JP2023081428A - Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer - Google Patents

Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer Download PDF

Info

Publication number
JP2023081428A
JP2023081428A JP2021195106A JP2021195106A JP2023081428A JP 2023081428 A JP2023081428 A JP 2023081428A JP 2021195106 A JP2021195106 A JP 2021195106A JP 2021195106 A JP2021195106 A JP 2021195106A JP 2023081428 A JP2023081428 A JP 2023081428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
film
conductive
transfer
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021195106A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
圭太 碓井
Keita Usui
凌祐 田邉
Ryosuke Tanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2021195106A priority Critical patent/JP2023081428A/en
Publication of JP2023081428A publication Critical patent/JP2023081428A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

To provide a production method of a conductive film for transfer suitable for producing conductive films suitable for excellently transferring a conductive layer while suppressing generation of cracks in a cured resin layer being a primer layer of the conductive layer, as well as, to provide a conductive film for transfer obtained thereby.SOLUTION: A method for producing a conductive film for transfer X of the present invention includes: a first step of forming a resin layer 11 being a cured resin layer having a thickness of 3 μm or less on one side in a thickness direction of a temporary support film S; a second step of forming the conductive layer 12 on one side in the thickness direction of the resin layer 11 to obtain an intermediate laminate 10A; a third step of cutting the intermediate laminate 10A to obtain an intermediate laminate 10B; and a fourth step of forming a resin layer 13 on one side of the layer 12 in the thickness direction in the intermediate laminate 10B. Peel strength between the temporary support film S and the resin layer 11 after the fourth step is 1 N/24 mm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、転写用導電性フィルムの製造方法および転写用導電性フィルムに関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a conductive film for transfer and a conductive film for transfer.

従来、転写用導電性フィルムが知られている。転写用導電性フィルムは、仮支持フィルムと、当該仮支持フィルムに対して剥離可能に接している硬化樹脂層と、導電層とを厚さ方向にこの順で備える。転写用導電性フィルムは、例えば、ロールトゥロール方式において次のようにして製造される。まず、基材としての仮支持フィルム上に、硬化樹脂層が形成される。硬化樹脂層は、導電層にとっての下地層である。次に、硬化樹脂層上に、透明導電材料のスパッタリング成膜によって導電層が形成される。これにより、ロール状の転写用導電性フィルムが得られる。次に、ロール状の転写用導電性フィルムが裁断されて、枚葉状の転写用導電性フィルムが得られる(裁断工程)導電層は、必要に応じてパターニングされる。 Conventionally, conductive films for transfer are known. The conductive film for transfer includes a temporary support film, a cured resin layer releasably in contact with the temporary support film, and a conductive layer in this order in the thickness direction. The conductive film for transfer is produced, for example, by a roll-to-roll method as follows. First, a cured resin layer is formed on a temporary support film as a substrate. The cured resin layer is a base layer for the conductive layer. Next, a conductive layer is formed on the cured resin layer by sputtering film formation of a transparent conductive material. Thereby, a roll-shaped conductive film for transfer is obtained. Next, the roll-shaped conductive film for transfer is cut to obtain a sheet-shaped conductive film for transfer (cutting step). The conductive layer is patterned as necessary.

このような転写用導電性フィルムは、光学物品の製造過程において、導電層の供給材として用いられる。例えば、転写用導電性フィルムは、フォルダブルディスプレイパネルの製造過程において、タッチセンサー用の透明電極としてパターニングされた導電層の供給材として、用いられる。具体的には、次のとおりである。 Such a transfer conductive film is used as a supply material for a conductive layer in the process of manufacturing an optical article. For example, the conductive film for transfer is used as a supply material for a conductive layer patterned as a transparent electrode for a touch sensor in the manufacturing process of a foldable display panel. Specifically, it is as follows.

まず、枚葉状の転写用導電性フィルムの導電層(パターニングされている)側が、粘着剤層を介して、フィルム状の偏光板(偏光フィルム)に貼り合わされる。次に、転写用導電性フィルムにおいて、硬化樹脂層から仮支持フィルムが剥離される(剥離工程)。これにより、硬化樹脂層とその上の導電層とが、基材レスの透明導電性フィルムとして、偏光フィルムに転写される。 First, the conductive layer (patterned) side of the sheet-shaped conductive film for transfer is attached to a film-shaped polarizing plate (polarizing film) via an adhesive layer. Next, in the conductive film for transfer, the temporary support film is peeled off from the cured resin layer (peeling step). As a result, the cured resin layer and the conductive layer thereon are transferred to the polarizing film as a substrate-less transparent conductive film.

このように、転写用導電性フィルムによると、基材レスの透明導電性フィルムを偏光フィルムに貼り合わせることができる。基材レスの透明導電性フィルムは、薄く且つ柔軟性に優れることから、フォルダブルディスプレイパネルにおいて良好な屈曲性を確保するのに適する。したがって、転写用導電性フィルムは、薄いフォルダブルディスプレイパネルを製造するのに適する。このような転写用導電性フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献1に記載されている。 Thus, according to the conductive film for transfer, a substrate-less transparent conductive film can be attached to the polarizing film. Since the substrate-less transparent conductive film is thin and has excellent flexibility, it is suitable for ensuring good flexibility in foldable display panels. Therefore, the conductive film for transfer is suitable for manufacturing a thin foldable display panel. Techniques related to such a conductive film for transfer are described in Patent Document 1 below, for example.

特開2019-31041号公報JP 2019-31041 A

転写用導電性フィルムに関する上述の裁断工程では、透明導電性フィルムの硬化樹脂層が厚いほど、当該硬化樹脂層においてクラックが生じやすい。硬化樹脂層におけるクラックの発生は、硬化樹脂層上の導電層の電気的特性に影響を与え、好ましくない。クラックの抑制の観点からは、硬化樹脂層は薄い方が好ましい。一方、転写用導電性フィルムに関する上述の剥離工程では、基材レスの透明導電性フィルムの硬化樹脂層が薄くて同フィルムが薄いほど、同フィルムの硬化樹脂層から仮支持フィルムを剥離するのに要する力が大きくなる傾向にある。硬化樹脂層が薄いほど、剥離時に、当該硬化樹脂層と仮支持フィルムとの界面に応力が集中しにくく、界面に対して実効的に作用する力が小さくなるからである。この剥離力が大きすぎると、剥離工程では、基材レスの透明導電性フィルムが光学物品に対して適切に転写されない。転写性の観点からは、硬化樹脂層は厚い方が好ましい。以上のように、転写用導電性フィルムにおいて、クラック抑制の観点から求められる硬化樹脂層の厚さと、転写性の観点から求められる硬化樹脂層の厚さとは、従来、トレードオフの関係にある。 In the above-described cutting process for the conductive film for transfer, the thicker the cured resin layer of the transparent conductive film, the more likely cracks will occur in the cured resin layer. The occurrence of cracks in the cured resin layer is not preferable because it affects the electrical properties of the conductive layer on the cured resin layer. From the viewpoint of suppressing cracks, it is preferable that the cured resin layer is thin. On the other hand, in the above-described peeling process for the conductive film for transfer, the thinner the cured resin layer of the substrate-less transparent conductive film is, the thinner the film is, the more difficult it is to peel off the temporary support film from the cured resin layer of the same film. It tends to require more force. This is because the thinner the cured resin layer is, the less stress is concentrated on the interface between the cured resin layer and the temporary support film at the time of peeling, and the smaller the force effectively acting on the interface. If the peeling force is too large, the substrate-less transparent conductive film is not properly transferred to the optical article in the peeling step. From the viewpoint of transferability, the thicker the cured resin layer, the better. As described above, in the conductive film for transfer, conventionally, there is a trade-off relationship between the thickness of the cured resin layer required from the viewpoint of crack suppression and the thickness of the cured resin layer required from the viewpoint of transferability.

本発明は、導電層を良好に転写するのに適した転写用導電性フィルムを、硬化樹脂層におけるクラックの発生を抑制しつつ製造するのに適した、転写用導電性フィルムの製造方法、および、これによって得られる転写用導電性フィルムを提供する。 The present invention provides a method for producing a conductive film for transfer, which is suitable for producing a conductive film for transfer, which is suitable for good transfer of a conductive layer, while suppressing the occurrence of cracks in a cured resin layer, and , to provide a conductive film for transfer obtained thereby.

本発明[1]は、仮支持フィルムの厚さ方向一方面上に、当該仮支持フィルムに対して剥離可能に接する硬化樹脂層としての第1樹脂層であって、3μm以下の厚さを有する第1樹脂層を形成する、第1工程と、前記第1樹脂層の厚さ方向一方側に導電層を形成して第1中間積層体を得る第2工程と、前記第1中間積層体を裁断して第2中間積層体を得る第3工程と、前記第2中間積層体における前記導電層の厚さ方向一方側に第2樹脂層を形成する第4工程と、を含み、前記第4工程後の前記仮支持フィルムと前記第1樹脂層との間の剥離強度が1N/24mm以下である、転写用導電性フィルムの製造方法を含む。 The present invention [1] is a first resin layer on one side in the thickness direction of a temporary support film as a cured resin layer in releasable contact with the temporary support film and having a thickness of 3 μm or less. a first step of forming a first resin layer; a second step of forming a conductive layer on one side in the thickness direction of the first resin layer to obtain a first intermediate laminate; a third step of cutting to obtain a second intermediate laminate; and a fourth step of forming a second resin layer on one side in the thickness direction of the conductive layer in the second intermediate laminate, It includes a method for producing a conductive film for transfer, wherein the peel strength between the temporary support film and the first resin layer after the process is 1 N/24 mm or less.

本発明[2]は、前記第1樹脂層の厚さと前記第2樹脂層の厚さとの合計厚さが2μmを超える、上記[1]に記載の転写用導電性フィルムの製造方法を含む。 The present invention [2] includes the method for producing a conductive film for transfer according to [1] above, wherein the total thickness of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer exceeds 2 μm.

本発明[3]は、前記第2樹脂層の厚さが2μm以上である、上記[1]または[2]に記載の転写用導電性フィルムの製造方法を含む。 The present invention [3] includes the method for producing a conductive film for transfer according to the above [1] or [2], wherein the second resin layer has a thickness of 2 μm or more.

本発明[4]は、仮支持フィルムと、当該仮支持フィルムに対して剥離可能に接している硬化樹脂層としての第1樹脂層と、導電層と、第2樹脂層とを厚さ方向にこの順で備え、前記第1樹脂層が、3μm以下の厚さを有し、前記仮支持フィルムと前記第1樹脂層との間の剥離強度が1N/24mm以下である、転写用導電性フィルムを含む。 The present invention [4] comprises a temporary support film, a first resin layer as a cured resin layer in releasable contact with the temporary support film, a conductive layer, and a second resin layer in the thickness direction. A conductive film for transfer, provided in this order, wherein the first resin layer has a thickness of 3 μm or less, and a peel strength between the temporary support film and the first resin layer is 1 N/24 mm or less. including.

本発明[5]は、前記第1樹脂層の厚さと前記第2樹脂層の厚さとの合計厚さが2μmを超える、上記[4]に記載の転写用導電性フィルムを含む。 The present invention [5] includes the conductive film for transfer according to [4] above, wherein the total thickness of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer exceeds 2 μm.

本発明[6]は、前記第2樹脂層の厚さが2μm以上である、上記[4]または[5]に記載の転写用導電性フィルムを含む。 The present invention [6] includes the conductive film for transfer according to the above [4] or [5], wherein the second resin layer has a thickness of 2 μm or more.

本発明[7]は、前記第1樹脂層における前記導電層側の表面の、ナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率が、4GPa以上である、上記[4]から[6]のいずれか一つに記載の転写用導電性フィルムを含む。 The present invention [7] provides the above [4] to [6], wherein the surface of the first resin layer on the conductive layer side has an elastic modulus at 25° C. measured by a nanoindentation method of 4 GPa or more. The conductive film for transfer according to any one of.

