JP2023116070A - Polymer material, self-assembled film, method for producing self-assembled film, pattern and method for producing pattern - Google Patents

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JP2023116070A JP2022018634A JP2022018634A JP2023116070A JP 2023116070 A JP2023116070 A JP 2023116070A JP 2022018634 A JP2022018634 A JP 2022018634A JP 2022018634 A JP2022018634 A JP 2022018634A JP 2023116070 A JP2023116070 A JP 2023116070A
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和弘 平原
Kazuhiro Hirahara
駿介 齊藤
Shunsuke Saito
祝也 福長
Noriya FUKUNAGA
朋美 澤邊
Tomomi Sawabe
徹 宮島
Toru Miyajima
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Abstract

To provide a polymer material which can suppress the effect on the half pitch of a pattern to be formed and can form a uniform self-assembled film even if there is a difference in the molecular weight of constituent block copolymers, has excellent etching resistance and also has excellent strength of the self-assembled film.SOLUTION: There is provided a polymer material comprising a multi-block copolymer obtained by linking a first polymer block containing a structural unit represented by the general formula (1) and a second polymer block containing a predetermined structural unit, which is a diblock copolymer or more. (wherein, R1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and l is an integer of 1 or more and 1000 or less and X is a substituent represented by the predetermined formula.)SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、高分子材料、自己組織化膜、自己組織化膜の製造方法、パターン及びパターンの形成方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polymer material, a self-assembled film, a method for producing a self-assembled film, a pattern, and a method for forming a pattern.

半導体をはじめとする電子部品の小型化に伴い、微細なパターンを形成することができるリソグラフィ技術の需要が高まっている。 With the miniaturization of electronic components including semiconductors, the demand for lithography technology capable of forming fine patterns is increasing.

なかでも、ブロック共重合体のミクロ相分離を利用した誘導自己組織化(DSA:Directed Self-Assembly)を用いた技術は、低コストで微細なパターンを形成することが可能であることから、次世代のリゾグラフィ技術として注目を集めている。 Among them, a technique using directed self-assembly (DSA) utilizing microphase separation of a block copolymer is capable of forming a fine pattern at low cost. It is attracting attention as a next-generation lithography technology.

そのような技術として、例えば、特許文献1では、少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に、少なくとも2種類以上の互いに非相溶な高分子が互いの末端で結合してなるブロック共重合体樹脂を載置され、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体膜であって、該ブロック共重合体樹脂が分子量の異なる少なくとも2種類以上のブロック共重合体樹脂の混合物であることを特徴とする高分子膜が開示されている。 As such a technique, for example, in Patent Document 1, on a substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more, block copolymerization in which at least two or more mutually incompatible polymers are bonded at their terminals is disclosed. A block copolymer film having a microdomain structure on which a coalescing resin is placed and oriented perpendicularly to the substrate surface, wherein the block copolymer resins are at least two types of block copolymer resins having different molecular weights. A polymer membrane is disclosed which is characterized as being a mixture of

特開2005-8701号公報JP-A-2005-8701

一般的に高分子材料では、共重合体の重合度が大きくなると(共重合体の重量平均分子量(Mw)が大きくなると)、強度が向上する。
本発明者らは、従来の誘導自己組織化材料について検討を行ったところ、誘導自己組織化膜(単に自己組織化膜ともいう)に強度を付与するために、構成するブロック共重合体の重合度を大きくすると(重量平均分子量(Mw)を大きくすると)、形成するパターンのハーフピッチ(hp)が大きくなり、かつ、均一な自己組織化膜を形成することができない(すなわち、hpの小ささ及び自己組織化膜の均一性と、強度とを両立することが困難である)といった課題があることを見出した。
従来の誘導自己組織化材料では、上記課題について十分に検討されておらず、更なる改善の余地があった。
In general, in polymeric materials, strength increases as the degree of polymerization of the copolymer increases (as the weight average molecular weight (Mw) of the copolymer increases).
The present inventors have investigated conventional induced self-assembly materials, and found that polymerization of block copolymers constituting constituents in order to impart strength to induced self-assembled films (also simply referred to as self-assembled films) When the degree is increased (when the weight average molecular weight (Mw) is increased), the half pitch (hp) of the pattern to be formed increases, and a uniform self-assembled film cannot be formed (that is, when the hp is small and it is difficult to achieve both uniformity and strength of the self-assembled film).
In conventional induced self-assembly materials, the above problems have not been sufficiently investigated, and there is room for further improvement.

また、従来の誘導自己組織化材料では、パターンを形成してエッチングを行った場合に、高分子膜の膜減りが発生し、所望の形状を有するパターンを形成することができない(エッチング耐性が不十分)といった課題があり、更なる改善の余地があった。 In addition, with conventional guided self-assembly materials, when a pattern is formed and then etched, the polymer film is reduced, making it impossible to form a pattern with a desired shape (etching resistance is poor). enough), and there is room for further improvement.

そこで本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、構成するブロック共重合体の分子量に差異があったとしても、形成するパターンのハーフピッチに与える影響を抑制し、均一な自己組織化膜を形成することができ、エッチング耐性にも優れ、かつ、自己組織化膜の強度にも優れる高分子材料を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems. An object of the present invention is to provide a polymer material capable of forming a film, having excellent etching resistance, and having excellent strength of a self-assembled film.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討したところ、後述する一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックと、一般式(3)で表される構成単位を含む第2重合ブロックとが連結されてなるジブロック共重合体以上のマルチブロック共重合体を含有することにより、自己組織化膜の強度を向上させるために、構成するブロック共重合体(重合ブロック)の重量平均分子量(Mw)を大きくしたとしても、形成するパターンのハーフピッチの増大を抑制することができ、均一かつ強度に優れた自己組織化膜を形成できることを見出した。
また、本発明者らは、後述する一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックを含むことにより、得られるマルチブロック共重合体がバーティカルスタディングをする性質があり、この性質を利用することにより、エッチング耐性を向上させることができることを見出し、本発明に到達した。
The present inventors have made intensive studies on the above problems, and found that a first polymerization block containing a structural unit represented by the general formula (1) described later and a second polymer block containing a structural unit represented by the general formula (3) In order to improve the strength of the self-assembled film by containing a multi-block copolymer more than a diblock copolymer formed by connecting polymer blocks, the weight of the constituting block copolymer (polymer block) It has been found that even if the average molecular weight (Mw) is increased, an increase in the half pitch of the pattern to be formed can be suppressed, and a self-assembled film that is uniform and excellent in strength can be formed.
In addition, the present inventors have found that the obtained multi-block copolymer has the property of vertical studing by including a first polymer block containing a structural unit represented by the general formula (1) described later. The inventors have found that the etching resistance can be improved by utilizing the properties, and have arrived at the present invention.

すなわち、本発明は、下記一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックと、下記一般式(3)で表される構成単位を含む第2重合ブロックと、が連結されてなるジブロック共重合体以上のマルチブロック共重合体を含有する高分子材料;上記高分子材料を用いて得られる自己組織化膜;上記高分子材料を用いて自己組織化膜を形成する自己組織化膜の製造方法;上記自己組織化膜がエッチングされてなるパターン;上記自己組織化膜をエッチングしてパターンを形成する工程を含むパターンの形成方法である。 That is, in the present invention, a first polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a second polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (3) are linked. A polymeric material containing a multi-block copolymer of at least a diblock copolymer; a self-assembled film obtained using the polymeric material; a self-assembled film that forms a self-assembled film using the polymeric material a pattern formed by etching the self-assembled film; and a pattern forming method comprising a step of etching the self-assembled film to form a pattern.

Figure 2023116070000001
[一般式(1)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。lは、1以上1000以下の整数であり、Xは、一般式(2)で表される置換基である。]
Figure 2023116070000001
[In general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. l is an integer of 1 or more and 1000 or less, and X is a substituent represented by general formula (2). ]

Figure 2023116070000002
[一般式(2)中、mは、2以上8以下の整数である。]
Figure 2023116070000002
[In general formula (2), m is an integer of 2 or more and 8 or less. ]

Figure 2023116070000003
[一般式(3)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。nは、1以上1000以下の整数である。]
Figure 2023116070000003
[In general formula (3), R 2 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. n is an integer of 1 or more and 1000 or less. ]

本発明によれば、構成するブロック共重合体の分子量に差異があったとしても、形成するパターンのハーフピッチに与える影響を抑制し、均一な自己組織化膜を形成することができ、エッチング耐性にも優れ、かつ、自己組織化膜の強度にも優れる高分子材料を提供することができる。 According to the present invention, even if there is a difference in the molecular weight of the constituting block copolymer, it is possible to suppress the influence on the half pitch of the pattern to be formed, form a uniform self-assembled film, and improve the etching resistance. It is also possible to provide a polymer material that is excellent in both the strength and the strength of the self-assembled membrane.

図1は、実施例及び比較例で作製したブロック共重合体の重量平均分子量(Mw)と、ハーフピッチ(hp)の関係を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the weight average molecular weight (Mw) and the half pitch (hp) of block copolymers produced in Examples and Comparative Examples.

(高分子材料)
本発明の高分子材料は、下記一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックと、下記一般式(3)で表される構成単位を含む第2重合ブロックと、が連結されてなるジブロック共重合体以上のマルチブロック共重合体を含有する。
(Polymer material)
In the polymer material of the present invention, a first polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a second polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (3) are linked. It contains a multi-block copolymer that is equal to or higher than the di-block copolymer.

Figure 2023116070000004
[一般式(1)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。lは、1以上1000以下の整数であり、Xは、一般式(2)で表される置換基である。]
Figure 2023116070000004
[In general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. l is an integer of 1 or more and 1000 or less, and X is a substituent represented by general formula (2). ]

Figure 2023116070000005
[一般式(2)中、mは、2以上8以下の整数である。]
Figure 2023116070000005
[In general formula (2), m is an integer of 2 or more and 8 or less. ]

Figure 2023116070000006
[一般式(3)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。nは、1以上1000以下の整数である。]
Figure 2023116070000006
[In general formula (3), R 2 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. n is an integer of 1 or more and 1000 or less. ]

誘導自己組織化(以下、「DSA」ともいう)技術は、互いに非相溶な2種類の高分子鎖が共重合により一点で連結されたときに発現するミクロ相分離形成能を利用した技術である。
共有結合で連結されたマルチブロック共重合体は、同一の高分子成分同士が分子間で集合してミクロ相分離を起こす際に、2つの高分子成分間の体積分率比(f)に応じて分子集合時の界面曲率が変化してミクロドメイン構造が変化する。
Directed self-assembly (hereinafter also referred to as "DSA") technology is a technology that utilizes the ability to form microphase separation, which is expressed when two types of polymer chains that are incompatible with each other are linked at one point by copolymerization. be.
A multi-block copolymer linked by a covalent bond is formed according to the volume fraction ratio (f) between the two macromolecular components when the same macromolecular components aggregate between molecules to cause microphase separation. The interface curvature at the time of molecular assembly changes, and the microdomain structure changes.

