JP6481979B2 - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

Plasma processing apparatus and plasma processing method Download PDF

Info

Publication number
JP6481979B2
JP6481979B2 JP2015074037A JP2015074037A JP6481979B2 JP 6481979 B2 JP6481979 B2 JP 6481979B2 JP 2015074037 A JP2015074037 A JP 2015074037A JP 2015074037 A JP2015074037 A JP 2015074037A JP 6481979 B2 JP6481979 B2 JP 6481979B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
holding sheet
plasma processing
substrate
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015074037A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016195020A (en
Inventor
尚吾 置田
尚吾 置田
篤史 針貝
篤史 針貝
功幸 松原
功幸 松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2015074037A priority Critical patent/JP6481979B2/en
Priority to CN201610032763.3A priority patent/CN106024565B/en
Priority to US15/015,934 priority patent/US9911638B2/en
Publication of JP2016195020A publication Critical patent/JP2016195020A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6481979B2 publication Critical patent/JP6481979B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関し、さらに詳しくは、搬送キャリアに保持された基板を処理するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and more particularly to a plasma processing apparatus and a plasma processing method for processing a substrate held on a carrier.

基板をダイシングする方法として、レジストマスクを形成した基板にプラズマエッチングを施して個々のチップに分割するプラズマダイシングが知られている。特許文献１は、搬送等における基板のハンドリング性向上のために、フレームとその開口部を覆う保持シートとを備える搬送キャリアに基板を貼り付けた状態で、ステージ（以下、単にステージと称する場合がある）に搭載し、プラズマ処理を行うことを教示している。   As a method for dicing a substrate, plasma dicing is known in which a substrate on which a resist mask is formed is subjected to plasma etching and divided into individual chips. Patent Document 1 discloses a stage (hereinafter sometimes simply referred to as a stage) in a state where the substrate is attached to a transport carrier provided with a frame and a holding sheet that covers the opening for improving handling of the substrate in transport and the like. It is taught that plasma processing is carried out.

特開２００９−９４４３６号公報JP 2009-94436 A

搬送キャリアに基板を保持させた状態でステージに搭載し、プラズマ処理を行う場合、通常、静電チャックといわれる静電吸着機構により、搬送キャリアをステージに吸着させる。静電吸着機構は、ステージの内部に配置された静電吸着（Electrostatic Chuck）用電極（以下、ＥＳＣ電極と称する）に電圧を印加し、ＥＳＣ電極と搬送キャリアとの間に働くクーロン力やジョンソン・ラーベック力によって、ステージに搬送キャリアを吸着させる。ステージは冷却されている。冷却されたステージに搬送キャリアを吸着させた状態でプラズマ処理を行うことにより、プラズマ処理中の搬送キャリアを効果的に冷却することができる。   When the substrate is mounted on the stage with the carrier held on the stage and plasma processing is performed, the carrier is usually attracted to the stage by an electrostatic chucking mechanism called an electrostatic chuck. The electrostatic adsorption mechanism applies a voltage to an electrostatic chuck electrode (hereinafter referred to as an ESC electrode) disposed inside the stage, and Coulomb force or Johnson acting between the ESC electrode and the transport carrier. -The carrier is attracted to the stage by the Rahbek force. The stage is cooled. By performing the plasma processing while the transport carrier is adsorbed on the cooled stage, the transport carrier during the plasma processing can be effectively cooled.

近年、電子機器が小型化および薄型化しており、電子機器に搭載されるＩＣチップなどの厚みは小さくなっている。これにともない、ダイシングの対象となるＩＣチップなどを形成するための基板の厚みも小さくなっており、基板が撓みやすくなっている。   In recent years, electronic devices have become smaller and thinner, and the thickness of IC chips and the like mounted on electronic devices has been reduced. Along with this, the thickness of the substrate for forming an IC chip or the like to be diced is also reduced, and the substrate is easily bent.

また、基板を保持する保持シートも厚みが小さく、撓みやすい。したがって、基板を保持した搬送キャリアは、保持シートにシワが入った状態でステージに載置される場合がある。静電吸着機構により搬送キャリアをステージに吸着させても、シワは解消されない。保持シートにシワが残った状態でプラズマ処理を行うと、シワの部分で異常放電が発生したり、シワの部分の温度が上昇したりして、プラズマ処理を正常に行うことが困難となる。   In addition, the holding sheet for holding the substrate is also small in thickness and easily bent. Therefore, the carrier carrying the substrate may be placed on the stage with the holding sheet wrinkled. Even if the transport carrier is attracted to the stage by the electrostatic attraction mechanism, the wrinkles are not eliminated. If the plasma processing is performed with wrinkles remaining on the holding sheet, abnormal discharge occurs in the wrinkled portions or the temperature of the wrinkled portions increases, making it difficult to perform the plasma processing normally.

本発明の一局面は、搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。搬送キャリアは、保持シートと保持シートの外周部に配置されるフレームとを備え、基板は、保持シートに保持されている。プラズマ処理装置は、反応室と、反応室にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、反応室の内部に配置され、搬送キャリアを搭載するためのステージと、ステージ内部に設けられた電極部を備える静電吸着機構と、搬送キャリアを、ステージ上の搭載位置とステージから上方に離れた受け渡し位置との間で支持する支持部と、支持部をステージに対して昇降させる昇降機構と、を具備する。搬送キャリアをステージに搭載する場合、保持シートがステージに接触した後、昇降機構が、ステージ近傍で、支持部をそれぞれ１回以上、上昇および降下させ、支持部の上昇および降下が終了した後であって、かつ、保持シートの外周部がステージに接触した後、プラズマ発生部がプラズマを発生させる、プラズマ処理装置に関する。   One aspect of the present invention relates to a plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate held on a transport carrier. The transport carrier includes a holding sheet and a frame disposed on the outer periphery of the holding sheet, and the substrate is held by the holding sheet. The plasma processing apparatus includes a reaction chamber, a plasma generation unit that generates plasma in the reaction chamber, a stage that is disposed inside the reaction chamber and on which a carrier is mounted, and an electrode unit that is provided inside the stage. An electroadsorption mechanism, a support unit that supports the transport carrier between a mounting position on the stage and a delivery position that is spaced upward from the stage, and an elevating mechanism that moves the support unit up and down relative to the stage. When the carrier is mounted on the stage, after the holding sheet comes into contact with the stage, the elevating mechanism raises and lowers the support part once or more in the vicinity of the stage, and after the raising and lowering of the support part is finished. In addition, the present invention relates to a plasma processing apparatus in which a plasma generation unit generates plasma after an outer peripheral portion of a holding sheet comes into contact with a stage.

本発明の他の一局面は、基板が保持された搬送キャリアを、プラズマ処理装置に備えられたステージに搭載して、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法に関する。搬送キャリアは、保持シートと保持シートの外周部に配置されるフレームとを備え、基板は、保持シートに保持されている。プラズマ処理方法は、搬送キャリアを、ステージから上方に離れた受け渡し位置で、ステージに対して昇降可能な支持部に支持させる工程と、支持部を降下させて、ステージ上の搭載位置に搬送キャリアを搭載する工程と、ステージの内部に設けられる静電吸着機構の電極部に電圧を印加する工程と、反応室にプラズマを発生させる工程と、を具備する。搬送キャリアを搭載する工程は、保持シートがステージに接触した後、ステージ近傍で、支持部をそれぞれ１回以上、上昇および降下させることを含み、支持部の上昇および降下が終了した後であって、かつ、保持シートの外周部がステージに接触した後、プラズマの発生を開始する。   Another aspect of the present invention relates to a plasma processing method for performing plasma processing on a substrate by mounting a carrier on which the substrate is held on a stage provided in the plasma processing apparatus. The transport carrier includes a holding sheet and a frame disposed on the outer periphery of the holding sheet, and the substrate is held by the holding sheet. In the plasma processing method, the transport carrier is supported at a transfer position away from the stage at a support portion that can be raised and lowered with respect to the stage, and the support portion is lowered to place the transport carrier at the mounting position on the stage. A step of mounting, a step of applying a voltage to an electrode portion of an electrostatic adsorption mechanism provided inside the stage, and a step of generating plasma in the reaction chamber. The step of mounting the transport carrier includes raising and lowering the support part at least once each in the vicinity of the stage after the holding sheet contacts the stage, and after the raising and lowering of the support part is completed. And after the outer peripheral part of a holding sheet contacts a stage, generation | occurrence | production of a plasma is started.

本発明によれば、搬送キャリアに保持された基板をプラズマ処理する際に、製品の歩留まりが向上する。   According to the present invention, the yield of products is improved when plasma processing is performed on a substrate held on a transport carrier.

本発明の一実施形態に係る基板を保持した搬送キャリアを概略的に示す上面図（ａ）およびそのＢ−Ｂ線での断面図（ｂ）である。It is the top view (a) which shows roughly the conveyance carrier holding the board | substrate which concerns on one Embodiment of this invention, and sectional drawing (b) in the BB line. 本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るＥＳＣ電極と直流電源との関係を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relationship between the ESC electrode which concerns on one Embodiment of this invention, and DC power supply. 本発明の一実施形態に係る支持部が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフ（ａ）、および、同様に横軸をとり、支持部の上端面とステージとの間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフ（ｂ）を示す。The conceptual graph (a) which took the time after the support part which concerns on one Embodiment of this invention started a descent as a horizontal axis, the voltage applied to an ESC electrode was taken as a vertical axis, and took a horizontal axis similarly. The conceptual graph (b) which took the distance T between the upper end surface of a support part and a stage on the vertical axis | shaft is shown. 本発明の一実施形態に係る保持シートの撓みを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bending of the holding sheet which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る支持部が降下し始めてから、搬送キャリアがステージに搭載されるまでの様子を示す概念図である（（ａ）〜（ｄ））。It is a conceptual diagram which shows a mode after the support part which concerns on one Embodiment of this invention begins to fall until a conveyance carrier is mounted in a stage ((a)-(d)). 本発明の一実施形態に係る支持部が降下し始めてから、搬送キャリアがステージに搭載されるまでに行われる昇降動作の様子を示す概念図である（（ｅ）〜（ｈ））。It is a conceptual diagram which shows the mode of the raising / lowering operation | movement performed after the support part which concerns on one Embodiment of this invention begins to fall until a conveyance carrier is mounted in a stage ((e)-(h)). 本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の動作の一部を示す概念図である（（ａ）〜（ｅ））。It is a conceptual diagram which shows a part of operation | movement of the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention ((a)-(e)). 本発明の一実施形態に係る第１高周波電源からアンテナに電力が投入されてからの時間を横軸、ＥＳＣ電極にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフ（（ａ）および（ｂ））と、同様に横軸をとり、アンテナに投入される電力を縦軸にとった概念的なグラフ（ｃ）である。FIG. 4 is a conceptual graph ((a) and (b)) in which the horizontal axis represents the time after power is applied to the antenna from the first high-frequency power supply according to an embodiment of the present invention, and the vertical axis represents the voltage applied to the ESC electrode. ) And a conceptual graph (c) in which the horizontal axis is taken in the same manner and the electric power input to the antenna is taken in the vertical axis. 本発明の他の一実施形態に係る支持部が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフ（ａ）、および、同様に横軸をとり、支持部の上端面とステージとの間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフ（ｂ）を示す。The conceptual graph (a) which took the time after the support part which concerns on other one Embodiment of this invention starts a descent as a horizontal axis, the voltage applied to an ESC electrode was taken as a vertical axis, and a horizontal axis similarly A conceptual graph (b) is shown in which the vertical axis represents the distance T between the upper end surface of the support portion and the stage. 本発明のさらに他の一実施形態に係る支持部が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフ（ａ）、および、同様に横軸をとり、支持部の上端面とステージとの間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフ（ｂ）を示す。The conceptual graph (a) which took the time after the support part which concerns on further another embodiment of this invention started descent, the horizontal axis, the voltage applied to an ESC electrode on the vertical axis, and horizontal The conceptual graph (b) which took the axis | shaft and took the distance T between the upper end surface of a support part and a stage on the vertical axis | shaft is shown.

