を被覆してもよく、異なる部材の表面に連続して設けられてもよい。 (Protective film)
The light emitting device 100 may further include a protective film. The protective film is a member that at least covers the Ag-containing layer 1e provided on the surface of the light-reflecting material 1, and mainly suppresses discoloration or corrosion of the Ag-containing layer 1e on the surface of the light-reflecting material 1. Further, optionally, surfaces of members other than the light reflecting material 1 such as the light emitting element 2, the bonding member 4, the wire 6, the base (resin molded body 3), and the surface of the light reflecting material 1 on which the Ag-containing layer 1e is not provided. may be coated, or may be continuously provided on the surfaces of different members.

保護膜の材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の酸化物や、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＦ２、ＳｒＦ２等のフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。或いは、積層させるようにしてもよい。 Materials for the protective film include oxides such as Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , MgO, and In 2 O 3 , nitrides such as AlN, TiN, and ZrN, Examples include fluorides such as ZnF 2 and SrF 2 . These may be used alone or in combination. Alternatively, they may be laminated.

なお、接合部材４と光反射材１との熱膨張率差により、発光素子２の周囲において保護膜にクラックが形成され、発光素子２の近傍のＡｇ含有層１ｅが硫化するおそれがある。しかし、本実施形態のようにＡｇ含有層１ｅの厚みを０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下と非常に薄くすることで硫化の進行が低減され、光反射材１の光反射率の低下を抑えることができる。 Note that due to the difference in thermal expansion coefficient between the bonding member 4 and the light reflecting material 1, cracks may be formed in the protective film around the light emitting element 2, and the Ag-containing layer 1e in the vicinity of the light emitting element 2 may be sulfurized. However, as in this embodiment, by making the thickness of the Ag-containing layer 1e very thin, from 0.05 μm to 0.50 μm, the progress of sulfidation can be reduced, and the decrease in the light reflectance of the light reflecting material 1 can be suppressed. Can be done.

次に、本実施形態に係る光反射材１を用いた発光装置の製造方法を説明する。 Next, a method for manufacturing a light emitting device using the light reflecting material 1 according to this embodiment will be described.

本実施形態に係る発光装置の製造方法は、光反射材１を準備する工程と、光反射材１を備えるパッケージを準備する工程と、パッケージに発光素子２を実装する工程と、を備える。 The method for manufacturing a light-emitting device according to this embodiment includes the steps of preparing a light-reflecting material 1, preparing a package including the light-reflecting material 1, and mounting a light-emitting element 2 on the package.

光反射材を準備する工程は、母材１ａを準備し、母材１ａ上に非晶質のＰｄＰ合金層１ｃをめっきで形成し、ＰｄＰ合金層１ｃ上にＡｇ含有層１ｅをめっきで形成することを含む。 In the step of preparing the light reflecting material, a base material 1a is prepared, an amorphous PdP alloy layer 1c is formed on the base material 1a by plating, and an Ag-containing layer 1e is formed on the PdP alloy layer 1c by plating. Including.

めっきの方法としては、電解めっきまたは無電解めっきを用いることができる。なかでも電解めっきは層の形成の速度が速く、量産性を高めることができるため、好ましい。 As the plating method, electrolytic plating or electroless plating can be used. Among these, electrolytic plating is preferable because it forms a layer at a high speed and can improve mass productivity.

母材１ａ上にＰｄＰ合金層１ｃ及びＡｇ含有層１ｅをめっきで形成する前に、母材１ａの前処理を行うのが好ましい。前処理としては、希硫酸、希硝酸、希塩酸等の酸処理や、水酸化ナトリウムなどのアルカリ処理が挙げられ、これらを１回又は数回、同じ処理又は異なる処理を組み合わせて行うことができる。前処理を数回行う場合は、各処理後に純水を用いて流水洗浄するのが好ましい。母材１ａがＣｕやＣｕを含む合金からなる金属板の場合、希硫酸が好ましく、ＦｅやＦｅを含む合金からなる金属板の場合、希塩酸が好ましい。 It is preferable to pre-process the base material 1a before forming the PdP alloy layer 1c and the Ag-containing layer 1e on the base material 1a by plating. Pretreatments include acid treatments such as dilute sulfuric acid, dilute nitric acid, and dilute hydrochloric acid, and alkali treatments such as sodium hydroxide, and these treatments can be performed once or several times, the same treatment or a combination of different treatments. When performing pretreatment several times, it is preferable to wash with running pure water after each treatment. When the base material 1a is a metal plate made of Cu or an alloy containing Cu, dilute sulfuric acid is preferable, and when the base material 1a is a metal plate made of Fe or an alloy containing Fe, dilute hydrochloric acid is preferable.

