JP2023081468A - Triazine compound - Google Patents

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Abstract

SOLUTION: Compounds represented by a formula (1) are useful as materials for organic devices such as organic electrolytic light emitting devices. (X is heteroarylene; Y1 is a group represented by a formula (1-a); Y2 is a group represented by a formula (1-b); A1, A2, A3, and A4 are substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl, and at least one of A1 and A2 or at least one of A3, and A4 is a group with N as a bonding position; Z1, Z2, and Z3 are CH or N, at least one of which is N; and * denotes a bonding position. At least one hydrogen in the compounds represented by the formula (1) may be replaced by cyano, halogen, or deuterium.)SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、トリアジン化合物、これを用いた有機電界発光素子、ならびに、表示装置および照明装置に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a triazine compound, an organic electroluminescent device using the same, a display device and a lighting device.

従来、電界発光する発光素子を用いた表示装置は、省電力化や薄型化が可能なことから、種々研究され、さらに、有機材料から成る有機電界発光素子は、軽量化や大型化が容易なことから活発に検討されてきた。特に、光の三原色の1つである青色や緑色などの発光特性を有する有機材料の開発、および正孔、電子などの電荷輸送能(半導体や超電導体となる可能性を有する)を備えた有機材料の開発については、高分子化合物、低分子化合物を問わずこれまで活発に研究されてきた。 Conventionally, display devices using light-emitting elements that emit electroluminescence have been studied in various ways because they can be reduced in power consumption and thickness. Further, organic electroluminescence elements made of organic materials can be easily reduced in weight and increased in size. has been actively investigated. In particular, the development of organic materials that emit light in one of the three primary colors of light, such as blue and green, and the ability to transport electrons and holes (potentially becoming semiconductors and superconductors). The development of materials has been actively researched, regardless of whether they are high-molecular compounds or low-molecular-weight compounds.

有機EL素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送/注入層などがあるが、これらの層に適当な種々の有機材料が開発されている。 An organic EL element has a structure comprising a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and one or more layers interposed between the pair of electrodes and containing an organic compound. Layers containing organic compounds include light-emitting layers and charge transport/injection layers that transport or inject charges such as holes and electrons. Various organic materials suitable for these layers have been developed.

発光層用の発光材料としては、現在、蛍光材料、燐光材料、熱活性型遅延蛍光(TADF)材料の3種類が利用されている。例えば、蛍光材料ではアザボリン誘導体を改良した材料などが報告されており(特許文献1)、燐光材料では多座配位子を有する貴金属錯体などが開発されており(特許文献2)、熱活性型遅延蛍光(TADF)材料ではカルバゾニトリル化合物などが開発されている(非特許文献1)。 Currently, three types of luminescent materials are used for the luminescent layer: fluorescent materials, phosphorescent materials, and thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials. For example, fluorescent materials such as improved azaborine derivatives have been reported (Patent Document 1), and phosphorescent materials such as noble metal complexes having multidentate ligands have been developed (Patent Document 2). Carbazonitrile compounds and the like have been developed as delayed fluorescence (TADF) materials (Non-Patent Document 1).

いずれの材料を用いた素子も、効率の低下につながる発光層または周辺層からのエネルギーの漏れを防ぐため高い最低励起一重項エネルギー準位または最低励起三重項エネルギー準位を持つ材料が発光層の隣接層またはホストに用いられる。特許文献3には、少なくとも2つのドナー部位と少なくとも2つのアクセプター部位を有する化合物であって、ドナー部位とアクセプター部位が同一分子内に同数存在する化合物を発光層のホストに用いて良好なデバイス性能が得られたことが記載されている。 In devices using any material, a material with a high lowest excited singlet energy level or lowest excited triplet energy level is used for the emitting layer in order to prevent energy leakage from the emitting layer or peripheral layers, which leads to a decrease in efficiency. Used for adjacent layers or hosts. In Patent Document 3, a compound having at least two donor sites and at least two acceptor sites, in which the same number of donor sites and acceptor sites are present in the same molecule, is used as a host for a light-emitting layer to improve device performance. was obtained.

国際公開第2015/102118号WO2015/102118 特開2014-239225号公報JP 2014-239225 A 米国特許出願公開第2020/0020867号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2020/0020867

Nature Vol.492 13 December 2012Nature Vol.492 13 December 2012

上述するように、有機EL素子に用いられる材料としては種々のものが開発されているが、有機EL素子用材料の選択肢を増やすために、従来のものとは異なる化合物からなる材料の開発が望まれている。また、特許文献1では、ホウ素を含む多環芳香族化合物とそれを用いた有機EL素子が報告されているが、更に素子特性を向上させるべく、発光効率および素子寿命を向上させることができる発光層用材料および周辺層用材料が求められている。 As described above, various materials have been developed for use in organic EL devices. However, in order to increase options for organic EL device materials, it is desirable to develop materials that are composed of compounds that are different from conventional materials. It is rare. In addition, Patent Document 1 reports a polycyclic aromatic compound containing boron and an organic EL device using the compound. There is a need for layer materials and peripheral layer materials.

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、新規なトリアジン化合物が高い最低励起一重項エネルギー準位および高い電子輸送性を有することを見出した。そして、例えばこのようなトリアジン化合物をホスト材料または発光層に隣接する層の材料とし、それよりも小さな最低励起三重項エネルギーを有する化合物をドーパント材料とした発光層を一対の電極間に配置して有機EL素子を構成することにより、優れた有機EL素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。すなわち本発明は、以下のようなトリアジン化合物、さらには以下のようなトリアジン化合物を含む有機デバイス用材料等を提供する。 The present inventors have made intensive studies to solve the above problems, and found that the novel triazine compound has a high lowest excited singlet energy level and a high electron transport property. Then, for example, such a triazine compound is used as a host material or a material of a layer adjacent to the light emitting layer, and a compound having a lower lowest excited triplet energy than that is used as a dopant material. A light emitting layer is arranged between a pair of electrodes. The inventors have found that an excellent organic EL device can be obtained by constructing the organic EL device, and completed the present invention. That is, the present invention provides the following triazine compounds, organic device materials containing the following triazine compounds, and the like.

<1> 式(1)で表される化合物;

Figure 2023081468000001
式(1)中、
Xは、置換または無置換のヘテロアリーレンであり、
1は式(1-a)で表される基であり、
2は式(1-b)で表される基であり、 <1> compound represented by formula (1);
Figure 2023081468000001
In formula (1),
X is substituted or unsubstituted heteroarylene;
Y 1 is a group represented by formula (1-a),
Y 2 is a group represented by formula (1-b),

Figure 2023081468000002
Figure 2023081468000002

1およびA2は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリールまたは置換もしくは無置換のヘテロアリールであり、
3およびA4は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、または置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノであり、
1およびA2のいずれも、またはA3およびA4のいずれもの少なくとも一方がNを結合位置とする基であり、
1、Z2およびZ3は、それぞれ独立してCHまたはNであるが、Z1、Z2およびZ3のうち、少なくとも1つはNであり、
*は結合位置を示し、
式(1)で表される化合物における少なくとも1つの水素はシアノ、ハロゲン、または重水素で置き換えられていてもよい。
A 1 and A 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl;
A 3 and A 4 are each independently substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted diarylamino, substituted or unsubstituted diheteroarylamino, or substituted or unsubstituted arylheteroarylamino,
at least one of A 1 and A 2 or A 3 and A 4 is a group having N as a bonding position;
Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently CH or N, but at least one of Z 1 , Z 2 and Z 3 is N;
* indicates the binding position,
At least one hydrogen in the compound represented by formula (1) may be replaced with cyano, halogen, or deuterium.

<2> Nを結合位置とする基が、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のN-カルバゾリル、置換もしくは無置換のN-アザカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-イミダゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-インドロインドリル、置換もしくは無置換のN-インドロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾフロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾチエノカルバゾリル、または置換もしくは無置換のN-インデノカルバゾリルである<1>に記載の化合物。 <2> Each group having N as the bonding position is independently substituted or unsubstituted N-carbazolyl, substituted or unsubstituted N-azacarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzimidazolyl, substituted or unsubstituted N - imidazoimidazolyl, substituted or unsubstituted N-indoloindolyl, substituted or unsubstituted N-indolocarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzofurocarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzothieno The compound according to <1>, which is carbazolyl or substituted or unsubstituted N-indenocarbazolyl.

<3> A1およびA2がいずれもNを結合位置とする基である<1>または<2>に記載の化合物。
<4> Xにおけるヘテロアリーレンが、カルバゾール、アザカルバゾール、ベンゾイミダゾール、イミダゾイミダゾール、インドロインドール、インドロカルバゾール、ベンゾフロカルバゾール、ベンゾチエノカルバゾールまたはインデノカルバゾールの環原子に結合する水素を任意に2つ除去した2価の基である<1>~<3>のいずれか一項に記載の化合物。
<3> The compound according to <1> or <2>, wherein both A 1 and A 2 are groups having N as the bonding position.
<4> heteroarylene in X optionally has two hydrogen atoms bonded to ring atoms of carbazole, azacarbazole, benzimidazole, imidazoimidazole, indoloindole, indolocarbazole, benzofurocarbazole, benzothienocarbazole or indenocarbazole; The compound according to any one of <1> to <3>, which is a divalent group with one removed.

<5> Z1、Z2およびZ3が、いずれもNである<1>~<4>のいずれかに記載の化合物。
<6> A1およびA2がいずれも無置換のN-カルバゾリルであり、かつA3およびA4がいずれも無置換のN-カルバゾリルまたは無置換のフェニルである<1>~<5>のいずれかに記載の化合物。
<5> The compound according to any one of <1> to <4>, wherein Z 1 , Z 2 and Z 3 are all N;
<6><1> to <5>, wherein both A 1 and A 2 are unsubstituted N-carbazolyl, and both A 3 and A 4 are unsubstituted N-carbazolyl or unsubstituted phenyl A compound according to any one of the above.

<7> 下記式のいずれかで表される<1>に記載の化合物。

Figure 2023081468000003
<7> The compound according to <1>, represented by any one of the following formulas.
Figure 2023081468000003

<8> <1>~<7>のいずれかに記載の化合物を含有する、有機デバイス用材料。
<9> 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置されされる有機層とを有し、前記有機層が<1>~<7>のいずれかに記載の化合物を含有する、有機電界発光素子。
<10> 前記有機層が発光層である、<9>に記載の有機電界発光素子。
<11> 前記発光層が、前記化合物をホスト材料として含み、さらにドーパント材料を含む、<10>に記載の有機電界発光素子。
<12> 前記有機層が電子輸送層である、<9>に記載の有機電界発光素子。
<13> <9>~<12>のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置。
<8> An organic device material containing the compound according to any one of <1> to <7>.
<9> A pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains the compound according to any one of <1> to <7>. An organic electroluminescence device.
<10> The organic electroluminescence device according to <9>, wherein the organic layer is a light-emitting layer.
<11> The organic electroluminescence device according to <10>, wherein the light-emitting layer contains the compound as a host material and further contains a dopant material.
<12> The organic electroluminescence device according to <9>, wherein the organic layer is an electron transport layer.
<13> A display device or lighting device comprising the organic electroluminescence device according to any one of <9> to <12>.

本発明の好ましい態様によれば、新規なトリアジン化合物を例えば発光層におけるホスト材料、ホスト材料の一成分または発光層へ隣接する層の成分として用いた有機EL素子を作製することで、量子効率や素子寿命が優れた有機EL素子を提供することができる。 According to a preferred embodiment of the present invention, the quantum efficiency and the An organic EL device having excellent device life can be provided.

本実施形態に係る有機EL素子を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element according to this embodiment; FIG. 一般的な蛍光ドーパントを用いたTAF素子のホスト、アシスティングドーパントおよびエミッティングドーパントのエネルギー関係を示すエネルギー準位図である。FIG. 3 is an energy level diagram showing the energy relationship between a host, an assisting dopant and an emitting dopant in a TAF device using a general fluorescent dopant. 本発明の一態様の有機電界発光素子における、ホスト、アシスティングドーパントおよびエミッティングドーパントのエネルギー関係の一例を示すエネルギー準位図である。FIG. 2 is an energy level diagram showing an example of the energy relationship among a host, an assisting dopant, and an emitting dopant in an organic electroluminescence device of one embodiment of the present invention.

以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は「~」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本明細書において構造式の説明における「水素」は「水素原子(H)」を意味する。同様に「炭素原子(C)」を「炭素」ということがある。
本明細書において、「隣接する基」というときは、構造式中で隣接する2つの原子(共有結合で直接結合する2つの原子)にそれぞれ結合している2つの基を意味する。
The present invention will be described in detail below. Although the constituent elements described below may be described based on representative embodiments and specific examples, the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, a numerical range represented by "-" means a range including the numerical values described before and after "-" as lower and upper limits. Further, "hydrogen" in the description of structural formulas in this specification means "hydrogen atom (H)". Similarly, "carbon atom (C)" may be referred to as "carbon".
As used herein, the term "adjacent groups" means two groups respectively bonded to two adjacent atoms (two atoms directly bonded by covalent bonds) in a structural formula.

本明細書において「Me」はメチル、「Et」はエチル、「nBu」はn-ブチル(ノルマルブチル)、「tBu」はt-ブチル(ターシャリーブチル)、「iBu」はイソブチル、「secBu」はセカンダリーブチル、「nPr」はn-プロピル(ノルマルプロピル)、「iPr」はイソプロピル、「tAm」はt-アミル、「2EH」は2-エチルヘキシル、「tOct」はt-オクチル、「Ad」は1-アダマンチル、「Ph」はフェニル、「Mes」はメシチル(2,4,6-トリメチルフェニル)、「Tf」はトリフルオロメタンスルホニル、「TMS」はトリメチルシリル、「D」は重水素を表す。
本明細書において、有機電界発光素子を有機EL素子ということがある。
In the present specification, “Me” is methyl, “Et” is ethyl, “nBu” is n-butyl (normal butyl), “tBu” is t-butyl (tertiary butyl), “iBu” is isobutyl, “secBu” is secondary butyl, "nPr" is n-propyl (normal propyl), "iPr" is isopropyl, "tAm" is t-amyl, "2EH" is 2-ethylhexyl, "tOct" is t-octyl, "Ad" is 1-adamantyl, "Ph" for phenyl, "Mes" for mesityl (2,4,6-trimethylphenyl), "Tf" for trifluoromethanesulfonyl, "TMS" for trimethylsilyl, and "D" for deuterium.
In this specification, the organic electroluminescence device is sometimes referred to as an organic EL device.

本明細書において化学構造や置換基を炭素数で表すことがあるが、化学構造に置換基が置換した場合や、置換基にさらに置換基が置換した場合などにおける炭素数は、化学構造や置換基それぞれの炭素数を意味し、化学構造と置換基の合計の炭素数や、置換基と置換基の合計の炭素数を意味するものではない。例えば、「炭素数Xの置換基Aで置換された炭素数Yの置換基B」とは、「炭素数Yの置換基B」に「炭素数Xの置換基A」が置換することを意味し、炭素数Yは置換基Aおよび置換基Bの合計の炭素数ではない。また例えば、「置換基Aで置換された炭素数Yの置換基B」とは、「炭素数Yの置換基B」に「(炭素数限定がない)置換基A」が置換することを意味し、炭素数Yは置換基Aおよび置換基Bの合計の炭素数ではない。 In this specification, chemical structures and substituents are sometimes represented by the number of carbon atoms. It refers to the number of carbon atoms in each group and does not refer to the total number of carbon atoms in the chemical structure and substituents, or the total number of carbon atoms in the substituent and substituents. For example, "a substituent B having a carbon number of Y substituted with a substituent A having a carbon number of X" means that a "substituent having a carbon number of Y" is substituted with a "substituent having a carbon number of X". However, the carbon number Y is not the total carbon number of the substituents A and B. Further, for example, “substituent B having Y carbon atoms and substituted with substituent A” means that “substituent B having Y carbon atoms” is substituted with “substituent A (with no carbon number limitation)”. However, the carbon number Y is not the total carbon number of the substituents A and B.

<環および置換基の説明>
まず、本明細書において使用する環および置換基の詳細について以下で説明する。
<Description of Ring and Substituent>
First, the details of the rings and substituents used herein are described below.

本明細書における「アリール環」としては、例えば、炭素数6~30のアリール環があげられ、炭素数6~16のアリール環が好ましく、炭素数6~12のアリール環がより好ましく、炭素数6~10のアリール環が特に好ましい。 The "aryl ring" in the present specification includes, for example, an aryl ring having 6 to 30 carbon atoms, preferably an aryl ring having 6 to 16 carbon atoms, more preferably an aryl ring having 6 to 12 carbon atoms. Particularly preferred are 6-10 aryl rings.

具体的な「アリール環」としては、単環系であるベンゼン環、二環系であるビフェニル環、縮合二環系であるナフタレン環、インデン環、三環系であるテルフェニル環(m-テルフェニル、o-テルフェニル、p-テルフェニル)、縮合三環系である、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環、アントラセン環、縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環、ナフタセン環、クリセン環、縮合五環系であるペリレン環、ペンタセン環などがあげられる。また、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、インデン環には、それぞれフルオレン環、ベンゾフルオレン環、シクロペンタン環などがスピロ結合した構造も含まれる。なお、フルオレン環、ベンゾフルオレン環およびインデン環には、その構造中のメチレンの2つの水素のうちの2つがそれぞれ後述の第1の置換基としてのメチルなどのアルキルに置き換わって、ジメチルフルオレン環、ジメチルベンゾフルオレン環およびジメチルインデン環などとなっているものも含まれる。 Specific “aryl rings” include monocyclic benzene ring, bicyclic biphenyl ring, condensed bicyclic naphthalene ring and indene ring, tricyclic terphenyl ring (m-ter phenyl, o-terphenyl, p-terphenyl), condensed tricyclic acenaphthylene ring, fluorene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, condensed tetracyclic triphenylene ring, pyrene ring, naphthacene ring, Examples include a chrysene ring, a condensed pentacyclic perylene ring, and a pentacene ring. The fluorene ring, benzofluorene ring, and indene ring also include structures in which fluorene rings, benzofluorene rings, cyclopentane rings, and the like are spiro-bonded, respectively. In the fluorene ring, benzofluorene ring and indene ring, two of the two hydrogens of methylene in the structure are respectively replaced with alkyl such as methyl as a first substituent described later, resulting in a dimethylfluorene ring, Those having a dimethylbenzofluorene ring, a dimethylindene ring, and the like are also included.

本明細書における「ヘテロアリール環」としては、例えば、炭素数2~30のヘテロアリール環があげられ、炭素数2~25のヘテロアリール環が好ましく、炭素数2~20のヘテロアリール環がより好ましく、炭素数2~15のヘテロアリール環がさらに好ましく、炭素数2~10のヘテロアリール環が特に好ましい。また、「ヘテロアリール環」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄、窒素、リンおよびセレンなどから選ばれるヘテロ原子を1ないし5個含有する複素環などがあげられる。 As used herein, the "heteroaryl ring" includes, for example, a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, preferably a heteroaryl ring having 2 to 25 carbon atoms, more preferably a heteroaryl ring having 2 to 20 carbon atoms. A heteroaryl ring having 2 to 15 carbon atoms is more preferable, and a heteroaryl ring having 2 to 10 carbon atoms is particularly preferable. The "heteroaryl ring" includes, for example, a heterocyclic ring containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, selenium, etc. in addition to carbon as ring-constituting atoms.

具体的な「ヘテロアリール環」としては、例えば、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、1H-インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、1H-ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、フェナザシリン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、チアントレン環、インドロカルバゾール環、ベンゾインドロカルバゾール環、ジベンゾインドロカルバゾール環、ナフトベンゾフラン環、ジオキシン環、ジヒドロアクリジン環、キサンテン環、チオキサンテン環、ジベンゾジオキシン環、ベンゾセレノフェン環、ジベンゾセレノフェン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾセレノフェン環、アザトリフェニレン環、イミダゾイミダゾール環、インドロインドール環、ベンゾフロカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、インデノカルバゾール環およびセレノフェノカルバゾール環などがあげられる。また、ジヒドロアクリジン環、キサンテン環、チオキサンテン環、インデノカルバゾール環は、その構造中のメチレンの2つの水素のうちの2つがそれぞれ後述の第1の置換基としてのメチルなどのアルキルに置き換わって、ジメチルジヒドロアクリジン環、ジメチルキサンテン環、ジメチルチオキサンテン環などとなっているものも好ましい。また二環系であるビピリジン環、フェニルピリジン環、ピリジルフェニル環、三環系であるテルピリジル環、ビスピリジルフェニル環、ピリジルビフェニル環も「ヘテロアリール環」としてあげられる。また、「ヘテロアリール環」にはピラン環も含まれるものとする。 Specific "heteroaryl rings" include, for example, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, thiadiazole ring, triazole ring, tetrazole ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, indole ring, isoindole ring, 1H-indazole ring, benzimidazole ring, benzoxazole ring, benzothiazole ring, 1H-benzotriazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring , cinnoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, purine ring, pteridine ring, carbazole ring, acridine ring, phenoxathiine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, phenazine ring, phenazacilline ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, furazan ring, thianthrene ring, indolocarbazole ring, benzoindolocarbazole ring, dibenzoindolocarbazole ring, naphthobenzofuran ring, dioxin ring, dihydroacridine ring, xanthene ring, thioxanthene ring, dibenzodioxin ring, benzoselenophene ring, dibenzoselenophene ring, azacarbazole ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzofuran ring, azadibenzoselenophene ring, azatriphenylene ring , imidazoimidazole ring, indoloindole ring, benzofurocarbazole ring, benzothienocarbazole ring, indenocarbazole ring and selenophenocarbazole ring. In the dihydroacridine ring, xanthene ring, thioxanthene ring, and indenocarbazole ring, two of the two hydrogens of methylene in the structure are respectively replaced with alkyl such as methyl as the first substituent described later. , dimethyldihydroacridine ring, dimethylxanthene ring, dimethylthioxanthene ring and the like are also preferred. Bipyridine ring, phenylpyridine ring and pyridylphenyl ring which are bicyclic ring systems, and terpyridyl ring, bispyridylphenyl ring and pyridylbiphenyl ring which are tricyclic systems are also mentioned as "heteroaryl ring". Moreover, a pyran ring shall also be contained in a "heteroaryl ring."

本明細書において、置換基は、さらなる置換基で置換されていることがある。例えば、特定の置換基に関して、「置換もしくは無置換の」と説明がされることがある。これはその特定の置換基が少なくとも1つのさらなる置換基で置換されているか、または置換されていないことを意味する。同様の意味で「置換されていてもよい」ということもある。本明細書において、このときの上記特定の置換基を「第1の置換基」、上記のさらなる置換基を「第2の置換基」ということがある。 Substituents herein may be substituted with additional substituents. For example, a particular substituent may be described as "substituted or unsubstituted." This means that the particular substituent may or may not be substituted with at least one further substituent. In the same sense, it may be said to be "optionally substituted". In the present specification, the specific substituent at this time may be referred to as the "first substituent", and the additional substituent may be referred to as the "second substituent".

本明細書において、「置換基」という場合、特に別途の説明がないときは、置換基群Zから選択されるいずれかの基であればよい。例えば、「置換もしくは無置換の」とされる基が置換されているとき、当該基は置換基群Zから選択される少なくとも1つの基で置換されていればよい。 In the present specification, the term "substituent" may be any group selected from the substituent group Z, unless otherwise specified. For example, when a "substituted or unsubstituted" group is substituted, the group may be substituted with at least one group selected from the substituent group Z.

本明細書において、置換基群Zは、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいアリール、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいヘテロアリール、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいジアリールアミノ(2つのアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい)、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいジヘテロアリールアミノ(2つのヘテロアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい)、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいアリールヘテロアリールアミノ(アリールとヘテロアリールとは互いに連結基を介して結合していてもよい)、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいジアリールボリル(2つのアリールは単結合または連結基を介して結合していてもよい)、
アリール、ヘテロアリールおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいアルキル、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいシクロアルキル、
アリール、ヘテロアリールおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいアルコキシ、
アリール、ヘテロアリール、アルキルおよびシクロアルキルからなる群より選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよいアリールオキシ、ならびに
置換シリルからなる。
置換基群Zの各基における第2置換基であるアリールは、さらにアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよい、同様に、第2置換基であるヘテロアリールはアリール、ヘテロアリール、アルキル、またはシクロアルキルで置換されていてもよい。
In the present specification, the substituent group Z is
aryl optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
heteroaryl optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
diarylamino optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (the two aryls may be bonded to each other via a linking group);
diheteroarylamino optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (two heteroaryls may be bonded to each other via a linking group) ,
arylheteroarylamino optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (aryl and heteroaryl may be ),
diarylboryl optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl (the two aryls may be bonded via a single bond or a linking group);
alkyl optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl and cycloalkyl;
cycloalkyl optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl;
alkoxy optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl and cycloalkyl;
It consists of aryloxy optionally substituted with at least one group selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl and cycloalkyl, and substituted silyl.
The second substituent aryl in each group of the substituent group Z may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl. Similarly, the second substituent heteroaryl is aryl, It may be optionally substituted with heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl.

本明細書において、「アリール」は、例えば炭素数6~30のアリールであり、好ましくは、炭素数6~20のアリール、炭素数6~16のアリール、炭素数6~12のアリール、または炭素数6~10のアリールなどである。 As used herein, "aryl" is, for example, aryl having 6 to 30 carbon atoms, preferably aryl having 6 to 20 carbon atoms, aryl having 6 to 16 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, or Aryl of numbers 6 to 10 and the like.

具体的な「アリール」としては、上述した「アリール環」から1つの水素を除いた1価の基があげられる。例えば、単環系であるフェニル、二環系であるビフェニリル(2-ビフェニリル、3-ビフェニリル、もしくは4-ビフェニリル)、縮合二環系であるナフチル(1-ナフチルもしくは2-ナフチル)、三環系であるテルフェニリル(m-テルフェニル-2'-イル、m-テルフェニル-4'-イル、m-テルフェニル-5'-イル、o-テルフェニル-3'-イル、o-テルフェニル-4'-イル、p-テルフェニル-2'-イル、m-テルフェニル-2-イル、m-テルフェニル-3-イル、m-テルフェニル-4-イル、o-テルフェニル-2-イル、o-テルフェニル-3-イル、o-テルフェニル-4-イル、p-テルフェニル-2-イル、p-テルフェニル-3-イル、もしくはp-テルフェニル-4-イル)、縮合三環系である、アセナフチレン-(1-、3-、4-、もしくは5-)イル、フルオレン-(1-、2-、3-、4-、もしくは9-)イル、フェナレン-(1-もしくは2-)イル、フェナントレン-(1-、2-、3-、4-、もしくは9-)イル、もしくはアントラセン-(1-、2-、もしくは9-)イル、四環系であるクアテルフェニリル(5'-フェニル-m-テルフェニル-2-イル、5'-フェニル-m-テルフェニル-3-イル、5'-フェニル-m-テルフェニル-4-イル、もしくはm-クアテルフェニル)、縮合四環系である、トリフェニレン-(1-もしくは2-)イル、ピレン-(1-、2-、もしくは4-)イル、もしくはナフタセン-(1-、2-、もしくは5-)イル、または、縮合五環系である、ペリレン-(1-、2-、もしくは3-)イル、もしくはペンタセン-(1-、2-、5-、もしくは6-)イルなどである。その他、スピロフルオレンの1価の基などがあげられる。 A specific “aryl” includes a monovalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “aryl ring”. For example, monocyclic phenyl, bicyclic biphenylyl (2-biphenylyl, 3-biphenylyl, or 4-biphenylyl), fused bicyclic naphthyl (1-naphthyl or 2-naphthyl), tricyclic Terphenylyl (m-terphenyl-2′-yl, m-terphenyl-4′-yl, m-terphenyl-5′-yl, o-terphenyl-3′-yl, o-terphenyl-4 '-yl, p-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-2-yl, m-terphenyl-3-yl, m-terphenyl-4-yl, o-terphenyl-2-yl, o-terphenyl-3-yl, o-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-2-yl, p-terphenyl-3-yl, or p-terphenyl-4-yl), condensed tricyclic system, acenaphthylene-(1-, 3-, 4-, or 5-)yl, fluorene-(1-, 2-, 3-, 4-, or 9-)yl, phenalene-(1- or 2 -)yl, phenanthrene-(1-, 2-, 3-, 4-, or 9-)yl, or anthracen-(1-, 2-, or 9-)yl, tetracyclic quaterphenylyl (5'-phenyl-m-terphenyl-2-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-3-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-4-yl, or m-quaterphenyl) , a fused tetracyclic ring system, triphenylene-(1- or 2-)yl, pyren-(1-, 2-, or 4-)yl, or naphthacene-(1-, 2-, or 5-)yl, Or perylene-(1-, 2-, or 3-)yl, or pentacene-(1-, 2-, 5-, or 6-)yl, which are fused five-ring systems. Other examples include a monovalent group of spirofluorene.

