JP2023058362A

JP2023058362A - Plasma processing apparatus and plasma processing method

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Publication number: JP2023058362A
Application number: JP2021168353A
Authority: JP
Inventors: 篤史針貝; Atsushi Harigai; 尚吾置田; Shogo Okita
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2021-10-13
Filing date: 2021-10-13
Publication date: 2023-04-25

Abstract

To improve the yield of products when a substrate held on a holding sheet is subjected to plasma processing.SOLUTION: A plasma processing apparatus includes: a chamber; a plasma generation part which generates plasma in the chamber; a stage 111 which is provided inside the chamber and on which a transfer carrier 10 is mounted; a cover 124 which covers at least part of the transfer carrier mounted on the stage; a relative position change part which can change a relative distance between the cover 124 and the stage 111 into a first distance and a second distance less than the first distance; a determination part which determines whether the mounted state of the transfer carrier 10 is good or bad; and a control part. The determination part determines whether the mounted state is good or bad, in a state where the distance between the cover 124 and the stage 111 is the first distance, and plasma processing is applied in a state where the distance between the cover 124 and the stage 111 is the second distance.SELECTED DRAWING: Figure 4E

Description

本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関し、特に、保持シートに保持された基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理の方法に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and more particularly to a plasma processing method for plasma processing a substrate held by a holding sheet.

基板をダイシングする方法として、レジストマスクを形成した基板（ウエハ）にプラズマエッチングを施して個々のチップに分割するプラズマダイシングが知られている。 Plasma dicing is known as a method of dicing a substrate, in which a substrate (wafer) with a resist mask formed thereon is subjected to plasma etching and divided into individual chips.

特許文献１は、基板をプラズマ・ダイシングする方法であって、処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと、基板をキャリア支持部上に配置して加工物を形成するステップと、加工物を加工物支持部上へロードするステップと、加工物の上方に配置されたカバー・リングを設けるステップと、プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、生成されたプラズマによって加工物をエッチングするステップと、を含む方法を開示している。 U.S. Patent No. 6,330,003 discloses a method of plasma dicing a substrate comprising the steps of providing a workpiece support in a processing chamber; placing the substrate on a carrier support to form a workpiece; onto the workpiece support, providing a cover ring positioned over the workpiece, generating a plasma with a plasma source, and etching the workpiece with the generated plasma. , is disclosed.

基板は、通常、基板を固定するための接着剤が一面に設けられた保持シートに接着固定される。保持シートは、ダイシングテープとも呼ばれる。基板は、ハンドリング性向上のため、保持シートと保持シートの外周部に配置されたフレームとを備える搬送キャリア（キャリア支持部）に保持させた状態で、プラズマ処理装置内のステージに載置され、プラズマ処理が行われる。搬送キャリアがプラズマに直接晒され、ダメージを受けるのを抑制するために、誘電体製の保護カバーが、フレームおよび保持シートの露出部分を覆っている。 The substrate is usually adhesively fixed to a holding sheet provided on one surface with an adhesive for fixing the substrate. The holding sheet is also called a dicing tape. The substrate is placed on a stage in the plasma processing apparatus while being held by a transport carrier (carrier support portion) having a holding sheet and a frame arranged on the outer periphery of the holding sheet for improved handling, A plasma treatment is performed. A protective dielectric cover covers the exposed portions of the frame and retainer sheet to limit direct plasma damage to the transport carrier.

特表２０１４－５１３８６８号公報Japanese Patent Publication No. 2014-513868

保護カバーと搬送キャリアとの間の離間距離が大きいほど、保護カバーと保持シートとの間の空間で放電が発生し易く、テープダメージが発生し易くなる。このため、保護カバーは、搬送キャリアに近接して配置される。保護カバーと保持シートとの間の距離は、例えば、２ｍｍ程度である。 The larger the distance between the protective cover and the transport carrier, the more likely it is that electrical discharge will occur in the space between the protective cover and the holding sheet, resulting in tape damage. For this purpose, the protective cover is arranged close to the transport carrier. A distance between the protective cover and the holding sheet is, for example, about 2 mm.

一方で、搬送キャリアをステージに固定する際に、基板または保持シートの一部が浮き上がり、あるいはしわが寄った状態でステージに固定される場合がある。基板または保持シートが浮いた状態で保護カバーを下降させると、保護カバーが保持シートと接触し、テープがダメージを受ける場合がある。また、基板が浮いた状態でプラズマ処理が実施されることで、基板がステージにより十分冷却されず高温になったり、ウエハが破損したりする場合がある。また、プラズマエッチングが不均一になり、加工ばらつきが大きくなる場合がある。 On the other hand, when fixing the transport carrier to the stage, the substrate or holding sheet may be partially lifted or fixed to the stage in a wrinkled state. If the protective cover is lowered while the substrate or holding sheet is floating, the protective cover may come into contact with the holding sheet and damage the tape. In addition, since the plasma processing is performed while the substrate is floating, the substrate may not be sufficiently cooled by the stage and may reach a high temperature, or the wafer may be damaged. In addition, plasma etching may become non-uniform, and processing variations may increase.

本発明の一局面は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、前記ステージに載置された前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、前記カバーと前記ステージとの相対的な距離を、第１距離と、前記第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、前記プラズマ発生部と前記相対位置変更部とを制御する制御部と、を備え、前記判定部は、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第１距離である状態で、前記載置状態を判定し、前記カバーと前記ステージとの距離が前記第２距離である状態で、前記プラズマ処理が施される、プラズマ処理装置に関する。 One aspect of the present invention is a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate held by a transfer carrier that includes a frame and a holding sheet, comprising: a chamber; a plasma generation unit that generates plasma in the chamber; A stage provided in a chamber on which the transport carrier is placed, a cover that covers at least part of the transport carrier placed on the stage, and a relative distance between the cover and the stage are defined as a first a relative position changing unit that can be changed between one distance and a second distance that is smaller than the first distance; a determining unit that determines a placement state of the transport carrier; and the plasma generating unit and the relative position changing unit. wherein the determination unit determines the placement state in a state where the distance between the cover and the stage is the first distance, and the distance between the cover and the stage is The present invention relates to a plasma processing apparatus in which the plasma processing is performed while the second distance is maintained.

本発明の他の一局面は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板を、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバ内に設けられ、前記搬送キャリアが載置されるステージと、前記搬送キャリアが前記ステージに載置された状態で前記搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備えるプラズマ処理装置の前記ステージに載置する載置工程と、前記カバーと前記ステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備え、前記判定工程において前記載置状態が第１状態と判定された場合、前記カバーと前記ステージとの距離を前記第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させた前記プラズマを前記基板に照射してプラズマ処理を行う、プラズマ処理方法に関する。 According to another aspect of the present invention, a substrate held by a transfer carrier having a frame and a holding sheet is provided with a chamber, a plasma generating section for generating plasma in the chamber, and the transfer carrier provided in the chamber. a mounting step of placing the carrier on the stage of a plasma processing apparatus comprising a stage on which the carrier is placed, and a cover that covers at least part of the transport carrier while the transport carrier is placed on the stage; and a determination step of determining the placement state of the transport carrier in a state where the distance between the cover and the stage is a first distance, wherein the placement state is determined to be the first state in the determination step. In this case, the distance between the cover and the stage is changed to a second distance smaller than the first distance, plasma is generated in the chamber, and the substrate is irradiated with the generated plasma. The present invention relates to a plasma processing method for processing.

本発明によれば、基板または保持シートの一部がステージから浮き上がった状態でプラズマ処理が実施されることを抑制でき、基板の歩留まりおよび生産効率が向上する。 According to the present invention, it is possible to prevent plasma processing from being performed while a part of the substrate or the holding sheet is lifted from the stage, thereby improving the substrate yield and production efficiency.

本発明の実施形態に係る基板を保持した搬送キャリアを概略的に示す上面図（ａ）およびそのＢ－Ｂ線での断面図（ｂ）である。FIG. 2A is a top view schematically showing a transport carrier holding a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の基本的な構造を断面で示す概念図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a conceptual diagram which shows the basic structure of the plasma processing apparatus which concerns on embodiment of this invention in a cross section. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法の一部の工程を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing some steps of a plasma processing method according to an embodiment of the present invention; 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG. 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。4 is a conceptual diagram showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method according to the embodiment of the present invention; FIG.

本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリアが載置されるステージと、ステージに載置された搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備える。プラズマ処理装置は、さらに、カバーとステージとの相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離とに変更可能な相対位置変更部と、搬送キャリアの載置状態を判定する判定部と、プラズマ発生部と相対位置変更部とを制御する制御部と、を備える。 A plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate held by a transfer carrier that includes a frame and a holding sheet, and includes a chamber and a plasma for generating plasma in the chamber. A generator, a stage provided in the chamber on which a transport carrier is placed, and a cover that covers at least part of the transport carrier placed on the stage. The plasma processing apparatus further includes a relative position changing unit capable of changing the relative distance between the cover and the stage to a first distance and a second distance smaller than the first distance, and a placement state of the transport carrier. A determination unit for determination and a control unit for controlling the plasma generation unit and the relative position change unit are provided.

判定部は、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で、搬送キャリアの載置状態を判定する。一方で、カバーとステージとの距離が第２距離である状態で、プラズマ処理が施される。すなわち、判定部による搬送キャリアの載置状態の判定は、カバーとステージとの距離がプラズマ処理を行う状態よりも大きな状態で、すなわち搬送キャリアに対してカバーが十分に離間した状態で行われる。これにより、載置状態が不良であることにより発生するその後の処理エラーの発生を未然に防止できる。例えば、載置状態が不良であった場合の搬出においてカバーとの接触による搬送エラーを回避できる。結果、基板の歩留まりおよび生産効率が向上する。
判定部は、搬送キャリアの載置状態が第１状態または第２状態のいずれかに該当するかを判定する。第１状態は載置が良好な場合であり、第２状態は載置不良がある場合である。 The determination unit determines the placement state of the transport carrier in a state where the distance between the cover and the stage is the first distance. On the other hand, the plasma processing is performed while the distance between the cover and the stage is the second distance. That is, the determining unit determines the mounting state of the carrier when the distance between the cover and the stage is greater than when plasma processing is performed, that is, when the cover is sufficiently spaced from the carrier. As a result, it is possible to prevent the occurrence of subsequent processing errors due to the improper placement state. For example, it is possible to avoid a transport error due to contact with the cover during unloading when the placement state is not good. As a result, substrate yield and production efficiency are improved.
The determination unit determines whether the placement state of the transport carrier corresponds to either the first state or the second state. The first state is when the placement is good, and the second state is when there is a placement failure.

判定部による搬送キャリアの載置状態の判定は、搬送キャリアのステージへの載置状態を撮像した撮像データに基づき行ってもよい。好ましくは、プラズマ処理装置は、ステージに載置された搬送キャリアを撮像する撮像部をさらに備える。判定部は、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で撮像部により撮像された撮像データに基づき、載置状態を判定することができる。 The determination of the mounting state of the transport carrier by the determination unit may be performed based on imaging data obtained by imaging the mounting state of the transport carrier on the stage. Preferably, the plasma processing apparatus further includes an imaging unit that images the transport carrier placed on the stage. The determination unit can determine the placement state based on the imaging data captured by the imaging unit when the distance between the cover and the stage is the first distance.

この場合、載置状態の判定を、搬送キャリアのフレームの内周側壁の状態に基づき行ってもよい。例えば、撮像部は、搬送キャリアの載置面（基板の主面）から僅かに傾いた方向から、フレームの内周側壁を含む搬送キャリアの載置状態を撮像する。フレームの材質が金属材料である場合、光を反射するため、撮像データから画像解析によりフレームと基板または保持シートとを識別することは容易である。ここで、基板または保持シートの一部がステージから浮き上がっている場合、基板の主面から僅かに傾いた方向から見ると、フレームの内周側壁は浮き上がった基板または保持シートの影に隠れてしまい、撮像データにおいてフレームを識別し難くなる。よって、撮像データにおけるフレームの内周側壁の状態に基づき、搬送キャリアの載置状態を容易に判定することができる。 In this case, the placement state may be determined based on the state of the inner peripheral side wall of the frame of the transport carrier. For example, the imaging unit captures an image of the mounting state of the transport carrier including the inner peripheral side wall of the frame from a direction slightly inclined from the mounting surface of the transport carrier (main surface of the substrate). When the material of the frame is a metal material, it reflects light, so it is easy to distinguish between the frame and the substrate or holding sheet by image analysis from the imaging data. Here, when a part of the substrate or the holding sheet is lifted from the stage, the inner peripheral side wall of the frame is hidden behind the lifted substrate or the holding sheet when viewed from a direction slightly inclined from the main surface of the substrate. , it becomes difficult to identify frames in the imaging data. Therefore, it is possible to easily determine the mounting state of the transport carrier based on the state of the inner peripheral side wall of the frame in the imaging data.

判定部により載置状態が第１状態（良好）と判定された場合、制御部は、相対位置変更部にカバーとステージとの距離を第２距離に変更させてから、プラズマ発生部によりプラズマを発生させる。発生したプラズマを用いて、プラズマ処理が実施される。一方、判定部により載置状態が第２状態（不良）と判定された場合、制御部は、搬送キャリアとカバーとの距離を第２距離に変更させず、カバーとステージとの距離が第２距離よりも大きい状態で、搬送キャリアのステージへの載置を再度行わせる。この場合、搬送キャリアとカバーとが十分に離間した状態で載置工程がリトライされるため、リトライ処理の際に搬送キャリアがカバーに接触することによるエラーの発生を回避できる。 When the determination unit determines that the placement state is the first state (good), the control unit causes the relative position change unit to change the distance between the cover and the stage to the second distance, and then causes the plasma generation unit to generate plasma. generate. Plasma processing is performed using the generated plasma. On the other hand, when the determination unit determines that the placement state is the second state (defective), the control unit does not change the distance between the transport carrier and the cover to the second distance, and sets the distance between the cover and the stage to the second distance. Placement of the transport carrier on the stage is performed again in a state longer than the distance. In this case, the placement process is retried while the transport carrier and the cover are sufficiently spaced apart from each other, so it is possible to avoid the occurrence of an error caused by the transport carrier coming into contact with the cover during retry processing.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら、詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

まず、本発明で使用される搬送キャリアの一実施形態について、図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）は、基板１とこれを保持する搬送キャリア１０とを概略的に示す上面図であり、図１（ｂ）は、基板１および搬送キャリア１０の図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線での断面図である。図１（ａ）に示すように、搬送キャリア１０は、フレーム２および保持シート３を備えている。保持シート３は、その外周部がフレーム２に固定されている。基板１は、保持シート３に貼着されて、搬送キャリア１０に保持される。なお、図１では、フレーム２および基板１が共に略円形である場合について図示するが、これに限定されるものではない。 First, one embodiment of the transport carrier used in the present invention will be described with reference to FIGS. 1(a) and 1(b). FIG. 1(a) is a top view schematically showing the substrate 1 and the transport carrier 10 holding it, and FIG. 1(b) shows the substrate 1 and the transport carrier 10 shown in FIG. - It is sectional drawing in B line. As shown in FIG. 1( a ), the transport carrier 10 has a frame 2 and a holding sheet 3 . The holding sheet 3 is fixed to the frame 2 at its outer peripheral portion. The substrate 1 is adhered to the holding sheet 3 and held by the transport carrier 10 . Although FIG. 1 illustrates the case where both the frame 2 and the substrate 1 are substantially circular, the shape is not limited to this.

（基板）
基板１は、プラズマ処理の対象物である。基板１は、例えば、本体部の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層を形成した後、回路層とは反対側である本体部の裏面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板１を個片化することにより、上記回路層を有する電子部品（図示せず）が得られる。 (substrate)
A substrate 1 is an object for plasma processing. For the substrate 1, for example, after forming a circuit layer such as a semiconductor circuit, an electronic component element, or MEMS on one surface of the main body, the back surface of the main body opposite to the circuit layer is ground to reduce the thickness. It is made by By singulating the substrate 1, an electronic component (not shown) having the circuit layer is obtained.

基板１の大きさは特に限定されず、例えば、最大径５０ｍｍ～３００ｍｍ程度である。基板１の厚みは、通常、２５～１５０μｍ程度と、非常に薄い。そのため、基板１自体は、剛性（自己支持性）をほとんど有さない。そこで、ほぼ平坦なフレーム２に保持シート３の外周部を固定し、この保持シート３に基板１を貼着する。これにより、基板１の搬送等の取り扱いが容易となる。基板１の形状も特に限定されず、例えば、円形、角型である。また、基板１には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチ等の切欠き（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。 The size of the substrate 1 is not particularly limited, and is, for example, about 50 mm to 300 mm in maximum diameter. The thickness of the substrate 1 is normally about 25 to 150 μm, which is very thin. Therefore, the substrate 1 itself has almost no rigidity (self-supporting property). Therefore, the outer peripheral portion of the holding sheet 3 is fixed to the substantially flat frame 2, and the substrate 1 is adhered to the holding sheet 3. As shown in FIG. This facilitates handling such as transportation of the substrate 1 . The shape of the substrate 1 is also not particularly limited, and may be circular or square, for example. Further, the substrate 1 may be provided with an orientation flat (orientation flat) and a notch such as a notch (none of which are shown).

