JP2023111185A - Vibration device, and method for manufacturing vibration device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 29
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 11
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、振動デバイスおよび振動デバイスの製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a vibrating device and a method for manufacturing the vibrating device.
例えば、特許文献1に記載されている発振器は、外側容器と、外側容器に収容されている内側容器と、内側容器に収容されている振動素子および回路素子と、を有している。また、振動素子は、接着材を介して内側容器の凹部底面に搭載されている。 For example, the oscillator described in Patent Document 1 has an outer container, an inner container housed in the outer container, and a vibration element and a circuit element housed in the inner container. Also, the vibrating element is mounted on the bottom surface of the recess of the inner container via an adhesive.
しかしながら、特許文献1の発振器では、振動素子が接着材を介して内側容器に固定されている。そのため、振動素子搭載時の接着材の濡れ広がり、潰れにより、凹部底面に対する振動素子の高さを確保し難い。したがって、内側容器から振動素子に応力が伝わり易くなり、振動特性が悪化するという課題があった。 However, in the oscillator disclosed in Patent Document 1, the vibrating element is fixed to the inner container via an adhesive. Therefore, it is difficult to secure the height of the vibrating element with respect to the bottom surface of the concave portion due to the spread and collapse of the adhesive when the vibrating element is mounted. Therefore, there is a problem that stress is easily transmitted from the inner container to the vibrating element, resulting in deterioration of vibration characteristics.
本発明の振動デバイスは、外側パッケージと、
前記外側パッケージに収容されている内側パッケージと、
前記内側パッケージに収容されている振動素子と、
前記振動素子と前記内側パッケージとを接合している第1接合部材と、を有し、
前記第1接合部材は、接着材と、前記接着材に覆われている少なくとも1つのバンプを含むバンプ群と、を備えている。
The vibration device of the present invention comprises an outer package,
an inner package housed in the outer package;
a vibrating element housed in the inner package;
a first joint member that joins the vibration element and the inner package;
The first bonding member includes an adhesive and a bump group including at least one bump covered with the adhesive.
本発明の振動デバイスの製造方法は、内側ベースに少なくとも1つのバンプを含むバンプ群を形成するバンプ形成工程と、
前記バンプ群を覆うように接着材を塗布して接合部材を形成する接着材塗布工程と、
前記接合部材を介して振動素子を前記内側ベースに接合する振動素子接合工程と、
前記内側ベースとの間に前記振動素子を収容するように前記内側ベースに内側リッドを接合し、内側パッケージを得る内側リッド接合工程と、
前記内側パッケージを外側パッケージに収容する内側パッケージ収容工程と、を含んでいる。
A method of manufacturing a vibrating device according to the present invention includes a bump forming step of forming a bump group including at least one bump on an inner base;
an adhesive application step of applying an adhesive so as to cover the bump group to form a bonding member;
a vibrating element bonding step of bonding the vibrating element to the inner base via the bonding member;
an inner lid bonding step of bonding an inner lid to the inner base so as to accommodate the vibration element between the inner base and the inner lid to obtain an inner package;
an inner package housing step of housing the inner package in an outer package.
以下、本発明の振動デバイスおよび振動デバイスの製造方法の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a vibrating device and a method for manufacturing a vibrating device according to the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図2は、内側パッケージの内部を示す断面図である。図3は、内側パッケージの内部を示す平面図である。図4は、内側パッケージと振動素子とを接合する接合部材を示す縦断面図である。図5は、図4に示す接合部材の横断面図である。図6ないし図10は、それぞれ、接合部材の変形例を示す横断面図である。図11は、接合部材の変形例を示す縦断面図である。図12は、PLL回路を示す回路図である。図13は、振動デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図14ないし図21は、それぞれ、振動デバイスの製造方法を説明する断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the vibration device according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the inside of the inner package. FIG. 3 is a plan view showing the inside of the inner package. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a joining member that joins the inner package and the vibrating element. 5 is a cross-sectional view of the joining member shown in FIG. 4. FIG. 6 to 10 are cross-sectional views showing modifications of the joining member. FIG. 11 is a vertical cross-sectional view showing a modification of the joining member. FIG. 12 is a circuit diagram showing a PLL circuit. FIG. 13 is a flow chart showing the manufacturing process of the vibrating device. 14 to 21 are cross-sectional views explaining the manufacturing method of the vibrating device.
なお、説明の便宜上、図12および図13を除く各図には、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を図示している。また、以下では、X軸方向に沿う方向を「X軸方向」、Y軸方向に沿う方向を「Y軸方向」、Z軸方向に沿う方向を「Z軸方向」とも言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、反対側を「マイナス側」とも言う。また、Z軸方向プラス側を「上」とも言い、Z軸方向マイナス側を「下」とも言う。 For convenience of explanation, X-axis, Y-axis and Z-axis that are orthogonal to each other are illustrated in each figure except FIG. 12 and FIG. 13 . Further, hereinafter, the direction along the X-axis direction is also called the “X-axis direction”, the direction along the Y-axis direction is also called the “Y-axis direction”, and the direction along the Z-axis direction is also called the “Z-axis direction”. Also, the arrow side of each axis is called "plus side" and the opposite side is called "minus side". The positive side in the Z-axis direction is also called "upper", and the negative side in the Z-axis direction is also called "lower".
