JP2023179924A - 研磨液及び研磨方法 - Google Patents
研磨液及び研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023179924A JP2023179924A JP2022092867A JP2022092867A JP2023179924A JP 2023179924 A JP2023179924 A JP 2023179924A JP 2022092867 A JP2022092867 A JP 2022092867A JP 2022092867 A JP2022092867 A JP 2022092867A JP 2023179924 A JP2023179924 A JP 2023179924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- less
- polishing
- polishing liquid
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 265
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 63
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 iron ions Chemical class 0.000 claims description 40
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 31
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 9
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 9
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 8
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 8
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 6
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 5
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 5
- QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N iron(2+) dinitrate nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QZRHHEURPZONJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 6-aminohexanoic acid Chemical compound NCCCCCC(O)=O SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960002684 aminocaproic acid Drugs 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012482 calibration solution Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 3
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 3
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBLZLIFKVPJDCO-UHFFFAOYSA-N 12-aminododecanoic acid Chemical compound NCCCCCCCCCCCC(O)=O PBLZLIFKVPJDCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CN1 DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYTLHYRDGXRYEY-UHFFFAOYSA-N 5-Methyl-3-pyrazolamine Chemical compound CC=1C=C(N)NN=1 FYTLHYRDGXRYEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N guanidine group Chemical group NC(=N)N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQXOOGHQVPKHPG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazinane-2,4,5-trione Chemical compound O=C1NCC(=O)C(=O)N1 FQXOOGHQVPKHPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBQJKKPQBMSWEP-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenyl-1,3-diazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1CC(=O)N(C=2C=CC=CC=2)C(=O)N1C1=CC=CC=C1 FBQJKKPQBMSWEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,6-tetrahydropyrimidine Chemical compound C1CNC=NC1 VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBPZVLXARDTGGD-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid;iron Chemical compound [Fe].OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O KBPZVLXARDTGGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminopyrimidine Chemical compound NC1=CC(N)=NC(N)=N1 JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPVIABCMTHHTGB-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trichloropyrimidine Chemical compound ClC1=CC(Cl)=NC(Cl)=N1 DPVIABCMTHHTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJVAFLZWVUIBOU-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethoxypyrimidine Chemical compound COC1=CC(OC)=NC(OC)=N1 RJVAFLZWVUIBOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZKWMQWGJPCXOF-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triphenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 SZKWMQWGJPCXOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBSLLHNATPQFMJ-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dimethylthiazole Chemical compound CC1=CSC(C)=N1 OBSLLHNATPQFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 2,4-diamino-6-hydroxypyrimidine Chemical compound NC1=CC(=O)N=C(N)N1 SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC1=CC=CC2=NNN=C12 HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCC1=NC=CN1 SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLLRXSCNTCSLFX-UHFFFAOYSA-H 2-hydroxybutanedioate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)CC([O-])=O JLLRXSCNTCSLFX-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- VZWOXDYRBDIHMA-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3-thiazole Chemical compound CC1=NC=CS1 VZWOXDYRBDIHMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCXKNNGWSDYMMS-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-nitroguanidine Chemical compound CNC(N)=N[N+]([O-])=O XCXKNNGWSDYMMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMOUXUIXXQFHJR-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-5,7-diphenyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N12N=C(C)N=C2N=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1C1=CC=CC=C1 AMOUXUIXXQFHJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IREZZXZJCULSRP-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfanyl-5,7-diphenyl-1,7-dihydro-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N12NC(SC)=NC2=NC(C=2C=CC=CC=2)=CC1C1=CC=CC=C1 IREZZXZJCULSRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZHOHUNTQUNLLN-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfanyl-5,7-diphenyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N12N=C(SC)N=C2N=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1C1=CC=CC=C1 QZHOHUNTQUNLLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yl-1h-imidazole Chemical compound CC(C)C1=NC=CN1 FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKBBSFGKFMQPPC-UHFFFAOYSA-N 2-propyl-1h-imidazole Chemical compound CCCC1=NC=CN1 MKBBSFGKFMQPPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHLAPJMCARJFOG-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1,4-dihydropyrazol-5-one Chemical compound CC1=NNC(=O)C1 NHLAPJMCARJFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWSONZCNXUSTKW-UHFFFAOYSA-N 4,5-Dimethylthiazole Chemical compound CC=1N=CSC=1C UWSONZCNXUSTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REGFWZVTTFGQOJ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NCCS1 REGFWZVTTFGQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXDLXVDZTJOKAO-UHFFFAOYSA-N 4-propyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCC1=CC=CC2=C1N=NN2 VXDLXVDZTJOKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydropyrazol-3-one Chemical compound NC1=CC(=O)NN1 QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJQHZENQKNIRSY-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CNC=N1 NJQHZENQKNIRSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 5-hexyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCCCCC1=CC=C2NN=NC2=C1 GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHCPRYRLDOSKHK-UHFFFAOYSA-N 7-deaza-8-aza-adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1C=NN2 LHCPRYRLDOSKHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O Chemical compound N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRNKZYRMFBGSGE-UHFFFAOYSA-N [1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N1=CC=CN2N=CN=C21 SRNKZYRMFBGSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- RXQNHIDQIJXKTK-UHFFFAOYSA-N azane;pentanoic acid Chemical compound [NH4+].CCCCC([O-])=O RXQNHIDQIJXKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N boron;iron Chemical compound [Fe]#B ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- MDXRFOWKIZPNTA-UHFFFAOYSA-L butanedioate;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].[O-]C(=O)CCC([O-])=O MDXRFOWKIZPNTA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 229910001447 ferric ion Inorganic materials 0.000 description 1
- VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H ferric oxalate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000398 iron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PQQAOTNUALRVTE-UHFFFAOYSA-L iron(2+);diformate Chemical compound [Fe+2].[O-]C=O.[O-]C=O PQQAOTNUALRVTE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- TWEVRGHXJNOLDC-UHFFFAOYSA-L iron(2+);pentanedioate Chemical compound [Fe+2].[O-]C(=O)CCCC([O-])=O TWEVRGHXJNOLDC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PKBRCANVDCVQJP-UHFFFAOYSA-L iron(2+);propanoate Chemical compound [Fe+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O PKBRCANVDCVQJP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phosphate Chemical compound [Fe+3].[O-]P([O-])([O-])=O WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WHRBSMVATPCWLU-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triformate Chemical compound [Fe+3].[O-]C=O.[O-]C=O.[O-]C=O WHRBSMVATPCWLU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K iron(III) citrate Chemical compound [Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GYCHYNMREWYSKH-UHFFFAOYSA-L iron(ii) bromide Chemical compound [Fe+2].[Br-].[Br-] GYCHYNMREWYSKH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical compound [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PMAOKILDNNXBSR-UHFFFAOYSA-N iron;propanedioic acid Chemical compound [Fe].OC(=O)CC(O)=O PMAOKILDNNXBSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- UKKHWKNEQBGLMI-UHFFFAOYSA-N n-pyrimidin-2-ylacetamide Chemical compound CC(=O)NC1=NC=CC=N1 UKKHWKNEQBGLMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQEFDQWUCTUJCP-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2,4,5,6-tetramine;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.NC1=NC(N)=C(N)C(N)=N1 MQEFDQWUCTUJCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAAWASYJIRZXSZ-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2,4-diamine Chemical compound NC1=CC=NC(N)=N1 YAAWASYJIRZXSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004400 serine Nutrition 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】タングステン材料を含有する被研磨部材における研磨後の表面粗さを低減可能な研磨液、及び、当該研磨液を用いた研磨方法を提供する。【解決手段】タングステン材料を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液であって、シリカを含む砥粒と、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体と、酸化剤と、を含有し、前記砥粒の平均二次粒径が60nm以下である、研磨液。当該研磨液を用いて、タングステン材料を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。【選択図】なし
Description
本開示は、タングステン材料を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液、当該研磨液を用いた研磨方法等に関する。
近年、半導体集積回路(以下、「LSI」と言う。)の高集積化又は高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨(以下、「CMP」と言う。)もその一つであり、CMPは、LSI製造工程(特に、多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成等)において頻繁に利用される技術である。
