JP2023037328A - センサモジュール、およびセンサモジュールを備える表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】近接する入力手段の位置を正確に特定することが可能な非接触式センサ、および当該非接触式センサを備える表示装置を提供すること。【解決手段】センサモジュールは、センサ基板、複数のセンサ電極、および複数のセンサ配線を備える。センサ基板は、センサ領域とセンサ領域を囲むセンサ額縁領域を有する。複数のセンサ電極は、センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列される。複数のセンサ配線は、複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応するセンサ電極と電気的に接続され、センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する。複数の端子は、センサ領域の一辺側に配列される。各列において、センサ電極に接続されるセンサ配線の少なくとも一つは、抵抗調整部を有する。抵抗調整部を有するセンサ配線において、抵抗調整部は、他の部分よりも抵抗が高い。【選択図】図７

Description

本発明の実施形態の一つは、センサモジュール、およびセンサモジュールを備える表示装置に関する。例えば、本発明の実施形態の一つは、非接触式センサモジュール、および非接触式センサモジュールを備える表示装置に関する。

情報端末に情報を入力するためのインターフェースの一つとして、タッチセンサが広く用いられている。現在主流のタッチセンサは、人の指や手がタッチセンサに直接接触した位置を特定する。これに対し、近年、人の指や掌、あるいはタッチペンなどの入力用治具（以下、これらを入力手段とも記す。）をタッチセンサに接触させず、タッチセンサの近傍に位置させるだけで情報入力が可能な非接触式センサ（ホバーセンサ）が開発されている（特許文献１から３参照。）。

米国特許出願公開第２０１４／００４９４８６号明細書 米国特許出願公開第２０１３／０３４２４９８号明細書 米国特許出願公開第２０１４／００４９５０８号明細書

本発明の実施形態の一つは、新しい構造を有する非接触式センサ、および当該非接触式センサを備える表示装置を提供することを課題の一つとする。あるいは、本発明の実施形態の一つは、近接する入力手段の位置を正確に特定することが可能な非接触式センサ、および当該非接触式センサを備える表示装置を提供することを課題の一つとする。

本発明の実施形態の一つは、センサモジュールである。このセンサモジュールは、センサ基板、複数のセンサ電極、および複数のセンサ配線を備える。センサ基板は、センサ領域とセンサ領域を囲むセンサ額縁領域を有する。複数のセンサ電極は、センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列される。複数のセンサ配線は、複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応するセンサ電極と電気的に接続され、センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する。複数の端子は、センサ領域の一辺側に配列される。各列において、センサ電極に接続されるセンサ配線の少なくとも一つは、抵抗調整部を有する。抵抗調整部を有するセンサ配線において、抵抗調整部は、他の部分よりも抵抗が高い。

本発明の実施形態の一つは、センサモジュールである。このセンサモジュールは、センサ基板、複数のセンサ電極、および複数のセンサ配線を備える。センサ基板は、センサ領域とセンサ領域を囲むセンサ額縁領域を有する。複数のセンサ電極は、センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列される。複数のセンサ配線は、複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応するセンサ電極と電気的に接続され、センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する。複数の端子は、センサ領域の一辺側に配列される。各列において、複数のセンサ電極の少なくとも一つは、少なくとも一つの切り欠きを有する。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。この表示装置は、複数の画素を有するアレイ基板を含む表示モジュール、および表示モジュール上のセンサモジュールを備える。センサモジュールは、センサ基板、複数のセンサ電極および複数のセンサ配線を備える。センサ基板は、センサ領域とセンサ領域を囲むセンサ額縁領域を有する。複数のセンサ電極は、センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列される。複数のセンサ配線は、複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応するセンサ電極と電気的に接続され、センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する。複数の端子は、センサ領域の一辺側に配列される。各列において、センサ電極に接続されるセンサ配線の少なくとも一つは、抵抗調整部を有する。抵抗調整部を有するセンサ配線において、抵抗調整部は、他の部分よりも抵抗が高い。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。この表示装置は、複数の画素を有するアレイ基板を含む表示モジュール、および表示モジュール上のセンサモジュールを備える。センサモジュールは、センサ基板、複数のセンサ電極、および複数のセンサ配線を備える。センサ基板は、センサ領域とセンサ領域を囲むセンサ額縁領域を有する。複数のセンサ電極は、センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列される。複数のセンサ配線は、複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応するセンサ電極と電気的に接続され、センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する。複数の端子は、センサ領域の一辺側に配列される。各列において、複数のセンサ電極の少なくとも一つは、少なくとも一つの切り欠きを有する。

本発明の実施形態に係る表示装置の模式的展開斜視図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的端面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的端面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。 本発明の実施形態に係るセンサモジュールの模式的上面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面などを参照しつつ説明する。ただし、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。同一、あるいは類似する複数の構造を総じて表す際にはこの符号が用いられ、これらを個々に表す際には符号の後にハイフンと自然数が加えられる。また、一つの構造の一部を示す際には、符号の後に小文字のアルファベットを付すことがある。

本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出する」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。また、この表現で表される態様は、ある構造体が他の構造体と接していない態様も含む。

本発明の実施形態において、複数の膜が同一の工程で同時に形成された場合、これらの膜は同一の層構造、同一の材料、同一の組成を有する。したがって、これら複数の膜は同一層内に存在しているものと定義する。

以下、本発明の実施形態の一つであるセンサモジュール２００、およびセンサモジュール２００を備える表示装置１００の構造について説明する。

１．全体構造
表示装置１００の模式的展開斜視図を図１に示す。表示装置１００は、表示モジュール１１０、および表示モジュール１１０の上に配置されるセンサモジュール２００を含む。表示モジュール１１０とセンサモジュール２００は、図１では示されない接着層によって互いに固定される。

