JP2023089965A - 改善されたミリング精度のための顕微鏡的フィードバック - Google Patents

Abstract

【課題】画像ベースの計測をミリングワークフローに統合するための、方法及び装置が開示される。【解決手段】第１のイオンビームミリング動作は、サンプル上の最終標的位置からある距離にあるエッジに対して実行される。サンプルのＳＥＭ画像を使用して、サンプル上の、ミリングされたエッジと参照構造との間の距離を判定する。判定された距離に基づいて、ミリングされたエッジを最終標的位置にシフトするために、第２のミリング動作を実行するように、イオンビームが調整される。反復手順の拡張が開示される。様々な幾何構成及び補正が開示される。読み書きヘッドの製造及びＴＥＭサンプル調製を含む、様々な分野での製造用途及び分析用途が開示される。撮像ツール及びミリングツールの他の組み合わせを使用することができる。【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年１２月１６日に出願された米国仮出願第６３／２９０，４３８号、及び２０２２年７月２６日に出願された米国実用出願第１７／８７３，５３２号に対する優先権を主張する。

本開示は、ミリング精度の改善に関する。

イオンビームミリングは、マイクロスケールデバイス及びナノスケールデバイスの機械加工に、ますます使用されている。しかしながら、イオンビームミルは、位置決め誤差の固有の原因を有し、デバイス規模が縮小し続けるにつれて、目標の公差を満たすことが難しくなる可能性がある。したがって、マイクロスケールデバイス及びナノスケールデバイスの精密なミリングのための、改善された技術が依然として必要とされている。

簡潔に述べると、開示された技術は、撮像とミリングを組み合わせている。フィードバックを通じて、撮像ツール特有のより高い精度を、より低い固有の精度を有するミリングツールで達成することができる。実施例では、画像上で測定された距離を使用して、ミリングツールのみで達成可能な精度よりも高い精度で、予備ミリングされたエッジを、標的位置にシフトする。

第１の態様では、開示された技術は、ミリングツール、撮像ツール、及びコントローラを組み込んだ装置として実施することができる。ミリングツールは、第１の粒子ビームを使用して、サンプルをミリングするように構成される。撮像ツールは、第２の粒子ビームを使用して、サンプルの１つ以上の画像を生成するように構成される。コントローラは、制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせ、更に、第１のエッジと標的位置との間の距離に基づいた量だけ第１の値から変更された、制御パラメータの第２の値を判定するように構成される。距離は、撮像ツールによって取得された、サンプルの表面の画像から判定される。コントローラは、制御パラメータの第２の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第２のエッジまでミリングさせるように更に構成される。

いくつかの実施例では、第１の粒子ビーム及び第２の粒子ビームは、異なるそれぞれの種を組み込むことができる。第１の粒子ビームは集束イオンビーム（ＦＩＢ）とすることができ、撮像ツールは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を組み込むことができる。画像は第１の画像とすることができ、第２のエッジまでのミリングは、サンプルの切断面を露出させることができ、コントローラは、撮像ツールに、サンプルの切断面の第２の画像を取得させるように更に構成され得る。第１の画像及び第２の画像を取り込むための撮像ツールにより、視軸の共通の配向を使用することができる。コントローラは、第１の画像の取得と第２の画像の取得との間で、撮像ツールの視軸を、サンプルに対して回転させるように構成され得る。撮像ツールの視軸は、第１の画像を取得するための表面の法線の１０°以内であり得、かつ、第２の画像を取得するための表面の法線から４０°～６０°の範囲内にあり得る。制御パラメータは、表面に沿い、かつ、第１のエッジに垂直な方向における、ミリングツールのスイープ位置を判定することができる。

第２の態様では、開示された技術は、方法として実施することができる。サンプル表面の画像は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から取得される。ミリング位置をシフトする距離は、画像内のミリングされたエッジの相対位置、及び参照構造の相対位置に基づいて判定される。距離は記憶される。記憶された距離は、後続のミリング動作中に、ミリングされたエッジを、参照構造との所定の空間関係にシフトするために使用可能である。

いくつかの実施例では、距離は、第１の距離とすることができ、所定の空間関係は、第２の距離の公差範囲とすることができる。第２の距離は、（ｉ）参照構造によって定義されたデータムから、（ｉｉ）シフトされてミリングされたエッジを含む線までの距離とすることができる。他の実施例では、距離は第１の距離とすることができ、第１の距離を判定することは、参照構造の中心座標から、ミリングされたエッジを含む線までの、第２の距離を判定することを更に含むことができる。線形スケーリングを第２の距離に適用して、第１の距離を取得することができる。

特定の実施例では、画像は、第１の画像であり得、本方法は、ＳＥＭから、後続のミリング動作によって露出された切断面の、第２の画像を取得することを含み得る。参照構造は、２つの別個のマーキングを含み得る。参照構造の重心は、後続のミリング動作によって露出される、サンプル内の標的デバイスの位置を特定することができる。所定の空間関係は、参照構造の重心に関する公差域であり得る。

更なる実施例では、終了条件が満たされるまで、後続のミリング動作を含む、それぞれのミリング動作の後で、取得する動作及び判定する動作を繰り返すことができる。繰り返される動作は、サンプル上の所与の標的位置への収束を提供することができる。代替的に又は追加的に、繰り返される動作は、サンプル上の一連の標的位置を連続的に標的にすることができる。

本方法は、第１のエッジにおけるエッジ効果に対して、距離を補正することを含むことができる。後続のミリング動作は、最初にミリングエッジを作成するために使用したのと同じミリングツールを使用して、実行することができる。後続のミリング動作は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用して実行することができる。本方法を使用して、サンプルから、透過電子顕微鏡法用の読み書きトランスデューサ又はラメラを作り出すことができる。

別の態様では、開示された技術は、１つ以上のハードウェアプロセッサによって実行可能プログラム命令を記憶する、コンピュータ可読媒体として実施することができる。命令を実行すると、プロセッサが作動され、（ａ）制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせ、（ｂ）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から、サンプルの表面上の、第１のエッジ及び参照構造を描画する画像を取得し、（ｃ）第１の値に基づいて、並びに、画像内の、第１のエッジの相対位置及び参照構造の相対位置に基づいて、制御パラメータの第２の値を判定し、（ｄ）制御パラメータの第２の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第２のエッジまでミリングさせる。

いくつかの実施例では、制御パラメータの第２の値を判定することは、ＳＥＭの視軸と、サンプルの表面の法線との間の角度の補正を適用することを含むことができる。表面は、サンプルの主表面であり得、第１のエッジは、主表面と、第１のエッジまでのミリングによって露出された切断面との間の境界であり得、切断面と主表面との間の二面角は、６０°～１２０°の範囲であり得る。

追加の実施例では、サンプルを第１のエッジ及び第２のエッジまでミリングすることは、サンプルの第１の切断面及び第２の切断面をそれぞれ露出させることができ、命令は更にプロセッサを作動させて、第１のエッジまでミリングすることの前に、ミリングツールと、サンプルが載置されるステージとの間に、補償傾斜を適用させ得る。補償傾斜が、（ｉ）第２の切断面と、（ｉｉ）サンプルの表面の残りの部分との間の二面角を、所定の範囲内であるように制御することができる。サンプルは、第１のサンプルであり得、画像は、第１の画像であり得、ＳＥＭは第１のＳＥＭであり得る。命令は更にプロセッサを作動させて、（ｅ）ミリングツールに第２のサンプルを第３のエッジまでミリングさせて、第２のサンプルの第３の切断面を露出させ、（ｆ）ミリングツールに第２のサンプルを第４のエッジまでミリングさせて、それによって、第２のサンプルの第４の切断面を露出させ得る。第３のエッジ及び第４のエッジは、第２のサンプルの主表面上で６０°～１２０°（両端値を含む）の角度をなすことができる。第３の切断面及び第４の切断面は、第５のエッジで交差することができる。命令は更にプロセッサを作動させて、（ｇ）第２のＳＥＭから、第４の切断面の第２の画像を取得し、（ｈ）第２の画像の第４のエッジの相対位置及び第５のエッジの相対位置から、補償傾斜角を判定することができる。

本開示の前述及び他の目的、特徴、及び利点は、添付図面を参照した、以下の詳細な説明より明らかになるであろう。

開示された技術を実施することができる、例示的な装置の図である。 開示された技術を展開することができる、例示的なジオメトリを示す図表である。 開示された技術を展開することができる、例示的なジオメトリを示す図表である。 開示された技術による、ミリングのための画像ベースのフィードバックを生成する、第１の例示的な方法のフローチャートである。 開示された技術による、画像ベースのフィードバックを用いてミリングする、第２の例示的な方法のフローチャートである。 開示された技術による、画像ベースのフィードバックを用いてミリングする、第３の例示的な方法のフローチャートである。 開示された技術の一例による、一連の動作が行われるサンプルの状態を示す図である。 開示された技術の一例による、一連の動作が行われるサンプルの状態を示す図である。 開示された技術の一例による、一連の動作が行われるサンプルの状態を示す図である。 開示された技術の一例による、一連の動作が行われるサンプルの状態を示す図である。 開示された技術の第１の用途例の図を示す。 開示された技術の第２の用途例の図を示す。 撮像又はミリングに関連する、説明された実施形態、技法、及び技術を実施することができる、好適なコンピューティング環境の、一般化された例を例解する。

導入及び概説
技術が進化し、微細加工用途が増加するにつれて、集束イオンビーム（ＦＩＢ）ミリングが最適な技術になっている。ＦＩＢミリングは、任意の形状のエッチングを、様々な材料にわたって、良質な仕上げ面で提供することができる。ＦＩＢは、マスク又は特注のツーリングを使用せずに、プログラム制御下で実行することができる。ＦＩＢは用途が広く、単一のＦＩＢツールを、機械加工、撮像、及びイオン注入に使用可能であり、様々なプロセスワークフローとＦＩＢを効果的に統合させることができる。ＦＩＢは、数十ナノメートル程度の精度を必要とする、微細加工タスクによく適していることが証明されている。（１０ｎｍ未満の精度は、低ビーム電流条件下で達成できるが、そのような条件は、いくつかの微細加工用途には実用的ではない場合があるが）撮像装置として、現在のいくつかのＦＩＢミルは約２０ｎｍの解像度を提供することができる。ＦＩＢミルの精度は、ビーム源の時間的変動及び空間的変動、ビーム光学系、及びイオンビーム自体の不安定性を含む、多くの要因によって制限される。

いくつかの微細加工用途では、現在のＦＩＢミルで達成可能な精度よりも、高い精度が要求される。２つの非限定的な例には、磁気記憶デバイス用の読み書きヘッドの製造、及び２０ｎｍ以下のＴＥＭサンプル調製が含まれる。

開示された技術の実施例は、より高い解像度を有する撮像ツールを使用して、より低い固有解像度（例えば、ＦＩＢでは約１０ｎｍ～約５０ｎｍ）を有するミリングツールをガイドする。例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、約２ｎｍの解像度を有することができる。ＦＩＢに関しては、ＳＥＭ撮像解像度の値は、正確な動作条件に依存する可能性があり、本明細書で関心対象のいくつかの用途では約２ｎｍ、又は、他の構成ではわずか０．６ｎｍである。特に、高解像度ＳＥＭ画像の測定値を、ＦＩＢミリングプロセスへのフィードバックとして使用して、ミリングツールのみでは達成不可能なミリング精度を達成することができる。

試験では、自力式のＦＩＢミリングツールが、約±９ｎｍ（３つの標準偏差）の切断配列の再現性を有することが分かった。変動性のいくつかの重要な原因を低減又は除去することにより、開示された技術は、約±５ｎｍ（３つの標準偏差）の切断配列の再現性を達成することができた。

いくつかの実施例は、ＦＩＢ及びＳＥＭを組み合わせて使用して説明されているが、開示された技術は、これらの特定のツールに限定されない。むしろ、開示された技術は、任意の低解像度の機械加工ツール又は微細加工ツールの性能を改善するために、任意の高解像度の撮像ツールを使用して適用され得る。