一例として、CMP法を用いた埋め込み配線の形成について説明する。まず、基板と、表面に凹凸を有すると共に基板上に積層された絶縁部材(絶縁材料を含有する部材)と、を備える積層体を準備する。次に、バリア部材(バリア材料を含有する部材)を絶縁部材上の全体に堆積する。さらに、凹部(溝部)を埋め込むようにバリア部材上の全体に配線用の金属部材を堆積する。次に、凹部以外の不要な金属部材、及び、その下層のバリア部材をCMPにより除去して埋め込み配線を形成する。このような配線形成方法をダマシン法と呼ぶ(例えば、下記特許文献1参照)。
近年、配線用の金属部材には、タングステン、タングステン合金、タングステン化合物等のタングステン材料などが用いられるようになってきている。タングステン材料を含有するタングステン部材を用いたダマシン法による配線形成方法としては、例えば、上述のダマシン法の研磨において、金属部材であるタングステン部材の大部分を研磨する第一の研磨工程と、タングステン部材及びバリア部材を研磨する第二の研磨工程と、を備える方法が一般的である。
上述のダマシン法の研磨では、第一の研磨工程の前に、タングステン部材の表面粗さを低減する工程が実施される場合がある。しかしながら、従来の研磨液では、研磨後の被研磨面に比較的大きな凸部が形成されて表面粗さを低減することが容易でない場合がある。
本開示の一側面は、タングステン材料を含有する被研磨部材(タングステン部材)における研磨後の表面粗さを低減可能な研磨液を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、このような研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。
本開示は、いくつかの側面において、下記の[1]~[10]等に関する。
[1]タングステン材料を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液であって、シリカを含む砥粒と、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体と、酸化剤と、を含有し、前記砥粒の平均二次粒径が60nm以下である、研磨液。
[2]前記平均二次粒径が25nm以下である、[1]に記載の研磨液。
[3]前記砥粒のゼータ電位が正である、[1]又は[2]に記載の研磨液。
[4]前記砥粒のゼータ電位が負である、[1]又は[2]に記載の研磨液。
[5]前記(メタ)アクリル酸重合体が、アクリル酸及びメタクリル酸を単量体単位として有する重合体を含む、[1]~[4]のいずれか一つに記載の研磨液。
[6]前記酸化剤が過酸化水素を含む、[1]~[5]のいずれか一つに記載の研磨液。
[7]鉄イオンを更に含有する、[1]~[6]のいずれか一つに記載の研磨液。
[8]有機酸成分を更に含有する、[1]~[7]のいずれか一つに記載の研磨液。
[9]pHが2.5~4.0である、[1]~[8]のいずれか一つに記載の研磨液。
[10][1]~[9]のいずれか一つに記載の研磨液を用いて、タングステン材料を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
[1]タングステン材料を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液であって、シリカを含む砥粒と、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体と、酸化剤と、を含有し、前記砥粒の平均二次粒径が60nm以下である、研磨液。
[2]前記平均二次粒径が25nm以下である、[1]に記載の研磨液。
[3]前記砥粒のゼータ電位が正である、[1]又は[2]に記載の研磨液。
[4]前記砥粒のゼータ電位が負である、[1]又は[2]に記載の研磨液。
[5]前記(メタ)アクリル酸重合体が、アクリル酸及びメタクリル酸を単量体単位として有する重合体を含む、[1]~[4]のいずれか一つに記載の研磨液。
[6]前記酸化剤が過酸化水素を含む、[1]~[5]のいずれか一つに記載の研磨液。
[7]鉄イオンを更に含有する、[1]~[6]のいずれか一つに記載の研磨液。
[8]有機酸成分を更に含有する、[1]~[7]のいずれか一つに記載の研磨液。
[9]pHが2.5~4.0である、[1]~[8]のいずれか一つに記載の研磨液。
[10][1]~[9]のいずれか一つに記載の研磨液を用いて、タングステン材料を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
本開示の一側面によれば、タングステン材料を含有する被研磨部材(タングステン部材)における研磨後の表面粗さを低減可能な研磨液を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、このような研磨液を用いた研磨方法を提供することができる。
以下、本開示の実施形態について説明する。但し、本開示は下記実施形態に限定されるものではない。
<定義>
本明細書において、「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「A以上」とは、A、及び、Aを超える範囲を意味する。数値範囲の「A以下」とは、A、及び、A未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「層」及び「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸、及び、それに対応するメタクリル酸の少なくとも一方を意味する。「研磨速度」(Polishing Rate)とは、単位時間当たりに材料が除去される速度(除去速度=Removal Rate)を意味する。
本明細書において、「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「A以上」とは、A、及び、Aを超える範囲を意味する。数値範囲の「A以下」とは、A、及び、A未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「層」及び「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸、及び、それに対応するメタクリル酸の少なくとも一方を意味する。「研磨速度」(Polishing Rate)とは、単位時間当たりに材料が除去される速度(除去速度=Removal Rate)を意味する。
<研磨液>
本実施形態に係る研磨液は、タングステン材料を含有する被研磨部材(以下、場合により「タングステン部材」と言う)の研磨用の研磨液である。タングステン材料としては、タングステン、タングステン合金、タングステン化合物(酸化タングステン、タングステンシリサイド、窒化タングステン等)などが挙げられる。タングステン材料としては、タングステンを50モル%以上含む材料を用いることができる。本実施形態に係る研磨液は、研磨時に被研磨面に触れる組成物であり、例えばCMP用の研磨液として用いることができる。
本実施形態に係る研磨液は、タングステン材料を含有する被研磨部材(以下、場合により「タングステン部材」と言う)の研磨用の研磨液である。タングステン材料としては、タングステン、タングステン合金、タングステン化合物(酸化タングステン、タングステンシリサイド、窒化タングステン等)などが挙げられる。タングステン材料としては、タングステンを50モル%以上含む材料を用いることができる。本実施形態に係る研磨液は、研磨時に被研磨面に触れる組成物であり、例えばCMP用の研磨液として用いることができる。
本実施形態に係る研磨液は、シリカを含む砥粒と、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体と、酸化剤と、を含有する。本実施形態に係る研磨液において、砥粒の平均二次粒径は60nm以下である。
本実施形態に係る研磨液によれば、タングステン部材における研磨後の表面粗さを低減できる。本実施形態に係る研磨液によれば、後述の実施例における評価において、表面粗さ(Ra)を例えば0.40nm以下(好ましくは、0.35nm以下、0.35nm未満等)に低減できる。
本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減可能であり、タングステン部材の表面粗さを短時間かつ低研磨量で低減できる。本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、後述の実施例における評価において、例えば1nm/min以上(好ましくは、研磨時間を短くできる観点から、5nm/min以上、10nm/min以上等)の研磨速度を得ることができる。
タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減可能な理由は明確ではないが、次のとおりであると推測される。但し、理由は当該内容に限定されない。
すなわち、シリカを含む砥粒は、他の種類の砥粒と比較してタングステン材料との親和性が高く、タングステン材料との接触頻度が増加しやすい。そのため、シリカを含む砥粒を用いることにより、タングステン材料の研磨速度が向上しやすい。また、シリカを含む砥粒の平均二次粒径が60nm以下である場合、砥粒1個あたりに除去されるタングステン材料の体積が減少しやすいことから、研磨後の被研磨面に大きな凹凸が形成されることが抑制されやすい。
次に、(メタ)アクリル酸重合体はタングステン材料に吸着しやすい。ここで、被研磨面の凸部に吸着した(メタ)アクリル酸重合体が研磨時の圧力によって脱離しやすいことから凸部の研磨は進行しやすいのに対し、被研磨面の凹部に吸着した(メタ)アクリル酸重合体が脱離しづらいことから、凹部の研磨が抑制されやすいと共に凹部の腐食が抑制されやすい。これにより、研磨後の被研磨面に大きな凹凸が形成されることが抑制されやすい。
そして、酸化剤が用いられることにより研磨が進行しやすいことから、研磨が進行しないことに起因して凹凸が残存することが抑制されやすい。
これらの相乗作用により、タングステン部材の高い研磨速度が得られつつタングステン部材の表面粗さが低減されると推測される。
すなわち、シリカを含む砥粒は、他の種類の砥粒と比較してタングステン材料との親和性が高く、タングステン材料との接触頻度が増加しやすい。そのため、シリカを含む砥粒を用いることにより、タングステン材料の研磨速度が向上しやすい。また、シリカを含む砥粒の平均二次粒径が60nm以下である場合、砥粒1個あたりに除去されるタングステン材料の体積が減少しやすいことから、研磨後の被研磨面に大きな凹凸が形成されることが抑制されやすい。
次に、(メタ)アクリル酸重合体はタングステン材料に吸着しやすい。ここで、被研磨面の凸部に吸着した(メタ)アクリル酸重合体が研磨時の圧力によって脱離しやすいことから凸部の研磨は進行しやすいのに対し、被研磨面の凹部に吸着した(メタ)アクリル酸重合体が脱離しづらいことから、凹部の研磨が抑制されやすいと共に凹部の腐食が抑制されやすい。これにより、研磨後の被研磨面に大きな凹凸が形成されることが抑制されやすい。
そして、酸化剤が用いられることにより研磨が進行しやすいことから、研磨が進行しないことに起因して凹凸が残存することが抑制されやすい。
これらの相乗作用により、タングステン部材の高い研磨速度が得られつつタングステン部材の表面粗さが低減されると推測される。
本実施形態に係る研磨液は、シリカ(シリカ粒子)を含む砥粒を含有する。シリカを含む砥粒を用いることにより、タングステン材料の研磨速度が向上しやすく、また、タングステン材料料の高い研磨速度を保ちながら研磨傷を低減させる効果を得ることもできる。
砥粒は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、コロイダルシリカを含んでよい。砥粒は、シリカ以外の材料を含んでよい。このような材料としては、アルミナ、セリア、ジルコニア、セリウムの水酸化物、樹脂材料等が挙げられる。
