JP2023085013A - Exposure apparatus, control method of the same, and method for manufacturing article - Google Patents

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Yuji Ishii
寛 森川
Hiroshi Morikawa
幹人 安齋
Masato Anzai
裕也 猪股
Yuya Inomata
志織 小友
Shiori Kotomo
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

To provide a technique advantageous in improving through-put in an exposure apparatus.SOLUTION: An exposure apparatus that performs scanning exposure of a substrate comprises: a stage which holds the substrate; and a control part which controls driving of the stage according to a driving profile regarding each of a plurality of processing associated with moving of the stage, where the driving profile includes: an acceleration zone for accelerating the stage; a constant speed zone for moving the stage at constant speed; and a deceleration zone for decelerating the stage, the plurality of processing includes scanning exposure in which exposure processing is performed in the constant speed zone, and non-exposure processing in which the scanning exposure is not performed in the constant speed zone, and the control part changes an acceleration profile of the acceleration zone in the driving profile in the exposure processing and the non-exposure processing such that the exposure processing and the non-exposure processing have the same maximum acceleration of the acceleration zone, and the non-exposure processing has shorter acceleration zone than the exposure processing.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、露光装置、その制御方法、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, its control method, and an article manufacturing method.

半導体デバイスなどの製造工程で用いられるリソグラフィ装置として、投影光学系を介して原版と基板とを相対的に走査しながら基板を露光することにより、原版のパターン像を基板上に転写する露光装置（走査露光装置）が知られている。特許文献１には、投影光学系に設けられた光学素子を駆動することで基板上への転写像の形状補正を行う露光装置において、転写像の補正残差に関する許容範囲に基づいて、走査露光における基板ステージの駆動プロファイルを決定する方法が記載されている。 As a lithography apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices, etc., an exposure apparatus ( scanning exposure devices) are known. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200000 describes scanning exposure based on an allowable range of a correction residual error of a transferred image in an exposure apparatus that corrects the shape of a transferred image onto a substrate by driving an optical element provided in a projection optical system. A method is described for determining a drive profile for a substrate stage in a.

特開２０１７－２１５４８２号公報JP 2017-215482 A

露光装置には、スループットの更なる向上が求められているが、特許文献１に記載された方法では、転写像の補正残差に関する許容範囲により、走査露光における基板ステージの駆動速度の増加が制限されうる。そのため、スループットの更なる向上を図るためには、基板の走査露光だけでなく、当該走査露光以外の処理においても、基板ステージの駆動を適切に制御することが望まれる。 Exposure apparatuses are required to have a higher throughput. However, in the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200014, the increase in substrate stage driving speed in scanning exposure is limited due to the allowable range of the correction residual error of the transferred image. can be Therefore, in order to further improve the throughput, it is desired to appropriately control the driving of the substrate stage not only in the scanning exposure of the substrate but also in the processing other than the scanning exposure.

そこで、本発明は、露光装置におけるスループットの向上の点で有利な技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a technique that is advantageous in terms of improving the throughput of an exposure apparatus.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板の走査露光を行う露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記ステージの移動を伴う複数の処理の各々について、前記ステージの速度の大きさを規定する駆動プロファイルに従って前記ステージの駆動を制御する制御部と、を備え、前記駆動プロファイルは、前記ステージを加速させる加速区間と、前記加速区間の後に前記ステージを等速移動させる等速区間と、前記等速区間の後に前記ステージを減速させる減速区間とを含み、前記複数の処理は、前記等速区間で前記走査露光を行う露光処理と、前記等速区間で前記走査露光を行わない非露光処理とを含み、前記制御部は、前記露光処理と前記非露光処理とで前記加速区間の最大加速度が同じで、且つ、前記露光処理より前記非露光処理の方が前記加速区間が短くなるように、前記露光処理と前記非露光処理とで前記駆動プロファイルにおける前記加速区間の加速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする。 To achieve the above object, an exposure apparatus as one aspect of the present invention is an exposure apparatus that scans and exposes a substrate, and includes a stage that holds the substrate, and a plurality of processes involving movement of the stage. and a control unit that controls the driving of the stage according to a driving profile that defines the magnitude of the speed of the stage, the driving profile including an acceleration section for accelerating the stage, and the stage after the acceleration section and a deceleration interval in which the stage is decelerated after the constant velocity interval. a non-exposure process in which the scanning exposure is not performed in a section, wherein the control unit controls that the maximum acceleration in the acceleration section is the same between the exposure process and the non-exposure process, and the non-exposure process is performed more than the exposure process. The acceleration profile of the acceleration section in the drive profile is changed between the exposure process and the non-exposure process so that the acceleration section is shorter in the case of (2).

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the present invention will be made clear by preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、露光装置におけるスループットの向上の点で有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide a technique that is advantageous in terms of improving the throughput of an exposure apparatus.

露光装置の構成例を示す図A diagram showing a configuration example of an exposure apparatus 基板ステージの駆動を制御する制御系のブロック図Block diagram of the control system that controls the drive of the substrate stage 基板ステージの駆動プロファイルを示す図Diagram showing drive profile of substrate stage 精度優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速度（減速度）の変化率のプロファイルを示す図A diagram showing the acceleration (deceleration) change rate profile in the drive profile to which the accuracy priority profile is applied 精度優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速減少区間での加速度の変化率のプロファイルを示す図A diagram showing the profile of the acceleration change rate in the acceleration decrease section in the drive profile to which the accuracy priority profile is applied. スループット優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速度（減速度）の変化率のプロファイルを示す図A diagram showing the acceleration (deceleration) change rate profile in the drive profile to which the throughput priority profile is applied スループット優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速減少区間での加速度の変化率のプロファイルを示す図A diagram showing the profile of the acceleration change rate in the acceleration decrease section in the drive profile to which the throughput priority profile is applied. 精度優先プロファイルとスループット優先プロファイルとを重ね合わせた例を示す図Diagram showing an example in which an accuracy-priority profile and a throughput-priority profile are superimposed 複数の処理の各々について駆動プロファイルを決定する方法を示すフローチャートFlowchart showing a method of determining a drive profile for each of a plurality of processes 加速減少区間のみに精度優先プロファイルが適用された駆動プロファイルを示す図A diagram showing a drive profile in which the precision priority profile is applied only to the acceleration decrease section. 減速減少区間のみに精度優先プロファイルが適用された駆動プロファイルを示す図A diagram showing a drive profile in which the precision priority profile is applied only to the deceleration decrease section

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図１には、本発明の一実施形態の露光装置ＥＸの構成例が示されている。露光装置ＥＸ（走査露光装置）は、原版１１２のパターンを基板１１４に投影する投影光学系１２０を有し、投影光学系１２０を介して原版１１２と基板１１４とを相対的に走査しながら基板を露光する走査露光を行う。これにより、原版１１２のパターンに対応する転写像が基板１１４に形成される。基板１１４の上面（被露光面）にはフォトレジストが塗布されており、転写像は、フォトレジストに潜像として形成されうる。潜像は、現像工程によって物理的なパターンであるレジストパターンに変換されうる。転写像は、例えば、原版１１２のパターン領域に対応する像として考えると理解しやすい。 FIG. 1 shows a configuration example of an exposure apparatus EX according to one embodiment of the present invention. The exposure apparatus EX (scanning exposure apparatus) has a projection optical system 120 that projects the pattern of the original 112 onto the substrate 114 . Scanning exposure for exposure is performed. Thereby, a transferred image corresponding to the pattern of the original 112 is formed on the substrate 114 . A photoresist is applied to the upper surface (surface to be exposed) of the substrate 114, and the transferred image can be formed as a latent image on the photoresist. The latent image can be converted into a physical pattern, a resist pattern, by a development process. It is easy to understand that the transfer image is considered as an image corresponding to the pattern area of the original 112, for example.

露光装置ＥＸは、基板１１４に形成される転写像の形状が補正されるように投影光学系１２０の光学特性を調整する調整機構１５０を備えうる。調整機構１５０は、例えば、投影光学系１２０の光学素子１２５を駆動する駆動機構１１０を含みうる。駆動機構１１０は、投影系制御部１０６によって制御されうる。また、調整機構１５０は、基板ステージ１１５を駆動する駆動機構１０９、および／または、原版ステージ１１３を駆動する駆動機構１０８を含んでもよい。駆動機構１０８および駆動機構１０８は、ステージ制御部１０７によって制御されうる。 The exposure apparatus EX can include an adjustment mechanism 150 that adjusts the optical characteristics of the projection optical system 120 so that the shape of the transferred image formed on the substrate 114 is corrected. The adjustment mechanism 150 can include, for example, a drive mechanism 110 that drives the optical element 125 of the projection optical system 120 . Drive mechanism 110 may be controlled by projection system controller 106 . Also, the adjustment mechanism 150 may include a drive mechanism 109 that drives the substrate stage 115 and/or a drive mechanism 108 that drives the original stage 113 . The drive mechanism 108 and the drive mechanism 108 can be controlled by the stage controller 107 .

露光装置ＥＸは、露光装置ＥＸの各部を制御する制御部１００を備えうる。制御部１００は、ＣＰＵ等のプロセッサおよびメモリなどを有するコンピュータによって構成され、露光装置ＥＸにおいて行われる複数の処理の各々を制御する。複数の処理は、基板１１４の走査露光を行う露光処理、および、基板１１４の位置計測（アライメント計測）を行う計測処理などを含みうる。本実施形態の制御部１００は、主制御部１０３に加えて、光源制御部１０４、照明系制御部１０５、投影系制御部１０６、およびステージ制御部１０７を含み、主制御部１０３が各種制御部１０４～１０７を統括的に制御する。例えば、主制御部１０３は、ステージ制御部１０７を制御することにより、基板１１４に形成される転写像の形状補正における補正残差に関する許容範囲に基づいて基板１１４および原版１１２の走査を制御しうる。また、露光装置ＥＸは、ユーザインターフェース１０２を備えうる。オペレータ等のユーザは、ユーザインターフェース１０２を操作することによって各種の情報を入力することができる。 The exposure apparatus EX can include a control section 100 that controls each section of the exposure apparatus EX. The control unit 100 is configured by a computer having a processor such as a CPU and a memory, and controls each of a plurality of processes performed in the exposure apparatus EX. The multiple processes can include exposure processing for scanning exposure of the substrate 114, measurement processing for position measurement (alignment measurement) of the substrate 114, and the like. The control unit 100 of this embodiment includes a light source control unit 104, an illumination system control unit 105, a projection system control unit 106, and a stage control unit 107 in addition to the main control unit 103. The main control unit 103 controls various control units. 104 to 107 are collectively controlled. For example, the main controller 103 can control the scanning of the substrate 114 and the original 112 by controlling the stage controller 107 based on the allowable range of correction residuals in the shape correction of the transfer image formed on the substrate 114. . Also, the exposure apparatus EX can include a user interface 102 . A user such as an operator can input various information by operating the user interface 102 .