2つの高分子成分(例えば、第1重合ブロックと、第2重合ブロック)により形成されるミクロドメイン構造としては、第2重合ブロック中に第1重合ブロックが微細に分散した球状構造、第2重合ブロック中に第1重合ブロックが線状に分散したシリンダー構造、第2重合ブロック中に分散した複数の第1重合ブロックが相互に結合したジャイロイド構造、及び、第2重合ブロックと第1重合ブロックとが層状に積層したラメラ構造が知られている。
本発明の高分子材料は、上記の何れのミクロドメイン構造を発現するものであってもよいが、半導体のパターン形成の観点から、ラメラ構造又はシリンダー構造を発現するものであることが好ましい。
A microdomain structure formed by two polymer components (for example, a first polymer block and a second polymer block) includes a spherical structure in which the first polymer block is finely dispersed in the second polymer block, and a second polymer block. A cylinder structure in which the first polymer blocks are linearly dispersed in the block, a gyroid structure in which a plurality of the first polymer blocks dispersed in the second polymer block are mutually bonded, and a second polymer block and the first polymer block. A lamellar structure is known in which is laminated in layers.
The polymer material of the present invention may exhibit any of the microdomain structures described above, but from the viewpoint of semiconductor pattern formation, it preferably exhibits a lamellar structure or a cylindrical structure.

上記一般式(1)中のR、及び、上記一般式(3)中のRとしては、水素原子及び炭素数1以上3以下のアルキル基であれば特に制限はない。
炭素数1以上3以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基及びイソプロピル基等が挙げられる。
これらの中でも、R、及び、Rとしては、ミクロ相分離不良部位に基づく欠陥を低減でき、しかも、微細及び微小な繰り返しパターンを形成できる観点から、水素原子又はメチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
R 1 in the general formula (1) and R 2 in the general formula (3) are not particularly limited as long as they are hydrogen atoms and alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms.
Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group and isopropyl group.
Among these, R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint that defects based on defective microphase separation sites can be reduced and a fine and fine repeating pattern can be formed, and a hydrogen atom. is more preferred.

上記一般式(2)中の、mは、2以上8以下の整数である。
mは、ハーフピッチ(hp)を小さくする観点から、2であることが好ましい。
m in the general formula (2) is an integer of 2 or more and 8 or less.
From the viewpoint of reducing the half pitch (hp), m is preferably 2.

第1重合ブロックは、上記一般式(1)で表される構成単位からなるブロック共重合体であることが好ましい。
第1重合ブロックが、上記一般式(1)で表される構成単位からなることにより、ハーフピッチ(hp)を好適に小さくすることができ、かつ、エッチング耐性を好適に付与することができる。
The first polymer block is preferably a block copolymer composed of structural units represented by the general formula (1).
When the first polymer block is composed of the structural unit represented by the general formula (1), the half pitch (hp) can be suitably reduced, and etching resistance can be suitably imparted.

第1重合ブロックは、上記一般式(1)で表される構成単位と、下記一般式(4)で表される構成単位とからなるランダム共重合体であってもよい。
第1重合ブロックを上記一般式(1)で表される構成単位と、下記一般式(4)で表される構成単位とからなるランダム共重合体とすることにより、ハーフピッチ(hp)を好適に小さくすることができ、かつ、エッチング耐性とを十分に保ちつつも、非常に高価である上記一般式(1)で表される構成単位をもたらす化合物の使用量を減らすことができる。
The first polymer block may be a random copolymer composed of a structural unit represented by the above general formula (1) and a structural unit represented by the following general formula (4).
By making the first polymer block a random copolymer consisting of a structural unit represented by the above general formula (1) and a structural unit represented by the following general formula (4), the half pitch (hp) is preferably It is possible to reduce the amount of the compound that provides the structural unit represented by the above general formula (1), which is very expensive, while maintaining sufficient etching resistance.

Figure 2023116070000007
[一般式(4)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。oは、1以上1000以下の整数である。]
Figure 2023116070000007
[In general formula (4), R 3 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. o is an integer of 1 or more and 1000 or less. ]

上記一般式(4)中のRとしては、水素原子及び炭素数1以上3以下のアルキル基であれば特に制限はない。
炭素数1以上3以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基及びイソプロピル基等が挙げられる。
これらの中でも、Rとしては、ミクロ相分離不良部位に基づく欠陥を低減でき、しかも、微細及び微小な繰り返しパターンを形成できる観点から、水素原子又はメチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
R 3 in the general formula (4) is not particularly limited as long as it is a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group and isopropyl group.
Among these, R 3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a hydrogen atom, from the viewpoints of reducing defects based on defective microphase separation sites and forming fine and fine repeating patterns.

第1重合ブロックの構成単位において、上記一般式(1)で表される構成単位と、上記一般式(4)で表される構成単位とのモル比率(上記一般式(1)で表される構成単位:上記一般式(4)で表される構成単位)としては、ハーフピッチ(hp)を好適に小さくすることができ、かつ、エッチング耐性を好適に付与する観点から、10:0~6:4の範囲内であることが好ましく、10:0~8:2の範囲内であることがより好ましく、10:0(すなわち、上記一般式(1)で表される構成単位からなるブロック共重合体)であることが特に好ましい。 In the structural units of the first polymer block, the molar ratio of the structural unit represented by the general formula (1) and the structural unit represented by the general formula (4) (represented by the general formula (1) The structural unit: the structural unit represented by the above general formula (4) has a ratio of 10:0 to 6 from the viewpoint of suitably reducing the half pitch (hp) and suitably imparting etching resistance. : It is preferably within the range of 4, more preferably within the range of 10:0 to 8:2, and 10:0 (that is, the block combined with the structural unit represented by the general formula (1) polymer) is particularly preferred.

マルチブロック共重合体の第1重合ブロックとしては、例えば、上記一般式(1)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第1重合ブロックA、又は、上記一般式(1)で表される構成単位と、上記一般式(1)とは異なる構成単位(例えば、上記一般式(4)で表される構成単位)とが繰り返しランダム重合してなる第1重合ブロックBを用いることができる。 As the first polymer block of the multi-block copolymer, for example, the first polymer block A formed by repeatedly polymerizing the same structural unit represented by the above general formula (1), or the above general formula (1) and a structural unit different from the general formula (1) (e.g., a structural unit represented by the general formula (4)) are repeatedly randomly polymerized to form a first polymer block B. be able to.

マルチブロック共重合体の第2重合ブロックとしては、例えば、上記一般式(3)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第2重合ブロックC、又は、上記一般式(3)で表される構成単位と、上記一般式(3)とは異なる構成単位と、が繰り返し重合してなる第2重合ブロックDを用いることができる。 As the second polymer block of the multi-block copolymer, for example, the second polymer block C formed by repeatedly polymerizing the same structural unit represented by the general formula (3), or the general formula (3) A second polymer block D obtained by repeatedly polymerizing a structural unit represented by and a structural unit different from the above general formula (3) can be used.

ジブロック共重合体としては、上述した重合ブロックA~Dが、AC、AD、BC、BDのように任意に配列したものを用いることができる。
ミクロ相分離不良部位に基づく欠陥を低減でき、かつ、微細及び微小な繰り返しパターンを形成できる観点から、上記一般式(1)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第1重合ブロックAと、上記一般式(3)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第2重合ブロックCとが配列したもの(AC)が好ましい。
As the diblock copolymer, those in which the polymer blocks A to D described above are arbitrarily arranged such as AC, AD, BC and BD can be used.
A first polymerization in which the same structural unit represented by the above general formula (1) is repeatedly polymerized from the viewpoint of reducing defects based on defective microphase separation sites and forming fine and fine repeating patterns. A block A and a second polymer block C formed by repeatedly polymerizing the same structural unit represented by the general formula (3) are preferably arranged (AC).

上記マルチブロック共重合体は、形成するパターンのブロック共重合体の重量平均分子量(Mw)を大きくしても、ハーフピッチの増大を好適に抑制し、より均一かつ強度に優れた自己組織化膜を形成する観点から、トリブロック共重合体以上であることが好ましい。
トリブロック共重合体においても、ミクロ相分離不良部位に基づく欠陥を低減でき、かつ、微細及び微小な繰り返しパターンを形成できる観点から、上記一般式(1)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第1重合ブロックAと、上記一般式(3)で表される同一の構成単位が繰り返して重合してなる第2重合ブロックCとが配列したもの(ACA、CAC)が好ましい。
なお、上記マルチブロック共重合体は、オクタブロック共重合体以下であることが好ましい。
ノナブロック共重合体以上のマルチブロック共重合体を合成するのは困難であるためである。
Even if the weight average molecular weight (Mw) of the block copolymer of the pattern to be formed is increased, the above multi-block copolymer suitably suppresses the increase in half pitch, and is a self-assembled film that is more uniform and excellent in strength. From the viewpoint of forming the triblock copolymer or more is preferable.
Also in the triblock copolymer, the same structural unit represented by the general formula (1) is repeated from the viewpoint that defects based on the microphase separation defect site can be reduced and a fine and fine repeating pattern can be formed. and a second polymer block C (ACA, CAC) in which the same structural unit represented by the general formula (3) is repeatedly polymerized. .
In addition, it is preferable that the above-mentioned multi-block copolymer is equal to or less than an octa-block copolymer.
This is because it is difficult to synthesize a multi-block copolymer higher than a nonablock copolymer.

マルチブロック共重合体の構成単位の比率としては、自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンの均一性及び規則性が向上する観点から、第1重合ブロックと、第2重合ブロックとのモル比率(第1重合ブロックのモル:第2重合ブロックのモル)が、8:2~2:8の範囲内であることが好ましい。 From the viewpoint of improving the uniformity and regularity of the pattern of the microdomain structure formed by self-organization, the ratio of the structural units of the multi-block copolymer is the molar ratio of the first polymer block and the second polymer block. The ratio (moles of the first polymer block:moles of the second polymer block) is preferably in the range of 8:2 to 2:8.

また、上述したラメラ構造又はシリンダー構造を好適に形成する場合、自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンの均一性及び規則性が向上する観点から、第1重合ブロックと、第2重合ブロックとのモル比率(第1重合ブロックのモル:第2重合ブロックのモル)を4:6~6:4の範囲内であることがより好ましく、5:5であることが更に好ましい。 Further, when the lamellar structure or cylindrical structure described above is preferably formed, from the viewpoint of improving the uniformity and regularity of the pattern of the microdomain structure formed by self-organization, the first polymer block and the second polymer block (moles of the first polymer block:moles of the second polymer block) is more preferably in the range of 4:6 to 6:4, more preferably 5:5.

上記マルチブロック共重合体は、自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンの均一性及び規則性が向上する観点から、数平均分子量(Mn)が3,000以上50,000以下であることが好ましい。
上記数平均分子量(Mn)が3,000以上であれば、自己組織化が進行してミクロドメイン構造が形成された自己組織化膜が得られる。また、数平均分子量(Mn)が50,000以下であれば、高分子化合物の親水性基の有する水素結合が適度に作用するので、パターンサイズを8.0nm以下にすることが容易となる。
上記数平均分子量(Mn)は、5,000以上がより好ましく、6,000以上が更に好ましい。また、上記数平均分子量(Mn)は、20,000以下がより好ましい。
なお、本発明の効果を奏する範囲で数平均分子量(Mn)が10,000以下のものも、本発明の高分子材料に含まれる。
The multi-block copolymer has a number average molecular weight (Mn) of 3,000 or more and 50,000 or less from the viewpoint of improving the uniformity and regularity of the pattern of the microdomain structure formed by self-organization. is preferred.
When the number average molecular weight (Mn) is 3,000 or more, self-organization progresses to obtain a self-assembled film in which a microdomain structure is formed. Further, when the number average molecular weight (Mn) is 50,000 or less, the hydrogen bonds of the hydrophilic groups of the polymer compound act appropriately, so that the pattern size can be easily made 8.0 nm or less.
The number average molecular weight (Mn) is more preferably 5,000 or more, even more preferably 6,000 or more. Further, the number average molecular weight (Mn) is more preferably 20,000 or less.
The polymeric material of the present invention also includes those having a number average molecular weight (Mn) of 10,000 or less as long as the effects of the present invention are exhibited.