以下、本発明の一実施形態を示す図面を参照しながら、本発明を詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る搬送キャリア１０を概略的に示す上面図であり、図１（ｂ）は、無負荷状態における搬送キャリア１０の（ａ）に示すＢ−Ｂ線での断面図である。なお、図１では、フレーム２および基板１が共に円形である場合について図示するが、これに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings illustrating an embodiment of the present invention.
Fig.1 (a) is a top view which shows schematically the conveyance carrier 10 which concerns on one Embodiment of this invention, FIG.1 (b) is B- shown to (a) of the conveyance carrier 10 in a no-load state. It is sectional drawing in a B line. Although FIG. 1 illustrates the case where the frame 2 and the substrate 1 are both circular, the present invention is not limited to this.

図１（ａ）に示すように、搬送キャリア１０は、基板１、フレーム２および保持シート３を備えている。保持シート３は、その外周部３ｃがフレーム２に固定されている。基板１は、保持シート３に貼着されて、搬送キャリアに保持される。外周部３ｃは、保持シート３のフレーム２との重なり部分である。図１（ａ）および（ｂ）では、便宜上、外周部３ｃにハッチングを入れて示している。   As shown in FIG. 1A, the transport carrier 10 includes a substrate 1, a frame 2, and a holding sheet 3. The holding sheet 3 has an outer peripheral portion 3 c fixed to the frame 2. The substrate 1 is attached to the holding sheet 3 and held on the transport carrier. The outer peripheral portion 3 c is an overlapping portion of the holding sheet 3 with the frame 2. 1 (a) and 1 (b), the outer peripheral portion 3c is hatched for convenience.

基板１は、プラズマダイシングなどのプラズマ処理の処理対象物である。基板１は、基板本体部（例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ）の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層を形成した後、この回路層とは反対側の、基板本体部の裏面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板１の厚みは、通常、２５〜１５０μｍ程度と、非常に薄い。そのため、基板１自体は、自己支持性（剛性）をほとんど有さない。基板１の厚みが薄くなると、回路層の部分と基板本体部の内部応力の差により、反りや撓みが生じる場合がある。反りや撓みが生じると、プラズマ処理を行う場合に、基板１の搬送や冷却などが難しくなる。   The substrate 1 is a processing target for plasma processing such as plasma dicing. The substrate 1 is formed by forming a circuit layer such as a semiconductor circuit, an electronic component element, or a MEMS on one surface of a substrate body (for example, Si, GaAs, SiC), and then the substrate body on the opposite side of the circuit layer. It is produced by grinding the back surface of the part and reducing the thickness. The thickness of the substrate 1 is usually very thin, about 25 to 150 μm. Therefore, the substrate 1 itself has almost no self-supporting property (rigidity). When the thickness of the substrate 1 is reduced, warping or bending may occur due to a difference in internal stress between the circuit layer portion and the substrate body portion. When warping or bending occurs, it becomes difficult to transport or cool the substrate 1 when performing plasma processing.

そこで、ほぼ平坦なフレーム２に、保持シート３の外周部３ｃを張力の加わった状態で固定し、この保持シート３に基板１を貼り付ける。保持シート３は、厚み５０〜１５０μｍ程度の樹脂製であって、基板１を保持できる程度の剛性を備える。また、保持シート３の一方の表面には粘着層が形成されており、この粘着層に基板１は貼着される。これにより、搬送キャリア１０は、基板１、保持シート３およびフレーム２をほぼ同一平面上に保持することが可能となる。そのため、基板１にプラズマ処理を行う場合、基板１の搬送やプラズマ処理中の冷却などの取り扱いが容易となる。   Therefore, the outer peripheral portion 3 c of the holding sheet 3 is fixed to the substantially flat frame 2 in a state where tension is applied, and the substrate 1 is attached to the holding sheet 3. The holding sheet 3 is made of a resin having a thickness of about 50 to 150 μm, and has rigidity enough to hold the substrate 1. Moreover, the adhesion layer is formed in one surface of the holding sheet 3, and the board | substrate 1 is affixed on this adhesion layer. Thereby, the conveyance carrier 10 can hold the substrate 1, the holding sheet 3, and the frame 2 on substantially the same plane. Therefore, when plasma processing is performed on the substrate 1, handling such as transport of the substrate 1 and cooling during the plasma processing becomes easy.

しかし、基板１を、その外周部３ｃがフレーム２に固定された保持シート３に貼着させると、保持シート３が撓む場合がある（図１（ｂ）参照）。なお、図１（ｂ）では、説明を分かりやすくするため、撓みを強調して図示している。   However, when the substrate 1 is attached to the holding sheet 3 whose outer peripheral portion 3c is fixed to the frame 2, the holding sheet 3 may be bent (see FIG. 1B). In FIG. 1B, the bending is emphasized for easy understanding.

保持シート３が撓む原因としては、以下の４つのケースが考えられる。
第一のケースは、フレーム２の歪みに起因して、保持シート３に撓みが発生する場合である。フレーム２は、本来平坦になるよう設計されるが、フレーム２を製造する際のばらつきや公差、あるいは、生産工程における繰り返し使用などにより、平坦度が低い場合がある。平坦度の低いフレーム２を用いると、フレーム２に固定されている保持シート３に撓みが発生する。 The following four cases can be considered as causes of the holding sheet 3 to bend.
The first case is a case where the holding sheet 3 is bent due to distortion of the frame 2. The frame 2 is originally designed to be flat, but the flatness may be low due to variations and tolerances in manufacturing the frame 2 or repeated use in the production process. When the frame 2 having low flatness is used, the holding sheet 3 fixed to the frame 2 is bent.

第二のケースは、基板１の形状に起因して、保持シート３に撓みが発生する場合である。搬送キャリア１０は、保持シート３の張力により基板１をほぼ平面に保持するが、例えば、基板１にオリエンテーションフラット（オリフラ）などの切欠き部がある場合、保持シート３の張力が基板１に均一に加わらない。この場合、オリフラ付近の保持シート３にシワが生じ、これが保持シート３の撓みとなる。   The second case is a case where the holding sheet 3 is bent due to the shape of the substrate 1. The transport carrier 10 holds the substrate 1 substantially flat by the tension of the holding sheet 3. For example, when the substrate 1 has a notch such as an orientation flat (orientation flat), the tension of the holding sheet 3 is uniform to the substrate 1. Don't join. In this case, wrinkles are generated in the holding sheet 3 in the vicinity of the orientation flat, and this is the bending of the holding sheet 3.

第三のケースは、重力に起因して、保持シート３に撓みが発生する場合である。搬送キャリア１０は、保持シート３の張力により基板１をほぼ平坦に保持するが、基板１や保持シート３の自重により、保持シート３に伸びが発生したり、フレーム２が歪んだりして、保持シート３に撓みが発生する。   The third case is a case where the holding sheet 3 is bent due to gravity. The carrier 10 holds the substrate 1 substantially flat by the tension of the holding sheet 3, but the holding sheet 3 is stretched due to the weight of the substrate 1 and the holding sheet 3, and the frame 2 is distorted and held. The sheet 3 is bent.

第四のケースは、基板１の応力に起因して、保持シート３に撓みが発生する場合である。基板１には基板１を反らせる応力が加わる。一方、保持シート３は、基板１を貼り付けている粘着力や保持シート３の張力により、この応力に抗し、基板１の反りを抑えて基板１を平坦に保っている。このとき、基板１の応力がより大きいと、保持シート３が基板１の反りを抑えきれず、保持シート３に伸びが発生し、保持シート３に撓みが発生する。   The fourth case is a case where the holding sheet 3 is bent due to the stress of the substrate 1. A stress that warps the substrate 1 is applied to the substrate 1. On the other hand, the holding sheet 3 resists this stress by the adhesive force to which the substrate 1 is attached and the tension of the holding sheet 3, and suppresses the warp of the substrate 1 to keep the substrate 1 flat. At this time, if the stress of the substrate 1 is larger, the holding sheet 3 cannot suppress the warp of the substrate 1, the holding sheet 3 is stretched, and the holding sheet 3 is bent.

静電吸着用電極（ＥＳＣ電極）は、単極型と双極型の２つの型式に大別される。ＥＳＣ電極に電圧が印加されることにより、ＥＳＣ電極と保持シート３との間に吸着力が生じ、搬送キャリア１０をステージ１１１に吸着させることができる。   Electrostatic adsorption electrodes (ESC electrodes) are roughly classified into two types, a monopolar type and a bipolar type. By applying a voltage to the ESC electrode, an attracting force is generated between the ESC electrode and the holding sheet 3, and the transport carrier 10 can be attracted to the stage 111.

単極型のＥＳＣ電極は、少なくとも１つの電極からなり、すべての電極に同じ極性の電圧が印加される。単極型のＥＳＣ電極を備える静電吸着機構は、吸着メカニズムとしてクーロン力を利用する。ＥＳＣ電極に電圧を印加することにより、誘電体からなるステージ１１１の表面に誘電分極による電荷を誘起させるとともに、ステージ１１１の上に載置された搬送キャリア１０を帯電させる。その結果、ステージ１１１の表面に誘起された電荷と帯電した搬送キャリア１０との間でクーロン力が働き、搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。なお、搬送キャリア１０を帯電させるためには、反応室１０３内でプラズマを発生させ、搬送キャリア１０を発生したプラズマに曝せばよい。   A monopolar ESC electrode is composed of at least one electrode, and a voltage having the same polarity is applied to all the electrodes. An electrostatic adsorption mechanism including a monopolar ESC electrode utilizes Coulomb force as an adsorption mechanism. By applying a voltage to the ESC electrode, a charge due to dielectric polarization is induced on the surface of the stage 111 made of a dielectric, and the transport carrier 10 placed on the stage 111 is charged. As a result, a Coulomb force acts between the charge induced on the surface of the stage 111 and the charged transport carrier 10, and the transport carrier 10 is attracted to the stage 111. In order to charge the carrier 10, plasma may be generated in the reaction chamber 103 and the carrier 10 may be exposed to the generated plasma.

一方、双極型のＥＳＣ電極は、正極および負極を備え、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧が印加される。双極型のＥＳＣ電極としては、例えば、図３に示すような櫛形電極２０が用いられている。図３に示すように、正極にＶ１の電圧が印加され、負極に−Ｖ１の電圧が印加される。   On the other hand, a bipolar ESC electrode includes a positive electrode and a negative electrode, and voltages having different polarities are applied to the positive electrode and the negative electrode, respectively. For example, a comb-shaped electrode 20 as shown in FIG. 3 is used as the bipolar ESC electrode. As shown in FIG. 3, a voltage V1 is applied to the positive electrode, and a voltage -V1 is applied to the negative electrode.

双極型のＥＳＣ電極を備える静電吸着機構の吸着メカニズムとしては、クーロン力を利用する場合と、ジョンソン・ラーベック力を利用する場合とがある。吸着メカニズムに応じて、電極の構造や電極を構成する材料（例えば、セラミックス）が適宜選択される。いずれの吸着メカニズムの場合も、正極および負極にそれぞれ極性の異なる電圧を印加することにより、ＥＳＣ電極と搬送キャリア１０との間に吸着力が生じ、搬送キャリア１０をステージ１１１に吸着させることができる。なお、双極型の場合は、単極型の場合と異なり、吸着させるために搬送キャリア１０を帯電させる必要はない。   As an adsorption mechanism of an electrostatic adsorption mechanism including a bipolar ESC electrode, there are a case where a Coulomb force is used and a case where a Johnson Rabeck force is used. Depending on the adsorption mechanism, the structure of the electrode and the material constituting the electrode (for example, ceramics) are appropriately selected. In any of the adsorption mechanisms, an adsorption force is generated between the ESC electrode and the conveyance carrier 10 by applying voltages having different polarities to the positive electrode and the negative electrode, and the conveyance carrier 10 can be adsorbed to the stage 111. . In the case of the bipolar type, unlike the case of the monopolar type, it is not necessary to charge the carrier 10 for adsorption.

双極型の電極は、正極と負極への電圧の印加の方法によって、単極型として機能させることができる。具体的には、正極と負極に同一極性の電圧を印加することにより、単極型のＥＳＣ電極として利用できる。以下、双極型の電極の正極および負極に、それぞれ極性の異なる電圧を印加する場合を双極モードと呼び、正極および負極に同一極性の電圧を印加する場合を単極モードと呼ぶ。   The bipolar electrode can be made to function as a monopolar type by applying a voltage to the positive electrode and the negative electrode. Specifically, it can be used as a monopolar ESC electrode by applying a voltage of the same polarity to the positive electrode and the negative electrode. Hereinafter, a case where voltages having different polarities are applied to the positive electrode and the negative electrode of the bipolar electrode is referred to as a bipolar mode, and a case where a voltage having the same polarity is applied to the positive electrode and the negative electrode is referred to as a unipolar mode.

単極モードの場合、正極および負極に同一極性の電圧を印加し、吸着メカニズムとしてクーロン力を利用する。双極モードの場合と異なり、正極および負極に電圧を印加しただけでは搬送キャリアを吸着することはできない。単極モードにおいて、搬送キャリア１０を吸着させるためには、搬送キャリア１０を帯電させる必要がある。そのため、単極モードで吸着させる場合には、反応室１０３内にプラズマを発生させ、このプラズマに搬送キャリア１０を曝すことにより、搬送キャリア１０を帯電させる。これにより搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。以上、単極型と双極型のＥＳＣ電極について説明したが、いずれの型式を用いても、搬送キャリア１０をステージに吸着させることが可能である。   In the unipolar mode, a voltage having the same polarity is applied to the positive electrode and the negative electrode, and Coulomb force is used as an adsorption mechanism. Unlike the case of the bipolar mode, the carrier carrier cannot be adsorbed only by applying a voltage to the positive electrode and the negative electrode. In the unipolar mode, in order to attract the transport carrier 10, the transport carrier 10 needs to be charged. Therefore, when adsorbing in the monopolar mode, plasma is generated in the reaction chamber 103 and the carrier 10 is charged by exposing the carrier 10 to this plasma. As a result, the transport carrier 10 is attracted to the stage 111. As described above, the monopolar and bipolar ESC electrodes have been described. However, the transport carrier 10 can be adsorbed to the stage by using any type.

上記のとおり、保持シート３が撓んだ状態にある搬送キャリア１０をステージに搭載すると、保持シート３や基板１自体にシワが生じる場合がある。このようなシワは、保持シート３の基板１と非接触の領域に生じる場合もあるし、保持シート３の基板１と接触している領域に生じる場合もある。後者の場合、保持シート３に貼着された基板１自体にシワが生じる場合もある。   As described above, when the carrier 10 having the holding sheet 3 bent is mounted on the stage, the holding sheet 3 or the substrate 1 itself may be wrinkled. Such wrinkles may occur in a region not in contact with the substrate 1 of the holding sheet 3 or may occur in a region in contact with the substrate 1 of the holding sheet 3. In the latter case, wrinkles may occur on the substrate 1 itself that is adhered to the holding sheet 3.

シワの生じた搬送キャリアを静電吸着機構によりステージに吸着させると、保持シート３に生じたシワの少なくとも一部は、ステージと接触することができず、保持シートは一部がステージから浮き上がった状態で吸着される。このような浮き上がり部が、保持シート３の基板１と接触している領域に生じた場合、そのままプラズマ処理を行うと、浮き上がり部とその他の部分とでエッチングが不均一になって、加工形状のばらつきや未処理部が発生する。さらに、保持シート３の浮き上がり部の生じる領域にかかわらず、浮き上がり部において局所的な温度上昇が発生したり、異常放電が発生する場合がある。この温度上昇や異常放電によって、基板１や保持シート３、さらには、ＥＳＣ電極が破損することも懸念される。また、プラズマ処理後のピックアップ工程において、保持シート３にシワがあることにより、チップを正確に認識することが困難となり、ピックアップミスが生じる場合がある。さらにその後の外観検査工程において、良品と不良品との判別が正確に行われない場合も生じる。   When the wrinkled conveyance carrier is attracted to the stage by the electrostatic adsorption mechanism, at least a part of the wrinkle generated on the holding sheet 3 cannot come into contact with the stage, and a part of the holding sheet is lifted from the stage. Adsorbed in a state. When such a raised portion occurs in a region of the holding sheet 3 that is in contact with the substrate 1, if the plasma treatment is performed as it is, etching becomes uneven at the raised portion and other portions, and the processed shape is reduced. Variations and unprocessed parts occur. Furthermore, regardless of the region where the raised portion of the holding sheet 3 is generated, a local temperature rise or abnormal discharge may occur in the raised portion. There is a concern that the substrate 1, the holding sheet 3, and further the ESC electrode may be damaged by this temperature rise or abnormal discharge. Further, in the pick-up process after the plasma treatment, since the holding sheet 3 is wrinkled, it is difficult to accurately recognize the chip, and a pick-up mistake may occur. Further, in the subsequent appearance inspection process, there may be a case where the good product and the defective product are not accurately discriminated.

本発明は、搬送キャリア１０をステージに搭載する際に、搬送キャリア１０をステージ上で昇降させることで、保持シート３をシワのない状態でステージに吸着させる。   In the present invention, when the transport carrier 10 is mounted on the stage, the transport carrier 10 is moved up and down on the stage so that the holding sheet 3 is attracted to the stage without wrinkles.

（プラズマ処理装置）
まず、図２を参照しながら、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１００を説明する。図２は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１００の断面を概略的に示している。 (Plasma processing equipment)
First, a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 schematically shows a cross section of a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

プラズマ処理装置１００は、ステージ（ステージ）１１１を備えている。搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面（粘着面３ａ）が上方を向くように、ステージ１１１に搭載される。ステージ１１１の上方には、フレーム２および保持シート３の少なくとも一部を覆うとともに、基板１の少なくとも一部を露出させるための窓部１２４Ｗを有するカバー１２４が配置されている。   The plasma processing apparatus 100 includes a stage 111. The carrier 10 is mounted on the stage 111 so that the surface (adhesive surface 3a) that holds the substrate 1 of the holding sheet 3 faces upward. Above the stage 111, a cover 124 having a window 124W for covering at least a part of the frame 2 and the holding sheet 3 and exposing at least a part of the substrate 1 is disposed.

ステージ１１１およびカバー１２４は、反応室（真空チャンバ）１０３内に配置されている。真空チャンバ１０３の頂部は、誘電体部材１０８により閉鎖されており、誘電体部材１０８の上方には、上部電極としてのアンテナ１０９が配置されている。アンテナ１０９は、第１高周波電源１１０Ａと電気的に接続されている。ステージ１１１は、真空チャンバ１０３内の底部側に配置される。   The stage 111 and the cover 124 are disposed in the reaction chamber (vacuum chamber) 103. The top of the vacuum chamber 103 is closed by a dielectric member 108, and an antenna 109 as an upper electrode is disposed above the dielectric member 108. The antenna 109 is electrically connected to the first high frequency power supply 110A. The stage 111 is disposed on the bottom side in the vacuum chamber 103.

真空チャンバ１０３には、ガス導入口１０３ａが接続されている。ガス導入口１０３ａには、プラズマ発生用ガスの供給原であるプロセスガス源１１２およびアッシングガス源１１３が、それぞれ配管によって接続されている。また、真空チャンバ１０３には、排気口１０３ｂが設けられており、排気口１０３ｂには、真空チャンバ１０３内のガスを排気して減圧するための真空ポンプを含む減圧機構１１４が接続されている。プラズマ発生部は、アンテナ１０９、プロセスガス源１１２および第１高周波電源１１０Ａにより構成される。   A gas inlet 103 a is connected to the vacuum chamber 103. A process gas source 112 and an ashing gas source 113, which are supply sources of plasma generating gas, are connected to the gas inlet 103a by pipes. The vacuum chamber 103 is provided with an exhaust port 103b, and a pressure reducing mechanism 114 including a vacuum pump for exhausting and depressurizing the gas in the vacuum chamber 103 is connected to the exhaust port 103b. The plasma generation unit includes an antenna 109, a process gas source 112, and a first high-frequency power source 110A.

ステージ１１１は、それぞれ略円形の電極層１１５と、金属層１１６と、電極層１１５および金属層１１６を支持する基台１１７と、電極層１１５、金属層１１６および基台１１７を取り囲む外周部１１８とを備える。電極層１１５の内部には、静電吸着機構を構成する電極部（以下、ＥＳＣ電極と称する）１１９と、第２高周波電源１１０Ｂに電気的に接続された高周波電極部１２０とが配置されている。ＥＳＣ電極１１９には、直流電源１２６が電気的に接続されている。静電吸着機構は、ＥＳＣ電極１１９および直流電源１２６により構成されている。   The stage 111 includes a substantially circular electrode layer 115, a metal layer 116, a base 117 that supports the electrode layer 115 and the metal layer 116, and an outer peripheral portion 118 that surrounds the electrode layer 115, the metal layer 116, and the base 117. Is provided. Inside the electrode layer 115, an electrode part (hereinafter referred to as an ESC electrode) 119 constituting an electrostatic attraction mechanism and a high-frequency electrode part 120 electrically connected to the second high-frequency power source 110B are arranged. . A DC power supply 126 is electrically connected to the ESC electrode 119. The electrostatic adsorption mechanism is composed of an ESC electrode 119 and a DC power supply 126.

金属層１１６は、例えば、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により構成される。金属層１１６内には、冷媒流路１２７が形成されている。冷媒流路１２７は、ステージ１１１を冷却する。ステージ１１１が冷却されることにより、ステージ１１１に搭載された搬送キャリア１０が冷却されるとともに、ステージ１１１にその一部が接触するカバー１２４も冷却される。冷媒流路１２７内の冷媒は、冷媒循環装置１２５により循環される。   The metal layer 116 is made of, for example, aluminum having an alumite coating on the surface. A coolant channel 127 is formed in the metal layer 116. The refrigerant flow path 127 cools the stage 111. By cooling the stage 111, the transport carrier 10 mounted on the stage 111 is cooled, and the cover 124 that partially contacts the stage 111 is also cooled. The refrigerant in the refrigerant flow path 127 is circulated by the refrigerant circulation device 125.

ステージ１１１の外周付近には、ステージ１１１を貫通する複数の支持部１２２が配置されている。支持部１２２は、昇降機構１２３Ａにより昇降駆動される。支持部１２２がステージ１１１上方の受け渡し位置にあるとき、図示しない搬送機構により、搬送キャリア１０が真空チャンバ１０３内に搬送され、支持部１２２に受け渡される。このとき、支持部１２２は、搬送キャリア１０のフレーム２を支持する。さらに望ましくは、支持部１２２は、搬送キャリア１０の、フレーム２と保持シート３との重なり部分（保持シート３の外周部３ｃ）を支持する。支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア１０は、ステージ１１１の所定の位置に搭載される。   In the vicinity of the outer periphery of the stage 111, a plurality of support portions 122 that penetrate the stage 111 are arranged. The support part 122 is driven up and down by an up-and-down mechanism 123A. When the support unit 122 is at the transfer position above the stage 111, the transfer carrier 10 is transferred into the vacuum chamber 103 by the transfer mechanism (not shown) and transferred to the support unit 122. At this time, the support unit 122 supports the frame 2 of the transport carrier 10. More preferably, the support part 122 supports the overlapping part (the outer peripheral part 3 c of the holding sheet 3) of the transport carrier 10 between the frame 2 and the holding sheet 3. The transport carrier 10 is mounted at a predetermined position of the stage 111 by lowering the upper end surface of the support unit 122 to the same level or lower as the stage 111.

支持部１２２は、ステージ１１１に搭載される際に、昇降機構１２３Ａにより、ステージ１１１の近傍で１回以上昇降される。ステージ１１１の近傍とは、搬送キャリア１０の受け渡し位置から搭載位置までの間であって、例えば、ステージ１１１の表面から、上方０．１ｍｍ〜５ｍｍまでの間である。以下、支持部１２２が、受け渡し位置から搭載位置まで降下する過程において、ステージ１１１近傍で再び上昇し、再度降下する動作を昇降動作Ｍと称する。   When the support unit 122 is mounted on the stage 111, the support unit 122 is lifted and lowered one or more times near the stage 111 by the lifting mechanism 123 </ b> A. The vicinity of the stage 111 is from the delivery position of the transport carrier 10 to the mounting position, for example, between the upper surface of the stage 111 and 0.1 mm to 5 mm above. Hereinafter, an operation in which the support unit 122 rises again in the vicinity of the stage 111 and descends again in the process of lowering from the delivery position to the mounting position is referred to as an elevating action M.

