JP2022550638A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 70
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000000306 component Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- -1 1.45×10 7 S /m) Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXUOFCUEFQCKKH-UHFFFAOYSA-N 12-methyltridecan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCO ZXUOFCUEFQCKKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIOCILWWMFZESP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OCCO GIOCILWWMFZESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920002871 Dammar gum Polymers 0.000 description 2
- 239000004860 Dammar gum Substances 0.000 description 2
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006309 Invista Polymers 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHWDKWFGZPWVMU-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Cu].[Ag] Chemical compound [Ge].[Cu].[Ag] ZHWDKWFGZPWVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCABKEBYDRTODC-UHFFFAOYSA-N bis[2-(2-butoxyethoxy)ethyl] hexanedioate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCOCCOCCCC SCABKEBYDRTODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- QOGLYAWBNATGQE-UHFFFAOYSA-N copper;gold;silver Chemical compound [Cu].[Au][Ag] QOGLYAWBNATGQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006063 cullet Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical group 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000409201 Luina Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- FSCIDASGDAWVED-UHFFFAOYSA-N dimethyl hexanedioate;dimethyl pentanedioate Chemical compound COC(=O)CCCC(=O)OC.COC(=O)CCCCC(=O)OC FSCIDASGDAWVED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
太陽電池は、表面と裏面とを有するシリコン基板と、前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記シリコン基板と電気的に接触し、銀成分とガラスバインダーとを含み、かつ前記銀成分以外の他の導電性金属を実質的に含まないフィンガー電極と、前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記フィンガー電極と電気的に接触し、銀成分と、ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択された第2金属と、ガラスバインダーとを含むバスバー電極とを含む。【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池用導電性ペーストに関し、特に、太陽電池用の導電性ペースト中の銀の消費量を低減することに関する。
太陽電池産業では、より高い発電効率を求めるために、競争がますます激しくなっている。効率が理論上の限界に近づくにつれて、人々は0.1%でも効率を向上させることを求める。
それと同時に、太陽電池メーカーもコストの低減を求める。フィンガー電極及びバスバー電極は、一般的に、高価な銀を使用するため、電極中の銀の使用量を減少させるか又は安価な金属で銀を置き換えることは有益である。しかしながら、効率を低下させずに銀の含有量を減少させることは不可能である。
US20100096014には、導電性粒子、ガラスフリット、有機バインダー及び溶剤を含む太陽電池用導電性ペーストであって、前記導電性粒子が、(A)銀並びに(B)銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛及びスズからなる群から選択された1種又は複数種の金属を含み、重量割合(A):(B)が、5:95~90:10である太陽電池用導電性ペーストが開示されている。
US20140026953には、(a)導電性金属粒子と、(b)ガラスフリットと、(c)有機ビヒクルとを含む導電性ペースト組成物であって、前記導電性金属粒子が、銀粉末と、ニッケル粉末、酸化スズ(IV)粉末及びコアシェル粒子からなる群から選択された少なくとも1種との混合物を含み、当該コアシェル粒子のシェルが銀を含み、コアがニッケル及び/又は酸化スズ(IV)を含む、導電性ペースト組成物が開示されている。
一態様によれば、本願は、表面と裏面とを有するシリコン基板と、前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記シリコン基板と電気的に接触し、銀成分とガラスバインダーとを含み、かつ前記銀成分以外の導電性金属を実質的に含まないフィンガー電極と、前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記フィンガー電極と電気的に接触し、銀成分と、ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択された第2金属と、ガラスバインダーとを含むバスバー電極とを含む太陽電池が提供される。
他の態様によれば、本願は、表面と裏面とを有するシリコン基板を提供するステップと、バスバー電極を形成するための第1導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するステップであって、前記第1導電性ペーストは、ペースト組成物の総重量に基づいて計算すると、(a)68wt%~88wt%の銀成分、(b)ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択された1wt%~30wt%の金属粉末、(c)0.1wt%~3.3wt%のガラスバインダー、及び(d)3wt%~23wt%の有機ビヒクルを含むステップと、フィンガー電極を形成するための第2導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するステップであって、前記第2導電性ペーストは、ペースト組成物の総重量に基づいて計算すると、(a)70wt%~95wt%の銀成分、(b)0.6wt%~7wt%のガラスバインダー、及び(c)3wt%~23wt%の有機ビヒクルを含み、前記銀成分以外の他の導電性金属は実質的に含まないステップと、塗布された導電性ペーストを焼成することにより、前記シリコン基板の前記表面に前記フィンガー電極及び前記バスバー電極を製造するステップとを含む、太陽電池の製造方法が提供される。
