JP2022541557A - Ledアレイ - Google Patents
Ledアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022541557A JP2022541557A JP2022503481A JP2022503481A JP2022541557A JP 2022541557 A JP2022541557 A JP 2022541557A JP 2022503481 A JP2022503481 A JP 2022503481A JP 2022503481 A JP2022503481 A JP 2022503481A JP 2022541557 A JP2022541557 A JP 2022541557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- led structures
- cross
- array
- sectional area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 145
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000003491 array Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
半導体層は、LED構造のすべてに対する共通電気的コンタクトを与え得る。
Claims (20)
- 発光ダイオード(LED)アレイを製造する方法であって、III族窒化物材料の半導体層を形成するステップと、前記半導体層を覆う誘電マスク層を形成するステップであって、前記誘電マスク層は、前記半導体層の区域を各々が露出させる、前記誘電マスク層を貫通する孔のアレイを有する、形成するステップと、前記孔の各々の中でLED構造を成長させるステップと、を含み、前記孔のアレイは、第1の断面積を各々が有する第1のセットの孔と、前記第1の断面積とは異なる第2の断面積を各々が有する第2のセットの孔とを含む、方法。
- 前記第1の断面積は、前記第2の断面積より少なくとも1%大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記LED構造の各々は、前記LED構造が、第1の断面積を各々が有する第1のセットのLED構造と、前記第1の断面積とは異なる第2の断面積を各々が有する第2のセットのLED構造とを含むように前記各々がその中で成長させられる前記孔を充塞する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1のセットのLED構造は、第1のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成され、前記第2のセットのLED構造は、前記第1のピーク波長とは異なる第2のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成される、請求項3に記載の方法。
- 前記孔のアレイは、前記第1および第2の断面積とは異なる第3の断面積を各々が有する第3のセットの孔をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記LED構造のアレイは、前記第3のセットの孔の中で成長させられる第3のセットのLED構造を含み、前記第3のセットのLED構造は、前記第1および第2のピーク波長とは異なる第3のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成される、請求項5に記載の方法。
- 前記LED構造は、複数の群をなして配置構成され、前記方法は、複数のコンタクトを形成するステップであって、前記コンタクトの各々は、前記LED構造の群のうちのそれぞれの1つに接続され、以て、前記LED構造の群の各々は、LED構造の他の群から独立にアクティブ化され得る、形成するステップをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記LED構造の群の各々は、前記LED構造のセットの各々からの少なくとも1つのLED構造を含む、請求項3または5に従属する場合の、請求項7に記載の方法。
- 前記LED構造の群の各々は、前記LED構造のセットのうちの1つからのLED構造のみを含む、請求項3または5に従属する場合の、請求項7に記載の方法。
- 前記孔のセットの各々は、規則的なアレイをなして配置構成される、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 半導体層と、誘電層であって、前記半導体層の上方に広がり、前記誘電層を貫通して延びるLED構造のアレイを有する、誘電層と、を含むLEDアレイであって、前記LED構造は、第1の断面積を各々が有する第1のセットのLED構造と、前記第1の断面積とは異なる第2の断面積を各々が有する第2のセットのLED構造とを含む、LEDアレイ。
- 前記第2の断面積は、前記第1の断面積より少なくとも1%大きい、請求項11に記載のLEDアレイ。
- 前記LED構造の各々は、前記半導体層を貫通するそれぞれの孔の中で形成され、前記孔は、第1の断面積を各々が有する第1のセットの孔と、前記第1の断面積とは異なる第2の断面積を各々が有する第2のセットの孔とを含む、請求項11または12に記載のLEDアレイ。
- 前記第1のセットのLED構造は、第1のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成され、前記第2のセットのLED構造は、前記第1のピーク波長とは異なる第2のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成される、請求項11から13のいずれか一項に記載のLEDアレイ。
- 前記LED構造は、前記第1および第2の断面積とは異なる第3の断面積を各々が有する第3のセットのLED構造をさらに含む、請求項11から14のいずれか一項に記載のLEDアレイ。
- 前記第3のセットのLED構造は、前記第1および第2のピーク波長とは異なる第3のピーク波長を有する光を発光するように各々が配置構成される、請求項14に従属する場合の、請求項15に記載のLEDアレイ。
- 前記LED構造は、複数の群をなして配置構成され、前記アレイは、複数のコンタクトをさらに含み、前記コンタクトの各々は、前記LED構造の群のうちのそれぞれの1つに接続され、以て、前記LED構造の群の各々は、LED構造の他の群から独立にアクティブ化され得る、請求項11から16のいずれか一項に記載のLEDアレイ。
- 前記LED構造の群の各々は、前記LED構造のセットの各々からの少なくとも1つのLED構造を含む、請求項17に記載のLEDアレイ。
- 前記LED構造の群の各々は、前記LED構造のセットのうちの1つからのLED構造のみを含む、請求項17に記載のLEDアレイ。
