JP2023028421A - 光源装置及び測距装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの検出精度を向上しうる光源装置を提供する。【解決手段】開示の光源装置は、第1の反射鏡と、第2の反射鏡と、第1の反射鏡と前記第2の反射鏡との間に設けられた活性層を含む共振器スペーサ部と、を有し、レーザ光である第1の光と、自然放出光である第2の光と、を射出する発光素子と、第2の光の光量を検出する受光素子と、受光素子が検出した第2の光の光量の低下に基づき第1の光が発振したタイミングを検知する判定部、とを有する。【選択図】図1
Description
本発明は、光源装置及び測距装置に関する。
ToF(Time of Flight:飛行時間)方式のLiDAR(Light Detection and Ranging:光検出と測距)用光源として、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器型面発光レーザ素子)が注目されている。VCSELは、温度に対する波長依存性が少ない利点がある。
上記のシステムにおいて高精度の測距を行うために光源に求められる1つの要件として、高強度の短パルス光を発振できることが挙げられる。特許文献1及び特許文献2には、高強度の短パルス光を発振しうる光源として、活性層にキャリアをため込み一気にレーザ光を放出するVCSELが開示されている。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載のVCSELでは、動作環境や物性値の変化によってレーザ発振のタイミングが変動し、測距精度が低下することがあった。生成されたレーザ光の一部を利用してレーザ発振のタイミングを知ることは可能であるが、測距対象物に照射するレーザ光の光量が減少するため最大測距可能距離が短くなる懸念があった。
本発明の目的は、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの検出精度を向上しうる光源装置を提供することにある。
本明細書の一開示によれば、第1の反射鏡と、第2の反射鏡と、前記第1の反射鏡と前記第2の反射鏡との間に設けられた活性層を含む共振器スペーサ部と、を有し、レーザ光である第1の光と、自然放出光である第2の光と、を射出する発光素子と、前記第2の光の光量を検出する受光素子と、前記受光素子が検出した前記第2の光の光量の低下に基づき、前記第1の光が発振したタイミングを検知する判定部とを有する光源装置が提供される。
本発明によれば、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上しうる光源装置を実現することができる。また、このような光源装置を用いることで、測距精度の高い高性能の測距装置を実現することができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による光源装置について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第1実施形態による光源装置について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光源装置100は、図1に示すように、発光部110と、発光タイミングモニター部120と、判定部130と、を有する。図1には発光部110と発光タイミングモニター部120と判定部130とが別々の部品であるように記載しているが、これらのうちのいずれか2つ又は総てが1つの部品として構成されていてもよい。
発光部110は、半導体発光素子、具体的には、分布ブラッグ反射鏡(DBR:Distributed Bragg Reflector)を有する垂直共振器型面発光レーザ素子(VCSEL)を含んで構成され得る。図1には、発光部110を構成する発光素子112の概略断面図を示している。
発光素子112は、半導体基板10と、下部DBR層12と、共振器部14と、上部DBR層24と、電極72,74と、を有する。共振器部14は、第1導電型(例えばn型)の半導体層16と、ノンドープスペーサ部18と、第2導電型(例えばp型)の半導体層22と、を有する。下部DBR層12、半導体層16、ノンドープスペーサ部18、半導体層22、及び上部DBR層24は、この順番で半導体基板10の一方の面の側(図1において上側)に積層されている。ノンドープスペーサ部18の中には、活性層20が設けられている。上部DBR層24の中には、酸化狭窄層26が設けられている。下部DBR層12と上部DBR層24との間に位置する層(共振器部14)が、共振器スペーサ部である。
ノンドープスペーサ部18、半導体層22及び上部DBR層24は、メサ状に加工されている。ノンドープスペーサ部18、半導体層22及び上部DBR層24をメサ状に加工することにより露出した半導体層16の上には、半導体層16に対してオーミックコンタクトを形成する電極72が設けられている。上部DBR層24の上には、上部DBR層24に対してオーミックコンタクトを形成する電極74が設けられている。メサの側壁などには、半導体面の変質などを防ぐ目的で保護膜(図示せず)が設けられ得る。
半導体基板10は、例えば、GaAs基板により構成され得る。下部DBR層12は、例えば、光学膜厚が1/4λcであるAl0.1GaAs層とAl0.9GaAs層との積層体を1ペアとして、これを35ペア積層することにより構成され得る。ここで、λcは下部DBR層12の高反射帯域の中心波長であり、本実施形態では940nmである。
共振器部14は、通常のVCSELにも存在するp-i-n接合からなり、i層内に活性層を含んだ共振器部と類似の構成である。すなわち、共振器部14は、第1導電型の半導体層16、ノンドープスペーサ部18及び第2導電型の半導体層22からなるp-i-n接合により構成されている。共振器部14の光学厚さは、例えば2λcであり得る。
ノンドープスペーサ部18に配された活性層20は、例えば、厚さ8nmのInGaAs井戸層を厚さ10nmのAlGaAs障壁層で挟んだ量子井戸を4層含む多重量子井戸により構成され得る。AlGaAs障壁層は、通常のVCSELの量子井戸層で用いられる障壁層と比較してバンドギャップを小さくしており、それにより障壁層にもキャリアの蓄積をするように設計されている。半導体層16はn型GaAs層により、半導体層22はp型GaAs層により、ノンドープスペーサ部18のその他の部分はノンドープGaAs層により、それぞれ構成され得る。
活性層20は、一般的なVCSELの設計で用いられる定在波の腹の位置ではなく、定在波の腹の位置からずらした位置に配置されていることが望ましい。例えば、活性層20は、定在波因子(standing wave factor)が0.2(ξ=0.2)となる位置に配置され得る。このように構成することで、活性層20の中にキャリアをため込み一気に放出することが可能となり、短パルス光のレーザ光を放出することができる。
上部DBR層24は、例えば、光学膜厚が1/4λcであるp型のAl0.1Ga0.9As層とAl0.9Ga0.1As層との積層体を1ペアとして、これを20ペア積層することにより構成され得る。上部DBR層24の中には、厚さ30nmのAl0.98Ga0.02As層の一部が酸化されてなる酸化狭窄層26が設けられている。酸化狭窄層26は、例えば、製造時にAl0.98Ga0.02As層をメサの側面から水蒸気によって酸化することにより形成することができる。酸化狭窄層26は、メサの中心部分の非酸化部と、メサの側壁近傍の酸化部と、を有する。これにより、発光素子112に注入された電流は非酸化部のみを流れるため、発光素子112は平面視においてメサの中心部分と重なる部分のみがレーザ発振する。
発光素子112を駆動することにより、上部DBR層24の上面のうち電極74が設けられていない第1部分82からは主にレーザ光84が射出され、活性層20の端部である第2部分86からは主に自然放出光88が射出される。レーザ光84は、半導体基板10の法線と平行な方向(図1においてZ方向)の成分を含み得る。また、自然放出光88は、半導体基板10の表面に平行な方向(図1においてX方向又はY方向)の成分を含み得る。別の言い方をすると、発光素子112は、レーザ光84を第1の方向に射出し、自然放出光88を第1の方向と交差する第2の方向に射出する。
発光タイミングモニター部120は、光の入射に応じて電気信号を生成する受光部124を有する。発光タイミングモニター部120は、発光素子112の第2部分86から放出された自然放出光88が受光部124に入射するように、発光部110に隣接して配置される。
判定部130は、発光タイミングモニター部120に接続されており、発光タイミングモニター部120の受光部124への自然放出光88の入射に応じて発光素子112におけるレーザ発振の開始のタイミングを検出する機能を備える。
本実施形態の発光素子112は、閾値キャリア密度(レーザ発振をするために必要な利得を発生させるキャリア密度)を超えて活性層にキャリアをため込む機構を有しており、活性層20にキャリアをため込み一気に放出する動作をするVCSELである。このようなVCSELにおいて、一般的なVCSELにおける発光タイミングの検知と同様に自然放出光の立ち上がりを検知しようとすると、以下のような課題が生じることが本発明者等により初めて明らかとなった。
図2及び図3は、発光素子の光出力波形を計算により求めた結果を示すグラフである。図2は比較例による発光素子の光出力波形であり、図3は本実施形態の発光素子112の光出力波形である。
定在波の腹の位置に活性層を配置した一般的なVCSELの場合、例えば図2に示すように、電流の注入開始から70ps程度で発振が始まり、光出力が立ち上がる。そして、光出力は緩和振動に伴う光波形のピークに到達し、その後、定常値に収束する。
一方、本実施形態の発光素子112は、最大ピーク値を有し、かつ、最大ピーク値の後に所定の光強度である安定値へと収束するプロファイルを有する光を射出する。すなわち、本実施形態の発光素子112では、例えば図3に示すように、電流の注入開始から600ps程度経過した後に発振が始まる。
