JP2023028604A - Holding substrate and method of manufacturing display device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、保持基板および表示装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method of manufacturing a holding substrate and a display device.
赤色、緑色および青色などの発光素子を画素とする表示装置がある。表示装置は、各色の発光素子が保持基板から移送されて、画素が形成される。 2. Description of the Related Art There are display devices that use red, green, and blue light-emitting elements as pixels. In the display device, pixels are formed by transferring light emitting elements of each color from a holding substrate.
表示する画素の密度向上に伴い、表示装置には、大量の微細な発光素子が搭載される。発光素子は、保持基板から表示装置に、高い位置決め精度で移送することが求められる。表示装置の製造プロセスでは、発光素子を保持基板に保持したまま、直接表示基板に押し付けて、発光素子の移送を行う、ダイレクトトランスファと呼ばれる技術が用いられる場合がある。 2. Description of the Related Art As the density of display pixels increases, a large number of fine light-emitting elements are mounted on display devices. The light emitting element is required to be transferred from the holding substrate to the display device with high positioning accuracy. In the manufacturing process of the display device, a technique called direct transfer is sometimes used in which the light emitting element is directly pressed against the display substrate while being held by the holding substrate, and the light emitting element is transferred.
特許文献1には、発光デバイスを備えた成長基板をバックプレーン基板に押し付けて、発光デバイスを集合として移送する技術が開示されている。
保持基板に保持される複数の第1発光素子が、被移送基板へ移送される場合、保持基板と被移送基板とが近接する。このとき、被移送基板と保持基板とが、接触する可能性がある。 When the plurality of first light emitting elements held by the holding substrate are transferred to the substrate to be transferred, the holding substrate and the substrate to be transferred come close to each other. At this time, the substrate to be transferred and the holding substrate may come into contact with each other.
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、保持基板に保持される複数の第1発光素子が被移送基板に移送されても、被移送基板と接触しにくい保持基板および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a holding substrate and a display that are less likely to come into contact with a substrate to be transferred even when a plurality of first light emitting elements held by the holding substrate are transferred to the substrate to be transferred. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an apparatus.
上記目的を達成するための本開示に係る保持基板は、一の方向から見て、第1面を有する複数の第1区画と、第2面を有する第2区画と、に区画され、前記第1区画は、前記第1面に複数の第1発光素子が保持される領域であり、前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔する。 A holding substrate according to the present disclosure for achieving the above object is divided into a plurality of first sections having a first surface and second sections having a second surface when viewed from one direction, and the One section is a region in which a plurality of first light emitting elements are held on the first surface, and the second surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface.
上記目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、保持基板の第1面に保持される複数の第1発光素子の位置を、被移送基板の複数の突起部を備える被移送面の所定の位置に位置合わせするステップと、前記被移送基板に対して位置合わせした前記保持基板の前記第1面に保持される前記第1発光素子を、前記被移送基板の前記被移送面に押し付けるステップと、を有し、前記保持基板は、一の方向から見て、第1面を有する複数の第1区画と、第2面を有する第2区画と、に区画され、前記第1区画は、前記第1面に複数の第1発光素子を保持しており、前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔する。 A method of manufacturing a display device according to the present disclosure for achieving the above object is a transfer substrate provided with a plurality of protrusions of a substrate to be transferred, wherein positions of a plurality of first light-emitting elements held on a first surface of a holding substrate are adjusted. aligning the first light emitting element held on the first surface of the holding substrate aligned with the substrate to be transferred to the surface to be transferred of the substrate to be transferred; and the holding substrate is divided into a plurality of first sections having a first surface and second sections having a second surface when viewed from one direction, and the first The compartment holds a plurality of first light emitting elements on the first surface, and the second surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface.
上記目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、第1の保持基板から複数の第1発光素子を被移送基板の第1被移送領域に移送させた後、複数の第1発光素子を第1面に保持する第2の保持基板の位置を、前記被移送基板の第2被移送領域の所定の位置に、位置合わせするステップと、位置合わせした前記第2の保持基板が保持する複数の前記第1発光素子を、被移送基板の被移送面に押し付けるステップと、を有し、前記第1の保持基板および前記第2の保持基板は、一の方向から見て、第1面を有する複数の第1区画と、第2面を有する第2区画と含む第1領域をそれぞれ備え、前記第1区画の前記第1面に複数の前記第1発光素子を保持しており、前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔し、前記第1領域の外に、前記一の方向から見て、第3面である第2領域を備え、前記第3面は、前記第1面の深さ方向に、前記第1面から離隔し、前記被移送基板は、前記被移送面に、第1被移送領域および前記第1被移送領域に隣接する第2被移送領域を含む被移送領域を有し、前記被移送領域は、前記第1の保持基板または前記第2の保持基板の前記第1領域より広い。 A method of manufacturing a display device according to the present disclosure for achieving the above object is to transfer a plurality of first light-emitting elements from a first holding substrate to a first transfer area of a substrate to be transferred, and then transfer the plurality of first light-emitting elements a step of aligning a position of a second holding substrate holding a light emitting element on a first surface with a predetermined position of a second transfer area of the substrate to be transferred; and pressing the held plurality of first light emitting elements against the transferred surface of the transferred substrate, wherein the first holding substrate and the second holding substrate are arranged in a second direction when viewed from one direction. A first region including a plurality of first sections having one surface and a second section having a second surface, respectively, and holding a plurality of the first light emitting elements on the first surface of the first section. , the second surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface, and outside the first area, a second area that is a third surface when viewed from the one direction is provided. The third surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface, and the substrate to be transferred has a first area to be transferred and the first area to be transferred on the surface to be transferred. and a transferred region including a second transferred region adjacent to the substrate, wherein the transferred region is wider than the first region of the first holding substrate or the second holding substrate.
本開示を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 A form (embodiment) for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those that a person skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the disclosure are naturally included in the scope of the present disclosure. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual embodiment, but this is only an example, and the interpretation of the present disclosure is not intended. It is not limited. In addition, in this specification and each figure, the same reference numerals may be given to the same elements as those described above with respect to the existing figures, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.
本開示を実施するための形態について、以下に、図1から16を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る保持基板の概念平面図である。図2は、図1におけるY1-Y1断面矢視における概念矢視断面図である。図3は、第1実施形態に係る被移送基板の概念平面図である。図4は、図3におけるY2-Y2断面矢視における概念矢視断面図である。 Modes for carrying out the present disclosure are described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a conceptual plan view of a holding substrate according to the first embodiment. FIG. 2 is a conceptual cross-sectional view taken along the line Y1-Y1 in FIG. FIG. 3 is a conceptual plan view of the substrate to be transferred according to the first embodiment. FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view along the Y2-Y2 cross-sectional view in FIG.
また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。 In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate.
