JP2022543811A - 基板処理システムのためのエッジリングシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システムのためのエッジリングシステムは、内径および外径を有する環状体を含む上部エッジリングを備える。上部エッジリングの外径は、基板処理システムの基板ポートの水平開口よりも小さい。上部エッジリングの下方に、内径および外径を有する環状体を含む第１のエッジリングが配置されている。第１のエッジリングの外径は、基板処理システムの基板ポートよりも大きい。第１のエッジリングの内径は、上部エッジリングの内径よりも小さい。【選択図】図３
Description
［関連出願の相互参照］
本願は、２０１９年８月５日出願の米国仮出願第６２／８８２，９０１号の利益を主張する。上記出願の全ての開示は、本明細書において参照により援用される。
本願は、２０１９年８月５日出願の米国仮出願第６２／８８２，９０１号の利益を主張する。上記出願の全ての開示は、本明細書において参照により援用される。
本開示は、一般にプラズマ処理システムに関し、特にエッジリングシステムに関する。
本明細書に記載の背景技術の説明は、本開示の内容を一般的に提示するためである。現在名前が挙げられている発明者の発明は、本背景技術欄、および出願時の先行技術に該当しない説明の態様において記載される範囲で、本開示に対する先行技術として明示的にも黙示的にも認められない。
基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板上で処理を実施する。基板処理の例は、堆積、アッシング、エッチング、洗浄、および／または、他のプロセスを含む。基板を処理するために、処理ガス混合物が処理チャンバに供給されてよい。プラズマは、化学反応を促進するためにガスを点火するのに用いられてよい。
基板は処理の間、基板支持体の上に配置される。いくつかの基板処理システムでは、基板の径方向外縁に隣接する基板支持体の周囲に環状エッジリングが配置される。エッジリングは、プラズマを基板上で成形する、または集束させるために用いられてよい。動作中に、基板およびエッジリングの露出面は、プラズマによってエッチングされる。その結果、エッジリングは時間とともに摩耗し、プラズマに対するエッジリングの効果は変化する。
基板処理システムのエッジリングシステムは、内径および外径を有する環状体を含む上部エッジリングを備える。上部エッジリングの外径は、基板処理システムの基板ポートの水平開口よりも小さい。上部エッジリングの下方に、内径および外径を有する環状体を含む第１のエッジリングが配置される。第１のエッジリングの外径は、基板処理システムの基板ポートよりも大きい。第１のエッジリングの内径は、上部エッジリングの内径よりも小さい。
他の特徴において、上部エッジリングの下面は、第１のエッジリングの上面と嵌合する。第１のエッジリングの下方には、第２のエッジリングが基板処理システムのベースプレートの径方向外側に位置する。第２のエッジリングは、環状体、環状体の径方向内部上部から延びる上向き突出脚、および、環状体の径方向外部下部から延びる下向き突出脚を備える。
他の特徴において、第１のエッジリングの下方には、第３のエッジリングが第２のエッジリングの径方向外側に位置する。第３のエッジリングは、環状体、環状体の上部から延びる径方向内向き突出脚、および、環状体の径方向外部上面から上向きに延びる突出部を備える。
他の特徴において、第１のエッジリングは、その径方向外部下面に環状凹部を備える。第３のエッジリングの突出部がその環状凹部に嵌合して、階段状の経路を規定する。
他の特徴において、第２のエッジリングの下方には、環状シールが第３のエッジリングと基板処理システムのベースプレートとの間に配置される。環状シールは、環状体、および、環状体の下部から径方向内向きに延びる脚を備える。脚の径方向内面の直径は、ベースプレートの外径よりも小さい。環状シールの環状体の径方向内面の直径は、ベースプレートの外径よりも大きい。
他の特徴において、上部エッジリングは、上部エッジリングの径方向内脚と径方向外脚との間の上部エッジリングの下方内面、および第１のエッジリングによって規定された空洞を備える。下方内面は、上部エッジリングの前記径方向外脚の下面よりも垂直方向で高い位置に配される。
基板処理システムは、エッジリングシステム、および、ベースプレートを備える基板支持体を含む。シール材は、ベースプレートと環状シールとの間、および、ベースプレートと第２のエッジリングとの間で、ベースプレートの外面に配置されている。シール材は、ベースプレートと環状シールの脚の上面部分との間に配置されている。
基板処理システムは、ベースプレートを含む基板支持体を備える。第１のエッジリングは、ベースプレートの径方向外側に位置する。第２のエッジリングは、第１のエッジリングの径方向外側に位置する。環状シールは、環状体、および環状体から径方向内向きに延びる脚を備える。環状シールは、第１のエッジリングの下方で、第２のエッジリングと基板処理システムのベースプレートとの間に配置される。脚の径方向内面の直径は、ベースプレートの外径よりも小さい。環状体の径方向内面の直径は、ベースプレートの外径よりも大きい。シール材は、ベースプレートと環状シールとの間、および、ベースプレートと第１のエッジリングとの間で、ベースプレートの外面に配置される。シール材は、ベースプレートと環状シールの脚の上面部分との間でベースプレート上に配置される。
基板処理システムのための基板支持体は、ベースプレート、および、ベースプレートに既定され、上部開口および下部開口を含む垂直穴を備える。留め具は、本体、ねじ部、および頭部を備える。留め具は、垂直穴に受け入れられ、ベースプレートを下配置面に取り付ける。プラグは、留め具の頭部上方で垂直穴の上部開口に受け入れられた本体を備える。
他の特徴では、プラグはさらに、本体から径方向外向きに延びるフランジ部を備える。フランジ部は、上部開口の径方向外側に延びる。プラグは、セラミック、エラストマ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる群より選択された材料で作られている。
基板処理システムのための基板支持体は、ベースプレート、ならびに、ベースプレートに規定され、上部開口および下部開口を含む垂直穴を備える。外側ガイドスリーブは、第１のフランジ部、および、第１のフランジ部から延び、第１の内側孔を規定する第１の円筒部を備える。外側ガイドスリーブの第１の円筒部は、第１のフランジ部が垂直穴の上部開口に隣接して配置される状態で、垂直穴の上部開口に挿入される。内側ガイドスリーブは、第２のフランジ部、および、第２のフランジ部から延び、リフトピンを受け入れるように構成された第２の内側孔を規定する第２の円筒部を備える。内側ガイドスリーブは、第２のフランジ部が垂直穴の下部開口に隣接して配置される状態で、垂直穴の底部開口および外側ガイドスリーブの第１の内側孔に挿入される。