基板の本体部の材質も特に限定されず、例えば、半導体、誘電体、金属、あるいはこれらの積層体等が挙げられる。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが例示できる。誘電体としては、ポリイミドなどの樹脂膜、低誘電率膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などが例示できる。 The material of the main body of the substrate is also not particularly limited, and examples thereof include semiconductors, dielectrics, metals, and laminates thereof. Examples of semiconductors include silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), and silicon carbide (SiC). Dielectrics include resin films such as polyimide, low dielectric constant films (Low-k films), silicon dioxide (SiO ₂ ), silicon nitride (Si ₃ N ₄ ), lithium tantalate (LiTaO ₃ ), lithium niobate ( LiNbO ₃ ) and the like can be exemplified.

基板１の保持シート３に貼着していない面には、所望の形状にマスクが形成されている（図示せず）。マスクが形成されている部分は、プラズマによるエッチングから保護される。マスクが形成されていない部分は、その表面から裏面までがプラズマによりエッチングされ得る。マスクとしては、例えば、レジスト膜を露光および現像することにより形成されるレジストマスクを用いることができる。また、マスクは、例えば、基板１の表面に形成された樹脂膜あるいは樹脂フィルムをレーザスクライブにより開口して、形成されてもよい。 A mask having a desired shape is formed on the surface of the substrate 1 that is not adhered to the holding sheet 3 (not shown). The portion where the mask is formed is protected from plasma etching. A portion where no mask is formed can be etched by plasma from the front surface to the back surface. As the mask, for example, a resist mask formed by exposing and developing a resist film can be used. Also, the mask may be formed by, for example, opening a resin film or resin film formed on the surface of the substrate 1 by laser scribing.

（フレーム）
フレーム２は、基板１の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２は、保持シート３および基板１を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。 (flame)
The frame 2 is a frame body having an opening with an area equal to or larger than that of the entire substrate 1, and has a predetermined width and a substantially constant thin thickness. The frame 2 has enough rigidity to carry the holding sheet 3 and the substrate 1 while holding them.

フレーム２の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム２には、位置決めのためのノッチ２ａやコーナーカット２ｂが設けられていてもよい。フレーム２の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。フレーム２の一方の面には、保持シート３の一方の面の外周縁付近が貼着される。 The shape of the opening of the frame 2 is not particularly limited, but may be, for example, circular, rectangular, hexagonal, or other polygonal shape. The frame 2 may be provided with notches 2a and corner cuts 2b for positioning. Examples of materials for the frame 2 include metals such as aluminum and stainless steel, and resins. On one side of the frame 2, one side of the holding sheet 3 is attached near the outer periphery thereof.

（保持シート）
保持シート３は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面３ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面３ｂ）とを備えている。粘着面３ａの外周縁は、フレーム２の一方の面に貼着しており、フレーム２の開口を覆っている。また、粘着面３ａのフレーム２の開口から露出した部分には、基板１が貼着される。 (holding sheet)
The holding sheet 3 has, for example, a surface having an adhesive (adhesive surface 3a) and a surface having no adhesive (non-adhesive surface 3b). The outer peripheral edge of the adhesive surface 3a is adhered to one surface of the frame 2 and covers the opening of the frame 2. As shown in FIG. Further, the substrate 1 is adhered to the portion of the adhesive surface 3a exposed through the opening of the frame 2. As shown in FIG.

粘着面３ａは、紫外線（ＵＶ）の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。ダイシング後に紫外線照射を行うことにより、個片化された基板（電子部品）が粘着面３ａから容易に剥離され、ピックアップされ易いためである。例えば、保持シート３は、フィルム状の基材の片面にＵＶ硬化型アクリル粘着剤を、５～２０μｍの厚みに塗布することにより得られる。 The adhesive surface 3a is preferably made of an adhesive component whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays (UV). This is because the individualized substrates (electronic components) can be easily peeled off from the adhesive surface 3a and easily picked up by performing ultraviolet irradiation after dicing. For example, the holding sheet 3 is obtained by applying a UV curable acrylic pressure-sensitive adhesive to a thickness of 5 to 20 μm on one side of a film-like substrate.

フィルム状の基材の材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等の熱可塑性樹脂が挙げられる。基材には、伸縮性を付加するためのゴム成分（例えば、エチレン－プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン－プロピレン－ジエンゴム（ＥＰＤＭ）等）、可塑剤、軟化剤、酸化防止剤、導電性材料等の各種添加剤が配合されていても良い。また、上記熱可塑性樹脂は、アクリル基等の光重合反応を示す官能基を有していてもよい。基材の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。プラズマ処理の際、搬送キャリア１０は、ステージと非粘着面３ｂとが接するように、ステージに載置される。 The material of the film-like substrate is not particularly limited, and examples thereof include polyolefins such as polyethylene and polypropylene, and thermoplastic resins such as polyesters such as polyethylene terephthalate. The base material contains rubber components for adding stretchability (e.g., ethylene-propylene rubber (EPM), ethylene-propylene-diene rubber (EPDM), etc.), plasticizers, softeners, antioxidants, conductive materials, etc. may be blended with various additives. Moreover, the thermoplastic resin may have a functional group that exhibits photopolymerization reaction, such as an acrylic group. The thickness of the substrate is, for example, 50-150 μm. During plasma processing, the transport carrier 10 is placed on the stage so that the stage and the non-adhesive surface 3b are in contact with each other.

（プラズマ処理装置）
次に、図２を参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００の基本構造を説明する。図２は、プラズマ処理装置１００の基本構造の断面を概略的に示している。 (Plasma processing equipment)
Next, the basic structure of the plasma processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 schematically shows a cross section of the basic structure of the plasma processing apparatus 100. As shown in FIG.

プラズマ処理装置１００は、ステージ１１１を備えている。搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面が上方を向くように、ステージ１１１に搭載される。ステージ１１１は、搬送キャリア１０の全体を載置できる程度の大きさを備える。ステージ１１１の上方には、フレーム２および保持シート３の少なくとも一部を覆うとともに、基板１の少なくとも一部を露出させるための窓部１２４Ｗを有するカバー１２４が配置されている。 The plasma processing apparatus 100 has a stage 111 . The transport carrier 10 is mounted on the stage 111 so that the surface of the holding sheet 3 holding the substrate 1 faces upward. The stage 111 has a size that allows the entire transport carrier 10 to be placed thereon. A cover 124 that covers at least a portion of the frame 2 and the holding sheet 3 and has a window portion 124W for exposing at least a portion of the substrate 1 is arranged above the stage 111 .

ステージ１１１およびカバー１２４は、処理室（真空チャンバ１０３）内に配置されている。真空チャンバ１０３は、上部が開口した概ね円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材１０８により閉鎖されている。真空チャンバ１０３を構成する材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、表面をアルマイト加工したアルミニウム等が例示できる。誘電体部材１０８を構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、石英（ＳｉＯ₂）等の誘電体材料が例示できる。誘電体部材１０８の上方には、上部電極としてのアンテナ１０９が配置されている。アンテナ１０９は、第１高周波電源１１０Ａと電気的に接続されている。ステージ１１１は、真空チャンバ１０３内の底部側に配置される。 The stage 111 and cover 124 are arranged in the processing chamber (vacuum chamber 103). The vacuum chamber 103 has a generally cylindrical shape with an open top, and the top opening is closed by a dielectric member 108 that is a lid. Examples of the material forming the vacuum chamber 103 include aluminum, stainless steel (SUS), and aluminum whose surface is anodized. Examples of materials forming the dielectric member 108 include dielectric materials such as yttrium oxide (Y ₂ O ₃ ), aluminum nitride (AlN), alumina (Al ₂ O ₃ ), and quartz (SiO ₂ ). An antenna 109 as an upper electrode is arranged above the dielectric member 108 . Antenna 109 is electrically connected to first high-frequency power supply 110A. The stage 111 is arranged on the bottom side inside the vacuum chamber 103 .

真空チャンバ１０３には、ガス導入口１０３ａが接続されている。ガス導入口１０３ａには、プラズマ発生用ガスの供給源であるプロセスガス源１１２およびアッシングガス源１１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ１０３には、排気口１０３ｂが設けられており、排気口１０３ｂには、真空チャンバ１０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構１１４が接続されている。 A gas inlet 103 a is connected to the vacuum chamber 103 . A process gas source 112 and an ashing gas source 113, which are plasma generating gas supply sources, are connected to the gas inlet 103a by pipes. Further, the vacuum chamber 103 is provided with an exhaust port 103b, and the exhaust port 103b is connected to a decompression mechanism 114 including a vacuum pump for decompressing the gas in the vacuum chamber 103 by exhausting the gas.

搬送キャリア１０の側方において、真空チャンバ１０３の側面には窓１３０が設けられている。窓１３０は、例えば透明なガラス製であり、窓１３０を介して、搬送キャリア１０がステージ１１１に載置された状態を視認可能である。 A window 130 is provided on the side of the vacuum chamber 103 on the side of the transport carrier 10 . The window 130 is made of transparent glass, for example, and through the window 130, the state where the transport carrier 10 is placed on the stage 111 can be visually recognized.