<第1実施形態>
図1及び図2に示す保持基板100に保持される複数の第1発光素子D1が被移送基板200に移送される。第1実施形態では、被移送基板200には、既に、第2発光素子D2および第3発光素子D3が移送されている。
<First embodiment>
A plurality of first light emitting devices D1 held by the
<表示装置>
表示装置10は、複数の画素Eを制御して画像を表示する。画素Eは、複数の異なる色の光を発光する第1発光素子D1、第2発光素子D2及び第3発光素子D3を含む。表示装置10は、被移送基板200上に第1発光素子D1、第2発光素子D2及び第3発光素子D3を配置して、構成される。
<Display device>
The
画素Eは、例えば、画素Eは、青色の光を発光する第1発光素子D1と、赤色の光を発光する第2発光素子D2と、緑色の光を発光する第3発光素子D3とを備える。画素Eは、行列状に配置される。第1発光素子D1と、第2発光素子D2と、第3発光素子D3とは、画素E毎にそれぞれ備えられる。第1発光素子D1と、第2発光素子D2と、第3発光素子D3とが区別されない場合、発光素子Dと称することがある。 The pixel E includes, for example, a first light emitting element D1 that emits blue light, a second light emitting element D2 that emits red light, and a third light emitting element D3 that emits green light. . Pixels E are arranged in a matrix. A first light emitting element D1, a second light emitting element D2, and a third light emitting element D3 are provided for each pixel E, respectively. The first light emitting device D1, the second light emitting device D2, and the third light emitting device D3 may be referred to as a light emitting device D when they are not distinguished from each other.
<発光素子>
発光素子Dは、所定の色の光を発光する。発光素子Dは、第1面101の面の直交方向から見て、3μm以上、300μm以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)チップであり、マイクロLED(micro LED)と呼ばれる。各画素にマイクロLEDを備える表示装置は、マイクロLED表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロLEDのマイクロは、無機発光ダイオードの大きさを限定するものではない。また、発光素子Dは、ミニLEDであってもよい。発光素子Dの高さは、発光する光の色によって、それぞれ異なる高さを有してよい。
<Light emitting element>
The light emitting element D emits light of a predetermined color. The light emitting element D is an inorganic light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) chip having a size of about 3 μm or more and 300 μm or less when viewed from the direction perpendicular to the surface of the
発光素子Dは、図示しない第1電極接続層、発光層および第2電極接続層が、この順で積層した積層構造を有する。発光素子Dは、成長基板上で、半導体の結晶を成長させて上述した積層構造を形成する。発光層が窒化ガリウム系材料(GaN)の場合、第1電極接続層は、例えばN型GaNであり、第2電極接続層はP型GaNである。発光素子Dの第1電極接続層と第2電極接続層とに通電することで、発光層が所定の色の光を発光する。発光素子Dが発光する光は、赤色、青色、黄緑色および緑色など、いずれの色でもよい。具体的には、発光素子Dから発光する各色の光の中心波長は、赤色の場合約610nm、青色の場合約470nm、および緑色の場合約505nmおよび黄緑色の場合570nmである。 The light-emitting element D has a laminated structure in which a first electrode connection layer, a light-emitting layer, and a second electrode connection layer (not shown) are laminated in this order. The light-emitting device D is formed by growing semiconductor crystals on a growth substrate to form the above-described laminated structure. When the light-emitting layer is made of gallium nitride-based material (GaN), the first electrode connection layer is, for example, N-type GaN, and the second electrode connection layer is P-type GaN. By energizing the first electrode connection layer and the second electrode connection layer of the light emitting element D, the light emitting layer emits light of a predetermined color. The light emitted by the light-emitting element D may be of any color such as red, blue, yellow-green, and green. Specifically, the center wavelength of each color light emitted from the light emitting element D is about 610 nm for red, about 470 nm for blue, about 505 nm for green, and 570 nm for yellowish green.
<保持基板>
第1実施形態に係る保持基板100は、板形状の基板である。保持基板100は、図1に示すように、第1面101の直交方向である、一の方向から見た面に、第1領域110を有する。第1領域110は、第1区画112と、第2区画114とを含む。第1区画112は、一の方向から見た面の第1面101である。第2区画114は、一の方向から見た面の第2面120である。保持基板100は、第1区画112の第1面101に、複数の第1発光素子D1を、所定の間隔pで保持する。保持基板100は、第1領域110外の第1面101に、複数の第1アライメントマーク103を備える。保持基板100は、所定の波長の光を、所定の透過率以上透過する透過性を有する材料でできている。保持基板100は、さらに耐熱性および耐食性を有する材料でできていることが望ましい。
<Holding substrate>
The holding
第1領域110は、第1発光素子D1を保持するための領域である。第1実施形態に係る第1領域110は、後述する被移送基板200の被移送領域210と、同等の大きさを有する。第1領域110は、保持基板100の縁102から所定の距離離れて設けられてもよい。
The
第1区画112は、保持基板100を一の方向から見て、第1面101を有する区画である。第1区画112は、第1面101を第1面101の面の直交方向から見た大きさが、第1発光素子D1の大きさ以上である。第1区画112は、第1領域110の、被移送基板200が第2発光素子D2および第3発光素子D3を備えない領域と対応した領域に備えられる。
The
第2区画114は、保持基板100を一の方向から見て、第2面120を有する区画である。第2面120は、第1面101から保持基板100の深さ方向に離隔した面である。第2区画114は、第1領域110の、被移送基板200の被移送面201に保持される発光素子Dと対応した領域に少なくとも備えられる。第2区画114は、第1発光素子D1を保持しない。第2区画114は、第1面101の直交方向から見た大きさが、対応する発光素子Dの大きさより大きい。第2区画114は、例えば、被移送基板200の被移送面201の被移送領域210に、1つの画素Eあたり、2つの発光素子Dが保持されている場合、保持基板100の第1面101は、2つの発光素子Dの分の第2区画114を備える。隣接する第2区画114同士は、連続してよい。この場合、第1領域110を囲む第2面120の形状が、格子形状となる。
The
保持基板100が複数の第1発光素子D1を第1面101に保持したまま被移送基板200に押し付ける際、第2面120は、被移送基板200の被移送面201に保持される発光素子Dを避けて、発光素子Dに衝突しない。第2面120は、被移送基板200に保持される発光素子Dの、被移送基板200における発光素子Dの位置に対応して備えられる。
When the holding
第2区画114の、第2面120の面に沿う方向の幅は、被移送基板200の発光素子Dの、被移送面201の面に沿う方向の幅より広い。また、第2区画114は、所定の幅の溝形状に設けられてもよい。この場合、溝形状の第2区画114の第2面120に沿う方向の幅は、発光素子Dの、被移送面201の面に向かう方向の幅より広く、かつ長手方向の長さは、並行する第1領域110の長手方向の辺の長さと同等以上であってもよい。
The width of the
