JP2022546475A - 折り畳み式装置、折り畳み式基板、およびその製造方法 - Google Patents

折り畳み式装置、折り畳み式基板、およびその製造方法 Download PDF

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ホアン，ミン－ホアン
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ムレイネク，ミハル
カイエド カラウシュ，ユスフ
トラン，エリザベス
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Abstract

折り畳み式装置は、軸の周りに折り畳める折り畳み式基板であって、第１の主面と第２の主面との間に規定される基板厚さを有する基板を備える。この折り畳み式基板は、第１の部分と第２の部分との間に位置する中央部分を有する。この第１の部分は、基板厚さを有する。中央部分は、基板厚さより小さい中央厚さを有する。いくつかの実施の形態において、中央部分の幅は、約４５ミリメートル以下である。折り畳み式装置を製造する方法は、折り畳み式基板の第１の主面に凹部を形成する工程を有してなる。いくつかの実施の形態において、方法は、折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。

Description

関連出願の説明
本出願は、その各々の内容が依拠され、ここに全て引用される、２０２０年５月１１日に出願された米国仮特許出願第６３／０２２７４８号、２０１９年１０月１４日に出願された米国仮特許出願第６２／９１４７２０号、および２０１９年８月２９日に出願された米国仮特許出願第６２／８９３２９１号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
本開示は、広く、折り畳み式装置、折り畳み式基板、およびその製造方法に関し、より詳しくは、複数の部分を含む折り畳み式装置と折り畳み式基板、および折り畳み式装置と折り畳み式基板を製造する方法に関する。
ガラス系基板が、例えば、表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などに、よく使用されている。
ディスプレイの折り畳み式のもの、並びに折り畳み式ディスプレイ上に載置される折り畳み式保護カバーを開発することが望ましい。折り畳み式ディスプレイおよびカバーは、良好な耐衝撃性および穿刺抵抗を有するべきである。それと同時に、折り畳み式ディスプレイおよびカバーは、小さい最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル（ｍｍ）以下）を有するべきである。しかしながら、小さい最小曲げ半径を有するプラスチック製ディスプレイおよびカバーの耐衝撃性および／または穿刺抵抗は、不十分である傾向にある。さらに、世間一般の見解では、小さい最小曲げ半径を有する極薄ガラス系シート（例えば、約７５マイクロメートル（μｍまたはミクロン）以下の厚さ）の耐衝撃性および／または穿刺抵抗は、不十分である傾向にあると言われている。さらに、耐衝撃性および／または穿刺抵抗が良好な、より厚いガラス系シート（例えば、１２５マイクロメートル超）は、比較的大きい最小曲げ半径（例えば、約３０ミリメートル以上）を有する傾向にある。
その結果、小さい最小曲げ半径および良好な耐衝撃性および穿刺抵抗を有する折り畳み式装置を開発する必要がある。
第１の部分と第２の部分を有する折り畳み式装置、折り畳み式基板、並びに折り畳み式装置と折り畳み式基板を製造する方法が、ここに述べられている。それらの部分は、良好な寸法安定性、機械的不安定性の発生率の低下、良好な耐衝撃性、および／または良好な穿刺抵抗を提供することができる、ガラス系および／またはセラミック系部分を含み得る。第１の部分および／または第２の部分は、さらに向上した耐衝撃性および／または穿刺抵抗をさらに提供できる、１つ以上の圧縮応力領域を含むガラス系および／またはセラミック系部分を含み得る。ガラス系および／またはセラミック系基板を含む基板を提供することによって、その基板は、さらに向上した耐衝撃性および／または穿刺抵抗も提供できると同時に、良好な折り畳み性能を促進させることができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さは、良好な耐衝撃性および良好な穿刺抵抗を提供するのに十分に大きく（例えば、約８０マイクロメートル（ミクロンまたはμｍ）から約２ミリメートル）あり得る。第１の部分および／または第２の部分の基板厚さより小さい中央厚さを有する中央部分を含む折り畳み式基板を提供することにより、その中央部分における減少した厚さに基づいて、小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル（ｍｍ）以下）を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、中央厚さは、小さい有効曲げ半径（例えば、約１０ｍｍ以下、約９ｍｍ以下、約８ｍｍ以下、約７ｍｍ以下、約６ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約２ｍｍ以下、または約１ｍｍ以下）を提供するために、折り畳み式装置の曲げ領域（例えば、中央部分）において十分に小さく（例えば、約１０マイクロメートルから約１２５マイクロメートル）あり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板は、中央部分を第１の部分に取り付ける第１の移行領域および／または中央部分を第２の部分に取り付ける第２の移行領域を含み得る。移行領域に連続して増加する厚さを設けることによって、その移行領域における応力集中を減少させることができる、および／または光学的歪みを避けることができる。十分な長さ（例えば、約１ｍｍ以上）の移行領域を設けることによって、折り畳み式基板の厚さにおける急な階段状の変化によりそうでなければ存在するかもしれない光学的歪みを避けることができる。十分に小さい長さ（例えば、約５ｍｍ以下）の移行領域を設けることによって、減少した耐衝撃性および／または減少した穿刺抵抗を有するかもしれない中間厚さを有する折り畳み式基板の量を減少させることができる。
中央部分の１種類以上のアルカリ金属の濃度に近い１種類以上のアルカリ金属の平均濃度（例えば、酸化物基準の１００百万分率、１０百万分率以内）を有する第１の部分および／または第２の部分を設けることによって、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の膨張差を最小にすることができる。実質的に均一な膨張により、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
中央部分の対応する比に近い（例えば、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する層の深さの比を与えることにより化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の表面近くの膨張の差を最小にすることができる。表面近くの膨張の差を最小にすることにより、第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の中央表面区域の面における応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、さらに、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
中央部分の対応する比に近い（例えば、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する圧縮深さの比を与えることによって、中央部分に対する第１の部分および／または第２の部分における化学強化により誘発された歪みの間の差を最小にすることができる。化学強化により誘発された歪みの差を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の中央表面区域上の応力および／または歪みを最小にすることによって、応力誘起光学的歪みを減少させることができる。また、そのような応力を最小にすることにより、穿刺抵抗および／または耐衝撃性を向上させることができる。また、そのような応力を最小にすることを、中心線に沿った光学的遅れの小さい差（例えば、約２ナノメートル以下）に関連付けることができる。さらに、そのような応力を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
第１の部分の第１の引張応力領域の第１の最大引張応力および／または第２の部分の第２の引張応力領域の第２の最大引張応力より大きい中央部分の中央引張応力領域の中央最大引張応力を提供することによって、良好な折り畳み性能を提供しつつ、第１の部分および／または第２の部分における衝撃からの低エネルギー破壊を提供することができる。いくつかの実施の形態において、低エネルギー破壊は、中央部分の減少した厚さの結果であることがあり、この減少した厚さは、より厚いガラス物品が貯蔵するであろうよりも、所与の最大引張応力に関して少ないエネルギーを貯蔵する。いくつかの実施の形態において、低エネルギー破壊は、曲げを経験している中央部分から離れて位置する第１の部分および／または第２の部分における破壊の結果であることがあり、ここで、第１の部分および／または第２の部分は、中央部分よりも低い最大引張応力を有する。さらに、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の圧縮応力領域に関連付けられた実質的に均一な圧縮深さを提供することにより、不均一なイオン交換のためのマスキングまたは別の方法の使用を避けることによって、物品の製造を簡単にすることができる。
折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに中立応力形態が提供されるので、折り畳み式装置を所定の平行板距離に曲げる力を減少させることができる。さらに、折り畳み式装置が曲げ状態にあるときに、中立応力形態を設けることによって、通常の使用条件中に、折り畳み式基板、接着剤層、および／または高分子系部分が経験する最大応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、例えば、折り畳み式装置の耐久性を向上させることができる、および／または疲労を減少させることができる。いくつかの実施の形態において、この高分子系部分は、低い（例えば、負の）熱膨張係数を有し得、これにより、高分子系部分の硬化中の体積変化により生じる反りを軽減することができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、硬化の結果として膨張する高分子系部分を提供することによって、生じさせることができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、曲げ形態で高分子系部分を硬化させることによって、生じさせることができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、高温で（例えば、折り畳み式基板が、約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲の粘度を有するとき）折り畳み式基板を曲げることによって、生じさせることができる。
本開示の方法は、上述した利益の内の１つ以上を有する折り畳み式基板の製造を可能にすることができる。例えば、第１の中央表面区域および／または第２の中央表面区域を覆って拡散バリアを配置することにより、第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の化学強化の速度を調節することができる。例えば、第１の部分および／または第２の部分の表面区域を覆ってアルカリ金属イオン含有ペーストを配置することによって、第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の上記比および／または濃度の内の１つ以上の釣り合わせを促進することにより、上記利益を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板は、機械的変形および／または機械的不安定性を被らずに、より大きい圧縮応力を達成するためにさらなる化学強化を経ることができ、そのより大きい圧縮応力は、折り畳み式基板の耐衝撃性および／または穿刺抵抗をさらに向上させることができる。
さらに、本開示の実施の形態の方法は、単一の化学強化工程（例えば、アルカリイオン含有ペーストを加熱する工程、折り畳み式基板をアルカリイオン含有溶液中に浸漬する工程）で上述した利益を達成することができ、これにより、折り畳み式基板の製造に関連する時間、設備、空間、および人件費を減少させることができる。例えば、中央部分の両面を覆って配置された拡散バリアは、単一の化学強化工程後に折り畳み式基板を製造できる厚さを有し得る。例えば、単一の化学強化工程後に折り畳み式基板を製造するために、第１の部分および／または第２の部分に施されるアルカリ金属イオン含有ペーストと異なるアルカリ金属イオン含有ペーストを、中央部分に施すことができる。いくつかの実施の形態において、第１の部分および／または第２の部分に施されるアルカリ金属イオン含有ペーストのほうが、中央部分に施される異なるアルカリ金属イオン含有ペーストよりも、１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を高することができる。いくつかの実施の形態において、中央部分に施される異なるアルカリ金属イオン含有ペーストは、中央部分を化学強化する速度を減少させることができる１種類以上のアルカリ土類金属イオンを含み得る。
本開示のいくつかの例示の実施の形態が、様々な実施の形態の特徴のいずれを、単独で、または互いとの組合せで使用してもよいという了解の下で、下記に記載されている。
実施の形態１．折り畳み式装置は、折り畳み式基板の幅方向に延在する軸の周りに折り畳める折り畳み式基板を備える。この折り畳み式基板は、第１の主面と、この第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定される基板厚さをさらに有する。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分、第１の主面の第１の表面区域、および第１の最大引張応力を有する第１の引張応力領域をさらに有する。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分、第１の主面の第３の表面区域、および第２の最大引張応力を有する第２の引張応力領域をさらに有する。この折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と、この第１の中央表面区域の反対にある第２の主面との間に規定される中央厚さを有する中央部分をさらに有する。この第１の中央表面区域は、第１の表面区域を第３の表面区域に取り付ける。中央厚さは、基板厚さより小さい。中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有する。この中央部分は、折り畳み式基板の幅方向に垂直な折り畳み式基板の長さ方向に、第１の部分と第２の部分との間に位置している。第１の最大引張応力および第２の最大引張応力は、中央最大引張応力よりも小さい。
実施の形態２．第１の最大引張応力が約１００メガパスカル以下である、実施の形態１の折り畳み式装置。第２の最大引張応力は、約１００メガパスカル以下である。中央最大引張応力は、約１２５メガパスカルから約３７５メガパスカルの範囲にある。
実施の形態３．第１の最大引張応力が、約１０メガパスカルから約１００メガパスカルの範囲にある、実施の形態１～２のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の最大引張応力は、約１０メガパスカルから約１００メガパスカルの範囲にある。
実施の形態４．中央部分が、第１の部分を中央部分に取り付ける第１の移行部分をさらに有する、実施の形態１～３のいずれか１つの折り畳み式装置。この第１の移行部分は、中央部分から第１の部分に連続して増加する厚さを有する。この中央部分は、第２の部分を中央部分に取り付ける第２の移行部分をさらに有する。この第２の移行部分は、中央部分から第２の部分に連続して増加する厚さを有する。
実施の形態５．中央部分の幅が、約３ミリメートルから約４５ミリメートルの範囲にある、実施の形態１～４のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態６．折り畳み式装置は、第一面に沿って延在する第１の主面、この第一面に平行な第二面に沿って延在する第２の主面を有する折り畳み式基板を備える。この折り畳み式装置は、第一面と第二面との間に規定される基板厚さを有する。折り畳み式基板は、第１の主面の第１の表面区域を有する第１の部分をさらに有する。折り畳み式基板は、第１の主面の第３の表面区域を有する第２の部分をさらに有する。折り畳み式基板は、折り畳み式基板の第１の部分を折り畳み式基板の第２の部分に取り付ける中央部分をさらに有する。この中央部分は、第１の表面区域と第３の表面区域との間に位置付けられた第１の中央表面区域を有する。この中央部分は、第二面と第１の中央表面区域との間に規定される折り畳み式基板の中央厚さを有する。この中央厚さは、基板厚さより小さい。中央部分は、第１の部分を中央部分に取り付ける第１の移行部分を有する。この第１の移行部分は、中央部分から第１の部分に連続して増加する厚さを有する。中央部分は、第２の部分を中央部分に取り付ける第２の移行部分を有する。この第２の移行部分は、中央部分から第２の部分に連続して増加する厚さを有する。中央部分の幅は、約３ミリメートルから約４５ミリメートルの範囲にある。中央部分の第１の中央表面区域と第一面との間に、凹部が画成されている。その凹部を接着剤が満たす。
実施の形態７．中央部分の第１の中央表面区域が、第二面に平行な第三面に沿って延在する中央部分の中央主面を有する、実施の形態６の折り畳み式装置。
実施の形態８．第１の移行部分の幅および／または第２の移行部分の幅が、約１ミリメートルから約５ミリメートルの範囲にある、実施の形態４～７のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態９．第１の移行部分の厚さが、中央部分から第１の部分へと定率で増加する、実施の形態４～８のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態１０．第２の移行部分の厚さが、中央部分から第２の部分へと定率で増加する、実施の形態４～９のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態１１．折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、その折り畳み式装置が、中立応力形態を有する、実施の形態１～１０のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態１２．折り畳み式装置は、折り畳み式基板の幅方向に延在する軸の周りに折り畳める折り畳み式基板を備える。折り畳み式基板は、第１の主面と、その第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定される基板厚さをさらに有する。この折り畳み式基板は、基板厚さおよび第１の主面の第１の表面区域を有する第１の部分をさらに有する。この折り畳み式基板は、基板厚さおよび第１の主面の第３の表面区域を有する第２の部分をさらに有する。折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と、この第１の中央表面区域と反対にある第２の主面との間に規定される中央厚さを有する中央部分をさらに有する。この第１の中央表面区域は、第１の表面区域を第３の表面区域に取り付ける。中央部分の幅は、約４５ミリメートル以下である。中央厚さは、基板厚さより小さい。中央部分は、折り畳み式基板の幅方向に垂直な折り畳み式基板の長さ方向に、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられている。折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、この折り畳み式装置は、中立応力形態を有する。
実施の形態１３．折り畳み式装置が、中央部分の第１の中央表面区域と、第１の主面がそれに沿って延在する第一面との間に画成される凹部内に位置付けられた高分子系部分を有する、実施の形態１１～１２のいずれか１つの折り畳み式装置。平らな形態から中立応力形態への折り畳み式装置の動きは、１％から約８％の範囲にある高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する。
実施の形態１４．偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施の形態１３の折り畳み式装置。
実施の形態１５．折り畳み式装置の折り畳み式基板が、約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲にある有効最小曲げ半径を有する、実施の形態５～１４のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態１６．折り畳み式基板が、１０ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施の形態１５の折り畳み式装置。
実施の形態１７．折り畳み式基板が、５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施の形態１５の折り畳み式装置。
実施の形態１８．折り畳み式基板が、２ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施の形態１５の折り畳み式装置。
実施の形態１９．中央部分の幅が、有効最小曲げ半径の約２．８倍から有効最小曲げ半径の約６倍の範囲にある、実施の形態１５～１８のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２０．中央部分の幅が、有効最小曲げ半径の約４．４倍である、実施の形態１５～１８のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２１．中央部分の幅が、約２．８ミリメートルから約４０ミリメートルの範囲にある、実施の形態１５～１８のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２２．基板厚さが、約８０マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある、実施の形態１～２１のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２３．基板厚さが、約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、実施の形態２２の折り畳み式装置。
実施の形態２４．中央厚さが、約１０マイクロメートルから約１２５マイクロメートルの範囲にある、実施の形態１～２３のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２５．中央厚さの範囲が、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルである、実施の形態２４の折り畳み式装置。
実施の形態２６．中央厚さが、基板厚さの約０．５％から約１３％の範囲にある、実施の形態１～２５のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２７．基板厚さが、中央厚さの約４倍より少なくとも７１マイクロメートル大きい、実施の形態１～２６のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態２８．第１の部分が、第１の主面の第１の表面区域から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域および第２の主面の第２の表面区域から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域をさらに有する、実施の形態１～２７のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の部分は、第１の主面の第３の表面区域から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域および第２の主面の第４の表面区域から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域をさらに有する。中央部分は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域および第２の主面の第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域をさらに有する。
実施の形態２９．基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２８の折り畳み式装置。
実施の形態３０．基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２８～２９のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態３１．基板厚さの百分率としての第２の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２８～３０のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態３２．基板厚さの百分率としての第４の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２８～３１のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態３３．第１の中央圧縮深さが、中央厚さの約１０％から約３０％の範囲にある、実施の形態２８～３２のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の中央圧縮深さは、中央厚さの約１０％から約３０％の範囲にある。
実施の形態３４．第１の圧縮深さが、基板厚さの約１％から約１０％の範囲にある、実施の形態２８～３３のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の圧縮深さは、基板厚さの約１％から約１０％の範囲にある。
実施の形態３５．第３の圧縮深さが、基板厚さの約１％から約１０％の範囲にある、実施の形態２８～３４のいずれか１つの折り畳み式装置。第４の圧縮深さは、基板厚さの約１％から約１０％の範囲にある。
実施の形態３６．第１の圧縮深さが、第１の中央圧縮深さと実質的に等しい、実施の形態２８～３５のいずれか１つの折り畳み式装置。第３の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さと実質的に等しい。
実施の形態３７．第２の圧縮深さが、第２の中央圧縮深さと実質的に等しい、実施の形態２８～３６のいずれか１つの折り畳み式装置。第４の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しい。
実施の形態３８．中央部分の第１の中央圧縮深さが、第１の主面の第１の表面区域からの第１の部分の第１の圧縮深さより小さい、実施の形態２８～３５のいずれか１つの折り畳み式装置。中央部分の第１の中央圧縮深さは、第１の主面の第２の表面区域からの第２の部分の第３の圧縮深さより小さい。
実施の形態３９．第１の圧縮応力領域が、約７００メガパスカル以上の第１の最大圧縮応力を有する、実施の形態２８～３８のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の圧縮応力領域は第２の最大圧縮応力を有し、第３の圧縮応力領域は、約７００メガパスカル以上の第３の最大圧縮応力を有する。第４の圧縮応力領域は、第４の最大圧縮応力を有する。第１の中央圧縮応力領域は、約７００メガパスカル以上の第１の中央最大圧縮応力を有する。第２の中央圧縮応力領域は、第２の中央最大引張応力を有する。
実施の形態４０．第２の最大圧縮応力が、約７００メガパスカル以上である、実施の形態３９の折り畳み式装置。第４の最大圧縮応力は、約７００メガパスカル以上である。第２の中央最大引張応力は、約７００メガパスカル以上である。
実施の形態４１．第１の部分が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態２８～４０のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の部分は、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含む。中央部分は、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態４２．カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差が、約１００百万分率以下である、実施の形態４１の折り畳み式装置。
実施の形態４３．第１の部分が、第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有する、実施の形態２８～４２のいずれか１つの折り畳み式装置。第２の部分は、第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび第４の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有する。中央部分は、第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態４４．基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．１％以下である、実施の形態４３の折り畳み式装置。
実施の形態４５．基板厚さの百分率としての第２の層の深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．１％以下である、実施の形態４３～４４のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態４６．基板厚さの百分率としての第４の層の深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．１％以下である、実施の形態４３～４５のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態４７．第１の部分と第２の部分との中間の中心線に沿った中央部分の光学的遅れをさらに有する、実施の形態２８～４６のいずれか１つの折り畳み式装置。その中心線に沿った光学的遅れの最大値と、その中心線に沿った光学的遅れの最小値との間の絶対差は、約２ナノメートル以下である。
実施の形態４８．折り畳み式基板がガラス系基板である、実施の形態１～４７のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態４９．折り畳み式基板がセラミック系基板である、実施の形態１～４７のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態５０．中央部分の第１の中央表面区域と、第１の主面により画成された第一面との間に画成された凹部が、接着剤で満たされている、実施の形態１～５のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態５１．接着剤が、第１の主面の第１の表面区域と接触する第１の接触面を有する、実施の形態６または実施の形態５０の折り畳み式装置。第１の主面の第２の表面区域は、第１の主面の反対にある。中央部分の第１の中央表面区域、接着剤は、接着剤の第１の接触面から間隔が空けられた第２の接触面を有する。
実施の形態５２．折り畳み式基板の屈折率と、接着剤の屈折率との間の差の大きさが、約０．１以下である、実施の形態５０～５１のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態５３．接着剤の第２の接触面に取り付けられた表示装置をさらに備える、実施の形態５０～５２のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態５４．接着剤の第２の接触面に取り付けられた剥離ライナーをさらに備える、実施の形態５０～５２のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態５５．前面、背面、および側面を有する筐体を備えた消費者向け電気製品。電気部品が、少なくとも部分的に筐体内にある。その電気部品は、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む。そのディスプレイは、筐体の前面にある、またはそれに隣接している。この消費者向け電気製品は、ディスプレイを覆って配置されたカバー基板を含む。筐体の一部またはカバー基板の少なくとも一方は、実施の形態１～５４のいずれか１つの折り畳み式装置を構成する。
実施の形態５６．折り畳み式装置を製造する方法は、折り畳み式基板の第１の部分および折り畳み式基板の第２の部分を取り付ける第１の中央表面区域を提供する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程を含む。中央部分は、第１の部分をこの中央部分に取り付ける第１の移行部分を含む。この第１の移行部分の厚さは、中央部分から第１の部分に連続して増加する。中央部分は、第２の部分を中央部分に取り付ける第２の移行部分を含む。この第２の移行部分の厚さは、中央部分から第２の部分に連続して増加する。この方法は、中央部分の第１の中央表面区域、第１の主面の第１の部分の第１の表面区域、第１の主面の第２の部分の第３の表面区域、および折り畳み式基板の第２の主面を化学的に強化する工程を含む。この方法は、第１の主面の第１の表面区域、第１の主面の第３の表面区域、および中央部分の第１の中央表面区域と接触するように接着剤を施す工程を含む。この接着剤は凹部を満たす。
実施の形態５７．凹部が、折り畳み式基板の第１の主面内に機械的に形成される、実施の形態５６の方法。
実施の形態５８．化学的に強化する工程の前に、折り畳み式基板の厚さを減少させる工程をさらに含む、実施の形態５６～５７のいずれか１つの方法。
実施の形態５９．厚さを減少させる工程が、凹部を形成する工程の後に行われる、実施の形態５８の方法。
実施の形態６０．厚さを減少させる工程が、折り畳み式基板の第２の主面の層を除去する工程を含む、実施の形態５８～５９のいずれか１つの方法。
実施の形態６１．化学的に強化する工程の後であって、接着剤を施す工程の前に、折り畳み式基板をエッチングする工程をさらに含む、実施の形態５８～６０のいずれか１つの方法。
実施の形態６２．化学的に強化する工程が、第１の部分を、第１の主面の第１の表面区域から第１の圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む、実施の形態５６～６１のいずれか１つの方法。化学的に強化する工程は、第２の部分を、第１の主面の第３の表面区域から第３の圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む。化学的に強化する工程は、中央部分を、中央部分の第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む。第１の中央圧縮深さは、第１の圧縮深さより小さい。第１の表面の圧縮深さは、第３の圧縮深さより小さい。
実施の形態６３．化学的に強化する工程が、第１の部分を、第２の主面の第２の表面区域から第２の圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む、実施の形態５６～６２のいずれか１つの方法。化学的に強化する工程は、第２の部分を、第２の主面の第４の表面区域から第４の圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む。化学的に強化する工程は、中央部分を、第２の主面の第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで化学的に強化する工程を含む。第２の中央表面区域は、第２の表面区域と第４の表面区域との間に位置している。第２の中央圧縮深さは、第２の圧縮深さより小さい。第２の中央圧縮深さは、第４の圧縮深さより小さい。
実施の形態６４．折り畳み式装置を製造する方法は、第１の部分を第２の部分に取り付ける中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程を含む。この第１の部分は、第１の表面区域およびこの第１の表面区域と反対にある第２の表面区域を含む。第２の部分は、第３の表面区域およびこの第３の表面区域と反対にある第４の表面区域を含む。折り畳み式基板は、第２の表面区域および第４の表面区域を含む第２の主面を有する。折り畳み式基板は、第２の主面と反対にある第１の主面を有する。第１の主面は、第１の表面区域および第３の表面区域を含む。この方法は、第１の部分と第２の部分との間に配置された高分子系部分を硬化させる工程を含む。折り畳み式装置は、硬化中に曲げ形態にあり、ここで、平らな形態から中立応力形態へのその折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する。
実施の形態６５．中央部分の第１の中央表面区域、第１の表面区域、第３の表面区域、および第２の主面を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態６４の方法。
実施の形態６６．折り畳み式装置を製造する方法は、折り畳み式基板が、約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲の粘度を有している間に、折り畳み式基板を曲げ形態に折り畳む工程を含む。この方法は、液体を硬化させて、折り畳み式基板の第１の部分と折り畳み式基板の第２の部分との間に配置された高分子系部分を形成する工程を含む。
実施の形態６７．折り畳み式基板の第１の部分を折り畳み式基板の第２の部分に取り付ける折り畳み式基板の中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板に形成する工程をさらに含む、実施の形態６６の方法。
実施の形態６８．折り畳み式基板を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態６６～６７のいずれか１つの方法。
実施の形態６９．平らな形態から中立応力形態への折り畳み式装置の動きが、約１％から約８％の範囲にある高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、実施の形態６６～６８のいずれか１つの方法。
実施の形態７０．偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施の形態６４、実施の形態６５、または実施の形態６９の方法。
実施の形態７１．高分子系部分が、硬化の結果として膨張する、実施の形態６４～７０のいずれか１つの方法。
実施の形態７２．折り畳み式装置を製造する方法は、第１の部分を第２の部分に取り付ける中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程を含む。第１の部分は、第１の表面区域およびその第１の表面区域と反対にある第２の表面区域を含む。第２の部分は、第３の表面区域およびその第３の表面区域と反対にある第４の表面区域を含む。折り畳み式基板は、第２の表面区域および第４の表面区域を含む第２の主面を有する。折り畳み式基板は、第２の主面と反対にある第１の主面を有し、この第１の主面は、第１の表面区域および第３の表面区域を含む。この方法は、凹部内に配置された高分子系部分を硬化させる工程を含む。この高分子系部分は、硬化の結果として膨張する。
実施の形態７３．中央部分の第１の中央表面区域、第１の表面区域、第３の表面区域、および第２の主面を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態７２の方法。
実施の形態７４．高分子系部分が、負の熱膨張係数を有する、実施の形態７２～７３のいずれか１つの方法。
実施の形態７５．高分子系部分が、酸化銅、β石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、またはニッケルチタン合金の内の１つ以上の粒子を含む、実施の形態７４の方法。
実施の形態７６．高分子系部分を硬化させる工程が、開環メタセシス重合を含む、実施の形態７２～７５のいずれか１つの方法。
実施の形態７７．折り畳み式装置を製造する方法は、第１の部分を第２の部分に取り付ける中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程を含む。第１の部分は、第１の表面区域およびその第１の表面区域と反対にある第２の表面区域を含む。第２の部分は、第３の表面区域およびその第３の表面区域と反対にある第４の表面区域を含む。折り畳み式基板は、第２の表面区域および第４の表面区域を含む第２の主面を有する。折り畳み式基板は、第２の主面と反対にある第１の主面を有する。この第１の主面は、第１の表面区域および第３の表面区域を含む。この方法は、第１の部分と第２の部分との間に配置された高分子系部分を硬化させる工程を含む。折り畳み式装置は、硬化する工程中に曲げ形態にある。平らな形態から中立応力形態への折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する。
実施の形態７８．中央部分の第１の中央表面区域、第１の表面区域、第３の表面区域、および第２の主面を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態７７の方法。
実施の形態７９．偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施の形態７７～７８のいずれか１つの方法。
実施の形態８０．折り畳み式装置を製造する方法は、折り畳み式基板が、約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲の粘度を有している間に、折り畳み式基板を曲げ形態に曲げる工程を含む。この方法は、液体を硬化させて、折り畳み式基板の第１の部分と折り畳み式基板の第２の部分との間に配置された高分子系部分を形成する工程を含む。
実施の形態８１．折り畳み式基板の第１の部分を折り畳み式基板の第２の部分に取り付ける折り畳み式基板の中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板に形成する工程をさらに含む、実施の形態８０の方法。
実施の形態８２．折り畳み式基板を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態８０～８１のいずれか１つの方法。
実施の形態８３．平らな形態から中立応力形態への折り畳み式装置の動きが、約１％から約８％の範囲にある高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、実施の形態８０～８２のいずれか１つの方法。
実施の形態８４．偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施の形態８３の方法。
実施の形態８５．折り畳み式基板を製造する方法は、第１の主面と第２の主面との間に規定される基板厚さを有する折り畳み式基板を含む。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を有する。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を有する。この折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定される中央厚さを有する中央部分を有する。中央厚さは、基板厚さより小さい。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置している。この方法は、第１の中央表面区域または第２の中央表面区域の１つ以上を覆う第１の層を配置する工程を含む。この方法は、第１の層を配置する工程の後、第１の期間に亘り折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。この方法は、折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の層を除去する工程を含む。
実施の形態８６．第１の層が、約１０ナノメートルから約２００ナノメートルの範囲にある厚さを有する、実施の形態８５の方法。
実施の形態８７．第１の層を配置する工程が、物理的気相成長法を使用して、ＳｉＯ２を配置する工程を含む、実施の形態８５～８６のいずれか１つの方法。
実施の形態８８．第１の層を配置する工程の前に、ガラス系基板の第１の主面に凹部を形成して、第１の中央表面区域を提供する工程をさらに含む、実施の形態８５～８７のいずれか１つの方法。
実施の形態８９．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後に、第１の部分が、化学的に強化する工程の最中に第１の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の層の深さを含む、実施の形態８５～８８のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、化学的に強化する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを含む。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態９０．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、化学的に強化する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さを含む、実施の形態８９の方法。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態９１．１種類以上のアルカリ金属イオンが、カリウムイオンを含む、実施の形態８９～９０のいずれか１つの方法。
実施の形態９２．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の部分が、酸化物基準の第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態８５～９１のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態９３．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態９２の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態９４．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の部分が、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む、実施の形態８５～９３のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態９５．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む、実施の形態９４の方法。基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態９６．第１の層を除去する工程の後、第２の期間に亘り折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態８５～８８のいずれか１つの方法。
実施の形態９７．第２の期間が第１の期間より長い、実施の形態９６の方法。
実施の形態９８．第１の期間の百分率としての第２の期間が、約１０３％から約１７５％の範囲にある、実施の形態９７の方法。
