JP2023160173A - Manufacturing method for circuit on substrate and substrate having the same - Google Patents

Manufacturing method for circuit on substrate and substrate having the same Download PDF

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Tetsuya Tada
健二 久原
Kenji Kuhara
武 三室
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Abstract

To provide a manufacturing method for a circuit on a substrate that suppresses the excessive etching of edges of the circuit and improves the dimensional accuracy of the circuit and to provide a substrate having the circuit.SOLUTION: The manufacturing method has a first step in which a first etching resist covering the surface of a first conductor is provided on a portion to be a circuit intermediate, a second step in which the first conductor is etched to provide a circuit intermediate, a third step in which a space provided after the etching is filled with a first insulating resin, a fourth step in which a second etching resist is provided on the surface of the circuit intermediate, and a fifth step in which a side surface of the circuit intermediate is half-etched in a state of being protected with the first insulating resist and a first circuit and a second circuit are provided.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板を構成する回路の寸法精度を向上させる技術に関する。 The present invention relates to a technique for improving the dimensional accuracy of circuits constituting a substrate.

従来、基板の回路を作成する方法として、基材の表面に設けられた導電体にエッチングレジストを設け、エッチングすることにより、回路を作成することが知られている。
特許文献1の図3(e)には、基板の板厚方向に延びる上側層間回路(特許文献1では、上側配線部311と表現)と、下側層間回路(特許文献1では下側配線部312と表現)と、平面方向に延びる平面回路(特許文献1では、層間接続部313と表現)とが接続面のない状態の回路として製造する製造方法が開示されている。
特許文献1の回路は、特許文献1の図3(a)及び図3(b)に示すように、上側層間回路となる部分をエッチングレジストで保護し、ハーフエッチングをすることで上側層間回路を作成する。
その後、ハーフエッチングされた部分に絶縁樹脂が充填された後、図3(c)に示すように、下側層間回路となる部分をエッチングレジストで保護した後、ハーフエッチングをして下側層間回路を作成する。
その後、図3(d)及び図3(e)に示すように、下側層間回路と平面回路となる部分が保護された状態でエッチングをすることで、接続面のない状態の回路として形成することが記載されている。
Conventionally, as a method for creating a circuit on a substrate, it is known to create a circuit by providing an etching resist on a conductor provided on the surface of a base material and etching it.
FIG. 3(e) of Patent Document 1 shows an upper interlayer circuit (expressed as an upper wiring section 311 in Patent Document 1) extending in the board thickness direction and a lower interlayer circuit (expressed as an upper wiring section 311 in Patent Document 1) extending in the board thickness direction. 312) and a planar circuit extending in the plane direction (expressed as interlayer connection portion 313 in Patent Document 1) are manufactured as a circuit without a connection surface.
As shown in FIGS. 3(a) and 3(b) of Patent Document 1, the circuit of Patent Document 1 protects the portion that will become the upper interlayer circuit with an etching resist and performs half etching to form the upper interlayer circuit. create.
After that, the half-etched part is filled with insulating resin, and as shown in FIG. 3(c), the part that will become the lower interlayer circuit is protected with an etching resist, and then half-etched to form the lower interlayer circuit. Create.
Thereafter, as shown in FIGS. 3(d) and 3(e), etching is performed while the lower interlayer circuit and the portion that will become the planar circuit are protected, thereby forming a circuit without a connection surface. It is stated that.

国際公開第2012/133380号International Publication No. 2012/133380

特許文献1の製造方法では、下側層間回路が2度のエッチング処理を受けることから、下側層間回路の側面が過度にエッチングされ、縁部が丸く除去された凸部のような形状となり、目的とする回路の幅の制御が難しく、回路を微細化した際に断線箇所となる虞がある。 In the manufacturing method of Patent Document 1, since the lower interlayer circuit is subjected to the etching process twice, the side surface of the lower interlayer circuit is excessively etched, resulting in a convex shape with rounded edges. It is difficult to control the width of the intended circuit, and there is a risk of disconnections when the circuit is miniaturized.

本発明は、上記背景技術に鑑みてなされたものであり、回路の縁部の過度なエッチングを抑制し、回路の寸法精度を向上させた基板の製造方法を提供する。言い換えれば、回路の設計値に近い出来上がり精度を実現する基板の製造方法を提供する。 The present invention has been made in view of the above-mentioned background art, and provides a method of manufacturing a substrate that suppresses excessive etching of the edges of a circuit and improves the dimensional accuracy of the circuit. In other words, the present invention provides a method for manufacturing a board that achieves a finished precision close to the design value of the circuit.

本発明者は、上記の課題について鋭意検討した結果、一度エッチングの処理が行われた回路の面部分を絶縁樹脂で保護することで、面部分の2度目のエッチング処理を抑制でき、回路の縁部がエッチングされすぎることを抑制することで寸法精度の向上を図れることを見出し、本発明を完成させた。 As a result of intensive study on the above-mentioned issues, the inventor of the present invention discovered that by protecting the surface portion of the circuit that has been etched once with an insulating resin, it is possible to suppress the second etching treatment of the surface portion, and the edge of the circuit can be prevented. The present invention was completed based on the discovery that dimensional accuracy can be improved by suppressing excessive etching of parts.

より具体的には、一度エッチングの処理が行われた回路の面部分は、回路の側面が該当し、回路側面からの過度なエッチングを抑制することを目的とする。 More specifically, the surface portion of the circuit that has been etched once corresponds to the side surface of the circuit, and the purpose is to suppress excessive etching from the side surface of the circuit.

上記課題を解決するための本発明の基板の製造方法(請求項1)は、図3から図5に示すように、第一の導電体(60)の表面を覆う第一のエッチングレジスト(40)が、回路中間体(20)となる部分に設けられる第一工程と、第一の導電体(60)がエッチングされて、回路中間体(20)が設けられる第二工程と、エッチング後に設けられた空間(401)に第一の絶縁樹脂(30)が充填される第三工程と、第二のエッチングレジスト(50)が回路中間体の表面に設けられる第四工程と、回路中間体の側面(203)が、第一の絶縁樹脂(30)で保護された状態においてハーフエッチングされて、第一の回路(21)と第二の回路(22)とが設けられる第五工程と、を有することを特徴とするものである。
本発明の基板によれば、回路の縁部の過度なエッチングを抑制し、回路の寸法精度を向上させた基板の回路の製造方法及びその回路を有する基板とすることができる。
As shown in FIGS. 3 to 5, the substrate manufacturing method (claim 1) of the present invention for solving the above problems includes forming a first etching resist (40) covering the surface of the first conductor (60). ) is provided in the portion that will become the circuit intermediate (20), a second step in which the first conductor (60) is etched and the circuit intermediate (20) is provided, and a step in which the circuit intermediate (20) is provided after etching. a third step in which the first insulating resin (30) is filled into the space (401); a fourth step in which the second etching resist (50) is provided on the surface of the circuit intermediate; a fifth step in which the side surface (203) is half-etched while being protected by the first insulating resin (30) to provide the first circuit (21) and the second circuit (22); It is characterized by having.
According to the substrate of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a circuit of a substrate and a substrate having the circuit, which suppress excessive etching of the edge of the circuit and improve the dimensional accuracy of the circuit.

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項2)としては、図4(B)に示すように、第四工程の第二のエッチングレジスト(50)は、回路中間体(20)の上面と第一の絶縁樹脂(30)の上面とに渡って設けられることを特徴とする特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 2) of the substrate manufacturing method of the present invention, as shown in FIG. ) and the upper surface of the first insulating resin (30).

さらに、上記課題を解決するための本発明の基板の製造方法(請求項3)は、図9から図11に示すように、第一の導電体(60)の表面を覆う第一のエッチングレジスト(40)が、第一の回路(21)となる部分に設けられる第七工程と、第一の導電体(60)がエッチングされて、第一の回路(21)が設けられる第八工程と、エッチング後に設けられた空間(402)に第一の絶縁樹脂(30B)が充填される第九工程と、第二の導電体(61)が、第一の回路(21)の表面及び第一の絶縁樹脂(30B)の表面に渡って設けられる第十工程と、第二のエッチングレジスト(50)が、第二の導電体(61)の表面に設けられる第十一工程と、第一の導電体の側面(214)が、第一の絶縁樹脂(30B)で保護された状態においてエッチングされて、第一の回路(21)と連結した第二の回路(22)が設けられる第十二工程と、を有することを特徴とする。
Furthermore, the method for manufacturing a substrate of the present invention (claim 3) for solving the above problems includes a first etching resist that covers the surface of the first conductor (60), as shown in FIGS. 9 to 11. (40) is provided in the portion that will become the first circuit (21); and an eighth step, in which the first conductor (60) is etched and the first circuit (21) is provided. , a ninth step in which the space (402) provided after etching is filled with the first insulating resin (30B), and a second conductor (61) is placed on the surface of the first circuit (21) and the first a tenth step in which the second etching resist (50) is provided over the surface of the second conductor (61); A twelfth circuit in which the side surface (214) of the conductor is etched while being protected by the first insulating resin (30B) to provide a second circuit (22) connected to the first circuit (21). It is characterized by having a process.

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項4)としては、図10(B)に示すように、第十一工程の第二のエッチングレジスト(50)は、第二の導電体(61)を介在した状態で、第一の回路(21)の上面と第一の絶縁樹脂(30B)の上面とに渡って設けられることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 4) of the substrate manufacturing method of the present invention, as shown in FIG. 10(B), the second etching resist (50) in the eleventh step is It is characterized in that it is provided across the upper surface of the first circuit (21) and the upper surface of the first insulating resin (30B) with the body (61) interposed therebetween.

さらに、上記課題を解決するための本発明の基板の製造方法(請求項5)は、図14から図16に示すように、第一の導電体(60)の表面を覆う第一のエッチングレジスト(40)が、第一の回路(21C)となる部分に設けられる第七工程と、第一の導電体がエッチングされて、第一の回路(21C)が設けられる第八工程と、エッチング後に設けられた空間(402)に第一の絶縁樹脂(30C)を充填する第十四工程と、第一の回路(21C)の表面に保護被膜(7)が設けられる第十五工程と、第一の回路(21C)の表面、第一の絶縁樹脂(30C)の表面及び保護被膜(7)の表面に渡って第二の導電体(61)が設けられる第十六工程と、第二の導電体(61)の表面に第二のエッチングレジスト(50)が設けられる第十七工程と、第一の導電体(60)の側面(214C)及び表面が、第一の絶縁樹脂(30C)及び保護被膜(7)で保護された状態においてエッチングされて、第一の回路(21C)と連結した第二の回路(22C)が設けられる第十八工程と、を有することを特徴とする。 Furthermore, the method for manufacturing a substrate of the present invention (claim 5) for solving the above problems includes a first etching resist that covers the surface of the first conductor (60), as shown in FIGS. 14 to 16. (40) is provided in the portion that will become the first circuit (21C), an eighth step in which the first conductor is etched and the first circuit (21C) is provided, and after etching. a fourteenth step of filling the provided space (402) with the first insulating resin (30C); a fifteenth step of providing a protective coating (7) on the surface of the first circuit (21C); a sixteenth step in which a second conductor (61) is provided over the surface of the first circuit (21C), the surface of the first insulating resin (30C), and the surface of the protective coating (7); A seventeenth step in which a second etching resist (50) is provided on the surface of the conductor (61), and the side surface (214C) and surface of the first conductor (60) are made of the first insulating resin (30C). and an eighteenth step in which a second circuit (22C) connected to the first circuit (21C) is provided by etching while protected by the protective film (7).

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項6)としては、第十七工程の第二のエッチングレジスト(50)は、第二の導電体(61)を介在した状態で、保護被膜(7)の上面と第一の絶縁樹脂(30C)の上面とに渡って設けられたことを特徴とする。 Further, in an embodiment (claim 6) of the substrate manufacturing method of the present invention, the second etching resist (50) in the seventeenth step is formed with the second conductor (61) interposed therebetween. It is characterized in that it is provided over the upper surface of the protective coating (7) and the upper surface of the first insulating resin (30C).

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項7)としては、導電体は、圧延導電体であることを特徴とする。 Furthermore, an embodiment (claim 7) of the method for manufacturing a substrate according to the present invention is characterized in that the conductor is a rolled conductor.

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項8)としては、請求項7に記載の製造方法の後の状態を基材とし、当該基材の表面にメッキ処理にて電解導電体を設ける工程と、請求項3~6に記載のいずれか一項の製造方法の工程を備えることを特徴とする、を備えることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 8) of the method for manufacturing a substrate of the present invention, the state after the manufacturing method according to claim 7 is used as a base material, and the surface of the base material is electrolytically conductive by plating treatment. and a step of the manufacturing method according to any one of claims 3 to 6.

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項9)としては、第一の回路(21、21C、21C1)は、基板の平面方向に延びる平面回路であり、第二の回路(22、22C、22C1)は、基板の板厚方向に延びる層間回路であることを特徴とする。 Further, in an embodiment (claim 9) of the substrate manufacturing method of the present invention, the first circuit (21, 21C, 21C1) is a planar circuit extending in the planar direction of the substrate, and the second circuit ( 22, 22C, 22C1) are characterized in that they are interlayer circuits extending in the thickness direction of the substrate.

さらに、本発明の基板の製造方法の一実施態様(請求項10)としては、第一の回路(21、21C、21C1)及び第二の回路(22、22C、22C1)は、基板の板厚方向に延びる層間回路であることを特徴とする。 Further, in an embodiment (claim 10) of the method for manufacturing a substrate of the present invention, the first circuit (21, 21C, 21C1) and the second circuit (22, 22C, 22C1) It is characterized by being an interlayer circuit extending in the direction.

さらに、上記課題を解決するための本発明の基板(請求項11)は、図6(B)及び図7に示すように、第一の回路(21)と、第二の回路(22)と、絶縁体(3B)とを有する基板(1B)であって、第一の回路(21)と第二の回路(22)とが隣接して重ね合わされた部分の断面において、基板の板厚方向の中央側である第一の回路(21)の底部の幅(W1)は、基板の板厚方向の表面側である第一の回路21の天部の幅(W2)よりも大きく、第一の回路(21)と第二の回路(22)は、第一の回路の天部(211)と第二の回路(22)の底部(215)との間に導電体どうしの接続面(23)を有し、導電体どうしの接続面(23)は、平面方向に延びる導電体の接続面が存在しかつ板厚方向に延びる導電体の接続面がない状態で配置されることを特徴とする。 Furthermore, the substrate of the present invention (claim 11) for solving the above problem has a first circuit (21) and a second circuit (22), as shown in FIGS. 6(B) and 7. , an insulator (3B), in the cross section of the portion where the first circuit (21) and the second circuit (22) are overlapped adjacently, in the thickness direction of the substrate. The width (W1) of the bottom of the first circuit (21), which is the center side of the board, is larger than the width (W2) of the top part of the first circuit 21, which is the front side of the board in the thickness direction. The circuit (21) and the second circuit (22) have a connection surface (23) between the conductors between the top (211) of the first circuit and the bottom (215) of the second circuit (22). ), and the connection surface (23) between the conductors is arranged in such a manner that there is a connection surface of the conductors extending in the plane direction and there is no connection surface of the conductors extending in the thickness direction. do.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項12)としては、絶縁体(3B)は、第一の回路の側面(214)と接触する第一の回路の絶縁樹脂(30B)と、第二の回路の側面(223)と接触する第二の回路の絶縁樹脂(31B)との間に絶縁樹脂どうしの接続面(301)を有し、絶縁樹脂どうしの接続面(301)は、平面方向に延びる絶縁樹脂の接続面が存在し、導電体どうしの接続面と絶縁樹脂どうしの接続面とが段差のない同一平面であることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 12) of the substrate of the present invention, the insulator (3B) is connected to the insulating resin (30B) of the first circuit that contacts the side surface (214) of the first circuit; There is a connecting surface (301) between the insulating resins between the side surface (223) of the second circuit and the insulating resin (31B) of the second circuit that contacts, and the connecting surface (301) between the insulating resins is a flat surface. It is characterized in that there is a connecting surface of insulating resin extending in the direction, and that the connecting surface between the conductors and the connecting surface between the insulating resins are on the same plane without a step.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項13)としては、図12(B)に示すように、第一の回路(21C)の表面には、保護被膜(7)が設けられ、保護被膜(7)は、第二の回路(22C)よりも高さが低いことを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 13) of the substrate of the present invention, as shown in FIG. 12(B), a protective film (7) is provided on the surface of the first circuit (21C), The coating (7) is characterized by a lower height than the second circuit (22C).