２．表示モジュール
表示モジュール１１０は、映像を表示する機能を有するデバイスであり、アレイ基板１１２、アレイ基板１１２上に形成される複数の画素１１６、アレイ基板１１２上の対向基板１１４を基本的な構成として備える。複数の画素１１６を囲む矩形の最小領域は表示領域１２０と呼ばれる。各画素１１６は表示素子を備えており、色情報を提供する最小単位として機能する。表示素子としては、液晶素子をはじめ、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）に例示される電界発光素子などを用いることができる。液晶素子を用いる場合には、表示モジュール１１０には、図示しない光源（バックライト）がさらに設けられる。各画素１１６は、フレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１１８を介して供給される電源と映像信号に従って動作し、映像信号に基づく階調で特定の色の光を提供する。画素１１６の動作を映像信号に基づいて制御することで、表示領域１２０上に映像を表示することができる。

表示モジュール１１０の大きさには制約はなく、例えば１２．１インチ（３１ｃｍ）サイズと呼ばれる携帯通信端末などに利用される大きさでもよく、コンピュータに接続されるモニタやテレビ、サイネージなどに好適な大きさ（例えば、１４．１インチ（３６ｃｍ）サイズから３２インチ（８１ｃｍ）サイズ）でもよく、さらに大きなサイズであってもよい。

３．センサモジュール
３－１．全体構成
センサモジュール２００は、表示モジュール１１０からの光を透過させるとともに、表示装置１００に情報を入力するためのインターフェースとして機能するデバイスである。センサモジュール２００は所謂非接触式センサモジュールであり、指や掌、先端に樹脂が配置されたタッチペンなどの入力手段がセンサモジュール２００に接触したときのみならず、入力手段がセンサモジュール２００に接することなく近傍（例えば、センサモジュール２００の最外表面から５ｍｍ以内、１０ｍｍ以内、または２０ｍｍ以内の範囲）に配置された際にも入力手段を検出し、センサモジュール２００上における入力手段の位置を特定する機能を備える。

具体的には、図１や模式的上面図（図２）に示すように、センサモジュール２００は、センサ基板２０２とセンサ基板２０２に対向するカバー基板２０４を備え、センサ基板２０２とカバー基板２０４の間に複数のセンサ電極２０６が設けられる。複数のセンサ電極２０６は複数の行と複数の列に配置される。図２に示された例では、４行６列のマトリクス状に配置された２４のセンサ電極２０６がセンサモジュール２００に設けられている。センサ電極２０６の数や大きさは、表示装置１００の大きさ、センサモジュール２００に要求される検出精度などに応じて適宜設定すればよい。ここで、全てのセンサ電極２０６を囲む矩形の最小領域をセンサ領域２１０と呼び、センサ領域２１０を囲む領域をセンサ額縁領域と呼ぶ。

センサ基板２０２とカバー基板２０４は、表示モジュール１１０によって表示される映像を視認させるため、可視光を透過する材料で構成される。このため、センサ基板２０２とカバー基板２０４は、ガラスや石英、ポリイミドやポリアミド、ポリカーボネートなどの高分子材料などで構成される。

センサ電極２０６の各々は、複数の画素１１６と重なり、少なくも表示領域１２０の一部と重なるように配置される。例えば図２に示すように、鎖線で示されるセンサ領域２１０が表示領域１２０の全てと重なるようにセンサ電極２０６が配置される。図示しないが、センサ領域２１０と表示領域１２０は同一の形状を有してもよい。あるいは、センサ領域２１０は表示領域１２０よりも小さくてもよい。この場合には、センサ領域２１０の全体が表示領域１２０と重なるようにセンサ電極２０６が配置される。

センサ電極２０６は、例えばインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過する導電性酸化物、あるいは、モリブデンやタングステン、タンタル、アルミニウム、銅などの金属（０価の金属）を含む。センサ電極２０６は、単層構造を有してもよく、積層構造を有してもよい。例えば、センサ電極２０６は、導電性酸化物を含む層と金属を含む層が積層した構造を備えてもよい。後述するように、各センサ電極２０６には、それぞれセンサ配線が設けられる。すなわち、複数のセンサ電極２０６にそれぞれ対応する複数のセンサ配線がセンサ基板２０２上に設けられる。各センサ配線は、センサ基板２０２上で露出して端子２０８ａを形成する。

端子２０８ａにはＦＰＣ基板などの第１のコネクタ２１８が電気的に接続され、第１のコネクタ２１８は図示しない外部回路に接続される。第１のコネクタ２１８には、電源回路２２０、検出器２２２、演算素子２２４、インターフェース２２６などを配置することができる。電源回路２２０は、外部回路から供給される電源をパルス状の交流電圧に変換し、この交流電圧を端子２０８ａとセンサ配線を介して各センサ電極２０６に供給する。検出器２２２はアナログフロントエンド（ＡＦＥ：Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）とも呼ばれ、センサ電極２０６の容量の変化を電位変動として検出し、この電位変動をデジタル化して検出信号に変換する。演算素子２２４には検出器２２２によって生成された検出信号が入力され、この検出信号に基づき、演算素子２２４によって入力手段の位置を表す座標が生成される。検出器２２２と演算素子２２４は、一つの集積回路（ＩＣ）チップとして構成してもよい。インターフェース２２６は外部回路との接続に用いられ、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）やシリアル・ペリフェラル・インタフェース（ＳＰＩ）などの規格に基づいて構成される。

３－２．各構成の配置
図３にセンサモジュール２００の一部の模式的拡大上面図を示す。この図に示すように、各センサ電極２０６には、対応するセンサ配線２０８が設けられる。すなわち、センサモジュール２００にはセンサ電極２０６と同数のセンサ配線２０８が設けられ、一つのセンサ配線２０８は一つのセンサ電極２０６と電気的に接続される。これにより、センサ電極２０６が端子２０８ａと電気的に接続される。また、各センサ配線２０８は、対応するセンサ電極２０６を、他のセンサ電極２０６を介することなく、対応する端子２０８ａに接続する。換言すると、一つのセンサ配線２０８は、複数のセンサ電極２０６とは接続されず、同様に、一つのセンサ電極２０６は、複数のセンサ配線２０８と接続されない。図３に示される例では、センサ配線２０８－１から２２４－４がそれぞれセンサ電極２０６－１から２０６－４に対応し、電気的に接続される。