実施の形態９９．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第１の部分が、化学的に強化する工程またはさらに化学的に強化する工程の最中に第１の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の層の深さを含む、実施の形態９６～９８のいずれか１つの方法。折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、中央部分は、化学的に強化する工程またはさらに化学的に強化する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを含む。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１００．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、化学的に強化する工程またはさらに化学的に強化する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さを含む、実施の形態９９の方法。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１０１．１種類以上のアルカリ金属イオンが、カリウムイオンを含む、実施の形態９９～１００のいずれか１つの方法。
実施の形態１０２．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第１の部分が、酸化物基準の第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態９６～１０１のいずれか１つの方法。折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１０３．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１０２の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１０４．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第１の部分が、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む、実施の形態９６～１０３のいずれか１つの方法。折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、中央部分は、第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態１０５．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む、実施の形態１０４の方法。基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態１０６．折り畳み式基板を製造する方法は、第１の主面と第２の主面との間に規定される基板厚さを有する折り畳み式基板を含む。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を有する。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を有する。この折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定される中央厚さを有する中央部分を有する。中央厚さは、基板厚さより小さい。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置している。この方法は、アルカリ金属イオンを含むペーストを第１の部分および第２の部分に施す工程を含む。この方法は、ペーストを施す工程の後、折り畳み式基板を加熱する工程を含む。この方法は、折り畳み式基板を加熱する工程の後、ペーストを除去する工程を含む。この方法は、ペーストを除去する工程の後、折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。
実施の形態１０７．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の部分が、加熱する工程または化学的に強化する工程の最中に第１の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の層の深さを有する、実施の形態１０６の方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、化学的に強化する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１０８．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、加熱する工程または化学的に強化する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さを有する、実施の形態１０７の方法。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１０９．１種類以上のアルカリ金属イオンが、カリウムイオンを含む、実施の形態１０７～１０８のいずれかの方法。
実施の形態１１０．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の部分が、酸化物基準の第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１０６～１０９のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１１１．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１１０の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１１２．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第１の部分が、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む、実施の形態１０６～１１１のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態１１３．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む、実施の形態１１２の方法。基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態１１４．折り畳み式基板を製造する方法は、第１の主面と第２の主面との間に規定される基板厚さを有する折り畳み式基板を含む。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を有する。この折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を有する。この折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定される中央厚さを有する中央部分を有する。中央厚さは、基板厚さより小さい。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置している。この方法は、アルカリ金属イオンを含む第１のペーストを第１の部分に施す工程を含む。この方法は、アルカリ金属イオンを含む第２のペーストを中央部分に施す工程を含む。この方法は、第１のペーストおよび第２のペーストを施す工程の後、折り畳み式基板を加熱する工程を含む。この方法は、折り畳み式基板を加熱する工程の後、第１の部分から第１のペーストを除去する工程を含む。この方法は、折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分から第２のペーストを除去する工程を含む。
実施の形態１１５．第１のペースト中のカリウムイオンの濃度が、第２のペースト中のカリウムイオンの濃度より大きい、実施の形態１１４の方法。
実施の形態１１６．第２のペーストが、酸化物基準の約５百万分率以上の濃度で１種類以上のアルカリ土類金属イオンをさらに含む、実施の形態１１４～１１５のいずれか１つの方法。
実施の形態１１７．１種類以上のアルカリ土類金属イオンが、酸化物基準で約１０百万分率から約１，０００百万分率に及ぶ濃度のカルシウムを含む、実施の形態１１６の方法。
実施の形態１１８．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第１の部分が、加熱する工程の最中に第１の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の層の深さを有する、実施の形態１１４～１１７のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、加熱する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１１９．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第１の部分が、酸化物基準の第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１１４～１１８のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２０．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１１９の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２１．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第１の部分が、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む、実施の形態１１４～１２０のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態１２２．折り畳み式基板を加熱する工程の前に、アルカリ金属イオンを含む第１のペーストを第２の部分に施す工程をさらに含む、実施の形態２１２の方法。この方法は、折り畳み式基板を加熱する工程の後に、第２の部分から第１のペーストを除去する工程をさらに含む。
実施の形態１２３．折り畳み式基板を加熱する工程の後に、第２の部分が、加熱する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さを有する、実施の形態１２２の方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、加熱する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１２４．折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１２２～１２３のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を化学的に強化する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２５．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１２４の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２６．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第２の部分が、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む、実施の形態１２２～１２５のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
本開示の実施の形態の先と他の特徴および利点は、以下の詳細な説明が添付図面を参照して読まれたときに、よりよく理解される。
折り畳み形態の概略図が図４に示されたように見えるであろう、いくつかの実施の形態による平らな形態にある例示の折り畳み式装置の概略図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 平らな形態の概略図が図１に示されたように見えるであろう、折り畳み形態にある本開示の実施の形態の例示の折り畳み式装置の概略図 破壊モード試験のために折り畳み形態にある本開示の実施の形態の例示の折り畳み式基板の概略図 図４の線６－６に沿った例示の改良型折り畳み式装置の有効最小曲げ半径を決定するための試験装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図４の線６－６に沿った別の例示の折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による例示の消費者向け電子機器の概略平面図 図８の例示の消費者向け電子機器の概略斜視図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 中立応力形態にある、図３の折り畳み式装置に似ている折り畳み式装置の概略図 折り畳み式装置が平らな形態にあるときの、高分子系部分を示す概略図 折り畳み式装置が中立応力形態にあるときの、高分子系部分を示す概略図 ペン落下装置の概略斜視図 ガラス系基板の厚さの関数としてのガラス系基板の主面上の最大主応力を示す、ガラス系基板のペン落下試験の実験結果を示すグラフ 基板厚さおよび中央厚さの関数としての、折り畳み式装置に観察された機械的不安定性のタイプを示すグラフ 本開示の実施の形態の折り畳み式基板に関する光学的遅れの測定値を示す概略図 本開示を通じて、特定の態様を強調するために、図面が使用される。それゆえ、特に明記のない限り、図面に示された異なる領域、部分、および基板の相対的サイズは、実際の相対的サイズに比例すると考えるべきではない。
ここで、例示の実施の形態が示されている、添付図面を参照して、以下に、実施の形態をより詳しく説明する。できるときはいつでも、図面に亘り、同じまたは同様の部分を指すために、同じ参照番号が使用される。しかしながら、請求項は、様々な実施の形態の多くの異なる態様を包含することができ、ここに述べられた実施の形態に限定されると解釈されるべきではない。
図１～４および６～７は、本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０１を備えた折り畳み式装置１０１および３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２の図を示す。特に明記のない限り、１つの折り畳み式装置の実施の形態の特徴に関する議論は、本開示のどの実施の形態の対応する特徴にも等しく適用できる。例えば、本開示に亘る同一の部品番号は、いくつかの実施の形態において、特定された特徴は互いに同一であること、および特に明記のない限り、１つの実施の形態の特定された特徴に関する議論は、本開示の他の実施の形態のいずれかの特定された特徴にも等しく適用できることを示すことができる。
図２～３は、折り畳まれていない（例えば、平らな）形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０１を備えた折り畳み式装置１０１および３０１の例示の実施の形態を概略示しており、一方で、図６～７は、折り畳まれた形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０１を備えた、それぞれ、試験用折り畳み式装置６０２および折り畳み式装置３０１を示している。折り畳み式装置１０１および３０１は、第１の部分２２１、第２の部分２３１、および第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置する中央部分２５１を含む。図２～３に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１は、折り畳み式基板２０１を備えることができる。図２に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１は、剥離ライナー２７１を備えることができるが、さらなる実施の形態において、図示された剥離ライナー２７１よりむしろ、他の基板（例えば、本出願を通じて議論されるガラス系基板および／またはセラミック系基板）が使用されることがある。図３に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置３０１は、表示装置３０７を備えることができる。本開示の折り畳み式装置のいずれも、追加の基板（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）、剥離ライナー２７１、および／または表示装置３０７を備えることができることを理解すべきである。図２～３および６～７に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３を覆って、接着剤層２６１（例えば、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ））を配置することができる。図３および６～７に示されるような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１を覆って（例えば、図３に示されるような第１の中央表面区域２０９を覆って）、高分子系部分を配置することができる。
本開示を通じて、図１を参照して、折り畳み式装置１０１および／または３０１の幅１０３は、この折り畳み式装置の褶曲軸１０２の方向１０４に、折り畳み式装置の互いに反対のエッジの間に取られた折り畳み式装置の寸法と考えられ、この方向１０４は幅１０３の方向も含む。さらに、本開示を通じて、折り畳み式装置１０１および／または３０１の長さ１０５は、折り畳み式装置１０１および／または３０１の褶曲軸１０２に垂直な方向１０６における折り畳み式装置１０１および／または３０１の互いに反対のエッジの間に取られた折り畳み式装置１０１および／または３０１の寸法と考えられる。図１～３に示されるような、いくつかの実施の形態において、本開示のいずれの実施の形態の折り畳み式装置も、折り畳み式装置が平らな形態（例えば、図１参照）にあるときに、褶曲軸１０２および基板厚さ２２７（例えば、第１の部分２２１の第１の厚さ）の方向２０２を含む褶曲面１０９を有し得る。この面１０９は、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置の中心軸１０７を含むことがあり、この中心軸は、図２～３に示されるように、第２の主面２０５に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、幅１０３の方向１０４に延在する褶曲軸１０２の周りで方向１１１（例えば、図１参照）に折り畳んで、折り畳まれた形態（例えば、図４および６～７）を形成することができる。図から分かるように、折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、２つに折り畳めるように１つの褶曲軸を含むことがあり、ここで、例えば、折り畳み式装置を半分に折り畳むことができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、各々の褶曲軸が、ここに述べられた中央部分２５１と類似か同一の対応する中央部分を含む、２つ以上の褶曲軸を含むことがある。例えば、２つの褶曲軸を設けることにより、折り畳み式装置を３つに折り畳むことができ、ここで、例えば、折り畳み式装置を、第１の部分２２１、第２の部分２３１、およびこの第１の部分または第２の部分と類似か同一の第３の部分を、それぞれ、第１の部分と第２の部分との間、および第２の部分と第３の部との間にある、中央部分２５１およびその中央部分と類似か同一の別の中央部分を介して重ねて、折り畳むことができる。
本開示の折り畳み式装置１０１および３０１は、折り畳み式基板２０１を備えることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、８Ｈ以上、例えば、９Ｈ以上の鉛筆硬度を有するガラス系基板および／またはセラミック系基板で構成することができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、ガラス系基板で構成することができる。ここに用いられているように、「ガラス系」とは、ガラスとガラスセラミックの両方を含み、ここで、ガラスセラミックは、１つ以上の結晶相および非晶質の残留ガラス相を有する。ガラス系材料（例えば、ガラス系基板）は、非晶質材料（例えば、ガラス）および必要に応じて、１種類以上の結晶質材料（例えば、セラミック）で構成されることがある。非晶質材料およびガラス系材料は、強化されることがある。ここに用いられているように、「強化される」という用語は、例えば、下記に述べられるように、基板の表面にあるより小さいイオンをより大きいイオンとイオン交換することによって、化学的に強化された材料を称することがある。しかしながら、他の強化方法、例えば、熱的調質、または圧縮応力領域と中央引張領域を作るために基板の複数の部分の間の熱膨張係数の不一致を利用して、強化基板を形成してもよい。リチアを含んでも含まなくてもよい、例示のガラス系材料は、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラス、アルカリ含有アルミノホウケイ酸塩ガラス、アルカリ含有リンケイ酸塩ガラス、およびアルカリ含有アルミノリンケイ酸塩ガラスで構成される。１つ以上の実施の形態において、ガラス系材料は、モルパーセント（モル％）で、約４０モル％から約８０モル％の範囲のＳｉＯ２、約５モル％から約３０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３、０モル％から約１０モル％の範囲のＢ２Ｏ３、０モル％から約５モル％の範囲のＺｒＯ２、０モル％から約１５モル％の範囲のＰ２Ｏ５、０モル％から約２モル％の範囲のＴｉＯ２、０モル％から約２０モル％の範囲のＲ２Ｏ、および０モル％から約１５モル％の範囲のＲＯを含むことがある。ここに用いられているように、Ｒ２Ｏは、アルカリ金属酸化物、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、およびＣｓ２Ｏを称することができる。ここに用いられているように、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、およびＺｎＯを称することができる。いくつかの実施の形態において、ガラス系基板は、必要に応じて、Ｎａ２ＳＯ４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ２ＳＯ４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、ＭｎＯ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ７の各々を０モル％から約２モル％の範囲でさらに含むことがある。「ガラスセラミック」は、ガラスの制御された結晶化により生成された材料を含む。いくつかの実施の形態において、ガラスセラミックは、約１％から約９９％の結晶化度を有する。適切なガラスセラミックの例としては、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系（すなわち、ＬＡＳ系）ガラスセラミック、ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系（すなわち、ＭＡＳ系）ガラスセラミック、ＺｎＯ×Ａｌ２Ｏ３×ｎＳｉＯ２系（すなわち、ＺＡＳ系）ガラスセラミック、および／またはβ－石英固溶体、β－スポジュメン、コージエライト、葉長石、および／または二ケイ酸リチウムを含む主結晶相を有するガラスセラミックが挙げられるであろう。そのガラスセラミック基板は、化学強化過程を使用して強化されることがある。１つ以上の実施の形態において、ＭＡＳ系のガラスセラミック基板は、Ｌｉ２ＳＯ４溶融塩中で強化することができ、それによって、２Ｌｉ＋のＭｇ２＋との交換が起こり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、セラミック系基板で構成することができる。ここに用いられているように、「セラミック系」は、セラミックおよびガラスセラミックの両方を含み、ここで、ガラスセラミックは、１つ以上の結晶相および非晶質の残留ガラス相を有する。セラミック系材料は、強化（例えば、化学強化）されることがある。いくつかの実施の形態において、セラミック系材料は、ガラス系材料を加熱して、セラミック（例えば、結晶質）部分を形成することによって、形成することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系材料は、結晶相の形成を促進させることができる１種類以上の核形成剤を含むことがある。いくつかの実施の形態において、セラミック系材料は、１種類以上の酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、ホウ化物、および／またはケイ化物を含み得る。セラミック酸化物の例示の実施の形態としては、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ））、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ））、チタニア（ＴｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化鉄、酸化ベリリウム、酸化バナジウム（ＶＯ２）、溶融石英、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の組合せを含む鉱物）、およびスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）が挙げられる。セラミック窒化物の例示の実施の形態としては、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ３Ｎ２）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化バナジウム、アルカリ土類金属窒化物（例えば、窒化マグネシウム（Ｍｇ３Ｎ２））、窒化ニッケル、および窒化タンタルが挙げられる。酸窒化セラミックの例示の実施の形態としては、酸窒化ケイ素、酸窒化アルミニウム、およびＳｉＡｌＯＮ（アルミナと窒化ケイ素の組合せであり、化学式、例えば、Ｓｉ１２－ｍ－ｎＡｌｍ＋ｎＯｎＮ１６－ｎ、Ｓｉ６－ｎＡｌｎＯｎＮ８－ｎ、またはＳｉ２－ｎＡｌｎＯ１＋ｎＮ２－ｎを有し得、式中、ｍ、ｎ、および結果としての下付文字は全て、自然数である）。炭化物および炭素ガラスセラミックの例示の実施の形態としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化鉄、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、アルカリ金属炭化物（例えば、炭化リチウム（Ｌｉ４Ｃ３））、アルカリ土類金属炭化物（例えば、炭化マグネシウム（Ｍｇ２Ｃ３））、およびグラファイトが挙げられる。ホウ化物の例示の実施の形態としては、ホウ化クロム（ＣｒＢ２）、ホウ化モリブデン（Ｍｏ２Ｂ５）、ホウ化タングステン（Ｗ２Ｂ５）、ホウ化鉄、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ２）、ホウ化バナジウム（ＶＢ２）、ホウ化ニオブ（ＮｂＢ２）、およびホウ化ランタン（ＬａＢ６）が挙げられる。ケイ化物の例示の実施の形態としては、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、二ケイ化タングステン（ＷＳｉ２）、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ２）、ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ）、アルカリ金属ケイ化物（例えば、ケイ化ナトリウム（ＮａＳｉ））、アルカリ土類金属ケイ化物（例えば、ケイ化マグネシウム（Ｍｇ２Ｓｉ））、二ケイ化ハフニウム（ＨｆＳｉ２）、およびケイ化白金（ＰｔＳｉ）が挙げられる。
本開示を通じて、高分子材料（例えば、接着剤、高分子系部分）の引張強度、極限伸び（例えば、破断点歪み）、および降伏点は、２３℃および５０％の相対湿度で、Ｉ型の犬用の骨形試料を用いて、引張試験装置、例えば、Ｉｎｓｔｒｏｎ ３４００またはＩｎｓｔｒｏｎ ６８００を使用し、ＡＳＴＭ Ｄ６３８を使用して決定される。本開示を通じて、弾性率（例えば、ヤング率）および／またはポアソン比は、ＩＳＯ ５２７－１：２０１９を使用して測定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１ギガパスカル（ＧＰａ）以上、約３ＧＰａ以上、約５ＧＰａ以上、約１０ＧＰａ以上、約１００ＧＰａ以下、約８０ＧＰａ以下、約６０ＧＰａ以下、または約２０ＧＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１ＧＰａから約１００ＧＰａ、約１ＧＰａから約８０ＧＰａ、約３ＧＰａから約８０ＧＰａ、約３ＧＰａから約６０ＧＰａ、約５ＧＰａから約６０ＧＰａ、約５ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１０ＧＰａから約２０ＧＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある弾性率を有し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約６０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約６０ＧＰａから約８０ＧＰａ、約８０ＧＰａから約１００ＧＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある弾性率を有するガラス系部分および／またはセラミック系部分を含み得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、光学的に透明であり得る。ここに用いられているように、「光学的に透明な」または「光学的に透き通った」は、１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において７０％以上の平均透過率を意味する。いくつかの実施の形態において、「光学的に透明な材料」または「光学的に透き通った材料」は、１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において、７５％以上、８０％以上、８５％以上、または９０％以上、９２％以上、９４％以上、９６％以上の平均透過率を有することがある。４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲における平均透過率は、４００ｎｍから７００ｎｍの整数波長の透過率を測定し、その測定値を平均化することによって、計算される。
図２～３および６～７に示されるように、折り畳み式基板２０１は、第１の主面２０３および第１の主面２０３と反対にある第２の主面２０５を有し得る。図２～３に示されるように、第１の主面２０３は、第一面２０４ａに沿って延在し得る。第２の主面２０５は、第二面２０４ｂに沿って延在し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第二面２０４ｂは、第一面２０４ａと平行であり得る。ここに用いられているように、基板厚さは、第一面２０４ａと第二面２０４ｂとの間の距離として、第１の主面２０３と第２の主面２０５との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さは、約１０マイクロメートル（μｍ）以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約６０μｍ以上、約８０μｍ以上、約１００μｍ以上、約１２５μｍ以上、約１５０μｍ以上、約２ミリメートル（ｍｍ）以下、約１ｍｍ以下、約８００μｍ以下、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１８０μｍ以下、または約１６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さは、約１０μｍから約２ｍｍ、約２５μｍから約２ｍｍ、約４０μｍから約２ｍｍ、約６０μｍから約２ｍｍ、約８０μｍから約２ｍｍ、約１００μｍから約２ｍｍ、約１００μｍから約１ｍｍ、約１００μｍから約８００μｍ、約１００μｍから約５００μｍ、約１２５μｍから約５００μｍ、約１２５μｍから約３００μｍ、約１２５μｍから約２００μｍ、約１５０μｍから約２００μｍ、約１５０μｍから約１６０μｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。ペン落下試験（図４２を参照して下記に述べられる）からの結果に基づいて、約８０マイクロメートル（μｍ）超の折り畳み式基板の厚さを選択することによって、向上した穿刺抵抗を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の穿刺抵抗は、約８０μｍ以上、約２００μｍ以上、約５００μｍ以上、約２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約５００μｍ以下、または約３００μｍ以下の基板厚さ２２７で向上させることができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７は、約８０μｍから約２ｍｍ、約８０μｍから約１ｍｍ、約８０μｍから約５００μｍ、約８０μｍから約３００μｍ、約２００μｍから約２ｍｍ、約２００μｍから約１ｍｍ、約２００μｍから約５００μｍ、約５００μｍから約２ｍｍ、約５００μｍから約１ｍｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
ここで、第１の部分２２１を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、第１の部分２２１のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図３および６～７に示された折り畳み式装置３０１および／または折り畳み式基板２０１にも適用できるという了解の下でである。図２に示されるように、第１の部分２２１は、第１の表面区域２２３および第１の表面区域２２３と反対にある第２の表面区域２２５を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１の第２の表面区域２２５は、平面を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の表面区域２２５は、第１の表面区域２２３と平行であり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３は第１の表面区域２２３を構成し得、第２の主面２０５は第２の表面区域２２５を構成し得る。さらなる実施の形態において、第１の表面区域２２３は、第一面２０４ａに沿って延在し得る。さらなる実施の形態において、第２の表面区域２２５は、第二面２０４ｂに沿って延在し得る。基板厚さ２２７は、第一面２０４ａと第二面２０４ｂとの間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７は、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３と第１の部分２２１の第２の表面区域２２５との間の距離に相当し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７は、第１の表面区域２２３に亘り実質的に均一であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の表面区域２２３と第２の表面区域２２５との間に規定された第１の厚さは、基板厚さに関して先に述べられた範囲の１つ以上に含まれ得る。さらなる実施の形態において、第１の厚さは基板厚さ２２７を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の部分２２１の第１の厚さは、対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６）および／または対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４）に亘り、第１の表面区域２２３と第２の表面区域２２５との間で、実質的に均一であることがある。
図２～３および６～７に示されるように、折り畳み式基板２０１は、第３の表面区域２３３および第３の表面区域２３３と反対にある第４の表面区域２３５を含む第２の部分２３１も有し得る。ここで、第２の部分２３１を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、第２の部分２３１のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図３および６～７に示された折り畳み式装置１０１、３０１および／または折り畳み式基板２０１にも適用できるという了解の下でである。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３は、平面を構成し得る。さらなる実施の形態において、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３は、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３と共通の面内にあり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１の第４の表面区域２３５は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第４の表面区域２３５は、第３の表面区域２３３と平行であり得る。さらなる実施の形態において、第２の部分２３１の第４の表面区域２３５は、第１の部分２２１の第２の表面区域２２５と共通の面内にあり得る。
第２の厚さ２３７は、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３と、第２の部分２３１の第４の表面区域２３５との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第２の厚さ２３７は、基板厚さに関して先に述べられた範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、第２の厚さ２３７は、基板厚さを構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の厚さ２３７は、第１の厚さ（例えば、第１の厚さ２２７）と実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１の第２の厚さ２３７は、第３の表面区域２３３と第４の表面区域２３５との間で実質的に均一であることがある。
図２～３および６～７に示されるように、折り畳み式基板２０１は、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置する中央部分２５１を含み得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第１の中央表面区域２０９および第１の中央表面区域２０９と反対にある第２の中央表面区域２１３を含み得る。さらなる実施の形態において、中央部分２５１は、第１の表面区域２２３と第３の表面区域２３３との間に位置する第１の中央表面区域２０９を含み得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、第１の主面２０３から窪み得る。さらなる実施の形態において、中央部分２５１は、第２の表面区域２２５と第４の表面区域２３５との間に位置する第２の中央表面区域２１３を含み得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第２の主面２０５は、第２の中央表面区域２１３を含み得る。
中央部分２５１の中央厚さ２１７は、第１の中央表面区域２０９と第２の中央表面区域２１３との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、折り畳み式装置１０１、３０１が平らな形態にあるときに、第三面２０４ｃに沿って延在することがある中央の主面２１１を構成し得るが、第１の中央表面区域２０９は、さらなる実施の形態において、非平面区域として設けられることがある。さらなる実施の形態において、第三面２０４ｃは、第一面２０４ａおよび／または第二面２０４ｂと実質的に平行であり得る。第二面２０４ｂに平行な第三面２０４ｃに沿って延在する中央部分２５１の中央の主面２１１を設けることによって、中央厚さ２１７の所定の厚さで向上した折り畳み性能を与えることのできる均一な中央厚さ２１７が、中央部分２５１に亘り延在することがある。中央部分２５１に亘る均一な中央厚さ２１７は、中央部分２５１の一部が中央部分２５１の残りよりも薄い場合に生じるであろう応力集中を防ぐことによって、折り畳み性能を改善することができる。
図２～３および６～７に示されるような、いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７は、基板厚さ２２７（例えば、第１の部分２２１の第１の厚さ、第２の部分２３１の第２の厚さ２３７）より小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７は、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の約０．５％以上、約１％以上、約２％以上、約５％以上、約１３％以下、約１０％以下、または約５％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての中央厚さ２１７は、約０．５％から約１３％、約０．５％から約１０％、約０．５％から約５％、約１％から約１３％、約１％から約１０％、約１％から約５％、約２％から約１３％、約２％から約１０％、約２％から約５％、約５％から約１３％、約５％から約１０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の範囲の内の１つ以上の範囲内にあり得るが、その基板厚さより小さい。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、約１０μｍ以上、約２５μｍ以上、約５０μｍ以上、約８０μｍ以上、約２２０μｍ以下、約１２５μｍ以下、約１００μｍ以下、約８０μｍ以下、約６０μｍ以下、または約４０μｍ以下であり得る。またさらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、約１０μｍから約２２０μｍ、約１０μｍから約１２５μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約８０μｍ、約２５μｍから約８０μｍ、約２５μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。向上した穿刺抵抗は、図４２を参照して下記に説明されるペン落下試験からの結果に基づいて、約５０マイクロメートル（μｍ）未満、または約８０μｍ超の中央厚さ２１７を選択することによって、達成することができる。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、約８０μｍ超、例えば、約８０μｍ以上、約１００μｍ以上、約１２５μｍ以上、約２２０μｍ以下、約１７５μｍ以下、または約１５０μｍ以下であり得る。またさらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、約８０μｍから約２２０μｍ、約８０μｍから約１７５μｍ、約８０μｍから約１５０μｍ、約１００μｍから約１５０μｍ、約１２５μｍから約１５０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７は、約８０μｍ未満、例えば、約１０μｍから約８０μｍ、約２５μｍから約６０μｍ、約１０μｍから約５０μｍ、約２５μｍから約５０μｍ、約１０μｍから約４０μｍ、約２５μｍから約４０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
図２に示されるように、中央部分２５１は、第１の移行部分２５３を含み得る。第１の移行部分２５３は、第１の部分２２１を、中央厚さ２１７を有する中央部分２５１の領域（例えば、中央の主面２１１を構成する領域）に取り付けることができる。第１の移行部分２５３の厚さは、第二面２０４ｂと第１の中央表面区域２０９との間に規定することができる。図２に示されるように、第１の移行部分２５３の厚さは、中央の主面２１１（例えば、中央厚さ２１７）から第１の部分２２１（例えば、第１の厚さ、基板厚さ２２７）に連続して増加し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の厚さは、中央の主面２１１から第１の部分２２１へと定率で増加し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分２５３の厚さは、第１の移行部分２５３の中央よりも、中央の主面２１１が第１の移行部分２５３と交わるところで、一層徐々に増加することがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分２５３の厚さは、第１の移行部分２５３の中央よりも、第１の部分２２１が第１の移行部分２５３と交わるところで、一層徐々に増加することがある。図３に示されたような、いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第１の移行部分を含まないことがある。
中央部分２５１は、第２の移行部分２５５を含み得る。図２に示されるように、第２の移行部分２５５は、第２の部分２３１を、中央厚さ２１７を有する中央部分２５１の領域（例えば、中央の主面２１１を構成する領域）に取り付けることができる。第２の移行部分２５５の厚さは、第二面２０４ｂと第１の中央表面区域２０９との間に規定することができる。図２に示されるように、第２の移行部分２５５の厚さは、中央の主面２１１（例えば、中央厚さ２１７）から第２の部分２３１（例えば、第１の厚さ）に連続して増加し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の移行部分２５５の厚さは、中央の主面２１１から第２の部分２３１へと定率で増加し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分２５５の厚さは、第２の移行部分２５５の中央よりも、中央の主面２１１が第２の移行部分２５５と交わるところで、一層徐々に増加することがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分２５５の厚さは、第２の移行部分２５５の中央よりも、第２の部分２３１が第２の移行部分２５５と交わるところで、一層徐々に増加することがある。図３に示されたような、いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第２の移行部分を含まないことがある。
図２に示されるように、第１の移行部分２５３の幅２５４ａは、折り畳み式装置１０１の長さ１０５の方向１０６において中央の主面２１１と第１の部分２２１との間に規定することができる。第２の移行部分２５５の幅２５４ｂは、折り畳み式装置１０１の長さ１０５の方向１０６において中央の主面２１１と第２の部分２３１との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の幅２５４ａおよび／または第２の移行部分２５５の幅２５４ｂは、そうでなければ、第１の厚さと中央厚さとの間の段状移行または小さい移行幅（例えば、１ｍｍ未満）で起こるであろう光学的歪みを避けるのに十分に大きい（例えば、１ｍｍ以上）ことがあり得る。十分に小さい長さの移行領域（例えば、約５ｍｍ以下）を設けることにより、低下した耐衝撃性および／または低下した穿刺抵抗を有するであろう中間の厚さ、例えば、図４２に関して下記に述べられるペン落下試験に基づいて、約５０μｍから約８０μｍの範囲の厚さを有する折り畳み式基板の量が減少する。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の穿刺抵抗を向上させつつ、光学的歪みも避けるために、第１の移行部分２５３の幅２５４ａおよび／または第２の移行部分２５５の幅２５４ｂは、約１ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、または約３ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の幅２５４ａおよび／または第２の移行部分２５５の幅２５４ｂは、約１ｍｍから約５ｍｍ、約１ｍｍから約４ｍｍ、約１ｍｍから約３ｍｍ、約２ｍｍから約５ｍｍ、約２ｍｍから約４ｍｍ、約２ｍｍから約３ｍｍ、約３ｍｍから約５ｍｍ、約３ｍｍから約４ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