図1に示す振動デバイス1は、恒温槽付水晶発振器(OCXO)であり、振動素子6と、回路素子8と、温度制御素子7と、振動素子6、回路素子8および温度制御素子7を収容している内側パッケージ3と、回路素子4と、内側パッケージ3および回路素子4を収容している外側パッケージ2と、外側パッケージ2に配置されている電圧制御型水晶発振器5と、を有している。以下、これら各部について順に説明する。
The vibration device 1 shown in FIG. 1 is an oven-controlled crystal oscillator (OCXO), and accommodates a
≪外側パッケージ2≫
図1に示すように、外側パッケージ2は、外側ベース21と、外側リッド22と、を有している。外側ベース21は、箱状をなし、上面に開口する上側凹部211と、下面に開口する下側凹部212と、を有している。
≪Outer package 2≫
As shown in FIG. 1, the outer package 2 has an
また、外側リッド22は、板状をなし、上側凹部211の開口を塞ぐようにして、シールリング、低融点ガラス等の封止部材23を介して外側ベース21の上面に接合されている。これにより、上側凹部211が気密封止され、外側パッケージ2内に外側収容空間A2が形成される。一方、下側凹部212の開口は、封止されておらず、外側パッケージ2の外部に臨んでいる。そして、外側収容空間A2に内側パッケージ3および回路素子4が収容され、下側凹部212に電圧制御型水晶発振器5が配置されている。
The
なお、外側ベース21および外側リッド22の構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、外側ベース21をアルミナ、チタニア等の各種セラミック材料で構成し、外側リッド22をコバール等の各種金属材料で構成することができる。これにより、丈夫で機械的強度に優れた外側パッケージ2となる。また、両者の線膨張係数をほぼ等しくすることができ、外側パッケージ2に生じる熱応力の低減を図ることもできる。
Materials for forming the
外側収容空間A2について詳細に説明すると、上側凹部211は、外側ベース21の上面に開口する第1上側凹部211aと、第1上側凹部211aの底面に開口し第1上側凹部211aよりも開口が小さい第2上側凹部211bと、第2上側凹部211bの底面に開口し第2上側凹部211bよりも開口が小さい第3上側凹部211cと、を有している。そして、第1上側凹部211aの底面に回路素子4が配置され、第3上側凹部211cの底面に内側パッケージ3が配置されている。
The outer housing space A2 will be described in detail. The upper
外側収容空間A2は、気密であり、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。これにより、外側パッケージ2の断熱性が高まり、外部温度の影響を受け難い振動デバイス1となる。また、温度制御素子7の熱が逃げ難くなり、振動素子6の加熱効率が高まる。そのため、振動素子6の温度がより安定すると共に、省電力化を図ることもできる。ただし、外側収容空間A2の雰囲気は、特に限定されない。
The outer housing space A2 is airtight and is in a decompressed state, preferably in a state closer to a vacuum. As a result, the heat insulation of the outer package 2 is enhanced, and the vibrating device 1 is less susceptible to external temperature. In addition, the heat of the
また、図1に示すように、第1上側凹部211aの底面には複数の内部端子241が配置され、第2上側凹部211bの底面には複数の内部端子242が配置され、下側凹部212の底面には複数の内部端子243が配置され、外側ベース21の下面には複数の外部端子244が配置されている。各内部端子241は、ボンディングワイヤーBW1を介して回路素子4と電気的に接続され、各内部端子242は、ボンディングワイヤーBW2を介して内側パッケージ3と電気的に接続され、各内部端子243は、導電性の接合部材B1を介して電圧制御型水晶発振器5と電気的に接続されている。
Further, as shown in FIG. 1, a plurality of
また、これら各端子241、242、243、244は、外側ベース21内に形成されている図示しない内部配線を介して適宜電気的に接続され、回路素子4、内側パッケージ3、電圧制御型水晶発振器5および外部端子244を電気的に接続している。このような振動デバイス1においては、外部端子244において外部装置100との接続が行われる。
These
≪内側パッケージ3≫
図1に示すように、内側パッケージ3は、外側パッケージ2の外側収容空間A2に収容されている。図2に示すように、内側パッケージ3は、内側ベース31と、内側リッド32と、を有している。内側ベース31は、箱状をなし、下面に開口する凹部311を有している。また、内側リッド32は、板状をなし、凹部311の開口を塞ぐようにして、シールリング、低融点ガラス等の封止部材33を介して内側ベース31の下面に接合されている。これにより、凹部311が気密封止され、内側パッケージ3内に内側収容空間A3が形成される。そして、内側収容空間A3に振動素子6、温度制御素子7および回路素子8が収容されている。
≪Inner package 3≫
As shown in FIG. 1, the inner package 3 is housed in the outer housing space A2 of the outer package 2. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the inner package 3 has an
なお、内側ベース31および内側リッド32の構成材料としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、内側ベース31をアルミナ、チタニア等の各種セラミック材料で構成し、内側リッド32をコバール等の各種金属材料で構成することができる。これにより、丈夫で機械的強度に優れた内側パッケージ3となる。また、両者の線膨張係数をほぼ等しくすることができ、内側パッケージ3に生じる熱応力の低減を図ることもできる。
Materials for forming the
内側収容空間A3について詳細に説明すると、凹部311は、内側ベース31の下面に開口する第1凹部311aと、第1凹部311aの底面に開口し第1凹部311aよりも開口が小さい第2凹部311bと、第2凹部311bの底面に開口し第2凹部311bよりも開口が小さい第3凹部311cと、を有している。そして、第1凹部311aの底面に振動素子6が配置され、第3凹部311cの底面に温度制御素子7および回路素子8が配置されている。
Describing the inner housing space A3 in detail, the
このような内側収容空間A3は、気密であり、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。これにより、内側収容空間A3の粘性抵抗が減り、振動素子6の振動特性が向上する。ただし、内側収容空間A3の雰囲気は、特に限定されない。
