JP2023124127A

JP2023124127A - Electromagnetic wave absorber and sensing system

Info

Publication number: JP2023124127A
Application number: JP2022027726A
Authority: JP
Inventors: 碩芳西山; Hiroyoshi NISHIYAMA; 亮正田; Akira Shoda; 美穂今井; Miho Imai
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2022-02-25
Filing date: 2022-02-25
Publication date: 2023-09-06

Abstract

To provide an electromagnetic wave absorber and a sensing system capable of sensing properly without having to introduce a program that requires complicated programming in the sensing system.SOLUTION: An interference type electromagnetic wave absorber 100 includes a resistive layer 10, a dielectric layer 20, and a reflective layer 30 in this order and absorbs electromagnetic waves of a specific frequency band. When the surface resistance value of the resistive layer is denoted as R0 (Ω/sq) when the electromagnetic wave absorbing amount is maximum in the specific frequency band, and when the surface resistance value of the resistive layer is denoted as R1 (Ω/sq), the divergence rate defined by the following equation (1) is 30% or more. Divergence rate (%)=|{(R1/R0)-1}×100| ...(1)SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、電磁波吸収体及びセンシングシステムに関する。 The present disclosure relates to electromagnetic wave absorbers and sensing systems.

近年、無線ＬＡＮ（Local AreaNetwork）等、無線通信による情報伝送技術がオフィス、工場、倉庫等において利用されている。このようなオフィス等においては、外部、複数の通信装置間、又は通信装置と壁や床などの建物の一部との間の相互作用により電波妨害、干渉などの電波障害が発生する。こうした電波障害を防止するために、オフィス等においては、壁、天井又は床に電磁波吸収体が配設されることがある。 In recent years, information transmission technology using wireless communication such as wireless LAN (Local Area Network) has been used in offices, factories, warehouses, and the like. In such offices and the like, radio disturbances such as jamming and interference occur due to interactions with the outside, between a plurality of communication devices, or between communication devices and parts of the building such as walls and floors. In order to prevent such radio wave interference, electromagnetic wave absorbers are sometimes installed on walls, ceilings, or floors in offices and the like.

電磁波吸収体は、干渉型と透過型に大別される。干渉型の電磁波吸収体は、入射する電磁波と反射する電磁波とを干渉により弱め合せて電磁波を低減するものである。透過型の電磁波吸収体は、電磁波吸収能を有する磁性体や誘電体を利用し、これらを含む層に電磁波を通過させることで電磁波を低減するものである。中でも、特定の周波数の電磁波を吸収する誘電体の材料設計が不要であり、誘電率に応じた厚さの調整で任意の周波数の電磁波を反射減衰させることができることから、干渉型の電磁波吸収体がよく用いられている。例えば下記特許文献１には、抵抗層、誘電体層及び反射層をこの順に備える干渉型の電磁波吸収体が開示されている。このような干渉型の電磁波吸収体は、抵抗層に用いる材料の表面抵抗値を最適化することで特定の周波数において、高い吸収量を確保している。 Electromagnetic wave absorbers are roughly classified into interference type and transmission type. An interference type electromagnetic wave absorber reduces electromagnetic waves by weakening the incident electromagnetic waves and the reflected electromagnetic waves by interference. A transmission-type electromagnetic wave absorber uses a magnetic material or a dielectric material having electromagnetic wave absorbing ability, and reduces electromagnetic waves by allowing electromagnetic waves to pass through a layer containing these materials. Above all, it is an interference-type electromagnetic wave absorber that does not require a dielectric material design that absorbs electromagnetic waves of a specific frequency, and can reflect and attenuate electromagnetic waves of any frequency by adjusting the thickness according to the dielectric constant. is often used. For example, Patent Literature 1 below discloses an interference type electromagnetic wave absorber having a resistive layer, a dielectric layer and a reflective layer in this order. Such an interference type electromagnetic wave absorber secures a high absorption amount at a specific frequency by optimizing the surface resistance value of the material used for the resistance layer.

特開平１０－１３０８２号公報JP-A-10-13082

ところで、近年、社会課題である少子高齢化の進行や新型コロナウイルス感染症の拡大により、レーダー技術を用いた一人暮らし高齢者の安心見守りシステム、非接触・非対面でのセンシング技術の需要が急激に高まっている。中でも、ミリ波帯域のレーダーを応用し、転倒検知、在／不在モニタリング、人の呼吸や心拍等のセンシング技術が今大きな注目を集めている。こうした用途での使用を想定したセンシングシステムは、レーダーから送信される特定の帯域（例えば６０－６６ＧＨｚ）を複数の周波数帯に分け、複数の周波数帯を使い分けることで位置情報などのセンシングを行っている。 By the way, in recent years, due to the progress of the declining birthrate and aging population, which are social issues, and the spread of new coronavirus infections, there has been a rapid increase in demand for a secure monitoring system for elderly people living alone using radar technology and non-contact and non-face-to-face sensing technology. rising. Among them, technologies that apply millimeter-wave band radar to detect falls, presence/absence monitoring, and sensing technologies such as human breathing and heartbeats are currently attracting a great deal of attention. Sensing systems intended for use in such applications divide a specific band (eg 60-66 GHz) transmitted from radar into multiple frequency bands, and use multiple frequency bands to perform sensing such as location information. there is

しかし、上記特許文献１に記載の電磁波吸収体は、以下に示す課題を有していた。
すなわち、上記特許文献１に記載の電磁波吸収体は、抵抗層に用いる材料の表面抵抗値を最適化することで特定の周波数において高い吸収量を確保しているが、その一方で、特定の周波数からずれるにつれて吸収量は減少していく。このため、レーダーから送信される複数の周波数帯の電磁波が電磁波吸収体に入射されると、壁等に設置された電磁波吸収体において特定の周波数の電磁波が大きく吸収され、その周波数以外の電磁波は十分に吸収されなくなる。その結果、例えばレーダーから送信される周波数帯を構成する複数の周波数帯の電磁波の強度が一定である場合、レーダーで受信される電磁波においては、特定の周波数以外の電磁波の強度は大きくなっても、特定の周波数の電磁波の強度はかなり小さくなる。このため、センシングシステムにおいて、特定の周波数の電磁波については、Ｓ／Ｎ比がかなり小さくなり、信号として認識しにくくなるため、センシングを適切に行うことが困難となる。ここで、センシングシステムにおいて、プログラムを導入することで、特定の周波数の電磁波の強度を補正することも考えられるが、そのようなプログラムは、複雑なプログラミングを必要とするため、プログラムの開発に多大な時間とコストがかかることになる。 However, the electromagnetic wave absorber described in Patent Document 1 has the following problems.
That is, the electromagnetic wave absorber described in Patent Document 1 secures a high absorption amount at a specific frequency by optimizing the surface resistance value of the material used for the resistance layer. The amount of absorption decreases as it deviates. For this reason, when electromagnetic waves of multiple frequency bands transmitted from a radar enter an electromagnetic wave absorber, electromagnetic waves of a specific frequency are largely absorbed by the electromagnetic wave absorber installed on walls, etc., and electromagnetic waves other than that frequency are absorbed. not adequately absorbed. As a result, for example, when the strength of electromagnetic waves in multiple frequency bands that make up the frequency band transmitted from radar is constant, in the electromagnetic waves received by radar, even if the strength of electromagnetic waves other than a specific frequency increases, , the intensity of electromagnetic waves at a particular frequency is considerably reduced. Therefore, in the sensing system, the S/N ratio of the electromagnetic wave of a specific frequency becomes considerably small, making it difficult to recognize it as a signal, making it difficult to perform sensing appropriately. Here, in the sensing system, it is conceivable to correct the intensity of the electromagnetic wave at a specific frequency by introducing a program. It will take time and cost.