本発明[8]は、前記導電層がインジウム含有導電性酸化物を含む、上記[4]から[7]のいずれか一つに記載の転写用導電性フィルムを含む。 The present invention [8] includes the conductive film for transfer according to any one of [4] to [7] above, wherein the conductive layer contains an indium-containing conductive oxide.

本発明の転写用導電性フィルムの製造方法では、上記のように、第3工程で裁断される第1中間積層体の第1樹脂層(硬化樹脂層)が、3μm以下の厚さを有する。このような構成は、第1樹脂層において、第3工程(裁断工程)でのクラックの発生を抑制するのに適する。また、本発明の転写用導電性フィルムの製造方法は、上記のように、第3工程後に、導電層の厚さ方向一方側に第2樹脂層を形成する第4工程を含み、第4工程後の仮支持フィルムと第1樹脂層との間の剥離強度が1N/24mm以下である。このような構成は、本製造方法によって製造される転写用導電性フィルムの第2樹脂層側を光学部品に貼り合わせた後に第1樹脂層から仮支持フィルムを剥離するのに要する剥離力を、低減するのに適する。以上のような転写用導電性フィルムの製造方法は、導電層の下地層としての第1樹脂層におけるクラックの発生を抑制しつつ、導電層を良好に転写するのに適した転写用導電性フィルムを製造するのに適する。 In the manufacturing method of the conductive film for transfer of the present invention, as described above, the first resin layer (cured resin layer) of the first intermediate laminate cut in the third step has a thickness of 3 μm or less. Such a configuration is suitable for suppressing the occurrence of cracks in the third step (cutting step) in the first resin layer. In addition, as described above, the method for producing a conductive film for transfer of the present invention includes a fourth step of forming a second resin layer on one side in the thickness direction of the conductive layer after the third step. The peel strength between the subsequent temporary support film and the first resin layer is 1 N/24 mm or less. In such a configuration, after the second resin layer side of the conductive film for transfer manufactured by this manufacturing method is attached to the optical component, the peeling force required to peel the temporary support film from the first resin layer is suitable for reducing The method for producing a conductive film for transfer as described above suppresses the occurrence of cracks in the first resin layer as a base layer of the conductive layer, and the conductive film for transfer suitable for excellently transferring the conductive layer. suitable for manufacturing

本発明の転写用導電性フィルムは、第1樹脂層におけるクラックの発生を抑制するのに適し、且つ導電層を良好に転写するのに適する。 The conductive film for transfer of the present invention is suitable for suppressing the occurrence of cracks in the first resin layer and for transferring the conductive layer satisfactorily.

本発明の転写用導電性フィルムの製造方法の一実施形態の工程図である。図1Aは、仮支持フィルムを用意する工程を表し、図1Bは、第1樹脂層を形成する工程を表し、図1Cは、導電層を形成して第1中間積層体を得る工程を表す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is process drawing of one Embodiment of the manufacturing method of the conductive film for transfer of this invention. 1A shows a step of preparing a temporary support film, FIG. 1B shows a step of forming a first resin layer, and FIG. 1C shows a step of forming a conductive layer to obtain a first intermediate laminate. 図1Cに示す工程の後に続く工程を表す。図2Aは、第1中間積層体を裁断して第2中間積層体を得る工程を表し、図2Bは、導電層上に第2樹脂層を形成する工程を表す。Represents a step subsequent to the step shown in FIG. 1C. FIG. 2A shows the step of cutting the first intermediate laminate to obtain the second intermediate laminate, and FIG. 2B shows the step of forming the second resin layer on the conductive layer. 転写用導電性フィルムの製造方法が導電層のパターニング工程を含む場合の当該パターニング工程を表す。The patterning process when the manufacturing method of the conductive film for transfer includes the patterning process of the conductive layer is shown. 転写用導電性フィルムの製造方法が導電層のパターニング工程を含む場合に製造される転写用導電性フィルムの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the conductive film for transfer manufactured when the manufacturing method of the conductive film for transfer includes the patterning process of a conductive layer. 転写用導電性フィルムの使用方法の一例を表す。図5Aは、光学部品に転写用導電性フィルムを貼り合せる工程を表し、図5Bは、仮支持フィルムを剥離する工程を表す。An example of how to use the conductive film for transfer is shown. FIG. 5A shows the step of attaching the conductive film for transfer to the optical component, and FIG. 5B shows the step of peeling off the temporary support film.

図1Aから図2Bは、本発明の転写用導電性フィルムの製造方法の一実施形態の工程図である。転写用導電性フィルムの製造方法は、本実施形態では、用意工程(図1A)と、第1樹脂層形成工程(図1B)と、導電層形成工程(図1C)と、裁断工程(図2A)と、第2樹脂層形成工程(図2B)とを含む。具体的には、次のとおりである。 1A to 2B are process diagrams of one embodiment of the method for producing a conductive film for transfer of the present invention. In the present embodiment, the method for producing a conductive film for transfer includes a preparation step (FIG. 1A), a first resin layer forming step (FIG. 1B), a conductive layer forming step (FIG. 1C), and a cutting step (FIG. 2A ) and a second resin layer forming step (FIG. 2B). Specifically, it is as follows.

まず、用意工程では、図1Aに示すように、仮支持フィルムSを用意する。仮支持フィルムSは、第1面Saと、当該第1面Saとは反対側の第2面Sbとを有する。仮支持フィルムSは、第1面Saと第2面Sbとの間に厚さを有する。仮支持フィルムSは、厚さ方向Hと直交する方向(面方向)に広がるシート形状を有する。また、仮支持フィルムSは、ロールトゥロール方式で本製造方法を実施できるように長尺形状を有する。 First, in the preparation step, a temporary support film S is prepared as shown in FIG. 1A. The temporary support film S has a first surface Sa and a second surface Sb opposite to the first surface Sa. The temporary support film S has a thickness between the first surface Sa and the second surface Sb. The temporary support film S has a sheet shape extending in a direction perpendicular to the thickness direction H (plane direction). Moreover, the temporary support film S has a long shape so that this manufacturing method can be implemented by a roll-to-roll system.

仮支持フィルムSは、例えば、可撓性を有する樹脂フィルムである。仮支持フィルムSの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマー(COP)が挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。仮支持フィルムSの材料としては、可撓性と強度とのバランスの観点から、好ましくは、ポリエステル樹脂およびポリオレフィン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つが用いられ、より好ましくは、PETおよびCOPからなる群より選択される少なくとも一つが用いられる。 The temporary support film S is, for example, a flexible resin film. Examples of materials for the temporary support film S include polyester resins, polyolefin resins, acrylic resins, polycarbonate resins, polyethersulfone resins, polyarylate resins, melamine resins, polyamide resins, polyimide resins, cellulose resins, and polystyrene resins. . Polyester resins include, for example, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate. Polyolefin resins include, for example, polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymers (COP). Examples of acrylic resins include polymethacrylate. From the viewpoint of the balance between flexibility and strength, the material of the temporary support film S is preferably at least one selected from the group consisting of polyester resins and polyolefin resins, more preferably PET and COP. At least one selected from the group consisting of is used.

仮支持フィルムSの第1面Saの水接触角(純水接触角)は、好ましくは70°以上、より好ましくは75°以上、更に好ましくは80°以上である。このような構成は、後記の樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離するときの剥離性を確保するのに好ましい。第1面Saの水接触角は、好ましくは130°以下、より好ましくは120°以下、更に好ましくは110°以下である。このような構成は、後記の樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離性するまでの、樹脂層11に対する仮支持フィルムSの密着性を、確保するのに好ましい。水接触角は、次のようにして測定できる。まず、仮支持フィルムSの第1面Saに、約1μLの純水を滴下して、水滴を形成する。次に、第1面Sa上の水滴の表面と第1面Saとがなす角度を測定する。測定には、例えば、接触角計(品名「DMo-501」,協和界面科学社製)を使用できる。 The water contact angle (pure water contact angle) of the first surface Sa of the temporary support film S is preferably 70° or more, more preferably 75° or more, and still more preferably 80° or more. Such a configuration is preferable for ensuring peelability when peeling the temporary support film S from the resin layer 11 described later. The water contact angle of the first surface Sa is preferably 130° or less, more preferably 120° or less, and even more preferably 110° or less. Such a configuration is preferable for ensuring the adhesiveness of the temporary support film S to the resin layer 11 until the temporary support film S is released from the resin layer 11 described later. A water contact angle can be measured as follows. First, about 1 μL of pure water is dropped onto the first surface Sa of the temporary support film S to form water droplets. Next, the angle formed by the surface of the water droplet on the first surface Sa and the first surface Sa is measured. For the measurement, for example, a contact angle meter (product name “DMo-501”, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) can be used.

仮支持フィルムSの第1面Saは、表面改質処理されていてもよい。第1面Saの表面改質処理により、第1面Saの上記水接触角を調整でき、また、仮支持フィルムSと樹脂層11との間の剥離強度を調整できる。表面改質処理としては、例えば、剥離処理、プラズマ処理、コロナ処理、およびオゾン処理が挙げられる。第1面Saは、好ましくは、剥離処理、プラズマ処理、コロナ処理、およびオゾン処理からなる群より選択される少なくとも一つによって表面改質処理されている。剥離処理用の剥離剤としては、例えば、シリコーン樹脂含有の剥離剤、長鎖アルキル樹脂を含有する剥離剤、および、脂肪酸アミド樹脂を含有する剥離剤が挙げられる。第1面Saをプラズマ処理する場合、当該処理は、例えば大気圧プラズマ処理である。また、プラズマ処理における放電電力は、例えば10W以上であり、例えば10000W以下である。 The first surface Sa of the temporary support film S may be surface-modified. By the surface modification treatment of the first surface Sa, the water contact angle of the first surface Sa can be adjusted, and the peel strength between the temporary support film S and the resin layer 11 can be adjusted. Surface modification treatments include, for example, stripping treatments, plasma treatments, corona treatments, and ozone treatments. The first surface Sa is preferably subjected to surface modification treatment by at least one selected from the group consisting of peeling treatment, plasma treatment, corona treatment, and ozone treatment. Release agents for release treatment include, for example, silicone resin-containing release agents, long-chain alkyl resin-containing release agents, and fatty acid amide resin-containing release agents. When plasma processing is performed on the first surface Sa, the processing is, for example, atmospheric pressure plasma processing. Also, the discharge power in the plasma treatment is, for example, 10 W or more and, for example, 10000 W or less.

仮支持フィルムSの厚さは、好ましくは3μm以上、より好ましくは10μm以上、更に好ましくは30μm以上である。仮支持フィルムSの厚さは、好ましくは300μm以下、より好ましくは200μm以下、更に好ましくは100μm以下である。仮支持フィルムSの厚さに関するこれら構成は、製造される転写用導電性フィルムXの取り扱い性を確保するのに好ましい。 The thickness of the temporary support film S is preferably 3 μm or more, more preferably 10 μm or more, still more preferably 30 μm or more. The thickness of the temporary support film S is preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less, still more preferably 100 μm or less. These configurations regarding the thickness of the temporary support film S are preferable for ensuring the handleability of the conductive film X for transfer to be produced.

次に、第1樹脂層形成工程では、図1Bに示すように、長尺の仮支持フィルムSの厚さ方向Hの一方面としての第1面Sa上に、透明な硬化樹脂層としての樹脂層11(第1樹脂層)を形成する(本工程は、本発明における第1工程に相当する)。これにより、樹脂層11付き仮支持フィルムSが得られる。本工程は、ロールトゥロール方式で実施される。樹脂層11としては、例えば、ハードコート層および屈折率調整層が挙げられる。樹脂層11は、ハードコート層と屈折率調整層とを兼ねる複合機能層であってもよい。 Next, in the first resin layer forming step, as shown in FIG. 1B, on the first surface Sa as one surface in the thickness direction H of the long temporary support film S, a resin as a transparent cured resin layer A layer 11 (first resin layer) is formed (this step corresponds to the first step in the present invention). Thereby, the temporary support film S with the resin layer 11 is obtained. This step is implemented by a roll-to-roll method. Examples of the resin layer 11 include a hard coat layer and a refractive index adjustment layer. The resin layer 11 may be a multifunctional layer that serves both as a hard coat layer and a refractive index adjusting layer.