なお、第2置換基としてのアリールには、当該アリールが、フェニルなどのアリール(具体例は上述した基)、メチルなどのアルキル(具体例は後述する基)、およびシクロヘキシルもしくはアダマンチルなどのシクロアルキル(具体例は後述する基)からなる群より選択される少なくとも1つの基で置換された構造も含まれる。
その一例としては、第2置換基としてのフルオレニルの9位が、フェニルなどのアリール、メチルなどのアルキル、またはシクロヘキシルもしくはアダマンチルなどのシクロアルキルで置換された基があげられる。
The aryl as the second substituent includes aryl such as phenyl (specific examples are the groups described above), alkyl such as methyl (specific examples are groups described later), and cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl. Structures substituted with at least one group selected from the group consisting of (specific examples are groups described later) are also included.
An example thereof is a group in which the 9-position of fluorenyl as the second substituent is substituted with aryl such as phenyl, alkyl such as methyl, or cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl.

「アリーレン」は、例えば炭素数6~30のアリーレンであり、好ましくは、炭素数6~20のアリーレン、炭素数6~16のアリーレン、炭素数6~12のアリーレン、または炭素数6~10のアリーレンなどである。
具体的な「アリーレン」は、例えば、上述した「アリール」(1価の基)から1つの水素を除いた2価の基があげられる。
"Arylene" is, for example, arylene having 6 to 30 carbon atoms, preferably arylene having 6 to 20 carbon atoms, arylene having 6 to 16 carbon atoms, arylene having 6 to 12 carbon atoms, or arylene having 6 to 10 carbon atoms. Arylene and others.
A specific “arylene” is, for example, a divalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “aryl” (monovalent group).

「ヘテロアリール」は、例えば炭素数2~30のヘテロアリールであり、好ましくは、炭素数2~25のヘテロアリール、炭素数2~20のヘテロアリール、炭素数2~15のヘテロアリール、または炭素数2~10のヘテロアリールなどである。「ヘテロアリール」は、環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄、および窒素等から選ばれるヘテロ原子を、1個以上、好ましくは1~5個含有する。 “Heteroaryl” is, for example, heteroaryl having 2 to 30 carbon atoms, preferably heteroaryl having 2 to 25 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 20 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, or carbon Heteroaryl of numbers 2 to 10 and the like. “Heteroaryl” contains 1 or more, preferably 1 to 5, heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen and the like as ring-constituting atoms in addition to carbon atoms.

具体的な「ヘテロアリール」としては、上述した「ヘテロアリール環」から1つの水素を除いた1価の基があげられる。例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、1H-インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、1H-ベンゾトリアゾリル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、キナゾリニル、キノキサリニル、フェナントロリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサチイニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェナザシリニル、インドリジニル、フラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、ナフトベンゾフラニル、チエニル、ベンゾチエニル、イソベンゾチエニル、ジベンゾチエニル、ナフトベンゾチエニル、ベンゾセレノフェニル、ジベンゾセレノフェニル、アザカルバゾリル、アザジベンゾチオフェニル、アザジベンゾフラニル、アザジベンゾセレノフェニル、アザトリフェニレニル、イミダゾイミダゾリル、インドロインドリル、ベンゾフロカルバゾリル、ベンゾチエノカルバゾリル、インデノカルバゾリルおよびセレノフェノカルバゾリル、ベンゾホスホリル、ジベンゾホスホリル、ベンゾホスホールオキシド環の1価の基、ジベンゾホスホールオキシド環の1価の基、フラザニル、チアントレニル、インドロカルバゾリル、ベンゾインドロカルバゾリル、ジベンゾインドロカルバゾリル、イミダゾリニル、またはオキサゾリニルなどである。その他、スピロ[フルオレン-9、9’-キサンテン]の1価の基、スピロビ[シラフルオレン]の1価の基があげられる。 A specific “heteroaryl” includes a monovalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “heteroaryl ring”. For example pyrrolyl, oxazolyl, isoxazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, imidazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, pyrazolyl, pyridyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, pyrazinyl, triazinyl, indolyl, isoindolyl, 1H-indazolyl, benzimidazolyl, benzoxazolyl, benzothiazolyl , 1H-benzotriazolyl, quinolinyl, isoquinolinyl, cinnolinyl, quinazolinyl, quinoxalinyl, phenanthrolinyl, phthalazinyl, naphthyridinyl, purinyl, pteridinyl, carbazolyl, acridinyl, phenoxathiinyl, phenoxazinyl, phenothiazinyl, phenazinyl, phenazacilinyl, indolizinyl , furanyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl, naphthobenzofuranyl, thienyl, benzothienyl, isobenzothienyl, dibenzothienyl, naphthobenzothienyl, benzoselenophenyl, dibenzoselenophenyl, azacarbazolyl, azadibenzothiophenyl, azadibenzofuranyl, azadibenzoselenophenyl, azatriphenylenyl, imidazoimidazolyl, indoloindolyl, benzofurocarbazolyl, benzothienocarbazolyl, indenocarbazolyl and selenophenocarbazolyl, benzophosphoryl, dibenzo phosphoryl, a monovalent group of a benzophosphole oxide ring, a monovalent group of a dibenzophosphole oxide ring, furazanyl, thianthrenyl, indolocarbazolyl, benzindolocarbazolyl, dibenzoindolocarbazolyl, imidazolinyl, or and oxazolinyl. Other examples include a spiro[fluorene-9,9'-xanthene] monovalent group and a spirobi[silafluorene] monovalent group.

なお、第2置換基としてのヘテロアリールには、当該ヘテロアリールが、フェニルなどのアリール(具体例は上述した基)、メチルなどのアルキル(具体例は後述する基)およびシクロヘキシルもしくはアダマンチルなどのシクロアルキル(具体例は後述する基)からなる群より選択される少なくとも1つの基で置換された構造も含まれる。
その一例としては、第2置換基としてのカルバゾリルの9位が、フェニルなどのアリール、メチルなどのアルキル、またはシクロヘキシルもしくはアダマンチルなどのシクロアルキルで置換された基があげられる。また、ピリジル、ピリミジニル、トリアジニル、カルバゾリルなどの含窒素ヘテロアリールがさらにフェニルまたはビフェニリルなどで置換された基も第2置換基としてのヘテロアリールに含まれる。
The heteroaryl as the second substituent includes aryl such as phenyl (specific examples are the groups described above), alkyl such as methyl (specific examples are groups described later), and cyclohexyl or adamantyl. Structures substituted with at least one group selected from the group consisting of alkyl (specific examples are groups described later) are also included.
An example thereof is a group in which the 9-position of carbazolyl as the second substituent is substituted with aryl such as phenyl, alkyl such as methyl, or cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl. In addition, groups in which nitrogen-containing heteroaryl such as pyridyl, pyrimidinyl, triazinyl and carbazolyl are further substituted with phenyl or biphenylyl are also included in heteroaryl as the second substituent.

「ヘテロアリーレン」は、例えば炭素数2~30のヘテロアリーレンであり、好ましくは、炭素数2~25のヘテロアリーレン、炭素数2~20のヘテロアリーレン、炭素数2~15のヘテロアリーレン、または炭素数2~10のヘテロアリーレンなどである。また、「ヘテロアリーレン」は、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄、および窒素から選ばれるヘテロ原子を1~5個含有する複素環などの二価の基である。
具体的な「ヘテロアリーレン」は、例えば、上述した「ヘテロアリール」(1価の基)から1つの水素を除いた2価の基があげられる。
"Heteroarylene" is, for example, heteroarylene having 2 to 30 carbon atoms, preferably heteroarylene having 2 to 25 carbon atoms, heteroarylene having 2 to 20 carbon atoms, heteroarylene having 2 to 15 carbon atoms, or carbon Heteroarylene of numbers 2 to 10 and the like. Further, "heteroarylene" is a divalent group such as a heterocyclic ring containing, for example, 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur and nitrogen in addition to carbon as ring-constituting atoms.
A specific “heteroarylene” is, for example, a divalent group obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned “heteroaryl” (monovalent group).

「ジアリールアミノ」は、2つのアリールが置換したアミノであり、このアリールの詳細については上述した「アリール」の説明を引用できる。
「ジヘテロアリールアミノ」は、2つのヘテロアリールが置換したアミノ基であり、このヘテロアリールの詳細については上述した「ヘテロアリール」の説明を引用できる。
「アリールヘテロアリールアミノ」は、アリールおよびヘテロアリールが置換したアミノ基であり、このアリールおよびヘテロアリールの詳細については上述した「アリール」および「ヘテロアリール」の説明を引用できる。
"Diarylamino" is amino substituted with two aryls, and the above description of "aryl" can be referred to for details of this aryl.
"Diheteroarylamino" is an amino group substituted with two heteroaryls, and the above description of "heteroaryl" can be referred to for details of this heteroaryl.
"Arylheteroarylamino" is an amino group substituted with aryl and heteroaryl, and the details of this aryl and heteroaryl can be referred to the above explanations of "aryl" and "heteroaryl".

第1の置換基としてのジアリールアミノにおける2つのアリールは互いに連結基を介して結合していてもよく、第1の置換基としてのジヘテロアリールアミノにおける2つのヘテロアリールは互いに連結基を介して結合していてもよく、第1の置換基としてのアリールヘテロアリールアミノのアリールとヘテロアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい。ここで、「連結基を介して結合」という記載は、下記に示すように例えばジフェニルアミノの2つのフェニルが連結基で結合を形成することを表す。またこの説明はアリールやヘテロアリールで形成された、ジヘテロアリールアミノおよびアリールヘテロアリールアミノについても適応される。 Two aryls in the diarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group, and two heteroaryls in the diheteroarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group. The aryl and heteroaryl of the arylheteroarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group. Here, the description "bonded via a linking group" means that two phenyls such as diphenylamino form a bond via the linking group as shown below. This explanation also applies to diheteroarylamino and arylheteroarylamino formed by aryl and heteroaryl.

Figure 2023081468000004
Figure 2023081468000004

連結基としては具体的には、>O、>N-RX、>C(-RX2、>Si(-RX2、>S、>CO、>CS、>SO、>SO2、および>Seがあげられる。RXはそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、アリール、またはヘテロアリールであり、これらはアルキル、シクロアルキル、アリール、またはヘテロアリールで置換されていてもよい。また>C(-RX2、>Si(-RX2、におけるRXは、単結合または連結基XYを介して結合して環を形成してもよい。XYとしては>O、>N-RY、>C(-RY2、>Si(-RY2、>S、>CO、>CS、>SO、>SO2、および>Seがあげられ、RYはそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールであり、これらはアルキル、シクロアルキル、アリール、またはヘテロアリールで置換されていてもよい。ただし、XYが>C(-RY2および>Si(-RY2の場合には、2つのRYは結合してさらに環を形成することはない。さらに連結基としては、アルケニレンもあげられる。該アルケニレンの任意の水素はそれぞれ独立してRXで置換されていてもよく、RXはそれぞれ独立してアルキル、シクロアルキル、置換シリル、アリールおよびヘテロアリールであり、これらはアルキル、シクロアルキル、置換シリル、アリールで置換されていてもよい。 Specific examples of the linking groups include >O, >N—R x , >C(—R x ) 2 , >Si(—R x ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se. Each R X is independently alkyl, cycloalkyl, aryl, or heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl, or heteroaryl. In addition, R X in >C(-R X ) 2 and >Si(-R X ) 2 may be bonded via a single bond or a linking group X Y to form a ring. X Y is >O, >N-R Y , >C(-R Y ) 2 , >Si(-R Y ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , and >Se and each RY is independently alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. However, when X Y is >C(-R Y ) 2 and >Si(-R Y ) 2 , the two R Y do not combine to form a further ring. Further examples of linking groups include alkenylene. Any hydrogen of said alkenylene may each independently be substituted with R X , each R X being independently alkyl, cycloalkyl, substituted silyl, aryl and heteroaryl, which are alkyl, cycloalkyl, It may be substituted with substituted silyl or aryl.

なお、本明細書で単に「ジアリールアミノ」、「ジヘテロアリールアミノ」、または「アリールヘテロアリールアミノ」と記載されている場合は、特に断りがない限りは、それぞれ「ジアリールアミノの2つのアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい」、「前記ジヘテロアリールアミノの2つのヘテロアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい」および「前記アリールヘテロアリールアミノのアリールとヘテロアリールは互いに連結基を介して結合していてもよい」という説明が加わっているものであるとする。 In the present specification, when simply described as "diarylamino", "diheteroarylamino", or "arylheteroarylamino", unless otherwise specified, "the two aryls of diarylamino are may be bonded to each other via a linking group", "two heteroaryls of the diheteroarylamino may be bonded to each other via a linking group", and "the aryl and the heteroaryl of the arylheteroarylamino aryl may be bonded to each other via a linking group".

「ジアリールボリル」は、2つのアリールが置換したボリルであり、このアリールの詳細については上述した「アリール」の説明を引用できる。また、この2つのアリールは、単結合または連結基(例えば、-CH=CH-、-CR=CR-、-C≡C-、>N-R、>O、>S、>C(-R)2、>Si(-R)2、または>Se)を介して結合していてもよい。ここで、前記-CR=CR-のR、>N-RのR、>C(-R)2のR、および>Si(-R)のRは、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アルコキシ、またはアリールオキシであり、当該Rにおける少なくとも1つの水素は、さらにアリール、ヘテロアリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはシクロアルキルで置換されていてもよい。また、隣接する2つのR同士が結合して環を形成し、シクロアルキレン、アリーレン、およびヘテロアリーレンを形成していてもよい。ここで列挙した置換基の詳細については、上述した「アリール」、「アリーレン」、「ヘテロアリール」、「ヘテロアリーレン」、および「ジアリールアミノ」の説明、ならびに、後述する「アルキル」、「アルケニル」、「アルキニル」、「シクロアルキル」、「シクロアルキレン」、「アルコキシ」、および「アリールオキシ」の説明を引用できる。また、本明細書で単に「ジアリールボリル」と記載されている場合は、特に断りがない限りは、「ジアリールボリルの2つのアリールは互いに単結合または連結基を介して結合していてもよい」という説明が加わっているものであるとする。 "Diarylboryl" is boryl substituted with two aryls, and the above description of "aryl" can be referred to for details of this aryl. The two aryls may also be a single bond or a linking group (e.g., -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >NR, >O, >S, >C(-R ) 2 , >Si(-R) 2 , or >Se). Here, R of -CR=CR-, R of >NR, R of >C(-R) 2 and R of >Si(-R) are aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, alkenyl, alkynyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen in said R may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, alkenyl, alkynyl, or cycloalkyl. Also, two adjacent R's may combine to form a ring to form cycloalkylene, arylene, and heteroarylene. Further details of the substituents listed here can be found in the descriptions of "aryl", "arylene", "heteroaryl", "heteroarylene" and "diarylamino" above and "alkyl" and "alkenyl" below. , “alkynyl”, “cycloalkyl”, “cycloalkylene”, “alkoxy” and “aryloxy” descriptions can be cited. In addition, when simply described as "diarylboryl" in this specification, unless otherwise specified, "two aryls of diarylboryl may be bonded to each other via a single bond or a linking group." It is assumed that the explanation is added.

「アルキル」は、直鎖および分岐鎖のいずれでもよく、例えば炭素数1~24の直鎖アルキルまたは炭素数3~24の分岐鎖アルキルであり、好ましくは、炭素数1~18のアルキル(炭素数3~18の分岐鎖アルキル)、炭素数1~12のアルキル(炭素数3~12の分岐鎖アルキル)、炭素数1~6のアルキル(炭素数3~6の分岐鎖アルキル)、炭素数1~5のアルキル(炭素数3~5の分岐鎖アルキル)、炭素数1~4のアルキル(炭素数3~4の分岐鎖アルキル)などである。 "Alkyl" may be either linear or branched, for example linear alkyl having 1 to 24 carbon atoms or branched alkyl having 3 to 24 carbon atoms, preferably alkyl having 1 to 18 carbon atoms (carbon 3 to 18 branched chain alkyl), C 1 to 12 alkyl (C 3 to 12 branched chain alkyl), C 1 to 6 alkyl (C 3 to 6 branched chain alkyl), carbon number Examples include alkyl of 1 to 5 (branched alkyl of 3 to 5 carbon atoms), alkyl of 1 to 4 carbon atoms (branched alkyl of 3 to 4 carbon atoms), and the like.

具体的な「アルキル」は、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、1-エチル-1-メチルプロピル、1,1-ジエチルプロピル、1,1,2-トリメチルプロピル、1,1,2,2-テトラメチルプロピル、1-エチル-1,2,2-トリメチルプロピル、n-ブチル、イソブチル、s-ブチル、t-ブチル、2-エチルブチル、1,1-ジメチルブチル、3,3-ジメチルブチル、1,1-ジエチルブチル、1-エチル-1-メチルブチル、1-プロピル-1-メチルブチル、1,1,3-トリメチルブチル、1-エチル-1,3-ジメチルブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、t-ペンチル(t-アミル)、1-メチルペンチル、2-プロピルペンチル、1,1-ジメチルペンチル、1-エチル-1-メチルペンチル、1-プロピル-1-メチルペンチル、1-ブチル-1-メチルペンチル、1,1,4-トリメチルペンチル、n-ヘキシル、1-メチルヘキシル、2-エチルヘキシル、1,1-ジメチルヘキシル、1-エチル-1-メチルヘキシル、1,1,5-トリメチルヘキシル、3,5,5-トリメチルヘキシル、n-ヘプチル、1-メチルヘプチル、1-ヘキシルヘプチル、1,1-ジメチルヘプチル、2,2-ジメチルヘプチル、2,6-ジメチル-4-ヘプチル、n-オクチル、t-オクチル(1,1,3,3-テトラメチルブチル)、1,1-ジメチルオクチル、n-ノニル、n-デシル、1-メチルデシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-ヘプタデシル、n-オクタデシル、またはn-エイコシルなどである。 Specific "alkyl" include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, 1-ethyl-1-methylpropyl, 1,1-diethylpropyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1,1,2 , 2-tetramethylpropyl, 1-ethyl-1,2,2-trimethylpropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, 2-ethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 3,3-dimethyl Butyl, 1,1-diethylbutyl, 1-ethyl-1-methylbutyl, 1-propyl-1-methylbutyl, 1,1,3-trimethylbutyl, 1-ethyl-1,3-dimethylbutyl, n-pentyl, isopentyl , neopentyl, t-pentyl (t-amyl), 1-methylpentyl, 2-propylpentyl, 1,1-dimethylpentyl, 1-ethyl-1-methylpentyl, 1-propyl-1-methylpentyl, 1-butyl -1-methylpentyl, 1,1,4-trimethylpentyl, n-hexyl, 1-methylhexyl, 2-ethylhexyl, 1,1-dimethylhexyl, 1-ethyl-1-methylhexyl, 1,1,5- trimethylhexyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-heptyl, 1-methylheptyl, 1-hexylheptyl, 1,1-dimethylheptyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, n-octyl, t-octyl (1,1,3,3-tetramethylbutyl), 1,1-dimethyloctyl, n-nonyl, n-decyl, 1-methyldecyl, n-undecyl, n-dodecyl, n- tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, n-eicosyl, and the like.

「アルキレン」は、「アルキル」のいずれかの水素を除いて得られる2価の基であり、例えばメチレン、エチレン、プロピレンである。 "Alkylene" is a divalent group derived by removing any hydrogen from "alkyl", eg, methylene, ethylene, propylene.

「アルケニル」については、上述した「アルキル」の説明を参考にすることができ、「アルキル」の構造中のC-C単結合をC=C二重結合に置換した基であり、1つだけでなく2つ以上の単結合が二重結合に置換された基(アルカジエン-イルやアルカントリエン-イルとも呼ばれる)も含める。 For "alkenyl", the above description of "alkyl" can be referred to. Also includes groups in which two or more single bonds are substituted with double bonds (also called alkadien-yl or alkanetrien-yl).

「アルケニレン」は「アルケニル」のいずれかの水素を除いて得られる2価の基であり、例えばビニレンがあげられる。 "Alkenylene" is a divalent group obtained by removing any hydrogen from "alkenyl", such as vinylene.

「アルキニル」については、上述した「アルキル」の説明を参考にすることができ、「アルキル」の構造中のC-C単結合をC≡C三重結合に置換した基であり、1つだけでなく2つ以上の単結合が三重結合に置換された基(アルカジイン-イルやアルカントリイン-イルとも呼ばれる)も含める。 For "alkynyl", the above description of "alkyl" can be referred to. Also included are groups in which two or more single bonds are replaced by triple bonds (also called alkadiyn-yl or alkanetriin-yl).

「シクロアルキル」は、例えば炭素数3~24のシクロアルキルであり、好ましくは、炭素数3~20のシクロアルキル、炭素数3~16のシクロアルキル、炭素数3~14のシクロアルキル、炭素数3~12のシクロアルキル、炭素数5~10のシクロアルキル、炭素数5~8のシクロアルキル、炭素数5~6のシクロアルキル、または炭素数5のシクロアルキルなどである。 "Cycloalkyl" is, for example, cycloalkyl having 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkyl having 3 to 20 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 16 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 14 carbon atoms, and cycloalkyl having 3 to 14 carbon atoms. cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 10 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 8 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 6 carbon atoms, cycloalkyl having 5 carbon atoms, and the like.

具体的な「シクロアルキル」は、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、もしくはこれらの炭素数1~5や炭素数1~4のアルキル(特にメチル)置換体、ノルボルネニル、ビシクロ[1.1.0]ブチル、ビシクロ[1.1.1]ペンチル、ビシクロ[2.1.0]ペンチル、ビシクロ[2.1.1]ヘキシル、ビシクロ[3.1.0]ヘキシル、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル、ビシクロ[2.2.2]オクチル、アダマンチル、ジアマンチル、デカヒドロナフタレニル、またはデカヒドロアズレニルなどである。 Specific "cycloalkyl" includes, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, or alkyls having 1 to 5 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms (especially methyl). substituted, norbornenyl, bicyclo[1.1.0]butyl, bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.1.0]pentyl, bicyclo[2.1.1]hexyl, bicyclo[3.1 .0]hexyl, bicyclo[2.2.1]heptyl, bicyclo[2.2.2]octyl, adamantyl, diamantyl, decahydronaphthalenyl, or decahydroazulenyl.

「シクロアルキレン」は、例えば炭素数3~24のシクロアルキレンであり、好ましくは、炭素数3~20のシクロアルキレン、炭素数3~16のシクロアルキレン、炭素数3~14のシクロアルキレン、炭素数3~12のシクロアルキレン、炭素数5~10のシクロアルキレン、炭素数5~8のシクロアルキレン、炭素数5~6のシクロアルキレン、または炭素数5のシクロアルキレンなどである。
具体的な「シクロアルキレン」は、例えば、上述した「シクロアルキル」(1価の基)から1つの水素を除いて二価の基にした構造があげられる。
"Cycloalkylene" is, for example, cycloalkylene having 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkylene having 3 to 20 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 16 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 14 carbon atoms, and cycloalkylene having 3 to 14 carbon atoms. cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 8 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 6 carbon atoms, cycloalkylene having 5 carbon atoms, and the like.
A specific “cycloalkylene” is, for example, a structure in which one hydrogen is removed from the above-mentioned “cycloalkyl” (monovalent group) to form a divalent group.

「シクロアルケニル」は、上述した「シクロアルキル」における少なくとも1組の2つの炭素の間の単結合が二重結合となった構造を有する基(例えば、-CH2-CH2-が-CH=CH-に置き換わった基)であって、アリールに該当しない基があげられる。具体的には、1-シクロヘキセニル、1-シクロペンテニル等があげられる。 “Cycloalkenyl” is a group having a structure in which at least one pair of single bonds between two carbon atoms in the above “cycloalkyl” is a double bond (for example, —CH 2 —CH 2 — is —CH= (groups substituted for CH--) which are not aryl groups. Specific examples include 1-cyclohexenyl, 1-cyclopentenyl and the like.

「アルコキシ」は、「Alk-O-(Alkはアルキル)」で表される基であり、このアルキルの詳細については上述した「アルキル」の説明を引用できる。 "Alkoxy" is a group represented by "Alk-O- (Alk is alkyl)", and for details of this alkyl, the above description of "alkyl" can be cited.

「アリールオキシ」は、「Ar-O-(Arはアリール)」で表される基であり、このアリールの詳細については上述した「アリール」の説明を引用できる。 "Aryloxy" is a group represented by "Ar--O-- (Ar is aryl)", and for details of this aryl, the above description of "aryl" can be cited.

「置換シリル」は、例えば、アリール、アルキル、およびシクロアルキルの少なくとも1つで置換されたシリルであり、好ましくは、トリアリールシリル、トリアルキルシリル、トリシクロアルキルシリル、ジアルキルシクロアルキルシリル、またはアルキルジシクロアルキルシリルである。 "Substituted silyl" is, for example, silyl substituted with at least one of aryl, alkyl, and cycloalkyl, preferably triarylsilyl, trialkylsilyl, tricycloalkylsilyl, dialkylcycloalkylsilyl, or alkyl It is a dicycloalkylsilyl.

「トリアリールシリル」は、3つのアリールで置換されたシリル基であり、このアリールの詳細については上述した「アリール」の説明を引用できる。
具体的な「トリアリールシリル」は、例えば、トリフェニルシリル、ジフェニルモノナフチルシリル、モノフェニルジナフチルシリル、またはトリナフチルシリルなどである。
"Triarylsilyl" is a silyl group substituted with three aryls, and the above description of "aryl" can be referred to for details of this aryl.
A specific "triarylsilyl" is, for example, triphenylsilyl, diphenylmononaphthylsilyl, monophenyldinaphthylsilyl, or trinaphthylsilyl.

「トリアルキルシリル」は、3つのアルキルで置換されたシリル基であり、このアルキルの詳細については上述した「アルキル」の説明を引用できる。
具体的な「トリアルキルシリル」は、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリn-プロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリn-ブチルシリル、トリイソブチルシリル、トリs-ブチルシリル、トリt-ブチルシリル、エチルジメチルシリル、n-プロピルジメチルシリル、イソプロピルジメチルシリル、n-ブチルジメチルシリル、イソブチルジメチルシリル、s-ブチルジメチルシリル、t-ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、n-プロピルジエチルシリル、イソプロピルジエチルシリル、n-ブチルジエチルシリル、s-ブチルジエチルシリル、t-ブチルジエチルシリル、メチルジn-プロピルシリル、エチルジn-プロピルシリル、n-ブチルジn-プロピルシリル、s-ブチルジn-プロピルシリル、t-ブチルジn-プロピルシリル、メチルジイソプロピルシリル、エチルジイソプロピルシリル、n-ブチルジイソプロピルシリル、s-ブチルジイソプロピルシリル、またはt-ブチルジイソプロピルシリルなどである。
"Trialkylsilyl" is a silyl group substituted with three alkyls, and for details of this alkyl, the above description of "alkyl" can be cited.
Specific "trialkylsilyl" includes, for example, trimethylsilyl, triethylsilyl, tri-n-propylsilyl, triisopropylsilyl, tri-n-butylsilyl, triisobutylsilyl, tri-s-butylsilyl, tri-t-butylsilyl, ethyldimethylsilyl, n-propyldimethylsilyl, isopropyldimethylsilyl, n-butyldimethylsilyl, isobutyldimethylsilyl, s-butyldimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, methyldiethylsilyl, n-propyldiethylsilyl, isopropyldiethylsilyl, n-butyldiethyl silyl, s-butyldiethylsilyl, t-butyldiethylsilyl, methyldi-n-propylsilyl, ethyldi-n-propylsilyl, n-butyldi-n-propylsilyl, s-butyldi-n-propylsilyl, t-butyldi-n-propylsilyl, methyldiisopropylsilyl, ethyldiisopropylsilyl, n-butyldiisopropylsilyl, s-butyldiisopropylsilyl, t-butyldiisopropylsilyl, and the like.