第2面120の第1面101からの深さDP1は、例えば、後述する被移送基板200に備えられる突起部220の被移送面201からの高さhD2と、第1発光素子D1の第1面101からの高さhD1との差δ1よりも大きい。すなわち、第2面120の第1面101からの深さDP1は、突起部220の先端の位置と、第1発光素子D1の先端の位置との、第1面101と直交する方向における差δ1より大きい。
The depth DP1 of the
第2面120は、保持基板100の第1領域110内の第1面101を、除去加工して設けられる。保持基板100の第1面101の除去加工の方法は問われず、例えば、切削加工やエッチングなどの加工方法をとることができる。第2区画114は、例えば、第1区画112に相当する部分にマスクを配置して、第1面101の面方向から、RIE(Reactive Ion Etching)などによりドライエッチングして形成してもよい。なお、第2区画114は、第1面101に成長させた発光素子となる半導体の結晶膜を個片化する加工とともに形成されてもよい。
The
保持基板100は、半導体の薄膜の結晶を成長させるための、いわゆる成長基板である。保持基板100は、例えばサファイア基板である。保持基板100は、いわゆる、パターン化サファイア基板(Patterned Sapphire Substrate)あってもよい。保持基板100が、パターン化サファイア基板である場合、第1面101は、円錐形、半球形、ピラミッド形または柱形といった形状が、微細なパターンとして周期的に形成された光を反射される構造体を備える。パターン化サファイア基板は、例えばサファイア基板の第1面101に、パターン化されたマスクを配置して、RIE(Reactive Ion Etching)などによりドライエッチングして形成する。
The holding
保持基板100の第1面101に第2面120が形成される工程と、保持基板100の第1面101に複数の第1発光素子D1を形成する工程とはどちらが先であってもよい。すなわち、保持基板100の第1面101に第2区画114の第2面120が形成された後に、保持基板100の第1面101に複数の第1発光素子D1が形成され、保持される。あるいは、保持基板100の第1面101に複数の第1発光素子D1が形成され、保持された後、保持基板100の第1面101に第2区画114の第2面120が形成されてもよい。
Either the step of forming the
なお、保持基板100は、成長基板に限られず、移送するために第1発光素子D1を一時的に保持する移送基板であってもよい。この場合において、保持基板100は、ガラス系材料や樹脂系材料などの板材で作られ、第1発光素子D1を、例えば、接着シートを介して第1面101に保持する。以下、保持基板100は、成長基板として説明する。
Note that the holding
<被移送基板>
被移送基板200は、図3に示すように、板形状の基板である。被移送基板200は、例えば、表示装置10のアレイ基板である。図3に示す被移送領域210は、全ての発光素子Dが移送されて、表示領域となる。被移送基板200は、表示領域となる被移送領域210の周りは周辺領域となる。被移送領域210は、被移送基板200の縁202から所定の距離離れて設けられる。被移送基板200は、例えば、表示領域にTFT(Thin Film Transistor)回路、信号線、走査線が形成されたアレイ基板である。被移送基板200は、複数の第2アライメントマーク203を備える。図3に示すように、被移送基板200の被移送領域210には、第1発光素子D1よりも先に移送された第2発光素子D2および第3発光素子D3を備え、実施形態1では、第2発光素子D2および第3発光素子D3が突起部220である。
<Substrate to be transferred>
The transferred
図4に示すように、被移送基板200は、被移送面201を有する。既に、第2発光素子D2移送された面と、第3発光素子D3が移送された面と、第1発光素子D1が移送される被移送面201とは、平面視で異なる面になる。
As shown in FIG. 4, the substrate to be transferred 200 has a surface to be transferred 201 . The surface to which the second light emitting device D2 has already been transferred, the surface to which the third light emitting device D3 has already been transferred, and the transferred
第2アライメントマーク203は、被移送面201に、複数形成される。第2アライメントマーク203は、回路とともに形成される。被移送基板200は、第2アライメントマーク203の位置により、発光素子Dと接続するための電極の位置を、精度よく規定することができる。
A plurality of second alignment marks 203 are formed on the transferred
<突起部>
複数の突起部220は、第2発光素子D2および第3発光素子D3を含む。複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3は、図3に示す被移送領域210の被移送面201の直交方向に、突出して備えられる。第2発光素子D2および第3発光素子D3は、それぞれが配置される面から、所定の高さを有する。第2発光素子D2および第3発光素子D3の先端の位置は、被移送面201と直交する方向に、それぞれを配置するための面から所定の高さとなる位置である。例えば、第2発光素子D2は、第2発光素子D2が配置される面から、所定の高さhD2を有する。すなわち、第2発光素子D2の先端の位置は、被移送面201と直交する方向に、第2発光素子D2を配置するための面から所定の高さhD2となる位置である。また、複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3のうち、第2発光素子D2および第3発光素子D3のうちいずれか一方の先端の被移送面201と直交する方向の位置は、第2発光素子D2および第3発光素子D3のうちいずれか他方の先端の被移送面201と直交する方向の位置と、異なってもよい。複数の突起部220は、被移送領域210の被移送面201に、所定の間隔で備えられる。
<Protrusion>
The multiple protrusions 220 include a second light emitting element D2 and a third light emitting element D3. A plurality of second light emitting elements D2 and third light emitting elements D3 are provided so as to protrude in a direction orthogonal to the transferred
第2発光素子D2および第3発光素子D3は、第1発光素子D1とともに画素Eを形成する。複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3は、予め、被移送基板200の被移送領域210に備えられる。複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3は、例えば、第1発光素子D1が移送されるより先に、被移送基板200の所定の配置するための面に移送される。第2発光素子D2および第3発光素子D3は、例えば、1つの画素Eに、少なくとも1つがそれぞれ備えられる。
The second light emitting element D2 and the third light emitting element D3 form a pixel E together with the first light emitting element D1. A plurality of second light emitting devices D2 and a plurality of third light emitting devices D3 are provided in the
<第1実施形態に係る表示装置の製造方法>
以下に、第1実施形態に係る表示装置の製造方法について、図5から図8を参照して説明する。図5は、第1実施形態に係る保持基板を被移送基板に対して位置決めする様子を示す概念図である。図6は、第1実施形態に係る保持基板を被移送基板に対して押し付ける様子を示す概念図である。図7は、第1実施形態に係る第1発光素子を被移送基板の電極に接続させる様子を示す概念図である。図8は、第1実施形態に係る第1発光素子を保持基板から離脱させる様子を示す概念図である。
<Method for Manufacturing Display Device According to First Embodiment>
A method of manufacturing the display device according to the first embodiment will be described below with reference to FIGS. FIG. 5 is a conceptual diagram showing how the holding substrate according to the first embodiment is positioned with respect to the substrate to be transferred. FIG. 6 is a conceptual diagram showing how the holding substrate according to the first embodiment is pressed against the substrate to be transferred. FIG. 7 is a conceptual diagram showing how the first light emitting element according to the first embodiment is connected to the electrode of the substrate to be transferred. FIG. 8 is a conceptual diagram showing how the first light emitting element according to the first embodiment is detached from the holding substrate.