カバー１２４の端部には、複数の昇降ロッド１２１が連結しており、カバー１２４を昇降可能にしている。昇降ロッド１２１は、昇降機構１２３Ｂにより昇降駆動される。昇降機構１２３Ｂの昇降の動作は、昇降機構１２３Ａとは独立して行うことができる。   A plurality of lifting rods 121 are connected to the end of the cover 124 so that the cover 124 can be lifted and lowered. The elevating rod 121 is driven up and down by the elevating mechanism 123B. The raising / lowering operation of the raising / lowering mechanism 123B can be performed independently of the raising / lowering mechanism 123A.

制御装置１２８は、第１高周波電源１１０Ａ、第２高周波電源１１０Ｂ、プロセスガス源１１２、アッシングガス源１１３、減圧機構１１４、冷媒循環装置１２５、昇降機構１２３Ａ、昇降機構１２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置１００を構成する要素の動作を制御する。   The control device 128 includes a first high-frequency power source 110A, a second high-frequency power source 110B, a process gas source 112, an ashing gas source 113, a decompression mechanism 114, a refrigerant circulation device 125, an elevating mechanism 123A, an elevating mechanism 123B, and an electrostatic adsorption mechanism. The operation of the elements constituting the plasma processing apparatus 100 is controlled.

（フレーム）
フレーム２は、基板１の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム２は、保持シート３および基板１を保持し、搬送できる程度の剛性を有している。 (flame)
The frame 2 is a frame having an opening having an area equal to or larger than that of the entire substrate 1 and has a predetermined width and a substantially constant thin thickness. The frame 2 is rigid enough to hold and transport the holding sheet 3 and the substrate 1.

フレーム２の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム２には、位置決めのためのノッチ２ａやコーナーカット２ｂ等が設けられていてもよい。フレーム２の材質としては、例えば、アルミニウムおよびステンレス鋼などの金属や、樹脂などが挙げられる。フレーム２の一方の面には、保持シート３の外周部３ｃの一方の面３ａが貼着される。   The shape of the opening of the frame 2 is not particularly limited, but may be, for example, a circle, a rectangle, or a polygon such as a hexagon. The frame 2 may be provided with notches 2a and corner cuts 2b for positioning. Examples of the material of the frame 2 include metals such as aluminum and stainless steel, and resins. One surface 3 a of the outer peripheral portion 3 c of the holding sheet 3 is attached to one surface of the frame 2.

（保持シート）
保持シート３は、例えば、粘着剤を有する面（粘着面３ａ）と粘着剤を有しない面（非粘着面３ｂ）とを備えている。外周部３ｃの粘着面３ａ側は、フレーム２の一方の面に貼着している。また、粘着面３ａのフレーム２の開口から露出した部分には、基板１が貼着される。粘着面３ａは、紫外線の照射によって粘着力が減少する粘着成分からなることが好ましい。ダイシング後に紫外線照射を行うことにより、個片化された基板（チップ）が、粘着面３ａから容易に剥離され、ピックアップしやすいためである。例えば、保持シート３は、ＵＶ硬化型アクリル粘着剤（粘着面３ａ）とポリオレフィン製の基材（非粘着面３ｂ）とから構成されていてもよい。この場合、ＵＶ硬化型アクリル粘着剤の厚さは５〜２０μｍ、ポリオレフィン製の基材の厚さは５０〜１５０μｍであることが好ましい。 (Holding sheet)
The holding sheet 3 includes, for example, a surface having an adhesive (adhesive surface 3a) and a surface not having an adhesive (non-adhesive surface 3b). The adhesive surface 3 a side of the outer peripheral portion 3 c is attached to one surface of the frame 2. In addition, the substrate 1 is attached to a portion exposed from the opening of the frame 2 of the adhesive surface 3a. The pressure-sensitive adhesive surface 3a is preferably made of a pressure-sensitive adhesive component whose adhesive force decreases when irradiated with ultraviolet rays. This is because, by performing ultraviolet irradiation after dicing, the separated substrate (chip) is easily peeled off from the adhesive surface 3a and is easily picked up. For example, the holding sheet 3 may be composed of a UV curable acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive surface 3a) and a polyolefin base material (non-adhesive surface 3b). In this case, the thickness of the UV curable acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably 5 to 20 μm, and the thickness of the polyolefin substrate is preferably 50 to 150 μm.

保持シート３は、導電性を備えていても良い。単極型のＥＳＣ電極あるいは単極モードで動作するＥＳＣ電極の場合、保持シート３の導電性の有無に関わらず、ステージ１１１に対して高い吸着力を得ることができる。一方、双極モードで動作するＥＳＣ電極の場合、保持シート３の導電性が乏しいと、ステージ１１１に対する吸着力が弱くなる。そのため、導電性を備える保持シート３は、双極型のＥＳＣ電極を双極モードで動作する場合に特に有用である。これにより、双極型ＥＳＣ電極を双極モードで動作する場合、ステージ１１１に対する吸着力を高めることが可能となる。   The holding sheet 3 may have conductivity. In the case of a unipolar ESC electrode or an ESC electrode that operates in a unipolar mode, a high adsorption force can be obtained for the stage 111 regardless of whether the holding sheet 3 is conductive. On the other hand, in the case of the ESC electrode operating in the bipolar mode, if the holding sheet 3 has poor conductivity, the attractive force to the stage 111 becomes weak. Therefore, the holding sheet 3 having conductivity is particularly useful when the bipolar ESC electrode is operated in the bipolar mode. As a result, when the bipolar ESC electrode is operated in the bipolar mode, it is possible to increase the suction force with respect to the stage 111.

（基板）
基板１は、プラズマ処理の対象物であり、特に限定されるものではない。基板１の材質は、特に限定されない。例えば、半導体でもよいし、誘電体でもよいし、金属でもよいし、あるいはこれらの積層体でもよい。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが例示できる。また、誘電体としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、ポリイミド、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）などが例示できる。その大きさも特に限定されるものではなく、例えば、最大径５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度、厚み２５〜１５０μｍ程度である。また、基板１の形状も特に限定されるものではなく、例えば、円形、角型である。基板１には、オリエンテーションフラット（オリフラ）、ノッチ等の切欠き（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。 (substrate)
The substrate 1 is an object of plasma processing and is not particularly limited. The material of the substrate 1 is not particularly limited. For example, a semiconductor, a dielectric, a metal, or a laminate of these may be used. Examples of the semiconductor include silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), and silicon carbide (SiC). Examples of the dielectric include silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), polyimide, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), and the like. The size is not particularly limited, and for example, the maximum diameter is about 50 mm to 300 mm and the thickness is about 25 to 150 μm. Further, the shape of the substrate 1 is not particularly limited, and is, for example, circular or square. The substrate 1 may be provided with notches (not shown) such as an orientation flat (orientation flat) and a notch.

また、基板１の保持シート３に貼着していない面には、所望の形状にレジストマスクが形成されている（図示せず）。レジストマスクが形成されている部分は、プラズマによるエッチングから保護される。レジストマスクが形成されていない部分は、その表面から裏面までがプラズマによりエッチングされ得る。   Further, a resist mask is formed in a desired shape on the surface of the substrate 1 that is not attached to the holding sheet 3 (not shown). The portion where the resist mask is formed is protected from etching by plasma. The portion where the resist mask is not formed can be etched by plasma from the front surface to the back surface.

（静電吸着機構）
静電吸着機構は、ステージ１１１（電極層１１５）の内部に配置されたＥＳＣ型電極１１９に直流電源１２６から電圧を印加し、ステージ１１１と搬送キャリア１０との間に働くクーロン力やジョンソン・ラーベック力によって、ステージ１１１に搬送キャリア１０を吸着させる。ＥＳＣ電極１１９は、その中心とステージ１１１の中心とがほぼ一致するように配置されている。なお、ＥＳＣ電極１１９の中心は、ＥＳＣ電極１１９の全体が収まる最小の正円を描いたとき、当該正円の中心であるとみなすことができる。 (Electrostatic adsorption mechanism)
The electrostatic attraction mechanism applies a voltage from the DC power supply 126 to the ESC type electrode 119 disposed inside the stage 111 (electrode layer 115), and Coulomb force acting between the stage 111 and the transport carrier 10 or Johnson Rabeck. The conveyance carrier 10 is attracted to the stage 111 by force. The ESC electrode 119 is arranged so that the center thereof and the center of the stage 111 substantially coincide. Note that the center of the ESC electrode 119 can be regarded as the center of the perfect circle when a minimum perfect circle in which the entire ESC electrode 119 fits is drawn.

ＥＳＣ電極１１９は、双極型であっても良いし、単極型であっても良い。また、双極型のＥＳＣ電極１１９を、双極モードあるいは単極モードで動作させても良い。ＥＳＣ電極１１９が単極型あるいは単極モードで動作する場合、直流電源１２６および第１高周波電源１１０Ａが作動することにより、搬送キャリア１０がステージ１１１に吸着される。具体的には、第１高周波電源１１０Ａを作動させて反応室１０３内にプラズマを発生させ、搬送キャリア１０の表面を帯電させるとともに、直流電源１２６を作動させて、単極型あるいは単極モードのＥＳＣ型電極１１９に電圧を印加することにより、搬送キャリア１０とステージ１１１との間に吸着力が生じる。   The ESC electrode 119 may be a bipolar type or a monopolar type. Further, the bipolar ESC electrode 119 may be operated in a bipolar mode or a monopolar mode. When the ESC electrode 119 operates in a single-pole type or a single-pole mode, the DC carrier 126 and the first high-frequency power source 110A are activated, so that the transport carrier 10 is attracted to the stage 111. Specifically, the first high-frequency power source 110A is operated to generate plasma in the reaction chamber 103 to charge the surface of the transport carrier 10, and the DC power source 126 is operated to operate in a monopolar type or a monopolar mode. By applying a voltage to the ESC type electrode 119, an attractive force is generated between the transport carrier 10 and the stage 111.

ＥＳＣ電極１１９が双極型であって、双極モードで動作する場合、直流電源１２６を作動させることにより、搬送キャリア１０はステージ１１１に吸着される。具体的には、直流電源１２６を作動させてＥＳＣ型電極１１９の正極と負極にそれぞれ極性の異なる電圧を印加することにより、搬送キャリア１０とステージ１１１との間に吸着力が生じる。以降、ＥＳＣ電極１１９が双極型である場合を例に挙げ、本実施形態を説明するが、これに限定されるものではない。   When the ESC electrode 119 is a bipolar type and operates in the bipolar mode, the transport carrier 10 is attracted to the stage 111 by operating the DC power supply 126. Specifically, the DC power supply 126 is operated to apply voltages having different polarities to the positive electrode and the negative electrode of the ESC type electrode 119, so that an adsorption force is generated between the transport carrier 10 and the stage 111. Hereinafter, the present embodiment will be described by taking a case where the ESC electrode 119 is a bipolar type as an example, but the present invention is not limited to this.

図３に、双極型であるＥＳＣ電極１１９と直流電源１２６との関係を概念的に示す。ＥＳＣ電極１１９は、例えば、図３に示すような櫛形電極である。図３では、正極にＶ１の電圧が印加され、負極に−Ｖ１の電圧が印加されている。ＥＳＣ電極１１９の形状はこれに限定されず、適宜選択すれば良い。   FIG. 3 conceptually shows the relationship between the bipolar ESC electrode 119 and the DC power supply 126. The ESC electrode 119 is, for example, a comb electrode as shown in FIG. In FIG. 3, a voltage of V1 is applied to the positive electrode, and a voltage of -V1 is applied to the negative electrode. The shape of the ESC electrode 119 is not limited to this, and may be selected as appropriate.

ＥＳＣ型電極１１９への電圧印加を開始するタイミングは特に限定されず、昇降動作Ｍの前であっても良いし、昇降動作Ｍ中であっても良いし、昇降動作Ｍが終了した後であっても良い。いずれの場合も、昇降動作Ｍにより、保持シートのシワが解消されるため、保持シート３をシワのない状態でステージ１１１に吸着させることができる。   The timing for starting the voltage application to the ESC type electrode 119 is not particularly limited, and may be before the elevating operation M, during the elevating operation M, or after the elevating operation M is completed. May be. In any case, since the wrinkles of the holding sheet are eliminated by the lifting operation M, the holding sheet 3 can be adsorbed to the stage 111 without wrinkles.

以下、本実施形態を詳細に説明する。なお、本発明は、本実施形態に限定されず、種々の変更が可能である。   Hereinafter, this embodiment will be described in detail. In addition, this invention is not limited to this embodiment, A various change is possible.

