JP2023103672A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】より大きな電流を印加して半導体装置を試験することができ、かつ、小型化された半導体装置の試験装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の試験装置１は、支持部材１０と、プランジャ２０と、コイルばね４７とを備える。支持部材１０に、貫通孔１３が設けられている。コイルばね４７は、プランジャ２９に対して、一対一対応で設けられている。プランジャ２０は、導電ピン２１と、接触部材２８と、ストッパー３０とを含む。接触部材２８は、接触面２８ａを含む。接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、コイルばね４７の全体及び貫通孔１３の全体は、接触部材２８の領域内にある。
【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置の試験装置に関する。

特許第６７９０４７７号明細書（特許文献１）は、半導体素子試験装置を開示している。この半導体素子試験装置は、試験テーブルと、コンタクトプローブと、複数のプランジャピンと、複数のばねと、セットプレートと、ベースユニットとを備えている。

半導体素子は、試験テーブルに載置される。コンタクトプローブの接触面は、半導体素子の試験時に、半導体素子の電極の表面に接触する。複数のプランジャピンは、半導体素子の試験時に、コンタクトプローブを半導体素子の電極に向けて押圧する。複数のばねは、複数のプランジャピンをコンタクトプローブに向けて付勢して、複数のプランジャピンがコンタクトプローブに接触しているときに、コンタクトプローブに荷重を印加する。セットプレートは、コンタクトプローブを保持している。半導体素子の非試験時に、セットプレートは、コンタクトプローブを持ち上げて、コンタクトプローブを半導体素子の電極から離す。半導体素子の試験時に、セットプレートは、コンタクトプローブの自重により、コンタクトプローブを半導体素子の電極に接触させる。ベースユニットは、半導体素子の非試験時に、複数のプランジャピンを持ち上げて、複数のプランジャピンをコンタクトプローブから離す。ベースユニットは、半導体素子の試験時に、複数のプランジャピンをコンタクトプローブに接触させる。

特許第６７９０４７７号明細書

しかし、特許文献１の半導体素子試験装置では、一つのコンタクトプローブは、複数のばねによって付勢される複数のプランジャピンによって押圧されている。そのため、複数のばねのサイズを小さくする必要があり、複数のばねとして、線径が小さなばねを使用せざるを得ない。しかし、ばねの線径が小さくなると、ばねによって印加される荷重が小さくなる。そのため、高い圧力でコンタクトプローブを半導体素子の電極に接触させることができない。コンタクトプローブの接触面と半導体素子の電極の表面との間の接触抵抗が高くなり、大きな電流を印加して半導体素子を試験することが困難である。また、コンタクトプローブはセットプレートに保持されるため、コンタクトプローブの接触面に沿う平面内におけるセットプレートのサイズは、コンタクトプローブの接触面の面積の比べて大きい。そのため、半導体素子試験装置を小型化することが困難である。

本開示は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、より大きな電流を印加して半導体装置を試験することが可能であるとともに、小型化された半導体装置の試験装置を提供することである。

本開示の半導体装置の試験装置は、支持部材と、プランジャと、コイルばねとを備える。支持部材は、第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面とを含む。支持部材に、第１主面から第２主面まで延在する貫通孔が設けられている。プランジャは、導電ピンと、接触部材と、ストッパーとを含む。導電ピンは、貫通孔とコイルばねとに挿入されている。接触部材は、導電ピンに固定されており、導電ピンに電気的に導通し、第１主面に対向しており、かつ、半導体装置の電極に接触し得る接触面を含む。コイルばねは、接触部材と支持部材とによって保持されており、かつ、プランジャに対して一対一対応で設けられている。ストッパーは、導電ピンに固定されており、かつ、ヘッド部とテーパ部とを含む。ヘッド部は、貫通孔より大きな直径を有し、かつ、第２主面に対向している。テーパ部は、貫通孔内に配置され、かつ、ヘッド部から接触部材に向かうにつれて先細となっている。接触部材の接触面の平面視において、導電ピンの全体、コイルばねの全体及び貫通孔の全体は、接触部材の領域内にある。

コイルばねは、プランジャに対して一対一対応で設けられている。そのため、コイルばねの線径を大きくすることができて、コイルばねによって印加される荷重が増加する。また、接触部材の接触面を、半導体装置の電極の表面に、より広い面積で面接触させることができる。接触部材の接触面と半導体装置の電極の表面との間の接触抵抗が低くなる。本開示の半導体装置の試験装置は、より大きな電流を印加して半導体装置を試験することができる。また、接触部材の接触面の平面視において、導電ピンの全体、コイルばねの全体及び貫通孔の全体は、接触部材の領域内にある。そのため、本開示の半導体装置の試験装置は小型化される。

接触部材が半導体装置の電極から離れているときの、実施の形態１の半導体装置の試験装置の概略図である。 実施の形態１の半導体装置の試験装置の概略部分拡大図である。 接触面からの平面視における、プランジャの底面図である。 接触部材が半導体装置の電極に面接触しているときの、実施の形態１の半導体装置の試験装置の概略図である。 プランジャの最大傾き角を示す概略図である。 接触部材が半導体装置の電極から離れているときの、実施の形態２の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極に面接触しているときの、実施の形態２の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極から離れているときの、実施の形態２の変形例の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極に面接触しているときの、実施の形態２の変形例の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極から離れているときの、実施の形態３の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極に面接触しているときの、実施の形態３の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極から離れているときの、実施の形態３の変形例の半導体装置の試験装置の概略図である。 接触部材が半導体装置の電極に面接触しているときの、実施の形態３の変形例の半導体装置の試験装置の概略図である。

以下、本開示の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

実施の形態１．
図１から図５を参照して、実施の形態１の半導体装置の試験装置１を説明する。半導体装置の試験装置１は、被試験体である半導体装置３の電気試験を行うための装置である。半導体装置の試験装置１は、支持部材１０と、プランジャ２０と、コイルばね４７とを主に備える。半導体装置の試験装置１は、ステージ５０と、支柱５３と、移動機構５５と、試験回路６０と、電気配線６１とをさらに備える。