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項14)としては、図11(B)に示すように、第一の回路(21)とは異なる第三の回路(21´)を有し、第三の回路(21´)と第二の回路(22)とが隣接して重ね合わされた部分の断面において、第二の回路(22)と第三の回路(21´)は、第二の回路(22)の天部(221)と第三の回路(21´)の底部との間に他の導電体どうしの接続面(23A)を有し、他の導電体どうしの接続面(23A)は、平面方向に延びる導電体の接続面が存在しかつ板厚方向に延びる導電体の接続面がない状態で配置されることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 14) of the substrate of the present invention, as shown in FIG. 11(B), it has a third circuit (21') different from the first circuit (21), In the cross section of the portion where the third circuit (21') and the second circuit (22) are overlapped adjacently, the second circuit (22) and the third circuit (21') are similar to the second circuit (21'). A connection surface (23A) for connecting other conductors is provided between the top (221) of the circuit (22) and the bottom of the third circuit (21'). ) is characterized in that it is arranged in a state where there is a connection surface of the conductor extending in the plane direction and there is no connection surface of the conductor extending in the thickness direction.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項15)としては、絶縁体(3B)は、第二の回路の側面と接触する第二の絶縁樹脂(31B)と、第三の回路(21´)の側面と接触する第三の絶縁樹脂(30B´)との間に第二の絶縁樹脂どうしの接続面(301A)を有し、第二の絶縁樹脂どうしの接続面(301A)は、平面方向に延びる絶縁樹脂の接続面が存在し、他の導電体どうしの接続面と第二の絶縁樹脂の接続面とが段差のない同一平面であることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 15) of the substrate of the present invention, the insulator (3B) is a second insulating resin (31B) that contacts the side surface of the second circuit, and a third circuit (21 A connecting surface (301A) between the second insulating resins is provided between the third insulating resin (30B') that is in contact with the side surface of the insulating resin (30B'), and the connecting surface (301A) between the second insulating resins is It is characterized in that there is a connecting surface of the insulating resin extending in the plane direction, and that the connecting surface of the other conductors and the connecting surface of the second insulating resin are on the same plane with no step.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項16)としては、図7に示すように、基板の板厚方向の中央側である第二の回路の底部の幅(W3)は、基板の板厚方向の表面側である第二の回路の天部の幅(W4)よりも大きいことを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 16) of the substrate of the present invention, as shown in FIG. It is characterized by being larger than the width (W4) of the top of the second circuit, which is the front side in the thickness direction.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項17)としては、基板の板厚方向の中央側である第三の回路(21´)の底部の幅は、基板の板厚方向の表面側である第三の回路(21´)の天部の幅よりも大きいことを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 17) of the substrate of the present invention, the width of the bottom of the third circuit (21'), which is the center side in the thickness direction of the substrate, is on the front side of the substrate in the thickness direction. It is characterized by being larger than the width of the top of the third circuit (21').

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項18)としては、図1(B)に示すように、圧延板からなる圧延板の第一の回路(21)と、圧延板からなる圧延板の第二の回路(22)とをさらに備え、圧延板の第一の回路(21)と圧延板の第二の回路(22)は、接続面のない一体の導電体であることを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 18) of the substrate of the present invention, as shown in FIG. 1(B), a first circuit (21) of a rolled plate made of a rolled plate, and a rolled plate made of a rolled plate and a second circuit (22) of the rolled plate, wherein the first circuit (21) of the rolled plate and the second circuit (22) of the rolled plate are an integral conductor without a connecting surface. do.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項19)としては、図17に示すように、圧延板の第一の回路(21)と同一平面内に補強構造体(29)を有し、圧延板の第一の回路(21)と補強構造体(29)は、同一の圧延板から形成されたことを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 19) of the board of the present invention, as shown in FIG. 17, it has a reinforcing structure (29) in the same plane as the first circuit (21) of the rolled plate, The first circuit (21) of the rolled plate and the reinforcing structure (29) are characterized in that they are formed from the same rolled plate.

さらに、本発明の基板の一実施態様(請求項20)としては、図17(A)に示すように、補強構造体(29)は、第二の絶縁樹脂(31)を介在した状態で、第一の回路(21C1)と第二の回路(22C1)が連結した部分又は第二の回路(22C1)と第三の回路とが連結した部分に覆われるように配置されたことを特徴とする。 Furthermore, as an embodiment (claim 20) of the substrate of the present invention, as shown in FIG. It is characterized by being arranged so as to be covered by a part where the first circuit (21C1) and the second circuit (22C1) are connected or a part where the second circuit (22C1) and the third circuit are connected. .

本発明によれば、回路の縁部の過度なエッチングを抑制し、回路の寸法精度を向上させた基板の回路の製造方法及びその回路を有する基板とすることができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a circuit of a substrate and a substrate having the circuit, in which excessive etching of the edge of the circuit is suppressed and dimensional accuracy of the circuit is improved.

(A)図は、本発明の第1の実施態様の基板を平面視した状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。(C)図の(C-1)図は、(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(C-2)図は、(B)図のc-c断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing a plan view of the substrate of the first embodiment of the present invention. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). Figure (C-1) in Figure (C) is a schematic diagram showing the bb cross section in Figure (B), and Figure (C-2) is a schematic diagram showing the cc cross section in Figure (B). It is. (A)図は、図1(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(B)図は、図1(B)図のc-c断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing the bb cross section of FIG. 1(B), and (B) is a schematic diagram showing the cc cross section of FIG. 1(B). 本発明の第1の実施態様の基板の製造工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施態様の基板の製造工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the substrate according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施態様の基板の製造工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the substrate according to the first embodiment of the present invention. (A)図は、本発明の第2の実施態様の基板を平面視した状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。(C)図の(C-1)図は、(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(C-2)図は、(B)図のc-c断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing a plan view of a substrate according to a second embodiment of the present invention. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). Figure (C-1) in Figure (C) is a schematic diagram showing the bb cross section in Figure (B), and Figure (C-2) is a schematic diagram showing the cc cross section in Figure (B). It is. (A)図は、図6(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(B)図は、図6(B)図のc-c断面を示す概略図である。6(A) is a schematic diagram showing the bb cross section of FIG. 6(B), and FIG. 6(B) is a schematic diagram showing the cc cross section of FIG. 6(B). 本発明の第2の実施態様の基板の変形例を示す断面図であり、(A)図は、変形例における図6(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(B)図は、変形例における図6(B)図のc-c断面を示す概略図である。を板厚方向に切断した状態を示す概要図である。6A is a cross-sectional view showing a modification of the substrate according to the second embodiment of the present invention, FIG. 6A is a schematic diagram showing the bb section of FIG. 6B in the modification, The figure is a schematic diagram showing the cc cross section of FIG. 6(B) in a modified example. FIG. 2 is a schematic diagram showing a state in which the plate is cut in the thickness direction. 本発明の第2の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 2nd embodiment of this invention. 本発明の第2の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 2nd embodiment of this invention. 本発明の第2の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 2nd embodiment of this invention. (A)図は、本発明の第3の実施態様の基板を平面視した状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。(C)図の(C-1)図は、(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(C-2)図は、(B)図のc-c断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing a plan view of a substrate according to a third embodiment of the present invention. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). Figure (C-1) in Figure (C) is a schematic diagram showing the bb cross section in Figure (B), and Figure (C-2) is a schematic diagram showing the cc cross section in Figure (B). It is. (A)図は、図12(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(B)図は、図12(B)図のc-c断面を示す概略図である。12(A) is a schematic diagram showing the bb cross section of FIG. 12(B), and FIG. 12(B) is a schematic diagram showing the cc cross section of FIG. 12(B). 本発明の第3の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 3rd embodiment of this invention. 本発明の第3の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 3rd embodiment of this invention. 本発明の第3の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 3rd embodiment of this invention. (A)図は、本発明の第4の実施態様の基板を第一の回路に沿って板厚方向に切断した断面図の状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram illustrating a cross-sectional view of the substrate according to the fourth embodiment of the present invention, cut in the thickness direction along the first circuit. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). (A)図は、図17(A)図のb-b断面を示す概略図であり、(B)図は、図17(A)図のc-c断面を示す概略図であり、図17(A)図のd-d断面を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing the bb cross section of FIG. 17(A), and (B) is a schematic diagram showing the cc cross section of FIG. 17(A). (A) is a schematic diagram showing a cross section taken along line dd in the figure. 本発明の第4の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 4th embodiment of this invention. 本発明の第4の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 4th embodiment of this invention. 本発明の第4の実施態様の基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the board|substrate of the 4th embodiment of this invention. 本発明の第4の実施態様の基板の変形例を示す概略図であり、(A)図は、変形例の基板を第一の回路に沿って板厚方向に切断した断面図の状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。。It is a schematic diagram showing a modification of the board of the fourth embodiment of the present invention, and (A) shows a state of a cross-sectional view of the board of the modification taken along the first circuit in the board thickness direction. It is a schematic diagram. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). . 従来の製造方法で製造された基板を示す概略図であり、(A)図は、従来の基板を平面視した状態を示す概要図である。(B)図は、(A)図のa-a断面を示す概略図である。(C)図の(C-1)図は、(B)図のb-b断面を示す概略図であり、(C-2)図は、(B)図のc-c断面を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a board manufactured by a conventional manufacturing method, and FIG. Figure (B) is a schematic diagram showing the aa cross section of Figure (A). Figure (C-1) in Figure (C) is a schematic diagram showing the bb cross section in Figure (B), and Figure (C-2) is a schematic diagram showing the cc cross section in Figure (B). It is.

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る基板の回路の製造方法及びその回路を有する基板の実施態様を詳細に説明する。
なお、実施態様に記載する基板の回路の製造方法及びその回路を有する基板については、本発明に係る基板の回路の製造方法及びその回路を有する基板を説明するために例示したに過ぎず、これに限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a method for manufacturing a substrate circuit and a substrate having the circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
Note that the method for manufacturing a circuit on a substrate and the substrate having the circuit described in the embodiments are merely exemplified to explain the method for manufacturing a circuit on a substrate and the substrate having the circuit according to the present invention. It is not limited to.

本発明の基板は、導電体からなる回路体と絶縁体とを有し、回路体と電子部品とが、電気が流れるように接続されて電子機器を構成する。 The substrate of the present invention includes a circuit body made of a conductor and an insulator, and the circuit body and electronic components are connected so that electricity flows to constitute an electronic device.

[第1の実施態様]
(基板)
図1を参照し、発明を実施するための態様に係る基板の構造について説明する。本発明の基板1Aは、回路体2と絶縁体3とを含む回路層4を有する。
また、本発明の基板1は、回路層4と基材5を有し、それらが重ねられて設けられる。
[First embodiment]
(substrate)
Referring to FIG. 1, the structure of a substrate according to an embodiment of the invention will be described. The substrate 1A of the present invention has a circuit layer 4 including a circuit body 2 and an insulator 3.
Further, the substrate 1 of the present invention has a circuit layer 4 and a base material 5, which are stacked on top of each other.

〈回路体〉
回路体2は、第一の回路21と、第二の回路22とを備える。回路体2は導電体から形成され、圧延された板状の圧延導電体またはメッキにより設けられた電解導電体から形成される。
回路体2は電気が流される場合の回路及び/又は熱が流される場合の回路が含まれる。
第一の回路21は、X-Y軸の平面の方向に延びる平面回路であり、第二の回路22は、Z軸の基板の板厚の方向に延びる層間回路である。
<Circuit body>
The circuit body 2 includes a first circuit 21 and a second circuit 22. The circuit body 2 is formed from a conductor, and is formed from a rolled plate-shaped conductor or an electrolytic conductor provided by plating.
The circuit body 2 includes a circuit for passing electricity and/or a circuit for passing heat.
The first circuit 21 is a planar circuit extending in the direction of the plane of the XY axis, and the second circuit 22 is an interlayer circuit extending in the direction of the board thickness of the Z axis.

平面回路とは、平面方向に延ばされた回路である。平面回路は、少なくとも一方の側の層間回路と、一方の側とは反対の方向に延びる他方の側の層間回路を有する。
また、層間回路とは、板厚方向に延びる回路であって、異なる層の回路を連結するための回路である。
なお、本発明の実施形態では、説明を簡略化するため、層間回路を一つだけ例示した状態としている。
第一の回路21と第二の回路22とは、接続面のない一体の導電体で設けられる。よって、導電体どうしの接続面がないことから、導電体の熱膨張による接続不良の虞を抑制できる効果がある。
A planar circuit is a circuit that extends in a plane direction. The planar circuit has an interlayer circuit on at least one side and an interlayer circuit on the other side extending in a direction opposite to the one side.
Further, an interlayer circuit is a circuit extending in the thickness direction of the board, and is a circuit for connecting circuits in different layers.
In addition, in the embodiment of the present invention, in order to simplify the explanation, only one interlayer circuit is illustrated.
The first circuit 21 and the second circuit 22 are provided as an integral conductor without a connection surface. Therefore, since there is no connection surface between the conductors, there is an effect of suppressing the possibility of connection failure due to thermal expansion of the conductors.

≪第一の回路≫
第一の回路21の平面回路は、基板1の表面(上面)の側から内部に窪むようになだらかな曲線となった平面回路の天部211と、平面回路と絶縁樹脂との境界部分の端部が表面側に突出した天突部212を有する。この突出した天突部212は、基板の平面(X-Y軸方向)から見た場合における平面回路の中央部213を取り囲むように一つの連なった突部として形成される。
また、天突部212は、絶縁樹脂30の表面から内部に入り込んだ場所に位置する。
平面回路の側面214は、絶縁樹脂30と接触し、平面回路の底部215の方向に向かって広がるようになだらかな傾斜面を形成する。
この傾斜面の構造は、本発明の基板の回路の製造方法を使用することで実現される形状であり、第一の回路21の側面がエッチングされすぎずに残された結果である。
≪First circuit≫
The planar circuit of the first circuit 21 has a top portion 211 of the planar circuit that is a gentle curve that is recessed inward from the surface (upper surface) of the substrate 1, and an end portion of the boundary between the planar circuit and the insulating resin. has a top protrusion 212 that protrudes toward the front side. This protruding top protrusion 212 is formed as one continuous protrusion so as to surround the center portion 213 of the planar circuit when viewed from the plane of the substrate (XY axis direction).
Furthermore, the ceiling protrusion 212 is located at a location that extends inside the insulating resin 30 from the surface thereof.
The side surface 214 of the planar circuit contacts the insulating resin 30 and forms a gently sloped surface that widens toward the bottom 215 of the planar circuit.
This sloped surface structure is a shape realized by using the method of manufacturing a substrate circuit of the present invention, and is the result of the side surface of the first circuit 21 being left without being etched too much.

従来の製造方法では、図23に示すように、ハーフエッチングを2度行った後に絶縁樹脂930を設ける場合、回路の端部924がエッチングされすぎ、平面回路921と絶縁樹脂930との境界部分が基板910の板厚方向の中央側(下側)になだらかに下るように曲面を有する形状になる。つまり、従来の方法では、2度目のエッチング処理の際に、回路の側面からエッチングがされすぎて、平面回路921の底部925に向かってエッチングが過度に行われてしまい、回路の幅が細くなる傾向がある。
本発明では、回路の(第一の回路21)の側面214を絶縁樹脂30で保護した状態でエッチングすることにより、回路が細くなりすぎることを抑制でき、設計値に近い回路幅に造形しやすくなり、回路の断線の虞を抑制できる効果がある。
なお、天突部212は、板厚方向の外側(上方)に突出する場合の他、エッチング処理の状況によっては、天突部212が確認できずに、天部211が平面状に近い状態となる場合もある。しかし、従来の製造方法で製造された回路のように、平面回路と絶縁樹脂との境界部分が板厚方向の中央側になだらかに下るように曲面を有する形状になることを抑制でき、過度なエッチングを抑制できる効果は変わりない。
In the conventional manufacturing method, when insulating resin 930 is provided after performing half etching twice, as shown in FIG. The substrate 910 has a shape with a curved surface that gently descends toward the center (lower side) in the thickness direction. In other words, in the conventional method, during the second etching process, excessive etching is performed from the sides of the circuit, and excessive etching is performed toward the bottom 925 of the planar circuit 921, resulting in the width of the circuit becoming narrower. Tend.
In the present invention, by etching the side surface 214 of the circuit (first circuit 21) while protecting it with the insulating resin 30, it is possible to prevent the circuit from becoming too thin, and it is easy to form the circuit to a width close to the design value. This has the effect of suppressing the possibility of circuit breakage.
In addition, in addition to cases where the top protrusion 212 protrudes outward (upward) in the board thickness direction, depending on the conditions of the etching process, the top protrusion 212 may not be visible and the top portion 211 may be in a nearly flat state. Sometimes it happens. However, unlike circuits manufactured using conventional manufacturing methods, the boundary between the planar circuit and the insulating resin can be suppressed from having a curved shape that gently slopes down to the center in the board thickness direction. The effect of suppressing etching remains unchanged.

