JP2023102109A - Film deposition device of metal coating, and film deposition method therefor - Google Patents

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春樹 近藤
Haruki Kondo
圭児 黒田
Keiji Kuroda
和昭 岡本
Kazuaki Okamoto
功二 稲垣
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Abstract

To provide a film deposition device of a metal coating, capable of suppressing the deterioration of film deposition quality by avoiding the dissolving of an undercoat layer of a substrate.SOLUTION: A film deposition device 1 comprises: an anode 11; an electrolyte film 13 that is disposed between the anode and a substrate B; a power source 14 that applies a voltage between the anode and the substrate by using the substrate as a cathode; a storage 15 that stores the anode 11 and an electrolytic solution L including a metal ion, with an opening 15d open toward the substrate side being covered with the electrolyte film 13; a base 18 that supports the substrate so that the substrate faces the electrolyte film; and a liquid pressure regulator 60 that raises the liquid pressure of the electrolytic solution stored in the storage. The base 18 comprises: a metallic placing plate 20 on which the substrate is placed; and an elastic body that energizes the placing plate toward the electrolyte film in a state where the electrolyte film is pressed against the substrate by the liquid pressure of the electrolytic solution.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板の表面に金属皮膜を成膜する成膜装置、およびその成膜方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a metal film on the surface of a substrate, and a film forming method thereof.

従来から、基板の表面に金属を析出させて金属皮膜を成膜することが行われている(例えば、特許文献1)。特許文献1には、金属製の陽極と、陽極の表面に配置され、陽極と基板との間に位置する固体電解質膜(以下、電解質膜ともいう)と、基板を陰極として陽極と基板との間に電圧を印加する電源部と、を備える成膜装置が記載されている。当該成膜装置では、金属イオンを含む溶液(例えば銅イオンを含む水溶液)が、電解質膜に供給され、電解質膜は、金属イオン溶液と接触することにより、金属イオンを内部に含浸する。 BACKGROUND ART Conventionally, deposition of metal on the surface of a substrate to form a metal film has been performed (for example, Patent Document 1). Patent Literature 1 describes a film forming apparatus that includes a metal anode, a solid electrolyte film (hereinafter also referred to as an electrolyte film) disposed on the surface of the anode and positioned between the anode and the substrate, and a power supply section that applies a voltage between the anode and the substrate using the substrate as a cathode. In the film forming apparatus, a solution containing metal ions (for example, an aqueous solution containing copper ions) is supplied to the electrolyte membrane, and the electrolyte membrane is impregnated with metal ions by contact with the metal ion solution.

この成膜装置では、当該基板に電解質膜が接触した状態で、電源部を用いて、陽極と基板との間に電圧が印加される。これにより、電解質膜に含浸された金属イオンは、電解質膜に接触した基板に移動し、この表面で還元される。この結果、基板の表面に金属が析出され、金属皮膜が成膜される。 In this film-forming apparatus, a voltage is applied between the anode and the substrate using the power source while the electrolyte film is in contact with the substrate. As a result, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane migrate to the substrate in contact with the electrolyte membrane and are reduced on this surface. As a result, metal is deposited on the surface of the substrate to form a metal film.

特開2014-122377号公報JP 2014-122377 A

ところで、基板の表面に金属皮膜を成膜する際、電解質膜に含浸された金属イオンが電解質膜を通じて基板の側に移動するとともに、金属イオン溶液の水成分も基板の側に滲み出す場合がある。滲み出した水成分には、微量の金属イオン(例えば銅イオン)が含まれていることがある(以下、「滲み出し液」ともいう)。この滲み出し液は、基板の側面を伝って、基板と、これを載置する載置板の間に浸入することがある。基板に、絶縁板に金属下地層が被覆されたものを用いた場合、載置板に対向した金属下地層(例えば無電解銅)が、上記滲み出し液に接触し続けることになり、金属下地層の溶解が生じるおそれがある。さらに、電源部により陽極と基板との間に電圧が印加されると、金属下地層と金属製の載置板との間に電位差が生じるため、金属下地層の溶解が助長される。 By the way, when forming a metal film on the surface of a substrate, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane may move to the substrate side through the electrolyte membrane, and the water component of the metal ion solution may seep out to the substrate side. The exuded water component may contain a small amount of metal ions (for example, copper ions) (hereinafter also referred to as "exudate"). This oozing liquid may flow along the side surface of the substrate and enter between the substrate and the mounting plate on which it is mounted. When a substrate in which an insulating plate is coated with a metal underlayer is used, the metal underlayer (e.g., electroless copper) facing the mounting plate is kept in contact with the oozing liquid, which may cause dissolution of the metal underlayer. Furthermore, when a voltage is applied between the anode and the substrate by the power source, a potential difference is generated between the metal base layer and the metal mounting plate, thereby promoting dissolution of the metal base layer.

基板の金属下地層のうち、載置板と接触する部分が電気接点となるが、この部分が溶解すると、載置板と基板との間の電気接点が消失することになる。このため、陽極と基板との間に電圧が印加されたとしても、基板に向かって、安定した電界が形成されないため、金属皮膜の成膜品質の低下を招くことになる。 A portion of the metal base layer of the substrate that is in contact with the mounting plate serves as an electrical contact, but if this portion is dissolved, the electrical contact between the mounting plate and the substrate is lost. Therefore, even if a voltage is applied between the anode and the substrate, a stable electric field is not formed toward the substrate, resulting in deterioration of the deposition quality of the metal film.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板における金属下地層の溶解を回避することにより、成膜品質の低下を抑制する金属皮膜の成膜装置、およびその成膜方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide a metal film forming apparatus and a method for forming a metal film that suppress deterioration of the film forming quality by avoiding dissolution of the metal underlayer on the substrate.

前記課題を鑑みて、本発明に係る金属皮膜の成膜装置は、陽極と、前記陽極と基板との間に配置された固体電解質膜と、前記基板を陰極として前記陽極と前記基板との間に電圧を印加する電源部と、前記陽極と金属イオンを含む電解液とを収容し、前記基板の側に開口した開口部を前記固体電解質膜で覆った収容体と、前記基板が前記固体電解質膜に対向するように、前記基板を支持する基台と、前記収容体に収容された前記電解液の液圧を所定の液圧まで上昇させる液圧調整装置と、を備え、前記固体電解質膜を前記基板に接触させた状態で前記陽極と前記基板との間に電圧を印加し、前記固体電解質膜の内部に含有された前記金属イオンを還元することで、前記金属イオンに由来した金属皮膜を、絶縁板に金属下地層が被覆された前記基板の表面に成膜する金属皮膜の成膜装置であって、前記基台は、前記基板が載置される金属製の載置板と、前記電解液の液圧により前記固体電解質膜を前記基板に押圧した状態で、前記固体電解質膜に向かって前記載置板を付勢する弾性体と、を備えることを特徴とする。 In view of the above problems, the present invention provides a metal film deposition apparatus comprising: an anode; a solid electrolyte film disposed between the anode and a substrate; a power supply section that applies a voltage between the anode and the substrate using the substrate as a cathode; a container that houses the anode and an electrolytic solution containing metal ions; a liquid pressure adjusting device for increasing the liquid pressure of an electrolytic solution to a predetermined liquid pressure, wherein a voltage is applied between the anode and the substrate while the solid electrolyte film is in contact with the substrate to reduce the metal ions contained in the solid electrolyte film, thereby forming a metal film derived from the metal ions on the surface of the substrate in which an insulating plate is covered with a metal underlayer, wherein the base comprises a metal mounting plate on which the substrate is placed; and an elastic body for urging the mounting plate toward the solid electrolyte membrane in a state where the solid electrolyte membrane is pressed against the substrate by the liquid pressure of .

本発明に係る成膜装置では、液圧調整装置によって電解液の液圧を上昇させた場合、電解質膜に含浸された金属イオンが電解質膜を通じて基板の表面に移動するとともに、上述した滲み出し液が基板の側に滲み出すことがある。ここで、電解液の液圧が上昇すると、電解質膜は、基板の側へ向かって変形するが、弾性体は、電解質膜の変形量に応じた力で、電解質膜に向かって載置板を付勢する。載置板は基板に面接触しており、この付勢力によって、載置板が基板に押し付けられるので、電解液の液圧上昇に応じて滲み出し液が滲み出した場合であっても、基板と載置板との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。よって、基板の金属下地層が滲み出し液に接触し続けることがないので、当該金属下地層の溶解を回避することができる。このため、電源部により陽極と基板との間に電圧が印加され、金属下地層と載置板との間に電位差が生じた場合であっても、当該下地層の溶解が助長されることがない。このようにして、金属皮膜を成膜する際に載置板と基板との間の電気接点を維持することができるため、金属皮膜の成膜品質の低下を抑制することができる。 In the film forming apparatus according to the present invention, when the liquid pressure of the electrolyte is increased by the liquid pressure adjusting device, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane move to the surface of the substrate through the electrolyte membrane, and the exuding liquid described above may seep out to the substrate side. Here, when the liquid pressure of the electrolyte increases, the electrolyte membrane deforms toward the substrate, but the elastic body urges the mounting plate toward the electrolyte membrane with a force corresponding to the amount of deformation of the electrolyte membrane. The mounting plate is in surface contact with the substrate, and the mounting plate is pressed against the substrate by this urging force, so that even if the exuding liquid oozes out in response to an increase in the liquid pressure of the electrolytic solution, it is possible to prevent the exuding liquid from entering between the substrate and the mounting plate. Therefore, since the metal underlayer of the substrate does not continue to contact the exuding liquid, dissolution of the metal underlayer can be avoided. Therefore, even if a voltage is applied between the anode and the substrate by the power source and a potential difference is generated between the metal underlayer and the mounting plate, dissolution of the underlayer is not promoted. In this way, it is possible to maintain the electrical contact between the mounting plate and the substrate when depositing the metal film, thereby suppressing deterioration in the deposition quality of the metal film.

好ましい態様としては、前記基台は、前記電源部に電気的に接続され、前記弾性体の付勢方向に沿って延在する導電ピン、をさらに備え、前記導電ピンは、前記電解液の液圧により前記固体電解質膜を前記基板に押圧した状態で、前記導電ピンの先端が前記載置板に接触する位置にあり、かつ、前記固体電解質膜を前記基板から引き離した状態で、前記導電ピンの先端が前記載置板から離間する位置に、配置されている。 In a preferred embodiment, the base further includes a conductive pin electrically connected to the power supply unit and extending along the biasing direction of the elastic body. The conductive pin is disposed at a position where the tip of the conductive pin contacts the mounting plate when the solid electrolyte membrane is pressed against the substrate by the liquid pressure of the electrolytic solution, and at a position where the tip of the conductive pin is separated from the mounting plate when the solid electrolyte membrane is separated from the substrate.

この態様によれば、電解液の液圧により電解質膜を基板に押圧した状態、即ち金属皮膜を成膜する状態において、導電ピンの先端が載置板に接触する。一方、電解質膜を基板から引き離した状態、即ち金属皮膜を成膜していない状態において、導電ピンの先端が載置板から離間する。つまり、電解液の液圧上昇に伴い電解質膜が基板に押圧されると、導電ピンの先端が載置板に接触する。これにより、基板の金属下地層は、載置板及び導電ピンを介して電源部に電気的に接続される。このように、本態様によれば、電解液の液圧上昇を契機として、金属皮膜の成膜を開始することができる。 According to this aspect, the tips of the conductive pins contact the mounting plate in a state in which the electrolyte membrane is pressed against the substrate by the liquid pressure of the electrolyte, that is, in a state in which the metal coating is formed. On the other hand, in a state in which the electrolyte film is separated from the substrate, that is, in a state in which no metal film is formed, the tips of the conductive pins are separated from the mounting plate. That is, when the electrolyte membrane is pressed against the substrate as the liquid pressure of the electrolyte increases, the tips of the conductive pins come into contact with the mounting plate. As a result, the metal base layer of the substrate is electrically connected to the power source via the mounting plate and the conductive pins. Thus, according to this aspect, the formation of the metal film can be started with the increase in the liquid pressure of the electrolytic solution as a trigger.