ＰｄＰ合金層１ｃは、ＰｄＰ合金層１ｃ中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつＰｄＰ合金層を０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下の厚みとなるように形成する。例えばＰｄＰ合金層１ｃは、
塩化パラジウム＝０．５ｇ／Ｌ以上５．０ｇ／Ｌ以下
エチレンジアミン＝３ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下
エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム＝２ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下
次亜りん酸ナトリウム＝１ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下
チオジグリコ－ル酸＝１０ｍｇ／Ｌ以上５０ｍｇ／Ｌ以下
ｐＨ７．５以上９．０以下
の浴組成を用いて、液温４５℃以上７５℃以下にて無電解浸漬めっきで、所望のめっき厚みになるようにめっき時間を調整して形成することができる。 The PdP alloy layer 1c is formed so that the proportion of P in the PdP alloy layer 1c is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. For example, the PdP alloy layer 1c is
Palladium chloride = 0.5 g/L or more and 5.0 g/L or less Ethylenediamine = 3 g/L or more and 10 g/L or less Disodium ethylenediaminetetraacetate = 2 g/L or more and 10 g/L or less Sodium hypophosphite = 1 g/L or more and 15 g /L or less Thiodiglycolic acid = 10 mg/L or more and 50 mg/L or less The desired plating is achieved by electroless immersion plating at a liquid temperature of 45°C or more and 75°C or less using a bath composition with a pH of 7.5 or more and 9.0 or less. The plating time can be adjusted to obtain the desired thickness.

例えばＡｇ含有層１ｅは、
シアン化銀カリウム＝３０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下
シアン化カリウム＝６０ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ以下
炭酸カリウム＝５ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ以下
セレノシアン酸カリウム＝０．０５ｍｇ／Ｌ以上５．００ｍｇ／Ｌ以下
の浴組成を用いて、液温１５℃以上３５℃以下、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２以上７．０Ａ／ｄｍ２以下にて電解めっきで形成することができる。 For example, the Ag-containing layer 1e is
Potassium silver cyanide = 30 g/L or more and 150 g/L or less Potassium cyanide = 60 g/L or more and 200 g/L or less Potassium carbonate = 5 g/L or more and 100 g/L or less Potassium selenocyanate = 0.05 mg/L or more and 5.00 mg/L or less It can be formed by electrolytic plating at a liquid temperature of 15° C. or more and 35° C. or less and a current density of 0.5 A/dm 2 or more and 7.0 A/dm 2 or less using the following bath composition.

Ａｇ含有層１ｅを電解めっきで形成する際には、Ｓｅ系光沢剤、Ｓｂ系光沢剤、Ｓ系光沢剤、有機系光沢剤等の光沢剤を併用することで、光沢度を向上させることができる。光沢剤を多く用いると、Ａｇ含有層１ｅの中にこれら光沢剤の成分が取り込まれ、耐食性を悪化させる要因となることがあるが、本実施形態では、Ａｇ含有層１ｅをめっき形成する前にＰｄＰ合金層１ｃを形成し、その膜質を制御することで光沢剤の使用を少なくしても光沢度を高い範囲とすることができる。これにより、高い光沢度を有しつつ、耐食性にも優れた光反射材１を得る事ができる。 When forming the Ag-containing layer 1e by electroplating, the degree of gloss can be improved by using a brightener such as a Se-based brightener, an Sb-based brightener, an S-based brightener, or an organic brightener. can. If a large amount of brightener is used, components of these brighteners may be incorporated into the Ag-containing layer 1e, which may cause deterioration of corrosion resistance. However, in this embodiment, before forming the Ag-containing layer 1e by plating. By forming the PdP alloy layer 1c and controlling its film quality, the degree of gloss can be kept within a high range even if the use of a brightener is reduced. Thereby, it is possible to obtain a light reflecting material 1 that has high gloss and also has excellent corrosion resistance.

また光反射材１を準備する工程において、母材１ａとＰｄＰ合金層１ｃとの間にＮｉ含有層１ｂをめっきで形成することを含むのが好ましい。例えばＮｉ含有層１ｂは、
スルファミン酸ニッケル＝３００ｇ／Ｌ以上６００ｇ／Ｌ以下
塩化ニッケル＝２ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下
ほう酸＝２０ｇ／Ｌ以上４０ｇ／Ｌ以下
ｐＨ３．６以上４．４以下
の浴組成を用いて、液温４５℃以上６５℃以下、電流密度１Ａ／ｄｍ２以上１０Ａ／ｄｍ２以下にて電解めっきで形成することができる。 Further, the step of preparing the light reflecting material 1 preferably includes forming a Ni-containing layer 1b between the base material 1a and the PdP alloy layer 1c by plating. For example, the Ni-containing layer 1b is
Nickel sulfamate = 300 g/L or more and 600 g/L or less Nickel chloride = 2 g/L or more and 15 g/L or less Boric acid = 20 g/L or more and 40 g/L or less Using a bath composition with a pH of 3.6 or more and 4.4 or less, adjust the liquid temperature. It can be formed by electrolytic plating at a temperature of 45° C. or more and 65° C. or less and a current density of 1 A/dm 2 or more and 10 A/dm 2 or less.