第一の回路21は、図2の(A)図に示すように、第一の回路21と第二の回路22とが重ね合わされていない部分において、第一の回路21である平面回路の平面方向に延びる方向に直交するように切断した場合における平面回路の断面が上辺の凹んだ台形状の形状となる。
第一の回路21の底部215の幅W1は、第一の回路21の天部211の幅W2(天突部212どうしの幅)よりも大きい。
また、第一の回路21の側面を覆う絶縁樹脂30は、天突部212の上部に覆い被さるように、第一の回路21の中央部213の側(横方向)に突出する横突部305が形成される。
As shown in (A) of FIG. The cross section of the planar circuit when cut perpendicularly to the direction in which it extends has a trapezoidal shape with a concave upper side.
The width W1 of the bottom portion 215 of the first circuit 21 is larger than the width W2 of the top portion 211 of the first circuit 21 (width between the top protrusions 212).
The insulating resin 30 covering the side surface of the first circuit 21 also includes a lateral protrusion 305 that protrudes toward the center portion 213 (laterally) of the first circuit 21 so as to cover the top of the ceiling protrusion 212 . is formed.

≪第二の回路≫
第二の回路22の層間回路は、絶縁樹脂30と絶縁樹脂31と面一となるように平坦な面の層間回路の天部221を有する。第二の回路22の底部222は、天突部212どうしを結ぶ仮想線225が相当する。
絶縁樹脂30と接触する第二の回路22(層間回路)の側面223は、層間回路の底部222の方向に向かって広がるようになだらかな傾斜面を形成する。
この傾斜面の構造は、本発明の基板の回路の製造方法を使用することで実現される形状であり、第二の回路22の側面223がエッチングされすぎずに残された結果である。
≪Second circuit≫
The interlayer circuit of the second circuit 22 has a top portion 221 of the interlayer circuit with a flat surface so as to be flush with the insulating resin 30 and the insulating resin 31. The bottom portion 222 of the second circuit 22 corresponds to an imaginary line 225 connecting the top protrusions 212.
A side surface 223 of the second circuit 22 (interlayer circuit) that contacts the insulating resin 30 forms a gentle slope that widens toward the bottom 222 of the interlayer circuit.
This sloped surface structure is a shape realized by using the method of manufacturing a substrate circuit of the present invention, and is the result of leaving the side surface 223 of the second circuit 22 without being etched too much.

従来の製造方法では、図23に示すように、回路の端部がエッチングされすぎ、層間回路と絶縁樹脂との境界部分の端部927が基板910の板厚方向の中央側になだらかに下るように曲面を有する形状になる。つまり、従来の方法では、回路の側面からエッチングがされすぎて、層間回路の底部926に向かってエッチングが過度に行われてしまい、回路が細くなる傾向がある。
本発明では、回路の(第二の回路22)の側面を絶縁樹脂30で保護した状態でエッチングすることにより、回路が細くなりすぎることを抑制でき、設計値に近い回路幅に造形しやすくなり、回路の断線の虞を抑制できる効果がある。
In the conventional manufacturing method, as shown in FIG. 23, the edges of the circuit are etched too much, so that the edge 927 of the boundary between the interlayer circuit and the insulating resin gently descends toward the center of the substrate 910 in the thickness direction. It becomes a shape with a curved surface. That is, conventional methods tend to over-etch from the sides of the circuit and over-etch toward the bottom 926 of the interlayer circuit, resulting in a thinner circuit.
In the present invention, by etching the side surface of the circuit (second circuit 22) while protecting it with the insulating resin 30, it is possible to prevent the circuit from becoming too thin, and it becomes easier to form the circuit to a width close to the design value. This has the effect of suppressing the risk of circuit disconnection.

第二の回路22は、図2の(B)図に示すように、第一の回路21と第二の回路22とが隣接して重ね合わされた部分において、第一の回路である平面回路の平面方向に延びる方向に直交するように切断した場合における層間回路の断面が台形状となる。
第二の回路22の底部222の幅W3は、第二の回路22の天部221よりも幅W4が大きい。
As shown in FIG. 2B, the second circuit 22 is located at a portion where the first circuit 21 and the second circuit 22 are superimposed adjacent to each other. The cross section of the interlayer circuit when cut perpendicularly to the direction extending in the plane direction is trapezoidal.
The width W3 of the bottom portion 222 of the second circuit 22 is larger than the width W4 of the top portion 221 of the second circuit 22.

なお、本実施の形態では、第一の回路21と第二の回路22とが隣接して重ね合わされた部分において、第一の回路である平面回路の平面方向に延びる方向に直交するように切断した場合における回路の断面が一つの台形状となり、第一の回路の側面214と第二の回路22の側面223とがなだらかな一つの傾斜面となる。言い換えると、第一の回路21の幅W2と第二の回路の幅W3とが等しい関係になる。 Note that in this embodiment, the first circuit 21 and the second circuit 22 are cut so as to be perpendicular to the direction extending in the planar direction of the planar circuit, which is the first circuit, at a portion where the first circuit 21 and the second circuit 22 are overlapped adjacently. In this case, the cross section of the circuit becomes one trapezoid, and the side surface 214 of the first circuit and the side surface 223 of the second circuit 22 form one gentle slope. In other words, the width W2 of the first circuit 21 and the width W3 of the second circuit are equal.

〈絶縁体〉
絶縁体3は絶縁樹脂30と絶縁樹脂31とを備える。
絶縁樹脂30と絶縁樹脂31とは、電気を流さないものであれば同じ材質のものであっても、異なる材質のものであってもよい。
絶縁樹脂30と絶縁樹脂31とは板厚方向に傾斜した接続面32を有する。
<Insulator>
The insulator 3 includes an insulating resin 30 and an insulating resin 31.
The insulating resin 30 and the insulating resin 31 may be made of the same material or different materials as long as they do not conduct electricity.
The insulating resin 30 and the insulating resin 31 have a connecting surface 32 that is inclined in the thickness direction.

≪絶縁樹脂30≫
絶縁樹脂30は、第一の回路21の側面214と第二の回路の側面223と絶縁樹脂31の側面と基材5に接触するように配置される。
絶縁樹脂30は、第一の回路21の側面214と第二の回路の側面223とを覆うように配置され、回路の製造工程時において、エッチング液から回路の側面を保護する役割も果たす。
≪Insulating resin 30≫
The insulating resin 30 is arranged so as to be in contact with the side surface 214 of the first circuit 21, the side surface 223 of the second circuit, the side surface of the insulating resin 31, and the base material 5.
The insulating resin 30 is arranged to cover the side surface 214 of the first circuit 21 and the side surface 223 of the second circuit, and also serves to protect the side surface of the circuit from the etching solution during the circuit manufacturing process.

≪絶縁樹脂31≫
絶縁樹脂31は、第一の回路21の天部211と第二の回路の側面223と絶縁樹脂30の側面とに接触するように配置される。
絶縁樹脂31は、後述する回路中間体20の側面が、絶縁樹脂30で覆われた状態において、エッチングされた後の空間に充填される。
≪Insulating resin 31≫
The insulating resin 31 is arranged so as to be in contact with the top 211 of the first circuit 21 , the side surface 223 of the second circuit, and the side surface of the insulating resin 30 .
The insulating resin 31 is filled into the etched space while the side surfaces of the circuit intermediate body 20 (described later) are covered with the insulating resin 30.

〈基材〉
基材5は、第一の回路21と第二の回路22を支えるものであればよく、ガラス繊維が編まれたシート状体と絶縁樹脂とからなる板状の絶縁板であってもよく、基材は、第一の回路21の底部215と電気及び/又は熱が伝わるように接続された導電体からなる回路を含む回路層であってもよい。
<Base material>
The base material 5 may be anything that supports the first circuit 21 and the second circuit 22, and may be a plate-like insulating plate made of a sheet-like body woven from glass fibers and an insulating resin. The base material may be a circuit layer including a circuit made of a conductor connected to the bottom 215 of the first circuit 21 so as to conduct electricity and/or heat.

(基板の製造方法について)
図3を参照し、第1の実施態様の基板1Aの製造方法について説明する。なお、各工程について、第一工程、第二工程及び第三工程のように、各工程を数字で表現しているが、数字の順序で工程が進められない場合もあり、数字の順序で工程を進めることを必須とするものではない。
(About the manufacturing method of the board)
With reference to FIG. 3, a method for manufacturing the substrate 1A of the first embodiment will be described. Each process is represented by a number, such as the first step, second step, and third step, but there are cases where the steps do not proceed in the numerical order, so the It is not mandatory to proceed with this.

まず、図3(A)に示すように、基材5の表面全体に導電体60が設けられた状態である。導電体60は、第一の導電体に相当し、圧延導電体であっても、電解導電体のどちらであってもよい。
導電体60の表面を覆う第一のエッチングレジスト40が、第一の回路21と第二の回路22となる回路中間体20の部分に設けられる。この工程を第一工程とする。
First, as shown in FIG. 3(A), a conductor 60 is provided on the entire surface of the base material 5. The conductor 60 corresponds to a first conductor, and may be either a rolled conductor or an electrolytic conductor.
A first etching resist 40 covering the surface of the conductor 60 is provided in a portion of the circuit intermediate body 20 that becomes the first circuit 21 and the second circuit 22. This step is the first step.

図3(B)に示すように、エッチング処理がされ、回路中間体20が設けられる。これにより、基材5の一部が露出した状態となり、エッチングされた空間401が設けられる。この工程を第二工程とする。 As shown in FIG. 3(B), an etching process is performed and a circuit intermediate body 20 is provided. As a result, a portion of the base material 5 is exposed, and an etched space 401 is provided. This step is referred to as the second step.

図3(C)に示すように、第一のエッチングレジスト40が除去され、エッチング後に設けられた空間401に絶縁樹脂30が充填される。そして、回路中間体20の表面が露出した状態かつ回路中間体20の側面203と基材5の表面とが絶縁樹脂30で覆われた状態となる。この工程を第三工程とする。
なお、図示はしないが、第三の工程には、回路中間体20の表面と絶縁樹脂30の表面とが段差のない一つの平らな面(同一平面)とする整面処理(工程)が含まれてもよい。
As shown in FIG. 3C, the first etching resist 40 is removed, and the space 401 provided after etching is filled with insulating resin 30. Then, the surface of the circuit intermediate body 20 is exposed, and the side surface 203 of the circuit intermediate body 20 and the surface of the base material 5 are covered with the insulating resin 30. This step is referred to as the third step.
Although not shown, the third step includes a surface smoothing treatment (step) in which the surface of the circuit intermediate body 20 and the surface of the insulating resin 30 are made into one flat surface (same plane) with no step. You may be

図4(A)に示すように、第二の回路22となる部分に、第二のエッチングレジスト50が、回路中間体20の表面と絶縁樹脂30とに渡って設けられる。これにより、回路中間体20の端部201と回路中間体20の側面203が保護される。なお、第二のエッチングレジスト50の設けられていない回路中間体20の端部202は、絶縁樹脂30で保護された状態である。この工程を第四工程とする。 As shown in FIG. 4A, a second etching resist 50 is provided over the surface of the circuit intermediate body 20 and the insulating resin 30 in a portion that will become the second circuit 22. As shown in FIG. Thereby, the end portion 201 of the circuit intermediate body 20 and the side surface 203 of the circuit intermediate body 20 are protected. Note that the end portion 202 of the circuit intermediate body 20 where the second etching resist 50 is not provided is protected by the insulating resin 30. This step is referred to as the fourth step.

図4(B)に示すように、回路中間体20の端部201と側面203が第二のエッチングレジスト50と絶縁樹脂30とで保護された状態かつ回路中間体20の側面203が絶縁樹脂30で保護された状態で、ハーフエッチング処理がされる。そして、空間501が設けられることにより、第一の回路21と第二の回路22とが完成する。なお、端部202は、側面203からのエッチングが防止され、端部201の高さが低くなり、天突部212となる。この工程を第五工程とする。 As shown in FIG. 4(B), the end portion 201 and side surface 203 of the circuit intermediate body 20 are protected by the second etching resist 50 and the insulating resin 30, and the side surface 203 of the circuit intermediate body 20 is protected by the insulating resin 30. The half-etching process is performed while protected by . Then, by providing the space 501, the first circuit 21 and the second circuit 22 are completed. Note that the end portion 202 is prevented from being etched from the side surface 203, the height of the end portion 201 is reduced, and the end portion 202 becomes a ceiling portion 212. This step is referred to as the fifth step.

図4(C)に示すように、第二のエッチングレジスト50が除去され、空間501に絶縁樹脂31が充填される。そして、第一の回路の天部211が埋められた状態となる。この工程を第六工程とする。
なお、図示はしないが、第六工程には、第二の回路22(層間回路)の天部221と、絶縁樹脂30の表面と、絶縁樹脂31の表面とが段差のない一つの平らな面(同一平面)とする整面処理(工程)が含まれてもよい。
As shown in FIG. 4C, the second etching resist 50 is removed and the space 501 is filled with the insulating resin 31. Then, the top portion 211 of the first circuit is in a buried state. This step is referred to as the sixth step.
Although not shown, in the sixth step, the top 221 of the second circuit 22 (interlayer circuit), the surface of the insulating resin 30, and the surface of the insulating resin 31 are formed into one flat surface with no step. (same plane) may be included.

以上の工程を経ることにより、回路層4が完成する。
その後、ソルダーレジスト等の基板1Aに必要な表面処理等が行われて、回路層4と基材5とを有する基板1Aが完成する。
Through the above steps, the circuit layer 4 is completed.
Thereafter, necessary surface treatments such as solder resist are performed on the substrate 1A, and the substrate 1A having the circuit layer 4 and the base material 5 is completed.

なお、回路層4の後に、例えば、メッキ処理による電解導電体が、第二の回路(層間回路)の天部221と絶縁樹脂30の表面と絶縁樹脂31の表面とに渡って全体に設けられる工程を行い、電解導電体を使用して必要な回路が形成されてもよい。具体的には、図5(A)図に示すように、第一工程から第六工程で製造された回路層4と基材5とを含む基材5´とし、新たに導電体60を設け、第一工程から第六工程を繰り返し、第二の回路22と接続する第三の回路21´(第1の回路に相当)と第四の回路22´(第二の回路22に相当)を作成し、回路層4及び回路層4´が複数積み上げられた基板1Aとしてもよい。
なお、この場合、絶縁樹脂30と絶縁樹脂30´又は絶縁樹脂31と絶縁樹脂30´との間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる絶縁樹脂どうしの接続面300が形成される。
また、第二の回路22と第三の回路21´との間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる導電体どうしの接続面60Aが形成される。そして、絶縁樹脂どうしの接続面300と導電体どうしの接続面60Aとが段差のない一つの同一平面上に存在する。
なお、第二の回路22と第三の回路21´とが隣接して重ね合わされた部分の板厚方向の断面において、第三の回路21´の底部の幅は、第二の回路22の天部221の幅よりも大きいことが好ましい。第二の回路22の天部221の端部が過度にエッチングされることを抑制できる。
Note that after the circuit layer 4, an electrolytic conductor is provided, for example, by plating over the entire top portion 221 of the second circuit (interlayer circuit), the surface of the insulating resin 30, and the surface of the insulating resin 31. A process may be performed to form the necessary circuitry using electrolytic conductors. Specifically, as shown in FIG. 5A, a base material 5' including the circuit layer 4 and the base material 5 manufactured in the first to sixth steps is used, and a conductor 60 is newly provided. , repeat the first to sixth steps to create a third circuit 21' (corresponding to the first circuit) and a fourth circuit 22' (corresponding to the second circuit 22) connected to the second circuit 22. It is also possible to create a substrate 1A in which a plurality of circuit layers 4 and circuit layers 4' are stacked.
In this case, between the insulating resin 30 and the insulating resin 30' or between the insulating resin 31 and the insulating resin 30', a connecting surface 300 between the insulating resins, which has no connecting surface in the thickness direction and extends in the planar direction, is formed. Ru.
Further, between the second circuit 22 and the third circuit 21', there is formed a connection surface 60A between conductors that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction. Further, the connection surface 300 between the insulating resins and the connection surface 60A between the conductors exist on one and the same plane without any difference in level.
In addition, in the section in the plate thickness direction of the portion where the second circuit 22 and the third circuit 21' are overlapped adjacently, the width of the bottom of the third circuit 21' is equal to the width of the top of the second circuit 22. It is preferable that the width is larger than the width of the portion 221. Excessive etching of the end portion of the top portion 221 of the second circuit 22 can be suppressed.