他の特徴では、垂直穴の上部開口は、第１の円筒部の外径よりも大きく、第１のフランジ部の外径よりも小さい第１の直径を有する。垂直穴の下部開口は、第１の直径よりも小さく、第２の円筒部の外径よりも大きく、第２のフランジ部の外径よりも小さい第２の直径を有する。
他の特徴では、上部開口の第１の直径は、下部開口の第２の直径よりも小さい。
基板処理システムは、基板支持体を備える。エッジリングは、基板支持体の周囲に配置される。リフトピンは、内側ガイドスリーブの第２の内側孔に受け入れられる。
他の特徴では、下配置面は、ベースプレートの下方に位置し、ベースプレートの垂直穴と垂直に並ぶ垂直穴を備える。ガイドスリーブは、第３のフランジ部、および、第３のフランジ部から延びる第３の円筒部を備える。ガイドスリーブは、下配置面の垂直穴内に位置する。第３のフランジ部は、第２のフランジ部に隣接する。
他の特徴では、第３のフランジ部は溝を備え、溝に配置されたＯリングをさらに備える。Ｏリングは、第３のフランジ部によって垂直穴の水平面に対して付勢される。
基板処理システムの基板支持体は、ベースプレートを備える。垂直穴は、ベースプレートに規定され、上部開口および下部開口を備える。支持面は、ベースプレートの下方に位置し、上部開口および下部開口を有する垂直穴を備える。垂直穴は、ベースプレートの垂直穴と垂直に並んでいる。ガイドスリーブは、フランジ部、および、内側穴を有する円筒部を備える。円筒部は、支持面の垂直穴内に位置する。フランジ部は、支持面の垂直穴の上部開口に隣接する。
他の特徴では、フランジ部は、その下面に溝を備える。Ｏリングは溝に配置され、フランジ部によって支持面の垂直穴の水平面に対して付勢される。
基板処理システムは、基板支持体、および、基板支持体の周囲に配置されたエッジリングを備える。リフトピンは、ベースプレートの垂直穴およびガイドスリーブの垂直穴に受け入れられる。
基板処理システムのための可動エッジリングシステムは、環状体を含む上部エッジリングを備える。上部エッジリングの下方には、垂直穴を有する環状体を含む第１のエッジリングが配置されている。第２のエッジリングは、第１のエッジリングの下方に位置し、第１の直径を有する上部と、第１の直径よりも小さい第２の直径を有する下部とを含む垂直穴を有する環状体を備える。ガイドスリーブは、垂直穴を有する細長い環状体を備え、第１の直径よりも小さく、第２の直径よりも大きい外径を有する。ガイドスリーブの垂直穴は、第１のエッジリングの垂直穴と並んでいる。
他の特徴では、第１のエッジリングおよび第２のエッジリングに対して上部エッジリングを選択的に動かすために、リフトピンが垂直穴に受け入れられる。
基板処理システムは、可動エッジリングシステムを備える。基板支持体は、第２のエッジリングの垂直穴および第１のエッジリングの垂直穴と並ぶ垂直穴を有するベースプレートを備える。リフトピン用のガイドスリーブは、基板支持体の垂直穴内に位置する。
他の特徴では、基板支持体はさらに、ベースプレートの上方に配置された加熱プレートを備える。第２のエッジリングの環状体は、加熱プレート上方で第１のエッジリング下方の第２のエッジリングの環状体の上面から径方向内向きに突出する脚を備える。
本開示のさらなる適用分野は、発明を実施するための形態、特許請求の範囲、および図面から明らかになるだろう。発明を実施するための形態および特定の例は、例示のみの目的を意図し、本開示の範囲を限定することを意図しない。
本開示は、発明を実施するための形態および添付の図面からより深く理解されるだろう。
図面では、類似および／または同一の要素を識別するために、参照番号は繰り返し用いられてよい。
基板処理の間、基板は静電チャック（ＥＳＣ）などの台座上に配置され、処理ガスが供給され、処理チャンバ内でプラズマが点火される。処理チャンバ内の構成部品の露出面は、プラズマによる摩耗を受ける。
例えば、環状エッジリングは、プラズマを成形するために基板の径方向外縁に配置される。複数の基板の処理後に、エッジリングの露出面は摩耗し、基板に対して異なる高さになる。その結果、プラズマに対するエッジリングの効果が変化し、基板の処理が変更する。真空を破壊せずにエッジリングの摩耗によるプロセス変化を低減するため、いくつかの処理チャンバは、摩耗を補償するためにｉｎ ｓｉｔｕでエッジリングの高さを増やす。多くのこれらのシステムでは、エッジリングの高さは、サイクル数および／または全プラズマ処理曝露期間に基づいて、自動的に調節される。他のシステムは、エッジリングの高さを測定し、測定した高さに基づいてエッジリングの高さを調節する。
ここで図１および図２を参照すると、可動エッジリングを用いるプラズマ処理チャンバの例が示されている。認識されうるように、他の種類のプラズマ処理チャンバも用いられうる。図１には、本開示による例示的な基板処理システム１１０が示されている。基板処理システム１１０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を用いるエッチングを実施するために用いられてよい。基板処理システム１１０は、基板処理システム１１０の他の構成部品を取り囲み、（用いられる場合は）ＲＦプラズマを含む処理チャンバ１２２を備える。
プラズマ処理チャンバ１２２がツールに配置されたときは、プラズマ処理チャンバは、真空を破壊することなく真空搬送モジュールに開かれうる基板ポート１２３を備えてよい。一般に、基板ポート１２３は、処理される基板の直径よりもわずかに大きい水平開口寸法と、水平開口寸法よりも大幅に小さい垂直開口寸法とを有する。いくつかの例では、基板ポート１２３は、上部エッジリングを供給および交換するのに十分な幅を有する。一般に、垂直開口寸法は、ロボットエンドエフェクタが基板支持体のリフトピン上に基板を設置できるほど十分な幅を有する。基板処理システム１１０は、上部電極１２４および静電チャック（ＥＳＣ）などの基板支持体１２６を備える。動作中は、基板１２８は基板支持体１２６の上に配置される。
例えのみで、上部電極１２４は、処理ガスを導入し分配するシャワーヘッドなどの分配装置１２９を備えてよい。ガス分配装置１２９は、処理チャンバの上面に接続された一端を含むステム部を備えてよい。基部は、一般に円筒状で、処理チャンバの上面から離れた位置で、ステム部のもう一端から径方向外向きに延びる。シャワーヘッドの基部の基板対向面またはフェースプレートは、前駆体、反応物、エッチングガス、不活性ガス、キャリアガス、他の処理ガス、またはパージガスが流れる複数の孔を備える。あるいは、上部電極１２４は導電性プレートを備えてよく、処理ガスは別の方法で導入されてよい。