図4は、活性層20に蓄積されているキャリアの密度及び光強度の時間変化を計算により求めた結果を示すグラフである。発光素子112に注入する電流は、図3と同様の波形を有し、時間軸の4E-10秒の時点から注入が開始されるものとする。発光素子112の閾値キャリア密度(発振開始後に収束するキャリア密度)は、2.7E+24m-3(図4に一点鎖線で表す)であるものとする。なお、図4における光強度はレーザ光84の光強度であり、図4におけるキャリア密度は自然放出光88の光強度に相関する。すなわち、キャリア密度が高いほど、自然放出光88の光強度は高くなる。
図4に示すように、活性層20のキャリア密度は、電流注入の開始とともに上昇し始める。本実施形態の発光素子112における閾値キャリア密度は2.7E+24m-3であるが、レーザ発振が始まる前の状態では、キャリアは一時的に閾値キャリア密度を超えて蓄積し続ける。その後、レーザ発振が始まると、誘導放出によってキャリアが急激に消費され、安定値に収束する。
このように、本実施形態の発光素子112では、閾値キャリア密度を超えてより多くのキャリアを活性層20に蓄積する。そして、レーザ発振の開始後に活性層20に蓄積されたキャリアを誘導放出によってフォトンに変換する。これにより、図3に示すような尖頭値が高く半値幅の狭い光パルスを出力することができる。この光パルスは、VCSELを駆動する電流パルスよりも短いパルスとなる。
ここで、自然放出光の光強度の増減及びレーザ光の強度の増減の時間変化に着目すると、図4に示すように、自然放出光の光強度(キャリア密度)がピーク値を過ぎ、急激に低下している間に、レーザ光の光強度(光出力)がピーク値に達していることが判る。具体的には、自然放出光の光強度のピーク時刻とレーザ光の光強度のピーク時刻との間には100ps程度のずれが生じている。このため、本実施形態の発光素子112のような短パルスVCSELでは、自然放出光88の立ち上がりを検出し、その検出時間をそのままレーザ光84の発振タイミングとして適用することは難しい。
上述のように、発光素子112から放出されるレーザ光84と自然放出光88とは強度ピークが現れるタイミングが異なるため、発光タイミングモニター部120の受光部124はレーザ光84を受光しないように構成されていることが好ましい。これには、例えば、発光タイミングモニター部120のレーザ光84が出射される側(図1において上側)に遮光膜を配置する方法を適用し得る。或いは、発光素子112と発光タイミングモニター部120との間に、自然放出光88は透過するがレーザ光84は透過しない波長フィルタ、すなわちレーザ光84の波長域に対してバンドストップフィルタ、あるいはロングパスフィルタの機能を有する波長フィルタを配置する方法を適用し得る。
発光タイミングモニター部120に入射した自然放出光88は、受光部124における光電変換によって電気信号に変換され、受光部出力として時間情報とともに判定部130へと出力される。
判定部130は、発光タイミングモニター部120から受信した受光部出力及び時間情報から、自然放出光88の光量の時間的な変化を検出し、発光素子112からレーザ光84が出力されたか否かを判定する。つまり、判定部130は、発光素子112におけるレーザ発振のタイミングを検出する。
ここで、自然放出光88の強度のサンプリング間隔は、光源装置100が搭載される装置に求められる特性等に応じて適宜設定され得る。例えば、本実施形態の光源装置100が測距装置に適用される場合にあっては、その測距装置に求められる測距精度に応じて適宜設定され得る。例えば、距離分解能1cmの測距精度が求められる場合、光が1cmの距離を往復するのに要する時間はおよそ67psecであり、自然放出光88のサンプリング間隔はその1/10程度以下であることが好ましい。なお、自然放出光88のサンプリングは、タイミング発生器等を利用することで、所望の測距精度に応じた一定時間毎に行うことができる。
次に、レーザ光84の発振タイミングを検知する方法について、図5及び図6を用いて説明する。なお、ここではレーザ光84の発振タイミングを検知する方法のいくつかを説明するが、レーザ光84の発振タイミングを検知する方法はこれらに限定されるものではない。
レーザ光84の発振タイミングを検知する第1の方法としては、キャリア密度の微分値を用いる方法が挙げられる。図5は、図4に示したキャリア密度値を時間微分し、時間軸の一部を拡大したグラフである。図5における縦軸の値は、実際には、発光タイミングモニター部120における光出力値の微分値に相当する。
第1の方法は、キャリア密度の微分値に対して所定の閾値を設定し、キャリア密度の微分値が閾値以下になった時刻をレーザ光84の発振タイミングとして設定する方法である。例えば図5において、キャリア密度微分値の閾値を-1(図5中に一点鎖線で表す)に設定したものとすると、レーザ光84の発振タイミングは1.05E-9secとなる。なお、実際のレーザ光の発振タイミングと上記のように算出されたタイミングとのずれが測距精度に対して大きい場合には、閾値をより適切な値に調整すればよい。
図5のグラフにおいてキャリア密度の微分値に対して所定の閾値を設定する代わりに、キャリア密度微分値が最大値となる時刻とキャリア密度微分値が最小値となる時刻との間の中間の時刻を、レーザ光84のピーク時刻と推定することもできる。
レーザ光84の発振タイミングを検知する第2の方法としては、キャリア密度の二階微分値を用いる方法が挙げられる。図6は、図5に示したキャリア密度微分値を更に時間微分、つまり図4に示したキャリア密度値を二階微分したグラフである。図6には、図4に示したレーザ光強度の時間変化を併せて示している。
図6に示すように、キャリア密度の二階微分値がピーク値を示す時刻と、レーザ光強度がピーク値を示す時刻とは、ほぼ一致している。したがって、自然放出光88について光強度の二階微分値がピーク値を示す時刻を検知することで、レーザ光84の強度がほぼピーク値となる時刻を検知することができる。
レーザ光84の発振タイミングを検知する方法としては、上述のような自然放出光88の光量の低下に基づいて検知する方法のほか、ルックアップテーブルを用いる方法が挙げられる。この場合、自然放出光88のピーク時刻に対するレーザ光84のピーク時刻の遅延時間を温度依存等の環境情報をも含めて予め測定しておき、これらの関係を表すルックアップテーブルを用意しておく。動作時の環境情報をもとにルックアップテーブルを参照することで、当該環境情報に応じたレーザ光84のピーク時刻を適切に予測することができる。
このようにして算出したレーザ光の発振タイミングの時刻と、対象物に照射されたレーザ光の戻り光を発光タイミングモニター部120が検出した時刻との差分から、対象物までの距離を精度よく測定すること可能となる。
自然放出光88のピーク時刻を決定する方法としては、例えば、ドライバ電流を印加した後の一定期間のうち受光部出力が最大となった時刻を選択する方法、自然放出光88の強度の微分値がプラスからマイナスになった時刻を選択する方法等が挙げられる。
なお、本実施形態は、レーザ光の発振タイミングを検知することを主たる目的としているが、上記構成を用いて光源装置100の故障を検知することも可能である。例えば、自然放出光88の光量が低下しない(変化しない)ことが検知された場合、レーザ光84をモニターしなくてもレーザ光が発振していないことが判るため、発光タイミングモニター部120の出力を光源装置100の故障検知に利用することができる。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDAR(LightImaging Detection and Ranging)システムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による光源装置について、図7を用いて説明する。第1実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図7は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第2実施形態による光源装置について、図7を用いて説明する。第1実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図7は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光源装置は、基本的な構成は第1実施形態による光源装置と同様である。本実施形態による光源装置100が第1実施形態による光源装置と異なる点は、図7に示すように、発光素子112と、発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122とが、同一の半導体基板の上に形成されていることである。
発光素子112は、第1導電型(例えばn型)の半導体基板10nと、第1導電型(例えばn型)の下部DBR層12nと、共振器部14と、第2導電型(例えばp型)の上部DBR層24と、電極72,74と、を有する。共振器部14は、第1導電型(例えばn型)の半導体層16と、ノンドープスペーサ部18と、第2導電型(例えばp型)の半導体層22と、を有する。下部DBR層12n、半導体層16、ノンドープスペーサ部18、半導体層22、及び上部DBR層24は、この順番で半導体基板10nの一方の面の側に積層されている。ノンドープスペーサ部18の中には、活性層20が設けられている。上部DBR層24の中には、酸化狭窄層26が設けられている。
受光素子122は、発光素子112と同様の半導体積層構造によって構成された半導体受光素子であり得る。すなわち、受光素子122は、第1導電型(例えばn型)の半導体基板10nと、第1導電型(例えばn型)の下部DBR層12nと、共振器部14と、上部DBR層24と、電極72,76と、を有する。共振器部14は、第1導電型(例えばn型)の半導体層16と、ノンドープスペーサ部18と、第2導電型(例えばp型)の半導体層22と、を有する。下部DBR層12n、半導体層16、ノンドープスペーサ部18、半導体層22、及び上部DBR層24は、この順番で半導体基板10nの一方の面の側に積層されている。ノンドープスペーサ部18の中には、活性層20が設けられている。上部DBR層24の中には、酸化狭窄層26が設けられている。受光素子122の活性層20が、発光タイミングモニター部120の受光部124となる。