ここに用いられているように、第１の層および／または構成部材が、第２の層および／または構成部材「を覆って配置された」と記載されている場合、第１の層および／または構成部材と、第２の層および／または構成部材との間に、他の層が存在してもしなくてもよい。さらに、ここに用いられているように、「を覆って配置された」とは、重力に関する相対的な位置を称するものではない。例えば、第１の層および／または構成部材が、第２の層および／または構成部材の下、上、またはその片側に位置している場合、例えば、第１の層および／または構成部材は、第２の層および／または構成部材「を覆って配置された」と考えることができる。ここに用いられているように、第２の層および／または構成部材「に結合された」と記載されている第１の層および／または構成部材は、それらの層および／または構成部材が、それら２つの層および／または構成部材の間の直接接触および／または結合、もしくは接着層を介して、のいずれかで、互いに結合されていることを意味する。ここに用いられているように、第２の層および／または構成部材と「接触している」または「接触する」と記載されている第１の層および／または構成部材は、直接的な接触を称し、それらの層および／または構成部材が互いに結合されている状況を含む。
図２～３および６～７に示されるように、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、接着剤層２６１を備え得る。図から分かるように、接着剤層２６１は、第１の接触面２６３および第１の接触面２６３と反対にあり得る第２の接触面２６５を有し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、平面を構成し得る。接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、第１の接触面２６３と第２の接触面２６５との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１００μｍ以下、約６０μｍ以下、約３０μｍ以下、または約２０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、約１μｍから約１００μｍ、約５μｍから約１００μｍ、約５μｍから約６０μｍ、約５μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約２０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
図２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、剥離ライナー２７１（下記に記載されている）の第２の主面２７５に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、剥離ライナー２７１の第２の主面２７５と接触し得る。図３および６～７に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、表示装置３０７の第２の主面３０５に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、表示装置３０７の第２の主面３０５と接触し得る。
ここで、接着剤層２６１を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、接着剤層２６１のそのような説明が、図３および６～７に示された折り畳み式装置３０１および／または折り畳み式基板２０１にも適用できるという了解の下でである。図２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３と接触し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３と接触し得る。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、ポリオレフィン、ポリアミド、ハロゲン化物含有高分子（例えば、ポリ塩化ビニルまたはフッ素含有高分子）、エラストマー、ウレタン、フェノール樹脂、パリレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の内の１つ以上を含み得る。ポリオレフィンの例示の実施の形態としては、低分子量ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高分子量ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）が挙げられる。フッ素含有高分子の例示の実施の形態としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ペルフルオロポリエーテル（ＰＥＰＥ）、ペルフルオロスルホン酸（ＰＦＳＡ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）ポリマー、およびエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）ポリマーが挙げられる。エラストマーの例示の実施の形態としては、ゴム（例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ニトリルゴム）およびブロック共重合体（例えば、スチレン・ブタジエン、耐衝撃性ポリスチレン）、ポリ（ジクロロホスファゼン））が挙げられる。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、光学的に透明な接着剤を含み得る。またさらなる実施の形態において、その光学的に透明な接着剤は、１種類以上の光学的に透明な高分子：アクリル（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ））、エポキシ、シリコーンおよび／またはポリウレタンを含み得る。エポキシの例としては、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ、脂環式エポキシ、およびグリシジルアミン系エポキシが挙げられる。またさらなる実施の形態において、光学的に透明な接着剤としては、以下に限られないが、アクリル接着剤、例えば、３Ｍ ８２１２接着剤、または光学的に透明な液体接着剤、例えば、ＬＯＣＴＩＴＥ光学的に透明な液体接着剤が挙げられる。光学的に透明な接着剤の例示の実施の形態としては、透明なアクリル、エポキシ、シリコーン、およびポリウレタンが挙げられる。例えば、光学的に透明な液体接着剤は、全てがＨｅｎｋｅｌから入手できる、ＬＯＣＴＩＴＥ ＡＤ ８６５０、ＬＯＣＴＩＴＥ ＡＡ ３９２２、ＬＯＣＴＩＴＥ ＥＡ Ｅ－０５ＭＲ、ＬＯＣＴＩＴＥ ＵＫ Ｕ－０９ＬＶの内の１つ以上を含み得る。
図２に示されるように、折り畳み式装置１０１の接着剤層２６１の少なくとも一部は、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置付けることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域２０９と第一面２０４ａとの間に、凹部２１９を画成することができる。いくつかの実施の形態において、凹部２１９は、第三面２０４ｃと第一面２０４ａとの間に画成することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、凹部２１９内に少なくとも部分的に位置付けることができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１が凹部２１９を満たすことができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械デバイスの入る余地を残すために、完全には満たされていないことがある。
図３および６～７に示されたように、折り畳み式装置３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２の高分子系部分２４１は、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置付けることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、凹部２１９は、第１の中央表面区域２０９と第一面２０４ａとの間に画成することができる。いくつかの実施の形態において、凹部２１９は、第三面２０４ｃと第一面２０４ａとの間に画成することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、凹部２１９内に少なくとも部分的に位置付けることができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、凹部２１９を満たすことができる。またさらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、接着剤層２６１が凹部を満たせるように、接着剤層２６１と同じ材料から作ることができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の代わりに凹部に延在することができる、および／または接着剤層２６１は、凹部を満たすことができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械デバイスの入る余地を残すために、完全には満たされていないことがある。
図３に示されるように、高分子系部分２４１は、第３の接触面２４５と反対の第４の接触面２４７を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第４の接触面２４７は、平面を構成し得る。さらなる実施の形態において、第４の接触面２４７は、第１の表面区域２２３および第３の表面区域２３３と実質的に同一平面上にある（例えば、共通の面、第一面２０４ａに沿って延在する）ことがある。いくつかの実施の形態において、第３の接触面２４５は、平面を構成し得る。いくつかの実施の形態において、第４の接触面２４７が第１の表面区域２２３および第３の表面区域２３３と実質的に同一平面上にあることに加え、第３の接触面２４５は、第１の中央表面区域２０９（例えば、中央の主面２１１）と実質的に同一平面上にあり（例えば、共通の面、第三面２０４ｃに沿って延在し）得る。高分子系部分２４１は、基板厚さ２２７（例えば、第１の部分２２１の第１の厚さ）と中央厚さ２１７との間の差と実質的に等しい大きさだけ、基板厚さ２２７（例えば、第１の部分２２１の第１の厚さ）の方向２０２に延在することがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、高分子系部分２４１の第４の接触面２４７に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、高分子系部分２４１の第４の接触面２４７と接触し得る。図２に示されたような、またさらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の代わりに、凹部２１９を占めることがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、接着剤層２６１は、存在しないことがあり、その代わりに、高分子系部分２４１が、接着剤層２６１が占められていた領域を占めることがある。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は高分子（例えば、光学的に透明な高分子）を含む。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、光学的な透明な：アクリル（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ））、エポキシ、シリコーン、および／またはポリウレタンの１つ以上を含み得る。エポキシの例としては、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ、脂環式エポキシ、およびグリシジルアミン系エポキシが挙げられる。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、ポリオレフィン、ポリアミド、ハロゲン化物含有高分子（例えば、ポリ塩化ビニルまたはフッ素含有高分子）、エラストマー、ウレタン、フェノール樹脂、パリレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の内の１つ以上を含み得る。ポリオレフィンの例示の実施の形態としては、低分子量ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高分子量ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）が挙げられる。フッ素含有高分子の例示の実施の形態としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ペルフルオロポリエーテル（ＰＥＰＥ）、ペルフルオロスルホン酸（ＰＦＳＡ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）ポリマー、およびエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）ポリマーが挙げられる。エラストマーの例示の実施の形態としては、ゴム（例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ニトリルゴム）およびブロック共重合体（例えば、ポリスチレン、ポリジクロロホスファゼン、およびポリ（５－エチリデン－２－ノルボルネン）の内の１つ以上を含む、例えば、スチレン・ブタジエン、耐衝撃性ポリスチレン、ポリ（ジクロロホスファゼン））が挙げられる。いくつかの実施の形態において、その高分子系部分は、ゾルゲル材料を含むことがある。ポリウレタンの例示の実施の形態としては、熱硬化性ポリウレタン、例えば、Ｉｎｃｏｒｅｚから入手できるＤｉｓｐｕｒｅｚ １０２および熱可塑性ポリウレタン、例えば、Ｈｕｎｔｓｍａｎから入手できるＫｒｙｓｔａｌＦｌｅｘ ＰＥ５０５が挙げられる。またさらなる実施の形態において、第２の部分は、エチレン酸共重合体を含み得る。エチレン酸共重合体の例示の実施の形態としては、Ｄｏｗから入手できるＳＵＲＬＹＮ（例えば、Ｓｕｒｌｙｎ ＰＣ－２０００、Ｓｕｒｌｙｎ ８９４０、Ｓｕｒｌｙｎ ８１５０）が挙げられる。第２の部分の追加の例示の実施の形態としては、１質量％から２質量％の架橋剤を含む、Ａｘａｌｔａから入手できるＥｌｅｇｌａｓｓ ｗ８０２－ＧＬ０４４が挙げられる。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、ナノ粒子、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、シリカナノ粒子、または高分子から作られたナノ粒子をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分は、高分子・繊維複合体を形成するために繊維をさらに含み得る。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し得る。ここに用いられているように、熱膨張係数は、－２０℃と４０℃の間でＰｉｃｏｓｃａｌｅ Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒを使用して、ＡＳＴＭ Ｅ２８９－１７にしたがって測定される。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、酸化銅、β石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、および／またはニッケルチタン合金の内の１つ以上の粒子を含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約－２０×１０－７１／℃以上、約－１０×１０－７１／℃以上、約－５×１０－７１／℃以上、約－２×１０－７１／℃以上、約１０×１０－７１／℃以下、約５×１０－７１／℃以下、約２×１０－７１／℃以下、約１×１０－７１／℃以下、または０ １／℃以下のＣＴＥを有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約－２０×１０－７１／℃から約１０×１０－７１／℃、約－２０×１０－７１／℃から約５×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から約－５×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から約２×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から０ １／℃、約－５×１０－７１／℃から約０ １／℃、約－２×１０－７１／℃から約０ １／℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内のＣＴＥを有し得る。低い（例えば、負の）熱膨張係数を有する高分子系部分を設けることにより、高分子系部分の硬化中の体積変化により生じる反りを軽減することができる。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約０．０１メガパスカル（ＭＰａ）以上、約１ＭＰａ以上、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以上、約２００ＭＰａ以上、約１，０００ＭＰａ以上、約５，０００ＭＰａ以下、約３，０００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、約５００ＭＰａ以下、または約２００ＭＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約０．００１ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約５００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約２００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約２００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約１，０００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、約１ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１ＧＰａから約１８ＧＰａ、約１ＧＰａから約１０ＧＰａ、約１ＧＰａから約５ＧＰａ、約１ＧＰａから約３ＧＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。高分子系部分２４１に約０．０１ＭＰａから約３，０００ＭＰａの範囲内（例えば、約２０ＭＰａから約３ＧＰａの範囲内）の弾性率を与えることによって、破損しない折り畳み式装置の折り畳みを促進することができる。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の弾性率より大きい弾性率を有し、この構成により、穿刺抵抗の性能が改善される。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、折り畳み式基板２０１の弾性率よりも小さいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、この段落において先に挙げた範囲内の弾性率を有することがある。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の弾性率と実質的に同じ弾性率を有することがある。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の弾性率は、約１ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１ＧＰａから約１８ＧＰａ、約１ＧＰａから約１０ＧＰａ、約１ＧＰａから約５ＧＰａ、約１ＧＰａから約３ＧＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、第１の部分２２１の弾性率より小さいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、第２の部分２３１の弾性率より小さいことがあり得る。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、約０．００１メガパスカル（ＭＰａ）以上、約０．０１ＭＰａ以上、約０．１ＭＰａ以上、約１ＭＰａ以下、約０．５ＭＰａ以下、約０．１ＭＰａ以下、または約０．０５ＭＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、約０．００１ＭＰａから約１ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約１ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．０５ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．００１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．００１ＭＰａから約０．０１ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、この接着剤層は、高分子系部分２４１の弾性率について先に述べられた範囲の内の１つ上に入る弾性率を有し得る。
図２に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５を覆って、コーティング２８１を配置することができる。さらなる実施の形態において、コーティング２８１は、第１の部分２２１、第２の部分２３１、および中央部分２５１を覆って配置することができる。いくつかの実施の形態において、コーティング２８１は、第３の主面２８３および第３の主面２８３と反対にある第４の主面２８５を有し得る。さらなる実施の形態において、コーティング２８１（例えば、第３の主面２８３）は、折り畳み式基板２０１（例えば、第２の主面２０５）と接触し得る。さらなる実施の形態において、コーティング２８１は、第３の主面２８３と第４の主面２８５との間に規定されたコーティング厚さ２８７を有し得る。さらなる実施の形態において、コーティング厚さ２８７は、約０．１μｍ以上、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１５μｍ以上、約２０μｍ以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約５０μｍ以上、約６０μｍ以上、約７０μｍ以上、約８０μｍ以上、約９０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下、約３０μｍ以下、約２５μｍ以下、約２０μｍ以下、約２０μｍ以下、約１５μｍ以下、または１０約μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、コーティング厚さ２８７は、約０．１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約２００μｍ、約１０μｍから約２００μｍ、約５０μｍから約２００μｍ、約０．１μｍから約１００μｍ、約１μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約２０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約４０μｍから約１００μｍ、約５０μｍから約１００μｍ、約６０μｍから約１００μｍ、約７０μｍから約１００μｍ、約８０μｍから約１００μｍ、約９０μｍから約１００μｍ、約０．１μｍから約５０μｍ、約１μｍから約５０μｍ、約１０μｍから約５０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、コーティング厚さ２８７は、約０．１μｍから約５０μｍ、約０．１μｍから約３０μｍ、約０．１μｍから約２５μｍ、約０．１μｍから約２０μｍ、約０．１μｍから約１５μｍ、約０．１μｍから約１０μｍ、約１μｍから約３０μｍ、約１μｍから約２５μｍ、約１μｍから約２０μｍ、約１μｍから約１５μｍ、約１μｍから約１０μｍ、約５μｍから約３０μｍ、約５μｍから約２５μｍ、約５μｍから約２０μｍ、約５μｍから約１５μｍ、約５μｍから約１０μｍ、約１０μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約２５μｍ、約１０μｍから約２０μｍ、約１０μｍから約１５μｍ、約１５μｍから約３０μｍ、約１５μｍから約２５μｍ、約１５ｍから約２０μｍ、約２０μｍから約３０μｍ、約２０μｍから約２５μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。
いくつかの実施の形態において、コーティング２８１は、高分子硬質コーティングを構成し得る。さらなる実施の形態において、この高分子硬質コーティングは、エチレン酸共重合体、ポリウレタン系高分子、アクリル樹脂、およびメルカプトエステル樹脂の内の１つ以上から作られ得る。エチレン酸共重合体の例示の実施の形態としては、エチレンアクリル酸共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体、エチレンアクリルメタクリル酸三元重合体（例えば、ＤｕＰｏｎｔにより製造されている、Ｎｕｃｒｅｌ）、エチレン酸共重合体のイオノマー（例えば、ＤｕＰｏｎｔにより製造されている、Ｓｕｒｌｙｎ）、およびエチレンアクリル酸共重合体アミンディスパージョン（例えば、ＢＹＫにより製造されている、Ａｑｕａｃｅｒ）が挙げられる。ポリウレタン系高分子の例示の実施の形態としては、水性変性ポリウレタンディスパージョン（例えば、Ａｘａｌｔａにより製造されている、Ｅｌｅｇｌａｓ（登録商標））が挙げられる。紫外線硬化性であり得るアクリル樹脂の例示の実施の形態としては、アクリル樹脂（例えば、Ａｌｌｎｅｘにより製造されている、Ｕｖｅｋｏｌ（登録商標）樹脂）、シアノアクリレート接着剤（例えば、Ｋｒａｙｄｅｎにより製造されている、Ｐｅｒｍａｂｏｎｄ（登録商標））、およびＵＶラジカルアクリル樹脂（例えば、Ｕｌｔｒａｂｏｎｄフロントガラス修復樹脂、例えば、Ｕｌｔｒａｂｏｎｄ（４５ＣＰＳ））が挙げられる。メルカプトエステル樹脂の例示の実施の形態としては、メルカプトエステルトリアリルイソシアヌレート（例えば、Ｎｏｒｌａｎｄ光学接着剤ＮＯＡ ６１）が挙げられる。さらなる実施の形態において、高分子硬質コーティングは、エチレンアクリル酸共重合体およびエチレンメタクリル酸共重合体を含み得、これは、典型的に、アルカリ金属イオン、例えば、ナトリウムおよびカリウムのイオン、また亜鉛によるカルボン酸残基の中和によって、イオノマー樹脂を形成するようにイオノマー化されることがある。そのようなエチレンアクリル酸イオノマーおよびエチレンメタクリル酸イオノマーは、水中に分散され、基板上に被覆されて、イオノマーコーティングを形成することがある。あるいは、そのような酸共重合体は、アンモニアにより中和されることがあり、これは、被覆および乾燥の後に、アンモニアを遊離して、コーティングとして酸共重合体を再形成する。高分子コーティングから作られたコーティングを設けることにより、折り畳み式装置は、低エネルギー破壊を有し得る。
いくつかの実施の形態において、前記コーティングは、光学的に透明な高分子ハードコート層を含む高分子硬質コーティングを構成し得る。光学的に透明な高分子ハードコート層に適した材料としては、以下に限られないが、硬化アクリル樹脂材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート、シロキサン系ハイブリッド材料、およびナノ複合材料、例えば、ナノシリケートを有するエポキシおよびウレタン材料が挙げられる。いくつかの実施の形態において、光学的に透明な高分子ハードコート層は、これらの材料の１種類以上から実質的になることがある。いくつかの実施の形態において、光学的に透明な高分子ハードコート層は、これらの材料の１種類以上からなることがある。ここに用いられているように、「無機有機ハイブリッド高分子材料」は、無機成分と有機成分を有する単量体から作られた高分子材料を意味する。無機有機ハイブリッド高分子は、無機基と有機基を有する単量体の間の重合反応によって得られる。無機有機ハイブリッド高分子は、別々の無機と有機の成分または相、例えば、有機基質内に分散した無機微粒子を含むナノ複合材料ではない。より具体的に、光学的に透明な高分子（ＯＴＰ）ハードコート層に適した材料としては、以下に限られないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、および脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートが挙げられる。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、もしくは脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートから実質的になることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ポリイミド、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、もしくは脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートからなることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ナノ複合材料を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ナノシリケートと、エポキシおよびウレタン材料の少なくとも一方と含むことがある。そのようなＯＴＰハードコート層に適した組成物が、ここに全て引用により含まれる、米国特許出願公開第２０１５／０１１０９９０号明細書に記載されている。ここに用いられているように、「有機高分子材料」は、有機成分のみを有する単量体から作られた高分子材料を意味する。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、グンゼ株式会社により製造されている、９Ｈの硬度を有する有機高分子材料、例えば、グンゼの「Ｈｉｇｈｌｙ Ｄｕｒａｂｌｅ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｆｉｌｍ」から構成されることがある。ここに用いられているように、「無機有機ハイブリッド高分子材料」は、無機成分と有機成分を有する単量体から作られた高分子材料を意味する。無機有機ハイブリッド高分子は、無機基と有機基を有する単量体の間の重合反応によって得られる。無機有機ハイブリッド高分子は、別々の無機と有機の成分または相、例えば、有機基質内に分散した無機微粒子を含むナノ複合材料ではない。いくつかの実施の形態において、無機有機ハイブリッド高分子材料は、無機ケイ素系基を含む重合単量体、例えば、シルセスキオキサン高分子を含むことがある。シルセスキオキサン高分子は、例えば、以下の化学構造：（ＲＳｉＯ１．５）ｎを有するアルキル－シルセスキオキサン、アリール－シルセスキオキサン、またはアリールアルキル－シルセスキオキサンであることがあり、式中、Ｒは、有機基、例えば、以下に限られないが、メチルまたはフェニルである。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、有機基質と組み合わされたシルセスキオキサン高分子、例えば、日鉄ケミカル＆マテリアルにより製造されている、シルプラス（登録商標）から作られることがある。いくつかの実施の形態において、８Ｈ以上の硬度を有するＯＴＰハードコート層は、９０質量％から９５質量％の芳香族六官能性ウレタンアクリレート（例えば、Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．により製造されている、ＰＵ６６２ＮＴ（芳香族六官能性ウレタンアクリレート））および１０質量％から５質量％の光開始剤（例えば、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造されている、Ｄａｒｏｃｕｒ（登録商標）１１７３）を含むことがある。いくつかの実施の形態において、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートでできているＯＴＰハードコート層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上にその層を回転塗布し、ウレタンアクリレートを硬化させ、ＰＥＴ基板からウレタンアクリレート層を取り除くことによって、独立した層として形成されることがある。ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、１μｍから１５０μｍの範囲内のコーティング厚さ（例えば、コーティング厚さ２８７）を有することがある。例えば、コーティング厚さ（例えば、コーティング厚さ２８７）は、１０μｍから１４０μｍ、２０μｍから１３０μｍ、３０μｍから１２０μｍ、４０μｍから１１０μｍ、５０μｍから１００μｍ、６０μｍから９０μｍ、７０μｍから８０μｍ、２μｍから１４０μｍ、４μｍから１３０μｍ、６μｍから１２０μｍ、８μｍから１１０μｍ、１０μｍから１００μｍ、１０μｍから９０μｍ、１０μｍから８０ｍ、１０μｍから７０μｍ、１０μｍから６０μｍ、１０μｍから５０μｍの範囲内、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、単一のモノリス層であることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、８０μｍから１２０μｍの範囲の厚さを有する無機有機ハイブリッド高分子材料層または有機高分子材料層であることがある。例えば、無機有機ハイブリッド高分子材料または有機高分子材料から作られたＯＴＰハードコート層は、８０μｍから１１０μｍ、９０μｍから１００μｍ、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内の厚さを有することがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、１０μｍから６０μｍの範囲の厚さを有する脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート材料層であることがある。例えば、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート材料から作られたＯＴＰハードコート層は、１０μｍから５５μｍ、１０μｍから５０μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから４５μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから３５μｍ、１０μｍから３０μｍ、１０μｍから２５μｍ、１０μｍから２０μｍ、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内の厚さを有することがある。
いくつかの実施の形態において、コーティング２８１は、設けられた場合、洗浄し易いコーティング、低摩擦コーティング、油分を弾くコーティング、ダイヤモンド様コーティング、耐引掻性コーティング、または耐摩耗性コーティングの１つ以上も含むことがある。耐引掻性コーティングは、酸窒化物、例えば、約５００マイクロメートル以上の厚さを有する酸窒化アルミニウムまたは酸窒化ケイ素から作られることがある。そのような実施の形態において、耐摩耗性層は、耐引掻性層と同じ材料から作られることがある。いくつかの実施の形態において、低摩擦コーティングは、高度にフッ素化されたシランカップリング剤、例えば、オキシメチル基がケイ素原子に結合したアルキルフルオロシランから作られることがある。そのような実施の形態において、洗浄し易いコーティングは、低摩擦コーティングと同じ材料から作られることがある。他の実施の形態において、洗浄し易いコーティングは、プロトン化可能な基、例えば、アミン、例えば、オキシメチル基がケイ素原子に結合したアルキルアミノシランから作られることがある。そのような実施の形態において、油分を弾くコーティングは、洗浄し易いコーティングと同じ材料から作られることがある。いくつかの実施の形態において、ダイヤモンド様コーティングは、炭素から作られ、炭化水素プラズマの存在下で高電位を印加することによって、作られることがある。
図２に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１は、剥離ライナー２７１を含み得るが、さらなる実施の形態において、図示された剥離ライナー２７１よりむしろ、他の基板（例えば、本明細書を通じて述べられるガラス系基板および／またはセラミック系基板）が用いられることがある。図示されたような、さらなる実施の形態において、剥離ライナー２７１、または別の基板を、接着剤層２６１を覆って配置することができる。図示されたような、またさらなる実施の形態において、剥離ライナー２７１、または別の基板は、接着剤層２６１の第１の接触面２６３と直接接触し得る。剥離ライナー２７１、または別の基板は、第１の主面２７３および第１の主面２７３と反対にある第２の主面２７５を有し得る。図から分かるように、剥離ライナー２７１、または別の基板は、接着剤層２６１の第１の接触面２６３を剥離ライナー２７１の第２の主面２７５、または別の基板に取り付けることによって、接着剤層２６１上に配置することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、剥離ライナー２７１の第１の主面２７３、または別の基板は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、剥離ライナー２７１の第２の主面２７５、または別の基板は、平面を構成し得る。剥離ライナー２７１は、紙および／または高分子から作ることができる。紙の例示の実施の形態としては、クラフト紙、マシン・フィニッシュド紙、ポリコート紙（例えば、高分子被覆、グラシン紙、シリコン処理紙）、またはクレーコート紙が挙げられる。高分子の例示の実施の形態としては、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ））およびポリオレフィン（例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ））が挙げられる。
図３および７に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置３０１は、表示装置３０７を備え得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、表示装置３０７は、接着剤層２６１を覆って配置することができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、表示装置３０７は、接着剤層２６１の第１の接触面２６３に接触し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置３０１の製造は、図２の折り畳み式装置１０１の剥離ライナー２７１を除去し、表示装置３０７を接着剤層２６１の第１の接触面２６３に取り付けることによって、行われることがある。あるいは、折り畳み式装置３０１は、表示装置３０７を接着剤層２６１の第１の接触面２６３に取り付ける前に、剥離ライナー２７１を除去する余計な工程を行わずに、例えば、剥離ライナー２７１が接着剤層２６１の第１の接触面２６３に施されていない場合、製造されることがある。表示装置３０７は、第１の主面３０３および第１の主面３０３と反対にある第２の主面３０５を有し得る。図から分かるように、表示装置３０７は、接着剤層２６１の第１の接触面２６３を表示装置３０７の第２の主面３０５に取り付けることによって、接着剤層２６１上に配置することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、表示装置３０７の第１の主面３０３は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、表示装置３０７の第２の主面３０５は、平面を構成し得る。表示装置３０７は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を含み得る。いくつかの実施の形態において、表示装置３０７は、携帯型電子機器、例えば、消費者向け電子製品、スマートフォン、タブレット、ウェアラブル機器、またはラップトップ型コンピュータの一部であり得る。
本開示の実施の形態は、消費者向け電子製品を含み得る。その消費者向け電子製品は、前面、背面、および側面を有し得る。この消費者向け電子製品は、筐体内に少なくとも部分的にある電気部品をさらに含み得る。その電気部品は、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含み得る。このディスプレイは、筐体の前面に、またはそれに隣接してあり得る。消費者向け電子製品は、ディスプレイを覆って配置されたカバー基板を備え得る。いくつかの実施の形態において、筐体の一部またはカバー基板の少なくとも一方は、本開示を通じて述べられている折り畳み式装置を構成する。
ここに開示された折り畳み式装置は、別の物品、例えば、ディスプレイを有する物品（またはディスプレイ物品）（例えば、携帯電話、タブレット、コンピュータ、ナビゲーションシステム、ウェアラブル機器（例えば、腕時計）などを含む消費者向け電子機器）、建築物品、輸送物品（例えば、自動車、列車、航空機、船舶など）、電気器具物品、もしくはある程度の透明性、耐引掻性、耐摩耗性またはその組合せの恩恵を受けることのある任意の物品に組み込まれることがある。ここに開示された折り畳み式装置のいずれかを組み込んだ例示の物品が、図８～９に示されている。詳しくは、図８～９は、前面８０４、背面８０６、および側面８０８を有する筐体８０２；筐体内に少なくとも部分的にある、または完全に中にある、少なくとも制御装置、メモリ、および筐体の前面にまたはそれに隣接してあるディスプレイ８１０を含む電気部品（図示せず）；およびディスプレイを覆ってあるように筐体の前面にまたはそれを覆ってあるカバー基板８１２を含む消費者向け電子機器８００を示す。いくつかの実施の形態において、カバー基板８１２または筐体８０２の一部の少なくとも一方は、ここに開示された折り畳み式装置、例えば、折り畳み式基板のいずれかを含むことがある。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、ある面（例えば、図１～３の面１０９）に対して実質的に対称的であることがある。面１０９は、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５に位置付けることができる折り畳み式装置の中心軸１０７を含むことがある。さらに図示されるように、いくつかの実施の形態において、面１０９は、折り畳み式装置の旋回軸１０２を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その折り畳み式装置は、折り畳まれた形態（例えば、図６～７参照）を形成するように、旋回軸１０２の周りの方向１１１（例えば、図１参照）に折り畳むことができる。図から分かるように、折り畳み式装置は、例えば、折り畳み式装置を半分に折り畳める、２つ折りを可能にする１つの旋回軸を含むことがある。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、各々の旋回軸が、先に述べた中央部分２５１と類似または同一の対応する中間部分を含む、２つ以上の旋回軸を含むことがある。例えば、２つの旋回軸を設けることにより、折り畳み式装置を３つ折りにすることができ、ここで、例えば、折り畳み式装置を、第１の部分２２１、第２の部分２３１、およびこの第１の部分または第２の部分と類似か同一の第３の部分を含む３つの部分に、折り畳むことができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板で構成することができ、第１の部分２２１、第２の部分２３１、および／または中央部分２５１は、１つ以上の圧縮応力領域を含み得る。いくつかの実施の形態において、圧縮応力領域は、化学強化によって作られることがある。化学強化は、表面層内のイオンが、同じ価数または酸化状態を有するより大きいイオンにより置換される－すなわち交換される－イオン交換過程を含むことがある。化学強化する方法は、後述されている。理論で束縛されることは意図していないが、第１の部分２２１、第２の部分２３１、および／または中央部分２５１を化学強化することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗（例えば、約１５センチメートル（ｃｍ）以上、約２０ｃｍ以上、約５０ｃｍ以上のペン落下高さの破損に抵抗する）を可能にすることができる。理論で束縛されることは意図していないが、第１の部分２２１、第２の部分２３１、および／または中央部分２５１を化学強化すると、この化学強化により生じる圧縮応力が、基板の最表面の曲げ誘起引張応力に対抗できるので、小さい（例えば、約１０ｍｍより小さい）曲げ半径を可能にすることができる。圧縮応力領域は、圧縮深さと呼ばれる深さだけ、第１の部分および／または第２の部分の一部に延在することがある。ここに用いられているように、圧縮深さは、ここに記載された化学強化された基板および／または部分中の応力が圧縮応力から引張応力に変化する深さを意味する。圧縮深さは、イオン交換処理および測定される物品の厚さに応じて、圧縮応力計または散乱光偏光器（ＳＣＡＬＰ、ここに報告された値は、エストニア国のＧｌａｓｓｔｒｅｓｓ Ｃｏ．により製造されたＳＣＡＬＰ－５を使用して測定した）により測定することができる。基板および／または部分内の応力が、カリウムイオンを基板中に交換することによって生じている場合、圧縮深さを測定するために、圧縮応力計、例えば、ＦＳＭ－６０００（株式会社折原製作所（日本国））が使用される。特に明記のない限り、圧縮応力（表面ＣＳを含む）は、市販の機器、例えば、折原製作所により製造されたＦＳＭ－６０００を使用して圧縮応力計（ＦＳＭ）により測定される。表面応力測定は、ガラスの複屈折に関連する、応力光学係数（ＳＯＣ）の精密測定に依存する。特に明記のない限り、ＳＯＣは、その内容がここに全て引用される、「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」と題する、ＡＳＴＭ基準Ｃ７７０－１６に記載されている、手順Ｃ（ガラスディスク法）にしたがって測定される。応力が、ナトリウムイオンを基板中に交換することによって生じており、測定される物品が約４００μｍより厚い場合、圧縮深さおよび中央張力（ＣＴ）を測定するために、ＳＣＡＬＰが使用される。基板および／または部分内の応力が、カリウムイオンとナトリウムイオンの両方をその基板および／または部分中に交換することによって生じており、測定される物品が約４００μｍより厚い場合、圧縮深さおよびＣＴは、ＳＣＡＬＰによって測定される。理論で束縛されることは意図されていないが、ナトリウムイオンの交換深さは圧縮深さを表し、一方で、カリウムイオンの交換深さは、圧縮応力の大きさの変化（しかし、圧縮から引張への応力の変化ではない）を表す。応力プロファイルのグラフ表示を導くために、屈折近視野（ＲＮＦ；ＲＮＦ法は、引用によりここに全て含まれる、「Systems and methods for measuring a profile characteristic of a glass sample」と題する米国特許第８８５４６２３号明細書に記載されている）法が使用されることもある。応力プロファイルのグラフ表示を導くために、ＲＮＦ法が利用される場合、ＳＣＡＬＰにより与えられる最大中央張力値が、ＲＮＦ法に利用される。ＲＮＦにより導かれる応力プロファイルのグラフ表示は、ＳＣＡＬＰ測定によって与えられる最大中央張力値に対して力平衡され、較正される。ここに用いられているように、「層の深さ（ＤＯＬ）」は、イオン（例えば、ナトリウム、カリウム）が基板および／または部分中に交換された深さを意味する。本開示を通じて、最大中央張力がＳＣＡＬＰにより直接測定できない場合（測定される物品が約４００μｍより薄い場合など）、最大中央張力は、基板の厚さと圧縮深さの２倍との間の差で割った、最大圧縮応力と圧縮深さの積により近似することができ、ここで、圧縮応力および圧縮深さは、ＦＳＭで測定される。
いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた第１の部分２２１は、第１の表面区域２２３から第１の圧縮深さまで延在し得る第１の表面区域２２３での第１の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた第１の部分２２１は、第２の表面区域２２５から第２の圧縮深さまで延在し得る第２の表面区域２２５での第２の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲であり得る。
さらなる実施の形態において、第１の圧縮深さは、第２の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。第１の厚さの約１％から約３０％の範囲にある第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さを含む第１のガラス系および／またはセラミック系部分から構成される第１の部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮応力領域は、第１の最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮応力領域は、第２の最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、第１の圧縮応力領域および第１の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、第２の圧縮応力領域および第２の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有し得る。ここに用いられているように、１種類以上のアルカリ金属イオンの層の深さの１種類以上のアルカリ金属イオンは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、および／またはフランシウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、第１の引張応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その第１の引張応力領域は、第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、第１の引張応力領域は、第１の最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の最大引張応力は、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約３０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以下、約８０ＭＰａ以下、または約６０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の最大引張応力は、約１０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約１０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約３０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約６０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１０ＭＰａから約１００ＭＰａの範囲内の第１の最大引張応力を提供することにより、下記に記載されるように、低エネルギー破壊を与えつつ、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み得る。ここに用いられているように、「酸化物基準」は、成分が、化合物中の非酸素成分が特定の酸化物形態か、または特定の酸化物形態が特定されない場合には、完全に酸化された酸化物に変換されたかのように測定されることを意味する。例えば、酸化物基準のナトリウム（Ｎａ）は、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）に関する量を称し、一方で、酸化物基準のカリウムは、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）に関する量を称する。それゆえ、成分は、その成分が「酸化物基準」の量で計数されるために、実際に、特定の酸化物形態または完全に酸化された酸化物形態にある必要はない。それゆえ、酸化物基準で濃度を計算する前に、特定の酸化物形態が特定されない場合、特定成分に関する「酸化物基準」の測定は、特定成分の非酸素元素を含む材料を、特定の酸化物形態または完全に酸化された酸化物に概念的に変換する工程を含む。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。理論で束縛されることは意図していないが、平均濃度のカリウムは、化学強化により導入されたカリウムおよび形成されたままの折り畳み式基板中のカリウムを含む。
いくつかの実施の形態において、第２のガラス系および／またはセラミック系部分から作られた第２の部分２３１は、第３の表面区域２３３から第３の圧縮深さまで延在し得る第３の表面区域２３３での第３の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、第２のガラス系および／またはセラミック系部分から作られた第２の部分２３１は、第４の表面区域２３５から第４の圧縮深さまで延在し得る第４の表面区域２３５での第４圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、第３の圧縮深さは、第４の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さの約１％から約３０％の範囲にある第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さを含むガラス系および／またはセラミック系部分をから構成される第２の部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第３の圧縮応力領域は、第３の最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第４の圧縮応力領域は、第４の最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第３の圧縮応力領域および第３の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第４の圧縮応力領域および第４の圧縮層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第４の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第２の引張応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その第２の引張応力領域は、第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、第２の引張応力領域は、第２の最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第２の最大引張応力は、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約３０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以下、約８０ＭＰａ以下、または約６０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第２の最大引張応力は、約１０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約１０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約３０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約６０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１０ＭＰａから約１００ＭＰａの範囲内の第２の最大引張応力を提供することにより、下記に記載されるように、低エネルギー破壊を与えつつ、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さは、第３の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮深さは、第４の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最大圧縮応力は、第３の最大圧縮応力と等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の最大圧縮応力は、第４の最大圧縮応力と等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さは、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度は、カリウムの第２の平均濃度と実質的に等しくあり得る。
いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた中央部分２５１は、第１の中央表面区域２０９から第１の中央圧縮深さまで延在し得る第１の中央表面区域２０９での第１の中央圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた中央部分２５１は、第２の中央表面区域２１３から第２の中央圧縮深さまで延在し得る第２の中央表面区域２１３での第２の中央圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１０％以上、例えば、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１５％から約２５％、約１５％から約２０％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
さらなる実施の形態において、第１の中央圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。中央厚さの約１％から約３０％の範囲にある第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さを含む第１のガラス系および／またはセラミック系部分から構成される中央部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮応力領域は、第１の中央最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の中央圧縮応力領域は、第２の中央最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第１の中央圧縮応力領域および第１の中央の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第２の中央圧縮応力領域および第２の中央の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の中央の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第３の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の層の深さおよび／または第３の層の深さは、第１の中央の層の深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の層の深さおよび／または第４の層の深さは、第２の中央の層の深さより大きくあり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、中央引張応力領域を有することがある。いくつかの実施の形態において、その中央引張応力領域は、第１の中央圧縮応力領域と第２の中央圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、その中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、その中央最大引張応力は、約１２５ＭＰａ以上、約１５０ＭＰａ以上、約２００ＭＰａ以上、約３７５ＭＰａ以下、約３００ＭＰａ以下、または約２５０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、中央最大引張応力は、約１２５ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約２５０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１２５ＭＰａから約３７５ＭＰａの範囲内の中央最大引張応力を提供することにより、小さい最小曲げ半径を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の最大引張応力および第２の最大引張応力は、中央最大引張応力より小さくあり得る。中央部分における中央最大引張応力より小さい第１の最大引張応力および第２の最大引張応力を提供することにより、低エネルギー破壊を可能にすることができると同時に、より小さい最小曲げ半径を可能にすることができる。さらなる実施の形態において、第１の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。またさらなる実施の形態において、第３の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。さらなる実施の形態において、第２の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。またさらなる実施の形態において、第４の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。先に述べたように、中央厚さは基板厚さより小さくあり得（例えば、約０．５％から約１３％の範囲で）、これにより、第１の部分、第２の部分、および中央部分に関する圧縮深さが実質的に同じであることがあっても、中央最大中央張力を第１の最大中央張力および第２の最大中央張力より大きくすることができる。
いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
折り畳み式基板（例えば、折り畳み式基板２０１）は、様々なタイプの機械的不安定性に曝され得る。本開示を通じて、機械的不安定性は、局部機械的不安定性並びに全体機械的不安定性を含む。ここに用いられているように、局部機械的不安定性は、全体として表面をゆがめずに、例えば、座屈および／またはしわなく、表面（例えば、第１の中央表面区域）の面からの偏差（例えば、複数の偏差）として現れる。ここに用いられているように、全体機械的不安定性は、面からの全表面の歪み、例えば、反りとして現れる。図４３に示されるように、横軸４３０１（例えば、Ｘ軸）は中央厚さ（例えば、中央厚さ２１７）を構成し、縦軸４３０３（例えば、Ｙ軸）は基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）を構成する。図４３にプロットされた形状は、その位置での中央厚さと基板厚さの組合せに観察された機械的不安定性の１つ（または複数）のタイプに対応する。菱形４３０９は座屈に対応する。円形４３０７は座屈としわに対応する。三角形４３１３は反りとしわに対応する。正方形４３１１は反りに対応する。曲線４３０４および４３０５は、局部不安定性が生じる中央厚さと基板厚さの組合せとは対照的に、広い不安定性（例えば、反り）のみが生じる中央厚さと基板厚さの組合せを区切るものである。曲線４３０５は、基板厚さが、中央厚さの約４倍から７１マイクロメートルを減算したものより大きい場合に、局部不安定性が観察されるであろうことを示す線である。より詳しくは、曲線４３０５は、基板厚さが、中央厚さの約４．１倍から７１．３７マイクロメートルを減算したものより大きい場合に、局部不安定性が観察されるであろうことを示す。曲線４３０４および４３０５は、より薄い折り畳み式基板（曲線４３０４および／または４３０５より上）が被ったいくつかの不安定性（例えば、局部機械的不安定性）は、より厚い折り畳み式基板（曲線４３０４および／または４３０５より下）が被ったいくつかの不安定性と異なり得ることを示す。
折り畳み式基板の一部（例えば、中央部分）の臨界歪み（例えば、臨界座屈歪み）を超えた場合、機械的不安定性（例えば、局部機械的不安定性）の兆候が生じるであろう。例えば、２０ｍｍの中央部分２５１の幅２５２を有する図３の折り畳み式基板２０１に似た中央部分の臨界座屈歪みは、中央厚さの二乗を１０６倍したものから中央厚さの２３倍を減算したものに０．０００６を加算することによって、近似することができる。例えば、理論で束縛されることは意図していないが、３０μｍの中央厚さ２７１を有する図３の折り畳み式基板２０１に似た中央部分の臨界座屈歪みは、中央部分２５１の幅２５２の二乗で除算された３×１０－７により近似することができる。
折り畳み式基板を化学強化することにより生じた折り畳み式基板の中央部分の化学強化により誘発された圧縮歪みは、ネットワーク膨張係数(the network dilation coefficient)（Ｂ）、濃度差（Ｃ）、および中央厚さで除算された中央部分の層の深さと、基板厚さで除算された第１の部分（または第２の部分）の層の深さとの間の差の積に比例し得る。いくつかの実施の形態において、中央部分の化学強化により誘発された圧縮歪みの圧縮歪みは、濃度差を最小にすることにより、および／または中央厚さで除算された中央部分の層の深さと、基板厚さで除算された第１の部分（または第２の部分）の層の深さとの間の差を最小にすることにより、減少させる（例えば、臨界座屈歪みより低いレベルまで）ことができる。ここに用いられているように、ネットワーク膨張係数は、１種類以上のアルカリイオンの濃度の増加の結果として（例えば、化学強化の結果として）、折り畳み式基板（例えば、第１の部分、第２の部分、中央部分）の体積がどれだけ膨張するかを称する。いくつかの実施の形態において、第１の部分のネットワーク膨張係数および／または第２の部分のネットワーク膨張係数は、例えば、第１の部分および／または第２の部分および中央部分の全てが、化学強化前に同じ材料から作られている場合、中央部分のネットワーク膨張係数と実質的に等しくあり得る。
ここに用いられているように、ある部分の濃度差は、その部分の表面での濃度と、その部分の内部の濃度との間の差を称する。特に明記のない限り、濃度および濃度差は、化学強化および／または圧縮応力領域に関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を称する。いくつかの実施の形態において、濃度および／または濃度差は、酸化物基準のカリウムの濃度を称し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分の内部の濃度および／または第２の部分の内部の濃度は、例えば、第１の部分および／または第２の部分および中央部分が、化学強化前に同じ材料から作られている場合、および／またはある部分の層の深さが、対応する部分の厚さの約４５％未満である場合、中央部分の内部の濃度と実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分の酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、第１の部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分の酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、第２の部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、中央部分の酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、中央部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。
ここに用いられているように、複数の部分の間の濃度差は、ある平均濃度と、別の平均濃度との間の差を意味する。特に明記のない限り、濃度および濃度差は、化学強化および／または圧縮応力領域に関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を称する。いくつかの実施の形態において、濃度および／または濃度差は、酸化物基準のカリウムの濃度を称し得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍ以上、約１０ｐｐｍ以上、約２０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約７０ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以下、約２００ｐｐｍ以下、約１００ｐｐｍ以下、または約８５ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約８５ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍ以上、約１０ｐｐｍ以上、約２０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約７０ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以下、約２００ｐｐｍ以下、約１００ｐｐｍ以下、または約８５ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約８５ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、平均濃度の差の絶対差が約７５ｐｐｍ以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、７０ｐｐｍ未満、例えば、約０．１ｐｐｍから約５０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約１ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、７０ｐｐｍ未満、例えば、約０．１ｐｐｍから約６０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約５０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約４０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約３０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約１ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。酸化物基準のカリウムの、第１の平均濃度および／または第２の平均濃度と、中央平均濃度との間に絶対差を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、基板厚さで除算された第１の部分または第２の部分に関連する層の深さと、中央厚さで除算された中央部分に関連する層の深さとの間の絶対差が約０．０７５％以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、０．０７％未満、例えば、約０．００１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０５％、約０．０１％から約０．０２％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さで除算された第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、および／または第４の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さとの間の絶対差（例えば、カリウムの層の深さ）を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
圧縮深さは、対応する層の深さに比例し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、基板厚さで除算された第１の部分または第２の部分に関連する圧縮深さと、中央厚さで除算された中央部分に関連する圧縮深さとの間の絶対差が約０．０７５％以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、０．０７％未満、例えば、約０．００１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０５％、約０．０１％から約０．０２％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さで除算された第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、および／または第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さとの間の絶対差を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、化学強化により誘発された歪みおよび／または応力を、折り畳み式基板の光学的遅れプロファイルに観察することができる。ここに用いられているように、光学的遅れプロファイルは、折り畳み式基板を通る約５５３ｎｍの光波長を有する緑色ＬＥＤから放出された光を検出するグレーフィールド旋光計を使用して測定される。理論で束縛されることは意図していないが、光学的遅れにおける空間的差異は、例えば、応力誘起複屈折として、折り畳み式基板における応力の差（例えば、面内歪み）に対応し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分と第２の部分との中間の中心線に沿った中央部分の光学的遅れ、その中心線に沿った光学的遅れの最大値とその中心線に沿った光学的遅れの最小値との間の絶対差は、約０．１ｎｍ以上、約０．５ｎｍ以上、約１ｎｍ以上、約３ｎｍ以下、約２ｎｍ以下、または約１．５ｎｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中心線に沿った光学的遅れの最大値とその中心線に沿った光学的遅れの最小値との間の絶対差は、約０．１ｎｍから約３ｎｍ、約０．１ｎｍから約２ｎｍ、約０．５ｎｍから約２ｎｍ、約０．５ｎｍから約１．５ｎｍ、約１ｎｍから約１．５ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分２５１の光学的遅れと、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１の最小光学的遅れとの間の最大差は、約０．１ｎｍ以上、約０．５ｎｍ以上、約１ｎｍ以上、約２ｎｍ以上、約３ｎｍ以上、約８ｎｍ以下、約６ｎｍ以下、約５ｎｍ以下、または約４ｎｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２５１の光学的遅れと、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１の最小光学的遅れとの間の最大差は、約０．１ｎｍから約８ｎｍ、約０．１ｎｍから約６ｎｍ、約０．５ｎｍから約６ｎｍ、約０．５ｎｍから約５ｎｍ、約１ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約４ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、中央部分２５１の光学的遅れと、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１の最小光学的遅れとの間の最大差が約４．６ｎｍ以下である場合、約３０μｍの中央厚さを有する折り畳み式基板は、機械的不安定性を避けることができる。例えば、中央部分２５１の光学的遅れと、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１の最小光学的遅れとの間の最大差が約５．９ｎｍ以下である場合、約４０μｍの中央厚さを有する折り畳み式基板は、機械的不安定性を避けることができる。
図４４は、接着剤、高分子系部分、剥離ライナー、表示装置、およびＰＥＴシートを備えていない折り畳み式基板に関する、光学的遅れ測定を概略示す。図４４において、横軸４４０１（例えば、Ｘ軸）は長さ１０５の方向１０６に沿った位置であり、縦軸（例えば、Ｙ軸）は幅１０３の方向１０４に沿った位置である。最大の光学的遅れに対応する、領域４４１１は、中央部分２５１と、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１との間の界面に沿った中央部分２５１内にある。領域４４０９は、中央部分内の領域４４１１に隣接し、わずかに小さい光学的遅れに対応する。領域４４１１の間の中央部分２５１は、領域４４０５と領域４４０７の交互の部分を含み、ここで、領域４４０５は中央部分２５１における最低の光学的遅れを有し、領域４４０７は、領域４４０５および４４１１のものの中間の光学的遅れを有する。中心線は、領域４４０５および４４０７を（縦軸４４０３に平行に）ほぼ２等分するであろう。ここで、領域４４０５は、中心線に沿った光学的遅れの最小値を有し、領域４４０７は、中心線に沿った光学的遅れの最大値を有する。理論で束縛されることは意図していないが、中心線に沿った交互のパターンが大きすぎる場合、局部不安定性が生じる可能性がある。中央部分２５１の外側では、領域４４１３は、領域４４０５および４４０７の間の交互のパターンにほぼ対応する一連の部分を構成する。領域４４１３は、領域４４０９のものと類似の光学的遅れを有する。第１の部分２２１および第２の部分２３１において、領域４４１７は、第１の部分２２１および第２の部分２３１における最低の光学的遅れを有する。領域４４１５は、領域４４１３および４４１７のものの中間の光学的遅れ値を有する。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、光学的に透明であり得る。高分子系部分２４１は、第１の屈折率を有し得る。この第１の屈折率は、光学的に透明な接着剤を通過する光の波長の関数であることがある。第１の波長の光について、材料の屈折率は、真空中の光の速度と、対応する材料中の光の速度との間の比として定義される。理論で束縛されることは意図していないが、光学的に透明な接着剤の屈折率は、第１の角度のサイン対第２の角度のサインの比を使用して決定することができ、この第１の波長の光は、第１の角度で、光学的に透明な接着剤の表面に空気から入射し、第２の角度で光学的に透明な接着剤の表面で屈折して、光学的に透明な接着剤内に光を伝搬させる。第１の角度と第２の角度の両方とも、光学的に透明な接着剤の表面の法線に対して測定される。ここに用いられているように、屈折率は、ＡＳＴＭ Ｅ１９６７－１９にしたがって測定され、ここで、第１の波長は５８９ｎｍを含む。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の第１の屈折率は、約１以上、約１．３以上、約１．４以上、約１．４５以上、約１．４９以上、約３以下、約２以下、約１．７以下、約１．６以下、または約１．５５以下であることがある。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の第１の屈折率は、約１から約３、約１から約２、約１から約１．７、約１．３から約１．７、約１．４から約１．７、約１．４から約１．６、約１．４５から約１．５５、約１．４９から約１．５５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、第２の屈折率を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率は、約１以上、約１．３以上、約１．４以上、約１．４５以上、約１．４９以上、約３以下、約２以下、約１．７以下、約１．６以下、または約１．５５以下であることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率は、約１から約３、約１から約２、約１から約１．７、約１．３から約１．７、約１．４から約１．７、約１．４から約１．６、約１．４５から約１．５５、約１．４９から約１．５５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率と、高分子系部分２４１の第１の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、第３の屈折率を有し得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率に関して先に述べた範囲の内の１つ以上の範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率と、高分子系部分２４１の第１の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率と、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、折り畳み式基板２０１の第２の屈折率より小さいことがある。
折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、低エネルギー破壊または高エネルギー破壊と記載することができる破壊モードを有することがある。折り畳み式基板の破壊モードは、図５の平行板装置５０１を使用して測定することができる。有効最小曲げ半径について下記に記載されるように、目標平行板距離５０７が達成されるまで、平行な剛性ステンレス鋼板５０３、５０５を、５０μｍ／秒の速度で共に動かす。目標平行板距離５０７は、４ｍｍ、または折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の有効最小曲げ半径の２倍の大きい方である。次に、炭化タングステン製の鋭い接触プローブを、折り畳み式基板２０１の最も外側の外周面から３０ｍｍの距離５０９にある衝撃位置５１１で折り畳み式基板２０１に衝突させる。ここに用いられているように、粒子が、１メートル毎秒（ｍ／ｓ）以上で破砕中に折り畳み式基板２０１から放出され、その破砕により、２を超える亀裂の枝分かれを生じた場合、破砕は高エネルギーである。ここに用いられているように、破砕により、２以下の亀裂の枝分かれしか生じないか、または１ｍ／ｓ以上で、破砕中に折り畳み式基板２０１から粒子が放出されない場合、破砕は低エネルギーである。放出された粒子の平均速度は、鋭い接触プローブが衝撃位置に接触したときから、その後の５，０００ミリ秒まで、折り畳み式基板の高速ビデオを記録することによって、測定されることがある。
図４および６～７は、折り畳み形態にある本開示の実施の形態による試験用折り畳み式装置６０２および／または折り畳み式装置１０１および３０１のいくつかの実施の形態を概略示す。図６に示されるように、試験用折り畳み式装置６０２は、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５が折り畳まれた試験用折り畳み式装置６０２の内側にあるように折り畳まれている。図６に示された折り畳み形態において、ユーザは、折り畳み式基板２０１を通じてＰＥＴシート６０７の代わりに表示装置３０７を視聴し、それゆえ、第２の主面２０５の側に位置しているであろう。図７に示されるように、折り畳み式装置３０１は、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５が折り畳まれた折り畳み式装置３０１の外側にあるように折り畳まれている。図７において、ユーザは、折り畳み式基板２０１を通じて表示装置３０７を視聴し、それゆえ、第２の主面２０５の側に位置しているであろう。いくつかの実施の形態において、折り畳み形態で示されていないが、折り畳み式装置は、高分子系部分２４１を覆って配置されたコーティング２８１（図２参照）を備え得る。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、追加の基板（例えば、剥離ライナー２７１の代わりにガラス系基板および／またはセラミック系基板）を覆って配置することができ、その追加の基板を、表示装置３０７を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、ユーザは、コーティング２８１を通じて表示装置３０７を視聴するであろう。
ここに用いられているように、「折り畳み式」は、完全な折り畳み、ある程度の折り畳み、曲げ、屈曲、または多数の機能性を含む。ここに用いられているように、「破損する」、「破損」などの用語は、折損、破壊、剥離、または亀裂伝搬を称する。折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り「Ｘ」半径に保持されたときに破損に抵抗した場合、「Ｘ」の有効曲げ半径を達成する、または「Ｘ」の有効曲げ半径を有する、または「Ｘ」の有効曲げ半径を備える。同様に、折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り「Ｘ」の平行板距離に保持されたときに破損に抵抗した場合、「Ｘ」の平行板距離を達成する、または「Ｘ」の平行板距離を有する、または「Ｘ」の平行板距離を備える。
ここに用いられているように、折り畳み式装置の「有効最小曲げ半径」および「平行板距離」は、第１の 剛性ステンレス鋼板６０３および第２の剛性ステンレス鋼板６０５から構成された一対の平行な剛性ステンレス鋼板６０３、６０５を備えた平行板装置６０１（図６参照）を使用した、以下の試験構成および過程により測定される。「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定する場合、試験用接着剤層６０９は、５０μｍの厚さを有する（例えば、図２～３および７における接着剤層２６１の代わりに）。「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定する場合、試験は、図２の剥離ライナー２７１または図３に示された表示装置３０７ではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート６０７に行われる。それゆえ、折り畳み式装置のある形態の「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定するための試験中、試験用折り畳み式装置６０２は、図２の剥離ライナー２７１または図３に示された表示装置３０７ではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート６０７を使用することにより、製造される。試験用折り畳み式装置６０２を調製するときに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート６０７を、剥離ライナー２７１を、図２に示されるように接着剤層２６１の第１の接触面２６３に貼り付ける、または表示装置３０７を、図３に示されるように接着剤層２６１の第１の接触面２６３に貼り付けるのと同じやり方で、試験用接着剤層６０９に貼り付ける。図３～４の折り畳み式装置１０１および／または３０１を試験するために、試験用接着剤層６０９およびシート６０７を、同様に、図６の形態に示されるように取り付けて、試験用折り畳み式装置６０２に試験を行うことができる。試験用折り畳み式装置６０２は、折り畳み式基板２０１が、図６に示された形態と似た、曲げの内側にあるように、一対の平行な剛性ステンレス鋼板６０３、６０５の間に配置される。「平行板距離」を決定するために、これらの平行板の間の距離は、平行板距離６１１が、試験されるべき「平行板距離」と等しくなるまで、５０μｍ／秒の速度で減じられる。次に、平行板は、この「平行板距離」に保持されて、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り試験される。ここに用いられているように、「最小平行板距離」は、折り畳み式装置が上述した条件および形態の下で破損せずに耐えられる最小の平行板距離である。「有効最小曲げ半径」を決定するために、平行板の間の距離は、平行板距離６１１が、試験されるべき「有効最小曲げ半径」の２倍と等しくなるまで、５０μｍ／秒の速度で減じられる。次に、平行板は、その有効最小曲げ半径の２倍に保持されて、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り試験される。ここに用いられているように、「有効最小曲げ半径」は、折り畳み式装置が上述した条件および形態の下で破損せずに耐えられる最小の有効曲げ半径である。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、２００ｍｍ以下、１００ｍｍ以下、５０ｍｍ以下、２０ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、または３ｍｍ以下の平行板距離を達成することができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、５０ミリメートル（ｍｍ）、または２０ｍｍ、または１０ｍｍ、または５ｍｍ、または３ｍｍの平行板距離を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、約４０ｍｍ以下、約２０ｍｍ以下、約１０ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約１ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以上、または約１０ｍｍ以上の最小平行板距離を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２、および／または折り畳み式基板２０１は、２０ｍｍ、１８ｍｍ、１５ｍｍ、４ｍｍ、１２ｍｍ、１０ｍｍ、８ｍｍ、６ｍｍ、５ｍｍ、４ｍｍ、および／または３ｍｍの平行板距離を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、約１ｍｍから約１００ｍｍ、約１ｍｍから約６０ｍｍ、約１ｍｍから約４０ｍｍ、約１ｍｍから約２０ｍｍ、約１ｍｍから約１０ｍｍ、約１ｍｍから約５ｍｍ、約１ｍｍから約３ｍｍ、約３ｍｍから約４０ｍｍ、約３ｍｍから約４０ｍｍ、約３ｍｍから約２０ｍｍ、約３ｍｍから約１０ｍｍ、約３ｍｍから約５ｍｍ、約５ｍｍから約１０ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の有効最小曲げ半径を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２、および／または折り畳み式基板２０１は、１０ｍｍ、９ｍｍ、８ｍｍ、７ｍｍ、６ｍｍ、５ｍｍ、４ｍｍ、３ｍｍ、２ｍｍ、および／または１ｍｍの有効曲げ半径を達成することができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、長さ１０５の方向１０６に第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に規定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、第１の部分２２１から第２の部分２３１まで延在し得る。図２に示されるように、中央部分２５１の幅２５２は、存在する場合には、第１の移行部分２５３の幅２５４ａおよび／または第２の移行部分２５５の幅２５４ｂを含み得る。いくつかの実施の形態において、長さ１０５の方向１０６において第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に規定された折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、有効最小曲げ半径の約２．８倍以上、約３倍以上、約４倍以上、約６倍以下、約５倍以下、または約４倍以下であり得る。いくつかの実施の形態において、有効最小曲げ半径の倍数としての中央部分２５１の幅２５２は、約２．８倍から約６倍、約２．８倍から約５倍、約２．８倍から約４倍、約３倍から約６倍、約３倍から約５倍、約３倍から約４倍、約４倍から約６倍、約４倍から約５倍の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、第二面２０４ｂに平行な第三面２０４ｃに沿って延在する中央部分２５１の中央主面２１１は、折り畳み式装置の曲げ領域における応力集中および損傷を減少させるために、有効最小曲げ半径（例えば、曲げ長さ）の約３倍以上（例えば、約３．２倍以上、約４．４倍以上）である幅を有し得ることを理解すべきである。
理論で束縛されることは意図していないが、平行板の間の円形形態にある曲げ部分の長さは、平行板距離５０７または６１１の約１．６倍以上（例えば、有効最小曲げ半径の約３倍、有効最小曲げ半径の約３．２倍）であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、約２．８ｍｍ以上、約６ｍｍ以上、約９ｍｍ以上、約６０ｍｍ以下、約４０ｍｍ以下、または約２４ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、約２．８ｍｍから約６０ｍｍ、約２．８ｍｍから約４０ｍｍ、約２．８ｍｍから約２４ｍｍ、約６ｍｍから約６０ｍｍ、約６ｍｍから約４０ｍｍ、約６ｍｍから約２４ｍｍ、約９ｍｍから約６０ｍｍ、約９ｍｍから約４０ｍｍ、約９ｍｍから約２４ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。第１の部分と第２の部分との間に中央部分の幅を設けることにより、破損しない折り畳み式装置の折り畳みを促進することができる。
理論で束縛されることは意図していないが、平行板の間の楕円形態にある曲げ部分の長さは、平行板距離５０７または６１１の約２．２倍以上（例えば、有効最小曲げ半径の約４．４倍）であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、その有効最小曲げ半径での折り畳み式基板または折り畳み式装置の曲げ長さと実質的に等しいか、またはそれより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、約４ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約２０ｍｍ以上、約４５ｍｍ以下、約４０ｍｍ以下、または約３０ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１の幅２５２は、約４ｍｍから約４５ｍｍ、約４ｍｍから約４０ｍｍ、約４ｍｍから約３０ｍｍ、約４ｍｍから約２０ｍｍ、約４ｍｍから約１０ｍｍ、約１０ｍｍから約４５ｍｍ、約１０ｍｍから約４０ｍｍ、約１０ｍｍから約３０ｍｍ、約１０ｍｍから約２０ｍｍ、約２０ｍｍから約４５ｍｍ、約２０ｍｍから約４０ｍｍ、約２０ｍｍから約３０ｍｍ、約３０ｍｍから約４５ｍｍ、約３０ｍｍから約４０ｍｍ、約４０ｍｍから約４５ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