（第１実施形態）
本実施形態では、ＥＳＣ電極１１９に電圧が印加された後、昇降動作Ｍを行う。図４（ａ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極１１９にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフを示す。図４（ｂ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、支持部１２２の上端面とステージ１１１との間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフを示す。 (First embodiment)
In the present embodiment, after a voltage is applied to the ESC electrode 119, the lifting operation M is performed. FIG. 4A shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time after the support portion 122 starts to descend, and the vertical axis represents the voltage applied to the ESC electrode 119. FIG. 4B shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time since the support unit 122 started to descend, and the vertical axis represents the distance T between the upper end surface of the support unit 122 and the stage 111. .

図４（ａ）および４（ｂ）において、降下開始は、搬送キャリア１０を支持した支持部１２２が降下し始めた時点である。着地開始は、搬送キャリア１０に保持された保持シートの最も撓んだ部分（撓み部）が、最初にステージ１１１に接触した時点である。着地完了は、支持部１２２の上端面がステージ１１１と同じレベル以下にまで降下し、保持シート３の外周部３ｃがステージ１１１に接触した時点である。   4 (a) and 4 (b), the descent start is the time when the support part 122 supporting the transport carrier 10 starts to descend. The landing start is when the most bent portion (flexible portion) of the holding sheet held by the transport carrier 10 first contacts the stage 111. Completion of landing is when the upper end surface of the support part 122 has been lowered to the same level or lower as the stage 111 and the outer peripheral part 3 c of the holding sheet 3 has come into contact with the stage 111.

保持シート３の撓み部が、ステージ１１１に接触したかどうかは、例えば、支持部１２２の上端面が降下した距離Ｄによって判断する。予め、搬送キャリア１０に保持された保持シート３の撓みＴｃ（後述参照）を測定しておき、支持部１２２の上端面とステージ１１１との間の距離ＴがＴｃになる時の支持部１２２の降下距離Ｄを把握しておく。そして、支持部１２２の降下距離がＤになった時点を、搬送キャリア１０に保持された保持シート３の撓み部が、最初にステージ１１１に接触した時点とみなす。   Whether or not the bent portion of the holding sheet 3 is in contact with the stage 111 is determined, for example, by the distance D at which the upper end surface of the support portion 122 is lowered. The deflection Tc (see below) of the holding sheet 3 held on the transport carrier 10 is measured in advance, and the support portion 122 has a distance T between the upper end surface of the support portion 122 and the stage 111 of Tc. Know the descent distance D. The time point when the descending distance of the support part 122 becomes D is regarded as the time point when the bent part of the holding sheet 3 held by the transport carrier 10 first contacts the stage 111.

撓みＴｃは、例えば、以下のようにして求められる。図５に示すように、搬送キャリア１０を、保持シート３がステージ１１１に接触しない程度以上に上昇している支持部１２２の上端面１２２ａに載置する。このとき、搬送キャリア１０の中心を通る断面において、外周部３ｃの面３ｂを通る直線Ｌ１と、保持シート３の撓み部における面３ｂの接線Ｌ２との最短距離を、撓みＴｃとする。   The deflection Tc is obtained as follows, for example. As shown in FIG. 5, the transport carrier 10 is placed on the upper end surface 122 a of the support part 122 that is raised to the extent that the holding sheet 3 does not contact the stage 111. At this time, in the cross section passing through the center of the transport carrier 10, the shortest distance between the straight line L1 passing through the surface 3b of the outer peripheral portion 3c and the tangent line L2 of the surface 3b at the bent portion of the holding sheet 3 is defined as a deflection Tc.

撓みＴｃは、必ずしも反応室１０３内やプラズマ処理装置１００内で測定する必要はない。例えば、プラズマ処理装置１００での処理を行う前に、あらかじめ、非接触型の光学式測定装置などにより測定してもよい。なお、図５では、説明を分かりやすくするため、撓みＴｃを強調して図示している。フレーム２の直径が約３００ｍｍ、基板１の直径が約１５０ｍｍ、基板１の厚みが約１００μｍ、保持シートの厚みが約１１０μｍの場合、撓みＴｃは、例えば、５０μｍから８００μｍ程度である。   The deflection Tc is not necessarily measured in the reaction chamber 103 or the plasma processing apparatus 100. For example, the measurement may be performed in advance by a non-contact type optical measuring device or the like before performing the processing in the plasma processing apparatus 100. In FIG. 5, the bending Tc is emphasized for easy understanding. When the diameter of the frame 2 is about 300 mm, the diameter of the substrate 1 is about 150 mm, the thickness of the substrate 1 is about 100 μm, and the thickness of the holding sheet is about 110 μm, the deflection Tc is about 50 μm to 800 μm, for example.

図４では、印加が開始された後、保持シート３の着地が開始され、着地が完了するまでの間に昇降動作Ｍが行われている。昇降動作Ｍのタイミングはこれに限定されず、例えば、一旦、保持シート３の着地が完了した後、再び支持部１２２を上昇させて、昇降動作Ｍが行われてもよい。   In FIG. 4, after the application is started, the landing of the holding sheet 3 is started and the raising / lowering operation M is performed until the landing is completed. The timing of the raising / lowering operation M is not limited to this. For example, after the landing of the holding sheet 3 is once completed, the supporting portion 122 is raised again, and the raising / lowering operation M may be performed.

図６Ａおよび６Ｂを参照しながら、昇降動作Ｍについて説明する。図６Ａおよび６Ｂは、搬送キャリア１０を支持した支持部１２２が降下し始めてから、搬送キャリア１０がステージ１１１に搭載されるまでの様子を概念的に示す。図６Ａおよび６Ｂでは、電圧が印加されたＥＳＣ電極１１９にハッチングを入れて示している。なお、図６Ａおよび６Ｂにおいても、説明のため、撓みを強調して図示している。   The raising / lowering operation M will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. 6A and 6B conceptually show a state from when the support part 122 supporting the transport carrier 10 starts to descend until the transport carrier 10 is mounted on the stage 111. 6A and 6B, the ESC electrode 119 to which a voltage is applied is hatched. In FIGS. 6A and 6B, the bending is emphasized for the sake of explanation.

図６Ａ（ａ）に示すように、まず、搬送キャリア１０を支持した支持部１２２が降下し始める。このとき、支持部１２２の上端面１２２ａとステージとの距離Ｔは、撓みＴｃよりも大きい（Ｔ＞Ｔｃ）。支持部１２２の降下が開始された後、ＥＳＣ電極１１９に電圧が印加される。支持部１２２が降下し続け、保持シート３の撓み部がステージ１１１に接触するのと同時に（Ｔ＝Ｔｃ）、当該接触部は、ステージ１１１に吸着される（図６Ａ（ｂ））。以降も、保持シート３のステージ１１１との接触部は、すみやかにステージ１１１に吸着され（図６Ａ（ｃ））、着地が完了する（図６Ａ（ｄ））。   As shown in FIG. 6A (a), first, the support part 122 that supports the transport carrier 10 starts to descend. At this time, the distance T between the upper end surface 122a of the support portion 122 and the stage is larger than the deflection Tc (T> Tc). After the lowering of the support part 122 is started, a voltage is applied to the ESC electrode 119. At the same time as the support portion 122 continues to descend and the bent portion of the holding sheet 3 comes into contact with the stage 111 (T = Tc), the contact portion is attracted to the stage 111 (FIG. 6A (b)). Thereafter, the contact portion of the holding sheet 3 with the stage 111 is immediately attracted to the stage 111 (FIG. 6A (c)), and the landing is completed (FIG. 6A (d)).

昇降動作Ｍは、保持シート３が着地開始した後（図６Ａ（ｃ））、着地完了（図６Ａ（ｄ））までの間に行われる（図６Ｂ（ｅ）〜（ｈ）参照）。昇降動作Ｍは、受け渡し位置から搭載位置へと降下している支持部１２２を、ステージ１１１の近傍で、一旦、上昇させた後、再び降下させる動作である。ここでは、支持部１２２を距離Ｔ＝Ｔｃまで上昇させた後（図６Ｂ（ｅ））、０＜Ｔ＜Ｔｃとなるように降下させる（図６Ｂ（ｆ））動作を２回繰り返している（図６Ｂ（ｇ）、（ｈ））。昇降動作Ｍは、支持部１２２の上昇および降下を１サイクルとして、複数回（例えば、２〜３回）行われても良い。   The raising / lowering operation M is performed after the holding sheet 3 starts landing (FIG. 6A (c)) and before landing is completed (FIG. 6A (d)) (see FIGS. 6B (e) to (h)). The raising / lowering operation M is an operation in which the support portion 122 that is lowered from the delivery position to the mounting position is once raised in the vicinity of the stage 111 and then lowered again. Here, after raising the support part 122 to the distance T = Tc (FIG. 6B (e)), the operation of lowering so as to satisfy 0 <T <Tc (FIG. 6B (f)) is repeated twice ( FIG. 6B (g), (h)). The raising / lowering operation M may be performed a plurality of times (for example, two to three times) with the rising and lowering of the support portion 122 as one cycle.

ＥＳＣ電極１１９に電圧が印加されているため、保持シート３のステージ１１１との接触部分には吸着力が作用する。したがって、保持シート３は、ステージ１１１に接触するのと同時に、ステージ１１１に吸着される。このとき、保持シート３は、シワを有する状態で吸着されている場合がある。昇降動作Ｍにより、保持シート３のステージ１１１との接触部にシワを発生しにくくすることができる。   Since a voltage is applied to the ESC electrode 119, an adsorption force acts on the contact portion of the holding sheet 3 with the stage 111. Therefore, the holding sheet 3 is attracted to the stage 111 at the same time as it contacts the stage 111. At this time, the holding sheet 3 may be adsorbed in a wrinkled state. By the raising / lowering operation M, it is possible to make it difficult to generate wrinkles at the contact portion of the holding sheet 3 with the stage 111.

具体的には、昇降動作Ｍは、保持シート３が着地を開始した後、一旦、支持部１２２を上昇させ、その後、再び支持部１２２を降下させる動作である。支持部１２２を上昇させることにより、搬送キャリア１０がステージ１１１から離間される。支持部１２２の上昇動作により、保持シート３のシワは一旦解消される。昇降動作Ｍにおいて、支持部１２２は、保持シートとステージとが接触するような位置まで上昇させても良いし、接触しない位置まで上昇させても良い。昇降動作Ｍにおいて、支持部１２２は、少なくとも保持シートの撓み部とステージとが接触する位置まで降下させる。   Specifically, the raising / lowering operation M is an operation of once raising the support portion 122 after the holding sheet 3 starts landing and then lowering the support portion 122 again. By raising the support portion 122, the transport carrier 10 is separated from the stage 111. By the raising operation of the support part 122, the wrinkles of the holding sheet 3 are once eliminated. In the raising / lowering operation M, the support part 122 may be raised to a position where the holding sheet and the stage are in contact with each other, or may be raised to a position where they are not in contact with each other. In the raising / lowering operation M, the support part 122 is lowered to a position where at least the bent part of the holding sheet contacts the stage.

支持部１２２の上昇動作の際、フレーム２から保持シート３に張力が加わり、保持シート３のシワのある部分や吸着されていない部分が伸びる。その後、再び支持部１２２を降下させると、まず撓み部がステージ１１１と接触し、再接触と同時にステージ１１１に吸着される。さらに、撓み部を取り囲む領域がステージ１１１と再接触し、再接触と同時に静電吸着される。このとき、保持シート３は、先ほどの上昇動作においてシワのある部分や吸着されていない部分が伸ばされている。そのため、保持シート３は、ステージ１１１の表面に沿った形態をとりやすく（馴染みやすく）、保持シート３のステージ１１１との接触部分が拡大する。このような昇降動作Ｍにより、保持シート３のステージ１１１との接触部に生じていたシワが解消される。よって、保持シート３はシワのない状態でステージ１１１に吸着される。その後、プラズマ処理を行うことにより、基板１は、均一にエッチングされる。   During the raising operation of the support portion 122, tension is applied from the frame 2 to the holding sheet 3, and a wrinkled part or a non-adsorbed part of the holding sheet 3 is extended. Thereafter, when the support portion 122 is lowered again, the bent portion first comes into contact with the stage 111 and is attracted to the stage 111 simultaneously with the re-contact. Furthermore, the area surrounding the bent portion is brought into contact with the stage 111 again, and is electrostatically attracted simultaneously with the re-contact. At this time, the holding sheet 3 is stretched at a wrinkled part or an unadsorbed part in the above-described ascending operation. Therefore, the holding sheet 3 can easily take a form along the surface of the stage 111 (easy to become familiar with), and a contact portion of the holding sheet 3 with the stage 111 is enlarged. By such an elevating operation M, wrinkles that have occurred in the contact portion of the holding sheet 3 with the stage 111 are eliminated. Therefore, the holding sheet 3 is attracted to the stage 111 without wrinkles. Thereafter, the substrate 1 is uniformly etched by performing plasma treatment.