砥粒のゼータ電位(25℃)は、正であってよく、負であってよい。砥粒のゼータ電位は、例えば、日本ルフト株式会社製のDT1202(商品名)を用いて測定できる。
砥粒のゼータ電位は、-50mV以上、-40mV以上、-30mV以上、-25mV以上、-20mV以上、-20mV超、-15mV以上、-10mV以上、-10mV超、-5.0mV以上、-3.0mV以上、-2.0mV以上、-1.0mV以上、-0.1mV以上、0mV以上、0mV超、0.1mV以上、0.5mV以上、1.0mV以上、2.0mV以上、3.0mV以上、4.0mV以上、又は、5.0mV以上であってよい。砥粒のゼータ電位は、20mV以下、15mV以下、10mV以下、8.0mV以下、6.0mV以下、6.0mV未満、5.0mV以下、5.0mV未満、4.0mV以下、3.0mV以下、2.0mV以下、1.0mV以下、0.5mV以下、0.1mV以下、0mV以下、0mV未満、-0.1mV以下、-1.0mV以下、-2.0mV以下、-3.0mV以下、-5.0mV以下、-10mV以下、-10mV未満、-15mV以下、-20mV以下、-20mV未満、又は、-25mV以下であってよい。これらの観点から、砥粒のゼータ電位は、-50~20mV、-30~10mV、-30~0mV、-30mV以上0mV未満、0~10mV、又は、0mV超10mV以下であってよい。
砥粒の二次粒径は、充分な機械的研磨力が得られやすいためタングステン材料の研磨速度が向上しやすい観点から、1nm以上、5nm以上、10nm以上、15nm以上、20nm以上、22nm以上、25nm以上、28nm以上、30nm以上、35nm以上、38nm以上、39nm以上、39nm超、40nm以上、40nm超、45nm以上、45nm超、50nm以上、50nm超、又は、55nm以上であってよい。砥粒の二次粒径は、タングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、100nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、55nm以下、50nm以下、50nm未満、45nm以下、45nm未満、40nm以下、40nm未満、39nm以下、39nm未満、38nm以下、35nm以下、30nm以下、28nm以下、25nm以下、22nm以下、又は、20nm以下であってよい。これらの観点から、砥粒の二次粒径は、1~100nm、10~60nm、20~60nm、10~40nm、15~40nm、20~35nm、又は、20~30nmであってよい。
砥粒の二次粒径は、研磨液中における砥粒の二次粒径であってよい。砥粒の二次粒径は、動的光散乱法で測定できる。具体的には例えば、BECKMAN COULTER社製のDELSA MAX PROを用いて、測定温度:25℃、溶媒屈折率:1.333(水)、溶媒粘度:1.005cp(水)、Run Time:5秒、測定回数:100回の条件で測定することができる。コロイダル粒子は、通常、水に分散された状態で得られるので、25~400倍に適宜希釈してコロイダル粒子の二次粒径を測定することもできる。目安としては、粒子が0.01~1.0質量%含まれるように調整すればよい。
砥粒の一次粒径は、1nm以上、3nm以上、5nm以上、8nm以上、10nm以上、12nm以上、14nm以上、15nm以上、18nm以上、20nm以上、25nm以上、25nm超、又は、30nm以上であってよい。砥粒の一次粒径は、50nm以下、50nm未満、45nm以下、40nm以下、40nm未満、35nm以下、30nm以下、30nm未満、25nm以下、25nm未満、20nm以下、18nm以下、15nm以下、14nm以下、12nm以下、10nm以下、又は、8nm以下であってよい。これらの観点から、砥粒の一次粒径は、1~50nm、5~40nm、又は、10~30nmであってよい。砥粒の一次粒径は、砥粒の比表面積を用いて式「一次粒径d=6/(密度ρ×比表面積s)」より求めることができる。砥粒の比表面積は、BET比表面積法に従って測定することができる。例えば、砥粒の比表面積は、乾燥機を用いて150℃で乾燥させた砥粒を測定セルに入れて120℃で60分間真空脱気した後、BET比表面積測定装置を用いて、窒素ガスを吸着させる1点法又は多点法により求めることができる。具体的には、150℃で乾燥後の砥粒を乳鉢(磁製、100mL)で細かく砕いて得られた測定用試料を測定セルに入れた後、BET比表面積測定装置(例えば、ユアサアイオニクス株式会社製、商品名:NOVE-1200)を用いて砥粒の比表面積を測定することができる。
砥粒において一次粒径に対する二次粒径の粒径比率(二次粒径/一次粒径)は、下記の範囲であってよい。粒径比率は、タングステン部材を研磨する際の転がり抵抗が低下するため、タングステン部材の表面において大きな凹凸の形成が抑制される効果を得やすい観点から、5.0以下、4.0以下、3.9以下、3.5以下、3.0以下、2.6以下、2.5以下、2.0以下、2.0未満、1.9以下、又は、1.6以下であってよい。粒径比率は、タングステン材料の研磨速度が向上しやすい観点から、1.0以上、1.0超、1.2以上、1.5以上、1.6以上、1.9以上、2.0以上、2.0超、2.5以上、2.6以上、3.0以上、3.5以上、又は、3.9以上であってよい。これらの観点から、粒径比率は、1.0~5.0、1.0~2.0、1.0以上2.0未満、又は、1.0~1.9であってよい。
砥粒の粒径D90は、充分な機械的研磨力が得られやすいためタングステン材料の研磨速度が向上しやすい観点から、1nm以上、5nm以上、又は、10nm以上であってよい。砥粒の粒径D90は、タングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、200nm以下、150nm以下、100nm以下、又は、100nm未満であってよい。これらの観点から、砥粒の粒径D90は、1~200nm、1~100nm、又は、1nm以上100nm未満であってよい。粒径D90は、小粒径側から積算した相対質量が全粒子質量の90%になるときの粒径である。粒径D90は、例えば、遠心式の粒度分布計である日本ルフト株式会社製の商品名「DC24000」を用いて25℃で測定して得られる粒度分布から求めることができる。
シリカ(シリカ粒子)の含有量は、表面粗さの低減効果とタングステン材料の研磨速度の向上効果とを高度に両立しやすい観点から、砥粒の全質量(研磨液に含まれる砥粒の全質量)を基準として、50質量%以上、50質量%超、60質量%以上、70質量%以上、80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、98質量%以上、又は、99質量%以上であってよい。シリカの含有量の上限は、砥粒の全質量を基準として例えば100質量%以下であってよい。
砥粒の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。砥粒の含有量は、充分な機械的研磨力が得られやすいためタングステン材料の研磨速度が向上しやすい傾向がある観点から、0.1質量%以上、0.1質量%超、0.2質量%以上、0.3質量%以上、0.5質量%以上、0.8質量%以上、1.0質量%以上、1.2質量%以上、又は、1.4質量%以上であってよい。砥粒の含有量は、研磨液の粘度上昇及びコスト上昇を避けやすい観点、砥粒の凝集を避けやすい観点、表面粗さを低減しやすい観点、研磨液の取り扱いが容易である観点等から、5.0質量%以下、4.5質量%以下、4.0質量%以下、3.5質量%以下、3.0質量%以下、3.0質量%未満、2.5質量%以下、2.0質量%以下、1.8質量%以下、1.5質量%以下、又は、1.4質量%以下であってよい。これらの観点から、砥粒の含有量は、0.1~5.0質量%、0.1~3.0質量%、0.1~2.0質量%、0.1~1.5質量%、0.5~5.0質量%、0.5~3.0質量%、0.5~2.0質量%、0.5~1.5質量%、1.0~5.0質量%、1.0~3.0質量%、1.0~2.0質量%、又は、1.0~1.5質量%であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体を含有する。(メタ)アクリル酸重合体は、アクリル酸由来の構造単位、及び、メタクリル酸由来の構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する。(メタ)アクリル酸重合体は、タングステン部材における研磨後の表面粗さを低減するための平滑化剤として用いることができる。
(メタ)アクリル酸重合体としては、アクリル酸の単独重合体(ポリアクリル酸)、メタクリル酸の単独重合体(ポリメタクリル酸)、アクリル酸とメタクリル酸との共重合体、(メタ)アクリル酸と他の単量体((メタ)アクリル酸と共重合可能な単量体)との共重合体などが挙げられる。(メタ)アクリル酸と他の単量体との共重合体としては、アクリル酸と他の単量体との共重合体、メタクリル酸と他の単量体との共重合体、アクリル酸とメタクリル酸と他の単量体との共重合体等を用いることができる。
(メタ)アクリル酸と共重合可能な単量体としては、(メタ)アクリル酸メチル等の(メタ)アクリル酸アルキルなどが挙げられる。(メタ)アクリル酸重合体は、(メタ)アクリル酸と共重合可能な単量体として、アミド基、ヒドロキシ基、ウレア基、カルボキシル基、メチル基、スルホ基等の官能基を有する単量体を用いることにより、アミド基、ヒドロキシ基、ウレア基、カルボキシル基、メチル基、スルホ基等の側鎖を有してよい。
(メタ)アクリル酸重合体は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、凹部の研磨が抑制されやすいと共に凹部の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、アクリル酸の単独重合体、メタクリル酸の単独重合体、並びに、アクリル酸及びメタクリル酸を単量体単位として有する重合体(例えばアクリル酸とメタクリル酸との共重合体)からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、アクリル酸及びメタクリル酸を単量体単位として有する重合体を含んでよい。
(メタ)アクリル酸重合体において、アクリル酸及びメタクリル酸の合計に対するアクリル酸の共重合比(アクリル酸/アクリル酸及びメタクリル酸の合計)は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、凹部の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点、及び、溶解性に優れる観点から、下記の範囲であってよい。共重合比は、0.1モル%以上、0.5モル%以上、0.8モル%以上、又は、1モル%以上であってよい。共重合比は、95モル%以下、80モル%以下、80モル%未満、75%以下、70モル%以下、60モル%以下、60モル%未満、55モル%以下、50モル%以下、又は、40モル%以下であってよい。これらの観点から、共重合比は、0.1~95モル%、1~95モル%、1~75モル%、又は、1~40モル%であってよい。
(メタ)アクリル酸重合体の重合形態としては、特に制限はないが、ブロック共重合体、ランダム共重合体等が挙げられる。(メタ)アクリル酸重合体は、水溶性高分子であってよい。「水溶性高分子」とは、25℃において水100gに対して0.1g以上溶解する高分子として定義する。