前記折り畳み式装置は、「ペン落下試験」にしたがって測定されたときに、あるペン落下高さ（例えば、５センチメートル（ｃｍ）以上、１０センチメートル以上、２０ｃｍ以上）での破損を避けるために、折り畳み式装置のある領域（例えば、第１の部分２２１を含む領域、第２の部分２３１を含む領域、高分子系部分２４１および／または中央部分２５１を含む領域）の能力により規定される耐衝撃性を有することがある。ここに用いられているように、「ペン落下試験」は、折り畳み式装置の試料が、図３に示された表示装置３０７の代わりに、５０μｍの厚さを有する試験用接着剤層６０９に貼り付けられたＰＥＴの１００μｍ厚のシート６０７に関する平行板試験におけるように構成された主面（例えば、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５または第１の主面２０３）に荷重（すなわち、特定の高さから落とされたペンからの）が与えられて試験されるように行われる。このように、ペン落下試験におけるＰＥＴ層は、折り畳み式電子表示装置（例えば、ＯＬＥＤ装置）をシミュレーションすることが意図されている。試験中、ＰＥＴ層に結合された折り畳み式装置を、ＰＥＴ層をアルミニウム板と接触させて、アルミニウム板（４００グリットの研磨紙で、ある表面粗さに研磨された６０６３アルミニウム合金）上に置く。アルミニウム板上に載置された試料の面に、テープは使用していない。
図４１に示されるように、ペン落下装置４１０１は、ボールペン４１０３を含む。ペン落下試験に利用されるペンは、直径０．７ｍｍ（０．６８ｍｍ）の炭化タングステン製ボールペンのペン先４１０５を備え、キャップを含む質量が５．７３グラム（ｇ）（キャップを含まないと、４．６８ｇ）のＢＩＣ Ｅａｓｙ Ｇｌｉｎｄｅ ＰｅｎのＦｉｎｅである。ボールペン４１０３を折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３から所定の高さ４１０９に保持する。ボールペン４１０３を折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に案内するために、ペン落下試験に管（明確にするために、図示されていない）を使用し、管の縦軸が折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３と実質的に垂直になるように、管を折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３と接触するように配置する。その管は、１インチ（２．５４ｃｍ）の外径、９／１６インチ（１．４ｃｍ）の内径、および９０ｃｍの長さを有する。アクリロニトリルブタジエン（「ＡＢＳ」）シムを用いて、ボールペン４１０３を各試験について所定の高さ４１０９に保持する。各落下後、管を折り畳み式基板２０１に対して再配置して、ボールペン４１０３を折り畳み式基板２０１上の異なる衝撃位置に導く。図示されていないが、ペン落下試験は、図１～４または６～７に示された折り畳み式基板のいずれにも使用できることを理解すべきである。
管は、ペンを折り畳み式装置の外面に導くためにペン落下試験に使用される。図２～３および６～７に示された折り畳み式装置１０１および／または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２について、ペンを折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５に導き、重力の方向に延在する管の縦軸が第２の主面２０５に対して実質的に垂直になるように、管を折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５と接触するように配置する。その管は、１インチ（２．５４ｃｍ）の外径、９／１６インチ（１．４ｃｍ）の内径、および９０ｃｍの長さを有する。アクリロニトリルブタジエン（ＡＢＳ）シムを用いて、このペンを各試験について所定の高さに保持する。各落下後、管を試料に対して再配置して、そのペンを試料上の異なる衝撃位置に導く。ペン落下試験に利用されるペンは、直径０．７ｍｍ（０．６８ｍｍ）の炭化タングステン製ボールペンのペン先を備え、キャップを含む質量が５．７３グラム（ｇ）（キャップを含まないと、４．６８ｇ）のＢＩＣ Ｅａｓｙ Ｇｌｉｎｄｅ ＰｅｎのＦｉｎｅである。
ペン落下試験について、ボールペンのペン先４１０５が折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３と相互作用できるように、上端（すなわち、ペン先と反対の端部）にキャップを取り付けたボールペン４１０３を落下させる。ペン落下試験による落下順序において、あるペンの落下は、１ｃｍの初期高さで行われ、０．５ｃｍずつ２０ｃｍまで増加させて、連続して落下させ、次に、２０ｃｍに到達したら、折り畳み式基板２０１が破損するまで、２ｃｍずつ増加させる。各落下を行った後、折り畳み式基板２０１に対する任意の観察できる破砕、破損、または他の損傷の証拠の存在を、ペン落下の特定の所定の高さ４１０９と共に記録する。ペン落下試験を使用すると、同じ落下順序にしたがって、多数の折り畳み式基板（例えば、試料）を試験して、統計的精度が改善された母集団を生成することができる。ペン落下試験について、ボールペン４１０３は、５回の落下毎に、試験される各新たな折り畳み式基板２０１について、新たなペンに交換すべきである。それに加え、全てのペン落下は、折り畳み式基板２０１の中心で、またはその近くで、折り畳み式基板２０１の無作為位置で行われ、折り畳み式基板２０１のエッジまたはその近くにペン落下は行われなかった。
ペン落下試験の目的のために、「破損」は、積層体における目に見える機械的欠陥の形成を意味する。機械的欠陥は、亀裂または塑性変形（例えば、表面圧痕）であることがある。亀裂は、表面亀裂または貫通亀裂であることがある。亀裂は、積層体の内部または外部表面上に形成されることがある。亀裂は、折り畳み式基板２０１および／またはコーティング２８１の全てまたは一部に広がることがある。目に見える機械的欠陥は、０．２ｍｍ以上の最小寸法を有する。
図４２は、ガラス系基板の第２の主面上への２ｃｍのペン落下高さに基づくガラス系基板のマイクロメートルで表される厚さ４２０１の関数としてのガラス系基板の第１の主面上のメガパスカル（ＭＰａ）で表された最大主応力４２０３の曲線４２０５を示す。図４２に示されるように、ガラス系基板の第１の主面上の最大主応力は、６５μｍ辺りで最大である。このことは、ペン落下性能は、６５μｍ辺りの厚さを避けることにより、例えば、約５０μｍ未満または約８０μｍ超の厚さにすることにより、改善することができることを示唆している。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、１０センチメートル（ｃｍ）、１２ｃｍ、１４ｃｍ、１６ｃｍ、または２０ｃｍのペン落下高さで、第１の部分２２１または第２の部分２３１を含む領域におけるペン落下の破損に抵抗することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置が、第１の部分２２１または第２の部分２３１を含む領域に亘り破損せずに耐えられる最大ペン落下高さは、約１０ｃｍ以上、約１２ｃｍ以上、約１４ｃｍ以上、約１６ｃｍ以上、約４０ｃｍ以下、または約３０ｃｍ以下、約２０ｃｍ以下、約１８ｃｍ以下であることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置が、第１の部分２２１または第２の部分２３１を含む領域に亘り破損せずに耐えられる最大ペン落下高さは、約１０ｃｍから約４０ｃｍ、約１２ｃｍから約４０ｃｍ、約１２ｃｍから約３０ｃｍ、約１４ｃｍから約３０ｃｍ、約１４ｃｍから約２０ｃｍ、約１６ｃｍから約２０ｃｍ、約１８ｃｍから約２０ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、１ｃｍ、２ｃｍ、３ｃｍ、４ｃｍ、５ｃｍ、またはそれより大きいペン落下高さで、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間の高分子系部分２４１を含む領域（例えば、中央部分２５１、図３参照）におけるペン落下の破損に抵抗することができる。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間の高分子系部分２４１を含む領域に亘り破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍ以上、約２ｃｍ以上、約３ｃｍ以上、約４ｃｍ以上、約２０ｃｍ以下、約１０ｃｍ以下、約８ｃｍ以下、または約６ｃｍ以下であることがある。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間の高分子系部分２４１を含む領域に亘り破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍから約２０ｃｍ、約２ｃｍから約２０ｃｍ、約２ｃｍから約１０ｃｍ、約３ｃｍから約１０ｃｍ、約３ｃｍから約８ｃｍ、約４ｃｍから約８ｃｍ、約４ｃｍから約６ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１と第２の部分２３１との間の高分子系部分２４１を含む領域が破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍから約１０ｃｍ、約１ｃｍから約８ｃｍ、約１ｃｍから約５ｃｍ、約２ｃｍから約５ｃｍ、約３ｃｍから約５ｃｍ、約４ｃｍから約５ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
折り畳み式装置に関する所定の平行板距離を達成するために、最小力が使用されることがある。本開示の実施の形態の折り畳み式装置の「畳み力(closing force)」を測定するために、先に記載された図６の平行板装置６０１が使用される。所定の平行板距離を含む、平らな形態（例えば、図１参照）から曲げ（例えば、折り畳まれた）形態（例えば、図６～７参照）になるための力が測定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約２０ニュートン（Ｎ）以下、１５Ｎ以下、約１２Ｎ以下、約１０Ｎ以下、約０．１Ｎ以上、約０．５Ｎ以上、約１Ｎ以上、約２Ｎ以上、約５Ｎ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約０．１Ｎから約２０Ｎ、約０．５Ｎから約２０Ｎ、約０．５Ｎから約１５Ｎ、約１Ｎから約１５Ｎ、約１Ｎから約１２Ｎ、約２Ｎから約１２Ｎ、約２Ｎから約１０Ｎ、約５Ｎから約１０Ｎの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約１０Ｎ以下、約８Ｎ以下、約６Ｎ以下、約４Ｎ以下、約３Ｎ以下、約０．０５Ｎ以上、約０．１Ｎ以上、約０．５Ｎ以上、約１Ｎ以上、約２Ｎ以上、約３Ｎ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約０．０５Ｎから約１０Ｎ、約０．１Ｎから約１０Ｎ、約０．１Ｎから約８Ｎ、約０．５Ｎから約８Ｎ、約０．５Ｎから約６Ｎ、約１Ｎから約６Ｎ、約１Ｎから約４Ｎ、約２Ｎから約４Ｎ、約２Ｎから約３Ｎの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約２０ニュートン毎ミリメートル（Ｎ／ｍｍ）以下、０．１５Ｎ／ｍｍ以下、約０．１２Ｎ／ｍｍ以下、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０５Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から０．１０／ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．０５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．０８Ｎ／ｍｍ以下、約０．０６Ｎ／ｍｍ以下、約０．０４Ｎ／ｍｍ以下、約０．０３Ｎ／ｍｍ以下、約０．０００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０３Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．０００５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０３Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
コーティングを設けることにより、小さい平行板距離を達成するための小さい力を可能にすることができる。理論で束縛されることは意図していないが、折り畳み式基板の弾性率より小さい弾性率を有するコーティングは、ガラス系基板および／またはセラミック系基板が使用された場合よりも、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板の中立軸をもたらすことができる。理論で束縛されることは意図していないが、約２００μｍ以下の厚さを有するコーティングを設けることにより、より厚い基板が使用された場合よりも、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板の中立軸をもたらすことができる。理論で束縛されることは意図していないが、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板の中立軸は、小さい平行板距離を達成するための小さい力を可能にすることができる。何故ならば、これにより、引張応力の集中と、引張応力が折り畳み式基板のより広い部分に広がっているために、折り畳み式基板の一部の結果としての変形とが減少するからである。
折り畳み式装置１０１または３０１および／または試験用折り畳み式装置６０２は、中立応力形態を含み得る。本開示を通じて、「中立応力形態」は、以下の試験形態および過程により測定される。「中立応力形態」を測定する場合、図３８に示されたような試験用折り畳み式装置３８０１は、試験用接着剤層６０９の第５の接触面６１３と試験用接着剤層６０９の第６の接触面６１５との間の５０μｍの厚さを有する試験用接着剤層６０９、並びに図２の剥離ライナー２７１または図３および７に示された表示装置３０７ではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート６０７を備える。例えば、折り畳み式基板２０１を備えた折り畳み式装置、図３８に示されたような、試験用折り畳み式装置３８０１は、「有効曲げ半径」を測定するために図６に示された平行板装置６０１に似ていることがあり得る。図３８に示されるように、折り畳み式基板２０１の凹部２１９内に配置された材料（例えば、高分子系部分２４１）は、試験用接着剤層６０９を折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３を覆って配置した場合、適所に保持することができる。試験用折り畳み式装置３８０１を試験するために、試験用折り畳み式装置３８０１は、重力の方向に垂直に取られた断面が図３８に似ているような側で配置される。試験用折り畳み式装置３８０１は、表面（表面粗さ（Ｒａ））の算術平均偏差が３μｍ以下（例えば、２．４０μｍ、ミル仕上げ数３）のＳＡＥグレード３０４（例えば、ＩＳＯ Ａ２）ステンレス鋼から作られた表面上に載せられる。図から分かるように、基板厚さ２２７の方向２０２および折り畳み式基板２０１の長さ１０５の方向１０６を実質的に有する面は、重力の方向に対して実質的に垂直であり、褶曲軸１０２の方向１０４（図１参照）も重力の方向である。ひいては、試験用折り畳み式装置は、図３８に示されるように、平衡形態を達成するために１時間、緩和させられる。
図３８に示されたような、いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、曲げ形態を含み得る。ここに用いられているように、曲げ形態は、非平坦形態（図１～３に示された平らな形態とは対照的な）である。図３８に示されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３および／または第２の主面２０５は、平面の形態から実質的に外れることがある。
いくつかの実施の形態において、平らな形態からの中立応力形態の偏差は、偏差歪みの最大の大きさを使用して定量化することができる。ここに用いられているように、「偏差歪み」は、歪みテンソルの形状変化成分を意味する（例えば、歪みテンソルから静水圧歪み（歪みテンソルの対角成分の平均）を差し引いたもの）。歪みテンソルは、折り畳まれた装置の部分（例えば、高分子系部分）のデジタル画像認識および／またはトポグラフィーを使用して、平らな形態と中立応力形態との間の形状および寸法を比較することによって、測定することができる。例えば、図３９に示されるように、例示の高分子系部分２４１は、平らな形態で示されている。この平らな形態において、高分子系部分の長さ３９０１（例えば、折り畳み式装置の長さの方向１０６に測定される）は、第３の接触面２４５および第４の接触面２４７で測定された場合、実質的に等しい。例えば、図３８および４０に示されるように、例示の高分子系部分２４１は、中立応力形態で示されている。理解しやすくするために、図３９～４０における高分子系部分２４１の体積は同じであり、これは、中立応力形態のデジタル方式で取り込まれた形状および寸法から、静水圧歪みを除去した後の場合であろう。図４０に示されるように、第３の接触面２４５に沿って測定された第１の長さ４００３は、第４の接触面２４７に沿って測定された第２の長さ４００１と異なる（例えば、それより大きい）。ここに用いられているように、歪みは、平らな形態からの基準長さで除算された、平らな形態と中立応力形態との間のある部分の長さの差を意味する。例えば、第３の接触面２４５で測定された、図３９～４０の間の歪み（例えば、上述したように、静水圧歪みが除かれたときの偏差歪み）は、平らな形態における長さ３９０１で除算された、中立応力形態における第１の長さ４００３と平らな形態における長さ３９０１との間の差と等しいであろう。例えば、第４の接触面２４７で測定された、図３９～４０の間の歪み（例えば、上述したように、静水圧歪みが除かれたときの偏差歪み）は、平らな形態における長さ３９０１で除算された、中立応力形態における第２の長さ４００１と平らな形態における長さ３９０１との間の差と等しいであろう。ここに用いられているように、値の大きさ（例えば、スカラー値）は、その値の絶対値である。ここに用いられているように、テンソル（例えば、歪みテンソル、偏差歪みテンソル）の最大の大きさは、最も大きい（例えば、最大）値を有するテンソル（例えば、偏差歪みテンソル）の成分を意味する。ここに用いられているように、高分子系部分２４１の偏差歪みの最大の大きさは、その高分子系部分の第３の接触面２４５および第４の接触面２４７で計算された偏差歪みの最大の大きさの最も大きい値を意味する。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の偏差歪みの最大の大きさは、約１％以上、約２％以上、約３％以上、約４％以上、約１０％以下、約８％以下、約７％以下、約６％以下、または約５％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の偏差歪みの最大の大きさは、約１％から約１０％、約１％から約８％、約１％から約７％、約２％から約７％、約２％から約６％、約２％から約５％、約３％から約５％、約３％から約４％、約２％から約１０％、約２％から約８％、約３％から約８％、約４％から約８％、約４％から約７％、約４％から約６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、平らな形態から中立応力形態の偏差は、第１の部分から長さの方向に延在する第１の線と、第２の部分から長さの方向に延在する第２の線との間で測定される角度「Ｂ」を使用して定量化することができる。例えば、図３８を参照して、角度「Ｂ」は、第１の線３８０２と第２の線３８０４との間で測定される。第１の線３８０２は、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１（例えば、第１の表面区域２２３）で、そこから試験用折り畳み式装置３８０１の長さの方向１０６（例えば、折り畳み式装置３０１の長さの方向１０６）に延在する。図３８に示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の線３８０２は、第１の表面区域２２３がそれに沿って延在できる面に沿って延在し得る。第２の線３８０４は、折り畳み式基板２０１の第２の部分２３１（例えば、第３の表面区域２３３）で、そこから試験用折り畳み式装置３８０１の長さの方向１０６（例えば、折り畳み式装置３０１の長さの方向１０６）に延在する。図３８に示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の線３８０４は、第３の表面区域２３３がそれに沿って延在できる面に沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態と平らな形態（例えば、１８０°）における角度「Ｂ」の間の差の大きさは、約１°以上、約２°以上、約５°以上、約１０°以上、約４０°以下、約２０°以下、約１５°以下、または約８°以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態と平らな形態（例えば、１８０°）における角度「Ｂ」の間の差の大きさは、約１°から約４０°、約１°から約２０°、約２°から約２０°、約５°から約２０°、約５°から約１５°、約１０°から約１５°、約２°から約１５°、約５°から約１５°、約５°から約８°、約１°から約８°、約２°から約８°の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を設けることにより、折り畳み式装置を所定の平行板距離に曲げる力を減少させることができる。さらに、折り畳み式装置が曲げ状態にあるときに、中立応力形態を設けることにより、通常の使用条件中に高分子系部分が経験する最大応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、例えば、折り畳み式装置の向上した耐久性および／または減少した疲労を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、硬化の結果として膨張する高分子系部分を設けることによって、生成することができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、曲げ形態にある高分子系部分を硬化させることによって、生成することができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、高温（例えば、折り畳み式基板が、約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲内の粘度を有するとき）で折り畳み式基板を曲げることによって、生成することができる。
本開示の実施の形態による折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を製造する方法の実施の形態が、図１０～１１および２７における流れ図、並びに図１２～２６および２８～３７に示された例示の方法の工程を参照して説明されている。
ここで、図２～３および５～７に示された、折り畳み式装置１０１および／または３０１、試験用折り畳み式装置６０２、および／または折り畳み式基板２０１を製造する例示の実施の形態を、図１２～１８、２４～２６、および３２～３４、並びに図１０の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１００１において、方法は、折り畳み式基板２０１を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板２０１は、ある面に沿って延在し得る第２の主面２０５（図１２参照）を有することがある。第２の主面２０５は、第１の主面２０３と反対にあり得る。図３４に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、曲げることができる（例えば、曲げ形態を構成する）。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、折り畳み式基板２０１が約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲内（例えば、折り畳み式基板２０１の軟化点と、折り畳み式基板２０１の作業点との間の、折り畳み式基板２０１の作業範囲内）の粘度を有する間に、折り畳み式基板２０１を曲げ形態に曲げる結果として曲げ形態を構成することができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、第１の中央表面区域２０９を露出する、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３にある凹部２１９を含み得る。さらなる実施の形態において、凹部２１９は、第１の主面２０３をエッチングする、レーザアブレーションする、または機械加工することによって、形成されることがある。例えば、第１の主面２０３は、ダイヤモンド彫刻によって機械加工されて、ガラス系基板および／またはセラミック系基板に非常に精密なパターンを生成することがある。図１２に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用して、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に凹部２１９を作ることができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ１２０１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置１２０３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。さらに、凹部を形成する他の方法に、リソグラフィー、エッチング、およびレーザアブレーションがある。例えば、エッチングは、第１の表面区域２２３と第３の表面区域２３３を覆ってマスクを配置する工程、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３をエッチング液に曝露して、凹部２１９を形成する工程、次いで、マスクを除去する工程を含み得る。第１の主面２０３に凹部２１９を形成することにより、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に中央部分２５１を提供することができる。中央部分２５１は、第１の中央表面区域２０９を含み得、その場所で、第１の中央表面区域２０９と、第１の主面２０３が図１２に示された平らな形態においてそれに沿って延在する第一面２０４ａとの間に、凹部２１９を画成することができる。第１の中央表面区域２０９は、第１の部分２２１を第２の部分２３１に取り付けることができる。図２に示されるように、中央部分２５１は、第１の部分２２１を中央の主面２１１に取り付ける第１の移行部分２５３および第２の部分２３１を中央の主面２１１に取り付ける第２の移行部分２５５も含むことができる。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の厚さは、中央の主面２１１から第１の部分２２１に連続して増加し得る。さらなる実施の形態において、第２の移行部分２５５の厚さは、中央の主面２１１から第２の部分２３１に連続して増加し得る。図１２に示されるように、いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、図から分かるように、平面であることがある、中央部分２５１の中央の主面２１１を含むことがあるが、さらなる実施の形態において、非平面形態を設けてもよい。さらに、中央の主面２１１は、図１２に示されるように、第一面２０４ａおよび／または第２の主面２０５に対して平行であり得る。
いくつかの実施の形態において、図１２の装置には示されていないが、工程１００１は、折り畳み式基板２０１の厚さを減少させる工程をさらに含み得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、機械加工（例えば、研削）によって減少させることができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、化学エッチングを使用して、減少させることができる。またさらなる実施の形態において、化学エッチングは、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴内に収容されたエッチング液と接触させる工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、エッチング液は、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含み得る。例えば、図２９に示された折り畳み式基板２０１を参照して、折り畳み式基板２０１の厚さは、化学エッチングを使用して減少させることができ、この化学エッチングは、折り畳み式基板２０１を、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含む、エッチング浴２９０１内に収容されたエッチング液２９０３と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３から層を除去して、図２～３および５～７に示された第１の主面２０３を構成し得る新たな第１の主面を露出させることによって、減少させることができる。それに加え、またはそれに代えて、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５から層を除去して、図２～３および５～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることによって、減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５（例えば、第２の主面２０５の全体）は、第２の主面２０５がエッチングされず、先の図２～３および５～７に関して説明された第２の主面２０５として第２の主面２０５を提供できるように、随意的なマスク（例えば、図２９におけるマスク２９０５）で覆われることがある。第２の主面２０５のエッチングを防ぐことは、いくつかの加工技術（例えば、アップドロー法またはダウンドロー法、例えば、オーバーフローまたはフュージョンによる）により存在することがある、第２の主面２０５の無垢な性質を保つために有益であろう。無垢な表面を維持すると、折り畳み式装置のユーザにより観察される、および／または触れられることのある折り畳み式装置の最表面を形成することのある第２の主面２０５にとって特に滑らかな表面が提示されるであろう。あるいは、折り畳み式基板２０１の厚さは、第２の主面２０５から層を除去して、例えば、先に述べたように、表面薄層を除去して、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の長さに亘りより一貫した光学的性質を有する中央層を露出させることによって、減少させることができる。いくつかの実施の形態において、その層は、第１の主面２０３から除去されて、図２～３および５～７に示された第１の主面２０３を含み得る新たな第１の主面を露出させることができ、その層は、第２の主面２０５から除去されて、図２～３および５～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることができる。第１の主面と第２の主面の両方から層を除去すると、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の下層の内側部分よりも一貫していない光学的性質を有するであろう折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の外側層を除去することができる。その結果、折り畳み式基板２０１の長さと幅の全体に亘る全厚は、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）全体に亘り歪みがほとんどまたは全くない、一貫した光学性能を与えるより一貫した光学的性質を有するであろう。
いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３から層を除去することは、凹部２１９の形成中に生じる表面欠陥を除去するのに有益であり得る。例えば、凹部２１９を生成するために第１の主面２０３を機械加工する（例えば、ダイヤモンドチッププローブで）と、折り畳む際に、折り畳み式基板２０１の破滅的破壊が生じることのある弱点を示し得る微小亀裂表面傷または他の欠陥が生じることがある。それゆえ、第１の主面２０３から層を除去することによって、凹部２１９の形成中に層に生成された表面欠陥が除去されることがあり、ここで、表面欠陥がより少ない新たな第１の主面２０３を提示することができる。より少ない表面欠陥しか存在しないので、折り畳み式基板を破損させずに、より小さい曲げ半径が達成されるであろう。例えば、折り畳み式基板のある加工は、折り畳み式基板の中央部分よりも、折り畳み式基板の第１の主面および第２の主面で、ガラス系材料特性および／またはセラミック系材料特性の差を示すことがある。例えば、ダウンドロー法の最中に、それらの主面でのガラス系材料および／またはセラミック系材料の性質は、中央部分と異なることがある。それゆえ、第１の部分２２１および第２の部分２３１で第１の主面２０３から層を除去することによって、これらの部分の新たな第１の主面２０３は、第１の中央表面区域２０９と同じ性質を有して、例えば、折り畳み式基板２０１がガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成される場合、折り畳み式基板２０１の長さに亘り一貫した光学的性質を提供することができる。
工程１００１の後、図１３に示されるように、前記方法は、折り畳み式基板２０１を化学強化する工程を含む工程１００３に進むことができる。イオン交換による折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板、セラミック系基板）の化学強化は、折り畳み式基板２０１の表面からある深さにある第１の陽イオンが、この第１の陽イオンより大きい半径を有する、溶融塩または塩溶液１３０３内の第２の陽イオンと交換されるときに行うことができる。例えば、折り畳み式基板２０１の表面からその深さにあるリチウム陽イオンは、塩溶液１３０３内のナトリウム陽イオンまたはカリウム陽イオンと交換され得る。その結果、リチウム陽イオンは、塩溶液１３０３内にある交換されるナトリウム陽イオンまたはカリウム陽イオンの半径より小さい半径を有するので、折り畳み式基板２０１の表面は、圧縮状態におかれ、それによって、イオン交換過程によって化学強化される。折り畳み式基板２０１を化学強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板２０１の少なくとも一部を、硝酸カリウム、リン酸カリウム、塩化カリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、および／またはリン酸ナトリウムを含む塩溶液１３０３を収容する塩浴１３０１と接触させ、それによって、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンが折り畳み式基板２０１から、塩浴１３０１中に収容された塩溶液１３０３に拡散する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液１３０３の温度は、約３００℃以上、約３６０℃以上、約４００℃以上、約５００℃以下、約４６０℃以下、または約４４０℃以下であり得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液１３０３の温度は、約３００℃から約５００℃、約３６０℃から約５００℃、約４００℃から約５００℃、約３００℃から約４６０℃、約３６０℃から約４６０℃、約４００℃から約４６０℃、約３００℃から約４００℃、約３６０℃から約４００℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、または約８時間以下に亘り、塩溶液１３０３と接触させられ得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分から約４８時間、約１時間から約４８時間、約３時間から約４８時間、約１５分から約２４時間、約１時間から約２４時間、約３時間から約４８時間、約３時間から約２４時間、約３時間から約８時間の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の時間に亘り塩溶液１３０３と接触させられ得る。
折り畳み式基板２０１を化学強化する工程は、第１の中央表面区域２０９を化学強化する工程、第１の主面２０３の第１の部分２２１の第１の表面区域２２３を化学強化する工程、第１の主面２０３の第２の部分２３１の第３の表面区域２３３を化学強化する工程、および折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５を化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、化学強化する工程は、第１の部分２２１を第１の主面２０３の第１の表面区域２２３から初期の第１の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第１の主面２０３の第３の表面区域２３３から初期の第３の圧縮深さまで化学強化する工程、および中央部分２５１を第１の中央表面区域２０９から初期の第１の中央圧縮深さまで化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５を化学強化する工程は、第２の主面２０５の第１の部分２２１の第２の表面区域２２５を化学強化する工程、第２の主面２０５の第２の部分２３１の第４の表面区域２３５を化学強化する工程、および第２の主面２０５の中央部分２５１の第２の中央表面区域２１３を化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５を化学強化する工程は、第１の部分２２１を第２の主面２０５の第２の表面区域２２５から初期の第２の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第２の主面２０５の第４の表面区域２３５から初期の第４の圧縮深さまで化学強化する工程、および中央部分２５１を第２の主面２０５の第２の中央表面区域２１３から初期の第２の中央圧縮深さまで化学強化する工程を含み得る。
工程１００３の後、図１４～１５に示されるように、方法は、中央部分２５１を覆う層を配置する工程を含む工程１００５に進むことができる。いくつかの実施の形態において、層を配置する工程は、化学的気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸発、分子線エピタキシー、イオンメッキ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、スパッタリング、噴霧熱分解、化学浴堆積、および／またはゾルゲル堆積を含み得る。いくつかの実施の形態において、その層は、１種類以上のアルカリ金属イオンについて拡散性を有する材料から作ることができる。さらなる実施の形態において、層の拡散性は、折り畳み式基板の対応する拡散性よりも小さくあり得る。理論で束縛されることは意図していないが、折り畳み式基板に対して減少した拡散性を有する層は、層が上に配置されている折り畳み式基板の部分の化学強化の程度を、例えば、層が上に配置されていない折り畳み式基板の別の部分に対して、その部分における折り畳み式基板の表面での１種類以上のアルカリイオンの濃度を減少させることによって、制限する（例えば、減少させる）ことができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板の拡散性に対する層の拡散性は、約５％以上、約１０％以上、約２０％以上、約２５％以上、約８０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、または約３０％以下であり得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板の拡散性に対する層の拡散性は、約５％から約８０％、約５％から約６０％、約１０％から約６０％、約１０％から約５０％、約２０％から約５０％、約２５％から約５０％、約２５％から約４０％、約２５％から約３０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、その層は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、および／またはその組合せから作られ得る。例示の実施の形態は、ＰＶＤを使用してＳｉＯ２の層を堆積させる工程を含む。折り畳み式基板に対して減少した（それでもまだ相当な）拡散性を有する層を提供すると、要求される化学強化工程の数を少なく維持し、処理費用と処理時間を抑えながら、化学強化により誘起された不安定性を減少させることができる。
図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の層１４０１または１５０１は、第１の中央表面区域２０９を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、第１の層１４０１または１５０１は、第１の中央表面区域２０９と接触し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の層１４０１または１５０１は、第１の表面区域２２３および／または第３の表面区域２３３を覆って配置されずに、第１の中央表面区域２０９を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、第１の層１４０１または１５０１は、第１の中央表面区域２０９の実質的に全体を覆うことができる。さらなる実施の形態において、第１の層１４０１または１５０１は、図示された方向（例えば、図２～３における方向１０６）に第１の中央表面区域２０９に沿って等間隔の５（五）つの地点での測定値からの、第１の中央表面区域２０９を覆って配置された第１の層１４０１または１５０１の平均深さとして規定された第１の層の厚さ１４０２または１５０２を有し得る。またさらなる実施の形態において、第１の層の厚さ１４０２または１５０２は、約０．５ｎｍ以上、約１ｎｍ以上、約５ｎｍ以上、約１０ｎｍ以上、約２０ｎｍ以上、約２５０ｎｍ以下、約２００ｎｍ以下、約１５０ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、または約５０ｎｍ以下であり得る。またさらなる実施の形態において、第１の層の厚さ１４０２または１５０２は、約０．５ｎｍから約２５０ｎｍ、約０．５ｎｍから約２００ｎｍ、約１ｎｍから約２００ｎｍ、約１ｎｍから約１５０ｎｍ、約５ｎｍから約１５００ｎｍ、約５ｎｍから約１００ｎｍ、約１０ｎｍから約１００ｎｍ、約１０ｎｍから約５０ｎｍ、約２０ｎｍから約５０ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。図１４に示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の層１４０１は、第１の中央表面区域２０９に亘り（例えば、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６において、および／または折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４において）実質的に一定の厚さを有し得る。図１５に示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の層１５０１は、第１の中央表面区域２０９に亘り（例えば、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６において、および／または折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４において）変動する厚さを有し得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、中央部分２５１と、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１との間の界面に近い第１の層１５０１の厚さは、対応する界面から離れた厚さより小さくあり得る。界面近くに減少した厚さを設けることにより、化学強化から生じる界面での応力集中を減少させることができる。
図１４～１５に示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の層１４０３または１５０３を、第２の中央表面区域２１３を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の層１４０３または１５０３は、第２の中央表面区域２１３と接触し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の層１４０３または１５０３は、第２の表面区域２２５および／または第４の表面区域２３５を覆って配置されずに、第２の中央表面区域２１３を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の層１４０３または１５０３は、第２の中央表面区域２１３の実質的に全体を覆うことができる。さらなる実施の形態において、第２の層１４０３または１５０３は、第２の中央表面区域２１３を覆って配置された第２の層１４０３または１５０３の平均深さとして規定される第２の層の厚さを有し得る。またさらなる実施の形態において、第２の層の厚さは、第１の層の厚さ１４０２または１５０２について先に述べられた範囲の１つ以上の範囲内であり得る。またさらなる実施の形態において、第２の層の厚さは、第１の層の厚さ１４０２または１５０２と実質的に等しくあり得る。図１４に示されたような、またさらなる実施の形態において、第２の層１４０３は、第２の中央表面区域２１３に亘り（例えば、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６において、および／または折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４において）実質的に一定の厚さを有し得る。図１５に示されたような、またさらなる実施の形態において、第２の層１５０３は、第２の中央表面区域２１３（例えば、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６において、および／または折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４において）変動する厚さを有し得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、中央部分２５１と、第１の部分２２１および／または第２の部分２３１との間の界面に近い第２の層１５０３の厚さは、対応する界面から離れた厚さより小さくあり得る。界面近くに減少した厚さを設けることにより、化学強化から生じる界面での応力集中を減少させることができる。本開示の実施の形態の方法のさらなる議論が、そのような方法は、図１５に示された第１の層１５０１および第２の層１５０３に関して類似のまたは同一の様式で適用できるという了解の下で、図１４に示された第１の層１４０１および第２の層１４０３について示される。
工程１００５の後、図１６に示されるように、方法は、折り畳み式基板２０１を第１の期間に亘り化学強化する工程を含む工程１００７に進むことができる。ここに用いられているように、第１の期間は、折り畳み式基板２０１の少なくとも一部が、塩溶液１３０３に関して述べられた１種類以上のアルカリ金属（例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン）と接触しているときである。図１６に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１００７における化学強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む、折り畳み式基板２０１の少なくとも一部、第１の層１４０１、および／または第２の層１４０３を、上述した塩溶液１３０３と類似かまたは同一の塩溶液１６０３を収容する塩浴１６０１と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液１６０３は、上述した塩溶液１３０３の温度について上述した範囲の内の１つ以上の範囲内の温度を有し得る。さらなる実施の形態において、塩溶液１６０３の温度は、塩溶液１３０３の温度と実質的に同一であり得る。いくつかの実施の形態において、工程１００７における化学強化の第１の期間は、工程１００３に関して塩溶液１３０３との接触時間について上述した範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。工程１００７における第１の期間と、工程１００３および／または工程１０１１におけるアルカリ金属（例えば、塩溶液）との接触時間との間の関係が、以下に述べられている。