昇降動作Ｍは、ステージ１１１の近傍で行われる。昇降動作Ｍにおいて、支持部１２２は、ステージ１１１の表面から、上方０．１ｍｍ〜５ｍｍまでの間で昇降する。その振幅は、例えば、撓みＴｃと同じかそれより小さいことが好ましい。また、昇降動作Ｍにおいて複数回の昇降を行う場合、昇降の回数を重ねる毎に振幅を小さくしても良い。   The raising / lowering operation M is performed in the vicinity of the stage 111. In the lifting operation M, the support unit 122 moves up and down from the surface of the stage 111 between 0.1 mm and 5 mm above. The amplitude is preferably equal to or smaller than the deflection Tc, for example. Moreover, when performing the raising / lowering a plurality of times in the raising / lowering operation M, the amplitude may be reduced each time the number of times of raising / lowering is repeated.

昇降動作Ｍは、図６Ｂに示すように、保持シート３の少なくとも一部をステージ１１１に接触させた状態で行われても良い。保持シート３の一部を支持点として昇降動作Ｍを行うことにより、保持シートのシワはさらに解消され易くなる。このとき、昇降動作Ｍにおける支持部１２２の降下は、支持部１２２の上端面１２２ａが、ステージ１１１と同じレベル（Ｔ＝０）になるまで行っても良いし、０＜Ｔ＜Ｔｃの範囲で行われても良い。   As shown in FIG. 6B, the lifting operation M may be performed in a state where at least a part of the holding sheet 3 is in contact with the stage 111. By performing the lifting and lowering operation M with a part of the holding sheet 3 as a support point, the wrinkles of the holding sheet are further easily eliminated. At this time, the lowering of the support portion 122 in the lifting operation M may be performed until the upper end surface 122a of the support portion 122 reaches the same level (T = 0) as the stage 111, or in the range of 0 <T <Tc. It may be done.

以下、プラズマ処理装置の動作を、図７を参照しながら、具体的に説明する。なお、図７においても、説明のため、撓みを強調して図示している。   Hereinafter, the operation of the plasma processing apparatus will be specifically described with reference to FIG. In FIG. 7 as well, for the sake of explanation, the deflection is emphasized.

真空チャンバ１０３内では、搬送キャリア１０を支持するために、複数の支持部１２２が上昇した状態で待機している。カバー１２４も上昇した位置で待機している（図７（ａ））。図示しない搬送機構により、搬送キャリア１０が、真空チャンバ１０３内に搬送され、複数の支持部１２２に受け渡される（図７（ｂ））。   In the vacuum chamber 103, in order to support the conveyance carrier 10, it waits in the state where the some support part 122 raised. The cover 124 also stands by at the raised position (FIG. 7 (a)). The transport carrier 10 is transported into the vacuum chamber 103 by a transport mechanism (not shown) and transferred to the plurality of support parts 122 (FIG. 7B).

搬送キャリア１０は、保持シート３の基板１を保持している面（粘着面３ａ）が上方を向くように、支持部１２２の上端面１２２ａに載置される。支持部１２２の上端面１２２ａには、保持シート３の外周部３ｃを介してフレーム２が載置されてもよいし、フレーム２が直接に支持部１２２の上端面１２２ａに載置されても良い。支持部１２２の昇降動作の際の、フレーム２と保持シート３との間の剥離を抑制する観点から、搬送キャリア１０は、保持シート３の外周部３ｃを介して支持部１２２の上端面１２２ａに載置されることが好ましい。   The transport carrier 10 is placed on the upper end surface 122a of the support portion 122 so that the surface (adhesive surface 3a) that holds the substrate 1 of the holding sheet 3 faces upward. The frame 2 may be placed on the upper end surface 122 a of the support portion 122 via the outer peripheral portion 3 c of the holding sheet 3, or the frame 2 may be placed directly on the upper end surface 122 a of the support portion 122. . From the viewpoint of suppressing separation between the frame 2 and the holding sheet 3 during the lifting and lowering operation of the support part 122, the transport carrier 10 is placed on the upper end surface 122 a of the support part 122 via the outer peripheral part 3 c of the holding sheet 3. It is preferable to be mounted.

次に、支持部１２２が降下する（図７（ｃ））。直流電源１２６は、搬送キャリア１０が支持部１２２に受け渡された後、保持シート３の一部が初めてステージ１１１に接触するまでの間に、ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加する。   Next, the support part 122 descends (FIG. 7C). The DC power supply 126 applies a voltage to the ESC electrode 119 after the carrier 10 is delivered to the support unit 122 and before a part of the holding sheet 3 comes into contact with the stage 111 for the first time.

なお、ＥＳＣ電極１１９が単極である場合、搬送機構により搬送キャリア１０が支持部１２２の上端面１２２ａに載置され、搬送機構が真空チャンバ１０３から退出した後、ＥＳＣ電極１１９に電圧が印加されるまでの間に、第１高周波電源１１０Ａから低い電力（例えば、５００Ｗ以下）をアンテナ１０９に投入し、反応室１０３内にプラズマを発生させる。これにより、搬送キャリア１０の表面が帯電し、ＥＳＣ電極１１９に電圧が印加されるのと同時に、搬送キャリア１０をステージ１１１に吸着させることが可能となる。   When the ESC electrode 119 is monopolar, the transport carrier 10 is placed on the upper end surface 122a of the support 122 by the transport mechanism, and after the transport mechanism has left the vacuum chamber 103, a voltage is applied to the ESC electrode 119. In the meantime, low power (for example, 500 W or less) is supplied from the first high-frequency power supply 110A to the antenna 109, and plasma is generated in the reaction chamber 103. As a result, the surface of the transport carrier 10 is charged and a voltage is applied to the ESC electrode 119. At the same time, the transport carrier 10 can be attracted to the stage 111.

さらに、支持部１２２が降下を続けると、保持シート３の外周部３ｃはステージ１１１に接触し、搬送キャリア１０はステージ１１１の所定の位置に搭載される（図７（ｄ））。支持部１２２の上端面１２２ａが、ステージ１１１と同じレベル以下にまで降下している場合、保持シート３の外周部３ｃがステージ１１１に接触していると判断することができる。図７（ｃ）と図７（ｄ）との間で、図６Ｂに示すような昇降動作Ｍが行われる。   Further, when the support portion 122 continues to descend, the outer peripheral portion 3c of the holding sheet 3 comes into contact with the stage 111, and the transport carrier 10 is mounted at a predetermined position on the stage 111 (FIG. 7 (d)). When the upper end surface 122 a of the support part 122 is lowered to the same level or lower as the stage 111, it can be determined that the outer peripheral part 3 c of the holding sheet 3 is in contact with the stage 111. A lifting operation M as shown in FIG. 6B is performed between FIG. 7C and FIG.

昇降動作Ｍが終了すると、支持部１２２の上端面１２２ａがステージ１１１と同じレベル以下にまで降下し、搬送キャリア１０の載置が完了する。その後、昇降機構１２３Ｂにより昇降ロッド１２１が駆動し、カバー１２４を所定の位置にまで降下させる（図７（ｅ））。カバー１２４が所定の降下位置に配置されると、フレーム２および保持シート３の基板１を保持していない部分は、カバー１２４と接触することなくカバー１２４によって覆われ、基板１はカバー１２４の窓部１２４Ｗから露出する。   When the elevating operation M is completed, the upper end surface 122a of the support portion 122 is lowered to the same level or lower as the stage 111, and the placement of the transport carrier 10 is completed. Thereafter, the lifting rod 121 is driven by the lifting mechanism 123B, and the cover 124 is lowered to a predetermined position (FIG. 7E). When the cover 124 is disposed at a predetermined lowered position, the portion of the frame 2 and the holding sheet 3 that does not hold the substrate 1 is covered with the cover 124 without contacting the cover 124, and the substrate 1 is covered with the window of the cover 124. The part 124W is exposed.

カバー１２４は、例えば、略円形の外形輪郭を有したドーナツ形であり、一定の幅および薄い厚みを備えている。カバー１２４の内径（窓部１２４Ｗの直径）はフレーム２の内径よりも小さく、カバー１２４の外径はフレーム２の外径よりも大きい。したがって、搬送キャリア１０をステージの所定の位置に搭載し、カバー１２４を降下させると、カバー１２４は、フレーム２と保持シート３の少なくとも一部を覆うことができる。窓部１２４Ｗからは、基板１の少なくとも一部が露出する。このとき、カバー１２４は、フレーム２、保持シート３および基板１のいずれとも接触しない。カバー１２４は、例えば、セラミックス（例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなど）や石英などの誘電体や、アルミニウムあるいは表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの金属で構成される。   The cover 124 is, for example, a donut shape having a substantially circular outer contour, and has a certain width and a small thickness. The inner diameter of the cover 124 (the diameter of the window portion 124 </ b> W) is smaller than the inner diameter of the frame 2, and the outer diameter of the cover 124 is larger than the outer diameter of the frame 2. Therefore, when the transport carrier 10 is mounted at a predetermined position on the stage and the cover 124 is lowered, the cover 124 can cover at least a part of the frame 2 and the holding sheet 3. At least a part of the substrate 1 is exposed from the window portion 124W. At this time, the cover 124 does not contact any of the frame 2, the holding sheet 3, and the substrate 1. The cover 124 is made of, for example, a dielectric such as ceramics (for example, alumina or aluminum nitride) or quartz, or a metal such as aluminum or aluminum whose surface is anodized.

支持部１２２およびカバー１２４が所定の位置に配置されると、プロセスガス源１１２からガス導入口１０３ａを通って、プロセスガスが真空チャンバ１０３内部に導入される。一方、減圧機構１１４は、真空チャンバ１０３内のガスを排気口１０３ｂから排気し、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。   When the support part 122 and the cover 124 are disposed at predetermined positions, the process gas is introduced into the vacuum chamber 103 from the process gas source 112 through the gas inlet 103a. On the other hand, the decompression mechanism 114 exhausts the gas in the vacuum chamber 103 from the exhaust port 103b, and maintains the inside of the vacuum chamber 103 at a predetermined pressure.

続いて、アンテナ１０９に第１の高周波電源１１０Ａから高周波電力を投入し、真空チャンバ１０３内にプラズマＰを発生させる。発生したプラズマＰは、イオン、電子、ラジカルなどから構成される。次いで、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極１２０に高周波電力を投入し、基板１に対するプラズマ処理を開始する。イオンの基板１への入射エネルギーは、第２高周波電源１１０Ｂから高周波電極１２０に印加されたバイアス電圧によって制御することができる。基板１に形成されたレジストマスクから露出した部分の表面から裏面までが、発生したプラズマＰとの物理化学的反応によって除去され、基板１は個片化される。   Subsequently, high-frequency power is supplied from the first high-frequency power source 110 </ b> A to the antenna 109 to generate plasma P in the vacuum chamber 103. The generated plasma P is composed of ions, electrons, radicals, and the like. Next, high-frequency power is supplied from the second high-frequency power source 110B to the high-frequency electrode 120, and plasma processing for the substrate 1 is started. The incident energy of ions on the substrate 1 can be controlled by a bias voltage applied to the high-frequency electrode 120 from the second high-frequency power source 110B. The portion from the front surface to the back surface of the portion exposed from the resist mask formed on the substrate 1 is removed by a physicochemical reaction with the generated plasma P, and the substrate 1 is singulated.