基板支持体１２６は、下部電極として機能するベースプレート１３０を備える。ベースプレート１３０は、セラミックマルチゾーン加熱プレートに相当しうる加熱プレート１３２を支持する。加熱プレート１３２とベースプレート１３０との間に、結合層１３４が配置されてよい。いくつかの例では、結合層１３４は熱抵抗も提供する。ベースプレート１３０は、ベースプレート１３０を通じて冷媒を流すための１つ以上の流路１３６を備えてよい。
ＲＦ発生システム１４０は、ＲＦ電圧を生成し、上部電極１２４および下部電極（例えば、基板支持体１２６のベースプレート１３０）のいずれかに出力する。上部電極１２４およびベースプレート１３０のもう一方は、ＤＣ接地されてよい、ＡＣ接地されてよい、または浮遊状態であってよい。例えのみで、ＲＦ発生システム１４０は、整合分配ネットワーク１４４によって上部電極１２４またはベースプレート１３０に供給されるＲＦプラズマを生成するＲＦ源１４２を備えてよい。他の例では、プラズマは誘導的にまたは遠隔的に生成されてよい。
ガス供給システム１５０は、１つ以上のガス源１５２－１、１５２－２、・・・、および１５２－Ｎ（総称して、ガス源１５２）を備える（Ｎは、ゼロよりも大きい整数）。ガス源１５２は、弁１５４－１、１５４－２、・・・、および１５４－Ｎ（総称して、弁１５４）、ならびに、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５６－１、１５６－２、・・・、および１５６－Ｎ（総称して、ＭＦＣ１５６）によって、マニホールド１６０に接続されている。ＭＦＣ１５６とマニホールド１６０との間に、２次弁が用いられてよい。いくつかの例では、２次弁（図示せず）は、ＭＦＣ１５６とマニホールド１６０との間に配置される。１つのガス供給システム１５０が示されているが、２つ以上のガス供給システムが用いられうる。
温度制御装置１６３は、加熱プレート１３２に配置された複数の熱制御素子（ＴＣＥ）１６４に接続されてよい。温度制御装置１６３は、複数のＴＣＥ１６４を制御して、基板支持体１２６および基板１２８の温度を制御するために用いられてよい。温度制御装置１６３は、流路１３６を通る冷媒流を制御するために冷媒アセンブリ１６６と連通してよい。例えば、冷媒アセンブリ１６６は、冷媒ポンプ、貯留槽、および／または、１つ以上の温度センサを備えてよい。温度制御装置１６３は、基板支持体１２６を冷却するために、流路１３６を通じて冷媒を選択的に流すように冷媒アセンブリ１６６を操作する。
弁１７０およびポンプ１７２は、処理チャンバ１２２から反応物を排気するために用いられてよい。システムコントローラ１８０は、基板処理システム１１０の構成部品を制御するために用いられてよい。１つ以上のエッジリングを含むエッジリングシステム１８２は、プラズマ処理の間、基板１２８の径方向外側に配置されてよい。エッジリング高さ調節システム１８４は、以下にさらに説明されるように、エッジリングシステム１８２の１つ以上のエッジリングの高さを基板１２８に対して調節するために用いられうる、１つ以上のリフトピン（図５および図７で図示）を備える。いくつかの例では、エッジリングシステム１８２の１つ以上のエッジリングは、真空を破壊することなく、リフトピンによって持ち上げられ、ロボットエンドエフェクタによって取り出され、別のエッジリングと交換されることもできる。
例えば、システムコントローラ１８０は、エッジリング１８９の底面を付勢するリフトピン１８７の垂直位置を制御するアクチュエータ１８５を制御する。この例では、システムコントローラ１８０は、センサ１９１を用いてエッジリング１８９の高さを感知する。いくつかの例では、センサ１９１は、光センサ、レーザセンサ、ピエゾセンサ、超音波センサ、または他の種類のセンサを含む。システムコントローラ１８０は、感知したエッジリング１８９の高さに基づいてエッジリング１８９の位置を調節する。
図２には、本開示による基板処理システム２１０の例が示されている。基板処理システム２１０は、エッチングを実施するために誘導結合プラズマを用いる。基板処理システム２１０は、コイル駆動回路２１１を備える。パルス回路２１４は、ＲＦ電力をオンおよびオフにパルス化するため、または、ＲＦ電力の振幅もしくはレベルを変更するために用いられてよい。同調回路２１３は、１つ以上の誘導コイル２１６に直結されてよい。同調回路２１３は、ＲＦ源２１２の出力を所望の周波数および／または所望の位相に調節し、コイル２１６のインピーダンスに合わせ、コイル２１６の間で電力を分割する。
いくつかの例では、コイル２１６と誘電体窓２２４の間にプレナム２２０が配置されて、熱風および／または冷風によって誘電体窓２２４の温度を制御してよい。誘電体窓２２４は、処理チャンバ２２８の一面に沿って配置される。処理チャンバ２２８はさらに、基板支持体２３２を備える。処理チャンバの一面に、基板ポート２２９が配置される。いくつかの例では、基板ポート２２９は、真空を破壊することなく上部エッジリングが供給および交換されるのに十分な水平幅を有する。
基板支持体２３２は、静電チャック（ＥＳＣ）、または機械式チャック、または他の種類のチャックを備えてよい。処理チャンバ２２８に処理ガスが供給され、処理チャンバ２２８の内部でプラズマ２４０が生成される。プラズマ２４０は、基板２３４の露出面をエッチングし、エッジリングを摩耗させる。動作中に基板支持体２３２の電極にＲＦバイアスを提供するために、駆動回路２５２（例えば、以下に記載されるものの１つ）が用いられてよい。
ガス供給システム２５６は、処理チャンバ２２８に処理ガス混合物を供給するために用いられてよい。ガス供給システム２５６は、処理ガス・不活性ガス源２５７、ガス計測システム２５８（上記のような弁およびマスフローコントローラ）、ならびにマニホールド２５９を備えてよい。ガス供給システム２６０は、弁２６１を介してプレナム２２０にガス２６２を供給するために用いられてよい。このガスは、コイル２１６および誘電体窓２２４を冷却するために用いられる冷却ガス（空気）を含んでよい。ヒータ／クーラ２６４は、基板支持体２３２を既定温度に加熱／冷却するために用いられてよい。排気システム２６５は、パージまたは排気によって処理チャンバ２２８から反応物を除去するために弁２６６およびポンプ２６７を備える。
コントローラ２５４は、エッチングプロセスを制御するために用いられてよい。コントローラ２５４は、システムパラメータを監視し、ガス混合物の供給、プラズマの点火・維持・および消弧、反応物の除去、冷却ガスの供給などを制御する。