工程１００７の後、図１７に示されるように、方法は、中央部分２５１を覆って配置された層を除去する工程を含む工程１００９に進むことができる。いくつかの実施の形態において、層を除去する工程は、中央部分２５１の第１の中央表面区域２０９を覆って配置された第１の層１４０１を除去する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、層を除去する工程は、中央部分２５１の第２の中央表面区域２１３を覆って配置された第２の層１４０３を除去する工程をさらに含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の層１４０１および／または第２の層１４０３を除去する工程は、表面（例えば、第１の中央表面区域２０９、第２の中央表面区域２１３）に亘り方向１７０２に研削工具１７０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、その工具を使用する工程は、掃引、削取り、研削、プッシング(pushing)などを含むことがある。さらなる実施の形態において、第１の層１４０１および／または第２の層１４０３は、表面（例えば、第１の中央表面区域２０９、第２の中央表面区域２１３）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。
いくつかの実施の形態において、工程１００９の後、図１８に示されるように、この方法は、折り畳み式基板２０１をさらに化学強化する工程を含む工程１０１１に進むことができる。ここに用いられているように、折り畳み式基板２０１をさらに化学強化する工程は、第２の期間に亘り得る。ここに用いられているように、第２の期間は、この方法において存在する場合、折り畳み式基板２０１の少なくとも一部が、塩溶液１３０３に関して述べられた１種類以上のアルカリ金属（例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン）と接触しているときの、工程１００３および１０１３の合計時間であり得る。その結果、折り畳み式基板２０１が１種類以上のアルカリ金属（例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン）と接触しているときの工程１０１３における期間は、第２の期間以下であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１が１種類以上のアルカリ金属（例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン）と接触しているときの工程１０１３における期間は、工程１００３に関して先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、第２の期間は、第１の期間より長くあり得る。さらなる実施の形態において、第１の期間の百分率としての第２の期間は、約１０３％以上、約１１０％以上、約１２０％以上、約１３５％以上、約２００％以下、約１７５％以下、約１６０％以下、または約１５０％以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の期間の百分率としての第２の期間は、約１０３％から約２００％、約１０３％から約１７５％、約１１０％から約１７５％、約１１０％から約１６０％、約１２０％から約１６０％、約１２０％から約１５０％、約１３５％から約１５０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
図１８に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１１における折り畳み式基板２０１をさらに化学強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板２０１の少なくとも一部を、工程１００３および１００７に関して先に述べたアルカリ金属イオンおよび／またはアルカリ金属含有化合物の内の１つ以上を含む塩溶液１８０３を収容する塩浴１８０１と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液１８０３は、工程１００３に関して先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内の温度を有し得る。工程１０１１の後、折り畳み式基板は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を有し得る。工程１０１１が省かれたいくつかの実施の形態（例えば、矢印１００４または１００６にしたがう）において、工程１００９の後、折り畳み式基板は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を有し得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度またはカリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１０１１は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１００７および／または１０１１における化学強化の後）、折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、下記に記載される工程１０１３は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１００７および／または１０１１における化学強化の後）であって、工程１０１３において折り畳み式装置を組み立てる前に、折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。先に述べたように、エッチングする工程は、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴中に収容されたエッチング液と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９がエッチングされる。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５がエッチングされる。さらなる実施の形態において、第１の主面２０３、第１の中央表面区域２０９、第２の主面２０５、および／または第２の中央表面区域２１３がエッチングされる。化学的にエッチングする工程は、工程１０１１および／または１０１３において存在する場合、折り畳み式基板２０１を化学強化することにより残されることのある表面欠陥を除去するように設計することができる。実際に、化学強化する工程により、折り畳み式基板２０１の強度および／または光学的品質に影響し得る表面欠陥が生じることがある。工程１０１１および／または１０１３中にエッチングすることにより、化学強化中に生じた表面欠陥を除去することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍ以上、約５ｎｍ以上、約２μｍ以下、約１μｍ以下、約５００ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、または約１０ｎｍ以下の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍから約２μｍ、約１ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約５００ｎｍ、約５ｎｍから約１００ｎｍ、約５ｎｍから約５０ｎｍ、約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。そのようなエッチングは、折り畳み式基板２０１の厚さ、または化学強化中に達成される表面圧縮を実質的に変えることを避けるであろう。
工程１０１１の後、本開示の方法は、工程１０１３に進むことができ、この工程は、折り畳み式基板２０１を使用する折り畳み式装置を組み立てる工程を含む。図２４および２６に示されるように、工程１０１３は、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の主面２０３の第３の表面区域２３３と接触するように接着剤層２６１を施す工程を含み得る。図から分かるように、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の表面区域２２３および第３の表面区域２３３と接触し得る。図２４に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、接着剤の１つ以上の層を含み得る。例えば、接着剤層２６１を構成するその１つ以上の層の間に一体界面があり得、これにより、その１つ以上の層は、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るので、それらの層の間を光が行き来するときの光回折および／または光学的不連続を減少させる（例えば、なくす）ことができる。図２４に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、凹部２１９をさらに充填することができる。図２４に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の中央表面区域２０９と接触し得る。図２６に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１３は、凹部２１９内に高分子系部分２４１を配置する工程をさらに含み得る。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、第１の中央表面区域２０９と接触し得る第３の接触面２４５を含み得る。図２６に示されたような、さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５と接触し得る第４の接触面２４７を含み得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械装置の空間を残すように完全には充填されないことがある。
図２５および３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１３は、凹部２１９内に第２の液体２５０３を配置する工程を含み得る。次に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分を形成することができる。図２５に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１３は、折り畳み式基板２０１が平らな形態にある間に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程をさらに含み得る。図３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１３は、折り畳み式基板２０１が曲げ形態にある間に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程をさらに含み得る。図３２に示されたような、さらなる実施の形態において、工程１０１３において、折り畳み式基板２０１は、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。図３３に示されたような、さらなる実施の形態において、工程１０１３において、折り畳み式基板２０１は、第２の主面２０５が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。
第２の液体２５０３を硬化させることにより、工程１０１３において高分子系部分２４１を形成することができる。図２５および３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１０１３は、液体２５０３を凹部２１９中に配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置するために、導管（例えば、可撓管、マイクロピペット、または注射器）が使用されることがある。図２５および３２～３３に示されたような、さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を容器２５０１から凹部２１９中に分配することによって、第２の液体２５０３が凹部２１９中に配置されることがある。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置することにより、凹部２１９が少なくとも部分的に（例えば、実質的に完全に）充填されることがある。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置することにより、第２の液体２５０３を第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に配置することができる。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３は、高分子系部分の１種類以上の前駆体および溶媒を含むことがある。いくつかの実施の形態において、高分子系部分の前駆体は、制限なく、単量体、オリゴマー、促進剤、硬化剤、エポキシ、ポリウレタン（例えば、イソシアネート、エステル、グリコール）、メルカプトエステル、アクリレート、粒子（例えば、酸化銅、ベータ石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、およびニッケルチタン合金の内の１つ以上）、および／または繊維の内の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、その前駆体用の溶媒は、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）を含むことがある。第２の液体２５０３を硬化させて、図２６に示されるような、高分子系部分２４１を形成することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、第２の液体２５０３を加熱する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、第２の液体２５０３に紫外線（ＵＶ）放射を照射する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待つ工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、上述したような、負の熱膨張係数を有し得る。いくつかの実施の形態において、前駆体は、環状単量体（例えば、ノルボルネン、シクロペンテン）を含み得、ここで、前駆体を硬化させる工程は、第２の液体２５０３から高分子系部分２４１への体積の増加をもたらし得る開環メタセシス重合を含む。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させると、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置付けられた高分子系部分を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、工程１０１３および／または工程１０１５の後に、折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置は、折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を構成し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内（例えば、約１％から約８％、約２％から約６％の範囲内）の高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさを有し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において上述した範囲の内の１つ以上の範囲内の角度を有し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１を曲げた結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１が曲げられている間に第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成した結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する際の体積の増加の結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、負の熱膨張係数を有する高分子系部分２４１の結果としての曲げ形態に対応し得る。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３上に、剥離ライナー（例えば、図２の剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３の表示装置３０７を参照のこと）が配置されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面上にコーティング（例えば、図２のコーティング２８１を参照のこと）が配置されることがある。図１０の流れ図の終わり１０１５で、折り畳み式装置は完成している。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１０の流れ図の工程１００１、１００３、１００５、１００７、１００９、１０１１、１０１３、および１０１５にしたがって進むことができる。図１０に示されたような、いくつかの実施の形態において、矢印１００２は、例えば、折り畳み式基板２０１が、工程１００７の前に化学強化されない場合、工程１００３を省いて、工程１００１から続くことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１００４は、例えば、折り畳み式基板２０１が、完成した折り畳み式基板の圧縮応力領域をすでに含む場合、工程１０１１を省いて、工程１００９から工程１０１３に進むことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１００６は、例えば、この方法により折り畳み式基板２０１（例えば、図５参照）が製造され、その折り畳み式基板２０１が、完成した折り畳み式基板の圧縮応力領域をすでに含む場合、工程１００９から工程１０１５に進むことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１００８は、例えば、この方法により折り畳み式基板２０１（例えば、図５参照）が製造される場合、工程１０１１から工程１０１５に進むことができる。いくつかの実施の形態において、この方法は、例えば、矢印１００２および矢印１００４または１００６の内の一方に進み、追加の化学強化工程を省くことによって、工程１００７における単一の化学強化工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、この方法は、例えば、矢印１００２、もしくはそれぞれ矢印１００４または１００６の内の一方に進み、追加の化学強化を省くことによって、追加の化学強化工程を省くことによって、工程１００７および工程１００３または１０１１の一方を含む２つの化学強化工程を含み得る。上述した選択肢のいずれを組み合わせて、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造してもよい。
ここで、図２～３および５～７に示された、折り畳み式装置１０１および／または３０１、試験用折り畳み式装置６０２、および／または折り畳み式基板２０１を製造する例示の実施の形態を、図１２、１８～２６、および３２～３４、並びに図１１の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１１０１において、方法は、折り畳み式基板２０１を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板２０１は、ある面に沿って延在し得る第２の主面２０５（図１２参照）を有することがある。第２の主面２０５は、第１の主面２０３と反対にあり得る。図３４に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、曲げることができる（例えば、曲げ形態を構成する）。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、折り畳み式基板２０１が約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲内（例えば、折り畳み式基板２０１の軟化点と、折り畳み式基板２０１の作業点との間の、折り畳み式基板２０１の作業範囲内）の粘度を有する間に、折り畳み式基板２０１を曲げ形態に曲げる結果として曲げ形態を構成することができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、第１の中央表面区域２０９を露出する、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３にある凹部２１９を含み得る。さらなる実施の形態において、凹部２１９は、第１の主面２０３をエッチングする、レーザアブレーションする、または機械加工することによって、形成されることがある。例えば、第１の主面２０３は、ダイヤモンド彫刻によって機械加工されて、ガラス系基板および／またはセラミック系基板に非常に精密なパターンを生成することがある。図１２に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用して、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に凹部２１９を作ることができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ１２０１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置１２０３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。さらに、凹部を形成する他の方法に、リソグラフィー、エッチング、およびレーザアブレーションがある。例えば、エッチングは、第１の表面区域２２３と第３の表面区域２３３を覆ってマスクを配置する工程、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３をエッチング液に曝露して、凹部２１９を形成する工程、次いで、マスクを除去する工程を含み得る。第１の主面２０３に凹部２１９を形成すると、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に中央部分２５１を提供することができる。中央部分２５１は、第１の中央表面区域２０９を含み得、その場所で、第１の中央表面区域２０９と、第１の主面２０３が図１２に示された平らな形態においてそれに沿って延在する第一面２０４ａとの間に、凹部２１９を画成することができる。第１の中央表面区域２０９は、第１の部分２２１を第２の部分２３１に取り付けることができる。図２に示されるように、中央部分２５１は、第１の部分２２１を中央の主面２１１に取り付ける第１の移行部分２５３および第２の部分２３１を中央の主面２１１に取り付ける第２の移行部分２５５も含むことができる。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の厚さは、中央の主面２１１から第１の部分２２１に連続して増加し得る。さらなる実施の形態において、第２の移行部分２５５の厚さは、中央の主面２１１から第２の部分２３１に連続して増加し得る。図１２に示されるように、いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、図から分かるように、平面であることがある、中央部分２５１の中央の主面２１１を含むことがあるが、非平面形態が、さらなる実施の形態において、設けられてもよい。さらに、中央の主面２１１は、図１２に示されるように、第一面２０４ａおよび／または第２の主面２０５に対して平行であり得る。
いくつかの実施の形態において、図１２の装置には示されていないが、工程１１０１は、折り畳み式基板２０１の厚さを減少させる工程をさらに含み得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、機械加工（例えば、研削）によって減少させることができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、化学エッチングを使用して、減少させることができる。またさらなる実施の形態において、化学エッチングは、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴内に収容されたエッチング液と接触させる工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、エッチング液は、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含み得る。例えば、図２９に示された折り畳み式基板２０１を参照して、折り畳み式基板２０１の厚さは、化学エッチングを使用して減少させることができ、この化学エッチングは、折り畳み式基板２０１を、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含む、エッチング浴２９０１内に収容されたエッチング液２９０３と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３から層を除去して、図２～３および５～７に示された第１の主面２０３を構成し得る新たな第１の主面を露出させることによって、減少させることができる。それに加え、またはそれに代えて、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５から層を除去して、図２～３および５～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることによって、減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５（例えば、第２の主面２０５の全体）は、第２の主面２０５がエッチングされず、先の図２～３および５～７に関して説明された第２の主面２０５として第２の主面２０５を提供できるように、随意的なマスク（例えば、図２９におけるマスク２９０５）で覆われることがある。第２の主面２０５のエッチングを防ぐことは、いくつかの加工技術（例えば、アップドロー法またはダウンドロー法、例えば、オーバーフローまたはフュージョンによる）により存在することがある、第２の主面２０５の無垢な性質を保つために有益であろう。無垢な表面を維持すると、折り畳み式装置のユーザにより観察される、および／または触れられることのある折り畳み式装置の最表面を形成することのある第２の主面２０５にとって特に滑らかな表面が提示されるであろう。あるいは、折り畳み式基板２０１の厚さは、第２の主面２０５から層を除去して、例えば、先に述べたように、表面薄層を除去して、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の長さに亘りより一貫した光学的性質を有する中央層を露出させることによって、減少させることができる。いくつかの実施の形態において、その層は、第１の主面２０３から除去されて、図２～３および５～７に示された第１の主面２０３を含み得る新たな第１の主面を露出させることができ、その層は、第２の主面２０５から除去されて、図２～３および５～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることができる。第１の主面と第２の主面の両方から層を除去すると、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の下層の内側部分よりも一貫していない光学的性質を有するであろう折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）の外側層を除去することができる。その結果、折り畳み式基板２０１の長さと幅の全体に亘る全厚は、折り畳み式基板２０１（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）全体に亘り歪みがほとんどまたは全くない、一貫した光学性能を与えるより一貫した光学的性質を有するであろう。
いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３から層を除去することは、凹部２１９の形成中に生じる表面欠陥を除去するのに有益であり得る。例えば、凹部２１９を生成するために第１の主面２０３を機械加工する（例えば、ダイヤモンドチッププローブで）と、折り畳む際に、折り畳み式基板２０１の破滅的破壊が生じることのある弱点を示し得る微小亀裂表面傷または他の欠陥が生じることがある。それゆえ、第１の主面２０３から層を除去することによって、凹部２１９の形成中に層に生成された表面欠陥が除去されることがあり、ここで、表面欠陥がより少ない新たな第１の主面２０３を提示することができる。より少ない表面欠陥しか存在しないので、折り畳み式基板を破損させずに、より小さい曲げ半径が達成されるであろう。例えば、リボンのある加工は、折り畳み式基板の中央部分よりも、折り畳み式基板の第１の主面および第２の主面で、ガラス系材料特性および／またはセラミック系材料特性の差を示すことがある。例えば、ダウンドロー法の最中に、主面でのガラス系材料および／またはセラミック系材料の性質は、中央部分と異なることがある。それゆえ、第１の部分２２１および第２の部分２３１で第１の主面２０３から層を除去することによって、これらの部分の新たな第１の主面２０３は、第１の中央表面区域２０９と同じ性質を有して、例えば、折り畳み式基板２０１がガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成される場合、折り畳み式基板２０１の長さに亘り一貫した光学的性質を提供することができる。
工程１１０１の後、図１９に示されるように、本開示の方法は、アルカリ金属イオンを含むペーストを第１の部分２２１および第２の部分２３１に施す工程を含む工程１１０３に進むことができる。図１９に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１０３は、供給源１９０１から、第１の部分２２１上に第１の塩ペースト１９０３を、第２の部分２３１上に第１の塩ペースト１９０５を配置する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の塩ペースト１９０３は、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３に施すことができ、第１の塩ペースト１９０５は、第２の部分２３１の第３の表面区域２３３に施すことができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第１の塩ペースト（例えば、第１の塩ペースト１９０３および／または１９０５）を、第１の部分２２１の第２の表面区域２２５および第２の部分２３１の第４の表面区域２３５に施すことができる。いくつかの実施の形態において、供給源１９０１は、導管（例えば、可撓管、マイクロピペット、または注射器）、噴射ノズル、または容器（例えば、ビーカー）を備えることがある。第１の塩ペースト１９０３は、第１の部分２２１および第２の部分２３１上に配置し、硬化させて、第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および／または２０１１を形成することができる。
ここに用いられているように、塩ペーストは、カリウムおよび／またはナトリウムを含有する。いくつかの実施の形態において、第１の塩ペースト１９０３および１９０５は、硝酸カリウム、リン酸カリウム、塩化カリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、および／またはリン酸ナトリウムの内の１つ以上を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、硝酸カリウムおよびリン酸カリウムを含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、アルカリ土類金属（例えば、アルカリ土類金属イオン、アルカリ土類金属含有化合物）を実質的に含まないことがあり得る。ここに用いられているように、アルカリ土類金属には、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、およびラジウムがある。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、約１，０００ｐｐｍ以上、約５，０００ｐｐｍ以上、約１０，０００ｐｐｍ以上、約２５，０００ｐｐｍ以上、約５００，０００ｐｐｍ以下、約２００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、または約５０，０００ｐｐｍ以下の、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含有し得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、約１，０００ｐｐｍから約５００，０００ｐｐｍ、約５，０００ｐｐｍから約５００，０００ｐｐｍ、約５，０００ｐｐｍから約２００，０００ｐｐｍ、約１０，０００ｐｐｍから約２００，０００ｐｐｍ、約１０，０００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２５，０００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２５，０００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含有し得る。
いくつかの実施の形態において、第１の塩ペースト１９０３および１９０５は、有機結合剤または溶媒を含み得る。その有機結合剤は、セルロース、セルロース誘導体、疎水的に改質されたエチレンオキシドウレタン改質剤（ＨＵＥＲ）、およびエチレンアクリル酸の内の１つ以上を含み得る。セルロース誘導体の例としては、エチルセルロース、メチルセルロース、およびＡＱＵＡＺＯＬ（登録商標）（ポリ（２－エチル－２－オキサジン））が挙げられる。溶媒としては、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）が挙げられる。いくつかの実施の形態において、第１の塩ペーストは、その溶媒および／または有機結合剤を除去することによって、硬化させて、第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および／または２０１１を形成することができる。さらなる実施の形態において、溶媒および／または有機結合剤は、８時間以上に亘り室温（約２０℃から約３０℃）で第１の塩ペースト１９０３および１９０５を乾燥させることによって、除去することができる。さらなる実施の形態において、溶媒および／または有機結合剤は、約８分から約３０分、または約８分から約２０分、または約８分から約１５分の範囲の期間に亘り、約１００℃から約１４０℃または約１００℃から約１２０℃の範囲の温度で第１の塩ペースト１９０３および１９０５を乾燥させることによって、除去することができる。
工程１１０３の後、図２０に示されるように、本開示の方法は、アルカリ金属イオンを含むペーストを中央部分２５１に施す工程を含む工程１１０５に進むことができる。図２０に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１０５は、供給源２００１から中央部分２５１の第１の中央表面区域２０９上に第２の塩ペースト２００３を配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第２の塩ペースト（例えば、第２の塩ペースト２００３）を中央部分２５１の第２の中央表面区域２１３に施すことができる。いくつかの実施の形態において、供給源２００１は、供給源１９０１に関して先に記載された構造のいずれを有してもよい。第２の塩ペースト２００３を中央部分２５１上に配置し、それを硬化させて、第２の塩堆積物２１０３、および／または２１０５を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト２００３は、第１の塩ペースト１９０３および１９０５に関して先に述べられたカリウム含有化合物および／またはナトリウム含有化合物の内の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト２００３は、第１の塩ペースト１９０３および１９０５に関して先に述べられたものを含む、有機結合剤または溶媒を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の塩ペーストは、例えば、室温（例えば、約８時間以上に亘り）、もしくはある期間（例えば、約８分から約３０分、または約８分から約２０分、または約８分から約１５分の範囲内）に亘り高温（例えば、約１００℃から約１４０℃または約１００℃から約１２０℃の範囲内）で、第２の塩ペースト２００３を乾燥させることにより、溶媒および／または有機結合剤を除去することによって、乾燥させて、第２の塩堆積物２１０３、および／または２１０５を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペーストは、第１の塩ペーストの対応する濃度より小さい、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストの対応する濃度の百分率としての、酸化物基準のカリウムおよび／またはナトリウムの濃度は、約１０％以上、約２０％以上、約２５％以上、約８０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、または約３０％以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストの対応する濃度の百分率としての、酸化物基準のカリウムおよび／またはナトリウムの濃度は、約１０％から約８０％、約１０％から約６０％、約２０％から約６０％、約２０％から約５０％、約２５％から約５０％、約２５％から約４０％、約２５％から約３０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペーストは、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、アルカリ土類金属イオン、アルカリ土類金属含有化合物）を含み得る。さらなる実施の形態において、その第２の塩ペースト中の１種類以上のアルカリ土類金属は、カルシウム（例えば、カルシウムイオン、塩化カルシウム、硝酸カルシウム、炭酸カルシウム）を含み得る。理論で束縛されることは意図していないが、塩ペースト中に１種類以上のアルカリ土類金属を提供することにより、例えば、塩ペースト中のアルカリ金属と競合する（これにより、折り畳み式基板中のイオンと、塩ペースト中のアルカリ金属イオンとの間の交換速度が低下する）ことによって、化学強化の程度を減少させることができる。理論で束縛されることは意図していないが、塩ペースト中の１種類以上のアルカリ土類金属としてカルシウムを提供することにより、カリウムイオンとカルシウムイオンとの間のイオン半径および質量の類似性のために、他のアルカリ土類金属よりも、カリウムとより効果的に競合することができる。さらなる実施の形態において、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、カルシウム）の濃度は、約１０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約１００ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約４００ｐｐｍ以上、約１０，０００ｐｐｍ以下、約５，０００ｐｐｍ以下、約２，０００ｐｐｍ以下、約１，０００ｐｐｍ以下、約７５０ｐｐｍ以下、または約５００ｐｐｍ以下であり得る。さらなる実施の形態において、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、カルシウム）の濃度は、約１０ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約２，０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍから約２，０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約７５０ｐｐｍ、約４００ｐｐｍから約７５０ｐｐｍ、約４００ｐｐｍから約５００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
工程１１０５の後、図２１に示されるように、本開示の方法は、折り畳み式基板２０１を加熱する工程を含む工程１００７に進むことができる。図２１に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、オーブン２１０１内に配置することができる。図２１に示されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、複数の第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および／または２０１１、および１つ以上の第２の塩堆積物２１０３および／または２１０５を含み得る。図２３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１０５において加熱されている（例えば、オーブン２３０１内で）折り畳み式基板２０１は、例えば、矢印１１０２にしたがい、工程１１０５を省いた場合、第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および／または２０１１を含み得るが、どのような第２の塩堆積物も含み得ない。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約３００℃以上、約３６０℃以上、約４００℃以上、約５００℃以下、約４６０℃以下、または約４００℃以下の温度で加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約３００℃から約５００℃、約３６０℃から約５００℃、約４００℃から約５００℃、約３００℃から約４６０℃、約３６０℃から約４６０℃、約４００℃から約４６０℃、約３００℃から約４００℃、約３６０℃から約４００℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の温度で加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、または約８時間以下に亘り加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分から約４８時間、約１時間から約４８時間、約３時間から約４８時間、約１５分から約２４時間、約１時間から約２４時間、約３時間から約４８時間、約３時間から約２４時間、約３時間から約８時間の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の時間に亘り加熱することができる。図２１および２３に示されるように、折り畳み式基板２０１が加熱された後、折り畳み式基板２０１は、化学強化された第１の部分２２１、第２の部分２３１、および／または中央部分２５１を含むことがある。
工程１１０７の後、図２２に示されるように、本開示の方法は、ペーストを除去する工程を含む工程１１０９に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、ペースト（例えば、第１の塩堆積物２００９）を除去する工程は、表面（例えば、第３の表面区域２３３）に亘り方向２２０２に研削工具２２０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具を使用する工程は、掃引、削取り、研削、プッシングを含むことがある。さらなる実施の形態において、ペースト（例えば、第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および／または２０１１、第２の塩堆積物２１０３および／または２１０５）は、表面（例えば、第１の表面区域２２３、第２の表面区域２２５、第３の表面区域２３３、第４の表面区域２３５、第１の中央表面区域２０９、第２の中央表面区域２１３）を溶媒で洗浄することによって、除去することができる。いくつかの実施の形態において、ペーストを除去する工程は、それぞれ、第１の表面区域２２３、第２の表面区域２２５、第３の表面区域２３３、および第４の表面区域２３５から、第１の塩堆積物２００５、２００７、２００９、および２０１１を除去する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、ペーストを除去する工程は、それぞれ、第１の中央表面区域２０９および第２の中央表面区域２１３から、第２の塩堆積物２１０３および２１０５を除去する工程をさらに含み得る。
工程１１０９の後、本開示の方法は、折り畳み式基板２０１をさらに化学強化する工程を含む工程１１１１に進むことができる。図１８に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１１において折り畳み式基板２０１をさらに化学強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板２０１の少なくとも一部を、工程１００３に関して先に述べられたアルカリ金属イオンおよび／またはアルカリ金属含有化合物の内の１つ以上を含む塩溶液１８０３を収容する塩浴１８０１と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液１８０３は、工程１００３に関して先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内の温度を有し得る。工程１１１１の後、折り畳み式基板は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を含み得る。工程１１１１が省かれた（例えば、矢印１１０４または１１０６にしたがう）、いくつかの実施の形態において、工程１１０９の後に、折り畳み式基板は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を含み得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度またはカリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１１１１は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１１０７および／または１０１１における化学強化後）、折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、下記に記載される工程１１１３は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１１０７および／または１１１１における化学強化後）であって、折り畳み式装置を組み立てる前に、工程１１１３において折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程を含み得る。上述したように、エッチングは、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴中に収容されたエッチング液（例えば、図２９に示されたエッチング浴２９０１内に収容されたエッチング液２９０３）と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９がエッチングされる。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５がエッチングされる。さらなる実施の形態において、第１の主面２０３、第１の中央表面区域２０９、第２の主面２０５、および／または第２の中央表面区域２１３がエッチングされる。化学的にエッチングする工程は、工程１１１１および／または１１１３において存在する場合、折り畳み式基板２０１を化学強化することにより残されることのある表面欠陥を除去するように設計することができる。実際に、化学強化する工程により、折り畳み式基板２０１の強度および／または光学的品質に影響し得る表面欠陥が生じることがある。工程１１１１および／または１１１３中にエッチングすることにより、化学強化中に生じた表面欠陥を除去することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍ以上、約５ｎｍ以上、約２μｍ以下、約１μｍ以下、約５００ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、または約１０ｎｍ以下の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍから約２μｍ、約１ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約５００ｎｍ、約５ｎｍから約１００ｎｍ、約５ｎｍから約５０ｎｍ、約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。そのようなエッチングは、折り畳み式基板２０１の厚さ、または化学強化中に達成される表面圧縮を実質的に変えることを避けるであろう。