まず、図5に示すように、保持基板100を、被移送基板200に対して押しつける位置決めが行われる。保持基板100の位置決めは、被移送面201の直交方向における所定の高さにおいて行われる。保持基板100の位置決めは、例えば、図示しない移送装置により保持基板100を、第1面101が被移送基板200を向くように把持し、被移送面201の直交方向における所定の高さで、保持基板100の第1面101と反対の面側から、図示しないアライメント装置により観察して行われる。保持基板100の位置決めは、保持基板100に保持される第1発光素子D1の位置が、被移送基板200の被移送面201の所定の位置となるように行われる。保持基板100に保持される第1発光素子D1が位置決めされる位置は、例えば、被移送基板200の、被移送領域210に形成される画素Eにおける、所定の位置である。なお、保持基板100の位置決めは、図1および3に示すように、保持基板100の第1アライメントマーク103と、被移送基板200の第2アライメントマーク203とが重なるよう行われてもよい。
First, as shown in FIG. 5, positioning is performed by pressing the holding
次に、図6に示すように、位置決めされた保持基板100を被移送基板200に、降下させて近づけて、第1面101に保持される複数の第1発光素子D1を、被移送基板200の被移送面201に押し付ける。ここで、保持基板100は、複数の第1発光素子D1を、被移送基板200の被移送面201に所定の力で押し付けられる。これにより、複数の第1発光素子D1は、被移送基板200の被移送面201の図示しない複数の電極と、図示しない低融点金属部材を介して、それぞれ接触した状態となる。
Next, as shown in FIG. 6, the positioned holding
次に、図7に示すように、保持基板100の、第1面101と反対の面に備えられる、図示しない加熱レーザ照射装置から、所定の波長の加熱レーザ光L1を出射する。具体的には、加熱レーザ照射装置から、保持基板100の第1面101と反対の面である照射面に向けて、加熱レーザ光L1を出射する。加熱レーザ光L1は、低融点金属部材に吸収されやすく、かつ被移送基板200および発光素子Dに吸収されにくい光である。加熱レーザ光L1は、赤外光、近赤外光または緑色光である。出射された加熱レーザ光L1は、保持基板100を透過して、被移送基板200の被移送面201の電極に備えられる低融点金属部材に照射されて吸収される。照射された加熱レーザ光L1を吸収した低融点金属部材は、加熱されて共晶合金となり、保持基板100に保持される第1発光素子D1と、被移送基板200の電極とを接続する。なお、加熱レーザ光L1の照射は、保持基板100の照射面側に、開口A1を備える遮光マスクM1を設置して行われてもよい。この場合、加熱レーザ光L1は、遮光マスクM2の保持基板100と反対の面側に備えられる加熱レーザ照射装置から、保持基板100の第1面101と反対の面である照射面に向けて出射されて、遮光マスクM2の開口A2を通過した後、保持基板100に照射される。
Next, as shown in FIG. 7, a heating laser beam L1 having a predetermined wavelength is emitted from a heating laser irradiation device (not shown) provided on the surface of the holding
次に、図8に示すように、保持基板100の、第1面101の反対面に備えられる、図示しない切除レーザ照射装置から、所定の波長の切除レーザ光L2を出射する。具体的には、切除レーザ光L2は、切除レーザ照射装置から、保持基板100の第1面101と反対の面である照射面に向けて、切除レーザ光L2を出射する。切除レーザ光L2は、第1発光素子D1に吸収されやすく、かつ被移送基板200に吸収されにくい光である。切除レーザ光L2は、紫外光、青色光または緑色光である。出射された切除レーザ光L2は、保持基板100を透過して、保持基板100の第1面101に保持される第1発光素子D1の、保持基板100の第1面101との界面部に照射されて吸収される。切除レーザ光L2を吸収した第1発光素子D1の界面部は、溶解し、第1発光素子D1と保持基板100とが分離する。なお、切除レーザ光L2の照射は、保持基板100の照射面側に、開口A2を備える遮光マスクM2を設置して行われてもよい。この場合、切除レーザ光L2は、遮光マスクM2の保持基板100と反対の面側に備えられる切除レーザ照射装置から、保持基板100の第1面101と反対の面である照射面に向けて出射されて、遮光マスクM2の開口A2を通過した後、保持基板100に照射される。このようにして、第1発光素子D1は、保持基板100から被移送基板200へと移送される。
Next, as shown in FIG. 8, an ablation laser beam L2 having a predetermined wavelength is emitted from an ablation laser irradiation device (not shown) provided on the opposite surface of the holding
(変形例)
図9は、第1実施形態の変形例に係る被移送基板の概念矢視断面図である。突起部220は、発光素子Dに限られず、反射壁222であってもよい。また、突起部220は、複数の発光素子Dと複数の反射壁222との両方で構成されてもよい。この場合において、複数の反射壁222は、被移送基板200の、複数の第1発光素子D1が移送される被移送面201と異なる面に配置されてもよい。また、発光素子Dは、さらに、被移送面201と異なり、かつ反射壁222を配置するための面と異なる面に、備えられてよい。さらに、この場合において、複数の反射壁222の先端の位置は、被移送面201の面に直交する方向において、複数の発光素子Dの先端の位置より、被移送基板200から離れた位置であってよい。
(Modification)
FIG. 9 is a conceptual cross-sectional view of a substrate to be transferred according to a modification of the first embodiment. The projecting portion 220 is not limited to the light emitting element D, and may be the reflecting
突起部220が、反射壁222である場合について説明する。反射壁222は、発光素子Dが発光した光を被移送面201の直交方向に反射する。反射壁222は、図9に示すように、被移送基板200の被移送面201に備えられる。反射壁222は、被移送面201の直交方向に、所定の高さhRを有する。反射壁222の先端の位置は、図6の突起部220が発光素子Dである場合と同様に、被移送面201の直交方向における、第1面101の位置より第2面120よりに深い位置である。反射壁222は、図9に示すように、被移送基板200の被移送面201に、所定の間隔で複数配置される。隣接する複数の反射壁222との間の被移送面201に、画素Eを少なくとも1つ収容する。反射壁222は、被移送基板200の被移送領域210の画素E同士の間隙に備えられる。
A case where the protrusion 220 is the reflecting
反射壁222を、被移送面201の直交方向から見た側面は、傾斜を有する平滑面となっている。反射壁222の側面は、被移送面201の直交方向に対して傾斜した平滑面となっている。すなわち、反射壁222の、被移送面201に沿う方向の幅は、被移送面201から、被移送面201の直交方向に離れるにしたがって減少する。
A side surface of the reflecting
保持基板100は、一の方向から見て、第1面101を有する複数の第1区画112と、第2面120を有する第2区画114と、に区画される。第1区画112は、第1面101に複数の第1発光素子D1が保持される領域である。第2面120は、第1面101から、第1面101の深さ方向に離隔する。
The holding
これにより、保持基板100は、第1面101を有する複数の第1区画112と、第2面120を有する第2区画114と、に区画され、第1面101に複数の第1発光素子D1を保持し、第1面101の深さ方向に、第1面101から離隔した第2面120とを備えるので、第1面101に複数の第1発光素子D1を保持したまま、被移送基板200の被移送面201に押し付ける際に、被移送基板200が被移送面201に突起部220を備える場合でも、突起部220と接触するのを回避することが可能となる。
Accordingly, the holding
複数の第1発光素子D1は、第1区画112の第1面101に保持されたまま、複数の突起部220を配置するための面を有する被移送基板200に押し付けられてよい。第2区画114は、保持基板100の、被移送基板200における突起部220の位置と対応する位置に備えられてよい。
The plurality of first light emitting elements D1 may be pressed against the transferred
これにより、保持基板100は、第2区画114が、保持基板100の第1面101の、被移送基板200の突起部220と対応する位置に備えられるので、保持基板100が複数の第1発光素子D1を第1面101に保持したまま、複数の突起部220を配置するための面を有する被移送基板200に押し付ける際に、被移送基板200の突起部220を、保持基板100の第2面120により避けるので、被移送基板200の突起部220と接触するのを回避することが可能となる。
As a result, the holding
