JP2023098486A - コイル部品及びコイル部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高実効透磁率及び高飽和磁束密度を実現できるコイル部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】コイル部品は、基体と、基体に設けられたコイル導体と、を備えている。基体の少なくとも一部の領域は、１よりも大きい第１アスペクト比及び第１平均粒径を有する複数の第１金属磁性粒子３１及び第１アスペクト比よりも大きい第２アスペクト比及び第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する複数の第２金属磁性粒子３２を含む。複数の第１金属磁性粒子３１及び複数の第２金属磁性粒子３２は、基体において基準方向に配向している。【選択図】図３a

Description

本明細書の開示は、コイル部品及びコイル部品の製造方法に関する。

コイル部品は、電子機器において用いられる受動素子である。コイル部品は、例えば、電源ラインや信号ラインにおいてノイズを除去するために用いられる。コイル部品は、磁性材料から構成された基体と、基体に設けられたコイル導体と、コイル導体に接続された外部電極と、を備える。

特開２００８－０１３８２７号公報（特許文献１）には、金属磁性粒子を含む基体を備えるコイル部品が記載されている。特許文献１においては、金属磁性粒子が２以上のアスペクト比を有するように扁平化されており磁路に平行な方向に配向されているため、この扁平化された金属磁性粒子によりコイル部品の実効透磁率が向上する。

特開２００８－０１３８２７号公報

基体に含まれる金属磁性粒子のアスペクト比を大きくすることは、コイル部品の実効透磁率の向上に寄与する一方で、基体における金属磁性粒子の充填率を低下させる要因となる。基体における金属磁性粒子の充填率が低下すると、当該基体の飽和磁束密度が低下する。基体の飽和磁束密度が低いコイル部品は、大電流が流れる回路への実装に適さない。

特許文献１には、比較的大径の金属磁性粒子と比較的小径の金属磁性粒子とを混合させることにより、基体における金属磁性粒子の充填率を高めることも記載されている。

コイル部品においては、実効透磁率及び飽和磁束密度のさらなる改善が望まれる。

本発明の目的の一つは、高実効透磁率及び高飽和磁束密度を実現できるコイル部品及びその製造方法を提供することである。本発明のこれ以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。

比較的大径の金属磁性粒子（以下、「大粒子」という。）と大粒子よりも小径の金属磁性粒子（以下、「小粒子」という。）とが混合された混合粒子を含む基体においては、大粒子のアスペクト比を所定量だけ増加させた場合に、小粒子のアスペクト比を同量だけ増加させた場合よりも、基体における金属磁性粒子の充填率の低下率が大きくなる。つまり、混合粒子を含む基体の充填率は、小粒子のアスペクト比の変化よりも大粒子のアスペクト比の変化に対してより敏感に変化する。他方、混合粒子を含む基体の実効透磁率は、大粒子のアスペクト比を所定量だけ増加させた場合と小粒子のアスペクト比を同量だけ増加させた場合とで、同じ程度向上する。つまり、混合粒子を含む基体の実効透磁率は、小粒子のアスペクト比の変化及び大粒子のアスペクト比の変化に対して同程度の敏感さを有する。各金属磁性粒子のアスペクト比は、各粒子の最長軸の長さの最短軸の長さに対する比で表されてもよい。

このため、混合粒子を含む基体においては、球形を各粒子の基準形状とした場合、基準形状のアスペクト比（すなわち、「１」）からの小粒子のアスペクト比の増加量を、基準形状のアスペクト比からの大粒子のアスペクト比の増加量よりも大きくすることにより、基体における金属磁性粒子の充填率の低下を抑制しつつ、当該基体の実効透磁率を向上させることができる。よって、混合粒子を含む基体において、大粒子及び小粒子のアスペクト比をいずれも１より大きくして所定の基準方向に配向させ、小粒子のアスペクト比を大粒子のアスペクト比よりも大きくすることにより、小粒子のアスペクト比の増加により実効透磁率を向上させるとともに、大粒子のアスペクト比の増加による金属磁性粒子の充填率の低下を抑制することができる。

一実施形態におけるコイル部品は、基体と、この基体に設けられたコイル導体と、を備えており、当該基体の少なくとも一部の領域は、１よりも大きい第１アスペクト比及び第１平均粒径を有する複数の第１金属磁性粒子、及び、第１アスペクト比よりも大きい第２アスペクト比及び第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有する複数の第２金属磁性粒子を含む。複数の第１金属磁性粒子及び複数の第２金属磁性粒子は、基体において、基準方向に配向している。

この実施形態によれば、比較的小径の第２金属磁性粒子の第２アスペクト比が比較的大径の第１金属磁性粒子の第１アスペクト比よりも大きいので、第２金属磁性粒子の第２アスペクト比の増加により実効透磁率を向上させるとともに、第１金属磁性粒子のアスペクト比の増加による基体の充填率の低下を抑制して飽和磁束密度の低下を抑制することができる。このため、高実効透磁率及び高飽和磁束密度を有するコイル部品が得られる。

一実施形態におけるコイル部品は、基体と、この基体に設けられているコイル導体と、を備える。一実施形態において、基体は、複数の第１金属磁性粒子と複数の第２金属磁性粒子とを含む配向領域を有する。配向領域は、基体の少なくとも一部を占める。第１金属磁性粒子は、第１平均粒径を有していてもよい。第１金属磁性粒子は、１よりも大きい第１アスペクト比を有しており、基準方向に配向していてもよい。第２金属磁性粒子は、第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有していてもよい。第２金属磁性粒子は、第１アスペクト比よりも大きい第２アスペクト比を有し、基準方向に配向していてもよい。

一実施形態において、コイル導体は、コイル軸の周りに延びており、基準方向は、コイル軸に垂直な方向に延びている。一実施形態において、配向領域は、コイル軸に沿って延びる軸方向におけるコイル導体の一方の端面を覆う第１領域の少なくとも一部を占める。一実施形態におけるコイル導体は、コイル導体の一方の端面において、第１領域と接している。

一実施形態において、基準方向は、コイル軸に平行な方向に延びている。一実施形態において、配向領域は、コイル軸を中心とする径方向においてコイル導体の周回部よりも内側にあるコア領域の少なくとも一部を占める。一実施形態において、配向領域は、コイル軸を中心とする径方向においてコイル導体の周回部よりも外側にあるマージン領域の少なくとも一部を占める。

一実施形態において、第１アスペクト比に対する前記第２アスペクト比の比は、１．３以上である。

一実施形態において、第１アスペクト比は、１．２以下である。

一実施形態において、前記第２アスペクト比は、１．４以上である。

一実施形態において、第２アスペクト比は、５．０以下である。

一実施形態において、第１金属磁性粒子は、第１変形強度を有し、第２金属磁性粒子は、第１変形強度よりも小さな第２変形強度を有する。

一実施形態において、基体は、コイル軸を中心とする径方向においてコイル導体よりも内側にあるコア領域をさらに有する。コア領域は、複数の第３金属磁性粒子を含んでいてもよい。第３金属磁性粒子は、第３平均粒径を有する。第３金属磁性粒子は、第２アスペクト比よりも小さい第３アスペクト比を有していてもよい。

一実施形態において、コア領域は、前記第１領域と接している。

一実施形態において、基体は、軸方向におけるコイル導体の他方の端面を覆う第２領域をさらに有する。第２領域は、複数の第４金属磁性粒子及び複数の第５金属磁性粒子を有していてもよい。第４金属磁性粒子は、第４平均粒径を有していてもよい。第４金属磁性粒子は、１よりも大きい第４アスペクト比を有しており、コイル軸に垂直な基準方向に配向していてもよい。第５金属磁性粒子は、第４平均粒径よりも小さい第５平均粒径を有していてもよい。第５金属磁性粒子は、第４アスペクト比よりも大きい第５アスペクト比を有し、基準方向に配向していてもよい。

一実施形態は、上記のいずれかのコイル部品を備える回路基板に関する。

一実施形態は、上記のいずれかの回路基板を備える電子機器に関する。

一実施形態によるコイル部品の製造方法は、内部にコイル軸の周りに延びるコイル導体を含む基体を作製する基体作製工程と、基体に外部電極を設ける外部電極作製工程と、を備える。この基体は、上記の複数の第１金属磁性粒子と上記の複数の第２金属磁性粒子とを含む配向領域を有するように作製される。基体は、第１金属磁性粒子及び第２金属磁性粒子が基準方向に配向するように作製される。

一実施形態において、基体作製工程は、第１成型工程と、第２成型工程と、を有する。第１成形工程は、第１磁性粉及び第２磁性粉を含む第１磁性材料に第１成型圧力を加えることで、第１磁性粉が扁平化された扁平第１磁性粉及び第２磁性粉が扁平化された扁平第２磁性粉を含む板コアの前駆体を形成する。第２成形工程は、第１成形工程で形成された前駆体、コイル導体、及び第２磁性材料に第２成型圧力を加えることで、扁平第１磁性粉から形成された第１金属磁性粒子及び扁平第２磁性粉から形成された第２金属磁性粒子を含む配向領域を有する基体を形成する。

