JP2023030670A - 切削方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハの切削ブレードでの加工品質の低下を抑制することができる切削方法を提供すること。【解決手段】切削方法は、切削予定ラインが設定されたウェーハを切削ブレードで切削する切削方法であって、ウェーハの上方から励起光をウェーハに照射してウェーハから生じた蛍光の強度を検出し、ファセット領域を特定するファセット領域特定ステップ１００１と、ファセット領域特定ステップ１００１を実施した後、切削ブレードで切削予定ラインに沿ってウェーハを切削する切削ステップ１００２と、を備え、切削ステップ１００２では、ファセット領域を他の領域とは異なる切削条件で切削する。【選択図】図３

Description

本発明は、切削予定ラインが設定されたウェーハを切削ブレードで切削する切削方法に関する。

例えばパワーデバイスの製造工程では、インゴットから切り出されてウェーハ化されたＳｉＣウェーハ上に複数のパワーデバイスを形成し、このウェーハを分割することで複数のパワーデバイスを製造している。

ＳｉＣウェーハとしては直径が６インチの外形サイズを有する物が広く市場に流通しているが、デバイスの製造装置として直径が５インチのＳｉＣウェーハまでにしか対応していない装置も多用されている。そこで、直径が６インチのＳｉＣウェーハの外周を切削ブレードで切り落として直径を５インチに小径化することが行われている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１－０５４４６１号公報

しかし、ウェーハによっては切削ブレードでの加工品質が大きく異なり、チッピングやクラックが多発したり、切削ブレードに異常摩耗や蛇行が生じたりする個体があった。

本発明の目的は、ウェーハの切削ブレードでの加工品質の低下を抑制することができる切削方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の切削方法は、切削予定ラインが設定されたウェーハを切削ブレードで切削する切削方法であって、ウェーハの上方から励起光を該ウェーハに照射して該ウェーハから生じた蛍光の強度を検出し、ファセット領域を特定するファセット領域特定ステップと、該ファセット領域特定ステップを実施した後、該切削ブレードで該切削予定ラインに沿って該ウェーハを切削する切削ステップと、を備え、該切削ステップでは、該ファセット領域を他の領域とは異なる切削条件で切削することを特徴とする。

前記切削方法において、該切削予定ラインは、該ウェーハの中心を中心とした環状に設定され、該切削ステップでは、該切削ブレードで該ウェーハを環状に切断し、該ウェーハを小径化しても良い。

前記切削方法において、該ウェーハは、ＳｉＣからなっても良い。

本発明は、ウェーハの切削ブレードでの加工品質の低下を抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る切削方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。 図２は、図１に示されたウェーハの平面図である。 図３は、実施形態１に係る切削方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示された切削方法のファセット領域特定ステップを模式的に示す斜視図である。 図５は、図４に示されファセット検出ユニットの構成を模式的に示す図である。 図６は、図５に示されたファセット検出ユニットが検出したファセット領域の一例を示す平面図である。 図７は、図２に示された切削方法の切削ステップを示す斜視図である。 図８は、実施形態２に係る切削方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。 図９は、実施形態２に係る切削方法のファセット領域特定ステップにおいてファセット検出ユニットが検出したファセット領域の一例を示す平面図である。 図１０は、実施形態２に係る切削方法の切削ステップを示す斜視図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る切削方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る切削方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハの平面図である。図３は、実施形態１に係る切削方法の流れを示すフローチャートである。

（ウェーハ）
実施形態１に係る切削方法は、図１及び図２に示すウェーハ１を切削する方法である。実施形態１に係る切削方法の加工対象である図１及び図２に示すウェーハ１は、実施形態１では、ＳｉＣ（炭化ケイ素）からなり、全体として円板状に形成されている。ウェーハ１は、結晶方位を示す直線状のオリエンテーションフラット２と、直線状のサブオリエンテーションフラット３とが外縁部に形成されている。実施形態１では、オリエンテーションフラット２，３の長手方向は、互いに直交し、オリエンテーションフラット２の長さは、サブオリエンテーションフラット３の長さよりも長い。