樹脂層11は、例えば、仮支持フィルムSの第1面Sa上に第1硬化性樹脂組成物(ワニス)を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を乾燥および硬化させることによって形成できる。第1硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂と溶剤とを含有する。樹脂層11は、第1硬化性樹脂組成物(具体的には硬化性樹脂)の硬化物である。 The resin layer 11 is formed, for example, by applying a first curable resin composition (varnish) on the first surface Sa of the temporary support film S to form a coating film, and then drying and curing the coating film. can. The first curable resin composition contains a curable resin and a solvent. The resin layer 11 is a cured product of a first curable resin composition (specifically, a curable resin).

硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。樹脂層11の光透過性および硬度を確保する観点から、硬化性樹脂としては、好ましくはアクリル樹脂が用いられる。 Examples of curable resins include polyester resins, acrylic resins, urethane resins, acrylic urethane resins, amide resins, silicone resins, epoxy resins, and melamine resins. These curable resins may be used alone, or two or more of them may be used in combination. From the viewpoint of ensuring the light transmittance and hardness of the resin layer 11, acrylic resin is preferably used as the curable resin.

また、硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化性樹脂、および、熱硬化性樹脂が挙げられる。第1硬化性樹脂組成物が紫外線化性樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって上記塗膜を硬化させる。第1硬化性樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、加熱によって上記塗膜を硬化させる。高温加熱せずに硬化可能であるために転写用導電性フィルムXの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂としては、好ましくは紫外線硬化性樹脂が用いられる。紫外線硬化性樹脂には、紫外線硬化型モノマー、紫外線硬化型オリゴマー、および紫外線硬化型ポリマーからなる群より選択される少なくとも一種類が含まれる。紫外線硬化性樹脂を含有する組成物の具体例としては、特開2016-179686号公報に記載のハードコート層形成用組成物が挙げられる。 Examples of curable resins include ultraviolet curable resins and thermosetting resins. When the first curable resin composition contains an ultraviolet-curable resin, the coating film is cured by ultraviolet irradiation. When the first curable resin composition contains a thermosetting resin, the coating film is cured by heating. As the curable resin, an ultraviolet curable resin is preferably used from the viewpoint of improving the production efficiency of the conductive film X for transfer since it can be cured without heating to a high temperature. The UV-curable resin includes at least one selected from the group consisting of UV-curable monomers, UV-curable oligomers, and UV-curable polymers. Specific examples of the composition containing an ultraviolet curable resin include the composition for forming a hard coat layer described in JP-A-2016-179686.

第1硬化性樹脂組成物が含有する溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジクロロメタン、およびクロロホルムが挙げられる。 Solvents contained in the first curable resin composition include, for example, ethyl acetate, butyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol. monomethyl ether acetate, dichloromethane, and chloroform.

第1硬化性樹脂組成物は、微粒子を含有してもよい。第1硬化性樹脂組成物に対する微粒子の配合は、樹脂層11における硬さの調整、表面粗さの調整、屈折率の調整、および防眩性の付与に、役立つ。微粒子としては、例えば、無機粒子および有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、例えば、金属酸化物粒子およびガラス粒子が挙げられる。金属酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。 The first curable resin composition may contain fine particles. The addition of fine particles to the first curable resin composition is useful for adjusting the hardness of the resin layer 11, adjusting the surface roughness, adjusting the refractive index, and imparting antiglare properties. Microparticles include, for example, inorganic particles and organic particles. Inorganic particles include, for example, metal oxide particles and glass particles. Materials for metal oxide particles include, for example, silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, tin oxide, indium oxide, cadmium oxide, and antimony oxide. Materials for the organic particles include, for example, polymethylmethacrylate, polystyrene, polyurethane, acrylic-styrene copolymers, benzoguanamine, melamine, and polycarbonate.

樹脂層11の厚さT1は、3μm以下であり、好ましくは2.5μm以下、より好ましくは2μm以下、更に好ましくは1.7μm以下、特に好ましくは1.5μm以下である。このような構成は、後述の裁断工程(図2A)において、樹脂層11でのクラックの発生を抑制するのに適する。また、厚さT1は、仮支持フィルムSからの樹脂層11の剥離性を確保する観点から、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは0.8μm以上、特に好ましくは1μm以上である。 The thickness T1 of the resin layer 11 is 3 μm or less, preferably 2.5 μm or less, more preferably 2 μm or less, still more preferably 1.7 μm or less, and particularly preferably 1.5 μm or less. Such a configuration is suitable for suppressing the occurrence of cracks in the resin layer 11 in the later-described cutting step (FIG. 2A). In addition, from the viewpoint of ensuring the releasability of the resin layer 11 from the temporary support film S, the thickness T1 is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, still more preferably 0.8 μm or more, and particularly preferably is 1 μm or more.

樹脂層11の表面11aの、ナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率は、好ましくは4GPa以上、より好ましくは7GPa以上、更に好ましくは9GPa以上、特に好ましくは10GPa以上である。このような構成は、後述の剥離工程後に樹脂層11にうねりが生じるのを抑制する観点から好ましい。樹脂層11の表面11aの、ナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率は、好ましくは20GPa以下、より好ましくは17GPa以下、更に好ましくは15GPa以下である。このような構成は、樹脂層11の可撓性を確保するのに好ましく、従って、転写用導電性フィルムXの取り扱い性を確保するのに好ましい。当該弾性率には、転写用導電性フィルムXの製造過程における導電層12形成前の樹脂層11の表面11aの弾性率、および、製造された転写用導電性フィルムXにおける樹脂層11の表面11aの弾性率が、含まれる。樹脂層11の表面11aの弾性率を調整する方法としては、例えば、樹脂層11における無機粒子の配合量の調整、および、硬化条件の調整が挙げられる。樹脂層11の表面11aの弾性率を調整する方法としては、第1硬化性樹脂組成物に2以上の異種の硬化性樹脂を配合し、その配合比を調整することも、挙げられる。 The elastic modulus of the surface 11a of the resin layer 11 at 25° C. measured by a nanoindentation method is preferably 4 GPa or higher, more preferably 7 GPa or higher, even more preferably 9 GPa or higher, and particularly preferably 10 GPa or higher. Such a configuration is preferable from the viewpoint of suppressing undulations in the resin layer 11 after the peeling process described later. The elastic modulus of the surface 11a of the resin layer 11 at 25° C. measured by a nanoindentation method is preferably 20 GPa or less, more preferably 17 GPa or less, and even more preferably 15 GPa or less. Such a configuration is preferable for ensuring the flexibility of the resin layer 11, and therefore preferable for ensuring the handleability of the conductive film X for transfer. The elastic modulus includes the elastic modulus of the surface 11a of the resin layer 11 before the formation of the conductive layer 12 in the manufacturing process of the conductive film X for transfer, and the surface 11a of the resin layer 11 in the manufactured conductive film X for transfer. is included. Methods for adjusting the elastic modulus of the surface 11a of the resin layer 11 include, for example, adjusting the blending amount of inorganic particles in the resin layer 11 and adjusting curing conditions. As a method for adjusting the elastic modulus of the surface 11a of the resin layer 11, it is also possible to mix two or more different curable resins in the first curable resin composition and adjust the mixing ratio.

ナノインデンテーション法とは、試料の諸物性をナノメートルスケールで測る技術である。本実施形態において、ナノインデンテーション法は、ISO14577に準拠して実施される。ナノインデンテーション法では、ステージ上にセットされた試料に圧子を押し込む過程(荷重印加過程)と、それより後に試料から圧子を引き抜く過程(除荷過程)とが実施されて、一連の過程中、圧子-試料間に作用する荷重と、試料に対する圧子の相対変位とが測定される(荷重-変位測定)。これにより、荷重-変位曲線を得ることが可能である。この荷重-変位曲線から、測定試料について、ナノメートルスケール測定に基づく弾性率や硬度などの物性を求めることが可能である。ナノインデンテーション法による樹脂層11の表面の荷重-変位測定には、例えば、ナノインデンター(商品名「Triboindenter」,Hysitron社製)を使用できる。その測定において、測定モードは単一押込み測定とし、測定温度は25℃とし、使用圧子はBerkovich(三角錐)型のダイヤモンド圧子とし、荷重印加過程での測定試料に対する圧子の最大押込み深さ(最大変位H1)は50nmとし、当該圧子の押込み速度は5nm/秒とし、除荷過程での測定試料からの圧子の引抜き速度は5nm/秒とする。本測定によって得られる荷重-変位曲線に基づき、例えば、最大荷重Pmax(最大変位H1にて圧子に作用する荷重)、接触投影面積Ap(最大荷重時における圧子と試料との間の接触領域の投影面積)、接触剛性S(除荷過程開始時における荷重-変位曲線(除荷曲線)の接線の傾き)、および、除荷過程後の試料表面における塑性変形量H2(試料表面から圧子を離した後に当該試料表面に維持される凹部の深さ)を得ることができる。そして、接触剛性Sと接触投影面積Apから、試料表面の弾性率(=π1/2S/2Ap1/2)を算出できる。 The nanoindentation method is a technique for measuring various physical properties of samples on a nanometer scale. In this embodiment, the nanoindentation method is performed in compliance with ISO14577. In the nanoindentation method, a process of pushing an indenter into a sample set on a stage (loading process) and then a process of withdrawing the indenter from the sample (unloading process) are performed. The load acting between the indenter and the sample and the relative displacement of the indenter with respect to the sample are measured (load-displacement measurement). This makes it possible to obtain a load-displacement curve. From this load-displacement curve, it is possible to obtain the physical properties of the measurement sample, such as elastic modulus and hardness, based on nanometer-scale measurements. For the load-displacement measurement of the surface of the resin layer 11 by the nanoindentation method, for example, a nanoindenter (trade name “Triboindenter”, manufactured by Hysitron) can be used. In the measurement, the measurement mode was single indentation measurement, the measurement temperature was 25°C, the indenter used was a Berkovich (triangular pyramid) type diamond indenter, and the maximum indentation depth (maximum The displacement H1) is 50 nm, the pressing speed of the indenter is 5 nm/sec, and the withdrawal speed of the indenter from the measurement sample during the unloading process is 5 nm/sec. Based on the load-displacement curve obtained by this measurement, for example, the maximum load Pmax (the load acting on the indenter at the maximum displacement H1), the projected contact area Ap (the projection of the contact area between the indenter and the sample at the maximum load area), contact stiffness S (the slope of the tangent to the load-displacement curve (unloading curve) at the start of the unloading process), and the amount of plastic deformation H2 on the sample surface after the unloading process (when the indenter is separated from the sample surface The depth of the recess that is subsequently maintained in the sample surface) can be obtained. Then, the elastic modulus (=π 1/2 S/2Ap 1/2 ) of the sample surface can be calculated from the contact stiffness S and the contact projected area Ap.