半導体層16、ノンドープスペーサ部18、半導体層22及び上部DBR層24は、メサ状に加工されており、発光素子112と受光素子122との間で分離されている。なお、図7の例では上部DBR層24から半導体層16までをメサ状に加工しているが、発光素子112と受光素子122とを分離する深さは、必ずしもこの例に限定されるものではない。すなわち、発光素子112は、その中心部分でレーザ発振するように構成されていればよく、発光素子112と受光素子122とは、少なくとも酸化狭窄層26の半導体基板10nの側までの領域が分離されていればよい。
半導体基板10nの、下部DBR層12nが設けられた面とは反対の面の側には、半導体基板10nに対してオーミックコンタクトを形成する電極72が設けられている。発光素子112の上部DBR層24の上には、上部DBR層24に対してオーミックコンタクトを形成する電極74が設けられている。受光素子122の上部DBR層24の上には、上部DBR層24に対してオーミックコンタクトを形成する電極76が設けられている。メサの側壁などには、半導体面の変質などを防ぐ目的で保護膜(図示せず)が設けられ得る。
電極72は、発光素子112及び受光素子122に共通の電極である。電極76は、レーザ光84が受光部124(受光素子122の活性層20)に入射するのを防止するための遮光膜としての機能を備え得る。レーザ光84は、半導体基板10nに対して鉛直方向(図7において上側)に放出されるが、その先にある光学系や実装部品(図示せず)等の影響により、反射光や迷光等が受光部124に入射する場合がある。このような反射光や迷光の入射を防ぐため、電極76は、受光部124の上部の全体を覆うように配置することが好ましい。
半導体基板10nは、例えば、n型のGaAs基板により構成され得る。下部DBR層12nは、例えば、光学膜厚が1/4λcであるn型のAl0.1GaAs層とAl0.9GaAs層との積層体を1ペアとして、これを35ペア積層することにより構成され得る。ここで、λcは下部DBR層12の高反射帯域の中心波長であり、本実施形態では940nmである。上部DBR層24は、例えば、光学膜厚が1/4λcであるp型のAl0.1Ga0.9As層とAl0.9Ga0.1As層との積層体を1ペアとして、これを20ペア積層することにより構成され得る。共振器部14は、第1実施形態の発光素子112と同様の構成であり得る。
発光素子112は、電極72と電極74との間に供給される順バイアス電圧によって駆動される。発光素子112に注入された電流は酸化狭窄層26が設けられていないメサの中心部分の非酸化部のみを流れるため、発光素子112は平面視においてメサの中心部分と重なる部分のみがレーザ発振する。受光素子122は、電極72と電極76との間に供給される逆バイアス電圧によって駆動され、活性層20(受光部124)に入射した自然放出光88の光量を検出する。判定部130は、受光素子122(発光タイミングモニター部120)から受信した時間毎の光量情報に基づき、レーザ光84の発振タイミングを検出する。
次に、発光素子112と受光素子122との間の位置関係について、図7乃至図9を用いて説明する。
図8は、本実施形態の光源装置における発光素子及び受光素子の位置関係を示す上面図である。図7における発光素子及び受光素子の断面は、図8のA-A′線断面に相当する。なお、図7及び図8に示す座標系において、X-Y平面は半導体基板10nの表面に平行な面であり、Z方向は半導体基板10nの法線方向と平行な方向である。
電極74には、パッド電極74Pが接続されている。パッド電極74Pは、電極74に電圧を供給するための配線が接続される電極である。電極74とパッド電極74Pとは、例えば図8に示すように、連続する1つの電極パターンにより構成され得る。図8において破線で示した部分が、図7における電極74の外周部に相当する。
同様に、電極76には、パッド電極76Pが接続されている。パッド電極76Pは、電極76に電圧を供給するための配線が接続される電極である。電極76とパッド電極76Pとは、例えば図8に示すように、連続する1つの電極パターンにより構成され得る。図8において破線で示した部分が、図7における電極76に相当する。
ここで、発光素子112と受光素子122とは、図8に示す座標系において、X方向に並んで配されているものとする。そして、発光素子112の端面から受光素子122の活性層20の端面までの距離がL1であるものとする。また、図8に示す座標系において、電極76のX方向に沿った一辺の長さがL2であり、電極76のY方向に沿った電極76の長さがL3であるものとする。
図9は、受光素子122の出力及び電極72,76間に流れる暗電流の距離L1依存性を示すグラフである。図9中、実線が受光素子122の出力であり、点線が受光素子122の電極72,76間に流れる暗電流を示している。ここでは、長さL2及び長さL3がともに100μmである場合を想定している。
図9に示すように、受光素子122の電極72,76間に流れる暗電流は、発光素子112の端面から受光素子122の活性層20の端面までの距離L1によらず一定である。すなわち、受光素子122の構成が決まれば、電極72,76間に流れる暗電流は、距離L1によらずに一定となる。
一方、受光素子122の出力は、距離L1が短くなるほど大きくなる傾向にあり、図9の例では、距離L1が約30μmを下回ると急激に増加している。そして、距離L1が11μmよりも短くなると、受光素子122の出力は暗電流を上回る。つまり、距離L1を11μmよりも短くすることにより、発光素子112から放出される自然放出光88を受光素子122により検出することが可能となる。自然放出光88の光量の増減を精度よく検出するためには、距離L1を8μm以下に設定することが好ましい。距離L1を8μm以下に設定することで、S/N比は2以上となる。
受光素子122における出力と距離L1との関係や暗電流の値は、受光素子122の面積(長さL2,L3)に応じて変化する。受光素子122の面積を大きくすれば暗電流も増大するが、検出光量、つまり検出電流値も増大する。この場合、S/N比は変わらないが、検出電流値が大きいため判定部130での信号処理においてノイズに強くなり、回路設計がより容易になる、回路設計の必要精度が緩和される、等の利点が得られる。このような観点から、受光素子122の面積を大きくし、検出電流値を大きくすることが好ましい。
本実施形態のように発光素子112と受光素子122とを同一の半導体基板の上に形成する場合、発光素子112と受光素子122との間の距離L1は、フォトリソグラフィ工程のプロセス作製精度に応じた精度で正確に制御することができる。
本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、発光部110が有する発光素子112の数は1つに限定されるものではなく、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。
図10は、発光部110が、平面視において一直線に並ぶ3つの発光素子112を有する場合を示している。複数の発光素子112が一直線に並んで配されている場合、受光素子122は、図10に示すように、受光面であるその端部を発光素子112が並ぶ方向に対して平行になるように配置することが好ましい。同時に駆動する複数の発光素子112に対して発光タイミングモニター部120をこのように配置することで、S/N比は変わらないが、検出電流値を大きくすることができる。なお、発光部110が有する発光素子112の数は、3つに限定されるものではない。
図11は、発光部110が、平面視において受光素子122を囲むように配された4つの発光素子112を有する場合を示している。同時に駆動する複数の発光素子112に対して発光タイミングモニター部120をこのように配置することで、発光タイミングモニター部120に入射する光量、つまり信号量が増えるため、S/N比を増加することができる。ここで、発光素子112のメサ上からの取り出し電極(電極74に接続される部分)は、図11に示すように、できるだけ受光素子122側を避けて配置することが好ましい。このようにすることで、発光素子112からの自然放出光成分を遮る割合を下げることが可能となり、発光タイミングモニター部120での検出光量を増加することができる。なお、発光部110が有する発光素子112の数は、4つに限定されるものではない。
なお、本実施形態では、発光素子112と受光素子122とを同一の半導体積層構造により形成したが、発光素子112と受光素子122とは必ずしも同一の半導体積層構造である必要はない。例えば、発光素子112を構成する半導体積層構造の上に、受光素子122を構成する半導体積層構造を形成するようにしてもよい。この場合、発光素子112の部分は、受光素子122用に追加した半導体層を取り除く。このような構成とすることで、発光素子112の素子設計に限定されずに、受光素子122の素子設計を行うことができる。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による光源装置について、図12及び図13を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図12は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。図13は、本実施形態による光源装置の構成例を示す上面図である。
本発明の第3実施形態による光源装置について、図12及び図13を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図12は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。図13は、本実施形態による光源装置の構成例を示す上面図である。
本実施形態による光源装置100は、基本的な構成は第1実施形態による光源装置100と同様である。本実施形態による光源装置100が第1実施形態による光源装置100と異なる点は、図12に示すように、発光素子112と受光素子122とが同一の半導体基板10nの上に形成されていることである。ただし、本実施形態による光源装置100は、半導体基板10nとは別の半導体基板の上に形成した受光素子122を半導体基板10nの上に接合している点で、第2実施形態による光源装置100とは異なっている。