Ｎｉ含有層１ｂはＳ系有機添加剤を含むめっき液を用いて形成することが好ましい。Ｓ有機添加剤としては、例えばサッカリン、ナフタレンスルホン酸ナトリウム、ブチンジール等の少なくとも１つを用いることができる。これらのＳ有機添加剤を光沢剤として、０．１ｇ／Ｌ以上１．０ｇ／Ｌ以下程度で複数種類を混合して添加することが有用である。なおＪＸ金属商事株式会社製の電気ニッケル光沢剤（商品名ＮＫニッケル）を用いてもよい。 The Ni-containing layer 1b is preferably formed using a plating solution containing an S-based organic additive. As the S organic additive, for example, at least one of saccharin, sodium naphthalene sulfonate, butin dil, etc. can be used. It is useful to mix and add a plurality of these S organic additives as brighteners in amounts of about 0.1 g/L or more and 1.0 g/L or less. Note that an electric nickel brightener (trade name: NK Nickel) manufactured by JX Metals Trading Co., Ltd. may also be used.

また光反射材１を準備する工程において、ＰｄＰ合金層１ｃとＡｇ含有層１ｅとの間にＡｕ含有層１ｄをめっきで形成することを含むのが好ましい。例えばＡｕ含有層１ｄは、
シアン化金カリウム＝０．５ｇ／Ｌ以上３．０ｇ／Ｌ以下
クエン酸カリウム＝５０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下
クエン酸＝５ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下
りん酸カリウム＝１０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ以下
ｐＨ３．３以上５．５以下
の浴組成を用いて、液温２０℃以上５５℃以下、電流密度０．２Ａ／ｄｍ２以上５．０Ａ／ｄｍ２以下にて電解めっきで形成することができる。 Preferably, the step of preparing the light reflecting material 1 includes forming an Au-containing layer 1d between the PdP alloy layer 1c and the Ag-containing layer 1e by plating. For example, the Au-containing layer 1d is
Potassium gold cyanide = 0.5 g/L or more and 3.0 g/L or less Potassium citrate = 50 g/L or more and 150 g/L or less Citric acid = 5 g/L or more and 50 g/L or less Potassium phosphate = 10 g/L or more and 100 g/L Formed by electrolytic plating using a bath composition with a pH of 3.3 or more and 5.5 or less, a liquid temperature of 20°C or more and 55°C or less, and a current density of 0.2 A/dm or more and 5.0 A/dm or less. Can be done.

＜第２実施形態＞
図３Ａ及び図３Ｂを参照して、第２実施形態に係る発光装置及び発光装置に適用される光反射材を説明する。図３Ａは、一実施形態の発光装置を説明するための概略斜視図である。図３Ｂは、図３Ａの３Ｂ－３Ｂ線における概略断面図である。第２実施形態に係る発光装置２００は、略平板状の光反射材１を備えること以外は第１実施形態の発光装置１００と同様である。なお、第１実施形態と同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。 <Second embodiment>
A light-emitting device and a light reflecting material applied to the light-emitting device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG. 3A is a schematic perspective view for explaining a light emitting device of one embodiment. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along line 3B-3B in FIG. 3A. The light emitting device 200 according to the second embodiment is the same as the light emitting device 100 according to the first embodiment except that it includes the light reflecting material 1 having a substantially flat plate shape. Note that the same names and symbols as in the first embodiment indicate the same or homogeneous members, and detailed explanations will be omitted as appropriate.

本実施形態においては、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、発光装置２００に光反射材１を含むリード１０を適用してもよい。発光装置２００において、光反射材１（換言するとリード１０）は上面視において一対の平板状に形成されている。光反射材１は、発光素子２が載置される載置部材、該発光素子２が２本のワイヤ６によって電気的に接続される正負の導電部材としての役割を有している。 In this embodiment, as shown in FIGS. 3A and 3B, a lead 10 including a light reflecting material 1 may be applied to a light emitting device 200. In the light emitting device 200, the light reflecting material 1 (in other words, the lead 10) is formed into a pair of flat plate shapes when viewed from above. The light reflecting material 1 has the role of a mounting member on which the light emitting element 2 is mounted, and a positive and negative conductive member to which the light emitting element 2 is electrically connected by two wires 6.