樹脂層11における厚さ方向Hの一方面としての表面11a(後述の導電層12が積層される表面)は、必要に応じて表面改質処理される。表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、およびオゾン処理が挙げられる。樹脂層11と導電層12との間において高い密着力を確保する観点からは、表面11aは、好ましくはプラズマ処理される。表面11aをプラズマ処理する場合、当該プラズマ処理では、不活性ガスとして例えばアルゴンガスを用いる。また、プラズマ処理における放電電力は、例えば10W以上であり、また、例えば10000W以下である。 A surface 11a (a surface on which a conductive layer 12 described later is laminated) as one surface in the thickness direction H of the resin layer 11 is subjected to a surface modification treatment as necessary. Surface modification treatments include, for example, plasma treatment, corona treatment, and ozone treatment. From the viewpoint of ensuring high adhesion between the resin layer 11 and the conductive layer 12, the surface 11a is preferably plasma-treated. When plasma-processing the surface 11a, argon gas, for example, is used as an inert gas in the plasma processing. Also, the discharge power in the plasma treatment is, for example, 10 W or more and, for example, 10000 W or less.

次に、導電層形成工程では、図1Cに示すように、樹脂層11上に導電層12を形成する(本工程は、本発明における第2工程に相当する)。具体的には、スパッタリング法により、樹脂層11付き仮支持フィルムSにおける樹脂層11上に材料を成膜して、導電層12を形成する。これにより、中間積層体10A(第1中間積層体)が得られる。導電層12は、本実施形態では、光透過性と導電性とを兼ね備える。導電層12は、例えば非晶質膜として形成される。非晶質の導電層12を所定のタイミングで加熱することにより、結晶質の導電層12に転化させることができる。 Next, in the conductive layer forming step, as shown in FIG. 1C, a conductive layer 12 is formed on the resin layer 11 (this step corresponds to the second step in the present invention). Specifically, the material is deposited on the resin layer 11 of the temporary support film S with the resin layer 11 by sputtering to form the conductive layer 12 . Thereby, the intermediate laminate 10A (first intermediate laminate) is obtained. The conductive layer 12 has both optical transparency and electrical conductivity in this embodiment. The conductive layer 12 is formed as an amorphous film, for example. By heating the amorphous conductive layer 12 at a predetermined timing, it can be converted to a crystalline conductive layer 12 .

本工程のスパッタリング法では、例えば、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用する。スパッタリング法では、具体的には、スパッタ成膜装置が備える成膜室内に真空条件下でスパッタリングガス(不活性ガス)を導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出されたターゲット材料を樹脂層11付き仮支持フィルムSにおける樹脂層11上に堆積させる。 In the sputtering method of this step, for example, a sputtering film forming apparatus capable of carrying out a film forming process by a roll-to-roll method is used. Specifically, in the sputtering method, while a sputtering gas (inert gas) is introduced under vacuum conditions into a film forming chamber provided in a sputtering film forming apparatus, a negative voltage is applied to a target placed on a cathode in the film forming chamber. is applied. As a result, glow discharge is generated to ionize the gas atoms, the gas ions collide with the target surface at high speed, the target material is ejected from the target surface, and the ejected target material is applied to the temporary support film S with the resin layer 11. It is deposited on the resin layer 11 .

成膜室内のカソード上に配置されるターゲットの材料(即ち、導電層12の材料)としては、例えば、金属、および導電性酸化物が挙げられる。金属としては、例えば、銅、銀、およびこれらの合金が挙げられる。導電性酸化物としては、例えば、In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、Wからなる群より選択される少なくとも一種類の金属または半金属を含有する金属酸化物が挙げられる。具体的には、導電性酸化物としては、インジウム含有導電性酸化物およびアンチモン含有導電性酸化物が挙げられる。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物(ITO)、インジウム亜鉛複合酸化物(IZO)、インジウムガリウム複合酸化物(IGO)、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物(IGZO)が挙げられる。アンチモン含有導電性酸化物としては、例えばアンチモンスズ複合酸化物(ATO)が挙げられる。導電層12において高い光透過性と良好な導電性とを実現する観点から、導電性酸化物としては、好ましくはインジウム含有導電性酸化物が用いられ、より好ましくは、InおよびSnの両方を含有するインジウムスズ複合酸化物(ITO)が用いられる。このITOは、InおよびSn以外の金属または半金属を、InおよびSnのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。 Examples of the material of the target placed on the cathode in the deposition chamber (that is, the material of the conductive layer 12) include metals and conductive oxides. Metals include, for example, copper, silver, and alloys thereof. As the conductive oxide, for example, at least one metal selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W Alternatively, metal oxides containing metalloids may be mentioned. Specifically, conductive oxides include indium-containing conductive oxides and antimony-containing conductive oxides. Indium-containing conductive oxides include, for example, indium tin composite oxide (ITO), indium zinc composite oxide (IZO), indium gallium composite oxide (IGO), and indium gallium zinc composite oxide (IGZO). be done. Antimony-containing conductive oxides include, for example, antimony-tin composite oxide (ATO). From the viewpoint of achieving high light transmittance and good conductivity in the conductive layer 12, the conductive oxide is preferably an indium-containing conductive oxide, more preferably containing both In and Sn. Indium tin composite oxide (ITO) is used. This ITO may contain metals or metalloids other than In and Sn in amounts less than the respective contents of In and Sn.

導電性酸化物としてITOが用いられる場合、導電層12における酸化インジウム(In)および酸化スズ(SnO)の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、好ましくは1質量%以上、より好ましくは2質量%以上、さらに好ましくは3質量%以上、特に好ましくは5質量%以上である。このような構成は、導電層12の耐久性を確保するのに適する。また、加熱により結晶化しやすい導電層12を本工程で形成する観点から、酸化スズ含有量の上記割合は、好ましくは15質量%以下、より好ましくは13質量%以下、さらに好ましくは12質量%以下である。酸化スズの上記含有割合は、スパッタリング法に用いられるITO製ターゲットにおける酸化スズ濃度の調整により、調整できる。 When ITO is used as the conductive oxide, the ratio of the tin oxide content to the total content of indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) in the conductive layer 12 is preferably 1% by mass or more. , more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more. Such a configuration is suitable for ensuring durability of the conductive layer 12 . In addition, from the viewpoint of forming the conductive layer 12 that is easily crystallized by heating in this step, the above-mentioned proportion of the tin oxide content is preferably 15% by mass or less, more preferably 13% by mass or less, and even more preferably 12% by mass or less. is. The content of tin oxide can be adjusted by adjusting the tin oxide concentration in the ITO target used in the sputtering method.

スパッタリングガスとしては、本実施形態では希ガス原子が用いられる。希ガス原子としては、Ar、Kr、およびXeが挙げられ、好ましくはKrおよび/またはArが用いられる。 As the sputtering gas, rare gas atoms are used in this embodiment. Noble gas atoms include Ar, Kr and Xe, preferably Kr and/or Ar are used.

スパッタリング法は、好ましくは、反応性スパッタリング法である。反応性スパッタリング法では、スパッタリングガスに加えて反応性ガスとしての酸素が、成膜室内に導入される。反応性スパッタリング法において成膜室に導入されるスパッタリングガスおよび酸素の合計導入量に対する、酸素の導入量の割合は、例えば0.01流量%以上であり、また、例えば15流量%以下である。 The sputtering method is preferably a reactive sputtering method. In the reactive sputtering method, oxygen as a reactive gas is introduced into the deposition chamber in addition to the sputtering gas. In the reactive sputtering method, the ratio of the introduction amount of oxygen to the total introduction amount of the sputtering gas and oxygen introduced into the deposition chamber is, for example, 0.01 flow % or more and, for example, 15 flow % or less.

スパッタリング法による成膜(スパッタ成膜)中の成膜室内の気圧は、例えば0.02Pa以上であり、また、例えば1Pa以下である。 The atmospheric pressure in the film formation chamber during film formation by the sputtering method (sputter film formation) is, for example, 0.02 Pa or higher and, for example, 1 Pa or lower.

スパッタ成膜中のワークフィルムの温度は、例えば100℃以下である。スパッタ成膜中、ワークフィルムからのアウトガスおよびワークフィルムの熱膨張を抑制するには、ワークフィルムを冷却するのが好ましい。アウトガスの抑制および熱膨張の抑制は、導電層12において高い結晶安定性を実現するのに役立つ。このような観点から、スパッタ成膜中のワークフィルムの温度は、好ましくは20℃以下、より好ましくは10℃以下、更に好ましくは5℃以下、特に好ましくは0℃以下であり、また、例えば-50℃以上、好ましくは-20℃以上、より好ましくは-10℃以上、更に好ましくは-7℃以上である。 The temperature of the work film during sputtering film formation is, for example, 100° C. or less. In order to suppress outgassing from the work film and thermal expansion of the work film during sputtering deposition, it is preferable to cool the work film. Suppression of outgassing and suppression of thermal expansion help achieve high crystal stability in the conductive layer 12 . From this point of view, the temperature of the work film during sputtering film formation is preferably 20° C. or less, more preferably 10° C. or less, even more preferably 5° C. or less, particularly preferably 0° C. or less. It is 50°C or higher, preferably -20°C or higher, more preferably -10°C or higher, and still more preferably -7°C or higher.

ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、DC電源、AC電源、MF電源、およびRF電源が挙げられる。電源としては、DC電源とRF電源とを併用してもよい。スパッタ成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば50V以上であり、また、例えば500V以下である。 Power supplies for applying voltage to the target include, for example, DC power supplies, AC power supplies, MF power supplies, and RF power supplies. As a power supply, a DC power supply and an RF power supply may be used together. The absolute value of the discharge voltage during sputtering film formation is, for example, 50 V or higher and, for example, 500 V or lower.

本製造方法では、次に、図2Aに示すように、長尺の中間積層体10Aを裁断して、枚葉状の中間積層体10B(第2中間積層体)を得る(本工程は、本発明における第3工程に相当する)。本工程において、中間積層体10Aは、所定のサイズおよび形状に裁断される。裁断には、例えば、ロールtoシート方式の定寸カッターを使用できる。 In this manufacturing method, next, as shown in FIG. 2A, the long intermediate laminate 10A is cut to obtain a sheet-shaped intermediate laminate 10B (second intermediate laminate) (this step is the corresponds to the third step in). In this step, the intermediate laminate 10A is cut into a predetermined size and shape. For cutting, for example, a roll-to-sheet type sizing cutter can be used.

次に、第2樹脂層形成工程では、図2Bに示すように、中間積層体10Bにおける導電層12の厚さ方向H一方面上に、樹脂層13(第2樹脂層)を形成する(本工程は、本発明における第4工程に相当する)。樹脂層13としては、例えば、透明な硬化樹脂層および透明な粘着剤層が挙げられる。 Next, in the second resin layer forming step, as shown in FIG. 2B, a resin layer 13 (second resin layer) is formed on one surface of the conductive layer 12 in the thickness direction H of the intermediate laminate 10B (this The step corresponds to the fourth step in the present invention). Examples of the resin layer 13 include a transparent cured resin layer and a transparent adhesive layer.

樹脂層13が硬化樹脂層である場合、当該樹脂層13は、例えば、導電層12上に第2硬化性樹脂組成物(ワニス)を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を乾燥および硬化させることによって形成できる。第2硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂と溶剤とを含有する。硬化性樹脂としては、例えば、第1硬化性樹脂組成物に関して上記した硬化性樹脂が挙げられる。樹脂層13の光透過性および硬度を確保する観点から、当該硬化性樹脂としては、好ましくはアクリル樹脂が用いられる。また、高温加熱せずに硬化可能であるために転写用導電性フィルムXの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂としては、好ましくは紫外線硬化性樹脂が用いられる。第2硬化性樹脂組成物が含有する溶剤としては、例えば、第1硬化性樹脂組成物に関して上記した溶剤が挙げられる。 When the resin layer 13 is a cured resin layer, for example, the resin layer 13 is formed by applying a second curable resin composition (varnish) on the conductive layer 12 to form a coating film, and then drying the coating film. and hardening. The second curable resin composition contains a curable resin and a solvent. The curable resin includes, for example, the curable resins described above with respect to the first curable resin composition. From the viewpoint of ensuring the light transmittance and hardness of the resin layer 13, an acrylic resin is preferably used as the curable resin. In addition, ultraviolet curable resin is preferably used as the curable resin from the viewpoint of improving the production efficiency of the conductive film X for transfer since it can be cured without heating to a high temperature. Examples of the solvent contained in the second curable resin composition include the solvents described above for the first curable resin composition.