図１及び図４を参照して、ステージ５０は、載置面５１を含む。半導体装置３は、載置面５１上に載置される。載置面５１は、ｘ方向と、ｘ方向に垂直なｙ方向とに延在している。載置面５１の法線方向は、ｘ方向及びｙ方向に垂直なｚ方向である。本実施の形態では、載置面５１は、例えば、水平面である。

半導体装置３は、パワー半導体素子のような半導体素子であってもよいし、パワー半導体モジュールのような半導体モジュールであってもよい。半導体モジュールは半導体素子を含み、パワー半導体モジュールはパワー半導体素子を含む。半導体素子は、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）またはダイオードである。半導体素子は、主に、シリコン（Ｓｉ）、または、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）もしくはダイヤモンドのようなワイドバンドギャップ半導体材料で形成されている。

半導体装置３は、電極４を含む。電極４は、例えば、半導体素子の電極、または、半導体モジュールのバスバーもしくはリードフレームである。電極４は、表面５を含む。本実施の形態では、電極４の表面５は、主として、ステージ５０の載置面５１（ｘｙ面）に沿って延在している。半導体装置３の製造誤差などに起因して、電極４の表面５は、例えば、ステージ５０の載置面５１（ｘｙ面）または接触部材の接触面２８ａに対して傾き角αで傾いている。

支柱５３は、ステージ５０に固定されている。支柱５３の長手方向は、載置面５１の法線方向（ｚ方向）である。

支柱５３に、移動機構５５が設けられている。移動機構５５は、支持部材１０を、載置面５１の法線方向または支柱５３の長手方向（ｚ方向）に移動させる。移動機構５５は、支持部材１０を半導体装置３に向けて移動させる。

具体的には、移動機構５５は、モータ５６と、ボールねじ５７と、可動部５８と、リニアガイド５９とを含む。ボールねじ５７は、モータ５６に接続されている。ボールねじ５７の長手方向は、載置面５１の法線方向（ｚ方向）である。可動部５８は、ボールねじ５７に連結されている。リニアガイド５９は、可動部５８を、リニアガイド５９の長手方向に案内する。リニアガイド５９の長手方向は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）または載置面５１の法線方向（ｚ方向）である。支持部材１０は、可動部５８に固定されている。モータ５６は、ボールねじ５７を回転させる。ボールねじ５７に連結されている可動部５８は、リニアガイド５９の長手方向に移動する。可動部５８に固定されている支持部材１０は、リニアガイド５９の長手方向に移動する。

図１、図２及び図４を参照して、支持部材１０は、第１主面１１と、第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを含む。第１主面１１及び第２主面１２の各々は、ｘ方向及びｙ方向に延在している。本実施の形態では、第１主面１１及び第２主面１２の各々は、ステージ５０の載置面５１に沿って延在している。支持部材１０は、例えば、絶縁体である。支持部材１０は、例えば、絶縁樹脂材料で形成されている。

支持部材１０に、第１主面１１から第２主面１２まで延在する貫通孔１３が設けられている。本実施の形態では、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向は、載置面５１の法線方向（ｚ方向）である。

支持部材１０は、ばね保持部１４を含む。本実施の形態では、ばね保持部１４は、支持部材１０の第１主面１１に設けられている。ばね保持部１４は、コイルばね４７の端部４７ｂを保持する。ばね保持部１４は、例えば、コイルばね４７の端部４７ｂが嵌合される凹部である。ばね保持部１４は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に垂直な面内（ｘ方向及びｙ方向）においてコイルばね４７を位置決めするとともに、コイルばね４７が支持部材１０から外れることを防止する。

図１、図２及び図４を参照して、プランジャ２０は、導電ピン２１と、接触部材２８と、ストッパー３０とを主に含む。プランジャ２０は、固定部材４０，４４と、端子４２とをさらに含む。

導電ピン２１は、耐摩耗性及び導電性に優れた材料で形成されている。導電ピン２１は、例えば、リン青銅またはベリリウム銅のような銅系の合金で形成されている。導電ピン２１は、端２１ａ，２１ｂを含む。端２１ａは、端２１ａ，２１ｂのうち、接触部材２８により近い導電ピン２１の端である。端２１ｂは、端２１ａ，２１ｂのうち、ストッパー３０により近い導電ピン２１の端である。導電ピン２１は、支持部材１０の貫通孔１３とコイルばね４７とに挿入されている。導電ピン２１は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）において、支持部材１０の第１主面１１及び第２主面１２から突出している。

導電ピン２１は、本体部２２と、大径部２３と、小径部２４とを含む。

本体部２２は、支持部材１０の貫通孔１３内とコイルばね４７内とに配置されている。本体部２２は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）において、支持部材１０の第１主面１１から突出している。

大径部２３は、本体部２２より大きな直径を有している。大径部２３は、本体部２２に対して接触部材２８の側に設けられている。大径部２３は、コイルばね４７の端部４７ａに嵌合されている。コイルばね４７の端部４７ａは、大径部２３によって保持されている。大径部２３は、コイルばね４７の保持部として機能する。大径部２３は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に垂直な平面内（ｘ方向及びｙ方向）においてコイルばね４７を位置決めするとともに、コイルばね４７が導電ピン２１及び接触部材２８から外れることを防止する。

小径部２４は、本体部２２より小さな直径を有している。小径部２４は、本体部２２に対してストッパー３０の側に設けられている。小径部２４と本体部２２との接続部に、段差２５が形成されている。段差２５は、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向において、導電ピン２１に対してストッパー３０を位置決めする。小径部２４は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）において、支持部材１０の第２主面１２から突出している。小径部２４は、第１小径部分２４ａと、第２小径部分２４ｂとを含む。第１小径部分２４ａは、第２小径部分２４ｂよりも本体部２２の近くにある。第１小径部分２４ａは、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）において、支持部材１０の第２主面１２から突出している。第２小径部分２４ｂは、第１小径部分２４ａよりも本体部２２に対して遠くにあり、端２１ｂを含む。第２小径部分２４ｂの側面には、ねじ溝２６が形成されている。