ＰｄＰ合金層１ｃを含む非晶質層は通常の金属層より脆い懸念があるため、光反射材１の形状は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、略平板状であることが好ましい。これにより、光反射材１の硫化や母材の酸化等を抑制して、光反射材１の信頼性を高め、光反射材１を用いた発光装置２００の信頼性を高めることができる。 Since there is a concern that the amorphous layer including the PdP alloy layer 1c is more brittle than a normal metal layer, the shape of the light reflecting material 1 is preferably approximately flat, as shown in FIGS. 3A and 3B. Thereby, sulfurization of the light reflecting material 1, oxidation of the base material, etc. can be suppressed, and the reliability of the light reflecting material 1 can be increased, and the reliability of the light emitting device 200 using the light reflecting material 1 can be increased.

発光装置２００を例に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する。
まず、光反射材１（以下、リード１０と称する場合がある。）を準備する。具体的には、一対のリードを複数備えるように母材１ａであるＣｕの金属板をパンチングする。次に、ウェットエッチングにより、パンチングした母材１ａの所定の位置に段差を形成する。段差を形成した後に、母材１ａ上に少なくともＰｄＰ合金層１ｃ及びＡｇ含有層１ｅを順にめっきで形成することにより、図４Ａに示すようなリード１０となるリードフレームを形成する。 A method for manufacturing a light emitting device according to the second embodiment will be described using the light emitting device 200 as an example.
First, a light reflecting material 1 (hereinafter sometimes referred to as lead 10) is prepared. Specifically, a Cu metal plate serving as the base material 1a is punched so as to have a plurality of pairs of leads. Next, steps are formed at predetermined positions on the punched base material 1a by wet etching. After forming the step, at least a PdP alloy layer 1c and an Ag-containing layer 1e are sequentially formed on the base material 1a by plating, thereby forming a lead frame that becomes the lead 10 as shown in FIG. 4A.

次に、光反射材１を備えるパッケージを準備する。具体的には、上記のようにして得られたリードフレームに、トランスファモールド法で基体となる樹脂成形体３を形成する。樹脂成形体３は、図４Ｂに示すように、一対のリードフレームがそれぞれの凹部の底面に露出するように形成される。つまり、光反射材１がパッケージの底面の一部に露出されている。 Next, a package including the light reflecting material 1 is prepared. Specifically, a resin molded body 3 serving as a base body is formed on the lead frame obtained as described above by a transfer molding method. As shown in FIG. 4B, the resin molded body 3 is formed so that a pair of lead frames are exposed at the bottom of each recess. That is, the light reflecting material 1 is exposed on a part of the bottom surface of the package.

次に、パッケージの底面に発光素子２を実装する。図４Ｃに示すように、リードフレームの発光素子載置領域に、接合部材４を介して発光素子２を載置する。そして、発光素子２とリードフレームとをワイヤ６によって接続する。その後、波長変換物質を含む樹脂をポッティング（滴下）法によってそれぞれの凹部内に滴下して封止部材５を設ける。 Next, the light emitting element 2 is mounted on the bottom surface of the package. As shown in FIG. 4C, the light emitting element 2 is mounted on the light emitting element mounting area of the lead frame via the bonding member 4. Then, the light emitting element 2 and the lead frame are connected by wires 6. Thereafter, the sealing member 5 is provided by dropping a resin containing a wavelength converting substance into each concave portion by a potting (dropping) method.

そして、図４Ｄに示すようなリードフレームとパッケージとを、ダイシングソー等を用いて切断し、図３Ａ及び図３Ｂに示すような個々の発光装置２００に個片化する。この切断により、発光装置２００の外側面に光反射材１の断面が露出する。この断面においては、少なくとも母材１ａ、ＰｄＰ合金層１ｃ及びＡｇ含有層１ｅが露出している。 Then, the lead frame and package as shown in FIG. 4D are cut using a dicing saw or the like to separate into individual light emitting devices 200 as shown in FIGS. 3A and 3B. By this cutting, a cross section of the light reflecting material 1 is exposed on the outer surface of the light emitting device 200. In this cross section, at least the base material 1a, the PdP alloy layer 1c, and the Ag-containing layer 1e are exposed.

＜実施例＞
実施例として、図２Ｂに示す光反射材１と実質的に同様の構造の光反射材を作製した。 <Example>
As an example, a light reflecting material having a structure substantially similar to that of the light reflecting material 1 shown in FIG. 2B was produced.