撮像部１３１は、真空チャンバ１０３の窓１３０に近接して配置されている。撮像部１３１は、例えばＣＣＤカメラである。撮像部１３１は、窓１３０を介して、搬送キャリア１０（例えば、フレーム２の内周側壁を含む領域）を撮像し、撮像データを取得する。撮像部１３１による撮像データを画像解析することにより、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態の良否を判定することができる。載置状態の良否判定は、後述する制御部内に設けられた判定部により行われ得る。 The imaging unit 131 is arranged close to the window 130 of the vacuum chamber 103 . The imaging unit 131 is, for example, a CCD camera. The imaging unit 131 captures an image of the transport carrier 10 (for example, an area including the inner peripheral side wall of the frame 2) through the window 130, and acquires imaged data. By performing image analysis on the data captured by the imaging unit 131 , it is possible to determine whether the placement state of the transport carrier 10 on the stage 111 is good or bad. Determination of whether the placement state is good or bad can be made by a determination unit provided in a control unit, which will be described later.

ステージ１１１は、それぞれ略円形の電極層１１５と、金属層１１６と、電極層１１５および金属層１１６を支持する基台１１７と、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７を取り囲む外周部１１８とを備える。外周部１１８は導電性および耐エッチング性を有する金属により構成されており、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７をプラズマから保護する。外周部１１８の上面には、円環状の外周リング１２９が配置されている。外周リング１２９は、外周部１１８の上面をプラズマから保護する役割をもつ。電極層１１５および外周リング１２９は、例えば、上記の誘電体材料により構成される。 The stage 111 includes a substantially circular electrode layer 115 , a metal layer 116 , a base 117 supporting the electrode layer 115 and the metal layer 116 , and an outer peripheral portion 118 surrounding the electrode layer 115 , the metal layer 116 and the base 117 . Prepare. The outer peripheral portion 118 is made of a metal having electrical conductivity and etching resistance, and protects the electrode layer 115, the metal layer 116 and the base 117 from plasma. An annular outer ring 129 is arranged on the upper surface of the outer peripheral portion 118 . The outer ring 129 serves to protect the upper surface of the outer peripheral portion 118 from plasma. The electrode layer 115 and the outer ring 129 are made of, for example, the dielectric material described above.

電極層１１５の内部には、静電吸着機構を構成するＥＳＣ電極１１９と、第２高周波電源１１０Ｂに電気的に接続された高周波電極部１２０とが配置されている。ＥＳＣ電極１１９には、直流電源１２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極１１９および直流電源１２６により構成されている。静電吸着機構によって、保持シート３はステージ１１１に押し付けられて固定される。以下、保持シート３をステージ１１１に固定する固定機構として、静電吸着機構を備える場合を例に挙げて説明するが、これに限定されない。保持シート３のステージ１１１への固定は、図示しないクランプによって行われてもよい。 Inside the electrode layer 115, an ESC electrode 119 forming an electrostatic attraction mechanism and a high frequency electrode section 120 electrically connected to the second high frequency power source 110B are arranged. A DC power supply 126 is electrically connected to the ESC electrode 119 . The electrostatic attraction mechanism is composed of ESC electrode 119 and DC power supply 126 . The holding sheet 3 is pressed and fixed to the stage 111 by the electrostatic adsorption mechanism. A case where an electrostatic adsorption mechanism is provided as a fixing mechanism for fixing the holding sheet 3 to the stage 111 will be described below as an example, but the present invention is not limited to this. Fixation of the holding sheet 3 to the stage 111 may be performed by a clamp (not shown).

金属層１１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層１１６内には、冷媒流路１２７が形成されている。冷媒流路１２７は、ステージ１１１を冷却する。ステージ１１１が冷却されることにより、ステージ１１１に搭載された保持シート３が冷却されるとともに、ステージ１１１にその一部が接触しているカバー１２４も冷却される。これにより、基板１や保持シート３が、プラズマ処理中に加熱されることによって損傷されることが抑制される。冷媒流路１２７内の冷媒は、冷媒循環装置１２５により循環される。 The metal layer 116 is made of, for example, aluminum with an alumite coating formed on its surface. A coolant channel 127 is formed in the metal layer 116 . Coolant flow path 127 cools stage 111 . By cooling the stage 111 , the holding sheet 3 mounted on the stage 111 is cooled, and the cover 124 partly in contact with the stage 111 is also cooled. This prevents the substrate 1 and the holding sheet 3 from being damaged by being heated during plasma processing. The refrigerant in refrigerant flow path 127 is circulated by refrigerant circulation device 125 .

ステージ１１１の外周付近には、ステージ１１１を貫通する複数の支持部１２２が配置されている。支持部１２２は、昇降機構１２３Ａにより昇降駆動される。搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬送されると、所定の位置まで上昇した支持部１２２に受け渡される。支持部１２２は、搬送キャリア１０のフレーム２を支持する。支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１の所定の位置に搭載される。 A plurality of support portions 122 that penetrate the stage 111 are arranged near the outer periphery of the stage 111 . The support portion 122 is driven up and down by a lifting mechanism 123A. When the transport carrier 10 is transported into the vacuum chamber 103, it is handed over to the support part 122 which has been raised to a predetermined position. The support portion 122 supports the frame 2 of the transport carrier 10 . The transport carrier 10 is mounted at a predetermined position on the stage 111 by lowering the upper end surface of the support portion 122 to the same level as the stage 111 or lower.

カバー１２４の端部には、複数の昇降ロッド１２１が連結しており、カバー１２４を昇降可能にしている。昇降ロッド１２１は、昇降機構１２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構１２３Ｂによるカバー１２４の昇降の動作は、昇降機構１２３Ａとは独立して行うことができる。 A plurality of elevating rods 121 are connected to the ends of the cover 124 so that the cover 124 can be elevated. The lifting rod 121 is driven up and down by a lifting mechanism 123B. The lifting operation of the cover 124 by the lifting mechanism 123B can be performed independently of the lifting mechanism 123A.

昇降ロッド１２１および昇降機構１２３Ｂは、相対位置変更部を構成し、カバー１２４とステージ１１１との相対的な距離を、第１距離と、第１距離よりも小さな第２距離との間で変更する。しかしながら、相対位置変更部による距離の変更方法については、昇降ロッド１２１を用いる方法に限定されるものではない。
カバー１２４とステージ１１１との距離が第１距離ｄ１の状態で、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が判定される。判定の結果、載置状態が第１状態（良好）と判定された場合には、相対位置変更部は、カバー１２４を下降させることにより、カバー１２４とステージ１１１との距離を第２距離ｄ２に変更する。その後、カバー１２４とステージ１１１との距離が第２距離ｄ２の状態で、プラズマ処理が行われる。 The lifting rod 121 and the lifting mechanism 123B constitute a relative position changer and change the relative distance between the cover 124 and the stage 111 between a first distance and a second distance smaller than the first distance. . However, the method for changing the distance by the relative position changer is not limited to the method using the lifting rod 121 .
When the distance between the cover 124 and the stage 111 is the first distance d1, the placement state of the transport carrier 10 on the stage 111 is determined. As a result of the determination, when the placement state is determined to be the first state (good), the relative position changing unit lowers the cover 124 to reduce the distance between the cover 124 and the stage 111 to the second distance d2. change. Thereafter, plasma processing is performed with the distance between the cover 124 and the stage 111 being the second distance d2.

誘電体部材１０８、アンテナ１０９、第１高周波電源１１０Ａ、第２高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、減圧機構１１４、および、高周波電極部１２０は、プラズマ発生部を構成する。 Dielectric member 108, antenna 109, first high-frequency power supply 110A, second high-frequency power supply 110B, process gas source 112, decompression mechanism 114, and high-frequency electrode section 120 constitute a plasma generation section.

制御装置１２８は、第１高周波電源１１０Ａ、第２高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、アッシングガス源１１３、減圧機構１１４、冷媒循環装置１２５、昇降機構１２３Ａ、昇降機構１２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置１００を構成する要素の動作を制御する。制御装置１２８は、また、判定部を有し、撮像部１３１が取得した撮像データに基づき、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態の良否を判定する。 The control device 128 includes a first high-frequency power source 110A, a second high-frequency power source 110B, a process gas source 112, an ashing gas source 113, a pressure reduction mechanism 114, a refrigerant circulation device 125, an elevating mechanism 123A, an elevating mechanism 123B, and an electrostatic adsorption mechanism. It controls the operation of the elements that make up the plasma processing apparatus 100 . The control device 128 also has a determination unit, and determines whether the placement state of the transport carrier 10 on the stage 111 is good or bad based on the imaging data acquired by the imaging unit 131 .

（プラズマ処理方法）
次に、本実施形態に係るプラズマ処理方法の基本的な工程について、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、プラズマ処理方法の一部の工程を示すフローチャートである。 (Plasma treatment method)
Next, basic steps of the plasma processing method according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. FIG. 3 is a flow chart showing some steps of the plasma processing method.