上述したように、センサ電極２０６にはセンサ配線２０８を介して同相のパルス状交流電圧が印加される。入力手段がセンサ電極２０６に近づくと、入力手段とセンサ電極２０６の間に仮想的な容量素子が形成され、その結果、各センサ電極２０６の電位が変動する。この電位変動は検出器２２２によって検出されてデジタル変換され、演算素子２２４において、電位の変動量と各センサ電極２０６の位置（座標）に基づいて入力手段が近接した位置の座標が特定される。このように、センサモジュール２００は、静電容量式（自己容量式）の非接触センサ（ホバーセンサ）として機能する。

任意の構成として、センサモジュールにシールド配線２３８を配置してもよい。具体的には、図３に示すように、全体として列方向に延伸し、複数の行を貫通する一つまたは複数のシールド配線２３８をセンサモジュール２００に配置してもよい。各シールド配線２３８は、センサ電極２０６から離隔する。複数のシールド配線２３８を設ける場合には、例えば、列の数と同数のシールド配線２３８を、各行においてセンサ電極２０６とシールド配線２３８が交互するように配置してもよい。各シールド配線２３８は、それぞれセンサ基板２０２の端部付近で露出してセンサ額縁領域に端子２３８ａを形成する。端子２３８ａは、センサ配線２０８の端子２０８ａが配置される、センサ領域２１０の一辺側に形成される。この端子２３８ａを介し、電源回路２２０からセンサ電極２０６と同相のパルス状交流電圧がシールド配線２３８に印加される。シールド配線２３８は入力手段の座標決定に寄与する必要は無いため、シールド配線２３８は検出器２２２に接続されなくてもよい。シールド配線２３８を配置することにより、センサ配線２０８と隣接する列に配置されるセンサ電極２０６との間にシールド配線２３８が存在することになり、隣接する列のセンサ電極２０６の電位変動の影響を低減することができる。その結果、入力手段の座標をより正確に特定することができる。

図４（Ａ）に図３の鎖線Ａ－Ａ´に沿った端面の模式図を示す。図４（Ａ）には、表示モジュール１１０の対向基板１１４も示されている。図４（Ａ）に示すように、表示モジュール１１０とセンサモジュール２００は可視光を透過する接着層１０２によって互いに固定される。なお、表示モジュール１１０が液晶表示装置の場合には、対向基板１１４の上に偏光板などが設けられる。

任意の構成として、センサ基板２０２と対向基板１１４の間には、表示モジュール１１０からの電気的な影響を遮蔽するためのノイズシールド層２３０を設けてもよい。ノイズシールド層２３０は、接着層１０２の上に設けてもよく、接着層１０２の下に設けてもよい。ノイズシールド層２３０は、導電性を有するＩＴＯやＩＺＯなどの透光性酸化物、あるいは金属を含む。後者の場合には、可視光の透過を許容するよう、複数の開口を有するメッシュ状の金属膜をノイズシールド層２３０として用いればよい。ノイズシールド層２３０は、複数のセンサ電極２０６と重なるように設けられる。ノイズシールド層２３０には、ＦＰＣ基板などの第２のコネクタ２１６が電気的に接続され（図１参照。）、センサ電極２０６に印加される電位と同相のパルス状交流電圧が印加される。このため、ノイズシールド層２３０はセンサ電極２０６と常時等電位となる。

センサ基板２０２上には、直接、または図示しない絶縁性のアンダーコートを介してセンサ配線２０８やシールド配線２３８が設けられ、これらの上にセンサ電極２０６が配置される。この時、センサ電極２０６はセンサ配線２０８の上に直接設けてもよく、あるいは図４（Ａ）に示すように、酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有無機化合物などを含む層間絶縁膜２３２を介して配置してもよい。後者の場合には、層間絶縁膜２３２に設けられる開口を介してセンサ電極２０６とセンサ配線２０８が互いに電気的に接続される。なお、センサ電極２０６とセンサ配線２０８の上下関係に制約はなく、図４（Ｂ）に示すように、センサ電極２０６の上にセンサ配線２０８を配置してもよい。また、シールド配線２３８はセンサ配線２０８と同一の層に存在してもよく、図示しないが、センサ電極２０６と同一の層に位置してもよい。

あるいは、図５に示すように、センサ電極２０６やセンサ配線２０８、シールド配線２３８は、これらが同一の層内に存在するように設けてもよい。すなわち、同一の組成を有するセンサ電極２０６とセンサ配線２０８を同時に同一の工程で形成してもよい。この場合には、抵抗の増大を防ぐため、センサ電極２０６やセンサ配線２０８は金属を含むことが好ましく、例えば導電性を有する透光性酸化物を含む膜と金属を含む膜の積層構造を有してもよい。

センサ電極２０６が金属を含む場合、表示モジュール１１０によって表示される映像への影響を防ぐため、センサ電極２０６をメッシュ状に形成することが好ましい。センサ電極２０６が導電性を有する透光性酸化物を含む膜と金属を含む膜の積層構造を有する場合には、両方の膜または後者の膜をメッシュ状に形成すればよい。具体的には、図５の一部の拡大図である図６に示すように、フレーム２０６ｃによって形成される複数の開口２０６ｂを有し、開口２０６ｂを通して映像を視認できるように各センサ電極２０６をメッシュ状に構成する。これにより、センサ電極２０６に十分な導電性を確保しつつ、表示モジュール１１０からの映像を視認することができる。さらに、図６に示すように、センサ配線２０８もメッシュ形状を有するように構成してもよい。センサ電極２０６とセンサ配線２０８のメッシュパターンは同一または実質的に同一であることが好ましい。すなわち、センサ電極２０６のメッシュを構成するフレーム２０６ｃの幅はセンサ配線２０８のメッシュ形状を構成するフレーム２０８ｅの幅と同一または実質的に同一であることが好ましい。同様に、センサ電極２０６のメッシュの開口２０６ｂの形状、大きさ、およびピッチは、センサ配線２０８のメッシュの開口２０８ｆの形状、大きさ、およびピッチとそれぞれ同一または実質的に同一であることが好ましい。同様に、シールド配線２３８もセンサ電極２０６やセンサ配線２０８と同様のメッシュ状の形状を有するように構成してもよい。センサ配線２０８やシールド配線２３８にセンサ電極２０６と同様のメッシュ形状を付与することで、モアレの発生を防ぐことができる。