また本実施の形態において、図4の(A)の第四工程において、第二の回路22となる部分に、回路中間体20の表面と絶縁樹脂30とに渡って、第二のエッチングレジスト50が設けられる場合を例示したが、図5(B)に示すように、第二の回路22となる部分の回路中間体20の表面のみに第二のエッチングレジスト50が設けられる場合もある。この場合であっても、回路中間体20の側面203が絶縁樹脂30で覆われた状態であることから、側面からのエッチングを防止でき、過度なエッチングを抑制できる効果を得ることができる点に変わりはない。 Furthermore, in the present embodiment, in the fourth step in FIG. However, as shown in FIG. 5B, the second etching resist 50 may be provided only on the surface of the circuit intermediate body 20 in a portion that will become the second circuit 22. Even in this case, since the side surface 203 of the circuit intermediate body 20 is covered with the insulating resin 30, etching from the side surface can be prevented and excessive etching can be suppressed. There is no difference.

[第2の実施態様]
図6を参照し、本発明の第2の実施態様について説明する。
第1の実施態様と同じ構成のものについては、同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明では、回路体2Bの第一の回路21と第二の回路22との間に、導電体どうしの接続面23を有する点が第1の実施態様と相違する。
また、絶縁樹脂30Bと絶縁樹脂31Bとの間に、板厚方向に接続面がなくかつ平面方向に接続面を有する絶縁樹脂どうしの接続面301を有する点が第1の実施態様と相違する。
[Second embodiment]
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Components having the same configuration as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
The present invention is different from the first embodiment in that a connection surface 23 between conductors is provided between the first circuit 21 and the second circuit 22 of the circuit body 2B.
Further, this embodiment differs from the first embodiment in that there is a connecting surface 301 between the insulating resins 30B and 31B, which has no connecting surface in the thickness direction and has a connecting surface in the planar direction.

〈回路体〉
回路体2Bは、第一の回路21と第二の回路22との間に、導電体どうしの接続面23を備える。導電体どうしの接続面23は、板厚方向に接続面がなくかつ平面方向に延びる接続面である。
回路体2Bは、第一の回路21と、第二の回路22とを備える。回路体2Bは導電体から形成され、圧延導電体または電解導電体から形成される。
回路体2Bは、電気が流される場合の回路及び/又は熱が流される場合の回路のどちらであってもよい。
〈絶縁体〉
絶縁体3Bは絶縁樹脂30Bと絶縁樹脂31Bとを備える。
絶縁樹脂30Bと絶縁樹脂31Bとは、電気を流さないものであれば同じ材質のものであっても、異なる材質のものであってもよい。
絶縁樹脂30Bと絶縁樹脂31Bとは、絶縁樹脂どうしの接続面301を有する。絶縁樹脂どうしの接続面301は、板厚方向に接続面がなくかつ平面方向に延びる接続面である。
また、絶縁樹脂どうしの接続面301と、導電体どうしの接続面23は、段差のない一つの同一平面上に存在する。
<Circuit body>
The circuit body 2B includes a connection surface 23 between the conductors between the first circuit 21 and the second circuit 22. The connection surface 23 between the conductors is a connection surface that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction.
The circuit body 2B includes a first circuit 21 and a second circuit 22. The circuit body 2B is formed from a conductor, such as a rolled conductor or an electrolytic conductor.
The circuit body 2B may be either a circuit for passing electricity and/or a circuit for passing heat.
<Insulator>
The insulator 3B includes an insulating resin 30B and an insulating resin 31B.
The insulating resin 30B and the insulating resin 31B may be made of the same material or different materials as long as they do not conduct electricity.
Insulating resin 30B and insulating resin 31B have a connecting surface 301 between the insulating resins. The connection surface 301 between the insulating resins is a connection surface that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction.
Furthermore, the connection surface 301 between the insulating resins and the connection surface 23 between the conductors exist on one and the same plane with no difference in level.

本実施の形態では、図7(B)図に示すように、天部211の幅W2と底部222の幅W3とが等しく、第一の回路21と第二の回路22とが一つの台形状となる場合を例示した。しかしながら、図8(A)や(B)に示すように、回路設計によっては、天部211の幅W2が底部222の幅W3よりも小さい場合(W2<W3)や、天部211の幅W2が底部222の幅W3よりも大きい場合(W2>W3)であってもよい。 In this embodiment, as shown in FIG. 7B, the width W2 of the top portion 211 and the width W3 of the bottom portion 222 are equal, and the first circuit 21 and the second circuit 22 have a trapezoidal shape. The example below shows the case where However, as shown in FIGS. 8A and 8B, depending on the circuit design, the width W2 of the top portion 211 may be smaller than the width W3 of the bottom portion 222 (W2<W3), or the width W2 of the top portion 211 may be smaller than the width W3 of the bottom portion 222. may be larger than the width W3 of the bottom portion 222 (W2>W3).

(基板の製造方法について)
図9を参照し、第2の実施態様の基板1の製造方法について説明する。
(About the manufacturing method of the board)
With reference to FIG. 9, a method for manufacturing the substrate 1 according to the second embodiment will be described.

まず、図9(A)に示すように、基材5の表面全体に導電体60が設けられた状態である。導電体60は、第一の導電体に相当し、圧延された導電体であっても、メッキ処理にて形成された導電体のどちらであってもよい。
導電体60の表面を覆う第一のエッチングレジスト40が、第一の回路21となる部分に設けられる。この工程を第七工程とする。
First, as shown in FIG. 9(A), a conductor 60 is provided on the entire surface of the base material 5. The conductor 60 corresponds to a first conductor, and may be either a rolled conductor or a conductor formed by plating.
A first etching resist 40 covering the surface of the conductor 60 is provided in a portion that will become the first circuit 21 . This step is referred to as the seventh step.

図9(B)に示すように、エッチング処理がされ、第一の回路21が設けられる。これにより、基材5の一部が露出した状態となり、導電体60の除去された空間402が設けられる。この工程を第八工程とする。 As shown in FIG. 9(B), an etching process is performed and a first circuit 21 is provided. As a result, a portion of the base material 5 is exposed, and a space 402 from which the conductor 60 is removed is provided. This step is referred to as the eighth step.

図9(C)に示すように、第一のエッチングレジスト40が除去され、エッチング後に設けられた空間402に絶縁樹脂30Bが充填される。そして、第一の回路21の表面が露出した状態かつ第一の回路21の側面214と基材5の表面とが絶縁樹脂30Bで覆われた状態となる。この工程を第九工程とする。
なお、図示はしないが、第九の工程には、第一の回路21の表面と絶縁樹脂30Bの表面とが段差のない一つの平らな面(同一平面)とする整面処理(工程)が含まれてもよい。
この整面処理により、第一の回路21の表面と絶縁樹脂30Bの表面とが段差のない平らな面となる。
As shown in FIG. 9C, the first etching resist 40 is removed, and the space 402 provided after etching is filled with an insulating resin 30B. Then, the surface of the first circuit 21 is exposed, and the side surface 214 of the first circuit 21 and the surface of the base material 5 are covered with the insulating resin 30B. This step is referred to as the ninth step.
Although not shown, the ninth step includes a surface smoothing treatment (step) in which the surface of the first circuit 21 and the surface of the insulating resin 30B are made into one flat surface (same plane) with no step. May be included.
By this surface smoothing treatment, the surface of the first circuit 21 and the surface of the insulating resin 30B become flat surfaces with no difference in level.

図10(A)に示すように、メッキ処理がされ、第一の回路21の表面と絶縁樹脂30Bの表面とに渡って、電解導電体である導電体61が設けられる。導電体61は第二の導電体に相当する。なお、この工程により、第一の回路21と導電体61との間に板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる接続面が存在する状態となる。この工程を第十工程とする。 As shown in FIG. 10A, plating is performed to provide a conductor 61, which is an electrolytic conductor, over the surface of the first circuit 21 and the surface of the insulating resin 30B. The conductor 61 corresponds to a second conductor. Note that this step brings about a state in which there is no connection surface in the thickness direction between the first circuit 21 and the conductor 61, and there is a connection surface that extends in the plane direction. This step is referred to as the tenth step.

図10(B)に示すように、第二のエッチングレジスト50が第二の回路22となる部分に設けられる。この際、第二のエッチングレジスト50は、導電体61を介在した状態で第一の回路21の端部217を覆うように配置される。この工程を第十一工程とする。 As shown in FIG. 10(B), a second etching resist 50 is provided in a portion that will become the second circuit 22. At this time, the second etching resist 50 is placed so as to cover the end portion 217 of the first circuit 21 with the conductor 61 interposed therebetween. This step is referred to as the eleventh step.

図10(C)に示すように、第一の回路21の端部217は、導電体61を介在した状態で第二のエッチングレジスト50に覆われるように配置されかつ第一の回路21の側面214が絶縁樹脂30Bで保護された状態において、エッチング処理が行なわれる。
また、第一の回路21の天部211は、導電体61を介在した状態で第二のエッチングレジスト50に覆われることなく配置されかつ第一の回路21の側面214が絶縁樹脂30Bで保護された状態において、エッチング処理が行なわれる。
そして、第二の回路22の側面223と絶縁樹脂30Bの表面と、第一の回路21の表面(天部211)が露出した状態になり、第一の回路21と第二の回路22とが設けられる。また、第一の回路21の天突部212が造形され、天突部212が絶縁樹脂30Bの表面よりも低い位置に位置する状態となる。また、エッチングで導電体61が除去された空間501が設けられる。さらに、導電体どうしの接続面23が存在する状態となる。この工程を第十二工程とする。
As shown in FIG. 10C, the end portion 217 of the first circuit 21 is disposed so as to be covered with the second etching resist 50 with the conductor 61 interposed therebetween, and the side surface of the first circuit 21 is The etching process is performed while 214 is protected by the insulating resin 30B.
Further, the top portion 211 of the first circuit 21 is arranged without being covered with the second etching resist 50 with the conductor 61 interposed therebetween, and the side surface 214 of the first circuit 21 is protected with the insulating resin 30B. In this state, the etching process is performed.
Then, the side surface 223 of the second circuit 22, the surface of the insulating resin 30B, and the surface (top portion 211) of the first circuit 21 are exposed, and the first circuit 21 and the second circuit 22 are exposed. provided. Further, the top protrusion 212 of the first circuit 21 is shaped, and the top protrusion 212 is located at a lower position than the surface of the insulating resin 30B. Further, a space 501 is provided in which the conductor 61 is removed by etching. Furthermore, a state is reached in which a connection surface 23 between the conductors exists. This step is referred to as the twelfth step.

図11(A)に示すように、空間501に絶縁樹脂31Bが充填されて、第一の回路21の天部211と第二の回路22の側面223が埋められた状態となる。なお、この工程により、絶縁樹脂30Bと絶縁樹脂31Bとの間に絶縁樹脂どうしの接続面301が設けられ、絶縁樹脂どうしの接続面301と導電体どうしの接続面23とが段差のない同一平面上に存在する状態となる。この工程を第十三工程とする。
なお、図示はしないが、第十三の工程には、第二の回路22(層間回路22)の天部221と、絶縁樹脂31Bの表面とが段差のない一つの平らな面(同一平面)とする整面処理(工程)が含まれてもよい。
As shown in FIG. 11A, the space 501 is filled with the insulating resin 31B, so that the top 211 of the first circuit 21 and the side surface 223 of the second circuit 22 are buried. In addition, through this process, a connecting surface 301 between insulating resins is provided between the insulating resin 30B and the insulating resin 31B, and the connecting surface 301 between the insulating resins and the connecting surface 23 between the conductors are on the same plane with no step. It will be in a state of being above. This step is referred to as the thirteenth step.
Although not shown, in the thirteenth step, the top part 221 of the second circuit 22 (interlayer circuit 22) and the surface of the insulating resin 31B are one flat surface (same plane) with no step. It may also include a surface preparation process (process).

以上の工程を経ることにより、回路層4Bが完成する。
その後、ソルダーレジスト等の基板1Bに必要な表面処理等が行われて、回路層4Bと基材5とを含む基板1Bが完成する。
Through the above steps, the circuit layer 4B is completed.
Thereafter, necessary surface treatments such as solder resist are performed on the substrate 1B, and the substrate 1B including the circuit layer 4B and the base material 5 is completed.

本実施の態様では、第一の回路21を作成した後に絶縁樹脂30Bを充填する。そして、電解導電体を設け、第二の回路22を設けることで、電解導電体の高さ(厚さ)に対して回路幅(W4)を小さくでき、回路の細繊化がしやすく、設計の自由度が上がる効果がある。 In this embodiment, after the first circuit 21 is created, the insulating resin 30B is filled. By providing the electrolytic conductor and the second circuit 22, the circuit width (W4) can be made smaller relative to the height (thickness) of the electrolytic conductor, making it easier to refine the circuit and design. This has the effect of increasing the degree of freedom.

なお、回路層4Bの後に、例えば、メッキ処理による電解導電体が、第二の回路(層間回路)の天部221と絶縁樹脂31Bの表面とに渡って全体に設けられる工程を行い、電解導電体を使用して必要な回路が形成されてもよい。具体的には、図11(B)図に示すように、本実施態様の第七工程から第十三工程で製造された回路層4Bと基材5を含んだ状態を基材5´とし、新たに導電体60を設け、第七工程から第十三工程を再度行ない、第二の回路22と接続する第三の回路21´(第一の回路に相当)と第四の回路22´(第二の回路22に相当)を作成し、回路層4B及び回路層4B´が複数積み上げられた基板1Bとしてもよい。 Note that after the circuit layer 4B, a step is performed in which an electrolytic conductor is provided entirely by plating over the top 221 of the second circuit (interlayer circuit) and the surface of the insulating resin 31B, thereby making the electrolytic conductor The necessary circuits may be formed using the body. Specifically, as shown in FIG. 11(B), a state including the circuit layer 4B and the base material 5 manufactured in the seventh to thirteenth steps of this embodiment is referred to as a base material 5', A new conductor 60 is provided and the seventh to thirteenth steps are performed again to form a third circuit 21' (corresponding to the first circuit) and a fourth circuit 22' (corresponding to the first circuit) which are connected to the second circuit 22. It is also possible to create a substrate 1B in which a plurality of circuit layers 4B and 4B' are stacked.

この場合、絶縁樹脂31Bと絶縁樹脂30B´との間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる第二の絶縁樹脂どうしの接続面301Aが形成される。言い換えると、絶縁樹脂どうしの接続面301とは異なる第二の絶縁樹脂どうしの接続面301Aが形成される。
また、第二の回路22と第三の回路21´との間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる導電体どうしの接続面23Aが形成される。言い換えると、導電体どうしの接続面23とは異なる他の導電体どうしの接続面23Aが形成される。
そして、絶縁樹脂どうしの接続面301Aと導電体どうしの接続面23Aとが段差のない一つの同一平面上に存在する。
なお、第二の回路22と第三の回路21´とが隣接して重ね合わされた部分の板厚方向の断面において、第三の回路21´の底部の幅は、第二の回路22の天部221の幅よりも大きいことが好ましい。第二の回路22の天部221の端部が過度にエッチングされることを抑制できる。
In this case, a second insulating resin connection surface 301A that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction is formed between the insulating resin 31B and the insulating resin 30B'. In other words, a second insulating resin connection surface 301A different from the insulating resin connection surface 301 is formed.
Further, between the second circuit 22 and the third circuit 21', there is formed a connection surface 23A between conductors that has no connection surface in the thickness direction and extends in the planar direction. In other words, a connection surface 23A between conductors different from the connection surface 23 between conductors is formed.
Further, the connection surface 301A between the insulating resins and the connection surface 23A between the conductors exist on one and the same plane without any difference in level.
In addition, in the section in the plate thickness direction of the portion where the second circuit 22 and the third circuit 21' are overlapped adjacently, the width of the bottom of the third circuit 21' is equal to the width of the top of the second circuit 22. It is preferable that the width is larger than the width of the portion 221. Excessive etching of the end portion of the top portion 221 of the second circuit 22 can be suppressed.

また、本実施の形態において、図10の(B)の第十一工程において、第二の回路22となる部分に第二のエッチングレジスト50が設けられる場合を例示したが、図11(C)に示すように、第二のエッチングレジスト50が、導電体61を介在した状態で第一の回路21の端部217を覆うことなく、第一の回路21の中央部分のみを覆うように設けられる場合もある。この場合であっても、第一の回路21の側面214が絶縁樹脂30Bで覆われた状態であることから、側面からのエッチングを防止でき、過度なエッチングを抑制できる効果を得ることができる点に変わりはない。 Furthermore, in this embodiment, in the eleventh step of FIG. 10(B), a case where the second etching resist 50 is provided in the portion that will become the second circuit 22 has been exemplified, but FIG. 11(C) As shown in , the second etching resist 50 is provided so as to cover only the central portion of the first circuit 21 without covering the end portion 217 of the first circuit 21 with the conductor 61 interposed therebetween. In some cases. Even in this case, since the side surface 214 of the first circuit 21 is covered with the insulating resin 30B, etching from the side surface can be prevented and excessive etching can be suppressed. There is no difference.