以下、露光装置ＥＸの構成をより具体的に説明する。図１では、投影光学系１２０の光軸と平行で、基板１１４から原版１１２に向かう方向をｚ軸とし、それと直交する方向をｘ軸およびｙ軸とするｘｙｚ座標が定義されている。 The configuration of the exposure apparatus EX will be described in more detail below. In FIG. 1, xyz coordinates are defined in which the direction parallel to the optical axis of the projection optical system 120 and extending from the substrate 114 to the original 112 is the z-axis, and the x-axis and y-axis are perpendicular to the z-axis.

光源１０１は、露光光を射出する。光源１０１は、主制御部１０３の制御下において、光源制御部１０４によって制御されうる。光源１０１から射出された露光光は、照明光学系１２２の整形光学系（不図示）によって所定のビーム形状に整形される。整形されたビームは、オプティカルインテグレータ（不図示）に入射し、該オプティカルインテグレータによって、原版１１２を均一な照度分布で照明するために複数の２次光源が形成される。 A light source 101 emits exposure light. The light source 101 can be controlled by the light source controller 104 under the control of the main controller 103 . The exposure light emitted from the light source 101 is shaped into a predetermined beam shape by a shaping optical system (not shown) of the illumination optical system 122 . The shaped beam enters an optical integrator (not shown), which forms a plurality of secondary light sources to illuminate the master 112 with a uniform illuminance distribution.

照明光学系１２２は、照明光学系１２２の開口数（ＮＡ）を決定する開口絞り１２６を有する。開口絞り１２６は、ほぼ円形の開口部を有し、照明系制御部１０５によって当該開口部の直径が制御されることによって、照明光学系１２２の開口数（ＮＡ）が制御される。投影光学系１２０の開口数に対する照明光学系１２２の開口数の比は、コヒーレンスファクタ（σ値）と呼ばれる。照明系制御部１０５は、主制御部１０３の制御下において、照明光学系１２２の開口絞り１２６を制御することによってσ値を設定することができる。 The illumination optical system 122 has an aperture stop 126 that determines the numerical aperture (NA) of the illumination optical system 122 . The aperture stop 126 has a substantially circular opening, and the numerical aperture (NA) of the illumination optical system 122 is controlled by controlling the diameter of the opening by the illumination system controller 105 . The ratio of the numerical aperture of the illumination optical system 122 to the numerical aperture of the projection optical system 120 is called a coherence factor (σ value). The illumination system controller 105 can set the σ value by controlling the aperture stop 126 of the illumination optical system 122 under the control of the main controller 103 .

照明光学系１２２の光路上にはハーフミラー１２１が配置され、原版１１２を照明する露光光の一部がハーフミラー１２１により反射されて取り出される。ハーフミラー１２１の反射光の光路上にはフォトセンサ１２３が配置され、フォトセンサ１２３によって露光光の強度（露光エネルギー）が検出される。フォトセンサ１２３によって検出された露光光の強度の情報は、照明系制御部１０５に送信される。 A half mirror 121 is arranged on the optical path of the illumination optical system 122, and part of the exposure light that illuminates the original 112 is reflected by the half mirror 121 and taken out. A photosensor 123 is arranged on the optical path of the light reflected by the half mirror 121, and the photosensor 123 detects the intensity of the exposure light (exposure energy). Information on the intensity of the exposure light detected by the photosensor 123 is transmitted to the illumination system controller 105 .

原版１１２は、原版ステージ１１３によって保持され、原版ステージ１１３が駆動機構１０８によってｙ軸方向に駆動されることでｙ軸方向に駆動される。原版１１２には、製造すべきデバイスのパターンが形成されている。投影光学系１２０は、照明光学系１２２によって照明された原版１１２のパターンの像を縮小倍率βで縮小して基板１１４に投影する。これにより基板１１４上のフォトレジストが露光され、該フォトレジストに原版１１２のパターンの転写像（潜像）が形成される。 The original plate 112 is held by the original plate stage 113 and driven in the y-axis direction by the drive mechanism 108 driving the original plate stage 113 in the y-axis direction. A pattern of a device to be manufactured is formed on the master 112 . The projection optical system 120 reduces the image of the pattern of the original 112 illuminated by the illumination optical system 122 by a reduction magnification β and projects it onto the substrate 114 . As a result, the photoresist on the substrate 114 is exposed, and a transferred image (latent image) of the pattern of the original plate 112 is formed on the photoresist.

投影光学系１２０の瞳面（原版１１２が配置される面（物体面）に対するフーリエ変換面）には、開口部がほぼ円形である開口絞り１２４が配置され、モータ等の駆動機構１１１によって開口絞り１２４の開口部の直径が制御される。投影光学系１２０は、光学素子１２５を有し、調整機構１５０としての駆動機構１１０が光学素子１２５を駆動することによって投影光学系１２０の光学特性が調整される。駆動機構１１０、１１１は、主制御部１０３の制御下において、投影系制御部１０６によって制御される。 An aperture stop 124 having a substantially circular aperture is arranged on the pupil plane of the projection optical system 120 (Fourier transform plane with respect to the plane (object plane) on which the original 112 is arranged). The diameter of the 124 opening is controlled. The projection optical system 120 has an optical element 125 , and the optical characteristics of the projection optical system 120 are adjusted by driving the optical element 125 with the drive mechanism 110 as the adjustment mechanism 150 . The drive mechanisms 110 and 111 are controlled by the projection system controller 106 under the control of the main controller 103 .

基板１１４は、基板ステージ１１５によって保持され、基板ステージ１１５が駆動機構１０９によってｘ軸、ｙ軸、ｚ軸方向およびこれらの軸周りの回転方向に関して駆動されることで、各軸方向および各回転方向に駆動される。基板ステージ１１５を駆動する駆動機構１０９および原版ステージ１１３を駆動する駆動機構１０８は、主制御部１０３の制御下において、ステージ制御部１０７によって制御される。走査露光において、ステージ制御部１０７は、基板ステージ１１５および原版ステージ１１３が同期して走査されるように駆動機構１０８，１０９を制御する。また、基板ステージ１１５には、移動鏡１１７が設けられており、レーザ干渉計１１６（検出部）によって、移動鏡１１７のｘ軸、ｙ軸、ｚ軸方向の変位が検出されることによって基板ステージ１１５の各軸方向の位置および各軸周りの回転角が検出される。ステージ制御部１０７は、レーザ干渉計１１６による検出結果に基づいて、基板ステージ１１５の位置および回転角をフィードバック制御しうる。 The substrate 114 is held by the substrate stage 115 and driven by the driving mechanism 109 in the x-axis, y-axis, z-axis directions, and rotation directions about these axes. driven by A drive mechanism 109 that drives the substrate stage 115 and a drive mechanism 108 that drives the original stage 113 are controlled by the stage controller 107 under the control of the main controller 103 . In scanning exposure, the stage controller 107 controls the driving mechanisms 108 and 109 so that the substrate stage 115 and the original stage 113 are scanned synchronously. Further, the substrate stage 115 is provided with a movable mirror 117, and a laser interferometer 116 (detector) detects the displacement of the movable mirror 117 in the x-axis, y-axis, and z-axis directions, thereby moving the substrate stage. The axial position of 115 and the angle of rotation about each axis are detected. The stage controller 107 can feedback-control the position and rotation angle of the substrate stage 115 based on the detection result by the laser interferometer 116 .

アライメント計測系１１８（計測部）は、オフアクシススコープを含み、基板１１４に設けられたアライメントマークを検出することにより、ｘ軸、ｙ軸ｚ軸方向およびこれらの軸周りの回転方向に関する基板１１４の位置を計測する。例えば、アライメント計測系１１８は、基板１１４のアライメントマークを検出することにより、基板１１４における複数のショット領域の配列情報を求めることができる。アライメント計測系１１８によって基板１１４の位置を計測する場合には、主制御部１０３の制御下において、基板１１４のアライメントマークがアライメント計測系１１８の下方に配置されるように駆動機構１０９によって基板ステージ１１５が駆動される。 Alignment measurement system 118 (measurement unit) includes an off-axis scope, and detects alignment marks provided on substrate 114 to measure substrate 114 in the x-axis, y-axis, and z-axis directions and rotation directions around these axes. Measure position. For example, the alignment measurement system 118 can obtain arrangement information of a plurality of shot areas on the substrate 114 by detecting alignment marks on the substrate 114 . When the position of the substrate 114 is measured by the alignment measurement system 118 , the substrate stage 115 is moved by the driving mechanism 109 under the control of the main control unit 103 so that the alignment marks of the substrate 114 are arranged below the alignment measurement system 118 . is driven.

投光光学系１１９ａおよび検出光学系１１９ｂは、基板１１４のｚ方向の位置を検出するフォーカス検出系を構成する。投光光学系１１９ａは、基板１１４のフォトレジストを感光させない波長を有する複数の光束を基板１１４に投光する。投光光学系１１９ａによって基板１１４に投光された複数の光束は、基板１１４で反射されて検出光学系１１９ｂに入射する。検出光学系１１９ｂは、基板１１４で反射された複数の光束をそれぞれ受光する複数の受光素子を有しており、複数の光束のそれぞれの受光位置を検出する。投影光学系１２０の光軸方向（ｚ軸方向）における基板１１４の位置ずれは、検出光学系１１９ｂにおける複数の受光素子の各々よって検出された光束の受光位置のずれに基づいて求められうる。 The projection optical system 119a and the detection optical system 119b constitute a focus detection system that detects the position of the substrate 114 in the z direction. The projection optical system 119a projects a plurality of light beams having wavelengths that do not expose the photoresist on the substrate 114 to the substrate 114 . A plurality of light beams projected onto the substrate 114 by the projection optical system 119a are reflected by the substrate 114 and enter the detection optical system 119b. The detection optical system 119b has a plurality of light-receiving elements that respectively receive a plurality of light fluxes reflected by the substrate 114, and detects respective light-receiving positions of the plurality of light fluxes. The positional deviation of the substrate 114 in the optical axis direction (z-axis direction) of the projection optical system 120 can be obtained based on the deviation of the light receiving position of the light flux detected by each of the plurality of light receiving elements in the detection optical system 119b.