- LED構造の各々のセットは、規則的なアレイをなして配置構成される、請求項11から19のいずれか一項に記載のLEDアレイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB1910348.0A GB201910348D0 (en) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | LED Arrays |
GB1910348.0 | 2019-07-19 | ||
PCT/EP2020/069911 WO2021013641A1 (en) | 2019-07-19 | 2020-07-14 | Led arrays |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022541557A true JP2022541557A (ja) | 2022-09-26 |
JPWO2021013641A5 JPWO2021013641A5 (ja) | 2023-01-11 |
Family
ID=67839820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022503481A Pending JP2022541557A (ja) | 2019-07-19 | 2020-07-14 | Ledアレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220262848A1 (ja) |
EP (1) | EP4000093A1 (ja) |
JP (1) | JP2022541557A (ja) |
CN (1) | CN114424350A (ja) |
GB (1) | GB201910348D0 (ja) |
WO (1) | WO2021013641A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI789764B (zh) | 2021-05-21 | 2023-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法與發光裝置的製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3906654B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
KR101710159B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2017-03-08 | 삼성전자주식회사 | Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법 |
CN103190005A (zh) * | 2010-11-04 | 2013-07-03 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 基于结晶弛豫结构的固态发光器件 |
WO2014197799A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Glo-Usa, Inc. | Multicolor led and method of fabricating thereof |
WO2016049507A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Glo Ab | Monolithic image chip for near-to-eye display |
-
2019
- 2019-07-19 GB GBGB1910348.0A patent/GB201910348D0/en not_active Ceased
-
2020
- 2020-07-14 JP JP2022503481A patent/JP2022541557A/ja active Pending
- 2020-07-14 WO PCT/EP2020/069911 patent/WO2021013641A1/en unknown
- 2020-07-14 US US17/597,698 patent/US20220262848A1/en active Pending
- 2020-07-14 EP EP20753677.2A patent/EP4000093A1/en active Pending
- 2020-07-14 CN CN202080066179.4A patent/CN114424350A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4000093A1 (en) | 2022-05-25 |
GB201910348D0 (en) | 2019-09-04 |
CN114424350A (zh) | 2022-04-29 |
WO2021013641A1 (en) | 2021-01-28 |
US20220262848A1 (en) | 2022-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111129026B (zh) | 多色发光器件及制造这种器件的方法 | |
TWI803827B (zh) | 高分辨率單體式rgb陣列 | |
JP2024026392A (ja) | Ledアレイ | |
JP2024056843A (ja) | Ledアレイ | |
US20230378237A1 (en) | Led device and method of manufacture | |
KR20190044492A (ko) | 마이크로 led 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 | |
JP2022541557A (ja) | Ledアレイ | |
TWI829038B (zh) | 電壓可控的單片原生rgb陣列 | |
US7888152B2 (en) | Method of forming laterally distributed LEDs | |
TWI803841B (zh) | 高分辨率單體式rgb陣列 | |
KR102463022B1 (ko) | 나노로드 led의 제조방법 | |
CN110518102B (zh) | 一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层 | |
KR20200051380A (ko) | 패시브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 led 소자 및 이의 제조방법 | |
KR20200058833A (ko) | 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 led |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221227 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240325 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |