JP2023033554A - 走査型電子顕微法システム - Google Patents

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Abstract

【課題】デフレクタ群の利用により、収集及び分析される電子ビームに偏向収差が生じることを防止する。【解決手段】走査型電子顕微法(SEM)システムであり、一次電子ビームを生成するよう構成された複数個の電子ビーム源と、複数個の電子光学カラムを伴う電子光学カラムアレイを有する。電子光学カラムが電子光学素子を有する。電子光学素子が、電子光学カラムのうち少なくとも幾つかにより共有される共通コントローラの働きで駆動されるよう構成されたデフレクタ層を含み、且つ個別コントローラにより駆動されるよう構成されたトリムデフレクタ層を含む。電子ビームチャネルを形成するよう電子光学素子が配列され、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその電子ビームチャネルが構成される。【選択図】図1

Description

本発明は、総じてウェハ及びフォトマスク/レティクルの特性解明及び作成に関し、より具体的にはアレイ型特性解明ツールに関する。
半導体デバイス例えば論理デバイス及び記憶デバイスの製造に際しては、通常、多数の半導体製造及び計量プロセスを用い半導体デバイスを処理することで、それら半導体デバイスに備わる様々なフィーチャ(外形特徴)及び複数個の層が形成される。秀逸な製造プロセスでは、フォトマスク/レティクルを利用し半導体デバイス例えばウェハ上にフィーチャが印刷される。半導体デバイスが横方向に沿いますます小さくなり垂直方向に延ばされたため、増強された検査及びレビュー装置及び手順を開発し、フォトマスク/レティクル及びウェハ検査プロセスの感度及びスループットを高めることが、肝要になっている。
特性解明テクノロジの一つに電子ビーム式特性解明、例えば走査型電子顕微法(SEM)がある。ある種のSEMでは、二次電子ビーム収集を通じ走査型電子顕微法が実行される(例.二次電子(SE)撮像システム)。ある種のSEMでは、1本の電子ビームを多数のビームへと分割すること、並びにある単一の電子光学カラムを利用しそれら多数のビームを個別調整及び走査することによって、走査型電子顕微法が実行される(例.マルチビームSEMシステム)。ある種のSEMでは、電子光学カラムを複数個有するSEMシステムの働きで走査型電子顕微法が実行される(例.マルチカラムSEMシステム)。
SEMシステムでは、一次電子ビームにより標本を横断走査しつつ、その標本から放射及び/又は後方散乱されてきた電子を含む電子ビームの収集及び分析を通じ、標本を撮像することができる。電子ビームが標本に向かい(例.集束又は操縦され)次いでSEMシステムの電子光学カラム内にある検出器へと戻る際に、一組のデフレクタ(偏向器/偏向子)が介在する。それらデフレクタ群の利用により、収集及び分析される電子ビームに偏向収差が生じることがある。偏向場内不均一性によりそうした偏向収差が引き起こされうる。
米国特許出願公開第2002/0117967号
従って、上述の短所を除去するシステム及び方法を提供することが有益であろう。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に従い走査型電子顕微法(SEM)システムが開示される。ある実施形態に係るSEMシステムは複数個の電子ビーム源を有する。また、ある実施形態では、一次電子ビームを生成するようそれら電子ビーム源のうち少なくとも幾つかが構成される。また、ある実施形態に係るSEMシステムは複数個の電子光学カラムを伴う電子光学カラムアレイを有する。また、ある実施形態では、それら複数個の電子光学カラムのうちある電子光学カラムが複数個の電子光学素子を有する。また、ある実施形態ではそれら複数個の電子光学素子にデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、そのデフレクタ層内に、第1電圧を受け取るよう構成された上デフレクタ、並びに付加的電圧を受け取るよう構成された下デフレクタが備わる。また、ある実施形態では、複数個の電子光学カラムのうち少なくとも幾つかにより共有される共通コントローラの働きで駆動されるよう、そのデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では前記複数個の電子光学素子にトリムデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、そのトリムデフレクタ層内に、第1トリム電圧を受け取るよう構成された上トリムデフレクタ、並びに付加的トリム電圧を受け取るよう構成された下トリムデフレクタが備わる。また、ある実施形態では、個別コントローラにより駆動されるようそのトリムデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では、電子ビームチャネルが形成されるよう前記複数個の電子光学素子が配列される。また、ある実施形態では、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその電子ビームチャネルが構成される。また、ある実施形態ではその一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射する。また、ある実施形態ではその電子光学カラムが少なくとも1個の電子検出器を有する。また、ある実施形態では、前記電子ビームを当該少なくとも1個の電子検出器に差し向けるよう前記電子ビームチャネルが構成される。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に従い電子光学システムが開示される。ある実施形態に係る電子光学システムは電子光学カラムアレイを有する。また、ある実施形態ではその電子光学カラムアレイが複数個の電子光学カラムを有する。また、ある実施形態では、それら複数個の電子光学カラムのうちある電子光学カラムが複数個の電子光学素子を有する。また、ある実施形態ではそれら複数個の電子光学素子にデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、そのデフレクタ層に、第1電圧を受け取るよう構成された上デフレクタ、並びに付加的電圧を受け取るよう構成された下デフレクタが備わる。また、ある実施形態では、複数個の電子光学カラムのうち少なくとも幾つかにより共有される共通コントローラの働きで駆動されるよう、そのデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では前記複数個の電子光学素子にトリムデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、そのトリムデフレクタ層に、第1トリム電圧を受け取るよう構成された上トリムデフレクタ、並びに付加的トリム電圧を受け取るよう構成された下トリムデフレクタが備わる。また、ある実施形態では、個別コントローラにより駆動されるようそのトリムデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では、電子ビームチャネルが形成されるよう前記複数個の電子光学素子が配列される。また、ある実施形態では、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその電子ビームチャネルが構成される。また、ある実施形態ではその一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射する。また、ある実施形態では電子光学カラムが少なくとも1個の電子検出器を有する。また、ある実施形態では、前記電子ビームを当該少なくとも1個の電子検出器に差し向けるよう前記電子ビームチャネルが構成される。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に従い走査型電子顕微法(SEM)システムが開示される。ある実施形態に係るSEMシステムは複数個の電子ビーム源を有する。また、ある実施形態では、一次電子ビームを生成するようそれら電子ビーム源のうち少なくとも幾つかが構成される。また、ある実施形態に係るSEMシステムは複数個の電子光学カラムを伴う電子光学カラムアレイを有する。また、ある実施形態では、それら電子光学カラムのうち少なくとも幾つかが複数個の電子光学素子を有する。また、ある実施形態では、円錐状電子ビームチャネルが形成されるようそれら複数個の電子光学素子が配列される。また、ある実施形態では、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその円錐状電子ビームチャネルが構成される。また、ある実施形態ではその一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射する。また、ある実施形態では、電子光学カラムのうち前記少なくとも幾つかが少なくとも1個の電子検出器を有する。また、ある実施形態では、当該少なくとも1個の電子検出器に前記電子ビームを差し向けるよう円錐状電子ビームチャネルが構成される。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に従い電子光学システムが開示される。ある実施形態に係る電子光学システムは電子光学カラムアレイを有する。また、ある実施形態ではその電子光学カラムアレイが複数個の電子光学カラムを有する。また、ある実施形態では、それら複数個の電子光学カラムのうちある電子光学カラムが複数個の電子光学素子を有する。また、ある実施形態では、円錐状電子ビームチャネルが形成されるようそれら複数個の電子光学素子が配列される。また、ある実施形態では、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその円錐状電子ビームチャネルが構成される。また、ある実施形態ではその一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射する。また、ある実施形態では電子光学カラムが少なくとも1個の電子検出器を有する。また、ある実施形態では、前記電子ビームを当該少なくとも1個の電子検出器に差し向けるよう円錐状電子ビームチャネルが構成される。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に従い特性解明システムが開示される。ある実施形態に係る特性解明システムは複数個の輻射源を有する。また、ある実施形態では、一次輻射ビームを生成するようそれら輻射源のうち少なくとも幾つかが構成される。また、ある実施形態に係る特性解明システムはカラムアレイを有する。また、ある実施形態ではそのカラムアレイが複数個のカラムを有する。また、ある実施形態ではそれら複数個のカラムのうちあるカラムが複数個の素子を有する。また、ある実施形態では、それら複数個の素子に、電圧を受け取るよう構成されたデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、複数個のカラムのうち少なくとも幾つかにより共有される共通コントローラの働きで駆動されるよう、そのデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では、それら複数個の素子に、トリム電圧を受け取るよう構成されたトリムデフレクタ層が含まれる。また、ある実施形態では、個別コントローラにより駆動されるようそのトリムデフレクタ層が構成される。また、ある実施形態では、ビームチャネルが形成されるようそれら複数個の素子が配列される。また、ある実施形態では、ステージ上に固持されている標本に一次輻射ビームを差し向けるようそのビームチャネルが構成される。また、ある実施形態ではその一次輻射ビームに応じその標本が輻射ビームを生成する。また、ある実施形態ではそのカラムが少なくとも1個の検出器を有する。また、ある実施形態では、標本により生成された輻射ビームを当該少なくとも1個の検出器に差し向けるようそのビームチャネルが構成される。