開示された技術を使用することにより、製造されたデバイス、調製されたサンプル、又は、切断面の分析の品質及び再現性を、幅広い用途で改善することができる。

用語
本節で引用されている全ての用語の使用法と意味は、別段の明確な指示がない限り、又は、文脈に反するものでない限り、この開示全体に適用する。以下の用語は、関連する語形に拡張される。

「分析」とは、サンプルを特徴付けるために使用される動作を指す。分析には、様々な形式の撮像、電気特性のプローブ測定、又は粒子若しくは放射線散乱の非接触測定が含まれ得る。分析動作には、ディレイヤリング、電子後方散乱分析、電子顕微鏡法、エッチング、撮像、質量分析、材料分析、計測法、ナノプロービング、分光法、又は表面処理が含まれ得る。ミリング手順中、又はミリング手順後に、ミリングによって露出した１つ以上の層で、分析を実行することができる。一部の分析では、分析を実行する前に、（例えば、研磨による）露出面の処理が必要になる場合がある。一部の分析では、実行する分析のために、ミリング動作を一時停止する必要がある場合があるが、他の分析技法は、ミリング中にオンザフライで実施し得る。このような動作を実行するための機器又は器具類は、「分析機器」又は単に「分析装置」と称される。本明細書で関心対象のいくつかの分析機器は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を組み込んでいる。

「方位角」は、軸を含む基準平面から、軸の周りで画定又は測定された符号付き角度である。軸は、回転軸でもよく、方位角は、軸を中心に回転させることによって変化させることができる。いくつかの開示された実施例では、軸は、サンプルステージの回転軸に平行であり得、ステージに載置されるサンプルの表面に垂直であり得る。したがって、入射粒子ビームの方位角は、ステージをそのサンプル軸を中心に回転させることによって変化させることができる。基準平面は、サンプルの作業面に垂直であり得、サンプルが載置されるステージの回転軸を含み得る。方位座標は、地球上の位置の経度に類似している。

「ビーム」は、粒子又はエネルギーの指向流である。本開示で関心対象の一般的なビームは、電子ビーム又はイオンビームなどの粒子ビームである。ビームは、流れの主な縦方向に対して横方向に有限の範囲を有し得る。ビームの２つ以上の横断面の重心を結ぶ線が、ビームの「軸」である。

「コントローラ」は、物理パラメータに変更をもたらすための１つ以上のアクチュエータに結合された、又は、物理パラメータを監視するための１つ以上のセンサに結合された、電子デバイスである。コントローラには、機械可読命令を実行するようにプログラムできる、マイクロプロセッサを含むことができるものがある。本明細書におけるコンピューティングデバイスの説明は、概して、そのようなコントローラに適用可能である。このようなコントローラは、フィルタ及び増幅器などの、追加の電子回路を含むことができる。コントローラには、マイクロプロセッサを使用せずに、フィルタ及び増幅器などの、アナログ回路を含むことができるものもある。

「座標」は、空間内の点又は物体の位置又は配向を示す、任意選択的に単位を有する、数値である。一般的な座標は、線形（例えば、ビーム軸方向の縦座標）、又は角度（例えば、球面座標の角度）であり得る。記載されたいくつかの実施例では、ミリングされたエッジの位置を示す座標は、ミリングされたエッジに垂直な、Ｙ軸に沿って測定することができる。

「データム」は、サンプル、関連機器、又は関連座標系に対して定義された基準線又は基準点であり、そこから、他の特徴又は物体の測定を行うことができる。本明細書のいくつかの実施例では、データムは、参照構造の重心又は中心線であり得る。

エッジで交差する２つの平面間の「二面角」は、エッジに直交する平面で測定された範囲（０°、１８０°）の正の角度である。

「距離」は、サンプル上の、又は、サンプルの画像内の２つの特徴間の長さの尺度である。両方の特徴が、所与の時間に存在する場合（例えば、ミリングされたエッジ、及び参照構造）があり、又は、特徴のうちの１つが、標的位置（例えば、既存のミリングされたエッジから、所望のミリングされたエッジの位置までの距離）である場合がある。２点間の距離は、点間のデカルト距離である場合がある。点と線との間の距離は、点から線までの垂線の長さである場合がある。有限の範囲を有する特徴までの距離は、特徴の中心位置（例えば、重心）に対して測定することができる。測定された距離は、撮像幾何（例えば、撮像された表面に対する視軸の傾き）に対して補正することができ、又は、撮像アーティファクト（例えば、フレア）に対して補正することができる。

「エッジ」は、面法線が不連続である、２つの表面の交差部に沿った線である。いくつかの開示された実施例では、サンプルの主表面と、ミリングによって露出された切断面との間に、エッジを形成することができる。連続するミリング動作により、このようなエッジが移動する可能性がある。

「エッジ効果」は、撮像されたサンプル上のエッジから生じた、画像内のアーティファクトである。ＳＥＭ画像では、エッジが、隣接する交差面よりも明るく見えることがある（「フレア」と呼ばれることもある）。

「電子ビーム」は、電子の指向流である。

「電子顕微鏡」は、サンプルに電子ビームを照射し、その結果生じる粒子又は電磁放射を使用して、空間分解された画像を形成する、分析機器の一種である。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、サンプルの１つ以上の表面からの反射粒子、二次粒子、若しくは後方散乱粒子、又は放射に基づいて、サンプル表面を撮像する。ＳＥＭによって検出されたビーム相互作用は、この表面で、又はその近くで発生するため、ＳＥＭは、任意の厚さのサンプルで動作できる。対照的に、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）は、透過電子（散乱電子を含む）に基づいて、サンプル体積を撮像する。ＴＥＭは、厚さ約１０～１５０ｎｍのサンプルで動作する。サンプルは、機械的支持及び熱伝導性のために、グリッドに載置することができ、次に、グリッドは、サンプルホルダーに保持できる。ＴＥＭは５０００万倍以上の倍率を提供することができるが、ＳＥＭの倍率は、通常約２００万倍に制限される。本開示では、透過電子の撮像を行う走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）は、ＳＥＭ及びＴＥＭの両方であるとみなされる。電子顕微鏡の電子ビームは、電子銃で生成され、一連のステージを通して、サンプルチャンバに向かって、加速、集束、又は操作され得る。

「露出」という用語は、例えば、サンプルの、予め埋め込まれた特徴と、先面との間の材料を除去することによって、サンプルの内部の特徴を、サンプルの表面にもたらす動作を指す。

「集束イオンビーム」（「ＦＩＢ」）は、ビームを表面上のスポットに方向付けるために、焦点を制御できる、又はスイープパターンでサンプル上をスイープすることができる、イオンビームである。ＦＩＢは、入射スポットでの材料の分析、堆積、又は除去に使用することができる。いくつかのＦＩＢは、ミリングに使用される。通常、ＦＩＢはＸｅ＋又はＧａ＋などの正の元素イオンを含むが、これらは要件ではない。Ｇａ＋などのイオンビーム種は、例えば、液体金属イオン源（ＬＭＩＳ）から供給することができるが、Ｘｅ＋などの他のイオンビーム種は、プラズマで生成することができる。プラズマ源で生成されたＦＩＢは、プラズマ集束イオンビーム（ＰＦＩＢ）と呼ぶことができる。

「撮像」という用語は、サンプルの関心対象領域にわたるパラメータ値の二次元表現（「画像」と呼ばれる）を取得するためのプロセスを指す。いくつかの実施例では、撮像されたパラメータは、（例えば、ＳＥＭによる）入射粒子ビームの反射率である場合があるが、これは要件ではなく、可視光、又は他のパラメータも撮像することができる。開示された実施例では、画像は、サンプル上のエッジ、又は参照構造などの特徴を示すことができる。更なる実施例では、関心対象領域は、サンプルの１つ以上の表面の、少なくとも一部を含むことができる。

「撮像ツール」は、撮像が可能な装置である。開示された実施例では、ＳＥＭを撮像ツールとして使用することができる。しかしながら、これは要件ではなく、（例えば、時間変化又は蛍光技術を使用する）原子間力顕微鏡又は超解像光学顕微鏡などの、他の高解像度撮像ツールを使用することもできる。ＦＩＢツールは撮像を実行できるが、ＳＥＭ又は他の技術により、より優れた空間解像度を達成できる。「視軸」は、撮像ツールが、撮像された関心対象領域を視認する直線である。具体的には、撮像された関心対象領域上にビームを方向付ける撮像ツールの場合、視軸は、撮像された関心対象領域の中心点（例えば重心）を通る、ビーム軸とすることができる。

「反復」という用語は、所与の動作、又は一連の動作が実行される、複数回のそれぞれを指す。一連の反復は、「ループ」と呼ばれる。複数回反復できるループは、１回だけの反復を実行することができる場合がある。ループの反復では、ループ内の全ての動作を実行する必要はないが、終了条件が満たされた場合は、早期に終了する又は抜け出ることができる。

「ラメラ」は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で撮像された、薄サンプルである。ラメラは、１０～５０ｎｍ又は２０～３０ｎｍの範囲の厚さを有することができる。

「線形スケーリング」という用語は、出力ｙを取得するために、入力ｘに対して実行される、演算ｙ＝Ａ・ｘ＋Ｂを指す。このとき、Ａ及びＢは定数である。

「ミリング」は、ミリングされているサンプルに対する、ミリングツールの移動（「スイープ」と呼ばれることもある）によってガイドされる、経路上の材料除去プロセスである。ミリング動作は、切断面の片側まで材料を除去することにより、サンプルの１つ以上の「切断面」を露出させることができる。概して、切断面は、サンプルの主表面と交差する。長方形又は台形の断面を有するトレンチの底部は、切断面とは呼ばれない。実施例では、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用して、ミリングを行うことができる。ミリングは、「エッチング」の一形態であり、より一般的には、サンプルから材料を除去するための、削除プロセスを指す。拡散化学エッチングは、ミリングとはみなされない場合がある。しかしながら、イオンビームアシスト化学エッチングは、イオンビームの位置で部位特異的である可能性があり、ミリングとみなすことができる。「ミリングツール」は、ミリングが可能な装置である。

「パラメータ」は、特定の「値」を有することができる量である。多くの場合、パラメータは数値を有するが、これは要件ではなく、いくつかのパラメータ値は、論理値、文字列、又はデータ構造であり得る。パラメータには、制御パラメータであり得るものがあり、例えば、物理デバイス又は物理的動作に影響を与えるために、コントローラによって設定される。パラメータには、感知パラメータであり得るものもあり、例えば、物理的環境によって判定され、コントローラ又は測定装置によって（例えば、画像から）評価される。本明細書で関心対象のいくつかの制御パラメータは、サンプルに対するミリング動作用の、１つ以上の座標を定義するパラメータが含まれ、ビームステアリング制御、ステージ位置決め制御などを含むことができる。

「粒子ビーム」は、粒子の指向流を含む、ビームである。「粒子」は、物質の流れの、細分されない別個の単位である。本開示において共通関心対象の粒子には、（Ｇａ、Ｘｅ、又は陽子などの）電子又はイオンなどの荷電粒子が含まれるが、粒子は、これらに限定されない。電子ビーム内の電子は、束縛電子を含む、いくつかのイオンにもかかわらず、イオンビーム内のイオンとは異なる種とみなされる。いくつかの実施例では、関心対象の粒子は、電子又はイオンなどの質量を有する種に限定される。他の例では、関心対象の粒子は、質量ゼロの光子を含むことができる。例解すると、パルスレーザビーム（例えば、１ピコ秒未満のパルス持続時間を有する「フェムト秒レーザ」）は、開示された技術の用途におけるミリングに使用することができる。

「極角」は、軸から離れるように画定又は測定された、符号なしの角度である。軸は、装置軸、ビーム軸、又は、サンプル表面の法線であり得る。極角は、地球上の位置の緯度の補数に類似している。つまり、極角は、北極（緯度が９０°Ｎ）では０°に等しく、赤道（緯度は０°）では９０°に等しい。本明細書で関心対象のいくつかの極角は、約０°、又は約４５°～５２°である。本明細書で関心対象のいくつかの極角は、サンプル表面の法線（この法線は、サンプルを支持するステージの回転軸に平行であり得る）と、サンプルに入射する粒子ビームの軸との間である。