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、センシングシステムにおいて複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入させることなく、センシングを適切に行わせることができる電磁波吸収体及びセンシングシステムを提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above problems, and provides an electromagnetic wave absorber and a sensing system that can appropriately perform sensing without introducing a program that requires complicated programming in the sensing system. for the purpose.

本発明者らは上記課題が生じる原因について検討した。その結果、上記課題が生じる原因が、センシングシステムのレーダーから送信される特定の周波数帯において、特定の周波数の電磁波が大きく吸収され、その特定の周波数からずれた周波数の電磁波の吸収量が小さいため、その特定の周波数帯における電磁波の最大吸収量と最小吸収量との差が大きくなることにあるのではないかと本発明者らは考えた。そこで、本発明者らは、センシングシステムのレーダーから送信される特定の周波数帯において、特定の周波数帯における電磁波の最大吸収量と最小吸収量との差を十分に小さくすることが上記課題を解決する上で重要であると考えた。そこで、本発明者らは、特定の周波数帯における電磁波の最大吸収量と最小吸収量との差を十分に小さくするべく鋭意検討を重ねた結果、電磁波吸収体の抵抗層の表面抵抗値を、電磁波吸収体において吸収量が最大となるときの抵抗層の表面抵抗値からあえてずらし、そのずれ量を乖離率で規定し、乖離率を特定の範囲にすることにより、上記課題を解決し得ることを見出した。具体的には、本発明者らは、以下の開示により上記課題を解決しうることを見出した。 The present inventors have investigated the cause of the above problems. As a result, the cause of the above problems is that in a specific frequency band transmitted from the radar of the sensing system, electromagnetic waves of a specific frequency are largely absorbed, and the amount of absorption of electromagnetic waves of frequencies deviating from the specific frequency is small. , the present inventors considered that the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount of electromagnetic waves in the specific frequency band becomes large. Therefore, the present inventors solved the above problem by sufficiently reducing the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount of electromagnetic waves in a specific frequency band transmitted from the radar of the sensing system. I thought it was important to do Therefore, the present inventors have made extensive studies to sufficiently reduce the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount of electromagnetic waves in a specific frequency band, and as a result, the surface resistance value of the resistance layer of the electromagnetic wave absorber is To solve the above problems by intentionally shifting the surface resistance value of the resistance layer when the absorption amount is maximum in the electromagnetic wave absorber, defining the shift amount by the deviation rate, and setting the deviation rate within a specific range. I found Specifically, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following disclosure.

すなわち、本開示は、抵抗層、誘電体層及び反射層をこの順に備え、特定の周波数帯の電磁波を吸収する干渉型の電磁波吸収体であって、前記周波数帯において前記電磁波の吸収量が最大となるときの前記抵抗層の表面抵抗値をＲ_０とし、前記抵抗層の表面抵抗値をＲ_１とした場合に、下記式（１）で定義される乖離率が３０％以上である、電磁波吸収体である。
乖離率（％）＝｜{（Ｒ_１／Ｒ_０）－１}×１００｜・・・（１） That is, the present disclosure is an interference-type electromagnetic wave absorber that includes a resistive layer, a dielectric layer, and a reflective layer in this order and absorbs electromagnetic waves in a specific frequency band, wherein the absorption amount of the electromagnetic waves is the maximum in the frequency band. When the surface resistance value of the resistance layer is R ₀ and the surface resistance value of the resistance layer is R ₁ , the divergence rate defined by the following formula (1) is 30% or more. Absorber.
Deviation rate (%)=|{(R ₁ /R ₀ )−1}×100| (1)

この電磁波吸収体によれば、電磁波吸収体で吸収される周波数帯の電磁波を送信しかつ受信し、受信される電磁波を処理することが可能な電磁波送受信装置を備えるセンシングシステムにおいて、電磁波送受信装置から送信される特定の周波数帯の電磁波が抵抗層側から入射されると、電磁波は抵抗層、誘電体層を通過し、反射層で反射される。このとき、誘電体層において、入射される電磁波と反射される反射波とが互いに弱め合うことで電磁波が吸収されるため、特定の周波数の電磁波の吸収量が最大となる。但し、この場合でも、乖離率が３０％以上であることで、乖離率が３０％未満である場合に比べて、上記周波数帯において最大吸収量と最小吸収量との差を小さくすることができる。このため、電磁波送受信装置から送信される周波数帯の電磁波の強度が一定である場合、電磁波送受信装置で受信される電磁波においては、特定の周波数以外の電磁波の強度は大きくしたまま、特定の周波数の電磁波の強度の低下が十分に抑制される。このため、センシングシステムにおいて、特定の周波数の電磁波について、Ｓ／Ｎ比の低下が抑制され、信号として認識しやすくなるため、センシングシステムにおいて複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入させることなく、センシングを適切に行うことが可能となる。 According to this electromagnetic wave absorber, in a sensing system comprising an electromagnetic wave transmitter/receiver capable of transmitting and receiving electromagnetic waves in a frequency band absorbed by the electromagnetic wave absorber and processing the received electromagnetic waves, When an electromagnetic wave of a specific frequency band to be transmitted is incident from the resistive layer side, the electromagnetic wave passes through the resistive layer and the dielectric layer and is reflected by the reflective layer. At this time, the incident electromagnetic wave and the reflected reflected wave weaken each other in the dielectric layer, thereby absorbing the electromagnetic wave. However, even in this case, when the deviation rate is 30% or more, the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount in the frequency band can be made smaller than when the deviation rate is less than 30%. . Therefore, when the intensity of the electromagnetic wave in the frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device is constant, the electromagnetic wave received by the electromagnetic wave transmitting/receiving device has a specific frequency while increasing the strength of the electromagnetic wave other than the specific frequency. A decrease in the intensity of electromagnetic waves is sufficiently suppressed. Therefore, in the sensing system, the reduction in the S/N ratio of the electromagnetic wave of a specific frequency is suppressed, and it becomes easy to recognize it as a signal. can be performed appropriately.

本開示の電磁波吸収体においては、前記乖離率が２００％以下であることが好ましい。 In the electromagnetic wave absorber of the present disclosure, the divergence rate is preferably 200% or less.

この場合、乖離率が２００％以下であることで、特定の周波数帯における特定の周波数の電磁波がより十分に吸収されるため、電波障害を効果的に抑制することができる。 In this case, when the rate of divergence is 200% or less, electromagnetic waves of a specific frequency in a specific frequency band are more sufficiently absorbed, so radio interference can be effectively suppressed.

上記電磁波吸収体においては、前記誘電体層の複素比誘電率の実部が１０以上であることが好ましい。 In the above electromagnetic wave absorber, the real part of the complex dielectric constant of the dielectric layer is preferably 10 or more.

この場合、誘電体層の誘電率を大きくすることが可能となり、誘電体層の厚さを低減できるため、電磁波吸収体をより薄型化することができる。 In this case, the dielectric constant of the dielectric layer can be increased and the thickness of the dielectric layer can be reduced, so that the electromagnetic wave absorber can be made thinner.