プラズマ処理の間、１つ以上のエッジリングを含むエッジリングシステム２８２は、基板２３４の径方向外側に設置されてよい。高さ調節システム２８４は、以下に示される１つ以上のリフトピンを備える。高さ調節システム２８４は、エッジリングシステム２８２の１つ以上のエッジリングの高さを調節するために用いられてよい。また、エッジリングは、必要に応じて摩耗したときは取り出され、（例えば、真空搬送モジュールが用いられたときは）真空を破壊することなく交換されてよい。コントローラ２５４は、高さ調節システム２８４を制御するために用いられてよい。例えば、コントローラ２５４は、エッジリング２８９の底面を付勢するリフトピン２８７の垂直位置を制御するアクチュエータ２８５を制御する。この例では、コントローラ２５４は、ＲＦ曝露期間および／またはＲＦサイクル数に基づいてエッジリング２８９の位置を調節する。
次に図３を参照すると、本開示によるエッジリングシステム３００が示されている。エッジリングシステム３００は、上部エッジリング３１０、エッジリング３２０、エッジリング３４０、およびエッジリング３５０を含むエッジリングの組立体を備える。図のように、上部エッジリング３１０は、逆「Ｕ」字形の断面を有する。上部エッジリング３１０は、径方向内脚３１３および径方向外脚３１４につながる環状体３１２を備える。いくつかの例では、上部エッジリング３１０は、径方向内縁３１８および径方向外縁３１９を備える。上部エッジリング３１０は、上部エッジリング３１０の上面から径方向外縁３１９に斜めに傾斜する傾斜面３１６を備える。いくつかの例ではこの角度は鋭角であるが、他の角度も用いられうる。
上部エッジリング３１０は、基板の径方向外側に位置する上面を有し、基板に対して隆起している。上部エッジリング３１０は、プラズマに直接曝露され、他のエッジリングは、上部エッジリング３１０によって遮蔽されている、または、プラズマの曝露および摩耗がより少ない径方向外側の位置に設置されている。そのため、上部エッジリング３１０は、他のエッジリングよりも速く摩耗する。いくつかの例では。上部エッジリング３１０は、既定量が摩耗した後に取り外される。一般に、他のエッジリングは、交換までより長い使用期間が残っている。様々な実施形態において特定数のエッジリングが示されているが、追加のエッジリングまたはより少ないエッジリングが用いられうる。例えば、２つ以上のエッジリングを組み合わせて１つのエッジリングにすることができる、または、１つのエッジリングを２つ以上のエッジリングに分けることができる。追加のエッジリングは、カップリング、摩耗、または構造的支持に対処するため、または他の目的のために追加されうる。
エッジリング３２０は、「Ｅ」字形の断面を有し、上部エッジリング３１０の下方に位置し、環状体３２２から上向きに延びる径方向内脚３２４、中間脚３２６、および外脚３２８を含む環状体３２２を備える。中間脚３２６は、上部エッジリング３１０の径方向内脚３１３と径方向外脚３１４との間に位置する。径方向内脚３２４は、上部エッジリング３１０の径方向内脚３１３の径方向内側で、基板１２８の下方に位置する。エッジリング３２０は、径方向内縁３３２および径方向外縁３３４を備える。エッジリング３２０はさらに、エッジリング３２０の径方向外部下面に位置する環状凹部３３６を備える。
いくつかの例では、上部エッジリング３１０の径方向外縁３１９は、処理チャンバへの基板ポート２２９の直径よりも小さい直径を有する。いくつかの例では、エッジリング３２０の径方向外縁３３４は、処理チャンバへの基板ポート２２９の直径よりも大きい。いくつかの例では、エッジリング３２０の径方向内縁３３２の直径は、上部エッジリング３１０の径方向内縁の直径よりも小さい。上部エッジリング３１０は、真空を破壊することなく基板ポートを通じて取り出されうるが、エッジリング３２０は（真空搬送モジュールが用いられた場合は真空を破壊することなく）基板ポートを通じて取り出すことができない。エッジリング３２０の径方向内縁３３２の内径がより小さく、径方向外縁３３４の外径がより大きいことで、粒子を防ぎ、欠陥を低減する傾向がある。
エッジリング３４０は、上部エッジリング３１０およびエッジリング３２０の下に位置する。エッジリング３４０は、環状体３４２を備える。環状体３４２の径方向上方内面からは、上向き突出脚３４６が延びる。環状体３４２の径方向外部下面からは、下向き突出脚３４４が延びる。
エッジリング３５０は、エッジリング３４０の径方向外側でエッジリング３２０の下方に位置する。エッジリング３５０は、環状体３５４を備える。環状体３５４の上部からは、径方向内向き突出脚３５２が延びる。その径方向外部上面からは、突出部３５６が上向きに延びる。エッジリング３２０の環状凹部３３６およびエッジリング３５０の突出部３５６は嵌合して、蛇行経路または階段状経路３５８を規定する。
エッジリング３４０下方には、環状シール３６０がベースプレート１３０とエッジリング３５０との間に配置されている。環状シール３６０は、「Ｌ」字形の断面を有する。環状シール３６０は、環状体３６２、および、環状体３６２の下部から径方向内向きに突出する脚３６４を備える。いくつかの例では、結合層１３４の端からベースプレート１３０の下端まで、ベースプレート１３０の外面にシール材３６６が取り付けられる。
いくつかの例では、シール材３６６および／または環状シール３６０は、エラストマ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、セラミック材、または別の材料などの材料で作られる。環状シール３６０の脚３６４は、保持フィーチャとして機能し、プラズマ処理中の環状シール３６０の垂直移動を制限する。脚３６４がないと、環状シール３６０は、時間とともに上に向かって移動する傾向がある。加えて、環状シール３６０は、プラズマが基板支持体の末端領域に入るのを防ぐ。いくつかの例では、脚３６４の径方向内面３７２は、ベースプレート１３０の径方向外面３７３よりも小さい直径を有する。いくつかの例では、環状体３６２の径方向内面３７４は、ベースプレート１３０の径方向外面３７３よりも大きい。
ベースプレート１３０は、ベースプレート支持体３８０、３８２、および３８４の上方に位置する。ベースプレート支持体３８４は、環状シール３６０の脚３６４を受け入れるために、ベースプレート１３０の下面下方にギャップを規定する。加熱プレート１３２の下方およびベースプレート１３０の上方には、環状シール３７０が結合層１３４の径方向外側に配置されている。環状シール３７０は、結合層１３４をプラズマ腐食および／または他の汚染から保護する。