本件技術分野に習熟した者(いわゆる当業者)であれば、以下の添付図面を参照することで、本件開示に多々備わる長所をより良好に理解できよう。
本件開示の1個又は複数個の実施形態に係る走査型電子顕微法(SEM)式特性解明ツールの概略ブロック図である。 本件開示の1個又は複数個の実施形態に係るSEM式特性解明ツールに備わる電子光学カラムの概略模式図である。 本件開示の1個又は複数個の実施形態に係る光学式特性解明ツールの概略ブロック図である。 本件開示の1個又は複数個の実施形態に係り特性解明ツール及びコントローラを有する特性解明システムの概略模式図である。
以下、添付図面に描かれている被開示主題を詳細に参照する。
図1~図4を総合的に参照し、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係るアレイ型特性解明ツールを開示する。
本件開示の諸実施形態は、電子光学カラムアレイ内の諸電子光学カラム内にある一組のデフレクタにコモンモード電圧(例.電子光学カラムアレイ内の諸電子光学カラムに共通なそれ)が印加される、SEM式特性解明ツールを提供することを指向している。注記されることに、本件開示の特性解明ツールは、これに限られるものではないが検査ツール、レビューツール、撮像式オーバレイ計量ツール等を初め、本件技術分野で既知なあらゆる撮像式特性解明ツールとして構成されうる。
本件開示の諸実施形態は、電子光学カラムアレイ内の各電子光学カラム内にある付加的な一組のデフレクタに対し、前記一組のデフレクタに対するコモンモード電圧の印加と実質的に同時に電圧を印加するSEM式特性解明ツールであり、その付加的電圧が動的であり且つ各電子光学カラムにとり一意なものを提供することも、指向している。注記されることに、コモンモード電圧を提供できる電圧ドライバであり、各電子光学カラムにとり一意で高度に正確且つ動的な電圧をそれと実質的に同時に提供できるものを生成することは、本件技術分野で既知なSEM式特性解明ツールではうまくゆかず、現実的でなく且つ難しいことであると考えられる。
本件開示の諸実施形態は、SEM式特性解明ツール内の諸電子部品の個数、複雑度、占拠容積及び電力消費を低減することも指向している。本件開示の諸実施形態は、SEM式特性解明ツールにおける二次電子捕獲率を改善することも指向している。本件開示の諸実施形態は、SEM式特性解明ツール内デフレクタの偏向収差を減らし偏向場均一度を増進させることも指向している。
本件開示の諸実施形態は、カラムアレイ内の諸カラム内にある一組のデフレクタにコモンモード静及び/又は動電圧(例.カラムアレイ内の諸カラムに共通なそれ)が印加される、特性解明ツールを提供することを指向している。本件開示の諸実施形態は、カラムアレイ内の各カラム内にある付加的な一組のデフレクタに対し、前記一組のデフレクタに対するコモンモード電圧の印加と実質的に同時に電圧を印加する特性解明ツールであり、その付加的電圧が静的及び/又は動的であり且つ各カラムにとり一意なものを提供することも、指向している。本件開示の諸実施形態は、特性解明ツール内の諸部材の個数、複雑度、占拠容積及び電力消費を低減することも指向している。本件開示の諸実施形態は、特性解明ツールにおける捕獲率を改善することも指向している。本件開示の諸実施形態は、特性解明ツール内デフレクタの偏向収差を減らし偏向場均一度を増進させることも指向している。
図1及び図2には、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係る走査型電子顕微法(SEM)式特性解明ツール100が概略的に描かれている。
図1には、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係るSEM式特性解明ツール100の概略模式描像が描かれている。実施形態に係るSEM式特性解明ツール100は電子ビーム源アレイ102を有している。また、実施形態における電子ビーム源アレイ102は1個又は複数個の電子ビーム源を有している。例えば、その電子ビーム源アレイ102を、これに限られるものではないが第1の電子ビーム源104a、第2の電子ビーム源104b、第3の電子ビーム源104c及び/又は少なくとも第4の電子ビーム源104dを有するものと、することができる。また、実施形態では当該1個又は複数個の電子ビーム源に電子ビームエミッタ又は電子銃が含まれている。
また、実施形態に係るSEM式特性解明ツール100は電子光学カラムアレイ108を有している。更に、実施形態における電子光学カラムアレイ108は1個又は複数個の電子光学カラムを有している。例えば、その電子光学カラムアレイ108を、これに限られるものではないが第1の電子光学カラム110a、第2の電子光学カラム110b、第3の電子光学カラム110c及び/又は少なくとも第4の電子光学カラム110dを有するものと、することができる。
また、実施形態では1個又は複数個の電子ビーム源により1本又は複数本の一次電子ビームが生成される。例えば、電子ビーム源104a,104b,104c,104dにより一次電子ビーム106a,106b,106c,106dを生成することができる。更に、実施形態では1本又は複数本の一次電子ビームが電子光学カラムアレイ108に備わる1個又は複数個の電子光学カラムに差し向けられている(例.集束又は操縦されている)。例えば、一次電子ビーム106a,106b,106c,106dを、電子光学カラムアレイ108の電子光学カラム110a,110b,110c,110dに差し向けることができる。実施形態によっては、電子ビーム源アレイ102内にある1個又は複数個の源側電子光学素子の働きで、1個又は複数個の電子ビーム源により生成された電子ビームを分割して、電子光学カラムアレイ108に備わる2個以上の電子光学カラムへと差し向ける。
また、実施形態では1個又は複数個の電子光学カラムが1個又は複数個の電子光学素子を有している。例えば、その電子光学カラム110a,110b,110c,110dが電子光学素子112a,112b,112c,112dを有していてもよい。別例によれば、当該1個又は複数個の電子光学素子に、これに限られるものではないが1個又は複数個の静電レンズ、1個又は複数個の電磁レンズ等を含めることができる。
また、実施形態では、標本ステージ116上に固持されている標本114へと、1個又は複数個の電子光学カラムにより1本又は複数本の一次電子ビームが差し向けられている。例えば、標本ステージ116上に固持されている標本114上へと、電子光学カラム110a,110b,110c,110dにより一次電子ビーム106a,106b,106c,106dを差し向けることができる。また、実施形態では、1本又は複数本の一次電子ビームが標本114上に射突するのに応じ、その標本114にて1本又は複数本の二次電子ビームが放射及び/又は後方散乱されうる。例えば、一次電子ビーム106a,106b,106c,106dが標本114上に射突するのに応じ、その標本114にて二次電子ビーム118a,118b,118c,118dが放射及び/又は後方散乱されうる。一例としては、一次電子ビーム106a,106b,106c,106dに応じ標本114から二次電子が放出されることがある。加えて、一次電子ビーム106a,106b,106c,106d由来の電子が標本114にて後方散乱されることがある。
注記されることに、二次電子ビーム118a,118b,118c,118dが一次電子ビーム106a,106b,106c,106dよりも幅広であるため、二次電子ビーム118a,118b,118c,118d内電子は一次電子ビーム106a,106b,106c,106d内電子よりも低速になろう。加えて、注記されることに、放射及び/又は後方散乱により二次電子ビーム118a,118b,118c,118dが形成される際に、着地エネルギと等価なエネルギが一次電子ビーム106a,106b,106c,106d内電子により損逸されうるため、二次電子ビーム118a,118b,118c,118d内電子は一次電子ビーム106a,106b,106c,106d内電子よりも低速になろう。
標本114には、検査及び/又はレビューに適したあらゆる標本が包含されうる。例えば、これに限られるものではないがフォトマスク/レティクル、半導体ウェハ等が標本114に包含されうる。本件開示中の用語「ウェハ」は、半導体及び/又は非半導体素材で形成された基板のことを指している。例えば半導体素材の場合、これに限られるものではないが単結晶シリコン、砒化ガリウム及び/又は燐化インジウムでウェハを形成することができる。故に、本件開示では語「ウェハ」と語「標本」を互換的に用いることができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。注記されることに、多種多様なデバイスがウェハ上に形成されうるのであり、本願中の用語ウェハには、想定上、本件技術分野で既知な何れかの種類のデバイスがその上に作成されるウェハが包括される。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
標本ステージ116は、電子ビーム顕微法の分野で既知であり好適な何らかの機械及び/又はロボットアセンブリを有するものと、することができる。実施形態における標本ステージ116は駆動可能型ステージである。例えば、標本ステージ116を、これに限られるものではないが、一通り又は複数通りの直線方向(例.x方向、y方向及び/又はz方向)に沿い標本114を選択的に並進させるのに適した1個又は複数個の並進ステージを有するものと、することができる。別例によれば、標本ステージ116を、これに限られるものではないが、ある回動方向に沿い標本114を選択的に回動させるのに適した1個又は複数個の回動ステージを有するものと、することができる。別例によれば、標本ステージ116を、これに限られるものではないが、直線方向に沿い標本114を選択的に並進させ及び/又は回動方向に沿い標本114を回動させるのに適した回動ステージ及び並進ステージを有するものと、することができる。別例によれば、標本ステージ116を、本件技術分野で既知な幾つかを初め、選定されている検査又は計量アルゴリズムに従い位置決め、合焦及び/又は走査のため標本114を並進又は回動させるよう、構成することができる。
図2には、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係るSEM式特性解明ツール100に備わる電子光学カラム110aの概略模式描像が描かれている。
本件開示の諸実施形態は、1本又は複数本の一次電子ビーム106aを標本114の表面上に射突させることで1本又は複数本の二次電子ビーム118aを生成することを指向しているが、注記されることに、明瞭さを考慮し図2からは1本又は複数本の一次電子ビーム106aが省かれている。とはいえ、注記されることに、1本又は複数本の一次電子ビーム106aを標本114に差し向けることができ、またそれを、その電子光学カラム110a内を逆方向に進む1本又は複数本の二次電子ビーム118aの収集に影響しないやり方で行うことができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
注記されることに、一次電子ビーム106aについての全記述を、本件開示の目的上、一次電子ビーム106b,106c,106dに敷衍することができる。加えて、注記されることに、電子光学カラム110aについての全記述を、本件開示の目的上、電子光学カラム110b,110c,110dに敷衍することができる。更に、注記されることに、電子光学素子112aについての全記述を、本件開示の目的上、電子光学素子112b,112c,112dに敷衍することができる。更に、注記されることに、二次電子ビーム118aについての全記述を、本件開示の目的上、二次電子ビーム118b,118c,118dに敷衍することができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