ウェーハ１は、外縁部に切削予定ライン４（図１及び図２に破線で示す）が設定されている。実施形態１では、切削予定ライン４は、平面形状が円形に形成され、外径４－１がウェーハ１の外径１－１よりも小さいとともに、ウェーハ１と同軸に配置されている。即ち、実施形態１において、切削予定ライン４は、ウェーハ１の中心を中心とした環状に設定されている。なお、実施形態１では、ウェーハ１の外径１－１は、６インチであり、切削予定ライン４の外径４－１は、５インチである。ウェーハ１は、切削予定ライン４に沿って切削された後、表面７にデバイスが形成される。実施形態１では、デバイスは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）又はＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）であるが、本発明では、デバイスは、ＭＯＳＦＥＴ、ＭＥＭＳ及びＳＢＤに限定されない。

また、実施形態１では、ウェーハ１は、ＳｉＣからなるが、本発明では、ウェーハ１を構成する材料は、ＳｉＣに限定されずに、例えば、ＬｉＴａＯ_３（タンタル酸リチウム：ＬＴ）又はＧａＮ（窒化ガリウム）でもよい。なお、図１には、切削予定ライン４を、ウェーハ１の表面７の裏側の裏面８に破線で示しているが、実際には、図１に示された切削予定ライン４は仮想的な線であり、ウェーハ１の裏面８には存在しない。

実施形態１では、ウェーハ１は、ＳｉＣの単結晶からなるインゴットから切り出されて構成される。インゴットは、一般的に、導電性を付与するために窒素等の不純物がドープされている。このために、インゴットは、このような不純物が一様にドープされることなく、ＳｉＣの単結晶の成長過程において、ファセットと称される結晶構造が異なる領域１０（以下、ファセット領域と記し、図１及び図２中に平行斜線で示す）が形成される場合がある。ファセット領域１０の不純物濃度は、他の領域１１（以下、非ファセット領域と記し、図１及び図２中に白地で示す）よりも高い。このように、ファセット領域１０は、非ファセット領域１１と不純物の濃度が異なる。ファセット領域１０は、非ファセット領域１１に比べて屈折率が高いと共にエネルギーの吸収率が高い。このように、ウェーハ１は、ファセット領域１０を含む場合がある。実施形態１では、ウェーハ１は、ファセット領域１０を含む。

（切削方法）
実施形態１に係る切削方法は、前述したウェーハ１を切削予定ライン４に沿って切削ブレード８１（図７に示す）で切削する切削方法である。切削方法は、図３に示すように、ファセット領域特定ステップ１００１と、切削ステップ１００２とを備える。

（ファセット領域特定ステップ）
図４は、図３に示された切削方法のファセット領域特定ステップを模式的に示す斜視図である。図５は、図４に示されファセット検出ユニットの構成を模式的に示す図である。図６は、図５に示されたファセット検出ユニットが検出したファセット領域の一例を示す平面図である。

ファセット領域特定ステップ１００１は、図４に示すファセット領域特定装置２０が、ウェーハ１の上方のファセット検出ユニット２１から励起光２６１をウェーハ１に照射してウェーハ１から生じた蛍光２６２の強度を検出し、ファセット領域１０を特定するステップである。ファセット領域特定ステップ１００１では、図４に示すファセット領域特定装置２０が、ウェーハ１の表面７側を保持テーブル２２に吸引保持する。

なお、ファセット領域特定装置２０のファセット検出ユニット２１は、保持テーブル２２に吸引保持されたウェーハ１の裏面８に対向して配置され、所定波長の励起光２６１をウェーハ１の裏面８に照射してＳｉＣ固有の蛍光２６２の強度を検出するものである。ファセット検出ユニット２１は、図５に示すように、保持テーブル２２に吸引保持されたウェーハ１に対向して配置されたケース２３と、励起光照射部２４と、受光部２５とを備える。ケース２３は、保持テーブル２２に吸引保持されたウェーハ１に対向する下方に開口を設けた箱状に形成されている。

励起光照射部２４は、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１の裏面８に励起光２６１を照射するものである。励起光照射部２４は、ウェーハ１にレーザー加工を施さない程度の低出力（たとえば０．１Ｗ）のウェーハ１に吸収される波長域（たとえば３６５ｎｍ～３７５ｎｍ）の励起光２６１を発振する光源２６と、光源２６から発振された励起光２６１を反射するミラー２７と、ミラー２７で反射した励起光２６１を集光してウェーハ１に照射する集光レンズ２８とを備える。