「読み書きトランスデューサ」（又は「読み書きヘッド」）は、磁気記憶媒体上で、磁気的に符号化されたデータを読み書きできるデバイスである。データは、トランスデューサを通して、電流を駆動したときに発生する磁場を使用して、書き込むことができる。データは、磁気記憶媒体の磁化ドメインによって提供される磁場により、トランスデューサに誘導された電圧を使用して、読み取ることができる。開示された技術のいくつかの実施例は、計測又は製造のために、読み書きトランスデューサの切断面を正確にミリングするために使用することができる。

「参照構造」（「基準」と呼ばれることもある）は、サンプル内の、別の構造又はデバイスの位置の判定に使用するために、サンプルに製造された構造である。いくつかの参照構造は、複数の別個の要素（「マーキング」と呼ばれる）を、例えば、標的デバイスの反対側に含むことができる。参照構造は、構造の画像で見ることができ、画像内の他の特徴の座標、距離、又は角度を測定するための、参照として使用できる。参照構造は、サンプル表面上の二次元的な特徴であり得るか、又は、サンプルの深さまで三次元的な広がりを有し得るため、表面の連続する層がエッチング除去されても、参照構造が見える状態のままである。

「関心対象領域」（ＲＯＩ）は、電子ビームが走査される、サンプル表面の一部であり、及び／又は、特徴若しくは構造、例えば、標的、つまり、その後の分析対象を含む、サンプルの領域である。ＲＯＩという用語は、いかなる人間的興味も指すものではない。

「回転」は、別の物体又は固定座標系に対する、物体の角度配向の変化である。いくつかの実施例では、ツール軸（例えば、プロセスツールの視軸又はビーム軸）をサンプルに対して回転させることができる。回転は、プロセスツールの全部又は一部を回転させること、ビームを操作すること、サンプルを回転させること、又は、上記の任意の組み合わせによって、行うことができる。極角を変更する回転は、その極角に対する「傾斜」と呼ばれる。

「サンプル」は、撮像、ミリング、又は、他の分析手順若しくは製造手順が実行される、物理的対象である。一般的なサンプルは、多層の電気的若しくは電子的構造、又は、他の材料構造を組み込むことができ、撮像又は別の分析手順のために、製造又は調整されている。サンプルの「主表面」は、その面積を、サンプルの他のどの表面も実質的に超えることのない、サンプルの表面である。説明の便宜上、サンプルは、上部の主表面及び底部の主表面を有するとみなされ、底面はステージ上に支持され、上面は、１つ以上のツール又はビームに露出する。

「空間関係」は、２つ以上の物体の位置の間、又は配向の間の任意の関係であり得る。空間的に関連する物体のうちの１つ以上は、サンプル、サンプルの特徴、プロセスツール、若しくはそのビーム若しくは構成要素、サンプルが載置されるステージ、軸若しくはそのような物理的対象の法線、又は、１つ以上のそのような物理的対象によって定義される、仮想の幾何学的本質（例えば、サンプル特徴の重心、又は、２つの特徴を結ぶ線）であり得る。場合によっては、空間関係を定義する量の許容範囲を示す「公差」を使用して、空間関係を指定することができる。公差は、所定の範囲内の、距離又は角度などの一次元（「公差範囲」と呼ばれる）、又は多次元（「公差域」と呼ばれる）である場合がある。公差域の非限定的な例は、１つ以上の他の特徴に対する、二次元エリア若しくは三次元体積内の特徴、又は、別方向に関して二次元の角錐内にある、視軸若しくはビーム軸を含む。

「ステージ」は、サンプルを取り付けることができ、サンプルの位置又は配向を調整するためのアクチュエータを有する、装置である。「多軸ステージ」は複数の自由度を有し、並進又は回転の様々な組み合わせで、サンプルの空間調整を提供する。

「スイープ」という用語は、空間トラバーサルを指す。本開示における一般的なスイープは、サンプルの関心対象領域上の、ＦＩＢ（又は他のミリングツール）の一次元又は二次元スイープである。スイープは、関心対象領域上の、１つ以上のパスで実行できる。

「標的」という用語は、サンプルに対する分析、調製、又は製造手順の、所望の対象を指す。標的の非限定的な例は、サンプルをミリングすることによって露出される特徴又はデバイス、サンプルをミリングすることによって到達する座標、撮像される関心対象領域、サンプルに対してプロセスツールを設定する配向を含む。場合によっては、標的が正確に達成されないことがあるが、所定の公差内でうまく達成され得る。

「終了条件」は、反復プロセスが、更なる反復の実行を停止する基準である。

「上部」、「底部」、「上へ」、「下へ」、「上方」、「下方」、「水平」、「垂直」などの用語は、水平なサンプルの露出された主表面が、上向きの外向き法線を有する、例えば、サンプルが、プロセスツールにとって上からアクセスしやすい、一般的な構成に対して便宜上使用される。プロセスツールの軸（例えば、撮像ツールの視軸、又はＦＩＢミルのビーム軸）は、表面に対して下向きにほぼ垂直になり得るか、又は、法線に対して、ある角度（４０°～６０°の範囲の場合もある）で傾き得る。当業者は、本開示から、開示された技術の範囲から逸脱することなく、実際の配向の選択を変更することができることを理解するであろう。

例示的な装置
図１は、例示的な装置の図１００であり、装置を展開できる環境の、いくつかの特徴とともに示されている。コントローラ１１０と通信して、ミリングツール１２０及び撮像ツール１３０は、サンプル１５０に対して、それぞれの動作を実行することができる。サンプル１５０は、ステージ１６０に載置することができる。いくつかの実施例では、サンプル１５０及びステージ１６０は、装置の構成要素１１０、１２０、１３０のための環境の一部であり得、他の実施例では、ステージ１６０は、装置の一部として含まれ得る。

説明を容易にするために、サンプル１５０の主上面１５２上に、デカルトＸＹＺ軸１４１～１４３及び原点１４０（「Ｏ」）を有する、座標系が示されている。例解されるように、Ｚ軸１４３は、表面１５２の外向き法線であり、Ｘ軸１４１は、スロット１５４の長手方向に平行であり、Ｙ軸１４２は、軸１４１、１４３とともに直交トライアド（ＸＹＺ）を形成する。方位角φは、Ｚ軸周りに定義され、Ｘ軸及びＹ軸は、それぞれφ＝０°及びφ＝９０°である。極角θは、Ｚ軸（θ＝０°）から下向きに定義され、ＸＹ平面はθ＝９０°である。説明の目的で、座標系は、サンプル１５０の参照フレームに固定できるため、例えば、ビームの極角、又はミリングされたエッジの座標位置は、回転又は並進が、ビーム（１２５、１３５）、又はステージ（１６０）及びサンプル（１５０）に加えられるかどうかに関係なく、同等に変化する。

ミリングツール１２０は、粒子ビーム１２５を使用してサンプル１５０をミリングするように、構成され得る。例解図では、ツール１２０は、表面１５２の上方から、方向θＭ１２３、φＭ１２１から入り、構造１５８の断面を識別できる切断面１５６を露出させる、ミリングされたスロット１５４を有する。いくつかの実施例では、ビーム１２５は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）であり得るが、これは要件ではなく、他のビームを使用することができる。ミリングは、ビーム１２５とサンプル１５０との間の相対運動を達成するために、サンプル１５０を横切ってビーム１２５を走査することにより、ステージ１６０を並進させることにより、又は、これらの運動、若しくは、他の運動の任意の組み合わせにより、行うことができる。

撮像ツール１３０は、粒子ビーム１３５を使用して、サンプル１５０の１つ以上の画像を生成するように、構成され得る。例解図では、撮像ツール１３０は、サンプル１５０（θＩ＝０°）の真上から見た画像を生成できるが、これは要件ではなく、撮像は他の角度から実行できる。具体的には、いくつかの実施例では、破線矢印１３７によって示されるように、斜角θＩ１３３、φＩ１３１から別の画像を取得するために、撮像ツール１３０を、サンプル１５０に対して回転させることができる。

コントローラ１１０は、ミリングツール１２０及び撮像ツール１３０の動作を、監視することができる。ミリングは、ミリングが進行するにつれて、連続する値を取ることができる制御パラメータを使用して、制御され得る。いくつかの実施例では、制御パラメータは、ビーム１２５をＸ方向にスイープすることによって形成される、ミリングされた表面のＹ座標を制御することができる。したがって、制御パラメータは、ミリングツール１２０又はステージ１６０のいずれかの、座標尺度であり得る。代替的に、制御パラメータは、ビーム１２５の経路内の、ステアリング構成要素に印加された電圧、又は、ステージ１６０の並進を実行するように結合された、アクチュエータに印加された電圧などの、間接的な位置制御であり得る。制御パラメータの第１の値を使用して、コントローラ１１０は、ミリングツール１２０にサンプル１５０を第１のエッジまでミリングさせることができる。例解すると、主表面１５２と切断面１５６との交差部が、エッジ１４８を画定する。ビーム１２５がサンプル１５０を徐々にミリングするにつれて、スロット１５４の範囲は、エッジ１４８の第１の位置（「第１のエッジ」と呼ばれる）に到達することができる。

コントローラ１１０は、撮像ツール１３０によって取得された表面１５２の画像を使用して、第１の値とは異なる、制御パラメータの第２の値を判定することもできる。つまり、エッジ１４８と標的位置との間の距離を、画像から判定することができ、制御パラメータの第２の値を得るために、この距離に基づいた量だけ、制御パラメータを変更することができる。最終的に、制御パラメータの第２の値を使用して、コントローラ１１０は、ミリングツール１２０に追加のミリングを実行させて、エッジ１４８の第２の位置（「第２のエッジ」と呼ばれる）に到達させ、例えば、第１のエッジと第２のエッジとの間の、追加のサンプル体積をミリング除去させて、第２のエッジを含む切断面を露出させることができる。

例解として、エッジ及び標的位置は、それぞれＹ座標－５５ｎｍ及び＋１０ｎｍにある可能性があり、したがって、６５ｎｍの距離を判定することができる。１０ｎｍ／ボルトのＹ方向感度を有する、ビームステアリング制御パラメータは、所望の第２のエッジをもたらすために、６５／１０＝６．５ボルトだけ変化させることができる。いくつかの実施例では、制御パラメータへの変更を徐々に適用する、例えば、追加のミリング動作の２６回のスイープのそれぞれに、０．２５Ｖを適用することができる。

開示された技術の範囲内で、多数の変形及び拡張を実施することができる。いくつかの実施例では、粒子ビーム１２５、１３５は、異なるタイプのビームであり得、異なる種の粒子を含み得る。例解すると、ミリングは、Ｇａ＋、Ｘｅ＋、又は別のイオン種を含む、集束イオンビーム１２５で行うことができ、撮像は、電子を含む、走査電子ビーム１３５で行うことができる。実施例では、撮像ツール１３０は走査型電子顕微鏡であり得るが、これは要件ではない。

第２のエッジ１４８までのミリングの後で、コントローラは、撮像ツール１３０に切断面１４８の画像を取得させることができる。いくつかの実施例では、取得された上面１５２の画像及び切断面１４８の画像は、ビーム１３５の単一の視軸から、例えば、１３７などの斜角で、取得することができる。他の実施例では、コントローラ１１０は、撮像ツール１２０の視軸を、２つの画像取得の間で回転させることができる。例解すると、（距離を測定するための）第１の画像は、サンプル１５０を真上から見ながら、図に示すように、ビーム１３５に沿った視軸で取得することができ、（例えば、切断面１４８計測のための）第２の画像は、図に示すように、矢印１３７に沿った視軸で取得することができる。いくつかの実施例では、第１の画像の視軸は、極角θＩ≦１０°を有することができ、第２の画像の視軸は、極角４０°≦θＩ≦６０°を有することができる。

図１の追加の変形は、特定の特徴を省略できるか、又は、図３～５、若しくは、本明細書の他の箇所との関連で説明された特徴を採用することができる。

例示的なジオメトリ
図２Ａ～２Ｂは、開示された技術を展開できる、例示的なジオメトリを示す図表２０１～２０２である。図２は、サンプルの主（上）表面２５２に対する座標系を例解する図であり、図１の座標系とほぼ同様である。直交するＸ軸２４１及びＹ軸２４２は、表面２５２の平面内にあり、Ｚ軸２４３は、表面２５２に垂直な外面である。粒子ビーム軸２３７（ＳＥＭの視軸、又はＦＩＢミリングツールのビーム軸であり得る）は、Ｚ軸２７３に対して極角θから表面２５２に接近する。ビーム軸２３７は、ＸＹ平面内に、Ｘ軸から反時計回りに角度φで位置する投影２３８を有する。したがって、φは、ビーム軸２３７の方位座標である。本明細書では慣例として、ビーム粒子の進行方向が反対方向であり、サンプル表面に向かっているにもかかわらず、ビーム軸は、サンプル表面上の原点から外側に（例えば、図２Ａに示すように、０°≦θ＜９０°）延びると説明される。

図２Ｂを参照すると、表２０２は、各行が、開示された技術を使用することができる例示的な機器構成を示す、表である。表２０２の角座標は、図２Ａを参照して示される。第１の行２８１では、撮像ツールは、図１のビーム１３５と同様に、サンプル表面２５２を真下に見る。視軸の配向は、φＩが不定であるθＩ＝０°に沿っている。ミリングツールのビーム軸は、任意の方位角φＭで、配向θＭ＝４５°～５２°を有する。第２の行２８２では、撮像ツールの視軸、及びミリングツールのビーム軸の両方が、４５°～５２°の範囲の極角θＩ、θＭにあるが、９０°離れた方位配向を有することができる。第３の行２８３は、第１の行２８１の逆とみなすことができる。ミリングビーム軸は、θＭ＝０°、かつ、φＭが不定になるように、面法線（Ｚ軸２４３）と位置合わせされる。撮像の視軸は、極角θＩ＝４５°～５２°にあり、任意の方位角φＩにあり得る。第４の行は、表面２５２上に真下に配向された、撮像ツール及びミリングツールの両方のビームを有する。いくつかの実施例では、撮像ツール及びミリングツールは、Ｘ方向又はＹ方向に、互いに空間的にオフセットすることができ、撮像ツールとミリングツールとの間のステージ上で、それぞれの動作用に、サンプルを並進させることができる。他の実施例では、ビーム光学系を使用して、空間的に分離されたビーム源からのビーム経路を、サンプル表面の共通軸に統合することができる。

いくつかの実施例では、異なる構成を組み合わせることができる。例えば、表面２５２上の参照構造に対するミリングの進展を測定又は制御するために、垂直視軸を使用して、表面２５２を撮像することができる。続いて、ミリングによって露出した切断面に対して、撮像又は他の分析を実行するために、撮像の視軸を傾けることができる。つまり、行２８１と同様の構成は、ミリングの進展を測定するために使用することができ、行２８２と同様の構成は、得られた切断面の計測、撮像、又は他の分析に使用することができる。

第１の例示的な方法
図３は、サンプルをミリングするための画像ベースのフィードバックを行う第１の例示的な方法の、フローチャート３００である。この方法では、後続のミリング動作が標的位置基準を満たすことができる、距離が判定される。

ブロック３１０で、サンプルの表面の画像が、ＳＥＭから取得される。ブロック３２０で、ＳＥＭ画像内のミリングされたエッジの相対位置、及び参照構造の相対位置に基づいて、ミリングされた位置をシフトする距離を判定することができる。ブロック３３０で、判定された距離が記憶され得る。参照構造との所定の空間関係に到達するために、この距離を使用して、後続のミリング動作中に、ミリングされたエッジをシフトすることができる。

例解すると、ミリングされたエッジ及び参照構造は、ＳＥＭ画像から、Ｙ座標がそれぞれ－５５ｎｍと＋１０ｎｍであると判定できる。この場合、判定された距離は６５ｎｍであり得る。本明細書で更に説明するように、他の技法を使用して距離を判定する、例えば、短縮若しくはエッジ効果を補正する、又は、後続のミリング動作を優先的に、標的座標の手前に向けてずらすこともできる。ミリング位置は、更にミリングすることでシフトされ得、追加の材料を除去する。例解すると、ミリングされたエッジが、Ｙ座標－５５ｎｍでＸ軸に平行である場合、ミルの連続スイープの各々が、材料をＹ方向に最大３ｎｍ除去し、ミリングされたエッジをＹ＝－５２、－４９、－４６ｎｍなどに徐々にシフトすることができる。いくつかの実施例では、連続するミリング動作が実行されるときに、ミリング位置をシフトさせるために、ステージに対するミリングビーム軸の相対Ｙ座標を変更することができる。

開示された技術の範囲内で、多数の変形及び拡張を実施することができる。いくつかの実施例では、後続のミリング動作が、切断面を露出させることができ、この方法は、ＳＥＭから切断面の画像を取得することにまで拡張することができる。つまり、単一のＳＥＭを使用して、計測を行い、サンプルの上面を撮像し、続いて、参照構造に対して所定の空間関係にミリングが到達した後に、サンプルの切断面を撮像することができる。

更なる実施例では、参照構造は、データムを定義することができる。所定の空間関係は、データムに対する（後続のミリング動作に続いて）シフトされたエッジ間の距離の、公差範囲を指定することができる。例解すると、データムは、Ｙ＝１００μｍにある参照構造の重心とすることができる。所定の空間関係は、シフトされてミリングされたエッジが、９０μｍ～９５μｍ、９５μｍ～１００μｍ、又は９５μｍ～１０２μｍのシフトされたＹ座標を有することを指定することができる。これらの例解図では、データムは、シフトされてミリングされたエッジの公差域の外側にあり得るか、公差域の限界値（端点）であり得るか、又は、公差域内にあり得る。

いくつかの実施例では、ブロック３２０での距離判定は、線形スケーリングの適用を伴うことができる。例えば、ＳＥＭの視軸の非ゼロ極角は、撮像された上面上の距離が短縮されるという結果になる可能性がある。例解すると、ＳＥＭが（図２Ａを参照して）θ＝４５°、φ＝９０°に沿った視軸を有する場合、Ｙ軸に沿った距離は、係数１／ｓｑｒｔ（２）＝０．７０７１だけ短縮できる。したがって、ミリングされたエッジがシフトされるべき、真の距離を判定するために、ブロック３２０でＳＥＭ画像から判定されたＹ距離は、係数ｓｑｒｔ（２）＝１．４１４２で乗算され得る。更なる実施例では、オフセットは、線形スケーリング（例えば、ｙ＝Ａ・ｘ＋Ｂの形式の線形スケーリング）に含めることができる。いくつかのシナリオでは、標的位置をアンダーシュートすることが望ましく、標的位置をオーバーシュートすることは望ましくない場合がある。単純に言えば、アンダーシュートは、指定された公差を満たす別の機会を与えるが、オーバーシュートは、サンプルが破棄される結果となる可能性がある。したがって、負のオフセットＢを組み込むと、必要に応じて、第３のミリング動作が、公差域のアンダーシュートを修正できる可能性が増加し、オーバーシュートによるサンプルの廃棄の可能性が低減する。このような負のオフセットは、短縮がない（Ａ＝１）場合にも有益であり得る。具体的には、処理ブロック３１０、ブロック３２０、ブロック３３０は、所定の空間関係が達成されるまで、後続のミリング動作を含む、連続するミリング動作の後に、繰り返すことができる。更に、所定の空間関係は、ブロック３１０、ブロック３２０、ブロック３３０の連続する反復を通じて、改良することができる。例解すると、第１の反復では、空間関係は、標的デバイスに対する公差域［０，＋１００ｎｍ］であり得、第２の反復では［０，＋１０ｎｍ］に、及び、第３の反復では［－３ｎｍ，＋３ｎｍ］に狭めることができる。ブロック３１０、ブロック３２０、ブロック３３０の反復は、終了条件が満たされたときに、終了することもできる。前の例解を続けると、終了条件は［－３ｎｍ，＋３ｎｍ］になり得る。第１の反復で（例えば、第２の反復のブロック３１０で取得した画像から）＋２ｎｍの位置を達成すると判定された場合、これ以上のミリング又は反復は、必要ない。

参照構造は、２つのマーキングを組み込むことができる。例えば、サンプル内の標的デバイスの両側にある２つの「＋」マーキング、及び、参照構造の重心（例えば、２つの「＋」マーキングの間の中間点）は、後続のミリング動作によって露出される、サンプル内の標的デバイスの位置を特定することができる。いくつかの実施例では、重心は、標的構造の位置（例えば、横位置）にあり得、他の実施例では、重心は、標的構造、又は、標的構造上のデータムから、既知のオフセット距離だけ離れた位置にあり得る。既知のオフセット距離は、所定の距離であり得、又は、実行時に分析動作若しくは計測動作によって判定され得る。所定の空間関係は、参照構造の重心に関する公差域であり得る。

本明細書で説明するように、ＳＥＭ画像は、エッジ効果を受けることになり得る。エッジは、有限幅を有する輝線として現れ得る。実際のエッジ位置は、輝線の中心線からオフセットされ得る。オフセットは、幾何学的因子（例えば、撮像の視軸の極角、又は、切断面とサンプルの上面との間の二面角）、又はサンプル材料に依存する可能性がある。したがって、ブロック３２０で距離を判定することは、エッジ効果を補正することを含むことができる。いくつかの用途では、エッジ効果の補正量は、例えば、同様の条件下で同様のサンプルに対して実行されるテストによって、経験的に判定できる。

図３の方法は、デバイス製造又はサンプル調製を含む、様々な用途に適用することができる。製造の例として、本方法は、読み書きトランスデューサの製造に適用することができ、所定の空間関係は、サンプル内の読み書きトランスデューサの位置を示す、参照構造に対する公差範囲とすることができる。サンプル調製の例として、本方法は、ＴＥＭ分析用のラメラの調製に適用することができ、参照構造が、ラメラの中心平面を画定することができ、本方法を、中心面の反対側にあるラメラの２つの切断面をミリングする手順に、組み込むことができる。例解すると、一方の切断面をＹ座標範囲［＋８ｎｍ、＋１２ｎｍ］までミリングし、他方の面を（反対側からアプローチして）Ｙ座標範囲［－１２ｎｍ、－８ｎｍ］までミリングし、厚さ２０±４ｎｍを有するラメラを調製することができる。本方法は、例えば、ＦＩＢを使用して、後続のミリング動作を実行することにまで拡張することができる。

図３の追加の変形は、特定の特徴を省略することができるか、又は、図１、若しくは図４～５、又は本明細書の他の箇所との関連で説明された特徴を採用することができる。

第２の例示的な方法
図４は、画像ベースのフィードバックを用いてミリングする、第２の例示的な方法のフローチャート４００である。この方法では、２つのミリング動作がサンプルに対して実行される。サンプルの画像を使用して、第１のミリング動作の後にエッジを測定し、それによって、第２のミリング動作の制御設定を判定する。制御設定は、ミリング動作の位置を制御するために使用される、パラメータの値である。パラメータは、ミリングを実行するために使用されるビームのステアリング、サンプルが載置されるステージの位置、又はビーム及びサンプルの位置決めの組み合わせを制御することができる。

処理ブロック４１０で、プロセッサは、制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせることができる。続いて、ブロック４２０で、サンプルの表面の画像をＳＥＭから取得することができ、この画像は、第１のエッジ及び参照構造を描写する。ブロック４３０で、プロセッサは、第１の値、並びに、（画像内の）第１のエッジの相対位置及び参照構造の相対位置に基づいて、制御パラメータの第２の値を判定することができる。例解すると、画像が、第１のエッジと参照構造との間のＹ方向に２５ｎｍのオフセットを示している場合、第２の値はＣ２＝Ｃ１＋Δに設定することができ、ここで、Ｃ１は、制御パラメータの第１の値であり、Δは、Ｙ方向の２５ｎｍのシフトに対応する、制御パラメータの調整量である。次に、ブロック４４０で、プロセッサは、制御パラメータの第２の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第２のエッジまでミリングさせることができる。

開示された技術の範囲内で、多数の変形及び拡張を実施することができる。ブロック４２０で撮像された表面は、サンプルの主表面であり得る。第１のエッジは、主表面と、ブロック４１０でミリングによって露出された切断面との間の境界であり得る。撮像された表面と切断面との間の二面角は、６０°～１２０°、又は８５°～９５°の範囲であり得る。いくつかの実施例では、ブロック４３０での第２の値の判定は、ＳＥＭの視軸と、サンプルの表面の法線との間の角度の補正を適用することを含むことができる。