第2面120の第1面101からの深さは、突起部220の被移送面201からの高さと、第1発光素子D1の第1面101からの高さとの差δ1より大きくてよい。すなわち、仮に、突起部220が配置されるための面が、第1面101と第1面101の直交方向において同じ位置の面であるとした場合、第2面120の第1面101からの深さは、突起部220の被移送面201からの高さと、第1発光素子D1の第1面101からの高さとの差δ1より大きくてよい。
The depth of the
これにより、第2面120の第1面101からの深さDP1は、突起部220の先端の位置と、第1発光素子D1の先端の位置との、第1面101の面に直交する方向の差δ1より大きいので、保持基板100が複数の第1発光素子D1を第1面101に保持したまま、複数の突起部220を配置するための面を有する被移送基板200に押し付ける際に、被移送基板200の突起部220を、保持基板100の第2面120により避けるので、被移送基板200の突起部220と接触するのを回避することが可能となる。換言すれば、仮に、突起部220が配置されるための面が、第1面101と第1面101の直交方向において同じ位置の面であるとした場合、保持基板100は、第2区画114の第1面101の直交方向から見た面の第1面101からの深さDP1が、被移送基板200の突起部220の被移送面201からの高さhRと第1発光素子D1の第1面101からの高さhD1との差δ1より大きいので、複数の第1発光素子D1を保持したまま被移送基板200に押し付ける際に、被移送基板200の突起部220と接触するのを回避することが可能となる。
Accordingly, the depth DP1 of the
被移送基板200は、先端の位置が異なる複数の突起部220を備えてよい。第1発光素子D1が被移送基板200に押し付けられた状態で、複数の突起部220のうち、一部の突起部220の先端は、第1面101よりも第2面120側に深い位置にあってよい。すなわち、第2面120の第1面101からの深さDP1は、被移送基板200の複数の突起部220のうち被移送面201からの高さが最も高い突起部220の高さと、第1面101に保持される第1発光素子D1の第1面101からの高さhD1との差より大きくてよい。換言すれば、突起部220が配置されるための面が、第1面101と第1面101の直交方向において同じ位置の面であるとした場合において、被移送基板200の複数の突起部220のうち被移送面201からの高さが最も高い突起部220が第2発光素子D2である場合は、第2面120の第1面101からの深さDP1は、被移送基板200の複数の第2発光素子D2のうち被移送面201からの高さが最も高い第2発光素子D2の高さhD2と、保持基板100の第1面101に保持される第1発光素子D1の、第1面101からの高さhD1との差δ1より大きくてよい。また、被移送基板200の複数の突起部220のうち被移送面201からの高さが最も高い突起部220が反射壁222である場合は、第2面120の第1面101からの深さDP1は、被移送基板200の複数の突起部220のうち被移送面201からの反射壁222の高さhRと、第1面101に保持される第1発光素子D1の第1面101からの高さとの差より大きくてよい。
The substrate to be transferred 200 may include a plurality of protrusions 220 with different tip positions. While the first light emitting element D1 is pressed against the
これにより、保持基板100は、第1発光素子D1が被移送基板200に押し付けられた状態で、被移送基板200の複数の突起部220の先端の位置が、異なった位置であっても、一部の突起部220の先端は、第1面101よりも第2面120側に深い位置にあるので、被移送基板200の突起部220と保持基板100とが接触するのを回避することが可能となる。換言すれば、突起部220が配置されるための面が、第1面101と第1面101の直交方向において同じ位置の面であるとした場合において、第2面120の第1面101からの深さDP1が、最も高い突起部220、例えば第2発光素子D2の被移送面201からの高さhD2と、第1発光素子D1の第1面101からの高さhD1との差δ1より大きいので、複数の第1発光素子D1を保持したまま被移送基板200に押し付ける際に、被移送基板200の突起部220と保持基板100とが接触するのを回避することが可能となる。
As a result, the holding
突起部220は、発光素子および反射壁222の少なくとも一方であってもよい。
The protrusion 220 may be at least one of the light emitting element and the reflecting
これにより、保持基板100は、被移送基板200に、すでに移送された発光素子または反射壁222の少なくとも一方を備える場合でも、保持基板100が複数の第1発光素子D1を第1面101に保持したまま、被移送基板200の被移送面201に押し付ける際に、被移送面201のすでに移送された発光素子Dまたは反射壁222と接触するのを回避することが可能となる。
Accordingly, even when the substrate to be transferred 200 has at least one of the light emitting elements already transferred and the reflecting
表示装置10の製造方法は、保持基板100の第1面101に保持される複数の第1発光素子D1の位置を、複数の突起部220を備える被移送基板200の所定の位置に位置合わせするステップと、被移送基板200に対して位置合わせした保持基板100の第1面101に保持される第1発光素子D1を、被移送基板200の被移送面201に押し付けるステップと、を有する。保持基板100は、一の方向から見て、第1面101を有する複数の第1区画112と、一の方向から見て、第2面120を有する第2区画114と、に区画される。第1区画112は、第1面101に複数の第1発光素子D1を保持しており、第2面120は、第1面101から、第1面101の深さ方向に離隔する。
The manufacturing method of the
これにより、表示装置10の製造方法は、保持基板100が第1面101に複数の第1発光素子D1を保持したまま第1発光素子D1を、被移送基板200の突起部220を備える被移送面201に押し付ける際に、保持基板100を第1面101の直交方向から見た面である第2面120が、第1面101から深さ方向に離隔する第2区画114の位置が、被移送基板200と突起部220の位置と対応するよう位置合わせした後、保持基板100を、被移送基板200の被移送面201に押し付けるので、突起部220と保持基板100とが接触するのを回避することが可能となる。
As a result, the manufacturing method of the
<第2実施形態>
以下に、第2実施形態について、図10から図16を参照して説明する。図10は、第2実施形態に係る保持基板の概念平面図である。図11は、図10におけるY3-Y3断面矢視における概念矢視断面図である。図12は、第2実施形態に係る被移送基板の概念平面図である。図13は、図12におけるY4-Y4断面矢視における概念矢視断面図である。図14は、第2実施形態に係る保持基板を被移送基板の第1領域に対して押し付ける様子を示す概念図である。図15は、第2実施形態に係る保持基板を被移送基板の被移送領域に対して位置決めする様子を示す概念図である。図16は、第2実施形態に係る保持基板を被移送基板の被移送領域に対して押し付ける様子を示す概念図である。
<Second embodiment>
The second embodiment will be described below with reference to FIGS. 10 to 16. FIG. FIG. 10 is a conceptual plan view of a holding substrate according to the second embodiment. FIG. 11 is a conceptual cross-sectional view along the Y3-Y3 cross-sectional view in FIG. FIG. 12 is a conceptual plan view of a substrate to be transferred according to the second embodiment. 13 is a conceptual cross-sectional view along the Y4-Y4 cross-sectional view in FIG. 12. FIG. FIG. 14 is a conceptual diagram showing how the holding substrate according to the second embodiment is pressed against the first region of the substrate to be transferred. FIG. 15 is a conceptual diagram showing how the holding substrate according to the second embodiment is positioned with respect to the transfer area of the transfer substrate. FIG. 16 is a conceptual diagram showing how the holding substrate according to the second embodiment is pressed against the transfer area of the transfer substrate.