[第3の実施態様]
図12及び図13を参照し、本発明の第3の実施態様について説明する。
第1の実施態様及び第2の実施態様と同じ構成のものについては、同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明では、第一の回路21の天部211に、保護被膜7を備える点が第1及び第2の実施態様と相違する。
(基板)
本発明の基板1Cは、回路体2Cと絶縁体3と保護被膜7とを含む回路層4Cを有する。
本発明の基板1Cは、回路層4Cと基材5を有し、それらが重ねられて設けられる。
[Third embodiment]
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
Components having the same configuration as those in the first embodiment and the second embodiment are given the same reference numerals, and explanations thereof will be omitted.
The present invention differs from the first and second embodiments in that the top portion 211 of the first circuit 21 is provided with a protective coating 7.
(substrate)
The substrate 1C of the present invention has a circuit layer 4C including a circuit body 2C, an insulator 3, and a protective coating 7.
The substrate 1C of the present invention has a circuit layer 4C and a base material 5, which are stacked on top of each other.

〈回路体〉
回路体2Cは、第一の回路21Cと、第二の回路22Cとを備える。回路体2Cは導電体から形成され、圧延導電体または電解導電体から形成される。
回路体2Cは電気が流される場合の回路及び/又は熱が流される場合の回路のどちらであってもよい。
第一の回路21Cは、X-Y軸の平面の方向に延びる平面回路であり、第二の回路22Cは、Z軸の基板の板厚の方向に延びる層間回路である。
回路体2Cは、第一の回路21Cと第二の回路22Cとの間に、導電体どうしの接続面23Cを備える。導電体どうしの接続面23Cは、板厚方向に接続面がなくかつ平面方向に延びる接続面である。
<Circuit body>
The circuit body 2C includes a first circuit 21C and a second circuit 22C. The circuit body 2C is formed from a conductor, such as a rolled conductor or an electrolytic conductor.
The circuit body 2C may be either a circuit for passing electricity and/or a circuit for passing heat.
The first circuit 21C is a planar circuit extending in the direction of the plane of the XY axis, and the second circuit 22C is an interlayer circuit extending in the direction of the board thickness of the Z axis.
The circuit body 2C includes a connection surface 23C between the conductors between the first circuit 21C and the second circuit 22C. The connection surface 23C between the conductors is a connection surface that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction.

≪第一の回路≫
第一の回路21Cの平面回路は、平面回路の天部211Cと、天角部216を有する。
天部211Cは平らな平面であり、後述する導電体どうしの接続面23Cと絶縁樹脂どうしの接続面301Cと同一平面となるように形成される。
天角部216は、絶縁樹脂30Cと保護被膜7と接触する角部分であり、基板の平面(X-Y軸方向)から見た場合における平面回路の中央部25を取り囲むように位置する境界部分である。
また、絶縁樹脂30Cと接触する平面回路の側面214Cは、第一の回路21Cの底部215の方向に向かって広がるようになだらかな傾斜面を形成する。
≪First circuit≫
The planar circuit of the first circuit 21C has a planar circuit top portion 211C and a top corner portion 216.
The top portion 211C is a flat plane, and is formed to be on the same plane as a connection surface 23C between conductors and a connection surface 301C between insulating resins, which will be described later.
The top corner portion 216 is a corner portion that contacts the insulating resin 30C and the protective coating 7, and is a boundary portion located so as to surround the center portion 25 of the planar circuit when viewed from the plane of the substrate (XY axis direction). It is.
Furthermore, the side surface 214C of the planar circuit that contacts the insulating resin 30C forms a gentle slope that widens toward the bottom 215 of the first circuit 21C.

第一の回路21は、図13(A)図に示すように、第一の回路21Cと第二の回路22Cとが重ね合わされていない部分において、第一の回路21Cである平面回路の平面方向に延びる方向に直交するように切断した場合における平面回路の断面が台形状となる。
第一の回路21Cの底部215Cの幅W1Cは、第一の回路21Cの天部211Cの幅W2Cよりも大きい。
As shown in FIG. 13(A), the first circuit 21 is located in the planar direction of the planar circuit that is the first circuit 21C in a portion where the first circuit 21C and the second circuit 22C are not overlapped. The planar circuit has a trapezoidal cross section when cut perpendicular to the direction in which it extends.
The width W1C of the bottom 215C of the first circuit 21C is larger than the width W2C of the top 211C of the first circuit 21C.

≪第二の回路≫
第二の回路22Cの層間回路は、絶縁樹脂31Cと面一となるように平坦な面の層間回路の天部221Cを有する。また、第二の回路22Cの層間回路の底部222Cは、第一の回路21Cの天部211Cと接続する部分が相当する。
絶縁樹脂31Cと接触する層間回路の側面223Cは、層間回路の底部222Cの方向に向かって広がるようになだらかな傾斜面を形成する。
この傾斜面の構造は、本発明の基板の回路の製造方法を使用することで実現される形状であり、第二の回路22の側面223Cがエッチングされすぎずに残された結果である。
≪Second circuit≫
The interlayer circuit of the second circuit 22C has a top portion 221C of the interlayer circuit that is flat so as to be flush with the insulating resin 31C. Further, the bottom portion 222C of the interlayer circuit of the second circuit 22C corresponds to the portion connected to the top portion 211C of the first circuit 21C.
The side surface 223C of the interlayer circuit in contact with the insulating resin 31C forms a gentle slope that widens toward the bottom 222C of the interlayer circuit.
This sloped surface structure is a shape realized by using the method of manufacturing a substrate circuit of the present invention, and is a result of the side surface 223C of the second circuit 22 being left without being etched too much.

本発明では、回路の(第二の回路22)の側面を絶縁樹脂31Cで保護した状態でエッチングすることにより、第一の回路21Cの回路が細くなりすぎることを抑制でき、設計値に近い回路幅に造形しやすくなり、回路の断線の虞を抑制できる効果がある。 In the present invention, by etching the side surface of the circuit (second circuit 22) while protecting it with the insulating resin 31C, it is possible to prevent the first circuit 21C from becoming too thin, and the circuit is close to the design value. This makes it easier to shape the width and has the effect of suppressing the risk of circuit breakage.

第二の回路22Cは、図12の(C)図に示すように、第一の回路21Cと第二の回路22Cとが隣接して重ね合わされた部分において、第一の回路である平面回路の平面方向に延びる方向に直交するように切断した場合における層間回路の断面が台形状となる。
第二の回路22Cの底部222Cの幅W3Cは、第二の回路22Cの天部221Cよりも幅W4Cが小さい。
なお、本実施の形態では、図13(A)及び(B)図に示すように、天部211Cの幅W2と底部222Cの幅W3とが等しい場合の他、図示はしないが、回路設計によっては、天部211Cの幅W2が底部222Cの幅W3よりも小さい場合(W2<W3)や、天部211Cの幅W2が底部222Cの幅W3よりも大きい場合(W2>W3)であってもよい。
As shown in FIG. 12(C), the second circuit 22C is a planar circuit that is the first circuit in a portion where the first circuit 21C and the second circuit 22C are overlapped adjacently. The cross section of the interlayer circuit when cut perpendicularly to the direction extending in the plane direction is trapezoidal.
The width W3C of the bottom portion 222C of the second circuit 22C is smaller than the width W4C of the top portion 221C of the second circuit 22C.
Note that in this embodiment, as shown in FIGS. 13A and 13B, the width W2 of the top portion 211C and the width W3 of the bottom portion 222C are equal to each other. Even if the width W2 of the top portion 211C is smaller than the width W3 of the bottom portion 222C (W2<W3) or the width W2 of the top portion 211C is larger than the width W3 of the bottom portion 222C (W2>W3). good.

〈絶縁体〉
絶縁体3Cは絶縁樹脂30Cと絶縁樹脂31Cとを備える。
絶縁樹脂30Cと絶縁樹脂31Cとは、電気を流さないものであれば同じ材質のものであっても、異なる材質のものであってもよい。
絶縁樹脂30Cと絶縁樹脂31Cとは、絶縁樹脂どうしの接続面301Cを有する。絶縁樹脂どうしの接続面301Cは、板厚方向に接続面がなくかつ平面方向に延びる接続面である。
また、絶縁樹脂どうしの接続面301Cと、導電体どうしの接続面23Cは、同一平面上に存在し、段差のない平らな状態で配置される。
<Insulator>
The insulator 3C includes an insulating resin 30C and an insulating resin 31C.
The insulating resin 30C and the insulating resin 31C may be made of the same material or different materials as long as they do not conduct electricity.
The insulating resin 30C and the insulating resin 31C have an insulating resin connection surface 301C. The connection surface 301C between the insulating resins is a connection surface that has no connection surface in the thickness direction and extends in the planar direction.
Furthermore, the connection surface 301C between the insulating resins and the connection surface 23C between the conductors exist on the same plane and are arranged in a flat state with no steps.

≪絶縁樹脂30C≫
絶縁樹脂30Cは、第一の回路21Cの側面214Cと基材5に接触するように配置される。
絶縁樹脂30Cは、第一の回路21Cの側面214Cを覆うように配置され、回路の製造工程時において、エッチング液から回路の側面を保護する役割も果たす。
≪Insulating resin 30C≫
The insulating resin 30C is placed in contact with the side surface 214C of the first circuit 21C and the base material 5.
The insulating resin 30C is disposed to cover the side surface 214C of the first circuit 21C, and also serves to protect the side surface of the circuit from the etching solution during the circuit manufacturing process.

≪絶縁樹脂31C≫
絶縁樹脂31Cは、第二の回路22Cの側面223Cと保護被膜7の表面と基材5の表面とに接触するように配置される。
絶縁樹脂31Cは、後述する第一の回路21の側面が、絶縁樹脂30Cで覆われた状態において、エッチングされた後の空間501に充填される。
≪Insulating resin 31C≫
The insulating resin 31C is arranged so as to be in contact with the side surface 223C of the second circuit 22C, the surface of the protective coating 7, and the surface of the base material 5.
The insulating resin 31C is filled into the etched space 501 while the side surface of the first circuit 21, which will be described later, is covered with the insulating resin 30C.

〈保護被膜〉
保護被膜7は、第一の回路21Cの表面の一部と絶縁樹脂30Cの表面とを覆うように配置される。言い換えると、保護被膜7は、平面回路となる部分を覆いかつ第二の回路22Cを形成する部分を覆うことなく配置される。
保護被膜7は、エッチング処理時において、第一の回路21Cの天部221C及び天角部216の導電体をエッチング液から保護しかつメッキ処理にて第二の回路22Cの元となる電解導電体62を設ける際に、電解導電体62の形成に影響を与えないものが使用される。
具体的には、絶縁性を有する材質のものが使用でき、例えば、絶縁樹脂30C又は/及び絶縁樹脂31Cと同じ材質のものが使用できる。
また、保護被膜7は、絶縁樹脂30Cとの間に接続面を有する。
<Protective film>
The protective coating 7 is arranged to cover a part of the surface of the first circuit 21C and the surface of the insulating resin 30C. In other words, the protective coating 7 is arranged to cover the portion that will become the planar circuit, but not cover the portion that will form the second circuit 22C.
The protective film 7 protects the conductor of the top portion 221C and the top corner portion 216 of the first circuit 21C from the etching solution during the etching process, and serves as an electrolytic conductor that becomes the basis of the second circuit 22C during the plating process. When providing the electrolytic conductor 62, a material that does not affect the formation of the electrolytic conductor 62 is used.
Specifically, a material having insulating properties can be used, and for example, the same material as the insulating resin 30C and/or the insulating resin 31C can be used.
Moreover, the protective coating 7 has a connection surface between it and the insulating resin 30C.

保護被膜7は、第二の回路22Cよりも板厚方向の高さ(厚さ)が低く設けられることが好ましく、エッチング液から第一の回路21Cを保護できる最小限の高さであることが好ましい。保護被膜7の高さが低いことにより、第二の回路22Cの元となる電解導電体62をメッキ処理にて形成する際に、保護被膜7の厚み分の段差を最小限にでき、メッキ液が接触しやすくなり、良好な状態の電解導電体62を形成しやすくなる効果がある。 The protective coating 7 is preferably provided with a height (thickness) lower in the thickness direction than the second circuit 22C, and is preferably the minimum height that can protect the first circuit 21C from the etching solution. preferable. Due to the low height of the protective coating 7, when forming the electrolytic conductor 62, which is the basis of the second circuit 22C, by plating, it is possible to minimize the level difference corresponding to the thickness of the protective coating 7, and the plating solution This has the effect of making it easier to make contact with each other, thereby making it easier to form the electrolytic conductor 62 in a good state.

保護被膜7は、第二の回路22Cとなる部分には設けることなくかつ第一の回路21Cと絶縁樹脂30Cを覆うように配置したり、保護被膜7を全体に設けた後に切削により第二の回路22Cとなる箇所の保護被膜7を除去したりして配置される。保護被膜7の配置には、ディスペンサー、インクジェット又はスクリーン印刷を用いることが好ましい。保護被膜7を全体に配置した後に、切削により除去する場合、第一の回路21の表面から導電体の内部に凹むように除去してしまう虞があり、その分の段差が生じることにより、良好な状態でメッキ処理ができない虞がある。一方、ディスペンサー、インクジェット又はスクリーン印刷を用いて保護被膜7が設けられる場合、第一の回路21Cの一部と絶縁樹脂30Cとを覆うように配置し、第二の回路22Cとなる部分を覆わないように配置しやすい点で好ましい。 The protective coating 7 may not be provided on the part that will become the second circuit 22C and may be placed so as to cover the first circuit 21C and the insulating resin 30C, or the second circuit may be formed by cutting after the protective coating 7 is provided on the entire area. The circuit 22C is arranged by removing the protective coating 7 at the portion that will become the circuit 22C. Preferably, the protective coating 7 is placed using a dispenser, inkjet or screen printing. If the protective coating 7 is disposed on the entire surface and then removed by cutting, there is a risk that the protective coating 7 will be removed from the surface of the first circuit 21 so as to be recessed into the inside of the conductor. There is a possibility that plating processing cannot be performed in such a condition. On the other hand, when the protective coating 7 is provided using a dispenser, inkjet, or screen printing, it is arranged so as to cover a part of the first circuit 21C and the insulating resin 30C, and does not cover the part that will become the second circuit 22C. This is preferable because it is easy to arrange.

また、保護被膜7の一部は、第二の回路22Cの内部に入り込むように形成される入り込み部71を有することが好ましい。入り込み部71を有することにより、第一の回路21Cの平面回路の全体に渡って板厚方向の高さが一定となる。言い換えると、第1の実施態様の天部221のように、エッチング処理によって、内部に入り込むように湾曲した状態とならないため、平面回路の高さが全体に渡って一定となり、平面回路の高さの制御がしやすくなる。 Moreover, it is preferable that a part of the protective coating 7 has an intrusion part 71 formed so as to penetrate into the inside of the second circuit 22C. By having the recessed portion 71, the height in the thickness direction becomes constant over the entire planar circuit of the first circuit 21C. In other words, unlike the top portion 221 of the first embodiment, the etching process does not cause the top portion 221 to curve into the inside, so the height of the planar circuit remains constant throughout. becomes easier to control.

(基板の製造方法について)
図14を参照し、第3の実施態様の基板1Cの製造方法について説明する。
まず、図14(A)に示すように、第2の実施態様の図9Aと9Bと同じ工程(第七工程及び第八工程)が行われ、基材5の表面上に、第一の回路21Cと絶縁樹脂30Cが設けられる。この工程を第十四工程とする。
(About the manufacturing method of the board)
With reference to FIG. 14, a method for manufacturing the substrate 1C according to the third embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 14(A), the same steps (seventh step and eighth step) as in FIGS. 9A and 9B of the second embodiment are performed, and a first circuit is formed on the surface of the base material 5. 21C and an insulating resin 30C are provided. This step is designated as the fourteenth step.

次に、図14(B)に示すように、第一の回路の表面に保護被膜が設けられる。保護被膜7は、第一の回路21Cの表面と絶縁樹脂30Cの表面とに渡って設けられる。この工程を十五工程とする。 Next, as shown in FIG. 14(B), a protective film is provided on the surface of the first circuit. The protective coating 7 is provided over the surface of the first circuit 21C and the surface of the insulating resin 30C. This process is called the 15th process.