工程１１１１の後、本開示の方法は、工程１１１３に進むことができ、この工程は、折り畳み式基板２０１を使用する折り畳み式装置を組み立てる工程を含む。図２４および２６に示されるように、工程１１１３は、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の主面２０３の第３の表面区域２３３と接触するように接着剤層２６１を施す工程を含み得る。図から分かるように、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の表面区域２２３および第３の表面区域２３３と接触し得る。図２４に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、接着剤の１つ以上の層を含み得る。例えば、接着剤層２６１を構成するその１つ以上の層の間に一体界面があり得、これにより、その１つ以上の層は、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るので、それらの層の間を光が行き来するときの光回折および／または光学的不連続を減少させる（例えば、なくす）ことができる。図２４に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、凹部２１９をさらに充填することができる。図２４に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の中央表面区域２０９と接触し得る。図２６に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１３は、凹部２１９内に高分子系部分２４１を配置する工程をさらに含み得る。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、第１の中央表面区域２０９と接触し得る第３の接触面２４５を含み得る。図２６に示されたような、さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５と接触し得る第４の接触面２４７を含み得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械装置の空間を残すように完全には充填されないことがある。
図２５および３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１３は、凹部２１９内に第２の液体２５０３を配置する工程を含み得る。次に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分を形成することができる。図２５に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１３は、折り畳み式基板２０１が平らな形態にある間に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程をさらに含み得る。図３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１３は、折り畳み式基板２０１が曲げ形態にある間に、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程をさらに含み得る。図３２に示されたような、さらなる実施の形態において、工程１１１３において、折り畳み式基板２０１は、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。図３３に示されたような、さらなる実施の形態において、工程１１１３において、折り畳み式基板２０１は、第２の主面２０５が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。
第２の液体２５０３を硬化させることにより、工程１１１３において高分子系部分２４１を形成することができる。図２５および３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１１１３は、液体２５０３を凹部２１９中に配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置するために、導管（例えば、可撓管、マイクロピペット、または注射器）が使用されることがある。図２５および３２～３３に示されたような、さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を容器２５０１から凹部２１９中に分配することによって、第２の液体２５０３が凹部２１９中に配置されることがある。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置することにより、凹部２１９が少なくとも部分的に（例えば、実質的に完全に）充填されることがある。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を凹部２１９中に配置することにより、第２の液体２５０３を第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に配置することができる。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３は、上述したような、高分子系部分の１種類以上の前駆体および溶媒を含むことがある。第２の液体２５０３を硬化させて、図２６に示されるような、高分子系部分２４１を形成することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、第２の液体２５０３を加熱する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、第２の液体２５０３に紫外線（ＵＶ）放射を照射する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する工程は、所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待つ工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、上述したような、負の熱膨張係数を有し得る。いくつかの実施の形態において、前駆体は、環状単量体（例えば、ノルボルネン、シクロペンテン）を含み得、ここで、前駆体を硬化させる工程は、第２の液体２５０３から高分子系部分２４１への体積の増加をもたらし得る開環メタセシス重合を含む。いくつかの実施の形態において、第２の液体２５０３を硬化させると、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に配置された高分子系部分を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、工程１１１３および／または工程１１１５の後に、折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置は、折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を構成し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内（例えば、約１％から約８％、約２％から約６％の範囲内）の高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさを有し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において、上述した範囲の内の１つ以上の範囲内の角度を有し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１を曲げた結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１が曲げられている間に第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成した結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、第２の液体２５０３を硬化させて、高分子系部分２４１を形成する際の体積の増加の結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、負の熱膨張係数を有する高分子系部分２４１の結果としての曲げ形態に対応し得る。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３上に、剥離ライナー（例えば、図２の剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３の表示装置３０７を参照のこと）が配置されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面上にコーティング（例えば、図２のコーティング２８１を参照のこと）が配置されることがある。図１０の流れ図の終わり１０１５で、折り畳み式装置は完成している。図１１の流れ図の終わり１１１５で、折り畳み式装置は完成している。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１１の流れ図の工程１１０１、１１０３、１１０５、１１０７、１１０９、１１１１、１１１３、および１１１５にしたがって進むことができる。図１１に示されたような、いくつかの実施の形態において、矢印１１０２は、例えば、工程１１１１における化学強化を含む方法において、工程１１０７において、折り畳み式基板２０１の少なくとも第１の部分２２１が、加熱により化学強化されるべきであるが、中央部分はそうではない場合、工程１１０５を省いて、工程１１０３から続くことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１１０４は、例えば、折り畳み式基板２０１が、完成した折り畳み式基板の圧縮応力領域をすでに含む場合、工程１１１１を省いて、工程１１０９から工程１１１３に進むことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１１０６は、例えば、この方法により折り畳み式基板２０１（例えば、図５参照）が製造され、その折り畳み式基板２０１が、完成した折り畳み式基板の圧縮応力領域をすでに含む場合、工程１１０９から工程１１１５に進むことができる。いくつかの実施の形態において、矢印１１０８は、例えば、この方法により折り畳み式基板２０１（例えば、図５参照）が製造される場合、工程１１１１から工程１１１５に進むことができる。いくつかの実施の形態において、この方法は、例えば、矢印１１０４または１１０６の一方に進み、追加の化学強化工程１１１１を省くことによって、工程１１０７における加熱による単一の化学強化工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、この方法は、工程１１０７および工程１１１３における加熱を含む２つの化学強化工程を含み得る。上述した選択肢のいずれを組み合わせて、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造してもよい。
ここで、図２～３および６～７に示された、折り畳み式装置１０１および／または３０１、試験用折り畳み式装置６０２、および／または折り畳み式基板２０１を製造する例示の実施の形態を、図２８～３７および図２７の流れ図を参照して、説明する。図２８に示されたような、本開示の方法の第１の工程２７０１は、折り畳み式基板２０１を提供することで始まる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、折り畳み式基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板、例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。折り畳み式基板２０１は、第一面２０４ａに沿って延在し得る第１の主面２０３を有することがある。第１の主面２０３は、第２の主面２０５と反対にあり得る。図３４に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、曲げることができる（例えば、曲げ形態を構成する）。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、折り畳み式基板２０１が約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲内（例えば、折り畳み式基板２０１の軟化点と、折り畳み式基板２０１の作業点との間の、折り畳み式基板２０１の作業範囲内）の粘度を有する間に、折り畳み式基板２０１を曲げ形態に曲げる結果として曲げ形態を構成することができる。
工程２７０１の後、図２８に示されるように、この方法は、必要に応じて、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に凹部２１９を形成する工程を含む工程２７０３に進むことができる。図２８に示されるように、凹部２１９は、第１の主面２０３をエッチングする、レーザアブレーションする、または機械加工することによって、形成されることがある。例えば、第１の主面２０３は、ダイヤモンド彫刻によって機械加工されて、ガラス系基板および／またはセラミック系基板に非常に精密なパターンを生成することがある。図２８に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用して、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に凹部２１９を作ることができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ１２０１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置１２０３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。さらに、凹部を形成する他の方法に、リソグラフィー、エッチング、およびレーザアブレーションがある。第１の主面２０３に凹部２１９を形成すると、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に中央部分２５１を提供することができる。中央部分２５１は、第１の中央表面区域２０９を含み得、その場所で、第１の中央表面区域２０９と、第１の主面２０３がそれに沿って延在する第一面２０４ａとの間に、凹部２１９を画成することができる。中央部分２５１は、第１の部分２２１を中央の主面２１１に取り付ける第１の移行部分２５３および第２の部分２３１を中央の主面２１１に取り付ける第２の移行部分２５５も含むことができる。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分２５３の厚さは、中央の主面２１１から第１の部分２２１に連続して増加し得る。さらなる実施の形態において、第２の移行部分２５５の厚さは、中央の主面２１１から第２の部分２３１に連続して増加し得る。図２８に示されるように、いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、図から分かるように、平面であることがある、中央部分２５１の中央の主面２１１を含むことがあるが、さらなる実施の形態において、非平面形態が設けられてもよい。さらに、中央の主面２１１は、図２８に示されるように、第一面２０４ａおよび／または第２の主面２０５に対して平行であり得る。
工程２７０３の後、図２９に示されるように、前記方法は、必要に応じて、折り畳み式基板２０１の厚さを減少させる工程を含む工程２７５０に進むことができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、折り畳み式基板２０１の厚さは、機械加工（例えば、研削）によって減少させることができる。図２９に示されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、化学エッチングを使用して減少させることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、化学エッチングは、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴２９０１内に収容されたエッチング液２９０３と接触させる工程を含み得る。さらなる実施の形態において、エッチング液２９０３は、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含み得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３から層を除去して、図２～３および６～７に示された第１の主面２０３を構成し得る新たな第１の主面を露出させることによって、減少させることができる。それに加え、またはそれに代えて、折り畳み式基板２０１の厚さは、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５から層を除去して、図２～３および６～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることによって、減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３から層を除去することは、凹部２１９の形成中に生じる表面欠陥を除去するのに有益であり得る。例えば、凹部２１９を生成するために第１の主面２０３を機械加工する（例えば、ダイヤモンドチッププローブで）と、折り畳む際に、折り畳み式基板２０１の破滅的破壊が生じることのある弱点を示し得る微小亀裂表面傷または他の欠陥が生じることがある。それゆえ、第１の主面２０３から層を除去することによって、凹部２１９の形成中に層に生成された表面欠陥が除去されることがあり、ここで、表面欠陥がより少ない新たな第１の主面２０３を提示することができる。より少ない表面欠陥しか存在しないので、折り畳み式基板を破損させずに、より小さい曲げ半径が達成されるであろう。さらに、折り畳み式基板のある加工は、折り畳み式基板の中央部分よりも、折り畳み式基板の第１と第２の主面で、材料特性の差を示すことがある。例えば、ダウンドロー法の最中に、折り畳み式基板の主面での折り畳み式基板の性質は、折り畳み式基板の中央部分と異なることがある。それゆえ、第１の部分２２１および第２の部分２３１で第１の主面２０３から層を除去することによって、これらの部分の新たな第１の主面２０３は、第１の中央表面区域２０９を形成する折り畳み式材料と同じ性質を有して、折り畳み式基板の長さに亘り一貫した光学的性質を提供することができる。
いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５（例えば、第２の主面２０５の全体）は、第２の主面２０５がエッチングされず、先の図２～３および６～７に関して説明された第２の主面２０５として第２の主面２０５を提供できるように、随意的なマスク２９０５で覆われることがある。第２の主面２０５のエッチングを防ぐことは、いくつかの加工技術（例えば、アップドロー法またはダウンドロー法）により存在することがある、第２の主面２０５の無垢な性質を保つために有益であろう。無垢な表面を維持すると、折り畳み式装置のユーザにより観察される、および／または触れられることのある折り畳み式装置の最表面を形成することのある第２の主面２０５にとって特に滑らかな表面が提示されるであろう。あるいは、折り畳み式基板２０１の厚さは、第２の主面２０５から層を除去して、例えば、先に述べたように、表面薄層を除去して、折り畳み式基板の長さに亘りより一貫した光学的性質を有する中央層を露出させることによって、減少させることができる。それゆえ、いくつかの実施の形態において、その層は、第２の主面２０５から除去されて、図２～３および６～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることができる。
いくつかの実施の形態において、その層は、第１の主面２０３から除去されて、図２～３および６～７に示された第１の主面２０３を含み得る新たな第１の主面を露出させることができ、その層は、第２の主面２０５から除去されて、図２～３および６～７に示された第２の主面２０５を含み得る新たな第２の主面を露出させることができる。第１と第２の主面の両方から層を除去すると、折り畳み式基板の下層の内側部分よりも一貫していない光学的性質を有するであろう折り畳み式基板の外側層を除去することができる。その結果、折り畳み式基板の長さと幅の全体に亘る全厚は、折り畳み式基板全体に亘り歪みがほとんどまたは全くない、一貫した光学性能を与えるより一貫した光学的性質を有するであろう。
図２９に示されるように、工程２７０５は、図２～３および６～７に示された折り畳み式基板２０１を製造することができ、ここで、図８の折り畳み式基板２０１の凹部２１９が、折り畳み式基板２０１の凹部２１９に発展する。さらに、折り畳み式基板２０１の中央部分２５１は、先に記載された、中央部分２５１、第１の移行部分２５３，および第２の移行部分２５５を含み得る、図２～３および６～７の中央部分２５１に発展することができる。またさらに、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１および第２の部分２３１は、先に記載された折り畳み式基板２０１の対応する第１の部分２２１および第２の部分２３１に発展することができる。
工程２７０５の後、図３０にさらに示されるように、この方法は、折り畳み式基板２０１を化学強化する工程を含む工程２７０７に進むことができる。図３０に示されたような、いくつかの実施の形態において、化学強化は、折り畳み式基板２０１の少なくとも一部を、塩浴１３０１中に収容された塩溶液１３０３中に浸すことによって行われることがある。さらなる実施の形態において、塩溶液１３０３は、塩溶液１３０３に関して先に述べられた組成物のいずれを含有しても差し支えない、および／または塩溶液１３０３の温度について先に説明された範囲のいずれかに入る温度であっても差し支えない。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、または約８時間以下に亘り、塩溶液１３０３と接触させることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１は、約１５分から約４８時間、約１時間から約４８時間、約３時間から約４８時間、約１５分から約２４時間、約１時間から約２４時間、約３時間から約４８時間、約３時間から約２４時間、約３時間から８時間の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の時間に亘り塩溶液１３０３と接触させられ得る。
折り畳み式基板２０１を化学強化する工程は、第１の中央表面区域２０９を化学強化する工程、第１の主面２０３の第１の部分２２１の第１の表面区域２２３を化学強化する工程、第１の主面２０３の第２の部分２３１の第３の表面区域２３３を化学強化する工程、および折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５を化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、化学強化する工程は、第１の部分２２１を第１の主面２０３の第１の表面区域２２３から第１の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第１の主面２０３の第３の表面区域２３３から第３の圧縮深さまで化学強化する工程、および中央部分２５１を第１の中央表面区域２０９から第１の中央圧縮深さまで化学強化する工程を含み得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１の第２の主面２０５を化学強化する工程は、第２の主面２０５の第１の部分２２１の第２の表面区域２２５を化学強化する工程、第２の主面２０５の第２の部分２３１の第４の表面区域２３５を化学強化する工程、および第２の主面２０５の中央部分２５１の第２の中央表面区域２１３を化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５を化学強化する工程は、第１の部分２２１を第２の主面２０５の第２の表面区域２２５から第２の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第２の主面２０５の第４の表面区域２３５から第４の圧縮深さまで化学強化する工程、および中央部分２５１を第２の主面２０５の第２の中央表面区域２１３から第２の中央圧縮深さまで化学強化する工程を含み得る。
工程２７０７の後、図３１にさらに示されるように、この方法は、必要に応じて、折り畳み式基板を化学的にエッチングする工程を含む工程２７０９に進むことができる。工程２７０３および図２９に関して先に述べられたように、エッチングは、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴２９０１内に収容されたエッチング液２９０３と接触させる工程を含み得る。エッチング液２９０３は、エッチング液２９０３に関して先に述べられた化合物のいずれを含んでも差し支えない。いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９がエッチングされる。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５がエッチングされる。さらなる実施の形態において、第１の主面２０３、第１の中央表面区域２０９、および第２の主面２０５がエッチングされる。化学的にエッチングする工程２７０９は、実施される場合、折り畳み式基板２０１を化学強化する工程２７０７により残されることのある表面欠陥を除去するように設計することができる。実際に、化学強化する工程２７０７により、折り畳み式基板の強度および／または光学的品質に影響し得る表面欠陥が生じることがある。化学強化する工程２７０９中にエッチングすることにより、化学強化の工程２７０７中に生じた表面欠陥を除去することができる。工程２７０９中のそのようなエッチングは、層の５～１０ナノメートル未満を除去し、それによって、折り畳み式基板の厚さまたは化学強化する工程２７０７中に達成された表面圧縮を実質的に変えないように設計することができる。
工程２７０９の後、図３２～３７に示されるように、本開示の方法は、工程２７１１に進むことができ、この工程は、接着剤層２６１（例えば、第２の接着剤層３５０３）を施して、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３、第１の主面２０３の第３の表面区域２３３、および中央部分２５１の第１の中央表面区域２０９を接着剤層２６１（例えば、第１の接着剤層３５０１）と接触させて、凹部２１９を充填する工程を含む。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、その凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械装置の空間を残すように完全には充填されないことがある。
図３５に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤の１つ以上の層３５０１を凹部２１９内に配置して、凹部２１９を充填することができる。接着剤層２６１の第２の接触面２６５の中央部分は、中央部分２５１の第１の中央表面区域２０９と接触し得る。それに加え、図３５に示されるように、接着剤層２６１の第２の接着剤層３５０３を折り畳み式基板２０１上に配置することができる。第２の接着剤層３５０３の第１の表面区域は、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３と接触することができ、第２の接着剤層３５０３の第２の表面区域は、第１の主面２０３の第３の表面区域２３３と接触することができる。さらに、第２の接着剤層３５０３の第３の表面区域は、凹部２１９を充填する１つ以上の層３５０１の外面と接触して、それらの間に一体界面を提供することができる。１つ以上のの層３５０１と第２の接着剤層３５０３との間の一体界面のために、１つ以上の層３５０１および第２の接着剤層３５０３は、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るので、光がそれらの層を行き来するときに、光回折を避けることができる。実質的に同じ屈折率を有する１つ以上の層３５０１および第２の接着剤層３５０３を設けることにより、１つ以上の層３５０１と第２の接着剤層３５０３との間の界面の近傍で折り畳み式装置にそうしなければ存在するかもしれない光学的不連続を避けることができる。このように、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の中央表面区域２０９と接触しつつ、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の主面２０３の第３の表面区域２３３とも接触することができる。図３５に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤の第２の接着剤層３５０３は、平面であり得、いくつかの実施の形態において、第１の表面区域２２３および／または第３の表面区域２３３と平行であり得る第２の接触面を含み得る。他の実施の形態において、接着剤の層全体が、液体材料の施用（当該技術分野に公知の任意の適切な方法による）と、その後の随意的な硬化によって、形成されることがある。
図３２～３３および３６に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程２７１１は、凹部２１９中に接着剤液体３２０３を配置する工程を含み得る。次に、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成することができる。図３６に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程２７１１は、折り畳み式基板２０１が平らな形態にある間に、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の一部（例えば、図３５および３７の第１の接着剤層３５０１）を形成する工程をさらに含み得る。図３２～３３に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程２７１１は、折り畳み式基板２０１が曲げ形態にある間に、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成する工程をさらに含み得る。図３２に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程２７１１において、折り畳み式基板２０１は、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。図３３に示されたような、さらなる実施の形態において、工程２７１１において、折り畳み式基板２０１は、第２の主面２０５が曲げの外側にあるように、曲げ形態にあり得る。
接着剤液体３２０３を硬化させることにより、工程２７１１において接着剤層２６１の少なくとも一部を形成することができる。図３２～３３および３６に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程２７１１は、接着剤液体３２０３を凹部２１９中に配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、接着剤液体３２０３を凹部２１９中に配置するために、導管（例えば、可撓管、マイクロピペット、または注射器）が使用されることがある。図３２～３３および３６に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤液体３２０３を容器３２０１から凹部２１９中に分配することによって、接着剤液体３２０３が凹部２１９中に配置されることがある。いくつかの実施の形態において、接着剤液体３２０３を凹部２１９中に配置することにより、凹部２１９が少なくとも部分的に（例えば、実質的に完全に）充填されることがある。図示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤液体３２０３を凹部２１９中に配置することにより、接着剤液体３２０３を第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に配置することができる。いくつかの実施の形態において、接着剤液体３２０３は、接着剤層の１種類以上の前駆体および溶媒を含むことがある。いくつかの実施の形態において、接着剤層の前駆体は、制限なく、単量体、オリゴマー、促進剤、硬化剤、エポキシ、ポリウレタン（例えば、イソシアネート、エステル、グリコール）、メルカプトエステル、アクリレート、シリコーン、粒子（例えば、酸化銅、ベータ石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、およびニッケルチタン合金の内の１つ以上）、および／または繊維の内の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、その前駆体用の溶媒は、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）を含むことがある。接着剤液体３２０３を硬化させて、図３５および３７に示されるような、接着剤層２６１の少なくとも一部（例えば、第１の接着剤層３５０１）を形成することができる。さらなる実施の形態において、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成する工程は、接着剤液体３２０３を加熱する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成する工程は、接着剤液体３２０３に紫外線（ＵＶ）放射を照射する工程を含むことがある。さらなる実施の形態において、接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成する工程は、所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待つ工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、凹部２１９中に位置付けられた接着剤層２６１の少なくとも一部は、上述したような高分子系部分２４１の性質に類似の、負の熱膨張係数を有し得る。いくつかの実施の形態において、前駆体は、環状単量体（例えば、ノルボルネン、シクロペンテン）を含み得、ここで、前駆体を硬化させる工程は、接着剤液体３２０３から接着剤層２６１の少なくとも一部への体積の増加をもたらし得る開環メタセシス重合を含む。いくつかの実施の形態において、接着剤液体３２０３を硬化させると、折り畳み式基板２０１の第１の部分２２１と第２の部分２３１との間に位置付けられた（例えば、凹部２１９中に位置付けられたおよび／またはそれを充填する）接着剤層２６１の少なくとも一部を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、工程２７１１または工程２７１３の後に、折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置は、折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を構成し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内（例えば、約１％から約８％、約２％から約６％の範囲内）の高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさを有し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、中立応力形態において上述した範囲の内の１つ以上の範囲内の角度を有し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１を曲げた結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、折り畳み式基板２０１が曲げられている間に接着剤液体３２０３を硬化させて、接着剤層２６１の少なくとも一部を形成した結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、接着剤液体３２０３を硬化させて、凹部２１９内に位置する接着剤層２６１の少なくとも一部を形成する際の体積の増加の結果としての曲げ形態に対応し得る。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、負の熱膨張係数を有する接着剤層２６１の結果としての曲げ形態に対応し得る。
図３７に示されるように、接着剤層２６１の第２の接着剤層３５０３が、折り畳み式基板２０１および高分子系部分２４１または第１の接着剤層３５０１（図３５参照）上に配置されることがある。いくつかの実施の形態において、第２の接着剤層３５０３の第２の表面区域は、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および高分子系部分２４１の第３の接触面２４５に接触することができるか、または第２の接着剤層３５０３（図３５参照）の第２の表面区域は、第１の主面２０３の第３の表面区域２３３と接触することができる。さらに、第２の接着剤層３５０３の第３の表面区域は、高分子系部分２４１の第４の接触面２４７または第１の接着剤層３５０１（図３５参照）の外面と接触して、それらの間に一体界面を提供することができる。高分子系部分２４１または第１の接着剤層３５０１と、第２の接着剤層３５０３との間の一体界面のために、高分子系部分２４１または第１の接着剤層３５０１および第２の接着剤層３５０３は、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るので、光がそれらの層を行き来するときに、光回折を避けることができる。実質的に同じ屈折率を有する高分子系部分２４１または第１の接着剤層３５０１および第２の接着剤層３５０３を設けることにより、高分子系部分２４１または第１の接着剤層３５０１と第２の接着剤層３５０３との間の界面の近傍で折り畳み式装置にそうしなければ存在するかもしれない光学的不連続を避けることができる。このように、図３５に示されるように、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の中央表面区域２０９と接触しつつ、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の主面２０３の第３の表面区域２３３とも接触することができる。図３５に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤の第２の接着剤層３５０３は、平面であり得、いくつかの実施の形態において、第１の表面区域２２３および／または第３の表面区域２３３と平行であり得る第１の接触面２６３を含み得る。このように、図３７に示されるように、高分子系部分２４１の第３の接触面２４５は第１の中央表面区域２０９と接触し得、一方で、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の主面２０３の第３の表面区域２３３と接触し得る。図３７に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤の第２の接着剤層３５０３は、平面であり得、いくつかの実施の形態において、第１の表面区域２２３および／または第３の表面区域２３３と平行であり得る第１の接触面２６３を含み得る。接着剤層２６１の第２の接触面２６５上に、剥離ライナー（例えば、図２の剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３の表示装置３０７を参照のこと）が配置されることがある。図２７の流れ図の終わり２７１３で、折り畳み式装置は完成している。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を製造する方法は、先に開示された順序で、先に開示された工程（例えば、２７０１、２７０３、２７０５、２７０７、２７０９、２７１１、２７１３）を含み得る。図２７に示されたような、いくつかの実施の形態において、矢印２７０２、２７０４、および２７０６は、連続して続けられることがあり、ここで、提供された折り畳み式基板２０１（工程２７０１）は、凹部２１９が折り畳み式基板２０１の第１の主面２０３に形成される（工程２７０３）前にエッチングされて、折り畳み式基板２０１の厚さを減少させ（工程２７０５）、折り畳み式基板２０１は、化学強化される（例えば、イオン交換、工程２７０７）。いくつかの実施の形態において、例えば、提供された折り畳み式基板２０１が、基板厚さ２２２と実質的に等しい厚さを有する場合、折り畳み式基板の厚さを減少させるための折り畳み式基板２０１をエッチングする工程を抜かすために、矢印２７０６に従うことがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０１を化学強化した後に、折り畳み式基板２０１をエッチングする工程を抜かすために、矢印２７０８に従うことがある。いくつかの実施の形態において、その方法は、凹部２１９を備えた折り畳み式基板２０１を購入か、または他のやり方で得る工程、および、次に、折り畳み式基板２０１を化学強化する工程を含む工程２７０７から前に進む工程を含み得る。上述した選択肢のいずれを組み合わせて、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造してもよい。
以下の実施例により、様々な実施の形態をさらに明確にする。実施例Ａ～ＸおよびＤＤ～ＨＨの全ては、ガラス系基板（公称で、６９．１モル％のＳｉＯ２、１０．２モル％のＡｌ２Ｏ３、１５．１モル％のＮａ２Ｏ、０．０１モル％のＫ２Ｏ、５．５モル％のＭｇＯ、０．０９モル％のＳｎＯ２の組成１を有する）から構成される。特に明記のない限り、化学強化された実施例Ａ～Ｘは、３８０℃で、１００％の溶融ＫＮＯ３を含む浴中で化学強化された。より小さい有効最小曲げ半径値は、増加した可撓性（例えば、可屈曲性）と関連付けられる。より高いペン落下高さは、向上した耐衝撃性およびより良好な穿刺抵抗と関連付けられる。実施例Ａ～Ｅは、表１～３を参照して説明されている。実施例Ｆ～Ｊは、表４～６を参照して説明されている。実施例Ｋ～Ｘは、表７～８を参照して説明されている。実施例ＤＤ～ＨＨは、表９を参照して説明されている。
シミュレーションにより２ｍｍの有効曲げ半径を達成した実施例Ａ～Ｅに関連する最大曲げ応力および最大曲げ力が、表１に報告されている。シミュレーションにより４ｍｍの有効曲げ半径を達成した実施例Ａ～Ｅに関連する最大曲げ応力およびより低い最大曲げ力が、表２に報告されている。より低い最大曲げ応力および最大曲げ力は、より良好な曲げ特性に関連付けられる。ペン落下試験の実験結果は、実施例Ａ、Ｄ、およびＥに関して、第１の厚さを有する領域で得られた。実施例ＢおよびＣに予測されるペン落下高さは、上記実験結果に基づく。実施例Ａ～Ｅに関するペン落下高さは、表３に報告されている。実施例Ａ～Ｅは、化学強化されていない。
実施例Ａは、ガラス系基板の長さと幅に亘り３５μｍの均一な厚さを有するガラス系基板から構成されている。実施例Ｂは、本開示の実施の形態によるガラス系基板から構成されている。実施例Ｂは、第１の部分と第２の部分において７０μｍの第１の厚さを有する。実施例Ｂは、中央部分において３５μｍの第２の厚さを有する。実施例Ｃは、本開示の実施の形態によるガラス系基板から構成されている。実施例Ｃは、第１の部分と第２の部分において１０５μｍの第１の厚さを有する。実施例Ｂは、中央部分において３５μｍの第２の厚さを有する。実施例Ｄは、ガラス系基板の長さと幅に亘り７０μｍの均一な厚さを有するガラス系基板から構成されている。実施例Ｅは、ガラス系基板の長さと幅に亘り１００μｍの均一な厚さを有するガラス系基板から構成されている。シミュレーションにより、実施例Ｅが２ｍｍの有効曲げ半径を達成した場合、最大曲げ応力は２２９２ＭＰａであり、最大曲げ力は１１７．３Ｎであることが示される。シミュレーションにより、実施例Ｅが４ｍｍの有効曲げ半径を達成した場合、最大曲げ応力は１１３２ＭＰａであり、最大曲げ力は２８．６Ｎであることが示される。
Figure 2022546475000002
Figure 2022546475000003
Figure 2022546475000004
実施例Ｂおよび実施例Ｃは、２ｍｍの有効曲げ半径および４ｍｍの有効曲げ半径の両方について、実質的に同じ曲げ特性（例えば、最大曲げ応力および最大曲げ力）を達成する。さらに、実施例Ｂおよび実施例Ｃは、２ｍｍの有効曲げ半径および４ｍｍの有効曲げ半径の両方について、実施例Ａと実質的に同じ曲げ特性（例えば、１％以内の最大曲げ応力、１０％以内の最大曲げ力）を達成する。実施例Ｂおよび実施例Ｃの最大曲げ応力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、３ＭＰａ（０．４％）だけ実施例Ａより小さい。実施例Ｂおよび実施例Ｃの最大曲げ応力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、１ＭＰａ（０．２％）だけ実施例Ａより小さい。実施例Ｂおよび実施例Ｃの最大曲げ力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、０．２Ｎ（４％）だけ実施例Ａより大きい。実施例Ｂおよび実施例Ｃの最大曲げ力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、０．１Ｎ（８％）だけ実施例Ａより大きい。これらの結果は、実施例Ｂに対して実施例Ｃの第１の厚さが大きいことは、曲げ特性に実質的に影響しないことを示す。それゆえ、衝突性能（例えば、表３に報告されたペン落下）は、曲げ特性を実質的に低下させずに、第１の厚さを増加させることによって、改善できる。
対照的に、実施例Ｄの曲げ特性は、２ｍｍおよび４ｍｍの有効曲げ半径について、実施例Ａよりも相当悪い（例えば、１００％超大きい最大曲げ応力、７００％超大きい最大曲げ力）。実施例Ｄの最大曲げ応力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、９００ＭＰａ超（１１６％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｄの最大曲げ力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、４０Ｎ超（８９５％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｄの最大曲げ応力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、３９０ＭＰａ超（１０１％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｄの最大曲げ力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、８Ｎ超（７０８％）み実施例Ａより大きい。