一実施形態において、第２成型圧力は、前記第１成型圧力よりも大きい。

一実施形態において、基体作製工程は、記第１金属磁性粒子及び第２金属磁性粒子を樹脂と混練して樹脂組成物をベースフィルムに塗布することで磁性体シートを作製する工程と、磁性体シートに含まれる樹脂を硬化させることで、当該磁性体シートから配向領域を形成する工程と、を有する。

本発明によれば、高透磁率で高飽和磁束密度を実現できるコイル部品及びその製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るコイル部品を模式的に示す斜視図である。 図１のコイル部品をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す断面図である。 図２の領域Ａを拡大して示す拡大断面図である。 図２の領域Ａを拡大して示す拡大断面図である。 第１金属磁性粒子３１を説明するための模式図である。 第２金属磁性粒子３２を説明するための模式図である。 第３金属磁性粒子３３を説明するための模式図である。 本発明の別の実施形態に係るコイル部品の一部の断面を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の製造方法を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の基体の製造方法を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の製造方法の一部の工程を説明するための模式図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の製造方法の一部の工程を説明するための模式図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の製造方法の一部の工程を説明するための模式図である。 本発明の一実施形態に係るコイル部品の製造方法の一部の工程を説明するための模式図である。 第１金属磁性粒子及び第２金属磁性粒子の扁平化について説明するための模式図である。

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。以下で説明される本発明の実施形態は、必ずしも特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。以下の実施形態で説明されている諸要素が発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１及び図２を参照して本発明の一実施形態によるコイル部品１について説明する。図１は、コイル部品１を模式的に示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ線に沿ってコイル部品１を切断したコイル部品１の模式的な断面図である。図１に示されているように、コイル部品１は、基体１０と、基体１０の内部に設けられたコイル導体２５と、基体１０の表面に設けられた外部電極２１と、基体１０の表面において外部電極２１から離間した位置に設けられた外部電極２２と、を備える。外部電極２１は、コイル導体２５の一端と電気的に接続されており、外部電極２２は、コイル導体２５の他端と電気的に接続されている。

コイル部品１は、実装基板２ａに実装され得る。実装基板２ａには、ランド部３ａ、３ｂが設けられている。コイル部品１は、外部電極２１とランド部３ａとを接合し、また、外部電極２２とランド部３ｂとを接続することで実装基板２ａに実装される。本発明の一実施形態による回路基板２は、コイル部品１と、このコイル部品１が実装される実装基板２ａと、を備える。回路基板２は、様々な電子機器に搭載され得る。回路基板２が搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、自動車の電装品、サーバ及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。図示の明瞭さのために、図１以外では、実装基板２ａ、ランド部３ａ、３ｂの図示を省略している。

コイル部品１は、インダクタ、トランス、フィルタ、リアクトル、インダクタアレイ、及びこれら以外の様々なコイル部品であってもよい。コイル部品１は、カップルドインダクタ、チョークコイル及びこれら以外の様々な磁気結合型コイル部品であってもよい。コイル部品１は、例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータに用いられるインダクタであってもよい。コイル部品１の用途は、本明細書で明示されるものには限定されない。

基体１０は、磁性材料から構成される。基体１０は、直方体形状を有していてもよい。本発明の一実施形態において、基体１０は、Ｌ軸方向における寸法（長さ寸法）がＷ軸方向における寸法（幅寸法）及びＴ軸方向における寸法（高さ寸法）よりも大きくなるように構成されている。例えば、長さ寸法は、１．０ｍｍ～６．０ｍｍの範囲にあり、幅寸法は０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にあり、高さ寸法は０．５ｍｍ～４．５ｍｍの範囲にある。基体１０の寸法は、本明細書で具体的に説明される寸法には限定されない。本明細書において「直方体」又は「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。基体１０の寸法及び形状は、本明細書で明示されるものには限定されない。

基体１０は、第１主面１０ａ、第２主面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆを有する。基体１０は、これらの６つの面によってその外表面が画定されている。第１主面１０ａと第２主面１０ｂとはそれぞれ基体１０の高さ方向両端の面を成し、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとはそれぞれ基体１０の長さ方向両端の面を成し、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとはそれぞれ基体１０の幅方向両端の面を成している。図１に示されているように、第１主面１０ａは基体１０の上側にあるため、第１主面１０ａを「上面」と呼ぶことがある。同様に、第２主面１０ｂを「下面」又は「底面」と呼ぶことがある。コイル部品１は、第２主面１０ｂが実装基板２ａと対向するように配置されるので、第２主面１０ｂを「実装面」と呼ぶこともある。上面１０ａと下面１０ｂとの間は基体１０の高さ寸法だけ離間しており、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとの間は基体１０の長さ寸法だけ離間しており、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとの間は基体１０の幅寸法だけ離間している。

図２に示されているように、一実施形態における基体１０は、本体部１１と、本体部１１から下方（Ｔ軸のマイナス方向）に突出する突出部１２と、本体部１１の下方で突出部の内側に設けられた板コア２０と、を有する。本体部１１及び突出部１２の各々は、磁性材料から圧縮成型によって成型される単一の部材の一部分であってもよい。本体部１１は、直方体形状を有している。突出部１２は、基体１０の第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆのうちの少なくとも一つの面に沿って延びている。突出部１２によって第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、第２側面１０ｆ、及び底面１０ｂのうちの少なくとも一つの各々の一部が画定される。。図示の実施形態において、板コア２０は、本体部１１よりも薄い直方体形状を有している。板コア２０は、本体部１１よりも厚い直方体形状を有していてもよい。板コア２０は、基体１０の第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆの各々と板コア２０の外周面との距離が一定となるように構成及び配置されてもよい。これにより、コイル軸Ａｘ周りの周方向において均一な幅を有するように突出部１２を構成することができる。基体１０が直方体形状である場合、板コア２０も直方体形状を有していることが好ましいが、この限りではなく円柱形、楕円柱形、又は前記以外の形状を取ってもよい。突出部１２は、コイル軸Ａｘを中心とする径方向において、板コア２０の外側に設けられている。突出部１２は、その内周面において、板コア２０の外周面と接するように設けられる。板コア２０は、本体部１１の下面と接していてもよい。

コイル導体２５は、Ｔ軸に沿って延びるコイル軸Ａｘの周りにらせん状に延びる周回部２５ａと、周回部２５ａの一端に接続された引出部２５ｂ１と、周回部２５ａの他端に接続された引出部２５ｂ２と、を有する。図示の実施形態において、周回部２５ａは、約６．５ターンだけコイル軸Ａｘの周りに巻回されている。図示の実施形態において、周回部２５ａは、Ｔ軸方向から見たときに円形、楕円形、長円形、方形、又はこれら以外の形状を呈する。

コイル導体２５は、引出導体２５ｂ１を介して外部電極２１と電気的に接続され、引出導体２５ｂ２を介して外部電極２２と電気的に接続されている。コイル導体２５は、導電性に優れた導電材料からなる。コイル導体２５用の導電材料として、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。コイル導体２５用の導電材料は、好ましくは、Ｃｕ又はＡｇの少なくとも一方を含むことができる。コイル導体２５は、帯状の帯状体を折り曲げることによって形成されてもよい。コイル導体２５の表面は、絶縁被膜によって覆われていてもよい。絶縁被膜は、例えば、絶縁性に優れた熱硬化性樹脂から構成される。より具体的には、絶縁被膜は、ポリウレタン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエステル－イミド等の絶縁性に優れた樹脂から構成されてもよい。

コイル導体２５は、板コア２０の上に設置されている。コイル導体２５は、第１コイル面２５Ｓ１と第２コイル面２５Ｓ２とを有する。第１コイル面２５Ｓ１は、Ｔ軸に沿って延びる軸方向におけるコイル導体２５の一方の端面であり、第２コイル面２５Ｓ２は、当該軸方向におけるコイル導体２５の他方の端面である。第１コイル面２５Ｓ１は、第２コイル面２５Ｓ２と対向している。コイル導体２５は、第１コイル面２５Ｓ１において板コア２０と接するように設けられている。

基体１０は、複数の領域に区画され得る。例えば、基体１０は、第１領域１５Ａ１と、第２領域１５Ａ２と、コア領域１５Ｂと、マージン領域１５Ｃと、に区画される。コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃは、Ｔ軸方向において、第１領域１５Ａ１と第２領域１５Ａ２との間にある。図２の例では、第２領域１５Ａ２、コア領域１５Ｂ、及びマージン領域１５Ｃは、本体部１１に含まれている。後述するように、第２領域１５Ａ２にも板コア２０と同様の板コアを備えてもよい。第２領域１５Ａ２が板コアを含む場合には、本体部１１は、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃを含み第２領域１５Ａ２を含まなくともよい。

コア領域１５Ｂは、基体１０のうち、コイル軸Ａｘを中心とする径方向においてコイル導体２５の周回部２５ａの内側にある領域を指す。コア領域１５Ｂの径方向の外縁を画定する外周面は、Ｔ軸方向から見たときに、周回部２５ａの内周面に応じた形状を呈する。コア領域１５Ｂは、その外周面において、周回部２５ａの内周面と接している。

マージン領域１５Ｃは、基体１０のうち、コイル軸Ａｘを中心とする径方向においてコイル導体２５の周回部２５ａの外側にある領域を指す。マージン領域１５Ｃの内周面は、Ｔ軸方向から見たときに、周回部２５ａの外周面に応じた形状を呈する。マージン領域１５Ｃは、その内周面において、周回部２５ａの外周面と接している。