本願では、金属皮膜を好適に成膜することができる成膜方法をさらに開示する。本発明に係る金属皮膜の成膜方法は、上記金属皮膜の成膜装置を用いた金属皮膜の成膜方法であって、前記収容体に形成された開口部を覆った前記固体電解質膜を前記基板に接触させる工程と、前記固体電解質膜を前記基板に接触させた状態で、前記収容体に収容された電解液の液圧を上昇させる工程と、前記陽極と前記基板との間に電圧を印加し、前記金属皮膜を成膜する工程と、を備えることを特徴とする。 The present application further discloses a film forming method capable of suitably forming a metal film. A method for forming a metal film according to the present invention is a method for forming a metal film using the above-described metal film forming apparatus, and is characterized by comprising the steps of bringing the solid electrolyte film covering the opening formed in the container into contact with the substrate, increasing the liquid pressure of the electrolytic solution contained in the container while the solid electrolyte film is in contact with the substrate, and applying a voltage between the anode and the substrate to form the metal film.

本発明に係る成膜方法によれば、電解液の液圧を上昇させる工程において、電解液の液圧を上昇させた場合、電解質膜に含浸された金属イオンが電解質膜を通じて基板の表面に移動するとともに、上述した滲み出し液が基板の側に滲み出すことがある。特に、複数の金属皮膜を成膜する際に、当該工程を複数回繰り返す場合、電解質膜を通じて基板の側へ滲み出す滲み出し液の量が増加する場合もある。この点で、本発明に係る成膜方法によれば、上述した成膜装置が用いられるので、電解液の液圧を上昇させる工程において、基板の金属下地層が滲み出し液に接触し続けることがない。よって、当該金属下地層の溶解を回避することができる。このため、金属皮膜を成膜する工程を実施した場合であっても、当該下地層の溶解が助長されることがない。このようにして、金属皮膜を成膜する際に載置板と基板との間の電気接点を維持することができるため、金属皮膜の成膜品質の低下を抑制することができる。 According to the film forming method according to the present invention, when the liquid pressure of the electrolyte is increased in the step of increasing the liquid pressure of the electrolyte, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane move to the surface of the substrate through the electrolyte membrane, and the exuding liquid described above may seep out to the substrate side. In particular, when forming a plurality of metal films, if the process is repeated a plurality of times, the amount of exudate that seeps out to the substrate side through the electrolyte membrane may increase. In this respect, according to the film forming method of the present invention, since the film forming apparatus described above is used, the metal base layer of the substrate does not continue to come into contact with the oozing liquid in the step of increasing the liquid pressure of the electrolytic solution. Therefore, dissolution of the metal underlayer can be avoided. Therefore, even when the step of forming the metal film is performed, the dissolution of the underlying layer is not promoted. In this way, it is possible to maintain the electrical contact between the mounting plate and the substrate when depositing the metal film, thereby suppressing deterioration in the deposition quality of the metal film.

本発明によれば、基板における金属下地層の溶解を回避することにより、成膜品質の低下を抑制することができる。 According to the present invention, deterioration of film formation quality can be suppressed by avoiding dissolution of the metal underlayer on the substrate.

本発明の実施形態に係る金属皮膜の成膜装置の模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a metal film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG. 図1の成膜装置において電解液が注入された状態を示すものである。2 shows a state in which an electrolytic solution is injected in the film forming apparatus of FIG. 1; 図1に示す状態の成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。2 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of the film forming apparatus in the state shown in FIG. 1; FIG. 図2に示す状態の成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。3 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of the film forming apparatus in the state shown in FIG. 2; FIG. 本発明の実施形態に係る成膜方法を説明するフローチャートである。It is a flow chart explaining the film-forming method concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の変形例に係る成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which expands and shows a part of film-forming apparatus based on the modification of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の変形例に係る成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which expands and shows a part of film-forming apparatus based on the modification of embodiment of this invention. 本発明の実施形態の変形例に係る成膜方法を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the film-forming method based on the modification of embodiment of this invention. 本発明の参考実施例1に係る成膜装置を用いて成膜を行った後、基板の裏面を観察した写真である。4 is a photograph of observing the back surface of the substrate after film formation was performed using the film formation apparatus according to Reference Example 1 of the present invention. 本発明の参考比較例1に係る成膜装置を用いて成膜を行った後、基板の裏面を観察した写真である。4 is a photograph of observing the back surface of a substrate after film formation is performed using the film formation apparatus according to Reference Comparative Example 1 of the present invention.

以下、図面を用いて、本発明の実施形態に係る金属皮膜の成膜装置について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A metal film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態に係る金属皮膜の成膜装置1の模式的断面図である。図2は、図1の成膜装置1において電解液Lが注入された状態を示すものである。図3は、図1に示す状態の成膜装置1の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。図4は、図2に示す状態の成膜装置1の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a metal film deposition apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a state in which the electrolytic solution L is injected in the film forming apparatus 1 of FIG. FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of the film forming apparatus 1 in the state shown in FIG. FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of the film forming apparatus 1 in the state shown in FIG.

図1及び図2に示すように、成膜装置1は、陽極11と、陽極11と基板Bとの間に配置された固体電解質膜(以下、電解質膜ともいう)13と、基板Bを陰極として陽極11と基板Bとの間に電圧を印加する電源部14と、を備える。 As shown in FIGS. 1 and 2, the film forming apparatus 1 includes an anode 11, a solid electrolyte film (hereinafter also referred to as an electrolyte film) 13 disposed between the anode 11 and the substrate B, and a power supply unit 14 that applies a voltage between the anode 11 and the substrate B using the substrate B as a cathode.

図2に示すように、成膜装置1は、電解質膜13を基板Bに接触させた状態で陽極11と基板Bとの間に電圧を印加し、電解質膜13の内部に含有された金属イオンを還元することで、金属イオンに由来した金属皮膜Fを基板Bの表面B1に成膜する装置である。なお、本実施形態では、説明の便宜上、陽極11の下方に電解質膜13を配置し、さらにその下方に基板Bを配置することを前提として、成膜装置1の構成部材の位置関係を特定する。しかしながら、基板Bの表面B1に金属皮膜Fを成膜することができるのであれば、この位置関係に限定されるものではなく、たとえば、図1の成膜装置1の上下が反転していてもよい。 As shown in FIG. 2, the film forming apparatus 1 is an apparatus for forming a metal film F derived from the metal ions on the surface B1 of the substrate B by applying a voltage between the anode 11 and the substrate B while the electrolyte film 13 is in contact with the substrate B, thereby reducing the metal ions contained inside the electrolyte film 13. In this embodiment, for convenience of explanation, the positional relationship of the constituent members of the film forming apparatus 1 is specified on the premise that the electrolyte membrane 13 is arranged below the anode 11 and the substrate B is further arranged below it. However, if the metal film F can be formed on the surface B1 of the substrate B, the positional relationship is not limited to this positional relationship, and for example, the film forming apparatus 1 in FIG. 1 may be turned upside down.

基板Bは、陰極(すなわち導電性を有した表面)として機能するものであればよい。基板Bは、電解質膜13と対向する表面B1を有する。つまり、基板Bの表面B1は、上方を向く面である。また、基板Bは、下方を向く裏面B5と、表面B1及び裏面B5を接続する側面B4とを含む。基板Bは、絶縁体B3に金属下地層B2を被覆したものである。なお、金属下地層B2は、絶縁体B3の上面及び下面のみを覆うものでもよい。この場合、金属下地層B2は、例えば導線等の導電材により電気的に接続される。絶縁体B3の材料としては、樹脂、セラミックス等が挙げられる。金属下地層B2の材料としては、例えば銅等が挙げられる。基板Bは、たとえば、樹脂製の絶縁体B3の全面に、銅からなる金属下地層B2を無電解めっき処理したものであってよい。例えば、金属下地層B2が無電解銅の皮膜である場合、その厚みは、通常数百nm(例えば150nm程度)である。金属下地層B2が溶解すると、後述する載置板20と基板Bとの電気接点を得ることができず、基板Bに金属皮膜Fを成膜することができない。 Substrate B may function as a cathode (that is, a conductive surface). Substrate B has a surface B<b>1 facing electrolyte membrane 13 . That is, the surface B1 of the substrate B is a surface facing upward. Further, the substrate B includes a back surface B5 facing downward and a side surface B4 connecting the surface B1 and the back surface B5. The substrate B is obtained by covering an insulator B3 with a metal base layer B2. The metal base layer B2 may cover only the upper and lower surfaces of the insulator B3. In this case, the metal underlying layer B2 is electrically connected by a conductive material such as a lead wire. Examples of materials for the insulator B3 include resins and ceramics. Examples of the material of the metal underlying layer B2 include copper and the like. The substrate B may be, for example, an insulator B3 made of resin and the entire surface of which is electrolessly plated with a metal base layer B2 made of copper. For example, when the metal underlayer B2 is a film of electroless copper, its thickness is usually several hundred nm (for example, about 150 nm). If the metal underlying layer B2 is dissolved, electrical contact between the mounting plate 20 described later and the substrate B cannot be obtained, and the metal film F cannot be formed on the substrate B. As shown in FIG.

陽極11は、基板Bの成膜領域に応じた形状となっている。基板Bの成膜領域とは、陽極11と対向する基板Bの表面B1の部分を意味する。陽極11は、金属皮膜Fと同じ金属からなる。陽極11は、非多孔質(たとえば無孔質)でもよいし、多孔質でもよい。また、陽極11は、ブロック状または平板状であってもよいし、金属製のボール状であってもよい。陽極11の材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、または、銀などを挙げることができる。陽極11は、電解液Lに対して可溶性を有してもよい。つまり、電源部14を用いて電圧を印加することにより陽極11が溶解してもよい。しかし、金属イオンを含む電解液Lのみで成膜するのであれば、陽極11は溶解しなくてもよい。陽極11は、電源部14の正極に電気的に接続される。 The anode 11 has a shape corresponding to the film formation area of the substrate B. As shown in FIG. The film-forming region of the substrate B means the portion of the surface B1 of the substrate B facing the anode 11 . The anode 11 is made of the same metal as the metal film F. Anode 11 may be non-porous (eg, non-porous) or porous. Further, the anode 11 may be block-shaped, flat plate-shaped, or metallic ball-shaped. Examples of materials for the anode 11 include copper, nickel, gold, and silver. The anode 11 may be soluble in the electrolytic solution L. In other words, the anode 11 may be dissolved by applying a voltage using the power supply section 14 . However, if the film is formed only with the electrolyte solution L containing metal ions, the anode 11 does not have to be dissolved. Anode 11 is electrically connected to the positive electrode of power supply section 14 .

電解液Lは、成膜すべき金属皮膜Fの金属をイオンの状態で含有している液であり、その金属としては、銅、ニッケル、金、または、銀などを挙げることができる。電解液Lは、これらの金属を、硝酸、リン酸、コハク酸、硫酸、またはピロリン酸などの酸で溶解(イオン化)した水溶液である。たとえば金属が銅の場合には、電解液Lとしては、硫酸銅、ピロリン酸銅などを含む水溶液を挙げることができる。 The electrolytic solution L is a solution containing the metal of the metal film F to be formed in the form of ions, and examples of the metal include copper, nickel, gold, and silver. The electrolytic solution L is an aqueous solution obtained by dissolving (ionizing) these metals with an acid such as nitric acid, phosphoric acid, succinic acid, sulfuric acid, or pyrophosphoric acid. For example, when the metal is copper, the electrolytic solution L can be an aqueous solution containing copper sulfate, copper pyrophosphate, or the like.

電解質膜13は、電解液Lに接触させることにより、金属イオンを内部に含浸(含有)することが可能となる膜であり、可撓性を有する膜である。電解質膜13は、電源部14により電圧を印加したときに基板Bにおいて金属イオンが還元され、金属イオン由来の金属が析出することができるのであれば、特に限定されるものではない。電解質膜13の材質としては、たとえばデュポン社製のナフィオン(登録商標)などのフッ素系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリアミック酸樹脂、旭硝子社製のセレミオン(CMV、CMD、CMFシリーズ)などのイオン交換機能を有した樹脂を挙げることができる。 The electrolyte membrane 13 is a flexible membrane that can be impregnated (contained) with metal ions when brought into contact with the electrolytic solution L. As shown in FIG. The electrolyte membrane 13 is not particularly limited as long as the metal ions are reduced on the substrate B when a voltage is applied by the power supply unit 14 and the metal derived from the metal ions can be deposited. Examples of the material of the electrolyte membrane 13 include fluorine-based resins such as Nafion (registered trademark) manufactured by DuPont, hydrocarbon-based resins, polyamic acid resins, and resins having an ion exchange function such as Celemion (CMV, CMD, CMF series) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.