以下の実施例は、太陽電池及び太陽電池の製造プロセスを示す。しかしながら、本発明は以下の実施例に限定されない。本発明は好ましい実施例び任意の特徴によって具体的に開示されているが、当業者であれば、本発明に対して修正、改良及び変更を行うことができ、かつこれらの修正、改良及び変更は本発明の保護範囲に含まれると考えられることを理解されたい。
(太陽電池の製造方法)
太陽電池の製造方法は、シリコン基板を提供し、ペーストを印刷して電極を形成して、塗布された導電性ペーストを焼成するステップを含む。一般的に、バスバー電極を形成するための第1導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布し、次にフィンガー電極を形成するための第2導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するという2段階印刷技術を用いる。あるいは、まず、前記フィンガー電極を印刷し、次に、バスバー電極を印刷してもよい。
太陽電池の製造方法は、シリコン基板を提供し、ペーストを印刷して電極を形成して、塗布された導電性ペーストを焼成するステップを含む。一般的に、バスバー電極を形成するための第1導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布し、次にフィンガー電極を形成するための第2導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するという2段階印刷技術を用いる。あるいは、まず、前記フィンガー電極を印刷し、次に、バスバー電極を印刷してもよい。
図1Aは、本実施例におけるp型シリコン基板10を示す。本発明は、他の種類の太陽電池にも適用可能である。例えば、n型シリコン基板を用いることができ、この場合、一般的に、以下のプロセスにおいて逆型のドーピングを用いる。
前記シリコン基板は、表面と裏面とを有する。前記表面は、完成した太陽電池内に設けられた、発電のための太陽光受光面と定義される。
図1Bに示すように、当該特定の実施例では、リン(Phosphorus、P)又はその類似物を熱拡散することにより、逆導電型のn型層20を製造する。一般的に、オキシ塩化リン(Phosphorus oxychloride、POCl3)をリンの拡散源として用いる。特に修正しない場合、n型層20は、前記シリコン基板10の全面に形成される。シリコンウェハは、p型基板10で構成され、かつn型層20のシート抵抗率のオーダーは、一般的に、数十オーム/スクエア(ohm/□)である。
レジスト又はその類似物で前記n型層のうちの1つの面を保護した後、前記n型層20の面の大部分をエッチングにより除去することにより、n型層は図1Cに示す1つの主面(表面又は太陽光受光面)のみに残る。次に、溶剤又は除去剤を用いて前記レジストを除去する。
そして、本実施例では、プラズマ化学気相成長(Chemical vapor deposition、CVD)などのプロセスにより、図1Dに示すn型層20にパッシベーション層30を形成することができる。パッシベーション層の材料としては、SiNx、TiO2、Al2O3、SiOx又は酸化インジウムスズ(Indium tin oxide、ITO)を用いることができる。一般的に用いられる材料は、Si3N4である。前記パッシベーション層は、反射防止コーティング層と呼ばれる場合もあり、特に、パッシベーション層が前記シリコン基板の前記表面、即ち受光面に形成される場合である。
図1Eに示すように、アルミニウムペースト60及び銀ペースト70を前記基板10の前記裏面にスクリーン印刷し、かつ60℃~300℃で連続的に加熱して、印刷されたペーストを乾燥させる。前記表面に電極を形成した後、前記裏面に電極を形成することができる。
導電性ペースト50を前記パッシベーション層30に塗布して、乾燥させる。太陽電池の前記表面には、一般的に、図2に示す2種類の電極が形成される。一方は、フィンガー電極50aと呼ばれる。図2に示すように、一般的に、多くのフィンガー電極50aを含む。もう一方は、バスバー電極50bと呼ばれ、一般的に、1つ又は複数用いられる。前記フィンガー電極の1つの重要な機能は、シリコン基板に生成された電流を収集することである。収集された電流は、前記バスバー電極を流れ、外部入力/出力に用いられる。前記フィンガー電極は、前記シリコン基板の面に形成されたドープ層と電気的に接触する必要がある。図1の実施例では、前記フィンガー電極は、前記n型層20と電気的に接触する。前記バスバー電極と前記シリコン基板との電気的接触は必須ではない。換言すれば、前記フィンガー電極は前記パッシベーション層30を貫通する必要があるが、前記バスバー電極は必ずしもこのようにする必要がない。
本発明では、前記フィンガー電極と前記バスバー電極とは、異なる種類の導電性ペーストを用いる。前記フィンガー電極を形成するための導電性ペーストは、導電性を向上させるように大量の銀成分を含み、かつ前記シリコン基板と電気的に接続するように一定量のガラスバインダーを含む。
前記フィンガー電極は、前記銀成分以外の導電性金属を実質的に含まない。本明細書における「実質的に含まない」とは、含有量が、一実施例では1wt%未満であり、他の実施例では0.5wt%未満であり、また他の実施例では0.1wt%未満であり、さらに他の実施例では発見されにくいことを指す。一実施例では、銀成分以外の導電性金属を意図的に添加しない。ガラスバインダーが実質的に無機酸化物で構成され、低い導電性を有するため、導電性金属は、ガラスバインダーを含まないと定義される。
一実施例では、前記フィンガー電極は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、合金及びそれらの混合物からなる群から選択された任意の金属元素を含まない。
他の実施例では、銀成分以外に、前記フィンガー電極は、293ケルビンで1.00×107シーメンス(S)/m以上の導電率を有する任意の導電性成分を含まない。例えば、これらの導電性金属は、鉄(Fe、1.00×107S/m)、アルミニウム(Al、3.64×107S/m)、ニッケル(Ni、1.45×107S/m)、銅(Cu、5.81×107S/m)、金(Au、4.17×107S/m)、モリブデン(Mo、2.10×107S/m)、マグネシウム(Mg、2.30×107S/m)、タングステン(W、1.82×107S/m)、コバルト(Co、1.46×107S/m)及び亜鉛(Zn、1.64×107S/m)を含む。
一実施例では、前記フィンガー電極の総重量に基づいて計算すると、前記フィンガー電極は、焼成後に、80wt%~99.5wt%の銀成分及び0.5wt%~20wt%のガラスバインダーを含む。銀成分の含有量は、一実施例では90wt%~99wt%であり、他の実施例では95wt%~98.5wt%である。ガラスバインダーの含有量は、一実施例では1wt%~10wt%であり、他の実施例では1.5wt%~5wt%である。
他の態様では、前記バスバー電極は、銀成分及び第2金属を含む。一実施例では、前記第2金属は、ニッケルである。他の実施例では、前記第2金属は、銅である。他の実施例では、ニッケル及び銅は、両方とも合金又は混合物として用いられる。一実施例では、前記バスバー電極に含まれるガラスバインダーの量は、前記フィンガー電極に含まれるガラスバインダーの量よりも少ないため、前記バスバー電極がより導電しやすい。前記バスバー電極は、前記フィンガー電極と電気的に接触する。
一実施例では、前記バスバー電極の総重量に基づいて計算すると、前記バスバー電極は、焼成後に、74wt%~98wt%の銀成分、2wt%~25wt%の第2金属及び0.1wt%~3wt%のガラスバインダーを含む。銀成分の含有量は、一実施例では80wt%~97wt%であり、他の実施例では85wt%~95wt%である。第2金属の含有量は、一実施例では3wt%~20wt%であり、他の実施例では5wt%~15wt%である。ガラスバインダーの含有量は、一実施例では0.15wt%~2wt%であり、他の実施例では0.2wt%~1wt%である。
フィンガー電極又はバスバー電極中のガラス及び金属の重量百分率(wt%)は、誘導結合プラズマ質量分析(Inductively coupled plasma mass spectrometry、ICP-MS)により測定することができる。
一般的に、前記シリコン基板に4~12列の前記バスバー電極を形成する。前記シリコン基板のサイズに応じて、一般的に、前記シリコン基板に数十個の前記フィンガー電極を形成する。前記太陽電池の効率を向上させるために、人々は、前記フィンガー電極及び前記バスバー電極で被覆されたシリコン基板の面積百分率が最小とされることが望ましい。一般的に、前記フィンガー電極は線幅が狭く、前記バスバー電極は広いパターンを有する。前記フィンガー電極の幅は、一実施例では10μm~45μmであってもよく、他の実施例では20μm~43μmであってもよく、また他の実施例では30μm~41μmであってもよい。前記バスバー電極の幅は、一実施例では0.3mm~1.5mmであってもよく、他の実施例では0.4mm~1.2mmであってもよく、また他の実施例では0.5mm~1mmであってもよい。
前記電極は、印刷された導電性ペーストを加熱することにより形成される。一実施例では、ベルト炉などの赤外線炉において450℃~1000℃の範囲内のピーク温度で加熱し、これは、焼成と呼ばれる。ベルト炉のピーク温度は、炉の最も高温の領域の設定点として理解されるべきである。一実施例では、炉の入口から出口までの加熱総時間は、30秒間~5分間であってもよい。当該加熱条件で、シリコン基板が受けた熱損傷が小さい。一実施例では、加熱曲線は、400℃を超えると、10秒間~60秒間持続し、かつ600℃を超えると、2秒間~10秒間持続することができる。
図1Fに示すように、アルミニウムは、焼成中に不純物としてアルミニウムペーストからシリコン基板10の前記裏面に拡散することにより、高濃度のアルミニウムドーパントを含有するp+層40を形成する。焼成により、乾燥したアルミニウムペースト60がアルミニウム裏面電極61となる。また、裏面の銀ペースト70が銀裏面電極71に焼成される。焼成中に裏面のアルミニウムと裏面の銀との境界が合金状態となることにより、電気的接続を実現する。一実施例では、アルミニウム電極は、p+層40を形成する必要があることに部分的に起因して、裏面電極のほとんどの領域を占める。また、一実施例では、アルミニウム電極へのはんだ付けが困難であるため、銀ペースト70を用いて裏面の限られた領域に裏面電極71を形成して、太陽電池セル間を銅リボン又はその類似物により相互接続する電極とする。
前記表面における表面電極51は、導電性ペースト50で製造される。図1Fに示すように、焼成期間において、少なくともフィンガー電極50aがパッシベーション層30をファイアースルーすることにより、n型層20と電気的に接触することができる。前記導電性ペーストの浸透機能を「ファイアースルー」と呼ばれる。一実施例では、バスバー電極50bがパッシベーション層30をファイアースルーしない。前記バスバー電極中のガラスバインダーの量が少ないため、前記バスバー電極はより高い導電性を有することができ、それによりバスバー電極において導電性が低く、かつ安価な他の金属を用いることができる。
p型太陽電池を実施例として示すが、本発明はn型太陽電池又は導電性ペーストを用いる任意の他の種類の太陽電池に用いることができる。
次に、本発明の前記太陽電池を製造するための前記第1導電性ペースト及び第2導電性ペーストについて説明する。
(フィンガー導電性ペースト)
前記フィンガー電極を形成するフィンガー導電性ペーストは、(a)銀成分、(b)ガラスバインダー及び(c)有機ビヒクルを含む。
前記フィンガー電極を形成するフィンガー導電性ペーストは、(a)銀成分、(b)ガラスバインダー及び(c)有機ビヒクルを含む。
(i)銀成分
前記銀成分は、ペーストが電流を伝送することを可能にする。前記銀成分は、空気中で焼成した後に融着することができるが、酸化物を形成せず、それにより導電性の高いバルク材料を提供する。前記銀成分は、フレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
前記銀成分は、ペーストが電流を伝送することを可能にする。前記銀成分は、空気中で焼成した後に融着することができるが、酸化物を形成せず、それにより導電性の高いバルク材料を提供する。前記銀成分は、フレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
一実施例では、前記銀成分は、実質的に銀粉末である。前記銀粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記銀粉末は、一実施例では90%以上、他の実施例では95%以上、また他の実施例では99%以上の銀元素を含有する。
一実施例では、前記銀成分は、銀含有合金である。前記銀含有合金の総含有量に基づいて計算すると、前記銀含有合金は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上の銀元素を含有する。一実施例では、前記銀含有合金は、銀-銅合金、銀-金合金、銀-白金合金、銀-銅-金合金又は銀-銅-ゲルマニウム合金である。
一実施例では、前記銀成分は、銀-銅コアシェル粒子などの銀めっき粉末である。前記銀めっき粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記銀めっき粉末は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上の銀元素を含有する。
銀粉末、銀含有合金及び銀めっき粉末のうちの2種又は2種以上を併用してもよい。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、前記銀成分は、一実施例では70~95重量百分率(Weight percent、wt%)であり、他の実施例では75wt%~93wt%であり、また他の実施例では80wt%~91wt%である。前記導電性ペースト中の上記含有量を有する銀成分は、太陽電池への応用に対して十分な導電性を維持することができる。
前記銀成分の粒径は、一実施例では0.1μm~10μmであり、他の実施例では0.5μm~7μmであり、また他の実施例では1μm~4μmである。上記粒径を有する前記銀成分は、有機バインダー及び溶剤に十分に分散し、かつ前記基板に平らに塗布することができる。一実施例では、前記銀成分は、異なる粒径又は異なる粒子形状を有する2種又は複数種の銀成分の混合物であってもよい。
粒径は、レーザー回折散乱法で粒径分布を測定することにより得られ、かつD50により規定することができ、D50とは、累積粒径分布が50%(又は50%を超える粒径)に達する点を指す。粒径分布は、MicrotracモデルX-100などの市販の装置により測定することができる。
前記フィンガー電極を形成するための導電性ペーストは、銀成分以外の他の導電性金属を実質的に含まない。本明細書における「実質的に含まない」とは、含有量が、一実施例では1wt%未満であり、他の実施例では0.5wt%未満であり、また他の実施例では0.1wt%未満であり、さらに他の実施例では発見されにくいことを指す。ガラスバインダーが、一般的に、導電性がほとんど又はまったくない無機酸化物で構成されるため、導電性金属は、以下に説明するガラスバインダーを含まない定義される。
一実施例では、前記フィンガー電極を形成するための導電性ペーストは、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)及びそれらの任意の混合物からなる群から選択された任意の金属元素を含まない。
他の実施例では、銀成分以外に、前記フィンガー電極用の導電性ペーストは、293ケルビンで1.00×107シーメンス(S)/m以上の導電率を有する任意の導電性成分を含まない。例えば、これらの導電性金属は、鉄(Fe、1.00×107S/m)、アルミニウム(Al、3.64×107S/m)、ニッケル(Ni、1.45×107S/m)、銅(Cu、5.81×107S/m)、金(Au、4.17×107S/m)、モリブデン(Mo、2.10×107S/m)、マグネシウム(Mg、2.30×107S/m)、タングステン(W、1.82×107S/m)、コバルト(Co、1.46×107S/m)及び亜鉛(Zn、1.64×107S/m)を含む。
(ii)ガラスバインダー