第１領域１５Ａ１は、基体１０のうち、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃの下方を占める領域を指す。第１領域１５Ａ１は、基体１０のうちコイル導体２５の下方にある領域も含むことができる。第１領域１５Ａ１は、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃと接していてもよい。

図示の実施形態において、第１領域１５Ａ１は、突出部１２と板コア２０とを有する。板コア２０は、径方向において、コイル軸Ａｘから周回部２５ａの外周面よりも外側の位置まで延伸している。このため、コイル導体２５の第１コイル面２５Ｓ１は、板コア２０によって覆われている。また、板コア２０は、コイル軸ＡｘからＬ軸方向に沿って外部電極２１の径方向内側の端面２１ａよりもＬ軸方向のマイナス側まで延びるとともに外部電極２２の径方向内側の端面２２ａよりもＬ軸方向のプラス側まで延伸している。すなわち、コイル導体２５は、Ｔ軸方向から見て板コア２０の外縁よりも径方向内側の領域に設置されている。

一実施形態においては、板コア２０が基体１０のＬ軸方向における一端から他端まで、また、Ｗ軸方向における一端から他端まで延伸していてもよい。この場合、基体１０は、突出部１２を有しておらず、このため、第１領域１５Ａ１は、板コア２０のみによって占められる。

第２領域１５Ａ２は、基体１０のうち、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃの上方を占める領域を指す。第２領域１５Ａ２は、基体１０のうちコイル導体２５の上方にある領域も含むことができる。第２領域１５Ａ２は、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃと接していてもよい。

外部電極２１は、コイル導体２５の引出部２５ｂ１と接続されている。外部電極２１は、第１端面１０ｃ及び底面１０ｂに沿って延伸している。外部電極２２は、コイル導体２５の引出部２５ｂ２と接続されている。外部電極２２は、第２端面１０ｄ及び底面１０ｂに沿って延伸している。引出部２５ｂ１、２５ｂ２はそれぞれ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、第２側面１０ｆ、及び底面１０ｂのいずれかから基体１０の外へ引き出されてもよい。外部電極２１、２２が底面１０ｂ以外の面から基体１０の外へ引き出される実施形態においては、外部電極２１、２２は、基体１０の表面に沿って底面１０ｂまで延伸するように構成される。

コイル導体２５と外部電極２１、２２とは、一体に形成されてもよい。言い換えると、コイル導体２５と外部電極２１、２２とは単一の（モノリシックな）部材であってもよい。例えば、コイル導体２５及び外部電極２１、２２は、一枚の帯状の導体帯を折り曲げることで形成されてもよい。図示されている外部電極２１、２２の形状及び配置は、一例であり、外部電極２１、２２は、様々な形状及び配置を取り得る。

一実施形態において、基体１０は、軟磁性金属材料から構成される多数の金属磁性粒子を含む。金属磁性粒子は、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいずれかを主成分とする結晶質又は非結晶質の合金粒子である。金属磁性粒子は、要求される磁気特性、電気特性、及び／又は機械特性を実現するために、Ｂ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、又は前記以外の元素が添加されていてもよい。金属磁性粒子には、上記の主成分の元素及び添加元素に加えて、不可避不純物を含んでもよい。基体１０に含まれる金属磁性粒子は、具体的には、（１）Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属粒子、（２）Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｎｉ合金等の結晶合金粒子、（３）Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｃ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｂ合金等の非晶質合金粒子、または（４）これらが混合された混合粒子であってもよい。基体１０に含まれる金属磁性粒子の組成は、前記のものに限られず、例えば、Ｃｏ－Ｎｂ－Ｚｒ合金、Ｆｅ－Ｚｒ－Ｃｕ－Ｂ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｚｒ－Ｃｕ－Ｂ合金、Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ合金、又はＦｅ－ＡＬ－Ｃｒ合金であってもよい。

基体１０において、金属磁性粒子同士は、製造工程で金属磁性粒子に含有される元素が酸化して形成される酸化膜によって結合されてもよい。基体１０は、金属磁性粒子に加えて結合材を含んでいてもよい。基体１０が結合材を含む場合には、金属磁性粒子同士は結合材により互いに結合される。基体１０に含まれる結合材は、例えば、絶縁性に優れた熱硬化性樹脂を硬化させることで形成されてもよい。結合材の材料として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）樹脂、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリフッ化ビニルデン（ＰＶＤＦ）樹脂、フェノール（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ）樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂が用いられ得る。

次に、図３ａ及び図３ｂを参照して、基体１０の微細構造について説明する。図３ａ及び図３ｂは、基体１０の断面を拡大して模式的に示す拡大断面図である。具体的には、図３ａは、図２に示されている領域Ａを拡大して示しており、図３ｂは、図２に示されている領域Ｂを拡大して示している。領域Ａは、基体１０のうち第１領域１５Ａ１に含まれる領域である。図示の実施形態では、領域Ａは、第１領域１５Ａ１のうち板コア２０に含まれる。領域Ｂは、基体１０のうちコア領域１５Ｂに含まれる。

図３ａに示されているように、一実施形態における板コア２０は、複数の第１金属磁性粒子３１と、複数の第２金属磁性粒子３２と、を含む。上述したように、複数の第１金属磁性粒子３１及び複数の第２金属磁性粒子３２のうち隣接する粒子同士は、各粒子の表面に形成される絶縁膜を介して結合してもよいし、エポキシ樹脂等の結合材により結合されてもよい。

図３ｂに示されているように、一実施形態における基体１０は、コア領域１５Ｂにおいて、複数の第３金属磁性粒子３３を含んでいる。第３金属磁性粒子３３同士も、各粒子の表面に形成される絶縁膜を介して結合してもよいし、エポキシ樹脂等の結合材により結合されてもよい。

基体１０に含まれる突出部１２、マージン領域１５Ｃ、及び第２領域１５Ａ２の少なくとも一つは、コア領域１５Ｂと同じ金属磁性粒子を含んでもよく、例えば第３金属磁性粒子３３を含んでもよい。

第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３はいずれも、基体１０に含まれる金属磁性粒子の例である。したがって、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいずれかを主成分とする結晶質又は非結晶質の合金粒子である。

第１領域１５Ａ１は、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２以外の金属磁性粒子を含んでもよい。また、突出部１２、コア領域１５Ｂ、マージン領域１５Ｃ、及び第２領域１５Ａ２の少なくとも一つは、第３金属磁性粒子３３以外の金属磁性粒子を含んでもよい。

一実施形態において、複数の第１金属磁性粒子３１の平均粒径（以下、「第１平均粒径」と呼ぶ。）は、複数の第２金属磁性粒子１２の平均粒径（以下、「第２平均粒径」と呼ぶ。）よりも大きい。複数の第３金属磁性粒子３３の平均粒径（以下、「第３平均粒径」と呼ぶ。）は、第１平均粒径以上であってもよく、第１平均粒径より小さくてもよい。また、第３平均粒径は、第２平均粒径以上であってもよく、第２平均粒径より小さくてもよい。

第１平均粒径は例えば２５μｍであり、第２平均粒径は例えば４μｍである。第１平均粒径は２５μｍより大きくてもよく２５μｍより小さくてもよい。第２平均粒径は４μｍより大きくてもよく４μｍより小さくてもよい。第１金属磁性粒子３１の平均粒径は、例えば、１０μｍ～４０μｍの範囲で定められる。第２金属磁性粒子３２の平均粒径は、例えば、０．２μｍ～８μｍの範囲で定められる。第１金属磁性粒子の第１平均粒径は、第２金属磁性粒子の第２平均粒径の１／５以下であることが好ましい。

基体１０に含まれる金属磁性粒子の「平均粒径」は、当該磁性基体をその厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍～２０００倍の倍率で撮影した写真に基づいて粒度分布を求め、このようにして求められた粒度分布に基づいて定められる。例えば、ＳＥＭ写真に基づいて求められた粒度分布の５０％値（Ｄ５０）を金属磁性粒子の平均粒径とすることができる。基体１０に含まれる金属磁性粒子の中には、扁平化された形状を有するものもある。金属磁性粒子の形状は、一様ではなく、不規則であり得る。不規則な形状を有する金属磁性粒子の粒径は、当業者に知られているように、円相当径（ヘイウッド径）を用いて表されてもよい。

基体１０が互いに平均粒径の異なる２種類以上の金属磁性粒子を混合した混合粒子を含むことは、ＳＥＭ写真に基づいて粒度分布を作成した際に、粒度分布に現れる２つ以上のピークにより確認することができる。

一実施形態において、第２金属磁性粒子３２は、第１金属磁性粒子３１よりも小さな変形強度を有する。金属磁性粒子（第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む）の変形には塑性変形と弾性変形がある。本明細書において「変形強度」という場合には、塑性変形が起こる場合の変形強度を意味してもよく、弾性変形が起こる場合の変形強度を意味してもよい。本明細書においては、第１金属磁性粒子３１の変形強度を第１変形強度と呼び第２金属磁性粒子３２の変形強度を第２変形強度と呼ぶことがある。この用法に従えば、一実施形態において、第２変形強度は、第１変形強度よりも小さい。金属磁性粒子の変形強度は、当該金属磁性粒子の変形のしにくさを表す指標であり、例えば、ＪＩＳ Ｚ ８８４４：２０１９に従って測定される。金属磁性粒子の変形強度は、例えば株式会社島津製作所製の微小圧縮試験機（ＭＣＴ－２１１型）を用いて測定することができる。本発明の一実施形態においては、第２変形強度が第１変形強度よりも小さいため、第２金属磁性粒子３２の方が第１金属磁性粒子３１よりも圧縮成型時に変形しやすい。