また、本開示は、上述した電磁波吸収体と、前記電磁波吸収体で吸収される前記周波数帯の電磁波を送信しかつ受信し、受信される電磁波を処理することが可能な電磁波送受信装置と、を備えるセンシングシステムである。 Further, the present disclosure includes the electromagnetic wave absorber described above, and an electromagnetic wave transmitting/receiving device capable of transmitting and receiving electromagnetic waves in the frequency band absorbed by the electromagnetic wave absorber and processing the received electromagnetic waves. It is a sensing system equipped with

このセンシングシステムによれば、電磁波送受信装置から送信される特定の周波数帯の電磁波が抵抗層側から入射されると、電磁波は抵抗層、誘電体層を通過し、反射層で反射される。このとき、誘電体層において、入射される電磁波と反射される反射波とが互いに弱め合うことで電磁波が吸収されるため、特定の周波数の電磁波の吸収量が最大となる。但し、この場合でも、乖離率が３０％以上であることで、乖離率が３０％未満である場合に比べて、上記周波数帯において最大吸収量と最小吸収量との差を小さくすることができる。このため、電磁波送受信装置から送信される周波数帯の電磁波の強度が一定である場合、電磁波送受信装置で受信される電磁波においては、特定の周波数以外の電磁波の強度は大きくしたまま、特定の周波数の電磁波の強度の低下が十分に抑制される。このため、センシングシステムにおいて、特定の周波数の電磁波について、Ｓ／Ｎ比の低下が抑制され、信号として認識しやすくなるため、センシングシステムにおいて複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入することなく、センシングを適切に行うことが可能となる。 According to this sensing system, when an electromagnetic wave in a specific frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device is incident from the resistance layer side, the electromagnetic wave passes through the resistance layer and the dielectric layer and is reflected by the reflection layer. At this time, the incident electromagnetic wave and the reflected reflected wave weaken each other in the dielectric layer, thereby absorbing the electromagnetic wave. However, even in this case, when the deviation rate is 30% or more, the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount in the frequency band can be made smaller than when the deviation rate is less than 30%. . Therefore, when the intensity of the electromagnetic wave in the frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device is constant, the electromagnetic wave received by the electromagnetic wave transmitting/receiving device has a specific frequency while increasing the strength of the electromagnetic wave other than the specific frequency. A decrease in the intensity of electromagnetic waves is sufficiently suppressed. For this reason, in the sensing system, the reduction in the S/N ratio of electromagnetic waves of a specific frequency is suppressed, making it easier to recognize them as signals. can be performed appropriately.

本開示によれば、センシングシステムにおいて複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入させることなく、センシングを適切に行わせることができる電磁波吸収体及びセンシングシステムが提供される。 According to the present disclosure, there are provided an electromagnetic wave absorber and a sensing system that can appropriately perform sensing without introducing a program that requires complicated programming in the sensing system.

本開示の電磁波吸収体の一実施形態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electromagnetic wave absorber of the present disclosure; FIG. 本開示の電磁波吸収体を用い、５０～７０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 50 to 70 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、５０～７０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 50 to 70 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、５０～７０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 50 to 70 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、２０～４０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 20 to 40 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、２０～４０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 20 to 40 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、７０～９０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 70 to 90 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、７０～９０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 70 to 90 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、３４０～３６０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 340 to 360 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示の電磁波吸収体を用い、３４０～３６０ＧＨｚの周波数帯における周波数と反射減衰量（吸収量）との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。4 is a graph obtained by simulation of the relationship between frequency and return loss (absorption) in the frequency band of 340 to 360 GHz using the electromagnetic wave absorber of the present disclosure. 本開示のセンシングシステムの一実施形態を示す概略図である。1 is a schematic diagram illustrating one embodiment of a sensing system of the present disclosure; FIG.

以下、本開示の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail.

＜電磁波吸収体＞
まず、本開示の電磁波吸収体の実施形態について図１を参照しながら説明する。図１は、本開示の電磁波吸収体の一実施形態を示す断面図である。 <Electromagnetic wave absorber>
First, an embodiment of an electromagnetic wave absorber of the present disclosure will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the electromagnetic wave absorber of the present disclosure.

図１に示すように、電磁波吸収体１００は、特定の周波数帯の電磁波を吸収する干渉型の電磁波吸収体であり、抵抗層１０、誘電体層２０及び反射層３０をこの順に備えている。なお、抵抗層１０と誘電体層２０は直接接着されていてもよいが、粘着剤層で接着されていてもよい。同様に、誘電体層２０と反射層３０も直接接着されていてもよいが、粘着剤層で接着されていてもよい。 As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave absorber 100 is an interference type electromagnetic wave absorber that absorbs electromagnetic waves in a specific frequency band, and includes a resistive layer 10, a dielectric layer 20 and a reflective layer 30 in this order. The resistance layer 10 and the dielectric layer 20 may be directly adhered to each other, or may be adhered to each other with an adhesive layer. Similarly, the dielectric layer 20 and the reflective layer 30 may be adhered directly or may be adhered with an adhesive layer.

上記周波数帯において電磁波の吸収量が最大となるときの抵抗層１０の表面抵抗値をＲ_０とし、抵抗層１０の表面抵抗値をＲ_１とした場合に、下記式（１）で定義される乖離率が３０％以上である。
乖離率（％）＝｜{（Ｒ_１／Ｒ_０）－１}×１００｜・・・（１） When the surface resistance value of the resistance layer 10 when the absorption amount of electromagnetic waves becomes maximum in the above frequency band is R ₀ and the surface resistance value of the resistance layer 10 is R ₁ , it is defined by the following formula (1) The deviation rate is 30% or more.
Deviation rate (%)=|{(R ₁ /R ₀ )−1}×100| (1)

電磁波吸収体１００によれば、センシングシステムにおいて、電磁波送受信装置から送信される特定の周波数帯の電磁波が抵抗層側から入射されると、電磁波は抵抗層、誘電体層を通過し、反射層で反射される。このとき、誘電体層において、入射される電磁波と反射される反射波とが互いに弱め合うことで電磁波が吸収されるため、特定の周波数の電磁波の吸収量が最大となる。但し、この場合でも、乖離率が３０％以上であることで、乖離率が３０％未満である場合に比べて、上記周波数帯において最大吸収量と最小吸収量との差を小さくすることができる。このため、電磁波送受信装置から送信される周波数帯の電磁波の強度が一定である場合、電磁波送受信装置で受信される電磁波においては、特定の周波数以外の電磁波の強度は大きくしたまま、特定の周波数の電磁波の強度の低下が十分に抑制される。このため、センシングシステムにおいて、特定の周波数の電磁波について、Ｓ／Ｎ比の低下が抑制され、信号として認識しやすくなるため、センシングシステムにおいて複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入させることなく、センシングを適切に行わせることが可能となる。 According to the electromagnetic wave absorber 100, in a sensing system, when an electromagnetic wave in a specific frequency band transmitted from an electromagnetic wave transmitting/receiving device is incident from the resistive layer side, the electromagnetic wave passes through the resistive layer and the dielectric layer, and passes through the reflective layer. reflected. At this time, the incident electromagnetic wave and the reflected reflected wave weaken each other in the dielectric layer, thereby absorbing the electromagnetic wave. However, even in this case, when the deviation rate is 30% or more, the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount in the frequency band can be made smaller than when the deviation rate is less than 30%. . Therefore, when the intensity of the electromagnetic wave in the frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device is constant, the electromagnetic wave received by the electromagnetic wave transmitting/receiving device has a specific frequency while increasing the strength of the electromagnetic wave other than the specific frequency. A decrease in the intensity of electromagnetic waves is sufficiently suppressed. Therefore, in the sensing system, the reduction in the S/N ratio of the electromagnetic wave of a specific frequency is suppressed, and it becomes easy to recognize it as a signal. can be performed properly.

以下、抵抗層１０、誘電体層２０及び反射層３０について詳細に説明する。 The resistive layer 10, the dielectric layer 20 and the reflective layer 30 will be described in detail below.