いくつかの例では、エッジリングシステム３００は、エッジリング３２０、３３０、３４０、および３５０に対して上部エッジリング３１０を選択的に持ち上げるリフトピン（以下の実施形態に示される）を備える。エッジリング３２０および３４０、ならびにベースプレート１３０は、以下の様々な実施形態で示されるように、リフトピンが垂直に動くことができる垂直穴（例えば、図４に示された穴）を備えてよい。
次に図４を参照すると、エッジリングシステム４００が示されている。いくつかの例では、ベースプレート１３０は、本体４１８、ねじ部４２０、および頭部４２２を含む留め具４１０を受け入れるための垂直穴４１６を規定する。留め具４１０は、ベースプレート１３０の周囲に円周方向に間隔を空け、ベースプレート支持体３８０、３８２、および／または３８４などの下配置面にベースプレート１３０を取り付ける。いくつかの例では、留め具４１０は、ベースプレート支持体３８２のねじ穴に螺入される。
プラグ４３０は、垂直穴４１６の上部開口４３３とおおよそ等しい直径を有する円筒体４３１を備える。留め具４１０の上面の開口４３５に配置された、プラグ４３０の下方円筒部４３２は、より小さい直径を有する。プラグ４３０の上面は、円筒体４３１から径方向外向きに延びるフランジ４３４を備える。フランジ４３４は、垂直穴４１７の上部開口４３３よりも大きい直径を有する。
いくつかの例では、プラグ４３０は、セラミック、エラストマ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、または他の耐プラズマ材料で作られる。認識されうるように、プラグ４３０は、他の位置でも用いられうる。
エッジリング４４０は、環状体４４２の径方向外縁から延びる下向き突出脚４４４を含む環状体４４２を備える。上向き突出脚４４６は、環状体４４２の径方向内縁から上向きに延びる。エッジリング４５０は、エッジリング４４０の下向き突出脚４４４の下方に配置された環状体４５２を備える。
エッジリング４４０の下向き突出脚４４４は、その下面に位置する突出部４６２および環状凹部４６０を備える。エッジリング４５０の環状体４５２は、その上面に位置する突出部４６６および環状凹部４６４を備える。エッジリング４４０の突出部４６２および環状凹部４６０は、エッジリング４５０の突出部４６６および環状凹部４６４と嵌合して、アーキングを防ぐまたは大幅に低減するために階段状経路、蛇行経路、またはラビリンス経路を提供する。認識されうるように、同様の階段状配置は、上記の環状シール３６０およびエッジリング３４０によって用いられうる。
次に図５を参照すると、エッジリングシステム５００は、逆「Ｕ」字形を有する上部エッジリング５１０を備える。上部エッジリング５１０は、径方向内脚５１３および径方向外脚５１４につながる環状体５１２を備える。上部エッジリング５１０は、径方向内縁５１８および径方向外縁５１９を備える。上部エッジリング５１０は、上部エッジリング５１０の上面から径方向外縁５１９まで鋭角に傾斜する傾斜面５１６を備える。上部エッジリング５１０の下方内面５４４（径方向外脚５１４と径方向内脚５１３との間に位置する）は、エッジリング３２０に対して空洞５４６を規定する。下方内面５４４は、上部エッジリング５７０が１つ以上のリフトピンによって持ち上げられたときに、上部エッジリング５７０を中心に置いて保持するように機能する。
いくつかの例では、下方内面５４４は、基板１２８を含む平面に平行に延びる（エッジリング３２０から間隔を空けた、エッジリング３２０の中間脚３２６の上面のわずかに下方の位置）。径方向外脚５１４は、中間脚３２６と外脚３２８との間でエッジリング３２０に近接して延びる。エッジリング３２０は、リフトピンが通ることができるように垂直穴５３３を備える。
エッジリング５２０は、環状体５２２、および、環状体５２２の径方向内面から延びる上向き突出脚５２４を備える。下向き突出脚５２６は、環状体５２２の径方向外部下面から下向きに延びる。垂直穴５２８は、リフトピン５３０が垂直に動くことができるように、エッジリング５２０の上向き突出脚５２４内に位置する。いくつかの例では、リフトピン５３０は、テーパ状の上部５３２を備える。エッジリング５２０は、ベースプレート１３０の垂直穴５４２に配置されたガイドスリーブ５４０のための隙間を提供するように突出部５３４および環状凹部５３５を規定する。いくつかの例では、リフトピン５３０は、セラミック材または他の材料で被覆される。垂直穴５４２は、垂直穴５３３および５２８と並んでいる。
次に図６を参照すると、エッジリングシステム６００は、ベースプレート、エッジリング、または別の種類の支持構造などの構造６１０を備える。構造６１０は、垂直穴６１２を規定する。外側ガイドスリーブ６１４は、上部開口から垂直穴６１２に挿入される。外側ガイドスリーブ６１４は、リフトピン（図示せず）を受け入れるための内側穴６１６を規定する。外側ガイドスリーブ６１４は、垂直穴６１２の上部開口を越えて径方向外向きに延びるフランジ部６２４を備える。外側ガイドスリーブ６１４はさらに、垂直穴６１２の底部開口付近で垂直穴６１２において下向きに延びる円筒部６２６を備える。いくつかの例では、内側穴６１６は、垂直穴６１２の開口下方の６２８で径方向に広がる。
いくつかの例では、垂直穴６１２は、垂直穴６１２の上部の直径よりも小さい直径を有する（外側ガイドスリーブ６１４の円筒部６２６の下方に配置された）下部６２９を備える。内側ガイドスリーブ６３０は、底部開口から外側ガイドスリーブ６５０の内側穴６１６に挿入される。内側ガイドスリーブ６３０は、垂直穴６１２の底部開口を越えて径方向に延びるフランジ部６３４を備える。内側ガイドスリーブ６３０はさらに、フランジ部６３４から延び、内側穴６３８を規定する円筒部６３６を備える。内側ガイドスリーブ６３０は、外側ガイドスリーブ６１４の内側穴６１６に受け入れられる。
構造６１０は、内側ガイドスリーブ６３０の内側穴６３８と並ぶ垂直穴６４２を規定する支持面６４０の上方に配置されている。リフトピン（図示せず）は、垂直穴６４２および内側穴６３８に受け入れられる。
次に図７を参照すると、リフトピン７３０を案内するための下部ガイドスリーブ７１０は、内側穴７１６を規定する円筒部７１４から径方向外向きに延びるフランジ部７１２を備えることが示されている。フランジ部７１２の下面は、Ｏリング７１８の上面に係合するための溝７１７を備える。Ｏリング７１８は、下部ガイドスリーブ７１０によって、支持面６４０の上方穴部７２３の上面７２２に対して付勢される。下方穴部７２５は、上方穴部７２３の下方に位置し、上方穴部７２３よりも小さい直径を有する。リフトピン７３０は、下部ガイドスリーブ７１０の内側穴７１６、ならびに下部ガイドスリーブおよび上部ガイドスリーブの内部空洞に相互に受け入れられる。下部ガイドスリーブは、端子接合領域におけるアーキングを防ぐ、または大幅に低減する。