「トリシクロアルキルシリル」は、3つのシクロアルキルで置換されたシリル基であり、このシクロアルキルの詳細については上述した「シクロアルキル」の説明を引用できる。
具体的な「トリシクロアルキルシリル」は、例えば、トリシクロペンチルシリルまたはトリシクロヘキシルシリルなどである。
"Tricycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with three cycloalkyls, and for details of this cycloalkyl, the above description of "cycloalkyl" can be cited.
A specific "tricycloalkylsilyl" is, for example, tricyclopentylsilyl or tricyclohexylsilyl.

「ジアルキルシクロアルキルシリル」は、2つのアルキルおよび1つのシクロアルキルで置換されたシリル基であり、このアルキルおよびシクロアルキルの詳細については上述した「アルキル」および「シクロアルキル」の説明を引用できる。 A "dialkylcycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with two alkyls and one cycloalkyl, and the details of the alkyl and cycloalkyl can be referred to the above explanations of "alkyl" and "cycloalkyl".

「アルキルジシクロアルキルシリル」は、1つのアルキルおよび2つのシクロアルキルで置換されたシリル基であり、このアルキルおよびシクロアルキルの詳細については上述した「アルキル」および「シクロアルキル」の説明を引用できる。 "Alkyldicycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with one alkyl and two cycloalkyls, and the details of this alkyl and cycloalkyl can be referred to the above explanations of "alkyl" and "cycloalkyl" .

<同一の原子に結合する2つの基が互いに結合する場合>
本明細書において同一の原子に結合する2つの基について互いに結合して環を形成していてもよいという場合、単結合または連結基(これらをまとめて結合基ともいう)により結合していればよく、連結基としては、-CH2-CH2-、-CHR-CHR-、-CR2-CR2-、-CH=CH-、-CR=CR-、-C≡C-、-N(-R)-、-O-、-S-、-C(-R)2-、-Si(-R)2-、または-Se-があげられ、例えば以下の構造があげられる。なお、前記-CHR-CHR-のR、-CR2-CR2-のR、-CR=CR-のR、-N(-R)-のR、-C(-R)2-のR、および-Si(-R)2-のRは、それぞれ独立して、水素、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアリール、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいヘテロアリール、シクロアルキルで置換されていてもよいアルキル、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアルケニル、アルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいアルキニル、またはアルキルもしくはシクロアルキルで置換されていてもよいシクロアルキルである。また、隣接する2つのR同士が結合して環を形成し、シクロアルキレン、アリーレン、またはヘテロアリーレンを形成していてもよい。
<When two groups bonded to the same atom are bonded to each other>
In the present specification, when two groups bonded to the same atom may be bonded to each other to form a ring, if they are bonded by a single bond or a linking group (collectively referred to as a bonding group) Commonly, the linking groups include -CH 2 -CH 2 -, -CHR-CHR-, -CR 2 -CR 2 -, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N( --R)--, --O--, --S--, --C(--R) 2 --, --Si(--R) 2 --, or --Se--, for example, the following structures. In addition, R of -CHR-CHR-, R of -CR 2 -CR 2 -, R of -CR=CR-, R of -N(-R)-, R of -C(-R) 2 -, and -Si(-R) 2 - are each independently hydrogen, aryl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, heteroaryl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl optionally substituted alkyl, alkenyl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, alkynyl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl optionally substituted with alkyl or cycloalkyl . Also, two adjacent R's may combine to form a ring to form cycloalkylene, arylene, or heteroarylene.

Figure 2023081468000005
Figure 2023081468000005

結合基としては、単結合、連結基としての-CR=CR-、-N(-R)-、-O-、-S-、-C(-R)2-、-Si(-R)2-、および-Se-が好ましく、単結合、連結基としての-CR=CR-、-N(-R)-、-O-、-S-、および-C(-R)2-がより好ましく、単結合、連結基としての-CR=CR-、-N(-R)-、-O-、および-S-がさらに好ましく、単結合が最も好ましい。 As a linking group, a single bond, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, and -Si(-R) 2 as a linking group -, and -Se- are preferred, and single bonds, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S- and -C(-R) 2 - as linking groups are more preferred. , a single bond, and -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, and -S- as linking groups are more preferred, and a single bond is most preferred.

結合基により2つのRが結合する位置は、結合可能な位置であれば特に限定されないが、最も隣接する位置で結合することが好ましく、例えば2つの基がフェニルである場合、フェニルにおける「C」や「Si」の結合位置(1位)を基準としてオルト(2位)の位置同士で結合することが好ましい(上記構造式を参照)。 The position where the two R are bonded by the bonding group is not particularly limited as long as it is a bondable position, but it is preferable to bond at the most adjacent position. For example, when the two groups are phenyl, "C" in phenyl It is preferable to bond at the ortho (2-position) positions with respect to the bonding position (1-position) of or “Si” (see the structural formula above).

1.本発明の化合物
本発明のトリアジン化合物は、式(1)で表される。
1. Compounds of the Invention The triazine compounds of the invention are represented by formula (1).

Figure 2023081468000006
Figure 2023081468000006

式(1)中、Y1は、式(1-a)で表される基であり、Y2は式(1-b)で表される基である。本発明のトリアジン化合物は、Y1および/またはY2として、Nを結合位置とするヘテロアリールなどの電子供与性の置換基(ドナー性の構造)が複数結合したトリアジニル等の電子受容性の置換基(アクセプター性の構造)を有する。具体的には、式(1)においては、A1およびA2のいずれも、またはA3およびA4のいずれもの少なくとも一方がNを結合位置とする基である。 In formula (1), Y 1 is a group represented by formula (1-a) and Y 2 is a group represented by formula (1-b). The triazine compound of the present invention has electron-accepting substituents such as triazinyl in which a plurality of electron-donating substituents (donor structures) such as heteroaryl having N as the bonding position are bonded as Y 1 and/or Y 2 . It has a group (acceptor structure). Specifically, in formula (1), both A 1 and A 2 , or at least one of A 3 and A 4 are groups with N as the bonding position.

Figure 2023081468000007
*は結合位置を示す。
Figure 2023081468000007
* indicates the binding position.

式(1-a)中、A1およびA2は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリールまたは置換もしくは無置換のヘテロアリールである。また、式(1-b)中、A3およびA4は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、または置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノである。 In formula (1-a), A 1 and A 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl. In formula (1-b), A 3 and A 4 are each independently substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted diarylamino, substituted or unsubstituted di heteroarylamino, or substituted or unsubstituted arylheteroarylamino.

1、A2、A3またはA4である置換もしくは無置換のアリールにおけるアリールとしては、フェニルが好ましい。また、A1、A2、A3またはA4である置換もしくは無置換のヘテロアリールにおけるヘテロアリールとしては、カルバゾリル(特に、N-カルバゾリル)、アザカルバゾリル(特に、N-アザカルバゾリル)、ベンゾイミダゾリル(特に、N-ベンゾイミダゾリル)、イミダゾイミダゾリル(特に、N-イミダゾイミダゾリル)、N-インドロインドリル(特に、N-インドロインドリル)、N-インドロカルバゾリル(特に、N-インドロカルバゾリル)、N-ベンゾフロカルバゾリル(特に、N-ベンゾフロカルバゾリル)、N-ベンゾチエノカルバゾリル(特に、N-ベンゾチエノカルバゾリル)、またはN-インデノカルバゾリル(特に、N-インデノカルバゾリル)が好ましく、N-カルバゾリルがより好ましい。 Phenyl is preferred as aryl in substituted or unsubstituted aryl for A 1 , A 2 , A 3 or A 4 . Heteroaryl in substituted or unsubstituted heteroaryl for A 1 , A 2 , A 3 or A 4 includes carbazolyl (especially N-carbazolyl), azacarbazolyl (especially N-azacarbazolyl), benzimidazolyl (especially N-benzimidazolyl), imidazoimidazolyl (especially N-imidazoimidazolyl), N-indoloindolyl (especially N-indoloindolyl), N-indolocarbazolyl (especially N-indolocarbazolyl), N-benzofurocarbazolyl (especially N-benzofurocarbazolyl), N-benzothienocarbazolyl (especially N-benzothienocarbazolyl), or N-indenocarbazolyl (especially N -indenocarbazolyl) is preferred, and N-carbazolyl is more preferred.

1、A2、A3またはA4におけるアリールまたはヘテロアリールが置換されている場合の置換基としては、アリールまたはヘテロアリールが好ましく、フェニル、カルバゾリル(特に、N-カルバゾリル)、アザカルバゾリル(特に、N-アザカルバゾリル)、ベンゾイミダゾリル(特に、N-ベンゾイミダゾリル)、イミダゾイミダゾリル(特に、N-イミダゾイミダゾリル)、N-インドロインドリル(特に、N-インドロインドリル)、N-インドロカルバゾリル(特に、N-インドロカルバゾリル)、N-ベンゾフロカルバゾリル(特に、N-ベンゾフロカルバゾリル)、N-ベンゾチエノカルバゾリル(特に、N-ベンゾチエノカルバゾリル)、またはN-インデノカルバゾリル(特に、N-インデノカルバゾリル)がより好ましく、フェニルまたはN-カルバゾリルがさらに好ましい。置換基の位置は特に限定されない。置換基の数は0~2個が好ましく、0~1個がより好ましい。A1、A2、A3またはA4はそれぞれ独立して無置換のフェニルまたは無置換のN-カルバゾリルであることが特に好ましい。 When aryl or heteroaryl in A 1 , A 2 , A 3 or A 4 is substituted, the substituent is preferably aryl or heteroaryl, phenyl, carbazolyl (especially N-carbazolyl), azacarbazolyl (especially N-azacarbazolyl), benzimidazolyl (especially N-benzimidazolyl), imidazoimidazolyl (especially N-imidazoimidazolyl), N-indoloindolyl (especially N-indoloindolyl), N-indolocarbazolyl (especially N-indolocarbazolyl), N-benzofurocarbazolyl (especially N-benzofurocarbazolyl), N-benzothienocarbazolyl (especially N-benzothienocarbazolyl), or N- Indenocarbazolyl (particularly N-indenocarbazolyl) is more preferred, and phenyl or N-carbazolyl is even more preferred. The position of the substituent is not particularly limited. The number of substituents is preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1. It is particularly preferred that A 1 , A 2 , A 3 or A 4 are each independently unsubstituted phenyl or unsubstituted N-carbazolyl.

3またはA4である置換もしくは無置換のジアリールアミノ、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、または置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノにおいて、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、およびアリールヘテロアリールアミノが置換されているときの置換基としてはいずれも、フェニルが好ましい。置換基の数は0~2個が好ましく、0~1個がより好ましい。ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、およびアリールヘテロアリールアミノはいずれも無置換であることが好ましい。これらのうち好ましい例としては、無置換のジフェニルアミノがあげられる。 In the substituted or unsubstituted diarylamino, substituted or unsubstituted diheteroarylamino, or substituted or unsubstituted arylheteroarylamino that is A 3 or A 4 , diarylamino, diheteroarylamino, and arylheteroarylamino Phenyl is preferred as any substituent when is substituted. The number of substituents is preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1. All diarylamino, diheteroarylamino and arylheteroarylamino are preferably unsubstituted. Preferred among these are unsubstituted diphenylamino.

式(1)においては、A1およびA2のいずれも、および/またはA3およびA4のいずれもが、Nを結合位置とする基である。このようにトリアジニルなどの電子受容性の置換基に対し、電子供与性の窒素で置換する基が複数置換した置換基を有する式(1)で表される化合物は、実施例に示すように、そのような置換基を有していない化合物に比較して極めて高い最低励起一重項エネルギー準位を有する。 In formula (1), both A 1 and A 2 and/or both A 3 and A 4 are groups with N as the bonding position. Thus, the compound represented by the formula (1) having a substituent in which an electron-accepting substituent such as triazinyl is substituted with a plurality of electron-donating nitrogen-substituting groups, as shown in Examples, It has a very high lowest excited singlet energy level compared to compounds without such substituents.

Nを結合位置とする基は、全体として電子供与性の構造からなる基が好ましく、例えば、置換もしくは無置換のN-カルバゾリル、置換もしくは無置換のN-アザカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-イミダゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-インドロインドリル、置換もしくは無置換のN-インドロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾフロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾチエノカルバゾリル、または置換もしくは無置換のN-インデノカルバゾリルであることが好ましい。 The group having N as the bonding position is preferably a group having an electron-donating structure as a whole, such as substituted or unsubstituted N-carbazolyl, substituted or unsubstituted N-azacarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzimidazolyl. , substituted or unsubstituted N-imidazoimidazolyl, substituted or unsubstituted N-indoloindolyl, substituted or unsubstituted N-indolocarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzofurocarbazolyl, substituted or Unsubstituted N-benzothienocarbazolyl or substituted or unsubstituted N-indenocarbazolyl is preferred.

Nを結合位置とする基は、以下の基のいずれかであることがより好ましい。以下の基は無置換のフェニルおよび無置換のN-カルバゾリルからなる群より選択される1~2個の置換基を有していてもよい。 The group having N as the bonding position is more preferably any one of the following groups. The groups below may have 1 to 2 substituents selected from the group consisting of unsubstituted phenyl and unsubstituted N-carbazolyl.

Figure 2023081468000008
Figure 2023081468000008

上記式(Aa-2)中、WはNH、NMe、NPh、O、S、またはC(Me)2である。式(Aa-2)における2つの点線は点線の末端が内部にある6員環の隣接する2つの環構成炭素原子に結合する。 In formula (Aa-2) above, W is NH, NMe, NPh, O, S, or C(Me) 2 . The two dotted lines in formula (Aa-2) are attached to two adjacent ring-constituting carbon atoms of the internal 6-membered ring at the ends of the dotted lines.

Nを結合位置とする基は、式(Aa-1)で表される基であることが特に好ましい。 The group having N as the bonding position is particularly preferably a group represented by formula (Aa-1).

式(1)においては、少なくとも、A1およびA2がいずれもNを結合位置とする基であることが好ましい。すなわち、本発明の化合物は、Nを結合位置とする置換または無置換のヘテロアリール2つで置換されたトリアジニルを有することが好ましい。
1、A2、A3およびA4がいずれもNを結合位置とする基であってもよい。
In formula (1), at least both A 1 and A 2 are preferably groups having N as the bonding position. That is, compounds of the invention preferably have triazinyl substituted with two substituted or unsubstituted heteroaryls with N as the point of attachment.
Any of A 1 , A 2 , A 3 and A 4 may be a group having N as the bonding position.

式(1-b)において、Z1、Z2およびZ3は、互いに独立してCHまたはNであるが、Z1、Z2およびZ3のうち、少なくとも1つはNである。すなわち、式(1-b)で表される基は、A3およびA4を置換基として有するトリアジニル、A3およびA4を置換基として有するピリジル、またはA3およびA4を置換基として有するピリミジニルである。Z1、Z2およびZ3はいずれもNであることが好ましい。 In formula (1-b), Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently CH or N, and at least one of Z 1 , Z 2 and Z 3 is N. That is, the group represented by formula (1-b) is triazinyl having A 3 and A 4 as substituents, pyridyl having A 3 and A 4 as substituents, or having A 3 and A 4 as substituents. It is pyrimidinyl. Z 1 , Z 2 and Z 3 are preferably all N.

式(1)中、Xは、置換または無置換のヘテロアリーレンである。Xにおけるヘテロア
リーレンを構成するヘテロアリール環はインドール環、カルバゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾセレノフェン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾセレノフェン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、アザカルバゾール環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾセレノフェン環、アザトリフェニレン環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、イミダゾイミダゾール環、インドロインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフロカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、インデノカルバゾール環およびセレノフェノカルバゾール環からなる群より選択されるいずれかであることが好ましい。このうち、電子供与性のヘテロアリール環が好ましく、具体的には、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾイミダゾール環、インドロインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフロカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、またはインデノカルバゾール環であることがより好ましい。結合位置は特に限定されないが、例えば、カルバゾール環は3位および9位、または2位および9位を結合位置とする2価の基となっていることが好ましく、3位および9位を結合位置とする2価の基となっていることがより好ましい。また、インドロカルバゾール環は2つのNを結合位置とする2価の基となっていることが好ましい。Xにおけるヘテロアリーレンを構成するヘテロアリール環は特にカルバゾール環であ
ることが好ましい。
In Formula (1), X is a substituted or unsubstituted heteroarylene. The heteroaryl ring constituting heteroarylene for X is an indole ring, a carbazole ring, a benzothiophene ring, a benzofuran ring, a benzoselenophene ring, a dibenzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzoselenophene ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, triazine ring, azacarbazole ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzofuran ring, azadibenzoselenophene ring, azatriphenylene ring, imidazole ring, benzimidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, thiazole ring, isoxazole ring, isothiazole ring, selected from the group consisting of a triazole ring, a thiadiazole ring, an oxadiazole ring, an imidazoimidazole ring, an indoloindole ring, an indolocarbazole ring, a benzofurocarbazole ring, a benzothienocarbazole ring, an indenocarbazole ring and a selenophenocarbazole ring; It is preferable to be either Among these, electron-donating heteroaryl rings are preferred, and specific examples include carbazole ring, azacarbazole ring, benzimidazole ring, imidazoimidazole ring, indoloindole ring, indolocarbazole ring, benzofurocarbazole ring, and benzothieno. A carbazole ring or an indenocarbazole ring is more preferred. Although the binding position is not particularly limited, for example, the carbazole ring is preferably a divalent group with binding positions at the 3-position and the 9-position, or the 2-position and the 9-position. It is more preferable that it is a divalent group. Also, the indolocarbazole ring is preferably a divalent group having two N-bonded positions. A heteroaryl ring constituting heteroarylene in X is particularly preferably a carbazole ring.

Xにおけるヘテロアリーレンが置換されている場合の置換基としては、アリールまたは
ヘテロアリールが好ましく、フェニル、カルバゾリル(特に、N-カルバゾリル)、アザカルバゾリル(特に、N-アザカルバゾリル)、ベンゾイミダゾリル(特に、N-ベンゾイミダゾリル)、イミダゾイミダゾリル(特に、N-イミダゾイミダゾリル)、N-インドロインドリル(特に、N-インドロインドリル)、N-インドロカルバゾリル(特に、N-インドロカルバゾリル)、N-ベンゾフロカルバゾリル(特に、N-ベンゾフロカルバゾリル)、N-ベンゾチエノカルバゾリル(特に、N-ベンゾチエノカルバゾリル)、またはN-インデノカルバゾリル(特に、N-インデノカルバゾリル)がより好ましく、フェニルまたはN-カルバゾリルがさらに好ましい。
When heteroarylene in X is substituted, the substituent is preferably aryl or heteroaryl, phenyl, carbazolyl (especially N-carbazolyl), azacarbazolyl (especially N-azacarbazolyl), benzimidazolyl (especially N-benzimidazolyl ), imidazoimidazolyl (especially N-imidazoimidazolyl), N-indoloindolyl (especially N-indoloindolyl), N-indolocarbazolyl (especially N-indolocarbazolyl), N-benzo furocarbazolyl (especially N-benzofurocarbazolyl), N-benzothienocarbazolyl (especially N-benzothienocarbazolyl), or N-indenocarbazolyl (especially N-indenocarbazolyl) carbazolyl) are more preferred, and phenyl or N-carbazolyl are even more preferred.

Xにおけるヘテロアリーレンに置換する置換基の位置は特に限定されない。置換基の数
は0~2個が好ましく、0~1個がより好ましい。Xは無置換のヘテロアリーレンである
ことが特に好ましい。
The position of the substituent for heteroarylene in X is not particularly limited. The number of substituents is preferably 0 to 2, more preferably 0 to 1. It is particularly preferred that X is unsubstituted heteroarylene.

式(1)で表される化合物における少なくとも1つの水素は、重水素、シアノ、またはハロゲンで置き換えられていてもよい。ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素であり、フッ素、塩素、または臭素が好ましく、フッ素または塩素がより好ましい。 At least one hydrogen in the compound represented by formula (1) may be replaced with deuterium, cyano, or halogen. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine, preferably fluorine, chlorine or bromine, more preferably fluorine or chlorine.

本発明の化合物の具体例として、下記構造式のいずれかで表される化合物があげられる。 Specific examples of the compound of the present invention include compounds represented by any of the following structural formulas.

Figure 2023081468000009
Figure 2023081468000009

Figure 2023081468000010
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Figure 2023081468000011
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Figure 2023081468000012
Figure 2023081468000012

Figure 2023081468000013
Figure 2023081468000013

Figure 2023081468000014
Figure 2023081468000014

Figure 2023081468000015
Figure 2023081468000015

Figure 2023081468000016
Figure 2023081468000016

Figure 2023081468000017
Figure 2023081468000017

Figure 2023081468000018
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Figure 2023081468000019
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Figure 2023081468000020
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Figure 2023081468000021
Figure 2023081468000021

Figure 2023081468000022
Figure 2023081468000022

2.トリアジン化合物の製造方法
式(1)で表される化合物は、式(1)中の含窒素6員環の所望の位置に反応性基を有する化合物と、所望の位置に反応性基を有する化合物を出発原料として、鈴木カップリング、根岸カップリング他の公知の反応を応用して製造することができる。これらの化合物の反応性基としては、ハロゲンやボロン酸などがあげられる。
2. Method for producing a triazine compound The compounds represented by the formula (1) are a compound having a reactive group at a desired position of the nitrogen-containing 6-membered ring in the formula (1) and a compound having a reactive group at a desired position. can be produced by applying Suzuki coupling, Negishi coupling and other known reactions using as a starting material. Examples of reactive groups in these compounds include halogen and boronic acid.

3.有機デバイス
本発明に係るトリアジン化合物は、有機デバイス用材料として用いることができる。有機デバイスとしては、例えば、有機電界発光素子、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などがあげられる。
3. Organic Device The triazine compound according to the present invention can be used as a material for organic devices. Organic devices include, for example, organic electroluminescence devices, organic field effect transistors, organic thin film solar cells, and the like.

3-1.有機電界発光素子
以下に、本実施形態に係る有機EL素子について図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る有機EL素子を示す概略断面図である。
3-1. Organic Electroluminescence Device Hereinafter, the organic EL device according to the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element according to this embodiment.

<有機電界発光素子の構造>
図1に示された有機EL素子100は、基板101と、基板101上に設けられた陽極102と、陽極102の上に設けられた正孔注入層103と、正孔注入層103の上に設けられた正孔輸送層104と、正孔輸送層104の上に設けられた発光層105と、発光層105の上に設けられた電子輸送層106と、電子輸送層106の上に設けられた電子注入層107と、電子注入層107の上に設けられた陰極108とを有する。
<Structure of Organic Electroluminescent Device>
The organic EL device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 101, an anode 102 provided on the substrate 101, a hole injection layer 103 provided on the anode 102, and a The hole-transporting layer 104 provided, the light-emitting layer 105 provided over the hole-transporting layer 104, the electron-transporting layer 106 provided over the light-emitting layer 105, and the electron-transporting layer 106 provided and a cathode 108 provided on the electron injection layer 107 .

なお、有機EL素子100は、作製順序を逆にして、例えば、基板101と、基板101上に設けられた陰極108と、陰極108の上に設けられた電子注入層107と、電子注入層107の上に設けられた電子輸送層106と、電子輸送層106の上に設けられた発光層105と、発光層105の上に設けられた正孔輸送層104と、正孔輸送層104の上に設けられた正孔注入層103と、正孔注入層103の上に設けられた陽極102とを有する構成としてもよい。 Note that the organic EL element 100 is fabricated in reverse order, for example, the substrate 101, the cathode 108 provided on the substrate 101, the electron injection layer 107 provided on the cathode 108, and the electron injection layer 107 an electron transport layer 106 provided on the electron transport layer 106; a light emitting layer 105 provided on the electron transport layer 106; a hole transport layer 104 provided on the light emitting layer 105; A structure having a hole-injection layer 103 provided at the bottom and an anode 102 provided on the hole-injection layer 103 may be employed.

上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極102と発光層105と陰極108とからなる構成として、正孔注入層103、正孔輸送層104、電子輸送層106、電子注入層107は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。 All of the above layers are not indispensable, and the minimum structural unit is composed of the anode 102, the light emitting layer 105, and the cathode 108, and the hole injection layer 103, the hole transport layer 104, the electron transport layer 106, and the electron injection Layer 107 is an optional layer. Moreover, each of the above layers may be composed of a single layer, or may be composed of a plurality of layers.

有機EL素子を構成する層の態様としては、上述する「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」の構成態様の他に、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子輸送層/陰極」、「基板/陽極/発光層/電子注入層/陰極」の構成態様であってもよい。 In addition to the configuration of the above-described "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", the layers constituting the organic EL element may include " substrate/anode/hole-transporting layer/luminescent layer/electron-transporting layer/electron-injecting layer/cathode”, “substrate/anode/hole-injecting layer/luminescent layer/electron-transporting layer/electron-injecting layer/cathode”, “substrate/ Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light Emitting Layer/Electron Injection Layer/Cathode", "Substrate/Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light Emitting Layer/Electron Transport Layer/Cathode", "Substrate/ Anode/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/light emitting layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/light emitting layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode /Emitting layer/Electron transporting layer/Cathode" or "Substrate/Anode/Emitting layer/Electron injection layer/Cathode".

有機EL素子はさらに電子阻止層(電子ブロッキング層)および正孔阻止層(正孔ブロッキング層)から選択されるいずれかまたは双方を有していてもよい。電子阻止層は発光層より浅いLUMOおよび発光層または正孔輸送層と近いHOMOとを有し、発光層と正孔輸送層の間に配置される。電子が発光層内に留まり正孔輸送層へ漏れ出ないために、正孔輸送層の劣化による短寿命化と再結合効率低下による効率の低下を防ぐことができる。正孔阻止層は発光層より深いHOMOおよび発光層または正孔輸送層と近いLUMOとを有し、発光層と電子輸送層の間に配置される。正孔が発光層内に留まり電子輸送層へ漏れ出ないために、電子輸送層の劣化による短寿命化と再結合効率低下による効率の低下を防ぐことができる。正孔注入・輸送層が電子阻止層を兼ねていてもよい。電子注入・輸送層が正孔阻止層を兼ねていてもよい。 The organic EL device may further have either or both of an electron blocking layer (electron blocking layer) and a hole blocking layer (hole blocking layer). The electron-blocking layer has a LUMO shallower than the light-emitting layer and a HOMO close to the light-emitting layer or the hole-transporting layer, and is positioned between the light-emitting layer and the hole-transporting layer. Since the electrons remain in the light-emitting layer and do not leak out to the hole transport layer, it is possible to prevent shortening of life due to deterioration of the hole transport layer and decrease in efficiency due to decrease in recombination efficiency. The hole-blocking layer has a HOMO deeper than the light-emitting layer and a LUMO close to the light-emitting layer or hole-transporting layer and is positioned between the light-emitting layer and the electron-transporting layer. Since the holes remain in the light-emitting layer and do not leak out to the electron transport layer, it is possible to prevent shortening of life due to deterioration of the electron transport layer and decrease in efficiency due to decrease in recombination efficiency. The hole injection/transport layer may also serve as the electron blocking layer. The electron injection/transport layer may also serve as the hole blocking layer.

有機EL素子はさらに高T1層を有していてもよい。高T1層は、発光層に用いられるホスト化合物、アシスティングドーパント化合物またはエミッティングドーパント化合物より高いT1を有し、発光層と正孔輸送層の間および/または発光層と電子阻止層の間に配置される。T1エネルギーの値は素子の発光機構により異なるが、ホストに用いられる化合物より高いT1を有する。発光層の周囲に高T1層を有することで、三重項エネルギーを閉じ込め、通常蛍光分子では発光につながらない三重項エネルギーを一重項エネルギーへと変換し、高い効率を得ることができる。正孔注入・輸送層または電子阻止層が高T1層を兼ねていてもよい。電子注入・輸送層または正孔阻止層が高T1層を兼ねていてもよい。 The organic EL device may also have a high T1 layer. A high T1 layer has a higher T1 than the host compound, assisting dopant compound or emitting dopant compound used in the emissive layer and is between the emissive layer and the hole transport layer and/or between the emissive layer and the electron blocking layer. placed. Although the value of T1 energy differs depending on the emission mechanism of the device, it has a higher T1 than the compound used as the host. Having a high T1 layer around the light-emitting layer confines the triplet energy and converts the triplet energy, which normally does not lead to light emission with fluorescent molecules, into singlet energy, resulting in high efficiency. A hole injection/transport layer or an electron blocking layer may also serve as the high T1 layer. The electron injection/transport layer or the hole blocking layer may also serve as the high T1 layer.