［基板ステージの駆動プロファイル］
露光装置ＥＸには、スループットの更なる向上が求められており、スループットの更なる向上を図るための１つの方法としては、原版ステージ１１３および基板ステージ１１５の最大速度および／または最大加速度を増加させることが挙げられる。しかしながら、駆動機構１１０によって投影光学系１２０の光学素子１２５を駆動することによって転写像の形状補正を行う場合、基板１１４の走査露光において、光学素子１２５の駆動を基板ステージ１１５の駆動に追従させる必要がある。そのため、転写像の補正残差に関する許容範囲により、走査露光における基板ステージ１１５の駆動速度の増加が制限されうる。また、走査露光を行うための基板ステージ１１５の加速は、走査露光における基板ステージ１１５の駆動精度への影響（例えば、基板ステージ１１５の加速によって生じる振動）が低減されるように制御する必要がある。したがって、露光装置ＥＸにおけるスループットの更なる向上を図るためには、基板１１４の走査露光だけでなく、走査露光以外の処理においても、基板ステージ１１５の駆動を適切に制御することが望まれる。 [Driving profile of substrate stage]
Further improvement in throughput is required for the exposure apparatus EX, and one method for further improving the throughput is to increase the maximum velocity and/or maximum acceleration of the original stage 113 and the substrate stage 115. Things are mentioned. However, when the shape of the transferred image is corrected by driving the optical element 125 of the projection optical system 120 by the driving mechanism 110, it is necessary to drive the optical element 125 following the driving of the substrate stage 115 in the scanning exposure of the substrate 114. There is Therefore, an increase in the driving speed of the substrate stage 115 in scanning exposure may be restricted due to the allowable range for the correction residual of the transferred image. Also, the acceleration of the substrate stage 115 for scanning exposure needs to be controlled so as to reduce the influence on the drive accuracy of the substrate stage 115 in scanning exposure (for example, vibration caused by the acceleration of the substrate stage 115). . Therefore, in order to further improve the throughput of the exposure apparatus EX, it is desirable to appropriately control the driving of the substrate stage 115 not only in scanning exposure of the substrate 114 but also in processes other than scanning exposure.

そこで、本実施形態の露光装置ＥＸのステージ制御部１０７は、基板ステージ１１５の移動を伴う複数の処理の各々について、基板ステージ１１５の速度の大きさを規定する駆動プロファイルに従って基板ステージ１１５の駆動を制御するように構成される。そして、ステージ制御部１０７は、処理の種類に応じて、基板ステージ１１５の駆動を制御するための駆動プロファイルを変更する。複数の処理は、前述したように、基板１１４の走査露光を行う露光処理、および、基板１１４の位置計測（アライメント計測）を行う計測処理を含みうる。また、駆動プロファイルは、時間に対する基板ステージ１１５の目標位置を示す位置プロファイルとして理解されてもよく、当該位置プロファイルの微分によって得られるプロファイルが、基板ステージ１１５の速度の大きさを規定する速度プロファイルとなる。駆動プロファイルは、所定の方向（例えばｘ軸方向、またはｙ軸方向）に基板ステージ１１５を駆動する際の基板ステージ１１５の速度の大きさを規定するプロファイルとして理解されてもよい。 Therefore, the stage control unit 107 of the exposure apparatus EX of the present embodiment drives the substrate stage 115 according to a drive profile that defines the magnitude of the velocity of the substrate stage 115 for each of a plurality of processes involving movement of the substrate stage 115. configured to control. Then, the stage control unit 107 changes the drive profile for controlling the drive of the substrate stage 115 according to the type of processing. As described above, the multiple processes can include exposure processing for scanning exposure of the substrate 114 and measurement processing for position measurement (alignment measurement) of the substrate 114 . Further, the drive profile may be understood as a position profile that indicates the target position of the substrate stage 115 with respect to time, and the profile obtained by differentiating the position profile is the speed profile that defines the magnitude of the speed of the substrate stage 115. Become. A drive profile may be understood as a profile that defines the magnitude of the velocity of the substrate stage 115 when driving the substrate stage 115 in a given direction (eg, the x-axis direction or the y-axis direction).

図２は、処理ごとに基板ステージ１１５の駆動プロファイルを決定（生成）し、決定した駆動プロファイルに従って基板ステージ１１５の駆動を制御する制御系のブロック図を示している。以下では、基板ステージ１１５の駆動精度を優先するためのプロファイル（精度優先プロファイル）、および、スループットを優先するためのプロファイル（スループット優先プロファイル）のうち一方を選択して決定（生成）する例について説明する。また、以下では、基板ステージ１１５を例示して説明するが、原版ステージ１１３は基板ステージ１１５に同期して駆動されるため、基板ステージ１１５の速度プロファイルが決定されれば、それに応じて、原版ステージ１１３の速度プロファイルも決定されうる。 FIG. 2 shows a block diagram of a control system that determines (generates) the drive profile of the substrate stage 115 for each process and controls the drive of the substrate stage 115 according to the determined drive profile. An example of selecting and determining (generating) one of a profile for giving priority to driving accuracy of the substrate stage 115 (accuracy-prioritized profile) and a profile for giving priority to throughput (throughput-prioritized profile) will be described below. do. In the following description, the substrate stage 115 will be exemplified. However, since the original stage 113 is driven in synchronization with the substrate stage 115, once the velocity profile of the substrate stage 115 is determined, the original stage 115 can be controlled accordingly. A velocity profile of 113 may also be determined.

主制御部１０３は、ステージ制御部１０７に対して、ｘｙ面内における基板１１４の移動先（目標位置）を指示する制御信号を出力する。ステージ制御部１０７は、プロファイル選択部２０１と、第１取得部２０２と、第２取得部２０３と、プロファイル演算部２０４と、減算器２０５と、ＰＩＤ補償器２０６とを含みうる。プロファイル選択部２０１は、主制御部１０３から入力された制御信号に基づいて、駆動プロファイルを決定する対象の処理が何の処理であるかを判断する。そして、プロファイル選択部２０１は、その判断結果に応じて、駆動プロファイルを精度優先プロファイルとするか、あるいはスループット優先プロファイルとするかを選択する。 The main control unit 103 outputs a control signal to the stage control unit 107 to instruct the movement destination (target position) of the substrate 114 in the xy plane. Stage control section 107 can include profile selection section 201 , first acquisition section 202 , second acquisition section 203 , profile calculation section 204 , subtractor 205 , and PID compensator 206 . Based on the control signal input from the main control unit 103, the profile selection unit 201 determines what process is the target process for determining the drive profile. Then, the profile selection unit 201 selects whether the drive profile should be an accuracy-priority profile or a throughput-priority profile according to the determination result.

プロファイル選択部２０１により精度優先プロファイルが選択された場合には、第１取得部２０２により、精度優先プロファイルを演算するための演算式Ａを取得する。そして、プロファイル演算部２０４は、第１取得部２０２により取得された演算式Ａを用いて、基板ステージ１１５の駆動プロファイルを演算（決定）する。一方、プロファイル選択部２０１によりスループット優先プロファイルが選択された場合には、第２取得部２０３により、スループット優先プロファイルを演算するための演算式Ｂを取得する。そして、プロファイル演算部２０４は、第２取得部２０３により取得された演算式Ｂを用いて、基板ステージ１１５の駆動プロファイルを演算（決定）する。ここで、演算式Ａおよび演算式Ｂの各々は、駆動プロファイルにおける加速区間の加速度プロファイルを演算するための式、および／または、駆動プロファイルにおける減速区間の減速度プロファイルを演算するための式を含みうる。なお、以下では、加速度プロファイルを、減速度プロファイルを含む意味として用いることがある。 When the accuracy-priority profile is selected by the profile selection unit 201, the first acquisition unit 202 acquires the arithmetic expression A for computing the accuracy-priority profile. Then, the profile computing unit 204 computes (determines) the driving profile of the substrate stage 115 using the computing equation A acquired by the first acquiring unit 202 . On the other hand, when the profile selection section 201 selects the throughput priority profile, the second acquisition section 203 acquires the arithmetic expression B for computing the throughput priority profile. Then, the profile computing unit 204 computes (determines) the driving profile of the substrate stage 115 using the computing equation B acquired by the second acquiring unit 203 . Here, each of the arithmetic expressions A and B includes an expression for calculating the acceleration profile in the acceleration section in the drive profile and/or an expression for calculating the deceleration profile in the deceleration section in the drive profile. sell. In addition, below, an acceleration profile may be used as a meaning including a deceleration profile.

減算器２０５は、プロファイル演算部２０４で決定された駆動プロファイルにおける基板ステージ１１５の目標位置と、レーザ干渉計１１６により検出された基板ステージ１１５の現在位置との偏差を算出し、当該偏差をＰＩＤ補償器２０６に供給する。ＰＩＤ補償器２０６は、減算器２０５から供給された偏差に基づいて、当該偏差が低減するように基板ステージ１１５の操作量を決定し、決定した操作量に応じた駆動信号（駆動指令値）を基板ステージ１１５（駆動機構１０９）に供給する。これにより、プロファイル演算部２０４で決定された駆動プロファイルに従って基板ステージ１１５を駆動することができる。 The subtractor 205 calculates the deviation between the target position of the substrate stage 115 in the drive profile determined by the profile calculator 204 and the current position of the substrate stage 115 detected by the laser interferometer 116, and performs PID compensation for the deviation. 206. Based on the deviation supplied from the subtractor 205, the PID compensator 206 determines the manipulated variable of the substrate stage 115 so as to reduce the deviation, and outputs a drive signal (drive command value) according to the determined manipulated variable. It is supplied to the substrate stage 115 (driving mechanism 109). Thereby, the substrate stage 115 can be driven according to the drive profile determined by the profile calculator 204 .

次に、基板ステージ１１５の駆動プロファイルについて説明する。図３には、基板ステージ１１５の駆動プロファイルとして、加速度プロファイル（図３（ａ））および速度プロファイル（図３（ｂ））が示されている。駆動プロファイルは、基板ステージ１１５の駆動を開始してからの時間（ｔ）の関数によって表される位置、速度および加速度のプロファイルである。駆動プロファイルは、図３に示されるように、基板ステージ１１５を目標速度Ｖまで加速させる加速区間Ｔａｃｃと、加速区間Ｔａｃｃの後に基板ステージ１１５を目標速度Ｖで等速移動させる等速区間ＴＭとを含む。また、駆動プロファイルは、等速区間ＴＭの後に基板ステージ１１５を目標速度Ｖから減速させる減速区間Ｔｄｅｃとを含む。加速区間Ｔａｃｃ、等速区間ＴＭおよび減速区間Ｔｄｅｃは連続している。 Next, the driving profile of the substrate stage 115 will be explained. 3 shows an acceleration profile (FIG. 3(a)) and a velocity profile (FIG. 3(b)) as drive profiles of the substrate stage 115. FIG. The drive profile is a profile of position, velocity and acceleration represented by a function of time (t) after the start of driving the substrate stage 115 . As shown in FIG. 3, the driving profile includes an acceleration section T acc in which the substrate stage 115 is accelerated to the target speed V, and a constant speed section T in which the substrate stage 115 is moved at the target speed V at a constant speed after the acceleration section T acc . and M. The drive profile also includes a deceleration interval T_dec in which the substrate stage 115 is decelerated from the target speed V after the constant velocity interval TM . The acceleration section T acc , the constant speed section TM and the deceleration section T dec are continuous.