すなわち、本実施形態の受光素子122は、第3導電型の半導体基板30と、第3導電型(例えばn型)の半導体層32と、受光層34と、第3導電型と異なる第4導電型(例えばp型)の半導体層36と、電極76,78と、を有する。半導体層32、受光層34、半導体層36及び電極78は、この順番で半導体基板30の一方の面の側に積層されている。これにより、半導体層32、受光層34及び半導体層36よりなるp-i-n構造のフォトダイオードが構成されている。半導体基板30の他方の面の側には、電極76が設けられている。このように構成された受光素子122は、発光素子112が設けられた半導体基板10nの上に接合されている。
本実施形態の受光素子122は、例えば以下のようにして製造され得る。
まず、半導体基板30の上に、半導体層32と、受光層34と、半導体層36と、をエピタキシャル成長する。次いで、半導体層36の上に、電極78aを形成する。また、半導体基板30の裏面の側に、電極76を形成する。
まず、半導体基板30の上に、半導体層32と、受光層34と、半導体層36と、をエピタキシャル成長する。次いで、半導体層36の上に、電極78aを形成する。また、半導体基板30の裏面の側に、電極76を形成する。
次いで、このように形成したタイミングモニター部用基板を裏返し、受光素子122に必要な所定の面積となるようにダイシングし、個片化した受光素子122をピックアップする。
一方、発光素子112が設けられた基板の上の、受光素子122を設置する部分には、電極78bを予め形成しておく。図13は、受光素子122を設置する前の、発光素子112が設けられた基板の上面図である。電極78b内に示す点線の領域が、受光素子122を設置する部分である。
次いで、ピックアップした受光素子122を、電極78aの側を下にして電極78bの上に接合する。受光素子122と発光素子112を形成した基板との接合は、例えば、電極78aを構成する金と電極78bを構成する金との間の金属間接合により行うことができる。受光素子122と発光素子112を形成した基板との接合は、必ずしも金属間接合により行う必要はなく、接着剤等を用いて固定するようにしてもよい。
このように光源装置100を構成することで、受光素子122の受光層34は、発光素子112のエピタキシャル構造によらず、材料、膜厚、面積等を独立して設計することが可能となる。また、受光層34の高さは各層の厚さと接合の精度に応じて設定できるため、発光素子112の活性層20の位置に応じて受光層34を適切な位置に制御することが可能となる。
受光層34は、活性層20から放出された自然放出光88を効率的に検出する観点から、活性層20が設けられた高さを含む高さに配置されていることが好ましい。受光層34は、可能な限り膜厚が厚いことが好ましく、その膜厚の中心の高さが活性層20の高さに位置していることが理想的である。ただし、共振器部14等をエッチングする際の制限や、受光素子122を基板上に設置する際の制限により、受光層34の膜厚中心が必ずしも活性層20の高さに位置していなくてもよい。なお、ここで言う高さとは、半導体基板10nの表面からの距離である。
この場合、例えば、膜厚5μm、面積30μm×30μmのシリコン層よりなる受光層34を有する受光素子122を、発光素子112の端部から10μmの距離に配置した場合、100以上のS/N比で自然放出光88を検出することができる。
受光層34の膜厚中心の高さと活性層20の高さとが一致しない場合には、高さに対して変化する自然放出光88の成分について考慮する必要がある。具体的には、受光層34の体積に応じて自然放出光88の受光感度が決まり、また、受光層34の面積に応じて暗電流が決まる。また、発光素子112との距離に加えて、さらに高さに応じて変化する自然放出光88の成分のFFP(Far Field Pattern:遠視野像)の影響も加味して、発光素子112から放出される自然放出光88の成分のうちどの程度受光できるかの割合が決まる。これらを総合的に考慮し、発光タイミングモニター部120の出力が暗電流値以上となるように、素子構成や素子間の距離を設定する。
なお、図12の構成例では、発光素子112の共振器部14と同程度の高さに受光素子122の電極78を形成したが、半導体層36と半導体基板10nとの間に良好な電気的コンタクトが得られる場合は、電極78を設けなくてもよい。この場合は、電極72を、発光素子112及び受光素子122のための共通電極として用いることができる。
本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、第2実施形態の場合と同様、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による光源装置について、図14を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図14は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第4実施形態による光源装置について、図14を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図14は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光源装置100は、図14に示すように、発光部110を構成する発光素子112と発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122とが、別々の部品で構成されている。受光素子122は、第3実施形態と同様のp-i-n構造のフォトダイオードにより構成され得る。発光素子112は、基板40に実装されている。受光素子122は、受光部124の面が発光素子112の第2部分86に対向するようにステム等の支持部材42によって支持され、基板40に実装されている。
ここで、発光素子112から放出される自然放出光88の光量と、第2部分86と受光部124との距離との関係について、図15を用いて説明する。図15は、受光素子122の出力と、第2部分86と受光部124との間の距離との関係を測定した結果を示すグラフである。図15において、縦軸は受光素子122の出力(PD出力)を示し、横軸は第2部分86と受光部124との間の距離を示している。測定に用いた発光素子112への電流注入量は、閾値電流以下の1mAとした。また、測定には受光面積が大きい受光素子122を用いたが、図15には受光面積をφ0.1mmに換算したときの電流値を示している。
図15に示すように、発光素子112と受光素子122との距離が大きくなると、受光素子122の出力は大幅に低下する。受光素子122の出力が暗電流値を下回ると、自然放出光88の増減検出ができなくなる。例えば、受光面積がφ0.1mmの受光素子122において暗電流が100pAであった場合、図15の例では、発光素子112と受光素子122とを6mm程度まで離間すると、受光素子122の出力と暗電流の大きさとがほぼ等しくなる。すなわち、S/N比が1未満となるため、自然放出光88の増減検出が難しくなる。一方、発光素子112と受光素子122との距離をおよそ2mmまで近づけると、受光素子122の出力は暗電流のおよそ10倍程度まで増加することができる。
発光素子112の第2部分86と受光素子122の受光部124との距離をL[m]とすると、距離Lは、以下の式(1)の関係を満たすことが好ましい。なお、式(1)において、P[W]は第2部分86から放出される自然放出光88の総量、S[m2]は受光素子122の受光部124の受光面積、Q[A/W]は受光素子122の受光感度、Da[A]は受光素子122の暗電流値である。
P×(S/4πL2)×Q > Da …(1)
P×(S/4πL2)×Q > Da …(1)
これまで、受光部124には発光素子112からの自然放出光88が入射されると説明してきたが、実際には、レーザ光84の一部が光学系(図示せず)からの反射等によって受光部124に入射する可能性がある。このような場合、例えば図14に示すように、受光部124への自然放出光88の入射面側に波長フィルタ126を配置する構成としてもよい。
ここで、波長フィルタ126を使用して自然放出光88とレーザ光84とを分離する際の波長フィルタ126の透過波長帯域の設定について説明する。
図16は、基底準位間の遷移波長が940nmであるInGaAs層を井戸層とした量子井戸における利得スペクトルと自然放出光スペクトルとを計算により求めた結果を示すグラフである。図16には、利得スペクトルを点線で表し、自然放出光スペクトルを実線で表している。
図16に示すように、利得スペクトルのピーク波長はおよそ940nmである。そのため、図16の状態で最適化設計する場合には、面発光レーザの共振波長λcは利得が最も高く、効率よくレーザ光が取り出せる波長940nm付近に設定する。一方、自然放出光は波長940nmよりも短波長側に拡がりが大きいスペクトル形状を有している。そのため、レーザ光を遮光し、自然放出光のみを多く透過するための光学フィルタとしては、特定の波長λcoよりも短波長側の光を透過し、波長λcoよりも長波長側の光を反射又は吸収する、いわゆるショートパスフィルタを用いることが好ましい。
レーザ光のスペクトル幅は一般的には5nm以下には収まるため、波長λcoは以下の式(2)の関係を満たしていればよい。
λco < λc-5 [nm] …(2)
λco < λc-5 [nm] …(2)
ただし、実際には、面発光レーザの共振波長λcには±10nm程度の製造ばらつきが生じることがある。また、ショートパスフィルタの製造ばらつきや、波長λco付近において透過光の強度が0付近まで減少するために必要な波長幅(10nm程度)をも考慮する必要がある。このような観点から、波長λcoは以下の式(3)の関係を満たしているとより好ましい。
λco ≦ λc-30 [nm] …(3)
λco ≦ λc-30 [nm] …(3)
式(3)に従うと、共振波長λcが940nmの場合、波長λcoは910nmとなる。図16において自然放出光のスペクトルは波長910nmより短波長側にも広がっているため、波長λcoが910nmである光学フィルタを用いることで、自然放出光のみを検出し、それによって発振タイミングを検知することが可能であることが理解できる。