図1から図4に示すように、成膜装置1は、収容体15と基台18とをさらに備える。 As shown in FIGS. 1 to 4, the film forming apparatus 1 further includes a container 15 and a base 18. As shown in FIGS.

収容体15は、陽極11と金属イオンを含む電解液Lとを収容し、収容体15の開口部15dは、電解質膜13で覆われている。収容体15には陽極11及び電解質膜13が取付けられており、収容体15の内壁面、陽極11、及び電解質膜13によって、電解液Lを収容する収容空間15cが形成される。収容体15の開口部15dは、基板Bに向かって(即ち下方に向かって)開口しており、この開口部15dを覆うように、収容体15には電解質膜13が取付けられている。陽極11と電解質膜13とは、互いに離間して配置され、これらの間の収容空間15cには電解液Lが充填される。図2に示すように、収容体15は、収容空間15cに収容された電解液Lが陽極11および電解質膜13に直接接触する構造となっている。収容体15は、電解液Lに対して不溶性の材料からなる。さらに、収容体15には、電解液Lを収容空間15cに供給する供給流路15aと、電解液Lを収容空間15cから排出する排出流路15bとが形成されている。供給流路15aは、後述する液供給管50に流体的に接続されており、排出流路15bは、後述する液排出管52に流体的に接続されている。 The container 15 contains the anode 11 and the electrolytic solution L containing metal ions, and the opening 15 d of the container 15 is covered with the electrolyte membrane 13 . An anode 11 and an electrolyte membrane 13 are attached to the container 15 , and the inner wall surface of the container 15 , the anode 11 , and the electrolyte membrane 13 form a storage space 15 c in which the electrolytic solution L is stored. An opening 15d of the container 15 opens toward the substrate B (that is, downward), and the electrolyte membrane 13 is attached to the container 15 so as to cover the opening 15d. The anode 11 and the electrolyte membrane 13 are arranged apart from each other, and the accommodation space 15c between them is filled with the electrolytic solution L. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the container 15 has a structure in which the electrolytic solution L contained in the container space 15c is in direct contact with the anode 11 and the electrolyte membrane 13. As shown in FIG. The container 15 is made of a material that is insoluble in the electrolytic solution L. As shown in FIG. Further, the container 15 is formed with a supply channel 15a for supplying the electrolytic solution L to the containing space 15c and a discharge channel 15b for discharging the electrolytic solution L from the containing space 15c. The supply channel 15a is fluidly connected to a liquid supply pipe 50, which will be described later, and the discharge channel 15b is fluidly connected to a liquid discharge pipe 52, which will be described later.

基台18は、基板Bが電解質膜13に対向するように基板Bを支持する。基台18は、基板Bが載置される金属製の載置板20と、電解質膜13に向かって載置板20を付勢する弾性体81と、弾性体81の付勢方向に沿って延在する導電ピン83と、を備える。基台18は、例えば成膜装置1の一部に固定された部材である固定台22をさらに備え、載置板20は、固定台22に対して可動な可動台である。ここで、固定台22が導電性の材料からなる場合、図1に示すように、固定台22には、電源部14の負極が電気的に接続される。なお、固定台22が絶縁性の材料からなる場合、電源部14の負極は、直接、導電ピン83に電気的に接続される。 The base 18 supports the substrate B so that the substrate B faces the electrolyte membrane 13 . The base 18 includes a metal mounting plate 20 on which the substrate B is mounted, an elastic body 81 that biases the mounting plate 20 toward the electrolyte membrane 13, and conductive pins 83 that extend along the biasing direction of the elastic body 81. The base 18 further includes, for example, a fixed table 22 which is a member fixed to a part of the film forming apparatus 1 , and the mounting plate 20 is a movable table movable with respect to the fixed table 22 . Here, when the fixed base 22 is made of a conductive material, the negative electrode of the power supply section 14 is electrically connected to the fixed base 22 as shown in FIG. If the fixing base 22 is made of an insulating material, the negative electrode of the power supply section 14 is electrically connected directly to the conductive pin 83 .

載置板20は、基板Bの裏面B5を支持する。載置板20は、基板Bの裏面B5に面接触している。載置板20は、金属製(例えばステンレス、アルミニウムなど)であり、導電ピン83及び固定台22を介して、電源部14の負極に電気的に接続される。載置板20がステンレスである場合、その表面に不動態皮膜が形成されているため、載置板20の溶解が抑制される。上述したように、金属下地層B2の溶解を抑制するという観点に立てば、載置板20は、金属下地層B2の金属(例えば銅)よりも卑な金属であってよい。図1に示すように、載置板20はブロック状または平板状であってよく、載置板20の上に基板Bが載置される。なお、載置板20は、基板Bを支持することができる形状であればよく、例えば、基板Bの裏面B5及び側面B4と接触するように、凹形状を有していてもよい。この場合、基板Bは、載置板20の凹形状の部分に収容され、裏面B5及び側面B4で保持される。載置板20が凹形状を有している場合、載置板20のうち基板Bの側面B4と接触する部分は、例えば樹脂等で形成されてよい。 The mounting plate 20 supports the rear surface B5 of the substrate B. As shown in FIG. The mounting plate 20 is in surface contact with the rear surface B5 of the substrate B. As shown in FIG. The mounting plate 20 is made of metal (for example, stainless steel, aluminum, etc.) and is electrically connected to the negative electrode of the power supply section 14 via the conductive pins 83 and the fixing base 22 . When the mounting plate 20 is made of stainless steel, a passivation film is formed on the surface of the mounting plate 20, so dissolution of the mounting plate 20 is suppressed. As described above, from the viewpoint of suppressing dissolution of the metal underlying layer B2, the mounting plate 20 may be made of a metal less base than the metal (for example, copper) of the metal underlying layer B2. As shown in FIG. 1 , the mounting plate 20 may be block-shaped or flat plate-shaped, and the substrate B is mounted on the mounting plate 20 . Note that the mounting plate 20 may have any shape as long as it can support the substrate B, and may have a concave shape so as to come into contact with the back surface B5 and the side surface B4 of the substrate B, for example. In this case, the substrate B is accommodated in the recessed portion of the mounting plate 20 and held by the rear surface B5 and the side surface B4. When the mounting plate 20 has a concave shape, the portion of the mounting plate 20 that contacts the side surface B4 of the substrate B may be made of resin or the like, for example.

弾性体81は、例えば圧縮ばねであり、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧した状態で、電解質膜13に向かって載置板20を付勢する。これにより、載置板20は、基板Bに対し上方へ向かう力を加える。図3に示すように、弾性体81は、後述する移動絶縁体82を介して、載置板20を下側から弾性支持している。なお、弾性体81は、載置板20を下側から直接、弾性支持してもよい。また、弾性体81は、その下側端部において、後述する固定絶縁体84に支持される。なお、弾性体81の下側端部は、固定台22に支持されてもよい。弾性体81の材料は、絶縁性材料でもよいし、導電性材料でもよい。弾性体81は、圧縮ばねに限定されるものではなく、上述したように、載置板20を上方へ付勢し得るものでればよく、例えば、ゴムなどでもよい。なお、電解液Lの液圧と、弾性体81による載置板20の付勢との関係については後述する。 The elastic body 81 is, for example, a compression spring, and urges the mounting plate 20 toward the electrolyte membrane 13 while the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B by the liquid pressure of the electrolyte L. As shown in FIG. As a result, the mounting plate 20 applies an upward force to the substrate B. As shown in FIG. As shown in FIG. 3, the elastic body 81 elastically supports the mounting plate 20 from below via a moving insulator 82 which will be described later. The elastic body 81 may elastically support the mounting plate 20 directly from below. In addition, the elastic body 81 is supported at its lower end by a fixed insulator 84, which will be described later. Note that the lower end of the elastic body 81 may be supported by the fixed base 22 . The material of the elastic body 81 may be an insulating material or a conductive material. The elastic member 81 is not limited to a compression spring, and may be any member capable of urging the mounting plate 20 upward as described above, such as rubber. The relationship between the liquid pressure of the electrolytic solution L and the biasing of the mounting plate 20 by the elastic body 81 will be described later.

導電ピン83は、電源部14に電気的に接続され、弾性体81の付勢方向に沿って延在する。たとえば、導電ピン83は、弾性体81の内部を通り、上記付勢方向、即ち上下方向に延在してよい。図3及び図4に示すように、導電ピン83は、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧した状態で、導電ピン83の先端83aが載置板20に接触する位置にあり、かつ、電解質膜13を基板Bから引き離した状態で、導電ピン83の先端83aが載置板20から離間する位置に、配置されている。成膜装置1が後述する移動絶縁体82を含む場合、導電ピン83の先端83aは、電解質膜13を基板Bから引き離した状態で、移動絶縁体82の内部で終端している。また、導電ピン83の先端83aは、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧した状態で、移動絶縁体82の上方から露出する。導電ピン83は金属製であり、基端83bにおいて、固定台22と接続されている。導電ピン83の基端83bが固定台22と接触し、且つ、導電ピン83の先端83aが載置板20と接触することにより、基板Bは電源部14の負極と電気的に接続される。導電ピン83は、滲み出し液により溶解しにくい材料が好ましく、例えばステンレスであってよい。 The conductive pin 83 is electrically connected to the power supply section 14 and extends along the biasing direction of the elastic body 81 . For example, the conductive pin 83 may pass through the elastic body 81 and extend in the biasing direction, that is, in the vertical direction. As shown in FIGS. 3 and 4, the conductive pin 83 is arranged at a position where the tip 83a of the conductive pin 83 is in contact with the mounting plate 20 in a state in which the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B by the liquid pressure of the electrolyte L, and in a position in which the tip 83a of the conductive pin 83 is separated from the mounting plate 20 in a state in which the electrolyte membrane 13 is separated from the substrate B. When the film forming apparatus 1 includes a moving insulator 82 to be described later, the tip 83a of the conductive pin 83 terminates inside the moving insulator 82 with the electrolyte film 13 separated from the substrate B. FIG. Further, the tip 83 a of the conductive pin 83 is exposed from above the moving insulator 82 while the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B by the liquid pressure of the electrolyte L. As shown in FIG. The conductive pin 83 is made of metal and is connected to the fixed base 22 at the proximal end 83b. The base end 83 b of the conductive pin 83 is in contact with the fixed base 22 and the tip 83 a of the conductive pin 83 is in contact with the mounting plate 20 , whereby the substrate B is electrically connected to the negative electrode of the power supply section 14 . The conductive pin 83 is preferably made of a material that is difficult to dissolve with the oozing liquid, such as stainless steel.

また、成膜装置1の基台18は、移動絶縁体82及び固定絶縁体84を備えてもよい。 Also, the base 18 of the film forming apparatus 1 may include a moving insulator 82 and a fixed insulator 84 .

移動絶縁体82は、例えば円柱状に形成されており、上側を向く面である上側端面82bで載置板20に固定される。このため、移動絶縁体82は、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧することにより、載置板20とともに下方に移動する。また、移動絶縁体82は、載置板20に背向して開口する(即ち下方を向いて開口する)収容凹部82cを有する。収容凹部82cは、当該収容凹部82cの開口より上側に配置され、下側を向く面である下側端面82aを有する。収容凹部82cには、弾性体81の上部が収容され、弾性体81は下側端面82aと接触している。つまり、移動絶縁体82は、下側端面82aにおいて、弾性体81によって弾性支持されている。収容凹部82cは、弾性体81の全周を包囲してもよいし、弾性体81の外周を部分的に包囲してもよい。このように、弾性体81が収容凹部82cに収容されるので、弾性体81の位置ずれを抑えることができる。移動絶縁体82は、例えば樹脂等の絶縁材料からなる。 The moving insulator 82 is formed, for example, in a columnar shape, and is fixed to the mounting plate 20 at an upper end face 82b that faces upward. Therefore, the moving insulator 82 moves downward together with the mounting plate 20 by pressing the electrolyte membrane 13 against the substrate B by the liquid pressure of the electrolyte L. As shown in FIG. The movable insulator 82 also has a housing recess 82c that opens toward the mounting plate 20 (that is, opens downward). The accommodation recess 82c has a lower end surface 82a which is arranged above the opening of the accommodation recess 82c and faces downward. The upper portion of the elastic body 81 is accommodated in the accommodation recess 82c, and the elastic body 81 is in contact with the lower end surface 82a. That is, the movable insulator 82 is elastically supported by the elastic body 81 at the lower end face 82a. The accommodation recess 82c may surround the elastic body 81 entirely or may partially surround the elastic body 81 . Since the elastic body 81 is accommodated in the accommodation recess 82c in this way, it is possible to suppress the displacement of the elastic body 81 . The moving insulator 82 is made of an insulating material such as resin.