図４Ａ～図４Ｆは、プラズマ処理方法における各工程において、カバーとステージの位置関係を示す概念図である。なお、図４Ａ～図４Ｆでは、発明の理解を容易とするため、外周部１１８、外周リング１２９、およびガス導入経路などの記載を省略している。 4A to 4F are conceptual diagrams showing the positional relationship between the cover and the stage in each step of the plasma processing method. 4A to 4F omit the description of the outer peripheral portion 118, the outer peripheral ring 129, the gas introduction path, and the like, in order to facilitate understanding of the invention.

本発明の一実施形態に係るプラズマ処理方法は、フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板を、チャンバと、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、チャンバ内に設けられ、搬送キャリアが載置されるステージと、搬送キャリアがステージに載置された状態で搬送キャリアの少なくとも一部を覆うカバーと、を備えるプラズマ処理装置のステージに載置する載置工程と、カバーとステージとの距離が第１距離である状態で、前記搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程と、を備える。判定工程において載置状態が第１状態（良好）と判定された場合、カバーとステージとの距離を第１距離よりも小さな第２距離に変更してから、チャンバ内にプラズマを発生させ、発生させたプラズマを基板に照射してプラズマ処理を行う。 A plasma processing method according to an embodiment of the present invention comprises a chamber, a plasma generation section for generating plasma in the chamber, a substrate held by a transfer carrier having a frame and a holding sheet, provided in the chamber, a placing step of placing on a stage of a plasma processing apparatus comprising a stage on which a transport carrier is placed, and a cover that covers at least a part of the transport carrier while the transport carrier is placed on the stage; and a determination step of determining a placement state of the transport carrier in a state where the distance from the stage is the first distance. If the placement state is determined to be the first state (good) in the determination step, the distance between the cover and the stage is changed to a second distance smaller than the first distance, and plasma is generated in the chamber to generate the plasma. Plasma treatment is performed by irradiating the substrate with the plasma thus generated.

（１）準備工程
まず、搬送キャリア１０を準備する。搬送キャリア１０は、保持シート３をフレーム２の一方の面に貼着し、固定することにより得られる。このとき、図１（ｂ）に示すように、保持シート３の粘着面３ａをフレームに対向させる。次いで、保持シート３の粘着面３ａに基板１を貼着することにより、基板１を搬送キャリア１０に保持させる。 (1) Preparation Step First, the transport carrier 10 is prepared. The transport carrier 10 is obtained by attaching the holding sheet 3 to one surface of the frame 2 and fixing it. At this time, as shown in FIG. 1(b), the adhesive surface 3a of the holding sheet 3 is made to face the frame. Next, by attaching the substrate 1 to the adhesive surface 3 a of the holding sheet 3 , the substrate 1 is held by the transport carrier 10 .

（２）搬入工程
次に、基板１が保持された搬送キャリア１０を真空チャンバ１０３内に搬入する。 (2) Loading Step Next, the transport carrier 10 holding the substrate 1 is loaded into the vacuum chamber 103 .

図４Ａは、搬送キャリアを搬入する前のカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。図４Ａに示すように、昇降ロッド１２１および支持部１２２は下降した位置にある。 FIG. 4A shows the positional relationship between the cover 124 and the stage 111 before loading the transport carrier. As shown in FIG. 4A, the lifting rod 121 and the support 122 are in the lowered position.

昇降ロッド１２１および支持部１２２を駆動させ、真空チャンバ１０３内においてカバー１２４を所定の位置まで上昇させるとともに、支持部１２２を上昇した状態で待機させる。図４Ｂは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。このとき、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１である。 The elevating rod 121 and the supporting portion 122 are driven to raise the cover 124 to a predetermined position in the vacuum chamber 103, and the supporting portion 122 is kept in the raised state. FIG. 4B shows the positional relationship between cover 124 and stage 111 at this time. At this time, the distance between the cover 124 and the stage 111 is the first distance d1.

続いて、図示しないシャッターを開き、搬送アームを介して、搬送アームに保持された搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬入される。搬送キャリア１０がステージ１１１上方の所定の位置に到達すると、支持部１２２に搬送キャリア１０が受け渡される。搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面が上方を向くように、支持部１２２の上端面に載置される。図４Ｃは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。 Subsequently, a shutter (not shown) is opened, and the transfer carrier 10 held by the transfer arm is carried into the vacuum chamber 103 via the transfer arm. When the transport carrier 10 reaches a predetermined position above the stage 111 , the transport carrier 10 is transferred to the support section 122 . The transport carrier 10 is placed on the upper end surface of the support portion 122 so that the surface of the holding sheet 3 holding the substrate 1 faces upward. FIG. 4C shows the positional relationship between cover 124 and stage 111 at this time.

（３）載置工程
搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡されると、搬送アーム２２１を退出させて、シャッターを閉じ、真空チャンバ１０３を密閉状態とする。その後、支持部１２２を降下させる。支持部１２２の上端面が、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１に載置される。図４Ｄは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。カバー１２４は下降させていないので、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１のままである。 (3) Placement Step When the transport carrier 10 is transferred to the support portion 122, the transport arm 221 is withdrawn, the shutter is closed, and the vacuum chamber 103 is sealed. After that, the support part 122 is lowered. The transport carrier 10 is mounted on the stage 111 by lowering the upper end surface of the support portion 122 to the same level as the stage 111 or lower. FIG. 4D shows the positional relationship between the cover 124 and the stage 111 at this time. Since the cover 124 is not lowered, the distance between the cover 124 and the stage 111 remains the first distance d1.

続いて、ステージ１１１に載置された搬送キャリア１０をステージ１１１上に固定する。ステージ１１１がＥＳＣ電極１１９を備える場合、ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加することにより、搬送キャリア１０の保持シート３とステージ１１１との間に吸着力を発生させ、保持シート３、ひいては搬送キャリア１０を、ステージ１１１に固定することができる。 Subsequently, the transport carrier 10 placed on the stage 111 is fixed on the stage 111 . When the stage 111 is provided with the ESC electrode 119 , by applying a voltage to the ESC electrode 119 , an attraction force is generated between the holding sheet 3 of the transport carrier 10 and the stage 111 , and the holding sheet 3 and thus the transport carrier 10 are moved. , can be fixed to the stage 111 .

ＥＳＣ電極１１９は、単極型と双極型の２つの型式に大別される。
単極型のＥＳＣ電極１１９は、少なくとも１つの電極を含む。単極型のＥＳＣ電極１１９に２以上の電極が含まれる場合、いずれにも同じ極性の電圧が印加される。単極型のＥＳＣ電極１１９を備える静電吸着機構は、吸着メカニズムとしてクーロン力を利用する。ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加することにより、誘電体からなるステージ１１１の表面に誘電分極による電荷を誘起させるとともに、ステージ１１１の上に載置された保持シート３を帯電させる。その結果、ステージ１１１の表面に誘起された電荷と帯電した保持シート３との間でクーロン力が働き、搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。なお、保持シート３を帯電させるためには、真空チャンバ１０３内でプラズマを発生させ、発生したプラズマに保持シート３を曝せばよい。 The ESC electrodes 119 are broadly classified into two types, unipolar and bipolar.
A monopolar ESC electrode 119 includes at least one electrode. When the unipolar ESC electrode 119 includes two or more electrodes, voltages of the same polarity are applied to all of them. The electrostatic chucking mechanism with the unipolar ESC electrode 119 uses Coulomb force as the chucking mechanism. By applying a voltage to the ESC electrode 119 , electric charge is induced on the surface of the stage 111 made of a dielectric by dielectric polarization, and the holding sheet 3 placed on the stage 111 is charged. As a result, a Coulomb force acts between the charge induced on the surface of the stage 111 and the charged holding sheet 3 , and the transport carrier 10 is attracted to the stage 111 . In order to charge the holding sheet 3, plasma is generated in the vacuum chamber 103 and the holding sheet 3 is exposed to the generated plasma.

一方、双極型のＥＳＣ電極１１９は、正極および負極を備え、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧が印加される。双極型のＥＳＣ電極１１９としては、例えば、櫛形電極が用いられる。正極には、直流電源１２６からＶ１の電圧が印加され、負極には、直流電源１２６から－Ｖ１の電圧が印加される。 On the other hand, the bipolar ESC electrode 119 has a positive electrode and a negative electrode, and voltages with different polarities are applied to the positive electrode and the negative electrode. For example, a comb-shaped electrode is used as the bipolar ESC electrode 119 . A voltage of V1 is applied from the DC power supply 126 to the positive terminal, and a voltage of -V1 is applied from the DC power supply 126 to the negative terminal.