図１、図２及び図４を参照して、接触部材２８は、耐摩耗性及び導電性に優れた材料で形成されている。接触部材２８は、例えば、リン青銅またはベリリウム銅のような銅系の合金で形成されている。接触部材２８は、導電ピン２１の端２１ａに固定されている。接触部材２８は、導電ピン２１に電気的に導通している。接触部材２８は、支持部材１０の第１主面１１に対向している。

接触部材２８は、半導体装置３の電極４に接触し得る接触面２８ａと、接触面２８ａとは反対側の面２８ｂとを含む。接触面２８ａの腐食を防止するとともに接触面２８ａと半導体装置３の電極４との間の接触抵抗を安定させるために、接触面２８ａは、ニッケル、金、パラジウムまたはロジウムなどの金属材料でメッキされてもよい。コイルばね４７の端部４７ａは、面２８ｂに接触しており、面２８ｂは、コイルばね４７の端部４７ａを支持している。面２８ｂは、コイルばね４７の支持面として機能している。

本実施の形態では、接触部材２８は円柱形状を有しているが、接触部材２８は、四角柱または六角柱のような多角柱の形状を有してもよい。本実施の形態では、導電ピン２１と接触部材２８とは別部材で形成されているが、導電ピン２１と接触部材２８とは単一の部材として形成されてもよい。

ストッパー３０は、例えば、固定部材４０を用いて、導電ピン２１に固定されている。ストッパー３０には、貫通孔３６が設けられている。導電ピン２１の第１小径部分２４ａは、貫通孔３６に嵌合されている。ストッパー３０のうち接触部材２８または本体部２２に最も近いストッパー３０の端部３５は、導電ピン２１の段差２５に当接している。こうして、ストッパー３０は、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向において、導電ピン２１に対して位置決めされる。ストッパー３０は、例えば、鋼またはステレンスのような耐摩耗性に優れた材料で形成されている。そのため、プランジャ２０が支持部材１０に対して移動するときに、ストッパー３０が支持部材１０に衝突しても、ストッパー３０が摩耗することが防止される。

ストッパー３０は、ヘッド部３１と、テーパ部３２とを主に含む。ストッパー３０は、ネック部３４をさらに含む。

図１、図２及び図４を参照して、ヘッド部３１は、支持部材１０の貫通孔１３より大きな直径を有している。ヘッド部３１は、支持部材１０の第２主面１２に対向している。そのため、図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０が支持部材１０から脱落することが防止される。ヘッド部３１は、支持部材１０の第２主面１２に対向する第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対側の第２面３１ｂとを含む。図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、ヘッド部３１の第１面３１ａは、コイルばね４７の予圧によって、支持部材１０の第２主面１２に押し付けられて、支持部材１０の第２主面１２に接触している。そのため、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０は、支持部材１０によって保持される。

テーパ部３２は、ヘッド部３１から接触部材２８または導電ピン２１の本体部２２に向かうにつれて先細となっている。図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、テーパ部３２は、支持部材１０の貫通孔１３内に配置されている。ストッパー３０が支持部材１０の貫通孔１３から外れた状態（図４を参照）からストッパー３０が図１に示される初期位置に戻る際に、テーパ部３２は、ストッパー３０を支持部材１０の貫通孔１３に向けて案内する。テーパ部３２は、テーパ部３２のうち、接触部材２８または導電ピン２１の本体部２２に最も近いテーパ端３３を含む。

プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向におけるテーパ部３２の長さＬ_２（図２を参照）は、コイルばね４７の圧縮長さより短い。コイルばね４７の圧縮長さは、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき（図１を参照）のコイルばね４７の初期長さと、接触部材２８が半導体装置３の電極４に面接触しているとき（図４を参照）のコイルばね４７の長さとの差によって与えられる。

ネック部３４は、ヘッド部３１より小さな直径を有している。ネック部３４は、本体部２２とテーパ部３２とに接続されている。ネック部３４の直径は、例えば、テーパ部３２のうち接触部材２８または導電ピン２１の本体部２２から最も遠いテーパ端におけるテーパ部３２の直径に等しい。ネック部３４の直径は、支持部材１０の貫通孔１３の直径に等しい、または、支持部材１０の貫通孔１３の直径より小さい。そのため、図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、ネック部３４は支持部材１０の貫通孔１３に嵌合される。ネック部３４は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に垂直な平面内（ｘ方向及びｙ方向）において、支持部材１０に対して位置決めされる。こうして、プランジャ２０は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に垂直な平面内において、支持部材１０に対して位置決めされる。ネック部３４は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に垂直な平面内におけるプランジャ２０の位置決め部として機能する。

図１、図２及び図４を参照して、固定部材４０は、ストッパー３０を導電ピン２１に固定する。例えば、固定部材４０は、導電ピン２１のねじ溝２６に螺合する。固定部材４０は、ストッパー３０の第２面３１ｂに接触して、ストッパー３０を導電ピン２１の段差２５に向けて押圧する。ストッパー３０の端部３５は、導電ピン２１の段差２５に当接する。こうして、ストッパー３０は、導電ピン２１に締結される。固定部材４０は、金属または合金（例えば、真鍮）のような導電材料で形成されている。固定部材４０は、導電ピン２１に導通している。

図１、図２及び図４を参照して、端子４２は、金属または合金（例えば、真鍮）のような導電材料で形成されている。端子４２は、固定部材４０を通じて、導電ピン２１に導通している。端子４２には、電気配線６１が接続される。端子４２は、電気配線６１を通じて、試験回路６０に電気的に接続されている。

