JP2023058022A - 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施例1
2,4-トルエンジイソシアネート(2,4-TDI)100重量部対比、2,6-トルエンジイソシアネート(2,6-TDI)25重量部を含む芳香族ジイソシアネートを用意し、前記芳香族ジイソシアネート全体100重量部対比、4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート(H12MDI)11重量部を混合してイソシアネート成分を用意した。前記イソシアネート成分全体100重量部対比、重量平均分子量(Mw)が1,000g/molであるポリテトラメチレンエーテルグリコール(PTMG)130重量部を用意し、前記イソシアネート成分全体100重量部対比、重量平均分子量(Mw)が106g/molであるジエチレングリコール(DEG)14重量部を混合してポリオール成分を用意した。前記イソシアネート成分および前記ポリオール成分を含む混合原料を4口フラスコに投入後、80℃で反応させてウレタン系プレポリマーを含む予備組成物を製造した。前記予備組成物中のイソシアネート基(NCO基)の含有量は9重量%に調節された。前記予備組成物に硬化剤として4,4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(MOCA)を混合しかつ、前記予備組成物中のNCO基に対する前記MOCAのNH2基のモル比が0.96となるように混合した。また、前記予備組成物に膨張性粒子の固相発泡剤(Akzonobel社)1.0重量部およびシリコーン系界面活性剤(OFX-193)1.0重量部を混合した。前記予備組成物を、横1,000mm、縦1,000mm、高さ3mmであり、90℃に予熱されたモールドに注入しかつ、10kg/minの吐出速度で注入し、同時に気相発泡剤として窒素(N2)気体を1.0L/minの注入速度で前記予備組成物の注入時間と同一時間注入した。次いで、前記予備組成物を110℃の温度条件下で後硬化反応してシートを製造した。前記シートを旋削(line turning)加工し、表面が幅(width、w1)0.5mm、ピッチ(pitch、p1)3.0mm、深さ(depth、d1)0.85mmである同心円状グルーブを加工して、厚さ1.0mmの研磨可変層を製造した。
前記実施例1において、前記研磨不変層を排除し、前記研磨可変層を厚さ2.0mmに製造して、前記研磨可変層のグルーブが生成された面の裏面;および前記クッション層の一面;上に両面接着テープを付着させた後、それぞれの接着テープの付着面が互いに当接するように配置後、貼り合わせて、総厚さ3.1(±0.5)mmの研磨パッドを製造したことを除き、前記実施例1と同様の方法で研磨パッドを製造した。
前記実施例1において、前記研磨不変層を排除し、前記研磨可変層のグルーブが生成された面の裏面;および前記クッション層の一面;上に両面接着テープを付着させた後、それぞれの接着テープの付着面が互いに当接するように配置後、貼り合わせて、総厚さ2.1(±0.5)mmの研磨パッドを製造したことを除き、前記実施例1と同様の方法で研磨パッドを製造した。
4,4'-ジフェニルメタンジイソシアネート(4,4'-diphenylmethanediisocyanate、MDI)を含む芳香族イソシアネート化合物を用意し、前記MDI100重量部対比、1,4-ブタンジオール11重量部およびポリテトラメチレンエーテルグリコール(PTMG650)120重量部を混合して、横1,000mm、縦1,000mm、高さ3mmであり、80℃に予熱されたケーキ(Cake)状のモールドに投入後、120分硬化させ、常温で後硬化した後、110℃の温度で12時間熟成し、これを厚さ1.0mmにスライシングして研磨不変層を用意したことを除き、前記実施例1と同様の方法で研磨パッドを製造した。
実験例1:硬度特性評価