樹脂層13が透明な粘着剤層である場合、当該樹脂層13は、粘着剤組成物から形成された感圧接着剤層である。当該樹脂層13は、例えば、導電層12上に粘着剤組成物(ワニス)を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を乾燥させることによって形成できる。当該樹脂層13は、少なくともベースポリマーを含有する。ベースポリマーは、樹脂層13において粘着性を発現させる粘着成分である。ベースポリマーとしては、例えば、アクリルポリマー、シリコーンポリマー、ポリエステルポリマー、ポリウレタンポリマー、ポリアミドポリマー、ポリビニルエーテルポリマー、酢酸ビニル/塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィンポリマー、エポキシポリマー、フッ素ポリマー、およびゴムポリマーが挙げられる。ベースポリマーは、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。樹脂層13における良好な透明性および粘着性を確保する観点から、ベースポリマーとしては、好ましくはアクリルポリマーが用いられる。また、粘着剤層としての樹脂層13は、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、およびシランカップリング剤を含有してもよい。 When the resin layer 13 is a transparent adhesive layer, the resin layer 13 is a pressure-sensitive adhesive layer formed from an adhesive composition. The resin layer 13 can be formed, for example, by applying an adhesive composition (varnish) on the conductive layer 12 to form a coating film, and then drying the coating film. The resin layer 13 contains at least a base polymer. The base polymer is an adhesive component that develops adhesiveness in the resin layer 13 . Base polymers include, for example, acrylic polymers, silicone polymers, polyester polymers, polyurethane polymers, polyamide polymers, polyvinyl ether polymers, vinyl acetate/vinyl chloride copolymers, modified polyolefin polymers, epoxy polymers, fluoropolymers, and rubber polymers. The base polymer may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of ensuring good transparency and adhesiveness in the resin layer 13, acrylic polymer is preferably used as the base polymer. Moreover, the resin layer 13 as an adhesive layer may contain a tackifier, a plasticizer, a filler, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a silane coupling agent.

樹脂層13の厚さT2は、樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離するときの剥離性を確保する観点から、好ましくは2μm以上、より好ましくは2.5μm以上、更に好ましくは3μm以上、特に好ましくは3.5μm以上である。また、厚さT2は、転写用導電性フィルムXの柔軟性を確保する観点から、好ましくは5μm以下、より好ましくは4.5μm以下、更に好ましくは4μm以下である。 The thickness T2 of the resin layer 13 is preferably 2 μm or more, more preferably 2.5 μm or more, still more preferably 3 μm or more, from the viewpoint of ensuring peelability when the temporary support film S is peeled from the resin layer 11. It is preferably 3.5 μm or more. From the viewpoint of ensuring the flexibility of the conductive film X for transfer, the thickness T2 is preferably 5 μm or less, more preferably 4.5 μm or less, and even more preferably 4 μm or less.

樹脂層13の厚さT2は、好ましくは、樹脂層11の厚さT1より大きい。厚さT1に対する厚さT2の比率(T2/T1)は、好ましくは1を超え、より好ましくは2以上、更に好ましくは3以上、特に好ましくは4以上である。比率(T2/T1)は、例えば10以下である。 Thickness T2 of resin layer 13 is preferably greater than thickness T1 of resin layer 11 . The ratio of the thickness T2 to the thickness T1 (T2/T1) is preferably greater than 1, more preferably 2 or greater, even more preferably 3 or greater, and particularly preferably 4 or greater. The ratio (T2/T1) is, for example, 10 or less.

樹脂層13における厚さ方向Hの一方面(図中上面)は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、およびオゾン処理が挙げられる。 One surface (upper surface in the drawing) of the resin layer 13 in the thickness direction H may be subjected to a surface modification treatment. Surface modification treatments include, for example, plasma treatment, corona treatment, and ozone treatment.

以上のようにして、転写用導電性フィルムXを製造できる。転写用導電性フィルムXは、仮支持フィルムSと、透明導電性フィルムYとを備える。透明導電性フィルムYは、仮支持フィルムSによって仮に支持されている基材レスの透明導電性フィルムである。透明導電性フィルムYは、樹脂層11と、導電層12と、樹脂層13とを厚さ方向Hに順に備える。すなわち、転写用導電性フィルムXは、仮支持フィルムSと、樹脂層11と、導電層12と、樹脂層13とを厚さ方向Hに順に備える。 As described above, the conductive film X for transfer can be manufactured. The conductive film X for transfer includes a temporary support film S and a transparent conductive film Y. As shown in FIG. The transparent conductive film Y is a substrate-less transparent conductive film temporarily supported by a temporary support film S. As shown in FIG. The transparent conductive film Y includes a resin layer 11, a conductive layer 12, and a resin layer 13 in order in the thickness direction H. As shown in FIG. That is, the transfer conductive film X includes a temporary support film S, a resin layer 11, a conductive layer 12, and a resin layer 13 in the thickness direction H in this order.

転写用導電性フィルムXにおいて、第2樹脂層形成工程(第4工程)後の仮支持フィルムSと樹脂層11との間の剥離強度F1は、1N/24mm以下であり、好ましくは0.7N/24mm以下、より好ましくは0.5N/24mm以下、更に好ましくは0.3N/24mm以下、特に好ましくは0.2N/24mm以下である。剥離強度F1は、実施例に関して後述する方法によって測定できる。 In the transfer conductive film X, the peel strength F1 between the temporary support film S and the resin layer 11 after the second resin layer forming step (fourth step) is 1 N/24 mm or less, preferably 0.7 N. /24 mm or less, more preferably 0.5 N/24 mm or less, still more preferably 0.3 N/24 mm or less, and particularly preferably 0.2 N/24 mm or less. The peel strength F1 can be measured by the method described below with respect to the examples.

剥離強度F1は、第2樹脂層形成工程(第4工程)前の中間積層体10A,10Bにおける仮支持フィルムSと樹脂層11との間の剥離強度F2より、小さい。剥離強度F2は、例えば0.2N/24mm以上であり、好ましくは0.5N/24mm以上、より好ましくは0.8N/24mm以上、更に好ましくは1N/24mm以上である。剥離強度F2は、実施例に関して後述する方法によって測定できる。また、剥離強度F1と剥離強度F2との差(F2-F1)は、例えば0.2N/24mm以上であり、好ましくは0.6N/24mm以上、より好ましくは0.8N/24mm以上である。剥離強度F2に対する剥離強度F1の比率(F1/F2)は、例えば0.5以下であり、好ましくは0.4以下、より好ましくは0.3以下、更に好ましくは0.2以下である。比率(F1/F2)は、例えば0.01以上である。剥離強度F1,F2に関するこれら数値は、導電層12が非晶質であるか結晶質であるかに関わらない数値である。 The peel strength F1 is smaller than the peel strength F2 between the temporary support film S and the resin layer 11 in the intermediate laminates 10A and 10B before the second resin layer forming step (fourth step). The peel strength F2 is, for example, 0.2 N/24 mm or more, preferably 0.5 N/24 mm or more, more preferably 0.8 N/24 mm or more, still more preferably 1 N/24 mm or more. The peel strength F2 can be measured by the method described below with respect to the examples. Also, the difference (F2-F1) between the peel strength F1 and the peel strength F2 is, for example, 0.2 N/24 mm or more, preferably 0.6 N/24 mm or more, more preferably 0.8 N/24 mm or more. The ratio (F1/F2) of the peel strength F1 to the peel strength F2 is, for example, 0.5 or less, preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and still more preferably 0.2 or less. The ratio (F1/F2) is, for example, 0.01 or more. These numerical values regarding the peel strengths F1 and F2 are numerical values regardless of whether the conductive layer 12 is amorphous or crystalline.

転写用導電性フィルムXにおいて、樹脂層11の厚さT1と樹脂層T2の厚さとの合計厚さ(T1+T2)は、好ましくは2μmを超え、より好ましくは3μm以上、更に好ましくは4μm以上、特に好ましくは5μm以上である。このような構成は、樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離するときの剥離性を確保するのに好ましい。 In the transfer conductive film X, the total thickness (T1+T2) of the thickness T1 of the resin layer 11 and the thickness of the resin layer T2 is preferably greater than 2 μm, more preferably 3 μm or more, still more preferably 4 μm or more, especially It is preferably 5 μm or more. Such a configuration is preferable for ensuring peelability when peeling the temporary support film S from the resin layer 11 .

本製造方法は、導電層形成工程(図1C)より後であって第2樹脂層形成工程(図2B)より前に、導電層12をパターニングする工程を含んでもよい。図3は、導電層形成工程(図1C)より後であって裁断工程(図2A)より前に導電層12をパターニングする工程を、例示的に示す。所定のエッチングマスクを介して導電層12をエッチング処理することにより、導電層12をパターニングできる。当該パターニングより、導電層12において透明電極および透明配線を形成できる。導電層12がパターニングされた場合、第2樹脂層形成工程では、図4に示すように、樹脂層11上の導電層12の厚さ方向H一方側に当該導電層12を覆うように樹脂層13(第2樹脂層)を形成する。 This manufacturing method may include a step of patterning the conductive layer 12 after the conductive layer forming step (FIG. 1C) and before the second resin layer forming step (FIG. 2B). FIG. 3 exemplarily shows the step of patterning the conductive layer 12 after the conductive layer forming step (FIG. 1C) and before the cutting step (FIG. 2A). By etching the conductive layer 12 through a predetermined etching mask, the conductive layer 12 can be patterned. A transparent electrode and a transparent wiring can be formed in the conductive layer 12 by the patterning. When the conductive layer 12 is patterned, in the second resin layer forming step, as shown in FIG. 13 (second resin layer) is formed.

転写用導電性フィルムXは、光学物品の製造プロセスにおいて、例えば次のように使用される(図5Aおよび図5Bは、転写用導電性フィルムXの使用方法の一例を表す)。 The conductive film X for transfer is used in the manufacturing process of an optical article, for example, as follows (FIGS. 5A and 5B show an example of how to use the conductive film X for transfer).

まず、図5Aに示すように、光学部品Mに対し、転写用導電性フィルムXの樹脂層13側を貼り合わせる(貼合せ工程)。光学部品Mは、光学物品の一要素である。光学部品Mとしては、例えば、フィルム状の偏光板(偏光フィルム)、および、エレクトロクロミック調光フィルムが挙げられる。樹脂層13が硬化樹脂層である場合、本工程では、転写用導電性フィルムXの樹脂層13側を、粘着剤(図示略)を介して光学部品Mに貼り合わせる。樹脂層13が粘着剤層である場合、本工程では、当該樹脂層13の粘着力によって転写用導電性フィルムXを光学部品Mに貼り合わせる。 First, as shown in FIG. 5A, the resin layer 13 side of the conductive film X for transfer is bonded to the optical component M (bonding step). Optical component M is an element of an optical article. Examples of the optical component M include a film-like polarizing plate (polarizing film) and an electrochromic light control film. When the resin layer 13 is a cured resin layer, in this step, the resin layer 13 side of the transfer conductive film X is attached to the optical component M via an adhesive (not shown). When the resin layer 13 is an adhesive layer, in this step, the transfer conductive film X is attached to the optical component M by the adhesive force of the resin layer 13 .

次に、図5Bに示すように、基材レスの透明導電性フィルムY(樹脂層11および導電層12)を光学部品S上に残しつつ、透明導電性フィルムYの樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離する(剥離工程)。これにより、導電層12が樹脂層11と共に光学部品Mに転写される。 Next, as shown in FIG. 5B, while leaving the substrate-less transparent conductive film Y (the resin layer 11 and the conductive layer 12) on the optical component S, the resin layer 11 of the transparent conductive film Y is separated from the temporary support film. S is peeled off (peeling step). Thereby, the conductive layer 12 is transferred to the optical component M together with the resin layer 11 .