次に図８を参照すると、リフトピン用の上部ガイドスリーブを備えるエッジリングシステム８００が示されている。上部エッジリング８１０は、逆「Ｕ」字形を有し、環状体８１４、径方向内脚８１２、および径方向外脚８１６を備える。エッジリング８２０は、エッジリング８１０の下方に配置され、環状体８２２、環状体８２２から上向きに突出した径方向内脚８２４、および環状体８２２の中間部分から上向きに突出した中間脚８２６を備える。脚８２７は、環状体８２２から径方向外向きに突出し、リフトピンを受け入れるための垂直穴８２８を規定する。
エッジリング８３０は、環状体８３２であって、その上面から延びる径方向内向き突出脚８３４、および、環状体８３２の径方向外部下面から下向きに延びる下向き突出脚８３６を備える環状体８３２を備える。環状体８３２はさらに、ガイドスリーブ８５０の上部を受け入れて取り囲む、環状凹部８３８および突出部８４１を規定する。突出部８４１は、エッジリング８３０の環状体８３２の径方向下方内面から下向きに突出する。環状体８３２はさらに、下方穴８４２と並ぶ上方穴８４０を備える。下方穴８４２は、上方穴８４０よりも大きい直径を有する。
エッジリング８４５は、エッジリング８１０、８２０、および８３０の径方向外側に位置する。エッジリング８４５は、環状体８４６の中間部分から突出した径方向内向き突出部８４８を有する環状体８４６を備える。環状凹部８４９は、径方向内向き突出部８４８の上方に位置し、エッジリング８１０および８２０を受け入れるように構成されている。
ガイドスリーブ８５０は、ベースプレート１３０の垂直穴８５２に配置されている。ガイドスリーブ８５０は、垂直穴８５２の上部開口を越えて径方向に延びるフランジ８５３を備える。ガイドスリーブ８５０はさらに、フランジ８５３から垂直穴８５２に沿ってその中に下向きに延びる円筒部８５５を備える。ガイドスリーブ８５０は、内側穴８５４を規定する。いくつかの例では、エッジリング８３０の下方で、ベースプレート１３０とエッジリング８４５の環状体８４６との間に、セラミックバンド８７２が配置される。
上部ガイドスリーブ８８０は、穴８４２に受け入れられる。上部ガイドスリーブ８８０は、細長いドーナツ形状を有し、中央垂直穴８８２を備える。リフトピン８８４は、ガイドスリーブ８５０の内側穴８５４、エッジリング８３０の上方穴８４０および下方穴８４２、上部ガイドスリーブ８８０の中央垂直穴８８２、ならびにエッジリング８２０の垂直穴８２８に受け入れられる。上部ガイドスリーブ８８０は、アーキングを低減する。
前述は本質的に単なる説明であり、本開示、その適用、または使用を決して限定する意図はない。本開示の広義の教示は、様々な形態で実施されうる。よって、本開示は特定の例を含むが、本図面、本明細書、および以下の特許請求の範囲を検討すると他の変更形が明らかになるため、本開示の真の範囲はそれほど限定されるべきでない。方法内の１つ以上の工程は、本開示の原理を変更することなく、異なる順序で（または、同時に）実行されてよいことを理解されたい。さらに、各実施形態は特定の特徴を有するように上述されているが、本開示の実施形態に関して説明されたそれらの特徴の任意の１つ以上は、他の実施形態において実施されうる、および／または、他の実施形態の特徴と組み合わせて（その組み合わせが明記されていない場合でも）実施されうる。つまり、記載の実施形態は互いに排他的でなく、１つ以上の実施形態の相互の並べ替えは、本開示の範囲内に留まる。
要素間（例えば、モジュール間、回路素子間、半導体層間など）の空間的関係および機能的関係は、「接続された」、「係合された」、「結合された」、「隣接する」、「近接する」、「上に」、「上方」、「下方」、および「配置された」を含む様々な用語を用いて説明される。上記開示において第１の要素と第２の要素との関係が説明されるときは、「直接的」であると明記されない限り、その関係は、第１の要素と第２の要素との間に他の介在要素が存在しない直接的関係でありうるが、同時に、第１の要素と第２の要素との間に１つ以上の介在要素が（空間的または機能的に）存在する間接的関係でもありうる。本明細書で用いられる、Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つという表現は、非排他的論理ＯＲを用いる論理（Ａ ＯＲ Ｂ ＯＲ Ｃ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａのうちの少なくとも１つ、Ｂのうちの少なくとも１つ、およびＣのうちの少なくとも１つ」を意味すると解釈されるべきでない。
いくつかの実施形態では、コントローラは、上述の例の一部でありうるシステムの一部である。かかるシステムは、処理ツール、チャンバ、処理用プラットフォーム、および／または、特定の処理部品（ウエハ台座、ガス流システムなど）を備える半導体処理装置を含みうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後の動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。これらの電子機器は、システムの様々な構成部品または副部品を制御できる「コントローラ」と呼ばれてよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムの種類に応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置動作設定、ツールおよび他の搬送ツールおよび／または特定のシステムに接続もしくは結合されたロードロックに対するウエハ搬入出を含む、本明細書に開示されたあらゆるプロセスを制御するようにプログラムされてよい。
概してコントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェア形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１つ以上のマイクロプロセッサもしくはマイクロコントローラを含んでよい。プログラム命令は、様々な個別設定（または、プログラムファイル）の形でコントローラに伝達される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上でもしくは半導体ウエハ向けに、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してよい。いくつかの実施形態では、動作パラメータは、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ウエハダイの製造時における１つ以上の処理工程を実現するために、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