Such inner accommodation space A3 is airtight and is in a decompressed state, preferably in a state closer to a vacuum. As a result, the viscous resistance of the inner accommodation space A3 is reduced, and the vibration characteristics of the
また、第1凹部311aの底面には一対の内部端子341a、341bが配置され、第2凹部311bの底面には複数の内部端子342、343が配置され、内側ベース31の上面には複数の外部端子344が配置されている。内部端子341aは、導電性の第1接合部材としての接合部材9を介して振動素子6と電気的に接続され、内部端子341bは、ボンディングワイヤーBW3を介して振動素子6と電気的に接続され、各内部端子342は、ボンディングワイヤーBW4を介して温度制御素子7と電気的に接続され、各内部端子343は、ボンディングワイヤーBW5を介して回路素子8と電気的に接続されている。
A pair of
また、これら各端子341a、341b、342、343、344は、内側パッケージ3内に形成されている図示しない内部配線を介して適宜電気的に接続されており、振動素子6、温度制御素子7、回路素子8および外部端子344を電気的に接続している。このような内側パッケージ3においては、外部端子344を介してその内外が電気的に接続される。
These
以上のような内側パッケージ3は、内側リッド32において、熱伝導率が十分に低い第2接合部材としての接合部材B3を介して第3上側凹部211cの底面に固定されている。なお、熱伝導率が十分に低いとは、少なくとも、その接続相手である外側ベース21および内側リッド32の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有することを意味する。このような接合部材B3としては、特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性の各種樹脂材料を用いることができる。絶縁性の材料を用いることにより、簡単な構成で、接合部材B3の熱伝導率を十分に低くすることができる。
The inner package 3 as described above is fixed to the bottom surface of the third upper
このような構成によれば、内側パッケージ3と外側パッケージ2とが接合部材B3によって断熱されるため、温度制御素子7の熱が外側パッケージ2を介して外部に逃げ難くなる。そのため、温度制御素子7によって振動素子6を安定して、かつ、効率的に加熱することができる。特に、本実施形態では、複数の接合部材B3が島状に点在している。これにより、内側パッケージ3を安定した姿勢で外側パッケージ2に接合することができると共に、内側パッケージ3と外側パッケージ2とを結ぶ熱伝達経路を細くすることができる。そのため、温度制御素子7の熱がより逃げ難くなる。さらに、本実施形態では、内側リッド32を第3上側凹部211cの底面に固定している。そのため、外側ベース21と温度制御素子7との間の熱伝達経路を長く確保することができ、温度制御素子7の熱がさらに逃げ難くなる。ただし、内側パッケージ3の外側パッケージ2への固定方法は、特に限定されない。
According to such a configuration, since the inner package 3 and the outer package 2 are insulated by the bonding member B3, the heat of the
≪振動素子6≫
図3に示すように、振動素子6は、圧電基板61と、圧電基板61の表面に配置されている電極パターンと、を有している。また、圧電基板61は、板状をなし、表裏関係にある上面および下面を有している。また、圧電基板61は、Z軸方向からの平面視において、X軸方向を長手方向とし、Y軸方向を短手方向とした略長方形状となっている。また、圧電基板61は、平面視で略長方形状の振動部611を含む。
<<
As shown in FIG. 3 , the
電極パターンは、上面に配置されている第1励振電極621、第1接続電極622およびこれらを接続している第1引出電極623と、下面に配置されている第2励振電極631、第2接続電極632およびこれらを接続している第2引出電極633と、を有している。また、第1、第2励振電極621、631は、圧電基板61の中央部においてZ軸方向に重なって配置され、第1、第2接続電極622、632は、圧電基板61の一端部(以下、基端部とも言う。)においてZ軸方向に重なって配置されている。
The electrode pattern consists of a
第1励振電極621および第2励振電極631は、振動部611を挟んで配置されている。換言すると、振動部611は、第1励振電極621および第2励振電極631の両方と平面視で重なる位置に設けられている。振動部611は、第1励振電極621および第2励振電極631の間に印加される電圧により、厚み滑り振動をなす。
The
以上、振動素子6について説明したが、その構成は、特に限定されない。例えば、圧電基板61の平面視形状は、矩形に限定されず、円形、楕円形、半円形、その他の多角形であってもよい。また、圧電基板61の外縁部を研削するベベル加工や、圧電基板61の上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。また、振動素子6として、SCカット水晶振動素子ではなく、ATカット水晶振動素子、BTカット水晶振動素子、音叉型水晶振動素子、弾性表面波共振子、その他の圧電振動素子、MEMS共振素子等を用いてもよい。
Although the
このような振動素子6は、基端部において、第1凹部311aの底面に第1接合部材としての接合部材9を介して固定されている。また、接合部材9を介して第1接続電極622と内部端子341aとが電気的に接続されており、ボンディングワイヤーBW3を介して第2接続電極632と内部端子341bとが電気的に接続されている。
Such a vibrating
また、図4に示すように、接合部材9は、内部端子341aと第1接続電極622との間に位置している。また、接合部材9は、接着材91と、接着材91に覆われているバンプ群92と、を有している。また、バンプ群92には複数のバンプ921が含まれている。接着材91は、導電性を有し、内部端子341aと第1接続電極622とを機械的に接合すると共に、電気的に接続している。このように、導電性の接着材91を用いることにより、内側ベース31と振動素子6との電気的な接続を容易に行うことができる。
In addition, as shown in FIG. 4, the
このような接着材91としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系の各種樹脂接着材に金属粒子等の導電性フィラーが含有された接着材を用いることができる。これにより、接着材91の構成が簡単となる。 Such an adhesive 91 is not particularly limited as long as it has electrical conductivity. material can be used. This simplifies the configuration of the adhesive 91 .