上記マルチブロック共重合体の分子量分布(PDI:Mw/Mn=PDI)は、ミクロ相分離不良部位に基づく欠陥を低減でき、しかも、微細及び微小な繰り返しパターンを形成できる観点から、1.0以上が好ましく、1.02以上がより好ましく、また1.1以下が好ましく、1.05以下がより好ましい。
PDIが1.0以上1.1以下であれば、低分子量のポリマー及び高分子量のポリマーの混入が殆どないので、自己組織化により形成されたミクロドメイン構造のパターンの均一性及び規則性が向上する。
The molecular weight distribution (PDI: Mw/Mn=PDI) of the multi-block copolymer is 1.0 or more from the viewpoint of being able to reduce defects based on defective microphase separation sites and form fine and fine repeated patterns. is preferred, 1.02 or more is more preferred, 1.1 or less is preferred, and 1.05 or less is more preferred.
If the PDI is 1.0 or more and 1.1 or less, there is almost no contamination with low molecular weight polymers and high molecular weight polymers, so the uniformity and regularity of the pattern of the microdomain structure formed by self-assembly are improved. do.

上述した数平均分子量(Mn)及びPDI(並びに重量平均分子量Mw)は、ポリスチレンを標準物質として換算したゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される。GPC法による数平均分子量は、例えば、GPC測定装置(商品名:HLC-8120、東ソー社製)、カラム(商品名:TSK GELGMH6、東ソー社製)及び移動相(THF)を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出する。 The above number average molecular weight (Mn) and PDI (and weight average molecular weight Mw) are measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard substance. The number average molecular weight by the GPC method can be determined, for example, using a GPC measurement device (trade name: HLC-8120, manufactured by Tosoh Corporation), a column (trade name: TSK GELGMH6, manufactured by Tosoh Corporation), and a mobile phase (THF), the column temperature It is measured at 40° C. and calculated using a standard polystyrene calibration curve.

上記マルチブロック共重合体の組成比は、核磁気共鳴(NMR)法によって求めることができる。
NMR法による組成比は、例えば、NMR測定装置(商品名「JNM-ECZ400R」、JEOL社製、解析ソフト:Delta5.3.1、周波数:400MHz)、温度25℃、溶媒(CDCl)、内部標準:テトラメチルシラン(TMS:Tetramethylsilane)、積算回数16回の条件で測定することができる。
なお、マルチブロック共重合体の組成とは、マルチブロック共重合体を構成する構成単位を意味し、組成比とは、マルチブロック共重合体を構成する構成単位のモル比率を意味する。
The composition ratio of the multi-block copolymer can be obtained by a nuclear magnetic resonance (NMR) method.
The composition ratio by the NMR method is determined, for example, by an NMR measurement device (trade name “JNM-ECZ400R”, manufactured by JEOL, analysis software: Delta 5.3.1, frequency: 400 MHz), temperature 25 ° C., solvent (CDCl 3 ), internal Standard: tetramethylsilane (TMS), measurement can be performed under the conditions of 16 integration times.
The composition of the multi-block copolymer means the structural units constituting the multi-block copolymer, and the composition ratio means the molar ratio of the structural units constituting the multi-block copolymer.

上記マルチブロック共重合体は、リビングアニオン重合により共重合されてなることが好ましい。
リビングアニオン重合法により共重合された上記一般式(1)で表される構成単位を主体とする第1重合ブロックと、上記一般式(3)で表される構成単位を主体とする第2重合ブロックとのマルチブロック共重合体が好ましい。
高分子材料は、リビングアニオン重合によって共重合されることにより、PDIを極めて狭くできると共に、所望の数平均分子量の高分子化合物を精度良く得ることが可能となる。これにより、自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンの均一性及び規則性を向上することが可能となる。
The above multi-block copolymer is preferably copolymerized by living anionic polymerization.
A first polymerization block mainly composed of structural units represented by the general formula (1) copolymerized by a living anionic polymerization method, and a second polymerization mainly composed of structural units represented by the general formula (3) Multiblock copolymers with blocks are preferred.
The polymer material can be copolymerized by living anionic polymerization, so that the PDI can be extremely narrowed and a polymer compound having a desired number average molecular weight can be obtained with high accuracy. This makes it possible to improve the uniformity and regularity of the pattern of the microdomain structure formed by self-organization.

上記マルチブロック共重合体である高分子化合物の製造方法としては、第1重合ブロックと、第2重合ブロックとを共重合できるものであれば特に制限はない。
高分子材料を得るための重合方法としては、リビングアニオン重合、リビングカチオン重合、リビングラジカル重合、及び有機金属触媒を用いた配位重合等が挙げられる。これらの中でも、重合の失活及び副反応が少なく、リビング重合が可能なリビングアニオン重合が好ましい。
The method for producing the high molecular compound, which is the multi-block copolymer, is not particularly limited as long as it can copolymerize the first polymer block and the second polymer block.
Polymerization methods for obtaining polymeric materials include living anionic polymerization, living cationic polymerization, living radical polymerization, and coordination polymerization using an organometallic catalyst. Among these, living anionic polymerization is preferred because it causes little deactivation and side reactions of polymerization and enables living polymerization.

リビングアニオン重合においては、脱酸素及び脱水処理を行った重合用モノマー及び有機溶媒を用いる。
有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。リビングアニオン重合では、これらの有機溶媒にアニオン種を必要量添加した後、モノマーを随時添加することで重合を行う。アニオン種としては、例えば、アルキルリチウム、アルキルマグネシウムハライド、ナフタレンナトリウム、及びアルキル化ランタノイド系化合物等の有機金属が挙げられる。
In the living anionic polymerization, deoxygenated and dehydrated monomers for polymerization and an organic solvent are used.
Examples of organic solvents include hexane, cyclohexane, toluene, benzene, diethyl ether, tetrahydrofuran, and the like. In the living anionic polymerization, a necessary amount of anionic species is added to these organic solvents, and then monomers are added as needed to carry out polymerization. Anionic species include, for example, organometallics such as alkyllithiums, alkylmagnesium halides, naphthalene sodium, and alkylated lanthanide compounds.

本発明の高分子材料では、モノマーとして置換スチレンを共重合するので、これらの中でも、アニオン種としては、s-ブチルリチウム及びブチルマグネシウムクロライドが好ましい。
リビングアニオン重合の重合温度としては、-100℃以上50℃以下の範囲内が好ましく、重合の制御を容易にする観点から、-70℃以上40℃以下がより好ましい。
Since substituted styrene is copolymerized as a monomer in the polymer material of the present invention, s-butyllithium and butylmagnesium chloride are preferred as the anionic species.
The polymerization temperature of the living anionic polymerization is preferably in the range of −100° C. or higher and 50° C. or lower, and more preferably −70° C. or higher and 40° C. or lower from the viewpoint of facilitating control of the polymerization.

上記マルチブロック共重合体の製造方法としては、例えば、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン等のフェノール性水酸基を保護した置換スチレンのモノマーを上述した条件下でリビングアニオン重合によりブロック共重合を行ってブロック共重合体を合成する。
このブロック共重合体は、シュウ酸等の酸触媒等を用いて得られた高分子化合物のフェノール性水酸基を脱保護することができる。重合時のフェノール性水酸基に対する保護基としては、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン以外にも、t-ブチル基及びトリアルキルシリル基等が挙げられる。
なお、高分子化合物中に他のエーテル部位、エステル部位を有するモノマーを共重合する場合は、脱保護反応時の酸性度の調整及びアルカリ性条件下での脱保護反応により、選択的に脱保護してフェノール性水酸基を得ることも可能である。
As a method for producing the above multi-block copolymer, for example, a substituted styrene monomer such as p-(1-ethoxyethoxy)styrene in which a phenolic hydroxyl group is protected is subjected to block copolymerization by living anionic polymerization under the conditions described above. to synthesize a block copolymer.
This block copolymer can deprotect the phenolic hydroxyl groups of a polymer compound obtained using an acid catalyst such as oxalic acid. Examples of protective groups for phenolic hydroxyl groups during polymerization include t-butyl groups and trialkylsilyl groups in addition to p-(1-ethoxyethoxy)styrene.
When copolymerizing monomers having other ether or ester sites in the polymer compound, selective deprotection is carried out by adjusting the acidity during the deprotection reaction and by performing the deprotection reaction under alkaline conditions. It is also possible to obtain phenolic hydroxyl groups by

本発明の高分子材料は、構成するブロック共重合体の分子量に差異があったとしても、形成するパターンのハーフピッチに与える影響を抑制し、均一な自己組織化膜を形成することができ、エッチング耐性にも優れ、かつ、自己組織化膜の強度にも優れるので、自己組織化用(自己組織化膜の形成)に用いることが好ましい。 The polymer material of the present invention can form a uniform self-assembled film by suppressing the influence on the half pitch of the pattern to be formed even if there is a difference in the molecular weight of the block copolymer that constitutes it. It is preferably used for self-organization (formation of self-assembled films) because it has excellent etching resistance and excellent strength of self-assembled films.

(自己組織化膜)
本発明の自己組織化膜は、本発明の高分子材料を用いて得られる。
具体的には、本発明の自己組織化膜は、本発明の高分子材料を有機溶剤に溶解させて塗布することにより得られる。
(Self-assembled membrane)
The self-assembled membrane of the invention is obtained using the polymer material of the invention.
Specifically, the self-assembled film of the present invention can be obtained by dissolving the polymer material of the present invention in an organic solvent and applying the solution.

上記高分子材料を溶解する有機溶剤としては、自己組織化膜が得られるものであれば特に制限はなく、例えば、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸3-メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、3-エトキシエチルプロピオネート、3-エトキシメチルプロピオネート、3-メトキシメチルプロピオネート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、3-メチル-3-メトキシブタノール、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、及びテトラメチレンスルホン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The organic solvent for dissolving the polymer material is not particularly limited as long as a self-assembled film can be obtained. Examples include butyl acetate, amyl acetate, cyclohexyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl ethyl ketone, and methyl amyl ketone. , cyclohexanone, cyclopentanone, 3-ethoxyethylpropionate, 3-ethoxymethylpropionate, 3-methoxymethylpropionate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, diacetone alcohol, methyl pyruvate, ethyl pyruvate , propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, 3 -methyl-3-methoxybutanol, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, and tetramethylene sulfone and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

上記高分子材料を溶解する有機溶剤としては、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、及び乳酸アルキルエステルが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、アルキル基の炭素数が1以上4以下のものが挙げられる。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられる。これらの中でも、メチル基、及びエチル基が好ましい。また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、1,2置換体と1,3置換体とを含む置換位置の組み合わせにより3種の異性体があるが、これらの異性体を単独で用いてもよく、2種以上の異性体を併用してもよい。 As the organic solvent for dissolving the polymer material, propylene glycol alkyl ether acetate and lactic acid alkyl ester are preferable. Examples of propylene glycol alkyl ether acetates include those having an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms. Such alkyl groups include, for example, methyl, ethyl, propyl and butyl groups. Among these, a methyl group and an ethyl group are preferred. In addition, propylene glycol alkyl ether acetate has three isomers depending on the combination of substitution positions including 1,2-substituted and 1,3-substituted isomers, and these isomers may be used alone. You may use together 2 or more types of isomers.

上記乳酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が1以上4以下のものが挙げられる。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられる。これらの中でも、メチル基、及びエチル基が好ましい。 Examples of the lactic acid alkyl ester include those having an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms. Such alkyl groups include, for example, methyl, ethyl, propyl and butyl groups. Among these, a methyl group and an ethyl group are preferred.