プラズマ処理の条件は、基板１の材質などに応じて設定される。例えば、基板１がＳｉの場合、真空チャンバ１０３内に、六フッ化硫黄（ＳＦ6）などのフッ素含有ガスのプラズマＰを発生させることにより、基板１はエッチングされる。この場合、例えば、プロセスガス源１１２から、ＳＦ6ガスを１００〜８００ｓｃｃｍで供給しながら、減圧機構１１４により反応室１０３の圧力を１０〜５０Ｐａに制御する。アンテナ１０９に１０００〜５０００Ｗの周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給するとともに、高周波電極１２０に５０〜１０００Ｗの周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する。その際、プラズマ処理による搬送キャリア１０の温度上昇を抑えるため、冷媒循環装置１２５により、ステージ１１１内に循環させる冷媒の温度を−２０から２０℃に設定する。これにより、プラズマ処理中の搬送キャリア１０の温度を、１００℃以下に抑えることができる。 The conditions for the plasma treatment are set according to the material of the substrate 1 and the like. For example, when the substrate 1 is Si, the substrate 1 is etched by generating a plasma P of a fluorine-containing gas such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) in the vacuum chamber 103. In this case, for example, while the SF 6 gas is supplied from the process gas source 112 at 100 to 800 sccm, the pressure in the reaction chamber 103 is controlled to 10 to 50 Pa by the decompression mechanism 114. The antenna 109 is supplied with a high frequency power of 1000 to 5000 W and a frequency of 13.56 MHz, and the high frequency electrode 120 is supplied with a high frequency power of 50 to 1000 W and a frequency of 13.56 MHz. At that time, the temperature of the refrigerant circulated in the stage 111 is set to −20 to 20 ° C. by the refrigerant circulation device 125 in order to suppress the temperature rise of the carrier 10 due to the plasma treatment. Thereby, the temperature of the carrier 10 during plasma processing can be suppressed to 100 ° C. or lower.

エッチング処理の際、レジストマスクから露出した基板１の表面は、垂直にエッチングされることが望ましい。この場合、例えば、ＳＦ6などのフッ素系ガスのプラズマによるエッチングステップと、パーフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）などのフッ化炭素ガスのプラズマによる保護膜堆積ステップとを、交互に繰り返してもよい。 In the etching process, the surface of the substrate 1 exposed from the resist mask is desirably etched vertically. In this case, for example, an etching step using a fluorine-based gas plasma such as SF 6 and a protective film deposition step using a fluorocarbon gas plasma such as perfluorocyclobutane (C 4 F 8 ) may be alternately repeated. .

プラズマＰを発生させた後、ＥＳＣ型電極１１９の動作モードを、双極モードから単極モードに切り替えてもよい。ＥＳＣ型電極１１９の動作モードが双極モードの場合、ＥＳＣ型電極１１９の正極の上部の基板１の表面（正極側表面）と、ＥＳＣ型電極１１９の負極の上部の基板１の表面（負極側表面）とでは、わずかに電位が異なる。また、負極側と比べて、正極側はクーロン力が強く生じるため、わずかであるが吸着力に違いが生じる。   After the plasma P is generated, the operation mode of the ESC type electrode 119 may be switched from the bipolar mode to the monopolar mode. When the operation mode of the ESC electrode 119 is bipolar mode, the surface of the substrate 1 above the positive electrode of the ESC electrode 119 (positive surface) and the surface of the substrate 1 above the negative electrode of the ESC electrode 119 (negative electrode surface) ) And slightly different potentials. Further, since the Coulomb force is generated more strongly on the positive electrode side than on the negative electrode side, there is a slight difference in the adsorption force.

そのため、双極モードの状態でプラズマ処理が開始されると、ＥＳＣ型電極１１９の正極側表面と、負極側表面とで、ステージ１１１への吸着力に差による基板１の温度の違いが生じる。また、正極側表面と負極側表面とで、基板１に加わる実効的なバイアス電圧に差が生じる場合がある。さらには、正極側表面と負極側表面とでエッチングの程度に差が生じる場合がある。これらの理由により、基板１への均一なプラズマ処理が困難となる場合がある。   Therefore, when the plasma processing is started in the bipolar mode, a difference in temperature of the substrate 1 due to a difference in adsorption force to the stage 111 occurs between the positive electrode side surface and the negative electrode side surface of the ESC type electrode 119. Further, there may be a difference in effective bias voltage applied to the substrate 1 between the positive electrode side surface and the negative electrode side surface. Furthermore, there may be a difference in the degree of etching between the positive electrode side surface and the negative electrode side surface. For these reasons, uniform plasma processing on the substrate 1 may be difficult.

双極モードから単極モードへの切り替えは、例えば、正極または負極の一方に印加する電圧の極性を反転するか、あるいは、正極または負極の一方に印加する電圧を変化させて、他方の電圧と同じにすることなどにより行う。   Switching from bipolar mode to unipolar mode is the same as the other voltage by, for example, inverting the polarity of the voltage applied to one of the positive electrode or the negative electrode or changing the voltage applied to one of the positive electrode or the negative electrode It is done by making it.

双極モードから単極モードへの切り替え時に、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着力が瞬間的に弱まって、搬送キャリア１０の冷却が不十分になる場合がある。そのため、双極モードから単極モードへの切り替えは、第１高周波電源１１０Ａから低い電力（例えば、５００Ｗ以下）をアンテナ１０９に投入している間に行われることが好ましい。   At the time of switching from the bipolar mode to the monopolar mode, the suction force of the transport carrier 10 to the stage 111 may be momentarily weakened and cooling of the transport carrier 10 may be insufficient. Therefore, the switching from the bipolar mode to the monopolar mode is preferably performed while low power (for example, 500 W or less) is being applied to the antenna 109 from the first high frequency power supply 110A.

言い換えれば、まず、第１高周波電源１１０Ａから低い電力をアンテナ１０９に投入して低パワーのプラズマを生成させながら、ＥＳＣ型電極１１９の動作モードを双極モードから単極モードに切り替える。この切り替えが完了した後に、第１高周波電源１１０Ａから高い電力をアンテナ１０９に投入して、プラズマ処理を行うことが好ましい（図８（ｃ）参照）。アンテナ１０９への投入電力が低い場合、発生するプラズマのエネルギーが弱いため、プラズマから搬送キャリア１０に伝わる熱が少ない。よって、搬送キャリア１０をステージ１１１に強く吸着させて、冷却する必要性が小さい。そのため、双極モードから単極モードへの切り替え時に、搬送キャリア１０の冷却不足に起因する不具合が発生しにくくなる。   In other words, first, the operation mode of the ESC type electrode 119 is switched from the bipolar mode to the monopolar mode while inputting low power from the first high frequency power supply 110A to the antenna 109 to generate low power plasma. After the switching is completed, it is preferable to perform plasma processing by supplying high power from the first high-frequency power source 110A to the antenna 109 (see FIG. 8C). When the input power to the antenna 109 is low, the energy of the generated plasma is weak, so that the heat transferred from the plasma to the carrier 10 is small. Therefore, there is little need to cool the transport carrier 10 by strongly adsorbing it to the stage 111. Therefore, at the time of switching from the bipolar mode to the monopolar mode, problems due to insufficient cooling of the transport carrier 10 are less likely to occur.

単極モードに切り替えた後、プラズマ処理を開始するまでの間に、各ＥＳＣ型電極１１９への印加電圧を増加させてもよい。図８（ａ）および（ｂ）に、第１高周波電源１１０Ａからアンテナ１０９に電力が投入されてからの時間を横軸、各ＥＳＣ型電極１１９に印加される電圧を縦軸にとった概念的なグラフを示す。図８（ａ）および（ｂ）に示すように、単極モードに切り替えた後、各ＥＳＣ型電極１１９への印加電圧を＋Ｖ２まで段階的に増加させて、搬送キャリア１０のステージ１１１への吸着を十分に高める。その後、第１高周波電源１１０Ａから高い電力をアンテナ１０９に投入して、プラズマ処理を開始する。   The voltage applied to each ESC type electrode 119 may be increased after switching to the monopolar mode and before starting the plasma treatment. FIGS. 8A and 8B are conceptual diagrams in which the horizontal axis represents the time after power is applied to the antenna 109 from the first high frequency power supply 110A and the vertical axis represents the voltage applied to each ESC type electrode 119. A simple graph. As shown in FIGS. 8A and 8B, after switching to the unipolar mode, the voltage applied to each ESC type electrode 119 is increased stepwise to + V2 to attract the carrier 10 to the stage 111. To raise enough. Thereafter, high power is supplied from the first high-frequency power source 110A to the antenna 109, and plasma processing is started.

具体的には、例えば、双極モード時の正極電圧（＋Ｖ１）は１５００Ｖであり、負極電圧（−Ｖ１）は−１５００Ｖであり、アンテナ１０９の投入電力（低電力）は５００Ｗである。次いで、負極電圧（−Ｖ１）を−１５００Ｖから１５００Ｖへと変化させることで、双極モードから単極モードへ切り替える。その後、正極電圧（＋Ｖ１）および負極電圧（−Ｖ１）を、段階的にともに３０００Ｖ（＋Ｖ２）まで増加させる。最後に、アンテナ１０９への投入電力（高電力）を２０００Ｗ〜５０００Ｗに増加させて、プラズマ処理を行う。これにより、双極モードから単極モードへの切り替えに伴う不具合の発生を抑制しつつ、プラズマ処理時においても、搬送キャリア１０をステージ１１１に強く吸着させ、搬送キャリア１０の冷却を確実に行うことができる。   Specifically, for example, the positive voltage (+ V1) in the bipolar mode is 1500 V, the negative voltage (−V1) is −1500 V, and the input power (low power) of the antenna 109 is 500 W. Next, the bipolar mode is switched to the monopolar mode by changing the negative voltage (-V1) from -1500V to 1500V. Thereafter, both the positive electrode voltage (+ V1) and the negative electrode voltage (−V1) are gradually increased to 3000 V (+ V2). Finally, the plasma processing is performed by increasing the input power (high power) to the antenna 109 to 2000 W to 5000 W. Thereby, while suppressing the occurrence of problems associated with switching from the bipolar mode to the monopolar mode, the transport carrier 10 can be strongly attracted to the stage 111 and the transport carrier 10 can be reliably cooled even during plasma processing. it can.

個片化後、アッシングが実行される。アッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガスや、酸素ガスとフッ素を含むガスとの混合ガスなど）を、アッシングガス源１１３から真空チャンバ１０３内に導入する。一方、減圧機構１１４による排気を行い、真空チャンバ１０３内を所定の圧力に維持する。第１高周波電源１１０Ａからの高周波電力の投入により、真空チャンバ１０３内には酸素プラズマが発生し、カバー１２４の窓部１２４Ｗから露出している基板１（チップ）の表面のレジストマスクが完全に除去される。最後に、個片化された基板１を保持する搬送キャリア１０をプラズマ処理装置１００から搬出する。   After singulation, ashing is executed. An ashing process gas (for example, oxygen gas or a mixed gas of oxygen gas and fluorine gas) is introduced into the vacuum chamber 103 from the ashing gas source 113. On the other hand, the vacuum mechanism 114 is evacuated to maintain the vacuum chamber 103 at a predetermined pressure. By applying high-frequency power from the first high-frequency power supply 110A, oxygen plasma is generated in the vacuum chamber 103, and the resist mask on the surface of the substrate 1 (chip) exposed from the window 124W of the cover 124 is completely removed. Is done. Finally, the carrier 10 holding the separated substrate 1 is unloaded from the plasma processing apparatus 100.

（第２実施形態）
本実施形態では、昇降動作Ｍが行われている間に、ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加すること以外、第１実施形態と同様である。図９（ａ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極１１９にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフを示す。図９（ｂ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、支持部１２２の上端面とステージ１１１との間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフを示す。 (Second Embodiment)
This embodiment is the same as the first embodiment except that a voltage is applied to the ESC electrode 119 while the lifting operation M is performed. FIG. 9A shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time since the support portion 122 started to descend, and the vertical axis represents the voltage applied to the ESC electrode 119. FIG. 9B shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time since the support unit 122 started to descend, and the vertical axis represents the distance T between the upper end surface of the support unit 122 and the stage 111. .

図９では、保持シート３の着地が開始された後、着地が完了するまでの間に昇降動作Ｍが行われている。昇降動作Ｍのタイミングはこれに限定されず、例えば、一旦、保持シート３の着地が完了した後、再び支持部１２２を上昇させて、昇降動作Ｍが行われてもよい。   In FIG. 9, after the landing of the holding sheet 3 is started, the lifting operation M is performed until the landing is completed. The timing of the raising / lowering operation M is not limited to this. For example, after the landing of the holding sheet 3 is once completed, the supporting portion 122 is raised again, and the raising / lowering operation M may be performed.