さらに、図６に示すように、隣接するセンサ電極２０６の間やセンサ電極２０６とセンサ配線２０８の間、センサ電極２０６とシールド配線２３８の間にも、センサ電極２０６とセンサ配線２０８と同一の層に存在する複数のダミー電極２０９を配置することが好ましい。複数のダミー電極２０９は互いに接続されず、センサ電極２０６やセンサ配線２０８、シールド配線２３８からも電気的に絶縁され、電気的にフローティング状態を取る。複数のダミー電極２０９は、フレーム２０６ｃやフレーム２０８ｅと同一または実質的に同一の幅を有し、各ダミー電極２０９の少なくとも一部が延伸する方向は、フレーム２０６ｃの一部とフレーム２０８ｅの一部と平行であることが好ましい。また、複数のダミー電極２０９のピッチは、開口２０６ｂや２０８ｆのピッチと同一または実質的に同一であることが好ましい。このような構成を採用することで、センサ電極２０６やセンサ配線２０８が形成される層では、センサ領域２１０の全体に亘ってほぼ均一な光学特性を得ることができるので、モアレの発生を効果的に防止することができる。なお、図６では、センサ電極２０６とセンサ配線２０８、シールド配線２３８、ダミー電極２０９に付されたハッチングは互いに異なるが、これらは同一の組成を有し、同一の層構造を有することができる。また、図６に示すダミー電極２０９は屈曲して所謂「へ」の字状を呈しているが、ダミー電極２０９を屈曲部にてさらに分断してもよい。また、このような形状に留まらず、ダミー電極２０９を形成する直線状細線をその中途部にて分断する構成を採用することも可能である。

図３、図４（Ａ）、および図４（Ｂ）から理解されるように、各センサ配線２０８は、少なくとも当該センサ配線２０８に接続されるセンサ電極２０６を除く全てのセンサ電極２０６と重ならないように配置される。換言すると、各センサ配線２０８は、少なくとも当該センサ配線２０８に接続されるセンサ電極２０６を除く全てのセンサ電極２０６から完全に露出するように配置される。あるいは、図３と図５から理解されるように、各センサ配線２０８は、当該センサ配線２０８に接続されるセンサ電極２０６を含む全てのセンサ電極２０６と重ならないように配置される。換言すると、各センサ配線２０８は、当該センサ配線２０８に接続されるセンサ電極２０６を含む全てのセンサ電極２０６から完全に露出するように配置される。このようにセンサ電極２０６とセンサ配線２０８を構成、配置することで、センサ配線２０８とセンサ電極２０６の間の容量（寄生容量）形成を防ぐことができる。このため、センサ電極２０６－１に入力手段が近づいてセンサ配線２０８－１の電位が変動しても、この電位変動は他のセンサ電極２０６に影響を与えない。その結果、センサ電極２０６－１の検出信号が他のセンサ電極２０６に分散されず、入力手段の検出位置（座標）を正確に特定することができる。

センサ配線２０８とセンサ電極２０６上には、任意の構成として保護膜２３４を設けてもよい（図４（Ａ）から図５参照。）。保護膜２３４は単層または積層構造を有し、ケイ素含有無機化合物やエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂を含む膜で構成される。図４（Ａ）から図５では、無機化合物を含む第１の保護膜２３４－１と樹脂を含む第２の保護膜２３４－２が積層された保護膜２３４が例示されている。第１の保護膜２３４－１と第２の保護膜２３４－２の積層順に制約はなく、第２の保護膜２３４－２上に第１の保護膜２３４－１を積層してもよい。樹脂を含む第１の保護膜２３４－１は、平坦化膜としても機能する。保護膜２３４の上には、可視光を透過する接着層２３６を介してカバー基板２０４が固定される。

３－３．抵抗調整
（１）センサ配線による抵抗調整
上述したように、センサ配線２０８の端子２０８ａは、第１のコネクタ２１８と接続されるため、センサ額縁領域上に、センサ領域２１０の一辺側に配列するように設けられる（図２、図３参照。）。このため、センサ電極２０６から端子２０８ａまでの距離は、センサ電極２０６の位置に依存して変化する。より具体的には、一つの列に注目すると、端子２０８ａから最も遠いセンサ電極２０６－１に接続されるセンサ配線２０８－１が最も長く、端子２０８ａに最も近いセンサ電極２０６－４に接続されるセンサ配線２０８－４が最も短い。このため、各列では、行ごとにセンサ配線２０８の抵抗が変化し、その結果、センサとして機能するセンサ電極２０６の時定数が行（すなわち、端子２０８ａとセンサ電極２０６間の距離。以下、同様。）によって変化し、入力手段に対する検出感度が行または端子２０８ａとセンサ電極２０６間の距離に依存して変化する。

そこで、センサモジュール２００では、このような検出感度の変化を抑制するために、センサ配線２０８に抵抗調整部２０８ｂが形成される。具体的には、図７（Ａ）に示すように、各列において、複数のセンサ配線２０８の少なくとも一つに抵抗調整部２０８ｂを設ける。抵抗調整部２０８ｂが設けられるセンサ配線２０８においては、抵抗調整部２０８ｂの抵抗が他の部分の抵抗よりも高い。センサ配線２０８の抵抗は、材料と厚さ、幅が同一であれば長さの増大に比例して抵抗が増大する。このため、センサ配線２０８の抵抗を同一または実質的に同一にするため、端子２０８ａに最も近いセンサ電極２０６に接続されるセンサ配線（ここではセンサ配線２０８－４）の抵抗調整部２０８ｂが最大の抵抗を有し、端子２０８ａからの距離が大きいセンサ電極２０６ほど、それに接続されるセンサ配線２０８の抵抗調整部２０８ｂの抵抗が減少するように、抵抗調整部２０８ｂが形成される。換言すると、センサ配線２０８の長さが増大するに従って抵抗調整部２０８ｂの抵抗が減少するように、抵抗調整部２０８ｂが形成される。これにより、各列において、複数のセンサ配線２０８の抵抗を同一または実質的に同一に調整することができる。