前記実施例および比較例それぞれの研磨可変層、研磨不変層、クッション層とこれらの組み合わせの少なくとも1つからなる積層体に対するショアD(Shore D)硬度を測定した。具体的には、横および縦をそれぞれ5cm×5cmの大きさに裁断してサンプルを用意し、それぞれのサンプルを温度25℃で12時間保管後、硬度計(Bareiss、HPEIII)を用いて測定した。また、それぞれの硬度測定値に基づいて、前記研磨可変層の硬度(H1)と前記研磨不変層の硬度(H2)との比率(H2/H1);前記研磨層の硬度(Hp)と前記クッション層の硬度(Hc)との比率(Hc/Hp);および前記研磨層の硬度(Hp)と前記研磨パッド全体の硬度(Ht)との比率(Hp/Ht)を算出した。その結果は下記表1に記載した通りである。
前記実施例および比較例それぞれの研磨パッドサンプル25mm×25mmに対して、無負荷状態の初期厚さ(D1)を測定し、常温で前記サンプルに800gの重りで3分間加圧する圧力条件下で加圧して変形された厚さ(D2)を測定した後、(D1-D2)/D1×100の式を用いて圧縮率(%)を導出した。
前記実施例および比較例それぞれに対して、それぞれの研磨パッドが製造された後、研磨工程に適用される前の前記研磨可変層の第1面に対する表面粗さ(Ri)を中心線の平均粗さ(Ra)を基準として測定し、それぞれの研磨パッドの全体厚さ(Ti)とそれぞれの第1面上のグルーブの深さ(Gi)を測定した。
前記実施例および比較例それぞれの研磨パッドに対して、前記実験例3と同様の方法で研磨を進行させた後、下記のようにそれぞれの研磨性能を評価した。その結果は表1に記載した通りである。
前記実験例3と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、乾燥したシリコンウエハに対して、光干渉式膜厚測定装置(SI-F80R、Kyence社)を用いて研磨前後の膜厚の変化を測定した。以後、下記式を用いて研磨率を計算した。このように、計5回の研磨率を測定して数平均値を求めて平均研磨率とした。
前記実験例3と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、研磨対象の研磨された表面を肉眼観察して、スクラッチ(scratch)などの欠陥(Defect)の個数を導出した。具体的には、研磨後のシリコンウエハをクリーナ(Cleaner)に移動させて、1%フッ化水素(HF)と精製水(DIW);1%硝酸(H2NO3)と精製水(DIW)をそれぞれ用いて10秒ずつ洗浄した。以後、スピンドライヤ(spin dryer)に移動させて、精製水(DIW)で洗浄した後、窒素(N2)で15秒間乾燥した。乾燥したシリコンウエハをディフェクト(Defect)測定装置(Tenkor社、XP+)を用いて研磨前後の欠陥の変化を肉眼観察した。
前記実験例3と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、98箇所のウエハの面内膜厚を測定して、(研磨された厚さの標準偏差(Å)/平均研磨厚さ(Å))×100の式を用いて研磨平坦度(WIWNU:Within Wafer Non Uniformity、%)を導出した。
前記表1を参照すれば、前記実施例1~2の研磨パッドは、互いに異なる材質の前記研磨可変層および前記研磨不変層の積層構造を前記研磨層に適用しかつ、2つの層の相互硬度比率が約0.50~約1.50の範囲を満足するように設計することにより、研磨率、欠陥および研磨平坦度の面から、前記比較例1~3と比較して同等またはそれ以上の水準の優れた研磨性能を実現することを確認することができた。この時、前記実施例1~2の研磨パッドは、前記研磨不変層の原料として再利用が容易な熱可塑性樹脂原料を適用することにより、本来の研磨機能に加えて、生産性および経済性の面でも向上した効果を得ることを確認することができた。
2,4-トルエンジイソシアネート(2,4-TDI)100重量部対比、2,6-トルエンジイソシアネート(2,6-TDI)25重量部を含む芳香族ジイソシアネートを用意し、前記芳香族ジイソシアネート全体100重量部対比、4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート(H12MDI)11重量部を混合してイソシアネート成分を用意した。前記イソシアネート成分全体100重量部対比、重量平均分子量(Mw)が1,000g/molであるポリテトラメチレンエーテルグリコール(PTMG)130重量部を用意し、前記イソシアネート成分全体100重量部対比、重量平均分子量(Mw)が106g/molであるジエチレングリコール(DEG)14重量部を混合してポリオール成分を用意した。