(メタ)アクリル酸重合体の重量平均分子量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、凹部の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、1000以上、2000以上、3000以上、4000以上、5000以上、6000以上、又は、7000以上であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の重量平均分子量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点、並びに、研磨液への溶解性及び研磨液の保存安定性に優れる観点から、500万以下、100万以下、50万以下、10万以下、5万以下、3万以下、1万以下、9000以下、8000以下、又は、7000以下であってよい。これらの観点から、(メタ)アクリル酸重合体の重量平均分子量は、1000~500万、2000~50万、3000~10万、又は、4000~1万であってよい。
(メタ)アクリル酸重合体の重量平均分子量(Mw)は、例えば、下記条件で、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いて測定することができる。
試料:10μL
標準ポリスチレン:東ソー株式会社製、標準ポリスチレン(分子量:190000、17900、9100、2980、578、474、370、266)
検出器:株式会社日立製作所製、RI-モニター、商品名「L-3000」
インテグレーター:株式会社日立製作所製、GPCインテグレーター、商品名「D-2200」
ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名「L-6000」
デガス装置:昭和電工株式会社製、商品名「Shodex DEGAS」
カラム:昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名「GL-R440」、「GL-R430」及び「GL-R420」をこの順番で連結して使用
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
測定温度:23℃
流速:1.75mL/分
測定時間:45分
標準ポリスチレン:東ソー株式会社製、標準ポリスチレン(分子量:190000、17900、9100、2980、578、474、370、266)
検出器:株式会社日立製作所製、RI-モニター、商品名「L-3000」
インテグレーター:株式会社日立製作所製、GPCインテグレーター、商品名「D-2200」
ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名「L-6000」
デガス装置:昭和電工株式会社製、商品名「Shodex DEGAS」
カラム:昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名「GL-R440」、「GL-R430」及び「GL-R420」をこの順番で連結して使用
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
測定温度:23℃
流速:1.75mL/分
測定時間:45分
(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、凹部の研磨が抑制されやすいと共に凹部の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、0.001質量%以上、0.005質量%以上、0.01質量%以上、0.03質量%以上、0.05質量%以上、0.08質量%以上、又は、0.1質量%以上であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、0.12質量%以上、0.15質量%以上、0.18質量%以上、又は、0.2質量%以上であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、5質量%以下、3質量%以下、2質量%以下、1質量%以下、0.8質量%以下、0.5質量%以下、0.4質量%以下、0.3質量%以下、0.2質量%以下、0.18質量%以下、0.15質量%以下、0.12質量%以下、又は、0.1質量%以下であってよい。これらの観点から、(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、0.001~5質量%、0.001~2質量%、0.001~1質量%、0.001~0.5質量%、0.001~0.2質量%、0.005~5質量%、0.005~2質量%、0.005~1質量%、0.005~0.5質量%、0.005~0.2質量%、0.01~5質量%、0.01~2質量%、0.01~1質量%、0.01~0.5質量%、0.01~0.2質量%、0.05~5質量%、0.05~2質量%、0.05~1質量%、0.05~0.5質量%、又は、0.05~0.2質量%であってよい。
(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、砥粒100質量部に対して下記の範囲であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、0.1質量部以上、0.5質量部以上、1質量部以上、2質量部以上、3質量部以上、4質量部以上、5質量部以上、6質量部以上、又は、7質量部以上であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、8質量部以上、10質量部以上、12質量部以上、又は、14質量部以上であってよい。(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、100質量部以下、100質量部未満、80質量部以下、50質量部以下、30質量部以下、20質量部以下、15質量部以下、14質量部以下、12質量部以下、10質量部以下、又は、8質量部以下であってよい。これらの観点から、(メタ)アクリル酸重合体の含有量は、0.1~100質量部、1~100質量部、1~30質量部、1~10質量部、5~30質量部、又は、5~10質量部であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、酸化剤を含有する。酸化剤としては、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、過マンガン酸化合物(過マンガン酸カリウム等)、過硫酸アンモニウムなどが挙げられる。酸化剤は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点、及び、価格が安く、液体での供給が可能である観点から、過酸化水素を含んでよい。
過酸化水素の含有量は、酸化剤の全質量(研磨液に含まれる酸化剤の全質量)を基準として下記の範囲であってよい。過酸化水素の含有量は、タングステン材料の研磨速度の向上効果が得られやすい観点から、50質量%以上、50質量%超、60質量%以上、70質量%以上、80質量%以上、90質量%以上、又は、95質量%以上であってよい。過酸化水素の含有量の上限は、酸化剤の全質量を基準として例えば100質量%以下であってよい。
酸化剤の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。酸化剤の含有量は、タングステン材料の研磨速度の向上効果が得られやすい観点から、0.01質量%以上、0.03質量%以上、0.05質量%以上、0.08質量%以上、又は、0.1質量%以上であってよい。酸化剤の含有量は、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、タングステン部材の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、1質量%以下、1質量%未満、0.8質量%以下、0.5質量%以下、0.3質量%以下、又は、0.1質量%以下であってよい。これらの観点から、酸化剤の含有量は、0.01~1質量%、0.03~0.5質量%、又は、0.05~0.3質量%であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、鉄イオンを含有してよい。研磨液が鉄イオンを含有する場合、タングステン材料の研磨速度が向上しやすい傾向がある。鉄イオンは、第二鉄イオンであってよい。
鉄イオンは、鉄イオン供給剤を用いることにより研磨液中に供給することができる。鉄イオン供給剤は、例えば鉄の塩であり、研磨液中では、鉄イオンと、鉄イオン供給剤由来のアニオン成分とに解離した状態で存在してよい。すなわち、鉄イオン供給剤を含有する研磨液は、鉄イオンを含有する。鉄イオン供給剤は、酸化剤として機能する場合があるが、鉄イオン供給剤及び酸化剤の両方に該当する化合物は、鉄イオン供給剤に該当するものとする。
鉄イオン供給剤は、無機塩であってよく、有機塩であってもよい。鉄イオンを含む無機塩としては、硝酸鉄、硫酸鉄、ほう化鉄、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄、リン酸鉄、フッ化鉄等が挙げられる。鉄イオンを含む有機塩としては、三ぎ酸鉄、二ぎ酸鉄、酢酸鉄、プロピオン酸鉄、シュウ酸鉄、マロン酸鉄、コハク酸鉄、リンゴ酸鉄、グルタル酸鉄、酒石酸鉄、乳酸鉄、クエン酸鉄等が挙げられる。無機塩及び有機塩は、アンモニウム、水等の配位子を有してよく、水和物等であってもよい。鉄イオン供給剤は、研磨装置、基体への汚染が比較的少なく、安価で入手しやすい観点から、硝酸鉄及び硝酸鉄誘導体(例えば硝酸鉄九水和物等の水和物)からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
鉄イオンの含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。鉄イオンの含有量は、タングステン材料の研磨速度が向上しやすい観点から、0.0001質量%以上、0.0003質量%以上、0.0005質量%以上、0.0006質量%以上、0.0008質量%以上、0.0009質量%以上、0.001質量%以上、又は、0.0011質量%以上であってよい。鉄イオンの含有量は、酸化剤等の分解及び変質の発生が起こりにくく、研磨液を室温(例えば25℃)で保管した後のタングステン材料の研磨速度が変化することを抑制しやすい(すなわち、ポットライフに優れる)観点から、0.1質量%以下、0.08質量%以下、0.05質量%以下、0.03質量%以下、0.01質量%以下、0.008質量%以下、0.005質量%以下、0.003質量%以下、又は、0.002質量%以下であってよい。これらの観点から、鉄イオンの含有量は、0.0001~0.1質量%、0.0003~0.1質量%、0.0005~0.05質量%、又は、0.001~0.01質量%であってよい。鉄イオン供給剤の含有量を調整することにより研磨液中の鉄イオンの含有量を調整できる。
本実施形態に係る研磨液は、有機酸成分を含有してよい。有機酸成分は、有機酸及び有機酸塩(有機酸のアルカリ金属塩(例えばナトリウム塩)等)からなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。有機酸成分としては、アミノ酸成分(アミノ酸、アミノ酸塩等)を用いてよく、アミノ酸成分に該当しない有機酸成分を用いてよい。
アミノ酸としては、6-アミノヘキサン酸、グリシン、アラニン、アミノ吉草酸、ヒスチジン、シソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、トレオニン、トリプトファン、バリン、アルギニン、システイン、グルタミン、プロリン、チロシン、アラニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、セリン、12-アミノドデカン酸等が挙げられる。
アミノ酸成分に該当しない有機酸成分としては、マロン酸、リンゴ酸、これらの塩等が挙げられる。アミノ酸成分に該当しない有機酸成分は、2価又は3価の有機酸成分であってよく、炭素-炭素二重結合(C=C)を有しない2価又は3価の有機酸成分であってよい。「2価又は3価」とは、有機酸成分が有する酸基の数を意味する。