例えば、最大長のセンサ配線２０８－１には抵抗調整部２０８ｂを設けず、第２行、第３行、第４行に配置されるセンサ電極２０６－２、２０６－３、２０６－４にそれぞれ接続されるセンサ配線２０８－２、２０８－３、２０８－４の順に抵抗調整部２０８ｂの抵抗が増大するよう、抵抗調整部２０８ｂを設けてもよい。あるいは、図示しないが、最大長のセンサ配線２０８－１にも抵抗調整部２０８ｂを設けてもよい。この場合には、第１行、第２行、第３行、第４行に配置されるセンサ電極２０６－１、２０６－２、２０６－３、２０６－４にそれぞれ接続されるセンサ配線２０８－１、２０８－２、２０８－３、２０８－４の順に抵抗調整部２０８ｂの抵抗が増大するよう、抵抗調整部２０８ｂが形成される。なお、図７（Ａ）では、抵抗調整部２０８ｂの全てがセンサ額縁領域２１２に設けられる例が示されているが、全てまたは一部の抵抗調整部２０８ｂをセンサ領域２１０内に設けてもよい。

抵抗調整部２０８ｂは、センサ配線２０８の形状を調整することで形成すればよい。例えば図７（Ｂ）に示すように、抵抗調整部２０８ｂの幅（センサ配線２０８が延伸する方向に対して垂直方向の長さ）が他の部分の幅よりも小さく設定することで抵抗調整部２０８ｂを形成してもよい。あるいは、図８（Ａ）に示すように、センサ配線２０８と抵抗調整部２０８ｂの幅は同一とし、センサ配線２０８を屈曲させることでこの屈曲部を抵抗調整部２０８ｂとして用いてもよい。あるいは、センサ配線２０８の一部にメッシュ形状を形成し、この部分を抵抗調整部２０８ｂとして用いてもよい（図８（Ｂ））。メッシュ状の部分では単位長さ当たりの面積が低減するため、他の部分と比較して抵抗を大きくすることができる。単位長さ当たりの面積を低減する形状としてはメッシュ形状に限られず、図８（Ｃ）に示すようなスリット２０８ｃでもよく、あるいは図８（Ｄ）や図８（Ｅ）に示す切り欠き２０８ｄでもよい。切り欠き２０８ｄの延伸方向はセンサ配線２０８が延伸する方向に対して任意の角度を有することができ、切り欠き２０８ｄは屈曲してもよい。あるいは、センサ配線２０８にジグザグ形状を付与し、この部分を抵抗調整部２０８ｂとして利用してもよい（図８（Ｆ））。ここで、スリットとは閉じた形状を有する開口であり、切り欠きとは開いた形状を有する開口である。閉じた形状とは、その形状を定義する輪郭線が末端を持たない形状であり、少なくとも一つの閉じた平面を与える。一方、開いた形状とは、その形状を定義する輪郭線が少なくとも二つの末端を有する形状である。

（２）センサ電極による抵抗調整
上述したセンサ配線２０８による抵抗調整に替えて、あるいはこれとともに、センサ電極２０６を用いて抵抗調整を行ってもよい。具体的には、図９に示すように、センサ電極２０６に少なくとも一つまたは複数の直線状若しくは屈曲した切り欠き２０６ａを設け、センサ電極２０６内で抵抗を付与して抵抗調整してもよい。ここで、切り欠き２０６ａとは、上面視においてセンサ電極２０６と全体が重なり、センサ電極２０６に外接し、かつ、行方向に平行な二つの辺と列方向に平行な二つの辺で形成される仮想の四角形２０７を考慮した際、この四角形２０７とセンサ配線２０８の間の領域に形成される、開いた形状を有する開口である（図１０）。

切り欠き２０６ａは、センサ電極２０６間において、センサ電極２０６のうちセンサとして機能する部分（すなわち、仮想の四角形２０７と重なる部分、および仮想の四角形２０７以外のセンサ配線２０８と接続されていない部分）以外の部分とセンサ配線２０８の抵抗の和（以下、総抵抗と記す。）を互いに同一または実質的に同一にするために設けられる。したがって、例えば図９に示すように、端子２０８ａからの距離が最大となるセンサ電極２０６－１には切り欠き２０６ａを設けず、端子２０８ａにより近い第２行、第３行、第４行に配置されるセンサ電極２０６－２、２０６－３、２０６－４の順に総抵抗が増大するよう、切り欠き２０６ａの数や長さ、幅（すなわち、切り欠き２０６ａの面積）を調整すればよい。あるいは、図示しないが、各列において全てのセンサ電極２０６に切り欠き２０６ａを設け、端子２０８ａからの距離が減少するに従って（すなわち、第１行、第２行、第３行、第４行の順で）総抵抗が増大するよう、切り欠き２０６ａの面積を調整すればよい。

センサ電極２０６やセンサ配線２０８がメッシュ形状を有する場合には、図１１に示すように、切り欠き２０６ａは、切り欠き２０６ａが延伸する方向に垂直な方向で隣接する開口２０６ｂ間でフレーム２０６ｃを切断して絶縁するギャップとして形成すればよい（図１１中の拡大図参照。）。これにより、図１１の矢印で示すように、幅の狭い屈曲した導電パスが形成され、総抵抗を増大させることができる。

切り欠き２０６ａの形状には制約はなく、例えば行方向に延伸するように切り欠き２０６ａを設けてもよい（図１２）。図示しないが、切り欠き２０６ａに替えて、または切り欠き２０６ａとともに、スリットを設けてもよい。

なお、センサ電極２０６とセンサ配線２０８が同一層内に存在する場合、センサ電極２０６とセンサ配線２０８の組成が同一となるため、これらの間の境界が明確に定義できない場合がある。この場合には、センサ電極２０６のうち、仮想の四角形２０７以外の部分であり、かつ、センサ配線２０８と接続される部分は、センサ電極２０６の一部と認識してもよく、上述した抵抗調整部２０８ｂと認識してもよい。

４．変形例
センサモジュール２００の構造は上述した構造に限られず、種々の構造を採用することができる。以下に幾つかの変形例を述べる。以下の説明では、センサ配線２０８に抵抗調整部２０８ｂを設ける例を中心に示すが、抵抗調整部２０８ｂに替えて、または抵抗調整部２０８ｂとともにセンサ電極２０６に切り欠き２０６ａを形成し、時定数の行依存性を抑制または解消してもよい。