側壁傾斜の補償
いくつかのシナリオでは、切断面の平面は、ミリングツールのビーム軸に対して傾斜している場合があり、この現象は「側壁傾斜」と呼ばれることもある。これは、ビーム広がり、サンプル不均一性、イオンビーム軸の配向によるエッチング速度の変動、異方性エッチング、又は幾何学的ミスアライメントを含む様々な理由で、発生する可能性がある。ＦＩＢミリングの場合、垂直な切断面（例えば、サンプルの上面の残りの部分と切断面との間の９０°の二面角）を生成することを目的とした制御プログラムは、通常、９０°を超える二面角をもたらす可能性がある。しかし、これは常に当てはまるわけではなく、他の場合では、二面角が９０°未満のアンダーカットが発生する場合もある。

したがって、いくつかの実施例では、プロセッサは、処理ブロック４１０の前に、ミリングツールと、サンプルが載置されるステージとの間に、補償傾斜を適用させることもできる。補償傾斜は、第２の切断面と、サンプルの表面の残りの部分との間の二面角を、所定の範囲内であるように制御することができる。例解すると、補償傾斜により、二面角が９０°±０．２°、９０°±０．５°、９０°±１°、又は９０°±２°の範囲になる可能性がある。つまり、補償傾斜は、第２の切断面の配向について公差要件を満たすことを可能にすることができる。

更なる実施例では、補償傾斜は、テストサンプルを使用する手順によって判定することができる。同じ又は異なるプロセッサは、第３のエッジ及び第４のエッジまでテストサンプルがミリングされるようにすることができる。第３のエッジは、ブロック４１０～４４０で処理された（メイン）サンプル上の第１のエッジの配向と同様に、テストサンプル上で配向することができる。第３のエッジまでのミリングは、テストサンプル上に第３の切断面を露出させることができる。第３のエッジ及び第４のエッジは、サンプルの主（上）表面上で６０°～１２０°の範囲の角度で交差することができる。第４のエッジまでのミリングは、第３の切断面及び第４の切断面が第５のエッジで交差した状態で、テストサンプル上に第４の切断面を露出させることができる。したがって、第４の切断面を見ることにより、側壁傾斜を識別することができる。したがって、第４の切断面の第２のＳＥＭ画像を取得することができる。補償傾斜角は、第２の画像における第４のエッジの相対位置及び第５のエッジの相対位置から判定することができる。様々な実施例では、補償傾斜の判定は、ブロック４１０～４４０に使用されるのと同じ、又は異なるミリングツール及び撮像ツールを使用して行うことができる。いくつかの実施例では、テストサンプルは、メインサンプルとは別個の物理的対象である可能性があり、他の実施例では、テストサンプル動作及びメインサンプル動作は、共通のウェーハ上の別個の場所で実行することができる。

図４の説明は、単一のプロセッサについて述べることもあるが、図４の様々な動作、及びそのいくつかの拡張又は変形は、任意の組み合わせで、複数のプロセッサを使用して実行することができる。例えば、別個のプロセッサが、ミリングツールの制御、撮像ツールの制御、及び／又はＳＥＭ画像の計測を実行することができる。

図４の追加の変形は、特定の特徴を省略することができるか、又は、図１、３、若しくは５、又は本明細書の他の箇所との関連で説明された特徴を採用することができる。

サンプル処理の第３の例示的な方法及び例示的な段階
図５は、第３の例示的な方法のフローチャート５００である。この方法では、サンプルへのミリング動作が反復的に実行され、標的位置に対する現在のミリング状態を示す、サンプルの画像からのフィードバックによって導かれる。第３の方法は、一連の動作が行われるサンプルの図を示す、図６０１～６０４である図６Ａ～６Ｄを参照して、説明される。

図６Ａは、サンプル６０５の最初の上面図６０１を示す。マーキング６０６Ａ、マーキング６０６Ｂ（まとめて、参照構造６０６）は、上面図６０１で見ることができる。例解された実施例では、デバイス６０８がサンプル内に埋め込まれており、上面図では見えないことがあるため、ちょうネクタイ型のデバイス６０８はサンプル内で製造され、破線の輪郭線で示される。この例解的な実施例の目的は、デバイス６０８のくびれに対する（Ｙ軸６１２に沿った）公差範囲内で、ミルエッジを生成することであり得る。くびれは、マーキング６０６Ａ、マーキング６０６Ｂを結ぶ（Ｘ軸６１１と一致する）中心線と同じ高さである。各マーキングは、当技術分野で一般的であるように、十字の形状を有するように示されているが、他の形状を使用することもできる。

本方法はブロック５０１で開始し、そこから処理ブロック５１０で反復ループに入ることができる。ブロック５１０で、ミリング位置を設定することができる。例解すると、ミリング位置は、図１の軸１４１、軸１４２と同様であり得る、図６Ａの軸６１１、軸６１２に対するＹ座標であり得る。

ブロック５２０で、サンプルを上からミリングすることができ、これは、６０°以下の極角（図１の１２３と同様）を有するミリングビーム軸として、理解することができる。図６Ｂでは、ミリングされたトレンチ６２４が（スロット１５４と同様に）、本明細書の特定の例で説明される「第１のエッジ」、又は図１のエッジ１４８に対応する、エッジ６２８とともに、上面図に現れる。図６Ｂの他の特徴は、図６Ａとの関連で説明された特徴に対応する。様々な実施例では、ミリングは、ＦＩＢ又は別の種類のミリングツールを使用して行うことができる。

ブロック５３０で、例えば、６０°以下の極角（図１の１３３と同様）を有する視軸に沿って、サンプルを上から撮像することができる。画像は、図６Ｂに例解されるものと同様の特徴を描写することができる。しかしながら、いくつかの実施例では、破線の輪郭を有するデバイス６０８は、撮像された表面の下に埋め込まれているため、見えない場合がある。他の実施例では、対応する表面高さの変動により、埋め込まれたデバイス６０８の輪郭が見える場合がある。更なる実施例では、デバイス６０８を露出させるために、上面が予めエッチングされているため、デバイス６０８が見える場合がある。

ブロック５４０で、図６Ｃを参照すると、エッジ６２８から、参照構造６０６の中心線６３１のＹ座標とすることができる標的位置までの、距離６３５を測定することができる。いくつかの実施例では、距離６３５は、中心線６３１の中点６３０からエッジ６２８までの垂線６３２に沿って、測定することができる。他の実施例では、距離６３１は、マーキング６０６Ａの重心から、エッジ６２８の延長部６３８までの、垂線６３６に沿って測定することができる。代替的に、他の測定技術を使用することもできる。本明細書で説明するように、画像の短縮又はエッジ効果に対して、１つ以上の補正を適用することができる。

決定ブロック５５０で、反復ミリング手順が完了したかどうかをチェックすることができる。いくつかの実施例では、終了基準は、距離６３５が公差範囲内にあるかどうかであり得、他の実施例では、終了基準は、所定の反復回数に達したかどうかであり得る。複合終了基準を使用することができる。例解すると、距離６３１が［－２ｎｍ、＋５ｎｍ］以内であるか、又は、３回の反復の後か、いずれか早い方が成立すると、反復ループを終了することができる。

ループ反復が完了していないと判定されると、本方法は、決定ブロック５５０から処理ブロック５６０へのＮ分岐をたどることができ、ここで新しいミリング位置を判定することができる。例えば、新しいミリング位置は、直前の（例えば、ブロック５１０での）ミリング位置、及び測定距離６３５に基づくことができる。様々な例では、本明細書で説明するように、線形スケーリング、又はエッジ効果の補正を適用することができる。本方法は、ブロック５１０に戻って、例えば、ミリングツールの制御パラメータ、又は、サンプルを支持する並進ステージの制御パラメータを設定することによって、新しいミリング位置を設定することができる。

決定ブロック５５０はまた、ループ反復が完了したという判定をもたらすこともできる。場合によっては、ブロック５１０～５４０を１回通過した後に反復を完了することができるが、他の場合には、ループ反復の完了前に、２回、３回、４回、又はそれ以上の反復を実行する可能性がある。最終的に終了基準を満たすと、本方法は、ブロック５５０から、ブロック５６０又はブロック５７０のいずれかへのＹ分岐をたどることができる。

図６Ｄは、ブロック５５０からのＹ分岐を介して反復ループから出たときの、サンプル６０５の上面図６５１、（切断線６６２を通る）正面断面図６５２、及び（切断線６６３を通る）側面断面図６５３を示す。例解されるように、トレンチ６４４は、図６Ｂのトレンチ６２４に対して拡大されており、エッジ６４８は、参照構造６０６の中心線（図６Ｄに図示せず、図６Ｃの６３１を参照）と位置合わせされている。正面断面図６５２は、（１５８と同様の）デバイス６０８が露出された、（１５６と同様の）切断面６４６を示す。これらの特徴は、側面断面図６５３でも見ることができる。

いくつかの実施例では、ブロック５３０で使用される撮像装置は、任意選択的な処理ブロック５６０（破線の輪郭線で示される）で回転させることができる。例解すると、ブロック５３０の視軸は、視軸１３５と同様に、０°に近い（例えば、５°未満、又は１０°未満の）極角を有することができ、視軸は、ブロック５７０では、視軸１３７と同様に、４５°～５２°の範囲の極角に回転することができる。他の実施例では、ブロック５３０で、１３７と同様の視軸を使用することができ、ブロック５７０で、撮像ツールの視軸を、切断面（例えば、１５６）の法線（例えば、軸１４２）に近づけるために、方位角回転を実行することができる。本明細書で説明するように、視軸の回転は、撮像ツール１３０を回転させるか、サンプルが載置されるステージ１５０を回転させるか、又は、複数の回転の組み合わせかの、いずれかによって、サンプルに対して行うことができる。任意選択的に、ブロック５７０で相対的な並進も実行することができる。しかしながら、他の実施例では、４０°～６０°の範囲の極角（例えば、１３３）を有する視軸は、ブロック５３０での上面撮像、及び、その後の切断面の撮像の両方に対して、十分な撮像精度及び解像度を提供することができる。そのような実施例では、ブロック５７０を省略することができる。

好適な撮像の視軸（ブロック５７０の有無に関わらず）が得られれば、処理ブロック５８０で、サンプルの切断面を撮像することができる。具体的には、ブロック５３０、ブロック５８０で、同じ撮像ツールを使用することができる。しかしながら、これは要件ではなく、いくつかの実施例では、ブロック５３０、ブロック５８０に、異なる撮像ツールを使用することができる。特定の実施例では、ブロック５８０での撮像は、処理ブロック５２０でミリングに使用される、ＦＩＢツールによって実行することができる。撮像に対して追加的又は代替的に、ブロック５８０で、他の分析動作又はプロセス動作を切断面に実行することができる。

開示された技術の範囲内で、第３の方法の多数の変形及び拡張を実施することができる。いくつかの実施例では、固定標的値に収束するために、ブロック５１０～５４０を２回（又は、それより少ない回数、若しくは多い回数）実行することができる。そのような反復は、デバイス６０８の製造又は分析のために実行することができる。