第１金属磁性粒子３１及び／又は第２金属磁性粒子３２の組成を調整することにより、第２金属磁性粒子３２の第２変形強度を第１金属磁性粒子３１の第１変形強度よりも小さくすることができる。例えば、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２がいずれもＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ結晶質合金から構成される場合には、第２金属磁性粒子３２におけるＳｉの含有比率を第１金属磁性粒子３１におけるＳｉの含有比率よりも小さくすることで、第２変形強度を第１変形強度よりも小さくすることができる。

次に、図４ａないし図４ｃを参照して、第１金属磁性粒子３１、第２金属磁性粒子３２、及び第３金属磁性粒子３３の形状、アスペクト比、及び基体１０における配向について説明する。図４ａないし図４ｃはそれぞれ、第１金属磁性粒子３１ないし第３金属磁性粒子３３を説明するための模式図である。

図４ａ及び図４ｂに示されているように、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はそれぞれ、扁平な形状を有していてもよい。第１金属磁性粒子３１の各々のアスペクト比（以下、「第１アスペクト比Ｒ１」という。）及び第２金属磁性粒子３２の各々のアスペクト比（以下、「第２アスペクト比Ｒ２」という。）はともに、１．０より大きい。第１アスペクト比Ｒ１及び第２アスペクト比Ｒ２がともに１より大きいので、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれも扁平な形状を有する。第３金属磁性粒子３３の各々のアスペクト比（以下、「第３アスペクト比Ｒ３」という。）は、１．０でもよく、１．０より大きくてもよい。よって、第３金属磁性粒子３３は、球形であってもよいし、扁平形状であってもよい。

各金属磁性粒子のアスペクト比は、各粒子の最長軸の長さの最短軸の長さに対する比で表される。図４ａに示されている例では、第１金属磁性粒子３１の最長軸の長さがｄ１１であり、最短軸の長さがｄ１２である。したがって、第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１は、ｄ１１／ｄ１２と表される。図４ｂには、第２金属磁性粒子３２の最長軸の長さｄ２１及び最短軸ｄ２２の長さが示されている。図４ｂに示されている例において、第２金属磁性粒子３２の第２アスペクト比Ｒ２は、ｄ２１／ｄ２２と表される。図４ｃには、第３金属磁性粒子３３の最長軸の長さｄ３１及び最短軸ｄ３２の長さが示されている。図４ｃに示されている例において、第３金属磁性粒子３３の第３アスペクト比Ｒ３は、ｄ３１／ｄ３２と表される。

一実施形態において、第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１は、１．２以下である。よって、第１アスペクト比Ｒ１は、１＜Ｒ１≦１．２であってもよい。第１アスペクト比Ｒ１が大きくなると、板コア２０における金属磁性粒子の充填率が低下し、飽和磁束密度が低下してしまうので、一実施形態においては、第１アスペクト比Ｒ１の上限を１．２とする。第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１を１とすると（つまり、第１金属磁性粒子３１を球形とすると）、第２金属磁性粒子３２を所定の方向に配向させにくい。一実施形態では、第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１を１より大きくすることで、第２金属磁性粒子３２が所定の方向に配向しやすくなる。

一実施形態において、第２アスペクト比Ｒ２は、第１アスペクト比Ｒ１よりも大きい。一実施形態において、第２金属磁性粒子３２の第２アスペクト比Ｒ２は、１．４以上である。一実施形態において、第２金属磁性粒子３２のアスペクト比Ｒ２は、５．０以下である。よって、第２アスペクト比Ｒ２は、１．４＜Ｒ２≦５．０であってもよい。第２アスペクト比Ｒ２を大きくすることにより、板コア２０における金属磁性粒子の充填率の低下を抑制しつつ、コイル部品１の実効透磁率を大きくすることができる。ただし、第２アスペクト比Ｒ２が大きくなりすぎると、板コア２０における金属磁性粒子の充填率の低下が無視できなくなる。そこで、一実施形態では、１．４＜Ｒ２≦５．０とすることにより、板コア２０における金属磁性粒子の充填率の低下を抑制しつつ、コイル部品１の実効透磁率を大きくすることができる。

一実施形態において、第１アスペクト比Ｒ１に対する第２アスペクト比Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、１．３以上である。つまり、一実施形態において、第２アスペクト比Ｒ２は、第１アスペクト比Ｒ１の１．３倍以上である。第２アスペクト比Ｒ２が大きくても、第１アスペクト比Ｒ１が大きくなると、板コア２０における金属磁性粒子の充填率の低下が大きくなってしまう。そこで、一実施形態においては、第２アスペクト比Ｒ２を第１アスペクト比Ｒ１に比べて１．３倍以上大きくすることで、板コア２０における金属磁性粒子の充填率の低下を抑制しつつ、コイル部品１の実効透磁率を大きくすることができる。板コア２０における金属磁性粒子の充填率は、７５％以上とすることができる。

一実施形態において、第３アスペクト比Ｒ３は、第２金属磁性粒子３２の第２アスペクト比Ｒ２よりも小さい。

一実施形態において、第１金属磁性粒子３１は、コイル軸Ａｘに垂直な方向に配向している。本明細書においては、第１金属磁性粒子３１の姿勢が以下の条件を満たす場合に、第１金属磁性粒子３１がＴ軸に沿って延びるコイル軸Ａｘに垂直な方向に配向しているとする。すなわち、図４ａに示されているように、第１金属磁性粒子３１の長軸方向がＬ軸に対して成す角度を第１傾斜角θ１とし、基体１０をＴ軸方向に沿って切断して断面を露出させ、その断面のうち板コア２０に含まれる領域を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍～２０００倍の倍率で撮影したＳＥＭ写真に含まれる複数の第１金属磁性粒子３１の各々について第１傾斜角θ１を測定し、当該ＳＥＭ写真に含まれる全ての第１金属磁性粒子３１のうち、第１傾斜角θ１が－４５°＜θ１＜４５°の範囲にある第１金属磁性粒子３１の割合が粒子数基準で５０％より大きい場合に、板コア２０において第１金属磁性粒子３１がコイル軸Ａｘ（Ｔ軸）に垂直な方向に配向しているとする。第１傾斜角θ１が－４５°＜θ１＜４５°の範囲にある第１金属磁性粒子３１の割合は、６０％以上、７０％以上、８０％以上、又は９０％以上であってもよい。

一実施形態において、第１金属磁性粒子３１と同様に、第２金属磁性粒子３２も、コイル軸Ａｘに垂直な方向に配向している。第２金属磁性粒子３２がコイル軸Ａｘに垂直な方向に配向しているか否かは、第１金属磁性粒子３１の場合と同様に定めることができる。すなわち、図４ｂに示されているように、第２金属磁性粒子３２の長軸方向がＬ軸に対して成す角度を第２傾斜角θ２とし、基体１０をＴ軸方向に沿って切断して断面を露出させ、その断面のうち板コア２０に含まれる領域を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍～２０００倍の倍率で撮影したＳＥＭ写真に含まれる複数の第２金属磁性粒子３２の各々について第２傾斜角θ２を測定し、当該ＳＥＭ写真に含まれる全ての第２金属磁性粒子３１のうち、第２傾斜角θ２が－４５°＜θ２＜４５°の範囲にある第２金属磁性粒子３２の割合が粒子数基準で５０％より大きい場合に、板コア２０において第２金属磁性粒子３２がコイル軸Ａｘ（Ｔ軸）に垂直な方向に配向しているとする。第２傾斜角θ２が－４５°＜θ１＜４５°の範囲にある第２金属磁性粒子３２の割合は、６０％以上、７０％以上、８０％以上、又は９０％以上であってもよい。第１金属磁性粒子３１のアスペクト比Ｒ１に比べ、第２金属磁性粒子３２のアスペクト比Ｒ２が大きいことから、第２傾斜角θ２が－４５°＜θ１＜４５°の範囲にある第２金属磁性粒子３２の粒子数基準での割合は、第１傾斜角θ１が－４５°＜θ１＜４５°の範囲にある第１金属磁性粒子３１の粒子数基準での割合より大きくてもよい。

コイル導体２５に流れる電流が変化したときに生じる磁束は、第１領域１５Ａ１の多くの領域において、ほぼＴ軸と垂直な向きに流れる。このため、第１領域１５Ａ１に含まれる板コア２０において第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２をコイル軸Ａｘに垂直な方向に配向させることにより、コイル部品１の実効透磁率を向上させることができる。

続いて、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２の配向方向を変更した変形例について説明する。一実施形態においては、コア領域１５Ｂが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含んでいてもよい。コア領域１５Ｂに第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２が含まれる場合には、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれもコイル軸Ａｘに沿う方向（ＬＷ平面に垂直な方向）に配向することができる。第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２のコイル軸Ａｘに沿う方向への配向は、コイル軸Ａｘに垂直な方向への配向と同様にして確認することができる。

コイル導体２５に流れる電流が変化したときに生じる磁束は、コア領域１５Ｂ内の多くの領域において、ほぼＴ軸に沿う（Ｔ軸に平行な）向きに流れる。このため、コア領域１５Ｂに含まれている第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２をコイル軸Ａｘに平行な方向に配向させることにより、コイル部品１の実効透磁率を向上させることができる。

一実施形態においては、マージン領域１５Ｃが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含んでいてもよい。マージン領域１５Ｃに第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２が含まれる場合には、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれもコイル軸Ａｘに沿う方向に配向することができる。コイル導体２５に流れる電流が変化したときに生じる磁束は、マージン領域１５Ｃの多くの領域において、ほぼＴ軸に沿う（Ｔ軸に平行な）向きに流れる。このため、マージン領域１５Ｃに含まれている第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２をコイル軸Ａｘに平行な方向に配向させることにより、コイル部品１の実効透磁率を向上させることができる。

コア領域１５Ｂが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む場合及び／又はマージン領域１５Ｃが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む場合には、コイル軸Ａｘは、Ｔ軸に垂直な方向に延び、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、Ｔ軸に垂直な方向に配向していてもよい。この場合、コイル導体２５の周回部２５ａは、Ｔ軸に垂直な方向に延びるコイル軸Ａｘの周りに延びる。

本出願においては、基体１０のうち、所定の方向に配向している第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を有する領域を「配向領域」と呼ぶ。配向領域は、基体１０の一部又は全部を占める。図２に示されている実施形態では、コイル軸Ａｘに垂直な方向に配向する第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２が板コア２０に含まれているので、板コア２０（すなわち、基体１０のうち第１領域１５Ａ１の一部）が、基体１０の配向領域となる。同様に、基体１０のうちコア領域１５Ｂが、その一部の領域に第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２が含まれる場合には、コア領域１５Ｂにおいて第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む領域（コア領域１５Ｂの一部を占める領域）が基体１０の配向領域となる。コア領域１５Ｂがその全体において第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む場合には、コア領域１５Ｂの全体が配向領域となる。同様に、基体１０の配向領域は、マージン領域１５Ｃの一部又は全部を占めることができる。コア領域１５Ｂ及び／又はマージン領域１５Ｃに含まれる配向領域においては、上述したとおり、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２はいずれもコイル軸Ａｘに沿う方向に配向してもよい。配向領域は、基体１０において複数存在していてもよい。例えば、コア領域１５Ｂ及びマージン領域１５Ｃの両方が配向領域であってもよい。

板コア２０においては、比較的小径の第２金属磁性粒子３２の第２アスペクト比Ｒ２が比較的大径の第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１よりも大きいので、基準形状（球形）のアスペクト比（つまり、「１」）からの第２金属磁性粒子３２の第２アスペクト比Ｒ２の増加量を大きくすることによってコイル部品１の実効透磁率を向上させるとともに、第１金属磁性粒子３１の第１アスペクト比Ｒ１の基準形状のアスペクト比の増加による基体１０における金属磁性粒子の充填率の低下を抑制してコイル部品１の飽和磁束密度の低下を抑制することができる。このため、コイル部品１は、高実効透磁率及び高飽和磁束密度を実現することができる。

続いて、図５を参照して、他の実施形態を説明する。図５は、他の実施形態に係るコイル部品１０１の断面を示す断面図である。コイル部品１０１は、第２領域１５Ａ２にも板コアを含む点で、コイル部品１と異なっている。具体的には、コイル部品１０１は、第１板コア１２０Ａと、第２板コア１２０Ｂと、を備えている。第１板コア１２０Ａは、第１領域１５Ａ１に含まれており、第２板コア１２０Ｂは、第２領域１５Ａ２に含まれている。

第１板コア１２０Ａは、上述した板コア２０と同様に構成及び配置されてもよい。第２板コア１２０Ｂは、第２コイル面２５Ｓ２においてコイル導体２５と接するように設けられている。コイル導体２５の第２コイル面２５Ｓ２は、第２板コア１２０Ｂによって覆われている。

一実施形態において、第２板コア１２０Ｂは、板コア２０と同様に、２種類の互いに異なる粒径を有する金属磁性粒子を含有することができる。例えば、第２板コア１２０Ｂは、比較的大径の第４金属磁性粒子（不図示）と、比較的小径の第５金属磁性粒子（不図示）と、を含むことができる。すなわち、第４金属磁性粒子の平均粒径である第４平均粒径は、第５金属磁性粒子の平均粒径である第５平均粒径よりも大きい。一実施形態において、第４金属磁性粒子の各々のアスペクト比（以下、「第４アスペクト比Ｒ５」という。）及び第５金属磁性粒子の各々のアスペクト比（以下、「第５アスペクト比Ｒ５」という。）はともに、１．０より大きく、第５アスペクト比Ｒ５は、第４アスペクト比よりも大きい。第４アスペクト比Ｒ４の範囲は、第１アスペクト比Ｒ１の範囲と同じであてもよい。第５アスペクト比Ｒ５の範囲は、第２アスペクト比Ｒ２の範囲と同じであてもよい。第４金属磁性粒子及び第５金属磁性粒子はいずれも、コイル軸Ａｘに垂直な方向に配向されている。第１金属磁性粒子３１に関する説明は、可能な限り第４金属磁性粒子に当てはまり、第２金属磁性粒子３２に関する説明は、可能な限り第４金属磁性粒子に当てはまる。

コイル部品１０１においては、板コア１２０Ａ及び板コア１２０Ｂが基体１０の配向領域となる。

コイル部品１０１においては、第１板コア１２０Ａにおいて、第２アスペクト比Ｒ２が第１アスペクト比Ｒ１よりも大きく、また、第２板コア１２０Ｂにおいて、第５アスペクト比Ｒ５が第４アスペクト比Ｒ４よりも大きいので、コイル部品１と比べて実効透磁率をさらに向上させるとともに、基体１０における金属磁性粒子の充填率の低下をさらに抑制することで飽和磁束密度の低下をさらに抑制することができる。

次に、図６ａ及び図６ｂを参照して、コイル部品１の製造方法の一例を説明する。まず、ステップＳ１１において、内部にコイル導体２５を含み、第１領域１５Ａ１を有する基体１０を作製する。

基体１０は、様々な方法で作製され得るが、以下では、図６ｂ、図７ａ、図７ｂ、図８ａ、図８ｂ、及び図９を参照して、圧縮成型法による基体１０の作製方法について説明する。図６ｂは、基体１０を作製するステップＳ１１に含まれるステップを示す図であり、圧縮成形法による基体１０の製造プロセスの一例を示すフロー図である。図７ａ、図７ｂ、図８ａ及び図８ｂはそれぞれ、基体１０の作製工程の一部を模式的に示している。具体的には、図７ａ及び図７ｂは、板コア２０を作製する工程を示し、図８ａ及び図８ｂは、コイル導体２５を内部に含む本体部１１及び突出部１２を作製する工程を示している。

基体１０を製造するために、まず、ステップＳ１１Ａにおいて、板コア２０の前駆体（図７ｂに示されている前駆体１２０）を作製するための磁性材料６０を準備する。磁性材料６０は、比較的大径の第１磁性粉３１ａと比較的小径の第２磁性粉３２ａとを混合した混合粉を樹脂及び希釈溶剤と混練することで生成される。第２磁性粉３２ａの変形強度は、第１磁性粉３１ａの変形強度よりも小さい。第１磁性粉３１ａ及び第２磁性粉３２ａは、完成品であるコイル部品１において、それぞれ第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２となる。第１磁性粉３１ａ及び第２磁性粉３２ａはいずれも、図９に示されているように球形形状を有している。第１磁性粉３１ａの平均粒径は、第２磁性粉３２ａの平均粒径よりも大きい。磁性材料６０用の樹脂として、熱硬化性樹脂を用いることができる。この熱硬化性樹脂として、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又は前記以外の公知の樹脂材料が用いられ得る。

次に、ステップＳ１１Ｂにおいて、図７ａに示されているように、ダイ５１ａのキャビティ内に磁性材料６０を投入して一次成型を行うことで、前駆体１２０を得る。具体的には、磁性材料６０をキャビティ内に入れた後、パンチ５２ａをＴ軸方向に沿うストローク方向に沿って下方に移動させることで、磁性材料６０を第１成型圧力で圧縮する。図７ａに示されているダイ５１ａ及びパンチ５２ａは例示であり、一次成型に用いられる金型は、図７ａに示されているダイ５１ａ及びパンチ５２ａには限られない。例えば、ダイ５１ａは、Ｔ軸方向におけるプラス側及びマイナス側（すなわち、紙面の上側及び下側）が開口していてもよい。この場合、パンチ５２ａは、Ｔ軸方向において互いに対向しいずれもＴ軸方向に沿って移動する１組のパンチであってもよい。第１成型圧力は、例えば、１～３ｔｏｎ／ｃｍ²の範囲で設定することができる。このようにして磁性材料６０を圧縮することで、図７ｂに示されているように板コア２０の前駆体１２０が作製される。