図14(C)に示すように、第二の実施態様の図10(A)と同様に、第一の回路21の表面、絶縁樹脂30Cの表面及び保護被膜7の表面とに渡って、第二の導電体である導電体61が設けられる。なお、この工程により、第一の回路21と導電体61との間に板厚方向に接続面が無いかつ平面方向に延びる接続面が存在する状態となる。この工程を第十六工程とする。 As shown in FIG. 14(C), similar to FIG. 10(A) of the second embodiment, the first circuit 21, the surface of the insulating resin 30C, and the surface of the protective coating 7 are A conductor 61, which is a second conductor, is provided. Note that this step brings about a state in which there is no connection surface in the thickness direction between the first circuit 21 and the conductor 61, but there is a connection surface extending in the plane direction. This step is designated as the 16th step.

次に、図15(A)に示すように、第二の実施態様の図10(B)と同様に、第二の導電体の表面に第二のエッチングレジスト50が設けられる。このとき、第二の導電体61を介在した状態で第二の回路22Cとなる部分と絶縁樹脂30Cと、保護被膜7とに渡って、第二のエッチングレジスト50が設けられる。さらに、第二のエッチングレジスト50は、第二の導電体61を介在した状態で保護被膜7の上部の一部を覆うように配置される。この工程を第十七工程とする。 Next, as shown in FIG. 15(A), a second etching resist 50 is provided on the surface of the second conductor, similar to FIG. 10(B) of the second embodiment. At this time, the second etching resist 50 is provided over the portion that will become the second circuit 22C, the insulating resin 30C, and the protective coating 7 with the second conductor 61 interposed therebetween. Furthermore, the second etching resist 50 is arranged to cover a portion of the upper part of the protective coating 7 with the second conductor 61 interposed therebetween. This step is designated as the seventeenth step.

図15(B)に示すように、第二の実施形態の図10(C)と同様に、第一の回路21Cの側面及び表面(天部221C)が、絶縁樹脂30Cと保護被膜7で保護されかつ第一の回路21Cの側面214Cが絶縁樹脂30Cとで保護された状態において、エッチング処理が行なわれる。そして、第二の回路22Cの側面223Cと、絶縁樹脂30Cの表面と、保護被膜7の表面とが露出した状態になり、第一の回路21Cと第二の回路22Cとが造形される。この工程を第十八工程とする。
この際、保護被膜7が第一の回路21Cの表面(端部及び天部211)を保護することにより、第一の回路21Cがエッチングされることなく、第一の回路21Cを全体に渡って高さ(回路の厚み)を維持したままエッチング処理が行うことができ、回路の高さの精度が向上する効果がある。
さらに、保護被膜7が第二の回路22Cに入り込むように第二のエッチングレジスト50を設けることで、第一の回路21Cと第二の回路22Cとの連結部分における過度なエッチングを抑制できる。また、エッチングで導電体61が除去された空間501が設けられる。そして、第一の回路21Cと第二の回路22Cとの間に板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる導電体どうしの接続面23Cが存在する状態となる。
As shown in FIG. 15(B), similar to FIG. 10(C) of the second embodiment, the side and surface (top portion 221C) of the first circuit 21C are protected by the insulating resin 30C and the protective coating 7. The etching process is performed in a state where the side surface 214C of the first circuit 21C is protected by the insulating resin 30C. Then, the side surface 223C of the second circuit 22C, the surface of the insulating resin 30C, and the surface of the protective coating 7 are exposed, and the first circuit 21C and the second circuit 22C are formed. This step is referred to as the eighteenth step.
At this time, since the protective film 7 protects the surface (ends and top portion 211) of the first circuit 21C, the first circuit 21C is not etched and the entire first circuit 21C is covered. Etching can be performed while maintaining the height (circuit thickness), which has the effect of improving the accuracy of the circuit height.
Furthermore, by providing the second etching resist 50 so that the protective film 7 enters the second circuit 22C, excessive etching at the connecting portion between the first circuit 21C and the second circuit 22C can be suppressed. Further, a space 501 is provided in which the conductor 61 is removed by etching. Then, between the first circuit 21C and the second circuit 22C, there is a connection surface 23C between the conductors, which has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction.

図15(C)に示すように、第二の実施形態の図11(A)と同様に、空間501に絶縁樹脂31Cが充填されて、保護被膜7と第二の回路22Cの側面223Cが埋められた状態となる。この工程を第十九工程とする。
なお、この工程により、絶縁樹脂30Cと絶縁樹脂31Cとの間に絶縁樹脂どうしの接続面301が設けられ、絶縁樹脂どうしの接続面301Cと導電体どうしの接続面23Cとが段差のない同一平面上に存在する状態となる。
なお、図示はしないが、第十九の工程には、第二の回路22(層間回路22)の天部221Cと、絶縁樹脂31Cの表面と整面する処理(工程)が含まれてもよい。
As shown in FIG. 15(C), similarly to FIG. 11(A) of the second embodiment, the space 501 is filled with the insulating resin 31C, and the protective coating 7 and the side surface 223C of the second circuit 22C are filled. It will be in a state where it is This step is designated as the nineteenth step.
In addition, through this step, a connecting surface 301 between the insulating resins is provided between the insulating resin 30C and the insulating resin 31C, and the connecting surface 301C between the insulating resins and the connecting surface 23C between the conductors are on the same plane with no step. It will be in a state of being above.
Although not shown, the nineteenth step may include a process (step) of aligning the top portion 221C of the second circuit 22 (interlayer circuit 22) with the surface of the insulating resin 31C. .

以上の工程を経ることにより、回路層4Cが完成する。
その後、ソルダーレジスト等の基板1に必要な表面処理等が行われて基板1Cとして完成する。
Through the above steps, the circuit layer 4C is completed.
Thereafter, necessary surface treatments such as solder resist and the like are performed on the substrate 1 to complete the substrate 1C.

本実施の態様では、第一の回路21Cを作成した後に絶縁樹脂30Cを充填する。そして、電解導電体を設け、第二の回路22Cを設けることで、電解導電体の高さ(厚さ)に対して回路幅(W4)を小さくでき、回路の細繊化がしやすく、設計の自由度が上がる効果がある。 In this embodiment, after the first circuit 21C is created, the insulating resin 30C is filled. By providing the electrolytic conductor and the second circuit 22C, the circuit width (W4) can be made smaller relative to the height (thickness) of the electrolytic conductor, making it easier to refine the circuit and design. This has the effect of increasing the degree of freedom.

なお、回路層4Cの後に、例えば、メッキ処理による電解導電体が、第二の回路(層間回路)の天部221Cと絶縁樹脂31Cの表面とに渡って全体的に設けられ、必要な回路が形成されてもよい。具体的には、図16(A)図に示すように、本実施態様の第十四工程~第十九工程で製造された回路層4Cと基材5を含んだ状態を基材5´とし、新たに導電体60を設け、第十四工程~第十九工程を再度行ない、第二の回路22と接続する第三の回路21C´(第一の回路に相当)と第四の回路22C´(第二の回路22に相当)を作成し、回路層4C(4C´)が複数積み上げられた基板1Cとしてもよい。
なお、この場合、絶縁樹脂31Cと絶縁樹脂30C´との間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる第二の絶縁樹脂どうしの接続面301C1が形成される。言い換えると、絶縁樹脂どうしの接続面301とは異なる第二の絶縁樹脂どうしの接続面301C1が形成される。
また、第二の回路22Cと第三の回路21´Cとの間に、板厚方向に接続面の無いかつ平面方向に延びる導電体どうしの接続面23C1が形成される。言い換えると、導電体どうしの接続面23Cとは異なる他の導電体どうしの接続面23C1が形成される。
そして、絶縁樹脂どうしの接続面301C1と導電体どうしの接続面23C1とが段差のない一つの同一平面上に存在する。
なお、第二の回路22Cと第三の回路21C´とが隣接して重ね合わされた部分の断面において、第三の回路21C´の底部の幅は、第二の回路22Cの天部221Cの幅よりも大きいことが好ましい。第二の回路22Cの天部221Cの端部が過度にエッチングされることを抑制できる。
In addition, after the circuit layer 4C, an electrolytic conductor is provided, for example, by plating, over the entire top part 221C of the second circuit (interlayer circuit) and the surface of the insulating resin 31C, and the necessary circuits are formed. may be formed. Specifically, as shown in FIG. 16(A), a state including the circuit layer 4C and the base material 5 manufactured in the fourteenth to nineteenth steps of this embodiment is referred to as the base material 5'. , a new conductor 60 is provided and the 14th to 19th steps are performed again to form a third circuit 21C' (corresponding to the first circuit) and a fourth circuit 22C connected to the second circuit 22. ' (corresponding to the second circuit 22) may be created to form a substrate 1C in which a plurality of circuit layers 4C (4C') are stacked.
In this case, a second insulating resin connection surface 301C1 that has no connection surface in the thickness direction and extends in the plane direction is formed between the insulating resin 31C and the insulating resin 30C'. In other words, a second insulating resin connection surface 301C1 different from the insulating resin connection surface 301 is formed.
Moreover, between the second circuit 22C and the third circuit 21'C, there is formed a connection surface 23C1 between conductors that has no connection surface in the thickness direction and extends in the planar direction. In other words, a connection surface 23C1 between conductors different from the connection surface 23C between conductors is formed.
Further, the connection surface 301C1 between the insulating resins and the connection surface 23C1 between the conductors exist on one and the same plane without any difference in level.
In addition, in the cross section of the part where the second circuit 22C and the third circuit 21C' are overlapped adjacently, the width of the bottom part of the third circuit 21C' is the width of the top part 221C of the second circuit 22C. It is preferable that it is larger than . Excessive etching of the end portion of the top portion 221C of the second circuit 22C can be suppressed.

本実施態様において、図14(B)の第十五工程では、ディスペンサー、インクジェット又はスクリーン印刷を用いて保護被膜7が、第二の回路22Cの形成される場所に配置されない場合を例示した。
しかしながら、第十五工程に替えて、図16(B)に示すように、保護被膜7を第一の回路21Cの全体表面に設ける工程(第二十工程)を行い、図16(C)に示すように、第二の回路22Cとなる部分の保護被膜7を切削により除去し、第一の回路21Cの表面を露出させる工程(第二十一工程)を用いてもよい。
In this embodiment, in the fifteenth step of FIG. 14(B), a case is illustrated in which the protective coating 7 is not placed at the location where the second circuit 22C is formed using a dispenser, inkjet, or screen printing.
However, instead of the fifteenth step, as shown in FIG. 16(B), a step (twentieth step) of providing the protective coating 7 on the entire surface of the first circuit 21C is performed, and as shown in FIG. 16(C). As shown, a step (twenty-first step) may be used in which the portion of the protective coating 7 that will become the second circuit 22C is removed by cutting to expose the surface of the first circuit 21C.

[第4の実施態様]
図17を参照し、本発明の第4の実施態様について説明する。
第1の実施態様から第3の実施の態様と同じ構成のものについては、同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施態様の基板1Dは、圧延導電体を使用し、基材5Dとして下方の回路80を含み、下方の回路80と第一の実施態様の回路体2が連結している点及び補強構造体29を設ける点が、他の実施態様と異なる。さらに、第一の実施態様の回路体2に第3の実施態様の回路体2Cが連結した態様である。
[Fourth embodiment]
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 17.
Components having the same configuration as those in the first to third embodiments are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
The substrate 1D of this embodiment uses a rolled conductor, includes a lower circuit 80 as a base material 5D, and has a point where the lower circuit 80 and the circuit body 2 of the first embodiment are connected and a reinforcing structure. This embodiment differs from other embodiments in that 29 is provided. Furthermore, this is an embodiment in which a circuit body 2C of the third embodiment is connected to the circuit body 2 of the first embodiment.

(基板)
本発明の基板1Dは、下方の回路80を含む基材5Dの上に、第一の実施態様の回路体2と絶縁体3と補強構造体29とを備える。さらに、積層するように第三の実施態様の回路体2Cと絶縁体3と保護被膜7とを含む回路層4Cを有する。
〈回路体〉
本実施態様の回路体2Dは、第1の実施態様の第一の回路21と第二の回路22とを備える。なお、同じ構造の部分は同じ符号を付し、説明を省略する。
(substrate)
The substrate 1D of the present invention includes the circuit body 2, the insulator 3, and the reinforcing structure 29 of the first embodiment on the base material 5D including the lower circuit 80. Furthermore, it has a circuit layer 4C including a circuit body 2C of the third embodiment, an insulator 3, and a protective coating 7 so as to be laminated.
<Circuit body>
The circuit body 2D of this embodiment includes the first circuit 21 and the second circuit 22 of the first embodiment. Note that parts having the same structure are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

〈補強構造体〉
補強構造体29は、第一の回路21と同じ導電体から形成されており、板状の圧延板である圧延導電体から形成される。
補強構造体29は、図17(B)図に示すように、網目状や図示しないベタ状の導電体で形成されてもよいが、網目状とすることで、ベタ状の場合と比較して、基板の反りを抑制しつつ基板1Dの重量を軽量化できる点で望ましい。なお、放熱効果を上昇させる観点からすれば、網目状とするよりもベタ状とすることが好ましい。
<Reinforcement structure>
The reinforcing structure 29 is formed from the same conductor as the first circuit 21, and is formed from a rolled conductor that is a rolled plate.
As shown in FIG. 17(B), the reinforcing structure 29 may be formed of a mesh-like conductor or a solid conductor (not shown). This is desirable in that the weight of the substrate 1D can be reduced while suppressing the warpage of the substrate. Note that from the viewpoint of increasing the heat dissipation effect, it is preferable to have a solid shape rather than a mesh shape.

補強構造体29は、基板1Dの剛性を高める目的で配置される。また、その他の機能として第一の回路21を一つに連なった状態で囲むように配置することで、第一の回路21の熱が絶縁樹脂30を経由して周囲から均等に受け取ることができ、第一の回路21及び第一の回路21と連結する回路の熱膨張を抑制して基板1Dの反りを抑制する。また、第一の回路21と連結した電子部品の温度を低下させたりする役割も果たす。 The reinforcing structure 29 is arranged for the purpose of increasing the rigidity of the substrate 1D. In addition, as another function, by arranging the first circuit 21 so as to surround it in a continuous state, the heat of the first circuit 21 can be received evenly from the surroundings via the insulating resin 30. , thermal expansion of the first circuit 21 and a circuit connected to the first circuit 21 is suppressed, thereby suppressing warpage of the substrate 1D. It also plays a role of lowering the temperature of electronic components connected to the first circuit 21.

補強構造体29は、図17(B)に示すように、第一の回路21と同一平面内に配置されかつ絶縁樹脂30で平面方向に隔てられた状態で配置される。また、図17(A)に示すように、補強構造体29の表面及び裏面には絶縁樹脂31及び基材5Dの絶縁樹脂35が配置され、他の回路と接続しないように配置される。
なお、図22に示すように、基板1Dの周辺部を取り囲むように補強構造体29を基板1Dの端面に配置し露出させることで、より放熱効果を向上させることができる。
〈基材〉
基材5Dは下方の回路80と絶縁樹脂35とを有し、第一の回路21と第二の回路22とを支えるものである。
下方の回路80は、第一の回路21の平面回路の底部215と接続した状態である。また、下方の回路80と第一の回路21との間には板厚方向及び平面方向に接続面がなく、第一の回路21と同じ圧延板から一体の導電体で形成される。
As shown in FIG. 17(B), the reinforcing structure 29 is arranged in the same plane as the first circuit 21 and separated from the first circuit 21 in the plane direction by an insulating resin 30. Further, as shown in FIG. 17(A), an insulating resin 31 and an insulating resin 35 of the base material 5D are arranged on the front and back surfaces of the reinforcing structure 29 so as not to be connected to other circuits.
Note that, as shown in FIG. 22, by arranging and exposing the reinforcing structure 29 on the end surface of the substrate 1D so as to surround the peripheral portion of the substrate 1D, the heat dissipation effect can be further improved.
<Base material>
The base material 5D has a lower circuit 80 and an insulating resin 35, and supports the first circuit 21 and the second circuit 22.
The lower circuit 80 is connected to the bottom 215 of the planar circuit of the first circuit 21 . Further, there is no connection surface between the lower circuit 80 and the first circuit 21 in the plate thickness direction and the plane direction, and the circuit 80 and the first circuit 21 are formed of an integral conductor from the same rolled plate as the first circuit 21.

(基板の製造方法について)
図19を参照し、第1の実施態様の基板1Dの製造方法について説明する。
まず、図19(A)に示すように、板状の圧延された導電体65の裏面側に下方の回路80となる部分に下方のエッチングレジスト81が設けられる。この工程を第二十二工程とする。
(About the manufacturing method of the board)
A method for manufacturing the substrate 1D according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 19.
First, as shown in FIG. 19A, a lower etching resist 81 is provided on the back side of the plate-shaped rolled conductor 65 in a portion that will become the lower circuit 80. As shown in FIG. This step is referred to as the twenty-second step.