上記有機溶剤の濃度としては、例えば、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを用いる場合には、有機溶剤の全質量に対してプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが50質量%以上となるようにすることが好ましい。また、乳酸アルキルエステルを用いる場合には、有機溶剤の全質量に対して50質量%以上となるようにすることが好ましい。
また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルとの混合溶剤を有機溶剤として用いる場合には、混合溶剤の合計量が有機溶剤の全質量に対して50質量%以上となるようにすることが好ましい。
また、この混合溶媒を用いる場合には、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを60質量%以上95質量%以下、乳酸アルキルエステルを5質量%以上40質量%以下の割合とすることが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを60質量%以上とすることにより高分子材料の塗布性が良好となり、95質量%以下とすることにより高分子材料の溶解性が向上する。
As for the concentration of the organic solvent, for example, when propylene glycol alkyl ether acetate is used, it is preferable that the propylene glycol alkyl ether acetate is 50% by mass or more based on the total mass of the organic solvent. Moreover, when lactic acid alkyl ester is used, it is preferable to make it 50 mass % or more with respect to the total mass of the organic solvent.
Further, when a mixed solvent of propylene glycol alkyl ether acetate and lactic acid alkyl ester is used as the organic solvent, the total amount of the mixed solvent is preferably 50% by mass or more with respect to the total mass of the organic solvent. .
Moreover, when using this mixed solvent, it is preferable to make the propylene glycol alkyl ether acetate 60% by mass or more and 95% by mass or less and the lactic acid alkyl ester 5% by mass or more and 40% by mass or less. When the propylene glycol alkyl ether acetate is 60% by mass or more, the applicability of the polymer material is improved, and when it is 95% by mass or less, the solubility of the polymer material is improved.

高分子材料を有機溶剤に溶解させた溶液は、従来公知の成膜方法で自己組織化膜が得られる濃度であれば特に制限はなく、例えば、高分子材料の固形分100質量部に対して、有機溶剤を5000質量部以上50000質量部以下が好ましく、7000質量部以上30000質量部以下がより好ましい。 The solution obtained by dissolving the polymeric material in an organic solvent is not particularly limited as long as it has a concentration at which a self-assembled film can be obtained by a conventionally known film forming method. , the organic solvent is preferably 5000 parts by mass or more and 50000 parts by mass or less, more preferably 7000 parts by mass or more and 30000 parts by mass or less.

高分子材料を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布することにより、本発明の自己組織化膜を製造することができる。
高分子材料を有機溶剤に溶解させた溶液の塗布方法としては、自己組織化膜が得られるものであれば特に制限はなく、例えば、スピン塗布法、浸漬法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、吹き付け法、ポッティング法、及びスクリーン印刷法等が挙げられる。
上記高分子材料を用いて自己組織化膜を形成する自己組織化膜の製造方法もまた、本発明に包含される。
The self-assembled film of the present invention can be produced by applying a solution obtained by dissolving a polymer material in an organic solvent.
The method of applying a solution of a polymer material dissolved in an organic solvent is not particularly limited as long as a self-assembled film can be obtained. Examples include spin coating, dipping, flexographic printing, inkjet printing, A spraying method, a potting method, a screen printing method, and the like can be mentioned.
The present invention also includes a method for producing a self-assembled film using the polymer material.

本発明の自己組織化膜は、自己組織化膜が封止及び保護されるので、自己組織化膜のハンドリング性及び耐候性が向上させる観点から、表面にトップコート剤が塗布されてなることが好ましい。 Since the self-assembled film of the present invention seals and protects the self-assembled film, the surface may be coated with a topcoat agent from the viewpoint of improving the handleability and weather resistance of the self-assembled film. preferable.

上記トップコート剤としては、例えば、ポリエステル系トップコート剤、ポリアミド系トップコート剤、ポリウレタン系トップコート剤、エポキシ系トップコート剤、フェノール系トップコート剤、(メタ)アクリル系トップコート剤、ポリ酢酸ビニル系トップコート剤、ポリエチレンアルイハポリプロピレンなどのポリオレフィン系トップコート剤、セルロース系トップコート剤などが挙げられる。
上記トップコート剤のコーティング量(固形分換算)は、3g/m以上7g/m以下が好ましい。
上記トップコート剤は、従来公知の塗布方法で自己組織化膜上に塗布することができる。
上記自己組織化膜上にトップコート剤を塗布する工程を含む自己組織化膜の製造方法もまた、本発明に包含される。
Examples of the topcoat agent include polyester-based topcoat agents, polyamide-based topcoat agents, polyurethane-based topcoat agents, epoxy-based topcoat agents, phenol-based topcoat agents, (meth)acrylic-based topcoat agents, and polyacetic acid. Examples include vinyl-based top coating agents, polyolefin-based top coating agents such as polyethylene aluminum and polypropylene, and cellulose-based top coating agents.
The coating amount (in terms of solid content) of the top coating agent is preferably 3 g/m 2 or more and 7 g/m 2 or less.
The above topcoat agent can be applied onto the self-assembled film by a conventionally known application method.
A method for producing a self-assembled film, which includes the step of applying a topcoat agent onto the self-assembled film, is also included in the present invention.

本発明の自己組織化膜は、アンダーコート剤を塗布してもよい。
アンダーコート剤としては、従来公知の各種アンダーコート剤を用いることができる。
An undercoat agent may be applied to the self-assembled film of the present invention.
Various conventionally known undercoating agents can be used as the undercoating agent.

本発明の自己組織化膜は、ガイドパターン内で自己組織化膜を形成することが好ましい。
この場合、例えば、高分子材料の溶液をガイドパターン付シリコン基板などに塗布して自己組織化膜を形成することができる。
そして、200℃以上300℃以下で5分以上1時間以下のアニーリング処理によりシリコン基板上に自己組織化ミクロドメイン構造のパターンが得られる。
得られたミクロドメイン構造のパターンを酸素プラズマガスでエッチングすることにより、ハーフピッチ(hp)8.0nm以下のL/S(ライン/スペース)パターン及びCH(微細なホール)パターンを得ることができる。
上記自己組織化膜がエッチングされてなるパターン、及び、上記自己組織化膜をエッチングしてパターンを形成する工程を含むパターンの形成方法もまた、本発明に包含される。
The self-assembled film of the present invention preferably forms a self-assembled film within the guide pattern.
In this case, for example, a self-assembled film can be formed by applying a polymer material solution to a silicon substrate with a guide pattern.
Then, an annealing treatment is performed at 200° C. or higher and 300° C. or lower for 5 minutes or longer and 1 hour or shorter to obtain a pattern of a self-organized microdomain structure on the silicon substrate.
By etching the obtained microdomain structure pattern with oxygen plasma gas, an L/S (line/space) pattern and a CH (fine hole) pattern with a half pitch (hp) of 8.0 nm or less can be obtained. .
The present invention also includes a pattern formed by etching the self-assembled film, and a pattern forming method including a step of etching the self-assembled film to form a pattern.

上記マルチブロック共重合体は、透過型電子顕微鏡(TEM)観察及びX線小角散乱(SAXS)測定により凝集力を評価することができる。凝集力の評価サンプルは、例えば、50mgのマルチブロック共重合体のサンプル膜を調製し、調製したサンプルを1gの無添加THFに溶解させてテフロン(登録商標)シャーレに移し、テフロン(登録商標)シャーレで10日間キャストして真空乾燥することにより作成できる。 The cohesive force of the multi-block copolymer can be evaluated by transmission electron microscope (TEM) observation and X-ray small angle scattering (SAXS) measurement. For the cohesion evaluation sample, for example, 50 mg of a multi-block copolymer sample film is prepared, and the prepared sample is dissolved in 1 g of additive-free THF, transferred to a Teflon (registered trademark) petri dish, and treated with Teflon (registered trademark). It can be produced by casting in a petri dish for 10 days and vacuum drying.

TEM観察では、まず、サンプル膜を適当な大きさにカットして包埋型に入れた後、エポキシ樹脂を流し込み、60℃で12時間静置させてエポキシ樹脂を硬化させて包埋処理を実施する。そしてミクロトームを用いて包埋処理を実施したサンプル膜を厚さはおよそ50nmの切片とした後、切片をCuグリッド上に集めCsCOで染色した後、透過型電子顕微鏡装置で観察することによりhpを測定することができる。 In the TEM observation, first, after cutting the sample film into an appropriate size and placing it in an embedding mold, epoxy resin was poured into it and left to stand at 60°C for 12 hours to harden the epoxy resin and carry out the embedding process. do. Then, the sample membrane subjected to the embedding treatment using a microtome is cut into sections with a thickness of about 50 nm, the sections are collected on a Cu grid, stained with Cs 2 CO 3 , and then observed with a transmission electron microscope. hp can be measured by

SAXS測定では、例えば、ブロック共重合体の粉末を耐熱フィルム上にて熱処理を行い、X線小角散乱(SAXS:small-angle X-ray scattering)分析装置(極微細周期構造解析システム Nano-Viewer AXIS IV Rigaku社製)を用いて、バルク状態でのミクロ相分離性測定を行うことができる。 In the SAXS measurement, for example, a block copolymer powder is heat-treated on a heat-resistant film, and an X-ray small-angle scattering (SAXS: small-angle X-ray scattering) analyzer (ultrafine periodic structure analysis system Nano-Viewer AXIS IV Rigaku) can be used to measure microphase separation in a bulk state.

このミクロ相分離性測定では、例えば、ブロック共重合体のサンプル膜にX線を入射して小角側に現れる散乱の角度依存性をイメージングプレートにより60分測定を実施する。測定データ処理に関しては、空気散乱などのバックグランド補正を行ってq/nm-1を算出し、フーリエ変換解析を実施後、ブロック共重合体の自己組織化によるミクロドメイン構造の平均繰り返しパターンサイズ幅の恒等周期(d)の半数である自己組織化膜のハーフピッチ(hp)の数値を測定することができる。 In this microphase separation measurement, for example, X-rays are incident on a block copolymer sample film, and the angular dependence of scattering appearing on the small angle side is measured with an imaging plate for 60 minutes. Regarding measurement data processing, background correction such as air scattering is performed to calculate q/nm -1 , Fourier transform analysis is performed, and the average repeating pattern size width of the microdomain structure by self-assembly of the block copolymer It is possible to measure the value of the half pitch (hp) of the self-assembled film, which is half the identity period (d) of the .

以下、本発明の効果を明確にするために行った実施例及び比較例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例及び比較例によって何ら制限されるものではない。 Examples and comparative examples for clarifying the effects of the present invention will be described below. The present invention is in no way limited by the following examples and comparative examples.

(実施例1:テトラブロック共重合体(BP-2)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gと4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0g、を順次滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(BP-1)150gを得た。
(Example 1: Synthesis of tetrablock copolymer (BP-2))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene and 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene were successively added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (BP-1).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-1)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(BP-2)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(BP-2)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the obtained tetrablock copolymer (BP-1) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the tetrablock copolymer solution after deprotection was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the tetrablock copolymer (BP-2).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (BP-2).

<テトラブロック共重合体(BP-2)の数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(PDI)の測定>
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により得られたテトラブロック共重合体(BP-2)の数平均分子量及び分子量分布を測定した。測定条件を以下に示す。測定結果を以下及び下記表2に示す。
GPC測定装置:商品名:「HLC-8120」、東ソー社製
カラム:商品名「TSK GEL GMH6」、東ソー社製)
移動相:THF
カラム温度:40℃
標準物質:ポリスチレン
<Measurement of number average molecular weight (Mn), weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (PDI) of tetrablock copolymer (BP-2)>
The number average molecular weight and molecular weight distribution of the obtained tetrablock copolymer (BP-2) were measured by gel permeation chromatography (GPC). Measurement conditions are shown below. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
GPC measurement device: Product name: “HLC-8120”, column manufactured by Tosoh Corporation: Product name “TSK GEL GMH6”, manufactured by Tosoh Corporation)
Mobile phase: THF
Column temperature: 40°C
Reference material: polystyrene

標準ポリスチレンを基準としてGPCを測定した結果、得られたテトラブロック共重合体(BP-2)のMnは9168であり、Mwは9535であり、PDIは1.04であった。 As a result of GPC measurement with reference to standard polystyrene, the obtained tetrablock copolymer (BP-2) had an Mn of 9168, an Mw of 9535 and a PDI of 1.04.