（抵抗層）
抵抗層１０は外側から入射してきた電磁波を誘電体層２０へと至らしめるための層である。抵抗層１０は一般的にはインピーダンスマッチングを実現させるための層であるが、本開示では、インピーダンスマッチングを実現させないようにするための層として機能する。 (resistive layer)
The resistance layer 10 is a layer for allowing electromagnetic waves incident from the outside to reach the dielectric layer 20 . The resistive layer 10 is generally a layer for realizing impedance matching, but in the present disclosure functions as a layer for preventing impedance matching from being realized.

抵抗層１０は、導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方で構成される層を含む。導電性無機材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、カーボン、グラフェン、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ－Ｃｕ、Ｃｕ－ＡｕおよびＮｉからなる群から選択される１つ以上が挙げられる。導電性無機材料の形状は特に限定されず、例えば粒子状又はワイヤー状である。導電性有機材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリアニリン誘導体及びポリピロール誘導体が挙げられる。特に、導電性有機材料としては、柔軟性、成膜性、安定性、表面抵抗の観点から、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を含む導電性ポリマーが好ましい。抵抗層１０は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＰＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を含むものであってもよい。抵抗層１０は、導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方で構成される層のみで構成されてもよいが、導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方からなる層を基材上に設けてなるものであってもよい。基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などが挙げられる。特に柔軟性、成膜性、安定性、表面抵抗の観点から、抵抗層１０は、ＰＥＤＯＴを含む導電性ポリマーからなる膜を形成してなるＰＥＴフィルムで構成されることが好ましい。 The resistive layer 10 includes a layer composed of at least one of a conductive inorganic material and a conductive organic material. Examples of conductive inorganic materials include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc aluminum oxide (AZO), carbon, graphene, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Cu, Co, Cr, One or more selected from the group consisting of In, Ag--Cu, Cu--Au and Ni. The shape of the conductive inorganic material is not particularly limited, and is, for example, particle-like or wire-like. Conductive organic materials include polythiophene derivatives, polyacetylene derivatives, polyaniline derivatives and polypyrrole derivatives. In particular, as the conductive organic material, a conductive polymer containing polyethylenedioxythiophene (PEDOT) is preferable from the viewpoint of flexibility, film-forming properties, stability, and surface resistance. The resistive layer 10 may comprise a mixture of polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PPS) (PEDOT/PSS). The resistance layer 10 may be composed only of a layer composed of at least one of the conductive inorganic material and the conductive organic material, but a layer composed of at least one of the conductive inorganic material and the conductive organic material is formed on the substrate. It may be provided in. Base materials include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. In particular, from the viewpoint of flexibility, film formability, stability, and surface resistance, the resistance layer 10 is preferably composed of a PET film formed by forming a film of a conductive polymer containing PEDOT.

周波数帯において電磁波の吸収量が最大となるときの抵抗層１０の表面抵抗値Ｒ_０は、下記式（２）～（５）を用いて求めることができる。
The surface resistance value R ₀ of the resistance layer 10 when the amount of electromagnetic wave absorption in the frequency band is maximized can be obtained using the following equations (2) to (5).

上記式（２）～（５）において、Γは反射係数、Ｚ_Ｌは、抵抗層１０のうち反射層３０と反対側の面から見込んだ入力インピーダンス（Ω／□）、Ｚ_０は、真空のインピーダンス（Ω／□）、Ｚ´_Ｌは、抵抗層１０の反射層３０側から反射層３０を見込んだ入力インピーダンス（Ω／□）、Ｒは抵抗層１０の表面抵抗値（Ω／□）、ε_ｒは、誘電体層２０の複素比誘電率、ｄは誘電体層２０の厚さ（μｍ）、λは、入射される電磁波の波長（μｍ）、ＲＬは吸収性能（ｄＢ）を表す。式（５）のＲＬを最大にするには、反射係数Γを最小にする必要があり、反射係数Γを最小にするには、式（２）でＺ_Ｌ＝Ｚ_０＝３７７Ω／□とする必要がある。一方、式（４）でＺ_０＝３７７Ω／□、複素比誘電率ε_ｒを代入すると、ｄ＝λ／４であるから、Ｚ´_Ｌがλの関数として算出される。そして、式（３）において、算出されたＺ´_Ｌと、Ｚ_０＝３７７Ω／□を代入し、λを指定すると、Ｒが表面抵抗値Ｒ_０として算出される。 In the above formulas (2) to (5), Γ is the reflection coefficient, Z _L is the input impedance (Ω/□) seen from the surface of the resistance layer 10 opposite to the reflection layer 30, and Z ₀ is the vacuum pressure. Impedance (Ω/□), _Z′L is the input impedance (Ω/□) of the resistance layer 10 looking into the reflection layer 30 from the reflection layer 30 side, R is the surface resistance value (Ω/□) of the resistance layer 10, _εr is the complex dielectric constant of the dielectric layer 20, d is the thickness (μm) of the dielectric layer 20, λ is the wavelength (μm) of the incident electromagnetic wave, and RL is the absorption performance (dB). To maximize RL in equation (5), the reflection coefficient Γ needs to be minimized, and to minimize the reflection coefficient Γ, let Z _L =Z ₀ =377Ω/□ in equation (2). There is a need. On the other hand, substituting Z ₀ =377 Ω/□ and complex dielectric constant _εr into equation (4) yields d=λ/4, so _Z'L is calculated as a function of λ. Then, by substituting the calculated Z′ _L and Z ₀ =377Ω/□ into the equation (3) and specifying λ, R is calculated as the surface resistance value R ₀ .

抵抗層１０の表面抵抗値Ｒ_１は、例えば、導電性無機材料又は導電性有機材料の選定、抵抗層１０の厚さの調節によって適宜設定することができる。抵抗層１０の表面抵抗値は例えばロレスターＧＰＭＣＰ－Ｔ６１０（商品名、株式会社三菱化学アナリテック製）を用いて測定することができる。抵抗層１０は単一の層であってもよいし、複数層から成る積層体であってもよい。 The surface resistance value _R1 of the resistance layer 10 can be appropriately set by selecting a conductive inorganic material or a conductive organic material and adjusting the thickness of the resistance layer 10, for example. The surface resistance value of the resistance layer 10 can be measured using, for example, Loresta GP MCP-T610 (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytic Tech Co., Ltd.). Resistive layer 10 may be a single layer or a laminate of multiple layers.

上記乖離率は３０％以上であればよいが、乖離率は３５％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。但し、乖離率は２００％以下であることが好ましい。この場合、乖離率が２００％以下であることで、特定の周波数帯における特定の周波数の電磁波成分がより十分に吸収されるため、電波障害を効果的に抑制することができる。乖離率は１５０％以下であることが特に好ましい。 The deviation rate may be 30% or more, preferably 35% or more, more preferably 40% or more. However, the divergence rate is preferably 200% or less. In this case, since the deviation rate is 200% or less, the electromagnetic wave component of the specific frequency in the specific frequency band is more sufficiently absorbed, so that radio interference can be effectively suppressed. It is particularly preferable that the deviation rate is 150% or less.