ガラスバインダーは、ペーストに混合される場合、一般的に、ガラスフリットと呼ばれ、その後の焼成プロセスにおいて前記パッシベーション層を貫通して電気的接触を形成することに役立つ。また、ガラスバインダーは、電極とシリコン基板との接合に役立つ。ガラスバインダーは、無機酸化物を含む。ガラスバインダーは、一実施例では90wt%以上の無機酸化物、他の実施例では95wt%以上の無機酸化物、また他の実施例では98wt%以上の無機酸化物、さらに他の実施例では100wt%の無機酸化物で構成される。一実施例では、ガラスバインダーは、さらに、導電性粉末の融着を促進することができる。
ガラスバインダーは、ペーストに混合される場合、一般的に、ガラスフリットと呼ばれ、その後の焼成プロセスにおいて前記パッシベーション層を貫通して電気的接触を形成することに役立つ。また、ガラスバインダーは、電極とシリコン基板との接合に役立つ。ガラスバインダーは、無機酸化物を含む。ガラスバインダーは、一実施例では90wt%以上の無機酸化物、他の実施例では95wt%以上の無機酸化物、また他の実施例では98wt%以上の無機酸化物、さらに他の実施例では100wt%の無機酸化物で構成される。一実施例では、ガラスバインダーは、さらに、導電性粉末の融着を促進することができる。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、ガラスバインダーの含有量は、一実施例では0.6wt%~7wt%である。前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、当該含有量は、他の実施例では0.8wt%~6wt%であり、また他の実施例では1wt%~5wt%である。このような高含有量のガラスバインダーを添加することにより、前記太陽電池の電気的特性を向上させることができる。
ガラスバインダーの組成物は、特定の組成物に限定されない。例えば、鉛フリーガラス又は鉛含有ガラスを用いることができる。
一実施例では、ガラスバインダーは、鉛含有ガラスフリットを含み、当該鉛含有ガラスフリットは、酸化鉛と、酸化テルル(TeO2)及び酸化ビスマス(Bi2O3)からなる群から選択された1種又は複数種の酸化物とを含む。ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化鉛(PbO)は、一実施例では17wt%~47wt%であり、他の実施例では22wt%~42wt%であり、また他の実施例では25wt%~39wt%である。
ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化テルル(TeO2)は、一実施例では17wt%~47wt%であり、他の実施例では22wt%~42wt%であり、また他の実施例では25wt%~39wt%である。
ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化ビスマス(Bi2O3)は、一実施例では8wt%~24wt%であり、他の実施例では11wt%~25wt%であり、また他の実施例では13wt%~23wt%である。
他の実施例では、ガラスバインダーは、SiO2、Li2O、Na2O、B2O3、WO3、CaO、Al2O3、ZnO、MgO、TiO2、ZrO2、BaO、MgO、K2O、CuO、AgO及びそれらの任意の混合物からなる群から選択された無機酸化物をさらに含む。
当該分野で周知の方法によってガラスバインダーを製造することができる。例えば、酸化物、水酸化物、炭酸塩などの原料を混合して溶融し、焼入れによりカレットを製造し、次に機械的粉砕(湿式粉砕又は乾式粉砕)を行うことにより、ガラスバインダー又はガラスフリットを製造することができる。その後、必要に応じて所望の粒度に分級する。
(iii)有機ビヒクル
前記導電性ペーストは、有機バインダー及び溶剤を含む有機ビヒクルを含む。
前記導電性ペーストは、有機バインダー及び溶剤を含む有機ビヒクルを含む。
一実施例では、前記有機バインダーは、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ForalynTM(水素化ロジンのペンタエリスリトールエステル)、ダンマルゴム、ウッドロジン、フェノール樹脂、アクリル樹脂、低級アルコールエステルのポリメタクリル酸又はそれらの混合物を含んでもよい。
一実施例では、溶剤は、テルペン(例えば、α-テルピネオール又はβ-テルピネオール又はそれらの混合物)、TexanolTM(2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールモノイソブチレート)、ケロシン、フタル酸ジブチル、ブチルCarbitolTM、ブチルCarbitolTM酢酸塩、ヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチリルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチル、ビス(2-(2-ブトキシエトキシ)エチル)アジペート、ジエステル(例えばInvista製のDBE(登録商標)、DBE(登録商標)-2、DBE(登録商標)-3、DBE(登録商標)-4、DBE(登録商標)-5、DBE(登録商標)-6、DBE(登録商標)-9、及びDBE(登録商標)-1B)、オクチルエポキシタレート、イソテトラデカノール及びナフサ、又はそれらの混合物を含んでもよい。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、有機ビヒクルの含有量は、一実施例では3wt%~23wt%であり、他の実施例では5wt%~20wt%であり、また他の実施例では7wt%~18wt%である。
焼成ステップにおいて、有機媒体を焼き切ることができるため、製造された電極は、理論的に残留物を含まない。しかしながら、当該残留物が電極の電気的特性を低下させない限り、これにより得られた電極は、一定量の残留物を残す可能性がある。
(iv)添加剤
必要に応じて、増粘剤、安定剤、分散剤、粘度調整剤及び界面活性剤などのいずれかの添加剤を導電性ペーストに添加することができる。前記添加剤の量は、得られた導電性ペーストの所望の特性に依存し、かつ当業者によって選択することができる。前記導電性ペーストには、複数の添加剤を添加してもよい。
必要に応じて、増粘剤、安定剤、分散剤、粘度調整剤及び界面活性剤などのいずれかの添加剤を導電性ペーストに添加することができる。前記添加剤の量は、得られた導電性ペーストの所望の特性に依存し、かつ当業者によって選択することができる。前記導電性ペーストには、複数の添加剤を添加してもよい。
以上は前記フィンガー電極を形成するための前記導電性ペーストの成分を説明したが、前記導電性ペーストは、原料に由来するか又は製造プロセスによる汚染に由来する不純物を含む可能性がある。しかしながら、不純物の存在は、前記導電性ペーストの予期される特性を顕著に変更しない限り、許容する(良性と定義する)ことができる。前記導電性ペーストが良性の不純物を含んでも、前記導電性ペーストで製造されたフィンガー電極は、本明細書に記載された十分な電気的特性を得ることができる。
(v)(粘度及び固形分含有量)
前記導電性ペーストの粘度は、一実施例では100Pa・s~600Pa・sであり、他の実施例では150Pa・s~500Pa・sであり、また他の実施例では200Pa・s~400Pa・sである。上記粘度であれば、一般的に、優れた印刷性が得られることが見出される。
前記導電性ペーストの粘度は、一実施例では100Pa・s~600Pa・sであり、他の実施例では150Pa・s~500Pa・sであり、また他の実施例では200Pa・s~400Pa・sである。上記粘度であれば、一般的に、優れた印刷性が得られることが見出される。
本発明では、#14型スピンドル及びSC4-14/6Rユーティリティカップを有するBrookfield HBT粘度計を用いて25℃、10rpmで測定することにより得られた値は、前記導電性ペーストの粘度である。
前記導電性ペースト中の無機固体の含有量は、導電性ペーストの総重量に対する無機固体の百分率(wt%)で計算される。前記無機固体は、一般的に、導電性金属/合金粉末及びガラスフリットで構成される。前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、前記無機固体の含有量は、一実施例では68.5wt%~96.7wt%であり、他の実施例では85wt%~94wt%である。
(バスバー導電性ペースト)
前記バスバー電極を形成するバスバー導電性ペーストは、(a)銀成分、(b)第2金属、(c)ガラスバインダー、及び(d)有機ビヒクルを含む。
前記バスバー電極を形成するバスバー導電性ペーストは、(a)銀成分、(b)第2金属、(c)ガラスバインダー、及び(d)有機ビヒクルを含む。
(i)銀成分
前記銀成分は、ペーストが電流を伝送することを可能にする。前記銀成分は、空気中で焼成した後に融着することができるが、酸化物を形成せず、それにより導電性の高いバルク材料を提供する。前記銀成分は、フレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
前記銀成分は、ペーストが電流を伝送することを可能にする。前記銀成分は、空気中で焼成した後に融着することができるが、酸化物を形成せず、それにより導電性の高いバルク材料を提供する。前記銀成分は、フレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
一実施例では、前記銀成分は、実質的に銀粉末である。前記銀粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記銀粉末は、一実施例では90%以上、他の実施例では95%以上、また他の実施例では99%以上の銀元素を含有する。
一実施例では、前記銀成分は、銀含有合金である。前記銀含有合金の総含有量に基づいて計算すると、前記銀含有合金は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上を含有し、また他の実施例では90%以上の銀元素を含有する。一実施例では、前記銀含有合金は、銀-銅合金、銀-金合金、銀-白金合金、銀-銅-金合金又は銀-銅-ゲルマニウム合金である。
一実施例では、前記銀成分は、銀-銅コアシェル粒子などの銀めっき粉末である。前記銀めっき粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記銀めっき粉末は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上の銀元素を含有する。
銀粉末、銀含有合金及び銀めっき粉末のうちの2種又は2種以上を併用してもよい。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、前記銀成分は、一実施例では68~88重量百分率(wt%)であり、他の実施例では72wt%~87wt%であり、また他の実施例では77wt%~85wt%である。前記導電性ペースト中の上記含有量を有する銀成分は、前記バスバー電極に対して十分な導電性を維持することができる。
前記銀成分の粒径は、一実施例では0.1μm~10μmであり、他の実施例では0.5μm~7μmであり、また他の実施例では1μm~4μmである。上記粒径を有する前記銀成分は、有機バインダー及び溶剤に十分に分散し、かつ前記基板に平らに塗布することができる。一実施例では、前記銀成分は、異なる粒径又は異なる粒子形状を有する2種又は複数種の銀成分の混合物であってもよい。
粒径は、レーザー回折散乱法で粒径分布を測定することにより得られ、かつD50により規定することができ、D50とは、累積粒径分布が50%(又は50%を超える粒径)に達する点を指す。粒径分布は、MicrotracモデルX-100などの市販の装置により測定することができる。
(ii)第2金属
第2金属を用いるため、前記バスバー電極は、高価な貴金属の需要量を減少させることにより、本発明の太陽電池を低コストで製造すると同時に、電池性能を維持することができる。前記第2金属は、ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択される。前記第2金属成分は、形状がフレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
第2金属を用いるため、前記バスバー電極は、高価な貴金属の需要量を減少させることにより、本発明の太陽電池を低コストで製造すると同時に、電池性能を維持することができる。前記第2金属は、ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択される。前記第2金属成分は、形状がフレーク状又は球状の粉末を含むか又は両方を含む。
一実施例では、前記第2金属粉末は、実質的に、ニッケル粉末である。前記第2金属粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記第2金属粉末は、一実施例では90%以上、他の実施例では95%以上、また他の実施例では99%以上のニッケル元素を含有する。
一実施例では、前記第2金属粉末は、実質的に、銅粉末である。前記第2金属粉末の総含有量に基づいて計算すると、前記第2金属粉末は、一実施例では90%以上、他の実施例では95%以上、また他の実施例では99%以上の銅元素を含有する。
一実施例では、前記第2金属粉末は、ニッケル含有合金又は銅含有合金である。ニッケル含有合金の総含有量に基づいて計算すると、ニッケル含有合金は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上のニッケル元素を含有する。銅含有合金の総含有量に基づいて計算すると、銅含有合金は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上の銅元素を含有する。
一実施例では、前記第2金属粉末は、ニッケルめっき粉末又は銅めっき粉末である。ニッケルめっき粉末の総含有量に基づいて計算すると、ニッケルめっき粉末は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上のニッケル元素を含有する。銅めっき粉末の総含有量に基づいて計算すると、銅めっき粉末は、一実施例では50%以上、他の実施例では70%以上、また他の実施例では90%以上の銅元素を含有する。
2種又は2種以上の第2金属粉末を併用してもよい。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、前記第2金属粉末は、一実施例では1wt%~30wt%であり、他の実施例では5wt%~20wt%であり、また他の実施例では7wt%~15wt%である。前記導電性ペースト中の上記含有量を有する第2金属粉末は、太陽電池への応用に対して十分な導電性を維持することができると同時に、製造された太陽電池の競争力を向上させることに役立つ。
前記第2金属粉末の粒径は、一実施例では0.1μm~10μmであり、他の実施例では0.5μm~7μmであり、また他の実施例では1μm~4μmである。上記粒径を有する前記第2金属粉末は、有機バインダー及び溶剤に十分に分散し、かつ前記基板に平らに塗布することができる。一実施例では、前記第2金属粉末は、異なる粒径又は異なる粒子形状を有する2種又は複数種の第2金属の混合物であってもよい。
粒径の測定値は、SEM画像により25~30個の粒子を分析することで得られる。平均粒径は、25~35個の一次粒子の直径を測定し、4000×倍率のSEM画像において個数平均値をとることにより算出することができる。SEM画像は、Hitachi SEMモデル3500などの市販の装置により得ることができる。
(iii)ガラスバインダー
ガラスバインダーは、ペーストに混合される場合、一般的に、ガラスフリットと呼ばれ、その後の焼成プロセスにおいて前記パッシベーション層を貫通して電気的接触を形成することに役立つ。ガラスバインダーは、電極とシリコン基板との接合に役立つ。ガラスバインダーは、無機酸化物を含む。ガラスバインダーは、一実施例では90wt%以上の無機酸化物、他の実施例では95wt%以上の無機酸化物、また他の実施例では98wt%以上の無機酸化物、さらに他の実施例では100wt%の無機酸化物で構成される。一実施例では、ガラスバインダーは、さらに、導電性粉末の融着を促進することができる。
ガラスバインダーは、ペーストに混合される場合、一般的に、ガラスフリットと呼ばれ、その後の焼成プロセスにおいて前記パッシベーション層を貫通して電気的接触を形成することに役立つ。ガラスバインダーは、電極とシリコン基板との接合に役立つ。ガラスバインダーは、無機酸化物を含む。ガラスバインダーは、一実施例では90wt%以上の無機酸化物、他の実施例では95wt%以上の無機酸化物、また他の実施例では98wt%以上の無機酸化物、さらに他の実施例では100wt%の無機酸化物で構成される。一実施例では、ガラスバインダーは、さらに、導電性粉末の融着を促進することができる。