光源２６と、ミラー２７と、集光レンズ２８とは、ケース２３内に配置されている。光源２６は、例えば、ＧａＮ系発光素子を有し、ＳｉＣインゴット２００に吸収される波長（例えば、３６５ｎｍ）の光を含む励起光２６１をミラー２７に向けて照射する。ミラー２７は、たとえば３６５ｎｍ～３７５ｎｍの波長の光である励起光２６１を反射すると共にたとえば３６５ｎｍ～３７５ｎｍの波長以外の波長の光を透過する。

なお、ウェーハ１は、励起光２６１が照射されると、この励起光２６１を吸収し、励起光２６１で励起され蛍光２６２を発生する。例えば、励起光２６１の波長が３６５ｎｍであれば、ウェーハ１の裏面８から深さ１０μｍ程度まで励起光２６１が侵入する。そして、ウェーハ１の裏面８側の厚さが約１０μｍの板状の領域から蛍光２６２が生じる。

受光部２５は、励起光２６１でウェーハ１が励起され発生する蛍光２６２を集光して受光するものである。受光部２５は、ケース２３内に配置されかつ内側に反射面３０を有する円環状の楕円鏡３１と、フィルタ３２と、受光ユニット３３とを備える。楕円鏡３１は、集光レンズ２８よりも保持テーブル２２寄りに配置され、反射面３０が、鉛直方向に延在する長軸と水平方向に延在する短軸とを有する楕円３４を当該長軸を中心に回転させた回転楕円体の曲面の一部に相当する。

楕円鏡３１は、２つの焦点３５，３６を有し、その一方（例えば、焦点３５）から生じた光を他方（例えば、焦点３６）に集光する。楕円鏡３１の一方の焦点３５は、集光レンズ２８の焦点に概ね一致するように設計される。楕円鏡３１の他方の焦点３６は、受光ユニット３３に設定されている。楕円鏡３１は、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１が生じた蛍光２６２を反射面３０で反射し、フィルタ３２を透過させた後、受光ユニット３３に受光させる。

フィルタ３２は、ミラー２７と、受光ユニット３３との間に配置され、ウェーハ１が発生し集光レンズ２８を透過した蛍光２６２のうちの７５０ｎｍ以上の波長の光２６３を透過させかつ７５０ｎｍ未満の波長の光を遮断するＩＲフィルタを備える。

受光ユニット３３は、ウェーハ１から発生し集光レンズ２８を透過した蛍光２６２のうちのフィルタ３２が透過した光２６３を受光し、受光した光２６３の強度を示す信号を生成し、生成した信号をファセット領域特定装置２０の制御ユニット７０に出力する。ここで、強度は、ウェーハ１の励起光２６１が照射された位置の不純物の濃度が高い領域ほど弱くなる。即ち、ファセット領域１０からの光２６３の強度は、非ファセット領域１１からの光２６３の強度よりも少ない。

また、図示していないが、ファセット検出ユニット２１は、ケース２３を昇降させて励起光２６１の集光点のＺ軸方向の位置を調整する集光点位置調整手段を含み、この集光点位置調整手段が、例えば、ケース２３に連結されＺ軸方向に延びるボールねじと、このボールねじを回転させるモータ等を備えている。

なお、制御ユニット７０は、ファセット領域特定装置２０の構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ１のファセット領域１０の特定動作をファセット領域特定装置２０に実施させるものである。なお、制御ユニット７０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット７０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、ファセット領域特定装置２０を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してファセット領域特定装置２０の上述した構成要素に出力して、制御ユニット７０の機能を実現する。

また、制御ユニット７０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。

ファセット領域特定ステップ１００１では、ファセット領域特定装置２０の制御ユニット７０は、ファセット検出ユニット２１と保持テーブル２２とを相対的に移動させながら保持テーブル２２に保持されたウェーハ１の裏面８に所定の間隔毎に励起光２６１を照射して、ウェーハ１の裏面８からの蛍光２６２のうちフィルタ３２を透過した光２６３の強度を所定の間隔毎に受光ユニット３３で検出する。この際、光源２６から発振された励起光２６１は、ミラー２７で反射して集光レンズ２８に導かれ、集光レンズ２８において集光されウェーハ１の裏面８に照射される。

なお、実施形態１において、ファセット領域特定ステップ１００１では、ファセット領域特定装置２０の制御ユニット７０は、保持テーブル２２を鉛直方向（Ｚ軸方向ともいう）と平行な軸心回りに回転するとともに、ファセット検出ユニット２１をウェーハ１の外縁部とＺ軸方向に沿って対向する位置から保持テーブル２２の軸心からの距離が徐々に短くなるように、保持テーブル２２の径方向に沿って保持テーブル２２とファセット検出ユニット２１とを相対的に移動させながら励起光２６１を照射する。