加速区間Ｔａｃｃは、基板ステージ１１５の加速度を増加させる加速増加区間Ｔ１（第１区間）と、基板ステージ１１５の加速度を減少させる加速減少区間Ｔ２（第２区間）とを含む。そして、加速区間Ｔａｃｃは、加速増加区間Ｔ１と加速減少区間Ｔ２との間に、基板ステージ１１５の加速度を一定とする等加速区間ＴＡ（第３区間）を含みうる。図３において、０～ｔ１の期間が加速増加区間Ｔ１であり、ｔ１～ｔ２の期間が等加速区間ＴＡであり、ｔ２～ｔ３の期間が加速減少区間Ｔ２である。そして、等加速区間ＴＡで最大加速度Ａａｃｃとなる。また、ｔ３～ｔ４の期間が等速区間ＴＭであり、等速区間ＴＭで目標速度Ｖ（最大速度）となる。 The acceleration section T acc includes an acceleration increase section T 1 (first section) for increasing the acceleration of the substrate stage 115 and an acceleration decrease section T 2 (second section) for decreasing the acceleration of the substrate stage 115 . The acceleration section T acc may include a constant acceleration section T A (third section) between the acceleration increase section T 1 and the acceleration decrease section T 2 , in which the acceleration of the substrate stage 115 is constant. In FIG. 3, the period from 0 to t 1 is the acceleration increase interval T 1 , the period from t 1 to t 2 is the constant acceleration interval T A , and the period from t 2 to t 3 is the acceleration decrease interval T 2 . . Then, the maximum acceleration A acc is reached in the uniform acceleration section T A . A period from t 3 to t 4 is a constant speed section TM , and the target speed V (maximum speed) is reached in the constant speed section TM .

減速区間Ｔｄｅｃは、基板ステージ１１５の減速度を増加させる減速増加区間Ｔ３（第４区間）と、基板ステージ１１５の減速度を減少させる減速減少区間Ｔ４（第５区間）とを含む。そして、減速区間Ｔｄｅｃは、減速増加区間Ｔ３と減速減少区間Ｔ４との間に、基板ステージ１１５の減速度を一定とする等減速区間ＴＢ（第６区間）を含みうる。図３において、ｔ４～ｔ５の期間が減速増加区間Ｔ３であり、ｔ５～ｔ６の期間が等加速区間ＴＢであり、ｔ６～ｔ７の期間が減速減少区間Ｔ４である。そして、等加速区間ＴＢで最大減速度Ａｄｅｃとなる。また、ｔ７以降の期間が、減速区間Ｔｄｅｃの後において基板ステージ１１５を停止させた状態を維持させる停止区間ＴＳとなる。 The deceleration interval T dec includes a deceleration increase interval T 3 (fourth interval) for increasing the deceleration of the substrate stage 115 and a deceleration decrease interval T 4 (fifth interval) for decreasing the deceleration of the substrate stage 115 . The deceleration section T dec can include a uniform deceleration section T B (sixth section) in which the deceleration of the substrate stage 115 is constant between the deceleration increase section T 3 and the deceleration decrease section T 4 . In FIG. 3, the period from t 4 to t 5 is the deceleration increase section T 3 , the period from t 5 to t 6 is the constant acceleration section T B , and the period from t 6 to t 7 is the deceleration decrease section T 4 . be. Then, the maximum deceleration A dec is reached in the uniform acceleration section TB . Also, the period after t7 becomes a stop section TS in which the substrate stage 115 is kept stopped after the deceleration section Tdec .

ここで、減速区間Ｔｄｅｃにおける減速度とは、加速区間Ｔａｃｃにおける加速度の方向とは反対方向に加えられる加速度、即ち、マイナスの加速度として定義されうる。また、駆動プロファイルの種類としては、三角関数プロファイルおよび台形プロファイルの２つがよく使われる。図３では、三角関数プロファイルとしての駆動プロファイルが示されており、加速度および／または減速度を変化させる区間（Ｔ１～Ｔ４）に三角関数を使用することにより加速度指令値フェーズの切り替えを滑らか（例えば微分連続）にすることができる。これにより、基板ステージ１１５の駆動において急激な加速を抑えることができ、基板ステージ１１５の駆動精度を向上させることが可能となる。即ち、基板ステージ１１５の駆動プロファイルを精度優先プロファイルとして生成することが可能となる。 Here, deceleration in the deceleration interval T dec can be defined as acceleration applied in the direction opposite to the direction of acceleration in the acceleration interval T acc , ie, negative acceleration. Also, two types of drive profile, a trigonometric function profile and a trapezoidal profile, are often used. In FIG. 3, the drive profile is shown as a trigonometric function profile, and the acceleration command value phase switching is smoothed by using the trigonometric function in the interval (T 1 to T 4 ) where the acceleration and/or deceleration are changed. (eg, differential continuous). As a result, rapid acceleration can be suppressed in driving the substrate stage 115, and the driving precision of the substrate stage 115 can be improved. That is, it is possible to generate the drive profile of the substrate stage 115 as a profile with priority given to accuracy.

次に、図４～図５を参照しながら、精度優先プロファイルを適用した駆動プロファイルについて説明する。図４は、精度優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速度（減速度）の変化率のプロファイルを示している。図５は、精度優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）での加速度の変化率のプロファイルを示している。加速度の変化率は、単位時間当たりの加速度の変化を示しており、ジャークと呼ばれることがある。そして、加速度の変化率のプロファイルは、図３（ａ）に示される加速度プロファイルの時間微分によって表される。 Next, a driving profile to which the accuracy priority profile is applied will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 4 shows the acceleration (deceleration) change rate profile in the drive profile to which the accuracy priority profile is applied. FIG. 5 shows the profile of the rate of change in acceleration in the acceleration decrease interval T 2 (time period from t 2 to t 3 ) in the drive profile to which the accuracy priority profile is applied. The rate of change in acceleration indicates the change in acceleration per unit time, and is sometimes called jerk. Then, the acceleration change rate profile is represented by the time differentiation of the acceleration profile shown in FIG. 3(a).

精度優先プロファイルを適用した加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（１）を用いて、式（２）～（３）によってそれぞれ表される。以下の式において、ωは角速度を表し、πは円周率を表している。 The acceleration command value a and the speed command value v in the acceleration increase interval T 1 (0 to t 1 period) to which the accuracy priority profile is applied are expressed by equations (2) to (3) using equation (1). be done. In the following equations, ω represents angular velocity and π represents pi.

Figure 2023085013000002
Figure 2023085013000002

Figure 2023085013000003
Figure 2023085013000003

Figure 2023085013000004
Figure 2023085013000004

また、精度優先プロファイルを適用した加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（４）～（５）を用いて、式（６）～（７）によってそれぞれ表される。 Also, the acceleration command value a and the speed command value v in the acceleration decrease interval T 2 (period of t 2 to t 3 ) to which the accuracy priority profile is applied are obtained by using the equations (4) to (5), as shown in the equation (6) to (7), respectively.

Figure 2023085013000005
Figure 2023085013000005

Figure 2023085013000006
Figure 2023085013000006

Figure 2023085013000007
Figure 2023085013000007

Figure 2023085013000008
Figure 2023085013000008

また、精度優先プロファイルを適用した減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（８）～（９）を用いて、式（１０）～（１１）によってそれぞれ表される。 In addition, the acceleration command value a and the speed command value v in the deceleration increase interval T 3 (period of t 4 to t 5 ) to which the accuracy priority profile is applied are obtained by using equations (8) to (9), as shown in equation (10) to (11), respectively.

Figure 2023085013000009
Figure 2023085013000009

Figure 2023085013000010
Figure 2023085013000010

Figure 2023085013000011
Figure 2023085013000011

Figure 2023085013000012
Figure 2023085013000012

また、精度優先プロファイルを適用した減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（１２）を用いて、式（１３）～（１４）によってそれぞれ表される。 Further, the acceleration command value a and the speed command value v in the deceleration decrease interval T 4 (period of t 6 to t 7 ) to which the accuracy priority profile is applied are obtained from equations (13) to (14) using equation (12). are respectively represented by

Figure 2023085013000013
Figure 2023085013000013

Figure 2023085013000014
Figure 2023085013000014

Figure 2023085013000015
Figure 2023085013000015

等速区間ＴＭ（ｔ３～ｔ４の期間）で露光処理（基板１１４の走査露光）が行われる場合、図４～図５に示されるように、加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）において精度優先プロファイルが適用されうる。つまり、加速減少区間Ｔ２において、加速度の変化率のピーク位置が加速減少区間Ｔ２の中間よりも等速区間側とは反対側（即ち等加速区間ＴＡ（ｔ１～ｔ２の期間）側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。これにより、加速減少区間Ｔ２における加速度の変化率を等速区間ＴＭに向かって緩やかにすることができるため、走査露光が行われる等速区間ＴＭでの基板ステージ１１５の駆動精度を向上させることができる。また、図４に示されるように、加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）においても精度優先プロファイルが適用されてもよい。つまり、加速増加区間Ｔ１において、加速度の変化率のピーク位置が加速増加区間Ｔ１の中間よりも等速区間側（即ち等加速区間ＴＡ側）に配置されるように駆動プロファイルを生成してもよい。この場合、走査露光が行われる等速区間ＴＭでの基板ステージ１１５の駆動精度を更に向上させることができる。 When the exposure process (scanning exposure of the substrate 114) is performed in the constant speed section T M (period of t 3 to t 4 ), as shown in FIGS . 3 ), an accuracy-first profile may be applied. That is, in the acceleration decrease interval T 2 , the acceleration change rate peak position is on the side opposite to the constant speed interval side of the middle of the acceleration decrease interval T 2 (that is, the constant acceleration interval T A (period from t 1 to t 2 )). A drive profile can be generated to be placed on the side). As a result, the rate of change in acceleration in the acceleration decrease section T2 can be moderated toward the constant velocity section TM , thereby improving the drive accuracy of the substrate stage 115 in the constant velocity section TM in which scanning exposure is performed. can be made Further, as shown in FIG. 4, the accuracy priority profile may be applied also in the acceleration increase interval T 1 (period from 0 to t 1 ). In other words, the drive profile is generated so that the peak position of the rate of change of acceleration in the acceleration increase interval T1 is located on the constant velocity interval side (i.e., the constant acceleration interval TA side) from the middle of the acceleration increase interval T1 . may In this case, it is possible to further improve the driving accuracy of the substrate stage 115 in the constant velocity section TM in which the scanning exposure is performed.