本実施形態によれば、昇降動作Ｍによって、保持シート３の撓み部を緊張させながら、ステージ１１１に接触させることができる。その後、すみやかに電圧印加を開始することで、シワの生じやすい撓み部は、シワのない状態でステージ１１１に吸着される。さらに、吸着された撓み部を支持点として昇降動作Ｍを行うことで、それ以外のシワを解消しながら、吸着することができる。その後、プラズマ処理を行うことにより、基板１は、均一にエッチングされる。   According to the present embodiment, the stage 111 can be brought into contact with the stage 111 while the bending portion of the holding sheet 3 is tensioned by the lifting operation M. Thereafter, the voltage application is started immediately, and the bent portion where wrinkles are likely to occur is attracted to the stage 111 without wrinkles. Furthermore, by performing the lifting / lowering operation M using the sucked bent portion as a support point, it can be sucked while eliminating other wrinkles. Thereafter, the substrate 1 is uniformly etched by performing plasma treatment.

（第３実施形態）
本実施形態では、昇降動作Ｍが行われた後に、ＥＳＣ電極１１９に電圧を印加すること以外、第１実施形態と同様である。図１０（ａ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、ＥＳＣ電極１１９にかけられる電圧を縦軸にとった概念的なグラフを示す。図１０（ｂ）に、支持部１２２が降下を開始してからの時間を横軸、支持部１２２の上端面とステージ１１１との間の距離Ｔを縦軸にとった概念的なグラフを示す。 (Third embodiment)
This embodiment is the same as the first embodiment except that a voltage is applied to the ESC electrode 119 after the lifting operation M is performed. FIG. 10A shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time since the support portion 122 started to descend, and the vertical axis represents the voltage applied to the ESC electrode 119. FIG. 10B shows a conceptual graph in which the horizontal axis represents the time since the support unit 122 started to descend, and the vertical axis represents the distance T between the upper end surface of the support unit 122 and the stage 111. .

図１０では、保持シート３の着地が開始された後、着地が完了するまでの間に昇降動作Ｍが行われている。昇降動作Ｍのタイミングはこれに限定されず、例えば、一旦、保持シート３の着地が完了した後、再び支持部１２２を上昇させて、昇降動作Ｍが行われてもよい。昇降動作Ｍによって、保持シート３を緊張させながらステージ１１１に接触させ、その後、すみやかに電圧を印加することで、保持シート３は、シワのない状態でステージ１１１に吸着される。   In FIG. 10, the raising / lowering operation M is performed after the landing of the holding sheet 3 until the landing is completed. The timing of the raising / lowering operation M is not limited to this. For example, after the landing of the holding sheet 3 is once completed, the supporting portion 122 is raised again, and the raising / lowering operation M may be performed. The holding sheet 3 is attracted to the stage 111 in a wrinkle-free state by causing the holding sheet 3 to come into contact with the stage 111 by the lifting operation M and then quickly applying a voltage.

本発明のプラズマ処理装置は、搬送キャリアに保持された基板をプラズマ処理する装置として有用である。   The plasma processing apparatus of the present invention is useful as an apparatus for plasma processing a substrate held on a carrier.

１：基板、２：フレーム、２ａ：ノッチ、２ｂ：コーナーカット、３：保持シート、３ａ：粘着面、３ｂ：非粘着面、３ｃ：外周部、１０：搬送キャリア、１００：プラズマ処理装置、１０３：真空チャンバ、１０３ａ：ガス導入口、１０３ｂ：排気口、１０８：誘電体部材、１０９：アンテナ（プラズマ源）、１１０Ａ：第１の高周波電源、１１０Ｂ：第２の高周波電源、１１１：ステージ、１１２：プロセスガス源（ガス供給手段）、１１３：アッシングガス源、１１４：減圧機構、１１５：電極層、１１６：金属層、１１７：支持層、１１８：外周部、１１９：ＥＳＣ電極、１２０：高周波電極、１２１：昇降ロッド、１２２：支持部、１２２ａ：上端面、１２３Ａ、１２３Ｂ：昇降機構、１２４：カバー、１２４Ｗ：窓部、１２５：冷媒循環装置、１２６：直流電源、１２７：冷媒流路、１２８：制御装置   1: substrate, 2: frame, 2a: notch, 2b: corner cut, 3: holding sheet, 3a: adhesive surface, 3b: non-adhesive surface, 3c: outer peripheral portion, 10: transport carrier, 100: plasma processing apparatus, 103 : Vacuum chamber, 103a: gas inlet, 103b: exhaust port, 108: dielectric member, 109: antenna (plasma source), 110A: first high frequency power source, 110B: second high frequency power source, 111: stage, 112 : Process gas source (gas supply means), 113: Ashing gas source, 114: Depressurization mechanism, 115: Electrode layer, 116: Metal layer, 117: Support layer, 118: Outer part, 119: ESC electrode, 120: High frequency electrode 121: lifting rod, 122: support portion, 122a: upper end surface, 123A, 123B: lifting mechanism, 124: cover, 124W: window portion, 125: Medium circulation apparatus, 126: DC power supply, 127: refrigerant passage, 128: controller

Claims (6)

搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記搬送キャリアは、保持シートと前記保持シートの外周部に配置されるフレームとを備え、
前記基板は、前記保持シートに保持されており、
前記プラズマ処理装置は、
反応室と、
前記反応室にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記反応室の内部に配置され、前記搬送キャリアを搭載するためのステージと、
前記ステージ内部に設けられた電極部を備える静電吸着機構と、
前記搬送キャリアを、前記ステージ上の搭載位置と前記ステージから上方に離れた受け渡し位置との間で支持する支持部と、
前記支持部を前記ステージに対して昇降させる昇降機構と、を具備し、
前記搬送キャリアを前記ステージに搭載する場合、
前記保持シートが前記ステージに接触した後、前記昇降機構が、前記ステージ近傍で、前記支持部をそれぞれ１回以上、上昇および降下させ、
前記支持部の前記上昇および前記降下が終了した後であって、かつ、前記保持シートの前記外周部が前記ステージに接触した後、前記プラズマ発生部がプラズマを発生させる、プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate held on a carrier,
The transport carrier includes a holding sheet and a frame disposed on an outer peripheral portion of the holding sheet,
The substrate is held by the holding sheet;
The plasma processing apparatus includes:
A reaction chamber;
A plasma generator for generating plasma in the reaction chamber;
A stage disposed inside the reaction chamber for mounting the transport carrier;
An electrostatic attraction mechanism comprising an electrode provided inside the stage;
A support section for supporting the transport carrier between a mounting position on the stage and a delivery position spaced upward from the stage;
An elevating mechanism for elevating the support part with respect to the stage,
When mounting the transport carrier on the stage,
After the holding sheet comes into contact with the stage, the elevating mechanism raises and lowers the support part one or more times in the vicinity of the stage,
A plasma processing apparatus, wherein the plasma generating unit generates plasma after the raising and lowering of the supporting unit is completed and after the outer peripheral portion of the holding sheet is in contact with the stage. 前記支持部の前記上昇および前記降下は、前記保持シートの少なくとも一部を前記ステージに接触させた状態で行われる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。   The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the raising and lowering of the support portion are performed in a state where at least a part of the holding sheet is in contact with the stage. 前記静電吸着機構は、
前記保持シートの前記外周部が前記ステージに接触する前に、前記電極部への電圧の印加を開始する、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。 The electrostatic adsorption mechanism is
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein application of a voltage to the electrode unit is started before the outer peripheral portion of the holding sheet contacts the stage. 基板が保持された搬送キャリアを、プラズマ処理装置に備えられた反応室の内部に配置されたステージに搭載して、前記基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記搬送キャリアは、保持シートと前記保持シートの外周部に配置されるフレームとを備え、
前記基板は、前記保持シートに保持されており、
前記搬送キャリアを、前記ステージから上方に離れた受け渡し位置で、前記ステージに対して昇降可能な支持部に支持させる工程と、
前記支持部を降下させて、前記ステージ上の搭載位置に前記搬送キャリアを搭載する工程と、
前記ステージの内部に設けられる静電吸着機構の電極部に電圧を印加する工程と、
前記反応室にプラズマを発生させる工程と、を具備し、
前記搬送キャリアを搭載する工程が、
前記保持シートが前記ステージに接触した後、前記ステージ近傍で、前記支持部をそれぞれ１回以上、上昇および降下させることを含み、
前記支持部の前記上昇および前記降下が終了した後であって、かつ、前記保持シートの前記外周部が前記ステージに接触した後、プラズマの発生を開始する、プラズマ処理方法。 A plasma processing method for carrying a plasma process on a substrate by mounting a carrier on which a substrate is held on a stage disposed inside a reaction chamber provided in a plasma processing apparatus,
The transport carrier includes a holding sheet and a frame disposed on an outer peripheral portion of the holding sheet,
The substrate is held by the holding sheet;
Supporting the transport carrier on a support portion capable of moving up and down with respect to the stage at a transfer position away from the stage upward;
Lowering the support and mounting the transport carrier at a mounting position on the stage;
Applying a voltage to an electrode portion of an electrostatic adsorption mechanism provided inside the stage;
Generating plasma in the reaction chamber,
The step of mounting the carrier is
After the holding sheet contacts the stage, including raising and lowering the support part one or more times in the vicinity of the stage,
A plasma processing method of starting generation of plasma after completion of the raising and lowering of the support portion and after the outer peripheral portion of the holding sheet comes into contact with the stage. 前記支持部の前記上昇および前記降下が、前記保持シートの少なくとも一部を前記ステージに接触させた状態で行われる、請求項４に記載のプラズマ処理方法。   The plasma processing method according to claim 4, wherein the raising and lowering of the support portion are performed in a state where at least a part of the holding sheet is in contact with the stage. 前記保持シートの前記外周部が前記ステージに接触する前に、前記電極部への電圧の印加を開始する、請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。   The plasma processing method according to claim 4 or 5, wherein application of a voltage to the electrode portion is started before the outer peripheral portion of the holding sheet contacts the stage.
JP2015074037A 2015-03-31 2015-03-31 Plasma processing apparatus and plasma processing method Active JP6481979B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015074037A JP6481979B2 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN201610032763.3A CN106024565B (en) 2015-03-31 2016-01-19 Plasma treatment appts and plasma processing method
US15/015,934 US9911638B2 (en) 2015-03-31 2016-02-04 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015074037A JP6481979B2 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016195020A JP2016195020A (en) 2016-11-17
JP6481979B2 true JP6481979B2 (en) 2019-03-13

Family

ID=57322973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015074037A Active JP6481979B2 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6481979B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6650593B2 (en) * 2017-02-17 2020-02-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP7209247B2 (en) * 2018-09-25 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Element chip manufacturing method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256355A (en) * 1997-03-17 1998-09-25 Nikon Corp Positioning device, substrate holding device, and exposure device provided with the holding device
JP2000234973A (en) * 1999-02-16 2000-08-29 Ngk Insulators Ltd Method and apparatus for measurement of surface characteristic of bipolar electrostatic chuck
JP6075555B2 (en) * 2013-07-05 2017-02-08 日新イオン機器株式会社 Electrostatic chuck system and semiconductor manufacturing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016195020A (en) 2016-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106024682B (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6296299B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6519802B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP6524534B2 (en) Method of manufacturing element chip
JP2018137405A (en) Device chip and method for manufacturing the same
JP6818351B2 (en) Wafer processing equipment
US9941132B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6650593B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2015225890A (en) Plasma processing apparatus and method
JP2016051876A (en) Plasma processing device and plasma processing method
US9911638B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6555656B2 (en) Plasma processing apparatus and electronic component manufacturing method
JP6481979B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2016195151A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2016195150A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2016195155A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6485702B2 (en) Plasma processing method and electronic component manufacturing method
JP6573231B2 (en) Plasma processing method
JP6440120B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6982837B2 (en) Plasma processing method
JP2018078168A (en) Plasma processing method and plasma processing device
JP6558567B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6778920B2 (en) Plasma processing equipment and plasma processing method
JP7361306B2 (en) Plasma processing equipment, plasma processing method, and device chip manufacturing method
JP2020053473A (en) Method for manufacturing element chip

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171208

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20171208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190204

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6481979

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151