各バンプ921は、接着材91内に埋設されている。これら各バンプ921は、それぞれ、硬質であり、内側ベース31と振動素子6との間に所定の間隔Dを確保するスペーサーとしての機能を有する。そのため、内側ベース31と振動素子6とのクリアランスつまり接着材91の高さを安定して確保することができる。これにより、接着材91を弾性変形し易い状態とすることができ、接着材91に、内側パッケージ3の膨張・変形等によって生じる応力を吸収・緩和するバッファー層としての機能を付与することができる。そのため、振動素子6が受けるストレスが低減され、例えば、ヒステリシス等、振動特性の低下を効果的に抑制することができる。
Each
また、各バンプ921との表面張力によって接着材91の濡れ広がりが抑制され、接着材91の径をより小さくすることができる。つまり、各バンプ921は、上述したスペーサーとしての機能に加えて、接着材91の濡れ広がりを抑制するアンカーとしての機能を併せて有している。これにより、接着材91と内側ベース31との接触面積を小さくすることができるため、接着材91は、少ない弾性変形量で、内側パッケージ3の膨張・変形等によって生じる応力を吸収・緩和することができる。そのため、内側パッケージ3からの応力が振動素子6により伝わり難くなる。
In addition, the surface tension between the
なお、バンプ群92が有するバンプ921の数としては、特に限定されないが、複数すなわち2つ以上であることが好ましい。これにより、バンプ群92の強度を高めることができ、前述したスペーサーとしての機能をより確実に発揮することができる。バンプ921の上限数としては、特に限定されないが、それぞれ、10個以下であることが好ましく、5つ以下であることがより好ましい。これにより、接合部材9の過度な大径化を抑制することができる。
The number of
本実施形態では、図5に示すように、バンプ921が略正方形状に並んで4つ配置されている。これにより、バンプ921の数および配置が好適となり、接合部材9を十分に小さい径に抑えつつ、上述したスペーサーとしての機能、アンカーとしての機能およびバッファー層としての機能をそれぞれ十分に発揮することができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, four
ただし、バンプ921の数および配置は、特に限定されず、振動素子6の寸法、質量等によって適宜設定することができる。例えば、バンプ921は、図6に示すように、さらに中心に1つを加えてもよいし、図7に示すように、略正三角形状に並んで3つ配置されていてもよいし、図8に示すように、X軸方向に並んで2つ配置されていてもよいし、図9に示すように、Y軸方向に並んで2つ配置されていてもよいし、図10に示すように、1つだけが配置されていてもよい。
However, the number and arrangement of the
各バンプ921は、接着材91よりも硬い。つまり、各バンプ921は、接着材91よりも高いヤング率を有している。特に、本実施形態では、各バンプ921は、金属バンプで構成されている。これにより、各バンプ921が十分に硬質となり、前述したスペーサーとしての機能をより確実に発揮することができる。各バンプ921は、例えば、ワイヤーボンディング技術を用いたスタッドバンプ、めっきバンプ等で構成されている。ただし、各バンプ921の構成材料や形成方法としては、特に限定されない。
Each
また、図4に示すように、各バンプ921は、複数の単位バンプ921aが積み重なって構成されている。このような構成によれば、積み重ねる単位バンプ921aの数でバンプ921の高さを簡単に制御することができる。そのため、間隔Dを制御し易くなる。さらには、複数の単位バンプ921aを積み重ねることにより、バンプ921の表面積を大きくすることができると共に、バンプ921の表面に凹凸を形成することができる。そのため、前述したアンカー効果がより向上する。ただし、バンプ921の構成としては、特に限定されず、例えば、1つの単位バンプ921aで構成されていてもよい。
Further, as shown in FIG. 4, each
また、本実施形態では、バンプ群92つまり各バンプ921は、第2接続電極632と離間している。言い換えると、各バンプ921と第2接続電極632とは非接触である。これにより、接着材91と第2接続電極632との接触面積の減少を抑制することができ、これらの接合強度を高めることができる。
Further, in this embodiment, the
ただし、これに限定されず、例えば、図11に示すように、バンプ群92は、第2接続電極632と接触していてもよい。これにより、バンプ群92を介して内部端子341aと第2接続電極632とを電気的に接続することができる。したがって、接着材91として絶縁性の接着材を用いることが可能となり、材料の選択肢が増える。
However, the present invention is not limited to this, and the
≪温度制御素子7≫
図2に示すように、温度制御素子7は、温度センサー71および発熱回路72を有している。温度センサー71は、その周囲温度、特に振動素子6の温度を検出する温度検出部として機能し、発熱回路72は、振動素子6を加熱する発熱部として機能する。発熱回路72は、振動素子6が所望の温度に維持されるよう、温度センサー71の検出結果に基づいて制御される。このような温度制御素子7は、第3凹部311cの底面に配置され、ボンディングワイヤーBW4を介して複数の内部端子342と電気的に接続されている。本実施形態では、振動素子6および温度制御素子7を同一空間内に収容しているため、温度センサー71の検出結果と実際の振動素子6の温度との差が小さくなり、周波数温度特性に優れた振動デバイス1となる。
<<
As shown in FIG. 2, the
≪回路素子8≫
図2に示すように、回路素子8は、振動素子6を発振させる発振回路81を有している。発振回路81は、振動素子6から出力される信号を増幅して振動素子6にフィードバックすることにより振動素子6を発振させ、発振信号を生成するための回路である。このような回路素子8は、第3凹部311cの底面に配置され、ボンディングワイヤーBW5を介して複数の内部端子343と電気的に接続されている。
<<
As shown in FIG. 2, the
≪電圧制御型水晶発振器5≫
電圧制御型水晶発振器5は、後述するPLL回路42に含まれる発振器である。図1に示すように、電圧制御型水晶発振器5は、パッケージ51と、パッケージ51に収容されている振動素子55および回路素子59と、を有している。このような電圧制御型水晶発振器5は、導電性の接合部材B1を介して下側凹部212の底面に固定されていると共に、内部端子243と電気的に接続されている。
<<Voltage-controlled
The voltage controlled
≪回路素子4≫
図1に示すように、回路素子4は、温度制御素子7の駆動を制御する温度制御用回路41と、PLL回路42の一部と、出力バッファー回路43と、を有している。
<<Circuit element 4>>
As shown in FIG. 1, the circuit element 4 includes a temperature control circuit 41 that controls driving of the
温度制御用回路41は、温度センサー71の出力信号に基づき、発熱回路72の抵抗を流れる電流量を制御し、振動素子6を一定温度に保つための回路である。
The temperature control circuit 41 is a circuit for controlling the amount of current flowing through the resistance of the heating circuit 72 based on the output signal of the temperature sensor 71 and keeping the