同様に、停止区間ＴＳ（ｔ７以降の期間）で計測処理（基板１１４のアライメント計測）が行われる場合、図４に示されるように、減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）において精度優先プロファイルが適用されうる。つまり、減速減少区間Ｔ４において、減速度の変化率のピーク位置が減速減少区間Ｔ４の中間よりも停止区間側とは反対側（即ち等減速区間ＴＢ（ｔ５～ｔ６の期間）側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。これにより、減速減少区間Ｔ４における減速度の変化率を停止区間ＴＳに向かって緩やかにすることができるため、停止区間ＴＳでの基板ステージ１１５の振動を迅速に低減させ、基板１１４のアライメント計測を迅速に且つ精度よく行うことができる。また、図４に示されるように、減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）においても精度優先プロファイルが適用されてもよい。つまり、減速増加区間Ｔ３において、減速度の変化率のピーク位置が減速増加区間Ｔ３の中間よりも停止区間側（即ち等減速区間ＴＢ側）に配置されるように駆動プロファイルを生成してもよい。この場合、停止区間ＴＳでの基板ステージ１１５の振動をより迅速に低減させ、基板１１４のアライメント計測をより迅速に且つ精度よく行うことができる。 Similarly, when the measurement process (alignment measurement of the substrate 114) is performed in the stop section T S (period after t7 ), as shown in FIG . ), an accuracy-first profile may be applied. That is, in the deceleration decrease interval T 4 , the peak position of the rate of change in deceleration is on the side opposite to the stop interval side of the middle of the deceleration decrease interval T 4 (that is, the constant deceleration interval T B (period of t 5 to t 6 ). A drive profile can be generated to be placed on the side). As a result, the rate of change in deceleration in the deceleration decrease section T4 can be moderated toward the stop section T4 , so that the vibration of the substrate stage 115 in the stop section T4 can be quickly reduced, and the substrate 114 Alignment measurement can be performed quickly and accurately. Further, as shown in FIG. 4, the accuracy priority profile may be applied also in the deceleration increase interval T 3 (period from t 4 to t 5 ). That is, the drive profile is generated so that the peak position of the rate of change of deceleration in the increasing deceleration interval T3 is positioned closer to the stop interval (i.e., the constant deceleration interval TB side) than the middle of the increasing deceleration interval T3 . may In this case, the vibration of the substrate stage 115 in the stop section TS can be reduced more quickly, and the alignment measurement of the substrate 114 can be performed more quickly and accurately.

次に、図６～図７を参照しながら、スループット優先プロファイルを適用した駆動プロファイルについて説明する。図６は、スループット優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速度（減速度）の変化率のプロファイルを示しており、図６では、比較のために精度優先プロファイルも図示している。図７は、スループット優先プロファイルを適用した駆動プロファイルにおける加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）での加速度の変化率のプロファイルを示している。スループット優先プロファイルにおける最大加速度Ａａｃｃ（最大減速度Ａｄｅｃ）は、駆動プロファイルの計算や基板ステージ１１５の駆動制御を容易にするため、精度優先プロファイルと同じになるように設定される。 Next, a driving profile to which the throughput priority profile is applied will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. FIG. 6 shows the acceleration (deceleration) change rate profile in the drive profile to which the throughput priority profile is applied, and FIG. 6 also shows the accuracy priority profile for comparison. FIG. 7 shows the profile of the rate of change in acceleration in the acceleration decrease interval T 2 (period from t 2 to t 3 ) in the drive profile to which the throughput priority profile is applied. The maximum acceleration A acc (maximum deceleration A dec ) in the throughput priority profile is set to be the same as in the accuracy priority profile in order to facilitate calculation of the drive profile and drive control of the substrate stage 115 .

スループット優先プロファイルを適用した加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（１５）～（１６）によってそれぞれ表される。以下の式において、ωは角速度を表し、πは円周率を表している。 The acceleration command value a and the speed command value v in the acceleration increase interval T 1 (period from 0 to t 1 ) to which the throughput priority profile is applied are expressed by equations (15) to (16), respectively. In the following equations, ω represents angular velocity and π represents pi.

Figure 2023085013000016
Figure 2023085013000016

Figure 2023085013000017
Figure 2023085013000017

また、スループット優先プロファイルを適用した加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（１７）～（１８）によってそれぞれ表される。 Also, the acceleration command value a and the speed command value v in the acceleration decrease interval T 2 (period from t 2 to t 3 ) to which the throughput priority profile is applied are expressed by equations (17) to (18), respectively.

Figure 2023085013000018
Figure 2023085013000018

Figure 2023085013000019
Figure 2023085013000019

また、スループット優先プロファイルを適用した減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（１９）～（２０）によってそれぞれ表される。 Also, the acceleration command value a and the speed command value v in the deceleration increase interval T 3 (period from t 4 to t 5 ) to which the throughput priority profile is applied are expressed by equations (19) to (20), respectively.

Figure 2023085013000020
Figure 2023085013000020

Figure 2023085013000021
Figure 2023085013000021

また、スループット優先プロファイルを適用した減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）の加速度指令値ａおよび速度指令値ｖは、式（２１）～（２２）によってそれぞれ表される。 Also, the acceleration command value a and the speed command value v in the deceleration decrease interval T 4 (period of t 6 to t 7 ) to which the throughput priority profile is applied are expressed by equations (21) to (22), respectively.

Figure 2023085013000022
Figure 2023085013000022

Figure 2023085013000023
Figure 2023085013000023

スループット優先プロファイルは、例えば、等速区間ＴＭ（ｔ３～ｔ４の期間）で基板１１４の走査露光を行わない場合（即ち、非露光処理の場合）に加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）に適用されうる。この場合、加速減少区間Ｔ２では、図６～図７に示されるように、加速度の変化率のピーク位置が精度優先プロファイルよりも等速区間側（即ち等加速区間ＴＡ（ｔ１～ｔ２の期間）側とは反対側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。好ましくは、加速度の変化率のピーク位置が加速減少区間Ｔ２の中間に配置されるように駆動プロファイルが生成されるとよい。また、スループット優先プロファイルは加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）に適用されてもよい。この場合、加速増加区間Ｔ１では、図６に示されるように、加速度の変化率のピーク位置が精度優先プロファイルよりも等速区間側とは反対側（即ち等加速区間ＴＡ側とは反対側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。好ましくは、加速度の変化率のピーク位置が加速増加区間Ｔ１の中間に配置されるように駆動プロファイルが生成されるとよい。 The throughput priority profile is, for example, when scanning exposure of the substrate 114 is not performed (that is, in the case of non-exposure processing) in a constant speed interval T M (period of t 3 to t 4 ), an acceleration decreasing interval T 2 (t 2 to t 4 ). t3 period). In this case, in the acceleration decrease interval T 2 , as shown in FIGS. 6 and 7, the peak position of the rate of change in acceleration is on the constant velocity interval side of the accuracy priority profile (that is, the constant acceleration interval T A (t 1 to t A drive profile can be generated to be placed on the opposite side of the period) of 2 ). Preferably, the drive profile is generated such that the peak position of the acceleration change rate is located in the middle of the acceleration decrease section T2 . Also, the throughput priority profile may be applied to the acceleration increase interval T 1 (period from 0 to t 1 ). In this case, in the acceleration increase section T1 , as shown in FIG. 6, the peak position of the rate of change in acceleration is on the side opposite to the constant speed section side of the accuracy priority profile (that is, on the side opposite to the constant acceleration section TA side). A drive profile can be generated to be placed on the side). Preferably, the drive profile is generated such that the peak position of the acceleration change rate is located in the middle of the acceleration increase section T1 .

同様に、スループット優先プロファイルは、例えば、停止区間ＴＳ（ｔ７以降の期間）で基板１１４のアライメント計測を行わない場合（即ち、非計測処理の場合）に減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）に適用されうる。この場合、減速減少区間Ｔ４では、図６に示されるように、減速度の変化率のピーク位置が精度優先プロファイルよりも停止区間側（即ち等減速区間ＴＢ（ｔ５～ｔ６の期間）側とは反対側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。好ましくは、減速度の変化率のピーク位置が減速減少区間Ｔ４の中間に配置されるように駆動プロファイルが生成されるとよい。また、スループット優先プロファイルは減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）に適用されてもよい。この場合、減速増加区間Ｔ３では、図６に示されるように、減速度の変化率のピーク位置が精度優先プロファイルよりも停止区間側とは反対側（即ち等減速区間ＴＢ側とは反対側）に配置されるように駆動プロファイルが生成されうる。好ましくは、減速度の変化率のピーク位置が減速増加区間Ｔ３の中間に配置されるように駆動プロファイルが生成されるとよい。 Similarly, the throughput priority profile, for example, when the alignment measurement of the substrate 114 is not performed in the stop section T S (period after t7 ) (that is, in the case of non-measurement processing), the deceleration decrease section T4 (from t6 to period t7 ). In this case, in the deceleration decrease section T 4 , as shown in FIG. 6, the peak position of the rate of change in deceleration is closer to the stop section than the accuracy priority profile (that is, the constant deceleration section T B (period of t 5 to t 6 A drive profile may be generated to be positioned on the opposite side of the ) side. Preferably, the drive profile is generated such that the peak position of the rate of change of deceleration is located in the middle of the deceleration decrease section T4 . Also, the throughput priority profile may be applied to the deceleration increase interval T 3 (period from t 4 to t 5 ). In this case, in the deceleration increase section T3 , as shown in FIG. 6, the peak position of the rate of change in deceleration is on the side opposite to the stop section side of the accuracy priority profile (that is, on the side opposite to the constant deceleration section TB side). A drive profile can be generated to be placed on the side). Preferably, the drive profile is generated such that the peak position of the deceleration change rate is located in the middle of the deceleration increase section T3 .