（１）変形例１
図３に示す例では、各列において、端子２０８ａからの距離が増大するに従ってセンサ電極２０６の面積が増大するようにセンサモジュール２００が構成される。このような配置を採用することで、センサ配線２０８のレイアウトが簡素化され、かつ、高密度でセンサ電極２０６を配置することができる。

しかしながら、センサモジュール２００の構成はこれに限られず、図１３に示すように、全てのセンサ電極２０６が互いに同一の形状と面積を有するようにセンサモジュール２００を構成してもよい。センサ電極２０６の面積を互いに同一にすることで、入力手段の近接に起因する電位変動量の行依存性が低減するため、抵抗調整部２０８ｂや切り欠き２０６ａの設計が容易になるとともに、より正確に入力手段の座標を特定することができる。

このような配置では、図１３から理解されるように、端子２０８ａからの距離が増大するに従って、行方向において隣接するセンサ電極２０６間でセンサ配線２０８が占める面積が減少する。したがって、シールド配線２３８を配置する場合には、端子２０８ａから離れるに従ってその幅（すなわち、行方向における長さ）が段階的にまたは連続的に増大するようにシールド配線２３８を構成してもよい。このように、列方向で幅が可変するシールド配線２３８を配置することにより、隣接するセンサ電極２０６間に近接する入力手段とセンサ領域２１０間の電界が歪むことなく均一となり、この電界のうちセンサ電極２０６と重なる電界が容量変化として検出されるため、行に依存せずにばらつきの無い検出が可能となる。

（２）変形例２

センサモジュール２００では、図１４に示すように、各センサ電極２０６に対し、センサ配線２０８とは異なる補助配線２４０を設けてもよい。具体的には、複数のセンサ電極２０６にそれぞれ対応する複数の補助配線２４０を設ける。一つの補助配線２４０は、一つのセンサ電極２０６と選択的に接続され、端子２０８ａに対して反対側の方向へ延伸する。補助配線２４０は、それが接続されるセンサ電極２０６を除き、他の導電性の構成要素と接続されない。したがって、補助配線２４０にもセンサ電極２０６と同相のパルス状の交流電圧が印加される。各補助配線２４０も導電性を有する透光性酸化物または金属を含むように構成することができる。後者の場合には、センサ電極２０６と補助配線２４０の両者をメッシュ状の形状を備えるように構成することで、映像がセンサ電極２０６や補助配線２４０を通して視認できるとともに、モアレの発生を防ぐことができる。

このように補助配線２４０を設けることで、配線の密度、すなわち、センサ配線２０８と補助配線２４０の面積の和が列方向においてがほぼ一定となる。このため、例えば端子２０８ａに近い位置Ｐ_２に入力手段が近接した場合、その座標に最も近い第４行のセンサ電極２０６－４に最も大きな電位変動が生じるとともに、第４行のセンサ電極２０６－４の近くに配置されるセンサ配線２０８、およびこれらに接続される第１から第３行のセンサ電極２０６にも副次的な電位変動が生じる。同様に、端子２０８ａから離れた位置Ｐ_１に入力手段が近接した場合、その座標に最も近い第１行のセンサ電極２０６に最も大きな電位変動が生じるとともに、第２行から第４行のセンサ電極２０６に接続される補助配線２４０に副次的な電位変動が生じ、その結果、第２行から第４行のセンサ電極２０６にも副次的な電位変動が生じる。すなわち、入力手段の座標に依存することなく、入力手段に近接するセンサ電極２０６における大きな電位変動を検知しつつ、そのセンサ電極２０６が配置された列の他のセンサ電極２０６に対してほぼ同じ副次的電位変動を引き起こすことができる。その結果、入力手段が行方向において隣接するセンサ電極２０６の間に近接した場合でも、副次的電位変動の入力手段の座標依存性が解消され、入力手段の座標を正確に特定することができる。

好ましくは、補助配線２４０の端子２０８ａに対して反対側の端部（センサ電極２０６に接続される端部と反対側の端部）がセンサ額縁領域２１２に位置するように補助配線２４０を配置する（図１４）。あるいは、この端部がセンサ額縁領域２１２に存在し、かつ、表示領域１２０の外側（すなわち、額縁領域）に位置するように補助配線２４０を配置する。補助配線２４０がセンサ領域２１０または表示領域１２０の端部から端子２０８ａに対して反対側に延伸する部分の長さＬは、好ましくは１ｍｍ以上１ｃｍ以下である。このように補助配線２４０の端部の位置を制御することにより、表示領域１２０の端部に入力手段が近接しても、補助配線２４０と入力手段との間で形成される仮想的な容量が確保される。このため、センサ領域２１０の他の領域（例えば中心付近）と同様の検出精度を維持することができる。

また、センサ配線２０８はその幅が小さいものの、パルス状交流電圧が印可されることによってセンサ電極としても機能することとなる。このように、センサ電極２０６とセンサ配線２０８を合わせて一つのセンサ電極と見做した場合、図１３の構成であってもなお行方向で見た場合にセンサ電極２０６の大きさに違いが生じる。これに対し、図１４の構成では、上記センサ電極２０６にさらに補助配線２４０が追加され、当該補助配線２４０は端子２０８ａから離間する方向に延在する。すなわち、最も検出器２２２に近いセンサ電極２０６－４に接続される補助配線２４０－４は、検出器２２２から離間する方向に延在して他のセンサ電極２０６の間を通過する一方、最も検出器２２２から遠い位置にあるセンサ電極２０６－１に接続される補助配線２４０－１は極めて短い。このような構成とすることで、センサ配線２０８と補助配線２４０もセンサ電極２０６（検出器２２２に接続されるセンサ電極）の一部として機能するため、センサ電極２０６間においてセンサ電極として機能する部分の面積はほぼ同じとなり、検出器２２２からの距離の差によって生じる容量差が低減されることとなる。なお、検出器２２２からから最も遠い位置にあるセンサ電極２０６－１については、補助配線を不要とする構成も採用可能である。