端子４２は、固定部材４０，４４によって、導電ピン２１に固定される。具体的には、固定部材４４は、導電ピン２１のねじ溝２６に螺合する。固定部材４４は、端子４２を固定部材４０に向けて押圧する。端子４２は、固定部材４０と固定部材４４とによって挟持される。

コイルばね４７は、ピアノ線またはＳＵＳなどで形成されている。コイルばね４７は、端部４７ａ，４７ｂを含む。コイルばね４７の端部４７ａは、コイルばね４７のうち接触部材２８により近い端部である。コイルばね４７の端部４７ｂは、コイルばね４７のうち支持部材１０により近い端部である。

コイルばね４７は、接触部材２８と支持部材１０とによって保持されている。具体的には、コイルばね４７の端部４７ａは、接触部材２８の面２８ｂによって支持されている。また、コイルばね４７の端部４７ｂは、支持部材１０のばね保持部１４によって保持されている。また、導電ピン２１の大径部２３は、コイルばね４７の端部４７ａに嵌合されている。コイルばね４７の端部４７ａは、大径部２３によって保持されている。コイルばね４７は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に垂直な平面内（ｘ方向及びｙ方向）において、位置決めされる。

コイルばね４７は、プランジャ２０に対して一対一対応で設けられている。すなわち、半導体装置の試験装置１が備えるプランジャ２０の数にかかわらず、一つのプランジャ２０に対して一つのコイルばね４７が設けられている。例えば、半導体装置の試験装置１が複数のプランジャ２０を備える場合、半導体装置の試験装置１は複数のコイルばね４７を備え、複数のコイルばね４７のそれぞれは、複数のプランジャ２０のそれぞれに対して一対一対応で設けられている。

図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、コイルばね４７は、コイルばね４７の自然長より短い。そのため、コイルばね４７は、プランジャ２０に予圧を与える。この予圧によって、ヘッド部３１の第１面３１ａは支持部材１０の第２主面１２に押し付けられる。そのため、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０は、支持部材１０によって保持される。

試験回路６０は、プランジャ２０及び半導体装置３に電気的に接続される。具体的には、試験回路６０は、電気配線６１を用いて、プランジャ２０の端子４２に電気的に接続されている。試験回路６０は、半導体装置３に電流を供給するための電源（図示せず）、半導体装置３の電圧を検出する電圧検出回路（図示せず）、並びに、電源及び電圧検出回路などを制御するコントローラ（図示せず）などを含む。

図３に示されるように、接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、コイルばね４７の全体、貫通孔１３の全体、固定部材４０の全体、端子４２の全体及び固定部材４４の全体は、接触部材２８の領域内にある。言い換えると、接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、コイルばね４７の全体、貫通孔１３の全体、固定部材４０の全体、端子４２の全体及び固定部材４４の全体は、接触部材２８にオーバラップしている。接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１、コイルばね４７、貫通孔１３、固定部材４０、端子４２及び固定部材４４は、接触部材２８の外周から全くはみだしていない。接触面２８ａの平面視において、ストッパー３０の全体も、接触部材２８の領域内にあってもよい。本実施の形態では、接触面２８ａの平面視において、接触部材２８のうち接触面２８ａが最も大きな領域を有している。そのため、本実施の形態では、接触面２８ａの平面視における接触部材２８の領域は、接触面２８ａによって規定される。

具体的には、図２に示されるように、接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、接触部材２８は直径Ｄ_１を有し、導電ピン２１の本体部２２は直径Ｄ_２を有し、導電ピン２１の大径部２３は直径Ｄ_３を有し、コイルばね４７は外径Ｄ_４と内径Ｄ_５とを有し、貫通孔１３は直径Ｄ_６を有し、ストッパー３０のヘッド部３１は直径Ｄ_７を有し、固定部材４０は直径Ｄ_８を有し、端子４２は直径Ｄ_９を有し、固定部材４４は直径Ｄ_１０を有する。本実施の形態では、接触面２８ａの平面視において、接触部材２８のうち接触面２８ａが最も大きな領域を有している。そのため、本実施の形態では、接触部材２８の直径Ｄ_１は、接触面２８ａの直径に等しい。

本体部２２の直径Ｄ_２は、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さく、かつ、コイルばね４７の内径Ｄ_５より小さく、かつ、貫通孔１３の直径Ｄ_６より小さい。貫通孔１３の内壁と導電ピン２１の本体部２２との間のクリアランスΔＤは、（Ｄ_６－Ｄ_２）／２によって与えられる。クリアランスΔＤは、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に対して、プランジャ２０が傾くことを可能にする。大径部２３の直径Ｄ_３は、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さく、かつ、本体部２２の直径Ｄ_２より大きい。大径部２３の直径Ｄ_３は、コイルばね４７の内径Ｄ_５に等しい、または、コイルばね４７の内径Ｄ_５より小さい。

コイルばね４７の外径Ｄ_４は、接触部材２８の直径Ｄ_１に等しい、または、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さい。コイルばね４７の外径Ｄ_４は、特に限定されないが、例えば、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．５倍より大きくてもよく、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．６倍以上であってもよく、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．７倍以上であってもよく、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．８倍以上であってもよい。コイルばね４７の外径Ｄ_４は、コイルばね４７の内径Ｄ_５より大きい。

コイルばね４７の内径Ｄ_５は、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さい。コイルばね４７の内径Ｄ_５は、特に限定されないが、例えば、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．５倍以上であってもよく、接触部材２８の直径Ｄ_１の０．７倍以上であってもよい。コイルばね４７の内径Ｄ_５は、貫通孔１３の直径Ｄ_６に等しい、または、貫通孔１３の直径Ｄ_６より大きい。コイルばね４７の内径Ｄ_５は、コイルばね４７の線径（太さ）は、コイルばね４７の外径Ｄ_４とコイルばね４７の内径Ｄ_５との間の差の半分によって与えられる。

ヘッド部３１の直径Ｄ_７は、貫通孔１３の直径Ｄ_６より大きい。ヘッド部３１の直径Ｄ_７は、接触部材２８の直径Ｄ_１に等しい、または、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さい。ネック部３４の直径は、貫通孔１３の直径Ｄ_６より小さい。テーパ部３２の直径は、貫通孔１３の直径Ｄ_６より小さい。

固定部材４０の直径Ｄ_８は、接触部材２８の直径Ｄ_１に等しい、または、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さい。固定部材４０の直径Ｄ_８は、ヘッド部３１の直径Ｄ_７より小さくてもよい。端子４２の直径Ｄ_９は、接触部材２８の直径Ｄ_１に等しい、または、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さい。端子４２の直径Ｄ_９は、固定部材４０の直径Ｄ_８より大きくてもよい。固定部材４４の直径Ｄ_１０は、接触部材２８の直径Ｄ_１より小さく、かつ、端子４２の直径Ｄ_９より小さい。固定部材４４の直径Ｄ_１０は端子４２の直径Ｄ_９より小さいため、端子４２に電気配線６１が容易に接続され得る。

図１及び図４を参照して、本実施の形態の半導体装置の試験装置１の動作を説明する。

図１に示されるように、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に平行であり、かつ、ストッパー３０のヘッド部３１は、支持部材１０の第２主面１２に接触している。ヘッド部３１の直径Ｄ_７は貫通孔１３の直径Ｄ_６より大きいため、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０が支持部材１０から脱落することが防止される。また、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき、コイルばね４７は、コイルばね４７の自然長より短い。そのため、コイルばね４７は、プランジャ２０に予圧を与えている。この予圧によって、ヘッド部３１の第１面３１ａは支持部材１０の第２主面１２に押し付けられる。そのため、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０は、支持部材１０に保持される。

移動機構５５を用いて、支持部材１０を半導体装置３に向けて移動させる。プランジャ２０及びコイルばね４７も、支持部材１０とともに、半導体装置３に向けて移動する。具体的には、モータ５６を駆動して、ボールねじ５７を回転させる。ボールねじ５７に連結されている可動部５８は、リニアガイド５９によってガイドされて、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に沿って、半導体装置３に向けて移動する。接触部材２８の接触面２８ａは、半導体装置３の電極４に接触する。半導体装置３の電極４が、接触部材２８の接触面２８ａに対して傾いている場合、接触部材２８の接触面２８ａと半導体装置３の電極４の表面５との間の接触面積は小さい。

そこで、移動機構５５を用いて、支持部材１０、プランジャ２０及びコイルばね４７を、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に沿って、半導体装置３に向けてさらに移動させる。プランジャ２０は、半導体装置３の電極４から力を受けて、支持部材１０から外れて、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向は貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に対して傾く。図４に示されるように、接触部材２８の接触面２８ａが半導体装置３の電極４の表面５に沿うように、プランジャ２０は傾いて、接触部材２８の接触面２８ａは、電極４の表面５に、より広い面積で面接触する。また、コイルばね４７はさらに圧縮されて、コイルばね４７によって生成される荷重が、電極４と接触部材２８との間に印加される。そのため、接触部材２８の接触面２８ａと電極４の表面５との間の接触抵抗が低下する。半導体装置３に大電流（例えば、１００アンペア以上の電流）を流して、半導体装置３の電気試験を行うことができる。

図５を参照して、テーパ部３２のテーパ端３３が第２主面１２における貫通孔１３の開口縁にあるとき、プランジャ２０は貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に対して最も傾く。プランジャ２０の最大傾き角θ_ｍａｘは、以下の式（１）によって与えられる。

θ_ｍａｘ＝ｓｉｎ^－１（ΔＤ／Ｌ_１） （１）
ΔＤ（図２及び図５を参照）は、既に述べたように、貫通孔１３の内壁と導電ピン２１の本体部２２との間のクリアランスであり、（Ｄ_６－Ｄ_２）／２によって与えられる。Ｌ_１（図２及び図５を参照）は、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向における、接触部材２８の接触面２８ａから、テーパ部３２のテーパ端３３までの長さである。

貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向に対して垂直な平面（ｘｙ面）または接触部材２８の接触面２８ａに対する電極４の表面５の傾き角α（図１及び図４を参照）がプランジャ２０の最大傾き角θ_ｍａｘ以下である場合、接触部材２８の接触面２８ａが電極４の表面５に平行になるようにプランジャ２０は傾く。接触部材２８の接触面２８ａと電極４の表面５との間の接触面積が最も大きくなる。

それから、半導体装置の試験装置１を用いて、半導体装置３の試験を行う。具体的には、試験回路６０の電源は、電気配線６１及びプランジャ２０などを通じて、半導体装置３を電流を供給する。試験回路６０の電圧検出回路は、半導体装置３の電圧を検出する。こうして、半導体装置３の試験が行われる。

半導体装置３の試験が終了すると、移動機構５５を用いて、支持部材１０を半導体装置３から離れるように移動させる。図１に示されるように、接触部材２８の接触面２８ａは、半導体装置３の電極４の表面５から離れる。プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に平行になる。テーパ部３２は、ストッパー３０が貫通孔１３から外れているプランジャ２０の状態（図４を参照）から図１に示されるプランジャ２０の初期位置に戻る際に、ストッパー３０は、テーパ部３２によって、支持部材１０の貫通孔１３内に案内される。そのため、プランジャ２０は、円滑に、図１に示される初期位置に戻ることができる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１の効果を説明する。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、支持部材１０と、プランジャ２０と、コイルばね４７とを備える。支持部材１０は、第１主面１１と、第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを含む。支持部材１０に、第１主面１１から第２主面１２まで延在する貫通孔１３が設けられている。プランジャ２０は、導電ピン２１と、接触部材２８と、ストッパー３０とを含む。導電ピン２１は、貫通孔１３とコイルばね４７とに挿入されている。接触部材２８は、導電ピン２１に固定されており、導電ピン２１に電気的に導通し、第１主面１１に対向しており、かつ、半導体装置３の電極４に接触し得る接触面２８ａを含む。コイルばね４７は、接触部材２８と支持部材１０とによって保持されており、かつ、プランジャ２０に対して一対一対応で設けられている。ストッパー３０は、導電ピン２１に固定されており、かつ、ヘッド部３１とテーパ部３２とを含む。ヘッド部３１は、貫通孔１３より大きな直径を有し、かつ、第２主面１２に対向している。テーパ部３２は、貫通孔１３内に配置され、かつ、ヘッド部３１から接触部材２８に向かうにつれて先細となっている。接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、コイルばね４７の全体及び貫通孔１３の全体は、接触部材２８の領域内にある。

本実施の形態では、コイルばね４７は、プランジャ２０に対して一対一対応で設けられている。コイルばね４７の線径を大きくすることができて、コイルばね４７によって印加される荷重が増加する。より高い圧力でプランジャ２０を半導体装置３の電極４に接触させることができる。また、半導体装置３の電極４の表面５が傾いていても、接触部材２８の接触面２８ａが半導体装置３の電極４の表面５に沿うように、プランジャ２０を傾けることができる。接触部材２８の接触面２８ａを、電極４の表面５に、より広い面積で面接触させることができる。そのため、接触部材２８の接触面２８ａと半導体装置３の電極４の表面５との間の接触抵抗が低くなる。本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、より大きな電流を印加して半導体装置３を試験することができる。

また、本実施の形態では、接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、コイルばね４７の全体及び貫通孔１３の全体は、接触部材２８の領域内にある。そのため、半導体装置の試験装置１は小型化される。半導体装置の試験装置１を大型化することなく、より多くの数のプランジャ２０及びより多くの数のコイルばね４７を、半導体装置の試験装置１に実装することができる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、プランジャ２０の中心軸２０ｃ方向におけるテーパ部３２の長さは、コイルばね４７の圧縮長さより短い。コイルばね４７の圧縮長さは、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき（図１を参照）のコイルばね４７の初期長さと、接触部材２８が半導体装置３の電極４に面接触しているとき（図４を参照）のコイルばね４７の長さとの差によって与えられる。

そのため、接触部材２８の接触面２８ａが半導体装置３の電極４の表面５に面接触したときに、テーパ部３２の少なくとも一部が支持部材１０の貫通孔１３から確実に抜け出して、プランジャ２０の傾き角が増加する。電極４の表面５がより大きく傾いていても、接触部材２８の接触面２８ａと電極４の表面５との間の接触面積を増加させることができて、接触部材２８の接触面２８ａと半導体装置３の電極４の表面５との間の接触抵抗が低くなる。半導体装置の試験装置１は、より大きな電流を印加して半導体装置３を試験することができる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているとき（図１を参照）に、ヘッド部３１は、コイルばね４７の予圧によって、支持部材１０の第２主面１２に押し付けられている。

そのため、接触部材２８が半導体装置３の電極４から離れているときに、プランジャ２０は、支持部材１０によってより確実に保持される。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、プランジャ２０は、ストッパー３０を導電ピン２１に固定する固定部材４０を含む。

固定部材４０は、ストッパー３０が導電ピン２１から外れることを防止する。半導体装置の試験装置１の寿命が延びる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、導電ピン２１は、本体部２２と、大径部２３とを含む。大径部２３は、本体部２２より大きな直径を有し、本体部２２に対して接触部材２８の側に設けられており、かつ、接触部材２８に近位するコイルばね４７の端部４７ａに嵌合されている。コイルばね４７は、大径部２３によって保持されている。

大径部２３は、コイルばね４７が導電ピン２１から外れることを防止する。半導体装置の試験装置１の寿命が延びる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、支持部材１０は、支持部材１０に近位するコイルばね４７の端部４７ｂを保持するばね保持部１４を含む。

ばね保持部１４は、コイルばね４７が支持部材１０から外れることを防止する。半導体装置の試験装置１の寿命が延びる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、プランジャ２０及び半導体装置３に電気的に接続される試験回路６０と、支持部材１０を半導体装置３に向けて移動させる移動機構５５とをさらに備える。

そのため、半導体装置の試験装置１は、より大きな電流を印加して半導体装置３を試験することができる。半導体装置の試験装置１は小型化される。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、接触面２８ａの平面視において、ストッパー３０の全体は、接触部材２８の領域内にある。そのため、半導体装置の試験装置１は小型化される。

実施の形態２．
図６及び図７を参照して、実施の形態２に係る半導体装置の試験装置１を説明する。本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、実施の形態１の半導体装置の試験装置１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で実施の形態１の半導体装置の試験装置１と異なっている。

本実施の形態では、支持部材１０は、保護部材１６を含む。保護部材１６は、貫通孔１３の内壁のうち少なくともストッパー３０に対向する部分を覆う。保護部材１６は、貫通孔１３の内壁の全体を覆ってもよい。保護部材１６は、支持部材１０よりも耐摩耗性に優れている。保護部材１６は、例えば、鋼またはステレンスのような耐摩耗性に優れた材料で形成されている。

保護部材１６は、ばね保持部１４を含む。上記式（１）のクリアランスΔＤは、保護部材１６の内径と導電ピン２１の本体部２２の直径Ｄ_２との差の半分によって与えられる。

図８及び図９を参照して、本実施の形態の変形例の半導体装置の試験装置１を説明する。本実施の形態の変形例では、保護部材１６は、テーパ部３２に対向するテーパ面１７を含む。テーパ面１７は、貫通孔１３の中心軸１３ｃ方向（ｚ方向）に対して、テーパ部３２の表面と同じ方向に傾いている。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、実施の形態１の半導体装置の試験装置１の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、支持部材１０は、貫通孔１３の内壁のうち少なくともストッパー３０に対向する部分を覆う保護部材１６を含む。