図12に示すように、PLL回路42は、発振回路81から出力される発振信号としての基準周波数信号が入力される第1位相比較器421と、第1ローパスフィルター422と、第1ローパスフィルター422からの直流信号が入力される電圧制御型発振器423と、電圧制御型発振器423から出力される周波数信号が入力される第1分周器424と、を有している。そして、第1分周器424で分周された周波数信号は、第1位相比較器421に入力される。第1位相比較器421では、基準周波数信号と周波数信号との間の位相差を検出し、第1ローパスフィルター422に出力する。第1ローパスフィルター422では第1位相比較器421からの出力信号から高周波成分を除去し、電圧に変換して電圧制御型発振器423を制御する直流信号として出力される。
As shown in FIG. 12, the
なお、第1分周器424は、例えば、整数の分周比を切り替えて平均的に小数の分周比とすることにより、小数の分周比を設定可能である。これにより、第1位相比較器421、第1ローパスフィルター422、電圧制御型発振器423および第1分周器424で構成される前段のPLL回路部分は、小数分周PLL回路(フラクショナルPLL回路)として機能する。その結果、小数分周PLL回路では、任意の周波数の信号を出力することが可能になる。
It should be noted that the
また、PLL回路42は、電圧制御型発振器423から出力される周波数信号が入力される第2位相比較器425と、第2ローパスフィルター426と、電圧制御型水晶発振器5と、電圧制御型水晶発振器5から出力される周波数信号が入力される第2分周器427と、を有する。そして、第2分周器427で分周された周波数信号は、第2位相比較器425に入力される。第2位相比較器425では、電圧制御型発振器423から出力される周波数信号と第2分周器427で分周された周波数信号との間の位相差を検出し、第2ローパスフィルター426に出力する。第2ローパスフィルター426では第2位相比較器425からの出力信号から高周波成分を除去し、電圧に変換して電圧制御型水晶発振器5を制御する直流信号(周波数制御信号)として出力される。
The
なお、第2分周器427は、例えば、入力された信号を整数分周する整数分周器である。これにより、第2位相比較器425、第2ローパスフィルター426、電圧制御型水晶発振器5および第2分周器427で構成される後段のPLL回路部分は、整数分周PLL回路(インテジャーPLL回路)として機能する。整数分周PLL回路では、位相ノイズが比較的少なく、回路構成も比較的単純な回路とすることができる。
The
そして、電圧制御型水晶発振器5からは、直流信号の電圧に応じた周波数信号が出力バッファー回路43に向けて出力される。つまり、電圧制御型水晶発振器5は、発振回路81から出力される基準周波数信号に基づいて発振周波数が制御される。
Then, the voltage-controlled
PLL回路42を構成する各回路要素のうち、電圧制御型水晶発振器5については、回路素子4と別体で構成されているが、その他の要素についても、回路素子4と別体で構成されていてもよい。例えば、第1、第2ローパスフィルター422、426を回路素子4と別体で構成し、下側凹部212の底面に、電圧制御型水晶発振器5と並べて配置してもよい。
Among the circuit elements that make up the
次に、振動デバイス1の製造方法について説明する。振動デバイス1の製造方法は、図13に示すように、バンプ形成工程S1と、接着材塗布工程S2と、振動素子接合工程S3と、内側リッド接合工程S4と、内側パッケージ収容工程S5と、を含んでいる。 Next, a method for manufacturing the vibration device 1 will be described. As shown in FIG. 13, the method of manufacturing the vibrating device 1 includes a bump forming step S1, an adhesive applying step S2, a vibrating element bonding step S3, an inner lid bonding step S4, and an inner package housing step S5. contains.
≪バンプ形成工程S1≫
まず、図14に示すように、内側ベース31を準備する。なお、内側ベース31には既に回路素子8および温度制御素子7が搭載されている。次に、図15に示すように内側ベース31に複数のバンプ921を形成してバンプ群92を得る。バンプ921は、ワイヤーボンディング技術を用いたスタッドバンプやめっきバンプで形成することができる。
<<Bump forming step S1>>
First, as shown in FIG. 14, the
≪接着材塗布工程S2≫
次に、図16に示すように、バンプ群92上から未硬化の接着材91を塗布する。これにより、バンプ群92が接着材91で覆われてなる接合部材9が得られる。
<<Adhesive application step S2>>
Next, as shown in FIG. 16, an
≪振動素子接合工程S3≫
次に、振動素子6を準備する。次に、図17に示すように、振動素子6をバンプ群92に押し当てるようにして、接合部材9上に配置する。前述したように、この際、バンプ群92が内側ベース31と振動素子6との間に所定の間隔Dを確保するためのスペーサーとして機能する。そのため、接着材91の想定以上の潰れを抑制することができる。そのため、前述したバッファー層としての機能を確実に発揮することができる。次に、接着材91を硬化する。これにより、接合部材9を介して振動素子6が内側ベース31に接合された状態となる。
<<Vibration element bonding step S3>>
Next, the vibrating
≪内側リッド接合工程S4≫
次に、内側リッド32を準備し、図18に示すように、封止部材33を介して内側リッド32と内側ベース31とを接合する。以上により、内側パッケージ3が得られる。
<<Inner lid joining step S4>>
Next, the
≪内側パッケージ収容工程S5≫
次に、図19に示すように、外側ベース21を準備し、接合部材B3を介して内側パッケージ3を外側ベース21の第3上側凹部211cの底面に接合し、さらに、これらを電気的に接続するボンディングワイヤーBW2を形成する。次に、図20に示すように、回路素子4を外側ベース21の第1上側凹部211aの底面に接合し、さらに、これらを電気的に接続するボンディングワイヤーBW1を形成すると共に、接合部材B1を介して電圧制御型水晶発振器5を下側凹部212に接合する。次に、図21に示すように、外側リッド22を準備し、封止部材23を介して外側リッド22を外側ベース21の上面に接合する。以上により、振動デバイス1が得られる。
<<Inner package accommodation step S5>>
Next, as shown in FIG. 19, the
以上のような製造方法によれば、バンプ群92が内側ベース31と振動素子6との間に所定の間隔Dを確保するスペーサーとして機能する。そのため、内側ベース31と振動素子6とのクリアランスつまり接着材91の高さを安定して確保することができる。これにより、接着材91を弾性変形し易い状態とすることができ、接着材91に、内側パッケージ3の膨張・変形等によって生じる応力を吸収・緩和するバッファー層としての機能を付与することができる。そのため、振動素子6が受けるストレスが低減され、例えば、ヒステリシス等、振動特性の低下を効果的に抑制することができる。
According to the manufacturing method as described above, the