次に、導電体65がハーフエッチングされ、空間810と下方の回路80が形成される。この工程を二十三工程とする。 Next, conductor 65 is half-etched to form space 810 and underlying circuit 80. This process is called the 23rd process.

空間810に絶縁樹脂35が充填され、下方のエッチングレジスト81が除去される。その結果、下方の回路80と絶縁樹脂35とを備えた基材5Dが完成する。この工程を第二十四工程とする。
基材5Dは、第1の実施態様における基材5に相当し、導電体65の上面側は、第1の実施態様における導電体60に相当する。
The space 810 is filled with the insulating resin 35, and the etching resist 81 below is removed. As a result, the base material 5D including the lower circuit 80 and the insulating resin 35 is completed. This step is designated as the twenty-fourth step.
The base material 5D corresponds to the base material 5 in the first embodiment, and the upper surface side of the conductor 65 corresponds to the conductor 60 in the first embodiment.

次に、第一の実施態様の第一工程から第六工程を行うことにより、図21(C)図に示す、回路層4が形成される。
なお、図20(A)に示す工程において、第一工程と共に、補強構造体29となる部分に第一のエッチングレジスト40を設ける。この工程を第二十五工程とする。
Next, by performing the first to sixth steps of the first embodiment, the circuit layer 4 shown in FIG. 21(C) is formed.
In addition, in the step shown in FIG. 20(A), a first etching resist 40 is provided in a portion that will become the reinforcing structure 29 together with the first step. This step is designated as the twenty-fifth step.

次に、図20(B)に示す工程において、第二工程のエッチング処理がされることにより、回路中間体20と補強構造中間体28とが形成される。この工程を第二十六工程とする。 Next, in the step shown in FIG. 20(B), a second step of etching treatment is performed to form the circuit intermediate body 20 and the reinforcing structure intermediate body 28. This step is designated as the twenty-sixth step.

そして、図20(C)に示す工程において、第三工程が行われることで、第三の工程の後の状態になるとともに、補強構造中間体28の表面が露出した状態かつ補強構造中間体28の側面と基材5の表面とが絶縁樹脂30で覆われた状態となる。この工程を第二十七工程とする。 Then, in the step shown in FIG. 20(C), by performing the third step, the state after the third step is reached, and the surface of the reinforcing structure intermediate body 28 is exposed, and the reinforcing structure intermediate body 28 is in a state after the third step. The side surfaces of the base material 5 and the surface of the base material 5 are now covered with the insulating resin 30. This step is designated as the twenty-seventh step.

次に図21(A)に示す工程において、第四工程が行われる。このとき、第二のエッチングレジスト50は、補強構造中間体28の表面を覆うことなく配置される。この工程を第二十八工程とする。 Next, a fourth step is performed in the step shown in FIG. 21(A). At this time, the second etching resist 50 is placed without covering the surface of the reinforcing structure intermediate body 28. This step is designated as the twenty-eighth step.

次に図21(B)に示す工程において、第五工程が行われることで、第五の工程の後の状態になるとともに、補強構造中間体28の上部が除去され、空間501が設けられることにより、補強構造体29が形成される。この工程を第二十九工程とする。 Next, in the step shown in FIG. 21(B), by performing the fifth step, the state after the fifth step is achieved, and the upper part of the reinforcing structure intermediate body 28 is removed and a space 501 is provided. As a result, a reinforcing structure 29 is formed. This step is designated as the 29th step.

次に図21(C)に示す工程において、第六工程が行われることで、第六の工程の後の状態になるとともに、補強構造体29の上部の空間501に絶縁樹脂31が充填され、補強構造体29が埋められた状態になる。この工程を第三十工程とする。 Next, in the step shown in FIG. 21(C), the sixth step is performed, so that the state after the sixth step is reached, and the space 501 above the reinforcing structure 29 is filled with the insulating resin 31, The reinforcing structure 29 is in a buried state. This step is designated as the 30th step.

以上の工程により、補強構造体29を含む回路層4が形成される。 Through the above steps, the circuit layer 4 including the reinforcing structure 29 is formed.

回路層4の後に、例えば、メッキ処理による電解導電体が、第二の回路(層間回路)の天部221と絶縁樹脂31の表面とに渡って全体に設けられる工程を行い、電解導電体を使用して、必要な回路が形成されてもよい。具体的には、図21(C)図に示すように、本実施態様の第二十五工程~第三十工程で製造された回路層4と基材5Dを含んだ状態を基材5D´とする。このとき、第一の回路21は、圧延板からなる圧延板の第一の回路に該当し、第二の回路22は、圧延板からなる圧延板の第二の回路に該当する。
基材5D´の表面に新たに導電体60を設け、第3の実施態様の第十四工程~第十九工程を行うことで、図17(A)に示す基板1Dを製造することができる。なお、この場合、圧延板の第二の回路と接続する第一の回路21Cが第一の回路に相当する。また、第二の回路22Cが第二の回路に相当する。
After the circuit layer 4, for example, a step is performed in which an electrolytic conductor is provided by plating over the entire top part 221 of the second circuit (interlayer circuit) and the surface of the insulating resin 31, and the electrolytic conductor is formed. may be used to form the necessary circuits. Specifically, as shown in FIG. 21(C), the state including the circuit layer 4 and the base material 5D manufactured in the twenty-fifth to thirty-fourth steps of this embodiment is referred to as the base material 5D'. shall be. At this time, the first circuit 21 corresponds to a first circuit of a rolled plate made of a rolled plate, and the second circuit 22 corresponds to a second circuit of a rolled plate made of a rolled plate.
By newly providing a conductor 60 on the surface of the base material 5D' and performing the fourteenth to nineteenth steps of the third embodiment, the substrate 1D shown in FIG. 17(A) can be manufactured. . In this case, the first circuit 21C connected to the second circuit of the rolled plate corresponds to the first circuit. Further, the second circuit 22C corresponds to a second circuit.

また、第一の回路21Cを形成する際に、補強構造体29の上部を覆うように絶縁樹脂31を介在した状態で、第一の回路21C1を配置するようにしてもよく、第二の回路22Cを形成する際に、補強構造体29の上部を覆うように絶縁樹脂31を介在した状態で、第一の回路21C1と連結する第二の回路22C1を配置するようにしてもよい。
なお、第一の回路21C1は、第一の回路21Cとの連結の有無は問わない。また、第二の回路22C1は、第二の回路22Cとの連結の有無は問わない。
しかしながら、特に、第一の回路21Cと第二の回路22C1が重ね合わされた部分に、絶縁樹脂31を介在した状態で補強構造体29を配置できる。これにより、層間回路を従来のスルーホールを適用した場合に比べて、補強構造体29に板厚方向の貫通孔を設ける事がないことから、回路設計の自由度が増加する。さらに、導電体の体積を多く維持できることから放熱効果を増加させる効果もある。
Further, when forming the first circuit 21C, the first circuit 21C1 may be arranged with the insulating resin 31 interposed so as to cover the upper part of the reinforcing structure 29, and the second circuit 21C When forming the reinforcing structure 22C, the second circuit 22C1 may be arranged to be connected to the first circuit 21C1 with the insulating resin 31 interposed so as to cover the upper part of the reinforcing structure 29.
Note that the first circuit 21C1 may or may not be connected to the first circuit 21C. Further, the second circuit 22C1 may or may not be connected to the second circuit 22C.
However, in particular, the reinforcing structure 29 can be arranged with the insulating resin 31 interposed in the portion where the first circuit 21C and the second circuit 22C1 are overlapped. This increases the degree of freedom in circuit design since there is no need to provide through holes in the plate thickness direction in the reinforcing structure 29 compared to when conventional through holes are used for interlayer circuits. Furthermore, since a large volume of the conductor can be maintained, there is also the effect of increasing the heat dissipation effect.

なお、図22に示すように、補強構造体29を基板1Dの端面に配置し露出させることで、より放熱効果を向上させることができるが、さらに、第一の回路21C1及び第二の回路22Cを作成する際に、同一平面上に補強構造体29と連結する連結構造体2921と連結構造体2922を設けてもよい。連結構造体2921と連結構造体2922は、導電体からなり、補強構造体29と同じ目的で配置される。連結構造体2921と連結構造体2922を備えることにより、補強構造体29と連結していることから放熱効果が特に向上する。
なお、連結構造体2921と連結構造体2922は、基板1Dの内部に配置されてもよく、図22に示すように、補強構造体29と共に、基板1Dの端面に配置される場合は、特に放熱効果を向上させることができる。なお、補強構造体29を基板1Dの内部に配置し、連結構造体2921と連結構造体2922を基板1Dの端面に配置してもよい。
連結構造体2921と連結構造体2922は、第一の回路21C1及び第二の回路22Cを作成するためのエッチングレジストを設ける際に、連結構造体2921と連結構造体2922となる部分にエッチングレジストを設けることで作成が可能である。
また、第二十八工程において、エッチングレジスト50で、補強構造中間体28の表面を覆い、第二十九工程を行うことで、空間501を作成することなく補強構造体29を作成できる。言い換えると、絶縁樹脂31を介在することのない補強構造体29を作成でき、絶縁樹脂31を介在することのない補強構造体29と連結構造体2921と連結構造体2922を連結させることができる。
Note that, as shown in FIG. 22, by arranging and exposing the reinforcing structure 29 on the end surface of the substrate 1D, the heat dissipation effect can be further improved. When creating this, a connecting structure 2921 and a connecting structure 2922 connected to the reinforcing structure 29 may be provided on the same plane. The connecting structure 2921 and the connecting structure 2922 are made of a conductive material and are arranged for the same purpose as the reinforcing structure 29. By providing the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922, the heat dissipation effect is particularly improved since the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922 are connected to the reinforcing structure 29.
Note that the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922 may be arranged inside the substrate 1D, and as shown in FIG. The effect can be improved. Note that the reinforcing structure 29 may be placed inside the substrate 1D, and the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922 may be placed on the end surface of the substrate 1D.
When providing the etching resist for creating the first circuit 21C1 and the second circuit 22C, the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922 are formed by applying etching resist to the portions that will become the connecting structure 2921 and the connecting structure 2922. It can be created by providing
Further, in the twenty-eighth step, the surface of the reinforcing structure intermediate body 28 is covered with the etching resist 50, and the twenty-ninth step is performed, so that the reinforcing structure 29 can be created without creating the space 501. In other words, the reinforcing structure 29 can be created without interposing the insulating resin 31, and the reinforcing structure 29, the connecting structure 2921, and the connecting structure 2922 can be connected without interposing the insulating resin 31.

本実施の形態としては、基材5Dに対し、第1の実施態様の第一工程を含む第二十五工程から第六工程を含む第三十工程までの工程を行い、次に第3の実施態様の第二十五工程から第三十工程を行う場合を例示したが、第3の実施態様に替えて第2の実施態様の第十四工程から第十九工程を行ってもよい。また、第3の実施態様又は/及び第2の実施態様を複数回行い、多層の基板1Dとしてもよい。 In this embodiment, the steps from the 25th step including the first step to the 30th step including the 6th step of the first embodiment are performed on the base material 5D, and then the third step is performed on the base material 5D. Although the case where the 25th to 30th steps of the embodiment are performed is illustrated, the 14th to 19th steps of the second embodiment may be performed instead of the third embodiment. Further, the third embodiment and/or the second embodiment may be performed multiple times to form a multilayer substrate 1D.

本発明は、第1の実施態様から第3の実施態様を繰り返して積層することで多層の基板とすることができ、基材に対して同じ実施態様を繰り返す場合、第1の実施態様から第3の実施態様を複数種類組み合わせて複数回繰り返す場合のどちらであってもよい。
具体的には、第1の実施態様の後の状態を基材とし、その基材の表面にメッキ処理にて第一の導電体を設ける工程を行い、第2の実施態様または/及び第3の実施態様を行う場合が例示できる。
The present invention can be made into a multilayer substrate by repeating and laminating the first to third embodiments, and when repeating the same embodiment to a base material, the first to third embodiments It is possible to combine multiple types of embodiments 3 and repeat them multiple times.
Specifically, the state after the first embodiment is used as a base material, a step of providing a first conductor on the surface of the base material by plating treatment is performed, and the second embodiment or/and the third embodiment are An example of this is the case where the above embodiment is implemented.

本発明では、第一の回路として平面回路、第二の回路として層間回路の場合を例示したが、第一の回路が層間回路であってもよい。言い換えると、第一の回路の層間回路と第二の回路の層間回路とが隣接して重ね合わされた場合でも適用可能である。 In the present invention, the first circuit is a planar circuit and the second circuit is an interlayer circuit, but the first circuit may be an interlayer circuit. In other words, it is applicable even when the interlayer circuit of the first circuit and the interlayer circuit of the second circuit are overlapped adjacently.

本発明における導電体は、圧延された板状の圧延導電体と、メッキ処理による電解導電体が含まれる。
圧延導電体は、原料となる導電体の鋳塊が、回転している二本のロールの間に挿入され、鋳塊が押しつぶされながら引き延ばされ、目的の厚みまで薄くして製造された導電体である。具体的には、圧延銅板又は圧延アルミニウム板が該当する。なお、本発明では、圧延板に限定されず、圧延された銅の塊、圧延されたアルミニウムの塊を用いることも可能である。
The conductor in the present invention includes a rolled plate-shaped conductor and an electrolytic conductor formed by plating.
Rolled conductors are manufactured by inserting a conductor ingot, which is the raw material, between two rotating rolls, and stretching the ingot while crushing it to thin it to the desired thickness. It is a conductor. Specifically, a rolled copper plate or a rolled aluminum plate is applicable. Note that the present invention is not limited to rolled plates, and it is also possible to use rolled copper ingots and rolled aluminum ingots.

電解導電体とは、メッキ処理にて作成された導電体であれば、特に限定されないが、具体的には、銅メッキ処理が例示できる。 The electrolytic conductor is not particularly limited as long as it is a conductor created by plating, but a specific example is copper plating.

圧延された導電体は、圧延の方向(板状の導電体を使用した場合、基板の平面(X-Y軸)方向)に延びた層状の金属組織となる。また、基板の作成の過程における熱処理により、等軸に近い結晶粒となる特徴がみられる。
一方、メッキ処理にて形成された電解導電体は、厚さ方向(Z軸方向)に柱状の金属組織である特徴を有する。
圧延導電体と電解導電体では、これらの特徴の違いを有する。よって、同じ物質であっても、これらの特徴の違いから、圧延導電体の方が電解導電体よりも基板の剛性を向上させる効果を有する。
よって、本発明の第4の実施態様の補強構造体29は、圧延導電体が好ましく適用される。
The rolled conductor has a layered metal structure extending in the rolling direction (in the case of using a plate-shaped conductor, the direction of the plane of the substrate (XY axis)). Furthermore, due to the heat treatment during the process of creating the substrate, the crystal grains are characterized by nearly equiaxed crystal grains.
On the other hand, an electrolytic conductor formed by plating has a feature of having a columnar metal structure in the thickness direction (Z-axis direction).
Rolled conductors and electrolytic conductors have these differences in characteristics. Therefore, even though they are made of the same material, rolled conductors are more effective in improving the rigidity of the substrate than electrolytic conductors because of these differences in characteristics.
Therefore, a rolled conductor is preferably applied to the reinforcing structure 29 of the fourth embodiment of the present invention.

本発明の基板1Aから1Dに電子部品が実装されることで、基板1Aから1Dを備えた電子機器とすることができる。
さらに、本発明の基板1Dであれば、圧延板からなる補強構造体が第一の回路21と同一の平面に設けられることにより、基板の剛性を向上させた電子機器とすることができる。
本発明の基板の回路である導電体は、圧延された導電体及び/又はメッキ処理にて作成された導電体とからなる。導電体は、絶縁体よりも電気を流すことができる物質であれば特に限定されない。
By mounting electronic components on the substrates 1A to 1D of the present invention, an electronic device including the substrates 1A to 1D can be obtained.
Furthermore, with the substrate 1D of the present invention, the reinforcing structure made of a rolled plate is provided on the same plane as the first circuit 21, thereby making it possible to provide an electronic device with improved rigidity of the substrate.
The conductor that is the circuit of the substrate of the present invention is made of a rolled conductor and/or a conductor created by plating. The conductor is not particularly limited as long as it is a substance that can conduct electricity better than an insulator.

電解導電体とは、メッキ処理にて作成された導電体であれば、特に限定されないが、具体的には、銅メッキ処理が例示できる。 The electrolytic conductor is not particularly limited as long as it is a conductor created by plating, but a specific example is copper plating.