抵抗層１０の厚さ（膜厚）は、表面抵抗値Ｒ_１に応じて適宜決定されるが、抵抗層１０が無機材料で構成されるのであれば、０．１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内とすることが好ましく、１ｎｍ～５０ｎｍの範囲内とすることがより好ましい。膜厚が０．１ｎｍ以上であると、均一な膜を形成しやすく、抵抗層１０としての機能をより十分に果たすことができる傾向がある。一方、膜厚が１００ｎｍ以下であると、十分なフレキシビリティを保持することができ、製膜後に折り曲げ、引張などの外的要因により、薄膜に亀裂を生じることをより確実に防ぐことができ、かつ基材への熱による損傷や収縮を抑える傾向がある。抵抗層１０が有機材料で構成されるのであれば、抵抗層１０の厚さ（膜厚）は、０．１～２．０μｍの範囲内とすることが好ましく、０．１～０．４μｍの範囲内とすることがより好ましい。膜厚が０．１μｍ以上であると、均一な膜を形成しやすく、抵抗層１０としての機能をより十分に果たすことができる傾向がある。一方、膜厚が２．０μｍ以下であると、十分なフレキシビリティを保持させることができ、成膜後に折り曲げ、引っ張りなどの外的要因により、薄膜に亀裂を生じることをより確実に防ぐことができる傾向がある。 The thickness (film thickness) of the resistance layer 10 is appropriately determined according to the surface resistance value _R1 . is preferred, and it is more preferred to be in the range of 1 nm to 50 nm. When the film thickness is 0.1 nm or more, it tends to be easy to form a uniform film, and the function of the resistance layer 10 can be more sufficiently achieved. On the other hand, when the film thickness is 100 nm or less, sufficient flexibility can be maintained, and cracks in the thin film due to external factors such as bending and stretching after film formation can be more reliably prevented. Moreover, it tends to suppress thermal damage and shrinkage of the base material. If the resistance layer 10 is made of an organic material, the thickness (film thickness) of the resistance layer 10 is preferably in the range of 0.1 to 2.0 μm, more preferably 0.1 to 0.4 μm. It is more preferable to be within the range. When the film thickness is 0.1 μm or more, it tends to be easy to form a uniform film, and the function of the resistance layer 10 can be more sufficiently achieved. On the other hand, when the film thickness is 2.0 μm or less, sufficient flexibility can be maintained, and cracks in the thin film due to external factors such as bending and pulling after film formation can be more reliably prevented. tend to be able to

（誘電体層）
誘電体層２０は、特定の周波数の電磁波の入射波と反射波とを干渉により弱め合わせ、入射された電磁波を減衰させるための層である。誘電体層２０は樹脂を含む。樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリメチルメタアクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフッ化ビニリデン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂（尿素樹脂）、ポリクロロプレン樹脂が挙げられる。中でも、成形性に優れることから、樹脂としては、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド又はこれらの２種以上の混合樹脂が好ましい。特に、樹脂の誘電率が高いと、誘電体粒子の添加量を低下させることが可能となり、（１）薄膜化、（２）成形性、（３）低コストの実現が可能になることから、樹脂としては、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂又はこれらの混合樹脂が好ましい。 (dielectric layer)
The dielectric layer 20 is a layer for attenuating the incident electromagnetic wave by weakening the incident wave and the reflected wave of the electromagnetic wave of a specific frequency by interference. Dielectric layer 20 contains resin. Examples of resins include (meth)acrylic resins, polyurethane resins, polyester resins, polyethylene resins, polycarbonate resins, polypropylene resins, polystyrene resins, polyamide resins, polyvinyl formal resins, polyvinyl chloride resins, polyacrylonitrile resins, and polymethyl methacryl. resins, polyacetal resins, polyvinylidene fluoride resins, epoxy resins, phenol resins, urea resins (urea resins), and polychloroprene resins. Among them, (meth)acrylic resins, polyurethanes, polyesters, polyethylenes, polycarbonates, polypropylenes, polystyrenes, polyamides, or mixed resins of two or more of these are preferable as resins because of their excellent moldability. In particular, when the dielectric constant of the resin is high, it is possible to reduce the amount of dielectric particles added, and (1) thin film, (2) formability, and (3) low cost can be realized. As the resin, a (meth)acrylic resin, a polyurethane resin, or a mixed resin thereof is preferable.

誘電体層２０は、樹脂の比誘電率よりも大きい比誘電率を有する誘電体粒子をさらに含んでいてもよい。誘電体粒子としては、分散の安定性、及び、誘電体層２０の高誘電率化の観点から、無機化合物が好ましい。無機化合物としては、無機酸化物が好ましい。無機酸化物としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム及び酸化ジルコニウムが挙げられる。中でも、無機酸化物としては、使用する際の省スペース化やロールｔｏロールの加工性、曲げ剛性の観点から、チタン酸バリウム、酸化チタン又は酸化アルミニウムが好ましい。 The dielectric layer 20 may further contain dielectric particles having a dielectric constant higher than that of the resin. As the dielectric particles, inorganic compounds are preferable from the viewpoint of dispersion stability and high dielectric constant of the dielectric layer 20 . As the inorganic compound, an inorganic oxide is preferred. Inorganic oxides include barium titanate, titanium oxide, zinc oxide, aluminum oxide and zirconium oxide. Among them, barium titanate, titanium oxide, or aluminum oxide is preferable as the inorganic oxide from the viewpoint of space saving in use, roll-to-roll workability, and bending rigidity.

誘電体層２０の比誘電率は、特に制限されるものではないが、誘電体層２０の薄型化の観点からは、大きいほど好ましい。具体的には、誘電体層２０の比誘電率は、好ましくは１０．０以上であり、より好ましくは１５．０以上である。 The dielectric constant of the dielectric layer 20 is not particularly limited, but from the viewpoint of thinning the dielectric layer 20, the higher the dielectric constant, the better. Specifically, the relative dielectric constant of the dielectric layer 20 is preferably 10.0 or higher, more preferably 15.0 or higher.

誘電体層２０の複素比誘電率の実部は、特に制限されるものではないが、好ましくは１０以上であり、より好ましくは１５．０以上である。誘電体層２０の複素比誘電率の実部が１０以上であることで、誘電体層２０の誘電率を大きくすることが可能となり、誘電体層２０の厚さを低減できるため、電磁波吸収体１００をより薄型化することができる。但し、誘電体層２０の複素比誘電率の実部は、好ましくは３０．０以下であり、より好ましくは２０．０以下である。誘電体層２０の複素比誘電率の実部が２０．０以下であることで、誘電体層がより十分な強度を有することが可能となる。 The real part of the complex dielectric constant of the dielectric layer 20 is not particularly limited, but is preferably 10 or more, more preferably 15.0 or more. Since the real part of the complex dielectric constant of the dielectric layer 20 is 10 or more, the dielectric constant of the dielectric layer 20 can be increased, and the thickness of the dielectric layer 20 can be reduced. 100 can be made thinner. However, the real part of the complex dielectric constant of the dielectric layer 20 is preferably 30.0 or less, more preferably 20.0 or less. When the real part of the complex dielectric constant of the dielectric layer 20 is 20.0 or less, the dielectric layer can have sufficient strength.

誘電体層２０の厚さは、特に制限されるものではないが、好ましくは２０μｍ以上であり、より好ましくは５０μｍ以上である。誘電体層２０の厚さを５０μｍ以上とすることで、誘電体層２０がより破れにくくなる。 Although the thickness of the dielectric layer 20 is not particularly limited, it is preferably 20 μm or more, more preferably 50 μm or more. By setting the thickness of the dielectric layer 20 to 50 μm or more, the dielectric layer 20 becomes more difficult to tear.

但し、誘電体層２０の厚さは、好ましくは１０００μｍ以下であり、より好ましくは４００μｍ以下である。この場合、誘電体層２０を抵抗層１０や反射層３０と積層した際に、シワ、トンネリング、デラミネーションなどの現象が起こりにくくなる。 However, the thickness of the dielectric layer 20 is preferably 1000 μm or less, more preferably 400 μm or less. In this case, when the dielectric layer 20 is laminated with the resistive layer 10 and the reflective layer 30, phenomena such as wrinkles, tunneling, and delamination are less likely to occur.