本実施形態に係る研磨液は、キレート剤を含有してよい。キレート剤は、研磨液に含まれる鉄イオンをキレートする効果を有し、酸化剤の還元を抑制してポットライフを向上させることができる。キレート剤は、鉄イオンをキレートする効果が向上しやすい観点から、炭素-炭素二重結合(C=C)を有しない2価又は3価の有機酸を含んでよく、マロン酸、リンゴ酸及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、マロン酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。キレート剤におけるpH2.5での解離率は、1%以上であってよい。
含有量Aとして、キレート剤の含有量、又は、マロン酸の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。含有量Aは、0.001質量%以上、0.005質量%以上、0.01質量%以上、0.03質量%以上、0.05質量%以上、又は、0.06質量%以上であってよい。含有量Aは、保存安定性が向上しやすい観点から、1質量%以下、1質量%未満、0.8質量%以下、0.5質量%以下、0.3質量%以下、0.2質量%以下、0.18質量%以下、0.15質量%以下、0.1質量%以下、0.08質量%以下、又は、0.06質量%以下であってよい。これらの観点から、含有量Aは、0.001~1質量%、0.01~0.5質量%、又は、0.01~0.2質量%であってよい。解離したキレート剤又はマロン酸の分子数は、鉄イオンをキレートする効果が向上しやすい観点から、鉄イオン1原子に対して2以上であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、腐食防止剤を含有してよい。腐食防止剤を用いることにより、タングステン材料の耐腐食性が向上してタングステン部材の表面粗さが低減されやすい。腐食防止剤としては、上述のアミノ酸成分、トリアゾール骨格を有する化合物、イミダゾール骨格を有する化合物、ピリミジン骨格を有する化合物、グアニジン骨格を有する化合物、チアゾール骨格を有する化合物、ピラゾール骨格を有する化合物等が挙げられる。
トリアゾール骨格を有する化合物としては、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、2,3-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、4-ヒドロキシベンゾトリアゾール、4-カルボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾール、4-カルボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾールメチルエステル、4-カルボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾールブチルエステル、4-カルボキシル(-1H-)ベンゾトリアゾールオクチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス[(1-ベンゾトリアゾリル)メチル]ホスホン酸、3-アミノトリアゾール、5-メチルベンゾトリアゾール等が挙げられる。
イミダゾール骨格を有する化合物としては、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-イソプロピルイミダゾール、2-プロピルイミダゾール、2-ブチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-エチルイミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-アミノイミダゾール等が挙げられる。
ピリミジン骨格を有する化合物としては、ピリミジン、[1,2,4]-トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、1,3,4,6,7,8-ヘキサハイドロ-2H-ピリミド[1,2-a]ピリミジン、1,3-ジフェニル-ピリミジン-2,4,6-トリオン、1,4,5,6-テトラハイドロピリミジン、2,4,5,6-テトラアミノピリミジンサルフェイト、2,4,5-トリハイドロキシピリミジン、2,4,6-トリアミノピリミジン、2,4,6-トリクロロピリミジン、2,4,6-トリメトキシピリミジン、2,4,6-トリフェニルピリミジン、2,4-ジアミノ-6-ヒドロキシルピリミジン、2,4-ジアミノピリミジン、2-アセトアミドピリミジン、2-アミノピリミジン、2-メチル-5,7-ジフェニル-[1,2,4]トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-[1,2,4]トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-4,7-ジヒドロ-[1,2,4]トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、4-アミノピラゾロ[3,4-d]ピリミジン等が挙げられる。
グアニジン骨格を有する化合物としては、ジフェニルグアニジン(1,3-ジフェニルグアニジン等)、1-メチル-3-ニトログアニジン等が挙げられる。
チアゾール骨格を有する化合物としては、2-メルカプトベンゾチアゾ-ル、2-アミノチアゾール、4,5-ジメチルチアゾール、2-アミノ-2-チアゾリン、2,4-ジメチルチアゾール、2-アミノ-4-メチルチアゾール等が挙げられる。
ピラゾール骨格を有する化合物としては、3,5-ジメチルピラゾール、3-メチル-5-ピラゾロン、3-アミノ-5-メチルピラゾール、3-アミノ-5-ヒドロキシピラゾール、3-アミノ-5-メチルピラゾール等が挙げられる。
本実施形態に係る研磨液は、タングステン材料の高い研磨速度を維持しながらタングステン材料の腐食を抑制しやすい観点から、アミノ酸成分を含んでよく、6-アミノヘキサン酸を含んでよい。本実施形態に係る研磨液は、トリルトリアゾール及びジフェニルグアニジンを含有しなくてよい。トリルトリアゾールの含有量、及び、ジフェニルグアニジンの含有量は、研磨液の全質量を基準として、0.01質量%以下、0.01質量%未満、又は、0.001質量%以下であってよい。
腐食防止剤の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。腐食防止剤の含有量は、タングステン材料の耐腐食性に更に優れる観点から、0.001質量%以上、0.005質量%以上、0.01質量%以上、0.015質量%以上、0.02質量%以上、0.025質量%以上、又は、0.03質量%以上であってよい。腐食防止剤の含有量は、タングステン材料の研磨速度の向上効果が得られやすい観点から、5質量%以下、3質量%以下、1質量%以下、0.5質量%以下、0.1質量%以下、0.05質量%以下、又は、0.03質量%以下であってよい。これらの観点から、腐食防止剤の含有量は、0.001~5質量%、0.005~5質量%、0.01~3質量%、0.01~1質量%、又は、0.01~0.1質量%であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、pH調整剤を含有してよい。pH調整剤としては、硝酸、塩酸、硫酸、アンモニア等が挙げられる。研磨液を調製するに際して、砥粒を配合する前にpH調整剤を添加してよく、砥粒を配合した後にpH調整剤を添加してもよい。
本実施形態に係る研磨液は、上述の各成分以外の添加剤を含有してよい。添加剤は、研磨液中の砥粒の分散性の向上、研磨液の化学的安定性の向上、研磨速度の向上等の目的で用いることができる。このような添加剤としては、(メタ)アクリル酸重合体以外の重合体(ポリアクリルアミド等);多糖類;ケイモリブデン酸化合物(ケイモリブデン酸構造を有する化合物);アルミニウム成分(アルミニウムイオン、アルミニウム塩等);抗菌剤;消泡剤などが挙げられる。研磨液中の添加剤の含有量は、任意に決定できる。
本実施形態に係る研磨液は、ポリアクリルアミドを含有しなくてよい。ポリアクリルアミドの含有量は、研磨液の全質量を基準として、0.005質量%以下、0.002質量%以下、0.002質量%未満、又は、0.001質量%以下であってよい。本実施形態に係る研磨液は、多糖類を含有しなくてよい。多糖類の含有量は、研磨液の全質量を基準として、0.1質量%以下、0.1質量%未満、又は、0.01質量%以下であってよい。本実施形態に係る研磨液は、ケイモリブデン酸化合物を含有しなくてよい。ケイモリブデン酸化合物の含有量は、研磨液の全質量を基準として、0.01質量%以下、0.01質量%未満、又は、0.001質量%以下であってよい。
本実施形態に係る研磨液は、アルミニウム成分を含有しなくてよい。アルミニウム原子の含有量は、研磨液の全質量を基準として、0.00001質量%(100ppb)以下、0.000006質量%(60ppb)以下、0.000006質量%(60ppb)未満、0.000005質量%(50ppb)以下、0.0000035質量%(35ppb)以下、0.000002質量%(20ppb)以下、0.000001質量%(10ppb)以下、0.0000005質量%(5ppb)以下、又は、実質的に0質量%であってよい。アルミニウム原子の含有量は、例えば、下記の方法により測定できる。
測定法:ICP-MS法
測定装置:誘導結合プラズマ質量分析装置、アジレント・テクノロジー製、商品名「Agilent 8800」
前処理:研磨液を酸(塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸等。研磨液の全量を基準として0.1~10体積%)と混合した後に超純水で希釈(例えば2~100倍に希釈)する。
測定法:ICP-MS法
測定装置:誘導結合プラズマ質量分析装置、アジレント・テクノロジー製、商品名「Agilent 8800」
前処理:研磨液を酸(塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸等。研磨液の全量を基準として0.1~10体積%)と混合した後に超純水で希釈(例えば2~100倍に希釈)する。
本実施形態に係る研磨液は、水を含有することができる。水は、他の成分の分散媒又は溶媒として作用することができる。水は、不純物をできるだけ含有しない水であってよく、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去することにより得られた水であってよい。水としては、純水、超純水、蒸留水等が挙げられる。
本実施形態に係る研磨液のpHは、タングステン部材の高い研磨速度を得つつ、タングステン部材の腐食が抑制されやすいことからタングステン部材の表面粗さを低減しやすい観点から、下記の範囲であってよい。pHは、2.0以上、2.5以上、2.7以上、2.8以上、2.9以上、3.0以上、3.0超、又は、3.1であってよい。pHは、7.0以下、7.0未満、6.0以下、6.0未満、5.5以下、5.5未満、5.0以下、5.0未満、4.5以下、4.0以下、4.0未満、3.5以下、3.2以下、3.1以下、3.0以下、3.0未満、2.9以下、又は、2.8であってよい。これらの観点から、pHは、2.0~7.0、2.0~5.0、2.0~4.0、2.5~4.0、2.5~3.9、2.5~3.5、又は、2.9~3.1であってよい。pHは、液温25℃におけるpHと定義する。pHは、上述のpH調整剤、有機酸成分(マロン酸、リンゴ酸等)により調整できる。