いくつかの実施形態では、コントローラは、システムと統合もしくは結合された、そうでなければシステムにネットワーク接続された、もしくはこれらが組み合わされたコンピュータの一部であってよい、またはそのコンピュータに結合されてよい。例えばコントローラは、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にする「クラウド」内にあってよい、またはファブホストコンピュータシステムの全てもしくは一部であってよい。コンピュータはシステムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の進捗状況を監視し、過去の製造動作の経歴を調査し、複数の製造動作から傾向または性能の基準を調査して、現行の処理のパラメータを変更してよい、または現行の処理に続く処理工程を設定してよい、または新しいプロセスを開始してよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ローカルネットワークまたはインターネットを含みうるネットワークを通じて、プロセスレシピをシステムに提供できる。リモートコンピュータは、次にリモートコンピュータからシステムに伝達されるパラメータおよび／もしくは設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインタフェースを含んでよい。いくつかの例では、コントローラは、１つ以上の動作中に実施される各処理工程のパラメータを特定するデータ形式の命令を受信する。パラメータは、実施されるプロセスの種類、および、コントローラが接続するまたは制御するように構成されたツールの種類に固有であってよいことを理解されたい。よって、上述のようにコントローラは、例えば互いにネットワーク接続された１つ以上の別々のコントローラを含むことと、本明細書に記載のプロセスや制御などの共通の目的に向けて協働することとによって分散されてよい。かかる目的で分散されたコントローラの例は、遠隔に（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）設置され、協働してチャンバにおけるプロセスを制御する１つ以上の集積回路と連通する、チャンバ上の１つ以上の集積回路だろう。
制限するのではなく、例示のシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはプラズマエッチングモジュール、堆積チャンバまたは堆積モジュール、スピンリンスチャンバまたはスピンリンスモジュール、金属めっきチャンバまたは金属めっきモジュール、洗浄チャンバまたは洗浄モジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはベベルエッジエッチングモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはＰＶＤモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはＣＶＤモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはＡＬＤモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはＡＬＥモジュール、イオン注入チャンバまたはイオン注入モジュール、トラックチャンバまたはトラックモジュール、ならびに、半導体ウエハの製作および／もしくは製造において関連もしくは使用しうる他の半導体処理システムを含んでよい。
上述のように、コントローラは、ツールによって実施される処理工程に応じて、他のツール回路もしくはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に設置されたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または、半導体製造工場においてツール位置および／もしくはロードポートに対してウエハ容器を搬入出する材料搬送に用いられるツール、のうちの１つ以上と連通してよい。
Claims (29)
- 基板処理システムのためのエッジリングシステムであって、
内径および外径を有する環状体を備える上部エッジリングであって、前記上部エッジリングの前記外径は、前記基板処理システムの基板ポートの水平開口よりも小さい、上部エッジリングと、
前記上部エッジリングの下方に配置された第１のエッジリングであって、内径および外径を有する環状体を備え、前記第１のエッジリングの前記外径は、前記基板処理システムの前記基板ポートよりも大きく、前記第１のエッジリングの前記内径は、前記上部エッジリングの前記内径よりも小さい、第１のエッジリングと、
を備える、エッジリングシステム。 - 請求項１に記載のエッジリングシステムであって、
前記上部エッジリングの下面は、前記第１のエッジリングの上面と嵌合する、エッジリングシステム。 - 請求項１に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記第１のエッジリングの下方で、前記基板処理システムのベースプレートの径方向外側に位置する第２のエッジリングを備える、エッジリングシステム。 - 請求項３に記載のエッジリングシステムであって、
前記第２のエッジリングは、
環状体と、
前記環状体の径方向内部上部から延びる上向き突出脚と、
前記環状体の径方向外部下部から延びる下向き突出脚と、
を備える、エッジリングシステム。 - 請求項３に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記第１のエッジリングの下方で、前記第２のエッジリングの径方向外側に位置する第３のエッジリングを備える、エッジリングシステム。 - 請求項５に記載のエッジリングシステムであって、
前記第３のエッジリングは、
環状体と、
前記環状体の上部から延びる径方向内向き突出脚と、
前記環状体の径方向外部上面から上向きに延びる突出部と、
を備える、エッジリングシステム。 - 請求項６に記載のエッジリングシステムであって、
前記第１のエッジリングは、その径方向外部下面に環状凹部を有し、