第2実施形態に係る保持基板130は、第3区画146を備えている点で異なる。また、第2実施形態に係る被移送基板230は、被移送領域240の大きさが、保持基板130の第1領域140の大きさよりも大きく、複数の保持基板により第1発光素子が移送される点で異なる。なお、第2実施形態の説明について、第1実施形態と重複する内容についての説明は割愛する。
The holding
<保持基板>
第2実施形態に係る保持基板130は、図10および図11に示すように、第1発光素子D1が、第1面131の第1領域140の第1区画142に保持される。保持基板130は、第1実施形態に係る保持基板100と比べて、さらに、第1面131に、第1領域140外の領域である第2領域を備える。すなわち、第2領域は、保持基板130の縁132と、第1領域140との間の領域である。以下、第2領域を、第3区画146と称する。第3区画146は、保持基板130の縁132から第1領域140までの、所定の幅wを有する。第3区画146の所定の幅wは、第1発光素子D1が保持される所定の間隔pよりも大きい。なお、保持基板130の、図10に示すように、第1面131の直交方向から見た形状が、円形状である場合であって、かつ第1領域140が方形状である場合において、第3区画146の幅wは、第1領域140の幅wを得ようとする位置における、第1領域140の方形状の幅wを得ようとする方向の辺と平行方向の、第1領域140の縁132から第1領域140の端までの距離である。
<Holding substrate>
In the holding
第3区画146は、第1面131から所定の深さDP2の第3面148を有する。第3区画146の第3面148の所定の深さDP2は、例えば、後述する被移送基板230に備えられる突起部220、例えば第2発光素子D2の被移送面231からの高さhD2と、第1発光素子D1の保持基板130の第1面131からの高さhD1との差δ2よりも大きい。第3面148は、保持基板130の外周面(縁132)と接続してよい。この場合、保持基板130の、第3面148と接続する縁132における厚さは、第3面148が保持基板130の縁132と接続しない場合の厚さより、第3面148の深さDP2の分、薄くなる。第3区画146の第3面148の深さDP2は、第2区画144の第2面150の深さDP1と、同じでもよい。第3区画146の第3面148は、第2区画144の第2面150と、同じプロセスで形成されてよい。
The
<被移送基板>
第2実施形態に係る被移送基板230は、図12に示すように、被移送面231に、保持基板130の第1領域140より大きい被移送領域240を備える。被移送領域240は、被移送基板230の縁232から所定の距離離れて設けられる。被移送基板230は、被移送面231の被移送領域240に、第1被移送領域242と、第2被移送領域244と、を備える。第1被移送領域242と第2被移送領域244とは、それぞれ保持基板130から移送される複数の第1発光素子D1を保持することができる大きさとなっている。
<Substrate to be transferred>
A substrate to be transferred 230 according to the second embodiment includes a region to be transferred 240 larger than the
<第2実施形態に係る表示基板の製造方法>
以下に、第2実施形態に係る表示装置の製造方法について、図13から図16を参照して説明する。第2実施形態に係る表示装置の製造方法は、複数の保持基板130を用いて行い、それぞれの保持基板130が保持する第1発光素子D1を、順番に、被移送基板230のそれぞれの領域に対して押し付けて移送する。以下の説明では、複数の保持基板130を、第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bとする。
<Method for Manufacturing Display Substrate According to Second Embodiment>
A method of manufacturing the display device according to the second embodiment will be described below with reference to FIGS. 13 to 16. FIG. The manufacturing method of the display device according to the second embodiment is performed using a plurality of holding
まず、図13に示すように、被移送基板230の被移送領域240に対して、第1の保持基板130Aの位置決めが行われる。ここで、被移送基板230は、複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3を保持しており、複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3は、所定の間隔で配置されている。
First, as shown in FIG. 13, the
次に、図14に示すように、第1の保持基板130Aの第1面131に保持される複数の第1発光素子D1を、被移送基板230の被移送面231の第1被移送領域242に対して押し付ける。押し付けられた複数の第1発光素子D1は、被移送基板230の被移送面231に設けられた複数の電極と、低融点金属部材を介して、それぞれ接触した状態となる。この状態で、図7に示した態様と同様に、第1の保持基板130Aの第1面131と反対面から、加熱レーザ光L1を照射する。加熱レーザ光L1を照射された低融点金属部材は、溶融して、第1の保持基板130Aに保持される第1発光素子D1と、被移送基板230の被移送面231の電極とを接続する。また、図8に示した態様と同様に、第1の保持基板130Aの第1面131と反対面から所定の波長の切除レーザ光L2を照射して、第1の保持基板130Aの第1面131と、第1発光素子D1とを離脱させる。
Next, as shown in FIG. 14, the plurality of first light emitting elements D1 held on the
次に、図15に示すように、第2の保持基板130Bを、被移送基板230の第2被移送領域244に対して位置決めを行う。第2の保持基板130Bの位置決めは、被移送基板230の被移送面231の直交方向における所定の高さにおいて、第2の保持基板130Bの第1面131に保持される第1発光素子D1が、被移送基板230の被移送面231の第2被移送領域244の所定の位置となるように行われる。第2の保持基板130Bに保持される第1発光素子D1が位置決めされる位置は、例えば、被移送基板230の、被移送領域240に形成される画素Eにおける、所定の位置である。
Next, as shown in FIG. 15, the
さらに、第2の保持基板130Bの位置を、被移送基板230の被移送面231の第1被移送領域242に保持される複数の第2発光素子D2および第3発光素子D3のうち、最も第2被移送領域244側の第3発光素子D3と、第2の保持基板130Bから被移送基板230の被移送面231の第2被移送領域244に押し付けられる複数の第1発光素子D1のうち、最も第1被移送領域242側の第1発光素子D1との間隔が、所定の間隔pとなる位置に位置合わせを行ってもよい。
Further, the position of the
なお、第2の保持基板130Bの位置決めは、図10および12に示すように、予め第2の保持基板130Bに設けられた第1アライメントマーク133と、予め被移送基板230に設けられた第2アライメントマーク233とが重なるよう行われてもよい。
10 and 12, positioning of the
次に、図16に示すように、第2の保持基板130Bを降下させ、第2の保持基板130Bの第1面131に保持される複数の第1発光素子D1を、被移送基板230の被移送面231の第2被移送領域244に対して押し付ける。ここで、複数の第1発光素子D1は、被移送基板230の被移送面231に所定の力で押し付けられる。複数の第1発光素子D1は、被移送基板230の被移送面231に設けられた複数の電極と、低融点金属部材を介して、それぞれ接触した状態となる。この状態で、図7に示した態様と同様に、第2の保持基板130Bの第1面131と反対面に備えられる加熱レーザ装置から、所定の波長の加熱レーザ光L1を、第2の保持基板130Bの第1面131と反対の面である照射面に向けて出射する。照射された加熱レーザ光L1を吸収した低融点金属部材は、溶融して、第2の保持基板130Bに保持される第1発光素子D1と、被移送基板230の電極とを接続する。また、図8に示した態様と同様に、加熱レーザ光L1を照射して、第1発光素子D1と、電極とを接続した後、第2の保持基板130Bの第1面131と反対面に備えられる切除レーザ装置から、所定の波長の切除レーザ光L2を、第2の保持基板130Bの第1面131と反対の面に向けて出射する。照射された切除レーザ光L2を吸収した第1発光素子D1の第1面131との界面部は、変質して、第1面131と第1発光素子D1とを離脱させる。このようにして、保持基板130から被移送基板230への、第1発光素子D1の移送が行われる。