この一次成型での加圧によって、磁性材料６０に含まれている球形の第１磁性粉３１ａ及び第２磁性粉３２ａはそれぞれ、図９に示されているように変形され、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂとなる。第２磁性粉３２ａの変形強度は、第１磁性粉３１ａの変形強度よりも小さいので、一次成型での加圧によって第２磁性粉３２ａの方が第１磁性粉３１ａよりも大きく変形する。その結果、扁平第２磁性粉３２ｂのアスペクト比は、扁平第１磁性粉３１ｂのアスペクト比よりも大きい。成型圧力がＴ軸に沿って加えられるため、前駆体１２０に含まれている扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂはそれぞれ、長軸方向がＷＬ平面に沿う方向（すなわち、Ｔ軸に垂直な方向）に配向しやすい。例えば、前駆体１２０をＬＴ平面に沿う断面で切断し、その切断面を観察した場合には、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、Ｌ軸方向に配向している。前駆体１２０をＴＷ平面に沿う断面で切断し、その切断面を観察した場合には、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、Ｗ軸方向に配向している。このように、前駆体１２０に含まれている扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、Ｔ軸に垂直なＷＬ平面内ではＬ軸方向に配向する。他方、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂのＴ軸に垂直なＷＬ平面内での配向はランダムであってもよい。つまり、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、ＷＬ平面内においては、特定の方向に（例えば、Ｌ軸方向やＷ軸方向に）配向していなくてもよい（つまり、無配向であってもよい）。

続いて、ステップＳ１１Ｃにおいて、後段の二次成型で用いられる磁性材料７０を準備する。磁性材料７０は、第３磁性粉を樹脂及び希釈溶剤と混練することで生成される。第３磁性粉は、完成品であるコイル部品１において、第３金属磁性粒子３３となる。

続いて、ステップＳ１１Ｄにおいて、ステップＳ１１Ａで作製された前駆体１２０と磁性材料７０に二次成型を行って基体１０を得る。具体的には、図８ａに示されているように、板コア２０の前駆体１２０を、ダイ５１ａとは別のダイ５１ｂのキャビティ内に設置する。ストローク方向（Ｔ軸方向）から見て、ダイ５１ｂのキャビティは、板コア２０の前駆体１２０よりも大きな面積を有する。例えば、ダイ５１ｂのキャビティのＬ軸方向及びＷ軸方向における寸法は、ダイ５１ａの対応する寸法よりも大きい。このため、ダイ５１ｂのキャビティ内に前駆体１２０を設置すると、前駆体１２０とキャビティを画定するダイ５１ｂの側壁との間にギャップＧが生じる。前駆体１２０は、ストローク方向（Ｔ軸方向）から見た場合に、前駆体１２０をその前駆体１２０の外縁とダイ５１ｂの側壁との間のギャップＧが均一な寸法を有するように配置されてもよい。

次に、前駆体１２０の上にあらかじめ準備されたコイル導体２５を設置する。コイル導体２５は、コイル軸Ａｘがパンチ５１ｂのストローク方向と一致またはほぼ一致するように金型キャビティ内に設置される。コイル軸とパンチのストローク方向との為す角度が３０度以内であれば、コイル軸Ａｘとストローク方向とはほぼ一致していると判断することができる。

次に、前駆体１２０及びコイル導体２５が設置されたダイ５１ｂのキャビティ内に、磁性材料７０を入れる。前駆体１２０の外縁とダイ５１ｂの側壁との間のギャップＧは、磁性材料７０により充填されてもよい。ギャップＧの寸法が小さい場合には、ギャップＧは、磁性材料７０により充填されなくともよい。

磁性材料７０をキャビティ内に入れた後、パンチ５２ｂをストローク方向に沿って下方に移動させることで、キャビティ内の前駆体１２０及び磁性材料７０を第２成型圧力で圧縮する。第２成型圧力は、第１成型圧力よりも大きい。第２成型圧力は、例えば、５～１０ｔｏｎ／ｃｍ²の範囲で設定することができる。

図８ｂに示されているように、二次成型において前駆体１２０を圧縮することで板コア２０が得られ、磁性材料７０を加圧することで本体部１１及び突出部１２が得られる。

ストローク方向（Ｔ軸方向）から見た場合にギャップＧの幅を均一とすることにより、以上のようにして形成される突出部１２の幅を均一とすることができる。言い換えると、板コア２０と、基体１０の第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆの各々との間に、この４面に沿ってコイル軸Ａｘの周りの周方向に延びるように突出部１２を形成することができ、コイル軸Ａｘを中心とする径方向における突出部１２の寸法を均一にすることができる。突出部１２を均質に作るための、板コア２０の前駆体１２０の形状は、基体１０が直方体形状である場合、直方体形状を有していることが好ましいが、この限りではなく例えば円柱形、楕円柱形、及びこれら以外のコイル軸Ａｘに対して対称な形状であってもよい。

ギャップＧに磁性材料７０が充填されない場合には、二次成型での加圧によって前駆体１２０がＴ軸に垂直な方向に引き延ばされる。この場合、二次成型での加圧前に前駆体１２０とダイ５１ｂのキャビティの側壁との間にあったギャップＧは、前駆体１２０から形成される板コア２０によって充填される。ギャップＧのうちの一部分が磁性材料７０によって充填され、残部が磁性材料７０によって充填されなくてもよい。この場合には、ギャップＧのうち磁性材料７０により充填された領域に突出部１２が形成され、残部には前駆体１２０が引き延ばされて形成された板コア２０の一部が配置される。

この二次成型での加圧によって、図９に示されているように、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂはさらに圧縮され、それぞれ第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２となる。第１金属磁性粒子３１は、第１アスペクト比Ｒ１を有し、第２金属磁性粒子３２は、第１アスペクト比Ｒ１よりも大きな第２アスペクト比Ｒ２を有する。図示は省略されているが、磁性材料７０に含まれている第３磁性粉も、二次成型での加圧により扁平な形状に変形されてもよい。

二次成型での加圧時に、扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、流動しながら変形する。このとき、扁平第１磁性粉３１ｂの長軸がＷＬ平面に沿う方向（Ｔ軸に直交する方向）に配向しているので、扁平第２磁性粉３２ｂは、扁平第１磁性粉３１ｂの表面に沿って流動する。このため、二次成型での加圧時に扁平第２磁性粉３２ｂの長軸方向もＷＬ平面に沿う方向（Ｔ軸に直交する方向）に配向しやすい。扁平第２磁性粉３２ｂは、扁平第１磁性粉３１ｂよりも小径であるため、扁平第１磁性粉３１ｂと比べて加圧時に姿勢が変化しにくい場合でも、前駆体１２０においては扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂが密集しているため、二次成型での加圧時に、扁平第２磁性粉３２ｂは、より変形強度が大きい扁平第１磁性粉３１ｂの表面にガイドされて、その長軸がＷＬ平面に沿う方向を向くように流動しやすい。このため、二次成型により得られる板コア２０において、第１金属磁性粒子３１だけでなく、第２金属磁性粒子３２もＷＬ平面に沿う方向（すなわち、コイル軸Ａｘに垂直な方向）に配向させることができる。

また、ダイ５１ｂのキャビティ内で、前駆体１２０とキャビティの側壁との間にギャップＧが存在することから、二次成型での加圧時に、前駆体１２０に含まれる扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、ストローク方向と垂直な方向に流動しやすい。上述したように、ギャップＧには二次成型時に磁性材料７０が充填されるが、このギャップＧに充填された磁性材料７０は、空隙が多く前駆体１２０に比べて金属磁性粒子の充填密度が低いため、前駆体１２０に含まれる扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、ギャップＧに向かって流動することができる。このため、前駆体１２０に含まれる扁平第１磁性粉３１ｂ及び扁平第２磁性粉３２ｂは、ストローク方向（Ｔ軸方向）と垂直な方向に流動しやすい。このため、板コア２０において、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２がストローク方向と垂直な方向に配向しやすい。

以上のようにして、内部にコイル導体２５を含む基体１０が作製される。この基体１０は、板コア２０、本体部１１、及び突出部１２を有する。コイル導体２５は、板コア２０の上に設けられている。

以上のようにしてステップＳ１１で内部にコイル導体２５を含む基体１０が得られた後に、製造プロセスはステップＳ１２に進む。ステップＳ１２では、基体１０に対し熱処理が行われ、板コア２０、本体部１１、及び突出部１２に含まれている樹脂を硬化させる。これにより、隣接する金属磁性粒子同士が硬化した樹脂により互いに結着され、熱処理済みの基体１０が得られる。熱処理は、磁性材料６０及び磁性材料７０に含まれる樹脂の硬化温度以上の温度で行われる。ステップＳ１２での加熱処理は、例えば、例えば１５０℃から３００℃にて３０分～２４０分間行われる。

次に、ステップＳ１３において、ステップＳ１２で得られた基体１０の表面に導体ペーストを塗布することにより、外部電極２１及び外部電極２２を形成する。外部電極２１は、基体１０内に設けられているコイル導体２５の一方の端部と電気的に接続され、外部電極２２は、基体１０内に設けられているコイル導体２５の他方の端部と電気的に接続されるように設けられる。外部電極２１、２２は、めっき層を含んでもよい。このめっき層は２層以上であってもよい。２層のめっき層は、Ｎｉめっき層と、当該Ｎｉめっき層の外側に設けられるＳｎめっき層と、を含んでもよい。コイル導体２５の端部が基体１０から外部に露出するようにコイル導体２５を配置し、このコイル導体２５のうち磁性基体１０から露出している部分を底面１０ｂに向けて折り曲げることにより、コイル導体２５のうち基体１０から外部に露出している部位を外部電極としてもよい。