プランジャ２０が支持部材１０に対して移動するときにストッパー３０が支持部材１０に衝突しても、保護部材１６は、支持部材１０が摩耗することを防止する。半導体装置の試験装置１の寿命が延びる。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、保護部材１６は、テーパ部３２に対向するテーパ面１７を含む。

プランジャ２０が支持部材１０に対して移動するときに、テーパ面１７は、ストッパー３０を含むプランジャ２０を支持部材１０に対して円滑に移動させて、ストッパー３０と保護部材１６との間に作用する衝撃を緩和する。テーパ面１７は、保護部材１６の摩耗を低減させる。半導体装置の試験装置１の寿命が延びる。

実施の形態３．
図１０及び図１１を参照して、実施の形態３に係る半導体装置の試験装置１を説明する。本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、実施の形態１の半導体装置の試験装置１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で実施の形態１の半導体装置の試験装置１と異なっている。

図１０及び図１１に示されるように、本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、複数のプランジャ２０と、複数のコイルばね４７とを備える。そのため、本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、複数の電極４を含む半導体装置３または各々が電極４を含む複数の半導体装置３を、一度に試験することができる。

具体的には、支持部材１０に、複数の貫通孔１３が設けられている。複数の貫通孔１３の各々は、第１主面１１から第２主面１２まで延在し、かつ、複数のプランジャ２０のうちの対応するプランジャ２０に対して設けられている。複数のコイルばね４７は、複数のプランジャ２０のうちの対応するプランジャ２０に対して設けられている。すなわち、複数のコイルばね４７のそれぞれは、複数のプランジャ２０のそれぞれに対して一対一対応で設けられている。

複数のプランジャ２０の各々は、導電ピン２１と、接触部材２８と、ストッパー３０とを含む。導電ピン２１は、複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３と、複数のコイルばね４７のうちの対応するコイルばね４７とに挿入されている。複数のコイルばね４７の各々は、接触部材２８と支持部材１０とによって保持されている。接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、複数のコイルばね４７のうちの対応するコイルばね４７の全体及び複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３の全体は、接触部材２８の領域内にある。接触面２８ａの平面視において、ストッパー３０の全体も、接触部材２８の領域内にあってもよい。

本実施の形態では、半導体装置３とステージ５０の載置面５１との間にある異物６３に起因して、電極４の表面５は、例えば、ステージ５０の載置面５１（ｘｙ面）または接触部材２８の接触面２８ａに対して傾き角αで傾いている。

図１０及び図１１に示される半導体装置の試験装置１は、二つのプランジャ２０と、二つのコイルばね４７とを備えているが、半導体装置の試験装置１が備えるプランジャ２０の数とコイルばね４７の数とは、各々、三つ以上であってもよい。図１２及び図１３に示される本実施の形態の変形例の半導体装置の試験装置１は、四つのプランジャ２０と、四つのコイルばね４７とを備えている。なお、図１２及び図１３では、簡単のために、支柱５３及び移動機構５５などの図示が省略されている。

図１２及び図１３に示されるように、半導体装置３の複数の電極４の各々は、表面５と、表面５とは反対側の表面６と含む。表面５，６は、主として、ステージ５０の載置面５１の法線方向（ｚ方向）に延在している。半導体装置の試験装置１は、主として半導体装置３が載置されるステージ５０の載置面５１の法線方向に沿って延在する半導体装置３の電極４に対しても適用され得る。半導体装置３の製造誤差などに起因して、少なくとも一つの電極４の表面５，６は、ステージ５０の載置面５１（ｘｙ面）内において傾いてもよい。図１２及び図１３に示される本実施の形態の変形例では、複数の貫通孔１３の各々の中心軸１３ｃ方向（ｘ方向）は、ステージ５０の載置面５１（ｘｙ面）に沿っている。

図１２及び図１３に示されるように、電極４の表面５及び表面６の両方に接触部材２８の接触面２８ａが接触するように、複数のプランジャ２０、複数のコイルばね４７及び複数の支持部材１０が配置されてもよい。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、実施の形態１の半導体装置の試験装置１の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の半導体装置の試験装置１では、支持部材１０と、複数のプランジャ２０と、複数のコイルばね４７とを備える。支持部材１０は、第１主面１１と、第１主面１１とは反対側の第２主面１２とを含む。支持部材１０に、複数の貫通孔１３が設けられている。複数の貫通孔１３の各々は、第１主面１１から第２主面１２まで延在し、かつ、複数のプランジャ２０のうちの対応するプランジャ２０に対して設けられている。複数のコイルばね４７は、複数のプランジャ２０のうちの対応するプランジャ２０に対して設けられている。複数のプランジャ２０の各々は、導電ピン２１と、接触部材２８と、ストッパー３０とを含む。導電ピン２１は、複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３と、複数のコイルばね４７のうちの対応するコイルばね４７とに挿入されている。接触部材２８は、導電ピン２１に固定されており、導電ピン２１に電気的に導通し、第１主面１１に対向しており、かつ、半導体装置３の電極４に接触し得る接触面２８ａを含む。複数のコイルばね４７の各々は、接触部材２８と支持部材１０とによって保持されている。ストッパー３０は、導電ピン２１に固定されており、かつ、ヘッド部３１とテーパ部３２とを含む。ヘッド部３１は、複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３より大きな直径を有し、かつ、第２主面１２に対向している。テーパ部３２は、複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３内に配置され、かつ、ヘッド部３１から接触部材２８に向かうにつれて先細となっている。接触部材２８の接触面２８ａの平面視において、導電ピン２１の全体、複数のコイルばね４７のうちの対応するコイルばね４７の全体及び複数の貫通孔１３のうちの対応する貫通孔１３の全体は、接触部材２８の領域内にある。