一実施例では、前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、ガラスバインダーの含有量は、0.1wt%~3.3wt%である。前記フィンガー電極と前記シリコン基板との十分な電気的接続を実現するため、前記バスバー電極中のガラスバインダーの含有量を減少させることができる。前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、該含有量は、他の実施例では0.15wt%~2.2wt%であり、また他の実施例では0.2%~1.2wt%である。
ガラスバインダーの組成物は、特定の組成物に限定されない。例えば、鉛フリーガラス又は鉛含有ガラスを用いることができる。
一実施例では、ガラスバインダーは、鉛含有ガラスフリットを含み、当該鉛含有ガラスフリットは、酸化鉛と、酸化ケイ素(SiO2)及び酸化ホウ素(B2O3)からなる群から選択された1種又は複数種の酸化物とを含む。
ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化鉛(PbO)は、一実施例では30wt%~80wt%であり、他の実施例では37wt%~73wt%であり、また他の実施例では45wt%~68wt%である。
ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化ケイ素(SiO2)は、一実施例では5wt%~25wt%であり、他の実施例では8wt%~20wt%であり、また他の実施例では10wt%~18wt%である。
ガラスバインダーの総重量に基づいて計算すると、酸化ホウ素(B2O3)は、一実施例では2wt%~15wt%であり、他の実施例では3wt%~12wt%であり、また他の実施例では5wt%~10wt%である。
他の実施例では、ガラスバインダーは、TeO2、Li2O、Na2O、Bi2O3、WO3、CaO、Al2O3、ZnO、MgO、TiO2、ZrO2、BaO、MgO、K2O、CuO、AgO及びそれらの任意の混合物からなる群から選択された無機酸化物をさらに含む。
当該分野で周知の方法によってガラスバインダーを製造することができる。例えば、酸化物、水酸化物、炭酸塩などの原料を混合して溶融し、焼入れによりカレットを製造し、次に機械的粉砕(湿式粉砕又は乾式粉砕)を行うことにより、ガラスバインダー又はガラスフリットを製造することができる。その後、必要に応じて所望の粒度に分級する。
(iv)有機ビヒクル
前記導電性ペーストは、有機バインダー及び溶剤を含む有機ビヒクルを含む。
前記導電性ペーストは、有機バインダー及び溶剤を含む有機ビヒクルを含む。
一実施例では、前記有機バインダーは、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ForalynTM(水素化ロジンのペンタエリスリトールエステル)、ダンマルゴム、ウッドロジン、フェノール樹脂、アクリル樹脂、低級アルコールエステルのポリメタクリル酸又はそれらの混合物を含んでもよい。
一実施例では、溶剤は、テルペン(例えば、α-テルピネオール又はβ-テルピネオール又はそれらの混合物)、TexanolTM(2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールモノイソブチレート)、ケロシン、フタル酸ジブチル、ブチルCarbitolTM、ブチルCarbitolTM酢酸塩、ヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチリルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチル、ビス(2-(2-ブトキシエトキシ)エチル)アジペート、ジエステル(例えばInvista製のDBE(登録商標)、DBE(登録商標)-2、DBE(登録商標)-3、DBE(登録商標)-4、DBE(登録商標)-5、DBE(登録商標)-6、DBE(登録商標)-9、及びDBE(登録商標)-1B)、オクチルエポキシタレート、イソテトラデカノール及びナフサ、又はそれらの混合物を含んでもよい。
前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、有機ビヒクルの含有量は、一実施例では3wt%~23wt%であり、他の実施例では5wt%~20wt%であり、また他の実施例では7wt%~18wt%である。
焼成ステップにおいて、有機媒体を焼き切ることができるため、製造された電極は、理論的に残留物を含まない。しかしながら、当該残留物が電極の電気的特性を低下させない限り、これにより得られた電極は、一定量の残留物を残す可能性がある。
(v)添加剤
必要に応じて、増粘剤、安定剤、分散剤、粘度調整剤及び界面活性剤などの様々な添加剤を導電性ペーストに添加することができる。前記添加剤の量は、得られた導電性ペーストの所望の特性に依存し、かつ当業者によって選択することができる。前記導電性ペーストには、複数の添加剤を添加してもよい。
必要に応じて、増粘剤、安定剤、分散剤、粘度調整剤及び界面活性剤などの様々な添加剤を導電性ペーストに添加することができる。前記添加剤の量は、得られた導電性ペーストの所望の特性に依存し、かつ当業者によって選択することができる。前記導電性ペーストには、複数の添加剤を添加してもよい。
以上は前記バスバー電極を形成するための前記導電性ペーストの成分を説明したが、前記導電性ペーストは、原料に由来するか又は製造プロセスによる汚染に由来する不純物を含む可能性がある。しかしながら、不純物の存在は、前記導電性ペーストの予期される特性を顕著に変更しない限り、許容する(良性と定義する)ことができる。前記導電性ペーストが良性の不純物を含んでも、前記導電性ペーストで製造されたバスバー電極は、本明細書に記載された十分な電気的特性を得ることができる。
(vi)粘度及び固形分含有量
前記導電性ペーストの粘度は、一実施例では100Pa・s~600Pa・sであり、他の実施例では150Pa・s~500Pa・sであり、また他の実施例では200Pa・s~400Pa・sである。上記粘度であれば、一般的に、優れた印刷性が得られることが見出される。
前記導電性ペーストの粘度は、一実施例では100Pa・s~600Pa・sであり、他の実施例では150Pa・s~500Pa・sであり、また他の実施例では200Pa・s~400Pa・sである。上記粘度であれば、一般的に、優れた印刷性が得られることが見出される。
前記導電性ペースト中の無機固体の含有量は、導電性ペーストの総重量に対する無機固体の百分率(wt%)で計算される。前記無機固体は、一般的に、導電性金属/合金粉末及びガラスフリットで構成される。前記導電性ペーストの総重量に基づいて計算すると、前記無機固体の含有量は、一実施例では68.5wt%~96.7wt%であり、他の実施例では85wt%~94wt%である。
(実施例)
(実施例)
本発明は、以下の実施例によって説明されるが、これらに限定されない。実施例における「部」は、重量部を指す。
(実施例1)
(実施例1)
1.バスバーペーストの調製
ブチルCarbitolTM酢酸塩、DBE-3、TexanolTM、エチルセルロース、Foralyn及び添加剤で構成された有機ビヒクルと粘度調整剤とを15分間混合する。均一に分散させるために、0.6部のガラスフリットを17.4部の有機ビヒクルに分散させ、15分間混合する。ガラスフリットは、PbO-SiO2-B2O3型である。次に、8.2部のニッケル(Ni)粉末を徐々に添加し、次に73.8部の銀粉末を徐々に添加する。SEM画像の分析測定により得られたNi粉末の粒径(数平均)は、4μmである。ニッケル粉末の形状は、粗い立方体である。レーザー回折散乱法で測定されたAg粉末は、1.2μmの粒径(D50)を有する球状の粉末である。混合物を、圧力が0psiから400psiまで徐々に増加しながら、3本ロールミルに繰り返して通過させる。ロール間のギャップを1milに調整する。