実施形態における電子光学カラム110aは、標本114からの1本又は複数本の二次電子ビーム118aを検出するよう構成された1個又は複数個の検出器200を有している。例えば、当該1個又は複数個の検出器200のなかに、これに限られるものではないが1個又は複数個の二次電子検出器を含めることができる。別例によれば、当該1個又は複数個の検出器200のなかに、これに限られるものではないが1個又は複数個の後方散乱電子検出器を含めることができる。単純さを狙い、本件開示の残余部分では、二次電子検出の文脈で本件開示の様々な実施形態を論じている。しかしながら、本願での認識によれば、電子光学カラム110aは、標本114からの二次電子検出用に、及び/又は、後方散乱電子検出用に、構成することができる。故に、本件開示の技術的範囲は、二次電子の検出に限定されるものとして解されるべきではなく、二次電子及び/又は後方散乱電子の検出を包括するものと考慮されるべきである。
また、実施形態では1個又は複数個の電子光学素子112aがデフレクタ積層体を有しており、それに1個又は複数個のデフレクタが組み込まれている。例えば、デフレクタを八極デフレクタ(例.8枚のプレートを有するもの)、四極デフレクタ(例.4枚のプレートを有するもの)等とすることができる。更に、実施形態におけるデフレクタ積層体は1個又は複数個の偏向層を有しており、偏向層内に1個又は複数個のデフレクタが組み込まれている。例えば、偏向層内に1対又は複数対のデフレクタを組み込むことができる。一例としては、偏向層内に1対又は複数対の八極デフレクタ、1対又は複数対の四極デフレクタ、或いは1対又は複数対の八極デフレクタと1対又は複数対の四極デフレクタの組合せを、組み込むことができる。また、実施形態では、偏向層の偏向比により、そのデフレクタ対に係る偏向収差を定量することができる。
また、実施形態における電子光学カラム110aは1本又は複数本の電圧ラインを有しており、これは電子光学カラム110a内デフレクタ個数に対応している。例えば、前記1個又は複数個の電子光学素子112aのなかに4個の八極デフレクタが含まれている場合、電子光学カラム110aには、それら4個の八極デフレクタ向けに32本の電圧ラインを設ける。また、実施形態では、1個又は複数個の電子光学素子112a内のデフレクタにより、動作電圧に依拠するデフレクタ対又は偏向層が形成されている。
また、実施形態では偏向層内に上デフレクタ202及び下デフレクタ204がある。更に、実施形態における上デフレクタ202及び下デフレクタ204は、二段偏向及び/又は動的非点収差補正のうち一つ以上を実行するよう構成されている。また、実施形態における上デフレクタ202及び下デフレクタ204はある選定厚、即ち上デフレクタ202及び下デフレクタ204に対し同一電圧を印加しつつ二段偏向を行える厚みを有している。例えば、上デフレクタ202及び下デフレクタ204が八極デフレクタである場合は、16本の電圧ラインが必要になろう。注記されることに、上デフレクタ202及び下デフレクタ204を含む一組のデフレクタ対のことを、本件開示の目的上、デフレクタ層と考えることができる。
また、実施形態では偏向層内に上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208がある。更に、実施形態における上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208は、静偏向、静的非点収差補正、動偏向、及び/又は動的非点収差補正のうち一つ以上を実行するよう構成されている。注記されることに、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208が内在するデフレクタ層のことを、本件開示の目的上、トリムデフレクタ層と考えることができる。
また、実施形態では上デフレクタ202が1個又は複数個の増幅器210に結合されている。更に、実施形態では下デフレクタ204が1個又は複数個の増幅器212に結合されている。また、実施形態では上トリムデフレクタ206が1個又は複数個の増幅器214に結合されている。更に、実施形態では下トリムデフレクタ208が1個又は複数個の増幅器216に結合されている。
例えば、デフレクタ層及びトリムデフレクタ層を適宜設計することで、生じる偏向がデフレクタ202,204,206,208及びそれに対応する増幅器210,212,214,216の個別での能力を上回るようにすることができる。こうして複数個の偏向層を積層することで偏向量を結合させることができ、電子光学カラム110a内の1個又は複数個の電子光学素子112aにより実現可能な偏向量を増やすことができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
別例によれば、上デフレクタ202及び下デフレクタ204が内在するデフレクタ層を高電圧で、また上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208が内在するトリムデフレクタ層を低電圧で、動作させることができる。本例では、上デフレクタ202及び下デフレクタ204のことを、本件開示の目的上、高電圧デフレクタ対と考えることができる。加えて、本例では、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208のことを、本件開示の目的上、低電圧デフレクタ対と考えることができる。とはいえ、注記されることに、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208が内在するトリムデフレクタ層を、上デフレクタ202及び下デフレクタ204が内在するデフレクタ層のそれ以上の電圧で動作させてもよい。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
総じて図1及び図2に示されている通り、電子光学カラムアレイ108が電子光学カラム110a,110b,110c,110dを有する実施形態では、電圧を高低のデフレクタ群向けに分割することで、その電子光学カラムアレイ108内の電気部品を減らすことが可能となる。例えば、上デフレクタ202が八極デフレクタである場合、電子光学カラム110a内の上デフレクタ202のプレート毎信号を1個の共通コントローラ又は共通増幅器210により利用及び/又は駆動することができ、ひいては電子光学カラム110b,110c,110dの各上デフレクタ202に都合8個の増幅器210又は共通コントローラを結合させることができる。別例によれば、下デフレクタ204が八極デフレクタである場合、1個又は複数個の電子光学カラム110a内の下デフレクタ204のプレート毎信号を1個の共通コントローラ又は共通増幅器212により利用及び/又は駆動することができ、ひいては電子光学カラム110b,110c,110dの各下デフレクタ204に都合8個の増幅器212又は共通コントローラを結合させることができる。
注記されることに、上デフレクタ202及び下デフレクタ204の個別デフレクタプレート毎に共通増幅器を利用可能となった理由は、その非共通的静的設定にあり、及び/又は、動偏向のうち一部分がトリムデフレクタ層へと分割されることにある。例えば、上トリムデフレクタ206の各プレートをコントローラ又は増幅器214の働きで個別駆動及び/又は個別調整することができ、それにより電子光学カラム110a,110b,110c,110d内に備わるコントローラ又は増幅器214の個数が最高で上トリムデフレクタ206内プレート枚数となる。別例によれば、下トリムデフレクタ208の各プレートをコントローラ又は増幅器216の働きで個別駆動及び/又は個別調整することができ、それにより電子光学カラム110a,110b,110c,110d内に備わるコントローラ又は増幅器216の個数が最高で下トリムデフレクタ208内プレート枚数となる。
加えて、注記されることに、上デフレクタ202,下デフレクタ204それぞれに結合されている増幅器210,212及びそれに対応するコネクタは、上トリムデフレクタ206,下トリムデフレクタ208それぞれに結合されている増幅器214,216及びそれに対応するコネクタよりも、大きなものとなりうる(例.動作電圧が高めなため)。加えて、注記されることに、小さめの増幅器214,216の方が、大きめの増幅器210,212よりも、密にルーティング、ケーブル接続及び/又はパッケージングすること及び省電力消費とすることができる。
こうした関係で、上デフレクタ202,下デフレクタ204それぞれに結合されている1個又は複数個の増幅器210又は共通コントローラ,1個又は複数個の増幅器212又は共通コントローラを、電子光学カラムアレイ108内にある1個又は複数個の電子光学カラム110a,110b,110c,110dに亘り、上デフレクタ202及び下デフレクタ204が内在するデフレクタ層向けの共通ドライバとして、動作させることができる。加えて、上トリムデフレクタ206,下トリムデフレクタ208それぞれに結合されている1個又は複数個の増幅器214又はコントローラ,1個又は複数個の増幅器216又はコントローラを、1本又は複数本の二次電子ビーム118a,118b,118c,118dを精細に調整する目的で、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208が内在するトリムデフレクタ層向けのより小ぶりな個別ドライバとして、動作させることができる。故に、本SEM式特性解明ツール100の体積、複雑度及び電力消費を全体として低減することができる。
本件開示の諸実施形態は、上デフレクタ202,下デフレクタ204をそれぞれ増幅器210,212に結合させることを指向しているが、注記されることに、上デフレクタ202及び下デフレクタ204を単一組の共通増幅器に結合してもよい。その場合、電子光学カラム110a,110b,110c,110dに亘り上デフレクタ202及び下デフレクタ204を共通結合させることができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
やはり図2に示されている通り、実施形態では、デフレクタ層及びトリムデフレクタ層を適宜配列することで、それらにより形成される電子ビームチャネルを選定形状のものとし、またその電子ビームチャネルの中心を、電子光学カラム110aに備わる1個又は複数個の電子光学素子112a内を通る軸としている。例えば、その電子ビームチャネルの形状を適宜選定することで、その又はその他の二次電子ビーム118aの収集に影響を及ぼす(例.減少及び/又は低下させる)ことなく、電子光学カラム110aの偏向感度を改善する(例.上昇及び/又は最大化させる)ことができる。例えば、偏向感度改善の一環として形状を選定することで、1個又は複数個の電子光学素子112aと衝突させることなく、当該1個又は複数個の電子光学素子112aにできるだけ近いところまで、1本又は複数本の二次電子ビーム118aをその電子ビームチャネルにて遡行させることができる。注記されることに、二次電子ビーム118aの収集に影響を及ぼすことなく電子光学カラム110aの偏向感度を改善することは、低電圧デフレクタ対向けに重要なことである。
別例によれば、その電子ビームチャネルを狭端及び広端のある円錐状とすることができ、またその円錐状電子ビームチャネルを、電子光学カラム110a内にある1個又は複数個の電子光学素子112aについての一通り又は複数通りの設計制約条件を媒介にして形成することができる。
例えば、その円錐状電子ビームチャネルを、1個又は複数個の電子光学素子112aにて円錐状開口の働きで形成することができる。その円錐状開口は、1個又は複数個の電子光学素子112aの内表面、特に当該1個又は複数個の電子光学素子112a内を通る中心軸からの角度を基準として傾斜/勾配付された内表面により、明定することができる。上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208のうち1個又は複数個を、傾斜/勾配付の内表面を有するものとすることができる。
加えて、その円錐状電子ビームチャネルを、第1電子光学素子112aの内表面並びに少なくとも1個の付加的電子光学素子112aの内表面の働きで、形成することができる。第1電子光学素子112a及び当該少なくとも1個の付加的電子光学素子112aの内表面を、それぞれ、それら電子光学素子112a内を通る中心軸からある選定距離(例.別々の選定距離又は同じ選定距離)のところに据えることができる。上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208のうち1個又は複数個を、その中心軸からある選定距離のところに据えられた内表面を有するものと、することができる。
更に、その円錐状電子ビームチャネルを、電子光学素子112aにおける円錐状開口の組合せの働きで、且つ第1電子光学素子112a及び少なくとも1個の付加的電子光学素子112aの内表面であり中心軸からある選定距離のところに据えられているものの働きで、形成することができる。
別例によれば、その電子ビームチャネルの形状を、本SEM式特性解明ツール100の構成部材を踏まえ調整することができる。例えば、そのチャネルの狭端を、1本又は複数本の二次電子ビーム118aのサイズに合わせ込むことができる。加えて、そのチャネルの広端を、1個又は複数個の二次電子検出器200のサイズに合わせ込むことができる。
また、実施形態では、上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208を、電子光学カラム110aのデフレクタ積層体内で間隔配置することで、偏向比に関し補償することができる。例えば、上デフレクタ202及び上トリムデフレクタ206を間隔配置することで、偏向比に関し補償することができる。
別例によれば、上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208のうち1個又は複数個の間の間隔を、増大又は縮小させることで、偏向比に関し補償することができる。
例えば、1本又は複数本の一次電子ビーム106aを、デフレクタ積層体に備わる上デフレクタ202、上トリムデフレクタ206、下トリムデフレクタ208及び下デフレクタ204内にこの順で差し向けることができる。加えて、1本又は複数本の二次電子ビーム118aをデフレクタ積層体内に差し向けること、例えばその二次電子ビームを下デフレクタ204、下トリムデフレクタ208、上トリムデフレクタ206及び上デフレクタ202内にその順で差し向けることができる。注記されることに、デフレクタ積層体の上部,下部に上デフレクタ202,下デフレクタ204を配置することで、所与電子光学カラム110a長に亘り偏向アームを改善する(例.増大及び/又は最大化させる)ことができる。翻って、これにより、1本又は複数本の二次電子ビーム118aのうちある選定偏向長に亘り下デフレクタ204での一次電子ビーム106aの偏向(例.キック)を低減し及び/又は最小化させることができる。1個又は複数個の電子光学素子112a内を順行する1本又は複数本の一次電子ビーム106aの偏向(例.キック)を、下デフレクタ204にて低減及び/又は最小化させることで、当該1個又は複数個の電子光学素子112a内を遡行する1本又は複数本の二次電子ビーム118aの偏向を、順次低減及び/又は最小化させることができる。これとの関連で、二次電子ビーム118aの偏向のうち1個又は複数個の二次電子検出器200に信号をもたらすものを、増大及び/又は最大化させることができる。
別例によれば、上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208のうち1個又は複数個の厚みを、増大させるか減少させることで、偏向比に関し補償することができる。例えば、上デフレクタ202、下デフレクタ204、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208をある選定厚のものとすることで、上デフレクタ202及び下デフレクタ204を上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208よりもかなり厚みの少ないもの(例.薄手、平坦又は低背なもの)とすることができる。上デフレクタ202及び下デフレクタ204は、電圧が高いことから、薄手のものであっても稼働させうる。対照的に、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208は、提供される低電圧を利用するため、そのデフレクタ積層体のスペース(そしてより一般には電子光学カラム110aのスペース)を実質的に満たすものとされよう。とはいえ、注記されることに、上デフレクタ202及び下デフレクタ204が、上トリムデフレクタ206及び/又は下トリムデフレクタ208と同じ厚み、或いはより大きな厚みであってもよい。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
注記されることに、何れであれ提示されている諸例を組み合わせて偏向比に関し補償することができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
実施形態では前記1個又は複数個の電子光学素子112aのなかに1個又は複数個の対物レンズ218が含まれている。例えば、これに限られるものではないがダイナミックフォーカス(DF)レンズを1個又は複数個の対物レンズ218に含めることができる。例えば、そのDFレンズの一例たる弱い可調レンズを適宜構成することで、標本114を側方走査する際1本又は複数本の一次電子ビーム106aを合焦状態に保つこと、ひいては焦点高さ変動に関し補償することができる。別例によれば、これに限られるものではないが下部磁極(LP)レンズを1個又は複数個の対物レンズ218に含めることができる。例えば、そのLPレンズの一例たる減速磁界イマージョンレンズを適宜構成することで、走査時に選定レベルの電子光学的性能を提供すると共に標本114に対する長い作動距離を提供することができる。また、実施形態では、1本又は複数本の一次電子ビーム106aが、そのデフレクタ積層体を介し1個又は複数個の対物レンズ218内に差し向けられている。
また、実施形態では、電子光学カラム110aの誤整列がデフレクタ積層体の働きで調整(又は補正)される。例えば、電子光学カラム110aの小誤整列を調整(又は補正)するには二段偏向プロセスを用いればよく、それにより中心軸上の1個又は複数個の対物レンズ218内でビームを操縦しその中心軸に対し平行にすることができる。また例えば、電子光学カラム110aの大誤整列を調整するには単段偏向プロセスを用いればよく、それにより中心軸上の1個又は複数個の対物レンズ218内でビームを操縦しある角度にすることができる。
実施形態では、1本又は複数本の一次電子ビーム106aが、本SEM式特性解明ツール100に備わる電子光学カラム110aの円錐状電子ビームチャネルの働きで、標本114へと差し向けられる。例えば、その1本又は複数本の一次電子ビーム106aを、電子光学カラム110aの電子光学チャネル内で進行させることができる。その1本又は複数本の一次電子ビーム106aを、上デフレクタ202及び下デフレクタ204により二重偏向させることができる。その1本又は複数本の一次電子ビーム106aを、下トリムデフレクタ208により動的に非点収差補正することができる。その1本又は複数本の一次電子ビーム106aを、上トリムデフレクタ206及び下トリムデフレクタ208により静的に非点収差補正し及び/又は偏向させることができる。1個又は複数個の対物レンズ218により1本又は複数本の一次電子ビーム106aを標本114上へと差し向けること、ひいては当該1本又は複数本の一次電子ビーム106a由来の後方散乱電子及び/又は放射電子から1本又は複数本の二次電子ビーム118aを生成することができる。その際に、視野に亘り標本114でのスポットサイズを改善することができる。
実施形態では、1本又は複数本の二次電子ビーム118aが、本SEM式特性解明ツール100に備わる電子光学カラム110aの円錐状電子ビームチャネルの働きで、1個又は複数個の二次電子検出器200へと差し向けられる。例えば、その1本又は複数本の二次電子ビーム118aを電子光学カラム110の電子光学チャネル内で遡行させることができる。一例としては、その1本又は複数本の二次電子ビーム118aを下デフレクタ204により偏向させることで、そのデフレクタ積層体を通る電子ビームチャネルの形状に対し平行に(例.円錐面に対し平行に)当該1本又は複数本の二次電子ビーム118aを進行させることができる。その際に偏向視野を改善することができる。
注記されることに、本件開示は、SEM式特性解明ツールの電子光学カラム内で複数組の電子光学デフレクタをコモンモード及び個別モードにて利用することに、限定されるものではない。例えば、複数組の光デフレクタを、特性解明ツール内でコモンモード及び個別モードにて利用してもよい。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
本件開示では、総じてマルチカラムSEM式特性解明ツールに注目しているが、本件開示の技術的範囲をそうした構成に限定して解すべきではない。寧ろ、本願での認識によれば、これに限られるものではないが二次電子(SE)式特性解明ツール、マルチビームSEM式特性解明ツール等を初め、あらゆる種類の電子式特性解明ツールに、本件開示の様々な実施形態を敷衍することができる。
本件開示では、総じて電子式特性解明ツールに注目しているが、本件開示の技術的範囲をそうした構成に限定して解すべきではない。寧ろ、本願での認識によれば、これに限られるものではないが集束イオンビーム(FIB)式特性解明ツールや光学式特性解明ツールを初め、本件技術分野で既知なあらゆる種類の特性解明ツールに、本件開示の様々な実施形態を敷衍することができる。
図3には、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係る光学式特性解明ツール300の概略模式描像が描かれている。
実施形態に係る光学式特性解明ツール300には、本件技術分野で既知なあらゆる光学式特性解明ツールが包含されうる。例えば、これに限られるものではないが可視光、UV輻射、DUV輻射、VUV輻射、EUV輻射及び/又はX線輻射に相当する波長で稼働しうる光学式特性解明ツールが、本光学式特性解明ツール300に包含されうる。
また、実施形態に係る光学式特性解明ツール300は輻射源アレイ302を有している。更に、実施形態における輻射源アレイ302は1個又は複数個の輻射源を有している。例えば、輻射源アレイ302を、これに限られるものではないが第1の輻射源304a、第2の輻射源304b、第3の輻射源304c及び/又は少なくとも第4の輻射源304dを有するものと、することができる。
また、実施形態に係る光学式特性解明ツール300は光カラムアレイ308を有している。更に、実施形態における光カラムアレイ308は1個又は複数個の光カラムを有している。例えば、光カラムアレイ308を、これに限られるものではないが第1の光カラム310a、第2の光カラム310b、第3の光カラム310c及び/又は少なくとも第4の光カラム310dを有するものと、することができる。
また、実施形態では1個又は複数個の輻射源により1本又は複数本の一次輻射ビームが生成される。例えば、輻射源304a,304b,304c,304dにより一次輻射ビーム306a,306b,306c,306dを生成することができる。また、実施形態では、1本又は複数本の一次輻射ビームが光カラムアレイ308に備わる1個又は複数個の光カラムへと差し向けられる。例えば、1本又は複数本の一次輻射ビーム306a,306b,306c,306dを、光カラムアレイ308の光カラム310a,310b,310c,310dへと差し向けることができる。実施形態によっては、照明ビーム源アレイ302内にある1個又は複数個の源側光学素子の働きで、1個又は複数個の輻射源にて生成された輻射ビームを分割し、光カラムアレイ308に備わる2個以上の光カラムへと差し向ける。
