JP2023010543A - 焦点カテーテルによる不可逆的エレクトロポレーション及び熱アブレーション - Google Patents

Abstract

【課題】不可逆的エレクトロポレーション及び高周波アブレーション治療を組み合わせるためのカテーテル、並びにそれを構築及び使用する方法を提供すること。【解決手段】本明細書に提示される実施例は、概して、ＩＲＥによるアブレーションのために電気パルスを送達するように構成されているカテーテル及びシステム、並びにそれを構築及び使用するための方法を含む。カテーテル及びシステムは、ＩＲＥによるアブレーションと同時に、かつ／又はＩＲＥによるアブレーションとは別個に熱アブレーションのためのＲＦ電流をＩＲＥによるアブレーションとインターリーブして送達するように更に構成され得る。カテーテルは、先端電極、中間リング電極、及び近位リング電極を有する線形遠位部分を有することができる。電極は、単極アブレーション、双極アブレーション、及び／又はそれらの組み合わせを提供するために、いくつかの組み合わせで構成される。【選択図】図１

Description

本発明は、不可逆的エレクトロポレーションを使用するアブレーション、特に不可逆的エレクトロポレーション及び高周波アブレーション治療を組み合わせるためのカテーテル、並びにそれを構築及び使用する方法に関する。

心房細動（atrial fibrillation、ＡＦ）などの心臓不整脈は、心臓組織の領域が隣接組織に電気信号を異常に伝達するときに生じる。これは、正常な心周期を混乱させ、非同期的な律動を引き起こす。不整脈を治療するための処置としては、不整脈の原因となる信号の発生源を外科的に破壊すること、及びそのような信号の伝導路を破壊することがある。カテーテルを介してエネルギーを印加して心臓組織を選択的にアブレーションすることによって、心臓の一部分から別の部分への望ましくない電気信号の伝播を停止又は変更することが時に可能である。アブレーションプロセスは、非導電性の損傷部を形成することによって不要な電気経路を破壊するものである。

無線周波数（radio frequency、ＲＦ）電流を利用する熱アブレーション技術は現在、最も一般的なアブレーション技術である。通常、熱的技術を使用したアブレーション処置では、実際のアブレーション前、アブレーション中、及びアブレーション後に、電極電位及び温度が測定される。熱的アブレーション技術を利用する場合、標的領域の治療中に加熱又は冷却され得る非標的組織及び器官への熱的損傷を回避するために注意を払う必要がある。いくつかのカテーテル及びプローブは、ＲＦアブレーションを提供するように設計されている。心臓内ＲＦアブレーションに好適なプローブの一例は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第１０，６６０，５７４号に記載され、優先権出願である米国特許出願第６３／２２０，２５２号の付録に添付されている。

本開示全体を通して、パルス電界（pulsed electric field、ＰＥＦ）アブレーション及びパルスフィールドアブレーション（pulsed field ablation、ＰＦＡ）と交換可能に称される不可逆的エレクトロポレーション（irreversible electroporation、ＩＲＥ）によるアブレーションは、心筋の細胞構造を破壊し、細胞死を引き起こす、標的組織全体に電位（電圧）が適用される、より最近開発された技術である。ＩＲＥアブレーション中に発生した熱は、ＩＲＥアブレーションが細胞死を引き起こすために熱に依存しないため、同等のＲＦアブレーション治療よりも実質的に低い。ＩＲＥアブレーションを提供するために開発されたいくつかの例示的なプローブ、カテーテル、及びシステムは、米国特許第９，０７８，６６５号、同第９，３１４，６２０号、及び同第９，９３１，１６１号、及び米国特許出願公開第２０１４／０２９６８４４号に記載されており、各々は、参照により本明細書に組み込まれ、優先権出願である米国特許出願第６３／２２０，２５２号の付録に添付されている。ＩＲＥアブレーションを提供するために開発されたいくつかの追加の例示的なプローブ、カテーテル、及びシステムは、参照により本明細書に組み込まれる、米国特許第１０，１８８，４４９号、同第１０，２５８，４０６号に記載されている。

本明細書に提示される例は、概して、ＩＲＥによるアブレーションのために電気パルスを送達するように構成されているカテーテル及びシステム、並びにそれを構築及び使用するための方法を含む。カテーテル及びシステムは、ＩＲＥによるアブレーションと同時に、かつ／又はＩＲＥによるアブレーションとは別個に、熱アブレーションのためのＲＦ電流をＩＲＥによるアブレーションとインターリーブして送達するように更に構成され得る。カテーテルは、先端電極、中間リング電極、及び近位リング電極を有する線形遠位部分を有することができる。電極は、単極アブレーション、双極アブレーション、及び／又はそれらの組み合わせを提供するために、いくつかの組み合わせで構成され得る。

例示的なカテーテルは、長手方向軸に沿って延在する細長い部材、細長い部材の遠位端にある先端電極、細長い部材上の近位リング電極、及び先端電極と近位リング電極との間の中間リング電極を含むことができる。先端電極は、細長い部材の遠位端の上に配置することができる。先端電極は、無線周波数（ＲＦ）アブレーション電気信号を提供するように構成することができる。近位リング電極は、先端電極に対して近位方向に長手方向軸を中心に細長い部材上に配置することができる。カテーテルは、先端電極と近位リング電極との間で約１８００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成することができる。中間リング電極は、細長い部材上に配置され、かつ先端電極に対して近位方向に、また近位リング電極に対して遠位方向に配置することができる。カテーテルは、中間リング電極と近位リング電極との間で約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成することができる。カテーテルは、中間リング電極と先端電極との間で約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成することができる。

先端電極は、灌注ポートを含むことができる。先端電極は、その中に熱電対を含むことができる。先端電極は、互いに電気的に絶縁された２つの電極半体を含むことができ、各半体は、カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置され、半体のうちの少なくとも一方は、ＲＦアブレーション電気信号を提供するように構成されている。先端電極は、約３．５ミリメートルの長手方向軸に沿って測定された高さを有することができる。

近位リング電極及び中間リング電極は各々、約３ミリメートルの長手方向軸に沿って測定されたそれぞれの高さを有することができる。中間リング電極は、先端電極から約４ミリメートルの縁部間距離、及び近位リング電極から約４ミリメートルの縁部間距離に配置することができる。

カテーテルは、先端電極に対して近位方向に配置された接触力センサを更に含むことができる。接触力センサは、先端電極に加えられた力並びに長手方向軸に対する力の方向を感知するように構成され得る。

例示的なアブレーションシステムコンソールは、カテーテル電極にアブレーションエネルギーを提供するように構成されている１つ又は２つ以上の出力ポートと、プロセッサと、プロセッサと通信するメモリと、を含むことができる。メモリは、アブレーションシステムコンソールに様々な機能を実施させるプロセッサによって実行可能な命令を非一時的コンピュータ可読媒体上に有する、非一時的コンピュータ可読媒体を含むことができる。出力ポートは、アブレーションエネルギーを第１のカテーテル電極、第２のカテーテル電極、及び第３のカテーテル電極に提供するように構成することができ、一方、第１のカテーテル電極、第２のカテーテル電極、及び第３のカテーテル電極は、カテーテルの遠位部分の長手方向軸上に直線的に整列される。メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して第１のカテーテル電極にＲＦアブレーション信号を提供させ、かつ出力ポートを介して第２のカテーテル電極及び第３のカテーテル電極のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。

例示的なアブレーションシステムコンソールは、第１のカテーテル電極、第２のカテーテル電極、及び第３のカテーテル電極が、カテーテルの遠位端の上に配置された先端電極と、先端電極に対して近位方向にカテーテルの本体を囲む２つのリング電極と、を含むように機能するように構成され得る。先端電極は、第１の電極又は第２の電極のいずれかとして機能することができる。リング電極のうちの１つは、第３の電極として機能することができる。先端電極が第１の電極として機能するときに、当該リング電極が第２の電極として機能し、かつ先端電極が第２の電極として機能するときに、当該リング電極が第１の電極として機能するように、他のリング電極は、第１の電極又は第２の電極のいずれかとして機能することができる。先端電極及び当該他のリング電極は、それぞれ第１の電極及び第２の電極として機能することを交互に行うことができる。

アブレーションシステムコンソールは、身体パッチポートを更に含むことができる。メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、身体パッチポートを介した身体パッチと、出力ポートを介したカテーテル電極の少なくとも１つとの間に二相性パルスのバーストとして、ＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。代替的に、身体パッチポートを必要としないと、メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して、カテーテル電極のうちの２つの間に二相性パルスのバーストとしてＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。別の代替として、コンソールが身体パッチポートを含む場合、メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、身体パッチとカテーテル電極のうちの少なくとも１つとの間にＩＲＥアブレーション信号を提供させ、また、カテーテル電極のうちの２つの間にＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介してカテーテル電極のうちの２つの間に二相性パルスのバーストを提供させ、同時に、出力ポートを介して第１の電極、第２の電極、及び第３の電極の残りのカテーテル電極にＲＦアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して先端電極にＲＦアブレーション信号を提供させ、かつ出力ポートを介してリング電極のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。追加的に、又は代替的に、メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して少なくとも先端電極に二相性パルスのバーストを提供させ、出力ポートを介してリング電極の１つ両方にＲＦアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、第１の対の電極として機能するカテーテル電極のうちの２つの間に二相性パルスの第１のバーストとして出力ポートを介して第１のＩＲＥアブレーション信号を提供させ、第１の対の電極と共通している１つの電極と、第１の対の電極と共通していない１つの電極とを有する第２の対の電極として機能する２つのカテーテル電極の間に二相性パルスの第２のバーストとして出力ポートを介して第２のＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、約９００Ｖの振幅において二相性パルスの第１のバーストを提供させ、約１８００Ｖの振幅において二相性パルスの第２のバーストを提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して第２のカテーテル電極に第１のＲＦアブレーション信号を提供させ、出力ポートを介して第１のカテーテル電極に第２のＲＦアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して第１のＩＲＥアブレーション信号及び第１のＲＦアブレーション信号を同時に提供させ、同時に、出力ポートを介して第２のＩＲＥアブレーション信号及び第２のＲＦアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、出力ポートを介して、リング電極のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーションエネルギー、そして先端電極にＲＦアブレーションエネルギーを提供させることができる。メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、先端電極の第１の半体にＲＦアブレーション信号を提供させることができ、第１の半体は、先端電極の第２の半体から電気的に絶縁されている。第１の半体及び第２の半体は各々、カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置され得る。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、カテーテルからコンソールによって受信されたセンサ信号に基づいて、カテーテルの遠位部分に加えられる力ベクトルを決定させることができる。

アブレーションシステムコンソールは、第１のカテーテル電極に灌注流体を提供するように構成されている灌注モジュールを更に含むことができる。

メモリ上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、カテーテルから受信された熱センサ信号に少なくとも部分的に基づいて、ＲＦアブレーション（例えば、第１の電極）を提供するように構成されているカテーテル電極の温度を決定させることができる。

第１の例示的な方法は、本明細書の教示に従って、関連技術の当業者によって理解されるような互換性のあるステップとともに、様々な順序で実行される以下のステップのうちの１つ又は２つ以上を含むことができる。第１の方法は、カテーテルの遠位端の上に配置された先端電極から先端電極に隣接する組織内にＲＦ電気エネルギーを提供して、それによって、組織の温度を上昇させることと、近位リング電極と中間リング電極との間に電圧パルスを提供し、それによって、組織内に不可逆的エレクトロポレーションを引き起こすことと、を含み得る。ＲＦ電気エネルギーを提供しながら、電圧パルスを提供しながら、近位リング電極、中間リング電極、及び先端電極を直線的に整列させることができ、これによって、中間リング電極及び近位リング電極が各々、それぞれカテーテルを取り囲み、中間リング電極が、近位リング電極と先端電極との間に配置される。

第２の例示的な方法は、本明細書の教示に従って、関連技術の当業者によって理解されるような互換性のあるステップとともに、様々な順序で実行される以下のステップのうちの１つ又は２つ以上を含むことができる。第２の方法は、カテーテルを囲む中間リング電極から中間リング電極に隣接する組織内にＲＦ電気エネルギーを提供することと、近位リング電極と先端電極との間に電圧パルスを提供することと、を含むことができる。それによって、中間リング電極からのＲＦ電気エネルギーは、組織の温度を上昇させることができる。それによって、近位リング電極と先端電極との間の電圧パルスは、組織内の不可逆的エレクトロポレーションを引き起こし、一方で、ＲＦ電気エネルギーを提供し、かつ電圧パルスを提供することができる一方で、近位リング電極、中間リング電極、及び先端電極は、近位リング電極がカテーテルを囲むように直線的に整列され得、先端電極は、カテーテルの遠位端の上に配置され、中間リング電極は、近位リング電極と先端電極との間に配置される。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、先端電極から先端電極に隣接する組織内にＲＦエネルギーを提供することと、近位リング電極と中間リング電極との間に電圧パルスを提供することと、を含むことができる。それによって、先端電極からのＲＦエネルギーは、組織の温度を上昇させることができる。それによって、近位リング電極と中間リング電極との間の電圧パルスは、組織内に不可逆的エレクトロポレーションを引き起こすことができる。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、組織の温度を約５０℃に増加させるためにＲＦ電気エネルギーを提供することを含み得る。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、約９００Ｖの振幅を有する電圧パルスを近位リング電極と中間リング電極との間に提供することを含むことができる。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、約１８００Ｖの振幅を有する電圧パルスを近位リング電極と先端電極との間に提供することを含むことができる。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、先端電極の第１の半体にＲＦ電気エネルギーを提供することを含み得る。第１の半体は、先端電極の第２の半体から電気的に絶縁され得る。第１の半体及び第２の半体は、カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置することができる。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、カテーテルからのセンサ信号に少なくとも部分的に基づいて、カテーテルの遠位端に加えられる力ベクトルを決定することを含み得る。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、先端電極を通る灌注を含むことができる。

第１の例示的な方法及び第２の例示的な方法のいずれか又は両方は、カテーテルからの熱センサ信号に少なくとも部分的に基づいて、先端電極の温度を決定することを含むことができる。

本発明の上記及び更なる態様は、添付の図面と併せて以下の説明を参照して更に考察され、様々な図面において、同様の数字は、同様の構造要素及び特徴を示す。図面は、必ずしも縮尺どおりではなく、代わりに、本発明の原理を例示することに主眼が置かれている。図は、限定としてではなく単なる例解として、本発明のデバイス、システム、及び方法の１つ又は２つ以上の実装形態を描写している。
本発明の態様による例示的なカテーテルの遠位部分の図である。 本発明の態様による、患者を治療するために使用している例示的なアブレーションシステムの図である。 本発明の態様による、インターリーブされたＲＦ及びＩＲＥ信号の図である。 本発明の態様による、インターリーブされたＲＦ及びＩＲＥ信号の図である。 本発明の態様による、追加のインターリーブされたＲＦ及びＩＲＥ信号の図である。 本発明の態様による、例示的なＩＲＥ信号の図である。 本発明の態様による、例示的なＩＲＥ信号の図である。 本発明の態様による、治療の例示的な方法の図である。

参照により本明細書に組み込まれる文書は本出願の一体部とみなされるべきであり、いかなる用語も、それらの組み込まれた文書内で、本明細書で明示的又は暗示的に行われる定義と相反するように定義される場合を除き、本明細書における定義のみが考慮されるべきである。

開示された技術の例示的な実施形態が本明細書に詳述されるが、他の実施形態が企図されることを理解すべきである。したがって、以下の説明に記載される又は図面に示される構成要素の構造及び配置の詳細に開示された技術の範囲が限定されることを意図するものではない。開示した技術は、他の実施形態が可能であり、様々な方式で実施又は実行されることが可能である。添付の優先権出願米国特許第６３／２２０，２５２号に開示されたものを含む本明細書に開示される実施形態の特徴は、本明細書の教示に従って、関連技術の当業者によって理解されるように組み合わせることができる。

本明細書及び添付の特許請求の範囲では、単数形の「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈上そうではないと明白に指示していない限り、複数の指示対象も含むことにもまた留意されたい。「を備える（comprising）」又は「を含有する（containing）」又は「を含む（including）」は、少なくとも言及されたシステム、装置、デバイス、構成要素、化合物、要素、粒子、方法又は使用ステップがシステム又は装置又は方法又は使用において存在することを意味するが、他のステム、装置、デバイス、構成要素、化合物、材料、粒子、方法又は使用ステップの存在を、これらの他のステム、装置、デバイス、構成要素、化合物、材料、粒子、方法又は使用ステップが言及されたものと同じ機能を有する場合であっても、除外するものではない。

本明細書で使用される場合、任意の数値又は範囲に対する「約」又は「ほぼ」という用語は、構成要素の一部又は集合が本明細書に記載される意図された目的のために機能することを可能にする適切な寸法公差を示すものである。より具体的には、「約」又は「およそ」とは、列挙された値の±２０％の値の範囲を指し得、例えば「約９０％」は、７１％～９９％の値の範囲を指し得る。

本明細書で述べる「患者」、「ホスト」、「ユーザ」、及び「被験者」の血管系は、ヒト又は任意の動物の血管系であってよい。動物は、哺乳類、獣医学的動物、家畜動物、又はペット類の動物などを含むがこれらに限定されない、種々のあらゆる該当する種類のものであり得ることを理解するべきである。一例として、動物は、ヒトに類似したある特定の性質を有するように特に選択された実験動物（例えば、ラット、イヌ、ブタ、サルなど）であり得る。被験者は、例えば、あらゆる該当するヒト患者でよいことを理解するべきである。

本明細書で述べる「操作者」は、薬剤抵抗性心房細動の治療のための多電極バルーンカテーテルの被験者への送達に関連する、医師、外科医、又は任意の他の個人若しくは送達器具を含み得る。

本明細書で論じられるように、「アブレーションする」又は「アブレーション」という用語は、本開示のデバイス及び対応するシステムに関するものであり、不規則な心臓信号の発生を低減又は防止するように構成されている構成要素及び構造的特徴を指す。非熱的アブレーションには、本開示全体を通して、パルス電界（pulsed electric field、ＰＥＦ）及びパルスフィールドアブレーション（pulsed field ablation、ＰＦＡ）と交換可能に称される細胞死を引き起こすための不可逆的エレクトロポレーション（irreversible electroporation、ＩＲＥ）の使用が含まれる。熱アブレーションには、細胞死を引き起こすための極端な温度の使用が含まれ、ＲＦアブレーションが含まれる。本開示のデバイス及び対応するシステムに関するアブレーションすること又はアブレーションは、不整脈、心房粗動アブレーション、肺静脈隔離、上室頻脈アブレーション、及び心室性頻脈アブレーションを含むがこれらに限定されない特定の状態の心臓組織のアブレーションを参照して、本開示全体を通して使用される。「アブレーションする」又は「アブレーション」という用語は、概して、既知の方法、デバイス、及びシステムに関するものであり、当業者によって理解されるように、様々な形態の身体組織アブレーションを含む。

本明細書で論じられるように、「双極」及び「単極」という用語は、アブレーションスキームを指すために使用される場合、電流経路及び電界分布に関して異なるアブレーションスキームを説明する。「双極」とは、両方とも治療部位に位置付けられた２つの電極間の電流経路を利用するアブレーションスキームを指す。電流密度及び電束密度は、典型的には、２つの電極の各々でほぼ等しい。「単極」とは、２つの電極間の電流経路を利用するアブレーションスキームを指し、ここで、高電流密度及び高電束密度を有する１つの電極が治療部位に位置付けられ、比較的低い電流密度及びより低い電束密度を有する第２の電極が、治療部位から遠隔に位置付けられる。

本明細書で論じられるように、「二相性パルス」及び「単相性パルス」という用語は、それぞれの電気信号を指す。「二相性パルス」とは、正電圧相パルス（本明細書では「正相」と称される）及び負電圧相パルス（本明細書では「負相」と称される）を有する電気信号を指す。「単相性パルス」とは、正相のみ又は負相のみを有する電気信号を指す。好ましくは、二相性パルスを提供するシステムは、直流電圧（direct current voltage、ＤＣ）の患者への適用を防止するように構成されている。例えば、二相性パルスの平均電圧は、地面又は他の共通基準電圧に対してゼロボルトであり得る。追加的又は代替的に、システムは、コンデンサ又は他の保護構成要素を含むことができる。二相性パルス及び／又は単相性パルスの電圧振幅が本明細書に記載されている場合、発現された電圧振幅は、正電圧相及び／又は負電圧相の各々の近似ピーク振幅の絶対値であることが理解される。二相性パルス及び単相性パルスの各相は、好ましくは、相持続時間の大部分中に本質的に一定の電圧振幅を有する「正方形」を有する。二相性パルスの相は、相間遅延によって時間的に分離される。相間遅延持続時間は、好ましくは、二相性パルスの相の持続時間未満であるか、又はその持続時間にほぼ等しい。相間遅延持続時間は、より好ましくは、二相性パルスの相の持続時間の約２５％である。

本明細書で論じられるように、「パルス列」及び「列」という用語は、パルスが短い遅延によって分離されるように、時間的に分配された二相性又は単相性パルスの配列を同等に指す。パルス列内のパルスは、パルス列内のパルスの期間の逆であるパルス周波数で送達される。二相性パルス列の場合、遅延は、好ましくは、パルス列の単一の二相性パルスにおける相間の相間遅延にほぼ等しい。

本明細書で論じられるように、「パルスバースト」及び「バースト」という用語は、パルス列が規則的な時間間隔によって分離されるように、時間において分配されたパルス列の配列を同等に指す。好ましくは、バースト内のパルス列は、先頭列の最終相の最後が、パルス列内のパルス間の遅延よりも持続時間において有意に長いパルス間遅延によって、後方列の開始から時間において分離されるように、時間において分配される。

本明細書で論じられるように、「病変」という用語は、損傷した組織を通って伝播する不規則な心臓信号を実質的に低減又は排除するのに十分なアブレーション電極によって引き起こされる組織への損傷を網羅することを意図している。「病変」という用語の下での組織への損傷は、熱及び非熱を含む任意の組織損傷を網羅することが意図され、そのいくつかは見えない可能性があるが、好適なモダリティによって、可視組織損傷まで検出され得ることに留意されたい。

本明細書で論じられるように、「プロセッサ」という用語は、（例えば、マルチコア構成において）１つ又は２つ以上の処理ユニットを含み得る。更に、本明細書に記載のプロセッサは、メインプロセッサが単一のチップ上の二次プロセッサとともに存在する１つ又は２つ以上の不均一プロセッサシステムを使用して実装され得る。別の例示的な実施例として、プロセッサは、同じタイプの複数のプロセッサを含む対称マルチプロセッサシステムであり得る。更に、プロセッサは、１つ又は２つ以上のシステム及びマイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、低減命令セット回路（reduced instruction set circuit、ＲＩＳＣ）、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit、ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（field programmable gate array、ＦＰＧＡ）、及び本明細書に記載の機能を実行することができる任意の他の回路を含む任意の好適なプログラム可能な回路を使用して実装され得る。追加的に、プロセッサは、部分処理を実施し、プロセッサ及び／又はプロセッサに通信可能に結合されたコンピューティングデバイスによって部分処理を受信し得る。

本明細書で議論される場合、「非一過性コンピュータ可読媒体」という用語は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電子的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ若しくは他のメモリ技術、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）若しくは他の光学記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置若しくは他の磁気記憶装置、又はコンピュータ可読情報を記憶するために使用することができる任意の他の有形の物理媒体が挙げられるが、それらに限定されない。

本開示は、心不整脈を治療するために心臓組織をアブレーションするためのシステム、方法、又は使用及び装置に関する。アブレーションエネルギーは、切除すべき組織に沿って切除エネルギーを送達することができるカテーテルの遠位部分によって心臓組織に供給され得る。本明細書に提示される例示的なカテーテルは、ＩＲＥを用いてアブレーションするための電気エネルギーを提供し、ＲＦアブレーションを実施するために現在使用されているカテーテルと一般に同様の形態因子を有するように構成されている。カテーテルは、熱アブレーションのためのＲＦ電流を、ＩＲＥによるアブレーションとインターリーブして、又は同時に送達するように更に構成され得る。

ＲＦカテーテルアブレーションは現在、不整脈のアブレーション療法のための優勢なモダリティである。ＲＦエネルギーを使用して組織をアブレーションするとき、病変の形成をもたらす組織加熱のほとんどは、直接抵抗熱源（すなわち、ＲＦエネルギーを送達する電極）からの熱伝導の結果として生じる。組織を通る熱の移動は、基本的な熱力学的原理に従い、病変の境界は、一般に、５０℃の等温線によって決定される。

ＲＦエネルギーを有するアブレーションは、一般に、高い成功率及び低い合併症率を有すると考えられる。しかしながら、ＲＦアプローチは、組織の炭化、燃焼、スチームポップ、横隔神経麻痺、肺静脈狭窄、及び食道瘻につながり得る、患者への熱細胞損傷のリスクを有し得る。冷凍アブレーションは、ＲＦアブレーションに関連するいくらかの熱リスクを低減することができるＲＦアブレーションへの代替アプローチである。しかしながら、冷凍アブレーションデバイスを操縦し、冷凍アブレーションを選択的に適用することは、一般に、ＲＦアブレーションと比較してより困難である。したがって、冷凍アブレーションは、電気的アブレーションデバイスによってのみ達成され得る特定の解剖学的幾何形状では実行可能ではない。

エレクトロポレーションは、細胞膜内の細孔の可逆的な（reversable）（一時的な）又は不可逆的な（永久的な）生成を引き起こすために、生物学的細胞にパルス電界を適用することによって誘発され得る。細胞は、パルス電界の適用時に休止電位を超えて増加する膜貫通静電位を有する。膜貫通静電位は閾値電位を下回ったままであるが、エレクトロポレーションは可逆的（reversable）であり、これは、適用された電界が除去されたときに細孔が閉じることができ、細胞は自己修復及び生存することができる。膜貫通静電位が閾値電位を超えて増加する場合、エレクトロポレーションは不可逆的であり、細胞は永久的に透過性になる。結果として、細胞は、ホメオスタシスの喪失に起因して死滅し、典型的にはアポトーシスによって死亡する。一般に、異なるタイプの細胞は、異なる閾値電位を有する。例えば、心臓細胞は、約５００Ｖ／ｃｍの閾値電位を有し、一方、骨は、約３０００Ｖ／ｃｍの閾値電位を有する。閾値電位のこれらの違いは、ＩＲＥが閾値電位に基づいて細胞を選択的に標的とすることを可能にする。

ＩＲＥを用いたアブレーションは、ＲＦアブレーションに関連する熱リスクを低減又は排除する心房性不整脈のアブレーションに使用できる非熱細胞死技術である。ＩＲＥ／ＰＥＦを使用してアブレーションするために、二相性又は単相性電圧パルスが適用されて、心筋の細胞構造を破壊する。パルスは非正弦波形であり、細胞の電気生理学に基づいて標的細胞に調整することができる。対照的に、ＲＦを使用してアブレーションするために、正弦波電圧波形が適用されて、治療領域において熱を生成し、治療領域内のすべての細胞を無差別に加熱する。ＩＲＥは、アブレーションモダリティ又は分離モダリティで知られている可能性のある合併症の低減に利益を与えるであろう、隣接する熱感受性構造又は組織を救う能力を有する。したがって、ＩＲＥ及びＲＦアブレーションの両方に構成されている例示的なシステム及びカテーテルは、アブレーション治療のための多機能ツールを提供することができる。

例示的なシステム及びカテーテルはまた、診断処置の一部として可逆的エレクトロポレーションを誘発するように構成され得る。可逆的エレクトロポレーションは、標的化された心筋組織を通る電気的活性化信号を一時的に遮断して、心臓内の電気活動の変化の観察を可能にし、これを使用して、標的化された組織におけるアブレーションの結果を予測することができる。可逆的エレクトロポレーションを通して誘導された一時的に中断された電気的活性化信号は、細胞自己修復として再開することができる。

パルス電界、並びに可逆的及び／又は不可逆的エレクトロポレーションを誘発するその有効性は、電気信号のシステム及びパルスパラメータの物理的パラメータによって影響を受ける可能性がある。物理的パラメータは、電極接触面積、電極間隔、電極幾何学形状などを含むことができる。電気信号のパルスパラメータは、電圧振幅、パルス持続時間、パルス相互相遅延（二相性パルス）、パルス間遅延、総適用時間、送達エネルギーなどを含むことができる。いくつかの実施例では、電気信号のパラメータを調整して、同じ物理的パラメータを与えた可逆的エレクトロポレーション及び不可逆的エレクトロポレーションの両方を誘導することができる。

図１は、ＲＦ及びＩＲＥの両方を使用してアブレーションするために電気エネルギーを提供するように構成されている例示的なカテーテル１００の遠位部分の図である。カテーテル１００は、可逆的エレクトロポレーションを誘発するように更に構成され得る。カテーテル１００は、先端電極１０２、中間リング電極１０４、及び近位リング電極１０６を含む。電極１０２、１０４、１０６は、インターリーブされたパターンでＲＦ及びＩＲＥを使用してアブレーションし、かつ／又はＲＦ及びＩＲＥを同時に使用してアブレーションするように構成することができる。電極１０２、１０４、１０６は、カテーテル１００の長手方向軸Ｌ－Ｌと直線的に整列される。

いくつかの実施例では、電極１０２、１０４、１０６のいずれかは、ＲＦ及びＩＲＥの両方を使用してアブレーションするように構成することができ、これは、電極が、ＲＦ及びＩＲＥアブレーションの両方を実施するために電流及び電圧を送達するように離間され、サイズ決めされ、そうでなければ構築されることを意味する。そのような実施例では、ＲＦ又はＩＲＥアブレーションを実施するための電極１０２、１０４、１０６への電気信号の適用は、特定の治療のために選択することができる。代替的に、電極１０２、１０４、１０６のいずれかは、ＲＦ又はＩＲＥを使用するがそれらの両方は使用せずにアブレーションするように構成することができる。カテーテルは、ＲＦアブレーション及び／又はＩＲＥアブレーションのために構成されている追加のリング電極（図示せず）を含むことができる。ＲＦアブレーションを実施するように構成されている電極は、組織への熱伝達を容易にするために、組織に対して十分な接触領域を提供するように構成され得る。カテーテル１００は、約２００Ｖ～約２，０００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されることによって、ＩＲＥアブレーションのために構成することができる。好ましくは、カテーテル１００は、代替電極間のパルスが、隣接する電極間のパルスの振幅の約２倍の振幅を有し得るように構成され得る。一実施例では、カテーテル１００は、隣接する電極間の約９００Ｖ、及び交互の電極間の１８００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されることによって、ＩＲＥアブレーションのために構成することができる。カテーテル１００が耐えるように構成されている最大電圧振幅は、関連技術の当業者によって理解されるように、電極長、電極直径、電極間隔、戻り電極のサイズ、カテーテル内の導体の内部寸法、カテーテル内の導体間の絶縁などに依存することができる。

先端電極１０２は、カテーテル１００の遠位端１１４にあるドームとして成形されている。先端電極１０２は、アブレーション中に組織温度を調節するために灌注流体を提供するように構成されている灌注ポート１１２を含む。ＩＲＥアブレーションは、病変の灌注を引き起こすための熱的損傷に依存しないため、いくつかの治療で組織温度を調節するために必要ではない場合がある。したがって、灌注ポート１１２及び関連する構造（例えば、灌注チューブ１２０）は、そのような治療のために構成されている例示的なカテーテルについては、省略され得る。

先端電極１０２は、好ましくは約３．５ミリメートル（ｍｍ）のカテーテル１００の長手方向軸Ｌ－Ｌに沿って測定された高さＨ１を有する。

先端電極は、互いに電気的に絶縁された２つの電極半体（図示せず）を含むことができる。各半体は、カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置することができる。半体のうちの少なくとも一方は、ＲＦアブレーション電気信号を提供するように構成され得る。

先端電極１０２は、熱電対及び他のセンサを更に含むことができ、そうでなければ、参照により本明細書に組み込まれ、かつ優先権出願米国特許第６３／２２０，２５２号の付録に添付される、米国特許第１０，６６０，５７４号における対応する構造、そうでなければ、当業者によって知られているものと同様に構成され得る。

カテーテル１００は、米国特許第１０，６６０，５７４号、その変形、及び当業者によって理解されるようなそれらの代替物での対応する構造と同様に構成されている可撓性シース１１８によって囲まれた接触力センサ１０８を更に含むことができる。シース１１８は、例示の目的でのみ透明で図示されている。接触力センサ１０８は、先端電極１０２に加えられたセンサ力に構成することができる。

リング電極１０４、１０６は、カテーテル１００の管状本体の周りで先端電極１０２に対して近位方向に位置付けられている。各リング電極１０４、１０６は、それぞれ、好ましくは約３ｍｍの長手方向軸Ｌ－Ｌに沿って測定された高さＨ２、Ｈ３を有する。中間電極１０４は、好ましくは約４ｍｍの先端電極１０２から縁部間を測定した長さＬ１で離間されている。近位電極１０６は、好ましくは約４ｍｍの中間電極１０４から縁部間を測定した長さＬ２で離間されている。図示されていないが、リング電極１０４、１０６のいずれか又は両方は、任意選択的に、灌注ポートを含み得、治療中に組織温度を調節するための灌注を提供するように構成され得る。

カテーテル１００は、電極１０２、１０４、１０６、接触力センサ１０８、及び他の電子部品に電気信号を搬送するように構成されているワイヤ及びケーブル１１６を含むことができる。カテーテル１００は、例示のために透明で図示されている、中間リング電極１０４と近位リング電極１０６との間に支持管１２２を含むことができる。

カテーテル１００は、例えば、生きている患者２４内の心臓内又は心臓に隣接して、遠位部分を治療部位に位置付けるように操作され得る細長いシャフト１１０を有する。好ましくは、限定されないが、カテーテル１００は、およそ７．６フレンチ（French、Ｆｒ）の外径（outer diameter、ＯＤ）、およそ８．５Ｆｒ以上のシース適合性、白金イリジウムで構築された電極、及び二方向偏向を有するシャフトサイズを有することができる。しかしながら、カテーテル１００は、そのように限定されず、特定の使用の必要性を満たすように変動し得る。カテーテル１００は、大腿動脈、手首動脈（橈骨アクセス）を通して、頸動脈を直接通って、又は当業者に知られている他のアプローチを介して導入されるようにサイズ決め及び他の方法で構成され得る。

図２は、例示的な図示されたアブレーション処置においてカテーテル１００を利用するように構成されている例示的なシステム２０の図である。ハンドル７０は、医師２２によって使用されて、カテーテル１００の遠位部分を治療部位に移動させる。電極１０２、１０４、１０６のいくつか又はすべては、治療部位において組織５８に対して位置付けられ得る。接触力は、力センサを用いて測定することができる。

ＩＲＥは、主に非熱プロセスであり、組織温度を数ミリ秒間、高くても数度上昇させる。したがって、ＩＲＥは、組織温度を２０～７０℃上昇させ、加熱により細胞を破壊するＲＦ（高周波）アブレーションとは異なる。ＩＲＥは、ＤＣ電圧による筋収縮を回避するために、二相性パルス、すなわち、正のパルス及び負のパルスの組み合わせを利用することができる。ＩＲＥパルスは、単独で、又はＲＦアブレーションと組み合わせて、米国特許出願公開第２０２１／０１６９５５０号及び米国特許出願公開第２０２１／０１６９５６７号及び米国特許出願公開第２０２１／０１６９５６８号、米国特許出願第６２／９４９，９９９号（弁理士整理番号ＢＩＯ６２０６ＵＳＰＳＰ１）、米国特許出願公開第２０２１／０１６１５９２号、１６／７３１，２３８号（弁理士整理番号ＢＩＯ６２０８ＵＳＮＰ１）、及び米国特許出願第１６／７１０，０６２号（弁理士整理番号ＢＩＯ６２０９ＵＳＮＰ１）、米国特許出願公開第２０２１／０１８６６０４号に記載されており、参照により本明細書に組み込まれ、優先権出願米国特許第６３／２２０，２５２号の付録に添付されている。米国特許出願第１６／９８９，４４５号は、米国特許第６２／９４９，９９９号に対する優先権を主張し、米国特許出願公開第２０２１／０１９１６４２号に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。米国特許出願第１６／７３１，２３８号は、米国特許出願公開第２０２１／０１９６３７２号に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。出願第１６／７１０，０６２号は、米国特許出願公開第２０２１／０１７７５０３号に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。

ＩＲＥアブレーションのパルスは、双極モードでカテーテル１００の２つの電極１０２、１０４、１０６の間に適用され得るか、又は単極モードでカテーテル電極１０２、１０４、１０６と身体パッチ６５との間に適用され得る。ＩＲＥアブレーションの間の、適用される電圧は、最大２０００Ｖに達することがあり、これは、熱ＲＦアブレーションにおける１０～２００Ｖの典型的な電圧よりもはるかに高い。ＲＦアブレーション中に適用される信号は、電極１０２、１０４、１０６、及び同じ若しくは異なる身体パッチ６５のうちの１つ又は２つ以上の間に適用され得る。

図示されたアブレーションシステム２０は、プロセッサ３２、ＩＲＥモジュール３４、ＲＦモジュール３５、心電図（electrocardiogram、ＥＣＧ）モジュール４６、追跡モジュール６０、及び温度モジュール５４を含む。モジュール３４、３５、４６、６０、５４は、本明細書に記載のもの、及び本明細書の教示に従って関連技術の当業者によって理解されるものを含む様々な機能を実施する、プロセッサによって実行されることができる命令を、非一時的なメモリ上に有する非一時的なメモリを集合的又は個別的に含むことができる。

ＩＲＥモジュールは、ＩＲＥ発生器３６及びＩＲＥコントローラ３８を含む。ＲＦモジュール３５は、ＲＦ発生器３７及びＲＦコントローラ３９を含む。ＲＦコントローラ３９及びＩＲＥコントローラ３８は、一体的であるか、又は協調して機能するように又は構成されて、例えば、米国特許出願公開第２０２１／０１６９５５０号（米国特許出願公開第２０２１／０１６１５９２号に開示されるもの）で開示されたものと同様のインターリーブされた波形、又は添付された優先権出願米国特許出願第６３／２２０，２５２号の付録に開示されているものを含む、本明細書に開示された他の波形パターンを発生することができる。アブレーションシステム２０は、電極１０２、１０４、１０６に同時及び／又は順次のＲＦ信号及びＩＲＥ信号を提供するように構成することができる。

ＲＦモジュール３５及びＩＲＥモジュール３４は、例示のために別個のモジュールとして示されており、モジュールは共通のハードウェア及びソフトウェア構成要素を共有することができることを理解されたい。プロセッサ３２、ＩＲＥコントローラ３８、及びＲＥコントローラ３９は各々、プログラマブルプロセッサを含むことができ、プログラマブルプロセッサは、本明細書に記載される機能を実施するために、ソフトウェア及び／又はファームウェアでプログラムされている。代替的に、又は追加的に、ＩＲＥコントローラ３８、ＲＦコントローラ３９、及び／又はプロセッサ３２は各々、これらの機能の少なくともいくつかを実施する、ハード有線及び／又はプログラム可能なハードウェア論理回路を含むことができる。プロセッサ３２が、ＩＲＥコントローラ３８及びＲＦコントローラ３９とは別個の機能ブロックとして図示されるが、実際には、これらの機能の一部は、図に示され、テキストに記載されている信号を受信及び出力するための好適なインターフェースを有する単一の処理及び制御ユニット内で組み合わされてもよい。例えば、ＩＲＥコントローラ３８は、高速制御信号がＩＲＥコントローラからＩＲＥ発生器３６に送信されるので、ＩＲＥモジュール３４内に常駐することができる。しかしながら、十分に高速の信号がプロセッサ３２からＩＲＥ発生器３６に送信され得るならば、ＩＲＥコントローラ３８は、プロセッサ内に常駐することができる。

プロセッサ３２及びＩＲＥモジュール３４は、コンソール４０内に常駐することができる。コンソール４０は、キーボード及びマウスなどの入力装置４２を含む。ディスプレイスクリーン４４は、コンソール４０に近接して（又はそれと一体で）位置する。ディスプレイスクリーン４４は、任意選択的にタッチスクリーンを含んでもよく、それにより別の入力装置を提供することができる。

心電図（electrocardiogram、ＥＣＧ）モジュール４６、温度モジュール５４、及び／又は追跡モジュール６０は、コンソール４０内に常駐することができ、システム２０内の好適なインターフェース及びデバイスに接続することができる。図示されるように、心電図（electrocardiogram、ＥＣＧ）モジュール４６は、被験者２４に取り付けられたＥＣＧ電極５０に、ケーブル４８を介して結合されている。ＥＣＧモジュール４６は、被験者２４の心臓５２の電気活動を測定するように構成されている。温度モジュール５４は、カテーテル１００の遠位先端電極１０２内の熱電対などの任意の温度センサに結合される。追跡モジュール６０は、カテーテル１００の遠位部分内の１つ又は２つ以上の電磁位置センサ（図示せず）に結合されている。１つ又は２つ以上の磁場発生器６２によって発生された外部磁場の存在下で、電磁位置センサは、センサの位置とともに変化する信号を出力する。これらの信号に基づいて、追跡モジュール６０は、心臓５２内の電極１０２、１０４、１０６の位置を確認し得る。モジュール４６、５４、及び６０は、典型的には、アナログ構成要素及びデジタル構成要素の両方を含み、アナログ信号を受信し、デジタル信号を送信するように構成されている。各モジュールは、モジュールの機能の少なくとも一部を実施する、ハードワイヤード及び／又はプログラム可能なハードウェア論理回路を更に含むことができる。

カテーテル１００は、ポート又はソケットなどの電気的インターフェース６４を介してコンソール４０に連結されている。したがって、ＩＲＥ信号及びＲＦ信号は、コンソールインターフェース６４を介してカテーテル１００の遠位部分に運ばれる。同様に、電極１０２、１０４、１０６の位置を追跡するための信号、及び／又は組織５８の温度を追跡するための信号は、インターフェース６４を介してプロセッサ３２によって受信され、ＩＲＥ発生器３６によって発生されたパルスを制御する際に、ＩＲＥコントローラ３８によって適用され、かつ／又はＲＦ発生器３７によって発生されたＲＦ信号を制御する際に、ＲＦコントローラ３９によって適用され得る。

１つ又は２つ以上の外部電極６５又は「戻りパッチ」は、典型的には、身体パッチポート６９を介して被験者の胴体の皮膚及びコンソール４０上に、被験者２４の外部に結合され得る。戻りパッチ６５は、カテーテル１００のアブレーション電極１０２、１０４、１０６のうちの１つ又は２つ以上において適用される単極アブレーション信号のための戻り経路を提供することができる。ＲＦアブレーション及びＩＲＥアブレーションは各々、単極アブレーションスキームにおいて適用され得る。更に、ＲＦアブレーション及びＩＲＥアブレーションは各々、双極アブレーションスキームにおいて適用され得る。現在、ＲＦアブレーションが、単極アブレーションスキームにおいて実施され、かつＩＲＥが、双極アブレーションスキームにおいて実施されるのが、より一般的である。例示的なカテーテル１００及び例示的なシステム２０は、単極ＲＦアブレーション、単極ＩＲＥアブレーション、双極ＲＦアブレーション、単極ＩＲＥアブレーション、又はそれらの任意の組み合わせを実施するように適合され得る。

単極ＲＦアブレーション中、ＲＦエネルギーは、カテーテル１００の電極１０２、１０４、１０６のうちの少なくとも１つと戻りパッチ６５との間に送達される。複数のカテーテル電極１０２、１０４、１０６が単極ＲＦアブレーションのために作動されるとき、電極は、電気的に同期されるか、又は電気的に一緒に結合されて、活性化された電極間の電流の流れを阻止することができる。組織を通って流れる電気交流電流は、抵抗に遭遇し、エネルギーは熱に変換される。このエネルギー、抵抗性熱は、活性化されたカテーテル電極１０２、１０４、１０６に近い組織を破壊する。次いで、熱を伝導及び放射によって周囲の組織に伝達し、病変の形成をもたらす。瘢痕形成は、少量のエネルギーのみが組織に送達される場合でも、電極サイズ、エネルギーの電力、電極と組織との間の接触力、及び周囲の流体の冷却効果に関連する。電極を冷却することにより、組織を過熱するリスクを低減し、それによって、より深い病変の生成を可能にする。電極１０２、１０４、１０６と戻りパッチ６５との間の距離の減少は、より高い抵抗加熱を伴うより大きな電流密度をもたらし得、これは、より深い病変形成をもたらす。双極ＲＦアブレーションは、ＲＦ電流がカテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの２つの間を流れるときである。双極ＲＦアブレーションによって生成された病変は、一般に、単極ＲＦアブレーションによって生成された病変よりも狭く、より深く、組織内の経壁瘢痕を約２５ｍｍとして濃厚にもたらす。

双極ＩＲＥアブレーション中、二相性パルスが、カテーテル電極１０２、１０４、１０６（典型的には対）の間に適用されて、電極１０２、１０４、１０６の間に電界を生成する。電極における、及び電極間の細胞は、最大の電界を経験し、エレクトロポレーションを受ける。単極ＩＲＥアブレーション中に、二相性パルスは、１つ又は２つ以上のカテーテル電極１０２、１０４、１０６と戻りパッチ６５との間に適用されて、カテーテル１００の遠位部分と戻りパッチとの間に電界を生成する。複数のカテーテル電極１０２、１０４、１０６が単極ＩＲＥアブレーションのために作動されるとき、電極は、電気的に同期されるか、又は電気的に一緒に結合されて、活性化された電極間の電流の流れを阻止することができる。電束密度は、活性化電極で最大であり、したがって、より高い密度の細胞は、電極でのエレクトロポレーションを経験する。単極ＩＲＥアブレーションは、当該技術分野の進歩、例えば、心室のより厚い心臓組織をアブレーションする際の特定の治療において有用であり得る。

プロセッサ３２は、医師２２又は別のユーザ又はデバイスから設定パラメータ６６を受信するように構成されている。１つ又は２つ以上の好適な入力デバイス４２を使用して、医師２２は、ＲＦアブレーション及び／又はＩＲＥアブレーションのためのアブレーション信号のパラメータを入力することができる。医師２２は、（ＩＲＥパルス及び／又はＲＦ信号を受信するために）活性化させるアブレーション電極１０２、１０４、１０６、及びそれらが活性化される順序を選択し得る。アブレーションを設定する際、医師２２はまた、心臓５２のサイクルに対するＩＲＥパルスの同期のモードを選択することができる。

設定パラメータ６６を受信したことに応答して、プロセッサ３２は、これらのパラメータをＩＲＥコントローラ３８及びＲＦコントローラ３９に伝達し、それらは、それぞれ、医師２２によって要求された設定に従ってＩＲＥ信号及びＲＦ信号を発生させるよう、ＩＲＥ発生器３６及びＲＦ発生器３７に命ずる。追加的に、プロセッサ３２は、ディスプレイスクリーン４４上に設定パラメータ６６を表示することができる。

プロセッサ３２は、追跡モジュール６０から受信された信号に基づいて、例えば、電極１０２、１０４、１０６の現在の位置及び向きを示すように注釈付けされた、被験者の解剖学的構造の関連画像６８をディスプレイ４４上に表示するように構成することができる。代替的に又は追加的に、温度モジュール５４及びＥＣＧモジュール４６から受信した信号に基づいて、プロセッサ３２は、組織５８の温度及び心臓５２の電気活動をディスプレイスクリーン４４に表示してもよい。

処置を開始するために、医師２２は、カテーテル１００を被験者２４に挿入し、次いで、カテーテルを、制御ハンドル７０を用いて、心臓５２の内部又は外部の適切な部位までナビゲートする。続いて、医師２２は、電極１０２、１０４、１０６のいくつか又はすべてを、心臓５２の心筋又は心外膜組織などの組織５８と接触させる。次に、アブレーション信号は、電極１０２、１０４、１０６のいくつか又はすべてに適用される。

いくつかの治療では、治療部位は、電極１０２、１０４、１０６を介してＩＲＥアブレーションを使用してアブレーションされ得る。双極ＩＲＥアブレーションが完了すると、遠位先端電極１０２を使用して、ＩＲＥアブレーション（例えば、竜骨）によってアブレーションされなかった治療部位の領域へのタッチアップのためのＲＦアブレーションを実施することができる。

プロセッサ３２（単一のプロセッサ又は複数のプロセッサであり得る）は、非一時的なコンピュータ可読媒体７２（以下、簡潔にするために「メモリ」と称される）と通信することができ、これは、プロセッサ３２によって実行され、アブレーションシステムコンソール４０に様々な機能を実施させることができる命令を非一時的なコンピュータ可読媒体７２上に有する。メモリ７２は、１つ又は２つ以上の別個のハードウェア構成要素を含むことができ、コンソール４０内に位置決めされ、コンソール４０内に固定され、コンソール４０から取り外し可能であり、かつ／又はコンソールから遠隔にある（例えば、コンソール４０によってアクセス可能であり、ソフトウェアをサービスとして提供する）ことができる。好ましくは、メモリ７２は、コンソール４０内に固定され、コンソール４０の様々なモジュール３４、３５、４６、５４、６０は、メモリ７２のソフトウェアモジュールとして表される。代替的に、モジュール３４、３５、４６、５４、６０のいくつか又はすべては、他のモジュールから電気的に分離された専用のプロセッサ及び／又はメモリを含むことができる。本明細書で論じられるように、「プロセッサ」及び「メモリ」という用語は、関連技術の当業者によって理解されるような様々な物理的発現を含み、単数形での「プロセッサ」及び「メモリ」への言及は、特に明らかでない限り、非単一の発現を含むことが意図されている。

例示的な治療の間、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、出力ポート６４（複数の出力ポートを含むことができる）を介してカテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの１つにＲＦアブレーション信号を提供させ、出力ポート６４を介して他のカテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。ＩＲＥアブレーション信号は、単相性パルス及び／又は二相性パルスを含むことができ、好ましくは、ＤＣ電圧の適用を回避するために、主に二相性である。ＩＲＥアブレーション信号は、双極又は単極であり得、好ましくは、骨格及び筋肉痛を回避するために双極である。ＲＦアブレーション信号は、単極又は双極であり得る。単極ＲＦアブレーションは、現在、双極ＲＦアブレーションよりも一般的であるが、双極ＲＦアブレーションは、本明細書の他の場所で考察されるように、いくつかの利点を有し得る。

例示的な治療を続けると、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、身体パッチポート６７を介した身体パッチ６５と、出力ポート６４を介したカテーテル電極１０２、１０４、１０６の少なくとも１つとの間に二相性パルスのバーストとして、ＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。代替的に、身体パッチポート６９を必要としないと、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、出力ポート６４を介して、カテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの２つの間に二相性パルスのバーストとしてＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。別の代替として、コンソール４０が身体パッチポート６９を含む場合、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、身体パッチ６５とカテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの少なくとも１つとの間にＩＲＥアブレーション信号を提供させ、また、カテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの２つの間にＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。

メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、出力ポート６４を介してカテーテル電極１０２、１０４、１０６のうちの２つの間に二相性パルスのバーストを提供させ、同時に、出力ポート６４を介して残りのカテーテル電極１０２、１０４、１０６にＲＦアブレーション信号を提供させることができる。この場合、二相性パルスは、双極ＩＲＥアブレーションを提供するために２つのカテーテル電極１０２、１０４、１０６の間の双極である。ＲＦアブレーション信号は、先端電極１０２に提供され得、それによって、リターンパッチ６５を使用して単極ＲＦアブレーションを提供し、一方、二相性パルスのバーストは、リング電極１０４、１０６間に提供され、それによって双極ＩＲＥアブレーションを提供する。代替的に、又はその後、ＲＦアブレーション信号をリング電極のうちの１つ（例えば、近位リング電極１０６）に提供し、それによって、単極ＲＦアブレーションを提供することができ、一方、二相性パルスのバーストは、残りのリング電極（例えば、中間リング電極１０４）と先端電極１０２との間に提供され、それによって、双極ＩＲＥアブレーションを提供する。

メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、第１の対の電極として機能するカテーテル電極のうちの２つの間に二相性パルスの第１のバーストとして出力ポート６４を介して第１のＩＲＥアブレーション信号を提供させ、第１の対の電極と共通している１つの電極と、第１の対の電極と共通していないを１つの電極とを有する第２の対の電極として機能する２つのカテーテル電極の間に二相性パルスの第２のバーストとして出力ポートを介して第２のＩＲＥアブレーション信号を提供させることができる。例えば、第１の対の電極は、中間リング電極１０４及び近位リング電極１０６を含むことができ、第２の対の電極は、先端電極１０２及び近位リング電極１０６を含むことができる。メモリ７２上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、約９００Ｖの振幅において二相性パルスの第１のバーストを提供させ、約１８００Ｖの振幅において二相性パルスの第２のバーストを提供させることができる。第３のＩＲＥアブレーション信号を、先端電極１０２と中間リング電極１０４との間に適用することができる。第３のＩＲＥアブレーション信号の振幅は、約９００Ｖであり得る。第１のＩＲＥアブレーション信号、第２のＩＲＥアブレーション信号、及び第３のＩＲＥアブレーション信号は、三重項を形成するために任意の順序で実施することができる。第１のＩＲＥアブレーション信号、第２のＩＲＥアブレーション信号、及び第３のＩＲＥアブレーション信号は各々、互いに同期されて、それぞれのパルス列の持続時間にわたって三重項パターンを繰り返すパルス列を含み得る。

メモリ７２上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソールに、ＩＲＥアブレーション信号の前及び／又は後に、ＩＲＥアブレーション信号とインターリーブして、かつ／又はＩＲＥアブレーション信号と同時に、１つ又は２つ以上のＲＦアブレーション信号を提供させることができる。例えば、コンソールは、出力ポート６４を介してＩＲＥアブレーション信号及びＲＦアブレーション信号を同時に提供することができ、次いで、その後、後続のアブレーション信号が適用されるときに、ＲＦアブレーションを提供する電極と、ＩＲＥアブレーションを提供する電極とが変わるように、出力ポート６４を介して後続のＩＲＥアブレーション信号及び後続のＲＦアブレーション信号を同時に提供することができる。

先端電極１０２が２つの電気的に絶縁された半体を有する実施例では、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、ＲＦアブレーション信号を先端電極１０２の第１の半体に提供させ、先端電極の第２の半体には提供させないようにすることができる。

カテーテル１００が力センサ１０８を含む実施例では、メモリ７２上の命令は、プロセッサ３２によって実行され、コンソール４０に、カテーテル１００からコンソール４０によって受信されたセンサ信号に基づいて、カテーテル１００の遠位部分に加えられる力ベクトルを決定させることができる。

アブレーションシステムコンソールは、第１のカテーテル電極に灌注流体を提供するように構成されている灌注モジュール（図示せず）を更に含むことができる。コンソール４０及びシステム２０は、当業者に理解されるように、灌注を含むように変更されてもよい。

メモリ７２上の命令は、プロセッサによって実行され、コンソール４０に、カテーテル１００から受信された熱センサ信号に少なくとも部分的に基づいて、ＲＦアブレーション（例えば、先端電極１０２）を提供するように構成されているカテーテル電極１０２、１０４、１０６の温度を決定させることができる。

図３Ａ及び図３Ｂは、インターリーブされたＲＦ及びＩＲＥ信号３０２の図である。図３Ｂは、信号３０２の特徴をより詳細に視覚化することができるように、より短い時間スケールで図３Ａに図示される信号３０２の図である。信号３０２は、米国特許出願公開第２０２１／０１６９５５０号及び米国特許出願公開第２０２１／０１６１５９２号）により詳細に記載されるように発生することができる。

図３Ａに図示されるように、インターリーブされた信号３０２は、パルス列３３０間にインターリーブされた正弦波ＲＦ信号３０８を含むことができる。パルス列３３０は、２つの二相性パルスを含むものとして図示されている。しかしながら、パルス列３３０は、所望の治療結果を達成するための追加の二相性パルスを含むことができる。インターリーブされた信号３０２は、単極及び／又は双極アブレーションを実施するために適用され得る。例えば、インターリーブされた信号３０２は、先端電極１０２と参照パッチ６５との間に適用されて、単極ＩＲＥアブレーション及びＲＦアブレーションを提供し得る（図２）。別の実施例として、インターリーブされた信号３０２は、リング電極１０４、１０６の間に適用されて、双極ＩＲＥ及びＲＦアブレーションを提供することができる。別の実施例として、インターリーブされた信号３０２を先端電極に適用することができる一方で、スイッチは、参照パッチ６５とリング電極１０４、１０６との間のインターリーブされた信号３０２の戻り経路をトグルして、単極ＲＦアブレーション及び双極ＩＲＥアブレーションを提供することができる。この論理に基づいて、インターリーブされた信号３０２は、関連技術分野の当業者によって理解されるように、単極及び双極アブレーションスキームの様々な組み合わせを達成するために、電極１０２、１０４、１０６の多数の組み合わせに適用され得る。

図３Ｂに図示されるように、曲線３０６は、図３Ａに図示されるパルス列３３０からの２つの双極パルス３１０、３１２の間のＲＦ信号３０８の時間ｔの関数としての電圧Ｖを示す。ＲＦ信号３０８の振幅はＶ_ＲＦと表記され、その周波数はｆ_ＲＦと表記され、パルス３１０と３１２と（それによってパルス列３３０と）の間の分離はΔ_ＲＦと表記される。好ましくは、周波数ｆ_ＲＦは、約３５０キロヘルツ（ｋＨｚ）～約５００ｋＨｚであるが、より高い又はより低い周波数が代替的に使用され得る。

図４は、二相性パルスの正相３１８と負相３２０との間にＲＦ信号３１６を有する、曲線３１４を有する別の例示的なインターリーブされたＲＦ及びＩＲＥ信号３０４の図である。正相３１８と負相３２０との間の相間遅延ｔ_間隔は、図３Ａ及び３Ｂに図示される二相性パルス３１０、３１２と比較して、位相３１８、３２０の間のＲＦ信号を収容するように延伸することができる。図４に図示されるインターリーブされた信号３０４を繰り返して、パルス列及びパルスバーストを発生することができる。

図５Ａは、二相性パルス８０の図である。曲線８２は、時間ｔの関数としての二相性ＩＲＥパルス８０の電圧Ｖを示す。パルス８０は、正相８４及び負相８６を含む。正の相８４の振幅はＶ＋と表記され、相の時間パルス幅は、ｔ＋と表記される。同様に、負の相８６の振幅はＶ－と表記され、相８６の時間パルス幅は、ｔ－と表記される。相間遅延は、ｔ_間隔として表記される。パルス８０のパラメータの値は、優先権出願米国特許第６３／２２０，２５２号の付録、特に、米国特許出願公開第２０２１／０１６１５９２号及び米国特許第１６／７１０，０６２号（代理人整理番号ＢＩＯ６２０９ＵＳＮＰ１）に添付された参考文献に見つけることができる。

図５Ｂは、二相性パルス列９４のバースト９０の曲線９２の図である。バースト９０は、Ｎ_Ｔ個のパルス列９４を含み、各列は、Ｎ_Ｐ個の二相性のパルスを含む。パルス列９４の長さは、ｔ_ＰＰと表記され、連続する列間の間隔は、Δ_Ｔと表記される。パルス８０のパラメータの値は、優先権出願米国特許第６３／２２０，２５２号の付録、特に、米国特許出願公開第２０２１／０１６１５９２号及び米国特許第１６／７１０，０６２号（代理人整理番号ＢＩＯ６２０９ＵＳＮＰ１）に添付された参考文献に見つけることができる。

図３Ａ～図５Ｂに図示される例示的な信号３０２、３０４、９０のいずれも、それぞれの信号３０２、３０４、９０が、先端電極１０２から中間リング電極１０４と、中間リング電極１０４から近位リング電極１０６と、先端電極１０２から近位リング電極１０６との３電極対の組み合わせの間に同期及び双極様式で適用される三重項において適用することができる。少なくともＩＲＥパルスの電圧振幅は、先端電極１０２及び近位リング電極１０６を含む対について、他の対と比較して、その対の電極間の距離の増加を考慮すると、増加させることができる。

図６は、アブレーションを実施する例示的な方法２００の流れ図の図である。方法２００は、図１及び図２にそれぞれ図示されるようなカテーテル１００及び／又はシステム２０、それらの変形、及び当業者によって理解されるようなそれらの代替を使用して実施することができる。

ステップ２０２では、ＲＦ電気エネルギーが、カテーテルを囲む中間リング電極から隣接組織に提供され、それによって組織の温度を上昇させる。中間リング電極は、図１に図示されるカテーテル１００の中間リング電極１０４、その変形、又は当業者によって理解されるようなそれらの代替物と同様に構成することができる。

ステップ２０４では、電圧パルスを近位リング電極と先端電極との間に提供し、それによって組織内に不可逆的エレクトロポレーションを引き起こすことができる。近位リング電極、中間リング電極、及び先端電極は、ＲＦ電気エネルギーを提供しながら、かつ電圧パルスを提供しながら、直線的に整列される。近位リング電極は、カテーテルを囲むことができ、先端電極は、カテーテルの遠位端の上に配置され得、中間リング電極は、近位リング電極と先端電極との間に配置され得る。近位リング電極及び先端電極は、図１に図示されるカテーテル１００の対応する構造物１０６、１０２、その変形、又は当業者によって理解されるようなそれらの代替物と同様に構成され得る。

ステップ２０６では、ＲＦエネルギーを先端電極から先端電極に隣接する組織に提供し、それによって組織の温度を上昇させることができる。

ステップ２０８では、電圧パルスを近位リング電極と中間リング電極との間に提供し、それによって組織内に不可逆的エレクトロポレーションを引き起こすことができる。

方法２００は、三重項パターンで先端電極と中間リング電極との間に電圧パルスを提供することを更に含むことができる。この方法は、近位電極からＲＦ電気エネルギーを提供することを更に含み得る。これらのステップは、本明細書の教示に従って関連技術の当業者によって理解されるように、様々な順序で、かつそれに対する様々な組み合わせで互いに同時に実施することができる。方法２００は、カテーテル先端における力を測定すること、及び／又は電極のうちの１つ又は２つ以上を介して灌注することなどの、本明細書の他の場所で説明されるような機能を達成するための追加のステップを含むことができる。

〔実施の態様〕
（１） カテーテルであって、
長手方向軸に沿って延びる、細長い部材と、
前記細長い部材の遠位端の上に配置され、かつ無線周波数（ＲＦ）アブレーション電気信号を提供するように構成されている、先端電極と、
前記長手方向軸を中心に前記細長い部材上に配置され、かつ前記先端電極に対して近位方向に配置された近位リング電極であって、前記カテーテルが、前記先端電極と前記近位リング電極との間で約１８００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されている、近位リング電極と、
前記細長い部材上に配置され、かつ前記先端電極に対して近位方向に、また前記近位リング電極に対して遠位方向に配置された中間リング電極であって、前記電極が、前記中間リング電極と前記近位リング電極との間で約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成され、かつ前記中間リング電極と前記先端電極との間に約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されている、中間リング電極と、を備える、カテーテル。
（２） 前記先端電極が、灌注ポートを更に備え、
前記先端電極が、その中に熱電対を更に備える、実施態様１に記載のカテーテル。
（３） 前記先端電極が、互いに電気的に絶縁された２つの電極半体を更に備え、各半体が、前記カテーテルの前記遠位端のそれぞれの部分の上に配置され、前記半体のうちの少なくとも一方が、ＲＦアブレーション電気信号を提供するように構成されている、実施態様１に記載のカテーテル。
（４） 前記先端電極が、約３．５ミリメートルの前記長手方向軸に沿って測定された高さを備え、
前記近位リング電極及び前記中間リング電極が各々、約３ミリメートルの前記長手方向軸に沿って測定されたそれぞれの高さを備える、実施態様１に記載のカテーテル。
（５） 前記中間リング電極が、前記先端電極から約４ミリメートルの縁部間距離、及び前記近位リング電極から約４ミリメートルの縁部間距離に配置されている、実施態様１に記載のカテーテル。

（６） 前記先端電極に対して近位方向に配置され、かつ前記先端電極に加えられた力並びに前記長手方向軸に対する前記力の方向を感知するように構成されている接触力センサを更に備える、実施態様１に記載のカテーテル。
（７） アブレーションシステムコンソールであって、
第１のカテーテル電極、第２のカテーテル電極、及び第３のカテーテル電極が、カテーテルの遠位部分の長手方向軸上に直線的に整列している間に、アブレーションエネルギーを前記第１のカテーテル電極、前記第２のカテーテル電極、及び前記第３のカテーテル電極に提供するように構成されている、１つ又は２つ以上の出力ポートと、
プロセッサと、
前記プロセッサと通信する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記出力ポートを介して、前記第１のカテーテル電極にＲＦアブレーション信号を提供させ、かつ
前記出力ポートを介して、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に含む、非一時的コンピュータ可読媒体と、を備える、アブレーションシステムコンソール。
（８） 身体パッチポートを更に備え、
前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記ＩＲＥアブレーション信号を、前記身体パッチポートを介して身体パッチと、前記出力ポートを介して前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極のうちの少なくとも１つとの間に二相性パルスのバーストとして提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（９） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスのバーストとして、前記出力ポートを介して前記ＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１０） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記出力ポートを介して前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に前記二相性パルスのバーストを提供させ、同時に、前記出力ポートを介して前記第１のカテーテル電極に前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様９に記載のアブレーションシステムコンソール。

（１１） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第１のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記二相性パルスのバースト及び前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様９に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１２） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第２のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第１のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記二相性パルスのバースト及び前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様９に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１３） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスの第１のバーストとして、前記出力ポートを介して第１のＩＲＥアブレーション信号を提供させ、かつ
前記第１のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスの第２のバーストとして、前記出力ポートを介して第２のＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１４） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
約９００Ｖの振幅で二相性パルスの前記第１のバーストを提供させ、かつ
約１８００Ｖの振幅で二相性パルスの前記第２のバーストを提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様１３に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１５） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記出力ポートを介して、前記第２のカテーテル電極に第１のＲＦアブレーション信号を提供させ、
前記出力ポートを介して、前記第１のカテーテル電極に第２のＲＦアブレーション信号を提供させ、
前記出力ポートを介して、前記第１のＩＲＥアブレーション信号及び前記第１のＲＦアブレーション信号を同時に提供させ、かつ
前記出力ポートを介して、前記第２のＩＲＥアブレーション信号及び前記第２のＲＦアブレーション信号を同時に提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様１３に記載のアブレーションシステムコンソール。

（１６） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第１のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記アブレーションエネルギーを提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様１３に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１７） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記第１のカテーテル電極の第１の半体に前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含み、前記第１の半体が、前記第１のカテーテル電極の第２の半体から電気的に絶縁され、前記第１の半体及び前記第２の半体が、前記カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置されている、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１８） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記カテーテルから前記コンソールによって受信されたセンサ信号に基づいて、前記カテーテルの前記遠位部分に加えられる力ベクトルを決定させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（１９） 前記第１のカテーテル電極に灌注流体を提供するように構成されている灌注モジュールを更に備える、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。
（２０） 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
前記カテーテルから受信された熱センサ信号に少なくとも部分的に基づいて、前記第１のカテーテル電極の温度を決定させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、実施態様７に記載のアブレーションシステムコンソール。

Claims (20)

1. カテーテルであって、
   長手方向軸に沿って延びる、細長い部材と、
   前記細長い部材の遠位端の上に配置され、かつ無線周波数（ＲＦ）アブレーション電気信号を提供するように構成されている、先端電極と、
   前記長手方向軸を中心に前記細長い部材上に配置され、かつ前記先端電極に対して近位方向に配置された近位リング電極であって、前記カテーテルが、前記先端電極と前記近位リング電極との間で約１８００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されている、近位リング電極と、
   前記細長い部材上に配置され、かつ前記先端電極に対して近位方向に、また前記近位リング電極に対して遠位方向に配置された中間リング電極であって、前記電極が、前記中間リング電極と前記近位リング電極との間で約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成され、かつ前記中間リング電極と前記先端電極との間に約９００Ｖの振幅を有する二相性パルスバーストに耐えるように構成されている、中間リング電極と、を備える、カテーテル。
2. 前記先端電極が、灌注ポートを更に備え、
   前記先端電極が、その中に熱電対を更に備える、請求項１に記載のカテーテル。
3. 前記先端電極が、互いに電気的に絶縁された２つの電極半体を更に備え、各半体が、前記カテーテルの前記遠位端のそれぞれの部分の上に配置され、前記半体のうちの少なくとも一方が、ＲＦアブレーション電気信号を提供するように構成されている、請求項１に記載のカテーテル。
4. 前記先端電極が、約３．５ミリメートルの前記長手方向軸に沿って測定された高さを備え、
   前記近位リング電極及び前記中間リング電極が各々、約３ミリメートルの前記長手方向軸に沿って測定されたそれぞれの高さを備える、請求項１に記載のカテーテル。
5. 前記中間リング電極が、前記先端電極から約４ミリメートルの縁部間距離、及び前記近位リング電極から約４ミリメートルの縁部間距離に配置されている、請求項１に記載のカテーテル。
6. 前記先端電極に対して近位方向に配置され、かつ前記先端電極に加えられた力並びに前記長手方向軸に対する前記力の方向を感知するように構成されている接触力センサを更に備える、請求項１に記載のカテーテル。
7. アブレーションシステムコンソールであって、
   第１のカテーテル電極、第２のカテーテル電極、及び第３のカテーテル電極が、カテーテルの遠位部分の長手方向軸上に直線的に整列している間に、アブレーションエネルギーを前記第１のカテーテル電極、前記第２のカテーテル電極、及び前記第３のカテーテル電極に提供するように構成されている、１つ又は２つ以上の出力ポートと、
   プロセッサと、
   前記プロセッサと通信する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
   前記出力ポートを介して、前記第１のカテーテル電極にＲＦアブレーション信号を提供させ、かつ
   前記出力ポートを介して、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極のうちの少なくとも１つにＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に含む、非一時的コンピュータ可読媒体と、を備える、アブレーションシステムコンソール。
8. 身体パッチポートを更に備え、
   前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
   前記ＩＲＥアブレーション信号を、前記身体パッチポートを介して身体パッチと、前記出力ポートを介して前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極のうちの少なくとも１つとの間に二相性パルスのバーストとして提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
9. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
   前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスのバーストとして、前記出力ポートを介して前記ＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
10. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記出力ポートを介して前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に前記二相性パルスのバーストを提供させ、同時に、前記出力ポートを介して前記第１のカテーテル電極に前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項９に記載のアブレーションシステムコンソール。
11. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記第１のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記二相性パルスのバースト及び前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項９に記載のアブレーションシステムコンソール。
12. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記第２のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第１のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記二相性パルスのバースト及び前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項９に記載のアブレーションシステムコンソール。
13. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記第２のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスの第１のバーストとして、前記出力ポートを介して第１のＩＲＥアブレーション信号を提供させ、かつ
    前記第１のカテーテル電極と前記第３のカテーテル電極との間に二相性パルスの第２のバーストとして、前記出力ポートを介して第２のＩＲＥアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
14. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    約９００Ｖの振幅で二相性パルスの前記第１のバーストを提供させ、かつ
    約１８００Ｖの振幅で二相性パルスの前記第２のバーストを提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項１３に記載のアブレーションシステムコンソール。
15. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記出力ポートを介して、前記第２のカテーテル電極に第１のＲＦアブレーション信号を提供させ、
    前記出力ポートを介して、前記第１のカテーテル電極に第２のＲＦアブレーション信号を提供させ、
    前記出力ポートを介して、前記第１のＩＲＥアブレーション信号及び前記第１のＲＦアブレーション信号を同時に提供させ、かつ
    前記出力ポートを介して、前記第２のＩＲＥアブレーション信号及び前記第２のＲＦアブレーション信号を同時に提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項１３に記載のアブレーションシステムコンソール。
16. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記第１のカテーテル電極が、前記カテーテルの先端の上に配置された先端電極として構成され、前記第２のカテーテル電極及び前記第３のカテーテル電極が各々、前記先端電極に対して近位方向に前記カテーテルの本体を囲むそれぞれのリング電極として構成されるように、前記出力ポートを介して前記アブレーションエネルギーを提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項１３に記載のアブレーションシステムコンソール。
17. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記第１のカテーテル電極の第１の半体に前記ＲＦアブレーション信号を提供させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含み、前記第１の半体が、前記第１のカテーテル電極の第２の半体から電気的に絶縁され、前記第１の半体及び前記第２の半体が、前記カテーテルの遠位端のそれぞれの部分の上に配置されている、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
18. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記カテーテルから前記コンソールによって受信されたセンサ信号に基づいて、前記カテーテルの前記遠位部分に加えられる力ベクトルを決定させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
19. 前記第１のカテーテル電極に灌注流体を提供するように構成されている灌注モジュールを更に備える、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。
20. 前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサによって実行されると、前記コンソールに、
    前記カテーテルから受信された熱センサ信号に少なくとも部分的に基づいて、前記第１のカテーテル電極の温度を決定させる、命令を、前記非一時的コンピュータ可読媒体上に更に含む、請求項７に記載のアブレーションシステムコンソール。

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