ここで、前述したスループット優先プロファイルを用いることにより、精度優先プロファイルよりスループットを向上することができる理由について説明する。図８は、精度優先プロファイルとスループット優先プロファイルとを重ね合わせた例を示している。図８（ａ）は加速度プロファイルを示し、図８（ｂ）は加速度の変化率のプロファイルを示している。図８では、説明を分かり易くするため、スループット優先プロファイルと精度優先プロファイルとで時間ｔ１～ｔ７を同じにしているが、実際には、スループット優先プロファイルの方が精度優先プロファイルより駆動プロファイルの時間が短くなる。 Here, the reason why throughput can be improved by using the aforementioned throughput-priority profile as compared with the accuracy-priority profile will be explained. FIG. 8 shows an example in which an accuracy-priority profile and a throughput-priority profile are superimposed. FIG. 8(a) shows the acceleration profile, and FIG. 8(b) shows the acceleration change rate profile. In FIG. 8, the times t 1 to t 7 are the same for the throughput-priority profile and the accuracy-priority profile for the sake of clarity of explanation. less time.

加速度プロファイルでは、当該加速度プロファイルの面積（即ち積分値）が速度に相当する。そのため、スループット優先プロファイルと精度優先プロファイルとで同じ目標速度Ｖを用いる場合、スループット優先プロファイルでは、加速増加区間Ｔ１および加速減少区間Ｔ２において、速度に相当する面積が精度優先プロファイルより大きくなる。つまり、スループット優先プロファイルでは、速度に相当する面積を精度優先プロファイルより大きくすることができ、その面積の差Ｄ１（図８のハッチング部分）だけ等加速区間ＴＡを短くすることができる。同様に、スループット優先プロファイルでは、減速増加区間Ｔ３および減速減少区間Ｔ４において、速度に相当する面積が精度優先プロファイルより大きくなる。つまり、スループット優先プロファイルでは、速度に相当する面積を精度優先プロファイルより大きくすることができ、その面積の差Ｄ２（図８のハッチング部分）だけ等減速区間ＴＢを短くすることができる。このように、スループット優先プロファイルでは、精度優先プロファイルに比べて等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢを短くし、スループットを向上させることができる。 In the acceleration profile, the area of the acceleration profile (that is, the integrated value) corresponds to the velocity. Therefore, when the same target speed V is used for the throughput priority profile and the accuracy priority profile, the throughput priority profile has a larger area corresponding to the speed in the acceleration increase interval T1 and the acceleration decrease interval T2 than the accuracy priority profile. That is, in the throughput-priority profile, the area corresponding to speed can be made larger than in the accuracy-priority profile, and the uniform acceleration section T A can be shortened by the area difference D 1 (the hatched portion in FIG. 8). Similarly, in the throughput-priority profile, the area corresponding to the speed is larger in the deceleration increase section T3 and the deceleration decrease section T4 than the accuracy-priority profile. That is, in the throughput-priority profile, the area corresponding to speed can be made larger than in the accuracy-priority profile, and the uniform deceleration section T B can be shortened by the area difference D 2 (the hatched portion in FIG. 8). Thus, in the throughput-priority profile, the uniform acceleration section TA and the uniform deceleration section TB can be made shorter than in the accuracy-priority profile, and the throughput can be improved.

プロファイル演算部２０４によって加速区間Ｔａｃｃの駆動プロファイルを演算（決定）する場合、加速増加区間Ｔ１、加速減少区間Ｔ２、および等加速区間ＴＡの時間を設定する必要がある。本実施形態では、加速増加区間Ｔ１および加速減少区間Ｔ２の時間が固定されるため、等加速区間ＴＡの時間を演算する必要がある。同様に、プロファイル演算部２０４によって減速区間Ｔｄｅｃの駆動プロファイルを演算（決定）する場合、減速増加区間Ｔ３、減速減少区間Ｔ４、および等減速区間ＴＢの時間を設定する必要がある。本実施形態では、減速増加区間Ｔ３および減速減少区間Ｔ４の時間が固定されるため、等減速区間ＴＢの時間を演算する必要がある。 When the drive profile of the acceleration section T acc is calculated (determined) by the profile calculator 204, it is necessary to set the times of the acceleration increase section T 1 , the acceleration decrease section T 2 , and the constant acceleration section TA . In this embodiment, since the times of the acceleration increase interval T1 and the acceleration decrease interval T2 are fixed, it is necessary to calculate the time of the constant acceleration interval TA . Similarly, when the profile calculation unit 204 calculates (determines) the drive profile of the deceleration section T dec , it is necessary to set the times of the deceleration increase section T 3 , the deceleration decrease section T 4 , and the constant deceleration section TB . In this embodiment, since the times of the deceleration increasing section T3 and the deceleration decreasing section T4 are fixed, it is necessary to calculate the time of the constant deceleration section TB .

まず、精度優先プロファイルにおける等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢの時間を演算（決定）する方法について説明する。前述した式（３），（７），（１１），（１４）におけるｔΔをそれぞれＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４とすると、各区間Ｔ１～Ｔ４における速度ｖ１～ｖ４が、以下の式（２３）～（２６）によってそれぞれ表される。 First, a method of calculating (determining) the times of the constant acceleration section TA and the constant deceleration section TB in the accuracy priority profile will be described. Assuming that tΔ in the above formulas (3), (7), (11), and (14) is T 1 , T 2 , T 3 , and T 4 respectively, the velocities v 1 to v 4 in each section T 1 to T 4 are are represented by the following equations (23) to (26), respectively.

Figure 2023085013000024
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Figure 2023085013000025
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Figure 2023085013000026
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Figure 2023085013000027
Figure 2023085013000027

ここで、以下の式（２７）～（２８）で表される関係が成り立つため、等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢの時間を、以下の式（２９）～（３０）によってそれぞれ求めることができる。なお、式（２９）～（３０）では、係数として「３／８」が使用されているが、当該係数は、等速区間ＴＭまたは停止区間ＴＳにおける基板ステージ１１５の駆動精度に応じて、例えば「２／８」以上「４／８」未満の範囲内で任意に設定可能である。 Here, since the relationships represented by the following equations (27) to (28) hold, the times of the constant acceleration section T A and the constant deceleration section T B are obtained by the following equations (29) to (30), respectively. be able to. Although "3/8" is used as a coefficient in equations (29) to (30), this coefficient varies depending on the driving accuracy of the substrate stage 115 in the constant speed section TM or the stop section TS . , for example, can be arbitrarily set within the range of "2/8" or more and less than "4/8".

Figure 2023085013000028
Figure 2023085013000028

Figure 2023085013000029
Figure 2023085013000029

Figure 2023085013000030
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Figure 2023085013000031
Figure 2023085013000031

次に、スループット優先プロファイルにおける等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢの時間を演算（決定）する方法について説明する。前述した式（１６），（１８），（２０），（２２）におけるｔΔをそれぞれＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４とすると、各区間Ｔ１～Ｔ４における速度ｖ１～ｖ４が、以下の式（３１）～（３４）によってそれぞれで表される。 Next, a method of calculating (determining) the times of the constant acceleration section TA and the constant deceleration section TB in the throughput priority profile will be described. Assuming that tΔ in the above equations (16), (18), (20), and (22) are T 1 , T 2 , T 3 , and T 4 respectively, velocities v 1 to v 4 in each section T 1 to T 4 are respectively represented by the following equations (31) to (34).

Figure 2023085013000032
Figure 2023085013000032

Figure 2023085013000033
Figure 2023085013000033

Figure 2023085013000034
Figure 2023085013000034

Figure 2023085013000035
Figure 2023085013000035

ここで、以下の式（３５）～（３６）で表される関係が成り立つため、等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢの時間を、以下の式（３７）～（３８）によってそれぞれ求めることができる。 Here, since the relationships represented by the following equations (35) to (36) hold, the times of the constant acceleration section T A and the constant deceleration section T B are obtained by the following equations (37) to (38), respectively. be able to.

Figure 2023085013000036
Figure 2023085013000036

Figure 2023085013000037
Figure 2023085013000037

Figure 2023085013000038
Figure 2023085013000038

Figure 2023085013000039
Figure 2023085013000039

式（２９）～（３０）と式（３７）～（３８）とを比較すると、スループット優先プロファイルの方が精度優先プロファイルより等加速区間ＴＡおよび等減速区間ＴＢの時間が短いことが分かる。即ち、スループット優先プロファイルでは、精度優先プロファイルと比べ、加速区間Ｔａｃｃおよび減速区間Ｔｄｅｃが短縮され、スループットを向上することができる。 Comparing equations (29)-(30) with equations (37)-(38), it can be seen that the time of the constant acceleration section T A and constant deceleration section T B is shorter in the throughput priority profile than in the accuracy priority profile. . That is, in the throughput-priority profile, the acceleration section T acc and the deceleration section T dec are shortened compared to the accuracy-priority profile, and the throughput can be improved.

［駆動プロファイルの決定方法］
次に、基板ステージ１１５の移動を伴う複数の処理の各々について駆動プロファイルを決定（生成）する方法について説明する。図９は、複数の処理の各々について駆動プロファイルを決定する方法を示すフローチャートである。複数の処理は、等速区間ＴＭで基板１１４の走査露光を行う露光処理、および、停止区間ＴＳで基板１１４の位置計測（アライメント計測）を行う計測処理を含みうる。図９のフローチャートにおける各工程は、ステージ制御部１０７（制御部１００）によって実行されうる。 [How to determine the driving profile]
Next, a method of determining (generating) a driving profile for each of a plurality of processes involving movement of the substrate stage 115 will be described. FIG. 9 is a flow chart showing a method of determining drive profiles for each of a plurality of processes. The multiple processes can include an exposure process for scanning exposure of the substrate 114 in the constant velocity section TM and a measurement process for position measurement (alignment measurement) of the substrate 114 in the stop section TS . Each step in the flowchart of FIG. 9 can be executed by the stage controller 107 (controller 100).

ステップＳ１１では、ステージ制御部１０７は、主制御部１０３から入力された制御信号に基づいて、駆動プロファイルを決定する対象の処理が、等速区間ＴＭで基板１１４の走査露光を行う露光処理か否かを判断する。駆動プロファイルを決定する対象の処理が露光処理である場合にはステップＳ１２に進む。 In step S11, the stage control unit 107 determines whether the target process for determining the drive profile is the exposure process for scanning and exposing the substrate 114 in the constant velocity section TM based on the control signal input from the main control unit 103. determine whether or not If the process for which the driving profile is to be determined is the exposure process, the process proceeds to step S12.