また、実施形態では前記1個又は複数個の光カラムが1個又は複数個の光学素子を有している。例えば、光カラム310a,310b,310c,310dを、光学素子312a,312b,312c,312dを有するものとすることができる。別例によれば、これに限られるものではないが光デフレクタ層、光トリムデフレクタ層等を当該1個又は複数個の光学素子のなかに含めることができる。一例としては、光デフレクタ層や光トリムデフレクタ層のうち1個又は複数個に、これに限られるものではないが1個又は複数個のプリズム、1個又は複数個の音響光変調器等を初め、1個又は複数個の光デフレクタを内在させることができる。
また、実施形態では、その光偏向層内の1個又は複数個の光デフレクタが、二段偏向及び/又は動的非点収差補正のうち一つ以上を実行するよう構成されている。更に、実施形態ではその光トリムデフレクタ層に1個又は複数個の光トリムデフレクタが内在している。また、実施形態では、その光トリムデフレクタ層内の光トリムデフレクタが、静偏向、静的非点収差補正、動偏向及び/又は動的非点収差補正のうち一つ以上を実行するよう構成されている。
また、実施形態では光デフレクタ層が高電圧、光トリムデフレクタ層が低電圧で動作する。とはいえ、注記されることに、光トリムデフレクタ層が光デフレクタ層以上の電圧で動作するのでもよい。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
また、実施形態では、光カラム(例.光カラム310a)の光デフレクタ層内にある1個又は複数個の光デフレクタが増幅器又は共通コントローラに結合され、ひいては選定個数の増幅器が光カラムアレイ308内付加的光カラム(例.光カラム310b,310c,310d)の光デフレクタ層内にある光デフレクタに結合されている。注記されることに、個別光デフレクタ毎に共通増幅器を利用可能となった理由は、その静的設定にあり、及び/又は、動偏向のうち一部分が光トリムデフレクタ層へと分割されることにある。例えば、諸光トリムデフレクタ層内の光トリムデフレクタを、光カラムアレイ308の特定光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)内のコントローラ又は増幅器の働きで、個別駆動及び/又は個別調整することができる。
注記されることに、光デフレクタ層内の諸光デフレクタに結合されている増幅器及びそれに対応するコネクタは、その光トリムデフレクタ層内の諸光トリムデフレクタに結合されている増幅器及びそれに対応するコネクタよりも、大きなものとなりうる(例.動作電圧が高めなため)。加えて、注記されることに、小さめの増幅器の方が大きめの増幅器よりも密にルーティング、ケーブル接続及び/又はパッケージングすること及び省電力消費とすることができる。
その際、光デフレクタ層内の諸光デフレクタに結合されている1個又は複数個の増幅器又は共通コントローラを、その光カラムアレイ308内にある1個又は複数個の光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)に亘り、その光デフレクタ層内の諸光デフレクタ向けの共通ドライバとして、動作させることができる。加えて、1本又は複数本の一次輻射ビーム(例.一次輻射ビーム306a,306b,306c,306d)が標本314上に射突することで1本又は複数本の二次輻射ビームが生じている場合、光トリムデフレクタ層内の諸光トリムデフレクタに結合されている1個又は複数個の増幅器又はコントローラを、1本又は複数本の二次輻射ビーム(例.二次輻射ビーム318a,318b,318c,318d)を精細調整する目的で、その光カラムアレイ108に備わる1個又は複数個の光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)の光トリムデフレクタ層内にある諸光トリムデフレクタ向けに、より小ぶりな個別ドライバとして動作させることができる。故に、光学式特性解明ツール300の体積、複雑度及び電力消費を全体として低減することができる。
実施形態では、光デフレクタ層及び光トリムデフレクタ層を適宜配列することで、それらにより形成される光ビームチャネルを選定形状のものとしており、またその光ビームチャネルの中心を、光カラムアレイ308の1個又は複数個の光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)に備わる1個又は複数個の光学素子(例.光学素子312a,312b,312c,312d)内を通る軸としている。例えば、その光ビームチャネルの形状を狭端及び広端のある円錐状とすることができ、またその円錐状光ビームチャネルを、光カラムアレイ308の1個又は複数個の光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)に備わる1個又は複数個の光学素子(例.光学素子312a,312b,312c,312d)についての一通り又は複数通りの設計制約条件を媒介にして形成することができる。一例としては、その円錐状光ビームチャネルを、1個又は複数個の光学素子(例.光学素子312a,312b,312c,312d)における円錐状開口の働きで形成することができる。その円錐状開口は、1個又は複数個の光学素子(例.光学素子312a,312b,312c,312d)の内表面、特に当該1個又は複数個の光学素子(例.光学素子312a,312b,312c,312d)内を通る中心軸からの角度を基準とし傾斜/勾配付された内表面により、明定することができる。注記されることに、電子光学カラムアレイ108の1個又は複数個の電子光学カラム(例.電子光学カラム110a,110b,110c,110d)内を通る電子ビームチャネルの形状及び動作についての全記述を、本件開示の目的上、光カラムアレイ308の1個又は複数個の光カラム(例.光カラム310a,310b,310c,310d)内を通る光ビームチャネルに敷衍することができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
また、実施形態では、光カラムアレイ308に備わる1個又は複数個の光学カラムにより、1本又は複数本の一次輻射ビームを、標本ステージ316上に固持されている標本314へと差し向けている。例えば、光カラム310a,310b,310c,310dにより、一次輻射ビーム306a,306b,306c,306dを、標本ステージ316上に固持されている標本314上へと差し向けることができる。また、実施形態では、1本又は複数本の一次輻射ビームが標本314上に射突するのに応じ、その標本314にて1本又は複数本の輻射ビームが生成される。例えば、一次輻射ビーム306a,306b,306c,306dが標本314上に射突するのに応じ、その標本314にて、1本又は複数本の二次輻射ビーム318a,318b,318c,318dを発生させることができる。
また、実施形態では1個又は複数個の光カラムが1個又は複数個の光検出器を有している。例えば、1個又は複数個の光カラム310a,310b,310c,310dを、1個又は複数個の光検出器を有するものとすることができる。また、実施形態では、1個又は複数個の光学素子により、1本又は複数本の二次輻射ビームをそれら光カラムの1個又は複数個の光検出器へと差し向けている。例えば、光学素子312a,312b,312c,312dにより、二次輻射ビーム318a,318b,318c,318dを、光カラム310a,310b,310c,310dに備わる1個又は複数個の光検出器へと差し向けることができる。
注記されることに、標本114についての全記述を標本314に敷衍することができる。加えて、注記されることに、標本ステージ116についての全記述を標本ステージ316に敷衍することができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
注記されることに、輻射ビーム306aについての全記述を、本件開示の目的上、輻射ビーム306b,306c,306dに敷衍することができる。加えて、注記されることに、光カラム310aについての全記述を、本件開示の目的上、光カラム310b,310c,310dに敷衍することができる。更に、注記されることに、1個又は複数個の光学素子312aについての全記述を、本件開示の目的上、1個又は複数個の光学素子312b,312c,312dに敷衍することができる。更に、注記されることに、二次輻射ビーム318aについての全記述を、本件開示の目的上、二次輻射ビーム318b,318c,318dに敷衍することができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
図4には、本件開示の1個又は複数個の実施形態に係る特性解明システム400が描かれている。
実施形態に係る特性解明システム400は特性解明ツール402を有している。本特性解明システム400には、本件技術分野で既知であり適切なあらゆる特性解明ツール402を組み込むことができる。一般に、その特性解明ツール402には、1個又は複数個のフォトマスク/レティクル又はウェハを特性解明するのに適したあらゆる特性解明ツールが包含されうる。
実施形態における特性解明ツール402は、本件技術分野で既知な1個又は複数個のフォトマスク/レティクル又はウェハを特性解明するよう構成された、1個又は複数個の特性解明ツール及び/又は特性解明コンポーネントを有している。例えば、その特性解明ツール402に、これに限られるものではないがSEM式特性解明ツール100、光学式特性解明ツール300、FIB式特性解明ツール等を包含させることができる。総じて、特性解明ツール402には、これに限られるものではないが検査ツール、レビューツール、撮像式オーバレイ計量ツール等が包含されうる。
また、実施形態に係る特性解明システム400はコントローラ404を有している。更に、実施形態では、そのコントローラ404が特性解明ツール402の1個又は複数個の構成部材に可作動結合されている。そのため、コントローラ404から特性解明ツール402の構成部材のうち何れかに指令し、本件開示の随所に記載の諸機能のうち何れか1個又は複数個を実行させることができる。
また、実施形態におけるコントローラ404は1個又は複数個のプロセッサ406及びメモリ408を有している。更に、実施形態ではそのメモリ408に一組のプログラム命令410が格納されている。また、実施形態では、本件開示の随所に記載されている1個又は複数個の処理ステップのうち何れかを1個又は複数個のプロセッサ406に実行させるよう、当該一組のプログラム命令410が構成されている。
コントローラ404は、伝送媒体例えば有線及び/又は無線区間を含むそれにより、特性解明ツール402に備わるツール又は他システムからデータ又は情報を受信及び/又は獲得するよう、構成することができる。加えて、コントローラ404は、伝送媒体例えば有線及び/又は無線区間を含むそれにより、特性解明ツール402に備わる1個又は複数個のシステム又はツールへとデータ又は情報(例.本願記載の諸発明概念の1個又は複数個の手順の出力)を送信するよう、構成することができる。その際、その伝送媒体を、コントローラ404と特性解明ツール402の他サブシステムとの間で、データリンクとして働かせることができる。加えて、コントローラ404を、伝送媒体(例.ネットワーク接続)を介し外部システムへとデータを送るよう構成することができる。
前記1個又は複数個のプロセッサ406には、本件技術分野で既知なあらゆる1個又は複数個の処理素子が包含されうる。その意味で、当該1個又は複数個のプロセッサ406には、アルゴリズム及び/又はプログラム命令を実行するよう構成されたあらゆるマイクロプロセッサデバイスが包含されうる。例えば、1個又は複数個のプロセッサ406を、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、イメージコンピュータ、並列プロセッサ、ハンドヘルドコンピュータ(例.タブレット、スマートフォン又はファブレット(登録商標))その他のコンピュータシステム(例.ネットワーク接続コンピュータ)で構成することができる。概して、語「プロセッサ」は、非一時的記憶媒体(例.メモリ408)から得た一組のプログラム命令410を実行する処理素子を1個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広義に定義することができる。更に、特性解明ツール402の様々なサブシステムに、本件開示の随所に記載の諸ステップのうち少なくとも一部分を実行するのに適したプロセッサ又は論理素子を、組み込むことができる。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