実施例１として、三菱マテリアル株式会社製のＣｕ－Ｆｅ系銅合金（商品名ＴＡＭＡＣ１９４。以下の実施例ではＣｕＦｅ合金と称する。）の母材１ａの表面に、Ｎｉ含有層１ｂとして厚み２μｍのＮｉ層、下地層１ｃとして厚み０．０１μｍかつＰの割合が４．０質量％のＰｄＰ合金層、Ａｕ含有層１ｄとして厚み０．００３μｍのＡｕ層、Ａｇ含有層１ｅとして厚み０．５μｍのＡｇ層をこの順に下記の条件にてめっきで形成した光反射材１を準備した。 As Example 1, a Ni-containing layer 1b with a thickness of 2 μm was formed on the surface of a base material 1a of a Cu-Fe-based copper alloy (trade name: TAMAC194, referred to as CuFe alloy in the following examples) manufactured by Mitsubishi Materials Corporation. A PdP alloy layer with a thickness of 0.01 μm and a P ratio of 4.0% by mass as the base layer 1c, an Au layer with a thickness of 0.003 μm as the Au-containing layer 1d, and an Ag layer with a thickness of 0.5 μm as the Ag-containing layer 1e. A light reflecting material 1 was prepared by plating the following in this order under the following conditions.

Ｎｉ含有層１ｂは、
スルファミン酸ニッケル＝４５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル＝１０ｇ／Ｌ
ほう酸＝３０ｇ／Ｌ
ｐＨ４．０
の浴組成を用いて、液温５５℃、電流密度５Ａ／ｄｍ２でめっきして形成した。 The Ni-containing layer 1b is
Nickel sulfamate = 450g/L
Nickel chloride = 10g/L
Boric acid = 30g/L
pH4.0
It was formed by plating at a liquid temperature of 55° C. and a current density of 5 A/dm 2 using a bath composition of

下地層１ｃとしてＰｄＰ合金層１ｃは、
塩化パラジウム＝１．８ｇ／Ｌ
エチレンジアミン＝６ｇ／Ｌ
エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム＝５ｇ／Ｌ
次亜りん酸ナトリウム＝４ｇ／Ｌ
チオジグリコ－ル酸＝３０ｍｇ／Ｌ
ｐＨ８．２
の浴組成を用いて、液温６０℃にて無電解浸漬めっきして形成した。 The PdP alloy layer 1c serves as the base layer 1c.
Palladium chloride = 1.8g/L
Ethylenediamine = 6g/L
Disodium ethylenediaminetetraacetate = 5g/L
Sodium hypophosphite = 4g/L
Thiodiglycolic acid = 30mg/L
pH8.2
It was formed by electroless immersion plating at a liquid temperature of 60° C. using a bath composition of

Ａｕ含有層１ｄは、
シアン化金カリウム＝１．５ｇ／Ｌ
クエン酸カリウム＝８０ｇ／Ｌ
クエン酸＝１０ｇ／Ｌ
りん酸カリウム＝５０ｇ／Ｌ
ｐＨ４．０
の浴組成を用いて、液温５０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２でめっきして形成した。 The Au-containing layer 1d is
Potassium gold cyanide = 1.5g/L
Potassium citrate = 80g/L
Citric acid = 10g/L
Potassium phosphate = 50g/L
pH4.0
It was formed by plating at a liquid temperature of 50° C. and a current density of 2 A/dm 2 using a bath composition of .

Ａｇ含有層１ｅは、
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝１５ｇ／Ｌ
セレノシアン酸カリウム＝２ｍｇ／Ｌ
の浴組成を用いて、液温２５℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２でめっきして形成した。 The Ag-containing layer 1e is
Potassium silver cyanide = 70g/L
Potassium cyanide = 120g/L
Potassium carbonate = 15g/L
Potassium selenocyanate = 2mg/L
It was formed by plating at a liquid temperature of 25° C. and a current density of 3 A/dm 2 using a bath composition of .

また実施例１と同様に、実施例２～１２の光反射材１についても表１に示す条件で作製した。なお実施例９は、母材１ａとしてＤＯＷＡメタルテック株式会社製のＮｉＦｅ合金（商品名４２％Ｎｉ－Ｆｅ。以下の実施例ではＮｉＦｅ合金と称する。）を用いた。さらに比較例１～３として、下地層１ｃがＰを含有しないＰｄ層であること以外は実施例１と同様の構造である光反射材を表１に示す条件で作製した。 Similarly to Example 1, the light reflecting materials 1 of Examples 2 to 12 were also produced under the conditions shown in Table 1. In Example 9, a NiFe alloy (trade name: 42% Ni--Fe, referred to as NiFe alloy in the following examples) manufactured by DOWA Metal Tech Co., Ltd. was used as the base material 1a. Further, as Comparative Examples 1 to 3, light reflecting materials having the same structure as Example 1 except that the base layer 1c was a Pd layer containing no P were produced under the conditions shown in Table 1.