（３）変形例３
非接触式センサは、従来の接触式センサと比較し、表示モジュール１１０からの電気的影響を受け易い。この影響を低減するために、センサ領域２１０の周辺に複数のシールド電極を配置してもよい。具体的な構成を図１５と図１６に示す。図１５はセンサ基板２０２の二つの辺を含む模式的上面図であり、図１６は、センサ領域２１０を基準として図１５に示した領域に対向する領域の模式的上面図である。

これらの図に示すように、各列に一つのシールド電極（第１のシールド電極）２４２を設けることができる。シールド電極２４２は、端子２０８ａが配置されるセンサ領域２１０の一辺側とは反対側のセンサ額縁領域２１２に設けられる。シールド電極２４２は、表示領域１２０と重ならないように設けられる。換言すると、複数の画素１１６の全てがシールド電極２４２から露出する。センサ電極２０６に接続される補助配線２４０の端部をセンサ額縁領域２１２に配置する場合、この端部が同じ列に設けられるシールド電極２４２と行方向と列方向において重なるよう、シールド電極２４２の形状や配置を調整してもよい。シールド電極２４２もセンサ電極２０６と同相のパルス状の交流電圧が印加される。したがって、複数のシールド電極２４２を、シールド配線（第１のシールド配線）としてそれぞれ上述した複数のシールド配線２３８に電気的に接続してもよい。シールド電極２４２は入力手段の座標の特定には寄与しないので、シールド配線２３８は検出器２２２と接続されなくてもよい。

あるいは、シールド電極２４２とともに、またはシールド電極２４２に替えて、各行に一対のシールド電極（第２のシールド電極）２４４を配置してもよい。一対のシールド電極２４４は、各行において全てのセンサ電極２０６を挟むように配置される。シールド電極２４４も表示領域１２０と重ならないように設けられる。したがって、複数の画素１１６の全てがシールド電極２４４から露出する。各シールド電極２４４にはシールド配線（第２のシールド配線）２４６がそれぞれ電気的に接続される。シールド配線２４６は、センサ配線２０８の端子２０８ａが形成される一辺側のセンサ額縁領域２１２において端子２４６ａを形成する。端子２４６ａは第１のコネクタ２１８と接続され、これにより、シールド配線２４６は電源回路２２０からの電圧供給を受けることができる。各シールド電極２４４には、センサ電極２０６と同相のパルス状の交流電圧が印加される。シールド電極２４２と同様、シールド電極２４４も入力手段の座標の特定には寄与しないので、シールド配線２４６は検出器２２２と接続されなくてもよい。図示しないが、センサ配線２０８と同様、各シールド配線２４６は、少なくともそれが接続されるシールド電極２４４を除き全てのシールド配線２４６と重ならず、露出する。あるいは、各シールド配線２４６は、全てのシールド配線２４６と重ならず、露出する。

センサ電極２０６と同様、シールド電極２４４にも補助配線（補助シールド配線）２４８を接続してもよい。すなわち、複数のシールド電極２４４にそれぞれ対応する補助シールド配線２４８をセンサ額縁領域２１２に設けてもよい。各補助シールド配線２４８の一端は、対応するシールド電極２４４と電気的に接続され、端子２４６ａに対して反対方向に延伸する。補助シールド配線２４８の他端は、他の導電性の構成要素と接続されない。

このように、変形例３では、センサ額縁領域２１２に互いにシールド電極２４２および／またはシールド電極２４４を設けられる。このため、センサ領域２１０の端部に入力手段が近接しても、する入力手段とセンサ領域２１０間で均一に電界が発生し、この電界のうちセンサ電極２０６と重なる電界が容量変化として検出されるため、ばらつきの無い検出が可能となる。また、センサ領域２１０の外側と入力手段との容量形成を抑制することができるため、検出精度の低下を招かない。また、シールド電極２４２および／またはシールド電極２４４を設けることで、表示領域１２０の外側にもセンサ領域２１０と同様の構成を構築することができるので、表示領域１２０の端部における検出感度が維持できるだけでなく、表示モジュール１１０からの影響を効果的に遮蔽することができる。

また、シールド電極２４２および／またはシールド電極２４４は、それぞれ複数設けられる。単一のシールド電極をセンサ額縁領域２１２に設置する場合、センサ領域２１０の端部に入力手段が近接すると、その影響がセンサ領域２１０の外周全体に及ぶ。しかしながら、複数のシールド電極２４２および／または複数のシールド電極２４４を設けることで、入力手段がセンサ領域２１０の端部に近接した場合に生じるセンサ電極２０６の電位変動量の低下を局所的な領域に留めることができるため、センサ領域２１０の端部においても検出精度を維持することができる。このため、より正確に入力手段の座標を特定することができる。

ここで、シールド電極２４２に対してパルス状の交流電圧をシールド配線２３８を介して供給する場合には、図１７（Ａ）に示すように、シールド配線２３８にも抵抗調整部２３８ｂを端子２３８ａとシールド電極２４２の間に形成してもよい。抵抗調整部２３８ｂはセンサ領域２１０内に設けてもよく、センサ額縁領域２１２に設けてもよい。抵抗調整部２３８ｂは、シールド電極２４２の時定数が他のセンサ電極２０６の時定数と同一または実質的に同一になるように、シールド電極２４２の容量を考慮して形成すればよい。あるいは、シールド配線２３８には抵抗調整部２３８ｂを設けず、全てのセンサ電極２０６に接続されるセンサ配線２０８に抵抗調整部２０８ｂを形成し、各列においてシールド電極２４２とセンサ電極２０６の時定数を一致させてもよい。

同様に、図１７（Ｂ）に示すように、シールド電極２４４に接続されるシールド配線２４６に対しても、シールド電極２４４と端子２４６ａの間に抵抗調整部２４６ｂを設けてもよい。抵抗調整部２４６ｂも、抵抗調整部２３８ｂと同様に、シールド電極２４４の時定数が他のセンサ電極２０６の時定数と同一または実質的に同一になるように、シールド電極２４４の容量を考慮して形成すればよい。あるいは、図１８に示すように、抵抗調整部２４６ｂの形成に替わり、あるいは抵抗調整部２４６ｂとともに、全て、または少なくとも一つのシールド電極２４４にそれぞれ少なくとも一つの切り欠き２４４ａを設けてもよい。シールド配線２４６の端子２４６ａも、端子２０８ａが設けられるセンサ領域２１０の一辺側に配置される。このため、切り欠き２４４ａは、端子２４６ａからの距離が大きいシールド電極２４４ほどその面積が小さくなるように形成される。