固定絶縁体84は、有底筒状の形状であり、載置板20に向かって開口しており、固定絶縁体84には、移動絶縁体82、導電ピン83、及び、弾性体81が収容されている。導電ピン83は、固定絶縁体84の底部から、載置板20に延在している。導電ピン83の基端83bは、固定絶縁体84に埋設されており、固定台22に接触することにより固定台22に導通している。導電ピン83は、先端83aの側に向かって複数に分岐した分岐部83cが形成されており、各分岐部83cは、移動絶縁体82に形成された貫通孔82dに摺動自在に挿入されている。後述する電解質膜13の変形により、図4に示すように移動絶縁体82が、沈み込むと、導電ピン83(分岐部83c)の先端83aが、載置板20に接触し、載置板20と導電ピン83とが導通する。本実施形態では、複数の分岐部83cにより、載置板20が導通するため、載置板20に対して、安定した導通を期待することができる。 The fixed insulator 84 has a cylindrical shape with a bottom and opens toward the mounting plate 20 . Conductive pins 83 extend from the bottom of stationary insulator 84 to mounting plate 20 . A base end 83 b of the conductive pin 83 is embedded in the fixed insulator 84 and electrically connected to the fixed base 22 by contacting the fixed base 22 . The conductive pin 83 is formed with a plurality of branched portions 83c toward the tip 83a side, and each branched portion 83c is slidably inserted into a through hole 82d formed in the movable insulator 82. As shown in FIG. When the moving insulator 82 sinks as shown in FIG. 4 due to the deformation of the electrolyte membrane 13, which will be described later, the tip 83a of the conductive pin 83 (branch portion 83c) contacts the mounting plate 20, and the mounting plate 20 and the conductive pin 83 are electrically connected. In this embodiment, since the mounting plate 20 is electrically connected to the mounting plate 20 by the plurality of branch portions 83c, stable conduction can be expected for the mounting plate 20. FIG.

本実施形態では、図3に示すように、移動絶縁体82は、固定絶縁体84の開口から上部が飛び出すように弾性体81に支持されており、弾性体81には、導電ピン83が挿通されている。固定絶縁体84は、例えば樹脂製の接触部84bと、接触部84bの下部に配置された例えばゴム製の基部84cとを含む。なお、固定絶縁体84は、全体が樹脂製でもよいし、全体がゴム製でもよい。接触部84bは、電解質膜13の変形により載置板20が下方へ移動したとき、載置板20と接触してよい。接触部84bは、その下面において基部84cが取付けられる。基部84cは、接触部84bの下面に固定されてもよい。固定絶縁体84は、基部84cの内側において、上方を向く底面84aを有する。基部84cの底面84aは、移動絶縁体82の下側端面82aと対向する。基部84cの底面84aには、弾性体81が固定されている。接触部84bが載置板20と接触すると、固定絶縁体84と載置板20とにより閉空間が形成される。このため、載置板20が固定絶縁体84の接触部84bに接触した状態で、導電ピン83および弾性体81は、上記閉空間に収容されるため、滲み出し液に直接接触し難い。 In this embodiment, as shown in FIG. 3, the moving insulator 82 is supported by an elastic body 81 so that the upper part protrudes from an opening of a fixed insulator 84, and a conductive pin 83 is inserted through the elastic body 81. The stationary insulator 84 includes a contact portion 84b made of resin, for example, and a base portion 84c made of rubber, for example, arranged below the contact portion 84b. Note that the fixed insulator 84 may be entirely made of resin or entirely made of rubber. The contact portion 84 b may come into contact with the mounting plate 20 when the mounting plate 20 moves downward due to deformation of the electrolyte membrane 13 . A base portion 84c is attached to the lower surface of the contact portion 84b. The base portion 84c may be fixed to the lower surface of the contact portion 84b. The stationary insulator 84 has a bottom surface 84a facing upward inside the base 84c. A bottom surface 84 a of the base 84 c faces the lower end surface 82 a of the moving insulator 82 . The elastic body 81 is fixed to the bottom surface 84a of the base portion 84c. When the contact portion 84b contacts the mounting plate 20, the stationary insulator 84 and the mounting plate 20 form a closed space. Therefore, when the mounting plate 20 is in contact with the contact portion 84b of the fixed insulator 84, the conductive pin 83 and the elastic member 81 are accommodated in the closed space, and are unlikely to come into direct contact with the exuding liquid.

図1及び図2に示すように、成膜装置1は、収容体15に取付けられ、収容体15を昇降する直動アクチュエータ70を備える。直動アクチュエータ70は、電動式のアクチェータであり、たとえば、モータ(図示せず)が取付けられたガイド71と、このガイド71に対して直動するロッド72と、を含む。ロッド72は、たとえばボールねじ等(図示せず)によって、モータの回転運動が直動運動に変換されるものである。この直動アクチュエータ70により、載置板20に対して収容体15を昇降させて、電解質膜13を基板Bに接離させることが可能になる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the film forming apparatus 1 includes a linear motion actuator 70 that is attached to the container 15 and moves the container 15 up and down. Linear actuator 70 is an electric actuator, and includes, for example, guide 71 to which a motor (not shown) is attached, and rod 72 that moves linearly with respect to guide 71 . The rod 72 converts rotary motion of the motor into linear motion by, for example, a ball screw or the like (not shown). This linear motion actuator 70 makes it possible to move the housing body 15 up and down with respect to the mounting plate 20 to bring the electrolyte membrane 13 into contact with and separate from the substrate B. As shown in FIG.

次いで、成膜装置1に電解液Lを循環させるための機構について説明する。図1に示すように、成膜装置1は、収容体15へ供給される電解液Lを貯蔵するタンクTを備える。タンクTの電解液Lは、後述するポンプPにより吸引され、液供給管50を介して収容体15に供給される。また、成膜時に使用された電解液Lは、液排出管52を介して収容体15からタンクTに排出される。 Next, a mechanism for circulating the electrolytic solution L in the film forming apparatus 1 will be described. As shown in FIG. 1 , the film forming apparatus 1 includes a tank T for storing the electrolytic solution L to be supplied to the container 15 . The electrolytic solution L in the tank T is sucked by a pump P, which will be described later, and supplied to the container 15 through the liquid supply pipe 50 . Further, the electrolytic solution L used during film formation is discharged from the container 15 to the tank T through the liquid discharge pipe 52 .

液供給管50には、ポンプPが設けられている。本実施形態では、ポンプPは、正回転及び逆回転可能に構成されたものである。ポンプPが正回転することにより、タンクTから液供給管50内に電解液Lが吸引され、その電解液Lが、収容体15の収容空間15cに圧送される。他方、ポンプPが逆回転するとき、液供給管50を通じて収容体15からタンクTに電解液Lが戻される。 A pump P is provided in the liquid supply pipe 50 . In this embodiment, the pump P is configured to rotate forward and backward. By forward rotation of the pump P, the electrolytic solution L is sucked into the liquid supply pipe 50 from the tank T, and the electrolytic solution L is pressure-fed into the accommodation space 15 c of the accommodation body 15 . On the other hand, when the pump P rotates in the reverse direction, the electrolytic solution L is returned from the container 15 to the tank T through the liquid supply pipe 50 .

液排出管52には、電解液Lの流れ方向を切換える三方弁56が設けられている。三方弁56は、液排出管52を通って収容体15からタンクTへ向かう電解液Lの流れ方向と、大気導入管58及び液排出管52を通って外部から収容体15へ向かう大気の流れ方向と、を切換える。また、液排出管52には、収容体15からタンクTへ向かう電解液Lの流れ方向において、三方弁56の下流側に圧力調整弁54が介在されている。これにより、収容空間15cに収容された電解液Lの圧力(液圧)が所定の圧力を超えることが防止される。ポンプPを連続して正回転することにより、タンクTの電解液Lは、収容体15の収容空間15cに連続して供給され、収容空間15cの電解液Lは、圧力調整弁54により、一定の圧力に保持される。このように、本実施形態においてポンプP及び圧力調整弁54は、液圧調整装置60として機能するものであり、収容体15に収容された電解液Lの液圧を所定の液圧まで上昇させる。ところで、液圧調整装置60によって電解液Lの液圧を上昇させた場合、電解質膜13に含浸された金属イオンが電解質膜13を通じて基板Bの表面B1に移動するとともに、上述した滲み出し液が基板Bの側に滲み出すことがある。この滲み出し液は、基板Bの側面B4を伝って下方へ流れる。 A three-way valve 56 for switching the flow direction of the electrolytic solution L is provided in the liquid discharge pipe 52 . The three-way valve 56 switches the flow direction of the electrolytic solution L from the container 15 to the tank T through the liquid discharge pipe 52 and the flow direction of the air from the outside toward the container 15 through the air introduction pipe 58 and the liquid discharge pipe 52. A pressure regulating valve 54 is interposed in the liquid discharge pipe 52 downstream of the three-way valve 56 in the flow direction of the electrolytic solution L from the container 15 to the tank T. As shown in FIG. This prevents the pressure (fluid pressure) of the electrolytic solution L accommodated in the accommodation space 15c from exceeding a predetermined pressure. By continuously rotating the pump P forward, the electrolyte L in the tank T is continuously supplied to the storage space 15c of the storage body 15, and the pressure of the electrolyte L in the storage space 15c is maintained at a constant pressure by the pressure regulating valve 54. Thus, in this embodiment, the pump P and the pressure regulating valve 54 function as the hydraulic pressure regulating device 60, and increase the hydraulic pressure of the electrolytic solution L contained in the container 15 to a predetermined hydraulic pressure. By the way, when the liquid pressure of the electrolyte L is increased by the liquid pressure adjusting device 60, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane 13 move to the surface B1 of the substrate B through the electrolyte membrane 13, and the exuding liquid described above may seep out to the substrate B side. This oozing liquid flows downward along the side surface B4 of the substrate B. As shown in FIG.

電解液Lの液圧が上昇すると、可撓性を有する電解質膜13は、基板Bの側(即ち下側)へ向かって変形する。電解質膜13は基板Bに接触しているため、電解質膜13の変形に応じ、電解質膜13は基板Bに対し、載置板20へ向かう(即ち下方へ向かう)力を加える。この点で、図3及び図4に示すように、弾性体81が載置板20を弾性支持するため、電解質膜13の変形に応じて、基板Bと当該基板Bを支持する載置板20とが一緒に下方へ移動し、この移動量に応じて、弾性体81に復元力が生じる(図4参照)。つまり、弾性体81は、電解質膜13の変形量に応じて、載置板20を基板Bに押し付けるように載置板20に上向きの付勢力を加える。このため、基板B及び載置板20には、電解液Lの液圧により基板Bが載置板20を押す下向きの力と、弾性体81の付勢力により載置板20が基板Bを押す上向きの力とが加えられる。これにより、基板B及び載置板20が密着するため、基板Bと載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。 When the liquid pressure of the electrolytic solution L increases, the flexible electrolyte membrane 13 deforms toward the substrate B side (that is, downward). Since the electrolyte membrane 13 is in contact with the substrate B, the electrolyte membrane 13 applies a force toward the mounting plate 20 (that is, downward) to the substrate B in accordance with the deformation of the electrolyte membrane 13 . 3 and 4, since the elastic body 81 elastically supports the mounting plate 20, the substrate B and the mounting plate 20 supporting the substrate B move downward together according to the deformation of the electrolyte membrane 13, and a restoring force is generated in the elastic body 81 according to the amount of movement (see FIG. 4). That is, the elastic body 81 applies an upward biasing force to the mounting plate 20 so as to press the mounting plate 20 against the substrate B according to the amount of deformation of the electrolyte membrane 13 . Therefore, the substrate B and the mounting plate 20 are applied with a downward force by which the substrate B pushes the mounting plate 20 due to the liquid pressure of the electrolyte L, and an upward force by which the mounting plate 20 pushes the substrate B due to the biasing force of the elastic body 81. As a result, the substrate B and the mounting plate 20 are brought into close contact with each other, so that the seeping liquid can be prevented from entering between the substrate B and the mounting plate 20 .