実施例１～１２の光反射材１及び比較例１～３の光反射材を用いて発光装置２００を製作した。それぞれの発光装置について、積分式全光束測定装置を用いて全光束を測定し、比較例１の全光束測定値を１００として相対全光束比を算出した。その結果を表１に示す。 A light emitting device 200 was manufactured using the light reflecting materials 1 of Examples 1 to 12 and the light reflecting materials of Comparative Examples 1 to 3. For each light emitting device, the total luminous flux was measured using an integral total luminous flux measuring device, and the relative total luminous flux ratio was calculated with the total luminous flux measurement value of Comparative Example 1 set as 100. The results are shown in Table 1.

Figure 2024004065000002
Figure 2024004065000002

表１に示すように、実施例１～１２の光反射材１は、Ａｇ含有層１ｅの厚みの範囲が０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下と非常に薄いが、いずれも高い相対全光束比を示した。これは下地層１ｃのＰｄＰ合金層が、その上にめっきで形成されるＡｇ含有層１ｅが母材１ａの結晶構造から受ける影響を低減または排除して、緻密で欠陥が少なく光反射率が高いＡｇ含有層１ｅを形成することができたためと考えられる。一方、比較例１～３の光反射材では、下地層１ｃが実施例と同様の厚みであったが、比較例２、３のようにＡｇ含有層１ｅの厚みが０．５μｍ以下の場合は相対全光束比が低い値となった。比較例１のようにＡｇ含有層１ｅの厚みを厚くした場合には、高い全光束を得た。 As shown in Table 1, in the light reflecting materials 1 of Examples 1 to 12, the Ag-containing layer 1e has a very thin thickness range of 0.05 μm or more and 0.50 μm or less, but all of them have a high relative total luminous flux ratio. Indicated. This is because the PdP alloy layer of the base layer 1c reduces or eliminates the influence of the crystal structure of the base material 1a on the Ag-containing layer 1e formed on it by plating, resulting in a dense structure with few defects and high light reflectance. This is considered to be because the Ag-containing layer 1e could be formed. On the other hand, in the light reflecting materials of Comparative Examples 1 to 3, the base layer 1c had the same thickness as in the example, but when the thickness of the Ag-containing layer 1e was 0.5 μm or less as in Comparative Examples 2 and 3, The relative total luminous flux ratio became a low value. When the thickness of the Ag-containing layer 1e was increased as in Comparative Example 1, a high total luminous flux was obtained.

これにより、いずれの実施例によっても、厚みの範囲が０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下と非常に薄いＡｇ含有層１ｅの反射率が、Ａｇ含有層１ｅの厚みが２．０μｍと厚い場合の反射率と同様に維持され、このような光反射材１を含む発光装置の光取り出し効率を維持できることが期待される。 As a result, in any of the examples, the reflectance of the very thin Ag-containing layer 1e with a thickness range of 0.05 μm or more and 0.50 μm or less is different from that of the Ag-containing layer 1e with a thick thickness of 2.0 μm. It is expected that the light extraction efficiency of a light-emitting device including such a light reflecting material 1 can be maintained at the same level as the light-reflecting material 1.