光学物品の製造プロセスにおいて、転写用導電性フィルムXは、例えば以上のように使用される。 In the manufacturing process of an optical article, the transfer conductive film X is used, for example, as described above.

上述の転写用導電性フィルムの製造方法では、裁断工程(図2A)で裁断される中間積層体10Aの樹脂層11(硬化樹脂層)の厚さT1が、3μm以下であり、好ましくは2.5μm以下、より好ましくは2μm以下、更に好ましくは1.7μm以下、特に好ましくは1.5μm以下である。硬化樹脂層としての樹脂層11の厚さがこの程度に抑えられた構成は、裁断工程において、樹脂層11でのクラックの発生を抑制するのに適する。 In the method of manufacturing the conductive film for transfer described above, the thickness T1 of the resin layer 11 (cured resin layer) of the intermediate laminate 10A cut in the cutting step (FIG. 2A) is 3 μm or less, preferably 2.0 μm. It is 5 µm or less, more preferably 2 µm or less, even more preferably 1.7 µm or less, and particularly preferably 1.5 µm or less. The configuration in which the thickness of the resin layer 11 as the cured resin layer is suppressed to this extent is suitable for suppressing the occurrence of cracks in the resin layer 11 in the cutting process.

上述の転写用導電性フィルムの製造方法は、裁断工程(図2A)後に、導電層12の厚さ方向H一方側に樹脂層13を形成する工程(図2B)を含み、その工程後の仮支持フィルムSと樹脂層11との間の剥離強度が、1N/24mm以下であり、好ましくは0.7N/24mm以下、より好ましくは0.5N/24mm以下、更に好ましくは0.3N/24mm以下、特に好ましくは0.2N/24mm以下である。このような構成は、転写用導電性フィルムXの樹脂層13側を光学部品Mに貼り合わせた後に樹脂層11から仮支持フィルムSを剥離するのに要する剥離力を、低減するのに適する。 The above-described method for producing a conductive film for transfer includes a step (FIG. 2B) of forming a resin layer 13 on one side of the conductive layer 12 in the thickness direction H after the cutting step (FIG. 2A). The peel strength between the support film S and the resin layer 11 is 1 N/24 mm or less, preferably 0.7 N/24 mm or less, more preferably 0.5 N/24 mm or less, still more preferably 0.3 N/24 mm or less. , particularly preferably 0.2 N/24 mm or less. Such a configuration is suitable for reducing the peeling force required to peel the temporary support film S from the resin layer 11 after the resin layer 13 side of the transfer conductive film X is attached to the optical component M.

以上のように、本製造方法は、導電層12の下地層としての樹脂層11におけるクラックの発生を抑制しつつ、導電層12を良好に転写するのに適した転写用導電性フィルムXを製造するのに適する。 As described above, the present manufacturing method manufactures a transfer conductive film X suitable for excellent transfer of the conductive layer 12 while suppressing the occurrence of cracks in the resin layer 11 as the base layer of the conductive layer 12. suitable for

本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量(含有量)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量(含有量)、物性値、パラメータなどの上限(「以下」または「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」または「超える」として定義されている数値)に代替できる。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples. However, the invention is not limited to the examples. In addition, the specific numerical values such as the compounding amount (content), physical property values, parameters, etc. described below are the corresponding compounding amounts ( content), physical property values, parameters, etc., upper limits (values defined as “less than” or “less than”) or lower limits (values defined as “greater than” or “greater than”).

〔実施例1〕
〈仮支持フィルムの作製〉
まず、表面が剥離処理された長尺のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(品名「パナピール TP-01」,厚さ50μm,パナック社製)を用意した。次に、ロールトゥロール方式のプラズマ処理装置により、PETフィルムの片面(第1面)を所定の条件でプラズマ処理した。このプラズマ処理では、放電電力を調整して、仮支持体の表面における水接触角(°)を表1に示す値へと変更した。以上のようにして、仮支持フィルムを作製した。
[Example 1]
<Preparation of temporary support film>
First, a long polyethylene terephthalate (PET) film (product name “Pana-Peel TP-01”, thickness 50 μm, manufactured by Panac Co., Ltd.) whose surface was subjected to release treatment was prepared. Next, one side (first side) of the PET film was plasma-treated under predetermined conditions using a roll-to-roll type plasma treatment apparatus. In this plasma treatment, the discharge power was adjusted to change the water contact angle (°) on the surface of the temporary support to the value shown in Table 1. A temporary support film was produced as described above.

〈第1樹脂層の形成〉
次に、仮支持フィルム上に第1樹脂層を形成した(第1樹脂層形成工程)。具体的には、まず、仮支持フィルムの第1面上に、グラビアコーターによって第1硬化性樹脂組成物としての樹脂組成物C1を塗布して塗膜を形成した。樹脂組成物C1は、第1紫外線硬化性樹脂組成物(品名「TYZ72-A12」,東洋ケム社製)100質量部と、レベリング剤(品名「グランディックPC4100」,DIC社製)3質量部との、混合物である。次に、仮支持フィルム上の塗膜を、加熱により乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。加熱温度は80℃とし、加熱時間は60秒間とした。紫外線照射では、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長365nmの紫外線を用い、積算照射光量を230mJ/cmとした。以上のようにして、仮支持フィルム上に厚さ1μmの第1樹脂層を形成した。
<Formation of first resin layer>
Next, a first resin layer was formed on the temporary support film (first resin layer forming step). Specifically, first, the first surface of the temporary support film was coated with the resin composition C1 as the first curable resin composition using a gravure coater to form a coating film. The resin composition C1 comprises 100 parts by mass of the first UV-curable resin composition (product name “TYZ72-A12”, manufactured by Toyochem) and 3 parts by mass of a leveling agent (product name “Grandic PC4100”, manufactured by DIC). is a mixture of Next, the coating film on the temporary support film was dried by heating and then cured by UV irradiation. The heating temperature was 80° C. and the heating time was 60 seconds. In the ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used as a light source, ultraviolet rays with a wavelength of 365 nm were used, and the integrated irradiation light amount was 230 mJ/cm 2 . As described above, a first resin layer having a thickness of 1 μm was formed on the temporary support film.

〈導電層の形成〉
次に、第1樹脂層上に導電層を形成した(導電層形成工程)。具体的には、反応性スパッタリング法により、第1樹脂層付き仮支持フィルムの第1樹脂層上に、厚さ50nmの非晶質の透明な導電層を形成した。これにより、長尺の第1中間積層体を得た。第1中間積層体は、仮支持フィルムと、第1樹脂層と、導電層とを厚さ方向に順に備える。
<Formation of conductive layer>
Next, a conductive layer was formed on the first resin layer (conductive layer forming step). Specifically, an amorphous transparent conductive layer having a thickness of 50 nm was formed on the first resin layer of the temporary support film with the first resin layer by a reactive sputtering method. Thus, a long first intermediate laminate was obtained. The first intermediate laminate includes a temporary support film, a first resin layer, and a conductive layer in order in the thickness direction.

反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置(巻取式のDCマグネトロンスパッタリング装置)を使用した。スパッタ成膜装置は、ロールトゥロール方式でワークフィルム(第1樹脂層付き仮支持フィルム)を走行させつつ成膜プロセスを実施できる成膜室を備える。装置内でのワークフィルムの走行速度は4.0m/分とし、ワークフィルムの走行方向に作用する走行張力(フィルム幅方向の単位長さあたりの張力)は200~500N/mとした。スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。 In the reactive sputtering method, a roll-to-roll type sputtering deposition apparatus (winding-type DC magnetron sputtering apparatus) was used. The sputtering film forming apparatus includes a film forming chamber in which the film forming process can be performed while the work film (temporary support film with the first resin layer) is run in a roll-to-roll manner. The running speed of the work film in the apparatus was set to 4.0 m/min, and the running tension (tension per unit length in the width direction of the film) acting on the work film in the running direction was set to 200 to 500 N/m. The conditions for sputtering film formation are as follows.

ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体(酸化スズ濃度は10質量%)を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、DC電源を用い、DC電源の出力は24.2kWとした。ターゲット上の水平磁場強度は90mTとした。成膜温度(導電層が積層されるワークフィルムの温度)は-5℃とした。また、成膜室内の水の分圧が5×10-4Paに至るまで成膜室内を真空排気した後、成膜室内に、スパッタリングガスとしてのArと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、成膜室内の気圧を0.4Paとした。成膜室に導入されるArおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約2流量%であり、形成されるITO膜の表面抵抗値が130Ω/□になるように調整した。 A sintered body of indium oxide and tin oxide (with a tin oxide concentration of 10% by mass) was used as a target. A DC power source was used as a power source for applying voltage to the target, and the output of the DC power source was 24.2 kW. The horizontal magnetic field strength on the target was set to 90 mT. The film formation temperature (the temperature of the work film on which the conductive layer is laminated) was -5°C. After the film formation chamber was evacuated until the partial pressure of water in the film formation chamber reached 5×10 −4 Pa, Ar as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas were introduced into the film formation chamber. Then, the atmospheric pressure in the film forming chamber was set to 0.4 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of Ar and oxygen introduced into the film formation chamber was about 2% by flow rate, and was adjusted so that the surface resistance value of the formed ITO film was 130Ω/□.

〈裁断〉
次に、長尺の第1中間積層体を裁断して、枚葉状の第2中間積層体を得た。裁断には、シャーリング方式のロールtoシート裁断加工機を使用した。
<Cutting>
Next, the long first intermediate laminate was cut to obtain a sheet-shaped second intermediate laminate. A shirring type roll-to-sheet cutting machine was used for cutting.

〈第2樹脂層の形成〉
次に、導電層上に第2樹脂層を形成した(第2樹脂層形成工程)。具体的には、まず、導電層上に、グラビアコーターによって第2硬化性樹脂組成物(品名「Z-773-2L」,アイカ社製)を塗布して塗膜を形成した。次に、この塗膜を、加熱により乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。加熱温度は80℃とし、加熱時間は60秒間とした。紫外線照射では、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長365nmの紫外線を用い、積算照射光量を300mJ/cmとした。以上のようにして、導電層上に厚さ2μmの第2樹脂層を形成した。
<Formation of second resin layer>
Next, a second resin layer was formed on the conductive layer (second resin layer forming step). Specifically, first, a second curable resin composition (product name “Z-773-2L”, manufactured by Aica Co., Ltd.) was applied on the conductive layer using a gravure coater to form a coating film. Next, this coating film was dried by heating and then cured by UV irradiation. The heating temperature was 80° C. and the heating time was 60 seconds. In the ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used as a light source, ultraviolet rays with a wavelength of 365 nm were used, and the cumulative irradiation light amount was 300 mJ/cm 2 . As described above, a second resin layer having a thickness of 2 μm was formed on the conductive layer.

以上のようにして、実施例1の転写用導電性フィルムを作製した。実施例1の転写用導電性フィルムは、仮支持フィルムと、第1樹脂層(厚さ1μm)と、導電層(厚さ50nm)と、第2樹脂層(厚さ2μm)とを厚さ方向に順に備える。 As described above, the conductive film for transfer of Example 1 was produced. The conductive film for transfer of Example 1 includes a temporary support film, a first resin layer (thickness of 1 μm), a conductive layer (thickness of 50 nm), and a second resin layer (thickness of 2 μm) in the thickness direction. prepare in order.

〔実施例2〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例2の転写用導電性フィルムを作製した。第2樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 2]
A conductive film for transfer of Example 2 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. In the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 4 μm was formed.

〔実施例3〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例3の転写用導電性フィルムを作製した。第1樹脂層形成工程において、厚さ3μmの第1樹脂層を形成した。
[Example 3]
A conductive film for transfer of Example 3 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. In the first resin layer forming step, a first resin layer having a thickness of 3 μm was formed.