本発明のトリアジン化合物は、有機電界発光素子用材料として用いることが好ましい。一般に、ドナー構造を有する化合物は発光層における正孔輸送性ホスト材料および正孔輸送層に使用することができ、アクセプター構造を有する化合物は電子輸送層性ホスト材料および電子輸送層に使用することができ、ドナー構造およびアクセプター構造を共に有する化合物は正孔輸送層、発光層におけるホストおよび電子輸送層のいずれにも使用することができる。ドナー構造およびアクセプター構造は、例えば、Advanced Functional Materials 2020, 2008332などを参考にすることができる。より具体的には、ドナー構造は、トリアリールアミン構造およびカルバゾール構造があげられ、アクセプター構造は、トリアジン構造、ピリミジン構造およびピリジン構造があげられる。本発明に係るトリアジン化合物は、発光層におけるホスト材料、正孔輸送層材料、電子輸送層材料等として用いることができる。 The triazine compound of the present invention is preferably used as a material for organic electroluminescence devices. In general, a compound having a donor structure can be used for the hole-transporting host material and the hole-transporting layer in the light-emitting layer, and a compound having an acceptor structure can be used for the electron-transporting layered host material and the electron-transporting layer. A compound having both a donor structure and an acceptor structure can be used for both the hole-transporting layer, the host in the light-emitting layer, and the electron-transporting layer. Donor structures and acceptor structures can be referred to, for example, Advanced Functional Materials 2020, 2008332 and the like. More specifically, the donor structure includes triarylamine structure and carbazole structure, and the acceptor structure includes triazine structure, pyrimidine structure and pyridine structure. The triazine compound according to the present invention can be used as a host material, a hole-transporting layer material, an electron-transporting layer material, and the like in the light-emitting layer.

<有機電界発光素子における基板>
基板101は、有機EL素子100の支持体であり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板101は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよい。また、基板101には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板101として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。
<Substrate in Organic Electroluminescent Device>
A substrate 101 is a support for the organic EL element 100, and is usually made of quartz, glass, metal, plastic, or the like. The substrate 101 is formed in a plate shape, a film shape, or a sheet shape depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, or the like is used. Of these, glass plates and transparent synthetic resin plates such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate and polysulfone are preferred. If it is a glass substrate, soda-lime glass, alkali-free glass, or the like is used, and the thickness should be sufficient to maintain mechanical strength. Further, the substrate 101 may be provided with a gas barrier film such as a dense silicon oxide film on at least one side thereof in order to enhance gas barrier properties. When used, it is preferable to provide a gas barrier film.

<有機電界発光素子における陽極>
陽極102は、発光層105へ正孔を注入する役割を果たす。なお、陽極102と発光層105との間に正孔注入層103および正孔輸送層104の少なくとも1つの層が設けられている場合には、これらを介して発光層105へ正孔を注入することになる。
<Anode in Organic Electroluminescent Device>
Anode 102 serves to inject holes into light-emitting layer 105 . When at least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 is provided between the anode 102 and the light emitting layer 105, holes are injected into the light emitting layer 105 through these layers. It will be.

陽極102を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属(アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど)、金属酸化物(インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム-スズ酸化物(ITO)、インジウム-亜鉛酸化物(IZO)など)、ハロゲン化金属(ヨウ化銅など)、硫化銅、カーボンブラック、ITOガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ(3-メチルチオフェン)などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機EL素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。 Materials for forming the anode 102 include inorganic compounds and organic compounds. Examples of inorganic compounds include metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide metal (IZO), etc.), metal halides (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass, Nesa glass, and the like. Examples of organic compounds include polythiophenes such as poly(3-methylthiophene), and conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. In addition, it can be used by appropriately selecting from materials used as anodes of organic EL elements.

<有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層>
正孔注入層103は、陽極102から移動してくる正孔を、効率よく発光層105内または正孔輸送層104内に注入する役割を果たす。正孔輸送層104は、陽極102から注入された正孔または陽極102から正孔注入層103を介して注入された正孔を、効率よく発光層105に輸送する役割を果たす。正孔注入層103および正孔輸送層104は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層または混合により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄(III)のような無機塩を添加して層を形成してもよい。
<Hole Injection Layer and Hole Transport Layer in Organic Electroluminescent Device>
The hole-injecting layer 103 plays a role of efficiently injecting holes moving from the anode 102 into the light-emitting layer 105 or the hole-transporting layer 104 . The hole transport layer 104 plays a role of efficiently transporting holes injected from the anode 102 or holes injected from the anode 102 through the hole injection layer 103 to the light emitting layer 105 . The hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 are each formed by stacking or mixing one or more kinds of hole injection/transport materials. Also, an inorganic salt such as iron (III) chloride may be added to the hole injection/transport material to form the layer.

正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。正孔輸送層用の材料として、本発明のトリアジン化合物を用いることも好ましい。 As a hole-injecting/transporting substance, it is necessary to efficiently inject and transport holes from the positive electrode between electrodes to which an electric field is applied. It is desirable to For this purpose, it is preferable that the ionization potential is low, the hole mobility is high, the stability is excellent, and impurities that act as traps are less likely to occur during manufacture and use. It is also preferable to use the triazine compound of the present invention as a material for the hole transport layer.

正孔注入層103および正孔輸送層104を形成する材料としては、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、p型半導体、有機EL素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意の化合物を選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体(N-フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど)、ビス(N-アリールカルバゾール)またはビス(N-アルキルカルバゾール)などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体(芳香族第3級アミノを主鎖または側鎖に持つポリマー、1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N'-ジフェニル-N,N'-ジ(3-メチルフェニル)-4,4'-ジアミノビフェニル、N,N'-ジフェニル-N,N'-ジナフチル-4,4'-ジアミノビフェニル、N,N'-ジフェニル-N,N'-ジ(3-メチルフェニル)-4,4'-ジフェニル-1,1'-ジアミン、N,N'-ジナフチル-N,N'-ジフェニル-4,4'-ジフェニル-1,1'-ジアミン、N4,N4'-ジフェニル-N4,N4'-ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジアミン、N4,N4,N4',N4'-テトラ[1,1'-ビフェニル]-4-イル)-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジアミン、4,4',4"-トリス(3-メチルフェニル(フェニル)アミノ)トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など)、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体(無金属、銅フタロシアニンなど)、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体(例えば、1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン-2,3,6,7,10,11-ヘキサカルボニトリルなど)、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されない。 Materials for forming the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 include compounds conventionally used as charge transport materials for holes in photoconductive materials, p-type semiconductors, and hole injection layers of organic EL devices. Any compound can be selected and used from known compounds used for the hole transport layer. Specific examples thereof include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), biscarbazole derivatives such as bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole), triarylamine derivatives (aromatic tertiary Polymers with amino in the main or side chain, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4 ,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4 ,4′-diphenyl-1,1′-diamine, N,N′-dinaphthyl-N,N′-diphenyl-4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, N 4 ,N 4 ′ -diphenyl- N 4 ,N 4′ -bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1′-biphenyl]-4,4′-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4′ ,N 4 ' -tetra[1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl) triphenylamine derivatives such as amino)triphenylamine, starburst amine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (metal-free, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazone compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives , quinoxaline derivatives (e.g., 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, etc.), heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, polysilanes, etc. Polycarbonate, styrene derivatives, polyvinylcarbazole, polysilane and the like having the above-mentioned monomers in the side chains are preferable for polymer systems, but a thin film necessary for manufacturing a light-emitting device can be formed and holes can be injected from the anode. Further, the compound is not particularly limited as long as it is a compound capable of transporting holes.

また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン(TCNQ)または2,3,5,6-テトラフルオロテトラシアノ-1,4-ベンゾキノンジメタン(F4TCNQ)などの強い電子受容体が知られている(例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(6),729-731(1998)」を参照)。これらは、電子供与型ベース物質(正孔輸送物質)における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体(TPDなど)またはスターバーストアミン誘導体(TDATAなど)、または、特定の金属フタロシアニン(特に、亜鉛フタロシアニン(ZnPc)など)が知られている(特開2005-167175号公報)。 It is also known that the conductivity of organic semiconductors is strongly influenced by their doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound with good electron-donating property or a compound with good electron-accepting property. Strong electron acceptors such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4TCNQ) are known for doping electron donors. (For example, M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204 (1998)” and the literature “J. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731 (1998)"). They generate so-called holes by an electron transfer process in an electron donating base material (hole transport material). The conductivity of the base material varies considerably depending on the number and mobility of holes. As matrix materials with hole-transport properties, for example, benzidine derivatives (such as TPD) or starburst amine derivatives (such as TDATA), or certain metal phthalocyanines (especially zinc phthalocyanine (ZnPc), etc.) are known ( Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-167175).

上述した正孔注入層用材料および正孔輸送層用材料は、これらに反応性置換基が置換した反応性化合物をモノマーとして高分子化させた高分子化合物、もしくはその高分子架橋体、または、主鎖型高分子と前記反応性化合物とを反応させたペンダント型高分子化合物、もしくはそのペンダント型高分子架橋体としても、正孔層用材料に用いることができる。 The hole injection layer material and the hole transport layer material described above are polymer compounds obtained by polymerizing a reactive compound having a reactive substituent substituted thereon as a monomer, or a polymer crosslinked product thereof, or A pendant-type polymer compound obtained by reacting a main chain-type polymer with the reactive compound or a pendant-type polymer crosslinked product thereof can also be used as a hole layer material.

<有機電界発光素子における発光層>
発光層105は、電界を与えられた電極間において、陽極102から注入された正孔と、陰極108から注入された電子とを再結合させることにより発光する層である。発光層105を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物(発光性化合物)であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光(蛍光)効率を示す化合物であることが好ましい。本発明のトリアジン化合物は発光層用の材料として用いることも好ましい。
<Light Emitting Layer in Organic Electroluminescent Device>
The light-emitting layer 105 is a layer that emits light by recombination of holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 between electrodes to which an electric field is applied. As a material for forming the light-emitting layer 105, any compound (light-emitting compound) that emits light when excited by recombination of holes and electrons can be used. It is preferably a compound that exhibits a strong luminescence (fluorescence) efficiency at . It is also preferable to use the triazine compound of the present invention as a material for a light-emitting layer.

発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料(ホスト材料、ドーパント材料)により形成される。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着したり、有機溶媒と共にホスト材料と予め混合してから湿式成膜法により製膜したりしてもよい。 The light-emitting layer may be a single layer or a plurality of layers, each of which is formed of a light-emitting layer material (host material, dopant material). The host material and the dopant material may be of one kind, or may be a combination of a plurality of them. The dopant material may be included entirely or partially in the host material. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with the host material. It may be filmed.

ホスト材料の使用量はホスト材料の種類によって異なり、そのホスト材料の特性に合わせて決めればよい。ホスト材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全質量に対し50~99.999質量%であり、より好ましくは80~99.95質量%であり、さらに好ましくは90~99.9質量%である。 The amount of host material to be used varies depending on the type of host material, and may be determined according to the properties of the host material. A guideline for the amount of the host material used is preferably 50 to 99.999% by mass, more preferably 80 to 99.95% by mass, and still more preferably 90 to 99.9% by mass with respect to the total mass of the material for the light-emitting layer. % by mass.

ドーパント材料の使用量はドーパント材料の種類によって異なり、そのドーパント材料の特性に合わせて決めればよい。ドーパント材料の使用量の目安は、好ましくは発光層用材料全質量に対し0.001~50質量%であり、より好ましくは0.05~20質量%であり、さらに好ましくは0.1~10質量%である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。また、耐久性の観点から、ドーパント材料の水素は一部または全部が重水素化されていることも好ましい。 The amount of dopant material to be used varies depending on the type of dopant material, and may be determined according to the properties of the dopant material. A guideline for the amount of the dopant material used is preferably 0.001 to 50% by mass, more preferably 0.05 to 20% by mass, and still more preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total mass of the material for the light-emitting layer. % by mass. The above range is preferable in that, for example, the phenomenon of concentration quenching can be prevented. Moreover, from the viewpoint of durability, it is also preferable that the hydrogen of the dopant material is partially or wholly deuterated.

ドーパント材料としては、エミッティングドーパントとアシスティングドーパント材料とを用いてもよい。アシスティングドーパント材料としては熱活性型遅延蛍光材料を用いることが好ましい。アシスティングドーパント材料を用いた有機電界発光素子においては、エミッティングドーパント材料の使用量は低濃度である方が濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。アシスティングドーパント材料の使用量が高濃度である方が熱活性型遅延蛍光機構の効率の点からは好ましい。さらには、熱活性型遅延蛍光アシスティングドーパント材料を用いた有機電界発光素子においては、アシスティングドーパント材料の熱活性型遅延蛍光機構の効率の点からは、アシスティングドーパント材料の使用量に比べてエミッティングドーパント材料の使用量が低濃度である方が好ましい。 As the dopant material, an emitting dopant and an assisting dopant material may be used. A thermally activated delayed fluorescence material is preferably used as the assisting dopant material. In an organic electroluminescence device using an assisting dopant material, it is preferable to use a low concentration of the emitting dopant material in order to prevent the concentration quenching phenomenon. A higher concentration of the assisting dopant material is preferable from the viewpoint of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism. Furthermore, in an organic electroluminescence device using a thermally activated delayed fluorescence assisting dopant material, the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism of the assisting dopant material is lower than the amount of the assisting dopant material used. It is preferred that the amount of emitting dopant material used is low.

アシスティングドーパント材料が使用される場合における、ホスト材料、アシスティングドーパント材料およびエミッティングドーパント材料の使用量の目安は、それぞれ、発光層用材料全質量に対し40~99質量%、59~1質量%および20~0.001質量%であり、好ましくは、それぞれ、60~95質量、39~5質量%および10~0.01質量%であり、より好ましくは、70~90質量、29~10質量%および5~0.05質量%である。 When the assisting dopant material is used, the amounts of the host material, the assisting dopant material and the emitting dopant material are 40 to 99% by weight and 59 to 1% by weight, respectively, based on the total weight of the light-emitting layer material. % and 20 to 0.001% by mass, preferably 60 to 95% by mass, 39 to 5% by mass and 10 to 0.01% by mass, more preferably 70 to 90% by mass, and 29 to 10% by mass, respectively. % by weight and 5 to 0.05% by weight.

<ホスト材料>
ホスト材料としては、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、N-フェニルカルバゾール誘導体、カルバゾニトリル誘導体などがあげられる。
<Host material>
Host materials include condensed ring derivatives such as anthracene and pyrene, bisstyryl anthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, fluorene derivatives, benzo Examples include fluorene derivatives, N-phenylcarbazole derivatives, carbazonitrile derivatives and the like.

ホスト材料の三重項エネルギーは、発光層内でのTADFの発生を阻害せず促進させる観点から、発光層内において最も高い三重項エネルギーを有するドーパントまたはアシスティングドーパントの三重項エネルギーに比べて高い方が好ましく、具体的には、ホスト材料の三重項エネルギーは、0.01eV以上が好ましく、0.03eV以上がより好ましく、0.1eV以上がさらに好ましい。また、ホスト材料にTADF活性な化合物を用いてもよい。 The triplet energy of the host material is higher than the triplet energy of the dopant having the highest triplet energy in the light-emitting layer or the assisting dopant, from the viewpoint of promoting the generation of TADF in the light-emitting layer without inhibiting it. Specifically, the triplet energy of the host material is preferably 0.01 eV or more, more preferably 0.03 eV or more, and still more preferably 0.1 eV or more. A TADF-active compound may also be used as the host material.

ホスト材料は、一種類であっても、複数の組み合わせであってもよい。複数の組み合わせである場合、正孔輸送性ホスト材料と電子輸送性ホスト材料との組み合わせであることが好ましい。 The host material may be of one type or a combination of multiple types. When there are a plurality of combinations, it is preferably a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material.

本発明のトリアジン化合物はホスト材料として好ましく用いることができる。本発明のトリアジン化合物は単独のホスト材料として用いても、正孔輸送性ホスト材料として用いても、電子輸送性ホスト材料として用いてもよい。本発明のトリアジン化合物は単独のホスト材料として用いるか、または電子輸送性ホスト材料として用いることが好ましい。 The triazine compound of the present invention can be preferably used as a host material. The triazine compound of the present invention may be used as a single host material, as a hole-transporting host material, or as an electron-transporting host material. The triazine compound of the present invention is preferably used as a single host material or as an electron-transporting host material.

なお、発光層に隣接する正孔輸送層に正孔輸送性ホスト材料を用い、かつこの発光層に隣接する電子輸送層に電子輸送性ホスト材料を用いることも好ましい。発光層から隣接層へのキャリア漏れ・エネルギー漏れが起こりにくくなり、高い効率の有機EL素子が得られるからである。発光層中のホスト材料(正孔輸送性ホスト材料)と正孔輸送層材料とは同じであっても異なっていてもよい。また、発光層中のホスト材料(電子輸送性ホスト材料)と電子輸送層の材料とは同じであっても異なっていてもよい。 It is also preferable to use a hole-transporting host material for the hole-transporting layer adjacent to the light-emitting layer and use an electron-transporting host material for the electron-transporting layer adjacent to the light-emitting layer. This is because carrier leakage and energy leakage from the light-emitting layer to the adjacent layer are less likely to occur, and a highly efficient organic EL device can be obtained. The host material (hole-transporting host material) in the light-emitting layer and the material for the hole-transporting layer may be the same or different. Also, the host material (electron-transporting host material) in the light-emitting layer and the material in the electron-transporting layer may be the same or different.

[正孔輸送性ホスト材料(HH)]
好ましい正孔輸送性ホスト材料(HH)の例としては、本発明のトリアジン化合物のほか、式(HH-1)で表される化合物および式(HH-1)で表される部分構造を有する化合物をあげることができる。
[Hole-transporting host material (HH)]
Examples of preferred hole-transporting host materials (HH) include the triazine compound of the present invention, compounds represented by formula (HH-1), and compounds having a partial structure represented by formula (HH-1). can give

Figure 2023081468000023
Figure 2023081468000023

式(HH-1)において、
Qは、>O、>S、または>N-Aであり、
式(HH-1)における2つのフェニルそれぞれにおけるQの結合する炭素原子の隣の1つの炭素原子は、互いに、Lで結合していてもよく、
Lは、単結合、>O、>Sまたは>C(-A)2であり、
Aは、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、アルコキシまたはアリールオキシであり、>C(-A)2における2つのAは互いに結合して、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキルを形成してよい。
In formula (HH-1),
Q is >O, >S, or >NA;
one carbon atom next to the carbon atom to which Q is bonded in each of the two phenyls in formula (HH-1) may be bonded to each other with L;
L is a single bond, >O, >S or >C(-A) 2 ;
A is hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and two A's in >C(-A) 2 are joined together to form aryl, heteroaryl, cycloalkyl may be formed.

正孔輸送性ホスト材料が式(HH-1)で表される構造を部分構造として含むとき、この部分構造1を1つ含むものであってもよいが2つ以上含むことも好ましい。2つ以上含む場合、その2つ以上の部分構造は互いに同じであっても異なっていてもよい。2つ以上の部分構造は互いに単結合で結合していてもよく、部分構造に含まれる任意の環を共有するようにして結合していてもよく、部分構造に含まれる任意の環同士が縮合するようにして結合していてもよい。部分構造はさらに、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、またはアリールオキシから選択される置換基を有していてもよい。 When the hole-transporting host material contains a structure represented by formula (HH-1) as a partial structure, it may contain one partial structure 1, but preferably contains two or more. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same or different. Two or more partial structures may be bonded to each other with a single bond, or may be bonded so as to share any rings contained in the partial structures, and any rings contained in the partial structures may be fused to each other. may be combined in such a way that The substructure may further have substituents selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.

正孔輸送性ホスト材料は、トリアリールアミン構造、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、およびジベンゾチオフェン環、およびフェノキサジンもしくはフェノチアジンを含む縮合多環からなる群より選択される1つ以上の部分構造を含む化合物であることが好ましい。正孔輸送性ホスト材料はこのような部分構造1を1つ含むものであってもよいが2つ以上含むことも好ましい。2つ以上含む場合、その2つ以上の部分構造は互いに同じであっても異なっていてもよい。 The hole-transporting host material is a compound containing one or more partial structures selected from the group consisting of a condensed polycyclic ring including a triarylamine structure, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and phenoxazine or phenothiazine. is preferably The hole-transporting host material may contain one such partial structure 1, but preferably contains two or more. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same or different.

正孔輸送性ホスト材料の具体例としては、以下の化合物をあげることができる。 Specific examples of hole-transporting host materials include the following compounds.

Figure 2023081468000024
Figure 2023081468000024

Figure 2023081468000025
Figure 2023081468000025

Figure 2023081468000026
Figure 2023081468000026

Figure 2023081468000027
Figure 2023081468000027

Figure 2023081468000028
Figure 2023081468000028

Figure 2023081468000029
Figure 2023081468000029

Figure 2023081468000030
Figure 2023081468000030

Figure 2023081468000031
Figure 2023081468000031

Figure 2023081468000032
Figure 2023081468000032

Figure 2023081468000033
Figure 2023081468000033

Figure 2023081468000034
Figure 2023081468000034

Figure 2023081468000035
Figure 2023081468000035

Figure 2023081468000036
Figure 2023081468000036

上記のうち、HH-1-1、HH-1-2、HH-1-4~HH-1-12、HH-1-17、HH-1-18、HH-1-20~HH-1-24、HH-1-82、HH-1-84~HH-1-89、HH-1-91、HH-1-92およびHH-1-106~HH-1-108が好ましい。 Of the above, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20 to HH-1- 24, HH-1-82, HH-1-84 to HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 and HH-1-106 to HH-1-108 are preferred.

[電子輸送性ホスト材料(EH)]
電子輸送性ホスト材料(EH)の例としては、本発明のトリアジン化合物のほか、式(EH-1)で表される化合物、および式(EH-1)で表される部分構造を有する化合物をあげることができる。

Figure 2023081468000037
[Electron transporting host material (EH)]
Examples of the electron-transporting host material (EH) include the triazine compound of the present invention, the compound represented by the formula (EH-1), and the compound having the partial structure represented by the formula (EH-1). I can give
Figure 2023081468000037

式(EH-1)において、
Jは、それぞれ独立して、=C(-A)-または=N-であり、少なくとも3つのJは=C(-A)-であり、
Zは、-O-、-S-、-C(=O)-、-P(=O)(-A)-、-P(=S)(-A)-、-N(-A)-、-B(-A)-または-S(=O)2-であり、
Zの結合する炭素原子の隣のJとZの結合するAとは、互いに、Lで結合していてもよく、
Lは、単結合、>O、>Sまたは>C(-A)2であり、
Aは、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、トリアリールシリル、アルコキシまたはアリールオキシであり、>C(-A)2における2つのAは互いに結合して、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキルを形成してよく、
すべてのJが、=C(-A)-であるとき、AまたはZのいずれかひとつがヘテロ原子を有する。
In formula (EH-1),
each J is independently =C(-A)- or =N-, and at least three Js are =C(-A)-;
Z is -O-, -S-, -C(=O)-, -P(=O)(-A)-, -P(=S)(-A)-, -N(-A)- , -B(-A)- or -S(=O) 2 -,
J next to the carbon atom to which Z is bonded and A to which Z is bonded may be bonded to each other with L,
L is a single bond, >O, >S or >C(-A) 2 ;
A is hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino , alkyl, cycloalkyl, triarylsilyl, alkoxy or aryloxy; , may form a cycloalkyl,
When all J are =C(-A)-, either one of A or Z has a heteroatom.

式(EH-1)におけるAで示される、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、アルキル、シクロアルキル、トリアリールシリル、アルコキシまたはアリールオキシについては式(HH-1)におけるAの説明を参照することができる。式(EH-1)における2つのAが互いに結合して、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキルを形成するときのアリール、ヘテロアリール、シクロアルキルについても式(HH-1)における説明を参照することができる。 For aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, triarylsilyl, alkoxy or aryloxy represented by A in formula (EH-1), refer to the description of A in formula (HH-1). can. For aryl, heteroaryl, and cycloalkyl when two A's in formula (EH-1) are bonded together to form aryl, heteroaryl, and cycloalkyl, refer to the description in formula (HH-1). can.

電子輸送性ホスト材料が式(EH-1)で表される構造を部分構造として含むとき、この部分構造を1つ含むものであってもよいが2つ以上含むことも好ましい。2つ以上含む場合、その2つ以上の部分構造は互いに同じであっても異なっていてもよい。2つ以上の部分構造は互いに単結合で結合していてもよく、部分構造に含まれる任意の環を共有するようにして結合していてもよく、部分構造に含まれる任意の環同士が縮合するようにして結合していてもよい。部分構造はさらに、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、またはアリールオキシから選択される置換基を有していてもよい。 When the electron-transporting host material contains the structure represented by Formula (EH-1) as a partial structure, it may contain one partial structure, but preferably contains two or more partial structures. When two or more are included, the two or more partial structures may be the same or different. Two or more partial structures may be bonded to each other with a single bond, or may be bonded so as to share any rings contained in the partial structures, and any rings contained in the partial structures may be fused to each other. may be combined in such a way that The substructure may further have substituents selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.

電子輸送性ホスト材料の具体例としては、以下の化合物をあげることができる。

Figure 2023081468000038
Specific examples of electron-transporting host materials include the following compounds.
Figure 2023081468000038

Figure 2023081468000039
Figure 2023081468000039

Figure 2023081468000040
Figure 2023081468000040

Figure 2023081468000041
Figure 2023081468000041

Figure 2023081468000042
Figure 2023081468000042

Figure 2023081468000043
Figure 2023081468000043

Figure 2023081468000044
Figure 2023081468000044

Figure 2023081468000045
Figure 2023081468000045

Figure 2023081468000046
Figure 2023081468000046

電子輸送性ホスト材料(式(EH-1)で表される部分構造を有する化合物)の別の好ましい例として、下記式(EH-1b)で表される多環芳香族化合物、または下記式(EH-1b)で表される構造を複数有する多環芳香族化合物の多量体をあげることができる。

Figure 2023081468000047
Another preferred example of the electron-transporting host material (compound having a partial structure represented by formula (EH-1)) is a polycyclic aromatic compound represented by the following formula (EH-1b), or the following formula ( Multimers of polycyclic aromatic compounds having a plurality of structures represented by EH-1b) can be mentioned.
Figure 2023081468000047

式(EH-1b)において、
1、R2、R3、R4およびR5(以降、「R1等」ともいう)は、それぞれ独立して、水素または置換基群Zより選択される置換基である。
式(EH-1b)において、X1およびX2は、それぞれ独立して、>N-R(アミン性窒素)、>O、>C(-R)2、>Sまたは>Seであり、X1およびX2が共に>C(-R)2になることはなく、
前記>N-Rおよび>C(-R)2におけるRは、それぞれ独立して、水素または置換基群Zより選択される置換基であり、前記>N-Rおよび>C(-R)2のRはそれぞれ独立して連結基または単結合により前記a環、b環およびc環の少なくとも1つの環と結合していてもよい。
1、Y2、Y3、Y4、Y5およびY6(以降、「Y1等」ともいう)は、それぞれ独立して、=C(-R)-または=N-(ピリジン性窒素)であり、少なくとも1つは=N-(ピリジン性窒素)であり、
前記=C(-R)-におけるRは、それぞれ独立して、水素または置換基群Zより選択される置換基である。
前記R1、R2、R3、R4およびR5、ならびに、前記Y1~Y6としての=C(-R)-のRのうちの隣接する基同士が結合してa環、b環およびc環の少なくとも1つの環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環は置換基群Zより選択される少なくとも1つの基で置換されていてもよい。
式(EH-1b)で表される化合物および構造における少なくとも1つの水素は、シアノ、ハロゲンまたは重水素で置き換えられていてもよい。
In formula (EH-1b),
R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 (hereinafter also referred to as “R 1 etc.”) are each independently hydrogen or a substituent selected from Substituent Group Z;
In formula (EH-1b), X 1 and X 2 are each independently >NR (amine nitrogen), >O, >C(-R) 2 , >S or >Se; 1 and X 2 cannot both be >C(-R) 2 ,
Each R in the >N—R and >C(—R) 2 is independently hydrogen or a substituent selected from the substituent group Z, and the >N—R and >C(—R) 2 Each R may be independently bonded to at least one of the a-ring, b-ring and c-ring via a linking group or a single bond.
Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 (hereinafter also referred to as “Y 1 etc.”) are each independently =C(-R)- or =N- (pyridinic nitrogen ) and at least one is =N- (pyridinic nitrogen);
Each R in the =C(-R)- is independently hydrogen or a substituent selected from the group Z of substituents.
Adjacent groups among R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 , and R of ═C(—R)— as Y 1 to Y 6 are bonded to form ring a, b An aryl ring or a heteroaryl ring may be formed together with the ring and at least one ring of the c ring, and the formed ring may be substituted with at least one group selected from the substituent group Z.
At least one hydrogen in the compounds and structures represented by formula (EH-1b) may be replaced with cyano, halogen or deuterium.