ステップＳ１２では、ステージ制御部１０７は、加速区間Ｔａｃｃの加速減少区間Ｔ２に精度優先プロファイルを適用することによって駆動プロファイルを決定する。例えば、ステージ制御部１０７は、図１０に示されるように、加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）のみに精度優先プロファイルが適用されるように駆動プロファイルを決定しうる。この場合、加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）、減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）および減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）にはスループット優先プロファイルが適用されうる。また、ステージ制御部１０７は、加速減少区間Ｔ２に加えて、加速増加区間Ｔ１にも精度優先プロファイルが適用されるように駆動プロファイルを決定してもよい。この場合においても、減速増加区間Ｔ３および減速減少区間Ｔ４にはスループット優先プロファイルが適用される。このように駆動プロファイルを決定することで、等速区間ＴＭで行われる基板１１４の走査露光に要求される基板ステージ１１５の駆動精度は維持しつつ、基板ステージ１１５の駆動の全体としてスループットを向上させることができる。 In step S12, the stage control unit 107 determines the drive profile by applying the accuracy priority profile to the acceleration decrease section T2 of the acceleration section Tacc . For example, as shown in FIG. 10, the stage control unit 107 can determine the drive profile so that the precision-prioritized profile is applied only to the acceleration decrease interval T 2 (period from t 2 to t 3 ). In this case, throughput priority is given to the acceleration increase interval T 1 (0 to t 1 period), deceleration increase interval T 3 (t 4 to t 5 interval), and deceleration decrease interval T 4 (t 6 to t 7 interval). Profiles can be applied. Further, the stage control section 107 may determine the drive profile so that the accuracy priority profile is applied not only to the acceleration decrease interval T2 but also to the acceleration increase interval T1 . Even in this case, the throughput priority profile is applied to the deceleration increase section T3 and the deceleration decrease section T4 . By determining the driving profile in this way, the overall throughput of driving the substrate stage 115 is improved while maintaining the driving accuracy of the substrate stage 115 required for the scanning exposure of the substrate 114 performed in the constant velocity section TM . can be made

ステップＳ１１において、駆動プロファイルを決定する対象の処理が、等速区間ＴＭで基板１１４の走査露光を行わない非露光処理である場合にはステップＳ１３に進む。ステップＳ１３では、ステージ制御部１０７は、主制御部１０３から入力された制御信号に基づいて、駆動プロファイルを決定する対象の処理が、停止区間ＴＳで基板１１４の位置計測（アライメント計測）を行う計測処理か否かを判断する。駆動プロファイルを決定する対象の処理が計測処理である場合にはステップＳ１４に進む。 In step S11, if the process for which the drive profile is to be determined is the non-exposure process in which the substrate 114 is not scanned and exposed in the constant velocity section TM , the process proceeds to step S13. In step S13, the stage control unit 107 performs position measurement (alignment measurement) of the substrate 114 in the stop interval TS , based on the control signal input from the main control unit 103. Determine whether measurement processing is to be performed. If the target process for determining the drive profile is the measurement process, the process proceeds to step S14.

ステップＳ１４では、ステージ制御部１０７は、減速区間Ｔｄｅｃの減速減少区間Ｔ４に精度優先プロファイルを適用することによって駆動プロファイルを決定する。例えば、ステージ制御部１０７は、図１１に示されるように、減速減少区間Ｔ４（ｔ６～ｔ７の期間）のみに精度優先プロファイルが適用されるように駆動プロファイルを決定しうる。この場合、加速増加区間Ｔ１（０～ｔ１の期間）、加速減少区間Ｔ２（ｔ２～ｔ３の期間）および減速増加区間Ｔ３（ｔ４～ｔ５の期間）にはスループット優先プロファイルが適用されうる。また、ステージ制御部１０７は、減速減少区間Ｔ４に加えて、減速増加区間Ｔ３にも精度優先プロファイルが適用されるように駆動プロファイルを決定してもよい。この場合においても、加速増加区間Ｔ１および加速減少区間Ｔ２にはスループット優先プロファイルが適用される。このように、駆動プロファイルを決定する対象の処理が非露光処理である場合、加速区間Ｔａｃｃにスループット優先プロファイルが適用されるため、対象の処理が露光処理である場合に比べて加速区間Ｔａｃｃが短くなるように駆動プロファイルが決定される。また、このように駆動プロファイルを決定することで、停止区間ＴＳで行われる基板１１４の位置測定に要求される基板ステージ１１５の駆動精度を維持しつつ、基板ステージ１１５の駆動の全体としてスループットを向上させることができる。 In step S14, the stage control unit 107 determines the drive profile by applying the accuracy priority profile to the deceleration decrease section T4 of the deceleration section Tdec . For example, as shown in FIG. 11, the stage control unit 107 may determine the drive profile so that the precision priority profile is applied only to the deceleration decrease interval T 4 (period of t 6 to t 7 ). In this case, throughput priority is given to the acceleration increase interval T 1 (0 to t 1 period), acceleration decrease interval T 2 (t 2 to t 3 interval), and deceleration increase interval T 3 (t 4 to t 5 interval). Profiles can be applied. Further, the stage control section 107 may determine the drive profile so that the accuracy priority profile is applied not only to the deceleration decrease interval T4 but also to the deceleration increase interval T3 . Even in this case, the throughput priority profile is applied to the acceleration increase interval T1 and the acceleration decrease interval T2 . Thus, when the target process for determining the drive profile is the non-exposure process, the throughput priority profile is applied to the acceleration interval T acc . A driving profile is determined so that . Further, by determining the drive profile in this way, while maintaining the drive accuracy of the substrate stage 115 required for the position measurement of the substrate 114 performed in the stop section TS , the overall throughput of the drive of the substrate stage 115 can be increased. can be improved.

ステップＳ１３において、駆動プロファイルを決定する対象の処理が、停止区間ＴＳで基板１１４の位置計測を行わない非計測処理である場合にはステップＳ１５に進む。ステップＳ１５では、ステージ制御部１０７は、加速増加区間Ｔ１、加速減少区間Ｔ２、減速増加区間Ｔ３および減速減少区間Ｔ４に全てにスループット優先プロファイルが適用されるように駆動プロファイルを決定する。このように、駆動プロファイルを決定する対象の処理が非計測処理である場合、減速区間Ｔｄｅｃにスループット優先プロファイルが適用されるため、対象の処理が計測処理である場合に比べて減速区間Ｔａｃｃが短くなるように駆動プロファイルが決定される。 In step S13, if the process for which the driving profile is to be determined is a non-measurement process in which the position of the substrate 114 is not measured in the stop section TS , the process proceeds to step S15. In step S15, the stage control unit 107 determines the drive profile so that the throughput priority profile is applied to all of the acceleration increase interval T1 , acceleration decrease interval T2 , deceleration increase interval T3 , and deceleration decrease interval T4 . . Thus, when the target process for determining the drive profile is the non-measurement process, the throughput priority profile is applied to the deceleration section T dec . A driving profile is determined so that .

上述したように、本実施形態の露光装置ＥＸでは、基板ステージ１１５の移動を伴う処理の種類に応じて、基板ステージ１１５の駆動を制御するための駆動プロファイルが変更される。例えば、等速区間ＴＭで露光処理が行われる場合には、加速区間Ｔａｃｃに精度優先プロファイルが適用され、減速区間Ｔｄｅｃにスループット優先プロファイルが適用されるように、駆動プロファイルが決定される。また、停止区間ＴＳで計測処理が行われる場合には、減速区間Ｔｄｅｃに精度優先プロファイルが適用され、加速区間Ｔａｃｃにスループット優先プロファイルが適用されるように、駆動プロファイルが決定される。これにより、露光処理および／または計測処理に要求される基板ステージ１１５の駆動精度を確保（維持）しつつ、基板ステージ１１５の駆動の全体としてスループットを向上させることができる。 As described above, in the exposure apparatus EX of the present embodiment, the drive profile for controlling the drive of the substrate stage 115 is changed according to the type of processing involving movement of the substrate stage 115 . For example, when the exposure process is performed in the constant speed section TM , the drive profile is determined such that the accuracy priority profile is applied to the acceleration section T acc and the throughput priority profile is applied to the deceleration section T dec . . Further, when the measurement process is performed in the stop section TS , the drive profile is determined so that the accuracy priority profile is applied to the deceleration section Tdec and the throughput priority profile is applied to the acceleration section Tacc . As a result, it is possible to ensure (maintain) the drive accuracy of the substrate stage 115 required for the exposure process and/or the measurement process, and improve the overall throughput of the drive of the substrate stage 115 .

ここで、前述した実施形態は、各軸方向（ｘ軸方向、ｙ軸方向）の要求精度に応じて、軸方向ごとに駆動プロファイルを決定（選択）してもよい。例えば、基板ステージ１１５を同時に駆動する軸方向のうち駆動時間の少ない軸方向については、駆動時間の長い軸方向の駆動時間内であれば、基板ステージ１１５の駆動の全体としてのスループットが変わらないため、精度優先プロファイルを選択してもよい。これにより駆動時間の短い軸方向については、基板ステージ１１５の駆動精度を確保（維持）することができる。 Here, in the above-described embodiment, the drive profile may be determined (selected) for each axial direction according to the required accuracy in each axial direction (x-axis direction, y-axis direction). For example, among the axial directions in which the substrate stages 115 are simultaneously driven, the overall throughput of driving the substrate stage 115 does not change within the driving time of the axial direction with the longer driving time in the axial direction with the shorter driving time. , may select an accuracy-first profile. As a result, it is possible to secure (maintain) the driving accuracy of the substrate stage 115 in the axial direction where the driving time is short.

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像（加工）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 <Embodiment of method for manufacturing article>
The method for manufacturing an article according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article according to the present embodiment includes a step of forming a latent image pattern on a photosensitive agent applied to a substrate using the exposure apparatus (the step of exposing the substrate), and a step of forming the latent image pattern in this step. and developing (processing) the substrate. In addition, such manufacturing methods include other well-known steps (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of article performance, quality, productivity, and production cost compared to conventional methods.

＜その他の実施例＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。 <Other Examples>
The present invention supplies a program that implements one or more functions of the above-described embodiments to a system or apparatus via a network or a storage medium, and one or more processors in the computer of the system or apparatus reads and executes the program. It can also be realized by processing to It can also be implemented by a circuit (for example, ASIC) that implements one or more functions.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are appended to make public the scope of the invention.