以上、振動デバイス1および振動デバイス1の製造方法について説明した。このような振動デバイス1は、前述したように、外側パッケージ2と、外側パッケージ2に収容されている内側パッケージ3と、内側パッケージ3に収容されている振動素子6と、振動素子6と内側パッケージ3とを接合している第1接合部材としての接合部材9と、を有している。そして、接合部材9は、接着材91と、接着材91に覆われている少なくとも1つのバンプ921を含むバンプ群92と、を備えている。このような構成によれば、バンプ群92が内側ベース31と振動素子6との間に所定の間隔Dを確保するスペーサーとして機能する。そのため、内側ベース31と振動素子6とのクリアランスつまり接着材91の高さを安定して確保することができる。これにより、接着材91を弾性変形し易い状態とすることができ、接着材91に、内側パッケージ3の膨張・変形等によって生じる応力を吸収・緩和するバッファー層としての機能を付与することができる。そのため、振動素子6が受けるストレスが低減され、例えば、ヒステリシス等、振動特性の低下を効果的に抑制することができる。
The vibration device 1 and the method for manufacturing the vibration device 1 have been described above. As described above, the vibrating device 1 includes the outer package 2, the inner package 3 housed in the outer package 2, the vibrating
また、前述したように、内側パッケージ3は、振動素子6が接合されている内側ベース31と、内側ベース31との間に振動素子6を収容するように内側ベース31に接合されている内側リッド32と、を有している。そして、内側パッケージ3は、内側リッド32を介して外側パッケージ2に接合されている。これにより、振動素子6と外側パッケージ2との間の熱伝達経路を長く確保することができる。そのため、振動素子6が外部温度の影響を受け難くなり、振動素子6の温度が安定する。
Further, as described above, the inner package 3 includes an
また、前述したように、振動デバイス1は、外側パッケージ2と内側パッケージ3とを接合している第2接合部材としての接合部材B3を有している。そして、接合部材B3は、外側パッケージ2と内側パッケージ3との間に島状に点在して複数配置されている。これにより、内側パッケージ3と外側パッケージ2とを結ぶ熱伝達経路を細くすることができる。そのため、振動素子6が外部温度の影響を受け難くなり、振動素子6の温度が安定する。
Further, as described above, the vibration device 1 has the joint member B3 as a second joint member that joins the outer package 2 and the inner package 3 together. A plurality of bonding members B3 are arranged between the outer package 2 and the inner package 3 so as to be scattered like islands. Thereby, the heat transfer path connecting the inner package 3 and the outer package 2 can be narrowed. Therefore, the vibrating
また、前述したように、接合部材B3は、外側パッケージ2および内側パッケージ3よりも熱伝導率が低い。このような構成によれば、内側パッケージ3と外側パッケージ2とが接合部材B3によって断熱される。そのため、振動素子6が外部温度の影響を受け難くなり、振動素子6の温度が安定する。
In addition, as described above, the bonding member B3 has a lower thermal conductivity than the outer package 2 and the inner package 3 . According to such a configuration, the inner package 3 and the outer package 2 are insulated by the joining member B3. Therefore, the vibrating
また、前述したように、バンプ群92は、複数のバンプ921を含んでいる。これにより、バンプ群92の強度を高めることができ、前述したスペーサーとしての機能をより確実に発揮することができる。
Also, as described above, the
また、前述したように、バンプ921は、複数の単位バンプ921aが積み重なって構成されている。これにより、積み重ねる単位バンプ921aの数でバンプ921の高さを簡単に制御することができる。そのため、間隔Dを制御し易くなる。さらには、複数の単位バンプ921aを積み重ねることにより、バンプ921の表面積を大きくすることができると共に、バンプ921の表面に凹凸を形成することができる。そのため、前述したアンカー効果がより向上する。
Moreover, as described above, the
また、前述したように、接着材91は、導電性を有している。これにより、内側パッケージ3と振動素子6との電気的な接続を容易に行うことができる。
Further, as described above, the adhesive 91 has conductivity. This facilitates electrical connection between the inner package 3 and the vibrating
また、前述したように、バンプ921は、振動素子6と離間している。これにより、接着材91と振動素子6との接触面積の減少を抑制することができ、これらの接合強度を高めることができる。
Also, as described above, the
また、前述したように、振動デバイス1の製造方法は、内側ベース31に少なくとも1つのバンプ921を含むバンプ群92を形成するバンプ形成工程S1と、バンプ群92を覆うように接着材91を塗布して接合部材9を形成する接着材塗布工程S2と、接合部材9を介して振動素子6を内側ベース31に接合する振動素子接合工程S3と、内側ベース31との間に振動素子6を収容するように内側ベース31に内側リッド32を接合し、内側パッケージ3を得る内側リッド接合工程S4と、内側パッケージ3を外側パッケージ2に収容する内側パッケージ収容工程S5と、を含んでいる。このような製造方法によれば、バンプ群92が内側ベース31と振動素子6との間に所定の間隔Dを確保するスペーサーとして機能する。そのため、内側ベース31と振動素子6とのクリアランスつまり接着材91の高さを安定して確保することができる。これにより、接着材91を弾性変形し易い状態とすることができ、接着材91に、内側パッケージ3の膨張・変形等によって生じる応力を吸収・緩和するバッファー層としての機能を付与することができる。そのため、振動素子6が受けるストレスが低減され、例えば、ヒステリシス等、振動特性の低下を効果的に抑制することができる。
Further, as described above, the method of manufacturing the vibrating device 1 includes the bump forming step S1 of forming the
<第2実施形態>
図22は、第2実施形態に係る内側パッケージの内部を示す平面図である。図23は、内側パッケージと振動素子とを接合する接合部材を示す縦断面図である。図24は、振動素子の変形例を示す平面図である。
<Second embodiment>
22 is a plan view showing the inside of the inner package according to the second embodiment. FIG. FIG. 23 is a longitudinal sectional view showing a joining member that joins the inner package and the vibrating element. FIG. 24 is a plan view showing a modification of the vibrating element.