また、成膜装置1が移動絶縁体82及び固定絶縁体84を有する場合、導電ピン83の先端83aは移動絶縁体82により被覆される。さらに、導電ピン83が載置板20と接触した状態で、固定絶縁体84が載置板20を支持する。これにより、固定絶縁体84と載置板20とによって閉空間が形成される。移動絶縁体82、導電ピン83、及び、弾性体81の全体は、上記閉空間に収容されるため、電解液Lの液圧上昇に応じて滲み出し液が滲み出した場合であっても、当該滲み出し液が導電ピン83に接触することを回避できる。このように、導電ピン83を滲み出し液から保護することができるので、金属皮膜Fを成膜する際に載置板20と基板Bとの間の電気接点を維持することができ、金属皮膜Fの成膜品質の低下を抑制することができる。 Further, when the film forming apparatus 1 has the movable insulator 82 and the fixed insulator 84 , the tip 83 a of the conductive pin 83 is covered with the movable insulator 82 . Furthermore, the fixed insulator 84 supports the mounting plate 20 while the conductive pins 83 are in contact with the mounting plate 20 . Thereby, a closed space is formed by the fixed insulator 84 and the mounting plate 20 . Since the moving insulator 82, the conductive pin 83, and the elastic body 81 are all accommodated in the closed space, even if the exuding liquid seeps out due to the increase in the liquid pressure of the electrolytic solution L, the exuding liquid can be prevented from contacting the conductive pin 83. Since the conductive pins 83 can be protected from exuding liquid in this way, the electrical contact between the mounting plate 20 and the substrate B can be maintained when the metal film F is formed, and deterioration of the film formation quality of the metal film F can be suppressed.

また、電解液Lの液圧上昇に伴い電解質膜13が基板Bに押圧されると、導電ピン83の先端83aが載置板20に接触する。これにより、基板Bの金属下地層B2は、載置板20及び導電ピン83を介して電源部14の負極に電気的に接続される。このように、成膜装置1によれば、電解液Lの液圧上昇を契機として、金属皮膜Fの成膜を開始することができる。 Further, when the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B as the liquid pressure of the electrolyte L rises, the tips 83 a of the conductive pins 83 come into contact with the mounting plate 20 . As a result, the metal underlying layer B2 of the substrate B is electrically connected to the negative electrode of the power supply section 14 via the mounting plate 20 and the conductive pins 83. As shown in FIG. As described above, according to the film forming apparatus 1, the film formation of the metal film F can be started with the liquid pressure rise of the electrolyte L as a trigger.

本実施形態では、収容体15の収容空間15cを電解液Lから大気に入替えることにより、収容体15に収容された電解液LをタンクTに戻す。具体的には、ポンプPを逆回転させることにより、収容体15から液供給管50に電解液Lが吸引され、その電解液LがタンクTに圧送される。このとき、大気導入管58を介して外部から収容体15へ向かう大気の流れを形成するように三方弁56が切換えられるので、ポンプPが逆回転を続けると、大気導入管58、液排出管52、排出流路15bを通じて、収容体15の収容空間15cに大気が導入される。 In the present embodiment, the electrolytic solution L contained in the containing body 15 is returned to the tank T by changing the containing space 15c of the containing body 15 from the electrolytic solution L to the atmosphere. Specifically, by rotating the pump P in the reverse direction, the electrolytic solution L is sucked from the container 15 into the liquid supply pipe 50, and the electrolytic solution L is pressure-fed to the tank T. As shown in FIG. At this time, the three-way valve 56 is switched so as to form a flow of air from the outside toward the container 15 through the air introduction pipe 58, so when the pump P continues to rotate in the reverse direction, air is introduced into the housing space 15c of the container 15 through the air introduction pipe 58, the liquid discharge pipe 52, and the discharge flow path 15b.

図1及び図2に示すように、成膜装置1は、直動アクチュエータ70、及び液圧調整装置60として機能するポンプPの動作を制御する制御装置90を備える。制御装置90は、成膜装置1の動作を総合的に制御するものであり、有線又は無線により、成膜装置1の各構成要素との間で情報の送受信を実施することができる。たとえば、制御装置90は、ガイド71に対するロッド72のストローク量に関する信号、ポンプPの回転数や回転方向に関する信号などを送受信してもよい。制御装置90は、ポンプPを逆回転させるようにその回転方向を制御するとともに、収容空間15cに大気を導入するように三方弁56の切換えを制御してもよい。 As shown in FIGS. 1 and 2 , the film forming apparatus 1 includes a direct-acting actuator 70 and a control device 90 that controls the operation of a pump P that functions as a liquid pressure adjusting device 60 . The control device 90 comprehensively controls the operation of the film forming apparatus 1, and can transmit and receive information to and from each component of the film forming apparatus 1 by wire or wirelessly. For example, the control device 90 may transmit and receive a signal regarding the stroke amount of the rod 72 with respect to the guide 71, a signal regarding the rotation speed and rotation direction of the pump P, and the like. The control device 90 may control the direction of rotation of the pump P so as to rotate it in the reverse direction, and may also control switching of the three-way valve 56 so as to introduce the atmosphere into the housing space 15c.

上述したように、本実施形態に係る成膜装置1によれば、基台18は、基板Bが載置される金属製の載置板20と、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧した状態で、電解質膜13に向かって載置板20を付勢する弾性体81と、を備える。電解液Lの液圧が上昇すると、電解質膜13は、下方へ変形する。つまり、電解質膜13の変形に伴って、電解質膜13は基板Bに対し、載置板20へ向かう下向きの力を加える。この場合、弾性体81は、電解質膜13の変形量に応じた力で、電解質膜13に向かって載置板20を上向きに付勢する。載置板20は基板Bに面接触しており、この付勢力によって、載置板20が基板Bに押し付けられるので、電解液Lの液圧上昇に応じて滲み出し液が滲み出した場合であっても、基板Bと載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。よって、基板Bの金属下地層B2が滲み出し液に接触し続けることがないので、当該金属下地層B2の溶解を回避することができる。このため、電源部14により陽極11と基板Bとの間に電圧が印加され、金属下地層B2と載置板20との間に電位差が生じた場合であっても、当該下地層B2の溶解が助長されることがない。このようにして、金属皮膜Fを成膜する際に載置板20と基板Bとの間の電気接点を維持することができるため、金属皮膜Fの成膜品質の低下を抑制することができる。 As described above, according to the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, the base 18 includes the metal mounting plate 20 on which the substrate B is mounted, and the elastic member 81 that biases the mounting plate 20 toward the electrolyte film 13 while the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B by the liquid pressure of the electrolytic solution L. When the liquid pressure of the electrolyte L rises, the electrolyte membrane 13 deforms downward. In other words, as the electrolyte membrane 13 deforms, the electrolyte membrane 13 applies downward force to the substrate B toward the mounting plate 20 . In this case, the elastic body 81 urges the mounting plate 20 upward toward the electrolyte membrane 13 with a force corresponding to the amount of deformation of the electrolyte membrane 13 . The mounting plate 20 is in surface contact with the substrate B, and the mounting plate 20 is pressed against the substrate B by this urging force. Therefore, even when the exuding liquid oozes out due to the increase in the liquid pressure of the electrolytic solution L, the permeation of the exuding liquid between the substrate B and the mounting plate 20 can be avoided. Therefore, since the metal base layer B2 of the substrate B does not continue to contact the oozing liquid, dissolution of the metal base layer B2 can be avoided. Therefore, even if a voltage is applied between the anode 11 and the substrate B by the power supply unit 14 and a potential difference occurs between the metal base layer B2 and the mounting plate 20, the dissolution of the base layer B2 is not promoted. In this manner, the electrical contact between the mounting plate 20 and the substrate B can be maintained when the metal film F is formed, so that deterioration of the film formation quality of the metal film F can be suppressed.

特に、載置板20が、基板Bを収容するような凹形状を有している場合、基板Bの側面B4と当該側面B4に対向する載置板20の部分との間を通って、滲み出し液が基板Bの裏面B5と載置板20との間に浸入しやすい。このような場合であっても、本実施形態に係る成膜装置1によれば、基板Bの裏面B5と載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。なお、基板Bの側面B4に対向する載置板20の部分は、例えば樹脂等で形成されることが好ましい。これにより、電源部14により電圧が印加された場合であっても、基板Bの側面B4と当該側面B4に対向する載置板20の部分との間に電位差が生じることがなく、基板Bの側面B4に対応する下地層B2の溶解が助長されることを回避できる。 In particular, when the mounting plate 20 has a concave shape that accommodates the substrate B, the exuding liquid tends to enter between the back surface B5 of the substrate B and the mounting plate 20 through the space between the side surface B4 of the substrate B and the portion of the mounting plate 20 facing the side surface B4. Even in such a case, according to the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to prevent the exudate from entering between the back surface B5 of the substrate B and the mounting plate 20 . The portion of the mounting plate 20 facing the side surface B4 of the substrate B is preferably made of, for example, resin. As a result, even when a voltage is applied by the power supply unit 14, no potential difference is generated between the side surface B4 of the substrate B and the portion of the mounting plate 20 facing the side surface B4, and the facilitation of dissolution of the underlying layer B2 corresponding to the side surface B4 of the substrate B can be avoided.

次いで、本実施形態に係る成膜装置1を用いた成膜方法を説明する。本成膜方法に含まれる各工程(S100~S180)は、制御装置90が、成膜装置1の各構成要素の動作を制御することにより、実現される。図5は、本発明の実施形態に係る成膜方法を説明するフローチャートである。本実施形態に係る成膜方法は、上述した成膜装置1を用いた金属皮膜の成膜方法であって、収容体15に形成された開口部15dを覆った電解質膜13を基板Bに接触させる工程(S100、S110)と、電解質膜13を基板Bに接触させた状態で、収容体15に収容された電解液Lの液圧を上昇させる工程(S120、S130)と、陽極11と基板Bとの間に電圧を印加し、金属皮膜Fを成膜する工程(S140)と、を備える。 Next, a film forming method using the film forming apparatus 1 according to this embodiment will be described. Each step (S100 to S180) included in this film forming method is realized by the control device 90 controlling the operation of each component of the film forming apparatus 1. FIG. FIG. 5 is a flow chart explaining a film forming method according to an embodiment of the present invention. The film forming method according to the present embodiment is a method for forming a metal film using the film forming apparatus 1 described above, and includes the steps of bringing the electrolyte film 13 covering the opening 15d formed in the container 15 into contact with the substrate B (S100, S110); and a step of applying voltage to form a metal film F (S140).

まず、S100では、制御装置90は、図示しない搬送装置等を制御し、基板Bが電解質膜13に対向するように、収容体15の下方に配置された載置板20に基板Bを配置する。S110では、制御装置90は、直動アクチュエータ70を制御し、ガイド71に対しロッド72を下方へ移動させる。これにより、収容体15が下降し、電解質膜13を基板Bの表面B1に接触させる。 First, in S100, the control device 90 controls a transport device (not shown) and the like, and places the substrate B on the mounting plate 20 arranged below the container 15 so that the substrate B faces the electrolyte membrane 13. In S<b>110 , the control device 90 controls the direct acting actuator 70 to move the rod 72 downward with respect to the guide 71 . As a result, the housing body 15 descends and brings the electrolyte membrane 13 into contact with the surface B1 of the substrate B. As shown in FIG.