〔実施例4〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例4の転写用導電性フィルムを作製した。第1樹脂層形成工程において、第1硬化性樹脂組成物として樹脂組成物C2を用い、積算照射光量を250mJ/cmとした。樹脂組成物C2は、第2紫外線硬化性樹脂組成物(品名「ユニディック ELS888」,DIC社製)80質量部と、第3紫外線硬化性樹脂組成物(品名「ユニディック RS28-605」,DIC社製)20質量部と、光重合開始剤(品名「イルガキュア184」,BASF社製)4質量部との、混合物である。また、第2樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 4]
A conductive film for transfer of Example 4 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. In the step of forming the first resin layer, the resin composition C2 was used as the first curable resin composition, and the cumulative irradiation light amount was set to 250 mJ/cm 2 . Resin composition C2 comprises 80 parts by mass of a second UV curable resin composition (product name “Unidic ELS888”, manufactured by DIC) and a third UV curable resin composition (product name “Unidic RS28-605”, DIC manufactured by BASF) and 4 parts by weight of a photopolymerization initiator (product name “Irgacure 184” manufactured by BASF). Also, in the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 4 μm was formed.

〔実施例5〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例5の転写用導電性フィルムを作製した。第1樹脂層形成工程において、第1硬化性樹脂組成物として樹脂組成物C3を用い、積算照射光量を250mJ/cmとした。樹脂組成物C3は、第2紫外線硬化性樹脂組成物(品名「ユニディック ELS888」,DIC社製)20質量部と、第3紫外線硬化性樹脂組成物(品名「ユニディック RS28-605」,DIC社製)80質量部との、混合物である。また、第2樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 5]
A conductive film for transfer of Example 5 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. In the step of forming the first resin layer, the resin composition C3 was used as the first curable resin composition, and the cumulative irradiation light amount was set to 250 mJ/cm 2 . Resin composition C3 comprises 20 parts by mass of a second UV curable resin composition (product name “Unidic ELS888”, manufactured by DIC) and a third UV curable resin composition (product name “Unidic RS28-605”, DIC Co., Ltd.) is a mixture with 80 parts by mass. Also, in the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 4 μm was formed.

〔実施例6〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例6の転写用導電性フィルムを作製した。第1樹脂層形成工程において、第1硬化性樹脂組成物として樹脂組成物C4を用いた。樹脂組成物C4は、第4紫外線硬化性樹脂組成物(品名「ルクシディアV-6000」,DIC社製)100質量部と、光重合開始剤(品名「イルガキュア184」,BASF社製)3質量部との、混合物である。また、第2樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 6]
A conductive film for transfer of Example 6 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. In the first resin layer forming step, resin composition C4 was used as the first curable resin composition. Resin composition C4 comprises 100 parts by mass of the fourth ultraviolet curable resin composition (product name “Luxidia V-6000”, manufactured by DIC) and 3 parts by mass of a photopolymerization initiator (product name “Irgacure 184”, manufactured by BASF). It is a mixture of Also, in the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 4 μm was formed.

〔実施例7〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例7の転写用導電性フィルムを作製した。仮支持フィルムをプラズマ処理しなかった。第2樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 7]
A conductive film for transfer of Example 7 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. The temporary support film was not plasma treated. In the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 4 μm was formed.

〔実施例8〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例8の転写用導電性フィルムを作製した。仮支持フィルムをプラズマ処理しなかった。第1樹脂層形成工程において、厚さ3μmの第1樹脂層を形成した。
[Example 8]
A conductive film for transfer of Example 8 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. The temporary support film was not plasma treated. In the first resin layer forming step, a first resin layer having a thickness of 3 μm was formed.

〔実施例9〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、実施例9の転写用導電性フィルムを作製した。仮支持フィルムをプラズマ処理しなかった。第2樹脂層形成工程において、厚さ1μmの第2樹脂層を形成した。
[Example 9]
A conductive film for transfer of Example 9 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. The temporary support film was not plasma treated. In the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 1 μm was formed.

〔比較例1〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、比較例1の転写用導電性フィルムを作製した。仮支持フィルムをプラズマ処理しなかった。第1樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第1樹脂層を形成した。第2樹脂層形成工程において、厚さ1μmの第2樹脂層を形成した。
[Comparative Example 1]
A conductive film for transfer of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. The temporary support film was not plasma treated. In the first resin layer forming step, a first resin layer having a thickness of 4 μm was formed. In the second resin layer forming step, a second resin layer having a thickness of 1 μm was formed.

〔比較例2〕
次のこと以外は、実施例1の転写用導電性フィルムと同様にして、比較例2の転写用導電性フィルムを作製した。仮支持フィルムをプラズマ処理しなかった。第1樹脂層形成工程において、厚さ4μmの第1樹脂層を形成した。第2樹脂層形成工程を実施しなかった(即ち、第2樹脂層を形成しなかった)。
[Comparative Example 2]
A conductive film for transfer of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the conductive film for transfer of Example 1 except for the following. The temporary support film was not plasma treated. In the first resin layer forming step, a first resin layer having a thickness of 4 μm was formed. The second resin layer forming step was not performed (that is, the second resin layer was not formed).

〈水接触角〉
実施例1~9および比較例1,2の各転写用導電性フィルムにおける仮支持フィルムの第1面について、水接触角を調べた。具体的には、まず、転写用導電性フィルムの作製過程で得られた仮支持フィルムの第1面に、約1μLの純水の滴下によって水滴を形成した。次に、第1面上の水滴の表面と第1面とがなす角度を測定した。測定には、接触角計(品名「DMo-501」,協和界面科学社製)を使用した。その測定結果を表1,2に示す。
<Water contact angle>
The water contact angle was examined for the first surface of the temporary support film in each conductive film for transfer of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2. Specifically, first, water droplets were formed by dropping about 1 μL of pure water on the first surface of the temporary support film obtained in the production process of the conductive film for transfer. Next, the angle formed by the surface of the water droplet on the first surface and the first surface was measured. A contact angle meter (product name: "DMo-501", manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) was used for the measurement. Tables 1 and 2 show the measurement results.

〈第1樹脂層の弾性率〉
実施例1~9および比較例1,2の各転写用導電性フィルムにおける第1樹脂層の表面(導電層側の表面)について、ナノインデンテーション法による荷重-変位測定を行った。具体的には、まず、転写用導電性フィルムの作製過程で得られる第1樹脂層付き仮支持フィルムから、測定試料(5mm×5mm)を切り出した。次に、ナノインデンター(商品名「Triboindenter」,Hysitron社製)を使用して、測定試料における第1樹脂層表面の荷重-変位測定をISO14577に準拠して行い、荷重-変位曲線を得た。本測定では、測定モードは単一押込み測定とし、測定温度は25℃とし、使用圧子はBerkovich(三角錐)型のダイヤモンド圧子とし、荷重印加過程での測定試料に対する圧子の最大押込み深さ(最大変位H1)は50nmとし、その圧子の押込み速度は5nm/秒とし、除荷過程での測定試料からの圧子の引抜き速度は5nm/秒とした。得られた荷重-変位曲線に基づき、最大荷重Pmax(最大変位H1にて圧子に作用する荷重)、接触投影面積Ap(最大荷重時における圧子と試料との間の接触領域の投影面積)、接触剛性S(除荷過程開始時における荷重-変位曲線(除荷曲線)の接線の傾き)、および、除荷過程後の試料表面における塑性変形量H2(試料表面から圧子を離した後に当該試料表面に維持される凹部の深さ)を得た。そして、接触剛性Sと接触投影面積Apから、第1樹脂層表面の弾性率(=π1/2S/2Ap1/2)を算出した。その弾性率(GPa)を表1,2に示す。
<Elastic modulus of the first resin layer>
The surface of the first resin layer (the surface on the side of the conductive layer) in each conductive film for transfer of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 was subjected to load-displacement measurement by a nanoindentation method. Specifically, first, a measurement sample (5 mm×5 mm) was cut out from the temporary support film with the first resin layer obtained in the production process of the conductive film for transfer. Next, using a nanoindenter (trade name “Triboindenter”, manufactured by Hysitron), the load-displacement measurement of the surface of the first resin layer in the measurement sample was performed in accordance with ISO 14577 to obtain a load-displacement curve. . In this measurement, the measurement mode is single indentation measurement, the measurement temperature is 25°C, the indenter used is a Berkovich (triangular pyramid) type diamond indenter, and the maximum indentation depth (maximum The displacement H1) was 50 nm, the pressing speed of the indenter was 5 nm/sec, and the withdrawal speed of the indenter from the measurement sample during the unloading process was 5 nm/sec. Based on the obtained load-displacement curve, maximum load Pmax (load acting on the indenter at maximum displacement H1), projected contact area Ap (projected area of contact area between indenter and sample at maximum load), contact The stiffness S (slope of the tangent line of the load-displacement curve (unloading curve) at the start of the unloading process), and the plastic deformation amount H2 on the sample surface after the unloading process (the sample surface after the indenter is released from the sample surface ) was obtained. Then, the elastic modulus (=π 1/2 S/2Ap 1/2 ) of the surface of the first resin layer was calculated from the contact stiffness S and the contact projected area Ap. Its elastic modulus (GPa) is shown in Tables 1 and 2.

〈剥離性〉
実施例1~9および比較例1,2の各転写用導電性フィルムについて、下記の第1剥離試験により、第2樹脂層形成後の仮支持フィルムと第1樹脂層との間の剥離性を調べ、下記の第2剥離試験により、第2樹脂層形成前の仮支持フィルムと第1樹脂層との間の剥離性を調べた。
<Peelability>
For each conductive film for transfer of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2, the peelability between the temporary support film after the formation of the second resin layer and the first resin layer was evaluated by the following first peel test. The peelability between the temporary support film before the formation of the second resin layer and the first resin layer was examined by the following second peel test.

<第1剥離試験>
まず、第1試験片を作製した。具体的には、まず、転写用導電性フィルム(仮支持フィルム/第1樹脂層/導電層/第2樹脂層)を、熱風オーブン内で加熱した。加熱温度は140℃とし、加熱時間は90分間とした(後記の加熱においても同様である)。これにより、導電層を結晶化させた。次に、転写用導電性フィルムからサンプルフィルム(幅24mm×長さ100mm)を切り出した。次に、サンプルフィルムの第2樹脂層側を、強粘着剤を介して、ガラス基板に貼り合わせた。この貼り合わせでは、23℃の環境下で2kgのハンドローラーを1往復させる作業によってガラス基板に対してサンプルフィルムを圧着させた(後記の貼り合わせにおいても同様である)。次に、サンプルフィルムの露出面側に位置する仮支持フィルムに、把持用テープを貼り付けた。この把持用テープは強粘着面を有し、当該強粘着面を介して把持用テープをサンプルフィルムの仮支持フィルムに貼り付けた(後記の把持用テープの貼り付けにおいても同様である)。以上のようにして、第1試験片を作製した。
<First peel test>
First, a first test piece was produced. Specifically, first, the conductive film for transfer (temporary support film/first resin layer/conductive layer/second resin layer) was heated in a hot air oven. The heating temperature was set to 140° C., and the heating time was set to 90 minutes (the same applies to heating described later). This crystallized the conductive layer. Next, a sample film (width 24 mm×length 100 mm) was cut out from the transfer conductive film. Next, the second resin layer side of the sample film was attached to the glass substrate via a strong adhesive. In this bonding, the sample film was press-bonded to the glass substrate by reciprocating a 2-kg hand roller one time in an environment of 23° C. (the same applies to bonding described below). Next, a gripping tape was attached to the temporary support film located on the exposed surface side of the sample film. This gripping tape had a strong adhesive surface, and the gripping tape was attached to the temporary support film of the sample film through the strong adhesive surface (this also applies to attachment of the gripping tape described below). A first test piece was produced as described above.