双極型のＥＳＣ電極１１９を備える静電吸着機構の吸着メカニズムとしては、クーロン力を利用する場合と、ジョンソン・ラーベック力を利用する場合とがある。吸着メカニズムに応じて、ＥＳＣ電極１１９の構造やＥＳＣ電極１１９を構成する材料（例えば、セラミックス）が適宜選択される。いずれの吸着メカニズムの場合も、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧を印加することにより、ＥＳＣ電極と保持シート３との間に吸着力が生じ、搬送キャリア１０をステージ１１１に吸着させることができる。なお、双極型の場合は、単極型の場合と異なり、吸着させるために保持シート３を帯電させる必要はない。 As the adsorption mechanism of the electrostatic adsorption mechanism provided with the bipolar ESC electrode 119, there is a case of using the Coulomb force and a case of using the Johnson-Rahbek force. Depending on the adsorption mechanism, the structure of the ESC electrode 119 and the material (for example, ceramics) forming the ESC electrode 119 are appropriately selected. In any adsorption mechanism, by applying voltages of different polarities to the positive electrode and the negative electrode, an adsorption force is generated between the ESC electrode and the holding sheet 3 , and the transport carrier 10 can be adsorbed to the stage 111 . . In the case of the bipolar type, unlike the case of the unipolar type, it is not necessary to charge the holding sheet 3 in order to attract it.

双極型のＥＳＣ電極は、正極と負極への電圧の印加の方法によって、単極型として機能させることもできる。具体的には、正極と負極に同一極性の電圧を印加することにより、単極型のＥＳＣ電極として利用できる。 A bipolar ESC electrode can also function as a unipolar type depending on the method of applying voltage to the positive and negative electrodes. Specifically, by applying a voltage of the same polarity to the positive electrode and the negative electrode, it can be used as a unipolar ESC electrode.

ＥＳＣ電極１１９が双極型である場合、搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡された後、直流電源１２６からＥＳＣ電極１１９に電圧を印加する。これにより、保持シート３がステージ１１１に接触すると同時にステージ１１１に吸着されて、保持シート３はステージ１１１に固定される。なお、ＥＳＣ電極１１９への電圧の印加は、保持シート３がステージ１１１に載置された後（接触した後）に、開始されてもよい。 When the ESC electrode 119 is of the bipolar type, a voltage is applied from the DC power source 126 to the ESC electrode 119 after the transfer carrier 10 is delivered to the support section 122 . As a result, the holding sheet 3 contacts the stage 111 and is attracted to the stage 111 at the same time, and the holding sheet 3 is fixed to the stage 111 . Note that application of voltage to the ESC electrode 119 may be started after the holding sheet 3 is placed on the stage 111 (after contact).

（４）判定工程
載置工程の後、搬送キャリアの載置状態を判定する判定工程が行われる。ここでは、窓１３０を介して、真空チャンバ１０３内の搬送キャリア１０の載置状態を撮像部１３１を用いて撮影し、撮像データを画像解析する。これにより、保持シート３のステージ１１１への載置状態、ひいては、保持シート３を介した基板１のステージ１１１への載置状態を判定する。 (4) Judging Step After the placing step, a judging step for judging the placement state of the transport carrier is performed. Here, the state of placement of the transport carrier 10 in the vacuum chamber 103 is photographed using the imaging unit 131 through the window 130, and image analysis is performed on the photographed data. Accordingly, the placement state of the holding sheet 3 on the stage 111 and the placement state of the substrate 1 on the stage 111 via the holding sheet 3 are determined.

例えば、図４Ｄに示すように、撮像部１３１は、ステージ１１１に載置された状態で搬送キャリア１０の側方となる位置に配置され、搬送キャリアの載置面（基板１の主面）から僅かに傾いた角度から、搬送キャリア１０を撮影する。撮像部１３１は、特に、搬送キャリア１０のフレーム２の内周側壁を含む領域を撮影する。撮像データにフレームの内周側壁が含まれるように、撮像部１３１の撮像の角度および撮像範囲が調整される。 For example, as shown in FIG. 4D, the imaging unit 131 is arranged at a position on the side of the transport carrier 10 in a state of being placed on the stage 111, and is positioned from the mounting surface of the transport carrier (main surface of the substrate 1). The transport carrier 10 is photographed from a slightly inclined angle. The image capturing unit 131 particularly captures an area including the inner peripheral side wall of the frame 2 of the transport carrier 10 . The imaging angle and imaging range of the imaging unit 131 are adjusted so that the imaging data includes the inner peripheral sidewall of the frame.

基板または保持シートにおいてステージ１１１からの浮き上がりがなく、搬送キャリアの載置状態が良好である場合、撮像データにはフレーム２の内周側壁の情報が含まれる。しかしながら、例えば図４Ｅに示すように、一部領域において保持シートがステージ１１１から浮き上がっている場合、浮き上がり部分によってフレームの内周側壁の少なくとも一部が隠れ、撮像データに現れなくなる。よって、撮像データからフレームの内周側壁に相当する領域を画像解析により求めることで、搬送キャリアの載置状態を判定できる。例えば、撮像データにおけるフレームの内周側壁に相当する領域の面積を求め、面積が所定値以上であれば載置状態は第１状態（良好）であり、所定値未満であれば載置状態は第２状態（不良）であると判定すればよい。 When the substrate or holding sheet is not lifted from the stage 111 and the transport carrier is placed in a good condition, the imaging data includes information on the inner peripheral side wall of the frame 2 . However, for example, as shown in FIG. 4E, when the holding sheet is lifted from the stage 111 in a partial area, at least a portion of the inner peripheral side wall of the frame is hidden by the lifted portion and does not appear in the imaging data. Therefore, by obtaining the area corresponding to the inner peripheral side wall of the frame from the imaging data by image analysis, the placement state of the transport carrier can be determined. For example, the area of the region corresponding to the inner peripheral side wall of the frame in the imaging data is obtained. It is sufficient to determine that it is in the second state (defective).

しかしながら、搬送キャリアの載置状態の判定方法については、上記の撮像部１３１を用いた方法に限られるものではない。例えば、保持シート３に対向するステージ１１１の表面に判定用ガス孔を設ける方法、あるいは、変位センサまたは温度センサを設けることにより、搬送キャリアの載置状態の良否を判定してもよい。 However, the method of determining the placement state of the transport carrier is not limited to the method using the imaging unit 131 described above. For example, the quality of the mounting state of the transport carrier may be determined by a method of providing determination gas holes on the surface of the stage 111 facing the holding sheet 3, or by providing a displacement sensor or a temperature sensor.

判定用ガス孔を設ける方法では、判定用ガス孔を介して判定用ガスを導入する際のガス圧力の時間変化に基づき、搬送キャリアの載置状態の良否を判定することができる。保持シート３がステージ１１１から浮き上がっている場合、保持シート３とステージ１１１との間に隙間が生じる。これに対し、搬送キャリアの載置状態が良好である場合、保持シート３はステージ１１１と密着しており、判定用ガス孔は保持シート３で塞がれている。よって、例えば判定用ガスを一定流量で判定用ガス孔から導入する場合、保持シート３とステージ１１１との間に隙間があると、圧力が所定値に到達するまでに時間を要する。よって、圧力が所定値に達するまでの時間（あるいは、判定用ガスを導入してから所定期間経過後のガス圧力）を測定することで、搬送キャリアの載置状態を判定することができる。 In the method of providing the determination gas hole, it is possible to determine whether the placement state of the transport carrier is good or bad based on the change in gas pressure over time when the determination gas is introduced through the determination gas hole. When the holding sheet 3 is lifted from the stage 111 , a gap is created between the holding sheet 3 and the stage 111 . On the other hand, when the transport carrier is placed in a good state, the holding sheet 3 is in close contact with the stage 111 and the gas hole for determination is closed by the holding sheet 3 . Therefore, for example, when the determination gas is introduced at a constant flow rate through the determination gas hole, if there is a gap between the holding sheet 3 and the stage 111, it takes time for the pressure to reach a predetermined value. Therefore, by measuring the time it takes for the pressure to reach a predetermined value (or the gas pressure after a predetermined period of time has passed since the introduction of the determination gas), it is possible to determine the mounting state of the transport carrier.