<テトラブロック共重合体(BP-2)の組成比の測定>
核磁気共鳴(NMR:Nuclear Magnetic Resonance)スペクトル法(H-NMR)により得られたテトラブロック共重合体(BP-2)の組成比を測定した。測定条件を以下に示す。
NMR測定装置:商品名「JNM-ECZ400R、JEOL社製、解析ソフト:Delta5.3.1」)、
周波数:400MHz
温度:25℃、
溶媒:CDCl3、
内部標準:テトラメチルシラン(TMS:Tetramethylsilane)
積算回数:16回
<Measurement of composition ratio of tetrablock copolymer (BP-2)>
The composition ratio of the tetrablock copolymer (BP-2) obtained by nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy ( 1 H-NMR) was measured. Measurement conditions are shown below.
NMR measurement device: trade name “JNM-ECZ400R, manufactured by JEOL, analysis software: Delta 5.3.1”),
Frequency: 400MHz
temperature: 25°C,
Solvent: CDCl3,
Internal standard: tetramethylsilane (TMS)
Accumulated times: 16 times

脱保護前の1-エトキシエトキシ基由来のシグナル(3ppm~4ppm及び5ppm付近)は、脱保護後に消失していることが確認された。さらに、各シグナルの面積比率よりテトラブロック共重合体(BP-2)の組成比(モル比率)は、4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50であることが分かった。 It was confirmed that the signals derived from the 1-ethoxyethoxy group before deprotection (3 ppm to 4 ppm and around 5 ppm) disappeared after deprotection. Furthermore, from the area ratio of each signal, the composition ratio (molar ratio) of the tetrablock copolymer (BP-2) is 4-hydroxystyrene (HS):4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt)=50:50. It turns out there is.

SAXS測定では、ブロック共重合体の粉末を耐熱フィルム上にて熱処理を行い、X線小角散乱(SAXS:small-angle X-ray scattering)、分析装置(極微細周期構造解析システム:商品名「Nano-Viewer AXIS IV」、Rigaku社製)を用いて、バルク状態でのミクロ相分離性測定を行った。
ブロック共重合体のサンプル膜にX線を入射して小角側に現れる散乱の角度依存性をイメージングプレートにより60分測定を実施した。測定データ処理に関しては、空気散乱などのバックグランド補正を行ってq/nm-1を算出し、フーリエ変換解析を実施後、ブロック共重合体の自己組織化によるミクロドメイン構造の平均繰り返しパターンサイズ幅の恒等周期(d)の半数である自己組織化膜のハーフピッチ(hp)の数値を測定した。
その結果、恒等周期(d)は7.6nmであり、ハーフピッチ(hp)は3.8nmであった。測定結果を下記表2に示す。
In the SAXS measurement, the block copolymer powder is heat-treated on a heat-resistant film, X-ray small-angle scattering (SAXS: small-angle X-ray scattering), an analyzer (ultrafine periodic structure analysis system: product name “Nano -Viewer AXIS IV" (manufactured by Rigaku) was used to measure microphase separation in a bulk state.
X-rays were incident on a block copolymer sample film, and the angular dependence of scattering appearing on the small angle side was measured for 60 minutes using an imaging plate. Regarding measurement data processing, background correction such as air scattering is performed to calculate q/nm -1 , Fourier transform analysis is performed, and the average repeating pattern size width of the microdomain structure by self-assembly of the block copolymer The value of the half pitch (hp) of the self-assembled film, which is half the identity period (d) of the self-assembled film, was measured.
As a result, the uniform period (d) was 7.6 nm and the half pitch (hp) was 3.8 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例2:テトラブロック共重合体(BP-4)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)8.90mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン38.0gと4-トリメチルシリルスチレン6.0gの混合物を滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後4-ペンタメチルジシリルスチレン38.0gと4-トリメチルシリルスチレン6.0gの混合物を滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(BP-3)150gを得た。
(Example 2: Synthesis of tetrablock copolymer (BP-4))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 8.90 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, a mixture of 38.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene and 6.0 g of 4-trimethylsilylstyrene which had been subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, a mixture of 38.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene and 6.0 g of 4-trimethylsilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (BP-3).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-3)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(BP-4)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(BP-4)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the obtained tetrablock copolymer (BP-3) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the tetrablock copolymer solution after deprotection was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the tetrablock copolymer (BP-4).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (BP-4).

得られたテトラブロック共重合体(BP-4)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(BP-4)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表2に示す。
・テトラブロック共重合体(BP-4)の組成比(モル比率)
4-ヒドロキシスチレン(HS):{4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)と4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)}=50:50
・Mn=9363
・Mw=9737
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (BP-4), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (BP-4) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (BP-4)
4-hydroxystyrene (HS): {4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) and 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt)} = 50:50
・Mn=9363
・Mw=9737
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、8.0nmであり、hpは4.0nmであった。測定結果を下記表2に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 8.0 nm and hp was 4.0 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例3:テトラブロック共重合体(BP-6)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ヘプタメチルトリシリルスチレン50.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後4-ペンタメチルジシリルスチレン50.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(BP-5)150gを得た。
(Example 3: Synthesis of tetrablock copolymer (BP-6))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 50.0 g of 4-heptamethyltrisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 50.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (BP-5).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-5)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(BP-6)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(BP-6)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting tetrablock copolymer (BP-5) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected tetra-block copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate the tetra-block copolymer (BP-6) for washing.
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (BP-6).

得られたテトラブロック共重合体(BP-6)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(BP-6)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表2に示す。
・テトラブロック共重合体(BP-6)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(HMTSSt)=50:50
・Mn=9819
・Mw=10211
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (BP-6), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (BP-6) were measured by the above-described measurement methods. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (BP-6) 4-hydroxystyrene (HS): 4-heptamethyltrisilylstyrene (HMTSSt) = 50:50
・Mn=9819
・Mw=10211
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、8.0nmであり、hpは4.0nmであった。測定結果を下記表2に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 8.0 nm and hp was 4.0 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例4:ジブロック共重合体(BP-8)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン80.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン88.0gを滴下注入して30分間反応させた。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりジブロック共重合体(BP-7)150gを得た。
(Example 4: Synthesis of diblock copolymer (BP-8))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 80.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 88.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of diblock copolymer (BP-7).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-7)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のジブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてジブロック共重合体(BP-8)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してジブロック共重合体(BP-8)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the obtained tetrablock copolymer (BP-7) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected diblock copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the diblock copolymer (BP-8).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of diblock copolymer (BP-8).

得られたジブロック共重合体(BP-8)を用いて、上述した測定方法によりジブロック共重合体(BP-8)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表2に示す。
・ジブロック共重合体(BP-8)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=9168
・Mw=9535
・PDI=1.04
Using the obtained diblock copolymer (BP-8), the composition ratio, Mn and PDI of the diblock copolymer (BP-8) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of diblock copolymer (BP-8) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50:50
・Mn=9168
・Mw=9535
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、13.0nmであり、hpは6.5nmであった。測定結果を下記表2に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 13.0 nm and hp was 6.5 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例5:トリブロック共重合体(BP-10)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン88.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりトリブロック共重合体(BP-9)150gを得た。
(Example 5: Synthesis of triblock copolymer (BP-10))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 88.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise to continue the polymerization reaction. After that, 30 g of methanol was added to stop the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated. to obtain 150 g of a triblock copolymer (BP-9).

次に、得られたトリブロック共重合体(BP-9)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のトリブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてトリブロック共重合体(BP-10)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してトリブロック共重合体(BP-10)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting triblock copolymer (BP-9) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected triblock copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the triblock copolymer (BP-10).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of triblock copolymer (BP-10).

得られたトリブロック共重合体(BP-10)を用いて、上述した測定方法によりトリブロック共重合体(BP-10)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表2に示す。
・トリブロック共重合体(BP-10)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=9168
・Mw=9535
・PDI=1.04
Using the obtained triblock copolymer (BP-10), the composition ratio, Mn and PDI of the triblock copolymer (BP-10) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of triblock copolymer (BP-10) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50: 50
・Mn=9168
・Mw=9535
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、8.0nmであり、hp4.0nmはであった。測定結果を下記表2に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 8.0 nm and hp was 4.0 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例6:ヘキサブロック共重合体(BP-12)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりヘキサブロック共重合体(BP-11)150gを得た。
(Example 6: Synthesis of hexablock copolymer (BP-12))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of hexablock copolymer (BP-11).

次に、得られたヘキサブロック共重合体(BP-11)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のヘキサブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてヘキサブロック共重合体(BP-12)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してヘキサブロック共重合体(BP-12)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting hexablock copolymer (BP-11) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected hexablock copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the hexablock copolymer (BP-12).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of hexablock copolymer (BP-12).

得られたヘキサブロック共重合体(BP-12)を用いて、上述した測定方法によりヘキサブロック共重合体(BP-12)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表2に示す。
・ヘキサブロック共重合体(BP-12)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=9819
・Mw=10211
・PDI=1.04
Using the obtained hexablock copolymer (BP-12), the composition ratio, Mn and PDI of the hexablock copolymer (BP-12) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 2 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of hexablock copolymer (BP-12) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50:50
・Mn=9819
・Mw=10211
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、7.6nmであり、hpは3.8nmであった。測定結果を下記表2に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 7.6 nm and hp was 3.8 nm. The measurement results are shown in Table 2 below.

(実施例7:テトラブロック共重合体(BP-14)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)27.0mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(BP-13)150gを得た。
(Example 7: Synthesis of tetrablock copolymer (BP-14))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 27.0 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (BP-13).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-13)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(BP-14)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(BP-14)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting tetrablock copolymer (BP-13) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected tetra-block copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate the tetra-block copolymer (BP-14) for washing.
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (BP-14).

得られたテトラブロック共重合体(BP-14)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(BP-14)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・テトラブロック共重合体(BP-14)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=3129
・Mw=3254
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (BP-14), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (BP-14) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (BP-14) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50:50
・Mn=3129
・Mw=3254
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、6.0nmであり、hpは3.0nmであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 6.0 nm and hp was 3.0 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(実施例8:テトラブロック共重合体(BP-16)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)1.78mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-ペンタメチルジシリルスチレン44.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(BP-15)150gを得た。
(Example 8: Synthesis of tetrablock copolymer (BP-16))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 1.78 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 44.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (BP-15).

次に、得られたテトラブロック共重合体(BP-15)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(BP-16)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(BP-16)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting tetrablock copolymer (BP-15) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected tetra-block copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate the tetra-block copolymer (BP-16) for washing.
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (BP-16).

得られたテトラブロック共重合体(BP-16)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(BP-16)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・テトラブロック共重合体(BP-16)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=46558
・Mw=48420
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (BP-16), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (BP-16) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (BP-16) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50:50
・Mn=46558
・Mw=48420
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、15.6nmであり、hpは7.8nmであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 15.6 nm and hp was 7.8 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(実施例9:トリブロック共重合体(BP-18)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)1.75mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン88.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりトリブロック共重合体(BP-17)150gを得た。
(Example 9: Synthesis of triblock copolymer (BP-18))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 1.75 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 88.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise to continue the polymerization reaction. After that, 30 g of methanol was added to stop the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated. to obtain 150 g of a triblock copolymer (BP-17).