ところで、面発光レーザにおいては、温度上昇時にレーザ発振波長と利得ピーク波長とが近づくように、室温における利得ピーク波長を短波長側にシフトして設計する場合も多い。この室温における利得ピーク波長のシフト量は、20nm程度に設定するのが一般的である。そのような場合には、活性層20の利得スペクトルのピーク波長を、面発光レーザの共振波長λcに対して20nm程度、短波長側に設計する。
図17は、利得ピーク波長を20nm、短波長側へシフトした場合の利得スペクトルと自然放出光スペクトルとを計算により求めた結果を示すグラフである。
この場合、室温においては、共振波長λcは940nm付近であるので、上述の場合と同様、波長λcoは、λc-5nm未満が好ましく、λc-30nm以下が更に好ましい。室温の状態においては、自然放出光のうちの特定の波長、例えば波長λcoである910nmよりも短波長側の成分が多いことが判る。そのため、室温時においては、より多くの自然放出光を発振タイミングの検知に使用することができる。また、高温時には利得スペクトルと自然放出光スペクトルとの関係は図16の状態に近づくため、高温時においても自然放出光のみを透過し、それによる発振タイミングの検知が可能である。
なお、波長フィルタ126によって受光部124に入射する自然放出光88の光量が低下する場合には、式(1)のパラメータのうち、自然放出光の総量Pを、波長フィルタ126によって減少する分を差し引いた総量P’として距離Lを算出すればよい。
本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、第2実施形態の場合と同様、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による光源装置について、図18を用いて説明する。第1乃至第4実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図18は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第5実施形態による光源装置について、図18を用いて説明する。第1乃至第4実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図18は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光源装置100は、発光素子112の構成が、第2実施形態による光源装置100とは異なっている。すなわち、本実施形態の発光素子112は、図18に示すように、下部DBR層12と半導体層16との間に、可飽和吸収層52を有するノンドープスペーサ部50を更に有している。また、ノンドープスペーサ部18の中に、3層の活性層20を有している。下部DBR層12と上部DBR層24との間に位置する層(ノンドープスペーサ部50及び共振器部14)が、共振器スペーサ部である。また、電極72は、半導体層16の上に設けられており、半導体層16にオーミックコンタクトしている。その他の点は、第2実施形態による光源装置100と同様である。
共振器部14は、第1導電型(例えばn型)の半導体層16、ノンドープスペーサ部18及び第2導電型(例えばp型)の半導体層22からなるp-i-n接合により構成されている。ノンドープスペーサ部18に配された3層の活性層20の各々は、例えば、厚さ8nmのInGaAs井戸層を厚さ10nmのAlGaAs障壁層で挟んだ量子井戸を4層含む多重量子井戸により構成され得る。この場合、共振器部14の中には計12層の量子井戸が含まれる。半導体層16はn型GaAs層により、半導体層22はp型GaAs層により、ノンドープスペーサ部18のその他の部分はノンドープAlGaAs層により、それぞれ構成され得る。
共振器部14は、通常のVCSELにも存在するp-i-n接合からなり、i層内に活性層を含んだ共振器部と類似の構成である。ただし、共振器部14が有する量子井戸の層数は、通常のVCSELが有する量子井戸の層数(3層程度)と比較して多い。共振器部14における有効共振器長は10μmとなっている。
本実施形態では、これら3層の活性層20を、一般的なVCSELの設計で用いられる定在波の腹の位置ではなく、定在波の腹と節の間の位置に配置する。これにより、駆動電流を注入した際の光の応答特性の最適化を図ることができる。また、定在波に対する光閉じ込め係数について、通常のVCSELでは1.5~2.0の範囲が一般的であるところ、本実施形態では0.35程度と意図的に低く設定している。また、AlGaAs障壁層は、通常のVCSELの量子井戸における障壁層と比較してバンドギャップを小さくしており、それによって障壁層にもキャリアが蓄積されるように設計がなされている。これにより、キャリアが蓄積されるInGaAs井戸層の層数は12層であるが、AlGaAs障壁層にもキャリアが蓄積されることで、通常の量子井戸に換算しておよそ20層分のキャリアを蓄積すること可能となる。障壁層であるAlGaAsのAl組成は、0~30%であることが好ましい。
ノンドープスペーサ部50は、一般的なVCSELには存在しない構成である。可飽和吸収層52は、例えば、厚さ8nmのInGaAs井戸層を厚さ10nmのAlGaAs障壁層で挟んだ量子井戸を3層含む多重量子井戸により構成され得る。ノンドープスペーサ部50のその他の部分は、ノンドープGaAs層により構成され得る。
次に、本実施形態の発光素子112の動作について、図2乃至図4を用いて説明する。
図2及び図3は、発光素子の光出力波形を計算により求めた結果を示すグラフである。図2は比較例による発光素子の光出力波形であり、図3は本実施形態による発光素子112の光出力波形である。比較例による発光素子は、可飽和吸収層を備えておらず、量子井戸が3層、共振器長が1λに設計されている一般的な構成のVCSELである。
図2及び図3は、発光素子の光出力波形を計算により求めた結果を示すグラフである。図2は比較例による発光素子の光出力波形であり、図3は本実施形態による発光素子112の光出力波形である。比較例による発光素子は、可飽和吸収層を備えておらず、量子井戸が3層、共振器長が1λに設計されている一般的な構成のVCSELである。
一般的な半導体発光素子の構成の場合、図2に示すように、電流の注入開始から70ps程度で発振が始まり、光出力が立ち上がる。そして、光出力は緩和振動に伴う光波形のピークに到達し、その後、定常値に収束する。
一方、本実施形態による発光素子112は、最大ピーク値を有し、かつ、最大ピーク値の後に所定の光強度である安定値へ収束するプロファイルを有する光を射出する。すなわち、本実施形態による発光素子112では、例えば図3に示すように、電流の注入開始から600ps程度経過した後に発振が始まる。この発振開始の遅れは、活性層20の実効的な体積を大きくしていることや、電流の注入開始から一定時間は可飽和吸収層52での光の吸収により発振が阻害されることによる。可飽和吸収層52に光が吸収されると、吸収された光はキャリアとして可飽和吸収層52内に蓄積される。光の吸収に伴ってキャリアが増加していき、可飽和吸収層52内におけるキャリア密度が透明キャリア密度に達すると、可飽和吸収層52は光を吸収しなくなる。その結果、レーザ発振を阻害する効果がなくなり、半導体発光素子はレーザ発振を始める。
可飽和吸収層52によって一定時間、レーザ発振を阻害している目的は、閾値キャリア密度を超えるキャリアを活性層20に蓄積するためである。ここで、閾値キャリア密度とは、レーザ発振をするために必要な利得を発生させるキャリア密度である。
図4は、活性層20に蓄積されているキャリアの密度及び光強度の時間変化を示すグラフである。発光素子112に注入する電流は、図3と同様の波形を有し、時間軸の4E-10秒の時点から注入が開始されるものとする。
図4に示すように、活性層20のキャリア密度は、電流注入の開始とともに上昇し始める。本実施形態の発光素子112における閾値キャリア密度(発振開始後に収束するキャリア密度)は2.7E+18cm-3であるが、レーザ発振が始まる前の状態では、キャリアは一時的に閾値キャリア密度を超えて蓄積し続ける。その後、レーザ発振が始まると、誘導放出によってキャリアが急激に消費され、安定値に収束する。
このように、本実施形態の発光素子112では、閾値キャリア密度を超えてより多くのキャリアを活性層20に蓄積する。そして、レーザ発振の開始後に活性層20に蓄積されたキャリアを誘導放出によってフォトンに変換する。これにより、図3に示すような尖頭値が高く半値幅の短い光パルスを出力することができる。
活性層20に閾値キャリア密度以上のキャリアを蓄積することができるのは、可飽和吸収層52を用いてレーザ発振を一定時間、抑制しているためである。このような高いキャリア密度を実現することで、発振後には尖頭値が高くパルス幅の短い光パルスを発光素子の内部で発生することができる。この光パルスは、発光素子112を駆動する電流パルスよりも短いパルスとなる。本例では、レーザ光のピーク光量は定常時のレーザ光の光量の3倍以上となる。
比較として、一般的なVCSELの動作原理について、図19を用いて説明する。
一般的なVCSELの場合においても、本実施形態の発光素子112の場合と同様、電流注入が開始されるとともに活性層のキャリア密度が閾値キャリア密度(図19中、一点鎖線で示す)まで上昇する。レーザ発振が始まる前の状態では、キャリア密度は一時的に閾値キャリア密度を超えて蓄積し続ける。そして、発振が始まり誘導放出によりキャリアが急激に消費され、安定値に収束する。
一般的なVCSELの場合においても、本実施形態の発光素子112の場合と同様、電流注入が開始されるとともに活性層のキャリア密度が閾値キャリア密度(図19中、一点鎖線で示す)まで上昇する。レーザ発振が始まる前の状態では、キャリア密度は一時的に閾値キャリア密度を超えて蓄積し続ける。そして、発振が始まり誘導放出によりキャリアが急激に消費され、安定値に収束する。
図19に示す一般的なVCSELの特性と図4に示す本実施形態の発光素子112の特性とを比較すると、一般的なVCSELでは、閾値キャリア密度を超えてキャリアが蓄積される期間及び誘導放出によりキャリアが急激に消費される期間の長さが非常に短い。また、自然放出光の強度ピークとレーザ光の発振タイミングとがほぼ同じである。また、レーザ光のピーク光量は定常時のレーザ光の光量の2倍程度である。