メモリ408には、連携する1個又は複数個のプロセッサ406により実行可能な一組のプログラム命令410を格納するのに適し本件技術分野で既知なあらゆる格納媒体が包含されうる。例えば、メモリ408が非一時的記憶媒体を含んでいてもよい。一例としては、これに限られるものではないがリードオンリメモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、磁気又は光記憶デバイス(例.ディスク)、磁気テープ、固体ドライブ等がメモリ408に含まれうる。そのメモリ408を、ユーザインタフェースに備わる表示装置に表示情報を提供するよう構成することができる。加えて、そのメモリ408を、ユーザインタフェースに備わるユーザ入力装置からのユーザ入力情報を格納するよう構成することができる。メモリ408を1個又は複数個のプロセッサ406と共にコントローラ404の共通ハウジング内に収容してもよい。これに代え又は加え、メモリ408をプロセッサ406及び/又はコントローラ404の空間的居所に対し遠隔に所在させてもよい。一例としては、1個又は複数個のプロセッサ406及び/又はコントローラ404が、ネットワーク(例.インターネット、イントラネット等)を介しアクセス可能なリモートメモリ408(例.サーバ)にアクセスするのでもよい。
また、実施形態では、特性解明ツール402の1個又は複数個の構成部材からのデータが、コントローラ404に結合されている一組又は複数組の電子回路、及び/又は、コントローラ404上に格納されているソフトウェアによって、読取及び/又は処理される。更に、実施形態では、特性解明ツール402の1個又は複数個の構成部材により又はその表面にて生成された画像が、コントローラ404に結合されている一組又は複数組の電子回路、及び/又は、コントローラ404上に格納されているソフトウェアによって、読取及び/又は処理される。
また、実施形態に係る特性解明システム400はユーザインタフェースを有している。更に、実施形態ではそのユーザインタフェースがコントローラ404に結合(例.物理結合及び/又は可通信結合)されている。また、実施形態ではそのユーザインタフェースが表示装置を有している。更に、実施形態ではそのユーザインタフェースがユーザ入力装置を有している。また、実施形態ではその表示装置がそのユーザ入力装置に結合されている。例えば、伝送媒体例えば有線及び/又は無線区間を含むそれにより、その表示装置をそのユーザ入力装置に結合させることができる。
本件開示の諸実施形態では、コントローラ404を特性解明ツール402に結合させうることや、特性解明ツール402内に一部材として統合しうることが描出されているが、コントローラ404は特性解明ツール402の不可欠部材や必須部材ではない。加えて、本件開示の諸実施形態では、ユーザインタフェースをコントローラ404に結合させうることや、コントローラ404内に一部材として統合しうることが描出されているが、ユーザインタフェースはコントローラ404や特性解明ツール402の不可欠部材や必須部材ではない。従って、上掲の記述は、本件開示の技術的範囲に対する限定事項としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
いわゆる当業者には認識し得るように、現在の技術水準は、諸態様のシステムのハードウェア的、ソフトウェア的及び/又はファームウェア的実現形態の間にほとんど違いが残らない程に進歩しているし、ハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアの使用は、一般に(但しある種の状況下ではハードウェア・ソフトウェア間選択が重大になりうるので常にではない)コスト対効率のトレードオフを表象する設計的選択事項となっている。いわゆる当業者にはご承知頂けるように、本願記載のプロセス及び/又はシステム及び/又はその他のテクノロジを実行・実現可能な手段は種々あるし(例.ハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェア)、どの手段が相応しいかは当該プロセス及び/又はシステム及び/又はその他のテクノロジが利用される状況によって変わるであろう。例えば、速度及び正確性が肝要であると実施者が判断している場合、その実施者は主としてハードウェア的及び/又はファームウェア的な手段を選択するであろうし、そうではなく柔軟性が肝要である場合は、実施者は主としてソフトウェア的な実現形態を選択するであろうし、その何れでもない場合は、実施者はハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアの何らかの組合せを選択するであろう。このように、本願記載のプロセス及び/又は装置及び/又はその他のテクノロジを実行・実現可能な潜在的手段が幾通りかあるなか、何れかのものが他のものに比べ本質的に優れているわけではなく、どの手段を利用すべきかは、その手段が重用される状況や実施者の具体的懸念(例.速度、柔軟性又は予測可能性)といった、変転しうる事項によって左右される選択的事項となっている。いわゆる当業者には認識し得るように、諸実施形態の光学的諸態様では、通常、光学指向のハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアが採用されよう。
本願記載の幾つかの実現形態では、論理実装品(インプリメンテーション)及びそれに類するものにソフトウェアその他の制御構造が組み込まれうる。例えば、電子回路に備わる1個又は複数個の電流経路を適宜構成及び配置することで、本願記載の様々な機能を実現することができる。幾つかの実現形態では、本願記載の如く実行しうる可作動なデバイス可検出命令がその媒体により保持されているとき又は送信されるときにデバイス可検出な実装品を担うよう、1個又は複数個の媒体を構成することができる。幾つかの変形例では、例えば、諸実装品に既存ソフトウェア又はファームウェア、或いはゲートアレイ又はプログラマブルハードウェアの更新版又は修正板を組み込むこと、例えば本願記載の一通り又は複数通りの動作に関連する1個又は複数個の命令の受信又は送信を実行することでそうすることができる。これに代え又は加え、幾つかの変形例では、実装品に専用のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェアコンポーネントを組み込むこと、及び/又は、専用コンポーネントを実行し又は他の何らかのかたちで呼び出す汎用のコンポーネントを組み込むことができる。仕様その他の実装品を、本願記載の如く一種類又は複数種類の有形伝送媒体により送信してもよいし、必須ではないがパケット伝送により送信してもよいし、さもなくば様々な時点で分散媒体内に引き渡すことで送信してもよい。
これに代え又は加え、諸実装品に専用の命令シーケンスの実行又は回路の起動を組み込み、それにより本願記載のほぼ全ての機能動作を1回又は複数回、実現、起動、調和、要求その他のやり方で生起させることができる。幾つかの変形例では、本願中の演算その他の論理記述をソースコードとして表現し、コンパイル等することで可実行命令シーケンスとして呼び出すことができる。経緯によっては、例えば、諸実装品を、丸ごと又は部分的にソースコード、例えばC++その他のコードシーケンスにより提供することもできる。実現形態によっては、ソースコードその他のコード実装品を、本件技術分野にて商業的に入手可能な技術を用い、上位記述言語の態にコンパイル/具体化/翻訳/変換することができる(例.まずは記載テクノロジをC、C++、python(商標)、Ruby on Rails(商標)、Java(登録商標)、PHP、.NET(商標)又はNode.js(商標)プログラミング言語の態で具体化した後、そのプログラミング言語実装品を論理合成可能言語実装品、ハードウェア記述言語実装品、ハードウェア設計シミュレーション実装品及び/又はそれに類する他の(諸)表現モードへと変換すればよい)。例えば、論理表現(例.コンピュータプログラミング言語実装品)の一部又は全てを、Verilog(登録商標)型ハードウェア記述(例.ハードウェア記述言語(HDL)及び/又は超高速集積回路ハードウェア記述言語(VHDL)によるもの)その他の回路モデルを以て明定した上で、それを用い、ハードウェア(例.用途特化集積回路)を伴う有形実現形態を生成してもよい。いわゆる当業者であれば、これらの教示に照らすことで、好適な伝送若しくは情報処理要素、素材供給源、アクチュエータその他の諸構造をどのようにして取得、構成及び最適化すればよいかをご認識頂けよう。
上掲の詳細記述では、様々な実施形態の装置・デバイス及び/又はプロセスがブロック図、フローチャート及び/又は例示の使用により説明されている。それらブロック図、フローチャート及び/又は例示に1個又は複数個の機能及び/又は動作が含まれている限り、いわゆる当業者にはご理解頂けるように、それらブロック図、フローチャート又は例示内の各機能及び/又は動作は、個別的に及び/又は集合的に、広範なハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア或いはそれらのほぼ全ての組合せにより実現・実施することができる。ある実施形態によれば、本願記載の主題のうち幾つかの部分を、用途特化集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、ディジタル信号プロセッサ(DSP)その他の集積的形態により実現することができる。とはいえ、いわゆる当業者にはご認識頂けるように、本願開示の諸実施形態の幾つかの態様を、丸ごと又は部分的に、1個又は複数個のコンピュータ上で稼働する1個又は複数個のコンピュータプログラム(例.1個又は複数個のコンピュータシステム上で稼働する1個又は複数個のプログラム)として、1個又は複数個のプロセッサ上で稼働する1個又は複数個のプログラム(例.1個又は複数個のマイクロプロセッサ上で稼働する1個又は複数個のプログラム)として、ファームウェアとして、或いはそれらのほぼ全ての組合せで以て、集積回路内で等価的に実現できるのであり、また、その回路を設計すること及び/又はそのソフトウェア及び/又はファームウェアに係るコードを書くことは、本件開示に照らせば、いわゆる当業者の技能範囲であろう。加えて、いわゆる当業者には察せられる通り、本願記載の主題の諸機構は様々な形態にてプログラム製品として頒布可能であり、また、本願記載の主題の例証的実施形態はその頒布を実際に実行する際に用いられる信号担持媒体の具体的種類によらず適用されるのである。信号担持媒体の例としては、これに限られるものではないが、記録可能型媒体例えばフロッピーディスク、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク(CD)、ディジタルビデオディスク(DVD;登録商標)、ディジタルテープ、コンピュータメモリ等と、伝送型媒体例えばディジタル及び/又はアナログ通信媒体(例.光ファイバケーブル、導波路、有線通信リンク、無線通信リンク(例.送信機、受信機、送信ロジック、受信ロジック等)等)とがある。