さらに、実施例Ｅの曲げ特性は、２ｍｍおよび４ｍｍの有効曲げ半径について、実施例Ａよりも相当悪い（例えば、１５０％超大きい最大曲げ応力、２０００％超大きい最大曲げ力）。実施例Ｅの最大曲げ応力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、１５００ＭＰａ超（１９０％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｅの最大曲げ力は、２ｍｍの有効曲げ半径について、１１０Ｎ超（２２９３％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｅの最大曲げ応力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、７００ＭＰａ超（１８８％）も実施例Ａより大きい。実施例Ｅの最大曲げ力は、４ｍｍの有効曲げ半径について、２７Ｎ超（２２８３％）も実施例Ａより大きい。
実施例ＤおよびＥは、第２の厚さを変えることは、対応するガラス系基板および／または折り畳み式装置の曲げ性能に実質的に影響を与え（例えば、損ない）得ることを示す。具体的に、実施例Ｅは、曲げ性能は、第２の厚さの変化とともに非線形的に劣化する（例えば、曲げ性能は、第２の厚さがより大きい量だけ増加するにつれて、より著しく劣化する）ことを示す。
実施例Ｂおよび実施例Ｃは、２ｍｍの有効曲げ半径および４ｍｍの有効曲げ半径の両方について、実施例Ａと実質的に同じ曲げ特性（例えば、最大曲げ応力および最大曲げ力）を達成する。このことは、第２の厚さが、ガラス系基板の曲げ特性を実質的に制御することを示す。対照的に、実施例Ｄおよび実施例Ｅは、実施例Ａ～Ｃよりも相当大きい最大曲げ応力および最大曲げ力を有する。
先に述べたように、表３に報告されたペン落下高さは、第１の厚さを有する領域（例えば、第１の部分）内だけにペンを落下させて、データを得た。それゆえ、中央部分内の位置（例えば、第１の移行部分、中央表面区域、第２の移行部分）は、表３に報告されたデータに使用しなかった。表３は、実施例Ａが、破損せずに最低のペン落下高さを達成することを示す。実施例Ｂは、実施例Ｄと同じペン落下高さを達成し、一方で、実施例Ｃは、実施例Ｅと同じペン落下高さを達成する。このことは、第１の厚さが、ガラス系基板の第１の部分および／または第２の部分の穿刺抵抗特性を実質的に制御することを示す。それゆえ、実施例ＢおよびＣは、第１の厚さ（例えば、７０μｍ、１０５μｍ）より小さい第２の厚さ（例えば、３５μｍ）を有することによって、実施例Ａの好ましい曲げ特徴を、実施例Ｄまたは実施例Ｅの穿刺抵抗と併せ持つことができる。結果として、先に述べたように、第１の厚さは、曲げ特性に実質的に影響を与えずに（例えば、損なわずに）、ペン落下性能（例えば、穿刺抵抗、耐衝撃性）を高めるために増加させることができる。
実施例Ｆ～Ｊの第１の部分における最大圧縮応力および最大引張応力が、表４に報告されている。実施例Ｆ～Ｊの中央部分における最大圧縮応力および最大引張応力が、表５に報告されている。実施例Ｆ～Ｊの機械的性質が、表６に報告されている。実施例Ｆ～Ｊは、第１の主面、第１の中央表面区域、および第２の主面の全てについて、表４および５に述べられた圧縮深さまで、第１の部分、第２の部分、および中央部分を化学強化することによって、調製された。ペン落下試験の実験結果は、実施例Ｆ～Ｊについて、基板厚さを有する領域で得られた。
実施例Ｆは、ガラス系基板の長さと幅に亘る２５μｍの均一な厚さを有した。実施例Ｆは、化学強化されて、均一な６μｍの圧縮深さおよび３５４ＭＰａの関連する最大引張応力を達成した。実施例Ｆは、１．２ｍｍの有効最小曲げ半径および１５ｃｍのペン落下高さを示した。
実施例Ｇは、実施例Ｆと同じ組成のガラス系基板の長さと幅に亘る５０μｍの均一な厚さを有した。実施例Ｇは、化学強化されて、均一な９．７μｍの圧縮深さおよび２３５ＭＰａの関連する最大引張応力を達成した。実施例Ｇは、２．５ｍｍの有効最小曲げ半径および１０ｃｍのペン落下高さを示した。
実施例Ｈは、実施例Ｆと同じ組成のガラス系基板の長さと幅に亘る１２５μｍの均一な厚さを有した。実施例Ｈは、化学強化されて、均一な２１．２μｍの圧縮深さおよび２２６ＭＰａの関連する最大引張応力を達成した。実施例Ｈは、６．２ｍｍの有効最小曲げ半径および２５ｃｍのペン落下高さを示した。
実施例Ｉは、本開示の実施の形態により製造された、実施例Ｆと同じ組成のガラス系基板から構成された。第１の部分と第２の部分は１５０μｍの基板厚さを有し、一方で、中央部分は３０μｍの中央厚さを有した。実施例Ｉは、化学強化されて、均一な５．５μｍの圧縮深さを得た。これは、第１の部分における３７ＭＰａの最大引張応力および中央部分における２２３ＭＰａの最大引張応力に対応した。実施例Ｉは、１．７ｍｍの有効最小曲げ半径および８０ｃｍのペン落下高さを示した。
実施例Ｊは、本開示の実施の形態により製造されたガラス系基板から構成された。第１の部分と第２の部分は１５０μｍの基板厚さを有し、一方で、中央部分は５０μｍの中央厚さを有した。実施例Ｊは、化学強化されて、均一な９．７μｍの圧縮深さを得た。実施例Ｊは、２．５ｍｍの有効最小曲げ半径および８０ｃｍのペン落下高さを示した。
Figure 2022546475000005
Figure 2022546475000006
Figure 2022546475000007
実施例Ｆ～Ｈの全ては、約２００ＭＰａ以上、すなわち、それぞれ、３５４ＭＰａ、２３５ＭＰａ、および２２６ＭＰａの第１の部分の最大引張応力を有する。実施例Ｆ～Ｈの全ては、先に定義されたような、高エネルギー破壊モードを有する。対照的に、実施例Ｉ～Ｊは、約１００ＭＰａ未満、すなわち、それぞれ、３７ＭＰａおよび６８ＭＰａの第１の部分の最大引張応力を有する。実施例Ｉ～Ｊは、先に定義されたような、低エネルギー破壊モードを有する。それゆえ、約１００ＭＰａ以下の第１の部分および／または第２の部分の最大引張応力を提供することは、低エネルギー破壊モードに関連付けることができる。
実施例Ｆ～Ｈは、基板厚さを増加させることは、有効最小曲げ半径を増加させることに関連付けられることを示す。しかしながら、実施例Ｉは、１．７ｍｍの有効最小曲げ半径を有し、これは、実施例Ｆ（２５μｍの基板厚さについて、１．２ｍｍ）および実施例Ｇ（５０μｍの基板厚さについて、２．５μｍ）に関連する有効最小曲げ半径の間である。実施例Ｊは、実施例Ｇと実質的に同じ有効最小曲げ半径を達成し、実施例Ｇの基板厚さは、実施例Ｊの中央厚さと実質的に等しい。それゆえ、有効最小曲げ半径は、所定の基板厚さを維持しつつ、ガラス系基板の中央厚さを減少させることによって、減少させることができる。基板厚さより小さい中央厚さを設けることは、均一な厚さを有するガラス系基板よりも良好な曲げ性能（例えば、より小さい有効最小曲げ半径）と関連付けることができる。
先に述べたように、表６に報告されたペン落下高さに基づく耐衝撃性は、第１の厚さを有する領域（例えば、第１の部分）内だけにペンを落下させて、データを得た。それゆえ、中央部分内の位置（例えば、第１の移行部分、中央表面区域、第２の移行部分）は、表６に報告されたデータに使用しなかった。実施例Ｆ～Ｈは、耐衝撃性について、不均一な傾向を示す。それでも、実施例Ｆ～Ｈの全ては、約２５ｃｍ以下のペン落下高さを有する。対照的に、実施例Ｉ～Ｊは、約８０ｃｍのペン落下高さを達成する。このことは、中央部分の厚さは、基板厚さを有する領域において試験した場合、ガラス系基板の耐衝撃性に実質的に影響を与えないことを示す。それどころか、中央厚さを一定に維持しつつ、基板厚さを増加させることによって、向上した耐衝撃性を得ることができる。
実施例Ｋ～Ｑは、３８０℃で、１００％の溶融ＫＮＯ３を含む浴中で化学強化され、一方で、実施例Ｒ～Ｘは、４１０℃で、１００％の溶融ＫＮＯ３を含む浴中で化学強化された。化学強化の継続時間（例えば、期間）が、それぞれ、実施例Ｋ～ＱおよびＲ～Ｘについて、表７～８に述べられている。実施例Ｋ～Ｘは、それぞれ、表７～８に述べられた厚さを有する、ＰＶＤを使用して堆積されたＳｉＯ２の層を備えた。有効拡散係数は、化学強化の持続時間で除算された層の深さの二乗の０．１３倍と計算された。
表７において、実施例Ｋ～Ｑの最大圧縮応力および有効拡散係数は、表の下に行くにつれて連続して減少する。しかしながら、層の深さについて、２２８分に亘り化学強化した実施例は、実施例Ｑを除いて、９６分に亘り化学強化されたものよりも、大きい層の深さを有する。これらの傾向は、層の厚さを増加させると、最大圧縮応力、有効拡散係数、および層の深さが減少することを示す。
Figure 2022546475000008
表８において、実施例Ｒ～Ｘの有効拡散係数は、表の下に行くにつれて連続的に減少する。実施例Ｓを除いて、最大圧縮応力について、表８に同じ傾向が存在する。実施例Ｒと実施例Ｓの最大圧縮応力は、実質的に同じである。しかしながら、層の深さについて、１０５分に亘り化学強化された実施例は、実施例Ｘを除いて、４５分に亘り化学強化されたものよりも大きい層の深さを有する。これらの傾向は、層の厚さを増加させると、最大圧縮応力、有効拡散係数、および層の深さが減少することを示す。
Figure 2022546475000009
また、実施例Ｋ～Ｘを使用して、折り畳み式基板の一部の上に配置された層を、本開示の実施の形態の方法にどのように使用できるかを示すことができる。理論で束縛されることは意図していないが、層の深さが対応する基板厚さの約４０％未満である場合、層の深さおよび有効拡散係数は、異なる基板厚さに亘り実質的に一定であり得る。例えば、実施例ＫおよびＱを使用すると、１２５μｍの基板厚さを有し、約６６μｍの中央厚さを有する中央部分を含む折り畳み式基板であって、中央部分の上に配置された、１００μｍの厚さを有するＳｉＯ２の層を有する折り畳み式基板を３８０℃で１０５分に亘り化学強化して、約１７．２８％の、対応する厚さで除算された実質的に一定の層の深さを得ることができることが予測される。対照的に、ＳｉＯ２層を含まないと、上述した折り畳み式基板は、中央部分において約３２．７３％であり、基板厚さを有する部分において１７．２８％である、対応する厚さで除算された層の深さを有すると予測されるであろう。これにより、機械的不安定性が観察されやすいであろう。
表９において、塩堆積物を有するシートを加熱することによって、組成１を有するガラスの１００μｍ厚のシートに、最大圧縮応力および層の深さが与えられた。塩溶液について６０ｐｓｉ（４１４キロパスカル（ｋＰａ））の圧力および列の間の間隔が約１．８ｃｍである列で被覆されるべき表面から約７ｃｍの距離で５０ｐｓｉ（３４５ｋＰａ）のエアアシスト圧で、Ｎｏｒｄｓｏｎ Ａｓｙｍｔｅｋ ＳＬ９４０を使用して、塩溶液を噴射することによって、塩堆積物を作り出した。塩溶液、ガラスシートと塩堆積物が加熱される温度、およびガラスシートと塩堆積物が加熱される期間が、表９に示されている。また、表９に報告された最大圧縮応力および層の深さは、ＦＳＭ－６０００を使用して測定した。
塩溶液ＡＡ～ＣＣは、エチレンアクリル酸、有機結合剤、アルカリ金属化合物、および水（溶媒）を含む。塩溶液ＡＡは、０．１７質量％のエチレンアクリル酸、０．６６質量％の硝酸カリウム（ＫＮＯ３）、５．６４質量％のリン酸カリウム（Ｋ３ＰＯ４）、および９３．５３質量％の水を含んだ。塩溶液ＢＢは、０．１７質量％のエチレンアクリル酸、０．３２質量％の硝酸カリウム（ＫＮＯ３）、５．９８質量％のリン酸カリウム（Ｋ３ＰＯ４）、および９３．５３質量％の水を含んだ。塩溶液ＣＣは、０．１７質量％のエチレンアクリル酸、０．３３質量％の硝酸カリウム（ＫＮＯ３）、０．３３質量％の硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）、２．８２質量％のリン酸カリウム（Ｋ３ＰＯ４）、２．８２質量％のリン酸ナトリウム（Ｎａ３ＰＯ４）、および９３．５３質量％の水を含んだ。塩溶液ＡＡ～ＣＣのリン酸塩イオン対硝酸塩イオンの比は、それぞれ、９：１、１９：１、および９：１である。
実施例ＤＤは、２９５ＭＰａの最大圧縮応力および８．４μｍの層の深さを有する。実施例ＥＥは、実施例ＤＤよりも高い温度で加熱され、これにより、最大圧縮応力がわずかに減少した（１４ＭＰａ、４．７％の減少）が、層の深さは増加した（１．８μｍ、２１．４％の増加）。実施例ＧＧは、実施例ＥＥと同じ温度で加熱したが、実施例ＥＥの塩堆積物は、塩溶液ＡＡから作られたのに対し、実施例ＧＧの塩堆積物は、塩溶液ＢＢから作られた。実施例ＧＧの最大圧縮応力は、実施例ＥＥの最大圧縮応力より低い（１０７ＭＰａ、３８％の減少）。実施例ＦＦは、実施例ＧＧより低い温度で加熱された。加熱時間は３００分から７５分に減少したけれども、実施例ＦＦの最大圧縮応力は、実施例ＧＧとほぼ同じである（２ＭＰａ、１％の差）。実施例ＨＨは、実施例ＦＦと同じ温度および同じ時間に亘り加熱されたが、実施例ＦＦの塩堆積物は、塩溶液ＢＢから作られたのに対し、実施例ＨＨの塩堆積物は、塩溶液ＣＣから作られた。実施例ＨＨの最大圧縮応力は、実施例ＦＦの最大圧縮応力より低い（６６ＭＰａ、３７．５％の減少）。
Figure 2022546475000010
表９の結果に基づいて、リン酸塩イオン対硝酸塩イオンの比を９：１から１９：１に増加させると、最大圧縮応力が約３８％減少した。塩が堆積し、ガラスシートが加熱される温度を３６０℃から４１０℃に上昇させると、最大圧縮応力は減少したが、層の深さは増加した。ナトリウムイオンを、カリウムイオンに対して１：１の比で含ませると（塩溶液ＣＣ）、最大圧縮応力が減少した。理論で束縛されることは意図していないが、塩堆積物中のナトリウムイオンとカリウムイオンは、ガラスシート中に交換により入り込むのに互いに競合し、これにより、形成される圧縮応力領域の速度および程度が減少する。
上述した観察結果を組み合わせて、小さい有効最小曲げ半径、高い耐衝撃性、低い畳み力、向上した耐久性、および低下した疲労を有する折り畳み式基板を提供することができる。前記部分は、ガラス系および／またはセラミック系部分から構成することができ、これは、良好な寸法安定性、減少した機械的不安定性の発生率、良好な耐衝撃性、および／または良好な穿刺抵抗を提供することができる。第１の部分および／または第２の部分は、１つ以上の圧縮応力領域を含むガラス系および／またはセラミック系部分から構成することができ、これは、向上した耐衝撃性および／または向上した穿刺抵抗をさらに提供することができる。ガラス系および／またはセラミック系基板から構成された基板を提供することによって、その基板は、向上した耐衝撃性および／または穿刺抵抗も提供すると同時に、良好な折り畳み性能を促進することができる。
いくつかの実施の形態において、基板厚さは、良好な耐衝撃性および良好な穿刺抵抗を提供するのに十分に大きい（例えば、８０マイクロメートル（μｍ）から約２マイクロメートル）ことがあり得る。第１の部分および／または第２の部分の基板厚さより小さい中央厚さを有する中央部分を含む折り畳み式基板を提供することにより、その中央部分の減少した厚さに基づいて、小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル（ｍｍ）以下）を可能にできる。いくつかの実施の形態において、中央厚さは、小さい有効曲げ半径（例えば、約１０ｍｍ以下、約９ｍｍ以下、約８ｍｍ以下、約７ｍｍ以下、約６ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約２ｍｍ以下、または約１ｍｍ）を提供するために、折り畳み式装置の曲げ領域（例えば、中央部分）において十分に小さい（例えば、約１０マイクロメートルから約１２５マイクロメートル）ことがあり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板は、中央部分を第１の部分に取り付ける第１の移行領域および／または中央部分を第２の部分に取り付ける第２の移行領域を含み得る。連続して増加する厚さを有する移行領域を設けることにより、移行領域における応力集中を減少させる、および／または光学的歪みを避けることができる。十分な長さの移行領域（例えば、約１ｍｍ以上）を設けることにより、そうでなければ、折り畳み式基板の厚さにおける急な階段状の変化のために存在するかもしれない光学的歪みを避けることができる。十分に小さい長さの移行領域（例えば、約５ｍｍ以下）を設けることにより、低下した耐衝撃性および／または低下した穿刺抵抗を有するであろう中間厚さを有する折り畳み式基板の量が減少する。
中央部分の１種類以上のアルカリ金属の濃度に近い（例えば、酸化物基準の１００百万分率以内、１０百万分率以内）平均濃度の１種類以上のアルカリ金属を有する第１の部分および／または第２の部分を設けることにより、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の膨張差を最小にすることができる。実質的に均一な膨張により、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。中央部分の対応する比に近い（例えば、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する層の深さの比を与えることにより、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の表面近くの膨張の差を最小にすることができる。表面近くの膨張の差を最小にすることにより、第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の表面区域の面における応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率をさらに減少させることができる。中央部分の対応する比に近い（例えば、１％以内、０．１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する圧縮深さの比を設けることにより、中央部分に対する第１の部分および／または第２の部分における化学強化により誘発された歪みの間の差を最小にすることができる。化学強化により誘発された歪みの差を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の表面区域の応力および／または歪みを最小にすることにより、応力により誘発された光学的歪みを減少させることができる。また、そのような応力を最小にすることにより、穿刺抵抗および／または耐衝撃性を向上させることができる。また、そのような応力を最小にすることを、中心線に沿った光学的遅れの小さい差（例えば、約２ナノメートル以下）と関連付けることができる。さらに、そのような応力を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
第１の部分の第１の引張応力領域の第１の最大引張応力および／または第２の部分の第２の引張応力領域の第２の最大引張応力より大きい、中央部分の中央引張応力領域の中央最大引張応力を提供することにより、良好な折り畳み性能を提供しつつ、第１の部分および／または第２の部分における衝撃からの低エネルギー破壊を提供することができる。いくつかの実施の形態において、低エネルギー破壊は、中央部分の減少した厚さの結果であることがあり、この厚さは、より厚いガラス物品が貯蔵するであろうよりも、所定の最大引張応力について、少ないエネルギーしか貯蔵しない。いくつかの実施の形態において、低エネルギー破壊は、曲げを経験している中央部分から離れた位置の第１の部分および／または第２の部分における破壊の結果であることがあり、この場合、第１の部分および／または第２の部分は、中央部分より低い最大引張応力を有する。さらに、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の圧縮応力領域に関連付けられた実質的に均一な圧縮深さを提供すると、不均一なイオン交換のためのマスキングまたは他の方法を使用することを避けることによって、物品の製造を簡単にすることができる。
折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに中立応力形態を設けることにより、折り畳み式装置を所定の平行板距離に曲げる力を減少させることができる。さらに、折り畳み式装置が曲げ状態にあるときに中立応力形態を設けることにより、通常の使用条件中に、折り畳み式基板、接着剤層、および／または高分子系部分が経験する最大応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、例えば、折り畳み式装置の向上した耐久性および／または減少した疲労を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、高分子系部分は、低い（例えば、負の）熱膨張係数を有し得、これにより、高分子系部分の硬化中の体積変化により生じる反りを軽減することができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、硬化の結果として膨張する高分子系部分を提供することによって、生じさせることができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、高分子系部分を曲げ形態で硬化させることによって、生じさせることができる。いくつかの実施の形態において、中立応力形態は、高温で（例えば、折り畳み式基板が、約１０４パスカル秒から約１０７パスカル秒の範囲の粘度を有するとき）折り畳み式基板を曲げることによって、生じさせることができる。
本開示の方法は、上述した利益の内の１つ以上を有する折り畳み式基板の製造を可能にすることができる。例えば、第１の中央表面区域および／または第２の中央表面区域を覆って拡散バリアを配置することにより、第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の化学強化の速度を調節することができる。例えば、第１の部分および／または第２の部分の表面区域を覆ってアルカリ金属イオン含有ペーストを配置することによって、第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の上記比および／または濃度の内の１つ以上の釣り合わせを促進することにより、上記利益を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板は、機械的変形および／または機械的不安定性を被らずに、より大きい圧縮応力を達成するためにさらなる化学強化を経ることができ、そのより大きい圧縮応力は、折り畳み式基板の耐衝撃性および／または穿刺抵抗をさらに向上させることができる。さらに、本開示の実施の形態の方法は、単一の化学強化工程（例えば、アルカリイオン含有ペーストを加熱する工程、折り畳み式基板をアルカリイオン含有溶液中に浸漬する工程）で上述した利益を達成することができ、これにより、折り畳み式基板の製造に関連する時間、設備、空間、および人件費を減少させることができる。例えば、中央部分の両面を覆って配置された拡散バリアは、単一の化学強化工程後に折り畳み式基板を製造できる厚さを有し得る。例えば、単一の化学強化工程後に折り畳み式基板を製造するために、第１の部分および／または第２の部分に施されるアルカリ金属イオン含有ペーストと異なるアルカリ金属イオン含有ペーストを、中央部分に施すことができる。いくつかの実施の形態において、第１の部分および／または第２の部分に施されるアルカリ金属イオン含有ペーストのほうが、中央部分に施される異なるアルカリ金属イオン含有ペーストよりも、１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を高くすることができる。いくつかの実施の形態において、中央部分に施される異なるアルカリ金属イオン含有ペーストは、中央部分を化学強化する速度を減少させることができる１種類以上のアルカリ土類金属イオンを含み得る。
ここに用いられている方向を示す用語－例えば、上、下、右、左、前、後、上部、底部－は、描かれた図面に関してのみ使用され、絶対的な向きを暗示する意図はない。
様々な開示された実施の形態は、その実施の形態に関して記載された特徴、要素、または工程を含むことがあることが認識されよう。また、特徴、要素、または工程は、ある実施の形態に関して記載されているけれども、様々な説明されていない組合せまたは順列で、代わりの実施の形態と交換されても、または組み合わされてもよいことも認識されよう。
ここに用いられているように、名詞は、「少なくとも１つ」の対象を指し、特に明記のない限り、「ただ１つ」の対象に限定されるべきではないことも理解すべきである。例えば、「成分」に対する言及は、文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除いて、そのような成分を２つ以上有する実施の形態を含む。同様に、「複数」は、「１つより大きい」を示す意図がある。
ここに用いられているように、「約」という用語は、量、サイズ、配合、パラメータ、および他の数量と特徴が、正確ではなく、正確である必要はないが、必要に応じて、許容差、変換係数、丸め、測定誤差など、並びに当業者に公知の他の要因を反映して、近似であるおよび／またはそれより大きいか小さいことがあることを意味する。範囲が、「約」ある特定値から、および／または「約」別の特定値まで、とここに記載することができる。そのような範囲が表された場合、実施の形態は、そのある特定値から、および／または他方の特定値まで、を含む。同様に、値が、先行詞「約」を使用して、近似として表されている場合、その特定値は、別の実施の形態を形成することが理解されよう。明細書において数値または範囲の端点に「約」が付いていようとなかろうと、その数値または範囲の端点は、「約」により修飾されたものと、「約」により修飾されていないものの２つの実施の形態を含むことが意図されている。範囲の各々の端点は、他方の端点に関してと、他方の端点とは関係なくの両方において有意であることがさらに理解されよう。
ここに用いられているように、「実質的」、「実質的に」という用語、およびその変形は、記載された特徴が、ある値または記載と等しいか、またはほぼ等しいことを示す意図がある。例えば、「実質的に平らな」表面は、平らか、または実質的に平らな表面を示す意図がある。さらに、先に定義されたように、「実質的に類似」は、２つの値が、等しいか、またはほぼ等しいことを示す意図がある。いくつかの実施の形態において、「実質的に類似」は、互いの約１０％以内、例えば、互いの約５％以内、または互いの約２％以内の値を示すことがある。
特に明記のない限り、ここに記載されたどの方法も、その工程が特定の順序で行われることを必要とすると解釈されることは、決して意図されていない。したがって、方法の請求項が、その工程がしたがうべき順序を実際に列挙していない場合、もしくは請求項または説明に、工程が特定の順序に限定されるべきことが他の具体的に述べられていない場合、どの特定の順序も暗示されることは、決して意図されていない。
特定の実施の形態の様々な特徴、要素または工程が、移行句「含む」を使用して開示されることがあるが、移行句「からなる」または「から実質的になる」を使用して記載されることのあるものを含む代わりの実施の形態が暗示されることを理解すべきである。それゆえ、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含む装置に対して暗示される代わりの実施の形態は、装置がＡ＋Ｂ＋Ｃからなる実施の形態、および装置がＡ＋Ｂ＋Ｃから実質的になる実施の形態を含む。ここに用いられているように、「含む」および「含んでいる」という用語、並びにその変形は、特に明記のない限り、同意語であり、制約がないと解釈されるものとする。
上記実施の形態、およびそれらの実施の形態の特徴は、例示であり、単独で提供されても、本開示の範囲から逸脱せずに、ここに与えられた他の実施の形態の任意の１つ以上の特徴と任意の組合せで提供されても差し支えない。
本開示の精神および範囲から逸脱せずに、本開示に様々な改変および変更を行えることが、当業者に明白であろう。それゆえ、本開示は、この中の実施の形態の改変および変更を、それらが付随の請求項およびその同等物に含まれるという条件で、包含することが意図されている。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態１
折り畳み式基板の幅方向に延在する軸の周りに折り畳める折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置において、該折り畳み式基板は、
第１の主面と、該第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定される基板厚さ、 前記基板厚さおよび前記第１の主面の第１の表面区域を有する第１の部分、
前記基板厚さおよび前記第１の主面の第３の表面区域を有する第２の部分、および
第１の中央表面区域と、該第１の中央表面区域の反対にある前記第２の主面との間に規定される中央厚さを有する中央部分であって、該第１の中央表面区域は、前記第１の表面区域を前記第３の表面区域に取り付け、該中央部分の幅は約４５ミリメートル以下であり、該中央厚さは前記基板厚さより小さい、中央部分、
をさらに含み、
前記中央部分は、前記折り畳み式基板の幅方向に垂直な該折り畳み式基板の長さ方向に、前記第１の部分と前記第２の部分との間に位置しており、前記折り畳み式装置は、該折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を構成する、折り畳み式装置。
実施形態２
前記折り畳み式装置が、前記中央部分の第１の中央表面区域と、前記第１の主面がそれに沿って延在する第一面との間に画成される凹部内に位置付けられた高分子系部分を有し、平らな形態から前記中立応力形態への該折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある前記高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、実施形態１に記載の折り畳み式装置。
実施形態３
前記偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施形態２に記載の折り畳み式装置。
実施形態４
前記折り畳み式装置の折り畳み式基板が、約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲にある有効最小曲げ半径を有する、実施形態１から３いずれか１つに記載の折り畳み式装置。
実施形態５
前記折り畳み式基板が、５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施形態４に記載の折り畳み式装置。
実施形態６
前記中央部分の幅が、前記有効最小曲げ半径の約２．８倍から該有効最小曲げ半径の約６倍の範囲にある、実施形態４または５に記載の折り畳み式装置。
実施形態７
前記中央部分の幅が、約２．８ミリメートルから約４０ミリメートルの範囲にある、実施形態４または５に記載の折り畳み式装置。
実施形態８
前記基板厚さが、約８０マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある、実施形態１から７いずれか１つに記載の折り畳み式装置。
実施形態９
前記基板厚さが、約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、実施形態８に記載の折り畳み式装置。
実施形態１０
前記中央厚さが、約１０マイクロメートルから約１２５マイクロメートルの範囲にある、実施形態１から９いずれか１つに記載の折り畳み式装置。
実施形態１１
前記中央厚さの範囲が、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルである、実施形態１０に記載の折り畳み式装置。
実施形態１２
前記中央厚さが、前記基板厚さの約０．５％から約１３％の範囲にある、実施形態１から１１いずれか１つに記載の折り畳み式装置。
実施形態１３
前記基板厚さが、前記中央厚さの約４倍より少なくとも７１マイクロメートル大きい、実施形態１から１２いずれか１つに記載の折り畳み式装置。
実施形態１４
折り畳み式装置を製造する方法において、
第１の部分を第２の部分に取り付ける中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程であって、該第１の部分は第１の表面区域および該第１の表面区域と反対にある第２の表面区域を有し、該第２の部分は、第３の表面区域および該第３の表面区域と反対にある第４の表面区域を有し、該折り畳み式基板は、該第２の表面区域および該第４の表面区域を含む第２の主面を有し、該折り畳み式基板は該第２の主面と反対に該第１の主面を有し、該第１の主面は該第１の表面区域および該第３の表面区域を有する、工程、および
前記第１の部分と前記第２の部分との間に配置された高分子系部分を硬化させる工程であって、前記折り畳み式装置は、該硬化させる工程中に曲げ形態にあり、平らな形態から中立応力形態への該折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある前記高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、工程、
を有してなる方法。
実施形態１５
前記中央部分の前記第１の中央表面区域、前記第１の表面区域、前記第３の表面区域、および前記第２の主面を化学的に強化する工程をさらに含む、実施形態１４に記載の方法。
実施形態１６
前記偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、実施形態１４または１５に記載の方法。
実施形態１７
前記高分子系部分が、硬化の結果として膨張する、実施形態１４から１６いずれか１つに記載の方法。
実施形態１８
前記高分子系部分が、負の熱膨張係数を有する、実施形態１４から１７いずれか１つに記載の方法。
実施形態１９
前記高分子系部分が、酸化銅、β石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、またはニッケルチタン合金の内の１つ以上の粒子を含む、実施形態１８に記載の方法。
実施形態２０
前記高分子系部分を硬化させる工程が、開環メタセシス重合を含む、実施形態１４から１９いずれか１つに記載の方法。
１０１、３０１ 折り畳み式装置
１０２ 褶曲軸
１０３ 幅
１０５ 長さ
１０７ 中心軸
２０１ 折り畳み式基板
２０３ 第１の主面
２０４ａ 第一面
２０４ｂ 第二面
２０４ｃ 第三面
２０５ 第２の主面
２０９ 第１の中央表面区域
２１１ 中央の主面
２１３ 第２の中央表面区域
２１７ 中央厚さ
２１９ 凹部
２２１ 第１の部分
２２３ 第１の表面区域
２２５ 第２の表面区域
２２７ 基板厚さ
２３１ 第２の部分
２３３ 第３の表面区域
２３５ 第４の表面区域
２３７ 第２の厚さ
２４１ 高分子系部分
２４５ 第３の接触面
２４７ 第４の接触面
２５１ 中央部分
２５３ 第１の移行部分
２５５ 第２の移行部分
２６１ 接着剤層
２６３ 第１の接触面
２６５ 第２の接触面
２６７ 接着剤厚さ
２７１ 剥離ライナー
２７３ 剥離ライナーの第１の主面
２７５ 剥離ライナーの第２の主面
２８１ コーティング
２８３ 第３の主面
２８５ 第４の主面
２８７ コーティング厚さ
３０３ 表示装置の第１の主面
３０５ 表示装置の第２の主面
３０７ 表示装置
５０３、５０５ 剛性ステンレス鋼板
５１１ 衝撃位置
６０１ 平行板装置
６０２、３８０１ 試験用折り畳み式装置
６０７ シート
６０９ 試験用接着剤層
８００ 消費者向け電子機器
８０２ 筐体
８０４ 前面
８０６ 背面
８０８ 側面
８１０ ディスプレイ
８１２ カバー基板
１２０１ ダイヤモンドチッププローブ
１２０３ コンピュータ数値制御装置
１３０１、１６０１ 塩浴
１３０３、１６０３ 塩溶液
１４０１、１５０１ 第１の層
１４０３、１５０３ 第２の層
１７０１、２２０１ 研削工具
１９０１、２００１ 供給源
１９０３、１９０５ 第１の塩ペースト
２００３ 第２の塩ペースト
２００５、２００７、２００９、２０１１ 第１の塩堆積物
２１０３ 第２の塩堆積物
２５０１、３２０１ 容器
２５０３ 第２の液体
２９０１ エッチング浴
２９０３ エッチング液
３２０３ 接着剤液体
４１０１ ペン落下装置
４１０３ ボールペン
４１０５ ペン先
実施の形態１２０．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１１９の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２３．折り畳み式基板を加熱する工程の後に、第２の部分が、加熱する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さを有する、実施の形態１２２の方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、加熱する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．１％以下である。
実施の形態１２４．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１２２～１２３のいずれか１つの方法。折り畳み式基板を加熱する工程の後、中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１２５．折り畳み式基板を加熱する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１２４の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、第１の圧縮応力領域および第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１は、第２の圧縮応力領域および第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有し得る。ここに用いられているように、１種類以上のアルカリ金属イオンの層の深さの１種類以上のアルカリ金属イオンは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、および／またはフランシウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ）の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第３の圧縮応力領域および第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第４の圧縮応力領域および第４の圧縮層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第４の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２２７（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ２３７）の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第１の中央圧縮応力領域および第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２５１は、第２の中央圧縮応力領域および第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の中央の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２１７の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約２０ニュートン毎ミリメートル（Ｎ／ｍｍ）以下、０．１５Ｎ／ｍｍ以下、約０．１２Ｎ／ｍｍ以下、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０５Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．０５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．０８Ｎ／ｍｍ以下、約０．０６Ｎ／ｍｍ以下、約０．０４Ｎ／ｍｍ以下、約０．０３Ｎ／ｍｍ以下、約０．０００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０３Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．０００５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０３Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１０１１は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１００７における化学強化の後）、折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、下記に記載される工程１０１３は、折り畳み式基板２０１を化学強化した後（例えば、工程１００７および／または１０１１における化学強化の後）であって、工程１０１３において折り畳み式装置を組み立てる前に、折り畳み式基板２０１を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。先に述べたように、エッチングする工程は、折り畳み式基板２０１を、エッチング浴中に収容されたエッチング液と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３および第１の中央表面区域２０９がエッチングされる。いくつかの実施の形態において、第２の主面２０５がエッチングされる。さらなる実施の形態において、第１の主面２０３、第１の中央表面区域２０９、第２の主面２０５、および／または第２の中央表面区域２１３がエッチングされる。化学的にエッチングする工程は、工程１０１１および／または１０１３において存在する場合、折り畳み式基板２０１を化学強化することにより残されることのある表面欠陥を除去するように設計することができる。実際に、化学強化する工程により、折り畳み式基板２０１の強度および／または光学的品質に影響し得る表面欠陥が生じることがある。工程１０１１および／または１０１３中にエッチングすることにより、化学強化中に生じた表面欠陥を除去することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍ以上、約５ｎｍ以上、約２μｍ以下、約１μｍ以下、約５００ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、または約１０ｎｍ以下の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍから約２μｍ、約１ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約５００ｎｍ、約５ｎｍから約１００ｎｍ、約５ｎｍから約５０ｎｍ、約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。そのようなエッチングは、折り畳み式基板２０１の厚さ、または化学強化中に達成される表面圧縮を実質的に変えることを避けるであろう。

Claims (20)

  1. 折り畳み式基板の幅方向に延在する軸の周りに折り畳める折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置において、該折り畳み式基板は、
    第１の主面と、該第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定される基板厚さ、 前記基板厚さおよび前記第１の主面の第１の表面区域を有する第１の部分、
    前記基板厚さおよび前記第１の主面の第３の表面区域を有する第２の部分、および
    第１の中央表面区域と、該第１の中央表面区域の反対にある前記第２の主面との間に規定される中央厚さを有する中央部分であって、該第１の中央表面区域は、前記第１の表面区域を前記第３の表面区域に取り付け、該中央部分の幅は約４５ミリメートル以下であり、該中央厚さは前記基板厚さより小さい、中央部分、
    をさらに含み、
    前記中央部分は、前記折り畳み式基板の幅方向に垂直な該折り畳み式基板の長さ方向に、前記第１の部分と前記第２の部分との間に位置しており、前記折り畳み式装置は、該折り畳み式装置が曲げ形態にあるときに、中立応力形態を構成する、折り畳み式装置。
  2. 前記折り畳み式装置が、前記中央部分の第１の中央表面区域と、前記第１の主面がそれに沿って延在する第一面との間に画成される凹部内に位置付けられた高分子系部分を有し、平らな形態から前記中立応力形態への該折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある前記高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、請求項１記載の折り畳み式装置。
  3. 前記偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、請求項２記載の折り畳み式装置。
  4. 前記折り畳み式装置の折り畳み式基板が、約１ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲にある有効最小曲げ半径を有する、請求項１から３いずれか１項記載の折り畳み式装置。
  5. 前記折り畳み式基板が、５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、請求項４記載の折り畳み式装置。
  6. 前記中央部分の幅が、前記有効最小曲げ半径の約２．８倍から該有効最小曲げ半径の約６倍の範囲にある、請求項４または５記載の折り畳み式装置。
  7. 前記中央部分の幅が、約２．８ミリメートルから約４０ミリメートルの範囲にある、請求項４または５記載の折り畳み式装置。
  8. 前記基板厚さが、約８０マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある、請求項１から７いずれか１項記載の折り畳み式装置。
  9. 前記基板厚さが、約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、請求項８記載の折り畳み式装置。
  10. 前記中央厚さが、約１０マイクロメートルから約１２５マイクロメートルの範囲にある、請求項１から９いずれか１項記載の折り畳み式装置。
  11. 前記中央厚さの範囲が、約１０マイクロメートルから約５０マイクロメートルである、請求項１０記載の折り畳み式装置。
  12. 前記中央厚さが、前記基板厚さの約０．５％から約１３％の範囲にある、請求項１から１１いずれか１項記載の折り畳み式装置。
  13. 前記基板厚さが、前記中央厚さの約４倍より少なくとも７１マイクロメートル大きい、請求項１から１２いずれか１項記載の折り畳み式装置。
  14. 折り畳み式装置を製造する方法において、
    第１の部分を第２の部分に取り付ける中央部分の第１の中央表面区域を形成する凹部を折り畳み式基板の第１の主面に形成する工程であって、該第１の部分は第１の表面区域および該第１の表面区域と反対にある第２の表面区域を有し、該第２の部分は、第３の表面区域および該第３の表面区域と反対にある第４の表面区域を有し、該折り畳み式基板は、該第２の表面区域および該第４の表面区域を含む第２の主面を有し、該折り畳み式基板は該第２の主面と反対に該第１の主面を有し、該第１の主面は該第１の表面区域および該第３の表面区域を有する、工程、および
    前記第１の部分と前記第２の部分との間に配置された高分子系部分を硬化させる工程であって、前記折り畳み式装置は、該硬化させる工程中に曲げ形態にあり、平らな形態から中立応力形態への該折り畳み式装置の動きは、約１％から約８％の範囲にある前記高分子系部分の偏差歪みの最大の大きさに対応する、工程、
    を有してなる方法。
  15. 前記中央部分の前記第１の中央表面区域、前記第１の表面区域、前記第３の表面区域、および前記第２の主面を化学的に強化する工程をさらに含む、請求項１４記載の方法。
  16. 前記偏差歪みの最大の大きさが、約２％から約６％の範囲にある、請求項１４または１５記載の方法。
  17. 前記高分子系部分が、硬化の結果として膨張する、請求項１４から１６いずれか１項記載の方法。
  18. 前記高分子系部分が、負の熱膨張係数を有する、請求項１４から１７いずれか１項記載の方法。
  19. 前記高分子系部分が、酸化銅、β石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、またはニッケルチタン合金の内の１つ以上の粒子を含む、請求項１８記載の方法。
  20. 前記高分子系部分を硬化させる工程が、開環メタセシス重合を含む、請求項１４から１９いずれか１項記載の方法。
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