本実施形態の振動デバイス1では、振動素子6の構成と、振動素子6と内側ベース31との接合方法と、が異なっていること以外は、前述した第1実施形態と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における各図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
The vibrating device 1 of this embodiment is the same as the above-described first embodiment except that the configuration of the vibrating
図22に示すように、本実施形態の振動素子6では、第1、第2接続電極622、632が共に圧電基板61の上面にY軸方向に並んで配置されている。そして、振動素子6は、一対の接合部材9を介して内側ベース31に接合されている。一対の接合部材9は、Y軸方向に並んで配置されている。また、一方の接合部材9は、内部端子341aと第1接続電極622との間に位置し、これらを機械的および電気的に接続している。他方の接合部材9は、内部端子341bと第2接続電極632との間に位置し、これらを機械的および電気的に接続している。
As shown in FIG. 22, in the
また、図23に示すように、一対の接合部材9が並ぶ方向すなわちY軸方向に沿った第1励振電極621の幅をL1とし、一方の接合部材9に含まれるバンプ921と他方の接合部材9に含まれるバンプ921との最大離間距離をL2としたとき、L1≧L2の関係を満足している。これにより、一対の接合部材9の離間距離L3を小さくすることができ、振動素子6と内側ベース31との線膨張係数差に起因して振動素子6に加わる熱応力を小さく抑えることができる。そのため、例えば、ヒステリシス等、振動素子6の振動特性の低下を効果的に抑制することができる。なお、最大離間距離L2は、各接合部材9に含まれる複数のバンプ921のうち他方の接合部材9に対してY軸方向に最も離間しているバンプ921同士のY軸方向に沿った離間距離を言う。また、図23に示した通り、離間距離にはバンプ921自体の幅も含まれる。
Also, as shown in FIG. 23, the width of the
上述のように、L1≧L2の関係を満足していればよいが、0.9L1≧L2の関係を満足することが好ましく、0.8L1≧L2の関係を満足することがさらに好ましい。これにより、離間距離L3をさらに小さくすることができ、振動素子6の振動特性の低下をさらに効果的に抑制することができる。
As described above, it is sufficient to satisfy the relationship of L1≧L2, but it is preferable to satisfy the relationship of 0.9L1≧L2, and more preferably to satisfy the relationship of 0.8L1≧L2. Thereby, the separation distance L3 can be further reduced, and deterioration of the vibration characteristics of the vibrating
なお、本実施形態では、第1、第2励振電極621、631が互いに同じ形状であるため、幅L1は、第1励振電極621の幅としてもよく、第2励振電極631の幅としてもよい。これに対して、例えば、図24に示すように、第1、第2励振電極621、631が互いに異なる形状である場合は、第1、第2励振電極621、631の小さい方すなわち図示の場合は第1励振電極621の幅を幅L1とすればよい。
In this embodiment, since the first and
また、本実施形態では接合部材9がY軸方向において振動部611の範囲内に収まるように配置されているが、必ずしもこのような配置でなくてもよく、L1≧L2の関係を満足していればよい。また、第1励振電極621、第2励振電極631および振動部611の平面視形状は、矩形に限定されず、円形、楕円形、長円形、半円形、その他の多角形であってもよい。その場合、Y軸方向における振動部611の幅の最大値をL1とすればよい。
In addition, in the present embodiment, the
このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a second embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
<第3実施形態>
図25は、第3実施形態に係る内側パッケージの内部を示す断面図である。
<Third Embodiment>
FIG. 25 is a cross-sectional view showing the inside of the inner package according to the third embodiment.
本実施形態の振動デバイス1は、各接合部材9の構成が異なること以外は、前述した第2実施形態の振動デバイス1と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第2実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
The vibrating device 1 of this embodiment is the same as the vibrating device 1 of the second embodiment described above, except that the
図25に示すように、本実施形態では、各接合部材9に含まれる4つのバンプ921のうち、振動素子6の基端側に位置する2つのバンプ921の高さが先端側に位置する2つのバンプ921の高さよりも低い。このような構成とすることで、振動素子6を、その先端側を下に向けた傾斜姿勢で内側ベース31に配置することができる。これにより、振動素子6と内側ベース31との接触を抑制することができる。
As shown in FIG. 25, in the present embodiment, among the four
なお、各バンプ921の高さおよび配置は、振動素子6をどのような姿勢で搭載するかによって適宜設定することができる。
Note that the height and arrangement of each
このような第3実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a third embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
<第4実施形態>
図26は、第4実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
<Fourth Embodiment>
FIG. 26 is a cross-sectional view showing a vibration device according to a fourth embodiment;
本実施形態の振動デバイス1は、外側パッケージ2の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態の振動デバイス1と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。 The vibrating device 1 of this embodiment is the same as the vibrating device 1 of the first embodiment described above, except that the configuration of the outer package 2 is different. Therefore, in the following description, regarding this embodiment, the differences from the first embodiment described above will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted. In addition, in the drawings of this embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as in the above-described embodiment.
図26に示すように、本実施形態の振動デバイス1では、外側パッケージ2から下側凹部212が省略されている。そして、その代わりに、上側凹部211には、第3上側凹部211cの底面に開口し第3上側凹部211cよりも開口が小さい第4上側凹部211dが追加されている。そして、第4上側凹部211dの底面に電圧制御型水晶発振器5が配置されている。
As shown in FIG. 26, in the vibrating device 1 of this embodiment, the lower
このような第4実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a fourth embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
<第5実施形態>
図27は、第5実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
<Fifth Embodiment>
FIG. 27 is a cross-sectional view showing the vibration device according to the fifth embodiment.
本実施形態の振動デバイス1は、外側パッケージ2の構成が異なることと、外側パッケージ2内の各部の配置が異なること以外は、前述した第1実施形態の振動デバイス1と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。 The vibrating device 1 of this embodiment is the same as the vibrating device 1 of the first embodiment described above, except that the structure of the outer package 2 is different and the arrangement of each part in the outer package 2 is different. Therefore, in the following description, regarding this embodiment, the differences from the first embodiment described above will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted. In addition, in the drawings of this embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as in the above-described embodiment.
図27に示すように、本実施形態の振動デバイス1では、外側パッケージ2から下側凹部212が省略されている。また、第2上側凹部211bの底面に回路素子4が配置され、回路素子4の下面に内側パッケージ3が配置され、回路素子4の上面に電圧制御型水晶発振器5が配置されている。つまり、回路素子4が中継基板となり、回路素子4を介して内側パッケージ3および電圧制御型水晶発振器5が外側ベース21に支持されている。
As shown in FIG. 27, in the vibrating device 1 of this embodiment, the lower
このような第5実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a fifth embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
<第6実施形態>
図28は、第6実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
<Sixth embodiment>
FIG. 28 is a cross-sectional view showing the vibration device according to the sixth embodiment.
本実施形態の振動デバイス1は、回路素子4の姿勢が反転していること以外は、前述した第5実施形態の振動デバイス1と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第5実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。 The vibrating device 1 of this embodiment is the same as the vibrating device 1 of the fifth embodiment described above, except that the posture of the circuit element 4 is reversed. Therefore, in the following description, the differences between this embodiment and the fifth embodiment will be mainly described, and the description of the same items will be omitted. In addition, in the drawings of this embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as in the above-described embodiment.