そのため、本実施の形態の半導体装置の試験装置１は、複数の電極４を含む半導体装置３または各々が電極４を含む複数の半導体装置３を、一度に試験することができる。

今回開示された実施の形態１－３及びそれらの変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１ 半導体装置の試験装置、３ 半導体装置、４ 電極、５，６ 表面、１０ 支持部材、１１ 第１主面、１２ 第２主面、１３ 貫通孔、１３ｃ 中心軸、１４ ばね保持部、１６ 保護部材、１７ テーパ面、２０ プランジャ、２０ｃ 中心軸、２１ 導電ピン、２１ａ，２１ｂ 端、２２ 本体部、２３ 大径部、２４ 小径部、２４ａ 第１小径部分、２４ｂ 第２小径部分、２５ 段差、２６ ねじ溝、２８ 接触部材、２８ａ 接触面、２８ｂ 面、３０ ストッパー、３１ ヘッド部、３１ａ 第１面、３１ｂ 第２面、３２ テーパ部、３３ テーパ端、３４ ネック部、３５ 端部、３６ 貫通孔、４０，４４ 固定部材、４２ 端子、４７ コイルばね、４７ａ，４７ｂ 端部、５０ ステージ、５１ 載置面、５３ 支柱、５５ 移動機構、５６ モータ、５７ ボールねじ、５８ 可動部、５９ リニアガイド、６０ 試験回路、６１ 電気配線、６３ 異物。

Claims (11)

1. 第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含む支持部材と、
   プランジャと、
   コイルばねとを備え、
   前記支持部材に、前記第１主面から前記第２主面まで延在する貫通孔が設けられており、
   前記プランジャは、導電ピンと、接触部材と、ストッパーとを含み、
   前記導電ピンは、前記貫通孔と前記コイルばねとに挿入されており、
   前記接触部材は、前記導電ピンに固定されており、前記導電ピンに電気的に導通し、前記第１主面に対向しており、かつ、半導体装置の電極に接触し得る接触面を含み、
   前記コイルばねは、前記接触部材と前記支持部材とによって保持されており、かつ、前記プランジャに対して、一対一対応で設けられており、
   前記ストッパーは、前記導電ピンに固定されており、かつ、ヘッド部とテーパ部とを含み、
   前記ヘッド部は、前記貫通孔より大きな直径を有し、かつ、前記第２主面に対向しており、
   前記テーパ部は、前記貫通孔内に配置され、かつ、前記ヘッド部から前記接触部材に向かうにつれて先細となっており、
   前記接触面の平面視において、前記導電ピンの全体、前記コイルばねの全体及び前記貫通孔の全体は、前記接触部材の領域内にある、半導体装置の試験装置。
2. 前記支持部材は、前記貫通孔の内壁のうち少なくとも前記ストッパーに対向する部分を覆う保護部材を含む、請求項１に記載の半導体装置の試験装置。
3. 前記保護部材は、前記テーパ部に対向するテーパ面を含む、請求項２に記載の半導体装置の試験装置。
4. 前記プランジャの中心軸方向における前記テーパ部の長さは、前記コイルばねの圧縮長さより短く、
   前記コイルばねの前記圧縮長さは、前記接触部材が前記半導体装置の前記電極から離れているときの前記コイルばねの初期長さと、前記接触部材が前記半導体装置の前記電極に面接触しているときの前記コイルばねの長さとの差によって与えられる、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
5. 前記接触部材が前記半導体装置の前記電極から離れているときに、前記ヘッド部は、前記コイルばねの予圧によって、前記支持部材の前記第２主面に押し付けられている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
6. 前記プランジャは、前記ストッパーを前記導電ピンに固定する固定部材を含む、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
7. 前記導電ピンは、本体部と、大径部とを含み、
   前記大径部は、前記本体部より大きな直径を有し、前記本体部に対して前記接触部材の側に設けられており、かつ、前記接触部材に近位する前記コイルばねの端部に嵌合されており、
   前記コイルばねは、前記大径部によって保持されている、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
8. 前記支持部材は、前記支持部材に近位する前記コイルばねの端部を保持するばね保持部を含む、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
9. 前記プランジャ及び前記半導体装置に電気的に接続される試験回路と、
   前記支持部材を前記半導体装置に向けて移動させる移動機構とをさらに備える、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
10. 第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含む支持部材と、
    複数のプランジャと、
    複数のコイルばねとをさらに備え、
    前記支持部材に複数の貫通孔が設けられており、前記複数の貫通孔の各々は、前記第１主面から前記第２主面まで延在し、かつ、前記複数のプランジャのうちの対応するプランジャに対して設けられており、
    前記複数のコイルばねは、前記複数のプランジャのうちの対応するプランジャに対して設けられており、
    前記複数のプランジャの各々は、導電ピンと、接触部材と、ストッパーとを含み、
    前記導電ピンは、前記複数の貫通孔のうちの対応する貫通孔と、前記複数のコイルばねのうちの対応するコイルばねとに挿入されており、
    前記接触部材は、前記導電ピンに固定されており、前記導電ピンに電気的に導通し、前記第１主面に対向しており、かつ、半導体装置の電極に接触し得る接触面を含み、
    前記複数のコイルばねの各々は、前記接触部材と前記支持部材とによって保持されており、
    前記ストッパーは、前記導電ピンに固定されており、かつ、ヘッド部とテーパ部とを含み、
    前記ヘッド部は、前記複数の貫通孔のうちの対応する貫通孔より大きな直径を有し、かつ、前記第２主面に対向しており、
    前記テーパ部は、前記複数の貫通孔のうちの対応する貫通孔内に配置され、かつ、前記ヘッド部から前記接触部材に向かうにつれて先細となっており、
    前記接触面の平面視において、前記導電ピンの全体、前記複数のコイルばねのうちの対応するコイルばねの全体及び前記複数の貫通孔のうちの対応する貫通孔の全体は、前記接触部材の領域内にある、半導体装置の試験装置。
11. 前記接触面の前記平面視において、前記ストッパーの全体は、前記接触部材の前記領域内にある、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置の試験装置。
    

Images