前記イソシアネート成分および前記ポリオール成分を含む混合原料を4口フラスコに投入後、80℃で反応させてウレタン系プレポリマーを含む予備組成物を用意した。前記予備組成物中のイソシアネート基(NCO基)の含有量は9重量%に調節された。前記予備組成物に、硬化剤として4,4'-メチレンビス(2-クロロアニリン)(MOCA)を混合しかつ、前記予備組成物中のNCO基に対する前記MOCAのNH2基のモル比が0.96となるように混合した。また、前記予備組成物に膨張性粒子の固相発泡剤(Akzonobel社)1.0重量部およびシリコーン系界面活性剤(OFX-193)1.0重量部を混合した。前記予備組成物を、横1,000mm、縦1,000mm、高さ3mmであり、90℃に予熱されたモールドに注入しかつ、10kg/minの吐出速度で注入し、同時に気相発泡剤として窒素(N2)気体を1.0L/minの注入速度で前記予備組成物の注入時間と同一時間注入した。次いで、前記予備組成物を110℃の温度条件下で後硬化反応してシートを製造した。前記シートを旋削(line turning)加工し、表面が幅(width、w1)0.5mm、ピッチ(pitch、p1)3.0mm、深さ(depth、d1)0.85mmである同心円状グルーブを加工して、厚さ1.0mmの研磨可変層を製造した。
前記実施例3の研磨不変層の製造において、前記バインダー用組成物100重量部に対して、前記熱硬化性ポリウレタン粒子が約900重量部含まれるように相互混合したことを除き、同様の方法で研磨パッドを製造した。
前記実施例3の研磨不変層の製造において、前記バインダー用組成物100重量部に対して、前記熱硬化性ポリウレタン粒子が約11重量部含まれるように相互混合したことを除き、同様の方法で研磨パッドを製造した。
前記実施例3において、前記研磨不変層を排除し、前記研磨可変層を厚さ2.0mmに製造して、前記研磨可変層のグルーブが生成された面の裏面;および前記クッション層の一面;上に両面接着テープを付着させた後、それぞれの接着テープの付着面が互いに当接するように配置後、貼り合わせて、総厚さ3.1(±0.5)mmの研磨パッドを製造したことを除き、前記実施例1と同様の方法で研磨パッドを製造した。
実験例5:研磨パッドの硬度評価
前記実施例および比較例それぞれの研磨パッドに対して、研磨面である第1面のショアD(Shore D)硬度を測定した。具体的には、横および縦をそれぞれ5cm×3cmの大きさに裁断してサンプルを用意し、それぞれのサンプルを温度25℃で12時間保管後、ショアD(Shore D)硬度計を用いて測定した。その結果は下記表2に記載した通りである。
前記実施例および比較例それぞれの研磨パッドに対して、無負荷状態の初期厚さ(D1)を測定し、常温で2400gの直径25mmの断面積を有する円柱の重りで1分間加圧する圧力条件下で加圧して変形された厚さ(D2)を測定した後、(D1-D2)/D1×100の式を用いて圧縮率(%)を導出した。
前記実施例および比較例それぞれに対して、それぞれの研磨パッドが製造された後、研磨工程に適用される前の前記研磨可変層の第1面に対する表面粗さ(Ri)を中心線の平均粗さ(Ra)を基準として測定し、それぞれの研磨パッドの全体厚さ(Ti)とそれぞれの第1面上のグルーブの深さ(Gi)を測定した。
前記実施例および比較例それぞれの研磨パッドに対して、前記実験例3と同様の方法で研磨を進行させた後、下記のようにそれぞれの研磨性能を評価した。その結果は表1に記載した通りである。
前記実験例6と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、乾燥したシリコンウエハに対して、光干渉式膜厚測定装置(F54、Filmetrics社)を用いて研磨前後の膜厚の変化を測定した。以後、下記式を用いて研磨率を計算した。このように、計5回の研磨率を測定して数平均値を求めて平均研磨率とした。