［項１］
発光素子と、
前記発光素子から出射された光を反射する光反射材と、を備え、
前記光反射材は、母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を有し、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である発光装置。
［項２］
前記Ａｇ含有層の厚みが、０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下である項１に記載の発光装置。
［項３］
前記母材と前記ＰｄＰ合金層との間にＮｉ含有層を有する項１又は２に記載の発光装置。
［項４］
前記Ｎｉ含有層は、光沢度が１．２以上である項３に記載の発光装置。
［項５］
前記Ｎｉ含有層はＳを含有し、Ｓ含有量が１００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下である項３又は４に記載の発光装置。
［項６］
前記ＰｄＰ合金層と前記Ａｇ含有層との間にＡｕ含有層を有する項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
［項７］
前記Ａｕ含有層は、厚みが０．００１５μｍ以上０．０１μｍ以下である項６に記載の発光装置。
［項８］
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上６質量％以下である項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
［項９］
前記光反射材は、前記Ａｇ含有層が前記発光素子と対向している項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
［項１０］
前記発光装置がさらに樹脂成形体を備え、
前記光反射材は前記Ａｇ含有層が露出されるように前記樹脂成形体に埋め込まれている項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
［項１１］
光反射材を準備する工程と、
前記光反射材を備えるパッケージを準備する工程と、
前記パッケージに発光素子を実装する工程と、を備え、
前記光反射材を準備する工程は、母材を準備し、前記母材上に非晶質のＰｄＰ合金層をめっきで形成し、前記ＰｄＰ合金層上にＡｇ含有層をめっきで形成することを含み、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層を０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下の厚みで形成する発光装置の製造方法。
［項１２］
前記Ａｇ含有層を０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下の厚みで形成する項１１に記載の発光装置の製造方法。
［項１３］
前記光反射材を準備する工程は、前記母材と前記ＰｄＰ合金層との間にＮｉ含有層をめっきで形成することを含み、前記Ｎｉ含有層はＳ系有機添加剤を含むめっき液を用いて形成する項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
［項１４］
前記光反射材を準備する工程は、前記ＰｄＰ合金層と前記Ａｇ含有層との間にＡｕ含有層をめっきで形成することを含み、前記Ａｕ含有層を０．００１５μｍ以上０．０１μｍ以下の厚みで形成する項１１から１３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
［項１５］
母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を備える光反射材と、
前記光反射材を支持する基体と、を有し、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下であるパッケージ。 [Section 1]
A light emitting element,
A light reflecting material that reflects the light emitted from the light emitting element,
The light reflecting material includes a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer,
A light emitting device, wherein the P content in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.
[Section 2]
Item 2. The light emitting device according to Item 1, wherein the Ag-containing layer has a thickness of 0.05 μm or more and 0.50 μm or less.
[Section 3]
Item 3. The light emitting device according to Item 1 or 2, further comprising a Ni-containing layer between the base material and the PdP alloy layer.
[Section 4]
Item 4. The light emitting device according to item 3, wherein the Ni-containing layer has a glossiness of 1.2 or more.
[Section 5]
5. The light emitting device according to item 3 or 4, wherein the Ni-containing layer contains S, and the S content is 100 ppm or more and 200 ppm or less.
[Section 6]
6. The light emitting device according to any one of Items 1 to 5, further comprising an Au-containing layer between the PdP alloy layer and the Ag-containing layer.
[Section 7]
7. The light emitting device according to item 6, wherein the Au-containing layer has a thickness of 0.0015 μm or more and 0.01 μm or less.
[Section 8]
Item 8. The light emitting device according to any one of Items 1 to 7, wherein the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 6% by mass or less.
[Section 9]
9. The light-emitting device according to any one of Items 1 to 8, wherein the light-reflecting material is such that the Ag-containing layer faces the light-emitting element.
[Section 10]
The light emitting device further includes a resin molded body,
10. The light-emitting device according to any one of Items 1 to 9, wherein the light reflecting material is embedded in the resin molding so that the Ag-containing layer is exposed.
[Section 11]
a step of preparing a light reflective material;
preparing a package including the light reflective material;
mounting a light emitting element on the package,
The step of preparing the light reflecting material includes preparing a base material, forming an amorphous PdP alloy layer on the base material by plating, and forming an Ag-containing layer on the PdP alloy layer by plating. including,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the PdP alloy layer is formed with a thickness of 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.
[Section 12]
Item 12. The method for manufacturing a light emitting device according to Item 11, wherein the Ag-containing layer is formed with a thickness of 0.05 μm or more and 0.50 μm or less.
[Section 13]
The step of preparing the light reflecting material includes forming a Ni-containing layer between the base material and the PdP alloy layer by plating, and the Ni-containing layer is formed using a plating solution containing an S-based organic additive. 13. The method for manufacturing a light emitting device according to item 11 or 12, comprising:
[Section 14]
The step of preparing the light reflecting material includes forming an Au-containing layer between the PdP alloy layer and the Ag-containing layer by plating, and the Au-containing layer has a thickness of 0.0015 μm or more and 0.01 μm or less. 14. The method for manufacturing a light emitting device according to any one of Items 11 to 13.
[Section 15]
A light reflecting material comprising a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer;
a base supporting the light reflecting material;
A package in which the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.

１ 光反射材
１ａ 母材
１ｂ Ｎｉ含有層
１ｃ ＰｄＰ合金層
１ｄ Ａｕ含有層
１ｅ Ａｇ含有層
１２ 第一埋設部
１３ 第二埋設部
２ 発光素子
３ 樹脂成形体
３１ 側壁部
３２ 底面の一部
４ 接合部材
５ 封止部材
６ ワイヤ
１０ リード
１００、２００ 発光装置 1 Light reflective material 1a Base material 1b Ni-containing layer 1c PdP alloy layer 1d Au-containing layer 1e Ag-containing layer 12 First buried part 13 Second buried part 2 Light emitting element 3 Resin molded body 31 Side wall part 32 Part of bottom surface 4 Bonding Member 5 Sealing member 6 Wire 10 Leads 100, 200 Light emitting device

Claims (15)