なお、本明細書では、絶縁樹脂30、30B及び30Cが、第一の絶縁樹脂に該当し、絶縁樹脂31、31B及び31Cが第二の絶縁樹脂に該当し、絶縁樹脂30´が第三の絶縁樹脂に該当し、絶縁樹脂35が第四の絶縁樹脂に該当する。 In this specification, the insulating resins 30, 30B, and 30C correspond to the first insulating resin, the insulating resins 31, 31B, and 31C correspond to the second insulating resin, and the insulating resin 30' corresponds to the third insulating resin. This corresponds to an insulating resin, and the insulating resin 35 corresponds to a fourth insulating resin.

本発明の電子機器は、本発明の基板を備える電子機器であり、その用途は特に限定されないが、例えば、宇宙産業用の電子機器、自動車、航空機、無人航空機、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピューター、LEDモジュール、パワー半導体モジュールなどが挙げられる。この電子機器によれば、回路幅が制御された基板であることから、接続不良の起こりにくい電子機器とすることができる。。 The electronic device of the present invention is an electronic device equipped with the substrate of the present invention, and its uses are not particularly limited, but include, for example, electronic devices for the space industry, automobiles, aircraft, unmanned aerial vehicles, mobile phones, smartphones, personal computers, Examples include LED modules and power semiconductor modules. According to this electronic device, since the circuit width is controlled on the board, it is possible to make the electronic device less prone to connection failures. .

1A,1B,1C,1Dは基板、2,2B,2C,2Dは回路体、3,3B,3Cは絶縁体、4,4B,4Cは回路層、5,5Dは基材、7は保護被膜、20は回路中間体、21,21C,21C1は第一の回路、21´は第三の回路、22,22C,22C1は第二の回路、22´は第四の回路、23,23A,23C,23C1は接続面、25は中央部、28は補強構造中間体、29は補強構造体、30,30B,30Cは絶縁樹脂、31,31B,31Cは絶縁樹脂、32は接続面、35は絶縁樹脂、40は第一のエッチングレジスト、50は第二のエッチングレジスト、60は導電体、60Aは接続面、61は導電体、62は第二の導電体、65は導電体、71は入り込み部、80は下方の回路、81は下方のエッチングレジスト、201は端部、202は端部、203は側面、211,211Cは天部、212は天突部、213は中央部、214,214Cは側面、215,215Cは底部、216は天角部、217は端部、221,221Cは天部、222,222Cは底部、223,223Cは側面、225は仮想線、301は接続面、301Aは接続面、301Cは接続面、301C1は接続面、305は横突部、401は空間、402は空間、501は空間、810は空間、910は基板、921は平面回路、924は端部、925は底部、926は底部、927は端部、930は絶縁樹脂。

1A, 1B, 1C, 1D are substrates, 2, 2B, 2C, 2D are circuit bodies, 3, 3B, 3C are insulators, 4, 4B, 4C are circuit layers, 5, 5D are base materials, 7 is a protective coating , 20 is a circuit intermediate, 21, 21C, 21C1 is a first circuit, 21' is a third circuit, 22, 22C, 22C1 is a second circuit, 22' is a fourth circuit, 23, 23A, 23C , 23C1 is a connecting surface, 25 is a central portion, 28 is a reinforcing structure intermediate body, 29 is a reinforcing structure, 30, 30B, 30C are insulating resins, 31, 31B, 31C are insulating resins, 32 is a connecting surface, 35 is insulating Resin, 40 is a first etching resist, 50 is a second etching resist, 60 is a conductor, 60A is a connection surface, 61 is a conductor, 62 is a second conductor, 65 is a conductor, 71 is an intrusion part , 80 is the lower circuit, 81 is the lower etching resist, 201 is the end, 202 is the end, 203 is the side, 211, 211C is the top, 212 is the ceiling, 213 is the center, 214, 214C is the top. 215, 215C are the bottom, 216 is the top, 217 is the end, 221, 221C is the top, 222, 222C is the bottom, 223, 223C is the side, 225 is the virtual line, 301 is the connection surface, 301A is the side. Connection surface, 301C is a connection surface, 301C1 is a connection surface, 305 is a horizontal projection, 401 is a space, 402 is a space, 501 is a space, 810 is a space, 910 is a substrate, 921 is a planar circuit, 924 is an end, 925 926 is the bottom, 927 is the end, and 930 is the insulating resin.

Claims (20)

第一の導電体の表面を覆う第一のエッチングレジストが、回路中間体となる部分に設けられる第一工程と、
前記第一の導電体がエッチングされて、回路中間体が設けられる第二工程と、
エッチング後に設けられた空間に第一の絶縁樹脂が充填される第三工程と、
第二のエッチングレジストが回路中間体の表面に設けられる第四工程と、
回路中間体の側面が、前記第一の絶縁樹脂で保護された状態においてハーフエッチングされて、第一の回路と第二の回路とが設けられる第五工程と、
を有することを特徴とする、基板の製造方法。
A first step in which a first etching resist covering the surface of the first conductor is provided in a portion that will become a circuit intermediate;
a second step in which the first conductor is etched to provide a circuit intermediate;
a third step in which the space provided after etching is filled with a first insulating resin;
a fourth step in which a second etching resist is provided on the surface of the circuit intermediate;
a fifth step in which a side surface of the circuit intermediate is half-etched while being protected by the first insulating resin to provide a first circuit and a second circuit;
A method for manufacturing a substrate, comprising:
前記第四工程の前記第二のエッチングレジストは、回路中間体の上面と第一の絶縁樹脂の上面とに渡って設けられることを特徴とする、請求項1に記載の基板の製造方法。 2. The method of manufacturing a substrate according to claim 1, wherein the second etching resist in the fourth step is provided over an upper surface of the circuit intermediate body and an upper surface of the first insulating resin. 第一の導電体の表面を覆う第一のエッチングレジストが、第一の回路となる部分に設けられる第七工程と、
前記第一の導電体がエッチングされて、第一の回路が設けられる第八工程と、
エッチング後に設けられた空間に第一の絶縁樹脂が充填される第九工程と、
第二の導電体が、前記第一の回路の表面及び前記第一の絶縁樹脂の表面に渡って設けられる第十工程と、
第二のエッチングレジストが、前記第二の導電体の表面に設けられる第十一工程と、
前記第一の導電体の側面が、前記第一の絶縁樹脂で保護された状態においてエッチングされて、前記第一の回路と連結した第二の回路が設けられる第十二工程と、
を有することを特徴とする、基板の製造方法。
a seventh step in which a first etching resist covering the surface of the first conductor is provided in a portion that will become a first circuit;
an eighth step in which the first conductor is etched to provide a first circuit;
a ninth step in which the space provided after etching is filled with a first insulating resin;
a tenth step in which a second conductor is provided across the surface of the first circuit and the surface of the first insulating resin;
an eleventh step in which a second etching resist is provided on the surface of the second conductor;
a twelfth step in which a side surface of the first conductor is etched while being protected by the first insulating resin to provide a second circuit connected to the first circuit;
A method for manufacturing a substrate, comprising:
前記第十一工程の前記第二のエッチングレジストは、前記第二の導電体を介在した状態で、前記第一の回路の上面と第一の絶縁樹脂の上面とに渡って設けられることを特徴とする、請求項3に記載の基板の製造方法。 The second etching resist in the eleventh step is provided over the top surface of the first circuit and the top surface of the first insulating resin, with the second conductor interposed therebetween. The method for manufacturing a substrate according to claim 3. 第一の導電体の表面を覆う第一のエッチングレジストが、第一の回路となる部分に設けられる第七工程と、
前記第一の導電体がエッチングされて、第一の回路が設けられる第八工程と、
エッチング後に設けられた空間に第一の絶縁樹脂を充填する第十四工程と、
前記第一の回路の表面に保護被膜が設けられる第十五工程と、
前記第一の回路の表面、前記第一の絶縁樹脂の表面及び前記保護被膜の表面に渡って第二の導電体が設けられる第十六工程と、
前記第二の導電体の表面に第二のエッチングレジストが設けられる第十七工程と、
前記第一の導電体の側面及び表面が、前記第一の絶縁樹脂及び前記保護被膜で保護された状態においてエッチングされて、前記第一の回路と連結した第二の回路が設けられる第十八工程と、
を有することを特徴とする、基板の製造方法。
a seventh step in which a first etching resist covering the surface of the first conductor is provided in a portion that will become a first circuit;
an eighth step in which the first conductor is etched to provide a first circuit;
a fourteenth step of filling the space provided after etching with a first insulating resin;
a fifteenth step of providing a protective coating on the surface of the first circuit;
a sixteenth step in which a second conductor is provided across the surface of the first circuit, the surface of the first insulating resin, and the surface of the protective coating;
a seventeenth step in which a second etching resist is provided on the surface of the second conductor;
18. A second circuit connected to the first circuit is provided by etching the side surface and surface of the first conductor while being protected by the first insulating resin and the protective coating. process and
A method for manufacturing a substrate, comprising:
前記第十七工程の前記第二のエッチングレジストは、前記第二の導電体を介在した状態で、前記保護被膜の上面と前記第一の絶縁樹脂の上面とに渡って設けられたことを特徴とする、請求項5に記載の基板の製造方法。 The second etching resist in the seventeenth step is provided over the top surface of the protective coating and the top surface of the first insulating resin, with the second conductor interposed therebetween. The method for manufacturing a substrate according to claim 5. 前記第一の導電体は、圧延導電体であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板の製造方法。 3. The method of manufacturing a substrate according to claim 1, wherein the first conductor is a rolled conductor. 請求項7に記載の製造方法の後の状態を基材とし、当該基材の表面にメッキ処理にて電解導電体を設ける工程と、請求項3~6に記載のいずれか一項の製造方法の工程を備えることを特徴とする、基板の製造方法。 A step of using the state after the manufacturing method according to claim 7 as a base material, and providing an electrolytic conductor on the surface of the base material by plating treatment, and the manufacturing method according to any one of claims 3 to 6. A method for manufacturing a substrate, comprising the steps of: 前記第一の回路は、基板の平面方向に延びる平面回路であり、前記第二の回路は基板の板厚方向に延びる層間回路であることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板の製造方法。 Any one of claims 1 to 8, wherein the first circuit is a planar circuit extending in the planar direction of the substrate, and the second circuit is an interlayer circuit extending in the thickness direction of the substrate. The method for manufacturing the substrate described in section. 前記第一の回路及び前記第二の回路は、基板の板厚方向に延びる層間回路であることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板の製造方法。 10. The method of manufacturing a substrate according to claim 1, wherein the first circuit and the second circuit are interlayer circuits extending in the thickness direction of the substrate. 第一の回路と、第二の回路と、絶縁体とを有する基板であって、
前記第一の回路と前記第二の回路とが隣接して重ね合わされた部分の断面において、
前記基板の板厚方向の中央側である第一の回路の底部の幅は、前記基板の板厚方向の表面側である第一の回路の天部の幅よりも大きく、
前記第一の回路と前記第二の回路は、前記第一の回路の天部と前記第二の回路の底部との間に導電体どうしの接続面を有し、
前記導電体どうしの接続面は、平面方向に延びる導電体の接続面が存在しかつ板厚方向に延びる導電体の接続面がない状態で配置されることを特徴とする、基板。
A substrate having a first circuit, a second circuit, and an insulator,
In a cross section of a portion where the first circuit and the second circuit are overlapped adjacently,
The width of the bottom of the first circuit on the center side of the board in the thickness direction is larger than the width of the top of the first circuit on the front side of the board in the thickness direction,
The first circuit and the second circuit have a connection surface between conductors between the top of the first circuit and the bottom of the second circuit,
A board, characterized in that the connection surfaces between the conductors are arranged in such a manner that there is a connection surface of the conductors extending in the plane direction and there is no connection surface of the conductors extending in the thickness direction.
前記絶縁体は、前記第一の回路の側面と接触する第一の回路の絶縁樹脂と、前記第二の回路の側面と接触する第二の回路の絶縁樹脂との間に絶縁樹脂どうしの接続面を有し、
前記絶縁樹脂どうしの接続面は、平面方向に延びる絶縁樹脂の接続面が存在し、
前記導電体どうしの接続面と前記絶縁樹脂どうしの接続面とが段差のない同一平面であることを特徴とする、請求項11に記載の基板。
The insulator is configured to form an insulating resin connection between an insulating resin of a first circuit that contacts a side surface of the first circuit and an insulating resin of a second circuit that contacts a side surface of the second circuit. has a surface,
The connection surface between the insulating resins includes a connection surface of the insulating resin extending in a plane direction,
12. The board according to claim 11, wherein the connection surface between the conductors and the connection surface between the insulating resins are on the same plane with no step.
前記第一の回路の表面には、保護被膜が設けられ、前記保護被膜は、前記第二の回路よりも高さが低いことを特徴とする、請求項11又は12に記載の基板。 13. The substrate according to claim 11, wherein a protective coating is provided on the surface of the first circuit, and the protective coating has a lower height than the second circuit. 前記第一の回路とは異なる第三の回路を有し、
前記第三の回路と前記第二の回路とが隣接して重ね合わされた部分の断面において、
前記第二の回路と前記第三の回路は、前記第二の回路の天部と前記第三の回路の底部との間に他の導電体どうしの接続面を有し、
前記他の導電体どうしの接続面は、平面方向に延びる導電体の接続面が存在しかつ板厚方向に延びる導電体の接続面がない状態で配置されることを特徴とする、請求項11~13のいずれか一項に記載の基板。
having a third circuit different from the first circuit,
In a cross section of a portion where the third circuit and the second circuit are overlapped adjacently,
The second circuit and the third circuit have a connection surface between other conductors between the top of the second circuit and the bottom of the third circuit,
11. The connection surfaces between the other conductors are arranged such that there is a connection surface of the conductors extending in the planar direction and there is no connection surface of the conductors extending in the thickness direction. 14. The substrate according to any one of items 1 to 13.
前記絶縁体は、前記第二の回路の側面と接触する第二の絶縁樹脂と、前記第三の回路の側面と接触する第三の絶縁樹脂との間に第二の絶縁樹脂どうしの接続面を有し、
前記第二の絶縁樹脂どうしの接続面は、平面方向に延びる絶縁樹脂の接続面が存在し、
前記他の導電体どうしの接続面と前記第二の絶縁樹脂の接続面とが段差のない同一平面であることを特徴とする、請求項14に記載の基板。
The insulator is arranged between a second insulating resin that contacts a side surface of the second circuit and a third insulating resin that contacts a side surface of the third circuit, and a connection surface between the second insulating resins. has
The connection surface between the second insulating resins includes a connection surface of the insulating resin extending in the plane direction,
15. The board according to claim 14, wherein the connection surface between the other conductors and the connection surface of the second insulating resin are on the same plane with no step.
前記基板の板厚方向の中央側である第二の回路の底部の幅は、前記基板の板厚方向の表面側である第二の回路の天部の幅よりも大きいことを特徴とする、請求項11~15のいずれか一項に記載の基板。 The width of the bottom of the second circuit on the center side of the board in the thickness direction is larger than the width of the top of the second circuit on the front side of the board in the thickness direction. The substrate according to any one of claims 11 to 15. 前記基板の板厚方向の中央側である前記第三の回路の底部の幅は、前記基板の板厚方向の表面側である前記第三の回路の天部の幅よりも大きいことを特徴とする、請求項14又は15に記載の基板。 The width of the bottom of the third circuit on the center side of the board in the thickness direction is larger than the width of the top of the third circuit on the front side of the board in the thickness direction. The substrate according to claim 14 or 15. 圧延板からなる圧延板の第一の回路と、圧延板からなる圧延板の第二の回路とをさらに備え、
前記圧延板の第一の回路と前記圧延板の第二の回路は、接続面のない一体の導電体であることを特徴とする、請求項11~17のいずれか一項に記載の基板。
further comprising a first circuit of rolled plates made of a rolled plate and a second circuit of rolled plates made of a rolled plate,
The substrate according to any one of claims 11 to 17, characterized in that the first circuit of the rolled plate and the second circuit of the rolled plate are an integral conductor without a connecting surface.
前記圧延板の第一の回路と同一平面内に補強構造体を有し、前記圧延板の第一の回路と前記補強構造体は、同一の圧延板から形成されたことを特徴とする請求項18に記載の基板。 A reinforcing structure is provided in the same plane as the first circuit of the rolled plate, and the first circuit of the rolled plate and the reinforcing structure are formed from the same rolled plate. 19. The substrate according to 18. 前記補強構造体は、第二の絶縁樹脂を介在した状態で、前記第一の回路と前記第二の回路が連結した部分又は前記第二の回路と第三の回路とが連結した部分に覆われるように配置されたことを特徴とする、請求項19に記載の基板。

The reinforcing structure covers a portion where the first circuit and the second circuit are connected or a portion where the second circuit and the third circuit are connected with a second insulating resin interposed therebetween. 20. The substrate according to claim 19, wherein the substrate is arranged such that the substrate is

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