励起光２６１がウェーハ１の裏面８に照射されると、励起光２６１の波長とは異なる波長（たとえば７５０ｎｍ以上の波長）の蛍光２６２をウェーハ１が発生させ、蛍光２６２がウェーハ１から放出される。蛍光２６２は、集光レンズ２８およびミラー２７を透過した後、７５０ｎｍ以上の波長の光２６３のみがフィルタ３２を透過し、フィルタ３２を透過した光２６３が受光ユニット３３に受光され、光２６３の強度が受光ユニット３３によって検出される。受光ユニット３３は、受光した光２６３の強度に応じた信号を制御ユニット７０に出力する。

また、ファセット領域特定装置２０は、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１のファセット検出ユニット２１がＺ軸方向に沿って対向する位置のＸ軸方向の位置を検出するＸ軸位置検出ユニットと、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１のファセット検出ユニット２１がＺ軸方向に沿って対向する位置のＹ軸方向の位置を検出するＹ軸位置検出ユニットとを備える。Ｘ軸位置検出ユニット及びＹ軸位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット７０に出力する。なお、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは、それぞれ水平方向と平行で、かつ互いに直交する。

制御ユニット７０は、Ｘ軸位置検出ユニットの検出結果と、Ｙ軸方向の位置を検出するＹ軸位置検出ユニットの検出結果とに基づいて、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１の励起光２６１が照射された位置のＸ軸方向の位置とＹ軸方向の位置、即ち、ＸＹ座標を算出する。ファセット領域特定装置２０の制御ユニット７０が、算出した保持テーブル２２に保持されたウェーハ１の励起光２６１が照射された位置のＸＹ座標と光２６３の強度とを対応付けて記憶装置に記憶する。

制御ユニット７０は、記憶装置に記憶した保持テーブル２２に保持されたＳｉＣインゴット２００の励起光２６１が照射された位置のＸＹ座標と光２６３の強度とのうち光２６３の強度が所定値以下となる領域、即ちファセット領域１０の外縁の各位置のＸＹ座標を算出する。制御ユニット７０は、算出したファセット領域１０の外縁の各位置のＸＹ座標を記憶装置に一旦記憶する。

なお、実施形態１では、ファセット領域特定装置２０の保持テーブル２２に保持されたウェーハ１の励起光２６１が照射された位置のＸ軸方向の位置、及び、Ｙ軸方向の位置は、予め定められた基準位置１００（図６に一例を示す）に基づいて定められる。実施形態１では、Ｘ軸方向の位置、及び、Ｙ軸方向の位置は、基準位置１００からのＸ軸方向、及びＹ軸方向の距離で定められる。実施形態１において、ファセット領域特定装置２０のＸ軸方向とＹ軸方向とから表されるＸＹ座標（Ｘ軸方向の位置を示す基準位置１００からのＸ軸方向の距離と、Ｙ軸方向の位置を示す基準位置１００からのＹ軸方向の距離とにより示される座標）は、保持テーブル２２に保持されたウェーハ１のＸ軸方向とＹ軸方向の任意の位置を示すことができる。なお、図６は、基準位置１００をオリエンテーションフラット２の長さを２等分する位置とし，Ｘ軸方向をオリエンテーションフラット２と平行と平行な方向とし、Ｙ軸方向をサブオリエンテーションフラット３と平行な方向とした例を示している。

（切削ステップ）
図７は、図２に示された切削方法の切削ステップを示す斜視図である。切削ステップ１００２は、ファセット領域特定ステップ１００１を実施した後、切削ブレード８１で切削予定ライン４に沿ってウェーハ１を切削するステップである。

実施形態１において、切削ステップ１００２では、切削装置８０は、ウェーハ１の表面７側を図示しないチャックテーブルに吸引保持する。また、切削ステップ１００２では、切削装置８０は、図示しない制御ユニットが、切削予定ライン４がファセット領域特定ステップ１００１で特定したファセット領域１０を通過しているか否かを判定するとともに、ファセット領域１０を通過している際に切削予定ライン４のファセット領域１０を通過している位置のＸＹ座標を特定する。