図示しないが、抵抗調整部２３８ｂに替えて、あるいは抵抗調整部２３８ｂとともに、シールド電極２４２に切り欠きを設けることでシールド電極２４２の抵抗を調整してもよい。抵抗の調整は、センサ電極２０６と同一または実質的に同一の時定数を有するよう、切り欠きの面積を調整することで行えばよい。なお、シールド電極２４２に接続されるシールド配線２３８に抵抗調整部２３８ｂを設けず、かつ、シールド電極２４２に切り欠きなどを形成しない場合には、シールド電極２４２の時定数と同一または実質的に同一の時定数を有するよう、全てのセンサ電極２０６に接続されるセンサ配線２０８に抵抗調整部２０８ｂを設けてもよく、あるいは抵抗調整部２０８ｂとともに若しくは抵抗調整部２０８ｂに替えて全てのセンサ電極２０６に切り欠き２０６ａを形成してもよい。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：接着層、１１０：表示モジュール、１１２：アレイ基板、１１４：対向基板、１１６：画素、１１８：コネクタ、１２０：表示領域、２００：センサモジュール、２０２：センサ基板、２０４：カバー基板、２０６：センサ電極、２０６－１：センサ電極、２０６－２：センサ電極、２０６－３：センサ電極、２０６－４：センサ電極、２０６ａ：切り欠き、２０６ｂ：開口、２０６ｃ：フレーム、２０６ｄ：ダミー電極、２０７：四角形、２０８：センサ配線、２０８－１：センサ配線、２０８－２：センサ配線、２０８－３：センサ配線、２０８－４：センサ配線、２０８ａ：端子、２０８ｂ：抵抗調整部、２０８ｃ：スリット、２０８ｄ：切り欠き、２０８ｅ：フレーム、２０８ｆ：開口、２０９：ダミー電極、２１０：センサ領域、２１２：センサ額縁領域、２１６：第２のコネクタ、２１８：第１のコネクタ、２２０：電源回路、２２２：検出器、２２４：演算素子、２２６：インターフェース、２３０：ノイズシールド層、２３２：層間絶縁膜、２３４：保護膜、２３４－１：第１の保護膜、２３４－２：第２の保護膜、２３６：接着層、２３８：シールド配線、２３８ａ：端子、２３８ｂ：抵抗調整部、２４０：補助配線、２４２：シールド電極、２４４：シールド電極、２４４ａ：切り欠き、２４６：シールド配線、２４６ａ：端子、２４６ｂ：抵抗調整部、２４８：補助シールド配線、

Claims (8)

1. センサ領域と前記センサ領域を囲むセンサ額縁領域を有するセンサ基板、
   前記センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列された複数のセンサ電極、および
   前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応する前記センサ電極と電気的に接続され、前記センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する複数のセンサ配線を備え、
   前記複数の端子は、前記センサ領域の一辺側に配列され、
   各列において、前記センサ電極に接続される前記センサ配線の少なくとも一つは、抵抗調整部を有し、
   前記抵抗調整部を有する前記センサ配線において、前記抵抗調整部は、他の部分よりも抵抗が高い、センサモジュール。
2. 各列において、
   前記複数のセンサ電極にそれぞれ接続される前記複数のセンサ配線は、最大長の前記センサ配線を除き、いずれも前記抵抗調整部を有し、
   前記抵抗調整部の前記抵抗は、前記端子と前記センサ電極間の距離が大きい前記センサ配線ほど小さい、請求項１に記載のセンサモジュール。
3. 各列において、
   前記複数のセンサ電極にそれぞれ接続される前記複数のセンサ配線は、いずれも前記抵抗調整部を有し、
   前記抵抗調整部の前記抵抗は、前記端子と前記センサ電極間の距離の増大に従って減少する、請求項１に記載のセンサモジュール。
4. 前記複数のセンサ配線は、互いに抵抗が同一である、請求項１に記載のセンサモジュール。
5. センサ領域と前記センサ領域を囲むセンサ額縁領域を有するセンサ基板、
   前記センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列された複数のセンサ電極、および
   前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応する前記センサ電極と電気的に接続され、前記センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する複数のセンサ配線を備え、
   前記複数の端子は、前記センサ領域の一辺側に配列され、
   各列において、前記複数のセンサ電極の少なくとも一つは、少なくとも一つの切り欠きを有する、センサモジュール。
6. 各列において、
   前記複数のセンサ電極は、最大長の前記センサ配線に接続される前記センサ電極を除き、いずれも前記少なくとも一つの切り欠きを有し、
   前記少なくとも一つの切り欠きの面積は、前記端子からの距離が大きいセンサ電極ほど小さい、請求項５に記載のセンサモジュール。
7. 各列において、
   前記複数のセンサ電極は、いずれも少なくとも一つの前記切り欠きを有し、
   前記少なくとも一つの切り欠きの面積は、前記端子からの距離が大きいセンサ電極ほど小さい、請求項５に記載のセンサモジュール。
8. 複数の画素を有するアレイ基板を含む表示モジュール、および
   前記表示モジュール上のセンサモジュールを備え、
   前記センサモジュールは、
   センサ領域と前記センサ領域を囲むセンサ額縁領域を有するセンサ基板、
   前記センサ領域上に位置し、複数の行と複数の列に配列された複数のセンサ電極、および
   前記複数のセンサ電極にそれぞれ対応し、それぞれ対応する前記センサ電極と電気的に接続され、前記センサ額縁領域上にそれぞれ端子を有する複数のセンサ配線を備え、
   前記複数の端子は、前記センサ領域の一辺側に配列され、
   各列において、前記センサ電極に接続される前記センサ配線の少なくとも一つは、抵抗調整部を有し、
   前記抵抗調整部を有する前記センサ配線において、前記抵抗調整部は、他の部分よりも抵抗が高い、表示装置。

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