前記実験例6と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、研磨対象の研磨された表面を肉眼観察してスクラッチ(scratch)などの欠陥(Defect)の個数を導出した。具体的には、研磨後、シリコンウエハをクリーナ(Cleaner)に移動させて、1%フッ化水素(HF)と精製水(DIW);1%硝酸(H2NO3)と精製水(DIW)をそれぞれ用いて10秒ずつ洗浄した。以後、スピンドライヤ(spin dryer)に移動させて、精製水(DIW)で洗浄した後、窒素(N2)で15秒間乾燥した。乾燥したシリコンウエハをディフェクト(Defect)測定装置(Tenkor社、XP+)を用いて研磨前後の欠陥の変化を肉眼観察した。
前記実験例6と同様の方法で研磨を進行させかつ、1分間研磨を進行させた後、49箇所のウエハの面内膜厚を測定して、(研磨された厚さの標準偏差(Å)/平均研磨厚さ(Å))×100の式を用いて研磨平坦度(WIWNU:Within Wafer Non Uniformity、%)を導出した。
前記表2を参照すれば、前記実施例3~5の研磨パッドは、研磨可変層および研磨不変層を含み、前記研磨不変層として前記研磨可変層のグルーブおよび厚さ加工中に発生した副産物を、粉砕機を用いて平均粒径が1~2mm(平均粒径約1.5mm)となるように粉砕した粉砕粒子を、所定のバインダーとともに適用した再利用層を適用した。前記比較例4は、このような再利用層の適用がない研磨パッドであって、前記実施例3~5の研磨パッドは、再利用された構成を含むにもかかわらず、前記比較例4と同等水準の研磨性能を実現することから、本来の研磨機能に加えて、工程生産性および経済性の面でも向上した効果を得ることを確認することができた。
Claims (10)
- 研磨層を含み、
前記研磨層は、研磨面を有する研磨可変層と、前記研磨可変層の前記研磨面の裏面側に配置される研磨不変層とを含み、
前記研磨可変層と前記研磨不変層との界面が分離可能界面である、
研磨パッド。 - 前記研磨可変層のショアD(shore D)硬度と前記研磨不変層のショアD硬度との比率が0.50~1.50である、
請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨可変層は、前記研磨層の全体体積中の30体積%~60体積%である、
請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨可変層が前記研磨面に前記研磨可変層の全体厚さより小さいか、前記研磨可変層の全体厚さと同一の深さを有する少なくとも1つのグルーブ(Groove)を含み、
前記研磨可変層の下記式2による第2研磨可変性指数(Polishing variability index)が0.1~3.5である、
請求項1に記載の研磨パッド:
[式2]
上記式2中、
前記Riは、前記研磨可変層の寿命導入時点の前記研磨面の表面粗さ(Ra)であり、
前記Rfは、前記研磨可変層の寿命終結時点の前記研磨面の表面粗さ(Ra)であり、
前記Giは、前記研磨可変層の寿命導入時点の前記グルーブの深さであり、
前記Gfは、前記研磨可変層の寿命終結時点の前記グルーブの深さである。 - 全体積層体に対するショアD(Shore D)硬度が45~70である、
請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨可変層は、熱硬化性樹脂を含み、
前記研磨不変層は、熱可塑性樹脂を含む、
請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨不変層は、熱硬化性ポリウレタン粒子およびバインダーを含む組成物の硬化物を含む、
請求項1に記載の研磨パッド。 - 研磨面を有する研磨層を含む研磨パッドを定盤上に提供するステップと、
前記研磨面に研磨対象の被研磨面が当接するように配置した後、加圧条件下、前記研磨パッドと前記研磨対象を互いに相対回転させながら前記研磨対象を研磨させるステップと、を含み、
前記研磨層は、前記研磨面を含む研磨可変層と、前記研磨可変層の前記研磨面の裏面側に配置された研磨不変層とを含み、
前記研磨可変層と前記研磨不変層との界面が分離可能界面である、
半導体素子の製造方法。
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