次に、引張試験機により、第1試験片における仮支持フィルムを第1樹脂層から剥離する剥離試験を実施し、剥離に要する力(剥離力)を測定した。本測定では、測定温度を25℃とし、把持用テープを引っ張ることによって第1樹脂層から仮支持フィルムを剥離し、剥離角度を90°とし、引張速度を100mm/分とし、剥離長さを100mmとした。剥離長さ20~80mmにおける剥離力の平均値を、剥離強度F1(N/24mm)として表1,2に示す。 Next, using a tensile tester, a peel test was carried out in which the temporary support film in the first test piece was peeled from the first resin layer, and the force required for peeling (peeling force) was measured. In this measurement, the measurement temperature is 25 ° C., the temporary support film is peeled from the first resin layer by pulling the gripping tape, the peel angle is 90 °, the pulling speed is 100 mm / min, and the peel length is 100 mm. and Tables 1 and 2 show the average peel strength at peel lengths of 20 to 80 mm as peel strength F1 (N/24 mm).

<第2剥離試験>
まず、第2試験片を作製した。具体的には、まず、転写用導電性フィルムの作製過程で得られる上記の第2中間積層体(仮支持フィルム/第1樹脂層/導電層)を、熱風オーブン内で加熱した。次に、第2中間積層体からサンプルフィルム(幅24mm×長さ100mm)を切り出した。次に、サンプルフィルムの導電層側を、強粘着剤を介して、ガラス基板に貼り合わせた。次に、サンプルフィルムの露出面側に位置する仮支持フィルムに、把持用テープを貼り付けた。以上のようにして、第2試験片を作製した。
<Second peel test>
First, a second test piece was produced. Specifically, first, the second intermediate laminate (temporary support film/first resin layer/conductive layer) obtained in the production process of the conductive film for transfer was heated in a hot air oven. Next, a sample film (width 24 mm x length 100 mm) was cut out from the second intermediate laminate. Next, the conductive layer side of the sample film was attached to a glass substrate via a strong adhesive. Next, a gripping tape was attached to the temporary support film located on the exposed surface side of the sample film. A second test piece was produced as described above.

次に、引張試験機により、第2試験片における仮支持フィルムを第1樹脂層から剥離する剥離試験を実施し、剥離力を測定した。測定条件は、上述の第1剥離試験での測定条件と同じである。剥離長さ20~80mmにおける剥離力の平均値を、剥離強度F2(N/24mm)として表1,2に示す(剥離時に仮支持フィルム側に第1樹脂層の一部または第1樹脂層・導電層の一部が残った場合を「1.1以上」と記す)。 Next, using a tensile tester, a peel test was carried out in which the temporary support film in the second test piece was peeled from the first resin layer, and the peel force was measured. The measurement conditions are the same as the measurement conditions in the first peeling test described above. The average peel force at a peel length of 20 to 80 mm is shown in Tables 1 and 2 as peel strength F2 (N / 24 mm) (when peeling, part of the first resin layer or the first resin layer on the temporary support film side A case where a part of the conductive layer remains is described as "1.1 or more").

〈裁断によるクラック〉
実施例1~9および比較例1,2の転写用導電性フィルムの製造過程で得られる上述の第1中間積層体の第1樹脂層について、裁断によるクラックの発生の有無を、次のようにして調べた。
〈Crack due to cutting〉
For the first resin layer of the first intermediate laminate obtained in the manufacturing process of the transfer conductive films of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2, the presence or absence of cracks due to cutting was determined as follows. I checked.

まず、第1中間積層体(仮支持フィルム/第1樹脂層/導電層)を、ペーパーカッター(品名「セイフティNS型1号」,内田洋行社製)によって裁断し、裁断サンプルを得た。次に、裁断サンプルの裁断箇所(端縁)を、導電層側から厚さ方向に、光学顕微鏡(品名「MX61L」,OLYMPUS社製)によって観察倍率20倍で観察した。観察の視野内において、第1樹脂層に1以上のクラックがある場合、当該クラックのうち最大長さを有するクラックの当該最大長さを測定した。各裁断サンプルについて、このような顕微鏡観察を5回(5視野)実施し、5つの最大長さを得て、5つの最大長さの平均値Dを算出した。そして、第1樹脂層におけるクラックの抑制について、平均値Dが200μm未満である場合を“良”と評価し、平均値Dが200μm以上400未満である場合を“可”と評価し、平均値Dが400μm以上である場合を“不可”と評価した。その結果を表1,2に示す。 First, the first intermediate laminate (temporary support film/first resin layer/conductive layer) was cut with a paper cutter (product name “Safety NS Model No. 1” manufactured by Uchida Yoko Co., Ltd.) to obtain a cut sample. Next, the cut portion (edge) of the cut sample was observed in the thickness direction from the conductive layer side with an optical microscope (product name "MX61L", manufactured by OLYMPUS) at a magnification of 20 times. When one or more cracks were present in the first resin layer within the field of observation, the maximum length of the crack having the maximum length among the cracks was measured. Five such microscopic observations (five fields of view) were performed for each cut sample to obtain the five maximum lengths, and the average value D of the five maximum lengths was calculated. Then, regarding the suppression of cracks in the first resin layer, when the average value D is less than 200 μm, it is evaluated as “good”, and when the average value D is 200 μm or more and less than 400, it is evaluated as “good”. A case where D was 400 μm or more was evaluated as “improper”. The results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 2023081428000002
Figure 2023081428000002

Figure 2023081428000003
Figure 2023081428000003

X 転写用導電性フィルム
Y 透明導電性フィルム
H 厚さ方向
S 仮支持フィルム
11 硬化樹脂層(第1樹脂層)
11a 表面
12 導電層
13 硬化樹脂層(第2樹脂層)
10A 中間積層体(第1中間積層体)
10B 中間積層体(第2中間積層体)
X Conductive film for transfer Y Transparent conductive film H Thickness direction S Temporary support film 11 Cured resin layer (first resin layer)
11a surface 12 conductive layer 13 cured resin layer (second resin layer)
10A Intermediate laminate (first intermediate laminate)
10B Intermediate laminate (second intermediate laminate)

Claims (8)

仮支持フィルムの厚さ方向一方面上に、当該仮支持フィルムに対して剥離可能に接する硬化樹脂層としての第1樹脂層であって、3μm以下の厚さを有する第1樹脂層を形成する、第1工程と、
前記第1樹脂層の厚さ方向一方側に導電層を形成して第1中間積層体を得る第2工程と、
前記第1中間積層体を裁断して第2中間積層体を得る第3工程と、
前記第2中間積層体における前記導電層の厚さ方向一方側に第2樹脂層を形成する第4工程と、を含み、
前記第4工程後の前記仮支持フィルムと前記第1樹脂層との間の剥離強度が1N/24mm以下である、転写用導電性フィルムの製造方法。
Forming a first resin layer as a cured resin layer in releasable contact with the temporary support film and having a thickness of 3 μm or less on one side in the thickness direction of the temporary support film. , a first step;
a second step of forming a conductive layer on one side in the thickness direction of the first resin layer to obtain a first intermediate laminate;
a third step of cutting the first intermediate laminate to obtain a second intermediate laminate;
a fourth step of forming a second resin layer on one side in the thickness direction of the conductive layer in the second intermediate laminate,
A method for producing a conductive film for transfer, wherein the peel strength between the temporary support film and the first resin layer after the fourth step is 1 N/24 mm or less.
前記第1樹脂層の厚さと前記第2樹脂層の厚さとの合計厚さが2μmを超える、請求項1に記載の転写用導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a conductive film for transfer according to claim 1, wherein the total thickness of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer exceeds 2 µm. 前記第2樹脂層の厚さが2μm以上である、請求項1または2に記載の転写用導電性フィルムの製造方法。 3. The method for producing a conductive film for transfer according to claim 1, wherein the second resin layer has a thickness of 2 [mu]m or more. 仮支持フィルムと、当該仮支持フィルムに対して剥離可能に接している、硬化樹脂層としての第1樹脂層と、導電層と、第2樹脂層とを厚さ方向にこの順で備え、
前記第1樹脂層が、3μm以下の厚さを有し、
前記仮支持フィルムと前記第1樹脂層との間の剥離強度が1N/24mm以下である、転写用導電性フィルム。
A temporary support film, a first resin layer as a cured resin layer in releasable contact with the temporary support film, a conductive layer, and a second resin layer in this order in the thickness direction,
The first resin layer has a thickness of 3 μm or less,
A conductive film for transfer, wherein the peel strength between the temporary support film and the first resin layer is 1 N/24 mm or less.
前記第1樹脂層の厚さと前記第2樹脂層の厚さとの合計厚さが2μmを超える、請求項4に記載の転写用導電性フィルム。 The conductive film for transfer according to claim 4, wherein the total thickness of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer exceeds 2 µm. 前記第2樹脂層の厚さが2μm以上である、請求項4または5に記載の転写用導電性フィルム。 6. The conductive film for transfer according to claim 4, wherein the second resin layer has a thickness of 2 [mu]m or more. 前記第1樹脂層における前記導電層側の表面の、ナノインデンテーション法により測定される25℃での弾性率が、4GPa以上である、請求項4から6のいずれか一つに記載の転写用導電性フィルム。 The transfer material according to any one of claims 4 to 6, wherein the surface of the first resin layer on the conductive layer side has an elastic modulus at 25°C measured by a nanoindentation method of 4 GPa or more. conductive film. 前記導電層がインジウム含有導電性酸化物を含む、請求項4から7のいずれか一つに記載の転写用導電性フィルム。 The conductive film for transfer according to any one of claims 4 to 7, wherein the conductive layer contains an indium-containing conductive oxide.
JP2021195106A 2021-12-01 2021-12-01 Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer Pending JP2023081428A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021195106A JP2023081428A (en) 2021-12-01 2021-12-01 Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021195106A JP2023081428A (en) 2021-12-01 2021-12-01 Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023081428A true JP2023081428A (en) 2023-06-13

Family

ID=86728048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021195106A Pending JP2023081428A (en) 2021-12-01 2021-12-01 Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2023081428A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6100989B2 (en) Adhesive tape for ITO
TWI615273B (en) Transparent laminated film, transparent conductive film and gas barrier laminated film
JP2014529642A (en) Optically transparent conductive adhesive and article made therefrom
JP5399196B2 (en) Gas barrier film and manufacturing method thereof
JP7304143B2 (en) Adhesive sheet and adhesive sheet laminate
TWI464066B (en) A laminate
JP2013142132A (en) Laminate, transparent optical member using the same and image display device using the same
KR20030025914A (en) Composition for antistatic coat, antistatic hard coat, process for producing the same, and multilayered film with antistatic hard coat
JP2010076423A (en) Resin laminated body and method for manufacturing the same
JP2015193702A (en) Method for producing surface protective film for transparent conductive substrate, surface protective film for transparent conductive substrate, and laminate
JP2002003751A (en) Antistatic hard-coating composition, antistatic hard coat, method for producing the same, and laminated film with the antistatic hard coat
TW201801918A (en) Long gas barrier laminate
JP6584187B2 (en) Laminated body and method for producing the same
JP6584188B2 (en) Laminated body and method for producing the same
JP2023081428A (en) Production method of conductive film for transfer and conductive film for transfer
JP2011070792A (en) Method for manufacturing transparent electrode, and transparent electrode
JP2017177445A (en) Laminae and protective film
JP2023013412A (en) Transparent conductive laminate and transparent conductive film
JP6801952B2 (en) Conductive film
JP2004191687A (en) Antireflection film
JP6467818B2 (en) Laminate
WO2022137832A1 (en) Optical film
KR20220103031A (en) Conductive film transfer material with carrier film and method of manufacturing conductive film transfer material with carrier film
KR20220103030A (en) Conductive film transfer material and conductive film transfer material with carrier film
JP2024037229A (en) Manufacturing method of laminated film