総じて、いわゆる当業者には認識し得るように、広範な電気的部材例えばハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア及び/又はそれらのほぼ全ての組合せと、広範な機械力又は運動付与可能部材例えば剛体、ばね又はねじり体、水力学的駆動装置、電磁駆動装置及び/又はそれらのほぼ全ての組合せと、を有する様々な種類の電気機械システムにより、個別的及び/又は集合的に、本願記載の様々な実施形態を実現することができる。従って、本願にて用いられる「電気機械システム」には、これに限られるものではないがトランスデューサ(例.アクチュエータ、モータ、圧電結晶、微細電気機械システム(MEMS)等)に可作動結合された電気回路、少なくとも1個のディスクリート電気回路を有する電気回路、少なくとも1個の集積回路を有する電気回路、少なくとも1個の用途特化集積回路を有する電気回路、コンピュータプログラムにより構成設定される汎用情報処理装置(例.本願記載のプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行・実現するコンピュータプログラムにより構成設定される汎用コンピュータ、或いは本願記載のプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行・実現するコンピュータプログラムにより構成設定されるマイクロプロセッサ)を形成する電気回路、記憶デバイス(例.諸形態のメモリ(例.ランダムアクセス、フラッシュ、リードオンリ等))を形成する電気回路、通信装置(例.モデム、通信スイッチ、光電装置等)を形成する電気回路、及び/又は、それらの非電気的相似物例えば光学的その他の相似物が包含される。いわゆる当業者にはこれも察せられる通り、電気機械システムの例としては、これに限られるものではないが、様々なコンシューマ電子システム、医用装置及びその他の諸システム、例えば動力付輸送システム、工場自動化システム、保安システム及び/又は通信/情報処理システムがある。いわゆる当業者には認識し得るように、本願にて用いられる電気機械的は、文脈上別様に宣明されている場合を除き、必ずしも、電気駆動及び機械駆動双方を伴うシステムに限定されない。
総じて、いわゆる当業者には認識し得るように、本願記載の様々な態様は、広範なハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア及び/又はそれらの何らかの組合せにより個別的及び/又は集合的に実現されうるものであり、様々な種類の「電気回路」で構成されたものであると見ることができる。従って、本願にて用いられる「電気回路」には、これに限られるものではないが、少なくとも1個のディスクリート電気回路を有する電気回路、少なくとも1個の集積回路を有する電気回路、少なくとも1個の用途特化集積回路を有する電気回路、コンピュータプログラムにより構成設定される汎用情報処理装置(例.本願記載のプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行・実現するコンピュータプログラムにより構成設定される汎用コンピュータ、或いは本願記載のプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行・実現するコンピュータプログラムにより構成設定されるマイクロプロセッサ)を形成する電気回路、記憶デバイス(例.諸形態のメモリ(例.ランダムアクセス、フラッシュ、リードオンリ等))を形成する電気回路、及び/又は、通信装置(例.モデム、通信スイッチ、光電装置等)を形成する電気回路が包含される。いわゆる当業者には認識し得るように、本願記載の主題は、アナログ形式、ディジタル形式或いはそれらの何らかの組合せで実現されうる。
いわゆる当業者には認識し得るように、本願記載のデバイス及び/又はプロセスのうち少なくとも一部分を、データ処理システム内に統合することができる。いわゆる当業者には認識し得るように、データ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、ビデオ表示デバイス、メモリ例えば揮発性又は不揮発性メモリ、プロセッサ例えばマイクロプロセッサ又はディジタル信号プロセッサ、情報処理エンティティ例えばオペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース及びアプリケーションプログラム、1個又は複数個のインタラクティブデバイス(例.タッチパッド、タッチスクリーン、アンテナ等)、及び/又は、フィードバックループ及び制御モータ(例.位置及び/又は速度を感知するためのフィードバック、諸部材及び/又は諸量を動かし及び/又は調整するための制御モータ)を有する制御システム、のうち1個又は複数個を有している。データ処理システムは商業的に入手できる適切な部材、例えばデータ情報処理/通信及び/又はネットワーク情報処理/通信システムにて普通に見出されるそれら等を利用し、実現することができる。
いわゆる当業者には認識し得るように、本願記載の諸構成要素(例.諸動作)、諸デバイス、諸物体及びそれらに付随する議論は概念的明瞭性さのため例として用いられており、様々な構成修正が想定されている。従って、本願での用法によれば、先に説明した具体的な手本及びそれに付随する議論は、それらのより一般的な分類階級の代表たることを意図している。一般に、どのような具体的手本の使用も、その分類階級の代表たることを意図するものであり、具体的な構成要素(例.動作)、デバイス及び物体が含まれていないことを限定として捉えるべきではない。
本願ではユーザが単数形で記述されているが、いわゆる当業者には察せられる通り、文脈上別様に宣明されていないのであれば、ユーザで人的ユーザ、ロボットユーザ(例.情報処理エンティティ)及び/又はそれらのほぼ全ての組合せを代表・表現することができる(例.ユーザが1個又は複数個のロボットエージェントにより支援されていてもよい)。いわゆる当業者には察せられる通り、一般に、文脈上別様に宣明されない限り、それ同じことを、「送信者」及び/又はその他のエンティティ指向語であり本願にて用いられている語についても、言うことができる。
本願におけるほぼ全ての複数形語及び/又は単数形語の使用に関し、いわゆる当業者は、文脈及び/又は用途に見合っているのであれば、複数形から単数形へ及び/又は単数形から複数形へと読み替えることができる。明瞭性のため、本願では、様々な単数形/複数形読み替えについて明示的に説明していない。
本願記載の主題は、ところどころ、様々な他部材に組み込まれ又は接続・連結されたいる様々な部材を以て描出されている。理解し得るように、それら図示アーキテクチャは単なる例示であり、実のところは、他の多くのアーキテクチャのなかにも、その実施により同じ機能が達成されるものがある。概念的には、どのような部材配置であれ同じ機能が達成されるものは、その所望機能が達成されるよう実質的に「連携」しているのである。従って、本願中の何れの二部材であれ、ある特定の機能を達成すべく組み合わされているものは、その所望機能が達成されるよう互いに「連携」していると見なせるのであり、アーキテクチャや介在部材の如何は問われない。同様に、何れの二部材であれそのように連携しているものは、その所望機能を達成すべく互いに「可作動的に接続・連結され」又は「可作動的に結合され」ているとも見ることができ、また何れの二部材であれそのように連携させうるものは、その所望機能を実現すべく互いに「可作動的に結合可能」であるとも見ることができる。可作動的に結合可能、の具体例としては、これに限られるものではないが、物理的に結合可能な及び/又は物理的に相互作用する諸部材、及び/又は無線的に相互作用可能な及び/又は無線的に相互作用する諸部材、及び/又は論理的に相互作用する及び/又は論理的に相互作用可能な諸部材等がある。
場合によっては、1個又は複数個の部材が本願にて「~するよう構成された」、「~するよう構成されうる」、「~するよう動作しうる/動作させうる」、「適合させた/適合させうる」、「~しうる」、「~に順応させうる/順応させた」等と称されることがある。いわゆる当業者にはご認識頂けるように、文脈上別様に要請されない限り、これらの語(例.「~するよう構成された」)により、一般に活性状態部材及び/又は不活性状態部材及び/又は待機状態部材を包括することができる。
本願に記載されている本件主題の具体的諸態様について図示及び記述したが、いわゆる当業者には察せられるように、本願記載の主題及びそのより広範な諸態様から離隔することなく本願での教示に基づき改変及び修正をなしうるのであるから、別項の特許請求の範囲の技術的範囲内には、それら改変及び修正全てが本願記載の主題の真正なる神髄及び技術的範囲内にあるものとして包括されるべきである。いわゆる当業者には理解し得るように、総じて、本願特に別項の特許請求の範囲(例.別項の特許請求の範囲の本文)にて用いられる語は概ね「開放」語たる趣旨のものである(例.語「~を含んでいる」は「~を含んでいるが~に限られない」、語「~を有している」は「少なくとも~を有している」、語「~を含む」は「~を含むが~に限られない」等々と解されるべきである)。いわゆる当業者にはやはり理解し得るように、ある具体的個数の請求項内導入要件を意図しているのであれば、その意図がその請求項に明示されるので、そうした要件記載がなければそうした意図がないということである。例えば、理解の助けとして、後掲の添付諸請求項には、導入句「少なくとも1個」及び「1個又は複数個」の使用による請求項内要件の導入が含まれているものがある。しかしながら、不定冠詞「a」又は「an」による請求項内導入要件の導入によりその請求項内導入要件を含む個別請求項全てがその構成要件を1個しか含まないものに限定される、といった含蓄があるかのように、そうした語句の使用を解釈すべきではないし、まさにその請求項に導入句「1個又は複数個」又は「少なくとも1個」と不定冠詞例えば「a」又は「an」が併存している場合でもそう解釈すべきではないし(例えば「a」及び/又は「an」は、通常、「少なくとも1個」又は「1個又は複数個」を意味するものと解すべきである)、またこれと同じことが定冠詞の使用による請求項内要件の導入に関しても成り立つ。加えて、ある具体的個数の請求項内導入要件が明示されている場合でも、いわゆる当業者には認識し得るように、通常は、少なくともその明示個数、という意味にその言及個数を解すべきである(例.他の修飾語句を欠く「2個の構成要件」なる抜き身的表現は、通常、少なくとも2個の要件或いは2個以上の要件という意味になる)。更に、「A、B及びCのうち少なくとも1個等々」に類する規約が用いられている例では、総じて、いわゆる当業者がその規約を理解するであろう感覚に従いそうした構文が企図されている(例.「A、B及びCのうち少なくとも1個を有するシステム」には、これに限られるものではないが、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A・B双方、A・C双方、B・C双方、及び/又は、A・B・C三者を有するシステム等々が包含されることとなろう)。「A、B又はCのうち少なくとも1個等々」に類する規約が用いられている例では、総じて、いわゆる当業者がその規約を理解するであろう感覚に従いそうした構文が企図されている(例.「A、B又はCのうち少なくとも1個を有するシステム」には、これに限られるものではないが、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A・B双方、A・C双方、B・C双方、及び/又は、A・B・C三者等々を有するシステムが包含されることとなろう)。やはりいわゆる当業者には理解し得るように、通常、2個以上の代替的な語を提示する分離接続詞及び/又は分離接続句については、明細書、特許請求の範囲及び図面のうちどこにあるのかを問わず、文脈上別様に宣明されていない限り、一方の語、何れかの語、或いは双方の語を包含する可能性が想定されているものと理解すべきである。例えば、語句「A又はB」は、通常、「A」又は「B」又は「A及びB」の可能性を包含するものと解されよう。
別項の特許請求の範囲との関連では、いわゆる当業者には察せられる通り、そこで言及されている諸動作が一般にどのような順序で実行されるのでもよい。また、様々な動作フローがシーケンス(群)の態で提示されているが、理解されるべきことに、それら様々な動作が、描出されているそれとは異なる順序で実行されてもよいし、或いは同時実行されてもよい。そうした代替的な順序の例には、文脈上別様に宣明されない限り、重複、補間、割り込み、順序変更、漸進、準備的、追加的、同時的、逆転その他の可変的順序が含まれうる。更に、「に応じた」、「に関係した」その他の過去形形容詞に類する語は、総じて、文脈上別様に宣明されない限り、それらの変異形を排除する意図のものではない。