他の実施例では、ブロック５１０～５４０を反復的に実行して、一連の標的位置をステップ実行することができる。例えば、分析は、デバイス６０８に対し、デバイス６０８のＹ方向に沿った一連の切断面で実行することができる。例解として、２０ｎｍ間隔であるＹ＝｛－６０ｎｍ、－４０ｎｍ、－２０ｎｍ、０ｎｍ、…、＋６０ｎｍ｝で、デバイス６０８の断面を分析することが所望され得、予備ミリング動作が、Ｙ＝－７５ｎｍ（例えば、第１のパス、ブロック５１０、ブロック５２０）に到達することができる。第１の標的位置までの距離は、－６０ｎｍ－（－７５ｎｍ）＝＋１５ｎｍ（第１のパス、ブロック５３０、ブロック５４０）として測定することができ、ループはブロック５６０、ブロック５１０、ブロック５２０を反復して、Ｙ＝－６２ｎｍに到達できる。この例解図では、これは第１の標的位置Ｙ＝－６０ｎｍの公差範囲内にある。次に、第２のパスで、ブロック５３０とブロック５６０との間で、次の標的位置（－４０ｎｍ）までの距離を測定することができ、これは、＋２２ｎｍである。加えて、ブロック５８０と同様の撮像又は他の動作は、第３のパス、ブロック５２０で、更なるミリングを続ける前に実行することができる。例解的には、第３のパスは、第２の標的（－４０ｎｍ）の公差域内に留まりながら、Ｙ＝－３９ｎｍまでオーバーシュートすることができる。したがって、第３のパスでは、第３の標的（－２０ｎｍ）までの距離＋１９ｎｍを判定することができ（第３のパス、ブロック５３０、ブロック５４０）、第２の標的位置（－４０ｎｍ）に対する撮像又は他の動作を、次のミリング動作（第４のパス、ブロック５２０）が、第３の標的位置（－２０ｎｍ）に到達しようとする前に、実行することができる。したがって、連続する反復では、Ｙ＝｛－６０ｎｍ，…＋６０ｎｍ｝（所定の公差内まで）で、所望の一連の断面をステップ実行し、各断面で画像を取得するか、又は、他の分析を実行することができる。様々な実施例では、ブロック５２０、及び、連続する切断面の撮像の両方に、固定された視軸配向を使用することができる。各断面で実行される撮像又は分析は、ブロック５２０で使用される撮像装置とは異なるツールを使用でき、又は、上面の撮像及び切断面の撮像に最適な視軸間で、撮像ツールを正逆回転させることができる。

更なる実施例では、ブロック５１０～５４０の追加の反復を、所望の断面のうちの１つ以上の位置で収束させるために、実行することができる。

図５～６の追加の変形は、特定の特徴を省略することができるか、又は、図１若しくは図３～４、又は本明細書の他の箇所との関連で説明された特徴を採用することができる。

用途例
図７は、開示された技術の第１の用途の上面図７０１及び立面図７０２を示す。この用途では、標的位置、又は標的位置からの公差域内のエッジを取得するために、１つの側面からミリングが実行される。サンプル７５０は、参照構造７０６の２つのマーキングが見える、上面７５２を有する。スロット７５４はエッジ７４８までミリングされており、切断面７５６を露出させている。開示された技術により、エッジ７４８は、参照構造７０６に対して正確に配置することができる。

図７の用途は、製造ワークフロー及び分析ワークフローの両方に好適であり得る。いくつかの実施例では、製造されたデバイスは、標的位置の所定の公差内までミリングすることができる。つまり、開示された技術によるミリングは、製品で使用するための正確に製造されたデバイスを生成することができる。このような製品は、磁気記憶装置、半導体レーザ、又は、同調発振器などのマイクロ電気機械構造（ＭＥＭＳ）用の、読み書きトランスデューサを含み得る。他の実施例では、撮像手順、計測手順、又は他の分析手順用に、デバイスの内部を露出させるために、ミリングを破壊的に適用することができる。例えば、ドーピングプロファイルは、デバイスの正確に位置付けされたスライス（切断面）にわたって測定することができる。分析は、読み書きトランスデューサ、レーザモジュール、半導体チップ、ＭＥＭＳデバイス、センサ、又はナノ構造を含む、能動電子デバイス又は受動電子デバイスで、実行することができる。

図８は、開示された技術の第２の用途の上面図８０１及び立面図８０２を示す。この用途では、参照構造に対してそれぞれの公差域内にエッジを配置するために、２つの側面からミリングが実行される。サンプル８５０は、参照構造８０６が見える、上面８５２を有する。スロット８５４、スロット８５５は、エッジ８４８、エッジ８４９までミリングされ、２つの切断面を露出させており、そのうちの一方８５６を立面図８０２で見ることができる。開示された技術により、エッジ８４８、エッジ８４９は、参照構造８０６に対して正確に配置することができ、所望の厚さのラメラを正確に生成することができる。

図８の用途は、製造ワークフロー及び分析ワークフローの両方に好適であり得る。いくつかの実施例では、製造されたデバイスは、サンプル８５０内の特定の位置で、所定の厚さに正確にミリングすることができる。このような製品は、ＭＥＭＳ共振器、薄膜センサ、又はサンプリングプローブ用の、ラメラ又は他の膜を含み得る。他の実施例では、ＴＥＭ手順、又は他の分析手順用に、ラメラを露出させ発達させるために、ミリングを破壊的に適用することができる。開示された技術を使用したラメラ調製に好適なサンプルは、ＭＥＭＳ製造技術、フォトリソグラフィ製造技術、又はエピタキシャル製造技術を使用する多くの分野で発生し得る。サンプルは、半導体材料、光学材料、オプトエレクトロニクス材料、ＭＥＭＳ材料、又は先端材料を含み得る。

一般化されたコンピュータ環境
図９は、例えば、ミリング位置をシフトする量を判定することにより、顕微鏡的フィードバックをミリング手順に統合するために、説明された実施例、技法、及び技術を実施することができる、好適なコンピューティングシステム９００の一般化された例を例解する。コンピューティングシステム９００は、多様な汎用コンピューティングシステム又は専用コンピューティングシステムで本技術革新を実施することができるため、本開示の使用範囲又は機能範囲に関するいかなる制限を示唆することを意図したものではない。コンピューティングシステム９００は、ＳＥＭ撮像ツール、ＦＩＢミリングツール、ステージ、分析機器、若しくは他の同様の機器を制御することができ、サンプルを表す画像若しくは他の取得データに対する、計測若しくは他の分析を実行することができ、ステージに載置されたサンプルと、電子ビーム若しくはイオンビームとの間に、傾斜若しくは方位角回転を適用するための、ステージ、イオンビームカラム、若しくは電子ビームカラムを制御することができ、又は、測定データの取得、処理、出力、若しくは記憶、を行うことができる。

図９を参照すると、コンピューティング環境９１０は、１つ以上の処理装置９２２及びメモリ９２４を含む。図９では、この基本構成９２０が破線内に含まれる。処理装置９２２は、制御、計測、又は、本明細書に記載の他の機能などのための、コンピュータ実行可能命令を実行することができる。処理装置９２２は、汎用中央処理装置（ＣＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内のプロセッサ、又は任意の他の種類のプロセッサであり得る。マルチ処理システムでは、処理能力を増加させるために、複数の処理装置がコンピュータ実行可能命令を実行する。コンピューティング環境９１０はまた、グラフィックス処理装置又は共処理装置９３０を含むことができる。有形メモリ９２４は、処理装置９２２、処理装置９３０によってアクセス可能な、揮発性メモリ（例えば、レジスタ、キャッシュ、又はＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、又はフラッシュメモリ）、又はそれらのいくつかの組み合わせであり得る。メモリ９２４は、処理装置９２２、処理装置９３０による実行に好適なコンピュータ実行可能命令の形式で、本明細書に記載の１つ以上の技術革新を実施するソフトウェア９８０を記憶する。例えば、ソフトウェア９８０は、ＳＥＭ若しくは他の撮像ツールを制御するためのソフトウェア９８１、ＦＩＢ若しくは他のミリングツールを制御するためのソフトウェア９８２、サンプルが支持されるステージを制御するためのソフトウェア９８３、サンプルデータの計測若しくは他の分析を実行するためのソフトウェア９８４、又は、他のソフトウェア９８５（ユーザインタフェース、ホストインタフェース、若しくは障害検出を含む）を含むことができる。記憶装置９４０内のソフトウェア９８０について示される挿入図は、図９の他の場所のソフトウェア９８０にも同様に適用可能である。メモリ９２４はまた、制御パラメータ、較正データ、測定データ、他のデータベースデータ、構成データ、又は動作データを記憶することができる。

コンピューティングシステム９１０は、記憶装置９４０、入力デバイス９５０、出力デバイス９６０、又は通信ポート９７０のうちの１つ以上などの、追加機能を有することができる。バス、コントローラ、又はネットワークなどの相互接続メカニズム（図示せず）は、コンピューティング環境９１０の構成要素を相互接続する。典型的には、オペレーティングシステムソフトウェア（図示せず）は、コンピューティング環境９１０で実行する他のソフトウェア９８０に、オペレーティング環境を提供し、コンピューティング環境９１０の構成要素の動作を調整する。

有形記憶装置９４０は、取り外し可能又は取り外し不可能であり得、磁気ディスク、磁気テープ若しくはカセット、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、又は、非一時的な方法で情報を記憶するために使用でき、かつ、コンピューティング環境内９１０でアクセス可能な、任意の他の媒体を含む。記憶装置９４０は、本明細書に記載の１つ以上の技術革新を実施するソフトウェア９８０の命令（命令及び／又はデータを含む）を記憶する。記憶装置９４０はまた、画像データ、測定データ、ワークフロープログラム、参照データ、較正データ、構成データ、サンプルデータ、又は、本明細書に記載の他のデータベース若しくは他のデータ構造を記憶することができる。

入力デバイス９５０は、キーボード、マウス、ペン、タッチスクリーン、若しくはトラックボールなどの、機械式、タッチ感知式、若しくは近接感知式の入力デバイス、音声入力デバイス、スキャンデバイス、又は、コンピューティング環境９１０への入力を提供する別のデバイス、であり得る。出力デバイス９６０は、ディスプレイ、プリンタ、スピーカ、光ディスク書き込み装置、又は、コンピューティング環境９１０からの出力を提供する別のデバイス、であり得る。入力又は出力は、通信ポート９７０を介して、ネットワーク接続で、遠隔デバイスとの間で通信することもできる。

通信ポート９７０は、通信媒体を介した、別のコンピューティングエンティティへの通信を可能にする。通信媒体は、コンピュータ実行可能命令、オーディオ入力／出力若しくはビデオ入力／出力、又は、変調データ信号内の他のデータなどの情報を伝達する。変調データ信号は、信号内の情報を符号化するような方法で設定又は変更された、特性のうちの１つ以上を有する信号である。限定ではなく一例として、通信媒体は、電気搬送波、光搬送波、ＲＦ搬送波、音響搬送波、又は他の搬送波を使用することができる。

データ取得システムは、入力デバイス９５０として、又は、通信ポート９７０に結合されてのいずれかで、コンピューティング環境９１０に統合されることができ、アナログデジタル変換器、又は計装バスへの接続を含むことができる。計装制御システムは、出力デバイス９６０として、又は、通信ポート９７０に結合されてのいずれかで、コンピューティング環境９１０に統合されることができ、デジタルアナログ変換器、スイッチ、又は、計装バスへの接続を含むことができる。

いくつかの実施例では、コンピュータシステム９００はまた、開示された技術の全部又は一部を実行する命令が実装される、コンピューティングクラウド９９０を含むことができる。メモリ９２４、記憶装置９４０、及びコンピューティングクラウド９９０の任意の組み合わせを使用して、開示された技術のソフトウェア命令及びデータを記憶することができる。

本技術革新は、プログラムモジュールに含まれる命令などの、標的の実プロセッサ又は仮想プロセッサ上のコンピューティングシステムで実行される、コンピュータ実行可能命令の一般的な状況で説明することができる。一般に、プログラムモジュール又はプログラムコンポーネントは、特定のタスクを実行するか、又は、特定のデータ型を実装する、ルーチン、プログラム、ライブラリ、オブジェクト、クラス、コンポーネント、データ構造などを含む。プログラムモジュールの機能は、様々な実施形態で所望通りに、プログラムモジュール間で組み合わせ又は分割することができる。プログラムモジュールのコンピュータ実行可能命令は、ローカルコンピューティングシステム又は分散コンピューティングシステム内で実行できる。

「コンピューティングシステム」、「コンピューティング環境」、及び「コンピューティングデバイス」という用語は、本明細書では交換可能に使用される。文脈上明確に別段の指示がない限り、いずれの用語もコンピューティングシステム、コンピューティング環境、又はコンピューティングデバイスの種類を限定するものではない。一般に、コンピューティングシステム、コンピューティング環境、又はコンピューティングデバイスは、ローカル型又は分散型であり得、専用ハードウェア及び／又は汎用ハードウェア及び／又は仮想化ハードウェアの任意の組み合わせを、本明細書で説明する機能を実装するソフトウェアとともに、含むことができる。