次に、得られたトリブロック共重合体(BP-17)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のトリブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてトリブロック共重合体(BP-18)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してトリブロック共重合体(BP-18)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting triblock copolymer (BP-17) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected triblock copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the triblock copolymer (BP-18).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of triblock copolymer (BP-18).

得られたトリブロック共重合体(BP-18)を用いて、上述した測定方法によりトリブロック共重合体(BP-18)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・トリブロック共重合体(BP-18)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=47355
・Mw=49249
・PDI=1.04
Using the obtained triblock copolymer (BP-18), the composition ratio, Mn and PDI of the triblock copolymer (BP-18) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of triblock copolymer (BP-18) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50: 50
・Mn=47355
・Mw = 49249
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、15.8nmであり、hp7.9nmはであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 15.8 nm and the hp was 7.9 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(実施例10:ヘキサブロック共重合体(BP-20)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)1.90mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン28.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後4-ペンタメチルジシリルスチレン32.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりヘキサブロック共重合体(BP-19)150gを得た。
(Example 10: Synthesis of hexablock copolymer (BP-20))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 1.90 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 28.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was dropped and reacted for 30 minutes. After that, 32.0 g of 4-pentamethyldisilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of hexablock copolymer (BP-19).

次に、得られたヘキサブロック共重合体(BP-19)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のヘキサブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてヘキサブロック共重合体(BP-20)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してヘキサブロック共重合体(BP-20)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting hexablock copolymer (BP-19) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected hexablock copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the hexablock copolymer (BP-20).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of a white powdery solid of hexablock copolymer (BP-20).

得られたヘキサブロック共重合体(BP-20)を用いて、上述した測定方法によりヘキサブロック共重合体(BP-20)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・ヘキサブロック共重合体(BP-20)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)=50:50
・Mn=46732
・Mw=48602
・PDI=1.04
Using the obtained hexablock copolymer (BP-20), the composition ratio, Mn and PDI of the hexablock copolymer (BP-20) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of hexablock copolymer (BP-20) 4-hydroxystyrene (HS): 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) = 50:50
・Mn=46732
・Mw = 48602
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、15.4nmであり、hpは7.7nmであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 15.4 nm and hp was 7.7 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(比較例1:テトラブロック共重合体(RBP-2)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)9.09mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-トリメチルシリルスチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-トリメチルシリルスチレン40.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(RBP-1)150gを得た。
(Comparative Example 1: Synthesis of tetrablock copolymer (RBP-2))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 9.09 ml of s-butyllithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 40.0 g of 4-trimethylsilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of 4-trimethylsilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (RBP-1).

次に、得られたテトラブロック共重合体(RBP-1)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(RBP-2)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(RBP-2)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the obtained tetrablock copolymer (RBP-1) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the tetrablock copolymer solution after deprotection was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate and wash the tetrablock copolymer (RBP-2).
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (RBP-2).

得られたテトラブロック共重合体(RBP-2)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(RBP-2)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・テトラブロック共重合体(RBP-2)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)=50:50
・Mn=8735
・Mw=9084
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (RBP-2), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (RBP-2) were measured by the above-described measurement methods. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (RBP-2) 4-hydroxystyrene (HS): 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt) = 50:50
・Mn=8735
・Mw=9084
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、8.4nmであり、hpは4.2nmであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 8.4 nm and hp was 4.2 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(比較例2:テトラブロック共重合体(RBP-4)の合成)
5Lのアニオン重合反応装置を減圧乾燥した後、減圧下、金属ナトリウム及びアントラセンによる蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン(THF)溶液4500gを注入して-70℃まで冷却した。次に、冷却したTHF溶液にs-ブチルリチウム(シクロヘキサン溶液:2.03mol/L)1.70mlを注入した。次に、反応溶液の内温が-60℃以上にならないように滴下速度を調整しながら蒸留精製処理を行ったp-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下し、滴下終了後、更に30分間反応させた。
次に、更に蒸留脱水処理を行った4-トリメチルシリルスチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、p-(1-エトキシエトキシ)スチレン40.0gを滴下注入して30分間反応させた。さらにその後、4-トリメチルシリルスチレン40.0gを滴下することで、重合反応を継続して行った。
その後、メタノール30gを投入することにより重合反応を停止し、反応溶液を濃縮することによりテトラブロック共重合体(RBP-3)150gを得た。
(Comparative Example 2: Synthesis of tetrablock copolymer (RBP-4))
After drying the 5 L anionic polymerization reactor under reduced pressure, 4500 g of a tetrahydrofuran (THF) solution that had been dehydrated by distillation with metallic sodium and anthracene was injected under reduced pressure and cooled to -70°C. Next, 1.70 ml of s-butyl lithium (cyclohexane solution: 2.03 mol/L) was injected into the cooled THF solution. Next, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene purified by distillation is added dropwise while adjusting the dropping rate so that the internal temperature of the reaction solution does not exceed -60°C. React for 30 minutes.
Next, 40.0 g of 4-trimethylsilylstyrene which had been further subjected to distillation and dehydration treatment was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of p-(1-ethoxyethoxy)styrene was added dropwise and reacted for 30 minutes. After that, 40.0 g of 4-trimethylsilylstyrene was added dropwise to continue the polymerization reaction.
Thereafter, 30 g of methanol was added to terminate the polymerization reaction, and the reaction solution was concentrated to obtain 150 g of tetrablock copolymer (RBP-3).

次に、得られたテトラブロック共重合体(RBP-3)50gをTHF300gに溶解させて1Lの反応容器に注入した後、メタノール175g、及びシュウ酸1gを添加して窒素雰囲気下40℃にて20時間の脱保護反応を行った。次に、室温付近まで反応溶液を冷却した後、ピリジン2gを加えて中和反応を行った。
次に、得られた反応溶液を減圧濃縮した後、THF100g、アセトン100gを注入して脱保護後のテトラブロック共重合体を再溶解させた。次に、脱保護後のテトラブロック共重合体溶液を超純水4.5Lに加えてテトラブロック共重合体(RBP-4)を析出させて洗浄した。
その後、固体成分をフィルターにより濾過した後、50℃で20時間減圧乾燥してテトラブロック共重合体(RBP-4)の白色粉末固体45gを得た。
Next, 50 g of the resulting tetrablock copolymer (RBP-3) was dissolved in 300 g of THF and poured into a 1 L reaction vessel. A deprotection reaction was carried out for 20 hours. Next, after cooling the reaction solution to around room temperature, 2 g of pyridine was added to carry out a neutralization reaction.
Next, after concentrating the obtained reaction solution under reduced pressure, 100 g of THF and 100 g of acetone were injected to redissolve the deprotected tetrablock copolymer. Next, the deprotected tetra-block copolymer solution was added to 4.5 L of ultrapure water to precipitate the tetra-block copolymer (RBP-4) for washing.
Thereafter, the solid component was filtered with a filter and dried under reduced pressure at 50° C. for 20 hours to obtain 45 g of white powdery solid of tetrablock copolymer (RBP-4).

得られたテトラブロック共重合体(RBP-4)を用いて、上述した測定方法によりテトラブロック共重合体(RBP-4)の組成比、Mn及びPDIを測定した。測定結果を以下及び下記表3に示す。
・テトラブロック共重合体(RBP-4)の組成比(モル比率)4-ヒドロキシスチレン(HS):4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)=50:50
・Mn=46427
・Mw=48285
・PDI=1.04
Using the obtained tetrablock copolymer (RBP-4), the composition ratio, Mn and PDI of the tetrablock copolymer (RBP-4) were measured by the measurement methods described above. The measurement results are shown below and in Table 3 below.
・ Composition ratio (molar ratio) of tetrablock copolymer (RBP-4) 4-hydroxystyrene (HS): 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt) = 50:50
・Mn=46427
・Mw=48285
・PDI = 1.04

次に、上述した方法により作製したパターンの恒等周期(d)及びhpを測定した。その結果、恒等周期(d)は、40.0nmであり、hpは20.0nmであった。測定結果を下記表3に示す。 Next, the uniform period (d) and hp of the pattern produced by the method described above were measured. As a result, the identity period (d) was 40.0 nm and hp was 20.0 nm. The measurement results are shown in Table 3 below.

(エッチング速度の測定)
実施例及び比較例で作製したブロック共重合体の構成単位からなる評価用ポリマーを作製し、それぞれのエッチング速度(nm/sec)を測定した。測定結果を下記表3に示す。
(Measurement of etching rate)
Polymers for evaluation were prepared from constituent units of the block copolymers prepared in Examples and Comparative Examples, and their etching rates (nm/sec) were measured. The measurement results are shown in Table 3 below.

なお、以下に記載のポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)は、4-ヒドロキシスチレン(HS)を構成単位とする評価用ポリマーであり、ポリ4-ペンタメチルジシリルスチレン(PPMDSSt)は、4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)を構成単位とする評価用ポリマーであり、ポリ4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(PHMTSSt)は、4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(HMTSSt)を構成単位とする評価用ポリマーである。
また、(4-トリメチルシリルスチレン)-(4-ペンタメチルジシリルスチレン)のランダムコポリマー(TMSSt-PMDSStランダムコポリマー)は、4-ヒドロキシスチレン(HS)と4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)とからなる評価用ポリマーであり、ポリ4-トリメチルシリルスチレン(PTMSSt)は、4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)を構成単位とする評価用ポリマーである。
Poly 4-hydroxystyrene (PHS) described below is a polymer for evaluation having 4-hydroxystyrene (HS) as a structural unit, and poly 4-pentamethyldisilylstyrene (PPMDSSt) is 4-penta A polymer for evaluation having methyldisilylstyrene (PMDSSt) as a structural unit, and poly 4-heptamethyltrisilylstyrene (PHMTSSt) is a polymer for evaluation having 4-heptamethyltrisilylstyrene (HMTSSt) as a structural unit. be.
In addition, a random copolymer of (4-trimethylsilylstyrene)-(4-pentamethyldisilylstyrene) (TMSSt-PMDSSt random copolymer) is an evaluation grade consisting of 4-hydroxystyrene (HS) and 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt). Poly 4-trimethylsilylstyrene (PTMSSt) is an evaluation polymer having 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt) as a structural unit.

<ポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)>
50mLの三口フラスコに、2,2’-アゾビス(2-イソブチロニトリル)(AIBN)(株式会社日本ファインケム製)0.032g入れ、ジムロート冷却器、温度計、真空ラインを装着して、減圧と窒素パージを3回繰り返した。続いて、4―ヒドロキシスチレン(HS)20.5g、及びトルエン9. 0gを加え、フラスコ内の反応溶液を、0℃で15~20分、窒素バブリングしながらマグネチックスターラーで撹拌した。その後、オイルバス中で、反応溶液を温度に70℃に加熱しながら5時間撹拌した。オイルバスから三口フラスコを取り出し、これを氷冷した。次いで三口フラスコにテトラヒドロフラン40gを加え、生成した沈殿物を、メタノール中で精製することにより残存したモノマー等を除去した。沈殿物を減圧濾過により回収し、回収した沈殿物を60℃で真空乾燥して、ポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)15gを得た。
<Poly 4-hydroxystyrene (PHS)>
Put 0.032 g of 2,2'-azobis(2-isobutyronitrile) (AIBN) (manufactured by Japan Finechem Co., Ltd.) in a 50 mL three-necked flask, attach a Dimroth condenser, a thermometer, and a vacuum line, and reduce the pressure. and nitrogen purge were repeated three times. followed by 20.5 g of 4-hydroxystyrene (HS) and 9.0 g of toluene. 0 g was added, and the reaction solution in the flask was stirred with a magnetic stirrer at 0° C. for 15 to 20 minutes with nitrogen bubbling. Thereafter, the reaction solution was stirred for 5 hours while being heated to 70° C. in an oil bath. The three-necked flask was removed from the oil bath and ice-cooled. Then, 40 g of tetrahydrofuran was added to the three-necked flask, and the resulting precipitate was purified in methanol to remove residual monomers and the like. The precipitate was collected by filtration under reduced pressure and dried in vacuum at 60° C. to obtain 15 g of poly-4-hydroxystyrene (PHS).

得られたポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)の重量平均分子量、分子量分布を、実施例1と同様の方法で測定した。測定結果は以下のとおりである。
・Mw:100000
・分子量分布(Mw/Mn)=1.90
The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the resulting poly-4-hydroxystyrene (PHS) were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are as follows.
・Mw: 100,000
・Molecular weight distribution (Mw/Mn) = 1.90

<ポリ4-ペンタメチルジシリルスチレン(PPMDSSt)>
50mLの三口フラスコに、2,2’-アゾビス(2-イソブチロニトリル)(AIBN)(株式会社日本ファインケム製)0.032g入れ、ジムロート冷却器、温度計、真空ラインを装着して、減圧と窒素パージを3回繰り返した。続いて、4-ペンタメチルジシリルスチレン(PMDSSt)20.5g、及びトルエン9. 0gを加え、フラスコ内の反応溶液を、0℃で15~20分、窒素バブリングしながらマグネチックスターラーで撹拌した。その後、オイルバス中で、反応溶液を温度に70℃に加熱しながら5時間撹拌した。オイルバスから三口フラスコを取り出し、これを氷冷した。次いで三口フラスコにテトラヒドロフラン40gを加え、生成した沈殿物を、メタノール中で精製することにより残存したモノマー等を除去した。沈殿物を減圧濾過により回収し、回収した沈殿物を60℃で真空乾燥して、ポリ4-ペンタメチルジシリルスチレン(PPMDSSt)15gを得た。
<Poly 4-pentamethyldisilylstyrene (PPMDSSt)>
Put 0.032 g of 2,2'-azobis(2-isobutyronitrile) (AIBN) (manufactured by Japan Finechem Co., Ltd.) in a 50 mL three-necked flask, attach a Dimroth condenser, a thermometer, and a vacuum line, and reduce the pressure. and nitrogen purge were repeated three times. Subsequently, 20.5 g of 4-pentamethyldisilylstyrene (PMDSSt) and 9.5 g of toluene. 0 g was added, and the reaction solution in the flask was stirred with a magnetic stirrer at 0° C. for 15 to 20 minutes with nitrogen bubbling. Thereafter, the reaction solution was stirred for 5 hours while being heated to 70° C. in an oil bath. The three-necked flask was removed from the oil bath and ice-cooled. Then, 40 g of tetrahydrofuran was added to the three-necked flask, and the resulting precipitate was purified in methanol to remove residual monomers and the like. The precipitate was collected by filtration under reduced pressure, and the collected precipitate was vacuum-dried at 60° C. to obtain 15 g of poly-4-pentamethyldisilylstyrene (PPMDSSt).

得られたポリ4-ペンタメチルジシリルスチレン(PPMDSSt)の重量平均分子量、分子量分布を、実施例1と同様の方法で測定した。測定結果は以下のとおりである。
・Mw:100000
・分子量分布(Mw/Mn)=1.90
The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the resulting poly-4-pentamethyldisilylstyrene (PPMDSSt) were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are as follows.
・Mw: 100,000
・Molecular weight distribution (Mw/Mn) = 1.90

<ポリ4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(PHMTSSt)>
50mLの三口フラスコに、2,2’-アゾビス(2-イソブチロニトリル)(AIBN)(株式会社日本ファインケム製)0.032g入れ、ジムロート冷却器、温度計、真空ラインを装着して、減圧と窒素パージを3回繰り返した。続いて、4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(HMTSSt)20.5g、及びトルエン9. 0gを加え、フラスコ内の反応溶液を、0℃で15~20分、窒素バブリングしながらマグネチックスターラーで撹拌した。その後、オイルバス中で、反応溶液を温度に70℃に加熱しながら5時間撹拌した。オイルバスから三口フラスコを取り出し、これを氷冷した。次いで三口フラスコにテトラヒドロフラン40gを加え、生成した沈殿物を、メタノール中で精製することにより残存したモノマー等を除去した。沈殿物を減圧濾過により回収し、回収した沈殿物を60℃で真空乾燥して、ポリ4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(PHMTSSt)15gを得た。
<Poly 4-heptamethyltrisilylstyrene (PHMTSSt)>
Put 0.032 g of 2,2'-azobis(2-isobutyronitrile) (AIBN) (manufactured by Japan Finechem Co., Ltd.) in a 50 mL three-necked flask, attach a Dimroth condenser, a thermometer, and a vacuum line, and reduce the pressure. and nitrogen purge were repeated three times. Subsequently, 20.5 g of 4-heptamethyltrisilylstyrene (HMTSSt) and 9.5 g of toluene. 0 g was added, and the reaction solution in the flask was stirred with a magnetic stirrer at 0° C. for 15 to 20 minutes with nitrogen bubbling. Thereafter, the reaction solution was stirred for 5 hours while being heated to 70° C. in an oil bath. The three-necked flask was removed from the oil bath and ice-cooled. Then, 40 g of tetrahydrofuran was added to the three-necked flask, and the resulting precipitate was purified in methanol to remove residual monomers and the like. The precipitate was collected by filtration under reduced pressure, and dried in vacuum at 60° C. to obtain 15 g of poly-4-heptamethyltrisilylstyrene (PHMTSSt).

得られたポリ4-ヘプタメチルトリシリルスチレン(PHMTSSt)の重量平均分子量、分子量分布を、実施例1と同様の方法で測定した。測定結果は以下のとおりである。
・Mw:100000
・分子量分布(Mw/Mn)=1.90
The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the resulting poly-4-heptamethyltrisilylstyrene (PHMTSSt) were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are as follows.
・Mw: 100,000
・Molecular weight distribution (Mw/Mn) = 1.90

<(4-トリメチルシリルスチレン)-(4-ペンタメチルジシリルスチレン)のランダムコポリマー(TMSSt-PMDSStランダムコポリマー)>
50mLの三口フラスコに、2,2’-アゾビス(2-イソブチロニトリル)(AIBN)(株式会社日本ファインケム製)0.032g入れ、ジムロート冷却器、温度計、真空ラインを装着して、減圧と窒素パージを3回繰り返した。続いて、4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)2.8g、4-ペンタメチルジリルスチレン(PMDSSt)17.7g及びトルエン9. 0gを加え、フラスコ内の反応溶液を、0℃で15~20分、窒素バブリングしながらマグネチックスターラーで撹拌した。その後、オイルバス中で、反応溶液を温度に70℃に加熱しながら5時間撹拌した。オイルバスから三口フラスコを取り出し、これを氷冷した。次いで三口フラスコにテトラヒドロフラン40gを加え、生成した沈殿物を、メタノール中で精製することにより残存したモノマー等を除去した。沈殿物を減圧濾過により回収し、回収した沈殿物を60℃で真空乾燥してTMSSt-PMDSStランダムコポリマー15gを得た。
<(4-trimethylsilylstyrene)-(4-pentamethyldisilylstyrene) random copolymer (TMSSt-PMDSSt random copolymer)>
Put 0.032 g of 2,2'-azobis(2-isobutyronitrile) (AIBN) (manufactured by Japan Finechem Co., Ltd.) in a 50 mL three-necked flask, attach a Dimroth condenser, a thermometer, and a vacuum line, and reduce the pressure. and nitrogen purge were repeated three times. This was followed by 2.8 g of 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt), 17.7 g of 4-pentamethylsilylstyrene (PMDSSt) and 9.9 g of toluene. 0 g was added, and the reaction solution in the flask was stirred with a magnetic stirrer at 0° C. for 15 to 20 minutes with nitrogen bubbling. Thereafter, the reaction solution was stirred for 5 hours while being heated to 70° C. in an oil bath. The three-necked flask was removed from the oil bath and ice-cooled. Then, 40 g of tetrahydrofuran was added to the three-necked flask, and the resulting precipitate was purified in methanol to remove residual monomers and the like. The precipitate was collected by filtration under reduced pressure, and the collected precipitate was vacuum-dried at 60° C. to obtain 15 g of TMSSt-PMDSSt random copolymer.

得られたTMSSt-PMDSStランダムコポリマーの重量平均分子量、分子量分布及びモノマーの組成比(モル比率)を、実施例1と同様の方法で測定した。測定結果は以下のとおりである。
・Mw:100000
・分子量分布(Mw/Mn)=1.90
・TMSSt:PMDSSt=17:83
The weight average molecular weight, molecular weight distribution and monomer composition ratio (molar ratio) of the resulting TMSSt-PMDSSt random copolymer were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are as follows.
・Mw: 100,000
・Molecular weight distribution (Mw/Mn) = 1.90
・TMSSt: PMDSSt=17:83

<ポリ4-トリメチルシリルスチレン(PTMSSt)>
50mLの三口フラスコに、2,2’-アゾビス(2-イソブチロニトリル)(AIBN)(株式会社日本ファインケム製)0.032g入れ、ジムロート冷却器、温度計、真空ラインを装着して、減圧と窒素パージを3回繰り返した。続いて、4-トリメチルシリルスチレン(TMSSt)20.5g、及びトルエン9. 0gを加え、フラスコ内の反応溶液を、0℃で15~20分、窒素バブリングしながらマグネチックスターラーで撹拌した。その後、オイルバス中で、反応溶液を温度に70℃に加熱しながら5時間撹拌した。オイルバスから三口フラスコを取り出し、これを氷冷した。次いで三口フラスコにテトラヒドロフラン40gを加え、生成した沈殿物を、メタノール中で精製することにより残存したモノマー等を除去した。沈殿物を減圧濾過により回収し、回収した沈殿物を60℃で真空乾燥して、ポリ4-トリメチルシリルスチレン(PTMSSt)15gを得た。
<Poly 4-trimethylsilylstyrene (PTMSSt)>
Put 0.032 g of 2,2'-azobis(2-isobutyronitrile) (AIBN) (manufactured by Japan Finechem Co., Ltd.) in a 50 mL three-necked flask, attach a Dimroth condenser, a thermometer, and a vacuum line, and reduce the pressure. and nitrogen purge were repeated three times. Subsequently, 20.5 g of 4-trimethylsilylstyrene (TMSSt) and 9.5 g of toluene. 0 g was added, and the reaction solution in the flask was stirred with a magnetic stirrer at 0° C. for 15 to 20 minutes with nitrogen bubbling. Thereafter, the reaction solution was stirred for 5 hours while being heated to 70° C. in an oil bath. The three-necked flask was removed from the oil bath and ice-cooled. Then, 40 g of tetrahydrofuran was added to the three-necked flask, and the resulting precipitate was purified in methanol to remove residual monomers and the like. The precipitate was collected by filtration under reduced pressure, and the collected precipitate was vacuum-dried at 60° C. to obtain 15 g of poly-4-trimethylsilylstyrene (PTMSSt).