次いで、S120では、制御装置90は、三方弁56を制御し、タンクTから収容体15へ向かう電解液Lの流れが形成されるように、三方弁56を切換える。S130では、制御装置90は、ポンプPを制御し、電解液Lを貯蔵するタンクTから収容体15の収容空間15cに電解液Lを収容するように、ポンプPを正回転させる。この結果、電解液Lが、液供給管50を通じて収容体15に収容される。この際、ポンプPを連続して正回転することで、電解液Lが収容体15に連続して供給され、収容体15の内部の電解液Lは、圧力調整弁54により一定の圧力に保持される。この電解液Lの液圧を上昇させる工程において、当該液圧を上昇させた場合、電解質膜13に含浸された金属イオンが電解質膜13を通じて基板Bの表面B1に移動するとともに、滲み出し液が基板Bの側に滲み出すことがある。特に、複数の金属皮膜Fを成膜する際に、当該工程を複数回繰り返す場合、電解質膜13を通じて基板Bの側へ滲み出す滲み出し液の量が増加する場合もある。 Next, in S<b>120 , the controller 90 controls the three-way valve 56 to switch the three-way valve 56 so that the electrolytic solution L flows from the tank T toward the container 15 . In S<b>130 , the control device 90 controls the pump P to forwardly rotate the pump P so that the electrolyte L is stored in the storage space 15 c of the storage body 15 from the tank T storing the electrolyte L. As a result, the electrolytic solution L is accommodated in the container 15 through the liquid supply pipe 50 . At this time, by continuously rotating the pump P forward, the electrolytic solution L is continuously supplied to the container 15 , and the electrolytic solution L inside the container 15 is kept at a constant pressure by the pressure regulating valve 54 . In the step of increasing the liquid pressure of the electrolytic solution L, when the liquid pressure is increased, the metal ions impregnated in the electrolyte membrane 13 move to the surface B1 of the substrate B through the electrolyte membrane 13, and the exuding liquid may seep out to the substrate B side. In particular, when forming a plurality of metal films F, if the process is repeated a plurality of times, the amount of liquid exuding through the electrolyte membrane 13 to the substrate B side may increase.

S120及びS130において、電解液Lの液圧を上昇させた場合、可撓性を有する電解質膜13は、基板Bの側へ向かって下方に変形する。電解質膜13は基板Bに接触しているため、電解質膜13の変形に応じ、電解質膜13は基板Bに対し、載置板20へ向かう(即ち下方へ向かう)力を加える。この点で、図3及び図4に示すように、弾性体81が載置板20を弾性支持しているため、電解質膜13の変形に応じて、基板Bと当該基板Bを支持する載置板20とが一緒に下方へ移動し、この移動量に応じて、弾性体81に復元力が生じる(図4参照)。つまり、弾性体81は、電解質膜13の変形量に応じて、載置板20を基板Bに押し付けるように載置板20に上向きの付勢力を加える。このため、基板B及び載置板20には、電解液Lの液圧により基板Bが載置板20を押す下向きの力と、弾性体81の付勢力により載置板20が基板Bを押す上向きの力とが加えられる。これにより、基板B及び載置板20が密着するため、基板Bと載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。 In S120 and S130, when the liquid pressure of the electrolyte L is increased, the flexible electrolyte membrane 13 deforms downward toward the substrate B side. Since the electrolyte membrane 13 is in contact with the substrate B, the electrolyte membrane 13 applies a force toward the mounting plate 20 (that is, downward) to the substrate B in accordance with the deformation of the electrolyte membrane 13 . 3 and 4, since the elastic body 81 elastically supports the mounting plate 20, the substrate B and the mounting plate 20 supporting the substrate B move downward together according to the deformation of the electrolyte membrane 13, and a restoring force is generated in the elastic body 81 according to the amount of movement (see FIG. 4). That is, the elastic body 81 applies an upward biasing force to the mounting plate 20 so as to press the mounting plate 20 against the substrate B according to the amount of deformation of the electrolyte membrane 13 . Therefore, the substrate B and the mounting plate 20 are applied with a downward force by which the substrate B pushes the mounting plate 20 due to the liquid pressure of the electrolyte L, and an upward force by which the mounting plate 20 pushes the substrate B due to the biasing force of the elastic body 81. As a result, the substrate B and the mounting plate 20 are brought into close contact with each other, so that the seeping liquid can be prevented from entering between the substrate B and the mounting plate 20 .

電解液Lの液圧上昇に伴い電解質膜13が基板Bに押圧されると、導電ピン83の先端83aが載置板20に接触する。これにより、基板Bの金属下地層B2は、載置板20及び導電ピン83を介して電源部14の負極に電気的に接続される。よって、陽極11と基板Bとの間に電圧が一定時間印加され、金属皮膜Fの成膜が行われる(S140)。S140において、電解質膜13に含有された金属イオンは、基板Bに移動して、その表面B1で還元される。この結果、基板Bの表面B1に金属が析出し、基板Bの表面B1に一定の膜厚の金属皮膜Fが成膜される。なお、S140において、制御装置90は、導電ピン83の先端83aが載置板20に接触した状態で、電源部14を制御することにより、陽極11と基板Bとの間に電圧を一定時間印加してもよい。これにより、例えば導電ピン83の先端83aを載置板20から離間できない場合であっても、電源部14の制御により成膜を行うことができるため、金属皮膜Fの成膜品質を確保することができる。 When the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B as the liquid pressure of the electrolyte L increases, the tips 83 a of the conductive pins 83 come into contact with the mounting plate 20 . As a result, the metal underlying layer B2 of the substrate B is electrically connected to the negative electrode of the power supply section 14 via the mounting plate 20 and the conductive pins 83. As shown in FIG. Therefore, a voltage is applied between the anode 11 and the substrate B for a certain period of time, and the metal film F is formed (S140). In S140, the metal ions contained in the electrolyte membrane 13 migrate to the substrate B and are reduced on its surface B1. As a result, metal is deposited on the surface B1 of the substrate B, and a metal film F having a constant thickness is formed on the surface B1 of the substrate B. As shown in FIG. In S140, the control device 90 may apply a voltage between the anode 11 and the substrate B for a certain period of time by controlling the power supply section 14 while the tips 83a of the conductive pins 83 are in contact with the mounting plate 20. As a result, even if the tip 83a of the conductive pin 83 cannot be separated from the mounting plate 20, the film can be formed under the control of the power supply unit 14, so that the film formation quality of the metal film F can be ensured.

次いで、本成膜方法では、金属皮膜Fの成膜後、収容体15に収容された電解液Lを大気と入替える工程(S150、S160)を実施する。S150では、制御装置90は、ポンプPが逆回転するように、ポンプPに対し所定の駆動信号を送信する。次いで、S160では、制御装置90は、大気導入管58及び液排出管52を通って外部から収容体15へ向かう大気の流れ方向を形成するように、三方弁56を切換える。 Next, in this film forming method, after forming the metal film F, the steps (S150, S160) of replacing the electrolytic solution L accommodated in the container 15 with the air are carried out. In S150, the control device 90 transmits a predetermined drive signal to the pump P so that the pump P rotates in the reverse direction. Next, in S<b>160 , the control device 90 switches the three-way valve 56 so as to form a flow direction of the atmosphere from the outside toward the container 15 through the atmosphere introduction pipe 58 and the liquid discharge pipe 52 .

次いで、本成膜方法では、電解質膜13を基板Bの表面B1から離間させる工程(S170)を実施する。制御装置90は、直動アクチュエータ70に対しロッド72を戻すための信号を送信する。この結果、ガイド71に対しロッド72が上方へ移動し、収容体15が上昇する。 Next, in this film forming method, the step of separating the electrolyte film 13 from the surface B1 of the substrate B (S170) is performed. Controller 90 sends a signal to linear actuator 70 to return rod 72 . As a result, the rod 72 moves upward with respect to the guide 71, and the container 15 rises.

最後に、本成膜方法では、載置板20から基板Bを取外す工程(S180)を実施する。制御装置90は、図示しない搬送装置等を制御し、載置板20から基板Bを取外す。以上のようにして、本成膜方法は終了し、制御装置90を用いた成膜装置1の一連の制御は、スタートに戻る。なお、上記成膜方法は、全工程を制御装置90により実施されるものでなくてもよく、少なくとも一部の工程を手動により実施してもよい。 Finally, in this film forming method, the step of removing the substrate B from the mounting plate 20 (S180) is performed. The control device 90 controls a transfer device (not shown) and the like to remove the substrate B from the mounting plate 20 . As described above, the present film forming method ends, and a series of controls of the film forming apparatus 1 using the control device 90 returns to the start. It should be noted that the above-described film formation method may not be performed by the control device 90 in all steps, and at least part of the steps may be performed manually.

<変形例>
次いで、本実施形態に係る成膜装置1の変形例について説明する。図6は、本実施形態の変形例に係る成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。図6は、上記実施形態の図3に対応する状態(電解質膜13が基板Bから離間している状態)における基台180を示している。図7は、本実施形態の変形例に係る成膜装置の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。図7は、上記実施形態の図4に対応する状態(電解質膜13が基板Bに接触している状態、且つ、電解液Lに液圧が加えられている状態)における基台180を示している。
<Modification>
Next, a modified example of the film forming apparatus 1 according to this embodiment will be described. FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of a film forming apparatus according to a modification of this embodiment. FIG. 6 shows the base 180 in a state corresponding to FIG. 3 of the above embodiment (state in which the electrolyte membrane 13 is separated from the substrate B). FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing an enlarged part of a film forming apparatus according to a modification of this embodiment. FIG. 7 shows the base 180 in a state corresponding to FIG. 4 of the above embodiment (state in which the electrolyte membrane 13 is in contact with the substrate B and liquid pressure is applied to the electrolyte L).

本変形例に係る成膜装置は、上記実施形態に係る成膜装置1に対して、基台180の構成が異なり、基台180以外は実施形態に係る成膜装置1と同様の構成を有する。以下、上記実施形態に係る成膜装置1と同じ又は類似する機能を有する構成については、同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分について説明する。 The film forming apparatus according to this modification differs from the film forming apparatus 1 according to the above-described embodiment in the structure of the base 180, and has the same structure as the film forming apparatus 1 according to the embodiment except for the base 180. FIG. Hereinafter, configurations having the same or similar functions as those of the film forming apparatus 1 according to the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted, and different portions will be described.

図6及び図7に示すように、基台180は、電源部14に電気的に接続され、弾性体81の付勢方向に沿って可動する可動体103を備える。たとえば、可動体103は、弾性体81の内部を通り、上記付勢方向、即ち上下方向に延在してよい。可動体103は、図7に示す第1の位置と、図6に示す第2の位置と、の間を上下方向に移動自在である。第1の位置(図7)は、電解液Lの液圧により電解質膜13を基板Bに押圧した状態で、弾性体81の付勢力により、可動体103の先端103aが載置板20に接触する位置である。第2の位置(図6)は、電解質膜13を基板Bから引き離した状態で、後述する引張り棒106の移動により、可動体103の先端103aが載置板20から離間する位置である。 As shown in FIGS. 6 and 7 , the base 180 includes a movable body 103 electrically connected to the power supply section 14 and movable along the biasing direction of the elastic body 81 . For example, the movable body 103 may pass through the elastic body 81 and extend in the biasing direction, that is, in the vertical direction. The movable body 103 is vertically movable between a first position shown in FIG. 7 and a second position shown in FIG. The first position ( FIG. 7 ) is a position where the tip 103 a of the movable body 103 contacts the mounting plate 20 by the biasing force of the elastic body 81 while the electrolyte membrane 13 is pressed against the substrate B by the liquid pressure of the electrolyte L. The second position (FIG. 6) is a position where the tip 103a of the movable body 103 is separated from the mounting plate 20 by the movement of the draw bar 106, which will be described later, with the electrolyte membrane 13 separated from the substrate B. FIG.

本変形例に係る成膜装置は、移動絶縁体82を含んでもよい。可動体103の先端103aは移動絶縁体82に形成された貫通孔82d’に埋設されており、先端103aの上面が移動絶縁体82から上方に露出している。この場合、可動体103は、移動絶縁体82とともに上下方向に移動する。移動絶縁体82が下方へ移動すると、移動絶縁体82の下側端面82aによって弾性体81が圧縮される。可動体103は金属製であり、基端103bにおいて、固定台22と接続されている。可動体103の基端103bが固定台22と接触し、且つ、可動体103の先端103aが載置板20と接触することにより、基板Bは電源部14の負極と電気的に接続される。可動体103は、滲み出し液により溶解しにくい材料が好ましく、例えばステンレスであってよい。 A film forming apparatus according to this modification may include a moving insulator 82 . A tip 103 a of the movable body 103 is embedded in a through hole 82 d ′ formed in the moving insulator 82 , and the upper surface of the tip 103 a is exposed upward from the moving insulator 82 . In this case, the movable body 103 moves vertically together with the moving insulator 82 . When the moving insulator 82 moves downward, the elastic body 81 is compressed by the lower end face 82a of the moving insulator 82. As shown in FIG. The movable body 103 is made of metal and is connected to the fixed base 22 at the base end 103b. The base end 103 b of the movable body 103 is in contact with the fixed base 22 and the tip 103 a of the movable body 103 is in contact with the mounting plate 20 , whereby the substrate B is electrically connected to the negative electrode of the power source section 14 . The movable body 103 is preferably made of a material that is difficult to dissolve with the oozing liquid, such as stainless steel.