研磨液のpHは、一般的なガラス電極を用いたpHメータによって測定できる。具体的には例えば、株式会社堀場製作所の商品名:Model(F-73)を使用することができる。フタル酸塩pH標準液(pH4.01)、中性リン酸塩pH標準液(pH6.86)及びホウ酸塩pH標準液(pH9.18)を校正液として用いてpHメータを3点校正した後、pHメータの電極を研磨液に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定することでpHを得ることができる。このとき、校正液(標準緩衝液)及び研磨液の液温は、例えば、共に25℃とすることができる。
本実施形態に係る研磨液の配合方法及び希釈方法としては、特に制限はない。例えば、翼式攪拌機による攪拌、超音波分散等で各成分を分散又は溶解させることにより研磨液を調製することができる。また、水に対する各成分の混合順序は限定されない。
<研磨液用貯蔵液>
本実施形態に係る研磨液は、貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制する観点から、使用時に水で希釈されて使用される研磨液用貯蔵液として保管できる。研磨液用貯蔵液は、例えば、使用時に予定されるより水の量を減じて保管され、使用以前に水で希釈されて研磨液として用いることができる。本実施形態に係る研磨液用貯蔵液は、研磨液を得るための貯蔵液であり、水で希釈することにより研磨液が得られる。研磨液用貯蔵液は、例えば、質量基準で1.5倍以上に希釈することができる。研磨液用貯蔵液を1.5倍に希釈するとは、研磨液用貯蔵液に水を加えることによって、研磨液の質量が、もとの研磨液用貯蔵液の質量の1.5倍になることとして定義される。研磨の直前に水で貯蔵液を希釈した後に酸化剤を添加して研磨液を調製してもよい。酸化剤を研磨の直前に添加することで酸化剤の過剰な分解を抑制することができる。また、研磨定盤上に研磨液用貯蔵液と水とを供給し、研磨定盤上で研磨液を調製してもよい。
本実施形態に係る研磨液は、貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制する観点から、使用時に水で希釈されて使用される研磨液用貯蔵液として保管できる。研磨液用貯蔵液は、例えば、使用時に予定されるより水の量を減じて保管され、使用以前に水で希釈されて研磨液として用いることができる。本実施形態に係る研磨液用貯蔵液は、研磨液を得るための貯蔵液であり、水で希釈することにより研磨液が得られる。研磨液用貯蔵液は、例えば、質量基準で1.5倍以上に希釈することができる。研磨液用貯蔵液を1.5倍に希釈するとは、研磨液用貯蔵液に水を加えることによって、研磨液の質量が、もとの研磨液用貯蔵液の質量の1.5倍になることとして定義される。研磨の直前に水で貯蔵液を希釈した後に酸化剤を添加して研磨液を調製してもよい。酸化剤を研磨の直前に添加することで酸化剤の過剰な分解を抑制することができる。また、研磨定盤上に研磨液用貯蔵液と水とを供給し、研磨定盤上で研磨液を調製してもよい。
<研磨液セット>
本実施形態に係る研磨液は、研磨液セットとして、砥粒を含有する砥粒液(第1の液)、及び、砥粒以外の構成成分((メタ)アクリル酸重合体、酸化剤等のケミカル成分)を含有する添加液(第2の液、ケミカル液)の複数液(例えば2液)で構成されてよい。砥粒液及び添加液のそれぞれは、使用時に予定されるより水の量を減じて保管され、使用以前に水で希釈されて用いられてよい。
本実施形態に係る研磨液は、研磨液セットとして、砥粒を含有する砥粒液(第1の液)、及び、砥粒以外の構成成分((メタ)アクリル酸重合体、酸化剤等のケミカル成分)を含有する添加液(第2の液、ケミカル液)の複数液(例えば2液)で構成されてよい。砥粒液及び添加液のそれぞれは、使用時に予定されるより水の量を減じて保管され、使用以前に水で希釈されて用いられてよい。
<研磨方法>
本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて、タングステン部材(タングステン材料を含有する被研磨部材)を研磨する研磨工程を備える。研磨工程では、タングステン部材を研磨して除去することができる。研磨工程は、例えば、基体におけるタングステン部材の被研磨面を研磨定盤の研磨布に押しあて、基体における被研磨面とは反対側の面(基体の裏面)から基体に所定の圧力を加えた状態で、研磨液を被研磨面と研磨布との間に供給して、基体を研磨定盤に対して相対的に動かすことで被研磨面を研磨する工程であってよい。
本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて、タングステン部材(タングステン材料を含有する被研磨部材)を研磨する研磨工程を備える。研磨工程では、タングステン部材を研磨して除去することができる。研磨工程は、例えば、基体におけるタングステン部材の被研磨面を研磨定盤の研磨布に押しあて、基体における被研磨面とは反対側の面(基体の裏面)から基体に所定の圧力を加えた状態で、研磨液を被研磨面と研磨布との間に供給して、基体を研磨定盤に対して相対的に動かすことで被研磨面を研磨する工程であってよい。
タングステン部材は、膜状(タングステン材料を含有する膜)であってよい。タングステン部材は、少なくともタングステン材料を含有する層を有してよい。研磨工程で用いられる研磨液は、上述の研磨液用貯蔵液を水で希釈することにより得られる研磨液であってよく、上述の研磨液セットにおける砥粒液及び添加液を互いに混合することにより得られる研磨液であってもよい。
研磨装置としては、例えば、回転数を変更可能なモータ等が取り付けてあり、研磨布を貼り付け可能な研磨定盤と、基体を保持するホルダーと、を有する一般的な研磨装置を使用できる。研磨布としては、特に制限はないが、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が使用できる。研磨条件に特に制限はないが、基体が飛び出さないように研磨定盤の回転速度を200min-1(rpm)以下の低回転に調整してよい。研磨している間、研磨布には研磨液をポンプ等で連続的に供給することができる。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われ、かつ、研磨の進行による形成物が連続的に排出されてよい。
研磨布の表面状態を常に同一にして研磨を行うために、研磨の前に研磨布のコンディショニング工程を実施してよい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて、少なくとも水を含む液で研磨布のコンディショニングを行ってよい。続いて、本実施形態に係る研磨方法を実施した後に、基体洗浄工程を実施してよい。研磨終了後の基体は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて、基体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させてよい。また、公知の洗浄方法(例えば、市販の洗浄液を基体表面に流しつつ、ポリウレタンでできたブラシを回転させながら当該ブラシを基体に一定の圧力で押し付けて基体上の付着物を除去する方法)を実施した後に乾燥させてよい。
<部品の製造方法等>
本実施形態に係る部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有する部材(被研磨部材;基体)を個片化する個片化工程を備える。個片化工程は、例えば、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有するウエハ(例えば半導体ウエハ)をダイシングしてチップ(例えば半導体チップ)を得る工程であってよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る半導体部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有する部材(被研磨部材)を個片化することにより半導体部品(例えば、半導体チップ)を得る工程を備える。本実施形態に係る部品の製造方法は、個片化工程の前に、本実施形態に係る研磨方法により被研磨部材の被研磨面を研磨する研磨工程を備えてよい。本実施形態に係る部品は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られる部品であり、半導体部品であってよく、チップ(例えば半導体チップ)等であってよい。
本実施形態に係る部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有する部材(被研磨部材;基体)を個片化する個片化工程を備える。個片化工程は、例えば、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有するウエハ(例えば半導体ウエハ)をダイシングしてチップ(例えば半導体チップ)を得る工程であってよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る半導体部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有する部材(被研磨部材)を個片化することにより半導体部品(例えば、半導体チップ)を得る工程を備える。本実施形態に係る部品の製造方法は、個片化工程の前に、本実施形態に係る研磨方法により被研磨部材の被研磨面を研磨する研磨工程を備えてよい。本実施形態に係る部品は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られる部品であり、半導体部品であってよく、チップ(例えば半導体チップ)等であってよい。
本実施形態に係る接合体の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材の接合面、又は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られた部品の接合面(例えば、本実施形態に係る半導体部品の製造方法により得られた半導体部品の接合面)と、被接合体の接合面と、を接合する接合工程を備える。被研磨部材の接合面、又は、部品の接合面は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面であってよい。被研磨部材又は部品と接合される被接合体は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材、又は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られた部品であってよく、これらの被研磨部材及び部品とは異なる被接合体であってもよい。接合工程では、被研磨部材又は部品の接合面が金属部を有すると共に被接合体の接合面が金属部を有する場合、金属部同士を接触させてよい。金属部は、タングステン材料を含んでよい。本実施形態に係る接合体は、本実施形態に係る接合体の製造方法により得られる接合体である。
本実施形態に係る電子デバイスは、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面を有する部材(被研磨部材)、本実施形態に係る部品、及び、本実施形態に係る接合体からなる群より選ばれる少なくとも一種を備える。
以下、実施例により本開示を更に詳しく説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
<研磨液の調製>