式(EH-1b)において、R1、R2、R3、R4およびR5はいずれも水素であるか、または、R3およびR4がいずれも水素であり、かつR1、R2およびR5からなる群より選択されるいずれか1つ以上が水素以外の置換基であり、その他が水素であることが好ましい。置換基としては、アルキル、アルキルもしくはヘテロアリールで置換されていてもよいアリール、アルキルもしくはアリールで置換されていてもよいヘテロアリール、またはアルキルもしくはアリールで置換されていてもよいジアリールアミノが好ましい。このとき、アルキルとしては、炭素数1~6のアルキル(メチル、t-ブチルなど)が好ましく、アリールとしてはフェニルまたはビフェニルが好ましく、ヘテロアリールとしては、トリアジニル、カルバゾリル(2-カルバゾリル、3-カルバゾリル、9-カルバゾリルなど)、ピリミジニル、ピリジニル、ジベンゾフラニルまたはジベンゾチエニルが好ましい。具体例としては、フェニル、ビフェニル、ジフェニルトリアジニル、カルバゾリルトリアジニル、モノフェニルピリミジニル、ジフェニルピリミジニル、カルバゾリルトリアジニル、ピリジニル、ジベンゾフラニルおよびジベンゾチエニルがあげられる。 In formula (EH-1b), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are all hydrogen, or both R 3 and R 4 are hydrogen and R 1 , R 2 and R 5 are substituents other than hydrogen, and the others are preferably hydrogen. Preferred substituents are alkyl, aryl optionally substituted with alkyl or heteroaryl, heteroaryl optionally substituted with alkyl or aryl, or diarylamino optionally substituted with alkyl or aryl. At this time, alkyl is preferably alkyl having 1 to 6 carbon atoms (methyl, t-butyl, etc.), aryl is preferably phenyl or biphenyl, and heteroaryl is triazinyl, carbazolyl (2-carbazolyl, 3-carbazolyl , 9-carbazolyl, etc.), pyrimidinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl or dibenzothienyl are preferred. Specific examples include phenyl, biphenyl, diphenyltriazinyl, carbazolyltriazinyl, monophenylpyrimidinyl, diphenylpyrimidinyl, carbazolyltriazinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl and dibenzothienyl.

1等は、それぞれ独立して、=C(-R)-または=N-であり、少なくとも1つは=N-である。Y1~Y6のいずれが=N-であってもよい。好ましくは、Y1およびY6が=N-(a環がピリミジン環)、Y1またはY6が=N-(a環がピリジン環)、Y2およびY5が=N-(b環およびc環がピリジン環)、Y3およびY4が=N-(b環およびc環がピリジン環)、Y2~Y5が=N-(b環およびc環がピリミジン環)、Y1、Y3、Y4およびY6が=N-(a環がピリミジン環、b環およびc環がピリジン環)、Y1、Y2、Y5およびY6が=N-(a環がピリミジン環、b環およびc環がピリジン環)、Y1~Y6が=N-(a環、b環およびc環がピリミジン環)、Y2またはY5が=N-(b環またはc環がピリジン環)である。 Y 1 etc. are each independently =C(-R)- or =N- and at least one is =N-. Any of Y 1 to Y 6 may be =N-. Preferably, Y 1 and Y 6 are =N- (a ring is a pyrimidine ring), Y 1 or Y 6 is =N- (a ring is a pyridine ring), Y 2 and Y 5 are =N- (b ring and ring c is a pyridine ring), Y 3 and Y 4 are =N- (rings b and c are pyridine rings), Y 2 to Y 5 are =N- (rings b and c are pyrimidine rings), Y 1 , Y 3 , Y 4 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring, rings b and c are pyridine rings), Y 1 , Y 2 , Y 5 and Y 6 are =N- (ring a is a pyrimidine ring , rings b and c are pyridine rings), Y 1 to Y 6 are =N- (rings a, b and c are pyrimidine rings), Y 2 or Y 5 is =N- (rings b and c are pyridine ring).

また、以上の=N-の配置関係に加えて、X1およびX2が>Oであることが好ましく、下記式のいずれかで表される部分構造を含む多環芳香族化合物が好ましい。

Figure 2023081468000048
In addition to the above =N- configuration relationship, X 1 and X 2 are preferably >O, and a polycyclic aromatic compound containing a partial structure represented by any of the following formulas is preferred.
Figure 2023081468000048

特に、式(EH-1b-N1)で表される部分構造を含む多環芳香族化合物は、Nがない構造と比べ、高いES1、高いET1、小さいΔES1T1を有する。
式(EH-1b)で表される多環芳香族化合物の具体例を以下に示す。
In particular, the polycyclic aromatic compound containing the partial structure represented by formula (EH-1b-N1) has a higher E S1 , a higher E T1 and a smaller ΔE S1T1 than the structure without N.
Specific examples of the polycyclic aromatic compound represented by formula (EH-1b) are shown below.

Figure 2023081468000049
Figure 2023081468000049

Figure 2023081468000050
Figure 2023081468000050

Figure 2023081468000051
Figure 2023081468000051

Figure 2023081468000052
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Figure 2023081468000053
Figure 2023081468000053

Figure 2023081468000054
Figure 2023081468000054

上記のうち、EH-1-1~EH-1-4、EH-1-10、EH-1-21~EH-1-25、EH-1-32、EH-1-33、EH-1-51~EH-1-59、EH-1-61、EH-1-66、EH-1-68、EH-1-71、EH-1-72、EH-1-90、EH-1-100、EH-1-101、EH-1-104,EH-1-115、EH-1-117、EH-1-120、EH-1-122、EH-1-123、EH-1-127~EH-1-130が好ましい。 Among the above, EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1- 51 to EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, EH-1-127 to EH- 1-130 is preferred.

[正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料の組み合わせ]
正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料の組み合わせは、正孔輸送性ホスト材料、電子輸送性ホスト材料およびドーパント材料のHOMO、LUMOおよび励起三重項エネルギーによって選択される。
HOMOおよびLUMOに関しては、正孔輸送性ホスト材料のHOMO(HH)が電子輸送性ホスト材料のHOMO(EH)より浅く、電子輸送性ホスト材料のLUMO(EH)が正孔輸送性ホスト材料のLUMO(HH)より深い組み合わせを選び、より具体的には、HOMO(HH)がHOMO(EH)より0.10eV以上浅く、LUMO(HH)がHOMO(EH)より0.10eV以上深い組み合わせが好ましく、HOMO(HH)がHOMO(EH)より0.20eV以上浅く、LUMO(HH)がHOMO(EH)より0.20eV以上深い組み合わせがより好ましく、HOMO(HH)がHOMO(EH)より0.25eV以上浅く、LUMO(HH)がHOMO(EH)より0.25eV以上深い組み合わせがさらに好ましい。
[Combination of hole-transporting host material and electron-transporting host material]
The combination of hole-transporting host material and electron-transporting host material is selected according to the HOMO, LUMO and excited triplet energies of the hole-transporting host material, the electron-transporting host material and the dopant material.
Regarding HOMO and LUMO, the HOMO (HH) of the hole-transporting host material is shallower than the HOMO (EH) of the electron-transporting host material, and the LUMO (EH) of the electron-transporting host material is shallower than the LUMO of the hole-transporting host material. A combination deeper than (HH) is selected, more specifically, a combination in which HOMO (HH) is shallower than HOMO (EH) by 0.10 eV or more and LUMO (HH) is deeper than HOMO (EH) by 0.10 eV or more is preferable, A combination in which HOMO (HH) is 0.20 eV or more shallower than HOMO (EH) and LUMO (HH) is 0.20 eV or more deeper than HOMO (EH) is more preferable, and HOMO (HH) is 0.25 eV or more than HOMO (EH). A shallow combination in which LUMO (HH) is deeper than HOMO (EH) by 0.25 eV or more is more preferable.

正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料はエキサイプレックス(exciplex)と呼ばれる会合体を形成する組み合わせであってもよい。エキサイプレックスは、比較的深いLUMO準位をもつ材料と、浅いHOMO準位をもつ材料間との間で形成しやすいことが一般に知られている。正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料の相互作用、具体的にはエキサイプレックスを形成しているか否かは、正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料のみからなる単層膜を発光層の形成条件と同様にして形成して発光スペクトル(蛍光、りん光スペクトル)を測定し、得られた発光スペクトルを、正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料それぞれが単独で示す発光スペクトルとを比較することで判断できる。正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料を含む混合膜のスペクトルが、正孔輸送性ホスト材料の膜のスペクトル、および電子輸送性ホスト材料の膜のスペクトルのいずれとも異なる発光波長を示すことにより判断することができる。具体的には、スペクトルのピーク波長が10nm以上異なっていることを指標にすればよい。 The hole-transporting host material and the electron-transporting host material may be a combination that forms an aggregate called an exciplex. It is generally known that an exciplex is likely to form between a material with a relatively deep LUMO level and a material with a shallow HOMO level. Interaction between a hole-transporting host material and an electron-transporting host material, specifically whether or not an exciplex is formed, can be determined by using a single-layer film consisting of only a hole-transporting host material and an electron-transporting host material. Emission spectra (fluorescence and phosphorescence spectra) are measured by forming under the same conditions as those for forming the light-emitting layer, and the obtained emission spectra are the light emitted by the hole-transporting host material and the electron-transporting host material independently. It can be judged by comparing with the spectrum. The spectrum of the mixed film containing the hole-transporting host material and the electron-transporting host material exhibits an emission wavelength different from the spectrum of the film of the hole-transporting host material and the spectrum of the film of the electron-transporting host material. can be determined by Specifically, a difference of 10 nm or more in the peak wavelengths of the spectra may be used as an index.

エキサイプレックスを形成しない正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料の組み合わせの具体例としては以下の組み合わせをあげることができる。前記のHOMO、LUMOおよび励起三重項エネルギーの物性値を満たすために、正孔輸送性ホスト材料においては、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、トリアリールアミン、インドロカルバゾールおよびベンゾオキサジノフェノキサジンを部分構造として有する化合物が好ましく、カルバゾール、ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェンを部分構造として有する化合物がより好ましく、カルバゾールを部分構造として有する化合物がさらに好ましい。同様に、電子輸送性ホスト材料においては、ピリジン、トリアジン、ホスフィンオキシド、ベンゾフロピリジンおよびジベンゾオキサシリンを部分構造として有する化合物が好ましく、トリアジン、ホスフィンオキシド、ベンゾフロピリジンおよびジベンゾオキサシリンを部分構造として有する化合物がより好ましく、トリアジンを有する化合物がさらに好ましい。 Specific examples of combinations of hole-transporting host materials and electron-transporting host materials that do not form an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the physical property values of HOMO, LUMO and excited triplet energy, the hole-transporting host material has partial structures of carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine. is preferred, compounds having carbazole, dibenzofuran and dibenzothiophene as partial structures are more preferred, and compounds having carbazole as a partial structure are even more preferred. Similarly, in the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine and dibenzooxacillin as partial structures are preferred, and compounds having triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine and dibenzooxacillin as partial structures. is more preferred, and triazine-bearing compounds are even more preferred.

より具体的には、正孔輸送性ホスト材料は、HH-1-1、HH-1-2、HH-1-4~HH-1-12、HH-1-17、HH-1-18、HH-1-20~HH-1-24、HH-1-82、HH-1-84~HH-1-89、HH-1-91、HH-1-92およびHH-1-106~HH-1-108からなる群より選択されることが好ましく、電子輸送性ホスト材料は、EH-1-1~EH-1-4、EH-1-10、EH-1-21~EH-1-25、EH-1-32、EH-1-33、EH-1-51~EH-1-59、EH-1-61、EH-1-71、EH-1-72、EH-1-90、EH-1-100、EH-1-101、EH-1-104、EH-1-117、EH-1-120、EH-1-122、EH-1-123、およびEH-1-127~EH-1-130からなる群より選択されることが好ましい。組み合わせとして好ましい例としては、化合物HH-1-1および化合物EH-1-22、化合物HH-1-1および化合物EH-1-23、化合物HH-1-1および化合物EH-1-24、化合物HH-1-2および化合物EH-1-22、化合物HH-1-2および化合物EH-1-23、化合物HH-1-2および化合物EH-1-24、または化合物HH-1-1および化合物EH-1-128があげられる。 More specifically, the hole-transporting host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4 to HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20 to HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84 to HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 and HH-1-106 to HH- 1-108, and the electron-transporting host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25 , EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51 to EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH -1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH- It is preferably selected from the group consisting of 1-130. Preferred examples of combinations include compound HH-1-1 and compound EH-1-22, compound HH-1-1 and compound EH-1-23, compound HH-1-1 and compound EH-1-24, compound HH-1-2 and compound EH-1-22, compound HH-1-2 and compound EH-1-23, compound HH-1-2 and compound EH-1-24, or compound HH-1-1 and compound and EH-1-128.

エキサイプレックスを形成する正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性ホスト材料の組み合わせの具体例としては以下の組み合わせをあげることができる。前記、HOMO、LUMOおよび励起三重項エネルギーの物性値を満たすために、正孔輸送性ホスト材料においては、カルバゾール、トリアリールアミン、インドロカルバゾールおよびベンゾオキサジノフェノキサジンを部分構造として有する化合物が好ましく、トリアリールアミン、インドロカルバゾールおよびベンゾオキサジノフェノキサジンを部分構造として有する化合物がより好ましく、トリアリールアミンを部分構造として有する化合物がさらに好ましい。同様に、電子輸送性ホスト材料においては、ピリジン、トリアジン、ホスフィンオキシドおよびベンゾフロピリジンを部分構造として有する化合物が好ましく、トリアジン、ホスフィンオキシド、ベンゾフロピリジンおよびジベンゾオキサシリンを部分構造として有する化合物がより好ましく、ホスフィンオキシドおよびトリアジンを有する化合物がさらに好ましい。 Specific examples of combinations of hole-transporting host materials and electron-transporting host materials that form an exciplex include the following combinations. Compounds having carbazole, triarylamine, indolocarbazole, and benzoxazinophenoxazine as a partial structure are preferable for the hole-transporting host material in order to satisfy the physical property values of HOMO, LUMO, and excited triplet energy. , triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are more preferred, and compounds having triarylamine as a partial structure are even more preferred. Similarly, in the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide and benzofuropyridine as partial structures are preferred, and compounds having triazine, phosphine oxide, benzofuropyridine and dibenzoxacillin as partial structures are more preferred. , phosphine oxides and triazines are more preferred.

より具体的には、正孔輸送性ホスト材料は、HH-1-1、HH-1-2、HH-1-11、HH-1-12、HH-1-17、HH-1-18、HH-1-23およびHH-1-24からなる群より選択されることが好ましく、電子輸送性ホスト材料は、EH-1-1~EH-1-4、EH-1-21~EH-1-25、EH-1-51~EH-1-57、EH-1-59、EH-1-66、EH-1-68、EH-1-90、EH-1-100、EH-1-101、EH-1-104、EH-1-117、EH-1-120、EH-1-122、EH-1-123、およびEH-1-127~EH-1-130からなる群より選択されることが好ましい。組み合わせとして好ましい例としては、化合物HH-1-1および化合物EH-1-21、化合物HH-1-2および化合物EH-1-21、化合物HH-1-12および化合物EH-1-117、化合物HH-1-1および化合物EH-1-130、化合物HH-1-33および化合物EH-1-117、化合物HH-1-48および化合物EH-1-117または化合物HH-1-49および化合物EH-1-117があげられる。 More specifically, the hole-transporting host material is HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, Preferably selected from the group consisting of HH-1-23 and HH-1-24, the electron-transporting host material is EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-21 to EH-1 -25, EH-1-51 to EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101 , EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH-1-130 is preferred. Preferred examples of combinations include compound HH-1-1 and compound EH-1-21, compound HH-1-2 and compound EH-1-21, compound HH-1-12 and compound EH-1-117, compound HH-1-1 and compound EH-1-130, compound HH-1-33 and compound EH-1-117, compound HH-1-48 and compound EH-1-117 or compound HH-1-49 and compound EH -1-117 can be mentioned.

その他、具体的な正孔輸送性ホスト材料と電子輸送性ホスト材料との組み合わせについては、Organic Electronics 66(2019)227-24、Advanced. Functional Materals 25(2015)361-366.、Advanced Materials 26(2014)4730-4734.、ACS Applied Materials and Interfaces 8(2016)32984-32991.、ACS Applied Materals and Interfaces 2016,8,9806-9810、ACS Applied Materials and Interfaces 2016,8,32984-32991、Journal of Materials Chemisty C,2018,6,8784-8792、Angewante Chemie International Edition.2018,57,12380-12384、Advanced Functional Materials,24,2014,3970,Advanced Materials,26,2014,5684,および、Synthetic Metals,201,2015,49などの記載を参照することができる。 For other specific combinations of hole-transporting host materials and electron-transporting host materials, see Organic Electronics 66 (2019) 227-24, Advanced. Functional Materials 25 (2015) 361-366. , Advanced Materials 26 (2014) 4730-4734. , ACS Applied Materials and Interfaces 8 (2016) 32984-32991. , ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6 , 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, and Synthetic Metals, 201, 2015, 49.

<ドーパント材料>
ドーパント材料としては、既知の化合物を用いることができ、所望の発光色に応じて様々な材料の中から選択することができる。具体的には、例えば、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレン、ルブレンおよびクリセンなどの縮合環誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体(特開平1-245087号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2-247278号公報)、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ(2-メチルフェニル)イソベンゾフラン、ジ(2-トリフルオロメチルフェニル)イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、7-ジアルキルアミノクマリン誘導体、7-ピペリジノクマリン誘導体、7-ヒドロキシクマリン誘導体、7-メトキシクマリン誘導体、7-アセトキシクマリン誘導体、3-ベンゾチアゾリルクマリン誘導体、3-ベンゾイミダゾリルクマリン誘導体、3-ベンゾオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンゾアントラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、1,2,5-チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、デアザフラビン誘導体、フルオレン誘導体およびベンゾフルオレン誘導体などがあげられる。
<Dopant material>
Known compounds can be used as the dopant material, and can be selected from various materials depending on the desired emission color. Specifically, for example, phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene and chrysene, condensed ring derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzotriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives (JP-A-1-245087), bisstyrylarylene derivatives (JP-A-2-247278), diazaindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenylisobenzofuran, dimesitylisobenzofuran, di(2-methylphenyl) isobenzofuran derivatives such as isobenzofuran, di(2-trifluoromethylphenyl)isobenzofuran, phenylisobenzofuran, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7- Coumarin derivatives such as methoxycoumarin derivatives, 7-acetoxycoumarin derivatives, 3-benzothiazolylcoumarin derivatives, 3-benzimidazolylcoumarin derivatives, 3-benzoxazolylcoumarin derivatives, dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine derivatives, cyanine derivatives, oxobenzoanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyryl derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1 , 2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyrromethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squarylium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, acridone derivatives, deazaflavin derivatives, fluorene derivatives and benzofluorene derivatives.

エミッティングドーパント材料としては、国際公開第2015/102118号、国際公開第2020/162600号、特開2021-077890号公報の段落0097~0269等に記載のホウ素を含む多環芳香族化合物を用いることも好ましい。ホウ素原子を有する多環芳香族化合物は蛍光体であっても、TADF材料(熱活性型遅延蛍光体)であってもよい。ホウ素原子を有する多環芳香族化合物は青色発光化合物であることが好ましい。 As the emitting dopant material, use a boron-containing polycyclic aromatic compound described in WO 2015/102118, WO 2020/162600, paragraphs 0097 to 0269 of JP 2021-077890, etc. is also preferred. A polycyclic aromatic compound having boron atoms may be a phosphor or a TADF material (thermally activated delayed phosphor). The polycyclic aromatic compound having boron atoms is preferably a blue light-emitting compound.

ホウ素を含む多環芳香族化合物の好ましい例として、下記式(12)、式(13)または式(14)で表される化合物をあげることができる。

Figure 2023081468000055
Preferred examples of polycyclic aromatic compounds containing boron include compounds represented by the following formula (12), formula (13) or formula (14).
Figure 2023081468000055

A環、B環、C環およびD環は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のアリール環または置換もしくは無置換のヘテロアリール環であり、
YはB(ホウ素)であり、
1、X2、X3およびX4は、それぞれ独立して、>O、>N-R、>Sまたは>Seであり、前記>N-RのRは、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリールまたは置換もしくは無置換のアルキルであり、また、前記>N-RのRは連結基または単結合により前記A環、B環、C環および/またはD環と結合していてもよく、
1およびR2は、それぞれ独立して、水素、炭素数1~6のアルキル、炭素数6~12のアリール、炭素数2~15のヘテロアリールまたはジアリールアミノ(ただしアリールは炭素数6~12のアリール)であり、
1およびZ2は、それぞれ独立して、置換基群Zより選択されるいずれかの置換基であり、Z1は連結基または単結合で前記A環と結合してもよく、Z2は連結基または単結合で前記C環と結合してもよく、そして、
式(12)で表される化合物における少なくとも1つの水素はシアノ、ハロゲンまたは重水素で置き換えられていてもよい。
A ring, B ring, C ring and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Y is B (boron);
X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R in >NR is substituted or unsubstituted aryl; substituted or unsubstituted heteroaryl or substituted or unsubstituted alkyl, and R in >NR is bonded to the A ring, B ring, C ring and/or D ring through a linking group or a single bond; may be
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, alkyl having 1 to 6 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, heteroaryl or diarylamino having 2 to 15 carbon atoms (wherein aryl is C 6 to 12 aryl) and
Z 1 and Z 2 are each independently a substituent selected from the substituent group Z, Z 1 may be bonded to the A ring through a linking group or a single bond, and Z 2 is may be linked to the C ring by a linking group or a single bond, and
At least one hydrogen in the compound represented by formula (12) may be replaced with cyano, halogen or deuterium.

式(12)のA環、B環、C環およびD環における、アリール環またはヘテロアリール環が置換されているときの置換基およびZ1、Z2としては、置換基群Zより選択される置換基があげられる。 The substituents and Z 1 and Z 2 when the aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring, C ring and D ring of formula (12) are substituted are selected from the substituent group Z Substituents can be mentioned.

式(12)におけるX1、X2、X3およびX4は、それぞれ独立して、>O、>N-R、>Sまたは>Seであり、前記>N-RのRは、それぞれ独立して、炭素数6~12のアリール、炭素数2~15のヘテロアリール、炭素数3~12のシクロアルキルまたは炭素数1~6のアルキルである。
式(12)で表される化合物においては、高いTADF性の観点から、Z1およびZ2が置換基を有してもよいジフェニルアミノまたは置換基を有してもよいN-カルバゾリルであることが好ましく、置換基を有してもよいジフェニルアミノであることがより好ましい。置換基を有してもよいジフェニルアミノとしては、無置換のジフェニルアミノまたは少なくとも一つの炭素数1~4のアルキルを有するジフェニルアミノであることが好ましく、無置換のジフェニルアミノまたはNに対してm位またはo位に少なくとも一つメチルを有するジフェニルアミノがより好ましい。合成の容易さおよび発光波長の観点から、A環、B環、C環およびD環におけるアリール環またはヘテロアリール環はZ1およびZ2以外は置換を有していないか、炭素数1~6のアルキルのみをその他の置換基として有していることが好ましく、Z1およびZ2以外は置換を有していないことがより好ましい。
式(12)で表される化合物の例を以下に示す。
X 1 , X 2 , X 3 and X 4 in formula (12) are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R in >NR is each independently aryl having 6 to 12 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms or alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
In the compound represented by formula (12), from the viewpoint of high TADF properties, Z 1 and Z 2 are optionally substituted diphenylamino or optionally substituted N-carbazolyl. is preferred, and diphenylamino, which may have a substituent, is more preferred. The diphenylamino which may have a substituent is preferably unsubstituted diphenylamino or diphenylamino having at least one alkyl of 1 to 4 carbon atoms, and is preferably unsubstituted diphenylamino or m Diphenylamino with at least one methyl in the or o-position is more preferred. From the viewpoint of ease of synthesis and emission wavelength, the aryl or heteroaryl rings other than Z 1 and Z 2 in the A, B, C and D rings are unsubstituted or have 1 to 6 carbon atoms. as other substituents, and it is more preferable that Z 1 and Z 2 are not substituted.
Examples of compounds represented by formula (12) are shown below.

Figure 2023081468000056
Figure 2023081468000056

Figure 2023081468000057
Figure 2023081468000057

Figure 2023081468000058
Figure 2023081468000058

Figure 2023081468000059
Figure 2023081468000059

式(13)および式(14)中、
11環、A21環、A31環、B11環、B21環、C11環、およびC31環は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のアリール環または置換もしくは無置換のヘテロアリール環であり、
11、Y21、Y31はB(ホウ素)であり、
11、X12、X21、X22、X31、およびX32は、それぞれ独立して、>O、>N-R、>Sまたは>Seであり、前記>N-RのRは、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリールまたは置換もしくは無置換のアルキルであり、また、前記>N-RのRは連結基または単結合によりA11環、A21環、A31環、B11環、B21環、C11環、および/またはC31環と結合していてもよく、
式(13)および式(14)で表される化合物における少なくとも1つの水素はシアノ、ハロゲンまたは重水素で置き換えられていてもよい。
In formulas (13) and (14),
A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring and C 31 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl is a ring,
Y 11 , Y 21 and Y 31 are B (boron),
X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 and X 32 are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R in >NR is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl or substituted or unsubstituted alkyl, and R in >NR is a linking group or a single bond to form A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring, and/or C 31 ring;
At least one hydrogen in the compounds represented by formula (13) and formula (14) may be replaced with cyano, halogen or deuterium.

式(13)および式(14)のA11環、A21環、A31環、B11環、B21環、C11環、およびC31における、アリール環またはヘテロアリール環が置換されているときの置換基およびZ1、Z2としては、置換基群Zより選択される置換基があげられる。 the aryl or heteroaryl ring in A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring, and C 31 of formula (13) and formula (14) is substituted Substituents selected from the substituent group Z can be mentioned as the substituents when and Z 1 and Z 2 .

式(13)および式(14)におけるX11、X12、X21、X22、X31、およびX32は、それぞれ独立して、>O、>N-R、>Sまたは>Seであり、前記>N-RのRは、それぞれ独立して、炭素数6~12のアリール、炭素数2~15のヘテロアリール、炭素数3~12のシクロアルキルまたは炭素数1~6のアルキルである。 X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 , and X 32 in formulas (13) and (14) are each independently >O, >NR, >S, or >Se; , the Rs in the above >NR are each independently aryl having 6 to 12 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms or alkyl having 1 to 6 carbon atoms. .