なお、図4及び図19に示した時間はあくまで一例であり、発光素子の構成が変わればこれらの時間や期間の長さも異なってくる。例えば、井戸層の数や体積が増えることにより、同じ電流注入条件であればキャリアの蓄積時間は長くなる。
次に、本実施形態による発光素子112の製造方法の一例を以下に示す。
まず、半導体基板10の上に、有機金属気相成長法や分子線エピタキシー法により、下部DBR層12、ノンドープスペーサ部50、共振器部14及び上部DBR層24を構成する各半導体層を成長する。
まず、半導体基板10の上に、有機金属気相成長法や分子線エピタキシー法により、下部DBR層12、ノンドープスペーサ部50、共振器部14及び上部DBR層24を構成する各半導体層を成長する。
次いで、フォトリソグラフィ及びエッチング技術を用い、上部DBR層24、半導体層22及びノンドープスペーサ部18をパターニングする。これにより、例えば直径が30μm程度の柱状のメサを形成する。
次いで、450℃程度の水蒸気雰囲気中で熱酸化を行い、上部DBR層24内のAl0.98Ga0.02As層をメサの側壁部分から酸化し、酸化狭窄層26を形成する。この際、酸化時間を制御することにより、Al0.98Ga0.02As層内に、メサの中心部分の非酸化部と、メサの側壁近傍の酸化部(酸化狭窄層26)と、を形成する。Al0.98Ga0.02As層の非酸化部分は、直径が10μm程度となるように制御する。
次いで、フォトリソグラフィ及び真空蒸着法を用い、メサの上面上にp側電極となる電極74を形成し、エッチングすることにより露出した半導体層16の上面上にn側電極となる電極72を形成する。電極74は円環状のパターンを有しており、中央の開口部が光取り出し用の円形窓となる。
次いで、フォトリソグラフィ及びプラズマCVD法を用い、電極72,74が設けられたメサの上面及び側面と半導体層16の上面を覆うように保護膜(図示せず)を形成する。
次いで、良好な電気特性を得るために、窒素雰囲気中で熱処理を行い、電極材料と半導体材料との界面を合金化し、本実施形態の発光素子112を完成する。
発光素子112と受光素子122とは、第2実施形態と同様、ドライエッチングやウェットエッチング等により分離される。半導体層16より上側の層は、チップ表面の面内の一部分が加工途中で除去されており、残り部分がメサ状になっている。なお、図18の例では上部DBR層24からノンドープスペーサ部18までをメサ状に加工しているが、発光素子112と受光素子122とを分離する深さは、必ずしもこの例に限定されるものではない。すなわち、発光素子112は、その中心部分でレーザ発振するように構成されていればよく、発光素子112と受光素子122とは、少なくとも酸化狭窄層26の半導体基板10nの側までの領域が分離されていればよい。
電極72は、発光素子112及び受光素子122に共通の電極である。発光素子112は、電極72と電極74との間に供給される順バイアス電圧によって駆動される。発光素子112に注入された電流は酸化狭窄層26が設けられていないメサの中心部分の非酸化部のみを流れるため、発光素子112は平面視においてメサの中心部分と重なる部分のみがレーザ発振する。受光素子122は、電極72と電極76との間に供給される逆バイアス電圧によって駆動され、活性層20(受光部124)に入射した自然放出光88の光量を検出する。判定部130は、受光素子122(発光タイミングモニター部120)から受信した時間毎の光量情報に基づき、レーザ光84の発振タイミングを検出する。
本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、第2実施形態の場合と同様、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。
また、本実施形態では、発光タイミングモニター部120を第2実施形態の受光素子122により構成する例を示したが、発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122はこれに限定されるものではない。発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122は、他の実施形態に記載の受光素子122であってもよい。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第6実施形態]
本発明の第6実施形態による光源装置について、図20を用いて説明する。第1乃至第5実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図20は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第6実施形態による光源装置について、図20を用いて説明する。第1乃至第5実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図20は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光源装置100は、発光素子112の構成が、これまでの実施形態の光源装置100とは異なっている。すなわち、本実施形態の発光素子112は、図20に示すように、第1導電型(例えばn型)の半導体基板10nと、第1導電型の下部DBR層12nと、活性領域60と、ノンドープスペーサ部18と、半導体層22と、上部DBR層24と、を有している。また、本実施形態の発光素子112は、電極72,74,80を更に有している。下部DBR層12n、活性領域60、ノンドープスペーサ部18、半導体層22及び上部DBR層24は、この順番で半導体基板10nの一方の面の側に積層されている。
活性領域60は、下部DBR層12nの側から順に、可飽和吸収層62と、第2導電型(例えばp型)の接合層64と、トンネル接合部66と、第1導電型の接合層68と、を有している。トンネル接合部66は、接合層64に接する第2導電型の高ドープ半導体層(例えばp++半導体層)と、この第2導電型の高ドープ半導体層及び接合層68に接する第1導電型の高ドープ半導体層(例えばn++半導体層)とを有する。これら高ドープ半導体層の接合部がトンネル接合部を構成している。
トンネル接合部66では、電荷キャリアが価電子帯から伝導帯へと移動して効果的に再循環されるため、一方からの電子と他方からの正孔とで、可飽和吸収層62と同様に、ノンドープスペーサ部18の活性層構造もポンピングされることになる。本実施形態では、可飽和吸収層62とノンドープスペーサ部18の活性層構造とを流れる電流を別々に制御できるように、可飽和吸収層62とトンネル接合部66との間に電極80を更に設けている。
すなわち、本実施形態の発光素子112は、電極72,74,80を有する3電極構成のVCSELである。このような3電極構成とすることで、レーザ光の発振タイミングをより制御しやすくなる。ただし、それでも温度等の環境変化によってドライバの駆動タイミングとレーザ光の発振タイミングとがずれるため、レーザ光の発振タイミングを測定する機構を有する本実施形態の構成は有効である。
本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、第2実施形態の場合と同様、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。
また、本実施形態では、発光タイミングモニター部120を第4実施形態の受光素子122により構成する例を示したが、発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122はこれに限定されるものではない。発光タイミングモニター部120を構成する受光素子122は、他の実施形態に記載の受光素子122であってもよい。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第7実施形態]
本発明の第7実施形態による光源装置について、図21及び図22を用いて説明する。第1乃至第6実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図21及び図22は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
本発明の第7実施形態による光源装置について、図21及び図22を用いて説明する。第1乃至第6実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図21及び図22は、本実施形態による光源装置の構成例を示す概略図である。
第1乃至第6実施形態では、発光素子112の第2部分86から放出される自然放出光88を受光素子122により検出したが、発光素子112の第1部分82から放出される自然放出光88を受光素子122により検出することも可能である。本実施形態では、発光素子112の第1部分82から放出される自然放出光88を受光素子122により検出する場合の光源装置100の構成例を説明する。
本実施形態に適用可能な発光素子112及び受光素子122は特に限定されるものではないが、ここでは一例として第2実施形態の発光素子112と第4実施形態の受光素子122とを組み合わせた構成の光源装置100を想定するものとする。なお、図21及び図22において、判定部130の記載は省略している。
発光素子112の第1部分82からは、主にレーザ光84が放出されるが、その中には自然放出光88の成分も一部含まれる。したがって、レーザ光84に含まれる自然放出光88を検出し、検出した自然放出光88に基づいてレーザ発振のタイミングを検知することも可能である。
図21の構成例は、発光素子112の第1部分82から放出された光を、波長フィルタ92を用いてレーザ光84と自然放出光88とに分離し、分離した自然放出光88をレンズ94により集光して受光素子122に入射するようにした光源装置の例である。波長フィルタ92は、レーザ光84を透過し、自然放出光88を反射する光学特性を有するものであり、特定の波長λcoより短波長側の光を反射し、波長λcoより長波長側の光を透過する、いわゆるロングパスフィルタを用いることが好ましい。