図28に示すように、本実施形態の振動デバイス1では、前述した第5実施形態と比べて、内側パッケージ3および電圧制御型水晶発振器5の配置が逆になっており、回路素子4の上面に内側パッケージ3が配置され、回路素子4の下面に電圧制御型水晶発振器5が配置されている。
As shown in FIG. 28, in the vibrating device 1 of this embodiment, the arrangement of the inner package 3 and the voltage-controlled
このような第6実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a sixth embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
<第7実施形態>
図29は、第7実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
<Seventh embodiment>
FIG. 29 is a cross-sectional view showing a vibration device according to the seventh embodiment.
本実施形態の振動デバイス1は、内側パッケージ3の姿勢が反転していること以外は、前述した第6実施形態の振動デバイス1と同様である。そのため、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した第6実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態における図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。 The vibration device 1 of this embodiment is the same as the vibration device 1 of the sixth embodiment described above, except that the orientation of the inner package 3 is reversed. Therefore, in the following description, the differences between this embodiment and the sixth embodiment will be mainly described, and the description of the same items will be omitted. In addition, in the drawings of this embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as in the above-described embodiment.
図29に示すように、本実施形態の振動デバイス1では、前述した第6実施形態と比べて、内側パッケージ3の姿勢が反転しており、内側ベース31が回路素子4に接合されている。
As shown in FIG. 29, in the vibrating device 1 of this embodiment, the posture of the inner package 3 is reversed, and the
このような第7実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 Such a seventh embodiment can also exhibit the same effect as the first embodiment described above.
以上、本発明の振動デバイスおよび振動デバイスの製造方法を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。 Although the vibrating device and the method for manufacturing the vibrating device of the present invention have been described above based on the illustrated embodiments, the present invention is not limited to this, and the configuration of each part may be any one having similar functions. It can be replaced with a configuration. Also, other optional components may be added to the present invention. Further, each of the embodiments described above may be combined as appropriate.
また、前述した各実施形態では、振動デバイスを恒温槽付水晶発振器(OCXO)に適用しているが、これに限定されず、例えば、温度補償水晶発振器(TCXO)、電圧制御水晶発振器(VCXO)等、如何なる発振器に適用してもよい。 Further, in each of the above-described embodiments, the oscillatory device is applied to the oven-controlled crystal oscillator (OCXO), but is not limited to this. etc., may be applied to any oscillator.
1…振動デバイス、100…外部装置、2…外側パッケージ、21…外側ベース、211…上側凹部、211a…第1上側凹部、211b…第2上側凹部、211c…第3上側凹部、211d…第4上側凹部、212…下側凹部、22…外側リッド、23…封止部材、241…内部端子、242…内部端子、243…内部端子、244…外部端子、3…内側パッケージ、31…内側ベース、311…凹部、311a…第1凹部、311b…第2凹部、311c…第3凹部、32…内側リッド、33…封止部材、341a…内部端子、341b…内部端子、342…内部端子、343…内部端子、344…外部端子、4…回路素子、41…温度制御用回路、42…PLL回路、421…第1位相比較器、422…第1ローパスフィルター、423…電圧制御型発振器、424…第1分周器、425…第2位相比較器、426…第2ローパスフィルター、427…第2分周器、43…出力バッファー回路、5…電圧制御型水晶発振器、51…パッケージ、55…振動素子、59…回路素子、6…振動素子、61…圧電基板、611…振動部、621…第1励振電極、622…第1接続電極、623…第1引出電極、631…第2励振電極、632…第2接続電極、633…第2引出電極、7…温度制御素子、71…温度センサー、72…発熱回路、8…回路素子、81…発振回路、9…接合部材、91…接着材、92…バンプ群、921…バンプ、921a…単位バンプ、A2…外側収容空間、A3…内側収容空間、B1…接合部材、B3…接合部材、BW1…ボンディングワイヤー、BW2…ボンディングワイヤー、BW3…ボンディングワイヤー、BW4…ボンディングワイヤー、BW5…ボンディングワイヤー、D…間隔、L1…幅、L2…最大離間距離、L3…離間距離、S1…バンプ形成工程、S2…接着材塗布工程、S3…振動素子接合工程、S4…内側リッド接合工程、S5…内側パッケージ収容工程
Reference Signs List 1 Vibration device 100 External device 2
Claims (9)
前記外側パッケージに収容されている内側パッケージと、
前記内側パッケージに収容されている振動素子と、
前記振動素子と前記内側パッケージとを接合している第1接合部材と、を有し、
前記第1接合部材は、接着材と、前記接着材に覆われている少なくとも1つのバンプを含むバンプ群と、を備えていることを特徴とする振動デバイス。 an outer package;
an inner package housed in the outer package;
a vibrating element housed in the inner package;
a first joint member that joins the vibration element and the inner package;
The vibrating device, wherein the first bonding member includes an adhesive and a bump group including at least one bump covered with the adhesive.
前記第2接合部材は、前記外側パッケージと前記内側パッケージとの間に島状に点在して複数配置されている請求項1または2に記載の振動デバイス。 a second joining member joining the outer package and the inner package;
3. The vibrating device according to claim 1, wherein a plurality of said second joint members are interspersed between said outer package and said inner package.
前記バンプ群を覆うように接着材を塗布して接合部材を形成する接着材塗布工程と、
前記接合部材を介して振動素子を前記内側ベースに接合する振動素子接合工程と、
前記内側ベースとの間に前記振動素子を収容するように前記内側ベースに内側リッドを接合し、内側パッケージを得る内側リッド接合工程と、
前記内側パッケージを外側パッケージに収容する内側パッケージ収容工程と、を含んでいることを特徴とする振動デバイスの製造方法。 a bump forming step of forming a bump group including at least one bump on the inner base;
an adhesive application step of applying an adhesive so as to cover the bump group to form a bonding member;
a vibrating element bonding step of bonding the vibrating element to the inner base via the bonding member;
an inner lid bonding step of bonding an inner lid to the inner base so as to accommodate the vibration element between the inner base and the inner lid to obtain an inner package;
and an inner package housing step of housing the inner package in the outer package.
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