式(13)または式(14)で表される化合物の例を以下に示す。

Figure 2023081468000060
Examples of compounds represented by Formula (13) or Formula (14) are shown below.
Figure 2023081468000060

Figure 2023081468000061
Figure 2023081468000061

<熱活性型遅延蛍光体(アシスティングドーパント)>
「熱活性型遅延蛍光体」とは、熱エネルギーを吸収して励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を起こし、その励起一重項状態から放射失活して遅延蛍光を放射しうる化合物のことを意味する。ただし、「熱活性型遅延蛍光」とは、励起三重項状態から励起一重項状態への励起過程で高次三重項を経るものも含む。例えば、Durham大学 Monkmanらによる論文(NATURE COMMUNICATIONS,7:13680,DOI: 10.1038/ncomms13680)、産業技術総合研究所 細貝らによる論文(Hosokai et al., Sci. Adv. 2017;3: e1603282)、京都大学 佐藤らによる論文(Scientific Reports,7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7)および、同じく京都大学 佐藤らによる学会発表(日本化学会第98春季年会、発表番号:2I4-15、DABNAを発光分子として用いた有機電界発光における高効率発光の機構、京都大学大学院工学研究科)などがあげられる。本発明では、対象化合物を含むサンプルについて、300Kで蛍光寿命を測定したとき、遅い蛍光成分が観測されたことをもって該対象化合物が「熱活性型遅延蛍光体」であると判定することとする。ここで、遅い蛍光成分とは、蛍光寿命が0.1μsec以上であるもののことを言う。蛍光寿命の測定は、例えば蛍光寿命測定装置(浜松ホトニクス社製、C11367-01)を用いて行うことができる。
<Thermal activated delayed phosphor (assisting dopant)>
A "thermally activated delayed phosphor" absorbs thermal energy to cause reverse intersystem crossing from an excited triplet state to an excited singlet state, and then emits delayed fluorescence by radiative deactivation from the excited singlet state. It means a compound that can However, the term “thermally activated delayed fluorescence” also includes those that pass through a higher triplet in the excitation process from the excited triplet state to the excited singlet state. For example, a paper by Monkman et al., University of Durham (NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI: 10.1038/ncomms13680), a paper by Hosokai et al., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Hosokai et al., Sci. Adv. 2017;3: e1603282), Kyoto University Sato et al.'s paper (Scientific Reports, 7:4820, DOI: 10.1038/s41598-017-05007-7) and Kyoto University Sato et al. 15, Mechanism of high-efficiency luminescence in organic electroluminescence using DABNA as a luminescent molecule, Graduate School of Engineering, Kyoto University). In the present invention, when the fluorescence lifetime is measured at 300 K for a sample containing the target compound, the target compound is determined to be a "thermally activated delayed phosphor" by observing a slow fluorescent component. Here, the term "slow fluorescence component" refers to a component having a fluorescence lifetime of 0.1 μsec or more. The fluorescence lifetime can be measured using, for example, a fluorescence lifetime measurement device (C11367-01, manufactured by Hamamatsu Photonics K.K.).

以下の説明では、熱活性型遅延蛍光体をアシスティングドーパントとして用いる有機電界発光素子を、「TAF素子」(TADF Assisting Fluorescence素子)ということがある。
TAF素子における「ホスト化合物」とは、蛍光スペクトルのピーク短波長側の肩より求められる励起一重項エネルギー準位が、アシスティングドーパントとしての熱活性型遅延蛍光体、および、エミッティングドーパントよりも高い化合物のことを意味する。
In the following description, an organic electroluminescence device using a thermally activated delayed phosphor as an assisting dopant may be referred to as a "TAF device" (TADF Assisting Fluorescence device).
The "host compound" in the TAF element means that the excited singlet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the peak of the fluorescence spectrum is higher than the thermally activated delayed phosphor as an assisting dopant and the emitting dopant. It means compound.

図2に一般的な蛍光ドーパントをエミッティングドーパント(ED)に用いたTAF素子の発光層のエネルギー準位図を示す。図中、ホストの基底状態のエネルギー準位をE(1,G)、ホストの蛍光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起一重項エネルギー準位をE(1,S,Sh)、ホストのリン光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起三重項エネルギー準位をE(1,T,Sh)、アシスティングドーパントの基底状態のエネルギー準位をE(2,G)、アシスティングドーパントの蛍光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起一重項エネルギー準位をE(2,S,Sh)、アシスティングドーパントのリン光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起三重項エネルギー準位をE(2,T,Sh)、エミッティングドーパントの基底状態のエネルギー準位をE(3,G)、エミッティングドーパントの蛍光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起一重項エネルギー準位をE(3,S,Sh)、エミッティングドーパントのリン光スペクトルの短波長側の肩より求められる励起三重項エネルギー準位をE(3,T,Sh)、正孔をh+、電子をe-、蛍光共鳴エネルギー移動をFRET(Fluorescence Resonance Energy Transfer)とする。TAF素子において、一般的な蛍光ドーパントをエミッティングドーパント(ED)として用いた場合、アシスティングドーパントでアップコンバージョンされたエネルギーはエミッティングドーパントの励起一重項エネルギー準位E(3,S,Sh)に移り発光する。しかし、アシスティングドーパント上の一部の励起三重項エネルギーE(2,T,Sh)がエミッティングドーパントの励起三重項エネルギー準位E(3,T,Sh)に移動したり、エミッティングドーパント上で励起一重項エネルギー準位E(3,S,Sh)から励起三重項エネルギー準位E(3,T,Sh)への項間交差が起こり、引き続いて基底状態E(3,G)へ熱的に失活する。この経路により一部のエネルギーは発光に利用されず、エネルギーの無駄が生じる。 FIG. 2 shows an energy level diagram of a light-emitting layer of a TAF device using a general fluorescent dopant as an emitting dopant (ED). In the figure, E (1, G) is the ground state energy level of the host, E (1, S, Sh) is the excited singlet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the fluorescence spectrum of the host, and E (1, S, Sh) is the energy level of the host. E (1, T, Sh) is the excited triplet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the phosphorescent spectrum, E (2, G) is the ground state energy level of the assisting dopant, E (2, S, Sh) is the excited singlet energy level obtained from the short wavelength shoulder of the fluorescence spectrum, and the excited triplet energy level obtained from the short wavelength shoulder of the phosphorescence spectrum of the assisting dopant is E (2, T, Sh), E (3, G) the energy level of the ground state of the emitting dopant, and E the excited singlet energy level obtained from the short-wavelength shoulder of the fluorescence spectrum of the emitting dopant. (3, S, Sh), E (3, T, Sh) the excited triplet energy level obtained from the shoulder on the short wavelength side of the phosphorescent spectrum of the emitting dopant, h + the hole, e - the electron, Fluorescence resonance energy transfer is referred to as FRET (Fluorescence Resonance Energy Transfer). In the TAF element, when a general fluorescent dopant is used as the emitting dopant (ED), the energy upconverted by the assisting dopant is converted to the excited singlet energy level E (3, S, Sh) of the emitting dopant. It moves and emits light. However, some excited triplet energy E(2, T, Sh) on the assisting dopant is transferred to the excited triplet energy level E(3, T, Sh) of the emitting dopant, or At , an intersystem crossing from the excited singlet energy level E(3,S,Sh) to the excited triplet energy level E(3,T,Sh) occurs, followed by a thermal transition to the ground state E(3,G). effectively inactivated. Some of the energy is not available for light emission due to this pathway, resulting in wasted energy.

これに対して、本態様の有機電界発光素子では、アシスティングドーパントからエミッティングドーパントに移動したエネルギーを効率よく発光に利用することができ、これにより高い発光効率を実現することができる。これは、以下の発光メカニズムによるものと推測される。 On the other hand, in the organic electroluminescence device of this embodiment, the energy transferred from the assisting dopant to the emitting dopant can be efficiently used for light emission, thereby realizing high light emission efficiency. This is presumed to be due to the following light emission mechanism.

本態様の有機電界発光素子における好ましいエネルギー関係を図3に示す。本態様の有機電界発光素子においては、エミッティングドーパントとしての、ホウ素原子を有する化合物が高い励起三重項エネルギー準位E(3,T,Sh)を有する。そのため、アシスティングドーパントでアップコンバージョンされた励起一重項エネルギーが、例え、エミッティングドーパントで励起三重項エネルギー準位E(3,T,Sh)へ項間交差した場合にも、エミッティングドーパント上でアップコンバージョンされるか、アシスティングドーパント(熱活性型遅延蛍光体)上の励起三重項エネルギー準位E(2,T,Sh)へ回収される。したがって、生成した励起エネルギーを無駄なく発光に使用することができる。また、アップコンバージョンおよび発光の機能をそれぞれが得意な2種の分子に分けることで、高いエネルギーの滞留時間が減少し、化合物への負担が減少すると予想される。 FIG. 3 shows a preferable energy relationship in the organic electroluminescence device of this embodiment. In the organic electroluminescence device of this embodiment, the compound having a boron atom as the emitting dopant has a high excited triplet energy level E(3, T, Sh). Therefore, even if the excited singlet energy upconverted at the assisting dopant intersystem crosses to the excited triplet energy level E(3,T,Sh) at the emitting dopant, It is either upconverted or recovered to the excited triplet energy level E(2,T,Sh) on the assisting dopant (thermally activated delayed phosphor). Therefore, the generated excitation energy can be used for light emission without waste. It is also expected that the separation of the upconversion and luminescence functions into two separate molecules will reduce the high energy residence time and reduce the burden on the compound.

本態様において、ホスト化合物としては、公知のものを用いることができ、例えばカルバゾール環およびフラン環の少なくとも一方を有する化合物をあげることができ、中でも、フラニルおよびカルバゾリルの少なくとも一方と、アリーレンおよびヘテロアリーレンの少なくとも一方とが結合した化合物を用いることが好ましい。具体例として、mCPやmCBPなどがあげられる。 In this embodiment, known host compounds can be used, for example, compounds having at least one of a carbazole ring and a furan ring. It is preferable to use a compound in which at least one of is bound. Specific examples include mCP and mCBP.

ホスト化合物の燐光スペクトルのピーク短波長側の肩より求められる励起三重項エネルギー準位E(1,T,Sh)は、発光層内でのTADFの発生を阻害せず促進させる観点から、発光層内において最も高い励起三重項エネルギー準位を有するエミッティングドーパントまたはアシスティングドーパントの励起三重項エネルギー準位E(2,T,Sh)、E(3,T,Sh)に比べて高いことが好ましく、具体的には、ホスト化合物の励起三重項エネルギー準位E(1,T,Sh)はE(2,T,Sh)、E(3,T,Sh)に比べて、0.01eV以上高いことが好ましく、0.03eV以上高いことがより好ましく、0.1eV以上高いことがさらに好ましい。また、ホスト化合物にTADF活性な化合物を用いてもよい。 The excited triplet energy level E(1, T, Sh) obtained from the shoulder on the short wavelength side of the peak of the phosphorescence spectrum of the host compound promotes the generation of TADF in the light-emitting layer without hindering it. E (2, T, Sh) of the emitting dopant or assisting dopant having the highest triplet energy level in the excited triplet energy level E (2, T, Sh), preferably higher than E (3, T, Sh) Specifically, the excited triplet energy level E (1, T, Sh) of the host compound is higher than E (2, T, Sh) and E (3, T, Sh) by 0.01 eV or more. It is preferably 0.03 eV or more, more preferably 0.1 eV or more. A TADF-active compound may also be used as the host compound.

TAF素子で用いる熱活性型遅延蛍光体(TADF化合物)は、ドナーと呼ばれる電子供与性の置換基とアクセプターと呼ばれる電子受容性の置換基を用いて分子内のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)とLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)を局在化させて、効率的な逆項間交差(reverse intersystem crossing)が起きるようにデザインされた、ドナー-アクセプター型熱活性型遅延蛍光体(D-A型TADF化合物)であることが好ましい。 The thermally activated delayed fluorescent substance (TADF compound) used in the TAF element uses an electron-donating substituent called a donor and an electron-accepting substituent called an acceptor to perform intramolecular HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital), designed to cause efficient reverse intersystem crossing, donor-acceptor thermally activated delayed phosphor (DA type TADF compound ) is preferred.

ここで、本明細書中において「電子供与性の置換基」(ドナー)とは、熱活性型遅延蛍光体分子中でHOMO軌道が局在する置換基および部分構造のことを意味し、「電子受容性の置換基」(アクセプター)とは、熱活性型遅延蛍光体分子中でLUMO軌道が局在する置換基および部分構造のことを意味することとする。 Here, the term "electron-donating substituent" (donor) as used herein means a substituent and a partial structure in which a HOMO orbital is localized in a thermally activated delayed phosphor molecule. The term “acceptable substituent” (acceptor) means a substituent and a partial structure in which a LUMO orbital is localized in a thermally activated delayed phosphor molecule.

一般的に、ドナーやアクセプターを用いた熱活性型遅延蛍光体は、構造に起因してスピン軌道結合(SOC: Spin Orbit Coupling)が大きく、かつ、HOMOとLUMOの交換相互作用が小さくΔES1T1が小さいために、非常に速い逆項間交差速度が得られる。一方、ドナーやアクセプターを用いた熱活性型遅延蛍光体は、励起状態での構造緩和が大きくなり(ある分子においては、基底状態と励起状態では安定構造が異なるため、外部刺激により基底状態から励起状態への変換が起きると、その後、励起状態における安定構造へと構造が変化する)、幅広な発光スペクトルを与えるため、発光材料として使うと色純度を低下させる可能性がある。 In general, a thermally activated delayed phosphor using a donor or acceptor has a large spin orbit coupling (SOC) due to its structure, and a small exchange interaction between HOMO and LUMO, resulting in ΔE S1T1 . Its small size results in very fast reverse intersystem crossing velocities. On the other hand, thermally activated delayed fluorophores using donors and acceptors exhibit greater structural relaxation in the excited state (for some molecules, the stable structure differs between the ground state and the excited state, so external stimuli can cause excitation from the ground state). When the conversion occurs, the structure then changes to the stable structure in the excited state), giving a broad emission spectrum, which can reduce color purity when used as a light-emitting material.

TAF素子における熱活性型遅延蛍光体として、例えばドナーおよびアクセプターが直接またはスペーサーを介して結合している化合物を用いることができる。本発明の熱活性型遅延蛍光体に用いられる電子供与性基(ドナー性の構造)および電子受容性基(アクセプター性の構造)としては、例えば、Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963に記載の構造を用いることができる。ドナー性の構造としては、カルバゾール、ジメチルカルバゾール、ジ-tert-ブチルカルバゾール、ジメトキシカルバゾール、テトラメチルカルバゾール、ベンゾフルオロカルバゾール、ベンゾチエノカルバゾール、フェニルジヒドロインドロカルバゾール、フェニルビカルバゾール、ビカルバゾール、ターカルバゾール、ジフェニルカルバゾリルアミン、テトラフェニルカルバゾリルジアミン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、フェノチアジン、ジメチルジヒドロアクリジン、ジフェニルアミン、ビス(tert-ブチルフェニル)アミン、N1-(4-(ジフェニルアミノ)フェニル)-N4,N4-ジフェニルベンゼン-1,4-ジアミン、ジメチルテトラフェニルジヒドロアクリジンジアミン、テトラメチル-ジヒドローインデノアクリジンおよびジフェニルージヒドロジベンゾアザシリンなどがあげられる。アクセプター性の構造としては、スルホニルジベンゼン、ベンゾフェノン、フェニレンビス(フェニルメタノン)、ベンゾニトリル、イソニコチノニトリル、フタロニトリル、イソフタロニトリル、パラフタロニトリル、ベンゼントリカルボニトリル、トリアゾール、オキサゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾビス(チアゾール)、ベンゾオキサゾール、ベンゾビス(オキサゾール)、キノリン、ベンゾイミダゾール、ジベンゾキノキサリン、ヘプタアザフェナレン、チオキサントンジオキシド、ジメチルアントラセノン、アントラセンジオン、5H-シクロペンタ[1,2-b:5,4-b’]ジピリジン、フルオレンジカルボニトリル、トリフェニルトリアジン、ピラジンジカルボニトリル、ピリミジン、フェニルピリミジン、メチルピリミジン、ピリジンジカルボニトリル、ジベンゾキノキサリンジカルボニトリル、ビス(フェニルスルホニル)ベンゼン、ジメチルチオキサンテンジオキシド、チアンスレンテトラオキシドおよびトリス(ジメチルフェニル)ボランがあげられる。特に、TAF素子における熱活性型遅延蛍光を有する化合物は、部分構造として、カルバゾール、フェノキサジン、アクリジン、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、チオキサンテン、ベンゾニトリル、フタロニトリル、イソフタロニトリル、ジフェニルスルホン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールおよびベンゾフェノンから選択される少なくとも一つを有する化合物であることが好ましい。 As the thermally activated delayed phosphor in the TAF element, for example, a compound in which a donor and an acceptor are bound directly or via a spacer can be used. As the electron-donating group (donor structure) and the electron-accepting group (acceptor structure) used in the thermally activated delayed phosphor of the present invention, for example, see Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963. The structures described can be used. Donor structures include carbazole, dimethylcarbazole, di-tert-butylcarbazole, dimethoxycarbazole, tetramethylcarbazole, benzofluorocarbazole, benzothienocarbazole, phenyldihydroindolocarbazole, phenylbicarbazole, bicarbazole, tercarbazole, diphenylcarbazolylamine, tetraphenylcarbazolyldiamine, phenoxazine, dihydrophenazine, phenothiazine, dimethyldihydroacridine, diphenylamine, bis(tert-butylphenyl)amine, N1-(4-(diphenylamino)phenyl)-N4, N4 -diphenylbenzene-1,4-diamine, dimethyltetraphenyldihydroacridinediamine, tetramethyl-dihydro-indenoacridine and diphenyl-dihydrodibenzazacillin. Acceptor structures include sulfonyldibenzene, benzophenone, phenylenebis(phenylmethanone), benzonitrile, isonicotinonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, paraphthalonitrile, benzenetricarbonitrile, triazole, oxazole, and thiadiazole. , benzothiazole, benzobis(thiazole), benzoxazole, benzobis(oxazole), quinoline, benzimidazole, dibenzoquinoxaline, heptaazaphenalene, thioxanthone dioxide, dimethylanthracenone, anthracenedione, 5H-cyclopenta[1,2-b : 5,4-b']dipyridine, fluorenedicarbonitrile, triphenyltriazine, pyrazinedicarbonitrile, pyrimidine, phenylpyrimidine, methylpyrimidine, pyridinedicarbonitrile, dibenzoquinoxalinedicarbonitrile, bis(phenylsulfonyl)benzene, Dimethylthioxanthene dioxide, thianthrenetetroxide and tris(dimethylphenyl)borane. In particular, the compound having thermally activated delayed fluorescence in the TAF element has, as a partial structure, carbazole, phenoxazine, acridine, triazine, pyrimidine, pyrazine, thioxanthene, benzonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, diphenylsulfone, triazole, A compound containing at least one selected from oxadiazole, thiadiazole and benzophenone is preferred.

TAF素子における発光層のアシスティングドーパントとして用いる化合物は、熱活性型遅延蛍光体であって、その発光スペクトルがエミッティングドーパントの吸収ピークと少なくとも一部重なる化合物であることが好ましい。 The compound used as the assisting dopant in the light-emitting layer of the TAF device is preferably a thermally activated delayed phosphor whose emission spectrum at least partially overlaps with the absorption peak of the emitting dopant.

<りん光材料(アシスティングドーパント)>
発光層においては、アシスティングドーパントとしてりん光材料を用いてもよい。りん光材料は金属原子による分子内スピン-軌道相互作用(重原子効果)を利用し、三重項からの発光を得る。このようなりん光材料としては、例えば、発光性金属錯体を用いることができる。発光性金属錯体としては、例えば下記式(B-1)および下記式(B-2)で表される化合物があげられる。
<Phosphorescent material (assisting dopant)>
A phosphorescent material may be used as an assisting dopant in the light-emitting layer. Phosphorescent materials utilize intramolecular spin-orbital interactions (heavy atom effect) by metal atoms to obtain emission from triplets. As such a phosphorescent material, for example, a luminescent metal complex can be used. Examples of the luminescent metal complex include compounds represented by the following formulas (B-1) and (B-2).

Figure 2023081468000062
Figure 2023081468000062

式(B-1)において、Mは、Ir、Pt、Au、Eu、Ru、Re、AgおよびCuからなる群から選択される少なくとも1種であり、nは1~3の整数であり、「X-Y」はそれぞれ独立して二座の配位子である。
式(B-2)において、Mは、Pt、ReおよびCuからなる群から選択される少なくとも1種であり、「W-X-Y-Z」は四座の配位子である。
式(B-1)において、効率と寿命の観点から、MはIrが好ましく、nは3が好ましい。
式(B-2)において、効率と寿命の観点からMはPtが好ましい。
式(B-1)における配位子(X-Y)は、以下からなる群から選択された少なくとも1つの配位子を有する。式(B-2)における配位子(W-X-Y-Z)配位子は、以下からなる群から選択される少なくとも1つの配位子を一部として有する。
In formula (B-1), M is at least one selected from the group consisting of Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag and Cu; n is an integer of 1 to 3; XY" is each independently a bidentate ligand.
In formula (B-2), M is at least one selected from the group consisting of Pt, Re and Cu, and "WXYZ" is a tetradentate ligand.
In formula (B-1), M is preferably Ir and n is preferably 3 from the viewpoint of efficiency and life.
In formula (B-2), M is preferably Pt from the viewpoint of efficiency and life.
The ligand (XY) in formula (B-1) has at least one ligand selected from the group consisting of: The ligand (WXYZ) in formula (B-2) has as a part thereof at least one ligand selected from the group consisting of the following.

Figure 2023081468000063
Figure 2023081468000063

式中、
---において中心金属Mと結合し、
Yは、それぞれ独立して、BRe、NRe、PRe、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CRef、SiRef、またはGeRefであり
環における芳香族炭素C-Hは、それぞれ独立して、Nに置換されてもよく、
eおよびRfは、任意に縮合または結合して環を形成してもよく、
a、Rb、Rc、およびRdは、それぞれ独立して、無置換または1~置換可能な最大数まで置換してもよく、
a、Rb、Rc、Rd、Re、およびRfが、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン化物、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、または、これらの組み合わせであり、
ただし、Ra、Rb、Rc、およびRdにおける任意の2つの隣接する置換基が縮合または結合して環を形成するか、または多座リガンドを形成してもよい。
During the ceremony,
--- is bound to the central metal M,
Y is each independently BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR e R f , SiRe R f , or GeRe R f each aromatic carbon C-H in the ring may be independently substituted with N,
R e and R f may optionally be fused or joined to form a ring;
R a , R b , R c , and R d are each independently unsubstituted or optionally substituted from 1 to the maximum possible number of substitutions;
R a , R b , R c , R d , R e , and R f are each independently hydrogen, deuterium, halide, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, sulfanyl, or combinations thereof;
However, any two adjacent substituents in R a , R b , R c , and R d may be fused or joined to form a ring or to form a multidentate ligand.

式(B-1)で表される化合物としては、例えば、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mppy)3、Ir(PPy)2(m-bppy)、BtpIr(acac)、Ir(btp)2(acac)、Ir(2-phq)3、Hex-Ir(phq)3、Ir(fbi)2(acac)、fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III)、Eu(dbm)3(Phen)、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(Fliq)2(acac)、Ir(Flq)2(acac)、Ru(dtb-bpy)3・2(PF6)、Ir(2-phq)3、Ir(BT)2(acac)、Ir(DMP)3、Ir(Mphq)3IR(phq)2tpy、fac-Ir(ppy)2Pc、Ir(dp)PQ2、Ir(Dpm)(Piq)2、Hex-Ir(piq)2(acac)、Hex-Ir(piq)3、Ir(dmpq)3、Ir(dmpq)2(acac)、FPQIrpicなどがあげられる。 Examples of compounds represented by formula (B-1) include Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mppy) 3 , Ir(PPy) 2 (m-bppy), BtpIr ( acac), Ir(btp) 2 (acac), Ir(2-phq) 3 , Hex-Ir(phq) 3 , Ir(fbi) 2 (acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl) phenyl)pyridine iridium (III), Eu(dbm) 3 (Phen), Ir(piq) 3 , Ir(piq) 2 (acac), Ir(Fliq) 2 (acac), Ir(FIq) 2 (acac), Ru(dtb-bpy) 3 2(PF 6 ), Ir(2-phq) 3 , Ir(BT) 2 (acac), Ir(DMP) 3 , Ir(Mphq) 3 IR(phq) 2 tpy, fac -Ir(ppy) 2Pc , Ir(dp) PQ2 , Ir(Dpm)(Piq) 2 , Hex-Ir(piq) 2 (acac), Hex-Ir(piq) 3 , Ir(dmpq) 3 , Ir (dmpq) 2 (acac), FPQIrpic, and the like.

式(B-1)で表される化合物としては、他には、例えば以下の化合物があげられる。

Figure 2023081468000064
Other examples of the compound represented by formula (B-1) include the following compounds.
Figure 2023081468000064

Figure 2023081468000065
Figure 2023081468000065

Figure 2023081468000066
Figure 2023081468000066

また、特開2006-089398号公報、特開2006-080419号公報、特開2005-298483号公報、特開2005-097263号公報、および特開2004-111379号公報、米国特許出願公開第2019/0051845号明細書などに記載されたイリジウム錯体、または、Advanced Materials, 26: 7116-7121、NPG Asia Materials 13, 53 (2021)、Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020)、Light-Emitting Diode - An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5に記載された白金錯体を用いてもよい。 In addition, JP 2006-089398, JP 2006-080419, JP 2005-298483, JP 2005-097263, and JP 2004-111379, US Patent Application Publication No. 2019/ 0051845, etc., or Advanced Materials, 26: 7116-7121, NPG Asia Materials 13, 53 (2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode - An The platinum complexes described in Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5 may also be used.

<有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層>
電子注入層107は、陰極108から移動してくる電子を、効率よく発光層105内または電子輸送層106内に注入する役割を果たす。電子輸送層106は、陰極108から注入された電子または陰極108から電子注入層107を介して注入された電子を、効率よく発光層105に輸送する役割を果たす。電子輸送層106および電子注入層107は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。
<Electron Injection Layer and Electron Transport Layer in Organic Electroluminescent Device>
The electron injection layer 107 plays a role of efficiently injecting electrons moving from the cathode 108 into the light emitting layer 105 or the electron transport layer 106 . The electron transport layer 106 plays a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 108 or electrons injected from the cathode 108 through the electron injection layer 107 to the light emitting layer 105 . The electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are formed by stacking and mixing one or more electron transport/injection materials, or by a mixture of an electron transport/injection material and a polymer binder.

電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することをつかさどる層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。 The electron injection/transport layer is a layer in which electrons are injected from the cathode and is responsible for transporting the electrons. It is desirable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are efficiently transported. For this purpose, it is preferable to use a substance that has high electron affinity, high electron mobility, excellent stability, and does not easily generate trapping impurities during production and use. However, when considering the transport balance of holes and electrons, if the function mainly plays the role of efficiently preventing holes from the anode from flowing to the cathode side without recombination, the electron transport capacity is not so high. Even if it is not high, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material with a high electron transport ability. Therefore, the electron injection/transport layer in this embodiment may also have the function of a layer capable of efficiently blocking the movement of holes.

電子輸送層106または電子注入層107を形成する材料(電子輸送材料)としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機EL素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。
本発明のトリアジン化合物を電子輸送層用の材料として用いることも好ましい。
Materials (electron transport materials) forming the electron transport layer 106 or the electron injection layer 107 include compounds conventionally used as electron transport compounds in photoconductive materials, and those used in the electron injection layer and electron transport layer of organic EL elements. It can be used by arbitrarily selecting from among the known compounds that are known.
It is also preferable to use the triazine compound of the present invention as a material for an electron transport layer.

電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香族環または複素芳香族環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香族環誘導体、4,4'-ビス(ジフェニルエテニル)ビフェニルに代表されるスチリル系芳香族環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、アリールニトリル誘導体およびインドール誘導体などがあげられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。 Materials used for the electron transport layer or the electron injection layer include compounds composed of aromatic rings or heteroaromatic rings composed of one or more atoms selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon and phosphorus, It preferably contains at least one selected from pyrrole derivatives, condensed ring derivatives thereof, and metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives typified by 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, and naphthalimide derivatives. , quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphine oxide derivatives, arylnitrile derivatives and indole derivatives. Examples of metal complexes having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes and benzoquinoline metal complexes. These materials may be used alone, but may be used in combination with different materials.