各成分を下記の手順で混合することにより、表1~3に示す組成の研磨液を得た。下記の手順において、実施例10ではマロン酸及びアンモニアを使用せず、実施例11では硝酸鉄九水和物及びアンモニアを使用せず、実施例12では6-アミノヘキサン酸を使用せず、比較例5では重合体及びアンモニアを使用せず、比較例6ではアンモニアを使用せず、比較例7では酸化剤を使用しなかった。表1~3の各成分の含有量の基準は、研磨液の全質量基準である。砥粒の含有量は、固形分であるシリカ粒子の含有量を示す。硝酸鉄九水和物の含有量が0.008質量%である場合、硝酸鉄九水和物中の鉄イオンの含有量は0.0011質量%である。表1~3に示す成分を研磨液から除いた残部は水である。
各成分を下記の手順で混合することにより、表1~3に示す組成の研磨液を得た。下記の手順において、実施例10ではマロン酸及びアンモニアを使用せず、実施例11では硝酸鉄九水和物及びアンモニアを使用せず、実施例12では6-アミノヘキサン酸を使用せず、比較例5では重合体及びアンモニアを使用せず、比較例6ではアンモニアを使用せず、比較例7では酸化剤を使用しなかった。表1~3の各成分の含有量の基準は、研磨液の全質量基準である。砥粒の含有量は、固形分であるシリカ粒子の含有量を示す。硝酸鉄九水和物の含有量が0.008質量%である場合、硝酸鉄九水和物中の鉄イオンの含有量は0.0011質量%である。表1~3に示す成分を研磨液から除いた残部は水である。
まず、容器Aに超純水を適量入れた後、表1~3の砥粒(砥粒A~K、コロイダルシリカ)を容器Aに添加することにより分散液を得た。そして、この分散液を攪拌することによりスラリー(砥粒液)を調製した。
容器Bに超純水を適量入れた後、攪拌しながら、表1~3の重合体、マロン酸(キレート剤)、硝酸鉄九水和物(鉄イオン供給剤)、6-アミノヘキサン酸(腐食防止剤)、及び、アンモニア(pH調整剤)を容器Bに適量入れることにより混合液を得た。そして、この混合液を攪拌して各成分を溶解させることにより添加液(ケミカル液)を調製した。
容器Cに超純水を適量入れた後、上述のスラリーを容器Cに入れた。続いて、攪拌しながら、上述の添加液を容器Cに入れた。そして、攪拌しながら過酸化水素(酸化剤)を入れた後、更に攪拌することにより研磨液を調製した。
砥粒の二次粒径、粒径比率(二次粒径/一次粒径)及びゼータ電位(比較例5~7を除く;25℃のゼータ電位)を表1~3に示す。砥粒A~Eの粒径D90は100nm未満であった。表1~3に示す重合体は下記のとおりである。
重合体A:アクリル酸とメタクリル酸との共重合体、重量平均分子量7000、共重合比(アクリル酸/アクリル酸及びメタクリル酸の合計)1モル%
重合体B:アクリル酸の単独重合体、重量平均分子量6000
重合体C:ポリグリセリン、重量平均分子量270
重合体A:アクリル酸とメタクリル酸との共重合体、重量平均分子量7000、共重合比(アクリル酸/アクリル酸及びメタクリル酸の合計)1モル%
重合体B:アクリル酸の単独重合体、重量平均分子量6000
重合体C:ポリグリセリン、重量平均分子量270
<アルミニウム原子の含有量>
上述の研磨液におけるアルミニウム原子の含有量を測定した。全ての実施例においてアルミニウム原子の含有量は、研磨液の全質量を基準として0.0000005質量%(5ppb)以下であった。
上述の研磨液におけるアルミニウム原子の含有量を測定した。全ての実施例においてアルミニウム原子の含有量は、研磨液の全質量を基準として0.0000005質量%(5ppb)以下であった。
<pH>
下記の条件で上述の研磨液のpHを測定した。結果を表1~3に示す。
測定器:株式会社堀場製作所、商品名:Model(F-73)
校正液:フタル酸塩pH標準液(pH4.01)、中性リン酸塩pH標準液(pH6.86)及びホウ酸塩pH標準液(pH9.18)
測定温度:25℃
測定手順:校正液を用いて3点校正した後、電極を研磨液に入れてから25℃で2分以上放置し、安定したときのpHを測定値として得た。
下記の条件で上述の研磨液のpHを測定した。結果を表1~3に示す。
測定器:株式会社堀場製作所、商品名:Model(F-73)
校正液:フタル酸塩pH標準液(pH4.01)、中性リン酸塩pH標準液(pH6.86)及びホウ酸塩pH標準液(pH9.18)
測定温度:25℃
測定手順:校正液を用いて3点校正した後、電極を研磨液に入れてから25℃で2分以上放置し、安定したときのpHを測定値として得た。
<研磨評価>
評価用基板(基体)として、タングステン膜を表面に有するブランケット基板(直径300mmの円形の基板)を準備した。上述の各研磨液を用いてこの評価用基板のタングステン膜を研磨した。研磨・洗浄装置としては、CMP用研磨機Reflexion LK(APPLIED MATERIALS社製)を用いた。研磨布としては、発泡ポリウレタン樹脂(商品名:IC1010、Rohm and Haas製)からなる研磨布を用いた。定盤回転数を81回/min、ヘッド回転数を80回/min、研磨圧力を21kPa、研磨液の供給量を200mL/minに調整した。研磨時間は60秒間であった。
評価用基板(基体)として、タングステン膜を表面に有するブランケット基板(直径300mmの円形の基板)を準備した。上述の各研磨液を用いてこの評価用基板のタングステン膜を研磨した。研磨・洗浄装置としては、CMP用研磨機Reflexion LK(APPLIED MATERIALS社製)を用いた。研磨布としては、発泡ポリウレタン樹脂(商品名:IC1010、Rohm and Haas製)からなる研磨布を用いた。定盤回転数を81回/min、ヘッド回転数を80回/min、研磨圧力を21kPa、研磨液の供給量を200mL/minに調整した。研磨時間は60秒間であった。
原子間力顕微鏡(BRUKER社製、型番:InSight CAP)を用いて、JIS R 1683:2014に準拠して研磨後のタングステン膜の表面粗さを求めた。タングステン膜の中心から75mmの位置における5μm×5μmの範囲の領域の表面粗さ(Ra:算術平均粗さ)を測定した。結果を表1~3に示す。
各実施例について、金属膜厚測定装置(日立国際電気株式会社製、型番:VR-120/08S)を用いて研磨前後のタングステン膜の膜厚を測定した。研磨前後の膜厚差に基づき研磨速度を求めた。結果を表1~3に示す。
Claims (10)
- タングステン材料を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液であって、
シリカを含む砥粒と、
アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を単量体単位として有する(メタ)アクリル酸重合体と、
酸化剤と、を含有し、
前記砥粒の平均二次粒径が60nm以下である、研磨液。 - 前記平均二次粒径が25nm以下である、請求項1に記載の研磨液。
- 前記砥粒のゼータ電位が正である、請求項1に記載の研磨液。
- 前記砥粒のゼータ電位が負である、請求項1に記載の研磨液。
- 前記(メタ)アクリル酸重合体が、アクリル酸及びメタクリル酸を単量体単位として有する重合体を含む、請求項1に記載の研磨液。
- 前記酸化剤が過酸化水素を含む、請求項1に記載の研磨液。
- 鉄イオンを更に含有する、請求項1に記載の研磨液。
- 有機酸成分を更に含有する、請求項1に記載の研磨液。
- pHが2.5~4.0である、請求項1に記載の研磨液。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載の研磨液を用いて、タングステン材料を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022092867A JP2023179924A (ja) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 研磨液及び研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022092867A JP2023179924A (ja) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 研磨液及び研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023179924A true JP2023179924A (ja) | 2023-12-20 |
Family
ID=89235793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022092867A Pending JP2023179924A (ja) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 研磨液及び研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023179924A (ja) |
-
2022
- 2022-06-08 JP JP2022092867A patent/JP2023179924A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101330956B1 (ko) | Cmp 연마액 및 연마 방법 | |
JP7028193B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP6327326B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
KR20080088397A (ko) | 금속용 연마액 및 연마 방법 | |
JP2017190413A (ja) | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
TWI722306B (zh) | 研磨方法及研磨液 | |
JP6915678B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
WO2014112418A1 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
JP2017179333A (ja) | 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物 | |
JP2023179924A (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP6638208B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP7323054B2 (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
TW202106846A (zh) | 研磨液、分散體、研磨液的製造方法及研磨方法 | |
JP6592998B2 (ja) | タングステン用研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP7491397B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP6405776B2 (ja) | タングステン用研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP2018026422A (ja) | バフィング用タングステン研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP2021145090A (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
CN116904118A (zh) | 半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法 | |
JP2018006457A (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 |