本構成例では、レンズ94を用いて集光するため、同じ信号強度を得るための受光素子122の受光面積を小さくすることが可能となる。暗電流の値はほぼ受光面積に比例するため、受光面積を小さくすることにより、S/N比を上げることができる。また一般的に、受光面積を小さくすることで高速な応答が可能となるため、応答性の観点からも受光面積を小さくすることは好ましい。
図22の構成例は、図21の構成例に対し、レンズ94と受光素子122との間に光ファイバ96を更に追加したものである。レンズ94を通過した光を、光ファイバ96を用いて受光素子122まで導くように構成することで、発光素子112及び受光素子122の配置の自由度を大幅に向上することができる。
なお、本実施形態では発光部110が有する発光素子112が1つの場合を例示したが、第2実施形態の場合と同様、発光部110が複数の発光素子112を有していてもよい。この場合、波長フィルタ92やレンズ94は、複数の発光素子112の各々に対して設けてもよいし、複数の発光素子112に対して設けてもよい。
このように、本実施形態によれば、自然放出光を用いてレーザ光の発振タイミングを検知するので、レーザ光の光量を落とすことなくレーザ光の発振タイミングの測定精度を向上することができる。また、本実施形態の光源装置をLiDARシステムに搭載することで、測距精度の良いLiDARシステムを実現することができる。
[第8実施形態]
本発明の第8実施形態による測距装置について、図23を用いて説明する。第1乃至第7実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図23は、本実施形態による測距装置の概略構成を示すブロック図である。
本発明の第8実施形態による測距装置について、図23を用いて説明する。第1乃至第7実施形態による光源装置と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図23は、本実施形態による測距装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施形態による測距装置200は、第1乃至第7実施形態のいずれかに記載の光源装置100を光源部に適用した測距装置(LiDAR装置)である。
本実施形態による測距装置200は、制御部210と、面発光レーザアレイドライバ212と、面発光レーザアレイ214と、発光側光学系218と、受光側光学系220と、イメージセンサ222と、距離データ処理部224とにより構成され得る。面発光レーザアレイ214は、発光タイミングモニター部216を有する。
面発光レーザアレイ214は、第1乃至第7実施形態のいずれかに記載の発光部110がパッケージに実装されたものであり、2次元アレイ状に配列された複数の発光素子112を有する。面発光レーザアレイ214は、発光タイミングモニター部216を更に有する。発光タイミングモニター部216は、第1乃至第7実施形態における発光タイミングモニター部120に対応している。発光タイミングモニター部216で生成される電気信号は、距離データ処理部224に供給される。面発光レーザアレイドライバ212は、制御部210からの駆動信号を受け、面発光レーザアレイ214を発振するための駆動電流を生成し、面発光レーザアレイ214に出力する駆動部である。なお、面発光レーザアレイ214と面発光レーザアレイドライバ212とは、1つの装置であってもよい。
発光側光学系218は、面発光レーザアレイ214により生成されたレーザ光を測距対象範囲に向けて出射する光学系である。受光側光学系220は、測定対象物1000により反射されたレーザ光をイメージセンサ222に導く光学系である。なお、図23で発光側光学系218及び受光側光学系220を1枚の凸レンズ形状の部材により表しているが、これらは1枚の凸レンズ形状の部材により構成されてもよいし、複数のレンズを組み合わせたレンズ群から構成されてもよい。
イメージセンサ222は、光電変換部を含む複数の画素が2次元アレイ状に配列された光電変換装置であり、入射した光に応じた電気信号を出力する受光装置である。イメージセンサ222は、例えばCMOSイメージセンサやSPAD(Single Photon Avalanche Diode)光センサを2次元アレイ状に配列したイメージセンサなどの撮像装置であり得る。なお、第7実施形態のように発光素子112の第1部分82から放出された光から自然放出光88を分離するように構成した場合、イメージセンサ222が発光タイミングモニター部216の機能を備えていてもよい。
距離データ処理部224は、発光タイミングモニター部216及びイメージセンサ222から受信した電気信号に基づき、測距対象範囲に存在する測定対象物1000までの距離に関する情報を生成し、出力する距離情報取得部としての機能を備える。距離データ処理部224は、第1乃至第7実施形態における判定部130の機能を備え得る。なお、距離データ処理部224は、イメージセンサ222と電気的に接続されていればよく、イメージセンサ222と同じパッケージ内に配置されていてもよいし、イメージセンサ222とは別のパッケージ内に配置されていてもよい。
制御部210は、マイクロコンピュータや論理回路を含む情報処理装置などにより構成され、各部の動作制御や各種の演算処理などの測距装置200における動作を司る中心的な処理装置としての機能を備える。
次に、本実施形態による測距装置の動作について、図23を用いて説明する。
まず、制御部210は、面発光レーザアレイドライバ212に駆動信号を出力する。面発光レーザアレイドライバ212は、制御部210からの駆動信号を受け、面発光レーザアレイ214に所定の電流値の電流を注入する。これにより、面発光レーザアレイ214が発振し、面発光レーザアレイ214からレーザ光が出力される。このとき、面発光レーザアレイ214から出射される光のパルス幅は、前述のように、注入された電流のパルス幅よりも狭い。
まず、制御部210は、面発光レーザアレイドライバ212に駆動信号を出力する。面発光レーザアレイドライバ212は、制御部210からの駆動信号を受け、面発光レーザアレイ214に所定の電流値の電流を注入する。これにより、面発光レーザアレイ214が発振し、面発光レーザアレイ214からレーザ光が出力される。このとき、面発光レーザアレイ214から出射される光のパルス幅は、前述のように、注入された電流のパルス幅よりも狭い。
面発光レーザアレイ214により生成されたレーザ光は、発光側光学系218により、測距対象範囲に向けて出射される。この際、面発光レーザアレイ214から放出された自然放出光88は、発光タイミングモニター部216に入射する。発光タイミングモニター部216は、自然放出光88の入射に応じた電気信号を生成し、距離データ処理部224に出力する。距離データ処理部224は、発光タイミングモニター部216から受信した電気信号に基づき、面発光レーザアレイ214におけるレーザ発振のタイミングを検知する。
測距対象範囲にある測定対象物1000に照射されたレーザ光のうち、測定対象物1000によって反射されて受光側光学系220に入射したレーザ光は、受光側光学系220によってイメージセンサ222に導かれる。イメージセンサ222の各画素は、レーザ光の入射したタイミングに応じた電気信号パルスを生成する。イメージセンサ222により生成された電気信号パルスは、距離データ処理部224に入力される。
距離データ処理部224は、検知したレーザ発振タイミングとイメージセンサ222から出力される電気信号パルスの受信タイミングとに基づき、光伝搬方向に沿った測定対象物1000までの距離に関する情報を生成する。イメージセンサ222の各画素から出力される電気信号パルスに基づく距離情報をそれぞれ算出することにより、測定対象物1000の3次元情報を取得することができる。
測距装置200をこのように構成することで、仮に面発光レーザアレイ214における発光タイミングが環境温度などの要因でずれたとしても、測距精度に影響を及ぼすことなく高い測距精度を維持することができる。
次に、本実施形態において測距装置をこのように構成している理由について、図24及び図25を用いて説明する。
LiDARシステムでは、レーザ光を出射してから測定対象物で反射されて戻ってくるまでの時間差に基づいて、測定対象物までの距離を算出する。したがって、測距精度を向上するためには、発光素子112において発光パルスが生成されたタイミングをより高い精度で知る必要がある。例えば、受光側の時間検知精度が50ps程度である場合、発光側のパルス発生のタイミングの情報の精度は50psよりも小さいことが好ましい。
一般的なVCSEL及びそれを用いたLiDARシステムでは、VCSELドライバでパルス電流を発生し、VCSELを駆動する。VCSELはパルス電流波形に応じて発光するため、VCSELの発光タイミングとVCSELドライバで発生するパルス電流の立ち上がりのタイミングとの差は小さく、またその時間差は環境温度などの変動によって大きな変化は生じない。これは、VCSELの設計が注入された電流値に応じて発光するように設計されているためである。そのため、ドライバにおける電流パルスの発生タイミングからVCSELの発光タイミングまでの時間を精度良く推測することができる。
一方、上述の方法で電流パルスの発生タイミングと光パルスの発生タイミングとの時間差を推定した場合、第1乃至第7実施形態の発光素子112を用いたLiDARシステムでは測距精度が低下する場合があることを、本発明者等は初めて見出した。
第1乃至第7実施形態の発光素子112では、活性層20内にキャリアを蓄積し、レーザ発振の開始後に蓄積したキャリアを光に変換して光パルスを発生させる。すなわち、活性層20内にキャリアが蓄積されるまでの所定の時間、発光素子112に注入した電流は活性層20内にキャリアを蓄積するのに利用される。そして、活性層20内にキャリアが蓄積されるまでの所定の時間、発光素子112のレーザ発振が遅れることになる。
第1乃至第7実施形態の半導体発光素子におけるレーザ発振のタイミングは、半導体発光素子の構造及び各部を構成する材料の物理パラメータによって決定する。そのため、面発光レーザアレイドライバ212で生成する電流波形が同一であっても、環境温度の変化や経時的な物理パラメータの変化により駆動開始からレーザ発振開始までの時間差が変わってくる。そしてその時間差は、典型的な受光側の時間検知精度である50ps程度を超える場合がある。