また、他の電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体(1,3-ビス[(4-t-ブチルフェニル)1,3,4-オキサジアゾリル]フェニレンなど)、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体(N-ナフチル-2,5-ジフェニル-1,3,4-トリアゾールなど)、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体(2,2'-ビス(ベンゾ[h]キノリン-2-イル)-9,9'-スピロビフルオレンなど)、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体(トリス(N-フェニルベンゾイミダゾール-2-イル)ベンゼンなど)、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体(1,3-ビス(2,2’:6’,2”-テルピリジン-4'-イル)ベンゼンなど)、ナフチリジン誘導体(ビス(1-ナフチル)-4-(1,8-ナフチリジン-2-イル)フェニルホスフィンオキサイドなど)、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。 Specific examples of other electron transfer compounds include pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, diphenylquinone derivatives, perylene derivatives, and oxadiazole. derivatives (1,3-bis[(4-t-butylphenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4- triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of oxine derivatives, quinolinol metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazole compounds, gallium complexes, pyrazole derivatives, perfluorinated phenylene derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, benzoquinoline derivatives (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzimidazole- 2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis(2,2′:6′,2″-terpyridine -4′-yl)benzene, etc.), naphthyridine derivatives (bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphine oxide, etc.), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, phosphine oxides derivatives, bis-styryl derivatives and the like.

また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。 Metal complexes having electron-accepting nitrogen can also be used, for example, quinolinol-based metal complexes, hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, benzoquinoline metal complexes, and the like. can give.

上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。 Although the above materials can be used alone, they may be used in combination with different materials.

上述した材料の中でも、ボラン誘導体、ピリジン誘導体、フルオランテン誘導体、BO系誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾフルオレン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ピリミジン誘導体、アリールニトリル誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、およびキノリノール系金属錯体が好ましい。 Borane derivatives, pyridine derivatives, fluoranthene derivatives, BO-based derivatives, anthracene derivatives, benzofluorene derivatives, phosphine oxide derivatives, pyrimidine derivatives, arylnitrile derivatives, triazine derivatives, benzimidazole derivatives, phenanthroline derivatives, and quinolinol derivatives, among the materials mentioned above. Metal complexes are preferred.

電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有する物質であれば、様々な物質が用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも1つを好適に使用することができる。 The electron-transporting layer or electron-injecting layer may further contain a substance capable of reducing the material forming the electron-transporting layer or electron-injecting layer. Various substances are used as the reducing substance as long as they have a certain reducing property. from the group consisting of earth metal oxides, alkaline earth metal halides, rare earth metal oxides, rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes and rare earth metal organic complexes At least one selected can be preferably used.

好ましい還元性物質としては、Na(仕事関数2.36eV)、K(同2.28eV)、Rb(同2.16eV)またはCs(同1.95eV)などのアルカリ金属や、Ca(同2.9eV)、Sr(同2.0~2.5eV)またはBa(同2.52eV)などのアルカリ土類金属があげられ、仕事関数が2.9eV以下の物質が特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、K、RbまたはCsのアルカリ金属であり、さらに好ましくはRbまたはCsであり、最も好ましいのはCsである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性物質として、これら2種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRb、またはCsとNaとKとの組み合わせが好ましい。Csを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。 Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (2.28 eV), Rb (2.16 eV) or Cs (1.95 eV), and Ca (2.95 eV). 9 eV), Sr (2.0 to 2.5 eV) or Ba (2.52 eV), and materials with a work function of 2.9 eV or less are particularly preferred. Among these, more preferred reducing substances are alkali metals of K, Rb or Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. These alkali metals have a particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the material forming the electron transport layer or the electron injection layer, it is possible to improve the emission luminance and extend the life of the organic EL device. As a reducing substance having a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more of these alkali metals is also preferable, particularly a combination containing Cs, such as Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or A combination of Cs, Na and K is preferred. By containing Cs, the reduction ability can be efficiently exhibited, and by addition to the material forming the electron transport layer or the electron injection layer, the luminance of the organic EL device can be improved and the life of the device can be extended.

<有機電界発光素子における陰極>
陰極108は、電子注入層107および電子輸送層106を介して、発光層105に電子を注入する役割を果たす。
<Cathode in Organic Electroluminescent Device>
The cathode 108 serves to inject electrons into the light emitting layer 105 via the electron injection layer 107 and the electron transport layer 106 .

陰極108を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極102を形成する材料と同様の材料を用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金(マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、フッ化リチウム/アルミニウムなどのアルミニウム-リチウム合金など)などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されない。 The material for forming the cathode 108 is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic layer, but the same material as the material for forming the anode 102 can be used. Metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, iron, zinc, lithium, sodium, potassium, cesium and magnesium or their alloys (magnesium-silver alloys, magnesium - indium alloys, aluminum-lithium alloys such as lithium fluoride/aluminum, etc.). Lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective in increasing the electron injection efficiency and improving the device characteristics. However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere. In order to improve this point, for example, a method of doping an organic layer with a small amount of lithium, cesium, or magnesium to use a highly stable electrode is known. Other dopants can also be inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide and cesium oxide. However, it is not limited to these.

さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。 Furthermore, for electrode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, inorganic substances such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride A preferable example is lamination of a hydrocarbon-based polymer compound or the like. The method of manufacturing these electrodes is not particularly limited, either by resistance heating, electron beam deposition, sputtering, ion plating, coating, or the like, as long as it can provide electrical continuity.

<有機電界発光素子の作製方法>
有機EL素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常2nm~5000nmの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、ボート加熱温度+50~+400℃、真空度10-6~10-3Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-150~+300℃、膜厚2nm~5μmの範囲で適宜設定することが好ましい。
<Method for producing organic electroluminescent element>
Each layer constituting the organic EL element is formed by depositing a material to constitute each layer into a thin film by a method such as vapor deposition, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination, printing, spin coating, casting, or coating. can be formed by The thickness of each layer thus formed is not particularly limited and can be appropriately set according to the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured with a crystal oscillation film thickness measuring device or the like. When thin film formation is performed using a vapor deposition method, the vapor deposition conditions vary depending on the type of material, the desired crystal structure and association structure of the film, and the like. Deposition conditions are generally boat heating temperature +50 to +400°C, degree of vacuum 10 -6 to 10 -3 Pa, deposition rate 0.01 to 50 nm/sec, substrate temperature -150 to +300°C, film thickness 2 nm to 5 μm. It is preferable to set appropriately within the range.

このようにして得られた有機EL素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を-の極性として印加すればよく、電圧2~40V程度を印加すると、透明または半透明の電極側(陽極または陰極、および両方)より発光が観測できる。また、この有機EL素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the organic EL device thus obtained, it is sufficient to apply the positive polarity to the positive electrode and the negative polarity to the negative electrode. Light emission can be observed from the side (anode or cathode, and both). Moreover, this organic EL element emits light even when a pulse current or an alternating current is applied. Note that the AC waveform to be applied may be arbitrary.

次に、有機EL素子を作製する方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/ホスト材料とドーパント材料からなる発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。 Next, as an example of a method for producing an organic EL device, an organic EL device comprising an anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer comprising a host material and a dopant material/electron transport layer/electron injection layer/cathode. The manufacturing method of is explained.

<蒸着法>
適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機EL素子が得られる。なお、上述の有機EL素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
<Deposition method>
A thin film of an anode material is formed on an appropriate substrate by a vapor deposition method or the like to prepare an anode, and then a thin film of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on the anode. A host material and a dopant material are co-deposited thereon to form a thin film to form a light-emitting layer, an electron-transporting layer and an electron-injecting layer are formed on the light-emitting layer, and a thin film of a cathode material is formed by vapor deposition or the like. A target organic EL element is obtained by forming the material and using it as a cathode. In the production of the organic EL element described above, the order of production can be reversed to produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. is.

<湿式成膜法>
湿式成膜法は、有機EL素子の各有機層を形成し得る低分子化合物を液状の有機層形成用組成物として準備し、これを用いることによって実施される。この低分子化合物を溶解する適当な有機溶媒がない場合には、当該低分子化合物に反応性置換基を置換させた反応性化合物として溶解性機能を有する他のモノマーや主鎖型高分子と共に高分子化させた高分子化合物などから有機層形成用組成物を準備してもよい。
<Wet film formation method>
The wet film-forming method is carried out by preparing a low-molecular-weight compound capable of forming each organic layer of an organic EL element as a liquid composition for forming an organic layer, and using this. In the absence of a suitable organic solvent for dissolving this low-molecular-weight compound, a reactive compound obtained by substituting a reactive substituent on the low-molecular-weight compound can be used together with other monomers or main-chain polymers that have a solubility function. A composition for forming an organic layer may be prepared from a molecularized polymer compound or the like.

湿式成膜法は、一般的には、基板に有機層形成用組成物を塗布する塗布工程および塗布された有機層形成用組成物から溶媒を取り除く乾燥工程を経ることで塗膜を形成する。上記高分子化合物が架橋性置換基を有する場合(これを架橋性高分子化合物ともいう)には、この乾燥工程によりさらに架橋して高分子架橋体が形成される。塗布工程の違いにより、スピンコーターを用いる方法をスピンコート法、スリットコーターを用いる方法をスリットコート法、版を用いる方法をグラビア、オフセット、リバースオフセット、フレキソ印刷法、インクジェットプリンタを用いる方法をインクジェット法、霧状に吹付ける方法をスプレー法と呼ぶ。乾燥工程には、風乾、加熱、減圧乾燥などの方法がある。乾燥工程は1回のみ行なってもよく、異なる方法や条件を用いて複数回行なってもよい。また、例えば、減圧下での焼成のように、異なる方法を併用してもよい。 In the wet film-forming method, a coating film is generally formed through a coating step of applying an organic layer-forming composition to a substrate and a drying step of removing the solvent from the applied organic layer-forming composition. In the case where the polymer compound has a crosslinkable substituent (also referred to as a crosslinkable polymer compound), the drying step further crosslinks the polymer to form a crosslinked polymer. Depending on the difference in the coating process, the method using a spin coater is called the spin coating method, the method using a slit coater is the slit coating method, the method using a plate is gravure, offset, reverse offset, flexographic printing, and the method using an inkjet printer is the inkjet method. , the method of spraying in the form of a mist is called the spray method. The drying process includes methods such as air drying, heating, and drying under reduced pressure. The drying step may be performed only once, or may be performed multiple times using different methods and conditions. Also, different methods may be used in combination, such as firing under reduced pressure.

湿式成膜法とは溶液を用いた成膜法であり、例えば、一部の印刷法(インクジェット法)、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などである。湿式成膜法は真空蒸着法と異なり高価な真空蒸着装置を用いる必要が無く、大気圧下で成膜することができる。加えて、湿式成膜法は大面積化や連続生産が可能であり、製造コストの低減につながる。 A wet film-forming method is a film-forming method using a solution, and includes, for example, some printing methods (inkjet methods), spin coating methods or casting methods, and coating methods. Unlike the vacuum evaporation method, the wet film formation method does not require the use of an expensive vacuum evaporation apparatus and can form a film under atmospheric pressure. In addition, the wet film formation method enables large-area production and continuous production, leading to a reduction in manufacturing costs.

一方で、真空蒸着法と比較した場合には、湿式成膜法は積層化が難しい場合がある。湿式成膜法を用いて積層膜を作製する場合、上層の組成物による下層の溶解を防ぐ必要があり、溶解性を制御した組成物、下層の架橋および直交溶媒(Orthogonal solvent、互いに溶解し合わない溶媒)などが駆使される。しかしながら、それらの技術を用いても、全ての膜の塗布に湿式成膜法を用いるのは難しい場合がある。 On the other hand, lamination may be difficult with the wet film-forming method when compared with the vacuum deposition method. When preparing a laminated film using a wet film formation method, it is necessary to prevent the dissolution of the lower layer by the composition of the upper layer. solvent) is used. However, even with those techniques, it can be difficult to use wet deposition methods for all film applications.

そこで、一般的には、幾つかの層だけを湿式成膜法を用い、残りを真空蒸着法で有機EL素子を作製するという方法が採用される。 Therefore, in general, a method is adopted in which only some layers are formed by a wet film formation method, and the remaining layers are formed by a vacuum vapor deposition method.

例えば、湿式成膜法を一部適用し有機EL素子を作製する手順を以下に示す。
(手順1)陽極の真空蒸着法による成膜
(手順2)正孔注入層用材料を含む正孔注入層形成用組成物の湿式成膜法による成膜
(手順3)正孔輸送層用材料を含む正孔輸送層形成用組成物の湿式成膜法による成膜
(手順4)ホスト材料とドーパント材料を含む発光層形成用組成物の湿式成膜法による成膜
(手順5)電子輸送層の真空蒸着法による成膜
(手順6)電子注入層の真空蒸着法による成膜
(手順7)陰極の真空蒸着法による成膜
この手順を経ることで、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/ホスト材料とドーパント材料からなる発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子が得られる。
もちろん、電子輸送層および電子注入層についても、それぞれ電子輸送層用材料および電子注入層用材料を含む層形成用組成物を用いて湿式成膜法により成膜してもよい。その際、下層の発光層の溶解を防ぐ手段、または上記手順とは逆に陰極側から成膜する手段を用いることが好ましい。
For example, the procedure for partially applying the wet film formation method to fabricate an organic EL element is shown below.
(Procedure 1) Film formation of anode by vacuum deposition method (Procedure 2) Film formation of hole injection layer forming composition containing hole injection layer material by wet film formation method (Procedure 3) Hole transport layer material Film formation by a wet film formation method of a composition for forming a hole transport layer containing a host material and a dopant material by a wet film formation method (Procedure 5) Electron transport layer (Procedure 6) Electron injection layer film formation by vacuum vapor deposition method (Procedure 7) Cathode film formation by vacuum vapor deposition method Through this procedure, anode/hole injection layer/hole transport An organic EL device comprising a layer/host material and dopant material comprising a luminescent layer/electron-transporting layer/electron-injecting layer/cathode is obtained.
Of course, the electron-transporting layer and the electron-injecting layer may also be formed by a wet film-forming method using a layer-forming composition containing an electron-transporting layer material and an electron-injecting layer material, respectively. In this case, it is preferable to use a means for preventing dissolution of the lower light-emitting layer or a means for forming a film from the cathode side in reverse to the above procedure.

<その他の成膜法>
有機層形成用組成物の成膜化には、レーザー加熱描画法(LITI)を用いることができる。LITIとは基材に付着させた化合物をレーザーで加熱蒸着する方法で、基材へ塗布される材料に有機層形成用組成物を用いることができる。
<Other film forming methods>
A laser thermal lithography method (LITI) can be used to form a film from the composition for forming an organic layer. LITI is a method in which a compound adhered to a base material is thermally vapor-deposited with a laser, and an organic layer-forming composition can be used as the material applied to the base material.

<任意の工程>
成膜の各工程の前後に、適切な処理工程、洗浄工程および乾燥工程を適宜入れてもよい。処理工程としては、例えば、露光処理、プラズマ表面処理、超音波処理、オゾン処理、適切な溶媒を用いた洗浄処理および加熱処理等があげられる。さらには、バンクを作製する一連の工程もあげられる。
<Optional step>
Appropriate treatment steps, washing steps, and drying steps may be appropriately added before and after each step of film formation. Examples of treatment steps include exposure treatment, plasma surface treatment, ultrasonic treatment, ozone treatment, cleaning treatment using an appropriate solvent, and heat treatment. Furthermore, a series of steps for fabricating a bank can also be mentioned.

バンクの作製にはフォトリソグラフィ技術を用いることができる。フォトリソグラフィの利用可能なバンク材としては、ポジ型レジスト材料およびネガ型レジスト材料を用いることができる。また、インクジェット法、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、スクリーン印刷などのパターン可能な印刷法も用いることができる。その際には永久レジスト材料を用いることもできる。 A photolithography technique can be used to fabricate the bank. Positive resist materials and negative resist materials can be used as bank materials that can be used in photolithography. In addition, patternable printing methods such as ink jet method, gravure offset printing, reverse offset printing, and screen printing can also be used. In that case, a permanent resist material can also be used.

<湿式成膜法に使用される有機層形成用組成物>
有機層形成用組成物は、有機EL素子の各有機層を形成し得る低分子化合物、または当該低分子化合物を高分子化させた高分子化合物を有機溶媒に溶解させて得られる。例えば、発光層形成用組成物は、第1成分として少なくとも1種のドーパント材料である多環芳香族化合物(またはその高分子化合物)と、第2成分として少なくとも1種のホスト材料と、第3成分として少なくとも1種の有機溶媒とを含有する。第1成分は、該組成物から得られる発光層のドーパント成分として機能し、第2成分は発光層のホスト成分として機能する。第3成分は、組成物中の第1成分と第2成分を溶解する溶媒として機能し、塗布時には第3成分自身の制御された蒸発速度により平滑で均一な表面形状を与える。
<Organic Layer Forming Composition Used in Wet Film Forming Method>
The composition for forming an organic layer is obtained by dissolving a low-molecular-weight compound capable of forming each organic layer of an organic EL element or a high-molecular-weight compound obtained by polymerizing the low-molecular-weight compound in an organic solvent. For example, the composition for forming a light-emitting layer includes at least one dopant material polycyclic aromatic compound (or polymer compound thereof) as a first component, at least one host material as a second component, and a third It contains at least one organic solvent as a component. The first component functions as a dopant component for the light-emitting layer obtained from the composition, and the second component functions as a host component for the light-emitting layer. The third component functions as a solvent that dissolves the first and second components in the composition, and provides a smooth and uniform surface profile during application due to the controlled evaporation rate of the third component itself.

<有機溶媒>
有機層形成用組成物は少なくとも一種の有機溶媒を含む。成膜時に有機溶媒の蒸発速度を制御することで、成膜性および塗膜の欠陥の有無、表面粗さ、平滑性を制御および改善することができる。また、インクジェット法を用いた成膜時は、インクジェットヘッドのピンホールでのメニスカス安定性を制御し、吐出性を制御・改善することができる。加えて、膜の乾燥速度および誘導体分子の配向を制御することで、該有機層形成用組成物より得られる有機層を有する有機EL素子の電気特性、発光特性、効率、および寿命を改善することができる。
<Organic solvent>
The composition for forming an organic layer contains at least one kind of organic solvent. By controlling the evaporation rate of the organic solvent during film formation, it is possible to control and improve the film formability, the presence or absence of defects in the coating film, the surface roughness, and the smoothness. In addition, when forming a film using an inkjet method, the stability of the meniscus at the pinhole of the inkjet head can be controlled, and the ejection property can be controlled and improved. In addition, by controlling the drying rate of the film and the orientation of the derivative molecules, the electrical properties, luminescence properties, efficiency and life of the organic EL device having an organic layer obtained from the composition for forming an organic layer are improved. can be done.

有機溶媒は、成膜後に、真空、減圧、加熱などの乾燥工程により塗膜より取り除かれる。加熱を行う場合、塗布成膜性改善の観点からは、溶質の少なくとも1種のガラス転移温度(Tg)+30℃以下で行うことが好ましい。また、残留溶媒の削減の観点からは、溶質の少なくとも1種のガラス転移点(Tg)-30℃以上で加熱することが好ましい。加熱温度が有機溶媒の沸点より低くても膜が薄いために、有機溶媒は十分に取り除かれる。また、異なる温度で複数回乾燥を行ってもよく、複数の乾燥方法を併用してもよい。 After film formation, the organic solvent is removed from the coating film by a drying process such as vacuum, reduced pressure, or heating. When heating is performed, it is preferable to perform the heating at a temperature not higher than the glass transition temperature (Tg) of at least one of the solutes + 30°C from the viewpoint of improving coating film properties. From the viewpoint of reducing residual solvent, it is preferable to heat at least one of the solutes at a glass transition point (Tg) of −30° C. or higher. Even if the heating temperature is lower than the boiling point of the organic solvent, the organic solvent is sufficiently removed because the film is thin. In addition, drying may be performed multiple times at different temperatures, and multiple drying methods may be used in combination.

(2)有機溶媒の具体例
有機層形成用組成物に用いられる有機溶媒としては、アルキルベンゼン系溶媒、フェニルエーテル系溶媒、アルキルエーテル系溶媒、環状ケトン系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒、単環性ケトン系溶媒、ジエステル骨格を有する溶媒および含フッ素系溶媒などがあげられるが、それだけに限定されない。また、溶媒は単一で用いてもよく、混合してもよい。
(2) Specific Examples of Organic Solvents Examples of organic solvents used in the composition for forming an organic layer include alkylbenzene solvents, phenyl ether solvents, alkyl ether solvents, cyclic ketone solvents, aliphatic ketone solvents, and monocyclic solvents. Examples include, but are not limited to, ketone solvents, solvents having a diester skeleton, fluorine-containing solvents, and the like. Also, the solvents may be used singly or in combination.

<任意成分>
有機層形成用組成物は、その性質を損なわない範囲で、任意成分を含んでいてもよい。任意成分としては、バインダーおよび界面活性剤等があげられる。
<Optional component>
The composition for forming an organic layer may contain optional components as long as the properties thereof are not impaired. Optional components include binders and surfactants.

<有機層形成用組成物の組成および物性>
有機層形成用組成物における各成分の含有量は、有機層形成用組成物中の各成分の良好な溶解性、保存安定性および成膜性、ならびに、該有機層形成用組成物から得られる塗膜の良質な膜質、また、インクジェット法を用いた場合の良好な吐出性、該組成物を用いて作製された有機層を有する有機EL素子の、良好な電気特性、発光特性、効率、寿命の観点を考慮して決定される。
<Composition and physical properties of composition for forming organic layer>
The content of each component in the organic layer-forming composition is obtained from the good solubility, storage stability, and film-forming properties of each component in the organic layer-forming composition, and the organic layer-forming composition. Good film quality of the coating film, good dischargeability when using the inkjet method, good electrical properties, luminescence properties, efficiency and life of the organic EL element having an organic layer produced using the composition It is determined in consideration of the viewpoint of

有機層形成用組成物は、上述した成分を、公知の方法で攪拌、混合、加熱、冷却、溶解、分散等を適宜選択して行うことによって製造できる。また、調製後に、ろ過、脱ガス(デガスとも言う)、イオン交換処理および不活性ガス置換・封入処理等を適宜選択して行ってもよい。 The composition for forming an organic layer can be produced by appropriately selecting the above-described components by stirring, mixing, heating, cooling, dissolving, dispersing, and the like by a known method. After preparation, filtration, degassing (also referred to as degassing), ion exchange treatment, inert gas replacement/encapsulation treatment, and the like may be appropriately selected and performed.

<有機電界発光素子の応用例>
また、本発明は、有機EL素子を備えた表示装置または有機EL素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機EL素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機EL素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。
<Application example of organic electroluminescence element>
The present invention can also be applied to a display device having an organic EL element, a lighting device having an organic EL element, or the like.
A display device or a lighting device including an organic EL element can be manufactured by a known method such as connecting the organic EL element according to the present embodiment and a known driving device, and can be manufactured by direct current driving, pulse driving, alternating current driving, or the like. It can be driven by appropriately using a known driving method.

表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光(EL)ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる(例えば、特開平10-335066号公報、特開2003-321546号公報、特開2004-281086号公報など参照)。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよびセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。 Examples of display devices include panel displays such as color flat panel displays, and flexible displays such as flexible color organic electroluminescence (EL) displays (for example, JP-A-10-335066 and JP-A-2003-321546). (See Japanese Patent Laid-Open No. 2004-281086, etc.). Moreover, the display method of the display includes, for example, a matrix method and a segment method. Note that matrix display and segment display may coexist in the same panel.

マトリクスでは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されており、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。 In the matrix, pixels for display are arranged in a two-dimensional pattern such as a grid pattern or a mosaic pattern, and a set of pixels displays characters and images. The shape and size of the pixels are determined by the application. For example, in the image and character display of personal computers, monitors, and televisions, square pixels with a side of 300 μm or less are usually used, and in the case of a large display such as a display panel, a pixel with a side of mm order is used. become. In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, pixels of red, green, and blue are displayed side by side. In this case, there are typically delta type and stripe type. As a method for driving this matrix, either a line-sequential driving method or an active matrix method may be used. Although the line-sequential drive has the advantage of being simpler in structure, the active matrix may be superior in terms of operating characteristics.

セグメント方式(タイプ)では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。 In the segment method (type), a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined area is illuminated. Examples include time and temperature displays in digital clocks and thermometers, operating state displays in audio equipment and electromagnetic cookers, and panel displays in automobiles.

照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる(例えば、特開2003-257621号公報、特開2003-277741号公報、特開2004-119211号公報など参照)。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式が蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。 Examples of lighting devices include lighting devices such as indoor lighting, backlights for liquid crystal display devices, and the like (for example, JP-A-2003-257621, JP-A-2003-277741, JP-A-2004-119211, and the like). etc.). Backlights are mainly used for the purpose of improving the visibility of display devices that do not emit light by themselves, and are used in liquid crystal display devices, clocks, audio devices, automobile panels, display boards, signs, and the like. In particular, as a liquid crystal display device, especially a backlight for a personal computer, for which thinning is a problem, it is difficult to reduce the thickness of the conventional method because it is made of a fluorescent lamp or a light guide plate. The backlight using the light-emitting element according to 1 is characterized by its thinness and light weight.

3-2.その他の有機デバイス
本発明に係るトリアジン化合物は、上述した有機電界発光素子の他に、有機電界効果トランジスタまたは有機薄膜太陽電池などの作製に用いることができる。
3-2. Other Organic Devices The triazine compound according to the present invention can be used for the production of organic field effect transistors, organic thin film solar cells, etc., in addition to the organic electroluminescence devices described above.

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されない。まず、トリアジン化合物の合成例について、以下に説明する。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples below, but the present invention is not limited to these. First, synthesis examples of triazine compounds are described below.

合成例(1)
化合物(1-1):9,9’-(6-(9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-3-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)の合成

Figure 2023081468000067
Synthesis example (1)
Compound (1-1): 9,9′-(6-(9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazol-3-yl)-1,3 Synthesis of ,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole)
Figure 2023081468000067

9,9’-(6-クロロ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1-a)の合成

Figure 2023081468000068
Synthesis of 9,9′-(6-chloro-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (1-a)
Figure 2023081468000068

窒素雰囲気下、9H-カルバゾール(45.7g、274mmol)のテトラヒドロフラン(1000ml)溶液に、水素化ナトリウム(6.5g,274mmol)を分割して加え、室温で30分撹拌した。その後、シアヌル酸クロライド(25g、137mmol)のテトラヒドロフラン(500ml)溶液を滴下し、室温で3時間撹拌した。反応終了後、水(1000ml)を加えて生じた結晶をろ過し、水、アセトン、メタノールにて洗浄した。得られた結晶をトルエン(100ml)にて2回スラリー洗浄し、ろ液をまとめて濃縮した。得られた結晶をソルミックスにて2回スラリー洗浄後、乾燥することで、9,9’-(6-クロロ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(34.1g、76.7mmol)を得た。 Under a nitrogen atmosphere, sodium hydride (6.5 g, 274 mmol) was added portionwise to a solution of 9H-carbazole (45.7 g, 274 mmol) in tetrahydrofuran (1000 ml) and stirred at room temperature for 30 minutes. After that, a solution of cyanuric chloride (25 g, 137 mmol) in tetrahydrofuran (500 ml) was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water (1000 ml) was added and the crystals formed were filtered and washed with water, acetone and methanol. The resulting crystals were slurry-washed twice with toluene (100 ml), and the filtrates were combined and concentrated. The obtained crystals are slurry-washed twice with Solmix and then dried to give 9,9′-(6-chloro-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole). (34.1 g, 76.7 mmol) was obtained.