一般的な考慮事項
本出願及び特許請求の範囲において使用される、「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」という単数形は、文脈上他に明確に指示されない限り、複数形も含む。加えて、「含む」という用語は、「備える」を意味する。更に、「結合された」という用語は、結合された項目間の中間要素の存在を排除するものではない。更に、本明細書で使用される「又は」及び「及び／又は」という用語は、句中の任意の１つの項目、又は項目の組み合わせを意味する。

本明細書に記載のシステム、装置、及び方法は、いかなる方法によっても制限的なものとして解釈されるべきではない。代わりに、本開示は、単独で、並びに相互の様々な組み合わせ及び部分的な組み合わせにおいて、様々な開示された実施形態の全ての新規かつ非自明な特徴及び態様を対象とする。開示されたシステム、方法、及び装置は、任意の特定の態様若しくは特徴又はそれらの組み合わせに限定されるものではなく、開示されたシステム、方法、及び装置は、任意の１つ以上の特定の利点が存在すべきである、又は問題が解決されるべきであることも必要としない。任意の実施例の技術は、他の実施例のうちの任意の１つ以上で記載された技術と組み合わせることができる。いずれの動作理論も説明を容易にするためであるが、開示されたシステム、方法、及び装置は、そのような動作理論に限定されない。

開示された方法のいくつかの動作は、便宜的な提示のため、特定の順番で記載されているが、以下に記載される具体的な用語によって特定の順序が要求されない限り、この説明様式が並び替えを包含することを理解されたい。例えば、順次記載される動作は、場合によっては、並び替えられ得るか、又は同時に実行され得る。更に、単純化のために、添付の図は、開示されたシステム、方法、及び装置を、他のシステム、方法、及び装置とともに使用することができる様々な方式を示していない場合がある。更に、説明では、開示された方法を説明するために、「取得する」、「適用する」、「補正する」、「判定する」、又は「生成する」などの用語を使用することがある。これらの用語は、実行される実際の動作の高レベルの抽象化である。これらの用語に対応する実際の動作は、特定の実施態様に応じて、様々であり、当業者には容易に認識可能である。

いくつかの実施例では、値、手順、又は装置は、「最低」、「最良」、「最大」、「最適」、「極値」などと形容される。そのような記述は、少数の又は多くの代替物からの選択が可能であることを示すことを意図しており、そのような選択は、より低い、より良い、より少ない、又は、他の点で他の選択肢よりも好ましい必要はないことが理解されよう。

本開示の装置又は方法を参照して本明細書に提示される動作理論、科学的原理、又は他の理論的説明は、理解を深めるために提供されたものであり、範囲を限定することを意図するものではない。別記の特許請求の範囲における装置及び方法は、そのような動作理論によって説明される方法で機能する装置及び方法に限定されない。

開示された方法のいずれも、有形の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体などの１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体に記憶され、コンピューティングデバイス（例えば、タブレット、スマートフォン、又は、コンピューティングハードウェアを含んだ他のモバイルデバイスを含む、任意の利用可能なコンピューティングデバイス）上で実行される、コンピュータ実行可能命令又はコンピュータプログラム製品によって制御され得るか、又は、コンピュータ実行可能命令又はコンピュータプログラム製品として実施され得る。有形のコンピュータ可読記憶媒体は、コンピューティング環境内でアクセスされ得る利用可能な有形の媒体である（例えば、ＤＶＤ若しくはＣＤなどの１つ以上の光メディアディスク、（ＤＲＡＭ若しくはＳＲＡＭなどの）揮発性メモリコンポーネント、又は、（フラッシュメモリ若しくはハードドライブなどの）不揮発性メモリコンポーネント））。例として、図９を参照すると、コンピュータ可読記憶媒体は、メモリ９２４及び記憶装置９４０を含む。コンピュータ可読媒体又はコンピュータ可読記憶媒体という用語は、信号及び搬送波を含まない。更に、コンピュータ可読媒体又はコンピュータ可読記憶媒体という用語は、通信ポート（例えば、９７０）を含まない。

開示された実施形態の実施中に作成及び使用されるいずれかのデータだけでなく、開示された技術を実施するためのコンピュータ実行可能命令のいずれも、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体に記憶することができる。コンピュータ実行可能命令は、例えば、専用ソフトウェアアプリケーション、又は、ウェブブラウザ、若しくは（遠隔コンピューティングアプリケーションなどの）他のソフトウェアアプリケーションを介してアクセス若しくはダウンロードされる、ソフトウェアアプリケーションの一部であり得る。そのようなソフトウェアは、例えば、単一のローカルコンピュータ（例えば、任意の好適な市販のコンピュータ）上で、又は、１つ以上のネットワークコンピュータを使用するネットワーク環境（例えば、インターネット、広域ネットワーク、ローカルエリアネットワーク、クライアントサーバネットワーク、クラウドコンピューティングネットワーク、若しくは他のそのようなネットワークを介して）で実行することができる。

明確にするために、ソフトウェアベースの実施のうちの、特定の選択された態様だけが説明される。当技術分野で周知の他の詳細は、省略される。例えば、開示された技術は、特定のコンピュータ言語又はプログラムに限定されないことを理解されたい。例えば、開示された技術は、Ａｄｏｂｅ Ｆｌａｓｈ、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、Ｃｕｒｌ、Ｄａｒｔ、Ｆｏｒｔｒａｎ、Ｊａｖａ、ＪａｖａＳｃｒｉｐｔ、Ｊｕｌｉａ、Ｌｉｓｐ、Ｍａｔｌａｂ、Ｏｃｔａｖｅ、Ｐｅｒｌ、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｑｔ、Ｒ、Ｒｕｂｙ、ＳＡＳ、ＳＰＳＳ、ＳＱＬ、ＷｅｂＡｓｓｅｍｂｌｙ、それらの任意の派生物、若しくは任意の他の好適なプログラミング言語で、又は、いくつかの実施例では、ＨＴＭＬ若しくはＸＭＬなどのマークアップ言語、又は、好適な言語、ライブラリ、及びパッケージの任意の組み合わせで書かれたソフトウェアによって実施され得る。同様に、開示された技術は、特定のコンピュータ、又はハードウェアの種類に限定されない。好適なコンピュータ及びハードウェアの特定の詳細はよく知られており、本開示で詳細に説明する必要はない。

更に、ソフトウェアベースの実施形態のいずれか（例えば、開示された方法のいずれかをコンピュータに実行させるための、コンピュータ実行可能命令を含む）は、好適な通信手段を通して、アップロード、ダウンロード、サイドロード、又は遠隔アクセスされ得る。このような好適な通信手段は、例えば、インターネット、ワールドワイドウェブ、イントラネット、ソフトウェアアプリケーション、ケーブル（光ファイバケーブルを含む）、磁気通信、電磁通信（ＲＦ通信、マイクロ波通信、赤外線通信、及び光通信を含む）、電子通信、又は、他のそのような通信手段を含む。

本開示の主題の原理が適用され得る、多数の可能な実施形態を考慮すると、例解された実施形態は、好ましい実施例であるにすぎず、本特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないと認識すべきである。むしろ、特許請求される主題の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定義される。したがって、本出願人は、これらの特許請求の範囲に含まれる全てのものを特許請求する。

追加の実施例
以下の番号付きの段落は、開示された技術の追加の実施例を説明している。いかなる段落に属する利点も、それらに従属するいかなる段落にも同様に適用可能である。

Ａ１．装置であって、第１の粒子ビームを使用して、サンプルをミリングするように構成された、ミリングツールと、第２の粒子ビームを使用して、サンプルの１つ以上の画像を生成するように構成された、撮像ツールと、コントローラであって、制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせることと、第１のエッジと標的位置との間の距離に基づいた量だけ第１の値から変更された、制御パラメータの第２の値を判定することであって、距離が、撮像ツールによって取得された、サンプルの表面の画像から判定される、判定することと、制御パラメータの第２の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第２のエッジまでミリングさせることと、を行うように構成された、コントローラと、を備える、装置。この装置は、撮像ツールからのフィードバックがない場合よりも、より正確に第２のエッジを有利に配置することができる。

Ａ２．第１の粒子ビーム及び第２の粒子ビームが、異なるそれぞれの種を含む、段落Ａ１に記載の装置。この装置は、第２の粒子ビームの粒子種の優れた撮像解像度を有利に使用して、第１の粒子ビームによるミリングの精度を改善させることができる。

Ａ３．第１の粒子ビームが、集束イオンビーム（ＦＩＢ）であり、撮像ツールが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を備える、段落Ａ１又はＡ２に記載の装置。この装置は、ＳＥＭの優れた撮像解像度を有利に使用して、ＦＩＢによるミリングの精度を改善させることができる。

Ａ４．画像が、第１の画像であり、第２のエッジまでのミリングが、サンプルの切断面を露出させ、コントローラが、撮像ツールに、サンプルの切断面の第２の画像を取得させるように更に構成されている、段落Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の装置。この装置は、撮像ツールからのフィードバックがない場合よりも正確に配置された切断面で、第２の画像を有利に取得することができる。

Ａ５．撮像ツールの視軸の配向が、第１の画像及び第２の画像に共通である、段落Ａ４に記載の装置。この装置は、ミリング手順にフィードバックを有利に提供することができ、視軸を変更する余分な動作なしに、第２の画像を取得することができる。

Ａ６．コントローラが、第１の画像の取得と第２の画像の取得との間で、撮像ツールの視軸を、サンプルに対して回転させるように構成されている、段落Ａ４に記載の装置。この装置は、各画像に対して最適化された視軸を有する、第１の画像及び第２の画像を有利に取得することができる。

Ａ７．撮像ツールの視軸が、第１の画像を取得するための表面の法線の１０°以内であり、かつ、第２の画像を取得するための表面の法線から４０°～６０°の範囲内にある、段落Ａ６に記載の装置。この装置構成は、各ツールに必要な立体角を有利に低減させるため、より多くのツールが、それぞれのポートを通してサンプル又はサンプルチャンバにアクセスすることができるようになる。

Ａ８．制御パラメータが、表面に沿い、かつ、第１のエッジに垂直な方向における、ミリングツールのスイープ位置を判定する、段落Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の装置。この装置構成は、垂直方向のミルエッジ座標の精度を有利に改善させる。

Ｂ１．方法であって、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から、サンプルの表面の画像を取得することと、画像内のミリングされたエッジの相対位置、及び参照構造の相対位置に基づいて、ミリング位置をシフトする距離を判定することと、距離を記憶することと、を含み、記憶された距離は、後続のミリング動作中に、ミリングされたエッジを、参照構造との所定の空間関係にシフトするために使用可能である、方法。この方法は、ＳＥＭ画像からのフィードバックがない場合よりも正確に第２のエッジを、有利に配置することを可能にすることができる。

Ｂ２．画像が、第１の画像であり、方法が、ＳＥＭから、後続のミリング動作によって露出された切断面の、第２の画像を取得することを更に含む、段落Ｂ１に記載の方法。この方法は、第１のＳＥＭ画像を使用して、フィードバックなしよりも正確に配置された切断面で、第２の画像を有利に取得することができる。

Ｂ３．距離が第１の距離であり、（ｉ）参照構造によって定義されたデータムから、（ｉｉ）シフトされてミリングされたエッジを含む線までの、第２の距離について、所定の空間関係が、第２の距離の公差範囲である、段落Ｂ１又はＢ２に記載の方法。この方法は、ＳＥＭ画像からのフィードバックがない場合よりも、より厳しい公差範囲を有利に満たすことができるか、又は、公差範囲を満たす可能性を増加させることができる。

Ｂ４．距離が、第１の距離であり、第１の距離を判定することが、参照構造の中心座標から、ミリングされたエッジを含む線までの、第２の距離を判定することと、線形スケーリングを第２の距離に適用して、第１の距離を取得することと、を更に含む、段落Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の方法。この方法は、画像の短縮又はエッジ効果を有利に補正することができ、アンダーシュートの可能性を増加させることができ、又はオーバーシュートの可能性を減少させることができる。

Ｂ５．参照構造が２つの別個のマーキングを含み、参照構造の重心が、後続のミリング動作によって露出される、サンプル内の標的デバイスの位置を特定する、段落Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の方法。この方法は、単一の参照マーキングを使用する場合と比較して、標的デバイスを識別する精度を有利に改善させることができる。