得られたポリ4-トリメチルシリルスチレン(PTMSSt)の重量平均分子量、分子量分布を、実施例1と同様の方法で測定した。測定結果は以下のとおりである。
・Mw:100000
・分子量分布(Mw/Mn)=1.90
The weight average molecular weight and molecular weight distribution of the resulting poly-4-trimethylsilylstyrene (PTMSSt) were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are as follows.
・Mw: 100,000
・Molecular weight distribution (Mw/Mn) = 1.90

それぞれの評価用ポリマー1gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート99gに溶解させ、各溶液を調製した。得られた溶液をスピンコーター(MIKASA社 製、SPINCOATER 1H-360S)を用いてシリコーンウェハ上に塗布した。塗膜を120℃で60秒間加熱し、エッチング速度測定用サンプルとしてのポリマー層(膜厚約600nm)を形成させた。
ポリマー層を、100W、50sccmの酸素プラズマによってドライプラズマエッチングした。エッチングの装置としてマーチプラズマシステムズ社製バッチ型プラズマクリーナーPX-250を用いた。エッチング前後のポリマー層の厚みを、フィルメトリクス社製のF20を用いて測定することで比較し、エッチング速度(nm/sec)を求めた。
各ポリマー層のエッチング速度に対するポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)の膜のエッチング速度の比率を、エッチング速度比として求めた。エッチング速度比が大きいほど、ブロック共重合体の第2重合ブロックに相当するポリ4-ヒドロキシスチレン(PHS)が高い選択性でエッチングにより除去されるといえる。
1 g of each evaluation polymer was dissolved in 99 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to prepare each solution. The resulting solution was applied onto a silicone wafer using a spin coater (SPINCOATER 1H-360S, manufactured by MIKASA). The coating film was heated at 120° C. for 60 seconds to form a polymer layer (film thickness of about 600 nm) as a sample for etching rate measurement.
The polymer layer was dry plasma etched with a 100 W, 50 sccm oxygen plasma. A batch-type plasma cleaner PX-250 manufactured by March Plasma Systems was used as an etching apparatus. The thickness of the polymer layer before and after etching was compared by measuring using F20 manufactured by Filmetrics, Inc., and the etching rate (nm/sec) was obtained.
The ratio of the etching rate of the poly-4-hydroxystyrene (PHS) film to the etching rate of each polymer layer was obtained as the etching rate ratio. It can be said that the higher the etching rate ratio, the higher the selectivity of poly-4-hydroxystyrene (PHS) corresponding to the second polymerization block of the block copolymer.

Figure 2023116070000008
Figure 2023116070000008

表1に示されるとおり、PPMDSSt、PHMTSSt、TMSSt-PMDSStランダムコポリマーは、PTMSStと比較して、PHSに対する大きなエッチング速度比を示した。
この結果から、PPMDSSt、PHMTSSt又はTMSSt-PMDSStランダムコポリマーに相当する第1重合ブロックと、PHSに相当する第2重合ブロックとを有する実施例1~10のブロック共重合体が相分離することにより形成されたラメラ構造から、第2重合ブロックを主に含むドメインを高い選択性で除去し得ることが確認された。
As shown in Table 1, PPMDSSt, PHMTSSt, TMSSt-PMDSSt random copolymers showed a large etch rate ratio to PHS compared to PTMSSt.
From this result, the block copolymers of Examples 1 to 10 having a first polymer block corresponding to PPMDSSt, PHMTSSt or TMSSt-PMDSSt random copolymer and a second polymer block corresponding to PHS are formed by phase separation. It was confirmed that the domain mainly containing the second polymer block can be removed from the obtained lamellar structure with high selectivity.

<エッチング耐性の評価結果>
実施例及び比較例について、第1重合ブロックに相当する評価用ポリマーのエッチング速度に対するPHS(それぞれのブロック共重合体の第2重合ブロックに相当)のエッチング速度の比率を速度比として算出し、以下の基準で評価した。
例えば、実施例1の場合、PPMDSStのエッチング速度に対するPHSのエッチング速度の比率を速度比として算出した結果、速度比は8.0であった。
その結果を表2、3に記載した。
〇:エッチング速度比が5.0以上であった。
×:エッチング速度比が5.0未満であった。
<Evaluation results of etching resistance>
For the examples and comparative examples, the ratio of the etching rate of the PHS (corresponding to the second polymer block of each block copolymer) to the etching rate of the polymer for evaluation corresponding to the first polymer block was calculated as a rate ratio. was evaluated according to the criteria of
For example, in the case of Example 1, the ratio of the etching rate of PHS to the etching rate of PPMDSSt was calculated as a rate ratio, and the rate ratio was 8.0.
The results are shown in Tables 2 and 3.
O: The etching rate ratio was 5.0 or more.
x: The etching rate ratio was less than 5.0.

<ハーフピッチ(hp)の評価結果>
実施例及び比較例において測定した自己組織化膜のハーフピッチ(hp)は、以下の基準で評価をした。その結果を表2、3に記載した。
〇:自己組織化膜のハーフピッチ(hp)が8.0nm以下であった。
×:自己組織化膜のハーフピッチ(hp)が8.0nmを超えた。
<Evaluation result of half pitch (hp)>
The half pitch (hp) of the self-assembled films measured in Examples and Comparative Examples was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 2 and 3.
O: The half pitch (hp) of the self-assembled film was 8.0 nm or less.
x: The half pitch (hp) of the self-assembled film exceeded 8.0 nm.

Figure 2023116070000009
Figure 2023116070000009

Figure 2023116070000010
Figure 2023116070000010

表2、3より、実施例1~10では、ハーフピッチ(hp)が十分に小さく、PDIが小さいことから均一な自己組織化膜を形成することができることが確認され、かつ、エッチング耐性にも優れることが確認された。
また、図1は、実施例及び比較例で作製したブロック共重合体の重量平均分子量(Mw)と、ハーフピッチ(hp)の関係を示す図である。
図1に示すように、上記一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックと、上記一般式(3)で表される構成単位を含む第2重合ブロックが連結されてなるテトラブロック共重合体(実施例1、7及び8)、トリブロック共重合体(実施例5、9)、並びに、ヘキサブロック共重合体(実施例6及び10)では、重量平均分子量(Mw)が5万程度になっても、ハーフピッチを8.0nm以下とすることができることから、重量平均分子量(Mw)を大きくしても形成するパターンのハーフピッチの増大を抑制できることが確認された。すなわち、実施例で作製したブロック共重合体では、形成するパターンのハーフピッチが8.0nm以下であり、均一かつ強度に優れた自己組織化膜を形成できることが確認された。


From Tables 2 and 3, it is confirmed that in Examples 1 to 10, the half pitch (hp) is sufficiently small and the PDI is small, so that a uniform self-assembled film can be formed. confirmed to be excellent.
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the weight average molecular weight (Mw) and the half pitch (hp) of the block copolymers produced in Examples and Comparative Examples.
As shown in FIG. 1, the first polymer block containing the structural unit represented by the general formula (1) and the second polymer block containing the structural unit represented by the general formula (3) are connected. For tetrablock copolymers (Examples 1, 7 and 8), triblock copolymers (Examples 5, 9), and hexablock copolymers (Examples 6 and 10), the weight average molecular weight (Mw) Since the half-pitch can be 8.0 nm or less even when the is about 50,000, it was confirmed that the increase in the half-pitch of the pattern to be formed can be suppressed even if the weight average molecular weight (Mw) is increased. That is, it was confirmed that in the block copolymers produced in Examples, the half pitch of the formed pattern was 8.0 nm or less, and a self-assembled film that was uniform and excellent in strength could be formed.


Claims (14)

下記一般式(1)で表される構成単位を含む第1重合ブロックと、
下記一般式(3)で表される構成単位を含む第2重合ブロックと、
が連結されてなるジブロック共重合体以上のマルチブロック共重合体を含有する高分子材料。
Figure 2023116070000011
[一般式(1)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。lは、1以上1000以下の整数であり、Xは、一般式(2)で表される置換基である。]
Figure 2023116070000012
[一般式(2)中、mは、2以上8以下の整数である。]
Figure 2023116070000013
[一般式(3)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。nは、1以上1000以下の整数である。]
a first polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (1);
a second polymer block containing a structural unit represented by the following general formula (3);
A polymer material containing a multi-block copolymer that is not less than a di-block copolymer in which is linked.
Figure 2023116070000011
[In general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. l is an integer of 1 or more and 1000 or less, and X is a substituent represented by general formula (2). ]
Figure 2023116070000012
[In general formula (2), m is an integer of 2 or more and 8 or less. ]
Figure 2023116070000013
[In general formula (3), R 2 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. n is an integer of 1 or more and 1000 or less. ]
前記第1重合ブロックは、上記一般式(1)で表される構成単位からなるブロック共重合体である請求項1に記載の高分子材料。 2. The polymeric material according to claim 1, wherein the first polymer block is a block copolymer composed of structural units represented by the general formula (1). 前記第1重合ブロックは、上記一般式(1)で表される構成単位と、下記一般式(4)で表される構成単位とからなるランダム共重合体である請求項1に記載の高分子材料。
Figure 2023116070000014
[一般式(4)中、Rは、水素原子及び炭素数1~3のアルキル基を表す。oは、1以上1000以下の整数である。]
The polymer according to claim 1, wherein the first polymer block is a random copolymer comprising a structural unit represented by the general formula (1) and a structural unit represented by the following general formula (4). material.
Figure 2023116070000014
[In general formula (4), R 3 represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. o is an integer of 1 or more and 1000 or less. ]
前記一般式(2)中、mは2である請求項1~3の何れか1項に記載の高分子材料。 The polymer material according to any one of claims 1 to 3, wherein m is 2 in the general formula (2). 前記マルチブロック共重合体は、トリブロック共重合体以上である請求項1~4の何れか1項に記載の高分子材料。 The polymeric material according to any one of claims 1 to 4, wherein the multi-block copolymer is a tri-block copolymer or higher. 前記マルチブロック共重合体は、リビングアニオン重合により共重合されてなる請求項1~5の何れか1項に記載の高分子材料。 The polymeric material according to any one of claims 1 to 5, wherein the multi-block copolymer is copolymerized by living anionic polymerization. 前記マルチブロック共重合体は、数平均分子量が3,000以上50,000以下である請求項1~6の何れか1項に記載の高分子材料。 The polymeric material according to any one of claims 1 to 6, wherein the multi-block copolymer has a number average molecular weight of 3,000 or more and 50,000 or less. 請求項1~7の何れか1項に記載の高分子材料を用いて得られる自己組織化膜。 A self-assembled film obtained using the polymer material according to any one of claims 1 to 7. 表面にトップコート剤が塗布されてなる請求項8に記載の自己組織化膜。 9. The self-assembled membrane according to claim 8, wherein the surface is coated with a topcoat agent. 請求項1~7の何れか1項に記載の高分子材料を用いて自己組織化膜を形成する自己組織化膜の製造方法。 A method for producing a self-assembled film, comprising forming a self-assembled film using the polymer material according to any one of claims 1 to 7. ガイドパターン内で自己組織化膜を形成する請求項10に記載の自己組織化膜の製造方法。 The method for producing a self-assembled film according to claim 10, wherein the self-assembled film is formed within the guide pattern. 前記自己組織化膜上にトップコート剤を塗布する工程を含む請求項10又は11に記載の自己組織化膜の製造方法。 12. The method for producing a self-assembled film according to claim 10, further comprising the step of applying a topcoat agent onto the self-assembled film. 請求項8又は9に記載の自己組織化膜がエッチングされてなるパターン。 A pattern obtained by etching the self-assembled film according to claim 8 or 9. 請求項8又は9に記載の自己組織化膜をエッチングしてパターンを形成する工程を含むパターンの形成方法。

10. A pattern forming method, comprising the step of etching the self-assembled film according to claim 8 or 9 to form a pattern.

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