（反射層）
反射層３０は誘電体層２０から入射してきた電磁波を反射させ、誘電体層２０へと至らしめるための層である。反射層３０は、例えば導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方で構成される層を含む。導電性無機材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、カーボン、グラフェン、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ－Ｃｕ、Ｃｕ－ＡｕおよびＮｉからなる群から選択される１つ以上が挙げられる。導電性無機材料の形状は特に限定されず、例えば粒子状又はワイヤー状である。導電性有機材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリアニリン誘導体及びポリピロール誘導体が挙げられる。反射層３０は、導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方で構成される層のみで構成されてもよいが、導電性無機材料及び導電性有機材料の少なくとも一方からなる層を基材上に設けてなるものであってもよい。基材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などが挙げられる。特に柔軟性、成膜性、安定性、表面抵抗の観点から、反射層３０は、アルミニウム蒸着膜を形成してなるＰＥＴフィルムで構成されることが好ましい。反射層３０の表面抵抗は特に制限されるものではないが、１００Ω／□以下であることが好ましい。反射層３０は単一の層であってもよいし、複数層から成る積層体であってもよい。 (reflective layer)
The reflective layer 30 is a layer for reflecting electromagnetic waves incident from the dielectric layer 20 to reach the dielectric layer 20 . The reflective layer 30 includes, for example, a layer composed of at least one of a conductive inorganic material and a conductive organic material. Examples of conductive inorganic materials include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc aluminum oxide (AZO), carbon, graphene, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Cu, Co, Cr, One or more selected from the group consisting of In, Ag--Cu, Cu--Au and Ni. The shape of the conductive inorganic material is not particularly limited, and is, for example, particle-like or wire-like. Conductive organic materials include polythiophene derivatives, polyacetylene derivatives, polyaniline derivatives and polypyrrole derivatives. The reflective layer 30 may be composed only of a layer composed of at least one of a conductive inorganic material and a conductive organic material. It may be provided in. Base materials include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. In particular, from the viewpoint of flexibility, film formability, stability, and surface resistance, it is preferable that the reflective layer 30 be composed of a PET film formed by forming an aluminum deposition film. Although the surface resistance of the reflective layer 30 is not particularly limited, it is preferably 100Ω/□ or less. The reflective layer 30 may be a single layer or a laminate of multiple layers.

反射層３０の厚さは特に制限されるものではないが、０．０５～１００μｍであることが好ましく、１２～８０μｍであることがより好ましい。膜厚が０．０５μｍ以上であると、均一な膜を形成しやすく、反射層３０としての機能をより十分に果たすことができる傾向がある。一方、膜厚が１００μｍ以下であると、反射層３０に十分なフレキシビリティを付与させることができ、電磁波吸収体１００の折り曲げ、引っ張りなどの外的要因により、反射層３０に亀裂が生じることをより抑制することができる傾向がある。 Although the thickness of the reflective layer 30 is not particularly limited, it is preferably 0.05 to 100 μm, more preferably 12 to 80 μm. When the film thickness is 0.05 μm or more, it tends to be easy to form a uniform film, and the function of the reflective layer 30 can be more sufficiently achieved. On the other hand, when the film thickness is 100 μm or less, sufficient flexibility can be imparted to the reflective layer 30, and the occurrence of cracks in the reflective layer 30 due to external factors such as bending or pulling of the electromagnetic wave absorber 100 can be prevented. tend to be more restrained.

（粘着層）
粘着層は、誘電体層２０と抵抗層１０，又は、誘電体層２０と反射層３０とを接着する層である。粘着剤層としては、例えば、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤等の粘着剤を用いることができる。中でも、誘電体層２０と抵抗層１０，及び、誘電体層２０と反射層３０とを効果的に接着することが可能でありかつ安価であることから、ウレタン系粘着剤が好ましく用いられる。 (adhesive layer)
The adhesive layer is a layer that bonds the dielectric layer 20 and the resistive layer 10 or the dielectric layer 20 and the reflective layer 30 together. As the adhesive layer, for example, adhesives such as urethane-based adhesives, rubber-based adhesives, acrylic-based adhesives, and silicone-based adhesives can be used. Among them, the urethane adhesive is preferably used because it can effectively bond the dielectric layer 20 and the resistance layer 10, and the dielectric layer 20 and the reflective layer 30, and is inexpensive.

電磁波吸収体１００は、誘電体層２０に対して、抵抗層１０及び反射層３０をそれぞれドライラミネーション法又は熱ラミネーション法を用いて貼り付けることにより得ることができる。 The electromagnetic wave absorber 100 can be obtained by attaching the resistive layer 10 and the reflective layer 30 to the dielectric layer 20 using a dry lamination method or a thermal lamination method.

電磁波吸収体１００で吸収される電磁波の特定の周波数帯は特に制限されるものではなく、通常は１～３５０ＧＨｚである。特定の周波数帯は、電磁波吸収体１００の用途に応じて適宜決定することができる。ここで、特定の周波数帯においては、電磁波の吸収量が最大となる周波数が含まれるように設定される。電磁波の吸収量が最大となる周波数は、誘電体層２０の厚さ及び誘電体層２０の複素比誘電率の値を適宜調整することにより調整することができる。 A specific frequency band of electromagnetic waves absorbed by the electromagnetic wave absorber 100 is not particularly limited, and is usually 1 to 350 GHz. A specific frequency band can be appropriately determined according to the application of the electromagnetic wave absorber 100 . Here, the specific frequency band is set so as to include a frequency at which the amount of absorption of electromagnetic waves is maximum. The frequency at which the electromagnetic wave absorption is maximized can be adjusted by appropriately adjusting the thickness of the dielectric layer 20 and the value of the complex dielectric constant of the dielectric layer 20 .

（検証）
次に、本開示の電磁波吸収体により、特定の周波数帯において最大吸収量と最小吸収量との差を小さくすることができるかどうかについて、シミュレーションにより検証を行った。このとき、電磁波吸収体を構成する抵抗層、誘電体層及び反射層として以下の層を用いると仮定した。なお、複素比誘電率は、ＪＩＳ－Ｃ２１３８：２００７に準拠して測定されるものである。具体的には、複素比誘電率は、空洞共振器法誘電率測定装置（アジレントテクノロジー株式会社社製、製品名「ＡｇｉｌｅｎｔＥ４９９１ＡＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ」）を用いて、周波数１ＧＨｚ、温度２５℃、相対湿度５０％の条件にて測定される値である。
（抵抗層）
・抵抗層Ａ：東レ製ＰＥＴ(Ｓ－１０、厚さ５０μｍ)にＨｅｒａｅｕｓ製ＰＥＤＯＴ(ＣｌｅｖｉｏｓＰＨ１０００)を塗工したもの。
・抵抗層Ｂ：東レ製ＰＥＴ(Ｓ－１０、厚さ５０μｍ)にＩＴＯターゲットを用いてスパッタリングしたもの。
・抵抗層Ｃ：東レ製ＰＥＴ(Ｓ－１０、厚さ５０μｍ)にモリブデン含有ターゲットを用いてスパッタリングしたもの。
（誘電体層）
・誘電体層Ａ：信越化学工業製シリコーン粘着剤ＫＲ－３７００を用いてなる塗工膜（複素比誘電率の実部：３．２、虚部：０．０)
・誘電体層Ｂ：サイデン化学製サイビノールＯＣ３４０５に、堺化学工業製ペロブスカイトＢＴ－０１(チタン酸バリウム)を体積分率３５％となるように配合してなる塗工膜（複素比誘電率の実部：１０．６、虚部：１．０)
（反射層）
・尾池工業製テトライトＳＣ（アルミニウム蒸着ＰＥＴ） (verification)
Next, simulation was performed to verify whether the electromagnetic wave absorber of the present disclosure can reduce the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount in a specific frequency band. At this time, it is assumed that the following layers are used as the resistive layer, dielectric layer and reflective layer that constitute the electromagnetic wave absorber. The complex dielectric constant is measured according to JIS-C2138:2007. Specifically, the complex dielectric constant is measured using a cavity resonator method dielectric constant measurement device (manufactured by Agilent Technologies, Inc., product name “Agilent E4991A RF impedance/material analyzer”) at a frequency of 1 GHz and a temperature of 25 ° C. , are values measured under conditions of relative humidity of 50%.
(resistive layer)
Resistive layer A: Toray PET (S-10, thickness 50 μm) coated with Heraeus PEDOT (Clevios PH1000).
Resistive layer B: Toray PET (S-10, thickness 50 μm) sputtered using an ITO target.
Resistive layer C: Toray PET (S-10, thickness 50 μm) sputtered using a molybdenum-containing target.
(dielectric layer)
・ Dielectric layer A: Coating film using Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. silicone adhesive KR-3700 (real part of complex dielectric constant: 3.2, imaginary part: 0.0)
・Dielectric layer B: A coating film obtained by blending Saiden Chemical's Saibinol OC3405 with Sakai Chemical Industry's Perovskite BT-01 (barium titanate) so that the volume fraction is 35% (realization of complex dielectric constant) part: 10.6, imaginary part: 1.0)
(reflective layer)
・ Tetraite SC (aluminum deposition PET) manufactured by Oike Industry Co., Ltd.