以上により、コイル部品１が製造される。製造されたコイル部品１は、リフロー工程により実装基板２ａに実装されてもよい。この場合、コイル部品１が配置された基板２は、例えばピーク温度２６０℃に加熱されているリフロー炉を高速で通過した後に、外部電極２１、２２がそれぞれ実装基板２ａのランド部３にはんだ接合されることで、コイル部品１が実装基板２ａに実装され、回路基板２が得られる。

上記の製造方法では、磁性材料６０に含まれる第１磁性粉３１ａが球形形状を有しているが、磁性材料６０は、予め扁平形状に変形された第１磁性粉３１ａを含有していてもよい。扁平形状に変形された第１磁性粉３１ａは、１より大きく第１アスペクト比Ｒ１よりも小さいアスペクト比を有する。磁性材料６０が予め扁平形状に変形された第１磁性粉３１ａを含有することにより、一次成型における加圧時に、第２磁性粉３２ａが変形して得られる扁平第２磁性粉３２ｂがストローク方向と垂直な方向（ＷＬ平面に沿う方向）に配向しやすくなる。

上記の製造方法は、コイル部品１を製造する製造方法の一例であり、コイル部品１は、上記以外の製造方法によっても作製され得る。例えば、基体１０は、圧縮成形法以外の当業者に知られている方法、例えば、シート積層法、スラリービルド法、又は薄膜プロセス法により作製されてもよい。

シート積層法により基体１０を作製する場合には、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を樹脂と混練して得られたスラリーを、ドクターブレード式シート成形機等の各種シート成形機を用いて、プラスチックフィルム等のベースフィルムの表面に塗布し、この塗布されたスラリーを乾燥させることで第１磁性体シートを形成する。スラリーをベースフィルムに塗布する際に、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２は、ブレードによって、各々の長軸がベースフィルムの表面に沿う方向に配向される。このため、扁平形状を有する第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２をドクターブレード法によりベースフィルムに塗布することにより、シート表面に沿う方向に配向した第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む第１磁性体シートが得られる。第１磁性体シート又は複数の第１磁性体シートの積層体は、完成品であるコイル部品１において第１領域１５Ａ１となる。また、第３金属磁性粒子３３を樹脂と混練して得られたスラリーを、プラスチックフィルム等のベースフィルムの表面に塗布し、この塗布されたスラリーを乾燥させることで第２磁性体シートを形成する。第２磁性体シートの一部には、導電性に優れた金属又は合金から成る導電ペーストが印刷される。また、第２磁性体シートには貫通孔が形成されており、この貫通孔内に導電ペーストが充填される。このようにして、表面に導体パターンが形成された第２磁性体シートが得られる。導体パターンの一部は、第１磁性体シートに形成されてもよい。上記のようにして準備した第１磁性体シート及び第２磁性体シートを積層して積層体を形成する。第２磁性体シートは、隣接する導電性ペースト同士が各貫通孔に充填された導電ペーストにより接続されるように積層される。次に、この積層体に加熱処理を行って樹脂を硬化させることで基体１０を作製することができる。

シート積層法により板コア２０の前駆体１２０を作製し、このようにして作製した前駆体１２０をコイル導体２５とともにダイ５１ｂのキャビティ内に設置し、このダイ５１ｂのキャビティ内に磁性材料７０を入れて、二次成型を行ってもよい。

図５に示されているコイル部品１０１は、コイル部品１と同様の工程により製造され得る。コイル部品１０１の製造プロセスにおいては、一次成型工程Ｓ１１Ｂにおいて、板コア１２０Ａ及び板コア１２０Ｂの各々の前駆体を作製し、この２つの前駆体を用いて二次成型が行われる。二次成型工程Ｓ１１Ｄでは、板コア１２０Ａの前駆体の上にコイル導体２５を設置し、さらにコイル導体２５の上に板コア１２０Ｂの前駆体を設置した後に、ダイ５１ｂのキャビティ内に磁性材料７０を入れ、その後、パンチ５２ｂにより圧力が加えられる。板コア１２０Ｂの前駆体は、自らの外縁とダイ５１ｂのキャビティの側壁との間にギャップ（空隙）が存在するようにコイル導体２５の上に設置される。磁性材料７０は、板コア１２０Ｂの前駆体の外縁とダイ５１ｂのキャビティの側壁との間のギャップから、当該キャビティ内に投入されてもよい。板コア１２０Ｂの前駆体を板コア１２０Ａの前駆体よりも小さくなるように形成することで、板コア１２０Ｂの前駆体とダイ５１ｂのキャビティの側壁との間に、ギャップＧよりも大きな空隙を設けることができる。板コア１２０Ｂの前駆体とダイ５１ｂのキャビティの側壁との間にギャップＧよりも大きな空隙が存在する場合に、磁性材料７０のキャビティ内への投入が容易になる。一実施形態においては、板コア１２０Ａの前駆体の上にコイル導体２５を設置した後に磁性材料７０をキャビティ内に投入し、その後に板コア１２０Ｂの前駆体をコイル導体２５の上にセットしてもよい。

コア領域１５Ｂが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む基体又はマージン領域１５Ｃが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む基体は、シート積層法により作製されてもよい。例えば、既述の方法で形成された第１磁性体シートを積層することにより、第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含むコア領域１５Ｂ及び／又はマージン領域１５Ｃを作製することができる。コア領域１５Ｂが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む基体又はマージン領域１５Ｃが第１金属磁性粒子３１及び第２金属磁性粒子３２を含む基体に設けられるコイル導体２５は、コイル軸ＡｘがＴ軸と垂直な方向を向くように当該基体内に設けられてもよい。この場合、複数の第１磁性体シートの各々に貫通孔を設け、この貫通孔に導電ペーストを充填し、この貫通孔に導電ペーストが充填された複数の第１磁性体シートを隣接するシートにおける導電ペースト同士が接続されるように接続することで、接続された導電ペーストによりコイル導体２５の周回部２５ａを形成することができる。

上述した圧縮成形法に従ってコイル部品を作製し、インダクタンス及び飽和電流値を測定した。具体的には、以下のようにしてコイル部品を作製した。まず、平均粒径が２５μｍの球形形状のＦｅ非晶質粒子（以下、「大粒子」という。）と平均粒径が４μｍの球形形状のカルボニル鉄粒子（以下、「小粒子」という。）を準備し、この大粒子及び小粒子をエポキシ樹脂と混練し、第１混合樹脂組成物を生成した。大粒子は、非晶質のＦｅから構成されているため、カルボニル鉄から構成されている小粒子よりも高い変形強度を有する。この第１混合樹脂組成物を第１ダイのキャビティに投入し、このキャビティ内の第１混合樹脂組成物にパンチで２ｔｏｎ／ｃｍ²の成型圧力を加えて、板コア２０の前駆体を作製した。このキャビティは、Ｌ軸方向における寸法が２．３ｍｍでＷ軸方向における寸法が１．８ｍｍである。次に、板コア２０の前駆体を第２ダイのキャビティ内に設置し、さらに６．５ターン巻回された導電性の帯状体を当該前駆体の上に設置した。第２ダイのキャビティは、Ｌ軸方向における寸法が２．５ｍｍでＷ軸方向における寸法が２．０ｍｍである。次に、板コア２０の前駆体及び導電性の帯状体が設置されたキャビティに、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粒子をエポキシ樹脂と混練することで生成された第２混合樹脂組成物を投入し、このキャビティ内の第２混合樹脂組成物にパンチで７ｔｏｎ／ｃｍ²の成型圧力を加えて、内部に帯状体を含む成型体を得た。次に、キャビティから取り出した成型体に２００℃で６０分間熱処理を行って成型体中のエポキシ樹脂を硬化させることで、当該成型体から基体１０を形成した。この基体１０の第１端面１０ｃ及び第２端面１０ｄからから外部に出ている導電性の帯状体を折り曲げて、外部電極２１、２２を形成した。このようにしてコイル部品（試料１）を作製した。

インピーダンスアナライザを用いて、試料１のインダクタンス及び飽和電流値Ｉｄｃ１を測定した。表１に示されているように、試料１において、インダクタンスは０．９μＨであり、飽和電流値Ｉｄｃ１は、６．８Ａであった。飽和電流値は、インダクタに直流電流を印加しない時のインダクタンスを初期値とし、直流電流の印加によりインダクタンスが初期値から３０％低下する時の直流電流である。

また、試料１をコイル軸Ａｘ（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、この断面を研磨した。研磨した後の断面の板コア２０に含まれる領域を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍の倍率で撮影し、ＳＥＭ写真を得た。このＳＥＭ写真に含まれる複数の大粒子（第１金属磁性粒子３１）の各々について、長軸及び短軸の寸法を測定し、この短軸の寸法に対する長軸の寸法の比を、大粒子のアスペクト比Ｒ１１として算出した。そして、ＳＥＭ写真に含まれている複数の大粒子の各々について算出したアスペクト比Ｒ１１の平均値を算出した。表１の「アスペクト比Ｒ１１」の列には、このようにして算出された大粒子のアスペクト比Ｒ１１の平均値を記載した。同様に、ＳＥＭ写真に含まれる複数の小粒子の各々についてアスペクト比Ｒ１２を算出し、ＳＥＭ写真に含まれている複数の第１金属磁性粒子３１の各々について算出したアスペクト比Ｒ１２の平均値を算出して、表１の「アスペクト比Ｒ１２」の列に、このようにして算出された小粒子のアスペクト比Ｒ１２の平均値を記載した。表１に記載されているように、大粒子のアスペクト比Ｒ１１の平均は１．１であり、小粒子のアスペクト比Ｒ１２の平均は１．８であった。