発光素子と、
前記発光素子から出射された光を反射する光反射材と、を備え、
前記光反射材は、母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を有し、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下である発光装置。 A light emitting element,
A light reflecting material that reflects the light emitted from the light emitting element,
The light reflecting material includes a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer,
A light emitting device, wherein the P content in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. 前記Ａｇ含有層の厚みが、０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下である請求項１に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the Ag-containing layer is 0.05 μm or more and 0.50 μm or less. 前記母材と前記ＰｄＰ合金層との間にＮｉ含有層を有する請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 or 2, further comprising a Ni-containing layer between the base material and the PdP alloy layer. 前記Ｎｉ含有層は、光沢度が１．２以上である請求項３に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 3, wherein the Ni-containing layer has a glossiness of 1.2 or more. 前記Ｎｉ含有層はＳを含有し、Ｓ含有量が１００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下である請求項３に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 3, wherein the Ni-containing layer contains S, and the S content is 100 ppm or more and 200 ppm or less. 前記ＰｄＰ合金層と前記Ａｇ含有層との間にＡｕ含有層を有する請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 or 2, further comprising an Au-containing layer between the PdP alloy layer and the Ag-containing layer. 前記Ａｕ含有層は、厚みが０．００１５μｍ以上０．０１μｍ以下である請求項６に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 6, wherein the Au-containing layer has a thickness of 0.0015 μm or more and 0.01 μm or less. 前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上６質量％以下である請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 6% by mass or less. 前記光反射材は、前記Ａｇ含有層が前記発光素子と対向している請求項１又は２に記載の発光装置。 3. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-reflecting material has the Ag-containing layer facing the light-emitting element. 前記発光装置がさらに樹脂成形体を備え、
前記光反射材は前記Ａｇ含有層が露出されるように前記樹脂成形体に埋め込まれている請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device further includes a resin molded body,
3. The light emitting device according to claim 1, wherein the light reflecting material is embedded in the resin molding so that the Ag-containing layer is exposed. 光反射材を準備する工程と、
前記光反射材を備えるパッケージを準備する工程と、
前記パッケージに発光素子を実装する工程と、を備え、
前記光反射材を準備する工程は、母材を準備し、前記母材上に非晶質のＰｄＰ合金層をめっきで形成し、前記ＰｄＰ合金層上にＡｇ含有層をめっきで形成することを含み、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層を０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下の厚みで形成する発光装置の製造方法。 a step of preparing a light reflective material;
preparing a package including the light reflective material;
mounting a light emitting element on the package,
The step of preparing the light reflecting material includes preparing a base material, forming an amorphous PdP alloy layer on the base material by plating, and forming an Ag-containing layer on the PdP alloy layer by plating. including,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the PdP alloy layer is formed with a thickness of 0.015 μm or more and 0.02 μm or less. 前記Ａｇ含有層を０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下の厚みで形成する請求項１１に記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting device according to claim 11, wherein the Ag-containing layer is formed with a thickness of 0.05 μm or more and 0.50 μm or less. 前記光反射材を準備する工程は、前記母材と前記ＰｄＰ合金層との間にＮｉ含有層をめっきで形成することを含み、前記Ｎｉ含有層はＳ系有機添加剤を含むめっき液を用いて形成する請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。 The step of preparing the light reflecting material includes forming a Ni-containing layer between the base material and the PdP alloy layer by plating, and the Ni-containing layer is formed using a plating solution containing an S-based organic additive. 13. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 11 or 12, wherein the light emitting device is formed by: 前記光反射材を準備する工程は、前記ＰｄＰ合金層と前記Ａｇ含有層との間にＡｕ含有層をめっきで形成することを含み、前記Ａｕ含有層を０．００１５μｍ以上０．０１μｍ以下の厚みで形成する請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。 The step of preparing the light reflecting material includes forming an Au-containing layer between the PdP alloy layer and the Ag-containing layer by plating, and the Au-containing layer has a thickness of 0.0015 μm or more and 0.01 μm or less. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 11 or 12, wherein the light emitting device is formed by: 母材と、前記母材上に設けられた非晶質のＰｄＰ合金層と、前記ＰｄＰ合金層上に設けられたＡｇ含有層と、を備える光反射材と、
前記光反射材を支持する基体と、を有し、
前記ＰｄＰ合金層中のＰの割合が３質量％以上１０質量％以下、かつ前記ＰｄＰ合金層の厚みが０．０１５μｍ以上０．０２μｍ以下であるパッケージ。 A light reflecting material comprising a base material, an amorphous PdP alloy layer provided on the base material, and an Ag-containing layer provided on the PdP alloy layer;
a base supporting the light reflecting material;
A package in which the proportion of P in the PdP alloy layer is 3% by mass or more and 10% by mass or less, and the thickness of the PdP alloy layer is 0.015 μm or more and 0.02 μm or less.
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