本変形例に係る成膜装置は、可動体103を第2の位置(図6)へ移動させる引張り棒106と、可動体103を第2の位置(図6)に保持するストッパ板105を備える。なお、当該成膜装置は、ストッパ板105を有さなくてもよい。 The film forming apparatus according to this modification includes a pull bar 106 that moves the movable body 103 to the second position (FIG. 6), and a stopper plate 105 that holds the movable body 103 at the second position (FIG. 6). Note that the film forming apparatus may not have the stopper plate 105 .

引張り棒106は、例えば移動絶縁体82に取付けられ、固定絶縁体84の基部84cを上下方向に貫通してよい。引張り棒106は、例えば円柱状の棒部材であってよい。引張り棒106は、図示しないアクチュエータによって上下方向に移動し、これに伴って、可動体103及び移動絶縁体82が上下方向に移動する。ストッパ板105は、例えば平面視矩形状の平板であってよい。ストッパ板105は、例えば固定絶縁体84の接触部84bを水平方向(上下方向に垂直な方向)に貫通してよい。ストッパ板105は、図示しないアクチュエータによって水平方向に移動する。ストッパ板105を可動体103及び移動絶縁体82の上方に位置付けることにより、アクチュエータにより引張り棒106に加えられる引張り力(引張り棒106を下方へ移動させる力)を解除した場合であっても、可動体103を第2の位置に保持することが可能になる(図6)。また、ストッパ板105を可動体103及び移動絶縁体82の上方から移動させることにより、弾性体81の付勢力により、可動体103を第1の位置へ移動させることが可能となる(図7)。 The drawbar 106 may be attached, for example, to the moving insulator 82 and pass vertically through the base 84c of the stationary insulator 84. As shown in FIG. The draw bar 106 may be, for example, a cylindrical bar member. The pull bar 106 is vertically moved by an actuator (not shown), and accordingly the movable body 103 and the movable insulator 82 are vertically moved. The stopper plate 105 may be, for example, a rectangular flat plate in plan view. The stopper plate 105 may pass through the contact portion 84b of the fixed insulator 84 in the horizontal direction (perpendicular to the vertical direction), for example. The stopper plate 105 is horizontally moved by an actuator (not shown). By positioning the stopper plate 105 above the movable body 103 and the moving insulator 82, the movable body 103 can be held in the second position even when the tensile force applied to the drawbar 106 by the actuator (the force that moves the drawbar 106 downward) is released (FIG. 6). Further, by moving the stopper plate 105 from above the movable body 103 and the movable insulator 82, it is possible to move the movable body 103 to the first position by the biasing force of the elastic body 81 (FIG. 7).

成膜装置がストッパ板105を有さない場合、可動体103及び移動絶縁体82が下方へ移動した状態(即ち、弾性体81が圧縮した状態)で、アクチュエータにより引張り棒106に加えられた引張り力を維持することにより、可動体103を第2の位置に保持することが可能になる。この場合、アクチュエータによって引張り棒106へ加えられた引張り力を解除することで、弾性体81の付勢力により、可動体103を第1の位置へ移動させることが可能となる。 When the film forming apparatus does not have the stopper plate 105, the movable body 103 can be held at the second position by maintaining the tensile force applied to the pull rod 106 by the actuator while the movable body 103 and the movable insulator 82 are moved downward (that is, the elastic body 81 is compressed). In this case, by releasing the tensile force applied to the pull rod 106 by the actuator, the biasing force of the elastic body 81 can move the movable body 103 to the first position.

制御装置90は、ストッパ板105のアクチュエータ、及び、引張り棒106のアクチュエータ(共に図示せず)の動作を制御する。制御装置90は、ストッパ板105が可動体103及び移動絶縁体82の上方に位置付けられた状態(即ち、弾性体81が圧縮した状態)で、引張り棒106のアクチュエータを制御し、引張り棒106に加えられた引張り力を解除する。制御装置90は、電解液Lの液圧上昇と同時に、または、当該液圧が上昇するよりも前に、ストッパ板105のアクチュエータを制御し、ストッパ板105を可動体103及び移動絶縁体82の上方から移動させる。なお、成膜装置がストッパ板105を有さない場合、制御装置90は、電解液Lの液圧上昇と同時に、または、当該液圧が上昇するよりも前に、引張り棒106のアクチュエータを制御し、引張り棒106に加えられた引張り力を解除する。このため、圧縮状態に保たれていた弾性体81は、可動体103及び移動絶縁体82に対し載置板20へ向かう付勢力を加え、可動体103の先端103aは載置板20に接触する。 The control device 90 controls the operation of the actuator of the stopper plate 105 and the actuator of the drawbar 106 (both not shown). The control device 90 controls the actuator of the drawbar 106 in a state in which the stopper plate 105 is positioned above the movable body 103 and the moving insulator 82 (that is, in a state in which the elastic body 81 is compressed), and releases the tensile force applied to the drawbar 106. The control device 90 controls the actuator of the stopper plate 105 to move the stopper plate 105 from above the movable body 103 and the movable insulator 82 at the same time as the liquid pressure of the electrolyte L is increased or before the liquid pressure is increased. If the film forming apparatus does not have the stopper plate 105, the controller 90 controls the actuator of the drawbar 106 at the same time as the liquid pressure of the electrolytic solution L rises or before the liquid pressure rises, and releases the tensile force applied to the drawbar 106. Therefore, the elastic body 81 kept in the compressed state applies a biasing force toward the mounting plate 20 to the movable body 103 and the movable insulator 82 , and the tip 103 a of the movable body 103 contacts the mounting plate 20 .

制御装置90は、可動体103の先端103aが載置板20に接触すると同時に、又はそれよりも後に、液圧調整装置60を制御し、収容体15に収容された電解液Lの液圧を上昇させる。この結果、基板B及び載置板20には、電解液Lの液圧により基板Bが載置板20を押す下向きの力と、弾性体81の付勢力により載置板20が基板Bを押す上向きの力とが加えられる。これにより、基板B及び載置板20が密着するため、基板Bと載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。なお、電解液Lの液圧により基板Bが載置板20を下方へ押す力よりも、弾性体81の付勢力により載置板20が基板Bを上方へ押す力を大きく設定してもよい。この場合、基板B及び載置板20の密着性を向上させることができる。また、電解液Lの液圧上昇と同時に、または、当該液圧が上昇するよりも前に、可動体103の先端103aが載置板20に接触するので、弾性体81の付勢力によって電解質膜13が変形することを回避することができる。 The control device 90 controls the liquid pressure adjustment device 60 to increase the liquid pressure of the electrolyte L contained in the container 15 at the same time as the tip 103a of the movable body 103 contacts the mounting plate 20 or after that. As a result, the substrate B and the mounting plate 20 are applied with a downward force by which the substrate B pushes the mounting plate 20 due to the liquid pressure of the electrolyte L, and an upward force by which the mounting plate 20 pushes the substrate B due to the biasing force of the elastic body 81. As a result, the substrate B and the mounting plate 20 are brought into close contact with each other, so that the seeping liquid can be prevented from entering between the substrate B and the mounting plate 20 . Note that the force of the mounting plate 20 pushing the substrate B upward due to the biasing force of the elastic body 81 may be set larger than the force of the substrate B pushing the mounting plate 20 downward due to the liquid pressure of the electrolyte L. In this case, the adhesion between the substrate B and the mounting plate 20 can be improved. In addition, since the tip 103a of the movable body 103 comes into contact with the mounting plate 20 at the same time as the liquid pressure of the electrolyte L rises or before the liquid pressure rises, the deformation of the electrolyte membrane 13 due to the biasing force of the elastic body 81 can be avoided.

金属皮膜Fの成膜終了後、制御装置90は、引張り棒106のアクチュエータを制御し、可動体103及び移動絶縁体82を下方へ移動する。移動絶縁体82が下方へ移動するため、移動絶縁体82の下側端面82aに接触する弾性体81が圧縮される。次いで、制御装置90は、ストッパ板105のアクチュエータを制御し、ストッパ板105を可動体103及び移動絶縁体82の上方に位置付ける(図6)。次いで、制御装置90は、アクチュエータにより引張り棒106に加えられる引張り力(引張り棒106を下方へ移動させる力)を解除する。 After completing the formation of the metal film F, the control device 90 controls the actuator of the drawbar 106 to move the movable body 103 and the movable insulator 82 downward. Since the moving insulator 82 moves downward, the elastic body 81 in contact with the lower end surface 82a of the moving insulator 82 is compressed. Controller 90 then controls the actuator of stopper plate 105 to position stopper plate 105 above movable body 103 and moving insulator 82 (FIG. 6). Controller 90 then releases the pulling force applied to drawbar 106 by the actuator (the force that causes drawbar 106 to move downward).

次いで、本変形例に係る成膜装置を用いた成膜方法を説明する。成膜方法に含まれる各工程(S100~S180、S200、S210)は、制御装置90が、成膜装置の各構成要素の動作を制御することにより、実現される。図8は、本変形例に係る成膜装置を用いた成膜方法を説明するフローチャートである。本変形例に係る成膜方法は、上記実施形態に係る成膜方法に対して、S120とS130との間にS200を実施し、S150とS160との間にS210を実施する点が異なり、S200及びS210以外は実施形態に係る成膜方法と同様である。以下、上記実施形態に係る成膜方法と同じ又は類似する機能を有する工程については、同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分について説明する。 Next, a film forming method using the film forming apparatus according to this modified example will be described. Each step (S100 to S180, S200, S210) included in the film forming method is realized by the control device 90 controlling the operation of each component of the film forming apparatus. FIG. 8 is a flow chart for explaining a film forming method using the film forming apparatus according to this modification. The film forming method according to this modification differs from the film forming method according to the above embodiment in that S200 is performed between S120 and S130, and S210 is performed between S150 and S160. Hereinafter, steps having the same or similar functions as those of the film forming method according to the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted, and different portions are described.

S200では、可動体103及び移動絶縁体82の上方に位置付けられたストッパ板105を移動し、ストッパ板105による保持を解除する工程を実施する(図7)。この工程において、制御装置90は、ストッパ板105のアクチュエータを制御し、ストッパ板105を可動体103及び移動絶縁体82の上方から移動させる。本変形例に係る成膜方法では、この工程(S200)の後、S130が実施される。このため、基板B及び載置板20には、電解液Lの液圧により基板Bが載置板20を押す下向きの力と、弾性体81の付勢力により載置板20が基板Bを押す上向きの力とが加えられる。これにより、基板B及び載置板20が密着するため、基板Bと載置板20との間への滲み出し液の浸入を回避することができる。なお、S200の工程は、S110の工程とS120の工程との間に実施されてもよい。 In S200, a step of moving the stopper plate 105 positioned above the movable body 103 and the movable insulator 82 and releasing the holding by the stopper plate 105 is performed (FIG. 7). In this process, the control device 90 controls the actuator of the stopper plate 105 to move the stopper plate 105 from above the movable body 103 and the movable insulator 82 . In the film forming method according to this modification, S130 is performed after this step (S200). Therefore, the substrate B and the mounting plate 20 are applied with a downward force by which the substrate B pushes the mounting plate 20 due to the liquid pressure of the electrolyte L, and an upward force by which the mounting plate 20 pushes the substrate B due to the biasing force of the elastic body 81. As a result, the substrate B and the mounting plate 20 are brought into close contact with each other, so that the seeping liquid can be prevented from entering between the substrate B and the mounting plate 20 . Note that the step of S200 may be performed between the step of S110 and the step of S120.