次に、成型圧力以外は、試料１と同様のプロセスに従って試料２（比較例１）を作製した。試料２の作製時には、キャビティ内の第１混合樹脂組成物に８ｔｏｎ／ｃｍ²の成型圧力を加えた。このようにして作製した試料２のインダクタンス及び飽和電流値Ｉｄｃ１を測定し、また、試料２に含まれる大粒子のアスペクト比Ｒ１１及び小粒子のアスペクト比Ｒ１２をそれぞれ算出した。表１に記載されているように、試料２において、インダクタンスは０．９μＨであり、飽和電流値Ｉｄｃ１は、６．８Ａであった。また、試料２における大粒子のアスペクト比Ｒ１１の平均は１．１であり、小粒子のアスペクト比Ｒ１２の平均は１．３であった。試料１と試料２との比較により、小粒子のアスペクト比を大きくすることによりインダクタンスが向上することが確認できた。

次に、小粒子の形状が球形ではなく５．５のアスペクト比を有する扁平形状であること以外は、試料１と同様のプロセスに従って試料３（比較例２）を作製した。試料３の作製に用いた小粒子は、エポキシ樹脂との混合前に、アトライタを用いてアスペクト比が５．５となるように変形されたカルボニル鉄粒子である。このようにして作製した試料３のインダクタンス及び飽和電流値Ｉｄｃ１を測定し、また、試料３に含まれる大粒子のアスペクト比Ｒ１１及び小粒子のアスペクト比Ｒ１２をそれぞれ算出した。表１に記載されているように、試料３において、インダクタンスは１．４μＨであり、飽和電流値Ｉｄｃ１は、３．５Ａであった。また、試料３における大粒子のアスペクト比Ｒ１１の平均は１．１であり、小粒子のアスペクト比Ｒ１２の平均は５．７であった。試料１と試料３との比較により、小粒子のアスペクト比が大きくなりすぎると、インダクタンスは向上するものの飽和電流値が小さくなることが確認できた。

次に、大粒子の形状が球形ではなく３．４のアスペクト比を有する扁平形状であり、小粒子の形状が球形ではなく４．０のアスペクト比を有する扁平形状であること以外は、試料１と同様のプロセスに従って試料４（比較例３）を作製した。試料４の作製に用いた大粒子及び小粒子は、エポキシ樹脂との混合前に、アトライタを用いてそれぞれアスペクト比が３．４及び４．０となるように変形された。このようにして作製した試料４のインダクタンス及び飽和電流値Ｉｄｃ１を測定し、また、試料４に含まれる大粒子のアスペクト比Ｒ１１及び小粒子のアスペクト比Ｒ１２をそれぞれ算出した。表１に記載されているように、試料４において、インダクタンスは１．７μＨであり、飽和電流値Ｉｄｃ１は、３．１Ａであった。また、試料４における大粒子のアスペクト比Ｒ１１の平均は３．５であり、小粒子のアスペクト比Ｒ１２の平均は４．２であった。試料１と試料４との比較により、大粒子のアスペクト比が大きくなりすぎると、インダクタンスは向上するものの飽和電流値が小さくなることが確認できた。

前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。

本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。

１、１０１ コイル部品
２ 回路基板
２ａ 実装基板
１０ 基体
１１ 本体部
１２ 突出部
１５Ａ１ 第１領域
１５Ａ２ 第２領域
１５Ｂ コア領域
１５Ｃ マージン領域
２５ コイル導体
２５Ｓ１ 第１コイル面
２５Ｓ２ 第２コイル面
２０ 板コア
２１、２２ 外部電極
３１ 第１金属磁性粒子
３２ 第２金属磁性粒子
３３ 第３金属磁性粒子
１２０Ａ 第１板コア
１２０Ｂ 第２板コア
Ａｘ コイル軸

Claims (19)

1. 基体と、
   前記基体に設けられているコイル導体と、
   を備え、
   前記基体は、１よりも大きい第１アスペクト比及び第１平均粒径を有し基準方向に配向している複数の第１金属磁性粒子、及び、前記第１アスペクト比よりも大きい第２アスペクト比及び前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有しており前記基準方向に配向している複数の第２金属磁性粒子を含む配向領域を有する、
   コイル部品。
2. 前記コイル導体は、コイル軸の周りに延びており、
   前記基準方向は、前記コイル軸に垂直な方向に延びており、
   前記基体は、前記コイル軸に沿って延びる軸方向における前記コイル導体の一方の端面を覆う第１領域を有し、
   前記配向領域は、前記第１領域の少なくとも一部を占める、
   請求項１記載のコイル部品。
3. 前記コイル導体は、前記一方の端面において、前記第１領域と接している、
   請求項１又は２に記載のコイル部品。
4. 前記第１アスペクト比に対する前記第２アスペクト比の比は、１．３以上である、
   請求項１から３のいずれか１項に記載のコイル部品。
5. 前記第１アスペクト比は、１．２以下である、
   請求項１から４のいずれか１項に記載のコイル部品。
6. 前記第２アスペクト比は、１．４以上である、
   請求項１から５のいずれか１項に記載のコイル部品。
7. 前記第２アスペクト比は、５．０以下である、
   請求項１から６のいずれか１項に記載のコイル部品。
8. 前記第１金属磁性粒子は、第１変形強度を有し、
   前記第２金属磁性粒子は、前記第１変形強度よりも小さな第２変形強度を有する、
   請求項１から７のいずれか１項に記載のコイル部品。
9. 前記基体は、前記コイル軸を中心とする径方向において前記コイル導体よりも内側にあるコア領域をさらに有し、
   前記コア領域は、前記第２アスペクト比よりも小さい第３アスペクト比を有する複数の第３金属磁性粒子を含む、
   請求項２に記載のコイル部品。
10. 前記コア領域は、前記第１領域と接している、
    請求項９に記載のコイル部品。
11. 前記基体は、前記軸方向における前記コイル導体の他方の端面を覆う第２領域をさらに有し、
    前記第２領域は、１よりも大きい第４アスペクト比及び第４平均粒径を有し前記基準方向に配向している複数の第４金属磁性粒子、及び、前記第５アスペクト比よりも大きい第５アスペクト比及び前記第４平均粒径よりも小さい第５平均粒径を有しており前記基準方向に配向している複数の第５金属磁性粒子を含む、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載のコイル部品。
12. 前記コイル導体は、コイル軸の周りに延びており、
    前記基準方向は、前記コイル軸に平行な方向に延びており、
    前記配向領域は、前記コイル軸を中心とする径方向において前記コイル導体の周回部よりも内側にあるコア領域の少なくとも一部を占める、
    請求項１に記載のコイル部品。
13. 前記配向領域は、前記コイル軸を中心とする径方向において前記コイル導体の周回部よりも外側にあるマージン領域の少なくとも一部を占める、
    請求項１又は１２に記載のコイル部品。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載のコイル部品を備える回路基板。
15. 請求項１４に記載の回路基板を備える電子機器。
16. 内部にコイル軸の周りに延びるコイル導体を含む基体を作製する基体作製工程と、
    前記基体に外部電極を設ける外部電極作製工程と、
    を備え、
    前記基体は、１よりも大きい第１アスペクト比及び第１平均粒径を有し基準方向に配向している複数の第１金属磁性粒子、及び、前記第１アスペクト比よりも大きい第２アスペクト比及び前記第１平均粒径よりも小さい第２平均粒径を有しており前記基準方向に配向している複数の第２金属磁性粒子を含む配向領域を有する、
    コイル部品の製造方法。
17. 前記基体作製工程は、
    第１磁性粉及び第２磁性粉を含む第１磁性材料に第１成型圧力を加えることで、前記第１磁性粉が扁平化された扁平第１磁性粉及び前記第２磁性粉が扁平化された扁平第２磁性粉を含む前記板コアの前駆体を形成する第１成型工程と、
    前記前駆体、前記コイル導体、及び第２磁性材料に第２成型圧力を加えることで、前記扁平第１磁性粉から形成された前記第１金属磁性粒子及び前記扁平第２磁性粉から形成された前記第２金属磁性粒子を含む前記配向領域を有する前記基体を形成する第２成形工程と
    を有する、請求項１６に記載のコイル部品の製造方法。
18. 前記第２成型圧力は、前記第１成型圧力よりも大きい、
    請求項１７に記載のコイル部品の製造方法。
19. 前記基体作製工程は、
    前記第１金属磁性粒子及び前記第２金属磁性粒子を樹脂と混練して樹脂組成物をベースフィルムに塗布することで磁性体シートを作製する工程と、
    前記樹脂を硬化させることで、前記磁性体シートから前記配向領域を形成する工程と、
    を有する、請求項１６に記載のコイル部品の製造方法。

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