（シミュレーションＡ１～Ａ１９）
反射層としては上記反射層を用い、抵抗層及び誘電体層としては、上記抵抗層及び誘電体層のうち表１に示す抵抗層及び誘電体層を用いて電磁波吸収体を構成することとした。また、抵抗層の表面抵抗値Ｒ_１、Ｒ_０及び乖離率については表１に示す値とし、６２ＧＨｚ付近で反射減衰量の絶対値が最大となるように誘電体層の厚さを調整し、周波数帯を表１に示すとおり５０～７０ＧＨｚに設定したときの、周波数と反射減衰量との関係をシミュレーションにより求めた。結果を図２～図４に示す。なお、図２～図４において、反射減衰量は、吸収量に－１を乗じた値である。
また、５０～７０ＧＨｚにおける最大反射減衰量と最小反射減衰量との差ΔＡの値を表１に示す。図２～図４及び表１に示す結果より、乖離率が３０％以上である電磁波吸収体は、乖離率が３０％未満である電磁波吸収体に比べて、ΔＡが十分に小さくなることが分かった。 (Simulation A1 to A19)
An electromagnetic wave absorber was constructed by using the above-described reflective layer as the reflective layer, and using the above-described resistive layer and dielectric layer as the resistive layer and the dielectric layer shown in Table 1. . Further, the surface resistance values R ₁ and R ₀ and the rate of deviation of the resistance layer are the values shown in Table 1, and the thickness of the dielectric layer is adjusted so that the absolute value of the return loss is maximized near 62 GHz, The relationship between frequency and return loss was obtained by simulation when the frequency band was set to 50 to 70 GHz as shown in Table 1. The results are shown in FIGS. 2-4. In FIGS. 2 to 4, the return loss is a value obtained by multiplying the absorption by -1.
Table 1 shows the difference ΔA between the maximum return loss and the minimum return loss at 50 to 70 GHz. From the results shown in FIGS. 2 to 4 and Table 1, the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of 30% or more has a sufficiently small ΔA compared to the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of less than 30%. Ta.

（シミュレーションＢ１～Ｂ１２）
反射層としては上記反射層を用い、抵抗層及び誘電体層としては、上記抵抗層及び誘電体層のうち表２に示す抵抗層及び誘電体層を用いて電磁波吸収体を構成することとした。また、抵抗層の表面抵抗値Ｒ_１、Ｒ_０及び乖離率については表２に示す値とし、２８ＧＨｚ付近で反射減衰量の絶対値が最大となるように誘電体層の厚さを調整し、周波数帯を表２に示すとおり２０～４０ＧＨｚに設定したときの、周波数と反射減衰量との関係をシミュレーションにより求めた。結果を図５及び図６に示す。なお、図５及び図６において、反射減衰量は、吸収量に－１を乗じた値である。
また、２０～４０ＧＨｚにおける最大反射減衰量と最小反射減衰量との差ΔＡの値を表２に示す。図５、図６及び表２に示す結果より、乖離率が３０％以上である電磁波吸収体は、乖離率が３０％未満である電磁波吸収体に比べて、ΔＡが十分に小さくなることが分かった。 (Simulation B1 to B12)
An electromagnetic wave absorber was constructed by using the above-described reflective layer as the reflective layer, and using the above-described resistive layer and dielectric layer shown in Table 2 as the resistive layer and the dielectric layer. . In addition, the surface resistance values R ₁ and R ₀ and the rate of deviation of the resistive layer are the values shown in Table 2, and the thickness of the dielectric layer is adjusted so that the absolute value of the return loss is maximized around 28 GHz, The relationship between frequency and return loss was obtained by simulation when the frequency band was set to 20 to 40 GHz as shown in Table 2. The results are shown in FIGS. 5 and 6. FIG. In FIGS. 5 and 6, the return loss is a value obtained by multiplying the absorption by -1.
Table 2 shows the difference ΔA between the maximum return loss and the minimum return loss at 20 to 40 GHz. From the results shown in FIGS. 5, 6 and Table 2, the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of 30% or more has a sufficiently small ΔA compared to the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of less than 30%. Ta.

（シミュレーションＣ１～Ｃ１２）
反射層としては上記反射層を用い、抵抗層及び誘電体層としては、上記抵抗層及び誘電体層のうち表３に示す抵抗層及び誘電体層を用いて電磁波吸収体を構成することとした。また、抵抗層の表面抵抗値Ｒ_１、Ｒ_０及び乖離率については表３に示す値とし、８０ＧＨｚ付近で反射減衰量の絶対値が最大となるように誘電体層の厚さを調整し、周波数帯を表３に示すとおり７０～９０ＧＨｚに設定したときの、周波数と反射減衰量との関係をシミュレーションにより求めた。結果を図７及び図８に示す。なお、図７及び図８において、反射減衰量は、吸収量に－１を乗じた値である。
また、７０～９０ＧＨｚにおける最大反射減衰量と最小反射減衰量との差ΔＡの値を表２に示す。図７、図８及び表３に示す結果より、乖離率が３０％以上である電磁波吸収体は、乖離率が３０％未満である電磁波吸収体に比べて、ΔＡが十分に小さくなることが分かった。 (Simulation C1-C12)
An electromagnetic wave absorber was constructed by using the above reflective layer as the reflective layer, and using the above-mentioned resistive layer and dielectric layer shown in Table 3 as the resistive layer and the dielectric layer. . Further, the surface resistance values R ₁ and R ₀ and the rate of deviation of the resistance layer are the values shown in Table 3, and the thickness of the dielectric layer is adjusted so that the absolute value of the return loss is maximized near 80 GHz, The relationship between frequency and return loss was obtained by simulation when the frequency band was set to 70 to 90 GHz as shown in Table 3. The results are shown in FIGS. 7 and 8. FIG. In FIGS. 7 and 8, the return loss is a value obtained by multiplying the absorption by -1.
Table 2 shows the difference ΔA between the maximum return loss and the minimum return loss at 70 to 90 GHz. From the results shown in FIGS. 7, 8 and Table 3, the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of 30% or more has a sufficiently small ΔA compared to the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of less than 30%. Ta.