S210では、可動体103及び移動絶縁体82を下方へ移動して弾性体81を圧縮する工程と、可動体103及び移動絶縁体82の上方にストッパ板105を位置付ける工程を実施する(図6)。制御装置90は、引張り棒106のアクチュエータを制御し、可動体103及び移動絶縁体82を下方へ移動する。この際、移動絶縁体82が下方へ移動するため、移動絶縁体82の下側端面82aに接触する弾性体81が圧縮される。次いで、制御装置90は、ストッパ板105のアクチュエータを制御し、可動体103及び移動絶縁体82の上方にストッパ板105を位置付ける。これにより、可動体103及び移動絶縁体82が第2の位置に保持される(図6)。このため、弾性体81は、復元力が生じた状態を維持する。 In S210, a step of moving the movable body 103 and the movable insulator 82 downward to compress the elastic body 81 and a step of positioning the stopper plate 105 above the movable body 103 and the movable insulator 82 are performed (FIG. 6). Controller 90 controls the actuator of drawbar 106 to move movable body 103 and moving insulator 82 downward. At this time, since the movable insulator 82 moves downward, the elastic body 81 in contact with the lower end surface 82a of the movable insulator 82 is compressed. The controller 90 then controls the actuator of the stopper plate 105 to position the stopper plate 105 above the movable body 103 and the moving insulator 82 . This holds the movable body 103 and the moving insulator 82 at the second position (FIG. 6). Therefore, the elastic body 81 maintains the state in which the restoring force is generated.

本発明を以下の実施例により説明する。図9は、本発明の参考実施例1に係る成膜装置を用いて成膜を行った後、基板の下地層を観察した写真である。図10は、本発明の参考比較例1に係る成膜装置を用いて成膜を行った後、基板の下地層を観察した写真である。 The invention is illustrated by the following examples. FIG. 9 is a photograph of an underlying layer of a substrate observed after film formation using the film formation apparatus according to Reference Example 1 of the present invention. FIG. 10 is a photograph of an underlying layer of a substrate observed after film formation using the film formation apparatus according to Reference Comparative Example 1 of the present invention.

[参考実施例1]
表面に成膜する基板として、絶縁体(ABF)の表面に、無電解銅が皮膜された基板を準備した。無電解銅の皮膜厚さは、150nmとした。
[Reference Example 1]
A substrate having an insulator (ABF) coated with electroless copper was prepared as a substrate on which a film was formed. The film thickness of the electroless copper was set to 150 nm.

次に、実施形態に係る成膜装置1(図1及び図2)を基に、載置板と基板の裏面との間にスペーサ(図示せず)を配置し、電解液の液圧上昇に伴い電解質膜が基板に押圧されたとき、載置板が基板に下方から力を加える状態を再現した成膜装置を準備した。つまり、参考実施例1に係る成膜装置には弾性体が設けられていない。電解液には、1mol/Lの硫酸銅水溶液(0.2mol/Lの硫酸含有)を用い、陽極にはCu板を使用した。成膜条件としては、電解液の温度を70℃として、厚さ8μmの固体電解質膜(ナフィオン(デュポン社製))を基板に密着させ、電解液の液圧0.6MPa、電流密度18A/dm、累積成膜時間150秒で、銅皮膜を成膜した。 Next, based on the film forming apparatus 1 (FIGS. 1 and 2) according to the embodiment, a spacer (not shown) was arranged between the mounting plate and the back surface of the substrate, and a film forming apparatus was prepared in which the mounting plate applied force to the substrate from below when the electrolyte film was pressed against the substrate as the liquid pressure of the electrolytic solution increased. That is, the film forming apparatus according to Reference Example 1 is not provided with an elastic body. A 1 mol/L copper sulfate aqueous solution (containing 0.2 mol/L sulfuric acid) was used as the electrolyte, and a Cu plate was used as the anode. As film formation conditions, the temperature of the electrolytic solution was set to 70° C., and a solid electrolytic film (Nafion (manufactured by DuPont) with a thickness of 8 μm was brought into close contact with the substrate. A copper film was formed under the conditions of a liquid pressure of the electrolytic solution of 0.6 MPa, a current density of 18 A/dm 2 , and a cumulative film formation time of 150 seconds.

[参考比較例1]
参考実施例1と同じように銅皮膜を成膜した。参考実施例1と異なる点は、載置板と基板の裏面との間にスペーサを配置していない点である。つまり、参考比較例1では、電解液の液圧上昇に伴い電解質膜が基板に押圧されたとき、載置板が基板に下方から加える力が、参考実施例1の場合よりも小さい状態を再現した。
[Reference Comparative Example 1]
A copper film was formed in the same manner as in Reference Example 1. A different point from Reference Example 1 is that no spacer is arranged between the mounting plate and the back surface of the substrate. That is, in Reference Comparative Example 1, when the electrolyte membrane was pressed against the substrate as the pressure of the electrolytic solution increased, the force applied by the mounting plate to the substrate from below was smaller than in Reference Example 1.

(結果および考察)
上述のように成膜された基板に対し、基板の裏面の状態を観察した。図9に示すように、参考実施例1に係る成膜装置を用いた場合、基板の裏面において、無電解銅皮膜の溶解は観察されなかった。このため、基板及び載置板に、基板が載置板を押す下向きの力と、載置板が基板を押す上向きの力とを加えることにより、基板と載置板との間への滲み出し液の浸入を抑制できたと考えられる。これに対し、図10に示すように、参考比較例1に係る成膜装置を用いた場合、基板の裏面において、無電解銅皮膜の溶解が観察された。滲み出し液が浸入したと推定される外周部では、無電解銅皮膜が完全に溶解していた。また、基板の裏面の中央部においても、当該銅皮膜の膜厚が薄くなっていた。
(Results and Discussion)
The state of the back surface of the substrate on which the film was formed as described above was observed. As shown in FIG. 9, when the film forming apparatus according to Reference Example 1 was used, no dissolution of the electroless copper film was observed on the back surface of the substrate. For this reason, it is considered that by applying to the substrate and the mounting plate a downward force with which the substrate pushes the mounting plate and an upward force with which the mounting plate pushes the substrate, infiltration of the exuding liquid between the substrate and the mounting plate can be suppressed. On the other hand, as shown in FIG. 10, when the film forming apparatus according to Reference Comparative Example 1 was used, dissolution of the electroless copper film was observed on the back surface of the substrate. The electroless copper film was completely dissolved at the outer periphery where the exudate was presumed to have penetrated. In addition, the film thickness of the copper film was also thin in the central portion of the back surface of the substrate.

以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に係る成膜装置1に限定されるものではなく、本発明の概念及び特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含む。また、上述した課題及び効果を奏するように、各構成を適宜選択的に組み合わせても良い。例えば、上記実施の形態における各構成要素の形状、材料、配置、サイズ等は、本発明の具体的態様によって適宜変更され得る。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the film forming apparatus 1 according to the above embodiments, and includes all aspects included in the concept and claims of the present invention. Moreover, each configuration may be selectively combined as appropriate so as to achieve the above-described problems and effects. For example, the shape, material, arrangement, size, etc. of each component in the above embodiments may be changed as appropriate according to specific aspects of the present invention.

本実施形態に係る成膜装置1を用いて成膜することにより、電解液Lの温度調整、工場内の空調に係る電力を抑制することができる。また、成膜装置1では、成膜速度が速いので製品1個当たりにかかる電力を下げることができる。よって、二酸化炭素の排出量を低減することができる。また、電解液の廃液処理量を低減できるので、地球環境に与える影響を低減することができる。 By forming a film using the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to reduce the electric power required for adjusting the temperature of the electrolytic solution L and air conditioning in the factory. In addition, since the film forming apparatus 1 has a high film forming speed, the power consumption per product can be reduced. Therefore, the amount of carbon dioxide emissions can be reduced. In addition, since the amount of electrolyte waste to be treated can be reduced, the impact on the global environment can be reduced.

1:成膜装置、11:陽極、13:固体電解質膜、14:電源部、15:収容体、15d:開口部、18:基台、20:載置板、60:液圧調整装置、81:弾性体、83:導電ピン、B:基板、B1:表面、B2、金属下地層、B3:絶縁板、F:金属皮膜、L:電解液 1: Film forming apparatus, 11: Anode, 13: Solid electrolyte membrane, 14: Power supply unit, 15: Container, 15d: Opening, 18: Base, 20: Mounting plate, 60: Fluid pressure adjustment device, 81: Elastic body, 83: Conductive pin, B: Substrate, B1: Surface, B2, Metal underlayer, B3: Insulating plate, F: Metal film, L: Electrolyte

Claims (3)

陽極と、
前記陽極と基板との間に配置された固体電解質膜と、
前記基板を陰極として前記陽極と前記基板との間に電圧を印加する電源部と、
前記陽極と金属イオンを含む電解液とを収容し、前記基板の側に開口した開口部を前記固体電解質膜で覆った収容体と、
前記基板が前記固体電解質膜に対向するように、前記基板を支持する基台と、
前記収容体に収容された前記電解液の液圧を所定の液圧まで上昇させる液圧調整装置と、を備え、
前記固体電解質膜を前記基板に接触させた状態で前記陽極と前記基板との間に電圧を印加し、前記固体電解質膜の内部に含有された前記金属イオンを還元することで、前記金属イオンに由来した金属皮膜を、絶縁板に金属下地層が被覆された前記基板の表面に成膜する金属皮膜の成膜装置であって、
前記基台は、
前記基板が載置される金属製の載置板と、
前記電解液の液圧により前記固体電解質膜を前記基板に押圧した状態で、前記固体電解質膜に向かって前記載置板を付勢する弾性体と、を備えることを特徴とする金属皮膜の成膜装置。
an anode;
a solid electrolyte membrane disposed between the anode and the substrate;
a power supply section that applies a voltage between the anode and the substrate using the substrate as a cathode;
a container containing the anode and an electrolytic solution containing metal ions, wherein the opening facing the substrate is covered with the solid electrolyte membrane;
a base supporting the substrate so that the substrate faces the solid electrolyte membrane;
a hydraulic pressure adjusting device for increasing the hydraulic pressure of the electrolyte contained in the container to a predetermined hydraulic pressure,
A voltage is applied between the anode and the substrate while the solid electrolyte film is in contact with the substrate to reduce the metal ions contained in the solid electrolyte film, thereby forming a metal film derived from the metal ions on the surface of the substrate in which an insulating plate is coated with a metal underlayer, wherein
The base is
a metal mounting plate on which the substrate is mounted;
and an elastic body that biases the mounting plate toward the solid electrolyte membrane in a state where the solid electrolyte membrane is pressed against the substrate by the liquid pressure of the electrolyte.
前記基台は、前記電源部に電気的に接続され、前記弾性体の付勢方向に沿って延在する導電ピン、をさらに備え、
前記導電ピンは、前記電解液の液圧により前記固体電解質膜を前記基板に押圧した状態で、前記導電ピンの先端が前記載置板に接触する位置にあり、かつ、前記固体電解質膜を前記基板から引き離した状態で、前記導電ピンの先端が前記載置板から離間する位置に、配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載の金属皮膜の成膜装置。
The base further comprises a conductive pin electrically connected to the power supply unit and extending along the urging direction of the elastic body,
2. The apparatus for depositing a metal film according to claim 1, wherein the conductive pin is arranged at a position where the tip of the conductive pin contacts the mounting plate in a state where the solid electrolyte film is pressed against the substrate by the liquid pressure of the electrolytic solution, and at a position where the tip of the conductive pin is separated from the mounting plate when the solid electrolyte film is separated from the substrate.
請求項1又は2に記載の金属皮膜の成膜装置を用いた金属皮膜の成膜方法であって、
前記収容体に形成された開口部を覆った前記固体電解質膜を前記基板に接触させる工程と、
前記固体電解質膜を前記基板に接触させた状態で、前記収容体に収容された電解液の液圧を上昇させる工程と、
前記陽極と前記基板との間に電圧を印加し、前記金属皮膜を成膜する工程と、を備えることを特徴とする金属皮膜の成膜方法。
A method for forming a metal film using the apparatus for forming a metal film according to claim 1 or 2,
bringing the solid electrolyte membrane covering the opening formed in the container into contact with the substrate;
a step of increasing the liquid pressure of the electrolyte contained in the container while the solid electrolyte membrane is in contact with the substrate;
and applying a voltage between the anode and the substrate to form the metal film.
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