Next, as shown in FIG. 16, the
保持基板130は、第1区画142と第2区画144とを含む第1領域140と、第1領域110の外の領域である第2領域(第3区画146)とを有する。第2領域は、一の方向から見た面が第3面148であり、第3面148は、第1面131から、第1面131の深さ方向に離隔してよい。
The holding
これにより、保持基板130は、第1面131の第1領域140外の第2領域(第3区画146)が、第1面131を第1面131の直交方向から見た面が、第1面131から深さ方向に離隔する第3面148であるので、複数の第1発光素子D1を第1面101に保持したまま、被移送基板230の被移送面231に押し付ける際に、被移送基板230の被移送面231の、保持基板130の縁132と第1領域140との間の領域である第2領域と対応する領域に、被移送面231から突出する突起部220を有する場合でも、第3面148により被移送面231の突起部220を避けることが可能となる。また、第1発光素子D1を移送する被移送基板230の被移送面231の、第1発光素子D1を保持するための被移送領域240が、保持基板130の第1領域140より大きく、例えば第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bにより、第1発光素子D1を移送する場合でも、第1の保持基板130Aにより移送された複数の第1発光素子D1が保持される第1被移送領域242と隣接した第2被移送領域244に、第2の保持基板130Bが複数の第1発光素子D1を保持したまま被移送基板230に押し付けて複数の第1発光素子D1を移送する際に、突起部220と、保持基板130とが接触するのを回避することできる。
As a result, the holding
表示装置の製造方法は、第1の保持基板130Aから複数の第1発光素子D1を被移送基板230の第1被移送領域242に移送させた後、複数の第1発光素子D1を第1面131に保持する第2の保持基板130Bの位置を、被移送基板230の第2被移送領域244の所定の位置に、位置合わせするステップと、位置合わせした第2の保持基板130Bが保持する複数の第1発光素子D1を、被移送基板230の被移送面231に押し付けるステップと、を有する。第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bは、一の方向から見て、第1面131を有する複数の第1区画142と、一の方向から見て、第2面150を有する第2区画144とを含む第1領域140をそれぞれ備える。第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bは、第1区画142の第1面131に複数の第1発光素子D1を保持しており、第2面150は、第1面131から、第1面131の深さ方向に離隔する。第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bは、第1領域140の外に、一の方向から見た面が第3面148である第2領域(第3区画146)を備え、第2領域は、第1面131から深さ方向に、第1面131から離隔する。被移送基板230は、被移送面231に、第1被移送領域242および第1被移送領域242に隣接する第2被移送領域244を含む。被移送基板230は、保持基板130の第1領域140より広い被移送領域240を有する。
The display device manufacturing method transfers the plurality of first light emitting elements D1 from the
これにより、第1の保持基板130Aおよび第2の保持基板130Bは、それぞれ、一の方向から見て、第1面131である第1区画142と、一の方向から見た、第2面150である第2区画144とを含む第1領域140と、第1領域140の外に、一の方向から見た面が第3面148である第2領域を有し、第3面148は、第1面131から、第1面131の深さ方向に離隔するので、第1の保持基板130Aから第1発光素子D1が移送された第1被移送領域242と隣接する第2被移送領域244に、第2の保持基板130Bが第1面131に第1発光素子D1を保持したまま押し付けて移送する際に、第1被移送領域242の第1発光素子D1と、第2の保持基板130Bとが接触するのを避けることができる。
As a result, the
第2の保持基板130Bが位置合わせする、被移送基板230の被移送面231の位置は、第2の保持基板130Bの第1面131保持される最も第1被移送領域242側の第1発光素子D1と、第1被移送領域242に保持される最も第2被移送領域244側の第1発光素子D1との間隔が、第1の保持基板130Aに保持される複数の第1発光素子D1同士の間隔と同じになる位置である。
The position of the transferred
これにより、表示装置10の製造方法は、保持基板130の第1領域140より被移送基板230の被移送領域240の方が広い場合でも、保持基板130は、第1面131の第1領域140外の第3区画146に、第1面131から所定の深さ方向に離隔する第3面148を有するので、被移送基板230の被移送面231の、すでに第1の保持基板130Aにより複数の第1発光素子D1が保持された第1被移送領域242に隣接した第2被移送領域244に、第1被移送領域242の最も第2被移送領域244側に保持される第1発光素子D1と、第2被移送領域244の最も第1被移送領域242側に保持される第1発光素子D1との間隔を、保持基板130に保持される第1発光素子D1の所定の間隔と変えずに、被移送基板230に押し付けることが可能となる。
As a result, even when the
本実施形態によれば、従前であれば、第2の保持基板130Bが被移送基板230の第2被移送領域244に複数の第1発光素子D1を押し付けて移送しようとすると、第3区画146の幅wは、第1発光素子D1の所定の間隔pより大きいため、第1被移送領域242の第1発光素子D1と、第3区画146とが、干渉する可能性がある。しかし、本実施形態に係る第2の保持基板130Bは、第3区画146に、第1面131から所定の深さ離隔した第3面148を有するため、第1被移送領域242の第1発光素子D1を避けることができる。これにより、第2の保持基板130Bにより移送される第1発光素子D1の位置を、第3区画146の幅によらず設定することが可能となる。第1被移送領域242に保持される第1発光素子D1と第2被移送領域244に保持される第1発光素子D1の位置を、例えば、第1被移送領域242に保持される複数の第1発光素子D1の所定の間隔pとなる位置に移送することが可能となる。
According to the present embodiment, conventionally, when the
以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although preferred embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to such embodiments. The content disclosed in the embodiment is merely an example, and various modifications are possible without departing from the gist of the present disclosure. Appropriate changes that do not deviate from the spirit of the present disclosure also naturally belong to the technical scope of the present disclosure.