変位センサを用いる場合、変位センサは、搬送アームに取り付けられた状態で、ステージ１１１の上方を移動し、搬送キャリアがステージに載置された状態における基板の高さを測定する。変位センサとしては、特に限定されないが、非接触式が好ましい、非接触式の変位センサとしては、光学式（レーザ式）、渦電流式、超音波式などが挙げられる。温度センサを用いる場合、ステージを所定温度（例えば、－１０℃以下）に冷却し、ステージに載置された基板１の表面の温度を測定する。搬送キャリアの載置状態が第１状態（良好）である場合、基板１の表面温度は一様に低いが、保持シート３がステージ１１１から浮き上がった部分がある（第２状態）と、その部分の温度が高くなる。温度センサとしては、特に限定されないが、非接触式が好ましい、非接触式の温度センサとしては、赤外線放射エネルギーを測定する放射温度計が挙げられる。放射温度計は、例えば、真空チャンバ１０３の上方に設けられた覗き窓に対向するように、真空チャンバ１０３の外側に設置される。 When a displacement sensor is used, the displacement sensor moves above the stage 111 while being attached to the transport arm, and measures the height of the substrate while the transport carrier is placed on the stage. The displacement sensor is not particularly limited, but a non-contact type is preferable. Non-contact type displacement sensors include optical (laser), eddy current, ultrasonic, and the like. When using a temperature sensor, the stage is cooled to a predetermined temperature (for example, −10° C. or lower), and the surface temperature of the substrate 1 placed on the stage is measured. When the placement state of the transport carrier is in the first state (good), the surface temperature of the substrate 1 is uniformly low. temperature rises. The temperature sensor is not particularly limited, but a non-contact type temperature sensor is preferable. Examples of the non-contact type temperature sensor include a radiation thermometer that measures infrared radiant energy. The radiation thermometer is installed outside the vacuum chamber 103 so as to face a viewing window provided above the vacuum chamber 103, for example.

搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が第１状態（良好）であると判定された場合、後述するプラズマエッチング工程に進む。一方、搬送キャリア１０のステージ１１１への載置状態が第２状態（不良）であると判定されると、搬送キャリア１０は真空チャンバ１０３から搬出され、その後、載置工程が再度試みられる。あるいは、再び支持部１２２を上昇させ、搬送キャリア１０がステージ１１１から離間した状態から、載置工程が再度試みられる。リトライにおいて、支持部１２２を上昇あるいは降下させる間に、支持部１２２を小さく昇降させてもよい。これにより、保持シート３のシワが解消され、保持シートの浮き上がりが解消され易くなる。 When it is determined that the transport carrier 10 is placed on the stage 111 in the first state (good), the process proceeds to the plasma etching step, which will be described later. On the other hand, if it is determined that the transport carrier 10 is placed on the stage 111 in the second state (defective), the transport carrier 10 is carried out of the vacuum chamber 103, and then the placement process is attempted again. Alternatively, the support part 122 is raised again, and the mounting process is attempted again from a state in which the transport carrier 10 is separated from the stage 111 . In the retry, while the supporter 122 is being raised or lowered, the supporter 122 may be moved slightly up and down. As a result, wrinkles in the holding sheet 3 are eliminated, and floating of the holding sheet is easily eliminated.

（５）プラズマ処理工程
判定工程において、上記の載置状態が良好であると判定されると、昇降ロッド１２１を駆動させ、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる。これにより、カバー１２４とステージ１１１との距離は、第１距離ｄ１よりも小さな第２距離ｄ２に変更される。図４Ｆは、このときのカバー１２４とステージ１１１の位置関係を示している。第２距離ｄ２は、カバー１２４が保持シート３に接触することなくフレーム２を覆うことができる距離に調節されている。これにより、フレーム２および保持シート３の基板１を保持していない部分の一部は、カバー１２４によって覆われ、基板１はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。第２距離ｄ２は特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ～１．５ｍｍ程度である。第２距離ｄ２は、カバー１２４の一部であって、ステージ１１１に載置された搬送キャリアの保持シートに対向する部分と、ステージ１１１と、の最短距離である。 (5) Plasma treatment process In the judgment process, if the placement state is judged to be good, the lift rod 121 is driven to lower the cover 124 to a predetermined position. As a result, the distance between cover 124 and stage 111 is changed to second distance d2, which is smaller than first distance d1. FIG. 4F shows the positional relationship between the cover 124 and the stage 111 at this time. The second distance d2 is adjusted so that the cover 124 can cover the frame 2 without contacting the holding sheet 3 . As a result, portions of the frame 2 and the holding sheet 3 that do not hold the substrate 1 are partially covered with the cover 124 and the substrate 1 is exposed through the window 124W of the cover 124 . Although the second distance d2 is not particularly limited, it is, for example, approximately 0.5 mm to 1.5 mm. The second distance d2 is the shortest distance between the stage 111 and the part of the cover 124 that faces the holding sheet of the transport carrier placed on the stage 111 .

カバー１２４は、例えば、略円形の外形輪郭を有したドーナツ形であり、一定の幅および薄い厚みを備えている。カバー１２４の内径（窓部１２４Ｗの直径）はフレーム２の内径よりも小さく、カバー１２４の外径はフレーム２の外径よりも大きい。したがって、搬送キャリア１０をステージの所定の位置に搭載し、カバー１２４を降下させると、カバー１２４は、フレーム２と保持シート３の少なくとも一部を覆うことができる。窓部１２４Ｗからは、基板１の少なくとも一部が露出する。カバー１２４は、例えば、セラミックス（例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなど）や石英などの誘電体や、アルミニウムあるいは表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの金属で構成される。 The cover 124 is, for example, donut-shaped with a substantially circular outer contour, with a constant width and a thin thickness. The inner diameter of the cover 124 (the diameter of the window portion 124W) is smaller than the inner diameter of the frame 2, and the outer diameter of the cover 124 is larger than the outer diameter of the frame 2. Therefore, when the transport carrier 10 is mounted at a predetermined position on the stage and the cover 124 is lowered, the cover 124 can cover at least part of the frame 2 and the holding sheet 3 . At least a portion of the substrate 1 is exposed through the window portion 124W. The cover 124 is made of, for example, a dielectric such as ceramics (eg, alumina, aluminum nitride, etc.) or quartz, or a metal such as aluminum or aluminum whose surface is anodized.

支持部１２２およびカバー１２４が所定の位置に配置されると、プロセスガス源１１２からガス導入口１０３ａを通って、プロセスガスが真空チャンバ１０３内部に導入される。一方、減圧機構１１４は、真空チャンバ１０３内のガスを排気口１０３ｂから排気し、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。続いて、アンテナ１０９に第１高周波電源１１０Ａから高周波電力を投入し、真空チャンバ１０３内にプラズマＰを発生させる。発生したプラズマＰは、イオン、電子、ラジカルなどから構成される。基板１に形成されたレジストマスクから露出した部分の表面から裏面までが、発生したプラズマＰとの物理化学的反応によって除去（エッチング）され、基板１は個片化される。 When the support portion 122 and the cover 124 are placed in place, process gas is introduced into the vacuum chamber 103 from the process gas source 112 through the gas introduction port 103a. On the other hand, the decompression mechanism 114 exhausts the gas inside the vacuum chamber 103 through the exhaust port 103b to maintain the inside of the vacuum chamber 103 at a predetermined pressure. Subsequently, high-frequency power is supplied to the antenna 109 from the first high-frequency power supply 110A to generate plasma P in the vacuum chamber 103 . The generated plasma P is composed of ions, electrons, radicals, and the like. A portion exposed from the resist mask formed on the substrate 1 is removed (etched) from the front surface to the back surface by a physicochemical reaction with the generated plasma P, and the substrate 1 is singulated.

ここで、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極部１２０に、例えば１００ｋＨｚ以上の高周波電力を投入してもよい。イオンの基板１への入射エネルギーは、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極部１２０に印加された高周波電力によって制御することができる。高周波電極部１２０に高周波電力が投入されることにより、ステージ１１１の表面にバイアス電圧が発生し、このバイアス電圧によって基板１に入射するイオンが加速され、エッチング速度が増加する。 Here, for example, high-frequency power of 100 kHz or higher may be supplied from the second high-frequency power supply 110B to the high-frequency electrode section 120 . The energy of the ions incident on the substrate 1 can be controlled by high-frequency power applied to the high-frequency electrode section 120 from the second high-frequency power supply 110B. By applying high frequency power to the high frequency electrode part 120, a bias voltage is generated on the surface of the stage 111, and this bias voltage accelerates the ions incident on the substrate 1, thereby increasing the etching rate.

エッチングの条件（プラズマを発生させる条件）は、基板１の材質などに応じて設定される。例えば、基板１がＳｉの場合、真空チャンバ１０３内に、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）などを原料とするプラズマを発生させることにより、基板１はエッチングされる。この場合、例えば、プロセスガス源１１２から、ＳＦ_６ガスを１００～８００ｓｃｃｍで供給しながら、減圧機構１１４により真空チャンバ１０３の圧力を１０～５０Ｐａに制御する。このとき、アンテナ１０９に１０００～５０００Ｗの周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給するとともに、高周波電極部１２０に５０～１０００Ｗの１００ｋＨｚ以上（例えば、４００～５００ｋＨｚ、あるいは、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。 Conditions for etching (conditions for generating plasma) are set according to the material of the substrate 1 and the like. For example, when the substrate 1 is Si, the substrate 1 is etched by generating plasma in the vacuum chamber 103 using sulfur hexafluoride (SF ₆ ) or the like as a raw material. In this case, for example, the pressure in the vacuum chamber 103 is controlled to 10-50 Pa by the decompression mechanism 114 while supplying 100-800 sccm of SF ₆ gas from the process gas source 112 . At this time, high frequency power of 1000 to 5000 W and a frequency of 13.56 MHz is supplied to the antenna 109, and high frequency power of 50 to 1000 W and 100 kHz or higher (for example, 400 to 500 kHz or 13.56 MHz) is supplied to the high frequency electrode unit 120. supply.