ブチルCarbitolTM酢酸塩、DBE-3、TexanolTM、エチルセルロース、Foralyn及び添加剤で構成された有機ビヒクルと粘度調整剤とを15分間混合する。均一に分散させるために、0.6部のガラスフリットを17.4部の有機ビヒクルに分散させ、15分間混合する。ガラスフリットは、PbO-SiO2-B2O3型である。次に、8.2部のニッケル(Ni)粉末を徐々に添加し、次に73.8部の銀粉末を徐々に添加する。SEM画像の分析測定により得られたNi粉末の粒径(数平均)は、4μmである。ニッケル粉末の形状は、粗い立方体である。レーザー回折散乱法で測定されたAg粉末は、1.2μmの粒径(D50)を有する球状の粉末である。混合物を、圧力が0psiから400psiまで徐々に増加しながら、3本ロールミルに繰り返して通過させる。ロール間のギャップを1milに調整する。
最後に、追加の有機媒体又は希釈剤を混合して、ペーストの粘度を調整する。Brookfield HBT粘度計と#14型スピンドルとSC4-14/6R型ユーティリティカップとを用いて、10rpm及び25℃で測定した粘度は300Pa・sである。
2.太陽電池の製造
印刷作業は、Bacciniプリンタ(Applied Materials社製)で行われる。上記で得られたバスバーペースト及び市販のフィンガーペースト(DuPont PV22A)を、所望のバスバー及びフィンガーパターンでウェハに順にスクリーン印刷する。フィンガーペーストPV22Aは、銀ペーストであり、他の導電性成分を含まない。ウェハは、英業達太陽エネルギー社(lnventec Solar Energy Corporation)から得られたP型単結晶PERC(裏面パッシベーション化エミッタセル、Passivated Emitter Rear Cell)電池である。バスバースクリーンは400メッシュであり、線径が18μmであり、乳剤の厚さが10μmである(Murakamiスクリーン社製)。フィンガースクリーンは440メッシュであり、線径が13μmであり、乳剤の厚さが12μmである(Murakamiスクリーン社製)。
印刷作業は、Bacciniプリンタ(Applied Materials社製)で行われる。上記で得られたバスバーペースト及び市販のフィンガーペースト(DuPont PV22A)を、所望のバスバー及びフィンガーパターンでウェハに順にスクリーン印刷する。フィンガーペーストPV22Aは、銀ペーストであり、他の導電性成分を含まない。ウェハは、英業達太陽エネルギー社(lnventec Solar Energy Corporation)から得られたP型単結晶PERC(裏面パッシベーション化エミッタセル、Passivated Emitter Rear Cell)電池である。バスバースクリーンは400メッシュであり、線径が18μmであり、乳剤の厚さが10μmである(Murakamiスクリーン社製)。フィンガースクリーンは440メッシュであり、線径が13μmであり、乳剤の厚さが12μmである(Murakamiスクリーン社製)。
印刷されたペーストをベルト炉で200℃で30秒間乾燥させ、次にIR加熱型ベルト炉(CF-7210B、Despatch Industries社)で895℃の設定ピーク温度で焼成し、フィンガー電極及びバスバー電極を製造する。炉温を、前記シリコン基板の上面の測定温度728℃に対応するように895℃に設定する。炉の入口から出口までの焼成時間は72秒間である。焼成分布曲線の昇温勾配は7秒内に400℃から600℃まで上昇し、かつ600℃を超える段階で4.7秒間維持する。K型熱電対で前記シリコン基板の上面の温度を測定し、かつ環境データロガー(Datapaq(登録商標) Furnace Tracker(登録商標) System、DP9064Aモデル、Datapaq Ltd.)で当該温度を記録する。炉のベルト速度は660cpmである。
3.テスト手順
3-1.電池I-V特性
製造された太陽電池の効率を市販のIVテスター(FRIWO(登録商標)、BERGER社)でテストする。IVテスターにおけるキセノンアークランプは、大気質値が1.5であるときに、既知の強度及びスペクトルで太陽光をシミュレーションすることにより、nベースの太陽電池のp型エミッタ側を照射する。テスターは、「4点プローブ法」で負荷抵抗の設定値が約400の条件で電流(I)及び電圧(V)を測定することにより、電池のI-V曲線を決定する。バスバーは電池の表面に形成され、かつIVテスターの複数のプローブに接続されることにより、電気信号をプローブによりデータ処理コンピュータに伝送して、短絡電流、開回路電圧、フィルファクタ(Fill-factor FF)、直列抵抗及び電池効率を含む太陽電池のI-V特性を得ることができる。
3-1.電池I-V特性
製造された太陽電池の効率を市販のIVテスター(FRIWO(登録商標)、BERGER社)でテストする。IVテスターにおけるキセノンアークランプは、大気質値が1.5であるときに、既知の強度及びスペクトルで太陽光をシミュレーションすることにより、nベースの太陽電池のp型エミッタ側を照射する。テスターは、「4点プローブ法」で負荷抵抗の設定値が約400の条件で電流(I)及び電圧(V)を測定することにより、電池のI-V曲線を決定する。バスバーは電池の表面に形成され、かつIVテスターの複数のプローブに接続されることにより、電気信号をプローブによりデータ処理コンピュータに伝送して、短絡電流、開回路電圧、フィルファクタ(Fill-factor FF)、直列抵抗及び電池効率を含む太陽電池のI-V特性を得ることができる。
3-2.剥離力
952-Sフラックス(Kester)を用いて180℃で銅リボンをテスト用太陽電池のバスバーにはんだ付けして、180度の剥離接着力テストを行う。平均剥離力を算出するために、少なくとも3つのサンプルをテストする。
(実施例2)
952-Sフラックス(Kester)を用いて180℃で銅リボンをテスト用太陽電池のバスバーにはんだ付けして、180度の剥離接着力テストを行う。平均剥離力を算出するために、少なくとも3つのサンプルをテストする。
(実施例2)
4μmではなく、2.5μmの粒径(数平均)を有するニッケル(Ni)粉末を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。Ni粉末の形状は、粗くて不規則である。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
(実施例3)
(実施例3)
ニッケル粉末ではなく、2μmの粒径(数平均)を有する銅(Cu)粉末を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。Cu粉末の形状は、滑らかな球状である。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
(比較例1)
(比較例1)
第2金属を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
(比較例2)
(比較例2)
ニッケル粉末ではなく、3μmの粒径(数平均)を有する酸化アルミニウム(Al2O3)粉末を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。Al2O3粉末の形状は、滑らかな球状である。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
(比較例3)
(比較例3)
ニッケル粉末ではなく、5μmの粒径(数平均)を有する酸化アルミニウム(Al2O3)粉末を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。Al2O3粉末の形状は、滑らかな球状である。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
(比較例4)
(比較例4)
1.5μmの粒径(数平均)を有するアルミニウム(Al)粉末を用いることを除いて、実施例1と同じ方法で太陽電池を製造する。Al粉末の形状は、滑らかな球状である。実施例1で用いられた手順に従って、太陽電池のIV特性及び剥離力をテストする。
以下の表1に実施例及び比較例のテスト結果を示す。実施例1、実施例2及び実施例3の効率は、第2金属を含まない比較例1の効率に相当する。10wt%のAg(例えば、比較例1における82wt%のAgのうちの8.2wt%のAg)をNi又はCu粉末に置き換えると、効率及び剥離力の損失が最も小さく、貴金属Agの使用量が顕著に減少する。比較例2及び比較例3は両方とも、FFの低下によって効率損失が顕著である。比較例4では、IV特性値が低すぎるため、測定することができず、かつリボンが電極に貼り付けられないため、剥離力を測定することができない。
Claims (11)