図24及び図25は、環境温度の変化や経時的な物理パラメータの変化による光波形の変化を計算により求めた結果を示すグラフである。図24が一般的なVCSELの場合の計算結果であり、図25が第1乃至第7実施形態の発光素子の場合の計算結果である。
図24及び図25には、室温のときの透明キャリア密度を想定した場合と、室温よりも50℃高いときの透明キャリア密度を想定した場合とにおいて、発振開始直後の光波形を拡大して示している。いずれの図でも、先に発振が開始している方の特性が室温のときの透明キャリア密度を想定した場合であり、後に発振が開始している方の特性が室温よりも50℃高いときの透明キャリア密度を想定した場合である。
一般的なVCSELでは、図24に示すように、室温のときの透明キャリア密度を想定した場合の光パルスのピーク時と、室温よりも50℃高いときの透明キャリア密度を想定した場合の光パルスのピーク時との間の時間差は、13psである。
一方、上記実施形態の発光素子112では、図25に示すように、室温のときの透明キャリア密度を想定した場合の光パルスのピーク時と、室温よりも50℃高いときの透明キャリア密度を想定した場合の光パルスのピーク時との間の時間差は、70psである。発光素子112への電流の注入開始のタイミングから光出力が最大ピーク値に達するタイミングまでの時間差は、環境温度の変化などにより、例えば、50ps以上、1ns以下の範囲で変化しうる。
このように、上記実施形態の発光素子112では、物性値の変化が発振タイミングの変化により大きく影響する。そして、その発振タイミングの変化量は、典型的な受光側の時間検知精度である50ps程度を超えてしまう場合がある。
このような観点から、本実施形態の測距装置200においては、面発光レーザアレイ214での発光タイミングを発光タイミングモニター部216によって検知する。そして、発光タイミングモニター部216により検知した発光タイミングを利用して距離情報の算出を行う。したがって、仮に面発光レーザアレイ214における発光タイミングが環境温度などの要因でずれたとしても、測距装置200の測距精度には影響を及ぼすことなく、高い測距精度を維持することができる。
本実施形態の測距装置200は、例えば自動車の分野において、他の車両と衝突しないように制御を行うための制御装置や、他の車両に追従して自動運転する制御を行うための制御装置などに適用可能である。また、本実施形態の測距装置200は、自動車のみならず、船舶、航空機或いは産業用ロボットなどの他の移動体(移動装置)や、移動体検出システムなどにも適用可能である。本実施形態の測距装置200は、距離情報を含め、3次元的に認識した物体の情報を利用する機器に広く適用することができる。これら移動体は、本実施形態の測距装置と、当該測距装置が取得した距離に関する情報に基づいて移動体を制御する制御手段と、を含んで構成され得る。
また、本実施形態の測距装置200により取得可能な奥行きを含めた3次元情報は、画像撮影装置、画像処理装置、表示装置などで利用することも可能である。例えば、本実施形態の測距装置200により取得した3次元情報を用い、現実世界の画像の上に仮想物体を違和感なく表示することが可能である。また、画像情報とともに3次元情報を保存しておくことで、撮影後に撮影映像のボケ味等を修正することも可能である。
このように、本実施形態によれば、第1乃至第7実施形態の光源装置を備えた高性能の測距装置を実現することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、上記第1乃至第7実施形態では、半導体基板10としてGaAs基板を用いた場合に結晶成長が可能な半導体材料としてGaAs,AlGaAs,InGaAsを例示したが、半導体基板10はGaAs基板に限定されるものではない。例えば、半導体基板10としてInP基板を用いることもできる。半導体基板10としてGaAs基板を用いた場合に結晶成長が可能な半導体材料としては、例えば、InP,InGaAs,InGaP、InGaAsP等が上げられる。
また、上記第1乃至第7実施形態による半導体発光素子におけるDBR層は、必ずしも半導体材料によって構成されている必要はなく、半導体材料以外の材料によって構成されていてもよい。この場合も、第1及び第2実施形態と同様の機能を奏するように構成することで本実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
100…光源装置
110…発光部
112…発光素子
120…発光タイミングモニター部
122…受光素子
124…受光部
130…判定部
200…測距装置
110…発光部
112…発光素子
120…発光タイミングモニター部
122…受光素子
124…受光部
130…判定部
200…測距装置
Claims (19)
- 第1の反射鏡と、第2の反射鏡と、前記第1の反射鏡と前記第2の反射鏡との間に設けられた活性層を含む共振器スペーサ部と、を有し、レーザ光である第1の光と、自然放出光である第2の光と、を射出する発光素子と、
前記第2の光の光量を検出する受光素子と、
前記受光素子が検出した前記第2の光の光量の低下に基づき、前記第1の光が発振したタイミングを検知する判定部と
を有することを特徴とする光源装置。 - 前記第1の光は前記発光素子の第1部分から射出され、
前記第2の光は前記発光素子の前記第1部分とは異なる第2部分から射出される
ことを特徴とする請求項1記載の光源装置。 - 前記発光素子は、前記第1の光を第1の方向に射出し、前記第2の光を前記第1の方向と交差する第2の方向に射出する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の光源装置。 - 前記発光素子から放出された第3の光を前記第1の光と前記第2の光とに分離する波長フィルタを更に有する
ことを特徴とする請求項1記載の光源装置。 - 前記波長フィルタは、波長λcoよりも長波長側の光を透過し、前記波長λcoよりも短波長側の光を反射するロングパスフィルタであり、前記波長λcoは、前記第1の光の共振波長をλcとして、以下の関係を有する
λco < λc-5[nm]
ことを特徴とする請求項4記載の光源装置。 - 前記波長フィルタは、波長λcoよりも長波長側の光を透過し、前記波長λcoよりも短波長側の光を反射するロングパスフィルタであり、前記波長λcoは、前記第1の光の共振波長をλcとして、以下の関係を有する
λco ≦ λc-30[nm]
ことを特徴とする請求項4記載の光源装置。 - 前記発光素子は、最大ピーク値を有し、かつ、前記最大ピーク値の後に所定の光強度である安定値へ収束するプロファイルを有する前記第1の光を射出するように構成されており、
前記最大ピーク値は、前記安定値の3倍以上である
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記判定部は、前記第2の光の光量の時間に対する微分値が所定の閾値以下になったことに応じて前記第1の光が発振したと判定する
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記判定部は、前記第2の光の光量の時間に対する二階微分値がピークとなるタイミングで前記第1の光が発振したと判定する
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記判定部は、前記第2の光のピーク時刻に対する前記第1の光のピーク時刻の遅延時間と環境情報との関係を表すルックアップテーブルに基づき、前記第1の光が発振するタイミングを予測する
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子と前記受光素子との間に、前記第1の光が前記受光素子に入射するのを防止する遮光膜を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子と前記受光素子との間に、前記第1の光が前記受光素子に入射するのを防止する遮光膜を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子と前記受光素子との間に、前記第1の光の波長域を透過しない波長フィルタを更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子は、前記第1の反射鏡と前記第2の反射鏡との間に可飽和吸収層を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子は、垂直共振器型面発光レーザ素子である
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記受光素子は、前記活性層と同じ構成の受光部を有する
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光源装置。 - 前記発光素子の前記第2の光の発光部と前記受光素子の受光部との間の距離をL、前記発光素子から放出される前記第2の光の総量をP、前記受光部の面積をS、前記受光部の感度をQ、前記発光素子の暗電流をDaとして、以下の関係を有する
P×(S/4πL2)×Q > Da
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の光源装置。 - 請求項1乃至17のいずれか1項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出され、測定対象物で反射した光を受ける受光装置と、
前記光源装置から前記第1の光が射出されるタイミングと前記受光装置が受光するタイミングとの時間差に基づいて前記測定対象物までの距離に関する情報を取得する距離情報取得部と
を有することを特徴とする測距装置。 - 移動体であって、
請求項18記載の測距装置と、
前記測距装置が取得した前記距離に関する情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
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