実施形態１において、切削ステップ１００２では、図７に示すように、切削装置８０の制御ユニットが予め定められた切削条件に基づいてスピンドル８２により軸心回りに回転した切削ブレード８１をウェーハの外縁部に切り込ませるとともに、チャックテーブル即ちウェーハ１を軸心回りに回転して、切削予定ライン４に沿って切削ブレード８１でウェーハ１を環状に切断し、ウェーハ１を小径化する。

実施形態１において、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を切削する際の切削条件が、非ファセット領域１１を切削する際の切削条件と異なる。即ち、切削ステップ１００２では、ファセット領域１０を非ファセット領域１１とは異なる切削条件で切削する。実施形態１において、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を切削する際の切削条件を、非ファセット領域１１を切削する際の切削条件よりも切削ブレード８１及びウェーハ１に切削時にかかる負荷（以下、切削負荷と記す）が小さくなる切削条件としている。

実施形態１では、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を切削する際の切削条件であるチャックテーブルの軸心回りの回転速度を、非ファセット領域１１を切削する際の切削条件であるチャックテーブルの軸心回りの回転速度よりも低速にしている。なお、本発明では、これに限らず、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を切削する際の切削条件であるスピンドル８２の回転数を、非ファセット領域１１を切削する際の切削条件であるスピンドル８２の回転数よりも低速にしても良く、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を切削する際の切削ブレード８１の切り込み深さを、非ファセット領域１１を切削する際の切削条件である切削ブレード８１の切り込み深さよりも浅くして、ファセット領域１０のみ切削ブレード８１のＺ軸方向の高さを段階的に低くして、ファセット領域１０のみを切削ブレード８１で複数回に亘って切削（所謂、多段切り）しても良い。また、本発明では、チャックテーブルの回転速度、スピンドル８２の回転数、多段切りのうち複数を組み合わせて良い。

実施形態１に係る切削方法は、切削ステップ１００２において、切削ブレード８１で切削予定ライン４を全周に亘って切削して、ウェーハ１を小径化した後、終了する。なお、小径化されたウェーハ１は、例えば、表面７にデバイスが形成された後、個々のデバイス毎に分割される。

ＳｉＣからなるインゴットには、成長過程においてファセット（Ｆａｃｅｔ）領域１０と呼ばれる領域が形成される。インゴットから切り出されたウェーハ１においてもファセット領域１０が残存し、ファセット領域１０はその他の非ファセット領域１１に比べて屈折率が高く抵抗率や欠陥密度等の物性が異なる。本願出願人は、鋭意研究の結果、ウェーハ１のファセット領域１０において加工品質の悪化（チッピングやクラックの多発）や切削ブレード８１に異常（異常摩耗や蛇行等）が発生することを見出した。

そこで、以上説明したように、実施形態１に係る切削方法は、ウェーハ１の切削前にファセット領域特定ステップ１００１においてファセット領域１０を特定し、切削ステップ１００２においてファセット領域１０をその他の非ファセット領域１１とは異なる切削負荷が小さくなる切削条件で切削する。

このために、実施形態１に係る切削方法は、加工品質悪化や切削ブレード８１に異常が生じるおそれを低減する切削条件でファセット領域１０を切削することができ、ファセット領域１０を切削する際のチッピングやクラックを抑制でき、切削ブレード８１の異常摩耗や蛇行を抑制することができる。その結果、実施形態１に係る切削方法は、ウェーハ１の切削ブレード８１での加工品質の低下を抑制することができるという効果を奏する。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る切削方法を図面に基づいて説明する。図８は、実施形態２に係る切削方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。図９は、実施形態２に係る切削方法のファセット領域特定ステップにおいてファセット検出ユニットが検出したファセット領域の一例を示す平面図である。図１０は、実施形態２に係る切削方法の切削ステップを示す斜視図である。なお、図８、図９及び図１０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る切削方法の加工対象のウェーハ１－２は、図８に示すように、表面７に複数の切削予定ライン６が格子状に形成され、表面７の切削予定ライン６によって屈画された領域にデバイス５が形成されている。実施形態２においても、ウェーハ１は、ファセット領域１０を含んでいる。