3-ブロモ-9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール(1-b)の合成

Figure 2023081468000069
Synthesis of 3-bromo-9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazole (1-b)
Figure 2023081468000069

窒素雰囲気下、3-ブロモ-9H-カルバゾール(10.2g、41.6mmol)のテトラヒドロフラン(100ml)溶液に、水素化ナトリウム(0.41g,45.0mmol)を分割して加え、室温で30分撹拌した。その後、2-クロロ-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(10.0g、37.4mmol)のテトラヒドロフラン(50ml)溶液を滴下し、室温で3時間撹拌した。反応終了後、水(100ml)を加えて生じた結晶をろ過し、水、アセトン、メタノールにて洗浄した。得られた結晶を乾燥し、3-ブロモ-9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール(19.6g、41.2mmol)を得た。 To a solution of 3-bromo-9H-carbazole (10.2 g, 41.6 mmol) in tetrahydrofuran (100 ml) under nitrogen atmosphere, sodium hydride (0.41 g, 45.0 mmol) was added portionwise and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. Stirred. After that, a solution of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (10.0 g, 37.4 mmol) in tetrahydrofuran (50 ml) was added dropwise and stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water (100 ml) was added and crystals formed were filtered and washed with water, acetone and methanol. The crystals obtained were dried to give 3-bromo-9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazole (19.6 g, 41.2 mmol).

9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール(1-1c)の合成

Figure 2023081468000070
9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboran-2-yl)-9H - Synthesis of carbazole (1-1c)
Figure 2023081468000070

窒素雰囲気下、3-ブロモ-9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール(10.0g、21.0mmol)、4,4,4’,4’,5,5,5’,5’-オクタメチル-2,2’-ビ(1,3,2-ジオキサボロラン)(5.6g、22.0mmol)、酢酸カリウム(3.4g,42.0mmol)、酢酸パラジウム(0.094g,0.42mmol)、SPhos(2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2,6-ビフェニル)(0.04g,0.84mmol)およびシクロペンチルメチルエーテル(100ml)の入ったフラスコを8時間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水(100ml)を加えて生じた結晶をろ過した。得られた結晶を水、アセトン、メタノールにて洗浄した後、乾燥することにより、9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール(8.7g、16.6mmol)を得た。 Under nitrogen atmosphere, 3-bromo-9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazole (10.0 g, 21.0 mmol), 4,4,4′, 4′,5,5,5′,5′-octamethyl-2,2′-bi(1,3,2-dioxaborolane) (5.6 g, 22.0 mmol), potassium acetate (3.4 g, 42.0 mmol) ), palladium acetate (0.094 g, 0.42 mmol), SPhos (2-dicyclohexylphosphino-2,6-biphenyl) (0.04 g, 0.84 mmol) and cyclopentyl methyl ether (100 ml). It was heated to reflux for 1 hour. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water (100 ml) was added, and crystals formed were filtered. The obtained crystals are washed with water, acetone and methanol and then dried to give 9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-3-(4,4, 5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboran-2-yl)-9H-carbazole (8.7 g, 16.6 mmol) was obtained.

9,9’-(6-(9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-3-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1-1)の合成

Figure 2023081468000071
9,9′-(6-(9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazol-3-yl)-1,3,5-triazine-2, Synthesis of 4-diyl)bis(9H-carbazole) (1-1)
Figure 2023081468000071

窒素雰囲気下、9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール(2.0g、4.4mmol)、9,9’-(6-クロロ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(2.3g、4.4mmol)、炭酸カリウム(1.8g,13.1mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0.51g,0.44mmol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.42g,1.31mmol)およびジメトキシエタン(100ml)、水(10ml)の入ったフラスコを8時間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水(100ml)を加えて生じた結晶をろ過した。得られた結晶を水、アセトン、メタノールにて洗浄した後、テトラヒドロフラン(50ml)により2回スラリー洗浄を行った。結晶を乾燥後、昇華精製(380℃)することにより、9,9’-(6-(9-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-3-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(0.26g、0.32mmol)を得た。 Under nitrogen atmosphere, 9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborane-2- yl)-9H-carbazole (2.0 g, 4.4 mmol), 9,9′-(6-chloro-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (2.3 g , 4.4 mmol), potassium carbonate (1.8 g, 13.1 mmol), tetrakistriphenylphosphine palladium (0.51 g, 0.44 mmol), tetrabutylammonium bromide (0.42 g, 1.31 mmol) and dimethoxyethane ( 100 ml) and water (10 ml) were heated to reflux for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water (100 ml) was added, and crystals formed were filtered. The obtained crystals were washed with water, acetone and methanol, and then slurry-washed twice with tetrahydrofuran (50 ml). After drying the crystals, purification by sublimation (380° C.) gives 9,9′-(6-(9-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazole- 3-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (0.26 g, 0.32 mmol) was obtained.

NMR測定およびLC-MSにより得られた化合物の構造を確認した。
1H-NMR(500MHz,CDCl3):δ=7.45-7.62(m,9H)、7.65-7.75(m,7H)、8.15(d,4H)、8.28(d,1H)、8.82(d,4H)、9.02(d,1H)、9.15(d,4H)、9.22(d,1H)、9.38(d,1H)、9.52(s,1H).
LC-MS:m/z=808[M+H].
The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement and LC-MS.
1 H-NMR (500 MHz, CDCl 3 ): δ=7.45-7.62 (m, 9H), 7.65-7.75 (m, 7H), 8.15 (d, 4H), 8. 28 (d, 1H), 8.82 (d, 4H), 9.02 (d, 1H), 9.15 (d, 4H), 9.22 (d, 1H), 9.38 (d, 1H) ), 9.52(s, 1H).
LC-MS: m/z = 808 [M+H].

合成例(2)
化合物(1-21):9,9’-(6-(3-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)の合成

Figure 2023081468000072
Synthesis example (2)
Compound (1-21): 9,9′-(6-(3-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazol-9-yl)-1,3 Synthesis of ,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole)
Figure 2023081468000072

9,9’-(6-(3-ブロモ-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1-c)の合成

Figure 2023081468000073
Synthesis of 9,9′-(6-(3-bromo-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (1-c)
Figure 2023081468000073

窒素雰囲気下、3-ブロモ-9H-カルバゾール(3.0g、12.4mmol)のテトラヒドロフラン(100ml)溶液に、水素化ナトリウム(0.32g,13.5mmol)を分割して加え、室温で30分撹拌した。その後、9,9’-(6-クロロ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(5.0g、11.2mmol)のテトラヒドロフラン(50ml)溶液を滴下し、室温で3時間撹拌した。反応終了後、水(100ml)を加えて生じた結晶をろ過し、水、アセトン、メタノールにて洗浄した。得られた結晶を乾燥し、9,9’-(6-(3-ブロモ-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(7.1g、10.9mmol)を得た。 To a solution of 3-bromo-9H-carbazole (3.0 g, 12.4 mmol) in tetrahydrofuran (100 ml) under nitrogen atmosphere, sodium hydride (0.32 g, 13.5 mmol) was added portionwise and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. Stirred. After that, a solution of 9,9′-(6-chloro-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (5.0 g, 11.2 mmol) in tetrahydrofuran (50 ml) was added dropwise. , and stirred at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water (100 ml) was added and crystals formed were filtered and washed with water, acetone and methanol. The obtained crystals are dried to give 9,9′-(6-(3-bromo-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (7.1 g, 10.9 mmol) was obtained.

9,9’-(6-(3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1-d)の合成

Figure 2023081468000074
9,9′-(6-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboran-2-yl)-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5 - Synthesis of triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (1-d)
Figure 2023081468000074

窒素雰囲気下、9,9’-(6-(3-ブロモ-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(10.0g、15.3mmol)、4,4,4’,4’,5,5,5’,5’-オクタメチル-2,2’-ビ(1,3,2-ジオキサボロラン)(4.1g、16.0mmol)、酢酸カリウム(2.5g,30.7mmol)、酢酸パラジウム(0.069g,0.31mmol)、SPhos(2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2,6-ビフェニル)(0.03g,0.61mmol)およびシクロペンチルメチルエーテル(100ml)の入ったフラスコを8時間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水(100ml)を加えて生じた結晶をろ過した。得られた結晶を水、アセトン、メタノールにて洗浄した後、乾燥することにより、9,9’-(6-(3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(7.5g、10.6mmol)を得た。 Under nitrogen atmosphere, 9,9′-(6-(3-bromo-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (10.0 g) , 15.3 mmol), 4,4,4′,4′,5,5,5′,5′-octamethyl-2,2′-bi(1,3,2-dioxaborolane) (4.1 g, 16. 0 mmol), potassium acetate (2.5 g, 30.7 mmol), palladium acetate (0.069 g, 0.31 mmol), SPhos (2-dicyclohexylphosphino-2,6-biphenyl) (0.03 g, 0.61 mmol) and cyclopentyl methyl ether (100 ml) were heated to reflux for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water (100 ml) was added, and crystals formed were filtered. The obtained crystals are washed with water, acetone and methanol and then dried to give 9,9′-(6-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2- Dioxaboran-2-yl)-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (7.5 g, 10.6 mmol) was obtained.

9,9’-(6-(3-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1-21)の合成

Figure 2023081468000075
9,9′-(6-(3-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2, Synthesis of 4-diyl)bis(9H-carbazole) (1-21)
Figure 2023081468000075

窒素雰囲気下、9,9’-(6-(3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(2.0g、2.8mmol)、2-クロロ-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(0.76g、2.8mmol)、炭酸カリウム(1.1g,8.3mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0.32g,0.28mmol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(0.27g,0.83mmol)およびジメトキシエタン(50ml)、水(5ml)の入ったフラスコを8時間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水(50ml)を加えて生じた結晶をろ過した。得られた結晶を水、アセトン、メタノールにて洗浄した後、テトラヒドロフラン(50ml)により2回スラリー洗浄を行った。結晶を乾燥後、昇華精製(380℃)することにより、9,9’-(6-(3-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(0.1g、0.12mmol)を得た。 Under a nitrogen atmosphere, 9,9′-(6-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboran-2-yl)-9H-carbazol-9-yl)-1 ,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (2.0 g, 2.8 mmol), 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (0.76 g , 2.8 mmol), potassium carbonate (1.1 g, 8.3 mmol), tetrakistriphenylphosphine palladium (0.32 g, 0.28 mmol), tetrabutylammonium bromide (0.27 g, 0.83 mmol) and dimethoxyethane ( 50 ml) and water (5 ml) were heated to reflux for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, water (50 ml) was added, and crystals formed were filtered. The obtained crystals were washed with water, acetone and methanol, and then slurry-washed twice with tetrahydrofuran (50 ml). After drying the crystals, purification by sublimation (380° C.) gives 9,9′-(6-(3-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9H-carbazole- 9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (0.1 g, 0.12 mmol) was obtained.

NMR測定およびLC-MSにより得られた化合物の構造を確認した。
1H-NMR(500MHz,CDCl3):δ=7.45-7.56(m,10H)、7.60-7.66(m,6H)、8.15(d,4H)、8.38(dd,1H)、8.85(d,4H)、8.94(d,1H)、9.04(d,1H)、9.05(d,4H)、9.16(d,1H)、9.55(s,1H).
LC-MS:m/z=808[M+H].
The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement and LC-MS.
1 H-NMR (500 MHz, CDCl 3 ): δ=7.45-7.56 (m, 10H), 7.60-7.66 (m, 6H), 8.15 (d, 4H), 8. 38 (dd, 1H), 8.85 (d, 4H), 8.94 (d, 1H), 9.04 (d, 1H), 9.05 (d, 4H), 9.16 (d, 1H) ), 9.55(s, 1H).
LC-MS: m/z = 808 [M+H].

合成例(3)
化合物(1-11):9,9’,9’’,9’’’-((9H-カルバゾール-3,9-ジイル)ビス(1,3,5-トリアジン-6,2,4-トリイル))テトラキス(9H-カルバゾール)の合成

Figure 2023081468000076
Synthesis example (3)
Compound (1-11): 9,9′,9″,9′″-((9H-carbazole-3,9-diyl)bis(1,3,5-triazine-6,2,4-triyl )) Synthesis of tetrakis(9H-carbazole)
Figure 2023081468000076

9,9’,9’’,9’’’-((9H-カルバゾール-3,9-ジイル)ビス(1,3,5-トリアジン-6,2,4-トリイル))テトラキス(9H-カルバゾール)(1-11)の合成。

Figure 2023081468000077
9,9′,9″,9′″-((9H-carbazole-3,9-diyl)bis(1,3,5-triazine-6,2,4-triyl))tetrakis(9H-carbazole ) (1-11).
Figure 2023081468000077

合成例(1)および(2)と同様にして、9,9’-(6-(3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)-9H-カルバゾール-9-イル)-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(2.0g、2.8mmol)、および9,9’-(6-クロロ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジイル)ビス(9H-カルバゾール)(1.3g、2.8mmol)より、9,9’,9’’,9’’’-((9H-カルバゾール-3,9-ジイル)ビス(1,3,5-トリアジン-6,2,4-トリイル))テトラキス(9H-カルバゾール)(0.1g、1.0mmol)を得た。 In the same manner as in Synthesis Examples (1) and (2), 9,9′-(6-(3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboran-2-yl)- 9H-carbazol-9-yl)-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(9H-carbazole) (2.0 g, 2.8 mmol), and 9,9′-(6-chloro- 9,9′,9″,9′″-((9H-carbazole -3,9-diyl)bis(1,3,5-triazine-6,2,4-triyl))tetrakis(9H-carbazole) (0.1 g, 1.0 mmol).

NMR測定およびLC-MSにより得られた化合物の構造を確認した。
1H-NMR(500MHz,CDCl3):δ=7.45-7.62(m,8H)、7.61-7.75(m,5H)、8.15(d,4H)、8.28-8.38(m,2H)、8.80-8.87(m,8H)、8.93-9.06(m,10H)、9.15-9.22(m,1H)、9.55(s,1H).
LC-MS:m/z=986[M+H].
The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement and LC-MS.
1 H-NMR (500 MHz, CDCl 3 ): δ=7.45-7.62 (m, 8H), 7.61-7.75 (m, 5H), 8.15 (d, 4H), 8. 28-8.38 (m, 2H), 8.80-8.87 (m, 8H), 8.93-9.06 (m, 10H), 9.15-9.22 (m, 1H), 9.55 (s, 1H).
LC-MS: m/z = 986 [M+H].

原料の化合物を適宜変更することにより、上述した合成例に準じた方法で、本発明の他の化合物を合成することができる。 Other compounds of the present invention can be synthesized by methods according to the synthesis examples described above by appropriately changing the starting compounds.

次に、有機EL素子の作製と評価について記載する。ただし、本発明の化合物の適用は以下に示した例に限定されず、各層の膜厚や構成材料は使用する化合物の基礎物性によって適宜変更することができる。 Next, preparation and evaluation of the organic EL device will be described. However, application of the compound of the present invention is not limited to the examples shown below, and the film thickness and constituent materials of each layer can be appropriately changed depending on the basic physical properties of the compound used.

<比較例1-1>
スパッタリングにより200nmの厚さに製膜したITOを50nmまで研磨した、26mm×28mm×0.7mmのガラス基板((株)オプトサイエンス製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置(昭和真空(株)製)の基板ホルダーに固定し、HAT-CN、HTL-1,TcTa、CzTP、new-DABNA、ETL-1、およびET7をそれぞれ入れたモリブデン製蒸着用ボート、LiFおよびアルミニウムをそれぞれ入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
<Comparative Example 1-1>
A 26 mm×28 mm×0.7 mm glass substrate (manufactured by OptoScience Co., Ltd.) was used as a transparent support substrate, on which an ITO film having a thickness of 200 nm was formed by sputtering and polished to 50 nm. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Shinku Co., Ltd.), and HAT-CN, HTL-1, TcTa, CzTP, new-DABNA, ETL-1, and ET7 were placed therein. A molybdenum vapor deposition boat and a tungsten vapor deposition boat containing LiF and aluminum were installed.

透明支持基板のITO膜の上に順次、下記各層を形成した。真空槽を5×10-4Paまで減圧し、まず、HAT-CNを加熱して膜厚5nmになるように蒸着して正孔注入層を形成した。次に、HTL-1を加熱して膜厚90nmになるように蒸着して正孔輸送層1を形成し、さらにTcTaを加熱して膜厚10nmになるように蒸着して正孔輸送層2を形成した。次に、CzTPとnew-DABNAを同時に加熱して膜厚20nmになるように蒸着して発光層を形成した。CzTPとnew-DABNAの重量比がおよそ99対1になるように蒸着速度を調節した。次に、ETL-1を加熱して膜厚20nmになるように蒸着して電子輸送層1を形成し、さらにET7を加熱して膜厚10nmになるように蒸着して電子輸送層2を形成した。各層の蒸着速度は0.01~1nm/秒であった。その後、LiFを加熱して膜厚1nmになるように0.01~0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着し、次いで、アルミニウムを加熱して膜厚100nmになるように蒸着して陰極を形成し、有機EL素子を得た。このとき、アルミニウムの蒸着速度は1~10nm/秒になるように調節した。 The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was evacuated to 5×10 −4 Pa, and HAT-CN was first heated and evaporated to a thickness of 5 nm to form a hole injection layer. Next, HTL-1 is heated and vapor-deposited to a thickness of 90 nm to form a hole-transport layer 1, and TcTa is heated and vapor-deposited to a thickness of 10 nm to form a hole-transport layer 2. formed. Next, CzTP and new-DABNA were heated at the same time and evaporated to a thickness of 20 nm to form a light-emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of CzTP to new-DABNA was approximately 99:1. Next, ETL-1 is heated and evaporated to a thickness of 20 nm to form an electron transport layer 1, and ET7 is heated and evaporated to a thickness of 10 nm to form an electron transport layer 2. bottom. The deposition rate of each layer was 0.01-1 nm/sec. After that, LiF is heated and vapor-deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec so that the film thickness becomes 1 nm, and then aluminum is heated and vapor-deposited so that the film thickness becomes 100 nm to form a cathode. Then, an organic EL device was obtained. At this time, the deposition rate of aluminum was adjusted to 1 to 10 nm/sec.

<実施例1-1~実施例1-3、実施例2-1~実施例2-3、実施例3-1~実施例3-3、比較例1-2~比較例1-5および比較例2-1~比較例2-3>
比較例1-1のホストまたは電子輸送層1を表1に記載の各材料へ変更して各素子を作製した。
<Examples 1-1 to 1-3, Examples 2-1 to 2-3, Examples 3-1 to 3-3, Comparative Examples 1-2 to 1-5 and Comparative Example 2-1 to Comparative Example 2-3>
Each device was produced by changing the host or electron transport layer 1 of Comparative Example 1-1 to each material shown in Table 1.

Figure 2023081468000078
Figure 2023081468000078

各実施例および比較例で用いた化合物の化学構造を以下に示す。 The chemical structures of the compounds used in Examples and Comparative Examples are shown below.

Figure 2023081468000079
Figure 2023081468000079

Figure 2023081468000080
Figure 2023081468000080

<有機EL素子の評価>
作製した有機EL素子に、ITO電極を陽極、アルミニウム電極を陰極として直流電圧を印加し、輝度1000cd/m2における、外部量子効率(EQE)、およびLT50(初期輝度1000cd/m2における電流密度で連続駆動させたときの500cd/m2になるまでの時間)を測定した。
<Evaluation of organic EL element>
A DC voltage was applied to the prepared organic EL element with the ITO electrode as the anode and the aluminum electrode as the cathode, and the external quantum efficiency (EQE) at a luminance of 1000 cd/m 2 and LT50 (current density at the initial luminance of 1000 cd/m 2 The time to reach 500 cd/m 2 in continuous driving) was measured.

外部量子効率の測定方法は次の通りである。アドバンテスト社製電圧/電流発生器R6144を用いて、電圧を印加することにより素子を発光させた。TOPCON社製分光放射輝度計SR-3ARを用いて、発光面に対して垂直方向から可視光領域の分光放射輝度を測定した。発光面が完全拡散面であると仮定して、測定した各波長成分の分光放射輝度の値を波長エネルギーで割ってπを掛けた数値が各波長におけるフォトン数である。次いで、観測した全波長領域でフォトン数を積算し、素子から放出された全フォトン数とした。印加電流値を素電荷で割った数値を素子へ注入したキャリア数として、素子から放出された全フォトン数を素子へ注入したキャリア数で割った数値が外部量子効率である。
評価結果を表2に示す。
The method for measuring the external quantum efficiency is as follows. Using a voltage/current generator R6144 manufactured by Advantest, the device was caused to emit light by applying a voltage. Using a spectral radiance meter SR-3AR manufactured by TOPCON, the spectral radiance in the visible light region was measured from the direction perpendicular to the light emitting surface. Assuming that the light-emitting surface is a perfect diffusion surface, the number of photons at each wavelength is obtained by dividing the measured spectral radiance of each wavelength component by the wavelength energy and multiplying by π. Then, the number of photons in the entire observed wavelength region was integrated to obtain the total number of photons emitted from the device. The external quantum efficiency is obtained by dividing the total number of photons emitted from the device by the number of carriers injected into the device, with the value obtained by dividing the applied current value by the elementary charge as the number of carriers injected into the device.
Table 2 shows the evaluation results.

Figure 2023081468000081
Figure 2023081468000081

表2より、式(1)で表されるトリアジン化合物を用いた例では、式(1)のY1およびY2の両方を持たない化合物(CzTP)、Xであるヘテロアリーレンを持たない化合物(BTB)、またはY1またはY2の一方を持たない化合物(CPCBPTz)を用いた例と比較して、高効率、長寿命が得られていることがわかる。また、トリアジニルに2つのヘテロアリールが結合した構造を有するが、それらのヘテロアリールがNを結合位置とする基ではない類似化合物を用いた例(比較例1-4、比較例1-5、比較例2-2、比較例2-3)と比較しても、式(1)で表されるトリアジン化合物を用いた例(実施例1-1~3、実施例2-1~3)では高効率、長寿命が得られた。 From Table 2, examples using the triazine compound represented by formula (1) include a compound (CzTP) that does not have both Y 1 and Y 2 of formula (1), a compound that does not have heteroarylene as X ( BTB), or a compound (CPCBPTz) that does not have either Y 1 or Y 2 , high efficiency and long life are obtained. In addition, examples using analogous compounds having a structure in which two heteroaryls are bonded to triazinyl, but the heteroaryls are not groups having N as the bonding position (Comparative Examples 1-4, 1-5, and 1-5) Compared to Example 2-2 and Comparative Example 2-3), the examples using the triazine compound represented by formula (1) (Examples 1-1 to 3 and Examples 2-1 to 2-3) showed high Efficiency and long life were obtained.

発光層中のホスト材料(電子輸送性ホスト材料:ホスト2)と電子輸送層の材料とに式(1)で表されるトリアジン化合物を用いた実施例3-1~3が、他の実施例よりも高効率、長寿命であった。 Examples 3-1 to 3-3 using the triazine compound represented by Formula (1) as the host material (electron-transporting host material: host 2) in the light-emitting layer and the material of the electron-transporting layer are other examples. higher efficiency and longer life than

100 有機電界発光素子
101 基板
102 陽極
103 正孔注入層
104 正孔輸送層
105 発光層
106 電子輸送層
107 電子注入層
108 陰極
REFERENCE SIGNS LIST 100 organic electroluminescent element 101 substrate 102 anode 103 hole injection layer 104 hole transport layer 105 light emitting layer 106 electron transport layer 107 electron injection layer 108 cathode

Claims (13)

式(1)で表される化合物;
Figure 2023081468000082
式(1)中、
Xは、置換または無置換のヘテロアリーレンであり、
1は式(1-a)で表される基であり、
2は式(1-b)で表される基であり、
Figure 2023081468000083
1およびA2は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリールまたは置換もしくは無置換のヘテロアリールであり、
3およびA4は、それぞれ独立して置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換のヘテロアリール、置換もしくは無置換のジアリールアミノ、置換もしくは無置換のジヘテロアリールアミノ、または置換もしくは無置換のアリールヘテロアリールアミノであり、
1およびA2のいずれも、またはA3およびA4のいずれもの少なくとも一方がNを結合位置とする基であり、
1、Z2およびZ3は、それぞれ独立してCHまたはNであるが、Z1、Z2およびZ3のうち、少なくとも1つはNであり、
*は結合位置を示し、
式(1)で表される化合物における少なくとも1つの水素はシアノ、ハロゲン、または重水素で置き換えられていてもよい。
a compound represented by formula (1);
Figure 2023081468000082
In formula (1),
X is substituted or unsubstituted heteroarylene;
Y 1 is a group represented by formula (1-a),
Y 2 is a group represented by formula (1-b),
Figure 2023081468000083
A 1 and A 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted heteroaryl;
A 3 and A 4 are each independently substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, substituted or unsubstituted diarylamino, substituted or unsubstituted diheteroarylamino, or substituted or unsubstituted arylheteroarylamino,
at least one of A 1 and A 2 or A 3 and A 4 is a group having N as a bonding position;
Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently CH or N, but at least one of Z 1 , Z 2 and Z 3 is N;
* indicates the binding position,
At least one hydrogen in the compound represented by formula (1) may be replaced with cyano, halogen, or deuterium.
Nを結合位置とする基が、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のN-カルバゾリル、置換もしくは無置換のN-アザカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-イミダゾイミダゾリル、置換もしくは無置換のN-インドロインドリル、置換もしくは無置換のN-インドロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾフロカルバゾリル、置換もしくは無置換のN-ベンゾチエノカルバゾリル、または置換もしくは無置換のN-インデノカルバゾリルである請求項1に記載の化合物。 Each group having N as the bonding position is independently substituted or unsubstituted N-carbazolyl, substituted or unsubstituted N-azacarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzimidazolyl, substituted or unsubstituted N-imidazoimidazolyl , substituted or unsubstituted N-indoloindolyl, substituted or unsubstituted N-indolocarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzofurocarbazolyl, substituted or unsubstituted N-benzothienocarbazolyl , or substituted or unsubstituted N-indenocarbazolyl. 1およびA2がいずれもNを結合位置とする基である請求項1または2に記載の化合物。 3. The compound according to claim 1 or 2, wherein both A 1 and A 2 are groups with N as the bonding position. Xにおけるヘテロアリーレンが、カルバゾール、アザカルバゾール、ベンゾイミダゾール、イミダゾイミダゾール、インドロインドール、インドロカルバゾール、ベンゾフロカルバゾール、ベンゾチエノカルバゾールまたはインデノカルバゾールの環原子に結合する水素を任意に2つ除去した2価の基である請求項1~3のいずれか一項に記載の化合物。 Heteroarylene in X optionally removed two hydrogens bonded to ring atoms of carbazole, azacarbazole, benzimidazole, imidazoimidazole, indoloindole, indolocarbazole, benzofurocarbazole, benzothienocarbazole or indenocarbazole A compound according to any one of claims 1 to 3, which is a divalent group. 1、Z2およびZ3が、いずれもNである請求項1~4のいずれか一項に記載の化合物。 A compound according to any one of claims 1 to 4, wherein Z 1 , Z 2 and Z 3 are all N. 1およびA2がいずれも無置換のN-カルバゾリルであり、かつA3およびA4がいずれも無置換のN-カルバゾリルまたは無置換のフェニルである請求項1~5のいずれか一項に記載の化合物。 6. The method according to any one of claims 1 to 5, wherein both A 1 and A 2 are unsubstituted N-carbazolyl, and both A 3 and A 4 are unsubstituted N-carbazolyl or unsubstituted phenyl. Compound as described. 下記式のいずれかで表される請求項1に記載の化合物。
Figure 2023081468000084
The compound according to claim 1, represented by any one of the formulas below.
Figure 2023081468000084
請求項1~7のいずれか一項に記載の化合物を含有する、有機デバイス用材料。 An organic device material containing the compound according to any one of claims 1 to 7. 陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置されされる有機層とを有し、前記有機層が請求項1~7のいずれか一項に記載の化合物を含有する、有機電界発光素子。 An organic compound having a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains the compound according to any one of claims 1 to 7 electroluminescence device. 前記有機層が発光層である、請求項9に記載の有機電界発光素子。 10. The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein said organic layer is a light-emitting layer. 前記発光層が、前記化合物をホスト材料として含み、さらにドーパント材料を含む、請求項10に記載の有機電界発光素子。 11. The organic electroluminescent device according to claim 10, wherein said light-emitting layer contains said compound as a host material and further contains a dopant material. 前記有機層が電子輸送層である、請求項9に記載の有機電界発光素子。 10. The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein said organic layer is an electron transport layer. 請求項9~12のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置。 A display device or lighting device comprising the organic electroluminescence device according to any one of claims 9 to 12.
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