前記第３のエッジリングの前記突出部は、前記環状凹部と嵌合して階段状経路を規定する、エッジリングシステム。 - 請求項５に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記第２のエッジリングの下方で、前記第３のエッジリングと前記基板処理システムの前記ベースプレートとの間に配置された環状シールを備える、エッジリングシステム。 - 請求項８に記載のエッジリングシステムであって、
前記環状シールは、環状体、および、前記環状体の下部から径方向内向きに延びる脚を備える、エッジリングシステム。 - 請求項９に記載のエッジリングシステムであって、
前記脚の径方向内面の直径は、前記ベースプレートの外径よりも小さい、エッジリングシステム。 - 請求項１０に記載のエッジリングシステムであって、
前記環状シールの前記環状体の径方向内面の直径は、前記ベースプレートの前記外径よりも大きい、エッジリングシステム。 - 請求項１に記載のエッジリングシステムであって、
前記上部エッジリングは、前記上部エッジリングの径方向内脚と径方向外脚との間の前記上部エッジリングの下方内面と、前記第１のエッジリングと、によって規定された空洞を備え、
前記下方内面は、前記上部エッジリングの前記径方向外脚の下面よりも垂直方向で高い位置に配される、エッジリングシステム。 - 請求項９に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記ベースプレートと前記環状シールとの間、および、前記ベースプレートと前記第２のエッジリングとの間で、基板支持体のベースプレートの外面に配置されたシール材を備える、エッジリングシステム。 - 請求項１３に記載のエッジリングシステムであって、
前記シール材は、前記ベースプレートと前記環状シールの上面部分との間に配置されている、エッジリングシステム。 - 請求項３に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記ベースプレートに規定され、上部開口および下部開口を有する垂直穴と、
本体、ねじ部、および頭部を有する留め具であって、前記垂直穴に受け入れられ、前記ベースプレートを下配置面に取り付ける、留め具と、
本体を有するプラグであって、前記プラグの前記本体は、前記留め具の前記頭部上方で前記垂直穴の上部開口に受け入れられる、プラグと、
を備える、エッジリングシステム。 - 請求項１５に記載のエッジリングシステムであって、
前記プラグは、さらに、前記本体から径方向外向きに延びるフランジ部を有し、
前記フランジ部は、前記上部開口の径方向外側に延びる、エッジリングシステム。 - 請求項１５に記載のエッジリングシステムであって、
前記プラグは、セラミック、エラストマ、およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる群より選択された材料で作られている、エッジリングシステム。 - 請求項１に記載のエッジリングシステムであって、
前記上部エッジリングは、前記第１のエッジリングに対して移動可能である、エッジリングシステム。 - 請求項１８に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記上部エッジリングを前記第１のエッジリングに対して選択的に動かすために、前記第１のエッジリングを通じて垂直穴に受け入れられるリフトピンを備える、エッジリングシステム。 - 請求項１９に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
第２のエッジリングを備え、前記リフトピンは、さらに、前記上部エッジリングを前記第２のエッジリングに対して選択的に動かすように構成されている、エッジリングシステム。 - 請求項１９に記載のエッジリングシステムであって、さらに、
前記リフトピンを付勢するように構成されたアクチュエータと、
センサの出力、および、前記上部エッジリングがプラズマに曝露される既定期間の少なくともいずれかに応答して、前記アクチュエータに前記リフトピンの位置を調節させるように構成されたコントローラと、
を備える、エッジリングシステム。 - 基板処理システムのための基板支持体であって、
ベースプレートと、
前記ベースプレートに既定され、上部開口および下部開口を有する垂直穴と、
第１のフランジ部、および、前記第１のフランジ部から延びて第１の内側穴を規定する第１の円筒部を有する外側ガイドスリーブであって、前記外側ガイドスリーブの前記第１の円筒部は、前記第１のフランジ部が前記垂直穴の前記上部開口に隣接して配置された状態で前記垂直穴の前記上部開口に挿入されている、外側ガイドスリーブと、
第２のフランジ部と、前記第２のフランジ部から延びる第２の円筒部であってリフトピンを受け入れるように構成された第２の内側穴を規定する第２の円筒部と、を有する内側ガイドスリーブであって、前記内側ガイドスリーブは、前記第２のフランジ部が前記垂直穴の前記下部開口に隣接して配置された状態で、前記垂直穴の底部開口および前記外側ガイドスリーブの前記第１の内側穴に挿入されている、内側ガイドスリーブと、
を備える、基板支持体。 - 請求項２２に記載の基板支持体であって、
前記垂直穴の前記上部開口は、前記第１の円筒部の外径よりも大きく、前記第１のフランジ部の外径よりも小さい第１の直径を有する、基板支持体。 - 請求項２３に記載の基板支持体であって、
前記垂直穴の前記下部開口は、前記第１の直径よりも小さく、前記第２の円筒部の外径よりも大きく、前記第２のフランジ部の外径よりも小さい第２の直径を有する、基板支持体。 - 請求項２２に記載の基板支持体であって、
前記上部開口の第１の直径は、前記下部開口の第２の直径よりも小さい、基板支持体。 - 請求項２２に記載の基板支持体であって、さらに、
前記基板支持体の周囲に配置されたエッジリングと、
前記内側ガイドスリーブの前記第２の内側穴に受け入れられたリフトピンと、
を備える、基板支持体。 - 請求項２２に記載の基板支持体であって、さらに、
前記ベースプレートの下方に位置し、前記ベースプレートの前記垂直穴と垂直に並ぶ垂直穴を有する下配置面と、
第３のフランジ部と、前記第３のフランジ部から延びる第３の円筒部と、を有するガイドスリーブであって、前記ガイドスリーブは、前記下配置面の前記垂直穴内に位置し、前記第３のフランジ部は、前記第２のフランジ部に隣接する、ガイドスリーブと、
を備える、基板支持体。 - 請求項２７に記載の基板支持体であって、
前記第３のフランジ部は、溝を有し、さらに、前記溝に配置されたＯリングを備える、基板支持体。 - 請求項２８に記載の基板処理システムであって、
前記Ｏリングは、前記第３のフランジ部によって前記垂直穴の水平面に対して付勢される、基板処理システム。
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