１００：制御部、１０７：ステージ制御部、１１２：原版、１１３：原版ステージ、１１４：基板、１１５：基板ステージ、１２０：投影光学系、ＥＸ：露光装置 100: control unit, 107: stage control unit, 112: original plate, 113: original plate stage, 114: substrate, 115: substrate stage, 120: projection optical system, EX: exposure apparatus

Claims (14)

基板の走査露光を行う露光装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージの移動を伴う複数の処理の各々について、前記ステージの速度の大きさを規定する駆動プロファイルに従って前記ステージの駆動を制御する制御部と、
を備え、
前記駆動プロファイルは、前記ステージを加速させる加速区間と、前記加速区間の後に前記ステージを等速移動させる等速区間と、前記等速区間の後に前記ステージを減速させる減速区間とを含み、
前記複数の処理は、前記等速区間で前記走査露光を行う露光処理と、前記等速区間で前記走査露光を行わない非露光処理とを含み、
前記制御部は、前記露光処理と前記非露光処理とで前記加速区間の最大加速度が同じで、且つ、前記露光処理より前記非露光処理の方が前記加速区間が短くなるように、前記露光処理と前記非露光処理とで前記駆動プロファイルにおける前記加速区間の加速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus for scanning and exposing a substrate,
a stage holding the substrate;
a control unit that controls the driving of the stage according to a driving profile that defines the magnitude of the speed of the stage for each of a plurality of processes involving movement of the stage;
with
The drive profile includes an acceleration section for accelerating the stage, a constant speed section for moving the stage at a constant speed after the acceleration section, and a deceleration section for decelerating the stage after the constant speed section,
The plurality of processes includes an exposure process in which the scanning exposure is performed in the constant velocity section and a non-exposure process in which the scanning exposure is not performed in the constant velocity section,
The controller controls the exposure process so that the maximum acceleration in the acceleration period is the same between the exposure process and the non-exposure process, and the acceleration period is shorter in the non-exposure process than in the exposure process. and the non-exposure processing to change the acceleration profile of the acceleration section in the drive profile. 前記加速区間は、前記ステージの加速度を増加させる第１区間と、前記第１区間の後に前記ステージの加速度を減少させる第２区間とを含み、
前記制御部は、前記露光処理より前記非露光処理の方が前記第２区間における加速度の変化率のピーク位置が前記等速区間側に配置されるように、前記露光処理と前記非露光処理とで前記加速区間の加速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 The acceleration section includes a first section for increasing the acceleration of the stage and a second section for decreasing the acceleration of the stage after the first section,
The controller controls the exposure process and the non-exposure process so that the peak position of the rate of change in acceleration in the second section is positioned closer to the constant velocity section in the non-exposure process than in the exposure process. 2. An exposure apparatus according to claim 1, wherein the acceleration profile of said acceleration section is changed by . 前記制御部は、前記非露光処理で用いる前記駆動プロファイルを、前記第２区間における加速度の変化率のピーク位置が前記第２区間の中間に配置されるように決定する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。 The control unit determines the drive profile used in the non-exposure processing so that a peak position of a rate of change of acceleration in the second section is located in the middle of the second section. Item 3. The exposure apparatus according to item 2. 前記制御部は、前記露光処理より前記非露光処理の方が前記第１区間における加速度の変化率のピーク位置が前記等速区間側とは反対側に配置されるように、前記露光処理と前記非露光処理とで前記加速区間の加速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。 The controller controls the exposure process and the non-exposure process so that the peak position of the acceleration change rate in the first section is located on the opposite side to the constant velocity section side in the non-exposure process than in the exposure process. 4. An exposure apparatus according to claim 2, wherein the acceleration profile of said acceleration section is changed with non-exposure processing. 前記制御部は、前記非露光処理で用いる前記駆動プロファイルを、前記第１区間における加速度の変化率のピーク位置が前記第１区間の中間に配置されるように決定する、ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。 The control unit determines the drive profile used in the non-exposure processing so that a peak position of a rate of change in acceleration in the first section is located in the middle of the first section. Item 5. The exposure apparatus according to item 4. 前記加速区間は、前記ステージの加速度を一定とする第３区間を前記第１区間と前記第２区間との間に含み、
前記制御部は、前記露光処理と前記非露光処理とでの加速度の変化率のピーク位置の変更に応じて前記第３区間の長さを調整することにより、前記加速区間の長さを変更する、ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。 the acceleration section includes a third section in which the acceleration of the stage is constant between the first section and the second section;
The control unit changes the length of the acceleration section by adjusting the length of the third section according to a change in the peak position of the acceleration change rate between the exposure process and the non-exposure process. 6. An exposure apparatus according to any one of claims 2 to 5, characterized by: 前記駆動プロファイルは、前記減速区間の後に、前記ステージを停止させた状態を維持させる停止区間を含み、
前記複数の処理は、前記非露光処理として、前記停止区間で前記基板の位置計測を行う計測処理と、前記停止区間で前記基板の位置計測を行わない非計測処理とを含み、
前記制御部は、前記計測処理と前記非計測処理とで前記減速区間の最大減速度が同じで、且つ、前記計測処理より前記非計測処理の方が前記減速区間が短くなるように、前記計測処理と前記非計測処理とで前記駆動プロファイルにおける前記減速区間の減速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。 The drive profile includes a stop section for keeping the stage stopped after the deceleration section,
The plurality of processes includes, as the non-exposure processes, a measurement process of measuring the position of the substrate during the stop interval and a non-measurement process of not measuring the position of the substrate during the stop interval,
The control unit performs the measurement so that the maximum deceleration in the deceleration section is the same between the measurement process and the non-measurement process, and the deceleration section is shorter in the non-measurement process than in the measurement process. 7. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the deceleration profile of the deceleration section in the drive profile is changed between the processing and the non-measurement processing. 前記減速区間は、前記ステージの減速度を増加させる第４区間と、前記第４区間の後に前記ステージの減速度を減少させる第５区間とを含み、
前記制御部は、前記計測処理より前記非計測処理の方が前記第５区間における減速度の変化率のピーク位置が前記停止区間側に配置されるように、前記計測処理と前記非計測処理とで前記減速区間の減速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。 The deceleration section includes a fourth section for increasing the deceleration of the stage and a fifth section for decreasing the deceleration of the stage after the fourth section,
The control unit performs the measurement process and the non-measurement process so that the peak position of the rate of change in deceleration in the fifth section is located closer to the stop section than the measurement process. 8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the deceleration profile of the deceleration section is changed at . 前記制御部は、前記非計測処理で用いる前記駆動プロファイルを、前記第５区間における減速度の変化率のピーク位置が前記第５区間の中間に配置されるように決定する、ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。 The control unit determines the drive profile used in the non-measurement process so that the peak position of the rate of change in deceleration in the fifth section is located in the middle of the fifth section. An exposure apparatus according to claim 8 . 前記制御部は、前記計測処理より前記非計測処理の方が前記第４区間における減速度の変化率のピーク位置が前記等速区間側とは反対側に配置されるように、前記計測処理と前記非計測処理とで前記減速区間の減速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。 The controller controls the measurement process so that the peak position of the rate of change in deceleration in the fourth section is located on the opposite side of the constant speed section in the non-measurement process than in the measurement process. 10. The exposure apparatus according to claim 8, wherein the deceleration profile of the deceleration section is changed with the non-measurement processing. 前記制御部は、前記非計測処理で用いる前記駆動プロファイルを、前記第４区間における減速度の変化率のピーク位置が前記第４区間の中間に配置されるように決定する、ことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。 The control unit determines the drive profile used in the non-measurement process such that a peak position of a rate of change in deceleration in the fourth section is located in the middle of the fourth section. The exposure apparatus according to claim 10. 前記減速区間は、前記ステージの減速度を一定とする第６区間を前記第４区間と前記第５区間との間に含み、
前記制御部は、前記計測処理と前記非計測処理とでの減速度の変化率のピーク位置の変更に応じて前記第６区間の長さを調整することにより、前記減速区間の長さを変更する、ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。 the deceleration section includes a sixth section in which the deceleration of the stage is constant between the fourth section and the fifth section;
The control unit changes the length of the deceleration section by adjusting the length of the sixth section in accordance with a change in the peak position of the rate of change in deceleration between the measurement process and the non-measurement process. 12. The exposure apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein: 基板の走査露光を行う露光装置において、前記基板を保持するステージの駆動を制御する制御方法であって、
前記ステージの移動を伴う複数の処理の各々について、前記ステージの速度の大きさを規定する駆動プロファイルを決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記駆動プロファイルに従って、前記複数の処理の各々における前記ステージの駆動を制御する制御工程と、
を含み、
前記駆動プロファイルは、前記ステージを加速させる加速区間と、前記加速区間の後に前記ステージを等速移動させる等速区間と、前記等速区間の後に前記ステージを減速させる減速区間とを含み、
前記複数の処理は、前記等速区間で前記走査露光を行う露光処理と、前記等速区間で前記走査露光を行わない非露光処理とを含み、
前記決定工程では、前記露光処理と前記非露光処理とで前記加速区間の最大加速度が同じで、且つ、前記露光処理より前記非露光処理の方が前記加速区間が短くなるように、前記露光処理と前記非露光処理とで前記駆動プロファイルにおける前記加速区間の加速度プロファイルを変更する、ことを特徴とする制御方法。 A control method for controlling driving of a stage that holds a substrate in an exposure apparatus that scans and exposes the substrate, comprising:
a determination step of determining a drive profile that defines the magnitude of the velocity of the stage for each of a plurality of processes involving movement of the stage;
a control step of controlling the driving of the stage in each of the plurality of processes according to the driving profile determined in the determining step;
including
The drive profile includes an acceleration section for accelerating the stage, a constant speed section for moving the stage at a constant speed after the acceleration section, and a deceleration section for decelerating the stage after the constant speed section,
The plurality of processes includes an exposure process in which the scanning exposure is performed in the constant velocity section and a non-exposure process in which the scanning exposure is not performed in the constant velocity section,
In the determination step, the exposure process and the non-exposure process have the same maximum acceleration in the acceleration period, and the exposure process has a shorter acceleration period than the exposure process. and the non-exposure processing to change the acceleration profile of the acceleration section in the driving profile. 基板の走査露光を行う露光工程と、
前記露光工程で露光された前記基板を加工する加工工程と、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造する製造工程と、
を含み、
前記露光工程では、前記基板を保持するステージの駆動が、請求項１３に記載の制御方法を用いて制御される、ことを特徴とする物品の製造方法。 an exposure step of scanning and exposing the substrate;
a processing step of processing the substrate exposed in the exposure step;
a manufacturing step of manufacturing an article from the substrate processed in the processing step;
including
14. A method for manufacturing an article, wherein in said exposure step, driving of a stage holding said substrate is controlled using the control method according to claim 13.
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