（シミュレーションＤ１～Ｄ１２）
反射層としては上記反射層を用い、抵抗層及び誘電体層としては、上記抵抗層及び誘電体層のうち表４に示す抵抗層及び誘電体層を用いて電磁波吸収体を構成することとした。また、抵抗層の表面抵抗値Ｒ_１、Ｒ_０及び乖離率については表４に示す値とし、３４９ＧＨｚ付近で反射減衰量の絶対値が最大となるように誘電体層の厚さを調整し、周波数帯を表４に示すとおり３４０～３６０ＧＨｚに設定したときの、周波数と反射減衰量との関係をシミュレーションにより求めた。結果を図９及び図１０に示す。なお、図９及び図１０において、反射減衰量は、吸収量に－１を乗じた値である。
また、３４０～３６０ＧＨｚにおける最大反射減衰量と最小反射減衰量との差ΔＡの値を表４に示す。図９、図１０及び表４に示す結果より、乖離率が３０％以上である電磁波吸収体は、乖離率が３０％未満である電磁波吸収体に比べて、ΔＡが十分に小さくなることが分かった。 (Simulation D1-D12)
An electromagnetic wave absorber was constructed by using the above-described reflective layer as the reflective layer, and using the above-described resistive layer and dielectric layer as the resistive layer and the dielectric layer shown in Table 4. . Further, the surface resistance values R ₁ and R ₀ and the rate of deviation of the resistance layer are the values shown in Table 4, and the thickness of the dielectric layer is adjusted so that the absolute value of the return loss is maximized around 349 GHz, The relationship between frequency and return loss was obtained by simulation when the frequency band was set to 340 to 360 GHz as shown in Table 4. The results are shown in FIGS. 9 and 10. FIG. In FIGS. 9 and 10, the return loss is a value obtained by multiplying the absorption by -1.
Table 4 shows the difference ΔA between the maximum return loss and the minimum return loss at 340 to 360 GHz. From the results shown in FIGS. 9, 10 and Table 4, the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of 30% or more has a sufficiently small ΔA compared to the electromagnetic wave absorber with a deviation rate of less than 30%. Ta.

＜センシングシステム＞
次に、本開示のセンシングシステムの実施形態について説明する。図１１は、本開示のセンシングシステムの一実施形態を示す断面図である。 <Sensing system>
Next, embodiments of the sensing system of the present disclosure will be described. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of the sensing system of the present disclosure;

図１１に示すように、センシングシステム２００は、電磁波吸収体１００と、電磁波吸収体１００で吸収される周波数帯の電磁波を送信しかつ受信し、受信される電磁波を処理することが可能な電磁波送受信装置２０１とを空間Ｓ内に備える。 As shown in FIG. 11, the sensing system 200 includes an electromagnetic wave absorber 100, an electromagnetic wave transmitting/receiving device capable of transmitting and receiving electromagnetic waves in a frequency band absorbed by the electromagnetic wave absorber 100, and processing the received electromagnetic waves. A device 201 is provided in the space S.

センシングシステム２００によれば、電磁波送受信装置２０１から送信される特定の周波数帯の電磁波が抵抗層１０側から入射されると、電磁波は抵抗層１０、誘電体層２０を通過し、反射層３０で反射される。このとき、誘電体層２０において、入射される電磁波と反射される反射波とが互いに弱め合うことで電磁波が吸収されるため、特定の周波数の電磁波の吸収量が最大となる。但し、この場合でも、乖離率が３０％以上であることで、乖離率が３０％未満である場合に比べて、上記周波数帯において最大吸収量と最小吸収量との差を小さくすることができる。このため、電磁波送受信装置２０１から送信される周波数帯の電磁波の強度が一定である場合、電磁波送受信装置２０１で受信される電磁波においては、特定の周波数以外の電磁波の強度は大きくしたまま、特定の周波数の電磁波の強度の低下が十分に抑制される。このため、センシングシステム２００において、特定の周波数の電磁波について、Ｓ／Ｎ比の低下が抑制され、信号として認識しやすくなるため、センシングシステム２００において、複雑なプログラミングを必要とするプログラムを導入することなく、センシングを適切に行うことが可能となる。 According to the sensing system 200, when an electromagnetic wave in a specific frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device 201 is incident from the resistive layer 10 side, the electromagnetic wave passes through the resistive layer 10 and the dielectric layer 20, and is reflected by the reflective layer 30. reflected. At this time, in the dielectric layer 20, the incident electromagnetic wave and the reflected reflected wave weaken each other, thereby absorbing the electromagnetic wave. However, even in this case, when the deviation rate is 30% or more, the difference between the maximum absorption amount and the minimum absorption amount in the frequency band can be made smaller than when the deviation rate is less than 30%. . Therefore, when the intensity of the electromagnetic waves in the frequency band transmitted from the electromagnetic wave transmitting/receiving device 201 is constant, in the electromagnetic waves received by the electromagnetic wave transmitting/receiving device 201, the strength of the electromagnetic waves other than the specific frequency is increased, A decrease in the strength of the electromagnetic waves of the frequency is sufficiently suppressed. Therefore, in the sensing system 200, the S/N ratio of the electromagnetic wave of a specific frequency is suppressed, and it becomes easy to recognize it as a signal. Therefore, it is possible to perform sensing appropriately.

電磁波送受信装置２０１としては、例えばレーダー装置などが挙げられる。レーダー装置としては、パルスレーダー装置及びＦＭ－ＣＷ（Frequency Modulation-Continuous Wave）レーダー装置が挙げられる。中でも、高い送信電力がなくても高いＳ／Ｎ比を実現できることから、ＦＭ－ＣＷレーダー装置が好ましい。 Examples of the electromagnetic wave transmission/reception device 201 include a radar device. Radar devices include pulse radar devices and FM-CW (Frequency Modulation-Continuous Wave) radar devices. Among them, the FM-CW radar device is preferable because it can achieve a high S/N ratio without high transmission power.

レーダー装置は、送信用アンテナ、受信用アンテナ、送信部、受信部及び信号処理部を有する。但し、レーダー装置が、送信と受信とを切り替えるデュプレクサを有する場合には、送信用アンテナは受信用アンテナを兼ねることができる。 A radar device has a transmitting antenna, a receiving antenna, a transmitting section, a receiving section, and a signal processing section. However, if the radar device has a duplexer that switches between transmission and reception, the transmitting antenna can also serve as the receiving antenna.

センシングシステム２００としては、例えば高齢者などの動きを検知するシステムが挙げられる。 As the sensing system 200, for example, there is a system that detects movements of an elderly person or the like.

１０…抵抗層、２０…誘電体層、３０…反射層、１００…電磁波吸収体、２００…センシングシステム、２０１…電磁波送受信装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Resistance layer, 20... Dielectric layer, 30... Reflection layer, 100... Electromagnetic wave absorber, 200... Sensing system, 201... Electromagnetic wave transmitter/receiver.

Claims

An interference type electromagnetic wave absorber comprising a resistive layer, a dielectric layer and a reflective layer in this order and absorbing electromagnetic waves in a specific frequency band,
When the surface resistance value of the resistance layer when the absorption amount of the electromagnetic wave becomes maximum in the frequency band is R ₀ (Ω/□), and the surface resistance value of the resistance layer is R ₁ (Ω/□) Second, an electromagnetic wave absorber having a rate of divergence defined by the following formula (1) of 30% or more.
Deviation rate (%)=|{(R ₁ /R ₀ )−1}×100| (1)

2. The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein said divergence rate is 200% or less.

3. The electromagnetic wave absorber according to claim 1, wherein the real part of the complex dielectric constant of said dielectric layer is 10 or more.

An electromagnetic wave absorber according to any one of claims 1 to 3;
an electromagnetic wave transmitting/receiving device capable of transmitting and receiving electromagnetic waves in the frequency band absorbed by the electromagnetic wave absorber, and processing the received electromagnetic waves;
Sensing system with