10 表示装置
100、130、130A、130B 保持基板
101、131 第1面
102、132 縁
103、133 第1アライメントマーク
110、140 第1領域
112、142 第1区画
114、144 第2区画
120、150 第2面
146 第2領域、第3区画
148 第3面
200、230 被移送基板
201、231 被移送面
202、232 縁
203、233 第2アライメントマーク
210、240 被移送領域
220 突起部
222 反射壁
242 第1被移送領域
244 第2被移送領域
A1、A2 開口
D1 第1発光素子
D2 第2発光素子
D3 第3発光素子
DP1 第2面の深さ
DP2 第3面の深さ
E 画素
hD1 第1発光素子高さ
hD2 発光素子の高さ
hR 反射壁の高さ
L1 加熱レーザ光
L2 切除レーザ光
M1、M2 遮光マスク
p 複数の第1発光素子が保持される間隔
w 第3区画の幅
δ1 第1発光素子の先端の位置と第2発光素子の先端の位置との差
δ2 第1発光素子の先端の位置と突起部の先端の位置との差
REFERENCE SIGNS
Claims (9)
前記第1区画は、前記第1面に複数の第1発光素子が保持される領域であり、
前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔する保持基板。 When viewed from one direction, it is divided into a plurality of first sections having a first surface and a second section having a second surface,
the first section is a region in which a plurality of first light emitting elements are held on the first surface;
The second surface is a holding substrate separated from the first surface in the depth direction of the first surface.
前記第2区画は、前記突起部の位置と対応する位置に備えられる、請求項1に記載の保持基板。 The plurality of first light emitting elements are pressed against a transferred substrate having a surface for arranging a plurality of protrusions while being held on the first surface of the first section,
2. The holding substrate according to claim 1, wherein said second section is provided at a position corresponding to the position of said protrusion.
前記第1発光素子が前記被移送基板に押し付けられた状態で、前記複数の突起部のうち、一部の突起部の先端は、前記第1面よりも前記第2面側に深い位置にある、請求項2または3に記載の保持基板。 The substrate to be transferred has a plurality of protrusions with different tip positions,
In a state in which the first light emitting element is pressed against the substrate to be transferred, tips of some of the plurality of protrusions are located deeper on the second surface side than the first surface. 4. A holding substrate according to claim 2 or 3.
前記第1領域の外の領域である第2領域と、を有し、
前記第2領域には、前記一の方向から見て、第3面があり、
前記第3面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔する、請求項2から4のいずれか一項に記載の保持基板。 a first region including the first section and the second section;
and a second region that is a region outside the first region,
The second region has a third surface when viewed from the one direction,
The holding substrate according to any one of claims 2 to 4, wherein the third surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface.
前記被移送基板に対して位置合わせした前記保持基板に保持される前記第1発光素子を、前記被移送基板に押し付けるステップと、を有し、
前記保持基板は、一の方向から見て、第1面を有する複数の第1区画と、第2面を有する第2区画と、に区画され、
前記第1区画は、前記第1面に複数の第1発光素子を保持しており、
前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔する、
表示装置の製造方法。 aligning the positions of the plurality of first light emitting elements held by the holding substrate with predetermined positions on the surface of the substrate to be transferred having the plurality of projections;
pressing the first light emitting element held by the holding substrate aligned with the substrate to be transferred against the substrate to be transferred;
The holding substrate is divided into a plurality of first sections having a first surface and second sections having a second surface when viewed from one direction,
The first section holds a plurality of first light emitting elements on the first surface,
The second surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface,
A method for manufacturing a display device.
位置合わせした前記第2の保持基板が保持する複数の前記第1発光素子を、被移送基板の被移送面に押し付けるステップと、を有し、
前記第1の保持基板および前記第2の保持基板は、一の方向から見て、第1面を有する複数の第1区画と、第2面を有する第2区画と含む第1領域をそれぞれ備え、前記第1区画の前記第1面に複数の前記第1発光素子を保持しており、前記第2面は、前記第1面から、前記第1面の深さ方向に離隔し、前記第1領域の外に、前記一の方向から見て、第3面である第2領域を備え、前記第3面は、前記第1面の深さ方向に、前記第1面から離隔し、
前記被移送基板は、前記被移送面に、第1被移送領域および前記第1被移送領域に隣接する第2被移送領域を含む被移送領域を有し、
前記被移送領域は、前記第1の保持基板または前記第2の保持基板の前記第1領域より広い、
表示装置の製造方法。 After transferring the plurality of first light emitting elements from the first holding substrate to the first transfer area of the substrate to be transferred, the positions of the plurality of first light emitting elements held by the second holding substrate are transferred to the substrate to be transferred. aligning with a predetermined position of the second transferred area of
pressing the plurality of first light emitting elements held by the aligned second holding substrate against the transferred surface of the transferred substrate;
Each of the first holding substrate and the second holding substrate includes a first region including a plurality of first sections having first surfaces and second sections having second surfaces when viewed from one direction. , the first surface of the first section holds a plurality of the first light emitting elements, the second surface is separated from the first surface in the depth direction of the first surface, and the Outside the first area, a second area that is a third surface when viewed from the one direction, the third surface being separated from the first surface in the depth direction of the first surface,
The substrate to be transferred has, on the surface to be transferred, a region to be transferred including a first region to be transferred and a second region to be transferred adjacent to the first region to be transferred,
The area to be transferred is wider than the first area of the first holding substrate or the second holding substrate,
A method for manufacturing a display device.
前記第2の保持基板の前記第1面に保持される最も前記第1被移送領域側の前記第1発光素子と、第1被移送領域に保持される最も第2被移送領域側の前記第1発光素子との間隔は、前記第1の保持基板に保持される複数の第1発光素子同士の間隔と同じになる位置である、
請求項8に記載の表示装置の製造方法。 The position of the second transfer region of the transfer substrate to which the second holding substrate is aligned is
The first light emitting element closest to the first transferred region side held on the first surface of the second holding substrate, and the first light emitting element closest to the second transferred region side held on the first transferred region The distance from one light emitting element is the same as the distance between the plurality of first light emitting elements held by the first holding substrate.
A method of manufacturing a display device according to claim 8 .
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