エッチング中の搬送キャリア１０の温度上昇を抑えるため、冷媒循環装置１２５により、ステージ１１１内に循環させる冷媒の温度を－２０から２０℃に設定することが好ましい。これにより、保持シート３とステージ１１１との接触状態が良好であれば、プラズマ処理中の保持シート３の温度は、例えば６０℃以下に制御される。そのため、保持シート３の熱的ダメージが抑制される。 In order to suppress the temperature rise of the transport carrier 10 during etching, it is preferable to set the temperature of the coolant circulated in the stage 111 to -20 to 20° C. by the coolant circulation device 125 . Thereby, if the contact state between the holding sheet 3 and the stage 111 is good, the temperature of the holding sheet 3 during plasma processing is controlled to, for example, 60° C. or less. Therefore, thermal damage to the holding sheet 3 is suppressed.

プラズマダイシングの場合、レジストマスクから露出した基板１の表面は、垂直にエッチングされることが望ましい。この場合、上記のように、ＳＦ_６などのフッ素系ガスのプラズマによるエッチングステップと、パーフルオロシクロブタン（Ｃ_４Ｆ_８）などのフッ化炭素ガスのプラズマによる保護膜堆積ステップとを、交互に繰り返してもよい。 In plasma dicing, the surface of the substrate 1 exposed from the resist mask is preferably etched vertically. In this case, as described above, the etching step using fluorine-based gas plasma such as SF ₆ and the protective film deposition step using fluorocarbon gas plasma such as perfluorocyclobutane (C ₄ F ₈ ) are alternately repeated. may

エッチングによって基板１が個片化された後、アッシングが実行される。アッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガスや、酸素ガスとフッ素を含むガスとの混合ガス等）を、アッシングガス源１１３から真空チャンバ１０３内に導入する。一方、減圧機構１１４による排気を行い、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。第１高周波電源１１０Ａからの高周波電力の投入により、真空チャンバ１０３内には酸素プラズマが発生し、カバー１２４の窓部１２４Ｗから露出している個片化された基板１（電子部品）の表面のレジストマスクが完全に除去される。 After the substrate 1 is singulated by etching, ashing is performed. A process gas for ashing (for example, oxygen gas, mixed gas of oxygen gas and fluorine-containing gas, etc.) is introduced from the ashing gas source 113 into the vacuum chamber 103 . On the other hand, the vacuum mechanism 114 evacuates the inside of the vacuum chamber 103 to maintain a predetermined pressure. When the high frequency power is supplied from the first high frequency power supply 110A, oxygen plasma is generated in the vacuum chamber 103, and the surface of the singulated substrate 1 (electronic component) exposed from the window 124W of the cover 124 is damaged. The resist mask is completely removed.

（６）搬出工程
アッシングが終了すると、真空チャンバ１０３内のガスが排出され、シャッターを開いて、個片化された基板１を保持する搬送キャリア１０が、搬送アーム２２１によって、プラズマ処理装置１００から搬出される。搬送キャリア１０の搬出プロセスは、上記のような基板１をステージ１１１に搭載する手順とは逆の手順で行われても良い。すなわち、カバー１２４を所定の位置にまで上昇させた後、ＥＳＣ電極１１９への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着を解除し、支持部１２２を上昇させる。支持部１２２が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア１０は搬出される。 (6) Unloading Step When the ashing is completed, the gas in the vacuum chamber 103 is discharged, the shutter is opened, and the transport carrier 10 holding the singulated substrate 1 is moved from the plasma processing apparatus 100 by the transport arm 221. carried out. The unloading process of the transport carrier 10 may be performed in reverse order to the procedure of mounting the substrate 1 on the stage 111 as described above. That is, after the cover 124 is raised to a predetermined position, the voltage applied to the ESC electrode 119 is set to zero to release the adsorption of the transport carrier 10 to the stage 111 and raise the support portion 122 . After the support portion 122 is raised to a predetermined position, the transport carrier 10 is unloaded.

本発明のプラズマ処理方法は、ステージの上方にカバーを備えるプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行う場合に有用である。 The plasma processing method of the present invention is useful when plasma processing is performed using a plasma processing apparatus having a cover above the stage.

１：基板、１Ａ：外周部、１Ｂ：中央部
２：フレーム、２ａ：ノッチ、２ｂ：コーナーカット
３：保持シート、３ａ：粘着面、３ｂ：非粘着面
１０：搬送キャリア
１００：プラズマ処理装置
１０３：真空チャンバ、１０３ａ：ガス導入口、１０３ｂ：排気口、１０８：誘電体部材、１０９：アンテナ、１１０Ａ：第１高周波電源、１１０Ｂ：第２高周波電源、１１１：ステージ、１１２：プロセスガス源、１１３：アッシングガス源、１１４：減圧機構、１１５：電極層、１１６：金属層、１１７：基台、１１８：外周部、１１９：ＥＳＣ電極、１２０：高周波電極部、１２１：昇降ロッド、１２２：支持部、１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構、１２４：カバー、１２４Ｗ：窓部、１２５：冷媒循環装置、１２６：直流電源、１２７：冷媒流路、１２８：制御装置、１２９：外周リング
１３０：窓、１３１：撮像部 1: Substrate 1A: Peripheral part 1B: Central part 2: Frame 2a: Notch 2b: Corner cut 3: Holding sheet 3a: Adhesive surface 3b: Non-adhesive surface 10: Transport carrier 100: Plasma processing device 103 : vacuum chamber, 103a: gas inlet, 103b: exhaust port, 108: dielectric member, 109: antenna, 110A: first high-frequency power supply, 110B: second high-frequency power supply, 111: stage, 112: process gas source, 113 : ashing gas source, 114: decompression mechanism, 115: electrode layer, 116: metal layer, 117: base, 118: outer peripheral portion, 119: ESC electrode, 120: high frequency electrode portion, 121: elevating rod, 122: support portion , 123A, 123B: lifting mechanism, 124: cover, 124W: window, 125: refrigerant circulation device, 126: DC power supply, 127: refrigerant flow path, 128: control device, 129: outer ring 130: window, 131: imaging Department

Claims

A plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate held by a transfer carrier having a frame and a holding sheet,
a chamber;
a plasma generator that generates plasma in the chamber;
a stage provided in the chamber on which the transfer carrier is mounted;
a cover that covers at least part of the transport carrier placed on the stage;
a relative position changing unit capable of changing the relative distance between the cover and the stage between a first distance and a second distance smaller than the first distance;
a determination unit that determines a placement state of the transport carrier;
a control unit that controls the plasma generation unit and the relative position change unit;
The determination unit determines the placement state in a state where the distance between the cover and the stage is the first distance,
A plasma processing apparatus, wherein the plasma processing is performed while the distance between the cover and the stage is the second distance.

further comprising an imaging unit for imaging the transport carrier placed on the stage,
2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said determination unit determines said placement state based on imaging data captured by said imaging unit when a distance between said cover and said stage is a first distance. .

3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein said determination unit determines said placement state based on a state of an inner peripheral side wall of said frame in said imaging data.

When the placement state is determined to be the first state by the determination unit,
4. The controller according to any one of claims 1 to 3, wherein the relative position changing unit changes the distance between the cover and the stage to the second distance, and then the plasma generating unit generates the plasma. The plasma processing apparatus according to Item.

When the determination unit determines that the placed state is the second state,
5. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the control unit causes the transport carrier to be placed on the stage again in a state where the distance between the cover and the stage is greater than the second distance. The plasma processing apparatus described.

a chamber for a substrate held by a transport carrier comprising a frame and a holding sheet; a plasma generator for generating plasma in the chamber; a stage provided in the chamber on which the transport carrier is mounted; a placing step of placing the carrier on the stage of a plasma processing apparatus, the cover covering at least a portion of the carrier while the carrier is placed on the stage;
a determination step of determining a placement state of the transport carrier in a state where the distance between the cover and the stage is a first distance;
When the placement state is determined to be the first state in the determining step,
After changing the distance between the cover and the stage to a second distance smaller than the first distance, plasma is generated in the chamber, and the substrate is irradiated with the generated plasma to perform plasma processing. , plasma treatment methods.

The determining step includes an imaging step of imaging the transport carrier placed on the stage in a state where the distance between the cover and the stage is the first distance,
7. The plasma processing method according to claim 6, wherein said placement state is determined based on imaging data imaged in said imaging step.

8. The plasma processing method according to claim 7, wherein in said determining step, said placement state is determined based on the state of the inner peripheral side wall of said frame in said imaging data.