- 表面と裏面とを有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記シリコン基板と電気的に接触し、銀成分とガラスバインダーとを含み、かつ前記銀成分以外の他の導電性金属を実質的に含まないフィンガー電極と、
前記シリコン基板の前記表面に形成され、前記フィンガー電極と電気的に接触し、銀成分と、ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択された第2金属と、ガラスバインダーとを含むバスバー電極とを含む、
太陽電池。 - 前記第2金属は、ニッケルである、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第2金属は、銅である、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記フィンガー電極の総重量に基づいて計算すると、前記フィンガー電極は、80wt%~99.5wt%の前記銀成分及び0.5wt%~20wt%の前記ガラスバインダーを含む、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記バスバー電極の総重量に基づいて計算すると、前記バスバー電極は、74wt%~98wt%の前記銀成分、2wt%~25wt%の前記第2金属、及び0.1wt%~3wt%の前記ガラスバインダーを含む、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記フィンガー電極中のガラスバインダーの含有量は、前記バスバー電極中のガラスバインダーの含有量よりも高い、
請求項1に記載の太陽電池。 - 表面と裏面とを有するシリコン基板を製造するステップと、
バスバー電極を形成するための第1導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するステップであって、前記第1導電性ペーストは、ペースト組成物の総重量に基づいて計算すると、(a)68wt%~88wt%の銀成分、(b)ニッケル、銅、ニッケル銅合金及びそれらの混合物からなる群から選択された1wt%~30wt%の金属粉末、(c)0.1wt%~3.3wt%のガラスバインダー、及び(d)3wt%~23wt%の有機ビヒクルを含むステップと、
フィンガー電極を形成するための第2導電性ペーストを前記シリコン基板の前記表面に塗布するステップであって、前記第2導電性ペーストは、ペースト組成物の総重量に基づいて計算すると、(a)70wt%~95wt%の銀成分、(b)0.6wt%~7wt%のガラスバインダー、及び(c)3wt%~23wt%の有機ビヒクルを含み、前記銀成分以外の導電性金属は実質的に含まないステップと、
塗布された導電性ペーストを焼成することにより、前記シリコン基板の前記表面に前記フィンガー電極及び前記バスバー電極を製造するステップとを含む、
太陽電池の製造方法。 - 前記フィンガー電極を形成するための前記第2導電性ペースト中のガラスバインダーの含有量は、前記バスバー電極を形成するための前記第1導電性ペースト中のガラスバインダーの含有量よりも多い、
請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - 第2金属粉末の平均粒径は、0.1μm~10μmである、
請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - まず、前記第2導電性ペーストを塗布し、次に、前記第1導電性ペーストを塗布する、
請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - まず、前記第1導電性ペーストを塗布し、次に、前記第2導電性ペーストを塗布する、
請求項7に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062977997P | 2020-02-18 | 2020-02-18 | |
US62/977,997 | 2020-02-18 | ||
PCT/US2021/017318 WO2021167818A1 (en) | 2020-02-18 | 2021-02-10 | Solar cell and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022550638A true JP2022550638A (ja) | 2022-12-02 |
Family
ID=74858792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022535952A Pending JP2022550638A (ja) | 2020-02-18 | 2021-02-10 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210257505A1 (ja) |
EP (1) | EP4107788B1 (ja) |
JP (1) | JP2022550638A (ja) |
KR (1) | KR20220047405A (ja) |
CN (1) | CN114556592A (ja) |
WO (1) | WO2021167818A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023018838A1 (en) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | Applied Cavitation, Inc. | Systems and methods for cavitation of core shell particles |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103443867B (zh) | 2011-01-18 | 2017-11-14 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 导电性糊膏组合物以及由其制成的太阳能电极和触点 |
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JP6697773B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2020-05-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 太陽電池の電極構造及びその形成方法 |
-
2021
- 2021-02-03 US US17/166,673 patent/US20210257505A1/en not_active Abandoned
- 2021-02-10 KR KR1020227011413A patent/KR20220047405A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-02-10 EP EP21710131.0A patent/EP4107788B1/en active Active
- 2021-02-10 CN CN202180005732.8A patent/CN114556592A/zh active Pending
- 2021-02-10 WO PCT/US2021/017318 patent/WO2021167818A1/en unknown
- 2021-02-10 JP JP2022535952A patent/JP2022550638A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4107788A1 (en) | 2022-12-28 |
CN114556592A (zh) | 2022-05-27 |
US20210257505A1 (en) | 2021-08-19 |
WO2021167818A1 (en) | 2021-08-26 |
KR20220047405A (ko) | 2022-04-15 |
EP4107788B1 (en) | 2024-03-20 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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