Ｂ６．所定の空間関係が、参照構造の重心に関する公差域である、段落Ｂ５に記載の方法。この方法は、ＳＥＭ画像からのフィードバックがない場合よりも、より小さな公差域を有利に達成することができるか、又は、公差域を達成する可能性を増加させることができる。

Ｂ７．終了条件が満たされるまで、後続のミリング動作を含む、それぞれのミリング動作の後で、取得する動作及び判定する動作を繰り返すことを更に含む、段落Ｂ１～Ｂ６のいずれか１つに記載の方法。この方法は、固定された標的位置への反復収束を有利に提供することができ、又は、一連の標的位置を有利にステップ実行することができる。

Ｂ８．繰り返される動作が、サンプル上の所与の標的位置への収束を提供する、段落Ｂ７に記載の方法。この方法は、標的位置に正確に到達する際のオーバーシュートの可能性を有利に低減することができる。

Ｂ９．繰り返される動作が、サンプル上の一連の標的位置を連続的に標的にする、段落Ｂ７に記載の方法。この方法は、例えば、分析のために、サンプル内の一連の切断面を露出する精度を有利に改善させることができる。

Ｂ１０．方法が、第１のエッジにおけるエッジ効果に対して、距離を補正することを更に含む、段落Ｂ１～Ｂ９のいずれか１つに記載の方法。この方法は、距離判定の改善された精度を有利に提供することができる。

Ｂ１１．サンプルが、読み書きトランスデューサを含む、段落Ｂ１～Ｂ１０のいずれか１つに記載の方法。この方法は、製造された読み書きトランスデューサの改善された寸法制御を有利に提供することができる。

Ｂ１２．サンプルが、透過電子顕微鏡法用のラメラを含む、段落Ｂ１～Ｂ１１のいずれか１つに記載の方法。この方法は、ＴＥＭラメラの改善された厚さ制御を有利に提供することができる。

Ｂ１３．集束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用して、後続のミリング動作を実行することを更に含む、段落Ｂ１～Ｂ１２のいずれか１つに記載の方法。この方法は、その後のＦＩＢミリング動作の精度を有利に改善させることができる。

Ｃ１．内部に定義された実行可能命令を有する、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体であって、実行可能命令が、１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、１つ以上のプロセッサを作動させて、制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせることと、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から、サンプルの表面上の、第１のエッジ及び参照構造を描画する画像を取得することと、第１の値、並びに、画像内の、第１のエッジの相対位置及び参照構造の相対位置に基づいて、制御パラメータの第２の値を判定することと、制御パラメータの第２の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第２のエッジまでミリングさせることと、を行う、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。この技術は、ＳＥＭから取得された画像を使用しない場合よりも正確に、第２のエッジを有利に配置することができる。

Ｃ２．制御パラメータの第２の値を判定することが、ＳＥＭの視軸と、サンプルの表面の法線との間の角度の補正を適用することを含む、段落Ｃ１に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。この方法は、画像の短縮を有利に補正することができる。

Ｃ３．表面が、サンプルの主表面であり、第１のエッジが、主表面と、第１のエッジまでのミリングによって露出された切断面との間の境界であり、切断面と主表面との間の二面角が、６０°～１２０°の範囲である、段落Ｃ１又はＣ２に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。この技術は、サンプルの上面に直交するか、又はそのような直交の３０°以内にある切断面の配置を有利に改善することができる。

Ｃ４．サンプルを第１のエッジ及び第２のエッジまでミリングすることが、サンプルの第１の切断面及び第２の切断面をそれぞれ露出させ、命令が、更にプロセッサを作動させて、第１のエッジまでミリングすることの前に、ミリングツールと、サンプルが載置されるステージとの間に、補償傾斜を適用させ、補償傾斜が、（ｉ）第２の切断面と、（ｉｉ）サンプルの表面の残りの部分との間の二面角を、所定の範囲内であるように制御する、段落Ｃ１～Ｃ３のいずれか１つに記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。この技術は、側壁傾斜を有利に補償して、切断面の配向の精度を改善させることができる。

Ｃ５．サンプルが、第１のサンプルであり、画像が、第１の画像であり、ＳＥＭが、第１のＳＥＭであり、命令が、更にプロセッサを作動させて、ミリングツールに第２のサンプルを第３のエッジまでミリングさせて、第２のサンプルの第３の切断面を露出させることと、ミリングツールに第２のサンプルを第４のエッジまでミリングさせて、それによって、第２のサンプルの第４の切断面を露出させることであって、第３のエッジ及び第４のエッジが、第２のサンプルの主表面上で６０°～１２０°（両端値を含む）の角度をなし、第３の切断面及び第４の切断面が、第５のエッジで交差する、露出させることと、第２のＳＥＭから、第４の切断面の第２の画像を取得することと、第２の画像の第４のエッジの相対位置及び第５のエッジの相対位置から、補償傾斜角を判定することと、を行う、段落Ｃ４に記載の１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体。この技術は、第２のサンプルを有利に使用して、切断面の配向の精度を改善させることができる。

Claims (26)

1. 装置であって、
   第１の粒子ビームを使用して、サンプルをミリングするように構成された、ミリングツールと、
   第２の粒子ビームを使用して、前記サンプルの１つ以上の画像を生成するように構成された、撮像ツールと、
   コントローラであって、
   制御パラメータの第１の値を使用して、前記ミリングツールに前記サンプルを第１のエッジまでミリングさせることと、
   前記第１のエッジと標的位置との間の距離に基づいた量だけ前記第１の値から変更された、前記制御パラメータの第２の値を判定することであって、前記距離が、前記撮像ツールによって取得された、前記サンプルの表面の画像から判定される、判定することと、
   前記制御パラメータの前記第２の値を使用して、前記ミリングツールに前記サンプルを第２のエッジまでミリングさせることと、を行うように構成された、コントローラと、を備える、装置。
2. 前記第１の粒子ビーム及び前記第２の粒子ビームが、異なるそれぞれの種を含む、請求項１に記載の装置。
3. 前記第１の粒子ビームが、集束イオンビーム（ＦＩＢ）であり、前記撮像ツールが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記画像が、第１の画像であり、前記第２のエッジまでの前記ミリングが、前記サンプルの切断面を露出させ、前記コントローラが、
   前記撮像ツールに、前記サンプルの前記切断面の第２の画像を取得させるように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
5. 前記撮像ツールの視軸の配向が、前記第１の画像及び前記第２の画像に共通である、請求項４に記載の装置。
6. 前記コントローラが、前記第１の画像の取得と前記第２の画像の取得との間で、前記撮像ツールの視軸を、前記サンプルに対して回転させるように構成されている、請求項４に記載の装置。
7. 前記撮像ツールの前記視軸が、前記第１の画像を取得するための前記表面の法線の１０°以内であり、かつ、前記第２の画像を取得するための前記表面の前記法線から４０°～６０°の範囲内にある、請求項６に記載の装置。
8. 前記制御パラメータが、前記表面に沿い、かつ、前記第１のエッジに垂直な方向における、前記ミリングツールのスイープ位置を判定する、請求項１に記載の装置。
9. 方法であって、
   走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から、サンプルの表面の画像を取得することと、
   前記画像内のミリングされたエッジの相対位置、及び参照構造の相対位置に基づいて、ミリング位置をシフトする距離を判定することと、
   前記距離を記憶することと、を含み、
   前記記憶された距離は、後続のミリング動作中に、前記ミリングされたエッジを、前記参照構造との所定の空間関係にシフトするために使用可能である、方法。
10. 前記画像が、第１の画像であり、前記方法が、
    前記ＳＥＭから、前記後続のミリング動作によって露出された切断面の、第２の画像を取得することを更に含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記距離が第１の距離であり、（ｉ）前記参照構造によって定義されたデータムから、（ｉｉ）前記シフトされてミリングされたエッジを含む線までの、第２の距離について、前記所定の空間関係が、前記第２の距離の公差範囲である、請求項９に記載の方法。
12. 前記距離が、第１の距離であり、前記第１の距離を前記判定することが、
    前記参照構造の中心座標から、前記ミリングされたエッジを含む線までの、第２の距離を判定することと、
    線形スケーリングを前記第２の距離に適用して、前記第１の距離を取得することと、を更に含む、請求項９に記載の方法。
13. 前記参照構造が２つの別個のマーキングを含み、前記参照構造の重心が、前記後続のミリング動作によって露出される、前記サンプル内の標的デバイスの位置を特定する、請求項９に記載の方法。
14. 前記所定の空間関係が、前記参照構造の前記重心に関する公差域である、請求項１３に記載の方法。
15. 終了条件が満たされるまで、前記後続のミリング動作を含む、それぞれのミリング動作の後で、前記取得する動作及び前記判定する動作を繰り返すことを更に含む、請求項９に記載の方法。
16. 前記繰り返される動作が、前記サンプル上の所与の標的位置への収束を提供する、請求項１５に記載の方法。
17. 前記繰り返される動作が、前記サンプル上の一連の標的位置を連続的に標的にする、請求項１５に記載の方法。
18. 前記方法が、
    第１のエッジにおけるエッジ効果に対して、前記距離を補正することを更に含む、請求項９に記載の方法。
19. 前記サンプルが、読み書きトランスデューサを含む、請求項９に記載の方法。
20. 前記サンプルが、透過電子顕微鏡法用のラメラを含む、請求項９に記載の方法。
21. 集束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用して、前記後続のミリング動作を実行することを更に含む、請求項９に記載の方法。
22. 内部に定義された実行可能命令を有する、１つ以上のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記実行可能命令が、１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを作動させて、
    制御パラメータの第１の値を使用して、ミリングツールにサンプルを第１のエッジまでミリングさせることと、
    走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）から、前記サンプルの表面上の、前記第１のエッジ及び参照構造を描画する画像を取得することと、
    前記第１の値、並びに、前記画像内の、前記第１のエッジの相対位置及び前記参照構造の相対位置に基づいて、前記制御パラメータの第２の値を判定することと、
    前記制御パラメータの前記第２の値を使用して、前記ミリングツールに前記サンプルを第２のエッジまでミリングさせることと、を行う、コンピュータ可読記憶媒体。
23. 前記制御パラメータの前記第２の値を前記判定することが、前記ＳＥＭの視軸と、前記サンプルの前記表面の法線との間の角度の補正を適用することを含む、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
24. 前記表面が、前記サンプルの主表面であり、前記第１のエッジが、前記主表面と、前記第１のエッジまでの前記ミリングによって露出された切断面との間の境界であり、前記切断面と前記主表面との間の二面角が、６０°～１２０°の範囲である、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
25. 前記サンプルを前記第１のエッジ及び前記第２のエッジまで前記ミリングすることが、前記サンプルの第１の切断面及び第２の切断面をそれぞれ露出させ、前記命令が、更に前記プロセッサを作動させて、
    前記第１のエッジまで前記ミリングすることの前に、前記ミリングツールと、前記サンプルが載置されるステージとの間に、補償傾斜を適用させ、
    前記補償傾斜が、（ｉ）前記第２の切断面と、（ｉｉ）前記サンプルの前記表面の残りの部分との間の二面角を、所定の範囲内であるように制御する、請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
26. 前記サンプルが、第１のサンプルであり、前記画像が、第１の画像であり、前記ＳＥＭが、第１のＳＥＭであり、前記命令が、更に前記プロセッサを作動させて、
    前記ミリングツールに第２のサンプルを第３のエッジまでミリングさせて、前記第２のサンプルの第３の切断面を露出させることと、
    前記ミリングツールに前記第２のサンプルを第４のエッジまでミリングさせて、それによって、前記第２のサンプルの第４の切断面を露出させることであって、前記第３のエッジ及び前記第４のエッジが、前記第２のサンプルの主表面上で６０°～１２０°（両端値を含む）の角度をなし、前記第３の切断面及び前記第４の切断面が、第５のエッジで交差する、露出させることと、
    第２のＳＥＭから、前記第４の切断面の第２の画像を取得することと、
    前記第２の画像の前記第４のエッジの相対位置及び前記第５のエッジの相対位置から、前記補償傾斜角を判定することと、を行う、請求項２５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。

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