本発明の具体的諸実施形態について描出したが、明らかな通り、いわゆる当業者であれば、上掲の開示の技術的範囲及び神髄から離隔することなく、本発明の様々な修正及び実施形態を実現できよう。本件開示及びそれに付随する長所の多くについては上掲の記述により理解し得るであろうし、被開示主題から離隔することなく或いはその主要な長所全てを損なうことなく諸部材の形態、構成及び配置に様々な改変を施せることも明らかであろう。記述されている形態は単なる説明用のものであり、後掲の特許請求の範囲の意図はそうした改変を包括、包含することにある。従って、本発明の技術的範囲は、本願添付の特許請求の範囲のみにより限定されるべきである。

Claims (11)

  1. 走査型電子顕微法(SEM)システムであって、
    複数個の電子ビーム源を備え、一次電子ビームを生成するようそれら電子ビーム源のうち少なくとも幾つかが構成されており、且つ
    複数個の電子光学カラムを備える電子光学カラムアレイを備え、それら複数個の電子光学カラムのうちある電子光学カラムが、
    複数個の電子光学素子を有し、円錐状電子ビームチャネルが形成されるようそれら複数個の電子光学素子が配列されており、ステージ上に固持されている標本に前記一次電子ビームを差し向けるようその円錐状電子ビームチャネルが構成されており、その一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射し、且つ
    少なくとも1個の電子検出器を有し、当該少なくとも1個の電子検出器に前記電子ビームを差し向けるよう前記円錐状電子ビームチャネルが構成されているシステム。
  2. 請求項1に記載のシステムであって、前記複数個の電子光学素子のうち少なくとも1個の電子光学素子にて円錐状開口の働きで前記円錐状電子ビームチャネルが形成されるシステム。
  3. 請求項1に記載のシステムであって、前記複数個の電子光学素子のうち第1電子光学素子の内表面並びに少なくとも1個の付加的電子光学素子の内表面の働きで前記円錐状電子ビームチャネルが形成され、第1電子光学素子のその内表面並びに当該少なくとも1個の付加的電子光学素子のその内表面が、それぞれ、当該複数個の電子光学素子内を通る中心軸からある選定距離のところに据えられており、第1電子光学素子のその内表面並びに当該少なくとも1個の付加的電子光学素子のその内表面のうち少なくとも一方が、当該複数個の電子光学素子内を通る中心軸に対する角度に基づき勾配付けされた内表面を含むシステム。
  4. 請求項3に記載のシステムであって、前記中心軸から第1電子光学素子の前記内表面までの前記選定距離が、その中心軸から前記少なくとも1個の付加的電子光学素子の前記内表面までの前記選定距離と異なるシステム。
  5. 請求項1に記載のシステムであって、前記複数個の電子光学素子のうち少なくとも1個の電子光学素子における円錐状開口の働きと、当該複数個の電子光学素子のうち第1電子光学素子の内表面並びに少なくとも1個の付加的電子光学素子の内表面の働きとで、前記円錐状電子ビームチャネルが形成され、
    第1電子光学素子並びに前記少なくとも1個の付加的電子光学素子の前記内表面が、それぞれ、前記複数個の電子光学素子内を通る中心軸からある選定距離のところに据えられているシステム。
  6. 請求項1に記載のシステムであって、前記一次電子ビームが前記標本に向かうにつれ前記円錐状電子ビームチャネルが狭くなるシステム。
  7. 請求項6に記載のシステムであって、前記円錐状電子ビームチャネルの狭開口が前記電子ビームのサイズに合せ込まれたシステム。
  8. 請求項1に記載のシステムであって、前記電子ビームが前記少なくとも1個の電子検出器に向かうにつれ前記円錐状電子ビームチャネルが広くなるシステム。
  9. 請求項8に記載のシステムであって、前記円錐状電子ビームチャネルの広開口が前記少なくとも1個の電子検出器のサイズに合せ込まれたシステム。
  10. 請求項1に記載のシステムであって、前記複数個の電子光学素子が1個又は複数個の対物レンズを含むシステム。
  11. 電子光学システムであって、
    複数個の電子光学カラムを有する電子光学カラムアレイを備え、それら複数個の電子光学カラムのうちある電子光学カラムが複数個の電子光学素子を有し、円錐状電子ビームチャネルが形成されるようそれら複数個の電子光学素子が配列されており、ステージ上に固持されている標本に一次電子ビームを差し向けるようその円錐状電子ビームチャネルが構成されており、その一次電子ビームに応じその標本が電子ビームを放射し、且つ
    少なくとも1個の電子検出器を備え、前記電子ビームを当該少なくとも1個の電子検出器に差し向けるよう前記円錐状電子ビームチャネルが構成されているシステム。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239048B2 (en) * 2020-03-09 2022-02-01 Kla Corporation Arrayed column detector

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390789A (en) * 1981-05-21 1983-06-28 Control Data Corporation Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation
JPS6293931A (ja) * 1985-10-19 1987-04-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置
EP0281743B1 (de) * 1987-02-02 1994-03-30 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektorobjectiv für Rastermikroskope
JP2775812B2 (ja) * 1989-02-21 1998-07-16 株式会社ニコン 荷電粒子線装置
US6633034B1 (en) * 2000-05-04 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors
WO2002052610A1 (en) 2000-12-22 2002-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sem provided with a secondary electron detector having a central electrode
US6797953B2 (en) 2001-02-23 2004-09-28 Fei Company Electron beam system using multiple electron beams
US6750455B2 (en) 2001-07-02 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multiple charged particle beams
EP1523671A2 (en) * 2002-07-11 2005-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring critical dimensions with a particle beam
CN101414127A (zh) * 2002-10-30 2009-04-22 迈普尔平版印刷Ip有限公司 电子束曝光系统
TWI323004B (en) 2005-12-15 2010-04-01 Nuflare Technology Inc Charged particle beam writing method and apparatus
JP4977509B2 (ja) * 2007-03-26 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP5107812B2 (ja) * 2008-07-08 2012-12-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
DE102008062450B4 (de) * 2008-12-13 2012-05-03 Vistec Electron Beam Gmbh Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
US8071942B2 (en) * 2009-03-20 2011-12-06 Physical Electronics USA, Inc. Sample holder apparatus to reduce energy of electrons in an analyzer system and method
JP5890652B2 (ja) * 2011-10-28 2016-03-22 株式会社荏原製作所 試料観察装置及び試料観察方法
JP5934965B2 (ja) * 2012-04-26 2016-06-15 国立研究開発法人理化学研究所 電子線装置
US9105440B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
DE102014202858A1 (de) 2014-02-17 2015-08-20 Wacker Chemie Ag Vernetzbare Mischungen mit alpha-funktionellen Polysiloxanen
US9431209B2 (en) 2014-08-26 2016-08-30 Hermes-Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lenses
NL2013411B1 (en) * 2014-09-04 2016-09-27 Univ Delft Tech Multi electron beam inspection apparatus.
CN111261481B (zh) * 2015-03-24 2022-12-16 科磊股份有限公司 用于带电粒子显微镜的方法及系统
WO2016182948A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Kla-Tencor Corporation Method and system for aberration correction in electron beam system
US10366862B2 (en) * 2015-09-21 2019-07-30 KLA-Tencor Corporaton Method and system for noise mitigation in a multi-beam scanning electron microscopy system
TWI701459B (zh) * 2015-09-23 2020-08-11 美商克萊譚克公司 用於多波束掃描式電子顯微系統之聚焦調整之方法及系統
US10515778B2 (en) * 2016-03-16 2019-12-24 Ngr Inc. Secondary particle detection system of scanning electron microscope
US10497536B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-03 Rockwell Collins, Inc. Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system
US10453645B2 (en) * 2016-12-01 2019-10-22 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device

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