実施形態２に係る切削方法は、ファセット領域特定ステップ１００１において、ウェーハ１のデバイス５が形成された表面７側を保持テーブル２２に吸引保持し、デバイス５が形成されていない裏面８に励起光２６１を照射して、実施形態１と同様に、図９に示すように、ファセット領域１０を特定する。また、実施形態２に係る切削方法は、切削ステップ１００２において、切削装置８０が、ウェーハ１の裏面８側を図示しないチャックテーブルに吸引保持した後、図示しない制御ユニットが各切削予定ライン４がファセット領域特定ステップ１００１で得したファセット領域１０を通過しているか否かを判定するとともに、複数の切削予定ライン４のうちファセット領域１０を通過している切削予定ライン６（図９に一点鎖線で示し、以下符号６－１で示す）を特定する。

実施形態２において、切削ステップ１００２では、図１０に示すように、切削装置８０の制御ユニットが予め定められた切削条件に基づいてスピンドル８２により軸心回りに回転した切削ブレード８１を各切削予定ライン６，６－１に切り込ませるとともに、チャックテーブルと切削ブレード８１とを切削予定ライン６，６－１に沿って相対的に移動して、切削ブレード８１でウェーハ１の切削予定ライン６，６－１を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。

実施形態２において、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を通過する切削予定ライン６－１を切削する際の切削条件が、非ファセット領域１１のみを通過する切削予定ライン６を切削する際の切削条件と異なる。即ち、切削ステップ１００２では、ファセット領域１０を非ファセット領域１１とは異なる切削条件で切削する。実施形態２において、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を通過する切削予定ライン６－１を切削する際の切削条件を、非ファセット領域１１のみを通過する切削予定ライン６を切削する際の切削条件よりも切削ブレード８１及びウェーハ１の切削負荷が小さくなる切削条件としている。

実施形態２では、実施形態１と同様に、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を通過する切削予定ライン６－１を切削する際の切削条件であるチャックテーブルの移動速度を、非ファセット領域１１のみを通過する切削予定ライン６を切削する際の切削条件であるチャックテーブルの移動速度よりも低速にしている。なお、本発明では、これに限らず、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を通過する切削予定ライン６－１を切削する際の切削条件であるスピンドル８２の回転数を、非ファセット領域１１のみを通過する切削予定ライン６を切削する際の切削条件であるスピンドル８２の回転数よりも低速にしても良く、切削ステップ１００２では、切削ブレード８１がファセット領域１０を通過する切削予定ライン６－１を多段切りしても良い。また、本発明では、チャックテーブルの移動速度、スピンドル８２の回転数、多段切りのうち複数を組み合わせて良い。

実施形態２に係る切削方法は、切削ステップ１００２において、切削ブレード８１で各切削予定ライン６，６－１を切削して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割した後、終了する。なお、切削ステップ１００２では、ウェーハ１の裏面８にウェーハ１よりも大径な円板状のダイシングテープ１２を貼着し、ダイシングテープ１２の外縁部に環状フレーム１３を貼着して、切削ブレード８１をダイシングテープ１２に到達するまでウェーハ１に切り込ませる。

実施形態２に係る切削方法は、ウェーハ１の切削前にファセット領域特定ステップ１００１においてファセット領域１０を特定し、切削ステップ１００２においてファセット領域１０をその他の非ファセット領域１１とは異なる切削負荷が小さくなる切削条件で切削するので、実施形態１と同様に、ウェーハ１の切削ブレード８１での加工品質の低下を抑制することができるという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１ ウェーハ
４，６，６－１ 切削予定ライン
１０ ファセット領域
１１ 非ファセット領域（その他の領域）
８１ 切削ブレード
２６１ 励起光
２６２ 蛍光
１００１ ファセット領域特定ステップ
１００２ 切削ステップ

Claims (3)

1. 切削予定ラインが設定されたウェーハを切削ブレードで切削する切削方法であって、
   ウェーハの上方から励起光を該ウェーハに照射して該ウェーハから生じた蛍光の強度を検出し、ファセット領域を特定するファセット領域特定ステップと、
   該ファセット領域特定ステップを実施した後、該切削ブレードで該切削予定ラインに沿って該ウェーハを切削する切削ステップと、を備え、
   該切削ステップでは、該ファセット領域を他の領域とは異なる切削条件で切削する、切削方法。
2. 該切削予定ラインは、該ウェーハの中心を中心とした環状に設定され、
   該切削ステップでは、該切削ブレードで該ウェーハを環状に切断し、該ウェーハを小径化する、請求項１に記載の切削方法。
3. 該ウェーハは、ＳｉＣからなる、請求項１または請求項２に記載の切削方法。

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